KR20170113082A - Substrate treatment device - Google Patents

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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
실시형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 유지하는 기판 유지 플레이트(20)와, 처리액(S)을 토출하는 토출구(40a)를 가지며, 기판 유지 플레이트(20)에 의해 유지된 기판(W)의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 토출구(40a)로부터 토출된 처리액(S)을 기판 유지 플레이트(20)에 의해 유지된 기판(W)의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트(40)와, 처리액 유지 플레이트(40)에 설치되고, 처리액 유지 플레이트(40)를 가열하는 히터(41)와, 기판 유지 플레이트(20)에 의해 유지된 기판에 대하여 처리액 유지 플레이트(40) 및 히터(41)를 승강시키는 승강 기구(60)와, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 토출구(40a)를 둘러싸도록 고리형으로 설치되고, 처리액(S)을 튀기는 발액층(43)을 구비한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the occurrence of quality defects in a substrate.
The substrate processing apparatus 10 according to the embodiment has a substrate holding plate 20 for holding a substrate W and a discharge port 40a for discharging the process liquid S, The processing liquid S discharged from the discharge port 40a is provided at a position away from the surface of the held substrate W and held between the surface of the substrate W held by the substrate holding plate 20 A heater 41 for heating the process liquid holding plate 40 and a heater 41 for heating the process liquid holding plate 40. The substrate holding plate 20 is provided with a process liquid holding plate 40 for holding the process liquid holding plate 40, A lifting mechanism 60 for lifting and lowering the treatment liquid retaining plate 40 and the heater 41 and an annularly arranged structure for surrounding the ejection opening 40a on the surface of the substrate W side of the treatment liquid retaining plate 40 And a liquid repellent layer (43) for repelling the treatment liquid (S).

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE}[0001] SUBSTRATE TREATMENT DEVICE [0002]

본 발명의 실시형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다. An embodiment of the present invention relates to a substrate processing apparatus.

기판 처리 장치는, 반도체나 액정 패널 등의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판 표면에 처리액(예컨대, 레지스트 박리액이나 세정액 등)을 공급하여, 기판 표면을 처리하는 장치이다. 이 기판 처리 장치로는, 기판 처리 효율 향상을 위해, 회전하는 기판 상의 처리액을 가열하고, 그 처리액의 성질이나 열량을 이용하여 기판 표면을 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치가 제안되어 있다. The substrate processing apparatus is a device for processing a surface of a substrate by supplying a processing liquid (for example, a resist stripping liquid or a cleaning liquid) to the surface of a substrate such as a wafer or a liquid crystal substrate in a manufacturing process of a semiconductor or a liquid crystal panel. This substrate processing apparatus has been proposed as a single wafer processing apparatus for heating a processing solution on a rotating substrate and treating the surface of the substrate by using the property and the amount of heat for the purpose of improving the processing efficiency of the substrate.

이 매엽식의 기판 처리 장치에 있어서, 기판 표면을 균일하게 처리하기 위해서는, 기판 표면 상의 액온을 균일하게 하는 것이 중요해진다. 따라서, 기판 표면에 대향하여 떨어진 위치에 처리액 유지 플레이트가 설치되고, 이 처리액 유지 플레이트가 히터에 의해 가열된다. 그리고, 이 때, 기판 표면과 처리액 유지 플레이트의 사이(예컨대 수 mm)에 존재하는 처리액은, 처리액 유지 플레이트에 의해 균일하게 덥혀진다.In this single wafer processing type substrate processing apparatus, in order to uniformly process the substrate surface, it becomes important to make the liquid temperature on the substrate surface uniform. Therefore, a treatment liquid holding plate is provided at a position away from the substrate surface, and the treatment liquid holding plate is heated by the heater. At this time, the treatment liquid present between the substrate surface and the treatment liquid holding plate (for example, several millimeters) is uniformly heated by the treatment liquid holding plate.

자세하게는, 처리액 유지 플레이트에는 처리액 공급관이 관통하도록 설치되어 있고, 처리액 공급관의 개구로부터 처리액이 토출된다. 처리액은 그 토출구로부터 기판 표면에 공급되고, 처리액 유지 플레이트와 기판 표면의 간극에 넓어져, 그 간극에 유지되게 된다. 이 처리액이, 히터에 의해 가열된 처리액 유지 플레이트에 의해 덥혀진다. 또한, 처리액 유지 플레이트는, 승강 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 또한, 처리액 유지 플레이트의 기판측과 반대측의 표면에는, 온도 센서(예컨대 열전대 등)가 설치되어 있다. Specifically, the treatment liquid holding plate is provided so as to penetrate the treatment liquid supply pipe, and the treatment liquid is discharged from the opening of the treatment liquid supply pipe. The treatment liquid is supplied to the surface of the substrate from the discharge port, spreads in the gap between the treatment liquid holding plate and the surface of the substrate, and is held in the gap. This treatment liquid is heated by the treatment liquid holding plate heated by the heater. The treatment liquid retaining plate is provided so as to be movable in the lifting direction. A temperature sensor (for example, a thermocouple or the like) is provided on the surface of the treatment liquid holding plate opposite to the substrate side.

이 기판 처리 장치에서는, 기판 처리 완료후, 처리액 유지 플레이트를 상승시켜 기판 표면으로부터 멀어지게 할 때에도, 토출구로부터 처리액을 계속 토출한다. 이것은, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 부착된 액적이 낙하하더라도, 기판 표면에 처리액의 층을 존재시켜 워터마크가 발생하는 것을 억제하기 위해서이다. 또한, 처리액 유지 플레이트가 미리 정해진 처리 위치로부터 상승한 상태에 있어서, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 부착된 액적의 대부분은, 처리액 유지 플레이트에 의한 가열(처리액을 덥힐 정도의 가열)에 의해 서서히 작아져 최종적으로 증발하지만(증발에 시간을 요하지만), 그 증발전에 액적끼리 접촉하여 일체화하면 기판 표면에 낙하하는 경우가 있다. In this substrate processing apparatus, after the substrate processing is completed, the processing liquid is continuously discharged from the discharge port, even when the processing liquid holding plate is raised to move away from the substrate surface. This is because even if a droplet adhering to the substrate-side surface of the treatment liquid holding plate drops, a layer of the treatment liquid is present on the surface of the substrate to suppress generation of watermarks. Most of the droplets adhering to the substrate-side surface of the treatment liquid holding plate in the state in which the treatment liquid holding plate is raised from the predetermined treatment position are heated by the treatment liquid holding plate (heating the treatment liquid to a warming degree) (Evaporation takes time). However, when the liquid droplets come into contact with each other before the evaporation, the liquid droplets may fall on the surface of the substrate.

예컨대, 전술한 처리액 유지 플레이트를 상승시켜 기판 표면으로부터 멀어지게 한 후, 처리액의 토출이 정지되지만, 이 때, 액적이 처리액 유지 플레이트의 토출구의 주위에 부착되는 경우가 있다. 토출구의 주위에 부착된 액적은 증발하기 전에, 처리액 유지 플레이트의 경사 혹은 기류 등에 의해 이동하여, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 부착된 증발전의 다른 액적과 접촉하여 일체화하여 기판 표면에 낙하하는 경우가 있다. 이것은, 처리를 종료한 기판 표면에 있어서, 워터마크 등의 품질 불량의 원인이 된다. For example, after the above-described treatment liquid holding plate is elevated to move away from the substrate surface, the discharge of the treatment liquid is stopped, but at this time, the liquid droplet may adhere to the periphery of the discharge port of the treatment liquid holding plate. The droplets adhered to the periphery of the discharge port are moved by the inclination or the air flow of the process liquid holding plate before evaporation and are brought into contact with other droplets before evaporation attached to the surface of the substrate side of the process liquid holding plate, . This causes quality defects such as watermarks on the surface of the substrate after the treatment.

또한, 처리액의 공급 정지후, 토출구의 주위나 그 밖의 개소에 부착된 액적이, 처리액 유지 플레이트의 경사나 기류 등에 의해 이동하여, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 있어서 온도 센서에 대향하는 검출 위치에 부착되는 경우가 있다. 이 경우에는, 액적의 영향에 의해, 온도 센서가 정확하게 처리액 유지 플레이트의 온도를 측정하는 것이 어려워진다. 이 때문에, 처리액 유지 플레이트의 온도, 즉 히터 온도의 제어를 안정시키는 것이 어려워진다. 이것은, 처리액 온도를 원하는 온도로 유지하는 것을 어렵게 하기 때문에, 처리 부족 등의 품질 불량의 원인이 된다. After the supply of the process liquid is stopped, droplets adhering to the periphery of the discharge port or other locations are moved by inclination or airflow of the process liquid holding plate and the like, Or the like. In this case, it is difficult for the temperature sensor to accurately measure the temperature of the process liquid holding plate due to the influence of the droplet. Therefore, it becomes difficult to stabilize the control of the temperature of the treatment liquid holding plate, that is, the heater temperature. This makes it difficult to keep the temperature of the processing solution at a desired temperature, which causes quality defects such as insufficient processing.

또한, 기판 처리가 끝나더라도 히터는 구동하여, 안정된 히터 온도의 제어가 행해지고 있다. 이것은, 처리 완료후에 히터가 정지하면, 새로운 기판을 처리할 때, 히터에 의한 가열을 시작하고 나서 처리액 유지 플레이트를 미리 정해진 온도로 할 때까지 시간을 요하기 때문이다. 즉, 새로운 미처리의 기판이 반입되더라도 즉시 처리를 시작할 수 있도록, 처리액 유지 플레이트가 상승할 때에도 히터의 온도 제어를 행할 필요가 있다. Further, even if the substrate processing is finished, the heater is driven to control the stable heater temperature. This is because, when the heater is stopped after the completion of the treatment, it takes time to start the heating by the heater and to set the treatment liquid holding plate to the predetermined temperature when treating the new substrate. That is, it is necessary to control the temperature of the heater even when the treatment liquid holding plate rises so that the treatment can be started immediately even if a new untreated substrate is brought in.

특허문헌 1 : 국제 공개 제2011/090141호Patent Document 1: International Publication No. 2011/090141

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. A problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing occurrence of quality defects on a substrate.

실시형태에 관한 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 처리액을 토출하는 토출구를 가지며, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 토출구로부터 토출된 처리액을 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트와, 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 처리액 유지 플레이트를 가열하는 히터와, 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 처리액 유지 플레이트 및 히터를 승강시키는 승강 기구와, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 토출구를 둘러싸도록 고리형으로 설치되고, 처리액을 튀기는 발액층을 구비한다. A substrate processing apparatus according to the embodiment is provided with a substrate holding section for holding a substrate and a discharge port for discharging the processing liquid and provided at a position apart from the surface of the substrate held by the substrate holding section, A treatment liquid holding plate for holding the treatment liquid between the surface of the substrate held by the substrate holding unit and a heater for heating the treatment liquid holding plate, A lift mechanism for lifting and lowering the treatment liquid holding plate and the heater with respect to the substrate; and a liquid repellent layer provided annularly on the surface of the substrate side of the treatment liquid holding plate so as to surround the discharge port.

실시형태에 관한 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 처리액을 토출하는 토출구를 가지며, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 토출구로부터 토출된 처리액을 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트와, 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 처리액 유지 플레이트를 가열하는 히터와, 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 처리액 유지 플레이트 및 히터를 승강시키는 승강 기구와, 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 처리액 유지 플레이트의 온도를 검출하는 온도 센서와, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 면에 온도 센서에 대향하도록 설치되고, 처리액을 튀기는 발액층을 구비한다. A substrate processing apparatus according to the embodiment is provided with a substrate holding section for holding a substrate and a discharge port for discharging the processing liquid and provided at a position apart from the surface of the substrate held by the substrate holding section, A treatment liquid holding plate for holding the treatment liquid between the surface of the substrate held by the substrate holding unit and a heater for heating the treatment liquid holding plate, A temperature sensor for detecting the temperature of the process liquid retaining plate, a temperature sensor provided on the process liquid retaining plate for detecting the temperature of the process liquid retaining plate, And a liquid repellent layer which is provided so as to face the processing liquid and fills the processing liquid.

본 발명의 실시형태에 의하면, 기판의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. According to the embodiments of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of poor quality of the substrate.

도 1은 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 관한 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면을 나타내는 평면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 기판 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 4는 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 5는 제2 실시형태에 관한 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면을 나타내는 평면도이다.
도 6은 제3 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 7은 제3 실시형태에 관한 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면을 나타내는 평면도이다.
도 8은 제4 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다. 1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
Fig. 2 is a plan view showing the surface of the treatment liquid retaining plate according to the first embodiment on the substrate side. Fig.
3 is a flowchart showing a substrate processing flow of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
4 is a cross-sectional view showing a part of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
5 is a plan view showing the surface of the treatment liquid holding plate according to the second embodiment on the substrate side.
6 is a cross-sectional view showing a part of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
7 is a plan view showing the surface of the treatment liquid retaining plate according to the third embodiment on the substrate side.
8 is a cross-sectional view showing a part of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment.

<제1 실시형태> &Lt; First Embodiment >

제1 실시형태에 관해 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. The first embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig.

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 기판 유지 플레이트(20)와, 회전 기구(30)와, 처리액 유지 플레이트(40)와, 액공급부(50)와, 승강 기구(60)와, 제어부(70)를 구비하고 있다. 1, the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment includes a substrate holding plate 20, a rotation mechanism 30, a process liquid holding plate 40, a liquid supply unit 50 A lifting mechanism 60, and a control unit 70. [0031]

기판 유지 플레이트(20)는, 처리실이 되는 처리 박스(도시하지 않음)의 대략 중앙 부근에 위치 부여되어, 수평면 내에서 회전 가능하게 설치되어 있다. 이 기판 유지 플레이트(20)는, 핀 등의 기판 유지 부재(21)를 복수 갖고 있고, 이들 기판 유지 부재(21)에 의해 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판(W)을 착탈 가능하게 유지한다. 기판 유지 플레이트(20)는, 기판(W)을 유지하는 기판 유지부로서 기능한다. 이 기판 유지 플레이트(20)의 중앙에는 기둥형의 회전체(22)가 연결되어 있다. 또한, 기판 유지 플레이트(20)의 형상은 기판(W)과 동일한 원형이며, 기판 유지 플레이트(20)의 평면의 크기는 기판(W)의 평면보다 크다. The substrate holding plate 20 is positioned near the center of a processing box (not shown) serving as a processing chamber, and is rotatably provided in a horizontal plane. The substrate holding plate 20 has a plurality of substrate holding members 21 such as fins and detachably holds a wafer W and a substrate W such as a liquid crystal substrate by these substrate holding members 21. The substrate holding plate 20 functions as a substrate holding portion for holding the substrate W. [ A columnar rotating body 22 is connected to the center of the substrate holding plate 20. The shape of the substrate holding plate 20 is the same circle as the substrate W and the size of the plane of the substrate holding plate 20 is larger than the plane of the substrate W. [

회전 기구(30)는, 기둥형의 회전체(22)를 회전 가능하게 유지하는 유지부나 회전체(22)를 회전시키는 구동원이 되는 모터(모두 도시하지 않음) 등을 갖고 있다. 이 회전 기구(30)는, 모터의 구동에 의해 회전체(22)와 함께 기판 유지 플레이트(20)를 회전시킨다. 회전 기구(30)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(70)에 의해 제어된다. The rotating mechanism 30 has a holding portion for rotatably holding the columnar rotating body 22 and a motor (both not shown) serving as a driving source for rotating the rotating body 22 and the like. The rotation mechanism 30 rotates the substrate holding plate 20 together with the rotating body 22 by driving the motor. The rotation mechanism 30 is electrically connected to the control unit 70, and the drive thereof is controlled by the control unit 70. [

처리액 유지 플레이트(40)는, 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)에 대향하여 떨어진 위치에 설치되어 있고, 승강 기구(60)에 의해 승강 방향으로 이동하는 것이 가능하게 형성되어 있다. 처리액 유지 플레이트(40)는, 처리액(S)을 토출하는 토출구(40a)를 갖고 있다. 이 처리액 유지 플레이트(40)의 둘레 가장자리부에는, 기판 유지 플레이트(20)와 반대측에 세워진 벽(40b)이 형성되어 있다. 처리액 유지 플레이트(40)는, 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)에 대한 미리 정해진 이격 거리(예컨대 4 mm 이하)로, 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)과의 사이에 처리액(S)을 유지한다. 처리액 유지 플레이트(40)는, 열전도성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 또한, 처리액 유지 플레이트(40)의 형상은 기판(W)과 동일한 원형이며, 처리액 유지 플레이트(40)의 평면의 크기는 기판(W)의 평면 이상이면 되지만, 기판(W)의 평면보다 큰 것이 바람직하다. The treatment liquid holding plate 40 is provided at a position away from the substrate W on the substrate holding plate 20 so as to be capable of moving in the elevating direction by the elevating mechanism 60. [ The treatment liquid holding plate 40 has a discharge port 40a through which the treatment liquid S is discharged. A wall 40b erected on the opposite side of the substrate holding plate 20 is formed in the periphery of the treatment liquid retaining plate 40. [ The treatment liquid holding plate 40 is disposed between the substrate W and the substrate W on the substrate holding plate 20 at a predetermined distance (for example, 4 mm or less) with respect to the substrate W on the substrate holding plate 20 And the liquid S is maintained. The treatment liquid holding plate 40 is formed of a material having thermal conductivity. The shape of the treatment liquid retaining plate 40 is the same as that of the substrate W and the size of the plane of the treatment liquid retaining plate 40 is equal to or larger than the plane of the substrate W. However, A larger one is preferable.

액공급부(50)는, 처리액 공급관(51)과, 액저류부(52)를 구비하고 있다. 처리액 공급관(51)의 일단부는, 처리액 유지 플레이트(40) 및 히터(41)를 관통하도록 설치되고, 처리액 유지 플레이트(40)에 고정되어 있다. 이 처리액 공급관(51)의 개구는, 처리액 유지 플레이트(40)의 토출구(40a)로서 기능한다. 액저류부(52)는, 각종 처리액(예컨대, 순수나 황산, 과산화수소수, 암모니아수, 인산 등)을 저류하는 처리액조(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 액저류부(52)는, 복수의 전자 밸브 등의 개폐에 의해 각 처리액조로부터 원하는 처리액(S)을 처리액 공급관(51)에 흘리는 것이 가능하게 구성되어 있다. 액저류부(52)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(70)에 의해 제어된다. The liquid supply section 50 includes a process liquid supply pipe 51 and a liquid storage section 52. One end of the treatment liquid supply pipe 51 is provided so as to penetrate through the treatment liquid holding plate 40 and the heater 41 and is fixed to the treatment liquid holding plate 40. The opening of the process liquid supply pipe 51 functions as a discharge port 40a of the process liquid holding plate 40. [ The liquid storage portion 52 is provided with a treatment liquid tank (not shown) for storing various treatment liquids (for example, pure water, sulfuric acid, hydrogen peroxide, ammonia, phosphoric acid, etc.). The liquid reservoir 52 is configured to allow a desired treatment liquid S to flow from the respective treatment liquid baths to the treatment liquid supply pipe 51 by opening and closing a plurality of solenoid valves and the like. The liquid storage section 52 is electrically connected to the control section 70, and the drive thereof is controlled by the control section 70.

여기서, 전술한 처리액 유지 플레이트(40)의 기판측과 반대측의 면에는 히터(41)가 설치되어 있고, 또한 복수(도 1의 예에서는 2개)의 온도 센서(42)가 설치되어 있다. 한편, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판측의 면에는, 발액층(43)이 토출구(40a)를 둘러싸도록 고리형으로 설치되어 있다. Here, a heater 41 is provided on the surface of the treatment liquid holding plate 40 opposite to the substrate side, and a plurality of temperature sensors 42 (two in the example of FIG. 1) are provided. On the other hand, on the surface of the treatment liquid retaining plate 40 on the substrate side, a liquid repellent layer 43 is provided in a ring shape so as to surround the ejection opening 40a.

히터(41)는, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측과 반대측의 면을 균등하게 가열하여, 처리액 유지 플레이트(40) 전체를 미리 정해진 온도로 유지한다. 히터(41)로는, 예컨대 시트형의 히터가 이용된다. 이 히터(41)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(70)에 의해 제어된다. The heater 41 uniformly heats the surface of the treatment liquid holding plate 40 opposite to the side of the substrate W to maintain the entire treatment liquid holding plate 40 at a predetermined temperature. As the heater 41, for example, a sheet-like heater is used. The heater 41 is electrically connected to the control unit 70, and the driving of the heater 41 is controlled by the control unit 70.

각 온도 센서(42)는, 기판 유지 플레이트(20)의 회전축(A1)을 중심으로 하는 원주 상에 설치되어 있다. 이들 온도 센서(42)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 각 검출 신호(검출 온도)가 제어부(70)에 송신된다. 제어부(70)는, 각 검출 온도에 따라서, 처리액 유지 플레이트(40) 전체를 미리 정해진 온도로 유지하도록 히터(41)의 온도를 조정한다. 온도 센서(42)로는, 예컨대 열전대 등이 이용된다. Each of the temperature sensors 42 is provided on a circumference with the rotation axis A1 of the substrate holding plate 20 as a center. These temperature sensors 42 are electrically connected to the control unit 70, and each detection signal (detection temperature) is transmitted to the control unit 70. [ The control unit 70 adjusts the temperature of the heater 41 so as to keep the entire process liquid holding plate 40 at a predetermined temperature in accordance with the detected temperatures. As the temperature sensor 42, for example, a thermocouple or the like is used.

발액층(43)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 원형의 토출구(40a)의 형상에 맞춰 원환형으로 설치되어 있고, 미리 정해진 폭을 갖고 있다. 이 미리 정해진 폭은, 적어도 기판(W)의 반경 이하이다. 발액층(43)은, 처리액(S)을 튀기는 재료(예컨대, PFA나 PTFE 등의 불소 수지)에 의해 설치되어 있다. 이 영역은, 처리액(S)에 대한 습윤성이 다른 영역에 비하여 나빠, 처리액(S)의 액적이 부착되기 어려운 영역이다. 발액층(44)의 재료로는, 단열재로서 기능하는 것이 많다. 따라서, 처리액 유지 플레이트(40)로부터 처리액에 열이 전달되도록 하기 위해서는, 처리액 유지 플레이트(40)에 대한 발액층(43)의 설치 영역을 좁게 하는 것이 바람직하다. As shown in Fig. 2, the liquid repellent layer 43 is provided in an annular shape conforming to the shape of the circular discharge port 40a, and has a predetermined width. This predetermined width is equal to or smaller than the radius of the substrate W at least. The liquid repellent layer 43 is provided by a material (for example, a fluorine resin such as PFA or PTFE) that fills the treatment liquid S. This region is poor in wettability with respect to the treatment liquid S and is a region in which the liquid of the treatment liquid S hardly adheres. As the material of the liquid repellent layer 44, many functions as a heat insulating material. Therefore, in order to transfer heat from the treatment liquid retaining plate 40 to the treatment liquid, it is preferable to narrow the area where the liquid repellent layer 43 is provided on the treatment liquid retaining plate 40.

또한, 토출구(40a)는, 그 중심이 기판 유지 플레이트(20)의 회전축(A1)으로부터 어긋난 위치(편심)에 설치되어 있다. 이에 따라, 처리액(S)이 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)의 회전 중심에 계속 공급되는 것을 피할 수 있어, 그 회전 중심의 기판 온도가 다른 개소에 비해서 낮아지는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 회전 중심의 기판 온도의 저하에 의해 처리액 온도가 부분적으로 저하되는 것이 억제되기 때문에, 처리액 온도의 균일화를 실현할 수 있다. 단, 토출구(40a)는 편심하지 않아도 좋으며, 그 중심이 기판 유지 플레이트(20)의 회전축(A1) 상에 위치 부여되어 형성되어도 좋다. The center of the discharge port 40a is provided at a position (eccentric) displaced from the rotation axis A1 of the substrate holding plate 20. [ This makes it possible to prevent the treatment liquid S from being continuously supplied to the center of rotation of the substrate W on the substrate holding plate 20 so that the substrate temperature at the center of rotation can be prevented from being lowered compared with other portions It becomes. Therefore, since the temperature of the treatment liquid is prevented from being partially lowered due to the lowering of the temperature of the substrate at the center of rotation, the uniformity of the treatment liquid temperature can be realized. However, the discharge port 40a may not be eccentric, and the center of the discharge port 40a may be formed on the rotation axis A1 of the substrate holding plate 20.

도 1로 되돌아가, 승강 기구(60)는, 처리액 유지 플레이트(40)를 유지하는 유지부나 그 유지부를 승강 방향으로 이동시키는 구동원이 되는 모터(모두 도시하지 않음) 등을 갖고 있다. 이 승강 기구(60)는, 모터의 구동에 의해 처리액 유지 플레이트(40)를 승강 방향으로 이동시킨다. 승강 기구(60)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(70)에 의해 제어된다. Referring back to Fig. 1, the lifting mechanism 60 has a holding portion for holding the treatment liquid holding plate 40 and a motor (both not shown) serving as a driving source for moving the holding portion in the lifting direction. The lifting mechanism (60) moves the treatment liquid holding plate (40) in the lifting direction by driving the motor. The lifting mechanism 60 is electrically connected to the control section 70, and the driving of the lifting mechanism 60 is controlled by the control section 70.

제어부(70)는, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 제어부(70)는, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 회전 기구(30)나 히터(41), 액공급부(50), 승강 기구(60) 등을 제어한다. 예컨대, 제어부(70)는, 기판 유지 플레이트(20)의 회전 동작이나 히터(41)의 가열 동작, 액공급부(50)의 액공급 동작, 처리액 유지 플레이트(40)의 승강 동작 등 각 동작을 제어한다. The control unit 70 includes a microcomputer for intensively controlling each unit and a storage unit (both not shown) for storing substrate processing information and various programs relating to the substrate processing. The control unit 70 controls the rotation mechanism 30, the heater 41, the liquid supply unit 50, the elevating mechanism 60, and the like based on the substrate processing information and various programs. For example, the control unit 70 performs various operations such as the rotation operation of the substrate holding plate 20, the heating operation of the heater 41, the liquid supply operation of the liquid supply unit 50, and the operation of ascending and descending the process liquid holding plate 40 .

(기판 처리 공정)(Substrate processing step)

다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리의 흐름에 관해 설명한다. Next, the flow of the substrate processing performed by the above-described substrate processing apparatus 10 will be described.

우선, 기판 처리전의 준비로서, 처리 개시전에 히터(41)는 통전되고, 이 통전된 히터(41)에 의해 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측과 반대측의 면(상면)이 균등하게 가열되어, 처리액 유지 플레이트(40) 전체가 미리 정해진 온도(예컨대, 온도 범위 100℃∼400℃ 내의 온도)로 유지된다. 이 미리 정해진 온도는, 처리액(S)의 처리 능력(예컨대 레지스트 제거 능력)을 높이는 것이 가능한 온도이다. The heater 41 is energized and the surface of the treatment liquid retaining plate 40 on the side opposite to the substrate W side is cleaned by the heater 41 before the treatment is started, So that the entire process liquid holding plate 40 is maintained at a predetermined temperature (for example, a temperature within the range of 100 DEG C to 400 DEG C in the temperature range). The predetermined temperature is a temperature at which the processing ability of the treatment liquid S (for example, resist removal ability) can be increased.

이어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 단계 S1에 있어서, 처리액 유지 플레이트(40)가 최상이점으로 상승한 상태로, 이 처리액 유지 플레이트(40)와 기판 유지 플레이트(20) 사이에 처리 대상의 기판(W)이 로봇 핸들링 장치(도시하지 않음) 등에 의해 반입되고, 기판(W)의 주위 부분이 각 기판 유지 부재(21)에 의해 유지되어, 기판(W)이 기판 유지 플레이트(20) 상에 반입된다. 이 때, 기판(W)의 중심과 기판 유지 플레이트(20)의 회전축(A1)이 일치하도록 위치 결정된다. Subsequently, as shown in Fig. 3, in a state where the treatment liquid retaining plate 40 is lifted to the highest advantage in step S1, the treatment liquid retaining plate 40 is placed between the treatment liquid retaining plate 40 and the substrate retaining plate 20, The peripheral portion of the substrate W is held by each substrate holding member 21 and the substrate W is held on the substrate holding plate 20 (not shown) by a robot handling device (not shown) . At this time, the center of the substrate W and the rotation axis A1 of the substrate holding plate 20 are aligned with each other.

단계 S2에 있어서, 처리액 유지 플레이트(40)는, 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)의 표면과의 사이에 미리 정해진 간극(예컨대 4 mm 이하)이 형성되는 위치까지 승강 기구(60)에 의해 하강한다(도 1 참조). 그리고, 기판 유지 플레이트(20)는, 저속의 미리 정해진 속도(예컨대 50 rpm 정도)로 회전 기구(30)에 의해 회전한다. 이에 따라, 기판(W)이 기판 유지 플레이트(20)와 함께 전술한 저속의 미리 정해진 속도로 회전한다. The processing liquid retaining plate 40 is lifted up to a position where a predetermined gap (for example, 4 mm or less) is formed between the processing liquid retaining plate 40 and the surface of the substrate W on the substrate retaining plate 20, (See Fig. 1). Then, the substrate holding plate 20 is rotated by the rotating mechanism 30 at a low speed at a predetermined speed (for example, about 50 rpm). Thus, the substrate W is rotated together with the substrate holding plate 20 at the above-mentioned low-speed predetermined speed.

단계 S3에 있어서, 처리액 유지 플레이트(40)와 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)의 이격 거리가 미리 정해진 거리가 되고, 기판(W)이 저속의 미리 정해진 속도로 회전하고 있는 상태에 있어서, 처리액(S)이 처리액 유지 플레이트(40)의 토출구(40a)로부터 기판(W)의 표면에 공급된다. 구체적으로는, 액저류부(52)로부터 황산 및 과산화수소수가 처리액 공급관(51)에 유입된다. 이 때, 황산과 과산화수소수가 서로 혼합되고, 그 혼합되어 만들어진 처리액(S)이 처리액 공급관(51)을 통하여 토출구(40a)로부터, 회전하는 기판(W)의 표면에 공급된다. The separation distance between the processing liquid holding plate 40 and the substrate W on the substrate holding plate 20 becomes a predetermined distance in step S3 and the substrate W is rotated at a predetermined low speed So that the treatment liquid S is supplied from the discharge port 40a of the treatment liquid holding plate 40 to the surface of the substrate W. [ Specifically, sulfuric acid and hydrogen peroxide water flow into the treatment liquid supply pipe 51 from the liquid storage portion 52. At this time, the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water are mixed with each other, and the mixed processing solution S is supplied from the discharge port 40a to the surface of the rotating substrate W through the treatment liquid supply pipe 51.

회전하는 기판(W)의 표면에 공급된 처리액(S)은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 표면 전체에 퍼져 간다. 그리고, 처리액 유지 플레이트(40)와 기판(W)의 표면 사이의 간극은 처리액(S)에 의해 채워지고, 처리액(S)의 표면장력에 의해 기판(W)의 표면에 층형으로 처리액(S)이 유지된다(도 1 참조). 이 층형의 처리액(S)은, 히터(41)에 의해 가열된 처리액 유지 플레이트(40)에 의해 전체적으로 덥혀져 고온(예컨대, 온도 범위 100℃∼400℃ 내의 온도)으로 유지된다. 그리고, 이 고온으로 유지되어 처리 능력(예컨대 레지스트 제거 능력)이 높아진 처리액(S)에 의해 기판(W)의 표면이 처리되어 간다. 이 상태로, 처리액(S)이 처리액 공급관(51)으로부터 연속적으로 공급되면, 기판(W)의 표면의 처리액(S)은 새로운 처리액(S)으로 치환되면서도 층형의 형태를 유지한다. 회전하는 기판(W)의 외주 부분에 도달한 처리액(S)은, 그 외주 부분으로부터 순차적으로 폐액으로서 낙하해 간다. The treatment liquid S supplied to the surface of the rotating substrate W spreads over the entire surface of the substrate W by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W. The gap between the treatment liquid holding plate 40 and the surface of the substrate W is filled with the treatment liquid S and the surface of the substrate W is treated in the form of a layer The liquid S is maintained (see Fig. 1). This layered treatment liquid S is entirely heated by the treatment liquid holding plate 40 heated by the heater 41 and maintained at a high temperature (for example, a temperature within a temperature range of 100 ° C to 400 ° C). Then, the surface of the substrate W is treated by the treatment liquid S which is maintained at such a high temperature and the treatment ability (for example, resist removing ability) is increased. In this state, when the process liquid S is continuously supplied from the process liquid supply pipe 51, the process liquid S on the surface of the substrate W is replaced with a new process liquid S, . The treatment liquid S that has reached the outer peripheral portion of the rotating substrate W sequentially falls from the outer peripheral portion thereof as a waste liquid.

여기서, 전술한 기판 처리에 따라, 처리액(S)은 기판(W)에 열을 빼앗기게(기판(W)이 덥혀지게) 되지만, 처리액 유지 플레이트(40) 상의 히터(41)의 작용에 의해, 온도 저하하는 처리액(S)에 저하분의 열이 공급되게 된다. 이 공급 열량은, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도를 일정하게 유지함으로써 제어된다. 처리액(S)은, 회전하는 기판(W)의 표면 위를 흐르지만, 기판(W) 상에 공급되고 나서 외주 부분으로부터 흘러서 떨어지기까지의 동안, 히터(41)의 온도 제어에 의해 기판(W)의 표면을 온도 저하시키지 않고 동일한 온도 조건으로 처리할 수 있다. Here, according to the above-described substrate processing, the processing liquid S is heated by the heat of the heater 41 on the processing liquid retaining plate 40 although the substrate W is deprived of heat (the substrate W is heated) The heat of the lowering portion is supplied to the treatment liquid S whose temperature is lowered. This supplied heat amount is controlled by keeping the temperature of the treatment liquid holding plate 40 constant. The treatment liquid S flows on the surface of the rotating substrate W but is supplied to the substrate W by the temperature control of the heater 41 until the treatment liquid S flows on the surface of the rotating substrate W, W) can be treated under the same temperature condition without lowering the temperature.

그 후, 전술한 처리액(S)의 공급 개시로부터 미리 정해진 처리 시간이 경과하면, 처리액(S)의 공급이 정지되고, 다음 처리액(S)으로서 순수가 전술한 것과 동일하게 기판(W)의 표면에 공급되어, 기판(W)의 표면이 세정된다. 또한, 순수의 공급 개시로부터 미리 정해진 처리 시간이 경과하면, 순수의 공급이 정지되고, 다음 처리액(S)으로서, 과산화수소수, 순수 및 암모니아수가 서로 혼합되고, 그 혼합되어 만들어진 APM이 기판(W)의 표면에 공급된다. 또한, APM의 공급 개시로부터 미리 정해진 처리 시간이 경과하면, APM의 공급이 정지되고, 다음 처리액(S)으로서 순수가 전술한 것과 동일하게 기판(W)의 표면에 공급되어, 기판(W)의 표면이 세정된다. 이 때, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면도 동시에 순수에 의해 세정되게 된다. Thereafter, when the predetermined processing time elapses from the start of the supply of the processing liquid S, the supply of the processing liquid S is stopped, and pure water as the next processing liquid S is supplied to the substrate W , And the surface of the substrate W is cleaned. When the predetermined processing time elapses from the start of the supply of the pure water, the supply of pure water is stopped, and the hydrogen peroxide solution, pure water and ammonia water are mixed with each other as the next treatment liquid S, ). When the predetermined processing time elapses from the start of the supply of the APM, the supply of the APM is stopped, and pure water as the next treatment liquid S is supplied to the surface of the substrate W as described above, Is cleaned. At this time, the surface of the treatment liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W is also simultaneously cleaned with pure water.

단계 S4에 있어서, 전술한 순수에 의한 2회째의 세정 처리가 종료하면, 도 4에 도시한 바와 같이, 처리액(S)이 처리액 공급관(51)으로부터 토출된 채로 처리액 유지 플레이트(40)가 최상이점까지 승강 기구(60)에 의해 상승하고, 그 후, 처리액(S)의 공급이 정지된다. 이 때, 처리액 공급관(51) 내는 부압이 되고, 토출구(40a)로부터 액적이 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)의 표면에 낙하하는 것이 억제된다. 4, when the processing liquid S is discharged from the processing liquid supply pipe 51, the processing liquid S is discharged from the processing liquid holding plate 40, Is raised by the lifting mechanism (60) to the highest advantage, and then the supply of the treatment liquid (S) is stopped. At this time, the inside of the process liquid supply pipe 51 becomes a negative pressure, and droplets from the discharge port 40a are prevented from dropping onto the surface of the substrate W on the substrate holding plate 20. [

또한, 처리액 유지 플레이트(40)가 상승할 때에는 처리액(S)을 계속 흘린다. 이것은, 처리액 유지 플레이트(40)가 상승할 때에, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 부착된 액적이 낙하하더라도, 기판 표면에 처리액(S)의 층을 존재시켜 워터마크가 발생하는 것을 억제하기 위해서이며, 또한 처리액 유지 플레이트(40)에 대한 기판(W)의 접착을 억제하기 위해서이기도 하다.Further, when the treatment liquid holding plate 40 is lifted, the treatment liquid S continues to flow. This is because even when a droplet adhering to the surface of the treatment liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W falls, a layer of the treatment liquid S is present on the surface of the substrate when the treatment liquid retaining plate 40 is lifted This is for the purpose of suppressing the occurrence of watermarks and also for restricting the adhesion of the substrate W to the treatment liquid holding plate 40.

여기서, 전술한 처리액 유지 플레이트(40)의 실제의 온도 변화는 처리액(S)의 온도에 의존한다. 과산화수소수와 황산의 혼합액을 처리액(S)으로 한 경우, 고온 처리(100℃∼400℃ 내의 온도)에 있어서 처리액 유지 플레이트(40)의 열이 혼합액에 공급된다. 처리액 유지 플레이트(40)의 열은 혼합액에 의해 빼앗기지만, 혼합액은 혼합시에 생기는 반응열에 의해 고온이므로, 처리액 유지 플레이트(40)로부터 빼앗기는 열은 작아, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도는 크게 저하되지 않는다. 또한, 혼합액은 히터 등의 가열 장치에 의해 미리 가열되어 공급되는 경우도 있다. 한편, 순수(예컨대 25℃)를 처리액(S)으로 한 경우, 처리액 유지 플레이트(40)와 순수의 온도차가 커, 처리액 유지 플레이트(40)의 열이 순수에 의해 빼앗긴다. 즉, 미리 정해진 시간 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면과 순수가 접촉하고 있으면, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도가 크게 저하되어, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도가 90℃∼100℃ 정도가 된다. 그 후, 처리액 유지 플레이트(40)가 상승하면, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면은, 순수의 액적이 존재할 수 있는 온도까지 내려가지만, 히터(41)에 의한 가온에 의해 열이 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 전달되기 때문에, 그 표면에 부착된 액적은 서서히 증발하게 된다. Here, the actual temperature change of the above-described process liquid retaining plate 40 depends on the temperature of the process liquid S. [ When the mixed solution of hydrogen peroxide solution and sulfuric acid is used as the processing solution S, the heat of the processing solution holding plate 40 is supplied to the mixed solution at a high temperature treatment (temperature within 100 ° C to 400 ° C). The heat of the treatment liquid holding plate 40 is taken by the mixed liquid but the mixed liquid is heated by the reaction heat generated at the time of mixing so that the heat taken from the treatment liquid holding plate 40 is small and the temperature of the treatment liquid holding plate 40 . Further, the mixed solution may be heated and supplied in advance by a heating device such as a heater. On the other hand, when pure water (for example, 25 DEG C) is used as the processing liquid S, the temperature difference between pure water and the processing liquid holding plate 40 becomes large and the heat of the processing liquid holding plate 40 is lost by pure water. That is, when pure water is in contact with the surface of the predetermined time processing liquid holding plate 40 on the side of the substrate W, the temperature of the processing liquid holding plate 40 is significantly lowered, and the temperature of the processing liquid holding plate 40 Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 90 C &lt; / RTI &gt; Thereafter, when the treatment liquid holding plate 40 is raised, the surface of the treatment liquid holding plate 40 on the side of the substrate W is lowered to a temperature at which liquid of pure water can be present, Since the heat is transferred to the surface of the processing liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W side, the liquid droplets adhering to the surface thereof gradually evaporate.

단계 S5에 있어서, 기판 유지 플레이트(20)는 고속(예컨대 1500 rpm 정도)으로 회전 기구(30)에 의해 회전한다. 이에 따라, 기판(W)이 기판 유지 플레이트(20)와 함께 고속으로 회전한다. 기판(W)이 고속으로 회전하면, 기판(W) 상에 잔류한 수분이 원심력에 의해 비산되어, 기판(W) 상의 수분이 제거된다. In step S5, the substrate holding plate 20 is rotated by the rotation mechanism 30 at a high speed (for example, about 1500 rpm). Thus, the substrate W rotates together with the substrate holding plate 20 at a high speed. When the substrate W rotates at a high speed, water remaining on the substrate W is scattered by the centrifugal force, and moisture on the substrate W is removed.

단계 S6에 있어서, 전술한 기판(W)의 건조 처리가 종료하면, 기판 유지 플레이트(20)의 회전이 정지되고, 기판 유지 플레이트(20) 상에 유지된 처리가 끝난 기판(W)이 로봇 핸들링 장치(도시하지 않음) 등에 의해 반출된다. 이후, 순차적으로 기판(W)에 대하여 전술한 것과 동일한 순서(단계 S1∼S6)에 따라서 처리가 실행된다. When the above-described drying process of the substrate W is completed in step S6, the rotation of the substrate holding plate 20 is stopped, and the processed substrate W held on the substrate holding plate 20 is moved to the robot handling (Not shown) or the like. Thereafter, processing is sequentially performed on the substrate W in accordance with the same procedure as described above (steps S1 to S6).

전술한 기판 처리 공정에 의하면, 처리액 유지 플레이트(40)는 히터(41)에 의해 균등하게 가열되고 있고, 기판 유지 플레이트(20) 상에 유지된 기판(W)의 표면에 처리액(S)이 층형으로 유지되고, 그 층형의 처리액(S)이 처리액 유지 플레이트(40)에 의해 전체적으로 가열된다. 이에 따라, 처리액(S)을 보다 효율적으로 가열할 수 있다. 또한, 층형의 처리액(S)이 기판(W)의 표면에 항상 유지된 상태로 기판(W)의 표면이 처리되기 때문에, 그 처리액(S)을 허비하지 않고 효율적으로 사용하여 기판(W)의 표면을 처리할 수 있다. The treatment liquid holding plate 40 is uniformly heated by the heater 41 and is immersed in the treatment liquid S on the surface of the substrate W held on the substrate holding plate 20, And the treatment liquid S in the form of a layer is heated by the treatment liquid holding plate 40 as a whole. Thus, the treatment liquid S can be heated more efficiently. In addition, since the surface of the substrate W is treated in a state in which the layered treatment liquid S is always held on the surface of the substrate W, the treatment liquid S is efficiently used without waste, ) Can be treated.

또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 처리액 유지 플레이트(40)가 기판(W)의 표면으로부터 떨어져, 처리액(S)(순수)이 공급되고 있는 동안이나 그 공급이 정지되었을 때 등, 토출구(40a)로부터 토출되고 있는 처리액(S)이, 토출구(40a) 주변의 발액층(43)에 의해 토출구(40a)의 주위에 부착되는 것이 억제되고 있다. 즉, 토출구(40a)의 주위에 액적(처리액(S))이 부착되는 것 자체가 억제되기 때문에, 토출구(40a)의 주위에 부착된 액적이, 처리액 유지 플레이트(40)의 경사 혹은 기류 등에 의해 이동하고, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 부착된 증발전의 다른 액적과 접촉하여 일체화하여, 기판(W)의 표면에 낙하하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 처리액(S)의 공급 정지후, 처리액 공급관(51)의 벽면에 부착된 액이 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출되고, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 부착된 증발전의 다른 액적과 접촉하여 일체화하여, 기판(W)의 표면에 낙하하는 것도 억제할 수 있다. 4, when the treatment liquid holding plate 40 is separated from the surface of the substrate W and the treatment liquid S (pure water) is being supplied or when the supply of the treatment liquid S is stopped, The treatment liquid S discharged from the discharge port 40a is prevented from adhering to the periphery of the discharge port 40a by the liquid repellent layer 43 around the discharge port 40a. That is, since the droplet (treatment liquid S) adheres to the periphery of the discharge port 40a itself, the droplet adhered to the periphery of the discharge port 40a is prevented from being inclined or flowed by the treatment liquid holding plate 40 And can be inhibited from dropping onto the surface of the substrate W by being brought into contact with other droplets before evaporation adhering to the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side. After the supply of the process liquid S is stopped, the liquid attached to the wall surface of the process liquid supply pipe 51 flows out from the discharge port 40a to the surface of the process liquid holding plate 40 on the substrate W side, It is possible to inhibit the liquid holding plate 40 from falling on the surface of the substrate W by being brought into contact with other liquid droplets before evaporation adhering to the surface of the liquid retaining plate 40 on the substrate W side.

여기서, 처리액(S)의 공급 정지후, 처리액 공급관(51)의 벽면에 부착된 액이, 중력에 의해 처리액 공급관(51)의 벽면을 타고 토출구(40a) 방향으로 흘러, 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 흘러나오는 경우가 있다. 이 흘러나온 액이, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 부착된 증발전의 다른 액적과 접촉하여 일체화하여, 기판(W)의 표면에 낙하하는 경우가 있다. 이것은, 처리를 종료한 기판(W)의 표면에 있어서, 워터마크 등의 품질 불량의 원인이 된다. 또한, 처리액(S)의 공급 정지후, 처리액 공급관(51) 내를 부압으로 하더라도, 처리액 공급관(51)의 벽면에 부착된 액이 그 벽면을 타고 토출구(40a) 방향으로 흘러, 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 흘러나오는 경우도 있다.After the supply of the treatment liquid S is stopped, the liquid attached to the wall surface of the treatment liquid supply pipe 51 flows along the wall surface of the treatment liquid supply pipe 51 by gravity in the direction of the discharge port 40a, To the surface of the processing liquid holding plate 40 on the side of the substrate W. The droplets may come into contact with other droplets before evaporation adhered to the surface of the substrate W side of the process liquid holding plate 40 to fall down on the surface of the substrate W in some cases. This causes quality defects such as watermarks on the surface of the substrate W after the treatment. Even if the inside of the process liquid supply pipe 51 is negatively pressurized after the supply of the process liquid S is stopped, the liquid attached to the wall surface of the process liquid supply pipe 51 flows along the wall surface in the direction of the discharge port 40a, (40a) to the surface of the treatment liquid retaining plate (40) on the side of the substrate (W).

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 의하면, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에, 처리액 유지 플레이트(40)의 토출구(40a)를 둘러싸는 고리형으로 발액층(43)을 설치함으로써, 처리액(S)이 토출구(40a)의 주위에 액적으로서 부착되거나, 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출되거나 하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 처리액 유지 플레이트(40)로부터 기판(W)의 표면으로 액적이 낙하하는 것을 억제할 수 있게 되므로, 워터마크 등의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. As described above, according to the first embodiment, on the surface of the processing liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W, the annular liquid repellent layer (not shown) surrounding the ejection opening 40a of the processing liquid retaining plate 40 It is possible to prevent the treatment liquid S from adhering to the periphery of the discharge port 40a as droplets or flowing out from the discharge port 40a to the surface of the treatment liquid holding plate 40 on the side of the substrate W . This makes it possible to suppress the drop of the droplets from the process liquid holding plate 40 to the surface of the substrate W, thereby suppressing the occurrence of quality defects such as watermarks.

<제2 실시형태> &Lt; Second Embodiment >

제2 실시형태에 관해 도 5를 참조하여 설명한다. 또한, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상이점(발액층의 사이즈)에 관해 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다. The second embodiment will be described with reference to Fig. In the second embodiment, the difference from the first embodiment (the size of the liquid repellent layer) will be described, and the other description will be omitted.

도 5에 도시한 바와 같이, 제2 실시형태에 관한 발액층(43a)은 원환형으로 형성되어 있다. 이 원환형의 발액층(43a)은, 토출구(40a)와 회전축(A1)이 통하는 위치를 포함하며, 각 온도 센서(42)보다 기판(W)의 내측에 위치하는 사이즈로 형성되어 있다. 원환형의 발액층(43a)의 반경은, 제1 실시형태에 비교해서 크며, 일례로서 처리액 유지 플레이트(40)의 반경 이하이다. 이러한 원환형의 발액층(43a)은, 제1 실시형태에 비교하여, 처리액 유지 플레이트(40)의 토출구(40a)로부터 떨어져 있기 때문에, 토출구(40a)로부터 토출된 처리액(S)에 의해 발액층(43a)의 엣지부가 박리되거나 손상되거나 하는 것을 억제할 수 있다. As shown in Fig. 5, the liquid repellent layer 43a according to the second embodiment is formed in an annular shape. The annular liquid repellent layer 43a includes a position where the discharge port 40a communicates with the rotation axis A1 and is formed so as to be located inside the substrate W with respect to each temperature sensor 42. [ The radius of the annular liquid repellent layer 43a is larger than that of the first embodiment, and is equal to or smaller than the radius of the treatment liquid retaining plate 40 as an example. Since the annular liquid repellent layer 43a is separated from the discharge port 40a of the treatment liquid holding plate 40 as compared with the first embodiment, the treatment liquid S discharged from the discharge port 40a It is possible to prevent the edge portion of the liquid repellent layer 43a from being peeled or damaged.

이상 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제1 실시형태에 비교하여, 고리형의 발액층(43a)의 적어도 일부를 토출구(40a)로부터 떨어지게 함으로써, 처리액(S)에 의한 발액층(43a)의 박리나 손상의 발생을 억제할 수 있다. As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Further, as compared with the first embodiment, at least a part of the annular liquid repellent layer 43a is detached from the discharge port 40a, thereby suppressing the peeling or damage of the liquid repellent layer 43a caused by the treatment liquid S can do.

<제3 실시형태> &Lt; Third Embodiment >

제3 실시형태에 관해 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 또한, 제3 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상이점(발액층의 설치 개소)에 관해 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다. The third embodiment will be described with reference to Figs. 6 and 7. Fig. In the third embodiment, the difference from the first embodiment (the location of the liquid repellent layer) is described, and the other explanations are omitted.

도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 제3 실시형태에 관한 발액층(44)은, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 면에 온도 센서(42)에 대향하도록 설치되어 있고, 원환형으로 형성되어 있다. 또한, 발액층(45)도, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 면에 온도 센서(42)에 대향하도록 설치되어 있고, 원환형으로 형성되어 있다. 또한, 제3 실시형태에서는, 제1 실시형태에 관한 발액층(43)은 설치되어 있지 않지만, 이것에 한정되지 않고, 같이 설치되어도 좋다. 6 and 7, the liquid repellent layer 44 according to the third embodiment is provided so as to face the temperature sensor 42 on the surface of the treatment liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W And is formed in an annular shape. The liquid repellent layer 45 is also provided so as to face the temperature sensor 42 on the side of the substrate W side of the treatment liquid retaining plate 40 and is formed in an annular shape. In the third embodiment, the liquid repellent layer 43 according to the first embodiment is not provided, but the present invention is not limited thereto, and the liquid repellent layer 43 may be provided together.

고리형의 발액층(44, 45)은, 도 7의 평면시에 있어서, 각각 대응하는 온도 센서(42)의 측온 위치를 둘러싸도록 형성되어 있다. 이들 고리형의 발액층(44, 45)에 의하면, 처리액 유지 플레이트(40)가 석영 등의 투명 혹은 반투명 부재인 경우, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면으로부터 온도 센서(42)의 측온 위치를 시인할 수 있다. 또한, 온도 센서(42)의 바로 아래에는 발액층(44, 45)이 형성되어 있지 않기 때문에, 처리액의 온도가 온도 센서(42)에 의해 검출되기 쉬워진다. The annular liquid repellent layers 44 and 45 are formed so as to surround the temperature measurement position of the corresponding temperature sensor 42 in the plan view of Fig. When the process liquid retaining plate 40 is a transparent or semi-transparent member such as quartz, the surface of the process liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W side, It is possible to visually confirm the temperature-measuring position of the light source 42. Further, since the liquid repellent layers 44 and 45 are not formed immediately under the temperature sensor 42, the temperature of the process liquid is easily detected by the temperature sensor 42. [

또한, 발액층(44, 45)의 고리형은 원형에 한정되는 것이 아니라, 타원이나 장방형 등의 형상이어도 좋다. 또한, 발액층(44, 45)은 고리형이 아니라, 도 7의 평면시에 있어서 온도 센서(42)의 측온 위치를 덮는 원이나 타원, 장방형 등의 형상으로 형성되어도 좋다. The annular shape of the liquid repellent layers 44 and 45 is not limited to a circular shape but may be an elliptical shape or a rectangular shape. The liquid repellent layers 44 and 45 may be formed in a circle, an ellipse, a rectangle, or the like which covers the temperature-measuring position of the temperature sensor 42 in plan view in Fig.

발액층(44, 45)은, 제1 실시형태와 마찬가지로, 처리액(S)을 튀기는 재료(예컨대, PFA나 PTFE 등의 불소 수지)로 형성되어 있다. 이들 영역은, 처리액(S)에 대한 습윤성이 다른 영역에 비교하여 나빠, 처리액(S)의 액적이 부착되기 어려운 영역이다. 발액층(44, 45)의 재료로는, 단열재로서 기능하는 것이 많다. 따라서, 처리액 유지 플레이트(40)로부터 처리액에 열이 전달되도록 하기 위해서는, 처리액 유지 플레이트(40)에 대한 발액층(44, 45)의 설치 영역을 좁게 하는 것이 바람직하다. The liquid repellent layers 44 and 45 are made of a material (for example, fluororesin such as PFA or PTFE) that fills the treatment liquid S as in the first embodiment. These areas are areas where the wettability to the treatment liquid S is worse than those of the other areas and the liquid of the treatment liquid S is hardly adhered. As the material of the liquid repellent layers 44 and 45, many functions as a heat insulator. Therefore, in order to transfer heat from the process liquid retaining plate 40 to the process liquid, it is desirable to narrow the installation area of the liquid repellent layers 44, 45 relative to the process liquid retaining plate 40.

전술한 바와 같이 고리형의 발액층(44, 45)은, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 면에 있어서 각 온도 센서(42)에 대향하는 검출 위치를 둘러싸도록 설치되어 있다. 이에 따라, 토출구(40a)의 주위나 고리형의 발액층(44, 45)의 외부 영역(고리 밖의 영역)에 부착된 액적, 또한, 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출된 액이, 고리형의 발액층(44, 45)의 내부 영역(고리 내의 영역)에 침입하는 것이 억제되기 때문에, 각 온도 센서(42)에 대향하는 검출 위치에 액적이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 액적에 의한 오검지를 방지할 수 있다. 즉, 온도 센서(42)는 정확하게 처리액 유지 플레이트(40)의 온도를 측정하는 것이 가능해진다. 또한, 오검지에 의한 히터 온도의 불안정한 제어를 억지할 수도 있다. 따라서, 히터(41)의 온도 제어를 안정시키는 것이 가능해져, 처리액 온도를 원하는 온도로 유지할 수 있다. The annular liquid repellent layers 44 and 45 are provided so as to surround the detection position opposed to each temperature sensor 42 on the surface of the treatment liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W . The liquid droplets adhering to the periphery of the discharge port 40a or the outer area of the annular liquid repellent layers 44 and 45 (the area outside the annular area) W is prevented from intruding into the inner region (region in the loop) of the annular liquid repellent layers 44 and 45, it is possible to prevent the liquid from leaking out to the detection position opposite to each temperature sensor 42 It is possible to suppress the attachment of the object, and it is possible to prevent erroneous detection by the droplet. In other words, the temperature sensor 42 can accurately measure the temperature of the process liquid holding plate 40. In addition, unstable control of the heater temperature by erroneous detection can be suppressed. Therefore, the temperature control of the heater 41 can be stabilized, and the temperature of the treatment liquid can be maintained at a desired temperature.

또한, 처리액 유지 플레이트(40)가 상승할 때에, 처리액 유지 플레이트(40)의 고리형의 발액층(44, 45) 내에 액적이 부착되더라도, 처리액 유지 플레이트(40)의 가열에 의해 서서히 작아져 증발한다. 이 건조후에도, 토출구(40a)의 주위나 고리형의 발액층(44, 45)의 외부 영역에 부착된 액적, 또한 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출된 액이, 고리형의 발액층(44, 45)의 내부 영역에 침입하는 것은 고리형의 발액층(44, 45)에 의해 억제되기 때문에, 검출 위치에 액적이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 액적에 의한 오검지를 방지할 수 있다. Even if the droplets adhere to the annular liquid repellent layers 44 and 45 of the processing liquid retaining plate 40 when the processing liquid retaining plate 40 is lifted up, Evaporates. The droplets adhering to the outer periphery of the discharge port 40a or the outer region of the annular liquid repellent layers 44 and 45 and the liquid droplets adhering to the surface of the treatment liquid retaining plate 40 on the substrate W side Is prevented by the annular liquid repellent layers 44 and 45 from entering the inner region of the annular liquid repellent layers 44 and 45, it is possible to prevent the liquid droplets from adhering to the detection position So that erroneous detection by the droplet can be prevented.

이상 설명한 바와 같이, 제3 실시형태에 의하면, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 면에, 각 온도 센서(42)에 대향하도록 고리형의 발액층(44, 45)을 설치함으로써, 토출구(40a)의 주위나 고리형의 발액층(44, 45)의 외부 영역에 부착된 액적, 또한 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출된 액이 고리형의 발액층(44, 45)의 내부 영역에 침입하는 것이 억제되고, 각 온도 센서(42)에 대향하는 검출 위치에 액적이 부착되는 것이 억제되기 때문에, 온도 센서(42)는 정확하게 처리액 유지 플레이트(40)의 온도를 측정하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도, 즉 히터 온도의 제어를 안정시킬 수 있다. 결과적으로, 처리액 온도를 원하는 온도로 유지하는 것이 가능해져, 처리 부족 등의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. As described above, according to the third embodiment, the annular liquid repellent layers 44 and 45 are provided on the surface of the treatment liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W so as to face the respective temperature sensors 42 The droplets adhering to the outer periphery of the discharge port 40a or the outer region of the annular liquid repellent layers 44 and 45 and the liquid flowing out from the discharge port 40a to the surface of the substrate W side of the process liquid holding plate 40 The temperature sensor 42 is prevented from entering the inner region of the annular liquid repellent layers 44 and 45 and the liquid droplets are prevented from adhering to the detection positions opposed to the respective temperature sensors 42. Therefore, The temperature of the processing liquid holding plate 40 can be accurately measured. Thus, the control of the temperature of the processing liquid holding plate 40, that is, the heater temperature can be stabilized. As a result, it becomes possible to maintain the temperature of the treatment liquid at a desired temperature, and it is possible to suppress occurrence of quality defects such as insufficient treatment.

또한, 제3 실시형태를 제1 실시형태 또는 제2 실시형태와 조합하는 것도 가능하다. 즉, 토출구(40a)의 주위에 발액층(43, 43a)을 설치하고, 온도 센서(42)의 주위에 발액층(44, 45)을 설치함으로써, 처리액이 토출구(40a)의 주위에 부착되는 것이나 온도 센서(42)의 검출 위치에 부착되는 것을 방지할 수 있다. It is also possible to combine the third embodiment with the first embodiment or the second embodiment. That is, by providing the liquid repellent layers 43 and 43a around the discharge port 40a and providing the liquid repellent layers 44 and 45 around the temperature sensor 42, the treatment liquid is adhered to the discharge port 40a And the temperature sensor 42 can be prevented from being attached to the detection position.

<제4 실시형태> &Lt; Fourth Embodiment &

제4 실시형태에 관해 도 8을 참조하여 설명한다. 또한, 제4 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상이점(발액층의 설치 개소)에 관해 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다. The fourth embodiment will be described with reference to Fig. In the fourth embodiment, the difference from the first embodiment (the location of the liquid repellent layer) is described, and the other explanations are omitted.

도 8에 도시한 바와 같이, 제4 실시형태에 관한 발액층(46)은, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에서의 기판(W)과 대향하지 않는 영역에 설치되어 있고, 원환형으로 형성되어 있다. 또한, 발액층(47)은, 처리액 유지 플레이트(40)의 외주면(측면)에 설치되어 있고, 원환형으로 형성되어 있다. 8, the liquid repellent layer 46 according to the fourth embodiment is provided in an area not facing the substrate W on the surface of the processing liquid retaining plate 40 on the substrate W side And is formed in an annular shape. The liquid repellent layer 47 is provided on the outer peripheral surface (side surface) of the treatment liquid retaining plate 40, and is formed in an annular shape.

발액층(46, 47)은, 제1 실시형태와 마찬가지로, 처리액(S)을 튀기는 재료(예컨대, PFA나 PTFE 등의 불소 수지)로 형성되어 있다. 이들 영역은, 처리액(S)에 대한 습윤성이 다른 영역에 비교하여 나빠, 처리액(S)의 액적이 부착되기 어려운 영역이다. 발액층(46, 47)의 재료로는, 단열재로서 기능하는 것이 많다. 이 때문에, 처리액 유지 플레이트(40)에 있어서 기판(W)과 대향하지 않는 영역에 발액층(46, 47)이 설치되어 있다. The liquid repellent layers 46 and 47 are formed of a material (for example, a fluororesin such as PFA or PTFE) that fills the treatment liquid S as in the first embodiment. These areas are areas where the wettability to the treatment liquid S is worse than those of the other areas and the liquid of the treatment liquid S is hardly adhered. As the material of the liquid repellent layers 46 and 47, many functions as a heat insulating material. For this reason, the liquid repellent layers 46 and 47 are provided on the treatment liquid retaining plate 40 in a region not opposed to the substrate W.

여기서, 발액층(46, 47)이 없는 경우에는, 처리액(S)의 액적이 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에서의 기판(W)과 대향하지 않는 외주 영역이나 처리액 유지 플레이트(40)의 외주면에 부착되는 경우가 있다. 처리액 유지 플레이트(40)의 외주 부분(전술한 외주 영역이나 외주면)은, 직접 히터(41)에 접하지 않고(히터(41)로부터의 열이 처리액 유지 플레이트(40)의 외주 부분에 골고루 퍼지 어려운 것) 또한 공기에 접촉하지 않는다는 점에서, 차가워지기 쉽기 때문에, 그 외주 부분에 부착된 액적이 증발하기 어려운 경우가 있다. 이 액적이, 로봇 핸들링 장치(도시하지 않음)에 의해 기판(W)이 반입될 때, 혹은, 반출될 때의 동작이나 진동 등에 기인하여 기판(W)의 표면에 낙하하면, 워터마크 등의 품질 불량이 발생한다. When the liquid repellent layers 46 and 47 do not exist, the liquid droplets of the process liquid S are discharged to the outer peripheral region which is not opposed to the substrate W on the surface of the process liquid retaining plate 40 on the substrate W side And may adhere to the outer peripheral surface of the treatment liquid holding plate 40 in some cases. The outer circumferential portion of the treatment liquid retaining plate 40 (the outer circumferential region or the outer circumferential surface described above) is not directly contacted with the heater 41 (heat from the heater 41 is uniformly applied to the outer circumferential portion of the treatment liquid retaining plate 40) It is difficult to purge.) In addition, since it does not come into contact with air, it tends to become cold, so that a droplet adhered to the outer circumferential portion may be difficult to evaporate. When the droplet drops onto the surface of the substrate W due to operation or vibration when the substrate W is carried in or out by the robot handling device (not shown), the quality of the watermark or the like Defects occur.

그런데, 전술한 바와 같이 외주 영역이나 외주면에 발액층(46, 47)을 설치함으로써, 그 외주 영역이나 외주면에 액적이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해지기 때문에, 액적 낙하에 의한 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. By providing the liquid repellent layers 46 and 47 on the outer peripheral region and the outer peripheral surface as described above, it is possible to suppress adherence of liquid droplets to the outer peripheral region and the outer peripheral surface, thereby suppressing the occurrence of quality defects can do.

이상 설명한 바와 같이, 제4 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 처리액(S)의 액적이 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에서의 기판(W)과 대향하지 않는 외주 영역 및 처리액 유지 플레이트(40)의 외주면에 발액층(46, 47)을 설치함으로써, 그 외주 영역이나 외주면에 액적이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 워터마크 등의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. As described above, according to the fourth embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. The liquid droplets of the treatment liquid S are supplied to the outer circumferential region of the treatment liquid retaining plate 40 on the side of the substrate W side not facing the substrate W and to the outer peripheral surface of the treatment liquid retaining plate 40, It is possible to suppress the adherence of the liquid droplets to the outer peripheral region or the outer peripheral surface by providing the liquid droplets 46 and 47, and it is possible to suppress the occurrence of quality defects such as watermarks.

또한, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에서의 기판(W)과 대향하지 않는 외주 영역 및 처리액 유지 플레이트(40)의 외주면의 어느 한쪽에만 발액층을 설치하도록 해도 좋다. 또한, 제4 실시형태를 제1 실시형태나 제2 실시형태, 제3 실시형태 등과 조합하는 것도 가능하다. The liquid repellent layer may be provided only on the outer peripheral surface of the processing liquid retaining plate 40 on the substrate W side and the outer peripheral surface of the processing liquid retaining plate 40 that is not opposed to the substrate W . It is also possible to combine the fourth embodiment with the first embodiment, the second embodiment, the third embodiment, and the like.

<다른 실시형태> <Other Embodiments>

전술한 각 실시형태에 있어서는, 최초의 처리(예컨대, 레지스트 제거 처리)를 행한 후에, 순수로 세정 처리, APM로 세정 처리, 또한 순수로 세정 처리의 3회의 세정 처리를 행하는 것을 예시했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 APM의 세정 처리나 1회째의 순수의 세정 처리 등을 생략하는 것도 가능하고, 그 처리의 내용이나 횟수는 특별히 한정되는 것은 아니다. In each of the above-described embodiments, the cleaning process with pure water, the cleaning process with APM, and the cleaning process with pure water are performed three times after the first process (for example, resist removal process) is performed. It is not limited, and for example, the cleaning treatment of APM, the cleaning treatment of the first pure water, and the like can be omitted, and the contents and the number of the treatment are not particularly limited.

또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 처리액 유지 플레이트(40)와 기판(W)의 표면 사이에 처리액(S)을 연속적으로 공급하는 것을 예시했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 처리액 유지 플레이트(40)와 기판(W)의 표면 사이에 처리액(S)을 유지한 상태로, 처리액(S)의 공급을 정지하는 것도 가능하다. 예컨대, 미리 정해진 온도를 초과하면 급격하게 처리 능력을 높이는 특성의 처리액(S)을 이용하는 경우 등에는, 처리액 유지 플레이트(40)와 기판(W)의 표면 사이에 처리액(S)을 유지한 상태로, 처리액(S)의 공급을 정지하는 것이 바람직하다. 이 경우, 처리액(S)의 새로운 공급이 정지되어, 기판(W)의 표면 상에 처리액(S)이 치환되지 않고 정체되며, 그 동안 가열되는 처리액(S)이 전술한 미리 정해진 온도를 초과하게 된다. In each of the above-described embodiments, the treatment liquid S is continuously supplied between the treatment liquid holding plate 40 and the surface of the substrate W. However, the treatment liquid S is not limited to this, It is also possible to stop the supply of the process liquid S while holding the process liquid S between the holding plate 40 and the surface of the substrate W. [ For example, in the case of using the processing liquid S having a characteristic of rapidly increasing the processing capability when the temperature exceeds a predetermined temperature, the processing liquid S is held between the processing liquid holding plate 40 and the surface of the substrate W It is preferable that the supply of the treatment liquid S is stopped. In this case, the new supply of the process liquid S is stopped, the process liquid S is not replaced on the surface of the substrate W and is stagnated, and the process liquid S to be heated during that time is maintained at the above- .

또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판측과 반대측의 면에 각 온도 센서(42)를 설치하는 것을 예시했지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 처리액 유지 플레이트(40)의 내부에 각 온도 센서(42)를 설치하는 것도 가능하며, 처리액 유지 플레이트(40)가 각 온도 센서(42)를 내장하도록 해도 좋다. In the above-described embodiments, the temperature sensor 42 is provided on the surface of the process liquid holding plate 40 on the side opposite to the substrate side. However, the present invention is not limited to this. For example, The temperature sensor 42 may be installed in the processing liquid holding plate 40 and the temperature sensor 42 may be embedded in the processing liquid holding plate 40.

이상, 본 발명의 몇 가지 실시형태를 설명했지만, 이들 실시형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 이들 신규 실시형태는, 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다. Although the embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the present invention. These new embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and alterations can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and spirit of the invention, and are included in the scope of equivalents of the invention described in the claims.

10 : 기판 처리 장치 20 : 기판 유지 플레이트
40 : 처리액 유지 플레이트 40a : 토출구
41 : 히터 42 : 온도 센서
43 : 발액층 43a : 발액층
44 : 발액층 45 : 발액층
46 : 발액층 47 : 발액층
60 : 승강 기구 S : 처리액
W : 기판10: substrate processing apparatus 20: substrate holding plate
40: treatment liquid holding plate 40a:
41: heater 42: temperature sensor
43: liquid repellent layer 43a:
44: liquid repellent layer 45: liquid repellent layer
46: liquid repellent layer 47: liquid repellent layer
60: lifting mechanism S: treatment liquid
W: substrate

Claims (12)

기판을 유지하는 기판 유지부와,
처리액을 토출하는 토출구를 가지며, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리액을 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트와,
상기 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 상기 처리액 유지 플레이트를 가열하는 히터와,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 대하여 상기 처리액 유지 플레이트 및 상기 히터를 승강시키는 승강 기구와,
상기 처리액 유지 플레이트의 상기 기판측의 표면에 상기 토출구를 둘러싸도록 고리형으로 설치되고, 상기 처리액을 튀기는 발액층
을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A substrate holding portion for holding a substrate;
Wherein the processing liquid is discharged from the discharge port to the substrate held by the substrate holding section and is disposed at a position away from the surface of the substrate held by the substrate holding section, A treatment liquid holding plate for holding the treatment liquid between the surface and the surface,
A heater provided on the treatment liquid holding plate for heating the treatment liquid holding plate,
A lifting mechanism for lifting the process liquid holding plate and the heater with respect to the substrate held by the substrate holding unit;
The treatment liquid retaining plate is provided on the surface of the substrate on the side of the substrate in a ring shape so as to surround the discharge port,
And the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 상기 처리액 유지 플레이트의 온도를 검출하는 온도 센서와,
상기 처리액 유지 플레이트의 상기 기판측의 면에 상기 온도 센서에 대향하도록 설치되고, 상기 처리액을 튀기는 발액층
을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The apparatus according to claim 1, further comprising: a temperature sensor provided on the processing liquid holding plate for detecting a temperature of the processing liquid holding plate;
A liquid repellent layer provided on the surface of the treatment liquid retaining plate opposite to the substrate to face the temperature sensor,
The substrate processing apparatus further comprising: 기판을 유지하는 기판 유지부와,
처리액을 토출하는 토출구를 가지며, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리액을 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트와,
상기 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 상기 처리액 유지 플레이트를 가열하는 히터와,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 대하여 상기 처리액 유지 플레이트 및 상기 히터를 승강시키는 승강 기구와,
상기 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 상기 처리액 유지 플레이트의 온도를 검출하는 온도 센서와,
상기 처리액 유지 플레이트의 상기 기판측의 면에 상기 온도 센서에 대향하도록 설치되고, 상기 처리액을 튀기는 발액층
을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A substrate holding portion for holding a substrate;
Wherein the processing liquid is discharged from the discharge port to the substrate held by the substrate holding section and is disposed at a position away from the surface of the substrate held by the substrate holding section, A treatment liquid holding plate for holding the treatment liquid between the surface and the surface,
A heater provided on the treatment liquid holding plate for heating the treatment liquid holding plate,
A lifting mechanism for lifting the process liquid holding plate and the heater with respect to the substrate held by the substrate holding unit;
A temperature sensor provided on the treatment liquid holding plate for detecting a temperature of the treatment liquid holding plate,
A liquid repellent layer provided on the surface of the treatment liquid retaining plate opposite to the substrate to face the temperature sensor,
And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트의 상기 기판측의 표면에서의 상기 기판과 대향하지 않는 영역에 설치되고, 상기 처리액을 튀기는 발액층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a liquid-repellent layer provided on an area of the surface of the processing liquid retaining plate that is not opposed to the substrate on the substrate-side surface, And the substrate processing apparatus. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트의 측면에 설치되고, 상기 처리액을 튀기는 발액층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a liquid repelling layer provided on a side surface of the processing liquid retaining plate for repelling the processing liquid. 제4항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트의 측면에 설치되고, 상기 처리액을 튀기는 발액층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a liquid repellent layer provided on a side surface of the processing liquid retaining plate for ejecting the processing liquid. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 토출구는 원형이며,
고리형의 상기 발액층은 상기 토출구의 형상에 맞춰 미리 정해진 폭을 갖는 원환형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The apparatus according to claim 1 or 2, wherein the discharge port is circular,
Wherein the annular liquid repellent layer is formed in an annular shape having a predetermined width in conformity with the shape of the discharge port. 제7항에 있어서, 상기 기판은 원형이며,
상기 미리 정해진 폭은 적어도 상기 기판의 반경 이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7, wherein the substrate is circular,
Wherein the predetermined width is at least a radius of the substrate. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발액층의 영역은 상기 처리 액에 대한 습윤성이 다른 영역에 비하여 나빠, 상기 처리액이 부착되기 어려운 영역인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the area of the liquid repellent layer is a region where the wettability to the treatment liquid is worse than the other regions, and the treatment liquid is hardly adhered thereto. 제1항에 있어서, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
상기 토출구보다 상기 기판의 외측에 위치하도록 상기 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 상기 처리액 유지 플레이트의 온도를 검출하는 온도 센서
를 구비하고,
고리형의 상기 발액층은 상기 토출구 및 상기 기판 유지부의 회전축이 통하는 위치를 포함하고, 상기 온도 센서보다 상기 기판의 내측에 위치하는 사이즈로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus of claim 1, further comprising: a rotating mechanism for rotating the substrate holder;
A temperature sensor provided on the process liquid retaining plate so as to be located outside the substrate and detecting the temperature of the process liquid retaining plate;
And,
Wherein the annular liquid repellent layer includes a position through which the discharge port and the rotation axis of the substrate holding part communicate, and is formed in a size that is positioned inside the substrate than the temperature sensor. 제1항 또는 제2항에 있어서, 고리형의 상기 발액층의 적어도 일부는 상기 토출구로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein at least a part of the annular liquid repellent layer is spaced apart from the discharge port. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 온도 센서에 대향하는 상기 발액층은, 상기 온도 센서의 측온 위치를 둘러싸도록 고리형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 4. The substrate processing apparatus according to claim 2 or 3, wherein the liquid repellent layer opposed to the temperature sensor is annularly formed so as to surround the temperature measuring position of the temperature sensor.
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