KR20170094425A - Mems 압력 센서, mems 관성 센서 집적 구조 - Google Patents

Mems 압력 센서, mems 관성 센서 집적 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20170094425A
KR20170094425A KR1020177019439A KR20177019439A KR20170094425A KR 20170094425 A KR20170094425 A KR 20170094425A KR 1020177019439 A KR1020177019439 A KR 1020177019439A KR 20177019439 A KR20177019439 A KR 20177019439A KR 20170094425 A KR20170094425 A KR 20170094425A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
upper electrode
mems
electrode
lower electrode
capacitor
Prior art date
Application number
KR1020177019439A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101975131B1 (ko
Inventor
구오광 정
Original Assignee
고어텍 인크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고어텍 인크 filed Critical 고어텍 인크
Publication of KR20170094425A publication Critical patent/KR20170094425A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101975131B1 publication Critical patent/KR101975131B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
    • B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B81C1/00166—Electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/12—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/04—Electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0109—Bonding an individual cap on the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

본 발명은 MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조를 개시한다. 상기 집적 구조는 기판에 형성된 절연층, 모두 절연층에 형성된 제1하부 전극과 제2하부 전극을 포함하고; 제1하부 전극과 함께 기압 민감형 콘덴서를 구성하는 제1상부 전극 및 제2하부 전극과 함께 기준 콘덴서를 구성하는 제2상부 전극을 더 포함하며; 제3지지부를 통하여 기판의 위쪽에 지지되는 관성 민감 구조 및 관성 민감 구조와 함께 관성 센서의 관성 검출 콘덴서를 구성하는 고정 극판을 더 포함하고; 여기서, 관성 민감 구조, 고정 극판으로 구성되는 관성 검출 콘덴서를 기판에 실장하는 커버를 더 포함한다. 본 발명의 집적 구조는, MEMS 관성 센서와 MEMS 압력 센서를 동일 기판에 집적시킴으로써, 칩의 면적을 효과적으로 감소시키고, 이에 따라 칩의 원가를 낮출 수 있으며, 일차적 실장을 통하여 칩 전체의 실장을 완료할 수 있고, 칩의 실장의 원가를 낮출 수 있다.

Description

MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조{MEMS PRESSURE SENSOR AND MEMS INERTIAL SENSOR INTEGRATION STRUCTURE}
본 발명은 센서 분야에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서를 동일 칩에 집적시킨 집적 구조에 관한 것이다.
근래에, 과학 기술의 발전에 따라, 휴대폰, 노트북 등 전자 제품의 체적은 부단히 작아지고 있으며, 사람들의 이러한 휴대용 전자 제품의 성능에 대한 요구도 갈수록 높아지고 있으므로, 이에 부수되는 전자 부품의 체적도 반드시 이에 따라 작아질 것을 요구한다.
센서는 측정 의기로서 보편적으로 휴대폰, 노트북 등 전자 제품에 활용되고 있다. 종래의 공정 구조에 있어서, 검출의 원리가 상이하므로, MEMS 관성 센서와 MEMS 압력 센서의 칩은 일반적으로 분리되어 있고, MEMS 관성 센서는 밀폐된 공간에서 그 미세 구조를 보호해야 하며, MEMS 압력 센서의 민감 구조는 외부와 접촉해야 하고, 두가지 의기는 각각 상이한 공정 플랫폼에 기초하여 설계와 가공을 진행하며, 상이한 패키지 형식으로 독립된 칩을 형성한다. 조립에 있어서, 시스템 제조 업자는 MEMS 관성 센서 칩과 MEMS 압력 센서 칩을 SMT의 방식으로 같은 메인보드에 실장하므로, 칩의 원가를 높이고 패키지의 원가도 높인다.
본 발명의 하나의 목적은 MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조의 새로운 기술적 해결 수단을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1측면에 따르면, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조를 제공하고 이는 기판, 상기 기판에 형성된 절연층, 모두 상기 절연층에 형성된 제1하부 전극과 제2하부 전극을 포함하고, 제1지지부에 의하여 상기 제1하부 전극의 위쪽에 지지되는 제1상부 전극 및 제2지지부에 의하여 상기 제2하부 전극의 위쪽에 지지되는 제2상부 전극을 더 포함하며; 상기 제1상부 전극과 상기 제1하부 전극이 압력 센서의 기압 민감형 콘덴서를 구성하도록, 상기 제1상부 전극은 압력 민감 필름이고, 상기 제1상부 전극과 상기 제1하부 전극 사이의 공동은 밀폐된 공동이며; 상기 제2상부 전극과 상기 제2하부 전극은 전기 용량이 외부 기압에 따라 변하지 않는 기준 콘덴서를 구성하고; 제3지지부에 의하여 기판 위쪽에 지지되는 관성 민감 구조 및 관성 민감 구조와 함께 관성 센서의 관성 검출 콘덴서를 구성하는 고정 극판을 더 포함하며; 여기서, 또한, 관성 민감 구조, 고정 극판으로 구성된 관성 검출 콘덴서를 기판에 실장하는 커버를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 제2상부 전극도 압력 민감 필름이고, 상기 기준 콘덴서는 상기 제2상부 전극이 외부 기압의 작용하에서 변형하는 것을 제한하는 리미트 구조를 더 포함한다.
바람직하게, 상기 리미트 구조를 형성하기 위하여 상기 기준 콘덴서에는 상기 제2상부 전극을 지지하는 지지 기둥이 설치되어 있다.
바람직하게, 상기 기준 콘덴서에는 압력 평형 홀이 설치되어 있고, 상기 기준 콘덴서에서 제2상부 전극과 제2하부 전극 사이에 위치하는 공동은 상기 압력 평형 홀을 통하여 외부와 연통되어 상기 리미트 구조를 형성한다.
바람직하게, 상기 커버는 또한 제2상부 전극, 제2하부 전극으로 구성된 기준 콘덴서를 기판에 실장한다.
바람직하게, 상기 제1상부 전극과 상기 제2상부 전극은 일체화된 구조이다.
바람직하게, 상기 제1지지부, 제2지지부, 제3지지부는 동일한 재질, 동일한 높이를 구비하고, 상기 제1상부 전극, 제2상부 전극, 관성 민감 구조는 동일한 재질, 동일한 높이를 구비하며, 상기 제1하부 전극, 제2하부 전극은 동일한 재질, 동일한 높이를 구비한다.
바람직하게, 상기 제1상부 전극, 제2상부 전극의 하단면은 관성 민감 구조의 하단면보다 높다.
바람직하게, 상기 제1지지부, 제2지지부, 제3지지부에는 각각 관통 홀이 설치되어 있고, 상기 관통 홀 내에는 제1상부 전극, 제2상부 전극, 관성 민감 구조에 전기적으로 연결되는 전도성 재료가 각각 설치되어 있으며, 제1지지부, 제2지지부, 제3지지부의 하단에는 복수 개의 상응한 연결 리드선이 형성되어 있고, 상기 복수 개의 상응한 연결 리드선은 절연층을 통하여 배선되고, 각각 기판의 본딩 패드 집중 영역에 연결된다.
바람직하게, 상기 고정 극판은 절연층에 설치되고, 관성 검출 콘덴서의 제3하부 전극으로 사용된다.
본 발명의 집적 구조는, MEMS 관성 센서와 MEMS 압력 센서를 동일 기판에 집적시킴으로써, 칩의 면적을 효과적으로 감소시키고, 이에 따라 칩의 원가를 낮출 수 있으며, 일차적 실장을 통하여 칩 전체의 실장을 완료할 수 있고, 칩의 실장의 원가를 낮출 수 있다. 또한, 기압 민감형 콘덴서와 기준 콘덴서가 처한 활용 환경이 같으므로, 외부의 동상분 방해에 대하여 기본적으로 일치한 응답을 생성할 수 있고, 이와 같이, 기준 콘덴서의 출력 신호를 이용하여 적어도 부분적으로 기압 민감형 콘덴서의 출력 신호 중의 동상분 방해 신호를 걸러낼 수 있으며, 나아가 기압 민감형 콘덴서의 출력 신호의 안정성을 향상시킨다.
본 발명의 발명자들은, 종래 기술에 있어서, 시스템 제조업자가 MEMS 관성 센서 칩과 MEMS 압력 센서 칩을 SMT의 방식으로 동일한 하나의 메인보드에 실장하기에, 칩의 원가가 높아지고 패키지의 원가도 높아진다는 것을 발견했다. 그러므로, 본 발명이 구현하고자 하는 기술적 임무 또는 해결하고자 하는 기술적 과제는 해당분야 당업자도 생각해 본 적이 없거나 또는 예상치 못한 것이므로 본 발명은 새로운 기술적 해결 수단이다.
아래에, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예를 상세하게 설명하는 것을 통하여, 본 발명의 기타 특징 및 그 장점은 보다 뚜렷해질 것이다.
명세서에 편입되어 명세서의 일부를 구성하는 도면은 본 발명의 실시예를 도시하고, 그 설명과 함께 본 발명의 원리를 해석하는데 사용된다.
도1은 본 발명의 집적 구조의 구조 개략도이다.
도2는 본 발명의 집적 구조의 두번째 실시 형태의 구조 개략도이다.
도3은 본 발명의 집적 구조의 세번째 실시 형태의 구조 개략도이다.
도4는 본 발명의 집적 구조의 네번째 실시 형태의 구조 개략도이다.
이하에서, 도면을 참조하여 본 발명의 각 예시적 실시예를 상세하게 설명한다. 별도의 구체적인 설명이 없는 한, 이러한 실시예에 서술되는 부품과 단계의 상대적인 배치, 수식 및 수치는 본 발명의 범위를 한정하지 않는다는 것에 주의해야 할 것이다.
아래에, 적어도 하나의 예시적인 실시예에 대한 서술은 실질적으로 설명적인 것에 불과하고, 본 발명 및 그 활용 또는 사용을 한정하기 위한 것이 아니다.
관련 분야 당업자들이 공지하는 기술, 방법 및 디바이스에 대해 상세하게 설명하지 않을 수 있지만, 적당한 상황에서, 상기 기술, 방법 및 디바이스는 명세서의 일부분으로 취급되어야 할 것이다.
여기에 나타나고 토론되는 모든 예에 있어서, 임의의 구체적인 값은 예시적인 것에 불과한 것으로 해석되어야 할 것이고, 한정적인 것으로 해석되어서는 안된다. 그러므로, 예시적 실시예의 기타 예는 서로 다른 값을 가질 수 있다.
유사한 부호 및 알파벳은 아래의 도면에서 유사한 항목을 표시하고, 일단 어느 한 항이 한 도면에서 정의되면 그 뒤의 도면에서 그에 대하여 더한층 토론할 필요가 없다는 점에 주의를 돌려야 할 것이다.
도1, 도2를 참조하면, 본 발명은 기판(1), 기판(1)에 형성된 절연층(2), 모두 절연층(2)에 형성되는 제1하부 전극(3a)와 제2하부 전극(3b)를 포함하고, 제1지지부(7a)를 통하여 제1하부 전극(3a)의 위쪽에 지지되는 제1상부 전극(4a) 및 제2지지부(7b)를 통하여 제2하부 전극(3b)의 위쪽에 지지되는 제2상부 전극(4b)를 더 포함하며, 상기 제1상부 전극(4a)는 압력 민감 필름이고, 상기 제1상부 전극(4a)와 제1하부 전극(3a) 사이의 공동은 밀폐 공동(9a)이며, 제1상부 전극(4a)와 제1하부 전극(3a)로 하여금 압력 센서의 기압 민감형 콘덴서를 구성하게 하는 MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조를 제공한다. 여기서, 온도 변화가 기압 민감형 콘덴서의 검출 정밀도에 대한 영향을 해소하고 절대 기압을 얻기 쉽도록, 상기 밀폐 공동(9a)는 진공 공동인 것이 바람직하다. 제2상부 전극(4b)와 제2하부 전극(3b)는 전기 용량이 외부 기압에 따라 변화되지 않는 기준 콘덴서를 구성한다.
본 발명의 집적 구조는 제3지지부(7c)를 통하여 기판(1)의 위쪽에 지지되는 관성 민감 구조(4c) 및 관성 민감 구조(4c)와 함께 관성 검출 콘덴서를 구성하는 고정 극판을 더 포함한다. 여기서, MEMS 관성 센서의 관성 민감 구조(4c)는 해당분야 당업자에 대하여 종래의 기술에 속하고, 대칭되는 가동 극판을 구비하며, 탄성빔 구조를 통하여 제3지지부(7c)에 연결될 수 있다. 여기서, 본 발명 하나의 구체적인 실시 형태에 있어서, 상기 고정 극판은 절연층(2)에 설치되고, 관성 민감 구조(4c)의 아래측에 위치하며, 관성 검출 콘덴서의 제3하부 전극(3c)로 되어, 상기 MEMS 관성 센서로 하여금 Z축 방향의 검출을 할 수 있게 한다. 당연히, 해당분야 당업자에 대하여, 관성 민감 구조(4c) 측면과 대향하는 고정 극판을 설치할 수도 있으며, 관성 민감 구조(4c)와 함께 X축, Y축 방향의 검출을 진행하는 관성 검출 콘덴서를 구성하게 할 수 있다. 본 발명의 MEMS 관성 센서는 MEMS 가속도계, MEMS 자이로스코프 및 MEMS 공진기 등 관성 센서일 수 있다.
본 발명에 있어서, 절연층(2)의 작용은 각 부품과 기판(1) 사이의 절연을 보장하는데 있고, 해당분야 당업자에 대하여, 기판(1) 자체를 절연의 재료로 제조할 수 있다면 절연층(2)를 설치할 필요가 없다.
본 발명의 집적 구조는 커버(8)을 더 포함하고, 도2, 도3을 참조하면, 상기 커버(8)은 관성 민감 구조(4c), 고정 극판으로 구성된 관성 검출 콘덴서를 기판(1)에 실장한다. 여기서, 상기 커버(8)은 기판(1)의 위쪽에 위치하는 절연층(2)에 직접 설치할 수 있고, 당연히, 공정의 일치성을 보장하기 위하여, 절연층(2)에 제4지지부(7d)를 설치할 수 있으며, 상기 커버(8)은 제4지지부(7d)에 연결되고, 함께 관성 검출 콘덴서를 실장하는 공동을 에워싸서 이룬다. 본 발명의 집적 구조에 있어서, 기압 민감형 콘덴서 중의 제1상부 전극(4a)는 외부 환경과 접촉해야만 작용을 발휘할 수 있고, 기준 콘덴서의 제2상부 전극(4b)는 외부 환경과 접촉할 필요가 없으며, 따라서, 도1, 도4를 참조하면, 본 발명의 커버(8)은 또한 제2상부 전극(4b), 제2하부 전극(3b)로 구성된 기준 콘덴서를 기판(1)에 실장할 수 있다.
본 발명의 집적 구조는, MEMS 관성 센서와 MEMS 압력 센서를 동일 기판에 집적시킴으로써, 칩의 면적을 효과적으로 감소시키고, 칩의 원가를 낮출 수 있으며, 일차적 패키지 공정을 통하여 칩 전체의 실장을 완료할 수 있고, 칩의 실장의 원가를 낮출 수 있다. 또한, 기압 민감형 콘덴서와 기준 콘덴서가 처한 응용 환경이 동일하므로, 외부의 동상분 방해 신호에 대하여 기본적으로 일치한 응답을 생성할 수 있고, 이와 같이, 기준 콘덴서의 출력 신호를 이용하여 적어도 부분적으로 기압 민감형 콘덴서의 출력 신호 중의 동상분 방해 신호를 걸러낼 수 있으며, 나아가 기압 민감형 콘덴서의 출력 신호의 안정성을 향상시킨다.
본 발명에 있어서, 기본적으로 동일한 공정 단계를 통하여 상기 기압 민감형 콘덴서와 기준 콘덴서를 제조 형성하고, 기압 민감형 콘덴서와 기준 콘덴서의 외부 동상분 방해에 대한 응답 일치성을 향상시키기 위하여, 상기 제2상부 전극(4b)는 압력 민감 필름을 사용할 수도 있고, 여기서, 도3을 참조하면, 제1상부 전극(4a)와 제2상부 전극(4b)는 서로 독립적일 수 있고, 일체화 구조(즉, 제1상부 전극(4a)와 제2상부 전극(4b)는 한장의 압력 민감 필름이다)일 수도 있다. 이 때, 제2상부 전극(4b)가 외부 기압의 변화에 따라 상응하게 변형되는 것을 방지하기 위하여, 상기 기준 콘덴서는 응당 제2상부 전극(4b)가 외부 기압의 작용하에서 변형하는 것을 제한하는 리미트 구조를 더 포함해야 할 것이다. 또한, 상기 제2상부 전극(4b)는 본 발명의 압력 센서의 검출 범위 내에서 변형하지 않는 재료를 사용하여 제조할 수도 있으며, 상기 재료는 제2상부 전극(4b)와 제1상부 전극(4a)의 온도 등 비기압 요소의 변화에 대한 응답 차이가 압력 센서의 허용하는 오차 범위 내에 있게 하는 것이 바람직하다.
본 발명 하나의 구체적인 실시 형태에 있어서, 도1, 도3, 도4에 도시된 바와 같이, 상기 리미트 구조는, 기준 콘덴서를 위하여 압력 평형 홀(12)을 설치하고, 기준 콘덴서에서 제2상부 전극(4b)와 제2하부 전극(3b) 사이에 위치하는 공동(9b)를 압력 평형 홀(12)를 통하여 외부와 연통되게 하고, 이와 같이, 공동(9b) 내의 기압은 외부 기압에 따라 동일하게 변화하고, 압력 평형 홀(12)를 통하여 제2상부 전극(4b)가 외부 기압의 작용하에서 변형되는 것을 제한하는 목적을 구현하며, 제2상부 전극(4b)의 각 점의 위치가 변하지 않는 효과를 얻는다. 여기서, 상기 압력 평형 홀(12)는 압력 센서의 제조 공정을 간소화 하기 위하여, 제2상부 전극(4b)에 설치할 수 있다. 당연히, 가능하다면, 상기 압력 평형 홀(12)를 제2지지부(7b)에 설치할 수 있으며, 마찬가지로 기압 균형의 목적을 구현할 수 있다.
본 발명의 다른 하나의 구체적인 실시 형태에 있어서, 도2에 도시된 바와 같이, 상기 리미트 구조는 또한 아래와 같을 수 있다. 지지 기둥(13)이 설치되어 제2상부 전극(4b)를 지지하고, 상기 지지 기둥(13)은 제2하부 전극(3b)에 설치할 수도 있지만 상기 지지 기둥(13)은 절연 재료를 사용해야 하므로, 지지 기둥(13)의 연결 강도를 향상하기 위하여, 상기 지지 기둥(13)을 절연층(2)에 설치할 수도 있고, 이를 위해서는 제2하부 전극(3b)에 지지 기둥(13)을 통과시키는 관통 홀을 설치해야 하며, 이에 따라 지지 기둥(13)을 대응하는 관통 홀을 관통하여 위로 제2상부 전극(4b)의 위치까지 연장되도록 한다.
본 발명의 집적 구조는 쉽게 제조할 수 있도록, 상기 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c), 제4지지부(7d)는 동일한 재질, 동일한 높이를 구비하고, 예를 들면, 이산화규소 재료를 사용할 수 있고, 상기 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b), 관성 민감 구조(4c)는 동일한 재질, 동일한 높이를 구비하며, 예를 들면, 단결정 규소 재료를 사용할 수 있고, 상기 제1하부 전극(3a), 제2하부 전극(3b), 제3하부 전극(3c)는 동일한 재질, 동일한 높이를 구비하고, 예를 들면, 금속 재료를 사용할 수 있다. 이로 인해 상기 각 층을 한층씩 퇴적 또는 본딩시키는 방식으로 설치하는 것을 허용하고, 패턴화 공정을 통하여 각자의 구조를 형성하며, 이에 따라 MEMS 관성 센서의 제조 공정과 MEMS 압력 센서의 공정을 완전히 호환 가능하게 할 수 있다. 보다 중요한 것은, 동일한 재료, 공정, 사이즈를 통하여, 기압 민감형 콘덴서와 기준 콘덴서가 기본적으로 동일한 초기 전기 용량을 갖게 할 수 있으며, 이에 따라 기압 민감형 콘덴서와 기준 콘덴서의 외부 동상분 방해에 대한 응답을 기본적으로 일치하게 하고, 최대한으로 기압 민감형 콘덴서의 출력 신호 중의 동상분 방해 신호를 걸러내며, 기준 콘덴서의 출력 신호가 기압 민감형 콘덴서의 출력 신호 중의 유효 신호에 대한 영향을 해소한다.
상기 제조 공정의 일치성에 근거하여, 본 발명 하나의 바람직한 실시 형태에 있어서, 기압 민감형 콘덴서의 감도를 높이는 동시에 기압 민감형 콘덴서와 기준 콘덴서의 일치성을 보장하기 위하여, 상기 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b)의 하단면을 관성 민감 구조(4c)의 하단면보다 높게 한다. 구체적으로, 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b)의 하단면을 에칭하고 얇게 함으로써 구현할 수 있는데, 이에 따라, 밀폐 공동(9a), 공동(9b)의 용적을 늘이고, 기압 민감형 콘덴서와 기준 콘덴서의 일치성을 보장하는 동시에, 기압 민감형 콘덴서의 감도를 높이고, 아울러, 제1상부 전극(4a)의 하단면을 얇게 하여, 제1상부 전극(4a)에서 제1하부 전극(3a) 사이의 거리를 커지게 함으로써, 고압 입력의 경우 제1상부 전극(4a)와 제1하부 전극(3a)가 접착되어 기압 민감형 콘덴서의 호력이 없어지게 하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서, 각 전극의 신호를 인출해야 하는데, 이는 종래의 리드선으로 구현할 수 있고, 본 발명에 따른 한가지 바람직한 실시 형태에 있어서, 도1을 참조하면, 상기 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c)에는 각각 관통 홀이 설치되어 있고, 상기 관통 홀 내에는 각각 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b), 관성 민감 구조(4c)에 전기적으로 연결되는 전도성 재료(6)이 설치되어 있어, 위쪽에 위치하는 전극의 신호를 하단에 인출할 수 있고, 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c)의 하단에는 복수 개의 상응한 연결 리드선(5)가 형성되어 있고, 상기 복수 개의 상응한 연결 리드선(5)는 각 하부 전극의 리드선과 함께 절연층(2)를 통하여 배선되고, 각각 기판(1)의 본딩 패드 집중 영역(10)에 연결된다. 예를 들면, 복수 개의 연결 리드선(5)가 서로 겹쳐지지 않도록, 복수 층 구조를 가진 절연층(2)를 설치할 수 있고, 이러한 배선 방식은 해당분야 당업자들의 공지 상식에 속하므로 구체적인 설명을 생략한다.
본 발명은 또한 상기 집적 구조의 제조 방법을 제공하는데, 먼저, 기판(1)에 절연층(2)를 퇴적시키고, 여기서, 기판(1)은 단결정 규소 재료를 사용할 수 있으며, 절연층(2)는 이산화규소 재료를 사용할 수 있고; 그 다음으로, 절연층(2)의 윗면에 금속층을 퇴적시키고, 상기 금속층을 에칭하여, 본딩 패드 집중 영역(10), 제1하부 전극(3a), 제2하부 전극(3b), 제3하부 전극(3c)를 형성하며; 다음으로, 다른 하나의 절연층을 퇴적시키고, 에칭하여 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c), 제4지지부(7d)를 형성하며; 민감막 층을 본딩의 방식으로 각 지지부에 결합시키고, 상기 민감막 층을 에칭하여 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b) 및 관성 민감 구조(4c)를 형성한다. 물론 필요에 따라 민감막 층을 에칭하기 전에 먼저 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c)에 관통 홀을 에칭할 수 있고, 민감막 층을 본딩한 후, 관통 홀 위치의 민감막 층을 에칭하며, 전도성 재료(6)을 충전함으로써, 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b), 관성 민감 구조(4c)의 전기 신호를 하단으로 인출하고 절연층을 통하여 배선되게 할 수 있으며, 후속의 공정에 있어서, 민감막 층의 윗면에 다른 하나의 금속층을 퇴적시키고, 전도성 재료(6)의 위쪽에 위치하는 전도성 본딩 패드 및 제4지지부(7d)의 위쪽에 위치하는 금속 본딩층(11)을 에칭하여 형성할 수 있으며, 마지막으로, 상기 금속 본딩층(11)을 통하여 커버(8)을 제4지지부(7d)에 결합시킬 수 있다. 여기서, 구조 사이즈의 일치성을 보장하기 위하여, 민감막 층에 대하여 에칭할 때, 제4지지부(7d) 위쪽의 민감막 층을 남기고 후속의 금속 본딩층(11)을 통하여 커버(8)과 결합시킬 수 있다.
설명이 필요한 것은, 상기 절연층(2)는 일체적일 수 있고, 각각 기압 민감형 콘덴서, 기준 콘덴서, 관성 검출 콘덴서에 대응하는 복수 개의 서로 독립적인 서브 절연층을 포함할 수도 있으며, 상기 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c), 제4지지부(7d)는 절연 재료를 사용하고, 그들 사이는 서로 독립적일 수 있으며, 일체화 구조일 수도 있다.
예시적으로 본 발명의 일부 특정적인 실시예들을 상세하게 설명했지만, 해당 분야의 기술자라면 상기 예들은 다만 설명을 위한 것으로 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것이 아니라는 것을 이해하여야 할 것이다. 해당 분야의 기술자라면 본 발명의 범위와 정신을 이탈하지 않는 상황에서 이상의 실시예들을 수정할 수 있다는 것을 이해하여야 할 것이다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항에 의해 한정된다.

Claims (10)

  1. 기판(1),
    상기 기판(1)에 형성된 절연층(2),
    모두 상기 절연층(2)에 형성된 제1하부 전극(3a)와 제2하부 전극(3b)을 포함하고,
    제1지지부(7a)에 의하여 상기 제1하부 전극(3a)의 위쪽에 지지되는 제1상부 전극(4a) 및 제2지지부(7b)에 의하여 상기 제2하부 전극(3b)의 위쪽에 지지되는 제2상부 전극(4b)을 더 포함하며;
    상기 제1상부 전극(4a)와 상기 제1하부 전극(3a)가 압력 센서의 기압 민감형 콘덴서를 구성하도록, 상기 제1상부 전극(4a)은 압력 민감 필름이고, 상기 제1상부 전극(4a)와 상기 제1하부 전극(3a) 사이의 공동은 밀폐 공동(9a)이며;
    상기 제2상부 전극(4b)와 상기 제2하부 전극(3b)는 전기 용량이 외부 기압에 따라 변화되지 않는 기준 콘덴서를 구성하고;
    제3지지부(7c)에 의하여 기판(1) 위쪽에 지지되는 관성 민감 구조(4c) 및 관성 민감 구조(4c)와 함께 관성 센서의 관성 검출 콘덴서를 구성하는 고정 극판을 더 포함하며;
    여기서, 관성 민감 구조(4c), 고정 극판으로 구성된 관성 검출 콘덴서를 기판(1)에 실장하는 커버(8)를 더 포함하는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2상부 전극(4b)도 압력 민감 필름이고, 상기 기준 콘덴서는 상기 제2상부 전극(4b)가 외부 기압의 작용하에서 변형하는 것을 제한하는 리미트 구조를 더 포함하는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기준 콘덴서에는 상기 리미트 구조를 형성하기 위하여 상기 제2상부 전극(4b)를 지지하는 지지 기둥(13)이 설치되어 있는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 기준 콘덴서에는 압력 평형 홀(12)가 설치되어 있고, 상기 기준 콘덴서에서 제2상부 전극(4b)와 제2하부 전극(3b) 사이에 위치하는 공동(9b)은 상기 압력 평형 홀(12)를 통하여 외부와 연통되어 상기 리미트 구조를 형성하는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 커버(8)은 또한 제2상부 전극(4b), 제2하부 전극(3b)로 구성된 기준 콘덴서를 기판(1)에 실장하는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1상부 전극(4a)와 상기 제2상부 전극(4b)는 일체화된 구조인, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c)는 동일한 재질, 동일한 높이를 구비하고,
    상기 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b), 관성 민감 구조(4c)는 동일한 재질, 동일한 높이를 구비하며,
    상기 제1하부 전극(3a), 제2하부 전극(3b)는 동일한 재질, 동일한 높이를 구비하는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b)의 하단면은 관성 민감 구조(4c)의 하단면보다 높은, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c)에는 각각 관통 홀이 설치되어 있고, 상기 관통 홀 내에는 제1상부 전극(4a), 제2상부 전극(4b), 관성 민감 구조(4c)에 전기적으로 연결되는 전도성 재료(6)이 각각 설치되어 있으며, 제1지지부(7a), 제2지지부(7b), 제3지지부(7c)의 하단에는 복수 개의 상응한 연결 리드선(5)가 형성되어 있고, 상기 복수 개의 상응한 연결 리드선(5)는 절연층(2)을 통하여 배선되고, 각각 기판(1)의 본딩 패드 집중 영역(10)에 연결되는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 고정 극판은 절연층(2)에 설치되고, 관성 검출 콘덴서의 제3하부 전극(3c)으로 사용되는, MEMS 압력 센서, MEMS 관성 센서 집적 구조.
KR1020177019439A 2015-05-29 2015-12-14 Mems 압력 센서, mems 관성 센서 집적 구조 KR101975131B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510288750.8 2015-05-29
CN201510288750.8A CN104891418B (zh) 2015-05-29 2015-05-29 Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构
PCT/CN2015/097314 WO2016192372A1 (zh) 2015-05-29 2015-12-14 Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170094425A true KR20170094425A (ko) 2017-08-17
KR101975131B1 KR101975131B1 (ko) 2019-05-03

Family

ID=54024463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177019439A KR101975131B1 (ko) 2015-05-29 2015-12-14 Mems 압력 센서, mems 관성 센서 집적 구조

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10407300B2 (ko)
EP (1) EP3248936B1 (ko)
JP (2) JP2018506717A (ko)
KR (1) KR101975131B1 (ko)
CN (1) CN104891418B (ko)
WO (1) WO2016192372A1 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104848982B (zh) * 2015-05-29 2018-01-19 歌尔股份有限公司 准差分电容式mems压力传感器及其制造方法
CN104891418B (zh) * 2015-05-29 2016-09-21 歌尔股份有限公司 Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构
CN106698328A (zh) * 2015-11-12 2017-05-24 上海丽恒光微电子科技有限公司 压力传感器及其制备方法
US9926190B2 (en) * 2016-01-21 2018-03-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS devices and methods of forming the same
CN106018879B (zh) * 2016-05-12 2019-03-22 广东合微集成电路技术有限公司 一种mems加速度传感器及制造方法
CN106092153B (zh) * 2016-07-28 2018-05-01 歌尔股份有限公司 一种环境传感器及其制造方法
EP3279630B1 (en) 2016-08-03 2019-06-26 ams AG Pressure sensor module
CN107089640B (zh) * 2017-05-02 2023-11-10 潍坊歌尔微电子有限公司 一种mems芯片及制备方法
CN107830966B (zh) * 2017-12-05 2023-08-29 苏州科技大学 Mems气体压力敏感元件及其制造工艺
CN108178121B (zh) * 2018-02-07 2024-05-03 北京先通康桥医药科技有限公司 触诊探头及其制造方法
CN108190828A (zh) * 2018-02-07 2018-06-22 北京先通康桥医药科技有限公司 Mems传感器线阵、触诊探头及其制造方法
CN108362408B (zh) * 2018-03-08 2021-07-02 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 压力传感器及其制造方法
CN108551646B (zh) * 2018-06-25 2020-01-17 歌尔股份有限公司 Mems麦克风
DE102018222770A1 (de) 2018-12-21 2020-06-25 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Sensoreinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer mikromechanischen Sensoreinrichtung
CN109859986A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 王伟 一种基于mems技术的单刀双掷敏感组件及含有该敏感组件的压力开关
CN112666236A (zh) * 2020-04-17 2021-04-16 华中科技大学 一种传感器集成芯片及其制备
CN113257808B (zh) * 2021-05-17 2023-04-07 成都挚信电子技术有限责任公司 一种芯片衬底外延片
CN114858165B (zh) * 2022-07-06 2022-11-29 河北美泰电子科技有限公司 惯性导航总成
CN115452901A (zh) * 2022-09-15 2022-12-09 武汉高芯科技有限公司 一种具有检测功能的传感器及检测方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001235381A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Hitachi Ltd 半導体圧力センサ
US20130340525A1 (en) * 2011-03-15 2013-12-26 Memsen Electronics Inc Integrated inertial sensor and pressure sensor, and forming method therefor
KR20140000173A (ko) * 2012-06-22 2014-01-02 인피니언 테크놀로지스 아게 조절 가능한 통기 개구부를 갖는 ｍｅｍｓ 구조물

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5369544A (en) * 1993-04-05 1994-11-29 Ford Motor Company Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor
JP2007064920A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Alps Electric Co Ltd 静電容量型力学量センサ
JP5127210B2 (ja) * 2006-11-30 2013-01-23 株式会社日立製作所 Ｍｅｍｓセンサが混載された半導体装置
US8220330B2 (en) * 2009-03-24 2012-07-17 Freescale Semiconductor, Inc. Vertically integrated MEMS sensor device with multi-stimulus sensing
US8216882B2 (en) * 2010-08-23 2012-07-10 Freescale Semiconductor, Inc. Method of producing a microelectromechanical (MEMS) sensor device
CN102183335B (zh) * 2011-03-15 2015-10-21 迈尔森电子（天津）有限公司 Mems压力传感器及其制作方法
CN102180435B (zh) * 2011-03-15 2012-10-10 迈尔森电子（天津）有限公司 集成mems器件及其形成方法
JP5541306B2 (ja) * 2011-05-27 2014-07-09 株式会社デンソー 力学量センサ装置およびその製造方法
JP5833752B2 (ja) * 2011-06-29 2015-12-16 インベンセンス, インク.Invensense, Inc. 一部が縦型集積電子回路とともに環境に曝露された密閉封止型ｍｅｍｓデバイス
DE102011085723A1 (de) * 2011-11-03 2013-05-08 Continental Teves Ag & Co. Ohg Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
CN102798403B (zh) * 2012-08-21 2014-10-22 江苏物联网研究发展中心 Mems薄膜电容式多参数传感器的集成制造方法
US20150102437A1 (en) * 2013-10-14 2015-04-16 Freescale Semiconductor, Inc. Mems sensor device with multi-stimulus sensing and method of fabrication
CN103708409B (zh) * 2013-10-25 2015-10-07 张家港丽恒光微电子科技有限公司 压力传感器和惯性传感器及其形成方法
US9199840B2 (en) * 2013-11-01 2015-12-01 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor protective coating
CN103712720B (zh) * 2014-01-02 2015-08-19 杭州士兰集成电路有限公司 电容式压力传感器和惯性传感器集成器件及其形成方法
US20160264403A1 (en) * 2015-03-12 2016-09-15 Freescale Semiconducto, Inc. Sensor device with multi-stimulus sensing and method of fabrication
US9586812B2 (en) * 2015-04-09 2017-03-07 Nxp Usa, Inc. Device with vertically integrated sensors and method of fabrication
CN204675826U (zh) * 2015-05-29 2015-09-30 歌尔声学股份有限公司 Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构
CN104891418B (zh) * 2015-05-29 2016-09-21 歌尔股份有限公司 Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构
US10364140B2 (en) * 2015-09-22 2019-07-30 Nxp Usa, Inc. Integrating diverse sensors in a single semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001235381A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Hitachi Ltd 半導体圧力センサ
US20130340525A1 (en) * 2011-03-15 2013-12-26 Memsen Electronics Inc Integrated inertial sensor and pressure sensor, and forming method therefor
KR20140000173A (ko) * 2012-06-22 2014-01-02 인피니언 테크놀로지스 아게 조절 가능한 통기 개구부를 갖는 ｍｅｍｓ 구조물

Also Published As

Publication number Publication date
EP3248936B1 (en) 2021-01-27
CN104891418A (zh) 2015-09-09
EP3248936A4 (en) 2018-04-25
US20180044174A1 (en) 2018-02-15
EP3248936A1 (en) 2017-11-29
US10407300B2 (en) 2019-09-10
KR101975131B1 (ko) 2019-05-03
CN104891418B (zh) 2016-09-21
JP2018506717A (ja) 2018-03-08
WO2016192372A1 (zh) 2016-12-08
JP2019105647A (ja) 2019-06-27
JP6580804B2 (ja) 2019-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101975131B1 (ko) Mems 압력 센서, mems 관성 센서 집적 구조
US8866238B2 (en) Hybrid integrated component and method for the manufacture thereof
US20140090485A1 (en) MEMS Pressure Sensor Assembly
CN106535071B (zh) Mems麦克风与环境传感器的集成装置及其制造方法
US20150301075A1 (en) Inertial Sensor
WO2016192361A1 (zh) 准差分电容式mems压力传感器及其制造方法
TW202108997A (zh) 電容式壓力感測器設備的微機械組件
US9952111B2 (en) System and method for a packaged MEMS device
JP6209270B2 (ja) 加速度センサ
KR20160088111A (ko) 복합 센서와 이를 구비하는 패키지 및 그 제조 방법
US10408619B2 (en) Composite sensor
ITTO20120623A1 (it) Assemblaggio impilato di un dispositivo integrato mems avente un ridotto spessore
EP2617677B1 (en) Structure for isolating a microstructure die from packaging stress
CN204675826U (zh) Mems压力传感器、mems惯性传感器集成结构
CN105115540A (zh) Mems惯性传感器、湿度传感器集成装置及其制造方法
JP2006078249A (ja) 容量型半導体センサ
JP5078245B2 (ja) 力学量センサ
JPH08160072A (ja) 加速度・圧力検出素子およびその製造方法
KR20160028825A (ko) 가속도 센서 및 가속도 센서의 제조 방법
US20160091526A1 (en) Sensor
JP2000227439A (ja) 半導体力学量センサ及びその製造方法
CN204758028U (zh) Mems惯性传感器、湿度传感器集成装置
CN218320777U (zh) 一种封装结构和电子设备
JP2015021922A (ja) 力学量センサ
JP2015210095A (ja) 加速度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)