KR20170087507A - 고주파 스위치 모듈 - Google Patents

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타카노리 우에지마
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

고주파 스위치 모듈(10)은 스위치 소자(20), 제 1 인덕터(30), 및 필터 소자(40)를 구비한다. 스위치 소자(20)는 공통 단자(P00) 및 상기 공통 단자에 선택적으로 접속되는 피선택 단자(P02, P03)를 구비한다. 필터 소자(40)는 피선택 단자(P02) 및 피선택 단자(P03)에 각각 접속된 SAW 필터(41, 42)를 구비한다. SAW 필터(41, 42)의 피선택 단자(P02) 및 피선택 단자(P03)와 반대측의 단자는 공통화되어 프런트 엔드 단자(Pfe)에 접속되어 있다. 제 1 인덕터(30)는 피선택 단자(P02)와 피선택 단자(P03)의 사이에 접속되어 있다.

Description

고주파 스위치 모듈{HIGH-FREQUENCY SWITCH MODULE}
본 발명은 무선 통신 장치의 프런트 엔드부 등에 이용되는 고주파 스위치 모듈에 관한 것이다.
현재, 통신 밴드의 다양화에 따라서, 휴대전화기 등의 무선 통신 장치에서는 많은 통신 밴드를 통신 가능한 프런트 엔드 회로를 구비하고 있다. 이러한 프런트 엔드 회로에서는 복수의 통신 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를, 이들 통신 밴드에 공통의 안테나를 이용하여 송수신함으로써 소형화를 실현하고 있다. 그리고, 복수의 통신 밴드에서 안테나를 공유하기 때문에, 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이 스위치 모듈이 많이 채용되고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 스위치 모듈은 복수의 통신 밴드의 송수신 회로 및 SPnT(n은 2 이상의 정수)의 스위치 소자를 구비한다. 스위치 소자의 공통 단자는 안테나에 접속되고, 복수의 피선택 단자는 각 통신 밴드의 송수신 회로에 접속된다. 이 구성에 의해서, 복수의 통신 밴드의 송수신 회로 중 어느 하나를 안테나에 스위칭하여 접속하고 있다.
일본 특허 공개 2006-109084호 공보
그러나, 스위치 소자의 복수의 피선택 단자는 스위치 소자의 하우징의 한 변을 따라서 배치되어 있는 경우가 많고, 이들 피선택 단자는 대체로 근접해 있다.
이 때문에, 피선택 단자 사이에서 고주파 신호가 누설되어 버리는 경우가 있다. 예를 들면, 다음과 같은 경우에 특히 문제가 된다. 제 1 통신 밴드의 신호의 고조파의 주파수가 제 2 통신 밴드의 기본 주파수에 근접 또는 겹쳐 있다. 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자가 근접해 있고, 제 1 피선택 단자에 제 1 통신 밴드의 신호가 전송되고, 제 2 피선택 단자에 제 2 통신 밴드의 신호가 전송된다.
이 경우, 제 1 통신 밴드의 고조파 성분이 제 1 피선택 단자로부터 제 2 피선택 단자로 누설되어 제 2 통신 밴드의 송수신 회로에 불필요하게 전송해 버린다. 이것에 의해, 제 2 통신 밴드에 대한 전송 특성이 열화해 버린다.
본 발명의 목적은 스위치 소자의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있는 고주파 스위치 모듈을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 고주파 스위치 모듈은 스위치 소자, 필터 소자, 및 제 1 인덕터를 구비한다. 스위치 소자는 공통 단자 및 상기 공통 단자에 선택적으로 접속되는 제 1, 제 2 피선택 단자를 구비한다. 필터 소자는 제 1 피선택 단자 및 제 2 피선택 단자에 접속되고, 제 1 피선택 단자 및 제 2 피선택 단자와 반대측의 단자가 공통화되어 있다. 제 1 인덕터는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이에 접속되어 있다.
이 구성에서는 스위치 소자의 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이에 발생하는 캐패시터와 제 1 인덕터의 병렬 공진과, 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 각각에 접속되는 필터 소자에 의해서, 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이에 누설되는 고주파 신호가 억제된다. 즉, 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이의 아이솔레이션 특성을 높게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성인 것이 바람직하다. 고주파 스위치 모듈은 스위치 소자, 필터 소자, 및 제 1 인덕터가 실장되는 회로 기판을 구비한다. 제 1 피선택 단자와 인덕터를 접속하는 제 1 접속 도체의 길이와, 제 2 피선택 단자와 제 1 인덕터를 접속하는 제 2 접속 도체의 길이는 제 1 인덕터와 필터 소자를 접속하기 접속 도체의 길이보다 짧다.
이 구성에서는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이에 발생되는 용량성 결합을 억제할 수 있다. 이것에 의해서, 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이에 누설되는 고주파 신호가 더욱 억제된다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 제 1 접속 도체 및 제 2 접속 도체는 회로 기판을 평면으로 보아 다른 위치에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이 구성에서는 제 1 접속 도체와 제 2 접속 도체의 용량성 결합이 더욱 억제된다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 스위치 소자는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이에 제 3 피선택 단자를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
이 구성에서는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자가 이간되므로, 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이에서의 고주파 신호의 누설이 억제된다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 필터 소자는 제 1 피선택 단자에 접속하는 제 1 필터와 제 2 피선택 단자에 접속하는 제 2 필터를 구비한다. 스위치 소자와 제 1 필터가 접속하는 전송 라인에 있어서의 스위치 소자와 인덕터의 사이에 정합용 인덕터가 접속되어 있다.
이 구성에서는 스위치 소자의 제 1 피선택 단자의 임피던스를 적정한 임피던스로 설정할 수 있다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 필터 소자는 제 1 피선택 단자에 접속하는 제 1 필터와 제 2 피선택 단자에 접속하는 제 2 필터를 구비한다. 스위치 소자와 제 2 필터가 접속하는 전송 라인에 있어서의 스위치 소자와 제 2 필터의 사이에 정합용 인덕터가 접속되어 있다.
이 구성에서는 제 2 필터로부터 스위치 소자를 본 임피던스를 적정한 임피던스로 설정할 수 있다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 제 1 인덕터는 회로 기판에 형성된 스파이럴 형상의 도체 패턴이다. 회로 기판의 내부에 형성되고, 제 1 인덕터에 근접하는 그라운드 도체는 스파이럴 형상의 중앙 개구부에 겹치지 않는 형상이다.
이 구성에서는 제 1 인덕터의 Q값의 저하를 억제할 수 있다. 이것에 의해, 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자의 사이의 아이솔레이션 특성이 더욱 개선된다.
또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈은 필터 소자에 있어서의 제 1 인덕터가 접속되는 단자와 반대측의 단자에 접속된 제 2 인덕터를 구비한다. 제 2 인덕터는 제 1 인덕터와 전자계 결합하고 있다.
이 구성에서는 제 2 인덕터를 아이솔레이션 특성의 향상에 이용할 수 있다. 제 2 인덕터는 다른 기능(예를 들면, 다른 회로 소자 사이의 정합, 필터 특성)에 이용되는 것이다. 따라서, 새로이 별도 제 2 인덕터를 사용하지 않고 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 스위치 소자의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다. 이것에 의해, 우수한 전송 특성을 갖는 고주파 스위치 모듈을 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구성과 비교 구성에서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 7은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 8은 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 9는 본 발명의 제 7 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.
본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)은 스위치 소자(20), 제 1 인덕터(30), 필터 소자(40)를 구비한다. 필터 소자(40)는 제 1 필터를 구성하는 SAW 필터(41)와 제 2 필터를 구성하는 SAW 필터(42)를 구비한다. 또한, 제 1, 제 2 필터 중 적어도 한쪽이 BAW 필터에 의해서 구성되어 있어도 좋다.
스위치 소자(20)는 공통 단자(P00), 피선택 단자(P01, P02, P03, P04)를 구비한다. 스위치 소자(20)는 반도체 스위치로 이루어지는 SPnT 스위치이다. n은 2 이상의 정수이면 된다. 공통 단자(P00)는 피선택 단자(P01, P02, P03, P04) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다.
공통 단자(P00)는 고주파 스위치 모듈(10)의 안테나 접속 단자(Pant)에 접속되어 있다. 안테나 접속 단자(Pant)는 안테나(ANT)에 접속되어 있다.
피선택 단자(P02)는 SAW 필터(41)에 접속되어 있다. 피선택 단자(P03)는 SAW 필터(42)에 접속되어 있다. 피선택 단자(P02)는 본 발명의 제 1 피선택 단자에 상당하고, 피선택 단자(P03)는 본 발명의 제 2 피선택 단자에 상당한다.
SAW 필터(41)와 SAW 필터(42)는 서로 다른 통신 대역을 갖고 있다. 본 실시형태에 있어서, SAW 필터(41)와 SAW 필터(42)의 통과 대역이 서로 겹치지 않는다. SAW 필터(41)와 SAW 필터(42)는 고주파 스위치 모듈(10)의 프런트 엔드 단자(Pfe)에 접속되어 있다. 즉, SAW 필터(41)와 SAW 필터(42)는 프런트 엔드 단자(Pfe)측의 단자(피선택 단자(P02, P03)에 접속하는 측과 반대측의 단자)가 공통화되어 프런트 엔드 단자(Pfe)에 접속되어 있다. 이것에 의해, SAW 필터(41)와 SAW 필터(42)를 소형으로 형성할 수 있다.
제 1 인덕터(30)는 피선택 단자(P02)과 피선택 단자(P03)에 접속되어 있다. 보다 구체적으로는 제 1 인덕터(30)는 피선택 단자(P02)와 SAW 필터(41)를 접속하는 전송 라인과, 피선택 단자(P03)와 SAW 필터(42)를 접속하는 전송 라인에 접속되어 있다.
이러한 회로 구성으로 이루어지는 고주파 스위치 모듈(10)은 다음에 나타내는 바와 같이 이용된다. 제 1 통신 밴드의 고주파 신호를 수신하는 경우, 공통 단자(P00)와 피선택 단자(P02)가 접속된다. SAW 필터(41)는 제 1 통신 밴드의 수신 신호의 주파수 대역을 통과 대역 내로 되도록 설정되어 있다. 안테나(ANT)에 의해 수신된 제 1 통신 밴드의 수신 신호는 스위치 소자(20)를 통해서 SAW 필터(41)에 입력된다. 제 1 통신 밴드의 수신 신호는 SAW 필터(41)에 의해 여파(濾波)되어 프런트 엔드 단자(Pfe)로부터 출력된다. 제 2 통신 밴드의 고주파 신호를 수신하는 경우, 공통 단자(P00)와 피선택 단자(P03)가 접속된다. SAW 필터(42)는 제 2 통신 밴드의 수신 신호의 주파수 대역이 통과 대역 내로 되도록 설정되어 있다. 안테나(ANT)에 의해 수신된 제 2 통신 밴드의 수신 신호는 스위치 소자(20)를 통해서 SAW 필터(42)에 입력된다. 제 2 통신 밴드의 수신 신호는 SAW 필터(42)에 의해 여파되어 프런트 엔드 단자(Pfe)로부터 출력된다.
이러한 구성에 있어서, 스위치 소자(20) 내의 피선택 단자(P02)와 피선택 단자(P03)의 사이에서 발생하는 캐패시터(210)와 제 1 인덕터(30)에 의해서 병렬 공진 회로를 구성한다. 이 병렬 공진 회로의 공진 주파수는 제 1 통신 밴드의 수신 신호의 고조파 성분이며, 제 2 통신 밴드의 수신 신호의 기본 주파수에 가깝거나 또는 겹치는 주파수로 설정되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 이 제 1 인덕터(30)와 캐패시터(210)로 이루어지는 병렬 공진 회로에 의해서 SAW 필터(41)와 SAW 필터(42)가 모두 프런트 엔드 단자(Pfe)에 접속되어 있어도, 프런트 엔드 단자(Pfe)에 제 1 통신 밴드의 수신 신호의 고조파 성분이 출력되는 것을 억제할 수 있다. 환언하면, 제 1 통신 밴드의 수신 신호의 전송 경로와 제 2 통신 밴드의 수신 신호의 전송 경로에 있어서의 스위치 소자(20)의 프런트 엔드 단자(Pfe)측의 전송 경로의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구성과 비교 구성에서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 그래프이다. 또한, 비교 구성은 본 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)에 있어서의 제 1 인덕터(30) 및 필터 소자(40)를 생략한 구성, 즉 스위치 소자(20)만으로 통신 밴드의 수신 신호를 스위칭한 구성을 나타낸다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 비교 구성에서는 고조파 성분이 누설되어 있지만, 본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)의 구성을 사용함으로써 기본 주파수의 삽입 손실을 증가시키지 않고 제 1 통신 밴드의 수신 신호의 고조파 성분이 프런트 엔드 단자(Pfe)로부터 출력되는 것을 억제할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)을 이용함으로써 스위치 소자의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 높게 확보하여 우수한 전송 특성을 갖는 고주파 스위치 모듈을 간소한 구성이며 소형으로 실현할 수 있다.
이러한 구성으로 이루어지는 고주파 스위치 모듈(10)은 다음에 나타내는 바와 같은 구조에 의해서 실현된다. 도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 평면도이다. 또한, 도 3에서는 고주파 스위치 모듈(10)에 있어서의 본원에 특징적인 구성만을 도시하고 있다.
고주파 스위치 모듈(10)은 적층체(90), 실장형의 스위치 소자(20), 실장형의 제 1 인덕터(30), 및 실장형의 필터 소자(40)를 구비한다. 적층체(90)는 소정의 위치에 도체 패턴이 형성된 유전체 기판을 적층하여 이루어진다. 회로 기판은 서로 대향하는 2개의 직사각형 형상의 주면과 양 주면에 접합하는 4개의 측면을 갖는 적층체(90)에 의해 구성되어 있다. 실장형의 스위치 소자(20), 실장형의 제 1 인덕터(30), 및 실장형의 필터 소자(40)는 적층체(90)의 표면, 즉 회로 기판의 한쪽의 주면에 실장되어 있다.
제 1 인덕터(30)의 한쪽의 외부 도체가 실장되는 랜드 도체(LE301)와 스위치 소자(20)의 피선택 단자(P02)가 실장되는 랜드 도체(LE02)는 적층체(90)에 형성된 접속 도체(901)에 의해서 접속되어 있다. 제 1 인덕터(30)의 다른쪽의 외부 도체가 실장되는 랜드 도체(LE302)와 스위치 소자(20)의 피선택 단자(P03)가 실장되는 랜드 도체(LE03)는 적층체(90)에 형성된 접속 도체(902)에 의해서 접속되어 있다.
제 1 인덕터(30)는 스위치 소자(20)에 있어서의 피선택 단자(P02, P03)의 근방에 실장되어 있다. 그리고, 접속 도체(901)와 접속 도체(902)의 거리는 가능한 한 최단 거리로 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 접속 도체(901, 902)의 일부가 적층체(90)의 표면에 설치된 스위치 소자(20)의 피선택 단자(P02, P03)에 접속되는 전극으로부터 필터 소자(40)를 향해서 직선적으로 서로 평행하게 신장되어 있다. 이 직선적이고 서로 평행한 접속 도체(901, 902)의 일부에 제 1 인덕터(30)를 구성하는 인덕터 칩이 전기적으로 접속되어 있다. 이 인덕터 칩의 외부 전극을 연결하는 방향과 접속 도체(901, 902)의 일부가 신장되는 방향은 서로 직교하고 있다.
이 구성에 의해서, 접속 도체(901, 902)의 용량성 결합을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.
본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10A)은 접속 도체(901, 902)의 구조가 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)과 다르다.
접속 도체(901)에 있어서의 적층체(90)의 적층 방향에 직교하는 방향으로 연장되는 부분은 적층체(90)의 유전체층(Ly01)에 상당하는 위치에 배치되어 있다. 접속 도체(902)에 있어서의 적층체(90)의 적층 방향에 직교하는 방향으로 연장되는 부분은 적층체(90)의 유전체층(Ly02)에 상당하는 위치에 배치되어 있다.
이 구성에 의해, 접속 도체(901)에 있어서의 적층체(90)의 적층 방향에 직교하는 방향으로 연장되는 부분과, 접속 도체(902)에 있어서의 적층체(90)의 적층 방향에 직교하는 방향으로 연장되는 부분은 적층체(90)를 표면으로부터 평면으로 보아도, 측면으로부터 평면으로 보아도 다른 위치에 배치된다. 이것에 의해서, 접속 도체(901)와 접속 도체(902)의 용량성 결합을 더욱 억제할 수 있다. 따라서, 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.
본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10B)은 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)에 대하여 스위치 소자(20)와 제 1 인덕터(30) 및 필터 소자(40)의 접속 구성이 다르다.
본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10B)에서는 스위치 소자(20)의 피선택 단자(01)를 필터 소자(40)의 SAW 필터(41)에 접속한다. 이 실시형태에서는 피선택 단자(P01)가 본 발명의 제 1 피선택 단자에 상당한다. 피선택 단자(P02)가 본 발명의 제 3 피선택 단자에 상당한다.
이 구성으로 함으로써, 고주파 신호의 누설이 문제가 되는 SAW 필터(41, 42)에 접속하는 피선택 단자가 이간하고, 이들 피선택 단자 사이에 다른 피선택 단자가 배치된다. 이것에 의해서, SAW 필터(41, 42)에 접속하는 피선택 단자 사이의 용량성 결합이 억제되고, 또한 피선택 단자(P01)와 SAW 필터(41)(제 1 인덕터(30)의 한쪽의 외부 도체)를 접속하는 접속 도체(901A)와, 피선택 단자(P03)와 SAW 필터(42)(제 1 인덕터(30)의 다른쪽의 외부 도체)를 접속하는 접속 도체(902)가 이간 한다. 이것에 의해서, 접속 도체(901A)와 접속 도체(902)의 용량성 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10C)은 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)에 대하여, 정합용 인덕터(51)를 추가한 것이다.
정합용 인덕터(51)는 피선택 단자(P02)와 SAW 필터(41)를 접속하는 전송 라인에 있어서의 피선택 단자(P02)와 제 1 인덕터(30)의 한쪽의 외부 도체의 사이에 접속되어 있다.
이러한 구성으로 함으로써, 제 1 인덕터(30), SAW 필터(41)로부터 스위치 소자(20)를 본 임피던스를 용량성으로부터 유도성으로 시프트할 수 있다. 예를 들면, SAW 필터(41)에 의해 전송되는 고주파 신호의 주파수가 SAW 필터(42)에 의해 전송되는 고주파 신호의 주파수보다 높은 경우, 피선택 단자(P02)를 본 임피던스는 피선택 단자(P03)를 본 임피던스보다 용량성이 높아진다. 본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10C)에서는 정합용 인덕터(51)를 구비함으로써 전송되는 고주파 신호의 주파수에 있어서의 피선택 단자(P02)를 본 임피던스와 피선택 단자(P03)를 본 임피던스를 같은 정도로 할 수 있다. 이것에 의해서, 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 확보하면서 SAW 필터(41, 42)에 의해 전송되는 각 고주파 신호를 저손실로 전송할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 도 7은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10D)은 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)에 대하여 정합용 인덕터(52)를 추가한 것이다.
정합용 인덕터(52)는 피선택 단자(P03)와 SAW 필터(42)를 접속하는 전송 라인에 있어서의 제 1 인덕터(30)의 다른쪽의 외부 도체와 SAW 필터(42)의 사이에 접속되어 있다.
이러한 구성으로 함으로써, 제 1 인덕터(30), 스위치 소자(20)로부터 SAW 필터(42)를 본 임피던스를 용량성으로부터 유도성으로 시프트할 수 있다. 예를 들면, SAW 필터(42)에 의해 전송되는 고주파 신호의 주파수가 SAW 필터(41)에 의해 전송되는 고주파 신호의 주파수보다 낮은 경우, SAW 필터(42)를 본 임피던스는 SAW 필터(41)를 본 임피던스보다 용량성이 높아진다. 본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10C)에서는 정합용 인덕터(51)를 구비함으로써, 전송하는 고주파 신호의 주파수에 있어서의 SAW 필터(41)를 본 임피던스와 SAW 필터(41)를 본 임피던스를 같은 정도로 할 수 있다. 이것에 의해서, 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 확보하면서 SAW 필터(41, 42)에 의해 전송되는 각 고주파 신호를 저손실로 전송할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 도 8은 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10E)은 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)에 대하여 제 2 인덕터를 구성하는 특성 조정용 인덕터(53)를 추가한 것이다.
특성 조정용 인덕터(53)는 필터 소자(40)와 프런트 엔드 단자(Pfe)를 접속하는 전송 라인과 그라운드의 사이에 접속되어 있다. 특성 조정용 인덕터(53)는 프런트 엔드 단자(Pfe)에 접속되는 후단의 회로(예를 들면, LNA)와 필터 소자(40)의 임피던스 정합 등에 이용된다.
특성 조정용 인덕터(53)와 제 1 인덕터(30)가 전자계 결합하고 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 제 1 인덕터(30)의 물리적인 크기를 변경하지 않고 전자계 결합에 의해서 제 1 인덕터(30)의 외관의 인덕턴스를 변경할 수 있다. 이것에 의해서, 구조적으로 제 1 인덕터(30)의 형상을 변경할 수 없어도, 적절한 아이솔레이션 특성을 실현할 수 있다. 예를 들면, 아이솔레이션 특성을 유지하면서 고주파 스위치 모듈(10E)을 보다 소형으로 형성할 수 있다.
또한, 제 1 인덕터(30)에 결합시키는 제 2 인덕터(특성 조정용 인덕터(53))는 필터 소자(40)에 있어서의 스위치 소자(20)에 접속하는 측의 단자와 그라운드의 사이에 접속되어 있어도 좋다. 즉, 스위치 소자(20)와 필터 소자(40)의 임피던스 정합을 행하는 인덕터여도 좋다.
이어서, 본 발명의 제 7 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조해서 설명한다. 도 9는 본 발명의 제 7 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.
본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10F)은 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)에 대하여 제 1 인덕터(30F)가 적층체(90) 내에 형성된 점에서 다르다.
제 1 인덕터(30F)는 적층체(90)에 형성된 도체 패턴에 의해서 스파이럴 형상으로 형성되어 있다. 이때, 제 1 인덕터(30F)의 권회축은 적층 방향에 평행이다.
적층체(90)의 내부 그라운드 도체(910G)는 적층체(90)를 평면으로 본 대략 전면에 걸쳐서 형성되어 있지만, 개구부(911)를 구비한다.
개구부(911)는 적층체(90)를 평면으로 하여 제 1 인덕터(30E)의 스파이럴 형상의 중앙의 개구부에 겹쳐 있다.
이러한 구성으로 함으로써, 고주파 스위치 모듈(10F)을 평면으로 본 형상을, 고주파 스위치 모듈(10)을 평면으로 본 형상보다 작게 할 수 있다. 또한, 제 1 인덕터(30E)가 발생하는 자계가 내부 그라운드 도체(910G)에 의해서 저해되지 않으므로, 제 1 인덕터(30E)의 Q값의 저하를 억제할 수 있다. 이것에 의해, 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.
10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F : 고주파 스위치 모듈
20 : 스위치 소자 30, 30E : 제 1 인덕터
40 : 필터 소자 41, 42 : SAW 필터
51, 52 : 정합용 인덕터 53 : 제 2 인덕터
90 : 적층체 901, 902 : 접속 도체
910G : 내부 그라운드 도체 911 : 개구부

Claims (8)

  1. 공통 단자, 및 상기 공통 단자에 선택적으로 접속되는 제 1, 제 2 피선택 단자를 구비한 스위치 소자와,
    상기 제 1 피선택 단자 및 상기 제 2 피선택 단자에 접속되고, 출력 단자가 공통화된 필터 소자와,
    상기 제 1 피선택 단자와 상기 제 2 피선택 단자 사이에 접속되는 제 1 인덕터를 구비한 고주파 스위치 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위치 소자, 상기 필터 소자, 및 상기 제 1 인덕터가 실장되는 회로 기판을 구비하고,
    상기 제 1 피선택 단자와 상기 제 1 인덕터를 접속하는 제 1 접속 도체의 길이와, 상기 제 2 피선택 단자와 상기 제 1 인덕터를 접속하는 제 2 접속 도체의 길이는 상기 제 1 인덕터와 상기 필터 소자를 접속하는 접속 도체의 길이보다 짧은 고주파 스위치 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 접속 도체와 상기 제 2 접속 도체는 상기 회로 기판을 평면으로 보아 다른 위치에 배치되어 있는 고주파 스위치 모듈.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스위치 소자는 상기 제 1 피선택 단자와 상기 제 2 피선택 단자의 사이에 제 3 피선택 단자를 구비하는 고주파 스위치 모듈.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터 소자는 상기 제 1 피선택 단자에 접속하는 제 1 필터와 상기 제 2 피선택 단자에 접속하는 제 2 필터를 구비하고,
    상기 스위치 소자와 상기 제 1 필터가 접속하는 전송 라인에 있어서의 상기 스위치 소자와 상기 제 1 인덕터의 사이에 정합용 인덕터가 접속되어 있는 고주파 스위치 모듈.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터 소자는 상기 제 1 피선택 단자에 접속하는 제 1 필터와 상기 제 2 피선택 단자에 접속하는 제 2 필터를 구비하고,
    상기 스위치 소자와 상기 제 2 필터가 접속하는 전송 라인에 있어서의 상기 스위치 소자와 상기 제 2 필터의 사이에 정합용 인덕터가 접속되어 있는 고주파 스위치 모듈.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 인덕터는 상기 회로 기판에 형성된 스파이럴 형상의 도체 패턴이고,
    상기 회로 기판의 내부에 형성되고, 상기 인덕터에 근접하는 그라운드 도체는 상기 스파이럴 형상의 중앙 개구부에 겹치지 않는 형상인 고주파 스위치 모듈.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필터 소자에 있어서의 상기 제 1 인덕터가 접속되는 단자와 반대측의 단자에 접속된 제 2 인덕터를 구비하고,
    상기 제 2 인덕터는 상기 제 1 인덕터와 전자계 결합하고 있는 고주파 스위치 모듈.
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