KR20170078630A - 보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 복합 시트 - Google Patents

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Abstract

이 보호막 형성 필름은 자외선 경화성 성분을 함유하고, 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상이며, 파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하이다. 이 보호막 형성 필름은 착색제를 추가로 함유해도 되고, 상기 착색제는 적색 착색제이어도 된다.

Description

보호막 형성 필름 및 보호막 형성용 복합 시트{FILM FOR FORMING PROTECTIVE COAT AND COMPOSITE SHEET FOR FORMING PROTECTIVE COAT}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 워크 또는 당해 워크를 가공하여 얻어지는 가공물(예를 들면, 반도체 칩)에 보호막을 형성할 수 있는 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트 및 보호막 형성용 복합 시트에 관한 것이다.
본 출원은 2014년 10월 29일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2014-220295호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
근래, 페이스다운 방식으로 불리는 실장법에 의해 반도체 장치를 제조하는 것이 행해지고 있다. 이 방법에서는 범프 등의 전극이 형성된 회로면을 갖는 반도체 칩을 실장할 때에, 반도체 칩의 회로면측을 리드 프레임 등의 칩 탑재부에 접합하고 있다. 따라서, 회로가 형성되어 있지 않은 반도체 칩의 이면측이 노출되는 구조가 된다.
이 때문에, 반도체 칩의 이면측에는 반도체 칩을 보호하기 위해 경질의 유기 재료로 이루어지는 보호막이 형성되는 경우가 많다. 이 보호막은 예를 들면, 특허문헌 1 또는 2에 나타내는 바와 같은 반도체 이면용 필름 또는 다이싱 테이프 일체형 웨이퍼 이면 보호 필름을 사용하여 형성된다.
여기서, 상기 보호막은 일반적으로는 에폭시 수지 등의 열경화성 수지에 의해 형성된다. 그러나, 열경화성 수지의 경화 온도는 130℃를 초과하고, 또한 경화 시간은 2시간 정도를 필요로 하기 때문에, 생산 효율 향상의 장애가 되고 있다. 이 때문에, 가공 처리 시간을 단축할 수 있는 경화 메카니즘을 구비한 보호막이 요구되었다.
이에 대해, 특허문헌 3에는 (A) 이중 결합을 갖지 않는 아크릴계 공중합체로 이루어지는 폴리머 성분, (B) 에너지선 경화성 성분, (C) 염료 및/또는 안료, (D) 무기 필러, 및 (E) 350㎚ 이상의 장파장 영역의 빛을 흡수하는 광중합 개시제를 함유하여 이루어지는 에너지선 경화형 보호막 형성층을 갖는 에너지선 경화형 칩 보호용 필름이 개시되어 있다. 이러한 에너지선 경화성의 칩 보호용 필름은, 주로 자외선 조사에 의해 단시간에 경화되기 때문에, 간편하게 보호막을 형성할 수 있어 생산 효율의 향상에 기여할 수 있다.
일본 공개특허공보 2012-28396호 일본 공개특허공보 2012-235168호 일본 공개특허공보 2009-138026호
그러나, 특허문헌 3의 실시예에서 사용하고 있는 (C) 성분은 흑색 안료이며, 이러한 흑색 안료를 함유하는 칩 보호용 필름에서는 자외선의 투과성이 낮다. 따라서, 칩 보호용 필름을 경화시키기 위해 자외선을 조사했을 때에, 자외선을 필름 내부나 자외선 조사면과는 반대측 면까지 충분히 도달되지 않아, 칩 보호용 필름의 경화가 불충분해지는 경우가 있다. 이와 같이 칩 보호용 필름의 경화가 불충분하면, 얻어지는 보호막이 열 등에 의해 박리되기 쉬워지는 등 보호막으로서의 기능에 문제가 발생한다.
한편, 반도체 칩의 이면에는 통상, 반도체 웨이퍼에 대해 실시된 백 그라인드 가공에 의한 연삭흔이 남아 있다. 반도체 칩의 외관의 관점에서, 이러한 연삭흔은 육안에 의해 보이지 않는 것이 바람직하고, 상기의 보호막에 의해 은폐되는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기와 같은 실정을 감안하여 이루어진 것이며, 자외선 경화성이 우수하고, 또한 워크 또는 가공물에 존재하는 연삭흔이 육안에 의해 보이지 않는 보호막을 형성할 수 있는 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트 및 보호막 형성용 복합 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 첫째로, 본 발명은 자외선 경화성 성분을 함유하고, 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상이며, 파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하인 보호막 형성 필름을 제공한다(발명 1).
상기 발명(발명 1)에 따른 보호막 형성 필름은, 자외선에 의해 충분히 경화되고, 또한 자외선 경화 후에, 워크 또는 가공물에 존재하는 연삭흔이 육안에 의해 보이지 않는 보호막을 형성할 수 있다.
상기 발명(발명 1)에 있어서는 착색제를 추가로 함유해도 된다(발명 2).
상기 발명(발명 2)에 있어서는 상기 착색제가 적색 착색제이어도 된다(발명 3).
상기 발명(발명 2, 3)에 있어서는 상기 착색제가 유기계 착색제이어도 된다(발명 4).
상기 발명(발명 2∼4)에 있어서는 상기 보호막 형성 필름에 있어서의 상기 착색제의 함유량(W)(질량％)을 상기 보호막 형성 필름의 두께(T)(㎛)로 나눈 값(W／T)이 0.01∼0.5이어도 된다(발명 5).
상기 발명(발명 1∼5)에 있어서는 상기 보호막 형성 필름에 대해 한쪽 면측으로부터, 조도 215㎽/㎠, 광량 187mJ/㎠의 자외선을 3회 조사한 경우에, 자외선 조사면의 프로브 택의 피크 값(P1)에 대한 상기 자외선 조사면과는 반대측의 면의 프로브 택의 피크 값(P2)의 비(P2／P1)가 0.1∼7이어도 된다(발명 6).
상기 발명(발명 1∼6)에 있어서는 파장 1600㎚의 광선 투과율이 25％ 이상이어도 된다(발명 7).
둘째로, 본 발명은 상기 보호막 형성 필름(발명 1∼7)과, 상기 보호막 형성 필름의 한쪽 면 또는 양면에 적층된 박리 시트를 구비하는 보호막 형성용 시트를 제공한다(발명 8). 한편, 본 명세서에 있어서 「시트」는 테이프의 개념을 포함하는 것으로 한다.
셋째로, 본 발명은 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면측에 적층된 상기 보호막 형성 필름(발명 1∼7)을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트를 제공한다(발명 9).
상기 발명(발명 9)에 있어서 상기 지지 시트는, 기재와 상기 기재의 상기 보호막 형성 필름측에 적층된 점착제층으로 이루어지거나, 기재로 이루어져 있어도 된다(발명 10).
본 발명에 따른 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트, 및 보호막 형성용 복합 시트에 따르면, 자외선에 의해 충분히 경화되고, 또한 워크 또는 가공물에 존재하는 연삭흔이 육안에 의해 보이지 않는 보호막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 시트의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 단면도이다.
도 3은 본 발명 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 사용예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 시험예 1에 있어서의 광선 투과율의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.
(보호막 형성 필름)
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 워크 또는 당해 워크를 가공하여 얻어지는 가공물에 보호막을 형성하기 위한 것이다. 워크로는 예를 들면, 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있고, 당해 워크를 가공하여 얻어지는 가공물로는 예를 들면, 반도체 칩을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 한편, 워크가 반도체 웨이퍼인 경우, 보호막은 반도체 웨이퍼의 이면측(범프 등의 전극이 형성되어있지 않은 측)에 형성된다.
1. 물성
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상이며, 파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하인 것이다. 한편, 본 명세서에 있어서의 광선 투과율은 적분구를 이용하여 측정한 값으로 하고, 측정기구로는 분광 광도계를 사용한다.
후술하는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 자외선 경화성 성분을 함유한다. 상기와 같이, 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상이면, 자외선이 보호막 형성 필름을 투과하기 쉽고, 따라서, 보호막 형성 필름 중의 자외선 경화성 성분이 경화되기 쉬워진다. 이 때문에, 보호막 형성 필름에 대해 한쪽 면측으로부터 자외선 조사한 경우에도, 보호막 형성 필름 전체가 충분히 경화되고, 보호막 형성 필름의 내부나 자외선 조사면과는 반대측 면에 있어서 경화 부족이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 보호막 형성 필름의 경화성의 관점에서, 보호막 형성 필름의 파장 375㎚의 광선 투과율은 10％ 이상인 것이 바람직하고, 13％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 15％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 특히 17％ 이상인 것이 바람직하고, 20％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 한편, 파장 375㎚의 광선 투과율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 파장 550㎚의 광선 투과율을 12％ 이하로 함으로써, 저절로 정해지게 된다. 구체적으로는, 보호막 형성 필름의 파장 375㎚의 광선 투과율은 35％ 이하인 것이 바람직하다.
한편, 예를 들면, 반도체 칩의 이면에는 통상, 반도체 웨이퍼에 대해 실시된 백 그라인드 가공에 의한 연삭흔이 남아 있다. 파장 550㎚의 광선 투과율이 상기와 같이 12％ 이하이면, 보호막 형성 필름은 가시광을 투과하기 곤란한 것이 된다. 따라서, 상기의 연삭흔은 보호막 형성 필름(보호막)에 의해 은폐되고, 육안에 의해 대부분 보이지 않게 된다. 이로써, 반도체 칩 등의 가공물의 외관이 우수한 것이 된다.
상기 연삭흔 은폐성의 관점에서, 보호막 형성 필름의 파장 550㎚의 광선 투과율은 11％ 이하인 것이 바람직하고, 특히 8％ 이하인 것이 바람직하고, 5％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 한편, 파장 550㎚의 광선 투과율의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 파장 375㎚의 광선 투과율을 8％ 이상으로 함으로써, 저절로 정해지게 된다. 구체적으로는, 보호막 형성 필름의 파장 375㎚의 광선 투과율은 0％ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 파장 1600㎚의 광선 투과율이 25％ 이상인 것이 바람직하고, 40％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 특히 45％ 이상인 것이 바람직하고, 50％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 얻어지는 반도체 칩 등에 있어서는, 가공 시에 생긴 응력에 의해 크랙 등이 발생되어 있는 경우가 있다. 상기와 같이 파장 1600㎚의 광선 투과율이 25％ 이상이면, 적외선의 투과성이 양호해지고, 보호막 형성 필름(또는 당해 보호막 형성 필름에 의해 형성된 보호막)측으로부터 적외선을 취득하는 적외선 검사를 행할 수 있다. 이로써, 보호막 형성 필름(보호막)을 통해 반도체 칩 등의 가공물에 있어서의 크랙 등을 발견할 수 있어 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
한편, 파장 1600㎚의 광선 투과율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 파장 550㎚의 광선 투과율을 12％ 이하로 함으로써, 저절로 정해지게 된다. 또한, 보호막을 형성한 가공물(반도체 칩 등)의 사용 시에는 보호막 형성 필름의 파장 1600㎚의 광선 투과율을 90％ 이하로 함으로써, 외부로부터의 적외선의 영향을 받기 쉬운 가공물의 오작동을 방지할 수 있다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 단층으로 이루어지는 것이어도 되고, 복수층으로 이루어지는 것이어도 되지만, 광선 투과율의 제어의 용이성 및 제조 비용 면에서 단층으로 이루어지는 것이 바람직하다. 보호막 형성 필름이 복수층으로 이루어지는 경우에는, 광선 투과율의 제어의 용이성 면에서 당해 복수층 전체적으로 상기의 광선 투과율을 만족시키는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름에 있어서는 당해 보호막 형성 필름에 대해 한쪽 면측으로부터 자외선 조사한 경우에, 자외선 조사면의 프로브 택의 피크 값(P1)에 대한 자외선 조사면과는 반대측 면(이하, 「자외선 조사 반대면」이라고 하는 경우가 있다)의 프로브 택의 피크 값(P2)의 비(P2／P1)가 0.1∼7이 되는 것이 바람직하고, 특히 0.5∼4가 되는 것이 바람직하고, 1∼2가 되는 것이 더욱 바람직하다. 한편, P2／P1을 1보다 낮은 값으로 하는 것은 예를 들면, 보호막 형성 필름을 복수층으로 이루어지는 것으로 하고, 자외선 조사 반대면을 형성하는 층에 자외선 조사면을 형성하는 층보다 많은 후술하는 자외선 경화성 성분(A)을 배합함으로써 가능하다. 프로브 택의 측정 방법은 JIS Z1023 1999에 준거한 것으로 하고, 구체적으로는 후술하는 시험예에 나타내는 바와 같다.
P2／P1이 상기 범위 내에 있음으로써, 보호막 형성 필름(보호막)이 자외선 조사면측뿐만 아니라 자외선 조사 반대면측에서도 경화되어 있고, 즉, 보호막 형성 필름이 두께 방향 전체적으로 충분히 경화되어 있다고 할 수 있다.
한편, 상기 프로브 택을 에너지 값으로 나타낸 경우, 자외선 조사면의 프로브 택의 에너지 값(E1)에 대한 자외선 조사 반대면의 프로브 택의 에너지 값(E2)의 비(E2／E1)는 0.1∼10이 되는 것이 바람직하고, 특히 0.5∼5가 되는 것이 바람직하고, 1∼2.5가 되는 것이 더욱 바람직하다. 또한, E2／E1을 1보다 낮은 값으로 할 경우에는 예를 들면, 보호막 형성 필름을 복수층으로 이루어지는 것으로 하고, 자외선 조사 반대면을 형성하는 층에 자외선 조사면을 형성하는 층보다도 많은 후술하는 자외선 경화성 성분(A)을 배합함으로써 가능하다.
여기서, 자외선 조사면의 프로브 택의 피크 값(P1) 자체는 0.05∼1.5인 것이 바람직하고, 특히 0.1∼1인 것이 바람직하고, 0.15∼0.75인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 자외선 조사면의 프로브 택의 에너지 값(E1) 자체는 0.005∼0.3인 것이 바람직하고, 특히 0.008∼0.15인 것이 바람직하고, 0.01∼0.1인 것이 더욱 바람직하다. 자외선 조사면의 프로브 택의 피크 값(P1) 및/또는 에너지 값(E1)이 상기의 범위에 있음으로써, 적어도 보호막 형성 필름(보호막)의 자외선 조사면측은 높은 정도로 경화되어 있다고 할 수 있다.
2. 재료
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 자외선 경화성 성분(A)을 함유한다. 자외선 경화성 성분(A)은 바람직하게는 미경화의 자외선 경화성 성분이고, 특히 바람직하게는 점착성을 갖는 미경화의 자외선 경화성 성분이다.
이러한 보호막 형성 필름은 보호막 형성 필름과 반도체 웨이퍼 등의 워크를 중첩한 후, 보호막 형성 필름을 자외선 조사에 의해 경화시킴으로써, 내구성을 갖는 보호막을 칩 등에 형성할 수 있다. 당해 보호막 형성 필름은 단시간에 경화되기 때문에 생산 효율이 우수하다. 또한, 보호막 형성 필름이 점착성을 가지면, 상기와 같이 보호막 형성 필름에 반도체 웨이퍼 등의 워크를 중첩할 때에 양자를 첩합시킬 수 있다. 따라서, 보호막 형성 필름을 경화시키기 전에 위치 결정을 확실히 행할 수 있다. 또한, 보호막 형성 필름은 상온에서 점착성을 갖고 있어도 되고, 가열에 의해 점착성을 발휘해도 된다.
여기서, 보호막 형성 필름의 광선 투과율은 경화 전이어도 경화 후여도 대부분 변화하지 않는다. 따라서, 경화 전의 보호막 형성 필름의 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상, 파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하이면, 경화 후의 보호막 형성 필름(보호막)의 파장 375㎚의 광선 투과율도 13％ 이상, 파장 550㎚의 광선 투과율도 12％ 이하가 된다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 자외선 경화성 성분(A) 외, 착색제(B)를 함유하는 것이 바람직하다. 보호막 형성 필름이 착색제(B)를 함유함으로써, 파장 375㎚ 및 파장 550㎚(추가로 파장 1600㎚)의 광선 투과율을 전술한 범위로 제어하는 것이 용이해진다.
또한, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 착색제(B)와 함께 필러(C)를 함유하는 것이 바람직하다. 이로써, 파장 375㎚ 및 파장 550㎚(추가로 파장 1600㎚)의 광선 투과율을 전술한 범위로 제어하는 것이 보다 용이해진다. 또한, 보호막 형성 필름이 필러를 함유하면, 경화 후의 보호막의 경도를 높게 유지할 수 있음과 함께, 내습성을 향상시킬 수 있다. 또한, 경화 후의 보호막의 열팽창 계수를 반도체 웨이퍼의 열팽창 계수에 근접하게 할 수 있고, 이로써 가공 도중의 반도체 웨이퍼의 휨을 저감시킬 수 있다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 열경화성 성분(D)을 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 열경화성 성분(D)을 추가로 함유하는 보호막 형성 필름을 가열함으로써, 보호막 형성 필름의 워크에 대한 접착력이나 경화된 보호막의 강도를 향상시킬 수 있다.
또한, 보호막 형성 필름이 자외선 경화성 성분(A) 및 착색제(B)를 포함하는 경우, 자외선 경화성 성분(A)의 비율과 착색제(B)의 비율의 합계가 100질량％가 되도록 자외선 경화성 성분(A)의 비율과 착색제(B)의 비율을 설정한다. 마찬가지로, 보호막 형성 필름이 자외선 경화성 성분(A), 착색제(B), 및 필러(C)를 포함하는 경우, 자외선 경화성 성분(A)의 비율과, 착색제(B)의 비율과, 필러(C)의 비율의 합계가 100질량％가 되도록 자외선 경화성 성분(A), 착색제(B) 및 필러(C)의 비율을 설정한다. 보호막 형성 필름이 자외선 경화성 성분(A), 착색제(B), 필러(C) 및 열경화성 성분(D)을 포함하는 경우, 자외선 경화성 성분(A)의 비율과, 착색제(B)의 비율과, 필러(C)의 비율과, 열경화성 성분(D)의 합계가 100질량％가 되도록 자외선 경화성 성분(A), 착색제(B), 필러(C) 및 열경화성 성분(D)의 비율을 설정한다.
(1) 자외선 경화성 성분(A)
자외선 경화성 성분(A)은 자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)여도 되고, 자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)를 제외하는 자외선 경화성 화합물(A3)을 함유하는 것이어도 된다. 본 실시형태에 있어서의 자외선 경화성 성분(A)이 자외선 경화성 화합물(A3)을 함유하는 경우에는, 자외선 경화성을 갖지 않는 중합체(A2) 등의 중합체도 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「중합체」에는 「공중합체」의 개념도 포함되는 것으로 한다.
(1-1) 자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)
본 실시형태에 있어서의 자외선 경화성 성분(A)이 자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)를 함유하는 경우, 이러한 중합체(A1)는 보호막 형성 필름에 그대로 함유되어 있어도 되고, 또한 적어도 그 일부가 가교제와 가교 반응을 행하여 가교물로서 함유되어 있어도 된다.
자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)로는 예를 들면, 관능기를 함유하는 관능기 함유 모노머를 구성 성분으로 하는 관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1)와, 당해 관능기와 반응하는 치환기 및 자외선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 경화성기 함유 화합물(A1-2)의 반응물인 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1)는 관능기를 함유하는 아크릴계 모노머와, 관능기를 함유하지 않는 아크릴계 모노머와, 필요에 따라 아크릴계 모노머 이외의 모노머와의 공중합 반응물인 것이 바람직하다. 즉, 상기 관능기 함유 모노머는 관능기를 함유하는 아크릴계 모노머인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 모노머가 중합된 물질에 대해 사용되는 용어 「중합체」또는 「수지」등은 상기 모노머에서 유도되는 구성 단위(반복 단위라고도 한다)로 이루어지는 「중합체」또는 「수지」등을 의미한다.
관능기를 함유하는 아크릴계 모노머의 관능기(관능기 함유 모노머의 관능기)로는, 상기 경화성기 함유 화합물(A1-2)이 갖는 치환기와 반응 가능한 것이 선택된다. 이러한 관능기로는 예를 들면, 히드록시기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 히드록시기가 바람직하다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 자외선 경화성 성분(A)이 가교제를 함유하는 경우에는, 관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1)는 가교제와 반응하는 관능기를 갖는 관능기 함유 모노머를 구성 성분으로서 함유하는 것이 바람직하고, 당해 관능기 함유 모노머는 상기 경화성기 함유 화합물이 갖는 치환기와 반응 가능한 관능기를 갖는 관능기 함유 모노머가 겸해도 된다.
히드록시기를 함유하는 아크릴계 모노머(히드록시기 함유 모노머)로는 예를 들면, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 경화성기 함유 화합물(A1-2)과의 반응성이라는 점에서, (메타)아크릴산2-히드록시에틸이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
관능기를 함유하지 않는 아크릴계 모노머는 (메타)아크릴산알킬에스테르 모노머를 포함하는 것이 바람직하다. (메타)아크릴산알킬에스테르 모노머로는 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산n-펜틸, (메타)아크릴산n-헥실, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-데실, (메타)아크릴산라우릴, (메타)아크릴산미리스틸, (메타)아크릴산팔미틸, (메타)아크릴산스테아릴 등을 들 수 있다. (메타)아크릴산알킬에스테르 모노머 중에서도, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 것이 바람직하고, 특히 탄소수가 1∼4인 것이 바람직하다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
관능기를 함유하지 않는 아크릴계 모노머는 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 모노머 이외에도 예를 들면, (메타)아크릴산메톡시메틸, (메타)아크릴산메톡시에틸, (메타)아크릴산에톡시메틸, (메타)아크릴산에톡시에틸 등의 알콕시알킬기 함유 (메타)아크릴산에스테르, (메타)아크릴산페닐 등의 방향족환을 갖는 (메타)아크릴산에스테르, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등의 비가교성의 아크릴아미드, (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노프로필 등의 비가교성의 3급 아미노기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 포함해도 된다.
아크릴계 모노머 이외의 모노머로는 예를 들면, 에틸렌, 노르보넨 등의 올레핀, 초산비닐, 스티렌 등을 들 수 있다.
관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1)에 있어서의 관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1) 전체의 질량에 차지하는 관능기 함유 모노머 유래의 구조 부분의 질량 비율은 0.1∼50질량％인 것이 바람직하고, 특히 1∼40질량％인 것이 바람직하고, 3∼30질량％인 것이 더욱 바람직하다. 이로써, 경화성기 함유 화합물(A1-2)에 의한 경화성기의 도입량(및 가교제와의 반응량)을 원하는 양으로 조정하여 얻어지는 보호막의 경화의 정도(가교의 정도)를 바람직한 범위로 제어할 수 있다.
관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1)는 상기 각 모노머를 통상의 방법에 따라 공중합함으로써 얻어진다. 관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1)의 중합 양태는 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 된다.
경화성기 함유 화합물(A1-2)은 관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1)가 갖는 관능기와 반응하는 치환기 및 자외선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이다. 관능기 함유 아크릴계 중합체(A1-1)가 갖는 관능기와 반응하는 치환기로는 예를 들면, 이소시아네이트기, 에폭시기, 카르복시기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 히드록시기와의 반응성이 높은 이소시아네이트기가 바람직하다.
경화성기 함유 화합물(A1-2)은 자외선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 경화성기 함유 화합물(A1-2)의 1분자마다 1∼5개 포함하는 것이 바람직하고, 특히 1∼2개 포함하는 것이 바람직하다.
이러한 경화성기 함유 화합물(A1-2)로는 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-비스(아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트가 바람직하다. 경화성기 함유 화합물(A1-2)은 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합해서 사용할 수도 있다.
자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)는 경화성기 함유 화합물(A1-2)에서 유래하는 경화성기를 당해 중합체(A1)가 갖는 관능기(경화성기 함유 화합물(A1-2)의 치환기와 반응하는 관능기)에 대해, 20∼120몰％ 함유하는 것이 바람직하고, 특히 35∼100몰％ 함유하는 것이 바람직하고, 50∼100몰％ 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 경화성기 함유 화합물(A1-2)이 1관능인 경우는 상한은 100몰％가 되지만, 경화성기 함유 화합물(A1-2)이 다관능인 경우는 100몰％를 초과하기도 한다. 상기 관능기에 대한 경화성기의 비율이 상기 범위 내에 있음으로써, 자외선 경화 후의 보호막의 접착력을 매우 우수한 것으로 할 수 있다.
자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)의 중량 평균분자량(Mw)은 10만∼200만인 것이 바람직하고, 30만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은 젤 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정한 표준 폴리스티렌 환산 값이다.
(1-2) 자외선 경화성을 갖지 않는 중합체(A2)
본 실시형태에 있어서의 자외선 경화성 성분(A)이 자외선 경화성을 갖지 않는 중합체(A2)를 함유하는 경우, 당해 중합체(A2)는 보호막 형성 필름에 그대로 함유되어 있어도 되고, 또한 적어도 그 일부가 가교제와 가교 반응을 행하여 가교물로서 함유되어 있어도 된다. 중합체(A2)로는 페녹시 수지, 아크릴계 중합체(A2-1), 우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 고무계 수지, 아크릴우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이들 중, 아크릴계 중합체(A2-1)를 사용하는 경우에 대해 자세히 설명한다.
아크릴계 중합체(A2-1)로는 종래 공지의 아크릴계의 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴계 중합체(A2-1)는 1종류의 아크릴계 모노머로부터 형성된 단독 중합체이어도 되고, 복수 종류의 아크릴계 모노머로부터 형성된 공중합체이어도 되고, 1종류 또는 복수 종류의 아크릴계 모노머와 아크릴계 모노머 이외의 모노머로부터 형성된 공중합체이어도 된다. 아크릴계 모노머가 되는 화합물의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않고, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산에스테르, 그 유도체(아크릴로니트릴, 이타콘산 등)가 구체예로 들 수 있다. (메타)아크릴산에스테르에 대해 추가로 구체예를 나타내면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트 등의 쇄상 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트; 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등의 환상 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트; 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트; 글리시딜(메타)아크릴레이트, N-메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록시기 이외의 반응성 관능기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 또한, 아크릴계 모노머 이외의 모노머로서 에틸렌, 노르보넨 등의 올레핀, 초산비닐, 스티렌 등이 예시된다. 한편, 아크릴계 모노머가 알킬(메타)아크릴레이트인 경우에는 그 알킬기의 탄소수는 1∼18의 범위인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서의 자외선 경화성 성분(A)이 가교제를 함유하는 경우에는, 아크릴계 중합체(A2-1)는 가교제와 반응하는 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 반응성 관능기의 종류는 특별히 한정되지 않고, 가교제의 종류 등에 따라 적절히 결정하면 된다.
예를 들면, 가교제가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는, 아크릴계 중합체(A2-1)가 갖는 반응성 관능기로서 히드록시기, 카르복시기, 아미노기 등이 예시되고, 그 중에서도 이소시아네이트기와의 반응성이 높은 히드록시기가 바람직하다. 또한, 가교제가 에폭시계 화합물인 경우에는 아크릴계 중합체(A2-1)가 갖는 반응성 관능기로서 카르복시기, 아미노기, 아미드기 등이 예시되고, 그 중에서도 에폭시기와의 반응성이 높은 카르복시기가 바람직하다. 카르복시기는 아크릴계 중합체(A2-1)가 갖는 반응성 관능기 전체에 대해 12wt％ 이하인 것이 바람직하다.
아크릴계 중합체(A2-1)에 반응성 관능기를 도입하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 일 예로서 반응성 관능기를 갖는 모노머를 사용하여 아크릴계 중합체(A2-1)를 형성하고, 반응성 관능기를 갖는 모노머에 기초하는 구성 단위를 중합체의 골격에 함유시키는 방법을 들 수 있다. 예를 들면, 아크릴계 중합체(A2-1)에 히드록시기를 도입하는 경우는 2-히드록시에틸아크릴레이트 등의 히드록시기를 갖는 모노머를 사용하여 아크릴계 중합체(A2-1)를 형성하면 된다.
아크릴계 중합체(A2-1)가 반응성 관능기를 갖는 경우에는, 가교의 정도를 양호한 범위로 한다는 관점에서, 아크릴계 중합체(A2-1) 전체의 질량에 차지하는 반응성 관능기를 갖는 모노머 유래의 구조 부분의 질량의 비율이 1∼20질량％ 정도인 것이 바람직하고, 2∼10질량％인 것이 보다 바람직하다.
아크릴계 중합체(A2-1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 도공 시의 조막성의 관점에서 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다.
(1-3) 자외선 경화성 화합물(A3)
자외선 경화성 성분(A)은 자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)를 제외하는 자외선 경화성 화합물(A3)을 함유하는 것이어도 되고, 이 경우, 전술한 자외선 경화성을 갖지 않는 중합체(A2)를 함께 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 자외선 경화성을 갖지 않는 중합체(A2)를 대신하여, 또는 이와 함께 자외선 경화성기가 도입된 중합체(A1)를 함유하고 있어도 된다. 자외선 경화성 화합물(A3)은 자외선 경화성기를 갖고, 자외선의 조사를 받으면 중합하는 화합물이다.
자외선 경화성 화합물(A3)이 갖는 자외선 경화성기는 예를 들면, 자외선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이며, 구체적으로는 (메타)아크릴로일 기, 비닐기 등을 예시할 수 있다.
자외선 경화성 화합물(A3)의 예로는, 상기의 자외선 경화성기를 갖고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 범용성의 관점에서 저분자량 화합물(단관능, 다관능의 모노머 및 올리고머)인 것이 바람직하다. 저분자량의 자외선 경화성 화합물(A3)의 구체예로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트 혹은 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 환상 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다.
또한, 자외선 경화성 화합물(A3)의 예로서, 자외선 경화성기를 갖는 에폭시 수지, 자외선 경화성기를 갖는 페놀수지 등도 들 수 있다. 이러한 수지는 예를 들면, 일본 공개특허공보 2013-194102호에 기재되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 수지는 후술하는 열경화성 성분(C)을 구성하는 수지에도 해당되지만, 자외선 경화에도 기여하기 때문에, 본 발명에 있어서는 자외선 경화성 화합물(A)로서 취급한다.
자외선 경화성 화합물(A3)은 통상은 분자량이 100∼30000, 바람직하게는 300∼10000 정도이다. 일반적으로, 중합체(A1) 및 중합체(A2)의 합계량 100질량부에 대해 자외선 경화성 화합물(A3)은 10∼400질량부, 바람직하게는 30∼350질량부 정도의 비율로 사용된다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 보호막 형성 필름의 질량에 대해 자외선 경화성 성분(A)을 5∼89질량％ 함유하는 것이 바람직하고, 특히 10∼80질량％ 함유하는 것이 바람직하고, 20∼70질량％ 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 자외선 경화성 성분(A)의 함유량이 상기의 범위 내임으로써, 자외선 조사에 의해 충분히 경화 가능한 것이 된다.
(2) 착색제(B)
착색제(B)로는 예를 들면, 무기계 안료, 유기계 안료, 유기계 염료 등 공지의 것을 사용할 수 있지만, 광선 투과율의 제어성을 높인다는 관점에서 착색제(B)는 유기계 착색제인 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름이 구비하는 특성 또는 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름에 대해 바람직한 특성은, 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상이며, 파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하인 등, 어느 파장 영역에 있어서, 그보다도 낮은 파장 영역에 있어서 보다도, 낮은 광선 투과율을 나타낸다고 하는 특성이다. 여기서, 무기계 착색제만을 사용한 경우에는 광선의 파장이 증가함에 따라, 광선 투과율이 일차 함수적으로 상승해 가는 경향이 있다(후술하는 시험예 1의 결과·도 5 참조). 따라서, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름이 무기계 착색제만을 함유하는 경우에는, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름에 상기와 같은 특성을 부여하는 것은 반드시 용이하지는 않다. 한편, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름이 유기계 착색제를 함유하는 경우에는, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름을 상기와 같은 특성을 만족키는 것으로 하는 것이 용이해진다. 또한, 착색제의 화학적 안정성(구체적으로는, 용출 곤란성, 색 전이 발생 곤란성, 적은 경시 변화가 예시된다)을 높인다는 관점에서, 착색제(B)는 안료로 이루어지는 것이 바람직하다. 따라서, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름이 함유하는 착색제(B)는 유기계 안료로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름이 함유하는 착색제(B)는 복수 종류의 재료로 구성되어 있어도 된다.
유기계 착색제인 유기계 안료 및 유기계 염료로는 예를 들면, 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 아조레이크계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페리렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리아릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 디옥사진계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 피란트론계 색소 및 스렌계 색소 등을 들 수 있다.
무기계 안료로는 예를 들면, 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티탄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO(인듐주석옥사이드)계 색소, ATO(안티몬주석옥사이드)계 색소 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름 중에 있어서의 착색제(B)는 유기계 착색제 및 무기계 착색제로 구성되어 있어도 된다.
또한, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 적색 착색제를 함유하는 것이 바람직하다. 보호막 형성 필름이 적색 착색제를 함유함으로써, 파장 375㎚ 및 파장 550㎚(추가로 파장 1600㎚)의 광선 투과율을 전술한 범위로 제어하는 것이 더욱 용이해진다. 적색 착색제는 안료여도 되고, 염료여도 된다. 적색 착색제로는 예를 들면, 모노아조계, 디스아조계, 아조레이크계, 벤즈이미다졸론계, 페릴렌계, 디케토피롤로피롤계, 축합 아조계, 안트라퀴논계, 퀴나크리돈계 등의 착색제를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.
상기 중에서도, 디케토피롤로피롤계의 적색 착색제가 바람직하다. 이러한 적색 착색제에 의하면, 파장 375㎚ 및 파장 550㎚의 광선 투과율을 전술한 범위로 제어하기 쉽다.
보호막 형성 필름 중에 있어서의 착색제(B)의 함유량은 광선 투과율이 전술한 범위가 되도록, 보호막 형성 필름의 두께에 따라 결정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 보호막 형성 필름에 있어서의 착색제(B)의 함유량(W)(보호막 형성 필름 전체 질량에 대한 질량％)을 보호막 형성 필름의 두께(T)(㎛)로 나눈 값(W／T)이 0.01∼0.5가 되는 것이 바람직하고, 특히 0.03∼0.3이 되는 것이 바람직하고, 0.05∼0.25가 되는 것이 더욱 바람직하다. W／T가 0.5이상이면, 파장 550㎚의 광선 투과율을 12％ 이하로 제어하기 쉽고, W／T가 0.01 이하이면, 파장 375㎚의 광선 투과율을 13％ 이상으로 제어하기 쉽다.
(3) 필러(C)
필러(C)로는, 결정 실리카, 용융 실리카, 합성 실리카 등의 실리카나, 알루미나, 글라스 벌룬 등의 무기 필러를 들 수 있다. 그 중에서도 실리카가 바람직하고, 합성 실리카가 보다 바람직하고, 특히 반도체 장치의 오작동의 요인이 되는 α선의 선원을 극력 제거한 타입의 합성 실리카가 최적이다. 필러(C)의 형상으로는 구형, 침상, 부정형 등을 들 수 있지만, 구형인 것이 바람직하고, 특히 진구형인 것이 바람직하다. 필러가 구형 또는 진구형이면, 광선의 난반사가 생기기 어렵고, 전술한 적외선 검사를 양호하게 행할 수 있다. 여기서 부정형이란, 표면 형상이 불규칙한 형상을 의미한다. 부정형의 표면은 다면이어도 되고, 하나의 곡면이어도 된다. 표면이 다면인 경우, 각각의 면은 평면이어도 되고, 곡면이어도 되고, 이들이 혼재되어 있어도 된다. 또한, 표면이 다면인 경우, 각각의 면의 면적은 상이해도 된다. 표면 형상은 돌출 형상을 갖고 있어도 되고, 오목 형상을 갖고 있어도 된다.
또한, 보호막 형성 필름에는 상기 무기 필러 외에도 기능성의 필러가 배합되어도 된다. 기능성의 필러로는 예를 들면, 다이 본드 후의 도전성의 부여를 목적으로 한 금, 은, 구리, 니켈, 알루미늄, 스테인리스, 카본, 세라믹, 또는 니켈, 알루미늄 등을 은으로 피복한 도전성 필러나, 열전도성의 부여를 목적으로 한 금, 은, 구리, 니켈, 알루미늄, 마그네슘, 스테인리스, 실리콘, 게르마늄 등의 금속 재료나 이들의 합금, 산화물, 질화물, 수산화물 등이나, 질화 붕소 등의 열전도성 필러 등을 들 수 있다.
필러(C)(특히, 실리카 필러)의 평균 입경은 0.01∼10㎛인 것이 바람직하고, 0.01∼3㎛인 것이 보다 바람직하고, 특히 0.03∼2㎛인 것이 바람직하고, 0.05∼1㎛인 것이 더욱 바람직하다. 필러(C)의 평균 입경이 0.01㎛이상이면, 반도체 칩 등에 있어서의 연삭흔이 육안으로 보이지 않도록, 파장 550㎚의 광선 투과율을 13％ 이하로 제어하기 쉽다. 한편, 필러(C)의 평균 입경이 10㎛ 이하이면, 보호막 형성 필름의 표면 상태를 양호하게 유지할 수 있다. 또한, 필러(C)의 평균 입경이 3㎛ 이하이면, 적외선의 난반사를 억제하여 적외선 검사를 양호하게 행할 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서의 필러(C)의 1㎛ 미만의 평균 입경은, 입도 분포 측정 장치(닛키소사 제조, 나노트랙 Wave-UT151)를 사용해서 동적 광산란법에 의해 측정한 값으로 한다. 또한, 필러(C)의 1㎛ 이상의 평균 입경은, 입도 분포 측정장치(닛키소사 제조, 마이크로트랙 MT3000II)를 사용해서 레이저 회절·산란법에 의해 측정한 값으로 한다.
보호막 형성 필름 중에 있어서의 필러(C)(특히, 실리카 필러)의 함유량은 보호막 형성 필름의 질량에 대해 10∼80질량％인 것이 바람직하고, 특히 20∼70질량％인 것이 바람직하고, 30∼65질량％인 것이 더욱 바람직하다. 필러의 배합량이 10질량％ 이상이면, 반도체 칩 등에 있어서의 연삭흔이 육안에 의해 보이지 않도록 파장 550㎚의 광선 투과율을 13％ 이하로 제어하기 쉽다. 한편, 필러(C)의 배합량이 80질량％ 이하이면, 보호막 형성 필름이 자외선 조사에 의해 충분히 경화 가능한 것이 된다.
(4) 열경화성 성분(D)
열경화성 성분(D)으로는 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀수지, 멜라민수지, 요소 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 벤조옥사진 수지 등 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 에폭시 수지, 페놀수지 및 이들의 혼합물이 바람하게 사용된다.
에폭시 수지는 가열되면, 삼차원 망상화되어 강고한 피막을 형성하는 성질을 갖는다. 이러한 에폭시 수지로는, 종래부터 공지의 여러 에폭시 수지가 사용되지만, 통상은 분자량 300∼2000 정도인 것이 바람직하고, 특히 분자량 300∼500인 것이 바람직하다. 더욱, 분자량 330∼400인 상태에서 액상인 에폭시 수지와 분자량 400∼2500, 특히 500∼2000의 상온에서 고체인 에폭시 수지를 블렌드한 형태에서 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 에폭시 당량은 50∼5000g／eq인 것이 바람직하다.
이러한 에폭시 수지로는 구체적으로는, 비스페놀A, 비스페놀F, 레조르시놀, 페닐노볼락, 크레졸노볼락 등의 페놀류의 글리시딜에테르; 부탄디올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 알코올류의 글리시딜에테르; 프탈산, 이소프탈산, 테트라히드로프탈산 등의 카르본산의 글리시딜에테르; 아닐린이소시아누레이트 등의 질소 원자에 결합한 활성 수소를 글리시딜기로 치환한 글리시딜형 혹은 알킬글리시딜형의 에폭시 수지; 비닐시클로헥산디에폭시드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-디시클로헥산카르복실레이트, 2-(3,4-에폭시)시클로헥실-5,5-스피로(3,4-에폭시)시클로헥산-m-디옥산 등과 같이, 분자 내의 탄소-탄소 이중 결합을 예를 들면, 산화함으로써 에폭시가 도입된 이른바 지환형 에폭시드를 들 수 있다. 그 외, 비페닐 골격, 디시클로헥사디엔 골격, 나프탈렌 골격 등을 갖는 에폭시 수지를 사용할 수도 있다.
이들 중에서도, 비스페놀계 글리시딜형 에폭시 수지, o-크레졸노볼락형 에폭시 수지 및 페놀노볼락형 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다. 이들 에폭시 수지는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.
에폭시 수지를 사용하는 경우에는, 조제로서 열활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제를 병용하는 것이 바람직하다. 열활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제란, 실온에서는 에폭시 수지와 반응하지 않고, 어느 온도 이상의 가열에 의해 활성화되어 에폭시 수지와 반응하는 타입의 경화제이다. 열활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제의 활성화 방법에는 가열에 의한 화학 반응으로 활성종(음이온, 양이온)을 생성하는 방법; 실온 부근에서는 에폭시 수지 중에 안정적으로 분산되어 있고, 고온에서 에폭시 수지와 상용 또는 용해하여 경화 반응을 개시하는 방법; 분자체 봉입 타입의 경화제로 고온에서 용출하여 경화 반응을 개시하는 방법; 마이크로캡슐에 의한 방법 등이 존재한다.
열활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제의 구체예로는 각종 오늄염이나, 이염기산디히드라지드 화합물, 디시안디아미드, 아민어덕트 경화제, 이미다졸 화합물 등의 고융점 활성 수소 화합물 등을 들 수 있다. 이들 열활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 상기와 같은 열활성형 잠재성 에폭시 수지 경화제는 에폭시 수지 100중량부에 대해 바람직하게는 0.1∼20중량부, 특히 바람직하게는 0.2∼10중량부, 더욱 바람직하게는 0.3∼5중량부의 비율로 사용된다.
페놀계 수지로는 알킬페놀, 다가 페놀, 나프톨 등의 페놀류와 알데히드류와의 축합물 등이 특별히 제한되지 않고 사용된다. 구체적으로는, 페놀노볼락 수지, o-크레졸노볼락 수지, p-크레졸노볼락 수지, t-부틸페놀노볼락 수지, 디시클로펜타디엔크레졸 수지, 폴리파라비닐페놀 수지, 비스페놀 A형 노볼락 수지 혹은 이들의 변성물 등이 사용된다.
이들의 페놀계 수지에 포함되는 페놀성 수산기는, 상기 에폭시 수지의 에폭시기와 가열에 의해 용이하게 부가 반응하여, 내충격성이 높은 경화물을 형성할 수 있다. 이 때문에, 에폭시 수지와 페놀계 수지를 병용해도 된다.
보호막 형성 필름 중에 있어서의 열경화성 성분(D)의 함유량은, 보호막 형성 필름의 질량에 대해 1∼85질량％인 것이 바람직하고, 특히 2∼75질량％인 것이 바람직하고, 5∼70질량％인 것이 더욱 바람직하다. 열경화성 성분(D)의 함유량이 상기의 범위 내임으로써, 자외선 경화성을 저해하지 않고, 열경화에 의한 보호막 형성 필름의 워크에 대한 접착력이나 경화된 보호막의 강도를 효과적으로 향상시킬 수 있다.
(5) 그 밖의 성분
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 광중합 개시제를 함유해도 된다. 광중합 개시제를 함유함으로써, 자외선 경화성 성분(A)의 경화 시간 및 광선 조사량을 줄일 수 있다. 광중합 개시제는 자외선 경화성 성분(A)의 질량에 대해, 0.1∼15질량％인 것이 바람직하다.
광중합 개시제로는 구체적으로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티옥산손, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, (2,4,6-트리메틸벤질디페닐)포스핀옥사이드, 2-벤조티아졸-N,N-디에틸디티오카르바메이트, 올리고{2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-프로페닐)페닐]프로파논}, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
또한, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 연쇄 이동제를 함유해도 된다. 연쇄 이동제를 함유함으로써, 보호막 형성 필름의 두께 방향에 있어서의 내부 에 있어서, 자외선 경화가 진행되기 쉬워진다고 하는 효과가 기대된다. 연쇄 이동제로는 예를 들면, 일본 공개특허공보 2012-207179호에 기재되어 있는 것을 사용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 커플링제를 함유해도 된다. 커플링제를 함유함으로써, 보호막 형성 필름의 경화 후에 있어서, 보호막의 내열성을 저해하지 않고, 보호막과 워크의 접착성이나 밀착성을 향상시킬 수 있음과 함께 내수성(내습열성)을 향상시킬 수 있다. 커플링제로는 그 범용성과 비용 장점 등에서 실란커플링제가 바람직하다.
실란커플링제로는 예를 들면, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-6-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라술판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상 혼합해서 사용할 수 있다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름은 경화 전의 응집력을 조절하기 위해, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 유기 금속 킬레이트 화합물 등의 가교제를 함유해도 된다. 또한, 보호막 형성 필름은 정전기를 억제하여 칩의 신뢰성을 향상시키기 위해, 대전 방지제를 함유해도 된다. 또한, 보호막 형성 필름은 보호막의 난연 성능을 높여 패키지로서의 신뢰성을 향상시키기 위해, 인산 화합물, 브롬 화합물, 인계 화합물 등의 난연제를 함유해도 된다.
3. 두께
보호막 형성 필름의 두께는 보호막으로서의 기능을 효과적으로 발휘시키기 위해, 3∼300㎛인 것이 바람직하고, 특히 5∼200㎛인 것이 바람직하고, 7∼100㎛인 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 보호막 형성 필름의 두께는, 보호막 형성 필름의 임의의 5개소에서 접촉식 두께 측정기로 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값이다. 또한, 보호막 형성 필름의 두께를 측정할 때, 직접 접촉식 두께 측정기를 적용하는 것이 곤란할 때에는, 기재 필름이나 후술하는 박리재 등 다른 필름이 중첩된 상태에서 상기와 같이 전체의 두께를 측정하고, 중첩되어 있던 다른 필름의 두께(상기와 동일한 방법으로 측정한 것)와의 차분을 취함으로써 산출해도 된다.
(보호막 형성용 시트)
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 시트의 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 보호막 형성용 시트(2)는 보호막 형성 필름(1)과, 보호막 형성 필름(1)의 한쪽 면(도 1에서는 하측면)에 적층된 박리 시트(21)를 구비하여 구성된다. 단, 박리 시트(21)는 보호막 형성용 시트(2)의 사용 시에 박리되는 것이다.
박리 시트(21)는 보호막 형성용 시트(2)가 사용되기까지의 동안, 보호막 형성 필름(1)을 보호하는 것이며, 반드시 있어야 하는 것은 아니다. 박리 시트(21)의 구성은 임의이며, 필름 자체가 보호막 형성 필름(1)에 대해 박리성을 갖는 플라스틱 필름 및 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로는 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 등을 사용할 수 있지만, 이들 중에서, 저가로 안정적인 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 박리 시트(21)의 두께에 대해는 특별히 제한은 없지만, 통상 20∼250㎛ 정도이다.
상기와 같은 박리 시트(21)는 보호막 형성 필름(1)의 다른쪽 면(도 1에서는 상측면)에도 적층되어도 된다. 즉, 보호막 형성 필름(1)은 제1 박리 시트(21)와 제2 박리 시트(21)의 사이에 끼워져 있어도 된다. 이 경우는, 한쪽의 박리 시트(21)의 박리력을 크게 하여 중박리형 박리 시트로 하고, 다른쪽의 박리 시트(21)의 박리력을 작게 하여 경박리형 박리 시트로 하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성용 시트(2)를 제조하는 데에는, 박리 시트(21)의 박리면(박리성을 갖는 면; 통상은 박리 처리가 실시된 면이지만, 이에 한정되지 않는다)에 보호막 형성 필름(1)을 형성한다. 구체적으로는, 보호막 형성 필름(1)을 구성하는 경화성 접착제와, 필요에 따라 추가로 용매를 함유하는 보호막 형성 필름용의 도포를 조제하고, 롤 코터, 나이프 코터, 롤 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 다이 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 커텐 코터 등의 도공기에 의해 박리 시트(21)의 박리면에 도포하고 건조시켜 보호막 형성 필름(1)을 형성한다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성용 시트(2)를 사용하여, 일 예로서 워크로서의 반도체 웨이퍼로부터 보호막 부착 칩을 제조하는 방법을 이하에 설명한다. 먼저, 표면에 회로가 형성되고, 백 그라인드 가공된 반도체 웨이퍼의 이면에 보호막 형성용 시트(2)의 보호막 형성 필름(1)을 첩부한다. 이 때, 필요에 따라 보호막 형성 필름(1)을 가열하여 점착성을 발휘시켜도 된다.
이어서, 보호막 형성 필름(1)으로부터 박리 시트(21)를 박리한다. 그 후, 보호막 형성 필름(1)에 대해 자외선을 조사하고, 보호막 형성 필름(1)을 경화시켜 보호막을 형성하고, 보호막 부착 반도체 웨이퍼를 얻는다. 자외선 조사 전 또는 후에, 필요에 따라 보호막 형성 필름(1)을 가열해도 된다. 또한, 보호막 형성 필름(1)의 경화는 다이싱 공정 후에 행해도 된다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름(1)은 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상임으로써, 자외선 경화성이 우수하기 때문에, 상기의 자외선 조사에 의해 전체적으로 충분히 경화된다. 보호막 형성 필름(1)에 대한 자외선의 조사량은 광량으로 50∼1000mJ/㎠가 바람직하고, 특히 100∼500mJ/㎠가 바람직하다.
상기와 같이 하여 보호막 부착 반도체 웨이퍼가 얻어지면, 필요에 따라 그 보호막에 대해 레이저 광을 조사하고, 레이저 인자를 행한다. 한편, 이 레이저 인자는 보호막 형성 필름(1)의 경화 전에 행해도 된다.
이어서, 원하는 다이싱 시트를 사용하여 통상의 방법에 따라 보호막 부착 반도체 웨이퍼를 다이싱해서 보호막을 갖는 칩(보호막 부착 칩)을 얻는다. 그 후는 필요에 따라 다이싱 시트를 평면 방향으로 익스팬드하고 다이싱 시트로부터 보호막 부착 칩을 픽업한다.
상기와 같이 하여 얻어진 보호막 부착 칩은 보호막 형성 필름(1)(보호막)의 파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하임으로써, 백 그라인드 가공에 의한 연삭흔이 보호막에 의해 은폐되어 육안으로 보이지 않기 때문에 외관이 우수하다.
또한, 보호막 형성 필름(1)의 파장 1600㎚의 광선 투과율이 25％ 이상인 경우에는, 보호막 형성 필름(1)(보호막)에 있어서의 적외선의 투과성이 양호해지고, 상기 보호막 부착 칩 및 보호막 부착 반도체 웨이퍼는 보호막을 통해 적외선 검사를 행할 수 있다. 이 때문에, 적외선 검사에 의해 크랙 등을 발견할 수 있어 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 적외선 검사는 적외선을 이용하여 행하는 검사이며, 보호막 부착 반도체 웨이퍼 등의 보호막 워크 또는 보호막 부착 칩 등의 가공물로부터의 적외선을 보호막을 통해 취득함으로써 행할 수 있다. 취득하는 적외선의 파장은 통상 800∼2800㎚이며, 바람직하게는 1100∼2100㎚이다. 적외선 검사의 장치로는 공지의 장치 예를 들면, 적외선 카메라나 적외선 현미경 등을 갖는 것을 사용할 수 있다.
(보호막 형성용 복합 시트)
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트(3)는 기재(41)의 한쪽 면에 점착제층(42)이 적층되어 이루어지는 지지 시트(4)와, 지지 시트(4)의 점착제층(42)측에 적층된 보호막 형성 필름(1)과, 보호막 형성 필름(1)에 있어서의 지지 시트(4)와는 반대측 둘레 가장자리부에 적층된 지그용 점착제층(5)을 구비하여 구성된다. 다시 말해, 보호막 형성용 복합 시트(3)는 기재(41)와, 기재(41) 위의 점착제층(42)과, 점착제층(42) 위의 보호막 형성 필름(1)과, 보호막 형성 필름(1) 위의 지그용 점착제층(5)을 갖는다. 지그용 점착제층(5)은 보호막 형성 필름(1)의 표면의 법선 방향에서 본 경우에 있어서의 보호막 형성 필름(1)의 둘레 가장자리부에 위치한다. 지그용 점착제층(5)은 보호막 형성용 복합 시트(3)를 링 프레임 등의 지그에 접착하기 위한 층이다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트(3)는 워크를 가공할 때에, 당해 워크에 첩부되어 당해 워크를 유지함과 함께, 당해 워크 또는 당해 워크를 가공하여 얻어지는 가공물에 보호막을 형성하기 위해 사용된다. 이 보호막은 보호막 형성 필름(1), 바람직하게는 경화된 보호막 형성 필름(1)으로 구성된다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트(3)는 일 예로서 워크로서의 반도체 웨이퍼의 다이싱 가공 시에 반도체 웨이퍼를 유지함과 함께, 다이싱에 의해 얻어지는 반도체 칩에 보호막을 형성하기 위해 사용되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 경우에 있어서의 보호막 형성용 복합 시트(3)의 지지 시트(4)는 통상, 다이싱 시트라고 칭해진다.
1. 지지 시트
본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트(3)의 지지 시트(4)는 기재(41)와 기재(41)의 한쪽 면에 적층된 점착제층(42)을 구비하여 구성되어도 되지만, 지지 시트(4)는 기재(41)만으로 이루어지는 것인 것이 바람직하다. 이 경우, 본 실시형태의 보호막 형성 필름(1)이 자외선 조사에 의해 경화되면, 후술하는 보호막 형성용 복합 시트의 사용 방법의 일 예에 있어서, 보호막 부착 칩을 지지 시트(4)로부터 픽업하는 것이 용이해진다고 하는 이점이 있다. 또한, 지지 시트(4)가 기재(41)만으로 이루어지는 것인 경우, 기재(41)에는 프라이머층이나 대전 방지층, 내열층, 응력 완화층 등이 형성되어 있어도 된다.
1-1. 기재
지지 시트(4)의 기재(41)는 워크의 가공, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 다이싱 및 익스팬딩에 적합한 것이면, 그 구성 재료는 특별히 한정되지 않고, 통상은 수지계의 재료를 주재로 하는 필름(이하, 「수지 필름」이라고 한다)으로 구성된다.
수지 필름의 구체예로서, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보넨 공중합체 필름, 노르보넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름; 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름; 폴리염화비닐필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름; 폴리우레탄 필름; 폴리이미드 필름; 폴리스티렌 필름; 폴리카보네이트 필름; 불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용된다. 상기의 기재(41)는 이들의 1종으로 이루어지는 필름이어도 되고, 추가로 이들을 2종류 이상 조합한 적층 필름이어도 된다. 한편, 본 명세서에 있어서의 「(메타)아크릴산」은 아크릴산 및 메타크릴산의 양쪽 모두를 의미한다. 다른 유사 용어에 대해도 동일하다. 상기 중에서도, 환경 안전성, 비용 등의 관점에서, 폴리올레핀계 필름이 바람직하다.
상기 수지 필름은 그 표면에 적층되는 점착제층(42)과의 밀착성을 향상시키는 목적으로, 필요에 따라 한쪽 면 또는 양면에 산화법이나 요철화법 등에 의한 표면 처리 혹은 프라이머 처리를 실시할 수 있다. 상기 산화법으로는 예를 들면, 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 크롬산화 처리(습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존, 자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 또한 요철화법으로는 예를 들면, 샌드블라스트법, 용사 처리법 등을 들 수 있다.
기재(41)는 상기 수지 필름 중에 착색제, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 윤활제, 필러 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다.
기재(41)의 두께는 보호막 형성용 복합 시트(3)가 사용되는 각 공정에 있어서 적절히 기능할 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 바람직하게는 20∼450㎛, 보다 바람직하게는 25∼400㎛, 특히 바람직하게는 50∼350㎛의 범위이다. 여기서, 기재(41)의 두께는 기재(41)의 임의의 5개소에서 접촉식 두께 측정기로 두께를 측정한 평균으로 나타내지는 값이다.
본 실시형태에 있어서의 지지 시트(4)의 기재(41)의 파단 신도는 23℃, 상대 습도 50％일 때에 측정한 값으로서 100％ 이상인 것이 바람직하고, 특히 200∼1000％인 것이 바람직하다. 여기서, 파단 신도는 JIS K7161：1994(ISO 527-1 1993)에 준거한 인장 시험에 있어서의 시험편 파괴시의 시험편의 길이의 원 길이에 대한 신장율이다. 상기의 파단 신도가 100％ 이상인 기재(41)는 익스팬드 공정 시에 파단하기 어렵고, 워크를 절단하여 형성한 칩을 이간하기 쉬운 것이 된다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 지지 시트(4)의 기재(41)의 25％ 변형시 인장 응력은 5∼15N/10㎜인 것이 바람직하고, 최대 인장 응력은 15∼50MPa인 것이 바람직하다. 여기서, 25％ 변형시 인장 응력 및 최대 인장 응력은 JIS K7161：1994에 준거한 시험에 의해 측정된다. 25％ 변형시 인장 응력이 5N/10㎜ 이상, 최대 인장 응력이 15MPa 이상이면, 다이싱 시트(1)에 워크를 첩착한 후, 링 프레임 등의 프레임체에 고정했을 때, 기재(2)에 느슨함이 발생하는 것이 억제되어, 반송 에러가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 25％ 변형시 인장 응력이 15N/10㎜ 이하, 최대 인장 응력이 50MPa 이하이면, 익스팬드 공정 시에 링 프레임으로부터 다이싱 시트(1) 자체가 박리되거나 하는 것이 억제된다. 여기서, 상기의 파단 신도, 25％ 변형시 인장 응력, 최대 인장 응력은 기재(41)에 있어서의 원반의 길이 방향에 대해 측정한 값을 가리킨다.
1-2. 점착제층
본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트(3)의 지지 시트(4)가 구비하는 점착제층(42)은, 자외선으로 경화되지 않는 타입의 점착제(자외선 비경화성 점착제) 또는 자외선으로 경화되는 타입의 점착제를 미리 경화시킨 점착제로 구성되는 것이 바람직하다. 미리 경화되어있지 않은 자외선으로 경화되는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)인 경우, 보호막 형성 필름(1)을 경화시킬 때에, 보호막 형성용 복합 시트(3)에 자외선을 조사하면, 당해 점착제층(42)이 함유하는 성분의 하나 이상이 통상 갖는 자외선 경화성기와, 보호막 형성 필름(1)의 자외선 경화성 성분(A)이 갖는 자외선 경화성기가 반응하여, 점착제층(42)과 보호막 형성 필름(1)의 사이에 양자를 박리하는 것이 곤란해질 우려가 있다.
자외선 비경화성 점착제로는 원하는 점착력 및 재박리성을 갖는 것이 바람직하고, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 보호막 형성 필름(1)과의 밀착성이 높고, 다이싱 공정 등에서 워크 또는 가공물의 탈락을 효과적으로 억제할 수 있는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 또한, 자외선으로 경화되는 타입의 점착제를 미리 경화시킨 점착제를 사용하는 경우, 공지의 자외선으로 경화되는 타입의 점착제에 의해 미경화의 점착제층(42)을 형성하여, 그 제조 시점에서 자외선을 조사해서 점착제를 경화시켜 두면 된다.
점착제층(42)의 두께는 보호막 형성용 복합 시트(3)가 사용되는 각 공정에 대해 적절히 기능할 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 1∼50㎛인 것이 바람직하고, 특히 2∼30㎛인 것이 바람직하고, 3∼20㎛인 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 점착제층(42)의 두께는 점착제층(42)의 임의의 5개소에서 접촉식 두께 측정기로 두께를 측정한 평균으로 나타내지는 값이다. 또한, 점착제층(42)의 두께를 측정할 때, 직접 접촉식 두께 측정기를 적용하는 것이 곤란할 때에는, 기재 필름이나 후술하는 박리재 등 다른 필름이 중첩된 상태에서, 상기와 같이 전체의 두께를 측정하고, 중첩되어 있는 다른 필름의 두께(상기와 동일한 방법으로 측정한 것)와의 차분을 취하는 것으로 산출해도 된다.
지그용 점착제층(5)을 구성하는 점착제로는 원하는 점착력 및 재박리성을 갖는 것이 바람직하고, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 링 프레임 등의 지그와의 밀착성이 높고, 다이싱 공정등에서 링 프레임 등으로부터 보호막 형성용 복합 시트(3)가 박리되는 것을 효과적으로 억제할 수 있는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 한편, 지그용 점착제층(5)의 두께 방향의 도중에는 심재로서의 기재가 개재되어 있어도 된다.
한편, 지그용 점착제층(5)의 두께는 링 프레임 등의 지그에 대한 접착성의 관점에서 5∼200㎛인 것이 바람직하고, 특히 10∼100㎛인 것이 바람직하다.
후술하는 보호막 형성용 복합 시트(3)를 사용한 보호막 부착 칩의 제조 방법에 대해 설명하는 바와 같이, 보호막 형성용 복합 시트(3)를 반도체 웨이퍼에 첩부한 후에, 지지 시트(4)를 통해 보호막 형성 필름(1)에 자외선을 조사하는 경우가 있다. 따라서, 이러한 경우에 보호막 형성 필름(1)의 경화가 진행하기 쉬워지도록, 지지 시트(4)의 자외선의 투과성은 높은 것이 바람직하다.
2. 보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법
보호막 형성용 복합 시트(3)는 바람직하게는 보호막 형성 필름(1)을 포함하는 제1 적층체와 지지 시트(4)를 포함하는 제2 적층체를 각각 제작한 후, 제1 적층체 및 제2 적층체를 사용하여, 보호막 형성 필름(1)과 지지 시트(4)를 적층함으로써 제조할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 적층체를 제조하는 데에는, 제1 박리 시트의 박리면에 보호막 형성 필름(1)을 형성한다. 구체적으로는, 보호막 형성 필름(1)을 구성하는 경화성 접착제와, 필요에 따라 추가로 용매를 함유하는 보호막 형성 필름용의 도포제를 조제하고, 롤 코터, 나이프 코터, 롤 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 다이 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 커텐 코터 등의 도공기에 의해 제1 박리 시트의 박리면에 도포하고 건조시켜 보호막 형성 필름(1)을 형성한다. 다음으로, 보호막 형성 필름(1)의 노출면에 제2 박리 시트의 박리면을 중첩하여 압착하고, 2장의 박리 시트에 보호막 형성 필름(1)이 협지되어 이루어지는 적층체(제1 적층체)를 얻는다.
이 제1 적층체에 있어서는, 필요에 따라 하프 컷을 실시하여 보호막 형성 필름(1)(및 제2 박리 시트)을 원하는 형상, 예를 들면, 원형 등으로 해도 된다. 이 경우, 하프 컷에 의해 생긴 보호막 형성 필름(1) 및 제2 박리 시트의 여분의 부분은 적당히 제거하면 된다.
한편, 제2 적층체를 제조하는 데에는, 제3 박리 시트의 박리면에 점착제층(42)을 구성하는 점착제와, 필요에 따라 추가로 용매를 함유하는 점착제층용의 도포제를 도포하고 건조시켜 점착제층(42)을 형성한다. 그 후, 점착제층(42)의 노출면에 기재(41)를 압착하여, 기재(41) 및 점착제층(42)으로 이루어지는 지지 시트(4)와, 제3 박리 시트로 이루어지는 적층체(제2 적층체)를 얻는다. 자외선으로 경화되는 타입의 점착제를 미리 경화시킨 점착제를 사용하는 경우에는, 바람직하게는 제2 적층체를 얻은 후의 단계에서, 자외선을 조사하여 점착제를 경화시킨다.
이상과 같이 하여 제1 적층체 및 제2 적층체가 얻어지면, 제1 적층체에 있어서의 제2 박리 시트를 박리함과 함께, 제2 적층체에 있어서의 제3 박리 시트를 박리하고, 제1 적층체에서 노출된 보호막 형성 필름(1)과, 제2 적층체에서 노출된 지지 시트(4)의 점착제층(42)을 중첩하여 압착한다. 지지 시트(4)는 필요에 따라 하프 컷하고, 원하는 형상, 예를 들면, 보호막 형성 필름(1)보다 큰 직경을 갖는 원형 등으로 해도 된다. 이 때, 하프 컷에 의해 생긴 지지 시트(4)의 여분의 부분은 적당히 제거하면 된다. 이 경우에는 도 3에 나타내는 형태의 보호막 형성용 시트(3)가 얻어지게 된다.
이와 같이 하여 기재(41) 상에 점착제층(42)이 적층되어 이루어지는 지지 시트(4)와, 지지 시트(4)의 점착제층(42)측에 적층된 보호막 형성 필름(1)과, 보호막 형성 필름(1)에 있어서의 지지 시트(4)와는 반대측에 적층된 제1 박리 시트로 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트(3)를 얻을 수 있다. 마지막으로, 제1 박리 시트를 박리한 후, 보호막 형성 필름(1)에 있어서의 지지 시트(4)와는 반대측의 둘레 가장자리부에 지그용 점착제층(5)을 형성한다. 지그용 점착제층(5)도 상기 점착제층(42)과 동일한 방법에 의해 도포하여 형성할 수 있다.
3. 보호막 형성용 복합 시트의 사용 방법
본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트(3)를 사용하여, 일 예로 워크로서의 반도체 웨이퍼로부터 보호막 부착 칩을 제조하는 방법을 이하에 설명한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성 필름(1)을 반도체 웨이퍼(6)에 첩부함과 함께, 지그용 점착제층(5)을 링 프레임(7)에 첩부한다. 보호막 형성 필름(1)을 반도체 웨이퍼(6)에 첩부함에 있어서, 필요에 따라 보호막 형성 필름(1)을 가열하여 점착성을 발휘시켜도 된다.
그 후, 지지 시트(4)를 통해 보호막 형성 필름(1)에 대해 자외선을 조사하여, 보호막 형성 필름(1)을 경화시켜 보호막을 형성하고, 보호막 부착 반도체 웨이퍼(6)를 얻는다. 자외선 조사 전 또는 후에, 필요에 따라 보호막 형성 필름(1)을 가열해도 된다. 또한, 보호막 형성 필름(1)의 경화는 다이싱 공정 후에 행해도 되고, 지지 시트(4)로부터 보호막 형성 필름 부착 칩을 픽업한 후에 행해도 된다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성 필름(1)은 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상임으로써, 자외선 경화성이 우수하기 때문에, 상기의 자외선 조사에 의해 전체적으로 충분히 경화된다. 보호막 형성 필름(1)에 대한 자외선의 조사량은 광량으로 50∼1000mJ/㎠가 바람직하고, 특히 100∼500mJ/㎠가 바람직하다.
상기와 같이 하여 보호막 부착 반도체 웨이퍼(6)가 얻어지면, 필요에 따라 그 보호막에 대해 지지 시트(4)를 통해 레이저 광을 조사하여 레이저 인자를 행한다. 한편, 이 레이저 인자는 보호막 형성 필름(1)의 경화 전에 행해도 된다.
이어서, 통상의 방법에 따라 보호막 부착 반도체 웨이퍼(6)을 다이싱하여, 보호막을 갖는 칩(보호막 부착 칩)을 얻는다. 그 후는, 필요에 따라 지지 시트(4)를 평면 방향으로 익스팬드하여, 지지 시트(4)로부터 보호막 부착 칩을 픽업한다.
상기와 같이 하여 얻어진 보호막 부착 칩은, 보호막 형성 필름(1)(보호막)의 파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하임으로써, 백 그라인드 가공에 의한 연삭흔이 보호막에 의해 은폐되어 육안으로 보이지 않기 때문에 외관이 우수하다.
또한, 보호막 형성 필름(1)의 파장 1600㎚의 광선 투과율이 25％ 이상인 경우에는, 보호막 형성 필름(1)(보호막)에 있어서의 적외선의 투과성이 양호해지고, 상기 보호막 부착 칩 및 보호막 부착 반도체 웨이퍼는 보호막을 통해 적외선 검사를 행할 수 있다. 이 때문에, 적외선 검사에 의해 크랙 등을 발견할 수 있어 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
4. 보호막 형성용 복합 시트의 다른 실시형태
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트의 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트(3A)는 기재(41)의 한쪽 면에 점착제층(42)이 적층되어 이루어지는 지지 시트(4)와, 지지 시트(4)의 점착제층(42)측에 적층된 보호막 형성 필름(1)을 구비하여 구성된다. 실시형태에 있어서의 보호막 형성 필름(1)은 면 방향에서 워크와 거의 동일하거나, 워크보다도 조금 크게 형성되어 있고, 또한 지지 시트(4)보다 면 방향으로 작게 형성되어 있다. 보호막 형성 필름(1)이 적층되어 있지 않은 부분의 점착제층(42)은 링 프레임 등의 지그에 첩부하는 것이 가능하게 되어 있다.
본 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트(3A)의 각 부재의 재료 및 두께 등은 전술한 보호막 형성용 복합 시트(3)의 각 부재의 재료 및 두께와 동일하다.
또한, 보호막 형성용 복합 시트(3A)의 지지 시트(4)의 점착제층(42)에 있어서의 기재(41)와는 반대측 둘레 가장자리부에는 전술한 보호막 형성용 복합 시트(3)의 지그용 점착제층(5)과 동일한 지그용 점착제층이 별도로 형성되어 있어도 된다. 다시 말해, 보호막 형성용 복합 시트(3A)는 기재(41)와, 기재(41) 위의 점착제층(42)과, 점착제층(42) 위의 보호막 형성 필름(1)과, 점착제층(42) 위이며, 보호막 형성 필름(1)의 둘레 가장자리부에 위치하는 지그용 점착제층(5)을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 지지 시트(4)는 기재(41)로만 이루어져도 된다. 즉, 보호막 형성용 복합 시트(3A)는 기재(41)와, 기재(41) 위의 보호막 형성 필름(1)과, 기재(41) 위이며, 보호막 형성 필름(1)의 둘레 가장자리부에 위치하는 지그용 점착제층(5)을 갖고 있어도 된다.
또한, 도 3의 구성에 있어서, 점착제층(42)에 자외선으로 경화되는 타입의 점착제를 미리 경화시킨 점착제를 사용하는 경우에는, 점착제층(42)의 평면으로 보았을 때의 내주부만을 미리 경화시켜도 된다. 이로써, 링 프레임 등의 지그에 첩부 되는 외주부는 높은 점착성이 유지되고 있어, 지지 시트(4)의 지그에 대한 고정이 용이해진다.
추가로, 도 3에 있어서 점착제층(42)과 보호막 형성 필름(1) 사이에 박리력 조정층을 형성해도 된다. 다시 말해, 보호막 형성용 복합 시트(3A)는 기재(41)와, 기재(41) 위의 점착제층(42)과, 점착제층(42) 위의 박리력 조정층과, 박리력 조정층 위의 보호막 형성 필름(1)을 갖고 있어도 된다. 이로써, 박리력 조정층과 보호막 형성 필름(1) 사이의 박리를 용이하게 행할 수 있다. 추가로, 보호막(보호막 형성 필름) 부착 칩을 픽업하는 공정에 대한 영향을 고려할 필요가 없는 점착제층(42)에는 강한 점착성을 부여하고, 지지 시트(4)의 지그에 대한 고정을 용이하게 할 수 있다. 박리력 조정층은 예를 들면, 점착제층(42)에 사용하는 점착제보다 점착력이 낮은 점착제로 형성할 수 있고, 또한, 수지 필름(박리 처리한 것을 포함한다)으로 형성할 수도 있다.
이상 설명한 실시형태는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 기재된 것으로서, 본 발명을 한정하기 위해 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는 본 발명의 기술적 범위에 속하는 전체 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.
예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트(3, 3A)의 보호막 형성 필름(1)에 있어서의 지지 시트(4)와는 반대측에는 박리 시트가 적층되어도 된다.
실시예
이하, 실시예 등에 의해 본 발명의 몇 개의 양태를 추가로 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들의 실시예 등으로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
다음의 각 성분을 표 1에 나타내는 배합비(질량비;고형분 환산)로 혼합하고, 고형분 농도가 54질량％가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하여, 보호막 형성 필름용 도포제를 조제하였다.
(a) 자외선 경화성 성분： 2-에틸헥실아크릴레이트 80질량부 및 2-히드록시에틸아크릴레이트 20질량부를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체의 2-히드록시에틸아크릴레이트 유래의 수산기 100몰에 대해, 80몰에 상당하는 양의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 측쇄에 자외선 경화성기가 도입된 아크릴계 중합체(중량 평균분자량：40만, 유리 전이 온도：-10℃)
(b1) 적색 착색제： 디케토피롤로피롤계 적색 색소(산요 색소사 제조, Pigment Red264)
(b2) 흑색 착색제： 카본 블랙(미츠비시 화학사 제조, ＃MA600B, 평균 입경 28㎚)
(c) 필러： 실리카 필러(아도마테크사 제조, SC2050MA, 평균 입경 0.5㎛)
(d) 열경화성 성분： 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 화학사 제조, JER828, 에폭시 당량 183∼194g/eq)
(e) 광중합 개시제： 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤(BASF사 제조, 이르가큐어 184)
폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름의 한쪽 면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 제1 박리 시트(린텍사 제조： SP-PET3811, 두께 38㎛)와, PET 필름의 한쪽 면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 제2 박리 시트(린텍사 제조： SP-PET381031, 두께 38㎛)를 준비하였다.
제1 박리 시트의 박리면 위에 전술한 보호막 형성 필름용 도포제를 나이프 코터로 도포한 후, 오븐에서 120℃으로 2분간 건조시켜 보호막 형성 필름을 형성했다. 얻어진 보호막 형성 필름의 두께는 25㎛였다. 이어서, 보호막 형성 필름에 제2 박리 시트의 박리면을 중첩하여 양자를 첩합하고, 제1 박리 시트(도 1에 있어서의 박리 시트(21))와, 보호막 형성 필름(도 1에 있어서의 보호막 형성 필름(1))(두께：25㎛)과, 제2 박리 시트로 이루어지는 보호막 형성용 시트를 얻었다.
(실시예 2∼3, 비교예 1∼2)
보호막 형성 필름을 구성하는 각 성분의 종류 및 배합량을 표 1에 나타내는 바와 같이 변경하는 것 이외, 실시예 1와 동일하게 하여 보호막 형성용 시트를 제조하였다.
한편, 각 예에 있어서의 착색제의 함유량(W)(질량％)을 보호막 형성 필름의 두께(T)(㎛)로 나눈 값(W／T)을 산출하여 이를 표 1에 나타냈다.
(시험예 1)＜광선 투과율의 측정＞
실시예 및 비교예에서 얻어진 보호막 형성용 시트로부터 제2 박리 시트를 박리하고, 70℃, 1.2m/min의 조건에서, 롤러식 라미네이터로 유리판에 라미네이트 하였다. 그 후, 제1 박리 시트를 박리하고, 이를 측정용 샘플로 하였다.
분광 광도계(SHIMADZU사 제조, UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600)를 이용하여, 상기 측정용 샘플의 광선 투과율을 측정하고, 파장 375㎚(자외선), 550㎚(가시광) 및 1600㎚(적외광)의 광선 투과율(％)을 추출하였다. 측정에는 내장한 적분구를 사용하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 광선 투과율의 측정 결과를 그래프로 하여 도 5에 나타낸다. 표 1 및 도 5가 나타내는 바와 같이, 비교예 1에서는 적외광의 투과율은 높지만, 가시광의 투과율이 45.8％로 높다. 비교예 2에 대해는 모든 파장의 광선 투과율이 거의 0％이다. 한편으로, 실시예 1∼3에서는 파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상이고, 파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하이며, 파장 1600㎚의 광선 투과율이 25％ 이상이다.
(시험예 2)＜연삭흔 은폐성 평가＞
실시예 및 비교예에서 얻어진 보호막 형성용 시트로부터 제2 박리 시트를 박리하여 보호막 형성 필름을 노출시켰다. ＃2000 연마한 실리콘 웨이퍼(직경 200 ㎜, 두께 350㎛)의 연마면에 상기 보호막 형성 필름을 테이프 마운터(린텍사 제조, Adwill RAD-3600F/12)를 이용하여 70℃로 가열하면서 첩부하였다.
이어서, 자외선 조사기(린텍사 제조, ADWILL RAD-2000)를 이용하여 상기 보호막 형성 필름에 대해 자외선을 조사하고(조사 조건：조도 215㎽/㎠, 광량 187mJ/㎠로 3회 조사, 질소 퍼지 없음), 보호막 형성 필름을 경화시켜 보호막으로 하였다. 그 후, 제1 박리 시트를 박리하여 보호막 부착 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
얻어진 보호막 부착 실리콘 웨이퍼에 대해, 실리콘 웨이퍼의 연마면의 연삭흔이 보호막을 통해 보이는지 여부를 육안으로 관찰하였다. 그 결과, 연삭흔이 보이지 않는 것을 양호, 연삭흔이 보인 것을 불량이라고 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(시험예 3)＜프로브 택의 측정＞
자외선 조사기(린텍사 제조, ADWILL RAD-2000)를 이용하여, 실시예 및 비교예로 얻어진 보호막 형성용 시트의 제1 박리 시트측으로부터 당해 보호막 형성용 시트에 대해 자외선을 조사하여(조사 조건：조도 215㎽/㎠, 광량 187mJ/㎠로 3회 조사, 질소 퍼지 없음), 보호막 형성 필름을 경화시켜 보호막으로 하였다.
이어서, 상기 보호막을 포함하는 적층체를 1cm 사방의 정방형으로 잘라내고, 제2 박리 시트를 박리하였다. 노출된 보호막에 70℃, 1.2m/min의 조건으로, 롤러식 라미네이터를 이용하여 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 25㎛)을 상온에서 첩합하였다. 그 후, 자외선 조사면측의 제1 박리 시트를 박리하여, 이를 제1 샘플(자외선 조사면 측정용)로 하였다.
동일하게, 상기 보호막을 포함하는 적층체를 1cm 사방의 정방형으로 잘라내고, 제1 박리 시트를 박리하였다. 노출된 보호막에 70℃, 1.2m/min의 조건으로, 롤러식 라미네이터를 이용하여, 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께 25㎛)을 상온에서 첩합하였다. 그 후, 자외선 조사 반대면측의 제2 박리 시트를 박리하여, 이를 제2 샘플(자외선 조사 반대면 측정용)로 하였다.
태킹 시험기(레스카사 제조, RHESCA PROBE TACK TESTER model RPT100)를 이용하여, 상기 제1 샘플에 있어서의 보호막의 노출면(자외선 조사면)의 프로브 택 값(피크 값(P1), 에너지 값(E1)) 및 상기 제2 샘플에 있어서의 보호막의 노출면(자외선 조사 반대면)의 프로브 택 값(피크 값(P2), 에너지 값(E2))을 측정하였다. 측정 조건은 이하와 같다. 또한, 측정 결과로부터, 피크 값(P1)에 대한 피크 값(P2)의 비(P2／P1) 및 에너지 값(E1)에 대한 에너지 값(E2)의 비(E2／E1)를 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜프로브 택 값의 측정 조건＞
·스피드：600㎜/sec
·압착 하중：0.98N
·압착 시간：1초
Figure pct00001
표 1에서 명백한 바와 같이, 실시예에서 얻어진 보호막 형성 필름(보호막)에 있어서의 자외선 조사면의 프로브 택 값과 자외선 조사면의 반대측 면과의 프로브 택 값은 근사하다. 이로써, 실시예의 보호막은 자외선 조사면으로부터 자외선 조사 반대면에 걸쳐, 두께 방향 전체적으로 경화되고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예의 보호막은 연삭흔 은폐성도 우수하다.
본 발명에 따른 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트 및 보호막 형성용 복합 시트는 반도체 웨이퍼로부터 보호막을 갖는 칩을 제조하는 데에 적합하게 사용된다.
1…보호막 형성 필름
2…보호막 형성용 시트
21…박리 시트
3,3A…보호막 형성용 복합 시트
4…지지 시트
41…기재
42…점착제층
5…지그용 점착제층
6…반도체 웨이퍼
7…링 프레임

Claims (10)

  1. 자외선 경화성 성분을 함유하고,
    파장 375㎚의 광선 투과율이 8％ 이상이며,
    파장 550㎚의 광선 투과율이 12％ 이하인 보호막 형성 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    착색제를 추가로 함유하는 보호막 형성 필름.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 착색제가 적색 착색제인 보호막 형성 필름.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 착색제가 유기계 착색제인 보호막 형성 필름.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 필름에 있어서의 상기 착색제의 함유량(W)(질량％)을 상기 보호막 형성 필름의 두께(T)(㎛)로 나눈 값(W／T)이 0.01∼0.5인 보호막 형성 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 필름에 대해 한쪽 면측으로부터 조도 215㎽/㎠, 광량 187mJ/㎠의 자외선을 3회 조사한 경우에, 자외선 조사면의 프로브 택의 피크 값(P1)에 대한 상기 자외선 조사면과는 반대측 면의 프로브 택의 피크 값(P2)의 비(P2／P1)가 0.1∼7이 되는 보호막 형성 필름.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 1600㎚의 광선 투과율이 25％ 이상인 보호막 형성 필름.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 보호막 형성 필름과,
    상기 보호막 형성 필름의 한쪽 면 또는 양면에 적층된 박리 시트를 구비하는 보호막 형성용 시트.
  9. 지지 시트와,
    상기 지지 시트의 한쪽 면측에 적층된 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 보호막 형성 필름을 구비하는 보호막 형성용 복합 시트.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지 시트는 기재와 상기 기재의 상기 보호막 형성 필름측에 적층된 점착제층으로 이루어지거나, 기재로 이루어지는 보호막 형성용 복합 시트.
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