KR20170071683A - 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00197

Description

아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자{AMINE COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
최근, 영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display)의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 애노드 및 캐소드로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에 있어서 재결합시킴으로써, 발광층에 있어서 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다.
유기 전계 발광 소자로서는, 예를 들어, 애노드, 애노드 상에 배치된 정공 수송층, 정공 수송층 상에 배치된 발광층, 발광층 상에 배치된 전자 수송층 및 전자 수송층 상에 배치된 캐소드로 구성된 유기 소자가 알려져 있다. 애노드로부터는 정공이 주입되고, 주입된 정공은 정공 수송층을 이동하여 발광층으로 주입된다. 한편, 캐소드로부터는 전자가 주입되고, 주입된 전자는 전자 수송층을 이동하여 발광층으로 주입된다. 발광층으로 주입된 정공과 전자가 재결합함으로써, 발광층 내에서 여기자가 생성된다. 유기 전계 발광 소자는 그 여기자의 복사 비활성에 의해 발생하는 광을 이용하여 발광한다. 또한, 유기 전계 발광 소자는 이상에 설명한 구성에 한정되지 않고, 여러 가지의 변경이 가능하다.
유기 전계 발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서, 유기 전계 발광 소자의 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화가 요구되고 있다. 유기 전계 발광 소자의 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화를 실현하기 위해, 정공 수송층의 정상화, 안정화 등이 검토되고 있다. 정공 수송층에 사용되는 정공 수송 재료로서는 방향족 아민계 화합물이 알려져 있지만, 전하 내성이 낮기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 수명에 과제가 있었다. 유기 전계 발광 소자의 장수명화에 유리한 재료로서, 예를 들어, 헤테로 아릴기로 치환한 아민 유도체가 알려져 있다.
유기 전계 발광 소자에 있어서는, 적색 발광 영역 및 녹색 발광 영역에 비해, 특히, 청색 발광 영역의 발광 효율이 낮은 경향이 있기 때문에, 청색 발광 영역의 발광 효율의 향상이 요구되고 있다. 또한, 헤테로 아릴 고리로 치환한 아민 유도체는 유기 전계 발광 소자의 고온 내성이 충분하지 않고, 신규한 재료의 개발이 필요하다.
본 발명의 목적은 장수명, 고효율의 유기 전계 발광 소자에 사용될 수 있는 아민 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 장수명, 고효율의 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, X는 하기 화학식 2에서 선택된다.
[화학식 2]
Figure pat00002
Y는 C, Si 또는 Ge이고, Z1 내지 Z6는 CR 또는 N이고, Ar1 내지 Ar3는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기 또는 탄소수 3 이상 20 이하의 실릴기고, L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, R 및 R'는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00004
상기 화학식 4에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 5으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00005
상기 화학식 1은 하기 화학식 6으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00006
상기 화학식 6에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 7로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00007
상기 화학식 1은 하기 화학식 8로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 8]
Figure pat00008
상기 화학식 8에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 2가의 페닐기 또는 치환 또는 비치환된 2가의 바이페닐기인 것일 수 있다.
상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 다이벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조티오펜기 및 치환 또는 비치환된 플루오렌기 중에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 Ar3는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기인 것일 수 있다.
상기 화학식 1은 하기 화합물군 1에 표시되는 화합물들 중 선택되는 것일 수 있다.
[화합물군 1]
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 애노드, 정공 수송 영역, 발광층, 전자 수송 영역 및 캐소드를 포함한다. 상기 정공 수송 영역은 상기 애노드 상에 제공된다. 상기 발광층은 상기 정공 수송 영역 상에 제공된다. 상기 전자 수송 영역은 상기 발광층 상에 제공된다. 상기 캐소드는 상기 전자 수송 영역 상에 제공된다. 상기 정공 수송 영역은 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00028
상기 화학식 1에서, X는 하기 화학식 2에서 선택된다.
[화학식 2]
Figure pat00029
Y는 C, Si 또는 Ge이고, Z1 내지 Z6는 CR 또는 N이고, Ar1 내지 Ar3는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기 또는 탄소수 3 이상 20 이하의 실릴기고, L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, R 및 R'는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00030
상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00031
상기 화학식 4에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 5으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00032
상기 화학식 1은 하기 화학식 6으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00033
상기 화학식 6에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 7로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00034
상기 화학식 1은 하기 화학식 8로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 8]
Figure pat00035
상기 화학식 8에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 정공 수송 영역은 하기 화합물군 1에 표시되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
[화합물군 1]
Figure pat00036
Figure pat00037
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051
Figure pat00052
Figure pat00053
Figure pat00054
본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 장수명, 고효율화를 달성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00055
상기 화학식 1에서, X는 하기 화학식 2에서 선택된다.
[화학식 2]
Figure pat00056
Y는 C, Si 또는 Ge이고, Z1 내지 Z6는 CR 또는 N이고, Ar1 내지 Ar3는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기 또는 탄소수 3 이상 20 이하의 실릴기고, L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, R 및 R'는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이다.
서로 인접하는 R 및 R'는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 니트로기, 아미노기, 포스핀옥사이드기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬티옥시기, 아릴티옥시기, 알킬술폭시기, 아릴술폭시기, 실릴기, 붕소기, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 알킬아민기, 헤테로아릴아민기, 아릴아민기, 또는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
아릴기는 예를 들어, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 단환식 아릴기로는 예를 들어, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있다. 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있다.
플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00057
,
Figure pat00058
,
Figure pat00059
, 및
Figure pat00060
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
실릴기는 예를 들어, 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등일 수 있다.
알킬기는 예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헥실, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리, 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리, 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리, 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리를 형성하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접하는 기"는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho) 위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접하는 기"로 해석될 수 있다.
상기 L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 2가의 페닐기 또는 치환 또는 비치환된 2가의 바이페닐기인 것일 수 있다. L1이 2가의 페닐기일 때, 아민기의 N과 Y를 포함하는 고리는 페닐기의 1번, 3번 위치 또는 1번, 4번 위치에 결합되는 것일 수 있다.
상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 다이벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조티오펜기 및 치환 또는 비치환된 플루오렌기 중에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 Ar3는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기인 것일 수 있다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00061
상기 화학식 1은 하기 화학식 9로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 9]
Figure pat00062
상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00063
상기 화학식 4에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 5으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00064
상기 화학식 1은 하기 화학식 10으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 10]
Figure pat00065
상기 화학식 1은 하기 화학식 6으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00066
상기 화학식 6에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 7로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00067
상기 화학식 1은 하기 화학식 11로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 11]
Figure pat00068
상기 화학식 1은 하기 화학식 8로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 8]
Figure pat00069
상기 화학식 8에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 화합물군 1에 표시되는 화합물들 중 선택되는 것일 수 있다.
[화합물군 1]
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
Figure pat00076
Figure pat00077
Figure pat00078
Figure pat00079
Figure pat00080
Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
Figure pat00087
Figure pat00088
