KR20160118487A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR20160118487A
KR20160118487A KR1020150046662A KR20150046662A KR20160118487A KR 20160118487 A KR20160118487 A KR 20160118487A KR 1020150046662 A KR1020150046662 A KR 1020150046662A KR 20150046662 A KR20150046662 A KR 20150046662A KR 20160118487 A KR20160118487 A KR 20160118487A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrode
semiconductor layer
contact
contact electrode
Prior art date
Application number
KR1020150046662A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102474695B1 (en
Inventor
주현승
임우식
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020150046662A priority Critical patent/KR102474695B1/en
Publication of KR20160118487A publication Critical patent/KR20160118487A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102474695B1 publication Critical patent/KR102474695B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

The present invention provides a light emitting device equipped with a plurality of light emitting structures, capable of preventing the amount of current and heating from being increased while increasing the amount of light. According to one embodiment of the present invention, the light emitting device comprises: first and second light emitting cells including a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer, and removing the second conductive semiconductor layer and the active layer from a partial area to expose the first conductive semiconductor layer; first and second contact electrodes arranged on the surfaces of the exposed first and second conductive semiconductor layers, respectively; a common electrode electrically connected to a first electrode in electrical contact with the first contact electrode of the first light emitting cell, a second electrode in electrical contact with the second contact electrode of the second light emitting cell, the second contact electrode of the first light emitting cell, and the first contact electrode of the second light emitting cell, respectively; and an insulation support layer arranged between the first and second electrodes, and the common electrode.

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

실시예는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수 개의 발광 셀을 가진 발광소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device having a plurality of light emitting cells.

GaN, AlGaN 등의 3-5 족 화합물 반도체는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점으로 인해 광 전자 공학 분야(optoelectronics)와 전자 소자를 위해 등에 널리 사용된다.GaN, and AlGaN are widely used for optoelectronics and electronic devices due to their advantages such as wide and easy bandgap energy.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a semiconductor material of a 3-5 group or a 2-6 group compound semiconductor has been widely used in various fields such as red, green, blue and ultraviolet rays It can realize various colors, and it can realize efficient white light by using fluorescent material or color combination. It has low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps Affinity.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광소자는 구조에 따라 수평형 발광소자, 수직형 발광소자 및 플립 칩 발광소자 등으로 나뉘며, 하나의 발광소자 내에 복수 개의 발광 셀이 포함될 수도 있다.The light emitting device is divided into a horizontal light emitting device, a vertical light emitting device, and a flip chip light emitting device according to the structure, and a plurality of light emitting cells may be included in one light emitting device.

도 1은 종래의 발광소자의 단면도이고, 도 2는 종래의 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자의 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device including a plurality of light emitting cells.

도 1의 발광소자는 기판(110) 상에 제1 도전형 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120)이 배치되고, 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126)의 표면에는 제1 전극(152)과 제2 전극(156)이 배치될 수 있다.1, a light emitting structure 120 including a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126 is disposed on a substrate 110, The first electrode 152 and the second electrode 156 may be disposed on the surfaces of the conductive type semiconductor layer 122 and the second conductivity type semiconductor layer 126.

도시된 수평형 발광소자는 다양한 어플리케이션에서 복수 개가 구비될 수 있는데, 제조 비용이나 모듈의 사이즈가 커질 수 있다. 따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 복수 개의 발광 구조물을 포함하는 발광소자(200)를 양산하기도 한다.A plurality of horizontal flat type light emitting devices may be provided in various applications, and the manufacturing cost and module size may be increased. Accordingly, as shown in FIG. 2, a light emitting device 200 including a plurality of light emitting structures may be mass produced.

도 2의 발광소자(200)는 기판(210) 상에 2개의 발광 구조물(220)이 서로 이격되어 배치되고, 각각의 발광 구조물(220)은 제1 도전형 반도체층(222)과 활성층(224) 및 제2 도전형 반도체층(226)을 포함하여 이루어진다.2 includes two light emitting structures 220 spaced apart from each other on a substrate 210. Each light emitting structure 220 includes a first conductive semiconductor layer 222 and an active layer 224 And a second conductivity type semiconductor layer 226. The second conductivity type semiconductor layer 226 may be formed of a metal.

각각의 발광 구조물(220)에는 절연층(240)이 배치되고, 제1 도전형 반도체층(222)과 제2 도전형 반도체층(226) 상에는 절연층(240)의 오픈 영역이 형성되어 오픈된 영역에 전극(250, 252, 256)이 배치될 수 있다. 그리고, 하나의 발광 구조물의 제1 도전형 반도체층(222)과 다른 발광 구조물의 제2 도전형 반도체층(226)은 하나의 전극(250)으로 연결될 수 있다.An insulating layer 240 is disposed on each of the light emitting structures 220 and an open region of the insulating layer 240 is formed on the first conductive semiconductor layer 222 and the second conductive semiconductor layer 226, The electrodes 250, 252, and 256 may be disposed in the region. The first conductive semiconductor layer 222 of one light emitting structure and the second conductive semiconductor layer 226 of another light emitting structure may be connected to one electrode 250.

도 2의 발광소자(200)는 2개의 발광 구조물(220)이 배치되어 모듈의 부피 증가를 줄이면서도 광량을 증가시킬 수 있다.The light emitting device 200 of FIG. 2 can increase the amount of light while reducing the volume increase of the module by disposing the two light emitting structures 220.

그러나, 도 2의 발광소자(200)는 2개의 발광 구조물을 연결하는 연결 전극(250)이 배치되는데, 금속 등 도전성 물질로 이루어진 연결 전극(250)의 면적이 증가하여 광반사가 늘어나고 연결 전극(250)에 흐르는 전류량이 증가하고 발열 또한 증가할 수 있다.2, the connection electrode 250 connecting the two light emitting structures is disposed, the area of the connection electrode 250 made of a conductive material such as metal is increased to increase light reflection, and the connection electrode 250 250) and the heat generation can also be increased.

실시예는 광량이 증가하되 전류량과 발열량도 증가하지 않는 복수의 발광 구조물을 구비한 발광소자를 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device having a plurality of light emitting structures that increase the amount of light but do not increase the amount of current and the amount of heat generated.

실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 일부 영역에서 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 제1 발광 셀과 제2 발광 셀; 상기 노출된 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 표면에 각각 배치된 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극; 상기 제1 발광 셀의 제1 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제1 전극과, 상기 제2 발광 셀의 제2 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제2 전극과, 상기 제1 발광 셀의 제2 컨택 전극과 상기 제2 발광 셀의 제1 컨택 전극에 각각 전기적으로 접촉하는 공통 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극의 사이에 배치된 절연성 지지층을 포함하는 발광소자를 제공한다.In an embodiment, the first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer are formed. In some regions, the second conductivity type semiconductor layer and the active layer are removed, Cell and a second light emitting cell; A first contact electrode and a second contact electrode disposed on the surfaces of the exposed first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, respectively; A first electrode electrically contacting the first contact electrode of the first light emitting cell, a second electrode electrically contacting the second contact electrode of the second light emitting cell, and a second contact electrode of the first light emitting cell, A common electrode electrically connected to the first contact electrode of the second light emitting cell; And an insulating supporting layer disposed between the first electrode, the second electrode, and the common electrode.

제1 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층의 표면의 제1 영역과 접촉할 수 있다.The first contact electrode may contact the first region of the surface of the first conductive type semiconductor layer exposed by removing the second conductive type semiconductor layer and the active layer.

제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 전기적으로 차단하는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층의 표면의 제2 영역과 접촉할 수 있다.And a first insulating layer electrically isolating the first contact electrode and the second contact electrode from each other, wherein the first insulating layer includes a first conductivity-type semiconductor layer Lt; RTI ID = 0.0 > of the surface of the layer.

제2 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층의 표면의 제1 영역과 접촉할 수 있다.The second contact electrode may contact the first region of the surface of the second conductive type semiconductor layer.

제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 전기적으로 차단하는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제2 도전형 반도체층 표면의 제2 영역과 접촉할 수 있다.And a first insulating layer electrically intercepting the first contact electrode and the second contact electrode. The first insulating layer may contact the second region of the surface of the second conductive type semiconductor layer.

제1 컨택 전극은, 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 상기 제1 발광 셀과 제2 발광 셀 중 적어도 하나의 표면이 이루는 형상과 동일한 형상으로 배치될 수 있다.The first contact electrode may be disposed in the same shape as the second conductive type semiconductor layer and the active layer are removed to form a shape of at least one of the first light emitting cell and the second light emitting cell.

제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극 중 적어도 하나와 상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극 중 적어도 하나의 사이에 배치되는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.And a second insulating layer disposed between at least one of the first contact electrode and the second contact electrode and at least one of the first electrode, the second electrode, and the common electrode.

제1 전극은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 컨택 전극과 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있다.The first electrode may contact the first contact electrode in at least one region through the second insulating layer.

제2 전극은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제2 컨택 전극과 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있다.The second electrode may contact the second contact electrode in at least one region through the second insulating layer.

공통 전극은, 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 컨택 전극 및 상기 제2 컨택 전극과 각각 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있다.The common electrode may be in contact with the first contact electrode and the second contact electrode in at least one region through the second insulating layer.

제1 발광 셀과 제2 발광 셀의 사이에서, 상기 제1 절연층이 노출될 수 있다.The first insulating layer may be exposed between the first light emitting cell and the second light emitting cell.

실시예에 따른 발광소자는 복수 개의 발광 셀이 배치되므로 활성층에서 방출되는 광량이 증가하나, 접촉 전극과 전극 등이 발광 셀의 하부에 배치되어 광을 차단하지 않을 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, since the plurality of light emitting cells are disposed, the amount of light emitted from the active layer is increased, but the contact electrodes and the electrodes are disposed below the light emitting cells to prevent light from being blocked.

그리고, 인접한 발광 셀에 연결된 공통 전극이 발광소자의 내부에 배치되고 절연성 지지층에 의하여 보호될 수 있다.A common electrode connected to the adjacent light emitting cells may be disposed inside the light emitting device and protected by an insulating supporting layer.

도 1은 종래의 발광소자의 단면도이고,
도 2는 종래의 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자의 단면도이고,
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이고,
도 4는 실시예에 따른 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자의 단면도이고,
도 5a 내지 도 5c는 도 4의 발광소자의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device,
2 is a cross-sectional view of a conventional light emitting device including a plurality of light emitting cells,
3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment,
4 is a cross-sectional view of a light emitting device including a plurality of light emitting cells according to an embodiment,
5A to 5C are schematic views showing a plan view of the light emitting device of FIG.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed on the "upper" or "on or under" of each element, on or under includes both elements being directly contacted with each other or one or more other elements being indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on" or "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상부" 및 "하부" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.It is also to be understood that the terms "first" and "second", "upper" and "lower", etc., as used below, do not necessarily imply or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements And may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

실시예에 따른 발광소자들은 박막 플립 칩(Thin film flip chip) 발광소자일 수 있으며, GaN 등으로 이루어지는 발광 구조물의 성장 공정 후에 기판을 제거하여 제조될 수 있다.The light emitting devices according to the embodiments may be a thin film flip chip light emitting device and may be manufactured by removing a substrate after a growth process of a light emitting structure made of GaN or the like.

도 3은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.

실시예에 따른 발광소자(300)는 제1 도전형 반도체층(322)과 제2 도전형 반도체층(326), 및 제1 도전형 반도체층(322)과 제2 도전형 반도체층(326) 사이의 활성층(324)을 포함하는 발광 구조물(320)과, 제1 도전형 반도체층(322)과 제2 도전형 반도체층(326)에 각각 전기적으로 연결된 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)과, 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)을 전기적으로 분리하는 제1 절연층(330)과, 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)에 각각 전기적으로 연결된 제1 전극(362)과 제2 전극(366)과, 제1 전극(362)과 제2 전극(366)의 사이에 배치된 절연성 지지층(370)과, 제1 컨택 전극(342)과 제2 컨택 전극(346)과 제1 전극(362)과 제2 전극(366)의 사이에 배치되는 제2 절연층(335)과, 제1 전극(362)과 제2 전극(366)의 하부에 각각 배치되는 제1 전극 패드(382)와 제2 전극 패드(388)을 포함할 수 있다.The light emitting device 300 according to the embodiment includes the first conductive semiconductor layer 322 and the second conductive semiconductor layer 326 and the first conductive semiconductor layer 322 and the second conductive semiconductor layer 326, A first contact electrode 342 electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 322 and the second conductivity type semiconductor layer 326 and a second contact electrode 342 electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 326. The light emitting structure 320 includes the active layer 324, A first insulating layer 330 for electrically separating the first contact electrode 342 and the second contact electrode 346 from the first contact electrode 342 and the second contact electrode 346 A first electrode 362 and a second electrode 366 electrically connected to the first electrode 362 and the second electrode 366 and an insulating support layer 370 disposed between the first electrode 362 and the second electrode 366, A second insulating layer 335 disposed between the first and second electrodes 342 and 344 and the second contact electrode 346 and between the first and second electrodes 362 and 366; The first electrode pad 382 and the second electrode pad 388, .

도 3의 발광소자(300)는 기판(미도시)에서 발광 구조물(320)을 성장하고, 발광 구조물(320) 상에 제1 전극(362)과 제2 전극(366)을 도금 등의 방법으로 성장한 후, 기판을 제거하여 제조될 수 있다.The light emitting device 300 of FIG. 3 includes a first electrode 362 and a second electrode 366 formed on the light emitting structure 320 by plating or the like by growing the light emitting structure 320 on a substrate (not shown) Grown, and then removing the substrate.

상술한 구조의 발공소자는 기판 등에 의한 광흡수가 발생하지 않고, 발광 구조물(320)의 전면적에서 고루 광이 방출되어 광효율이 우수할 수 있다.The light emitter of the above-described structure does not absorb light by the substrate or the like, and uniform light is emitted from the entire surface of the light emitting structure 320, so that the light efficiency can be excellent.

도 4는 실시예에 따른 복수 개의 발광 셀을 포함하는 발광소자의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device including a plurality of light emitting cells according to an embodiment.

본 실시예에 따른 발광소자는 도 3의 발광소자(300)를 복수 개 직렬로 연결하여 배치될 수 있으며, 2개의 발광 셀(300A, 300B)이 도시되고 있으나 더 많은 개수의 발광 구조물이 배치될 수 있다.The light emitting device according to the present embodiment can be arranged by connecting a plurality of light emitting devices 300 of FIG. 3 in series, and two light emitting cells 300A and 300B are shown, but a larger number of light emitting structures are disposed .

발광 셀(300A, 300B)들은 동일한 공정에서 성장된 후 에칭 공정 등으로 서로 분리된 것일 수 있으며, 서로 동일한 조성 및 형상을 가질 수 있다.The light emitting cells 300A and 300B may be grown in the same process and then separated from each other by an etching process or the like, and may have the same composition and shape.

발광 셀(300A, 300B)은 각각 발광 구조물(320)을 포함하는데, 발광 구조물(320)은 각각 제1 도전형 반도체층(322)과 활성층(324) 및 제2 도전형 반도체층(326)을 포함할 수 있다.Each of the light emitting cells 300A and 300B includes a light emitting structure 320. The light emitting structure 320 includes a first conductive semiconductor layer 322, an active layer 324, and a second conductive semiconductor layer 326, .

제1 도전형 반도체층(322)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(322)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 322 may be formed of a compound semiconductor such as a Group III-V or a Group II-VI, and may be doped with a first conductive dopant. The first conductive semiconductor layer 322 is a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? , GaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제1 도전형 반도체층(322)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(322)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the first conductivity type semiconductor layer 322 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 322 may be formed as a single layer or a multilayer, but the present invention is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층(322)의 표면에는 요철이나 패턴이 형성되어, 활성층(324)에서 방출되는 광의 추출 효과를 향상시킬 수 있다.The surface of the first conductivity type semiconductor layer 322 is formed with irregularities and patterns to improve the extraction effect of light emitted from the active layer 324. [

활성층(324)은 제1 도전형 반도체층(322)과 제2 도전형 반도체층(326) 사이에 배치되며, 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW:Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The active layer 324 is disposed between the first conductivity type semiconductor layer 322 and the second conductivity type semiconductor layer 326 and has a double heterojunction structure, a single well structure, a multi-well structure, a single quantum well Structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure.

활성층(324)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과장벽층, 예를 들면 AlGaN/AlGaN, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaN / GaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs), and AlGaN / AlGaN / InGaN / InGaN / InGaN / InGaN, using a compound semiconductor material of Group III- / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP, but is not limited thereto.

우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2 도전형 반도체층(326)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 예컨대, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, AlGaN, GaNAlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 제2 도전형 반도체층(326)이 AlxGa(1-x)N으로 이루어질 수 있다.The second conductive semiconductor layer 326 may be formed of a semiconductor compound. The second conductive semiconductor layer 326 may be formed of a compound semiconductor such as group III-V or II-VI, and may be doped with a second conductive dopant. The second conductivity type semiconductor layer 326 may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? For example, the second conductivity type semiconductor layer 326 may be formed of Al x Ga (1-x) N. The second conductivity type semiconductor layer 326 may be formed of Al x Ga y (1-x) N, GaNAlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP or AlGaInP.

제2 도전형 반도체층(326)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(326)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.When the second conductivity type semiconductor layer 326 is a p-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba. The second conductivity type semiconductor layer 326 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

발광 구조물(320)의 일부 영역에서, 제2 도전형 반도체층(326)으로부터 활성층(324)이 식각 내지 제거되어 제1 도전형 반도체층(322)이 노출될 수 있는데, 이때 제1 도전형 반도체층(322)의 일부도 식각될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 322 may be exposed by etching or removing the active layer 324 from the second conductive semiconductor layer 326 in a part of the light emitting structure 320. In this case, A portion of the layer 322 may also be etched.

그리고, 노출된 제1 도전형 반도체층(322)에는 제1 접촉 전극(342)이 접촉하고, 제2 도전형 반도체층(326)에는 제2 접촉 전극(346)이 배치될 수 있으며, 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)은 제1 절연층(330)에 의하여 전기적으로 차단될 수 있다. The first contact electrode 342 may be in contact with the exposed first conductivity type semiconductor layer 322 and the second contact electrode 346 may be disposed in the second conductivity type semiconductor layer 326, The contact electrode 342 and the second contact electrode 346 may be electrically disconnected by the first insulating layer 330.

제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)은 제1 전극(362)과 제2 전극(366)에 각각 전기적으로 접촉할 수 있으며, 제1 접촉 전극(342)과 제2 접촉 전극(346)은 각각 n-타입과 p-타입의 오믹 전극으로 작용할 수 있으며, 제2 접촉 전극(346)은 반사층으로 작용할 수도 있다.The first contact electrode 342 and the second contact electrode 346 may be in electrical contact with the first electrode 362 and the second electrode 366, The second contact electrode 346 may serve as an n-type and p-type ohmic electrode, respectively, and the second contact electrode 346 may serve as a reflective layer.

제1 컨택 전극(342)이 접촉하는 제1 도전형 반도체층(322)의 표면을 제1 영역이라 하고, 제1 절연층(330)과 접촉하는 제1 도전형 반도체층(322)의 표면을 제2 영역이라 할 수 있다.The surface of the first conductivity type semiconductor layer 322 in contact with the first contact electrode 342 is referred to as a first region and the surface of the first conductivity type semiconductor layer 322 in contact with the first insulating layer 330 is referred to as a first region The second region.

제1 컨택 전극(342)은 제2 도전형 반도체층(326)과 활성층(342)이 제거되어 제1 발광 셀(300A)과 제2 발광 셀(300B)의 하부 표면이 이루는 형상과 동일한 형상을 이룰 수 있다. 여기서, 동일한 형상이라 함은 발광 셀(300A, 300B)의 볼록하고 오목한 영역에 따라 제1 컨택 전극(342)도 볼록하고 오목한 영역을 가짐을 뜻한다.The first contact electrode 342 may have the same shape as the lower surface of the first light emitting cell 300A and the second light emitting cell 300B formed by removing the second conductive semiconductor layer 326 and the active layer 342 Can be achieved. Here, the same shape means that the first contact electrode 342 also has a convex and concave region along the convex and concave region of the light emitting cells 300A and 300B.

그리고, 제2 컨택 전극(346)이 접촉하는 제2 도전형 반도체층(326)의 표면을 제1 영역이라 하고, 제1 절연층(330)과 접촉하는 제2 도전형 반도체층(326)의 표면을 제2 영역이라 할 수 있다.The surface of the second conductivity type semiconductor layer 326 in contact with the second contact electrode 346 is referred to as a first region and the surface of the second conductivity type semiconductor layer 326 in contact with the first insulating layer 330 The surface can be called the second region.

제1 전극(362)과 제2 전극(366)은 동일한 재료, 예를 들면 금속로 이루어질 수 있고, 시드층(seed layer)로부터 도금의 방법으로 성장될 수 있고, 시드층으로부터 성장된 층을 편의상 도금층이라 할 수 있다.The first electrode 362 and the second electrode 366 may be made of the same material, for example metal, and may be grown from the seed layer by plating, Plating layer.

제1 전극(362)과 제2 전극(366)의 구조를 상세히 설명하면 다음과 같다.The structure of the first electrode 362 and the second electrode 366 will be described in detail.

제1 전극(362)은 제1 발광 셀(300A)의 제1 컨택 전극(342)에 전기적으로 접촉하고, 제2 전극(366)은 제2 발광 셀(300B)의 제2 컨택 전극(346)에 전기적으로 접촉하고, 공통 전극(360)이 제1 발광 셀(300A)의 제2 컨택 전극(346)과 제2 발광 셀(300B)의 제1 컨택 전극(342)에 각각 전기적으로 접촉할 수 있다.The first electrode 362 is electrically connected to the first contact electrode 342 of the first light emitting cell 300A and the second electrode 366 is electrically connected to the second contact electrode 346 of the second light emitting cell 300B. And the common electrode 360 can electrically contact the second contact electrode 346 of the first light emitting cell 300A and the first contact electrode 342 of the second light emitting cell 300B have.

제2 절연층(335)은 제1 컨택 전극(342)과 제2 컨택 전극(346) 중 어느 하나와 제1 전극(362)과 제2 전극(366) 및 공통 전극(360) 중 하나의 사이에 배치될 수 있다.The second insulating layer 335 may be formed between any one of the first contact electrode 342 and the second contact electrode 346 and between the first electrode 362 and one of the second electrode 366 and the common electrode 360. [ As shown in FIG.

제1 절연층(330)과 제2 절연층(335)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있으며, 일 예로 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.The first insulating layer 330 and the second insulating layer 335 may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of a non-conductive oxide or nitride. For example, a silicon oxide (SiO 2 ) layer, , And an aluminum oxide layer.

제1 전극(362)은 제2 절연층(335)을 관통하여 제1 컨택 전극(342)과 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있고, 제2 전극(366)은 제2 절연층(335)을 관통하여 제2 컨택 전극(346)과 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있으며, 공통 전극(360)은 제2 절연층(335)을 관통하여 제2 발광 셀(300B)의 제1 도전형 반도체층(322)과 접촉하는 제1 컨택 전극(342) 및 제1 발광 셀(300A)의 제2 도전형 반도체층(325)과 접촉하는 제2 컨택 전극(346)과 각각 적어도 하나의 영역에서 접촉할 수 있다.The first electrode 362 may contact the first contact electrode 342 through the second insulating layer 335 in at least one region and the second electrode 366 may contact the second insulating layer 335 The common electrode 360 may be in contact with the second contact electrode 346 in at least one region and the common electrode 360 may pass through the second insulating layer 335 and may be in contact with the first conductive semiconductor layer 342 of the second light emitting cell 300B, Contact with the second contact electrode 346 in contact with the second conductive type semiconductor layer 325 of the first light emitting cell 300A and the first contact electrode 342 in contact with the first contact electrode 322 in at least one region .

제1 전극(362)과 제2 전극(366)과 공통 전극(360)의 사이에 절연성 지지층(370)이 배치될 수 있다. 절연성 지지층(370)은 절연성 물질 예를 들면 레진(resin)으로 이루어질 수 있고, 상세하게는 실리콘 또는 에폭시계의 복합체 재료(예를 들면, 몰딩 화합물)로 이루어질 수 있다. 절연성 지지층(370)의 열팽창 계수와 탄성 계수 등은 발광 구조물(120)의 열팽창 계수 또는 탄성 계수와 유사할 수 있다.An insulating support layer 370 may be disposed between the first electrode 362 and the second electrode 366 and the common electrode 360. The insulating support layer 370 may be made of an insulating material such as a resin and may be made of a silicon or epoxy composite material (for example, a molding compound). The thermal expansion coefficient and the elastic modulus of the insulating support layer 370 may be similar to the thermal expansion coefficient or the elastic modulus of the light emitting structure 120.

제1 전극(362)과 제2 전극(366)과 공통 전극(360)에는 각각 제1 전극 패드(382)와 제2 전극 패드(386)과 제3 절연층(380)이 배치될 수 있다. 실시예에 따른 발광소자는 2개의 발광 셀(300A, 300B)을 포함하나, 한 쌍의 제1 전극 패드(382)와 제2 전극 패드(386)에만 외부의 회로 기판 등에서 전류가 공급될 수 있다.A first electrode pad 382, a second electrode pad 386, and a third insulating layer 380 may be disposed on the first electrode 362, the second electrode 366, and the common electrode 360, respectively. The light emitting device according to the embodiment includes two light emitting cells 300A and 300B but only a first electrode pad 382 and a second electrode pad 386 can be supplied with current from an external circuit board or the like .

제1 발광 셀(300A)과 제2 발광 셀(300B)의 사이의 영역을 채널 영역(channel layer)라 할 수 있는데, 채널 영역에서 제1 절연층(330)이 상부로 노출될 수 있다.A region between the first light emitting cell 300A and the second light emitting cell 300B may be a channel layer and the first insulating layer 330 may be exposed upward in the channel region.

상술한 실시예에 따른 발광소자는 복수 개의 발광 셀(300A, 300B)이 배치되므로 활성층(324)에서 방출되는 광량이 증가하나, 접촉 전극과 전극 등이 발광 셀(300A, 300B)의 하부에 배치되어 광을 차단하지 않을 수 있다.Since the light emitting device according to the above-described embodiment has a plurality of light emitting cells 300A and 300B disposed therein, the amount of light emitted from the active layer 324 increases, but contact electrodes and electrodes are disposed under the light emitting cells 300A and 300B So that the light can not be blocked.

또한, 도 2의 연결 전극(250)과 유사한 본 실시예의 공통 전극(360)은 발광소자의 내부에 배치되고 절연성 지지층(370)에 의하여 보호될 수 있다.In addition, the common electrode 360 of this embodiment, which is similar to the connection electrode 250 of FIG. 2, may be disposed within the light emitting device and protected by an insulating support layer 370.

도 5a 내지 도 5c는 도 4의 발광소자의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.5A to 5C are schematic views showing a plan view of the light emitting device of FIG.

도 5a는 인접한 발광 셀(300A, 300B)이 직렬로 연결되고 있으며, 도 4의 실시예의 발광 셀들과 제1,2 전극 및 공통 전극을 도시하고 있다. 도 5b는 교류 전원에 의하여 구동되는 발광 셀(300A, 300B)과 제1,2 전극의 배치를 도시하고 있으며, 도 5c는 서로 병렬로 연결된 발광 셀(300A, 300B)과 제1,2 전극을 도시하고 있다.FIG. 5A shows the light emitting cells 300A and 300B connected in series and the light emitting cells, the first and second electrodes, and the common electrode of the embodiment of FIG. 5B illustrates the arrangement of the light emitting cells 300A and 300B and the first and second electrodes driven by the AC power. FIG. 5C illustrates the arrangement of the light emitting cells 300A and 300B connected in parallel with each other, Respectively.

상술한 발광소자들은 서브 마운트나 회로 기판 등에 범프(bump)를 통하여 전기적으로 연결되어 구동 전류를 공급받을 수 있다.The light emitting devices described above may be electrically connected to a submount or a circuit board through a bump to receive a driving current.

그리고, 도시되지는 않았으나, 발광소자의 둘레에는 실리콘 등을 포함하는 몰딩부가 배치되어 발광소자를 보호할 수 있고, 몰딩부 내에는 형광체가 포함되어 발광소자에서 방출되는 제1 파장 영역의 광에 의하여 형광체가 여기되어 형광체로부터 제2 파장 영역의 광이 방출될 수 있다.Although not shown, a molding part including silicon or the like may be disposed around the light emitting device to protect the light emitting device. In the molding part, a phosphor is included, and light of the first wavelength range emitted from the light emitting device The phosphor may be excited to emit light in the second wavelength range from the phosphor.

상술한 발광소자는 조명 시스템의 광원으로 사용될 수 있는데, 일예로 영상표시장치의 백라이트 유닛과 조명 장치에 사용될 수 있다.The light emitting device described above can be used as a light source of an illumination system, for example, a backlight unit of an image display device and a lighting device.

영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용될 때 에지 타입의 백라이트 유닛으로 사용되거나 직하 타입의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있고, 조명 장치에 사용될 때 등기구나 벌브 타입의 광원에 사용될 수도 있다.When used as a backlight unit of a video display device, it can be used as a backlight unit of an edge type or as a direct-type backlight unit, and can be used as a light source of a regulator or a bulb type when used in a lighting device.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100, 200, 300: 발광소자
110, 210: 기판 120, 220, 320: 발광 구조물
240: 절연층 250: 연결 전극
300A: 제1 발광 셀 300B: 제2 발광 셀
330: 제1 절연층 335: 제2 절연층
342: 제1 접촉 전극 346: 제2 접촉 전극
360: 공통 전극 362: 제1 전극
366: 제2 전극 370: 절연성 지지층
380: 제3 절연층 382: 제1 전극 패드
386: 제2 전극 패드100, 200, 300: Light emitting element
110, 210: substrate 120, 220, 320: light emitting structure
240: insulating layer 250: connecting electrode
300A: first light emitting cell 300B: second light emitting cell
330: first insulation layer 335: second insulation layer
342: first contact electrode 346: second contact electrode
360: common electrode 362: first electrode
366: second electrode 370: insulative support layer
380: third insulating layer 382: first electrode pad
386: second electrode pad

Claims (11)

제1 도전형 반도체층과 활성층과 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 일부 영역에서 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층이 노출된 제1 발광 셀과 제2 발광 셀;
상기 노출된 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층의 표면에 각각 배치된 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극;
상기 제1 발광 셀의 제1 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제1 전극과, 상기 제2 발광 셀의 제2 컨택 전극에 전기적으로 접촉하는 제2 전극과, 상기 제1 발광 셀의 제2 컨택 전극과 상기 제2 발광 셀의 제1 컨택 전극에 각각 전기적으로 접촉하는 공통 전극; 및
상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극의 사이에 배치된 절연성 지지층을 포함하는 발광소자.The first conductivity type semiconductor layer, the active layer, and the second conductivity type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer and the active layer are removed in a part of the first conductivity type semiconductor layer, 2 light emitting cells;
A first contact electrode and a second contact electrode disposed on the surfaces of the exposed first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, respectively;
A first electrode electrically contacting the first contact electrode of the first light emitting cell, a second electrode electrically contacting the second contact electrode of the second light emitting cell, and a second contact electrode of the first light emitting cell, A common electrode electrically connected to the first contact electrode of the second light emitting cell; And
And an insulating supporting layer disposed between the first electrode, the second electrode, and the common electrode. 제1 항에 있어서,
상기 제1 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층의 표면의 제1 영역과 접촉하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first contact electrode contacts the first region of the surface of the first conductive type semiconductor layer exposed by removing the second conductive type semiconductor layer and the active layer. 제2 항에 있어서,
상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 전기적으로 차단하는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 노출된 제1 도전형 반도체층의 표면의 제2 영역과 접촉하는 발광소자.3. The method of claim 2,
And a first insulating layer electrically isolating the first contact electrode and the second contact electrode from each other, wherein the first insulating layer is formed by exposing the second conductive type semiconductor layer and the active layer to a first conductive type And a second region of the surface of the semiconductor layer. 제1 항에 있어서,
상기 제2 컨택 전극은 상기 제2 도전형 반도체층의 표면의 제1 영역과 접촉하는 발광소자.The method according to claim 1,
And the second contact electrode is in contact with the first region of the surface of the second conductivity type semiconductor layer. 제4 항에 있어서,
상기 제1 컨택 전극과 상기 제2 컨택 전극을 전기적으로 차단하는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 제1 절연층은 상기 제2 도전형 반도체층 표면의 제2 영역과 접촉하는 발광소자.5. The method of claim 4,
And a first insulating layer electrically intercepting the first contact electrode and the second contact electrode, wherein the first insulating layer contacts the second region of the surface of the second conductive type semiconductor layer. 제1 항에 있어서, 상기 제1 컨택 전극은,
상기 제2 도전형 반도체층과 활성층이 제거되어 상기 제1 발광 셀과 제2 발광 셀 중 적어도 하나의 표면이 이루는 형상과 동일한 형상으로 배치되는 발광소자.The plasma display panel of claim 1, wherein the first contact electrode
Wherein the second conductivity type semiconductor layer and the active layer are removed and arranged in the same shape as a surface of at least one of the first light emitting cell and the second light emitting cell. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 컨택 전극과 제2 컨택 전극 중 적어도 하나와 상기 제1 전극과 제2 전극 및 공통 전극 중 적어도 하나의 사이에 배치되는 제2 절연층을 더 포함하는 발광소자.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And a second insulating layer disposed between at least one of the first contact electrode and the second contact electrode and at least one of the first electrode, the second electrode, and the common electrode. 제7 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 컨택 전극과 적어도 하나의 영역에서 접촉하는 발광소자.8. The method of claim 7,
Wherein the first electrode is in contact with the first contact electrode through at least one region through the second insulating layer. 제7 항에 있어서,
상기 제2 전극은 상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제2 컨택 전극과 적어도 하나의 영역에서 접촉하는 발광소자.8. The method of claim 7,
And the second electrode is in contact with the second contact electrode through at least one region through the second insulating layer. 제7 항에 있어서, 상기 공통 전극은,
상기 제2 절연층을 관통하여 상기 제1 컨택 전극 및 상기 제2 컨택 전극과 각각 적어도 하나의 영역에서 접촉하는 발광소자.The plasma display apparatus according to claim 7,
Wherein the first contact electrode and the second contact electrode are in contact with each other in at least one region through the second insulating layer. 제7 항에 있어서,
상기 제1 발광 셀과 제2 발광 셀의 사이에서, 상기 제1 절연층이 노출되는 발광소자.8. The method of claim 7,
And the first insulating layer is exposed between the first light emitting cell and the second light emitting cell.
KR1020150046662A 2015-04-02 2015-04-02 Light emitting device KR102474695B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150046662A KR102474695B1 (en) 2015-04-02 2015-04-02 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150046662A KR102474695B1 (en) 2015-04-02 2015-04-02 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160118487A true KR20160118487A (en) 2016-10-12
KR102474695B1 KR102474695B1 (en) 2022-12-06

Family

ID=57173402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150046662A KR102474695B1 (en) 2015-04-02 2015-04-02 Light emitting device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102474695B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200014522A (en) * 2018-08-01 2020-02-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and driving method thereof
KR20200025757A (en) * 2018-08-31 2020-03-10 엘지이노텍 주식회사 Smeiconductor device and method for manufacturing the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6717324B2 (en) * 2018-02-27 2020-07-01 日亜化学工業株式会社 Light emitting element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101142965B1 (en) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR20130138416A (en) * 2012-06-11 2013-12-19 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device
KR101423717B1 (en) * 2013-02-08 2014-08-01 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode package having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
JP2014160870A (en) * 2014-05-14 2014-09-04 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2015056650A (en) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 Light-emitting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101142965B1 (en) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR20130138416A (en) * 2012-06-11 2013-12-19 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device
KR101423717B1 (en) * 2013-02-08 2014-08-01 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode package having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
JP2015056650A (en) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 Light-emitting device
JP2014160870A (en) * 2014-05-14 2014-09-04 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200014522A (en) * 2018-08-01 2020-02-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and driving method thereof
KR20200025757A (en) * 2018-08-31 2020-03-10 엘지이노텍 주식회사 Smeiconductor device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102474695B1 (en) 2022-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2455987B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
US9673254B2 (en) Light emitting device
KR101646664B1 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device and light emitting device package
KR20110128545A (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device and light emitting device package
KR20160050228A (en) Light emitting device
KR102189129B1 (en) Light emitting device module
KR20120129666A (en) Light emitting device
KR102474695B1 (en) Light emitting device
KR20120019598A (en) Light emitting device
KR102540645B1 (en) Light emitting device
KR101954202B1 (en) Light emitting device and illuminating system including the same
KR20130075321A (en) Light emitting device
KR20120132979A (en) Light emitting device
US20190044041A1 (en) Light-emitting element package
KR102007408B1 (en) Light emittng device
KR20130021917A (en) Light emitting device package
KR101717669B1 (en) Semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same and light emitting apparataus
KR20120011198A (en) Light emitting device, light emitting device package and method for fabricating light emitting device
KR20170090077A (en) Light emitting device
KR102170217B1 (en) Light emitting device
KR20170007935A (en) Circuit board and light emitting device module including the same
KR102127447B1 (en) Light emitting device module
KR101880131B1 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
KR101888607B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
KR20140090800A (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant