KR20210001956A - 보정 데이터 작성 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

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KR20210001956A
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히로키 엔도
도모히사 기타야마
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 기판의 온도를 고정밀도로 제어한다.
(해결 수단) 보정 데이터 작성 방법은, 공급 공정, 조정 공정, 온도 측정 공정, 보정치 산출 공정, 및 작성 공정을 포함한다. 공급 공정에서는, 미리 정해진 복수의 전원 전압 중에서 전원 전압이 순차적으로 선택되고, 선택된 전원 전압이, 기판이 탑재되는 탑재대를 가열하는 히터에 공급된다. 조정 공정에서는, 히터에 공급된 전원 전압에 있어서, 히터의 저항치와 히터의 온도의 관계를 나타내는 온도 변환 데이터에 근거하여, 히터의 저항치가 미리 정해진 제 1 온도에 대응하는 저항치가 되도록 히터에 공급되는 전력이 조정된다. 온도 측정 공정에서는, 히터가 마련된 위치의 탑재대의 온도가 제 2 온도로서 측정된다. 보정치 산출 공정에서는, 제 1 온도와 제 2 온도의 차분에 대응하는 보정치가 산출된다. 작성 공정에서는, 각각의 전원 전압과 보정치의 대응 관계를 나타내는 보정 데이터가 작성된다.

Description

보정 데이터 작성 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 시스템{CORRECTION DATA CREATING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 개시는, 보정 데이터 작성 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
최근의 반도체의 제조 프로세스에서는, 미세화에 따라 제어의 추가적인 고정밀도화가 요구되고 있다. 그 중에서도, 제조 프로세스에 있어서의 반도체 웨이퍼의 온도를 고정밀도로 제어하는 것은 중요하다. 반도체 웨이퍼의 온도를 고정밀도로 제어하기 위해서는, 탑재대를 다수의 영역으로 분할하고, 각각의 영역의 온도를 독립적으로 제어하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 탑재대에 있어서, 독립하여 온도 제어가 가능한 영역이 많아지면, 각각의 영역이 작아지고, 모든 영역에 히터와 온도 센서를 마련하는 것이 어려워진다.
이것을 회피하기 위한 기술로서, 독립하여 온도 제어가 가능한 탑재대의 영역의 각각에 마련된 히터의 저항치와 온도의 관계를 미리 측정하고, 각각의 영역의 히터의 저항치로부터, 각각의 영역의 온도를 추정하는 기술이 알려져 있다. 히터의 저항치는, 히터에 공급되는 전압 및 전류의 측정치로부터 산출된다. 이것에 의해, 탑재대의 각각의 영역에 히터와는 별도로 온도 센서를 마련할 필요가 없어지고, 독립하여 온도 제어가 가능한 영역을 탑재대에 보다 많이 마련할 수 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 2017-228230호 공보
본 개시는, 기판의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있는 보정 데이터 작성 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 시스템을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 따른 보정 데이터 작성 방법은, 공급 공정, 조정 공정, 온도 측정 공정, 보정치 산출 공정, 및 작성 공정을 포함한다. 공급 공정에서는, 미리 정해진 복수의 전원 전압 중에서 전원 전압이 순차적으로 선택되고, 선택된 전원 전압이, 기판이 탑재되는 탑재대를 가열하는 히터에 공급된다. 조정 공정에서는, 히터에 공급된 전원 전압에 있어서, 히터의 저항치와 히터의 온도의 관계를 나타내는 온도 변환 데이터에 근거하여, 히터의 저항치가 미리 정해진 제 1 온도에 대응하는 저항치가 되도록 히터에 공급되는 전력이 조정된다. 온도 측정 공정에서는, 히터가 마련된 위치의 탑재대의 온도가 제 2 온도로서 측정된다. 보정치 산출 공정에서는, 제 1 온도와 제 2 온도의 차분에 대응하는 보정치가 산출된다. 작성 공정에서는, 각각의 전원 전압과 보정치의 대응 관계를 나타내는 보정 데이터가 작성된다.
본 개시의 여러 가지의 측면 및 실시형태에 따르면, 기판의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시형태에 있어서의 기판 처리 시스템의 일례를 나타내는 시스템 구성도이다.
도 2는 정전 척의 상면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은 제어 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 4는 변환 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 보정 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 각 히터에 공급되는 교류 전압 및 교류 전류의 파형의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은 각 히터에 공급된 전력에 의한 히터의 온도 상승의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 각 히터에 공급된 전력에 의한 히터의 온도 상승의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 각 히터에 공급된 전력에 의한 히터의 온도 상승의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 온도 제어 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 11은 변환 테이블 및 보정 테이블을 작성할 때의 기판 처리 시스템의 구성의 일례를 나타내는 시스템 구성도이다.
도 12는 변환 테이블 및 보정 테이블을 작성할 때의 제어 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 13은 변환 테이블의 작성 수순의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 14는 보정 테이블의 작성 수순의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 15는 제어 장치의 기능을 실현하는 컴퓨터의 일례를 나타내는 도면이다.
이하에, 개시하는 보정 데이터 작성 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 시스템의 실시형태에 대하여, 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 또, 이하의 실시형태에 의해, 개시되는 보정 데이터 작성 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 시스템이 한정되는 것이 아니다.
그런데, 기판 처리 장치가 배치되는 클린룸 등에는, 기판 처리 장치 외에도 다양한 장치가 존재한다. 이들 장치의 가동 상황에 따라서는, 클린룸 내의 각 장치에 공급되는 전원의 전압이 변동하는 경우가 있다. 전원 전압이 변동하면, 히터의 저항치의 측정치에 포함되는 오차가 커지는 경우가 있다. 히터의 저항치의 측정치에 포함되는 오차가 커지면, 히터의 저항치에 근거하여 추정되는 히터의 온도에 포함되는 오차도 커진다. 그 때문에, 히터의 온도를 미리 정해진 온도로 제어하는 것이 어려워지고, 기판의 온도를 고정밀도로 제어하는 것이 곤란해진다.
그래서, 본 개시는, 기판의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있는 기술을 제공한다.
[기판 처리 시스템(10)의 구성]
도 1은 기판 처리 시스템(10)의 일례를 나타내는 시스템 구성도이다. 기판 처리 시스템(10)은, 예컨대 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100) 및 제어 장치(200)를 구비한다. 기판 처리 장치(100)는, 기판의 일례인 반도체 웨이퍼 W에 대하여, 플라즈마 에칭, 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition), 또는 열처리 등의 처리를 행한다. 제어 장치(200)는, 기판 처리 장치(100)의 각 부를 제어하고, 기판 처리 장치(100) 내에 반입된 반도체 웨이퍼 W에 대하여 소정의 처리를 실행시킨다.
기판 처리 장치(100)는, 기밀로 구성되고, 전기적으로 접지된 챔버(1)를 갖는다. 챔버(1)는, 예컨대 표면이 양극 산화 피막으로 덮인 알루미늄 등에 의해, 대략 원통 형상으로 형성되어 있다.
챔버(1) 내에는, 예컨대 알루미늄 등의 도전성의 금속으로 형성된 기재(2a)가 마련되어 있다. 기재(2a)는, 하부 전극의 기능을 갖는다. 기재(2a)는, 절연판(3) 상에 마련된 도체의 지지대(4)에 지지되어 있다. 또한, 기재(2a)의 위쪽의 외주에는, 지지대(5a)가 마련되어 있고, 지지대(5a) 상에는, 예컨대 단결정 실리콘 등으로 형성된 에지 링(5)이 마련되어 있다. 에지 링(5)은, 포커스 링으로 불리는 경우도 있다. 지지대(5a)의 내부에는, 1개 이상의 히터(5b)가 마련되어 있다. 히터(5b)는, 제어 장치(200)로부터 공급된 전력에 의해 발열하고, 지지대(5a) 상의 에지 링(5)을 가열한다. 또한, 기재(2a) 및 지지대(4)의 주위에는, 기재(2a) 및 지지대(4)를 둘러싸도록, 예컨대 석영 등으로 이루어지는 대략 원통 형상의 내벽 부재(3a)가 마련되어 있다.
기재(2a)의 상면에는, 반도체 웨이퍼 W를 흡착 유지함과 아울러, 반도체 웨이퍼 W의 온도를 제어하기 위한 정전 척(6)이 마련되어 있다. 정전 척(6)은, 절연체(6b)와, 절연체(6b)의 사이에 마련된 전극(6a) 및 복수의 히터(6c)를 갖는다. 전극(6a)은, 직류 전원(13)에 접속되어 있다. 히터(6c)는, 제어 장치(200)에 접속되어 있다. 전극(6a)은, 직류 전원(13)으로부터 인가된 직류 전압에 의해 정전 척(6)의 표면에 쿨롱력을 발생시켜, 쿨롱력에 의해 반도체 웨이퍼 W를 정전 척(6)의 상면에 흡착 유지한다. 직류 전원(13)의 온 및 오프는, 제어 장치(200)에 의해 제어된다.
또한, 히터(6c)는, 제어 장치(200)로부터 공급된 전력에 의해 발열하고, 정전 척(6)에 유지된 반도체 웨이퍼 W를 가열한다. 정전 척(6)의 상면은, 복수의 영역으로 분할되어 있다. 이하에서는, 각각의 영역을 분할 영역으로 기재한다. 각각의 분할 영역에는, 히터(6c)가 1개씩 마련되어 있다. 정전 척(6)은, 탑재대의 일례이다.
기재(2a)의 내부에는, 냉매가 흐르는 유로(2b)가 형성되어 있고, 유로(2b)에는, 배관(2c) 및 배관(2d)을 거쳐서 칠러 유닛(33)이 접속되어 있다. 칠러 유닛(33)에 의해 온도 제어된 냉매가 유로(2b) 내를 순환하는 것에 의해, 냉매와의 열 교환에 의해 기재(2a)가 냉각된다. 칠러 유닛(33)에 의해 공급되는 냉매의 온도 및 유량 등은, 제어 장치(200)에 의해 제어된다.
또한, 기재(2a)에는, 기재(2a)를 관통하도록 배관(32)이 마련되어 있다. 배관(32)은, 전열 가스 공급부(31)에 접속되어 있다. 전열 가스 공급부(31)로부터 배관(32)에 공급된 헬륨 가스 등의 전열 가스(백사이드 가스)는, 배관(32)을 거쳐서, 반도체 웨이퍼 W와 정전 척(6)의 사이에 공급된다. 반도체 웨이퍼 W와 정전 척(6)의 사이에 공급되는 전열 가스의 압력 등은, 제어 장치(200)에 의해 제어된다.
유로(2b)에 흐르는 냉매의 온도와, 정전 척(6) 내의 각 히터(6c)에 공급되는 전력과, 반도체 웨이퍼 W의 이면에 공급되는 전열 가스의 압력은, 제어 장치(200)에 의해 제어된다. 이것에 의해, 정전 척(6)의 상면에 흡착 유지된 반도체 웨이퍼 W의 온도가, 미리 정해진 범위 내의 온도로 제어된다.
기재(2a)의 위쪽에는, 기재(2a)와 대략 평행하게 대향하도록, 바꾸어 말하면, 기재(2a) 상에 배치되는 반도체 웨이퍼 W와 대향하도록, 상부 전극으로서의 기능을 갖는 샤워 헤드(16)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(16)와 기재(2a)는, 한 쌍의 전극(상부 전극과 하부 전극)으로서 기능한다. 기재(2a)에는, 정합기(11a)를 거쳐서 고주파 전원(12a)이 접속되어 있다. 또한, 기재(2a)에는, 정합기(11b)를 거쳐서 고주파 전원(12b)이 접속되어 있다.
고주파 전원(12a)은, 플라즈마의 발생에 이용되는 주파수(예컨대 100㎒)의 고주파 전력을 기재(2a)에 공급한다. 또한, 고주파 전원(12b)은, 이온의 인입(바이어스)에 이용되는 주파수의 고주파 전력으로서, 고주파 전원(12a)보다 낮은 주파수(예컨대, 13㎒)의 고주파 전력을 기재(2a)에 공급한다. 고주파 전원(12a) 및 고주파 전원(12b)의 온 및 오프의 제어, 및, 고주파 전원(12a) 및 고주파 전원(12b)에 의해 공급되는 고주파의 전력 등은, 제어 장치(200)에 의해 제어된다.
샤워 헤드(16)는, 챔버(1)의 상부에 마련되어 있고, 본체부(16a)와 전극판을 이루는 천판(16b)을 구비하고 있고, 절연 부재(45)를 통해서 챔버(1)의 상부에 지지되어 있다. 본체부(16a)는, 예컨대 표면에 양극 산화 처리가 실시된 알루미늄 등에 의해 형성되고, 그 하부에 천판(16b)을 탈착이 자유롭게 지지한다. 천판(16b)은, 예컨대 석영 등의 실리콘 함유 물질로 형성된다.
본체부(16a)의 내부에는, 확산실(16c)이 마련되어 있다. 본체부(16a)의 저부에는, 확산실(16c)의 하부에 위치하도록, 다수의 가스 유출구(16e)가 형성되어 있다. 천판(16b)에는, 그 천판(16b)을 두께 방향으로 관통하도록 복수의 가스 유통구(16f)가 형성되어 있고, 각각의 가스 유통구(16f)는, 상기한 가스 유출구(16e)에 연통하고 있다. 이와 같은 구성에 의해, 확산실(16c)에 공급된 처리 가스는, 각각의 가스 유출구(16e) 및 가스 유통구(16f)를 거쳐서 챔버(1) 내에 샤워 형상으로 확산되어 공급된다. 또, 본체부(16a) 등에는, 도시하지 않는 히터나, 냉매를 순환시키기 위한 도시하지 않는 배관 등의 온도 조정기가 마련되어 있고, 반도체 웨이퍼 W의 처리 중에 샤워 헤드(16)를 소망하는 범위 내의 온도로 제어할 수 있게 되어 있다.
본체부(16a)에는, 확산실(16c)에 처리 가스를 도입하기 위한 가스 도입구(16g)가 형성되어 있다. 가스 도입구(16g)에는, 배관(15b)의 일단이 접속되어 있고, 배관(15b)의 타단에는, 밸브 V 및 매스 플로 컨트롤러(MFC)(15a)를 거쳐서, 반도체 웨이퍼 W의 처리에 이용되는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급원(15)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(15)으로부터 공급된 처리 가스는, MFC(15a), 밸브 V, 및 배관(15b)을 거쳐서 확산실(16c)에 공급되고, 각각의 가스 유출구(16e) 및 가스 유통구(16f)를 거쳐서 챔버(1) 내에 샤워 형상으로 확산되어 공급된다. 밸브 V 및 MFC(15a)는, 제어 장치(200)에 의해 제어된다.
샤워 헤드(16)에는, 로우 패스 필터(LPF)(40) 및 스위치(41)를 거쳐서 가변 직류 전원(42)이 전기적으로 접속되어 있다. 가변 직류 전원(42)은, 스위치(41)에 의해 직류 전압의 공급 및 차단이 가능하게 되어 있다. 가변 직류 전원(42)의 전류 및 전압 및 스위치(41)의 온 및 오프는, 제어 장치(200)에 의해 제어된다. 예컨대, 고주파 전원(12a) 및 고주파 전원(12b)으로부터 고주파 전력이 기재(2a)에 공급되어 챔버(1) 내에 플라즈마가 생성될 때에는, 필요에 따라 제어 장치(200)에 의해 스위치(41)가 온이 되고, 샤워 헤드(16)에 직류 전압이 인가된다.
챔버(1)의 저부에는, 배기구(71)가 형성되어 있다. 배기구(71)에는, 배기관(72)을 거쳐서 배기 장치(73)가 접속되어 있다. 배기 장치(73)는, 진공 펌프를 갖고 있고, 이 진공 펌프를 작동시키는 것에 의해 챔버(1) 내를 미리 정해진 진공도까지 감압할 수 있다. 배기 장치(73)의 배기 유량 등은, 제어 장치(200)에 의해 제어된다. 또한, 챔버(1)의 측벽에는, 개구부(74)가 형성되어 있고, 개구부(74)에는, 그 개구부(74)를 개폐하기 위한 게이트 밸브 G가 마련되어 있다.
챔버(1)의 내벽에는, 내벽의 면을 따라, 퇴적물 실드(76)가, 탈착이 자유롭게 마련되어 있다. 또한, 내벽 부재(3a)의 외주면에는, 내벽 부재(3a)를 덮도록 퇴적물 실드(77)가 마련되어 있다. 퇴적물 실드(76) 및 퇴적물 실드(77)는, 챔버(1)의 내벽에 에칭 부생물(퇴적물)이 부착되는 것을 방지한다. 또한, 정전 척(6) 상에 흡착 유지된 반도체 웨이퍼 W와 대략 동일한 높이의 퇴적물 실드(76)의 위치에는, 직류적으로 그라운드에 접속된 도전성 부재(GND 블록)(79)가 마련되어 있다. GND 블록(79)에 의해, 챔버(1) 내의 이상 방전이 억제된다.
또한, 챔버(1)의 주위에는, 동심원 형상으로 자석(9)이 배치되어 있다. 자석(9)은, 샤워 헤드(16)와 기재(2a)의 사이의 공간에 자장을 형성한다. 자석(9)은, 도시하지 않는 회전 기구에 의해 회전이 자유롭게 유지되어 있다.
[정전 척(6)의 구조]
도 2는 정전 척(6)의 상면의 일례를 나타내는 도면이다. 정전 척(6)의 외주에는, 정전 척(6)을 둘러싸도록 에지 링(5)이 배치되어 있다. 반도체 웨이퍼 W가 탑재되는 정전 척(6)의 상면은 복수의 분할 영역(60)으로 나누어져 있다. 정전 척(6)은, 예컨대, 동심원 형상으로 복수의 영역으로 분할되고, 또한, 중심의 영역을 제외하고 각각의 동심원 형상의 영역이 둘레 방향으로 복수의 영역으로 분할되어 있다.
본 실시형태에 있어서, 정전 척(6)의 상면은, 예컨대 도 2에 나타내어지는 바와 같이, 동심원 형상으로 5개의 영역으로 나누어져 있다. 또한, 각각의 동심원 형상의 영역은, 둘레 방향으로 8개의 영역으로 나누어져 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 있어서, 정전 척(6)의 상면은, 40개의 분할 영역(60)으로 나누어져 있다. 또, 정전 척(6)의 상면의 분할 방법은, 도 2에 나타내어진 예로 한정되지 않는다.
각각의 분할 영역(60)에 대응하는 정전 척(6)의 내부에는, 히터(6c)가 1개씩 마련되어 있다. 또, 에지 링(5)을 지지하는 지지대(5a) 내에도 에지 링(5)의 형상을 따라 히터(5b)가 1개 이상 마련되어 있다. 정전 척(6)의 각각의 분할 영역(60)에 마련된 40개의 히터(6c)에 공급되는 전력과, 지지대(5a)에 마련된 1개 이상의 히터(5b)에 공급되는 전력은, 제어 장치(200)에 의해 각각 독립적으로 제어된다.
[제어 장치(200)의 구성]
도 3은 제어 장치(200)의 일례를 나타내는 블록도이다. 제어 장치(200)는, 예컨대 도 3에 나타내어지는 바와 같이, 복수의 전력 공급부(20-1~20-n), 측정부(24), 제어부(25), 및 유지부(26)를 구비한다. 또, 이하에서는, 복수의 전력 공급부(20-1~20-n)의 각각을 구별하는 일 없이 총칭하는 경우에, 전력 공급부(20)로 기재한다.
전력 공급부(20)는, 정전 척(6)의 분할 영역(60)에 마련된 1개의 히터(6c)에 대하여 1개씩 마련되어 있고, 대응하는 히터(6c)에 전력을 공급한다. 본 실시형태에서는, 기판 처리 장치(100) 내에 40개의 히터(6c)가 마련되어 있고, 각각의 히터(6c)에 대응하여 40개의 전력 공급부(20)가 마련되어 있다. 각각의 전력 공급부(20)는, 스위치(SW)(21), 전류계(22), 및 전압계(23)를 갖는다. 또, 도 3에서는 도시가 생략되어 있지만, 지지대(5a)에 마련된 1개 이상의 히터(5b)의 각각에 대해서도, 전력 공급부(20)가 1개씩 마련되어 있다.
SW(21)는, 제어부(25)로부터의 제어에 따라, 온 및 오프하고, 온의 기간에 있어서, 전원(27)으로부터 공급된 전력을, 대응하는 히터(6c)에 공급한다. 전류계(22)는, 전원(27)으로부터, 대응하는 히터(6c)에 공급된 교류 전류의 순시값을 측정하여 측정부(24)에 출력한다. 전압계(23)는, 전원(27)으로부터 대응하는 히터(6c)에 공급된 교류 전압의 순시값을 측정하여 측정부(24)에 출력한다.
측정부(24)는, 각각의 전력 공급부(20)로부터 출력된, 히터(6c)에 공급되는 전압 및 전류의 측정치에 근거하여, 각각의 히터(6c)의 저항치를 측정한다. 그리고, 측정부(24)는, 히터(6c)마다 측정된 저항치를 제어부(25)에 출력한다. 또한, 측정부(24)는, 히터(6c)에 공급되는 전원의 전압 VS 및 주파수를 측정하고, 측정된 전압 VS 및 주파수의 값을 제어부(25)에 출력한다.
유지부(26)는, 변환 테이블(260) 및 보정 테이블(265)을 유지한다. 도 4는 변환 테이블(260)의 일례를 나타내는 도면이다. 변환 테이블(260)에는, 예컨대 도 4에 나타내어지는 바와 같이, 각각의 히터(6c)가 마련된 분할 영역(60)을 식별하는 영역 ID(261)마다, 개별 테이블(262)이 저장되어 있다. 각각의 개별 테이블(262)에는, 저항치에 대응지어 온도가 저장되어 있다. 변환 테이블(260)은, 온도 변환 데이터의 일례이다.
도 5는 보정 테이블(265)의 일례를 나타내는 도면이다. 보정 테이블(265)에는, 예컨대 도 5에 나타내어지는 바와 같이, 전원의 주파수(266)마다, 개별 테이블(267)이 저장되어 있다. 각각의 개별 테이블(267)에는, 각각의 히터(6c)가 마련된 분할 영역(60)을 식별하는 영역 ID(268)마다, 개별 테이블(269)이 저장되어 있다. 각각의 개별 테이블(269)에는, 전원 전압 VS의 크기에 대응지어 온도의 보정치가 저장되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 개별 테이블(269)에 저장되어 있는 전원 전압 VS의 크기는, 전원 전압 VS의 실효치의 2승이다. 보정 테이블(265)은, 보정 데이터의 일례이다.
또한, 유지부(26)는, 반도체 웨이퍼 W의 처리를 규정하는 레시피를 유지한다. 레시피에는, 공정마다, 각 분할 영역(60)의 목표 온도의 데이터가 포함되어 있다. 또, 변환 테이블(260), 보정 테이블(265), 및 레시피 등은, 기판 처리 시스템(10)의 관리자 등에 의해 미리 작성되어 유지부(26) 내에 저장된다.
제어부(25)는, 유지부(26) 내에 유지된 레시피에 근거하여, 기판 처리 장치(100)의 각 부를 제어한다. 또한, 제어부(25)는, 처리의 각 공정에 있어서, 정전 척(6)의 각 분할 영역(60)에 마련된 히터(6c)에 공급되는 전력을 제어하는 것에 의해, 각 분할 영역(60)의 온도가 레시피에 규정된 목표 온도가 되도록 제어한다.
구체적으로는, 제어부(25)는, 처리의 각 공정에 있어서, 각 분할 영역(60)의 목표 온도의 데이터, 변환 테이블(260), 및 보정 테이블(265)을 유지부(26)로부터 읽어낸다. 또한, 제어부(25)는, 측정부(24)에 의해 측정된 히터(6c)마다의 저항치를 수시로 취득한다. 그리고, 제어부(25)는, 정전 척(6)의 분할 영역(60)마다, 변환 테이블(260)을 참조하여, 그 분할 영역(60)에 마련된 히터(6c)의 저항치에 대응하는 온도를, 히터(6c)의 온도로서 추정한다. 그리고, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 보정 테이블(265)을 참조하여, 추정된 히터(6c)의 온도를 보정한다. 보정된 히터(6c)의 온도는, 그 히터(6c)가 마련된 분할 영역(60)의 온도로 간주할 수 있다. 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 보정된 온도와 목표 온도의 차에 따라, 전력 공급부(20) 내의 SW(21)의 온과 오프의 비율을 제어하는 것에 의해, 히터(6c)에 공급되는 전력을 제어한다. 이것에 의해, 각 분할 영역(60)의 온도를 목표 온도에 가깝게 할 수 있다.
예컨대 도 6에 나타내어지는 바와 같이, 전원(27)으로부터는 소정 주파수(예컨대 50㎐ 또는 60㎐)의 교류 전압이 출력되고 있고, SW(21)가 온이 된 타이밍에, 히터(6c)에 전압 및 전류가 공급된다. 도 6은 각 히터(6c)에 공급되는 교류 전압 및 교류 전류의 파형의 일례를 나타내는 도면이다. 측정부(24)는, 각각의 히터(6c)에 대하여, 전류가 공급되고 있는 기간에 있어서, 히터(6c)에 공급된 전압 및 전류의 순시값을 복수의 타이밍에 있어서 측정한다.
측정부(24)는, 각각의 히터(6c)에 대하여, 전압 및 전류의 측정치에 근거하여, 전류가 공급되고 있는 기간에 있어서의 전압 및 전류의 실효치를 산출한다. 그리고, 측정부(24)는, 산출된 전압 및 전류의 실효치로부터, 각각의 히터(6c)의 저항치를 산출한다. 각각의 히터(6c)에 대하여, 저항치와 온도의 관계를 미리 측정하여 두는 것에 의해, 측정된 저항치로부터, 히터(6c)의 온도를 추정할 수 있다.
여기서, 반도체의 제조를 행하는 공장 내에서는, 제조나 반송 등을 행하는 다양한 장치가 가동되고 있기 때문에, 이와 같은 장치의 가동 상황에 따라서는, 공장 내에서 사용되는 전원의 전압이 변동하는 경우가 있다. 그 때문에, 공장 내에서 사용되는 전원의 전압이, 저항치와 온도의 관계를 미리 측정할 때에 사용된 전원의 전압과 상이한 경우, 저항치와 온도의 관계가 어긋나는 경우가 있다.
도 7은 각 히터(6c)에 공급된 전력에 의한 히터(6c)의 온도 상승의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7(a)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서 각 히터(6c)에 공급되는 전압의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7(b)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서 각 히터(6c)에 공급되는 전류의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7(c)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서의 각 히터(6c)의 온도의 변화의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7의 예에서는, SW(21)가 온인 기간은, 전압의 1/2의 주기에 대응하는 길이이다.
SW(21)가 온인 기간 ΔtON에서는, 예컨대 도 7(a)에 나타내어지는 바와 같이, 최대치가 VmL인 전압이 각 히터(6c)에 공급되고, 예컨대 도 7(b)에 나타내어지는 바와 같이, 최대치가 ImL인 전류가 각 히터(6c)에 공급된다. 이것에 의해, SW(21)가 온인 기간에서는, 예컨대 도 7(c)에 나타내어지는 바와 같이, 공급된 전력에 따라 각 히터(6c)의 온도가 상승한다. 히터(6c)의 온도가 상승하면, 히터(6c) 내에서 전자가 흐르기 어려워지고, 히터(6c)의 저항치가 상승한다.
그런데, 전력이 공급되는 타이밍과, 공급된 전력에 의해 히터(6c)의 온도가 변화하는 타이밍의 사이에는, 어느 정도의 지연 Δtd가 존재한다. 그 때문에, 기간 ΔtON에 있어서 측정된 전압 및 전류의 측정치(실효치)에는, 히터(6c)의 저항치의 상승분의 일부가 반영되어 있지 않게 된다. 도 7(c)의 예에서는, 공급된 전력에 의해 각 히터(6c)의 온도는 TL1까지 상승하지만, 기간 ΔtON에서는 TL2까지의 온도 상승에 있어서 측정된 전압 및 전류의 측정치에 의해 각 히터(6c)의 저항치가 산출되어 버린다. 그 때문에, 각 히터(6c)의 저항치는, 온도차 ΔTL에 대응하는 저항치만큼, 실제의 저항치보다 낮게 측정되어 버린다.
단, 저항치와 온도의 관계를 미리 측정할 때에 사용된 전원의 전압 VS의 실효치와, 실제의 프로세스가 실행될 때의 전원의 전압 VS의 실효치가 동일하면, ΔTL은 동일하게 된다. 그 때문에, 미리 측정된 저항치와 온도의 관계와, 실제의 프로세스에 있어서 측정된 저항치와 온도의 관계는 거의 어긋나지 않는다.
그러나, 실제의 프로세스에 있어서, 예컨대 도 8에 나타내어지는 바와 같이, 최대치가 VmL보다 큰 VmH인 전압이 각 히터(6c)에 공급된 경우에는, 미리 측정된 저항치와 온도의 관계와, 실제의 프로세스에 있어서 측정된 저항치와 온도의 관계가 어긋나게 된다. 도 8은 각 히터(6c)에 공급된 전력에 의한 히터(6c)의 온도 상승의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8(a)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서 각 히터(6c)에 공급되는 전압의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8(b)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서 각 히터(6c)에 공급되는 전류의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8(c)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서의 각 히터(6c)의 온도의 변화의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8의 예에서는, 도 7의 예에 비하여, 전원(27)의 전압 VS가 크게 되어 있다.
도 8(c)의 예에서는, 공급된 전력에 의해 각 히터(6c)의 온도는 TH1까지 상승하지만, 기간 ΔtON에서는 TH2까지의 온도 상승에 있어서 측정된 전압 및 전류의 측정치에 의해 각 히터(6c)의 저항치가 산출되어 버린다. 그 때문에, 각 히터(6c)의 저항치는, 온도차 ΔTL보다 큰 온도차 ΔTH에 대응하는 저항치만큼, 실제의 저항치보다 낮게 측정되어 버린다. 따라서, 도 7에 예시된 크기의 전압 VS에 있어서 저항치와 온도의 관계가 미리 측정되고, 도 8에 예시된 크기의 전압 VS가 실제의 프로세스에 있어서 이용된 경우, 각 히터(6c)의 온도가 실제의 온도보다 낮게 추정되어 버린다. 그 때문에, 실제의 프로세스에서는, 각 히터(6c)에 필요 이상으로 전력이 공급되고, 각 히터(6c)의 온도가 목표 온도보다 높아져 버린다.
또, 도 8에 예시된 크기의 전압 VS에 있어서 저항치와 온도의 관계가 미리 측정되고, 도 7에 예시된 크기의 전압 VS가 실제의 프로세스에 있어서 이용된 경우, 각 히터(6c)의 온도가 실제의 온도보다 높게 추정되게 된다. 그 때문에, 실제의 프로세스에서는, 각 히터(6c)의 온도가 목표 온도보다 낮아져 버린다.
그래서, 본 실시형태에서는, 실제의 프로세스에 있어서 측정된 히터(6c)의 저항치로부터 추정되는 히터(6c)의 온도가, 전원의 전압 VS의 크기(실효치)에 근거하여 보정된다. 예컨대, 각 히터(6c)에 공급되는 전압 VS가, 저항치와 온도의 관계를 미리 측정할 때에 각 히터(6c)에 공급된 전압 VS보다 큰 경우, 각 히터(6c)에 공급되는 전압 VS가 클수록, 저항치로부터 추정되는 히터(6c)의 온도가 높아지도록 보정된다. 한편, 각 히터(6c)에 공급되는 전압 VS가, 저항치와 온도의 관계가 미리 측정될 때에 각 히터(6c)에 공급된 전압 VS보다 작은 경우, 각 히터(6c)에 공급되는 전압 VS가 작을수록, 저항치로부터 추정되는 히터(6c)의 온도가 낮아지도록 보정된다.
또한, 기판 처리 시스템(10)이 설치되는 지역에 따라서는, 전원(27)의 주파수가 상이한 경우가 있다. 실제의 프로세스에 사용되는 전원(27)의 주파수가, 저항치와 온도의 관계를 미리 측정할 때에 사용된 전원(27)의 주파수와 상이한 경우, 실제의 프로세스에 있어서 측정된 저항치와 온도의 관계가 미리 측정된 관계와 어긋나게 된다. 도 9는 각 히터(6c)에 공급된 전력에 의한 히터(6c)의 온도 상승의 일례를 나타내는 도면이다. 도 9(a)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서 각 히터(6c)에 공급되는 전압의 일례를 나타내는 도면이다. 도 9(b)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서 각 히터(6c)에 공급되는 전류의 일례를 나타내는 도면이다. 도 9(c)는 SW(21)가 온인 기간에 있어서의 각 히터(6c)의 온도의 변화의 일례를 나타내는 도면이다. 도 9의 예에서는, 전압의 1/2의 주기에 대응하는 기간에 있어서 SW(21)가 온이 되어 있다. 또한, 도 9의 예에서는, 도 7에 비하여 전원(27)의 전압 VS의 주파수가 높게 되어 있고, SW(21)가 온인 기간 Δt'ON은, 도 7의 기간 ΔtON보다 짧게 되어 있다.
도 9(c)의 예에서는, 공급된 전력에 의해 각 히터(6c)의 온도는 T'L1까지 상승하지만, 기간 Δt'ON에서는 T'L2까지의 온도 상승에 있어서 측정된 전압 및 전류의 측정치에 의해 각 히터(6c)의 저항치가 산출되어 버린다. 그 때문에, 각 히터(6c)의 저항치는, 온도차 ΔTL보다 큰 온도차 ΔT'L에 대응하는 저항치만큼, 실제의 저항치보다 낮게 측정되어 버린다. 따라서, 도 7에 예시된 주파수의 전압 VS에 있어서 저항치와 온도의 관계가 미리 측정되고, 도 9에 예시된 주파수의 전압 VS가 실제의 프로세스에 있어서 이용된 경우, 각 히터(6c)의 온도가 실제의 온도보다 낮게 추정되어 버린다. 그 때문에, 실제의 프로세스에서는, 각 히터(6c)에 필요 이상으로 전력이 공급되고, 각 히터(6c)의 온도가 목표 온도보다 높아져 버린다.
또, 도 9에 예시된 주파수의 전압 VS에 있어서 저항치와 온도의 관계가 미리 측정되고, 도 7에 예시된 주파수의 전압 VS가 실제의 프로세스에 있어서 이용된 경우, 각 히터(6c)의 온도가 실제의 온도보다 높게 추정되게 된다. 그 때문에, 실제의 프로세스에서는, 각 히터(6c)의 온도가 목표 온도보다 낮아져 버린다.
그래서, 본 실시형태에서는, 실제의 프로세스에 있어서 측정된 히터(6c)의 저항치로부터 추정되는 히터(6c)의 온도가, 전원의 전압 VS의 주파수에 근거하여 보정된다. 예컨대, 각 히터(6c)에 공급되는 전압 VS의 주파수가, 저항치와 온도의 관계를 미리 측정할 때에 각 히터(6c)에 공급된 전압 VS의 주파수보다 높은 경우, 저항치로부터 추정되는 히터(6c)의 온도가 높아지도록 보정된다. 한편, 각 히터(6c)에 공급되는 전압 VS의 주파수가, 저항치와 온도의 관계가 미리 측정될 때에 각 히터(6c)에 공급된 전압 VS의 주파수보다 낮은 경우, 저항치로부터 추정되는 히터(6c)의 온도가 낮아지도록 보정된다.
[온도 제어 방법]
도 10은 온도 제어 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다. 도 10에 예시된 온도 제어 방법은, 기판 처리 방법의 일례이다. 예컨대, 제어 장치(200)는, 레시피에 근거하는 처리를 개시한 경우에, 본 플로차트에 나타내어지는 온도 제어 방법을 개시한다. 또, 유지부(26) 내에는, 변환 테이블(260), 보정 테이블(265), 및 레시피 등의 데이터가 미리 저장되어 있다.
우선, 측정부(24)는, 전원(27)의 주파수를 측정한다(S100). 그리고, 측정부(24)는, 전원(27)의 전압 VS의 실효치를 측정한다(S101). 스텝 S101은, 전원 전압 측정 공정의 일례이다. 그리고, 측정부(24)는, 측정된 전원(27)의 주파수 및 전압 VS의 실효치의 데이터를 제어부(25)에 출력한다.
다음으로, 제어부(25)는, 각 전력 공급부(20) 내의 SW(21)를 제어하는 것에 의해, 분할 영역(60)마다, 히터(6c)에 전력의 공급을 개시한다. 그리고, 측정부(24)는, 분할 영역(60)마다, 히터(6c)의 저항치를 측정한다(S102). 스텝 S102는, 저항치 측정 공정의 일례이다. 예컨대, 분할 영역(60)마다, 전류계(22) 및 전압계(23)는, SW(21)가 온인 기간에 히터(6c)에 공급되는 전압 VS 및 전류를 복수 회 측정하고, 측정치를 측정부(24)에 출력한다. 측정부(24)는, 분할 영역(60)마다, 복수의 전압 VS의 순시값으로부터 전압의 실효치를 산출하고, 복수의 전류의 순시값으로부터 전류의 실효치를 산출한다. 그리고, 측정부(24)는, 분할 영역(60)마다, 산출된 전압 VS 및 전류의 실효치에 근거하여, SW(21)가 온인 기간에 있어서의 히터(6c)의 저항치를 산출한다.
다음으로, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 유지부(26) 내의 변환 테이블(260)을 참조하여, 그 분할 영역(60)에 마련된 히터(6c)의 저항치에 근거하여, 히터(6c)의 온도를 추정한다(S103). 스텝 S103은, 추정 공정의 일례이다. 예컨대, 제어부(25)는, 변환 테이블(260)을 참조하여, 분할 영역(60)마다, 저항치의 측정치에 가장 가까운 저항치에 대응하는 온도와, 2번째로 가까운 저항치에 대응하는 온도를 특정한다. 그리고, 제어부(25)는, 특정된 2개의 온도를, 예컨대 선형 보간하는 것에 의해, 스텝 S102에서 측정된 저항치에 대응하는 온도를 특정한다.
다음으로, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 스텝 S103에 있어서 추정된 히터(6c)의 온도를 보정한다(S104). 스텝 S104는, 보정 공정의 일례이다. 예컨대, 제어부(25)는, 유지부(26) 내의 보정 테이블(265)을 참조하여, 스텝 S100에서 측정된 주파수에 가장 가까운 주파수를, 개별 테이블(267)에 대응지어져 있는 주파수 중에서 선택한다. 측정된 주파수에 가장 가까운 주파수를 선택하는 처리는, 선택 공정의 일례이다. 그리고, 제어부(25)는, 선택된 주파수에 대응지어져 있는 개별 테이블(267)을 선택한다. 그리고, 제어부(25)는, 선택된 개별 테이블(267)을 참조하여, 스텝 S101에서 측정된 전원(27)의 전압 VS의 실효치의 2승에 대응하는 보정치를 특정한다.
그리고, 제어부(25)는, 측정된 전원(27)의 전압 VS의 실효치의 2승에 가장 가까운 전압 VS의 실효치의 2승의 값에 대응하는 보정치와, 2번째로 가까운 전압의 실효치의 2승의 값에 대응하는 보정치를 특정한다. 그리고, 제어부(25)는, 특정된 2개의 보정치를, 예컨대 선형 보간하는 것에 의해, 스텝 S101에서 측정된 전원(27)의 전압 VS의 실효치의 2승에 대응하는 보정치를 특정한다.
그리고, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 특정된 보정치로, 스텝 S103에 있어서 추정된 히터(6c)의 온도를 보정한다. 본 실시형태에 있어서, 제어부(25)는, 히터(6c)의 온도에 보정치를 가산하는 것에 의해, 히터(6c)의 온도를 보정한다.
다음으로, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 보정된 히터(6c)의 온도와 목표 온도의 차에 근거하여, 전력 공급부(20) 내의 SW(21)의 온과 오프의 비율을 제어하는 것에 의해, 히터(6c)에 공급되는 전력을 제어한다(S105). 스텝 S105는, 제어 공정의 일례이다.
다음으로, 제어부(25)는, 레시피를 참조하여, 프로세스가 종료되었는지 여부를 판정한다(S106). 프로세스가 종료되지 않은 경우(S106 : 아니오), 측정부(24)는, 다시 스텝 S102에 나타내어진 처리를 실행한다. 한편, 프로세스가 종료된 경우(S106 : 예), 제어 장치(200)는, 본 플로차트에 나타낸 온도 제어 방법을 종료한다.
[변환 테이블(260) 및 보정 테이블(265)의 작성]
도 11은 변환 테이블(260) 및 보정 테이블(265)을 작성할 때의 기판 처리 시스템(10)의 구성의 일례를 나타내는 시스템 구성도이다. 변환 테이블(260) 및 보정 테이블(265)의 작성 시에는, 샤워 헤드(16)가 챔버(1)로부터 제거되고, 예컨대 도 11에 나타내어지는 바와 같이, 캘리브레이션 유닛(50)이 챔버(1)에 장착된다. 또, 이하에 설명하는 점을 제외하고, 도 11에 있어서, 도 1과 동일한 부호가 부여된 부재는, 도 1에 나타내어진 부재와 동일하거나 또는 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
캘리브레이션 유닛(50)은, IR(InfraRed) 카메라(51) 및 커버 부재(52)를 갖는다. 커버 부재(52)는, IR 카메라(51)의 촬영 방향이 정전 척(6)의 방향을 향하도록 IR 카메라(51)를 지지한다. IR 카메라(51)는, 제어 장치(200)에 의해 제어되고, 정전 척(6)의 상면으로부터 방사되는 적외선에 근거하여 정전 척(6)의 상면의 온도를 측정한다. 그리고, IR 카메라(51)는, 측정된 정전 척(6)의 상면의 온도의 분포를 나타내는 데이터를 제어 장치(200)에 출력한다. 제어 장치(200)는, IR 카메라(51)로부터 출력된 정전 척(6)의 상면의 온도의 분포를 나타내는 데이터에 근거하여, 분할 영역(60)마다의 온도를 산출한다.
변환 테이블(260) 및 보정 테이블(265)을 작성할 때의 제어 장치(200)의 구성은, 예컨대 도 12와 같게 된다. 도 12는 변환 테이블(260) 및 보정 테이블(265)을 작성할 때의 제어 장치(200)의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 또, 이하에 설명하는 점을 제외하고, 도 12에 있어서, 도 3과 동일한 부호가 부여된 구성은, 도 3에 나타내어진 구성과 동일하거나 또는 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 변환 테이블(260) 및 보정 테이블(265)을 작성할 때에는, 제어 장치(200)에 프로그래머블 전원(PPS : Programmable Power Supply)(55)으로부터 전원이 공급된다. PPS(55)는, 제어 장치(200)로부터의 제어에 따라, 제어 장치(200)를 통해서 각각의 분할 영역(60)의 히터(6c)에 공급되는 전압 VS의 주파수 및 크기를 변경하는 것이 가능하다.
[변환 테이블(260)의 작성 수순]
도 13은 변환 테이블(260)의 작성 수순의 일례를 나타내는 플로차트이다. 제어 장치(200)는, 예컨대, 기판 처리 시스템(10)의 관리자 등으로부터 변환 테이블(260)의 작성 지시를 접수한 경우에, 본 플로차트에 나타내는 변환 테이블(260)의 작성 수순을 개시한다. 또, 변환 테이블(260)에 설정되는 각 설정 온도의 데이터는, 미리 기판 처리 시스템(10)의 관리자 등에 의해 유지부(26) 내에 저장되어 있다. 또한, PPS(55)는, 미리 정해진 전압 VS(예컨대 200[V])가 출력되도록 설정된다.
우선, 제어부(25)는, 유지부(26)를 참조하여, 미리 정해진 복수의 설정 온도 중에서, 미선택의 설정 온도를 1개 선택한다(S200). 본 실시형태에 있어서, 유지부(26) 내에는, 예컨대 20℃로부터 120℃까지 10℃ 스텝으로 11가지의 설정 온도가 미리 저장되어 있다.
다음으로, 제어부(25)는, 각 분할 영역(60)의 히터(6c)에 전력을 공급한다(S201). 그리고, 제어부(25)는, IR 카메라(51)를 이용하여, 각 분할 영역(60)의 온도를 측정한다(S202).
다음으로, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 스텝 S200에서 선택된 설정 온도와, IR 카메라(51)에 의해 측정된 온도의 차가 미리 정해진 값(예컨대 0.1℃) 미만이 되도록, 히터(6c)에 공급되는 전력을 조정한다(S203).
분할 영역(60)마다 설정 온도와 측정 온도의 차가 미리 정해진 값 미만이 된 경우, 측정부(24)는, 각 분할 영역(60)의 히터(6c)의 저항치를 측정한다(S204). 그리고, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 설정 온도와 히터(6c)의 저항치를 대응지어 유지한다.
다음으로, 제어부(25)는, 모든 설정 온도가 선택되었는지 여부를 판정한다(S205). 미선택의 설정 온도가 있는 경우(S205 : 아니오), 제어부(25)는, 다시 스텝 S200에 나타내어진 처리를 실행한다. 한편, 모든 설정 온도가 선택된 경우(S205 : 예), 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다 설정 온도와 히터(6c)의 저항치가 대응지어진 변환 테이블(260)을 작성한다(S206). 그리고, 제어부(25)는, 작성된 변환 테이블(260)을 유지부(26) 내에 저장하고, 본 플로차트에 나타내어진 변환 테이블(260)의 작성 수순을 종료한다.
[보정 테이블(265)의 작성 수순]
도 14는 보정 테이블(265)의 작성 수순의 일례를 나타내는 플로차트이다. 보정 테이블(265)의 작성 수순은, 보정 데이터 작성 방법의 일례이다. 제어 장치(200)는, 예컨대, 변환 테이블(260)이 작성된 후, 본 플로차트에 나타내어지는 보정 테이블(265)의 작성 수순을 개시한다. 또, 변환 테이블(260)에 설정되는 각 설정 전압 VS 및 주파수의 데이터는, 미리 기판 처리 시스템(10)의 관리자 등에 의해 유지부(26) 내에 저장되어 있다.
우선, 제어부(25)는, 유지부(26)를 참조하여, 미리 정해진 복수의 주파수 중에서, 미선택의 주파수를 1개 선택한다(S300). 본 실시형태에 있어서, 유지부(26) 내에는, 예컨대 50[㎐]과 60[㎐]의 2종류의 주파수가 미리 저장되어 있다. 그리고, 제어부(25)는, 선택된 주파수의 전압이 출력되도록 PPS(55)를 제어한다. 스텝 S300은, 선택 공정의 일례이다.
다음으로, 제어부(25)는, 유지부(26)를 참조하여, 미리 정해진 복수의 설정 전압 VS 중에서, 미선택의 설정 전압 VS를 1개 선택한다(S301). 본 실시형태에 있어서, 유지부(26) 내에는, 예컨대 180[V]으로부터 230[V]까지 10[V] 간격으로 6가지의 설정 전압이 미리 저장되어 있다. 그리고, 제어부(25)는, 선택된 설정 전압 VS가 출력되도록 PPS(55)를 제어한다. 이것에 의해, 각각의 히터(6c)에는, 선택된 설정 전압 VS의 전력이 공급된다. 또, 정밀도의 관점으로부터, 보정치는, 5가지 이상의 설정 전압 VS에 있어서 측정되는 것이 바람직하다. 스텝 S301은, 공급 공정의 일례이다.
다음으로, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 히터(6c)의 온도가 미리 정해진 목표 온도(예컨대 +80℃)가 되도록, 히터(6c)로의 공급 전력을 제어한다(S302). 스텝 S302에서는, 측정부(24)는, 분할 영역(60)마다, 히터(6c)에 공급되는 전압 VS 및 전류의 실효치로부터 히터(6c)의 저항치를 측정하고, 제어부(25)는, 변환 테이블(260)을 참조하여, 측정된 저항치로부터 히터(6c)의 온도를 추정한다. 그리고, 제어부(25)는, 추정된 온도와 목표 온도의 차에 따라, 히터(6c)에 공급되는 전력을 조정한다. 즉, 스텝 S301에서 선택된 전원 전압에 있어서, 변환 테이블(260)에 근거하여, 히터(6c)의 저항치가 미리 정해진 목표 온도에 대응하는 저항치가 되도록 히터(6c)에 공급되는 전력이 조정된다. 목표 온도는, 제 1 온도의 일례이다. 스텝 S302는, 조정 공정의 일례이다.
다음으로, 제어부(25)는, IR 카메라(51)를 이용하여, 각 분할 영역(60)의 온도를 측정한다(S303). IR 카메라(51)에 의해 측정된 각 분할 영역(60)의 온도는, 제 2 온도의 일례이다. 또한, 스텝 S303은, 온도 측정 공정의 일례이다. 그리고, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 측정된 분할 영역(60)의 온도와 목표 온도의 차에 근거하여 보정치를 산출한다(S304). 본 실시형태에 있어서, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 목표 온도로부터, 측정된 분할 영역(60)의 온도를 빼는 것에 의해 보정치를 산출한다. 스텝 S304는, 보정치 산출 공정의 일례이다. 그리고, 제어부(25)는, 분할 영역(60)마다, 산출된 보정치를, 스텝 S300에서 선택된 주파수와, 스텝 S301에서 선택된 설정 전압 VS의 실효치의 2승에 대응지어 유지한다.
다음으로, 제어부(25)는, 모든 설정 전압 VS가 선택되었는지 여부를 판정한다(S305). 미선택의 설정 전압 VS가 있는 경우(S305 : 아니오), 제어부(25)는, 다시 스텝 S301에 나타내어진 처리를 실행한다. 한편, 모든 설정 전압 VS가 선택된 경우(S305 : 예), 제어부(25)는, 스텝 S300에서 선택된 주파수에 대하여, 분할 영역(60)마다, 설정 전압 VS의 실효치의 2승과 보정치가 대응지어진 개별 테이블(267)을 작성한다(S306). 스텝 S306은, 작성 공정의 일례이다.
다음으로, 제어부(25)는, 모든 주파수가 선택되었는지 여부를 판정한다(S307). 미선택의 주파수가 있는 경우(S307 : 아니오), 제어부(25)는, 다시 스텝 S300에 나타내어진 처리를 실행한다. 한편, 모든 주파수가 선택된 경우(S307 : 예), 제어부(25)는, 주파수와 개별 테이블(267)을 대응지은 보정 테이블(265)을 작성한다(S308). 그리고, 제어부(25)는, 작성된 보정 테이블(265)을 유지부(26) 내에 저장하고, 본 플로차트에 나타내어진 보정 테이블(265)의 작성 수순을 종료한다.
[하드웨어]
제어 장치(200)는, 예컨대 도 15에 나타내는 바와 같은 구성의 컴퓨터(90)에 의해 실현된다. 도 15는 제어 장치(200)의 기능을 실현하는 컴퓨터(90)의 일례를 나타내는 도면이다. 컴퓨터(90)는, CPU(Central Processing Unit)(91), RAM(Random Access Memory)(92), ROM(Read Only Memory)(93), 보조 기억 장치(94), 통신 I/F(인터페이스)(95), 입출력 I/F(96), 및 미디어 I/F(97)를 구비한다.
CPU(91)는, ROM(93) 또는 보조 기억 장치(94)에 저장된 프로그램에 근거하여 동작하고, 각 부의 제어를 행한다. ROM(93)은, 컴퓨터(90)의 기동 시에 CPU(91)에 의해 실행되는 부트 프로그램이나, 컴퓨터(90)의 하드웨어에 의존하는 프로그램 등을 저장한다.
보조 기억 장치(94)는, 예컨대 HDD(Hard Disk Drive) 또는 SSD(Solid State Drive) 등이고, CPU(91)에 의해 실행되는 프로그램 및 그 프로그램에 의해 사용되는 데이터 등을 저장한다. CPU(91)는, 그 프로그램을, 보조 기억 장치(94)로부터 읽어내어 RAM(92) 상에 로드하고, 로드한 프로그램을 실행한다.
통신 I/F(95)는, LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 거쳐서 기판 처리 장치(100)와의 사이에서 통신을 행한다. 통신 I/F(95)는, 통신 회선을 거쳐서 기판 처리 장치(100)로부터 데이터를 수신하여 CPU(91)에 보내고, CPU(91)가 생성한 데이터를, 통신 회선을 거쳐서 기판 처리 장치(100)에 송신한다.
CPU(91)는, 입출력 I/F(96)를 거쳐서, 키보드 등의 입력 장치 및 디스플레이 등의 출력 장치를 제어한다. CPU(91)는, 입출력 I/F(96)를 거쳐서, 입력 장치로부터 입력된 신호를 취득하여 CPU(91)에 보낸다. 또한, CPU(91)는, 생성한 데이터를, 입출력 I/F(96)를 거쳐서 출력 장치에 출력한다.
미디어 I/F(97)는, 기록 매체(98)에 저장된 프로그램 또는 데이터를 판독하고, 보조 기억 장치(94)에 저장한다. 기록 매체(98)는, 예컨대 DVD(Digital Versatile Disc), PD(Phase change rewritable Disk) 등의 광학 기록 매체, MO(Magneto-Optical disk) 등의 광자기 기록 매체, 테이프 매체, 자기 기록 매체, 또는 반도체 메모리 등이다.
컴퓨터(90)의 CPU(91)는, RAM(92) 상에 로드된 프로그램을 실행하는 것에 의해, 전력 공급부(20), 측정부(24), 및 제어부(25)의 각 기능을 실현한다. 또한, 보조 기억 장치(94)에는, 유지부(26) 내의 데이터가 저장된다.
컴퓨터(90)의 CPU(91)는, RAM(92) 상에 로드되는 프로그램을, 기록 매체(98)로부터 판독하여 보조 기억 장치(94)에 저장하지만, 다른 예로서, 다른 장치로부터, 통신 회선을 거쳐서 프로그램을 취득하여 보조 기억 장치(94)에 저장하더라도 좋다.
이상, 일 실시형태에 대하여 설명했다. 상기한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 보정 데이터 작성 방법은, 공급 공정과, 조정 공정과, 온도 측정 공정과, 보정치 산출 공정과, 작성 공정을 포함한다. 공급 공정에서는, 미리 정해진 복수의 전원 전압 중에서 전원 전압이 순차적으로 선택되고, 선택된 전원 전압이, 반도체 웨이퍼 W가 탑재되는 정전 척(6)을 가열하는 히터(6c)에 공급된다. 조정 공정에서는, 히터(6c)에 공급된 전원 전압에 있어서, 히터(6c)의 저항치와 히터(6c)의 온도의 관계를 나타내는 온도 변환 데이터에 근거하여, 히터(6c)의 저항치가 미리 정해진 제 1 온도에 대응하는 저항치가 되도록 히터(6c)에 공급되는 전력이 조정된다. 온도 측정 공정에서는, 히터(6c)가 마련된 위치의 정전 척(6)의 온도가 제 2 온도로서 측정된다. 보정치 산출 공정에서는, 제 1 온도와 제 2 온도의 차분에 대응하는 보정치가 산출된다. 작성 공정에서는, 각각의 전원 전압과 보정치의 대응 관계를 나타내는 보정 데이터가 작성된다. 작성된 보정 데이터를 이용하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼 W의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 보정 데이터는, 각각의 전원 전압에 대하여, 전원 전압의 실효치의 2승과, 전원 전압에 있어서의 보정치가 대응지어 저장된 보정 테이블(265)이다. 이것에 의해, 보정 데이터를 신속하게 작성할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 정전 척(6)은, 복수의 분할 영역(60)으로 분할되어 있고, 히터(6c)는, 각각의 분할 영역(60)에 마련되어 있다. 공급 공정, 조정 공정, 온도 측정 공정, 보정치 산출 공정, 및 작성 공정은, 각각의 분할 영역(60)에 마련된 히터(6c)에 대하여 실행된다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼 W의 온도를 보다 정밀하게 제어할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서의 보정 데이터 작성 방법은, 전원 전압의 주파수를, 미리 정해진 복수의 주파수 중에서 순차적으로 선택하는 선택 공정을 더 포함한다. 공급 공정, 조정 공정, 온도 측정 공정, 보정치 산출 공정, 및 작성 공정은, 선택 공정에 있어서 선택된 주파수의 전원 전압마다 실행된다. 또한, 보정 데이터는, 선택 공정에 있어서 선택된 주파수의 전원 전압마다 작성된다. 이것에 의해, 전원(27)의 주파수가 상이한 경우에도, 반도체 웨이퍼 W의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서의 기판 처리 방법은, 전원 전압 측정 공정과, 저항치 측정 공정과, 추정 공정과, 보정 공정과, 제어 공정을 포함한다. 전원 전압 측정 공정에서는, 히터(6c)에 공급되는 전원 전압이 측정된다. 저항치 측정 공정에서는, 히터(6c)의 저항치가 측정된다. 추정 공정에서는, 온도 변환 데이터에 근거하여, 측정된 히터(6c)의 저항치로부터 히터(6c)의 온도가 추정된다. 보정 공정에서는, 전술한 보정 데이터 작성 방법에 있어서 작성된 보정 데이터로부터, 측정된 전원 전압에 대응하는 보정치가 특정되고, 특정된 보정치를 이용하여, 추정된 히터(6c)의 온도가 보정된다. 제어 공정에서는, 보정된 히터(6c)의 온도에 근거하여, 히터(6c)의 온도가 미리 정해진 온도가 되도록, 히터(6c)에 공급되는 전력이 제어된다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼 W의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서의 보정 공정에서는, 보정 테이블(265)에 저장된 전원 전압 및 보정치를 보간하는 것에 의해, 전원 전압 측정 공정에 있어서 측정된 전원 전압에 대응하는 보정치가 특정되고, 특정된 보정치를 이용하여, 추정된 히터의 온도가 보정된다. 이것에 의해, 보정치를 신속하게 특정할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 정전 척(6)은, 복수의 분할 영역(60)으로 분할되어 있고, 히터(6c)는, 각각의 분할 영역(60)에 마련되어 있다. 전원 전압 측정 공정, 저항치 측정 공정, 추정 공정, 보정 공정, 및 제어 공정은, 각각의 분할 영역(60)에 마련된 히터(6c)에 대하여 실행된다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼 W의 온도를 보다 정밀하게 제어할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 보정 데이터는, 미리 정해진 주파수마다 준비되어 있고, 온도 제어 방법은, 전원 전압의 주파수를 선택하는 선택 공정을 더 포함한다. 보정 공정에서는, 선택 공정에서 선택된 주파수에 대응하는 보정 데이터를 이용하여, 추정된 히터(6c)의 온도가 보정된다. 이것에 의해, 전원(27)의 주파수가 상이한 경우에도, 반도체 웨이퍼 W의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서의 기판 처리 시스템(10)은, 정전 척(6)과, 히터(6c)와, 전력 공급부(20)와, 측정부(24)와, 유지부(26)와, 제어부(25)를 구비한다. 정전 척(6)에는, 반도체 웨이퍼 W가 탑재된다. 히터(6c)는, 정전 척(6)에 마련되고, 전력이 공급되는 것에 의해 반도체 웨이퍼 W를 가열한다. 전력 공급부(20)는, 히터(6c)에 전력을 공급한다. 측정부(24)는, 히터(6c)의 저항치를 측정한다. 유지부(26)는, 히터(6c)의 저항치와 히터(6c)의 온도의 관계를 나타내는 온도 변환 데이터, 및, 히터(6c)에 공급되는 전원 전압과 히터(6c)의 온도의 보정치의 대응 관계를 나타내는 보정 데이터를 유지한다. 제어부는, 전원 전압 측정 공정과, 저항치 측정 공정과, 추정 공정과, 보정 공정과, 제어 공정을 실행한다. 전원 전압 측정 공정에서는, 히터(6c)에 공급되는 전원 전압이 측정된다. 저항치 측정 공정에서는, 히터(6c)의 저항치가 측정된다. 추정 공정에서는, 온도 변환 데이터에 근거하여, 히터(6c)의 온도가 추정된다. 보정 공정에서는, 보정 데이터로부터, 측정된 전원 전압에 대응하는 보정치가 특정되고, 특정된 보정치를 이용하여, 추정된 히터(6c)의 온도가 보정된다. 제어 공정에서는, 보정된 히터(6c)의 온도에 근거하여, 히터(6c)의 온도가 미리 정해진 온도가 되도록, 히터(6c)에 공급되는 전력이 제어된다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼 W의 온도를 고정밀도로 제어할 수 있다.
[그 외]
또, 개시된 기술은, 상기한 실시예로 한정되는 것이 아니고, 그 요지의 범위 내에서 수많은 변형이 가능하다.
예컨대, 상기한 실시형태에서는, 전원(27)의 전압 VS의 실효치의 2승에 대응하는 보정치가 복수의 전압 VS에 대하여 미리 측정되어 보정 테이블(265)에 저장된다. 그리고, 실제의 프로세스에 있어서, 보정 테이블(265)에 저장된 보정치를 선형 보간하는 것에 의해, 실제의 프로세스에 있어서 각 히터(6c)에 공급되는 전압 VS의 실효치의 2승에 대응하는 보정치가 특정되었다. 그러나, 개시된 기술은 이것으로 한정되지 않는다.
예컨대, 전원(27)의 전압 VS의 실효치의 2승에 대응하는 보정치가 복수의 전압 VS에 대하여 미리 측정되고, 전압 VS의 실효치의 2승에 대응하는 보정치의 변화를 근사하는 근사식이 산출되더라도 좋다. 근사식은, 전압 VS의 실효치의 2승에 대응하는 보정치의 변화를 근사하는 직선이나 곡선이다. 실제의 프로세스에서는, 산출된 근사식을 이용하여, 실제의 프로세스에 있어서 각 히터(6c)에 공급되는 전압 VS의 실효치의 2승에 대응하는 보정치가 특정된다. 이것에 의해, 유지부(26) 내의 데이터의 양을 삭감할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에서는, 측정부(24)가 전원(27)의 주파수를 측정하지만, 개시된 기술은 이것으로 한정되지 않는다. 예컨대, 전원(27)의 주파수를 지정하기 위한 유저 인터페이스가 기판 처리 장치(100) 또는 제어 장치(200)에 마련되고, 제어부(25)는, 그 유저 인터페이스를 거쳐서 지정된 주파수를 선택하더라도 좋다. 유저 인터페이스는, 예컨대 스위치 등이더라도 좋다.
또, 이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이고 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는, 첨부된 특허 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되더라도 좋다.
W : 반도체 웨이퍼
10 : 기판 처리 시스템
100 : 기판 처리 장치
200 : 제어 장치
1 : 챔버
6 : 정전 척
6c : 히터
16 : 샤워 헤드
20 : 전력 공급부
21 : SW
22 : 전류계
23 : 전압계
24 : 측정부
25 : 제어부
26 : 유지부
260 : 변환 테이블
265 : 보정 테이블
27 : 전원
50 : 캘리브레이션 유닛
51 : IR 카메라
52 : 커버 부재
55 : PPS
60 : 분할 영역

Claims (11)

  1. 미리 정해진 복수의 전원 전압 중에서 전원 전압을 순차적으로 선택하고, 선택된 상기 전원 전압을, 기판이 탑재되는 탑재대를 가열하는 히터에 공급하는 공급 공정과,
    상기 히터에 공급된 상기 전원 전압에 있어서, 상기 히터의 저항치와 상기 히터의 온도의 관계를 나타내는 온도 변환 데이터에 근거하여, 상기 히터의 저항치가 미리 정해진 제 1 온도에 대응하는 저항치가 되도록 상기 히터에 공급되는 전력을 조정하는 조정 공정과,
    상기 히터가 마련된 위치의 상기 탑재대의 온도를 제 2 온도로서 측정하는 온도 측정 공정과,
    상기 제 1 온도와 상기 제 2 온도의 차분에 대응하는 보정치를 산출하는 보정치 산출 공정과,
    각각의 상기 전원 전압과 상기 보정치의 대응 관계를 나타내는 보정 데이터를 작성하는 작성 공정
    을 포함하는 보정 데이터 작성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보정 데이터는, 각각의 상기 전원 전압에 대하여, 상기 전원 전압의 실효치의 2승과, 상기 전원 전압에 있어서의 상기 보정치가 대응지어 저장된 보정 테이블인 보정 데이터 작성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보정 데이터는, 상기 각각의 전원 전압의 실효치의 2승에 대응하는 상기 보정치의 변화를 근사하는 근사식인 보정 데이터 작성 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탑재대는, 복수의 영역으로 분할되어 있고,
    상기 히터는, 각각의 상기 영역에 마련되어 있고,
    상기 공급 공정, 상기 조정 공정, 상기 온도 측정 공정, 상기 보정치 산출 공정, 및 상기 작성 공정은, 각각의 상기 영역에 마련된 상기 히터에 대하여 실행되는
    보정 데이터 작성 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전원 전압의 주파수를, 미리 정해진 복수의 주파수 중에서 순차적으로 선택하는 선택 공정을 더 포함하고,
    상기 공급 공정, 상기 조정 공정, 상기 온도 측정 공정, 상기 보정치 산출 공정, 및 상기 작성 공정은, 상기 선택 공정에 있어서 선택된 주파수의 전원 전압마다 실행되고,
    상기 보정 데이터는, 상기 선택 공정에 있어서 선택된 주파수의 전원 전압마다 작성되는
    보정 데이터 작성 방법.
  6. 기판 탑재대를 가열하는 히터에 공급되는 전원 전압을 측정하는 전원 전압 측정 공정과,
    상기 히터의 저항치를 측정하는 저항치 측정 공정과,
    상기 온도 변환 데이터에 근거하여, 측정된 상기 히터의 저항치로부터 상기 히터의 온도를 추정하는 추정 공정과,
    청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 보정 데이터 작성 방법에 있어서 작성된 상기 보정 데이터로부터, 측정된 상기 전원 전압에 대응하는 상기 보정치를 특정하고, 특정된 상기 보정치를 이용하여, 추정된 상기 히터의 온도를 보정하는 보정 공정과,
    보정된 상기 히터의 온도에 근거하여, 상기 히터의 온도가 미리 정해진 온도가 되도록, 상기 히터에 공급되는 전력을 제어하는 제어 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 보정 데이터는, 각각의 상기 전원 전압에 대하여, 상기 전원 전압의 실효치의 2승과, 상기 전원 전압에 있어서의 상기 보정치가 대응지어 저장된 보정 테이블이고,
    상기 보정 공정에서는, 상기 보정 테이블에 저장된 상기 전원 전압 및 상기 보정치를 보간하는 것에 의해, 상기 전원 전압 측정 공정에 있어서 측정된 상기 전원 전압에 대응하는 보정치가 특정되고, 특정된 상기 보정치를 이용하여, 추정된 상기 히터의 온도가 보정되는
    기판 처리 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 보정 데이터는, 상기 각각의 전원 전압의 실효치의 2승에 대응하는 상기 보정치의 경향을 나타내는 근사식이고,
    상기 보정 공정에서는, 상기 근사식을 이용하여 상기 전원 전압 측정 공정에 있어서 측정된 상기 전원 전압에 대응하는 보정치가 특정되고, 특정된 상기 보정치를 이용하여, 추정된 상기 히터의 온도가 보정되는
    기판 처리 방법.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탑재대는, 복수의 영역으로 분할되어 있고,
    상기 히터는, 각각의 상기 영역에 마련되어 있고,
    상기 전원 전압 측정 공정, 상기 저항치 측정 공정, 상기 추정 공정, 상기 보정 공정, 및 상기 제어 공정은, 각각의 상기 영역에 마련된 상기 히터에 대하여 실행되는
    기판 처리 방법.
  10. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    미리 정해진 주파수마다 상기 보정 데이터가 준비되어 있고,
    상기 기판 처리 방법은, 상기 전원 전압의 주파수를 선택하는 선택 공정을 더 포함하고,
    상기 보정 공정에서는, 상기 선택 공정에서 선택된 주파수에 대응하는 상기 보정 데이터를 이용하여, 추정된 상기 히터의 온도를 보정하는
    기판 처리 방법.
  11. 기판이 탑재되는 탑재대와,
    상기 탑재대에 마련되고, 전력이 공급되는 것에 의해 상기 기판을 가열하는 히터와,
    상기 히터에 전력을 공급하는 전력 공급부와,
    상기 히터의 저항치를 측정하는 측정부와,
    상기 히터의 저항치와 상기 히터의 온도의 관계를 나타내는 온도 변환 데이터, 및, 상기 히터에 공급되는 전원 전압과 상기 히터의 온도의 보정치의 대응 관계를 나타내는 보정 데이터를 유지하는 유지부와,
    제어부
    를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 히터에 공급되는 전원 전압을 측정하는 전원 전압 측정 공정과,
    상기 히터의 저항치를 측정하는 저항치 측정 공정과,
    상기 온도 변환 데이터에 근거하여, 상기 히터의 온도를 추정하는 추정 공정과,
    상기 보정 데이터로부터, 측정된 상기 전원 전압에 대응하는 상기 보정치를 특정하고, 특정된 상기 보정치를 이용하여, 추정된 상기 히터의 온도를 보정하는 보정 공정과,
    보정된 상기 히터의 온도에 근거하여, 상기 히터의 온도가 미리 정해진 온도가 되도록, 상기 히터에 공급되는 전력을 제어하는 제어 공정
    을 실행하는
    기판 처리 시스템.
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