KR20170072512A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는 표시 구간 및 터치 구간으로 시분할 구동되고, 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 액정 표시 패널을 포함한다. 데이터 구동회로는 액정 표시 패널에 데이터 신호를 공급한다. 액정 표시 패널은 표시 영역에서 복수의 데이터 라인 및 복수의 게이트 라인이 교차되고, 교차된 영역마다 화소가 배치된 화소 어레이, 표시 영역에 인접한 비표시 영역에 배치되고, 복수의 게이트 라인 각각에 연결된 복수의 스테이지를 포함하고, 복수의 게이트 라인에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동회로, 및 화소와 스테이지 사이에 배치되고, 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시키는 보상 트랜지스터를 포함하는 노이즈 저감부를 포함한다. 데이터 구동회로는 표시 구간동안 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 전압을 갖는 보상 트랜지스터 제어 신호를 보상 트랜지스터의 게이트 전극에 공급한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치에서 터치 구간동안 게이트 신호의 리플의 영향을 저감시키는 보상 트랜지스터의 열화가 억제될 수 있다.A liquid crystal display device is provided. The liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel which is time-divisionally driven by a display period and a touch period and includes a display region and a non-display region. The data driving circuit supplies a data signal to the liquid crystal display panel. A liquid crystal display panel includes a pixel array in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines intersect each other in a display region, pixels are arranged in each of the intersected regions, a non-display region adjacent to the display region, And a noise reduction section including a gate driving circuit for supplying a gate signal to the plurality of gate lines and a compensation transistor arranged between the pixel and the stage and reducing the noise generated during the touch period. The data driving circuit supplies a compensating transistor control signal having a voltage lower than the gate low voltage (VGL) to the gate electrode of the compensating transistor during the display period. In the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, deterioration of the compensation transistor that reduces the influence of the ripple of the gate signal during the touch period in the liquid crystal display device using the in-cell type touch screen panel can be suppressed.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}[0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE [0002]

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시키는 보상 트랜지스터의 열화를 억제할 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of suppressing deterioration of a compensating transistor that reduces noise generated during a touch period.

모바일폰, 타블렛, 노트북 컴퓨터, 텔레비전 및 모니터와 같은 다양한 전자 디바이스에 평면 패널 표시 장치(flat panel display; FPD)가 채용되어 왔다. 최근 FPD에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display) 등이 있다. 이와 같은 표시 장치는 복수의 화소를 포함하고, 영상이 표시되고 복수의 화소로 이루어진 화소 어레이와 복수의 화소 각각에서 광이 투과되거나 발광되도록 제어하는 구동회로를 포함한다. 표시 장치의 구동회로는 화소 어레이의 데이터 라인들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동회로, 데이터 신호에 동기되는 게이트 신호(또는 스캔 신호)를 화소 어레이의 게이트 라인들(또는 스캔 라인)에 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로(또는 스캔 구동회로) 및 데이터 구동회로와 게이트 구동회로를 제어하는 타이밍 콘트롤러 등을 포함한다. Flat panel displays (FPDs) have been employed in a variety of electronic devices such as mobile phones, tablets, notebook computers, televisions, and monitors. BACKGROUND ART [0002] Recent FPDs include a liquid crystal display device, an organic light emitting diode display, and the like. Such a display device includes a pixel array including a plurality of pixels, in which an image is displayed and composed of a plurality of pixels, and a driving circuit that controls light to be transmitted or emitted in each of the plurality of pixels. The driving circuit of the display device is a data driving circuit for supplying a data signal to the data lines of the pixel array, and sequentially supplies a gate signal (or a scanning signal) synchronized with the data signal to the gate lines (or scan lines) And a timing controller for controlling the gate driver circuit (or scan driving circuit) and the data driving circuit and the gate driving circuit.

복수의 화소 각각은 게이트 라인을 통해 공급되는 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인의 전압을 화소 전극에 공급하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 포함할 수 있다. 게이트 신호는 게이트 하이 전압(Gate High Voltage; VGH)과 게이트 로우 전압(Gate Low Voltage; VGL) 사이에서 스윙(swing)한다. 즉, 게이트 신호는 펄스 형태로 나타난다. 게이트 하이 전압(VGH)은 표시 패널에 형성된 박막 트랜지스터의 문턱 전압보다 높은 전압으로 설정되고, 게이트 로우 전압(VGH)은 박막 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 전압으로 설정된다. 화소들의 박막 트랜지스터는 게이트 하이 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)된다. Each of the plurality of pixels may include a thin film transistor that supplies a voltage of the data line to the pixel electrode in response to a gate signal supplied through the gate line. The gate signal swings between the gate high voltage (VGH) and the gate low voltage (VGL). That is, the gate signal appears in the form of a pulse. The gate high voltage VGH is set to a voltage higher than the threshold voltage of the thin film transistor formed on the display panel and the gate low voltage VGH is set to a voltage lower than the threshold voltage of the thin film transistor. The thin film transistors of the pixels are turned on in response to the gate high voltage.

최근에는 사용자의 터치 입력을 감지하는 장치인 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel; TSP)이 탑재된 액정 표시 장치가 널리 사용되고 있다. 터치 스크린 패널은 액정 표시 장치 상부에 온-셀(on-cell) 방식으로 부착될 수 있다. 그러나, 온-셀 방식의 경우, 액정 표시 장치의 두께가 증가되고, 증가된 두께로 인해 액정 표시 장치의 시인성이 저하되는 단점이 있다. 이를 해결하기 위해, 터치 스크린 패널이 액정 표시 장치 내에 일체화된 인-셀(In-Cell) 방식의 터치 스크린 패널이 개발되었다. 2. Description of the Related Art Recently, a liquid crystal display (LCD) device equipped with a touch screen panel (TSP), which is a device for sensing a user's touch input, has been widely used. The touch screen panel may be attached on the liquid crystal display device in an on-cell manner. However, in the case of the on-cell method, the thickness of the liquid crystal display device is increased and the visibility of the liquid crystal display device is lowered due to the increased thickness. In order to solve this problem, an in-cell type touch screen panel in which a touch screen panel is integrated into a liquid crystal display has been developed.

인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치의 공통 전극은 터치 전극으로도 사용될 수 있다. 또한, 공통 전극과 연결된 공통 전압 라인이 터치 신호를 수신하는 터치 신호 라인으로 사용될 수도 있다. 즉, 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치는 시분할 구동을 하여, 공통 전극이 제1 시구간 동안에는 화소 전극과 전기장을 형성하는 공통 전극으로 동작하고, 제2 시구간 동안에는 터치 전극으로 동작한다. 이에, 인-셀 방식의 터치 스크린 패털이 적용된 액정 표시 장치는 제1 시구간을 표시 구간으로 이용하고, 제2 시구간을 터치 구간으로 이용한다.The common electrode of the liquid crystal display device to which the in-cell type touch screen panel is applied can also be used as a touch electrode. Also, a common voltage line connected to the common electrode may be used as a touch signal line for receiving a touch signal. That is, the liquid crystal display device employing the in-cell type touch screen panel performs time division driving, and the common electrode operates as a common electrode that forms an electric field with the pixel electrode during the first time period, and during the second time period, . Accordingly, a liquid crystal display device using an in-cell type touch screen pattern uses a first time period as a display period and a second time period as a touch period.

[관련기술문헌] [Related Technical Literature]

1. 표시장치 및 그 구동 방법 (한국공개특허번호 제 10-2015-0044318호)One. Display device and driving method thereof (Korean Patent Laid-open No. 10-2015-0044318)

본 발명의 발명자들은 상술한 바와 같이 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치에서 터치 구간동안 발생하는 게이트 신호의 노이즈, 예를 들어, 리플(ripple)이 공통 전압에 영향을 주어 터치 스크린 패널의 오동작을 유발하는 문제점을 인식하였다. As described above, the inventors of the present invention have found that a noise of a gate signal generated during a touch period, for example ripple, in a liquid crystal display device to which an in-cell type touch screen panel is applied affects a common voltage, Thereby causing a malfunction of the panel.

이에, 게이트 신호의 리플에 의한 터치 스크린 패널의 문제점을 해결하기 위해 보상 트랜지스터가 사용된다. 여기서, 보상 트랜지스터는 터치 구간동안 발생하는 게이트 신호의 리플을 빠른 시간 내에 방전시켜 공통 전압에 대한 게이트 신호의 리플에 의한 영향을 저감시킨다. Therefore, a compensating transistor is used to solve the problem of the touch screen panel due to the ripple of the gate signal. Here, the compensation transistor discharges the ripple of the gate signal generated during the touch period in a short time, thereby reducing the influence of the gate signal ripple on the common voltage.

이와 같은 보상 트랜지스터도 터치 구간동안 높은 전압에 의한 PBTS(Positive Bias Temperature Shift)를 받음으로써, 보상 트랜지스터가 점점 열화되고, 보상 트랜지스터의 문턱 전압(Threshold Voltage; Vth)은 포지티브 시프트(positive shift)된다. 나아가, 보상 트랜지스터의 지속적인 열화로 인해 터치 구간동안 공통 전압에 리플이 억제되지 않고 터치 스크린 패널의 오동작도 억제되지 않는 문제점이 발생한다.The compensating transistor also receives a positive bias temperature shift (PBTS) due to a high voltage during a touch period, so that the compensating transistor is gradually deteriorated and the threshold voltage (Vth) of the compensating transistor is positively shifted. Further, due to the continuous deterioration of the compensating transistor, ripple is not suppressed to the common voltage during the touch period, and malfunction of the touch screen panel is not suppressed.

이에, 상술한 보상 트랜지스터의 포지티브 시프트로 인해 발생하는 문제를 해결하기 위해, 보상 트랜지스터의 열화로 인한 문제점을 저감시킬 수 있는 액정 표시 장치에 대한 필요성이 존재한다. 터치 스크린 패널의 오동작을 억제하는 보상 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치의 새로운 방법을 발명하였다.In order to solve the problem caused by the positive shift of the compensation transistor, there is a need for a liquid crystal display capable of reducing the problem caused by deterioration of the compensation transistor. A new method of a liquid crystal display device capable of improving the reliability of a compensating transistor for suppressing malfunction of a touch screen panel has been invented.

이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 터치 구간동안 보상 트랜지스터의 포지티브 시프트를 억제할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of suppressing a positive shift of a compensating transistor during a touch period.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는 하나의 프레임(frame)에서 표시 구간 및 터치 구간으로 시분할 구동되도록 구성되고, 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 액정 표시 패널을 포함한다. 액정 표시 패널에 데이터 신호를 공급하도록 구성된 데이터 구동회로를 포함한다. 액정 표시 패널은 표시 영역에서 데이터 라인, 데이터 라인과 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인과 게이트 라인에 대응되는 화소가 배치된 화소 어레이, 표시 영역에 인접한 비표시 영역에 배치되고, 게이트 라인에 연결된 스테이지를 포함하고, 게이트 라인에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동회로, 및 화소와 스테이지 사이에 배치되고, 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시키도록 구성된 보상 트랜지스터를 포함하는 노이즈 저감부를 포함한다. 데이터 구동회로는 표시 구간동안 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 전압을 갖는 보상 트랜지스터 제어 신호를 보상 트랜지스터의 게이트 전극에 공급 하도록 구성된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치에서 터치 구간동안 게이트 신호의 리플의 영향을 저감시키는 보상 트랜지스터의 열화가 억제될 수 있다.A liquid crystal display according to an embodiment of the present invention is provided. The liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel including a display area and a non-display area, which are configured to be time-divisionally driven by a display period and a touch interval in one frame. And a data driving circuit configured to supply a data signal to the liquid crystal display panel. The liquid crystal display panel includes a pixel array in which pixels corresponding to the data lines, the gate lines intersecting the data lines and the data lines and the gate lines are arranged in the display region, a stage arranged in the non-display region adjacent to the display region, And a noise reduction unit including a gate driving circuit for supplying a gate signal to the gate line and a compensation transistor arranged between the pixel and the stage and configured to reduce noise generated during the touch period. The data driving circuit is configured to supply a compensating transistor control signal having a voltage lower than the gate low voltage (VGL) to the gate electrode of the compensating transistor during the display period. In the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, deterioration of the compensation transistor that reduces the influence of the ripple of the gate signal during the touch period in the liquid crystal display device using the in-cell type touch screen panel can be suppressed.

데이터 구동회로는 터치 구간동안 게이트 하이 전압(VGH)을 갖는 보상 트랜지스터 제어 신호를 보상 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하도록 구성될 수 있다.The data driving circuit may be configured to supply a compensating transistor control signal having a gate high voltage (VGH) to the gate electrode of the compensating transistor during a touch period.

데이터 구동회로는 게이트 하이 전압의 듀티비(duty rate)가 하나의 프레임에 대한 터치 구간의 비율에 대응하는 보상 트랜지스터 제어 신호를 보상 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하도록 구성될 수 있다.The data driving circuit may be configured to supply the compensating transistor control signal corresponding to the ratio of the duty period of the gate high voltage to the ratio of the touch period to one frame to the gate electrode of the compensating transistor.

보상 트랜지스터는 게이트 라인에 연결된 드레인 전극 및 게이트 로우 전압(VGL) 라인에 연결된 소스 전극을 포함할 수 있다.The compensation transistor may include a drain electrode coupled to the gate line and a source electrode coupled to the gate low voltage (VGL) line.

터치 구간동안 보상 트랜지스터의 게이트 전극의 전압에서 소스 전극의 전압을 뺀 값은 양수일 수 있다.The value obtained by subtracting the voltage of the source electrode from the voltage of the gate electrode of the compensating transistor during the touch period may be positive.

표시 구간동안 보상 트랜지스터의 게이트 전극의 전압에서 소스 전극의 전압을 뺀 값은 음수일 수 있다.The value obtained by subtracting the voltage of the source electrode from the voltage of the gate electrode of the compensating transistor during the display period may be negative.

본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는 표시 구간동안 턴-온(turn-on)되도록 구성되고 터치 구간동안 턴-오프(turn-off)되도록 구성된, 구동 트랜지스터를 포함하는 화소가 표시 영역에서 복수의 데이터 라인 및 복수의 게이트 라인이 교차된 영역 각각에 대응하여 배치된 화소 어레이를 포함한다. 게이트 구동회로는 표시 영역에 인접한 비표시 영역에 배치되고, 구동 트랜지스터를 턴-온 하기 위한 게이트 신호를 복수의 게이트 라인에 시분할하여 공급하도록 구성된다. 데이터 구동회로는 복수의 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하도록 구성된다. 노이즈 저감부는 화소 및 게이트 구동회로 사이에 배치되고, 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시키도록 구성된 보상 트랜지스터를 포함한다. 데이터 구동회로는 노이즈 저감부에 보상 트랜지스터의 문턱 전압의 포지티브 시프트(positive shift)를 보상할 수 있는, 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급하도록 구성된다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치에서 터치 스크린 패널의 오동작을 억제하는 보상 트랜지스터의 신뢰성이 향상될 수 있다.A liquid crystal display according to another embodiment of the present invention is provided. A liquid crystal display device is configured to be turned on during a display period and configured to turn-off during a touch period, wherein a pixel including a driving transistor includes a plurality of data lines and a plurality of gates And a pixel array arranged corresponding to each of the crossing regions of the lines. The gate drive circuit is arranged in a non-display area adjacent to the display area, and is configured to supply a gate signal for turning on the drive transistor to the plurality of gate lines in a time-division manner. The data driver circuit is configured to supply a data signal to the plurality of data lines. The noise reduction unit includes a compensation transistor arranged between the pixel and the gate drive circuit and configured to reduce noise generated during the touch period. The data driving circuit is configured to supply a compensating transistor control signal capable of compensating for a positive shift of the threshold voltage of the compensating transistor to the noise reducing section. In a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, reliability of a compensating transistor for suppressing malfunction of a touch screen panel in a liquid crystal display device using an in-cell type touch screen panel can be improved.

데이터 구동회로는 보상 트랜지스터의 게이트 전극에 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급하도록 구성될 수 있다.The data driving circuit may be configured to supply a compensating transistor control signal to the gate electrode of the compensating transistor.

데이터 구동회로는 제어 하이 전압(TCH) 및 제어 로우 전압(TCL) 사이를 스윙하는 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급하고, 제어 하이 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고, 제어 로우 전압은 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 소정의 전압일 수 있다.The data drive circuit supplies a compensating transistor control signal swinging between the control high voltage TCH and the control low voltage TCL while the control high voltage is the gate high voltage VGH and the control low voltage is the gate low voltage VGL ). ≪ / RTI >

표시 구간동안 보상 트랜지스터 제어 신호는 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 네거티브 시프트(negative shift)시키도록 구성될 수 있다.During the display interval, the compensating transistor control signal may be configured to negatively shift the threshold voltage of the compensating transistor.

터치 구간동안 보상 트랜지스터 제어 신호는 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 포지티브 시프트시키도록 구성될 수 있다.The compensating transistor control signal during the touch period can be configured to positively shift the threshold voltage of the compensating transistor.

표시 구간 및 터치 구간에 대응되는 보상 트랜지스터 제어 신호의 듀티비는 표시 구간에 대응되는 보상 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압값 및 터치 구간에 대응되는 보상 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압값에 기초하여 보상 트랜지스터의 문턱 전압의 포지티브 시프트 또는 네거티브 시프트를 억제하도록 결정될 수 있다.The duty ratio of the compensating transistor control signal corresponding to the display period and the touch period is determined by the voltage value between the gate electrode and the source electrode of the compensating transistor corresponding to the display period and the voltage between the gate electrode and the source electrode of the compensating transistor corresponding to the touch period Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > threshold voltage of the compensation transistor based on the value of the threshold voltage.

보상 트랜지스터 제어 신호의 듀티비는 터치 구간에 대응되는 보상 트랜지스터의 문턱 전압 포지티브 시프트 속도와 표시 구간에 대응되는 보상 트랜지스터의 문턱 전압 네거티브 시프트 속도를 기초로 포지티브 시프트 또는 네거티브 시프트를 억제하도록 결정될 수 있다.The duty ratio of the compensating transistor control signal can be determined so as to suppress the positive shift or the negative shift based on the threshold voltage positive shift speed of the compensating transistor corresponding to the touch period and the threshold voltage negative shift speed of the compensating transistor corresponding to the display period.

보상 트랜지스터 제어 신호의 듀티비는 문턱 전압이 포지티브 시프트 또는 네거티브 시프트를 억제하도록 설정된 범위 내에서 스윙하도록 결정될 수 있다.The duty ratio of the compensating transistor control signal can be determined to swing within a set range such that the threshold voltage suppresses a positive shift or a negative shift.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치에서 터치 구간동안 게이트 신호의 리플의 영향을 저감시키는 보상 트랜지스터의 열화를 억제하는 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급하는 데이터 구동회로를 포함하는 액정 표시 장치를 제작할 수 있다. A liquid crystal display device using an in-cell type touch screen panel is provided with a liquid crystal display device including a data driving circuit for supplying a compensating transistor control signal for suppressing deterioration of a compensating transistor for reducing the influence of a ripple of a gate signal during a touch period. A display device can be manufactured.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구동회로 및 구동회로의 관계를 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로의 스테이지, 노이즈 저감부 및 이들에 공급되는 제어 신호의 관계를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 어레이, 게이트 구동회로 및 노이즈 저감부 사이의 관계를 나타내는 개략적인 회로도이다.
도 4는 비교예에 따른 보상 트랜지스터에 공급되는 신호를 나타내는 파형도이다.
도 5는 비교예에 따른 시간에 대한 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 보상 트랜지스터에 공급되는 신호를 나타내는 파형도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 시간에 대한 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 나타내는 그래프이다.
1 is a block diagram showing the relationship between a driving circuit and a driving circuit of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing the relationship between a stage of a gate driving circuit, a noise reducing section, and a control signal supplied thereto, according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic circuit diagram showing a relationship between a pixel array, a gate driving circuit, and a noise reduction unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a waveform diagram showing a signal supplied to the compensating transistor according to the comparative example.
5 is a graph showing a threshold voltage of a compensating transistor for a time according to a comparative example.
6 is a waveform diagram showing a signal supplied to a compensating transistor according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph illustrating a threshold voltage of a compensating transistor for a time according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 ‘직접’이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 위 (on)로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.It will be understood that when an element or layer is referred to as being on another element or layer, it encompasses the case where it is directly on or intervening another element or intervening another element or element.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or entirely and technically various interlocking and driving is possible as will be appreciated by those skilled in the art, It may be possible to cooperate with each other in association.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동회로 및 구동회로의 관계를 나타내는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 액정 표시 장치(100)는 액정 표시 패널(PNL)과 액정 표시 패널(PNL)의 화소 어레이(pixel array)(110)에 입력 영상의 데이터를 입력하기 위한 구동회로를 포함한다. 액정 표시 장치(100)는 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치로서, 화소의 공통 전극(Ec)은 터치 스크린 패널의 터치 전극으로 사용된다. 이하, 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치(100)를 기준으로 설명한다.1 is a block diagram showing the relationship between a driving circuit and a driving circuit of a display device according to an embodiment of the present invention. 1, a liquid crystal display 100 includes a driving circuit for inputting data of an input image to a pixel array 110 of a liquid crystal display panel (PNL) and a liquid crystal display panel (PNL) . The liquid crystal display device 100 is a liquid crystal display device to which an in-cell type touch screen panel is applied, and a common electrode Ec of a pixel is used as a touch electrode of a touch screen panel. Hereinafter, a liquid crystal display device 100 to which an in-cell type touch screen panel is applied will be described.

도 1을 참조하면, 액정 표시 패널(PNL)은 복수의 데이터 라인(139), 복수의 데이터 라인(139)과 직교하는 복수의 게이트 라인(149), 및 복수의 데이터 라인(150)과 복수의 게이트 라인(149)에 의해 정의된 매트릭스 형태로 화소들이 배치된 화소 어레이(110)를 포함한다. 화소 어레이(110)의 화소마다 화소 각각을 구동하는 구동 트랜지스터(TFT)가 배치되고, 구동 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(149)을 통해 게이트 신호가 입력되는 게이트 전극, 데이터 라인(139)을 통해 데이터 신호가 입력되는 소스 전극 및 화소 전극(Ep)에 연결되는 드레인 전극을 포함한다. 이러한 화소는 구동 트랜지스터(TFT)는 하나의 프레임(frame)에서 표시 구간동안에는 턴-온(turn-on)되고 터치 구간동안에는 턴-오프(turn-off)된다.1, the liquid crystal display panel PNL includes a plurality of data lines 139, a plurality of gate lines 149 orthogonal to the plurality of data lines 139, a plurality of data lines 150, And a pixel array 110 in which pixels are arranged in a matrix form defined by a gate line 149. A driving transistor TFT for driving each pixel is disposed for each pixel of the pixel array 110. The driving transistor TFT is connected to a gate electrode through which a gate signal is inputted via a gate line 149, A source electrode to which a data signal is input, and a drain electrode connected to the pixel electrode Ep. The driving transistor (TFT) of this pixel is turned on during a display period and turned off during a touch period in one frame.

도 1을 참조하면, 액정 표시 장치(100)의 구동회로는 복수의 데이터 라인(139)에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동회로(130), 데이터 전압에 동기되는 게이트 신호를 복수의 게이트 라인(149)에 순차적으로 공급하는 게이트 구동회로(140) 및 타이밍 콘트롤러(Timing Controller, TCON)(120)를 포함한다. 1, a driving circuit of a liquid crystal display 100 includes a data driving circuit 130 for supplying a data voltage to a plurality of data lines 139, a gate signal synchronized with a data voltage to a plurality of gate lines 149 A gate driving circuit 140 and a timing controller (TCON)

타이밍 콘트롤러(120)는 외부의 호스트 시스템으로부터 수신된 입력 영상의 데이터를 데이터 구동회로(130) 및 게이트 구동회로(140)로 전송한다. 타이밍 콘트롤러(120)는 외부의 호스트 시스템으로부터 입력 영상에 동기되는 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호 및 도트 클럭 등의 타이밍 신호를 수신한다. 타이밍 콘트롤러(120)는 입력된 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로(130)와 게이트 구동회로(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 다양한 제어 신호를 생성한다. 즉, 타이밍 콘트롤러(120)는 데이터 구동회로(130)를 제어하기 위한 데이터 드라이버 제어 신호(Data Driver Control signal; DDC)를 생성하고, 게이트 구동회로(140)를 제어하기 위한 게이트 드라이버 제어 신호(Gate Driver Control signal; GDC)를 생성한다. 이러한 타이밍 콘트롤러(120)는 액정 표시 패널(PNL)의 외부에 배치될 수 있다. 구체적으로, 타이밍 콘트롤러(120)는 인쇄 회로 기판에 배치될 수 있다. 이에 따라, 타이밍 콘트롤러(120)는 액정 표시 패널(PNL)의 외부에서 데이터 드라이버 제어 신호(DDC)를 데이터 구동회로(130)로 전송하고, 게이트 드라이버 제어 신호(GDC)를 게이트 드라이버로 전송한다. 단 이에 제한되지 않으며 타이밍 콘트롤러(120)는 액정 표시 패널(PNL)의 내부에 배치되는 것도 가능하다. 또한 타이밍 콘트롤러(120)는 데이터 구동회로(130)와 일체화되는 것도 가능하다.The timing controller 120 transmits the data of the input image received from the external host system to the data driving circuit 130 and the gate driving circuit 140. The timing controller 120 receives timing signals such as a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, and a dot clock synchronized with an input video from an external host system. The timing controller 120 generates various control signals for controlling the operation timings of the data driving circuit 130 and the gate driving circuit 140 based on the input timing signal. That is, the timing controller 120 generates a data driver control signal (DDC) for controlling the data driving circuit 130 and generates a gate driver control signal Gate for controlling the gate driving circuit 140 Driver control signal (GDC). The timing controller 120 may be disposed outside the liquid crystal display panel PNL. Specifically, the timing controller 120 may be disposed on a printed circuit board. The timing controller 120 transmits the data driver control signal DDC to the data driving circuit 130 from the outside of the liquid crystal display panel PNL and transfers the gate driver control signal GDC to the gate driver. However, the present invention is not limited thereto, and the timing controller 120 may be disposed inside the liquid crystal display panel PNL. Also, the timing controller 120 may be integrated with the data driving circuit 130.

데이터 구동회로(130)는 타이밍 콘트롤러(120)로부터 입력 영상의 데이터와 데이터 드라이버 제어 신호(DDC)를 수신한다. 데이터 구동회로(130)는 타이밍 콘트롤러(120)로부터 전송되는 데이터 드라이버 제어 신호(DDC)에 의해 입력 영상의 데이터를 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터 전압을 생성하고, 데이터 전압을 복수의 데이터 라인(139)로 출력한다. 데이터 구동회로(130)는 복수의 소스 전극 드라이버 IC(Integrated Circuit)를 포함한다. 소스 전극 드라이브 IC는 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정에 의해 복수의 데이터 라인(139)에 접속된다.The data driving circuit 130 receives the data of the input image and the data driver control signal DDC from the timing controller 120. The data driving circuit 130 converts the data of the input image into the gamma compensation voltage by the data driver control signal DDC transmitted from the timing controller 120 to generate the data voltage and supplies the data voltage to the plurality of data lines 139 . The data driving circuit 130 includes a plurality of source electrode driver ICs (Integrated Circuits). The source electrode drive IC is connected to a plurality of data lines 139 by a COG (Chip On Glass) process or a TAB (Tape Automated Bonding) process.

또한, 데이터 구동회로(130)는 다양한 제어 신호를 액정 표시 패널(PNL)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 데이터 구동회로(130)는 게이트 로우 전압(VGL) 및 게이트 하이 전압(VGH)을 생성하여 액정 표시 패널(PNL)에 공급할 수 있다. Further, the data driving circuit 130 can supply various control signals to the liquid crystal display panel (PNL). For example, the data driving circuit 130 can generate the gate low voltage VGL and the gate high voltage VGH and supply the gate low voltage VGL and the gate high voltage VGH to the liquid crystal display panel PNL.

게이트 구동회로(140)는 GIP(Gate in panel) 회로로 구현될 수 있다. 게이트 구동회로(140)는 레벨 시프터(Level shifter)로부터 전송되는 신호를 수신하여 GIP 회로를 구동시켜 게이트 신호를 게이트 라인(149)에 공급한다. 여기서, 레벨 시프터는 GIP 회로와 물리적으로 분리되어 액정 표시 패널(PNL)의 외부에 배치될 수 있으며, 액정 표시 패널(PNL)에 연결된 외부 회로부(예를 들어, 인쇄 회로 기판)에 배치될 수 있다. 단 이에 제한되지 않으며, 레벨 시프터는 게이트 구동회로(140)와 일체화될 수 있다. 도 1에서는 게이트 구동회로(140)가 액정 표시 패널(PNL)의 일측에만 배치된 것으로 도시되었으나, 실시예에 따라 액정 표시 패널(PNL)의 양측에 배치될 수 있고, 게이트 구동회로(140)가 액정 표시 패널(PNL)에서 배치되는 위치는 이에 한정되지 않는다. 이하, 게이트 구동회로(140)는 GIP 회로인 것을 기준으로 설명한다.The gate driving circuit 140 may be implemented as a GIP (Gate in Panel) circuit. The gate driving circuit 140 receives the signal transmitted from the level shifter and drives the GIP circuit to supply the gate signal to the gate line 149. Here, the level shifter may be physically separated from the GIP circuit and disposed outside the liquid crystal display panel PNL, and may be disposed on an external circuit portion (e.g., a printed circuit board) connected to the liquid crystal display panel PNL . But the present invention is not limited thereto, and the level shifter may be integrated with the gate driving circuit 140. [ 1, the gate driving circuit 140 may be disposed on only one side of the liquid crystal display panel PNL, but may be disposed on both sides of the liquid crystal display panel PNL according to the embodiment, The position of the liquid crystal display panel PNL is not limited thereto. Hereinafter, the gate drive circuit 140 will be described on the basis of a GIP circuit.

타이밍 콘트롤러(120)로부터 전송되는 게이트 드라이버 제어 신호(GDC)는 레벨 시프터에 의해 전압 레벨이 변환되어 GIP 회로에 입력된다. 레벨 시프터에 입력되는 신호는 디지털 신호이기 때문에 액정 표시 패널(PNL)의 박막 트랜지스터들을 구동할 수 없다. 이에, 레벨 시프터는 타이밍 콘트롤러(120)로부터 전송된 게이트 드라이버 제어 신호(GDC) 각각의 전압을 시프트(shift)하여 게이트 로우 전압(VGL)과 게이트 하이 전압(VGH) 사이에서 스윙하는 전압을 갖는 신호로 변환한다. 게이트 하이 전압(VGH)은 액정 표시 패널(PNL)에 형성된 박막 트랜지스터의 문턱 전압보다 높은 전압으로 설정되고, 게이트 로우 전압(VGL)은 박막 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 전압으로 설정된다. 이와 같이, 레벨 시프터에서 변환된 신호는 GIP 회로를 통해 시분할되어 게이트 라인 각각에 공급된다.The gate driver control signal GDC transmitted from the timing controller 120 is converted into a voltage level by the level shifter and input to the GIP circuit. Since the signal inputted to the level shifter is a digital signal, the thin film transistors of the liquid crystal display panel (PNL) can not be driven. The level shifter shifts the voltage of each of the gate driver control signals GDC transmitted from the timing controller 120 to generate a signal having a voltage swinging between the gate low voltage VGL and the gate high voltage VGH . The gate high voltage VGH is set to a voltage higher than the threshold voltage of the thin film transistor formed on the liquid crystal display panel PNL and the gate low voltage VGL is set to a voltage lower than the threshold voltage of the thin film transistor. Thus, the signal converted by the level shifter is time-divided through the GIP circuit and supplied to each gate line.

도 1을 참조하면, 액정 표시 장치(100)는 화소 어레이(110)와 게이트 구동회로(140) 사이에 배치된 노이즈 저감부(150)를 더 포함한다.Referring to FIG. 1, the liquid crystal display 100 further includes a noise reduction unit 150 disposed between the pixel array 110 and the gate drive circuit 140.

노이즈 저감부(150)는 터치 구간동안 발생하는 게이트 신호의 노이즈가 공통 전압에 주는 영향을 저감시키도록 구성된다. 노이즈 저감부(150)는 게이트 구동회로(140)에서 출력된 게이트 신호를 수신하고, 게이트 신호의 리플과 같은 노이즈를 저감시켜 화소 어레이(110)에 공급한다. 이에 따라, 노이즈 저감부(150)는 화소 어레이(110)의 화소에 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시켜 공통 전압의 노이즈를 감소시킬 수 있다. The noise reduction unit 150 is configured to reduce the influence of the noise of the gate signal generated during the touch period on the common voltage. The noise reduction unit 150 receives the gate signal output from the gate drive circuit 140 and reduces noise such as ripple of the gate signal and supplies the noise to the pixel array 110. Accordingly, the noise reduction unit 150 can reduce the noise generated during the touch period to the pixels of the pixel array 110, thereby reducing the noise of the common voltage.

특히, 노이즈 저감부(150)는 데이터 구동회로(130)로부터 제어 신호를 수신하여 구동될 수 있다. 데이터 구동회로(130)로부터 수신하는 구체적인 제어 신호의 파형 및 특성에 대해서는 도 6 및 도 7을 참조하여 후술한다.In particular, the noise reduction unit 150 may be driven by receiving a control signal from the data driving circuit 130. Waveforms and characteristics of a specific control signal received from the data driving circuit 130 will be described later with reference to Figs. 6 and 7. Fig.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 화소 어레이(110)를 구동하기 위한 타이밍 컨트롤러(120), 데이터 구동회로(130), 게이트 구동회로(140) 및 노이즈 저감부(150)를 포함한다. 여기서, 노이즈 저감부(150)는 터치 구간동안에 입력되는 게이트 신호에서 노이즈를 저감시키므로, 게이트 신호에 포함된 노이즈에 의한 공통 전압의 노이즈를 감소시킨다. 이에 따라, 공통 전압의 노이즈에 의한 터치 스크린 패널의 오동작도 저감된다. 노이즈 저감부(150)의 구체적인 구성에 대해서는 도 2 및 도 3을 참조하여 후술한다.A liquid crystal display 100 according to an embodiment of the present invention includes a timing controller 120, a data driving circuit 130, a gate driving circuit 140, and a noise reduction unit 150 for driving the pixel array 110, . Here, since the noise reduction unit 150 reduces noise in the gate signal input during the touch period, noise of the common voltage due to the noise included in the gate signal is reduced. Accordingly, erroneous operation of the touch screen panel due to the noise of the common voltage is also reduced. The specific configuration of the noise reduction unit 150 will be described later with reference to Fig. 2 and Fig.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 게이트 구동회로의 스테이지, 노이즈 저감부 및 이들에 공급되는 제어 신호의 관계를 나타내는 블록도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 어레이, 게이트 구동회로 및 노이즈 저감부 사이의 관계를 나타내는 개략적인 회로도이다.FIG. 2 is a block diagram showing the relationship between a stage of a gate driving circuit, a noise reducing section, and a control signal supplied thereto, according to an embodiment of the present invention. 3 is a schematic circuit diagram showing a relationship between a pixel array, a gate driving circuit, and a noise reduction unit according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 게이트 구동회로(140)는 화소 어레이(110)로부터 이격되어 화소 어레이(110)의 일측에 배치된다. 게이트 구동회로(140)는 복수의 스테이지를 포함한다. 각각의 스테이지는 시프트 레지스터로 구성될 수 있다. 구체적으로, 화소 어레이(110)의 좌측에 배치된 게이트 구동회로(140)는 종속적으로 접속된 복수의 스테이지(ST1 내지 STn)를 포함한다. 나아가, 스테이지(ST1 내지 STn) 각각은 Q 노드에 연결된 게이트 전극을 포함하는 풀-업(pull-up) 트랜지스터(PU1 내지 PUn) 및 QB 노드에 연결된 게이트 전극 및 게이트 로우 전압(VGL) 라인에 연결된 소스 전극을 포함하는 풀-다운(pull-down) 트랜지스터(PD1 내지 PDn)를 포함한다. 여기서, 스테이지(ST1 내지 STn)는 풀-업 트랜지스터(PU1 내지 PUn) 및 풀-다운 트랜지스터(PD1 내지 PDn) 중 하나의 출력을 게이트 신호로 출력한다. Referring to FIGS. 2 and 3, the gate driving circuit 140 is disposed at one side of the pixel array 110 away from the pixel array 110. The gate drive circuit 140 includes a plurality of stages. Each stage may be composed of a shift register. Specifically, the gate drive circuit 140 disposed on the left side of the pixel array 110 includes a plurality of stages ST1 to STn that are connected in a dependent manner. Further, each of the stages ST1 to STn is connected to a pull-up transistor PU1 to PUn including a gate electrode connected to the Q node and a gate electrode connected to the QB node and a gate low voltage (VGL) line And pull-down transistors PD1 to PDn including a source electrode. Here, the stages ST1 to STn output the outputs of one of the pull-up transistors PU1 to PUn and the pull-down transistors PD1 to PDn as gate signals.

제1 스테이지(ST1)를 제외한 제k 스테이지(STk)에 입력되는 제1 캐리 신호(Gout_Pre)는 제k-1 스테이지(STk-1)의 출력(Gout)이고, 마지막 스테이지(STn)를 제외한 제k 스테이지(STk)에 입력되는 제2 캐리 신호(Gout_Post)는 제k+1 스테이지(STk+1)의 출력(Gout)이다. 제1 스테이지(ST1)에는 제1 캐리 신호(Gout_Pre)가 입력되지 않고 스타트 펄스(VST)가 입력된다. 마지막 스테이지(STn)에는 제2 캐리 신호(Gout_Post)가 입력되지 않고 더미 스테이지(Dummy stage)(End Generator; EG)로부터 리셋 펄스가 입력된다. 여기서, n은 게이트 라인의 수이며, k는 1 내지 n 사이의 임의의 정수이다. 예를 들어, n은 1920일 수 있다.The first carry signal Gout_Pre input to the k-th stage STk excluding the first stage ST1 is the output Gout of the (k-1) th stage STk-1, The second carry signal Gout_Post input to the k stage STk is the output Gout of the (k + 1) th stage STk + 1. The first carry signal Gout_Pre is not input to the first stage ST1 and the start pulse VST is input. The second carry signal Gout_Post is not inputted to the last stage STn and a reset pulse is inputted from a dummy stage (End Generator). Here, n is the number of gate lines, and k is an arbitrary integer between 1 and n. For example, n may be 1920.

구체적으로, 게이트 구동회로(140)의 스테이지(ST1 내지 STn)는 스타트 펄스(VST)에 응답하여 게이트 신호를 출력하기 시작한다. 스테이지(ST1 내지 STn) 각각으로부터 출력된 게이트 신호는 게이트 라인(G1 내지 Gn)에 공급됨과 동시에 제1 캐리 신호(Gout_Pre)로서 다음 스테이지에 입력된다. Specifically, the stages ST1 to STn of the gate driving circuit 140 start to output gate signals in response to the start pulse VST. The gate signal output from each of the stages ST1 to STn is supplied to the gate lines G1 to Gn and simultaneously input to the next stage as the first carry signal Gout_Pre.

게이트 구동회로(140)는 게이트 드라이버 제어 신호(GDC)를 수신하여 전압을 출력한다. 즉, 게이트 구동회로(140)는 복수의 스테이지(ST1 내지 STn)를 통해 레벨 시프터에서 생성된 게이트 신호를 게이트 드라이버 제어 신호(GDC)에 의해 게이트 라인(G1 내지 Gn)에 순차적으로 공급한다. 여기서, 게이트 드라이버 제어 신호(GDC)는 스타트 펄스(Gate Start Pulse; GSP)(VST) 및 시프트 클럭(Gate Shift Clock; GSC)(CLK) 등을 포함한다. 이에 따라, 게이트 구동회로(140)는 게이트 라인들(G1, G2, …, Gn)에 게이트 신호를 순차적으로 공급한다. The gate driving circuit 140 receives the gate driver control signal GDC and outputs a voltage. That is, the gate driving circuit 140 sequentially supplies the gate signals generated in the level shifter through the plurality of stages ST1 to STn to the gate lines G1 to Gn by the gate driver control signal GDC. Here, the gate driver control signal GDC includes a gate start pulse (GSP) VST and a gate shift clock GSC (CLK). Accordingly, the gate driving circuit 140 sequentially supplies gate signals to the gate lines G1, G2, ..., Gn.

게이트 구동회로(140)는 출력을 발생하지 않고 이전 스테이지에 제2 캐리 신호(Gout_Post)를 공급하는 더미 스테이지(EG)를 포함한다. 즉, 게이트 구동회로(140)는 마지막 스테이지(STn)의 다음 스테이지로 더미 스테이지(EG)를 포함한다. 즉, 마지막 게이트 신호를 출력하는 마지막 스테이지(STn)에는 더미 스테이지(EG)가 연결되고, 더미 스테이지(EG)는 게이트 신호를 출력하지 않고 마지막 스테이지(STn)에 제2 캐리 신호(Gout_Post)를 공급한다.The gate driving circuit 140 includes a dummy stage EG that does not generate an output but supplies a second carry signal Gout_Post to a previous stage. That is, the gate drive circuit 140 includes the dummy stage EG as the next stage of the last stage STn. That is, the dummy stage EG is connected to the last stage STn for outputting the last gate signal, and the dummy stage EG supplies the second carry signal Gout_Post to the last stage STn without outputting the gate signal do.

또한, 게이트 구동회로(140)의 스테이지(ST1 내지 STn)에는 시프트 클럭(CLK)이 입력된다. 시프트 클럭(CLK)은 제1 캐리 신호(Gout_Pre) 및 제2 캐리 신호(Gout_Post)가 게이트 구동회로(140)에 입력되는 타이밍을 제어한다.The shift clock CLK is input to the stages ST1 to STn of the gate driving circuit 140. [ The shift clock signal CLK controls the timing at which the first carry signal Gout_Pre and the second carry signal Gout_Post are input to the gate driving circuit 140. [

도 2 및 도 3을 참조하면, 노이즈 저감부(150)는 게이트 라인(G1 내지 Gn) 각각에 연결된 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)를 포함한다. 구체적으로, 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn) 각각은 보상 트랜지스터 제어(Tail TFT Control Signal; TCS) 라인 각각에 연결된 게이트 전극, 게이트 라인(G1 내지 Gn) 각각에 연결된 드레인 전극 및 게이트 로우 전압(VGL) 라인에 연결된 소스 전극을 포함한다. 이에 따라, 노이즈 저감부(150)는 게이트 라인(G1 내지 Gn)의 수만큼 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)를 갖는다.2 and 3, the noise reduction unit 150 includes compensation transistors TT1 to TTn connected to the gate lines G1 to Gn, respectively. In detail, each of the compensating transistors TT1 to TTn includes a gate electrode connected to each of the tail TFT control signal (TCS) lines, a drain electrode connected to each of the gate lines G1 to Gn, And a source electrode connected to the source electrode. Accordingly, the noise reduction section 150 has the compensation transistors TT1 to TTn by the number of the gate lines G1 to Gn.

여기서, 노이즈 저감부(150)는 표시 구간동안에는 턴-오프되어, 스테이지(ST1 내지 STn)에서 게이트 라인(G1 내지 Gn)에 공급하는 게이트 신호를 그대로 화소 어레이(110)에 전달한다. 반면, 노이즈 저감부(150)는 터치 구간동안에는 턴-온되어, 게이트 라인(G1 내지 Gn)에 연결된 드레인 전극에 게이트 로우 전압(VGL)이 공급된다. 이에 따라, 터치 구간동안에는 게이트 라인(G1 내지 Gn)을 통해 화소 어레이(110)에는 게이트 로우 전압(VGL)만이 전달되므로, 게이트 라인(G1 내지 Gn)을 통해 화소 어레이(110)에 전달되는 스테이지(ST1 내지 STn)에서 생성된 게이트 신호의 노이즈(예를 들어, 리플)가 저감된다. 즉, 터치 구간동안에는 노이즈 저감부(150)의 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)가 활성화되어 화소 어레이(110)에 전달되는 노이즈가 저감된다.Here, the noise reduction unit 150 is turned off during the display period to transfer the gate signal supplied to the gate lines G1 to Gn in the stages ST1 to STn to the pixel array 110 as it is. On the other hand, the noise reduction unit 150 is turned on during the touch period, and the gate low voltage VGL is supplied to the drain electrodes connected to the gate lines G1 to Gn. Accordingly, only the gate low voltage VGL is transferred to the pixel array 110 through the gate lines G1 to Gn during the touch period, and therefore, the data signal is transferred to the stage 110 through the gate lines G1 to Gn Noise (e.g., ripple) of the gate signal generated in ST1 to STn is reduced. That is, during the touch period, the compensation transistors TT1 to TTn of the noise reduction unit 150 are activated to reduce the noise transmitted to the pixel array 110. [

본 발명의 일 실시예에 따른 인-셀 방식의 터치 스크린 패널이 적용된 액정 표시 장치(100)는 화소 어레이(110) 및 게이트 구동회로(140) 사이에 배치된 노이즈 저감부(150)를 포함한다. 노이즈 저감부(150)의 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)는 표시 구간동안에는 턴-오프되어 게이트 구동회로(140)가 생성한 게이트 신호를 화소 어레이(110)에 전달한다. 반면, 노이즈 저감부(150)의 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)는 터치 구간동안에는 턴-온되어 게이트 로우 전압(VGL)을 화소 어레이(110)에 공급하여, 터치 구간동안 게이트 구동회로(140)에서 발생할 수 있는 게이트 신호의 노이즈가 화소 어레이(110)에 전달되지 않도록 억제한다. 이에 따라, 노이즈 저감부(150)는 화소 어레이(110)에 전달되는 노이즈를 저감시킨다. A liquid crystal display 100 to which an in-cell type touch screen panel according to an exemplary embodiment of the present invention is applied includes a noise reduction unit 150 disposed between the pixel array 110 and the gate driving circuit 140 . The compensating transistors TT1 to TTn of the noise reduction unit 150 are turned off during the display period to transfer the gate signal generated by the gate driving circuit 140 to the pixel array 110. [ On the other hand, the compensating transistors TT1 to TTn of the noise reduction unit 150 are turned on during the touch period to supply the gate line voltage VGL to the pixel array 110, and the gate driving circuit 140 The noise of the gate signal that can be generated is prevented from being transmitted to the pixel array 110. Accordingly, the noise reduction unit 150 reduces noise transmitted to the pixel array 110.

이와 같이, 노이즈 저감부(150)는 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 동작에 의해 터치 구간동안 화소 어레이(110)에 전달되는 게이트 신호의 노이즈를 저감시킬 수 있는바, 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 소자 특성(예를 들어, 문턱 전압 특성)을 유지하는 것은 터치 구간동안 화소 어레이(110)에 전달되는 게이트 신호의 노이즈를 저감시키는데 중요한 요인이 된다. 구체적으로, 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 문턱 전압(Vth)은 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)의 바이어스(bias)에 의해 열화된다. 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)이 양수인 경우 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 문턱 전압(Vth)은 포지티브 시프트되고, 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)이 음수인 경우 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 문턱 전압(Vth)은 네거티브 시프트된다. 이에, 장시간 동안 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 문턱 전압(Vth)이 시프트되면, 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 특성이 열화된다. 이에 따라, 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 터치 구간동안 화소 어레이(110)에 전달되는 게이트 신호의 노이즈를 억제하는 효율에 영향을 줄 수 있다.As described above, the noise reduction unit 150 can reduce the noise of the gate signal transmitted to the pixel array 110 during the touch period by the operation of the compensation transistors TT1 to TTn. The compensation transistors TT1 to TTn, (For example, a threshold voltage characteristic) of the pixel array 110 is an important factor for reducing the noise of the gate signal transmitted to the pixel array 110 during the touch period. Specifically, the threshold voltage Vth of the compensating transistors TT1 to TTn is deteriorated by a bias of the voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S. The threshold voltage Vth of the compensating transistors TT1 to TTn is positively shifted when the voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S is positive and the threshold voltage Vth between the gate electrode G and the source electrode S is positive The threshold voltage Vth of the compensating transistors TT1 to TTn is negatively shifted. Thus, when the threshold voltage Vth of the transistors TT1 to TTn is shifted for a long time, the characteristics of the transistors TT1 to TTn are deteriorated. The voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S of the compensating transistors TT1 to TTn is influenced by the efficiency of suppressing the noise of the gate signal transmitted to the pixel array 110 during the touch period .

이에, 데이터 구동회로(130)는 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 문턱 전압(Vth)의 포지티브 시프트를 억제하도록 보상 트랜지스터 제어(TCS) 라인을 통해 노이즈 저감부(150)에 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급한다. 노이즈 저감부(150)의 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)에 공급되는 보상 트랜지스터 제어 신호 및 이에 따른 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 문턱 전압(Vth) 특성의 변화에 대해서는 이하 도 4 내지 도 7을 참조하여 비교예와 본 발명의 일 실시예를 비교하여 후술한다.The data driving circuit 130 supplies the compensating transistor control signal to the noise reduction section 150 through the compensating transistor control (TCS) line so as to suppress the positive shift of the threshold voltage Vth of the compensating transistors TT1 to TTn do. Variations of the compensating transistor control signals supplied to the compensating transistors TT1 to TTn of the noise reduction unit 150 and the threshold voltage (Vth) characteristics of the compensating transistors TT1 to TTn accordingly will be described later with reference to Figs. 4 to 7 The comparative example will be described below in comparison with one embodiment of the present invention.

도 4는 비교예에 따른 보상 트랜지스터에 공급되는 신호를 나타내는 파형도이다. 도 5는 비교예에 따른 시간에 대한 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 나타내는 그래프이다. 도 4 및 도 5는 도 3의 액정 표시 장치(100)에서 제1 스테이지(ST1) 및 제1 데이터 라인(D1) 및 제1 게이트 라인(G1)이 교차된 영역에 배치된 화소 사이에 배치된 노이즈 저감부(150) 및 제1 보상 트랜지스터(TT1)를 기준으로 도시된 비교예에 따른 파형도와 그래프이다. 설명의 편의를 위해 도 3을 참조하여 후술한다.4 is a waveform diagram showing a signal supplied to the compensating transistor according to the comparative example. 5 is a graph showing a threshold voltage of a compensating transistor for a time according to a comparative example. 4 and 5 are diagrams showing the arrangement of pixels arranged in a region where the first stage ST1 and the first data line D1 and the first gate line G1 are crossed in the liquid crystal display 100 of FIG. A noise reduction unit 150, and a first compensation transistor TT1. Will be described later with reference to Fig. 3 for convenience of explanation.

도 4를 참조하면, 하나의 프레임은 10.7msec의 표시 구간 및 6msec의 터치 구간으로 구성된다. 즉, 하나의 프레임은 16.7msec이고, 액정 표시 장치(100)는 60Hz로 구동한다. Referring to FIG. 4, one frame is composed of a display period of 10.7 msec and a touch interval of 6 msec. That is, one frame is 16.7 msec, and the liquid crystal display device 100 is driven at 60 Hz.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)에는 보상 트랜지스터 제어(TCS) 라인을 통해 게이트 하이 전압(VGH)에서 게이트 로우 전압(VGL) 사이를 스윙하는 게이트 전압(VG)이 인가된다. 구체적으로, 표시 구간동안에는 보상 트랜지스터 제어(TCS) 라인을 통해 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)에 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되고, 터치 구간동안에는 보상 트랜지스터 제어(TCS) 라인을 통해 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)에 게이트 하이 전압(VGH)이 인가된다. 3 and 4, the gate electrode G of the first compensating transistor TT1 is connected to the gate of the gate electrode G swinging from the gate high voltage VGH to the gate low voltage VGL through the compensating transistor control (TCS) A voltage VG is applied. Specifically, during the display period, the gate low voltage VGL is applied to the gate electrode G of the first compensating transistor TT1 through the compensating transistor control (TCS) line, and the compensating transistor control (TCS) line is applied during the touch period The gate high voltage VGH is applied to the gate electrode G of the first compensation transistor TT1.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 소스 전극(S)에는 게이트 로우 전압(VGL)이 인가된다. 즉, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 소스 전극(S)은 게이트 로우 전압(VGL) 라인에 직접 연결되어 있으므로, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 소스 전극(S)에는 표시 구간 및 터치 구간동안 계속 게이트 로우 전압(VGL)이 인가된다.Referring to FIGS. 3 and 4, a gate low voltage VGL is applied to the source electrode S of the first compensation transistor TT1. That is, since the source electrode S of the first compensation transistor TT1 is directly connected to the gate low voltage (VGL) line, the source electrode S of the first compensation transistor TT1 is continuously supplied with the display period and the touch period A gate-low voltage VGL is applied.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 드레인 전극에는 제1 게이트 라인(G1)에 공급되는 게이트 신호가 인가된다. 구체적으로, 표시 구간동안에는 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 드레인 전극(D)에 게이트 로우 전압(VGL)이 인가되어 제1 보상 트랜지스터(TT1)가 턴-오프된다. 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 드레인 전극(D)은 제1 스테이지(ST1)의 출력 전압 노드와 제1 게이트 라인(G1)으로 연결되어 있다. 이에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 드레인 전극(D)에는 표시 구간동안 제1 게이트 라인(G1)에 공급되는 게이트 신호가 그대로 인가된다. 한편, 터치 구간동안에는 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)에 게이트 하이 전압(VGH)이 인가되어 제1 보상 트랜지스터(TT1)가 턴-온된다. 제1 보상 트랜지스터(TT1)가 턴-온되면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 드레인 전극(D)이 소스 전극(S)과 채널을 통해 연결된다. 이에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 드레인 전극(D)에는 터치 구간동안 소스 전극(S)에 연결된 게이트 로우 전압(VGL)이 그대로 인가된다.3 and 4, a gate signal supplied to the first gate line G1 is applied to the drain electrode of the first compensation transistor TT1. Specifically, during the display period, the gate low voltage VGL is applied to the drain electrode D of the first compensating transistor TT1 to turn off the first compensating transistor TT1. The drain electrode D of the first compensation transistor TT1 is connected to the output voltage node of the first stage ST1 through the first gate line G1. Accordingly, the gate signal supplied to the first gate line G1 is directly applied to the drain electrode D of the first compensation transistor TT1 during the display period. Meanwhile, during the touch period, the gate high voltage VGH is applied to the gate electrode G of the first compensation transistor TT1 to turn on the first compensation transistor TT1. When the first compensation transistor TT1 is turned on, the drain electrode D of the first compensation transistor TT1 is connected to the source electrode S through a channel. Accordingly, the gate low voltage VGL connected to the source electrode S is directly applied to the drain electrode D of the first compensating transistor TT1 during the touch period.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 0V로부터 게이트 하이 전압(VGH)에서 게이트 로우 전압(VGL)을 뺀 전압 사이를 스윙한다. 구체적으로, 표시 구간동안에 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 0V이고, 터치 구간동안에 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 게이트 하이 전압(VGH)에서 게이트 로우 전압(VGL)을 뺀 전압이다. 예를 들어, 게이트 하이 전압(VGH)이 14V이고, 게이트 로우 전압(VGL)이 -12V인 경우, 터치 구간동안 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 26V이다.3 and 4, the voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S of the first compensating transistor TT1 changes from 0V to the gate low voltage VGL at the gate high voltage VGH, And swings between the voltages. Specifically, the voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S of the first compensating transistor TT1 during the display period is 0 V, and during the touch period, the gate electrode G of the first compensating transistor TT1 ) And the source electrode S is a voltage obtained by subtracting the gate high voltage VGH from the gate low voltage VGL. For example, when the gate high voltage VGH is 14V and the gate low voltage VGL is -12V, the potential difference between the gate electrode G and the source electrode S of the first compensation transistor TT1 during the touch period The voltage Vgs is 26V.

이에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)에 표시 구간동안 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이에는 0V만 인가되고, 터치 구간동안 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이에는 항상 양의 전압(positive voltage)만이 인가된다. 즉, 제1 보상 트랜지스터(TT1)는 하나의 프레임동안 항상 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)이 0V보다 크거나 같다. 다시 말해, 제1 보상 트랜지스터(TT1)에는 계속 포지티브 바이어스 전압만 인가된다. 이와 같이 제1 보상 트랜지스터(TT1)에 포지티브 바이어스 전압만이 인가되는 경우, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)도 포지티브 시프트만 이루어진다. Accordingly, only 0 V is applied between the gate electrode G and the source electrode S during the display period in the first compensation transistor TT1, and a voltage of 0 V is always applied between the gate electrode G and the source electrode S during the touch period. Only a positive voltage is applied. That is, the voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S is always equal to or greater than 0 V during one frame of the first compensation transistor TT1. In other words, only the positive bias voltage is continuously applied to the first compensation transistor TT1. Thus, when only the positive bias voltage is applied to the first compensation transistor TT1, only the positive shift of the threshold voltage Vth of the first compensation transistor TT1 is achieved.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)에 포지티브 바이어스 전압만이 인가됨에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)도 시간이 지남에 따라 지속적으로 포지티브 시프트된다. 이에 따라, 오랜 시간이 지난 후 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)은 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)과 동일해진다. 예를 들어, 액정 표시 장치(100)를 구동한지 10시간이 지나면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)은 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)의 최댓값인 26V로 수렴한다.Referring to FIGS. 4 and 5, as only the positive bias voltage is applied to the first compensating transistor TT1, the threshold voltage Vth of the first compensating transistor TT1 is also positively shifted continuously over time . Accordingly, after a long time, the threshold voltage Vth of the first compensating transistor TT1 becomes equal to the voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S of the first compensating transistor TT1 . The threshold voltage Vth of the first compensating transistor TT1 is set to be equal to the threshold voltage Vth of the gate electrode G and the source electrode S of the first compensating transistor TT1 after 10 hours of driving the liquid crystal display device 100. [ (26 V), which is the maximum value of the voltage (Vgs).

여기서, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)이 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극과(G) 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)과 동일해지면, 터치 구간에서도 제1 보상 트랜지스터(TT1)는 턴-온되지 않는다. 즉, 제1 보상 트랜지스터(TT1)는 계속 턴-오프 상태로 유지된다. 제1 보상 트랜지스터(TT1)가 턴-오프 상태인 경우, 표시 구간에서와 같이 터치 구간에서도 제1 보상 트랜지스터(TT1)는 드레인 전극(D)을 통해 게이트 신호를 그대로 화소에 전달한다. Here, if the threshold voltage Vth of the first compensation transistor TT1 is equal to the voltage Vgs between the gate electrode of the first compensation transistor TT1 and the source electrode S, The compensation transistor TT1 is not turned on. That is, the first compensation transistor TT1 is kept in the turn-off state continuously. When the first compensating transistor TT1 is in the turn-off state, the first compensating transistor TT1 transfers the gate signal to the pixel through the drain electrode D as it is in the touch period, as in the display period.

이에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)이 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)과 동일해지면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)는 항상 턴-오프 상태에 있으므로, 터치 구간에서 게이트 신호의 노이즈도 그대로 화소에 전달된다. Accordingly, when the threshold voltage Vth of the first compensating transistor TT1 becomes equal to the voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S of the first compensating transistor TT1, (TT1) is always in the turn-off state, the noise of the gate signal is transmitted to the pixel as it is in the touch period.

이에, 비교예에 따른 제1 보상 트랜지스터(TT1)가 열화됨에 따라 터치 구간동안 제1 보상 트랜지스터(TT1)가 동작하지 않게 되고, 노이즈 저감부(150)는 게이트 신호의 노이즈를 그대로 화소 어레이(110)에 전달하여 노이즈를 저감하는 역할을 하지 못한다.Accordingly, the first compensating transistor TT1 according to the comparative example deteriorates and the first compensating transistor TT1 does not operate during the touch interval. The noise reducing unit 150 removes the noise of the gate signal from the pixel array 110 ) To reduce the noise.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 보상 트랜지스터에 공급되는 신호를 나타내는 파형도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 시간에 대한 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 나타내는 그래프이다. 도 6 및 도 7은 도 3의 액정 표시 장치(100)에서 제1 스테이지(ST1) 및 제1 데이터 라인(D1) 및 제1 게이트 라인(G1)이 교차된 영역에 배치된 화소 사이에 배치된 노이즈 저감부(150) 및 제1 보상 트랜지스터(TT1)를 기준으로 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 파형도와 그래프이다. 도 6에 도시된 파형도는 도 4에 도시된 파형도에서 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전압(VG) 및 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)이 상이할 뿐, 나머지 파형도의 실질적인 구성은 동일한 바, 중복 설명은 생략한다. 설명의 편의를 위해 도 1 및 도 3을 참조하여 후술한다.6 is a waveform diagram showing a signal supplied to a compensating transistor according to an embodiment of the present invention. 7 is a graph illustrating a threshold voltage of a compensating transistor for a time according to an embodiment of the present invention. 6 and 7 are schematic diagrams of the liquid crystal display 100 of FIG. 3 in which the first stage ST1, the first data line D1 and the first gate line G1 are arranged in a crossing area, A waveform and a graph according to an embodiment of the present invention, which are based on the noise reduction unit 150 and the first compensation transistor TT1. The waveform diagram shown in Fig. 6 is a waveform diagram in which the gate voltage VG of the first compensating transistor TT1 and the voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S are different from each other in the waveform diagram shown in Fig. 4 However, the actual configuration of the remaining waveform diagrams is the same, and redundant description is omitted. Will be described later with reference to Figs. 1 and 3 for convenience of explanation.

도 3 및 도 6을 참조하면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)에는 보상 트랜지스터 제어(TCS) 라인을 통해 보상 트랜지스터 제어 신호가 인가된다. 다시 말해, 데이터 구동회로(130)는 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)에 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급한다. 구체적으로, 보상 트랜지스터 제어 신호는 표시 구간동안 제어 로우 전압(TCL)을 갖고, 터치 구간동안 제어 하이 전압(TCH)을 갖는다. 즉, 보상 트랜지스터 제어 신호는 제어 하이 전압(TCH)에서 제어 로우 전압(TCL) 사이를 스윙한다. 여기서, 제어 하이 전압(TCH)은 게이트 하이 전압(VGH)일 수 있다. 제어 로우 전압(TCL)은 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 전압이다. 예를 들어, 제어 하이 전압(TCH)은 14V이고, 제어 로우 전압(TCL)은 -20V이다.Referring to FIGS. 3 and 6, a compensation transistor control signal is applied to the gate electrode G of the first compensation transistor TT1 through a compensation transistor control (TCS) line. In other words, the data driving circuit 130 supplies the compensating transistor control signal to the gate electrode G of the first compensating transistor TT1. Specifically, the compensating transistor control signal has a control low voltage (TCL) during the display period and a control high voltage (TCH) during the touch period. That is, the compensation transistor control signal swings between the control high voltage (TCH) and the control low voltage (TCL). Here, the control high voltage TCH may be the gate high voltage VGH. The control low voltage TCL is lower than the gate low voltage VGL. For example, the control high voltage (TCH) is 14V and the control low voltage (TCL) is -20V.

이에 따라, 데이터 구동회로(130)는 보상 트랜지스터 제어(TCS) 라인을 통해 표시 구간동안 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 제어 로우 전압(TCL)을 갖고 터치 구간동안 게이트 하이 전압(VGH)과 같은 제어 하이 전압(TCH)을 갖는 보상 트랜지스터 제어 신호를 노이즈 저감부(150)에 공급한다.Accordingly, the data driving circuit 130 has a control low voltage (TCL) lower than the gate low voltage (VGL) during the display period through the compensating transistor control (TCS) line and controls the same as the gate high voltage And supplies the compensation transistor control signal having the high voltage (TCH) to the noise reduction section 150. [

도 3 및 도 6을 참조하면, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압(Vgs)은 제어 로우 전압(TCL)에서 게이트 로우 전압(VGL)을 뺀 전압으로부터 제어 하이 전압(TCH)에서 게이트 로우 전압(VGL)을 뺀 전압 사이를 스윙한다. 표시 구간동안에 제어 로우 전압(TCL)은 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮으므로, 표시 구간동안 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압(Vgs)은 0V보다 작다. 3 and 6, the voltage Vgs between the gate electrode and the source electrode of the first compensating transistor TT1 changes from a voltage obtained by subtracting the gate low voltage VGL from the control low voltage TCL to a control high voltage TCH) minus the gate low voltage (VGL). Since the control low voltage TCL is lower than the gate low voltage VGL during the display period, the voltage Vgs between the gate electrode and the source electrode of the first compensation transistor TT1 during the display period is less than 0V.

터치 구간동안에 제어 하이 전압(TCH)이 게이트 하이 전압(VGH)인 경우, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 게이트 하이 전압(VGH)에서 게이트 로우 전압(VGL)을 뺀 전압이다. 또한, 표시 구간동안에 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 제어 로우 전압(TCL)에서 게이트 로우 전압(VGL)을 뺀 전압이다. 예를 들어, 제어 하이 전압(TCH) 및 게이트 하이 전압(VGH)이 14V이고, 제어 로우 전압(TCL)은 -20V이고, 게이트 로우 전압(VGL)이 -12V인 경우, 터치 구간동안 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 26V이고, 표시 구간동안 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극(G)과 소스 전극(S) 사이의 전압(Vgs)은 -8V이다. The voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S of the first compensating transistor TT1 becomes equal to the gate high voltage VGH when the control high voltage TCH is the gate high voltage VGH during the touch period, ) Minus the gate low voltage (VGL). The voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S of the first compensating transistor TT1 during the display period is a voltage obtained by subtracting the gate low voltage VGL from the control low voltage TCL. For example, if the control high voltage TCH and the gate high voltage VGH are 14V, the control low voltage TCL is -20V, and the gate low voltage VGL is -12V, The voltage Vgs between the gate electrode G and the source electrode S of the transistor TT1 is 26 V and the voltage between the gate electrode G and the source electrode S of the first compensation transistor TT1 during the display period The voltage Vgs is -8V.

도 6을 참조하면, 하나의 프레임은 10.7msec의 표시 구간 및 6msec의 터치 구간으로 구성된다. 즉, 하나의 프레임은 16.7msec이고, 액정 표시 장치(100)는 60Hz로 구동한다. 표시 구간 및 터치 구간 각각에서의 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압(Vgs)과 보상 트랜지스터 제어 신호에서 터치 구간의 듀티비(duty rate)는 다음 [표 1]과 같다.Referring to FIG. 6, one frame includes a display period of 10.7 msec and a touch interval of 6 msec. That is, one frame is 16.7 msec, and the liquid crystal display device 100 is driven at 60 Hz. The voltage Vgs between the gate electrode and the source electrode of the first compensating transistor TT1 in the display period and the touch period and the duty ratio of the touch period in the compensating transistor control signal are as shown in Table 1 .

표시 구간Display interval 터치 구간Touch section Vgs(V)Vgs (V) -20-(-12)=-8-20 - (- 12) = - 8 14-(-12)=2614 - (- 12) = 26 듀티비(%)Duty ratio (%) (10.7/16.7)*100=64(10.7 / 16.7) * 100 = 64 (6/16.7)*100=36(6 / 16.7) * 100 = 36

이에 따라, 터치 구간동안 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압(Vgs)은 26V이고, 보상 트랜지스터 제어 신호에서 제어 하이 전압(TCH)의 듀티비는 약 36%이다. Accordingly, the voltage Vgs between the gate electrode and the source electrode of the first compensation transistor TT1 during the touch period is 26V, and the duty ratio of the control high voltage TCH in the compensation transistor control signal is about 36%.

여기서, Vgs 듀티비는 하나의 프레임을 기준으로 표시 구간 및 터치 구간에 대응되도록 설정될 수 있다. 즉, Vgs 듀티비는 표시 구간에 대응하여 네거티브 바이어스를 갖고 터치 구간에 대응하여 포지티브 바이어스를 갖도록 설정될 수 있다. 예를 들어, Vgs 듀티비는 포지티브 바이어스를 기준으로 하나의 프레임에서 약 36%이며, 이는 하나의 프레임에서 터치 구간의 비율과 동일하게 설정된다. 이를 위해, 보상 트랜지스터 제어 신호는 표시 구간동안 제어 로우 전압(TCL)을 갖고, 터치 구간동안 제어 하이 전압(TCH)을 갖도록 설정될 수 있다.Here, the Vgs duty ratio can be set to correspond to the display period and the touch period based on one frame. That is, the Vgs duty ratio may be set to have a negative bias corresponding to the display period and have a positive bias corresponding to the touch period. For example, the Vgs duty ratio is about 36% in one frame based on the positive bias, which is set equal to the ratio of the touch period in one frame. To this end, the compensating transistor control signal has a control low voltage (TCL) during the display interval and can be set to have a control high voltage (TCH) during the touch interval.

또한, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)의 시프트를 보상하기 위해서, Vgs 듀티비는 표시 구간의 Vgs와 터치 구간의 Vgs에 기초하여 보상 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 포지티브 시프트 또는 네거티브 시프트를 억제하도록 결정될 수 있다. Further, in order to compensate the shift of the threshold voltage Vth of the first compensation transistor TT1, the Vgs duty ratio is a positive shift of the threshold voltage Vth of the compensating transistor based on Vgs of the display period and Vgs of the touch period, or It can be determined to suppress the negative shift.

구체적으로, 보상 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)이 시프트 되는 속도는 표시 구간의 Vgs 또는 터치 구간의 Vgs의 전압값에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어, 터치 구간의 Vgs가 -8V보다 더 낮은 -12V일 경우, 네거티브 시프트가 동일한 시간동안 더 빠르게 진행될 수 있다. 반대로 표시 구간의 Vgs가 26V보다 더 높은 30V일 경우 포지티브 시프트가 동일한 시간동안 더 빠르게 진행될 수 있다.Specifically, the rate at which the threshold voltage Vth of the compensating transistor is shifted can be adjusted according to the voltage value of Vgs of the display period or Vgs of the touch period. For example, if the Vgs of the touch interval is -12 V, which is lower than -8 V, the negative shift can proceed faster for the same time. Conversely, when the Vgs of the display period is 30 V, which is higher than 26 V, the positive shift can proceed faster for the same time.

즉, 보상 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 시프트 정도는 Vgs의 전압 크기 및 전압이 인가된 시간에 따라 조절될 수 있기 때문에, Vgs 듀티비는 표시 구간의 Vgs와 터치 구간의 Vgs를 고려하여 조절될 수 있다. 이에 따라, 보상 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)이 포지티브 시프트 또는 네거티브 시프트를 억제하도록 설정된 범위 내에서 스윙하도록 보상 트랜지스터 제어 신호의 듀티비가 결정될 수 있다. That is, since the degree of shift of the threshold voltage Vth of the compensation transistor can be adjusted according to the voltage magnitude of Vgs and the time when the voltage is applied, the Vgs duty ratio is adjusted in consideration of Vgs of the display period and Vgs of the touch period . Thereby, the duty ratio of the compensating transistor control signal can be determined so that the threshold voltage (Vth) of the compensating transistor swings within a range set so as to suppress the positive shift or the negative shift.

도 6 및 도 7을 참조하면, 터치 구간동안 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압(Vgs)은 양의 전압을 갖고, 표시 구간동안 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압(Vgs)은 음의 전압을 갖는다. 즉, 제1 보상 트랜지스터(TT1)에 터치 구간동안에는 포지티브 바이어스 전압이 인가되고, 표시 구간동안에는 네거티브 바이어스 전압이 인가된다.6 and 7, the voltage Vgs between the gate electrode and the source electrode of the first compensating transistor TT1 during the touch interval has a positive voltage, and the gate of the first compensating transistor TT1 during the display period The voltage Vgs between the electrode and the source electrode has a negative voltage. That is, a positive bias voltage is applied to the first compensation transistor TT1 during a touch interval, and a negative bias voltage is applied during a display interval.

도 6 및 도 7을 참조하면, 표시 구간동안 네거티브 바이어스 전압이 제1 보상 트랜지스터(TT1)에 인가됨에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)은 네거티브 시프트된다. 또한, 터치 구간동안 포지티브 바이어스 전압이 제1 보상 트랜지스터(TT1)에 인가됨에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)은 포지티브 시프트된다. 즉, 표시 구간동안 보상 트랜지스터 제어 신호는 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)을 네거티브 시프트시키고, 터치 구간동안 보상 트랜지스터 제어 신호는 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)을 포지티브 시프트시킨다. Referring to FIGS. 6 and 7, as the negative bias voltage is applied to the first compensating transistor TT1 during the display period, the threshold voltage Vth of the first compensating transistor TT1 is negatively shifted. Further, as the positive bias voltage is applied to the first compensating transistor TT1 during the touch period, the threshold voltage Vth of the first compensating transistor TT1 is positively shifted. That is, during the display period, the compensating transistor control signal negatively shifts the threshold voltage (Vth) of the first compensating transistor (TT1), and during the touch period, the compensating transistor controlling signal decreases the threshold voltage (Vth) of the first compensating transistor Positive shift is performed.

이와 같이, 하나의 프레임에서 네거티브 바이어스 전압과 포지티브 바이어스 전압을 표시 구간 및 터치 구간마다 상이하게 인가함에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)도 네거티브 시프트와 포지티브 시프트를 반복하게 된다. 이에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 문턱 전압(Vth)은 보상 트랜지스터 제어 신호에 의해 포지티브 시프트 및 네거티브 시프트 중 어느 하나만 계속되어 액정 표시 장치(100)가 장시간 구동한 이후에도 크게 열화되지 않는다.As described above, the negative bias voltage and the positive bias voltage are differently applied to the display period and the touch period in one frame, so that the threshold voltage (Vth) of the first compensating transistor TT1 also repeats the negative shift and the positive shift . Accordingly, the threshold voltage Vth of the first compensating transistor TT1 does not significantly deteriorate even after the liquid crystal display device 100 is driven for a long time by either the positive shift or the negative shift due to the compensating transistor control signal.

이에 따라, 제1 보상 트랜지스터(TT1)는 장시간 동안 터치 구간에서는 턴-온되고 표시 구간에서는 턴-오프된다. 나아가, 터치 구간동안 제1 게이트 라인(G1)에 연결된 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 드레인 전극이 제1 보상 트랜지스터(TT1)의 소스 전극에 연결된 게이트 로우 전압(VGL) 라인에 연결된다. 이로 인해, 터치 구간동안에는 제1 게이트 라인(G1)이 연결된 화소에 게이트 로우 전압(VGL)이 공급되고 게이트 신호의 노이즈는 제1 게이트 라인(G1)이 연결된 화소에 전달되지 않는다. 따라서, 노이즈 저감부(150)는 장시간 구동 이후에도 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)를 통해 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시킬 수 있다.Accordingly, the first compensating transistor TT1 is turned on for a long time and turned off for a display period. Further, the drain electrode of the first compensation transistor TT1 connected to the first gate line G1 is connected to the gate low voltage (VGL) line connected to the source electrode of the first compensation transistor TT1 during the touch period. Therefore, during the touch period, the gate-low voltage VGL is supplied to the pixel connected to the first gate line G1 and the noise of the gate signal is not transmitted to the pixel to which the first gate line G1 is connected. Therefore, the noise reduction unit 150 can reduce the noise generated during the touch period through the compensation transistors TT1 to TTn even after long driving.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(100)는 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시킬 수 있도록 구성된 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)을 포함하는 노이즈 저감부(150)를 포함한다. 또한, 데이터 구동회로(130)는 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)에 연결된 보상 트랜지스터 제어(TCS) 라인을 통해 터치 구간동안에는 포지티브 바이어스 전압을 인가하고 표시 구간동안에는 네거티브 바이어스 전압을 인가한다. 즉, 데이터 구동회로(130)는 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 문턱 전압(Vth)의 지속적인 포지티브 시프트를 억제하도록 보상 트랜지스터 제어 신호를 노이즈 저감부(150)에 공급한다.The liquid crystal display 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a noise reduction unit 150 including compensation transistors TT1 to TTn configured to reduce noise generated during a touch interval. The data driving circuit 130 applies a positive bias voltage during a touch interval and a negative bias voltage during a display period through a compensating transistor control (TCS) line connected to the compensating transistors TT1 to TTn. That is, the data driving circuit 130 supplies the compensating transistor control signal to the noise reduction section 150 so as to suppress the continuous positive shift of the threshold voltage Vth of the compensating transistors TT1 to TTn.

이에 따라, 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn)의 문턱 전압(Vth)은 하나의 프레임동안 포지티브 시프트와 네거티브 시프트를 반복하게 되고, 장시간 구동 이후에도 크게 열화되지 않는다. 즉, 액정 표시 장치(100)가 장시간 구동되더라도 보상 트랜지스터(TT1 내지 TTn) 및 노이즈 저감부(150)는 정상적으로 동작하여, 터치 구간동안 발생하는 게이트 신호의 노이즈가 화소 어레이(110)에 전달되는 것을 억제시킬 수 있다.Thus, the threshold voltage Vth of the compensating transistors TT1 to TTn repeats the positive shift and the negative shift for one frame, and does not deteriorate significantly after the long-time driving. That is, even if the liquid crystal display device 100 is driven for a long time, the compensating transistors TT1 to TTn and the noise reduction unit 150 operate normally and the noise of the gate signal generated during the touch period is transmitted to the pixel array 110 .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 표시 장치
110: 화소 어레이
120: 타이밍 콘트롤러
130: 데이터 구동회로
139: 데이터 라인
140: 게이트 구동회로
149: 게이트 라인
150: 노이즈 저감부
100: display device
110: pixel array
120: Timing controller
130: Data driving circuit
139: Data line
140: Gate drive circuit
149: gate line
150: Noise Reduction Unit

Claims (14)

하나의 프레임(frame)에서 표시 구간 및 터치 구간으로 시분할 구동되도록 구성되고, 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 액정 표시 패널; 및
상기 액정 표시 패널에 데이터 신호를 공급하도록 구성된 데이터 구동회로를 포함하고,
상기 액정 표시 패널은,
상기 표시 영역에서 데이터 라인, 상기 데이터 라인과 교차하는 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인에 대응되는 화소가 배치된 화소 어레이;
상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역에 배치되고, 상기 게이트 라인에 연결된 스테이지를 포함하고, 상기 게이트 라인에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동회로; 및
상기 화소와 상기 스테이지 사이에 배치되고, 상기 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시키도록 구성된 보상 트랜지스터를 포함하는 노이즈 저감부를 포함하고,
상기 데이터 구동회로는 상기 표시 구간동안 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 전압을 갖는 보상 트랜지스터 제어 신호를 상기 보상 트랜지스터의 게이트 전극에 공급하도록 구성된, 액정 표시 장치.
A liquid crystal display panel configured to be time-divisionally driven by a display period and a touch period in one frame and including a display area and a non-display area; And
And a data driving circuit configured to supply a data signal to the liquid crystal display panel,
In the liquid crystal display panel,
A data line in the display region, a gate line crossing the data line, and a pixel array in which pixels corresponding to the data line and the gate line are arranged;
A gate driving circuit arranged in a non-display area adjacent to the display area, the gate driving circuit including a stage connected to the gate line, and supplying a gate signal to the gate line; And
And a compensation transistor arranged between the pixel and the stage and configured to reduce noise generated during the touch interval,
And the data driving circuit is configured to supply, to the gate electrode of the compensating transistor, a compensating transistor control signal having a voltage lower than the gate-low voltage (VGL) during the display period.
제1항에 있어서,
상기 데이터 구동회로는 상기 터치 구간동안 게이트 하이 전압(VGH)을 갖는 상기 보상 트랜지스터 제어 신호를 상기 보상 트랜지스터의 상기 게이트 전극에 공급하도록 구성된, 액정 표시 장치.
The method according to claim 1,
And the data driving circuit is configured to supply the compensating transistor control signal having the gate high voltage (VGH) during the touch period to the gate electrode of the compensating transistor.
제2항에 있어서,
상기 데이터 구동회로는 상기 게이트 하이 전압의 듀티비(duty rate)가 상기 하나의 프레임에 대한 상기 터치 구간의 비율에 대응하는 상기 보상 트랜지스터 제어 신호를 상기 보상 트랜지스터의 상기 게이트 전극에 공급하도록 구성된, 액정 표시 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the data driving circuit is configured to supply the compensating transistor control signal to the gate electrode of the compensating transistor whose duty rate of the gate high voltage corresponds to the ratio of the touch period to the one frame, Display device.
제1항에 있어서,
상기 보상 트랜지스터는,
상기 게이트 라인에 연결된 드레인 전극 및 게이트 로우 전압(VGL) 라인에 연결된 소스 전극을 포함하는, 액정 표시 장치.
The method according to claim 1,
The compensation transistor includes:
A drain electrode connected to the gate line, and a source electrode connected to a gate low voltage (VGL) line.
제4항에 있어서,
상기 터치 구간동안 상기 보상 트랜지스터의 상기 게이트 전극의 전압에서 상기 소스 전극의 전압을 뺀 값은 양수인, 액정 표시 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein a value obtained by subtracting the voltage of the source electrode from the voltage of the gate electrode of the compensating transistor during the touch period is a positive value.
제4항에 있어서,
상기 표시 구간동안 상기 보상 트랜지스터의 상기 게이트 전극의 전압에서 상기 소스 전극의 전압을 뺀 값은 음수인, 액정 표시 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein a value obtained by subtracting the voltage of the source electrode from the voltage of the gate electrode of the compensating transistor during the display period is negative.
표시 구간동안 턴-온(turn-on)되도록 구성되고 터치 구간동안 턴-오프(turn-off)되도록 구성된, 구동 트랜지스터를 포함하는 화소가 표시 영역에서 복수의 데이터 라인 및 복수의 게이트 라인이 교차된 영역 각각에 대응하여 배치된 화소 어레이;
상기 표시 영역에 인접한 비표시 영역에 배치되고, 상기 구동 트랜지스터를 턴-온 하기 위한 게이트 신호를 상기 복수의 게이트 라인에 시분할하여 공급하도록 구성된 게이트 구동회로;
상기 복수의 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하도록 구성된 데이터 구동회로; 및
상기 화소 및 상기 게이트 구동회로 사이에 배치되고, 상기 터치 구간동안 발생하는 노이즈를 저감시키도록 구성된 보상 트랜지스터를 포함하는 노이즈 저감부를 포함하고,
상기 데이터 구동회로는 상기 노이즈 저감부에 상기 보상 트랜지스터의 문턱 전압의 포지티브 시프트(positive shift)를 보상할 수 있는, 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급하도록 구성된, 액정 표시 장치.
A pixel including a driving transistor configured to be turned on during a display period and turned off during a touch period is driven by a plurality of data lines in a display region and a plurality of gate lines crossed A pixel array arranged corresponding to each of the regions;
A gate driving circuit arranged in a non-display area adjacent to the display area, configured to supply a gate signal for turning on the driving transistor to the plurality of gate lines in a time-division manner;
A data driving circuit configured to supply a data signal to the plurality of data lines; And
And a compensating transistor arranged between the pixel and the gate driving circuit and configured to reduce noise generated during the touch period,
Wherein the data driving circuit is configured to supply a compensation transistor control signal to the noise reduction unit, which can compensate for a positive shift of a threshold voltage of the compensation transistor.
제7항에 있어서,
상기 데이터 구동회로는 상기 보상 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급하도록 구성된, 액정 표시 장치.
8. The method of claim 7,
And the data driving circuit is configured to supply the compensating transistor control signal to the gate electrode of the compensating transistor.
제8항에 있어서,
상기 데이터 구동회로는 제어 하이 전압(TCH) 및 제어 로우 전압(TCL) 사이를 스윙하는 상기 보상 트랜지스터 제어 신호를 공급하고,
상기 제어 하이 전압은 게이트 하이 전압(VGH)이고,
상기 제어 로우 전압은 게이트 로우 전압(VGL)보다 낮은 소정의 전압인, 액정 표시 장치.
9. The method of claim 8,
The data driving circuit supplies the compensation transistor control signal swinging between a control high voltage (TCH) and a control low voltage (TCL)
The control high voltage is a gate high voltage (VGH)
And the control low voltage is a predetermined voltage lower than the gate low voltage (VGL).
제7항에 있어서,
상기 표시 구간동안 상기 보상 트랜지스터 제어 신호는 상기 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 네거티브 시프트(negative shift)시키도록 구성된, 액정 표시 장치.
8. The method of claim 7,
And the compensating transistor control signal is configured to negatively shift the threshold voltage of the compensating transistor during the display period.
제7항에 있어서,
상기 터치 구간동안 상기 보상 트랜지스터 제어 신호는 상기 보상 트랜지스터의 문턱 전압을 포지티브 시프트시키도록 구성된, 액정 표시 장치.
8. The method of claim 7,
And the compensating transistor control signal during the touch period is configured to positively shift the threshold voltage of the compensating transistor.
제8항에 있어서,
상기 표시 구간 및 상기 터치 구간에 대응되는 상기 보상 트랜지스터 제어 신호의 듀티비는,
상기 표시 구간에 대응되는 상기 보상 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압값 및 상기 터치 구간에 대응되는 상기 보상 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 사이의 전압값에 기초하여 상기 보상 트랜지스터의 상기 문턱 전압의 상기 포지티브 시프트 또는 네거티브 시프트를 억제하도록 결정된, 액정 표시 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the duty ratio of the compensating transistor control signal corresponding to the display period and the touch period,
And a voltage value between the gate electrode and the source electrode of the compensating transistor corresponding to the display period and a voltage value between the gate electrode and the source electrode of the compensating transistor corresponding to the touch period, Wherein the threshold voltage is determined so as to suppress the positive shift or the negative shift of the threshold voltage.
제12항에 잇어서,
상기 보상 트랜지스터 제어 신호의 듀티비는,
상기 터치 구간에 대응되는 상기 보상 트랜지스터의 문턱 전압 포지티브 시프트 속도와 상기 표시 구간에 대응되는 상기 보상 트랜지스터의 문턱 전압 네거티브 시프트 속도를 기초로 상기 포지티브 시프트 또는 네거티브 시프트를 억제하도록 결정된, 액정 표시 장치.
12. The method of claim 12,
The duty ratio of the compensating transistor control signal is set to a value
The positive shift or the negative shift is determined based on the threshold voltage positive shift speed of the compensating transistor corresponding to the touch period and the threshold voltage negative shift speed of the compensating transistor corresponding to the display period.
제13항에 잇어서,
상기 보상 트랜지스터 제어 신호의 듀티비는,
상기 문턱 전압이 상기 포지티브 시프트 또는 네거티브 시프트를 억제하도록 설정된 범위 내에서 스윙하도록 결정된, 액정 표시 장치.
13. The method of claim 13,
The duty ratio of the compensating transistor control signal is set to a value
Wherein the threshold voltage is determined to swing within a range set so as to suppress the positive shift or the negative shift.
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