KR20170098567A - 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법 - Google Patents

레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170098567A
KR20170098567A KR1020160020654A KR20160020654A KR20170098567A KR 20170098567 A KR20170098567 A KR 20170098567A KR 1020160020654 A KR1020160020654 A KR 1020160020654A KR 20160020654 A KR20160020654 A KR 20160020654A KR 20170098567 A KR20170098567 A KR 20170098567A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
copper oxide
flakes
coated
plate
Prior art date
Application number
KR1020160020654A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102044239B1 (ko
Inventor
정진미
신부건
정유진
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020160020654A priority Critical patent/KR102044239B1/ko
Publication of KR20170098567A publication Critical patent/KR20170098567A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102044239B1 publication Critical patent/KR102044239B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/32—Bonding taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34—Laser welding for purposes other than joining
    • B23K26/342—Build-up welding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1862—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by radiant energy
    • C23C18/1868—Radiation, e.g. UV, laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper
    • C23C18/40—Coating with copper using reducing agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

종래의 첨가제 대신 판상형 산화구리 나노물질을 포함하는 첨가제를 사용하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법이 제공된다. 제품의 기계적 물성에 영향을 미치지 않으면서 균일한 전도성 박막 패턴을 효과적으로 제조할 수 있다.

Description

레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법 {A nucleating agent for laser direct structuring, preparation thereof, and a method for preparing conductive copper thin-film pattern using the same}
레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법이 제공된다. 더욱 구체적으로는, 종래의 첨가제 대신 판상형 산화구리 나노물질을 포함하는 첨가제를 사용하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법에 관한 것이다.
레이저 직접 구조화(Laser direct structuring: LDS)는 전도성 박막 패턴을 직접 레이저를 이용하여 형성하는 방법으로, 패턴 형성 시간을 단축시키고 3차원 패턴 형성에 용이하여 3차원 구조물에 전도성 박막 패턴을 직접 형성시키는 회로 및 안테나 제작 공정에 이용되고 있다.
LDS 공정에서 열가소성 수지 조성물은 레이저에 의해 활성화될 수 있도록 금속 함유 LSD용 첨가제로 도핑될 수 있다.
레이저 직접 구조화는 도금 공정 이전에 첨가제가 포함된 수지 성형체 표면에 레이저를 조사하여 일정한 거칠기를 가지도록 수지 성형체 표면을 패턴화하고, 이와 동시에 레이저가 조사된 표면에 흡수된 에너지로 핵형성제 역할을 하는 첨가제의 물질이 치환되어 금속 시드가 형성되도록 하는 것을 기반으로 한다.
이러한 금속 시드 및 수지 성형체 표면의 거칠기로 인하여 금속 시드가 형성된 표면은 도금 선택성으로 되고, 결과적으로 레이저가 조사된 영역에만 조밀하고 단단하게 결합된 금속층이 형성되어 도금이 되는 것이다.
한편, LSD 공정에 사용되는 열가소성 수지 조성물은 지지체(supporting material)를 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 지지체로는 천연 및/또는 합성 운모, 활석, 카올린, 박편 형태의 철 산화물 또는 알루미늄 산화물, 유리 박편, SiO2 박편, TiO2 박편, 박편 형태의 혼합 산화물, 예를 들어 FeTiO3, Fe2TiO5, 그라파이트 박편 등이 있다. 일반적으로 상기 지지체는 레이저 직접 구조화 대상이 되는 열가소성 수지 조성물에 첨가되는 무기 충전재로서 기계적 강도를 향상시키는 역할을 하는 것이다.
전도성 금속 패턴의 형성 메커니즘의 가장 중요한 부분은 열가소성 수지 조성물에 첨가되는 첨가제와, 조사되는 레이저 에너지의 상호작용에 의한 금속 시드의 형성이다.
LDS용 첨가제로는 보통 스피넬 기반의 금속산화물(예를 들어, 구리크롬산화물), 유기 금속 착체(예를 들어, 팔라듐 착화합물, 구리 착화합물)가 사용되지만 유기 금속 착체의 경우 레이저 조사에 의해 활성화될 때 조밀한 핵 형성을 위해 비교적 높은 양이 수지 내에 투입되어야 하고, 이는 최종 제품의 기본 물성을 변화시키거나 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 또한, 상용화된 레이저 흡수 첨가제 종들은 분산을 위해 대부분 수~수십 ㎛ 크기로 입자화하여 첨가된다. 아직까지 나노물질이 LDS 첨가제로 사용된 예가 보고되고 있지 않은데 그 이유는 특별한 표면 처리 없이 용액 내 분산이 어려우며 완전한 유동상이 아닌 컴파운딩 공정에서는 특히 균일한 분산을 유지하기 어렵기 때문이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 종래의 첨가제 대신 나노 물질 형태의 첨가제를 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따르면,
지지체;
상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및
상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제가 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면,
지지체에 구리 아세테이트 용액 및 수산화나트륨 용액을 첨가한 다음 교반하여 상기 지지체에 산화구리 나노 플레이크를 성장시키는 단계;
상기 결과물을 여과한 다음 건조하여 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅된 지지체를 얻는 단계; 및
상기 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅된 지지체를 환원제를 포함하는 수용액에 첨가한 다음 교반하여 환원제층으로 코팅하는 단계를 포함하는
레이저 직접 구조화용 핵형성제 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면,
지지체; 상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및 상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 단계;
기재상에 상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 포함하는 용액을 코팅하는 단계;
상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제가 코팅된 기재상에 레이저를 조사하여 구리 시드를 형성하는 단계; 및
상기 구리 시드가 형성된 기재를 도금하는 단계를 포함하는
전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면,
지지체; 상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및 상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 단계;
기재와 상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 배합하는 단계;
상기 배합된 기재상에 레이저를 조사하여 금속 시드를 형성하는 단계; 및
상기 구리 시드가 형성된 기재를 도금하는 단계를 포함하는
전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 원하는 전도성 구리 박막 패턴을 얻으면서도 최종 제품의 기계적 물성을 손상시키기 않을 수 있다. 또한, 엔지니어링 플라스틱 사출제품 제작시 물성 보강을 위한 첨가제가 기본적으로 포함되면서 스피넬 기반 핵형성제가 전체 수지 질량에 대하여 최소 2wt% 내지 10wt%로 사용되는 것에 반해, 본 발명에서는 물성 보강에 일반적으로 사용되는 무기 첨가제 표면에 나노물질을 코팅함으로써 물성 보강과 동시에 핵형성제 역할을 하도록 하여 공정을 단순화하고 수지내 분산을 효율적으로 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따라 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 방법을 단계별로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따라 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 방법을 단계별로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 레이저 직접 구조화용 핵형성제에 레이저를 조사하여 구리 시드를 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제조예 2에 따라 지지체에 형성된 산화구리 나노플레이크를, 독립적으로 형성된 산화구리 나노플레이크와 비교하여 보여주는 SEM 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따라 형성된 스팟 형태의 전도성 구리 박막을 보여주는 사진이다.
도 6a는 본 발명의 실시예 2에서 수행되는 레이저 공정 조건을 나타낸 도면이고, 도 6b는 대조군과 함께 실시예 2에 따라 도금된 전도성 구리 박막을 보여주는 사진이다.
이하에서 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 레이저 직접 구조화용 핵형성제는 지지체; 상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및 상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함한다.
본 명세서에서 "핵형성제"라 함은 레이저 조사시 환원되어 후속 도금 공정에서 금속 박막 형성을 위한 핵으로 작용하는 금속 시드를 형성하게 되는 성분으로서, 종래의 레이저 직접 구조화용 첨가제와 같은 의미로 사용되기도 하고, 레이저 직접 구조화용 첨가제 이외의 다른 성분 예를 들어, 지지체, 환원제를 포함하는 의미로 사용되기도 한다.
본 발명에서는 종래의 첨가제 역할을 하는 판상형 산화구리 나노물질을 지지체와 별도로 열가소성 수지 조성물에 첨가하는 대신, 지지체에 성장 및 코팅함으로써 열가소성 수지 조성물의 조성을 단순하게 함과 동시에 판상형 금속 산화물 나노물질의 분산을 고르게 함으로써 금속 시드 형성을 효과적으로 달성할 수 있다. 또한 본 발명에서는 종래의 첨가제로 사용되던 금속 산화물 입자와는 달리 판상형의 산화구리 나노물질을 사용함으로써 보다 효과적인 시드 형성을 통해 이후에 진행되는 구리 도금이 치밀하고 효과적으로 이루어질 수 있도록 할 수 있다.
본 발명에서는 핵형성제의 기본 물질은 나노미터 크기의 산화구리 물질로, 이의 균일한 분산을 위해 마이크로미터 스케일의 지지체를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 지지체는 레이저 직접 구조화에 사용되는 열가소성 수지 조성물에 일반적으로 사용되는 무기 재료를 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, 운모 플레이크(flakes), SiO2 플레이크, Al2O3 플레이크, Fe2O3 플레이크, 유리 플레이크, 카올린(Kaolin) 및 탈크(Talc) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다.
상기 지지체는 일반적으로 레이저 직접 구조화 대상이 되는 열가소성 수지 조성물에 사용되는 크기의 것을 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 한 변의 길이가 1㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
상기 판상형 산화구리 나노물질은 한 변의 길이가 50~500nm이고, 두께가 5~50nm인 판상 형태로 성장된 물질일 수 있다.
또한, 상기 지지체는 TiO2 또는 ZnO로 코팅된 것일 수 있다. TiO2는 일반적으로 레이저 직접 구조화를 위한 열가소성 수지 조성물에서 도금 성능을 개선시키는 효과가 있으나, 제품의 기계적 물성을 저하시키는 것으로 알려져 있어, 본 발명에서는 TiO2를 별도로 열가소성 수지 조성물에 포함시키는 대신 지지체에 코팅하고, 그 위에 다시 판상형 산화구리 나노물질을 코팅함으로써 TiO2가 고정되도록 하였다.
상기 환원제층은 레이저 조사시 판상형 산화구리 나노물질을 환원시켜 구리 시드가 형성되도록 하는 역할을 하는 환원제를 포함하며, 예를 들어 폴리비닐피롤리돈 또는 폴리에틸렌글리콜일 수 있다.
상기 환원제층은 흡수첨가제, 예를 들어, 카본블랙을 추가로 포함할 수 있으며, 카본블랙은 블랙 색상을 형성하며 레이저 흡수율을 효율적으로 높일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 레이저 직접 구조화용 핵형성제 제조 방법은 지지체에 구리 아세테이트 용액 및 수산화나트륨 용액을 첨가한 다음 교반하여 상기 지지체에 산화구리 나노 플레이크를 성장시키는 단계; 상기 결과물을 여과한 다음 건조하여 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅된 지지체를 얻는 단계; 및 상기 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅된 지지체를, 환원제를 포함하는 수용액에 첨가한 다음 교반하여 환원제층으로 코팅하는 단계를 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따라 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 방법을 단계별로 나타낸 도면이다.
도 1에 따르면, 먼저 지지체를 준비하고(S100), 상기 지지체 위에 산화구리 나노 플레이크를 성장시킨 후 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅한다(S110). 그런 다음, 환원제층으로 코팅한다(S120).
상기 지지체는 운모 플레이크(flakes), SiO2 플레이크, Al2O3 플레이크, Fe2O3 플레이크, 유리 플레이크, 카올린(Kaolin) 및 탈크(Talc) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있으며, 예를 들어 1㎛ 내지 100㎛의 크기를 가질 수 있다.
상기 지지체에 예를 들어, 구리 아세테이트 수용액, 수산화나트륨 수용액 및 추가적으로 입자 성장 안정제를 혼합한 다음, 얻은 침전물을 여과 및 건조하면, 지지체상에 산화구리 나노 플레이크가 성장하게 되고, 여과 및 건조를 통하여 판상형 산화구리 나노물질이 코팅된 지지체를 얻을 수 있다.
이 때, 산화구리 나노 플레이크는 상기 구리 아세테이트와 수산화나트륨을 1:2 내지 1:10의 몰 비로 반응시켜 제조될 수 있다.
상기 입자 성장 안정제로는 티오글리세롤, 1,6-헥사디아민, 헥사메틸렌테트라아민 등을 사용할 수 있다.
상기 입자 성장 안정제는 구리 아세테이트와 수산화나트륨을 합한 양에 대하여 0.005 내지 1중량비일 수 있다.
상기 판상형 산화구리 나노물질은 한 변의 길이가 1㎛ 이하인 판상 형태로 성장된 물질로, 판상 표면의 한 변의 길이에 대한 수직 방향의 길이(두께)의 비가 0.5 이하로, 면의 형상은 대략 사각형의 형상이나 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 판상형 산화구리 나노물질은 판상 표면이 사각형인 경우 한 변의 길이가 500nm 이하, 예를 들어 한 변의 길이가 50 내지 200nm이고, 두께가 5 내지 50 nm인 나노 플레이크(nano-flake)일 수 있다.
상기한 것과 같이 얻은 판상형 산화구리 나노물질이 코팅된 지지체를, 환원제를 포함하는 수용액에 첨가한 다음 교반하고 생성된 결과물을 여과하여 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층상에 환원제층으로 코팅된 핵형성제를 얻게 된다.
상기 환원제를 포함하는 수용액은 흡수첨가제, 예를 들어 카본블랙을 추가로 포함할 수 있다.
상기 지지체를 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅하기 전에 필요에 따라, 상기 지지체를 예를 들어 졸-겔법으로 TiO2로 코팅할 수 있다. 이를 통하여, TiO2의 추가적 도입에 의한 기계적 물성 저하를 최소로 하고 도금 성능을 상승시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 구현예에 따라 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 방법을 단계별로 나타낸 도면이다.
도 2에서 보듯이, 먼저 지지체를 준비하고(S200), 상기 지지체 위에 산화구리 나노 플레이크를 성장시킨 후 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅한다(S210). 그런 다음, 환원제층으로 코팅한다(S220). 이 때 지지체를 준비하는 단계(S200)에서 TiO2로 지지체를 코팅하는 단계를 더 포함하게 된다.
본 발명의 다른 측면에 따른 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법은 지지체; 상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및 상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 단계; 기재상에 상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 포함하는 용액을 코팅하는 단계; 상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제가 코팅된 기재상에 레이저를 조사하여 구리 시드를 형성하는 단계; 및 상기 구리 시드가 형성된 기재를 도금하는 단계를 포함한다.
상기 지지체는 운모 플레이크(flakes), SiO2 플레이크, Al2O3 플레이크, Fe2O3 플레이크, 유리 플레이크, 카올린(Kaolin) 및 탈크(Talc) 중에서 선택된 1종 이상일 수 있으며, 크기가 1㎛ 내지 100㎛일 수 있다.
상기 판상형 산화구리 나노물질은 길이가 100~200nm이고, 두께가 5~50nm일 수 있다.
상기 지지체는 예를 들어, 졸-겔법으로 TiO2로 코팅된 것일 수 있다.
상기 판상형 산화구리 나노물질은 구리아세테이트와 수산화나트륨을 1:2 내지 1:10의 몰 비로 반응시켜 제조될 수 있다.
상기 레이저는 1064nm 펄스 레이저를 기준으로 출력 3~25W, 반복률(repetition rate) 20~200kHz, 속도 800mm/s~2500mm/s의 조건으로 수행될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따라 제조된 레이저 직접 구조화용 핵형성제에 레이저를 조사하여 구리 시드를 형성하는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3에서 보듯이, 지지체, 예를 들어 운모상에 코팅된 산화구리 나노물질층 위에 환원제층으로 코팅된 핵형성제에 레이저를 조사하면 운모상에 코팅된 산화구리 나노물질이 환원제에 의해 환원되어 금속 시드를 형성하게 된다.
상기 구리 시드층상에 구리를 도금하는 단계는 특별히 제한되지 않으며, 일반적인 도금 공정을 통해 이루어질 수 있다. 예를 들어, 비전해 도금으로 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법은 지지체; 상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및 상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 단계; 기재와 상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 배합하는 단계; 상기 배합된 기재상에 레이저를 조사하여 금속 시드를 형성하는 단계; 및 상기 구리 시드가 형성된 기재를 도금하는 단계를 포함한다.
기재와 본 발명에 따른 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 배합하는 경우, 배합물을 예를 들어 사출성형한 후 레이저를 조사할 수 있다.
본 발명에서는, 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 성형된 열가소성 수지 표면에 직접 코팅하거나, 열가소성 수지 조성물에 배합한 후 배합물을 성형한 다음 레이저를 조사하면 상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제가 치환되어 도금을 위한 금속 시드로서 역할을 하게 되므로 원하는 전도성 금속 박막 패턴을 얻을 수 있다.
상기 판상형 산화구리 나노물질은 예를 들어, 구리 아세테이트 수용액, 수산화나트륨 수용액 및 추가적으로, 입자 성장 안정제를 혼합한 다음, 얻은 침전물을 건조하여 제조할 수 있다. 이 때, 상기 구리 아세테이트와 수산화나트륨을 1:2 내지 1:10의 몰 비로 반응시켜 제조될 수 있다.
상기 입자 성장 안정제로는 티오글리세롤, 1,6-헥사디아민, 헥사메틸렌테트라아민 등을 사용할 수 있다.
상기 입자 성장 안정제는 구리 아세테이트와 수산화나트륨을 합한 양에 대하여 0.005 내지 1중량비일 수 있다.
상기 판상형 산화구리 나노물질은 입자크기가 1㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 판상형 산화구리 나노물질은 입자크기가 500nm 이하, 구체적으로, 상기 판상형 산화구리 나노물질은 길이가 100 내지 200nm, 두께가 5 내지 50nm일 수 있다.
상기 레이저는 1064nm, 1090nm, 9.3㎛, 또는 10.6㎛ 파장을 가질 수 있으며, 1064nm 파장의 레이저가 범용화되어 있으면서 현 공정에 가장 적합하다.
상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제에 레이저를 조사하는 경우, 레이저 또는 고출력 플래쉬 램프를 사용한 레이저 조사 방식을 이용할 수 있다.
본 발명에서는 레이저광으로 펄스 레이저 또는 연속파(CW, continuous wave) 레이저를 사용할 수 있다. 레이저가 상기 환원제층 및 판상형 산화구리 나노물질층으로 차례로 코팅된 지지체에 조사되면 산화구리가 구리로 환원됨과 동시에 소결되어 금속 시드층을 형성하게 된다.
상기 구리 시드층상에 구리를 도금하는 단계는 특별히 제한되지 않으며, 일반적인 도금 공정을 통해 이루어질 수 있다. 예를 들어, 무전해 도금으로 수행할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 종래의 레이저 직접 구조화(LDS) 방법에 비해 치밀하고 기재의 기계적 물성에 불리한 영향을 미치지 않으면서 구리 전도성 박막 패턴을 효과적으로 얻을 수 있다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 이들 실시예는 단지 예시적인 것일 뿐, 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다.
레이저 직접 구조화용 핵형성제 제조
제조예 1
운모(에코텍, 15~20㎛) 50g에 0.5M CuCH3(COO)2·H2O 용액 250ml를 넣고 수 분간 1500rpm 속도로 교반한 다음 100㎕의 티오글리세롤을 넣고 수 분간 교반 후 5M NaOH 용액 250ml를 첨가하였다. 그런 다음, 생성된 결과물을 여과하고 증류수로 수 회 세척 후 건조하였다. 이렇게 얻은 분말을, 폴리비닐피롤리돈 0.5g과 폴리에틸렌글리콜 3g을 에탄올 100ml에 용해시킨 수용액에 넣고 1일동안 교반 후 여과하여 환원제를 코팅하였다.
제조예 2
운모에 졸겔법으로 TiO2를 코팅하였다. 그런 다음 결과물에 0.5M CuCH3(COO)2·H2O 용액 250ml를 넣고 수분 동안 1500rpm 속도로 교반한 다음 100㎕의 티오글리세롤을 넣고 수 분간 교반 후 5M NaOH 용액 250ml를 첨가하였다.
그런 다음, 생성된 결과물을 여과하고 증류수로 수 회 세척 후 건조하였다.
이렇게 얻은 분말을, 폴리비닐피롤리돈 0.5g과 폴리에틸렌글리콜 3g을 에탄올 100ml에 용해시킨 수용액에 넣고 1일 동안 교반 후 여과하여 환원제를 코팅하였다.
도 4는 본 발명의 제조예 2에 따라 TiO2가 코팅된 지지체에 형성된 산화구리 나노플레이크를 독립적으로 형성된 산화구리 나노플레이크와 비교하여 보여주는 SEM 사진이다.
도 4에서 보듯이, TiO2가 코팅된 운모에 판상형 산화구리 나노물질층을 형성하였을 때, 독립적으로 합성한 것과 동일한 형상과 스케일로 형성되었음을 확인하였다.
또한, EDS를 통하여 조성을 확인하였으며, 그 결과는 하기 표 1 및 표 2와 같다.
원소 중량% 원자%
C K 5.18 9.08
O K 45.87 60.46
Al K 13.54 10.58
Si K 17.58 13.20
Ti K 14.30 6.30
Pt K 3.52 0.38
합계 100.00
원소 중량% 원자%
C K 17.04 27.22
O K 44.76 53.67
Al K 8.93 6.35
Si K 10.75 7.34
Ti K 3.44 1.38
Cu L 12.54 3.79
Pt K 2.53 0.25
합계 100.00
상기 표 1은 운모에 TiO2가 코팅된 시료에 대한 결과이고, 상기 표 2는 운모에 TiO2가 코팅되고, TiO2상에 산화구리 나노물질층이 코팅된 시료에 대한 결과이다. 표 1과 표 2에서 보듯이, 산화구리 나노물질층이 형성되었음을 확인할 수 있다.
실시예 1
상기 제조예 1에서 제조한 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 에탄올에 5wt%로 분산시킨 용액을 폴리카보네이트 기재 표면에 코팅한 다음 1062nm CW 레이저를 스팟 형태로 조사(1W, 5초간)하였다.
반응이 안된 부분을 포함한 표면을 세척하고 구리 도금 용액에 기판을 담그고 반응시켰다.
도금 용액은 ㈜엠에스씨에서 제공되는 MSMID-70을 이용하여 제조되었으며 제조공정은 다음과 같다. Cu 용액(MSMID-70A) 40ml, 착화제(MSMID-70B) 120ml, 보조 착화제(MSMID-70C) 3.5ml, 안정제(MSMID-70D) 2ml를 700ml의 탈이온수에 용해시켜 Cu 도금 용액을 제조하였다.
제조된 도금 용액 1L에 25% NaOH 45ml, 37% 포름알데하이드 12ml를 첨가하였다. 레이저로 표면이 활성화된 수지 구조체를 58℃에서 3 내지 5시간 동안 상기 도금 용액에 담지시킨 후, 증류수로 세척하였다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따라 형성된 스팟 형태의 전도성 구리 박막을 보여주는 사진이다.
도 5에서 보듯이, 레이저 조사한 영역에서 구리 시드가 형성되고 도금 후에 구리 박막이 잘 성장한 것을 확인하였다.
실시예 2
폴리카보네이트 수지(LUPOY, LGChem)에 상기 제조예 2에서 얻은 핵형성제를 3wt% 첨가하여 압사출 공정으로 원형 디스크 기판을 얻었으며, 대조군으로 기본 첨가제는 동일하면서 핵형성제를 첨가하지 않은 기판을 얻었다.
도 6a에 도시한 공정 조건으로 레이저 패터닝을 실시한 후 상기 실시예 1과 동일한 도금 공정을 실시하였다.
도 6b는 상기 실시예 2에서 도금한 결과 및 대조군의 도금한 결과를 나타내는 사진이다.
도 6b에서 보듯이, 대조군에서는 레이저 패터닝 후 도금하였음에도 기재 표면에 금속막이 형성되지 않은 반면, 핵형성제를 포함한 수지의 경우 레이저 패터닝 후 도금하였을 때 도금된 표면을 얻을 수 있었다.

Claims (24)

  1. 지지체;
    상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및
    상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지체는 운모 플레이크(flakes), SiO2 플레이크, Al2O3 플레이크, Fe2O3 플레이크, 유리 플레이크, 카올린(Kaolin) 및 탈크(Talc) 중에서 선택된 1종 이상인 레이저 직접 구조화용 핵형성제.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지체는 크기가 1㎛ 내지 100㎛인 레이저 직접 구조화용 핵형성제.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 판상형 산화구리 나노물질은 한 변의 길이가 50~200nm이고, 두께가 5~50nm인 나노 플레이크인 레이저 직접 구조화용 핵형성제.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지체는 TiO2로 코팅된 것인 레이저 직접 구조화용 핵형성제.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 환원제층은 폴리비닐피롤리돈 또는 폴리에틸렌글리콜을 환원제로 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 환원제층은 카본블랙을 더 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제.
  8. 지지체에 구리 아세테이트 용액 및 수산화나트륨 용액을 첨가한 다음 교반하여 상기 지지체에 산화구리 나노 플레이크를 성장시키는 단계;
    상기 결과물을 여과한 다음 건조하여 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅된 지지체를 얻는 단계;
    상기 판상형 산화구리 나노물질층으로 코팅된 지지체를, 환원제를 포함하는 수용액에 첨가한 다음 교반하여 환원제층으로 코팅하는 단계를 포함하는
    레이저 직접 구조화용 핵형성제 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 지지체는 졸겔법으로 TiO2가 코팅된 것인 레이저 직접 구조화용 핵형성제 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 환원제를 포함하는 수용액은 카본블랙을 추가로 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제 제조방법.
  11. 지지체; 상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및 상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 단계;
    기재상에 상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 포함하는 용액을 코팅하는 단계;
    상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제가 코팅된 기재상에 레이저를 조사하여 구리 시드를 형성하는 단계; 및
    상기 구리 시드가 형성된 기재를 도금하는 단계를 포함하는
    전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 지지체는 운모 플레이크(flakes), SiO2 플레이크, Al2O3 플레이크, Fe2O3 플레이크, 유리 플레이크, 카올린(Kaolin) 및 탈크(Talc) 중에서 선택된 1종 이상인 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 지지체는 크기가 1㎛ 내지 100㎛인 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 판상형 산화구리 나노물질은 한 변의 길이가 50~200nm이고, 두께가 5~50nm인 나노 플레이크인 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 지지체는 TiO2로 코팅된 것인 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 판상형 산화구리 나노물질은 구리아세테이트와 수산화나트륨을 1:2 내지 1:10의 몰 비로 반응시켜 제조되는 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 레이저는 1064nm 펄스 레이저를 기준으로 출력 3~25W, 반복률 20~200kHz, 속도 800mm/s~2500mm/s의 조건으로 수행되는 전도성 구리 박막 패턴 형성 방법.
  18. 지지체; 상기 지지체상에 코팅된 판상형 산화구리 나노물질층; 및 상기 판상형 산화구리 나노물질층상에 코팅된 환원제층을 포함하는 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 제조하는 단계;
    기재와 상기 레이저 직접 구조화용 핵형성제를 배합하는 단계;
    상기 배합된 기재상에 레이저를 조사하여 금속 시드를 형성하는 단계; 및
    상기 구리 시드가 형성된 기재를 도금하는 단계를 포함하는
    전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 지지체는 운모 플레이크(flakes), SiO2 플레이크, Al2O3 플레이크, Fe2O3 플레이크, 유리 플레이크, 카올린(Kaolin) 및 탈크(Talc) 중에서 선택된 1종 이상인 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 지지체는 크기가 1㎛ 내지 100㎛인 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 판상형 산화구리 나노물질은 한 변의 길이가 50~500nm이고, 두께가 5~50nm인 나노 플레이크인 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 지지체는 TiO2로 코팅된 것인 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 판상형 산화구리 나노물질은 구리아세테이트와 수산화나트륨을 1:2 내지 1:10의 몰 비로 반응시켜 제조되는 전도성 구리 박막 패턴의 형성 방법.
  24. 제18항에 있어서,
    상기 레이저는 1064nm 펄스 레이저를 기준으로 출력 3~25W, 반복률 20~200kHz, 속도 800mm/s~2500mm/s의 조건으로 수행되는 전도성 구리 박막 패턴 형성 방법.
KR1020160020654A 2016-02-22 2016-02-22 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법 KR102044239B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160020654A KR102044239B1 (ko) 2016-02-22 2016-02-22 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160020654A KR102044239B1 (ko) 2016-02-22 2016-02-22 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170098567A true KR20170098567A (ko) 2017-08-30
KR102044239B1 KR102044239B1 (ko) 2019-11-13

Family

ID=59760590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160020654A KR102044239B1 (ko) 2016-02-22 2016-02-22 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102044239B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115365495A (zh) * 2022-07-29 2022-11-22 广东三宝新材料科技股份有限公司 铜包覆云母粉及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110128936A (ko) * 2009-03-18 2011-11-30 메르크 파텐트 게엠베하 레이저 마킹용 안료
KR101204307B1 (ko) * 2010-10-20 2012-11-23 한국과학기술원 레이저를 이용한 미세 구리배선 제작방법 및 레이저를 이용한 미세 구리배선 제조장치 및 그 제작방법으로 제조된 미세 구리배선

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110128936A (ko) * 2009-03-18 2011-11-30 메르크 파텐트 게엠베하 레이저 마킹용 안료
KR101204307B1 (ko) * 2010-10-20 2012-11-23 한국과학기술원 레이저를 이용한 미세 구리배선 제작방법 및 레이저를 이용한 미세 구리배선 제조장치 및 그 제작방법으로 제조된 미세 구리배선

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115365495A (zh) * 2022-07-29 2022-11-22 广东三宝新材料科技股份有限公司 铜包覆云母粉及其制备方法
CN115365495B (zh) * 2022-07-29 2024-05-28 广东三宝新材料科技股份有限公司 铜包覆云母粉及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102044239B1 (ko) 2019-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102399145B1 (ko) 코어-쉘 복합물 무기 금속 산화물 및 중합체 및 수지 조성물에서 열 산화적 분해의 방지를 위한 제조 방법
JP6423418B2 (ja) Ｌｄｓプラスチック用添加剤
EP2883922B1 (en) Metal nanoparticle synthesis and conductive ink formulation
KR101574736B1 (ko) 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
EP3466570A1 (en) Method for manufacturing silver-coated copper nanowire having core-shell structure by using chemical reduction method
TWI507467B (zh) 用於形成導電圖案之組成物和方法、及其上具有導電圖案的樹脂結構體
US8084140B2 (en) Silver platelets comprising palladium
KR101717753B1 (ko) 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
EP2958113A1 (en) Composition for forming conductive pattern, method for forming conductive pattern using same, and resin structure having conductive pattern
EP2045028A1 (en) Metal nanoparticles, method for producing the same, aqueous dispersion, method for manufacturing printed wiring or electrode, and printed wiring board or device
Mourdikoudis et al. Colloidal chemical bottom-up synthesis routes of pnictogen (As, Sb, Bi) nanostructures with tailored properties and applications: a summary of the state of the art and main insights
KR20170098567A (ko) 레이저 직접 구조화용 핵형성제, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법
KR102114858B1 (ko) 레이저를 이용한 전도성 구리 박막 패턴의 제조방법
DE102010062184B3 (de) Verfahren zur Metallbeschichtung von Nanopartikeln mittels stromloser Abscheidetechniken
KR101911692B1 (ko) 금속 나노 입자 복합체의 제조방법, 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법
EP3154064B1 (en) Composition for forming conductive pattern, method for forming conductive pattern using same, and resin structure having conductive pattern
KR100449369B1 (ko) 편상의 미립 은 분말 제조방법
KR20140128539A (ko) 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR20130046701A (ko) 나노은/실리카 졸 코팅용액의 제조방법 및 이 방법으로 제조된 나노은/실리카 졸 코팅용액
KR20180061771A (ko) 구리합금 나노 입자, 나노 분산액, 및 스퍼터링 타겟의 제조 방법
KR100912253B1 (ko) 알루미나 코팅체의 제조 방법
KR101983271B1 (ko) 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 가지는 수지 구조체
JPH03294408A (ja) 金属微粒子の製造方法
JP2024075595A (ja) 金属イオンの還元方法、板状金属ナノ粒子、板状金属ナノ粒子を含む複合体及びその分散液、並びに多分枝金属ナノ粒子及びその製造方法
JP2007123598A (ja) フェライト膜成膜用水溶液、フェライト膜の製造方法及びフェライト膜

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant