KR20170113539A - 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 및 표면 처리 조성물 - Google Patents

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Abstract

실리콘 웨이퍼 표면의 결함을 보다 저감할 수 있는 연마 방법을 제공한다. 연마 공정과 연마 공정 후에 행하는 표면 처리 공정을 포함하고, 표면 처리 공정에서 사용되는 표면 처리 조성물 중의 지립수가 1.0×1010개/mL 이상 1.0×1013개/mL 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 연마 방법.

Description

실리콘 웨이퍼의 연마 방법 및 표면 처리 조성물{METHOD FOR POLISHING SILICON WAFER AND SURFACE TREATMENT COMPOSITION}
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 연마 방법, 특히, 실리콘 웨이퍼의 연마 공정 후에 행하는 표면 처리 공정을 포함하는, 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 및 표면 처리 조성물에 관한 것이다.
컴퓨터에 사용되는 ULSI 등의 집적 회로의 고도집적화 및 고속화를 실현하기 위해서, 반도체 디바이스의 디자인 룰의 미세화는 해마다 진행되고 있다. 그것에 수반하여, 보다 미소한 표면 결함이 반도체 디바이스의 성능에 악영향을 주는 사례가 증가하고 있고, 종래 문제가 되지 않던 나노 오더의 결함을 관리하는 것의 중요성이 높아지고 있다.
최근 들어, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 그 외의 기판에 대해서, 보다 고품위의 표면이 요구되게 되었으며, 이러한 요구에 대응할 수 있는 연마용 조성물의 검토가 여러가지 행해지고 있다. 예를 들어 특허문헌 1에는, 반도체 습윤제로서 저점도의 수용성 고분자 화합물을 사용함으로써, 연마 후의 반도체 기판 상의 미소한 파티클(Light Point Defect; LPD) 수를 증가시키는 요인이 될 수 있는 이물 등을 여과에 의해 제거하기 쉽게 하는 기술이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 수용성 다당류 등의 수용성 고분자를 함유하는 린스용 조성물에 의해 결함을 저감하는 기술이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는, 연마액 중의 지립의 수를 일정 범위 내로 제어함으로써, 결함이 적은 고품위의 표면을 얻는 기술이 기재되어 있다. 그러나, 이와 같은 기술에 의해서도 연마 후의 표면 품질에 관한 최근의 요구 레벨에는 충분히 대응할 수 없는 경우가 있었다.
일본 특허 공개 제2010-034509호 공보 일본 특허 공개 제2006-005246호 공보 일본 특허 제5310848호 공보
본 발명은, 실리콘 웨이퍼 표면의 결함을 보다 저감할 수 있는 연마 방법, 특히, 연마 공정 후에 행하는 표면 처리 공정을 포함하는 연마 방법을 제공하는 것을 과제로 하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 연마 방법의 일 실시 형태는, 연마 공정과 연마 공정 후에 행하는 표면 처리 공정을 포함하고, 표면 처리 공정에서 사용되는 표면 처리 조성물 중의 지립수를 1.0×1010개/mL 이상 1.0×1013개/mL 이하로 한다.
또한, 본 발명의 연마 방법의 다른 실시 형태는, 연마 공정에 있어서 사용되는 연마용 조성물 중의 지립수가 1.0×1011개 이상 1.0×1015개/mL 미만으로 해도 된다. 또는, 표면 처리 공정에서 사용되는 표면 처리 조성물 중에 있어서의 지립의 수를 연마 공정에 있어서 사용되는 연마용 조성물에 있어서의 지립의 수로 제산한 값을 0.00001 이상 0.5 이하로 해도 된다.
또한, 본 발명의 연마 방법의 다른 실시 형태는, 연마 공정과 표면 처리 공정은 동일 정반 상에서 연속하여 행하는 공정이어도 된다.
또한, 본 발명의 연마 방법의 다른 실시 형태는, 상기 실시 형태의 연마 방법에 사용되는 표면 처리 조성물을 제공한다.
본 발명에 따르면, 실리콘 웨이퍼의 연마 또는 린스를 포함하는 표면 처리 공정에 의해 웨이퍼 표면의 보호성을 높여서 결함을 저감할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 편면 연마 장치를 도시하는 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서 특히 언급하고 있는 사항 이외의 사항이며 본 발명의 실시에 필요한 사항은, 당해 분야에 있어서의 기술 상식에 기초하여 본 발명의 범위 내의 것으로서 실시하는 것이 가능하다.
본 발명의 일 실시 형태의 연마 방법에 있어서의 연마 공정은, 소위 다단계 연마 또는 표면 처리를 포함해도 된다. 예를 들어, 연마 공정은 랩핑 공정(초벌 연마 공정), 예비 연마 공정, 최종 연마 공정을 포함해도 된다. 또한, 본 발명의 일 실시 형태의 연마 방법은, 연마 공정과 상기 연마 공정 후에 행하는 표면 처리 공정을 포함하는 것이지만, 표면 처리 공정은, 실리콘 웨이퍼의 대미지층을 개선하기 위한 표면 처리에서 사용해도 되고, 실리콘 웨이퍼의 연마 처리 후의 린스에서 사용해도 된다.
본 발명의 연마 방법의 일 실시 형태에 의한 표면 처리 공정은, 통상의 실리콘 웨이퍼의 린스에서 사용되는 것과 같은 장치 및 조건에서 사용할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼의 표면에 패드를 접촉시킨 상태에서 그 접촉면에 린스용 조성물을 공급하면서, 패드 및/또는 실리콘 웨이퍼를 회전시킴으로써, 실리콘 웨이퍼의 표면 처리 공정을 행할 수 있다.
본 발명의 연마 방법의 일 실시 형태에 있어서 사용되는 패드는, 부직포 타입, 스웨이드 타입 등의 어느 쪽의 종류의 것이어도 되고, 또한 패드 중에 지립을 포함하는 것이어도 지립을 포함하지 않는 것이어도 된다.
본 발명의 연마 방법의 일 실시 형태에 있어서의 표면 처리 조성물의 사용시 온도는 특별히 한정되지 않지만, 5 내지 60℃여도 된다.
본 발명의 일 실시 형태 표면 처리 조성물을 사용한 실리콘 웨이퍼의 린스는, 실리콘 웨이퍼의 연마 직후, 연마에 사용한 장치에 설치된 채의 실리콘 웨이퍼에 대하여 행할 수도 있다. 이 경우, 패드 상에 남아있는 연마용 조성물 중에 염기성 화합물이 포함되어 있어도, 그 염기성 화합물에 의해 실리콘 웨이퍼 표면에 거칠함이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태의 연마 공정에서 사용하는 연마용 조성물과 표면 처리 공정에서 사용하는 표면 처리 조성물은, 통상 사용되는 실리콘 웨이퍼 연마용의 조성물을 사용할 수 있지만, 연마용 조성물과 표면 처리 조성물에서는 지립의 수를 바꾸고 있다. 즉, 지립의 수 이외의 조성에 대해서는, 실리콘 웨이퍼의 연마 공정에서 사용할 수 있는 연마용 조성물이면 되고, 전혀 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 실시 형태의 연마용 조성물은, 지립에 첨가하여, 예를 들어 염기성 화합물, 수용성 고분자, 킬레이트제, 계면 활성제, 기타 성분 등을 필요에 따라 포함한다. 이들 성분 조성은, 연마 공정과 표면 처리 공정에 있어서, 동일해도 되고, 변경해도 된다. 예를 들어, 표면 처리 공정에서의 성분 조성의 농도를 연마 공정에서의 것보다 낮게 해도 된다. 이하에 이들 성분에 대하여 설명하지만, 이것은 예시이며, 이들에 한정되는 것은 아니다.
연마용 조성물 및 표면 처리 조성물
(지립)
연마 공정에서 사용하는 연마용 조성물 및 표면 처리 공정에서 사용하는 표면 처리 조성물은 지립을 함유한다. 지립은 실리콘 웨이퍼 기판의 표면에 대하여 물리적인 작용을 부여하여 물리적으로 연마를 행하고, 또는 세정 등의 표면 처리를 행한다.
본 발명의 연마 방법에 있어서의 표면 처리 공정에서 사용하는 표면 처리 조성물 중에 있어서의 지립의 함유량은 1.0×1010개/mL 이상 1.0×1013개/mL 이하이지만, 바람직하게는 5.0×1010개/mL 이상 5.0×1012개/mL 이하여도 된다. 지립의 함유량을 이 범위로 함으로써, 실리콘 웨이퍼 표면의 결함을 보다 저감할 수 있다.
본 발명의 연마 방법에 있어서의 연마 공정에서 사용하는 연마용 조성물 중에 있어서의 지립의 함유량은 1.0×1011개/mL 이상 1.0×1015개/mL 미만이어도 되고, 바람직하게는 1.0×1012개/mL 이상 2.0×1013개/mL 미만이어도 된다. 지립의 함유량 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어지고, 지립의 함유량 감소에 의해, 연마용 조성물의 안정성이 향상된다. 연마용 조성물 중의 지립 함유량을 이 범위로 함으로써, 연마 속도를 높이면서, 그 후 표면 처리 공정에 의해 실리콘 웨이퍼 표면의 결함을 보다 저감할 수 있다. 또한 지립의 함유량은, 연마용 조성물 중의 지립 농도와 2차 입자 직경으로부터, 8.68×1018×지립의 농도[중량％]/(지립의 평균 2차 입자 직경[nm])3에 의해 산출된다.
본 발명의 연마 방법에 있어서의 상기 표면 처리 공정에서 사용되는 표면 처리 조성물 중에 있어서의 지립의 수를 상기 연마 공정에 있어서 사용되는 연마용 조성물에 있어서의 지립의 수로 제산한 값을 0.00001 이상 0.5 이하, 또한 0.001 이상 0.2 이하로 해도 된다. 연마용 조성물 중 및 표면 처리 조성물 중의 지립 함유량을 이 범위로 함으로써, 실리콘 웨이퍼 표면의 결함을 보다 저감할 수 있다.
지립의 예로서는 무기 입자, 유기 입자 및 유기 무기 복합 입자를 들 수 있다. 무기 입자의 구체예로서는, 실리카 입자, 알루미나 입자, 산화세륨 입자, 산화크롬 입자, 이산화티타늄 입자, 산화지르코늄 입자, 산화마그네슘 입자, 이산화망간 입자, 산화아연 입자, 벵갈라 입자 등의 산화물 입자, 질화규소 입자, 질화붕소 입자 등의 질화물 입자, 탄화규소 입자, 탄화 붕소 입자 등의 탄화물 입자, 다이아몬드 입자, 탄산칼슘이나 탄산바륨 등의 탄산염 등을 들 수 있다. 유기 입자의 구체예로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 입자를 들 수 있다.
이들의 구체예 중에서도 실리카가 바람직하다. 실리카의 구체예로서는, 콜로이달 실리카, 퓸드 실리카 및 졸겔법 실리카로부터 선택되는 실리카 입자를 들 수 있다. 이들 실리카 입자 중에서도, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 발생하는 스크래치를 감소시킨다는 관점에 있어서, 콜로이달 실리카 및 퓸드 실리카로부터 선택되는 실리카 입자, 특히 콜로이달 실리카를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 중 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
실리카의 진 비중은, 1.5 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.6 이상이고, 더욱 바람직하게는 1.7 이상이다. 실리카의 진 비중의 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 실리카의 진 비중은, 바람직하게는 2.2 이하이고, 보다 바람직하게는 2.0 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.9 이하이다. 실리카 진 비중의 감소에 의해, 연마 후의 실리콘 웨이퍼 기판의 표면 품질이 향상되는 작용이 있다. 구체적으로는 헤이즈의 개선 효과 등이 있다. 실리카의 진 비중은, 실리카의 입자를 건조시켰을 때의 중량과 이 실리카의 입자에 용량 기지의 에탄올을 채웠을 때의 중량으로부터 산출된다.
지립의 평균 1차 입자 직경은 5nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10nm 이상이고, 더욱 바람직하게는 20nm 이상이다. 지립의 평균 1차 입자 직경의 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 지립의 평균 1차 입자 직경은 100nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70nm 이하이고, 더욱 바람직하게는 50nm 이하이다. 지립의 평균 1차 입자 직경의 감소에 의해, 연마용 조성물의 안정성이 향상된다.
지립의 평균 1차 입자 직경의 값은, 예를 들어 BET법에 의해 측정되는 비표면적으로부터 산출된다. 지립의 비표면적 측정은, 예를 들어 마이크로 메리텍스사제의 「FlowSorbII 2300」을 사용하여 행할 수 있다.
지립의 평균 2차 입자 직경은 10nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20nm 이상이고, 더욱 바람직하게는 30nm 이상이다. 지립의 평균 2차 입자 직경의 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 지립의 평균 2차 입자 직경은 200nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 150nm 이하이고, 더욱 바람직하게는 100nm 이하이다. 지립의 평균 2차 입자 직경의 감소에 의해, 연마용 조성물의 안정성이 향상된다. 지립의 평균 2차 입자 직경은, 예를 들어 니키소 가부시끼가이샤 제조의 형식 「UPA-UT151」을 사용한 동적 광 산란법에 의해 측정할 수 있다.
지립의 긴 직경/짧은 직경비의 평균값은 1.0 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.05 이상이고, 더욱 바람직하게는 1.1 이상이다. 상기 긴 직경/짧은 직경비의 평균값의 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어진다. 지립의 긴 직경/짧은 직경비의 평균값은 3.0 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2.0 이하이고, 더욱 바람직하게는 1.5 이하이다. 상기 긴 직경/짧은 직경비의 평균값의 감소에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 발생하는 스크래치가 감소한다.
상기 긴 직경/짧은 직경비는, 지립의 입자 형상을 나타내는 값이고, 예를 들어 전자 현미경을 사용한 사진 관찰에 의해 구할 수 있다. 구체적으로는, 주사형 전자 현미경을 사용하여, 소정 개수(예를 들어 200개)의 지립을 관찰하고, 각각의 입자 화상에 외접하는 최소의 직사각형을 그린다. 그리고, 각 입자 화상에 대하여 그려진 직사각형에 대해서, 그 긴 변의 길이(긴 직경의 값)를 짧은 변의 길이(짧은 직경의 값)로 제산한 값을 산출함과 함께, 그 평균값을 산출함으로써, 긴 직경/짧은 직경비의 평균값을 구할 수 있다.
(염기성 화합물)
연마용 조성물 중에는 염기성 화합물을 함유시킬 수 있다. 염기성 화합물은, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 대하여 화학적인 작용을 부여하여 화학적으로 연마한다(케미컬 에칭). 이에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판을 연마할 때의 연마 속도를 향상시키는 것이 용이하게 된다.
염기성 화합물의 구체예로서는, 무기의 염기성 화합물, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물 또는 염, 수산화 제4급 암모늄 또는 그의 염, 암모니아, 아민 등을 들 수 있다. 알칼리 금속의 구체예로서는 칼륨, 나트륨 등을 들 수 있다. 염의 구체예로서는 탄산염, 탄산수소염, 황산염, 아세트산염 등을 들 수 있다. 제4급 암모늄의 구체예로서는 테트라메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 테트라부틸암모늄 등을 들 수 있다. 알칼리 금속의 수산화물 또는 염의 구체예로서는, 수산화칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소칼륨, 황산칼륨, 아세트산칼륨, 염화칼륨 등을 들 수 있다. 수산화 제4급 암모늄 또는 그의 염의 구체예로서는, 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 수산화 테트라부틸암모늄 등을 들 수 있다. 아민의 구체예로서는 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, N-(β-아미노에틸)에탄올아민, 헥사메틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 무수 피페라진, 피페라진6수화물, 1-(2-아미노에틸)피페라진, N-메틸피페라진, 구아니딘, 이미다졸이나 트리아졸 등의 아졸류 등을 들 수 있다. 이들의 염기성 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
염기성 화합물 중에서도, 암모니아, 암모늄염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속염 및 제4급 암모늄 수산화물로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 염기성 화합물 중에서도, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산암모늄, 탄산수소칼륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨 및 탄산나트륨으로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다. 염기성 화합물 중에서도, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화 테트라메틸암모늄 및 수산화 테트라에틸암모늄으로부터 선택되는 적어도 1종이 더욱 바람직하고, 한층 바람직하게는 암모니아 및 수산화 테트라메틸암모늄 중 적어도 한쪽이고, 가장 바람직하게는 암모니아이다.
