KR102392964B1 - Photosensitive resin composition for light-shielding film, display substrate having the light-shielding film obtained by curing the same, and manufacturing method of display substrate - Google Patents

Photosensitive resin composition for light-shielding film, display substrate having the light-shielding film obtained by curing the same, and manufacturing method of display substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102392964B1
KR102392964B1 KR1020170040546A KR20170040546A KR102392964B1 KR 102392964 B1 KR102392964 B1 KR 102392964B1 KR 1020170040546 A KR1020170040546 A KR 1020170040546A KR 20170040546 A KR20170040546 A KR 20170040546A KR 102392964 B1 KR102392964 B1 KR 102392964B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
shielding film
component
substrate
resin composition
Prior art date
Application number
KR1020170040546A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170113390A (en
Inventor
마나부 히가시
Original Assignee
닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 filed Critical 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
Publication of KR20170113390A publication Critical patent/KR20170113390A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102392964B1 publication Critical patent/KR102392964B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/105Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(과제) 내열성이 고작 160℃인 플라스틱 기판 등에 차광막을 형성하는 데에 적합하며, 용제 내성이나 알칼리 내성이 우수한 차광막을 얻을 수 있는 차광막용 감광성 수지 조성물, 이것을 경화시킨 차광막을 구비한 디스플레이용 기판, 및 그 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) (A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지, (B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머, (C)옥심에스테르계 중합 개시제, (D)아조계 중합 개시제, 및 (E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분을 포함하는 차광막용 감광성 수지 조성물이며, 또한 이것을 기판 상에 도포하고, 포토마스크를 개재하여 노광·현상하고, 160℃ 이하에서 가열하여 소정의 패턴을 구비한 차광막을 형성하는 디스플레이용 기판의 제조 방법, 및 이것에 의해 얻어진 디스플레이용 기판이다.
(Problem) A photosensitive resin composition for a light-shielding film that is suitable for forming a light-shielding film on a plastic substrate with heat resistance of only 160°C, etc., and can obtain a light-shielding film excellent in solvent resistance and alkali resistance, a display substrate provided with a light-shielding film obtained by curing the light-shielding film; and a manufacturing method thereof.
(Solution means) (A) Alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct, (B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds, (C) an oxime ester system A photosensitive resin composition for a light-shielding film comprising a polymerization initiator, (D) an azo polymerization initiator, and (E) at least one light-shielding component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed color organic pigment, and a light-shielding material. A method for producing a substrate for a display in which a light-shielding film having a predetermined pattern is formed by applying to the substrate, exposing and developing through a photomask, and heating at 160° C. or lower, and a display substrate obtained thereby.

Description

차광막용 감광성 수지 조성물, 이것을 경화시킨 차광막을 구비한 디스플레이용 기판, 및 디스플레이용 기판의 제조 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR LIGHT-SHIELDING FILM, DISPLAY SUBSTRATE HAVING THE LIGHT-SHIELDING FILM OBTAINED BY CURING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY SUBSTRATE}A photosensitive resin composition for a light-shielding film, a substrate for a display provided with a light-shielding film obtained by curing the same, and a method for manufacturing a substrate for a display TECHNICAL FIELD METHOD OF DISPLAY SUBSTRATE}

본 발명은 차광막용 감광성 수지 조성물, 이것을 경화시킨 차광막을 구비한 디스플레이용 기판, 및 디스플레이용 기판의 제조 방법에 관한 것이며, 상세하게는 내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 형성하는 데에 적합한 차광막용 감광성 수지 조성물, 그 경화막인 차광막을 기판 상에 구비한 디스플레이용 기판, 및 이 디스플레이용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition for a light-shielding film, a substrate for a display provided with a light-shielding film obtained by curing the same, and a method for manufacturing a substrate for a display. It is related with the photosensitive resin composition for light-shielding films, the board|substrate for displays provided with the light-shielding film which is the cured film on a board|substrate, and the manufacturing method of this board|substrate for displays.

최근, 디바이스의 플렉시블화나 원칩화를 목적으로 하여, 예를 들면 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)나 PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 등의 플라스틱 기판(플라스틱 필름, 수지제 필름)에 대하여 직접 차광막(차광 패턴)을 형성하거나, 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 상에 유기 EL이나 유기 TFT 등을 구비한 디바이스에 직접 차광막을 형성하거나 하는 요구가 있다. 그런데, 이들은 플라스틱 기판 자체의 내열 온도나 디바이스로서의 내열 온도가 낮고, 일반적으로 내열성은 고작 160℃ 정도뿐인 경우가 많다. 그 때문에 플라스틱 기판이나 디바이스에 차광막을 형성함에 있어서 160℃ 이하의 열소성 온도에서는 막 강도가 불충분해지고, 그 후의 후공정(예를 들면, 각 RGB 레지스트 도포나 알칼리 내성 등)에 있어서 도막의 막 감소, 표면 거침, 패턴 박리 등의 문제가 생기는 문제가 있다.In recent years, for the purpose of making devices flexible and one-chip, for example, a light-shielding film (light-shielding pattern) is formed directly on a plastic substrate (plastic film, resin film), such as PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate). Alternatively, there is a demand to directly form a light-shielding film on a device including organic EL, organic TFT, or the like on a glass substrate or a silicon wafer. However, they have low heat resistance temperature of the plastic substrate itself and heat resistance temperature as a device, and generally heat resistance is only about 160°C in many cases. For this reason, when forming a light-shielding film on a plastic substrate or device, the film strength becomes insufficient at a thermal sintering temperature of 160° C. or less, and the film decreases in subsequent steps (eg, application of each RGB resist or alkali resistance, etc.) , there is a problem that problems such as surface roughness and pattern peeling occur.

그래서, 예를 들면 일본 특허공개 2003-15288호 공보(특허문헌 1)에는 아크릴 공중합체의 알칼리 가용성 수지를 베이스로 광중합 개시제에 추가하여 열중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 사용하고, 플라스틱 기판에 도포, 노광, 패터닝, 150℃ 열소성한 기판이 개시되어 있지만, 잔사, 기판과의 밀착성(박리 테스트)은 확보되어 있지만, 패턴 선폭, 현상 마진, 내신뢰성(용제 내성, 알칼리 내성) 등의 기재는 없어 이들이 아직 충분하지 않다.Therefore, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-15288 (Patent Document 1), a photosensitive resin composition containing a thermal polymerization initiator by adding an alkali-soluble resin of an acrylic copolymer to a photoinitiator as a base is used, Although substrates that have been coated, exposed, patterned, and baked at 150°C are disclosed, adhesion to the residue and substrate (peel test) is ensured, but substrates such as pattern line width, development margin, and reliability (solvent resistance, alkali resistance) are described. There are not enough of them yet.

일본 특허공개 2003-15288호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2003-15288

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 것은 내열성이 고작 160℃인 플라스틱 기판이나 디바이스 상에 차광막을 형성하는 데에 적합하며, 내열성이 낮은 이들 플라스틱 기판이나 디바이스 등에 대해서도 용제 내성이나 알칼리 내성이 우수한 차광막을 얻을 수 있는 차광막용 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다. 그리고, 상기 차광막용 감광성 수지 조성물을 경화시킨 차광막을 구비한 디스플레이용 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention was made in view of the above problems, and its purpose is to form a light-shielding film on a plastic substrate or device having a heat resistance of only 160° C. It is to provide the photosensitive resin composition for light-shielding films which can obtain the light-shielding film excellent in alkali resistance. And, it is to provide the board|substrate for displays provided with the light-shielding film which hardened the said photosensitive resin composition for light-shielding films, and its manufacturing method.

그래서, 본 발명자들은 160℃ 이하의 열경화에 의해 양호한 현상 밀착성이나 패턴의 직선성을 얻으면서 용제 내성이나 알칼리 내성이 우수한 차광막을 얻을 수 있는 차광막용 감광성 수지 조성물에 대해서 예의 검토를 행한 결과, 소정의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지, 광중합성 모노머, 차광 성분, 및 용제를 포함함과 아울러, 특정 중합 개시제를 2종류 조합시킴으로써 상기와 같은 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성시켰다.Then, the present inventors earnestly examined the photosensitive resin composition for light-shielding film which can obtain the light-shielding film excellent in solvent resistance and alkali resistance while obtaining favorable image development adhesiveness and pattern linearity by thermosetting at 160 degrees C or less, As a result, The present invention was completed by discovering that the above problems could be solved by combining two types of specific polymerization initiators, including alkali-soluble resins containing polymerizable unsaturated groups, photopolymerizable monomers, light-shielding components, and solvents.

즉, 본 발명의 요지는 다음과 같다.That is, the gist of the present invention is as follows.

(1) 하기 (A)~(E)성분,(1) following (A)-(E) component,

(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,

(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,

(C)옥심에스테르계 중합 개시제,(C) an oxime ester polymerization initiator;

(D)아조계 중합 개시제, 및(D) an azo polymerization initiator, and

(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분(E) at least one light blocking component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed color organic pigment, and a light blocking material

을 필수 성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 차광막용 감광성 수지 조성물.A photosensitive resin composition for a light-shielding film, comprising as an essential component.

(2) (1)에 있어서, 상기 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지는 하기 일반식(II)으로 나타내어지는 차광막용 감광성 수지 조성물.(2) The photosensitive resin composition for light-shielding films as described in (1), wherein the polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin of the component (A) is represented by the following general formula (II).

Figure 112017031192277-pat00001
Figure 112017031192277-pat00001

[식 중, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~5개의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기를 나타내고, R5는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, A는 -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, 플루오렌-9,9-디일기 또는 직결합을 나타내고, X는 4가의 카르복실산 잔기를 나타내고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소원자 또는 -OC-Z-(COOH)m(단, Z는 2가 또는 3가 카르복실산 잔기를 나타내고, m은 1 또는 2의 수를 나타낸다)을 나타내고, n은 1~20의 정수를 나타낸다][Wherein, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, R 5 represents a hydrogen atom or a methyl group, and A is —CO -, -SO 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -Si(CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -O-, fluorene-9,9- represents a diyl group or a direct bond, X represents a tetravalent carboxylic acid residue, Y 1 and Y 2 are each independently a hydrogen atom or -OC-Z-(COOH) m (provided that Z is divalent or trivalent represents a carboxylic acid residue, m represents the number of 1 or 2), and n represents an integer of 1 to 20]

(3) (1) 또는 (2)에 있어서, 상기 (A)성분과 (B)성분의 질량비율 (A)/(B)가 50/50~90/10이며, 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 (C)성분이 2~30질량부임과 아울러, (D)성분이 1~20질량부이며, 차광막용 감광성 수지 조성물의 광경화에 의해 고형분이 되는 성분을 포함시킨 고형분 중에 (E)성분이 40~70질량% 포함되는 차광막용 감광성 수지 조성물.(3) In (1) or (2), the mass ratio (A)/(B) of the component (A) and the component (B) is 50/50 to 90/10, and the component (A) and ( B) While (C)component is 2-30 mass parts with respect to a total of 100 mass parts of components, (D)component is 1-20 mass parts, The component used as solid content by photocuring of the photosensitive resin composition for light-shielding films The photosensitive resin composition for light-shielding films in which 40-70 mass % of (E)component is contained in the contained solid.

(4) (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, (E)성분이 카본 블랙인 차광막용 감광성 수지 조성물.(4) The photosensitive resin composition for light-shielding films in any one of (1)-(3) whose (E)component is carbon black.

(5) 내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 구비한 디스플레이용 기판으로서, 상기 차광막이 하기 (A)~(E)성분(5) A substrate for a display provided with a light-shielding film on a substrate having a heat resistance temperature of 160° C. or less, wherein the light-shielding film contains the following components (A) to (E)

(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,

(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,

(C)옥심에스테르계 중합 개시제,(C) an oxime ester polymerization initiator;

(D)아조계 중합 개시제, 및(D) an azo polymerization initiator, and

(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분(E) at least one light blocking component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed color organic pigment, and a light blocking material

을 필수 성분으로서 함유하는 차광막용 감광성 수지 조성물을 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판.A display substrate obtained by curing a photosensitive resin composition for a light-shielding film containing as an essential component.

(6) 내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 구비한 디스플레이용 기판의 제조 방법으로서,(6) A method for manufacturing a display substrate having a light-shielding film on a substrate having a heat resistance temperature of 160° C. or less, the method comprising:

하기 (A)~(E)성분,The following (A) - (E) component,

(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,

(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,

(C)옥심에스테르계 중합 개시제,(C) an oxime ester polymerization initiator;

(D)아조계 중합 개시제, 및(D) an azo polymerization initiator, and

(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분(E) at least one light blocking component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed color organic pigment, and a light blocking material

을 필수 성분으로서 함유하는 차광막용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 포토마스크를 개재하여 노광하고, 현상에 의해 미노광부를 제거하고, 이어서 160℃ 이하에서 가열하여 소정의 패턴을 구비한 차광막을 형성하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판의 제조 방법.A photosensitive resin composition for a light-shielding film containing as an essential component is applied on a substrate, exposed through a photomask, the unexposed portion is removed by development, and then heated at 160° C. or less to form a light-shielding film having a predetermined pattern. A method of manufacturing a substrate for a display, characterized in that it is formed.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물은 차광막을 제조하는 프로세스에서 160℃를 초과하는 온도에서 열경화하는 공정을 포함하지 않더라도 선폭이 5~15㎛, 특히 10㎛ 이하에서의 현상 밀착성, 직선성이 우수하며, 또한 내용제성이 양호한 차광막(차광 패턴)을 형성할 수 있다. 그 때문에, 내열 온도가 160℃ 이하인 PET, PEN 등의 수지제의 필름이거나, 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 상에 형성한 유기 EL이나 유기 TFT 등을 구비한 디바이스에 대하여 차광막을 형성할 수 있고, 상기와 같은 특성을 구비한 차광막을 갖는 디스플레이용 기판을 얻을 수 있다.The photosensitive resin composition for a light-shielding film of the present invention has a line width of 5 to 15 µm, especially 10 µm or less, even if the process of manufacturing the light-shielding film does not include a step of thermosetting at a temperature exceeding 160 ° C. In addition, a light-shielding film (light-shielding pattern) having good solvent resistance can be formed. Therefore, a light-shielding film can be formed on a film made of a resin such as PET or PEN having a heat resistance temperature of 160°C or less, or a device having an organic EL or organic TFT formed on a glass substrate or a silicon wafer, and the like. A display substrate having a light-shielding film having the same characteristics can be obtained.

즉, 본 발명과 같이 특정 구조의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지, 3개 이상의 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 모노머, 옥심에스테르계 중합 개시제, 아조계 중합 개시제, 및 차광 성분을 필수 성분으로 하는 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 내열 온도가 160℃ 이하라는 내열성이 낮은 기판에 대하여 소망의 차광막을 형성하고, 각종 기능을 구비한 디스플레이용 기판으로 할 수 있다.That is, as in the present invention, an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a specific structure, a polymerizable monomer having three or more ethylenically unsaturated groups, an oxime ester polymerization initiator, an azo polymerization initiator, and a light-shielding component as essential components. By using a resin composition, a desired light-shielding film can be formed with respect to the low heat resistance board|substrate whose heat resistance temperature is 160 degreeC or less, and it can be set as the board|substrate for displays provided with various functions.

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물의 각 성분에 대해서 우선 설명한다.Each component of the photosensitive resin composition for light-shielding films of this invention is demonstrated first.

본 발명에 있어서의 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지는 에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 것이며, 상세하게는 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물과 (메타)아크릴산(이는 「아크릴산 및/또는 메타크릴산」의 의미임)의 반응물에 다가 카르복실산 또는 그 무수물을 더 반응시켜서 얻어지는 화합물이다. 바람직한 예를 사용하여 상세하게 설명하면 하기 일반식(I)으로 나타내어지는 에폭시 화합물에 (메타)아크릴산을 반응시켜 얻어진 히드록시기를 갖는 화합물에 (a)디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물, 및 (b)테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물을 반응시켜서 얻어지는 에폭시(메타)아크릴레이트산 부가물이다. 일반식(I)으로 나타내어지는 에폭시 화합물은 비스페놀류와 에피할로히드린을 반응시켜서 얻어지는 에폭시 화합물 또는 이것과 동등물을 의미한다. (A)성분은 중합성 불포화 이중 결합과 카르복실기를 함께 갖기 때문에 감광성 수지 조성물이 우수한 광경화성, 양호 현상성, 패터닝 특성을 부여하여 차광막의 물성 향상을 초래한다.The polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin of component (A) in the present invention has a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct, specifically, a compound having two or more epoxy groups and (meth) acrylic acid (which It is a compound obtained by making polyhydric carboxylic acid or its anhydride further react with the reactant of "acrylic acid and/or methacrylic acid"). When described in detail using a preferred example, (a) dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof to a compound having a hydroxyl group obtained by reacting (meth)acrylic acid with an epoxy compound represented by the following general formula (I) and (b) an epoxy (meth)acrylate acid adduct obtained by reacting tetracarboxylic acid or its acid dianhydride. The epoxy compound represented by general formula (I) means the epoxy compound obtained by making bisphenol and epihalohydrin react, or an equivalent to this. Since component (A) has both a polymerizable unsaturated double bond and a carboxyl group, the photosensitive resin composition imparts excellent photocurability, good developability, and patterning properties, thereby improving the physical properties of the light-shielding film.

Figure 112017031192277-pat00002
Figure 112017031192277-pat00002

단, 일반식(I)에 있어서, R1, R2, R3 및 R4는 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~5개의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기를 나타내고, A는 -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, 플루오렌-9,9-디일기 또는 직결합을 나타내고, l은 0~10의 평균값이다.However, in the general formula (I), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, and A is -CO-, -SO 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -Si(CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -O-, fluorene-9,9-diyl group or a direct bond , and l is an average value of 0 to 10.

일반식(I)의 에폭시 화합물을 부여하는 비스페놀류로서는 비스(4-히드록시페닐)케톤, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)케톤, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)케톤, 비스(4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)술폰, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)술폰, 비스(4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디브로모페닐)메탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-클로로페닐)프로판, 비스(4-히드록시페닐)에테르, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)에테르, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)에테르, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-브로모페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-메톡시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디브로모페닐)플루오렌, 4,4'-비페놀, 3,3'-비페놀 등을 들 수 있다. 이 중에서도 일반식(1)에 있어서의 A가 플루오렌-9,9-디일기인 에폭시 화합물을 부여하는 비스페놀류를 특히 바람직하게 사용할 수 있다.As bisphenols which give the epoxy compound of general formula (I), bis(4-hydroxyphenyl)ketone, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)ketone, bis(4-hydroxy-3,5 -dichlorophenyl) ketone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) sulfone, bis ( 4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)hexafluoropropane, bis(4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl)hexafluoropropane, bis (4-hydroxyphenyl)dimethylsilane, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)dimethylsilane, bis(4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl)dimethylsilane, bis(4-hydroxy Phenyl)methane, bis(4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl)methane, bis(4-hydroxy-3,5-dibromophenyl)methane, 2,2-bis(4-hydroxyphenyl) Propane, 2,2-bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propane, 2,2-bis(4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl)propane, 2,2-bis(4- Hydroxy-3-methylphenyl)propane, 2,2-bis(4-hydroxy-3-chlorophenyl)propane, bis(4-hydroxyphenyl)ether, bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) ) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) ether, 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) flu Orene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-chlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-bromophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy) Roxy-3-fluorophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-hydroxy-3-methoxyphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)flu Orene, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dibromophenyl) fluorene, 4,4' -biphenol, 3,3'-biphenol, etc. are mentioned. Among these, the bisphenol which gives the epoxy compound whose A in General formula (1) is a fluorene-9,9- diyl group can be used especially preferably.

(A)의 알칼리 가용성 수지로 유도하기 위한 일반식(I)의 화합물은 상기 비스페놀류와 에피클로로히드린을 반응시켜서 얻어지는 2개의 글리시딜에테르기를 갖는 에폭시 화합물이다. 이 반응 시에는 일반적으로 디글리시딜에테르 화합물의 올리고머화를 수반하고, l은 통상은 복수의 값이 혼재하기 때문에 평균값 0~10(정수라고는 할 수 없음)이 되지만, 바람직한 l의 평균값은 0~3이다. l의 평균값이 상한값을 초과하면, 상기 에폭시 화합물을 사용하여 합성한 알칼리 가용성 수지를 사용한 감광성 수지 조성물로 했을 때에 조성물의 점도가 지나치게 커져 도포가 잘 행해지지 않거나 알칼리 가용성을 충분히 부여할 수 없어 알칼리 현상성이 매우 나빠지거나 한다.The compound of the general formula (I) for inducing the alkali-soluble resin of (A) is an epoxy compound having two glycidyl ether groups obtained by reacting the bisphenols with epichlorohydrin. In this reaction, oligomerization of the diglycidyl ether compound is generally accompanied, and l is usually an average value of 0 to 10 (not an integer) because a plurality of values are mixed, but the preferred average value of l is 0 to 3. When the average value of l exceeds the upper limit, when a photosensitive resin composition using an alkali-soluble resin synthesized using the above epoxy compound is obtained, the viscosity of the composition becomes excessively large, so that coating is not performed well or alkali solubility cannot be sufficiently imparted, resulting in alkali phenomenon The sex becomes very bad.

에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물에 이용되는 (a)디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물로서는 쇄식 탄화수소 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이나 지환식 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물, 방향족 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이 사용된다. 여기에서, 쇄식 탄화수소 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물로서는, 예를 들면 숙신산, 아세틸숙신산, 말레산, 아디프산, 이타콘산, 아젤라산, 시트라말산, 말론산, 글루타르산, 시트르산, 타르타르산, 옥소글루타르산, 피멜산, 세박산, 수베르산, 디글리콜산 등의 화합물 또는 그 산 무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이어도 좋다. 또한, 지환식 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물로서는, 예를 들면 시클로부탄디카르복실산, 시클로펜탄디카르복실산, 헥사히드로프탈산, 테트라히드로프탈산, 노보난디카르복실산 등의 화합물 또는 그 산 무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이어도 좋다. 또한, 방향족 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물로서는, 예를 들면 프탈산, 이소프탈산, 트리멜리트산 등의 화합물 또는 그 산 무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물이어도 좋다.As the (a) dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or its acid anhydride used in the epoxy (meth)acrylate acid adduct, the chain hydrocarbon dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or its acid anhydride or alicyclic dicarboxyl An acid or tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof, an aromatic dicarboxylic acid or a tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof is used. Here, as the chain hydrocarbon dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof, for example, succinic acid, acetylsuccinic acid, maleic acid, adipic acid, itaconic acid, azelaic acid, citramalic acid, malonic acid, glutaric acid acid, citric acid, tartaric acid, oxoglutaric acid, pimelic acid, sebacic acid, suberic acid, diglycolic acid, etc. or an acid anhydride thereof, and dicarboxylic acid or tricarboxylic acid introduced with an optional substituent Or the acid anhydride may be sufficient. Moreover, as alicyclic dicarboxylic acid or tricarboxylic acid, or its acid anhydride, cyclobutanedicarboxylic acid, cyclopentanedicarboxylic acid, hexahydrophthalic acid, tetrahydrophthalic acid, norbornanedicarboxylic acid etc. or an acid anhydride thereof, and may also be a dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or an acid anhydride thereof having an arbitrary substituent introduced thereto. Examples of the aromatic dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or acid anhydride thereof include a compound such as phthalic acid, isophthalic acid, trimellitic acid, or an acid anhydride thereof, and a dicarboxylic acid having an optional substituent introduced therein. Or tricarboxylic acid or its acid anhydride may be sufficient.

또한, 에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물에 이용되는 (b)테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물로서는 쇄식 탄화수소 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물이나 지환식 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물, 또는 방향족 다가 카르복실산 또는 그 산 2무수물이 사용된다. 여기에서, 쇄식 탄화수소 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물로서는, 예를 들면 부탄테트라카르복실산, 펜탄테트라카르복실산, 헥산테트라카르복실산 등의 화합물 또는 그 산 2무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물이어도 좋다. 또한, 지환식 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물로서는, 예를 들면 시클로부탄테트라카르복실산, 시클로펜탄테트라카르복실산, 시클로헥산테트라카르복실산, 시클로헵탄테트라카르복실산, 노보난테트라카르복실산 등의 화합물 또는 그 산 2무수물이 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물이어도 좋다. 또한, 방향족 테트라카르복실산이나 그 산 2무수물로서는, 예를 들면 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산, 비페닐테트라카르복실산, 비페닐에테르테트라카르복실산 등의 화합물 또는 그 산 2무수물을 들 수 있고, 또한 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물이어도 좋다.Moreover, as (b) tetracarboxylic acid or its acid dianhydride used for an epoxy (meth)acrylate acid adduct, a chain hydrocarbon tetracarboxylic acid or its acid dianhydride, or an alicyclic tetracarboxylic acid or its acid dianhydride , or an aromatic polyhydric carboxylic acid or an acid dianhydride thereof is used. Here, the chain hydrocarbon tetracarboxylic acid or its acid dianhydride includes, for example, a compound such as butanetetracarboxylic acid, pentanetetracarboxylic acid, hexanetetracarboxylic acid, or an acid dianhydride thereof. The tetracarboxylic acid to which a substituent was introduce|transduced, or its acid dianhydride may be sufficient. Moreover, as alicyclic tetracarboxylic acid or its acid dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, cyclohexanetetracarboxylic acid, cycloheptane tetracarboxylic acid, norbornane tetracarboxylic acid is, for example. There may be a compound such as an acid or an acid dianhydride thereof, and tetracarboxylic acid or an acid dianhydride thereof having an arbitrary substituent introduced therein may be used. Moreover, as aromatic tetracarboxylic acid and its acid dianhydride, For example, compounds, such as pyromellitic acid, benzophenone tetracarboxylic acid, biphenyl tetracarboxylic acid, biphenyl ether tetracarboxylic acid, or its acid dianhydride , and tetracarboxylic acid or an acid dianhydride thereof having an arbitrary substituent introduced thereto may be used.

에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물에 사용되는 (a)디카르복실산 또는 트리카르복실산 또는 그 산 무수물과 (b)테트라카르복실산 또는 그 산 2무수물의 몰비 (a)/(b)는 0.01~10.0인 것이 좋고, 보다 바람직하게는 0.02 이상 3.0 미만인 것이 좋다. 몰비 (a)/(b)가 상기 범위를 일탈하면, 본 발명의 고차광 또한 고저항이며,또한 양호한 광 패터닝성을 갖는 감광성 수지 조성물로 하기 위한 최적 분자량이 얻어지지 않기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 몰비 (a)/(b)가 작을수록 분자량이 커져 알칼리 용해성이 뒤떨어지는 경향이 있다.Molar ratio (a)/(b) of (a) dicarboxylic acid or tricarboxylic acid or its acid anhydride and (b) tetracarboxylic acid or its acid dianhydride used in the epoxy (meth)acrylate acid adduct is preferably 0.01 to 10.0, more preferably 0.02 or more and less than 3.0. When the molar ratio (a)/(b) deviates from the above range, it is not preferable because the optimum molecular weight for obtaining the photosensitive resin composition having high light-shielding and high resistance of the present invention and having good optical patterning properties is not obtained. Moreover, there exists a tendency for molecular weight to become large and to be inferior to alkali solubility, so that molar ratio (a)/(b) is small.

에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물은 상기 공정에 의해 기지의 방법, 예를 들면 일본 특허공개 평 8-278629호 공보나 일본 특허공개 2008-9401호 공보 등에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다. 우선, 일반식(I)의 에폭시 화합물에 (메타)아크릴산을 반응시키는 방법으로서는, 예를 들면 에폭시 화합물의 에폭시기와 등몰의 (메타)아크릴산을 용제 중에 첨가하고, 촉매(트리에틸벤질암모늄클로라이드, 2,6-디이소부틸페놀 등)의 존재 하, 공기를 블로잉하면서 90~120℃로 가열·교반하여 반응시킨다는 방법이 있다. 이어서, 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트 화합물의 수산기에 산 무수물을 반응시키는 방법으로서는 에폭시아크릴레이트 화합물과 산 2무수물 및 산 1무수물의 소정량을 용제 중에 첨가하고, 촉매(브롬화테트라에틸암모늄, 트리페닐포스핀 등)의 존재 하, 90~130℃에서 가열·교반하여 반응시킨다는 방법이 있다.The epoxy (meth)acrylate acid adduct can be produced by a known method according to the above process, for example, the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-278629 or 2008-9401. First, as a method for reacting (meth)acrylic acid with the epoxy compound of the general formula (I), for example, (meth)acrylic acid equimolar to the epoxy group of the epoxy compound is added to a solvent, and a catalyst (triethylbenzylammonium chloride, 2 ,6-diisobutylphenol, etc.), there is a method of reacting by heating and stirring at 90 to 120°C while blowing air. Next, as a method of reacting the acid anhydride with the hydroxyl group of the epoxy acrylate compound as the reaction product, predetermined amounts of the epoxy acrylate compound, acid dianhydride, and acid monoanhydride are added to a solvent, and a catalyst (tetraethylammonium bromide, triphenylphos There is a method of reacting by heating and stirring at 90 to 130°C in the presence of pins, etc.).

중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지(A)의 중량 평균 분자량(Mw)에 대해서는 2000~10000의 범위인 것이 바람직하고, 3000~7000 사이인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)이 2000을 만족하지 않으면 (A)를 사용한 감광성 수지 조성물의 현상 시의 패턴 밀착성을 유지할 수 없어 패턴 박리가 생기고, 또한 중량 평균 분자량(Mw)이 10000을 초과하면 현상 잔사나 미노광부의 잔막이 남기 쉬워진다. 또한, (A)는 그 산가가 80~120㎎KOH/g의 범위인 것이 좋다. 이 값이 80㎎KOH/g보다 작으면 (A)를 사용한 감광성 수지 조성물의 알칼리 현상 시에 잔사가 남기 쉬워지고, 120㎎KOH/g을 초과하면 (A)를 사용한 감광성 수지 조성물로의 알칼리 현상액의 침투가 지나치게 빨라져 박리 현상이 일어나므로 모두 바람직하지 않다. 또한, (A)의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지에 대해서는 그 1종만을 사용해도, 2종 이상의 혼합물을 사용할 수도 있다.About the weight average molecular weight (Mw) of polymerizable unsaturated group containing alkali-soluble resin (A), it is preferable that it is the range of 2000-10000, and it is more preferable that it is between 3000-7000. If the weight average molecular weight (Mw) does not satisfy 2000, pattern adhesion cannot be maintained at the time of development of the photosensitive resin composition using (A), and pattern peeling occurs, and if the weight average molecular weight (Mw) exceeds 10000, development residue or A residual film of an unexposed part becomes easy to remain. Moreover, it is good that the acid value of (A) is the range of 80-120 mgKOH/g. When this value is smaller than 80 mgKOH/g, a residue tends to remain at the time of alkali development of the photosensitive resin composition using (A), and when it exceeds 120 mgKOH/g, alkali developer to the photosensitive resin composition using (A) It is not preferable because of the excessively rapid penetration of the peeling phenomenon. In addition, about the polymerizable unsaturated group containing alkali-soluble resin of (A), even if only 1 type is used, 2 or more types of mixtures can also be used.

이어서, (B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에탄트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 소르비톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 소르비톨헥사(메타)아크릴레이트, 포스파겐의 알킬렌옥사이드 변성 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 에스테르류, 덴드리머형 다관능 아크릴레이트류, 하이퍼브랜치형 다관능 아크릴레이트류 등을 제시할 수 있고, 이들의 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 또한, (B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머는 유리된 카르복실기를 갖지 않는다. 본 발명에 있어서는 160℃ 이하의 가열 처리만으로도 충분한 가교 밀도를 얻기 때문에 3관능 이상의 광중합성 모노머를 사용한다.Next, (B) as a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds, for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, trimethylolethane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate , pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, sorbitol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth)acrylate, sorbitol hexa(meth)acrylate, alkylene oxide-modified hexa(meth)acrylate of phosphagen, and (meth)acrylic acid esters such as caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dendrimers Type polyfunctional acrylates, hyperbranched polyfunctional acrylates, etc. can be presented, and one type or two or more types thereof can be used. Further, (B) the photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds does not have a free carboxyl group. In the present invention, a trifunctional or higher functional photopolymerizable monomer is used in order to obtain sufficient crosslinking density only by heat treatment at 160°C or lower.

이들 (A)성분과 (B)성분의 배합 비율은 질량비 (A)/(B)에서 50/50~90/10인 것이 좋고, 바람직하게는 60/40~80/20인 것이 좋다. (A)성분의 배합 비율이 (A)/(B)에서 50/50보다 적으면 광경화 후의 경화물이 물러지며, 또한 미노광부에 있어서 도막의 산가가 낮기 때문에 알칼리 현상액에 대한 용해성이 저하되고, 패턴 엣지가 밀링되어 샤프하게 되지 않는다는 문제가 발생하고, 또한 (A)/(B)에서 90/10보다 많으면 수지에 차지하는 광반응성 관능기의 비율이 적어 가교 구조의 형성이 충분하지 않고, 또한 수지 성분에 기인하는 노광부의 도막의 산가가 지나치게 높아 노광부에 있어서의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 높아지는 점에서 형성된 패턴이 목표로 하는 선폭보다 가늘어지거나, 패턴의 결락이 생기기 쉬워진다는 문제가 생길 우려가 있다.As for the compounding ratio of these (A) component and (B) component, it is good that it is 50/50-90/10 in mass ratio (A)/(B), It is good that it is preferably 60/40-80/20. (A) When the mixing ratio of the component is less than 50/50 in (A)/(B), the cured product after photocuring becomes brittle, and in the unexposed part, since the acid value of the coating film is low, the solubility in an alkali developer decreases, , a problem that the pattern edge is milled and not sharp occurs, and if it is more than 90/10 in (A)/(B), the proportion of photoreactive functional groups in the resin is small, so the formation of a crosslinked structure is not sufficient, and the resin Since the acid value of the coating film on the exposed part due to the component is too high and the solubility in the alkali developer in the exposed part is increased, the formed pattern becomes thinner than the target line width, or there is a possibility that there is a problem that the pattern is more likely to occur there is.

또한, (C)성분의 옥심에스테르계 중합 개시제로서는, 예를 들면 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)페닐]-,2-(O-벤조일옥심), 1-(4-(페닐술파닐)페닐)부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-(메틸술파닐)페닐)부탄-1,2-디온-2-옥심-O-아세테이트, 1-(4-(메틸술파닐)페닐)부탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)카르바졸-3-일]에탄온=O-아세틸옥심, (9-에틸-6-니트로카르바졸-3-일)[4-(2-메톡시-1-메틸에톡시)-2-메틸페닐]메탄온=O-아세틸옥심, (8-{[(아세틸옥시)이미노][2-(2,2,3,3-테트라플루오로프로폭시)페닐]메틸}-11-(2-에틸헥실)-11H-벤조[a]카르바졸-5-일)(2,4,6-트리메틸페닐)메탄온, (2-메틸페닐)(7-니트로-9,9-디프로필-9H-플루오렌-2-일)-,아세틸옥심, 에탄온,1-[7-(2-메틸벤조일)-9,9-디프로필-9H-플루오렌-2-일]-,1-(O-아세틸옥심), 에탄온,1-(-9,9-디부틸-7-니트로-9H-플루오렌-2-일)-,1-O-아세틸옥심 등을 들 수 있다. 또한, 이들 옥심에스테르계 중합 개시제를 2종류 이상 사용할 수도 있다.Moreover, as an oxime ester type polymerization initiator of (C)component, it is 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) phenyl] -, 2- (O-benzoyl oxime), 1-(4), for example. -(phenylsulfanyl)phenyl)butane-1,2-dione-2-oxime-O-benzoate, 1-(4-(methylsulfanyl)phenyl)butane-1,2-dione-2-oxime-O -acetate, 1-(4-(methylsulfanyl)phenyl)butan-1-one oxime-O-acetate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethanone =O-acetyloxime, (9-ethyl-6-nitrocarbazol-3-yl)[4-(2-methoxy-1-methylethoxy)-2-methylphenyl]methanone=O-acetyloxime, ( 8-{[(acetyloxy)imino][2-(2,2,3,3-tetrafluoropropoxy)phenyl]methyl}-11-(2-ethylhexyl)-11H-benzo[a]car bazol-5-yl) (2,4,6-trimethylphenyl) methanone, (2-methylphenyl) (7-nitro-9,9-dipropyl-9H-fluoren-2-yl)-, acetyloxime; Ethanone,1-[7-(2-methylbenzoyl)-9,9-dipropyl-9H-fluoren-2-yl]-,1-(O-acetyloxime), ethanone,1-(-9 and 9-dibutyl-7-nitro-9H-fluoren-2-yl)-,1-O-acetyloxime. Moreover, two or more types of these oxime ester type polymerization initiators can also be used.

(C)성분의 옥심에스테르계 중합 개시제의 주된 기능은 광 라디칼 중합을 개시하는 것이며, 그 사용량은 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부를 기준으로 하여 2~30질량부인 것이 좋고, 바람직하게는 5~25질량부인 것이 좋다. (C)성분의 배합 비율이 2질량부 미만인 경우에는 광중합의 속도가 느려져 감도가 저하되고, 한편 30질량부를 초과할 경우에는 감도가 지나치게 강해 패턴 선폭이 패턴 마스크에 대하여 두꺼운 상태가 되어 마스크에 대하여 충실한 선폭을 재현할 수 없거나, 또는 패턴 엣지가 밀링되어 샤프하게 되지 않는다는 문제가 생길 우려가 있다.(C) The main function of the oxime ester polymerization initiator of component is to initiate radical photopolymerization, and the amount used is preferably 2 to 30 parts by mass based on 100 parts by mass in total of component (A) and component (B), Preferably, it is good that it is 5-25 mass parts. (C) When the blending ratio of the component is less than 2 parts by mass, the speed of photopolymerization is slowed and the sensitivity is lowered. On the other hand, when it exceeds 30 parts by mass, the sensitivity is too strong and the pattern line width becomes thick with respect to the pattern mask. There is a fear that a problem arises that a faithful line width cannot be reproduced, or the pattern edge is milled and does not become sharp.

(D)성분의 아조계 중합 개시제로서는 아조비스이소부티로니트릴(10시간 반감기 온도(톨루엔)(이하 T1/2) 65℃), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발로니트릴)(T1/ 2 51℃), 디메틸2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(T1/ 2 6℃), 디메틸1,1'-아조비스(1-시클로헥산카르복실레이트)(T1/2 73℃), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴)(T1/2 88℃), 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄)(T1/ 2 61℃), 디메틸2,2'-아조비스이소부티레이트(T1/2 67℃) 등을 들 수 있다.(D) As an azo polymerization initiator of a component, azobisisobutyronitrile (10-hour half-life temperature (toluene) (hereafter T 1/2 ) 65 degreeC), 2,2'- azobis (2, 4- dimethylvalonitrile) ) (T 1/2 51 ℃), dimethyl 2,2'-azobis ( 2 -methylpropionate) (T 1/2 6 ℃), dimethyl 1,1'-azobis (1-cyclohexanecarboxyl) rate) (T 1/2 73° C.), 1,1′-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) (T 1/2 88° C.), 1,1′-azobis (1-acetoxy-1) -phenylethane) (T 1/2 61 degreeC), dimethyl 2,2'- azobisisobutyrate (T 1/2 67 degreeC ), etc. are mentioned.

(D)성분의 아조계 중합 개시제의 기능은 주로 감광성 수지 조성물의 열 라디칼 중합성을 향상시키는 것, 특히 노광, 현상 후의 포스트베이킹 시에 열중합에 의해 형성된 패턴의 경도 등의 경화물의 물성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 따라서, 포스트베이킹 조건 등에 의해 적정한 10시간 반감기 온도(T1/2)를 적정량 첨가하는 것이 필요하다. 바람직한 10시간 반감기 온도는 50~80℃이며, 그 사용량은 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부를 기준으로 하여 1~20질량부인 것이 좋고, 바람직하게는 2~15질량부인 것이 좋다.(D) The function of the azo polymerization initiator of the component is mainly to improve the thermal radical polymerizability of the photosensitive resin composition, in particular to improve the physical properties of the cured product such as the hardness of the pattern formed by thermal polymerization during post-baking after exposure and development aims to make Therefore, it is necessary to add an appropriate amount of an appropriate 10-hour half-life temperature (T 1/2 ) according to post-baking conditions or the like. A preferable 10-hour half-life temperature is 50 to 80 ° C., and the amount used is preferably 1 to 20 parts by mass, preferably 2 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass in total of the component (A) and component (B). .

(E)성분은 흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료 또는 차광재로부터 선택되는 차광 성분이며, 내열성, 내광성 및 내용제성이 우수한 것이 좋다. 여기에서, 흑색 유기 안료로서는, 예를 들면 페릴렌 블랙, 아닐린 블랙, 시아닌 블랙, 락탐 블랙 등을 들 수 있다. 혼색 유기 안료로서는 적색, 청색, 녹색, 자색, 황색, 시아닌, 마젠타 등으로부터 선택되는 2종 이상의 안료를 혼합하여 유사 흑색화된 것을 들 수 있다. 차광재로서는 카본 블랙, 산화크롬, 산화철, 티탄 블랙 등을 들 수 있다. 차광 성분은 2종 이상을 적당히 선택하여 사용할 수도 있지만, 특히 카본 블랙이 차광성, 표면 평활성, 분산 안정성, 수지와의 상용성이 양호한 점에서 바람직하다. 또한, 사용하는 카본 블랙으로서 그 표면을 염료, 수지 등으로 피복한 것을 사용하면 고저항의 경화물로 할 경우에 적합하다.(E) Component is a light-shielding component selected from a black organic pigment, a mixed color organic pigment, or a light-shielding material, and it is good that it is excellent in heat resistance, light resistance, and solvent resistance. Here, as a black organic pigment, perylene black, aniline black, cyanine black, lactam black etc. are mentioned, for example. Examples of the mixed color organic pigment include those obtained by mixing two or more types of pigments selected from red, blue, green, purple, yellow, cyanine, magenta, and the like to obtain pseudoblackness. Examples of the light-shielding material include carbon black, chromium oxide, iron oxide, and titanium black. Although two or more types of light-shielding components can be selected and used suitably, especially carbon black is preferable at the point of light-shielding property, surface smoothness, dispersion stability, and compatibility with resin. In addition, as the carbon black to be used, a carbon black whose surface is coated with a dye, a resin, etc. is suitable for making a cured product with high resistance.

또한, (F)성분의 용제로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알코올류, α- 또는 β-테르피네올 등의 테르펜류 등, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, N-메틸-2-피롤리돈 등의 케톤류, 톨루엔, 크실렌, 테트라메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류, 셀로솔브, 메틸 셀로솔브, 에틸셀로솔브, 카르비톨, 메틸카르비톨, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트, 에틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 아세트산 에스테르류 등을 들 수 있고, 이들을 사용하여 용해, 혼합시킴으로써 균일한 용액상태의 조성물로 할 수 있다.Moreover, as a solvent of (F) component, For example, alcohols, such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, ethylene glycol, propylene glycol, terpenes, such as alpha- or beta-terpineol, acetone, methyl Ketones such as ethyl ketone, cyclohexanone and N-methyl-2-pyrrolidone, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, and tetramethylbenzene, cellosolve, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, carbitol, methylcarbohydrate Bitol, ethyl carbitol, butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, etc. glycol ethers, ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol Acetic acid esters, such as monoethyl ether acetate, etc. are mentioned, It can be set as the composition of a uniform solution state by dissolving and mixing using these.

(E)의 차광 성분은 바람직하게는 미리 용제(F)에 (G)분산제와 함께 분산시켜 차광성 분산액으로 한 후에 차광막용 감광성 수지 조성물로서 배합하는 것이 좋다. 여기에서, 분산시키는 용제는 상기 (F)성분에 열거한 것이면 사용할 수 있지만, 예를 들면 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트 등이 적합하게 사용된다. 차광성 분산액을 형성하는 (E)의 차광 성분의 배합 비율에 대해서는 본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물의 전고형분에 대하여 40~70질량%의 범위에서 사용되는 것이 좋고, 40~60질량%의 범위가 특히 바람직하다. 40질량%보다 적으면 고차광용으로서는 차광성이 충분하지 않게 된다. 70질량%를 초과하면 본래의 바인더가 되는 감광성 수지의 함유량이 감소하기 때문에 현상 특성을 손상함과 아울러, 막형성능이 손상된다는 바람직하지 않은 문제가 생긴다. 또한, 차광막용 감광성 수지 조성물의 전고형분에는 차광막용 감광성 수지 조성물을 광경화에 의해 고형분이 되는 성분도 포함된다.The light-shielding component of (E) is preferably dispersed in the solvent (F) together with the dispersing agent (G) in advance to obtain a light-shielding dispersion, and then blended as a photosensitive resin composition for a light-shielding film. Here, although the solvent to disperse|distribute can be used if it enumerates in the said (F) component, For example, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, etc. are used suitably. About the blending ratio of the light-shielding component of (E) which forms the light-shielding dispersion liquid, it is preferable to use in the range of 40-70 mass % with respect to the total solid of the photosensitive resin composition for light-shielding films of this invention, The range of 40-60 mass % is particularly preferred. When it is less than 40 mass %, light-shielding property will become insufficient for high light-shielding use. When it exceeds 70 mass %, since content of the photosensitive resin used as an original binder reduces, while impairing development characteristics, the undesirable problem that film-forming ability is impaired arises. Moreover, the component used as solid content by photocuring of the photosensitive resin composition for light-shielding films is also contained in the total solid of the photosensitive resin composition for light-shielding films.

사용하는 분산제(G)에 대해서는 각종 고분자 분산제 등의 공지의 분산제를 사용할 수 있다. 분산제의 구체적인 예로서는 종래 안료 분산에 사용되어 있는 공지의 화합물(분산제, 분산 습윤제, 분산 촉진제 등의 명칭으로 시판되어 있는 화합물 등)을 특별히 제한 없이 사용할 수 있지만, 예를 들면 양이온성 고분자계 분산제, 음이온성 고분자계 분산제, 비이온성 고분자계 분산제, 안료 유도체형 분산제(분산 조제) 등을 제시할 수 있다. 특히, 안료로의 흡착점으로서 이미다졸릴기, 피롤릴기, 피리딜기, 1급, 2급 또는 3급의 아미노기 등의 양이온성의 관능기를 갖고, 아민가가 1~100㎎KOH/g, 수 평균 분자량이 1000~10만의 범위에 있는 양이온성 고분자계 분산제는 적합하다. 이 분산제의 배합량에 대해서는 차광 성분에 대하여 1~30질량%인 것이 좋고, 바람직하게는 2~25질량%인 것이 좋다.As for the dispersing agent (G) to be used, well-known dispersing agents, such as various polymer dispersing agents, can be used. Specific examples of the dispersant include known compounds (compounds marketed under the names of dispersants, dispersion wetting agents, dispersion accelerators, etc.) conventionally used for dispersing pigments without particular limitation. For example, cationic polymer-based dispersants, anions A high molecular weight dispersing agent, a nonionic high molecular weight dispersing agent, a pigment derivative type dispersing agent (dispersing aid), and the like can be presented. In particular, it has a cationic functional group such as an imidazolyl group, a pyrrolyl group, a pyridyl group, a primary, secondary or tertiary amino group as an adsorption point to the pigment, and has an amine value of 1 to 100 mgKOH/g, a number average molecular weight A cationic polymer-based dispersant in the range of 1000 to 100,000 is suitable. About the compounding quantity of this dispersing agent, it is good that it is 1-30 mass % with respect to a light-shielding component, It is good that it is preferably 2-25 mass %.

또한, 차광성 분산액을 조제할 때에 상기 분산제에 추가하여 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지의 일부를 공분산시킴으로써 차광막용 감광성 수지 조성물로 했을 때, 노광 감도를 고감도로 유지하기 쉽게 하고, 현상 시의 밀착성이 양호하며 잔사의 문제도 발생하기 어려운 감광성 수지 조성물로 할 수 있다. 그때의 (A)성분의 배합량은 차광성 분산액 중 2~20질량%인 것이 바람직하고, 5~15질량%인 것이 보다 바람직하다. (A)성분이 2질량% 미만이면 공분산된 효과인 감도 향상, 밀착성 향상, 잔사 저감이라는 효과를 얻을 수 없다. 또한, 20질량% 초과이면, 특히 차광재의 함유량이 클 때에 차광성 분산액의 점도가 높고, 균일하게 분산시키는 것이 곤란하거나 또는 매우 시간을 요하게 되어고저항의 도막을 얻기 위한 감광성 수지 조성물을 얻는 것이 어려워진다. 그리고, 얻어진 차광성 분산액은 (A)성분, (B)성분, (C)성분, (D)성분과 혼합하고, (F)성분을 필요에 따라 추가해서 제막 조건에 적합한 점도로 조정함으로써 차광막용 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.In addition, when preparing the light-shielding dispersion liquid, in addition to the above dispersing agent, a part of the polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin of component (A) is co-dispersed to obtain a photosensitive resin composition for a light-shielding film. , It can be set as the photosensitive resin composition with favorable adhesiveness at the time of image development, and the problem of a residue also being hard to generate|occur|produce. It is preferable that it is 2-20 mass % in light-shielding dispersion liquid, and, as for the compounding quantity of (A) component in that case, it is more preferable that it is 5-15 mass %. (A) If component is less than 2 mass %, the effect of the sensitivity improvement which is an effect co-dispersed, adhesive improvement, and residue reduction cannot be acquired. In addition, if it exceeds 20 mass %, especially when the content of the light-shielding material is large, the viscosity of the light-shielding dispersion is high, and it is difficult to uniformly disperse it, or it is very time-consuming, and it is difficult to obtain a photosensitive resin composition for obtaining a coating film of high resistance. lose And the obtained light-shielding dispersion liquid is mixed with (A) component, (B) component, (C)component, and (D) component, and (F) component is added as needed and adjusted to the viscosity suitable for film forming conditions to be used for light-shielding film It can be set as the photosensitive resin composition.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 옥심에스테르계 및 아조계 이외의 중합 개시제, 연쇄 이동제, 증감제, 비감광성 수지, 경화 촉진제, 산화 방지제, 가소제, 충전재, 레벨링제, 소포제, 커플링제, 계면활성제, 색조정용 안료 및 염료 등의 첨가제를 배합할 수 있다. 옥심에스테르계 및 아조계 이외의 중합 개시제로서는 아세토페논류, 벤조페논류, α-히드록시알킬페논류, α-아미노알킬페논류, 벤조인에테르류, 비이미다졸계 화합물류, 할로메틸디아졸 화합물류, 할로메틸-s-트리아진계 화합물류 등을 들 수 있고, 연쇄 이동제, 증감제로서는 일반적으로 황원자 함유 화합물이 사용되고, 메르캅토 화합물류, 디술피드 화합물류 등을 들 수 있고, 1,4-비스(3-메르캅토부티릴옥시)부탄 등의 지방족 다관능 티올류를 바람직하게 예시할 수 있다. 비감광성 수지로서는 비스페놀형 에폭시 수지류, 노볼락형 에폭시 수지류, 지환식 에폭시 수지류, 에폭시실리콘 수지류 등을 들 수 있고, 산화 방지제로서는 힌더드페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제 등을 들 수 있고, 가소제로서는 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 인산 트리크레실 등을 들 수 있고, 충전재로서는 유리 섬유, 실리카, 마이카, 알루미나 등을 들 수 있고, 소포제나 레벨링제로서는 실리콘계, 불소계, 아크릴계의 화합물을 들 수 있다. 또한, 계면활성제로서는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등을 들 수 있고, 커플링제로서는 3-(글리시딜옥시)프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-우레이드프로필트리에톡시실란 등의 실란 커플링제를 들 수 있다.In addition, in the photosensitive resin composition of the present invention, if necessary, polymerization initiators other than oxime ester-based and azo-based polymerization initiators, chain transfer agents, sensitizers, non-photosensitive resins, curing accelerators, antioxidants, plasticizers, fillers, leveling agents, anti-foaming agents, coupling agents , surfactants, pigments for color adjustment, and additives such as dyes can be blended. Examples of polymerization initiators other than oxime esters and azos include acetophenones, benzophenones, α-hydroxyalkylphenones, α-aminoalkylphenones, benzoin ethers, biimidazole compounds, and halomethyldiazole. compounds, halomethyl-s-triazine-based compounds, and the like. As a chain transfer agent and sensitizer, a compound containing a sulfur atom is generally used, and mercapto compounds and disulfide compounds are mentioned, and 1,4 Aliphatic polyfunctional thiols, such as -bis(3-mercaptobutyryloxy)butane, can be illustrated preferably. Examples of the non-photosensitive resin include bisphenol-type epoxy resins, novolac-type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, and epoxy silicone resins. Examples of the antioxidant include hindered phenolic antioxidants and phosphorus-based antioxidants. Examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, and tricresyl phosphate, and examples of the filler include glass fiber, silica, mica, and alumina. can be heard Moreover, as surfactant, a fluorine-type surfactant, silicone type surfactant, etc. are mentioned, As a coupling agent, 3-(glycidyloxy) propyl trimethoxysilane, 3-isocyanate propyl triethoxysilane, 3-ureide propyl tri Silane coupling agents, such as ethoxysilane, are mentioned.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 적합하게는 상기 (A)~(F)성분을 주성분으로서 함유한다. 용제를 제외한 고형분(고형분에는 경화 후에 고형분이 되는 모노머를 포함함) 중에 (A)~(E)성분이 합계로 80질량%, 바람직하게는 90질량% 이상 포함하는 것이 바람직하다. (F)용제의 양은 목표로 하는 점도에 따라 변화되지만, 감광성 수지 조성물 중에 70~90질량%의 범위에서 포함되도록 하는 것이 좋다.The photosensitive resin composition of this invention contains the said (A)-(F) component as a main component suitably. 80 mass % of components (A) - (E) in total in solid content (solid content contains the monomer which becomes solid content after hardening) excluding a solvent, It is preferable to contain 90 mass % or more preferably. (F) Although the quantity of a solvent changes with the target viscosity, it is good to make it contained in the range of 70-90 mass % in the photosensitive resin composition.

본 발명에 있어서의 차광막용 감광성 수지 조성물을 사용한 차광막의 형성 방법으로서는 이하와 같은 포토리소그래피법이 있다. 우선, 감광성 수지 조성물을 플라스틱 기판이나 디바이스 상에 도포하고, 이어서 용매를 건조시킨(프리베이킹) 후, 이렇게 하여 얻어진 피막에 포토마스크를 통해 자외선을 조사해서 노광부를 경화시키고, 알카리 수용액을 사용하여 미노광부를 용출시키는 현상을 더 행하여 패턴을 형성하고, 또한 후경화로서 포스트베이킹(열소성)을 행하는 방법을 들 수 있다.As a formation method of the light-shielding film using the photosensitive resin composition for light-shielding films in this invention, there exist the following photolithographic methods. First, a photosensitive resin composition is applied on a plastic substrate or device, and then the solvent is dried (pre-baking), and then the resulting film is irradiated with ultraviolet rays through a photomask to cure the exposed part, and mino using an aqueous alkali solution. A method of further performing the development of eluting the light portion to form a pattern and performing post-baking (thermal firing) as post-curing is exemplified.

본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포하는 기판으로서는 내열 온도가 160℃ 이하인 PET, PEN 등 수지제 필름(플라스틱 기판)을 들 수 있다. 여기에서, 내열 온도란 기판 상으로의 차광막의 패턴 형성 등의 가공 프로세스에 있어서 기판이 폭로해도 변형 등의 문제가 생기지 않는 온도이며, 수지제 필름에 대해서는 연신 처리의 정도에 따라서도 변화되지만, 적어도 유리 전이 온도(Tg)를 초과하지 않는 것이 필요하다. 또한, 수지제 필름 상에 ITO나 금 등의 전극이 증착 또는 패터닝된 것도 기판으로서 예시할 수 있다.As a board|substrate to which the photosensitive resin composition of this invention is apply|coated, a resin film (plastic board|substrate), such as PET and PEN whose heat-resistant temperature is 160 degrees C or less, is mentioned. Here, the heat resistance temperature is a temperature at which problems such as deformation do not occur even when the substrate is exposed in a processing process such as pattern formation of a light-shielding film on the substrate. It is necessary not to exceed the glass transition temperature (Tg). Moreover, the thing which vapor-deposited or patterned electrodes, such as ITO and gold|metal|money, on the resin film can be illustrated as a board|substrate.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포하는 기판의 다른 예로서는 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 등과 같이 기판 자체의 내열성은 높지만 기판 상에 내열성이 낮은 박막 등을 형성한 것도 포함된다. 구체적인 예로서는 유리나 실리콘 웨이퍼 상에 유기 EL(OLED)이나 유기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한 디바이스를 들 수 있다. 또한, 수지제 필름이나 디바이스 등 본 발명에서 대상으로 하는 내열성이 낮은 기판의 내열 온도로서는 수지의 종류나 디바이스에 따라서도 상이하지만, 일반적으로는 100~160℃라고 할 수 있다.In addition, other examples of the substrate to which the photosensitive resin composition of the present invention is applied include those in which a thin film having high heat resistance but low heat resistance is formed on the substrate, such as a glass substrate or a silicon wafer. As a specific example, the device which formed organic electroluminescent (OLED) or organic thin film transistor (TFT) on glass or a silicon wafer is mentioned. In addition, the heat resistance temperature of the low heat resistance substrate made into the object of this invention, such as a resin film and a device, although it changes also with the kind of resin and a device, it can be generally said 100-160 degreeC.

이들 기판 상에 감광성 수지 조성물의 용액을 도포하는 방법으로서는 공지의 용액 침지법, 스프레이법 이외에 롤러 코터기, 랜드 코터기, 슬릿 코터기나 스피너기를 사용하는 방법 등 중 어느 방법이나 채용할 수 있다. 이들 방법에 의해 소망의 두께로 도포한 후 용제를 제거(프리베이킹)함으로써 피막이 형성된다. 프리베이킹은 오븐, 핫플레이트 등에 의해 가열함으로써 행해진다. 프리베이킹에 있어서의 가열 온도 및 가열 시간은 사용하는 용제에 따라 적당히 선택되고, 예를 들면 60~110℃의 온도에서 1~3분간 행해진다.As a method of applying the solution of the photosensitive resin composition on these substrates, any method, such as a method using a roller coater machine, a land coater machine, a slit coater machine, or a spinner machine, in addition to the known solution immersion method and spray method, can be adopted. After coating to a desired thickness by these methods, a film is formed by removing the solvent (pre-baking). Pre-baking is performed by heating with an oven, a hot plate, or the like. The heating temperature and heating time in prebaking are suitably selected according to the solvent to be used, and it is performed at the temperature of 60-110 degreeC for 1-3 minutes, for example.

프리베이킹 후에 행해지는 노광은 자외선 노광 장치에 의해 행해지고, 포토마스크를 개재하여 노광함으로써 패턴에 대응한 부분의 레지스트만을 감광시킨다. 노광 장치 및 그 노광 조사 조건은 적당히 선택되고, 초고압 수은등, 고압 수은 램프, 메탈할라이드 램프, 원자외선등 등의 광원을 사용하여 노광을 행하고, 도막 중의 감광성 수지 조성물을 광경화시킨다.The exposure performed after pre-baking is performed by an ultraviolet exposure apparatus, and only the resist of the part corresponding to a pattern is photosensitized by exposing through a photomask. An exposure apparatus and its exposure irradiation conditions are appropriately selected, exposure is performed using light sources, such as an ultra-high pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, and a deep ultraviolet lamp, and the photosensitive resin composition in a coating film is photocured.

노광 후의 알칼리 현상은 노광되지 않는 부분의 레지스트를 제거할 목적으로 행해지고, 이 현상에 의해 소망의 패턴이 형성된다. 이 알칼리 현상에 적합한 현상액으로서는, 예를 들면 알칼리 금속이나 알칼리 토류 금속의 탄산염의 수용액, 알칼리 금속의 수산화물의 수용액 등을 들 수 있지만, 특히 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산리튬 등의 탄산염을 0.05~3질량% 함유하는 약알칼리성 수용액을 사용하여 23~28℃의 온도에서 현상하는 것이 좋고, 시판된 현상기나 초음파 세정기 등을 사용하여 미세한 화상을 정밀하게 형성할 수 있다.Alkali development after exposure is performed for the purpose of removing the resist in an unexposed portion, and a desired pattern is formed by this development. As a developing solution suitable for this alkali development, for example, an aqueous solution of a carbonate of an alkali metal or alkaline earth metal, an aqueous solution of an alkali metal hydroxide, etc. are mentioned, In particular, 0.05-3 mass of carbonates, such as sodium carbonate, potassium carbonate, lithium carbonate, It is preferable to develop at a temperature of 23 to 28° C. using a weakly alkaline aqueous solution containing

현상 후 바람직하게는 100~160℃의 온도 및 20~60분의 조건에서 열처리(포스트베이킹)가 행해진다. 이 포스트베이킹은 패터닝된 차광막과 기판의 밀착성을 높이기 위해서 등의 목적으로 행해진다. 이는 프리베이킹과 마찬가지로 오븐, 핫플레이트 등에 의해 가열함으로써 행해진다. 본 발명의 패터닝된 차광막은 이상의 포토리소그래피법에 의한 각 공정을 거쳐 형성된다.After development, heat treatment (post-baking) is preferably performed at a temperature of 100 to 160° C. and for 20 to 60 minutes. This post-baking is performed for the purpose of improving the adhesiveness between the patterned light-shielding film and a board|substrate. This is done by heating with an oven, a hot plate, etc. similarly to pre-baking. The patterned light-shielding film of the present invention is formed through each process by the above photolithography method.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상술한 바와 같이 노광, 알칼리 현상 등의 조작에 의해 내열 온도가 낮은 기판에 이르기까지 상기 기판 상에 차광막을 형성하는 데에 적합하게 사용할 수 있고, 특히 미세한 차광막 패턴까지 필요한 경우에도 적합하다. 구체적으로는 내열 온도가 낮은 기판을 사용하는 경우 등에 컬러 필터용, 유기 EL 화소 형성용의 블랙 매트릭스나 격벽재(RGB를 잉크젯법에 의해 형성하는 경우 등용), 차광막, 터치패널용 차광막 등을 형성하는 데에 유용하며, 이들 차광막이 부착된 기판을 액정이나 유기 EL 등의 표시 장치용 또는 촬영 소자의 부재 대상(즉, 이들을 통틀어 디스플레이용 기판으로 칭함)으로 하는 것이 가능하다.As described above, the photosensitive resin composition of the present invention can be suitably used to form a light-shielding film on a substrate up to a substrate having a low heat-resistance temperature by operations such as exposure and alkali development, and in particular, a fine light-shielding film pattern is required. It is also suitable for Specifically, when a substrate with a low heat resistance temperature is used, a black matrix or partition material for forming an organic EL pixel or a black matrix for forming an organic EL pixel (for example, when forming RGB by inkjet method), a light-shielding film, a light-shielding film for a touch panel, etc. are formed for a color filter, etc. It is useful to do this, and it is possible to make the substrate to which these light-shielding films are attached as an object for display devices such as liquid crystal or organic EL or as a member object of a photographing element (that is, they are collectively referred to as a display substrate).

실시예Example

이하, 실시예 및 비교예에 의거하여 본 발명의 실시형태를 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although embodiment of this invention is concretely described based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to these.

우선, 본 발명의 (A)중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지의 합성예를 나타낸다. 합성예에 있어서의 수지의 평가는 이하와 같이 행했다.First, the synthesis example of (A) polymerizable unsaturated group containing alkali-soluble resin of this invention is shown. Evaluation of resin in a synthesis example was performed as follows.

[고형분 농도][Solid content concentration]

합성예 중에서 얻어진 수지 용액 1g을 유리 필터[중량: W0(g)]에 함침시켜 칭량하고[W1(g)], 160℃에서 2hr 가열한 후의 중량[W2(g)]으로부터 다음 식에 의해 구했다.1 g of the resin solution obtained in the synthesis example was impregnated in a glass filter [weight: W 0 (g)], weighed [W 1 (g)], and heated at 160 ° C. for 2 hours [W 2 (g)] from the weight [W 2 (g)] saved by

고형분 농도(중량%)=100×(W2-W0)/(W1-W0)Solid content concentration (wt%)=100×(W 2 -W 0 )/(W 1 -W 0 )

[산가][acid value]

수지 용액을 디옥산에 용해시키고, 전위차 적정 장치[HIRANUMA SANGYO Co., Ltd.제 상품명 COM-1600]를 사용하여 1/10N-KOH 수용액으로 적정하여 구했다.The resin solution was dissolved in dioxane, and titrated with a 1/10 N-KOH aqueous solution was obtained using a potentiometric titrator (trade name COM-1600 manufactured by HIRANUMA SANGYO Co., Ltd.).

[분자량][Molecular Weight]

겔 투과 크로마토그래피(GPC)[TOSOH CORPORATION제 상품명 HLC-8220GPC, 용매: 테트라히드로푸란, 컬럼: TSKgelSuperH-2000(2개)+TSKgelSuperH-3000(1개)+TSKgelSuperH-4000(1개)+TSKgelSuper-H5000(1개)[TOSOH CORPORATION제], 온도: 40℃, 속도: 0.6㎖/min]로 측정하고, 표준 폴리스티렌[TOSOH CORPORATION제 PS-올리고머 키트] 환산값으로서 중량 평균 분자량(Mw)을 구했다.Gel permeation chromatography (GPC) [trade name HLC-8220GPC manufactured by TOSOH CORPORATION, solvent: tetrahydrofuran, column: TSKgelSuperH-2000 (2 pcs.) + TSKgelSuperH-3000 (1 pc.) + TSKgelSuperH-4000 (1 pc.) + TSKgelSuper- H5000 (1 piece) [manufactured by TOSOH CORPORATION], temperature: 40°C, speed: 0.6 ml/min], the weight average molecular weight (Mw) was determined as a conversion value of standard polystyrene [PS-oligomer kit manufactured by TOSOH Corporation].

또한, 합성예에서 사용하는 약호는 다음과 같다.In addition, the abbreviation used by the synthesis example is as follows.

BPFE: 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌과 클로로메틸옥실란의 반응물.BPFE: reaction of 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene with chloromethyloxylan.

일반식(I)의 화합물에 있어서, A가 플루오렌-9,9-디일, R1, R2, R3, R4가 수소의 화합물.A compound of formula (I), wherein A is fluorene-9,9-diyl, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 is hydrogen.

AA: 아크릴산AA: acrylic acid

BPDA: 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

THPA: 1,2,3,6-테트라히드로프탈산 무수물THPA: 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

MMA: 메타크릴산 메틸MMA: methyl methacrylate

CHMA: 메타크릴산 시클로헥실CHMA: cyclohexyl methacrylate

GMA: 메타크릴산 글리시딜GMA: glycidyl methacrylate

TEAB: 테트라에틸암모늄브로마이드TEAB: tetraethylammonium bromide

AIBN: 아조비스이소부티로니트릴AIBN: azobisisobutyronitrile

TPP: 트리페닐포스핀TPP: triphenylphosphine

DTBC: 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸DTBC: 2,6-di-tert-butyl-p-cresol

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate

DMDG: 디에틸렌글리콜디메틸에테르DMDG: diethylene glycol dimethyl ether

[합성예 1][Synthesis Example 1]

환류 냉각기가 부착된 500㎖ 4구 플라스크 중에 BPFE 114.4g(0.23몰), AA 33.2g(0.46몰), PGMEA 157g 및 TEAB 0.48g을 주입하고, 100~105℃에서 가열하에 20hr 교반하여 반응시켰다. 이어서, 플라스크 내에 BPDA 35.3g(0.12몰), THPA 18.3g(0.12몰)을 주입하고, 120~125℃에서 가열하에 6hr 교반하여 알칼리 가용성 수지(A)-1을 얻었다. 얻어진 수지 용액의 고형분 농도는 56.1wt%, 산가(고형분 환산)는 103㎎KOH/g, GPC 분석에 의한 Mw는 3600이었다.BPFE 114.4g (0.23 mol), AA 33.2g (0.46 mol), PGMEA 157g and TEAB 0.48g were injected into a 500ml four-neck flask equipped with a reflux condenser, and stirred at 100-105° C. for 20 hr under heating to react. Next, 35.3 g (0.12 mol) of BPDA and 18.3 g (0.12 mol) of THPA were injected into the flask, and stirred for 6 hr under heating at 120 to 125°C to obtain alkali-soluble resin (A)-1. The solid content concentration of the obtained resin solution was 56.1 wt%, the acid value (solid content conversion) was 103 mgKOH/g, and Mw by GPC analysis was 3600.

[합성예 2][Synthesis Example 2]

질소 도입관 및 환류관이 부착된 1000㎖ 4구 플라스크 중에 MAA 51.7g(0.60몰), MMA 38.0g(0.38몰), CHMA 37.0g(0.22몰), AIBN 5.91g, 및 DMDG 295g을 주입하고, 80~85℃에서 질소 기류하 8hr 교반하여 중합시켰다. 또한, 플라스크 내에 GMA 39.8g(0.28몰), TPP 1.44g, DTBC 0.055g을 주입하고, 80~85℃에서 16hr 교반하여 중합성 불포화기 함유 (메타)아크릴레이트 수지(A)-2를 얻었다. 얻어진 수지 용액의 고형분 농도는 35.5질량%, 산가(고형분 환산)는 110㎎KOH/g, GPC 분석에 의한 Mw는 18080이었다.51.7 g (0.60 mol) of MAA, 38.0 g (0.38 mol) of MMA, 37.0 g (0.22 mol) of CHMA, 5.91 g of AIBN, and 295 g of DMDG were injected into a 1000 ml four-neck flask equipped with a nitrogen inlet tube and a reflux tube, Polymerization was carried out by stirring for 8 hours at 80-85°C under a nitrogen stream. Furthermore, GMA 39.8g (0.28mol), TPP 1.44g, and DTBC 0.055g were inject|poured in the flask, and it stirred at 80-85 degreeC for 16 hr, and polymerizable unsaturated group containing (meth)acrylate resin (A)-2 was obtained. The solid content concentration of the obtained resin solution was 35.5 mass %, the acid value (solid content conversion) was 110 mgKOH/g, and Mw by GPC analysis was 18080.

이어서, 차광막용 감광성 수지 조성물 및 그 경화물의 제조에 관한 실시예 및 비교예에 의거하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 여기에서, 이후의 실시예 및 비교예의 차광막용 감광성 수지 조성물 및 그 경화물의 제조에서 사용한 원료 및 약호는 이하와 같다.Next, although this invention is concretely demonstrated based on the Example and comparative example regarding manufacture of the photosensitive resin composition for light-shielding films, and its hardened|cured material, this invention is not limited to these. Here, the raw material and abbreviation used in manufacture of the photosensitive resin composition for light-shielding films of a subsequent Example and a comparative example, and its hardened|cured material are as follows.

(중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지)(Alkali-soluble resin containing polymerizable unsaturated group)

(A)-1: 상기 합성예 1에서 얻어진 알칼리 가용성 수지 용액(A)-1: Alkali-soluble resin solution obtained in Synthesis Example 1 above

(A)-2: 상기 합성예 2에서 얻어진 알칼리 가용성 수지 용액(A)-2: Alkali-soluble resin solution obtained in Synthesis Example 2 above

(광중합성 모노머)(photopolymerizable monomer)

(B)-1: 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트와 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트의 혼합물(TOAGOSEI CO., LTD.제, 상품명 ARONIX M-405)(B)-1: a mixture of dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate (manufactured by TOAGOSEI CO., LTD., trade name ARONIX M-405)

(B)-2: 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(Sartomer Company제, 상품명 SR351S)(B)-2: trimethylolpropane triacrylate (manufactured by Sartomer Company, trade name SR351S)

(B)-3: 비스페놀A의 EO부가물 디아크릴레이트(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제, 상품명 라이트 아크릴레이트 BP-4EAL)(B)-3: EO adduct diacrylate of bisphenol A (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name light acrylate BP-4EAL)

(옥심에스테르계 중합 개시제)(Oxime ester polymerization initiator)

(C): 에탄온, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(0-아세틸옥심)(BASF Corp.제, 제품명 IRGACURE OXE02)(C): ethanone, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-, 1-(0-acetyloxime) (manufactured by BASF Corp., product name IRGACURE OXE02)

(아조계 중합 개시제 외)(Excluding azo polymerization initiators)

(D)-1: 2,2-아조비스이소부티로니트릴(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제 상품명 V-60)(D)-1: 2,2-azobisisobutyronitrile (trade name V-60 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

(D)-2: 디메틸2,2-아조비스2-메틸프로피오네이트)(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제 상품명 V-601)(D)-2: Dimethyl 2,2-azobis 2-methylpropionate) (trade name V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

(D)-3: 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄)(Otsuka Chemical Co., Ltd.제 상품명: OTAZO-15)(D)-3: 1,1'-azobis(1-acetoxy-1-phenylethane) (Otsuka Chemical Co., Ltd. trade name: OTAZO-15)

(D)-4: 벤조일퍼옥사이드(NOF CORPORATION제 상품명: NYPER BMT-K40)(D)-4: benzoyl peroxide (product name manufactured by NOF CORPORATION: NYPER BMT-K40)

(차광성 분산 안료)(Light-shielding dispersion pigment)

(E): 카본 블랙 농도 25.0질량%, 고분자 분산제 농도 4.75질량%의 PGMEA 분산액(고형분 29.75%)(E): PGMEA dispersion (solid content 29.75%) having a carbon black concentration of 25.0% by mass and a polymer dispersant concentration of 4.75% by mass

(용제)(solvent)

(F)-1: PGMEA(F)-1: PGMEA

(F)-2: 시클로헥산온(F)-2: cyclohexanone

(실란 커플링제)(Silane coupling agent)

(H): S-510(JNC CORPORATION제)(H): S-510 (manufactured by JNC CORPORATION)

(계면활성제)(Surfactants)

(I): Megafac F475(DIC Corporation제)(I): Megafac F475 (manufactured by DIC Corporation)

상기 배합 성분을 표 1에 나타내는 비율로 배합하여 실시예 1~6 및 비교예 1~4의 감광성 수지 조성물을 조제했다. 또한, 표 1 중의 수치는 모두 질량부를 나타낸다. 또한, (F)-1 및 (F)-2는 (A)-1 및 (A)-2 중의 용제와 (E) 중의 용제를 포함하지 않는 양이다.The said compounding component was mix|blended in the ratio shown in Table 1, and the photosensitive resin composition of Examples 1-6 and Comparative Examples 1-4 was prepared. In addition, all the numerical values in Table 1 show a mass part. In addition, (F)-1 and (F)-2 are quantities which do not contain the solvent in (A)-1 and (A)-2, and the solvent in (E).

Figure 112017031192277-pat00003
Figure 112017031192277-pat00003

[평가][evaluation]

실시예 1~6 및 비교예 1~4의 블랙 레지스트용 감광성 수지 조성물을 사용하여 이하에 기재하는 평가를 행했다. 이들 평가 결과를 표 2 및 표 3에 나타낸다.Evaluation described below was performed using the photosensitive resin composition for black resists of Examples 1-6 and Comparative Examples 1-4. These evaluation results are shown in Table 2 and Table 3.

<현상 특성(패턴 선폭·패턴 직선성)의 평가><Evaluation of development characteristics (pattern line width, pattern linearity)>

상기에서 얻어진 각 감광성 수지 조성물을 스핀 코터를 사용하여 125㎜×125㎜의 유리 기판(코닝 1737) 상에 포스트베이킹 후의 막두께가 1.2㎛가 되도록 도포하고, 90℃에서 1분간 프리베이킹했다. 그 후, 노광 갭을 100㎛로 조정하고, 건조 도막 상에 라인/스페이스=10㎛/50㎛의 네거티브형 포토마스크를 씌우고, i선 조도 30mW/㎠의 초고압 수은 램프로 50mJ/㎠의 자외선을 조사하여 감광 부분의 광경화 반응을 행했다.Each photosensitive resin composition obtained above was coated on a 125 mm x 125 mm glass substrate (Corning 1737) using a spin coater so that the film thickness after post-baking was 1.2 µm, and prebaked at 90°C for 1 minute. After that, the exposure gap was adjusted to 100 μm, a negative photomask of line/space = 10 μm/50 μm was put on the dry coating film, and UV rays of 50 mJ/cm 2 were irradiated with an ultra-high pressure mercury lamp with an i-line illuminance of 30 mW/cm 2 It was irradiated and photocuring reaction of the photosensitive part was performed.

이어서, 이 노광이 완료된 도판을 25℃, 0.04% 수산화칼륨 수용액에 의해 1kgf/㎠의 샤워압으로 패턴이 나타나기 시작하는 현상 시간(브레이크 타임=BT)으로부터 +10초 및 +20초의 현상 후, 5kgf/㎠압의 스프레이 수세를 행하고, 도막의 미노광부를 제거하여 유리 기판 상에 차광막 패턴을 형성하고, 그 후에 열풍 건조기 를 사용하여 120℃, 60분간 열포스트베이킹했다. 얻어진 차광막 패턴의 10㎛선의 마스크폭에 대한 선폭, 패턴 직선성을 평가했다.Subsequently, the exposed plate was subjected to +10 seconds and +20 seconds from the development time (break time = BT) at which a pattern began to appear with a shower pressure of 1 kgf/cm 2 by 25° C. and 0.04% aqueous potassium hydroxide solution, followed by development of 5 kgf Spraying was performed at a pressure of /cm 2 , unexposed portions of the coating film were removed to form a light-shielding film pattern on a glass substrate, and then post-baked at 120° C. for 60 minutes using a hot air dryer. The line width with respect to the mask width of a 10 micrometer line|wire of the obtained light-shielding film pattern, and pattern linearity were evaluated.

패턴 선폭: 측장 현미경(Nikon Corporation제 「XD-20」)을 사용해서 마스크 폭 10㎛의 패턴 선폭을 측정했다.Pattern line width: The pattern line width with a mask width of 10 µm was measured using a measuring microscope (“XD-20” manufactured by Nikon Corporation).

패턴 직선성: 포스트베이킹 후의 10㎛ 마스크 패턴을 광학현미경 관찰하고, 기판에 대한 박리나 패턴 엣지 부분의 밀링이 확인되지 않은 것을 ○, 일부에 확인되는 것을 △, 전체에 걸쳐 확인되는 것을 ×로 평가했다.Pattern linearity: Observe the 10 μm mask pattern after post-baking under an optical microscope, and evaluate it as ○ if peeling to the substrate or milling of the pattern edge portion was not confirmed, △ if it was partially confirmed, and × if it was confirmed throughout. did.

또한, 패턴 선폭 및 패턴 직선성의 평가는 BT+10초의 경우와 BT+20초의 경우로 행했다.In addition, evaluation of the pattern line width and pattern linearity was performed in the case of BT+10 second and the case of BT+20 second.

<OD/㎛의 평가><Evaluation of OD/㎛>

상기에서 얻어진 각 감광성 수지 조성물을 스핀 코터를 사용하여 125㎜×125㎜의 유리 기판(코닝 1737) 상에 포스트베이킹 후의 막두께가 1.1㎛가 되도록 도포하고, 90℃에서 1분간 프리베이킹했다. 그 후, 네거티브형 포토마스크를 씌우지 않고 i선 조도 30mW/㎠의 초고압 수은 램프로 80mJ/㎠의 자외선을 조사하여 광경화 반응을 행다.Each photosensitive resin composition obtained above was coated on a 125 mm x 125 mm glass substrate (Corning 1737) using a spin coater so that the film thickness after post-baking was 1.1 µm, and pre-baked at 90°C for 1 minute. Thereafter, a photocuring reaction is performed by irradiating an ultraviolet ray of 80 mJ/cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp with an i-line irradiance of 30 mW/cm 2 without a negative photomask.

이어서, 이 노광이 완료된 도판을 25℃, 0.05% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 1kgf/㎠의 샤워압으로 60초의 현상 후, 5kgf/㎠압의 스프레이 수세를 행하고, 그 후 열풍 건조기를 사용하여 120℃, 60분간 열포스트베이킹했다. 이 도판의 OD값을 맥베스 투과 농도계를 사용하여 평가했다. 또한, 도판에 형성한 차광막의 막두께를 측정하고, OD값을 막두께로 나눈 값을 OD/㎛로 했다.Next, the exposed plate was developed at 25 ° C., using a 0.05% aqueous potassium hydroxide solution for 60 seconds with a shower pressure of 1 kgf/cm 2 , followed by spray water washing at a pressure of 5 kgf/cm 2 , and then at 120 ° C. using a hot air dryer. , and heat post-baked for 60 minutes. The OD value of this conductive plate was evaluated using a Macbeth permeation densitometer. Moreover, the film thickness of the light-shielding film formed in the conductive plate was measured, and the value which divided the OD value by the film thickness was made into OD/micrometer.

<내용제성의 평가><Evaluation of solvent resistance>

OD 평가 시와 마찬가지로 작성한 도판(차광막이 부착된 유리판)을 사용하여 형성한 도막(차광막)의 내용제성을 평가했다. PGMEA 또는 시클로헥산온(아논)에 침지한 걸레로 연속해서 문질러 표면 상태를 관찰하고, 도막 표면이 용해되거나 또는 연화되어서 스크래치가 났을 때의 문지른 횟수를 기록했다. 어느 하나의 용제를 사용했을 때의 횟수가 20회 이상인 경우에는 내용제성 ○, 20회 미만인 경우에는 내용제성 ×로 했다.Solvent resistance of the coating film (light-shielding film) formed using the prepared coating plate (glass plate with a light-shielding film) similarly to the time of OD evaluation was evaluated. The surface condition was observed by continuously rubbing with a rag dipped in PGMEA or cyclohexanone (anone), and the number of rubs when the surface of the coating film was dissolved or softened and scratched was recorded. When the number of times when any one solvent was used was 20 or more times, it was set as solvent resistance (circle), and when less than 20 times, it was set as solvent resistance x.

<경시 안정성><Stability over time>

조제한 감광성 수지 용액의 초기 용액 점도에 대하여 실온 23℃에서 5일후 방치 후의 용액 점도가 초기 용액 점도의 1.5배 이상 증점한 것을 ×, 1.5배 미만을 ○으로 했다.With respect to the initial solution viscosity of the prepared photosensitive resin solution, the solution viscosity after standing at room temperature of 23°C for 5 days increased by 1.5 times or more of the initial solution viscosity, x and less than 1.5 times were defined as ○.

Figure 112017031192277-pat00004
Figure 112017031192277-pat00004

Figure 112017031192277-pat00005
Figure 112017031192277-pat00005

본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물 용액을 사용하면 실시예 1~6에 나타내는 바와 같이 120℃라는 저온에서 포스트베이킹했을 때이어도 패턴의 직선성이 유지되며, PGMEA나 아논에 대한 내용제성도 충분한 차광막 패턴을 형성할 수 있고, 또한 감광성 수지 조성물 용액으로서의 보존 안정성도 충분하다.When the photosensitive resin composition solution for a light-shielding film of the present invention is used, as shown in Examples 1 to 6, the linearity of the pattern is maintained even when post-baking at a low temperature of 120° C., and the light-shielding film pattern with sufficient solvent resistance to PGMEA or anone can be formed, and storage stability as a photosensitive resin composition solution is also sufficient.

한편, 비교예 1과 같이 광중합성 모노머로서 2관능의 모노머를 사용하면 포스트베이킹 후의 경화막의 가교 밀도가 충분히 얻어지지 않아 현상 시간이 조금 길어졌을 경우에 패턴 직선성이 나빠지고, 내용제성도 부족하다. 비교예 2와 같이 열 라디칼 중합성 부여를 위해서 아조계 중합 개시제가 아니라 과산화물계 중합 개시제를 사용하면 감광성 수지 조성물 용액으로서의 보존 안정성이 충분하지 않다. 비교예 3과 같이 아조계 중합 개시제를 첨가하지 않을 경우에는 포스트베이킹 온도가 낮은 경우에 충분한 내용제성이 얻어지지 않는다. 비교예 4와 같이 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지로서 일반식(II)의 화합물이 아니라 아크릴 공중합계의 화합물을 사용하면 낮은 포스트베이킹 온도에 있어서는 가교가 충분히 진행되지 않아 직선성이 충분히 양호한 패턴을 얻어지지 않고, 내용제성도 부족하다.On the other hand, when a bifunctional monomer is used as a photopolymerizable monomer as in Comparative Example 1, the crosslinking density of the cured film after post-baking is not sufficiently obtained, and when the development time is slightly longer, the pattern linearity deteriorates, and the solvent resistance is also insufficient. . As in Comparative Example 2, when a peroxide polymerization initiator is used instead of an azo polymerization initiator for imparting thermal radical polymerizability, storage stability as a photosensitive resin composition solution is not sufficient. When an azo polymerization initiator is not added as in Comparative Example 3, sufficient solvent resistance is not obtained when the post-baking temperature is low. As in Comparative Example 4, when an acrylic copolymer compound, not a compound of general formula (II), is used as the polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin, crosslinking does not proceed sufficiently at a low post-baking temperature, and a pattern with sufficiently good linearity is obtained. It is not obtained, and the solvent resistance is also insufficient.

본 발명에 있어서의 차광막용 감광성 수지 조성물은 차광막을 제조하는 프로세스에서 160℃를 초과하는 온도에서 열경화하는 공정을 포함하지 않더라도 선폭이 5~15㎛, 특히 10㎛ 이하에서의 현상 밀착성이나 직선성이 우수하며, 또한 내용제성이 양호한 차광막(차광 패턴)을 형성할 수 있다. 그 때문에, 내열 온도가 160℃ 이하인 PET, PEN 등의 수지제 필름이거나 유리 기판이나 실리콘 웨이퍼 상에 유기 EL이나 유기 TFT 등을 구비한 디바이스 등에 대하여 상기와 같은 특성을 구비한 차광막을 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition for a light-shielding film in the present invention has a line width of 5 to 15 µm, especially 10 µm or less, even if it does not include a step of thermosetting at a temperature exceeding 160 ° C. in the process of manufacturing the light-shielding film. A light-shielding film (light-shielding pattern) having excellent solvent resistance and good solvent resistance can be formed. Therefore, a light-shielding film having the above characteristics can be formed on a resin film such as PET or PEN having a heat resistance temperature of 160° C. or less, or a device having an organic EL or organic TFT on a glass substrate or silicon wafer, etc. .

즉, 본 발명의 차광막용 감광성 수지 조성물은, 예를 들면 컬러필터나 유기 EL 화소를 형성할 때 등에 필요한 블랙 매트릭스, 격벽재, 차광 기능을 갖는 컬럼 스페이서 등이라는 차광막을 내열 온도가 낮은 기판에 대하여 설치하거나, 터치패널을 형성할 때 등에 필요한 액연(베젤) 부분 등의 차광막을 설치하거나 하는 데에 적합하며, 이들 차광막이 부착된 기판(즉, 디스플레이용 기판)을 액정이나 유기 EL 등의 표시 장치의 제조에 사용하거나, CMOS 등의 고체 촬영 소자의 제조에 사용할 수 있도록 된다.That is, the photosensitive resin composition for a light-shielding film of the present invention, for example, a light-shielding film such as a black matrix, a barrier rib material, a column spacer having a light-shielding function, etc. necessary for forming a color filter or organic EL pixel, with respect to a substrate having a low heat resistance temperature. It is suitable for installing or installing a light-shielding film such as a frame (bezel) part required when forming a touch panel, etc. It can be used for manufacturing a solid state imaging device such as CMOS or for manufacturing a solid state imaging device such as CMOS.

Claims (6)

하기 (A)~(E)성분,
(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,
(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,
(C)옥심에스테르계 중합 개시제,
(D)아조계 중합 개시제인 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄), 및
(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분
을 필수 성분으로서 포함하는 것을 특징으로 하는 차광막용 감광성 수지 조성물.
The following (A) - (E) component,
(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,
(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,
(C) an oxime ester polymerization initiator;
(D) 1,1'-azobis(1-acetoxy-1-phenylethane), which is an azo polymerization initiator, and
(E) at least one light blocking component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed color organic pigment, and a light blocking material
A photosensitive resin composition for a light-shielding film, comprising as an essential component.
제 1 항에 있어서,
상기 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지는 하기 일반식(II)으로 나타내어지는 차광막용 감광성 수지 조성물.
Figure 112017031192277-pat00006

[식 중, R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1~5개의 알킬기, 할로겐원자 또는 페닐기를 나타내고, R5는 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, A는 -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, 플루오렌-9,9-디일기 또는 직결합을 나타내고, X는 4가의 카르복실산 잔기를 나타내고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소원자 또는 -OC-Z-(COOH)m(단, Z는 2가 또는 3가 카르복실산 잔기를 나타내고, m은 1 또는 2의 수를 나타낸다)을 나타내고, n은 1~20의 정수를 나타낸다]
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition for light-shielding films whose polymerizable unsaturated group containing alkali-soluble resin of the said (A) component is represented by following General formula (II).
Figure 112017031192277-pat00006

[Wherein, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, R 5 represents a hydrogen atom or a methyl group, and A is -CO -, -SO 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -Si(CH 3 ) 2 -, -CH 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -O-, fluorene-9,9- represents a diyl group or a direct bond, X represents a tetravalent carboxylic acid residue, Y 1 and Y 2 are each independently a hydrogen atom or -OC-Z-(COOH) m (provided that Z is divalent or trivalent represents a carboxylic acid residue, m represents the number of 1 or 2), and n represents an integer of 1 to 20]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 (A)성분과 (B)성분의 질량비율 (A)/(B)가 50/50~90/10이며, 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 (C)성분이 2~30질량부임과 아울러, (D)성분이 1~20질량부이며, 차광막용 감광성 수지 조성물의 광경화에 의해 고형분이 되는 성분을 포함한 고형분 중에 (E)성분이 40~70질량% 포함되는 차광막용 감광성 수지 조성물.
3. The method of claim 1 or 2,
Mass ratio (A)/(B) of said (A) component and (B) component is 50/50-90/10, (C) with respect to a total of 100 mass parts of said (A) component and (B) component While a component is 2-30 mass parts, (D)component is 1-20 mass parts, and (E)component is 40-70 mass % in solid content including the component used as solid content by photocuring of the photosensitive resin composition for light-shielding films. The photosensitive resin composition for light-shielding film contained.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
(E)성분이 카본 블랙인 차광막용 감광성 수지 조성물.
3. The method of claim 1 or 2,
(E) The photosensitive resin composition for light-shielding films whose component is carbon black.
내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 구비한 디스플레이용 기판으로서,
상기 내열 온도가 160℃ 이하인 기판은, 플라스틱 기판, 유기 EL(OLED) 또는 유기 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 유리 기판, 혹은 유기 EL(OLED) 또는 유기 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 실리콘 웨이퍼이고,
상기 차광막이 하기 (A)~(E)성분,
(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,
(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,
(C)옥심에스테르계 중합 개시제,
(D)아조계 중합 개시제인 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄), 및
(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분
을 필수 성분으로서 함유하는 차광막용 감광성 수지 조성물을 경화시킨 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판.
A display substrate having a light-shielding film on a substrate having a heat resistance temperature of 160° C. or less, the display substrate comprising:
The substrate having a heat resistance temperature of 160° C. or less is a plastic substrate, a glass substrate on which an organic EL (OLED) or an organic thin film transistor (TFT) is formed, or a silicon wafer on which an organic EL (OLED) or an organic thin film transistor (TFT) is formed,
The said light-shielding film following (A) - (E) component,
(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,
(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,
(C) an oxime ester polymerization initiator;
(D) 1,1'-azobis(1-acetoxy-1-phenylethane), which is an azo polymerization initiator, and
(E) at least one light blocking component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed color organic pigment, and a light blocking material
A display substrate obtained by curing a photosensitive resin composition for a light-shielding film containing as an essential component.
내열 온도가 160℃ 이하인 기판 상에 차광막을 구비한 디스플레이용 기판의 제조 방법으로서,
상기 내열 온도가 160℃ 이하인 기판은, 플라스틱 기판, 유기 EL(OLED) 또는 유기 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 유리 기판, 혹은 유기 EL(OLED) 또는 유기 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 실리콘 웨이퍼이고,
하기 (A)~(E) 성분,
(A)에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물의 구조를 갖는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지,
(B)적어도 3개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광중합성 모노머,
(C)옥심에스테르계 중합 개시제,
(D)아조계 중합 개시제인 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄), 및
(E)흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 및 차광재로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 차광 성분
을 필수 성분으로서 함유하는 차광막용 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 포토마스크를 개재하여 노광하고, 현상에 의해 미노광부를 제거하고, 이어서 160℃ 이하에서 가열해서 소정의 패턴을 구비한 차광막을 형성하는 것을 특징으로 하는 디스플레이용 기판의 제조 방법.
A method of manufacturing a display substrate having a light-shielding film on a substrate having a heat resistance temperature of 160° C. or less, the method comprising:
The substrate having a heat resistance temperature of 160° C. or less is a plastic substrate, a glass substrate on which an organic EL (OLED) or an organic thin film transistor (TFT) is formed, or a silicon wafer on which an organic EL (OLED) or an organic thin film transistor (TFT) is formed,
The following (A) to (E) components,
(A) an alkali-soluble resin containing a polymerizable unsaturated group having a structure of an epoxy (meth) acrylate acid adduct,
(B) a photopolymerizable monomer having at least three ethylenically unsaturated bonds,
(C) an oxime ester polymerization initiator;
(D) 1,1'-azobis(1-acetoxy-1-phenylethane), which is an azo polymerization initiator, and
(E) at least one light blocking component selected from the group consisting of a black organic pigment, a mixed color organic pigment, and a light blocking material
A photosensitive resin composition for a light-shielding film containing as an essential component is applied on a substrate, exposed through a photomask, the unexposed portion is removed by development, and then the light-shielding film having a predetermined pattern is heated at 160° C. or less. A method of manufacturing a substrate for a display, characterized in that it is formed.
KR1020170040546A 2016-03-31 2017-03-30 Photosensitive resin composition for light-shielding film, display substrate having the light-shielding film obtained by curing the same, and manufacturing method of display substrate KR102392964B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016072918A JP6758070B2 (en) 2016-03-31 2016-03-31 A method for manufacturing a photosensitive resin composition for a light-shielding film, a display substrate provided with a light-shielding film obtained by curing the photosensitive resin composition, and a display substrate.
JPJP-P-2016-072918 2016-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170113390A KR20170113390A (en) 2017-10-12
KR102392964B1 true KR102392964B1 (en) 2022-05-02

Family

ID=60004540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170040546A KR102392964B1 (en) 2016-03-31 2017-03-30 Photosensitive resin composition for light-shielding film, display substrate having the light-shielding film obtained by curing the same, and manufacturing method of display substrate

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6758070B2 (en)
KR (1) KR102392964B1 (en)
CN (1) CN107272341B (en)
TW (1) TWI736601B (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7029267B2 (en) 2017-10-06 2022-03-03 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Method for manufacturing a photosensitive resin composition and a substrate with a resin film
KR102541615B1 (en) * 2018-04-13 2023-06-09 삼성전자주식회사 Substrate treating composition for lithography and a method for fabricating semiconductor devices using the same
JP7437872B2 (en) * 2018-10-29 2024-02-26 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Photosensitive resin composition for partition walls, cured product thereof, and manufacturing method thereof
JP6689434B1 (en) * 2019-02-06 2020-04-28 昭和電工株式会社 Photosensitive resin composition, organic EL element partition wall, and organic EL element
CN116410656A (en) * 2021-12-30 2023-07-11 上海飞凯材料科技股份有限公司 Light-shielding composition, preparation method thereof and display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103838083A (en) * 2012-11-20 2014-06-04 奇美实业股份有限公司 Photosensitive resin composition, color filter formed by same and liquid crystal display element
US20160083352A1 (en) 2014-09-23 2016-03-24 Promerus, Llc Diazirine compounds and compositions derived therefrom

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4660986B2 (en) 2001-06-28 2011-03-30 Jsr株式会社 Radiation-sensitive composition for color liquid crystal display device and color filter
JP3798008B2 (en) * 2004-12-03 2006-07-19 旭電化工業株式会社 Oxime ester compound and photopolymerization initiator containing the compound
WO2008138724A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-20 Basf Se Oxime ester photoinitiators
JP5210657B2 (en) * 2007-07-18 2013-06-12 太陽ホールディングス株式会社 Pattern comprising photosensitive composition and fired product thereof
JP5191244B2 (en) * 2008-01-28 2013-05-08 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, photospacer and method for forming the same, protective film, coloring pattern, substrate for display device, and display device
KR101632081B1 (en) * 2008-04-25 2016-06-20 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 Ketoxime ester compound and use thereof
JP2010100785A (en) * 2008-10-27 2010-05-06 Fujifilm Corp Photosensitive composition and method for producing worked substrate
KR101349622B1 (en) * 2011-08-26 2014-01-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Photopolymerizable unsaturated resin, photosensitive resin composition comprising the same, and light shielding spacer and liquid crystal display device formed therefrom
JP5890375B2 (en) * 2013-11-19 2016-03-22 東京応化工業株式会社 Line pattern forming method
JP6267951B2 (en) * 2013-12-18 2018-01-24 富士フイルム株式会社 Photosensitive transfer material, pattern forming method and etching method
JP6375236B2 (en) * 2014-02-04 2018-08-15 新日鉄住金化学株式会社 Photosensitive composition for light shielding film and cured product thereof
JP6708365B2 (en) * 2014-03-07 2020-06-10 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Black photosensitive resin composition for light-shielding film, cured product using the same, and color filter and touch panel using the cured product as a light-shielding film
KR102344138B1 (en) * 2014-03-31 2021-12-28 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 Photosensitive resin composition for light shielding film, light shielding film using the same, and color filter including that film
JP6224829B2 (en) * 2014-05-27 2017-11-01 富士フイルム株式会社 Light-shielding composition
KR102028583B1 (en) * 2014-09-03 2019-10-04 동우 화인켐 주식회사 Photosensitive resin composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103838083A (en) * 2012-11-20 2014-06-04 奇美实业股份有限公司 Photosensitive resin composition, color filter formed by same and liquid crystal display element
US20160083352A1 (en) 2014-09-23 2016-03-24 Promerus, Llc Diazirine compounds and compositions derived therefrom

Also Published As

Publication number Publication date
CN107272341B (en) 2022-04-01
KR20170113390A (en) 2017-10-12
JP2017181976A (en) 2017-10-05
TWI736601B (en) 2021-08-21
CN107272341A (en) 2017-10-20
JP6758070B2 (en) 2020-09-23
TW201807488A (en) 2018-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4570999B2 (en) Photosensitive resin composition and color filter using the same
KR102392964B1 (en) Photosensitive resin composition for light-shielding film, display substrate having the light-shielding film obtained by curing the same, and manufacturing method of display substrate
KR101746607B1 (en) Photosensitive resin composition for black resist, and light shielding film of color filter
TWI686669B (en) Photosensitive resin composition for light shielding film, light shielding film using the same, and color filter including that film
JP5133658B2 (en) Photosensitive resin composition for black matrix, cured product and color filter using the same
JP7029267B2 (en) Method for manufacturing a photosensitive resin composition and a substrate with a resin film
JP2008156613A (en) Alkali-soluble resin, method for production thereof, and photosensitive resin composition using the same, cured product and color filter
KR20200115270A (en) Photosensitive resin composition, cured material thereof, substrate with that cured material, and producing method of that substrate
KR20160057931A (en) New negative photoresist composition
WO2022092281A1 (en) Polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin, photosensitive resin composition containing same as essential component, and cured product thereof
JP7049150B2 (en) A photosensitive resin composition containing a polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin as an essential component, and a cured film thereof.
TW202102943A (en) Photosensitve resin composition for black resist,light-shielding layer cured thereof,and color filter with them
JP7510449B2 (en) Photosensitive resin composition and method for producing substrate with resin film
JP7089914B2 (en) A photosensitive resin composition containing an unsaturated group-containing alkali-soluble resin as an essential component and a cured product thereof.
JP7359559B2 (en) Light-shielding film, photosensitive resin composition for obtaining the same, and method for producing light-shielding film
JP7280017B2 (en) Photosensitive resin composition, light shielding film, liquid crystal display device, and method for manufacturing liquid crystal display device
JP2022158969A (en) Photosensitive resin composition for light-shielding film, and light-shielding film, color filter and display device using the same
JP2021161402A (en) Polymerizable unsaturated group-containing alkali-soluble resin, photosensitive resin composition containing the same as essential component, and cured product of the composition
KR20220136171A (en) Photosensitive resin composition for light shielding film, and light shielding film, colorfilter and display device with the same
KR20230099670A (en) Photosensitive resin composition, cured film, color filter and display device using the same
KR20230099669A (en) Resist composition, cured product and matrix pattern using the same, pigment dispersion liquid, and method for manufacturing the resist composition
JP2023097382A (en) Photosensitive resin composition and cured film, color filter and display device including the same
KR20230141486A (en) Photosensitve resin composition, cured film thereof, substrate with that, and manufacturing method for that substrate
JP2023097381A (en) Resist composition, cured product, matrix pattern, and colored dispersion liquid including the same, and method for producing resist composition
KR20200115269A (en) Photosensitive resin composition, cured material thereof, substrate with that cured material, and producing method of that substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant