KR20170108786A - Die bonder and bonding method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 다이 본더 및 본딩 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a die bonder and a bonding method.
다이 본더는, 반도체 칩(펠릿, 다이)(이하, 간단히 다이라고 함)을 기판에 본딩하는 장치이다. 다이 본더는, 원 형상의 다이싱 테이프에 부착되며, 개개의 다이에 다이싱된 반도체 웨이퍼를 반송하는 XY 스테이지, 반도체 웨이퍼로부터 다이를 중간 스테이지(얼라인먼트부)로 이동하는 픽업 헤드, 중간 스테이지로부터 기판으로 다이를 반송하여 본딩을 행하는 본딩 헤드 등등 각 구성 요소를 이동하기 위해, 많은 구동축을 갖는다(예를 들어, 특허문헌 1).The die bonder is a device for bonding a semiconductor chip (pellet, die) (hereinafter simply referred to as "die") to a substrate. The die bonder includes an XY stage which is attached to a circular dicing tape and conveys a semiconductor wafer diced into individual dies, a pickup head which moves the die from the semiconductor wafer to an intermediate stage (alignment section) And a bonding head that carries out bonding by carrying the die by carrying the die, etc. (see, for example, Patent Document 1).
종래의 다이 본더에서는, 불량품이 발생할 때까지 장치 동작의 문제를 알지 못하였다. 따라서, 장치 동작의 문제에 의한 본딩 불량을 방지하기 위해, 다이 본더의 프리 메인터넌스를 정기적으로, 혹은 생산수에 따라 실시하고 있었다. 그러나, 이 방법에서는 불량을 완전히 방지하기 위해서는 안전 여유도를 크게 취할 필요가 있기 때문에, 메인터넌스 횟수가 많아져, 스루풋이 저하된다.In the conventional die bonder, the problem of the operation of the apparatus is not known until a defective product occurs. Therefore, in order to prevent the defective bonding due to the problem of the operation of the apparatus, the pre-maintenance of the die bonder is performed periodically or according to the number of production. However, in this method, since it is necessary to take a large safety margin in order to completely prevent defects, the number of times of maintenance increases and the throughput decreases.
본 발명의 목적은, 다이 본더의 장치 구성을 복잡화하지 않고, 프리 메인터넌스 시기를 판단 가능한 다이 본더 및 본딩 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a die bonder and a bonding method capable of judging a pre-maintenance timing without complicating a device configuration of a die bonder.
상기 목적을 달성하기 위한 일 실시 형태로서, 다이 공급부와, 기판 공급부와, 상기 다이 공급부로부터 공급된 다이를 상기 기판 공급부로부터 공급된 기판 또는 상기 기판에 이미 본딩된 다이 상에 본딩하는 본딩부와, 다이 공급부와 기판 공급부와 본딩부를 제어하는 제어부를 갖는 다이 본더에 있어서,A bonding unit for bonding a die supplied from the die supply unit to a substrate supplied from the substrate supply unit or onto a die already bonded to the substrate; A die bonder having a die supply portion, a substrate supply portion, and a control portion for controlling the bonding portion,
상기 본딩부는, 상기 다이를 흡착하는 콜릿을 구비한 본딩 헤드와, 상기 본딩 헤드를 이동하는 구동축을 구비한 구동부와, 상기 구동축의 움직임을 직접적 혹은 간접적으로 촬상 가능한 제1 촬상 수단을 구비하고,Wherein the bonding unit includes a bonding head having a collet for attracting the die, a driving unit having a driving shaft for moving the bonding head, and a first imaging unit capable of directly or indirectly imaging the movement of the driving shaft,
상기 제어부는, 상기 제1 촬상 수단에 의해 얻어진 결과를 이용하여 제1 재현성 파형, 제1 진동 파형 및 제1 추종성 파형 중 적어도 하나를 산출하는 것인 것을 특징으로 하는 다이 본더로 한다.Wherein the control unit calculates at least one of a first reproducibility waveform, a first vibration waveform and a first follow-up waveform by using the result obtained by the first image pickup unit.
또 다른 실시 형태로서, 다이 공급부와, 얼라인먼트부와, 상기 다이 공급부의 다이를 픽업하여 상기 얼라인먼트부로 반송하는 픽업부와, 기판 공급부와, 상기 기판 공급부로부터 공급된 기판 또는 상기 기판에 이미 본딩된 다이 상에 상기 다이를 본딩하는 본딩부와, 각 부를 제어하는 제어부를 갖는 다이 본더에 있어서,A pickup unit for picking up a die of the die supply unit and transferring the pickup to the alignment unit; a substrate supply unit; a substrate supplied from the substrate supply unit or a die already mounted on the substrate; A bonding portion for bonding the die on the die, and a control portion for controlling each portion,
상기 픽업부는, 상기 다이를 흡착하는 콜릿을 구비한 픽업 헤드와, 상기 픽업 헤드를 이동하는 구동축을 구비한 구동부와, 상기 구동축의 움직임을 직접적 혹은 간접적으로 촬상 가능한 촬상 수단을 구비하고,Wherein the pick-up section includes a pickup head having a collet for attracting the die, a drive section having a drive shaft for moving the pickup head, and an image pickup section capable of directly or indirectly capturing a motion of the drive shaft,
상기 제어부는, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 결과를 이용하여 재현성 파형, 진동 파형 및 추종성 파형 중 적어도 하나를 산출하는 것인 것을 특징으로 하는 다이 본더로 한다.Wherein the control unit calculates at least one of a reproducibility waveform, a vibration waveform, and a follow-up waveform by using the result obtained by the image pickup unit.
또 다른 실시 형태로서, 다이 본딩 공정과, 다이 본딩 공정이 종료된 후의 대기 중 혹은 한창 다이 본딩 공정 중이며 다이를 포함하는 웨이퍼의 교환 시에 다이 본더의 자기 진단을 행하는 공정을 갖는 다이 본딩 방법에 있어서,As another embodiment, there is provided a die bonding method comprising a die bonding step and a step of performing a self-diagnosis of the die bonder in an atmospheric or full die bonding step after the die bonding step is completed and at the time of replacing a wafer including the die ,
상기 자기 진단은, 본딩 헤드 혹은 픽업 헤드를 이동하는 구동축의 움직임을 직접적 혹은 간접적으로 촬상하는 공정과, 촬상에 의해 얻어진 결과를 이용하여 재현성 파형, 진동 파형 및 추종성 파형 중 적어도 하나를 산출하는 공정과, 재현성 파형, 진동 파형 및 추종성 파형 중 적어도 하나를 사용하여, 다이 본더의 프리 메인터넌스의 시기를 판정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 본딩 방법으로 한다.The self-diagnosis may include a step of directly or indirectly capturing a motion of a driving shaft that moves a bonding head or a pickup head, a step of calculating at least one of a reproducibility waveform, a vibration waveform, and a follow-up waveform using the result obtained by the imaging , A reproducibility waveform, a vibration waveform, and a follow-up waveform to determine a timing of pre-maintenance of the die bonder.
본 발명에 따르면, 다이 본더의 장치 구성을 복잡화하지 않고, 프리 메인터넌스 시기를 판단 가능한 다이 본더 및 본딩 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a die bonder and a bonding method capable of determining the pre-maintenance timing without complicating the device configuration of the die bonder.
도 1은 본 발명의 각 실시예에 관한 다이 본더의 일례를 도시하는 개략 전체 상면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 화살표(A) 방향에서 본 픽업 헤드, 본딩 헤드 등의 움직임을 설명하기 위한 개략 측면도이다.
도 3은 본 발명의 각 실시예에 관한 다이 본더에서의 자기 진단용 카메라와 인식점의 관계를 설명하기 위한 개략 측면도이며, (a)는 카메라가 고정부에 설치되고 인식점이 구동부에 설정되어 있는 경우, (b)는 인식점이 고정부에 설정되고 카메라가 구동축에 설치되어 있는 경우를 도시한다.
도 4a는 본 발명의 각 실시예에 관한 본딩 방법에서의 생산(본딩)과 자기 진단의 관계를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4b는 본 발명의 각 실시예에 관한 다이 본더에서의 자기 진단용 카메라와 진단 구동축의 위치 관계를 설명하기 위한 표이다.
도 5a는 본 발명의 제1 실시예에 관한 본딩 방법에서의 재현성의 관점에서의 자기 진단 흐름도이다.
도 5b는 도 5a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 일례(정상의 경우)이다.
도 5c는 도 5a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 일례(이상의 경우)이다.
도 6a는 본 발명의 제2 실시예에 관한 본딩 방법에서의 진동의 관점에서의 자기 진단 흐름도이다.
도 6b는 도 6a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 일례(정상의 경우)이다.
도 6c는 도 6a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 일례(이상의 경우)이다.
도 6d는 도 6a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 다른 예(정상의 경우)이다.
도 6e는 도 6a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 다른 예(이상의 경우)이다.
도 6f는 도 6a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 다른 예(정상의 경우)이다.
도 6g는 도 6a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 다른 예(이상의 경우)이다.
도 7a는 본 발명의 제3 실시예에 관한 본딩 방법에서의 추종성의 관점에서의 자기 진단 흐름도이다.
도 7b는 도 7a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 일례(정상의 경우)이다.
도 7c는 도 7a에 의해 얻어진 자기 진단 결과의 일례(이상의 경우)이다.1 is a schematic overall top view showing an example of a die bonder according to each embodiment of the present invention.
2 is a schematic side view for explaining the movement of the pickup head, the bonding head, and the like viewed in the direction of the arrow A shown in Fig.
Fig. 3 is a schematic side view for explaining a relationship between a camera for self-diagnosis and a recognition point in a die bonder according to each embodiment of the present invention, wherein (a) shows a case where a camera is installed in a fixed portion, , (b) show the case where the recognition point is set at the fixed portion and the camera is installed on the drive shaft.
4A is a flowchart for explaining the relationship between production (bonding) and self-diagnosis in the bonding method according to each embodiment of the present invention.
4B is a table for explaining the positional relationship between the self-diagnosis camera and the diagnostic drive shaft in the die bonder according to each embodiment of the present invention.
Fig. 5A is a self-diagnosis flowchart in terms of reproducibility in the bonding method according to the first embodiment of the present invention. Fig.
5B is an example (normal case) of the self-diagnosis result obtained by FIG. 5A.
Fig. 5C is an example (the above case) of the self-diagnosis result obtained by Fig. 5A.
6A is a self-diagnosis flowchart in terms of vibration in the bonding method according to the second embodiment of the present invention.
6B is an example (normal case) of the self-diagnosis result obtained by FIG. 6A.
6C is an example (a case of the above) of the self-diagnosis result obtained by FIG. 6A.
Fig. 6D is another example (normal case) of the self-diagnosis result obtained by Fig. 6A.
Fig. 6E is another example (the above case) of the self-diagnosis result obtained by Fig. 6A.
FIG. 6F is another example (normal case) of the self-diagnosis result obtained by FIG. 6A.
Fig. 6G is another example (the above case) of the self-diagnosis result obtained by Fig. 6A.
7A is a self-diagnosis flowchart in terms of followability in the bonding method according to the third embodiment of the present invention.
Fig. 7B is an example (normal case) of the self-diagnosis result obtained by Fig. 7A.
Fig. 7C is an example (the above case) of the self-diagnosis result obtained by Fig. 7A.
발명자들은, 프리 메인터넌스의 시기를 고정밀도로 판단하는 방법에 대하여 검토한 결과, 구동축의 동작 상태를 진단함으로써, 그 시기를 판단할 수 있다는 지견을 얻었다. 본 발명은 이 새로운 지견에 기초하여 창출된 것이다. 구체적으로는, 가동부, 예를 들어 본딩 헤드의 구동축의 임의의 지점을 인식점으로 하고, 고정한 인식 카메라에 의해 그 동작 상태를 진단한다.The inventors of the present invention have studied about a method of highly precisely determining the timing of pre-maintenance, and as a result, it is possible to determine the timing by diagnosing the operating state of the drive shaft. The present invention has been created based on this new knowledge. Specifically, a moving part, for example, an arbitrary point on the driving shaft of the bonding head is set as a recognition point, and the operation state of the moving part is diagnosed by a fixed recognition camera.
이에 의해, 프리 메인터넌스의 시기를 정확하게 판단할 수 있고, 품질을 저하시키지 않고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.Thereby, the timing of the pre-maintenance can be accurately determined, and the throughput can be improved without deteriorating the quality.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 사용하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<실시예 1>≪ Example 1 >
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 다이 본더(10)의 개략 상면도이다. 도 2는, 도 1의 화살표(A)로부터 본 픽업 헤드나 본딩 헤드 및 그 주변부에서의 개략 구성과 그 동작을 설명하기 위한 개략 측면도이다.1 is a schematic top view of a
다이 본더(10)는, 단일의 반송 레인과 단일의 본딩 헤드를 갖는 다이 본더이다. 다이 본더(10)는, 크게 구별하여, 배선을 포함하는 기판(P)에 실장하는 다이(D)를 공급하는 다이 공급부(1)와, 다이 공급부(1)로부터 다이를 픽업하는 픽업부(2)와, 픽업된 다이(D)를 중간적으로 일단 적재하는 얼라인먼트부(3)와, 얼라인먼트부의 다이(D)를 픽업하여 기판(P) 또는 이미 본딩된 다이(D) 상에 본딩하는 본딩부(4)와, 기판(P)을 실장 위치로 반송하는 반송부(5)와, 반송부(5)에 기판(P)을 공급하는 기판 공급부(6)와, 실장된 기판(P)을 수취하는 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 제어부(8)를 갖는다.The die
우선, 다이 공급부(1)는, 복수의 그레이드의 다이(D)를 갖는 웨이퍼(11)를 유지하는 웨이퍼 유지대(12)와 웨이퍼(11)로부터 다이(D)를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)에 있어서, 웨이퍼 유지대(12)는 그 하부에 배치된 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동되고, 다이(D)를 웨이퍼(11)로부터 픽업할 때 소정의 다이가 밀어올림 유닛(13)과 평면적으로 겹치는 위치로 되도록 이동된다.First, the
픽업부(2)는, 밀어올림 유닛(13)에 의해 밀어올려진 다이(D)를 선단에 흡착 유지하는 콜릿(22)을 갖고, 다이(D)를 픽업하고, 얼라인먼트부(3)에 적재하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)를 갖는다. 픽업은, 웨이퍼(11)가 갖는 복수의 전기적 특성이 상이한 다이의 그레이드를 나타내는 분류 맵에 기초하여 행한다. 분류 맵은 제어부(8)에 미리 기억되어 있다. 또한, 픽업 헤드(21)는, 콜릿(22)을 승강 및 X 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 가지며, 도 2에 화살표로 나타내는 바와 같이 상하 좌우로 이동 가능하다.The pick-up section 2 has a
얼라인먼트부(3)는, 다이(D)를 일시적으로 적재하는 얼라인먼트 스테이지(31)와, 얼라인먼트 스테이지(31) 상의 다이(D)를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.The
본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 동일한 구조를 갖고, 얼라인먼트 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하고, 반송되어 온 기판(P)에 본딩하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)의 선단에 장착되어 다이(D)를 흡착 유지하는 콜릿(42)과, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 반송되어 온 기판(P)의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하고, 본딩해야 할 다이(D)의 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다. BS는 본딩 영역을 나타낸다. 또한, 본딩 헤드(41)는, 콜릿(42)을 승강 및 X 방향으로 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 가지며, 도 2에 화살표로 나타내는 바와 같이 상하 좌우로 이동 가능하다.The
이러한 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는, 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치ㆍ자세를 보정하고, 얼라인먼트 스테이지(31)로부터 다이(D)를 픽업하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판(P)에 다이(D)를 본딩한다.With this configuration, the
반송부(5)는, 1매 또는 복수매의 기판(P)(도 1에서는 15매)을 적재한 기판 반송 팔레트(9)를 2개의 반송 슈트를 구비하는 하나의 반송 레인(51)을 갖는다. 예를 들어, 기판 반송 팔레트(9)는 2개의 반송 슈트에 설치된 도시하지 않은 반송 벨트에서 이동한다.The carrying
이러한 구성에 의해, 기판 반송 팔레트(9)는, 기판 공급부(6)에서 기판(P)이 적재되고, 반송 쇼트를 따라 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후 기판 반출부(7)까지 이동한다. 또한, 그 후 기판 반출부(7)로부터 기판 공급부(6)를 향하여 이동함으로써, 기판의 다른 영역으로 다이를 본딩하거나, 다이 상에 추가로 다이를 본딩할 수도 있다. 기판 공급부(6)와 기판 반출부(7)의 사이를 복수회 왕복하여, 다이를 다층으로 다이 본딩할 수도 있다.With this configuration, the substrate P is loaded on the
본 실시예는, 본딩 헤드(41)의 이동 거리를 짧게 하여 처리 시간을 단축하기 위해 얼라인먼트 스테이지(31)를 설치하고 있지만, 얼라인먼트 스테이지(31)를 설치하지 않고 직접 본딩 헤드(41)로 웨이퍼로부터 다이(D)를 픽업하는 구성으로 해도 된다. 또한, 콜릿을 회전하는 구동부를 설치하여, 픽업한 다이의 상하를 반전 가능한 플립 헤드로 할 수도 있다. 또한, 픽업부와 얼라인먼트부와 본딩부를 포함하는 실장부 및 반송 레인을 복수조 구비한 다이 본더여도 된다.The
도 1에 도시하는 다이 본더(10)에서는, 다이 공급부(1)에서는 웨이퍼 유지대(12)나 밀어올림 유닛(13)에 구동부가 설치되어 있다. 또한, 픽업부(2) 및 본딩부(4)에는, 각각 픽업 헤드의 구동부 및 본딩 헤드의 구동부가 설치되어 있다. 또한, 반송부(5)에는 반송 벨트 구동부가 설치되어 있다.In the
구동부 진단용 카메라(120)는, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 다이 본더(10)의 본체에 고정하고, 구동축 혹은 구동축에 고정된 이동 부재(150)에 설정한 인식점(200)을 관찰함으로써 구동부의 진단을 행하였다. 이 경우, 이미 설치된 카메라를 구동부 진단 카메라(촬상 수단)로서 이용(겸용)하는 것이 가능하게 되어, 다이 본더의 장치 구성의 복잡화를 억제하고, 또한 비용 증가를 억제할 수 있다. 단, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 구동용 진단 카메라(120)를, 다이 본더를 구동축 혹은 구동축에 고정된 이동 부재(150)에 설치하여, 다이 본더(10)의 본체 혹은 본체에 고정된 고정 부재(160)에 설정한 인식점(200)을 관찰함으로써 구동부의 진단을 행할 수도 있다. 부호 130은 렌즈를 나타낸다.3 (a), the driving
도 4a는, 본 실시예에 관한 본딩 방법에서의 생산(본딩)과 구동축의 자기 진단의 관계를 설명하기 위한 흐름도이다. 구동축에 대한 자기 진단은, 생산이 종료되고 다음 생산이 개시될 때까지의 대기 중(생산 대기의 상태)에 행할 수 있다. 또한, 생산 중은, 다이 공급부에 공급된 웨이퍼의 다이가 종료되어 다음 웨이퍼와 교환하는 사이, 또는 매거진을 교환하는 사이 등 본딩 헤드나 광학계가 대기 상태일 때 행할 수 있다.4A is a flowchart for explaining the relationship between production (bonding) and self-diagnosis of the drive shaft in the bonding method according to the present embodiment. The self-diagnosis of the drive shaft can be performed in the atmosphere (production standby state) until the production is finished and the next production is started. The production can be performed while the bonding head or the optical system is in the standby state, such as when the die of the wafer supplied to the die supply unit is terminated and replaced with the next wafer, or during the exchange of the magazine.
본 실시예에서는, 본딩의 품질에 영향을 줄 가능성이 큰 본딩 헤드의 구동부에는 구동부 진단 카메라를 설치하여 프리 메인터넌스의 시기 진단을 행하였다. 모든 구동부를 진단하기 위한 구동부 진단 카메라를 설치하는 것이 바람직하지만, 비용을 고려하여 본딩의 품질에 영향을 줄 것 같은 구동부(본딩 헤드의 구동부 또는 픽업 헤드의 구동부, 혹은 그 양자)로 좁힐 수 있다. 또한, 1대의 구동부 진단 카메라에 의해 복수의 구동부(예를 들어, 픽업 헤드의 구동부와 본딩 헤드의 구동부)를 촬상할 수 있다. 도 4b는, 본 실시예에 관한 다이 본더에서의 자기 진단용 카메라와 진단 구동축의 위치 관계를 설명하기 위한 표이다. 언더 비전 카메라(고정)는, 구동 예를 들어 본딩 헤드 선단이나 픽업 선단의 콜릿(콜릿에 흡착되어 있는 다이 등의 부재로도 가능)에 설정한 인식점을 하방으로부터 직접적으로 촬상하는 것이다. 본드 광학계 카메라(가동)나 얼라인먼트 광학계 카메라(고정)는, 간접적으로 본드 헤드의 구동축이나 픽업 헤드의 구동축을 진단할 수 있다.In the present embodiment, the drive section diagnostic camera is installed in the driving section of the bonding head, which has a high possibility of affecting the quality of bonding, to diagnose the timing of the pre-maintenance. It is preferable to provide a driving unit diagnostic camera for diagnosing all the driving units. However, considering the cost, the driving unit (the driving unit of the bonding head or the driving unit of the pickup head, or both thereof) In addition, a plurality of driving units (for example, a driving unit of the pickup head and a driving unit of the bonding head) can be picked up by one driving unit diagnostic camera. 4B is a table for explaining the positional relationship between the self-diagnosis camera and the diagnostic drive shaft in the die bonder according to the embodiment. The undervision camera (fixed) captures an image of a recognition point set on a drive end, for example, at the tip of a bonding head or at a pick-up collet (which can also be a member such as a die which is attracted to a collet) directly from below. The bond optical system camera (movable) or the alignment optical system camera (fixed) can indirectly diagnose the drive shaft of the bond head and the drive shaft of the pickup head.
이어서, 자기 진단의 플로우에 대하여 도 5a를 사용하여 설명한다. 도 5a는, 본 실시예에 관한 본딩 방법에서의 재현성의 관점에서의 자기 진단 흐름도이다.Next, the flow of self-diagnosis will be described with reference to Fig. 5A. 5A is a self-diagnosis flowchart in terms of reproducibility in the bonding method according to the present embodiment.
