KR20170091817A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
전면에 위치하는 대상을 반사시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치는 제1 영역 및 제1 영역에 인접하는 제2 영역 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 유전체 미러 구조물, 기판 상의 제2 영역에 배치되는 반사 패턴 및 기판 상의 제1 영역에 배치되는 화소 구조물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 소정의 반사색으로 반사될 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 소정의 색을 갖는 배면 발광 구조의 미러 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 반사 패턴을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다. 이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
최근 화소 구조물 및 반사 패턴을 구비하여, 유기 발광 표시 장치의 전면에 위치하는 대상의 이미지를 반사시킬 수 있는 미러 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 이러한 경우, 금속과 같은 반사율이 높은 재료가 반사 패턴으로 사용되기 때문에 미러 유기 발광 표시 장치에서 다양한 반사색이 구현될 수 없다.
본 발명의 일 목적은 전면에 위치하는 대상의 이미지를 반사시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접하는 제2 영역 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 유전체 미러 구조물, 상기 기판 상의 제2 영역에 배치되는 반사 패턴 및 상기 기판 상의 제1 영역에 배치되는 화소 구조물을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 구조물은 상기 유전체 미러 구조물 상에 배치되고, 광을 투과시키는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되고, 상기 발광층으로부터 방출된 광을 반사시키는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극은 제1 영역에 배치되며 상기 제2 영역을 노출시키고, 상기 반사 패턴은 상기 유전체 미러 구조물 상의 상기 제2 영역에 배치되며, 상기 상부 전극 및 상기 반사 패턴은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 유전체 미러 구조물 상의 상기 제2 영역에 중첩하여 배치되고, 상기 상부 전극은 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역으로의 방향으로 연장되며, 상기 상부 전극 및 상기 반사 패턴은 동일한 물질을 사용하여 일체로 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 유전체 미러 구조물 상의 제2 영역에 배치되고, 상기 상부 전극은 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역으로의 방향으로 연장되며, 상기 반사 패턴 상에 상기 상부 전극이 배치되고, 상기 하부 전극 및 상기 반사 패턴은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유전체 미러 구조물은 상기 기판 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 제1 유전체층, 상기 제1 유전체층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 갖는 제2 유전체층 및 상기 제2 유전체층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률을 갖는 제3 유전체층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판은 상기 제1 영역과 인접하여 위치하는 제3 영역을 더 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상의 제3 영역에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하고, 상기 반도체 소자는 상기 제1 유전체층과 상기 제2 유전체층 사이에 배치되는 액티브층, 상기 제2 유전체층과 제3 유전체층 사이에 배치되는 게이트 전극 및 상기 제3 유전체층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 기판과 상기 제1 유전체층 사이의 상기 제2 영역에 배치되는 제1 반사 패턴 및 상기 기판과 상기 제1 유전체층 사이의 상기 제3 영역에 배치되는 제2 반사 패턴을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 반사 패턴들은 일체로 형성되고, 상기 제1 영역을 노출시키는 개구를 포함하는 그물망 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 반사 패턴 및 제2 반사 패턴은 소정의 간격으로 서로 이격하여 배치되고, 제1 및 제2 반사 패턴 각각은 바의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 유전체층 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물과 중첩되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 반사 패턴 및 상기 게이트 전극은 동일한 물질을 사용하여 동시 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 유전체층 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물과 중첩되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 소스 및 드레인 전극들과 동일한 층에 배치되고, 상기 반사 패턴 및 상기 소스 및 드레인 전극들은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제3 유전체층 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물과 중첩되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 구조물은 상기 기판 상에 배치되고, 광을 투과시키는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되고, 상기 발광층으로부터 방출된 광을 반사시키는 상부 전극을 포함하고, 상기 유전체 미러 구조물은 상기 제2 영역에 배치되고, 상기 제1 영역을 노출시킬 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극은 제1 영역에 배치되며 상기 제2 영역을 노출시키고, 상기 반사 패턴은 상기 유전체 미러 구조물 상의 상기 제2 영역에 배치되며, 상기 상부 전극 및 상기 반사 패턴은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판은 상기 제1 영역과 인접하여 위치하는 제3 영역을 더 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상의 제3 영역에 배치되는 서브 반사 패턴 및 상기 서브 반사 패턴 상에 배치되는 반도체 소자를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 유전체 미러 구조물 및 반사 패턴을 구비하여 유기 발광 표시 장치의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 소정의 반사색으로 반사될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치는 소정의 색을 갖는 배면 발광 구조의 미러 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 13의 유기 발광 표시 장치에 포함된 반사 패턴을 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 도 13의 유기 발광 표시 장치에 포함된 반사 패턴의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 13의 유기 발광 표시 장치에 포함된 반사 패턴을 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 도 13의 유기 발광 표시 장치에 포함된 반사 패턴의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 유전체 미러 구조물(200), 반도체 소자(250), 평탄화층(270), 화소 구조물, 반사 패턴(360), 화소 정의막(310),봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(200)은 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150), 제3 유전체층(190)을 포함할 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)는 제1 영역(10)(예를 들어, 화소 영역), 제2 영역(20)(예를 들어, 반사 패턴 영역) 및 제3 영역(30)(예를 들어, 반도체 소자 영역)을 포함할 수 있다. 제1 영역(10)은 제2 영역(20)과 제3 영역(30) 사이에 위치할 수 있다. 제1 영역(10)에는 상기 화소 구조물이 배치될 수 있고, 봉지 기판(350)으로부터 기판(110)으로의 제1 방향으로 화상이 표시될 수 있다. 또한, 제2 영역(20)에는 반사 패턴(360)이 배치될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상(예를 들어, 기판(110)으로부터 상기 제1 방향에 위치하는 대상)의 이미지가 상기 제1 방향으로 표시될 수 있다. 더욱이, 제3 영역(30)에는 반도체 소자(250)가 배치될 수 있고, 기판(110) 상의 제1 영역(10), 제2 영역(20) 및 제3 영역(30)에 전체적으로 유전체 미러 구조물(200)이 배치될 수 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치(100)는 다양한 반사색을 갖는 배면 발광 구조의 미러 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 기판, 무알칼리(non-alkali) 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 상기 폴리이미드 기판의 제2 폴리이미드층 상에 제1 유전체층(115)을 배치한 후, 제1 유전체층(115) 상에 반도체 소자(250) 및 상기 화소 구조물(예를 들어, 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340) 등)이 배치될 수 있다. 이러한 화소 구조물의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 반도체 소자(250) 및 상기 화소 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 반도체 소자(250) 및 상기 화소 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 기판(110)으로 이용될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)가 제1 영역(10), 제2 영역(20) 및 제3 영역(30)을 구비함에 따라, 기판(110)도 제1 영역(10), 제2 영역(20) 및 제3 영역(30)으로 구분될 수 있다.
기판(110) 상에는 제1 유전체층(115)이 배치될 수 있다. 제1 유전체층(115)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 유전체층(115)은 제1 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 유전체층(115)에 포함되는 물질들의 질량비를 조절하여 제1 유전체층(115)은 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 또는, 제1 유전체층(115)의 두께를 조절하여 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 제1 유전체층(115)은 버퍼층으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 제1 유전체층(115)은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 제1 유전체층(115)은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 제1 유전체층(115)이 제공될 수 있다. 제1 유전체층(115)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 유전체층(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등으로 구성될 수 있다.
액티브층(130)은 제1 유전체층(115) 상의 제3 영역(30)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
제1 유전체층(115) 및 액티브층(130) 상에는 제2 유전체층(150)이 배치될 수 있다. 제2 유전체층(150)은 기판(110) 상의 제3 영역(30)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 유전체층(150)은 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가질 수 있다. 제2 유전체층(150)에 포함되는 물질들의 질량비를 조절하여 제2 유전체층(150)은 상기 제2 굴절률을 가질 수 있다. 또는, 제2 유전체층(150)의 두께를 조절하여 상기 제2 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 굴절률은 고굴절률에 해당될 수 있고, 상기 제2 굴절률은 저굴절률에 해당될 수 있다. 선택적으로, 상기 제1 굴절률은 저굴절률에 해당될 수 있고, 상기 제2 굴절률은 고굴절률에 해당될 수도 있다. 제2 유전체층(150)은 게이트 절연층으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 제2 유전체층(150)은 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 제2 유전체층(150)은 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 제2 유전체층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 유전체층(150)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등으로 구성될 수 있다.
게이트 전극(170)은 제2 유전체층(150) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 제3 영역(30)에서 제2 유전체층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(170)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극(170)은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
제2 유전체층(150) 및 게이트 전극(170) 상에 제3 유전체층(190)이 배치될 수 있다. 제3 유전체층(190)은 기판(110) 상의 제3 영역(30)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 유전체층(190)은 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 제3 유전체층(190)에 포함되는 물질들의 질량비를 조절하여 제3 유전체층(190)은 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 또는, 제3 유전체층(190)의 두께를 조절하여 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 제3 유전체층(190)은 층간 절연층으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 제3 유전체층(190)은 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 제3 유전체층(190)은 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 제3 유전체층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150) 및 제3 유전체층(190)을 포함하는 유전체 미러 구조물(200)이 구성될 수 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 제3 유전체층(190) 상에 배치되어, 제3 영역소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 제2 유전체층(150) 및 제3 유전체층(190) 각각의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 다층 구조로 형성될 수도 있다. 이에 따라, 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 반도체 소자(250)의 구성은 유전체 미러 구조물(200)의 구성을 포함할 수도 있다.
제3 유전체층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 제2 영역(20)에서 제3 유전체층(190)을 노출시키는 제1 개구를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 제3 유전체층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등으로 구성될 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 제1 영역(10) 및 제3 영역(30)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(290)은 발광층(330)으로부터 방출된 광을 상기 제1 방향으로 투과시킬 수 있도록 상부 전극(340)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)과 접속할 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 실질적으로 투명할 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(290)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)은 다층 구조로 구성될 수도 있다.
화소 정의막(310)은 제2 영역(20)에 위치하는 제3 유전체층(190)을 노출시키도록 하부 전극(290)의 일부, 평탄화층(270) 및 제3 유전체층(190)의 일부 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 평탄화층(270)의 제1 개구의 측벽(예를 들어, 평탄화층(270)의 측벽)을 덮으며 제2 영역(20)에 위치하는 제3 유전체층(190)의 상면의 적어도 일부 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 기판(110) 상의 제2 영역(20)에 위치하는 제3 유전체층(190)을 노출시키는 제2 개구를 가질 수 있다. 상기 제2 개구의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 작을 수 있다. 화소 정의막(310)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 발광층(330)이 위치할 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
발광층(330)은 화소 정의막(310)에 의해 상면의 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 하부 전극(290)과 상부 전극(340) 사이에 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 유기 발광층(EL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)의 순서로 적층될 수 있다, 발광층(330)의 유기 발광층(EL)은 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)의 유기 발광층(EL)은적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 발광층(330) 아래에 컬러 필터가 배치(예를 들어, 제3 유전체층(190) 상에 발광층(330)과 중첩되도록 배치)될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지로 구성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상의 제1 영역(10)에 배치될 수 있고, 기판(110) 상의 제2 영역(20)에 위치하는 제3 유전체층(190)을 노출시킬 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 영역(10)에서 상기 제1 방향으로 영상 이미지를 표시할 수 있다(예를 들어, 배면 발광 방식). 따라서, 상부 전극(340)은 발광층(330)으로부터 방출된 광을 상기 제1 방향으로 반사시킬 수 있도록, 하부 전극(290)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반도체 소자(250)가 비활성화되는 경우, 발광층(330)은 광을 방출하지 않고, 유기 발광 표시 장치(100)는 턴-오프 상태일 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 방향에 반대되는 방향인 제2 방향(예를 들어, 기판(110)으로부터 봉지 기판(350)으로의 방향)으로 외광이 기판(110)을 통과할 수 있다. 기판(110)을 통과한 상기 외광의 일부는 상기 제1 내지 제3 유전체층들(115, 150, 190)각각의 경계면에서 빛의 간섭 현상에 기초하여 소정의 색으로 반사될 수 있다. 구체적으로, 유전체 미러 구조물(200)은 입사한 빛 중 보강 간섭 또는 상쇄 간섭을 만족하는 파장에 대응하는 빛을 선택적으로 반사시킬 수 있다. 또한, 기판(110)을 통과한 상기 외광의 나머지는 제1 영역(10)에서 상부 전극(340)으로부터 상기 제1 방향으로 반사될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 상기 소정의 반사색으로 반사될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상부 전극(340)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 다층 구조로 구성될 수도 있다.
반사 패턴(360)은 제3 유전체층(190) 상의 제2 영역(20)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(360)은 화소 정의막(310)의 제2 개구에 위치할 수 있다.
전술한 바와 같이, 유전체 미러 구조물(200)은 고굴절률층과 저굴절률층이 교번하여 적층되는 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 방향으로 외광이 기판(110)을 통과할 수 있다. 기판(110)을 통과한 상기 외광의 일부는 상기 제1 내지 제3 유전체층들(115, 150, 190)각각의 경계면에서 빛의 간섭 현상에 기초하여 소정의 색으로 반사될 수 있다. 구체적으로, 유전체 미러 구조물(200)은 입사한 빛 중 보강 간섭 또는 상쇄 간섭을 만족하는 파장에 대응하는 빛을 선택적으로 반사시킬 수 있다. 또한, 기판(110)을 통과한 상기 외광의 나머지는 제2 영역(20)에서 반사 패턴(360)으로부터 상기 제1 방향으로 반사될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 상기 소정의 반사색으로 반사될 수 있다. 예를 들면, 제1 유전체층(115)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 50 옹스트롬(Angstroms)의 두께로 형성되고, 제2 유전체층(150)이 실리콘 산화물을 사용하여 대략 300 옹스트롬의 두께로 형성되며, 제3 유전체층(190)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 350 옹스트롬의 두께로 형성되는 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면은 파랑색으로 시인될 수 있다. 또한, 제1 유전체층(115)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 100 옹스트롬의 두께로 형성되고, 제2 유전체층(150)이 실리콘 산화물을 사용하여 대략 300 옹스트롬의 두께로 형성되며, 제3 유전체층(190)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 1000 옹스트롬의 두께로 형성되는 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면은 갈색으로 시인될 수 있다. 더욱이, 제1 유전체층(115)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 200 옹스트롬의 두께로 형성되고, 제2 유전체층(150)이 실리콘 산화물을 사용하여 대략 400 옹스트롬의 두께로 형성되며, 제3 유전체층(190)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 100 옹스트롬의 두께로 형성되는 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면은 은색으로 시인될 수 있다.
반사 패턴(360)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반사 패턴(360)은 상부 전극(340)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
봉지 기판(350)이 상부 전극(340), 화소 정의막(310) 및 반사 패턴(360) 상에 배치될 수 있다. 봉지 기판(350)은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 유전체 미러 구조물(200) 및 반사 패턴(360)을 포함할 수 있다. 반사 패턴(360) 아래에 유전체 미러 구조물(200)이 배치됨으로써, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 상기 소정의 반사색으로 반사될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)는 소정의 색을 갖는 배면 발광 구조의 미러 유기 발광 표시 장치로 기능할 수 있다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 제1 영역(10), 제2 영역(20) 및 제3 영역(30)을 포함하는 기판(510)이 제공될 수 있다. 기판(510)은 유리, 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 기판, 무알칼리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다.
기판(510) 상에는 제1 유전체층(515)이 형성될 수 있다. 제1 유전체층(515)은 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 유전체층(515)은 제1 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 유전체층(515)에 포함되는 물질들의 질량비를 조절하여 제1 유전체층(515)은 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 또는, 제1 유전체층(515)의 두께를 조절하여 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 제1 유전체층(515)은 버퍼층으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 제1 유전체층(515)은 기판(510)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층을 수득하게 할 수 있다. 또한, 제1 유전체층(515)은 기판(510)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(510)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(510)의 유형에 따라 기판(510) 상에 두 개 이상의 제1 유전체층(515)이 제공될 수 있다. 제1 유전체층(515)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 유전체층(515)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 유전체층(515) 상의 제3 영역(30)에 액티브층(530)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 액티브층(530)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들어, 아몰퍼스 실리콘, 폴리 실리콘) 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1 유전체층(515) 및 액티브층(530) 상에는 제2 유전체층(550)이 형성될 수 있다. 제2 유전체층(550)은 기판(510) 상의 제3 영역(30)에서 액티브층(530)을 덮을 수 있으며, 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 유전체층(550)은 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가질 수 있다. 제2 유전체층(550)에 포함되는 물질들의 질량비를 조절하여 제2 유전체층(550)은 상기 제2 굴절률을 가질 수 있다. 또는, 제2 유전체층(550)의 두께를 조절하여 상기 제2 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 굴절률은 고굴절률에 해당될 수 있고, 상기 제2 굴절률은 저굴절률에 해당될 수 있다. 선택적으로, 상기 제1 굴절률은 저굴절률에 해당될 수 있고, 상기 제2 굴절률은 고굴절률에 해당될 수도 있다. 제2 유전체층(550)은 게이트 절연층으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 제2 유전체층(550)은 액티브층(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 제2 유전체층(550)은 액티브층(530)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(530)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 제2 유전체층(550)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(570)은 제2 유전체층(550) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 제3 영역(30)에서 제2 유전체층(550) 중에서 하부에 액티브층(530)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(570)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극(570)은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
제2 유전체층(550) 및 게이트 전극(570) 상에 제3 유전체층(590)이 형성될 수 있다. 제3 유전체층(590)은 기판(510) 상의 제3 영역(30)에서 게이트 전극(570)을 덮을 수 있으며, 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제3 유전체층(590)은 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 제3 유전체층(590)에 포함되는 물질들의 질량비를 조절하여 제3 유전체층(590)은 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 또는, 제3 유전체층(590)의 두께를 조절하여 상기 제1 굴절률을 가질 수 있다. 제3 유전체층(590)은 층간 절연층으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 제3 유전체층(590)은 게이트 전극(570)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(570)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 제3 유전체층(590)은 게이트 전극(570)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(570)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 제3 유전체층(590)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 유전체층(515), 제2 유전체층(550) 및 제3 유전체층(590)을 포함하는 유전체 미러 구조물(600)이 구성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)이 제3 유전체층(590) 상의 제3 영역(30)에 형성될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)은 각기 제2 유전체층(550) 및 제3 유전체층(590) 각각의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 각각은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 각각은 다층 구조로 형성될 수도 있다. 이에 따라, 액티브층(530), 게이트 전극(570), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 포함하는 반도체 소자(650)가 구성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 반도체 소자(650)의 구성은 유전체 미러 구조물(600)의 구성을 포함할 수도 있다.
도 5를 참조하면, 제3 유전체층(590), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 상에 평탄화층(670)이 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 제2 영역(20)에서 제3 유전체층(590)을 노출시키는 제1 개구를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(670)은 제3 유전체층(590), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(670)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(670)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(670)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(670)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(670)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(670)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 전극(690)은 평탄화층(670) 상의 제1 영역(10) 및 제3 영역(30)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(690)은 발광층으로부터 방출된 광을 상기 제1 방향으로 투과시킬 수 있도록 상부 전극보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 하부 전극(690)은 평탄화층(670)의 일부를 관통하여 드레인 전극(630)과 접속할 수 있다. 또한, 하부 전극(690)은 반도체 소자(650)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(690)은 실질적으로 투명할 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(690)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(690)은 다층 구조로 구성될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 화소 정의막(710)은 제2 영역(20)에 위치하는 제3 유전체층(590)을 노출시키도록 하부 전극(690)의 일부, 평탄화층(670) 및 제3 유전체층(590)의 일부 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(710)은 하부 전극(690)의 양측부를 덮을 수 있고, 평탄화층(670)의 제1 개구의 측벽(예를 들어, 평탄화층(670)의 측벽)을 덮으며 제2 영역(20)에 위치하는 제3 유전체층(590)의 상면의 적어도 일부 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(710)은 기판(510) 상의 제2 영역(20)에 위치하는 제3 유전체층(590)을 노출시키는 제2 개구를 가질 수 있다. 상기 제2 개구의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 작을 수 있다. 화소 정의막(710)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(690) 상에 발광층이 위치할 수 있다. 화소 정의막(710)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(710)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
발광층(730)은 화소 정의막(710)에 의해 상면의 일부가 노출된 하부 전극(690) 상에 형성될 수 있다. 발광층(730)은 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(730)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수도 있다. 이러한 경우, 발광층(730) 아래에 컬러 필터가 형성(예를 들어, 제3 유전체층(590) 상에 발광층(730)과 중첩되도록 형성)될 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색 컬러 필터, 청남색 컬러 필터 및 자주색 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지를 사용하여 형성될 수 있다.
예비 상부 전극(742)이 제3 유전체층(590)의 일부, 화소 정의막(710) 및 발광층(730) 상에 형성될 수 있다. 즉, 예비 상부 전극(742)은 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예비 상부 전극(742)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 예비 상부 전극(742)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 예비 상부 전극(742)은 다층 구조로 구성될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 예비 상부 전극(742)을 부분적으로 제거하여 상부 전극(740) 및 반사 패턴(760)이 형성될 수 있다.
상부 전극(740)은 화소 정의막(710)의 일부 및 발광층(730) 상의 제1 영역(10)에 형성될 수 있고, 제2 영역(20)을 노출시킬 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 제1 영역(10)에서 상기 제1 방향으로 영상 이미지를 표시할 수 있다(예를 들어, 배면 발광 방식). 따라서, 상부 전극(740)은 발광층(730)으로부터 방출된 광을 상기 제1 방향으로 반사시킬 수 있도록, 하부 전극(690)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반도체 소자(650)가 비활성화되는 경우, 발광층(730)은 광을 방출하지 않고, 상기 유기 발광 표시 장치는 턴-오프 상태일 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 방향에 반대되는 방향인 제2 방향으로 외광이 기판(510)을 통과할 수 있다. 기판(510)을 통과한 상기 외광의 일부는 상기 제1 내지 제3 유전체층들(515, 550, 590)각각의 경계면에서빛의 간섭 현상에 기초하여 소정의 색으로 반사될 수 있다. 구체적으로, 유전체 미러 구조물(600)은 입사한 빛 중 보강 간섭 또는 상쇄 간섭을 만족하는 파장에 대응하는 빛을 선택적으로 반사시킬 수 있다. 또한, 기판(510)을 통과한 상기 외광의 나머지는 제1 영역(10)에서 상부 전극(740)으로부터 상기 제1 방향으로 반사될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 상기 소정의 반사색으로 반사될 수 있다.
반사 패턴(760)은 제3 유전체층(590) 상의 제2 영역(20)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(760)은 화소 정의막(710)의 상기 제2 개구에 위치할 수 있다. 전술한 바와 같이, 유전체 미러 구조물(600)은 고굴절률층과 저굴절률층이 교번하여 적층되는 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 방향에 반대되는 방향인 제2 방향으로 외광이 기판(510)을 통과할 수 있다. 기판(510)을 통과한 상기 외광의 일부는 상기 제1 내지 제3 유전체층들(515, 550, 590) 각각의 경계면에서 빛의 간섭 현상에 기초하여 소정의 색으로 반사될 수 있다. 구체적으로, 유전체 미러 구조물(600)은 입사한 빛 중 보강 간섭 또는 상쇄 간섭을 만족하는 파장에 대응하는 빛을 선택적으로 반사시킬 수 있다. 또한, 기판(510)을 통과한 상기 외광의 나머지는 제2 영역(20)에서 반사 패턴(760)으로부터 상기 제1 방향으로 반사될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광 표시 장치의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 상기 소정의 반사색으로 반사될 수 있다. 예를 들면, 제1 유전체층(515)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 50 옹스트롬의 두께로 형성되고, 제2 유전체층(550)이 실리콘 산화물을 사용하여 대략 300 옹스트롬의 두께로 형성되며, 제3 유전체층(590)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 350 옹스트롬의 두께로 형성되는 경우, 상기 유기 발광 표시 장치의 전면은 파랑색으로 시인될 수 있다. 또한, 제1 유전체층(515)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 100 옹스트롬의 두께로 형성되고, 제2 유전체층(550)이 실리콘 산화물을 사용하여 대략 300 옹스트롬의 두께로 형성되며, 제3 유전체층(590)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 1000 옹스트롬의 두께로 형성되는 경우, 상기 유기 발광 표시 장치의 전면은 갈색으로 시인될 수 있다. 더욱이, 제1 유전체층(515)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 200 옹스트롬의 두께로 형성되고, 제2 유전체층(550)이 실리콘 산화물을 사용하여 대략 400 옹스트롬의 두께로 형성되며, 제3 유전체층(590)이 티타늄 산화물을 사용하여 대략 100 옹스트롬의 두께로 형성되는 경우, 상기 유기 발광 표시 장치의 전면은 은색으로 시인될 수 있다.
봉지 기판(750)이 상부 전극(740), 화소 정의막(710) 및 반사 패턴(760) 상에 형성될 수 있다. 봉지 기판(750)은 실질적으로 기판(510)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(750)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(750)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(750)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 유기 발광 표시 장치의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 8에 예시한 유기 발광 표시 장치는 상부 전극(342)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 8에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 및 도 8을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 유전체 미러 구조물(200), 반도체 소자(250), 평탄화층(270), 화소 구조물, 화소 정의막(310), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(342)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(200)은 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150), 제3 유전체층(190)을 포함할 수 있다.
상부 전극(342)이 제3 유전체층(190)의 일부, 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상부 전극(342)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상부 전극(342)이 제2 영역(20)에 배치됨으로써, 반사 패턴으로 기능할 수 있다. 이에 따라, 추가적으로 반사 패턴을 구비하지 않아도 되므로, 상기 유기 발광 표시 장치의 제조 비용이 감소될 수 있고, 상대적으로 상부 전극(342)의 면적이 증가함으로써, 유기 발광 표시 장치에서 방생될 수 있는 전압 강하 현상이 줄어들 수 있다.
도 9는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 9에 예시한 유기 발광 표시 장치는 상부 전극(342) 및 반사 패턴(362)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 9에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 및 도 9를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 유전체 미러 구조물(200), 반도체 소자(250), 평탄화층(270), 화소 구조물, 화소 정의막(310), 반사 패턴(362), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(342)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(200)은 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150), 제3 유전체층(190)을 포함할 수 있다.
반사 패턴(362)은 제3 유전체층(190) 상의 제2 영역(20)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(362)은 평탄화층(270)의 제1 개구에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반사 패턴(362)은 하부 전극(290)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
화소 정의막(310)은 제2 영역(20)을 노출시키도록 하부 전극(290)의 일부, 평탄화층(270) 및 반사 패턴(362)의 일부 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 평탄화층(270)의 제1 개구의 측벽(예를 들어, 평탄화층(270)의 측벽)을 덮으며 제2 영역(20)에 위치하는 반사 패턴(362)의 상면의 적어도 일부 상에 배치될 수 있다. 즉, 화소 정의막(310)은 제3 유전체층(190)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 화소 정의막(310)은 기판(110) 상의 제2 영역(20)에 위치하는 반사 패턴(362)을 노출시키는 제2 개구를 가질 수 있다. 상기 제2 개구의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 작을 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상부 전극(342)이 반사 패턴(362), 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상부 전극(342)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상부 전극(342)이 제2 영역(20)에 배치됨으로써, 반사 패턴(362)과 함께 외광을 반사시킬 수 있다. 또한, 상부 전극(342)과 반사 패턴(362)이 접촉함으로써, 상대적으로 상부 전극(342)의 면적이 증가될 수 있고, 유기 발광 표시 장치에서 발생될 수 있는 전압 강하 현상이 더욱 줄어들 수 있다.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 10에 예시한 유기 발광 표시 장치는 평탄화층(272), 화소 정의막(312), 상부 전극(342) 및 반사 패턴(364)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 10에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 및 도 10을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 유전체 미러 구조물(200), 반도체 소자(250), 평탄화층(272), 화소 구조물, 화소 정의막(312), 반사 패턴(364), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(342)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(200)은 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150), 제3 유전체층(190)을 포함할 수 있다.
반사 패턴(364)은 제3 유전체층(190) 상의 제2 영역(20)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(364)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 층에 배치될 수 있고, 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제3 유전체층(190), 반사 패턴(364), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(272)이 배치될 수 있다. 즉, 평탄화층(272)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(272)은 제3 유전체층(190), 반사 패턴(364), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(272)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(272)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(272)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(272)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(272)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(312)은 평탄화층(272) 및 하부 전극(290)의 일부 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(312)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 평탄화층(272) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 화소 정의막(312)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(312)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상부 전극(342)이 화소 정의막(312) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상부 전극(342)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 반도체 소자(250)가 비활성화되는 경우, 발광층(330)은 광을 방출하지 않고, 상기 유기 발광 표시 장치는 턴-오프 상태일 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1 방향에 반대되는 방향인 제2 방향(예를 들어, 기판(110)으로부터 봉지 기판(350)으로의 방향)으로 외광이 기판(110)을 통과할 수 있다. 기판(110)을 통과한 상기 외광의 일부는 상기 제1 내지 제3 유전체층들(115, 150, 190)각각의 경계면에서 빛의 간섭 현상에 기초하여 소정의 색으로 반사될 수 있다. 구체적으로, 유전체 미러 구조물(200)은 입사한 빛 중 보강 간섭 또는 상쇄 간섭을 만족하는 파장에 대응하는 빛을 선택적으로 반사시킬 수 있다. 또한, 기판(110)을 통과한 상기 외광의 나머지는 제1 영역(10)에서 상부 전극(342)으로부터 상기 제1 방향으로 반사될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면에 위치하는 대상의 이미지가 상기 소정의 반사색으로 반사될 수 있다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 11에 예시한 유기 발광 표시 장치는 상부 전극(342) 및 반사 패턴(364)을 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 11에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 및 도 11을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 유전체 미러 구조물(200), 반도체 소자(250), 평탄화층(274), 화소 구조물, 화소 정의막(310), 반사 패턴(364), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(342)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(200)은 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150), 제3 유전체층(190)을 포함할 수 있다.
반사 패턴(364)은 제3 유전체층(190) 상의 제2 영역(20)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(364)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 층에 배치될 수 있고, 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
반사 패턴(364)의 일부, 제3 유전체층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(274)이 배치될 수 있다. 평탄화층(274)은 제2 영역(20)에서 반사 패턴(364)을 노출시키는 제1 개구를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(274)은 제3 유전체층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 반사 패턴(364)의 양측부를 덮을 수 있다. 이러한 경우, 평탄화층(274)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(274)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(274)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(274)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(274)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(310)은 제2 영역(20)을 노출시키도록 하부 전극(290)의 일부, 평탄화층(274) 및 반사 패턴(364)의 일부 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 평탄화층(274)의 제1 개구의 측벽(예를 들어, 평탄화층(270)의 측벽)을 덮으며 제2 영역(20)에 위치하는 반사 패턴(364)의 상면의 적어도 일부 상에 배치될 수 있다. 즉, 화소 정의막(310)은 제3 유전체층(190)과 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 화소 정의막(310)은 기판(110) 상의 제2 영역(20)에 위치하는 반사 패턴(364)을 노출시키는 제2 개구를 가질 수 있다. 상기 제2 개구의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 작을 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상부 전극(342)이 반사 패턴(364), 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상부 전극(342)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상부 전극(342)이 제2 영역(20)에 배치됨으로써, 상부 전극(342)과 반사 패턴(364)이 접촉할 수 있고, 상대적으로 상부 전극(342)의 저항이 감소될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치에서 발생될 수 있는 전압 강하 현상이 더욱 줄어들 수 있다.
도 12는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 12에 예시한 유기 발광 표시 장치는 평탄화층(272), 화소 정의막(312), 상부 전극(342), 반사 패턴(366) 및 컬러 필터(370)를 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 12에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 및 도 12를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 유전체 미러 구조물(200), 반도체 소자(250), 평탄화층(272), 화소 구조물, 화소 정의막(312), 반사 패턴(366), 컬러 필터(370), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(342)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(200)은 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150), 제3 유전체층(190)을 포함할 수 있다.
반사 패턴(366)은 제2 유전체층(150) 상의 제2 영역(20)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 반사 패턴(366)은 게이트 전극(170)과 동일한 층에 배치될 수 있고, 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
제3 유전체층(190) 상의 제1 영역(10)에 컬러 필터(370)가 배치될 수 있다. 즉, 컬러 필터(370)는 발광층(330)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 컬러 필터(370) 아래에 유전체 미러 구조물(200)이 배치됨으로써, 컬러 필터(370)를 통과한 광은 유전체 미러 구조물(200)에 의해 광의 색이 조절된 후, 상기 광이 상기 제1 방향으로 기판(110)을 통과할 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색 컬러 필터, 청남색 컬러 필터 및 자주색 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지로 구성될 수 있다.
제3 유전체층(190), 컬러 필터(370), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(272)이 배치될 수 있다. 즉, 평탄화층(272)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(272)은 제3 유전체층(190), 컬러 필터(370), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(272)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(272)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(272)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(272)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(272)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(312)은 평탄화층(272) 및 하부 전극(290)의 일부 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(312)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 평탄화층(272) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 화소 정의막(312)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(312)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상부 전극(342)이 화소 정의막(312) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상부 전극(342)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 14는 도 13의 유기 발광 표시 장치에 포함된 반사 패턴을 설명하기 위한 단면도이며, 도 15는 도 13의 유기 발광 표시 장치에 포함된 반사 패턴의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 13에 예시한 유기 발광 표시 장치는 평탄화층(272), 화소 정의막(312), 상부 전극(342), 반사 패턴(380) 및 컬러 필터(370)를 제외하면, 도 1을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 13에 있어서, 도 1을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1, 도 13 및 도 14를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 유전체 미러 구조물(200), 반도체 소자(250), 평탄화층(272), 화소 구조물, 화소 정의막(312), 반사 패턴(380), 컬러 필터(370), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(342)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(200)은 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150), 제3 유전체층(190)을 포함할 수 있다. 더욱이, 반사 패턴(380)은 제1 반사 패턴(382) 및 제2 반사 패턴(384)을 포함할 수 있다.
제1 반사 패턴(382)은 기판(110)과 제1 유전체층(115) 사이의 제2 영역(20)에 배치될 수 있고, 제2 반사 패턴(384)은 기판(110)과 제1 유전체층(115) 사이의 제3 영역(30)에 배치될 수 있다. 제2 반사 패턴(384)이 반도체 소자(250) 하부에 배치됨으로써, 외광이 반도체 소자(250)로부터 반사되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상대적으로 반사 패턴(380)의 면적이 넓어짐으로써, 상기 유기 발광 표시 장치의 반사율이 증가될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 반사 패턴(382) 및 제2 반사 패턴(384)은 일체로 형성될 수 있고, 반사 패턴(380)은 제1 영역(10)을 노출시키는 개구(383)를 포함하는 그물망 구조(예를 들어, 메쉬 구조)를 가질 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 반사 패턴 및 제2 반사 패턴은 소정의 간격으로 서로 이격하여 배치될 수 있고, 제1 반사 패턴 및 제2 반사 패턴 각각은 바의 평면 형상을 가질 수 있다. 즉, 반사 패턴(385)은 바 형상의 개구(387)를 갖는 슬릿 형상을 가질 수 있다.
제3 유전체층(190) 상의 제1 영역(10)에 컬러 필터(370)가 배치될 수 있다. 즉, 컬러 필터(370)는 발광층(330)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 컬러 필터(370) 아래에 유전체 미러 구조물(200)이 배치됨으로써, 컬러 필터(370)를 통과한 광은 유전체 미러 구조물(200)에 의해 광의 색이 조절된 후, 상기 광이 상기 제1 방향으로 기판(110)을 통과할 수 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색 컬러 필터, 청남색 컬러 필터 및 자주색 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지로 구성될 수 있다.
제3 유전체층(190), 컬러 필터(370), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(272)이 배치될 수 있다. 즉, 평탄화층(272)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(272)은 제3 유전체층(190), 컬러 필터(370), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(272)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(272)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(272)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(272)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(272)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(312)은 평탄화층(272) 및 하부 전극(290)의 일부 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(312)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 평탄화층(272) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 화소 정의막(312)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(312)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
상부 전극(342)이 화소 정의막(312) 및 발광층(330) 상에 배치될 수 있다. 즉, 상부 전극(342)은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다.
도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 16에 예시한 유기 발광 표시 장치는 평탄화층(274) 및 하부 전극(292)을 제외하면, 도 1 및 도 15를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 16에 있어서, 도 1 및 도 15를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1, 도 14 및 도 16을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 유전체 미러 구조물(200), 반도체 소자(250), 평탄화층(274), 화소 구조물, 화소 정의막(312), 반사 패턴(380), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(292), 발광층(330) 및 상부 전극(342)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(200)은 제1 유전체층(115), 제2 유전체층(150), 제3 유전체층(190)을 포함할 수 있다. 더욱이, 반사 패턴(380)은 제1 반사 패턴(382) 및 제2 반사 패턴(384)을 포함할 수 있다.
제3 유전체층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(274)이 배치될 수 있다. 평탄화층(274)은 제1 영역(10)에서 제3 유전체층(190)을 노출시키는 제1 개구를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(274)은 제3 유전체층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(274)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(274)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(274)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(274)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
하부 전극(292)은 제3 유전체층(190) 상의 제1 영역(10) 및 평탄화층(274) 상의 제3 영역(30)에 배치될 수 있다. 즉, 하부 전극(292)은 평탄화층(274)의 상면(예를 들어, 제3 영역(30)에 위치하는 평탄화층(274)의 상면) 및 측벽(예를 들어, 평탄화층(274)의 제1 개구의 측벽)을 덮으며 제1 영역(10)에 위치하는 제3 유전체층(190) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(292)은 발광층(330)으로부터 방출된 광을 상기 제1 방향으로 투과시킬 수 있도록 상부 전극(342)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 하부 전극(292)은 평탄화층(274)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)과 접속할 수 있다. 또한, 하부 전극(292)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(292)은 실질적으로 투명할 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(292)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(292)은 다층 구조로 구성될 수도 있다.
화소 정의막(312)은 제1 영역(10)에 위치하는 하부 전극(292)을 노출시키도록 하부 전극(292)의 일부 및 평탄화층(274) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(312)은 하부 전극(292)의 양측부를 덮기 위해 평탄화층(274)의 제1 개구의 내측으로 연장될 수 있다. 화소 정의막(312)은 기판(110) 상의 제1 영역(10)에 위치하는 하부 전극(292)을 노출시키는 제2 개구를 가질 수 있다. 상기 제2 개구의 크기는 상기 제1 개구의 크기보다 작을 수 있다. 화소 정의막(312)에 의해 일부가 노출된 하부 전극(292) 상에 발광층(330)이 위치할 수 있다. 화소 정의막(312)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(312)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
도 17은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 17에 예시한 유기 발광 표시 장치(300)는 유전체 미러 구조물(205), 평탄화층(276) 및 화소 정의막(314)을 제외하면, 도 1 및 도 16을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 17에 있어서, 도 1 및 도 16을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1, 도 16 및 도 17을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(300)는 기판(110), 유전체 미러 구조물(205), 반도체 소자(250), 평탄화층(276), 화소 구조물, 화소 정의막(314), 반사 패턴(360), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(292), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(205)은 제1 유전체층(117), 제2 유전체층(152), 제3 유전체층(192)을 포함할 수 있다.
기판(110) 상에는 제1 유전체층(117)이 배치될 수 있다. 제1 유전체층(117)은 기판(110) 상의 제1 영역(10)의 일부를 노출시킬 수 있다.
제1 유전체층(117) 및 액티브층(130) 상에는 제2 유전체층(152)이 배치될 수 있다. 제2 유전체층(152)은 기판(110) 상의 제1 영역(10)의 일부를 노출시킬 수 있다.
제2 유전체층(152) 및 게이트 전극(170) 상에 제3 유전체층(192)이 배치될 수 있다. 제3 유전체층(192)은 기판(110) 상의 제1 영역(10)의 일부를 노출시킬 수 있다.
제3 유전체층(192), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상에 평탄화층(276)이 배치될 수 있다. 평탄화층(276)은 제1 영역(10)에서 기판(110)을 노출시키는 제1 개구를 가질 수 있다.
하부 전극(292)은 기판(110) 상의 제1 영역(10) 및 평탄화층(276) 상의 제3 영역(30)에 배치될 수 있다. 즉, 하부 전극(292)은 평탄화층(274)의 상면(예를 들어, 제3 영역(30)에 위치하는 평탄화층(274)의 상면) 및 측벽(예를 들어, 평탄화층(276)의 제1 개구의 측벽)을 덮으며 제1 영역(10)에 위치하는 기판(110) 상에 배치될 수 있다.
화소 정의막(314)은 제1 영역(10)에 위치하는 하부 전극(292) 및 제2 영역(20)에 위치하는 제3 유전체층(192)을 노출시킬 수 있다.
반사 패턴(360)은 상부 전극(340)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 발광층(330)으로부터 방출된 광이 유전체 미러 구조물(205)을 통과하지 않고, 상기 제1 방향으로 기판(110)을 통과할 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(300)의 화질이 개선될 수 있다.
도 18은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 18에 예시한 유기 발광 표시 장치는 제1 서브 반사 패턴(361) 및 제2 서브 반사 패턴(386)을 제외하면, 도 1 및 도 17을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 18에 있어서, 도 1 및 도 17을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1, 도 17 및 도 18을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 유전체 미러 구조물(205), 반도체 소자(250), 평탄화층(276), 화소 구조물, 화소 정의막(314), 반사 패턴(360), 제1 서브 반사 패턴(361), 제2 서브 반사 패턴(386), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 상기 화소 구조물은 하부 전극(292), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다. 또한, 유전체 미러 구조물(205)은 제1 유전체층(117), 제2 유전체층(152), 제3 유전체층(192)을 포함할 수 있다.
제1 서브 반사 패턴(361)은 제3 유전체층(192) 상의 제2 영역(20)에 배치될 수 있고, 제2 서브 반사 패턴(386)은 기판(110) 상의 제3 영역(30)에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 상기 유기 발광 표시 장치는 제1 서브 반사 패턴(361) 및 제2 서브 반사 패턴(386)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치의 반사율이 상대적으로 증가될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 제1 영역
20: 제2 영역
30: 제3 영역 100, 300: 유기 발광 표시 장치
110, 510: 기판 115, 117, 515: 제1 유전체층
130, 530: 액티브층 150, 152, 550: 제2 유전체층
170, 570: 게이트 전극 190, 192, 590: 제3 유전체층
200, 205, 600: 유전체 미러 구조물
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자
270, 272, 274, 276, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 310, 312, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 342, 740: 상부 전극
350, 750: 봉지 기판
360, 362, 364, 366, 380, 385, 760: 반사 패턴
361: 제1 서브 반사 패턴 370: 컬러 필터
381: 제2 서브 반사 패턴 382: 제1 반사 패턴
383: 개구 384, 387: 제2 반사 패턴
742: 예비 상부 전극
30: 제3 영역 100, 300: 유기 발광 표시 장치
110, 510: 기판 115, 117, 515: 제1 유전체층
130, 530: 액티브층 150, 152, 550: 제2 유전체층
170, 570: 게이트 전극 190, 192, 590: 제3 유전체층
200, 205, 600: 유전체 미러 구조물
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자
270, 272, 274, 276, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 310, 312, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 342, 740: 상부 전극
350, 750: 봉지 기판
360, 362, 364, 366, 380, 385, 760: 반사 패턴
361: 제1 서브 반사 패턴 370: 컬러 필터
381: 제2 서브 반사 패턴 382: 제1 반사 패턴
383: 개구 384, 387: 제2 반사 패턴
742: 예비 상부 전극
Claims (20)
- 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접하는 제2 영역 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되는 유전체 미러 구조물;
상기 기판 상의 제2 영역에 배치되는 반사 패턴; 및
상기 기판 상의 제1 영역에 배치되는 화소 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 화소 구조물은,
상기 유전체 미러 구조물 상에 배치되고, 광을 투과시키는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되고, 상기 발광층으로부터 방출된 광을 반사시키는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 2 항에 있어서, 상기 상부 전극은 제1 영역에 배치되며 상기 제2 영역을 노출시키고, 상기 반사 패턴은 상기 유전체 미러 구조물 상의 상기 제2 영역에 배치되며, 상기 상부 전극 및 상기 반사 패턴은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 유전체 미러 구조물 상의 상기 제2 영역에 중첩하여 배치되고, 상기 상부 전극은 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역으로의 방향으로 연장되며, 상기 상부 전극 및 상기 반사 패턴은 동일한 물질을 사용하여 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 유전체 미러 구조물 상의 제2 영역에 배치되고, 상기 상부 전극은 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역으로의 방향으로 연장되며, 상기 반사 패턴 상에 상기 상부 전극이 배치되고, 상기 하부 전극 및 상기 반사 패턴은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유전체 미러 구조물은,
상기 기판 상에 배치되고, 제1 굴절률을 갖는 제1 유전체층;
상기 제1 유전체층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 갖는 제2 유전체층; 및
상기 제2 유전체층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률을 갖는 제3 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 6 항에 있어서, 상기 기판은,
상기 제1 영역과 인접하여 위치하는 제3 영역을 더 포함하고,
상기 제1 영역은 상기 제2 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 기판 상의 제3 영역에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하고,
상기 반도체 소자는,
상기 제1 유전체층과 상기 제2 유전체층 사이에 배치되는 액티브층;
상기 제2 유전체층과 제3 유전체층 사이에 배치되는 게이트 전극; 및
상기 제3 유전체층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 반사 패턴은,
상기 기판과 상기 제1 유전체층 사이의 상기 제2 영역에 배치되는 제1 반사 패턴; 및
상기 기판과 상기 제1 유전체층 사이의 상기 제3 영역에 배치되는 제2 반사 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반사 패턴들은 일체로 형성되고, 상기 제1 영역을 노출시키는 개구를 포함하는 그물망 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제1 반사 패턴 및 제2 반사 패턴은 소정의 간격으로 서로 이격하여 배치되고, 제1 및 제2 반사 패턴 각각은 바의 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서,
상기 제3 유전체층 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물과 중첩되는 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 게이트 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 반사 패턴 및 상기 게이트 전극은 동일한 물질을 사용하여 동시 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 13 항에 있어서,
상기 제3 유전체층 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물과 중첩되는 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 반사 패턴은 상기 소스 및 드레인 전극들과 동일한 층에 배치되고, 상기 반사 패턴 및 상기 소스 및 드레인 전극들은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
- 제 15 항에 있어서,
상기 제3 유전체층 상의 상기 제1 영역에 배치되고, 상기 화소 구조물과 중첩되는 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 화소 구조물은,
상기 기판 상에 배치되고, 광을 투과시키는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되고, 상기 발광층으로부터 방출된 광을 반사시키는 상부 전극을 포함하고,
상기 유전체 미러 구조물은 상기 제2 영역에 배치되고, 상기 제1 영역을 노출시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 17 항에 있어서,
상기 상부 전극은 제1 영역에 배치되며 상기 제2 영역을 노출시키고, 상기 반사 패턴은 상기 유전체 미러 구조물 상의 상기 제2 영역에 배치되며, 상기 상부 전극 및 상기 반사 패턴은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 17 항에 있어서, 상기 기판은,
상기 제1 영역과 인접하여 위치하는 제3 영역을 더 포함하고,
상기 제1 영역은 상기 제2 영역과 상기 제3 영역 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치. - 제 19 항에 있어서,
상기 기판 상의 제3 영역에 배치되는 서브 반사 패턴; 및
상기 서브 반사 패턴 상에 배치되는 반도체 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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