KR20140023684A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20140023684A
KR20140023684A KR1020120089937A KR20120089937A KR20140023684A KR 20140023684 A KR20140023684 A KR 20140023684A KR 1020120089937 A KR1020120089937 A KR 1020120089937A KR 20120089937 A KR20120089937 A KR 20120089937A KR 20140023684 A KR20140023684 A KR 20140023684A
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송윤수
문연태
도형석
김낙훈
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

Provided is a light emitting device package comprising a first lead frame and a second lead frame which are separated each other electrically and a light emitting element coupled electrically to the first lead frame and the second lead frame, wherein the light emitting element is arranged to face the first lead frame and the second lead frame is arranged to face three or more light emitting elements.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as a light emitting diode (LD) or a laser diode using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors are widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 발광소자 패키지에는 발광소자에서 방출된 빛에 의하여 형광체가 여기되어 활성층에서 방출된 빛보다 장파장 영역의 빛을 방출할 수 있다.In the light emitting device, electrons injected through the first conductive type semiconductor layer and holes injected through the second conductive type semiconductor layer meet each other to emit light having energy determined by a specific energy band of the material forming the active layer (light emitting layer) do. In the light emitting device package, the phosphor is excited by the light emitted from the light emitting device to emit light in a longer wavelength range than the light emitted from the active layer.

도 1은 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device package.

종래의 발광소자 패키지(100)는 기판(110) 상에 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)이 배치되고, 제1 리드 프레임(121) 위에 도전성 접착층(150)을 통하여 발광소자(150)가 배치된다.A conventional light emitting device package 100 includes a first lead frame 121 and a second lead frame 122 disposed on a substrate 110 and a light emitting layer Device 150 is disposed.

발광소자(150)는 도전성 접착층(140)을 통하여 제1 리드 프레임(121)과 전기적으로 연결되고, 와이어(160)을 통하여 제2 리드 프레임(122)과 전기적으로 연결된다.The light emitting device 150 is electrically connected to the first lead frame 121 through the conductive adhesive layer 140 and electrically connected to the second lead frame 122 through the wire 160.

발광소자(150)의 표면에는 형광체층(170)이 코팅되어, 발광소자(150)에서 바출된 제1 파장 영역의 빛을 제2 파장 영역의 빛으로 변환할 수 있다. 발광소자(150) 등을 둘러싸고 렌즈(180)가 배치되어, 발광소자(150)에서 방출되는 빛의 광출사각을 조절할 수 있다.The phosphor layer 170 is coated on the surface of the light emitting device 150 to convert light in the first wavelength range emitted from the light emitting device 150 into light in the second wavelength range. The lens 180 is disposed to surround the light emitting device 150 and the like and the light emitting angle of the light emitted from the light emitting device 150 can be adjusted.

도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 리드 프레임과 발광소자의 배치를 나타낸 도면이다.2 is a view showing the arrangement of a lead frame and a light emitting device in the light emitting device package of FIG.

제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)의 단면적이 다르며, 제1 리드 프레임(121)이 제2 리드 프레임(122)의 3개 면을 둘러싸며 배치되고 있다. 발광소자(150)의 1개 면의 길이는 제2 리드 프레임(122)의 1개 면의 길이와 비슷하거나 동일할 수 있으며, 서로 대응되며 배치되고 있다. 제2 리드 프레임(122)은 2개의 와이어(160)로 발광소자(150)와 전기적으로 배치되고 있으며, 다른 와이어(165)로 제너 다이오드(190)와 전기적으로 연결되고 있다.Sectional shapes of the first lead frame 121 and the second lead frame 122 are different from each other and the first lead frame 121 is disposed so as to surround three surfaces of the second lead frame 122. The length of one surface of the light emitting element 150 may be equal to or the same as the length of one surface of the second lead frame 122, and they are arranged corresponding to each other. The second lead frame 122 is electrically connected to the light emitting device 150 by two wires 160 and is electrically connected to the zener diode 190 by another wire 165.

그러나, 종래의 발광소자 패키지는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional light emitting device package has the following problems.

도시된 바와 같이 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 면적이 크게 다르므로, 발광소자의 구동시에 특히 제1 리드 프레임은 발광소자로부터 전달된 열에 의하여 응력에 의하여 기판으로부터 일부가 이탈될 수 있다. 특히, 제2 리드 프레임의 양쪽에 연장되어 배치된 제1 리드 프레임의 가장 자리는 상술한 응력 발생이 더 클 수 있다.As shown, since the areas of the first lead frame and the second lead frame are largely different, part of the first lead frame can be separated from the substrate by stress due to the heat transferred from the light emitting element, particularly at the time of driving the light emitting element. In particular, the edge of the first lead frame extended on both sides of the second lead frame may cause the aforementioned stress generation to be larger.

또한, 제너 다이오드에 연결되는 와이어의 길이를 감소시키기 위하여, 제너 다이오드를 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 사이의 영역에 가깝게 배치하여야 한다.Further, in order to reduce the length of the wire connected to the zener diode, the zener diode should be disposed close to the area between the first lead frame and the second lead frame.

실시예는 발광소자 패키지의 구동시 발광소자로부터 발생하는 열 등에 의하여 리드 프레임이 기판으로부터 분리되는 것을 방지하고자 한다.The embodiment attempts to prevent the lead frame from being separated from the substrate due to heat generated from the light emitting element when the light emitting device package is driven.

실시예는 서로 전기적으로 분리된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및 상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제1 리드 프레임과 면접하며 배치되고, 상기 제2 리드 프레임은 상기 발광소자의 적어도 3개 면과 마주보고 배치되는 발광소자 패키지를 제공한다.An embodiment includes a first lead frame and a second lead frame electrically separated from each other; And a light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, wherein the light emitting element is disposed in contact with the first lead frame, and the second lead frame includes at least three light emitting elements Emitting device package.

제2 리드 프레임은 상기 발광소자의 제1 면의 전 영역을 마주보고, 상기 제1 면과 인접한 제2 면 및 제3 면의 일부 영역과 마주보고 배치될 수 있다.The second lead frame may face the entire area of the first surface of the light emitting device, and may face the second surface and a part of the third surface adjacent to the first surface.

발광소자 패키지는 제1 리드 프레임 상에 배치된 제너 다이오드를 더 포함할 수 있다.The light emitting device package may further include a zener diode disposed on the first lead frame.

제너 다이오드는 상기 발광소자의 제2 면과 마주 보고 배치될 수 있다.The zener diode may be disposed facing the second surface of the light emitting device.

제너 다이오드는, 상기 발광소자의 제2 면과 마주보는 상기 제2 리드 프레임과 대응하여 배치될 수 있다.The zener diode may be disposed corresponding to the second lead frame facing the second surface of the light emitting element.

제너 다이오드와 상기 발광소자의 제1 면 간의 거리는, 상기 제너 다이오드와 상기 발광소자의 제4 면과의 거리보다 크고, 발광소자의 제1 면과 제4 면은 서로 마주볼 수 있다.The distance between the zener diode and the first surface of the light emitting device is larger than the distance between the zener diode and the fourth surface of the light emitting device and the first and fourth surfaces of the light emitting device can face each other.

제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임을 전기적으로 분리하는 영역은, 상기 발광소자의 얼라인(align) 영역일 수 있다.The region where the first lead frame and the second lead frame are electrically separated may be an align region of the light emitting element.

얼라인 영역은, 상기 발광소자의 제1 면과, 상기 제1 면과 인접한 제2 면 및 제3 면의 얼라인 영역일 수 있다.The alignment region may be a first surface of the light emitting element and an alignment region of a second surface and a third surface adjacent to the first surface.

제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임은 세라믹 기판 위에 배치되고, 상기 얼라인 영역은 상기 세라믹 기판이 노출될 수 있다.The first lead frame and the second lead frame are disposed on the ceramic substrate, and the alignment region can expose the ceramic substrate.

제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 금 도금으로 배치될 수 있다.At least one of the first lead frame and the second lead frame may be arranged by gold plating.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 면적이 종래에 비하여 크게 차이가 나지 않으므로, 구동시에 발광소자로부터 전달된 열이 하나의 리드 프레임에 집중적으로 전달되지 않으므로 리드 프레임이 응력에 의하여 하부의 기판으로부터 이탈되지 않을 수 있다.Since the areas of the first lead frame and the second lead frame are not significantly different from each other in the light emitting device package according to the present embodiment, the heat transferred from the light emitting element at the time of driving is not transmitted intensively to one lead frame The lead frame may not be separated from the underlying substrate by stress.

도 1은 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고,
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 리드 프레임과 발광소자의 배치를 나타낸 도면이고,
도 3은 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 4는 도 3의 발광소자 패키지의 리드 프레임과 발광소자의 배치를 나타낸 도면이고,
도 5는 도 3의 발광소자 패키지의 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 6a는 도 4의 리드 프레임의 배치를 구체적으로 나타낸 도면이고,
도 6b는 도 6a의 리드 프레임과 렌즈의 배치를 나타낸 도면이고,
도 7은 도 4의 리드 프레임의 배면을 나타낸 도면이고,
도 8은 도 4의 리드 프레임과 제너 다이오드의 배치를 나타낸 도면이고,
도 9는 발광소자가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 10은 발광소자가 배치된 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a conventional light emitting device package,
FIG. 2 is a view showing the arrangement of a lead frame and a light emitting device in the light emitting device package of FIG. 1,
3 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device package,
FIG. 4 is a view showing the arrangement of a lead frame and a light emitting device in the light emitting device package of FIG. 3,
5 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device of the light emitting device package of FIG. 3,
FIG. 6A is a diagram specifically showing the arrangement of the lead frame of FIG. 4,
FIG. 6B is a view showing the arrangement of the lead frame and the lens of FIG. 6A,
FIG. 7 is a view showing the rear surface of the lead frame of FIG. 4,
FIG. 8 is a view showing the arrangement of the lead frame and the Zener diode of FIG. 4,
9 is a view showing an embodiment of a lighting apparatus in which a light emitting element is disposed,
10 is a view showing an embodiment of a video display device in which light emitting devices are arranged.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도 3은 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.3 is a view showing an embodiment of a light emitting device package.

실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 기판(210)과 기판 상에 배치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 221) 및 제2 리드 프레임(222)과, 상기 제1 리드 프레임(221)에 도전성 접착층(240)을 통하여 고정되는 발광소자(250)를 포함하여 이루어진다.The light emitting device package 200 according to the embodiment includes a substrate 210, a first lead frame 221 and a second lead frame 222 disposed on the substrate, And a light emitting element 250 fixed through the conductive adhesive layer 240.

기판(210)은 열전도성이 우수한 세라믹 물질로 이루어질 수 있으며 일예로서 가로와 세로의 길이가 각각 3.4 밀리미터인 정사각형 형상의 사파이어(Al2O3)일 수 있고 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)은 구리 등의 도전성 물질로 이루어질 수 있으며 일 예로 금(Au)을 도금하여 배치할 수 있다. 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)은 발광소자(250)에서 방출된 빛을 반사시킬 수도 있다.The substrate 210 may be made of a ceramic material having excellent thermal conductivity. For example, the substrate 210 may be a square sapphire (Al 2 O 3 ) having a length of 3.4 mm and a length of 3.4 mm. The first lead frame 221 and the second The lead frame 222 may be made of a conductive material such as copper, and may be formed by plating gold (Au), for example. The first lead frame 221 and the second lead frame 222 may reflect light emitted from the light emitting device 250.

발광소자(250)는 발광 다이오드 등이 배치될 수 있는데, 와이어(260)를 통하여 제2 리드 프레임(222)과 전기적으로 연결될 수 있다. 와이어(260)는 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 지름 0.8 내지 1.6 밀리미터 정도의 금(Au)으로 이루어질 수 있다. 와이어(260)가 너무 얇으면 외력에 의하여 절단될 수 있으며, 너무 두꺼우면 재료비가 감소하고 발광소자(250)에서 방출되는 빛이 진행에 장애물이 될 수 있다. 본 실시예에서는 수직형 발광소자가 배치되고 있으나, 수평형 발광소자나 플립 칩 타입의 발광소자가 배치될 수도 있다.The light emitting device 250 may include a light emitting diode or the like, and may be electrically connected to the second lead frame 222 through the wire 260. The wire 260 may be made of a conductive material and may be made of gold (Au) having a diameter of about 0.8 to 1.6 millimeters. If the wire 260 is too thin, it can be cut by an external force. If the wire 260 is too thick, the material cost is reduced and the light emitted from the light emitting device 250 can be an obstacle to the progress. In this embodiment, a vertical light emitting device is disposed, but a horizontal light emitting device or a flip chip type light emitting device may be disposed.

발광소자(250) 위에는 형광체층(270)이 컨포멀 코팅(conformal coating) 방식으로 배치되어 일정한 두께로 배치되고 있으며, 발광소자(250) 등을 둘러싸고 렌즈(280)가 배치되고 있다. 렌즈(280)는 돔(dome) 타입으로 이루어질 수 있는데, 발광소자 패키지(200)의 광출사각을 조절하기 위하여 다른 형상으로 배치될 수도 있다.A phosphor layer 270 is disposed on the light emitting device 250 in a conformal coating manner and has a predetermined thickness and a lens 280 is disposed to surround the light emitting device 250 and the like. The lens 280 may be of a dome type and may be arranged in a different shape to adjust the light output angle of the light emitting device package 200.

렌즈(280)는 발광소자(200)를 포위하여 보호하는 몰딩부로 작용할 수 있으며, 형광체층(270)은 발광소자(250)에서 방출된 제1 파장 영역의 광을 제2 파장 영역의 광으로 변환할 수 있다.The lens 280 may function as a molding part that surrounds and protects the light emitting device 200. The phosphor layer 270 converts the light of the first wavelength range emitted from the light emitting device 250 into light of the second wavelength range can do.

기판(210)의 배면에는 3개의 패드(231, 232, 233)가 배치되는데, 제1 패드(231)와 제2 패드(232)는 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)이 기판(210)을 관통하여 배치될 수 있다. 상술한 제1 패드 내지 제3 패드(231~233)은 열전도성이 우수한 물질로 이루어지고 기판(210)의 하부에 배치되어, 발광소자 패키지(200)를 하우징 등에 고정하고 열을 방출시키는 경로로 작용할 수 있다.The first pad 231 and the second pad 232 are connected to the first lead frame 221 and the second lead frame 222. The first and second pads 231, May be disposed through the substrate 210. The first to third pads 231 to 233 are formed of a material having a high thermal conductivity and disposed under the substrate 210 so as to fix the light emitting device package 200 to the housing, Lt; / RTI >

도 4는 도 3의 발광소자 패키지의 리드 프레임과 발광소자의 배치를 나타낸 도면이다.4 is a view showing the arrangement of a lead frame and a light emitting device in the light emitting device package of FIG.

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)에서 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)이 서로 전기적으로 분리되고 있으며, 발광소자(250)가 제1 리드 프레임(221) 상에 배치되고 있으며, 발광소자(250)과 제2 리드 프레임(222)이 와이어(270)로 연결되고 있다. 제너 다이오드(290)가 제1 리드 프레임(221) 상에 배치되고 있으며, 도시되지는 않았으나 제너 다이오드(290)도 와이어로 연결될 수 있다. 제2 리드 프레임(222)이 제1 리드 프레임(221) 방향으로 일부가 돌출되어 배치됨에 따라, 제너 다이오드(290)가 종래에 비하여 발광소자(250)의 우측 방향으로 배치되더라도 와이어의 길이가 증가하지 않을 수 있다.The first lead frame 221 and the second lead frame 222 are electrically separated from each other in the light emitting device package 200 according to the present embodiment and the light emitting device 250 is mounted on the first lead frame 221 And the light emitting element 250 and the second lead frame 222 are connected to each other by a wire 270. A zener diode 290 is disposed on the first lead frame 221, and although not shown, a zener diode 290 may also be connected by a wire. The second lead frame 222 is partially protruded in the direction of the first lead frame 221 so that the length of the wire is increased even if the zener diode 290 is arranged in the right direction of the light emitting element 250 I can not.

제1 리드 프레임(221) 위에 발광소자(250)는 면접하며 배치될 수 있으며, 제2 리드 프레임(222)은 발광소자(250)의 적어도 3개의 면과 마주보고 배치될 수 있다. 즉, 도 2에서는 제2 리드 프레임(122)이 발광소자(150)의 하나의 면과 마주보나, 본 실시예에서는 3개의 면과 마주보며 이러한 차이는 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 배치의 차이와 관련이 있다.The light emitting device 250 may be arranged to face the first lead frame 221 and the second lead frame 222 may be disposed to face at least three faces of the light emitting device 250. That is, in FIG. 2, the second lead frame 122 faces the one surface of the light emitting device 150, but faces three surfaces in this embodiment. The difference is that the first and second lead frames 221 and 222, And the like.

도 5는 도 3의 발광소자 패키지의 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.5 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device of the light emitting device package of FIG.

본 실시예에 따른 발광소자(250)는 수직형 발광소자이며, 발광 구조물(252)은 제1 도전형 반도체층(252a)과 제2 도전형 반도체층(252c) 및 제1 도전형 반도체층(252a)과 제2 도전형 반도체층(252c) 사이에 배치된 활성층(252b)을 포함하여 이루어진다.The light emitting device 250 according to the present embodiment is a vertical type light emitting device and the light emitting structure 252 includes a first conductivity type semiconductor layer 252a, a second conductivity type semiconductor layer 252c, and a first conductivity type semiconductor layer And an active layer 252b disposed between the first conductive semiconductor layer 252a and the second conductive semiconductor layer 252c.

제1 도전형 반도체층(252a)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(252a)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(252a)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductive semiconductor layer 252a may be formed of a semiconductor compound. The first conductive semiconductor layer 252a may be formed of a compound semiconductor such as a group III-V element, a group II-VI element, or the like, and the first conductive type dopant may be doped. When the first conductive semiconductor layer 252a is an N-type semiconductor layer, the first conductive dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an N-type dopant.

제1 도전형 반도체층(252a)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(252a)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 252a includes a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? can do. The first conductive semiconductor layer 252a may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

상기 발광 구조물(252)의 표면, 즉 제1 도전형 반도체층(252a)의 표면에는 요철이 형성되어 광추출 효과를 증가시킬 수 있다.The surface of the light emitting structure 252, that is, the surface of the first conductivity type semiconductor layer 252a, may have irregularities to increase the light extracting effect.

제1 도전형 반도체층(252a)의 표면에는 제1 전극(258)이 배치될 수 있는데, 제1 전극(258)은 도전성 물질로 이루어질 수 있고, 구체적으로 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 258 may be formed of a conductive material such as aluminum (Al), titanium (Ti), or the like. The first electrode 258 may be formed on the surface of the first conductive semiconductor layer 252a. Layer structure including at least one of chrome (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au).

활성층(252a)은 제1 도전형 반도체층(252a)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(252c)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(252b)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.Electrons injected through the first conductive type semiconductor layer 252a and holes injected through the second conductive type semiconductor layer 252c to be formed later are brought into mutual contact with each other to form the active layer 252a so that the intrinsic energy of the material constituting the active layer 252b It is a layer that emits light with energy determined by the band.

활성층(252b)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(120)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 252b may be a double heterojunction structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure Or at least one of them may be formed. For example, the active layer 120 may be formed with multiple quantum well structures by injecting trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

활성층(252b)의 우물층/장벽층은 예를 들어, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InAlGaN/InAlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 좁은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer / barrier layer of the active layer 252b may be formed of a material selected from the group consisting of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, InAlGaN / InAlGaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP But it is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a bandgap narrower than the bandgap of the barrier layer.

활성층(252b)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층의 장벽층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 가지는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer 252b. The conductive clad layer may be formed of a semiconductor having a band gap wider than the band gap of the barrier layer of the active layer. For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, superlattice structure, or the like. Further, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

제2 도전형 반도체층(252c)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(252c)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(252c)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 252c may be formed of a semiconductor compound. The second conductivity type semiconductor layer 252c may be formed of a compound semiconductor such as Group 3-Group 5, Group 2-Group 6, or the like, and may be doped with a second conductivity type dopant. For example, it may include a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? When the second conductive semiconductor layer 252c is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a P-type dopant.

상술한 발광 구조물(252)의 주변에는 패시베이션층(259)이 배치될 수 있다. 패시베이션층(259)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(259)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.A passivation layer 259 may be disposed around the above-described light emitting structure 252. The passivation layer 259 may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of a non-conductive oxide or nitride. As an example, the passivation layer 259 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer.

본 실시예에서 제1 도전형 반도체층(252a)은 N형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(252c)은 P형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(252c) 위에는 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 제2 도전형 반도체층이 P형 반도체층일 경우 N형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.In this embodiment, the first conductivity type semiconductor layer 252a may be an N-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 252c may be a P-type semiconductor layer. An N-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductive type semiconductor layer 252c when the semiconductor having the opposite polarity to the second conductive type, for example, the second conductive type semiconductor layer is a P-type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure can be implemented by any one of an N-P junction structure, a P-N junction structure, an N-P-N junction structure, and a P-N-P junction structure.

그리고, 제2 도전형 반도체층(252c)에는 오믹층(253)과 반사층(254)과 접합층(255) 및 도전성 지지기판(256)이 배치되어 제2 전극으로 작용할 수 있다.The ohmic layer 253, the reflective layer 254, the bonding layer 255, and the conductive supporting substrate 256 may be disposed on the second conductive semiconductor layer 252c to serve as a second electrode.

제2 도전형 반도체층(252c)의 아래에는 오믹층(253)과 반사층(254)이 배치될 수 있다. 오믹층(253)은 제2 도전형 반도체층(252c) 등과 반사층(254) 등의 컨택 특성을 향상시킬 수 있다.The ohmic layer 253 and the reflective layer 254 may be disposed under the second conductive semiconductor layer 252c. The ohmic layer 253 can improve the contact characteristics of the second conductive type semiconductor layer 252c and the reflective layer 254 and the like.

오믹층(253)은 약 200 옹스트롱의 두께일 수 있다. 오믹층(253)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 253 may have a thickness of about 200 Angstroms. The ohmic layer 253 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide ), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON (IZO nitride), AGZO (Al- Ga ZnO), IGZO , NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Au, and Hf, and is not limited to such a material.

반사층(254)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(224)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.The reflective layer 254 may be composed of a metal layer comprising aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy containing Al, Ag, Pt or Rh . Aluminum, silver, or the like can effectively reflect the light generated in the active layer 224, thereby greatly improving the light extraction efficiency of the light emitting device.

지지 기판(256)은 도전성 물질 또는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 지지 기판(256)이 도전성 물질로 이루어질 경우, 금속 또는 반도체 물질등으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The supporting substrate 256 may be made of a conductive material or an insulating material. When the support substrate 256 is made of a conductive material, the support substrate 256 may be formed of a metal or a semiconductor material, for example, molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu) (Au), a copper alloy (Cu Alloy), a nickel (Ni), a copper-tungsten (Cu-W), a carrier wafer (e.g., a GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3 , etc.), and the like may optionally be included.

반사층(254)은 접합층(255)을 통하여 도전성 지지 기판(256)과 결합할 수 있는데, 접합층(225)은 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.The reflective layer 254 may be bonded to the conductive supporting substrate 256 through the bonding layer 255. The bonding layer 225 may be formed of gold (Au), tin (Sn), indium (In) A material selected from the group consisting of silicon (Si), silver (Ag), nickel (Ni) and copper (Cu), or an alloy thereof.

도 6a는 도 4의 리드 프레임의 배치를 구체적으로 나타낸 도면이고, 도 6b는 도 6a의 리드 프레임과 렌즈의 배치를 나타낸 도면이다.FIG. 6A is a view showing the arrangement of the lead frame in FIG. 4 in detail, and FIG. 6B is a view showing the arrangement of the lead frame and the lens in FIG. 6A.

도 6a에서, 기판(210)의 가로의 길이(a)와 세로의 길이(f)는 각각 3.4 밀리미터로 동일할 수 있다. 그리고, 제1 리드 프레임(221)의 가장 자리와 제2 리드 프레임(222)의 가장 자리 간의 최대 거리(b)는 3.1 밀리미터일 수 있다. 제1 리드 프레임(221)의 폭(d)은 1. 47 밀리미터일 수 있고, 제2 리드 프레임(222)의 폭(c)은 1.48 밀리미터로, 제1 리드 프레임(221)의 폭(d)이 제2 리드 프레임(222)의 폭(c)보다 좁을 수 있으며, 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222) 사이의 거리(e)는 0.15 밀리미터일 수 있다.In Fig. 6A, the length a and the length f of the substrate 210 may be equal to 3.4 millimeters, respectively. The maximum distance b between the edge of the first lead frame 221 and the edge of the second lead frame 222 may be 3.1 millimeters. The width d of the first lead frame 221 may be 1.47 millimeters and the width c of the second lead frame 222 may be 1.48 millimeters so that the width d of the first lead frame 221, May be narrower than the width c of the second lead frame 222 and the distance e between the first lead frame 221 and the second lead frame 222 may be 0.15 millimeters.

그리고, 제2 리드 프레임(222)이 함몰된 영역의 폭(g)은 1.9 밀리미터일 수 있고, 제1 리드 프레임(221)이 돌출된 영역의 폭(h)은 1.6 밀리미터일 수 있다. 상술한 거리 0.15 밀리미터는 도 6a의 'B' 영역의 폭일 수 있다.The width g of the region where the second lead frame 222 is recessed may be 1.9 mm and the width h of the region where the first lead frame 221 is protruded may be 1.6 mm. The distance 0.15 mm described above may be the width of the 'B' region of FIG. 6A.

발광소자는 제1 리드 프레임(221)의 돌출된 영역과 반대 방향의 2개의 얼라인 마크(C1, C2)에 의하여 얼라인(align)될 수 있다. 또한, 'B' 영역에 의하여도 발광소자(미도시)의 가장 자리를 얼라인시킬 수 있는데, 상술한 'B' 영역은 도 8에서 발광소자(250)의 제1 면(250a)과 제2 면(250b) 및 제3 면(250c)을 얼라인시킬 수 있다. 상술한 얼라인 마크(C1, C2)의 폭(i)은 0.1 밀리미터일 수 있다.The light emitting element can be aligned by two alignment marks C1 and C2 opposite to the protruding area of the first lead frame 221. [ In addition, the edge of the light emitting device (not shown) can be aligned by the 'B' region. The 'B' region described above corresponds to the first face 250a of the light emitting device 250, The surface 250b and the third surface 250c can be aligned. The width (i) of the alignment marks C1 and C2 described above may be 0.1 millimeter.

제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)에는 각각 2개씩의 비아 홀(F1, F2, F3, F4)가 배치되어 기판(210)의 하부에 배치될 수 있는 도전성 패드들과 제1,2 리드 프레임(221, 222)이 각각 전기적으로 연결될 수 있도록 할 수 있다.Two via holes F1, F2, F3 and F4 are disposed in the first lead frame 221 and the second lead frame 222 to form conductive pads which can be disposed below the substrate 210, The first and second lead frames 221 and 222 can be electrically connected to each other.

제1 리드 프레임(221)의 가장 자리에는 얼라인 마크(E)가 배치되어, 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)의 극성을 구분할 수 있다.An alignment mark E is disposed at the edge of the first lead frame 221 to distinguish the polarities of the first and second lead frames 221 and 222 from each other.

도 6b에서 렌즈의 윤곽을 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)에 대비하여 도시하고 있다. 렌즈의 내측 윤곽(280a)은 발광소자(미도시)보다 가장 자리에 배치되어야 하며, 본 실시예에서는 얼라인 마크(C1, C2)의 가장 자리와 렌즈의 내측 윤곽(280a)가 접하고 있다. 렌즈의 외측 윤곽(280b)은, 렌즈의 내측 윤곽(280a)보다 외곽에 배치되며 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)의 가장 자리보다 안쪽에 배치될 수 있다.In Fig. 6B, the outline of the lens is shown for the first lead frame 221 and the second lead frame 222 in comparison. The inner contour 280a of the lens should be disposed at the edge of the light emitting element (not shown). In this embodiment, the edge of the alignment marks C1 and C2 and the inner contour 280a of the lens are in contact with each other. The outer contour 280b of the lens can be disposed outside the inner contour 280a of the lens and disposed inside the edge of the first lead frame 221 and the second lead frame 222. [

도 6a와 도 6b에서 얼라인 마크(E)나 비아 홀(F1, F2, F3, F4) 등에서는 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)의 하부에 배치된 기판이 노출되고 있다.6A and 6B, the substrate disposed under the first lead frame 221 and the second lead frame 222 is exposed in the alignment mark E, the via holes F1, F2, F3, F4 and the like have.

도 7은 도 4의 리드 프레임의 배면을 나타낸 도면이다. 기판(210)의 하부에서도 가로의 길이(a)와 세로의 길이(f)는 각각 3.4 밀리미터일 수 있다. 제1 패드(231)의 폭(k)은 0.4 밀리미터일 수 있고, 제1 패드(231)와 제2 패드(232) 간의 거리는 2.2 밀리미터일 수 있다. 제1 패드(231) 제1 리드 프레임과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 패드(232)는 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결될 수 있으며, 제3 패드(235)는 방열을 위한 부재로 작용할 수 있다.Fig. 7 is a view showing the rear surface of the lead frame of Fig. 4; The width a and the length f of the substrate 210 may be 3.4 millimeters, respectively. The width k of the first pad 231 may be 0.4 millimeters and the distance between the first pad 231 and the second pad 232 may be 2.2 millimeters. The first pad 231 may be electrically connected to the first lead frame, the second pad 232 may be electrically connected to the second lead frame, and the third pad 235 may serve as a member for heat dissipation .

도 8은 도 4의 리드 프레임과 제너 다이오드의 배치를 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a view showing the arrangement of the lead frame and the Zener diode of FIG. 4;

도 8에서 제2 리드 프레임(222)의 3개의 면(222a, 222b, 222c)은 발광소자(250)의 3개의 면(250a, 250b, 250c)과 마주보고 배치되는데, 이러한 배치는 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)의 상술한 배치 때문에 가능하다. 제2 리드 프레임(222)의 하나의 면(222a)이 발광소자(250)의 제1 면(250a)의 전 영역을 마주보고 있으나, 제2 리드 프레임(222)의 다른 2개의 면(222b, 222c)은 발광소자(250)의 제2 면(250b)과 제3 면(250c)의 일부 영역과 마주보고 배치될 수 있다.The three faces 222a, 222b and 222c of the second lead frame 222 are arranged facing three faces 250a, 250b and 250c of the light emitting element 250, This is possible due to the above-mentioned arrangement of the frame 221 and the second lead frame 222. One surface 222a of the second lead frame 222 faces the entire area of the first surface 250a of the light emitting device 250 but the other two surfaces 222b, 222c may be disposed facing the second surface 250b of the light emitting device 250 and a part of the third surface 250c.

제1 리드 프레임(221) 상에 제너 다이오드(290)가 배치되는데, 제너 다이오드(290)는 제1 리드 프레임(221)의 제2 면(250b)과 마주보고 배치될 수 있다. 그리고, 제너 다이오드(290)는, 발광소자(250)의 제2 면(250b)과 마주보는 제2 리드 프레임(222)의 일부 영역과 대응하며 배치되고 있다.A zener diode 290 is disposed on the first lead frame 221 and the zener diode 290 can be disposed facing the second surface 250b of the first lead frame 221. [ The zener diode 290 corresponds to a part of the second lead frame 222 facing the second surface 250b of the light emitting element 250. [

그리고, 제너 다이오드(290)와 발광소자(250)의 제1 면(250a) 간의 거리는 제너 다이오드(250)와 발광소자(250)의 제4 면(250d)과의 거리보다 클 수 있는데, 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222)의 도시된 구조로 인하여, 제너 다이오드(290)가 도 8에서 발광소자(250)의 중앙보다 우측으로 치우쳐 배치되기 때문이다.The distance between the Zener diode 290 and the first surface 250a of the light emitting device 250 may be greater than the distance between the Zener diode 250 and the fourth surface 250d of the light emitting device 250, This is because the zener diode 290 is biased to the right of the center of the light emitting element 250 in FIG. 8 due to the illustrated structure of the lead frame 221 and the second lead frame 222.

상술한 발광소자 패키지는, 상술한 배치로 인하여 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 면적이 종래에 비하여 크게 차이가 나지 않으므로, 구동시에 발광소자로부터 전달된 열이 하나의 리드 프레임에 집중적으로 전달되지 않으므로 리드 프레임이 응력에 의하여 하부의 기판으로부터 이탈되지 않을 수 있다.Since the area of the first lead frame and the area of the second lead frame do not greatly differ from each other due to the above arrangement, the heat transferred from the light emitting element to the one lead frame The lead frame may not be separated from the lower substrate by stress.

발광소자 패키지는 상술한 실시예들에 따른 발광소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package may be mounted as one or a plurality of light emitting devices according to the embodiments described above, but the present invention is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. 이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 헤드 램프와 백라이트 유닛을 설명한다.A plurality of light emitting device packages according to embodiments may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. Still another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, a lighting system including the semiconductor light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp, a streetlight . Hereinafter, a head lamp and a backlight unit will be described as an embodiment of an illumination system in which the above-described light emitting device package is disposed.

도 9는 발광소자 패키지를 포함하는 헤드 램프의 일실시예를 나타낸 도면이다.9 is a view showing an embodiment of a headlamp including a light emitting device package.

실시예에 따른 헤드 램프(400)는 발광소자 패키지가 배치된 발광소자 모듈(401)에서 방출된 빛이 리플렉터(402)와 쉐이드(403)에서 반사된 후 렌즈(404)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.The light emitted from the light emitting device module 401 in which the light emitting device package is disposed is reflected by the reflector 402 and the shade 403 and then transmitted through the lens 404 to the front of the vehicle body You can head.

상술한 바와 같이, 상기 발광소자 모듈(401)에 사용되는 발광소자 패키지는, 상술한 배치로 인하여 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 면적이 종래에 비하여 크게 차이가 나지 않으므로, 구동시에 발광소자로부터 전달된 열이 하나의 리드 프레임에 집중적으로 전달되지 않으므로 리드 프레임이 응력에 의하여 하부의 기판으로부터 이탈되지 않을 수 있다.As described above, in the light emitting device package used in the light emitting element module 401, since the area of the first lead frame and the second lead frame is not significantly different from the conventional one due to the above arrangement, The lead frame may not be separated from the lower substrate due to the stress because the heat transferred from the lead frame is not concentrated to one lead frame.

도 10은 발광소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.10 is a view showing an embodiment of a video display device including a light emitting device package.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(500)는 광원 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown in the drawing, the image display apparatus 500 according to the present embodiment includes a light source module, a reflection plate 520 on the bottom cover 510, and a reflection plate 520 disposed in front of the reflection plate 520, A first prism sheet 550 and a second prism sheet 560 disposed in front of the light guide plate 540 and a second prism sheet 560 disposed between the first prism sheet 560 and the second prism sheet 560, A panel 570 disposed in front of the panel 570 and a color filter 580 disposed in the front of the panel 570.

광원 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)는 도 1에서 설명한 바와 같다.The light source module comprises a light emitting device package 535 on a circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 535 is the same as that described with reference to FIG.

바텀 커버(510)는 영상표시장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 can house the components in the image display apparatus 500. The reflective plate 520 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 540 or on the front surface of the bottom cover 510 with a highly reflective material.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and a polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters the light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 530 may be formed of poly methylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). Also, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide display device can be realized.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed on one side of the support film with a translucent and elastic polymer material. The polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film in the first prism sheet 550. This is for evenly distributing the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 constitute an optical sheet, which may be made of other combinations, for example, a microlens array or a combination of a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 570. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 570, a liquid crystal is positioned between glass bodies, and a polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 so that only the red, green, and blue light is transmitted through the panel 570 for each pixel.

본 실시예에 따른 영상표시장치에 배치된 발광소자 패키지는, 상술한 배치로 인하여 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 면적이 종래에 비하여 크게 차이가 나지 않으므로, 구동시에 발광소자로부터 전달된 열이 하나의 리드 프레임에 집중적으로 전달되지 않으므로 리드 프레임이 응력에 의하여 하부의 기판으로부터 이탈되지 않을 수 있다.Since the area of the first lead frame and the area of the second lead frame do not greatly differ from each other due to the above arrangement in the light emitting device package arranged in the video display device according to this embodiment, Is not concentrated on one lead frame, the lead frame may not be separated from the lower substrate by stress.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100, 200: 발광소자 패키지 1110, 210: 기판
121, 221: 제1 리드 프레임 122, 222: 제2 리드 프레임
140: 도전성 접착층 150, 250: 발광소자
160, 165, 260: 와이어 170, 270: 형광체층
180, 280: 렌즈 190, 290: 제너 다이오드
222a, 222b, 222c: (제2 리드 프레임의) 제1면, 제2면, 제3면
231, 232, 235: 제1 패드, 제2 패드, 제3 패드
250a, 250b, 250c, 250d: (발광소자의) 제1 면, 제2 면, 제3 면, 제4 면100, 200: light emitting device package 1110, 210:
121, 221: first lead frame 122, 222: second lead frame
140: conductive adhesive layer 150, 250: light emitting element
160, 165, 260: wire 170, 270: phosphor layer
180, 280: lens 190, 290: zener diode
222a, 222b, 222c: a first surface (of the second lead frame), a second surface, a third surface
231, 232, 235: first pad, second pad, third pad
250a, 250b, 250c, 250d: a first side, a second side, a third side, a fourth side (of the light emitting element)

Claims (10)

서로 전기적으로 분리된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하고,
상기 발광소자는 상기 제1 리드 프레임과 면접하며 배치되고, 상기 제2 리드 프레임은 상기 발광소자의 적어도 3개 면과 마주보고 배치되는 발광소자 패키지.A first lead frame and a second lead frame electrically separated from each other; And
And a light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame,
Wherein the light emitting element is placed in contact with the first lead frame, and the second lead frame is disposed facing at least three surfaces of the light emitting element. 제1 항에 있어서, 상기 제2 리드 프레임은,
상기 발광소자의 제1 면의 전 영역을 마주보고, 상기 제1 면과 인접한 제2 면 및 제3 면의 일부 영역과 마주보고 배치되는 발광소자 패키지.The semiconductor device according to claim 1, wherein the second lead frame
Wherein the light emitting device is disposed facing the entire area of the first surface of the light emitting device and facing the second surface and a part of the third surface adjacent to the first surface. 제2 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임 상에 배치된 제너 다이오드를 더 포함하는 발광소자 패키지.3. The method of claim 2,
And a zener diode disposed on the first lead frame. 제3 항에 있어서,
상기 제너 다이오드는 상기 발광소자의 제2 면과 마주 보고 배치되는 발광소자 패키지.The method of claim 3,
And the Zener diode is disposed facing the second surface of the light emitting device. 제4 항에 있어서, 상기 제너 다이오드는,
상기 발광소자의 제2 면과 마주보는 상기 제2 리드 프레임과 대응하여 배치되는 발광소자 패키지.5. The semiconductor device according to claim 4,
And the second lead frame facing the second surface of the light emitting element. 제3 항에 있어서,
상기 제너 다이오드와 상기 발광소자의 제1 면 간의 거리는, 상기 제너 다이오드와 상기 발광소자의 제4 면과의 거리보다 큰 발광소자 패키지(여기서, 발광소자의 제1 면과 제4 면은 서로 마주본다).The method of claim 3,
Wherein the distance between the zener diode and the first surface of the light emitting device is larger than the distance between the zener diode and the fourth surface of the light emitting device wherein the first surface and the fourth surface of the light emitting device face each other ). 제1 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임을 전기적으로 분리하는 영역은, 상기 발광소자의 얼라인(align) 영역인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the region for electrically separating the first lead frame from the second lead frame is an aligning region of the light emitting element. 제7 항에 있어서, 상기 얼라인 영역은,
상기 발광소자의 제1 면과, 상기 제1 면과 인접한 제2 면 및 제3 면의 얼라인 영역인 발광소자 패키지.8. The method of claim 7,
Wherein the first surface of the light emitting element and the second surface and the third surface adjacent to the first surface are aligned regions. 제7 항 또는 제8 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임은 세라믹 기판 위에 배치되고, 상기 얼라인 영역은 상기 세라믹 기판이 노출되는 발광소자 패키지.9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the first lead frame and the second lead frame are disposed on a ceramic substrate, and the alignment region exposes the ceramic substrate. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임 중 적어도 하나는 금 도금으로 배치된 발광소자 패키지.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein at least one of the first lead frame and the second lead frame is disposed by gold plating.
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