KR102583262B1 - Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와; 처리액 공급 단계 이후에 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와; 액막 형성 단계 이후에 기판 상으로 박리액을 공급하여 기판 상에서 고화된 액막을 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와; 액막 박리 단계 이후에 기판 상으로 제거액을 공급하여 기판 상에서 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고, 기판 처리 단계에서 각 단계의 종료 시점은, 기판 상으로 액을 공급하는 동안 기판의 표면의 온도를 검출하여 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 시점일 수 있다.The present invention provides a method for processing a substrate. According to one embodiment, a substrate processing method includes a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto a substrate; a liquid film forming step of volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step to form a solidified liquid film on the substrate; A liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with the particles on the substrate; After the liquid film peeling step, it includes a liquid film removal step of removing the liquid film from the substrate by supplying a removal liquid onto the substrate, and the end point of each step in the substrate processing step is to change the temperature of the surface of the substrate while supplying the liquid onto the substrate. This may be the point at which it is determined that the surface temperature change has reached a preset value.

Figure R1020200138638
Figure R1020200138638

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate}{Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate}

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing device, and more specifically, to a substrate processing method and a substrate processing device for liquid treating a substrate by supplying liquid to the substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.To manufacture semiconductor devices, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed. Additionally, before and after these processes are performed, a cleaning process is performed to clean particles remaining on the substrate.

세정 공정은, 스핀 헤드에 지지되어 회전하는 기판으로 케미칼을 공급하는 공정, 기판으로 탈이온수(Deionized Water; DIW) 등과 같은 세정액을 공급하여 기판 상에서 케미칼을 제거하는 공정, 이후에 세정액 보다 표면장력이 낮은 이소프로필알코올(IPA)액과 같은 유기용제를 기판에 공급하여 기판 상의 세정액을 유기용제로 치환하는 공정, 그리고 치환된 유기용제를 기판 상에서 제거하는 공정을 포함한다.The cleaning process is a process of supplying chemicals to a rotating substrate supported by a spin head, a process of supplying a cleaning liquid such as deionized water (DIW) to the substrate to remove chemicals from the substrate, and thereafter, the surface tension is lower than that of the cleaning liquid. It includes a process of supplying an organic solvent such as low isopropyl alcohol (IPA) solution to the substrate, replacing the cleaning liquid on the substrate with the organic solvent, and removing the substituted organic solvent from the substrate.

또한, 세정 공정은, 기판 상에 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 과정을 포함할 수 있다. 처리액이 기판 상에 도포되고, 휘발 성분을 포함하는 솔벤트가 휘발되면, 처리액의 체적 변화로 인해 폴리머가 경화되면서 파티클을 흡착한다. 이후, 파티클을 흡착한 폴리머를 탈이온수와 같은 린스액을 기판 상으로 공급하여 기판으로부터 박리시킨다. 이후 IPA와 같은 유기용제로 기판을 재차 세정한다.Additionally, the cleaning process may include supplying a treatment liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate. When the treatment liquid is applied to the substrate and the solvent containing volatile components volatilizes, the polymer hardens due to a change in the volume of the treatment liquid and adsorbs particles. Thereafter, the polymer that has adsorbed the particles is peeled off from the substrate by supplying a rinse solution such as deionized water onto the substrate. Afterwards, the substrate is cleaned again with an organic solvent such as IPA.

기판 상에 처리액, 린스액 또는 유기용제와 같은 액을 공급할 시에 액의 공급량과 공급 시간을 올바르게 설정하지 못하면, 세정 공정이 길어지거나 세정액 소모량이 많아지고 기판의 공정 편차가 발생하는 문제가 있다.If the supply amount and supply time of the liquid are not set correctly when supplying liquid such as processing liquid, rinse liquid, or organic solvent to the substrate, the cleaning process becomes longer, the consumption of the cleaning liquid increases, and process deviation of the substrate occurs. .

본 발명은 기판의 표면 온도를 검출하여 기판의 표면 온도를 기반으로 공정이 종료되는 시점을 산정하여 기판의 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and device that can improve substrate cleaning efficiency by detecting the surface temperature of the substrate and calculating the end point of the process based on the surface temperature of the substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는, 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와; 처리액 공급 단계 이후에 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와; 액막 형성 단계 이후에 기판 상으로 박리액을 공급하여 기판 상에서 고화된 액막을 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와; 액막 박리 단계 이후에 기판 상으로 제거액을 공급하여 기판 상에서 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고, 기판 처리 단계에서 각 단계의 종료 시점은, 기판 상으로 액을 공급하는 동안 기판의 표면의 온도를 검출하여 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 시점일 수 있다.The present invention provides a method for processing a substrate. According to one embodiment, the substrate processing step of supplying a liquid to the substrate to treat the substrate includes: supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent to the substrate; a liquid film forming step of volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step to form a solidified liquid film on the substrate; A liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with the particles on the substrate; After the liquid film peeling step, it includes a liquid film removal step of removing the liquid film from the substrate by supplying a removal liquid onto the substrate, and the end point of each step in the substrate processing step is to change the temperature of the surface of the substrate while supplying the liquid onto the substrate. This may be the point at which it is determined that the surface temperature change has reached a preset value.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계의 종료 시점은, 솔벤트의 휘발에 의한 기화열에 의해 기판의 표면 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the end point of the liquid film forming step may be the time when the surface temperature of the substrate has decreased by the preset temperature due to heat of vaporization caused by volatilization of the solvent.

일 실시예에 의하면, 액막 박리 단계의 종료 시점은, 처리액과 박리액의 반응에 의한 반응열에 의해 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the end point of the liquid film peeling step may be the time when the temperature of the surface of the substrate increases by the heat of reaction resulting from the reaction between the processing liquid and the stripping liquid, and then the temperature of the surface of the substrate decreases by the preset temperature. there is.

일 실시예에 의하면, 액막 박리 단계의 종료 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the end time of the liquid film peeling step may be a time when a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate.

일 실시예에 의하면, 액막 박리 단계의 종료 시점은, 액막과 박리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the end point of the liquid film peeling step may be a time when the temperature of the surface of the substrate drops by a preset temperature after the chemical reaction between the liquid film and the peeling liquid is terminated.

일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계의 종료 시점은, 박리액과 제거액의 반응에 의한 반응열에 의해 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the end point of the liquid film removal step may be the time when the temperature of the surface of the substrate increases by the heat of reaction resulting from the reaction between the stripping liquid and the removal liquid, and then the temperature of the surface of the substrate decreases by a preset temperature. .

일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계의 종료 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the end time of the liquid film removal step may be a time when a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate.

일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계의 종료 시점은, 박리액과 제거액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the end point of the liquid film removal step may be a point in time when the temperature of the surface of the substrate drops by a preset temperature after the chemical reaction between the stripper solution and the removal solution is terminated.

일 실시예에 의하면, 액막 형성 단계와 액막 박리 단계 사이에, 기판 상으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계를 더 포함하고, 세정액 공급 단계의 시작 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.According to one embodiment, between the liquid film forming step and the liquid film peeling step, a cleaning liquid supply step of supplying the cleaning liquid onto the substrate is further included, and the starting time of the cleaning liquid supply step is based on a time when there is no temperature change on the surface of the substrate. This may be when a preset time has elapsed.

일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계 이후에 기판을 건조하는 건조 단계를 더 포함하고, 건조 단계의 종료 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.According to one embodiment, a drying step of drying the substrate is further included after the liquid film removal step, and the end time of the drying step may be a preset time elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. there is.

일 실시예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함하고, 박리액은 DIW(De-Ionized Water)이고, 제거액은 유기용제일 수 있다.According to one embodiment, the polymer includes a resin, the stripping solution may be DIW (De-Ionized Water), and the removal solution may be an organic solvent.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계에서, 기판의 표면 온도에 기초하여 기판 상으로 공급되는 액의 탄착 위치가 변경될 수 있다.According to one embodiment, in the substrate processing step, the impact location of the liquid supplied onto the substrate may be changed based on the surface temperature of the substrate.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계에서, 기판 상으로 액이 공급되는 동안 기판은 회전되는 상태로 제공될 수 있다.According to one embodiment, in the substrate processing step, the substrate may be provided in a rotated state while liquid is supplied onto the substrate.

일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 방법에 있어서, 회전하는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계를 포함하고, 기판 처리 단계의 종료 시점은, 기판 상으로 액을 공급하는 동안 기판의 표면의 온도를 검출하여 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 시점일 수 있다.According to one embodiment, a method of treating a substrate includes a substrate processing step of treating the substrate by supplying liquid onto a rotating substrate, and the end point of the substrate processing step is while supplying liquid onto the substrate. This may be the point at which it is determined that the surface temperature change has reached a preset value by detecting the temperature of the surface of the substrate.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계는, 기판 상으로 제1처리액을 공급하는 제1처리액 공급 단계; 그리고, 제1처리액이 공급된 기판상으로 제2처리액을 공급하는 제2처리액 공급 단계를 포함하고, 제2처리액 공급 단계의 종료 시점은, 제1처리액과 제2처리액의 반응에 의한 반응열에 의해 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도에 도달한 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the substrate processing step includes: supplying a first processing liquid onto the substrate; And, it includes a second processing liquid supply step of supplying the second processing liquid onto the substrate to which the first processing liquid has been supplied, and the end point of the second processing liquid supply step is the difference between the first processing liquid and the second processing liquid. After the temperature of the surface of the substrate rises due to the reaction heat from the reaction, a preset time may elapse based on the time when the temperature of the surface of the substrate reaches the preset temperature.

일 실시예에 의하면, 기판 처리 단계는, 액의 공급을 중지한 이후에 기판을 회전시켜 기판을 건조시키는 건조 단계를 더 포함하고, 건조 단계의 종료 시점은, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다.According to one embodiment, the substrate processing step further includes a drying step of drying the substrate by rotating the substrate after stopping the supply of the liquid, and the end point of the drying step is a time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. It may be a point in time when a preset amount of time has elapsed.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버와; 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판의 표면 온도를 검출하는 온도 검출 유닛과; 지지 유닛, 액 공급 유닛 그리고 온도 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 제어기는, 온도 검출 유닛이 액 공급 유닛이 기판으로 액을 공급하는 동안 검출한 기판의 표면의 온도를 기반으로 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 경우 액의 공급이 중단되도록 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.Additionally, the present invention provides a substrate processing apparatus. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space; a support unit that supports and rotates the substrate in the processing space; a liquid supply unit that supplies liquid onto the substrate supported on the support unit; a temperature detection unit that detects the surface temperature of the substrate supported on the support unit; It includes a controller that controls the support unit, the liquid supply unit, and the temperature detection unit, wherein the temperature detection unit changes the surface temperature based on the temperature of the surface of the substrate detected while the liquid supply unit supplies liquid to the substrate. If it is determined that the above set value has been reached, the liquid supply unit can be controlled so that the liquid supply is stopped.

일 실시예에 의하면, 제어기는, 액 공급 유닛이 기판 상으로 제1처리액을 공급한 이후에 제2처리액을 공급하되, 제1처리액과 제2처리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강하는 경우 제2처리액의 공급이 종료되도록 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller supplies the second processing liquid after the liquid supply unit supplies the first processing liquid onto the substrate, but after the chemical reaction between the first processing liquid and the second processing liquid is terminated. When the temperature of the surface of the substrate drops by the preset temperature, the liquid supply unit can be controlled so that the supply of the second processing liquid is terminated.

일 실시예에 의하면, 제어기는, 액 공급 유닛이 기판 상으로 액이 공급한 이후에 액의 공급을 중단하고 지지 유닛이 기판을 회전시켜 기판을 건조시키되, 기판의 건조는, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점까지 계속되도록 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller stops supplying the liquid after the liquid supply unit supplies the liquid onto the substrate and the support unit rotates the substrate to dry the substrate. The drying of the substrate is performed at the temperature of the surface of the substrate. The support unit can be controlled to continue until a preset time has elapsed based on the point at which there is no change.

일 실시예에 의하면, 제어기는, 액이 기판 상으로 공급되는 동안 기판이 회전되도록 지지 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller may control the support unit to rotate the substrate while liquid is supplied onto the substrate.

본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공할 수 있다.The present invention can provide a substrate processing method and device that can improve cleaning efficiency.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 4는 각각 본 발명의 기판 처리 단계를 나타낸 플로우 차트이다.
도 5는 본 발명의 기판 처리 방법에 따라 기판을 처리하는 동안 시간에 따른 기판의 표면의 온도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6 내지 도 13은 본 발명의 기판 처리 방법에 따라 기판을 처리하는 모습을 순차적으로 나타내는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1.
Figures 3 and 4 are flow charts showing the substrate processing steps of the present invention, respectively.
Figure 5 is a graph showing the temperature change of the surface of the substrate over time while processing the substrate according to the substrate processing method of the present invention.
6 to 13 are diagrams sequentially showing processing of a substrate according to the substrate processing method of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the attached drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This example is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes an index module 10 and a processing module 20. According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are arranged along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as the first direction 92, and the direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as the second direction 94. And the direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is called the third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.The index module 10 transfers the substrate W from the stored container 80 to the processing module 20 and stores the substrate W that has been processed in the processing module 20 into the container 80 . The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94. The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14. Based on the index frame 14, the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20. The container 80 containing the substrates W is placed in the load port 12. A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be arranged along the second direction 94.

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.The container 80 may be an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP). The container 80 is placed in the load port 12 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, overhead conveyor, or Automatic Guided Vehicle, or by an operator. You can.

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.An index robot 120 is provided in the index frame 14. A guide rail 140 is provided in the second direction 94 along the length of the index frame 14, and the index robot 120 can be moved on the guide rail 140. The index robot 120 includes a hand 122 on which a substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 can move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer chamber 300, and a liquid processing chamber 400. The buffer unit 200 provides a space where the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W taken out from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing chamber 400 supplies liquid to the substrate W to perform a liquid treatment process on the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400 .

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다.The transfer chamber 300 may have its longitudinal direction oriented in the first direction 92 . The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300. The liquid processing chamber 400 may be disposed on a side of the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be arranged along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300.

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다.According to one example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300, and the liquid processing chambers 400 on one side of the transfer chamber 300 are disposed in the first direction 92 and the third direction 96. ) can be provided as an array of A

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320. A guide rail 340 whose longitudinal direction is provided in the first direction 92 is provided within the transfer chamber 300, and the transfer robot 320 may be provided to be able to move on the guide rail 340. The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96, and moves in the third direction 96. It can be provided so that it can be moved along. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 can move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be arranged to be spaced apart from each other along the third direction 96. The buffer unit 200 has open front and rear faces. The front side faces the index module 10, and the back side faces the transfer chamber 300. The index robot 120 may approach the buffer unit 200 through the front, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 승강 유닛(480), 액 공급 유닛(460), 그리고 온도 검출 유닛(470)을 가진다.FIG. 2 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing chamber 400 of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the liquid processing chamber 400 includes a housing 410, a cup 420, a support unit 440, a lifting unit 480, a liquid supply unit 460, and a temperature detection unit 470. have

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. The cup 420, the support unit 440, and the liquid supply unit 460 are disposed within the housing 410.

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed within the processing space. The support unit 440 supports the substrate W within the processing space. The liquid supply unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported on the support unit 440. Liquids are provided in multiple types and can be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440.

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다.According to one example, the cup 420 has a plurality of recovery bins 422, 424, and 426. The recovery containers 422, 424, and 426 each have a recovery space for recovering the liquid used for processing the substrate. Each of the recovery bins 422, 424, and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440. When the liquid treatment process progresses, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each recovery container 422, 424, and 426.

일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a first recovery container 422, a second recovery container 424, and a third recovery container 426. The first recovery container 422 is arranged to surround the support unit 440, the second recovery container 424 is arranged to surround the first recovery container 422, and the third recovery container 426 is the second recovery container 426. It is arranged to surround the recovery container 424. The second inlet 424a, which flows liquid into the second recovery tank 424, is located above the first inlet 422a, which flows liquid into the first recovery tank 422, and the third recovery tank 426 The third inlet 426a, which introduces liquid, may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444. The upper surface of the support plate 442 is provided in a generally circular shape and may have a larger diameter than the substrate (W). A support pin 442a is provided at the center of the support plate 442 to support the rear side of the substrate W, and the support pin 442a has an upper end of the support plate ( 442).

지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.A chuck pin 442b is provided at the edge of the support plate 442. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 and supports the side of the substrate W so that the substrate W does not separate from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The drive shaft 444 is driven by the driver 446, is connected to the center of the bottom of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate (W) changes as the cup 420 moves up and down. As a result, the recovery containers 422, 424, and 426 for recovering the processing liquid are changed depending on the type of liquid supplied to the substrate W, so the liquids can be recovered separately. Unlike the above-mentioned, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 can move the support unit 440 in the vertical direction.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은, 처리액 공급 노즐(463), 세정액 공급 노즐(466), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)을 포함한다. 일 예에서, 처리액 공급 노즐(463), 세정액 공급 노즐(466), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)은 각각 상이한 아암(461)에 의해 지지될 수 있다. 선택적으로, 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462), 제거액 공급 노즐(464) 같은 아암(461)에 의해 지지될 수 있다.According to one example, the liquid supply unit 460 includes a processing liquid supply nozzle 463, a cleaning liquid supply nozzle 466, a stripping liquid supply nozzle 462, and a removal liquid supply nozzle 464. In one example, the treatment liquid supply nozzle 463, the cleaning liquid supply nozzle 466, the stripping liquid supply nozzle 462, and the removal liquid supply nozzle 464 may each be supported by different arms 461. Optionally, the processing liquid supply nozzle 463, the stripping liquid supply nozzle 462, and the removal liquid supply nozzle 464 may be supported by the same arm 461.

처리액 공급 노즐(463)은 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급한다. 일 예에 의하면 처리액은, 폴리머와 솔벤트를 포함한다. 일 예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함한다. 예컨대, 수지는 아크릴 수지, 페놀 수지일 수 있다. 솔벤트는 폴리머를 용해시키되 휘발 성분을 가지는 용액이다. 일 예에서, 처리액 공급 노즐(463)은, 기판 상에 처리액을 공급하는 동안 기판의 중심과 대향되도록 제공될 수 있다. 일 예에서, 처리액이 기판 상에 공급되는 동안 기판은 지지 유닛(440)에 의해 회전될 수 있다. 이에, 처리액이 원심력에 의해 기판의 가장자리 영역까지 도달할 수 있다.The processing liquid supply nozzle 463 supplies the processing liquid onto the substrate supported on the support unit. According to one example, the treatment liquid includes a polymer and a solvent. According to one example, the polymer includes a resin. For example, the resin may be an acrylic resin or a phenolic resin. A solvent is a solution that dissolves polymers but contains volatile components. In one example, the processing liquid supply nozzle 463 may be provided to face the center of the substrate while supplying the processing liquid onto the substrate. In one example, the substrate may be rotated by the support unit 440 while the processing liquid is supplied on the substrate. Accordingly, the processing liquid can reach the edge area of the substrate due to centrifugal force.

박리액 공급 노즐(462)은 기판 상으로 박리액을 토출한다. 일 예에 의하면, 박리액은 기판 상에 형성된 액막을 기판으로부터 박리시키는 액이다. 일 예에서, 박리액은 탈이온수를 포함한다. 세정액 공급 노즐(464)은 기판 상으로 세정액을 공급한다. 일 예에서, 세정액은 박리액이 기판 상에 형성된 액막을 기판으로부터 용이하게 박리시키도록 도와주는 액일 수 있다. 제거액 공급 노즐(464)은 기판 상으로 제거액을 토출한다. 일 예에서, 제거액은 기판 상에 잔존하는 액막을 세정할 수 있는 액이다. 일 예에 의하면, 제거액은 유기용제를 포함한다.The stripper supply nozzle 462 discharges the stripper onto the substrate. According to one example, the peeling liquid is a liquid that peels the liquid film formed on the substrate from the substrate. In one example, the stripper includes deionized water. The cleaning liquid supply nozzle 464 supplies cleaning liquid onto the substrate. In one example, the cleaning liquid may be a liquid that helps the peeling liquid easily peel the liquid film formed on the substrate from the substrate. The removal liquid supply nozzle 464 discharges the removal liquid onto the substrate. In one example, the removal liquid is a liquid that can clean the liquid film remaining on the substrate. According to one example, the removal liquid includes an organic solvent.

온도 검출 유닛(470)은 기판의 표면 온도를 검출한다. 일 예에서, 온도 검출 유닛(470)은 기판이 처리되는 동안 기판의 표면 온도를 검출한다. 일 예에서, 온도 검출 유닛(470)은 챔버 내부의 온도 변화에 영향을 받지 않고 기판의 포면 온도를 검출할 수 있는 장치를 포함한다. 예컨대, 온도 검출 유닛(470)은 비전 센서로 제공될 수 있다. 일 예에서, 온도 검출 유닛(470)은 액 처리 챔버(400) 내부에, 기판의 상부와 대응되는 위치에 제공될 수 있다.Temperature detection unit 470 detects the surface temperature of the substrate. In one example, temperature detection unit 470 detects the surface temperature of the substrate while the substrate is being processed. In one example, the temperature detection unit 470 includes a device that can detect the surface temperature of the substrate without being affected by temperature changes inside the chamber. For example, the temperature detection unit 470 may be provided as a vision sensor. In one example, the temperature detection unit 470 may be provided inside the liquid processing chamber 400 at a position corresponding to the top of the substrate.

이하, 도 3 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 3 내지 도 4는 각각 본 발명의 기판 처리 방법의 순서도를 나타내고, 도 5는 본 발명의 기판 처리 방법에 따라 기판을 처리하는 경우 시간에 따른 기판의 표면의 온도 변화를 나타내는 그래프이다. 제어기(40)는 이하 서술하는 본 발명의 기판 처리 방법을 수행하기 위해 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460) 그리고 온도 검출 유닛(470)을 제어할 수 있다. 온도 측정 유닛(470)은 기판(W) 처리 단계가 수행되는 동안 기판(W)의 표면의 온도를 검출한다.Hereinafter, the substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 13. Figures 3 and 4 each show a flowchart of the substrate processing method of the present invention, and Figure 5 is a graph showing the temperature change of the surface of the substrate over time when processing the substrate according to the substrate processing method of the present invention. The controller 40 can control the support unit 440, the liquid supply unit 460, and the temperature detection unit 470 to perform the substrate processing method of the present invention described below. The temperature measurement unit 470 detects the temperature of the surface of the substrate W while the substrate W processing step is performed.

도 3을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 방법은 기판 처리 단계(S10)를 포함한다. 기판 처리 단계(S10)에서, 온도 검출 유닛(470)은 기판의 표면의 온도를 검출하고, 제어기(40)는 온도 검출 유닛(470)이 측정한 기판의 표면의 온도를 기반으로 공정 종료 시점을 판단한다. 일 예에서, 액 처리 챔버(400)는 기판 처리 단계(S10)가 수행되는 동안 일정한 내부 온도를 유지하기 위한 온도 유지 부재(미도시)가 제공된다. 예컨대, 온도 유지 부재(미도시)는 히터 또는 배기 유닛 등으로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 3, the substrate processing method of the present invention includes a substrate processing step (S10). In the substrate processing step (S10), the temperature detection unit 470 detects the temperature of the surface of the substrate, and the controller 40 determines the process end time based on the temperature of the surface of the substrate measured by the temperature detection unit 470. judge. In one example, the liquid processing chamber 400 is provided with a temperature maintenance member (not shown) to maintain a constant internal temperature while the substrate processing step S10 is performed. For example, a temperature maintaining member (not shown) may be provided as a heater or an exhaust unit.

일 예에서, 기판 처리 단계(S10)는 제1처리액 공급 단계(S11), 제2처리액 공급 단계(S12) 그리고 건조 단계(S13)를 포함한다. 제1처리액 공급 단계(S11)에서 기판 상으로 제1처리액을 공급한다. 일 예에서, 제1처리액은 기 설정량만큼 기판 상에 공급된다. 이후에, 제2처리액 공급 단계(S12)에서, 기판 상으로 제1처리액이 공급된 이후에 제2처리액이 공급된다. 제2처리액 공급 단계(S12)에서, 제어기(40)는 온도 검출 유닛(470)이 측정한 기판의 표면의 온도를 기반으로 제2처리액의 공급 종료 시점과 기판의 건조 종료 시점을 판단할 수 있다. 일 예에서, 제어기(40)는 기판의 표면의 온도를 기반으로 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 경우 액의 공급을 중단시킬 수 있다.In one example, the substrate processing step (S10) includes a first processing liquid supply step (S11), a second processing liquid supply step (S12), and a drying step (S13). In the first processing liquid supply step (S11), the first processing liquid is supplied onto the substrate. In one example, a preset amount of the first processing liquid is supplied onto the substrate. Thereafter, in the second processing liquid supply step (S12), the second processing liquid is supplied after the first processing liquid is supplied onto the substrate. In the second processing liquid supply step (S12), the controller 40 determines the end time of supply of the second processing liquid and the end time of drying of the substrate based on the temperature of the surface of the substrate measured by the temperature detection unit 470. You can. In one example, the controller 40 may stop the supply of liquid when it determines that the change in surface temperature has reached a preset value based on the temperature of the surface of the substrate.

예컨대, 액 공급 유닛이 기판 상으로 제1처리액을 공급한 이후에 제2처리액을 공급할 수 있다. 제2처리액이 제1처리액이 도포된 기판 상에 공급되면, 제1처리액과 제2처리액은 화학 반응을 일으킨다. 제1처리액과 제2처리액의 화학 반응에 따른 반응열에 의해 기판의 온도는 상승한다. 일 예에서, 제1처리액과 제2처리액의 화학 반응에 따른 반응열에 의해 상승된 기판의 온도는 액 처리 챔버(400)의 내부 온도보다 높은 온도일 수 있다. 제1처리액과 제2처리액 간의 화학 반응이 종료되고 나면, 반응열은 더 이상 발생하지 않게 되고 기판의 온도는 점차 떨어지게 된다. 일 예에서, 제2처리액의 공급 종료 시점은, 반응열에 의해 기판의 온도가 상승하고 그 이후에 화학 반응이 종료되어 기판의 온도가 기 설정치만큼 하강된 시점일 수 있다. 이와 같은 판단을 위해, 제어기에는 제1처리액과 제2처리액을 반응시켰을 때, 각 처리액의 유량, 온도, 반응 시간 등에 따른 기판의 온도 변화를 분석한 데이터가 미리 입력될 수 있다.For example, the liquid supply unit may supply the second processing liquid after supplying the first processing liquid onto the substrate. When the second treatment liquid is supplied to the substrate on which the first treatment liquid is applied, a chemical reaction occurs between the first treatment liquid and the second treatment liquid. The temperature of the substrate increases due to reaction heat resulting from a chemical reaction between the first treatment liquid and the second treatment liquid. In one example, the temperature of the substrate raised by reaction heat resulting from a chemical reaction between the first processing liquid and the second processing liquid may be higher than the internal temperature of the liquid processing chamber 400. After the chemical reaction between the first treatment liquid and the second treatment liquid is completed, reaction heat is no longer generated and the temperature of the substrate gradually decreases. In one example, the end point of supply of the second processing liquid may be a point in time when the temperature of the substrate increases due to reaction heat and then the chemical reaction is completed and the temperature of the substrate decreases by a preset value. To make this determination, data analyzing the temperature change of the substrate according to the flow rate, temperature, reaction time, etc. of each processing liquid when the first processing liquid and the second processing liquid are reacted may be input in advance to the controller.

제1처리액과 제2처리액 간의 화학 반응이 종료되면, 더 이상 반응열이 발생하지 않는다. 이에, 기판의 온도는 점차 떨어지지만, 온도 유지 부재(미도시)에 의해 기판의 온도는 소정의 온도 이하로 떨어지지 않고 소정의 온도로 수렴하게 된다. 일 예에서, 제2처리액의 공급 종료 시점은 기판의 온도가 소정의 온도에 도달한 시점을 기점으로 판단될 수 있다. 예컨대, 제2처리액은 기판의 온도가 소정의 온도에 도달하자 마자 공급이 중단될 수 있다. 일 예에서, 반응열에 의해 기판의 온도가 상승하고 그 이후에 화학 반응이 종료되어 기판의 온도가 기 설정치만큼 하강된 시점과 제2처리액의 공급 종료 시점은 기판의 온도가 소정의 온도에 도달한 시점은 동일한 시점일 수 있다. 선택적으로, 제2처리액의 공급 종료 시점은 기판의 온도가 소정의 온도에 도달하고 이를 기준으로 기 설정 시간이 경과한 시점일 수 있다.When the chemical reaction between the first treatment liquid and the second treatment liquid is completed, reaction heat is no longer generated. Accordingly, the temperature of the substrate gradually decreases, but the temperature of the substrate does not fall below the predetermined temperature and converges to the predetermined temperature due to the temperature maintaining member (not shown). In one example, the end point of supply of the second processing liquid may be determined based on the point in time when the temperature of the substrate reaches a predetermined temperature. For example, the supply of the second processing liquid may be stopped as soon as the temperature of the substrate reaches a predetermined temperature. In one example, the temperature of the substrate rises due to the heat of reaction, and then the chemical reaction is completed, the temperature of the substrate decreases to a preset value, and the supply of the second processing liquid ends when the temperature of the substrate reaches a predetermined temperature. A point in time may be the same point in time. Optionally, the end point of supply of the second processing liquid may be when the temperature of the substrate reaches a predetermined temperature and a preset time has elapsed based on this.

건조 단계(S13)에서, 액 공급 유닛이 기판 상으로 액이 공급한 이후에 액의 공급을 중단하고 지지 유닛이 기판을 회전시켜 기판을 건조시킨다. 기판을 건조시키면 기판 상에 액이 기화되는 흡열 반응이 일어난다. 이에, 액이 기화되면서 기판의 열을 빼앗아 기판의 온도가 하강한다. 기판 상의 액의 건조가 완료되면 더 이상 흡열 반응이 일어나지 않는다. 이에, 건조가 완료되고 일정 시간이 흐르면 기판의 온도는 액 처리 챔버(400) 내부의 온도와 근접한 온도에 수렴할 수 있다. 일 예에서, 건조 단계(S13)는, 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점까지 계속될 수 있다. 선택적으로, 건조 단계(S13)는 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점에 중단될 수 있다. 이와 같은 판단을 위해, 제어기에는 기판 상의 액의 기화량에 따른 기판의 온도 변화 데이터가 미리 입력될 수 있다.In the drying step (S13), after the liquid supply unit supplies the liquid onto the substrate, the supply of the liquid is stopped and the support unit rotates the substrate to dry the substrate. When the substrate is dried, an endothermic reaction occurs in which liquid vaporizes on the substrate. Accordingly, as the liquid evaporates, it takes heat from the substrate and the temperature of the substrate decreases. Once drying of the liquid on the substrate is complete, no endothermic reaction occurs. Accordingly, after drying is completed and a certain period of time passes, the temperature of the substrate may converge to a temperature close to the temperature inside the liquid processing chamber 400. In one example, the drying step (S13) may continue until a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. Optionally, the drying step (S13) can be stopped at a time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. For such determination, data on temperature change of the substrate according to the amount of vaporization of liquid on the substrate may be input to the controller in advance.

이하, 본 발명의 기판 처리 방법은, 기판 상에 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급한 이후에 기판을 세정 및 린스하고 기판을 건조하는 방법인 것으로 설명한다. 도 4 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 단계는, 처리액 공급 단계(S100), 액막 형성 단계(S110), 세정액 공급 단계(S120), 액막 박리 단계(S130), 액막 제거 단계(S140) 그리고 건조 단계(S150)를 포함한다. 이하, 각 단계의 시점은 도 5에 도시된 a 내지 j를 들어 설명한다.Hereinafter, the substrate processing method of the present invention will be described as a method of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent to the substrate, then cleaning and rinsing the substrate, and drying the substrate. Referring to Figures 4 and 5, the substrate processing steps of the present invention include a processing liquid supply step (S100), a liquid film forming step (S110), a cleaning fluid supply step (S120), a liquid film peeling step (S130), and a liquid film removal step ( S140) and a drying step (S150). Hereinafter, the timing of each step will be explained with reference to a to j shown in FIG. 5.

도 6을 참조하면, 처리액 공급 단계(S100)에서, 처리액 공급 노즐(463)은 회전하는 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 일 예에서, 처리액 공급 단계(S100)에서, 처리액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전되는 상태로 제공될 수 있다. 기판(W)이 회전됨에 따라 원심력에 의해 처리액이 기판(W)의 표면에 확산된다. 일 예에서, 처리액 공급 단계(S100)에서 기판(W) 상으로 공급되는 처리액 량은 기 설정된 량일 수 있다. 도 7은 패턴이 형성된 기판(W)에 처리액이 도포된 모습을 나타낸다. 도 7을 참조하면, 패턴 사이 사이에 위치된 파티클(P)이 기판(W) 상에 도포된 처리액에 포획된다.Referring to FIG. 6, in the processing liquid supply step (S100), the processing liquid supply nozzle 463 supplies the processing liquid onto the rotating substrate W. In one example, in the processing liquid supply step (S100), the substrate W may be rotated while the processing liquid is supplied. As the substrate W rotates, the processing liquid spreads on the surface of the substrate W due to centrifugal force. In one example, the amount of processing liquid supplied to the substrate W in the processing liquid supply step ( S100 ) may be a preset amount. Figure 7 shows a state in which a treatment liquid is applied to a substrate W on which a pattern is formed. Referring to FIG. 7, particles P located between patterns are captured in the treatment liquid applied on the substrate W.

a 시점까지 기판(W) 상으로 기 설정된 량만큼 처리액이 공급되고 나면, 도 7에 도시된 바와 같이 액막 형성 단계(S110)가 진행된다. 일 예에서, 액막 형성 단계(S110)에서 기판(W) 상으로 처리액은 공급되지 않는다. 일 예에서, 액막 형성 단계(S110)에서 기판(W)이 회전된다. 액막 형성 단계(S110)에서, 처리액에서 솔벤트를 휘발시킨다. 솔벤트가 휘발되면, 처리액에 잔존하는 폴리머는 기판(W) 상에 고화된 액막(F)을 형성한다. 처리액이 솔벤트가 휘발함에 따라 체적 수축을 일으키면서 고화됨으로써, 기판(W)의 패턴면에 액막이 형성된다. 일 예에서, 액막 형성 단계(S110)에서, 기판(W)을 회전시켜 기판(W) 상의 처리액에서 솔벤트의 휘발을 촉진시킬 수 있다. 기판(W) 상에서 솔벤트가 휘발되면 솔벤트 기화되면서 기판(W)의 열을 빼앗아 기판(W)의 온도가 하강한다. 예컨대, a 시점에서 b 시점까지 기판(W)의 표면의 온도는 하강한다.After a preset amount of processing liquid is supplied onto the substrate W up to point a, the liquid film forming step (S110) proceeds as shown in FIG. 7 . In one example, the processing liquid is not supplied onto the substrate W in the liquid film forming step (S110). In one example, the substrate W is rotated in the liquid film forming step (S110). In the liquid film forming step (S110), the solvent is volatilized from the treatment liquid. When the solvent evaporates, the polymer remaining in the treatment liquid forms a solidified liquid film (F) on the substrate (W). The treatment liquid solidifies while causing volumetric contraction as the solvent volatilizes, thereby forming a liquid film on the pattern surface of the substrate W. In one example, in the liquid film forming step (S110), the substrate W may be rotated to promote volatilization of the solvent from the treatment liquid on the substrate W. When the solvent volatilizes on the substrate (W), the solvent vaporizes and takes heat from the substrate (W), causing the temperature of the substrate (W) to decrease. For example, the temperature of the surface of the substrate W decreases from time a to time b.

기판(W) 상에서 솔벤트가 적정량 휘발되었는지 여부는 기판(W)의 표면의 온도 변화를 통해 파악한다. 예컨대, 제어기에는 기판(W) 상의 솔벤트의 휘발량에 따른 기판(W) 표면의 온도 변화에 대한 데이터가 미리 입력될 수 있다. 제어기는, 미리 입력된 데이터를 기반으로 기판(W) 표면의 온도가 기 설정치만큼 하강된 경우, 기판(W) 상의 솔벤트가 원하는 양만큼 휘발되었음을 판단한다. 기판(W) 표면의 온도를 통해 솔벤트의 휘발량을 파악하는 바, 종래에 액막 형성 단계(S110)의 수행 시간 등 만으로 액막이 형성되었는지 여부를 판단하는 것에 비해 액막 형성이 오차 없이 이루어질 수 있는 이점이 있다.Whether or not an appropriate amount of solvent has been volatilized on the substrate (W) is determined through temperature changes on the surface of the substrate (W). For example, data on the temperature change of the surface of the substrate W according to the volatilization amount of the solvent on the substrate W may be input to the controller in advance. The controller determines that the desired amount of solvent on the substrate W has been volatilized when the temperature of the surface of the substrate W has decreased by the preset value based on pre-entered data. Since the volatilization amount of the solvent is determined through the temperature of the surface of the substrate (W), the advantage is that the liquid film can be formed without error compared to the conventional method of determining whether or not the liquid film has been formed only based on the performance time of the liquid film forming step (S110). there is.

도 8과 같이 기판(W) 상에 액막이 형성되고 나면 이후에, 세정액 공급 단계(S120)가 시작된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 세정액 공급 노즐(466)으로부터 회전하는 기판(W) 상으로 세정액이 공급된다. 일 예에서, 세정액 공급 단계(S120)의 시작 시점은 기판(W)의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점일 수 있다. 예컨대, 세정액 공급 단계(S120)의 시작 시점은, 액 처리 챔버(400)의 내부 온도로 기판(W)의 온도가 수렴한 이후일 수 있다. 일 예에서, b 시점까지 기판(W)의 온도가 하강한 이후, 액 처리 챔버(400) 내부의 온도를 유지하는 온도 유지 부재(미도시)에 의해 기판(W)의 온도는 상승하게 된다. 일 예에서, 세정액은 b 시점 이후에 공급될 수 있다. 예컨대, 세정액은 c 시점에서 공급될 수 있다. 세정액은 이후, 박리액이 기판(W)으로부터 액막을 용이하게 박리할 수 있도록 돕는다. 일 예에서, 세정액은 SC-1으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 세정액은 처리액보다 높은 온도로 공급될 수 있다. 일 예에서, 세정액은 기 설정량만큼 기판(W) 상에 공급될 수 있다. 선택적으로, 세정액 공급 단계(S120)는 생략될 수 있다.After the liquid film is formed on the substrate W as shown in FIG. 8, the cleaning liquid supply step (S120) begins. As shown in FIG. 9, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzle 466 onto the rotating substrate W. In one example, the start time of the cleaning liquid supply step (S120) may be a time when a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate (W). For example, the starting point of the cleaning liquid supply step (S120) may be after the temperature of the substrate W converges to the internal temperature of the liquid processing chamber 400. In one example, after the temperature of the substrate W decreases until point b, the temperature of the substrate W is increased by a temperature maintenance member (not shown) that maintains the temperature inside the liquid processing chamber 400. In one example, the cleaning liquid may be supplied after point b. For example, the cleaning liquid may be supplied at time c. The cleaning liquid then helps the stripping liquid to easily peel the liquid film from the substrate (W). In one example, the cleaning liquid may be provided as SC-1. In one example, the cleaning liquid may be supplied at a higher temperature than the treatment liquid. In one example, a preset amount of cleaning liquid may be supplied onto the substrate W. Optionally, the cleaning liquid supply step (S120) may be omitted.

세정액 공급 단계(S120)가 종료되면, 액막 박리 단계(S130)가 시작된다. 액막 박리 단계(S130)에서, 회전하는 기판(W) 상으로 박리액을 공급하여 기판(W) 상에서 고화된 액막을 기판(W) 상의 파티클(P)과 함께 박리시킨다. 도 10은 기판(W) 상으로 박리액이 공급되는 모습을 나타낸다. 박리액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전될 수 있다. 도 11은 패턴이 형성된 기판(W)에서 액막이 박리되는 모습을 나타낸다. 도 11을 참조하면, 기판(W)의 패턴 형성면에 부착한 파티클(P)이 액막과 함께 기판(W)으로부터 박리된다. 박리액은, 고화된 처리액을 기판(W)으로부터 물리적으로 박리시킨다. 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(W) 상에 액막과 세정액 그리고 박리액이 반응하면 반응열이 발생한다. 이에, e 시점까지 기판(W)의 표면의 온도는 상승한다.When the cleaning liquid supply step (S120) is completed, the liquid film peeling step (S130) begins. In the liquid film peeling step (S130), a stripping liquid is supplied onto the rotating substrate (W) to peel off the liquid film solidified on the substrate (W) along with the particles (P) on the substrate (W). FIG. 10 shows a release liquid being supplied onto the substrate W. The substrate W may be rotated while the stripper is supplied. Figure 11 shows the liquid film being peeled off from the substrate W on which the pattern is formed. Referring to FIG. 11, particles P attached to the pattern forming surface of the substrate W are peeled off from the substrate W together with the liquid film. The stripping liquid physically peels the solidified processing liquid from the substrate W. As shown in FIG. 5, reaction heat is generated when the liquid film, cleaning liquid, and stripping liquid react on the substrate W. Accordingly, the temperature of the surface of the substrate W increases until time e.

일 예에서, 액막 박리 단계(S130)의 종료 시점은, 이와 같은 반응열에 의해 기판(W)의 표면의 온도가 상승한 이후인 e시점 이후에 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다. 예컨대, 액막과 세정액 그리고 박리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다. 예컨대, 제어기에는 기판(W) 상의 액막의 박리 정도에 따른 기판(W) 표면의 온도 변화에 대한 데이터가 미리 입력될 수 있다. 기판(W)의 표면 온도 변화를 관찰하여 액막 박리 단계(S130)의 종료 시점을 판단하는 바, 종래에 기판(W) 상에 공급된 박리액의 양, 액막 박리 단계(S130)의 수행 시간 등 만으로 액막이 박리되었는지 여부를 판단하는 것에 비해 박리액 소모량을 절감하고 공정의 정밀도를 높일 수 있는 이점이 있다. 선택적으로, 액막 박리 단계(S130)의 종료 시점은, 기판(W)의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 f 시점일 수 있다. 액막과 세정액 그리고 박리액 간의 화학 반응이 종료된 경우 더 이상 기판(W) 상으로 박리액을 공급하지 않아도 됨을 의미한다. 이에, 일 예에서, 기 설정 시간은 ‘0’으로 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 온도가 소정의 온도에 도달하자 마자 박리액의 공급이 중단될 수 있다. 일 예에서, 반응열에 의해 기판(W)의 온도가 상승하고 그 이후에 화학 반응이 종료되어 기판(W)의 온도가 기 설정치만큼 하강된 시점과 박리액의 공급 종료 시점은 기판(W)의 온도가 소정의 온도에 도달한 시점은 동일한 시점일 수 있다. 선택적으로, 박리액의 공급 종료 시점은 기판(W)의 온도가 소정의 온도에 도달하고 이를 기준으로 기 설정 시간이 경과한 시점일 수 있다.In one example, the end point of the liquid film peeling step (S130) is after time e, which is after the temperature of the surface of the substrate W increases due to the heat of reaction, the temperature of the surface of the substrate W decreases by the preset temperature. It could be at one point in time. For example, after the chemical reaction between the liquid film, the cleaning solution, and the stripping solution is completed, the temperature of the surface of the substrate W may be lowered by a preset temperature. For example, data on the temperature change of the surface of the substrate W according to the degree of peeling of the liquid film on the substrate W may be input to the controller in advance. The end point of the liquid film peeling step (S130) is determined by observing the change in surface temperature of the substrate (W), such as the amount of stripper solution conventionally supplied on the substrate (W), the performance time of the liquid film peeling step (S130), etc. Compared to determining whether the liquid film has been peeled off by itself, it has the advantage of reducing the consumption of stripping liquid and increasing the precision of the process. Optionally, the end time of the liquid film peeling step (S130) may be time f, which is a time when a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate W. This means that when the chemical reaction between the liquid film, the cleaning solution, and the stripping solution is completed, the stripping solution no longer needs to be supplied to the substrate W. Accordingly, in one example, the preset time may be provided as ‘0’. For example, the supply of the stripper may be stopped as soon as the temperature of the substrate W reaches a predetermined temperature. In one example, the temperature of the substrate (W) rises due to the heat of reaction, and then the chemical reaction is completed, the time when the temperature of the substrate (W) drops to a preset value, and the time when the supply of the stripper solution ends are the times of the substrate (W). The point in time when the temperature reaches a predetermined temperature may be the same point in time. Optionally, the end point of supply of the stripper may be when the temperature of the substrate W reaches a predetermined temperature and a preset time has elapsed based on this.

액막 박리 단계(S130)가 종료되면, 액막 제거 단계(S140)가 시작된다. 도 12를 참조하면, 액막 제거 단계(S140)에서, 제거액 공급 노즐(464)이 회전하는 기판(W) 상으로 제거액을 공급하여 기판(W) 상에서 잔여 액막을 제거한다. 제거액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전될 수 있다. 제거액은 박리액에 의해 이탈되지 않고 기판(W) 상에 잔존하는 액막을 제거한다. 일 예에서, 제거액은 박리액 보다 높은 온도로 공급될 수 있다.When the liquid film peeling step (S130) is completed, the liquid film removal step (S140) begins. Referring to FIG. 12, in the liquid film removal step (S140), the removal liquid supply nozzle 464 supplies the removal liquid onto the rotating substrate (W) to remove the remaining liquid film on the substrate (W). The substrate W may be rotated while the removal liquid is supplied. The removal liquid removes the liquid film remaining on the substrate W without being separated by the stripping liquid. In one example, the removal liquid may be supplied at a higher temperature than the stripping liquid.

일 예에서, 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은, 박리액과 제거액의 반응에 의한 반응열에 의해 기판(W)의 표면의 온도가 g 시점 부근까지 상승한다. 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은 기판(W)의 표면의 온도가 상승한 이후에 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점일 수 있다.In one example, at the end of the liquid film removal step (S140), the temperature of the surface of the substrate W rises to around time point g due to the heat of reaction resulting from the reaction between the stripping liquid and the removal liquid. The end time of the liquid film removal step (S140) may be a time when the temperature of the surface of the substrate (W) decreases by the preset temperature after the temperature of the surface of the substrate (W) increases.

예컨대, 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은, 박리액과 제거액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 일 수 있다. 선택적으로, 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은, 기판(W)의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 g와 h의 시점 사이에서 선택될 수 있다. 예컨대, 액막 제거 단계(S140)의 종료 시점은 h 시점으로 선택될 수 있다.For example, the end time of the liquid film removal step (S140) may be the time when the temperature of the surface of the substrate W drops by a preset temperature after the chemical reaction between the stripper liquid and the removal liquid is terminated. Optionally, the end time of the liquid film removal step (S140) may be selected between time points g and h, which is a time point when a preset time has elapsed based on the time point when there is no change in temperature of the surface of the substrate W. For example, the end time of the liquid film removal step (S140) may be selected as time h.

액막 제거 단계(S140) 이후에, 기판을 건조시키는 건조 단계(S150)가 시작된다. 도 13에 도시된 바와 같이, 액 공급을 중지시키고 기판을 회전시켜 기판 상에서 액을 제거한다. 액이 기회하면서 흡열 반응이 일어난다. 이에, 액이 기화되면서 기판의 열을 빼앗아 기판의 온도가 하강한다. 기판 상의 액의 건조가 완료되면 더 이상 흡열 반응이 일어나지 않는다. 이에, 건조가 완료되고 일정 시간이 흐르면 기판의 온도는 액 처리 챔버(400) 내부의 온도와 근접한 온도에 수렴할 수 있다. 일 예에서, 건조 단계(S150)는, 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점까지 계속될 수 있다. 예컨대, 건조 단계(S150)는 h 지점과 i 지점 사이 중 어느 시점까지 계속될 수 있다.After the liquid film removal step (S140), the drying step (S150) of drying the substrate begins. As shown in FIG. 13, the liquid supply is stopped and the substrate is rotated to remove the liquid from the substrate. As the liquid heats up, an endothermic reaction occurs. Accordingly, as the liquid evaporates, it takes heat from the substrate and the temperature of the substrate decreases. Once drying of the liquid on the substrate is complete, no endothermic reaction occurs. Accordingly, after drying is completed and a certain period of time passes, the temperature of the substrate may converge to a temperature close to the temperature inside the liquid processing chamber 400. In one example, the drying step (S150) may continue until the temperature of the surface of the substrate drops by the preset temperature. For example, the drying step (S150) may continue until any point between point h and point i.

선택적으로, 건조 단계(S150)는 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점까지 계속될 수 있다. 예컨대, 건조 단계(150)는 i 지점과 j 지점 사이 중 어느 시점까지 계속될 수 있다.Optionally, the drying step (S150) may continue until a preset time has elapsed based on the time when there is no temperature change. For example, the drying step 150 may continue until any point between point i and point j.

상술한 예에서는, 기판(W) 상에 액이 공급되는 동안 각 노즐은 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 기판(W) 상에 액이 공급되는 동안, 기판(W)의 표면 온도에 기초하여 기판(W) 상으로 공급되는 액의 탄착 위치가 변경될 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 중앙으로 고온의 액을 공급하는 경우, 기판(W)의 중앙이 기판(W)의 가장자리 영역에 비해 온도가 높아 기판(W) 전면에 공정 불균형을 야기할 수 있다. 이에, 기판(W)의 표면 온도를 관찰하여, 기판(W)의 전면의 온도가 균일해지도록 기판(W)으로 공급되는 액의 탄착 지점을 가장자리영역으로 이동시킬 수 있다. 예컨대, 액의 탄착 지점은 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 간으로 이동되도록 제공될 수 있다. 선택적으로. 액은 복수의 노즐을 통해 공급될 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치에 제공되는 노즐과 기판(W)의 가장 자리 영역에 대향되는 위치에 제공되는 노즐로부터 동시에 액이 공급될 수 있다.In the above-described example, each nozzle was described as being provided in a position opposite to the central area of the substrate W while the liquid is supplied to the substrate W. However, unlike this, while the liquid is supplied to the substrate W, the impact position of the liquid supplied to the substrate W may be changed based on the surface temperature of the substrate W. For example, when high-temperature liquid is supplied to the center of the substrate W, the center of the substrate W has a higher temperature than the edge area of the substrate W, which may cause a process imbalance on the entire surface of the substrate W. Accordingly, by observing the surface temperature of the substrate W, the impact point of the liquid supplied to the substrate W can be moved to the edge area so that the temperature of the entire surface of the substrate W becomes uniform. For example, the point of impact of the liquid may be provided to move between the central area and the edge area of the substrate W. Optionally. Liquid may be supplied through a plurality of nozzles. For example, liquid may be supplied simultaneously from a nozzle provided at a position opposite the central area of the substrate W and a nozzle provided at a position opposite the edge area of the substrate W.

상술한 예에서는, 기판(W) 상에 액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전되는 상태로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 가판 상에 액이 공급되는 동안 기판(W)은 회전되지 않을 수 있다.In the above-described example, it was explained that the substrate W is provided in a rotating state while the liquid is supplied to the substrate W. However, unlike this, the substrate W may not be rotated while the liquid is supplied to the temporary plate.

상술한 예에서는, 기판(W)의 표면의 온도를 관찰하여 공정의 종료 시점을 판단하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이에 보충하여, 기판(W)의 표면의 온도가 기 설정된 범위 밖 온도가 되는 경우 공정 불량 알람을 띄울 수 있도록 제공될 수 있다. 예컨대, 알람은 시각적 또는 청각적 알림으로 제공될 수 있다.In the above example, it was explained that the end point of the process is determined by observing the temperature of the surface of the substrate W. However, in addition to this, if the temperature of the surface of the substrate W is outside a preset range, a process defect alarm may be provided. For example, an alarm may be provided as a visual or auditory notification.

본 발명에 따르면, 공정이 진행되는 동안 실시간으로 기판(W)의 표면의 온도를 검측하여 공정의 정밀도를 높일 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, there is an advantage in that the precision of the process can be increased by detecting the temperature of the surface of the substrate W in real time while the process is in progress.

본 발명에 따르면, 처리 소요시간을 단축시키고 약액 소모량을 절감시킬 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, there is an advantage of shortening the processing time and reducing chemical consumption.

본 발명에 따르면, 미리 입력된 온도 테이터를 기반으로 실제 측정된 데이터와 비교하여 공정을 제어할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, there is an advantage of being able to control the process based on pre-entered temperature data by comparing it with actual measured data.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above-described content shows and explains preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, changes, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

440: 지지 유닛
460: 액 공급 유닛
462: 박리액 공급 노줄
463: 처리액 공급 노즐
464: 제거액 공급 노즐
466: 세정액 공급 노즐440: support unit
460: Liquid supply unit
462: Stripper supply nozzle
463: Treatment liquid supply nozzle
464: Removal liquid supply nozzle
466: Cleaning liquid supply nozzle

Claims (20)

삭제delete 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는,
기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 처리액 공급 단계 이후에 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
상기 액막 형성 단계 이후에 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
상기 액막 박리 단계 이후에 상기 기판 상으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고,
상기 액막 형성 단계의 종료 시점은,
상기 솔벤트의 휘발에 의한 기화열에 의해 상기 기판의 표면 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
The substrate processing step of processing the substrate by supplying liquid onto the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate;
a liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step;
a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with particles on the substrate;
After the liquid film peeling step, a liquid film removal step of supplying a removal liquid onto the substrate to remove the liquid film from the substrate,
The end point of the liquid film formation step is,
A substrate processing method at which the surface temperature of the substrate decreases by a preset temperature due to heat of vaporization caused by volatilization of the solvent. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는,
기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 처리액 공급 단계 이후에 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
상기 액막 형성 단계 이후에 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
상기 액막 박리 단계 이후에 상기 기판 상으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고,
상기 액막 박리 단계의 종료 시점은,
상기 처리액과 상기 박리액의 반응에 의한 반응열에 의해 상기 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.In a method of processing a substrate,
The substrate processing step of processing the substrate by supplying liquid onto the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate;
a liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step;
a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with particles on the substrate;
After the liquid film peeling step, a liquid film removal step of supplying a removal liquid onto the substrate to remove the liquid film from the substrate,
The end point of the liquid film peeling step is,
A substrate processing method at which the temperature of the surface of the substrate increases by the heat of reaction resulting from the reaction between the processing liquid and the stripping liquid, and then the temperature of the surface of the substrate decreases by a preset temperature. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는,
기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 처리액 공급 단계 이후에 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
상기 액막 형성 단계 이후에 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
상기 액막 박리 단계 이후에 상기 기판 상으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고,
상기 액막 박리 단계의 종료 시점은,
상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
The substrate processing step of processing the substrate by supplying liquid onto the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate;
a liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step;
a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with particles on the substrate;
After the liquid film peeling step, a liquid film removal step of supplying a removal liquid onto the substrate to remove the liquid film from the substrate,
The end point of the liquid film peeling step is,
A substrate processing method in which a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. 제4항에 있어서,
상기 액막 박리 단계의 종료 시점은,
상기 액막과 상기 박리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.According to paragraph 4,
The end point of the liquid film peeling step is,
A substrate processing method at which the temperature of the surface of the substrate drops by a preset temperature after the chemical reaction between the liquid film and the stripping liquid is terminated. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는,
기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 처리액 공급 단계 이후에 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
상기 액막 형성 단계 이후에 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
상기 액막 박리 단계 이후에 상기 기판 상으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고,
상기 액막 제거 단계의 종료 시점은,
상기 박리액과 상기 제거액의 반응에 의한 반응열에 의해 상기 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.In a method of processing a substrate,
The substrate processing step of processing the substrate by supplying liquid onto the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate;
a liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step;
a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with particles on the substrate;
After the liquid film peeling step, a liquid film removal step of supplying a removal liquid onto the substrate to remove the liquid film from the substrate,
The end point of the liquid film removal step is,
A substrate processing method at which the temperature of the surface of the substrate increases by the heat of reaction resulting from the reaction between the stripping liquid and the removal liquid, and then the temperature of the surface of the substrate decreases by a preset temperature. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는,
기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 처리액 공급 단계 이후에 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
상기 액막 형성 단계 이후에 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
상기 액막 박리 단계 이후에 상기 기판 상으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고,
상기 액막 제거 단계의 종료 시점은,
상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
The substrate processing step of processing the substrate by supplying liquid onto the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate;
a liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step;
a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with particles on the substrate;
After the liquid film peeling step, a liquid film removal step of supplying a removal liquid onto the substrate to remove the liquid film from the substrate,
The end point of the liquid film removal step is,
A substrate processing method in which a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 액막 제거 단계의 종료 시점은,
상기 박리액과 상기 제거액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강한 시점인 기판 처리 방법.In clause 7,
The end point of the liquid film removal step is,
A substrate processing method at which the temperature of the surface of the substrate drops by a preset temperature after the chemical reaction between the stripping liquid and the removing liquid is terminated. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는,
기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 처리액 공급 단계 이후에 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
상기 액막 형성 단계 이후에 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
상기 액막 박리 단계 이후에 상기 기판 상으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고,
상기 액막 형성 단계와 상기 액막 박리 단계 사이에,
상기 기판 상으로 세정액을 공급하는 세정액 공급 단계를 더 포함하고,
상기 세정액 공급 단계의 시작 시점은,
상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
The substrate processing step of processing the substrate by supplying liquid onto the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate;
a liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step;
a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with particles on the substrate;
After the liquid film peeling step, a liquid film removal step of supplying a removal liquid onto the substrate to remove the liquid film from the substrate,
Between the liquid film forming step and the liquid film peeling step,
Further comprising a cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid onto the substrate,
The starting point of the cleaning liquid supply step is,
A substrate processing method in which a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판 상에 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계는,
기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 포함하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계와;
상기 처리액 공급 단계 이후에 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
상기 액막 형성 단계 이후에 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계와;
상기 액막 박리 단계 이후에 상기 기판 상으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고,
상기 액막 제거 단계 이후에 상기 기판을 건조하는 건조 단계를 더 포함하고,
상기 건조 단계의 종료 시점은,
상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
The substrate processing step of processing the substrate by supplying liquid onto the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid containing a polymer and a solvent onto the substrate;
a liquid film forming step of forming a solidified liquid film on the substrate by volatilizing the solvent after the treatment liquid supply step;
a liquid film peeling step of supplying a stripping liquid onto the substrate after the liquid film forming step to peel off the liquid film solidified on the substrate along with particles on the substrate;
After the liquid film peeling step, a liquid film removal step of supplying a removal liquid onto the substrate to remove the liquid film from the substrate,
Further comprising a drying step of drying the substrate after the liquid film removal step,
The end point of the drying step is,
A substrate processing method in which a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. 제2항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폴리머는 수지를 포함하고,
상기 박리액은 DIW(De-Ionized Water)이고,
상기 제거액은 유기용제인 기판 처리 방법.According to any one of claims 2 to 10,
The polymer includes a resin,
The stripping solution is DIW (De-Ionized Water),
A substrate processing method wherein the removal liquid is an organic solvent. 제2항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 단계에서,
상기 기판의 표면 온도에 기초하여 상기 기판 상으로 공급되는 액의 탄착 위치가 변경되는 기판 처리 방법.According to any one of claims 2 to 10,
In the substrate processing step,
A substrate processing method in which the landing position of the liquid supplied onto the substrate is changed based on the surface temperature of the substrate. 제2항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 처리 단계에서,
상기 기판 상으로 상기 액이 공급되는 동안 상기 기판은 회전되는 상태로 제공되는 기판 처리 방법.According to any one of claims 2 to 10,
In the substrate processing step,
A substrate processing method wherein the substrate is rotated while the liquid is supplied onto the substrate. 삭제delete 기판을 처리하는 방법에 있어서,
회전하는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계를 포함하고,
상기 기판 처리 단계는,
상기 기판 상으로 제1처리액을 공급하는 제1처리액 공급 단계; 그리고,
상기 제1처리액이 공급된 기판상으로 제2처리액을 공급하는 제2처리액 공급 단계를 포함하고,
상기 제2처리액 공급 단계의 종료 시점은,
상기 제1처리액과 상기 제2처리액의 반응에 의한 반응열에 의해 상기 기판의 표면의 온도가 상승한 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도에 도달한 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.In a method of processing a substrate,
It includes a substrate processing step of treating the substrate by supplying liquid onto the rotating substrate,
The substrate processing step is,
a first processing liquid supply step of supplying a first processing liquid onto the substrate; and,
A second processing liquid supply step of supplying a second processing liquid onto the substrate to which the first processing liquid has been supplied,
The end point of the second treatment liquid supply step is,
After the temperature of the surface of the substrate rises due to the heat of reaction resulting from the reaction of the first treatment liquid and the second treatment liquid, a preset time elapses based on the time when the temperature of the surface of the substrate reaches the preset temperature. How to process a substrate at one point in time. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
회전하는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계를 포함하고,
상기 기판 처리 단계는,
상기 액의 공급을 중지한 이후에 상기 기판을 회전시켜 상기 기판을 건조시키는 건조 단계를 더 포함하고,
상기 건조 단계의 종료 시점은,
상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점인 기판 처리 방법.In the method of processing the substrate,
It includes a substrate processing step of treating the substrate by supplying liquid onto the rotating substrate,
The substrate processing step is,
Further comprising a drying step of drying the substrate by rotating the substrate after stopping the supply of the liquid,
The end point of the drying step is,
A substrate processing method in which a preset time has elapsed based on the time when there is no change in temperature of the surface of the substrate. 삭제delete 기판을 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면 온도를 검출하는 온도 검출 유닛과;
상기 지지 유닛, 상기 액 공급 유닛 그리고 상기 온도 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 온도 검출 유닛이 상기 액 공급 유닛이 상기 기판으로 상기 액을 공급하는 동안 검출한 상기 기판의 표면의 온도를 기반으로 상기 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 경우 상기 액의 공급이 중단되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고,
상기 제어기는,
상기 액 공급 유닛이 상기 기판 상으로 제1처리액을 공급한 이후에 제2처리액을 공급하되,
상기 제1처리액과 상기 제2처리액 간의 화학 반응이 종료된 이후에 상기 기판의 표면의 온도가 기 설정 온도만큼 하강하는 경우 상기 제2처리액의 공급이 종료되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
a chamber having a processing space;
a support unit supporting and rotating the substrate in the processing space;
a liquid supply unit supplying liquid onto the substrate supported on the support unit;
a temperature detection unit that detects the surface temperature of the substrate supported on the support unit;
Including a controller that controls the support unit, the liquid supply unit, and the temperature detection unit,
The controller is,
When the temperature detection unit determines that the temperature change of the surface has reached a preset value based on the temperature of the surface of the substrate detected while the liquid supply unit supplies the liquid to the substrate, the supply of the liquid is stopped. Controlling the liquid supply unit,
The controller is,
After the liquid supply unit supplies the first processing liquid to the substrate, the second processing liquid is supplied,
Controlling the liquid supply unit to terminate the supply of the second processing liquid when the temperature of the surface of the substrate decreases by a preset temperature after the chemical reaction between the first processing liquid and the second processing liquid is terminated. Substrate processing equipment. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면 온도를 검출하는 온도 검출 유닛과;
상기 지지 유닛, 상기 액 공급 유닛 그리고 상기 온도 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 온도 검출 유닛이 상기 액 공급 유닛이 상기 기판으로 상기 액을 공급하는 동안 검출한 상기 기판의 표면의 온도를 기반으로 상기 표면의 온도 변화가 기 설정치에 도달했다고 판단한 경우 상기 액의 공급이 중단되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하고,
상기 제어기는,
상기 액 공급 유닛이 상기 기판 상으로 상기 액이 공급한 이후에 상기 액의 공급을 중단하고 상기 지지 유닛이 상기 기판을 회전시켜 상기 기판을 건조시키되,
상기 기판의 건조는,
상기 기판의 표면의 온도 변화가 없는 시점을 기준으로 기 설정 시간만큼 경과한 시점까지 계속되도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
a chamber having a processing space;
a support unit supporting and rotating the substrate in the processing space;
a liquid supply unit supplying liquid onto the substrate supported on the support unit;
a temperature detection unit that detects the surface temperature of the substrate supported on the support unit;
Including a controller that controls the support unit, the liquid supply unit, and the temperature detection unit,
The controller is,
When the temperature detection unit determines that the temperature change of the surface has reached a preset value based on the temperature of the surface of the substrate detected while the liquid supply unit supplies the liquid to the substrate, the supply of the liquid is stopped. Controlling the liquid supply unit,
The controller is,
After the liquid supply unit supplies the liquid onto the substrate, the supply of the liquid is stopped and the support unit rotates the substrate to dry the substrate,
Drying of the substrate,
A substrate processing device that controls the support unit to continue until a preset time has elapsed based on the point at which there is no change in temperature of the surface of the substrate. 제18항 또는 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 액이 상기 기판 상으로 공급되는 동안 상기 기판이 회전되도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.

According to any one of claims 18 or 19,
The controller is,
A substrate processing device that controls the support unit to rotate the substrate while the liquid is supplied onto the substrate.
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