KR20170084483A - Lens, a light emitting device and a display apparstus including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판, 상기 기판상에 배치되어 광을 방출하는 발광소자 및 상기 발광소자의 적어도 하나 이상의 면과 면 접촉을 하도록 형성되는 렌즈를 포함하고, 상기 렌즈는 상기 발광소자에서 방출한 광을 소정 영역을 향하여 집광시키는 곡면을 포함하는 발광소자 패키지에 관한 것이다.The present invention provides a light emitting device comprising a substrate, a light emitting element disposed on the substrate and emitting light, and a lens formed in surface contact with at least one surface of the light emitting element, And a curved surface for converging the light toward the region.

Description

렌즈, 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 디스플레이 장치{LENS, A LIGHT EMITTING DEVICE AND A DISPLAY APPARSTUS INCLUDING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a lens, a light emitting device package including the same,

실시예는 렌즈와 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.Embodiments relate to a lens, a light emitting device package including the same, and a display device.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.GaN, and AlGaN are widely used for optoelectronics and electronic devices due to their advantages such as wide and easy bandgap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a semiconductor material of a 3-5 group or a 2-6 group compound semiconductor has been widely used in various fields such as red, green, blue and ultraviolet rays It can realize various colors, and it can realize efficient white light by using fluorescent material or color combination. It has low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps Affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

LCD 표시 장치는 액정층 및 상기 액정층을 사이에 두고 서로 대향하는 TFT 기판 및 컬러 필터 기판을 포함하고, 자체 발광력이 없어 디스플레이 장치로부터 제공되는 광을 사용하여 화상을 표시할 수 있다.The LCD display device includes a liquid crystal layer and a TFT substrate and a color filter substrate facing each other with the liquid crystal layer interposed therebetween, and can display an image using light provided from the display device because there is no self-luminous force.

현재 디스플레이 장치, 옥외 광고판 등에 주로 쓰이는 발광소자 패키지는 기본적으로 저 소비전력, 친환경 등의 이유로 그 소비가 증대 되고 있다.Currently, light emitting device packages mainly used for display devices, outdoor billboards, etc. are basically consumed for reasons of low power consumption and environment friendly.

최근에는 자외선(Ultraviolet, UV)영역의 광을 방출하는 발광소자 패키지의 필요성이 증가되고 있는 추세이다.In recent years, a need for a light emitting device package that emits light in the ultraviolet (UV) region is increasing.

상기 자외선 영역의 광을 방출하는 발광소자 패키지는 정수, 살균등으로 활용 가능한 장점이 있다.The light emitting device package that emits light in the ultraviolet ray region has advantages that it can be utilized as water purification, sterilization, and the like.

하지만 종래의 디스플레이 장치 및 조명에 사용되는 발광소자 패키지에 사용되는 렌즈는 출광영역을 확대시켜 넓은 면적에 빛을 조사하는 목적으로 적용 및 개발되고 있었으나, 자외선 영역의 광을 방출하는 발광소자 패키지는 넓은 영역에 빛을 조사하는 것 보다 집광된 광을 방출하는 것이 보다 중요하기 때문에 지향분포를 좁히는 렌즈 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 디스플레이 장치의 필요성이 있다.However, the conventional display device and the lens used in the light emitting device package used for the illumination have been developed and developed for the purpose of radiating light in a wide area by enlarging the light emitting area. However, the light emitting device package emitting light in the ultraviolet region has a wide There is a need for a lens that narrows the directivity distribution and a light emitting device package and a display device including the same that emit focused light more than light is irradiated to the region.

본 발명은 발광소자 패키지의 지향분포를 좁혀 발광소자 패키지에서 발광하는 자외선 영역대의 광을 집광시키는 렌즈 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 디스플레이 장치를 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is directed to a lens for narrowing the directivity distribution of a light emitting device package and condensing light in an ultraviolet region band emitted from the light emitting device package, and a light emitting device package and a display device including the same.

본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여, 기판, 상기 기판상에 배치되어 광을 방출하는 발광소자 및 상기 발광소자의 적어도 하나 이상의 면과 면 접촉을 하도록 형성되는 렌즈를 포함하고, 상기 렌즈는 상기 발광소자에서 방출한 광을 소정 영역을 향하여 집광시키는 곡면을 포함하는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device including a substrate, a light emitting element disposed on the substrate and emitting light, and a lens formed to be in surface contact with at least one surface of the light emitting element, And a curved surface for condensing light emitted from the light emitting element toward a predetermined region.

또한, 상기 곡면은 상기 발광소자를 향하여 오목한 오목면인 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.In addition, the curved surface is a concave surface concave toward the light emitting element.

또한, 상기 오목면의 곡률반경은 상기 발광소자와 상기 소정 영역과의 위치 또는 상기 렌즈의 굴절률에 의해 정해지는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.Further, the radius of curvature of the concave surface is determined by the position of the light emitting element and the predetermined region or the refractive index of the lens.

또한, 상기 오목면은 곡률반경은 아래의 수식에 의해 정해지는 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.It is a further object of the present invention to provide a light emitting device package in which the concave surface has a curvature radius determined by the following equation.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 수식에서, a는 상기 발광소자의 중심에서 방출된 광이 상기 소정 영역에 도달하는 최단 거리의 자취에서 상기 발광소자의 상부면에서 렌즈의 오목면까지 도달하는 광 경로의 길이, b는 렌즈의 오목면에서 상기 소정 영역까지 도달하는 광 경로의 길이, n'은 공기중의 굴절률 및 n은 상기 렌즈의 굴절률이다.Where a is the length of the optical path from the top surface of the light emitting element to the concave surface of the lens at the trace of the shortest distance at which the light emitted from the center of the light emitting element reaches the predetermined area, N 'is the refractive index in air, and n is the refractive index of the lens.

또한, 상기 렌즈의 굴절률은 1.41 내지 1.53인 발광소자 패키지를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.In addition, the refractive index of the lens is 1.41 to 1.53.

또한, 외관을 형성하는 렌즈하우징 및 적어도 하나의 하부를 향하여 오목하게 구비되는 오목면을 포함하고, 상기 오목면은 상기 렌즈하우징의 하부면상에 배치되는 발광소자에서 발광한 광이 소정 영역에 집광되는 곡률반경을 갖는 렌즈를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.The lens housing includes a lens housing defining an outer appearance and a concave surface concave toward at least one lower portion of the lens housing. The concave surface is configured such that light emitted from the light emitting device disposed on the lower surface of the lens housing is condensed in a predetermined area It is a solution to the problem to provide a lens having a radius of curvature.

또한, 상기 렌즈의 상기 오목면은 아래의 수식에 의해 정해지는 렌즈를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.Further, the concave surface of the lens is provided with a lens which is determined by the following formula.

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 수식에서, a는 상기 발광소자의 중심에서 방출된 광이 상기 소정 영역에 도달하는 최단 거리의 자취에서 상기 발광소자의 상부면에서 렌즈의 오목면까지 도달하는 광 경로의 길이, b는 렌즈의 오목면에서 상기 소정 영역까지 도달하는 광 경로의 길이, n'은 공기중의 굴절률 및 n은 상기 렌즈의 굴절률이다.Where a is the length of the optical path from the top surface of the light emitting element to the concave surface of the lens at the trace of the shortest distance at which the light emitted from the center of the light emitting element reaches the predetermined area, N 'is the refractive index in air, and n is the refractive index of the lens.

또한, 상기 렌즈의 굴절률은 1.41 내지 1.53인 렌즈를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.Further, the lens has a refractive index of 1.41 to 1.53.

또한, 바텀 샤시, 상기 바텀 샤시와 대향하여 배치되는 광학시트 구동기판, 상기 구동기판 상에 배치되는 적어도 하나 이상의 발광소자 및 상기 적어도 하나 이상의 발광소자에서 방출된 광을 제어하는 복수 개의 광학부재를 포함하고, 상기 광학부재는 상기 발광소자에서 방출된 광을 소정 영역으로 집광시키는 적어도 하나의 오목면을 포함하는 렌즈를 포함하는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.In addition, the present invention also includes a bottom chassis, an optical sheet driving substrate disposed to face the bottom chassis, at least one light emitting device disposed on the driving substrate, and a plurality of optical members for controlling light emitted from the at least one light emitting device And the optical member includes a lens including at least one concave surface for condensing the light emitted from the light emitting device into a predetermined area.

또한, 상기 렌즈의 상기 오목면은 아래의 수식에 의해 정해지는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 과제의 해결 수단으로 한다.Further, the concave surface of the lens is determined by the following expression.

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 수식에서, a는 상기 발광소자의 중심에서 방출된 광이 상기 소정 영역에 도달하는 최단 거리의 자취에서 상기 발광소자의 상부면에서 렌즈의 오목면까지 도달하는 광 경로의 길이, b는 렌즈의 오목면에서 상기 소정 영역까지 도달하는 광 경로의 길이, n'은 공기중의 굴절률 및 n은 상기 렌즈의 굴절률이다.Where a is the length of the optical path from the top surface of the light emitting element to the concave surface of the lens at the trace of the shortest distance at which the light emitted from the center of the light emitting element reaches the predetermined area, N 'is the refractive index in air, and n is the refractive index of the lens.

본 발명은 발광소자 패키지의 지향분포를 좁히는 렌즈의 구조적 설계를 통하여 발광소자 패키지에서 발광하는 자외선 영역대의 광을 집광시킬 수 있다.The present invention can focus the light of the ultraviolet region band emitted from the light emitting device package through the structural design of the lens that narrows the directivity distribution of the light emitting device package.

또한, 발광소자 패키지에서 발광하는 광을 집광시킴으로 인하여 광 손실을 최소화 하면서 살균성능을 극대화 할 수 있다.In addition, since the light emitted from the light emitting device package is condensed, the sterilization performance can be maximized while minimizing the light loss.

또한, 발광소자 패키지에서 발광하는 광을 집광시킴으로 인하여 발광소자 패키지의 개수를 감소시킬 수 있다.In addition, since the light emitted from the light emitting device package is condensed, the number of the light emitting device packages can be reduced.

도 1은 렌즈를 포함하는 종래 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 몰딩부를 포함하는 종래 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 발광소자 패키지의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 발광소자 패키지와 렌즈의 결합관계를 도시한 도면이다.
도 5는 및 도 6은 발광소자 패키지를 포함하는 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다.
1 is a side sectional view showing a conventional light emitting device package including a lens.
2 is a side sectional view showing a conventional light emitting device package including a molding part.
3A and 3B illustrate an embodiment of a light emitting device package.
FIG. 4 is a view showing a coupling relationship between the light emitting device package and the lens. FIG.
5 and 6 show a display device including a light emitting device package.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도 1은 렌즈를 포함하는 종래 발광 소자 패키지(10A)를 나타낸 측 단면도이고, 도 2는 몰딩부를 포함하는 종래 발광 소자 패키지(10B)를 나타낸 측 단면도이다.FIG. 1 is a side sectional view showing a conventional light emitting device package 10A including a lens, and FIG. 2 is a side sectional view showing a conventional light emitting device package 10B including a molding part.

도 1의 발광 소자 패키지(10A)는, 기판(16) 상에 발광 소자(12)가 배치되고, 기판(16) 상에는 리드 프레임(14,15)이 형성될 수 있다.In the light emitting device package 10A of FIG. 1, the light emitting element 12 is disposed on the substrate 16, and the lead frames 14 and 15 are formed on the substrate 16.

리드 프레임(14, 15)에는 발광 소자(12)의 전극(미도시)이 와이어(13) 본딩으로 연결되어 있다. 발광 소자(12) 상에는 렌즈(11)가 구비될 수 있다. Electrodes (not shown) of the light emitting element 12 are connected to the lead frames 14 and 15 by wire bonding. A lens 11 may be provided on the light emitting element 12.

도 2의 발광 소자 패키지(10B)는 기판(16)과, 기판(16)상에 배치되는 발광 소자(12)를 포함할 수 있다.The light emitting device package 10B of Fig. 2 may include a substrate 16 and a light emitting element 12 disposed on the substrate 16. [

도 2는 기판(16)의 상부에 발광 소자(12)를 둘러싸도록 형성된 몸체(18)를 포함하며, 발광 소자(12)의 보호를 위해 몸체(18)의 중앙 홀에 형성된 몰딩부(17)를 포함할 수 있다. 2 shows a molding unit 17 formed in the center hole of the body 18 for protecting the light emitting device 12 and includes a body 18 formed to surround the light emitting device 12 on the substrate 16, . ≪ / RTI >

몰딩부(17)의 내부에는 확산제가 포함될 수 있다. A diffusion agent may be contained in the molding part 17.

또한, 몰딩부(17) 내부에 형광체가 더 포함될 수도 있다. In addition, a fluorescent material may be further included in the molding part 17.

그러나 도 1 및 도 2에 개시된 발광 소자 패키지(10A, 10B)는 발광 소자(12)에서 방사된 광이 일정한 광경로를 따라 발광소자 패키지(10A, 10B)의 외부로 방사되므로, 제품마다 정해진 배향 특성을 갖게 되고 조사 빔 각도의 변경이나 조정을 위한 기능은 발광 소자(12)에 구비되어 있지 않기 때문에 배광각(light distribution angle)이 협소하고 이를 변경할 수 없다는 문제점이 있다.However, since the light emitted from the light emitting device 12 is radiated to the outside of the light emitting device packages 10A and 10B along a certain optical path, the light emitting device packages 10A and 10B disclosed in FIGS. 1 and 2, And the function for changing or adjusting the irradiation beam angle is not provided in the light emitting element 12, so that the light distribution angle is narrow and can not be changed.

이를 해결하기 위하여 이하 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 렌즈, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 설명하도록 한다.In order to solve this problem, a lens, a light emitting device package, and a display device including the same according to the present invention will be described with reference to FIGS.

도 3a 및 도 3b는 발광소자 패키지의 일 실시 예를 도시한 것이다.3A and 3B illustrate an embodiment of a light emitting device package.

도 3a를 참조하면, 제1 리드 프레임(210)과 제2 리드 프레임(210)이 절연 부재(220)에 의하여 전기적으로 분리되고, 측벽(230)이 패키지 몸체를 이루고 있다. 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임(210)이 캐비티의 바닥면을 이루고, 캐비티에는 몰딩부(270)가 채워질 수 있다.Referring to FIG. 3A, the first lead frame 210 and the second lead frame 210 are electrically separated by an insulating member 220, and the side walls 230 constitute a package body. The first lead frame and the second lead frame 210 constitute the bottom surface of the cavity, and the molding part 270 can be filled in the cavity.

도 3a에서 발광소자 패키지(200)에서 후술하는 바와 같이 와이어가 생략된 플립 칩 타입의 발광소자가 배치되어 광추출 효율이 보다 우수할 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지의 표면에서 광이 출사되는 면적을 더 작게 할 수 있으며, 도시된 바와 같이 광이 출사되는 영역인 캐비티의 입구에서의 폭(b)은 예를 들면 15 밀리미터 내지 18 밀리미터일 수 있다. 캐비티의 입구에서의 폭은 이에 한정하지 않으며 발광소자 패키지나 렌즈의 크기등에 따라 다른 값을 가질 수도 있다.3A, a flip-chip type light emitting device in which wires are omitted may be disposed in the light emitting device package 200, so that the light extraction efficiency may be better. Therefore, it is possible to make the area where the light exits from the surface of the light emitting device package to be smaller, and the width (b) at the entrance of the cavity, which is a region where light is emitted as shown in the figure, can be, for example, 15 mm to 18 mm have. The width at the entrance of the cavity is not limited thereto and may have a different value depending on the size of the light emitting device package or the lens.

도 3b에서는 도 3a의 발광소자를 도시하고 있다.FIG. 3B shows the light emitting device of FIG. 3A.

도 3b를 참조하면, 발광소자(250)는 기판(251)과, 기판(251) 상에 배치된 버퍼층(252)과, 제1 도전형 반도체층(253a)과 활성층(253b) 및 제2 도전형 반도체층(253c)을 포함하는 발광 구조물(253)과, 발광 구조물(253) 상의 투광성 도전층(255)과, 제1 도전형 반도체층(253a)과 제2 도전형 반도체층(253c) 상에 각각 배치된 제1 전극(257)과 제2 전극(258)을 포함하여 이루어진다. 기판(251)과 발광 구조물(253) 사이에는 버퍼층(252)이 배치될 수 있으며 이에 한정하지 않는다.Referring to FIG. 3B, the light emitting device 250 includes a substrate 251, a buffer layer 252 disposed on the substrate 251, a first conductive semiconductor layer 253a, an active layer 253b, The light emitting structure 253 including the first conductivity type semiconductor layer 253a and the second conductivity type semiconductor layer 253c on the light emitting structure 253 and the light transmitting structure 253 on the light emitting structure 253, And a first electrode 257 and a second electrode 258, respectively. The buffer layer 252 may be disposed between the substrate 251 and the light emitting structure 253, but is not limited thereto.

기판(251)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 251 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiO 2 , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge and Ga 2 O 3 can be used.

사파이어 등으로 기판(251)을 형성하고, 기판(251) 상에 GaN이나 AlGaN 등을 포함하는 발광구조물(253)이 배치될 때, GaN이나 AlGaN과 사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(252) 형성할 수 있다.When the substrate 251 is formed of sapphire or the like and the light emitting structure 253 including GaN or AlGaN is disposed on the substrate 251, lattice mismatch between GaN and AlGaN and sapphire is very large Since the difference in thermal expansion coefficient between them is also very large, dislocations, melt-backs, cracks, pits, and surface morphology defects that deteriorate the crystallinity may occur The buffer layer 252 can be formed of AlN or the like.

제1 도전형 반도체층(253a)은 기판(251) 상에 배치되어 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑되어 제1 도전형의 반도체층일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(253a)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤≤x≤≤1, 0≤≤y≤1, 0≤≤x+y≤≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 253a may be disposed on the substrate 251 and may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V or II-VI group. The first conductive semiconductor layer 253a may be doped with a first conductive dopant, Semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer 253a may be formed of a compositional formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X ? 1, 0? Y ? 1 , 0? X + y? And may be formed of any one or more of AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(253a)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(253a)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity type semiconductor layer 253a is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 253a may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

활성층(253b)은 제1 도전형 반도체층(253a)의 상부면에 배치될 수 있으며, 단일 우물 구조(Double Hetero Structure), 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 253b may be disposed on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 253a and may have a structure such as a double well structure, a multi-well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) ) Structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(253b)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, InGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), and the active layer 253b may be formed using a compound semiconductor material of Group III- / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP, but is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(253c)은 활성층(253b) 상에 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(253c)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(253c)은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.제2 도전형 반도체층(253c)은 제2 도전형 도펀트가 도핑되어 제2 도전형의 반도체층일 수 있는데, 제2 도전형 반도체층(253c)이 p형 반도체층일 경우 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(253c)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second conductivity type semiconductor layer 253c may be formed of a semiconductor compound on the active layer 253b. The second conductive semiconductor layer 253c may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V or a group II-VI, and may be doped with a second conductive dopant. The second conductivity type semiconductor layer 253c is formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1) The second conductivity type semiconductor layer 253c may be formed of any one or more of AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP. When the second conductivity type semiconductor layer 253c is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The second conductivity type semiconductor layer 253c may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

본 실시예에서, 제1 도전형 반도체층(253a)은 n형 반도체층, 제2 도전형 반도체층(253c)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으나, 반대의 극성 즉 제1 도전형 반도체층(253a)은 p형 반도체층, 제2 도전형 반도체층(253c)은 n형 반도체층으로 구현할수 있으며, 또한 상기 제2 도전형 반도체층(253c) 상에는 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 제3 도전형 반도체층을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 등의 한 구조로 구현할 수 있다.In this embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 253a may be an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 253c may be a p-type semiconductor layer. However, The second conductivity type semiconductor layer 253c may be a p-type semiconductor layer, the second conductivity type semiconductor layer 253c may be an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 253c may have a polarity opposite to that of the second conductivity type. 3 conductivity type semiconductor layer can be formed. Accordingly, the light emitting structure can be realized by a structure such as an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, or a p-n-p junction structure.

도시되지는 않았으나, 활성층(253b)과 제2 도전형 반도체층(253c)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer)이 배치될 수 있다. 전자 차단층은 초격자(superlattice) 구조로 이루어질 수 있는데, 초격자는 예를 들어 제2 도전형 도펀트로 도핑된 AlGaN이 배치될 수 있고, 알루미늄의 조성비를 달리하는 GaN이 층(layer)을 이루어 복수 개 서로 교번하여 배치될 수도 있다.Although not shown, an electron blocking layer may be disposed between the active layer 253b and the second conductive semiconductor layer 253c. The electron blocking layer may have a superlattice structure. For example, the superlattice may include AlGaN doped with a second conductive dopant, and GaN having a different composition ratio of aluminum may be formed as a layer And a plurality of these may be alternately arranged.

발광 구조물(253)의 일부 영역에서 제2 도전형 반도체층(253)으로부터 활성층(253b)과 제1 도전형 반도체층(253a)의 일부가 메사 식각되어, 제1 도전형 반도체층(253a)의 표면이 노출될 수 있다.A part of the active layer 253b and the first conductivity type semiconductor layer 253a are mesa-etched from the second conductivity type semiconductor layer 253 in a part of the light emitting structure 253 to form a part of the first conductivity type semiconductor layer 253a The surface may be exposed.

노출된 제1 도전형 반도체층(253a)의 표면과 제2 도전형 반도체층(253c) 상에는 각각 제1 전극(257)과 제2 전극(258)이 배치되는데, 제1 전극(257)과 제2 전극(258)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으며, 각각 와이어(미도시)에 연결될 수 있다.The first electrode 257 and the second electrode 258 are disposed on the exposed surface of the first conductive type semiconductor layer 253a and the second conductive type semiconductor layer 253c, The two electrodes 258 may be formed as a single layer or a multilayer structure including at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chrome (Cr), nickel (Ni), copper (Cu) , Respectively, to a wire (not shown).

또한, 서브 마운트(260)에 제1 전극 패드(261)와 제2 전극 패드(262)가 배치되고, 제1 전극 패드(261) 및 제2 전극 패드(262)는 범프(267, 268)를 통하여 제1 전극(257) 및 제2 전극(258)과 각각 본딩 될 수 있다.The first electrode pad 261 and the second electrode pad 262 are disposed on the submount 260 and the first electrode pad 261 and the second electrode pad 262 are electrically connected to the bumps 267 and 268 And may be bonded to the first electrode 257 and the second electrode 258, respectively.

도 4은 발광소자 패키지와 렌즈의 결합관계를 도시한 도면이다.4 is a view showing a coupling relationship between the light emitting device package and the lens.

도 4를 참조하면, 실시 예의 발광소자 패키지는 발광소자(200) 및 발광소자(200)의 적어도 하나 이상의 면을 감싸도록 형성되어 발광소자(200)에서 방출하는 광의 경로를 변화시키는 렌즈(100)를 포함할 수 있다.4, the light emitting device package of the embodiment includes a light emitting device 200 and a lens 100, which is formed to surround at least one surface of the light emitting device 200 and changes a path of light emitted from the light emitting device 200, . ≪ / RTI >

렌즈(100)는 외관을 형성하는 렌즈하우징(101)를 더 포함할 수 있다.The lens 100 may further include a lens housing 101 that forms an appearance.

상술한 바와 같이 종래의 디스플레이 장치 및 조명에 사용되는 발광소자 패키지에 사용되는 렌즈(100)는 출광영역을 확대시켜 넓은 면적에 빛을 조사하는 목적으로 적용 및 개발되고 있었으나, 자외선 영역의 광을 방출하는 발광소자 패키지는 넓은 영역에 빛을 조사하는 것 보다 집광된 광을 방출하는 것이 보다 중요하기 때문에 지향분포를 좁히는 렌즈 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 디스플레이 장치의 필요성이 있다.As described above, the conventional display device and the lens 100 used in the light emitting device package used for the illumination have been applied and developed for the purpose of radiating light in a wide area by enlarging the light emitting area. However, A light emitting device package and a display device including the lens and the light emitting device package including the same that narrows the directivity distribution is more important than the light emitting device package that emits the condensed light rather than the light emitting device.

보다 자세하게는, 일반적으로 발광소자(200) 또는 적어도 하나 이상의 발광소자(200)를 포함하여 형성되는 발광소자 패키지의 경우 소정의 지향각 분포를 가질 수 있다.More specifically, a light emitting device package including the light emitting device 200 or at least one light emitting device 200 may have a predetermined directional angle distribution.

자외선의 파장 영역대를 갖는 광을 방출하는 발광소자(200)는 의료장비 등에 사용될 수 있는데, 이 경우, 사용자는 필요한 부분에만 광을 조사 할 수 있는 발광소자 패키지가 필요 하다.The light emitting device 200 that emits light having a wavelength band of ultraviolet rays can be used for medical equipment or the like. In this case, a user needs a light emitting device package capable of irradiating light only to a necessary portion.

실시 예의 렌즈(100)는 복수 개의 발광소자(200)를 포함하는 발광소자 패키지에서 발광하는 광이 소정 사용 영역으로 집광되도록 할 수 있다.The lens 100 of the embodiment may be configured such that light emitted from a light emitting device package including a plurality of light emitting devices 200 is converged to a predetermined use region.

렌즈(100)는 실리콘(Silocon)으로 이루어 질 수 있으며, 일면이 발광소자(200)를 향하여 오목한 형상(Concave)으로 구비될 수 있다.The lens 100 may be made of silicon (Silocon) and may have a concave shape facing the light emitting device 200 on one side.

발광소자(200)의 오목한 형상으로 구비되는 오목면의 곡률반경(r)은 아래의 수식에 의해 정해질 수 있다.The radius of curvature r of the concave surface provided in the concave shape of the light emitting device 200 can be determined by the following equation.

Figure pat00004
Figure pat00004

a는 상기 렌즈(100)는 발광소자(200)의 중심에서 방출된 광이 사용영역에 도달하는 최단 거리의 자취에서 발광소자(200)의 상부면에서 렌즈(100)의 오목면까지 도달하는 광 경로의 길이, b는 렌즈(100)의 오목면에서 사용 영역까지 도달하는 광 경로의 길이, n'은 공기중의 굴절률 및 n은 렌즈(100) 내부의 굴절률이다.a means that the lens 100 is a light which reaches the concave surface of the lens 100 from the top surface of the light emitting device 200 at the trace of the shortest distance at which the light emitted from the center of the light emitting device 200 reaches the use area, B is the length of the optical path from the concave surface of the lens 100 to the use area, n 'is the refractive index in the air, and n is the refractive index inside the lens 100.

렌즈(100)가 실리콘으로 이루어지는 경우에 렌즈(100)내부의 굴절률(n)은 1.41 내지 1.53일 수 있다.When the lens 100 is made of silicon, the refractive index n of the inside of the lens 100 may be 1.41 to 1.53.

발광소자 패키지는 복수 개의 발광소자(200)가 선형(Linear)하게 배치되도록 구비될 수 있다.The light emitting device package may include a plurality of light emitting devices 200 arranged linearly.

또한, 발광소자 패키지는 복수 개의 발광소자(200)가 매트릭스(Matrix) 형태로 배치되도록 구비될 수 있다.In addition, the light emitting device package may include a plurality of light emitting devices 200 arranged in a matrix form.

예컨대, 발광소자 패키지가 16개의 발광소자(200)를 포함한다면 16개의 발광소자(200)는 모두 일렬로 배치될 수도 있고, 16개의 발광소자(200)가 4X4의 매트릭스(Matrix) 형태로 배치될 수도 있다.For example, if the light emitting device package includes sixteen light emitting devices 200, all of the sixteen light emitting devices 200 may be arranged in a row, and sixteen light emitting devices 200 may be arranged in a matrix of 4X4 It is possible.

다만, 상술한 실시 예는 일 예를 설명하기 위한 것이고, 사용자는 필요에 따라 발광소자 패키지에 배치되는 발광소자(200)의 형태를 보다 다양하게 변형할 수 있고, 본 발명의 권리범위 또한 이에 한정되지 아니한다.However, the embodiment described above is for the purpose of describing an example, and the user can further modify the shape of the light emitting device 200 disposed in the light emitting device package according to need, Or more.

발광소자(200)가 어떠한 형태로 배치되던지, 실시 예의 발광소자 패키지는 복수 개의 발광소자(200)에서 발광한 광이 소정의 사용 영역을 향하여 집광되도록 구비될 수 있다.Regardless of the arrangement of the light emitting device 200, the light emitting device package of the embodiment may be provided such that light emitted from the plurality of light emitting devices 200 is converged toward a predetermined use area.

이는 렌즈(100)의 형상을 결정하는 곡률반경(r)이 발광소자(200)의 중심에서 방출된 광이 사용영역에 도달하는 최단거리의 자취에서 발광소자(200)의 상부면에서 렌즈(100)의 오목면까지 도달하는 광 경로의 길이인 a, 렌즈(100)외부에서 사용 영역까지 도달하는 광 경로의 길이인 b에 의해 달라질 수 있기 때문이다.This is because the radius of curvature r that determines the shape of the lens 100 is smaller than the distance from the upper surface of the light emitting element 200 at the shortest distance where the light emitted from the center of the light emitting element 200 reaches the use area. ), Which is the length of the optical path reaching the concave surface of the lens 100, and b, which is the length of the optical path reaching the use area outside the lens 100.

도 5는 및 도 6은 발광소자 패키지를 포함하는 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다.5 and 6 show a display device including a light emitting device package.

도 5 및 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 디스플레이 장치(400)는, 바텀 샤시(435)와, 바텀 샤시(435)와 대향하여 배치되는 광학시트(420)와, 바텀 샤시(435) 상에 배치되고 광학시트(420)와 이격되어 배치되는 발광소자 패키지를 포함하여 이루어진다.5 and 6, a display device 400 according to an embodiment of the present invention includes a bottom chassis 435, an optical sheet 420 disposed to face the bottom chassis 435, And a light emitting device package disposed on the optical sheet 420 and spaced apart from the optical sheet 420.

도 5에서 디스플레이 장치(400)의 바텀 샤시(435)에는 구동부(455) 및 구동부(455)를 감싸는 구동부 커버(440)가 배치될 수 있다.5, a driving unit cover 440 that surrounds the driving unit 455 and the driving unit 455 may be disposed on the bottom chassis 435 of the display device 400.

전면 커버(430)는 광을 투과시키는 투명한 재질의 전면 패널(미도시)을 포함할 수 있으며, 전면 패널은 일정한 간격을 두고 액정 패널(430a)을 보호하며, 광학시트(420)로부터 방출되는 광이 액정 패널(430a)에서 표시되어 영상이 외부에서 보여질 수 있다.The front cover 430 may include a transparent front panel (not shown) that transmits light. The front panel protects the liquid crystal panel 430a at a predetermined interval, and the light emitted from the optical sheet 420 The image displayed on the liquid crystal panel 430a can be viewed from the outside.

바텀 커버(435)는 전면 커버(430)와 결합하여 광학시트(420)와 액정 패널(430a)을 보호할 수 있다.The bottom cover 435 may be combined with the front cover 430 to protect the optical sheet 420 and the liquid crystal panel 430a.

바텀 커버(435)의 일면에는 구동부(455)가 배치될 수 있다.A driving unit 455 may be disposed on one surface of the bottom cover 435.

구동부(455)는 구동 제어부(455a), 메인보드(455b) 및 전원공급부(455c)를 포함할 수 있다. 구동 제어부(455a)는 타이밍 컨트롤러로 일 수 있으며, 액정 패널(430a)의 각 드라이버 IC에 동작 타이밍을 조절하는 구동부이고, 메인보드(455b)는 타이밍 컨트롤러에 V싱크, H싱크 및 R, G, B 해상도 신호를 전달하는 구동부이며, 전원 공급부(455c)는 액정 패널(430a)에 전원을 인가하는 구동부이다. The driving unit 455 may include a driving control unit 455a, a main board 455b, and a power supply unit 455c. The drive controller 455a may be a timing controller and is a driver for adjusting the operation timing of each driver IC of the liquid crystal panel 430a. The main board 455b may include a V-sync, an H- B resolution signal, and the power supply unit 455c is a driving unit for applying power to the liquid crystal panel 430a.

구동부(455)는 바텀 커버(435)에 구비되어 구동부 커버(440)에 의해 감싸질 수 있다.The driving unit 455 may be provided on the bottom cover 435 and may be surrounded by the driving unit cover 440.

바텀 커버(435)에는 복수의 홀이 구비되어 액정 패널(430a)과 구동부(455)가 연결될 수 있고, 디스플레이 장치(400)를 지지하는 스탠드(460)가 구비될 수 있다. The bottom cover 435 may include a plurality of holes to connect the liquid crystal panel 430a and the driving unit 455 and a stand 460 for supporting the display device 400. [

도 6에서, 바텀 커버(435)의 표면에 반사시트(435a)가 배치되고, 반사시트(435a) 위에 발광소자 패키지(200)가 배치되며, 발광소자 패키지(200)의 전면에는 렌즈(100)가 배치되고 있다.6, the reflective sheet 435a is disposed on the surface of the bottom cover 435, the light emitting device package 200 is disposed on the reflective sheet 435a, and the lens 100 is mounted on the front surface of the light emitting device package 200. [ .

발광소자 패키지(200)에서 방출되어 렌즈(100)에서 방출된 광은 상술한 바와 같이 측면으로 지향각이 넓어지고, 광전달 영역(435b)를 통과하여 광학시트(421~423)으로 전달될 수 있다.The light emitted from the light emitting device package 200 and emitted from the lens 100 may be transmitted to the optical sheets 421 to 423 through the light transmission area 435b have.

광학시트(421~423)를 통과한 광은 액정 패널(430a)로 향할 수 있다.The light having passed through the optical sheets 421 to 423 can be directed to the liquid crystal panel 430a.

도 6에서 반사시트(435a)와 광학시트(421) 사이의 거리(d1)는 10 내지 15밀리미터일 수 있고, 렌즈(100)를 포함하는 발광소자 패키지(200)의 높이(d2)는 7 밀리미터 정도일 수 있으며, 반사시트(435a)와 광학시트(421) 사이의 거리(d1)보다 작을 수 있다.6, the distance d 1 between the reflective sheet 435a and the optical sheet 421 may be 10 to 15 millimeters, and the height d 2 of the light emitting device package 200 including the lens 100 may be 7 mm, and may be smaller than the distance d 1 between the reflective sheet 435a and the optical sheet 421.

상술한 바와 같이 렌즈의 작용으로 발광소자 패키지에서 방출된 광이 측면으로 충분히 진행하므로, 반사시트(435a)와 광학시트(421) 사이의 거리(d1)가 15 밀리미터 이하로 좁아지더라도 광간섭 및 무라의 발생을 방지할 수 있다. 렌즈(100)를 포함하는 발광소자 패키지(200)의 높이(d2)가 7 밀리미터 정도인 점을 고려하면, 반사시트(435a)와 광학시트(421) 사이의 거리(d1)는 10 밀리미터 이상이어야 광학시트(421)와 렌즈(100)의 충돌에 의한 손상을 방지할 수 있다.Even if the distance d 1 between the reflective sheet 435a and the optical sheet 421 is narrowed to 15 millimeters or less because the light emitted from the light emitting device package sufficiently advances to the side by the action of the lens as described above, And the generation of dust can be prevented. Considering that the height d 2 of the light emitting device package 200 including the lens 100 is about 7 millimeters, the distance d 1 between the reflective sheet 435a and the optical sheet 421 is 10 millimeters The damage caused by the collision of the optical sheet 421 and the lens 100 can be prevented.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented.

발광소자: 200 렌즈: 100
렌즈하우징: 101 곡률반경: r
디스플레이 장치: 400 바텀 샤시: 435
광학시트: 420 구동부: 455
Light emitting element: 200 Lens: 100
Lens housing: 101 Curvature radius: r
Display device: 400 bottom chassis: 435
Optical sheet: 420 Driving part: 455

Claims (10)

기판;
상기 기판상에 배치되어 광을 방출하는 발광소자; 및
상기 발광소자의 적어도 하나 이상의 면과 면 접촉을 하도록 형성되는 렌즈;를 포함하고,
상기 렌즈는 상기 발광소자에서 방출한 광을 소정 영역을 향하여 집광시키는 곡면을 포함하는 발광소자 패키지.
Board;
A light emitting element disposed on the substrate and emitting light; And
And a lens formed in surface contact with at least one surface of the light emitting device,
And the lens includes a curved surface for condensing the light emitted from the light emitting element toward a predetermined region.
제1항에 있어서,
상기 곡면은 상기 발광소자를 향하여 오목한 오목면인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the curved surface is a concave surface concave toward the light emitting element.
제2항에 있어서,
상기 오목면의 곡률반경은 상기 발광소자와 상기 소정 영역과의 위치 또는 상기 렌즈의 굴절률에 의해 정해지는 발광소자 패키지.
3. The method of claim 2,
Wherein a radius of curvature of the concave surface is determined by a position of the light emitting element and the predetermined region or a refractive index of the lens.
제3항에 있어서,
상기 오목면은 곡률반경은 아래의 수식에 의해 정해지는 발광소자 패키지.
Figure pat00005

상기 수식에서, a는 상기 발광소자의 중심에서 방출된 광이 상기 소정 영역에 도달하는 최단 거리의 자취에서 상기 발광소자의 상부면에서 렌즈의 오목면까지 도달하는 광 경로의 길이, b는 렌즈의 오목면에서 상기 소정 영역까지 도달하는 광 경로의 길이, n'은 공기중의 굴절률 및 n은 상기 렌즈의 굴절률이다.
The method of claim 3,
Wherein the curvature radius of the concave surface is determined by the following equation.
Figure pat00005

Where a is the length of the optical path from the top surface of the light emitting element to the concave surface of the lens at the trace of the shortest distance at which the light emitted from the center of the light emitting element reaches the predetermined area, N 'is the refractive index in air, and n is the refractive index of the lens.
제1항에 있어서,
상기 렌즈의 굴절률은 1.41 내지 1.53인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And the refractive index of the lens is 1.41 to 1.53.
외관을 형성하는 렌즈하우징; 및
적어도 하나의 하부를 향하여 오목하게 구비되는 오목면;을 포함하고,
상기 오목면은 상기 렌즈하우징의 하부면상에 배치되는 발광소자에서 발광한 광이 소정 영역에 집광되는 곡률반경을 갖는 렌즈.
A lens housing forming an appearance; And
And a concave surface that is concave toward at least one lower portion,
Wherein the concave surface has a radius of curvature in which the light emitted from the light emitting device disposed on the lower surface of the lens housing is condensed in a predetermined area.
제6항에 있어서,
상기 렌즈의 상기 오목면은 아래의 수식에 의해 정해지는 렌즈.
Figure pat00006

상기 수식에서, a는 상기 발광소자의 중심에서 방출된 광이 상기 소정 영역에 도달하는 최단 거리의 자취에서 상기 발광소자의 상부면에서 렌즈의 오목면까지 도달하는 광 경로의 길이, b는 렌즈의 오목면에서 상기 소정 영역까지 도달하는 광 경로의 길이, n'은 공기중의 굴절률 및 n은 상기 렌즈의 굴절률이다.
The method according to claim 6,
Wherein the concave surface of the lens is determined by the following equation.
Figure pat00006

Where a is the length of the optical path from the top surface of the light emitting element to the concave surface of the lens at the trace of the shortest distance at which the light emitted from the center of the light emitting element reaches the predetermined area, N 'is the refractive index in air, and n is the refractive index of the lens.
제7항에 있어서,
상기 렌즈의 굴절률은 1.41 내지 1.53인 렌즈.
8. The method of claim 7,
Wherein the refractive index of the lens is 1.41 to 1.53.
바텀 샤시;
상기 바텀 샤시와 대향하여 배치되는 광학시트
구동기판;
상기 구동기판 상에 배치되는 적어도 하나 이상의 발광소자; 및
상기 적어도 하나 이상의 발광소자에서 방출된 광을 제어하는 복수 개의 광학부재를 포함하고,
상기 광학부재는,
상기 발광소자에서 방출된 광을 소정 영역으로 집광시키는 적어도 하나의 오목면을 포함하는 렌즈를 포함하는 디스플레이 장치.
Bottom chassis;
An optical sheet disposed opposite to the bottom chassis,
A driving substrate;
At least one light emitting element disposed on the driving substrate; And
And a plurality of optical members for controlling light emitted from the at least one light emitting element,
Wherein the optical member comprises:
And a lens including at least one concave surface for condensing the light emitted from the light emitting device into a predetermined area.
제9항에 있어서,
상기 렌즈의 상기 오목면은 아래의 수식에 의해 정해지는 디스플레이 장치.
Figure pat00007

상기 수식에서, a는 상기 발광소자의 중심에서 방출된 광이 상기 소정 영역에 도달하는 최단 거리의 자취에서 상기 발광소자의 상부면에서 렌즈의 오목면까지 도달하는 광 경로의 길이, b는 렌즈의 오목면에서 상기 소정 영역까지 도달하는 광 경로의 길이, n'은 공기중의 굴절률 및 n은 상기 렌즈의 굴절률이다.
10. The method of claim 9,
Wherein the concave surface of the lens is determined by the following equation.
Figure pat00007

Where a is the length of the optical path from the top surface of the light emitting element to the concave surface of the lens at the trace of the shortest distance at which the light emitted from the center of the light emitting element reaches the predetermined area, N 'is the refractive index in air, and n is the refractive index of the lens.
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