우선, 제어부(8)에 의해 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 설정한 인식 위치(인식점(200))로 이동한다(스텝 S501). 인식점의 움직임이 감쇠하는 것을 기다려(스텝 S502), 충분히 정지하였다고 판단되는 100ms 후에 인식점의 정지 위치를 구동부 진단 카메라에서의 촬상으로 인식한다(스텝 S503). 계속해서, 본딩 헤드를 일정량 이동하여(스텝 S504), 움직임이 감쇠하는 것을 기다리고(스텝 S505), 다시 인식 위치(인식점(200))로 이동하여 인식점의 움직임이 감쇠하는 것을 기다려 인식점의 정지 위치를 구동부 진단 카메라에서의 촬상으로 인식을 행하는 스텝 S501 내지 스텝 S505를 소정 횟수 반복하여 소정 횟수의 인식 결과를 입수하였다. 상기 반복된 소정 횟수는, 통계로서 10회 이상의 설정이 바람직하다.First, the
계속해서, 인식 결과를 산출하였다. 우선, 재현성의 인식 결과를 이용하여 제어부(8)에 의해, 최댓값과 최솟값을 산출하고(스텝 S506), 추가로 파형을 작성하였다(스텝 S507).Subsequently, the recognition result was calculated. First, the maximum value and the minimum value are calculated by the
산출된 인식 결과에 기초하여, 자기 진단 판정을 행하였다(스텝 S508). 최댓값/최솟값의 변동의 범위가 구동, 구동 기구의 분해능에 상당하는 범위인 경우에는 정상이라고 판정되며, 이 분해능보다 큰 범위인 경우에는 이상이라고 판단된다. 또한, 이 정밀도 범위는 사전에 제어부에 기억되어 있어, 자기 판정 시에 사용된다. 정상인 경우에는 다이 본더는 생산에 들어간다(스텝 S509). 또한, 생산 대기로 된다. 이상인 경우에는 경보가 내려지고, 수리 의뢰로 된다(스텝 S510). 이상의 자기 진단 동작은, 오퍼레이터의 진단 지시에 따라, 또한 도 4a의 "대기 중"이나 "웨이퍼 교환" 인식에 기초하여 제어부(8)에 의해 자동적으로 행해진다.Based on the calculated recognition result, a self diagnosis determination is made (step S508). When the range of the variation of the maximum value / the minimum value is in a range corresponding to the resolving power of the driving and drive mechanism, it is determined to be normal. This accuracy range is stored in advance in the control unit and is used in self determination. If it is normal, the die bonder is put into production (step S509). In addition, production standby becomes possible. The alarm is issued and a repair request is made (step S510). The above-described self-diagnosis operation is automatically performed by the
도 5b에 재현성에 대한 자기 진단 결과가 정상인 경우의 파형을 나타낸다. 동작 횟수가 100회인 경우라도 인식 결과가 ±1.0㎛의 범위 내로 되어 있다. 한편, 도 5c에 재현성에 대한 자기 진단 결과가 이상인 경우의 파형을 나타낸다. 동작 횟수가 100회인 경우, 인식 결과는 ±3.0㎛로 된다. 재현성에 대한 이상의 원인으로서는, 마모나 느슨해짐(양염(陽炎)) 등을 들 수 있다. 또한, 양염은, 방지용 에어 블로우 부족에 의한 인식 변동을 들 수 있다. 이와 같이, 재현성에 대한 자기 진단을 행함으로써, 프리 메인터넌스 시기를 판단하는 것이 가능하다. 이에 의해, 고장 증대의 방지나 정밀도 등 품질 저하의 방지가 가능하게 된다.FIG. 5B shows a waveform when the self-diagnosis result on the reproducibility is normal. Even when the number of operations is 100, the recognition result is within a range of 占 0 占 퐉. On the other hand, FIG. 5C shows a waveform when the self-diagnosis result on reproducibility is abnormal. When the number of operations is 100, the recognition result is ± 3.0 μm. Examples of causes of reproducibility include wear and loosening (positive flame). In addition, the flocking may be a recognition fluctuation caused by a shortage of air blowing for prevention. In this way, it is possible to determine the pre-maintenance timing by performing the self-diagnosis on the reproducibility. As a result, it is possible to prevent an increase in failure and to prevent deterioration in quality such as accuracy.
이상 본 실시예에 따르면, 다이 본더의 장치 구성을 복잡화하지 않고, 프리 메인터넌스 시기를 판단 가능한 다이 본더 및 본딩 방법을 제공할 수 있다. 특히, 재현성 파형에 의해 나사 등의 부품의 마모를 진단할 수 있다.According to the present embodiment as described above, it is possible to provide a die bonder and a bonding method capable of determining the pre-maintenance timing without complicating the device configuration of the die bonder. Particularly, the wear of parts such as screws can be diagnosed by the reproducible waveform.
<실시예 2>≪ Example 2 >
본 발명의 제2 실시예에 관한 본딩 방법에 대하여, 도 6a 내지 도 6g를 사용하여 설명한다. 또한, 사용한 다이 본더는 도 1과 마찬가지이다. 또한, 실시예 1에 기재되고 본 실시예에 미기재된 사항은 특별한 사정이 없는 한 본 실시예에도 적용할 수 있다.A bonding method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 6A to 6G. The die bonder used is the same as in Fig. In addition, the matters described in
도 6a는, 본 실시예에 관한 본딩 방법에서의 진동의 관점에서의 자기 진단 흐름도이다. 본 실시예에서는 인식점의 움직임이 감쇠해 가는 상황을 왕복 운동 정지 후, 명령 종료로부터 1ms씩 타이밍을 늦춰 인식점의 정지 위치(진동 위치)를 구동부 진단 카메라에서의 촬상에 의한 인식으로 확인하였다.6A is a self-diagnosis flowchart in terms of vibration in the bonding method according to the present embodiment. In this embodiment, after stopping the reciprocating motion in a situation where the motion of the recognition point is attenuated, the timing of the recognition point is delayed by 1 ms from the end of the command, and the stop position (vibration position) of the recognition point is confirmed by recognition by the imaging unit.
우선, 제어부(8)에 의해 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 설정한 인식 위치(인식점(200))를 이동시킨다(스텝 S601). 인식 위치(인식점(200)) 이동 종료 직후에 인식점의 정지 위치(진동 위치)를 구동부 진단 카메라에서의 촬상으로 인식한다(스텝 S602, S603). 이어서, 본딩 헤드를 일정량 이동하여(스텝 S604), 움직임이 감쇠하는 것을 기다리고(스텝 S605), 다시 인식 위치(인식점(200))로 이동하여, 계속해서, 스텝 S601 내지 스텝 S605를 소정 횟수 반복하고, 반복할 때마다, 인식 위치(인식점(200)) 이동 종료로부터 전회보다 +1ms씩 타이밍을 늦춰 인식점의 정지 위치(진동 위치)를 구동부 진단 카메라에서의 촬상으로 인식한다. 상기 소정의 횟수는 50 내지 200ms의 데이터를 취득할 수 있는 횟수로 설정하였다. 또한, 상기 인식 위치 이동 종료 후의 측정 타이밍은, 구하는 정밀도나 스트로크에 따라 +5ms나 +10ms 단위로 늦추는 측정이어도 상관없다.First, the
계속해서, 인식 결과를 산출하였다. 우선, 재현성의 인식 결과를 이용하여 제어부(8)에 의해 최댓값과 최솟값을 산출하고(스텝 S606), 이어서 파형을 작성하였다(스텝 S607). 계속해서, 진동의 주파수를 산출하고(스텝 S608), 진동의 감쇠 시간을 산출하였다(스텝 S609).Subsequently, the recognition result was calculated. First, the maximum value and the minimum value are calculated by the
산출된 인식 결과에 기초하여, 자기 진단 판정을 행하였다(스텝 S610). 정상이라고 판정된 경우에는 다이 본더는 생산에 들어간다(스텝 S611). 또한, 생산 대기로 된다. 이상이라고 판정된 경우에는 경보가 내려지고, 수리 의뢰로 된다(스텝 S612). 이상의 자기 진단 동작은, 오퍼레이터의 진단 지시에 따라, 또한 도 4a의 "대기 중"이나 "웨이퍼 교환" 인식에 기초하여 제어부(8)에 의해 자동적으로 행해진다.Based on the calculated recognition result, a self diagnosis determination is made (step S610). If it is determined to be normal, the die bonder enters production (step S611). In addition, production standby becomes possible. If the abnormality is determined to be abnormal, an alarm is issued and a repair request is made (step S612). The above-described self-diagnosis operation is automatically performed by the
도 6b 및 도 6c에 진동에 대한 자기 진단 결과가 정상 및 이상인 경우의 파형의 일례를 나타낸다. 정상인 경우에는, 도 6b에 도시하는 바와 같이 인식 결과의 변동이 소정의 범위 내로 되어 있다. 한편, 진동축의 고정이 불충분한 경우에는 이상으로 되고, 도 6c에 도시하는 바와 같은 파형으로 되어 허용 범위로부터 벗어난다.6B and 6C show examples of waveforms when the self-diagnosis result of vibration is normal or abnormal. In the normal case, as shown in Fig. 6B, the variation of the recognition result is within a predetermined range. On the other hand, when the vibration axis is insufficiently fixed, the waveform becomes abnormal as shown in Fig. 6C, and deviates from the allowable range.
또한, 도 6d 및 도 6e에 자기 진단 결과가 정상 및 이상인 경우의 파형의 다른 예를 나타낸다. 정상인 경우에는, 제어부에 사전에 기억된 주파수와 감쇠 시간과 일치하도록 감쇠(감쇠 진동)한다. 한편, 강성 저하 등이 있는 경우에는 이상으로 되고, 도 6e에 도시하는 바와 같이 사전에 기억된 데이터에 대하여 감쇠 지연이 발생하여, 또 다른 주파수로 된다. 또한, 초기의 진폭이 커지는 경우도 있다.6D and 6E show another example of the waveform when the self-diagnosis result is normal or abnormal. If it is normal, the control unit attenuates (attenuates) so as to coincide with the frequency and decay time previously stored. On the other hand, when there is a decrease in stiffness or the like, an abnormality occurs, and as shown in Fig. 6E, a decay delay occurs with respect to previously stored data, resulting in another frequency. In addition, the initial amplitude may increase.
또한, 도 6f 및 도 6g에 자기 진단 결과가 정상 및 이상인 경우의 파형의 다른 예를 나타낸다. 정상인 경우에는, 도 6f에 도시하는 바와 같이 큰 변동은 보이지 않는다. 한편, 느슨해짐(덜컹거림)이나 토크 저하 등이 있는 경우에는 이상으로 되고, 도 6g에 도시하는 바와 같이 지연 시간이 발생한다.6F and 6G show another example of the waveform when the self-diagnosis result is normal or abnormal. In the case of the normal state, as shown in FIG. On the other hand, when there is looseness (rattling) or torque lowering, an abnormality occurs and a delay time occurs as shown in Fig. 6G.
이와 같이, 재현성에 대한 자기 진단을 행함으로써, 프리 메인터넌스 시기를 판단하는 것이 가능하다.In this way, it is possible to determine the pre-maintenance timing by performing the self-diagnosis on the reproducibility.
이상 본 실시예에 따르면, 다이 본더의 장치 구성을 복잡화하지 않고, 프리 메인터넌스 시기를 판단 가능한 다이 본더를 제공할 수 있다. 특히, 진동 파형에 의해 나사 등의 부품의 마모 외에, 부품의 강성 저하를 진단할 수 있다.According to the present embodiment as described above, it is possible to provide the die bonder capable of determining the pre-maintenance timing without complicating the device configuration of the die bonder. Particularly, it is possible to diagnose degradation of rigidity of a component in addition to abrasion of parts such as screws by the vibration waveform.
<실시예 3>≪ Example 3 >
본 발명의 제3 실시예에 관한 본딩 방법에 대하여, 도 7a 내지 도 7c를 사용하여 설명한다. 또한, 사용한 다이 본더는 도 1과 마찬가지이다. 또한, 실시예 1 또는 2에 기재되고 본 실시예에 미기재된 사항은 특별한 사정이 없는 한 본 실시예에도 적용할 수 있다.A bonding method according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7C. The die bonder used is the same as in Fig. The matters described in
도 7a는, 본 실시예에 관한 본딩 방법에서의 추종성의 관점에서의 자기 진단 흐름도이다. 본 실시예에서는, 스트로크를 조금씩 변화시키고(여기서는, 1㎛), 충분히 정지한 상태에서의 정지 위치를 구동부 진단 카메라에서의 촬상에 의한 인식으로 확인하였다.7A is a self-diagnosis flowchart in terms of followability in the bonding method according to the present embodiment. In the present embodiment, the stroke is slightly changed (here, 1 占 퐉), and the stop position in the fully stopped state is confirmed by the recognition by the imaging of the driving section diagnostic camera.
우선, 제어부(8)에 의해 본딩 헤드(41)의 콜릿(42)에 설정한 인식 위치(인식점(200))를 등록된 초기 위치로 이동시킨다(스텝 S701). 이어서, 인식점의 움직임이 감쇠하는 것을 기다려(스텝 S702), 충분히 정지하였다고 판단되는 100ms 후에 인식점의 정지 위치를 구동부 진단 카메라에서의 촬상으로 인식한다(스텝 S703). 계속해서, 본딩 헤드를 일정량 이동하고(스텝 S704), 움직임이 감쇠하는 것을 기다려(스텝 S705) 앞의 인식 위치(인식점(200))보다 +1㎛ 이동한 명령 위치로 이동하고, 인식점의 움직임이 감쇠하는 것을 기다려, 이 명령 위치로부터 인식점을 구동부 진단 카메라에서의 촬상으로 인식한다. 이어서, 본딩 헤드를 일정량 이동하고(스텝 S704), 움직임이 감쇠하는 것을 기다리고(스텝 S705), 또한 앞의 명령 위치보다 +1㎛ 이동한 명령 위치로 이동하여 스텝 S701 내지 스텝 S705를 소정 횟수 반복하고, 반복마다, 명령 위치를 전회보다 1㎛ 피치로 이동시키고, 충분히 정지한 상태에서 인식점의 위치를 구동부 진단 카메라에서의 촬상으로 인식하였다. 본 실시예에서는 고정밀도를 목적으로 하여 본딩 헤드의 지정 위치의 스트로크 변화량을 1㎛로 하고 있지만, 요구하는 정밀도나 스트로크에 따라 5㎛, 10㎛ 단위의 위치 이동이라도 상관없다.First, the
계속해서, 인식 결과의 실/명령 차분을 산출한다. 우선, 재현성의 인식 결과를 이용하여 제어부(8)에 의해, 명령 위치와 구동부 진단 카메라에서의 촬상에 의해 인식된 실제의 인식점의 위치와의 차분을 산출하였다(스텝 S706). 이어서, 최댓값과 최솟값을 산출하고(스텝 S707), 파형을 작성하였다(스텝 S708).Subsequently, the thread / command difference of the recognition result is calculated. First, the
산출된 실/명령 차분 산출 결과에 기초하여, 자기 진단 판정을 행하였다(스텝 S709). 최댓값/최솟값의 변동의 범위가 구동, 구동 기구의 분해능(실시예 1에서 나타낸 재현성의 경우와 마찬가지) 및 가공 정밀도에 상당하는 범위인 경우에는 정상이라고 판정되고, 이 분해능이나 가공 정밀도보다 큰 범위인 경우에는 이상이라고 판단된다. 또한, 이들 정밀도 범위는 사전에 제어부에 기억되어 있어, 자기 판정 시에 사용된다. 정상인 경우에는 다이 본더는 생산에 들어간다(스텝 S710). 또한, 생산 대기로 된다. 이상인 경우에는 경보가 내려지고, 수리 의뢰로 된다(스텝 S711). 이상의 자기 진단 동작은, 오퍼레이터의 진단 지시에 따라, 또한 도 4a의 "대기 중"이나 "웨이퍼 교환" 인식에 기초하여 제어부(8)에 의해 자동적으로 행해진다.Based on the calculated thread / command difference calculation result, a self diagnosis determination is made (step S709). When the range of fluctuation of the maximum value / the minimum value is within the range corresponding to the resolution (similar to the case of the reproducibility shown in Embodiment 1) of the drive and drive mechanism and the machining accuracy, it is determined to be normal. It is judged to be abnormal. These precision ranges are previously stored in the control unit and used in self determination. If it is normal, the die bonder is put into production (step S710). In addition, production standby becomes possible. The alarm is issued and a repair request is made (step S711). The above-described self-diagnosis operation is automatically performed by the
도 7b에 추종성에 대한 자기 진단 결과가 정상인 경우의 파형을 나타낸다. 이 경우에는 실/명령 차분 산출 결과가 ±1.0㎛의 범위 내로 되어 있다. 한편, 도 7c에 추종성에 대한 자기 진단 결과가 이상인 경우의 파형을 나타낸다. 이 경우, 실/명령 차분 산출 결과가 ±1.0㎛를 초과하고 있다. 추종성에 대한 이상의 원인으로서는, 나사의 마모나 스케일 등 기기의 이상 등에 의한 제어성의 저하를 들 수 있다. 이와 같이, 추종성에 대한 자기 진단을 행함으로써, 프리 메인터넌스 시기를 판단하는 것이 가능하다. 특히, 추종 파형에 의해 나사 등의 부품의 마모 외에, 스케일 등 기기의 이상을 진단할 수 있다.FIG. 7B shows a waveform when the self-diagnosis result on follow-up is normal. In this case, the result of actual / command difference calculation is within a range of +/- 1.0 mu m. On the other hand, FIG. 7C shows a waveform when the self-diagnosis result on follow-up is abnormal. In this case, the actual / command difference calculation result exceeds ± 1.0 μm. Examples of causes for the followability include degradation of controllability due to an abnormality of the apparatus such as wear and scale of the screw. In this way, it is possible to determine the time of the pre-maintenance by performing the self-diagnosis on the followability. Particularly, it is possible to diagnose an abnormality of an apparatus such as a scale in addition to abrasion of a component such as a screw by the following waveform.
또한, 자기 진단은, 오퍼레이터의 지시로부터 혹은 사전에 설정에 의해, 재현성의 관점, 진동의 관점, 추종성의 관점 혹은 그들의 조합이 선택되어 실행된다.In addition, the self-diagnosis is carried out by selecting from the viewpoint of reproducibility, the view of vibration, the viewability of followability, or a combination thereof from the instructions of the operator or according to the setting beforehand.
이상 본 실시예에 따르면, 다이 본더의 장치 구성을 복잡화하지 않고, 프리 메인터넌스 시기를 판단 가능한 다이 본더 및 본딩 방법을 제공할 수 있다.According to the present embodiment as described above, it is possible to provide a die bonder and a bonding method capable of determining the pre-maintenance timing without complicating the device configuration of the die bonder.
이상과 같이 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였지만, 상술한 설명에 기초하여 당업자에게 있어서 여러 가지 대체예, 수정 또는 변형이 가능하며, 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 전술한 여러 가지 대체예, 수정 또는 변형을 포함하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, An example, a modification, or a modification.
1: 다이 공급부
11: 웨이퍼
12: 웨이퍼 유지대
13: 밀어올림 유닛
2: 픽업부
21: 픽업 헤드
22: 콜릿
23: 픽업의 Y 구동부
3: 얼라인먼트부
31: 얼라인먼트 스테이지
32: 스테이지 인식 카메라
4: 본딩부
41: 본딩 헤드
42: 콜릿
43: 본딩 헤드의 Y 구동부
44: 기판 인식 카메라
5: 반송부
51: 반송 레인
6: 기판 공급부
7: 기판 반출부
8: 제어부
9: 기판 반송 팔레트
10: 다이 본더
120: 카메라
130: 렌즈
150: 구동축 혹은 구동축에 고정된 이동 부재
160: 장치 본체 또는 장치 본체에 고정된 고정 부재
200: 인식점
BS: 본딩 영역
D: 다이(반도체 펠릿)
P: 기판1:
11: wafer
12: wafer holding table
13: Push-up unit
2: Pickup section
21: Pickup head
22: Collet
23: Y drive part of pickup
3: Alignment part
31: alignment stage
32: Stage-aware camera
4:
41: bonding head
42: Collet
43: Y driving part of the bonding head
44: Substrate recognition camera
5:
51: Bounce lane
6:
7:
8:
9: Substrate carrier pallet
10: die bonder
120: camera
130: lens
150: moving member fixed to drive shaft or drive shaft
160: Fixing member fixed to the apparatus body or the apparatus body
200: recognition point
BS: bonding area
D: die (semiconductor pellet)
P: substrate
Claims (12)
상기 본딩부는, 상기 다이를 흡착하는 콜릿을 구비한 본딩 헤드와, 상기 본딩 헤드를 이동하는 구동축을 구비한 구동부와, 상기 구동축의 움직임을 직접적 혹은 간접적으로 촬상 가능한 제1 촬상 수단을 구비하고,
상기 제어부는, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 결과를 이용하여 제1 재현성 파형, 제1 진동 파형 및 제1 추종성 파형 중 적어도 하나를 산출하는 것인 것을 특징으로 하는, 다이 본더.A bonding portion for bonding a die supplied from the die supply portion onto a substrate supplied from the substrate supply portion or a die already bonded to the substrate, and a control portion for controlling the die supply portion, the substrate supply portion, and the bonding portion, Wherein the die-
Wherein the bonding unit includes a bonding head having a collet for attracting the die, a driving unit having a driving shaft for moving the bonding head, and a first imaging unit capable of directly or indirectly imaging the movement of the driving shaft,
Wherein the control section calculates at least one of a first reproducibility waveform, a first vibration waveform and a first follow-up waveform by using the result obtained by the image pickup means.
상기 픽업부는, 상기 다이를 흡착하는 콜릿을 구비한 픽업 헤드와, 상기 픽업 헤드를 이동하는 구동축을 구비한 구동부와, 상기 구동축의 움직임을 직접적 혹은 간접적으로 촬상 가능한 제2 촬상 수단을 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제2 촬상 수단에 의해 얻어진 결과를 이용하여 제2 재현성 파형, 제2 진동 파형 및 제2 추종성 파형 중 적어도 하나를 산출하는 것인 것을 특징으로 하는, 다이 본더.The die bonding apparatus according to claim 1, wherein the die bonder also has a pickup section and an alignment section between the die supply section and the bonding section,
Wherein the pick-up section includes a pickup head having a collet for attracting the die, a drive section having a drive shaft for moving the pickup head, and a second image pickup section capable of directly or indirectly capturing the motion of the drive shaft,
Wherein the control unit calculates at least one of a second reproducibility waveform, a second vibration waveform and a second follow-up waveform by using the result obtained by the second image pickup unit.
상기 픽업부는, 상기 다이를 흡착하는 콜릿을 구비한 픽업 헤드와, 상기 픽업 헤드를 이동하는 구동축을 구비한 구동부와, 상기 구동축의 움직임을 직접적 혹은 간접적으로 촬상 가능한 촬상 수단을 구비하고,
상기 제어부는, 상기 촬상 수단에 의해 얻어진 결과를 이용하여 재현성 파형, 진동 파형 및 추종성 파형 중 적어도 하나를 산출하는 것인 것을 특징으로 하는, 다이 본더.A pickup unit for picking up a die of the die supply unit and transferring the pickup to the alignment unit; a substrate supply unit; and a bonding apparatus for bonding the die onto the substrate supplied from the substrate supply unit or the die already bonded to the substrate, And a control section for controlling the respective sections,
Wherein the pick-up section includes a pickup head having a collet for attracting the die, a drive section having a drive shaft for moving the pickup head, and an image pickup section capable of directly or indirectly capturing a motion of the drive shaft,
Wherein the control unit calculates at least one of a reproducibility waveform, a vibration waveform, and a follow-up waveform by using the result obtained by the imaging unit.
상기 자기 진단은, 본딩 헤드 혹은 픽업 헤드를 이동하는 구동축의 움직임을 직접적 혹은 간접적으로 촬상하는 공정과, 촬상에 의해 얻어진 결과를 이용하여 재현성 파형, 진동 파형 및 추종성 파형 중 적어도 하나를 산출하는 공정과, 재현성 파형, 진동 파형 및 추종성 파형 중 적어도 하나를 사용하여, 다이 본더의 프리 메인터넌스의 시기를 판정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 본딩 방법.A die bonding method having a die bonding step and a step of performing a self diagnosis of a die bonder in an atmospheric or full die bonding step after the die bonding step is completed and at the time of replacing a wafer including the die,
The self-diagnosis may include a step of directly or indirectly capturing a motion of a driving shaft that moves a bonding head or a pickup head, a step of calculating at least one of a reproducibility waveform, a vibration waveform, and a follow-up waveform using the result obtained by the imaging , A reproducibility waveform, a vibration waveform, and a follow-up waveform to determine a timing of pre-maintenance of the die bonder.
상기 진동 파형은, 상기 인식점의 왕복 운동 정지 후, 명령 종료로부터 소정 시간씩 타이밍을 늦춰 정지 위치의 진동을 상기 촬상하는 공정에 의한 인식으로 확인된 결과를 이용하여 산출되고,
상기 추종성 파형은, 상기 인식점을 소정의 스트로크만큼 변화시키고, 정지 후에 정지 위치를 상기 촬상하는 공정에 의한 인식으로 확인된 결과를 이용하여 산출되는 것을 특징으로 하는, 본딩 방법.12. The method according to claim 11, wherein the reproducibility waveform is calculated using the result confirmed by the recognition by the imaging step of the reproducibility of the stop position in the stopped state after the reciprocating motion of the recognition point,
Wherein the vibration waveform is calculated by using a result confirmed by recognizing the vibration at the stop position by the step of delaying the timing by a predetermined time from the end of the command after the reciprocating motion of the recognition point is stopped,
Wherein the follow-up waveform is calculated by using the result of confirming the recognition position by the step of changing the recognition point by a predetermined stroke and stopping the stop position after stopping.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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