KR20170117510A - 개선된 rf 리턴을 갖는 기판 지지부 - Google Patents

개선된 rf 리턴을 갖는 기판 지지부 Download PDF

Info

Publication number
KR20170117510A
KR20170117510A KR1020177025702A KR20177025702A KR20170117510A KR 20170117510 A KR20170117510 A KR 20170117510A KR 1020177025702 A KR1020177025702 A KR 1020177025702A KR 20177025702 A KR20177025702 A KR 20177025702A KR 20170117510 A KR20170117510 A KR 20170117510A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate support
substrate
disposed
conductive element
support
Prior art date
Application number
KR1020177025702A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102537310B1 (ko
Inventor
아라빈드 미야르 카마스
쳉-싱 차이
잘레팔리 라비
토모하루 마쓰시타
유 창
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20170117510A publication Critical patent/KR20170117510A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102537310B1 publication Critical patent/KR102537310B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 장치가 본원에서 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부는, 지지 표면을 갖는 바디; RF 소스로부터 RF 전류를 수용하기 위해 바디에서 지지 표면 근처에 배치된 RF 전극; 바디를 지지하기 위한 샤프트; 내부 볼륨을 갖고, 샤프트를 통해 연장되는 전도성 엘리먼트 ― 전도성 엘리먼트는 RF 전극에 커플링됨 ―; 및 RF 개스킷을 포함하며, 여기에서, 전도성 엘리먼트는 접지로 RF 전류를 리턴하기 위해 RF 개스킷과 맞물리는 피처들을 포함한다.

Description

개선된 RF 리턴을 갖는 기판 지지부
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 시스템들에 관한 것이고, 더 구체적으로, 기판 프로세싱 시스템들에서 사용하기 위한 기판 지지부들에 관한 것이다.
[0002] 기판 프로세싱 장치는 전형적으로, 프로세싱 동안에 기판을 지지하기 위한 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는 무선 주파수(RF) 소스로부터 RF 전류를 수용하기 위해 기판 프로세싱 표면 근처에 배치된 RF 전극을 포함할 수 있다. 예컨대, RF 전극은 접지로의 RF 리턴(return)으로서 작용할 수 있거나, 또는 RF 전극에 커플링된 RF 소스를 가질 수 있다. RF 전극은, RF 전극에 RF 전류를 제공하거나, 또는 접지에 RF 전류를 리턴하기 위해, 로드(rod), 와이어 등에 커플링될 수 있다. 기판 지지부는, 기판 프로세싱 표면 상에 배치되는 경우에 기판을 가열하기 위해 기판 프로세싱 표면 근처에 배치된 가열기를 더 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명자들은, RF 리턴 경로의 경로에 있는 열전대(thermocouple)들 및 AC 전력 리드들이 RF 노이즈에 의해 악영향을 받는다는 것을 관찰하였다.
[0003] 따라서, 본 발명자들은 개선된 기판 프로세싱 장치를 제공하였다.
[0004] 기판을 프로세싱하기 위한 장치가 본원에서 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부는, 지지 표면을 갖는 바디(body); RF 소스로부터 RF 전류를 수용하기 위해 바디에서 지지 표면 근처에 배치된 RF 전극; 바디를 지지하기 위한 샤프트; 내부 볼륨을 갖고, 샤프트를 통해 연장되는 전도성 엘리먼트 ― 전도성 엘리먼트는 RF 전극에 커플링됨 ―; 및 RF 개스킷을 포함하며, 여기에서, 전도성 엘리먼트는 접지로 RF 전류를 리턴하기 위해 RF 개스킷과 맞물리는 피처(feature)들을 포함한다.
[0005] 몇몇 실시예들에서, 기판 프로세싱 시스템은, 프로세싱 볼륨을 에워싸는 프로세스 챔버; 및 프로세싱 볼륨에 배치된 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는, 지지 표면을 갖는 바디; RF 소스로부터 RF 전류를 수용하기 위해 바디에서 지지 표면 근처에 배치된 RF 전극; 바디를 지지하기 위한 샤프트; 내부 볼륨을 갖고, 샤프트를 통해 연장되는 전도성 엘리먼트 ― 전도성 엘리먼트는 RF 전극에 커플링됨 ―; 및 RF 개스킷을 포함하며, 여기에서, 전도성 엘리먼트는 접지로 RF 전류를 리턴하기 위해 RF 개스킷과 맞물리는 피처들을 포함한다.
[0006] 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부는, 지지 표면을 갖는 바디; RF 소스로부터 RF 전류를 수용하기 위해 바디에서 지지 표면 근처에 배치된 RF 전극; 바디를 지지하기 위한 샤프트; 내부 볼륨을 갖고, 샤프트를 통해 연장되는 전도성 엘리먼트 ― 전도성 엘리먼트는 RF 전극에 커플링됨 ―; 및 RF 개스킷 ― 전도성 엘리먼트는 접지로 RF 전류를 리턴하기 위해 RF 개스킷과 맞물리는 피처들을 포함함 ―; 기판 지지부에 또는 기판 지지부로부터 열을 전달하기 위한 열 전달 바디; 샤프트와 열 전달 바디 사이에 커플링된 어댑터 부분 ― RF 개스킷은 어댑터 부분과 열 전달 바디 사이에 배치됨 ―; 지지 표면 상에 배치되는 경우에 기판에 열을 제공하기 위해 기판 지지부에서 지지 표면 근처에 배치된 가열기 ― 가열기는 가열기에 전력을 제공하기 위해 전도성 엘리먼트의 내부 볼륨에 배치된 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들을 가짐 ―; 지지 표면 상에 배치되는 경우에 기판의 온도를 측정하기 위해 전도성 엘리먼트의 내부 볼륨에 배치된 열전대; 및 어댑터 부분을 둘러싸는 환상 바이어스가능(biasable) 엘리먼트를 포함하며, 여기에서, 환상 바이어스가능 엘리먼트는, 기판 지지부가 프로세싱 위치에 있는 경우에, 어댑터 부분과 접촉하고, 여기에서, 환상 바이어스가능 엘리먼트는, 기판 지지부가 프로세싱 위치에 있지 않는 경우에, 어댑터 부분으로부터 이격되고, 여기에서, 환상 바이어스가능 엘리먼트는 기판 지지부가 배치된 프로세스 챔버의 플로어(floor)에 커플링된다.
[0007] 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 아래에서 설명된다.
[0008] 위에서 간략히 요약되고 아래에서 더 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에서 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로, 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템의 개략도를 도시한다.
[0010] 도 2는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 지지부의 부분적인 개략도를 도시한다.
[0011] 도 3은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 시트 금속 컷아웃(sheet metal cutout)의 개략도를 도시한다.
[0012] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지시하기 위해 가능한 경우에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 도시된 것이 아니고, 명료성을 위해 간략화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있다.
[0013] 기판을 프로세싱하기 위한 장치가 본원에서 개시된다. 본 발명의 장치의 실시예들은 유리하게, RF 전류 접지 경로를 단축(shorten)시킬 수 있고, 기판 지지부에 존재하는 열전대 또는 다른 온도 모니터링 디바이스에 의해 이루어지는 온도 측정들의 왜곡을 방지할 수 있다.
[0014] 다음의 설명은 도 1 및 도 2를 참조하여 이루어질 것이다. 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템의 개략도를 도시한다. 도 2는 도 1의 기판 프로세싱 시스템의 부분적인 개략도를 도시한다. 예컨대, 기판 프로세싱 시스템(100)은 프로세싱 볼륨(104)을 갖는 프로세스 챔버(102), 및 기판(105)을 지지하기 위해 프로세싱 볼륨(104)에 배치된 기판 지지부(106)를 포함할 수 있다. 프로세스 챔버(102)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성 재료들로 형성된 벽들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 예컨대, 프로세스 챔버(102)가 용량성 또는 유도성 결합 플라즈마 애플리케이션들을 위해 구성되는 경우에, 프로세스 챔버는 유전체 재료를 포함하는 천장(미도시)을 가질 수 있다. 예시적인 프로세스 챔버들은 원격 유도성 결합 또는 용량성 결합 플라즈마 중 하나 또는 그 초과를 생성하기 위해 사용되는 프로세스 챔버들과 같은 임의의 적합한 플라즈마 프로세스 챔버를 포함할 수 있다. 적합한 프로세스 챔버들은, 캘리포니아, 산타 클라라의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 입수가능한, DPS®, ENABLER®, ADVANTEDGETM, 또는 다른 프로세스 챔버들을 포함할 수 있다. 다른 적합한 프로세스 챔버들이 유사하게 사용될 수 있다.
[0015] 기판 지지부(106)는 지지 표면(108)을 갖는 바디(107), 및 바디(107)를 지지하기 위한 샤프트(110)를 포함할 수 있다. 도 1에서 페데스탈(pedestal)-타입 설계로 예시되지만, 기판 지지부는 지지 표면 및 부재, 이를테면 샤프트(110) 또는 지지 표면을 지지하기 위한 임의의 다른 적합한 부재를 갖는 임의의 적합한 기판 지지부일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(106)는 예컨대 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 알루미늄 질화물(AlN)과 같은 세라믹 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(106)는 어댑터 부분(160)을 통해 열 전달 바디(170)에 커플링될 수 있다. 열 전달 바디(170)는 수행되고 있는 프로세스에 따라 기판 지지부(106)를 냉각시킬 수 있거나, 또는 기판 지지부(106)에 열을 전달할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 열 전달 바디(170)는 채널들(미도시)을 포함하고, 그 채널들을 통해, 기판 지지부(106)를 냉각시키기 위해 냉각제가 흐르게 된다.
[0016] 기판 지지부(106)는, RF 소스로부터 RF 전류를 수용하기 위해, 기판 지지부(106)에서 지지 표면 근처에 배치된 RF 전극(112)(예컨대, 제 1 RF 전극)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 1에서의 주요 뷰(primary view)에서 예시된 바와 같이, RF 전극(112)은 RF 리턴 경로를 제공할 수 있고, 전도성 엘리먼트(114)를 통해 접지에 커플링될 수 있다. 예컨대, RF 전극(112)은, 예컨대, 프로세스 챔버(102)가 용량성 결합 플라즈마 장치로서 구성되는 경우에, RF 리턴 경로로서 기능할 수 있다. 용량성 결합 플라즈마 장치에서, 도 1에서의 주요 뷰에서 예시된 바와 같이, 제 2 RF 전극(116)이 기판 지지부(106) 위에 배치될 수 있다. 도 1에서의 주요 뷰에서 예시된 바와 같이, 제 2 RF 전극(116)은 프로세싱 볼륨(104)에 배치될 수 있고, RF 소스(118)가 제 2 전극(116)에 커플링될 수 있다. 예컨대, 제 2 RF 전극(116)은, 샤워헤드(미도시)일 수 있거나, 또는 도 1에서 예시된 바와 같이 샤워헤드(119)에 배치될 수 있고 그리고/또는 샤워헤드(119)의 부분일 수 있거나, 또는 용량성 결합 플라즈마 장치에서 사용되는 오버헤드(overhead) 전극의 임의의 적합한 실시예일 수 있다.
[0017] 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버(102)는 유도성 결합 플라즈마 장치로서 구성될 수 있다. 그러한 실시예들에서, 제 2 RF 전극(즉, 도 1에서 가상으로 예시된 바와 같은 제 2 RF 전극(117))은 프로세스 챔버(102)의 프로세싱 볼륨(104) 외부에 배치될 수 있고, RF 소스(118)에 커플링될 수 있다.
[0018] 샤워헤드(119)는, 프로세싱 볼륨(104) 등에서 플라즈마를 점화하기 위해, 프로세싱 볼륨(104)에 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들을 제공하기 위하여, 도 1에서 예시된 바와 같이 가스 패널(121)에 커플링될 수 있다. 샤워헤드(119)는 프로세싱 볼륨(104)에 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들을 전달하기 위한 단지 하나의 예시적인 챔버 컴포넌트일 뿐이다. 대안적으로 또는 조합하여, 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들은, 프로세스 챔버(102)의 벽들 주위에 배치된 측면 주입 포트들(미도시)을 통해, 또는 프로세스 챔버의 다른 구역들에 배치된 가스 유입구들을 통해, 프로세싱 볼륨(104)에 전달될 수 있다. 대안적으로 또는 조합하여, 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들은 원격 볼륨(미도시)에 전달될 수 있고, 그 원격 볼륨에서, 플라즈마가 형성되고, 그 후에, 프로세싱 볼륨(104) 내로 흐르게 된다.
[0019] 몇몇 실시예들에서, RF 전극(112)은 또한, 전도성 엘리먼트(114)를 통해 (도 1에서 가상으로 도시된 RF 소스(120)와 같은) RF 소스의 출력에 커플링될 수 있고, 전도성 엘리먼트(114)를 통하는 RF 리턴 경로를 가질 수 있는데, 이는 도 2 및 도 3에 대하여 더 상세히 설명될 것이다. 예컨대, RF 전극(112)은 RF 바이어스 전극 등으로서 사용될 수 있다. RF 전극(112)은, 예컨대, RF 핀(109)을 통해 전도성 엘리먼트(114)에 커플링될 수 있다. 그러나, 임의의 전도성 고정 엘리먼트가 전도성 엘리먼트(114)에 RF 전극(112)을 커플링시키기 위해 사용될 수 있다.
[0020] 기판 지지부(106)로 돌아가면, 몇몇 실시예들에서, 기판 지지부(106)는, 기판(105)이 지지 표면(108) 상에 배치되는 경우에 기판(105)에 열을 제공하기 위해 기판 지지부(106)에서 지지 표면(108) 근처에 배치된 가열기(122)를 포함할 수 있다. 가열기(122)는 저항성 가열기 등과 같은, 기판 지지부에서 사용되는 임의의 적합한 가열기일 수 있다. 가열기(122)는, 가열기(122)에 전력을 제공하기 위해 가열기(122)로부터 샤프트(110)를 통해 연장되는 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들(124)을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 1에서 예시된 바와 같이, 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들(124)은 프로세스 챔버(102) 외부에 배치된 전력 공급부(126)에 가열기(122)를 커플링시킬 수 있다. 예컨대, 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들(124)은, 전력 공급부(126)로부터 가열기(122)에 전력을 제공하기 위한 제 1 라인, 및 전력 공급부(126)에 전력을 리턴하기 위한 제 2 라인을 포함할 수 있다. 전력 공급부(126)는 교류(AC) 전력 소스, 직류(DC) 전력 소스 등을 포함할 수 있다. 대안적으로(미도시), 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들(124)은 전력 공급부(126)로부터 가열기(122)에 전력을 제공하는 단일 전도성 라인일 수 있다. 전력은 전도성 엘리먼트(114)를 통해 접지로 또는 전력 공급부(126)로 리턴될 수 있다. 예컨대, 전도성 엘리먼트(114)는 가열기(122) 및 RF 전극(112) 양자 모두에 대해 전기 리턴으로서 작용할 수 있다.
[0021] 기판 지지부(106)는, 기판 지지부(106)의 온도, 지지 표면(108)의 온도, 또는 기판(105)이 지지 표면(108) 상에 배치되는 경우에 기판(105)의 온도와 같은 원하는 온도를 측정하기 위해 기판 지지부(106)에 배치된 열전대(128)를 포함할 수 있다. 예컨대, 열전대(128)는 열전대 프로브 등과 같은 임의의 적합한 열전대 설계일 수 있다. 열전대(128)는 제거가능할 수 있다. 도 1에서 예시된 바와 같이, 열전대(128)는 지지 표면(108) 근처까지 기판 지지부(106)의 샤프트(110)를 따라 연장될 수 있다. 도 1에서 예시된 바와 같은 열전대(128)는 단지 예시적인 것일 뿐이고, 열전대의 팁은 가열기(122) 근처까지 연장될 수 있거나(도 1에서 예시된 바와 같음), 또는 가열기(122) 위로 그리고 지지 표면(108) 근처까지 연장될 있다(미도시). 열전대(128)의 팁의 위치는, 기판(105), 또는 지지 표면(108)과 같은 어떤 다른 컴포넌트의 온도의 가장 정확한 측정을 제공하기 위해, 지지 표면(108)에 관하여 조정될 수 있다. 열전대(128)는 온도 제어기(130)에 커플링될 수 있다. 예컨대, 온도 제어기(130)는 열전대(128)에 의해 측정되는 온도에 기초하여 전력 공급부(126)를 제어할 수 있다. 대안적으로, 온도 제어기(130)는, 기판 프로세싱 시스템(100)의 동작들을 제어할 수 있는 제어기(144)와 같은 시스템 제어기의 일부일 수 있거나, 또는 그 시스템 제어기에 커플링될 수 있다.
[0022] 몇몇 실시예들에서, 전도성 엘리먼트(114)는 기판 지지부(106)의 샤프트(110)를 따라 배치될 수 있다. 예컨대, 전도성 엘리먼트는 내부 볼륨(132)을 포함할 수 있고, 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들(124) 및 열전대(128)가 전도성 엘리먼트(114)의 내부 볼륨(132)을 통해 배치된다. 위에서 논의된 바와 같이, 전도성 엘리먼트(114)는 RF 전극(112)에 커플링될 수 있다. 예컨대, 전도성 엘리먼트(114)는, 제 1 단부(113)에서, 내부 볼륨(132)으로 연장되는 돌출부(123)를 가질 수 있다. RF 핀(109)은 전도성 엘리먼트(114)에 RF 핀(109) 및 RF 전극(112)을 커플링시키기 위해, 돌출부(123) 내에 삽입될 수 있거나 또는 돌출부(123)에 커플링될 수 있다. 도 1 및 도 2에서 예시된 바와 같이, 전도성 엘리먼트(114)는 어댑터 부분(160) 상에 배치된 RF 개스킷(155)을 통해 접지에 커플링된 제 2 단부(115)를 가질 수 있다. RF 개스킷은 구리 베릴륨 등을 포함할 수 있다. 전도성 엘리먼트(114)는, RF 개스킷(155)과 인터페이싱하기 위해, 임의의 미리 결정된 포지션으로 구부러질(bent) 수 있는 (또한, 도 3에 대하여 아래에서 설명되는) 복수의 피처들(202)을 포함한다.
[0023] 몇몇 실시예들에서, 전도성 엘리먼트(114)는 유리하게, RF 전류가 전도성 엘리먼트(114)를 통해 흐르는 경우에 내부 볼륨(132)에 대략 제로(zero)의 전기장을 제공할 수 있다. 내부 볼륨(132)에 대략 제로의 전기장을 제공하는 것은 유리하게, 열전대(128)와 같은, 샤프트에 배치된 다른 전기 컴포넌트들에 영향을 미칠 수 있는, 전도성 엘리먼트(114)를 통해 흐르는 RF 전류로부터 발생하는 임의의 간섭을 방지하거나 또는 제한한다. 본 발명자들은, 예컨대, 통상적인 기판 지지부들에서 RF 리턴 경로로서 사용되는 로드(rod)-형 전도성 엘리먼트가 샤프트에서 비-제로 전기장을 제공한다는 것을 발견하였고, 그 비-제로 전기장은 열전대(128)에 간섭하고, 열전대가 부정확한 온도 측정들을 야기하게 한다. 전도성 엘리먼트(114)는 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 등과 같은 임의의 적합한 프로세스 양립가능 전도성 재료들을 포함할 수 있다.
[0024] 몇몇 실시예들에서, 전도성 엘리먼트(114)는 기판 지지부(106)의 샤프트(110)에 배치될 수 있다. 예컨대, 도 1에서 예시된 바와 같이, 전도성 엘리먼트는 (파선(136)에 의해 표현된 바와 같이) 원통형일 수 있고, 이를테면, 전류가 원통형 전도성 엘리먼트의 표면을 따라 흐르는 경우에 내부 볼륨에 대략 제로의 전기장을 생성하는, 내부 볼륨(132)을 갖는 원통 또는 다른 적합한 관상 구조일 수 있다. 본 개시내용의 설계는 유리하게, RF 리턴 경로를 단축시킨다.
[0025] 몇몇 실시예들에서, 도 1 및 도 2에서 도시된 바와 같이, 기판 지지부(106)는, 기판 지지부(106)가 프로세싱 위치에 있는 경우에 어댑터 부분(160)과 접촉하는 환상 바이어스가능 엘리먼트(156)를 포함할 수 있다. 환상 바이어스가능 엘리먼트(156)는 프로세스 챔버(102)의 플로어(103)에 커플링된다. 몇몇 실시예들에서, 환상 바이어스가능 엘리먼트(156)는, 예컨대, 저온 애플리케이션들(예컨대, 최고 150 ℃)에 대해, 구리 베릴륨을 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 환상 바이어스가능 엘리먼트(156)는, 예컨대, 고온 애플리케이션들(예컨대, 최고 300 ℃)에 대해, 니켈 베릴륨을 포함한다. 환상 바이어스가능 엘리먼트(156)는 프로세스 챔버(102)에 직접적으로 어댑터 부분(160)을 전기적으로 커플링시키고, 그에 따라, RF 리턴 경로를 단축시킨다.
[0026] 도 1로 돌아가면, 기판(105)은 프로세스 챔버(102)의 벽에서의 개구(미도시)를 통해 프로세스 챔버(102)에 진입할 수 있다. 개구는, 개구를 통하는 챔버 내부로의 접근을 선택적으로 제공하기 위해, 슬릿 밸브 또는 다른 메커니즘을 통해 선택적으로 밀봉될 수 있다. 기판 지지부(106)는, 개구를 통해 챔버 내로 그리고 밖으로 기판들을 이송하는데 적합한 (도시된 바와 같은) 하측 위치와 프로세싱을 위해 적합한 선택가능한 상측 위치 사이에서 기판 지지부(106)의 위치를 제어할 수 있는 리프트 메커니즘(138)에 커플링될 수 있다. 프로세스 위치는 특정한 프로세스에 대해 프로세스 균일성을 최대화하도록 선택될 수 있다. 상승된 프로세싱 위치들 중 적어도 하나에 있는 경우에, 기판 지지부(106)는 대칭적인 프로세싱 구역을 제공하기 위해 개구 위에 배치될 수 있다. 리프트 메커니즘(138)은, 기판 지지부(106)가 이동되는 경우에, 프로세싱 볼륨(104)에서 미리 결정된 압력 또는 압력 범위를 유지하기 위해, 벨로즈(140) 또는 다른 가요성 진공 호스를 통해 프로세스 챔버(102)에 커플링될 수 있다. 도 1에서 예시된 바와 같이, 리프트 메커니즘(138)이 접지될 수 있다. 예컨대, 전도성 엘리먼트(114)는 리프트 메커니즘(138)을 통해 접지될 수 있다. 대안적으로, 리프트 메커니즘(138)은 벨로즈(140)를 통하여 프로세스 챔버(102)를 통해 접지될 수 있다.
[0027] 장치는, 프로세스 챔버(102)의 프로세싱 볼륨(104)으로부터 과도한 프로세스 가스들, 프로세싱 부산물들 등을 제거하기 위한 배기 시스템(142)과 같은, 프로세스 챔버들에 대해 공통인 부가적인 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 예컨대, 배기 시스템(142)은, 프로세스 챔버(102)로부터 배기 가스들을 펌핑하여 내보내기 위해 펌핑 포트를 통해 펌핑 플리넘에 커플링된 진공 펌프(미도시), 또는 임의의 적합한 배기 시스템을 포함할 수 있다. 예컨대, 진공 펌프는 적절한 배기 가스 핸들링 장비로 배기 가스를 라우팅(routing)하기 위한 배기 가스 배출구에 유체적으로 커플링될 수 있다. 밸브(이를테면, 게이트 밸브, z-모션 밸브 등)가, 진공 펌프의 동작과 조합하여, 배기 가스들의 유량의 제어를 용이하게 하기 위해, 펌핑 플리넘에 배치될 수 있다.
[0028] 위에서 설명된 바와 같은 프로세스 챔버(102)의 제어를 용이하게 하기 위해, 제어기(144)는 중앙 프로세싱 유닛(CPU)(146), 메모리(148), 및 CPU(146)를 위한 지원 회로들(150)을 포함하고, 프로세스 챔버(102)의 컴포넌트들의 제어를 용이하게 한다. 제어기(144)는 다양한 챔버들 및 서브-프로세서들을 제어하기 위해 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서일 수 있다. CPU(146)의 메모리(148) 또는 컴퓨터-판독가능 매체는, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 근거리 또는 원거리의 임의의 다른 형태의 디지털 저장소와 같은 용이하게 이용가능한 메모리 중 하나 또는 그 초과일 수 있다. 지원 회로들(150)은 통상적인 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(146)에 커플링된다. 이들 회로들은 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로, 및 서브시스템들 등을 포함한다. 프로세스 챔버(102)에서 수행되는 방법들, 또는 그 방법들 중 적어도 부분들은 소프트웨어 루틴으로서 메모리(148)에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한, CPU(146)에 의해 제어되고 있는 하드웨어로부터 원격으로 위치된 제 2 CPU(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다.
[0029] 도 3은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른 시트 금속 컷아웃(300)을 예시한다. 시트 금속 컷아웃(300)은 전도성 엘리먼트(예컨대, 전도성 엘리먼트(114))를 형성하도록 미리 결정된 형상으로 구부러진다. 시트 금속 컷아웃(300)은 전도성 엘리먼트(114)에 대하여 위에서 논의된 재료들과 같은 임의의 프로세스 양립가능 전도성 재료들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 시트 금속 컷아웃(300)은 복수의 피처들(302)(예컨대, 피처들(202)), 및 하나 또는 그 초과의 돌출부들(304)(예컨대, 123)을 포함한다. 피처들(302)은 임의의 미리 결정된 포지션으로 구부러질 수 있다. 시트 금속 컷아웃(300)이 미리 결정된 형상으로 구부러지는 경우에, 하나 또는 그 초과의 돌출부들은 정렬되고, 최종 생성물(즉, 전도성 엘리먼트) 내부로 연장된다. 전도성 엘리먼트를 형성하기 위한 시트 금속의 활용은 유리하게, RF 리턴 전류를 위한 표면적을 증가시키고, 그에 따라, 접지를 개선한다.
[0030] 따라서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치가 본원에서 개시된다. 본 발명의 장치의 실시예들은 유리하게, 기판 지지부를 통해 라우팅된 다른 전기 컴포넌트들에 대한 간섭, 이를테면, 기판 지지부에 존재하는 열전대 또는 다른 온도 모니터링 디바이스에 의해 이루어지는 온도 측정들의 정확도에 대한 간섭 없이, 기판 지지부에 배치된 RF 전극에 의해 RF 전력이 수용되게 허용할 수 있다.
[0031] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판 지지부로서,
    기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 바디(body);
    RF 소스로부터 RF 전류를 수용하기 위해 상기 바디에서 상기 지지 표면 근처에 배치된 RF 전극;
    상기 바디를 지지하기 위한 샤프트;
    내부 볼륨을 갖고, 상기 샤프트를 통해 연장되는 전도성 엘리먼트(conductive element) ― 상기 전도성 엘리먼트는 상기 RF 전극에 커플링됨 ―; 및
    RF 개스킷
    을 포함하며,
    상기 전도성 엘리먼트는 접지로 상기 RF 전류를 리턴(return)하기 위해 상기 RF 개스킷과 맞물리는 피처(feature)들을 포함하는,
    기판 지지부.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 표면 상에 배치되는 경우에 기판에 열을 제공하기 위해 상기 기판 지지부에서 상기 지지 표면 근처에 배치된 가열기를 더 포함하며,
    상기 가열기는 상기 가열기에 전력을 제공하기 위한 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들을 갖는,
    기판 지지부.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 지지 표면 상에 배치되는 경우에 기판의 온도를 측정하기 위해 상기 기판 지지부에 배치된 열전대(thermocouple)를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들 및 상기 열전대는 상기 전도성 엘리먼트의 상기 내부 볼륨에 배치되는,
    기판 지지부.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 바디의 반대편에 있는, 상기 샤프트의 단부에 커플링되어, 상기 기판 지지부에 또는 상기 기판 지지부로부터 열을 전달하기 위한 열 전달 바디를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 샤프트와 열 전달 바디 사이에 커플링된 어댑터 부분을 더 포함하며,
    상기 RF 개스킷은 상기 어댑터 부분과 상기 열 전달 바디 사이에 배치되는,
    기판 지지부.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 어댑터 부분을 둘러싸는 환상 바이어스가능 엘리먼트(annular biasable element)를 더 포함하며,
    상기 환상 바이어스가능 엘리먼트는, 상기 기판 지지부가 프로세싱 위치에 있는 경우에, 상기 어댑터 부분과 접촉하고, 상기 환상 바이어스가능 엘리먼트는, 상기 기판 지지부가 상기 프로세싱 위치에 있지 않는 경우에, 상기 어댑터 부분으로부터 이격되는,
    기판 지지부.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 환상 바이어스가능 엘리먼트는 구리 베릴륨 또는 니켈 베릴륨을 포함하는,
    기판 지지부.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 엘리먼트는, 상기 전도성 엘리먼트를 통해 RF 전류가 흐르게 되는 경우에, 상기 내부 볼륨에서 대략 제로(zero)의 전기장을 갖는,
    기판 지지부.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 엘리먼트는 상기 내부 볼륨으로 연장되는 돌출부를 포함하는,
    기판 지지부.
  11. 제 10 항에 있어서,
    제 1 단부에서 상기 RF 전극에 커플링되고, 상기 제 1 단부 반대편의 제 2 단부에서 상기 돌출부에 커플링된 RF 핀을 더 포함하는,
    기판 지지부.
  12. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 엘리먼트는 원통형인,
    기판 지지부.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 전도성 엘리먼트는 시트 금속(sheet metal)으로 형성되는,
    기판 지지부.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지부에 또는 상기 기판 지지부로부터 열을 전달하기 위한 열 전달 바디;
    상기 샤프트와 상기 열 전달 바디 사이에 커플링된 어댑터 부분 ― 상기 RF 개스킷은 상기 어댑터 부분과 상기 열 전달 바디 사이에 배치됨 ―;
    상기 지지 표면 상에 배치되는 경우에 기판에 열을 제공하기 위해 상기 기판 지지부에서 상기 지지 표면 근처에 배치된 가열기 ― 상기 가열기는 상기 가열기에 전력을 제공하기 위한 하나 또는 그 초과의 전도성 라인들을 가짐 ―; 및
    상기 지지 표면 상에 배치되는 경우에 기판의 온도를 측정하기 위해 상기 기판 지지부에 배치된 열전대
    를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  15. 기판 프로세싱 시스템으로서,
    프로세싱 볼륨을 에워싸는 프로세스 챔버; 및
    상기 프로세싱 볼륨에 배치되고, 상기 프로세스 챔버의 플로어(floor)에 전기적으로 커플링된, 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 지지부
    를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
KR1020177025702A 2015-02-13 2016-02-11 개선된 rf 리턴을 갖는 기판 지지부 KR102537310B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562116218P 2015-02-13 2015-02-13
US62/116,218 2015-02-13
US15/019,573 2016-02-09
US15/019,573 US10134615B2 (en) 2015-02-13 2016-02-09 Substrate support with improved RF return
PCT/US2016/017452 WO2016130744A1 (en) 2015-02-13 2016-02-11 Substrate support with improved rf return

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170117510A true KR20170117510A (ko) 2017-10-23
KR102537310B1 KR102537310B1 (ko) 2023-05-25

Family

ID=56615690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177025702A KR102537310B1 (ko) 2015-02-13 2016-02-11 개선된 rf 리턴을 갖는 기판 지지부

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10134615B2 (ko)
JP (1) JP6843752B2 (ko)
KR (1) KR102537310B1 (ko)
CN (1) CN107210180B (ko)
SG (1) SG11201706020QA (ko)
TW (1) TWI691014B (ko)
WO (1) WO2016130744A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10325790B2 (en) * 2016-04-29 2019-06-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for correcting substrate deformity
JP6683575B2 (ja) * 2016-09-01 2020-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6762184B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
CN111326387B (zh) * 2018-12-17 2023-04-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备
CN111326389B (zh) * 2018-12-17 2023-06-16 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020019610A (ko) * 1999-08-06 2002-03-12 조셉 제이. 스위니 정전기적 척용 커넥터
JP2009290213A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Komico Co Ltd 基板支持装置及びこれを含む基板処理装置
US20110100552A1 (en) * 2009-08-31 2011-05-05 Rajinder Dhindsa Radio frequency (rf) ground return arrangements
KR20140046450A (ko) * 2011-06-30 2014-04-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 히터와 대칭형 rf 회귀체를 구비한 기판 지지체

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3718093B2 (ja) * 2000-01-20 2005-11-16 ローム株式会社 半導体製造装置
US7534301B2 (en) * 2004-09-21 2009-05-19 Applied Materials, Inc. RF grounding of cathode in process chamber
US7354288B2 (en) * 2005-06-03 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Substrate support with clamping electrical connector
US8080479B2 (en) * 2007-01-30 2011-12-20 Applied Materials, Inc. Plasma process uniformity across a wafer by controlling a variable frequency coupled to a harmonic resonator
US20100000684A1 (en) 2008-07-03 2010-01-07 Jong Yong Choi Dry etching apparatus
KR20100004857A (ko) * 2008-07-03 2010-01-13 주성엔지니어링(주) 건식 에칭 장치
SG192967A1 (en) 2011-03-04 2013-09-30 Novellus Systems Inc Hybrid ceramic showerhead
JP2012234951A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空処理装置およびその電極面間隔調整方法
US10224182B2 (en) 2011-10-17 2019-03-05 Novellus Systems, Inc. Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber
US9340866B2 (en) * 2012-03-30 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with radio frequency (RF) return path
US9404176B2 (en) 2012-06-05 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with radio frequency (RF) return path

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020019610A (ko) * 1999-08-06 2002-03-12 조셉 제이. 스위니 정전기적 척용 커넥터
JP2009290213A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Komico Co Ltd 基板支持装置及びこれを含む基板処理装置
US20110100552A1 (en) * 2009-08-31 2011-05-05 Rajinder Dhindsa Radio frequency (rf) ground return arrangements
KR20140046450A (ko) * 2011-06-30 2014-04-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 히터와 대칭형 rf 회귀체를 구비한 기판 지지체

Also Published As

Publication number Publication date
CN107210180B (zh) 2019-12-13
TWI691014B (zh) 2020-04-11
TW201703182A (zh) 2017-01-16
CN107210180A (zh) 2017-09-26
JP2018508994A (ja) 2018-03-29
JP6843752B2 (ja) 2021-03-17
SG11201706020QA (en) 2017-09-28
KR102537310B1 (ko) 2023-05-25
US20160240426A1 (en) 2016-08-18
US10134615B2 (en) 2018-11-20
WO2016130744A1 (en) 2016-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102021508B1 (ko) 기판 히터와 대칭형 rf 회귀체를 구비한 기판 지지체
KR102537310B1 (ko) 개선된 rf 리턴을 갖는 기판 지지부
US10512125B2 (en) Mounting table and substrate processing apparatus
JP6230900B2 (ja) 基板処理装置
KR102073941B1 (ko) 분리 가능한 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드
US20150373783A1 (en) Placing table and plasma processing apparatus
US11170991B2 (en) Plasma processing apparatus
US9991100B2 (en) Plasma processing apparatus and control method
JP2008182012A (ja) プラズマ処理装置用のプロセス性能検査方法及び装置
US11443927B2 (en) Plasma treatment device
US10923369B2 (en) Temperature controlling apparatus, temperature controlling method, and placing table
US20210265143A1 (en) Substrate processing apparatus and stage
KR20210001956A (ko) 보정 데이터 작성 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 시스템
JP7108623B2 (ja) 高温環境において高周波電力を測定するための電圧－電流プローブ、及び電圧－電流プローブを較正する方法
JP6961025B2 (ja) 基板処理システム
KR20200064931A (ko) 적외선 카메라의 교정 방법 및 적외선 카메라의 교정 시스템
TWI708525B (zh) 電漿處理裝置
TW202226894A (zh) 電漿處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant