JPWO2006013753A1 - 高周波複合部品 - Google Patents

Abstract

アンテナ端子（ＡＮＴ）から送受信する信号をＧＳＭ系信号経路とＤＣＳ系信号経路とにダイプレクサ（２０）で選択的に切り換える高周波複合部品。ＧＳＭ系及びＤＣＳ系には高周波スイッチ（１１Ｇ），（１１Ｄ）で切り換えられる送信側入力端子（Ｔｘｇ），（Ｔｘｄ）と受信側バランス出力端子（Ｒｘｇ），（Ｒｘｄ）を備えている。受信側バランス出力端子（Ｒｘｇ）、（Ｒｘｄ）と弾性表面波フィルタ（ＳＡＷｇ），（ＳＡＷｄ）の出力側との間にインダクタ（Ｌｇ），（Ｌｄ）とコンデンサ（Ｃ１ｇ），（Ｃ２ｇ），（Ｃ１ｄ），（Ｃ２ｄ）からなる整合素子が挿入されている。

Description

本発明は、高周波複合部品、特に、複数の異なる移動体通信システムに利用可能な高周波複合部品に関する。

現在、ヨーロッパでは、移動体通信装置として、複数の周波数帯、例えば、１．８ＧＨｚ帯を使用するＤＣＳと９００ＭＨｚ帯を使用するＧＳＭとで動作が可能なデュアルバンド携帯電話機が提案されている。

図１８は、一般的なデュアルバンド携帯電話機の構成の一部を示し、アンテナ１、ダイプレクサ２及び二つの信号経路ＤＣＳ系３（１．８ＧＨｚ帯）とＧＳＭ系４（９００ＭＨｚ）から構成されている。

ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ系３あるいはＧＳＭ系４からの送信信号を選択し、受信の際にはＤＣＳ系３あるいはＧＳＭ系４への受信信号を選択する。ＤＣＳ系３は送信部Ｔｘｄと受信部Ｒｘｄとに分離する高周波スイッチ３ａ、ＤＣＳの基本周波数を通過させるとともに、２次高調波及び３次高調波を減衰させるフィルタ３ｂからなる。ＧＳＭ系４も、同様に、送信部Ｔｘｇと受信部Ｒｘｇとに分離する高周波スイッチ４ａ、ＧＳＭの基本周波数を通過させるとともに、３次高調波を減衰させるフィルタ４ｂからなる。

ところで、近年では、受信部に２本の信号端子を持つ平衡型（バランス出力型）の高周波複合部品が提供されており、このような平衡型ではＬＮＡ（ローノイズアンプ）とのインピーダンスマッチングが必要となる。

特許文献１には、図１９に示すように、バランス出力型の弾性表面波フィルタからなるバンドパスフィルタ５の平衡出力端子Ｒｘ間にインダクタ６を並列に配置することが開示されている。しかし、インダクタ６のみでは所望のインピーダンス（特に複素数）に設定することは困難である。本発明者の知見によると、さらにインピーダンスを下げるためには各平衡出力端子と直列にコンデンサを挿入したり、インピーダンスを上げるためにはコンデンサに加えていま一つのインダクタを平衡出力端子間に並列に挿入することが必要である。しかし、このような高周波複合部品とＬＮＡとの間にさらにコンデンサやインダクタを別部品として後付けすることは、部品点数や実装面積の増加によって機器が大型化してしまうとともに、バンドパスフィルタ５とＬＮＡとの間のマッチング調整がより複雑になってしまう。
特開２００３−１４２９８１号公報

そこで、本発明の目的は、高周波複合部品単体で所望のインピーダンスを容易に設定できてＬＮＡとのマッチング調整が不要で、部品点数の低減、小型化が可能な高周波複合部品を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、前記目的を達成することに加えて、素子相互の干渉を防ぎ、特性の良好な高周波複合部品を提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明に係る高周波複合部品は、
（Ａ）アンテナ端子と送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるためのスイッチと、
（Ｂ）前記アンテナ端子と前記送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含むＬＣフィルタと、
（Ｃ）前記スイッチと前記受信側バランス出力端子との間に配置された弾性表面波フィルタと、
（Ｄ）前記弾性表面波フィルタと前記受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む整合素子と、を備え、
前記スイッチ、ＬＣフィルタ、弾性表面波フィルタ及び整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなること、
を特徴とする。

本発明に係る高周波複合部品においては、弾性表面波フィルタと受信側バランス出力端子との間にインダクタ及びコンデンサを含む整合素子を備えているため、このインダクタとコンデンサを適宜組み合わせることで、受信側バランス出力端子のインピーダンスを自由に設定することが可能となる。しかも、このインダクタとコンデンサは他の回路部品とともに積層体ブロックで一体化されているため、インダクタやコンデンサをディスクリートでプリント基板上に配置する場合と比べてプリント基板上での実装面積を小さくすることができると共に、弾性表面波フィルタと整合素子との距離を最小限に抑え、フィルタと整合素子との間の損失を抑えて高周波特性を改善することができる。

ところで、前記スイッチ、ＬＣフィルタ、弾性表面波フィルタ及び整合素子を複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化する際に重要なのは、整合素子とＬＣフィルタとの間の干渉を防止できる配置とすることである。特に、整合素子のインダクタンスにはＱ値や安定性が高いことが要求される。

そこで、本発明に係る高周波複合部品において、整合素子のインダクタは積層体ブロックの第１領域に形成されており、ＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサは平面視で前記第１領域とは異なる第２領域に形成されていることが好ましい。

同様に、整合素子のインダクタは積層体ブロックの表面に搭載されており、ＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサは積層体ブロックの内部に内蔵されていることが好ましい。また、整合素子のインダクタとＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサとの間にはグランド電極が配置されていることが好ましい。あるいは、ＬＣフィルタのコンデンサのうちシャントコンデンサは積層体ブロックの最下層近辺に形成されていることが好ましい。

整合素子のインダクタ及びコンデンサは積層体ブロックの表面に形成されており、整合素子のインダクタは他の素子を介さずに整合素子のコンデンサに隣接配置してもよい。

また、前記弾性表面波フィルタは、バランス出力ポートを有するバランス型弾性表面波フィルタであってもよく、あるいは、アンバランス出力ポートを有するアンバランス型弾性表面波フィルタであってもよい。バランス型である場合は、整合素子のインダクタがバランス出力ポート間に並列接続されており、整合素子のコンデンサがバランス出力ポートに直列接続されている。また、アンバランス型である場合は、整合素子のインダクタ及びコンデンサはバランを兼ねていることになる。

さらに、本発明に係る高周波複合部品は、二つの異なる周波数帯の信号処理に対応できるデュアルバンド対応型の高周波複合部品として構成することができる。このようなデュアルバンド対応型の高周波複合部品は、前記アンテナ端子の後段に、第１周波数帯の信号経路と、前記第１周波数帯とは異なる第２周波数帯の信号経路とを分岐するダイプレクサを備え、さらに、
前記第１周波数帯の信号経路における、（Ａ）前記アンテナ端子と第１送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第１受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第１スイッチと、（Ｂ）前記第１スイッチと前記第１送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１ＬＣフィルタと、（Ｃ）前記第１スイッチと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置された第１弾性表面波フィルタと、（Ｄ）前記第１弾性表面波フィルタと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１整合素子と、
前記第２周波数帯の信号経路における、（Ｅ）アンテナ端子と第２送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第２受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第２スイッチと、（Ｆ）前記第２スイッチと前記第２送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２ＬＣフィルタと、（Ｇ）前記第２スイッチと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された第２弾性表面波フィルタと、（Ｈ）前記第２弾性表面波フィルタと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２整合素子と、を備え、
前記ダイプレクサ、第１・第２スイッチ、第１・第２ＬＣフィルタ、第１・第２弾性表面波フィルタ及び第１・第２整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなること、
を特徴とする。

さらに、本発明に係る高周波複合部品は、三つの異なる周波数帯の信号処理に対応できるトリプルバンド対応型の高周波複合部品として構成することができる。このようなトリプルバンド対応型の高周波複合部品は、前記アンテナ端子の後段に、第１周波数帯の信号経路と、前記第１周波数帯とは異なる第２周波数帯及び第３周波数帯の信号経路とを分岐するダイプレクサを備え、さらに、
前記第１周波数帯の信号経路における、（Ａ）前記アンテナ端子と第１送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第１受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第１スイッチと、（Ｂ）前記第１スイッチと前記第１送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１ＬＣフィルタと、（Ｃ）前記第１スイッチと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置された第１弾性表面波フィルタと、（Ｄ）前記第１弾性表面波フィルタと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１整合素子と、
前記第２周波数帯の信号経路における、（Ｅ）アンテナ端子と第２送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第２・第３受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第２スイッチと、（Ｆ）前記第２スイッチと前記第２送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２ＬＣフィルタと、（Ｇ）前記第２スイッチと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された信号経路と、前記第２スイッチと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置された信号経路とを分岐するデュプレクサと、（Ｈ）前記デュプレクサと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された第２弾性表面波フィルタと、（Ｉ）前記第２弾性表面波フィルタと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２整合素子と、（Ｊ）前記デュプレクサと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置された第３弾性表面波フィルタと、（Ｋ）前記第３弾性表面波フィルタと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第３整合素子と、を備え、
前記ダイプレクサ、第１・第２スイッチ、第１・第２ＬＣフィルタ、デュプレクサ、第１・第２・第３弾性表面波フィルタ及び第１・第２・第３整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなること、
を特徴とする。

本発明に係る高周波複合部品の第１実施例の基本構成を示すブロック図である。 第１実施例の等価回路図である。 本発明に係る高周波複合部品の第２実施例の基本構成を示すブロック図である。 第２実施例の等価回路図である。 第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１〜第８層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第９〜第１５層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１６層及び第１７層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第２実施例のセラミック多層基板の表面における各回路素子の搭載状態を示す平面図である。 本発明に係る高周波複合部品の第３実施例の基本構成を示すブロック図である。 第３実施例の等価回路図である。 本発明に係る高周波複合部品の第４実施例の等価回路図である。 第４実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１〜第８層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第４実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第９〜第１５層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第４実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１６〜第１８層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第４実施例のセラミック多層基板の表面における各回路素子の搭載状態を示す平面図である。 本発明に係る高周波複合部品の第５実施例の等価回路図である。 本発明に係る高周波複合部品の第６実施例の等価回路図である。 従来のデュアルバンド携帯電話機のスイッチ回路を示すブロック図である。 従来のバンドパスフィルタの概略構成を示すブロック図である。

以下、本発明に係る高周波複合部品の実施例について添付図面を参照して説明する。

（第１実施例、図１及び図２参照）
本第１実施例であるシングルバンド対応型の高周波複合部品は、図１のブロック図にその特徴的な構成を示すように、バランス型弾性表面波フィルタＳＡＷの平衡出力部と受信側バランス出力端子Ｒｘとの間に、インダクタＬが並列に接続されているとともにコンデンサＣ１，Ｃ２がそれぞれ直列に接続されている。

詳しくは、図２の等価回路図に示すように、高周波複合部品は、概略、高周波スイッチ１１と、ＬＣフィルタ１２と、バランス型弾性表面波フィルタＳＡＷと、整合素子１３とで構成されている。

高周波スイッチ１１は、アンテナ端子ＡＮＴと送信側入力端子Ｔｘとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと受信側バランス出力端子Ｒｘとの間の信号経路とを選択的に切り換えるためのものである。ＬＣフィルタ１２は、高周波スイッチ１１と送信側入力端子Ｔｘとの間に配置され、インダクタＧＬｔ１及びコンデンサを含んだローパスフィルタである。このローパスフィルタのコンデンサは、インダクタＧＬｔ１と並列接続されたコンデンサＧＣと、グランドに接続される二つの接地コンデンサ（シャントコンデンサ）ＧＣｕ１，ＧＣｕ２からなっている。

整合素子１３は、前述のように、弾性表面波フィルタＳＡＷの平衡出力部と受信側バランス出力端子Ｒｘとの間に、インダクタＬを並列に接続するとともにコンデンサＣ１，Ｃ２をそれぞれ直列に接続したものである。

また、本第１実施例において、前記高周波スイッチ１１、ＬＣフィルタ１２、弾性表面波フィルタＳＡＷ及び整合素子１３は、複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されている。

シングルバンド対応型である本第１実施例の高周波複合部品は、以下に説明するデュアルバンド対応型である第２・第３実施例の高周波複合部品及びトリプルバンド対応型である第４実施例の高周波複合部品にその一部として含まれるものである。従って、本第１実施例のより詳細な構成及び動作は以下に説明する第２・第３・第４・第５・第６実施例によって明らかにされる。

（第２実施例、図３〜図８参照）
本第２実施例である高周波複合部品は、図３のブロック図にその特徴的な構成を示すように、ＧＳＭ系及びＤＣＳ系を備えたデュアルバンド対応型の高周波複合部品（フロントエンドモジュール）であり、バランス型弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄの平衡出力部と受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄとの間に、それぞれインダクタＬｇ，Ｌｄが並列に接続されているとともにコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ及びＣ１ｄ、Ｃ２ｄがそれぞれ直列に接続されている。

詳しくは、図４の等価回路図に示すように、高周波複合部品は、アンテナ端子ＡＮＴの後段に、ＧＳＭ系の信号経路と、ＤＣＳ系の信号経路とを分岐するダイプレクサ２０を備えている。さらに、ＧＳＭ系は第１高周波スイッチ１１Ｇと第１ＬＣフィルタ１２Ｇとバランス型第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇと第１整合素子１３Ｇとを備えている。ＤＣＳ系も、同様に、第２高周波スイッチ１１Ｄと第２ＬＣフィルタ１２Ｄとバランス型第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄと第２整合素子１３Ｄとを備えている。

第１高周波スイッチ１１Ｇは、アンテナ端子ＡＮＴと第１送信側入力端子Ｔｘｇとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと第１受信側バランス出力端子Ｒｘｇとの間の信号経路とを選択的に切り換える。第１ＬＣフィルタ１２Ｇは、第１高周波スイッチ１１Ｇと第１送信側入力端子Ｔｘｇとの間に配置されている。第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇは第１高周波スイッチ１１Ｇと第１受信側バランス出力端子Ｒｘｇとの間に配置されている。

第１整合素子１３Ｇは、インダクタＬｇを第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇ側に並列に接続し、コンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇをインダクタＬｇと受信側バランス出力端子Ｒｘｇとの間にそれぞれ直列に接続したものである。

第２高周波スイッチ１１Ｄは、アンテナ端子ＡＮＴと第２送信側入力端子Ｔｘｄとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄとの間の信号経路とを選択的に切り換える。第２ＬＣフィルタ１２Ｄは、第２高周波スイッチ１１Ｄと第２送信側入力端子Ｔｘｄとの間に配置されている。第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄは第２高周波スイッチ１１Ｄと第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄとの間に配置されている。

第２整合素子１３Ｄは、インダクタＬｄを第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄ側に並列に接続し、コンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄをインダクタＬｄと受信側バランス出力端子Ｒｘｄとの間にそれぞれ直列に接続したものである。

ダイプレクサ２０は、送信の際にはＤＣＳ系あるいはＧＳＭ系からの送信信号を選択し、受信の際にはＤＣＳ系あるいはＧＳＭ系への受信信号を選択する。ダイプレクサ２０の第１ポートＰ１１にはアンテナ端子ＡＮＴが、第２ポートＰ１２には第１高周波スイッチ１１Ｇの第１ポートＰ３１ｇ、第３ポートＰ１３には第２高周波スイッチ１１Ｄの第１ポートＰ３１ｄがそれぞれ接続されている。

ＧＳＭ系において、第１高周波スイッチ１１Ｇの第２ポートＰ３２ｇには第１ＬＣフィルタ１２Ｇの第１ポートＰ２１ｇが接続され、第３ポートＰ３３ｇには第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇが接続されている。第１ＬＣフィルタ１２Ｇの第２ポートＰ２２ｇには第１送信側入力端子Ｔｘｇが接続されている。

ＤＣＳ系において、第２高周波スイッチ１１Ｄの第２ポートＰ３２ｄには第２ＬＣフィルタ１２Ｄの第１ポートＰ２１ｄが接続され、第３ポートＰ３３ｄには第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄが接続されている。第２ＬＣフィルタ１２Ｄの第２ポートＰ２２ｄには第２送信側入力端子Ｔｘｄが接続されている。

ダイプレクサ２０は、インダクタＬｔ１，Ｌｔ２及びコンデンサＣｃ１，Ｃｃ２，Ｃｔ１，Ｃｔ２，Ｃｕ１で構成されている。第１ポートＰ１１と第２ポートＰ１２との間にインダクタＬｔ１とコンデンサＣｔ１とからなる並列回路が接続され、この並列回路の第２ポートＰ１２側がコンデンサＣｕ１を介して接地される。また、第１ポートＰ１１と第３ポートＰ１３との間にはコンデンサＣｃ１，Ｃｃ２が直列接続され、それらの接続点がインダクタＬｔ２及びコンデンサＣｔ２を介して接地される。

第１高周波スイッチ１１Ｇは、スイッチング素子であるダイオードＧＤ１，ＧＤ２、インダクタＧＳＬ１，ＧＳＬ２、コンデンサＧＣ５，ＧＣ６及び抵抗ＲＧで構成されている。第１ポートＰ３１ｇと第２ポートＰ３２ｇとの間に、アノードが第１ポートＰ３１ｇ側になるようにダイオードＧＤ１が接続され、カソードはインダクタＧＳＬ１を介して接地される。ダイオードＧＤ２はカソードがインダクタＧＳＬ２を介して第１ポートＰ３１ｇに接続され、アノードがコンデンサＧＣ５を介して接地される。ダイオードＧＤ２とコンデンサＧＣ５との接続点に抵抗ＲＧを介して制御端子Ｖｃ１が接続されている。また、ダイオードＧＤ２のカソードと第３ポートＰ３３ｇとの接続点はコンデンサＧＣ６を介して接地される。

第２高周波スイッチ１１Ｄは、スイッチング素子であるダイオードＤＤ１，ＤＤ２、インダクタＤＳＬ１，ＤＳＬ２，ＤＳＬｔ、コンデンサＤＣ６，ＤＣ７、ＤＣｔ１及び抵抗ＲＤで構成されている。第１ポートＰ３１ｄと第２ポートＰ３２ｄとの間に、アノードが第１ポートＰ３１ｄ側になるようにダイオードＤＤ１が接続され、カソードはインダクタＤＳＬ１を介して接地される。また、第１ポートＰ３１ｄと第２ポートＰ３２ｄとの間には、コンデンサＤＣｔ１とインダクタＤＳＬｔの直列回路がダイオードＤＤ１とは並列に接続されている。ダイオードＤＤ２はカソードがインダクタＤＳＬ２を介して第１ポートＰ３１ｄに接続され、アノードがコンデンサＤＣ５を介して接地される。ダイオードＤＤ２とコンデンサＤＣ５との接続点に抵抗ＲＤを介して制御端子Ｖｃ２が接続されている。また、ダイオードＤＤ２のカソードはコンデンサＤＣ６を介して第３ポートＰ３３ｄに接続され、カソードとコンデンサＤＣ６との接続点はコンデンサＤＣ７を介して接地される。

第１ＬＣフィルタ１２Ｇは、第１ポートＰ２１ｇと第２ポートＰ２２ｇとの間にインダクタＧＬｔ１とコンデンサＧＣｃ１の並列回路を接続したものである。インダクタＧＬｔ１の両端はそれぞれコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２を介して接地される。

第２ＬＣフィルタ１２Ｄは、第１ポートＰ２１ｄと第２ポートＰ２２ｄとの間に、インダクタＤＬｔ１とコンデンサＤＣｃ１の並列回路及びインダクタＤＬｔ２とコンデンサＤＣｃ２の並列回路を直列に接続したものである。インダクタＤＬｔ１の両端はそれぞれコンデンサＤＣｕ１，ＤＣｕ２を介して接地される。

図５〜図７は、本第２実施例である高周波複合部品のセラミック多層基板を構成する各シート層上にスクリーン印刷などで形成されたコンデンサ電極、ストリップライン電極などを示している。セラミック多層基板は酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第１〜第１７シート層６１ａ〜６１ｑを下から順次積層し、１０００℃以下の温度で焼成することにより形成される。

第１シート層６１ａには種々の外部接続用端子電極が形成されている。第２シート層６１ｂにはグランド電極Ｇ１が形成され、第３シート層６１ｃにはコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２，Ｃｔ２，ＧＣ５の電極が形成され、グランド電極Ｇ１とでキャパシタンスを形成している。第４シート層６１ｄにはグランド電極Ｇ２が形成され、第５シート層６１ｅにはコンデンサＤＣｕ１，ＤＣｕ２の電極が形成され、グランド電極Ｇ２とでキャパシタンスを形成している。

第７・第９シート層６１ｇ，６１ｉにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＤＳＬ１，ＤＳＬ２が形成され、それぞれがビアホールにて接続されている。さらに、第１１シート層６１ｋにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２が形成され、それぞれがビアホールにて下層の同種の電極と接続されている。

第１２シート層６１ｌにはコンデンサＣｔ１，ＤＣｃ１の電極が形成され、第１３シート層６１ｍにはコンデンサＣｔ１，Ｃｃ１，ＤＣｔ１，ＧＣｃ１の電極及びグランド電極Ｇ３が形成されている。第１４シート層６１ｎにはコンデンサＣｃ１，ＤＣｔ１，ＧＣｃ１，ＤＣ５の電極が形成されている。第１５シート層６１ｏにはコンデンサＣｃ２，ＤＣｔ１の電極及びグランド電極Ｇ４が形成されている。

第１７シート層６１ｑの表面は、図８に示すように、セラミック多層基板５０の表面であって、種々の接続用端子電極が形成されている。そして、その表面には、第１・第２弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ、ダイオードＧＤ１，ＧＤ２，ＤＤ１，ＤＤ２が搭載され、さらに、第１整合素子１３Ｇを構成するインダクタＬｇ、コンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ、第２整合素子１３Ｄを構成するインダクタＬｄ、コンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄが搭載されている。さらに、セラミック多層基板５０の表面には、抵抗ＲＧ，ＲＤが搭載され、インダクタＤＳＬ１，ＤＳＬｔ，ＧＳＬ１が搭載されている。

ここで、図４に示した回路構成を有する高周波複合部品の動作について説明する。まず、ＤＣＳ系（１．８ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば３Ｖを印加してダイオードＤＤ１、ＤＤ２をオンすることにより、ＤＣＳ系の送信信号が第２ＬＣフィルタ１２Ｄ、第２高周波スイッチ１１Ｄ及びダイプレクサ２０を通過し、ダイプレクサ２０の第１ポートＰ１１に接続されたアンテナ端子ＡＮＴから送信される。

この際、ＧＳＭ系の第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に、例えば０Ｖを印加してダイオードＧＤ１をオフすることにより、ＧＳＭ系の送信信号が送信されないようにしている。また、ダイプレクサ２０を接続することにより、ＤＣＳ系の送信信号がＧＳＭ系の第１送信側入力端子Ｔｘｇ及び第１受信側バランス出力端子Ｒｘｇに回り込まないようにしている。さらに、ＤＣＳ系の第２ＬＣフィルタ１２ＤではＤＣＳ系の２次高調波及び３次高調波を減衰させている。

次いで、ＧＳＭ系（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に、例えば３Ｖを印加してダイオードＧＤ１，ＧＤ２をオンすることにより、ＧＳＭ系の送信信号が第１ＬＣフィルタ１２Ｇ、第１高周波スイッチ１１Ｇ及びダイプレクサ２０を通過し、ダイプレクサ２０の第１ポートＰ１１に接続されたアンテナ端子ＡＮＴから送信される。

この際、ＤＣＳ系の第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば０Ｖを印加してダイオードＤＤ１をオフすることにより、ＤＣＳ系の送信信号が送信されないようにしている。また、ダイプレクサ２０を接続することにより、ＧＳＭ系の送信信号がＤＣＳ系の第２送信側入力端子Ｔｘｄ及び第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄに回り込まないようにしている。

さらに、ダイプレクサ２０のコンデンサＣｔ１、インダクタＬｔ１及びシャントコンデンサＣｕ１からなるローパスフィルタにてＧＳＭ系の２次高調波を減衰させ、ＧＳＭ系の第１ＬＣフィルタ１２ＧではＧＳＭ系の３次高調波を減衰させている。

次いで、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の受信信号を受信する場合には、ＤＣＳ系の第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば０Ｖを印加してダイオードＤＤ１，ＤＤ２をオフし、ＧＳＭ系の第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に０Ｖを印加してダイオードＧＤ１，ＧＤ２をオフすることにより、ＤＣＳ系の受信信号がＤＣＳ系の第２送信側入力端子Ｔｘｄに、ＧＳＭ系の受信信号がＧＳＭ系の第１送信側入力端子Ｔｘｇに、それぞれ回り込まないようにし、アンテナ端子ＡＮＴから入力した信号をそれぞれＤＣＳ系の受信側バランス出力端子Ｒｘｄ、ＧＳＭ系の受信側バランス出力端子Ｒｘｇに出力する。

また、ダイプレクサ２０を接続することにより、ＤＣＳ系の受信信号がＧＳＭ系に、ＧＳＭ系の受信信号がＤＣＳ系に、それぞれ回り込まないようにしている。

本第２実施例の高周波複合部品においては、弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄと受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄとの間に、インダクタＬｇ，Ｌｄ及びコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄを含む整合素子１３Ｇ，１３Ｄを備えているため、このインダクタとコンデンサを適宜組み合わせることで、受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄのインピーダンスを自由に設定することが可能となる。そして、コンデンサを出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄ側に挿入することにより、インピーダンスを下げる調整が可能である。

また、このインダクタＬｇ，ＬｄとコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄは他の回路部品とともにセラミック積層基板で一体化されているため、この種のインダクタやコンデンサをディスクリートでプリント基板上に配置する場合と比べてプリント基板上での実装面積を小さくすることができると共に、弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄと整合素子１３Ｇ，１３Ｄとの距離を最小限に抑え、フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄと整合素子１３Ｇ，１３Ｄとの間の損失を抑えて高周波特性を改善することができる。

また、整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，Ｌｄはセラミック積層基板においてＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサとは平面視で重ならないように形成されているため、送受信経路間でのアイソレーションを確保し、信号の混入を防止することができる。同様の効果は、整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，Ｌｄはセラミック積層基板の表面に搭載されており、ＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサはセラミック積層基板の内部に内蔵されていることによっても達成される。

さらに、本実施例においては、整合素子１３Ｇ，１３ＤのコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄとＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサとは平面視で重ならないように形成されている。これにて、送受信経路間での信号の混入を、さらに効果的に防止することができる。

また、整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，ＬｄとＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサとの間にはグランド電極Ｇ４が配置されているため、両者の干渉を効果的に防止することができる。同様の効果は、ＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのコンデンサ、特に、シャントコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２，ＤＣｕ１，ＤＣｕ２がセラミック積層基板の最下層近辺に形成されていることによっても達成される。整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，Ｌｄ及びコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄがセラミック積層基板の表面に形成されており、整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，Ｌｄは他の素子を介さずに整合素子１３Ｇ，１３ＤのコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄに隣接配置することも、同様に相互干渉を防止することができる。

さらに、本実施例においては、整合素子１３Ｇ，１３ＤのコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄとＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサとの間にもグランド電極Ｇ４が配置されている。これにより、両者の干渉をより効果的に防止することができる。

また、図８に示したように、セラミック多層基板の表面において、整合素子１３Ｇ，１３Ｄを構成している表面実装部品は、高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄ、ダイプレクサ２０を構成している表面実装部品とは弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄを介して離れて配置するようにしている。このように配置することで、整合素子１３Ｇ，１３Ｄと他の素子との干渉をさらに効果的に抑制できる。

（第３実施例、図９及び図１０参照）
本第３実施例である高周波複合部品は、図９のブロック図にその特徴的な構成を示すように、前記第２実施例と同様に、ＧＳＭ系及びＤＣＳ系を備えたデュアルバンド対応型の高周波複合部品であり、バランス型弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄの平衡出力部にそれぞれコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ及びＣ１ｄ、Ｃ２ｄが直列に接続されているとともに、受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，ＲｘｄにインダクタＬｇ，Ｌｄが並列に接続されている。

このように、コンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ及びコンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄをそれぞれ第１・第２弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ側に直列に接続し、インダクタＬｇ，Ｌｄを第１・第２受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄ側にそれぞれ並列に接続することにより、第１・第２受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄのインピーダンスを自由に設定でき、特にインピーダンスを上げることができる。

なお、本第３実施例において、第１・第２整合素子１３Ｇ，１３Ｄ以外の回路構成及び動作は前記第２実施例と同様であり、重複する説明は省略する。

（第４実施例、図１１〜図１５参照）
本第４実施例である高周波複合部品は、図１１の等価回路図に示すように、ＧＳＭ系及び二つの受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１，Ｒｘｄ２に分岐されたＤＣＳ系とを備えたトリプルバンド対応型の高周波複合部品として構成されている。

即ち、ＧＳＭ系は第１高周波スイッチ１１Ｇと第１ＬＣフィルタ１２Ｇとバランス型第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇと第１整合素子１３Ｇとを備えている。このＧＳＭ系の構成及び作用は前記第２・第３実施例と同様であり、重複した説明は省略する。

ダイプレクサ２０に関しても前記第２・第３実施例と基本的には同様の構成を備え、さらに、第１ポートＰ１１とアンテナ端子ＡＮＴとの間にコンデンサＣａｎｔが接続されるとともに、その接続点はインダクタＬａｎｔを介して接地される。

ＤＣＳ系は、第２高周波スイッチ１１Ｄ'と第２ＬＣフィルタ１２Ｄと第２送信側入力端子Ｔｘｄとで構成されている。この部分の回路構成は前記第２・第３実施例と同様であり、重複した説明は省略する。

ＤＣＳ系において、第２高周波スイッチ１１Ｄ'の第３ポートＰ３３ｄはデュプレクサ１４Ｄが接続されており、このデュプレクサ１４Ｄは、受信信号経路を第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１と第３受信側バランス出力端子Ｒｘｄ２とに分岐するためのものである。

第２高周波スイッチ１１Ｄ'は、アンテナ端子ＡＮＴと第２送信側入力端子Ｔｘｄとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと第２・第３受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１，Ｒｘｄ２との間の信号経路とを選択的に切り換える。

第２高周波スイッチ１１Ｄ'は、スイッチング素子であるダイオードＤＤ１，ＤＤ２、インダクタＤＰＳＬ１，ＤＳＬ２，ＤＰＳＬｔ、コンデンサＤＣ５，ＤＣ６，ＤＰＣｔ及び抵抗ＤＲ１で構成されている。第１ポートＰ３１ｄと第２ポートＰ３２ｄとの間に、アノードが第２ポートＰ３２ｄ側になるようにダイオードＤＤ１が接続され、このアノードはインダクタＤＰＳＬ１及びコンデンサＤＣ６を介して接地される。インダクタＤＰＳＬ１とコンデンサＤＣ６との接続点に制御端子Ｖｃ２が接続されている。また、第１ポートＰ３１ｄと第２ポートＰ３２ｄとの間には、コンデンサＤＰＣｔとインダクタＤＰＳＬｔの直列回路がダイオードＤＤ１とは並列に接続されている。ダイオードＤＤ２はアノードがインダクタＤＳＬ２を介して第１ポートＰ３１ｄに接続され、カソードがコンデンサＤＣ５を介して接地される。ダイオードＤＤ２とコンデンサＤＣ５との接続点は抵抗ＤＲ１を介して接地される。

デュプレクサ１４Ｄは、第１ポートＰ４１ｄと第２ポートＰ４２ｄとの間にインダクタＰＳＬ２が接続され、インダクタＰＳＬ２と第２ポートＰ４２ｄとの接続点はコンデンサＰＣ７を介して接地される。第２ポートＰ４２ｄは第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１に接続されている。また、デュプレクサ１４Ｄの第１ポートＰ４１ｄと第３ポートＰ４３ｄとの間にコンデンサＤＣ７が接続されている。コンデンサＤＣ７と第１ポートＰ４１ｄとの接続点はコンデンサＣｊを介して接地されるとともに、コンデンサＤＣ７と第３ポートＰ４３ｄとの接続点はインダクタＤＳＬ１を介して接地される。第３ポートＰ４３ｄは第３弾性表面波フィルタＳＡＷｄ２に接続されている。

第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１の平衡出力部には第２整合素子１３Ｄ１が接続され、第３弾性表面波フィルタＳＡＷｄ２の平衡出力部には第３整合素子１３Ｄ２が接続されている。この第２・第３整合素子１３Ｄ１，１３Ｄ２は第２実施例と同様に、インダクタＬｄを弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１，ＳＡＷｄ２側に並列に接続し、コンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄをインダクタＬｄと受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１，Ｒｘｄ２との間にそれぞれ直列に接続したものである。その作用効果は第２実施例と同様である。なお、第２・第３整合素子１３Ｄ１，１３Ｄ２は前記第３実施例と同じ回路構成としてもよく、この場合には第３実施例と同様の作用効果を奏する。

図１２〜図１４は、本第４実施例である高周波複合部品のセラミック多層基板を構成する各シート層上にスクリーン印刷などで形成されたコンデンサ電極、ストリップライン電極などを示している。

第１シート層６２ａには種々の外部接続用端子電極が形成されている。第２シート層６２ｂにはグランド電極Ｇ１１が形成され、第３シート層６２ｃにはコンデンサＣｕ１，Ｃｔ２，ＤＣ６の電極が形成され、グランド電極Ｇ１１とでキャパシタンスを形成している。第４シート層６２ｄにはグランド電極Ｇ１２が形成され、第５シート層６２ｅにはコンデンサＤＣｕ１，ＤＣｕ２，Ｃｊ，ＧＣｕ１，ＧＣｕ２の電極が形成され、グランド電極Ｇ１２とでキャパシタンスを形成している。

第８シート層６２ｈにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２，ＤＳＬ２，ＰＳＬ２が形成されている。第９シート層６２ｉにはストリップライン電極によってインダクタＧＳＬ２，Ｌｔ１が形成され、それぞれがビアホールにて下層の電極と接続されている。

第１０シート層６２ｊにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２，ＤＳＬ２，ＰＳＬ２が形成され、下層の同種の電極とビアホールを介して接続されている。第１１シート層６２ｋにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，ＧＳＬ２が形成され、それぞれがビアホールにて下層の同種の電極と接続されている。

第１２シート層６２ｌにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２，ＤＳＬ２が形成され、それそれがビアホールにて下層の同種の電極と接続されている。第１３シート層６２ｍにはコンデンサＣｔ１，ＤＣｃ２の電極が形成され、第１４シート層６２ｎにはコンデンサＣｔ１，Ｃｃ１の電極及びグランド電極Ｇ１３が形成されている。第１５シート層６２ｏにはコンデンサＤＣ５，Ｃｔ１，Ｃｃ１，ＧＣｃ１，ＧＣ５，ＤＣｕ１，ＤＣｃ２の電極が形成されている。第１６シート層６２ｐにはコンデンサＣｃ２，ＣＣｃ１の電極及びグランド電極Ｇ１４が形成されている。第１７シート層６２ｑにはコンデンサＤＣｃ１の電極が形成されている。

第１９シート層６２ｓの表面は、図１５にも示すように、セラミック多層基板５０の表面であって、種々の接続用端子電極が形成され、第１・第２・第３弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ１，ＳＡＷｄ２、ダイオードＧＤ１，ＧＤ２，ＤＤ１，ＤＤ２が搭載されている。さらに、第１整合素子１３Ｇを構成するインダクタＬｇ、コンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ、第２・第３整合素子１３Ｄ１，１３Ｄ２を構成するインダクタＬｄ、コンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄが搭載されている。

さらに、セラミック多層基板５０の表面には、抵抗ＲＧ，ＤＲ１が搭載され、インダクタＬａｎｔ，ＤＰＣｔ，ＤＰＳＬｔ，ＤＳＬ１，ＤＰＳＬ１が搭載され、コンデンサＣａｎｔ，ＤＣ７，ＰＣ７が搭載されている。

本第４実施例である高周波複合部品においては、第２高周波スイッチ１１Ｄ'のダイオードＤＤ２のオン、オフによって受信信号が第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１と第３受信側バランス出力端子Ｒｘｄ２とに切り換えられる。その他の基本的な動作は前記第２実施例で説明したとおりであり、その作用効果も第２実施例と同様である。

特に、図１５に示したように、セラミック多層基板の表面において、整合素子１３Ｇ，１３Ｄ１，１３Ｄ２を構成している表面実装部品は、高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄ’、ダイプレクサ２０、デュプレクサ１４Ｄを構成している表面実装部品とは弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ１，ＳＡＷｄ２を介して反対側に配置するようにしている。このように配置することで、整合素子１３Ｇ，１３Ｄ１，１３Ｄ２と他の素子との干渉をさらに効果的に抑制できる。

（第５実施例、図１６参照）
本第５実施例である高周波複合部品は、図１６の等価回路に示すように、トリプルバンド対応型として構成されている。基本的には前記第４実施例（図１１参照）と同様の構成からなり、その作用効果も第４実施例と同様である。異なるのは、前記デュプレクサ１４Ｄに代えてダイオードスイッチ１５Ｄにて受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１，Ｒｘｄ２の分離を行うようにした点である。

詳しくは、ダイオードスイッチ１５Ｄは、スイッチング素子であるダイオードＳＤＤ１，ＳＤＤ２、インダクタＳＩＤ１，ＳＩＤ２、コンデンサＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３及び抵抗ＳＲで構成されている。第１ポートＰ５１ｄは第２高周波スイッチ１１Ｄ’の第３ポートＰ３３ｄに接続され、一端が第１ポートＰ５１ｄに接続されているコンデンサＳＣ３の他端はダイオードＳＤＤ１のカソード及びインダクタＳＩＤ２を介してダイオードＳＤＤ２のアノードに接続されている。

ダイオードＳＤＤ１のアノードはインダクタＳＩＤ１とコンデンサＳＣ１を介して接地され、インダクタＳＩＤ１とコンデンサＳＣ１との接続点には制御端子Ｖｃ３が接続されている。ダイオードＳＤＤ２のカソードはコンデンサＳＣ２を介して接地され、該カソードとコンデンサＳＣ２との接続点は抵抗ＳＲを介して接地される。ダイオードＳＤＤ１のアノードに接続されている第２ポートＰ５２ｄは第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１に接続されている。また、ダイオードＳＤＤ２のアノードに接続されている第３ポートＰ５３ｄは第３弾性表面波フィルタＳＡＷｄ２に接続されている。

（第６実施例、図１７参照）
第６実施例である高周波複合部品は、図１７の等価回路に示すように、トリプルバンド対応型として構成されている。基本的には前記第４実施例（図１１参照）と同様の構成からなり、その作用効果も第４実施例と同様である。異なるのは、弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１，ＳＡＷｄ２はアンバランス出力ポートを有するアンバランス型であって、アンバランス出力ポートに接続されている整合素子１３Ｄ１，１３Ｄ２はバランとして構成されている点である。

（他の実施例）
なお、本発明に係る高周波複合部品は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。

例えば、前記実施例では、シングルバンド対応型、デュアルバンド対応型、トリプルバンド対応型の高周波複合部品について説明したが、本発明はクアッドバンド以上のマルチバンド対応型の高周波複合部品についても適用することができる。

また、前記各実施例において、高次高調波を減衰させるためのＬＣフィルタ１２，１２Ｇ，１２Ｄは、高周波スイッチ１１，１１Ｇ，１１Ｄ，１１Ｄ’と送信側入力端子Ｔｘ，Ｔｘｇ，Ｔｓｄとの間に配置されているが、アンテナ端子ＡＮＴ（ダイプレクサ２０）と高周波スイッチとの間に配置してもよい。

産業上の利用分野

以上のように、本発明は、複数の異なる移動体通信システムに利用可能な高周波複合部品に有用であり、特に、所望のインピーダンスを容易に設定できてＬＮＡとのマッチング調整が不要な点で優れている。

本発明は、高周波複合部品、特に、複数の異なる移動体通信システムに利用可能な高周波複合部品に関する。

現在、ヨーロッパでは、移動体通信装置として、複数の周波数帯、例えば、１．８ＧＨｚ帯を使用するＤＣＳと９００ＭＨｚ帯を使用するＧＳＭとで動作が可能なデュアルバンド携帯電話機が提案されている。

図１８は、一般的なデュアルバンド携帯電話機の構成の一部を示し、アンテナ１、ダイプレクサ２及び二つの信号経路ＤＣＳ系３（１．８ＧＨｚ帯）とＧＳＭ系４（９００ＭＨｚ）から構成されている。

ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ系３あるいはＧＳＭ系４からの送信信号を選択し、受信の際にはＤＣＳ系３あるいはＧＳＭ系４への受信信号を選択する。ＤＣＳ系３は送信部Ｔｘｄと受信部Ｒｘｄとに分離する高周波スイッチ３ａ、ＤＣＳの基本周波数を通過させるとともに、２次高調波及び３次高調波を減衰させるフィルタ３ｂからなる。ＧＳＭ系４も、同様に、送信部Ｔｘｇと受信部Ｒｘｇとに分離する高周波スイッチ４ａ、ＧＳＭの基本周波数を通過させるとともに、３次高調波を減衰させるフィルタ４ｂからなる。

ところで、近年では、受信部に２本の信号端子を持つ平衡型（バランス出力型）の高周波複合部品が提供されており、このような平衡型ではＬＮＡ（ローノイズアンプ）とのインピーダンスマッチングが必要となる。

特許文献１には、図１９に示すように、バランス出力型の弾性表面波フィルタからなるバンドパスフィルタ５の平衡出力端子Ｒｘ間にインダクタ６を並列に配置することが開示されている。しかし、インダクタ６のみでは所望のインピーダンス（特に複素数）に設定することは困難である。本発明者の知見によると、さらにインピーダンスを下げるためには各平衡出力端子と直列にコンデンサを挿入したり、インピーダンスを上げるためにはコンデンサに加えていま一つのインダクタを平衡出力端子間に並列に挿入することが必要である。しかし、このような高周波複合部品とＬＮＡとの間にさらにコンデンサやインダクタを別部品として後付けすることは、部品点数や実装面積の増加によって機器が大型化してしまうとともに、バンドパスフィルタ５とＬＮＡとの間のマッチング調整がより複雑になってしまう。
特開２００３−１４２９８１号公報

そこで、本発明の目的は、高周波複合部品単体で所望のインピーダンスを容易に設定できてＬＮＡとのマッチング調整が不要で、部品点数の低減、小型化が可能な高周波複合部品を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、前記目的を達成することに加えて、素子相互の干渉を防ぎ、特性の良好な高周波複合部品を提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明に係る高周波複合部品は、
（Ａ）アンテナ端子と送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるためのスイッチと、
（Ｂ）前記アンテナ端子と前記送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含むＬＣフィルタと、
（Ｃ）前記スイッチと前記受信側バランス出力端子との間に配置された弾性表面波フィルタと、
（Ｄ）前記弾性表面波フィルタと前記受信側バランス出力端子との間に並列に接続されたインダクタ及び直列に接続された少なくとも二つのコンデンサを含む整合素子と、を備え、
前記スイッチ、ＬＣフィルタ、弾性表面波フィルタ及び整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなり、前記積層体ブロックの一方主面には接続用端子電極が形成され、他方主面には前記接続用端子電極のほぼ直下に位置するように外部接続用端子電極が形成され、前記接続用端子電極と前記外部接続用端子電極とは前記積層体ブロック内に形成されたビアホールを介して接続されており、前記整合素子のインダクタ及びコンデンサは前記接続用端子電極に搭載されるとともに前記スイッチ及びダイプレクサを構成している素子のうち前記積層体ブロックの一方主面に搭載される部品とは前記弾性表面波フィルタを介して離れて配置されており、前記整合素子のインダクタは他の素子を介さずに前記整合素子のコンデンサに隣接配置されるとともに前記ＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサとは平面視において重ならないように形成されていること、
を特徴とする。

本発明に係る高周波複合部品においては、弾性表面波フィルタと受信側バランス出力端子との間にインダクタ及びコンデンサを含む整合素子を備えているため、このインダクタとコンデンサを適宜組み合わせることで、受信側バランス出力端子のインピーダンスを自由に設定することが可能となる。しかも、このインダクタとコンデンサは他の回路部品とともに積層体ブロックで一体化されているため、インダクタやコンデンサをディスクリートでプリント基板上に配置する場合と比べてプリント基板上での実装面積を小さくすることができると共に、弾性表面波フィルタと整合素子との距離を最小限に抑え、フィルタと整合素子との間の損失を抑えて高周波特性を改善することができる。

ところで、前記スイッチ、ＬＣフィルタ、弾性表面波フィルタ及び整合素子を複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化する際に重要なのは、整合素子とＬＣフィルタとの間の干渉を防止できる配置とすることである。特に、整合素子のインダクタンスにはＱ値や安定性が高いことが要求される。

そこで、本発明に係る高周波複合部品において、整合素子のインダクタは積層体ブロックの第１領域に形成されており、ＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサは平面視で前記第１領域とは異なる第２領域に形成されていることが好ましい。

同様に、整合素子のインダクタは積層体ブロックの表面に搭載されており、ＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサは積層体ブロックの内部に内蔵されていることが好ましい。また、整合素子のインダクタとＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサとの間にはグランド電極が配置されていることが好ましい。あるいは、ＬＣフィルタのコンデンサのうちシャントコンデンサは積層体ブロックの最下層近辺に形成されていることが好ましい。

また、前記弾性表面波フィルタは、バランス出力ポートを有するバランス型弾性表面波フィルタであってもよく、あるいは、アンバランス出力ポートを有するアンバランス型弾性表面波フィルタであってもよい。バランス型である場合は、整合素子のインダクタがバランス出力ポート間に並列接続されており、整合素子のコンデンサがバランス出力ポートに直列接続されている。また、アンバランス型である場合は、整合素子のインダクタ及びコンデンサはバランを兼ねていることになる。

さらに、本発明に係る高周波複合部品は、二つの異なる周波数帯の信号処理に対応できるデュアルバンド対応型の高周波複合部品として構成することができる。このようなデュアルバンド対応型の高周波複合部品は、前記アンテナ端子の後段に、第１周波数帯の信号経路と、前記第１周波数帯とは異なる第２周波数帯の信号経路とを分岐するダイプレクサを備え、さらに、
前記第１周波数帯の信号経路における、（Ａ）前記アンテナ端子と第１送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第１受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第１スイッチと、（Ｂ）前記第１スイッチと前記第１送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１ＬＣフィルタと、（Ｃ）前記第１スイッチと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置された第１弾性表面波フィルタと、（Ｄ）前記第１弾性表面波フィルタと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１整合素子と、
前記第２周波数帯の信号経路における、（Ｅ）アンテナ端子と第２送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第２受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第２スイッチと、（Ｆ）前記第２スイッチと前記第２送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２ＬＣフィルタと、（Ｇ）前記第２スイッチと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された第２弾性表面波フィルタと、（Ｈ）前記第２弾性表面波フィルタと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２整合素子と、を備え、
前記ダイプレクサ、第１・第２スイッチ、第１・第２ＬＣフィルタ、第１・第２弾性表面波フィルタ及び第１・第２整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなること、
を特徴とする。

さらに、本発明に係る高周波複合部品は、三つの異なる周波数帯の信号処理に対応できるトリプルバンド対応型の高周波複合部品として構成することができる。このようなトリプルバンド対応型の高周波複合部品は、前記アンテナ端子の後段に、第１周波数帯の送受信信号経路と、前記第１周波数帯とは異なる第２周波数帯及び第３周波数帯の送受信信号経路とを分岐するダイプレクサを備え、さらに、
前記第１周波数帯の信号経路における、（Ａ）前記アンテナ端子と第１送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第１受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第１スイッチと、（Ｂ）前記第１スイッチと前記第１送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１ＬＣフィルタと、（Ｃ）前記第１スイッチと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置された第１弾性表面波フィルタと、（Ｄ）前記第１弾性表面波フィルタと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１整合素子と、
前記第２周波数帯の信号経路における、（Ｅ）アンテナ端子と第２送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第２・第３受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第２スイッチと、（Ｆ）前記第２スイッチと前記第２送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２ＬＣフィルタと、（Ｇ）前記第２スイッチと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された受信信号経路と、前記第２スイッチと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置された受信信号経路とを分岐するデュプレクサと、（Ｈ）前記デュプレクサと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された第２弾性表面波フィルタと、（Ｉ）前記第２弾性表面波フィルタと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２整合素子と、（Ｊ）前記デュプレクサと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置された第３弾性表面波フィルタと、（Ｋ）前記第３弾性表面波フィルタと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第３整合素子と、を備え、
前記ダイプレクサ、第１・第２スイッチ、第１・第２ＬＣフィルタ、デュプレクサ、第１・第２・第３弾性表面波フィルタ及び第１・第２・第３整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなること、
を特徴とする。

以下、本発明に係る高周波複合部品の実施例について添付図面を参照して説明する。

（第１実施例、図１及び図２参照）
本第１実施例であるシングルバンド対応型の高周波複合部品は、図１のブロック図にその特徴的な構成を示すように、バランス型弾性表面波フィルタＳＡＷの平衡出力部と受信側バランス出力端子Ｒｘとの間に、インダクタＬが並列に接続されているとともにコンデンサＣ１，Ｃ２がそれぞれ直列に接続されている。

詳しくは、図２の等価回路図に示すように、高周波複合部品は、概略、高周波スイッチ１１と、ＬＣフィルタ１２と、バランス型弾性表面波フィルタＳＡＷと、整合素子１３とで構成されている。

高周波スイッチ１１は、アンテナ端子ＡＮＴと送信側入力端子Ｔｘとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと受信側バランス出力端子Ｒｘとの間の信号経路とを選択的に切り換えるためのものである。ＬＣフィルタ１２は、高周波スイッチ１１と送信側入力端子Ｔｘとの間に配置され、インダクタＧＬｔ１及びコンデンサを含んだローパスフィルタである。このローパスフィルタのコンデンサは、インダクタＧＬｔ１と並列接続されたコンデンサＧＣと、グランドに接続される二つの接地コンデンサ（シャントコンデンサ）ＧＣｕ１，ＧＣｕ２からなっている。

整合素子１３は、前述のように、弾性表面波フィルタＳＡＷの平衡出力部と受信側バランス出力端子Ｒｘとの間に、インダクタＬを並列に接続するとともにコンデンサＣ１，Ｃ２をそれぞれ直列に接続したものである。

また、本第１実施例において、前記高周波スイッチ１１、ＬＣフィルタ１２、弾性表面波フィルタＳＡＷ及び整合素子１３は、複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されている。

シングルバンド対応型である本第１実施例の高周波複合部品は、以下に説明するデュアルバンド対応型である第２・第３実施例の高周波複合部品及びトリプルバンド対応型である第４実施例の高周波複合部品にその一部として含まれるものである。従って、本第１実施例のより詳細な構成及び動作は以下に説明する第２・第３・第４・第５・第６実施例によって明らかにされる。

（第２実施例、図３〜図８参照）
本第２実施例である高周波複合部品は、図３のブロック図にその特徴的な構成を示すように、ＧＳＭ系及びＤＣＳ系を備えたデュアルバンド対応型の高周波複合部品（フロントエンドモジュール）であり、バランス型弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄの平衡出力部と受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄとの間に、それぞれインダクタＬｇ，Ｌｄが並列に接続されているとともにコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ及びＣ１ｄ、Ｃ２ｄがそれぞれ直列に接続されている。

詳しくは、図４の等価回路図に示すように、高周波複合部品は、アンテナ端子ＡＮＴの後段に、ＧＳＭ系の信号経路と、ＤＣＳ系の信号経路とを分岐するダイプレクサ２０を備えている。さらに、ＧＳＭ系は第１高周波スイッチ１１Ｇと第１ＬＣフィルタ１２Ｇとバランス型第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇと第１整合素子１３Ｇとを備えている。ＤＣＳ系も、同様に、第２高周波スイッチ１１Ｄと第２ＬＣフィルタ１２Ｄとバランス型第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄと第２整合素子１３Ｄとを備えている。

第１高周波スイッチ１１Ｇは、アンテナ端子ＡＮＴと第１送信側入力端子Ｔｘｇとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと第１受信側バランス出力端子Ｒｘｇとの間の信号経路とを選択的に切り換える。第１ＬＣフィルタ１２Ｇは、第１高周波スイッチ１１Ｇと第１送信側入力端子Ｔｘｇとの間に配置されている。第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇは第１高周波スイッチ１１Ｇと第１受信側バランス出力端子Ｒｘｇとの間に配置されている。

第１整合素子１３Ｇは、インダクタＬｇを第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇ側に並列に接続し、コンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇをインダクタＬｇと受信側バランス出力端子Ｒｘｇとの間にそれぞれ直列に接続したものである。

第２高周波スイッチ１１Ｄは、アンテナ端子ＡＮＴと第２送信側入力端子Ｔｘｄとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄとの間の信号経路とを選択的に切り換える。第２ＬＣフィルタ１２Ｄは、第２高周波スイッチ１１Ｄと第２送信側入力端子Ｔｘｄとの間に配置されている。第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄは第２高周波スイッチ１１Ｄと第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄとの間に配置されている。

第２整合素子１３Ｄは、インダクタＬｄを第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄ側に並列に接続し、コンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄをインダクタＬｄと受信側バランス出力端子Ｒｘｄとの間にそれぞれ直列に接続したものである。

ダイプレクサ２０は、送信の際にはＤＣＳ系あるいはＧＳＭ系からの送信信号を選択し、受信の際にはＤＣＳ系あるいはＧＳＭ系への受信信号を選択する。ダイプレクサ２０の第１ポートＰ１１にはアンテナ端子ＡＮＴが、第２ポートＰ１２には第１高周波スイッチ１１Ｇの第１ポートＰ３１ｇ、第３ポートＰ１３には第２高周波スイッチ１１Ｄの第１ポートＰ３１ｄがそれぞれ接続されている。

ＧＳＭ系において、第１高周波スイッチ１１Ｇの第２ポートＰ３２ｇには第１ＬＣフィルタ１２Ｇの第１ポートＰ２１ｇが接続され、第３ポートＰ３３ｇには第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇが接続されている。第１ＬＣフィルタ１２Ｇの第２ポートＰ２２ｇには第１送信側入力端子Ｔｘｇが接続されている。

ＤＣＳ系において、第２高周波スイッチ１１Ｄの第２ポートＰ３２ｄには第２ＬＣフィルタ１２Ｄの第１ポートＰ２１ｄが接続され、第３ポートＰ３３ｄには第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄが接続されている。第２ＬＣフィルタ１２Ｄの第２ポートＰ２２ｄには第２送信側入力端子Ｔｘｄが接続されている。

ダイプレクサ２０は、インダクタＬｔ１，Ｌｔ２及びコンデンサＣｃ１，Ｃｃ２，Ｃｔ１，Ｃｔ２，Ｃｕ１で構成されている。第１ポートＰ１１と第２ポートＰ１２との間にインダクタＬｔ１とコンデンサＣｔ１とからなる並列回路が接続され、この並列回路の第２ポートＰ１２側がコンデンサＣｕ１を介して接地される。また、第１ポートＰ１１と第３ポートＰ１３との間にはコンデンサＣｃ１，Ｃｃ２が直列接続され、それらの接続点がインダクタＬｔ２及びコンデンサＣｔ２を介して接地される。

第１高周波スイッチ１１Ｇは、スイッチング素子であるダイオードＧＤ１，ＧＤ２、インダクタＧＳＬ１，ＧＳＬ２、コンデンサＧＣ５，ＧＣ６及び抵抗ＲＧで構成されている。第１ポートＰ３１ｇと第２ポートＰ３２ｇとの間に、アノードが第１ポートＰ３１ｇ側になるようにダイオードＧＤ１が接続され、カソードはインダクタＧＳＬ１を介して接地される。ダイオードＧＤ２はカソードがインダクタＧＳＬ２を介して第１ポートＰ３１ｇに接続され、アノードがコンデンサＧＣ５を介して接地される。ダイオードＧＤ２とコンデンサＧＣ５との接続点に抵抗ＲＧを介して制御端子Ｖｃ１が接続されている。また、ダイオードＧＤ２のカソードと第３ポートＰ３３ｇとの接続点はコンデンサＧＣ６を介して接地される。

第２高周波スイッチ１１Ｄは、スイッチング素子であるダイオードＤＤ１，ＤＤ２、インダクタＤＳＬ１，ＤＳＬ２，ＤＳＬｔ、コンデンサＤＣ６，ＤＣ７、ＤＣｔ１及び抵抗ＲＤで構成されている。第１ポートＰ３１ｄと第２ポートＰ３２ｄとの間に、アノードが第１ポートＰ３１ｄ側になるようにダイオードＤＤ１が接続され、カソードはインダクタＤＳＬ１を介して接地される。また、第１ポートＰ３１ｄと第２ポートＰ３２ｄとの間には、コンデンサＤＣｔ１とインダクタＤＳＬｔの直列回路がダイオードＤＤ１とは並列に接続されている。ダイオードＤＤ２はカソードがインダクタＤＳＬ２を介して第１ポートＰ３１ｄに接続され、アノードがコンデンサＤＣ５を介して接地される。ダイオードＤＤ２とコンデンサＤＣ５との接続点に抵抗ＲＤを介して制御端子Ｖｃ２が接続されている。また、ダイオードＤＤ２のカソードはコンデンサＤＣ６を介して第３ポートＰ３３ｄに接続され、カソードとコンデンサＤＣ６との接続点はコンデンサＤＣ７を介して接地される。

第１ＬＣフィルタ１２Ｇは、第１ポートＰ２１ｇと第２ポートＰ２２ｇとの間にインダクタＧＬｔ１とコンデンサＧＣｃ１の並列回路を接続したものである。インダクタＧＬｔ１の両端はそれぞれコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２を介して接地される。

第２ＬＣフィルタ１２Ｄは、第１ポートＰ２１ｄと第２ポートＰ２２ｄとの間に、インダクタＤＬｔ１とコンデンサＤＣｃ１の並列回路及びインダクタＤＬｔ２とコンデンサＤＣｃ２の並列回路を直列に接続したものである。インダクタＤＬｔ１の両端はそれぞれコンデンサＤＣｕ１，ＤＣｕ２を介して接地される。

図５〜図７は、本第２実施例である高周波複合部品のセラミック多層基板を構成する各シート層上にスクリーン印刷などで形成されたコンデンサ電極、ストリップライン電極などを示している。セラミック多層基板は酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第１〜第１７シート層６１ａ〜６１ｑを下から順次積層し、１０００℃以下の温度で焼成することにより形成される。

第１シート層６１ａには種々の外部接続用端子電極が形成されている。第２シート層６１ｂにはグランド電極Ｇ１が形成され、第３シート層６１ｃにはコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２，Ｃｔ２，ＧＣ５の電極が形成され、グランド電極Ｇ１とでキャパシタンスを形成している。第４シート層６１ｄにはグランド電極Ｇ２が形成され、第５シート層６１ｅにはコンデンサＤＣｕ１，ＤＣｕ２の電極が形成され、グランド電極Ｇ２とでキャパシタンスを形成している。

第７・第９シート層６１ｇ，６１ｉにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＤＳＬ１，ＤＳＬ２が形成され、それぞれがビアホールにて接続されている。さらに、第１１シート層６１ｋにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２が形成され、それぞれがビアホールにて下層の同種の電極と接続されている。

第１２シート層６１ｌにはコンデンサＣｔ１，ＤＣｃ１の電極が形成され、第１３シート層６１ｍにはコンデンサＣｔ１，Ｃｃ１，ＤＣｔ１，ＧＣｃ１の電極及びグランド電極Ｇ３が形成されている。第１４シート層６１ｎにはコンデンサＣｃ１，ＤＣｔ１，ＧＣｃ１，ＤＣ５の電極が形成されている。第１５シート層６１ｏにはコンデンサＣｃ２，ＤＣｔ１の電極及びグランド電極Ｇ４が形成されている。

第１７シート層６１ｑの表面は、図８に示すように、セラミック多層基板５０の表面であって、種々の接続用端子電極が形成されている。そして、その表面には、第１・第２弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ、ダイオードＧＤ１，ＧＤ２，ＤＤ１，ＤＤ２が搭載され、さらに、第１整合素子１３Ｇを構成するインダクタＬｇ、コンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ、第２整合素子１３Ｄを構成するインダクタＬｄ、コンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄが搭載されている。さらに、セラミック多層基板５０の表面には、抵抗ＲＧ，ＲＤが搭載され、インダクタＤＳＬ１，ＤＳＬｔ，ＧＳＬ１が搭載されている。

ここで、図４に示した回路構成を有する高周波複合部品の動作について説明する。まず、ＤＣＳ系（１．８ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば３Ｖを印加してダイオードＤＤ１、ＤＤ２をオンすることにより、ＤＣＳ系の送信信号が第２ＬＣフィルタ１２Ｄ、第２高周波スイッチ１１Ｄ及びダイプレクサ２０を通過し、ダイプレクサ２０の第１ポートＰ１１に接続されたアンテナ端子ＡＮＴから送信される。

この際、ＧＳＭ系の第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に、例えば０Ｖを印加してダイオードＧＤ１をオフすることにより、ＧＳＭ系の送信信号が送信されないようにしている。また、ダイプレクサ２０を接続することにより、ＤＣＳ系の送信信号がＧＳＭ系の第１送信側入力端子Ｔｘｇ及び第１受信側バランス出力端子Ｒｘｇに回り込まないようにしている。さらに、ＤＣＳ系の第２ＬＣフィルタ１２ＤではＤＣＳ系の２次高調波及び３次高調波を減衰させている。

次いで、ＧＳＭ系（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に、例えば３Ｖを印加してダイオードＧＤ１，ＧＤ２をオンすることにより、ＧＳＭ系の送信信号が第１ＬＣフィルタ１２Ｇ、第１高周波スイッチ１１Ｇ及びダイプレクサ２０を通過し、ダイプレクサ２０の第１ポートＰ１１に接続されたアンテナ端子ＡＮＴから送信される。

この際、ＤＣＳ系の第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば０Ｖを印加してダイオードＤＤ１をオフすることにより、ＤＣＳ系の送信信号が送信されないようにしている。また、ダイプレクサ２０を接続することにより、ＧＳＭ系の送信信号がＤＣＳ系の第２送信側入力端子Ｔｘｄ及び第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄに回り込まないようにしている。

さらに、ダイプレクサ２０のコンデンサＣｔ１、インダクタＬｔ１及びシャントコンデンサＣｕ１からなるローパスフィルタにてＧＳＭ系の２次高調波を減衰させ、ＧＳＭ系の第１ＬＣフィルタ１２ＧではＧＳＭ系の３次高調波を減衰させている。

次いで、ＤＣＳ系及びＧＳＭ系の受信信号を受信する場合には、ＤＣＳ系の第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば０Ｖを印加してダイオードＤＤ１，ＤＤ２をオフし、ＧＳＭ系の第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に０Ｖを印加してダイオードＧＤ１，ＧＤ２をオフすることにより、ＤＣＳ系の受信信号がＤＣＳ系の第２送信側入力端子Ｔｘｄに、ＧＳＭ系の受信信号がＧＳＭ系の第１送信側入力端子Ｔｘｇに、それぞれ回り込まないようにし、アンテナ端子ＡＮＴから入力した信号をそれぞれＤＣＳ系の受信側バランス出力端子Ｒｘｄ、ＧＳＭ系の受信側バランス出力端子Ｒｘｇに出力する。

また、ダイプレクサ２０を接続することにより、ＤＣＳ系の受信信号がＧＳＭ系に、ＧＳＭ系の受信信号がＤＣＳ系に、それぞれ回り込まないようにしている。

本第２実施例の高周波複合部品においては、弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄと受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄとの間に、インダクタＬｇ，Ｌｄ及びコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄを含む整合素子１３Ｇ，１３Ｄを備えているため、このインダクタとコンデンサを適宜組み合わせることで、受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄのインピーダンスを自由に設定することが可能となる。そして、コンデンサを出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄ側に挿入することにより、インピーダンスを下げる調整が可能である。

また、このインダクタＬｇ，ＬｄとコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄは他の回路部品とともにセラミック積層基板で一体化されているため、この種のインダクタやコンデンサをディスクリートでプリント基板上に配置する場合と比べてプリント基板上での実装面積を小さくすることができると共に、弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄと整合素子１３Ｇ，１３Ｄとの距離を最小限に抑え、フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄと整合素子１３Ｇ，１３Ｄとの間の損失を抑えて高周波特性を改善することができる。

また、整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，Ｌｄはセラミック積層基板においてＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサとは平面視で重ならないように形成されているため、送受信経路間でのアイソレーションを確保し、信号の混入を防止することができる。同様の効果は、整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，Ｌｄはセラミック積層基板の表面に搭載されており、ＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサはセラミック積層基板の内部に内蔵されていることによっても達成される。

さらに、本実施例においては、整合素子１３Ｇ，１３ＤのコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄとＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサとは平面視で重ならないように形成されている。これにて、送受信経路間での信号の混入を、さらに効果的に防止することができる。

また、整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，ＬｄとＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサとの間にはグランド電極Ｇ４が配置されているため、両者の干渉を効果的に防止することができる。同様の効果は、ＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのコンデンサ、特に、シャントコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２，ＤＣｕ１，ＤＣｕ２がセラミック積層基板の最下層近辺に形成されていることによっても達成される。整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，Ｌｄ及びコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄがセラミック積層基板の表面に形成されており、整合素子１３Ｇ，１３ＤのインダクタＬｇ，Ｌｄは他の素子を介さずに整合素子１３Ｇ，１３ＤのコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄに隣接配置することも、同様に相互干渉を防止することができる。

さらに、本実施例においては、整合素子１３Ｇ，１３ＤのコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄとＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄのインダクタ及びコンデンサとの間にもグランド電極Ｇ４が配置されている。これにより、両者の干渉をより効果的に防止することができる。

また、図８に示したように、セラミック多層基板の表面において、整合素子１３Ｇ，１３Ｄを構成している表面実装部品は、高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄ、ダイプレクサ２０を構成している表面実装部品とは弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄを介して離れて配置するようにしている。このように配置することで、整合素子１３Ｇ，１３Ｄと他の素子との干渉をさらに効果的に抑制できる。

（第３実施例、図９及び図１０参照）
本第３実施例である高周波複合部品は、図９のブロック図にその特徴的な構成を示すように、前記第２実施例と同様に、ＧＳＭ系及びＤＣＳ系を備えたデュアルバンド対応型の高周波複合部品であり、バランス型弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄの平衡出力部にそれぞれコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ及びＣ１ｄ、Ｃ２ｄが直列に接続されているとともに、受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，ＲｘｄにインダクタＬｇ，Ｌｄが並列に接続されている。

このように、コンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ及びコンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄをそれぞれ第１・第２弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ側に直列に接続し、インダクタＬｇ，Ｌｄを第１・第２受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄ側にそれぞれ並列に接続することにより、第１・第２受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄのインピーダンスを自由に設定でき、特にインピーダンスを上げることができる。

なお、本第３実施例において、第１・第２整合素子１３Ｇ，１３Ｄ以外の回路構成及び動作は前記第２実施例と同様であり、重複する説明は省略する。

（第４実施例、図１１〜図１５参照）
本第４実施例である高周波複合部品は、図１１の等価回路図に示すように、ＧＳＭ系及び二つの受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１，Ｒｘｄ２に分岐されたＤＣＳ系とを備えたトリプルバンド対応型の高周波複合部品として構成されている。

即ち、ＧＳＭ系は第１高周波スイッチ１１Ｇと第１ＬＣフィルタ１２Ｇとバランス型第１弾性表面波フィルタＳＡＷｇと第１整合素子１３Ｇとを備えている。このＧＳＭ系の構成及び作用は前記第２・第３実施例と同様であり、重複した説明は省略する。

ダイプレクサ２０に関しても前記第２・第３実施例と基本的には同様の構成を備え、さらに、第１ポートＰ１１とアンテナ端子ＡＮＴとの間にコンデンサＣａｎｔが接続されるとともに、その接続点はインダクタＬａｎｔを介して接地される。

ＤＣＳ系は、第２高周波スイッチ１１Ｄ'と第２ＬＣフィルタ１２Ｄと第２送信側入力端子Ｔｘｄとで構成されている。この部分の回路構成は前記第２・第３実施例と同様であり、重複した説明は省略する。

ＤＣＳ系において、第２高周波スイッチ１１Ｄ'の第３ポートＰ３３ｄはデュプレクサ１４Ｄが接続されており、このデュプレクサ１４Ｄは、受信信号経路を第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１と第３受信側バランス出力端子Ｒｘｄ２とに分岐するためのものである。

第２高周波スイッチ１１Ｄ'は、アンテナ端子ＡＮＴと第２送信側入力端子Ｔｘｄとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと第２・第３受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１，Ｒｘｄ２との間の信号経路とを選択的に切り換える。

第２高周波スイッチ１１Ｄ'は、スイッチング素子であるダイオードＤＤ１，ＤＤ２、インダクタＤＰＳＬ１，ＤＳＬ２，ＤＰＳＬｔ、コンデンサＤＣ５，ＤＣ６，ＤＰＣｔ及び抵抗ＤＲ１で構成されている。第１ポートＰ３１ｄと第２ポートＰ３２ｄとの間に、アノードが第２ポートＰ３２ｄ側になるようにダイオードＤＤ１が接続され、このアノードはインダクタＤＰＳＬ１及びコンデンサＤＣ６を介して接地される。インダクタＤＰＳＬ１とコンデンサＤＣ６との接続点に制御端子Ｖｃ２が接続されている。また、第１ポートＰ３１ｄと第２ポートＰ３２ｄとの間には、コンデンサＤＰＣｔとインダクタＤＰＳＬｔの直列回路がダイオードＤＤ１とは並列に接続されている。ダイオードＤＤ２はアノードがインダクタＤＳＬ２を介して第１ポートＰ３１ｄに接続され、カソードがコンデンサＤＣ５を介して接地される。ダイオードＤＤ２とコンデンサＤＣ５との接続点は抵抗ＤＲ１を介して接地される。

デュプレクサ１４Ｄは、第１ポートＰ４１ｄと第２ポートＰ４２ｄとの間にインダクタＰＳＬ２が接続され、インダクタＰＳＬ２と第２ポートＰ４２ｄとの接続点はコンデンサＰＣ７を介して接地される。第２ポートＰ４２ｄは第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１に接続されている。また、デュプレクサ１４Ｄの第１ポートＰ４１ｄと第３ポートＰ４３ｄとの間にコンデンサＤＣ７が接続されている。コンデンサＤＣ７と第１ポートＰ４１ｄとの接続点はコンデンサＣｊを介して接地されるとともに、コンデンサＤＣ７と第３ポートＰ４３ｄとの接続点はインダクタＤＳＬ１を介して接地される。第３ポートＰ４３ｄは第３弾性表面波フィルタＳＡＷｄ２に接続されている。

第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１の平衡出力部には第２整合素子１３Ｄ１が接続され、第３弾性表面波フィルタＳＡＷｄ２の平衡出力部には第３整合素子１３Ｄ２が接続されている。この第２・第３整合素子１３Ｄ１，１３Ｄ２は第２実施例と同様に、インダクタＬｄを弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１，ＳＡＷｄ２側に並列に接続し、コンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄをインダクタＬｄと受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１，Ｒｘｄ２との間にそれぞれ直列に接続したものである。その作用効果は第２実施例と同様である。なお、第２・第３整合素子１３Ｄ１，１３Ｄ２は前記第３実施例と同じ回路構成としてもよく、この場合には第３実施例と同様の作用効果を奏する。

図１２〜図１４は、本第４実施例である高周波複合部品のセラミック多層基板を構成する各シート層上にスクリーン印刷などで形成されたコンデンサ電極、ストリップライン電極などを示している。

第１シート層６２ａには種々の外部接続用端子電極が形成されている。第２シート層６２ｂにはグランド電極Ｇ１１が形成され、第３シート層６２ｃにはコンデンサＣｕ１，Ｃｔ２，ＤＣ６の電極が形成され、グランド電極Ｇ１１とでキャパシタンスを形成している。第４シート層６２ｄにはグランド電極Ｇ１２が形成され、第５シート層６２ｅにはコンデンサＤＣｕ１，ＤＣｕ２，Ｃｊ，ＧＣｕ１，ＧＣｕ２の電極が形成され、グランド電極Ｇ１２とでキャパシタンスを形成している。

第８シート層６２ｈにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２，ＤＳＬ２，ＰＳＬ２が形成されている。第９シート層６２ｉにはストリップライン電極によってインダクタＧＳＬ２，Ｌｔ１が形成され、それぞれがビアホールにて下層の電極と接続されている。

第１０シート層６２ｊにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２，ＤＳＬ２，ＰＳＬ２が形成され、下層の同種の電極とビアホールを介して接続されている。第１１シート層６２ｋにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，ＧＳＬ２が形成され、それぞれがビアホールにて下層の同種の電極と接続されている。

第１２シート層６２ｌにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＧＳＬ２，ＤＳＬ２が形成され、それそれがビアホールにて下層の同種の電極と接続されている。第１３シート層６２ｍにはコンデンサＣｔ１，ＤＣｃ２の電極が形成され、第１４シート層６２ｎにはコンデンサＣｔ１，Ｃｃ１の電極及びグランド電極Ｇ１３が形成されている。第１５シート層６２ｏにはコンデンサＤＣ５，Ｃｔ１，Ｃｃ１，ＧＣｃ１，ＧＣ５，ＤＣｕ１，ＤＣｃ２の電極が形成されている。第１６シート層６２ｐにはコンデンサＣｃ２，ＣＣｃ１の電極及びグランド電極Ｇ１４が形成されている。第１７シート層６２ｑにはコンデンサＤＣｃ１の電極が形成されている。

第１９シート層６２ｓの表面は、図１５にも示すように、セラミック多層基板５０の表面であって、種々の接続用端子電極が形成され、第１・第２・第３弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ１，ＳＡＷｄ２、ダイオードＧＤ１，ＧＤ２，ＤＤ１，ＤＤ２が搭載されている。さらに、第１整合素子１３Ｇを構成するインダクタＬｇ、コンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ、第２・第３整合素子１３Ｄ１，１３Ｄ２を構成するインダクタＬｄ、コンデンサＣ１ｄ，Ｃ２ｄが搭載されている。

さらに、セラミック多層基板５０の表面には、抵抗ＲＧ，ＤＲ１が搭載され、インダクタＬａｎｔ，ＤＰＣｔ，ＤＰＳＬｔ，ＤＳＬ１，ＤＰＳＬ１が搭載され、コンデンサＣａｎｔ，ＤＣ７，ＰＣ７が搭載されている。

本第４実施例である高周波複合部品においては、第２高周波スイッチ１１Ｄ'のダイオードＤＤ２のオン、オフによって受信信号が第２受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１と第３受信側バランス出力端子Ｒｘｄ２とに切り換えられる。その他の基本的な動作は前記第２実施例で説明したとおりであり、その作用効果も第２実施例と同様である。

特に、図１５に示したように、セラミック多層基板の表面において、整合素子１３Ｇ，１３Ｄ１，１３Ｄ２を構成している表面実装部品は、高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄ'、ダイプレクサ２０、デュプレクサ１４Ｄを構成している表面実装部品とは弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ１，ＳＡＷｄ２を介して反対側に配置するようにしている。このように配置することで、整合素子１３Ｇ，１３Ｄ１，１３Ｄ２と他の素子との干渉をさらに効果的に抑制できる。

（第５実施例、図１６参照）
本第５実施例である高周波複合部品は、図１６の等価回路に示すように、トリプルバンド対応型として構成されている。基本的には前記第４実施例（図１１参照）と同様の構成からなり、その作用効果も第４実施例と同様である。異なるのは、前記デュプレクサ１４Ｄに代えてダイオードスイッチ１５Ｄにて受信側バランス出力端子Ｒｘｄ１，Ｒｘｄ２の分離を行うようにした点である。

詳しくは、ダイオードスイッチ１５Ｄは、スイッチング素子であるダイオードＳＤＤ１，ＳＤＤ２、インダクタＳＩＤ１，ＳＩＤ２、コンデンサＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３及び抵抗ＳＲで構成されている。第１ポートＰ５１ｄは第２高周波スイッチ１１Ｄ'の第３ポートＰ３３ｄに接続され、一端が第１ポートＰ５１ｄに接続されているコンデンサＳＣ３の他端はダイオードＳＤＤ１のカソード及びインダクタＳＩＤ２を介してダイオードＳＤＤ２のアノードに接続されている。

ダイオードＳＤＤ１のアノードはインダクタＳＩＤ１とコンデンサＳＣ１を介して接地され、インダクタＳＩＤ１とコンデンサＳＣ１との接続点には制御端子Ｖｃ３が接続されている。ダイオードＳＤＤ２のカソードはコンデンサＳＣ２を介して接地され、該カソードとコンデンサＳＣ２との接続点は抵抗ＳＲを介して接地される。ダイオードＳＤＤ１のアノードに接続されている第２ポートＰ５２ｄは第２弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１に接続されている。また、ダイオードＳＤＤ２のアノードに接続されている第３ポートＰ５３ｄは第３弾性表面波フィルタＳＡＷｄ２に接続されている。

（第６実施例、図１７参照）
第６実施例である高周波複合部品は、図１７の等価回路に示すように、トリプルバンド対応型として構成されている。基本的には前記第４実施例（図１１参照）と同様の構成からなり、その作用効果も第４実施例と同様である。異なるのは、弾性表面波フィルタＳＡＷｄ１，ＳＡＷｄ２はアンバランス出力ポートを有するアンバランス型であって、アンバランス出力ポートに接続されている整合素子１３Ｄ１，１３Ｄ２はバランとして構成されている点である。

（他の実施例）
なお、本発明に係る高周波複合部品は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。

例えば、前記実施例では、シングルバンド対応型、デュアルバンド対応型、トリプルバンド対応型の高周波複合部品について説明したが、本発明はクアッドバンド以上のマルチバンド対応型の高周波複合部品についても適用することができる。

また、前記各実施例において、高次高調波を減衰させるためのＬＣフィルタ１２，１２Ｇ，１２Ｄは、高周波スイッチ１１，１１Ｇ，１１Ｄ，１１Ｄ'と送信側入力端子Ｔｘ，Ｔｘｇ，Ｔｓｄとの間に配置されているが、アンテナ端子ＡＮＴ（ダイプレクサ２０）と高周波スイッチとの間に配置してもよい。

以上のように、本発明は、複数の異なる移動体通信システムに利用可能な高周波複合部品に有用であり、特に、所望のインピーダンスを容易に設定できてＬＮＡとのマッチング調整が不要な点で優れている。

本発明に係る高周波複合部品の第１実施例の基本構成を示すブロック図である。 第１実施例の等価回路図である。 本発明に係る高周波複合部品の第２実施例の基本構成を示すブロック図である。 第２実施例の等価回路図である。 第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１〜第８層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第９〜第１５層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１６層及び第１７層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第２実施例のセラミック多層基板の表面における各回路素子の搭載状態を示す平面図である。 本発明に係る高周波複合部品の第３実施例の基本構成を示すブロック図である。 第３実施例の等価回路図である。 本発明に係る高周波複合部品の第４実施例の等価回路図である。 第４実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１〜第８層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第４実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第９〜第１５層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第４実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１６〜第１８層）に形成した電極形状を示す説明図である。 第４実施例のセラミック多層基板の表面における各回路素子の搭載状態を示す平面図である。 本発明に係る高周波複合部品の第５実施例の等価回路図である。 本発明に係る高周波複合部品の第６実施例の等価回路図である。 従来のデュアルバンド携帯電話機のスイッチ回路を示すブロック図である。 従来のバンドパスフィルタの概略構成を示すブロック図である。

符号の説明

ＡＮＴ…アンテナ端子
Ｔｘｇ，Ｔｘｄ…送信側入力端子
Ｒｘｇ，Ｒｘｄ…受信側バランス出力端子
ＳＡＷｇ，ＳＡＷｄ…弾性表面波フィルタ
１１Ｇ，１１Ｄ…高周波スイッチ
１２Ｇ，１２Ｄ…ＬＣフィルタ
１３Ｇ，１３Ｄ…整合素子
１４Ｄ…デュプレクサ
２０…ダイプレクサ
５０…セラミック多層基板

Claims (10)

1. （Ａ）アンテナ端子と送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるためのスイッチと、
   （Ｂ）前記アンテナ端子と前記送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含むＬＣフィルタと、
   （Ｃ）前記スイッチと前記受信側バランス出力端子との間に配置された弾性表面波フィルタと、
   （Ｄ）前記弾性表面波フィルタと前記受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む整合素子と、を備え、
   前記スイッチ、ＬＣフィルタ、弾性表面波フィルタ及び整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなること、
   を特徴とする高周波複合部品。
2. 前記整合素子のインダクタは前記積層体ブロックの第１領域に形成されており、前記ＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサは平面視で前記第１領域とは異なる第２領域に形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の高周波複合部品。
3. 前記整合素子のインダクタは前記積層体ブロックの表面に搭載されており、前記ＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサは前記積層体ブロックの内部に内蔵されていることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の高周波複合部品。
4. 前記整合素子のインダクタと前記ＬＣフィルタのインダクタ及びコンデンサとの間にはグランド電極が配置されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の高周波複合部品。
5. 前記ＬＣフィルタのコンデンサのうちシャントコンデンサは前記積層体ブロックの最下層近辺に形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の高周波複合部品。
6. 前記整合素子のインダクタ及びコンデンサは前記積層体ブロックの表面に形成されており、前記整合素子のインダクタは他の素子を介さずに前記整合素子のコンデンサに隣接配置されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の高周波複合部品。
7. 前記弾性表面波フィルタは、バランス出力ポートを有するバランス型弾性表面波フィルタであって、前記整合素子のインダクタが前記バランス出力ポート間に並列接続されており、前記整合素子のコンデンサが前記バランス出力ポートに直列接続されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の高周波複合部品。
8. 前記弾性表面波フィルタは、アンバランス出力ポートを有するアンバランス型弾性表面波フィルタであって、前記整合素子のインダクタ及びコンデンサはバランを兼ねていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の高周波複合部品。
9. 前記アンテナ端子の後段に、第１周波数帯の信号経路と、前記第１周波数帯とは異なる第２周波数帯の信号経路とを分岐するダイプレクサを備え、さらに、
   前記第１周波数帯の信号経路における、（Ａ）前記アンテナ端子と第１送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第１受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第１スイッチと、（Ｂ）前記第１スイッチと前記第１送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１ＬＣフィルタと、（Ｃ）前記第１スイッチと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置された第１弾性表面波フィルタと、（Ｄ）前記第１弾性表面波フィルタと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１整合素子と、
   前記第２周波数帯の信号経路における、（Ｅ）アンテナ端子と第２送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第２受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第２スイッチと、（Ｆ）前記第２スイッチと前記第２送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２ＬＣフィルタと、（Ｇ）前記第２スイッチと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された第２弾性表面波フィルタと、（Ｈ）前記第２弾性表面波フィルタと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２整合素子と、を備え、
   前記ダイプレクサ、第１・第２スイッチ、第１・第２ＬＣフィルタ、第１・第２弾性表面波フィルタ及び第１・第２整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなること、
   を特徴とする請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の高周波複合部品。
10. 前記アンテナ端子の後段に、第１周波数帯の信号経路と、前記第１周波数帯とは異なる第２周波数帯及び第３周波数帯の信号経路とを分岐するダイプレクサを備え、さらに、
    前記第１周波数帯の信号経路における、（Ａ）前記アンテナ端子と第１送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第１受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第１スイッチと、（Ｂ）前記第１スイッチと前記第１送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１ＬＣフィルタと、（Ｃ）前記第１スイッチと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置された第１弾性表面波フィルタと、（Ｄ）前記第１弾性表面波フィルタと前記第１受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第１整合素子と、
    前記第２周波数帯の信号経路における、（Ｅ）アンテナ端子と第２送信側入力端子との間の信号経路と、前記アンテナ端子と第２・第３受信側バランス出力端子との間の信号経路とを選択的に切り換えるための第２スイッチと、（Ｆ）前記第２スイッチと前記第２送信側入力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２ＬＣフィルタと、（Ｇ）前記第２スイッチと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された信号経路と、前記第２スイッチと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置された信号経路とを分岐するデュプレクサと、（Ｈ）前記デュプレクサと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置された第２弾性表面波フィルタと、（Ｉ）前記第２弾性表面波フィルタと前記第２受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第２整合素子と、（Ｊ）前記デュプレクサと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置された第３弾性表面波フィルタと、（Ｋ）前記第３弾性表面波フィルタと前記第３受信側バランス出力端子との間に配置され、インダクタ及びコンデンサを含む第３整合素子と、を備え、
    前記ダイプレクサ、第１・第２スイッチ、第１・第２ＬＣフィルタ、デュプレクサ、第１・第２・第３弾性表面波フィルタ及び第１・第２・第３整合素子が複数の誘電体層を積層してなる積層体ブロックで一体化されてなること、
    を特徴とする請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の高周波複合部品。
    

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