연마용 조성물 및 표면 처리 조성물 중에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은, 0.001질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.002질량％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.003질량％ 이상이다. 연마용 조성물 중에 있어서의 염기성 화합물의 함유량 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어지는 경향이 된다. 연마용 조성물 중에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은 1.0질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.2질량％ 이하이고, 가장 바람직하게는 0.1질량％ 이하이다. 연마용 조성물 중에 있어서의 염기성 화합물의 함유량 감소에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판의 형상이 유지되기 쉬워지는 경향이 된다.
연마용 조성물의 pH는 8.0 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8.5 이상이고, 더욱 바람직하게는 9.0 이상이다. 연마용 조성물의 pH의 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판을 연마할 때에 높은 연마 속도가 얻어지는 경향이 된다. 연마용 조성물의 pH는 11.0 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10.8 이하이고, 더욱 바람직하게는 10.5 이하이다. 연마용 조성물의 pH의 감소에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판의 조도를 저감할 수 있는 경향이 된다.
(물)
물은 다른 성분의 분산매 또는 용매가 된다. 물은 연마용 조성물에 함유되는 다른 성분의 작용이 저해되는 것을 최대한 회피하기 위해서, 예를 들어 전이 금속 이온의 합계 함유량이 100ppb 이하로 되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 이온 교환 수지를 사용하는 불순물 이온의 제거, 필터에 의한 입자의 제거, 증류 등의 조작에 의해 물의 순도를 높일 수 있다. 구체적으로는 이온 교환수, 순수, 초순수, 증류수 등을 사용하는 것이 바람직하다.
(수용성 고분자)
수용성 고분자는, 연마 시나 린스 처리 시 등의 실리콘 웨이퍼 기판의 표면 처리 시에 있어서, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면 습윤성을 높인다. 연마용 조성물은, 수용성 고분자로서, 연마용 조성물의 제조 시에 고체 또는 고형의 상태에서 물에 투입되는 고체 원료의 수용성 고분자를 함유한다. 고체 원료란, 물에 용해되기 전의 원료 상태에 있어서, 온도 23℃, 상대 습도 50％ 및 1기압의 환경 하에서 눈으로 고체 또는 고형의 상태인 것을 의미한다. 또한, 수용성 고분자는 물, 또는 물과 알코올, 케톤 등의 수계 유기 용제와의 혼합 용제 중에 있어서 단량체로부터 합성되는 것도 있지만, 그 용액 상태 그대로의 수계 액 형태의 것, 또는, 휘발성 용제를 증류 제거한 수용액 형태의 것도 포함한다. 또한, 이하에서는 「고체 원료의 수용성 고분자」나 「수계 형태의 수용성 고분자」, 「수용액 형태의 수용성 고분자」를 단순하게 「수용성 고분자」라고 기재한다.
수용성 고분자로서는 분자 중에, 양이온기, 음이온기 및 비이온기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 갖는 것, 구체적으로는 분자 중에 수산기, 카르복실기, 아실옥시기, 술포기, 아미드기, 아미디노기, 이미노기, 이미드기, 제4급 질소 구조, 상기 관능기 단위를 포함하는 복소환 구조, 비닐 구조, 폴리옥시알킬렌 구조 등을 포함하는 것의 어느 것도 사용할 수 있다. 구체예로서는, 셀룰로오스 유도체, 폴리비닐알코올, 폴리(메트)아크릴산, 폴리(메트)아크릴아미드 알킬술폰산, 폴리이소프렌술폰산, 폴리비닐술폰산, 폴리알릴술폰산, 폴리이소아밀렌술폰산, 폴리스티렌술폰산염, 폴리(메트)아크릴아미드, 폴리알킬아미노알킬(메트)아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐피롤리돈을 구조의 일부에 포함하는 공중합체, 폴리비닐카프로락탐, 폴리비닐카프로락탐을 구조의 일부에 포함하는 공중합체, 폴리알콕시알킬(메트)아크릴아미드, 폴리히드록시알킬(메트)아크릴아미드, 폴리(메트)아크릴로일모르폴린, 폴리아미딘, 폴리에틸렌이민, 친수화 폴리이미드, 각종 폴리아미노산, 폴리(N-아실알킬렌이민) 등의 이민 유도체, 폴리비닐알코올의 수산기 부분의 일부를 제4급 질소 구조로 치환한 폴리비닐알코올 유도체, 폴리옥시에틸렌, 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 중합체, 이들의 디블록형이나 트리블록형, 랜덤형, 교대형이라고 하는 복수종의 구조를 갖는 중합체 등을 들 수 있다. 또한, 폴리(메트)아크릴산이라는 표기는 아크릴산 및/또는 메타크릴산을 의미하고, 다른 화합물에 대해서도 마찬가지이다.
상기 수용성 고분자 중에서도, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 있어서의 습윤성의 향상, 파티클의 부착 억제 및 표면 조도의 저감 등의 관점에서, 셀룰로오스 유도체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴로일모르폴린, 또는 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 중합체가 적합하다. 셀룰로오스 유도체의 구체예로서는, 히드록시에틸셀룰로오스, 히드록시프로필셀룰로오스, 히드록시에틸메틸셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 에틸히드록시에틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 셀룰로오스 유도체 중에서도, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 습윤성을 부여하는 능력이 높고, 양호한 세정성을 갖는 점에서, 히드록시에틸셀룰로오스가 특히 바람직하다. 또한, 수용성 고분자는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
수용성 고분자의 중량 평균 분자량은, 폴리에틸렌옥시드 환산으로, 1000 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10000 이상이고, 더욱 바람직하게는 50000 이상이고, 가장 바람직하게는 100000 이상이다. 수용성 고분자의 중량 평균 분자량의 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면 습윤성이 높아지는 경향이 된다. 수용성 고분자의 중량 평균 분자량은 2000000 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1500000 이하이고, 더욱 바람직하게는 1000000 이하이다. 수용성 고분자의 중량 평균 분자량의 감소에 의해, 연마용 조성물의 안정성이 보다 유지되는 경향이 된다. 또한, 추가로 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면 헤이즈 레벨이 저감하는 경향이 된다.
연마용 조성물 중 및 표면 처리 조성물 중에 있어서의 수용성 고분자의 함유량은, 0.002질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.004질량％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 0.006질량％ 이상이고, 한층 바람직하게는 0.008질량％ 이상, 특히 바람직하게는 0.01질량％ 이상이다. 연마용 조성물 중에 있어서의 수용성 고분자의 함유량 증대에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면 습윤성이 보다 향상되는 경향이 된다. 연마용 조성물 중에 있어서의 수용성 고분자의 함유량은, 0.5질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.1질량％ 이하이고, 한층 바람직하게는 0.05질량％ 이하이고, 가장 바람직하게는 0.03질량％ 이하이다. 연마용 조성물 중에 있어서의 수용성 고분자의 함유량 감소에 의해, 연마용 조성물의 안정성이 보다 유지되는 경향이 된다.
(킬레이트제)
연마용 조성물 및 표면 처리 조성물 중에는 킬레이트제를 함유시킬 수 있다. 킬레이트제는, 연마계 중의 금속 불순물 성분을 포착하여 착체를 형성함으로써 실리콘 웨이퍼 기판의 금속 오염을 억제한다.
킬레이트제의 구체예로서는, 아미노카르본산계 킬레이트제 및 유기 포스폰산계 킬레이트제를 들 수 있다. 아미노카르본산계 킬레이트제의 구체예로서는, 에틸렌디아민사아세트산, 에틸렌디아민사아세트산나트륨, 니트릴로삼아세트산, 니트릴로삼아세트산나트륨, 니트릴로삼아세트산암모늄, 히드록시에틸에틸렌디아민삼아세트산, 히드록시에틸에틸렌디아민삼아세트산나트륨, 디에틸렌트리아민오아세트산, 디에틸렌트리아민오아세트산나트륨, 트리에틸렌테트라민육아세트산, 트리에틸렌테트라민육아세트산나트륨을 들 수 있다. 유기 포스폰산계 킬레이트제의 구체예로서는, 2-아미노에틸포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 에탄-1,1,-디포스폰산, 에탄-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1-디포스폰산, 에탄-1-히드록시-1,1,2-트리포스폰산, 에탄-1,2-디카르복시-1,2-디포스폰산, 메탄히드록시포스폰산, 2-포스포노부탄-1,2-디카르복실산, 1-포스포노부탄-2,3,4-트리카르복실산, α-메틸포스포노숙신산을 들 수 있다. 이들 킬레이트제 중에서도, 유기 포스폰산계 킬레이트제, 특히 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌포스폰산)를 사용하는 것이 바람직하다. 킬레이트제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(계면 활성제)
연마용 조성물 및 표면 처리 조성물 중에는 계면 활성제를 함유시킬 수 있다. 계면 활성제는, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면의 거칠함을 억제한다. 이에 의해, 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면 헤이즈 레벨을 저감하는 것이 용이하게 된다. 특히, 연마용 조성물에 염기성 화합물을 함유시킨 경우에는, 염기성 화합물에 의한 화학적 연마(케미컬 에칭)에 의해 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 거칠함이 발생하기 쉬워지는 경향이 된다. 이로 인해, 염기성 화합물과 계면 활성제의 병용은 특히 유효하다.
계면 활성제로서는, 음이온성 또는 비이온성의 계면 활성제를 들 수 있다. 계면 활성제 중에서도, 비이온성 계면 활성제가 적합하게 사용된다. 비이온성 계면 활성제는 기포성이 낮기 때문에, 연마용 조성물의 제조 시나 사용 시의 취급이 용이하게 된다. 또한, 예를 들어 이온성의 계면 활성제를 사용한 경우보다도, pH 조정이 용이하게 된다.
비이온성 계면 활성제의 구체예로서는, 옥시알킬렌의 단독 중합체, 복수 종류의 옥시알킬렌 공중합체, 폴리옥시알킬렌 부가물을 들 수 있다. 옥시알킬렌의 단독 중합체의 구체예로서는 폴리옥시에틸렌, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시프로필렌 및 폴리옥시부틸렌을 들 수 있다. 복수 종류의 옥시알킬렌 공중합체의 구체예로서는, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜 및 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌글리콜을 들 수 있다.
폴리옥시알킬렌 부가물의 구체예로서는, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 폴리옥시에틸렌지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌글리세릴에테르지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르 등을 들 수 있다. 더욱 구체적으로는, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 공중합체, 폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌프로필에테르, 폴리옥시에틸렌부틸에테르, 폴리옥시에틸렌펜틸에테르, 폴리옥시에틸렌헥실에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸에테르, 폴리옥시에틸렌-2-에틸헥실에테르, 폴리옥시에틸렌노닐에테르, 폴리옥시에틸렌데실에테르, 폴리옥시에틸렌이소데실에테르, 폴리옥시에틸렌트리데실에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌이소스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌페닐에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌도데실페닐에테르, 폴리옥시에틸렌스티렌화페닐에테르, 폴리옥시에틸렌라우릴아민, 폴리옥시에틸렌스테아릴아민, 폴리옥시에틸렌올레일아민, 폴리옥시에틸렌스테아릴아미드, 폴리옥시에틸렌올레일아미드, 폴리옥시에틸렌모노라우르산에스테르, 폴리옥시에틸렌모노스테아르산에스테르, 폴리옥시에틸렌디스테아르산에스테르, 폴리옥시에틸렌모노올레산에스테르, 폴리옥시에틸렌디올레산에스테르, 모노라우르산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노팔미틴산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노스테아르산폴리옥시에틸렌소르비탄, 모노올레산폴리옥시에틸렌소르비탄, 트리올레산폴리옥시에틸렌소르비탄, 테트라올레산폴리옥시에틸렌소르비트, 폴리옥시에틸렌 피마자유, 폴리옥시에틸렌 경화 피마자유 등을 들 수 있다.
이들 비이온성 계면 활성제 중에서도, 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수 종류의 옥시알킬렌 공중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 연마 후의 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면 헤이즈를 실용상 특히 적합한 레벨에까지 저감하는 것이 용이하다. 그것은, 약간의 친수성을 갖는 에테르 결합과 약간의 소수성을 갖는 알킬렌기가 이들의 중합체의 분자쇄 중에 교대로 존재하는 것이 이유라고 생각된다.
또한, 옥시알킬렌의 단독 중합체 또는 복수의 종류의 옥시알킬렌 공중합체에 있어서의 옥시에틸렌 단위의 비율은, 85질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 90질량％ 이상이다. 중합체 중의 옥시에틸렌 단위의 비율 증대에 의해, 연마 후의 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 대한 파티클의 부착이 억제되는 경향이 있다.
계면 활성제의 분자량은, 전형적으로는 10000 미만이고, 연마용 조성물의 여과성이나 피연마물의 세정성 등의 관점에서 9500 이하가 바람직하다. 또한, 계면 활성제의 분자량은, 전형적으로는 200 이상이고, 헤이즈 저감 효과 등의 관점에서 250 이상이 바람직하고, 300 이상이 보다 바람직하다. 또한, 계면 활성제의 분자량으로서는, GPC에 의해 구해지는 중량 평균 분자량(Mw)(수계, 폴리에틸렌글리콜 환산) 또는 화학식으로부터 산출되는 분자량을 채용할 수 있다.
계면 활성제의 분자량의 보다 바람직한 범위는, 계면 활성제의 종류에 따라서도 상이할 수 있다. 예를 들어, 계면 활성제로서 폴리옥시에틸렌과 폴리옥시프로필렌과의 블록 공중합체를 사용하는 경우에는, Mw가 1000 이상의 것이 바람직하고, 2000 이상의 것이 보다 바람직하고, 5000 이상의 것이 더욱 바람직하다.
또한, 비이온성 계면 활성제의 HLB(hydrophile-lipophile Balance)의 값은, 8 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 이상, 더욱 바람직하게는 12 이상이다. 비이온성 계면 활성제의 HLB값의 증대에 의해, 연마 후의 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 대한 파티클의 부착이 억제되는 경향이 있다.
또한, 계면 활성제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 연마용 조성물 중에 있어서의 계면 활성제의 함유량은, 0.0001질량％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.001질량％ 이상이다. 계면 활성제의 함유량 증대에 의해, 연마 후의 반도체 기판 표면의 헤이즈가 보다 감소되는 경향이 있다. 연마용 조성물 중의 계면 활성제 함유량은 0.05질량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.02질량％ 이하이다. 계면 활성제의 함유량 감소에 의해, 연마 후의 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면에 대한 파티클의 부착이 억제되는 경향이 있다.
(기타 성분)
연마용 조성물은, 필요에 따라 연마용 조성물에 일반적으로 함유되어 있는 공지된 첨가제, 예를 들어 유기산, 유기산염, 무기산, 무기산염, 방부제, 곰팡이 방지제 등을 더 함유해도 된다. 예를 들어, 유기산, 유기산염, 무기산 및 무기산염 중 어느 것을 첨가한 경우에는, 수용성 고분자와의 상호 작용에 의해, 연마 후의 실리콘 웨이퍼 기판의 연마면 친수성을 향상시킬 수 있다.
유기산의 구체예로서는 포름산, 아세트산, 프로피온산 등의 지방산, 벤조산, 프탈산 등의 방향족 카르복실산, 시트르산, 옥살산, 타르타르산, 말산, 말레산, 푸마르산, 숙신산, 유기 술폰산, 유기 포스폰산 등을 들 수 있다. 유기산염의 구체예로서는, 유기산의 구체예에서 기재한 유기산의 나트륨염 및 칼륨염 등의 알칼리 금속염, 또는 암모늄염을 들 수 있다.
무기산의 구체예로서는 황산, 질산, 염산, 탄산 등을 들 수 있다. 무기산염의 구체예로서는, 무기산의 구체예에서 기재한 무기산의 나트륨염 및 칼륨염 등의 알칼리 금속염, 또는 암모늄염을 들 수 있다.
유기산염 및 무기산염 중에서도, 실리콘 웨이퍼 기판의 금속 오염을 억제한다는 점에서, 암모늄염이 바람직하다.
유기산 및 그의 염, 및 무기산 및 그의 염은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이어서, 본 실시 형태의 표면 처리 조성물의 작용을 기재한다.
종래, 수용성 고분자의 수용액이 린스 공정 등의 표면 처리 조성물로서 유용한 것이 알려져 있다. 이것은, 실리콘 웨이퍼 기판의 표면을 수용성 고분자로 보호함으로써, 실리콘 웨이퍼 표면을 보호하기 위해서라고 생각된다. 본 발명자들은 예의 연구의 결과, 표면 처리 공정에 있어서 적량의 지립을 함유함으로써, 실리콘 웨이퍼 기판 표면의 보호성을 비약적으로 향상할 수 있음을 알아내었다.
수용성 고분자에 의한 기판 표면으로의 친수성의 부여 작용은, 기판 표면에 수용성 고분자가 흡착함으로써 발현하지만, 기판 표면에 수용성 고분자를 흡착시키기 위해서는, 이산화규소를 캐리어로서 기능시키는 것이 중요해진다. 즉, 연마용 조성물 중에 있어서, 이산화규소의 표면에 수용성 고분자를 흡착시킨 상태로 하여 둠으로써, 연마 시에 있어서, 이산화규소와 기판 표면이 맞스칠 때에 이산화규소의 표면에 흡착한 수용성 고분자가 기판 표면으로 이행한다. 이에 의해, 기판 표면에 수용성 고분자를 효율적으로 흡착시킬 수 있다. 그 결과, 기판 표면에 부여되는 친수성을 효과적으로 높일 수 있고, 기판에 발생하는 미소한 표면 결함을 억제하는 것이 용이하게 된다. 또한, 기판 표면에 수용성 고분자가 흡착할 때는, 기판과 수용성 고분자의 탄소 사이에 소수 결합이 발생하고 있다고 생각된다.
연마 장치
이어서, 연마 장치에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 편면 연마 장치를 도시하는 사시도이다.
연마 장치(11)는, 상면에 연마 패드(14)가 부착된 원판 상의 회전 정반(12)을 구비하고 있다. 회전 정반(12)은 도 1의 화살표(13a) 방향으로 회전하는 제1 샤프트(13)에 대하여 일체 회전 가능하게 설치되어 있다. 회전 정반(12)의 상방에는 적어도 하나의 웨이퍼 홀더(15)가 설치되어 있다. 웨이퍼 홀더(15)는 도 1의 화살표(16a) 방향으로 회전하는 제2 샤프트(16)에 대하여 일체 회전 가능하게 설치되어 있다. 웨이퍼 홀더(15)의 저면에는, 세라믹 플레이트(17) 및 도시하지 않은 우레탄 시트를 개재하여, 웨이퍼 유지 구멍(18)을 갖는 웨이퍼 유지 플레이트(19)가 제거 가능하게 설치되어 있다. 연마 장치(11)는 연마용 조성물 공급기(21) 및 도시하지 않은 린스용 조성물 공급기를 더 구비하고 있다. 연마용 조성물 공급기(21)는 노즐(21a)을 통하여 연마용 조성물을 토출하고, 린스용 조성물 공급기는 도시하지 않은 노즐을 통하여 린스용 조성물을 토출한다. 연마용 조성물 공급기(21) 및 린스용 조성물 공급기 중 어느 한쪽이 회전 정반(12)의 상방에 배치된다. 회전 정반(12)의 상방에 배치된 한쪽의 공급기와 회전 정반(12)의 상방에 배치되지 않은 다른 쪽의 공급기와는 서로 바꾸는 것이 가능하다.
연마, 표면 처리 및 세정 방법
실리콘 웨이퍼를 연마할 때에는, 도 1에 도시한 바와 같이 연마용 조성물 공급기(21)가 회전 정반(12)의 상방에 배치된다. 연마해야 할 실리콘 웨이퍼는 웨이퍼 유지 구멍(18) 내에 흡인되어 웨이퍼 홀더(15)에 유지된다. 먼저, 웨이퍼 홀더(15) 및 회전 정반(12)의 회전이 개시되고, 연마용 조성물 공급기(21)로부터는 연마용 조성물이 토출되어 연마 패드(14) 상에 연마용 조성물이 공급된다. 그리고, 실리콘 웨이퍼를 연마 패드(14)에 압박하기 위해, 웨이퍼 홀더(15)가 회전 정반(12)을 향하여 이동시켜진다. 이에 의해, 연마 패드(14)와 접하는 실리콘 웨이퍼의 면이 연마된다.
계속해서, 연마된 실리콘 웨이퍼를 표면 처리할 때에는, 연마용 조성물 공급기(21)를 대신하여 표면 처리용 조성물 공급기가 회전 정반(12)의 상방에 배치된다. 연마 장치(11)의 가동 조건을 연마용의 설정으로부터 표면 처리용의 설정으로 전환한 후, 표면 처리용 조성물 공급기로부터 표면 처리용 조성물이 토출되어 연마 패드(14) 상에 표면 처리용 조성물이 공급된다. 이에 의해, 연마 패드(14)와 접하는 실리콘 웨이퍼의 면이 표면 처리된다.
실리콘 웨이퍼 표면의 연마는 복수의 단계로 나누어서 행해지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 초벌 연마의 제1 단계, 정밀 연마의 제2 단계를 거쳐, 표면 처리를 행해도 되고, 정밀 연마 후에 마무리 연마를 행한 후 표면 처리를 행해도 된다. 그 후, 필요에 따라, 세정을 행해도 된다.
실시예
각각 표 1에 나타나는 종류와 함유량의 지립(콜로이달 실리카), 수용성 고분자(히드록시에틸셀룰로오스: HEC, 폴리비닐알코올: PVA, 폴리아크릴로일모르폴린: PACMO), 계면 활성제(실시예 8만, 폴리옥시에틸렌데실에테르: C10PEO5, 실시예 9만, 폴리에틸렌옥시드-폴리프로필렌옥시드-폴리에틸렌옥시드: PEO-PPO-PEO), 염기성 화합물(암모니아)을 포함하는 연마용 조성물 및 표면 처리 조성물을 사용하여, 직경 300mm의 실리콘 웨이퍼를 이하의 조건에 의해, 연마 처리, 이것에 이어 표면 처리, 세정을 행하였다. 또한, 비교예 3에서는 순수만으로 표면 처리를 행하고, 비교예 4에서는 실질적으로 연마 공정만 행하여 종료하였다.
또한, 표 중의 콜로이달 실리카의 광 산란 입자 직경은, 상기 콜로이달 실리카 분산액을 측정 샘플로서, 니키소 가부시끼가이샤 제조의 형식 「UPA-UT151」을 사용하여 측정된 체적 평균 입자 직경이다.
Figure pct00001
(연마 공정의 조건)
연마기로서 가부시키가이샤 오카모토 코사꾸 기까이 세이사쿠쇼제의 낱장식 연마기, 형식 「PNX-332B」를 사용하여, 하중을 15kPa로 설정하였다. 정반 회전수를 30rpm, 헤드 회전수를 30rpm, 조성물의 공급 속도를 2.0리터/분(흘려 보냄식 사용), 연마용 조성물의 온도를 20℃로 하고, 120초간 연마 처리를 행하였다.
(표면 처리 공정의 조건)
연마기로서 연마 공정과 같은 오카모토 코사꾸 기까이 세이사쿠쇼제 「PNX-332B」를 사용하여, 동일 정반 상에서 연마 공정에 이어서, 하중을 8kPa로 변경하고, 정반 회전수를 30rpm, 헤드 회전수를 30rpm, 조성물의 공급 속도를 2.0리터/분(흘려 보냄식 사용), 표면 처리 조성물의 온도를 20℃로 하고, 20초간 표면 처리를 행하였다.
(세정 조건)
표면 처리 후의 실리콘 웨이퍼를, NH4OH(29％):H2O2(31％):탈이온수(DIW)=1:3:30(체적비)의 세정액을 사용하여 세정하였다(SC-1 세정). 그 때, 주파수 950kHz의 초음파 발진기를 설치한 세정조를 2개 준비하고, 그것들 제1 및 제2 세정조의 각각에 상기 세정액을 수용해서 60℃로 유지하여, 표면 처리 후의 실리콘 웨이퍼를 제1 세정조에 6분, 그 후 초순수와 초음파에 의한 린스조를 거쳐, 제2 세정조에 6분, 각각 상기 초음파 발진기를 작동시킨 상태에서 침지하였다.
(평가 방법)
상기 조건에 의해 연마 처리, 표면 처리, 세정을 행한 후, 실리콘 웨이퍼 표면이 친수로 되어 있는 면적을 눈으로 평가하였다. 결함수는, 케이 엘 에이·텐코르사제의 웨이퍼 검사 장치, 상품명 「SurfscanSP2」를 사용하여, 세정 후의 직경 300mm의 실리콘 웨이퍼 표면에 존재하는 37nm 이상의 크기의 파티클 개수(LPD수)를 카운트하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
표 1에 도시된 바와 같이, 표면 처리 공정에서의 표면 처리 조성물 중의 지립수를 7.6×1011 내지 1.5×1012/㎤로 한 실시예 1 내지 9에서는, 표면 처리 조성물 중에 지립을 포함하지 않는 비교예 1 내지 3 및 표면 처리 조성물 중에 지립을 1.4×1013 포함하는 비교예 4에 비교하여 결함수가 크게 저하된 것이 확인되었다.

Claims (6)

  1. 연마 공정과 상기 연마 공정 후에 행하는 표면 처리 공정을 포함하고,
    상기 표면 처리 공정에서 사용되는 표면 처리 조성물 중의 지립수가 1.0×1010개/mL 이상 1.0×1013개/mL 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연마 공정에 있어서 사용되는 연마용 조성물 중의 지립수가 1.0×1011개/mL 이상 1.0×1015개/mL 미만인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 연마 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 표면 처리 공정에서 사용되는 표면 처리 조성물 중에 있어서의 지립의 수를 상기 연마 공정에 있어서 사용되는 연마용 조성물에 있어서의 지립의 수로 제산한 값이 0.00001 이상 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 연마 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연마 공정과 상기 표면 처리 공정은 동일 정반 상에서 연속하여 행하는 공정인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 연마 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지립은 졸겔법에 의해 제조되는 콜로이달 실리카를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 연마 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 연마 방법에 사용되는 표면 처리 조성물.

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