KR101911692B1 - 금속 나노 입자 복합체의 제조방법, 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법 - Google Patents

금속 나노 입자 복합체의 제조방법, 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법 Download PDF

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Abstract

고분자 바인더에 의해 캐핑(Capping)되어 있는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법으로서, a) 고분자 바인더 및 금속 이온을 혼합하여 용액을 제조하는 단계; b) 제 1 침전제를 첨가하는 제 1 침전단계; c) 환원제를 첨가하는 환원단계; d) 제 2 침전제를 첨가하는 제 2 침전단계; e) 상기 제 2 침전단계 후 증류수를 사용하여 세척하고 금속 나노입자를 수득하는 세척단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법을 제공한다.

Description

금속 나노 입자 복합체의 제조방법, 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법{Method for Preparing Metal Nano Particle Complex, Ink Composition Comprising Metal Nano Particle Complex and Printing Method using the Same}
본 발명은 금속 나노 입자 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 작고 균일한 입자 크기를 가지며, 고분자 바인더의 함량이 감소된 금속 나노 입자 복합체의 제조방법에 관한 것이다.
본 연구는 ㈜파루의 주관 하에 대한민국 산업통상자원부 산하 한국산업기술평가관리원의 지원에 의하여 이루어진 것으로, 연구사업명은 기능성 화학소재 사업화핵심기술개발사업(과제고유번호: 10060520)이다.
최근 다양한 디바이스의 소형화 및 정밀화가 요구됨에 따라 나노 수준의 입자나 구조체를 이용하여 이루어지는 다양한 기술이 개발되고 있다.
이러한 기술 중에서 활발히 연구와 다양한 분야에서의 상용화가 이루어지고 있는 기술이 금속 나노 입자를 이용한 기술이다. 그 중에서도 금속 나노 입자를 포함하는 잉크를 제조하여 이를 다양한 기판에 인쇄하는 기술로서, 금속 나노 입자를 제조하고, 이를 용매에 분산시킨 콜로이드 용액을 제조한 뒤, 기판에 인쇄하는 방식에 의해 더욱 정밀한 수준의 디바이스를 구현하는 것이 가능해졌다.
나노 단위에서는 물질의 일반적으로 나타내는 물성과는 상이한 물성을 나타내기도 하는데, 은 나노 입자의 경우, 큰 사이즈의 은 입자에 비해 훨씬 낮은 온도에서 은 나노 입자끼리 융착하는 특성을 나타낸다. 그러나, 이는 은 나노 입자가 나노 크기로 유지되지 못하고, 쉽게 융착되어 은 나노 입자로서 활용하는데 큰 장애가 된다.
이에 따라, 은 나노 입자가 서로 융착되지 않도록 은 나노 입자의 안정성을 확보하기 위해 활용되고 있는 기술로는, 금속 나노 입자를 고분자 보호제로 캐핑(Capping)하는 방법이 있다. 이러한 고분자 보호제의 경우, 액상환원법으로 은 나노 입자의 제조할 때, 고분자 화합물을 함께 첨가하여 금속 나노 입자 복합체를 제조할 수 있으나, 은 나노 입자의 물성을 해치지 않는 범위 내에서 복합체를 제조해야하는 점에서 아직도 많은 과제가 남아 있다.
특히, 은 나노 입자를 포함하는 잉크는 기판에 인쇄한 뒤 이를 소성시키면, 은 나노 입자끼리 상호 융착되는데, 우수한 전기전도성과 열 전도성을 나타내나, 은 나노 입자를 안정적으로 유지시키는 고분자 보호제는 은 나노 입자의 융착을 방해하거나 전기저항을 높이고 열전도성을 낮추는 문제가 있는 바, 은 나노 입자의 안정성을 유지하면서도 전기저항을 감소시키기 위해서는 근본적으로 복합체 내의 고분자 보호제의 함량을 감소시키는 것이 필요하다.
이에 관해서는 공개특허공보 제10-2016-0070797호와 제10-2017-0040368호에서는 저온에서 금속 나노 입자의 표면으로부터 용이하게 탈착되면서도 금속 나노 입자의 분산 상태를 우수하게 유지하는 보호제에 관한 발명이 개시되어 있으나, 금속 나노 입자 복합체 내의 보호제의 함량을 감소시켜 저항 성분을 감소시키는 기술이 여전히 요구되는 상황이다.
기존의 은 나노 입자 합성법으로 제조된 은 나노 입자는, 안정적인 입자를 유지하기 위해 첨가되는 보호제의 영향으로 은 자체의 전도도가 저감되는 문제가 있고, 이는 은 나노 입자를 적용하는 디바이스 및 공정에서 불리한 요인으로 작용한다.
은 나노 입자를 보다 다양한 디바이스에서의 활용이 가능하게 하고 우수한 공정성을 확보하기 위해서는 은 나노 입자의 제조 시 첨가되는 보호제의 양을 감소시키는 것이 필요하다.
한편, 금속 나노 입자의 제조에 있어서, 작고 균일한 크기의 입자를 제조하는 것이, 나노 입자로 제조되는 디바이스의 고품질과 균일한 품질을 확보하는데 중요한 바, 액상환원법을 이용하면서도 균일하고 작은 크기의 금속 나노 입자를 제조하는 기술이 요구되는 상황이다.
따라서, 작고 균일한 금속 나노 입자를 제조할 수 있으면서도, 금속 나노 입자 복합체 내의 고분자 함량을 낮출 수 있는 기술이 필요한 실정이다.
공개특허공보 10-2016-0070797 (2016. 06. 20.) 공개특허공보 10-2017-0040368 (2017. 04. 12.)
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기술적 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 발명자들은 상기와 같음 문제점을 인식하고 이를 해결하기 위해 수많은 실험과 연구를 반복한 끝에, 금속 나노 입자 복합체의 입경을 작고 균일하게 구현하면서도 금속 나노 입자 복합체의 고분자 바인더의 함량이 감소된 금속 나노 입자의 제조방법을 발명하기에 이르렀다.
또한, 본 발명의 목적은 본 발명의 제조방법으로 제조된 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크 조성물 및 이를 포함하는 발열통행로를 제공하는 것이다.
따라서, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 고분자 바인더에 의해 캐핑(Capping)되어 있는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법은,
a) 고분자 바인더 및 금속 이온을 혼합하여 용액을 제조하는 단계;
b) 제 1 침전제를 첨가하는 제 1 침전단계;
c) 환원제를 첨가하는 환원단계;
d) 제 2 침전제를 첨가하는 제 2 침전단계;
e) 상기 제 2 침전단계 후 증류수를 사용하여 세척하고 금속 나노입자 복합체를 수득하는 세척단계; 를 포함한다.
이하에서는 각 구성을 구체적으로 설명한다.
본 발명에 있어서, 금속 나노 입자 복합체는 고분자 바인더가 금속 나노 입자를 안정적으로 유지하는 보호제로서 금속 나노 입자를 캐핑(Capping)하고 있는 형태로 구성되어 있을 수 있다.
상기 고분자 바인더의 종류는 일반적으로 알려진 고분자 바인더를 사용할 수 있고, 예를 들면, 폴리피롤리돈 (Polypyrrolidone), 폴리우레탄(Polyurethane), 및 폴리아미드 (Polyamide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것일 수 있다.
본 발명에 있어서, 고분자 바인더가 금속 나노 입자를 캐핑하고 있는 형태나 모양은 크게 제한되지 않고, 금속 나노 입자의 보호제로서 기능할 수 있는 정도이면 어떠한 형태를 취하더라도 무방하다.
한편, 본 발명에 따른 금속 나노 입자 복합체의 제조방법은, 금속 나노 입자를 제조하기 위한 다양한 방법 중의 하나인 액상환원법에 의해 금속 나노 입자를 제조하고, 동일한 액상에서 고분자 바인더와 금속 나노 입자가 복합체를 형성한다.
고분자 바인더, 환원제 및 금속 이온을 혼합하는 순서는 크게 제한되지 않으나, 상세하게는, 고분자 바인더를 금속 이온과 혼합하고, 여기에 환원제를 혼합하는 방법에 의할 수 있다.
본 발명에 있어서, 환원제는 종류에 상관없이 사용될 수 있으며, 예를 들면, 소듐 보로하이드라이드(NaBH4), 포름 알데하이드(HCHO), 아민(NH3, R1NH2, R1R2NH), 하이드라진(NH2NH2) 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 금속 나노 입자는 금속 이온과 환원제와의 반응에 의해 형성되며, 금속 이온을 제공하는 금속 염 기타 화합물로부터 유래한 것이라도 무방하다. 구체적으로는, 질산은(AgNO3), 질산구리(CuNO3) 등의 수용액일 수 있다.
금속 이온이나 금속 나노 입자의 금속의 종류는 크게 제한되지 않으나, 구체적으로는 전이 금속계 일 수 있고, 예를 들면, 은(Ag) 또는 구리(Cu)일 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 금속 나노 입자 복합체의 제조방법에 있어서, 침전제의 종류도 일반적으로 사용되는 것이면 크게 제한없이 사용될 수 있으나, 예를 들면, 아세톤(Acetone), 에틸 메틸 케톤(Ethyl Methyl Ketone) 등의 케톤(Ketone)류, 1가 알코올, 2가 알코올 등의 알코올(Alcohol)류로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 것일 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 침전제와 후술하는 제 3 침전제는 동일하거나 상이하더라도 무방하다.
일반적인 금속 나노 입자 복합체의 제조방법과는 달리, 고분자 바인더 및 금속 이온을 혼합한 용액을 제조하고 교반하는 과정을 거친 후, 제 1 침전제를 첨가하는 과정을 거친 후, 여기에 환원제를 첨가하여 반응을 진행한다.
이와 같이, 환원제와 금속 이온의 환원반응 직전에 일정비율의 침전제를 첨가함으로써 금속 나노 입자의 입경을 조절하고, 작고 균일한 크기의 금속 나노 입자 복합체를 얻을 수 있게 된다.
본 발명의 제조방법에 따라 제조된 금속 나노 입자의 평균 입경은 50 내지 130 nm일 수 있고, 보다 바람직하게는 75 내지 125 nm일 수 있다.
작고 균일한 크기의 금속 나노 입자 복합체를 형성함으로써, 이를 사용하여 제조된 디바이스 등의 품질이 우수하고, 일정한 수준의 품질을 유지하는 것이 가능하다.
또한, 상기 입경 범위보다 작은 입경을 갖는 금속 나노 입자의 경우, 고분자 바인더가 서로 엉켜, 금속 나노 입자로부터 바인더를 제거하는 것이 용이하지 않고, 상기 범위보다 큰 입경을 갖는 경우에는, 고분자 바인더가 높은 전기전도도를 구현할 만큼 충분히 제거되지 못하는 문제가 있다.
이를 워싱함으로써 금속 나노 입자 복합체의 고분자 바인더 함량을 종래의 제조방법에 비해 현저히 감소시킬 수 있는 효과를 가진다.
상기 제 1 침전제는 금속이온 1 중량부를 기준으로 3.75 내지 11.25 중량부로 첨가할 수 있고, 첨가량에 따라 금속 나노 입자 복합체의 입경을 용이하게 조절할 수 있다.
상기 제 1 침전제를 첨가하는 과정 이후 상기 용액에 증류수를 첨가하고, 교반하는 제 1 교반과정을 거치며, 여기에 제 2 침전제를 첨가하고 교반하여 금속 나노 입자 복합체의 중간생성물을 침전시키는 제 1 입자침전과정을 거친다.
상기 제 2 침전제를 금속이온 1 중량부를 기준으로 27 내지 35 중량부로 첨가할 수 있다. 바람직하게는, 29 내지 33 중량부로 첨가할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 나노 입자 복합체의 제조방법은, 제 1 입자침전과정 후에, 증류수를 첨가하고 교반하는 제 2 교반과정과 제 2 교반과정을 거친 용액에 제 3 침전제를 첨가하고 교반하는 제 2 입자침전과정을 거칠 수 있다.
특히, 상기의 제 2 교반과정과 제 2 입자침전과정을 더 포함함으로써, 금속 나노 입자 복합체 내의 고분자 바인더의 함량을 현저히 감소시킬 수 있다. 금속 나노 입자 복합체 내의 고분자 바인더의 함량을 감소시킴에 따라, 금속 나노 입자의 전기전도도가 현저히 향상되며, 비저항 포화 구간이 감소되는 효과를 가진다. 이러한 효과에 의해 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크를 발열체나 전자회로를 적용하는 경우, 고전압과 고온 발열 시에도 우수한 내구성을 나타내는 효과를 가지게 된다.
본 발명에 있어서, 제 1 교반과정과 제 2 교반과정은 60 내지 90℃의 온도로 유지하며 진행하고, 경우에 따라서는 상기 온도 범위로 유지된 증류수를 첨가함으로써 상기 온도 범위에서 교반과정을 수행할 수 있다.
한편, 본 발명은 본 발명에 따른 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 잉크 조성물은 고분자 바인더의 함량이 낮은 금속 나노 입자 복합체를 포함하고 있어, 본 발명에 따른 잉크 조성물로 기판 위에 인쇄하여 제조된 디바이스의 경우, 고전압 및 고온에서도 우수한 내구성을 가진다.
본 발명은 또한, 본 발명에 따른 잉크 조성물을 사용한 인쇄방법을 제공한다. 금속 나노 입자를 포함하는 잉크 조성물을 사용하여 인쇄하는 방법에 의해, 다양한 디바이스에서 금속 나노 입자를 활용하는 것이 가능하다. 예를 들면, 디바이스 내부 전기회로나 발열판을 상기 잉크 조성물을 사용하여 인쇄하는 방법일 수 있다.
본 발명에 따른 인쇄방법이 적용 가능한 구체적인 디바이스로는 발열히터, 전자회로의 안테나일 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 금속 나노 입자 복합체의 제조방법은, 작고 균일한 크기의 금속 나노 입자 복합체를 제조할 수 있고, 금속 나노 입자 복합체 내의 고분자 바인더 함량을 감소시킬 수 있어 우수한 전도도를 가지는 금속 나노 입자 복합체를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크 조성물은 저온 건조 조건에서 전기전도도가 높아 다양한 산업분야에서의 은 나노 입자의 활용을 기대할 수 있을 뿐만 아니라, 비저항 포화시간이 현저히 단축된 효과를 가져 높은 생산성을 기대할 수 있다.
도 1은 110℃의 건조 조건에서 건조 시간에 따른 은 나노 입자 복합체의 비저항 변화를 나타낸 그래프이다;
도 2는 150℃의 건조 조건에서 건조 시간에 따른 은 나노 입자 복합체의 비저항 변화를 나타낸 그래프이다;
도 3은 실시예 1에 따른 은 나노 입자 복합체의 SEM 이미지이다;
도 4는 실시예 2에 따른 은 나노 입자 복합체의 SEM 이미지이다;
도 5은 실시예 4에 따른 은 나노 입자 복합체의 SEM 이미지이다;
도 6은 비교예 1에 따른 은 나노 입자 복합체의 SEM 이미지이다;
도 7은 금속 나노 입자 복합체의 제조방법에 있어서, 종래의 제조방법과 본 발명에 따른 제조방법을 비교한 순서도이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 자세히 설명하지만, 본 발명의 범주가 그것으로 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
증류수 12L에 질산은(AgNO3) 0.8kg과 폴리피롤리돈(Polypyrrolidone) 0.15kg을 용해시키고, 아세톤(Acetone) 4kg을 첨가한 후, 하이드라진(NH2NH2)을 상기 용액에 천천히 적가하였다. 이를 400 rpm으로 15분간 교반한 뒤, 아세톤 24.8kg을 첨가하고 10분간 교반하여 입자를 침전시켰다.
상기 용액에 65℃의 온도로 유지된 증류수 1.1L를 첨가하여 3 rpm으로 5분간 교반한 뒤, 65℃의 온도로 유지된 증류수 5L로 240 rpm으로 20분간 교반하여 워싱하였다.
워싱한 용액에 아세톤 11kg을 넣고 5분간 교반한 후, 원심분리기로 5000rpm으로 1분동안 원심 분리하여 은 나노 입자 복합체를 수득하였다.
<실시예 2>
증류수 12L에 질산은(AgNO3) 0.8kg과 폴리피롤리돈(Polypyrrolidone) 0.15kg을 용해 시키고, 아세톤(Acetone) 6kg을 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 은 나노 입자 복합체를 수득하였다.
<실시예 3>
증류수 12L에 질산은(AgNO3) 0.8kg과 폴리피롤리돈(Polypyrrolidone) 0.15kg을 용해시키고, 아세톤(Acetone) 8kg을 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 은 나노 입자 복합체를 수득하였다.
<실시예 4>
증류수 12L에 질산은(AgNO3) 0.8kg과 폴리피롤리돈(Polypyrrolidone) 0.15kg을 용해시키고, 아세톤(Acetone) 9kg을 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 은 나노 입자 복합체를 수득하였다.
<비교예 1>
증류수 12L에 질산은(AgNO3) 0.8kg과 폴리피롤리돈(Polypyrrolidone) 0.15kg을 용해시키고, 하이드라진(NH2NH2)을 적가하였다. 이를 400 rpm으로 15분간 교반한 뒤, 아세톤 24.8kg을 첨가하고 10분간 교반하여 입자를 침전시켰다.
침전시킨 입자를 원심분리기로 5000rpm으로 5분동안 원심 분리하여 은 나노 입자 복합체를 수득하였다.
<비교예 2>
증류수 12L에 질산은(AgNO3) 0.8kg과 폴리피롤리돈(Polypyrrolidone) 0.15kg을 용해시키고, 하이드라진(NH2NH2)을 적가하였다. 이를 400 rpm으로 15분간 교반한 뒤, 아세톤 24.8kg을 첨가하고 10분간 교반하여 입자를 침전시켰다.
상기 용액에 65℃의 온도로 유지된 증류수 1.1L를 첨가하여 3 rpm으로 5분간 교반한 뒤, 65℃의 온도로 유지된 증류수 5L로 240 rpm으로 20분간 교반하여 워싱하였다.
워싱한 입자를 원심분리기로 5000rpm으로 5분동안 원심 분리하여 은 나노 입자 복합체를 수득하였다.
<실험예 1>
실시예 1 내지 3 및 비교예 2에 따른 은 나노 입자 복합체를 워싱하기 전의 바인더 함량과 워싱 후의 복합체 내의 바인더 함량을 측정하여, 워싱으로 제거된 바인더의 양을 비교하였다.
워싱으로 제거된 바인더의 양(%)
실시예 1 40.0
실시예 2 40.6
실시예 3 42.1
실시예 4 42.9
비교예 2 20.4
<실험예 2>
실시예와 비교예에 따른 은 나노 입자 복합체를 각각 110℃와 150℃의 온도 조건에서 건조시키면서 건조 시간에 따른 비저항값을 측정하였다.
<실험예 3>
실시예 및 비교예에 따른 은 나노 입자 복합체의 입자 크기를 측정하였다.
합성공정(용매첨가) 워싱공정 평균입경
(nm)
질산은
(g)		 바인더
(g)		 침전제
(kg)		 온도
(℃)
비교예1 800 150 0 - 150
비교예2 800 150 0 65 -
실시예1 800 150 4 65 120
실시예2 800 150 6 55 100
실시예3 800 150 8 65 90
실시예4 800 150 9 65 80
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 4에 따라 제조된 은 나노 입자의 워싱 공정 후에 고분자 바인더의 양이 현저히 감소하였음을 알 수 있다.
이로부터 제 2 교반과정과 제 2 입자침전과정을 거치는 경우에 은 나노 입자 복합체 내의 고분자 바인더 함량을 크게 감소시킬 수 있음을 알 수 있다.
고분자 바인더는 은 나노 입자를 안정적으로 유지할 수 있게 하지만, 은 나노 입자 복합체로 제조된 디바이스의 저항 성분으로 작용하게 된다. 본 발명에 따른 제조방법에 의해 제조하는 경우에는 은 나노 입자 복합체 내의 고분자 바인더 함량을 현저히 감소시킴으로써 전기전도성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
실험예 2에 따른 실험 결과를 도 1과 도 2에 나타냈다.
도 1과 도 2를 참조하면, 실시예에 따라 제조된 은 나노 입자 복합체의 경우, 비저항 포화시간을 현저히 감소시킬 수 있는 효과를 가진다. 또한, 포화 후의 비저항값이 실시예들에서 더 낮게 형성되므로, 실시예의 제조방법에 따라 제조된 은 나노 입자의 경우, 건조시간 및 건조온도와 무관하게 전반적으로 전기전도도가 향상된 효과를 갖는다.
실험예 3에 따른 실험결과를 표 2에 나타냈다.
실시예 1 내지 4의 은 나노 입자 복합체는 평균입경이 80 내지 120 nm 내외의 값을 갖는다. 종래의 제조방법에 따라 제조된 비교예 1의 은 나노 입자 복합체의 평균입경이 150 nm인 것과 비교하면, 평균입경이 20 내지 47% 가량 감소된 크기로 제조하는 것이 가능함을 알 수 있다.
또한, 도 3 내지 6을 참조하면, 도 3 내지 5에 도시된 SEM 이미지에서 은 나노 입자 복합체가 대체로 균일한 크기를 가짐을 확인할 수 있으나, 도 6에 도시된 종래 제조방법에 따라 제조된 은 나노 입자 복합체의 경우, 큰 입경을 가지는 은 나노 입자 복합체와 가장 큰 입경 대비 1/3 정도의 입경을 가지는 은 나노 입자 복합체가 혼재되어 있는 것을 확인할 수 있는 바, 입자의 균일성이 현저히 떨어지는 것을 확인할 수 있다.

Claims (12)

  1. 고분자 바인더에 의해 캐핑(Capping)되어 있는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법으로서,
    a) 고분자 바인더 및 금속 이온을 증류수에 혼합하여 용액을 제조하는 단계;
    b) 제 1 침전제를 첨가하는 제 1 침전단계;
    c) 용액 상의 금속 이온과 환원제를 반응시키는 환원단계;
    d) 제 2 침전제를 첨가하는 제 2 침전단계;
    e) 상기 제 2 침전단계 후 증류수를 사용하여 세척하고 금속 나노 입자 복합체를 수득하는 세척단계; 를 포함하고,
    상기 제 1 침전제를 금속 이온 1 중량부를 기준으로 3.75 내지 11.25 중량부로 첨가하는 것이며,
    상기 제 1 침전제는 케톤류 및 알코올류로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 것이고,
    상기 환원제는 소듐 보로하이드라이드(NaBH4), 포름 알데하이드(HCHO) 및 하이드라진(NH2NH2)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 것인 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 침전제를 금속이온 1 중량부를 기준으로 27 내지 35 중량부로 첨가하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 d)단계는,
    d-1) 상기 d)단계를 거친 용액에 증류수를 첨가하는 단계; 및
    d-2) 상기 d-1)단계를 거친 용액에 제 3 침전제를 첨가하는 제 3 침전단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 나노 입자 복합체는 평균입경이 50 내지 130 nm인 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 d-1) 단계는 증류수를 60 내지 90℃의 온도로 유지하며 교반하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 e) 단계는 증류수를 60 내지 90℃의 온도로 유지하며 수세하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 나노 입자 복합체는 은 나노 입자 복합체인 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 바인더는 폴리피롤리돈(Polypyrrolidone), 폴리우레탄(Polyurethane), 및 폴리아미드(Polyamide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 복합체의 제조방법.
  10. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 9 항 중 어느 하나에 따른 제조 방법에 의해 제조된 금속 나노 입자 복합체를 포함하는 잉크 조성물.
  11. 제 10 항에 따른 잉크 조성물을 사용하는 인쇄방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 인쇄방법은 디바이스에 잉크 조성물로 인쇄하는 방법인 것을 특징으로 하는 인쇄방법.
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