JP6289961B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6289961B2 JP6289961B2 JP2014065610A JP2014065610A JP6289961B2 JP 6289961 B2 JP6289961 B2 JP 6289961B2 JP 2014065610 A JP2014065610 A JP 2014065610A JP 2014065610 A JP2014065610 A JP 2014065610A JP 6289961 B2 JP6289961 B2 JP 6289961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- liquid
- processing
- processing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
基板処理装置は、半導体や液晶パネルなどの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の表面に処理液(例えば、エッチング液やリンス液など)を供給して基板表面を処理する装置である。この基板処理装置の中には、基板を水平状態で回転させ、ノズルから基板表面の略中央に処理液を供給し、その処理液を回転の遠心力によって基板表面に広げるスピン処理を行う装置が開発されている。 The substrate processing apparatus is an apparatus for processing a substrate surface by supplying a processing liquid (for example, an etching liquid or a rinsing liquid) to the surface of the substrate such as a wafer or a liquid crystal substrate in a manufacturing process of a semiconductor or a liquid crystal panel. Among these substrate processing apparatuses, there is an apparatus that rotates a substrate in a horizontal state, supplies a processing liquid from a nozzle to the approximate center of the substrate surface, and performs a spin process that spreads the processing liquid on the substrate surface by a centrifugal force of rotation. Has been developed.
しかしながら、前述の基板処理装置において、基板表面からの処理液の排出が不完全であり、処理液が基板表面に残留すると、基板表面の処理均一性(例えば、エッチング処理やリンス処理などの処理均一性)が悪化し、あるいは、汚れやシミなどのステインが発生するため、処理不良が生じてしまう。また、処理液が過剰に供給されることがあり、処理液の消費量が増加してしまう。このようなことから、処理不良の抑止及び処理液消費量の削減が求められている。 However, in the above-described substrate processing apparatus, if the processing liquid is not completely discharged from the substrate surface, and the processing liquid remains on the substrate surface, the processing uniformity of the substrate surface (for example, processing uniformity such as etching processing or rinsing processing) Processability, or stains such as dirt and stains occur, resulting in poor processing. Moreover, the processing liquid may be supplied excessively, and the consumption of the processing liquid increases. For these reasons, there is a demand for suppression of processing failures and reduction of processing liquid consumption.
本発明が解決しようとする課題は、処理不良の抑止及び処理液消費量の削減を実現することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing processing defects and reducing processing liquid consumption.
実施形態に係る基板処理装置は、
回転する基板の表面に処理液を供給して、前記処理液と前記基板とを反応させ、または、前記基板上に既に存在する処理液を別の処理液に置き換える液供給部と、
前記液供給部により前記処理液が供給されている前記基板の表面全体または前記基板の表面上に予め設定した1つまたは複数箇所の表面温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部により検出された前記表面温度が予め設定した所定温度に達したか否かを判断する温度監視部と、
前記温度監視部により前記表面温度が前記所定温度に達したと判断された場合、前記液供給部に前記処理液の供給を停止させる制御部とを備える。
The substrate processing apparatus according to the embodiment
Supplying a processing liquid to the surface of the rotating substrate to cause the processing liquid to react with the substrate, or to replace the processing liquid already existing on the substrate with another processing liquid ;
A temperature detection unit that detects the surface temperature of one or a plurality of locations preset on the entire surface of the substrate or the surface of the substrate to which the processing liquid is supplied by the liquid supply unit;
A temperature monitoring unit for determining whether the surface temperature detected by the temperature detection unit has reached a predetermined temperature set in advance ;
And a control unit that causes the liquid supply unit to stop supplying the processing liquid when the temperature monitoring unit determines that the surface temperature has reached the predetermined temperature.
実施形態に係る基板処理方法は、
回転する基板の表面に処理液を供給して、前記処理液と前記基板とを反応させ、または、前記基板上に既に存在する処理液を別の処理液に置き換える工程と、
前記処理液が供給されている前記基板の表面全体または前記基板の表面上に予め設定した1つまたは複数箇所の表面温度を検出する工程と、
検出した前記表面温度が予め設定した所定温度に達したか否かを判断する工程と、
前記表面温度が前記所定温度に達したと判断した場合、前記処理液の供給を停止する工程とを有する。
The substrate processing method according to the embodiment includes:
Supplying a processing liquid to the surface of the rotating substrate and reacting the processing liquid with the substrate, or replacing the processing liquid already existing on the substrate with another processing liquid ;
Detecting the surface temperature of one or a plurality of locations preset on the entire surface of the substrate or the surface of the substrate to which the processing liquid is supplied;
Determining whether the detected surface temperature has reached a predetermined temperature set in advance ;
A step of stopping the supply of the treatment liquid when it is determined that the surface temperature has reached the predetermined temperature.
本発明によれば、処理不良の抑止及び処理液消費量の削減を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress processing defects and reduce processing liquid consumption.
実施の一形態について図面を参照して説明する。 An embodiment will be described with reference to the drawings.
図1に示すように、実施の一形態に係る基板処理装置1は、処理室となる処理ボックス2と、その処理ボックス2内に設けられたカップ3と、そのカップ3内で基板Wを水平状態で支持する支持部4と、その支持部4を水平面内で回転させる回転機構5と、支持部4上の基板Wの表面に処理液を供給する液供給部6と、処理液供給時の基板Wの表面温度を検出する温度検出部7と、その温度検出部7を支持する支持機構8と、処理液供給時の基板Wの温度を監視する温度監視部9と、処理不良を報知する報知部10と、各部を制御する制御部11とを備えている。
As shown in FIG. 1, a
カップ3は、円筒形状に形成されており、支持部4を周囲から囲んで内部に収容する。カップ3の周壁の上部は径方向の内側に向かって傾斜しており、支持部4上の基板Wが露出するように開口している。このカップ3は、回転する基板W上から流れ落ちた処理液や飛散した処理液を受け取る。なお、カップ3の底部には、受け取った処理液を排出する排出管(図示せず)が接続されている。
The
支持部4は、カップ3内の略中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。この支持部4は、ピンなどの支持部材4aを複数有しており、これらの支持部材4aによってウェーハや液晶基板などの基板Wを着脱可能に保持する。
The support part 4 is positioned substantially at the center in the
回転機構5は、支持部4に連結された回転軸やその回転軸を回転させるモータ(いずれも図示せず)などを有している。この回転機構5は、モータの駆動により回転軸を介して支持部4を回転させる。回転機構5は制御部11に電気的に接続されており、その駆動が制御部11により制御される。
The
液供給部6は、支持部4上の基板Wの表面に処理液をそれぞれ供給する複数のノズル6a及び6bと、それらのノズル6a及び6bを支持部4上の基板Wの表面に沿って移動させる移動機構6cと、各ノズル6a及び6bに処理液を提供する液提供部6dとを備えている。
The liquid supply unit 6 moves a plurality of
各ノズル6a及び6bは、支持部4上の基板Wの表面上方であってその表面の中心付近に位置するように設けられている。第1のノズル6aは、液提供部6dから提供されたエッチング液を回転中の支持部4上の基板Wの表面上方からその表面に向けて吐出する。また、第2のノズル6bは、液提供部6dから提供されたリンス液を回転中の支持部4上の基板Wの表面上方からその表面に向けて吐出する。
Each of the
なお、図1では、ノズル本数は二本となっているが、この本数は例示であり、特に限定されるものではない。また、ノズルは処理液の種類ごとに一本設けられているが、これに限るものではなく、一種類に二本など複数本設けられても良く、この本数は特に限定されるものではない。 In FIG. 1, the number of nozzles is two, but this number is merely an example and is not particularly limited. In addition, one nozzle is provided for each type of processing liquid, but the number is not limited to this, and a plurality of nozzles such as two nozzles may be provided, and the number of nozzles is not particularly limited.
移動機構6cは、各ノズル6a及び6bを保持するアーム21と、そのアーム21を水平面内で回転可能にその一端部を支持する支柱22とにより構成されている。アーム21は支柱22を中心として支持部4上の基板Wの表面に沿って回転するため、そのアーム21が支持するノズル6a及び6bも基板Wの表面に沿って移動することになる。例えば、移動機構6cは、支持部4上の基板Wの表面略中央に対向する処理位置と、その処理位置から退避して支持部4上の基板Wの搬入や搬出を可能とする待機位置とに各ノズル6a及び6bを移動させる。この移動機構6cは制御部11に電気的に接続されており、その駆動が制御部11により制御される。
The moving
液提供部6dは、液量を調整する調整弁となるバルブ31及び32、さらに、処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ(いずれも図示せず)などを備えている。この液提供部6dは、各バルブ31及び32を開状態とし、ポンプの駆動により各ノズル6a及び6bに処理液(エッチング液やリンス液)を与える。液提供部6dは制御部11に電気的に接続されており、その駆動が制御部11により制御される。このため、各バルブ31及び32の個々の開口量が制御部11により制御されることになる。
The
なお、エッチング処理液としては、例えば、フッ酸や硝酸などを含む各種の薬液を用いることが可能であり、リンス液としては、例えば、純水や超純水などの各種の液体を用いることが可能である。 For example, various chemical solutions including hydrofluoric acid and nitric acid can be used as the etching treatment liquid, and various liquids such as pure water and ultrapure water can be used as the rinsing liquid. Is possible.
温度検出部7は、基板Wの表面温度を検出する検出部(例えば、熱感知機器)であり、支持部4上の基板Wの表面上方にその表面温度を検出することが可能になる位置に設けられている。この温度検出部7は温度監視部9に電気的に接続されており、検出した基板Wの表面温度を温度監視部9に伝える。温度検出部7としては、基板Wの表面温度分布を検出するサーモグラフィを用いることが可能であり、さらに、サーモグラフィに替えて複数の非接触式温度計(例えば、非接触放射温度計)や接触式温度計などを用いることも可能である。なお、基板Wの表面温度分布を検出する必要が無い場合もあり、温度検出部7として非接触式温度計又は接触式温度計を一つだけ用いることも可能である(詳しくは、後述する)。
The temperature detection unit 7 is a detection unit (for example, a heat sensing device) that detects the surface temperature of the substrate W, and is located above the surface of the substrate W on the support unit 4 so that the surface temperature can be detected. Is provided. The temperature detection unit 7 is electrically connected to the
この温度検出部7は、例えば、図2に示すような基板Wの表面温度分布を検出する。この温度分布は、常温(例えば、20℃)のリンス液が基板Wの表面上に供給された直後の温度分布である。その後、リンス液の供給が継続されると、基板Wの表面温度分布は徐々にリンス液の温度(常温)で均一になっていく。このとき、リンス液がノズル6bから供給される基板Wの表面上の供給位置(供給点)A1は、基板Wの略中央(中央付近)である。基板Wの供給位置A1の周辺の表面温度は20℃程度となり、基板Wの最外周部(最外縁部)の一部の温度は105℃となっている。この105℃の温度を有する箇所は、前工程のエッチング処理により残留したエッチング液の反応熱によって温度が高くなっている箇所、すなわちリンス液によるリンス処理、例えばリンス液の供給が不十分で、エッチング処理が進行している個所である。
For example, the temperature detector 7 detects the surface temperature distribution of the substrate W as shown in FIG. This temperature distribution is a temperature distribution immediately after a normal temperature (for example, 20 ° C.) rinse liquid is supplied onto the surface of the substrate W. Thereafter, when the supply of the rinse liquid is continued, the surface temperature distribution of the substrate W gradually becomes uniform at the temperature of the rinse liquid (normal temperature). At this time, the supply position (supply point) A1 on the surface of the substrate W to which the rinse liquid is supplied from the
図1に戻り、支持機構8は、温度検出部7を保持するアーム8aと、そのアーム8aを支持する支柱8bとにより構成されている。アーム8a及び支柱8bは、各ノズル6a及び6bからの処理液の供給を妨げない位置に設けられ、温度検出部7を支持部4上の基板Wの表面温度を検出することが可能となるように保持している。なお、基板Wの搬入や搬出にアーム8aが邪魔となる場合には、アーム8aを旋回させる旋回機構を設け、基板Wの搬入や搬出時に旋回機構によりアーム8aを邪魔にならない位置に移動させるようにしても良い。
Returning to FIG. 1, the
温度監視部9は、エッチング処理やリンス処理などの基板処理時に温度検出部7により検出された基板Wの表面温度を監視し、必要に応じて制御部11に監視結果を伝える。例えば、エッチング処理又はリンス処理時には、基板Wの表面温度が所定のエッチング設定温度又はリンス設定温度に達したか否かを判断し、その判断結果を制御部11に伝える。エッチング処理時の判断には、基板Wの表面温度として、表面温度分布のうち一番低い温度を用い、その一番低い温度が所定のエッチング設定温度(例えば、100℃)に達したか否かを判断する。一方、リンス処理時の判断には、基板Wの表面温度として、表面温度分布のうち一番高い温度を用い、その一番高い温度が所定のリンス設定温度(例えば、20℃)に達したか否かを判断する。
The
なお、前述の判断に用いる温度としては、基板Wの表面温度分布のうち一番低い温度や一番高い温度を用いること以外にも、基板Wの表面温度分布の平均値を取り、その平均値を用いても良い。また、基板Wの表面において、エッチング処理やリンス処理などの基板処理が不十分となる箇所(例えば、基板Wの最外周部の一部)が実験や経験などから判明している場合には、その箇所の表面温度を検出するように温度検出部7として非接触式温度計又は接触式温度計を設け、検出した表面温度を前述の判断に用いるようにしても良い。また、基板処理が不十分となる箇所が複数存在する場合には、それらの箇所の表面温度を検出するように非接触式温度計又は接触式温度計を複数設け、検出した複数の表面温度のうち一番高い温度や一番低い温度を用いたり、あるいは、それら表面温度の平均値を用いたりしても良い。 As the temperature used for the above-mentioned determination, in addition to using the lowest temperature or the highest temperature among the surface temperature distribution of the substrate W, an average value of the surface temperature distribution of the substrate W is taken, and the average value is obtained. May be used. In addition, in the surface of the substrate W, when the location where the substrate processing such as the etching processing or the rinsing processing is insufficient (for example, a part of the outermost peripheral portion of the substrate W) is known from experiments or experience, A non-contact thermometer or a contact thermometer may be provided as the temperature detector 7 so as to detect the surface temperature at that location, and the detected surface temperature may be used for the aforementioned determination. In addition, when there are multiple locations where substrate processing is insufficient, multiple non-contact thermometers or contact thermometers are provided to detect the surface temperatures of those locations, and the detected multiple surface temperatures are detected. Of these, the highest temperature or the lowest temperature may be used, or the average value of the surface temperatures may be used.
報知部10は、エッチング処理やリンス処理が不良である場合、その処理不良の発生をユーザに報知する。この報知部10としては、例えば、ランプやブザーなどの警報器、文字を表示する表示部及び音声を出力する音声出力部などを用いることが可能である。
When the etching process or the rinsing process is defective, the
制御部11は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部(いずれも図示せず)とを備えている。この制御部11は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて回転機構5や液供給部6などを制御し、回転中の支持部4上の基板Wの表面に対し、液提供部6dから提供される処理液(エッチング液又はリンス液)を各ノズル6a及び6bのどちらか一方から供給する制御を行う。
The
次に、前述の基板処理装置1が行う基板処理の流れについて図3を参照して説明する。
Next, a substrate processing flow performed by the
図3に示すように、エッチング処理において、ノズル6aから回転中の支持部4上の基板Wの表面へのエッチング液の供給が開始され(ステップS1)、基板Wの表面の温度監視が温度監視部9によって開始される(ステップS2)。なお、基板Wの表面温度は温度検出部7により常時検出されているが、ステップS2の温度監視の開始から検出温度が監視されることになる。
As shown in FIG. 3, in the etching process, supply of the etching liquid from the
ステップS1において、エッチング液の供給が開始されると、ノズル6aから基板中心付近に供給されたエッチング液は遠心力によって基板周縁部へと流れていく。これにより、エッチング処理中、基板Wの表面はエッチング液によって覆われることになる。このときの基板Wの表面温度が温度検出部7により検出され、温度監視部9に入力される。
In step S1, when the supply of the etching solution is started, the etching solution supplied from the
ステップS2の後、エッチング液供給開始からの経過時間が所定のエッチング設定時間(例えば、数分)内であるか否かが制御部11により判断され(ステップS3)、経過時間が所定のエッチング設定時間内であると判断されると(ステップS3のYES)、検出温度が所定のエッチング設定温度(例えば、100℃)以上であるか否かが温度監視部9により判断される(ステップS4)。なお、エッチング設定時間がエッチング処理時の処理設定時間であり、予めユーザによって設定されている。
After step S2, the
ステップS4において、検出温度が所定のエッチング設定温度以上でないと判断されると(ステップS4のNO)、エッチング処理が継続され、処理フローがステップS3に戻される。このステップS3において、経過時間が所定のエッチング設定時間内でない、つまり、エッチング処理が終了したと判断された場合には(ステップS3のNO)、振り切り乾燥などの基板乾燥後に基板Wの回転が制御部11により停止され、所定のエッチング設定時間内に検出温度が所定のエッチング設定温度以上とならなかったため(すなわち、エッチング液が基板Wの表面全体に十分に行き渡らなかったため)、エッチング処理不良が発生した旨の警告が報知部10により報知される(ステップS5)。 If it is determined in step S4 that the detected temperature is not equal to or higher than the predetermined etching set temperature (NO in step S4), the etching process is continued and the process flow returns to step S3. In this step S3, when it is determined that the elapsed time is not within the predetermined etching set time, that is, the etching process is completed (NO in step S3), the rotation of the substrate W is controlled after the substrate is dried, such as swing-off drying. Since the detected temperature did not become higher than the predetermined etching set temperature within a predetermined etching set time (that is, the etching solution did not sufficiently spread over the entire surface of the substrate W), the etching process failure occurred. A warning to the effect is notified by the notification unit 10 (step S5).
ここで、ステップS4では、温度監視部9により監視されている検出温度として、表面温度分布のうち一番低い温度が用いられ、その一番低い温度が所定のエッチング設定温度以上であるか否かが判断される。この判断により、エッチング処理の完了タイミングを把握することが可能になる。すなわち、一番低い温度が所定のエッチング設定温度以上になるということは、基板Wの表面全体にエッチング液が十分に行き渡り、その基板Wの表面全体で十分な反応(反応熱)が生じて表面全体が均一に処理され、基板Wの表面全体でエッチング処理が完了したことを示す。
Here, in step S4, the lowest temperature of the surface temperature distribution is used as the detected temperature monitored by the
ステップS4において、検出温度が所定のエッチング設定温度以上であると判断された場合には(ステップS4のYES)、エッチング処理からリンス処理への切り替えが行われ、すなわち、エッチング液の供給が制御部11により停止されてリンス液の供給が開始される(ステップS6)。 If it is determined in step S4 that the detected temperature is equal to or higher than the predetermined etching set temperature (YES in step S4), the etching process is switched to the rinse process, that is, the supply of the etchant is controlled by the control unit. 11 and the supply of the rinse liquid is started (step S6).
ステップS6において、リンス液の供給が開始されると、ノズル6bから基板中心付近に供給されたリンス液は遠心力によって基板周縁部へと流れていく。これにより、リンス処理中、基板Wの表面はリンス液によって覆われることになる。このときの基板Wの表面温度が温度検出部7により検出され、温度監視部9に入力される。
In step S6, when the supply of the rinsing liquid is started, the rinsing liquid supplied from the
ステップS6の後、リンス液供給開始からの経過時間が所定のリンス設定時間(例えば、30秒)内であるか否かが制御部11により判断され(ステップS7)、経過時間が所定のリンス設定時間内であると判断されると(ステップS7のYES)、検出温度が所定のリンス設定温度(例えば、20℃)以下であるか否かが温度監視部9により判断される(ステップS8)。なお、リンス設定時間がリンス処理時の処理設定時間であり、予めユーザによって設定されている。
After step S6, the
ステップS8において、検出温度が所定のリンス設定温度以下でないと判断されると(ステップS8のNO)、リンス処理が継続され、処理フローがステップS7に戻される。このステップS7において、経過時間が所定のリンス設定時間内でない、つまり、リンス処理が終了したと判断された場合には(ステップS7のNO)、振り切り乾燥などの基板乾燥後に基板Wの回転が制御部11により停止され、所定のリンス設定時間内に検出温度が所定のリンス設定温度以下とならなかったため(すなわち、リンス液が基板Wの表面全体に十分に行き渡らなかったため)、リンス処理不良が発生した旨の警告が報知部10により報知される(ステップS5)。
If it is determined in step S8 that the detected temperature is not lower than the predetermined rinse set temperature (NO in step S8), the rinse process is continued, and the process flow returns to step S7. In step S7, when it is determined that the elapsed time is not within the predetermined rinse setting time, that is, the rinse process is completed (NO in step S7), the rotation of the substrate W is controlled after the substrate is dried, such as swing-off drying. Stopped by the
ここで、ステップS8では、温度監視部9により監視されている検出温度として、表面温度分布のうち一番高い温度が用いられ、その一番高い温度が所定のリンス設定温度以下であるか否かが判断される。この判断により、リンス処理の完了タイミングを把握することが可能になる。すなわち、一番高い温度が所定のリンス設定温度以下になるということは、基板Wの表面全体にリンス液が十分に行き渡って表面全体が均一に処理され、その基板Wの表面全体でリンス処理が完了したことを示す。
Here, in step S8, the highest temperature of the surface temperature distribution is used as the detected temperature monitored by the
ステップS8において、検出温度が所定のリンス設定温度以下であると判断された場合には(ステップS8のYES)、リンス処理の終了、すなわち、リンス液の供給が制御部11により停止され(ステップS9)、さらに、温度監視部9による温度監視が停止され(ステップS10)、振り切り乾燥などの基板乾燥後に基板Wの回転が制御部11により停止される(ステップS11)。
When it is determined in step S8 that the detected temperature is equal to or lower than the predetermined rinse setting temperature (YES in step S8), the rinsing process is completed, that is, the supply of the rinse liquid is stopped by the control unit 11 (step S9). Further, temperature monitoring by the
このような基板処理によれば、エッチング処理時、基板Wの表面に対するエッチング液の供給が基板Wの表面温度に応じて停止される。また、リンス処理時にも、基板Wの表面に対するリンス液の供給が基板Wの表面温度に応じて停止される。このため、エッチング処理及びリンス処理の処理完了タイミングが最適となり、処理に必要となる適量の処理液が基板Wの表面上に供給されることになる。 According to such a substrate process, the supply of the etchant to the surface of the substrate W is stopped according to the surface temperature of the substrate W during the etching process. Further, also during the rinsing process, the supply of the rinsing liquid to the surface of the substrate W is stopped according to the surface temperature of the substrate W. For this reason, the processing completion timing of the etching process and the rinsing process is optimized, and an appropriate amount of processing liquid necessary for the processing is supplied onto the surface of the substrate W.
詳述すると、エッチング処理では、適量のエッチング液が基板Wの表面全体に行き渡り、基板Wの表面全体で十分な反応(反応熱)が生じ、その基板Wの表面全体が均一に処理されることになる。このため、エッチング液の不足や残留などによる基板Wのエッチング処理均一性の悪化、さらに、汚れやシミなどのステインの発生を抑止することができる。加えて、適量のエッチング液が供給されるため、エッチング液の消費量を削減することができる。 More specifically, in the etching process, an appropriate amount of the etching solution spreads over the entire surface of the substrate W, and sufficient reaction (reaction heat) occurs on the entire surface of the substrate W, so that the entire surface of the substrate W is uniformly processed. become. For this reason, it is possible to suppress the deterioration of the etching process uniformity of the substrate W due to the shortage or residue of the etching solution, and the occurrence of stains such as dirt and stains. In addition, since an appropriate amount of etching solution is supplied, consumption of the etching solution can be reduced.
また、リンス処理では、適量のリンス液が基板Wの表面全体に行き渡り、基板Wの表面全体が均一に処理されることになる。このため、リンス液の不足や前工程のエッチング液の残留による基板Wのリンス処理均一性の悪化、さらに、汚れやシミなどのステインの発生を抑止することができる。加えて、適量のリンス液が供給されるため、リンス液の消費量を削減することができる。 In the rinsing process, an appropriate amount of rinsing liquid is spread over the entire surface of the substrate W, and the entire surface of the substrate W is processed uniformly. For this reason, it is possible to suppress the deterioration of the rinsing process uniformity of the substrate W due to the lack of the rinsing liquid, the remaining etching liquid in the previous process, and the occurrence of stains such as dirt and stains. In addition, since an appropriate amount of rinsing liquid is supplied, consumption of the rinsing liquid can be reduced.
また、前述のようなエッチング処理やリンス処理において、処理不良が発生すると、その処理不良の発生がユーザに報知されるため、ユーザは処理不良の発生を把握することが可能になる。これにより、ユーザは処理不良を判定するために製品を検査する必要が無くなるので、ユーザの利便性を向上させることができ、さらに、検査時間の削減や検査精度の向上を達成することができる。 In addition, when a processing failure occurs in the etching process or the rinsing process as described above, since the user is notified of the occurrence of the processing defect, the user can grasp the occurrence of the processing defect. This eliminates the need for the user to inspect the product in order to determine the processing failure, thereby improving the convenience for the user and further reducing the inspection time and improving the inspection accuracy.
以上説明したように、実施の一形態によれば、ノズル6a又は6bにより処理液(例えば、エッチング液又はリンス液)が供給されている基板Wの表面温度を検出し、その検出した表面温度が所定温度に達した場合、ノズル6a又は6bの処理液供給を停止することによって、処理完了タイミングが適切となり、処理に必要となる適量の処理液が基板Wの表面上に供給されることになる。このため、処理液の不足や残留などにより基板Wの表面の処理均一性が悪化すること、あるいは、汚れやシミなどのステインが発生することを抑止することが可能となる。また、過剰な処理液の供給が行われないため、処理液の消費量の増加を抑止することが可能となる。このようにして、処理不良の抑止及び処理液消費量の削減を実現することができる。
As described above, according to the embodiment, the surface temperature of the substrate W to which the processing liquid (for example, the etching liquid or the rinsing liquid) is supplied by the
(他の実施形態)
前述の実施形態においては、基板Wを枚葉処理によって処理しているが、これに限るものではなく、バッチ処理によって処理するようにしても良い。このバッチ処理を行う場合、各種の温度検出部7を用いることが可能であるが、基板Wが重なるように近い距離で並ぶ場合には、温度検出部7として接触式温度計を用い、その接触式温度計を基板Wごとにその表面に直接設けるようにすることが望ましい。なお、バッチ処理時には、基板Wが漬けられる処理液を貯留する貯留槽(貯留部)が、基板Wの表面に処理液を供給する液供給部として機能する。なお、基板Wの表面への処理液供給を停止する場合には、基板取出機構を制御して貯留槽から基板Wを取り出したり、あるいは、排出弁を制御して貯留槽内の処理液を排出したりする。
(Other embodiments)
In the above-described embodiment, the substrate W is processed by the single wafer processing, but the present invention is not limited to this, and the substrate W may be processed by batch processing. When performing this batch processing, various temperature detection units 7 can be used. However, when the substrates W are arranged at a short distance so as to overlap, a contact-type thermometer is used as the temperature detection unit 7 and the contact is made. It is desirable to provide a thermometer directly on the surface of each substrate W. Note that, during batch processing, a storage tank (storage unit) that stores the processing liquid in which the substrate W is immersed functions as a liquid supply unit that supplies the processing liquid to the surface of the substrate W. When stopping the supply of the processing liquid to the surface of the substrate W, the substrate removing mechanism is controlled to take out the substrate W from the storage tank, or the discharge valve is controlled to discharge the processing liquid in the storage tank. To do.
また、前述の実施形態においては、処理中に各ノズル6a及び6bを移動機構6cにより移動させていないが、これに限るものではなく、例えば、処理中に基板Wの表面温度に応じて各ノズル6a及び6bを移動機構6cにより移動させるようにしても良い。一例として、エッチング処理時には、基板Wの表面温度が他の箇所に比べて最も低い箇所に対向するようにノズル6aを移動させたり、また、リンス処理時には、基板Wの表面温度が他の箇所に比べて最も高い箇所に対向するようにノズル6bを移動させたりする。このような場合には、エッチング処理やリンス処理の処理時間を短縮することが可能となるため、処理不良の抑止を実現しつつ、処理液の消費量をさらに削減することができる。
In the above-described embodiment, the
また、前述の実施形態においては、検出温度が所定の設定時間内に所定の設定温度に達しない場合に、エッチング処理又はリンス処理を停止して警告の報知を行っているが、これに限るものではなく、例えば、警告の報知を行わず、検出温度が設定温度に達するまで処理を継続するようにしても良い。 In the above-described embodiment, when the detected temperature does not reach the predetermined set temperature within the predetermined set time, the etching process or the rinsing process is stopped and the warning is notified. Instead, for example, the process may be continued until the detected temperature reaches the set temperature without notifying the warning.
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
1 基板処理装置
6 液供給部
6a ノズル
6b ノズル
6d 液提供部
6c 移動機構
7 温度検出部
9 温度監視部
10 報知部
11 制御部
W 基板
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記液供給部により前記処理液が供給されている前記基板の表面全体または前記基板の表面上に予め設定した1つまたは複数箇所の表面温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部により検出された前記表面温度が予め設定した所定温度に達したか否かを判断する温度監視部と、
前記温度監視部により前記表面温度が前記所定温度に達したと判断された場合、前記液供給部に前記処理液の供給を停止させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 Supplying a processing liquid to the surface of the rotating substrate to cause the processing liquid to react with the substrate, or to replace the processing liquid already existing on the substrate with another processing liquid ;
A temperature detection unit that detects the surface temperature of one or a plurality of locations preset on the entire surface of the substrate or the surface of the substrate to which the processing liquid is supplied by the liquid supply unit;
A temperature monitoring unit for determining whether the surface temperature detected by the temperature detection unit has reached a predetermined temperature set in advance ;
When the temperature monitoring unit determines that the surface temperature has reached the predetermined temperature, a control unit that causes the liquid supply unit to stop supplying the processing liquid;
A substrate processing apparatus comprising:
前記温度検出部は、前記液供給部により前記エッチング液が供給されている前記基板の表面全体または前記基板の表面上に予め設定した1つまたは複数箇所の表面温度を検出し、
前記制御部は、前記温度監視部により前記表面温度が前記所定温度に達したと判断された場合、前記液供給部に前記エッチング液の供給を停止させ、次に前記リンス液の供給を開始させることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 The liquid supply unit supplies an etching liquid and a rinse liquid as the processing liquid,
The temperature detection unit detects one or a plurality of surface temperatures set in advance on the entire surface of the substrate or the surface of the substrate to which the etching solution is supplied by the liquid supply unit,
When the temperature monitoring unit determines that the surface temperature has reached the predetermined temperature, the control unit causes the liquid supply unit to stop supplying the etching liquid and then start supplying the rinse liquid. The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記温度検出部は、前記基板の表面全体または前記基板の表面上に予め設定した複数箇所の表面温度分布を検出し、
前記温度検出部により検出された前記表面温度分布に応じて、前記基板に対する前記処
理液の供給位置を変えるように前記ノズルを移動させる移動機構と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 The liquid supply unit has a nozzle for supplying the processing liquid to the surface of the substrate,
The temperature detection unit detects the surface temperature distribution of the plurality of positions set in advance on the surface of the entire surface or the substrate of the substrate,
A moving mechanism for moving the nozzle so as to change the supply position of the processing liquid with respect to the substrate according to the surface temperature distribution detected by the temperature detection unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1 or claim 2, further comprising a.
前記処理液が供給されている前記基板の表面全体または前記基板の表面上に予め設定した1つまたは複数箇所の表面温度を検出する工程と、
検出した前記表面温度が予め設定した所定温度に達したか否かを判断する工程と、
前記表面温度が前記所定温度に達したと判断した場合、前記処理液の供給を停止する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 Supplying a processing liquid to the surface of the rotating substrate and reacting the processing liquid with the substrate, or replacing the processing liquid already existing on the substrate with another processing liquid ;
Detecting the surface temperature of one or a plurality of locations preset on the entire surface of the substrate or the surface of the substrate to which the processing liquid is supplied;
Determining whether the detected surface temperature has reached a predetermined temperature set in advance ;
When it is determined that the surface temperature has reached the predetermined temperature, the process of stopping the supply of the treatment liquid;
A substrate processing method comprising:
前記エッチング液の供給を停止した場合、前記基板の表面にリンス液を供給する工程と、
前記リンス液が供給されている前記基板の表面全体または前記基板の表面上に予め設定した1つまたは複数箇所の表面温度を検出する工程と、
検出した、前記リンス液が供給されている前記基板の表面温度が予め設定した所定温度に達したか否かを判断する工程と、
前記表面温度が前記所定温度に達したと判断した場合、前記リンス液の供給を停止する工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。 In the step of supplying the processing liquid, an etching liquid is supplied as the processing liquid,
When the supply of the etching solution is stopped, supplying a rinsing solution to the surface of the substrate;
Detecting the surface temperature of one or a plurality of positions preset on the entire surface of the substrate or the surface of the substrate to which the rinsing liquid is supplied;
Detected, a step of the rinse solution is determined whether reaches a predetermined temperature at which the surface temperature is preset in the substrate being supplied,
When it is determined that the surface temperature has reached the predetermined temperature, the step of stopping the supply of the rinse liquid;
The substrate processing method according to claim 5, further comprising:
検出した前記基板の表面温度分布に応じて、前記基板に対する前記処理液の供給位置を変える工程を有することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の基板処理方法。 In the step of detecting the surface temperature of the substrate, the surface temperature distribution of a plurality of locations set in advance on the entire surface of the substrate or the surface of the substrate is detected,
Detected according to the surface temperature distribution of the substrate, the substrate processing method according to claim 5 or claim 6 characterized by having a step of changing the position of supplying the processing liquid to the substrate.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014065610A JP6289961B2 (en) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR1020150036663A KR101609097B1 (en) | 2014-03-27 | 2015-03-17 | Substrate treatment device and substrate treatment method |
CN201510128985.0A CN104952771B (en) | 2014-03-27 | 2015-03-24 | Substrate board treatment and substrate processing method using same |
TW104109739A TWI582884B (en) | 2014-03-27 | 2015-03-26 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US14/671,278 US9795999B2 (en) | 2014-03-27 | 2015-03-27 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014065610A JP6289961B2 (en) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017152804A Division JP6470802B2 (en) | 2017-08-07 | 2017-08-07 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015191895A JP2015191895A (en) | 2015-11-02 |
JP6289961B2 true JP6289961B2 (en) | 2018-03-07 |
Family
ID=54167336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014065610A Active JP6289961B2 (en) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9795999B2 (en) |
JP (1) | JP6289961B2 (en) |
KR (1) | KR101609097B1 (en) |
CN (1) | CN104952771B (en) |
TW (1) | TWI582884B (en) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092379A (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 株式会社ディスコ | Protective film coating method |
CN109075058B (en) * | 2016-05-06 | 2023-07-21 | 应用材料公司 | Wafer profile for etching system |
US10720343B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-07-21 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
JP6808423B2 (en) | 2016-09-28 | 2021-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment and processing liquid supply method |
JP6849368B2 (en) * | 2016-09-30 | 2021-03-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Board processing equipment |
WO2018110301A1 (en) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment device, substrate treatment method, and storage medium |
US20180337069A1 (en) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | Lam Research Ag | Systems and methods for detecting undesirable dynamic behavior of liquid dispensed onto a rotating substrate |
US11404148B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-08-02 | Nuance Communications, Inc. | Automated clinical documentation system and method |
KR102030068B1 (en) * | 2017-10-12 | 2019-10-08 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
JP6923419B2 (en) * | 2017-10-31 | 2021-08-18 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing equipment and substrate processing method |
JP2021028405A (en) * | 2017-11-28 | 2021-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium |
TWI831656B (en) | 2018-01-04 | 2024-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Substrate processing device and substrate processing method |
JP7142535B2 (en) * | 2018-01-04 | 2022-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
CN111630637A (en) * | 2018-01-26 | 2020-09-04 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing apparatus |
JP7170404B2 (en) * | 2018-03-09 | 2022-11-14 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
JP7096693B2 (en) * | 2018-04-13 | 2022-07-06 | 株式会社Screenホールディングス | Board processing method and board processing equipment |
US11355369B2 (en) * | 2018-10-15 | 2022-06-07 | Jongpal AHN | Method of monitoring surface temperatures of wafers in real time in semiconductor wafer cleaning apparatus and temperature sensor for measuring surface temperatures of wafer |
KR101931969B1 (en) * | 2018-10-15 | 2018-12-24 | 안종팔 | Method for Monitoring Real-time Semiconductor Wafer Surface Temperature In Wafer Cleaning Apparatus |
JP7202138B2 (en) | 2018-10-22 | 2023-01-11 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
JP7169865B2 (en) * | 2018-12-10 | 2022-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
JP7208116B2 (en) * | 2019-07-30 | 2023-01-18 | 倉敷紡績株式会社 | Exhaust system and cable cover for process chamber equipment |
JP7362505B2 (en) * | 2020-02-20 | 2023-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate liquid processing device and liquid discharge evaluation method |
KR102583262B1 (en) * | 2020-10-23 | 2023-09-27 | 세메스 주식회사 | Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate |
JP2022148455A (en) * | 2021-03-24 | 2022-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6588437B1 (en) * | 1999-11-15 | 2003-07-08 | Agere Systems Inc. | System and method for removal of material |
JP2003017461A (en) | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus and method |
JP2004111668A (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Citizen Watch Co Ltd | Method and apparatus for processing substrate |
JP2004214449A (en) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Nec Kansai Ltd | Apparatus and method for liquid treating |
TW200806217A (en) | 2006-05-08 | 2008-02-01 | Korea Ind Fastener Corp | Release buckle |
JP4531778B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Temperature control method, temperature controller, and heat treatment apparatus |
JP5236231B2 (en) | 2007-08-29 | 2013-07-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
JP2009231732A (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing device and substrate processing method |
KR101636096B1 (en) * | 2008-07-10 | 2016-07-04 | 라이온 가부시키가이샤 | Defecation frequencydefecation amount improving agent |
JP5371862B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-12-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and processing liquid temperature measuring method |
KR101308136B1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-09-12 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate |
KR101380494B1 (en) * | 2011-12-27 | 2014-04-01 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Substrate processing apparatus and processing method |
JP6091193B2 (en) * | 2011-12-27 | 2017-03-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and processing method |
JP5891065B2 (en) * | 2012-02-22 | 2016-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and processing liquid suction method |
JP6241777B2 (en) * | 2012-07-20 | 2017-12-06 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014065610A patent/JP6289961B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-17 KR KR1020150036663A patent/KR101609097B1/en active IP Right Grant
- 2015-03-24 CN CN201510128985.0A patent/CN104952771B/en active Active
- 2015-03-26 TW TW104109739A patent/TWI582884B/en active
- 2015-03-27 US US14/671,278 patent/US9795999B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150112810A (en) | 2015-10-07 |
CN104952771A (en) | 2015-09-30 |
CN104952771B (en) | 2018-06-12 |
TWI582884B (en) | 2017-05-11 |
KR101609097B1 (en) | 2016-04-04 |
TW201545257A (en) | 2015-12-01 |
US9795999B2 (en) | 2017-10-24 |
JP2015191895A (en) | 2015-11-02 |
US20150273534A1 (en) | 2015-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6289961B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP6470802B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101762054B1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
TWI435769B (en) | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method | |
JP5371862B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing liquid temperature measuring method | |
TWI527109B (en) | A substrate processing apparatus and a substrate processing method | |
US10424496B2 (en) | Substrate treating method | |
JP2005217226A (en) | Washing method and washing device for semiconductor substrate | |
JP6553353B2 (en) | Substrate processing method and apparatus | |
KR20200140776A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6450650B2 (en) | Processing apparatus, processing method, and storage medium | |
JP6316703B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR101967053B1 (en) | Temperature control apparatus for wafer cleaning equipment and temperature control method using the same | |
JP2009231733A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP6727377B2 (en) | Processing device, processing method, and storage medium | |
JP5194044B2 (en) | Treatment liquid supply apparatus and treatment liquid supply method | |
KR102387540B1 (en) | Apparatus to clean substrate and method to clean substrate for reduction chemical | |
JP6664274B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of cleaning substrate processing apparatus | |
JP2018164095A (en) | Processing device, processing method, and storage medium | |
TW201802923A (en) | Substrate processing apparatus comprising substrate holding plate, processing solution holding plate, heater and lifting mechanism |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160808 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6289961 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |