KR102278561B1 - Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 기판에 토출하는 처리액 토출 단계와; 처리액에서 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와; 회전하는 기판으로 제거액을 공급하여 기판 상에서 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고, 처리액 토출 단계 또는 액막 형성 단계에서 처리액 또는 기판이 가열될 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. According to an embodiment, a treatment liquid discharging step of discharging a treatment liquid including a polymer and a solvent to a substrate; a liquid film forming step of volatilizing a solvent from the processing liquid to form a solidified liquid film on the substrate; and a liquid film removal step of removing a liquid film on the substrate by supplying a removal liquid to the rotating substrate, and the processing liquid or the substrate may be heated in the processing liquid discharging step or the liquid film forming step.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate}BACKGROUND ART A method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate.

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 상의 파티클을 제거하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for removing particles on the substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 증착, 애싱, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 또한 이러한 공정들이 수행되기 전후에는 기판 상에 잔류된 파티클을 세정 처리하는 세정 공정이 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photography, deposition, ashing, etching, and ion implantation are performed. In addition, before and after these processes are performed, a cleaning process of cleaning particles remaining on the substrate is performed.

세정 공정은, 스핀 헤드에 지지되어 회전하는 기판으로 케미칼을 공급하는 공정, 기판으로 탈이온수(Deionized Water; DIW) 등과 같은 세정액을 공급하여 기판 상에서 케미칼을 제거하는 공정, 이후에 세정액 보다 표면장력이 낮은 이소프로필알코올(IPA)액과 같은 유기용제를 기판에 공급하여 기판 상의 세정액을 유기용제로 치환하는 공정, 그리고 치환된 유기용제를 기판 상에서 제거하는 공정을 포함한다.The cleaning process is a process of supplying chemicals to a substrate that is supported and rotated by a spin head, a process of supplying a cleaning liquid such as deionized water (DIW) to the substrate to remove chemicals from the substrate, and thereafter, the surface tension is higher than the cleaning liquid. It includes a step of supplying an organic solvent such as a low isopropyl alcohol (IPA) solution to the substrate to replace the cleaning solution on the substrate with the organic solvent, and a step of removing the substituted organic solvent from the substrate.

상술한 세정 공정을 진행시, 기판 상에 잔류하는 일정한 크기의 파티클은 용이하게 제거되나, 미세 크기의 파티클은 그 제거효율이 낮다. During the above-described cleaning process, particles of a certain size remaining on the substrate are easily removed, but the removal efficiency of particles having a fine size is low.

본 발명은 기판 상의 미세 파티클을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of efficiently removing fine particles on a substrate.

또한, 본 발명은 솔벤트를 휘발시키는 과정에서 솔벤트의 휘발량을 증가시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method and apparatus capable of increasing the volatilization amount of the solvent in the process of volatilizing the solvent.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 기판에 토출하는 처리액 토출 단계와; 처리액에서 솔벤트를 휘발시켜 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와; 회전하는 기판으로 제거액을 공급하여 기판 상에서 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하고, 처리액 토출 단계 또는 액막 형성 단계에서 처리액 또는 기판이 가열될 수 있다.The present invention provides a method of processing a substrate. According to one embodiment, a substrate processing method includes: discharging a processing liquid including a polymer and a solvent to a substrate; a liquid film forming step of volatilizing a solvent from the processing liquid to form a solidified liquid film on the substrate; and a liquid film removal step of removing a liquid film on the substrate by supplying a removal liquid to the rotating substrate, and the processing liquid or the substrate may be heated in the processing liquid discharging step or the liquid film forming step.

일 실시예에 의하면, 처리액 토출 단계에서, 기판으로 처리액이 토출되는 도중에 기판 상으로 토출되는 처리액에 가열된 가스가 공급될 수 있다.According to an exemplary embodiment, in the discharging of the processing liquid, a heated gas may be supplied to the processing liquid discharged onto the substrate while the processing liquid is being discharged to the substrate.

일 실시예에 의하면, 처리액 토출 단계에서 처리액은 미스트 상태로 기판에 공급되고, 가열된 가스는 미스트 상태의 처리액이 토출되는 영역에 중첩되게 공급될 수 있다.According to an exemplary embodiment, in the discharging of the treatment liquid, the treatment liquid may be supplied to the substrate in a mist state, and the heated gas may be supplied to overlap an area where the treatment liquid in the mist state is discharged.

일 실시예에 의하면, 미스트 상태의 처리액은 기판의 전역에 동시에 분사될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the treatment liquid in a mist state may be simultaneously sprayed over the entire substrate.

일 실시예에 의하면, 처리액 토출 단계 또는 액막 형성 단계에서, 기판의 상면은 제1유체에 의해 가열되고 기판의 저면은 제2유체에 의해 가열될 수 있다.According to an embodiment, in the discharging of the treatment liquid or the forming of the liquid film, the upper surface of the substrate may be heated by the first fluid and the lower surface of the substrate may be heated by the second fluid.

일 실시예에 의하면, 제1유체는 기체 상태로 기판의 상면으로 공급되고, 제2유체는 액체 상태로 기판의 저면으로 공급될 수 있다.According to an embodiment, the first fluid may be supplied to the upper surface of the substrate in a gaseous state, and the second fluid may be supplied to the lower surface of the substrate in a liquid state.

일 실시예에 의하면, 제1유체는 불활성 가스이고, 제2유체는 탈이온수일 수 있다.According to an embodiment, the first fluid may be an inert gas, and the second fluid may be deionized water.

일 실시예에 의하면, 액막 제거 단계는, 제거액은 가열되어 기판 상으로 공급될 수 있다.According to an embodiment, in the liquid film removal step, the removal liquid may be heated and supplied onto the substrate.

일 실시예에 의하면, 회전하는 기판 상으로 박리액을 공급하여 기판 상에서 고화된 액막을 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the method may further include a liquid film peeling step of supplying a stripping solution onto the rotating substrate to peel off the solidified liquid film on the substrate together with the particles on the substrate.

일 실시예에 의하면, 처리액의 공급 시기와 박리액의 공급 시기는 일부 중첩될 수 있다.According to an embodiment, the supply period of the treatment liquid and the supply period of the stripper may partially overlap.

일 실시예에 의하면, 박리액은 탈이온수일 수 있다.According to one embodiment, the stripper may be deionized water.

일 실시예에 의하면, 가스는 질소일 수 있다.According to one embodiment, the gas may be nitrogen.

일 실시예에 의하면, 제거액은 유기용제이고, 폴리머는 수지를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the removal liquid may be an organic solvent, and the polymer may include a resin.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버와; 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 가지는 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과; 지지 유닛에 지지된 기판으로 제거액을 공급하는 제거액 공급 노즐과; 처리액 또는 기판을 가열하는 가열 부재를 포함할 수 있다. The present invention also provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes: a chamber having a processing space; a support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space; a treatment liquid supply nozzle for supplying a treatment liquid having a polymer and a solvent onto a substrate supported by the support unit; a removal liquid supply nozzle for supplying the removal liquid to the substrate supported by the support unit; A heating member for heating the processing liquid or the substrate may be included.

일 실시예에 의하면, 처리액 공급 노즐은 처리액을 미스트 상태로 분사하도록 제공되고, 가열 부재는 처리액이 미스트 상태로 분사되는 도중에 처리액으로 가열된 가스를 공급하는 가스 공급 노즐 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid supply nozzle may be provided to spray the treatment liquid in a mist state, and the heating member may further include a gas supply nozzle configured to supply a gas heated to the treatment liquid while the treatment liquid is sprayed in a mist state. have.

일 실시예에 의하면, 처리액 공급 노즐은, 기판의 중심과 대향되되, 처리액 공급 노즐에서 토출되는 미스트 상태의 처리액이 기판의 가장자리 영역까지 도달하도록 위치될 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid supply nozzle may be positioned to face the center of the substrate, and the treatment liquid in a mist state discharged from the treatment liquid supply nozzle may reach an edge region of the substrate.

일 실시예에 의하면, 가스 공급 노즐은, 처리액 공급 노즐과 인접하게 위치되고 처리액 공급 노즐에서 토출되는 미스트 상태의 처리액과 함께 가스가 확산되도록 제공될 수 있다.According to an embodiment, the gas supply nozzle may be located adjacent to the processing liquid supply nozzle and may be provided so that gas is diffused together with the processing liquid in a mist state discharged from the processing liquid supply nozzle.

일 실시예에 의하면, 가열 부재는, 기판의 상면으로 가열된 제1유체를 공급하는 제1유체 노즐을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the heating member may include a first fluid nozzle for supplying the heated first fluid to the upper surface of the substrate.

일 실시예에 의하면, 가열 부재는, 기판의 저면으로 가열된 제2유체를 공급하는 제2유체 노즐을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the heating member may further include a second fluid nozzle for supplying the heated second fluid to the bottom surface of the substrate.

일 실시예에 의하면, 제1유체는 가스일 수 있다.According to an embodiment, the first fluid may be a gas.

일 실시예에 의하면, 제2유체는 액체일 수 있다.According to an embodiment, the second fluid may be a liquid.

일 실시예에 의하면, 처리액이 기판에 토출되는 동안에 기판은 회전되고, 처리액의 탄착 지점은 기판의 중앙영역에서 기판의 가장자리 영역 간에 변경되도록 처리액 공급 노즐은 이동되고, 기판 상에 가스의 탄착 지점은 기판의 중앙영역에서 기판의 가장자리 영역 간에 변경되도록 가스 공급 노즐은 이동될 수 있다.According to an exemplary embodiment, the substrate is rotated while the processing liquid is discharged to the substrate, the processing liquid supply nozzle is moved so that an impact point of the processing liquid is changed between the edge region of the substrate in the central region of the substrate, and the gas on the substrate is rotated. The gas supply nozzle may be moved so that the impact point changes between the central region of the substrate and the edge region of the substrate.

일 실시예에 의하면, 액 공급 유닛은, 기판 상에 박리액을 공급하는 박리액 공급 노즐을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the liquid supply unit may further include a stripper supply nozzle for supplying the stripper on the substrate.

일 실시예에 의하면, 박리액은, 탈이온수일 수 있다.According to one embodiment, the stripper may be deionized water.

일 실시예에 의하면, 제거액은 유기용제이고, 폴리머는 수지를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the removal liquid may be an organic solvent, and the polymer may include a resin.

본 발명에 의하면, 기판 상에서 파티클의 제거 효율을 향상시킬 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the removal efficiency of particle|grains on a board|substrate can be improved.

또한, 본 발명에 의하면, 솔벤트를 휘발시키는 과정에서 솔벤트의 휘발량을 증가시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to increase the volatilization amount of the solvent in the process of volatilizing the solvent.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 처리액 공급 노즐과 가열부재의 모습을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 기판 처리 방법의 일 실시예를 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리액 공급 노즐에서 기판 상으로 처리액이 공급되는 상태를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6 및 도 7은 각각 처리액 토출 단계에서 기판 또는 처리액을 가열하는 상태를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 상의 파티클을 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 처리액 토출 단계를 보여주는 도면이다.
도 13 및 도 14는 각각 도 12에 따른 액막 형성 단계를 보여주는 도면이다.
도 15 내지 도 16은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따라 처리액 토출 단계에서 기판 또는 처리액을 가열하는 상태를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1 .
3 is a view showing the appearance of a treatment liquid supply nozzle and a heating member according to an embodiment of the present invention.
4 is a view sequentially showing an embodiment of a substrate processing method of the present invention.
5 is a diagram schematically illustrating a state in which a processing liquid is supplied onto a substrate from a processing liquid supply nozzle according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 and 7 are views schematically illustrating a state in which a substrate or a processing liquid is heated in the processing liquid discharging step, respectively.
8 to 11 are views sequentially illustrating a process of removing particles on a substrate according to an embodiment of the present invention.
12 is a view showing a process liquid discharging step according to another embodiment of the present invention.
13 and 14 are views each showing a liquid film forming step according to FIG. 12 .
15 to 16 are diagrams schematically illustrating a state in which a substrate or a processing liquid is heated in a process liquid discharging step according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus includes an index module 10 and a processing module 20 . According to an embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, a direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 92 , and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as a second direction 94 . and a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96 .

인덱스 모듈(10)은 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the accommodated container 80 to the processing module 20 , and accommodates the substrate W that has been processed in the processing module 20 into the container 80 . The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94 . The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14 . With respect to the index frame 14 , the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 . The container 80 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94 .

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 80 may be placed in the load port 12 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The index frame 14 is provided with an index robot 120 . A guide rail 140 having a longitudinal direction in the second direction 94 is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140 . The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 122 are provided to be vertically spaced apart, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200 , a transfer chamber 300 , and a liquid processing chamber 400 . The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W loaded into the processing module 20 and the substrate W unloaded from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing chamber 400 performs a liquid processing process of liquid-processing the substrate W by supplying a liquid onto the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400 .

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transfer chamber 300 may be provided in its longitudinal direction in the first direction 92 . The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 may be disposed on the side of the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300 .

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. According to an example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300 , and the liquid processing chambers 400 are disposed on one side of the transfer chamber 300 in the first direction 92 and the third direction 96 . ) along the AXB (where A and B are each 1 or a natural number greater than 1) may be provided in an arrangement.

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320 . A guide rail 340 having a longitudinal direction in the first direction 92 is provided in the transfer chamber 300 , and the transfer robot 320 may be provided to be movable on the guide rail 340 . The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other in the third direction 96 . The buffer unit 200 has an open front face and a rear face. The front surface is a surface facing the index module 10 , and the rear surface is a surface facing the transfer chamber 300 . The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 may access the buffer unit 200 through the rear side.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 가진다. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing chamber 400 of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the liquid processing chamber 400 includes a housing 410 , a cup 420 , a support unit 440 , a liquid supply unit 460 , and an elevation unit 480 .

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.The housing 410 is provided in a substantially rectangular parallelepiped shape. The cup 420 , the support unit 440 , and the liquid supply unit 460 are disposed in the housing 410 .

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies the liquid onto the substrate W supported by the support unit 440 . The liquid may be provided in a plurality of types, and may be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. According to one example, the cup 420 has a plurality of collection containers (422, 424, 426). The recovery barrels 422 , 424 , and 426 each have a recovery space for recovering a liquid used for substrate processing. Each of the collection bins 422 , 424 , and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440 . When the liquid treatment process is in progress, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W is introduced into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each of the collection tubes 422 , 424 , and 426 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to an example, the cup 420 includes a first collection container 422 , a second collection container 424 , and a third collection container 426 . The first waste container 422 is disposed to surround the support unit 440 , the second waste container 424 is disposed to surround the first waste container 422 , and the third waste container 426 is the second waste container 426 . It is disposed so as to surround the recovery container (424). The second inlet 424a for introducing the liquid into the second collection tube 424 is located above the first inlet 422a for introducing the liquid into the first collection tube 422, and the third collection tube 426. The third inlet 426a through which the liquid is introduced may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444 . The upper surface of the support plate 442 may be provided in a substantially circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. A support pin 442a for supporting the rear surface of the substrate W is provided in the central portion of the support plate 442, and the support pin 442a has an upper end of the support plate (W) spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442) is provided to protrude from.

지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.A chuck pin 442b is provided at an edge of the support plate 442 . The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 , and supports the side of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driver 446 , is connected to the center of the bottom surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 based on the central axis thereof.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 up and down. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420 . Accordingly, since the recovery cylinders 422 , 424 , and 426 for recovering the processing liquid are changed according to the type of the liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separated and collected. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은, 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)을 포함한다. 액 공급 유닛(460)은 제어기(40)에 의해 제어된다. 제어기(40)는 처리액, 박리액, 그리고 제거액의 공급시기나 공급량 등을 제어할 수 있다. 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462) 그리고 제거액 공급 노즐(464)은 각각 상이한 아암(461)에 의해 지지되고, 각각의 아암(461)은 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 선택적으로, 처리액 공급 노즐(463), 박리액 공급 노즐(462), 그리고 제거액 공급 노즐(464)은 동일한 아암(461)에 의해 지지될 수 있다.According to an example, the liquid supply unit 460 includes a processing liquid supply nozzle 463 , a stripper supply nozzle 462 , and a removal liquid supply nozzle 464 . The liquid supply unit 460 is controlled by the controller 40 . The controller 40 may control the supply timing or supply amount of the treatment liquid, the stripper, and the removal liquid. The treatment liquid supply nozzle 463 , the stripper supply nozzle 462 , and the removal liquid supply nozzle 464 are respectively supported by different arms 461 , and each arm 461 may be controlled independently of each other. Optionally, the treatment liquid supply nozzle 463 , the stripper supply nozzle 462 , and the removal liquid supply nozzle 464 may be supported by the same arm 461 .

처리액 공급 노즐(463)은 지지 유닛에 지지된 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 일 예에 의하면, 처리액 공급 노즐(463)은 기판(W) 상으로 처리액을 미스트 상태로 토출 가능하도록 제공된다. 예컨대, 처리액 공급 노즐(463)은 이류체 노즐로 제공되어 처리액을 미스트 상태로 토출할 수 있다. 선택적으로 처리액 공급 노즐(463)은 그 토출구들이 복수의 미공으로 제공되고, 고압으로 처리액을 유동시켜 처리액을 미스트 상태로 토출할 수 있다.The processing liquid supply nozzle 463 supplies the processing liquid onto the substrate W supported by the support unit. According to an example, the processing liquid supply nozzle 463 is provided to discharge the processing liquid onto the substrate W in a mist state. For example, the treatment liquid supply nozzle 463 may be provided as a two-fluid nozzle to discharge the treatment liquid in a mist state. Optionally, the treatment liquid supply nozzle 463 may have a plurality of micropores, and discharge the treatment liquid in a mist state by flowing the treatment liquid at a high pressure.

처리액은, 폴리머와 솔벤트를 포함한다. 일 예에 의하면, 폴리머는 수지를 포함한다. 수지는 아크릴 수지 또는 페놀 수지이거나, 이와는 다른 종류의 수지일 수 있다. 솔벤트는 폴리머를 용해시키며 휘발 성분을 가지는 용액이다. 기판(W) 상에 공급된 처리액에서 솔벤트가 휘발되면, 처리액은 기판(W) 상에서 고화(solidification)된다. 처리액 공급 노즐(463)은, 기판(W)의 중심과 대향되게 배치될 수 있다. 처리액 공급 노즐(463)은 이로부터 토출되는 미스트 상태의 처리액이 기판(W)의 전체 영역에서 동시에 토출되도록 위치될 수 있다.The treatment liquid contains a polymer and a solvent. In one example, the polymer comprises a resin. The resin may be an acrylic resin or a phenolic resin, or a different kind of resin. A solvent is a solution that dissolves the polymer and has volatile components. When the solvent is volatilized in the processing liquid supplied on the substrate W, the processing liquid is solidified on the substrate W. The processing liquid supply nozzle 463 may be disposed to face the center of the substrate W. The treatment liquid supply nozzle 463 may be positioned so that the treatment liquid in a mist state discharged therefrom is simultaneously discharged over the entire area of the substrate W.

박리액 공급 노즐(462)은 기판 (W)상으로 박리액을 토출한다. 박리액은 기판 (W)상에서 응고된 처리액을 기판(W)으로부터 박리시킨다. 일 예에 의하면, 박리액은 탈이온수를 포함한다. The stripper supply nozzle 462 discharges the stripper onto the substrate W. The stripper peels the treatment liquid solidified on the substrate W from the substrate W. In one example, the stripper includes deionized water.

제거액 공급 노즐(464)은 기판(W) 상으로 제거액을 토출한다. 제거액은 기판(W) 상에서 박리된 처리액을 기판(W)으로부터 제거한다. 일 예에 의하면, 제거액은 유기용제를 포함한다. 유기용제로는 이소프로필 알코올이 사용될 수 있다.The removal liquid supply nozzle 464 discharges the removal liquid onto the substrate W. The removal liquid removes the processing liquid peeled off from the substrate W from the substrate W. According to one example, the removal liquid includes an organic solvent. As the organic solvent, isopropyl alcohol may be used.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 처리액 공급 노즐과 가열부재의 모습을 보여주는 도면이다. 가열 부재(484)는 처리액 공급 노즐(463)로부터 공급되는 처리액 또는 기판(W)을 가열한다. 가열 부재(484)는 처리액에서 솔벤트가 휘발되는 것을 촉진한다. 가열 부재(484)는 기판(W)으로 처리액이 토출되는 도중에 처리액의 토출 경로 상에서 솔벤트의 휘발을 촉진시킬 있다. 선택적으로 가열 부재(484)는 기판(W) 상에 공급된 처리액을 가열하거나, 기판(W)을 직접 가열하여 처리액에서 솔벤트의 휘발을 촉진시킬 수 있다. 가열 부재(484)의 가열 온도를 조절하여, 솔벤트의 휘발 정도를 조절할 수 있다. 예컨대, 솔벤트의 휘발량을 증가시키기 위해 가열 부재(484)의 가열 온도를 높일 수 있다.3 is a view showing the appearance of a treatment liquid supply nozzle and a heating member according to an embodiment of the present invention. The heating member 484 heats the processing liquid or the substrate W supplied from the processing liquid supply nozzle 463 . The heating member 484 promotes volatilization of the solvent in the treatment liquid. The heating member 484 may promote volatilization of the solvent on the discharge path of the treatment liquid while the treatment liquid is discharged to the substrate W. Optionally, the heating member 484 may heat the treatment liquid supplied on the substrate W or directly heat the substrate W to promote volatilization of the solvent in the treatment liquid. By adjusting the heating temperature of the heating member 484, the degree of volatilization of the solvent may be adjusted. For example, the heating temperature of the heating member 484 may be increased to increase the volatilization amount of the solvent.

일 예에 의하면, 가열 부재(484)는 처리액 공급 노즐(463)으로부터 공급되는 처리액 또는 기판(W)을 가열한다. According to an example, the heating member 484 heats the processing liquid or the substrate W supplied from the processing liquid supply nozzle 463 .

가열 부재(484)는 제1유체 노즐과 제2유체 노즐을 포함한다. 일 예에서, 제1유체 노즐은 가스 공급 노즐(481)이고, 제2유체 노즐은 액체 공급 노즐(482)이다.The heating element 484 includes a first fluid nozzle and a second fluid nozzle. In one example, the first fluid nozzle is a gas supply nozzle 481 and the second fluid nozzle is a liquid supply nozzle 482 .

가스 공급 노즐(481)은 처리액이 미스트 상태로 분사되는 도중에 처리액으로 가열된 가스를 공급한다. 가스 공급 노즐(481)은, 기판(W)의 중심과 대향되되, 가스 공급 노즐(481)에서 토출되는 가스가 기판(W)의 가장자리 영역까지 도달하도록 위치할 수 있다.The gas supply nozzle 481 supplies heated gas to the processing liquid while the processing liquid is sprayed in a mist state. The gas supply nozzle 481 may face the center of the substrate W, and may be positioned so that the gas discharged from the gas supply nozzle 481 reaches an edge region of the substrate W.

선택적으로, 가스 공급 노즐(481)은 처리액 공급 노즐(463)과 인접하게 배치되고, 처리액 공급 노즐(463)로부터 토출된 미스트 상태의 처리액 상에 가스를 토출할 수 있다. 이로 인해, 가스는 미스트 상태의 처리액과 함께 기판(W) 상으로 공급될 수 있다.Optionally, the gas supply nozzle 481 may be disposed adjacent to the processing liquid supply nozzle 463 , and may discharge gas onto the processing liquid in a mist state discharged from the processing liquid supply nozzle 463 . For this reason, the gas may be supplied onto the substrate W together with the processing liquid in the mist state.

가스는 가열된 상태로 공급된다. 일 예에 의하면, 가스의 온도는 섭씨 50도에서 섭씨 150도이다. 일 예에 의하면 가스는 불활성 가스이고, 압축된 가스이다. 일 예에 의하면 가스는 질소이다.The gas is supplied in a heated state. According to one example, the temperature of the gas is 50 degrees Celsius to 150 degrees Celsius. In one example, the gas is an inert gas and a compressed gas. In one example the gas is nitrogen.

액체 공급 노즐(482)은 가열된 액체를 기판(W)의 저면에 분사한다. 일 예에서 액체는 탈이온수이다.The liquid supply nozzle 482 sprays the heated liquid to the bottom surface of the substrate W. In one example the liquid is deionized water.

도 4는 본 발명의 기판 처리 방법의 일 실시예를 순차적으로 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 기판 처리 방법은 처리액 토출 단계(S100), 액막 형성 단계(S200), 액막 박리 단계(S300) 그리고 액막 제거 단계(S400)를 포함한다.4 is a view sequentially showing an embodiment of a substrate processing method of the present invention. Referring to FIG. 4 , the substrate processing method of the present invention includes a process liquid discharging step ( S100 ), a liquid film forming step ( S200 ), a liquid film peeling step ( S300 ), and a liquid film removing step ( S400 ).

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리액 공급 노즐(463)에서 기판(W) 상으로 처리액이 공급되는 상태를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 처리액 토출 단계(S100)는, 처리액 공급 노즐(463)은 처리액을 미스트 상태로 기판(W)에 토출한다. 처리액 공급 노즐(463)은 기판(W)의 중심과 대향되되, 처리액 공급 노즐(463)에서 토출되는 미스트 상태의 처리액이 기판(W)의 가장자리 영역까지 도달하도록 위치될 수 있다. 5 is a diagram schematically illustrating a state in which a processing liquid is supplied onto the substrate W from the processing liquid supply nozzle 463 according to an exemplary embodiment. Referring to FIG. 5 , in the processing liquid discharging step S100 , the processing liquid supply nozzle 463 discharges the processing liquid to the substrate W in a mist state. The treatment liquid supply nozzle 463 may face the center of the substrate W, and may be positioned such that the treatment liquid in a mist state discharged from the treatment liquid supply nozzle 463 reaches an edge region of the substrate W.

처리액 토출 단계(S100)에서, 처리액이 토출되는 동안 기판(W)은 회전되는 상태로 제공될 수 있다. 기판(W)이 회전됨에 따라 원심력에 의해 처리액이 기판의 표면에 확산된다. In the discharging of the treatment solution ( S100 ), the substrate W may be provided in a rotated state while the treatment solution is discharged. As the substrate W is rotated, the treatment liquid is diffused on the surface of the substrate by centrifugal force.

도 6 및 도 7은 각각 처리액 토출 단계에서 기판(W) 또는 처리액을 가열하는 상태를 개략적으로 보여주는 도면들이다.6 and 7 are views schematically illustrating a state in which the substrate W or the processing liquid is heated in the processing liquid discharging step, respectively.

도 6을 참조하면, 처리액 공급이 시작됨과 동시에 가스 공급 노즐(481)이 처리액에 가스를 공급할 수 있다. 이 때 가스는 가열된 가스로 기판(W) 상으로 공급되는 처리액의 온도를 승온시킨다. 또는, 도 5와 같이 처리액 공급이 시작되고 난 후 처리액으로 가스 공급 노즐(481)을 통해 가스가 공급될 수 있다.Referring to FIG. 6 , the gas supply nozzle 481 may supply gas to the processing liquid as soon as the processing liquid starts to be supplied. At this time, the gas increases the temperature of the processing liquid supplied onto the substrate W as a heated gas. Alternatively, as shown in FIG. 5 , after the supply of the processing liquid is started, the gas may be supplied as the processing liquid through the gas supply nozzle 481 .

도 7을 참조하면, 처리액 토출 단계(S100)에서 가스 공급 노즐(481)이 처리액에 가스를 공급하는 동시에, 액체 공급 노즐(482)이 기판(W)의 저면에 액체를 공급할 수 있다. 처리액 토출 단계(S100)에서 가스 공급 노즐(481)에 의한 처리액의 승온과, 액체 공급 노즐(482)에 의한 기판(W)의 승온은 동시에 제공될 수 있다.Referring to FIG. 7 , in the processing liquid discharging step S100 , the gas supply nozzle 481 may supply gas to the processing liquid, and the liquid supply nozzle 482 may supply the liquid to the lower surface of the substrate W. In the process liquid discharging step S100 , the temperature increase of the processing liquid by the gas supply nozzle 481 and the temperature increase of the substrate W by the liquid supply nozzle 482 may be simultaneously provided.

처리액 공급이 시작됨과 동시에 가스 공급 노즐(481)이 가스를 분사하고 액체 공급 노즐(482)이 액체를 분사할 수 있다. 또는, 도 5와 같이 처리액 공급이 시작되고 난 후 가스 공급 노즐(481)이 가스를 분사하고 액체 공급 노즐(482)이 액체를 분사할 수 있다.Simultaneously with the start of supplying the processing liquid, the gas supply nozzle 481 may eject the gas and the liquid supply nozzle 482 may eject the liquid. Alternatively, as shown in FIG. 5 , after the supply of the processing liquid is started, the gas supply nozzle 481 may eject the gas and the liquid supply nozzle 482 may inject the liquid.

도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 상의 파티클을 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면들이다.8 to 11 are views sequentially illustrating a process of removing particles on a substrate according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 처리액 토출 단계(S100)에서 패턴이 형성된 기판(W)에 처리액(F)이 도포된다. 기판(W)으로 처리액(F)이 공급됨에 따라 기판(W) 상에서 처리액(F)은 패턴들 사이 및 패턴의 상면에 위치된 파티클(P)을 덮는다.Referring to FIG. 8 , the treatment liquid F is applied to the substrate W on which the pattern is formed in the treatment liquid discharging step S100 . As the processing liquid F is supplied to the substrate W, the processing liquid F on the substrate W covers the particles P located between the patterns and on the upper surface of the patterns.

도 9를 참조하면, 액막 형성 단계(S200)는 기판 상에 도포된 처리액(F)에서 솔벤트를 휘발시켜 기판(W) 상에 고화된 처리액의 액막(S)을 형성한다. 처리액에서 솔벤트가 휘발함에 따라 체적 수축을 일으키며, 처리액은 고화(solidification)된다. 처리액이 체적 수축함에 따라 패턴 내의 파티클 및 패턴 상면의 파티클은 처리액의 액막 내에 포획된다. 액막 형성 단계(S200)에서 가열 부재(484)가 처리액을 가열함에 따라 솔벤트의 휘발이 촉진될 수 있다.Referring to FIG. 9 , in the liquid film forming step S200 , a solvent is volatilized from the treatment liquid F applied on the substrate to form a liquid film S of the solidified treatment liquid on the substrate W. As the solvent volatilizes in the treatment liquid, volume shrinkage occurs, and the treatment liquid is solidified. As the processing liquid shrinks in volume, the particles in the pattern and the particles on the upper surface of the pattern are trapped in the liquid film of the processing liquid. As the heating member 484 heats the treatment liquid in the liquid film forming step S200 , volatilization of the solvent may be accelerated.

일 예에서, 처리액 토출 단계(S100)에서 가스를 공급하기 시작한 가스 공급 노즐(481)이 액막 형성 단계(S200)가 완료될 때까지 기판(W) 상으로 가스를 공급할 수 있다.In one example, the gas supply nozzle 481 that starts supplying gas in the process liquid discharging step S100 may supply the gas onto the substrate W until the liquid film forming step S200 is completed.

또는, 처리액 토출 단계(S100)에서 가스를 공급하기 시작한 가스 공급 노즐(481)과 액체를 공급하기 시작한 액체 공급 노즐(482)이 액막 형성 단계(S200)가 완료될 때까지 기판(W) 상으로 가스를 공급할 수 있다. Alternatively, in the process liquid discharging step S100 , the gas supply nozzle 481 , which started supplying gas, and the liquid supply nozzle 482 , which started supplying the liquid, are disposed on the substrate W until the liquid film forming step S200 is completed. gas can be supplied.

액막 형성 단계(S200)가 완료되면, 도 10과 같이 액막 박리 단계(S300)가 수행된다. 도 10을 참조하면, 액막 박리 단계(S300)는, 회전하는 기판(W) 상으로 박리액을 공급하여 기판(W) 상에서 고화된 액막(S)을 기판(W) 상의 파티클(P)과 함께 박리시킨다. 일 예에 의하면, 박리액은 고화된 처리액의 액막에 침투하여 처리액의 액막과 기판(W) 사이의 경계면에 들어감으로써 처리액의 액막을 기판(W) 상에서 박리시킬 수 있다. 이 때 처리액의 액막에 포획된 파티클도 처리액의 액막과 함께 박리된다. When the liquid film forming step ( S200 ) is completed, the liquid film peeling step ( S300 ) is performed as shown in FIG. 10 . Referring to FIG. 10 , in the liquid film peeling step S300 , the liquid film S solidified on the substrate W by supplying a stripper onto the rotating substrate W is combined with the particles P on the substrate W. peel off In one example, the stripper may penetrate the liquid film of the solidified processing liquid and enter the interface between the liquid film of the processing liquid and the substrate W, thereby peeling the liquid film of the processing liquid on the substrate W. At this time, particles trapped in the liquid film of the treatment liquid are also peeled off together with the liquid film of the treatment liquid.

액막 박리 단계(S300)가 완료되면, 도 11과 같이 액막 제거 단계(S400)가 수행된다. 도 11을 참조하면, 액막 제거 단계(S400)에서, 제거액 공급 노즐(464)이 회전하는 기판(W)으로 제거액을 공급한다. 제거액은 기판(W) 상에서 박리된 처리액의 액막의 잔여물을 기판(W)으로부터 제거한다. When the liquid film peeling step ( S300 ) is completed, the liquid film removing step ( S400 ) is performed as shown in FIG. 11 . Referring to FIG. 11 , in the liquid film removal step S400 , the removal liquid supply nozzle 464 supplies the removal liquid to the rotating substrate W. The removal liquid removes the residue of the liquid film of the processing liquid peeled off from the substrate W from the substrate W.

상술한 예에서는, 처리액 토출 단계(S100)에서, 처리액이 토출되는 동안 기판은 회전되는 상태로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 처리액이 토출되는 동안 기판은 정지된 상태로 제공될 수 있다.In the above-described example, in the discharging step S100 of the treatment solution, it has been described that the substrate is provided in a rotated state while the treatment solution is discharged. However, alternatively, the substrate may be provided in a stationary state while the processing liquid is discharged.

상술한 예에서는, 처리액 공급 노즐(463)이 기판 상에 처리액을 미스트 형태로 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나, 도 12에 도시된 바와 같이, 처리액 공급 노즐(463)은 물줄기 형태로 기판(W) 상에 처리액을 공급할 수 있다.In the above-described example, it has been described that the processing liquid supply nozzle 463 supplies the processing liquid on the substrate in the form of mist. However, as shown in FIG. 12 , the treatment liquid supply nozzle 463 may supply the treatment liquid onto the substrate W in the form of a water stream.

상술한 예에서, 처리액이 토출되는 처리액 토출 단계(S100) 동안 가스 공급 노즐(481)은 가스를 공급하고, 액체 공급 노즐(482)은 액체를 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나 도 12에 도시된 바와 같이 처리액 공급 노즐(463)은 물줄기 형태로 기판(W) 상에 처리액을 공급한 이후에 처리액 토출이 종료된 액막 형성 단계(S200)에서 가열 부재(484)에 의해 가열이 이루어질 수 있다.In the above-described example, it has been described that the gas supply nozzle 481 supplies the gas and the liquid supply nozzle 482 supplies the liquid during the processing liquid discharging step S100 in which the processing liquid is discharged. However, as shown in FIG. 12 , the treatment liquid supply nozzle 463 supplies the treatment liquid onto the substrate W in the form of a stream of water and then the heating member 484 in the liquid film forming step S200 in which the discharge of the treatment liquid is finished. Heating can be achieved by

일 예에서, 처리액 공급 노즐(463)로부터 물줄기 형태의 처리액이 공급된 후, 도 13과 같이 기판(W) 상에 가스 공급 노즐(481)로부터 가스가 공급된다. 가스 공급 노즐(481)은 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 지점으로부터 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 지점까지 이동하며 가스를 공급할 수 있다. In one example, after the treatment liquid in the form of a stream is supplied from the treatment liquid supply nozzle 463 , the gas is supplied from the gas supply nozzle 481 onto the substrate W as shown in FIG. 13 . The gas supply nozzle 481 may supply gas while moving from a point facing the center region of the substrate W to a point facing the edge region of the substrate W.

선택적으로, 처리액 공급 노즐(463)로부터 물줄기 형태의 처리액이 공급된 후, 도 14와 같이 기판(W) 상에 가스 공급 노즐(481)로부터 가스가 공급되는 동시에, 기판(W) 저면에 액체 공급 노즐(482)로부터 액체가 공급될 수 있다. Optionally, after the treatment liquid in the form of a stream is supplied from the treatment liquid supply nozzle 463 , as shown in FIG. 14 , the gas is supplied from the gas supply nozzle 481 on the substrate W and at the same time as the bottom surface of the substrate W Liquid may be supplied from the liquid supply nozzle 482 .

이상, 처리액 토출 단계(S100)에서, 처리액이 토출되는 동안 기판은 회전되고, 처리액 공급 노즐(463)은 기판의 중앙 영역에 대향되는 지점에서 기판의 전 영역으로 처리액을 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나, 일 실시예에서 도 15에 도시된 바와 같이, 기판(W)은 회전되고, 처리액이 기판(W)에 토출되는 동안에 기판(W)에 처리액의 탄착 지점은 기판(W)의 중앙영역에서 기판(W)의 가장자리 영역 간에 변경될 수 있다.As described above, in the processing liquid discharging step S100 , the substrate is rotated while the processing liquid is discharged, and the processing liquid supply nozzle 463 supplies the processing liquid to the entire region of the substrate at a point opposite to the central region of the substrate. explained. However, in one embodiment, as shown in FIG. 15 , the substrate W is rotated, and the point of impact of the processing liquid on the substrate W while the processing liquid is discharged to the substrate W is the center of the substrate W. The region may be changed between the edge regions of the substrate W.

상술한 실시예에서는, 가스 공급 노즐(481)이 기판 상으로 가스를 공급하고, 액체 공급 노즐(482)은 작동하지 않거나, 가스 공급 노즐(481)이 기판 상으로 가스를 공급하고 액체 공급 노즐(482)이 동시에 기판의 저면으로 액체를 공급하는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 액체 공급 노즐(482)만이 기판의 저면으로 액체를 공급하고 가스 공급 노즐(481)은 작동되지 않을 수 있다. 예컨대, 도 16에 도시된 바와 같이, 처리액 토출 단계(S100)에서 액체 공급 노즐(482)만이 기판(W)의 저면으로 액체를 공급할 수 있다.In the above-described embodiment, the gas supply nozzle 481 supplies gas onto the substrate and the liquid supply nozzle 482 does not operate, or the gas supply nozzle 481 supplies gas onto the substrate and the liquid supply nozzle 482 supplies gas onto the substrate. 482) was explained as supplying the liquid to the bottom of the substrate at the same time. However, in another example, only the liquid supply nozzle 482 supplies the liquid to the bottom surface of the substrate and the gas supply nozzle 481 may not be operated. For example, as shown in FIG. 16 , only the liquid supply nozzle 482 may supply the liquid to the bottom surface of the substrate W in the processing liquid discharging step S100 .

본 발명에 따르면, 처리액 공급 노즐(463) 내부에서 미스트화된 처리액은, 처리액 공급 노즐(463)로부터 분사되는 동시에 대기중에서 가열된 가스와 만나 솔벤트의 휘발이 일어난다. 일 예에 의하면, 미스트는 수 나노 내지 수십 마이크로 크기이다. 처리액이 작은 입자 크기로 미스트화되고, 가열된 가스가 공급됨에 따라 처리액은 대기에 노출되는 표면적이 커지고, 솔벤트는 휘발이 촉진된다. 대기 중에서 솔벤트의 휘발이 일어남에 따라 기판 상에서 솔벤트의 휘발에 의한 처리액의 체적 변화는 감소된다. 이에 따라 패턴에 데미지가 감소되는 이점이 있다. 또한, 기판 상에서 고화된 처리액을 제거하기 용이한 이점이 있다.According to the present invention, the misting treatment liquid inside the treatment liquid supply nozzle 463 is sprayed from the treatment liquid supply nozzle 463 and at the same time meets the heated gas in the atmosphere to cause the solvent to volatilize. According to an example, the mist has a size of several nano to several tens of micrometers. The treatment liquid is misted to a small particle size, and as a heated gas is supplied, the surface area of the treatment liquid exposed to the atmosphere increases, and volatilization of the solvent is promoted. As the solvent volatilizes in the atmosphere, the volume change of the treatment liquid due to the volatilization of the solvent on the substrate is reduced. Accordingly, there is an advantage in that damage to the pattern is reduced. In addition, there is an advantage in that it is easy to remove the solidified processing liquid on the substrate.

또한, 본 발명에 따르면, 가열된 유체가 기판의 저면에 공급됨에 따라 솔벤트의 휘발이 촉진되는 이점이 있다. In addition, according to the present invention, as the heated fluid is supplied to the bottom surface of the substrate, there is an advantage that the solvent volatilizes.

또한, 가열 부재(484)를 통해 공급되는 가스와 유체의 온도를 조절함에 따라 솔벤트의 휘발량을 조절할 수 있다. 솔벤트의 휘발량을 조절함에 따라, 파티클(P)의 흡착이 잘 일어나되 기판으로부터 액막이 잘 제거될 수 있도록 하는 이점이 있다.In addition, the volatilization amount of the solvent may be adjusted by adjusting the temperature of the gas and the fluid supplied through the heating member 484 . By controlling the volatilization amount of the solvent, there is an advantage in that the adsorption of the particles P occurs well, but the liquid film can be well removed from the substrate.

이상, 제2유체 노즐은 액체를 공급하는 것으로 설명하였으나, 다른 실시예에서 제2유체 노즐는 기판의 저면으로 자외선, 적외선과 같은 열원을 조사할 수 있다.In the above, the second fluid nozzle has been described as supplying the liquid, but in another embodiment, the second fluid nozzle may irradiate a heat source such as ultraviolet or infrared rays to the bottom surface of the substrate.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

440: 지지 유닛
460: 액 공급 유닛
462: 박리액 공급 노줄
463: 처리액 공급 노즐
464: 제거액 공급 노즐
481: 제1유체 노즐
482: 제2유체 노즐
484: 가열 부재
440: support unit
460: liquid supply unit
462: stripper supply nozzle
463: treatment liquid supply nozzle
464: removal liquid supply nozzle
481: first fluid nozzle
482: second fluid nozzle
484: heating element

Claims (25)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
폴리머 및 솔벤트를 포함하는 처리액을 기판에 토출하는 처리액 토출 단계와;
상기 처리액에서 상기 솔벤트를 휘발시켜 상기 기판 상에 고화된 액막을 형성하는 액막 형성 단계와;
회전하는 상기 기판으로 제거액을 공급하여 상기 기판 상에서 상기 액막을 제거하는 액막 제거 단계를 포함하되;
상기 처리액 토출 단계에서,
상기 처리액을 상기 기판으로 공급하는 도중에 가열된 가스가 상기 기판으로 토출 중인 상기 처리액을 향하여 상기 처리액과는 독립적으로 공급되고,
상기 처리액은 미스트 상태로 상기 기판에 공급되고,
상기 가열된 가스는 상기 미스트 상태의 처리액이 토출되는 영역에 중첩되게 공급되는 기판 처리 방법.
A method of processing a substrate, comprising:
a treatment liquid discharging step of discharging a treatment liquid including a polymer and a solvent to a substrate;
a liquid film forming step of volatilizing the solvent from the treatment liquid to form a solidified liquid film on the substrate;
a liquid film removal step of supplying a removal liquid to the rotating substrate to remove the liquid film on the substrate;
In the discharging step of the treatment liquid,
A gas heated while supplying the processing liquid to the substrate is supplied independently of the processing liquid toward the processing liquid being discharged to the substrate,
The treatment liquid is supplied to the substrate in a mist state,
The heated gas is supplied to overlap a region from which the processing liquid in the mist state is discharged.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 미스트 상태의 처리액은 기판의 전역에 동시에 분사되는 기판 처리 방법.
According to claim 1,
The processing liquid in the mist state is simultaneously sprayed over the entire substrate processing method.
제1항에 있어서,
상기 처리액 토출 단계 또는 상기 액막 형성 단계에서,
상기 기판의 상면은 제1유체에 의해 가열되고 상기 기판의 저면은 제2유체에 의해 가열되는 기판 처리 방법.
According to claim 1,
In the step of discharging the treatment liquid or the step of forming the liquid film,
A substrate processing method wherein an upper surface of the substrate is heated by a first fluid and a bottom surface of the substrate is heated by a second fluid.
제5항에 있어서,
상기 제1유체는 기체 상태로 상기 기판의 상면으로 공급되고, 상기 제2유체는 액체 상태로 상기 기판의 저면으로 공급되는 기판 처리 방법.
6. The method of claim 5,
The first fluid is supplied to the upper surface of the substrate in a gaseous state, and the second fluid is supplied to the lower surface of the substrate in a liquid state.
제5항에 있어서,
상기 제1유체는 불활성 가스이고, 상기 제2유체는 탈이온수인 기판 처리 방법.
6. The method of claim 5,
The first fluid is an inert gas, and the second fluid is deionized water.
제1항에 있어서,
상기 액막 제거 단계는,
상기 제거액은 가열되어 상기 기판 상으로 공급되는 기판 처리 방법.
According to claim 1,
The liquid film removal step is
The substrate processing method in which the removal liquid is heated and supplied onto the substrate.
제1항, 그리고 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
회전하는 상기 기판 상으로 박리액을 공급하여 상기 기판 상에서 고화된 상기 액막을 상기 기판 상의 파티클과 함께 박리시키는 액막 박리 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
9. The method of any one of claims 1 and 4 to 8,
and supplying a stripper to the rotating substrate to separate the liquid film solidified on the substrate together with the particles on the substrate.
제9항에 있어서,
상기 처리액의 공급 시기와 상기 박리액의 공급 시기는 일부 중첩되는 기판 처리 방법.
10. The method of claim 9,
The supply period of the processing liquid and the supply period of the stripper partially overlap.
제9항에 있어서,
상기 박리액은 탈이온수인 기판 처리 방법.
10. The method of claim 9,
wherein the stripper is deionized water.
제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 가스는 질소인 기판 처리 방법.
5. The method of claim 1 or 4,
wherein the gas is nitrogen.
제1항, 그리고 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제거액은 유기용제이고,
상기 폴리머는 수지를 포함하는 기판 처리 방법.
9. The method of any one of claims 1 and 4 to 8,
The removal solution is an organic solvent,
The polymer is a substrate processing method comprising a resin.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판 상으로 폴리머와 솔벤트를 가지는 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 제거액을 공급하는 제거액 공급 노즐과;
상기 처리액 또는 상기 기판을 가열하는 가열부재를 포함하되;
상기 처리액 공급 노즐은,
상기 처리액을 미스트 상태로 분사하도록 제공되고,
상기 가열 부재는,
상기 처리액을 상기 기판 상에 미스트 상태로 공급하는 도중에 가열된 가스가 상기 기판으로 토출 중인 상기 처리액을 향하여 상기 처리액과는 독립적으로 공급되는 가스 공급 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a substrate, comprising:
a chamber having a processing space;
a support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space;
a treatment liquid supply nozzle for supplying a treatment liquid having a polymer and a solvent onto the substrate supported by the support unit;
a removal liquid supply nozzle for supplying the removal liquid to the substrate supported by the support unit;
a heating member for heating the processing liquid or the substrate;
The treatment liquid supply nozzle,
It is provided to spray the treatment liquid in a mist state,
The heating element is
and a gas supply nozzle through which a gas heated while supplying the processing liquid to the substrate in a mist state is supplied to the processing liquid being discharged to the substrate independently of the processing liquid.
삭제delete 제14항에 있어서,
상기 처리액 공급 노즐은,
상기 기판의 중심과 대향되되, 상기 처리액 공급 노즐에서 토출되는 미스트 상태의 상기 처리액이 상기 기판의 가장자리 영역까지 직접 도달하도록 위치되는 기판 처리 장치.
15. The method of claim 14,
The treatment liquid supply nozzle,
A substrate processing apparatus facing the center of the substrate and positioned so that the processing liquid in a mist state discharged from the processing liquid supply nozzle directly reaches an edge region of the substrate.
제14항 또는 제16항에 있어서,
상기 가스 공급 노즐은,
상기 처리액 공급 노즐과 인접하게 위치되고 상기 처리액 공급 노즐에서 토출되는 미스트 상태의 처리액과 함께 상기 가열된 가스가 확산되도록 제공되는 기판 처리 장치.
17. The method of claim 14 or 16,
The gas supply nozzle,
The substrate processing apparatus is located adjacent to the processing liquid supply nozzle and is provided to diffuse the heated gas together with the processing liquid in a mist state discharged from the processing liquid supply nozzle.
제14항에 있어서,
상기 가열 부재는,
기판의 상면으로 가열된 제1유체를 공급하는 제1유체 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
15. The method of claim 14,
The heating element is
A substrate processing apparatus comprising: a first fluid nozzle supplying a heated first fluid to an upper surface of a substrate.
제18항에 있어서,
상기 가열 부재는,
상기 기판의 저면으로 가열된 제2유체를 공급하는 제2유체 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
19. The method of claim 18,
The heating element is
and a second fluid nozzle for supplying a heated second fluid to a bottom surface of the substrate.
제18항에 있어서,
상기 제1유체는 가스인 기판 처리 장치.
19. The method of claim 18,
The first fluid is a gas.
제19항에 있어서,
상기 제2유체는 액체인 기판 처리 장치.
20. The method of claim 19,
The second fluid is a liquid.
제14항에 있어서,
상기 지지 유닛, 상기 처리액 공급 노즐, 그리고 상기 가열 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는,
상기 처리액이 상기 기판에 토출되는 동안에 상기 기판은 회전되고, 상기 처리액의 탄착 지점은 상기 기판의 중앙영역에서 상기 기판의 가장자리 영역 간에 변경되도록 상기 처리액 공급 노즐은 이동되고,
상기 기판 상에 상기 가스의 탄착 지점은 상기 기판의 중앙영역에서 상기 기판의 가장자리 영역 간에 변경되도록 상기 가스 공급 노즐이 이동되도록 상기 지지 유닛, 상기 처리액 공급 노즐, 그리고 상기 가스 공급 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
15. The method of claim 14,
Further comprising a controller for controlling the support unit, the treatment liquid supply nozzle, and the heating member,
The controller is
The substrate is rotated while the processing liquid is discharged to the substrate, and the processing liquid supply nozzle is moved so that an impact point of the processing liquid is changed from a central region of the substrate to an edge region of the substrate;
A substrate for controlling the support unit, the processing liquid supply nozzle, and the gas supply nozzle so that the gas supply nozzle is moved so that an impact point of the gas on the substrate is changed from a central region of the substrate to an edge region of the substrate processing unit.
제14항에 있어서,
상기 기판 상으로 박리액을 공급하는 박리액 공급 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.
15. The method of claim 14,
The substrate processing apparatus further comprising a stripper supply nozzle for supplying the stripper onto the substrate.
제23항에 있어서,
상기 박리액은,
탈이온수인 기판 처리 장치.
24. The method of claim 23,
The stripper is
A substrate processing apparatus that is deionized water.
제14항, 제16항, 제18항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제거액은 유기용제를 포함하고,
상기 폴리머는 수지를 포함하는 기판 처리 장치.
25. The method of any one of claims 14, 16, 18-24,
The removal solution contains an organic solvent,
The polymer is a substrate processing apparatus including a resin.
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