KR101883844B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층;을 포함하고, 상기 반사층은 제1 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A reflective layer positioned in the direction of the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure; And a transparent electrode layer positioned between the second conductivity type semiconductor layer and the reflective layer, wherein the reflective layer includes a first reflective layer, and a second reflective layer positioned at least a part of an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer, .

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

실시예는 발광소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as a light emitting diode (LD) or a laser diode using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors are widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광 다이오드를 포함한 발광소자는 p형 질화물 반도체층의 전기적 특성을 향상시키기 위한 ITO층과, 광추출 특성을 향상시키기 위한 반사층을 포함한다.The light emitting device including the light emitting diode includes an ITO layer for improving the electrical characteristics of the p-type nitride semiconductor layer and a reflective layer for improving the light extraction characteristic.

반사층은 반사 특성이 우수한 물질로 형성되며, Ag의 반사율이 95~98% 정도로 매우 높게 나타나기 때문에 반사층으로서 일반적으로 Ag가 사용된다. The reflective layer is formed of a material having excellent reflection characteristics, and Ag is generally used as the reflective layer because the reflectance of Ag is very high, about 95 to 98%.

그러나, Ag 반사층과 ITO층 간의 부착력이 좋지 못해 Ag 반사층을 전면적으로 적용할 경우 반사층과 ITO층의 계면에서 메탈 필링(metal peeling)이 발생하여 발광소자의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.However, since the adhesion between the Ag reflective layer and the ITO layer is poor, metal peeling occurs at the interface between the reflective layer and the ITO layer when the Ag reflective layer is applied to the entire surface, thereby decreasing the reliability of the light emitting device.

실시예는 발광소자의 신뢰성을 향상시키고자 한다.The embodiment attempts to improve the reliability of the light emitting device.

실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층;을 포함하고, 상기 반사층은 제1 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; A reflective layer positioned in the direction of the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure; And a transparent electrode layer positioned between the second conductivity type semiconductor layer and the reflective layer, wherein the reflective layer includes a first reflective layer, and a second reflective layer positioned at least a part of an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer, .

상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 전극을 더 포함한다.And a first electrode located on the first conductive type semiconductor layer.

상기 제2 반사층은 상기 제1 전극과 적어도 일부 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer may be positioned at least partially corresponding to the first electrode.

상기 제1 도전형 반도체층과 접하는 상기 제1 전극의 일면과 대응하는 상기 발광 구조물의 영역과, 상기 제2 반사층과 대응하는 상기 발광 구조물의 영역이 적어도 일부 중첩될 수 있다.A region of the light emitting structure corresponding to one surface of the first electrode in contact with the first conductivity type semiconductor layer and a region of the light emitting structure corresponding to the second reflective layer may be at least partially overlapped.

상기 제1 반사층은 Ag를 포함할 수 있다.The first reflective layer may include Ag.

상기 제2 반사층은 Ti, Ni, Cr 또는 AgCu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second reflective layer may include at least one of Ti, Ni, Cr, and AgCu.

상기 제1 전극과 대응하여 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 투명 전극층 사이에 위치하는 전류 저지층을 더 포함할 수 있다.And a current blocking layer positioned between the second conductivity type semiconductor layer and the transparent electrode layer in correspondence with the first electrode.

상기 제2 반사층은 상기 전류 저지층과 접하는 상기 투명 전극층의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer may be positioned corresponding to at least part of the region of the transparent electrode layer in contact with the current blocking layer.

상기 발광 구조물의 측면을 둘러싸는 패시베이션층을 더 포함할 수 있다.And a passivation layer surrounding a side surface of the light emitting structure.

상기 제2 반사층은 상기 패시베이션층과 대응하여 위치하는 상기 투명 전극층의 영역 중 적어도 일부 상에 위치할 수 있다.The second reflective layer may be located on at least a part of the region of the transparent electrode layer corresponding to the passivation layer.

상기 발광 구조물의 하부 둘레에 배치되는 채널층을 더 포함할 수 있다.And a channel layer disposed around the lower portion of the light emitting structure.

상기 제2 반사층은 상기 채널층과 접하여 위치하는 상기 투명 전극층의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer may be positioned corresponding to at least a portion of the region of the transparent electrode layer that is in contact with the channel layer.

상기 제2 반사층은 5~20nm의 두께를 가질 수 있다.The second reflective layer may have a thickness of 5 to 20 nm.

상기 제2 반사층은 라인 형상 또는 도트 형상 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The second reflective layer may be formed of at least one of a line shape and a dot shape.

상기 제2 반사층은 상기 투명 전극층과 접하지 않는 영역이 상기 제1 반사층에 의해 둘러싸일 수 있다.And the second reflective layer may be surrounded by the first reflective layer in a region not in contact with the transparent electrode layer.

상기 반사층에 인접하여 지지기판이 위치하고, 상기 반사층과 상기 지지기판 사이에 위치하는 본딩층을 더 포함할 수 있다.And a bonding layer positioned between the reflective layer and the support substrate, the bonding layer being adjacent to the reflective layer.

상기 제2 반사층의 일부가 상기 본딩층과 접할 수 있다.A part of the second reflective layer may be in contact with the bonding layer.

실시예에 따르면 반사층과 투명 전극층 간의 부착력을 강화하여 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment, the adhesion between the reflective layer and the transparent electrode layer can be enhanced to improve the reliability of the light emitting device.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자의 상면도이고,
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 3 및 도 4는 제1 실시예에 따른 발광소자의 상부 단면도이고,
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 6 및 도 7은 제2 실시예에 따른 발광소자의 상부 단면도이고,
도 8은 제3 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 9는 제4 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 10은 제5 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 11은 제6 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 12는 제7 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 13은 제8 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 14는 제9 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 15는 제10 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고,
도 16은 실시예들에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면이고,
도 17은 실시예에 따른 발광소자가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면이고,
도 18은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면이다.1 is a top view of a light emitting device according to the first embodiment,
2 is a side sectional view of the light emitting device according to the first embodiment,
3 and 4 are top cross-sectional views of the light emitting device according to the first embodiment,
5 is a side sectional view of the light emitting device according to the second embodiment,
6 and 7 are top cross-sectional views of the light emitting device according to the second embodiment,
8 is a side sectional view of the light emitting device according to the third embodiment,
9 is a side sectional view of the light emitting device according to the fourth embodiment,
10 is a side sectional view of the light emitting device according to the fifth embodiment,
11 is a side sectional view of the light emitting device according to the sixth embodiment,
12 is a side sectional view of the light emitting device according to the seventh embodiment,
13 is a side sectional view of the light emitting device according to the eighth embodiment,
14 is a side sectional view of the light emitting device according to the ninth embodiment,
15 is a side sectional view of a light emitting device according to the tenth embodiment,
16 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiments,
17 is a view showing an embodiment of a headlamp in which the light emitting device according to the embodiment is disposed,
18 is a view illustrating an exemplary display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물과, 상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층과, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층을 포함하고, 상기 반사층은 제1 반사층 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, And a transparent electrode layer positioned between the second conductive type semiconductor layer and the reflective layer, the reflective layer including a first reflective layer and a transparent electrode layer between the first reflective layer and the transparent electrode layer And a second reflective layer positioned at least in part of the interface of the first reflective layer.

발광 구조물의 제2 도전형 반도체층과 반사층 사이에 투명 전극층이 위치한다. 투명 전극층은 제2 도전형 반도체층의 전기적 특성을 향상시키기 위한 것이다.A transparent electrode layer is located between the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure and the reflective layer. The transparent electrode layer is for improving the electrical characteristics of the second conductivity type semiconductor layer.

투명 전극층은 투광성 전도층으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되지는 않는다.The transparent electrode layer may be formed of a light transmitting conductive layer. For example, the transparent electrode layer may be formed of a material such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide) oxide, IGTO, aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZON nitride, AGZO, Ga 2 O 3, Ga 2 O 3, Ga 2 ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au or Ni / IrOx / Au / ITO.

투명 전극층은 약 10nm의 두께로 형성될 수 있으며, 제작 방법에 따라 약 10%의 공차를 가질 수 있다.The transparent electrode layer may be formed to a thickness of about 10 nm and may have a tolerance of about 10% depending on the manufacturing method.

반사층은 발광 구조물의 활성층에서 생성된 빛을 반사시켜, 발광소자의 내부에서 소멸되는 빛의 양을 줄임으로써, 발광소자의 외부양자효율을 향상시킬 수 있다.The reflective layer reflects light generated in the active layer of the light emitting structure to reduce the amount of light that is extinguished inside the light emitting device, thereby improving the external quantum efficiency of the light emitting device.

반사층은 반사율이 좋은 물질로 형성되며, 제1 반사층 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함한다.The reflective layer is formed of a material having high reflectance and includes a first reflective layer and a second reflective layer positioned at least a part of an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer.

제1 반사층은 Ag를 포함할 수 있다. Ag는 반사율이 95~98% 정도로 매우 좋은 반사 특성을 가진다.The first reflective layer may include Ag. Ag has a reflectance of 95 to 98%, which is very good.

제1 반사층은 약 100~400nm의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The first reflective layer may be formed to a thickness of about 100 to 400 nm, but is not limited thereto.

제2 반사층은 제1 반사층보다 반사율이 떨어지며, 예를 들어, Ti, Ni, Cr 또는 AgCu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second reflective layer has a lower reflectance than the first reflective layer and may include at least one of Ti, Ni, Cr, or AgCu, for example.

투명 전극층에 포함된 산화물과 제1 반사층에 포함된 Ag는 서로 접착력이 좋지 않기 때문에, 제1 반사층과 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 제2 반사층을 위치시켜 제1 반사층과 투명 전극층의 부착력을 강화할 수 있다.Since the oxide contained in the transparent electrode layer and the Ag contained in the first reflective layer have poor adhesion to each other, the second reflective layer is disposed on at least a part of the interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer, and the adhesion between the first reflective layer and the transparent electrode layer Can be strengthened.

즉, 투명 전극층과 좋은 접착력을 갖는 물질로 이루어진 제2 반사층이 제1 반사층과 투명 전극층 사이에 위치하여 이들을 서로 접합시키는 역할을 수행할 수 있다.That is, the second reflective layer made of a material having a good adhesion with the transparent electrode layer may be positioned between the first reflective layer and the transparent electrode layer, and may be bonded to each other.

제2 반사층은 제1 반사층보다 반사율이 떨어지기 때문에 제1 반사층과 투명 전극층 사이의 계면에 제2 반사층이 전면적으로 적용되는 것이 아니라, 제1 반사층과 투명 전극층 사이의 계면 중 일부에 제2 반사층이 적용될 수 있다.The second reflective layer is not entirely applied to the interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer because the reflectivity of the second reflective layer is lower than that of the first reflective layer, and a second reflective layer is formed on a part of the interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer Can be applied.

제2 반사층은 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제1 전극과 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer may be positioned corresponding to the first electrode located on the first conductive type semiconductor layer.

활성층에서 생성된 빛이 반사층에서 반사되어 제1 전극이 위치하는 방향으로 진행하는 경우, 이러한 빛은 제1 전극에 흡수되어 발광소자 외부로 방출되지 못한다. 따라서, 제1 전극과 대응하여 제2 반사층을 위치시킴으로써, 제2 반사층에 의한 반사율 저하를 최소화할 수 있다.When the light generated in the active layer is reflected by the reflective layer and travels in a direction in which the first electrode is located, such light is absorbed by the first electrode and is not emitted to the outside of the light emitting device. Therefore, by placing the second reflective layer in correspondence with the first electrode, it is possible to minimize the decrease in reflectance due to the second reflective layer.

제2 반사층이 제1 전극과 대응하여 위치하는 경우, 제1 전극의 패턴 형상에 따라 제2 반사층도 다양한 패턴으로 형성될 수 있다.When the second reflective layer is positioned corresponding to the first electrode, the second reflective layer may be formed in various patterns according to the pattern shape of the first electrode.

제1 전극은 루프 형상, 고리 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The first electrode may be formed in a loop shape, an annular shape, or a frame shape, but is not limited thereto.

또한, 제2 반사층은 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 하부에 위치하는 전류 저지층과 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer may be positioned corresponding to the current blocking layer located below the second conductive semiconductor layer of the light emitting structure.

전류 저지층은 제1 전극과 대응하여 위치하므로, 제2 반사층을 전류 저지층과 대응하여 위치시킴으로써 제2 반사층에 의한 반사율 저하를 최소화할 수 있다.Since the current blocking layer is located corresponding to the first electrode, the second reflective layer can be positioned in correspondence with the current blocking layer to minimize the decrease in reflectance due to the second reflective layer.

또한, 제2 반사층은 발광 구조물의 측면을 둘러싸는 패시베이션층과 대응하여 위치할 수 있다. 또한, 제2 반사층은 패시베이션과 대응하는 투명 전극층의 영역 중 발광 구조물의 하부 둘레에 위치하는 투명 전극층의 영역 상에 위치할 수도 있다.Further, the second reflective layer may be positioned corresponding to the passivation layer surrounding the side surface of the light emitting structure. The second reflective layer may be located on the region of the transparent electrode layer located around the lower portion of the light emitting structure among the regions of the transparent electrode layer corresponding to the passivation.

패시베이션층이 위치하는 곳에는 활성층이 존재하지 않기 때문에 발광에 기여하는 영역이 아니므로, 패시베이션층과 대응하여 제2 반사층을 위치시킴으로써 제2 반사층에 의한 반사율 저하를 최소화할 수 있다.Since the active layer does not exist in a place where the passivation layer is located, it is not a region contributing to light emission. Thus, by placing the second reflective layer in correspondence with the passivation layer, a decrease in reflectance due to the second reflective layer can be minimized.

또한, 제2 반사층은 발광 구조물의 하부 둘레에 배치되는 채널층과 대응하여 위치할 수 있다.Further, the second reflective layer may be positioned corresponding to the channel layer disposed around the lower portion of the light emitting structure.

채널층은 발광 구조물의 하부 둘레에 배치되므로, 채널층의 상부에는 활성층이 존재하지 않거나 전체 활성층 중 극히 일부만이 존재하므로, 채널층과 대응하여 제2 반사층을 위치시킴으로써 제2 반사층에 의한 반사율 저하를 최소화할 수 있다.Since the channel layer is disposed around the lower portion of the light emitting structure, the active layer is not present on the channel layer or only a small portion of the entire active layer is present. By positioning the second reflective layer in correspondence with the channel layer, Can be minimized.

제2 반사층은 이산적인 도트(dot) 형상으로 형성되거나, 연속적인 라인 형상으로 형성될 수 있다.The second reflective layer may be formed in a discrete dot shape or may be formed in a continuous line shape.

제2 반사층이 라인 형상으로 형성될 경우, 폭이 좁으면서 서로 이격된 복수 개의 라인 형상으로 형성될 수도 있다.When the second reflective layer is formed in a line shape, it may be formed in a plurality of line shapes spaced apart from each other with a narrow width.

제2 반사층이 이산적인 도트 형상과 연속적인 라인 형상의 조합으로 형성될 수도 있다.The second reflective layer may be formed by a combination of discrete dot shapes and continuous line shapes.

제2 반사층은 반사층의 전체 반사율이 80% 이하로 떨어지지 않을 정도의 두께로 형성될 수 있으며, 일 예로서 5~20nm로 형성될 수 있다.The second reflective layer may be formed to a thickness such that the total reflectance of the reflective layer does not fall below 80%, and may be 5 to 20 nm, for example.

제2 반사층은 투명 전극층과 접하지 않는 영역은 전부 제1 반사층에 의해 둘러싸일 수 있다.And the second reflective layer may be entirely surrounded by the first reflective layer in a region not in contact with the transparent electrode layer.

또는, 제2 반사층은 투명 전극층과 접하지 않는 영역 중 일부 영역은 제1 반사층과 접하고 나머지 영역은 본딩층과 접할 수 있다.Alternatively, in the second reflective layer, a portion of the region not in contact with the transparent electrode layer may be in contact with the first reflective layer and the remaining region may be in contact with the bonding layer.

이하에서는 도면을 참조하여 각 실시예 별로 설명한다. 상술한 내용과 중복되는 내용은 자세히 설명하지 않으나, 이하의 실시예들에도 적용될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, each embodiment will be described with reference to the drawings. It is needless to say that the contents overlapping with the above-described contents are not described in detail, but may be applied to the following embodiments.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자의 상면도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고, 도 3 및 도 4는 제1 실시예에 따른 발광소자의 상부 단면도이다.FIG. 1 is a top view of the light emitting device according to the first embodiment, FIG. 2 is a side sectional view of the light emitting device according to the first embodiment, and FIGS. 3 and 4 are top sectional views of the light emitting device according to the first embodiment .

도 2는 도 1의 발광소자를 AA'방향으로 절단한 측단면도를 도시한 것이고, 도 3 및 도 4는 도 2의 발광소자를 BB'방향으로 절단한 상부 단면도를 도시한 것이다.FIG. 2 is a cross-sectional side view of the light emitting device of FIG. 1 taken along line AA ', and FIGS. 3 and 4 are top cross-sectional views of the light emitting device of FIG.

먼저 도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자(100A)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.2, the light emitting device 100A according to the first embodiment includes a first conductive semiconductor layer 122, a light emitting structure 120 including an active layer 124 and a second conductive semiconductor layer 124, A reflective layer 140 positioned in the direction of the second conductive semiconductor layer 126 of the light emitting structure 120 and a transparent electrode layer 140 disposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. [ The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 positioned at least in part of an interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 do.

발광소자(100A)는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 100A includes an LED (Light Emitting Diode) using a semiconductor layer of a plurality of compound semiconductor layers, for example, a group III-V element, and the LED is a coloring material that emits light such as blue, green, LED or UV LED. The emitted light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

발광 구조물(120)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 120 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or the like, but the present invention is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층(122)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as a group III-V element or a group II-VI element. The first conductive type dopant may also be doped. When the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, and Te as an n-type dopant, but is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성을 갖는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 122 is formed of a semiconductor material having a composition of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) . The first conductive semiconductor layer 122 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP.

외부로 노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 표면에는 러프니스 패턴(122a)이 위치할 수 있다.The roughness pattern 122a may be located on the surface of the first conductive type semiconductor layer 122 exposed to the outside.

러프니스 패턴(122a)은 제1 도전형 반도체층(122)의 성장 과정에서 자연적으로 형성되거나 식각에 의해 형성될 수 있으나, 형성 방법에 제한을 두지 않는다.The roughness pattern 122a may be naturally formed in the growth process of the first conductive type semiconductor layer 122 or may be formed by etching, but there is no limitation on the formation method.

러프니스 패턴(122a)은 활성층(124)에서 생성된 빛을 난반사시켜 발광소자(100A)의 지향각을 확대하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.The roughness pattern 122a can diffuse light generated in the active layer 124 irregularly to enlarge the directivity angle of the light emitting device 100A to improve light extraction efficiency.

제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The second conductive semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound, for example, a group III-V compound semiconductor doped with a second conductive dopant. The second conductivity type semiconductor layer 126 has a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) Semiconductor material. When the second conductive semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as p-type dopants, but is not limited thereto.

본 실시예에서, 제1 도전형 반도체층(122)은 n형 반도체층, 제2 도전형 반도체층(126)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 제2 도전형 반도체층(126) 상에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체, 예컨대 상기 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층일 경우 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.In the present embodiment, the first conductive semiconductor layer 122 may be an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 126 may be a p-type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto. In addition, an n-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second conductivity type semiconductor layer 126 when the semiconductor having the opposite polarity to the second conductivity type, for example, the second conductivity type semiconductor layer 126 is a p- Can be formed. Accordingly, the light emitting structure may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 활성층(124)이 위치한다.The active layer 124 is positioned between the first conductive semiconductor layer 122 and the second conductive semiconductor layer 126.

활성층(124)은 전자와 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층이고 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 전자가 주입되고 상기 제2 도전형 반도체층(126)으로부터 정공이 주입될 수 있다.The active layer 124 is a layer in which electrons and holes meet each other to emit light having energy determined by the energy band inherent in the active layer (light emitting layer) material. When the first conductivity type semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, electrons are injected from the first conductivity type semiconductor layer 122, Holes can be injected from the conductive semiconductor layer 126. [

활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자 우물 구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 124 may be formed of at least one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 124 may be formed with a multiple quantum well structure by injecting trimethylgallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

활성층(124)이 다중 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 좁은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP ) / AlGaP, but the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a bandgap narrower than the bandgap of the barrier layer.

활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 활성층의 장벽층의 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조를 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다. A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer 124. The conductive clad layer may be formed of a semiconductor having a band gap wider than the band gap of the barrier layer of the active layer. For example, the conductive clad layer may comprise GaN, AlGaN, InAlGaN or a superlattice structure. Further, the conductive clad layer may be doped with n-type or p-type.

발광 구조물(120)은 그 하부에 위치하는 지지기판(110)에 의해 지지될 수 있다.The light emitting structure 120 may be supported by a supporting substrate 110 located below the light emitting structure 120.

지지기판(110)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있고, 소정의 두께를 갖는 베이스 기판(substrate)일 수 있다.The support substrate 110 may be formed of a material having a high electrical conductivity and a high thermal conductivity, and may be a base substrate having a predetermined thickness.

지지기판(110)은, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 또는 전도성 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The support substrate 110 may be made of, for example, a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu), and aluminum (Au), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (e.g., GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe , Ga 2 O 3, etc.) or a conductive sheet.

지지기판(110)과 발광 구조물(120) 사이에 반사층(140)과 투명 전극층(130)이 위치하며, 투명 전극층(130)은 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126)과 접할 수 있다.The reflective layer 140 and the transparent electrode layer 130 are positioned between the support substrate 110 and the light emitting structure 120 and the transparent electrode layer 130 is in contact with the second conductive semiconductor layer 126 of the light emitting structure 120 .

지지기판(110)과 반사층(140) 및 투명 전극층(130)은 제2 도전형 반도체층(126)으로 전류를 주입하는 제2 전극의 역할을 수행할 수 있다.The supporting substrate 110, the reflective layer 140, and the transparent electrode layer 130 may serve as a second electrode for injecting a current into the second conductive type semiconductor layer 126.

지지기판(110)은 본딩층(115)을 통하여 발광 구조물(120) 및 반사층(140)과 부착될 수 있다.The support substrate 110 may be attached to the light emitting structure 120 and the reflective layer 140 through the bonding layer 115.

본딩층(115)은, 예를 들어, Au, Sn, In, Ag, Ni, Nb 및 Cu로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The bonding layer 115 may be formed of, for example, a material selected from the group consisting of Au, Sn, In, Ag, Ni, Nb and Cu, or an alloy thereof.

제2 도전형 반도체층(126)은 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 금속과의 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 투명 전극층(130)은 이러한 오믹 특성을 개선하기 위한 것이다.The second conductive semiconductor layer 126 may have a low impurity doping concentration and may have a high contact resistance, which may result in poor ohmic characteristics with the metal. Therefore, the transparent electrode layer 130 is intended to improve such ohmic characteristics.

투명 전극층(130)은 투광성 전도층으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되지는 않는다.The transparent electrode layer 130 may be formed of a transparent conductive layer such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO (indium aluminum zinc oxide), IGZO indium gallium zinc oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZON nitride, AGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, or Ni / IrOx / Au / ITO. Do not.

투명 전극층(130)은 약 10nm의 두께로 형성될 수 있으며, 제작 방법에 따라 10%의 공차를 가질 수 있다.The transparent electrode layer 130 may be formed to a thickness of about 10 nm, and may have a tolerance of 10% according to a manufacturing method.

발광 구조물(120)의 측면에는 패시베이션층(160)이 위치할 수 있다. 패시베이션층(160)은 비전도성 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있으며, 일 예로서, 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.The passivation layer 160 may be disposed on the side surface of the light emitting structure 120. The passivation layer 160 may be made of a nonconductive oxide or a nitride. For example, the passivation layer 160 may be a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer.

발광 구조물(120)의 측면뿐만 아니라, 발광 구조물(120)의 상면의 일부 및/또는 발광 구조물(120)의 외부로 노출된 투명 전극층(130)과 본딩층(115) 상에도 패시베이션층(160)이 형성될 수 있다.The passivation layer 160 may be formed on the bonding layer 115 and the transparent electrode layer 130 exposed to the outside of the light emitting structure 120 and / or a part of the upper surface of the light emitting structure 120, Can be formed.

활성층(124)에서 생성된 빛은 발광소자의 상부로도 진행하지만 발광소자의 하부로도 진행하기 때문에, 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 반사층(140)이 위치하여 발광소자의 하부로 진행하는 빛을 반사시켜 빛의 진행 경로를 변경할 수 있다.The light generated in the active layer 124 proceeds to the upper portion of the light emitting device but proceeds to the lower portion of the light emitting device so that the reflective layer 140 is positioned in the direction of the second conductive semiconductor layer 126 of the light emitting structure 120 So that the traveling path of the light can be changed by reflecting the light traveling to the lower portion of the light emitting element.

즉, 반사층(140)은 발광 구조물(120)의 활성층(124)에서 생성된 빛을 반사시켜, 발광소자(100A)의 내부에서 소멸되는 빛의 양을 줄임으로써, 발광소자(100A)의 외부양자효율을 향상시킬 수 있다.That is, the reflective layer 140 reflects light generated in the active layer 124 of the light emitting structure 120 to reduce the amount of light that is extinguished inside the light emitting device 100A, The efficiency can be improved.

반사층(140)은 반사율이 좋은 물질로 형성되며, 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The reflective layer 140 is formed of a material with good reflectivity and includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 positioned at least at an interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 .

제1 반사층(142)은 Ag를 포함할 수 있다. Ag는 반사율이 95~98% 정도로 매우 좋은 반사 특성을 가진다.The first reflective layer 142 may include Ag. Ag has a reflectance of 95 to 98%, which is very good.

제1 반사층(142)은, 예를 들어, 약 100~400nm의 두께로 형성될 수 있다.The first reflective layer 142 may be formed to a thickness of about 100 to 400 nm, for example.

제2 반사층(144)은 제1 반사층(142)보다 반사율이 떨어지며, 예를 들어, Ti, Ni, Cr 또는 AgCu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second reflective layer 144 has a lower reflectance than the first reflective layer 142 and may include at least one of Ti, Ni, Cr, or AgCu, for example.

투명 전극층(130)에 포함된 산화물과 제1 반사층(142)에 포함된 Ag는 서로 접착력이 좋지 못하기 때문에, 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 제2 반사층(144)을 위치시켜 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130)의 부착력을 강화할 수 있다.Since the oxide included in the transparent electrode layer 130 and the Ag included in the first reflective layer 142 are not good in adhesion to each other, at least a part of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 The adhesion between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 can be enhanced by positioning the reflective layer 144.

즉, 투명 전극층(130)의 산화물과 좋은 접착력을 갖는 물질로 이루어진 제2 반사층(144)이 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이에 위치하여 이들을 서로 접합시키는 역할을 수행할 수 있다.That is, the second reflective layer 144, which is made of a material having good adhesion to the oxide of the transparent electrode layer 130, may be positioned between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 to bond them together .

제2 반사층(144)은 제1 반사층(142)보다 반사율이 떨어지기 때문에 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 계면에 제2 반사층(144)이 전면적으로 적용되는 것이 아니라, 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 일부에 제2 반사층(144)이 적용될 수 있다.The second reflective layer 144 is not entirely applied to the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 because the reflectivity of the second reflective layer 144 is lower than that of the first reflective layer 142, The second reflective layer 144 may be applied to a part of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

제1 도전형 반도체층(122) 상에 제1 전극(150)이 위치할 수 있다.The first electrode 150 may be positioned on the first conductive semiconductor layer 122.

도 1을 참조하면, 제1 전극(150)은 제1 도전형 반도체층(122) 상에 소정의 형상을 갖도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the first electrode 150 may be formed on the first conductive semiconductor layer 122 to have a predetermined shape.

제1 전극(150)은 고리 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The first electrode 150 may be formed in an annular shape, a loop shape, or a frame shape, but is not limited thereto.

제1 전극(150)은 와이어 본딩을 위한 적어도 하나의 전극 패드(152)를 포함할 수 있다.The first electrode 150 may include at least one electrode pad 152 for wire bonding.

다시 도 2를 참조하면, 제2 반사층(144)은 제1 전극(150)과 대응하여 위치할 수 있다.Referring again to FIG. 2, the second reflective layer 144 may be positioned corresponding to the first electrode 150.

즉, 제2 반사층(144)은 제1 전극(150)과 대응하는 위치에서 투명 전극층(130)과 제1 반사층(142)의 사이에 위치할 수 있다.That is, the second reflective layer 144 may be positioned between the transparent electrode layer 130 and the first reflective layer 142 at a position corresponding to the first electrode 150.

다시 설명하면, 제1 도전형 반도체층(122)과 접하는 제1 전극(150)의 일면과 대응하는 발광 구조물(120)의 영역(A)과, 제2 반사층(144)과 대응하는 발광 구조물(120)의 영역(B)이 적어도 일부 중첩될 수 있다.A region A of the light emitting structure 120 corresponding to one surface of the first electrode 150 in contact with the first conductivity type semiconductor layer 122 and a region A of the light emitting structure 120 corresponding to the second reflective layer 144 120 may be overlapped at least partially.

활성층(124)에서 생성된 빛이 반사층(140)에서 반사되어 제1 전극(150)이 위치하는 방향으로 진행하는 경우, 이러한 빛은 제1 전극(150)에 흡수되어 발광소자(100A) 외부로 방출되지 못한다. 따라서, 제1 전극(150)과 대응하여 제2 반사층(144)을 위치시킴으로써, 제2 반사층(144)에 의한 반사율 저하를 최소화면서 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력을 개선할 수 있다.When the light generated in the active layer 124 is reflected by the reflective layer 140 and travels in a direction in which the first electrode 150 is located, the light is absorbed by the first electrode 150, It can not be released. The adhesion between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 can be minimized while minimizing the decrease in reflectivity due to the second reflective layer 144 by positioning the second reflective layer 144 in correspondence with the first electrode 150. [ Can be improved.

제2 반사층(144)의 폭(W1)은 제1 전극(150)의 폭(W2)과 같거나, 제1 전극(150)의 폭(W2)보다 좁거나, 제1 전극(150)의 폭(W2)보다 넓을 수 있다.The width (W 1) has a width (W 2) is equal to or, the width of the first electrode 150 (W 2) narrower than the, or the first electrode (150 of the first electrode 150 of the second reflection layer 144 (W 2 ) of the first and second electrodes.

제2 반사층의 폭(W1)이 제1 전극(150)의 폭(W2)과 같은 경우, 발광 구조물(120)의 (A) 영역과 (B) 영역은 완전히 중첩된다(A=B).The width (W 1), the (A) region and (B) region of the light emitting structure 120, the case such as the width (W 2) of the first electrode 150 of the second reflective layer is completely superimposed (A = B) .

제2 반사층의 폭(W1)이 제1 전극(150)의 폭(W2)보다 좁은 경우, 발광 구조물(120)의 (B) 영역 전체가 (A) 영역에 포함되어 중첩된다(A>B).When the width W 1 of the second reflective layer is narrower than the width W 2 of the first electrode 150, the entire region (B) of the light emitting structure 120 is included in the region (A) B).

제2 반사층의 폭(W1)이 제1 전극(150)의 폭(W2)보다 넓은 경우, 발광 구조물(120)의 (A) 영역 전체가 (B) 영역에 포함되어 중첩된다(A<B).When the width W 1 of the second reflective layer is wider than the width W 2 of the first electrode 150, the entire region (A) of the light emitting structure 120 is included in the region (B) B).

제2 반사층(144)이 제1 전극(150)의 적어도 일부와 대응하여 위치할 수도 있다.The second reflective layer 144 may be positioned corresponding to at least a portion of the first electrode 150.

도 1 및 도 3을 참조하면, 제2 반사층(144)이 제1 전극(150)과 대응하여 위치하므로 제1 전극(150)의 형상에 따라 제2 반사층(144)의 형상이 결정될 수 있다.1 and 3, since the second reflective layer 144 is located corresponding to the first electrode 150, the shape of the second reflective layer 144 can be determined according to the shape of the first electrode 150.

제2 반사층(144)의 단면 형상 또한, 제1 전극(150)과 마찬가지로 고리 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The cross-sectional shape of the second reflective layer 144 may also be formed in an annular shape, a loop shape, or a frame shape like the first electrode 150, but is not limited thereto.

제2 반사층(144)은 도 3에 도시된 바와 같이 연속적인 라인 형상으로 형성되거나, 도 4에 도시된 바와 같이 이산적인 도트(dot) 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 라인 형상과 도트 형상의 조합으로 형성될 수도 있다.The second reflective layer 144 may be formed in a continuous line shape as shown in FIG. 3, or may be formed in a discrete dot shape as shown in FIG. Alternatively, it may be formed by a combination of a line shape and a dot shape.

도 3을 참조하면, 제2 반사층(144)의 폭(W1, W1')은 서로 동일하거나 서로 다를 수 있으며, 실시예에 따라 얼마든지 달라질 수 있다.Referring to FIG. 3, the widths W 1 and W 1 'of the second reflective layer 144 may be equal to or different from each other, and may vary depending on the embodiment.

제2 반사층(144)의 폭(W1, W1')이 너무 넓으면 반사율이 높은 제1 반사층(142)에서 반사되는 빛의 양이 적어져서 반사층(140)의 전체 반사율이 저하되며, 제2 반사층(144)의 폭(W1, W1')이 너무 좁으면 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130)의 부착력이 약화될 수 있으므로, 이들 사이의 관계를 고려하여 제2 반사층(144)의 폭(W1, W1')이 조절될 수 있다.If the widths W 1 and W 1 'of the second reflective layer 144 are too wide, the amount of light reflected by the first reflective layer 142 having a high reflectance is reduced, so that the total reflectance of the reflective layer 140 is reduced. If the widths W 1 and W 1 'of the first and second reflective layers 144 are too narrow, the adhesion between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 may be weakened. Therefore, The widths W 1 and W 1 '

도 4를 참조하면, 제2 반사층(144)의 도트(144a)의 개수, 도트(144a)의 형상, 도트(144a)의 폭(W3, W3'), 인접한 도트(144a) 사이의 간격(D1, D1')은 실시예에 따라 얼마든지 달라질 수 있으며, 반사층(140)의 전체 반사율과 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력의 관계를 고려하여 조절될 수 있다.Interval between 4, the shape of a number, a dot (144a) of the dots (144a) of the second reflection layer 144, the width of the dots (144a) (W 3, W 3 '), adjoining dots (144a) (D 1, D 1 ') will be changed any number according to the embodiment, and can be adjusted in consideration of the adhesion relationship between the total reflectivity of the reflective layer 140 and the first reflective layer 142 and transparent electrode 130 have.

제2 반사층(144)의 도트(144a)는 원형, 타원형, 다각형 또는 비정형 중 하나로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.The dots 144a of the second reflective layer 144 may be formed in one of circular, elliptical, polygonal, or irregular shapes, but the present invention is not limited thereto.

다시 도 2를 참조하면, 제2 반사층(144)은 반사층(140)의 전체 반사율이 80% 이하로 떨어지지 않을 정도의 두께로 형성될 수 있으며, 일 예로서 5~20nm로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2 again, the second reflective layer 144 may be formed to a thickness such that the total reflectance of the reflective layer 140 does not fall below 80%, and may be 5 to 20 nm, for example.

제1 실시예에서, 제2 반사층(144)은 투명 전극층(130)과 접하지 않는 영역이 모두 제1 반사층(142)에 의해 둘러싸일 수 있다.In the first embodiment, the second reflective layer 144 may be surrounded by the first reflective layer 142 in a region not in contact with the transparent electrode layer 130.

반사층(140)은 공기에 의해 쉽게 산화되어 변질될 수 있으므로, 반사층(140)의 측면이 발광소자(100A)의 외부로 노출되지 않고 본딩층(115)에 의해 둘러싸일 수 있다.The reflective layer 140 can be easily oxidized and altered by the air so that the side surface of the reflective layer 140 can be surrounded by the bonding layer 115 without being exposed to the outside of the light emitting device 100A.

도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이고, 도 6 및 도 7은 제2 실시예에 따른 발광소자의 상부 단면도이다.FIG. 5 is a side sectional view of a light emitting device according to a second embodiment, and FIGS. 6 and 7 are top cross-sectional views of a light emitting device according to a second embodiment.

도 6 및 도 7은 도 5의 발광소자를 CC'방향에서 바라본 상부 단면도를 도시한 것이다.FIG. 6 and FIG. 7 are top cross-sectional views of the light emitting device of FIG. 5 viewed from CC 'direction.

상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.The contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

제2 실시예에 따른 발광소자(100B)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100B according to the second embodiment includes the light emitting structure 120 including the first conductivity type semiconductor layer 122, the active layer 124 and the second conductivity type semiconductor layer 124, the light emitting structure 120 And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 is formed on the first conductive semiconductor layer 126 in the direction of the second conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 제1 도전형 반도체층(122) 상에는 제1 전극(150)이 위치하고, 제2 도전형 반도체층(124)과 투명 전극층(130) 사이에 전류 저지층(170)이 위치한다.The first electrode 150 is disposed on the first conductive semiconductor layer 122 and the current blocking layer 170 is disposed between the second conductive semiconductor layer 124 and the transparent electrode layer 130.

전류 저지층(170)은 제1 전극(150)과 대응하여 위치하며, 일 예로서 제1 전극(150)의 폭(W2)보다 넓게 형성될 수 있다.The current blocking layer 170 is located corresponding to the first electrode 150 and may be formed to be wider than the width W 2 of the first electrode 150 as an example.

전류 저지층(170)은 발광소자(100B)로 주입된 전류가 제1 전극(150)의 주변으로만 밀집되는 것을 방지하여 전류의 흐름이 수평 방향으로 분산될 수 있도록 한다. The current blocking layer 170 prevents the current injected into the light emitting device 100B from being concentrated only around the first electrode 150 so that the current flow can be dispersed in the horizontal direction.

전류 저지층(170)은 반사층(140) 또는 투명 전극층(130)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 제2 도전형 반도체층(126)과 쇼트키 접촉(Schottky Contact)을 형성하는 물질 또는 전기 절연성 물질로 형성될 수 있다. 전류 저지층(170)은 예를 들어, ZnO, SiO2, SiON, Si3N4, Al2O3 ,, TiO2, Ti, Al 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The current blocking layer 170 may be formed of a material having a lower electrical conductivity than the reflective layer 140 or the transparent electrode layer 130, a material forming a schottky contact with the second conductive type semiconductor layer 126, . A current blocking layer 170 may, for example, ZnO, SiO 2, SiON, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 , Ti, Al, or Cr.

전류 저지층(170)은 일면이 투명 전극층(130)과 접하고, 다른 면들은 투명 전극층(130)과 접할 수 있다.The current blocking layer 170 may be in contact with the transparent electrode layer 130 on one side and the transparent electrode layer 130 on the other side.

투명 전극층(130)은 전류 저지층(170)과 접하는 제1 영역(130a)과, 제1 영역(130a)과 대응되면서 전류 저지층(170)과 접하지 않는 제2 영역(130b)을 포함할 수 있다.The transparent electrode layer 130 includes a first region 130a in contact with the current blocking layer 170 and a second region 130b in contact with the first region 130a and not in contact with the current blocking layer 170 .

제2 반사층(144)은 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 제1 영역(130a) 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be positioned to correspond to at least a portion of the first region 130a of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170.

즉, 제2 반사층(144)은, 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 제1 영역(130a)과 대응되는 제2 영역(130b) 중 일부와 접하여 위치할 수 있다.That is, the second reflective layer 144 may be located in contact with a part of the second region 130b corresponding to the first region 130a of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170.

전류 저지층(170)은 제1 전극(150)과 대응하여 위치하므로, 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 제1 영역(130a) 중 적어도 일부와 대응하여 제2 반사층(144)을 위치시킴으로써, 상술한 제1 실시예에서와 마찬가지의 이유로 제2 반사층(144)에 의한 반사율 저하를 최소화면서 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력을 개선할 수 있다.Since the current blocking layer 170 is located corresponding to the first electrode 150, the current blocking layer 170 may be formed to correspond to at least part of the first region 130a of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170, It is possible to improve the adhesion between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 while minimizing the decrease in the reflectance due to the second reflective layer 144 for the same reason as in the first embodiment described above.

제2 반사층(144)은 제2 도전형 반도체층(126)과 접하지 않는 전류 저지층(170)의 면들과 대응하도록 수직 단면 형상이 U자 형상을 가질 수 있다.The second reflective layer 144 may have a U-shaped vertical cross section so as to correspond to the surfaces of the current blocking layer 170 that are not in contact with the second conductivity type semiconductor layer 126.

제2 반사층(144)은 전류 저지층(170)의 폭보다 넓게 형성될 수 있으나, 은 전류 저지층(170)의 폭과 같거나 이보다 좁게 형성될 수도 있다.The second reflective layer 144 may be formed to be wider than the width of the current blocking layer 170, but may be formed to be equal to or narrower than the width of the current blocking layer 170.

제2 실시예에서, 제2 반사층(144)은 투명 전극층(130)과 접하지 않는 영역이 모두 제1 반사층(142)에 의해 둘러싸일 수 있다.In the second embodiment, the second reflective layer 144 may be surrounded by the first reflective layer 142 in a region not in contact with the transparent electrode layer 130.

제2 반사층(144)은 도 6에 도시된 것과 같이 연속적인 라인 형상으로 형성되거나, 도 7에 도시된 것과 같이 이산적인 도트 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 라인 형상과 도트 형상의 조합으로 형성될 수도 있다.The second reflective layer 144 may be formed in a continuous line shape as shown in FIG. 6, or may be formed in a discrete dot shape as shown in FIG. Alternatively, it may be formed by a combination of a line shape and a dot shape.

도 5를 참조하면, 일 예로서, 제2 반사층(144)이 전류 저지층(170)의 폭보다 넓게 형성된 것으로 도시하였으므로, 도 6 및 도 7에서도 제2 반사층(144)이 전류 저지층(170)의 폭보다 넓은 것으로 도시하였다.5, the second reflective layer 144 is formed to be wider than the current blocking layer 170, so that the second reflective layer 144 is also formed in the current blocking layer 170 ).

도 6에서 제2 반사층(144)의 폭(W1, W1'), 도 7에서 제2 반사층(144)의 도트(144a)의 개수, 도트(144a)의 폭(W3), 인접한 도트(144a) 사이의 거리(D1, D1')는 상술한 바와 같이 반사층(140)의 전체 반사율과 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력의 관계를 고려하여 조절될 수 있다.6, the width W 1 and W 1 'of the second reflective layer 144, the number of the dots 144a of the second reflective layer 144 in FIG. 7, the width W 3 of the dot 144a, The distance D 1 and D 1 'between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 may be adjusted in consideration of the total reflectance of the reflective layer 140 and the adhesion between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 have.

도 8은 제3 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.8 is a side sectional view of the light emitting device according to the third embodiment.

상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.The contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

제3 실시예에 따른 발광소자(100C)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100C according to the third embodiment includes the light emitting structure 120 including the first conductivity type semiconductor layer 122, the active layer 124 and the second conductivity type semiconductor layer 124, the light emitting structure 120 And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 is formed on the first conductive semiconductor layer 126 in the direction of the second conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 제1 도전형 반도체층(122) 상에는 제1 전극(150)이 위치하고, 제2 도전형 반도체층(124)과 투명 전극층(130) 사이에 전류 저지층(170)이 위치한다.The first electrode 150 is disposed on the first conductive semiconductor layer 122 and the current blocking layer 170 is disposed between the second conductive semiconductor layer 124 and the transparent electrode layer 130.

제2 반사층(144)은 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 제1 영역(130a) 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be positioned to correspond to at least a portion of the first region 130a of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170.

즉, 제2 반사층(144)은, 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 제1 영역(130a)과 대응되는 제2 영역(130b) 중 일부와 접하여 위치할 수 있다.That is, the second reflective layer 144 may be located in contact with a part of the second region 130b corresponding to the first region 130a of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170.

제3 실시예의 발광소자(100C)가 제2 실시예의 발광소자(100B)와 다른 점은, 제2 반사층(144)이 전류 저지층(170)의 폭보다 좁게 형성되었다는 점이다.The light emitting device 100C of the third embodiment differs from the light emitting device 100B of the second embodiment in that the second reflection layer 144 is formed to be narrower than the width of the current blocking layer 170. [

제2 반사층(144)의 전체 폭이 전류 저지층(170)의 하부에 위치함으로써 제2 실시예에서보다 반사층(140)의 전체 반사율이 개선될 수 있다.Since the entire width of the second reflective layer 144 is located below the current blocking layer 170, the total reflectance of the reflective layer 140 can be improved more than in the second embodiment.

도시하지는 않았으나, 제3 실시예에서도 상술한 바와 같이 제2 반사층(144)이 라인 형상 또는 도트 형상으로 형성될 수 있으며, 라인 형상 또는 도트 형상의 조합으로 형성될 수도 있다.Although not shown, in the third embodiment, the second reflective layer 144 may be formed in a line or dot shape as described above, or may be formed in a combination of a line shape or a dot shape.

도 9는 제4 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.9 is a side sectional view of the light emitting device according to the fourth embodiment.

상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.The contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

제4 실시예에 따른 발광소자(100D)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100D according to the fourth embodiment includes the light emitting structure 120 including the first conductive semiconductor layer 122, the active layer 124 and the second conductive semiconductor layer 124, the light emitting structure 120 And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 is formed on the first conductive semiconductor layer 126 in the direction of the second conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 제1 도전형 반도체층(122) 상에 제1 전극(150)이 위치하고, 발광 구조물(120)의 측면에는 패시베이션층(160)이 위치한다. The first electrode 150 is disposed on the first conductive semiconductor layer 122 and the passivation layer 160 is disposed on the side surface of the light emitting structure 120.

패시베이션층(160)은 비전도성 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있으며, 일 예로서, 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.The passivation layer 160 may be made of a nonconductive oxide or a nitride. For example, the passivation layer 160 may be a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer.

발광 구조물(120)의 측면뿐만 아니라, 발광 구조물(120)의 상면의 일부 및/또는 발광 구조물(120)의 외부로 노출된 투명 전극층(130)과 본딩층(115) 상에도 패시베이션층(160)이 형성될 수 있다.The passivation layer 160 may be formed on the bonding layer 115 and the transparent electrode layer 130 exposed to the outside of the light emitting structure 120 and / or a part of the upper surface of the light emitting structure 120, Can be formed.

제4 실시예의 제1 전극(150)은 일 예로서 상술한 실시예들의 제1 전극(150)과 다른 패턴을 갖는 것으로 도시하였으나, 동일한 패턴을 가질 수도 있다.Although the first electrode 150 of the fourth embodiment is illustrated as having a different pattern from the first electrode 150 of the above-described embodiments as an example, the first electrode 150 may have the same pattern.

도 9를 참조하면, 제2 반사층(144)의 일부가 제1 전극(150)과 대응하여 위치하므로, 제1 도전형 반도체층(122)과 접하는 제1 전극(150)의 일면과 대응하는 발광 구조물(120)의 영역과, 제2 반사층(144)과 대응하는 발광구조물(120)의 영역이 적어도 일부 중첩될 수 있다.9, since a part of the second reflective layer 144 is located corresponding to the first electrode 150, the first electrode 150 and the first electrode 150, which are in contact with the first conductive semiconductor layer 122, At least a portion of the region of the structure 120 and the region of the second reflective layer 144 and the corresponding light emitting structure 120 may overlap.

또한, 제2 반사층(144)은 패시베이션층(160)과 대응하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부 상에 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be located on at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 corresponding to the passivation layer 160.

즉, 패시베이션층(160)과 대응하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중에서, 발광 구조물(120)의 하부 둘레에 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 상에 위치할 수 있다.The transparent electrode layer 130 may be located on the region of the transparent electrode layer 130 located around the lower portion of the light emitting structure 120 among the regions of the transparent electrode layer 130 corresponding to the passivation layer 160.

패시베이션층(160)이 위치하는 곳에는 활성층(124)이 존재하지 않기 때문에 발광에 기여하는 영역이 아니므로, 패시베이션층(160)과 대응하여 제2 반사층(144)을 위치시킴으로써 제2 반사층(144)에 의한 반사율 저하를 최소화하면서 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력을 개선할 수 있다.The second reflective layer 144 is positioned in correspondence with the passivation layer 160 so that the second reflective layer 144 can be formed by positioning the second reflective layer 144 in correspondence with the passivation layer 160. [ , The adhesion between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 can be improved.

패시베이션층(160)과 대응하여 형성된 제2 반사층(144) 중에서 투명 전극층(130)과 접하지 않는 영역의 일부는 제1 반사층(142)과 접하고, 나머지 부분은 본딩층(115)에 의해 둘러싸일 수 있다.A part of the second reflective layer 144 formed in correspondence with the passivation layer 160 does not contact the transparent electrode layer 130 is in contact with the first reflective layer 142 and the remaining part is surrounded by the bonding layer 115. [ .

그러나, 도 9에 도시된 것과 달리 제2 반사층(144)이 본딩층(115)과 접하지 않고, 투명 전극층(130)과 접하지 않는 영역 전부가 제1 반사층(142)과 접하여 둘러싸일 수도 있다.9, the second reflective layer 144 may not be in contact with the bonding layer 115, and the entire region not in contact with the transparent electrode layer 130 may be surrounded by the first reflective layer 142 .

반사층(140)은 공기에 의해 쉽게 산화되어 변질될 수 있으므로, 반사층(140)의 측면이 발광소자(100D)의 외부로 노출되지 않고 본딩층(115)에 의해 둘러싸일 수 있다.The reflective layer 140 can be easily oxidized and changed by the air so that the side surface of the reflective layer 140 can be surrounded by the bonding layer 115 without being exposed to the outside of the light emitting device 100D.

제2 반사층(144)은 라인 형상 또는 도트 형상으로 형성될 수 있고, 라인 형상 또는 도트 형상의 조합으로 형성될 수도 있다.The second reflective layer 144 may be formed in a line shape or a dot shape, or may be formed in a line shape or a combination of dot shapes.

도 10은 제5 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.10 is a side sectional view of the light emitting device according to the fifth embodiment.

상술한 실시예들과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.The contents overlapping with the above-described embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

제5 실시예에 따른 발광소자(100E)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100E according to the fifth embodiment includes the light emitting structure 120 including the first conductive semiconductor layer 122, the active layer 124 and the second conductive semiconductor layer 124, the light emitting structure 120 And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 is formed on the first conductive semiconductor layer 126 in the direction of the second conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 제1 도전형 반도체층(122) 상에 제1 전극(150)이 위치하고, 제1 전극(150)과 대응하여 제2 도전형 반도체층(126)과 투명 전극층(130) 사이에 전류 저지층(170)이 위치하고, 발광 구조물(120)의 측면에는 패시베이션층(160)이 위치한다. The first electrode 150 is located on the first conductivity type semiconductor layer 122 and the current blocking layer 130 is formed between the second conductivity type semiconductor layer 126 and the transparent electrode layer 130 in correspondence with the first electrode 150. [ A layer 170 is positioned and a passivation layer 160 is disposed on a side surface of the light emitting structure 120.

투명 전극층(130)은 전류 저지층(170)과 접하는 제1 영역(130a)과, 제1 영역(130a)에 대응되면서 전류 저지층(170)과 접하지 않는 제2 영역(130b)을 포함하고, 제2 반사층(144)은 전류 저지층(170)과 접하는 제1 영역(130a)과 대응하는 제2 영역(130b) 중 적어도 일부와 접하여 위치할 수 있다.The transparent electrode layer 130 includes a first region 130a contacting the current blocking layer 170 and a second region 130b corresponding to the first region 130a but not contacting the current blocking layer 170 The second reflective layer 144 may be positioned in contact with at least a portion of the first region 130a contacting the current blocking layer 170 and the corresponding second region 130b.

또한, 제2 반사층(144)은 패시베이션층(160)과 대응하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부 상에 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be located on at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 corresponding to the passivation layer 160.

즉, 패시베이션층(160)과 대응하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중에서, 발광 구조물(120)의 하부 둘레에 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 상에 위치할 수 있다.The transparent electrode layer 130 may be located on the region of the transparent electrode layer 130 located around the lower portion of the light emitting structure 120 among the regions of the transparent electrode layer 130 corresponding to the passivation layer 160.

도 11은 제6 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.11 is a side cross-sectional view of the light emitting device according to the sixth embodiment.

제6 실시예에 따른 발광소자(100F)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100F according to the sixth embodiment includes a light emitting structure 120 including a first conductivity type semiconductor layer 122, an active layer 124 and a second conductivity type semiconductor layer 124, And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 may be formed on the first conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 발광 구조물(120)의 측면에는 패시베이션층(160)이 위치한다. A passivation layer 160 is disposed on a side surface of the light emitting structure 120.

제2 반사층(144)은 패시베이션층(160)과 대응하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부 상에 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be located on at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 corresponding to the passivation layer 160.

즉, 패시베이션층(160)과 대응하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중에서, 발광 구조물(120)의 하부 둘레에 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 상에 위치할 수 있다.The transparent electrode layer 130 may be located on the region of the transparent electrode layer 130 located around the lower portion of the light emitting structure 120 among the regions of the transparent electrode layer 130 corresponding to the passivation layer 160.

제6 실시예의 경우, 제4, 5 실시예에 비해 반사층(140)의 반사율은 높을 수 있으나 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력은 제4, 5 실시예에 비해 약할 수 있다.In the sixth embodiment, the reflectance of the reflective layer 140 may be higher than that of the fourth and fifth embodiments, but the adhesion between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 may be weaker than that of the fourth and fifth embodiments. have.

도 12는 제7 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.12 is a side sectional view of a light emitting device according to a seventh embodiment.

제7 실시예에 따른 발광소자(100G)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100G according to the seventh embodiment includes a light emitting structure 120 including a first conductivity type semiconductor layer 122, an active layer 124 and a second conductivity type semiconductor layer 124, And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 is formed on the first conductive semiconductor layer 126 in the direction of the second conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 제1 도전형 반도체층(122) 상에 제1 전극(150)이 위치하고, 발광 구조물(120)의 하부 둘레에 채널층(180)이 위치한다.The first electrode 150 is disposed on the first conductive semiconductor layer 122 and the channel layer 180 is disposed on the lower portion of the light emitting structure 120.

채널층(180)은 발광소자(100G)의 제조 과정 중 아이솔레이션 에칭시 에칭의 스톱 레이어(stop layer)로서 작용할 수 있다.The channel layer 180 may serve as a stop layer for etching during the isolation etching during the manufacturing process of the light emitting device 100G.

채널층(180)은 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 하부 둘레에 루프 형상, 고리 형상 또는 프레임 형상 등의 패턴으로 형성될 수 있다.The channel layer 180 may be formed in a pattern such as a loop shape, an annular shape, or a frame shape around the bottom of the second conductivity type semiconductor layer 126 of the light emitting structure 120.

채널층(180)은 발광 구조물의 외벽이 습기에 노출되더라도 서로 쇼트가 발생하는 것을 방지하여 고습에 강한 발광소자를 제공할 수 있다.The channel layer 180 prevents a short circuit from occurring between the outer walls of the light emitting structure even when exposed to moisture, thereby providing a light emitting device resistant to high humidity.

채널층(180)은 산화물, 질화물 또는 절연층의 재질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tinoxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 등에서 선택적으로 형성될 수 있다.The channel layer 180 may be selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO) (IGTO), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 and TiO2 As shown in FIG.

발광 구조물(120)의 측면 및 발광 구조물(120)의 외부로 노출된 채널층(180)의 상부에 패시베이션층(160)이 위치할 수도 있다.The passivation layer 160 may be located on the side of the light emitting structure 120 and on the top of the channel layer 180 exposed to the outside of the light emitting structure 120.

제2 반사층(144)은 제1 전극(150)의 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있고, 채널층(180)과 접하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be positioned corresponding to at least a portion of the first electrode 150 and may correspond to at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 that is in contact with the channel layer 180 .

투명 전극층(130)은 채널층(180)과 접하는 제3 영역(130c)과, 제3 영역(130c)에 대응되면서 채널층(180)과 접하지 않는 제4 영역(130d)을 포함하고, 제2 반사층(144)은 상기 제4 영역(130d) 중 적어도 일부와 접하여 위치할 수 있다.The transparent electrode layer 130 includes a third region 130c in contact with the channel layer 180 and a fourth region 130d in contact with the third region 130c and not in contact with the channel layer 180, 2 reflective layer 144 may be positioned in contact with at least a part of the fourth region 130d.

채널층(180)은 발광 구조물(120)의 하부 둘레에 배치되므로, 채널층(180)의 상부에는 활성층(124)이 존재하지 않거나 전체 활성층(124) 중 극히 일부만이 존재하므로, 채널층(180)과 대응하여 제2 반사층(144)을 위치시킴으로써 제2 반사층(144)에 의한 반사율 저하를 최소화하면서 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력을 개선할 수 있다.Since the channel layer 180 is disposed around the lower portion of the light emitting structure 120, the active layer 124 does not exist on the channel layer 180 or only a small portion of the entire active layer 124 exists. The adherence between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 can be improved while minimizing the decrease in the reflectance due to the second reflective layer 144 by positioning the second reflective layer 144 in correspondence with the second reflective layer 144. [

제2 반사층(144)은 라인 형상 또는 도트 형상으로 형성될 수 있고, 라인 형상 또는 도트 형상의 조합으로 형성될 수도 있다.The second reflective layer 144 may be formed in a line shape or a dot shape, or may be formed in a line shape or a combination of dot shapes.

도 13은 제8 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.13 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to an eighth embodiment.

제8 실시예에 따른 발광소자(100H)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100H according to the eighth embodiment includes the light emitting structure 120 including the first conductivity type semiconductor layer 122, the active layer 124 and the second conductivity type semiconductor layer 124, the light emitting structure 120 And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 is formed on the first conductive semiconductor layer 126 in the direction of the second conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 제1 도전형 반도체층(122) 상에 제1 전극(150)이 위치하고, 제1 전극(150)과 대응하여 제2 도전형 반도체층(126)과 투명 전극층(130) 사이에 전류 저지층(170)이 위치하며, 발광 구조물(120)의 하부 둘레에 채널층(180)이 위치한다.The first electrode 150 is located on the first conductivity type semiconductor layer 122 and the current blocking layer 130 is formed between the second conductivity type semiconductor layer 126 and the transparent electrode layer 130 in correspondence with the first electrode 150. [ A layer 170 is positioned and a channel layer 180 is positioned around the bottom of the light emitting structure 120.

발광 구조물(120)의 측면 및 발광 구조물(120)의 외부로 노출된 채널층(180)의 상부에 패시베이션층(160)이 위치할 수도 있다.The passivation layer 160 may be located on the side of the light emitting structure 120 and on the top of the channel layer 180 exposed to the outside of the light emitting structure 120.

제2 반사층(144)은 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be positioned corresponding to at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170.

즉, 제2 반사층(144)은, 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 제1 영역(130a)과 대응되면서 전류 저지층(170)과 접하지 않는 투명 전극층(130)의 제2 영역(130b) 중 적어도 일부와 접하여 위치할 수 있다.That is, the second reflective layer 144 is formed on the transparent electrode layer 130, which corresponds to the first region 130a of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170, 2 region 130b, as shown in FIG.

또한, 제2 반사층(144)은 채널층(180)과 접하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be positioned corresponding to at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 that is in contact with the channel layer 180.

즉, 제2 반사층(144)은, 채널층(180)과 접하는 투명 전극층(130)의 제3 영역(130c)과 대응되면서 채널층(180)과 접하지 않는 투명 전극층(130)의 제4 영역(130d) 중 적어도 일부와 접하여 위치할 수 있다.In other words, the second reflective layer 144 has a fourth region of the transparent electrode layer 130 that does not contact the channel layer 180 while corresponding to the third region 130c of the transparent electrode layer 130 in contact with the channel layer 180. [ (130d).

도 14는 제9 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.14 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to the ninth embodiment.

제9 실시예에 따른 발광소자(100I)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100I according to the ninth embodiment includes the light emitting structure 120 including the first conductive semiconductor layer 122, the active layer 124 and the second conductive semiconductor layer 124, the light emitting structure 120 And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 is formed on the first conductive semiconductor layer 126 in the direction of the second conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 발광 구조물(120)의 하부 둘레에 채널층(180)이 위치한다.In addition, the channel layer 180 is located around the lower portion of the light emitting structure 120.

발광 구조물(120)의 측면 및 발광 구조물(120)의 외부로 노출된 채널층(180)의 상부에 패시베이션층(160)이 위치할 수도 있다.The passivation layer 160 may be located on the side of the light emitting structure 120 and on the top of the channel layer 180 exposed to the outside of the light emitting structure 120.

제2 반사층(144)은 채널층(180)과 접하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be positioned corresponding to at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 that is in contact with the channel layer 180.

즉, 제2 반사층(144)은, 채널층(180)과 접하는 투명 전극층(130)의 제3 영역(130c)과 대응되면서 채널층(180)과 접하지 않는 투명 전극층(130)의 제4 영역(130d) 중 적어도 일부와 접하여 위치할 수 있다.In other words, the second reflective layer 144 has a fourth region of the transparent electrode layer 130 that does not contact the channel layer 180 while corresponding to the third region 130c of the transparent electrode layer 130 in contact with the channel layer 180. [ (130d).

제9 실시예의 경우, 제7, 8 실시예에 비해 반사층(140)의 반사율은 높을 수 있으나 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력은 제7, 8 실시예에 비해 약할 수 있다.In the ninth embodiment, the reflectance of the reflective layer 140 may be higher than that of the seventh and eighth embodiments, but the adhesion between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 may be weaker than in the seventh and eighth embodiments have.

도 15는 제10 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.15 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to the tenth embodiment.

제10 실시예에 따른 발광소자(100J)는 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(124)을 포함하는 발광 구조물(120), 상기 발광 구조물(120)의 제2 도전형 반도체층(126) 방향에 위치하는 반사층(140), 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 반사층(140) 사이에 위치하는 투명 전극층(130)을 포함하고, 반사층(140)은 제1 반사층(142) 및 상기 제1 반사층(142)과 상기 투명 전극층(130) 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층(144)을 포함한다.The light emitting device 100J according to the tenth embodiment includes a light emitting structure 120 including a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124 and a second conductive semiconductor layer 124, And a transparent electrode layer 130 interposed between the second conductive semiconductor layer 126 and the reflective layer 140. The reflective conductive layer 140 is formed on the first conductive semiconductor layer 126 in the direction of the second conductive semiconductor layer 126, The reflective layer 140 includes a first reflective layer 142 and a second reflective layer 144 disposed on at least a portion of the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130.

또한, 제1 도전형 반도체층(122) 상에 제1 전극(150)이 위치하고, 제1 전극(150)과 대응하여 제2 도전형 반도체층(126)과 투명 전극층(130) 사이에 전류 저지층(170)이 위치하며, 발광 구조물(120)의 하부 둘레에 채널층(180)이 위치한다.The first electrode 150 is located on the first conductivity type semiconductor layer 122 and the current blocking layer 130 is formed between the second conductivity type semiconductor layer 126 and the transparent electrode layer 130 in correspondence with the first electrode 150. [ A layer 170 is positioned and a channel layer 180 is positioned around the bottom of the light emitting structure 120.

발광 구조물(120)의 측면 및 발광 구조물(120)의 외부로 노출된 채널층(180)의 상부에 패시베이션층(160)이 위치할 수도 있다.The passivation layer 160 may be located on the side of the light emitting structure 120 and on the top of the channel layer 180 exposed to the outside of the light emitting structure 120.

제2 반사층(144)은 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be positioned corresponding to at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170.

즉, 제2 반사층(144)은, 전류 저지층(170)과 접하는 투명 전극층(130)의 제1 영역(130a)과 대응되면서 전류 저지층(170)과 접하지 않는 투명 전극층(130)의 제2 영역(130b) 중 적어도 일부와 접하여 위치할 수 있다.That is, the second reflective layer 144 is formed on the transparent electrode layer 130, which corresponds to the first region 130a of the transparent electrode layer 130 in contact with the current blocking layer 170, 2 region 130b, as shown in FIG.

또한, 제2 반사층(144)은 채널층(180)과 접하여 위치하는 투명 전극층(130)의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치할 수 있다.The second reflective layer 144 may be positioned corresponding to at least a portion of the region of the transparent electrode layer 130 that is in contact with the channel layer 180.

즉, 제2 반사층(144)은, 채널층(180)과 접하는 투명 전극층(130)의 제3 영역(130c)과 대응되면서 채널층(180)과 접하지 않는 투명 전극층(130)의 제4 영역(130d) 중 적어도 일부와 접하여 위치할 수 있다.In other words, the second reflective layer 144 has a fourth region of the transparent electrode layer 130 that does not contact the channel layer 180 while corresponding to the third region 130c of the transparent electrode layer 130 in contact with the channel layer 180. [ (130d).

제2 반사층(144)은 라인 형상 또는 도트 형상으로 형성될 수 있고, 라인 형상 또는 도트 형상의 조합으로 형성될 수도 있다.The second reflective layer 144 may be formed in a line shape or a dot shape, or may be formed in a line shape or a combination of dot shapes.

제10 실시예의 발광소자(100J)가 제8 실시예와 다른 점은 제2 반사층(144)이 라인 형상으로 형성되는 경우, 발광소자(100J)의 제2 반사층(144) 라인의 폭이 발광소자(100H)의 제2 반사층(144) 라인의 폭보다 좁으면서 서로 이격된 복수 개로 이루어졌다는 점이다.The light emitting device 100J of the tenth embodiment is different from the eighth embodiment in that when the second reflective layer 144 is formed in a line shape, the width of the second reflective layer 144 of the light emitting device 100J, Are narrower than the width of the second reflective layer 144 of the first reflective layer 100H and are spaced apart from each other.

또는, 제2 반사층(144)이 도트 형상으로 형성되는 경우, 발광소자(100J)의 제2 반사층(144) 도트가 발광소자(100H)의 제2 반사층(144) 도트보다 개수가 많거나 도트의 폭이 좁게 이루어졌다는 점이다.Alternatively, when the second reflective layer 144 is formed in a dot shape, the number of dots of the second reflective layer 144 of the light emitting device 100J is greater than that of the second reflective layer 144 of the light emitting device 100H, It is narrow.

제2 반사층(144)의 라인의 폭, 인접한 라인 사이의 간격, 제2 반사층(144)의 도트의 폭, 인접한 도트 사이의 간격, 도트의 개수 등은 실시예에 따라 다양한 변경이 가능하다.The width of the line of the second reflective layer 144, the interval between adjacent lines, the width of the dot of the second reflective layer 144, the interval between adjacent dots, and the number of dots can be variously changed according to the embodiment.

상술한 실시예들에 따르면, 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 계면에서 메탈 필링(metal peeling)이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 반사층(140)의 반사율 저하를 최소화하면서 제1 반사층(142)과 투명 전극층(130) 사이의 부착력을 개선할 수 있다.It is possible to prevent metal peeling from occurring at the interface between the first reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 and to prevent the occurrence of metal peeling in the reflective layer 140, 1 adhesion between the reflective layer 142 and the transparent electrode layer 130 can be improved.

도 16은 실시예들에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 일실시예를 도시한 도면이다.16 is a view illustrating an embodiment of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiments.

일실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 몸체(310)와, 상기 몸체(310)에 설치된 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)과, 상기 몸체(310)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광소자(100)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(340)를 포함한다. 상기 몸체(310)에는 캐비티가 형성될 수 있다.The light emitting device package 300 according to an embodiment includes a body 310, a first lead frame 321 and a second lead frame 322 provided on the body 310, A light emitting device 100 according to the above embodiments electrically connected to the first lead frame 321 and the second lead frame 322 and a molding part 340 formed in the cavity. A cavity may be formed in the body 310.

상기 몸체(310)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(310)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(310)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(321, 322) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body 310 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. When the body 310 is made of a conductive material such as a metal material, an insulating layer is coated on the surface of the body 310 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 321 and 322 .

상기 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(321) 및 제2 리드 프레임(322)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.The first lead frame 321 and the second lead frame 322 are electrically separated from each other and supply current to the light emitting device 100. The first lead frame 321 and the second lead frame 322 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100. The heat generated from the light emitting device 100 To the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(310) 상에 설치되거나 상기 제1 리드 프레임(321) 또는 제2 리드 프레임(322) 상에 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 리드 프레임(321)과 발광소자(100)가 직접 통전되고, 제2 리드 프레임(322)과 상기 발광소자(100)는 와이어(330)를 통하여 연결되어 있다. 발광소자(100)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 등에 의하여 리드 프레임(321, 322)과 연결될 수 있다.The light emitting device 100 may be mounted on the body 310 or may be mounted on the first lead frame 321 or the second lead frame 322. The first lead frame 321 and the light emitting element 100 are directly energized and the second lead frame 322 and the light emitting element 100 are connected to each other through the wire 330 in this embodiment. The light emitting device 100 may be connected to the lead frames 321 and 322 by a flip chip method or a die bonding method in addition to the wire bonding method.

상기 몰딩부(340)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(340) 상에는 형광체(350)가 포함되어, 상기 발광소자(100)로부터 방출되는 빛의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding part 340 may surround and protect the light emitting device 100. In addition, the phosphor 350 may be included on the molding part 340 to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

형광체(350)는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor 350 may include a garnet-based phosphor, a silicate-based phosphor, a nitride-based phosphor, or an oxynitride-based phosphor.

예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.For example, the garnet-base phosphor is YAG (Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3 +) or TAG: may be a (Tb 3 Al 5 O 12 Ce 3 +), wherein the silicate-based phosphor is (Sr, Ba, Mg, Ca) 2 SiO 4 : Eu 2 + , and the nitride phosphor may be CaAlSiN 3 : Eu 2 + containing SiN, and the oxynitride phosphor may be Si 6 - x Al x O x N 8 -x: Eu 2 + (0 <x <6) can be.

상기 발광소자(100)에서 방출된 제1 파장 영역의 광이 상기 형광체(250)에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광은 렌즈(미도시)를 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다. The light of the first wavelength range emitted from the light emitting device 100 is excited by the fluorescent material 250 to be converted into the light of the second wavelength range and the light of the second wavelength range passes through the lens (not shown) The light path can be changed.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to embodiments may be arranged on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. Still another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, a lighting system including the semiconductor light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp, a streetlight .

이하에서는 상술한 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 헤드램프와 백라이트 유닛을 설명한다.Hereinafter, the headlamp and the backlight unit will be described as an embodiment of the lighting system in which the above-described light emitting device or the light emitting device package is disposed.

도 17은 실시예에 따른 발광소자가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면이다.17 is a view showing an embodiment of a headlamp in which the light emitting device according to the embodiment is disposed.

도 17을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자가 배치된 발광 모듈(710)에서 방출된 빛이 리플렉터(720)와 쉐이드(730)에서 반사된 후 렌즈(740)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.17, the light emitted from the light emitting module 710 in which the light emitting device according to the embodiment is disposed is reflected by the reflector 720 and the shade 730, and then transmitted through the lens 740, have.

상기 발광 모듈(710)은 회로기판 상에 발광소자가 복수 개로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.The light emitting module 710 may include a plurality of light emitting devices on a circuit board, but the present invention is not limited thereto.

도 18은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면이다.18 is a view illustrating an exemplary display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

도 18을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.18, the display device 800 according to the embodiment includes the light emitting modules 830 and 835, the reflection plate 820 on the bottom cover 810, and the reflection plate 820 disposed in front of the reflection plate 820, A first prism sheet 850 and a second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840 and a second prism sheet 860 disposed between the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860. The light guiding plate 840 guides light emitted from the light- A panel 870 disposed in front of the panel 870 and a color filter 880 disposed in the front of the panel 870.

발광 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 도 11에서 설명한 바와 같다.The light emitting module includes the above-described light emitting device package 835 on the circuit board 830. Here, the circuit board 830 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 835 is the same as that described with reference to FIG.

상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may house the components in the display device 800. The reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be formed to be coated on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 with a highly reflective material Do.

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The light guide plate 840 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). An air guide system is also available in which the light guide plate is omitted and light is transmitted in a space above the reflective sheet 820.

상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 is formed on one side of the support film with a transparent and elastic polymeric material, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the edges and the valleys on one surface of the support film may be perpendicular to the edges and the valleys on one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to uniformly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet in all directions of the panel 870.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which may be formed of other combinations, for example, a microlens array or a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 870. In addition to the liquid crystal display panel 860, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 870, the liquid crystal is positioned between the glass bodies, and the polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 880 is provided on the front surface of the panel 870 so that light projected from the panel 870 transmits only red, green, and blue light for each pixel.

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.

100A~100J: 발광소자 110: 지지기판
115: 본딩층 120: 발광 구조물
122: 제1 도전형 반도체층 124: 활성층
126: 제2 도전형 반도체층 130: 투명 전극층
140: 반사층 142: 제1 반사층
144: 제2 반사층 150: 제1 전극
160: 패시베이션층 170: 전류 저지층
310: 패키지 몸체 321, 322: 제1,2 리드 프레임
330: 와이어 340: 몰딩부
350: 형광체 710: 발광 모듈
720: 리플렉터 730: 쉐이드
800: 표시장치 810: 바텀 커버
820: 반사판 840: 도광판
850: 제1 프리즘시트 860: 제2 프리즘시트
870: 패널 880: 컬러필터100A to 100J: Light emitting device 110: Support substrate
115: bonding layer 120: light emitting structure
122: first conductivity type semiconductor layer 124: active layer
126: second conductivity type semiconductor layer 130: transparent electrode layer
140: reflective layer 142: first reflective layer
144: second reflective layer 150: first electrode
160: passivation layer 170: current blocking layer
310: package body 321, 322: first and second lead frames
330: wire 340: molding part
350: phosphor 710: light emitting module
720: Reflector 730: Shade
800: Display device 810: Bottom cover
820: reflector 840: light guide plate
850: first prism sheet 860: second prism sheet
870: Panel 880: Color filter

Claims (17)

제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층; 및
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층;을 포함하고,
상기 반사층은 제1 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함하고, 상기 제2 반사층은 상기 제1 전극과 적어도 일부 대응하여 배치되는 발광소자.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer;
A reflective layer positioned in the direction of the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure; And
And a transparent electrode layer disposed between the second conductive semiconductor layer and the reflective layer,
Wherein the reflective layer comprises a first reflective layer and a second reflective layer positioned at least in part of an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer and the second reflective layer comprises a light emitting element . 삭제delete 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층; 및
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층;을 포함하고,
상기 반사층은 제1 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함하고,
상기 제1 도전형 반도체층과 접하는 상기 제1 전극의 일면과 대응하는 상기 발광 구조물의 영역과, 상기 제2 반사층과 대응하는 상기 발광 구조물의 영역이 적어도 일부 중첩되는 발광소자.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer;
A reflective layer positioned in the direction of the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure; And
And a transparent electrode layer disposed between the second conductive semiconductor layer and the reflective layer,
Wherein the reflective layer includes a first reflective layer and a second reflective layer positioned at least at an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer,
Wherein a region of the light emitting structure corresponding to one surface of the first electrode in contact with the first conductivity type semiconductor layer and a region of the light emitting structure corresponding to the second reflective layer overlap at least partially. 삭제delete 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층;
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층; 및상기 제1 전극과 대응하여 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 투명 전극층 사이에 배치되는 전류 저지층을 포함하고,
상기 반사층은 제1 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함하고,
상기 제2 반사층은 상기 전류 저지층과 접하는 상기 투명 전극층의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer;
A reflective layer positioned in the direction of the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure;
A transparent electrode layer positioned between the second conductivity type semiconductor layer and the reflective layer; And a current blocking layer disposed between the second conductivity type semiconductor layer and the transparent electrode layer in correspondence with the first electrode,
Wherein the reflective layer includes a first reflective layer and a second reflective layer positioned at least at an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer,
And the second reflective layer is positioned corresponding to at least a part of the region of the transparent electrode layer in contact with the current blocking layer. 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층;
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층; 및상기 발광 구조물의 측면을 둘러싸는 패시베이션층을 포함하고,
상기 반사층은 제1 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함하고,
상기 제2 반사층은 상기 패시베이션층과 대응하여 위치하는 상기 투명 전극층의 영역 중 적어도 일부 상에 위치하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer;
A reflective layer positioned in the direction of the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure;
A transparent electrode layer positioned between the second conductivity type semiconductor layer and the reflective layer; And a passivation layer surrounding a side surface of the light emitting structure,
Wherein the reflective layer includes a first reflective layer and a second reflective layer positioned at least at an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer,
And the second reflective layer is located on at least a part of a region of the transparent electrode layer corresponding to the passivation layer. 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층;
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층; 및상기 발광 구조물의 하부 둘레에 배치되는 채널층을 포함하고,
상기 반사층은 제1 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함하고,
상기 제2 반사층은 상기 채널층과 접하여 위치하는 상기 투명 전극층의 영역 중 적어도 일부와 대응하여 위치하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer;
A reflective layer positioned in the direction of the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure;
A transparent electrode layer positioned between the second conductivity type semiconductor layer and the reflective layer; And a channel layer disposed around the lower portion of the light emitting structure,
Wherein the reflective layer includes a first reflective layer and a second reflective layer positioned at least at an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer,
And the second reflective layer is positioned corresponding to at least part of the region of the transparent electrode layer that is in contact with the channel layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제2 반사층은 상기 투명 전극층과 접하지 않는 영역이 상기 제1 반사층에 의해 둘러싸인 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein a region of the second reflective layer that is not in contact with the transparent electrode layer is surrounded by the first reflective layer. 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층 방향에 위치하는 반사층;
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 반사층 사이에 위치하는 투명 전극층; 및상기 반사층에 인접하여 지지기판이 위치하고, 상기 반사층과 상기 지지기판 사이에 위치하는 본딩층을 포함하고,
상기 반사층은 제1 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 투명 전극층 사이의 계면 중 적어도 일부에 위치하는 제2 반사층을 포함하고,
상기 제2 반사층의 일부가 상기 본딩층과 접하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer;
A first electrode disposed on the first conductive semiconductor layer;
A reflective layer positioned in the direction of the second conductivity type semiconductor layer of the light emitting structure;
A transparent electrode layer positioned between the second conductivity type semiconductor layer and the reflective layer; And a bonding layer positioned between the reflective layer and the support substrate, the bonding layer positioned adjacent to the reflective layer,
Wherein the reflective layer includes a first reflective layer and a second reflective layer positioned at least at an interface between the first reflective layer and the transparent electrode layer,
And a part of the second reflective layer contacts the bonding layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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