KR20170100310A - 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치 - Google Patents

이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170100310A
KR20170100310A KR1020160022724A KR20160022724A KR20170100310A KR 20170100310 A KR20170100310 A KR 20170100310A KR 1020160022724 A KR1020160022724 A KR 1020160022724A KR 20160022724 A KR20160022724 A KR 20160022724A KR 20170100310 A KR20170100310 A KR 20170100310A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive film
anisotropic conductive
mpa
meth
acrylate
Prior art date
Application number
KR1020160022724A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101871569B1 (ko
Inventor
김이주
송기태
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020160022724A priority Critical patent/KR101871569B1/ko
Priority to TW106106069A priority patent/TWI627257B/zh
Priority to CN201710105893.XA priority patent/CN107118706B/zh
Publication of KR20170100310A publication Critical patent/KR20170100310A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101871569B1 publication Critical patent/KR101871569B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L75/00Compositions of polyureas or polyurethanes; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L75/04Polyurethanes
    • C08L75/14Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C08L75/16Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds having terminal carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02Electrically-conducting adhesives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L75/00Compositions of polyureas or polyurethanes; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L75/04Polyurethanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04Polyurethanes
    • C09J175/14Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/16Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/001Conductive additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/314Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive layer and/or the carrier being conductive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

본 발명은 중량 평균 분자량이 5,000 g/mol 내지 50,000 g/mol인 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트, 중량 평균 분자량이 70,000 g/mol 내지 150,000 g/mol인 우레탄 수지, 라디칼 중합성 물질, 라디칼 중합 개시제 및 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 필름 및 상기 이방 도전성 필름에 의해 접속된 디스플레이 장치에 관한 것이다.

Description

이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치{Anisotropic conductive film and display device connected by the same}
본 발명은 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치에 관한 것이다.
이방 도전성 필름은 접착제 성분에 미세한 도전볼 입자를 균일하게 분산시켜 열과 압력에 의해 접착이 일어나는 소재로, XY축 방향으로는 절연을 Z축 방향으로는 도전성을 갖는 필름이다. 이방 도전성 필름은 액정디스플레이, 퍼스널컴퓨터, 휴대 통신기기 등과 같은 전자제품의 제조 시에 IC 칩이나 구동회로장치와 같은 소형 전기 부품을 기판에 전기적으로 접속시키거나 기판 사이를 전기적으로 접속하기 위해 사용된다.
종래의 이방 도전성 필름의 바인더부는 필름 형성제로서의 역할을 수행하며, 접속 신뢰성에 크게 기여하지 못하고, 주로 사용되던 낮은 유리전이온도의 고분자 수지로 인하여 접속 구조 내에 수축과 팽창이 반복되어 장기 접속 및 접착 신뢰성을 보장할 수 없는 문제점이 있다. 이를 해결하기 위해 종래의 이방 도전성 필름에서는 도전 입자와 회로 간 접촉을 보장해 주기 위해 경화부의 반응 속도를 조절하였으나, 반응 속도를 느리게 조절할 경우 바인더 수지부와 경화부의 레올로지 특성차로 인해 흐름성 차이가 발생하여 접속 층 또는 접착 계면에서 다량의 기포가 발생함으로써 장기 신뢰성을 보장할 수 없는 문제점이 있고, 반대로 반응 속도를 빠르게 조절할 경우에는 도전 입자와 회로간에 충분한 접촉이 일어나지 않아 양호한 접속 신뢰성을 보장할 수 없었다.
대한민국 특허 출원 공개 제2011-0074320호
없음
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전극간 충진율을 극대화하여 본딩 시 경화수축을 최소화하여 신뢰성 평가 이후에도 버블 발생뿐만 아니라 접착력 및 접속 신뢰성이 개선된 이방 도전성 필름을 제공하는 것이다. 또한, 넓은 피치(pitch)의 전극들을 갖는 피접속부재들의 접속에 유용한 이방 도전성 필름을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 예에서, 중량 평균 분자량이 5,000 g/mol 내지 50,000 g/mol인 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트, 중량 평균 분자량이 70,000 g/mol 내지 150,000 g/mol인 우레탄 수지, 라디칼 중합성 물질, 라디칼 중합 개시제 및 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 필름이 제공된다.
본 발명의 다른 예에서, 하기 식 1의 표면조도의 변화율이 85% 이하인, 이방 도전성 필름이 제공된다.
[식 1]
[{Ra1- Ra2}/ Ra1 ] × 100
상기 식 1에서, Ra1는 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 표면 프로파일러(surface profiler)로 측정된 이방 도전성 필름의 표면조도이고, Ra2는 상기 가압착 및 본압착된 이방 도전성 필름을 85℃, 85%의 상대습도 조건에서 500 hrs 경과 후 표면 프로파일러로 측정된 이방 도전성 필름의 표면조도이다.
본 발명의 일 예에서, 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재; 제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 본원에 기재된 이방 도전성 필름에 의해 접속된 디스플레이 장치가 제공된다.
본 발명의 일 예에 따른 이방 도전성 필름은 와이드 피치(wide pitch)를 갖는 디스플레이 장치에 사용하는 경우에도 충진율이 충분하여 접착력 및 접속 신뢰성이 개선될 수 있다. 또한, 버블 발생을 개선시킬 뿐 아니라 치수 안정성이 양호하며 본딩시 경화수축을 최소화하여 신뢰성 평가 이후에도 접착력 및 접속저항이 유지될 수 있다.
도 1은 제1 전극(70)을 함유하는 제1 피접속부재(50)와, 제2 전극(80)을 포함하는 제2 피접속부재(60), 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 도전 입자(3)를 포함하는 본원에 기재된 이방 도전성 필름(10)을 포함하는, 본 발명의 일 예에 따른 디스플레이 장치(30)의 단면도이다.
본 발명의 일 예에서, 중량 평균 분자량이 5,000 g/mol 내지 50,000 g/mol인 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트, 중량 평균 분자량이 70,000 g/mol 내지 150,000 g/mol인 우레탄 수지, 라디칼 중합성 물질, 라디칼 중합 개시제 및 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 필름이 제공된다. 상기와 같은 범위의 상이한 분자량을 갖는 2종의 우레탄 화합물을 사용하면 치수안정성이 개선되고, 전극간 충진율이 극대화되어 본딩 시 경화수축을 최소화하여 신뢰성 평가 이후에도 양호한 접착력 및 접속저항 특성을 유지할 수 있다.
상기 우레탄 수지는 우레탄기를 하나 이상 포함하는 고분자 수지로, (메트)아크릴레이트기는 포함하지 않을 수 있다. 중량 평균 분자량이 70,000 g/mol 내지 150,000 g/mol인 우레탄 수지를 사용함으로써 필름 형성의 바인더로서의 기능하면서도 전극간 충진율을 개선하고 본딩시 경화수축을 최소화시킬 수 있다. 또한, 중량 평균 분자량이 5,000 g/mol 내지 50,000 g/mol인 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트를 사용함으로써 말단 관능기에 존재하는 (메트)아크릴레이트기를 통하여 경화부의 (메트)아크릴계 모노머들과 함께 경화 반응이 진행되어 초기 가압착 물성을 발현할 수 있고, 접착력 개선, 버블 발생을 방지할 수 있다. 우레탄 수지와 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트의 유리 전이 온도는 각각 100℃ 미만일 수 있다. 구체적으로 우레탄 수지의 유리 전이 온도는 20℃ 내지 90℃의 범위이고, 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트의 유리 전이 온도는 20℃ 내지 80 ℃의 범위일 수 있다.
우레탄 수지는 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트에 비해 더 낮거나 동일한 중량비로 포함될 수 있다. 예컨데, 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트와 우레탄 수지의 중량비는 9:1 내지 5:5일 수 있으며, 구체적으로 8:2 내지 5:5, 보다 구체적으로는 7:3 내지 5:5의 범위일 수 있다. 상기 중량비의 범위이면 버블 발생을 더욱 효과적으로 감소시키고, 와이드 피치의 전극간 충진율을 더욱 개선할 수 있다. 본원에서 용어 "와이드 피치"는 전극간 피치가 200μm 내지 1000 μm의 범위, 구체적으로는 600μm 내지 1000 μm의 범위인 것을 의미할 수 있다.
상기 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트는 디이소시아네이트, 폴리올, 및 (메트)아크릴레이트 화합물(혹은 이에 디올을 추가하여)을 반응시켜 제조될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 예컨데, 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트는 용매 중 폴리올 및 디이소시아네이트를 적당한 촉매의 존재 하에서 중부가 중합 반응시켜 우레탄 수지를 제조하고, 여기에 (메트) 아크릴레이트 화합물을 반응시켜 제조될 수 있다. 또한, 상기 우레탄 수지는 폴리올 및 디이소시아네이트를 적당한 촉매의 존재 하에서 중부가 중합 반응시켜 제조할 수 있다. 상기 반응 온도는 50 내지 90, 반응압력은 1기압 내지 5기압, 시간은 1시간 내지 10시간 및 촉매는 틴계열 촉매(예:디부틸틴디라우릴레이트)를 사용하여 제조할 수 있으나, 반드시 이에 제한되지 않는다.
디이소시아네이트는 방향족, 지방족, 지환족 디이소시아네이트, 이들의 조합물 등이 사용될 수 있고, 구체적으로, 디이소시아네이트는 테트라메틸렌-1,4-디이소시아네이트, 헥사메틸렌-1,6-디이소시아네이트, 시클로헥실렌-1,4-디이소시아네이트, 메틸렌비스(4-시클로헥실 디이소시아네이트), 이소포론 디이소시아네이트, 4-4 메틸렌비스(시클로헥실 디이소시아네이트) 등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
폴리올은 분자쇄내에 2개 이상의 수산기를 가지는 폴리에스테르 폴리올, 폴리에테르 폴리올, 폴리카보네이트 폴리올 등을 사용할 수 있다. 폴리에스테르 폴리올은 디카르복실산 화합물과 디올 화합물의 축합 반응에 의하여 수득되는 것이 바람직하다. 여기서, 디카르복실산 화합물로는 숙신산, 글루타르산, 이소프탈산, 아디프산, 수베린산, 아젤란산, 세바스산, 도데칸디카르복실산, 헥사히드로프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 오르토-프탈산, 테트라클로로프탈산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 푸마르산, 말레인산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 테트라히드로프탈산 등이 있으며, 디올 화합물로는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 디부틸렌글리콜, 2-메틸-1,3-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 1,4-시클로헥산디메탄올 등이 있다. 폴리에테르 폴리올로는 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라에틸렌글리콜 등이 있다. 상기 폴리에테르 폴리올의 경우 폴리올의 중량평균분자량은 400 내지 10,000g/mol인 것이 좋으나, 특히 중량평균분자량이 400 내지 3,000g/mol인 것이 바람직하다. 폴리카보네이트 폴리올은 폴리알킬렌 카보네이트와 실리콘 유래의 폴리카보네이트 폴리올 등이 있다.
디올은 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 디부틸렌글리콜, 2-메틸-1,3-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 1,4-시클로헥산디메탄올 등이 있다.
(메트)아크릴레이트 화합물의 예로는 하이드록시 (메트)아크릴레이트 또는 아민 (메트)아크릴레이트가 있다.
폴리우레탄 (메트)아크릴레이트 및 우레탄 수지는 이방 도전성 필름의 고형 중량을 기준으로 30 내지 80 중량%로 포함될 수 있다. 구체적으로는 40 내지 70 중량%, 예를 들어, 45 내지 65 중량%로 포함될 수 있다. 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트는 이방 도전성 필름의 고형 중량을 기준으로 30 내지 50 중량%로 포함될 수 있고, 우레탄 수지는 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다.
라디칼 중합성 물질은 라디칼에 의해 중합할 수 있는, 분자 내 적어도 1개 이상의 비닐기를 가진 물질이면 특별히 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, (메타)아크릴레이트 올리고머, (메타)아크릴레이트 모노머 또는 말레이미드 화합물이 있다. 상기 (메타)아크릴레이트 올리고머로는 종래 알려진 (메타)아크릴레이트 올리고머군으로부터 선택된 1종 이상의 올리고머를 제한없이 사용할 수 있으며, 구체적으로는 우레탄계 (메타)아크릴레이트, 에폭시계 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르계 (메타)아크릴레이트, 불소계 (메타)아크릴레이트, 플루오렌계 (메타)아크릴레이트, 실리콘계 (메타)아크릴레이트, 인산계 (메타)아크릴레이트, 말레이미드 개질 (메타)아크릴레이트, 아크릴레이트(메타크릴레이트) 등의 올리고머를 각각 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
(메타)아크릴레이트 모노머로는 예를 들어, 1,6-헥산디올 모노(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 에틸 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 프로필 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐 옥시프로필 (메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 (메타)아크릴레이트, 2-하이드록시알킬 (메타)아크릴로일 포스페이트, 4-하이드록시 사이클로헥실 (메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 모노(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에판 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 글리세린 디(메타)아크릴레이트, t-하이드로퍼퓨릴 (메타)아크릴레이트, 이소-데실 (메타)아크릴레이트, 2-(2-에톡시에톡시) 에틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 라우릴( 메타)아크릴레이트, 2-페녹시에틸 (메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 에톡시부가형 노닐페놀 (메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, t-에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 에톡시 부가형 비스페놀-A 디(메타)아크릴레이트, 사이클로헥산디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 페녹시-t-글리콜 (메타)아크릴레이트, 2-메타아크릴로일옥시에틸포스페이트, 트리사이클로 데칸 디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판벤조에이트 아크릴레이트, 플루오렌계 (메타)아크릴레이트 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 라디칼 중합성 물질은 이방 도전성 필름의 고형 중량을 기준으로 10 내지 25 중량%로 포함될 수 있다. 구체적으로는 10 내지 20 중량%, 예를 들어, 12 내지 15 중량%로 포함될 수 있다.
또한, 상기 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 퍼옥사이드계 혹은 아조계 중합 개시제를 사용할 수 있다. 상기 퍼옥사이드계 개시제의 구체적인 예로는 t-부틸 퍼옥시라우레이트, 1,1,3,3-t-메틸부틸퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일 퍼옥시) 헥산, 1-사이클로헥실-1-메틸에틸 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일 퍼옥시) 헥산, t-부틸 퍼옥시 이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-2-에틸헥실 모노카보네이트, t-헥실 퍼옥시 벤조에이트, t-부틸 퍼옥시 아세테이트, 디큐밀 퍼옥사이드, 2,5,-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시) 헥산, t-부틸 큐밀 퍼옥사이드, t-헥실 퍼옥시 네오데카노에이트, t-헥실 퍼옥시-2-에틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시-2-2-에틸헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)사이클로헥산, t-헥실 퍼옥시이소프로필 모노카보네이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸 헥사노네이트, t-부틸 퍼옥시 피발레이트, 큐밀 퍼옥시 네오데카노에이트, 디-이소프로필 벤젠 하이드로퍼옥사이드, 큐멘 하이드로퍼옥사이드, 이소부틸 퍼옥사이드, 2,4-디클로로 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 옥타노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 스테아로일 퍼옥사이드, 숙신 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥시 톨루엔, 1,1,3,3-테트라메틸 부틸 퍼옥시 네오데카노에이트, 1-사이클로헥실-1-메틸 에틸 퍼옥시 노에데카노에이트, 디-n-프로필 퍼옥시 디카보네이트, 디-이소프로필 퍼옥시 카보네이트, 비스(4-t-부틸 사이클로헥실) 퍼옥시 디카보네이트, 디-2-에톡시 메톡시 퍼옥시 디카보네이트, 디(2-에틸 헥실 퍼옥시) 디카보네이트, 디메톡시 부틸 퍼옥시 디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시 부틸 퍼옥시) 디카보네이트, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-비스(t-헥실 퍼옥시) 사이클로헥산, 1,1-비스(t-부틸 퍼옥시)-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-(t-부틸 퍼옥시) 사이클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸 퍼옥시)데칸, t-부틸 트리메틸 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디메틸 실릴 퍼옥사이드, t-부틸 트리알릴 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸) 디알릴 실릴 퍼옥사이드, 트리스(t-부틸) 아릴 실릴 퍼옥사이드 등이 있다. . 상기 라디칼 중합 개시제는 이방 도전성 필름의 고형 중량을 기준으로 0.1 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 구체적으로는 0.2 내지 10 중량%, 예를 들어, 0.2 내지 5 중량%로 포함될 수 있다.
상기 도전입자는 이방 도전성 필름에 도전 성능을 부여하며, 예를 들어, Au, Ag, Ni, Cu, Pd, Al, Cr, Sn, Ti, 및 Pb 중 하나 이상을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리비닐알코올 등을 포함하는 수지 또는 그 변성 수지를 입자로 하여 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 땜납 등을 포함하는 금속을 코팅한 것; 그 위에 절연 입자를 추가하여 코팅한 절연화 처리된 도전 입자 등을 1종 이상 사용할 수 있다. 상기 도전입자의 직경은, 적용되는 회로의 피치(pitch)에 따라 0.1 내지 30 ㎛ 범위에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 구체적으로는 0.5 내지 15 ㎛이다. OLB(Outer Lead Bonding)의 경우에는 피접속부재가 ITO(Indium Tin Oxide) 글래스면이므로 이방 도전성 필름의 접속공정에서 발생하는 압력에 의해 ITO에 손상을 입히지 않도록 코어 부분이 플라스틱 성분으로 된 도전입자를 사용할 수 있으며, PCB 기판을 접속하는 경우에는 Ni 등의 금속 입자를 사용할 수 있고, PDP(Plasma Display Panel)의 경우에는 회로에 가해지는 전압이 매우 높으므로 Ni 등의 금속 입자에 금(Au)이 도금된 도전성 입자를 사용할 수 있다. 또한, COG(Chip On Glass) 또는 COF(Chip On Film)의 경우에는 도전입자 표면에 열가소성 수지가 피복된 절연도전입자를 사용할 수 있다. 상기 도전입자는 전체 필름 고형 중량에 대해 1 내지 20 중량%, 구체적으로는 2 내지 20 중량%, 보다 구체적으로는 3 내지 10 중량% 범위로 사용될 수 있다. 상기 범위에서 도전 성능과 함께 절연불량이 발생하지 않을 수 있다.
본 발명의 다른 예에서, 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트 및 우레탄 수지 외에 다른 바인더 수지를 추가로 포함하는 이방 도전성 필름이 제공된다. 상기 예는, 다른 바인더 수지를 추가로 포함한다는 점에서만 전술한 예의 이방 도전성 필름과 차이가 있으므로 이하에서는 다른 바인더 수지를 중심으로 설명한다. 상기 바인더 수지로는, 아크릴로니트릴계 수지, 아크릴계 수지, 부타디엔계 수지, 폴리아미드계 수지, 올레핀계 수지 및 실리콘계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 추가적으로 상기 폴리우레탄 수지외의 분자량이 상이한 폴리우레탄 수지를 더 포함할 수 있다. 상기 바인더 수지는 구체적으로 아크릴계 수지 및 부타디엔계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로는, 아크릴로 니트릴 부타디엔 공중합체 및 아크릴계 수지 중 1종 이상을 사용할 수 있다. 상기 우레탄 수지와 상기 다른 바인더 수지는 이방 도전성 필름의 전체 고형 중량을 기준으로 15 중량% 내지 40 중량%, 구체적으로는 20 중량% 내지 30 중량%, 예를 들어, 21 중량% 내지 28 중량%일 수 있다.
본 발명의 이방 도전성 필름은 목적하는 경화물 특성을 얻기 위해 제품화 시의 성상이나 작업성을 고려하여 착색용 안료, 염료, 중합금지제, 실란커플링제 등을 추가로 배합할 수 있다. 이들 첨가량은 당업자에게 널리 알려져 있다.
실란 커플링제의 예로는 비닐 트리메톡시 실란, 비닐 트리에톡시 실란, (메타)아크릴옥시 프로필 트리메톡시실란 등의 중합성 불화기 함유 규소 화합물; 3-글리시드옥시 프로필 트리메톡시실란, 3-글리시드옥시 프로필메틸 디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸 트리메톡실란 등의 에폭시 구조를 갖는 규소 화합물; 3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 메틸 디메톡시실란 등의 아미노기 함유 규소 화합물; 및 3-클로로 프로필 트리메톡시실란 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
상기 실란 커플링제는 이방 도전성 필름의 전체 고형 중량을 기준으로 0.1 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 이방 도전성 필름은 특별한 장치나 설비 없이 용이하게 이방 도전성 필름용 조성물을 이용하여 제조할 수 있다. 예를 들어, 본원에서 언급된 조성을 포함하는 조성물을 톨루엔과 같은 유기용제에 용해시켜 액상화한 후 도전입자가 분쇄되지 않는 속도 범위 내에서 일정 시간 교반하고, 이를 이형 필름 위에 10 내지 50㎛의 두께로 도포한 다음 일정 시간 건조하여 유기용제를 휘발시킴으로써 이방 도전성 필름을 수득할 수 있다.
본 발명의 또 다른 예에서, 하기 식 1의 표면조도의 변화율이 85% 이하인, 이방 도전성 필름이 제공된다.
[식 1]
[{Ra1- Ra2}/ Ra1 ] × 100
상기 식 1에서, Ra1는 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 표면 프로파일러(surface profiler)로 측정된 이방 도전성 필름의 표면조도이고, Ra2는 상기 가압착 및 본압착된 이방 도전성 필름을 85℃, 85%의 상대습도 조건에서 500 hrs 경과 후 표면 프로파일러로 측정된 이방 도전성 필름의 표면조도이다.
상기 식 1의 표면조도의 변화율이 상기 범위인 것은 이방 도전성 필름의 치수 안정성 개선과 관련이 있으며, 경화에 의한 수축이 최소화되어 신뢰성 평가 이후에도 접착력 및 접속저항 변화가 최소화되는 것과 관련이 있다. 표면조도의 변화율은 구체적으로, 85% 이하일 수 있고, 보다 구체적으로는 50% 내지 83% 이하일 수 있다. 상기 Ra1는 0.5~3 범위일 수 있고, 상기 Ra2는 0.1~1 의 범위일 수 있다.
또한, 이방 도전성 필름은 하기 식 2에 따른 열기계분석기(Thermo Mechanical Analyzer)에서 가열에 따라 130 내지 170℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 최대 길이와 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이의 변화율이 0% 내지 15%의 범위일 수 있다.
[식 2]
(L1-L0)/L0 × 100 (%)
상기 식 2에서, L0는 열기계분석기에서 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이고, L1은 가열에 따라 130 내지 170℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 최대 길이이다.
상기 식 2에 따른 길이 변화율은 0% 내지 15 %일 수 있으며, 보다 구체적으로 5% 내지 10 %일 수 있다.
130℃ 내지 170℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이와 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이의 변화율이 상기 범위이면 경화시의 팽창 효과로 인한 본압착 시 필름의 응력이 완화되어 버블이 효과적으로 제어될 수 있다. 열기계분석기로 필름의 상기 길이 변화율을 측정하는 방법은 특별히 제한되지 아니하고, 비제한적인 예로는 TA社 Q20 model을 이용하여 압축방식(compression mode)으로 25℃에서 220℃로 가열하면서, 10℃/min 의 속도로 0.05N의 압력을 가하여 측정할 수 있다.
일 예에서, 상기 가열이 시작되는 온도는 20℃ 내지 25℃일 수 있고, 보다 구체적으로는 25℃일 수 있다.
본원에서 이방 도전성 필름의 Z축 길이는, 전극과 전극 사이에서 압착되는 방향으로의 필름의 두께를 말한다.
또한 이방 도전성 필름은, 하기 식 3에 따른, 열기계분석기에서 220℃까지 가열하고 20℃까지 냉각했을 때 25℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이와 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이의 변화율이 -20 내지 +10 %일 수 있다.
[식 3]
(L2-L0)/L0 ×100 (%)
상기 식 3에서, L0는 열기계분석기에서 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이고, L2는 이방 도전성 필름을 220℃까지 가열하고 20℃까지 냉각했을 때 25℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이다.
구체적으로 상기 식 3에 따른 길이 변화율은 -8 내지 +10 %일 수 있으며, 보다 구체적으로 +4 내지 +10 % 일 수 있다. 상기 범위에서 가열 및 냉각에 따른 팽창 및 수축의 열변형이 적어 버블이 감소하고 접착력이 상승되어, 결과적으로 필름의 신뢰성이 향상될 수 있다.
상기 일 예에 따른 이방 도전성 필름 혹은 상기 방법에 의해 제조된 이방 도전성 필름은 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 스페이스부 버블 면적이 20% 이하일 수 있다.
상기 일 예에 따른 이방 도전성 필름 혹은 상기 방법에 의해 제조된 이방 도전성 필름은 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 접착력이 800 gf/cm 이상일 수 있다. 또한, 상기 일 예에 따른 이방 도전성 필름 혹은 상기 방법에 의해 제조된 이방 도전성 필름은 하기 식 4로 계산된 접속저항 증가율이 35% 이하일 수 있다.
<식 4> 접속저항 증가율(%) = |(A-B)/A| x 100
상기 식 4에서, A는 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 접속저항이고, B는 상기 가압착 및 본압착 후 85 및 85%에서 500시간의 신뢰성 평가 조건 후의 접속저항이다. 구체적으로, 상기 접착력은 900 gf/cm 이상, 보다 구체적으로 접착력이 1000 gf/cm 내지 1500 gf/cm의 범위일 수 있고, 상기 식 4의 접속저항 증가율은 33% 이하, 구체적으로 30% 이하일 수 있다.
본 발명의 일 예에서, 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재; 제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 본원에 기재된 이방 도전성 필름에 의해 접속된 디스플레이 장치가 제공된다.
상기 제1 피접속부재 또는 제2 피접속부재는, 전기적 접속을 필요로 하는 전극이 형성되어 있는 것으로, 구체적으로는, 액정 디스플레이에 사용되고 있는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 전극이 형성되어 있는 유리 기판 또는 플라스틱 기판, COF(chip on film), 프린트 배선판(PCB), 세라믹 배선판, 플렉시블 배선판, 반도체 실리콘 칩, IC 칩 또는 드라이버 IC 칩 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 제1 피접속부재 및 제2 피접속부재 중 어느 하나가 PCB 또는 OLB이고, 다른 하나는 반도체 실리콘 칩, IC 칩 또는 드라이버 IC 칩일 수 있다. 제1 전극과 이웃하는 전극간의 pitch 또는 제2 전극과 이웃하는 전극간의 pitch는 200 μm 내지 1000 μm, 구체적으로 600 μm 초과 내지 1000 μm의 범위, 보다 구체적으로 800 μm 내지 1,000μm 의 범위일 수 있다.
도 1을 참조하여 디스플레이 장치(30)를 설명하면, 제1 전극(70)을 함유하는 제1 피접속부재(50)와, 제2 전극(80)을 포함하는 제2 피접속부재(60)는, 상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 도전입자(3)을 통해 접속시키는 본원에 기재된 이방 도전성 필름(10)을 통해 상호 접착될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
제조예 1
중량평균분자량이 25, 000 g / mol인 폴리우레탄 ( 메트 ) 아크릴레이트의 제조예
50 부피%로 메틸 에틸 케톤을 용제로 사용하여 폴리올 함량 60%, 하이드록시 메타아크릴레이트/이소시아네이트 몰비= 0.5로 하여 온도 90, 압력 1기압, 반응시간 5시간, 다이부틸틴다이라우릴레이트를 촉매로 사용하여 중부가 중합 반응시켜 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트를 제조하였다.
상기 수득된 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트를 겔 투과 크로마토그래피(GPC)(표준 시료: 폴리스티렌)로 중량평균분자량(Mw)을 측정한 결과 25,000 g/mol이었다.
상기 중량평균분자량의 구체적인 측정 방법은 다음과 같다: 상기 수득된 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트를 0.1 w/v %의 농도로 THF(Tetrahydrofuran) 용매(HPLC급)에 약 3시간 동안 용해시켜서 GPC 분석용 시료 용액을 제조하고, GPC 장치를 이용하여 아래 표 1의 조건 및 장비로 크로마토그래피를 실시한 결과 Retention time = 12~20분 사이에서 중합물의 피크가 관찰되었다. 해당 피크로부터 PS(폴리스티렌) 표준물질을 사용하여 분자량 값을 구하였다.
장비 Waters 1515 (Pump)
GPC 컬럼 No Guard Column, Shodex社 KF807L + KF806L
Flow rate 1 mL/min
컬럼 온도 40 ℃
Detector 온도 35 ℃
Injection volume 100 ㎕
제조예 2
중량평균분자량이 110, 000 g / mol인 우레탄 수지의 제조예
50 부피%로 메틸 에틸 케톤을 용제로 사용하여 폴리올 함량 60%, 이소시아네이트 함량 40%로 하여 온도 90, 압력 1기압, 반응시간 5시간, 다이부틸틴다이라우릴레이트를 촉매로 사용하여 중부가 중합 반응시켜 상기 우레탄 수지를 상기와 같은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)(표준 시료: 폴리스티렌)로 중량 평균 분자량을 구한 결과, 110,000 g/mol이었다.
제조예 3
중량평균분자량이 40, 000 g / mol인 폴리우레탄 ( 메트 ) 아크릴레이트의 제조예
50 부피%로 메틸 에틸 케톤을 용제로 사용하여 폴리올 함량 60%, 하이드록시 메타아크릴레이트/이소시아네이트 몰비= 0.5로 하여 온도 90, 압력 1기압, 반응시간 5시간, 다이부틸틴다이라우릴레이트를 촉매로 사용하여 중부가 중합 반응시켜 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트를 제조하였다.
상기 수득된 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트를 상기와 같은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)(표준 시료: 폴리스티렌)로 중량 평균 분자량을 구한 결과, 40,000 g/mol이었다.
제조예 4
중량평균분자량이 140, 000 g / mol인 우레탄 수지의 제조예
50 부피%로 메틸 에틸 케톤을 용제로 사용하여 폴리올 함량 60%, 이소시아네이트 함량 40%로 하여 온도 90, 압력 1기압, 반응시간 5시간, 다이부틸틴다이라우릴레이트를 촉매로 사용하여 중부가 중합하여 우레탄 수지를 제조하였다.
상기 수득된 우레탄 수지를 상기와 같은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)(표준 시료: 폴리스티렌)로 중량 평균 분자량을 구한 결과, 140,000 g/mol이었다.
실시예
실시예 1: 이방 도전성 필름의 제조
하기 표 2에 기재된 바와 같이, 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체 10 중량%, 제조예 1의 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트 46 중량%, 제조예 2의 우레탄 수지 18 중량%, 라디칼 중합성 물질 1, 9 중량%, 라디칼 중합성 물질 2, 5 중량%, 라디칼 중합 개시제 1, 1 중량%, 라디칼 중합 개시제 2, 2 중량%, 실란 커플링제 1 중량% 및 도전 입자 8 중량%를 유기용제인 톨루엔에 배합하고 도전입자가 분쇄되지 않는 속도 범위 내에서 자전공전식 믹서를 사용해 25℃에서 60 분간 교반하였다. 상기의 조성물을 캐스팅 나이프(Casting knife)를 사용하여 실리콘 이형 표면 처리된 폴리에틸렌 베이스 필름에 35㎛의 두께의 필름으로 형성시켰으며, 70 에서 5분 동안 건조시켜 실시예 1의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 2: 이방 도전성 필름의 제조
상기 실시예 1에서 제조예 1의 폴리우레탄(메트)아크릴레이트 대신 제조예 3의 폴리우레탄(메트)아크릴레이트를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 실시예 2의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
실시예 3: 이방 도전성 필름의 제조
상기 실시예 1에서 제조예 2의 우레탄 수지 대신 제조예 4의 우레탄 수지를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 실시예 3의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
비교예 1: 이방 도전성 필름의 제조
상기 실시예 1에서 제조예 1의 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트 46 중량% 대신 64 중량%를 사용하고 제조예 2의 우레탄 수지를 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 비교예 1의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
비교예 2: 이방 도전성 필름의 제조
상기 실시예 1에서 제조예 1의 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트를 사용하지 않고, 제조예 2의 우레탄 수지를 18 중량% 대신 64 중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 비교예 2의 이방 도전성 필름을 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예에서 사용된 각 성분의 함량 및 사양은 다음 표 2와 같다. 하기 함량은 고형분을 기준으로 한 중량%이다.
실시예 1 실시예 2 실시예3 비교예 1 비교예 2
(A) 부타디엔 공중합체 10 10 10 10 10
(B1) 제조예 1
폴리우레탄 (메트)아크릴레이트
46 46 64
(B2) 제조예 2
우레탄 수지
18 18 64
(B3) 제조예 3
폴리우레탄 (메트)아크릴레이트
46
(B4) 제조예 4
우레탄 수지
18
(C1) 라디칼 중합성 물질1 9 9 9 9 9
(C2) 라디칼 중합성 물질 2 5 5 5 5 5
(D1) 라디칼 중합 개시제 1 1 1 1 1 1
(D2) 라디칼 중합 개시제 2 2 2 2 2 2
(E) 도전 입자 8 8 8 8 8
(F) 실란 커플링제 1 1 1 1 1
조성물 합(고형분 기준) 100 100 100 100 100
(A) 부타디엔 공중합체: 25 부피%로 에틸아세테이트에 용해된 아크릴로니트릴 부타디엔 공중합체 (1072CGX, Zeon Chemical)
(C1) 라디칼 중합성 물질 1: 4-Hydroxybutyl acrylate(4-HBA,오사카유키)
(C2) 라디칼 중합성 물질 2: Tetrahydrofurfuryl acrylate (M150, 토아고세이)
(D1) 라디칼 중합 개시제 1: 퍼옥시디카보네이트(P100)
(D2) 라디칼 중합 개시제 2: 라우릴퍼옥사이드(LPO)
(E) 도전 입자: 5㎛의 크기인 도전 입자(T255, J-TEC)
(F) 실란 커플링제 : 3-glycidoxypropyl trimethoxysilane
실험예
상기 제조된 이방 도전성 필름에 대해, 버블 면적, 초기 접착력 및 접속저항, 및 신뢰성 평가 후 접착력 및 접속저항, 표면조도의 변화율, 열기계분석기(Thermomechanical Analyzer)에서의 필름의 길이 변화율을 아래와 같은 방법으로 측정하고 그 결과를 표 3에 나타내었다.
(1) 초기 접착력
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 각각의 이방 도전성 필름을 PCB(피치
800㎛, 단자 폭 100㎛, 단자간 거리 100㎛, 단자 높이 35㎛)와 COF 필름
(피치 800㎛, 단자 폭 100㎛, 단자간 거리 100㎛, 단자 높이 8㎛)을 이용하여 아래와 같은 조건으로 접속하였다.
1) 가압착 조건 ; 70℃, 1초, 1.0MPa
2) 본압착 조건 ; 150℃, 4초, 4.0MPa
각각의 시편은 5개씩 준비하여 측정하여 그 평균값을 내었다.
접착력은 UTM(Universal Testing Machine)을 이용하여 측정하였다. UTM 장비는 Hounsfield社 H5KT 모델을 사용했으며, 시험방법은 하기와 같다.
1) Load Cell 장착한 후,
2) Load Cell 장착이 완료 되면 grip을 설치하여 측정 준비를 마무리하고
3) 시편을 grip에 물린 후, 90°Peel 방식으로 tensile test speed 50mm/min 조건에서 측정하였다.
(2) 초기 접속저항
상기 (1)의 가압착 및 본압착 조건으로 제조된 시료를 접속저항 측정 장비인 Keithley社 2000 Multimeter를 사용하여 2 point probe방식으로 2 point 사이에서의 저항을 측정하였다. 저항측정기기는 1mA의 test current를 인가하며 이때 측정되는 전압으로 저항을 계산하여 표시하였다.
(3) 버블 측정
상기 (1)의 가압착 및 본압착 조건으로 접속시킨 시편을 5개씩 준비하여, 이들 각각을 광학 현미경을 이용하여 10 군데의 사진을 찍은 후 이미지 아날라이져를 이용하여 전극 면적을 기준으로 전극 간 스페이스부에서의 버블 면적을 측정하여 평균값을 계산하였다.
(4) 신뢰성 평가 후 접착력 및 접속저항 측정
상기 (1)의 가압착 및 본압착 조건으로 제조된 시료를 신뢰성 평가를 위해 85, 85%의 상대습도 조건으로 유지되는 고온 고습 챔버에 상기 회로 접속물을 500시간 보관한 후 위와 동일한 방법으로 접착력 및 접속저항을 측정하여 평균값을 계산하였다.
(5) 표면조도의 변화율
상기 (1)의 가압착 및 본압착 조건으로 제조된 시료에 대해 surface profiler로 초기 표면조도(Ra1)를 측정하고, 상기 가압착 및 본압착된 이방 도전성 필름을 85℃, 85%의 상대습도 조건에서 500 hrs 경과 후 surface profiler로 표면조도 (Ra2)를 측정하여 이의 변화율을 계산하였다.
(6) 열기계분석기(Thermomechanical Analyzer) 측정
상기 제조된 이방 도전성 필름에 대해, 열기계분석기(TA社, Q20model)에서 0.05N의 압력 하에 10℃/min의 속도로 이방 도전성 필름을 가열하면서, 하기 식 2에 따른 필름의 길이 변화율(%)을 측정하고 그 결과를 표 3에 나타내었다.
[식 2]
(L1-L0)/L0 ×100 (%)
상기 식 2에서, L0는 열기계분석기에서 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이고, L1은 가열에 따라 130 내지 170℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 최대 길이이다.
또한 열기계분석기에서 0.05N의 압력 하에 10℃/min의 속도로 220℃까지 가열하고 이후 20℃까지 냉각했을 때, 하기 식 3에 따른 필름의 길이 변화율(%)을 측정하고 그 결과를 표 3에 나타내었다.
[식 3]
(L2-L0)/L0 ×100 (%)
상기 식 3에서, L0는 열기계분석기에서 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이고, L2는 이방 도전성 필름을 220℃까지 가열하고 20℃까지 냉각했을 때 25℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 비교예 1 비교예 2
표면조도(Ra1) 1.0 1.2 0.8 3.3 1.4
신뢰성 평가 후 표면조도(Ra2) 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
표면조도 변화율(%) 80% 83% 75%
94% 85.7%
식 2의 가열시 필름의 길이 변화율(%) 6 8 10 18 8
식 3의 냉각시 필름의 길이 변화율(%) 4 7 10 15 9
버블 면적(%) X 10 11 33 12
접착력(gf/cm) 초기 1325 1156 1080 1172 687
500 Hr 1289 1233 1121 1230 791
접속저항(Ω) 초기 0.41 0.40 0.41 0.42 0.72
500 Hr 0.53 0.52 0.53 1.34 2.41
상기 표 3에 나타난 바와 같이 중량 평균 분자량이 5,000 g/mol 내지 50,000 g/mol인 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트, 중량 평균 분자량이 70,000 g/mol 내지 150,000 g/mol인 우레탄 수지를 함께 사용한 실시예 1 내지 3의 경우 표면조도의 변화율, 버블 면적비율, 초기 및 신뢰성 평가 후 접착력 및 접속 저항이 모두 양호한 반면, 비교예 1 내지 2는 표면조도의 변화율이 85% 이상으로 높고, 가열시 혹은 냉각시 길이변화율이 커 신뢰성 평가 후 접속 저항이 현저히 변화하였으며 버블 발생 비율이 매우 높았다.

Claims (16)

  1. 중량 평균 분자량이 5,000 g/mol 내지 50,000 g/mol인 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트, 중량 평균 분자량이 70,000 g/mol 내지 150,000 g/mol인 우레탄 수지, 라디칼 중합성 물질, 라디칼 중합 개시제 및 도전 입자를 포함하는 이방 도전성 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트과 상기 우레탄 수지의 중량비가 9:1 내지 5:5인, 이방 도전성 필름.
  3. 제1항에 있어서, 상기 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트와 상기 우레탄 수지가 이방 도전성 필름의 전체 중량을 기준으로 30 중량% 내지 80 중량%인, 이방 도전성 필름.
  4. 제1항에 있어서, 상기 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트와 상기 우레탄 수지 외에 바인더 수지를 추가로 포함하는, 이방 도전성 필름.
  5. 제4항에 있어서, 상기 바인더 수지가 아크릴로니트릴계 수지, 아크릴계 수지, 부타디엔계 수지, 폴리아미드계 수지, 올레핀계 수지 및 실리콘계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 이방 도전성 필름.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 라디칼 중합 물질이, (메타)아크릴레이트 올리고머, (메타)아크릴레이트 모노머 또는 말레이미드 화합물인, 이방 도전성 필름.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트 및 우레탄 수지의 유리전이온도가 각각 100?J 미만인, 이방 도전성 필름.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 라디칼 중합 개시제가 퍼옥사이드계 중합 개시제 또는 아조계 라디칼 중합 개시제인, 이방 도전성 필름.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 이방 도전성 필름의 고형 중량을 기준으로 상기 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트가 30 중량% 내지 50 중량%이고, 상기 우레탄 수지가 1 중량% 내지 20 중량%이고, 상기 라디칼 중합성 물질이 10 중량% 내지 25 중량%이고, 상기 라디칼 중합 개시제가 0.1 중량% 내지 10 중량%이고, 상기 도전 입자가 1 중량% 내지 20 중량%인, 이방 도전성 필름.
  10. 식 1의 표면조도의 변화율이 85% 이하인, 이방 도전성 필름.
    [식 1]
    [{Ra1- Ra2}/ Ra1] × 100
    상기 식 1에서, Ra1는 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 표면 프로파일러(surface profiler)로 측정된 이방 도전성 필름의 표면조도이고, Ra2는 상기 가압착 및 본압착된 이방 도전성 필름을 85℃, 85%의 상대습도 조건에서500 hrs 경과 후 표면 프로파일러로 측정된 이방 도전성 필름의 표면조도이다.
  11. 제10항에 있어서, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 스페이스부 버블 면적이 20% 이하인, 이방 도전성 필름.
  12. 제10항에 있어서, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 접착력이 800 gf/cm 이상인 이방 도전성 필름.
  13. 제10항에 있어서, 상기 필름을 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후 하기 식 1로 계산된 접속저항의 증가율이 35% 이하인, 이방 도전성 필름.
    <식 1> 접속저항 증가율(%) = |(A-B)/A| x 100
    상기 식 1에서, A는 50℃ 내지 80℃의 온도, 0.5 MPa 내지 2 MPa의 압력하에서 1초 내지 3초 동안의 가압착 및 130℃ 내지 200℃의 온도, 3 MPa 내지 5MPa의 압력하에서 1초 내지 5초 동안 본압착한 후의 접속저항이고, B는 상기 가압착 및 본압착 후 85 및 85%의 상대습도 조건에서 500 시간의 신뢰성 평가 조건 후의 접속저항이다.
  14. 제10항에 있어서, 하기 식 2에 따른 열기계분석기(Thermo Mechanical Analyzer)에서 가열에 따라 130 내지 170℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 최대 길이와 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이의 변화율이 0% 내지 15 %의 범위인, 이방 도전성 필름.
    [식 2]
    (L1-L0)/L0 ×100 (%)
    상기 식 2에서, L0는 열기계분석기에서 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이고, L1은 가열에 따라 130 내지 170℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 최대 길이이다.
  15. 제14항에 있어서, 하기 식 3에 따른, 열기계분석기에서 220℃까지 가열하고 20℃까지 냉각했을 때 25℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이와 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이의 변화율이 -20% 내지 +10 %인, 이방 도전성 필름.
    [식 3]
    (L2-L0)/L0 ×100 (%)
    상기 식 3에서, L0는 열기계분석기에서 가열이 시작되는 온도에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이고, L2는 이방 도전성 필름을 220℃까지 가열하고 20℃까지 냉각했을 때 25℃에서의 이방 도전성 필름의 Z축 길이이다.
  16. 제1 전극을 함유하는 제1 피접속부재;
    제2 전극을 함유하는 제2 피접속부재; 및
    상기 제1 피접속부재와 상기 제2 피접속부재 사이에 위치하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 접속시키는, 제1항 내지 제5항 및 제10항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 따른 이방 도전성 필름에 의해 접속된 디스플레이 장치.
KR1020160022724A 2016-02-25 2016-02-25 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치 KR101871569B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160022724A KR101871569B1 (ko) 2016-02-25 2016-02-25 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치
TW106106069A TWI627257B (zh) 2016-02-25 2017-02-23 各向異性導電膜和由其連接的顯示裝置
CN201710105893.XA CN107118706B (zh) 2016-02-25 2017-02-24 各向异性导电膜和由其连接的显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160022724A KR101871569B1 (ko) 2016-02-25 2016-02-25 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170100310A true KR20170100310A (ko) 2017-09-04
KR101871569B1 KR101871569B1 (ko) 2018-08-02

Family

ID=59717389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160022724A KR101871569B1 (ko) 2016-02-25 2016-02-25 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101871569B1 (ko)
CN (1) CN107118706B (ko)
TW (1) TWI627257B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019050012A1 (ja) * 2017-09-11 2020-08-27 日立化成株式会社 回路接続用接着剤フィルム及びその製造方法、回路接続構造体の製造方法、並びに、接着剤フィルム収容セット

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111100562B (zh) * 2019-12-20 2021-08-17 深圳市撒比斯科技有限公司 一种双重固化型各向异性导电胶膜及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742428B1 (ko) * 2005-11-11 2007-07-24 에스케이씨 주식회사 광학용 이접착 폴리에스테르 필름 및 이의 제조방법
KR100809834B1 (ko) * 2006-12-18 2008-03-04 제일모직주식회사 폴리우레탄 아크릴레이트를 이용한 고신뢰성 이방 전도성필름용 조성물 및 그로부터 제조되는 이방 전도성 필름
KR20110074320A (ko) 2009-12-24 2011-06-30 제일모직주식회사 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물 및 이를 이용한 저온 속경화형 이방 전도성 필름
KR20150015123A (ko) * 2013-07-31 2015-02-10 제일모직주식회사 이방성 도전 필름, 이의 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치
KR20150025973A (ko) * 2013-08-30 2015-03-11 제일모직주식회사 인체에 무해한 이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름, 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5747551A (en) * 1994-12-05 1998-05-05 Acheson Industries, Inc. UV curable pressure sensitive adhesive composition
WO2012032451A1 (en) * 2010-09-08 2012-03-15 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films
KR101355857B1 (ko) * 2011-12-16 2014-01-27 제일모직주식회사 이방 전도성 필름용 조성물, 이로부터 제조된 이방 전도성 필름 및 반도체 장치
JP2014102943A (ja) * 2012-11-19 2014-06-05 Dexerials Corp 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742428B1 (ko) * 2005-11-11 2007-07-24 에스케이씨 주식회사 광학용 이접착 폴리에스테르 필름 및 이의 제조방법
KR100809834B1 (ko) * 2006-12-18 2008-03-04 제일모직주식회사 폴리우레탄 아크릴레이트를 이용한 고신뢰성 이방 전도성필름용 조성물 및 그로부터 제조되는 이방 전도성 필름
KR20110074320A (ko) 2009-12-24 2011-06-30 제일모직주식회사 저온 속경화형 이방 전도성 필름용 조성물 및 이를 이용한 저온 속경화형 이방 전도성 필름
KR20150015123A (ko) * 2013-07-31 2015-02-10 제일모직주식회사 이방성 도전 필름, 이의 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치
KR20150025973A (ko) * 2013-08-30 2015-03-11 제일모직주식회사 인체에 무해한 이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름, 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
없음

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019050012A1 (ja) * 2017-09-11 2020-08-27 日立化成株式会社 回路接続用接着剤フィルム及びその製造方法、回路接続構造体の製造方法、並びに、接着剤フィルム収容セット

Also Published As

Publication number Publication date
CN107118706A (zh) 2017-09-01
KR101871569B1 (ko) 2018-08-02
TWI627257B (zh) 2018-06-21
CN107118706B (zh) 2020-02-14
TW201730309A (zh) 2017-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7754790B2 (en) Adhesive of epoxy acrylate, non-unsaturated resin and bis(methacryloylethyl) hydrogen phosphate
EP1229095B1 (en) Adhesive agent, method for connecting wiring terminals and wiring structure
KR101748004B1 (ko) 이방성 도전 필름
US20100159234A1 (en) Adhesive film composition for electric and electronic devices and adhesive film using the same
KR20120076187A (ko) 이방 도전성 필름
US9252117B2 (en) Semiconductor device connected by anisotropic conductive film
KR101127099B1 (ko) 이방 전도성 필름용 조성물 및 이를 이용한 이방 전도성 필름
KR101871569B1 (ko) 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치
US9534154B2 (en) Semiconductor device using composition for anisotropic conductive adhesive film or anisotropic conductive adhesive film
KR101403865B1 (ko) 이방성 도전 필름용 조성물, 이방성 도전 필름 및 반도체 장치
KR101293788B1 (ko) 이방 전도성 필름용 조성물 및 이를 이용한 이방 전도성 필름
KR100714794B1 (ko) 저온 속경화형 이방성 도전 필름, 및 그 제조방법
KR101403863B1 (ko) 이방성 도전 필름
KR101892341B1 (ko) 이방성 도전 필름
KR101737173B1 (ko) 이방 도전성 필름, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR101594484B1 (ko) 이방성 도전 필름 및 반도체 장치
KR101822712B1 (ko) 이방 도전성 필름 및 이에 의해 접속된 디스플레이 장치
KR20190046567A (ko) 이방 도전성 필름, 이를 포함하는 접속 구조체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20140096798A (ko) 이방 전도성 필름 및 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant