KR20170113571A - 에폭시 수지 조성물, 필름형 에폭시 수지 조성물, 경화물 및 전자 장치 - Google Patents

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Abstract

(A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지, 및 (C) 무기 충전제를 함유하고, 상기 (A) 에폭시 수지가, 25℃에서 액상(液狀)인 에폭시 수지를 포함하고, 상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지가, 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지를 포함하고, 상기 25℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량이, 상기 (A) 에폭시 수지, 및 상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로 30 질량% 이상인, 에폭시 수지 조성물.

Description

에폭시 수지 조성물, 필름형 에폭시 수지 조성물, 경화물 및 전자 장치
본 발명은, 전자 부품 또는 전자 디바이스(예를 들면, 프린트 배선 기판에 배치된 전자 부품 또는 전자 디바이스)의 매립 또는 봉지(封止) 등을 가능하게 하는 에폭시 수지 조성물, 필름형 에폭시 수지 조성물 및 경화물, 및 이들을 사용한 전자 장치에 관한 것이다.
전자 기기의 경박단소화(輕薄短小化)에 따라, 반도체 장치의 소형화 및 박형화가 진행되고 있다. 반도체 소자와 거의 동일한 크기의 반도체 장치를 사용하는 형태, 또는 반도체 장치 상에 반도체 장치를 탑재하는 실장(實裝) 형태(패키지·온·패키지)가 많이 행해지고 있고, 향후, 반도체 장치의 소형화 및 박형화가 더욱 진행될 것으로 예상된다.
반도체 소자의 미세화가 진전되고, 단자 수가 증가하면, 반도체 소자 상에 모든 외부 접속 단자(외부 접속용의 단자)를 설치하는 것이 곤란하게 된다. 예를 들면, 외부 접속 단자를 반도체 소자 상에 무리하게 설치한 경우, 단자 사이의 피치가 좁아지는 동시에 단자 높이가 낮아져, 반도체 장치를 실장한 후의 접속 신뢰성의 확보가 어려워진다. 이에, 반도체 장치의 소형화 및 박형화를 실현하기 위하여, 새로운 실장 방법이 많이 제안되어 있다.
예를 들면, 반도체 웨이퍼를 개편화(個片化)하여 제작된 반도체 소자를, 적절한 간격을 가지도록 재배치한 후, 반도체 소자를 액상(液狀) 또는 고형(固形)의 수지 봉지재를 사용하여 봉지하고, 반도체 소자를 봉지한 부분에 외부 접속 단자를 더 설치하는 실장 방법, 및 상기 실장 방법을 사용하여 제작되는 반도체 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 하기 특허 문헌 1∼4 참조).
재배치한 반도체 소자의 봉지는, 예를 들면, 액상 또는 고형의 수지 봉지재를 금형으로 성형하는 몰드 성형에 의해 행해진다. 봉지 성형을 몰드 성형으로 행하는 경우, 펠릿(pellet)상(狀)의 수지 봉지재를 용융시켜 얻어지는 수지를 금형 내에 유입함으로써 봉지하는 트랜스퍼 몰드 성형이 사용되는 경우가 있다. 그러나, 용융시켜 얻어지는 수지를 유입하여 성형하므로, 대면적을 봉지하는 경우, 미충전부가 발생할 가능성이 있다. 이에 최근, 사전에 금형 또는 피봉지체에 수지 봉지재를 공급하고 나서 성형을 행하는 콤프레션 몰드 성형이 사용되기 시작하고 있다. 콤프레션 몰드 성형에서는, 수지 봉지재를 금형 또는 피봉지체에 직접 공급하므로, 대면적의 봉지라도 미충전부가 쉽게 생기지 않는 장점이 있다. 콤프레션 몰드 성형에서는, 트랜스퍼 몰드 성형과 마찬가지로, 액상 또는 고형의 수지 봉지재가 사용된다.
일본 특허 제3616615호 공보 일본공개특허 제2001-244372호 공보 일본공개특허 제2001-127095호 공보 미국특허 출원 공개 제2007/205513호 명세서
그런데, 최근, 액상 또는 고형의 수지 봉지재 대신 필름형 수지 봉지재를 사용함으로써, 금형을 필요로 하지 않는 성형 방법(라미네이트, 프레스 등)에 의해 봉지를 행하는 것이 검토되고 있다. 이 경우에, 필름형의 수지 봉지재가 파손되어 봉지를 행하는 것이 곤란하게 되는 것을 회피하는 관점에서, 수지 봉지재에는, 우수한 취급성(굴곡성 등)이 요구되고 있다.
또한, 대면적을 봉지하는 경우, 한번에 봉지할 수 있는 면적이 증가하므로, 작업 시간을 단축할 수 있지만, 봉지 성형물에 휨이 일어나는 경우가 있다. 봉지 성형물의 휨은, 후속의 공정에 있어서 문제를 유발하는 요인이 된다. 예를 들면, 후술하는 도 2의 (a)의 봉지 성형물에 휨이 생기면, 다이싱(dicing) 공정(도 2의 (d) 참조)에 있어서 다이싱 정밀도를 해치는 문제가 있다. 그러므로, 봉지 성형물의 휨을 저감하는 것이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 우수한 취급성(굴곡성 등)을 가지는 필름형 에폭시 수지 조성물(필름형의 수지 봉지재, 봉지 필름)을 얻을 수 있고, 또한 봉지 후의 휨을 억제할 수 있는 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 우수한 취급성을 가지고, 또한 봉지 후의 휨을 억제할 수 있는 필름형 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 상기 에폭시 수지 조성물(필름형 에폭시 수지 조성물 등)의 경화물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 이들 에폭시 수지 조성물, 필름형 에폭시 수지 조성물 또는 경화물을 사용한 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 실시형태는, (A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지, 및 (C) 무기 충전제를 함유하고, 상기 (A) 에폭시 수지가, 25℃에서 액상인 에폭시 수지를 포함하고, 상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지가, 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지를 포함하고, 상기 25℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량이, 상기 (A) 에폭시 수지, 및 상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로 30 질량% 이상인, 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
제1 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물에 의하면, 상기 에폭시 수지 조성물을 필름형으로 성형한 경우에 있어서, 우수한 취급성(굴곡성 등)을 가지는 필름형 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다. 또한, 제1 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물에 의하면, 봉지 후의 휨을 억제하는 것이 가능하며, 특히, 대면적을 봉지하는 경우라도 봉지 후의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 제1 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, 우수한 내열성을 가진다.
본 발명의 제1 실시형태는, 상기 에폭시 수지 조성물을 포함하는, 필름형 에폭시 수지 조성물을 제공한다. 제1 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 우수한 취급성을 가지고, 또한 봉지 후의 휨을 억제할 수 있다.
본 발명의 제2 실시형태는, 전자 부품 및 전자 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 피봉지체를 봉지하기 위한 필름형 에폭시 수지 조성물로서, (A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지, 및 (C) 무기 충전제를 함유하고, 상기 (A) 에폭시 수지가, 25℃에서 액상인 에폭시 수지를 포함하고, 상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지가, 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지를 포함하고, 상기 25℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량이, 상기 (A) 에폭시 수지, 및 상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로 30 질량% 이상인, 필름형 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
제2 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 우수한 취급성(굴곡성 등)을 가진다. 또한, 제2 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물에 의하면, 봉지 후의 휨을 억제하는 것이 가능하며, 특히, 대면적을 봉지하는 경우라도 봉지 후의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 제2 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 우수한 내열성을 가진다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 및 필름형 에폭시 수지 조성물은, 경화 촉진제를 더 함유할 수도 있다.
상기 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지는, 하기 일반식(I)으로 표시되는 화합물을 포함할 수도 있고, 하기 일반식(II)으로 표시되는 화합물을 포함할 수도 있다.
Figure pct00001
[식(I) 중, R11, R12, R13, R14 및 R15는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8은, 각각 독립적으로 0∼2의 정수를 나타내고(단, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8 모두가 0인 경우를 제외함), n1은, 0∼10의 정수를 나타낸다.]
Figure pct00002
[식(II) 중, R21, R22 및 R23은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, n2는, 0∼10의 정수를 나타낸다.]
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 및 필름형 에폭시 수지 조성물은, 엘라스토머를 더 함유할 수도 있다.
본 발명은, 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물, 및 상기 필름형 에폭시 수지 조성물의 경화물을 제공한다. 본 발명에 따른 경화물에 의하면, 봉지 후의 휨을 억제할 수 있다.
본 발명은, 전자 부품 및 전자 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 피봉지체와, 상기 피봉지체를 봉지하는 봉지부를 구비하고, 상기 봉지부가, 상기 에폭시 수지 조성물, 상기 필름형 에폭시 수지 조성물 또는 상기 경화물을 포함하는, 전자 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 우수한 취급성(굴곡성 등)을 가지는 필름형 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있고, 또한 봉지 후의 휨을 억제할 수 있는 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 우수한 취급성(굴곡성 등)을 가지고, 또한 봉지 후의 휨을 억제할 수 있는 필름형 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 상기 에폭시 수지 조성물(필름형 에폭시 수지 조성물 등)의 경화물을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 이들 에폭시 수지 조성물, 필름형 에폭시 수지 조성물 또는 경화물을 사용한 전자 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 전자 부품 또는 전자 디바이스(예를 들면, 프린트 배선 기판에 배치된 전자 부품 또는 전자 디바이스)의 매립 또는 봉지 등에 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 몰드 성형에 바람직하게 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 금형을 필요로 하지 않는 성형 방법(라미네이트, 프레스 등)에도 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 봉지재로서의 필름형 에폭시 수지 조성물의 응용을 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 전자 부품의 매립 또는 봉지로의 필름형 에폭시 수지 조성물의 응용을 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 전자 디바이스의 매립 또는 봉지로의 필름형 에폭시 수지 조성물의 응용을 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 프린트 배선 기판에 배치된 전자 부품 또는 전자 디바이스의 매립 또는 봉지로의 필름형 에폭시 수지 조성물의 응용을 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 몰드 성형으로의 필름형 에폭시 수지 조성물의 응용을 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 금형을 필요로 하지 않는 성형 방법(라미네이트, 프레스 등)으로의 필름형 에폭시 수지 조성물의 응용을 제공할 수 있다.
도 1은 반도체 장치의 제조 방법의 일실시형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다.
도 2는 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 설명하기 위한 모식 단면도이다.
도 3은 휨량을 평가하기 위한 시험편을 나타낸 평면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
그리고, 본 명세서에 있어서, 「∼」을 사용하여 나타낸 수치 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를 각각 최소값 및 최대값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 또한, 조성물 중의 각 성분의 양은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우, 특별히 한정하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 상기 복수의 물질의 합계량을 의미한다.
<에폭시 수지 조성물>
본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지, 및 (C) 무기 충전제를 필수 성분으로서 함유하고 있다. 본 실시형태에 있어서, (A) 에폭시 수지는, 25℃에서 액상인 에폭시 수지를 적어도 1종 포함하고, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지는, 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지를 적어도 1종 포함하고, 25℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량은, (A) 에폭시 수지, 및 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로 30 질량% 이상이다.
본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물의 형상으로서는, 필름형, 액상, 고형(과립, 분체(粉體) 등) 등을 예로 들 수 있다. 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, 몰드 성형에 의한 봉지, 금형을 필요로 하지 않는 성형 방법(라미네이트, 프레스 등)에 dnkgjs 봉지 등에 사용할 수 있다. 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, 전자 부품 또는 전자 디바이스의 매립 또는 봉지 등에 사용할 수 있다. 전자 부품으로서는, 예를 들면, SAW 필터 등의 필터; 센서 등의 수동(受動) 부품이 있다. 전자 디바이스로서는, 예를 들면, 반도체 소자, 집적 회로, 반도체 디바이스 등이 있다. 그리고, 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, 이들 이외의 피봉지체의 매립 또는 봉지에 사용할 수도 있다. 「매립」이란, 간극, 단차(段差) 등에 봉지재를 공급하는 것을 의미한다. 「봉지」란, 피봉지체가 외기에 접하지 않도록 봉지재로 피봉지체를 피복하는 것을 의미한다.
이하, 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물의 구성 성분 등에 대하여 설명한다.
((A) 에폭시 수지)
(A) 에폭시 수지는, 필름형 에폭시 수지 조성물에 유연성을 부여하기 위하여, 25℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「에폭시 수지(a1)」라고 함)를 적어도 1종 포함한다. 에폭시 수지(a1)로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 1분자 중에 2개 이상의 글리시딜기를 가지는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 에폭시 수지(a1)로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 예로 들 수 있다.
에폭시 수지(a1)로서는 시판품을 사용할 수도 있다. 에폭시 수지(a1)의 시판품으로서는, 미쓰비시가가쿠 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「jER825」(비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 175), 미쓰비시가가쿠 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「jER806」(비스페놀 F형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 160), DIC 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「HP-4032D」(나프탈렌형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 141), DIC 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「EXA-4850」등의 유연 강인성(强靭性) 에폭시 수지 등을 예로 들 수 있다. 에폭시 수지(a1)는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
여기서, 「25℃에서 액상인 에폭시 수지」란, 25℃로 유지된 상기 에폭시 수지의 점도를 E형 점도계 또는 B형 점도계를 사용하여 측정한 값이 400 Pa·s 이하인 에폭시 수지를 나타낸다.
에폭시 수지(a1)의 함유량은, 우수한 취급성(굴곡성 등)을 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지, 및 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로 30 질량% 이상이다. 에폭시 수지(a1)의 함유량은, 더욱 우수한 취급성(굴곡성 등)을 얻는 관점에서, 35 질량% 이상이라도 되고, 37 질량% 이상이라도 되고, 40 질량% 이상이라도 된다. 에폭시 수지(a1)의 함유량은, 보호층을 형성한 봉지 시트로서 사용하는 경우에 보호층의 박리성(剝離性)이 양호한 관점에서, 70 질량% 이하라도 되고, 65 질량% 이하라도 된다. 에폭시 수지(a1)의 함유량은, 우수한 취급성(굴곡성 등)을 유지하면서, 보호층을 형성한 봉지 시트로서 사용하는 경우에 보호층의 박리성이 양호한 관점에서, 30∼70 질량%라도 되고, 30∼65 질량%라도 된다.
에폭시 수지(a1)의 함유량은, 더욱 우수한 취급성(굴곡성 등)을 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 전량을 기준으로 하여, 60 질량% 이상이라도 되고, 65 질량% 이상이라도 되고, 70 질량% 이상이라도 된다. 에폭시 수지(a1)의 함유량은, 더욱 우수한 취급성(굴곡성 등)을 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 전량을 기준으로 하여, 100 질량% 이하라도 되고, 95 질량% 이하라도 되고, 90 질량% 이하라도 된다.
(A) 에폭시 수지는, 25℃에서 액상인 에폭시 수지(a1) 이외의 에폭시 수지(이하, 「에폭시 수지(a2)」라고 한다. 예를 들면, 25℃에서 액상은 아닌 에폭시 수지)를 더 포함할 수도 있다. 에폭시 수지(a2)로서는, 나프탈렌형 에폭시 수지(4관능 나프탈렌형 에폭시 수지, 3관능 나프탈렌형 에폭시 수지 등), 안트라센형 에폭시 수지, 트리스페닐메탄형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등), 디하이드록시벤젠노볼락형 에폭시 수지, 글리시틸에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지 등을 예로 들 수 있다. 에폭시 수지(a2)로서는, 더욱 우수한 내열성을 얻는 관점에서, 나프탈렌형 에폭시 수지라도 된다. 에폭시 수지(a2)는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
에폭시 수지(a2)로서는 시판품을 사용할 수도 있다. 에폭시 수지(a2)의 시판품으로서는, DIC 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「HP-4700」(4관능 나프탈렌형 에폭시 수지), 상품명 「HP-4750」(3관능 나프탈렌형 에폭시 수지), 상품명 「HP-4710」(4관능 나프탈렌형 에폭시 수지), 상품명 「에피클론 N-770」(페놀 노볼락형 에폭시 수지), 상품명 「에피클론 N-660」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지) 및 상품명 「에피클론 HP-7200H」(디시클로펜타디엔형 에폭시 수지), 일본 화약 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「EPPN-502H」(트리스페닐메탄형 에폭시 수지) 및 상품명 「NC-3000」(비페닐아랄킬형 에폭시 수지), 신닛테츠스미킨 화학 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「ESN-355」(나프탈렌형 에폭시 수지), 미쓰비시가가쿠 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「YX-8800」(안트라센형 에폭시 수지), 스미토모 화학 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「ESCN-190-2」(o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지) 등을 예로 들 수 있다.
(A) 에폭시 수지는, 내열성, 및 B 스테이지(반경화)의 필름형 에폭시 수지 조성물의 취급성(굴곡성 등)이 더욱 향상되는 관점에서, 에폭시 수지(a2) 중에서도, 하기 일반식(III)으로 표시되는 에폭시 수지를 포함할 수도 있다. n31＋n32＋n33＋n34는, 더욱 우수한 내열성을 얻는 관점에서, 2 이상이라도 되고, 3 이상이라도 된다. n31＋n32＋n33＋n34는, 더욱 우수한 취급성(굴곡성 등)을 얻는 관점에서, 4 이하라도 되고, 3 이하라도 된다.
Figure pct00003
[식(III) 중, n31∼n34는, 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내고, n31＋n32＋n33＋n34는, 2 이상(n31＋n32＋n33＋n34≥2)을 나타낸다.]
식(III)으로 표시되는 에폭시 수지로서는, 하기 식(IV)으로 표시되는 에폭시 수지, 하기 식(V)으로 표시되는 에폭시 수지 등을 예로 들 수 있다. 식(III)으로 표시되는 에폭시 수지로서는, 시판품을 사용할 수도 있다. 식(IV)으로 표시되는 에폭시 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, DIC 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「HP-4750」(에폭시 당량: 182)이 있다. 식(V)으로 표시되는 에폭시 수지의 시판품으로서는, 예를 들면, DIC 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「HP-4700」(에폭시 당량: 166)이 있다.
Figure pct00004
Figure pct00005
에폭시 수지(a2)의 함유량은, 더욱 우수한 내열성을 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 전량을 기준으로 하여, 10 질량% 이상이라도 되고, 15 질량% 이상이라도 되고, 20 질량% 이상이라도 된다. 에폭시 수지(a2)의 함유량은, 더욱 우수한 취급성(굴곡성 등)을 얻는 관점에서, (A) 에폭시 수지의 전량을 기준으로 하여, 45 질량% 이하라도 되고, 42 질량% 이하라도 되고, 40 질량% 이하라도 된다.
에폭시 수지(a2)의 함유량은, 더욱 우수한 내열성을 얻는 관점에서, 에폭시 수지(a1) 100질량부에 대하여, 10질량부 이상이라도 되고, 15질량부 이상이라도 되고, 20질량부 이상이라도 된다. 에폭시 수지(a2)의 함유량은, 더욱 우수한 취급성(굴곡성 등)을 얻는 관점에서, 에폭시 수지(a1) 100질량부에 대하여, 30질량부 미만이라도 되고, 28질량부 이하라도 되고, 25질량부 이하라도 된다.
((B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지)
(B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지는, 나프탈렌환(나프탈렌 골격) 및 수산기를 가지는 수지(이하, 「수지(b1)」이라고 함)를 적어도 1종 포함한다. 수지(b1)를 사용함으로써, (A) 에폭시 수지와 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지와의 반응에 의해 생기는 수축(반응 수축)을 작게 하는 것이 가능하므로, 봉지 후의 휨을 억제할 수 있는 것으로 추측된다. (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지에서의 수산기로서는, 예를 들면, 페놀성 수산기(방향환에 직접 결합되어 있는 수산기) 등이 있다. 페놀성 수산기로서는, 예를 들면, 나프탈렌환에 직접 결합되어 있는 수산기, 벤젠환에 직접 결합되어 있는 수산기 등이 있다. (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지는, 페놀 수지라도 된다.
수지(b1)로서는, 봉지 후의 휨을 더욱 억제하는 관점에서, 하기 일반식(I)으로 표시되는 화합물이라도 된다.
Figure pct00006
[식(I) 중, R11, R12, R13, R14 및 R15는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8은, 각각 독립적으로 0∼2의 정수를 나타내고(단, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8 모두가 0인 경우를 제외함), n1은, 0∼10의 정수를 나타낸다.]
우수한 난연성(難燃性)을 얻는 관점에서, R11, R12, R13, R14 및 R15 중 적어도 1개가 수소 원자라도 되고, R11, R12, R13, R14 및 R15 모두가 수소 원자라도 된다. 봉지 후의 휨을 더욱 억제하는 관점에서, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8 중 적어도 1개가 1이라도 되고, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8 모두가 1이라도 된다. 내열성이 더욱 우수한 관점에서, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8 중 적어도 1개가 2라도 되고, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8 모두가 2라도 된다. n1은, 성형성, 유동성(流動性) 및 난연성이 우수한 관점에서, 0∼10의 정수라도 되고, 0∼6의 정수라도 된다.
식(I)으로 표시되는 화합물은, 봉지 후의 휨을 더욱 억제하는 관점, 및 더욱 우수한 내열성을 얻는 관점에서, 수산기가 1번 위치 및 6번 위치에 결합한 나프탈렌환을 가지고 있어도 된다. 수산기가 나프탈렌환의 1번 위치 및 6번 위치에 결합되어 있는 것에 의해, (A) 에폭시 수지와 효율적으로 반응할 수 있다. 식(I)으로 표시되는 화합물로서는, 봉지 후의 휨을 더욱 억제하는 관점, 및 더욱 우수한 내열성을 얻는 관점에서, 하기 일반식(II)으로 표시되는 화합물이라도 된다.
Figure pct00007
[식(II) 중, R21, R22 및 R23은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, 서로 동일해도 되고 상이해도 된다. n2는, 0∼10의 정수를 나타낸다.]
또한, 우수한 난연성을 얻는 관점에서, R21, R22 및 R23 중 적어도 1개가 수소 원자라도 되고, R21, R22 및 R23의 모두가 수소 원자라도 된다. n2는, 성형성, 유동성 및 난연성이 우수한 관점에서, 0∼10의 정수라도 되고, 0∼6의 정수라도 된다.
식(I)으로 표시되는 화합물로서는, 시판품을 사용할 수도 있다. 식(I)으로 표시되는 화합물의 시판품으로서는, 신닛테츠스미킨 화학 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「SN-180」, 「SN-395」, 「SN-475」, 「SN-475N」 및 「SN-485」, 메이와 화성 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「MEH-7000」 등을 예로 들 수 있다. 식(I)으로 표시되는 화합물은, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
식(I)으로 표시되는 화합물로서는, 흡수 및 봉지 후의 휨을 더욱 억제하는 관점에서, 하기 일반식(VI)으로 표시되는 구조를 가지는 화합물(n6는 1 이상의 정수를 나타낸다. 예를 들면, 신닛테츠스미킨 화학 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「SN-180」), 및 하기 일반식(VII)으로 표시되는 구조를 가지는 화합물(n7은 1 이상의 정수를 나타낸다. 예를 들면, 신닛테츠스미킨 화학 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「SN-475 N」)이라도 된다.
Figure pct00008
Figure pct00009
(B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지는, 수지(b1) 이외의 수지로서, 나프탈렌환을 가지고 있지 않은 수지(이하, 「수지(b2)」라고 함)를 더 포함할 수도 있다. 수지(b2)로서는, 봉지용 에폭시 수지 조성물에 일반적으로 사용되고 있는 수지 등을 예를 들 수 있으며, 특별히 제한은 없다.
수지(b2)로서는, 노볼락형 페놀 수지(페놀류와 알데히드류를 산성 촉매 하 축합 또는 공축합시켜서 얻어지는 수지 등); 트리스페닐메탄형 페놀 수지; 폴리파라비닐페놀 수지; 페놀·아랄킬 수지(페놀류 및 디메톡시파라크실렌으로부터 합성되는, 크실릴렌기를 가지는 페놀·아랄킬 수지 등); 비페닐 골격을 가지는 페놀 수지(비페닐아랄킬형 페놀 수지 등) 등을 예로 들 수 있다. 상기 페놀류로서는, 페놀, 크레졸, 크실레놀, 레조르신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F 등을 예로 들 수 있다. 상기 알데히드류로서는, 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드, 벤 알데히드, 살리실알데히드 등을 예로 들 수 있다. 수지(b2)는, 우수한 난연성을 얻는 관점에서, 비페닐아랄킬형 페놀 수지라도 되고, 더욱 우수한 내열성을 얻는 관점에서, 노볼락형 페놀 수지라도 된다. 수지(b2)는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
시판 중인 수지(b2)로서는, 아사히 유기재 공업 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「PAPS-PN2」(노볼락형 페놀 수지), 에어·워터 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「SK 레진 HE200C-7」(비페닐아랄킬형 페놀 수지), 상품명 「HE910-10」(트리스페닐메탄형 페놀 수지), 메이와 화성 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「MEH-7000」, 「DL-92」, 「H-4」 및 「HF-1M」, 군에이 화학공업 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「LVR-8210DL」, 「ELP」 시리즈 및 「NC」 시리즈, 및 히타치 화성 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「HP-850N」(노볼락형 페놀 수지) 등을 예로 들 수 있다.
(A) 에폭시 수지의 글리시딜기의 당량(에폭시 당량)의, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지에서의 상기 글리시딜기와 반응하는 관능기(예를 들면, 페놀성 수산기)의 당량(예를 들면, 수산기 당량)에 대한 비율((A) 에폭시 수지의 글리시딜기의 당량/(B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지에서의 상기 글리시딜기와 반응하는 관능기의 당량)은, 미반응의 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지를 낮게 억제하는 관점에서, 0.7 이상이라도 되고, 0.8 이상이라도 되고, 0.9 이상이라도 된다. 전술한 비율은, 미반응의 (A) 에폭시 수지를 낮게 억제하는 관점에서, 2.0 이하라도 되고, 1.8 이하라도 되고, 1.7 이하라도 된다. 또한 이 비율은, 미반응의 (A) 에폭시 수지, 및 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지를 낮게 억제하는 관점에서, 0.7∼2.0이라도 되고, 0.8∼1.8이라도 되고, 0.9∼1.7이라도 된다.
(A) 에폭시 수지의 글리시딜기의 당량(에폭시 당량)의, 수지(b2)에서의 상기 글리시딜기와 반응하는 관능기(예를 들면, 페놀성 수산기)의 당량(수산기 당량 등)에 대한 비율((A) 에폭시 수지의 글리시딜기의 당량/수지(b2)에서의 상기 글리시딜기와 반응하는 관능기의 당량)은, 미반응의 수지(b2)를 낮게 억제하는 관점에서, 0.7 이상이라도 되고, 0.8 이상이라도 되고, 0.9 이상이라도 된다. 전술한 비율은, 미반응의(A) 에폭시 수지를 낮게 억제하는 관점에서, 2.0 이하라도 되고, 1.8 이하라도 되고, 1.7 이하라도 된다. 또한 이 비율은, 미반응의(A) 에폭시 수지 및 수지(b2)를 낮게 억제하는 관점에서, 0.7∼2.0이라도 되고, 0.8∼1.8이라도 되고, 0.9∼1.7이라도 된다.
((C) 무기 충전제)
(C) 무기 충전제로서는, 종래 공지의 무기 충전제를 사용할 수 있고, 특정한 것으로 한정되지 않는다. (C) 무기 충전제로서는, 황산 바륨; 티탄산 바륨; 무정형(無定形) 실리카, 결정성 실리카, 용융 실리카, 구상(球狀) 실리카 등의 실리카류; 탈크(talc); 클레이; 탄산 마그네슘; 탄산 칼슘; 산화 알루미늄; 수산화 알루미늄; 질화 규소; 질화 알루미늄 등을 예로 들 수 있다. (C) 무기 충전제는, 표면 개질(改質) 등에 의해, 수지 중의 분산성의 향상 효과 및 바니스 중에서의 침강 억제 효과를 얻기 쉬운 관점, 및 비교적 작은 열팽창율을 가지므로 원하는 경화막 특성을 얻기 쉬운 관점에서, 실리카류라도 된다. (C) 무기 충전제는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
(C) 무기 충전제는, 표면 개질되어 있어도 된다. 표면 개질의 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 간편하며, 관능기의 종류가 많고, 원하는 특성을 부여하기 쉬우므로, 실란 커플링제를 사용한 표면 개질이라도 된다. 실란 커플링제로서는, 알킬 실란, 알콕시 실란, 비닐 실란, 에폭시 실란, 아미노 실란, 아크릴 실란, 메타크릴 실란, 메르캅토 실란, 술피드 실란, 이소시아네이트 실란, 이소시나누레이트 실란, 우레이드 실란, 설퍼 실란, 스티릴 실란, 알킬 클로로실란, 산무수물기를 가지는 실란 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 수지(에폭시 수지 등) 중의 분산성이 우수한 관점에서, 페닐아미노 실란, 및 산무수물기를 가지는 실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이라도 된다. 실란 커플링제는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
(C) 무기 충전제의 평균 입자 직경은, 무기 충전제의 응집이 용이하게 억제되어 충분한 분산이 가능한 동시에, 필름형 에폭시 수지 조성물의 제조에 있어서 바니스 중에서의 입자의 침강이 용이하게 억제되는 관점에서, 하기 범위라도 된다. (C) 무기 충전제의 평균 입자 직경은, 0.01㎛ 이상이라도 되고, 0.1㎛ 이상이라도 되고, 0.3㎛ 이상이라도 된다. (C) 무기 충전제의 평균 입자 직경은, 5㎛를 초과하고 있어도 되고, 5.2㎛ 이상이라도 되고, 5.5㎛ 이상이라도 된다. (C) 무기 충전제의 평균 입자 직경은, 50㎛ 이하라도 되고, 25㎛ 이하라도 되고, 10㎛ 이하라도 된다. 이러한 관점에서, (C) 무기 충전제의 평균 입자 직경은, 0.01∼50 ㎛라도 되고, 0.1∼25 ㎛라도 되고, 0.3∼10 ㎛라도 되고, 5㎛ 초과 10㎛ 이하라도 되고, 5.2∼10 ㎛라도 되고, 5.5∼10 ㎛라도 된다.
(C) 무기 충전제의 함유량은, 피봉지체(반도체 소자 등의 전자 디바이스 등)와 봉지부와의 열팽창율의 차에 의해 전자 장치(반도체 장치 등)의 휨이 커지는 것을 용이하게 방지할 수 있는 동시에, 필름형 에폭시 수지 조성물의 제조 시에 건조 공정에 있어서 균열이 생기는 것, 및 필름형 에폭시 수지 조성물의 용융 점도의 상승에 의해 피봉지체가 충분히 봉지할 수 없게 되는 것과 같은 문제를 용이하게 억제할 수 있는 관점에서, 하기 범위라도 된다. (C) 무기 충전제의 함유량은, 에폭시 수지 조성물의 전량(유기 용제 등의 용제를 제외함)을 기준으로 하여, 50 질량% 이상이라도 되고, 60 질량% 이상이라도 되고, 70 질량% 이상이라도 된다. (C) 무기 충전제의 함유량은, 에폭시 수지 조성물의 전량(유기 용제 등의 용제를 제외함)을 기준으로 하여, 95 질량% 이하라도 되고, 90 질량% 이하라도 된다. 이러한 관점에서, (C) 무기 충전제의 함유량은, 에폭시 수지 조성물의 전량(유기 용제 등의 용제를 제외함)을 기준으로 하여, 50 질량% 이상이라도 되고, 60∼95 질량%라도 되고, 70∼90 질량%라도 된다.
((D) 경화 촉진제)
본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, (D) 경화 촉진제를 더 함유할 수도 있다. (D) 경화 촉진제를 사용하지 않고 경화 반응이 진행하는 경우에는, (D) 경화 촉진제를 사용하지 않아도 된다.
(D) 경화 촉진제로서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 아민계의 경화 촉진제, 이미다졸계의 경화 촉진제, 요소계의 경화 촉진제 및 인계의 경화 촉진제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이라도 된다. 아민계의 경화 촉진제로서는, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨 등을 예로 들 수 있다. 이미다졸계의 경화 촉진제로서는, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸 등을 예로 들 수 있다. 요소계의 경화 촉진제로서는, 3-페닐-1,1-디메틸우레아 등을 예로 들 수 있다. 인계의 경화 촉진제로서는, 트리페닐포스핀 및 그의 부가 반응물, (4-하이드록시페닐)디페닐포스핀, 비스(4-하이드록시페닐)페닐포스핀, 트리스(4-하이드록시페닐)포스핀 등을 예로 들 수 있다.
(D) 경화 촉진제로서는, 유도체의 종류가 많으며, 원하는 활성 온도를 얻기 쉬운 관점에서, 이미다졸계의 경화 촉진제라도 된다. 이미다졸계의 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용할 수도 있다. 이미다졸계의 경화 촉진제의 시판품으로서는, 예를 들면, 시코쿠화성공업 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「큐어졸 2PHZ-PW」 및 「큐어졸 2P4MZ」 등이 있다. (D) 경화 촉진제는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
(D) 경화 촉진제의 함유량은, 충분한 경화 촉진 효과를 용이하게 얻을 수 있는 관점, 및 필름형 에폭시 수지 조성물을 제조할 때의 공정(도포 및 건조 등) 중, 또는 필름형 에폭시 수지 조성물의 보관중에 경화가 진행하는 것을 억제할 수 있는 동시에, 필름형 에폭시 수지 조성물의 균열, 및 용융 점도의 상승에 따른 성형 불량을 방지하기 쉬운 관점에서, 하기 범위라도 된다. (D) 경화 촉진제의 함유량은, (A) 에폭시 수지, 및 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로, 0.01 질량% 이상이라도 되고, 0.1 질량% 이상이라도 되고, 0.3 질량% 이상이라도 된다. (D) 경화 촉진제의 함유량은, (A) 에폭시 수지, 및 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로, 5 질량% 이하라도 되고, 3 질량% 이하라도 되고, 1.5 질량% 이하라도 된다. 이러한 관점에서, (D) 경화 촉진제의 함유량은, (A) 에폭시 수지, 및 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로, 0.01∼5 질량%라도 되고, 0.1∼3 질량%라도 되고, 0.3∼1.5 질량%라도 된다.
((E) 엘라스토머)
본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, (E) 엘라스토머((A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지, (C) 무기 충전제 또는 (D) 경화 촉진제에 해당하는 성분를 제외함)를 더 함유할 수도 있다. (E) 엘라스토머를 사용함으로써, 봉지 후의 휨(예를 들면, 패키지의 휨량) 및 패키지 크랙을 효과적으로 저감할 수 있다.
(E) 엘라스토머로서는, 종래 공지의 엘라스토머(가요제)를 사용할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. (E) 엘라스토머로서는, 예를 들면, 실리콘계, 스티렌계, 올레핀계, 우레탄계, 폴리에스테르계, 폴리에테르계, 폴리아미드계, 폴리부타디엔계 등의 열가소성 엘라스토머; NR(천연 고무), NBR(아크릴로니트릴-부타디엔 고무), 아크릴 고무, 우레탄고무, 실리콘 파우더 등의 고무 입자; 메타크릴산 메틸-스티렌-부타디엔 공중합체(MBS), 메타크릴산 메틸-실리콘 공중합체, 메타크릴산 메틸-아크릴산 부틸 공중합체 등의 코어 쉘(core shell) 구조를 가지는 고무 입자가 있다.
또한, (E) 엘라스토머로서는 시판품을 사용할 수도 있다. (E) 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들면, 가부시키가이샤 가네카에서 제조한 KANE ACE의 B 시리즈, M 시리즈 및 FM 시리즈(모두 상품명), 신에츠 화학공업 가부시키가이샤에서 제조한 상품명 「KMP」 시리즈 등이 있다. (E) 엘라스토머는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. (E) 엘라스토머의 평균 입자 직경은, 0.05∼50 ㎛라도 되고, 0.1∼30 ㎛라도 되고, 1∼30 ㎛라도 되고, 1.5∼30 ㎛라도 된다. (E) 엘라스토머의 평균 입자 직경이 전술한 범위 내인 것에 의하여, 용융 시의 점도 증가에 의해 유동성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.
(E) 엘라스토머의 함유량은, 에폭시 수지 조성물의 전량(유기 용제 등의 용제를 제외함)을 기준으로 3∼8 질량%라도 된다. (E) 엘라스토머의 함유량이 이와 같은 범위인 것에 의하여, 봉지 후의 휨을 효과적으로 저감할 수 있다.
(그 외의 성분)
본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, 다른 첨가제를 더 함유할 수도 있다. 이와 같은 첨가제로서는, 안료, 염료, 이형제(離型劑), 산화 방지제, 응력 완화제, 커플링제, 표면 장력 조정제, 이온 교환체, 착색제, 난연제(難燃劑) 등을 예로 들 수 있다. 단, 첨가제는 이들로 한정되지 않고, 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은, 필요에 따라 당기술 분야에서 주지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
<필름형 에폭시 수지 조성물 및 경화물>
본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물을 포함하고 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, B 스테이지화된 에폭시 수지 조성물을 포함할 수도 있다. 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 몰드 성형에 의한 봉지, 금형을 필요로 하지 않는 성형 방법(라미네이트, 프레스 등)에 따른 봉지 등에 사용할 수 있다. 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 전자 부품 및 전자 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 피봉지체를 봉지하기 위하여 사용할 수 있다. 본 실시형태에 따른 경화물은, 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물의 경화물이다. 본 실시형태에 따른 경화물은, 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물의 경화물이라도 된다.
본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물에 의하면, 피봉지체가 대형화된 경우라도, 액상 또는 고형(과립, 분체 등)의 수지 봉지재와 비교하여, 피봉지체 상으로 봉지 수지를 균일하게 공급하는 것이 가능하며, 피봉지체를 용이하게 또한 양호하게 봉지할 수 있다. 또한, 과립 또는 분체인 수지 봉지재를 사용한 경우에는, 수지 봉지재가 발진원이 되어, 장치 또는 클린룸이 오염되는 경우가 있는 것에 비해, 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물에 의하면, 발진의 문제를 저감하면서 봉지 성형물을 대형화할 수 있다.
몰드 성형에서는, 봉지 수지를 금형 내에서 성형하므로, 봉지 성형물을 대형화하기 위해서는, 금형의 대형화를 필요로 한다. 금형의 대형화는, 높은 금형 정밀도가 요구되므로 기술면에서의 난이도가 높아지고, 또한 금형의 제조 비용이 대폭 증가하는 경우가 있다. 이에 비해, 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 종래의 봉지 성형 방법에 몰드 성형뿐만 아니라, 금형을 필요로 하지 않는 성형 방법(라미네이트, 프레스 등)에도 바람직하게 사용할 수 있다.
본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물의 두께는, 필름형 에폭시 수지 조성물이 균열되는 것을 방지하기 쉬운 관점에서, 25㎛ 이상이라도 되고, 50㎛ 이상이라도 된다. 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물의 두께는, 피봉지물을 충분히 봉지하기 쉬운 관점에서, 100㎛ 이상이라도 되고, 105㎛ 이상이라도 되고, 110㎛ 이상이라도 된다. 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물의 두께는, 필름형 에폭시 수지 조성물의 두께의 불균일을 억제하는 관점에서, 500㎛ 이하라도 되고, 300㎛ 이하라도 된다. 본 실시형태에 따른 경화물의 두께는, 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물의 두께에 대한 상기 범위라도 된다.
본 실시형태에 있어서, 얇은 필름형 에폭시 수지 조성물을 2장 이상 접합함으로써 두꺼운 필름형 에폭시 수지 조성물을 제조할 수도 있다. 예를 들면, 300㎛의 두께를 가지는 필름형 에폭시 수지 조성물을 제조할 경우, 150㎛의 두께를 가지는 2장의 필름형 에폭시 수지 조성물을 접합함으로써, 300㎛의 두께를 가지는 필름형 에폭시 수지 조성물을 제조할 수 있다.
본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 예를 들면, 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물을 필름형으로 성형함으로써 얻을 수 있다. 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물의 제조 방법의 제1 태양은, 바니스 도포법으로서, 예를 들면, 적어도 (A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지, 및 (C) 무기 충전제를 함유하는 바니스를 사용하여 도막(塗膜)을 지지체 상에 형성하는 공정과, 상기 도막을 가열 건조하여 필름형 에폭시 수지 조성물을 얻는 공정을 포함한다. 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물의 제조 방법의 제2 태양은, 적어도 (A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지, 및 (C) 무기 충전제를 함유하는 고형 수지 조성물을 시트형으로 성형하여 필름형 에폭시 수지 조성물을 얻는 공정을 포함한다. 두께를 간편하게 제어할 수 있는 관점에서, 상기 바니스 도포법이라도 된다.
본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 예를 들면, (A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지, (C) 무기 충전제, 및 필요에 따라 사용되는 각종 임의 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 혼합 방법으로서는, 각 배합 성분을 분산 혼합할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 밀, 믹서, 교반 블레이드 등이 사용할 수 있다. 필요에 따라, 각 배합 성분을 용제 등에 용해하여 얻어지는 바니스를 사용하는 바니스 도포법에 의해 제막(製膜)할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물은, 니더, 2 롤, 연속 혼련 장치 등으로 각 배합 성분을 혼련함으로써 제조한 고형 수지 조성물을 시트형으로 압출하여 제막함으로써 얻을 수 있다.
용제로서는, 종래 공지의 유기 용제를 사용할 수 있다. 유기 용제로서는, (C) 무기 충전제 이외의 성분을 용해할 수 있는 용제라도 되고, 지방족 탄화수소류, 방향족 탄화수소류, 테르펜류, 할로겐류, 에스테르류, 케톤류, 알코올류, 알데히드류 등을 예로 들 수 있다. 유기 용제는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
유기 용제로서는, 환경 부하가 작은 관점, 및 (A) 에폭시 수지, 및 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지를 용해하기 쉬운 관점에서, 에스테르류, 케톤류 및 알코올류라도 된다. 유기 용제로서는, (A) 에폭시 수지, 및 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지를 특히 용해하기 쉬운 관점에서, 케톤류라도 된다. 유기 용제로서는, 실온(25℃)에서의 휘발이 적고 건조 시에 제거하기 쉬운 관점에서, 아세톤, 메틸에틸케톤 및 메틸이소부틸케톤이라도 된다.
필름형 에폭시 수지 조성물의 제조에 사용하는 바니스에서의 유기 용제의 함유량은, 상기 바니스의 전량을 기준으로 하여, 2∼30 질량%라도 되고, 5∼25 질량%라도 된다. 이와 같은 범위 내인 것에 의하여, 필름 균열 등의 문제를 용이하게 방지할 수 있는 동시에, 충분한 최저 용융 점도를 얻기 쉽다. 또한, 점착성이 지나치게 강해져 취급성이 저하되는 문제, 및 열경화 시의 유기 용제의 휘발에 따른 발포 등의 문제를 용이하게 방지할 수 있다.
바니스 도포법에 있어서는, 지지체에 바니스를 도포하여 얻어진 도막을 열풍 분사 등에 의해 가열 건조시킴으로써, 필름형 에폭시 수지 조성물을 제조할 수 있다. 도포에 사용하는 코팅 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 다이 코트, 콤마 코트 등을 예로 들 수 있다.
지지체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 고분자 필름, 금속박 등을 예로 들 수 있다. 고분자 필름으로서는, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 폴리올레핀 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름; 폴리염화비닐 필름; 폴리카보네이트 필름; 아세틸 셀룰로오스 필름; 폴리이미드 필름; 폴리아미드 필름; 테트라플루오로에틸렌 필름 등을 예로 들 수 있다. 금속박으로서는, 동박, 알루미늄박 등을 예로 들 수 있다.
지지체의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 작업성 및 건조성이 우수한 관점에서, 2∼200 ㎛라도 된다. 이와 같은 두께이면, 지지체가 도포 시에 끊어지는 문제, 및 바니스의 무게에 의해 지지체가 도포 시에 휘는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 도포면 및 이면(裏面)의 양면으로부터 열풍이 분사되는 건조기를 사용하는 경우에 바니스 중의 용제 건조를 방해할 수 있는 문제의 발생을 억제할 수도 있다.
상기 도막의 가열 건조로서는, 전체 건조 시간의 25% 이상의 시간에 있어서, 유기 용제의 비점(沸点)의 ±10℃의 온도에서 도막을 가열할 수 있다. 가열 건조는, 가열 온도가 상이한 2단계 이상의 공정에서 행할 수 있다. 이 경우에, 낮은 온도로부터 가열 건조를 행해도 되고, 다음 단계의 가열 온도는, 전(前)단계의 가열 온도의 ＋30℃ 이내로 설정할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 지지체 상에 설치된 필름형 에폭시 수지 조성물 상에, 보호를 목적으로 한 보호층(예를 들면, 보호 필름)을 배치할 수도 있다. 보호층을 배치함으로써, 취급성이 더욱 향상되고, 권취한 경우에 있어서 지지체의 이면에 필름형 에폭시 수지 조성물이 부착되는 문제를 회피할 수 있다.
보호층으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 고분자 필름, 금속박 등을 예로 들 수 있다. 고분자 필름으로서는, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 폴리올레핀 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름; 폴리염화비닐 필름; 폴리카보네이트 필름; 아세틸 셀룰로오스 필름; 테트라플루오로에틸렌 필름 등을 에로 들 수 있다. 금속박으로서는, 동박, 알루미늄박 등을 예로 들 수 있다.
보호층의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 충분한 보호 효과를 얻는 관점, 및 필름형 에폭시 수지 조성물을 롤형으로 권취했을 때의 두께를 저감하는 관점에서, 12∼100 ㎛라도 된다.
본 실시형태에 의하면, 지지체와, 상기 지지체 상에 배치된 필름형 에폭시 수지 조성물을 구비하는 봉지 시트를 제공할 수 있다. 봉지 시트는, 필름형 에폭시 수지 조성물의 지지체 측과는 반대측에 보호층(보호 필름 등)을 더 구비하고 있어도 된다.
<전자 장치>
본 실시형태에 따른 전자 장치는, 전자 부품 및 전자 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 피봉지체와, 상기 피봉지체를 봉지하는 봉지부를 구비하고, 상기 봉지부가, 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물, 본 실시형태에 따른 필름형 에폭시 수지 조성물, 또는 본 실시형태에 따른 경화물을 포함한다. 본 실시형태에 따른 전자 장치는, 에폭시 수지 조성물(필름형 에폭시 수지 조성물 등) 또는 그의 경화물을 사용하여 피봉지체가 봉지되어 이루어진다. 전자 디바이스를 구비하는 전자 장치로서는, 예를 들면, 반도체 소자를 구비하는 반도체 장치가 있다.
본 실시형태에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 본 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물(필름형 에폭시 수지 조성물 등)에 의해, 전자 부품 및 전자 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 피봉지체를 봉지하는 봉지 공정과, 상기 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 봉지부를 얻는 공정을 포함한다. 봉지 공정은, 예를 들면, 에폭시 수지 조성물(필름형 에폭시 수지 조성물 등)을 가열 하에서 압압(押壓)함으로써, 피봉지체(예를 들면, 기판 상에 설치된 피봉지체)를 봉지하는 공정이다. 본 실시형태에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 예를 들면, 가열 하에서 필름형 에폭시 수지 조성물을 피봉지체에 압압함으로써, 필름형 에폭시 수지 조성물에 의해 피봉지체를 봉지하는 공정과, 피봉지체가 봉지된 필름형 에폭시 수지 조성물을 경화시켜 봉지부를 얻는 공정을 포함한다.
도 1 및 도 2를 사용하여, 본 실시형태에 따른 전자 장치의 제조 방법의 일례로서, 본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명한다. 도 1 및 도 2는, 본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 모식 단면도이다. 본 실시형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 먼저, 기판(30)과, 기판(30)의 표면에 배치된 가고정재(40)와, 가고정재(40) 상에 배열되어 배치된 복수의 반도체 소자(20)(피 봉지 대상)를 구비하는 적층체를 준비한다(도 1의 (a)). 다음으로, 지지체(1)와, 지지체(1) 상에 설치된 봉지 필름(2)을 구비하는 지지체 부착 봉지 필름(10)을 상기 적층체에 대향시킨 후, 반도체 소자(20)에 대하여 봉지 필름(2)을 가열 하에서 압압함으로써, 봉지 필름(2)에 반도체 소자(20)를 봉지한다(도 1의 (b)). 그리고, 반도체 소자(20)가 봉지된 봉지 필름(2)을 경화시킴으로써 경화물(봉지부)(2a)을 얻는다(도 1의 (c)). 이로써, 봉지 성형물(100)을 얻을 수 있다. 경화물(2a)에 반도체 소자(20)가 봉지된 봉지 성형물을 라미네이트법에 의해 얻는 것에 대신하여, 콤프레션 몰드 성형에 의해 봉지 성형물을 얻어도 된다.
라미네이트법에 사용하는 라미네이터(laminator)로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 롤식, 벌룬식 등의 라미네이터가 있다. 이들 중에서도, 매립성이 우수한 관점에서, 진공 가압이 가능한 벌룬식을 사용할 수 있다.
라미네이트 온도는, 통상, 지지체(필름형의 지지체 등)의 연화점(軟化点) 이하이다. 라미네이트 온도는, 예를 들면, 봉지 필름의 최저 용융 점도 부근이다. 라미네이트 시의 압력은, 피봉지체(예를 들면, 반도체 소자 등의 전자 디바이스)의 사이즈 또는 밀집도에 의해 변하지만, 0.1∼1.5 MPa라도 되고, 0.3∼1.0 MPa라도 된다. 라미네이트 시간은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 20∼600 초라도 되고, 30∼300 초라도 되고, 40∼120 초라도 된다.
경화는, 예를 들면, 대기 하 또는 불활성 가스 하에서 행할 수 있다. 경화 온도는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 80∼280 ℃라도 되고, 100∼240 ℃라도 되고, 120∼200 ℃라도 된다. 경화 온도가 80℃ 이상이면, 봉지 필름의 경화가 충분히 진행되어, 문제의 발생을 용이하게 억제할 수 있다. 경화 온도가 280℃ 이하이면, 다른 재료로의 열해(熱害)의 발생을 억제할 수 있다. 경화 시간은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 30∼600 분이라도 되고, 45∼300 분이라도 되고, 60∼240 분이라도 된다. 경화 시간이 전술한 범위 내이면, 봉지 필름의 경화가 충분히 진행되어, 양호한 생산 효율을 얻을 수 있다. 또한, 복수의 경화 조건을 조합할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서는, 이하의 절연층 형성, 배선 패턴 형성, 볼 마운트 및 다이싱의 각각의 공정을 거쳐 반도체 장치를 얻을 수 있다.
먼저, 도 1의 (c)의 기판(30) 및 가고정재(40)로부터 봉지 성형물(100)을 박리한다(도 2의 (a)). 다음으로, 봉지 성형물(100)의 반도체 소자(20)가 노출되는 측에 재배선재용의 절연층(50)을 설치한다(도 2의 (b)). 이어서, 절연층(50)에 대하여 배선 패턴 형성을 행한 후에 볼 마운트를 행함으로써, 절연층(52), 배선(54) 및 볼(56)을 형성한다(도 2의 (c)). 그리고, 다이싱 커터(60)에 의해 봉지 성형물을 개편화(個片化)한다(도 2의 (d)). 이로써, 경화물(봉지부)(2b)을 구비하는 반도체 장치(200)를 얻을 수 있다(도 2의 (e)).
이상, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명하였으나, 본 발명은, 전술한 실시형태로 한정되지 않고, 그 취지를 벗어나지 않는 범위에서 적절하게 변경을 행할 수도 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<필름형 에폭시 수지 조성물의 제조>
필름형 에폭시 수지 조성물을 구성하는 성분으로서, 표 1 및 표 2에 나타낸 화합물을 준비하였다. 각 성분을 이하에 상세하게 나타낸다.
(A) 에폭시 수지
(25℃에서 액상인 성분)
A1: 비스페놀 F형 에폭시 수지(에폭시 당량: 160, 미쓰비시가가쿠 가부시키가이샤 제조, 상품명 「jER806」)
(25℃에서 액상이 아닌 성분)
A2: 3관능 나프탈렌형 에폭시 수지(에폭시 당량: 182, DIC 가부시키가이샤 제조, 상품명 「HP-4750」, 식(IV)으로 표시되는 화합물)
A3: 안트라센형 에폭시 수지(에폭시 당량: 179, 미쓰비시가가쿠 가부시키가이샤 제조, 상품명 「YX-8800」)
(B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지
(나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지)
B1: 하기 식(VIII)으로 표시되는 화합물(수산기 당량: 110, 신닛테츠스미킨 화학 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SN-395」)
Figure pct00010
B2: 식(VI)으로 표시되는 구조를 가지는 화합물(수산기 당량: 187, 신닛테츠스미킨 화학 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SN-180」)
B3: 식(VII)으로 표시되는 구조를 가지는 화합물(수산기 당량: 205, 신닛테츠스미킨 화학 가부시키가이샤 제조, 상품명 「SN-475N」)
B4: 하기 식(IX)으로 표시되는 화합물(수산기 당량: 143, 메이와 화성 가부시키가이샤 제조, 상품명 「MEH-7000」)
Figure pct00011
(나프탈렌환을 가지고 있지 않은 페놀 수지)
B5: 노볼락형 페놀 수지(수산기 당량: 104, 아사히 유기재 공업 가부시키가이샤 제조, 상품명 「PAPS-PN2」)
B6: 트리스페닐메탄형 페놀 수지(수산기 당량: 103, 에어·워터 가부시키가이샤 제조, 상품명 「HE910-10」)
(C) 무기 충전제
실리카(가부시키가이샤 아드마텍스 제조, 상품명 「SX-E2」, 페닐아미노실란 처리, 평균 입자 직경: 5.8㎛)
(D) 경화 촉진제
시코쿠화성공업 가부시키가이샤 제조, 상품명 「큐어졸 2P4MZ」
(E) 엘라스토머
실리콘 엘라스토머(신에츠 화학공업 가부시키가이샤 제조, 상품명 「KMP605」, 평균 입자 직경: 2㎛)
유기 용제
메틸에틸케톤(가부시키가이샤 고도 제조)
표 1 및 표 2에 나타낸 배합량(단위: 질량부)의 각 성분을 1L의 폴리에틸렌 용기에 준비했다 후, 3시간 교반하여 분산 및 혼합함으로써 혼합액을 얻었다. 이 혼합액을 나일론제의 #200메쉬(개구 직경: 75㎛)로 여과하고, 액을 바니스상 에폭시 수지 조성물로서 채취하였다. 도포기를 사용하여 지지체(38㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트, 오지 에프텍스 가부시키가이샤 제조) 상에 이 바니스상 에폭시 수지 조성물을 도포한 후에 건조시킴으로써, 지지체 및 필름형 에폭시 수지 조성물의 적층체(전체 두께: 188㎛, 수지 조성물 층의 두께: 150㎛)를 제조하였다. 그리고, 도포 및 건조의 조건은 하기와 같다.
· 도포 방법: 콤마 코트
· 건조 속도: 1 m/분
· 건조 조건(온도/노(爐)의 길이): 110℃/3.3m, 130℃/3.3m, 140℃/3.3m
<평가>
(취급성(굴곡성)의 평가)
필름형 에폭시 수지 조성물의 굴곡성은, 굴곡 시험기를 사용하여 다음의 수순으로 평가하였다. 시험기로서, 요시미츠 정밀 기계 가부시키가이샤에서 제조한 굴곡 시험기(JIS형 타입 1, 원통형 맨드릴법)를 준비하였다. 지지체 및 필름형 에폭시 수지 조성물의 적층체를 5 cm×5 cm로 커팅하여 시험편을 준비하였다. 직경 2 mm의 원통형 맨드릴에 시험편의 지지체 측을 접촉시켜, 시험편을 180° 굴곡시켰을 때의 필름형 에폭시 수지 조성물의 균열의 유무를 평가하였다. 균열이 발생하지 않는 경우를 굴곡성 양호로서, 표 중 「A」로 표기하였다. 균열이 발생한 경우를 굴곡성 불량으로서, 표 중 「B」로 표기하였다. 취급성(굴곡성)의 평가 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다.
(내열성의 평가)
지지체 및 필름형 에폭시 수지 조성물의 적층체를 길이 30 mm×폭 5 mm×두께 0.25 mm로 커팅하였다. 다음으로, 가부시키가이샤 메이키 제작소에서 제조한 진공 가압 라미네이터 MVLP-500을 사용하여, 온도 90℃, 진공 흡인 시간 30초, 압력 0.5 MPa, 가압 시간 40초의 조건에서, 필름형 에폭시 수지 조성물 면을 길이 100 mm×폭 100 mm×두께 2 mm의 니치아스 가부시키가이샤에서 제조한 나프론 시트(상품명: TOMBO 9000-S)면에 맞추어 라미네이트했다. 그 후, 필름형 에폭시 수지 조성물을 지지하는 지지체를 박리한 후, 나프론 시트 및 필름형 에폭시 수지 조성물로 이루어지는 적층체를 140℃의 오븐에 2시간 넣고 경화시켜, 나프론 시트에 적층된 경화 필름을 얻었다. 다음으로, 나프론 시트로부터 경화 필름을 박리하여, 측정용 샘플을 얻었다. 동적(動的) 점탄성 장치 E-4000(가부시키가이샤 UBM 제조)을 사용하여, 인장(引張) 모드, 척(chuck)간 거리 20 mm, 주파수 10 Hz, 승온(昇溫) 속도 5/min의 조건에서 측정했을 때의 tanδ의 피크값을 유리 전이(轉移) 온도(Tg)로서 얻었다. 내열성(유리 전이 온도[℃])의 평가 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다.
(휨량의 평가)
[평가 샘플의 제작]
길이 200 mm×폭 200 mm×두께 1.0 mm의 니치아스 가부시키가이샤에서 제조한 나프론 시트(상품명: TOMBO 9000-S)를 준비하였다. 나프론 시트의 중심부를 길이 120 mm×폭 10 mm×두께 1.0 mm로 커팅하여, 도 3에 나타낸 바와 같이, 개구(B)를 가지는 시험편(A)을 얻었다. 개구(B) 중에 길이 120 mm×폭 10 mm×두께 0.725 mm의 실리콘(Si) 기판을 넣고, 실리콘 기판이 움직이지 않도록, 길이 140 mm×폭 25 mm×두께 0.025 mm로 커팅하고 니치반 가부시키가이샤에서 제조한 폴리이미드 테이프로 실리콘 기판의 전체면 및 나프론 시트를 나프론 시트의 하면으로부터 고정하였다. 폴리이미드 테이프로 고정하고 있지 않은 상면에, 두께 150㎛의 필름형 에폭시 수지 조성물(길이 120 mm×폭 10 mm로 커팅한 필름을 사용)을, 실리콘 기판 상의 전체면이 덮히도록 2장 배치하였다. 배치한 필름형 에폭시 수지 조성물을 진공 하(0.1 kPa), 온도 110℃, 압력 0.1 MPa로 5분간 프레스하였다. 다음으로, 프레스의 압력을 상압으로 되돌리고, 실리콘 기판 상에 접착한 필름형 에폭시 수지 조성물을 얻었다. 실리콘 기판과 필름형 에폭시 수지 조성물과의 적층체의 전체 두께가 1.00 mm가 되도록 필름형 에폭시 수지 조성물을 연마하였다. 전체 두께 1.00 mm의 적층체를 140℃의 오븐에서 2시간 경화시킨 후, 25℃까지 자연 냉각시킴으로써, 휨 평가용 샘플을 얻었다.
[휨량의 측정 방법]
3차원 레이저 형상 측정 장치(가부시키가이샤 키엔스 제조, 상품명: LK-030)를 사용하여, 상기에서 얻어진 휨 평가용 샘플의 실온(25℃)에서의 최대 휨량을 측정하였다. 스캔 범위를 140 mm×20 mm, 스캔 피치를 1.0 mm, 스캔 속도를 20 mm/s로 설정하여 측정을 행하였다. 측정 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다.
[표 1]
Figure pct00012
[표 2]
Figure pct00013
상기한 결과로부터, 실시예의 에폭시 수지 조성물은, 취급성, 휨량 및 내열성 모두 양호했다. 실시예의 에폭시 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 필름형 에폭시 수지 조성물은, 경화 전에 쉽게 균열되지 않아 취급성이 양호하므로, 양호한 봉지를 행할 수 있다. 이에 비해, 비교예 1 및 2에서는, 취급성은 우수하지만, 수지 봉지 후의 기판의 휨이 크고, 휨량이 뒤떨어지고 있다. 비교예 3에서는, 휨량 및 내열성은 우수하지만, 유연성이 낮아 취급성이 뒤떨어지고 있다. 비교예 4에서는, 내열성은 우수하지만, 유연성이 낮아 취급성이 뒤떨어지는 동시에, 휨량도 뒤떨어지고 있다.
1: 지지체 2: 봉지 필름
2a, 2b: 경화물(봉지부) 10: 지지체 부착 봉지 필름
20: 반도체 소자 30: 기판
40: 가고정재 50, 52: 절연층
54: 배선 56: 볼
60: 다이싱 커터 100: 봉지 성형물
200: 반도체 장치
A: 시험편 B: 개구.

Claims (14)

  1. (A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지 및 (C) 무기 충전제를 함유하고,
    상기 (A) 에폭시 수지가 25℃에서 액상(液狀)인 에폭시 수지를 포함하고,
    상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지가 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지를 포함하고,
    상기 25℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량이, 상기 (A) 에폭시 수지와 상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로 30 질량% 이상인, 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    경화 촉진제를 더 함유하는, 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지가 하기 일반식(I)으로 표시되는 화합물을 포함하는, 에폭시 수지 조성물:
    Figure pct00014

    [상기 일반식(I) 중에서, R11, R12, R13, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8은 각각 독립적으로 0∼2의 정수를 나타내고(단, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8 모두가 0인 경우를 제외함), n1는 0∼10의 정수를 나타냄].
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지가 하기 일반식(II)으로 표시되는 화합물을 포함하는, 에폭시 수지 조성물:
    Figure pct00015

    [상기 일반식(II) 중에서, R21, R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, n2는 0∼10의 정수를 나타냄].
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    엘라스토머를 더 함유하는, 에폭시 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물을 포함하는, 필름형 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물의 경화물.
  8. 전자 부품 및 전자 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 피봉지체(被封止體)와, 상기 피봉지체를 봉지하는 봉지부를 포함하고,
    상기 봉지부가 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 에폭시 수지 조성물, 제6항에 기재된 필름형 에폭시 수지 조성물, 또는 제7항에 기재된 경화물을 포함하는, 전자 장치.
  9. 전자 부품 및 전자 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 피봉지체를 봉지하기 위한 필름형 에폭시 수지 조성물로서,
    (A) 에폭시 수지, (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지 및 (C) 무기 충전제를 함유하고,
    상기 (A) 에폭시 수지가 25℃에서 액상인 에폭시 수지를 포함하고,
    상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지가 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지를 포함하고,
    상기 25℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량이, 상기 (A) 에폭시 수지와 상기 (B) 방향환 및 수산기를 가지는 수지의 합계량을 기준으로 30 질량% 이상인, 필름형 에폭시 수지 조성물.
  10. 제9항에 있어서,
    경화 촉진제를 더 함유하는, 필름형 에폭시 수지 조성물.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지가 하기 일반식(I)으로 표시되는 화합물을 포함하는, 필름형 에폭시 수지 조성물:
    Figure pct00016

    [상기 일반식(I) 중에서, R11, R12, R13, R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8은 각각 독립적으로 0∼2의 정수를 나타내고(단, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7 및 m8 모두가 0인 경우를 제외함), n1은 0∼10의 정수를 나타냄].
  12. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 나프탈렌환 및 수산기를 가지는 수지가 하기 일반식(II)으로 표시되는 화합물을 포함하는, 필름형 에폭시 수지 조성물:
    Figure pct00017

    [상기 일반식(II) 중에서, R21, R22 및 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 탄소수 1∼2의 알콕시기를 나타내고, n2는 0∼10의 정수를 나타냄].
  13. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    엘라스토머를 더 함유하는, 필름형 에폭시 수지 조성물.
  14. 제9항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 필름형 에폭시 수지 조성물의 경화물.
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