KR20170113390A - Photosensitive resin composition for light-shielding film, display substrate having the light-shielding film obtained by curing the same, and manufacturing method of display substrate - Google Patents

Photosensitive resin composition for light-shielding film, display substrate having the light-shielding film obtained by curing the same, and manufacturing method of display substrate Download PDF

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Abstract

(과제) 내열성이 고작 160℃인 플라스틱 기판 등에 차광막을 형성하는 데에 적합하며, 용제 내성이나 알칼리 내성이 우수한 차광막을 얻을 수 있는 차광막용 감광성 수지 조성물, 이것을 경화시킨 차광막을 구비한 디스플레이용 기판, 및 그 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) (A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지, (B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머, (C)옥심에스테르계 중합 개시제, (D)아조계 중합 개시제, 및 (E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분을 포함하는 차광막용 감광성 수지 조성물이며, 또한 이것을 기판 상에 도포하고, 포토마스크를 개재하여 노광·현상하고, 160℃ 이하에서 가열하여 소정의 패턴을 구비한 차광막을 형성하는 디스플레이용 기판의 제조 방법, 및 이것에 의해 얻어진 디스플레이용 기판이다.
(PROBLEMS) A photosensitive resin composition for a light-shielding film which is suitable for forming a light-shielding film on a plastic substrate having a heat resistance of only 160 DEG C and excellent in solvent resistance and alkali resistance, a substrate for display provided with a light- And a method for producing the same.
(A) a polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct, (B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds, (C) A photosensitive resin composition for a light-shielding film comprising at least one light-shielding component selected from the group consisting of a polymerization initiator, (D) an azo-based polymerization initiator, and (E) a black organic pigment, A light shielding film having a predetermined pattern is formed by heating at 160 DEG C or lower through a photomask, and a display substrate obtained by the method.

Description

차광막용 감광성 수지 조성물, 이것을 경화시킨 차광막을 구비한 디스플레이용 기판, 및 디스플레이용 기판의 제조 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR LIGHT-SHIELDING FILM, DISPLAY SUBSTRATE HAVING THE LIGHT-SHIELDING FILM OBTAINED BY CURING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY SUBSTRATE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition for a light-shielding film, a substrate for a display having a light-shielding film formed by curing the light-shielding film, and a method of manufacturing a substrate for a display. BACKGROUND ART METHOD OF DISPLAY SUBSTRATE}

본 발명은 차광막용 감광성 수지 조성물, 이것을 경화시킨 차광막을 구비한 디스플레이용 기판, 및 디스플레이용 기판의 제조 방법에 관한 것이며, 상세하게는 내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 형성하는 데에 적합한 차광막용 감광성 수지 조성물, 그 경화막인 차광막을 기판 상에 구비한 디스플레이용 기판, 및 이 디스플레이용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition for a light-shielding film, a display substrate provided with a light-shielding film obtained by curing the light-shielding film, and a method of manufacturing a display substrate. More particularly, A light-shielding film, a display substrate provided with a light-shielding film as a cured film thereof, and a method of manufacturing the display substrate.

최근, 디바이스의 플렉시블화나 원칩화를 목적으로 하여, 예를 들면 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)나 PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 등의 플라스틱 기판(플라스틱 필름, 수지제 필름)에 대하여 직접 차광막(차광 패턴)을 형성하거나, 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 상에 유기 EL이나 유기 TFT 등을 구비한 디바이스에 직접 차광막을 형성하거나 하는 요구가 있다. 그런데, 이들은 플라스틱 기판 자체의 내열 온도나 디바이스로서의 내열 온도가 낮고, 일반적으로 내열성은 고작 160℃ 정도뿐인 경우가 많다. 그 때문에 플라스틱 기판이나 디바이스에 차광막을 형성함에 있어서 160℃ 이하의 열소성 온도에서는 막 강도가 불충분해지고, 그 후의 후공정(예를 들면, 각 RGB 레지스트 도포나 알칼리 내성 등)에 있어서 도막의 막 감소, 표면 거침, 패턴 박리 등의 문제가 생기는 문제가 있다.In recent years, for the purpose of making the device flexible or one-chip, a light-shielding film (light-shielding pattern) is formed directly on a plastic substrate (plastic film or resin film) such as PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) Or to form a light-shielding film directly on a glass substrate or a device provided with an organic EL or an organic TFT on a silicon wafer. However, these have a low heat resistance temperature as a plastic substrate itself or a heat resistance temperature as a device, and generally have a heat resistance of only about 160 占 폚 in many cases. Therefore, when the light-shielding film is formed on a plastic substrate or a device, the film strength becomes insufficient at a temperature of 160 ° C or lower and the film strength becomes insufficient. In the subsequent post-process (for example, each RGB resist coating or alkali resistance) , Surface roughness, pattern peeling, and the like.

그래서, 예를 들면 일본 특허공개 2003-15288호 공보(특허문헌 1)에는 아크릴 공중합체의 알칼리 가용성 수지를 베이스로 광중합 개시제에 추가하여 열중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 사용하고, 플라스틱 기판에 도포, 노광, 패터닝, 150℃ 열소성한 기판이 개시되어 있지만, 잔사, 기판과의 밀착성(박리 테스트)은 확보되어 있지만, 패턴 선폭, 현상 마진, 내신뢰성(용제 내성, 알칼리 내성) 등의 기재는 없어 이들이 아직 충분하지 않다.Thus, for example, in JP-A 2003-15288 (Patent Document 1), a photosensitive resin composition containing a thermal polymerization initiator is added to a photopolymerization initiator based on an alkali-soluble resin of an acrylic copolymer as a base, (Peel test) with respect to the residue and the substrate is ensured. However, it is also possible to provide a substrate having a pattern line width, a developing margin, a reliability (solvent resistance, alkali resistance), etc. These are not enough yet.

일본 특허공개 2003-15288호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-15288

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 것은 내열성이 고작 160℃인 플라스틱 기판이나 디바이스 상에 차광막을 형성하는 데에 적합하며, 내열성이 낮은 이들 플라스틱 기판이나 디바이스 등에 대해서도 용제 내성이나 알칼리 내성이 우수한 차광막을 얻을 수 있는 차광막용 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다. 그리고, 상기 차광막용 감광성 수지 조성물을 경화시킨 차광막을 구비한 디스플레이용 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a plastic substrate or a device having a heat resistance of only 160 캜, which is suitable for forming a light- A photosensitive resin composition for a light-shielding film which can obtain a light-shielding film excellent in alkali resistance. The present invention also provides a substrate for a display having a light-shielding film formed by curing a photosensitive resin composition for a light-shielding film, and a method of manufacturing the same.

그래서, 본 발명자들은 160℃ 이하의 열경화에 의해 양호한 현상 밀착성이나 패턴의 직선성을 얻으면서 용제 내성이나 알칼리 내성이 우수한 차광막을 얻을 수 있는 차광막용 감광성 수지 조성물에 대해서 예의 검토를 행한 결과, 소정의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지, 광중합성 모노머, 차광 성분, 및 용제를 포함함과 아울러, 특정 중합 개시제를 2종류 조합시킴으로써 상기와 같은 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.Therefore, the inventors of the present invention have made intensive studies on a photosensitive resin composition for a light-shielding film which can obtain a light-shielding film excellent in solvent resistance and alkali resistance while obtaining good developing adhesion and linearity of pattern by thermal curing at 160 캜 or less. Containing polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin, a photopolymerizable monomer, a light-shielding component, and a solvent, and by combining two kinds of specific polymerization initiators, the present inventors have accomplished the present invention.

즉, 본 발명의 요지는 다음과 같다.That is, the gist of the present invention is as follows.

(1) 하기 (A)~(E)성분,(1) the following components (A) to (E)

(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,

(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,

(C)옥심에스테르계 중합 개시제,(C) an oxime ester-based polymerization initiator,

(D)아조계 중합 개시제, 및(D) an azo-based polymerization initiator, and

(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분(E) at least one light-shielding component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed-color organic pigment, and a light-

을 필수 성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 차광막용 감광성 수지 조성물.Is contained as an essential component in the photosensitive resin composition for a light-shielding film.

(2) (1)에 있어서, 상기 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지는 하기 일반식(II)으로 나타내어지는 차광막용 감광성 수지 조성물.(2) The photosensitive resin composition for a light-shielding film according to (1), wherein the polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin as the component (A) is represented by the following formula (II).

Figure pat00001
Figure pat00001

[식 중, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~5개의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기를 나타내고, R5는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, A는 -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, 플루오렌-9,9-디일기 또는 직결합을 나타내고, X는 4가의 카르복실산 잔기를 나타내고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소원자 또는 -OC-Z-(COOH)m(단, Z는 2가 또는 3가 카르복실산 잔기를 나타내고, m은 1 또는 2의 수를 나타낸다)을 나타내고, n은 1~20의 정수를 나타낸다]Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, R 5 is a hydrogen atom or a methyl group, A is -CO -, -SO 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -Si (CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -O-, represents a bond or a straight-diyl group, X represents a tetravalent carboxylic acid moiety represents a, Y 1 and Y 2 are each independently a hydrogen atom or a -OC-Z- (COOH) m (end, Z is a divalent or trivalent And m represents a number of 1 or 2), and n represents an integer of 1 to 20,

(3) (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 (A)성분과 (B)성분의 질량비율 (A)/(B)가 50/50~90/10이며, 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 (C)성분이 2~30질량부임과 아울러, (D)성분이 1~20질량부이며, 차광막용 감광성 수지 조성물의 광경화에 의해 고형분이 되는 성분을 포함시킨 고형분 중에 (E)성분이 40~70질량% 포함되는 차광막용 감광성 수지 조성물.(3) The positive resist composition according to item (1) or (2), wherein the mass ratio (A) / (B) of the component (A) to the component (B) is 50/50 to 90/10, (C) is 2 to 30 parts by mass, and the component (D) is 1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total of 100 parts by mass of the photosensitive resin composition for a light- And the component (E) is contained in an amount of 40 to 70 mass% in the contained solid content.

(4) (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, (E)성분이 카본 블랙인 차광막용 감광성 수지 조성물.(4) The photosensitive resin composition for a light-shielding film according to any one of (1) to (3), wherein the component (E) is carbon black.

(5) 내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 구비한 디스플레이용 기판으로서, 상기 차광막이 하기 (A)~(E)성분(5) A substrate for a display having a light-shielding film on a substrate having a heat-resistant temperature of 160 ° C or less, wherein the light-

(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,

(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,

(C)옥심에스테르계 중합 개시제,(C) an oxime ester-based polymerization initiator,

(D)아조계 중합 개시제, 및(D) an azo-based polymerization initiator, and

(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분(E) at least one light-shielding component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed-color organic pigment, and a light-

을 필수 성분으로서 함유하는 차광막용 감광성 수지 조성물을 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판.Wherein the photosensitive resin composition for a light-shielding film is cured.

(6) 내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 구비한 디스플레이용 기판의 제조 방법으로서,(6) A method for producing a display substrate having a light-shielding film on a substrate having a heat-resistant temperature of 160 DEG C or less,

하기 (A)~(E)성분,The following components (A) to (E)

(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,

(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,

(C)옥심에스테르계 중합 개시제,(C) an oxime ester-based polymerization initiator,

(D)아조계 중합 개시제, 및(D) an azo-based polymerization initiator, and

(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분(E) at least one light-shielding component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed-color organic pigment, and a light-

을 필수 성분으로서 함유하는 차광막용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 포토마스크를 개재하여 노광하고, 현상에 의해 미노광부를 제거하고, 이어서 160℃ 이하에서 가열하여 소정의 패턴을 구비한 차광막을 형성하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판의 제조 방법.A light-shielding film having a predetermined pattern is formed by heating at 160 DEG C or lower to form a light-shielding film having a predetermined pattern, Wherein the first substrate and the second substrate are bonded to each other.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물은 차광막을 제조하는 프로세스에서 160℃를 초과하는 온도에서 열경화하는 공정을 포함하지 않더라도 선폭이 5~15㎛, 특히 10㎛ 이하에서의 현상 밀착성, 직선성이 우수하며, 또한 내용제성이 양호한 차광막(차광 패턴)을 형성할 수 있다. 그 때문에, 내열 온도가 160℃ 이하인 PET, PEN 등의 수지제의 필름이거나, 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 상에 형성한 유기 EL이나 유기 TFT 등을 구비한 디바이스에 대하여 차광막을 형성할 수 있고, 상기와 같은 특성을 구비한 차광막을 갖는 디스플레이용 기판을 얻을 수 있다.The photosensitive resin composition for a light-shielding film of the present invention is excellent in developing adhesion and linearity at a line width of 5 to 15 mu m, particularly 10 mu m or less, even if it does not include a step of thermosetting at a temperature exceeding 160 DEG C in the process for producing a light- And a light shielding film (light shielding pattern) having good solvent resistance can be formed. Therefore, a light-shielding film can be formed on a film made of a resin such as PET or PEN having a heat-resistant temperature of 160 ° C or lower, or on a device including an organic EL or organic TFT formed on a glass substrate or a silicon wafer, A display substrate having a light-shielding film having the same characteristics can be obtained.

즉, 본 발명과 같이 특정 구조의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지, 3개 이상의 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 모노머, 옥심에스테르계 중합 개시제, 아조계 중합 개시제, 및 차광 성분을 필수 성분으로 하는 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 내열 온도가 160℃ 이하라는 내열성이 낮은 기판에 대하여 소망의 차광막을 형성하고, 각종 기능을 구비한 디스플레이용 기판으로 할 수 있다.That is, as in the present invention, a polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin having a specific structure, a polymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated groups, an oxime ester-based polymerization initiator, an azo-based polymerization initiator, By using the resin composition, a desired light-shielding film can be formed on a substrate having a low heat resistance such that the heat-resistant temperature is not higher than 160 DEG C, and a display substrate having various functions can be obtained.

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물의 각 성분에 대해서 우선 설명한다.Each component of the photosensitive resin composition for a light-shielding film of the present invention will be described first.

본 발명에 있어서의 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지는 에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 것이며, 상세하게는 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물과 (메타)아크릴산(이는 「아크릴산 및/또는 메타크릴산」의 의미임)의 반응물에 다가 카르복실산 또는 그 무수물을 더 반응시켜서 얻어지는 화합물이다. 바람직한 예를 사용하여 상세하게 설명하면 하기 일반식(I)으로 나타내어지는 에폭시 화합물에 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어진 히드록시기를 갖는 화합물에 (a)디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물, 및 (b)테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물을 반응시켜서 얻어지는 에폭시(메타)아크릴레이트산 부가물이다. 일반식(I)으로 나타내어지는 에폭시 화합물은 비스페놀류와 에피할로히드린을 반응시켜서 얻어지는 에폭시 화합물 또는 이것과 동등물을 의미한다. (A)성분은 중합성 불포화 이중 결합과 카르복실기를 함께 갖기 때문에 감광성 수지 조성물이 우수한 광경화성, 양호 현상성, 패터닝 특성을 부여하여 차광막의 물성 향상을 초래한다.The polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin as the component (A) in the present invention has a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct, specifically, a compound having two or more epoxy groups and (meth) acrylic acid Acrylic acid and / or methacrylic acid ") is further reacted with a polyvalent carboxylic acid or its anhydride. (A) a dicarboxylic acid or a tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof, which is obtained by reacting an epoxy compound represented by the following general formula (I) with a (meth) acrylic acid to give a compound having a hydroxy group, (B) an epoxy (meth) acrylate acid adduct obtained by reacting a tetracarboxylic acid or its acid dianhydride. The epoxy compound represented by the general formula (I) means an epoxy compound obtained by reacting a bisphenol and an epihalohydrin or an equivalent thereof. Since the component (A) has both a polymerizable unsaturated double bond and a carboxyl group, the photosensitive resin composition gives excellent photo-curability, good developability and patterning property, thereby improving the properties of the light-shielding film.

Figure pat00002
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단, 일반식(I)에 있어서, R1, R2, R3 및 R4는 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~5개의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기를 나타내고, A는 -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, 플루오렌-9,9-디일기 또는 직결합을 나타내고, l은 0~10의 평균값이다.In the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, A is -CO-, -SO 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -Si (CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -O-, fluorene- And l is an average value of 0 to 10.

일반식(I)의 에폭시 화합물을 부여하는 비스페놀류로서는 비스(4-히드록시페닐)케톤, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)케톤, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)케톤, 비스(4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)술폰, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)술폰, 비스(4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디브로모페닐)메탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-클로로페닐)프로판, 비스(4-히드록시페닐)에테르, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)에테르, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)에테르, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-브로모페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-메톡시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디브로모페닐)플루오렌, 4,4'-비페놀, 3,3'-비페놀 등을 들 수 있다. 이 중에서도 일반식(1)에 있어서의 A가 플루오렌-9,9-디일기인 에폭시 화합물을 부여하는 비스페놀류를 특히 바람직하게 사용할 수 있다.Examples of the bisphenols for imparting the epoxy compound of the general formula (I) include bis (4-hydroxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) sulfone, bis Bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, bis (4-hydroxyphenyl) dimethylsilane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) dimethylsilane, bis Bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-3,5-dibromophenyl) Propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2- (4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) ether, 9,9- (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-chlorophenyl) fluorene, 9,9- Fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9- 3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) fluorene, 9,9- -Dibromophenyl) fluorene, 4,4'-biphenol, 3,3'-biphenol and the like. Among them, bisphenols to which an epoxy compound in which A in the general formula (1) is a fluorene-9,9-diyl group are particularly preferably used.

(A)의 알칼리 가용성 수지로 유도하기 위한 일반식(I)의 화합물은 상기 비스페놀류와 에피클로로히드린을 반응시켜서 얻어지는 2개의 글리시딜에테르기를 갖는 에폭시 화합물이다. 이 반응 시에는 일반적으로 디글리시딜에테르 화합물의 올리고머화를 수반하고, l은 통상은 복수의 값이 혼재하기 때문에 평균값 0~10(정수라고는 할 수 없음)이 되지만, 바람직한 l의 평균값은 0~3이다. l의 평균값이 상한값을 초과하면, 상기 에폭시 화합물을 사용하여 합성한 알칼리 가용성 수지를 사용한 감광성 수지 조성물로 했을 때에 조성물의 점도가 지나치게 커져 도포가 잘 행해지지 않거나 알칼리 가용성을 충분히 부여할 수 없어 알칼리 현상성이 매우 나빠지거나 한다.(I) for deriving the epoxy resin (A) as an alkali-soluble resin is an epoxy compound having two glycidyl ether groups obtained by reacting the bisphenols with epichlorohydrin. In this reaction, an oligomerization of a diglycidyl ether compound is generally carried out, and 1 usually has a mean value of 0 to 10 (which may not be an integer) because a plurality of values are mixed, 0 to 3. When the average value of I exceeds the upper limit value, when the photosensitive resin composition is used as an alkali-soluble resin synthesized using the above-mentioned epoxy compound, the viscosity of the composition becomes excessively large and the application is not performed well or the alkali solubility can not be sufficiently given, The sex is very bad.

에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물에 이용되는 (a)디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물로서는 쇄식 탄화수소 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이나 지환식 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물, 방향족 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이 사용된다. 여기에서, 쇄식 탄화수소 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물로서는, 예를 들면 숙신산, 아세틸숙신산, 말레산, 아디프산, 이타콘산, 아젤라산, 시트라말산, 말론산, 글루타르산, 시트르산, 타르타르산, 옥소글루타르산, 피멜산, 세박산, 수베르산, 디글리콜산 등의 화합물 또는 그 산 무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이어도 좋다. 또한, 지환식 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물로서는, 예를 들면 시클로부탄디카르복실산, 시클로펜탄디카르복실산, 헥사히드로프탈산, 테트라히드로프탈산, 노보난디카르복실산 등의 화합물 또는 그 산 무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이어도 좋다. 또한, 방향족 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물로서는, 예를 들면 프탈산, 이소프탈산, 트리멜리트산 등의 화합물 또는 그 산 무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이어도 좋다.The (a) dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof used in the epoxy (meth) acrylate acid adduct may be a chain hydrocarbon dicarboxylic acid or a tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof or an alicyclic dicarboxylic acid An acid or a tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof, an aromatic dicarboxylic acid or a tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof. Examples of the chain hydrocarbon dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or acid anhydride thereof include succinic acid, acetylsuccinic acid, maleic acid, adipic acid, itaconic acid, azelaic acid, citrameric acid, malonic acid, glutaric acid There may be mentioned compounds such as acid, citric acid, tartaric acid, oxoglutaric acid, pimelic acid, sebacic acid, suberic acid, diglycolic acid and the like or an acid anhydride thereof, and also dicarboxylic acid or tricarboxylic acid Or an acid anhydride thereof. Examples of the alicyclic dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or its acid anhydride include cyclobutanedicarboxylic acid, cyclopentanedicarboxylic acid, hexahydrophthalic acid, tetrahydrophthalic acid, norbornanedicarboxylic acid, etc. Or an acid anhydride thereof, and may be a dicarboxylic acid or a tricarboxylic acid or an acid anhydride to which an arbitrary substituent has been introduced. Examples of the aromatic dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or its acid anhydride include compounds such as phthalic acid, isophthalic acid and trimellitic acid, or acid anhydrides thereof, and also dicarboxylic acids Or a tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof.

또한, 에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물에 이용되는 (b)테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물로서는 쇄식 탄화수소 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물이나 지환식 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물, 또는 방향족 다가 카르복실산 또는 그 산 2무수물이 사용된다. 여기에서, 쇄식 탄화수소 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물로서는, 예를 들면 부탄테트라카르복실산, 펜탄테트라카르복실산, 헥산테트라카르복실산 등의 화합물 또는 그 산 2무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물이어도 좋다. 또한, 지환식 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물로서는, 예를 들면 시클로부탄테트라카르복실산, 시클로펜탄테트라카르복실산, 시클로헥산테트라카르복실산, 시클로헵탄테트라카르복실산, 노보난테트라카르복실산 등의 화합물 또는 그 산 2무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물이어도 좋다. 또한, 방향족 테트라카르복실산이나 그 산 2무수물로서는, 예를 들면 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산, 비페닐테트라카르복실산, 비페닐에테르테트라카르복실산 등의 화합물 또는 그 산 2무수물을 들 수 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물이어도 좋다.As the tetracarboxylic acid or its acid dianhydride (b) used in the epoxy (meth) acrylate acid adduct, a chain hydrocarbon tetracarboxylic acid or its acid dianhydride, an alicyclic tetracarboxylic acid or its acid dianhydride , Or an aromatic polycarboxylic acid or an acid dianhydride thereof is used. Here, examples of the chain hydrocarbon tetracarboxylic acid or its acid dianhydride include compounds such as butanetetracarboxylic acid, pentanetetracarboxylic acid, and hexanetetracarboxylic acid, and acid dianhydrides thereof, A tetracarboxylic acid to which a substituent is introduced or an acid anhydride thereof. Examples of the alicyclic tetracarboxylic acid or its acid dianhydride include cyclobutanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, cyclohexanetetracarboxylic acid, cycloheptanetetracarboxylic acid, norbornanetetracarboxylic acid, A tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof, or a compound such as an acid anhydride, a tetracarboxylic acid or an acid anhydride thereof. Examples of the aromatic tetracarboxylic acid and the acid dianhydride include compounds such as pyromellitic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, biphenyltetracarboxylic acid and biphenyl ether tetracarboxylic acid, and acid anhydrides thereof And a tetracarboxylic acid or an acid dianhydride to which an arbitrary substituent has been introduced may be used.

에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물에 사용되는 (a)디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물과 (b)테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물의 몰비 (a)/(b)는 0.01~10.0인 것이 좋고, 보다 바람직하게는 0.02 이상 3.0 미만인 것이 좋다. 몰비 (a)/(b)가 상기 범위를 일탈하면, 본 발명의 고차광 또한 고저항이며,또한 양호한 광 패터닝성을 갖는 감광성 수지 조성물로 하기 위한 최적 분자량이 얻어지지 않기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 몰비 (a)/(b)가 작을수록 분자량이 커져 알칼리 용해성이 뒤떨어지는 경향이 있다.(A) / (b) of the dicarboxylic acid or the tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof and (b) the tetracarboxylic acid or the acid dianhydride used in the epoxy (meth) Is preferably from 0.01 to 10.0, more preferably from 0.02 to less than 3.0. If the molar ratio (a) / (b) deviates from the above range, it is not preferable because the high molecular weight light-sensitive resin of the present invention has high light resistance and good optical patterning property. Further, the smaller the molar ratio (a) / (b), the larger the molecular weight and the lower the alkali solubility.

에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물은 상기 공정에 의해 기지의 방법, 예를 들면 일본 특허공개 평 8-278629호 공보나 일본 특허공개 2008-9401호 공보 등에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다. 우선, 일반식(I)의 에폭시 화합물에 (메타)아크릴산을 반응시키는 방법으로서는, 예를 들면 에폭시 화합물의 에폭시기와 등몰의 (메타)아크릴산을 용제 중에 첨가하고, 촉매(트리에틸벤질암모늄클로라이드, 2,6-디이소부틸페놀 등)의 존재 하, 공기를 블로잉하면서 90~120℃로 가열·교반하여 반응시킨다는 방법이 있다. 이어서, 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트 화합물의 수산기에 산 무수물을 반응시키는 방법으로서는 에폭시아크릴레이트 화합물과 산 2무수물 및 산 1무수물의 소정량을 용제 중에 첨가하고, 촉매(브롬화테트라에틸암모늄, 트리페닐포스핀 등)의 존재 하, 90~130℃에서 가열·교반하여 반응시킨다는 방법이 있다.The epoxy (meth) acrylate acid adduct can be produced by the above-described process by a known method, for example, a method described in JP-A-8-278629 or JP-A-2008-9401. First, as a method for reacting (meth) acrylic acid with the epoxy compound of the general formula (I), for example, a method in which (meth) acrylic acid equivalent to the epoxy group of the epoxy compound is added in a solvent and a catalyst (triethylbenzylammonium chloride, , 6-diisobutylphenol, etc.), and the mixture is reacted by heating and stirring at 90 to 120 ° C while blowing air. Next, as a method of reacting the acid anhydride with the hydroxyl group of the epoxy acrylate compound as the reaction product, a predetermined amount of an epoxy acrylate compound, an acid dianhydride and an acid anhydride is added to a solvent and a catalyst (tetraethylammonium bromide, Pin or the like) at 90 to 130 캜.

중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지(A)의 중량 평균 분자량(Mw)에 대해서는 2000~10000의 범위인 것이 바람직하고, 3000~7000 사이인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)이 2000을 만족하지 않으면 (A)를 사용한 감광성 수지 조성물의 현상 시의 패턴 밀착성을 유지할 수 없어 패턴 박리가 생기고, 또한 중량 평균 분자량(Mw)이 10000을 초과하면 현상 잔사나 미노광부의 잔막이 남기 쉬워진다. 또한, (A)는 그 산가가 80~120㎎KOH/g의 범위인 것이 좋다. 이 값이 80㎎KOH/g보다 작으면 (A)를 사용한 감광성 수지 조성물의 알칼리 현상 시에 잔사가 남기 쉬워지고, 120㎎KOH/g을 초과하면 (A)를 사용한 감광성 수지 조성물로의 알칼리 현상액의 침투가 지나치게 빨라져 박리 현상이 일어나므로 모두 바람직하지 않다. 또한, (A)의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지에 대해서는 그 1종만을 사용해도, 2종 이상의 혼합물을 사용할 수도 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin (A) is preferably in the range of 2,000 to 10,000, more preferably 3,000 to 7,000. If the weight average molecular weight (Mw) is not 2000, the pattern adhesion during development of the photosensitive resin composition using (A) can not be maintained and pattern peeling occurs. When the weight average molecular weight (Mw) exceeds 10,000, The remaining film of unexposed portion becomes easy to leave. The acid value of (A) is preferably in the range of 80 to 120 mg KOH / g. If this value is less than 80 mgKOH / g, the residue tends to remain in the alkali developing of the photosensitive resin composition using (A), and when it exceeds 120 mgKOH / g, the alkali developer So that the peeling phenomenon occurs, which is not preferable. The alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group in (A) may be used alone or as a mixture of two or more thereof.

이어서, (B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에탄트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 소르비톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 소르비톨헥사(메타)아크릴레이트, 포스파겐의 알킬렌옥사이드 변성 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 에스테르류, 덴드리머형 다관능 아크릴레이트류, 하이퍼브랜치형 다관능 아크릴레이트류 등을 제시할 수 있고, 이들의 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 또한, (B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머는 유리된 카르복실기를 갖지 않는다. 본 발명에 있어서는 160℃ 이하의 가열 처리만으로도 충분한 가교 밀도를 얻기 때문에 3관능 이상의 광중합성 모노머를 사용한다.Examples of the photopolymerizable monomer (B) having at least three ethylenic unsaturated bonds include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylol ethane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) , Pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, sorbitol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (Meth) acrylates such as alkyl (meth) acrylate, sorbitol hexa (meth) acrylate, alkylene oxide modified hexa (meth) acrylate of capphalan and caprolactone modified dipentaerythritol hexa Type polyfunctional acrylates, hyperbranched polyfunctional acrylates, and the like can be presented. One kind of or two or more may be used. Further, the photopolymerizable monomer (B) having at least three ethylenically unsaturated bonds does not have an liberated carboxyl group. In the present invention, a photopolymerizable monomer having three or more functional groups is used in order to obtain a sufficient crosslinking density even by heat treatment at 160 DEG C or less.

이들 (A)성분과 (B)성분의 배합 비율은 질량비 (A)/(B)에서 50/50~90/10인 것이 좋고, 바람직하게는 60/40~80/20인 것이 좋다. (A)성분의 배합 비율이 (A)/(B)에서 50/50보다 적으면 광경화 후의 경화물이 물러지며, 또한 미노광부에 있어서 도막의 산가가 낮기 때문에 알칼리 현상액에 대한 용해성이 저하되고, 패턴 엣지가 밀링되어 샤프하게 되지 않는다는 문제가 발생하고, 또한 (A)/(B)에서 90/10보다 많으면 수지에 차지하는 광반응성 관능기의 비율이 적어 가교 구조의 형성이 충분하지 않고, 또한 수지 성분에 기인하는 노광부의 도막의 산가가 지나치게 높아 노광부에 있어서의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 높아지는 점에서 형성된 패턴이 목표로 하는 선폭보다 가늘어지거나, 패턴의 결락이 생기기 쉬워진다는 문제가 생길 우려가 있다.The mixing ratio of the component (A) and the component (B) is preferably 50/50 to 90/10 in the mass ratio (A) / (B), and more preferably 60/40 to 80/20. When the mixing ratio of the component (A) is less than 50/50 in the case of (A) / (B), the cured product after photocuring is decomposed and the acid value of the coating film in the unexposed portion is low, (A) / (B) is more than 90/10, the ratio of the photoreactive functional groups to the resin is so small that the formation of the crosslinked structure is not sufficient and the resin The acid value of the coating film of the exposed portion due to the component is too high and the solubility in the alkali developing solution in the exposed portion is high, so that the formed pattern becomes thinner than the target line width or a problem that the pattern tends to be lost have.

또한, (C)성분의 옥심에스테르계 중합 개시제로서는, 예를 들면 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)페닐]-,2-(O-벤조일옥심), 1-(4-(페닐술파닐)페닐)부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-(메틸술파닐)페닐)부탄-1,2-디온-2-옥심-O-아세테이트, 1-(4-(메틸술파닐)페닐)부탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)카르바졸-3-일]에탄온=O-아세틸옥심, (9-에틸-6-니트로카르바졸-3-일)[4-(2-메톡시-1-메틸에톡시)-2-메틸페닐]메탄온=O-아세틸옥심, (8-{[(아세틸옥시)이미노][2-(2,2,3,3-테트라플루오로프로폭시)페닐]메틸}-11-(2-에틸헥실)-11H-벤조[a]카르바졸-5-일)(2,4,6-트리메틸페닐)메탄온, (2-메틸페닐)(7-니트로-9,9-디프로필-9H-플루오렌-2-일)-,아세틸옥심, 에탄온,1-[7-(2-메틸벤조일)-9,9-디프로필-9H-플루오렌-2-일]-,1-(O-아세틸옥심), 에탄온,1-(-9,9-디부틸-7-니트로-9H-플루오렌-2-일)-,1-O-아세틸옥심 등을 들 수 있다. 또한, 이들 옥심에스테르계 중합 개시제를 2종류 이상 사용할 수도 있다.Examples of the oxime ester polymerization initiator of component (C) include 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl] -, 2- (O-benzoyloxime) 2-oxime-O-benzoate, 1- (4- (methylsulfanyl) phenyl) butane-1,2-dione- -Acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) carbazol-3-yl] ethanone = O-acetyloxime, (9-ethyl-6-nitrocarbazol-3-yl) [4- (2-methoxy- 1 -methylethoxy) Phenyl] methyl} -11- (2-ethylhexyl) -11H-benzo [a] carv oxyl ester was obtained in the same manner as in Example 1, except for using 8 - {[(acetyloxy) imino] [2- (2,2,3,3-tetrafluoropropoxy) (2-methylphenyl) (7-nitro-9,9-dipropyl-9H-fluoren-2-yl) -, acetyl oxime, Ethane, 1 - (- 9 (2-methylbenzoyl) -9,9-dipropyl-9H- , 9-dibutyl-7-nitro-9H-fluoren-2-yl) - , 1-O-acetyl oxime, and the like. Two or more of these oxime ester-based polymerization initiators may be used.

(C)성분의 옥심에스테르계 중합 개시제의 주된 기능은 광 라디칼 중합을 개시하는 것이며, 그 사용량은 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부를 기준으로 하여 2~30질량부인 것이 좋고, 바람직하게는 5~25질량부인 것이 좋다. (C)성분의 배합 비율이 2질량부 미만인 경우에는 광중합의 속도가 느려져 감도가 저하되고, 한편 30질량부를 초과할 경우에는 감도가 지나치게 강해 패턴 선폭이 패턴 마스크에 대하여 두꺼운 상태가 되어 마스크에 대하여 충실한 선폭을 재현할 수 없거나, 또는 패턴 엣지가 밀링되어 샤프하게 되지 않는다는 문제가 생길 우려가 있다.The main function of the oxime ester-based polymerization initiator of the component (C) is to initiate photo-radical polymerization. The amount of the oxime ester polymerization initiator used is preferably 2 to 30 parts by mass based on 100 parts by mass of the total of the components (A) and (B) And preferably 5 to 25 parts by mass. When the compounding ratio of the component (C) is less than 2 parts by mass, the speed of photopolymerization slows down and the sensitivity is lowered. On the other hand, when the amount exceeds 30 parts by mass, the sensitivity is too strong and the pattern line width becomes thick relative to the pattern mask, There is a fear that a faithful line width can not be reproduced, or that the pattern edge is milled and not sharpened.

(D)성분의 아조계 중합 개시제로서는 아조비스이소부티로니트릴(10시간 반감기 온도(톨루엔)(이하 T1/2) 65℃), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발로니트릴)(T1/ 2 51℃), 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(T1/ 2 6℃), 디메틸1,1'-아조비스(1-시클로헥산카르복실레이트)(T1/2 73℃), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴)(T1/2 88℃), 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄)(T1/ 2 61℃), 디메틸2,2'-아조비스이소부티레이트(T1/2 67℃) 등을 들 수 있다.(10 hours half-life temperature (toluene) (hereinafter referred to as " T 1/2 ") 65 캜), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvalonitrile ) (T 1/2 51 ℃ ), dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate) (T 1/2 6 ℃ ), dimethyl 1,1'-azobis (1-cyclohexanecarboxylic (T 1/2 73 ° C), 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) (T 1/2 88 ° C), 1,1'-azobis - there may be mentioned phenyl-ethanone) (T 1/2 61 ℃ ), dimethyl 2,2'-azobis isobutyrate (T 1/2 67 ℃) and the like.

(D)성분의 아조계 중합 개시제의 기능은 주로 감광성 수지 조성물의 열 라디칼 중합성을 향상시키는 것, 특히 노광, 현상 후의 포스트베이킹 시에 열중합에 의해 형성된 패턴의 경도 등의 경화물의 물성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 따라서, 포스트베이킹 조건 등에 의해 적정한 10시간 반감기 온도(T1/2)를 적정량 첨가하는 것이 필요하다. 바람직한 10시간 반감기 온도는 50~80℃이며, 그 사용량은 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부를 기준으로 하여 1~20질량부인 것이 좋고, 바람직하게는 2~15질량부인 것이 좋다.The function of the azo-based polymerization initiator as the component (D) mainly improves the thermal radical polymerizability of the photosensitive resin composition, and particularly improves the physical properties of the cured product such as the hardness of the pattern formed by thermal polymerization during post- . Therefore, it is necessary to add an appropriate amount of a suitable half-life time (T 1/2 ) for 10 hours by postbaking conditions or the like. The preferred 10-hour half-life temperature is from 50 to 80 캜, and the amount thereof is preferably from 1 to 20 parts by mass, and preferably from 2 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total of the components (A) and (B) .

(E)성분은 흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료 또는 차광재로부터 선택되는 차광 성분이며, 내열성, 내광성 및 내용제성이 우수한 것이 좋다. 여기에서, 흑색 유기 안료로서는, 예를 들면 페릴렌 블랙, 아닐린 블랙, 시아닌 블랙, 락탐 블랙 등을 들 수 있다. 혼색 유기 안료로서는 적색, 청색, 녹색, 자색, 황색, 시아닌, 마젠타 등으로부터 선택되는 2종 이상의 안료를 혼합하여 유사 흑색화된 것을 들 수 있다. 차광재로서는 카본 블랙, 산화크롬, 산화철, 티탄 블랙 등을 들 수 있다. 차광 성분은 2종 이상을 적당히 선택하여 사용할 수도 있지만, 특히 카본 블랙이 차광성, 표면 평활성, 분산 안정성, 수지와의 상용성이 양호한 점에서 바람직하다. 또한, 사용하는 카본 블랙으로서 그 표면을 염료, 수지 등으로 피복한 것을 사용하면 고저항의 경화물로 할 경우에 적합하다.The component (E) is a light-shielding component selected from a black organic pigment, a mixed color organic pigment or a light shielding material, and is excellent in heat resistance, light resistance and solvent resistance. Examples of the black organic pigments include perylene black, aniline black, cyanine black, and lactam black. Examples of the color-mixing organic pigments include pigments obtained by mixing two or more pigments selected from red, blue, green, purple, yellow, cyanine, magenta, and the like. Examples of the light shielding material include carbon black, chromium oxide, iron oxide, and titanium black. Two or more kinds of light-shielding components may be appropriately selected and used, but carbon black is particularly preferable in view of good light-shielding properties, surface smoothness, dispersion stability, and compatibility with resins. When carbon black to be used is coated with a dye, a resin or the like, it is suitable for use as a cured product having a high resistance.

또한, (F)성분의 용제로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알코올류, α- 또는 β-테르피네올 등의 테르펜류 등, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, N-메틸-2-피롤리돈 등의 케톤류, 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류, 셀로솔브, 메틸 셀로솔브, 에틸셀로솔브, 카르비톨, 메틸카르비톨, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트, 에틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 아세트산 에스테르류 등을 들 수 있고, 이들을 사용하여 용해, 혼합시킴으로써 균일한 용액상태의 조성물로 할 수 있다.Examples of the solvent for the component (F) include alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, ethylene glycol and propylene glycol, terpenes such as alpha or beta terpineol, Ketones such as ethyl ketone, cyclohexanone and N-methyl-2-pyrrolidone, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene, cellosolve, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, carbitol, Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, and the like Glycol ethers, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate , Ethyl acetate, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and propylene glycol monoethyl ether acetate. These solvents may be dissolved and mixed to prepare a composition in a uniform solution state .

(E)의 차광 성분은 바람직하게는 미리 용제(F)에 (G)분산제와 함께 분산시켜 차광성 분산액으로 한 후에 차광막용 감광성 수지 조성물로서 배합하는 것이 좋다. 여기에서, 분산시키는 용제는 상기 (F)성분에 열거한 것이면 사용할 수 있지만, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트 등이 적합하게 사용된다. 차광성 분산액을 형성하는 (E)의 차광 성분의 배합 비율에 대해서는 본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 40~70질량%의 범위에서 사용되는 것이 좋고, 40~60질량%의 범위가 특히 바람직하다. 40질량%보다 적으면 고차광용으로서는 차광성이 충분하지 않게 된다. 70질량%를 초과하면 본래의 바인더가 되는 감광성 수지의 함유량이 감소하기 때문에 현상 특성을 손상함과 아울러, 막형성능이 손상된다는 바람직하지 않은 문제가 생긴다. 또한, 차광막용 감광성 수지 조성물의 전고형분에는 차광막용 감광성 수지 조성물을 광경화에 의해 고형분이 되는 성분도 포함된다.The light shielding component of the light shielding film (E) is preferably dispersed in the solvent (F) in advance with the dispersant (G) to form a light shielding dispersion and then mixed as a photosensitive resin composition for a light shielding film. Here, the solvent to be dispersed may be any of those listed in the above component (F), for example, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate and the like are suitably used. The compounding ratio of the light-shielding component (E) for forming the light-shielding dispersion is preferably in the range of 40 to 70 mass% with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition for a light-shielding film of the present invention, Is particularly preferable. If it is less than 40% by mass, the light shielding property becomes insufficient for high light shielding. When the amount exceeds 70% by mass, the content of the photosensitive resin as an original binder is decreased, which deteriorates the developing property and deteriorates the film forming ability. The entire solid content of the photosensitive resin composition for a light-shielding film also includes a component that becomes a solid component by photo-curing the photosensitive resin composition for a light-shielding film.

사용하는 분산제(G)에 대해서는 각종 고분자 분산제 등의 공지의 분산제를 사용할 수 있다. 분산제의 구체적인 예로서는 종래 안료 분산에 사용되어 있는 공지의 화합물(분산제, 분산 습윤제, 분산 촉진제 등의 명칭으로 시판되어 있는 화합물 등)을 특별히 제한 없이 사용할 수 있지만, 예를 들면 양이온성 고분자계 분산제, 음이온성 고분자계 분산제, 비이온성 고분자계 분산제, 안료 유도체형 분산제(분산 조제) 등을 제시할 수 있다. 특히, 안료로의 흡착점으로서 이미다졸릴기, 피롤릴기, 피리딜기, 1급, 2급 또는 3급의 아미노기 등의 양이온성의 관능기를 갖고, 아민가가 1~100㎎KOH/g, 수 평균 분자량이 1000~10만의 범위에 있는 양이온성 고분자계 분산제는 적합하다. 이 분산제의 배합량에 대해서는 차광 성분에 대하여 1~30질량%인 것이 좋고, 바람직하게는 2~25질량%인 것이 좋다.For the dispersant (G) to be used, known dispersants such as various polymer dispersants can be used. As a specific example of the dispersing agent, conventionally known compounds (such as a compound which is commercially available under the name of a dispersing agent, a dispersing wetting agent, a dispersing accelerator, etc.) conventionally used for pigment dispersion can be used without particular limitation, and examples thereof include a cationic polymer dispersant, A nonionic polymeric dispersant, a pigment-derivative dispersant (dispersion aid), and the like. Particularly, it is preferred to use a compound having a cationic functional group such as an imidazolyl group, a pyrrolyl group, a pyridyl group, a primary, secondary or tertiary amino group as an adsorption point to a pigment, an amine value of 1 to 100 mgKOH / g, A cationic polymer dispersant having a viscosity in the range of 1,000 to 100,000 is suitable. The blending amount of the dispersant is preferably from 1 to 30 mass%, more preferably from 2 to 25 mass%, based on the light shielding component.

또한, 차광성 분산액을 조제할 때에 상기 분산제에 추가하여 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지의 일부를 공분산시킴으로써 차광막용 감광성 수지 조성물로 했을 때, 노광 감도를 고감도로 유지하기 쉽게 하고, 현상 시의 밀착성이 양호하며 잔사의 문제도 발생하기 어려운 감광성 수지 조성물로 할 수 있다. 그때의 (A)성분의 배합량은 차광성 분산액 중 2~20질량%인 것이 바람직하고, 5~15질량%인 것이 보다 바람직하다. (A)성분이 2질량% 미만이면 공분산된 효과인 감도 향상, 밀착성 향상, 잔사 저감이라는 효과를 얻을 수 없다. 또한, 20질량% 초과이면, 특히 차광재의 함유량이 클 때에 차광성 분산액의 점도가 높고, 균일하게 분산시키는 것이 곤란하거나 또는 매우 시간을 요하게 되어고저항의 도막을 얻기 위한 감광성 수지 조성물을 얻는 것이 어려워진다. 그리고, 얻어진 차광성 분산액은 (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분과 혼합하고, (F)성분을 필요에 따라 추가해서 제막 조건에 적합한 점도로 조정함으로써 차광막용 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.Further, when preparing a photosensitive resin composition for a light-shielding film by covariance of a part of the polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin of the component (A) in addition to the above-mentioned dispersant in preparing the light-shielding dispersion, the sensitivity of exposure can be easily maintained at a high sensitivity , A photosensitive resin composition can be obtained which is excellent in adhesion at the time of development and hardly causes a problem of residues. The blending amount of the component (A) at this time is preferably 2 to 20% by mass, and more preferably 5 to 15% by mass in the light-shielding dispersion. When the content of the component (A) is less than 2% by mass, the covalent effect of improving the sensitivity, improving the adhesion and reducing the residue can not be obtained. If it is more than 20% by mass, it is difficult to obtain a photosensitive resin composition for obtaining a coating film having a high resistance because the light-shielding dispersion liquid has a high viscosity and is difficult to disperse uniformly or takes a very long time when the content of the light- Loses. The obtained light-shielding dispersion liquid was mixed with the component (A), the component (B), the component (C) and the component (D), and the component (F) A photosensitive resin composition may be used.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 옥심에스테르계 및 아조계 이외의 중합 개시제, 연쇄 이동제, 증감제, 비감광성 수지, 경화 촉진제, 산화 방지제, 가소제, 충전재, 레벨링제, 소포제, 커플링제, 계면활성제, 색조정용 안료 및 염료 등의 첨가제를 배합할 수 있다. 옥심에스테르계 및 아조계 이외의 중합 개시제로서는 아세토페논류, 벤조페논류, α-히드록시알킬페논류, α-아미노알킬페논류, 벤조인에테르류, 비이미다졸계 화합물류, 할로메틸디아졸 화합물류, 할로메틸-s-트리아진계 화합물류 등을 들 수 있고, 연쇄 이동제, 증감제로서는 일반적으로 황원자 함유 화합물이 사용되고, 메르캅토 화합물류, 디술피드 화합물류 등을 들 수 있고, 1,4-비스(3-메르캅토부티릴옥시)부탄 등의 지방족 다관능 티올류를 바람직하게 예시할 수 있다. 비감광성 수지로서는 비스페놀형 에폭시 수지류, 노볼락형 에폭시 수지류, 지환식 에폭시 수지류, 에폭시실리콘 수지류 등을 들 수 있고, 산화 방지제로서는 힌더드페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제 등을 들 수 있고, 가소제로서는 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 인산 트리크레실 등을 들 수 있고, 충전재로서는 유리 섬유, 실리카, 마이카, 알루미나 등을 들 수 있고, 소포제나 레벨링제로서는 실리콘계, 불소계, 아크릴계의 화합물을 들 수 있다. 또한, 계면활성제로서는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등을 들 수 있고, 커플링제로서는 3-(글리시딜옥시)프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-우레이드프로필트리에톡시실란 등의 실란 커플링제를 들 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may further contain additives such as a polymerization initiator, a chain transfer agent, a sensitizer, a non-photosensitive resin, a curing accelerator, an antioxidant, a plasticizer, a filler, a leveling agent, a defoaming agent, , A surfactant, a coloring pigment, and a dye. Examples of the polymerization initiators other than the oxime ester-based and azo-based polymerization initiators include acetophenones, benzophenones,? -Hydroxyalkylphenones,? -Aminoalkylphenones, benzoin ethers, biimidazole-based compounds, halomethyldiazoles Mercapto compounds, disulfide compounds and the like. Examples of the chain transfer agent and the sensitizer include sulfur-containing compounds, 1,4-butanediol compounds, 1,4-butanediol compounds, -Bis (3-mercaptobutyryloxy) butane, and the like can be preferably exemplified. Examples of the non-photosensitive resin include bisphenol type epoxy resins, novolak type epoxy resins, alicyclic epoxy resins and epoxy silicone resins. Examples of the antioxidants include hindered phenol antioxidants and phosphorus antioxidants. Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, and tricresyl phosphate. Examples of the filler include glass fiber, silica, mica, and alumina. Examples of the defoaming agent and leveling agent include silicone, fluorine, . Examples of the surfactant include a fluorine surfactant and a silicone surfactant. Examples of the coupling agent include 3- (glycidyloxy) propyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, 3- And a silane coupling agent such as ethoxysilane.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 적합하게는 상기 (A)~(F)성분을 주성분으로서 함유한다. 용제를 제외한 고형분(고형분에는 경화 후에 고형분이 되는 모노머를 포함함) 중에 (A)~(E)성분이 합계로 80질량%, 바람직하게는 90질량% 이상 포함하는 것이 바람직하다. (F)용제의 양은 목표로 하는 점도에 따라 변화되지만, 감광성 수지 조성물 중에 70~90질량%의 범위에서 포함되도록 하는 것이 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention suitably contains the above components (A) to (F) as main components. (A) to (E) in a total amount of 80% by mass, preferably 90% by mass or more, in the solid content excluding the solvent (solid content includes monomers which become solid components after curing). (F) The amount of the solvent varies depending on the target viscosity, but it is preferable that the amount is in the range of 70 to 90% by mass in the photosensitive resin composition.

본 발명에 있어서의 차광막용 감광성 수지 조성물을 사용한 차광막의 형성 방법으로서는 이하와 같은 포토리소그래피법이 있다. 우선, 감광성 수지 조성물을 플라스틱 기판이나 디바이스 상에 도포하고, 이어서 용매를 건조시킨(프리베이킹) 후, 이렇게 하여 얻어진 피막에 포토마스크를 통해 자외선을 조사해서 노광부를 경화시키고, 알카리 수용액을 사용하여 미노광부를 용출시키는 현상을 더 행하여 패턴을 형성하고, 또한 후경화로서 포스트베이킹(열소성)을 행하는 방법을 들 수 있다.As a method of forming the light-shielding film using the photosensitive resin composition for a light-shielding film in the present invention, there is the following photolithography method. First, the photosensitive resin composition is coated on a plastic substrate or a device, and then the solvent is dried (prebaking). The thus obtained coating film is irradiated with ultraviolet rays through a photomask to cure the exposed portion, A method of forming a pattern by further performing a phenomenon of eluting the light portion, and post-baking (thermo-plasticizing) as post-curing.

본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포하는 기판으로서는 내열 온도가 160℃ 이하인 PET, PEN 등 수지제 필름(플라스틱 기판)을 들 수 있다. 여기에서, 내열 온도란 기판 상으로의 차광막의 패턴 형성 등의 가공 프로세스에 있어서 기판이 폭로해도 변형 등의 문제가 생기지 않는 온도이며, 수지제 필름에 대해서는 연신 처리의 정도에 따라서도 변화되지만, 적어도 유리 전이 온도(Tg)를 초과하지 않는 것이 필요하다. 또한, 수지제 필름 상에 ITO나 금 등의 전극이 증착 또는 패터닝된 것도 기판으로서 예시할 수 있다.As the substrate to which the photosensitive resin composition of the present invention is applied, a resin film (plastic substrate) such as PET or PEN having a heat resistance temperature of 160 占 폚 or less can be given. Here, the heat-resistant temperature is a temperature at which no problems such as deformation are caused even when the substrate is exposed in a processing process such as pattern formation of a light-shielding film on the substrate, and the resin film is also changed depending on the degree of drawing treatment. It is necessary that it does not exceed the glass transition temperature (Tg). In addition, an electrode such as ITO or gold deposited or patterned on a resin film can be exemplified as a substrate.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포하는 기판의 다른 예로서는 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 등과 같이 기판 자체의 내열성은 높지만 기판 상에 내열성이 낮은 박막 등을 형성한 것도 포함된다. 구체적인 예로서는 유리나 실리콘 웨이퍼 상에 유기 EL(OLED)이나 유기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한 디바이스를 들 수 있다. 또한, 수지제 필름이나 디바이스 등 본 발명에서 대상으로 하는 내열성이 낮은 기판의 내열 온도로서는 수지의 종류나 디바이스에 따라서도 상이하지만, 일반적으로는 100~160℃라고 할 수 있다.Another example of the substrate to which the photosensitive resin composition of the present invention is applied includes a substrate having a high heat resistance such as a glass substrate or a silicon wafer but a thin film having low heat resistance on the substrate. Specific examples include devices formed with organic EL (OLED) or organic thin film transistors (TFT) on glass or silicon wafers. The heat resistance temperature of a substrate having low heat resistance to be subjected in the present invention such as a resin film or a device varies depending on the type of resin and device, but is generally 100 to 160 占 폚.

이들 기판 상에 감광성 수지 조성물의 용액을 도포하는 방법으로서는 공지의 용액 침지법, 스프레이법 이외에 롤러 코터기, 랜드 코터기, 슬릿 코터기나 스피너기를 사용하는 방법 등 중 어느 방법이나 채용할 수 있다. 이들 방법에 의해 소망의 두께로 도포한 후 용제를 제거(프리베이킹)함으로써 피막이 형성된다. 프리베이킹은 오븐, 핫플레이트 등에 의해 가열함으로써 행해진다. 프리베이킹에 있어서의 가열 온도 및 가열 시간은 사용하는 용제에 따라 적당히 선택되고, 예를 들면 60~110℃의 온도에서 1~3분간 행해진다.As a method of applying the solution of the photosensitive resin composition on these substrates, any of a roller coater machine, a land coater machine, a method using a slit coater machine or a spinner machine and the like can be employed in addition to the known solution dipping method and spraying method. After coating with a desired thickness by these methods, the film is formed by removing the solvent (pre-baking). The prebaking is performed by heating with an oven, a hot plate or the like. The heating temperature and the heating time in the pre-baking are appropriately selected according to the solvent to be used and are, for example, carried out at a temperature of 60 to 110 DEG C for 1 to 3 minutes.

프리베이킹 후에 행해지는 노광은 자외선 노광 장치에 의해 행해지고, 포토마스크를 개재하여 노광함으로써 패턴에 대응한 부분의 레지스트만을 감광시킨다. 노광 장치 및 그 노광 조사 조건은 적당히 선택되고, 초고압 수은등, 고압 수은 램프, 메탈할라이드 램프, 원자외선등 등의 광원을 사용하여 노광을 행하고, 도막 중의 감광성 수지 조성물을 광경화시킨다.Exposure performed after prebaking is performed by an ultraviolet ray exposure apparatus, and exposed through a photomask to expose only the resist corresponding to the pattern. The exposure apparatus and its exposure conditions are suitably selected and exposure is performed using a light source such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, or a deep ultraviolet ray to cure the photosensitive resin composition in the coating film.

노광 후의 알칼리 현상은 노광되지 않는 부분의 레지스트를 제거할 목적으로 행해지고, 이 현상에 의해 소망의 패턴이 형성된다. 이 알칼리 현상에 적합한 현상액으로서는, 예를 들면 알칼리 금속이나 알칼리 토류 금속의 탄산염의 수용액, 알칼리 금속의 수산화물의 수용액 등을 들 수 있지만, 특히 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산리튬 등의 탄산염을 0.05~3질량% 함유하는 약알칼리성 수용액을 사용하여 23~28℃의 온도에서 현상하는 것이 좋고, 시판된 현상기나 초음파 세정기 등을 사용하여 미세한 화상을 정밀하게 형성할 수 있다.The alkali development after the exposure is performed for the purpose of removing the resist in the unexposed portion, and a desired pattern is formed by this development. As the developer suitable for the alkali development, for example, an aqueous solution of a carbonate of an alkali metal or an alkaline earth metal, an aqueous solution of an alkali metal hydroxide or the like can be mentioned. In particular, 0.05 to 3 mass of a carbonate such as sodium carbonate, potassium carbonate, % In a weak alkaline aqueous solution at a temperature of 23 to 28 占 폚, and a fine image can be precisely formed using a commercially available developing device, an ultrasonic cleaner, or the like.

현상 후 바람직하게는 100~160℃의 온도 및 20~60분의 조건에서 열처리(포스트베이킹)가 행해진다. 이 포스트베이킹은 패터닝된 차광막과 기판의 밀착성을 높이기 위해서 등의 목적으로 행해진다. 이는 프리베이킹과 마찬가지로 오븐, 핫플레이트 등에 의해 가열함으로써 행해진다. 본 발명의 패터닝된 차광막은 이상의 포토리소그래피법에 의한 각 공정을 거쳐 형성된다.After the development, heat treatment (post baking) is preferably performed at a temperature of 100 to 160 DEG C and for 20 to 60 minutes. This post-baking is performed for the purpose of, for example, increasing the adhesion between the patterned light-shielding film and the substrate. This is done by heating with an oven, hot plate or the like as in prebaking. The patterned light-shielding film of the present invention is formed through each step of the above photolithography method.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상술한 바와 같이 노광, 알칼리 현상 등의 조작에 의해 내열 온도가 낮은 기판에 이르기까지 상기 기판 상에 차광막을 형성하는 데에 적합하게 사용할 수 있고, 특히 미세한 차광막 패턴까지 필요한 경우에도 적합하다. 구체적으로는 내열 온도가 낮은 기판을 사용하는 경우 등에 컬러 필터용, 유기 EL 화소 형성용의 블랙 매트릭스나 격벽재(RGB를 잉크젯법에 의해 형성하는 경우 등용), 차광막, 터치패널용 차광막 등을 형성하는 데에 유용하며, 이들 차광막이 부착된 기판을 액정이나 유기 EL 등의 표시 장치용 또는 촬영 소자의 부재 대상(즉, 이들을 통틀어 디스플레이용 기판으로 칭함)으로 하는 것이 가능하다.As described above, the photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used for forming a light-shielding film on the substrate up to a substrate having a low heat-resistant temperature by an operation such as exposure or alkali development. Particularly, Also suitable. More specifically, when a substrate having a low heat-resistant temperature is used, a black matrix for forming an organic EL pixel or a barrier rib material (when RGB is formed by an ink-jet method, etc.), a light-shielding film, a light- And the substrate to which these light-shielding films are attached can be made to be a display device such as a liquid crystal or an organic EL, or an object to be absent of the image pickup device (that is, to be referred to as a display substrate as a whole).

실시예Example

이하, 실시예 및 비교예에 의거하여 본 발명의 실시형태를 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited thereto.

우선, 본 발명의 (A)중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지의 합성예를 나타낸다. 합성예에 있어서의 수지의 평가는 이하와 같이 행했다.First, synthesis examples of the (A) alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group of the present invention are shown. The evaluation of the resin in the synthesis examples was carried out as follows.

[고형분 농도][Solid content concentration]

합성예 중에서 얻어진 수지 용액 1g을 유리 필터[중량: W0(g)]에 함침시켜 칭량하고[W1(g)], 160℃에서 2hr 가열한 후의 중량[W2(g)]으로부터 다음 식에 의해 구했다.The following expression from: [W 0 (g) wt] was weighed was impregnated in the [W 1 (g)], the weight [W 2 (g)] after 2hr heated at 160 ℃ a resin solution 1g obtained in Synthesis Example a glass filter Lt; / RTI >

고형분 농도(중량%)=100×(W2-W0)/(W1-W0)Solid content concentration (% by weight) = 100 x (W 2 -W 0 ) / (W 1 -W 0 )

[산가][Mountain]

수지 용액을 디옥산에 용해시키고, 전위차 적정 장치[HIRANUMA SANGYO Co., Ltd.제 상품명 COM-1600]를 사용하여 1/10N-KOH 수용액으로 적정하여 구했다.The resin solution was dissolved in dioxane and titrated with a 1 / 10N-KOH aqueous solution using a potentiometric titration apparatus (trade name: COM-1600, available from HIRANUMA SANGYO Co., Ltd.).

[분자량][Molecular Weight]

겔 투과 크로마토그래피(GPC)[TOSOH CORPORATION제 상품명 HLC-8220GPC, 용매: 테트라히드로푸란, 컬럼: TSKgelSuperH-2000(2개)+TSKgelSuperH-3000(1개)+TSKgelSuperH-4000(1개)+TSKgelSuper-H5000(1개)[TOSOH CORPORATION제], 온도: 40℃, 속도: 0.6㎖/min]로 측정하고, 표준 폴리스티렌[TOSOH CORPORATION제 PS-올리고머 키트] 환산값으로서 중량 평균 분자량(Mw)을 구했다.(2) + TSKgelSuperH-3000 (1) + TSKgelSuperH-4000 (1) + TSKgelSuperH-2000 (2) + gel permeation chromatography (GPC) [trade name: HLC-8220GPC manufactured by TOSOH CORPORATION, solvent: tetrahydrofuran, column: TSKgelSuperH- And the weight average molecular weight (Mw) as a value converted into a standard polystyrene (PS-oligomer kit manufactured by TOSOH CORPORATION) was determined.

또한, 합성예에서 사용하는 약호는 다음과 같다.The abbreviations used in the synthesis examples are as follows.

BPFE: 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌과 클로로메틸옥실란의 반응물.BPFE: Reaction product of 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene and chloromethyloxysilane.

일반식(I)의 화합물에 있어서, A가 플루오렌-9,9-디일, R1, R2, R3, R4가 수소의 화합물.In the compound of formula (I), A is fluorene-9,9-diyl, and R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are hydrogen.

AA: 아크릴산AA: Acrylic acid

BPDA: 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물BPDA: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride

THPA: 1,2,3,6-테트라히드로프탈산 무수물THPA: 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

MMA: 메타크릴산 메틸MMA: methyl methacrylate

CHMA: 메타크릴산 시클로헥실CHMA: cyclohexyl methacrylate

GMA: 메타크릴산 글리시딜GMA: glycidyl methacrylate

TEAB: 테트라에틸암모늄브로마이드TEAB: tetraethylammonium bromide

AIBN: 아조비스이소부티로니트릴AIBN: azobisisobutyronitrile

TPP: 트리페닐포스핀TPP: triphenylphosphine

DTBC: 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸DTBC: 2,6-di-tert-butyl-p-cresol

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate

DMDG: 디에틸렌글리콜디메틸에테르DMDG: Diethylene glycol dimethyl ether

[합성예 1][Synthesis Example 1]

환류 냉각기가 부착된 500㎖ 4구 플라스크 중에 BPFE 114.4g(0.23몰), AA 33.2g(0.46몰), PGMEA 157g 및 TEAB 0.48g을 주입하고, 100~105℃에서 가열하에 20hr 교반하여 반응시켰다. 이어서, 플라스크 내에 BPDA 35.3g(0.12몰), THPA 18.3g(0.12몰)을 주입하고, 120~125℃에서 가열하에 6hr 교반하여 알칼리 가용성 수지(A)-1을 얻었다. 얻어진 수지 용액의 고형분 농도는 56.1wt%, 산가(고형분 환산)는 103㎎KOH/g, GPC 분석에 의한 Mw는 3600이었다.114.4 g (0.23 mol) of BPFE, 33.2 g (0.46 mol) of AA, 157 g of PGMEA and 0.48 g of TEAB were charged into a 500 ml four-necked flask equipped with a reflux condenser and reacted by heating at 100 to 105 ° C for 20 hours with stirring. Subsequently, 35.3 g (0.12 mol) of BPDA and 18.3 g (0.12 mol) of THPA were introduced into the flask, and the mixture was stirred under heating at 120 to 125 ° C for 6 hours to obtain an alkali-soluble resin (A) -1. The solid concentration of the obtained resin solution was 56.1 wt%, the acid value (in terms of solid content) was 103 mgKOH / g, and the Mw by GPC analysis was 3600.

[합성예 2][Synthesis Example 2]

질소 도입관 및 환류관이 부착된 1000㎖ 4구 플라스크 중에 MAA 51.7g(0.60몰), MMA 38.0g(0.38몰), CHMA 37.0g(0.22몰), AIBN 5.91g, 및 DMDG 295g을 주입하고, 80~85℃에서 질소 기류하 8hr 교반하여 중합시켰다. 또한, 플라스크 내에 GMA 39.8g(0.28몰), TPP 1.44g, DTBC 0.055g을 주입하고, 80~85℃에서 16hr 교반하여 중합성 불포화기 함유 (메타)아크릴레이트 수지(A)-2를 얻었다. 얻어진 수지 용액의 고형분 농도는 35.5질량%, 산가(고형분 환산)는 110㎎KOH/g, GPC 분석에 의한 Mw는 18080이었다.(0.60 mole) of MAA, 38.0 g (0.38 mole) of MMA, 37.0 g (0.22 mole) of CHMA, 5.91 g of AIBN and 295 g of DMDG were charged into a 1000 ml four-necked flask equipped with a reflux condenser, And the mixture was stirred at 80 to 85 ° C for 8 hours in a nitrogen stream to effect polymerization. Further, 39.8 g (0.28 mol) of GMA, 1.44 g of TPP and 0.055 g of DTBC were poured into the flask and stirred at 80 to 85 ° C for 16 hours to obtain a polymerizable unsaturated group-containing (meth) acrylate resin (A) -2. The obtained resin solution had a solid concentration of 35.5% by mass, an acid value (in terms of solid content) of 110 mgKOH / g, and a Mw of 18080 by GPC analysis.

이어서, 차광막용 감광성 수지 조성물 및 그 경화물의 제조에 관한 실시예 및 비교예에 의거하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 여기에서, 이후의 실시예 및 비교예의 차광막용 감광성 수지 조성물 및 그 경화물의 제조에서 사용한 원료 및 약호는 이하와 같다.Next, the present invention will be specifically described with reference to examples and comparative examples relating to the production of a photosensitive resin composition for a light-shielding film and a cured product thereof, but the present invention is not limited thereto. Hereinafter, raw materials and abbreviations used in the photosensitive resin composition for a light-shielding film of the following Examples and Comparative Examples and the cured products thereof are as follows.

(중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지)(Polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin)

(A)-1: 상기 합성예 1에서 얻어진 알칼리 가용성 수지 용액(A) -1: An alkali-soluble resin solution obtained in Synthesis Example 1

(A)-2: 상기 합성예 2에서 얻어진 알칼리 가용성 수지 용액(A) -2: The alkali-soluble resin solution obtained in Synthesis Example 2

(광중합성 모노머)(Photopolymerizable monomer)

(B)-1: 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트와 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트의 혼합물(TOAGOSEI CO., LTD.제, 상품명 ARONIX M-405)(B) -1: A mixture of dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate (TOAGOSEI CO., LTD., Trade name ARONIX M-405)

(B)-2: 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(Sartomer Company제, 상품명 SR351S)(B) -2: trimethylolpropane triacrylate (trade name: SR351S, manufactured by Sartomer Company)

(B)-3: 비스페놀A의 EO부가물 디아크릴레이트(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제, 상품명 라이트 아크릴레이트 BP-4EAL)(B) -3: EO adduct of bisphenol A Diacrylate (Lite acrylate BP-4EAL available from Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)

(옥심에스테르계 중합 개시제)(Oxime ester-based polymerization initiator)

(C): 에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(0-아세틸옥심)(BASF Corp.제, 제품명 IRGACURE OXE02)(C): ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol- OXE02)

(아조계 중합 개시제 외)(Other than the azo-based polymerization initiator)

(D)-1: 2,2-아조비스이소부티로니트릴(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제 상품명 V-60)(D) -1: 2,2-azobisisobutyronitrile (V-60, a product of Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

(D)-2: 디메틸2,2-아조비스2-메틸프로피오네이트)(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제 상품명 V-601)(D) -2: dimethyl 2,2-azobis 2-methylpropionate) (trade name V-601, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

(D)-3: 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄)(Otsuka Chemical Co., Ltd.제 상품명: OTAZO-15)(D) -3: 1,1'-azobis (1-acetoxy-1-phenylethane) (OTAZO-15 available from Otsuka Chemical Co., Ltd.)

(D)-4: 벤조일퍼옥사이드(NOF CORPORATION제 상품명: NYPER BMT-K40)(D) -4: benzoyl peroxide (NYPER BMT-K40 available from NOF CORPORATION)

(차광성 분산 안료)(Light-shielding dispersed pigment)

(E): 카본 블랙 농도 25.0질량%, 고분자 분산제 농도 4.75질량%의 PGMEA 분산액(고형분 29.75%)(E): PGMEA dispersion (solid content: 29.75%) having a carbon black concentration of 25.0 mass% and a polymer dispersant concentration of 4.75 mass%

(용제)(solvent)

(F)-1: PGMEA(F) -1: PGMEA

(F)-2: 시클로헥산온(F) -2: Cyclohexanone

(실란 커플링제)(Silane coupling agent)

(H): S-510(JNC CORPORATION제)(H): S-510 (manufactured by JNC CORPORATION)

(계면활성제)(Surfactants)

(I): Megafac F475(DIC Corporation제)(I): Megafac F475 (manufactured by DIC Corporation)

상기 배합 성분을 표 1에 나타내는 비율로 배합하여 실시예 1~6 및 비교예 1~4의 감광성 수지 조성물을 조제했다. 또한, 표 1 중의 수치는 모두 질량부를 나타낸다. 또한, (F)-1 및 (F)-2는 (A)-1 및 (A)-2 중의 용제와 (E) 중의 용제를 포함하지 않는 양이다.The photosensitive resin compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 were prepared by blending the above-mentioned blended components in the ratios shown in Table 1. In addition, the numerical values in Table 1 indicate the parts by mass. (F) -1 and (F) -2 are amounts not including the solvent in (A) -1 and (A) -2 and the solvent in (E).

Figure pat00003
Figure pat00003

[평가][evaluation]

실시예 1~6 및 비교예 1~4의 블랙 레지스트용 감광성 수지 조성물을 사용하여 이하에 기재하는 평가를 행했다. 이들 평가 결과를 표 2 및 표 3에 나타낸다.Using the photosensitive resin compositions for black resists of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4, evaluation described below was carried out. The evaluation results are shown in Tables 2 and 3.

<현상 특성(패턴 선폭·패턴 직선성)의 평가>&Lt; Evaluation of developing characteristics (pattern line width, pattern linearity)

상기에서 얻어진 각 감광성 수지 조성물을 스핀 코터를 사용하여 125㎜×125㎜의 유리 기판(코닝 1737) 상에 포스트베이킹 후의 막두께가 1.2㎛가 되도록 도포하고, 90℃에서 1분간 프리베이킹했다. 그 후, 노광 갭을 100㎛로 조정하고, 건조 도막 상에 라인/스페이스=10㎛/50㎛의 네거티브형 포토마스크를 씌우고, i선 조도 30mW/㎠의 초고압 수은 램프로 50mJ/㎠의 자외선을 조사하여 감광 부분의 광경화 반응을 행했다.Each of the photosensitive resin compositions obtained above was coated on a 125 mm x 125 mm glass substrate (Corning 1737) using a spin coater so that the film thickness after post-baking became 1.2 占 퐉 and prebaked at 90 占 폚 for 1 minute. Thereafter, the exposure gap was adjusted to 100 탆, a negative type photomask of line / space = 10 탆 / 50 탆 was placed on the dried coating film, ultraviolet rays of 50 mJ / cm 2 were irradiated with an ultrahigh pressure mercury lamp of 30 mW / And photo-curing reaction of the photosensitive part was carried out.

이어서, 이 노광이 완료된 도판을 25℃, 0.04% 수산화칼륨 수용액에 의해 1kgf/㎠의 샤워압으로 패턴이 나타나기 시작하는 현상 시간(브레이크 타임=BT)으로부터 +10초 및 +20초의 현상 후, 5kgf/㎠압의 스프레이 수세를 행하고, 도막의 미노광부를 제거하여 유리 기판 상에 차광막 패턴을 형성하고, 그 후에 열풍 건조기 를 사용하여 120℃, 60분간 열포스트베이킹했다. 얻어진 차광막 패턴의 10㎛선의 마스크폭에 대한 선폭, 패턴 직선성을 평가했다.Subsequently, after the development of +10 second and +20 seconds from the development time (break time = BT) at which the pattern starts to appear at a shower pressure of 1 kgf / cm2 with a 0.04% potassium hydroxide aqueous solution at 25 deg. / Cm &lt; 2 &gt; pressure to remove the unexposed portions of the coated film to form a light-shielding film pattern on the glass substrate, followed by heat post baking at 120 DEG C for 60 minutes using a hot air drier. The line width and pattern linearity with respect to the mask width of 10 mu m lines of the obtained light-shielding film pattern were evaluated.

패턴 선폭: 측장 현미경(Nikon Corporation제 「XD-20」)을 사용해서 마스크 폭 10㎛의 패턴 선폭을 측정했다.Pattern line width: A pattern line width of a mask width of 10 mu m was measured using a measuring microscope ("XD-20" manufactured by Nikon Corporation).

패턴 직선성: 포스트베이킹 후의 10㎛ 마스크 패턴을 광학현미경 관찰하고, 기판에 대한 박리나 패턴 엣지 부분의 밀링이 확인되지 않은 것을 ○, 일부에 확인되는 것을 △, 전체에 걸쳐 확인되는 것을 ×로 평가했다.Pattern linearity: A 10 mu m mask pattern after post-baking was observed with an optical microscope, and it was found that no peeling or milling of the pattern edge portion was confirmed on the substrate, &amp; cir &amp; did.

또한, 패턴 선폭 및 패턴 직선성의 평가는 BT+10초의 경우와 BT+20초의 경우로 행했다.The pattern line width and pattern linearity were evaluated in the case of BT + 10 seconds and BT + 20 seconds.

<OD/㎛의 평가><Evaluation of OD / 탆>

상기에서 얻어진 각 감광성 수지 조성물을 스핀 코터를 사용하여 125㎜×125㎜의 유리 기판(코닝 1737) 상에 포스트베이킹 후의 막두께가 1.1㎛가 되도록 도포하고, 90℃에서 1분간 프리베이킹했다. 그 후, 네거티브형 포토마스크를 씌우지 않고 i선 조도 30mW/㎠의 초고압 수은 램프로 80mJ/㎠의 자외선을 조사하여 광경화 반응을 행다.Each of the photosensitive resin compositions obtained above was coated on a 125 mm 125 mm glass substrate (Corning 1737) using a spin coater so that the film thickness after post-baking became 1.1 占 퐉 and prebaked at 90 占 폚 for 1 minute. Thereafter, the photo-curing reaction is carried out by irradiating ultraviolet light of 80 mJ / cm 2 with an i-line illumination of an ultra-high pressure mercury lamp of 30 mW / cm 2 without applying a negative type photomask.

이어서, 이 노광이 완료된 도판을 25℃, 0.05% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 1kgf/㎠의 샤워압으로 60초의 현상 후, 5kgf/㎠압의 스프레이 수세를 행하고, 그 후 열풍 건조기를 사용하여 120℃, 60분간 열포스트베이킹했다. 이 도판의 OD값을 맥베스 투과 농도계를 사용하여 평가했다. 또한, 도판에 형성한 차광막의 막두께를 측정하고, OD값을 막두께로 나눈 값을 OD/㎛로 했다.Subsequently, the coated board was subjected to spraying at a pressure of 5 kgf / cm 2 using a 0.05% potassium hydroxide aqueous solution at 25 ° C for 60 seconds at a shower pressure of 1 kgf / cm 2, , Baked in a heat post for 60 minutes. The OD value of this plate was evaluated using a Macbeth permeation densitometer. Further, the film thickness of the light-shielding film formed on the plate was measured, and the value obtained by dividing the OD value by the film thickness was taken as OD / 占 퐉.

<내용제성의 평가>&Lt; Evaluation of solvent resistance &

OD 평가 시와 마찬가지로 작성한 도판(차광막이 부착된 유리판)을 사용하여 형성한 도막(차광막)의 내용제성을 평가했다. PGMEA 또는 시클로헥산온(아논)에 침지한 걸레로 연속해서 문질러 표면 상태를 관찰하고, 도막 표면이 용해되거나 또는 연화되어서 스크래치가 났을 때의 문지른 횟수를 기록했다. 어느 하나의 용제를 사용했을 때의 횟수가 20회 이상인 경우에는 내용제성 ○, 20회 미만인 경우에는 내용제성 ×로 했다.The evaluation of the solvent resistance of the coating film (light-shielding film) formed by using the prepared plate (glass plate with a light-shielding film) similarly to the OD evaluation. The surface state was observed by rubbing with a rag soaked in PGMEA or cyclohexanone (Anon), and the number of times of rubbing when the surface of the coating film was dissolved or softened and scratches were recorded. When the number of times when any one of the solvents was used was 20 or more, the solvent resistance was evaluated as O, and when it was less than 20, the solvent resistance was evaluated as X.

<경시 안정성><Stability over time>

조제한 감광성 수지 용액의 초기 용액 점도에 대하여 실온 23℃에서 5일후 방치 후의 용액 점도가 초기 용액 점도의 1.5배 이상 증점한 것을 ×, 1.5배 미만을 ○으로 했다.When the initial solution viscosity of the prepared photosensitive resin solution was maintained at 23 ° C at room temperature for 5 days, the solution viscosity increased 1.5 times or more than the initial solution viscosity.

Figure pat00004
Figure pat00004

Figure pat00005
Figure pat00005

본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물 용액을 사용하면 실시예 1~6에 나타내는 바와 같이 120℃라는 저온에서 포스트베이킹했을 때이어도 패턴의 직선성이 유지되며, PGMEA나 아논에 대한 내용제성도 충분한 차광막 패턴을 형성할 수 있고, 또한 감광성 수지 조성물 용액으로서의 보존 안정성도 충분하다.When the photosensitive resin composition solution for a light-shielding film of the present invention is used, as shown in Examples 1 to 6, even when post-baking is performed at a low temperature of 120 占 폚, the linearity of the pattern is maintained and the light- And the storage stability of the photosensitive resin composition solution is sufficient.

한편, 비교예 1과 같이 광중합성 모노머로서 2관능의 모노머를 사용하면 포스트베이킹 후의 경화막의 가교 밀도가 충분히 얻어지지 않아 현상 시간이 조금 길어졌을 경우에 패턴 직선성이 나빠지고, 내용제성도 부족하다. 비교예 2와 같이 열 라디칼 중합성 부여를 위해서 아조계 중합 개시제가 아니라 과산화물계 중합 개시제를 사용하면 감광성 수지 조성물 용액으로서의 보존 안정성이 충분하지 않다. 비교예 3과 같이 아조계 중합 개시제를 첨가하지 않을 경우에는 포스트베이킹 온도가 낮은 경우에 충분한 내용제성이 얻어지지 않는다. 비교예 4와 같이 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지로서 일반식(II)의 화합물이 아니라 아크릴 공중합계의 화합물을 사용하면 낮은 포스트베이킹 온도에 있어서는 가교가 충분히 진행되지 않아 직선성이 충분히 양호한 패턴을 얻어지지 않고, 내용제성도 부족하다.On the other hand, when a bifunctional monomer is used as the photopolymerizable monomer as in Comparative Example 1, the crosslinking density of the cured film after post-baking is not sufficiently obtained, and the pattern linearity is poor and the solvent resistance is poor . When the peroxide-based polymerization initiator is used instead of the azo-based polymerization initiator for imparting thermal radical polymerization property as in Comparative Example 2, the storage stability of the photosensitive resin composition solution is not sufficient. When the azo-based polymerization initiator is not added as in Comparative Example 3, sufficient solvent resistance can not be obtained when the post-baking temperature is low. When the acrylic copolymer compound instead of the compound represented by the general formula (II) is used as the polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin as in Comparative Example 4, the crosslinking does not proceed sufficiently at a low post-baking temperature, It is not obtained, and there is insufficient content preparation.

본 발명에 있어서의 차광막용 감광성 수지 조성물은 차광막을 제조하는 프로세스에서 160℃를 초과하는 온도에서 열경화하는 공정을 포함하지 않더라도 선폭이 5~15㎛, 특히 10㎛ 이하에서의 현상 밀착성이나 직선성이 우수하며, 또한 내용제성이 양호한 차광막(차광 패턴)을 형성할 수 있다. 그 때문에, 내열 온도가 160℃ 이하인 PET, PEN 등의 수지제 필름이거나 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 상에 유기 EL이나 유기 TFT 등을 구비한 디바이스 등에 대하여 상기와 같은 특성을 구비한 차광막을 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition for a light-shielding film according to the present invention can be used in a process for producing a light-shielding film, which does not include a step of thermosetting at a temperature exceeding 160 캜, but has a line width of 5 to 15 탆, Shielding film (light-shielding pattern) which is excellent in light resistance and excellent in solvent resistance can be formed. Therefore, it is possible to form a light-shielding film having the above-described characteristics for a resin film made of PET or PEN having a heat-resistant temperature of 160 ° C or lower, a device provided with an organic EL, an organic TFT, or the like on a glass substrate or a silicon wafer .

즉, 본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물은, 예를 들면 컬러필터나 유기 EL 화소를 형성할 때 등에 필요한 블랙 매트릭스, 격벽재, 차광 기능을 갖는 컬럼 스페이서 등이라는 차광막을 내열 온도가 낮은 기판에 대하여 설치하거나, 터치패널을 형성할 때 등에 필요한 액연(베젤) 부분 등의 차광막을 설치하거나 하는 데에 적합하며, 이들 차광막이 부착된 기판(즉, 디스플레이용 기판)을 액정이나 유기 EL 등의 표시 장치의 제조에 사용하거나, CMOS 등의 고체 촬영 소자의 제조에 사용할 수 있도록 된다.That is, in the photosensitive resin composition for a light-shielding film of the present invention, for example, a light-shielding film such as a black matrix, a barrier rib material, a column spacer having a light-shielding function or the like necessary for forming a color filter or an organic EL pixel (Bezel) portion or the like required for forming a touch panel, and the like. The substrate on which the light-shielding film is attached (that is, the substrate for display) is mounted on a display device such as liquid crystal or organic EL Or can be used in the manufacture of solid-state imaging elements such as CMOS.

Claims (6)

하기 (A)~(E)성분,
(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,
(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,
(C)옥심에스테르계 중합 개시제,
(D)아조계 중합 개시제, 및
(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분
을 필수 성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 차광막용 감광성 수지 조성물.
The following components (A) to (E)
(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,
(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,
(C) an oxime ester-based polymerization initiator,
(D) an azo-based polymerization initiator, and
(E) at least one light-shielding component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed-color organic pigment, and a light-
Is contained as an essential component in the photosensitive resin composition for a light-shielding film.
제 1 항에 있어서,
상기 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지는 하기 일반식(II)으로 나타내어지는 차광막용 감광성 수지 조성물.
Figure pat00006

[식 중, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~5개의 알킬기, 할로겐원자 또는 페닐기를 나타내고, R5는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, A는 -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, 플루오렌-9,9-디일기 또는 직결합을 나타내고, X는 4가의 카르복실산 잔기를 나타내고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소원자 또는 -OC-Z-(COOH)m(단, Z는 2가 또는 3가 카르복실산 잔기를 나타내고, m은 1 또는 2의 수를 나타낸다)을 나타내고, n은 1~20의 정수를 나타낸다]
The method according to claim 1,
The polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin as the component (A) is a photosensitive resin composition for a light-shielding film represented by the following general formula (II).
Figure pat00006

Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, R 5 is a hydrogen atom or a methyl group, A is -CO -, -SO 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -Si (CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -O-, represents a bond or a straight-diyl group, X represents a tetravalent carboxylic acid moiety represents a, Y 1 and Y 2 are each independently a hydrogen atom or a -OC-Z- (COOH) m (end, Z is a divalent or trivalent And m represents a number of 1 or 2), and n represents an integer of 1 to 20,
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (A)성분과 (B)성분의 질량비율 (A)/(B)가 50/50~90/10이며, 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 (C)성분이 2~30질량부임과 아울러, (D)성분이 1~20질량부이며, 차광막용 감광성 수지 조성물의 광경화에 의해 고형분이 되는 성분을 포함한 고형분 중에 (E)성분이 40~70질량% 포함되는 차광막용 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(C) relative to 100 parts by mass of the total of the components (A) and (B) in the mass ratio (A) / (B) of the component (A) (E) is contained in an amount of 40 to 70% by mass in a solid content containing a component which becomes a solid component by photo-curing of the photosensitive resin composition for a light-shielding film, the component (D) is 1-20 parts by mass, A photosensitive resin composition for a light-shielding film.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
(E)성분이 카본 블랙인 차광막용 감광성 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the component (E) is carbon black.
내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 구비한 디스플레이용 기판으로서,
상기 차광막이 하기 (A)~(E)성분,
(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,
(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,
(C)옥심에스테르계 중합 개시제,
(D)아조계 중합 개시제, 및
(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분
을 필수 성분으로서 함유하는 차광막용 감광성 수지 조성물을 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판.
A substrate for a display having a light-shielding film on a substrate having a heat-resistant temperature of 160 DEG C or less,
Wherein the light-shielding film comprises the following components (A) to (E)
(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,
(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,
(C) an oxime ester-based polymerization initiator,
(D) an azo-based polymerization initiator, and
(E) at least one light-shielding component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed-color organic pigment, and a light-
Wherein the photosensitive resin composition for a light-shielding film is cured.
내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 구비한 디스플레이용 기판의 제조 방법으로서,
하기 (A)~(E) 성분,
(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,
(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,
(C)옥심에스테르계 중합 개시제,
(D)아조계 중합 개시제, 및
(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분
을 필수 성분으로서 함유하는 차광막용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 포토마스크를 개재하여 노광하고, 현상에 의해 미노광부를 제거하고, 이어서 160℃ 이하에서 가열해서 소정의 패턴을 구비한 차광막을 형성하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판의 제조 방법.
A method for producing a display substrate having a light-shielding film on a substrate having a heat-resistant temperature of 160 DEG C or less,
The following components (A) to (E)
(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,
(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,
(C) an oxime ester-based polymerization initiator,
(D) an azo-based polymerization initiator, and
(E) at least one light-shielding component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed-color organic pigment, and a light-
A light-shielding film having a predetermined pattern is formed by heating at 160 DEG C or lower to form a light-shielding film having a predetermined pattern. The light- Wherein the first substrate and the second substrate are bonded to each other.
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