KR20140046450A - 기판 히터와 대칭형 rf 회귀체를 구비한 기판 지지체 - Google Patents

기판 히터와 대칭형 rf 회귀체를 구비한 기판 지지체 Download PDF

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KR20140046450A
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Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 장치가 본 명세서에 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 지지체는, 기판 지지면 및 샤프트; 기판 지지면에 인접하여 기판 지지체 내에 배치되어 RF 소스로부터 RF 전류를 수취하는 RF 전극; 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 기판에 열을 제공하기 위해 기판 지지면에 인접하여 배치된 히터 - 히터는, 히터에 전력을 제공하는 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 가짐 -; 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 기판의 온도를 측정하는 열전대; 및 내부 용적을 가지고 내부 용적을 통해 배치되는 열전대 및 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 구비한 전도성 요소 - 전도성 요소는 RF 전극에 커플링되고, 그리고 전도성 요소에 RF 전류가 제공될 때 내부 용적 내에 거의 제로인 전기장을 가짐 - 를 포함한다.

Description

기판 히터와 대칭형 RF 회귀체를 구비한 기판 지지체{SUBSTRATE SUPPORT WITH SUBSTRATE HEATER AND SYMMETRIC RF RETURN}
본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱 시스템들에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 기판 프로세싱 시스템들에서 사용하기 위한 기판 지지체들에 관한 것이다.
전형적으로 기판 프로세싱 장치는 프로세싱 중에 기판을 지지하기 위해 기판 지지체를 포함한다. 기판 지지체는 RF 소스로부터 RF 전류를 수취하기 위해 기판 프로세싱 표면에 인접하여 배치된 무선 주파수(RF) 전극을 포함할 수 있다. 예컨대, RF 전극은 접지에 대한 RF 회귀체(return) 역할을 할 수 있거나, 또는 RF 전극에 커플링된 RF 소스를 가질 수 있다. RF 전류를 RF 전극에 제공하거나 RF 전류를 접지로 회귀시키기 위해 RF 전극이 로드(rod) 또는 와이어 등에 커플링될 수 있다. 기판 지지체는, 기판이 기판 프로세싱 표면 상에 배치되어 있을 때 기판을 가열하기 위해 기판 프로세싱 표면에 인접하여 배치된 히터를 더 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명자들은 기판 프로세싱 시스템들에서 통상의 기판 지지체들의 어떤 단점들을 관찰하였다.
따라서, 본 발명자들은 개선된 기판 프로세싱 장치를 제공하였다.
본 명세서에는 기판을 프로세싱하기 위한 장치가 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 지지체는, 기판 지지면 및 기판 지지면을 지지하는 샤프트; 기판 지지면에 인접하여 기판 지지체 내에 배치되어 RF 소스로부터 RF 전류를 수취하는 RF 전극; 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 기판에 열을 제공하기 위해 기판 지지면에 인접하여 기판 지지체 내에 배치된 히터 - 히터는, 히터에 전력을 제공하는 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 가짐 -; 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 기판의 온도를 측정하기 위해 기판 지지체 내에 배치된 열전대(thermocouple); 및 내부 용적을 가지고 내부 용적을 통해 배치되는 열전대 및 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 구비한 전도성 요소 - 전도성 요소는 RF 전극에 커플링되고, 그리고 전도성 요소에 RF 전류가 제공될 때 내부 용적 내에 거의(about) 제로(zero)인 전기장을 가짐 - 를 포함한다. 일부 실시예들에서, 전도성 요소는 RF 전류를 접지로 회귀시킨다.
일부 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 장치는, 프로세싱 용적을 가진 프로세스 챔버; 기판 지지면 및 기판 지지면을 지지하는 샤프트를 가진 기판 지지체; 기판 지지면에 인접하여 기판 지지체 내에 배치되어 RF 소스로부터 RF 전류를 수취하는 제 1 RF 전극; 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 기판에 열을 제공하기 위해 기판 지지면에 인접하여 기판 지지체 내에 배치된 히터 - 히터는, 히터에 전력을 제공하는 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 가짐 -; 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 기판의 온도를 측정하기 위해 기판 지지체 내에 배치된 열전대; 및 내부 용적을 가지고 내부 용적을 통해 배치되는 열전대 및 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 구비한 전도성 요소 - 전도성 요소는 RF 전극에 커플링되고, 그리고 전도성 요소에 RF 전류가 제공될 때 내부 용적 내에 거의 제로인 전기장을 가짐 - 를 포함한다. 일부 실시예들에서, 장치는 기판 지지체 위에 배치된 제 2 RF 전극을 더 포함하며, 제 2 RF 전극은 프로세스 챔버의 프로세싱 용적 내에 배치되고, RF 소스는 제 2 RF 전극에 커플링되어 RF 전류를 제 2 RF 전극에 제공한다. 일부 실시예들에서, 전도성 요소는 제 1 RF 전극에 커플링된 제 1 단부와, 접지에 커플링된 제 2 단부를 포함한다.
이하에서, 본 발명의 다른 및 추가적인 실시예들이 설명된다.
첨부된 도면들에 도시된 본 발명의 예시적 실시예들을 참조하여, 앞서 간략히 요약되고 이하에서 더 상세하게 논의되는 본 발명의 실시예들이 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템의 개략도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 지지체의 부분 개략도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 지지체의 부분 개략도를 도시한다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 지지체의 부분 개략도를 도시한다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들을 표시하는데 가능한 한 동일한 참조번호들이 사용되었다. 도면들은 실척에 따라 도시되지 않았으며(not drawn to scale) 명료함을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 요소들과 특징들은 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 통합될 수 있다.
본 명세서에는 기판을 프로세싱하기 위한 장치가 개시된다. 본 발명의 장치의 실시예들은, 유리하게, 기판 지지체 내에 존재하는 열전대 또는 다른 온도 모니터링 디바이스에 의해 이루어지는 온도 측정들의 정확도를 왜곡하지 않고, RF 전력이 기판 지지체 내에 배치된 RF 전극에 의해 수취되도록 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템의 개략도를 도시한다. 예컨대, 기판을 프로세싱하기 위한 장치(100)는 프로세싱 용적(104)을 가진 프로세스 챔버(102)와, 기판(105)을 지지하기 위해 프로세싱 용적(104) 내에 배치된 기판 지지체(106)를 포함할 수 있다. 프로세스 챔버(102)는 알루미늄(Al) 등과 같은 전도성 재료들로 형성된 벽체들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 예컨대, 프로세스 챔버(102)가 용량적으로(capacitively) 또는 유도적으로(inductively) 커플링된 플라즈마 적용예들에 대해 구성되는 경우 프로세스 챔버는 유전체 재료(미도시)를 포함하는 천장(ceiling)을 가질 수 있다. 예시적인 프로세스 챔버들은, 원격의, 유도적으로 커플링된 또는 용량적으로 커플링된 플라즈마 중 하나 또는 둘 이상을 발생시키기 위해 사용되는 것들과 같은, 임의의 적합한 플라즈마 프로세스 챔버를 포함할 수 있다. 적합한 프로세스 챔버들은 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 Applied Materials, Inc. 로부터 입수할 수 있는 DPS®, ENABLER®, ADVANTEDGETM 또는 다른 프로세스 챔버들을 포함할 수 있다. 유사하게, 다른 적합한 프로세스 챔버들이 사용될 수 있다.
기판 지지체(106)는 기판 지지면(108)과, 기판 지지면(108)을 지지하는 샤프트(110)를 포함할 수 있다. 도 1에는 페데스탈(pedestal)-타입의 디자인으로 도시되어 있으나, 기판 지지체는 기판 지지면 및 샤프트(110)와 같은 부재 또는 기판 지지면을 지지하기 위한 임의의 다른 적합한 부재를 가진 임의의 적합한 기판 지지체일 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 지지체(106)는 산화 알루미늄(Al2O3) 또는 질화 알루미늄(AlN)과 같은 세라믹 재료를 포함할 수 있다.
기판 지지체(106)는 RF 소스로부터 RF 전류를 수취하기 위해 기판 지지면에 인접하여 기판 지지체(106) 내에 배치된 RF 전극(112)(예컨대, 제 1 RF 전극)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, RF 전극(112)은 RF 회귀 경로를 제공할 수 있으며, 도 1에 기본도(primary view)로 도시된 바와 같이, 전도성 요소(114)를 통해 접지에 커플링될 수 있다. 예컨대, 프로세스 챔버(102)가 용량적으로 커플링된 플라즈마 장치로서 구성되는 경우, 예컨대, RF 전극(112)은 RF 회귀 경로로서 기능할 수 있다. 용량적으로 커플링된 플라즈마 장치에서, 도 1에 기본도로 도시된 바와 같이, 기판 지지체(106) 위에 제 2 RF 전극(116)이 배치 될 수 있다. 도 1에 기본도로 도시된 바와 같이, 제 2 RF 전극(116)은 프로세싱 용적(104) 내에 배치될 수 있으며, 제 2 전극(116)에는 RF 소스(118)가 커플링될 수 있다. 예컨대, 제 2 전극(116)은 샤워헤드(미도시)이거나, 또는 도 1에 도시된 바와 같은 샤워헤드(119)의 일부이고 그리고/또는 샤워헤드 내에 배치되거나, 또는 용량적으로 커플링된 플라즈마 장치에서 사용되는 오버헤드 전극의 임의의 적합한 실시예일 수 있다.
일부 실시예들에서, 프로세스 챔버(102)는 유도적으로 결합된 플라즈마 장치로서 구성될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 제 2 RF 전극(즉, 도 1에서 가상선으로 도시된 바와 같은 제 2 RF 전극(117))은 프로세스 챔버(102)의 프로세싱 용적(104) 외부에 배치되어 RF 소스(118)에 커플링될 수 있다.
샤워헤드(119)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로세싱 용적(104) 등에 있는 플라즈마를 점화(ignite)하기 위해 하나 또는 둘 이상의 프로세스 가스들을 프로세싱 용적(104)에 제공하도록 가스 패널(121)에 커플링될 수 있다. 샤워헤드(119)는 프로세싱 용적(104)에 하나 또는 둘 이상의 프로세스 가스들을 전달하기 위한 하나의 예시적인 챔버 컴포넌트에 불과하다. 대안적으로 또는 조합하여, 하나 또는 둘 이상의 프로세스 가스들은 프로세스 챔버(102)의 벽체들 주위에 배치된 측면 주입 포트들(미도시) 또는 프로세스 챔버의 다른 영역들에 배치된 가스 유입구들을 통해 프로세싱 용적(104)으로 전달될 수 있다. 대안적으로 또는 조합하여, 하나 또는 둘 이상의 프로세스 가스들은 원격 용적(미도시)으로 전달될 수 있고 여기에서 플라즈마가 형성되고 그런 다음에 프로세싱 용적(104)으로 유동된다.
일부 실시예들에서, 또한 RF 전극(112)은 RF 소스(예컨대, 도 1에 가상선으로 도시된 RF 소스(120))의 출력에 커플링될 수 있고, RF 소스는 전도성 요소를 통해 RF 전극(112)에 커플링되고 전도성 요소(114)를 경유하는 RF 회귀 경로를 가진다. 예컨대, RF 전극(112)은 RF 바이어스 전극 등으로서 사용될 수 있다.
기판 지지체(106)로 돌아가면, 기판 지지체(106)는, 기판 지지면(108) 상에 기판이 배치되어 있을 때 기판(105)에 열을 제공하기 위해 기판 지지면(108)에 인접하여 기판 지지체(106) 내에 배치된 히터(122)를 포함할 수 있다. 히터(122)는, 저항성 히터 등과 같이, 기판 지지체 내에 사용되는 임의의 적합한 히터일 수 있다. 히터(122)는, 히터(122)에 전력을 제공하기 위해 샤프트(110)를 통해 히터(122)로부터 연장된 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들(124)을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들(124)은 프로세스 챔버(102)의 외부에 배치된 전원(126)에 히터(122)를 커플링할 수 있다. 예컨대, 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들(124)은 전력을 전원(126)으로부터 히터(122)에 제공하기 위한 제 1 라인과, 전원(126)으로 전력을 회귀시키기 위한 제 2 라인을 포함할 수 있다. 전원(126)은 교류(AC) 전원, 또는 직류(DC) 전원 등을 포함할 수 있다. 대안적으로(미도시), 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들(124)은 전력을 전원(126)으로부터 히터(122)에 제공하는 단일의 전도성 라인일 수 있다. 이러한 대안적 실시예에서는, 전력이 전도성 부재(114)를 통해 접지로 또는 전원(126)으로 회귀될 수 있다. 예컨대, 전도성 부재(114)는 히터(122)와 RF 전극(112) 모두를 위한 전기 회귀체로서 작용할 수 있다. 유사하게(미도시), 또한 층(200)과 원통형 본체(300)(모두 후술함)가 히터(122)와 RF 전극(112) 모두를 위한 회귀체로서 사용될 수 있다.
기판 지지체(106)는 원하는 온도, 예컨대, 기판 지지면(108) 상에 배치되어 있을 때의 기판(105)의 온도, 기판 지지면(108), 또는 기판 지지체(106)의 온도를 측정하기 위해 기판 지지체(106) 내에 배치된 열전대(128)를 포함할 수 있다. 예컨대, 열전대(128)는 열전대 프로브 등과 같은 임의의 적합한 열전대 디자인일 수 있다. 열전대(128)는 제거가능할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 열전대(128)는 기판 지지체(106)의 샤프트(110)를 따라 기판 지지면(108)에 인접하게 연장될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같은 열전대(128)는 단지 예시적일 뿐이며, 열전대의 팁은 (도 1에 도시된 바와 같이) 히터(122)에 인접하게 연장되거나, 또는 히터(122) 위로 및 기판 지지면(108)에 인접하여 연장될 수 있다(미도시). 열전대(128)의 팁의 위치는, 기판(105)의 온도 또는 기판 지지면(108)과 같은 몇몇 다른 컴포넌트의 온도의 가장 정확한 측정을 제공하기 위해, 기판 지지면(108)에 대하여(relative to) 조정될 수 있다. 열전대(128)는 온도 제어기(130)에 커플링될 수 있다. 예컨대, 온도 제어기(130)는 열전대(128)에 의해 측정된 온도에 기초하여 전원(126)을 제어할 수 있다. 대안적으로, 온도 제어기(130)는, 장치(100)의 작동들을 제어할 수 있는 시스템 제어기(144)와 같은, 시스템 제어기의 일부일 수 있거나 시스템 제어기에 커플링될 수 있다.
일부 실시예들에서, 전도성 요소(114)는 기판 지지체(106)의 샤프트(110)를 따라 배치될 수 있다. 예컨대, 전도성 요소는 내부 용적(132)을 포함할 수 있으며, 전도성 요소(114)의 내부 용적(132)을 통해 열전대(128) 및 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들(124)이 배치된다. 전도성 요소(114)는 전술한 바와 같이 RF 전극(112)에 커플링될 수 있다. 예컨대, 전도성 요소(114)는 복수의 컨택들(134)을 통해 RF 전극(112)에 커플링된 제 1 단부(113)를 가질 수 있다. 전도성 요소(114)는 프로세스 챔버(102) 또는 챔버 컴포넌트, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같은 리프트 기구(138)를 통해 접지에 커플링된 제 2 단부(115)를 가질 수 있다. 복수의 컨택들(134)은 RF 전극(112)과 전도성 요소(114) 사이에 전도성 경로를 형성하도록 임의의 적합한 배열로 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 컨택들(134)은 RF 전극(112)과 전도성 요소(114)에 대해 대칭적으로, 예컨대, 방위각적으로(azimuthally) 대칭적인 배열로 배치된다. 일부 실시예들에서, 복수의 컨택들(134)은 하나 또는 둘 이상의 컨택들(134)이다.
일부 실시예들에서, 전도성 요소(114)는, 유리하게, RF 전류가 전도성 요소(114)를 통해 흐를 때 내부 용적(132) 내에 거의 제로인 전기장을 제공할 수 있다. 거의 제로인 전기장을 내부 용적(132) 내에 제공하는 것은, 열전대(128)와 같은, 샤프트 내에 배치된 다른 전기 컴포넌트들에 영향을 미칠 수 있는, 전도성 요소(114)를 통해 흐르는 RF 전류로 인해 발생하는 임의의 간섭을 유리하게 방지하거나 제한한다. 본 발명자들은, 예컨대, 통상의 기판 지지체들에서 RF 회귀 경로로서 사용된 로드형(rod-like) 전도성 요소가, 열전대(128)와 간섭하고 열전대가 부정확한 온도 측정들을 실시하게 하는, 비제로(non-zero) 전기장을 제공한다는 것을 발견하였다. 전도성 요소(114)는 알루미늄(Al) 또는 니켈(Ni) 등을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 전도성 요소(114)는 기판 지지체(106)의 샤프트(110) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 전도성 요소는, 내부 용적(132)을 가지며 전류가 본체의 표면을 따라 흐를 때 내부 용적 내에 거의 제로인 전기장을 생성하는 원통형 또는 다른 적합한 관형 구조체(tubular structure)와 같은, (점선(136)으로 나타낸 바와 같은) 원통형 본체일 수 있다.
대안적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 전도성 요소(114)는 기판 지지체(106)의 샤프트(110)의 내부 표면(202)을 따라 배치된 층(200)일 수 있다. 예컨대, 층(200)은, 예컨대, 스프레이 코팅 등에 의해, 제조 중에 샤프트(110)의 내부 표면(202)에 도포될 수 있다. 상술한 원통형 본체와 유사하게, 층(202)에 의해 형성된 내부 용적(204)은 RF 전류가 층(200)의 표면을 따라 흐를 때 내부 용적(204) 내에 거의 제로인 전기장을 생성할 수 있다.
대안적으로, 전도성 요소(114)는 기판 지지체(106)의 샤프트(110)의 외부 및 주위에 배치될 수 있다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 전도성 요소는, 내부 용적(302)을 가지며 RF 전류가 본체의 표면을 따라 흐를 때 내부 용적(302) 내에 거의 제로인 전기장을 생성하는 원통형 또는 다른 적합한 관형 구조체와 같은, 원통형 본체(300) 일 수 있다.
대안적으로, 전도성 요소(114)는 기판 지지체(106)의 샤프트(110)의 외부 표면(402)을 따라 배치된 층(400)일 수 있다. 예컨대, 층(400)은, 예컨대, 스프레이 코팅 등에 의해, 제조 중에 샤프트(110)의 외부 표면(402)에 도포될 수 있다. 상술한 원통형 본체(300)와 유사하게, 층(400)에 의해 형성된 내부 용적(404)은 RF 전류가 층(400)의 표면을 따라 흐를 때 내부 용적(404) 내에 거의 제로인 전기장을 생성할 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 기판(105)은 프로세스 챔버(102)의 벽체의 개구(미도시)를 통해 프로세스 챔버(102)에 진입할 수 있다. 개구는, 개구를 통한 챔버 내부로의 액세스를 선택적으로 제공하기 위한 슬릿 밸브 또는 다른 기구를 통해 선택적으로 밀봉될 수 있다. 기판 지지체(106)는, 개구를 통해 챔버 내외로 기판들을 반송하기에 적합한 (도시된 바와 같은) 하부 위치와 프로세싱에 적합한 선택가능한 상부 위치로 기판 지지체(106)의 위치를 제어할 수 있는 리프트 기구(138)에 커플링될 수 있다. 프로세스 위치는 특정 프로세스에 대한 프로세스 균일성을 최대화하도록 선택될 수 있다. 상승된(elevated) 프로세싱 위치들 중 적어도 하나의 위치에 있을 때 기판 지지체(106)는 대칭적인 프로세싱 영역을 제공하도록 개구 위에 배치될 수 있다. 리프트 기구(138)는, 기판 지지체(106)가 이동할 때 프로세싱 용적(104) 내에 원하는 압력을 유지하기 위해, 벨로우즈(140) 또는 다른 가요성 진공 호스를 통해 프로세스 챔버(102)에 커플링될 수 있다. 리프트 기구(138)는 도 1에 도시된 바와 같이 접지될 수 있다. 예컨대, 전도성 요소(114)는 리프트 기구(138)를 통해 접지될 수 있다. 대안적으로, 리프트 기구(138)는 벨로우즈(140)를 통해 프로세스 챔버(102)를 경유하여 접지될 수 있다.
장치는 프로세스 챔버들에 공통되는 추가적인 컴포넌트들, 예컨대, 프로세스 챔버(102)의 프로세싱 용적(104)으로부터 과다한 프로세스 가스들, 또는 프로세싱 부산물들 등을 제거하기 위한 배기 시스템(142)을 포함할 수 있다. 예컨대, 배기 시스템(142)은 프로세스 챔버(102)로부터 배기 가스들을 펌핑 아웃(pumping out)하기 위해 펌핑 포트를 통해 펌핑 플레넘(plenum)에 커플링된 진공 펌프(미도시), 또는 임의의 적합한 배기 시스템을 포함할 수 있다. 예컨대, 진공 펌프는 적절한 배기 취급 설비에 대해 요구되는 바와 같이 배기를 라우팅(routing)하기 위해 배기 출구에 유체적으로 커플링될 수 있다. 진공 펌프의 작동과 조합하여 배기 가스들의 유량의 제어를 용이하게 하기 위해, (게이트 밸브, 또는 Z-모션 밸브 등과 같은) 밸브가 펌핑 플레넘 내에 배치될 수 있다.
전술한 바와 같은 프로세스 챔버(102)의 제어를 용이하게 하기 위해, 제어기(144)는 중앙 처리 장치(CPU)(146), 메모리(148), 및 CPU(146)를 위한 지원 회로들(150)을 포함하며, 프로세스 챔버(102)의 컴포넌트들의 제어를 용이하게 한다. 제어기(144)는 다양한 챔버들과 서브 프로세서들을 제어하기 위해 산업적인 셋팅(industrial setting)에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. CPU(146)의 메모리(148) 또는 컴퓨터 판독가능한 매체는, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 로컬(local) 또는 원격(remote)의 임의의 다른 형태의 디지털 저장 장치와 같은, 용이하게 입수할 수 있는 하나 또는 둘 이상의 메모리일 수 있다. 지원 회로들(150)은 통상의 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(146)에 커플링된다. 이 회로들은 캐시, 전원들, 클록 회로들, 입력/출력 회로망 및 서브시스템들 등을 포함한다. 프로세스 챔버(102) 내에서 실시되는 방법들 또는 방법들의 적어도 일부들이 소프트웨어 루틴으로서 메모리(148)에 저장될 수 있다. 또한, 소프트웨어 루틴은 CPU(146)에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격 배치된 제 2 CPU(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다.
따라서, 본 명세서에는 기판을 프로세싱하기 위한 장치가 개시된다. 본 발명의 장치의 실시예들은, 유리하게, 기판 지지체를 통해 라우팅되는 다른 전기 컴포넌트들과 간섭하지 않고, 예컨대, 기판 지지체 내에 존재하는 열전대 또는 다른 온도 모니터링 기기에 의해 이루어지는 온도 측정들의 정확도를 간섭하지 않고, RF 전력이 기판 지지체 내에 배치된 RF 전극에 의해 수취되도록 할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 실시예들에 관한 것이나, 본 발명의 기본적인 범위를 벗어나지 않고 본 발명의 다른 및 추가적인 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판 지지체로서,
    기판 지지면 및 상기 기판 지지면을 지지하는 샤프트;
    상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지체 내에 배치되어 RF 소스로부터 RF 전류를 수취하는 RF 전극;
    상기 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 상기 기판에 열을 제공하기 위해 상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지체 내에 배치된 히터 - 상기 히터는, 상기 히터에 전력을 제공하는 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 가짐 -;
    상기 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 상기 기판의 온도를 측정하기 위해 상기 기판 지지체 내에 배치된 열전대; 및
    내부 용적을 가지고 상기 내부 용적을 통해 배치되는 상기 열전대 및 상기 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 구비한 전도성 요소 - 상기 전도성 요소는 상기 RF 전극에 커플링되고, 그리고 상기 전도성 요소에 RF 전류가 제공될 때 상기 내부 용적 내에 거의 제로인 전기장을 가짐 - 를 포함하는,
    기판 지지체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 상기 RF 전류를 접지로 회귀시키는,
    기판 지지체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 전극에 상기 RF 전류를 제공하기 위해 상기 전도성 요소를 통해 상기 RF 전극에 커플링된 RF 소스를 더 포함하는,
    기판 지지체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 상기 기판 지지체의 상기 샤프트 내에 배치되거나, 또는 상기 전도성 요소는 상기 기판 지지체의 샤프트 주위에 배치된,
    기판 지지체.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 원통형 본체인,
    기판 지지체.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 상기 기판 지지체의 상기 샤프트의 내부 표면을 따라 배치된 층인,
    기판 지지체.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 상기 기판 지지체의 상기 샤프트의 외부 표면을 따라 배치된 층인,
    기판 지지체.
  8. 기판을 프로세싱하기 위한 장치로서,
    프로세싱 용적을 가진 프로세스 챔버;
    기판 지지면 및 상기 기판 지지면을 지지하는 샤프트를 가진 기판 지지체;
    상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지체 내에 배치되어 RF 소스로부터 RF 전류를 수취하는 제 1 RF 전극;
    상기 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 상기 기판에 열을 제공하기 위해 상기 기판 지지면에 인접하여 상기 기판 지지체 내에 배치된 히터 - 상기 히터는, 상기 히터에 전력을 제공하는 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 가짐 -;
    상기 기판 지지면 상에 기판이 배치되어 있을 때 상기 기판의 온도를 측정하기 위해 상기 기판 지지체 내에 배치된 열전대; 및
    내부 용적을 가지고 상기 내부 용적을 통해 배치되는 상기 열전대 및 상기 하나 또는 둘 이상의 전도성 라인들을 구비한 전도성 요소 - 상기 전도성 요소는 상기 RF 전극에 커플링되고, 그리고 상기 전도성 요소에 RF 전류가 제공될 때 상기 내부 용적 내에 거의 제로인 전기장을 가짐 - 를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판 지지체 위에 배치된 제 2 RF 전극을 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 RF 전극은 상기 프로세스 챔버의 상기 프로세싱 용적 내에 배치되고, 상기 RF 소스는 상기 제 2 RF 전극에 커플링되어 RF 전류를 상기 제 2 RF 전극에 제공하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 상기 제 1 RF 전극에 커플링된 제 1 단부와, 접지에 커플링된 제 2 단부를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 RF 전극은 상기 프로세스 챔버의 상기 프로세싱 용적 외부에 배치되고, 상기 RF 소스는 상기 제 1 RF 전극에 커플링되어 RF 전류를 상기 제 1 RF 전극에 제공하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 상기 기판 지지체의 상기 샤프트 내에 배치되거나, 또는 상기 전도성 요소는 상기 기판 지지체의 상기 샤프트 주위에 배치된,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 원통형 본체인,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 전도성 요소는 상기 기판 지지체의 상기 샤프트의 내부 표면을 따라 배치된 층이거나, 또는 상기 전도성 요소는 상기 기판 지지체의 상기 샤프트의 외부 표면을 따라 배치된 층인,
    기판을 프로세싱하기 위한 장치.
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