KR102419857B1 - Light emitting device and light emitting device package including the same - Google Patents

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Abstract

실시예는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 제1 발광 구조물과 복수 개의 제2 발광 구조물을 포함하고, 상기 제1 발광 구조물은 상기 기판 상의 제1 영역에 배치되고, 상기 제2 발광 구조물은 상기 기판 상의 상기 제1 영역 둘레의 제2 영역에 배치되며, 상기 제1 발광 구조물은 제1 파장 영역의 광을 방출하고, 상기 제2 발광 구조물은 상기 제1 파장보다 단파장인 제2 파장 영역의 광을 방출하는 발광소자를 제공한다.Examples include substrates; and a plurality of first light emitting structures and a plurality of second light emitting structures disposed on the substrate, the first light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, wherein the first light emitting structure comprises the disposed in a first area on a substrate, the second light emitting structure is disposed in a second area around the first area on the substrate, the first light emitting structure emits light in a first wavelength range, and the second light emitting structure The light emitting structure provides a light emitting device that emits light in a second wavelength region shorter than the first wavelength.

Description

발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE INCLUDING THE SAME}A light emitting device and a light emitting device package including the same

실시예는 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device and a light emitting device package including the same.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.Group 3-5 compound semiconductors, such as GaN and AlGaN, are widely used in optoelectronics and electronic devices due to their many advantages, such as wide and easily tunable band gap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors are developed in thin film growth technology and device materials such as red, green, blue, and ultraviolet light. Various colors can be realized, and efficient white light can be realized by using fluorescent materials or combining colors. It has the advantage of being friendly.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Accordingly, a light emitting diode backlight that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting a transmission module of an optical communication means, a backlight of a Liquid Crystal Display (LCD) display device, and white light emission that can replace a fluorescent lamp or incandescent light bulb Applications are expanding to diode lighting devices, automobile headlights and traffic lights.

도 1은 종래의 발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device.

종래의 발광소자(100)는 사파이어 등으로 이루어진 기판(110) 위에 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광구조물(120)이 형성되고, 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 상에 각각 제1 전극(150)과 제2 전극(160)이 배치된다.The conventional light emitting device 100 includes a light emitting structure 120 including a first conductivity type semiconductor layer 122 , an active layer 124 , and a second conductivity type semiconductor layer 126 on a substrate 110 made of sapphire or the like. formed, and the first electrode 150 and the second electrode 160 are respectively disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 122 and the second conductivity-type semiconductor layer 126 .

발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(124)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 활성층(124)에서 방출되는 빛은 활성층(124)을 이루는 물질의 조성에 따라 다를 수 있으며, 청색광이나 자외선(UV) 또는 심자외선(Deep UV) 또는 다른 파장 영역의 광일 수 있다.In the light emitting device 100 , electrons injected through the first conductivity type semiconductor layer 122 and holes injected through the second conductivity type semiconductor layer 126 meet each other to form an active layer 124 in an energy band unique to the material. It emits light with an energy determined by The light emitted from the active layer 124 may vary depending on the composition of the material constituting the active layer 124 , and may be blue light, ultraviolet (UV) light, deep ultraviolet (Deep UV) light, or light in another wavelength region.

활성층(124)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. The active layer 124 may have a double junction structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum wire (Quantum-Wire) structure, a quantum dot structure, or the like. can be formed with

상술한 종래의 발광소자는 다음과 같은 문제점이 있다.The above-described conventional light emitting device has the following problems.

기판과 발광 구조물은 이종의 재료이므로 격자 상수 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있다.Since the substrate and the light emitting structure are different materials, the lattice constant mismatch is very large and the difference in the coefficient of thermal expansion therebetween is also very large, so dislocation, melt-back, cracks that deteriorate crystallinity Cracks, pits, and surface morphology defects may occur.

상술한 문제점을 해결하고자 도 1에 도시된 바와 같이 버퍼층(115)을 형성할 수도 있으나, 전위가 여전히 형성되어 발광 구조물의 품질을 악화시킬 수도 있다.In order to solve the above-mentioned problems, the buffer layer 115 may be formed as shown in FIG. 1 , but dislocations may still be formed to deteriorate the quality of the light emitting structure.

상술한 결정 결함으로 인하여 활성층에서 방출된 빛에너지가 열에너지로 변환되어 외부로 방출되어 광효율이 저하될 수 있다.Due to the above-described crystal defects, light energy emitted from the active layer is converted into thermal energy and emitted to the outside, thereby reducing light efficiency.

또한, 발광 구조물(120)에서 방출되는 제1 파장 영역이 형광체(미도시)를 여기시키고 형광체에서 제2 파장 영역의 광이 방출어되어, 제1 파장 영역의 광과 제2 파장 영역의 광이 혼합되어 백색광을 구현할 수 있는데, 이때 빛이 일부 손실되고 색온도나 연색 지수 등의 조절에 어려움이 있다.In addition, the first wavelength region emitted from the light emitting structure 120 excites the phosphor (not shown), and the light of the second wavelength region is emitted from the phosphor, so that the light of the first wavelength region and the light of the second wavelength region are separated It can be mixed to realize white light, but at this time, some light is lost and it is difficult to control the color temperature or color rendering index.

실시예는 발광 구조물의 성장에서 전위 등의 결정 결함을 감소시키고, 발광소자 패키지에서 광의 손실을 줄이고 색온도나 연색 지수 등을 용이하게 조절하고자 한다.The embodiment is intended to reduce crystal defects such as dislocations in the growth of a light emitting structure, reduce loss of light in a light emitting device package, and easily control a color temperature or a color rendering index.

실시예는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 제1 발광 구조물과 복수 개의 제2 발광 구조물을 포함하고, 상기 제1 발광 구조물은 상기 기판 상의 제1 영역에 배치되고, 상기 제2 발광 구조물은 상기 기판 상의 상기 제1 영역 둘레의 제2 영역에 배치되며, 상기 제1 발광 구조물은 제1 파장 영역의 광을 방출하고, 상기 제2 발광 구조물은 상기 제1 파장보다 단파장인 제2 파장 영역의 광을 방출하는 발광소자를 제공한다.Examples include substrates; and a plurality of first light emitting structures and a plurality of second light emitting structures disposed on the substrate, the first light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, wherein the first light emitting structure comprises the disposed in a first area on a substrate, the second light emitting structure is disposed in a second area around the first area on the substrate, the first light emitting structure emits light in a first wavelength range, and the second light emitting structure The light emitting structure provides a light emitting device emitting light of a second wavelength region shorter than the first wavelength.

복수 개의 제1 발광 구조물들은, 상기 제2 파장 영역의 광을 반사하도록 포토닉 크리스탈 정지 밴드를 이룰 수 있다.The plurality of first light emitting structures may form a photonic crystal stop band to reflect the light of the second wavelength region.

발광소자는, 상기 기판 상에 배치되고 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 제3 발광 구조물을 더 포함하고, 상기 제3 발광 구조물은 상기 기판 상의 상기 제2 영역 둘에의 제3 영역에 배치되며, 상기 제3 발광 구조물은 상기 제2 파장보다 단파장인 제3 파장 영역의 광을 방출하는 발광소자를 제공한다.The light emitting device may further include a plurality of third light emitting structures disposed on the substrate and including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer, wherein the third light emitting structure is disposed on the substrate It is disposed in a third region of two regions, and the third light emitting structure provides a light emitting device emitting light of a third wavelength region shorter than the second wavelength.

발광소자는, 상기 복수 개의 제2 발광 구조물들은, 상기 제3 파장 영역의 광을 반사하도록 포토닉 크리스탈 정지 밴드를 이루도록 배치될 수 있다.In the light emitting device, the plurality of second light emitting structures may be arranged to form a photonic crystal stop band to reflect the light of the third wavelength region.

상기 제1 발광 구조물의 직경은 상기 제2 발광 구조물의 직경보다 클 수 있다.A diameter of the first light emitting structure may be greater than a diameter of the second light emitting structure.

제2 발광 구조물의 직경은 상기 제3 발광 구조물의 직경보다 클 수 있다.A diameter of the second light emitting structure may be greater than a diameter of the third light emitting structure.

제1 발광 구조물들의 피치는 상기 제2 발광 구조물들의 피치보다 클 수 있다.A pitch of the first light emitting structures may be greater than a pitch of the second light emitting structures.

제2 발광 구조물들의 피치는 상기 제3 발광 구조물들의 피치보다 클 수 있다.A pitch of the second light emitting structures may be greater than a pitch of the third light emitting structures.

각각의 발광 구조물들은 직경이 나노 스케일인 로드 형상일 수 있다.Each of the light emitting structures may have a rod shape having a diameter of a nanoscale.

다른 실시예는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상의 제1 전극층과 제2 전극층; 및 상기 제1 전극 패드와 제2 전극 패드에 전기적으로 연결되는 상술한 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.Another embodiment is a package body; a first electrode layer and a second electrode layer on the package body; and the above-described light emitting device electrically connected to the first electrode pad and the second electrode pad.

실시예들에 따른 발광소자는, 나노 스케일의 발광 구조물의 성장에서 전위 등의 결정 결함을 감소시켜서 품질이 향상될 수 있다. 그리고, 나노 스케일의 각각의 발광 구조물에서 각각 적색과 녹색 및 청색 파장 영역의 광을 방출하고, 상술한 각 발광 구조물들의 배치로 인하여 발광 구조물에서 방출된 광이 다른 발광 구조물에 흡수되지 않고 외부로 방출될 수 있으므로, 형광체 없이 백색광을 구현할 수 있어서 발광소자 패키지의 광의 손실을 줄이고 색온도나 연색 지수 등을 용이하게 조절할 수 있다.The quality of the light emitting device according to the embodiments may be improved by reducing crystal defects such as dislocations in the growth of a light emitting structure on a nanoscale. In addition, each light emitting structure of the nanoscale emits light in the red, green, and blue wavelength region, respectively, and the light emitted from the light emitting structure is emitted to the outside without being absorbed by other light emitting structures due to the arrangement of each of the above-described light emitting structures. Therefore, it is possible to realize white light without a phosphor, thereby reducing the loss of light in the light emitting device package and easily adjusting a color temperature or a color rendering index.

도 1은 종래의 발광소자를 나타낸 도면이고,
도 2는 발광소자의 일실시예를 간략히 나타낸 도면이고,
도 3은 도 2의 발광소자의 발광 영역을 모식적으로 나타낸 도면이고,
도 4는 도 3의 R, G, B 영역의 발광소자들을 나타낸 도면이고,
도 5는 R, G, B 발광소자들의 상호 작용을 나타낸 도면이고,
도 6은 도 2의 발광소자에서 발광 구조물들의 배치를 나타낸 도면이고,
도 7은 발광소자가 플립 칩 타입으로 배치된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional light emitting device,
2 is a diagram schematically showing an embodiment of a light emitting device,
3 is a view schematically showing a light emitting area of the light emitting device of FIG. 2,
4 is a view showing light emitting devices of R, G, and B regions of FIG. 3;
5 is a view showing the interaction of R, G, B light emitting devices,
6 is a view showing the arrangement of light emitting structures in the light emitting device of FIG. 2,
7 is a view showing a light emitting device package in which light emitting devices are arranged in a flip chip type.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention that can specifically realize the above objects will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 상(위) 또는 하(아래)(on or under) 등으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed on "on or under" of each element, on (above) or below (on) or under) includes both elements in which two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are disposed between the two elements indirectly. In addition, when it is expressed as up (up) or down (on or under), it may include the meaning of not only an upward direction but also a downward direction based on one element.

도 2는 발광소자의 일실시예를 간략히 나타낸 도면이다.2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of a light emitting device.

도 2의 발광소자(200)는 발광 구조물(220)이 나노 로드(nano rod) 형상으로 배치되고 있다. 마스크층(280)를 통하여 부분적으로 성장된 제1 도전형 반도체층(222)의 둘레에 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)이 성장되고 있으며, 각각의 나노 로드의 사이를 갭 필링층(270)이 채우고, 제1 도전형 반도체층(222)과 갭 필링층(270) 상에 각각 제1 전극(265)과 제2 전극(275)이 배치된다.In the light emitting device 200 of FIG. 2 , the light emitting structure 220 is disposed in a nano rod shape. An active layer 224 and a second conductivity type semiconductor layer 226 are grown around the first conductivity type semiconductor layer 222 partially grown through the mask layer 280 , and there is a gap between the respective nanorods. The filling layer 270 is filled, and the first electrode 265 and the second electrode 275 are respectively disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 222 and the gap filling layer 270 .

상세히 설명하면 다음과 같다.In detail, it is as follows.

기판(210)는 반도체 물질 성장에 적합한 물질이나 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있으며, 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있고, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다. 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiO2, SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.The substrate 210 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth or a carrier wafer, may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may include a conductive substrate or an insulating substrate. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiO 2 , SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3 may be used.

사파이어 등으로 기판(210)를 형성하고, 기판(210) 상에 GaN이나 AlGaN 등을 포함하는 발광 구조물(220)이 배치될 때, GaN이나 AlGaN과 사파이어 사이의 격자 부정합(lattice mismatch)이 매우 크고 이들 사이에 열 팽창 계수 차이도 매우 크기 때문에, 결정성을 악화시키는 전위(dislocation), 멜트 백(melt-back), 크랙(crack), 피트(pit), 표면 모폴로지(surface morphology) 불량 등이 발생할 수 있으므로, AlN 등으로 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다.When the substrate 210 is formed of sapphire or the like and the light emitting structure 220 including GaN or AlGaN is disposed on the substrate 210, the lattice mismatch between GaN or AlGaN and sapphire is very large. Since the difference in thermal expansion coefficient between them is also very large, dislocation, melt-back, crack, pit, and surface morphology that deteriorate crystallinity may occur. Therefore, it is possible to form a buffer layer (not shown) of AlN or the like.

도시되지는 않았으나, 버퍼층(미도시)과 발광구조물(220)의 사이에는 언도프드 GaN층이나 AlGaN층이 배치되어, 발광구조물(220) 내로 상술한 전위 등이 전달되는 것을 방지할 수 있다.Although not shown, an undoped GaN layer or an AlGaN layer is disposed between the buffer layer (not shown) and the light emitting structure 220 to prevent the above-described potential from being transmitted into the light emitting structure 220 .

발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하고, 발광 구조물(220)은 복수 개의 나노 로드(nano rod) 형상의 발광 구조물(220)을 이룬다.The light-emitting structure 220 includes a first conductivity-type semiconductor layer 222 , an active layer 224 , and a second conductivity-type semiconductor layer 226 , and the light-emitting structure 220 has a plurality of nano-rod shapes. The light emitting structure 220 is formed.

제1 도전형 반도체층(222)은 베이스층과 돌출 구조물을 포함하는데, 베이스층은 기판(210)의 전면 상에 얇은 박막 층이고, 돌출 구조물은 베이스층 상에서 마스크 사이로 오픈된 영역에서 성장되어 이루어진다.The first conductivity-type semiconductor layer 222 includes a base layer and a protruding structure. The base layer is a thin thin film layer on the entire surface of the substrate 210 , and the protruding structure is grown in an open region between masks on the base layer. .

돌출 구조물 또는 발광 구조물은 도시된 바와 같이 베이스층으로부터 연장되어 배치되는 측면과, 상기 측면의 상부에 플랫(flat)하게 배치되며 상기 베이스층의 표면과 나란한 상부면을 포함한다. 이때, 상술한 상부면을 플랫 탑(flat top)이라 할 수도 있다.The protruding structure or the light emitting structure includes a side surface extending from the base layer as shown, and an upper surface disposed flat on the side surface and parallel to the surface of the base layer. In this case, the above-described upper surface may be referred to as a flat top.

돌출 구조물의 단면은 6각 기둥이거나 원형 또는 다각형일 수 있고, 각각의 돌출 구조물은 규칙적인 배열 외에 불규칙하게도 배치될 수 있으며, 각각의 돌출 구조물의 크기나 형상은 서로 같을 수 있으나 다를 수도 있다.The cross-section of the protruding structures may be hexagonal, circular, or polygonal, and each of the protruding structures may be irregularly arranged in addition to a regular arrangement, and the size or shape of each of the protruding structures may be the same or different.

도 2에서, 베이스층과 돌출 구조물을 점선으로 구획하고 있으나 동일한 재료로 이루어질 수 있고, 마스크층(280)를 사용하기 이전과 이후에 각각 성장될 수 있다.In FIG. 2 , the base layer and the protruding structure are separated by a dotted line, but may be made of the same material, and may be grown before and after the mask layer 280 is used, respectively.

마스크층(280)는 베이스층과 돌출 구조물을 나눌 수 있고, 또한 각각의 돌출 구조물을 나눌 수도 있다. 마스크층(280)은 제1 도전형 반도체층(222) 중 베이스층(222a)을 성장시킨 이후에 배치되고 돌출 구조물(222b)이 보다 작은 단면적으로 성장되게 할 수 있다.The mask layer 280 may divide the base layer and the protruding structure, and may also divide each protruding structure. The mask layer 280 may be disposed after the base layer 222a of the first conductivity type semiconductor layer 222 is grown, and the protrusion structure 222b may be grown with a smaller cross-sectional area.

도 2에서, 마스크층(280)의 배치 이후에, 제1 도전형 반도체층(222) 중 돌출 구조물(222b)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 성장시키고 있으며, 이때 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)은 마스크층(280)의 상부에 배치될 수 있다.In FIG. 2 , after the mask layer 280 is disposed, the protrusion structure 222b, the active layer 224 and the second conductivity type semiconductor layer 226 of the first conductivity type semiconductor layer 222 are grown. The active layer 224 and the second conductivity type semiconductor layer 226 may be disposed on the mask layer 280 .

그리고, 도 2의 실시예와 상이하게 돌출 구조물(222b)이 성장된 이후에 마스크층(280)을 제거하고, 그 이후에 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)을 제1 도전형 반도체층(222) 상의 전 영역에 성장시킬 수 있으며, 후술하는 실시예들에서도 동일하다.Then, differently from the embodiment of FIG. 2 , the mask layer 280 is removed after the protrusion structure 222b is grown, and thereafter, the active layer 224 and the second conductivity type semiconductor layer 226 are subjected to first conductivity. It may be grown over the entire region on the type semiconductor layer 222 , and the same applies to embodiments to be described later.

제1 도전형 반도체층(222)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 222 may be implemented with a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI, and may be doped with a first conductivity type dopant. The first conductivity type semiconductor layer 222 is a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), AlGaN , GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, may be formed of any one or more of GaAs, GaAsP, AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(222)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(222)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity-type semiconductor layer 222 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant may include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The first conductivity type semiconductor layer 222 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

활성층(224)은 돌출 구조물의 둘레에 얇은 박막으로 성장될 수 있고, 제2 도전형 반도체층(226)은 활성층(224)의 둘레와 마스크층(280) 상에 얇은 박막으로 각각 형성될 수 있다.The active layer 224 may be grown as a thin film around the protrusion structure, and the second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed as a thin film around the active layer 224 and on the mask layer 280 , respectively. .

활성층(224)은 제1 도전형 반도체층(222)과 제2 도전형 반도체층(226) 사이에 배치되며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 224 is disposed between the first conductivity-type semiconductor layer 222 and the second conductivity-type semiconductor layer 226 , and includes a single well structure, a multi-well structure, a single quantum well structure, and a multi-quantum well (MQW). Well) structure, it may include any one of a quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(224)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.The active layer 224 uses a III-V group element compound semiconductor material to form a well layer and a barrier layer, for example, AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs (InGaAs). /AlGaAs, GaP (InGaP) / may be formed of any one or more pair structure of AlGaP, but is not limited thereto.

우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than that of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(226)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(226)이 AlxGa(1-x)N으로 이루어질 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed of a semiconductor compound. The second conductivity type semiconductor layer 226 may be implemented with a group III-V or group II-VI compound semiconductor, and may be doped with a second conductivity type dopant. The second conductivity type semiconductor layer 226 is, for example, a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), AlGaN , GaN AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, may be formed of any one or more of AlGaInP, for example, the second conductivity type semiconductor layer 226 may be made of Al x Ga (1-x) N.

제2 도전형 반도체층(226)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(226)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the second conductivity-type semiconductor layer 226 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

도시되지는 않았으나, 활성층(224)과 제2 도전형 반도체층(226)의 사이에는 전자 차단층(Electron blocking layer)이 배치될 수 있다. 전자 차단층은 초격자(superlattice) 구조로 이루어질 수 있는데, 초격자는 예를 들어 제2 도전형 도펀트로 도핑된 AlGaN이 배치될 수 있고, 알루미늄의 조성비를 달리하는 GaN이 층(layer)을 이루어 복수 개 서로 교번하여 배치될 수도 있다.Although not shown, an electron blocking layer may be disposed between the active layer 224 and the second conductivity type semiconductor layer 226 . The electron blocking layer may have a superlattice structure. In the superlattice, for example, AlGaN doped with a second conductivity type dopant may be disposed, and GaN having a different composition ratio of aluminum is formed as a layer. A plurality may be arranged alternately with each other.

발광 구조물(220)들의 사이에는 갭(gap)이 존재하고, 각각의 갭에는 갭 필링층(gap filling layer, 270)이 배치될 수 있으며, 갭 필링층(270)은 금속층으로 이루어지고 전기도금(electroplating)으로 형성될 수 있다.A gap exists between the light emitting structures 220, and a gap filling layer 270 may be disposed in each gap, and the gap filling layer 270 is made of a metal layer and is electroplated ( can be formed by electroplating).

갭 필링층(270)은 도전성 재료로 이루어져서, 발광 구조물(220)을 안정적으로 지지하고 또한 제2 도전형 반도체층(226)의 전영역에 고루 정공 내지 전자를 공급할 수 있다.The gap filling layer 270 may be made of a conductive material to stably support the light emitting structure 220 and uniformly supply holes or electrons to the entire region of the second conductivity type semiconductor layer 226 .

제1 도전형 반도체층(222)과 갭 필링층(270) 상에는 각각 제1 전극(265)과 제2 전극(275)이 배치될 수 있다. 제1 전극(265)과 제2 전극(275)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.A first electrode 265 and a second electrode 275 may be respectively disposed on the first conductivity type semiconductor layer 222 and the gap filling layer 270 . The first electrode 265 and the second electrode 275 may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), and gold (Au) as a single layer. Alternatively, it may be formed in a multi-layered structure.

나노 스케일의 직경을 가지는 발광 구조물(220)에 전극을 형성할 때 발광 구조물(220)의 종횡비로 인하여 안정적인 전극 배치가 어렵고, 발광 구조물(220)의 상부면에 전극이 형성되면 발광 구조물(220)의 전면적에 전류를 공급하기 어려울 수 있으나, 도전층이 전기 도금법 등으로 갭 필링층(270)으로 형성되어 발광 구조물(220)을 안정적으로 지지할 수 있다.When forming an electrode on the light emitting structure 220 having a nanoscale diameter, it is difficult to stably dispose the electrode due to the aspect ratio of the light emitting structure 220, and when the electrode is formed on the upper surface of the light emitting structure 220, the light emitting structure 220 Although it may be difficult to supply current to the entire area of , the conductive layer may be formed as the gap filling layer 270 by an electroplating method or the like to stably support the light emitting structure 220 .

도 2의 발광소자(200)는 발광 구조물(220)이 나노 로드 형상으로 성장되어, 상술한 전위 등의 발생을 줄일 수 있다. 종래의 나노 로드 형상의 발광 구조물(220)은 전위 등의 결정 결함이 감소할 수는 있으나, 각각의 나노 로드 형상의 발광 구조물(220)에서 방출되는 제1 파장 영역의 광이 형광체를 여기시키고 형광체에서 제2 파장 영역의 광이 방출되므로, 빛이 일부 손실되고 색온도나 연색 지수 등의 조절에 어려움이 있다.In the light emitting device 200 of FIG. 2 , the light emitting structure 220 is grown in the shape of a nanorod, so that the above-described generation of dislocations and the like can be reduced. In the conventional light emitting structure 220 having a nanorod shape, crystal defects such as dislocations may be reduced, but light in the first wavelength region emitted from each light emitting structure 220 having a nanorod shape excites the phosphor and causes the phosphor to Since the light of the second wavelength region is emitted from the light source, some light is lost and it is difficult to control the color temperature or color rendering index.

따라서, 나노 로드 형상의 발광 구조물(220)이 서로 다른 영역의 광을 방출하는 제1 발광 구조물 내지 제3 발광 구조물을 포함하에 배치할 수 있다.Accordingly, the nanorod-shaped light emitting structure 220 may be disposed to include the first to third light emitting structures emitting light in different regions.

도 3은 도 2의 발광소자의 발광 영역을 모식적으로 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a light emitting region of the light emitting device of FIG. 2 .

즉, 도 2에서 각각의 발광 구조물(220) 내지 나노 로드(nano rod)에서 방출되는 광의 파장 영역이 서로 상이할 수 있으며, 도 3에서 제1 영역인 중앙의 R 영역에는 적색 파장 영역의 광을 방출하는 발광 구조물이 배치되고, 제3 영역인 가장 자리의 B 영역에는 청색 파장 영역의 광을 방출하는 발광 구조물이 배치되고, 제2 영역인 중간의 G 영역에는 녹색 파장 영역의 광을 방출하는 발광 구조물이 배치될 수 있다.That is, the wavelength region of light emitted from each of the light emitting structures 220 to nanorods in FIG. 2 may be different from each other, and light of the red wavelength region is applied to the central R region, which is the first region in FIG. 3 . A light emitting structure emitting light is disposed, a light emitting structure emitting light of a blue wavelength region is disposed in a region B of an edge of the third region, and a light emitting structure emitting light of a green wavelength region is disposed in a middle region G of the second region A structure may be placed.

도 4a 내지 도 4c는 도 3의 R, G, B 영역의 발광소자들을 나타낸 도면이다.4A to 4C are views illustrating light emitting devices in regions R, G, and B of FIG. 3 .

도 4a에서 R 영역에는 제1 발광 구조물(RodR)이 배치되고, 각각의 제1 발광 구조물(RodR) 사이의 피치(P1)가 정의되고 있다.도 4b에서 G 영역에는 제2 발광 구조물(RodG)이 배치되고, 각각의 제2 발광 구조물(RodG) 사이의 피치(P2)가 정의되고 있다.도 4c에서 B 영역에는 제3 발광 구조물(RodB)이 배치되고, 각각의 제3 발광 구조물(RodB) 사이의 피치(P3)가 정의되고 있다.In FIG. 4A , a first light emitting structure Rod R is disposed in the R region, and a pitch P 1 between each of the first light emitting structures Rod R is defined. In FIG. 4B , a second light emitting structure is disposed in the G region. (Rod G ) is disposed, and a pitch P 2 between each of the second light emitting structures Rod G is defined. In FIG. 4C , the third light emitting structure Rod B is disposed in the region B, and each A pitch P 3 between the third light emitting structures Rod B is defined.

본 실시예에서, 예를 들면 제1 영역의 제1 발광 구조물(RodR)에서는 적색 파장 영역의 광이 방출되고, 제2 발광 구조물(RodG)에서는 녹색 파장 영역의 광이 방출되며, 제3 발광 구조물(RodB)에서는 청색 파장 영역의 광이 방출될 수 있다.In the present embodiment, for example, light of a red wavelength region is emitted from the first light emitting structure Rod R of the first region, light of a green wavelength region is emitted from the second light emitting structure Rod G , and the third Light of a blue wavelength region may be emitted from the light emitting structure Rod B .

도 5는 R, G, B 발광소자들의 상호 작용을 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating the interaction of R, G, and B light emitting devices.

제1 영역의 제1 발광 구조물(RodR)에서 방출된 적색 파장 영역의 광은 제2 발광 구조물(RodG)과 제3 발광 구조물(RodB)에 흡수되지 않고 투과하여 외부로 방출될 수 있다. 그리고, 제2 발광 구조물(RodG)에서 방출된 녹색 파장 영역의 광은 제3 발광 구조물(RodB)로 흡수되지 않고 외부로 방출될 수 있다.Light of the red wavelength region emitted from the first light emitting structure Rod R of the first region may not be absorbed by the second light emitting structure Rod G and the third light emitting structure Rod B , but may pass through and be emitted to the outside. . In addition, the light of the green wavelength region emitted from the second light emitting structure Rod G may be emitted to the outside without being absorbed by the third light emitting structure Rod B .

이때, 제3 발광 구조물(RodB)에서 방출된 청색 파장 영역의 광은 제2 발광 구조물(RodG)에 흡수되지 않고 반사될 수 있고, 또한 제2 발광 구조물(RodG)에서 방출된 녹색 파장 영역의 광은 제1 발광 구조물(RodR)로 흡수되지 않고 반사될 수 있다.In this case, the light of the blue wavelength region emitted from the third light emitting structure Rod B may be reflected without being absorbed by the second light emitting structure Rod G , and also the green wavelength emitted from the second light emitting structure Rod G . Light in the region may be reflected without being absorbed by the first light emitting structure Rod R .

상술한 작용을 위하여, 제1 발광 구조물(RodR)들은 제2 파장 영역의 광인 녹색 광을 반사하도록 포토닉 크리스탈 정지 밴드를 이루도록 배치될 수 있다. 또한, 제2 발광 구조물(RodG)들은 제3 파장 영역의 광인 청색 광을 반사하도록 포토닉 크리스탈 정지 밴드를 이루도록 배치될 수 있다.For the above-described operation, the first light emitting structures Rod R may be arranged to form a photonic crystal stop band to reflect green light, which is light in the second wavelength region. In addition, the second light emitting structures Rod G may be arranged to form a photonic crystal stop band to reflect blue light, which is light in the third wavelength region.

도 6은 도 2의 발광소자에서 발광 구조물들의 배치를 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a view showing the arrangement of light emitting structures in the light emitting device of FIG. 2 .

일반적으로 인접한 발광 구조물들 사이의 거리 내지 피치가 클수록, 보다 장파장을 반사하는 포토닉 크리스탈 정지 밴드가 형성될 수 있다.In general, as the distance or pitch between adjacent light emitting structures increases, a photonic crystal stop band reflecting a longer wavelength may be formed.

따라서, 제1 영역의 제1 발광 구조물(RodR) 사이의 피치(P1)는 제2 영역의 제2 발광 구조물(RodG) 사이의 피치(P2)보다 클 수 있고, 제2 영역의 제2 발광 구조물(RodG) 사이의 피치(P2)는 제3 영역의 제3 발광 구조물(RodB) 사이의 피치(P3)보다 클 수 있다.Accordingly, the pitch P 1 between the first light emitting structures Rod R in the first region may be greater than the pitch P 2 between the second light emitting structures Rod G in the second region, and The pitch P 2 between the second light emitting structures Rod G may be greater than the pitch P 3 between the third light emitting structures Rod B in the third region.

또한, 제1 영역의 제1 발광 구조물(RodR)의 직경(R1)은 제2 영역의 제2 발광 구조물(RodG)의 직경(R2)보다 클 수 있고, 제2 영역의 제2 발광 구조물(RodG)의 직경(R2)은 제3 영역의 제3 발광 구조물(RodB)의 직경(R3)보다 클 수 있다.In addition, the diameter R 1 of the first light emitting structure Rod R in the first region may be greater than the diameter R 2 of the second light emitting structure Rod G in the second region, and the second region of the second region R 1 . The diameter R 2 of the light emitting structure Rod G may be greater than the diameter R 3 of the third light emitting structure Rod B in the third region.

그리고, 제1 영역의 제1 발광 구조물(RodR)과 제2 영역의 제2 발광 구조물(RodG) 사이의 거리(d1)는 제2 영역의 제2 발광 구조물(RodG)과 제3 영역의 제3 발광 구조물(RodB) 사이의 거리(d2)와 다를 수 있다.And, the distance d 1 between the first light emitting structure Rod R of the first area and the second light emitting structure Rod G of the second area is equal to the distance d 1 between the second light emitting structure Rod G and the third light emitting structure of the second area. It may be different from the distance d 2 between the third light emitting structures Rod B in the region.

또한, 일반적으로 발광 구조물들 사이의 간격이 넓을수록, 발광 구조물 특히 활성층에 인듐이 많이 포함되어 보다 장파장의 광을 방출할 수 있다.In general, as the distance between the light emitting structures increases, more indium is included in the light emitting structure, particularly the active layer, so that light having a longer wavelength may be emitted.

상술한 실시예들에 따른 발광소자는, 나노 스케일의 발광 구조물의 성장에서 전위 등의 결정 결함을 감소시켜서 품질이 향상될 수 있다. 그리고, 나노 스케일의 각각의 발광 구조물에서 각각 적색과 녹색 및 청색 파장 영역의 광을 방출하고, 상술한 각 발광 구조물들의 배치로 인하여 발광 구조물에서 방출된 광이 다른 발광 구조물에 흡수되지 않고 외부로 방출될 수 있으므로, 형광체 없이 백색광을 구현할 수 있어서 발광소자 패키지의 광의 손실을 줄이고 색온도나 연색 지수 등을 용이하게 조절할 수 있다.The quality of the light emitting device according to the above-described embodiments may be improved by reducing crystal defects such as dislocations in the growth of the nanoscale light emitting structure. In addition, each light emitting structure of the nanoscale emits light in the red, green, and blue wavelength region, respectively, and the light emitted from the light emitting structure is emitted to the outside without being absorbed by other light emitting structures due to the arrangement of each of the above-described light emitting structures. Therefore, it is possible to realize white light without a phosphor, thereby reducing the loss of light in the light emitting device package and easily adjusting a color temperature or a color rendering index.

도 7은 발광소자가 플립 칩 타입으로 배치된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.7 is a view illustrating a light emitting device package in which light emitting devices are arranged in a flip chip type.

캐비티를 가지는 지지 기판(700) 위에 제1 전극 패드(721)과 제2 전극 패드(722)가 접합층(710)을 통하여 고정될 수 있다. 도 7에서 지지 기판(700)에 형성되는 캐비티의 측벽은 바닥면과 둔각으로 배치되나, 직각으로 배치될 수도 있다.The first electrode pad 721 and the second electrode pad 722 may be fixed on the supporting substrate 700 having the cavity through the bonding layer 710 . In FIG. 7 , the sidewall of the cavity formed in the support substrate 700 is disposed at an obtuse angle with the bottom surface, but may be disposed at a right angle.

그리고, 발광소자(200)는 도 2과 비교하여 상/하가 역전되어 플립 칩 타입으로 배치될 수 있는데, 발광소자(200)의 제1 전극(265)과 제2 전극(275)이 각각 제1 전극 패드(721)와 제2 전극 패드(722)에 직접 본딩될 수 있다.In addition, the light emitting device 200 may be arranged in a flip-chip type with the top/bottom reversed as compared with FIG. 2 , in which the first electrode 265 and the second electrode 275 of the light emitting device 200 are first It may be directly bonded to the first electrode pad 721 and the second electrode pad 722 .

이때, 제2 전극 패드(722)와의 접촉을 위하여 제2 전극(265)이 길게 연장될 수 있다. 이러한 구조는 전극과 전극 패드 사이의 결합을 위한 별도의 범프(bump)가 필요 없고, 발광 구조물(220)에서 방출된 빛은 도 7의 상부 방향으로 진행할 수 있다.In this case, the second electrode 265 may be extended to make contact with the second electrode pad 722 . This structure does not require a separate bump for coupling between the electrode and the electrode pad, and light emitted from the light emitting structure 220 may travel upward in FIG. 7 .

발광소자 패키지는 상술한 구성 외에 몰딩부 등의 구성을 포함할 수 있다.The light emitting device package may include a molding part in addition to the above-described configuration.

발광소자 패키지는 상술한 실시예들에 따른 발광소자 중 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package may be mounted with one or a plurality of light emitting devices according to the above-described embodiments, but is not limited thereto.

상술한 발광소자 내지 발광소자 패키지는 조명 시스템의 광원으로 사용될 수 있는데, 일예로 영상표시장치의 백라이트 유닛과 조명 장치에 사용될 수 있다.The above-described light emitting device or light emitting device package may be used as a light source of a lighting system, and may be used, for example, in a backlight unit of an image display device and a lighting device.

영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용될 때 에지 타입의 백라이트 유닛으로 사용되거나 직하 타입의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있고, 조명 장치에 사용될 때 등기구나 벌트 타입의 광원에 사용될 수도 있다.When used as a backlight unit of an image display device, it may be used as an edge-type backlight unit or a direct-type backlight unit, and when used in a lighting device, it may be used for a luminaire or a bulb-type light source.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100, 200: 발광소자 115: 버퍼층
110, 210: 기판 120, 220: 발광 구조물
265: 제1 전극 270: 갭 필링층
275: 제2 전극 280: 마스크층
700: 지지 기판100, 200: light emitting device 115: buffer layer
110, 210: substrate 120, 220: light emitting structure
265: first electrode 270: gap filling layer
275: second electrode 280: mask layer
700: support substrate

Claims (10)

기판; 및
상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 제1 발광 구조물과 복수 개의 제2 발광 구조물을 포함하고,
상기 제1 발광 구조물은 상기 기판 상의 제1 영역에 배치되고,
상기 제2 발광 구조물은 상기 기판 상의 상기 제1 영역 둘레의 제2 영역에 배치되며,
상기 제1 발광 구조물은 제1 파장 영역의 광을 방출하고,
상기 제2 발광 구조물은 상기 제1 파장보다 단파장인 제2 파장 영역의 광을 방출하고,
상기 복수 개의 제1 발광 구조물들은, 상기 제2 파장 영역의 광을 반사하도록 포토닉 크리스탈 정지 밴드를 이루도록 배치된 발광소자.Board; and
It is disposed on the substrate and includes a plurality of first light emitting structures and a plurality of second light emitting structures including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer,
The first light emitting structure is disposed in a first area on the substrate,
The second light emitting structure is disposed in a second area around the first area on the substrate,
The first light emitting structure emits light in a first wavelength region,
The second light emitting structure emits light of a second wavelength region shorter than the first wavelength,
The plurality of first light emitting structures is a light emitting device arranged to form a photonic crystal stop band to reflect the light of the second wavelength region. 제1 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수 개의 제3 발광 구조물을 더 포함하고,
상기 제3 발광 구조물은 상기 기판 상의 상기 제2 영역 둘레의 제3 영역에 배치되며, 상기 제3 발광 구조물은 상기 제2 파장보다 단파장인 제3 파장 영역의 광을 방출하는 발광소자.The method of claim 1,
It is disposed on the substrate and further comprises a plurality of third light emitting structures including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer,
The third light emitting structure is disposed in a third area around the second area on the substrate, and the third light emitting structure emits light of a third wavelength region shorter than the second wavelength. 제2 항에 있어서,
상기 복수 개의 제2 발광 구조물들은, 상기 제3 파장 영역의 광을 반사하도록 포토닉 크리스탈 정지 밴드를 이루도록 배치되는 발광소자.3. The method of claim 2,
The plurality of second light emitting structures is a light emitting device disposed to form a photonic crystal stop band to reflect the light of the third wavelength region. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
상기 제1 발광 구조물의 직경은 상기 제2 발광 구조물의 직경보다 크고, 상기 제2 발광 구조물의 직경은 상기 제3 발광 구조물의 직경보다 큰 발광소자.4. The method of claim 2 or 3,
A diameter of the first light emitting structure is larger than a diameter of the second light emitting structure, and a diameter of the second light emitting structure is larger than a diameter of the third light emitting structure. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
상기 제1 발광 구조물들의 피치는 상기 제2 발광 구조물들의 피치보다 크고, 상기 제2 발광 구조물들의 피치는 상기 제3 발광 구조물들의 피치보다 큰 발광소자.4. The method of claim 2 or 3,
A pitch of the first light emitting structures is greater than a pitch of the second light emitting structures, and a pitch of the second light emitting structures is greater than a pitch of the third light emitting structures. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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