JPH08160072A - 加速度・圧力検出素子およびその製造方法 - Google Patents
加速度・圧力検出素子およびその製造方法Info
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- JPH08160072A JPH08160072A JP6306612A JP30661294A JPH08160072A JP H08160072 A JPH08160072 A JP H08160072A JP 6306612 A JP6306612 A JP 6306612A JP 30661294 A JP30661294 A JP 30661294A JP H08160072 A JPH08160072 A JP H08160072A
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- pressure detection
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型かつ簡素な構造であって、安価に得られ
る加速度・圧力検出素子を提供する。 【構成】 板状を呈し、薄肉の支持片を含む重り部１１
１と薄肉のダイヤフラム部１１２とが板内にて板面方向
に並んで形成されたシリコン基板１１と、重り部１１１
に対向する加速度検出用電極１４および１５と、ダイヤ
フラム部１１２に対向する圧力検出用電極１６とを有し
ている。重り部１１１の変位による重り部１１１と加速
度検出用電極１４および１５との間の静電容量の変化に
基づき加速度を検出すると共に、ダイヤフラム部１１２
の変位によるダイヤフラム部１１２と圧力検出用電極１
６との間の静電容量の変化に基づき圧力を検出する。
る加速度・圧力検出素子を提供する。 【構成】 板状を呈し、薄肉の支持片を含む重り部１１
１と薄肉のダイヤフラム部１１２とが板内にて板面方向
に並んで形成されたシリコン基板１１と、重り部１１１
に対向する加速度検出用電極１４および１５と、ダイヤ
フラム部１１２に対向する圧力検出用電極１６とを有し
ている。重り部１１１の変位による重り部１１１と加速
度検出用電極１４および１５との間の静電容量の変化に
基づき加速度を検出すると共に、ダイヤフラム部１１２
の変位によるダイヤフラム部１１２と圧力検出用電極１
６との間の静電容量の変化に基づき圧力を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車、産業機器、各
種家電機器等に使用される、加速度と圧力を同時に検出
できる加速度、圧力複合検出素子に関する。
種家電機器等に使用される、加速度と圧力を同時に検出
できる加速度、圧力複合検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、加速度を検出する加速度検出素子
と、圧力を検出する圧力検出素子との両方を必要とする
場合には、図３に示すような構成をとっている。図３に
おいて、この構成は、加速度検出素子６ａ、その処理回
路７ａ、圧力検出素子６ｂ、その処理回路７ｂとが、回
路基板８の上に独立して実装されたものである。
と、圧力を検出する圧力検出素子との両方を必要とする
場合には、図３に示すような構成をとっている。図３に
おいて、この構成は、加速度検出素子６ａ、その処理回
路７ａ、圧力検出素子６ｂ、その処理回路７ｂとが、回
路基板８の上に独立して実装されたものである。
【０００３】加速度検出素子６ａのうちのケースに収容
された検出素子部分は、重り６１１ａが形成されたシリ
コン基板６１、絶縁基板６２ａ、および絶縁基板６３ａ
の３層構造となっている。各絶縁基板の重り６１１ａと
対向する面上には、固定電極６４ａ、６５ａが形成さ
れ、それぞれ、重り６１１ａとの間に静電容量を形成し
ている。外部加速度が印加されると、重り６１１ａが変
位し、したがって、固定電極６４ａ、６５ａとの各間の
静電容量が変化し、この容量変化を、後段の処理回路７
ａによって、電圧出力に変換し、加速度を検出する。
された検出素子部分は、重り６１１ａが形成されたシリ
コン基板６１、絶縁基板６２ａ、および絶縁基板６３ａ
の３層構造となっている。各絶縁基板の重り６１１ａと
対向する面上には、固定電極６４ａ、６５ａが形成さ
れ、それぞれ、重り６１１ａとの間に静電容量を形成し
ている。外部加速度が印加されると、重り６１１ａが変
位し、したがって、固定電極６４ａ、６５ａとの各間の
静電容量が変化し、この容量変化を、後段の処理回路７
ａによって、電圧出力に変換し、加速度を検出する。
【０００４】一方、圧力検出素子６ｂのうちのケースに
収容された検出素子部分は、ダイヤフラム６１１ｂが形
成されたシリコン基板６１ｂ、絶縁基板６２ｂ、および
絶縁基板６３ｂの３層構造となっている。ダイヤフラム
６１１ｂと対向する面上には、固定電極６６ｂが形成さ
れ、ダイヤフラム６１１ｂとの間に静電容量が形成され
ている。外部圧力Ｐ１、Ｐ２が印加されると、その差圧
力に応じて、ダイヤフラム６１１ｂが変形し、固定電極
６６ｂとの間の静電容量が変化し、この容量変化を、後
段の処理回路７ｂによって、電圧出力に変換し圧力を検
出する。
収容された検出素子部分は、ダイヤフラム６１１ｂが形
成されたシリコン基板６１ｂ、絶縁基板６２ｂ、および
絶縁基板６３ｂの３層構造となっている。ダイヤフラム
６１１ｂと対向する面上には、固定電極６６ｂが形成さ
れ、ダイヤフラム６１１ｂとの間に静電容量が形成され
ている。外部圧力Ｐ１、Ｐ２が印加されると、その差圧
力に応じて、ダイヤフラム６１１ｂが変形し、固定電極
６６ｂとの間の静電容量が変化し、この容量変化を、後
段の処理回路７ｂによって、電圧出力に変換し圧力を検
出する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図３に示したごとく
の、従来の加速度検出素子と圧力検出素子との組み合わ
せ構成には、以下にあげるような問題点がある。
の、従来の加速度検出素子と圧力検出素子との組み合わ
せ構成には、以下にあげるような問題点がある。
【０００６】まず、加速度検出素子と圧力検出素子と
を、別々に基板上にセットするので、全体の大きさは、
個々のセンサの大きさを加算した大きさとなり、取り付
けスペースの面で使いにくさがある。また、全体の検出
系の価格は、少なくとも、両者の個々のセンサの価格を
加算したものとなっているため、価格が高価である。
を、別々に基板上にセットするので、全体の大きさは、
個々のセンサの大きさを加算した大きさとなり、取り付
けスペースの面で使いにくさがある。また、全体の検出
系の価格は、少なくとも、両者の個々のセンサの価格を
加算したものとなっているため、価格が高価である。
【０００７】本発明の課題は、小型かつ簡素な構造であ
って、安価に得られる加速度・圧力検出素子を提供する
ことである。
って、安価に得られる加速度・圧力検出素子を提供する
ことである。
【０００８】本発明の他の課題は、小型かつ簡素な構造
である加速度・圧力検出素子を容易かつ安価に得られる
加速度・圧力検出素子の製造方法を提供することであ
る。
である加速度・圧力検出素子を容易かつ安価に得られる
加速度・圧力検出素子の製造方法を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、板状を
呈し、薄肉の支持片を含む重り部と薄肉のダイヤフラム
部とが板内にて板面方向に並んで形成されたシリコン基
板と、前記重り部に対向する加速度検出用電極と、前記
ダイヤフラム部に対向する圧力検出用電極とを有し、前
記重り部の変位による前記重り部と前記加速度検出用電
極との間の静電容量の変化に基づき加速度を検出すると
共に、前記ダイヤフラム部の変位による前記ダイヤフラ
ム部と前記圧力検出用電極との間の静電容量の変化に基
づき圧力を検出することを特徴とする加速度・圧力検出
素子が得られる。
呈し、薄肉の支持片を含む重り部と薄肉のダイヤフラム
部とが板内にて板面方向に並んで形成されたシリコン基
板と、前記重り部に対向する加速度検出用電極と、前記
ダイヤフラム部に対向する圧力検出用電極とを有し、前
記重り部の変位による前記重り部と前記加速度検出用電
極との間の静電容量の変化に基づき加速度を検出すると
共に、前記ダイヤフラム部の変位による前記ダイヤフラ
ム部と前記圧力検出用電極との間の静電容量の変化に基
づき圧力を検出することを特徴とする加速度・圧力検出
素子が得られる。
【００１０】前記重り部と前記加速度検出用電極との間
の静電容量の変化に基づく加速度検出信号を出力する加
速度検出信号回路と前記ダイヤフラム部と前記圧力検出
用電極との間の静電容量の変化に基づく圧力検出信号を
出力する圧力検出信号回路とを含む集積回路を、前記シ
リコン基板、前記圧力検出用電極、および前記加速度検
出用電極と共に圧力検出用の孔部を持つケース内に収容
してもよい。
の静電容量の変化に基づく加速度検出信号を出力する加
速度検出信号回路と前記ダイヤフラム部と前記圧力検出
用電極との間の静電容量の変化に基づく圧力検出信号を
出力する圧力検出信号回路とを含む集積回路を、前記シ
リコン基板、前記圧力検出用電極、および前記加速度検
出用電極と共に圧力検出用の孔部を持つケース内に収容
してもよい。
【００１１】本発明によればまた、シリコン板材に前記
重り部と前記ダイヤフラム部とを板内にて板面方向に交
互に並べて形成する工程と、前記加速度検出用電極およ
び前記圧力検出用電極を所定の位置に形成した絶縁性板
材を前記シリコン板材に対して所定の位置関係にて積層
接合する工程と、積層接合された前記シリコン板材と前
記絶縁性板材とを前記重り部と前記ダイヤフラム部とを
少なくとも一対含む領域でもって切断して前記シリコン
基板と前記加速度検出用電極および前記圧力検出用電極
を含む絶縁基板とから成る加速度・圧力センサチップを
得る工程とを有する請求項１または２記載の加速度・圧
力検出素子の製造方法が得られる。
重り部と前記ダイヤフラム部とを板内にて板面方向に交
互に並べて形成する工程と、前記加速度検出用電極およ
び前記圧力検出用電極を所定の位置に形成した絶縁性板
材を前記シリコン板材に対して所定の位置関係にて積層
接合する工程と、積層接合された前記シリコン板材と前
記絶縁性板材とを前記重り部と前記ダイヤフラム部とを
少なくとも一対含む領域でもって切断して前記シリコン
基板と前記加速度検出用電極および前記圧力検出用電極
を含む絶縁基板とから成る加速度・圧力センサチップを
得る工程とを有する請求項１または２記載の加速度・圧
力検出素子の製造方法が得られる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
よる加速度・圧力検出素子を説明する。
よる加速度・圧力検出素子を説明する。
【００１３】図１は本実施例による加速度・圧力検出素
子を示す概略的な縦断面図であり、図２（ａ）および
（ｂ）は図１に示す加速度・圧力検出素子の要部である
加速度・圧力センサチップを示す概略的な横断面図（図
２（ｂ）中の切断線Ａ−Ａ´による断面図）および縦断
面図である。図１、図２（ａ）および（ｂ）において、
本加速度・圧力検出素子は、本素子の要部である加速度
・圧力センサチップ１０と、後述する集積回路２０と、
これらを収容する下ケース３１および上ケース３２と、
加速度・圧力センサチップ１０を下ケース３１に固定す
るための接着剤４０と、複数（図中、２本のみを図示）
の外部端子５０とを有している。
子を示す概略的な縦断面図であり、図２（ａ）および
（ｂ）は図１に示す加速度・圧力検出素子の要部である
加速度・圧力センサチップを示す概略的な横断面図（図
２（ｂ）中の切断線Ａ−Ａ´による断面図）および縦断
面図である。図１、図２（ａ）および（ｂ）において、
本加速度・圧力検出素子は、本素子の要部である加速度
・圧力センサチップ１０と、後述する集積回路２０と、
これらを収容する下ケース３１および上ケース３２と、
加速度・圧力センサチップ１０を下ケース３１に固定す
るための接着剤４０と、複数（図中、２本のみを図示）
の外部端子５０とを有している。
【００１４】加速度・圧力センサチップ１０は、板状を
呈し、薄肉の支持片を含む重り部１１１と薄肉のダイヤ
フラム部１１２とが板内にて板面方向に並んで形成され
たシリコン基板１１と、シリコン基板１１の上下に静電
接着方等によって接合されたパイレックス・ガラス等か
ら成る絶縁基板１２および１３とから成っている。絶縁
基板１２には、重り部１１１に対向する加速度検出用電
極１４と、ダイヤフラム部１１２に対向する圧力検出用
電極１６が設けられている。絶縁基板１２には、また、
圧力検出用電極１６のほぼ中心、即ち、ダイヤフラム部
１１２に対向して孔部１２１が形成されている。絶縁基
板１３には、重り部１１１に対向する加速度検出用電極
１５が設けらており、また、ダイヤフラム部１１２に対
向して孔部１３１が形成されている。
呈し、薄肉の支持片を含む重り部１１１と薄肉のダイヤ
フラム部１１２とが板内にて板面方向に並んで形成され
たシリコン基板１１と、シリコン基板１１の上下に静電
接着方等によって接合されたパイレックス・ガラス等か
ら成る絶縁基板１２および１３とから成っている。絶縁
基板１２には、重り部１１１に対向する加速度検出用電
極１４と、ダイヤフラム部１１２に対向する圧力検出用
電極１６が設けられている。絶縁基板１２には、また、
圧力検出用電極１６のほぼ中心、即ち、ダイヤフラム部
１１２に対向して孔部１２１が形成されている。絶縁基
板１３には、重り部１１１に対向する加速度検出用電極
１５が設けらており、また、ダイヤフラム部１１２に対
向して孔部１３１が形成されている。
【００１５】また、下ケース３１には、絶縁基板１２の
孔部１２１、即ち、ダイヤフラム部１１２を臨む孔部３
１１が形成されている。上ケース３２には、絶縁基板１
２の孔部１３１、即ち、ダイヤフラム部１１２を臨む孔
部３２１が形成されている。
孔部１２１、即ち、ダイヤフラム部１１２を臨む孔部３
１１が形成されている。上ケース３２には、絶縁基板１
２の孔部１３１、即ち、ダイヤフラム部１１２を臨む孔
部３２１が形成されている。
【００１６】下ケース３２と加速度・圧力センサチップ
１０の絶縁基板１２とを接合している接着剤４０は、下
ケース３２の孔部３２１と絶縁基板１２の孔部１２１を
囲うように環状に塗布されており、ダイヤフラム部１１
２の下面、孔部１２１、および孔部３１１が連通する側
とダイヤフラム部１１２の上面、孔部１３１、および孔
部３２１が連通する側とは、圧力的に密閉（遮断）され
ている。
１０の絶縁基板１２とを接合している接着剤４０は、下
ケース３２の孔部３２１と絶縁基板１２の孔部１２１を
囲うように環状に塗布されており、ダイヤフラム部１１
２の下面、孔部１２１、および孔部３１１が連通する側
とダイヤフラム部１１２の上面、孔部１３１、および孔
部３２１が連通する側とは、圧力的に密閉（遮断）され
ている。
【００１７】集積回路２０は、加速度・圧力センサチッ
プ１０と共に、下ケース３１上に接着固定され、上下ケ
ース３２、３１内に収容されている。さらに、図示しな
い配線により、シリコン基板１１、加速度検出用電極１
４および１５、ならびに圧力検出用電極１６と接続され
ている一方、複数の外部端子５０にも接続されている。
そして、重り部１１２と加速度検出用電極１４および１
５との間の静電容量の変化を電圧変換あるいは周波数変
換して加速度検出信号を出力する加速度検出信号回路
と、ダイヤフラム部１１２と圧力検出用電極１６との間
の静電容量の変化を電圧変換あるいは周波数変換して圧
力検出信号を出力する圧力検出信号回路とを含んでい
る。集積回路２０は、加速度・圧力センサチップ１０と
共に上下ケース３２、３１内に収容されている。
プ１０と共に、下ケース３１上に接着固定され、上下ケ
ース３２、３１内に収容されている。さらに、図示しな
い配線により、シリコン基板１１、加速度検出用電極１
４および１５、ならびに圧力検出用電極１６と接続され
ている一方、複数の外部端子５０にも接続されている。
そして、重り部１１２と加速度検出用電極１４および１
５との間の静電容量の変化を電圧変換あるいは周波数変
換して加速度検出信号を出力する加速度検出信号回路
と、ダイヤフラム部１１２と圧力検出用電極１６との間
の静電容量の変化を電圧変換あるいは周波数変換して圧
力検出信号を出力する圧力検出信号回路とを含んでい
る。集積回路２０は、加速度・圧力センサチップ１０と
共に上下ケース３２、３１内に収容されている。
【００１８】より具体的には、本加速度・圧力検出素子
に外部加速度ａが印加されると、シリコン基板１１内の
重り部１１１が変位し、この結果、重り部１１１と固定
電極１４との間の静電容量Ｃ１と、重り部１１１と固定
電極１５との間の静電容量Ｃ２とが変化し、この容量の
変化を集積回路２０内の加速度検出信号回路にて加速度
検出信号の形で出力する。一方、圧力の検出は、孔部３
１１に圧力Ｐ１が、孔部３２１に圧力Ｐ２が印加される
と、その圧力差ΔＰ＝Ｐ１−Ｐ２に応じて、ダイヤフラ
ム部１１２が変形し、ダイヤフラム部１１２と固定電極
１６との間の静電容量Ｃ３が変化し、集積回路２０内の
圧力検出信号回路にて圧力差ΔＰを圧力検出信号の形で
出力する。尚、本発明による加速度・圧力検出素子は、
外部加速度が印加されても、ダイヤフラム部１１２はほ
とんど影響を受けない（変形量が、微小である）よう
に、厚さ等の寸法は設計されるべきである。また、構造
上明らかなように、圧力Ｐ１と圧力Ｐ２が重り部１１１
の近傍空間に影響を及ぼすことはなく、加速度検出に悪
影響することはない。勿論、加速度検出側の構造が圧力
検出側の動作に悪影響することもなく、相互干渉しな
い。
に外部加速度ａが印加されると、シリコン基板１１内の
重り部１１１が変位し、この結果、重り部１１１と固定
電極１４との間の静電容量Ｃ１と、重り部１１１と固定
電極１５との間の静電容量Ｃ２とが変化し、この容量の
変化を集積回路２０内の加速度検出信号回路にて加速度
検出信号の形で出力する。一方、圧力の検出は、孔部３
１１に圧力Ｐ１が、孔部３２１に圧力Ｐ２が印加される
と、その圧力差ΔＰ＝Ｐ１−Ｐ２に応じて、ダイヤフラ
ム部１１２が変形し、ダイヤフラム部１１２と固定電極
１６との間の静電容量Ｃ３が変化し、集積回路２０内の
圧力検出信号回路にて圧力差ΔＰを圧力検出信号の形で
出力する。尚、本発明による加速度・圧力検出素子は、
外部加速度が印加されても、ダイヤフラム部１１２はほ
とんど影響を受けない（変形量が、微小である）よう
に、厚さ等の寸法は設計されるべきである。また、構造
上明らかなように、圧力Ｐ１と圧力Ｐ２が重り部１１１
の近傍空間に影響を及ぼすことはなく、加速度検出に悪
影響することはない。勿論、加速度検出側の構造が圧力
検出側の動作に悪影響することもなく、相互干渉しな
い。
【００１９】さて、本発明による加速度・圧力検出素子
は、上述した構造を呈していることから、以下のごと
く、加速度検出部分と圧力検出部分とを区別することな
く一緒に、比較的容易に製造できる。
は、上述した構造を呈していることから、以下のごと
く、加速度検出部分と圧力検出部分とを区別することな
く一緒に、比較的容易に製造できる。
【００２０】即ち、一枚のシリコン板材（シリコンウエ
ハ）に、重り部１１１とダイヤフラム部１１２とを板内
にて板面方向に交互に多数並べて既知のプロセスにより
形成する工程と、加速度検出用電極１４および圧力検出
用電極１６を所定の位置に形成した絶縁性板材と加速度
検出用電極１５を所定の位置に形成した絶縁性板材をシ
リコン板材に対して所定の位置関係にて、静電接着法等
により積層接合する工程と、積層接合されたシリコン板
材と絶縁性板材とを、重り部１１１とダイヤフラム部１
１２とを少なくとも一対含む領域でもってダイシング装
置等を用いて切断して、シリコン基板１１と加速度検出
用電極１４および１５ならびに圧力検出用電極１６を含
む絶縁基板１２、１３とから成る加速度・圧力センサチ
ップ１０を得る工程とを有している。
ハ）に、重り部１１１とダイヤフラム部１１２とを板内
にて板面方向に交互に多数並べて既知のプロセスにより
形成する工程と、加速度検出用電極１４および圧力検出
用電極１６を所定の位置に形成した絶縁性板材と加速度
検出用電極１５を所定の位置に形成した絶縁性板材をシ
リコン板材に対して所定の位置関係にて、静電接着法等
により積層接合する工程と、積層接合されたシリコン板
材と絶縁性板材とを、重り部１１１とダイヤフラム部１
１２とを少なくとも一対含む領域でもってダイシング装
置等を用いて切断して、シリコン基板１１と加速度検出
用電極１４および１５ならびに圧力検出用電極１６を含
む絶縁基板１２、１３とから成る加速度・圧力センサチ
ップ１０を得る工程とを有している。
【００２１】
【発明の効果】本発明による加速度・圧力検出素子は、
板状を呈し、薄肉の支持片を含む重り部と薄肉のダイヤ
フラム部とが板内にて板面方向に並んで形成されたシリ
コン基板と、重り部に対向する加速度検出用電極と、ダ
イヤフラム部に対向する圧力検出用電極とを有し、重り
部の変位による重り部と加速度検出用電極との間の静電
容量の変化に基づき加速度を検出すると共に、ダイヤフ
ラム部の変位によるダイヤフラム部と圧力検出用電極と
の間の静電容量の変化に基づき圧力を検出するため、従
来、個々にセンサ単品を基板に装着していたものを、１
個の検出素子にできるので、小型化が実現でき、取付ス
ペース等の面で優れている。また、部品点数、および資
材費用の面で、重複を避けることができた簡素な構成で
あり、安価である。
板状を呈し、薄肉の支持片を含む重り部と薄肉のダイヤ
フラム部とが板内にて板面方向に並んで形成されたシリ
コン基板と、重り部に対向する加速度検出用電極と、ダ
イヤフラム部に対向する圧力検出用電極とを有し、重り
部の変位による重り部と加速度検出用電極との間の静電
容量の変化に基づき加速度を検出すると共に、ダイヤフ
ラム部の変位によるダイヤフラム部と圧力検出用電極と
の間の静電容量の変化に基づき圧力を検出するため、従
来、個々にセンサ単品を基板に装着していたものを、１
個の検出素子にできるので、小型化が実現でき、取付ス
ペース等の面で優れている。また、部品点数、および資
材費用の面で、重複を避けることができた簡素な構成で
あり、安価である。
【００２２】さらに、重り部と加速度検出用電極との間
の静電容量の変化に基づく加速度検出信号を出力する加
速度検出信号回路とダイヤフラム部と圧力検出用電極と
の間の静電容量の変化に基づく圧力検出信号を出力する
圧力検出信号回路とを含む集積回路を、シリコン基板、
圧力検出用電極、および加速度検出用電極と共に圧力検
出用の孔部を持つケース内に収容してなる構成とすれ
ば、上記効果はより顕著となる。
の静電容量の変化に基づく加速度検出信号を出力する加
速度検出信号回路とダイヤフラム部と圧力検出用電極と
の間の静電容量の変化に基づく圧力検出信号を出力する
圧力検出信号回路とを含む集積回路を、シリコン基板、
圧力検出用電極、および加速度検出用電極と共に圧力検
出用の孔部を持つケース内に収容してなる構成とすれ
ば、上記効果はより顕著となる。
【００２３】また、本発明による加速度・圧力検出素子
の製造方法は、シリコン板材に重り部とダイヤフラム部
とを板内にて板面方向に交互に並べて形成する工程と、
加速度検出用電極および圧力検出用電極を所定の位置に
形成した絶縁性板材をシリコン板材に対して所定の位置
関係にて積層接合する工程と、積層接合されたシリコン
板材と絶縁性板材とを重り部とダイヤフラム部とを少な
くとも一対含む領域でもって切断してシリコン基板と加
速度検出用電極および圧力検出用電極を含む絶縁基板と
から成る加速度・圧力センサチップを得る工程とを有し
ているため、加速度検出部分と圧力検出部分とを一緒
に、容易かつ安価に加速度・圧力検出素子を製造でき
る。
の製造方法は、シリコン板材に重り部とダイヤフラム部
とを板内にて板面方向に交互に並べて形成する工程と、
加速度検出用電極および圧力検出用電極を所定の位置に
形成した絶縁性板材をシリコン板材に対して所定の位置
関係にて積層接合する工程と、積層接合されたシリコン
板材と絶縁性板材とを重り部とダイヤフラム部とを少な
くとも一対含む領域でもって切断してシリコン基板と加
速度検出用電極および圧力検出用電極を含む絶縁基板と
から成る加速度・圧力センサチップを得る工程とを有し
ているため、加速度検出部分と圧力検出部分とを一緒
に、容易かつ安価に加速度・圧力検出素子を製造でき
る。
【図１】本発明の一実施例による加速度・圧力検出素子
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）共に、図１に示す加速度・
圧力検出素子の要部を示す概略図である。
圧力検出素子の要部を示す概略図である。
【図３】従来例による加速度・圧力検出素子を示す概略
図である。
図である。
１０ 加速度・圧力センサチップ １１ シリコン基板 １２、１３ 絶縁基板 １４、１５ 加速度検出用電極 １６ 圧力検出用電極 ２０ 集積回路 ３１ 下ケース ３２ 上ケース ４０ 接着剤 ５０ 外部端子 １１１ 重り部 １１２ ダイヤフラム部 １２１、１３１ 孔部 ３１１、３２１ 孔部
Claims (3)
- 【請求項１】 板状を呈し、薄肉の支持片を含む重り部
と薄肉のダイヤフラム部とが板内にて板面方向に並んで
形成されたシリコン基板と、前記重り部に対向する加速
度検出用電極と、前記ダイヤフラム部に対向する圧力検
出用電極とを有し、前記重り部の変位による前記重り部
と前記加速度検出用電極との間の静電容量の変化に基づ
き加速度を検出すると共に、前記ダイヤフラム部の変位
による前記ダイヤフラム部と前記圧力検出用電極との間
の静電容量の変化に基づき圧力を検出することを特徴と
する加速度・圧力検出素子。 - 【請求項２】 前記重り部と前記加速度検出用電極との
間の静電容量の変化に基づく加速度検出信号を出力する
加速度検出信号回路と前記ダイヤフラム部と前記圧力検
出用電極との間の静電容量の変化に基づく圧力検出信号
を出力する圧力検出信号回路とを含む集積回路を、前記
シリコン基板、前記圧力検出用電極、および前記加速度
検出用電極と共に圧力検出用の孔部を持つケース内に収
容してなる請求項１記載の加速度・圧力検出素子。 - 【請求項３】 シリコン板材に前記重り部と前記ダイヤ
フラム部とを板内にて板面方向に交互に並べて形成する
工程と、前記加速度検出用電極および前記圧力検出用電
極を所定の位置に形成した絶縁性板材を前記シリコン板
材に対して所定の位置関係にて積層接合する工程と、積
層接合された前記シリコン板材と前記絶縁性板材とを前
記重り部と前記ダイヤフラム部とを少なくとも一対含む
領域でもって切断して前記シリコン基板と前記加速度検
出用電極および前記圧力検出用電極を含む絶縁基板とか
ら成る加速度・圧力センサチップを得る工程とを有する
請求項１または２記載の加速度・圧力検出素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306612A JPH08160072A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 加速度・圧力検出素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306612A JPH08160072A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 加速度・圧力検出素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08160072A true JPH08160072A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17959181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6306612A Withdrawn JPH08160072A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 加速度・圧力検出素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08160072A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1429130A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-16 | Pacific Industrial Co., Ltd. | Semiconductor sensor and transmitter for use in tire condition monitoring apparatus |
| JP2007064919A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型力学量センサ |
| JP2007064920A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型力学量センサ |
| JP2007121107A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nec Lcd Technologies Ltd | 圧力センサー |
| KR100837867B1 (ko) * | 2007-07-03 | 2008-06-13 | 금호타이어 주식회사 | 타이어의 동적 압력 및 슬립 측정 장치 |
| US7647832B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-01-19 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical device and method for producing a micromechanical device |
| KR20160051743A (ko) * | 2013-09-06 | 2016-05-11 | 일리노이즈 툴 워크스 인코포레이티드 | 절대 압력 및 차압 변환기 |
| WO2018066929A3 (ko) * | 2016-10-04 | 2018-05-31 | 주식회사 아이티엠반도체 | 멀티 센서 장치 및 멀티 센서 장치의 제조 방법 |
| WO2024084591A1 (ja) * | 2022-10-18 | 2024-04-25 | ムネカタインダストリアルマシナリー株式会社 | コンクリート類打設用のセンサ構造体 |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP6306612A patent/JPH08160072A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1429130A1 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-16 | Pacific Industrial Co., Ltd. | Semiconductor sensor and transmitter for use in tire condition monitoring apparatus |
| US6983650B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-01-10 | Pacific Industrial Co., Ltd. | Semiconductor sensor and transmitter for use in tire condition monitoring apparatus |
| JP2007064919A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型力学量センサ |
| JP2007064920A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Alps Electric Co Ltd | 静電容量型力学量センサ |
| JP2007121107A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nec Lcd Technologies Ltd | 圧力センサー |
| US7647832B2 (en) * | 2005-11-22 | 2010-01-19 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical device and method for producing a micromechanical device |
| KR100837867B1 (ko) * | 2007-07-03 | 2008-06-13 | 금호타이어 주식회사 | 타이어의 동적 압력 및 슬립 측정 장치 |
| KR20160051743A (ko) * | 2013-09-06 | 2016-05-11 | 일리노이즈 툴 워크스 인코포레이티드 | 절대 압력 및 차압 변환기 |
| JP2016531299A (ja) * | 2013-09-06 | 2016-10-06 | イリノイ トゥール ワークス インコーポレイティド | 絶対圧差圧圧力トランスデューサー |
| WO2018066929A3 (ko) * | 2016-10-04 | 2018-05-31 | 주식회사 아이티엠반도체 | 멀티 센서 장치 및 멀티 센서 장치의 제조 방법 |
| CN109791062A (zh) * | 2016-10-04 | 2019-05-21 | Itm半导体有限公司 | 多传感器装置及多传感器装置的制造方法 |
| US20190234989A1 (en) * | 2016-10-04 | 2019-08-01 | Itm Semiconductor Co.,Ltd. | Multi-sensor device and method for manufacturing multi-sensor device |
| US10845378B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-11-24 | Itm Semiconductor Co., Ltd. | Multi-sensor device and method for manufacturing multi-sensor device |
| WO2024084591A1 (ja) * | 2022-10-18 | 2024-04-25 | ムネカタインダストリアルマシナリー株式会社 | コンクリート類打設用のセンサ構造体 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |