KR102265170B1 - Substrate treatment device - Google Patents

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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
실시형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 유지하는 기판 유지 플레이트(20)와, 처리액(S)을 토출하는 토출구(40a)를 가지며, 기판 유지 플레이트(20)에 의해 유지된 기판(W)의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 토출구(40a)로부터 토출된 처리액(S)을 기판 유지 플레이트(20)에 의해 유지된 기판(W)의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트(40)와, 처리액 유지 플레이트(40)에 설치되고, 처리액 유지 플레이트(40)를 가열하는 히터(41)와, 기판 유지 플레이트(20)에 의해 유지된 기판에 대하여 처리액 유지 플레이트(40) 및 히터(41)를 승강시키는 승강 기구(60)와, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 토출구(40a)를 둘러싸도록 고리형으로 설치되고, 처리액(S)을 튀기는 발액층(43)을 구비한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the occurrence of poor quality of the substrate.
A substrate processing apparatus 10 according to the embodiment includes a substrate holding plate 20 for holding a substrate W, and a discharge port 40a for discharging a processing liquid S, and is formed by the substrate holding plate 20 . It is provided at a position away from the surface of the held substrate W, and between the processing liquid S discharged from the discharge port 40a and the surface of the substrate W held by the substrate holding plate 20 . The processing liquid holding plate 40 held by the processing liquid holding plate 40 , the heater 41 provided on the processing liquid holding plate 40 to heat the processing liquid holding plate 40 , and the substrate held by the substrate holding plate 20 . An elevating mechanism 60 for elevating the treatment liquid holding plate 40 and the heater 41 against each other, and the treatment liquid holding plate 40 are provided in an annular shape to surround the discharge port 40a on the surface of the substrate W side. and a liquid-repellent layer 43 for splashing the treatment liquid (S).

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE TREATMENT DEVICE}

본 발명의 실시형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a substrate processing apparatus.

기판 처리 장치는, 반도체나 액정 패널 등의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판 표면에 처리액(예컨대, 레지스트 박리액이나 세정액 등)을 공급하여, 기판 표면을 처리하는 장치이다. 이 기판 처리 장치로는, 기판 처리 효율 향상을 위해, 회전하는 기판 상의 처리액을 가열하고, 그 처리액의 성질이나 열량을 이용하여 기판 표면을 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치가 제안되어 있다. BACKGROUND ART A substrate processing apparatus is an apparatus for treating the surface of a substrate by supplying a processing liquid (eg, a resist stripper or a cleaning liquid, etc.) to the surface of a substrate such as a wafer or liquid crystal substrate in a manufacturing process of a semiconductor or liquid crystal panel. As the substrate processing apparatus, a single-wafer substrate processing apparatus has been proposed in which a processing liquid on a rotating substrate is heated and the substrate surface is treated using the properties and heat amount of the processing liquid in order to improve substrate processing efficiency.

이 매엽식의 기판 처리 장치에 있어서, 기판 표면을 균일하게 처리하기 위해서는, 기판 표면 상의 액온을 균일하게 하는 것이 중요해진다. 따라서, 기판 표면에 대향하여 떨어진 위치에 처리액 유지 플레이트가 설치되고, 이 처리액 유지 플레이트가 히터에 의해 가열된다. 그리고, 이 때, 기판 표면과 처리액 유지 플레이트의 사이(예컨대 수 mm)에 존재하는 처리액은, 처리액 유지 플레이트에 의해 균일하게 덥혀진다.In this single-wafer substrate processing apparatus, in order to process the substrate surface uniformly, it becomes important to make the liquid temperature on the substrate surface uniform. Accordingly, the processing liquid holding plate is provided at a position away from the surface of the substrate, and the processing liquid holding plate is heated by the heater. At this time, the processing liquid existing between the surface of the substrate and the processing liquid holding plate (eg, several mm) is uniformly heated by the processing liquid holding plate.

자세하게는, 처리액 유지 플레이트에는 처리액 공급관이 관통하도록 설치되어 있고, 처리액 공급관의 개구로부터 처리액이 토출된다. 처리액은 그 토출구로부터 기판 표면에 공급되고, 처리액 유지 플레이트와 기판 표면의 간극에 넓어져, 그 간극에 유지되게 된다. 이 처리액이, 히터에 의해 가열된 처리액 유지 플레이트에 의해 덥혀진다. 또한, 처리액 유지 플레이트는, 승강 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 또한, 처리액 유지 플레이트의 기판측과 반대측의 표면에는, 온도 센서(예컨대 열전대 등)가 설치되어 있다. In detail, the processing liquid holding plate is provided with a processing liquid supply pipe passing therethrough, and the processing liquid is discharged from the opening of the processing liquid supply pipe. The processing liquid is supplied to the substrate surface from the discharge port, spreads in the gap between the processing liquid holding plate and the substrate surface, and is held in the gap. This processing liquid is heated by the processing liquid holding plate heated by the heater. In addition, the processing liquid holding plate is provided to be movable in the elevation direction. In addition, a temperature sensor (eg, a thermocouple, etc.) is provided on the surface of the processing liquid holding plate opposite to the substrate side.

이 기판 처리 장치에서는, 기판 처리 완료후, 처리액 유지 플레이트를 상승시켜 기판 표면으로부터 멀어지게 할 때에도, 토출구로부터 처리액을 계속 토출한다. 이것은, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 부착된 액적이 낙하하더라도, 기판 표면에 처리액의 층을 존재시켜 워터마크가 발생하는 것을 억제하기 위해서이다. 또한, 처리액 유지 플레이트가 미리 정해진 처리 위치로부터 상승한 상태에 있어서, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 부착된 액적의 대부분은, 처리액 유지 플레이트에 의한 가열(처리액을 덥힐 정도의 가열)에 의해 서서히 작아져 최종적으로 증발하지만(증발에 시간을 요하지만), 그 증발전에 액적끼리 접촉하여 일체화하면 기판 표면에 낙하하는 경우가 있다. In this substrate processing apparatus, even when the processing liquid holding plate is raised to move away from the surface of the substrate after the substrate processing is completed, the processing liquid is continuously discharged from the discharge port. This is to suppress the occurrence of a watermark by the presence of a layer of the processing liquid on the surface of the substrate even if the droplets adhering to the surface of the processing liquid holding plate on the substrate side fall. Further, in a state in which the processing liquid holding plate is raised from the predetermined processing position, most of the droplets adhering to the surface of the processing liquid holding plate on the substrate side are heated by the processing liquid holding plate (heating to the extent of warming the processing liquid) It gradually decreases and finally evaporates (evaporation takes time), but if the droplets come into contact with each other before evaporation and are integrated, they may fall on the surface of the substrate.

예컨대, 전술한 처리액 유지 플레이트를 상승시켜 기판 표면으로부터 멀어지게 한 후, 처리액의 토출이 정지되지만, 이 때, 액적이 처리액 유지 플레이트의 토출구의 주위에 부착되는 경우가 있다. 토출구의 주위에 부착된 액적은 증발하기 전에, 처리액 유지 플레이트의 경사 혹은 기류 등에 의해 이동하여, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 부착된 증발전의 다른 액적과 접촉하여 일체화하여 기판 표면에 낙하하는 경우가 있다. 이것은, 처리를 종료한 기판 표면에 있어서, 워터마크 등의 품질 불량의 원인이 된다. For example, after the aforementioned treatment liquid holding plate is raised to move away from the substrate surface, the discharge of the treatment liquid is stopped, but at this time, droplets may adhere to the periphery of the discharge port of the treatment liquid holding plate. The droplets adhering to the periphery of the discharge port move by the inclination or airflow of the treatment liquid holding plate before evaporation, and come into contact with other droplets before evaporation adhering to the substrate side surface of the treatment liquid holding plate, and fall on the surface of the substrate. There are cases. This causes quality defects such as watermarks on the surface of the substrate on which the processing has been completed.

또한, 처리액의 공급 정지후, 토출구의 주위나 그 밖의 개소에 부착된 액적이, 처리액 유지 플레이트의 경사나 기류 등에 의해 이동하여, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 있어서 온도 센서에 대향하는 검출 위치에 부착되는 경우가 있다. 이 경우에는, 액적의 영향에 의해, 온도 센서가 정확하게 처리액 유지 플레이트의 온도를 측정하는 것이 어려워진다. 이 때문에, 처리액 유지 플레이트의 온도, 즉 히터 온도의 제어를 안정시키는 것이 어려워진다. 이것은, 처리액 온도를 원하는 온도로 유지하는 것을 어렵게 하기 때문에, 처리 부족 등의 품질 불량의 원인이 된다. In addition, after the supply of the treatment liquid is stopped, the droplets adhering to the vicinity of the discharge port or other locations move due to the inclination of the treatment liquid holding plate, air flow, etc., and face the temperature sensor on the surface of the treatment liquid holding plate on the substrate side. It may be attached to the detection position. In this case, it becomes difficult for the temperature sensor to accurately measure the temperature of the treatment liquid holding plate due to the influence of the droplet. For this reason, it becomes difficult to stabilize the control of the temperature of the processing liquid holding plate, that is, the heater temperature. This makes it difficult to maintain the processing liquid temperature at a desired temperature, and thus causes quality defects such as insufficient processing.

또한, 기판 처리가 끝나더라도 히터는 구동하여, 안정된 히터 온도의 제어가 행해지고 있다. 이것은, 처리 완료후에 히터가 정지하면, 새로운 기판을 처리할 때, 히터에 의한 가열을 시작하고 나서 처리액 유지 플레이트를 미리 정해진 온도로 할 때까지 시간을 요하기 때문이다. 즉, 새로운 미처리의 기판이 반입되더라도 즉시 처리를 시작할 수 있도록, 처리액 유지 플레이트가 상승할 때에도 히터의 온도 제어를 행할 필요가 있다. In addition, even after the substrate processing is finished, the heater is driven and the heater temperature is controlled stably. This is because, when the heater is stopped after the completion of processing, when a new substrate is processed, it takes time from starting heating by the heater until the processing liquid holding plate is brought to a predetermined temperature. That is, it is necessary to control the temperature of the heater even when the processing liquid holding plate rises so that processing can be started immediately even when a new unprocessed substrate is loaded.

특허문헌 1 : 국제 공개 제2011/090141호Patent Document 1: International Publication No. 2011/090141

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the occurrence of poor quality of the substrate.

실시형태에 관한 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 처리액을 토출하는 토출구를 가지며, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 토출구로부터 토출된 처리액을 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트와, 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 처리액 유지 플레이트를 가열하는 히터와, 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 처리액 유지 플레이트 및 히터를 승강시키는 승강 기구와, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면에 토출구를 둘러싸도록 고리형으로 설치되고, 처리액을 튀기는 발액층을 구비한다. A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a substrate holding unit for holding a substrate, and a discharge port for discharging a processing liquid, provided at a position away from the surface of a substrate held by the substrate holding unit, and discharged from the discharge port a processing liquid holding plate for holding the processing liquid between the surface of the substrate held by the substrate holding unit; a heater provided on the processing liquid holding plate to heat the processing liquid holding plate; A lifting mechanism for raising and lowering the treatment liquid holding plate and the heater with respect to the substrate, and a liquid repellent layer provided in an annular shape to surround the discharge port on the surface of the treatment liquid holding plate on the substrate side, the liquid repellent layer is provided.

실시형태에 관한 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 처리액을 토출하는 토출구를 가지며, 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 토출구로부터 토출된 처리액을 기판 유지부에 의해 유지된 기판의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트와, 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 처리액 유지 플레이트를 가열하는 히터와, 기판 유지부에 의해 유지된 기판에 대하여 처리액 유지 플레이트 및 히터를 승강시키는 승강 기구와, 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 처리액 유지 플레이트의 온도를 검출하는 온도 센서와, 처리액 유지 플레이트의 기판측의 면에 온도 센서에 대향하도록 설치되고, 처리액을 튀기는 발액층을 구비한다. A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a substrate holding unit for holding a substrate, and a discharge port for discharging a processing liquid, provided at a position away from the surface of a substrate held by the substrate holding unit, and discharged from the discharge port a processing liquid holding plate for holding the processing liquid between the surface of the substrate held by the substrate holding unit; a heater provided on the processing liquid holding plate to heat the processing liquid holding plate; a lifting mechanism for raising and lowering the processing liquid holding plate and the heater with respect to the substrate; a temperature sensor provided on the processing liquid holding plate to detect the temperature of the processing liquid holding plate; and a temperature sensor on the surface of the processing liquid holding plate on the substrate side. A liquid-repellent layer provided to face each other and splashing the treatment liquid is provided.

본 발명의 실시형태에 의하면, 기판의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to embodiment of this invention, generation|occurrence|production of the quality defect of a board|substrate can be suppressed.

도 1은 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 관한 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면을 나타내는 평면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 기판 처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 4는 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 5는 제2 실시형태에 관한 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면을 나타내는 평면도이다.
도 6은 제3 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 7은 제3 실시형태에 관한 처리액 유지 플레이트의 기판측의 표면을 나타내는 평면도이다.
도 8은 제4 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment.
2 is a plan view showing a surface of the processing liquid holding plate according to the first embodiment on the substrate side.
3 is a flowchart showing a flow of substrate processing in the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
4 is a cross-sectional view showing a part of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
5 is a plan view showing the surface of the processing liquid holding plate according to the second embodiment on the substrate side.
6 is a cross-sectional view showing a part of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
7 is a plan view showing the surface of the processing liquid holding plate according to the third embodiment on the substrate side.
8 is a cross-sectional view showing a part of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment.

<제1 실시형태> <First embodiment>

제1 실시형태에 관해 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. A first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4 .

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 실시형태에 관한 기판 처리 장치(10)는, 기판 유지 플레이트(20)와, 회전 기구(30)와, 처리액 유지 플레이트(40)와, 액공급부(50)와, 승강 기구(60)와, 제어부(70)를 구비하고 있다. 1 , the substrate processing apparatus 10 according to the first embodiment includes a substrate holding plate 20 , a rotation mechanism 30 , a processing liquid holding plate 40 , and a liquid supply unit 50 . ), a lifting mechanism 60 , and a control unit 70 .

기판 유지 플레이트(20)는, 처리실이 되는 처리 박스(도시하지 않음)의 대략 중앙 부근에 위치 부여되어, 수평면 내에서 회전 가능하게 설치되어 있다. 이 기판 유지 플레이트(20)는, 핀 등의 기판 유지 부재(21)를 복수 갖고 있고, 이들 기판 유지 부재(21)에 의해 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판(W)을 착탈 가능하게 유지한다. 기판 유지 플레이트(20)는, 기판(W)을 유지하는 기판 유지부로서 기능한다. 이 기판 유지 플레이트(20)의 중앙에는 기둥형의 회전체(22)가 연결되어 있다. 또한, 기판 유지 플레이트(20)의 형상은 기판(W)과 동일한 원형이며, 기판 유지 플레이트(20)의 평면의 크기는 기판(W)의 평면보다 크다. The substrate holding plate 20 is positioned in the approximate center vicinity of a processing box (not shown) serving as a processing chamber, and is rotatably installed in a horizontal plane. This substrate holding plate 20 has a plurality of substrate holding members 21 such as pins, and by these substrate holding members 21 , a substrate W such as a wafer or a liquid crystal substrate is detachably held. The substrate holding plate 20 functions as a substrate holding unit holding the substrate W. As shown in FIG. A columnar rotating body 22 is connected to the center of the substrate holding plate 20 . In addition, the shape of the substrate holding plate 20 is the same circular shape as that of the substrate W, and the size of the plane of the substrate holding plate 20 is larger than the plane of the substrate W.

회전 기구(30)는, 기둥형의 회전체(22)를 회전 가능하게 유지하는 유지부나 회전체(22)를 회전시키는 구동원이 되는 모터(모두 도시하지 않음) 등을 갖고 있다. 이 회전 기구(30)는, 모터의 구동에 의해 회전체(22)와 함께 기판 유지 플레이트(20)를 회전시킨다. 회전 기구(30)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(70)에 의해 제어된다. The rotating mechanism 30 has a holding part which rotatably holds the columnar rotating body 22, a motor (both not shown) serving as a driving source for rotating the rotating body 22, and the like. The rotating mechanism 30 rotates the substrate holding plate 20 together with the rotating body 22 by driving a motor. The rotation mechanism 30 is electrically connected to the control unit 70 , and its driving is controlled by the control unit 70 .

처리액 유지 플레이트(40)는, 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)에 대향하여 떨어진 위치에 설치되어 있고, 승강 기구(60)에 의해 승강 방향으로 이동하는 것이 가능하게 형성되어 있다. 처리액 유지 플레이트(40)는, 처리액(S)을 토출하는 토출구(40a)를 갖고 있다. 이 처리액 유지 플레이트(40)의 둘레 가장자리부에는, 기판 유지 플레이트(20)와 반대측에 세워진 벽(40b)이 형성되어 있다. 처리액 유지 플레이트(40)는, 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)에 대한 미리 정해진 이격 거리(예컨대 4 mm 이하)로, 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)과의 사이에 처리액(S)을 유지한다. 처리액 유지 플레이트(40)는, 열전도성을 갖는 재료로 형성되어 있다. 또한, 처리액 유지 플레이트(40)의 형상은 기판(W)과 동일한 원형이며, 처리액 유지 플레이트(40)의 평면의 크기는 기판(W)의 평면 이상이면 되지만, 기판(W)의 평면보다 큰 것이 바람직하다. The processing liquid holding plate 40 is provided on the substrate holding plate 20 at a position away from the substrate W to face it, and is formed to be movable in the elevating direction by the elevating mechanism 60 . The processing liquid holding plate 40 has a discharge port 40a for discharging the processing liquid S. A wall 40b erected on the opposite side to the substrate holding plate 20 is formed on the peripheral edge of the processing liquid holding plate 40 . The processing liquid holding plate 40 is processed between the substrate holding plate 20 and the substrate W on the substrate holding plate 20 at a predetermined separation distance (eg, 4 mm or less) with respect to the substrate W on the substrate holding plate 20 . Keep the liquid (S). The processing liquid holding plate 40 is formed of a material having thermal conductivity. In addition, the shape of the processing liquid holding plate 40 is the same circular shape as that of the substrate W, and the size of the plane of the processing liquid holding plate 40 may be greater than or equal to the plane of the substrate W, but rather than the plane of the substrate W. A large one is preferable.

액공급부(50)는, 처리액 공급관(51)과, 액저류부(52)를 구비하고 있다. 처리액 공급관(51)의 일단부는, 처리액 유지 플레이트(40) 및 히터(41)를 관통하도록 설치되고, 처리액 유지 플레이트(40)에 고정되어 있다. 이 처리액 공급관(51)의 개구는, 처리액 유지 플레이트(40)의 토출구(40a)로서 기능한다. 액저류부(52)는, 각종 처리액(예컨대, 순수나 황산, 과산화수소수, 암모니아수, 인산 등)을 저류하는 처리액조(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 액저류부(52)는, 복수의 전자 밸브 등의 개폐에 의해 각 처리액조로부터 원하는 처리액(S)을 처리액 공급관(51)에 흘리는 것이 가능하게 구성되어 있다. 액저류부(52)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(70)에 의해 제어된다. The liquid supply unit 50 includes a processing liquid supply pipe 51 and a liquid storage unit 52 . One end of the processing liquid supply pipe 51 is installed to pass through the processing liquid holding plate 40 and the heater 41 , and is fixed to the processing liquid holding plate 40 . The opening of the processing liquid supply pipe 51 functions as a discharge port 40a of the processing liquid holding plate 40 . The liquid storage unit 52 is provided with a treatment liquid tank (not shown) for storing various treatment liquids (eg, pure water, sulfuric acid, hydrogen peroxide, ammonia water, phosphoric acid, etc.). The liquid storage part 52 is configured to flow a desired processing liquid S from each processing liquid tank to the processing liquid supply pipe 51 by opening and closing a plurality of solenoid valves or the like. The liquid storage unit 52 is electrically connected to the control unit 70 , and its driving is controlled by the control unit 70 .

여기서, 전술한 처리액 유지 플레이트(40)의 기판측과 반대측의 면에는 히터(41)가 설치되어 있고, 또한 복수(도 1의 예에서는 2개)의 온도 센서(42)가 설치되어 있다. 한편, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판측의 면에는, 발액층(43)이 토출구(40a)를 둘러싸도록 고리형으로 설치되어 있다. Here, a heater 41 is provided on the surface of the processing liquid holding plate 40 opposite to the substrate side, and a plurality of temperature sensors 42 (two in the example of FIG. 1 ) are provided. On the other hand, on the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate side, a liquid repellent layer 43 is provided in an annular shape so as to surround the discharge port 40a.

히터(41)는, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측과 반대측의 면을 균등하게 가열하여, 처리액 유지 플레이트(40) 전체를 미리 정해진 온도로 유지한다. 히터(41)로는, 예컨대 시트형의 히터가 이용된다. 이 히터(41)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(70)에 의해 제어된다. The heater 41 uniformly heats the surface of the processing liquid holding plate 40 opposite to the substrate W side to maintain the entire processing liquid holding plate 40 at a predetermined temperature. As the heater 41, a sheet-shaped heater is used, for example. The heater 41 is electrically connected to the control unit 70 , and its driving is controlled by the control unit 70 .

각 온도 센서(42)는, 기판 유지 플레이트(20)의 회전축(A1)을 중심으로 하는 원주 상에 설치되어 있다. 이들 온도 센서(42)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 각 검출 신호(검출 온도)가 제어부(70)에 송신된다. 제어부(70)는, 각 검출 온도에 따라서, 처리액 유지 플레이트(40) 전체를 미리 정해진 온도로 유지하도록 히터(41)의 온도를 조정한다. 온도 센서(42)로는, 예컨대 열전대 등이 이용된다. Each temperature sensor 42 is provided on a circumference centering on the rotation axis A1 of the substrate holding plate 20 . These temperature sensors 42 are electrically connected to the control unit 70 , and each detection signal (detected temperature) is transmitted to the control unit 70 . The control unit 70 adjusts the temperature of the heater 41 so as to maintain the entire processing liquid holding plate 40 at a predetermined temperature according to each detected temperature. As the temperature sensor 42, a thermocouple or the like is used, for example.

발액층(43)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 원형의 토출구(40a)의 형상에 맞춰 원환형으로 설치되어 있고, 미리 정해진 폭을 갖고 있다. 이 미리 정해진 폭은, 적어도 기판(W)의 반경 이하이다. 발액층(43)은, 처리액(S)을 튀기는 재료(예컨대, PFA나 PTFE 등의 불소 수지)에 의해 설치되어 있다. 이 영역은, 처리액(S)에 대한 습윤성이 다른 영역에 비하여 나빠, 처리액(S)의 액적이 부착되기 어려운 영역이다. 발액층(43)의 재료로는, 단열재로서 기능하는 것이 많다. 따라서, 처리액 유지 플레이트(40)로부터 처리액에 열이 전달되도록 하기 위해서는, 처리액 유지 플레이트(40)에 대한 발액층(43)의 설치 영역을 좁게 하는 것이 바람직하다. The liquid-repellent layer 43 is provided in an annular shape according to the shape of the circular discharge port 40a, as shown in FIG. 2, and has a predetermined width. This predetermined width is at least the radius of the substrate W or less. The liquid-repellent layer 43 is provided with a material (for example, fluororesin such as PFA or PTFE) that is repelled by the processing liquid S. This region has poor wettability with respect to the processing liquid S compared to other regions, and is a region where droplets of the processing liquid S do not easily adhere. As a material of the liquid-repellent layer 43, there are many things which function as a heat insulating material. Therefore, in order to transfer heat from the treatment liquid holding plate 40 to the treatment liquid, it is preferable to narrow the installation area of the liquid repellent layer 43 with respect to the treatment liquid holding plate 40 .

또한, 토출구(40a)는, 그 중심이 기판 유지 플레이트(20)의 회전축(A1)으로부터 어긋난 위치(편심)에 설치되어 있다. 이에 따라, 처리액(S)이 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)의 회전 중심에 계속 공급되는 것을 피할 수 있어, 그 회전 중심의 기판 온도가 다른 개소에 비해서 낮아지는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 회전 중심의 기판 온도의 저하에 의해 처리액 온도가 부분적으로 저하되는 것이 억제되기 때문에, 처리액 온도의 균일화를 실현할 수 있다. 단, 토출구(40a)는 편심하지 않아도 좋으며, 그 중심이 기판 유지 플레이트(20)의 회전축(A1) 상에 위치 부여되어 형성되어도 좋다. In addition, the discharge port 40a is provided at a position (eccentric) whose center is deviated from the rotation axis A1 of the substrate holding plate 20 . Accordingly, it is possible to avoid that the processing liquid S is continuously supplied to the rotation center of the substrate W on the substrate holding plate 20, and it is possible to suppress that the temperature of the substrate at the rotation center becomes low compared to other locations. becomes Therefore, since it is suppressed that the temperature of the processing liquid is partially reduced due to a decrease in the temperature of the substrate at the rotation center, it is possible to achieve uniformity of the temperature of the processing liquid. However, the discharge port 40a does not need to be eccentric, and the center may be positioned and formed on the rotation axis A1 of the substrate holding plate 20 .

도 1로 되돌아가, 승강 기구(60)는, 처리액 유지 플레이트(40)를 유지하는 유지부나 그 유지부를 승강 방향으로 이동시키는 구동원이 되는 모터(모두 도시하지 않음) 등을 갖고 있다. 이 승강 기구(60)는, 모터의 구동에 의해 처리액 유지 플레이트(40)를 승강 방향으로 이동시킨다. 승강 기구(60)는 제어부(70)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(70)에 의해 제어된다. Referring back to FIG. 1 , the lifting mechanism 60 includes a holding unit holding the processing liquid holding plate 40 , a motor (not shown), and the like serving as a driving source for moving the holding unit in the lifting/lowering direction. The lifting mechanism 60 moves the processing liquid holding plate 40 in the lifting direction by driving a motor. The lifting mechanism 60 is electrically connected to the control unit 70 , and its driving is controlled by the control unit 70 .

제어부(70)는, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 제어부(70)는, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 회전 기구(30)나 히터(41), 액공급부(50), 승강 기구(60) 등을 제어한다. 예컨대, 제어부(70)는, 기판 유지 플레이트(20)의 회전 동작이나 히터(41)의 가열 동작, 액공급부(50)의 액공급 동작, 처리액 유지 플레이트(40)의 승강 동작 등 각 동작을 제어한다. The control unit 70 includes a microcomputer that intensively controls each unit, and a storage unit (not shown) for storing substrate processing information related to substrate processing, various programs, and the like. The control unit 70 controls the rotation mechanism 30 , the heater 41 , the liquid supply unit 50 , the lifting mechanism 60 , and the like based on substrate processing information and various programs. For example, the control unit 70 controls each operation such as a rotation operation of the substrate holding plate 20 , a heating operation of the heater 41 , a liquid supply operation of the liquid supply unit 50 , and a lifting operation of the processing liquid holding plate 40 . Control.

(기판 처리 공정)(substrate processing process)

다음으로, 전술한 기판 처리 장치(10)가 행하는 기판 처리의 흐름에 관해 설명한다. Next, the flow of the substrate processing performed by the above-mentioned substrate processing apparatus 10 is demonstrated.

우선, 기판 처리전의 준비로서, 처리 개시전에 히터(41)는 통전되고, 이 통전된 히터(41)에 의해 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측과 반대측의 면(상면)이 균등하게 가열되어, 처리액 유지 플레이트(40) 전체가 미리 정해진 온도(예컨대, 온도 범위 100℃∼400℃ 내의 온도)로 유지된다. 이 미리 정해진 온도는, 처리액(S)의 처리 능력(예컨대 레지스트 제거 능력)을 높이는 것이 가능한 온도이다. First, as a preparation before substrate processing, the heater 41 is energized before the start of processing, and the surface (upper surface) opposite to the substrate W side of the processing liquid holding plate 40 is equalized by the energized heater 41 . is heated, and the entire treatment liquid holding plate 40 is maintained at a predetermined temperature (eg, a temperature within a temperature range of 100°C to 400°C). This predetermined temperature is a temperature at which it is possible to increase the processing capability (eg, resist removal capability) of the processing liquid S.

이어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 단계 S1에 있어서, 처리액 유지 플레이트(40)가 최상위점으로 상승한 상태로, 이 처리액 유지 플레이트(40)와 기판 유지 플레이트(20) 사이에 처리 대상의 기판(W)이 로봇 핸들링 장치(도시하지 않음) 등에 의해 반입되고, 기판(W)의 주위 부분이 각 기판 유지 부재(21)에 의해 유지되어, 기판(W)이 기판 유지 플레이트(20) 상에 반입된다. 이 때, 기판(W)의 중심과 기판 유지 플레이트(20)의 회전축(A1)이 일치하도록 위치 결정된다. Next, as shown in FIG. 3 , in step S1 , the processing liquid holding plate 40 is placed between the processing liquid holding plate 40 and the substrate holding plate 20 with the processing liquid holding plate 40 raised to the highest point. The substrate W is loaded by a robot handling device (not shown) or the like, and the peripheral portion of the substrate W is held by each substrate holding member 21 , so that the substrate W is placed on the substrate holding plate 20 . is brought into At this time, the position is determined so that the center of the substrate W and the rotation axis A1 of the substrate holding plate 20 coincide.

단계 S2에 있어서, 처리액 유지 플레이트(40)는, 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)의 표면과의 사이에 미리 정해진 간극(예컨대 4 mm 이하)이 형성되는 위치까지 승강 기구(60)에 의해 하강한다(도 1 참조). 그리고, 기판 유지 플레이트(20)는, 저속의 미리 정해진 속도(예컨대 50 rpm 정도)로 회전 기구(30)에 의해 회전한다. 이에 따라, 기판(W)이 기판 유지 플레이트(20)와 함께 전술한 저속의 미리 정해진 속도로 회전한다. In step S2, the processing liquid holding plate 40 moves up and down to a position where a predetermined gap (for example, 4 mm or less) is formed between the substrate holding plate 20 and the surface of the substrate W. descends by (see FIG. 1). Then, the substrate holding plate 20 is rotated by the rotating mechanism 30 at a low speed predetermined speed (eg, about 50 rpm). Accordingly, the substrate W rotates together with the substrate holding plate 20 at the aforementioned low speed predetermined speed.

단계 S3에 있어서, 처리액 유지 플레이트(40)와 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)의 이격 거리가 미리 정해진 거리가 되고, 기판(W)이 저속의 미리 정해진 속도로 회전하고 있는 상태에 있어서, 처리액(S)이 처리액 유지 플레이트(40)의 토출구(40a)로부터 기판(W)의 표면에 공급된다. 구체적으로는, 액저류부(52)로부터 황산 및 과산화수소수가 처리액 공급관(51)에 유입된다. 이 때, 황산과 과산화수소수가 서로 혼합되고, 그 혼합되어 만들어진 처리액(S)이 처리액 공급관(51)을 통하여 토출구(40a)로부터, 회전하는 기판(W)의 표면에 공급된다. In step S3, the separation distance between the processing liquid holding plate 40 and the substrate W on the substrate holding plate 20 becomes a predetermined distance, and the substrate W is rotated at a low speed and a predetermined speed. In this case, the processing liquid S is supplied to the surface of the substrate W from the discharge port 40a of the processing liquid holding plate 40 . Specifically, sulfuric acid and hydrogen peroxide water flow into the treatment liquid supply pipe 51 from the liquid storage unit 52 . At this time, sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed with each other, and the mixed treatment liquid S is supplied to the surface of the rotating substrate W from the discharge port 40a through the treatment liquid supply pipe 51 .

회전하는 기판(W)의 표면에 공급된 처리액(S)은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 표면 전체에 퍼져 간다. 그리고, 처리액 유지 플레이트(40)와 기판(W)의 표면 사이의 간극은 처리액(S)에 의해 채워지고, 처리액(S)의 표면장력에 의해 기판(W)의 표면에 층형으로 처리액(S)이 유지된다(도 1 참조). 이 층형의 처리액(S)은, 히터(41)에 의해 가열된 처리액 유지 플레이트(40)에 의해 전체적으로 덥혀져 고온(예컨대, 온도 범위 100℃∼400℃ 내의 온도)으로 유지된다. 그리고, 이 고온으로 유지되어 처리 능력(예컨대 레지스트 제거 능력)이 높아진 처리액(S)에 의해 기판(W)의 표면이 처리되어 간다. 이 상태로, 처리액(S)이 처리액 공급관(51)으로부터 연속적으로 공급되면, 기판(W)의 표면의 처리액(S)은 새로운 처리액(S)으로 치환되면서도 층형의 형태를 유지한다. 회전하는 기판(W)의 외주 부분에 도달한 처리액(S)은, 그 외주 부분으로부터 순차적으로 폐액으로서 낙하해 간다. The processing liquid S supplied to the surface of the rotating substrate W spreads over the entire surface of the substrate W by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W. Then, the gap between the treatment liquid holding plate 40 and the surface of the substrate W is filled by the treatment liquid S, and the surface tension of the treatment liquid S is applied to the surface of the substrate W in a layered manner. The liquid S is maintained (see Fig. 1). This layered treatment liquid S is entirely heated by the treatment liquid holding plate 40 heated by the heater 41 and maintained at a high temperature (eg, a temperature within a temperature range of 100°C to 400°C). Then, the surface of the substrate W is treated by the processing liquid S which is maintained at this high temperature and has an increased processing capability (eg, resist removal capability). In this state, when the treatment liquid S is continuously supplied from the treatment liquid supply pipe 51 , the treatment liquid S on the surface of the substrate W is replaced with a new treatment liquid S while maintaining the layered shape. . The processing liquid S reaching the outer peripheral portion of the rotating substrate W sequentially falls as a waste liquid from the outer peripheral portion.

여기서, 전술한 기판 처리에 따라, 처리액(S)은 기판(W)에 열을 빼앗기게(기판(W)이 덥혀지게) 되지만, 처리액 유지 플레이트(40) 상의 히터(41)의 작용에 의해, 온도 저하하는 처리액(S)에 저하분의 열이 공급되게 된다. 이 공급 열량은, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도를 일정하게 유지함으로써 제어된다. 처리액(S)은, 회전하는 기판(W)의 표면 위를 흐르지만, 기판(W) 상에 공급되고 나서 외주 부분으로부터 흘러서 떨어지기까지의 동안, 히터(41)의 온도 제어에 의해 기판(W)의 표면을 온도 저하시키지 않고 동일한 온도 조건으로 처리할 수 있다. Here, according to the above-described substrate processing, the processing liquid S loses heat to the substrate W (the substrate W is heated), but is affected by the action of the heater 41 on the processing liquid holding plate 40 . As a result, the lowered amount of heat is supplied to the lowering processing liquid S. The amount of heat supplied is controlled by keeping the temperature of the processing liquid holding plate 40 constant. The processing liquid S flows over the surface of the rotating substrate W, but from the time it is supplied on the substrate W to the time it flows from the outer periphery until it falls off, the temperature of the heater 41 controls the substrate ( The surface of W) can be treated under the same temperature condition without lowering the temperature.

그 후, 전술한 처리액(S)의 공급 개시로부터 미리 정해진 처리 시간이 경과하면, 처리액(S)의 공급이 정지되고, 다음 처리액(S)으로서 순수가 전술한 것과 동일하게 기판(W)의 표면에 공급되어, 기판(W)의 표면이 세정된다. 또한, 순수의 공급 개시로부터 미리 정해진 처리 시간이 경과하면, 순수의 공급이 정지되고, 다음 처리액(S)으로서, 과산화수소수, 순수 및 암모니아수가 서로 혼합되고, 그 혼합되어 만들어진 APM이 기판(W)의 표면에 공급된다. 또한, APM의 공급 개시로부터 미리 정해진 처리 시간이 경과하면, APM의 공급이 정지되고, 다음 처리액(S)으로서 순수가 전술한 것과 동일하게 기판(W)의 표면에 공급되어, 기판(W)의 표면이 세정된다. 이 때, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면도 동시에 순수에 의해 세정되게 된다. After that, when a predetermined processing time elapses from the start of supply of the processing liquid S described above, the supply of the processing liquid S is stopped, and pure water as the next processing liquid S is used in the substrate W in the same manner as described above. ) is supplied to the surface of the substrate W, and the surface of the substrate W is cleaned. In addition, when a predetermined processing time has elapsed from the start of supply of pure water, the supply of pure water is stopped, and as the next processing liquid (S), hydrogen peroxide solution, pure water, and ammonia water are mixed with each other, and the mixed APM is formed on the substrate (W). ) is supplied to the surface of In addition, when a predetermined processing time has elapsed from the start of the supply of the APM, the supply of the APM is stopped, and pure water as the next processing liquid S is supplied to the surface of the substrate W in the same manner as described above, and the substrate W surface is cleaned. At this time, the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side is also simultaneously cleaned with pure water.

단계 S4에 있어서, 전술한 순수에 의한 2회째의 세정 처리가 종료하면, 도 4에 도시한 바와 같이, 처리액(S)이 처리액 공급관(51)으로부터 토출된 채로 처리액 유지 플레이트(40)가 최상위점까지 승강 기구(60)에 의해 상승하고, 그 후, 처리액(S)의 공급이 정지된다. 이 때, 처리액 공급관(51) 내는 부압이 되고, 토출구(40a)로부터 액적이 기판 유지 플레이트(20) 상의 기판(W)의 표면에 낙하하는 것이 억제된다. In step S4 , when the second washing treatment with pure water is completed, the treatment liquid holding plate 40 with the treatment liquid S discharged from the treatment liquid supply pipe 51 as shown in FIG. 4 . is raised by the lifting mechanism 60 to the highest point, and after that, the supply of the processing liquid S is stopped. At this time, the inside of the processing liquid supply pipe 51 becomes negative pressure, and the droplet from the discharge port 40a is suppressed from falling on the surface of the substrate W on the substrate holding plate 20 .

또한, 처리액 유지 플레이트(40)가 상승할 때에는 처리액(S)을 계속 흘린다. 이것은, 처리액 유지 플레이트(40)가 상승할 때에, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 부착된 액적이 낙하하더라도, 기판 표면에 처리액(S)의 층을 존재시켜 워터마크가 발생하는 것을 억제하기 위해서이며, 또한 처리액 유지 플레이트(40)에 대한 기판(W)의 접착을 억제하기 위해서이기도 하다.In addition, when the processing liquid holding plate 40 rises, the processing liquid S continues to flow. This is because, when the processing liquid holding plate 40 rises, even if droplets adhering to the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side fall, a layer of the processing liquid S is present on the surface of the substrate. This is for suppressing the occurrence of a watermark, and also for suppressing adhesion of the substrate W to the processing liquid holding plate 40 .

여기서, 전술한 처리액 유지 플레이트(40)의 실제의 온도 변화는 처리액(S)의 온도에 의존한다. 과산화수소수와 황산의 혼합액을 처리액(S)으로 한 경우, 고온 처리(100℃∼400℃ 내의 온도)에 있어서 처리액 유지 플레이트(40)의 열이 혼합액에 공급된다. 처리액 유지 플레이트(40)의 열은 혼합액에 의해 빼앗기지만, 혼합액은 혼합시에 생기는 반응열에 의해 고온이므로, 처리액 유지 플레이트(40)로부터 빼앗기는 열은 작아, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도는 크게 저하되지 않는다. 또한, 혼합액은 히터 등의 가열 장치에 의해 미리 가열되어 공급되는 경우도 있다. 한편, 순수(예컨대 25℃)를 처리액(S)으로 한 경우, 처리액 유지 플레이트(40)와 순수의 온도차가 커, 처리액 유지 플레이트(40)의 열이 순수에 의해 빼앗긴다. 즉, 미리 정해진 시간 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면과 순수가 접촉하고 있으면, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도가 크게 저하되어, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도가 90℃∼100℃ 정도가 된다. 그 후, 처리액 유지 플레이트(40)가 상승하면, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면은, 순수의 액적이 존재할 수 있는 온도까지 내려가지만, 히터(41)에 의한 가온에 의해 열이 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 전달되기 때문에, 그 표면에 부착된 액적은 서서히 증발하게 된다. Here, the actual temperature change of the aforementioned treatment liquid holding plate 40 depends on the temperature of the treatment liquid S. When the mixed solution of hydrogen peroxide and sulfuric acid is used as the treatment liquid S, heat from the treatment liquid holding plate 40 is supplied to the liquid mixture during high-temperature treatment (temperature within 100°C to 400°C). The heat of the treatment liquid holding plate 40 is taken away by the mixed solution, but since the mixed solution is at a high temperature due to the reaction heat generated during mixing, the heat lost from the treatment liquid holding plate 40 is small, and the temperature of the treatment liquid holding plate 40 is small. is not significantly degraded. In addition, the liquid mixture may be supplied by being heated in advance by a heating device such as a heater. On the other hand, when pure water (for example, 25° C.) is used as the treatment liquid S, the temperature difference between the treatment liquid holding plate 40 and the pure water is large, and heat from the treatment liquid holding plate 40 is taken away by the pure water. That is, when pure water is in contact with the surface of the substrate W side of the treatment liquid holding plate 40 for a predetermined time, the temperature of the treatment liquid holding plate 40 is greatly reduced, and the temperature of the treatment liquid holding plate 40 is is about 90°C to 100°C. After that, when the processing liquid holding plate 40 rises, the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side is lowered to a temperature at which drops of pure water can exist, but is heated by the heater 41 . Since heat is transferred to the surface of the treatment liquid holding plate 40 on the substrate W side, the droplets adhering to the surface are gradually evaporated.

단계 S5에 있어서, 기판 유지 플레이트(20)는 고속(예컨대 1500 rpm 정도)으로 회전 기구(30)에 의해 회전한다. 이에 따라, 기판(W)이 기판 유지 플레이트(20)와 함께 고속으로 회전한다. 기판(W)이 고속으로 회전하면, 기판(W) 상에 잔류한 수분이 원심력에 의해 비산되어, 기판(W) 상의 수분이 제거된다. In step S5, the substrate holding plate 20 is rotated by the rotating mechanism 30 at a high speed (eg, about 1500 rpm). Accordingly, the substrate W rotates together with the substrate holding plate 20 at high speed. When the substrate W rotates at a high speed, the moisture remaining on the substrate W is scattered by centrifugal force, and the moisture on the substrate W is removed.

단계 S6에 있어서, 전술한 기판(W)의 건조 처리가 종료하면, 기판 유지 플레이트(20)의 회전이 정지되고, 기판 유지 플레이트(20) 상에 유지된 처리가 끝난 기판(W)이 로봇 핸들링 장치(도시하지 않음) 등에 의해 반출된다. 이후, 순차적으로 기판(W)에 대하여 전술한 것과 동일한 순서(단계 S1∼S6)에 따라서 처리가 실행된다. In step S6, upon completion of the drying process of the substrate W, the rotation of the substrate holding plate 20 is stopped, and the processed substrate W held on the substrate holding plate 20 is handled by the robot. It is carried out by an apparatus (not shown) or the like. Thereafter, processing is sequentially executed according to the same procedure as described above for the substrate W (steps S1 to S6).

전술한 기판 처리 공정에 의하면, 처리액 유지 플레이트(40)는 히터(41)에 의해 균등하게 가열되고 있고, 기판 유지 플레이트(20) 상에 유지된 기판(W)의 표면에 처리액(S)이 층형으로 유지되고, 그 층형의 처리액(S)이 처리액 유지 플레이트(40)에 의해 전체적으로 가열된다. 이에 따라, 처리액(S)을 보다 효율적으로 가열할 수 있다. 또한, 층형의 처리액(S)이 기판(W)의 표면에 항상 유지된 상태로 기판(W)의 표면이 처리되기 때문에, 그 처리액(S)을 허비하지 않고 효율적으로 사용하여 기판(W)의 표면을 처리할 수 있다. According to the above-described substrate processing process, the processing liquid holding plate 40 is uniformly heated by the heater 41 , and the processing liquid S is applied to the surface of the substrate W held on the substrate holding plate 20 . It is held in this layered form, and the layered treatment liquid S is heated as a whole by the treatment liquid holding plate 40 . Thereby, the processing liquid S can be heated more efficiently. In addition, since the surface of the substrate W is treated in a state where the layered treatment liquid S is always maintained on the surface of the substrate W, the treatment liquid S is efficiently used without wasting the substrate W ) can be treated.

또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 처리액 유지 플레이트(40)가 기판(W)의 표면으로부터 떨어져, 처리액(S)(순수)이 공급되고 있는 동안이나 그 공급이 정지되었을 때 등, 토출구(40a)로부터 토출되고 있는 처리액(S)이, 토출구(40a) 주변의 발액층(43)에 의해 토출구(40a)의 주위에 부착되는 것이 억제되고 있다. 즉, 토출구(40a)의 주위에 액적(처리액(S))이 부착되는 것 자체가 억제되기 때문에, 토출구(40a)의 주위에 부착된 액적이, 처리액 유지 플레이트(40)의 경사 혹은 기류 등에 의해 이동하고, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 부착된 증발전의 다른 액적과 접촉하여 일체화하여, 기판(W)의 표면에 낙하하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 처리액(S)의 공급 정지후, 처리액 공급관(51)의 벽면에 부착된 액이 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출되고, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 부착된 증발전의 다른 액적과 접촉하여 일체화하여, 기판(W)의 표면에 낙하하는 것도 억제할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 4 , when the processing liquid holding plate 40 is separated from the surface of the substrate W and the processing liquid S (pure water) is being supplied or when the supply is stopped, the discharge port The processing liquid S discharged from 40a is suppressed from adhering to the periphery of the discharge port 40a by the liquid repellent layer 43 around the discharge port 40a. That is, since the adhesion of droplets (processing liquid S) to the periphery of the discharge port 40a is suppressed, the droplets adhering to the periphery of the discharge port 40a are the inclination or airflow of the treatment liquid holding plate 40 . It is possible to suppress falling on the surface of the substrate W by contacting and integrating with other droplets before evaporation that are moved by the flow of the treatment liquid holding plate 40 and adhered to the surface of the substrate W side of the processing liquid holding plate 40 . Further, after the supply of the processing liquid S is stopped, the liquid adhering to the wall surface of the processing liquid supply pipe 51 flows out from the discharge port 40a to the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side, and is treated It is also possible to suppress falling on the surface of the substrate W by contacting and integrating with other droplets before evaporation adhering to the surface of the liquid holding plate 40 on the substrate W side.

여기서, 처리액(S)의 공급 정지후, 처리액 공급관(51)의 벽면에 부착된 액이, 중력에 의해 처리액 공급관(51)의 벽면을 타고 토출구(40a) 방향으로 흘러, 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 흘러나오는 경우가 있다. 이 흘러나온 액이, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 부착된 증발전의 다른 액적과 접촉하여 일체화하여, 기판(W)의 표면에 낙하하는 경우가 있다. 이것은, 처리를 종료한 기판(W)의 표면에 있어서, 워터마크 등의 품질 불량의 원인이 된다. 또한, 처리액(S)의 공급 정지후, 처리액 공급관(51) 내를 부압으로 하더라도, 처리액 공급관(51)의 벽면에 부착된 액이 그 벽면을 타고 토출구(40a) 방향으로 흘러, 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 흘러나오는 경우도 있다.Here, after the supply of the processing liquid S is stopped, the liquid adhering to the wall surface of the processing liquid supply pipe 51 flows along the wall surface of the processing liquid supply pipe 51 in the direction of the discharge port 40a by gravity, and flows to the discharge port 40a ) may flow out from the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side. The flowed liquid may come into contact with other droplets before evaporation adhering to the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side, and may be integrated and fall on the surface of the substrate W. This causes quality defects such as watermarks on the surface of the substrate W that has been processed. In addition, even after the supply of the processing liquid S is stopped, even when the inside of the processing liquid supply pipe 51 is at a negative pressure, the liquid adhering to the wall surface of the processing liquid supply pipe 51 flows along the wall surface in the direction of the discharge port 40a, There is a case where the processing liquid flows from 40a to the surface of the substrate W side of the processing liquid holding plate 40 .

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 의하면, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에, 처리액 유지 플레이트(40)의 토출구(40a)를 둘러싸는 고리형으로 발액층(43)을 설치함으로써, 처리액(S)이 토출구(40a)의 주위에 액적으로서 부착되거나, 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출되거나 하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 처리액 유지 플레이트(40)로부터 기판(W)의 표면으로 액적이 낙하하는 것을 억제할 수 있게 되므로, 워터마크 등의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. As described above, according to the first embodiment, on the surface of the treatment liquid holding plate 40 on the substrate W side, a liquid repellent layer ( 43) prevents the processing liquid S from adhering to the periphery of the discharge port 40a as droplets or from flowing out from the discharge port 40a to the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side. it becomes possible to Accordingly, since it is possible to suppress the droplet from falling from the processing liquid holding plate 40 to the surface of the substrate W, it is possible to suppress the occurrence of quality defects such as watermarks.

<제2 실시형태> <Second embodiment>

제2 실시형태에 관해 도 5를 참조하여 설명한다. 또한, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상이점(발액층의 사이즈)에 관해 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다. A second embodiment will be described with reference to FIG. 5 . In addition, in 2nd Embodiment, the difference from 1st Embodiment (size of a liquid repellent layer) is demonstrated, and other description is abbreviate|omitted.

도 5에 도시한 바와 같이, 제2 실시형태에 관한 발액층(43a)은 원환형으로 형성되어 있다. 이 원환형의 발액층(43a)은, 토출구(40a)와 회전축(A1)이 통하는 위치를 포함하며, 각 온도 센서(42)보다 기판(W)의 내측에 위치하는 사이즈로 형성되어 있다. 원환형의 발액층(43a)의 반경은, 제1 실시형태에 비교해서 크며, 일례로서 처리액 유지 플레이트(40)의 반경 이하이다. 이러한 원환형의 발액층(43a)은, 제1 실시형태에 비교하여, 처리액 유지 플레이트(40)의 토출구(40a)로부터 떨어져 있기 때문에, 토출구(40a)로부터 토출된 처리액(S)에 의해 발액층(43a)의 엣지부가 박리되거나 손상되거나 하는 것을 억제할 수 있다. As shown in Fig. 5, the liquid-repellent layer 43a according to the second embodiment is formed in an annular shape. The annular liquid-repellent layer 43a includes a position where the discharge port 40a and the rotation shaft A1 communicate, and is formed to a size located inside the substrate W rather than each temperature sensor 42 . The radius of the annular liquid-repellent layer 43a is larger than that of the first embodiment, and is equal to or less than the radius of the treatment liquid holding plate 40 as an example. Compared with the first embodiment, the annular liquid-repellent layer 43a is spaced apart from the discharge port 40a of the treatment liquid holding plate 40, so that the treatment liquid S discharged from the discharge port 40a It can suppress that the edge part of the liquid-repellent layer 43a peels or is damaged.

이상 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제1 실시형태에 비교하여, 고리형의 발액층(43a)의 적어도 일부를 토출구(40a)로부터 떨어지게 함으로써, 처리액(S)에 의한 발액층(43a)의 박리나 손상의 발생을 억제할 수 있다. As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Moreover, compared with the first embodiment, by separating at least a part of the annular liquid-repellent layer 43a from the discharge port 40a, peeling or damage of the liquid-repellent layer 43a by the treatment liquid S is suppressed. can do.

<제3 실시형태> <Third embodiment>

제3 실시형태에 관해 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 또한, 제3 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상이점(발액층의 설치 개소)에 관해 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다. A third embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7 . In addition, in 3rd Embodiment, the point of difference from 1st Embodiment (placement of a liquid repellent layer) is demonstrated, and other description is abbreviate|omitted.

도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 제3 실시형태에 관한 발액층(44)은, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 면에 온도 센서(42)에 대향하도록 설치되어 있고, 원환형으로 형성되어 있다. 또한, 발액층(45)도, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 면에 온도 센서(42)에 대향하도록 설치되어 있고, 원환형으로 형성되어 있다. 또한, 제3 실시형태에서는, 제1 실시형태에 관한 발액층(43)은 설치되어 있지 않지만, 이것에 한정되지 않고, 같이 설치되어도 좋다. 6 and 7 , the liquid-repellent layer 44 according to the third embodiment is provided on the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side to face the temperature sensor 42 , and is formed in an annular shape. Further, the liquid-repellent layer 45 is also provided on the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side to face the temperature sensor 42 , and is formed in an annular shape. In the third embodiment, although the liquid-repellent layer 43 according to the first embodiment is not provided, it is not limited to this and may be provided together.

고리형의 발액층(44, 45)은, 도 7의 평면시에 있어서, 각각 대응하는 온도 센서(42)의 측온 위치를 둘러싸도록 형성되어 있다. 이들 고리형의 발액층(44, 45)에 의하면, 처리액 유지 플레이트(40)가 석영 등의 투명 혹은 반투명 부재인 경우, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면으로부터 온도 센서(42)의 측온 위치를 시인할 수 있다. 또한, 온도 센서(42)의 바로 아래에는 발액층(44, 45)이 형성되어 있지 않기 때문에, 처리액의 온도가 온도 센서(42)에 의해 검출되기 쉬워진다. The annular liquid-repellent layers 44 and 45 are formed so as to surround the temperature measurement position of the corresponding temperature sensor 42 in the plan view of FIG. 7 . According to these annular liquid-repellent layers 44 and 45 , when the treatment liquid holding plate 40 is a transparent or semi-transparent member such as quartz, the temperature sensor from the surface of the treatment liquid holding plate 40 on the substrate W side The temperature measurement position of (42) can be visually recognized. Further, since the liquid-repellent layers 44 and 45 are not formed directly below the temperature sensor 42 , the temperature of the processing liquid is easily detected by the temperature sensor 42 .

또한, 발액층(44, 45)의 고리형은 원형에 한정되는 것이 아니라, 타원이나 장방형 등의 형상이어도 좋다. 또한, 발액층(44, 45)은 고리형이 아니라, 도 7의 평면시에 있어서 온도 센서(42)의 측온 위치를 덮는 원이나 타원, 장방형 등의 형상으로 형성되어도 좋다. In addition, the annular shape of the liquid-repellent layers 44 and 45 is not limited to a circular shape, Shapes, such as an ellipse and a rectangle, may be sufficient. In addition, the liquid-repellent layers 44 and 45 may not be annular, but may be formed in the shape of a circle, an ellipse, a rectangle, etc. which cover the temperature measurement position of the temperature sensor 42 in the planar view of FIG.

발액층(44, 45)은, 제1 실시형태와 마찬가지로, 처리액(S)을 튀기는 재료(예컨대, PFA나 PTFE 등의 불소 수지)로 형성되어 있다. 이들 영역은, 처리액(S)에 대한 습윤성이 다른 영역에 비교하여 나빠, 처리액(S)의 액적이 부착되기 어려운 영역이다. 발액층(44, 45)의 재료로는, 단열재로서 기능하는 것이 많다. 따라서, 처리액 유지 플레이트(40)로부터 처리액에 열이 전달되도록 하기 위해서는, 처리액 유지 플레이트(40)에 대한 발액층(44, 45)의 설치 영역을 좁게 하는 것이 바람직하다. The liquid-repellent layers 44 and 45 are formed of a material (for example, a fluororesin such as PFA or PTFE) that repels the processing liquid S, similarly to the first embodiment. These regions have poor wettability with respect to the processing liquid S compared to other regions, and are regions where droplets of the processing liquid S are less likely to adhere. As a material of the liquid-repellent layers 44 and 45, there are many which function as a heat insulating material. Therefore, in order to transfer heat from the treatment liquid holding plate 40 to the treatment liquid, it is preferable to narrow the installation area of the liquid repellent layers 44 and 45 with respect to the treatment liquid holding plate 40 .

전술한 바와 같이 고리형의 발액층(44, 45)은, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 면에 있어서 각 온도 센서(42)에 대향하는 검출 위치를 둘러싸도록 설치되어 있다. 이에 따라, 토출구(40a)의 주위나 고리형의 발액층(44, 45)의 외부 영역(고리 밖의 영역)에 부착된 액적, 또한, 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출된 액이, 고리형의 발액층(44, 45)의 내부 영역(고리 내의 영역)에 침입하는 것이 억제되기 때문에, 각 온도 센서(42)에 대향하는 검출 위치에 액적이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 액적에 의한 오검지를 방지할 수 있다. 즉, 온도 센서(42)는 정확하게 처리액 유지 플레이트(40)의 온도를 측정하는 것이 가능해진다. 또한, 오검지에 의한 히터 온도의 불안정한 제어를 억지할 수도 있다. 따라서, 히터(41)의 온도 제어를 안정시키는 것이 가능해져, 처리액 온도를 원하는 온도로 유지할 수 있다. As described above, the annular liquid-repellent layers 44 and 45 are provided so as to surround the detection position facing each temperature sensor 42 on the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side. . Accordingly, droplets adhering to the periphery of the discharge port 40a or to the outer region (outer ring region) of the annular liquid-repellent layers 44 and 45, and from the discharge port 40a, the substrate ( Since the liquid flowing out to the surface on the W) side is suppressed from penetrating into the inner region (region within the ring) of the annular liquid-repellent layers 44 and 45 , the liquid is placed at the detection position opposite to each temperature sensor 42 . It becomes possible to suppress the adhering of the enemy, and it is possible to prevent erroneous detection by the droplet. That is, the temperature sensor 42 can accurately measure the temperature of the treatment liquid holding plate 40 . Moreover, unstable control of the heater temperature due to erroneous detection can also be suppressed. Accordingly, it becomes possible to stabilize the temperature control of the heater 41 , and the processing liquid temperature can be maintained at a desired temperature.

또한, 처리액 유지 플레이트(40)가 상승할 때에, 처리액 유지 플레이트(40)의 고리형의 발액층(44, 45) 내에 액적이 부착되더라도, 처리액 유지 플레이트(40)의 가열에 의해 서서히 작아져 증발한다. 이 건조후에도, 토출구(40a)의 주위나 고리형의 발액층(44, 45)의 외부 영역에 부착된 액적, 또한 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출된 액이, 고리형의 발액층(44, 45)의 내부 영역에 침입하는 것은 고리형의 발액층(44, 45)에 의해 억제되기 때문에, 검출 위치에 액적이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 액적에 의한 오검지를 방지할 수 있다. Further, when the treatment liquid holding plate 40 is raised, even if droplets adhere to the annular liquid-repellent layers 44 and 45 of the treatment liquid holding plate 40 , it is gradually heated by the treatment liquid holding plate 40 . become smaller and evaporate. Even after this drying, the droplets adhering to the periphery of the discharge port 40a or to the outer region of the annular liquid-repellent layers 44 and 45, and the surface of the treatment liquid holding plate 40 from the discharge port 40a on the substrate W side Since the annular liquid-repellent layers 44 and 45 prevent the liquid flowing out from entering the inner region of the annular liquid-repellent layers 44 and 45, it is important to suppress the adhesion of the droplets to the detection position. This makes it possible to prevent erroneous detection by droplets.

이상 설명한 바와 같이, 제3 실시형태에 의하면, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 면에, 각 온도 센서(42)에 대향하도록 고리형의 발액층(44, 45)을 설치함으로써, 토출구(40a)의 주위나 고리형의 발액층(44, 45)의 외부 영역에 부착된 액적, 또한 토출구(40a)로부터 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에 유출된 액이 고리형의 발액층(44, 45)의 내부 영역에 침입하는 것이 억제되고, 각 온도 센서(42)에 대향하는 검출 위치에 액적이 부착되는 것이 억제되기 때문에, 온도 센서(42)는 정확하게 처리액 유지 플레이트(40)의 온도를 측정하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 처리액 유지 플레이트(40)의 온도, 즉 히터 온도의 제어를 안정시킬 수 있다. 결과적으로, 처리액 온도를 원하는 온도로 유지하는 것이 가능해져, 처리 부족 등의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. As described above, according to the third embodiment, the annular liquid-repellent layers 44 and 45 are provided on the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side so as to face each temperature sensor 42 . By doing so, the droplets adhering to the periphery of the discharge port 40a or to the outer region of the annular liquid-repellent layers 44 and 45, and flowing out from the discharge port 40a to the surface of the substrate W side of the treatment liquid holding plate 40 Since the intrusion of the formed liquid into the inner region of the annular liquid-repellent layers 44 and 45 is suppressed and the adhesion of droplets to the detection position opposite to each temperature sensor 42 is suppressed, the temperature sensor 42 is It becomes possible to accurately measure the temperature of the processing liquid holding plate 40 . Accordingly, the temperature of the processing liquid holding plate 40, that is, the control of the heater temperature can be stabilized. As a result, it becomes possible to maintain the processing liquid temperature at a desired temperature, and it is possible to suppress the occurrence of quality defects such as insufficient processing.

또한, 제3 실시형태를 제1 실시형태 또는 제2 실시형태와 조합하는 것도 가능하다. 즉, 토출구(40a)의 주위에 발액층(43, 43a)을 설치하고, 온도 센서(42)의 주위에 발액층(44, 45)을 설치함으로써, 처리액이 토출구(40a)의 주위에 부착되는 것이나 온도 센서(42)의 검출 위치에 부착되는 것을 방지할 수 있다. It is also possible to combine the third embodiment with the first or second embodiment. That is, by providing the liquid-repellent layers 43 and 43a around the discharge port 40a and providing the liquid-repellent layers 44 and 45 around the temperature sensor 42 , the processing liquid adheres to the circumference of the discharge port 40a . It can be prevented from being formed or from being attached to the detection position of the temperature sensor 42 .

<제4 실시형태> <Fourth embodiment>

제4 실시형태에 관해 도 8을 참조하여 설명한다. 또한, 제4 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상이점(발액층의 설치 개소)에 관해 설명하고, 그 밖의 설명을 생략한다. A fourth embodiment will be described with reference to FIG. 8 . In addition, in 4th Embodiment, the difference from 1st Embodiment (placement of a liquid repellent layer) is demonstrated, and other description is abbreviate|omitted.

도 8에 도시한 바와 같이, 제4 실시형태에 관한 발액층(46)은, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에서의 기판(W)과 대향하지 않는 영역에 설치되어 있고, 원환형으로 형성되어 있다. 또한, 발액층(47)은, 처리액 유지 플레이트(40)의 외주면(측면)에 설치되어 있고, 원환형으로 형성되어 있다. As shown in FIG. 8 , the liquid-repellent layer 46 according to the fourth embodiment is provided in a region on the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side that does not face the substrate W, and is formed in an annular shape. In addition, the liquid-repellent layer 47 is provided on the outer peripheral surface (side surface) of the processing liquid holding plate 40, and is formed in an annular shape.

발액층(46, 47)은, 제1 실시형태와 마찬가지로, 처리액(S)을 튀기는 재료(예컨대, PFA나 PTFE 등의 불소 수지)로 형성되어 있다. 이들 영역은, 처리액(S)에 대한 습윤성이 다른 영역에 비교하여 나빠, 처리액(S)의 액적이 부착되기 어려운 영역이다. 발액층(46, 47)의 재료로는, 단열재로서 기능하는 것이 많다. 이 때문에, 처리액 유지 플레이트(40)에 있어서 기판(W)과 대향하지 않는 영역에 발액층(46, 47)이 설치되어 있다. The liquid-repellent layers 46 and 47 are formed of a material (for example, a fluororesin such as PFA or PTFE) that repels the processing liquid S, similarly to the first embodiment. These regions have poor wettability with respect to the processing liquid S compared to other regions, and are regions where droplets of the processing liquid S are less likely to adhere. As a material of the liquid-repellent layers 46 and 47, there are many which function as a heat insulating material. For this reason, the liquid-repellent layers 46 and 47 are provided in the region of the processing liquid holding plate 40 that does not face the substrate W.

여기서, 발액층(46, 47)이 없는 경우에는, 처리액(S)의 액적이 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에서의 기판(W)과 대향하지 않는 외주 영역이나 처리액 유지 플레이트(40)의 외주면에 부착되는 경우가 있다. 처리액 유지 플레이트(40)의 외주 부분(전술한 외주 영역이나 외주면)은, 직접 히터(41)에 접하지 않고(히터(41)로부터의 열이 처리액 유지 플레이트(40)의 외주 부분에 골고루 퍼지 어려운 것) 또한 공기에 접촉하지 않는다는 점에서, 차가워지기 쉽기 때문에, 그 외주 부분에 부착된 액적이 증발하기 어려운 경우가 있다. 이 액적이, 로봇 핸들링 장치(도시하지 않음)에 의해 기판(W)이 반입될 때, 혹은, 반출될 때의 동작이나 진동 등에 기인하여 기판(W)의 표면에 낙하하면, 워터마크 등의 품질 불량이 발생한다. Here, in the absence of the liquid-repellent layers 46 and 47 , the droplet of the processing liquid S falls on the surface of the substrate W side of the processing liquid holding plate 40 in an outer peripheral region that does not face the substrate W or It may be attached to the outer peripheral surface of the processing liquid holding plate 40 . The outer peripheral portion of the treatment liquid holding plate 40 (the above-described outer peripheral region or outer peripheral surface) does not directly contact the heater 41 (heat from the heater 41 is evenly distributed over the outer peripheral portion of the treatment liquid retaining plate 40 ) It is difficult to purge), and since it is easy to cool because it does not come into contact with air, it may be difficult for the droplet adhering to the outer peripheral part to evaporate. When this droplet falls on the surface of the substrate W due to an operation or vibration when the substrate W is carried in or taken out by a robot handling device (not shown), the quality of watermark or the like defect occurs.

그런데, 전술한 바와 같이 외주 영역이나 외주면에 발액층(46, 47)을 설치함으로써, 그 외주 영역이나 외주면에 액적이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해지기 때문에, 액적 낙하에 의한 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. By the way, by providing the liquid-repellent layers 46 and 47 on the outer peripheral region or the outer peripheral surface as described above, it becomes possible to suppress the adhesion of droplets to the outer peripheral region or the outer peripheral surface, so that the occurrence of quality defects due to droplet falling is suppressed. can do.

이상 설명한 바와 같이, 제4 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 처리액(S)의 액적이 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에서의 기판(W)과 대향하지 않는 외주 영역 및 처리액 유지 플레이트(40)의 외주면에 발액층(46, 47)을 설치함으로써, 그 외주 영역이나 외주면에 액적이 부착되는 것을 억제하는 것이 가능해져, 워터마크 등의 품질 불량의 발생을 억제할 수 있다. As described above, according to the fourth embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. In addition, a liquid-repellent layer is formed on the outer peripheral surface of the processing liquid holding plate 40 , in which the droplets of the processing liquid S do not face the substrate W on the surface of the substrate W side of the processing liquid holding plate 40 and on the outer peripheral surface of the processing liquid holding plate 40 . By providing (46, 47), it becomes possible to suppress the adhesion of droplets to the outer peripheral region or the outer peripheral surface, and it is possible to suppress the occurrence of quality defects such as watermarks.

또한, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판(W)측의 표면에서의 기판(W)과 대향하지 않는 외주 영역 및 처리액 유지 플레이트(40)의 외주면의 어느 한쪽에만 발액층을 설치하도록 해도 좋다. 또한, 제4 실시형태를 제1 실시형태나 제2 실시형태, 제3 실시형태 등과 조합하는 것도 가능하다. In addition, the liquid repellent layer may be provided only in either an outer peripheral region of the surface of the processing liquid holding plate 40 on the substrate W side that does not face the substrate W and an outer peripheral surface of the processing liquid holding plate 40 . . It is also possible to combine the fourth embodiment with the first embodiment, the second embodiment, the third embodiment, and the like.

<다른 실시형태> <Other embodiment>

전술한 각 실시형태에 있어서는, 최초의 처리(예컨대, 레지스트 제거 처리)를 행한 후에, 순수로 세정 처리, APM로 세정 처리, 또한 순수로 세정 처리의 3회의 세정 처리를 행하는 것을 예시했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 APM의 세정 처리나 1회째의 순수의 세정 처리 등을 생략하는 것도 가능하고, 그 처리의 내용이나 횟수는 특별히 한정되는 것은 아니다. In each of the above-described embodiments, after performing the first treatment (eg, resist removal treatment), washing treatment with pure water, washing treatment with APM, and washing treatment with pure water are exemplified three times. It is not limited, for example, it is also possible to abbreviate|omit the washing|cleaning process of APM, the washing|cleaning process of the 1st time, etc., The content and frequency|count of the process are not specifically limited.

또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 처리액 유지 플레이트(40)와 기판(W)의 표면 사이에 처리액(S)을 연속적으로 공급하는 것을 예시했지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 처리액 유지 플레이트(40)와 기판(W)의 표면 사이에 처리액(S)을 유지한 상태로, 처리액(S)의 공급을 정지하는 것도 가능하다. 예컨대, 미리 정해진 온도를 초과하면 급격하게 처리 능력을 높이는 특성의 처리액(S)을 이용하는 경우 등에는, 처리액 유지 플레이트(40)와 기판(W)의 표면 사이에 처리액(S)을 유지한 상태로, 처리액(S)의 공급을 정지하는 것이 바람직하다. 이 경우, 처리액(S)의 새로운 공급이 정지되어, 기판(W)의 표면 상에 처리액(S)이 치환되지 않고 정체되며, 그 동안 가열되는 처리액(S)이 전술한 미리 정해진 온도를 초과하게 된다. In addition, in each of the above-described embodiments, the continuous supply of the processing liquid S between the processing liquid holding plate 40 and the surface of the substrate W was exemplified, but the present invention is not limited thereto. For example, the processing liquid It is also possible to stop the supply of the processing liquid S while holding the processing liquid S between the holding plate 40 and the surface of the substrate W. For example, in the case of using the treatment liquid S having the characteristic of rapidly increasing the treatment capacity when the temperature exceeds a predetermined temperature, the treatment liquid S is held between the treatment liquid holding plate 40 and the surface of the substrate W. In one state, it is preferable to stop the supply of the processing liquid S. In this case, the new supply of the processing liquid S is stopped, and the processing liquid S is stagnated without being replaced on the surface of the substrate W, and the processing liquid S heated during that time is heated to the above-described predetermined temperature. will exceed

또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 처리액 유지 플레이트(40)의 기판측과 반대측의 면에 각 온도 센서(42)를 설치하는 것을 예시했지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 처리액 유지 플레이트(40)의 내부에 각 온도 센서(42)를 설치하는 것도 가능하며, 처리액 유지 플레이트(40)가 각 온도 센서(42)를 내장하도록 해도 좋다. In addition, in each of the above-described embodiments, each temperature sensor 42 is exemplified on the surface opposite to the substrate side of the processing liquid holding plate 40, but the present invention is not limited thereto, and for example, the processing liquid holding plate ( It is also possible to provide each temperature sensor 42 inside the 40 , or the processing liquid holding plate 40 may incorporate each temperature sensor 42 .

이상, 본 발명의 몇 가지 실시형태를 설명했지만, 이들 실시형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 이들 신규 실시형태는, 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example, and limiting the scope of the invention is not intended. These novel embodiments can be implemented in other various forms, and various abbreviations, substitutions, and changes can be made in the range which does not deviate from the summary of invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and the invention described in the claims and their equivalents.

10 : 기판 처리 장치 20 : 기판 유지 플레이트
40 : 처리액 유지 플레이트 40a : 토출구
41 : 히터 42 : 온도 센서
43 : 발액층 43a : 발액층
44 : 발액층 45 : 발액층
46 : 발액층 47 : 발액층
60 : 승강 기구 S : 처리액
W : 기판10: substrate processing apparatus 20: substrate holding plate
40: treatment liquid holding plate 40a: discharge port
41: heater 42: temperature sensor
43: liquid-repellent layer 43a: liquid-repellent layer
44: liquid-repellent layer 45: liquid-repellent layer
46: liquid-repellent layer 47: liquid-repellent layer
60: lifting mechanism S: treatment liquid
W: substrate

Claims (12)

기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 상방에서, 상기 기판의 표면에 대향하여 떨어진 위치에 설치되고, 상기 기판측의 표면에 처리액을 토출하는 토출구를 가지며, 상기 토출구로부터 토출된 상기 처리액을 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 표면과의 사이에 유지하는 처리액 유지 플레이트와,
상기 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 상기 처리액 유지 플레이트를 가열하는 히터와,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판의 상방에서, 상기 기판에 대하여 상기 처리액 유지 플레이트 및 상기 히터를 승강시키는 승강 기구와,
상기 토출구로부터 상기 처리액의 공급이 정지했을 때, 상기 토출구로부터 상기 처리액이 상기 처리액 유지 플레이트의 상기 기판측의 표면에 확산되는 것을 억제하도록 상기 처리액 유지 플레이트의 상기 기판측의 표면의 일부에만, 상기 토출구를 둘러싸도록 고리형으로 설치된 상기 처리액을 튀기는 발액층
을 구비하고,
고리형의 상기 발액층의 적어도 일부는 상기 토출구로부터 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.a substrate holding unit for holding the substrate;
above the substrate held by the substrate holding unit, provided at a position away from the surface of the substrate, and has a discharge port for discharging the treatment liquid on the surface of the substrate side, the treatment liquid discharged from the discharge port a processing liquid holding plate for holding between the substrate and the surface of the substrate held by the substrate holding unit;
a heater installed on the treatment liquid holding plate and heating the treatment liquid holding plate;
a lifting mechanism for lifting and lowering the processing liquid holding plate and the heater with respect to the substrate above the substrate held by the substrate holding unit;
When the supply of the treatment liquid from the discharge port is stopped, a portion of the surface of the treatment liquid holding plate on the substrate side to suppress diffusion of the treatment liquid from the discharge port to the substrate side surface of the treatment liquid holding plate Only, a liquid-repellent layer that splashes the treatment liquid installed in an annular shape to surround the discharge port
to provide
At least a part of the annular liquid-repellent layer is separated from the discharge port. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 토출구는 원형이며,
고리형의 상기 발액층은 상기 토출구의 형상에 맞춰 미리 정해진 폭을 갖는 원환형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1, wherein the outlet is circular,
The annular liquid-repellent layer is a substrate processing apparatus, characterized in that formed in an annular shape having a predetermined width according to the shape of the discharge port. 제1항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트의 상기 기판측의 표면에서의 상기 기판과 대향하지 않는 영역에 설치되고, 상기 처리액을 튀기는 발액층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a liquid-repellent layer provided in a region of the substrate-side surface of the processing liquid holding plate that does not face the substrate and splashes the processing liquid. 제1항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트의 측면에 설치되고, 상기 처리액을 튀기는 발액층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a liquid repellent layer provided on a side surface of the processing liquid holding plate and splashing the processing liquid. 제1항에 있어서, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
상기 토출구보다 상기 기판의 외측에 위치하도록 상기 처리액 유지 플레이트에 설치되고, 상기 처리액 유지 플레이트의 온도를 검출하는 온도 센서
를 구비하고,
고리형의 상기 발액층은 상기 토출구 및 상기 기판 유지부의 회전축이 통하는 위치를 포함하고, 상기 온도 센서보다 상기 기판의 내측에 위치하는 사이즈로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus according to claim 1, further comprising: a rotation mechanism for rotating the substrate holding unit;
A temperature sensor installed on the treatment liquid holding plate so as to be located outside the substrate rather than the discharge port, and detecting a temperature of the treatment liquid holding plate
to provide
The annular liquid-repellent layer includes a position through which the discharge port and the rotation shaft of the substrate holding part pass, and is formed in a size that is located inside the substrate rather than the temperature sensor. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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