본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물은 장 수명을 갖는 아민기와 전하 내성이 높은 고리형 플루오레닐기를 결합하여, 아민 주위에 컨쥬게이션(conjugation)에 의해 라디컬의 안정성이 향상될 수 있고, 이에 따라 아민기가 갖는 특성을 유지하면서 고 전하 내성을 가질 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자에 대하여 설명한다. 이하에서는 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물과의 차이점을 위주로 구체적으로 설명하고, 설명되지 않은 부분은 앞서 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물에 따른다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(OEL)는 애노드(AN), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 캐소드(CAT)를 포함한다.
애노드(AN)는 도전성을 갖는다. 애노드(AN)는 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 애노드(AN)는 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 애노드(AN)가 투과형 전극인 경우, 애노드(AN)는 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 애노드(AN)가 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 애노드(AN)는 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 애노드(AN) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질과 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 애노드(AN)로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층, 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층, 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL)을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물; DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)이 정공 수송층(HTL)을 포함할 경우, 정공 수송 영역(HTR)은 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00089
상기 화학식 1에서, X는 하기 화학식 2에서 선택된다.
[화학식 2]
Figure pat00090
Y는 C, Si 또는 Ge이고, Z1 내지 Z6는 CR 또는 N이고, Ar1 내지 Ar3는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기 또는 탄소수 3 이상 20 이하의 실릴기고, L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고, R 및 R'는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이다.
서로 인접하는 R 및 R'는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 2가의 페닐기 또는 치환 또는 비치환된 2가의 바이페닐기인 것일 수 있다. L1이 2가의 페닐기일 때, 아민기의 N과 Y를 포함하는 고리는 페닐기의 1번, 3번 위치 또는 1번, 4번 위치에 결합되는 것일 수 있다.
상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 다이벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조티오펜기 및 치환 또는 비치환된 플루오렌기 중에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 Ar3는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기인 것일 수 있다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00091
상기 화학식 1은 하기 화학식 9로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 9]
Figure pat00092
상기 화학식 1은 하기 화학식 4로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 4]
Figure pat00093
상기 화학식 4에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 5으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00094
상기 화학식 1은 하기 화학식 10으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 10]
Figure pat00095
상기 화학식 1은 하기 화학식 6으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00096
상기 화학식 6에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 7로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00097
상기 화학식 1은 하기 화학식 11로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 11]
Figure pat00098
상기 화학식 1은 하기 화학식 8로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 8]
Figure pat00099
상기 화학식 8에서, A는 O, S, 또는 CR2이다.
정공 수송 영역(HTR)은 화합물군 1에 표시되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
[화합물군 1]
Figure pat00100
Figure pat00101
Figure pat00102
Figure pat00103
Figure pat00104
Figure pat00105
Figure pat00106
Figure pat00107
Figure pat00108
Figure pat00109
Figure pat00110
Figure pat00111
Figure pat00112
Figure pat00113
Figure pat00114
Figure pat00115
Figure pat00116
Figure pat00117
Figure pat00118
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 모두 포함하면, 정공 주입층(HIL)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 30Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
앞서 언급한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 정공 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)의 두께는 예를 들어, 약 100Å 내지 약 300Å인 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 레드광, 그린광, 블루광, 화이트광, 옐로우광, 시안광 중 하나를 발광하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 예를 들어 10 nm 이상 60 nm 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
발광층(EML)은 호스트로, 축합 다환 방향족의 유도체를 함유하는 것이 바람직하고, 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 벤조안트라센 유도체 및 트리페닐렌 유도체로부터 선택되는 것이 바람직하다. 발광층(EML)은 안트라센 유도체 또는 피렌 유도체를 함유하는 것이 바람직하다.
안트라센 유도체는 예를 들어, 하기 화학식 12로 표시될 수 있다.
[화학식 12]
Figure pat00119
화학식 12에서, R11 내지 R20는 각각 독립적으로, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 1 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 15의 알킬기, 실릴기, 할로겐 원자, 수소 원자 또는 중수소 원자이다. 인접한 복수의 R11 내지 R20은 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성 할 수있다. 또한 c 및 d는 0 내지 5이다.
R11 내지 R20에 사용하는 치환 혹은 비치환의 탄소수 1 이상 30 이하의 헤테로아릴기로서는, 벤조티아졸릴기, 티오페닐기, 티에노티오페닐기, 티에노티에노티오페닐기, 벤조티오페닐기, 벤조프릴기, 디벤조티오페닐기, 디벤조프릴기, N-아릴 카르바졸릴기, N-헤테로아릴카르바졸릴기, N-알킬카르바졸릴기, 페녹사질기, 페노티아질기, 피리딜기, 피리미딜기, 트리아질기, 퀴놀리닐기, 퀴녹살릴기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
R11 내지 R20에 사용하는 치환 혹은 비치환의 탄소수 1 이상 30 이하의 헤테로아릴기로서는, 벤조티아졸릴기, 티오페닐기, 티에노티오페닐기, 티에노티에노티오페닐기, 벤조티오페닐기, 벤조프릴기, 디벤조티오페닐기, 디벤조프릴기, N-아릴 카르바졸릴기, N-헤테로아릴카르바졸릴기, N-알킬카르바졸릴기, 페녹사질기, 페노티아질기, 피리딜기, 피리미딜기, 트리아질기, 퀴놀리닐기, 퀴녹살릴기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또한, R11 내지 R20에 사용하는 탄소수 1 이상 15 이하의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 하이드록실메틸기, 1-하이드록실에틸기, 2-하이드록실에틸기, 2-하이드록실이소부틸기, 1, 2-디하이드록실에틸기, 1, 3-디하이드록실이소프로필기, 2, 3-디하이드록실-t-부틸기, 1, 2, 3-트리하이드록실프로필기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로이소부틸기, 1, 2-디클로로에틸기, 1, 3-디클로로이소프로필기, 2, 3-디클로로-t-부틸기, 1, 2, 3-트리클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모이소부틸기, 1, 2-디브로모에틸기, 1, 3-디브로모이소프로필기, 2, 3-디브로모-t-부틸기, 1, 2, 3-트리브로모프로필기, 요오드메틸기, 1-요오드에틸기, 2-요오드에틸기, 2-요오드이소부틸기, 1, 2-디요오드 에틸기, 1, 3-디요오드이소프로필기, 2, 3-디요오드-t-부틸기, 1, 2, 3-트리요오드프로필기, 아미노메틸기, 1-아미노에틸기, 2-아미노에틸기, 2-아미노이소부틸기, 1, 2-디아미노에틸기, 1, 3-디아미노이소프로필기, 2, 3-디아미노-t-부틸기, 1, 2, 3-트리아미노프로필기, 시아노메틸기, 1-시아노에틸기, 2-시아노에틸기, 2-시아노이소부틸기, 1, 2-디시아노에틸기, 1, 3-디시아노이소프로필기, 2, 3-디시아노-t-부틸기, 1, 2, 3-트리시아노프로필기, 니트로메틸기, 1-니트로에틸기, 2-니트로에틸기, 2-니트로이소부틸기, 1, 2-디니트로에틸기, 1, 3-디니트로이소프로필기, 2, 3-디니트로-t-부틸기, 1, 2, 3-트리니트로프로필기 등을 들 수 있다. 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노르보닐기, 2-노르보닐기 등을 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층(EML)은 하기 화합물군 2로 표시되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화합물군 2]
Figure pat00120
Figure pat00121
발광층(EML)은 도펀트로, 예를 들어, 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalene-2-yl)vinyl)phenyl-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 페릴렌 및 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBPe), 피렌 및 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene) 등의 도펀트를 포함할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 전자 저지층, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 애노드(AN)로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), , 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-ylphenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene) 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층(ETL)들의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, LiQ (Lithium quinolate), Li2O, BaO, NaCl, CsF, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또는 RbCl, RbI와 같은 할로겐화 금속 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(EIL)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층을 포함할 수 있다. 정공 저지층은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
캐소드(CAT)는 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 캐소드(CAT)는 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 캐소드(CAT)는 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 캐소드(CAT)가 투과형 전극인 경우, 캐소드(CAT)는 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
캐소드(CAT)가 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 캐소드(CAT)는 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 캐소드(CAT)는 보조 전극과 연결될 수 있다. 캐소드(CAT)가 보조 전극과 연결되면, 캐소드(CAT)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
유기 전계 발광 소자(OEL)에서, 애노드(AN)와 캐소드(CAT)에 각각 전압이 인가됨에 따라 애노드(AN)로부터 주입된 정공(hole)은 정공 수송 영역(HTR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동되고, 캐소드(CAT)로부터 주입된 전자가 전자 수송 영역(ETR)을 거쳐 발광층(EML)으로 이동된다. 전자와 정공은 발광층(EML)에서 재결합하여 여기자(exciton)을 생성하며, 여기자가 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발광하게 된다.
유기 전계 발광 소자(OEL)가 전면 발광형일 경우, 애노드(AN)는 반사형 전극이고, 캐소드(CAT)는 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 유기 전계 발광 소자(OEL)가 배면 발광형일 경우, 애노드(AN)는 투과형 전극 또는 반투과형 전극이고, 캐소드(CAT)는 반사형 전극일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 장 수명을 갖는 아민기와 전하 내성이 높은 고리형 플루오레닐기를 결합한 아민 화합물을 정공 수송 영역에 포함한다. 상기 아민 화합물은 아민 주위에 컨쥬게이션(conjugation)에 의해 라디컬의 안정성이 향상될 수 있고, 이에 따라 아민기가 갖는 특성을 유지하면서 고 전하 내성을 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 장수명, 고효율을 가질 수 있다.
이하, 구체적인 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시에 불과하며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
[합성예]
[화합물 61의 합성]
(화합물 A의 합성)
Figure pat00122
500mL의 3구 플라스크에 1- Bromodibenzofuran 10.6g (42.9mmol)의 탈수 THF 용액 70mL를 더해 -78℃에서 교반 하였다. 여기에 1.58M의 n-BuLi의 헥산 용액을 27mL (42.9mmol)을 적하하고 2.5 시간 동안 교반 하였다. 여기에 3- Bromobenzophenone 9.30g (35.6mmol)의 탈수 THF 용액 85mL를 적하하여 2 시간 동안 교반한 후 실온에서 3 시간 동안 교반 하였다. 반응 후, 이 혼합액에 1N의 염산 수용액을 넣고 1 시간 동안 교반하였다. 이를 물로 세정하고, 얻어진 유기상을 농축하여 사탕형태의 물질을 얻었다. 500mL 가지형 플라스크(eggplant flask)에, 상기 사탕 형태의 물질과, 빙초산 50mL와, 염산 2.4mL를 넣고 질소 분위기 하 130 ℃에서 2 시간 가열 교반하고, 반응시켰다. 반응 혼합액을 빙장(storage in ice)한 350mL의 물에 적하했다. 백색 결정을 석출하기 위해, 발생한 고체를 여과하고, 메탄올로 세정한 후 건조시켰다. 목적물인 백색 분말을 수율 13.3g, 수율 78 %로 얻었다.
FAB－MS측정에따라, 측정된 화합물 A의 분자량은 411이었다.
(화합물 61의 합성)
Figure pat00123
Ar 분위기 하, 200 mL의 3구 플라스크에 화합물 A 4.10g과 화합물 B 4.42g, Pd(dba)2 0.563g, (ｔ－Bu）3P 0.23g, Sodium tert-butoxide 4. 13g을 더해서, 1 40mL 톨루엔 용매 중에서 3 시간 가열 환류 교반 하였다. 공냉 후, 물을 가하여 유기층을 분리하고 용매 증류했다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제 후 백색 고체 화합물 61을 6.62g(수율 88 %)얻었다.
FAB－MS측정에 따라, 측정된 화합물 61의 분자량은, 752이었다.
또한, １H－NMR (CDCl3)측정에서 측정된 화합물 61의 chemical shift값 δ은 （８．５６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ）、８．０５－８．０２（ｍ，1Ｈ）、７．８７－７．８４（ｍ，４Ｈ）、７．８０（ｓ，１Ｈ）、７．７０－７．５０（ｍ，１１Ｈ）、７．４０－７．２７（ｍ，１０Ｈ）、７．１６－７．１１（ｍ，３Ｈ）、７．０８－７．０３（ｍ，６Ｈ）이었다.
[화합물 109의 합성]
(화합물 C의 합성)
Figure pat00124
500mL 3구 플라스크에, 4- Bromophenanthrene 11.0g (42.9mmol)의 탈수 THF 용액 70mL를 더go -78℃에서 교반 하였다. 여기에 1.58M의 n-BuLi의 헥산 용액을 27mL (42.9mmol)을 적하하고, 2.5 시간 동안 교반 하였다. 여기에 3- Bromobenzophenone 9.30g (35.6mmol)의 탈수 THF 용액 85mL를 적하하여 2 시간 동안 교반한 후 실온에서 3 시간 동안 교반 하였다. 반응 후, 이 혼합액에 1N의 염산 수용액을 더해 1 시간 동안 교반하였다. 이것을 물로 세정했다. 얻어진 유기상을 농축하여 백색 고체를 얻었다. 500mL 가지형 플라스크(eggplant flask)에, 이 사탕형태 물질과, 빙초산 50mL 와 염산 2.4mL를 넣고, 질소 분위기 하 130 ℃에서 2 시간 가열 교반하고 반응시켰다. 반응 후, 반응 혼합액을 빙장한 350mL의 물에 적하했다. 백색 결정을 석출하기 위해, 발생한 고체를 여과하고, 메탄올로 세정한 후 건조시켰다. 목적물인 백색 분말을 수량 13.8g, 수율 81 %로 얻었다.
FAB－MS측정에 따라, 측정된 화합물A의 분자량은 421이었다.
(화합물 109의 합성)
Figure pat00125
Ar 분위기 하, 200 mL의 3구 플라스크에 화합물 C 4.23g 및 화합물 C 5.00g, Pd(dba)2 0.563g, （ｔ－Bu）３P 0.23g, Sodium tert-Butoxide 4. 13g을 가하여 140mL 톨루엔 용매 중에서 3 시간 가열 환류 교반 하였다. 공냉 후, 물을 가하여 유기층을 분류하고 용매 증류했다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제 후 백색 고체 화합물 109를 6.24g(수율 82 %)얻었다.
FAB-MS 측정에 의해 측정 된 화합물 33의 분자량은 761이었다.
1H－NMR (CDCl3) 측정에서 측정 된 화합물 109의chemical shift 값 δ는 ８．５7（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．7０Ｈｚ）、８．35（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８０Ｈｚ）、８．０4－８．０２（ｍ，２Ｈ）、７．８8－７．８４（ｍ，４Ｈ）、７．８０（ｓ，１Ｈ）、７．6０－７．５０（ｍ，１１Ｈ）、７．36－７．２７（ｍ，１０Ｈ）、７．１６－７．１１（ｍ，３Ｈ）、７．０８－７．０5（ｍ，６Ｈ）이었다.
(화합물 X의 합성)
Figure pat00126
500mL 3구 플라스크에, 4-Bromo-9,9-dimethylfluorene 9.40g (42.9mmol)의 탈수 THF 용액 70mL를 더해 -78℃에서 교반 하였다. 여기에 1.58M의 n-BuLi의 헥산 용액을 27mL (42.9mmol)을 적하하고, 2.5 시간 동안 교반 하였다. 여기에 3- Bromobenzophenone 9.30g (35.6mmol)의 탈수 THF 용액 85mL를 적하하여 2 시간 동안 교반한 후 실온에서 3 시간 동안 교반 하였다. 반응 후, 이 혼합액에 1Ndml 염산 수용액을 더해 1 시간 동안 교반하였다. 이것을 물로 세정했다. 얻어진 유기상을 농축하여 백색 고체를 얻었다. 500mL eggplant flask에, 이 사탕형태 물질과, 빙초산 50mL 와 염산 2.4mL를 넣고, 질소 분위기 하 130 ℃에서 2 시간 가열 교반하고 반응시켰다. 반응 후, 반응 혼합액을 빙장한 350mL의 물에 적하했다. 백색 결정을 석출하기 위해, 발생한 고체를 여과하고, 메탄올로 세정한 후 건조시켰다. 목적물인 백색 분말을 수량 9.50g, 수율 61 %로 얻었다.
FAB－MS측정에 따라, 측정된 화합물A의 분자량은 437이었다.
(화합물 13의 합성)
Figure pat00127
Ar 분위기 하, 200 mL의 3구 플라스크에 화합물 X 3.70g과 화합물 B 4.42g, Pd(dba)2 0.563g, (ｔ－Bu）3P 0.23g, Sodium tert-butoxide 4. 13g을 더해서, 1 40mL 톨루엔 용매 중에서 3 시간 가열 환류 교반 하였다. 공냉 후, 물을 가하여 유기층을 분리하고 용매 증류했다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제 후 백색 고체 화합물 13을 6.62g(수율 88 %)얻었다.
FAB－MS측정에 따라, 측정된 화합물 13의 분자량은, 778이었다.
또한, １H－NMR (CDCl3)측정에서 측정된 화합물 13의 chemical shift값 δ은 ８．3６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ）、８．1５－８．12（ｍ，1Ｈ）、７．99－７．８４（ｍ，４Ｈ）、７．８０（ｓ，１Ｈ）、７．７０－７．５０（ｍ，１0Ｈ）、７．４０－７．２７（ｍ，１1Ｈ）、７．１9－７．１１（ｍ，３Ｈ）、７．０6－７．０３（ｍ，６Ｈ）이었다.
(화합물 145의 합성)
Figure pat00128
Ar 분위기 하, 200 mL의 3구 플라스크에 화합물 C 4.21g과 화합물 XX 3.35g, Pd(dba)2 0.563g, (ｔ－Bu）3P 0.23g, Sodium tert-butoxide 4. 13g을 더해서, 1 40mL 톨루엔 용매 중에서 3 시간 가열 환류 교반 하였다. 공냉 후, 물을 가하여 유기층을 분리하고 용매 증류했다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제 후 백색 고체 화합물 13을 6.38g(수율 82%)얻었다.
FAB－MS측정에 따라, 측정된 화합물 145의 분자량은, 778이었다.
또한, １H－NMR (CDCl3)측정에서 측정된 화합물 13의 chemical shift값 δ은 ８．５7（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．7０Ｈｚ）、８．21（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．８０Ｈｚ）、８．０4－８．０２（ｍ，２Ｈ）、７．98－７．9４（ｍ，４Ｈ）、７．８０（ｓ，１Ｈ）、７．64－７．５8（ｍ，5Ｈ）、７．44－７．２9（ｍ，１０Ｈ）、７．１６－７．１１（ｍ，３Ｈ）、７．０８－７．０5（ｍ，６Ｈ）이었다.
(화합물 147의 합성)
Figure pat00129
Ar 분위기 하, 200 mL의 3구 플라스크에 화합물 A 4.11g과 화합물 XX 3.35g, Pd(dba)2 0.563g, (ｔ－Bu）3P 0.23g, Sodium tert-butoxide 4. 13g을 더해서, 1 40mL 톨루엔 용매 중에서 3 시간 가열 환류 교반 하였다. 공냉 후, 물을 가하여 유기층을 분리하고 용매 증류했다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 컬럼 크로마토그래피(톨루엔과 헥산의 혼합 용매를 사용)로 정제 후 백색 고체 화합물 13을 6.22g(수율 80%)얻었다.
FAB－MS측정에 따라, 측정된 화합물 147의 분자량은 778이었다.
또한, １H－NMR (CDCl3)측정에서 측정된 화합물 147의 chemical shift값 δ은８．５7（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．7０Ｈｚ）、８．０4（s，1Ｈ）、７．98－７．9４（ｍ，４Ｈ）、７．８０（ｓ，１Ｈ）、７．64－７．５8（ｍ，5Ｈ）、７．49－７．２9（ｍ，１０Ｈ）、７．１６－７．１１（ｍ，３Ｈ）、７．０８－７．０2（ｍ，６Ｈ）이었다.
[유기 전계 발광 소자의 제작]
150nm 두께의 ITO로 양극(204)을 형성하고, 60nm 두께의 2-TNATA로 정공 주입층을 형성하고, 30 nm 두께의 정공 수송층을 형성하고, ADN에 TBP를 3% 도프한 25 nm 두께의 발광층을 형성하고, Alq3로 25 nm 두께의 전자 수송층을 형성하고, LiF로 1 nm 두께의 전자 주입층를 형성하고, Al으로 100 nm 두께의 음극을 형성하였다.
실시예 1 내지 8, 비교예 1 내지 5에서 정공 수송층을 형성하는데 사용한 화합물은 표 2에 나타내었다.
제작한 전계 발광 소자에 대해서, 구동 전압, 반감 수명을 평가하였다. 또한, 전압은 10 mA/cm2에 있어서 값을 나타내고, 반감 수명은 초기 휘도 1,000 cd/m2으로부터의 휘도 반감 시간을 나타낸다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
소자 작성 예 정공 수송층 전압(V) 수명LT50(h)
실시예 1 실시예 화합물 1 10 1,900
실시예 2 실시예 화합물 55 10 1,900
실시예 3 실시예 화합물 60 10 1,950
실시예 4 실시예 화합물 61 10 1,950
실시예 5 실시예 화합물 145 10 1,900
실시예 6 실시예 화합물 147 10 1,900
실시예 7 실시예 화합물 108 10 2,000
실시예 8 실시예 화합물 109 10 2,000
비교예 1 비교예 화합물 A-1 10 1,500
비교예 2 비교예 화합물 A-2 10 1,550
비교예 3 비교예 화합물 A-3 10 1,300
비교예 4 비교예 화합물 A-4 10 1,400
비교예 5 비교예 화합물 A-5 10 1,550
실시예 화합물 1
Figure pat00130
실시예 화합물 55
Figure pat00131
실시예 화합물 60
Figure pat00132
실시예 화합물 61
Figure pat00133
실시예 화합물 145
Figure pat00134
실시예 화합물 147
Figure pat00135
실시예 화합물 108
Figure pat00136
실시예 화합물 109
Figure pat00137
비교예 화합물 A-1
Figure pat00138
비교예 화합물 A-2
Figure pat00139
비교예 화합물 A-3
Figure pat00140
비교예 화합물 A-4
Figure pat00141
비교예 화합물 A-5
Figure pat00142
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 8의 유기 전계 발광 소자가 비교예 1 내지 5의 유기 전계 발광 소자보다 장수명을 갖는 것을 확인할 수 있다. 비교예 1 및 비교예 2는 플루오렌기와 결합한 치환기의 부피가 커서 입체 장해(steric hindrance)가 크고, 이에 따라 화합물 자체의 안정성이 떨어져 유기 전계 발광 소자의 수명 및 효율이 떨어졌다. 비교예 3 및 비교예 5는 플루오렌기와 아민기의 결합만으로 전하 내성이 낮아 수명 및 효율이 떨어졌고, 비교예 4는 플루오렌기와 결합하여 고리를 형성한 결합기의 부피가 커서 입체 장해(steric hindrance)가 크고, 이에 따라 화합물 자체의 안정성이 떨어져 유기 전계 발광 소자의 수명 및 효율이 떨어졌다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 유기 전계 발광 소자 AN: 애노드
HTR: 정공 수송 영역 EML: 발광층
BFL: 버퍼층 ETR: 전자 수송 영역
CAT: 캐소드

Claims (19)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물
    [화학식 1]
    Figure pat00143

    상기 화학식 1에서,
    X는 하기 화학식 2에서 선택되고,
    [화학식 2]
    Figure pat00144

    Y는 C, Si 또는 Ge이고,
    Z1 내지 Z6는 CR 또는 N이고,
    Ar1 내지 Ar3는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기 또는 탄소수 3 이상 20 이하의 실릴기이고,
    L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고,
    R 및 R'는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 아민 화합물.
    [화학식 3]
    Figure pat00145
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 화학식 4로 표시되는 것인 아민 화합물.
    [화학식 4]
    Figure pat00146

    상기 화학식 4에서,
    A는 O, S, 또는 CR2이다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 화학식 5로 표시되는 것인 아민 화합물.
    [화학식 5]
    Figure pat00147
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 화학식 6으로 표시되는 것인 아민 화합물.
    [화학식 6]
    Figure pat00148

    상기 화학식 6에서,
    A는 O, S, 또는 CR2이다.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 화학식 7로 표시되는 것인 아민 화합물.
    [화학식 7]
    Figure pat00149
  7. 제1항에 있어서,
    [화학식 8]
    Figure pat00150

    상기 화학식 8에서,
    A는 O, S, 또는 CR2이다.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 L1은
    단일 결합, 치환 또는 비치환된 2가의 페닐기 또는 치환 또는 비치환된 2가의 바이페닐기인 것인 아민 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 Ar2는
    치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 다이벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 다이벤조티오펜기 및 치환 또는 비치환된 플루오렌기 중에서 선택되는 것인 아민 화합물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 Ar3는
    치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기인 것인 아민 화합물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화합물군 1에 표시되는 화합물들 중 선택되는 것인 아민 화합물.
    [화합물군 1]
    Figure pat00151

    Figure pat00152

    Figure pat00153

    Figure pat00154

    Figure pat00155

    Figure pat00156

    Figure pat00157

    Figure pat00158

    Figure pat00159

    Figure pat00160

    Figure pat00161

    Figure pat00162

    Figure pat00163

    Figure pat00164

    Figure pat00165

    Figure pat00166

    Figure pat00167

    Figure pat00168

    Figure pat00169
  12. 애노드;
    상기 애노드 상에 제공되는 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 제공되는 발광층;
    상기 발광층 상에 제공되는 전자 수송 영역; 및
    상기 전자 수송 영역 상에 제공되는 캐소드를 포함하고,
    상기 정공 수송 영역은
    하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것인 유기 전계 발광 소자.
    [화학식 1]
    Figure pat00170

    상기 화학식 1에서,
    X는 하기 화학식 2에서 선택되고,
    [화학식 2]
    Figure pat00171

    Y는 C, Si 또는 Ge이고,
    Z1 내지 Z6는 CR 또는 N이고,
    Ar1 내지 Ar3는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기 또는 탄소수 3 이상 20 이하의 실릴기고,
    L1 내지 L3는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이고,
    R 및 R'는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 치환 또는 비치환의 고리 형성 탄소수 5 이상 30 이하의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기다.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자.
    [화학식 3]
    Figure pat00172
  14. 제12항에 있어서,
    상기 화학식 1은 화학식 4로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자.
    [화학식 4]
    Figure pat00173

    상기 화학식 4에서,
    A는 O, S, 또는 CR2이다.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 화학식 1은 화학식 5로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자.
    [화학식 5]
    Figure pat00174
  16. 제12항에 있어서,
    상기 화학식 1은 화학식 6으로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자.
    [화학식 6]
    Figure pat00175

    상기 화학식 6에서,
    A는 O, S, 또는 CR2이다.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 화학식 1은 화학식 7로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자.
    [화학식 7]
    Figure pat00176
  18. 제12항에 있어서,
    [화학식 8]
    Figure pat00177

    상기 화학식 8에서,
    A는 O, S, 또는 CR2이다.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역은 하기 화합물군 1에 표시되는 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 것인 유기 전계 발광 소자.
    [화합물군 1]

    Figure pat00179

    Figure pat00180

    Figure pat00181

    Figure pat00182

    Figure pat00183

    Figure pat00184

    Figure pat00185

    Figure pat00186

    Figure pat00187

    Figure pat00188

    Figure pat00189

    Figure pat00190

    Figure pat00191

    Figure pat00192

    Figure pat00193

    Figure pat00194

    Figure pat00195

    Figure pat00196
KR1020150179445A 2015-12-15 2015-12-15 아민 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 KR20170071683A (ko)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101857632B1 (ko) 2018-02-02 2018-05-14 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
EP3939970B1 (en) * 2019-03-15 2023-12-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescence devices, organic electroluminescence device, and electronic device
CN114591257A (zh) * 2022-03-29 2022-06-07 京东方科技集团股份有限公司 螺环化合物、电子传输材料及发光器件
CN115403508A (zh) * 2022-09-30 2022-11-29 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种三芳胺衍生物及其有机电致发光器件
CN115594652A (zh) * 2022-09-30 2023-01-13 长春海谱润斯科技股份有限公司（Cn） 一种胺化合物及其有机发光器件

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4506113B2 (ja) 2002-09-20 2010-07-21 東ソー株式会社 フルオレン骨格を有する新規アリールアミン誘導体、その合成中間体及びこれらの製造方法並びに有機ｅｌ素子
JP2006140235A (ja) 2004-11-10 2006-06-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101359630B1 (ko) * 2006-10-23 2014-02-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자
JP2009029726A (ja) 2007-07-25 2009-02-12 Toyo Ink Mfg Co Ltd カルバゾリル基を有する化合物およびその用途
JP2009267255A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2010074440A2 (ko) 2008-12-24 2010-07-01 제일모직 주식회사 고분자 중합체, 이를 포함하는 유기 광전 소자, 및 이를 포함하는 표시장치
KR102048890B1 (ko) * 2009-05-29 2019-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 화합물
KR101211091B1 (ko) 2009-09-16 2012-12-12 주식회사 진웅산업 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
US8642190B2 (en) 2009-10-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fluorene derivative, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR101382373B1 (ko) * 2011-04-19 2014-04-08 단국대학교 산학협력단 시클로펜타플루오렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기전계 발광소자
KR101990553B1 (ko) * 2012-04-17 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 신규한 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102079249B1 (ko) * 2012-06-12 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 신규한 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102075526B1 (ko) * 2013-01-04 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 플루오렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102148643B1 (ko) 2013-09-26 2020-08-28 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101476231B1 (ko) 2013-10-02 2014-12-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN104557668A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 海洋王照明科技股份有限公司 咔唑基蓝光磷光主体材料及其制备方法和有机电致发光器件
KR101626523B1 (ko) * 2014-03-12 2016-06-01 (주)피엔에이치테크 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자
WO2015174640A1 (ko) * 2014-05-13 2015-11-19 삼성에스디아이 주식회사 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
JP2016111065A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機電界発光素子

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