KR20170106379A - 방향족 회수를 위한 추출증류 - Google Patents

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Abstract

방향족 탄화수소를 회수하기 위한 추출증류는 부분 응축기를 포함하는 신규한 오버헤드 시스템을 갖는 추출증류 컬럼을 사용한다. 상기 공정은 (ⅰ) EDC 하부 스트림으로부터 중질 비방향족, 특히 C8 나프텐 화합물을 효율적으로 제거하여, 방향족 생성물, 특히 혼합된 크실렌의 순도를 증가시키고, (ⅱ) 라피네이트 생성물 스트림으로의 벤젠 손실을 감소시켜 (또는 보다 나은 제어로서) 가솔린 블렌드 스톡으로서의 품질을 유지하고, 그 결과, 방향족 생성물에서 벤젠 회수율을 향상시킨다. 공급원료는 열분해 가솔린과 같은 전범위 공급 원료, 또는 개질유와 같은 좁은범위 공급원료를 포함한다.

Description

방향족 회수를 위한 추출증류
본 발명은 방향족 및 비방향족 탄화수소를 함유하는 혼합물로부터 방향족 탄화수소를 회수하는 기술에 관한 것이며, 특히 신규한 오버헤드 시스템을 갖는 추출증류 컬럼을 사용하는 방법에 관한 것이다.
방향족 및 비방향족 탄화수소(HCs)를 함유하는 혼합물로부터 방향족 탄화수소의 회수는 액체-액체 추출(LLE) 또는 추출증류(ED)로 달성될 수 있다. ED에서, 근접한 비등점을 갖는 보다-극성 성분과 보다 적은-극성 성분 사이의 상대 휘발성을 증가시키기 위해 비휘발성 극성 용매를 추출증류 컬럼(EDC)에 첨가한다. 일반적으로, 용매는 EDC의 상부 부분에 첨가되고 탄화수소(HC) 공급물은 EDC의 중간 부분에 도입된다. 비휘발성 용매가 컬럼을 통해 하강함에 따라, 보다 극성인 성분을 우선적으로 추출하여 EDC의 하부 쪽으로 이동하는 풍부 용매(rich solvent)를 형성하는 반면, 보다 적은 극성 성분의 증기는 상부로 상승한다. 오버헤드 증기는 응축되고 응축물의 일부는 환류로서 EDC의 상부로 재순환되며 응축물의 다른 부분은 라피네이트 생성물로서 회수된다(withdrawn). 용매 및 보다 극성인 성분을 함유하는 풍부 용매가 용매 회수 컬럼(SRC)으로 공급되며, (ⅰ) 오버헤드 생성물로서 보다 극성인 성분 및 (ⅱ) EDC의 상부로 재순환되는 하부 생성물로서 (공급물 성분이 없는) 희박 용매(lean solvent)를 회수한다. 오버헤드 생성물의 일부는 환류로서 SRC의 상부로 재순환되어 오버헤드 증기 내에 임의의 비말 동반된 용매를 제거한다. SRC는 컬럼 하부 온도를 낮추기 위해 감압(진공) 하에 및/또는 스트리핑 매질과 함께 선택적으로 작동된다.
방향족 HC를 회수하기 위한 ED 공정은 Tian 등의 미국특허 제7,078,580호, Cines의 미국특허 제4,053,369호 및 F. Lee 등의 "방향족 회수를 위한 2 액상 추출증류법", Ind. Eng. Chem. Res. (26) No.3, 564-573, 1987에 기술되어 있다.
ED 공정은 LLE 공정보다 구현이 더 간단하지만, ED에는 몇 가지 중요한 운영 제한사항이 있다. 예를 들어, ED 공정은 LLE 공정보다 공급 원료의 비등 범위에 의한 제약이 더 많다. 용인될 수 있는 방향족 HCs의 순도 및 회수율을 달성하기 위해, 용매는 EDC 하부에서 필수적으로 모든 벤젠(80.1℃에서 비등하는 가장 경질의 방향족 화합물을 갖는 고비점 한계 성분)을 유지해야 하고, 이로써 거의 모든 가장 중질의 비방향족 화합물들을 EDC의 오버헤드로 구동시킨다. 좁은 비등 범위의(C6-C7) 방향족 공급원료의 경우, 비방향족 성분들(저비점 한계 성분)은 C7 나프텐, 예컨대 에틸시클로펜탄(비등점 103.5℃)이다. 전체 비등 범위의(C6-C8) 방향족 공급원료의 경우, 비방향족 성분들(저비점 한계 성분)은 C8 나프텐, 예컨대 에틸시클로헥산(비등점 131.8℃)이다. 이들 화합물들은 비등점이 높기 때문에, 뿐만 아니라 공급물 중의 다른 비방향족 화합물에 비해 높은 극성으로 인해 용매 및 방향족 화합물과 함께 머무르는 경향이 강하기 때문에, 저비점 한계 성분이 된다. C6-C7 개질유(reformate)와 같은 좁은 비등 범위의 공급 원료로부터 벤젠 및 톨루엔을 회수하는 것보다 전범위 열분해 가솔린과 같은 전체 비등 범위의 공급 원료로부터 벤젠, 톨루엔 및 크실렌(BTX) 방향족을 회수하는 것이 훨씬 더 어렵다. 다만, 명확한 좁은 비등 범위의 공급 원료조차 C8 방향족 및 나프텐을 포함하는 C8 탄화수소를 2% 이상 함유한다.
종래 기술의 ED 공정에서 C8 방향족 생성물 중 나프텐계 불순물들의 수준은 LLE 공정에 의해 생성되는 것보다 현저히 높다고 밝혀졌다. 고농도의 C8 + 나프텐계 불순물들은 p-크실렌 생성에 있어서 후속적인 크실렌의 이성질화 및 정제 장치들에서 심각한 문제를 일으킬 수 있다. 이는 ED 기술, 특히 전범위(C6-C8) 공급 원료로부터 BTX 방향족을 생성하는 기술에 대한 도전과제이다. 본 발명은 방향족 생성물, 특히 C8 방향족에서 나프텐 함량 감소의 중요성을 인식한다.
본 발명은 방향족 생성물, 특히 C8 방향족 HCs의 순도를 향상시키기 위해 EDC 하부 용매-풍부 스트림으로부터 중질(heavy) 비방향족, 특히 C8 나프텐계 화합물의 제거를 현저히 개선시키는 신규한 EDC 구성 및 수반된 조작을 제공한다. 본 발명의 방향족 회수 공정은 적절한 가솔린 블렌드 스톡으로서의 품질을 유지하기 위해 EDC 오버헤드 라피네이트(비방향족) 생성물 스트림으로의 벤젠 손실을 감소시키고 (또는 제어하고), 이에 따라 방향족 생성물에서 벤젠의 회수율을 증가시킨다. 변형된 EDC의 하부 단면의 효율은 종래의 EDCs 보다 우수하다. 부분적으로는, 본 발명은, 개선된 방향족 회수율은 오버헤드 시스템에 용매-풍부 스트림을 첨가하여 EDC 오버헤드 라피네이트 스트림 중의 벤젠을 추출하고, 용매 상을 EDC의 하부 부분으로 재순환시키며, 미량의 용매를 제거한 탄화수소 상을 오버헤드 생성물로서 회수함으로써(withdrawing) 달성될 수 있다는 인식에, 기반한다.
통상적인 EDC 작동에서, 벤젠은 낮은 비등점으로 인해 EDC 오버헤드 라피네이트 스트림으로 손실되는 필수적으로 유일한 방향족 HC이다. 본 발명의 ED 공정에서는, EDC 오버헤드 라피네이트 스트림 내 벤젠이 용매-풍부 스트림에 의해 추출되어 EDC의 하부 부분으로 재순환되므로, EDC의 하부에서 회수되는(withdrawn) 방향족 생성물 스트림으로부터의 벤젠 손실과 무관하게, 보다 중질의 비방향족 HCs, 특히 C8 나프텐이 EDC 오버헤드로 구동된다.
따라서, 본 발명은 열분해 가솔린과 같은 전범위(full-range) 공급 원료 또는 개질유와 같은 좁은범위(narrow-range)의 공급 원료로부터 벤젠, 톨루엔 및 크실렌 및 C8 방향족 HCs을 회수하는 ED 공정을 위한 개선된 EDC 작동을 제공한다. 방향족 생성물 중 중질 비방향족 HCs, 특히 C8 나프텐의 양은 현저히 감소되어, 혼합된 크실렌의 순도를 LLE 공정에 의해 생성되는 것과 비슷한 수준으로 향상시킨다.
일 구현에서, 본 발명은 감소된 비방향족 HC 오염물을 갖는 방향족 HCs를 회수하기 위한 EDC의 개선된 구성 및 조작을 가지며, 방향족 및 비방향족 HCs를 포함하는 HC 공급물 혼합물로부터 증가된 벤젠 회수율을 가지는 ED 공정에 관한 것으로, 상기 공정은 다음 단계를 포함한다.
⒜ 방향족 및 비방향족 HCs를 함유하는 공급물을 EDC의 중간 부분으로 도입하는 단계 및 용매 및 물을 필수적으로 함유하는 제1용매-풍부 스트림을 선택적 용매 공급물로서 EDC의 상부 부분으로 도입하는 단계;
⒝ EDC의 상부로부터 물, 비방향족 HCs, 벤젠 및 미량의 다른 방향족 HCs를 함유하는 비방향족 HCs-풍부 스트림을 회수하는 단계(withdrawing) 및 EDC의 하부로부터 용매, 방향족 HCs 및 미량의 비방향족 HCs를 함유하는 제2용매-풍부 스트림을 회수하는 단계;
⒞ 제1용매-풍부 스트림과 동일한 조성을 갖는 제3용매-풍부 스트림을 ⒝ 단계의 상기 비방향족 HCs-풍부 스트림과 혼합하여 용매 상 및 라피네이트 상을 생성하는 단계;
⒟ 벤젠, 물 및 미량의 다른 방향족 HCs를 함유하는 ⒞ 단계의 용매 상을 EDC의 하부 부분으로 재순환시키는 단계;
⒠ 미량의 용매를 제거하기 위한 수세 후의 라피네이트 생성물로서 상기 ⒞ 단계의 라피네이트 상의 적어도 일부분을 회수하는 단계(withdrawing); 및 다른 부분을 환류로서 EDC의 상부로 재순환시키는 단계;
⒡ 상기 ⒝ 단계의 제2용매-풍부 스트림을 용매 회수 컬럼(SRC)의 중간 부분으로 도입하는 단계, 용매 및 비방향족 HCs가 실질적으로 없는 방향족 HCs-풍부 스트림을 SRC의 상부로부터 회수하는 단계, 및 용매 및 물을 필수적으로 함유하는 제4용매-풍부 스트림을 SRC의 하부로부터 제거하는 단계;
⒢ 제4용매-풍부 스트림의 대부분(제1용매-풍부 스트림)을 선택적 용매 공급물로서 ⒜ 단계의 EDC의 상부 부분으로 도입하는 단계; 제4용매-풍부 스트림의 소부분(제3용매-풍부 스트림)을 ⒝ 단계의 비방향족 HCs-풍부 스트림과 혼합하는 단계; 및 상기 제4용매-풍부 스트림의 다른 소부분(제5용매-풍부 스트림)을 열적 용매 재생 구역의 상부 부분으로 도입하는 단계, 상기 용매 재생 구역의 하부 부분으로부터 중질 슬러지를 제거하는 단계, 및 ⒡ 단계의 SRC의 하부 부분으로 재순환시키기 위해 상기 용매 재생 구역의 상부로부터, 용매, 물, 및 탄화수소 및 상기 용매보다 낮은 비점을 갖는 다른 화합물을 함유하는 제6용매-풍부 스트림을 회수하는 단계.
다른 구현에서, 본 발명은 감소된 비방향족 HC 오염물을 갖는 방향족 HCs를 회수하기 위한 EDC의 개선된 구성 및 조작을 가지며, 방향족 및 비방향족 HCs의 탄화수소 HC 공급물 혼합물로부터 증가된 벤젠 회수율을 갖는 ED 공정에 관한 것으로, 상기 공정은 다음 단계를 포함한다.
⒜ 방향족 및 비방향족 HCs를 함유하는 공급물을 EDC의 중간 부분으로 도입하는 단계 및 용매 및 물을 필수적으로 함유하는 제1용매-풍부 스트림을 선택적 용매 공급물로서 EDC의 상부 부분으로 도입하는 단계;
⒝ EDC의 상부로부터 물, 비방향족 HCs, 벤젠 및 미량의 다른 방향족 HCs를 함유하는 비방향족 HCs-풍부 스트림을 회수하는 단계(withdrawing) 및 EDC의 하부로부터 용매 및 방향족 HCs를 함유하는 제2용매-풍부 스트림을 회수하는 단계;
⒞ 상기 ⒝ 단계의 EDC의 상부로부터 비방향족 HCs-풍부 스트림을 부분적으로 응축시켜 물 및 보다 중질의 HCs를 부분적으로 제거하고 물 및 보다 중질의 HCs가 감소된 비방향족 HCs-풍부 스트림을 형성하는 단계;
⒟ 제1용매-풍부 스트림과 동일한 조성을 갖는 제3용매-풍부 스트림을 ⒞ 단계의 물 및 보다 중질의 HCs가 감소된 비방향족 HCs-풍부 스트림과 혼합하는 단계 및 상기 혼합물을 EDC 오버헤드 시스템으로 도입하여 용매 상 및 라피네이트 상을 생성하는 단계;
⒠ 벤젠, 물 및 미량의 다른 방향족 HCs를 함유하는 ⒟ 단계의 용매 상을 EDC의 하부 부분으로 재순환시키는 단계;
⒡ 미량의 용매를 제거하기 위한 수세 후의 라피네이트 생성물로서 상기 ⒟ 단계의 라피네이트 상의 적어도 일부분을 회수하는 단계(withdrawing); 및 다른 부분을 환류로서 EDC의 상부로 재순환시키는 단계;
⒢ 상기 ⒝ 단계의 제2용매-풍부 스트림을 용매 회수 컬럼(SRC)의 중간 부분으로 도입하는 단계, 용매 및 비방향족 HCs가 실질적으로 없는 방향족 HCs-풍부 스트림을 SRC의 상부로부터 회수하는 단계, 및 용매 및 물을 필수적으로 함유하는 제4용매-풍부 스트림을 SRC의 하부로부터 제거하는 단계;
⒣ 제4용매-풍부 스트림의 대부분(제1용매-풍부 스트림)을 선택적 용매 공급물로서 ⒜ 단계의 EDC의 상부 부분으로 도입하는 단계; 제4용매-풍부 스트림의 소부분(제3용매-풍부 스트림)을 ⒞ 단계의 물 및 보다 중질의 HCs가 감소된 비방향족 HCs-풍부 스트림과 혼합하는 단계; 및 상기 제4용매-풍부 스트림의 다른 소부분(제5용매-풍부 스트림)을 열적 용매 재생 구역의 상부 부분으로 도입하는 단계, 상기 용매 재생 구역의 하부 부분으로부터 중질 슬러지를 제거하는 단계, 및 ⒢ 단계의 SRC의 하부 부분으로 재순환시키기 위해 상기 용매 재생 구역의 상부로부터, 용매, 물 및 HCs 및 상기 용매보다 낮은 비점을 갖는 다른 화합물을 함유하는 제6용매-풍부 스트림을 회수하는 단계.
도 1은 인-라인 정적 혼합기에서 EDC 오버헤드 라피네이트 스트림으로부터 벤젠을 추출하고, C8 방향족 순도 및 벤젠 회수율을 개선하기 위해 EDC 하부 용매-풍부 스트림으로부터 중질 나프텐의 제거를 증가시키는 방법을 도시한다.
도 2는 인-라인 정적 혼합기에서 용매 내 감소된 물 함량을 갖는 EDC 오버헤드 라피네이트 스트림으로부터 벤젠을 추출하고, C8 방향족 순도 및 벤젠 회수율을 개선하기 위해 EDC 하부 용매-풍부 스트림으로부터 중질 나프텐의 제거를 증가시키는 방법을 도시한다 .
전범위 공급원료에 대한 시험 결과는, 종래 기술의 ED 공정에서 방향족 추출 생성물 중 비방향족 HCs(대부분 C8+ 나프텐계 HC로 이루어짐)의 함량이 0.4 내지 0.7 중량% 범위이고, 이로써 (최소 순도 요건인) 98.5 중량% 미만의 순도를 갖는 C8 방향족 생성물을 생성함을 입증한다. 이와는 대조적으로, 유사한 공급 원료로, LLE 공정은 비방향족 HCs가 0.1 wt% 미만인 추출 생성물을 생성한다.
일반적으로 술포란 또는 다른 극성 용매 내 탄화수소의 용해도는 방향족>>나프텐>>올레핀>>파라핀 순서로 여겨진다. 즉, 방향족의 용해도는 나프텐보다 상당히 높다. 따라서, 방향족 생성물에서 나프텐계 HCs를 감소시키고자 하는 본 발명의 특징은, EDC 오버헤드 스트림에 2차 용매를 혼입시켜 스트림 중의 벤젠 및 다른 방향족 성분을 우선적으로 추출함으로써, 용매 상을 형성하고, 라피네이트 상에 대부분의 나프텐 및 보다 적은 극성인 다른 비방향족 성분을 남겨두며 상기 라피네이트 상은 미량의 용매를 제거하기 위한 수세 후 라피네이트 생성물로서 회수되는(withdrawn) 것이다.
이후, 용매 상은 EDC로 재순환되어 주로 벤젠 및 소량의 다른 방향족 화합물을 회수한다. 이러한 변형은, EDC 하부의 풍부 용매 스트림으로부터의 벤젠(고비점 한계 성분) 손실과 무관하게, EDC 재가열기가 전부는 아니더라도 보다 많은 중질 비방향족, 특히 C8 나프텐(저비점 한계 성분)을 EDC 오버헤드로 구동시킬 수 있게 한다. EDC 오버헤드로의 벤젠 손실의 대부분은 2차 용매로 추출된 벤젠을 재순환시킴으로써 회수되기 때문에, 실제로 벤젠 회수율은 개선되고 제어된다.
일반적으로, EDC 상부 근처로 공급되는 희박 용매 내 수분 함량은 제어된다. 고비등점(비휘발성) 용매가 EDC 아래로 흐름에 따라, 희박 용매 내 저비등점의 물은 기화되어 EDC 상부로 올라간다. 따라서, 용매 내 물 함량은 컬럼 상부에서 가장 높고 하부에서 가장 낮다. 물은 반-용매(anti-solvent)이기 때문에, 이는 상부에서 용매 혼합물이 가장 낮은 용해도(가장 높은 선택도)를 가지고 상기 상부는 보다 적은 가용성인 비방향족 HCs가 농축되는 곳임을 의미한다. 반대로, 하부에서의 용매 혼합물은 가장 높은 용해도(가장 낮은 선택도)를 가지고, 하부는 매우 가용성인 방향족 HCs가 존재하는 곳이다. 이러한 물 농도 프로파일은 매우 바람직하지 않다.
보다 적은 가용성인 비방향족 HCs가 EDC의 상부 부분에 농축되기 때문에, 술포란과 같은 ED 용매가 사용되는 경우 EDC의 상부 부분에 비바람직한 2개의 액상이 존재한다. 물과 같은 공용매는 술포란과 같은 ED 용매의 선택성에 유익하거나 유해할 수 있다. 단일 액상 하에서, 술포란 용매의 선택성은 수분 함량이 0에서 5 중량%로 증가함에 따라 크게 증가된다. 그러나, 2개의 액상이 존재하는 경우 그 반대이다. 따라서, 용매 상을 재순환시키기 위한 EDC의 위치를 선택하는 것은 EDC 조작에 중요하고, 특히 상기 용매 상이 용매 공급물(용매 공급물 내 물에 EDC 오버헤드 내 물의 적어도 일부를 더한 양)보다 더 물을 함유하는 경우에 그러하다. 본 발명에서, EDC 오버헤드 스트림 및 2차 용매는 정적 혼합기 또는 멀티-스테이지 접촉기, 예컨대 멀티-스테이지 혼합기/침전기에서 혼합될 수 있다.
보다 많은 물을 함유하는 용매를 EDC의 하부 부분에 첨가하면 EDC 내 비바람직한 물 농도 프로파일을 반전시킬 것은 예측가능하다. 이는 EDC 하부에서 회수되는(withdrawn) 방향족 생성물 중 C8+ 나프텐 함량의 감소로, 보다 나은 컬럼 성능으로 이어진다.
도 1은 추출증류 컬럼(EDC)(40), 용매 회수 컬럼(SRC)(48), 열적 용매 재생기(SRG)(46), 수세 컬럼(WWC)(45) 및 인라인 정적 혼합기(SM)(43)를 사용하는 방향족 회수 공정을 나타낸다. 대안적으로, SM 대신 멀티-스테이지 접촉기가 사용될 수 있다. 전범위의 HC 공급원료 또는 좁은범위의 HC 공급원료가 라인 (1)을 통해 EDC(40)의 중간 부분으로 공급된다. 전범위 공급원료는 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠 및 크실렌을 포함하는 C6-C8 방향족, 및 파라핀, 나프텐 및 올레핀을 포함하는 C6-C8 비방향족을 포함한다. 좁은범위 공급원료는 벤젠, 톨루엔을 포함하는 C6-C7 방향족 및 2% 미만의 C8 방향족 HCs, 및 파라핀, 나프텐 및 올레핀을 포함하는 C6-C7 비방향족 HCs를 포함한다. SRC(48)의 하부로부터의 제4용매-풍부 스트림의 대부분(제1용매-풍부 스트림)은 라인 (31, 2, 3)을 통해 라인 (8)의 오버헤드 환류 유입 지점 아래의 EDC(40) 상부 근처로 공급된다. 전형적으로, 50 내지 95 중량%, 바람직하게는 90 내지 95 중량%의 제4용매-풍부 스트림이 우회된다. EDC로 들어가는 제1용매-풍부 스트림은 술포란, 알킬-술포란, N-포르밀 모르폴린, N-메틸 피롤리돈, 테트라에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 및 이의 혼합물을 포함하는 추출증류 용매, 그리고 바람직하게 공용매로서 물을 함유한다. 바람직한 용매는 술포란과 최대 5 중량%의 물, 바람직하게는 최대 1 중량%의 물이다.
EDC 재가열기(41)는, 제2 풍부 용매 스트림으로부터의 벤젠 손실에 의한 제약 없이, EDC 하부로부터의 제2용매-풍부 스트림으로부터 필수적으로 모든 C8 나프텐을 구동시키도록 작동된다. EDC의 상부에 첨가된 제1용매-풍부 스트림의 함량 및 EDC 재가열기 온도는 EDC 오버헤드 라피네이트 스트림 중 벤젠 함량을 0 내지 10 중량%, 바람직하게는 0 내지 5 중량%로 조절하도록 조정된다.
라인 (5)를 통해 EDC(40)의 상부에서 나가는 비방향족 증기는 응축기(42)에서 응축되고 응축물은 SM(43)으로 공급되어 라인 (4)로부터의 제1용매-풍부 스트림과 동일한 조성을 갖는 제3용매-풍부 스트림과 혼합된다. SM(43)으로부터의 혼합물은 라인 (6)을 통해 오버헤드 리시버(overhead receiver)(44)로 공급되고, 상기 오버헤드 리시버(44)는 라피네이트(비방향족 HCs)와 용매 상 사이의 상분리를 수행하는 역할을 하며, 상기 라피네이트 상 내 벤젠 함량은 바람직하게는 0.1-1.0 중량% 범위이다.
라피네이트 상의 일부는 라인 (7 및 8)을 통해 환류로서 EDC(40)의 상부로 재순환되고, 제2부분은 라인 (7 및 9)를 통해 WWC(45)의 하부 부분으로 이송된다. 라인 (8)의 스트림은 증가된 함량의 C8 나프텐을 함유하기 때문에, 과량의 C8 나프텐을 EDC(40)로 도입하는 것을 피하기 위해 환류 비율은 0.25 이하로 최소화되어야 한다. 라인 (22, 23)을 통해 SRC 오버헤드 리시버(49)로부터 물이 회수되어(withdrawn) WWC(45)의 상부 부분으로 공급되고, 임의의 미량의 용매를 제거하기 위해 라인 (9)에서 리시버(44)로부터의 라피네이트 스트림과 역류로 접촉한다. 이어서, 무용매 라피네이트 생성물은 라인 (12)를 통해 WWC(45)의 상부로부터 회수된다(withdrawn). 전형적으로, 라피네이트 생성물의 벤젠 수준은 0.1 내지 1.0 중량%이다. 미량의 용매를 함유하는 WWC(45)로부터의 수상은 라인 (13 및 16)을 통해 하부로부터 이송되고, 라인 (22 및 24)를 통해 리시버(49)로부터의 물과 결합된다. 결합된 스트림은 라인 (25)를 통해 증기 발생기(47)로 공급되어 스트리핑 증기를 생성하고, 이는 이후 라인 (30)을 통해 SRC(48)의 하부로 공급된다.
라인 (10)을 통해 리시버(44)로부터 용매 상이 회수되고(withdrawn) 필요한 경우 물 보충 스트림(14)과 결합되어 라인 (15)의 혼합된 스트림을 형성하고, 이는 EDC(40)의 하부 부분의 단일 액상 영역으로 재순환되어 상기 추출된 벤젠을 회수하며 EDC 작동을 향상시키기 위한 추가적인 용매를 제공한다. 추가적인 용매의 존재에 의해서 뿐만 아니라 용매 선택성을 증진시키는 단일 액상 영역 내의 보다 높은 용매 물 함량에 의하여, EDC(40)의 하부로부터의 풍부 용매 내 C8+ 나프텐 함량이 감소된다.
용매, 방향족 HCs 및 감소된 함량의 비방향족 HCs(주로 C8+ 나프텐)로 이루어진 제2풍부-용매는 EDC(40)의 하부에서 회수되어(withdrawn) 라인 (11)을 통해, 재가열기(50)가 장착된 SRC(48)의 중간 부분으로 이송된다. 제1용매-풍부 스트림과 HC 공급원료 증기 사이의 체적비는 1.0 내지 5.0, 바람직하게는 2.0 내지 4.0의 범위에서 달라진다. 상기 비율은 SRC(48)에서 용매 스트리핑 후, 제2용매-풍부 스트림 내 C8+ 나프텐의 농도를 0.1 내지 1.0 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 0.5 중량% 범위로 제어하기 위해, EDC 재가열기 온도와 함께 조정된다. 제2용매-풍부 스트림은 라인 (11)을 통해 SRC의 중간 부분으로 이송된다. 증기 발생기(SR)(47)로부터 SRC(48)의 하부 부분으로 라인 (30)을 통해 스트리핑 스팀이 주입되어, 용매로부터 방향족 HC를 제거하는 것을 돕는다. 물을 함유하고 실질적으로 용매가 없으며 전형적으로 1.0 중량% 이하, 바람직하게 0.5 중량% 이하의 C8 나프텐 및 다른 비방향족 HCs를 갖는 방향족 농축물이 SRC(48)로부터 오버헤드 증기 스트림으로서 회수되고(withdrawn), 응축기(미도시)에서 응축된 후 라인 (17)을 통해 오버헤드 리시버(49)로 도입된다. SRC(48)의 하부 온도를 최소화하기 위해, 오버헤드 리시버(49)는 라인 (18)을 통해 진공원에 연결되어 SRC(48) 내에 대기압 미만의 조건을 생성한다.
오버헤드 리시버(49)는 방향족 HCs와 수상 사이의 상분리를 수행하는 역할을 한다. 라인 (19)의 방향족 HC 상의 일부분은 라인 (20)을 통해 환류로서 SRC(48)의 상부로 재순환되고, 나머지 부분은 라인 (21)을 통해 감소된 C8 나프텐을 갖는 방향족 HC 생성물로서 회수된다(withdrawn). 오버헤드 리시버(49)의 워터 레그(water leg)에 축적된 수상의 일부는 라인 (22, 24 및 25)를 통해 증기 발생기(SR)(47)에 공급되어 SRC(48)를 위한 스트리핑 스팀을 생성한다. 수상의 다른 부분은 라인 (22 및 23)을 통해 WWC(45)의 상부 부분으로 도입되어 리시버(44) 라피네이트 스트림으로부터 미량의 용매를 제거하고, 라인 (12)을 통해, 가솔린 블렌딩에 적합한 1 중량% 미만의 벤젠을 함유하는 무용매 라피네이트 스트림을 생성한다.
SRC의 하부로부터의 제4용매-풍부 스트림의 대부분(제1용매-풍부 스트림)은 방향족 HCs의 추출을 위하여, 라인 (31, 2 및 3)을 통해 EDC(40)의 상부 부분으로 재순환된다. 전형적으로, 50 내지 95 중량% 및 바람직하게 90 내지 95 중량%의 제4용매-풍부 스트림이 우회되어 라인 (3)을 형성한다. 제4용매-풍부 스트림의 소부분(제3용매-풍부 스트림)은 라인 (4)를 통해 인라인 SM(43)으로 공급되어 벤젠 및 소량의 다른 방향족을 추출한다. 전형적으로, 1 내지 10 중량% 및 바람직하게는 1 내지 5 중량%의 제4용매-풍부 스트림이 우회되어 라인 (4)를 형성한다. SRC(48) 하부로부터의 제4용매-풍부 스트림의 분할 스트림(제5용매-풍부 스트림)은 라인 (26)을 통해 SRG(46)로 우회되고, 희박 용매 공급물 유입 지점 아래의 위치에서 라인 (28)을 통해 SRG(46)로 증기가 도입된다. 전형적으로, 1 내지 5 중량%의 제4용매-풍부 스트림이 우회되어 라인 (26)을 형성한다. 악화된(deteriorated) 용매 및 중합성 슬러지는 라인 (29)를 통해 SRG(46)의 하부 스트림으로서 제거되며, 재생된 용매 및 실질적으로 모든 스트리핑 스팀은 오버헤드 스트림(27)으로서 회수되고 라인 (30)을 통해 SRC(48)의 하부 부분으로 재순환된다.
용매로서 술포란을 사용한 도 1의 ED 공정의 적용에서, EDC(40)는 HC 공급원료의 비등 범위에 따라, 1.0 내지 5.0, 바람직하게 2.0 내지 4.0의 용매-대-HC 공급물 체적비로 작동되고, 재가열기 온도 및 용매-대-HC 공급물 체적비를 조정함으로써 EDC 오버헤드 라피네이트 스트림 내 벤젠이 0 내지 10 중량%, 바람직하게는 0 내지 5 중량%가 되도록 한다. EDC 오버헤드 라피네이트 스트림에서 벤젠을 추출함에 있어서, 라인 (4)의 제3용매-풍부 스트림 대 라인 (3)의 제1용매-풍부 스트림의 비율은 0.1 내지 1.0, 바람직하게 0.01 내지 0.1의 범위이다. 라인 (15)로 재순환된 용매 스트림 내 물의 함량은 제3용매-풍부 스트림 대 제1용매-풍부 스트림의 비율에 따라, 5 내지 25 중량% 범위이다.
전형적으로, SRG(46)로부터의 오버헤드 증기의 온도는 0.1 내지 10 대기압, 바람직하게 0.1-0.8 atm 하에서, 150-200 ℃, 바람직하게 160-180 ℃의 범위이다. 전형적으로, SRC(48)는 0.4-0.7 대기압 범위의 감압 하에서 170-185 ℃ 범위의 재가열기 온도에서 스트리핑 스팀과 함께 작동된다. 보다 높은 온도는 술포란의 열 분해를 가속화할 수 있다(온도가 200℃ 초과이면 시간당 분해율은 0.001-0.1 %).
도 2는 추출증류 컬럼(EDC)(60), 용매 회수 컬럼(SRC)(68), 열적 용매 재생기(SRG)(66), 수세 컬럼(WWC)(65) 및 인라인 정적 혼합기(SM)(63)를 사용하는 다른 방향족 회수 공정을 나타낸다. 또한, 상기 흐름도는 물 및 보다 중질의 비방향족 HCs, 특히 C8 나프텐의 일부분을 EDC(60) 오버헤드 라피네이트 스트림으로부터 제거하는 부분 응축기(70)를 포함한다. 상기 공정은 도 1의 도식에서 사용된 것과 동일한 공급물 혼합물을 수용할 수 있고 동일한 용매를 사용할 수 있다.
공용매로서, 물의 존재는 용매 선택성 및 용해력에 크게 영향을 미치므로 물은 인라인 정적 혼합기(SM)(63) 내 벤젠 추출의 효과에 영향을 미친다. 또한, 부분 응축기(70)의 첨가는 라인 (90)의 환류에서, 보다 중질의 비방향족 HCs, 특히 C8 나프텐의 함량을 감소시킨다. 이는 2개의 액상이 존재하는 EDC(60)의 상부 부분의 성능을 향상시키며 EDC(60) 하부 방향족 생성물로부터의 C8 나프텐의 제거를 돕는다.
도 2를 참고하면, HC 공급원료는 라인 (81)을 통해 EDC(60)의 중간 부분으로 공급되는 한편, 재가열기(114)가 장착된 SRC(68)의 하부로부터의 제4용매-풍부 스트림의 대부분(제1용매-풍부 스트림)은 용매 공급물로서 라인 (113, 82 및 83)을 통해 라인 (90)의 오버헤드 환류 유입 지점 아래의 EDC(60) 상부 근처로 공급된다. 전형적으로, 50 내지 95 중량% 및 바람직하게 90 내지 95 중량%의 제4용매-풍부 스트림이 우회되어 라인 (83)을 형성한다. EDC 재가열기(61)는, 제2용매-풍부 스트림으로부터의 벤젠 손실에 의한 제약 없이, EDC(60) 하부로부터의 제2용매-풍부 스트림으로부터 필수적으로 모든 C8 나프텐을 구동시키도록 작동된다. EDC(60) 오버헤드 라피네이트 스트림 내 벤젠 함량을 0 내지 10 중량%, 바람직하게는 0 내지 5 중량%로 조절하기 위해, EDC(60)의 상부로 도입되는 제1용매-풍부 스트림의 함량 및 재가열기 온도가 조정된다.
라인 (85)을 통해 EDC(60)의 상부에서 나가는 비방향족 증기는 부분 응축기(70)에서 부분적으로 응축되고, 주로 물 및 보다 중질의 비방향족 HCs, 특히 C8 나프텐을 함유하는 응축물은 라인 (86)을 통해 WWC(65) 하부 부분으로 공급된다. 주로 벤젠, 보다 경질의 비방향족 HCs를 함유하고 보다 적은 수분 함량을 갖는, 부분 응축기(70)로부터의 미응축 증기는 라인 (87)을 통해 총 응축기(62)로 도입되고, 응축물은 SM(63)에 공급되어 라인 (84)로부터의 제3용매-풍부 스트림(제1용매-풍부 스트림으로부터의 분리 스트림)과 혼합된다. 전형적으로, 1 내지 10 중량% 및 바람직하게는 1 내지 5 중량%의 제4용매-풍부 스트림이 우회되어 라인 (84)를 형성한다. SM(63) 대신, 멀티-스테이지 접촉기가 사용될 수 있다. SM(63)으로부터의 혼합물은 라피네이트(비방향족 HCs)와 용매 상 사이에서 상분리를 수행하는 역할을 하는 오버헤드 리시버(64)로 라인 (88)을 통해 이송되며, 상기 라피네이트 상의 벤젠 수준은 0.1-1.0 중량% 이어야 한다.
라피네이트 상의 일부는 라인 (89 및 90)을 경유하여 환류로서 EDC(60)의 상부로 재순환되고, 제2부분은 라인 (89 및 91)을 통해 WWC(65)의 하부 부분으로 이송된다. 라인 (104 및 105)를 통해 SRC 오버헤드 리시버(69)로부터 물이 회수되고(withdrawn) WWC(65)의 상부 부분으로 공급된다. 물은 라인 (91)에서 오버헤드 리시버(64)로부터의 라피네이트 스트림과, 그리고 라인 (86)에서 부분 응축기(70)로부터의 응축물과 역류로 접촉하여, 미량의 용매를 제거하고 라인 (94)을 통해 가솔린 블렌딩에 적합한 1 중량% 미만의 벤젠을 함유하는 무용매 라피네이트 스트림을 생성한다. WWC(65)로부터의 미량의 용매를 함유하는 수상은 라인 (95 및 98)을 통해 하부로 이송되고 라인 (104 및 106)을 통해 오버헤드 리시버(69)로부터의 물과 결합된다. 결합된 스트림은 라인 (107)을 통해 증기 발생기(SR)(67)로 공급되어, 라인 (112)을 통해 SRC(68)의 하부 부분으로 공급되는 스트리핑 스팀을 생성한다.
라인 (92)를 통해 오버헤드 리시버(64)로부터 용매 상이 회수되고(withdrawn) 필요한 경우 물 보충 스트림(96)과 결합되어 라인 (97)의 혼합된 스트림을 형성하고, 이는 EDC(60)의 하부 부분의 단일 액상 영역으로 재순환되어 상기 추출된 벤젠을 회수하고 EDC(60) 작동을 향상시키기 위한 추가적인 용매를 제공한다.
용매로서 술포란을 사용한 도 2의 ED 공정의 적용에서, EDC(60)는 HC 공급원료의 비등 범위에 따라, 1.0 내지 5.0, 바람직하게 2.0 내지 4.0의 용매-대-HC 공급물 체적비로 작동된다. 상기 공정은 재가열기(61) 온도 및 용매-대-HC 공급물 체적비를 조정함으로써 EDC 오버헤드 라피네이트 스트림 내 벤젠을 0 내지 10 중량%, 바람직하게는 0 내지 5 중량% 로 산출할 수 있다. EDC 조작은 0.1 내지 1.0 중량%, 바람직하게 0.1 내지 0.5 중량%의 C8 나프텐을 함유하는 방향족 농축물을 생성하기 위해, EDC(60)의 하부로부터 제2용매-풍부 스트림 내 C8 나프텐의 농도를 동시에 제어한다. EDC 오버헤드 라피네이트 스트림(85)에서 벤젠을 추출함에 있어서, 라인 (84)의 제3용매-풍부 스트림 대 라인 (83)의 제1용매-풍부 스트림의 비율은 바람직하게 0.01 내지 0.1 범위이다. 부분 오버 헤드 응축기(70)는 EDC 오버헤드 라피네이트 스트림(85) 내 물의 적어도 일부를 제거한다. 라인 (97)의 재순환되는 용매 스트림 내 물 함량은 부분 응축기(70)의 작동 조건뿐만 아니라 제3용매-풍부 스트림 대 제1용매-풍부 스트림의 비율에 따라, 1 내지 5 중량%의 바람직한 범위로 감소되고 제어된다. 전형적으로, 제3용매-풍부 스트림 대 제1용매-풍부 스트림의 비율은 0.01 내지 1, 바람직하게 0.01 내지 0.1의 범위이다.
도 2의 이러한 통합된 구성에서, 일반적으로 용매 회수 컬럼, 수세 컬럼, 용매 재생기는 도 1의 도식도에서 대응되는 장치의 작동과 동일한 방식으로 작동한다. 따라서, SRG(66) 및 수반된 라인 (109, 110, 111)은 각각 도 1의 SRG(46) 및 라인 (27, 28 및 29)와 동일한 방식으로 작동한다. 유사하게, 오버헤드 리시버(69) 및 수반된 라인 (99, 100, 101, 102, 103, 104)는 각각 도 1의 오버헤드 리시버(49) 및 수반된 라인 (17, 18, 19, 20, 21 및 22)과 동일한 방식으로 작동한다.

Claims (19)

  1. (ⅰ) 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠 및 크실렌을 포함하는 C6-C8 방향족 탄화수소 및 파라핀, 나프텐 및 올레핀을 포함하는 C6-C8 비방향족 탄화수소를 포함하는 전범위 공급원료 또는 (ⅱ) 벤젠, 톨루엔을 포함하는 C6-C7 방향족 탄화수소 및 2% 미만의 C8 방향족 탄화수소 및 파라핀, 나프텐 및 올레핀을 포함하는 C6-C7 비방향족 탄화수소를 포함하는 좁은범위 공급원료를 포함하는 탄화수소 공급물 혼합물로부터 방향족 탄화수소를 회수하는 방법으로서, 상기 방법은:
    ⒜ 방향족 및 비방향족 탄화수소(HCs)를 함유하는 공급물을 추출증류 컬럼(EDC)의 중간 부분으로 도입하는 단계 및 추출증류 용매 및 물을 포함하는 제1용매-풍부 스트림을 EDC의 상부 부분으로 도입하는 단계;
    ⒝ EDC의 상부로부터 비방향족 HC-풍부 스트림을 회수하는 단계(withdrawing) 및 EDC의 하부로부터 제2용매-풍부 스트림을 회수하는 단계;
    ⒞ 정적 혼합기 또는 멀티-스테이지 접촉기에서 제3용매-풍부 스트림을 비방향족 HC-풍부 스트림과 혼합하여, 분리 용기로 도입되는 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 혼합물은 용매 상 및 라피네이트 상으로 분리되는 단계;
    ⒟ 벤젠을 함유하는 상기 용매 상을 EDC의 하부 부분으로 재순환시키는 단계;
    ⒠ 상기 라피네이트의 제1부분을 세척하여 라피네이트 생성물을 생성하는 단계 및 상기 라피네이트의 제2부분을 환류로서 EDC의 상부로 재순환시키는 단계;
    ⒡ 제2용매-풍부 스트림을 용매 회수 컬럼(SRC)의 중간 부분으로 도입하는 단계, 방향족 HC-풍부 스트림을 SRC의 상부로부터 회수하는 단계, 및 제4용매-풍부 스트림을 SRC의 하부로부터 제거하는 단계;
    ⒢ 제4용매-풍부 스트림의 대부분을 SRC의 하부로부터 제1용매-풍부 스트림으로서 우회시키는 단계로서 상기 제1용매-풍부 스트림은 EDC의 상부 부분으로 도입되는 단계, 제4용매-풍부 스트림의 제1소부분을 제3용매-풍부 스트림으로서 우회시키는 단계로서 상기 제3용매-풍부 스트림은 상기 ⒝ 단계의 비방향족 HC-풍부 스트림과 혼합되는 단계, 및 제4용매-풍부 스트림의 제2소부분을 제5용매-풍부 스트림으로서 우회시키는 단계로서 상기 제5용매-풍부 스트림은 열적 용매 재생 구역의 상부 부분으로 도입되는 단계; 및
    ⒣ 상기 열적 용매 재생 구역의 하부 부분으로부터 슬러지를 제거하는 단계 및 상기 열적 용매 재생 구역의 상부로부터 제6용매-풍부 스트림을 회수하는 단계 및 상기 제6용매-풍부 스트림을 SRC의 하부 부분으로 재순환시키는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공급물 혼합물은 전범위 공급원료를 포함하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1용매-풍부 스트림은 술포란, 알킬-술포란, N-포르밀 모르폴린, N-메틸 피롤리돈, 테트라에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용매 및 공용매로서 물을 포함하는, 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1용매-풍부 스트림은 술포란 및 공용매로서 물을 포함하는, 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제3용매-풍부 스트림 및 비방향족 HC-풍부 스트림은 정적 혼합기에서 혼합되는, 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 비방향족 HC-풍부 스트림은 물, 비방향족 HCs, 벤젠 및 미량의 다른 방향족 HCs를 함유하는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제3용매-풍부 스트림은 상기 제1용매-풍부 스트림과 동일한 조성을 가지는, 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 ⒞ 단계의 용매 상은 용매, 벤젠, 물 및 미량의 방향족 HCs를 함유하는, 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 라피네이트의 제1부분을 세척하는 단계는 용매를 제거하는, 방법.
  10. (ⅰ) 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠 및 크실렌을 포함하는 C6-C8 방향족 탄화수소(HCs) 및 파라핀, 나프텐 및 올레핀을 포함하는 C6-C8 비방향족 탄화수소를 포함하는 전범위 공급원료 또는 (ⅱ) 벤젠, 톨루엔을 포함하는 C6-C7 방향족 탄화수소 및 2% 미만의 C8 방향족 탄화수소 및 파라핀, 나프텐 및 올레핀을 포함하는 C6-C7 비방향족 탄화수소를 포함하는 좁은범위 공급원료를 포함하는 탄화수소 공급물 혼합물로부터 방향족 탄화수소를 회수하는 방법으로서, 상기 방법은:
    ⒜ 방향족 및 비방향족 탄화수소(HCs)를 함유하는 공급물을 추출증류 컬럼(EDC)의 중간 부분으로 도입하는 단계 및 추출증류 용매 및 물을 포함하는 제1용매-풍부 스트림을 EDC의 상부 부분으로 도입하는 단계;
    ⒝ EDC의 상부로부터 비방향족 HC-풍부 증기 스트림을 회수하는 단계(withdrawing) 및 EDC의 하부로부터 제2용매-풍부 스트림을 회수하는 단계;
    ⒞ 상기 비방향족 HC-풍부 증기 스트림을 부분적으로 응축시켜 물 및 C8 나프텐을 부분적으로 제거하여 액체 스트림 및 제2증기 스트림을 생성하는 단계로서 상기 제2증기 스트림은 이후 완전히 응축되어 응축물 스트림을 형성하는 단계;
    ⒟ 정적 혼합기 또는 멀티-스테이지 접촉기에서 제3용매-풍부 스트림을 제2증기 스트림의 응축물과 혼합하여, 분리 용기로 도입되는 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 혼합물은 용매 상 및 라피네이트 상으로 분리되는 단계;
    ⒠ 벤젠을 함유하는 상기 용매 상을 EDC의 하부 부분으로 재순환시키는 단계;
    ⒡ 상기 라피네이트 상의 제1부분을 세척하여 라피네이트 생성물을 생성하는 단계 및 상기 라피네이트 상의 제2부분을 환류로서 EDC의 상부로 재순환시키는 단계;
    ⒢ 제2용매-풍부 스트림을 용매 회수 컬럼(SRC)의 중간 부분으로 도입하는 단계, 방향족 HC-풍부 스트림을 SRC의 상부로부터 회수하는 단계, 및 제4용매-풍부 스트림을 SRC의 하부로부터 제거하는 단계;
    ⒣ 제4용매-풍부 스트림의 대부분을 SRC의 하부로부터 제1용매-풍부 스트림으로서 EDC의 상부 부분으로 우회시키는 단계, 제4용매-풍부 스트림의 제1소부분을 제3용매-풍부 스트림으로서 우회시키는 단계로서 상기 제3용매-풍부 스트림은 상기 응축물 스트림과 혼합되는 단계, 및 제4용매-풍부 스트림의 제2소부분을 제5용매-풍부 스트림으로서 우회시키는 단계로서 상기 제5용매-풍부 스트림은 열적 용매 재생 구역의 상부 부분으로 도입되는 단계; 및
    ⒤ 상기 용매 재생 구역의 하부 부분으로부터 슬러지를 제거하는 단계 및 SRC의 하부 부분으로 재순환시키기 위해 상기 용매 재생 구역의 상부로부터 제6용매-풍부 스트림을 회수하는 단계를 포함하는, 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 공급물 혼합물은 전범위 공급원료를 포함하는, 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    제1용매-풍부 스트림은 술포란, 알킬-술포란, N-포르밀 모르폴린, N-메틸 피롤리돈, 테트라에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 및 이의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 용매 및 공용매로서 물을 포함하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1용매-풍부 스트림은 술포란 및 공용매로서 물을 포함하는, 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제3용매-풍부 스트림 및 응축물 스트림은 정적 혼합기에서 혼합되는, 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 비방향족 HC-풍부 스트림은 물, 비방향족 HCs, 벤젠 및 미량의 다른 방향족 HCs를 함유하는, 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 제3용매-풍부 스트림은 상기 제1용매-풍부 스트림과 동일한 조성을 가지는, 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 ⒟ 단계의 용매 상은 용매, 벤젠, 물 및 미량의 방향족 HCs를 함유하는, 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 라피네이트의 제1부분을 세척하는 단계는 용매를 제거하는, 방법.
  19. 제10항에 있어서,
    상기 ⒤ 단계의 제6용매-풍부 스트림은 용매, 물 및 탄화수소 및 상기 용매보다 낮은 비점을 갖는 비-탄화수소(non-hydrocarbon) 화합물을 함유하는, 방법.
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