KR20170067477A - Light emitting package and lighting device having thereof - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.
실시 예의 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임과, 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임, 및 제1 및 제2 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 캐비티와, 제1 방향으로 대칭되는 외측면에 제1 및 제2 돌출부를 포함하는 몸체를 포함하고, 제1 리드 프레임은 제1 및 제2 리드부를 포함하고, 제1 리드부는 제1 돌출부의 아래에 배치되고, 제2 리드 프레임은 제3 및 제4 리드부를 포함하고, 제3 리드부는 제2 돌출부 아래에 배치되어 몸체로부터 제1 및 제2 리드부의 측부들이 노출되므로 육안으로 납땜 불량 유무 및 얼라인 불량 유무를 확인할 수 있다.
An embodiment relates to a light emitting device package and a lighting apparatus.
The light emitting device package of the embodiment includes a first lead frame, a second lead frame spaced apart from the first lead frame, a cavity exposing a part of the upper surface of the first and second lead frames, Wherein the first lead frame includes first and second lead portions, the first lead portion is disposed below the first projecting portion, and the second lead frame is disposed between the third lead portion and the third lead portion, the body including the first and second projecting portions, And the fourth lead portion. The third lead portion is disposed below the second projecting portion, and the side portions of the first and second lead portions are exposed from the body, so that presence or absence of defective soldering and existence of defective alignment can be visually confirmed.

Description

발광소자 패키지 및 조명 장치{LIGHT EMITTING PACKAGE AND LIGHTING DEVICE HAVING THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device package,

실시 예는 발광소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package and a lighting apparatus.

발광 소자(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device (light emitting device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been attracting attention as a next generation light source in place of conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.

일반적인 발광 다이오드는 구동신호배선을 포함하는 기판 상에 납땜되어 상기 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용될 수 있다. 그러나, 일반적인 발광 다이오드는 상기 기판과 납땜되는 리드부가 하부면 또는 일면 상에 배치되어 육안으로 납땜 불량 유무의 식별이 어려운 문제가 있었다.Conventional light emitting diodes may be soldered on a substrate including a driving signal wiring and used as a light source of an illumination device such as a lamp, a liquid crystal display, a display board, and a streetlight. However, in general LEDs, there is a problem that the lead portion to be soldered to the substrate is disposed on the lower surface or one surface, and it is difficult to visually identify the presence or absence of soldering defects.

실시 예는 납땜 불량 유무의 식별이 용이한 구조의 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device having a structure in which the presence or absence of soldering defects can be easily identified.

실시 예는 얼라인 불량 유무의 식별이 용이한 구조의 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting apparatus having a structure in which the presence or absence of defective alignment can be easily identified.

실시 예는 납땜 불량 또는 얼라인 불량 등의 수율저하를 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device capable of improving yield reduction such as defective soldering or defective alignment.

실시 예의 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임과, 상기 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임, 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 캐비티와, 제1 방향으로 대칭되는 외측면에 제1 및 제2 돌출부를 포함하는 몸체를 포함하고, 상기 제1 리드 프레임은 제1 및 제2 리드부를 포함하고, 상기 제1 리드부는 상기 제1 돌출부의 아래에 배치되고, 상기 제2 리드 프레임은 제3 및 제4 리드부를 포함하고, 상기 제3 리드부는 상기 제2 돌출부 아래에 배치되어 상기 몸체로부터 제1 및 제2 리드부의 측부들이 노출되므로 육안으로 납땜 불량 유무 및 얼라인 불량 유무를 확인할 수 있다.The light emitting device package of the embodiment includes a first lead frame, a second lead frame spaced apart from the first lead frame, a cavity exposing a part of the upper surface of the first and second lead frames, Wherein the first lead frame includes first and second lead portions, the first lead portion is disposed below the first projecting portion, the first lead portion is disposed below the first projecting portion, The second lead frame includes third and fourth lead portions, and the third lead portions are disposed under the second lead portions to expose the side portions of the first and second lead portions from the body, so that the presence or absence of soldering defects .

실시 예의 조명장치는 상기 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device of the embodiment may include the light emitting device package.

실시 예의 발광소자 패키지는 몸체의 측면들에 돌출된 돌출부로부터 제1 및 제2 리드 프레임의 제1 및 제3 리드부의 측부들이 노출되어 육안으로 납땜 불량 유무를 확인할 수 있다.In the light emitting device package of the embodiment, the side portions of the first and third lead portions of the first and second lead frames are exposed from protrusions protruding from the side surfaces of the body, thereby visually confirming the presence of soldering defects.

실시 예는 몸체의 측면들에 돌출된 돌출부로부터 제1 및 제2 리드 프레임의 제1 및 제3 리드부의 측부들이 노출되어 육안으로 발광소자 패키지 및 기판 사이의 얼라인 불량 유무를 확인할 수 있다.Embodiments can expose the side portions of the first and third lead portions of the first and second lead frames from projecting portions protruding from the side surfaces of the body to visually check whether there is an alignment defect between the light emitting device package and the substrate.

또한, 실시 예는 몸체의 측면들에 돌출된 돌출부로부터 제1 및 제2 리드 프레임의 제1 및 제3 리드부의 측부들이 노출되어 상기 제1 및 제2 리드부와 기판 사이의 납땜 면적을 증가하므로 납땜 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the side portions of the first and third lead portions of the first and second lead frames are exposed from protrusions protruding from the side surfaces of the body to increase the soldering area between the first and second lead portions and the substrate The reliability of soldering can be improved.

또한, 실시 예는 몸체의 측면들에 돌출된 돌출부로부터 제1 및 제2 리드 프레임의 제1 및 제3 리드부의 측부들이 노출되고, 노출된 측부들의 일부는 단위 발광소자 패키지의 분리공정의 절단라인으로부터 이격될 수 있다. 따라서, 절단라인으로부터 이격된 상기 제1 및 제3 리드부들의 측부들은 내식성이 강한 도전성 물질을 포함하므로 기판과의 납땜 신뢰성 및 전기적 연결 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Further, in the embodiment, the side portions of the first and third lead portions of the first and second lead frames are exposed from protrusions protruding from the side surfaces of the body, and a part of the exposed side portions is exposed to the cutting line As shown in FIG. Therefore, the side portions of the first and third lead portions separated from the cutting line include the conductive material having high corrosion resistance, so that the soldering reliability with the substrate and the electrical connection reliability can be improved.

또한, 실시 예는 돌출부들의 너비와 동일한 제1 및 제3 리드부의 너비에 의해 상기 제1 및 제3 리드부의 노출된 측부들의 식별이 용이할 수 있다.Furthermore, the embodiment can easily identify the exposed sides of the first and third lead portions by the width of the first and third lead portions which is equal to the width of the projections.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 상부를 도시한 사시도이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 하부를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 상부를 도시한 사시도이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 하부를 도시한 사시도이다.
도 6은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 7은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 8은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.
1 is a perspective view showing an upper part of a light emitting device package according to an embodiment.
2 is a perspective view illustrating a bottom portion of a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package taken along the line I-I 'of FIG.
4 is a perspective view illustrating an upper portion of a light emitting device package according to another embodiment.
5 is a perspective view illustrating a bottom portion of a light emitting device package according to another embodiment.
6 is a cross-sectional view showing a light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.
7 is a cross-sectional view showing another example of the light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.
8 is a perspective view showing a display device including the light emitting device package of the embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 상부를 도시한 사시도이고, 도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 하부를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view showing an upper part of a light emitting device package according to an embodiment, FIG. 2 is a perspective view showing a lower part of a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 3 is a sectional view taken along line I- Sectional view showing a light emitting device package.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 제1 리드 프레임(130), 제2 리드 프레임(140), 몸체(120) 및 발광소자(150)를 포함할 수 있다.1 to 3, the light emitting device package 100 according to the embodiment includes a first lead frame 130, a second lead frame 140, a body 120, and a light emitting device 150 can do.

상기 발광소자(150)는 상기 제1 리드 프레임(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(150)는 상기 몸체(120)로부터 노출된 상기 제1 리드 프레임(130)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 실시 예의 상기 발광소자(150)는 단일 구성으로 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 2개 이상의 복수개로 구성될 수 있고, 어레이 형태로 구성될 수도 있다. 상기 발광소자(150)는 와이어를 통해서 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광소자(150)는 상기 몸체(120)의 중심부에 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device 150 may be disposed on the first lead frame 130. The light emitting device 150 may be disposed on the upper surface of the first lead frame 130 exposed from the body 120. Although the light emitting device 150 of the embodiment is described as being limited to a single configuration, the present invention is not limited to this configuration, and the light emitting device 150 may be constituted by a plurality of two or more, and may be configured in an array form. The light emitting device 150 may be connected through a wire, but is not limited thereto. The light emitting device 150 may be disposed at the center of the body 120, but is not limited thereto.

상기 몸체(120)는 투광성 재질, 반사성 재질, 절연성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 발광소자(150)로부터 방출된 광에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 수지 계열의 절연 물질일 수 있다. 예컨대 상기 몸체(120)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 에폭시 또는 실리콘 재질과 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(120)는 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)과 결합될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)의 상부면 일부를 노출시키는 캐비티(125)를 포함할 수 있다. The body 120 may include at least one of a light transmitting material, a reflective material, and an insulating material. The body 120 may include a material having a reflectivity higher than that of the light emitted from the light emitting device 150. The body 120 may be a resin-based insulating material. For example, the body 120 is polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), a resin material, a silicone such as an epoxy or silicone (Si), metallic material, PSG (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3), a printed circuit And a substrate (PCB). The body 120 may be coupled to the first and second lead frames 130 and 140. The body 120 may include a cavity 125 exposing a portion of the upper surface of the first and second lead frames 130 and 140.

상기 몸체(120)는 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)을 포함할 수 있고, 탑뷰 형상이 사각형인 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)은 제1 방향(X-X')으로 대칭되고, 상기 제1 방향(X-X')과 직교하는 제2 방향(Y-Y')으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제3 및 제4 외측면(123, 124)은 상기 제2 방향(Y-Y')으로 대칭되고, 상기 제2 방향(Y-Y')과 직교하는 제1 방향(X-X')으로 나란하게 배치될 수 있다. 실시 예는 상기 제1 외측면(121)으로부터 외측방향으로 돌출된 제1 돌출부(127)와, 상기 제2 외측면(122)으로부터 외측방향으로 돌출된 제2 돌출부(128)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 돌출부(127, 128)는 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)으로 노출되는 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)의 일부와 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2 돌출부(127, 128)는 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)에 노출되는 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)를 덮을 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제2 돌출부(127, 128)는 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)에 노출되는 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 돌출부(127, 128)는 몸체(120)의 사출공정에서 인접한 단위 발광소자 패키지들에 사출 수지가 이동하는 연결 통로일 수 있다.The body 120 may include first to fourth outer surfaces 121 to 124, and may have a rectangular top view. However, the present invention is not limited thereto. The first and second outer surfaces 121 and 122 are symmetrical in a first direction X-X 'and in a second direction Y-Y' orthogonal to the first direction X-X ' Can be arranged side by side. The third and fourth outer sides 123 and 124 are symmetrical in the second direction Y-Y ', and in a first direction X-X' orthogonal to the second direction Y-Y ' As shown in FIG. The embodiment may include a first protrusion 127 protruding outwardly from the first outer side surface 121 and a second protrusion 128 protruding outward from the second outer side surface 122 . The first and second protrusions 127 and 128 may be overlapped with a portion of the first and second lead frames 130 and 140 exposed to the first and second outer surfaces 121 and 122. The first and second protrusions 127 and 128 may cover the first and second lead frames 130 and 140 exposed to the first and second outer surfaces 121 and 122. The first and second protrusions 127 and 128 may be disposed on the upper surfaces of the first and second lead frames 130 and 140 exposed to the first and second outer surfaces 121 and 122 . The first and second protrusions 127 and 128 may be a connection path through which the injection resin moves to adjacent unit light emitting device packages in the injection process of the body 120.

상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 상기 몸체(120)와 결합될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 제2 방향(Y-Y')으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 주석(Sn), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예컨대 실시 예의 제1 및 제2 리드 프레임(130, 140)은 구리(Cu)와 같이 전기적 특성이 우수한 제1 도전성 물질과, 상기 제1 도전성 물질 표면에 내식성이 강하고 반사율이 높은 은(Ag)과 같은 제2 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.The first and second lead frames 130 and 140 may be separated from each other by a predetermined distance. The first and second lead frames 130 and 140 may be coupled to the body 120. The first and second lead frames 130 and 140 may be arranged in parallel in a second direction Y-Y '. The first and second lead frames 130 and 140 may include a conductive material. For example, the first and second lead frames 130 and 140 may include at least one of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta) (Al), tin (Sn), silver (Ag), phosphorous (P), iron (Fe), tin . For example, the first and second lead frames 130 and 140 of the embodiment may include a first conductive material having excellent electrical characteristics such as copper (Cu), silver (Ag) having high corrosion resistance and high reflectivity on the surface of the first conductive material, The second conductive material, and the like.

상기 제1 리드 프레임(130)은 제1 및 제2 리드부(131, 132)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리드부(131)는 상기 몸체(120)의 제1 외측면(121)으로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제1 리드부(131)는 상기 몸체(120)의 제1 돌출부(127) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 리드부(131)는 상기 몸체(120)의 제1 돌출부(127)로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제1 리드부(131)는 상기 제1 돌출부(127)와 수직방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 리드부(131)는 상기 제1 돌출부(127)의 하부면(127a)과 직접 접할 수 있다. 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제1 리드부(131)의 제1 너비(W1)는 상기 제1 돌출부(127)의 제2 너비(W2)보다 작을 수 있다.The first lead frame 130 may include first and second lead portions 131 and 132. The first lead portion 131 may be exposed to the outside from the first outer surface 121 of the body 120. The first lead portion 131 may be disposed under the first protrusion 127 of the body 120. The first lead portion 131 may be exposed to the outside through the first protrusion 127 of the body 120. The first lead portion 131 may overlap with the first protrusion 127 in the vertical direction. The first lead portion 131 may be in direct contact with the lower surface 127a of the first protrusion 127. The first width W1 of the first lead portion 131 may be smaller than the second width W2 of the first protrusion 127 in the first direction X-X '.

상기 제1 리드부(131)는 제1 내지 제3 측부(131a, 131b, 131c) 및 제1 하부(131d)를 포함할 수 있다.The first lead part 131 may include first to third side parts 131a, 131b and 131c and a first lower part 131d.

상기 제1 측부(131a)는 상기 제1 리드부(131)의 끝단면일 수 있다. 상기 제1 측부(131a)는 상기 제1 돌출부(127)의 끝단면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 측부(131a)는 단위 발광소자 패키지(100)의 분리공정에서 상기 제1 돌출부(127)와 동시에 절단된 절단면일 수 있다.The first side portion 131a may be the end surface of the first lead portion 131. The first side portion 131a may be disposed on the same plane as the end surface of the first projection 127. [ The first side 131a may be a cut surface that is cut at the same time as the first protrusion 127 in the process of separating the unit light emitting device package 100. [

상기 제2 및 제3 측부(131b, 131c)는 상기 제1 측부(131b)로부터 직교하는 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2 및 제3 측부(131b, 131c)는 상기 몸체(120)로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제2 및 제3 측부(131b, 131c)는 상기 제1 돌출부(127) 아래에 배치될 수 있고, 상기 제1 돌출부(127)로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제2 및 제3 측부(131b, 131c)는 기판(미도시)과 발광소자 패키지(100)의 납땜 면적을 넓힐 수 있다. 또한, 상기 제2 및 제3 측부(131b, 131c)는 상기 몸체(120)로부터 외부에 노출되므로 육안으로 납땜 불량 유무를 확인할 수 있다. 예컨대 실시 예는 몸체(120)의 제1 외측면(121)으로부터 노출된 제1 내지 제3 측부(131a, 131b, 131c)에 의해 육안으로 냉납 등과 같은 납땜 불량 유무를 확인할 수 있다. 실시 예는 몸체(120)의 제1 외측면(121)으로부터 노출된 제1 내지 제3 측부(131a, 131b, 131c)에 의해 육안으로 얼라인 불량 유무를 확인할 수 있다.The second and third side portions 131b and 131c may extend in a direction orthogonal to the first side portion 131b. The second and third side portions 131b and 131c may be exposed to the outside from the body 120. [ The second and third sides 131b and 131c may be disposed below the first protrusion 127 and may be exposed to the outside through the first protrusion 127. [ The second and third side portions 131b and 131c may increase the soldering area of the substrate (not shown) and the light emitting device package 100. [ In addition, since the second and third side portions 131b and 131c are exposed to the outside from the body 120, it is possible to visually confirm the presence or absence of soldering defects. For example, in the embodiment, the first to third side portions 131a, 131b, and 131c exposed from the first outer side surface 121 of the body 120 can visually confirm the presence or absence of defective soldering such as cold soldering. Embodiments can confirm the presence or absence of defective alignment with the naked eye by the first to third side portions 131a, 131b, and 131c exposed from the first outer side surface 121 of the body 120.

상기 제1 하부(131d)는 상기 몸체(120)의 하부면(126)과 동일 평면상에 배치될 수 있다. 상기 제1 하부(131d)는 상기 몸체(120)의 하부면(126)보다 더 외측에 배치될 수 있다.The first lower portion 131d may be disposed on the same plane as the lower surface 126 of the body 120. The first lower portion 131d may be disposed on the outer side of the lower surface 126 of the body 120.

상기 제2 리드부(132)는 상기 제1 리드부(131)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2 리드부(132)는 평평한 상부면 및 하부면을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 리드부(132)의 하부면은 상기 몸체(120)의 하부면으로부터 노출될 수 있다. 상기 제2 리드부(132)의 상부면은 상기 몸체(120)의 캐비티(125)로부터 노출될 수 있고, 노출된 상기 제2 리드부(132)의 상부면 상에는 발광소자(150)가 실장될 수 있다. 상기 제2 리드부(132)의 하부면은 제1 및 제2 바닥부(132a, 132b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 바닥부(132a, 132b)는 서로 상이한 너비를 가질 수 있다. 예컨대 상기 제1 바닥부(132a)의 너비는 상기 제2 바닥부(132b)의 너비보다 작을 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 제1 및 제2 바닥부(132a, 132b)의 너비는 상기 제1 리드 프레임(130)의 하부 가장자리에 배치된 단차구조(미도시)에 의해 결정될 수 있다. 예컨대 상기 제1 바닥부(132a)의 가장자리에는 상기 단차구조(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리드부(132)는 제1 벤딩부(132c)를 포함할 수 있다. 상기 제1 벤딩부(132c)는 상기 제1 및 제2 바닥부(132a, 132b) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 벤딩부(132c)는 상기 제1 바닥부(132a)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1 벤딩부(132c)는 상기 제2 바닥부(132b)로부터 연장될 수 있다. 상기 제1 벤딩부(132c)의 너비는 상기 제1 바닥부(132a)로부터 제2 바닥부(132b)로 갈수록 점차 커질 수 있다. 실시 예는 상기 제1 및 제2 바닥부(132a, 132b) 사이에 벤딩구조의 제1 벤딩부(132c)를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 및 제2 바닥부(132a, 132b) 사이에는 상기 제2 바닥부(132b)로 갈수록 넓어지는 너비를 갖는 직선구조를 포함할 수 있다.The second lead portion 132 may extend from the first lead portion 131. The second lead portion 132 may include a flat upper surface and a lower surface, but is not limited thereto. The lower surface of the second lead portion 132 may be exposed from the lower surface of the body 120. The upper surface of the second lead part 132 may be exposed from the cavity 125 of the body 120 and the light emitting device 150 may be mounted on the exposed upper surface of the second lead part 132 . The lower surface of the second lead portion 132 may include first and second bottom portions 132a and 132b. The first and second bottom portions 132a and 132b may have different widths. For example, the width of the first bottom portion 132a may be smaller than the width of the second bottom portion 132b. The widths of the first and second bottom portions 132a and 132b may be determined by a step structure (not shown) disposed at a lower edge of the first lead frame 130, although they are not shown in detail in the drawings. For example, the edge of the first bottom portion 132a may include the stepped structure (not shown). The second lead portion 132 may include a first bending portion 132c. The first bending portion 132c may be disposed between the first and second bottom portions 132a and 132b. The first bending portion 132c may extend from the first bottom portion 132a. The first bending portion 132c may extend from the second bottom portion 132b. The width of the first bending portion 132c may gradually increase from the first bottom portion 132a to the second bottom portion 132b. The first bending portion 132c having a bending structure is limited between the first and second bottom portions 132a and 132b. However, the present invention is not limited thereto. For example, the first and second bottom portions 132a and 132b may include a straight line structure having a width that widens toward the second bottom portion 132b.

상기 제1 및 제2 리드부(131, 132) 사이에는 제1 단차부(133)를 포함할 수 있다. 상기 제1 단차부(133)는 제1 리드 프레임(130)의 하부면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 단차부(133)는 상기 몸체(120)와 제1 리드 프레임(130)의 접촉면적을 넓힐 수 있다. 상기 제1 단차부(133)는 상기 몸체(120)와 제1 리드 프레임(130)의 결합력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 단차부(133)는 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.A first stepped portion 133 may be formed between the first and second lead portions 131 and 132. The first stepped portion 133 may be disposed on the lower surface of the first lead frame 130. The first stepped portion 133 may enlarge the contact area between the body 120 and the first lead frame 130. The first stepped portion 133 may improve a coupling force between the body 120 and the first lead frame 130. In addition, the first stepped portion 133 can improve moisture penetration to the outside by the stepped structure.

상기 제2 리드 프레임(140)은 제3 및 제4 리드부(141, 142)를 포함할 수 있다. 상기 제3 리드부(141)는 상기 몸체(120)의 제2 외측면(122)으로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제3 리드부(141)는 상기 몸체(120)의 제2 돌출부(128) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제3 리드부(141)는 상기 몸체(120)의 제2 돌출부(128)로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제3 리드부(141)는 상기 제2 돌출부(128)와 수직방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제3 리드부(141)는 상기 제2 돌출부(128)의 하부면(128a)과 직접 접할 수 있다. 상기 제1 방향(X-X')으로 상기 제3 리드부(141)의 너비는 상기 제2 돌출부(128)의 너비보다 작을 수 있다.The second lead frame 140 may include third and fourth lead portions 141 and 142. The third lead portion 141 may be exposed to the outside from the second outer surface 122 of the body 120. The third lead portion 141 may be disposed under the second protrusion 128 of the body 120. The third lead portion 141 may be exposed to the outside from the second protrusion 128 of the body 120. The third lead portion 141 may be overlapped with the second protrusion 128 in the vertical direction. The third lead portion 141 may be in direct contact with the lower surface 128a of the second projection 128. The width of the third lead portion 141 in the first direction X-X 'may be smaller than the width of the second protrusion 128.

상기 제3 리드부(141)는 제4 내지 제6 측부(141a, 141b, 141c) 및 제2 하부(141d)를 포함할 수 있다.The third lead portion 141 may include fourth to sixth sides 141a, 141b and 141c and a second lower portion 141d.

상기 제4 측부(141a)는 상기 제3 리드부(141)의 끝단면일 수 있다. 상기 제4 측부(141a)는 상기 제2 돌출부(128)의 끝단면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제4 측부(141a)는 단위 발광소자 패키지(100)의 분리공정에서 상기 제2 돌출부(128)와 동시에 절단된 절단면일 수 있다.The fourth side 141a may be the end surface of the third lead 141. The fourth side 141a may be disposed on the same plane as the end surface of the second projection 128. The fourth side 141a may be a cut surface that is cut at the same time as the second protrusion 128 in the process of separating the unit light emitting device package 100. [

상기 제5 및 제6 측부(141b, 141c)는 상기 제4 측부(141a)로부터 직교하는 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제5 및 제6 측부(141b, 141c)는 상기 몸체(120)로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제5 및 제6 측부(141b, 141c)는 상기 제2 돌출부(128) 아래에 배치될 수 있고, 상기 제2 돌출부(128)로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제5 및 제6 측부(141b, 141c)는 기판(미도시)과 발광소자 패키지(100)의 납땜 면적을 넓힐 수 있다. 또한, 상기 제5 및 제6 측부(141b, 141c)는 상기 몸체(120)로부터 외부에 노출되므로 육안으로 납땜 불량 유무를 확인할 수 있다. 예컨대 실시 예는 몸체(120)의 제2 외측면(122)으로부터 노출된 제4 내지 제6 측부(141a, 141b, 141c)에 의해 육안으로 냉납 등과 같은 납땜 불량 유무를 확인할 수 있다. 실시 예는 몸체(120)의 제2 외측면(122)으로부터 노출된 제4 내지 제6 측부(141a, 141b, 141c)에 의해 육안으로 얼라인 불량 유무를 확인할 수 있다.The fifth and sixth sides 141b and 141c may extend in a direction orthogonal to the fourth side 141a. The fifth and sixth sides 141b and 141c may be exposed from the body 120 to the outside. The fifth and sixth sides 141b and 141c may be disposed under the second protrusion 128 and may be exposed to the outside through the second protrusion 128. [ The fifth and sixth sides 141b and 141c may enlarge the area of soldering between the substrate (not shown) and the light emitting device package 100. In addition, since the fifth and sixth sides 141b and 141c are exposed to the outside from the body 120, it is possible to visually confirm the presence of soldering defects. For example, in the embodiment, the fourth to sixth sides 141a, 141b, and 141c exposed from the second outer side surface 122 of the body 120 can visually confirm the presence or absence of defective soldering such as cold soldering. The embodiment can confirm whether there is an alignment defect by visual inspection by the fourth to sixth sides 141a, 141b, and 141c exposed from the second outer side surface 122 of the body 120. [

상기 제2 하부(141d)는 상기 몸체(120)의 하부면(126)과 동일 평면상에 배치될 수 있다. 상기 제2 하부(141d)는 상기 몸체(120)의 하부면(126)보다 더 외측에 배치될 수 있다.The second lower portion 141d may be disposed on the same plane as the lower surface 126 of the body 120. The second lower portion 141d may be disposed further outward than the lower surface 126 of the body 120.

상기 제4 리드부(142)는 상기 제3 리드부(141)로부터 연장될 수 있다. 상기 제4 리드부(142)는 평평한 상부면 및 하부면을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제4 리드부(142)의 하부면은 상기 몸체(120)의 하부면(126)으로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제4 리드부(142)의 상부면은 상기 몸체(120)의 캐비티(125)로부터 노출될 수 있고, 노출된 상기 제4 리드부(142)의 상부면 상에는 보호소자(미도시)가 실장될 수 있다. 여기서, 상기 보호소자는 상기 몸체(120)로부터 노출된 상기 제2 리드 프레임(140)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자는 제너 다이오드, 사이리스터(Thyristor), TVS(Transient Voltage Suppression) 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제4 리드부(142)의 하부면은 제3 및 제4 바닥부(142a, 142b)를 포함할 수 있다. 상기 제3 및 제4 바닥부(142a, 142b)는 서로 상이한 너비를 가질 수 있다. 예컨대 상기 제3 바닥부(142a)의 너비는 상기 제4 바닥부(142b)의 너비보다 작을 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 제3 및 제4 바닥부(142a, 142b)의 너비는 상기 제2 리드 프레임(140)의 하부 가장자리에 배치된 단차구조에 의해 결정될 수 있다. 예컨대 상기 제3 바닥부(142a)의 가장자리에는 상기 단차구조를 포함할 수 있다. 상기 제4 리드부(142)는 제2 벤딩부(142c)를 포함할 수 있다. 상기 제2 벤딩부(142c)는 상기 제3 및 제4 바닥부(142a, 142b) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 벤딩부(142c)는 상기 제3 바닥부(142a)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2 벤딩부(142c)는 상기 제4 바닥부(142b)로부터 연장될 수 있다. 상기 제2 벤딩부(142c)의 너비는 상기 제3 바닥부(142a)로부터 제4 바닥부(142b)로 갈수록 점차 커질 수 있다. 실시 예는 상기 제3 및 제4 바닥부(142a, 142b) 사이에 벤딩구조의 제2 벤딩부(142c)를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제3 및 제4 바닥부(142a, 142b) 사이에는 상기 제4 바닥부(142b)로 갈수록 넓어지는 너비를 갖는 직선구조를 포함할 수 있다.The fourth lead portion 142 may extend from the third lead portion 141. The fourth lead portion 142 may include a flat upper surface and a lower surface, but is not limited thereto. The lower surface of the fourth lead portion 142 may be exposed to the outside from the lower surface 126 of the body 120. The upper surface of the fourth lead portion 142 may be exposed from the cavity 125 of the body 120 and a protective element (not shown) may be mounted on the exposed upper surface of the fourth lead portion 142 . Here, the protection element may be disposed on the upper surface of the second lead frame 140 exposed from the body 120. The protection element may be a zener diode, a thyristor, a TVS (Transient Voltage Suppression), or the like, but is not limited thereto. The lower surface of the fourth lead portion 142 may include third and fourth bottom portions 142a and 142b. The third and fourth bottom portions 142a and 142b may have different widths. For example, the width of the third bottom portion 142a may be smaller than the width of the fourth bottom portion 142b. The width of the third and fourth bottom portions 142a and 142b may be determined by a step structure disposed at a lower edge of the second lead frame 140, although it is not illustrated in detail in the drawings. For example, the edge of the third bottom 142a may include the stepped structure. The fourth lead portion 142 may include a second bending portion 142c. The second bending portion 142c may be disposed between the third and fourth bottom portions 142a and 142b. The second bending portion 142c may extend from the third bottom portion 142a. The second bending portion 142c may extend from the fourth bottom portion 142b. The width of the second bending portion 142c may gradually increase from the third bottom portion 142a to the fourth bottom portion 142b. In the embodiment, the second bending portion 142c having a bending structure is defined between the third and fourth bottom portions 142a and 142b, but the present invention is not limited thereto. For example, between the third and fourth bottom portions 142a and 142b, a linear structure having a width wider toward the fourth bottom portion 142b may be included.

상기 제3 및 제4 리드부(141, 142) 사이에는 제2 단차부(143)를 포함할 수 있다. 상기 제2 단차부(143)는 제2 리드 프레임(140)의 하부면 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 단차부(143)는 상기 몸체(120)와 제2 리드 프레임(140)의 접촉면적을 넓힐 수 있다. 상기 제2 단차부(143)는 상기 몸체(120)와 제2 리드 프레임(140)의 결합력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 단차부(143)는 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.And a second stepped portion 143 may be formed between the third and fourth lead portions 141 and 142. The second stepped portion 143 may be disposed on the lower surface of the second lead frame 140. The second stepped portion 143 may enlarge the contact area between the body 120 and the second lead frame 140. The second stepped portion 143 may improve the coupling force between the body 120 and the second lead frame 140. In addition, the second stepped portion 143 can improve moisture penetration to the outside by the stepped structure.

실시 예는 몸체(120)의 제1 돌출부(127) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제1 리드부(131)와, 몸체(120)의 제2 돌출부(128) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제3 리드부(141)에 의해 육안으로 납땜 불량 유무를 확인할 수 있다.The embodiment includes a first lid portion 131 that includes exposed sides under the first projection 127 of the body 120 and a second lid portion 131 that includes exposed sides below the second projection 128 of the body 120 The presence or absence of defective soldering can be visually confirmed by the third lead portion 141. [

실시 예는 몸체(120)의 제1 돌출부(127) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제1 리드부(131)와, 몸체(120)의 제2 돌출부(128) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제3 리드부(141)에 의해 육안으로 발광소자 패키지(100)와 기판 사이의 얼라인 불량 유무를 확인할 수 있다.The embodiment includes a first lid portion 131 that includes exposed sides under the first projection 127 of the body 120 and a second lid portion 131 that includes exposed sides below the second projection 128 of the body 120 The presence or absence of defective alignment between the light emitting device package 100 and the substrate can be confirmed visually by the third lead portion 141. [

또한, 실시 예는 몸체(120)의 제1 돌출부(127) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제1 리드부(131)와, 몸체(120)의 제2 돌출부(128) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제3 리드부(141)에 의해 납땜 면적을 증가하므로 납땜 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The embodiment also includes a first lid portion 131 that includes exposed sides under the first projection 127 of the body 120 and a second lid portion 131 that is exposed beneath the second projection 128 of the body 120 The soldering area can be increased by the third lead portion 141 including the first lead portion 141, so that the soldering reliability can be improved.

또한, 실시 예는 제1 및 제4 측부(131a, 141a)가 절단 공정의 절단면과 대응될 수 있고, 제2, 제3. 제5 및 제6 측부(131b, 131c, 141b, 141c)는 단위 발광소자 패키지(100)의 분리공정의 절단라인으로부터 이격될 수 있다. 따라서, 실시 예의 상기 제2, 제3. 제5 및 제6 측부(131b, 131c, 141b, 141c)는 내식성이 강한 도전성 물질을 포함하므로 기판과의 납땜 신뢰성 및 전기적 연결 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the embodiment can be such that the first and fourth sides 131a and 141a can correspond to the cutting face of the cutting process, The fifth and sixth sides 131b, 131c, 141b, and 141c may be spaced apart from the cutting line of the separation process of the unit light emitting device package 100. [ Therefore, in the second and third embodiments of the present invention, Since the fifth and sixth sides 131b, 131c, 141b, and 141c include a conductive material having high corrosion resistance, reliability of soldering with the board and reliability of electrical connection can be improved.

도 4는 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 상부를 도시한 사시도이고, 도 5는 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 하부를 도시한 사시도이다.FIG. 4 is a perspective view illustrating an upper portion of a light emitting device package according to another embodiment, and FIG. 5 is a perspective view illustrating a lower portion of a light emitting device package according to another embodiment.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 몸체(120)의 제1 및 제2 돌출부(227, 228)를 제외하고, 도 1 내지 도 3의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIGS. 4 and 5, the light emitting device package 200 according to another embodiment may include the first and second protrusions 227 and 228 of the body 120, The technical features of the light emitting device package 100 according to the example can be adopted.

상기 제1 돌출부(227)는 상기 몸체(120)의 제1 외측면(121)에 배치될 수 있고, 상기 제2 돌출부(228)는 상기 몸체(120)의 제2 외측면(122)에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 외측면(121, 122)은 몸체(120)의 제1 방향(X-X')으로 서로 대칭될 수 있다.The first protrusion 227 may be disposed on a first outer surface 121 of the body 120 and the second protrusion 228 may be disposed on a second outer surface 122 of the body 120. . The first and second outer surfaces 121 and 122 may be symmetrical to each other in a first direction X-X 'of the body 120.

상기 제1 돌출부(227)는 상기 몸체(120)의 제1 외측면(121)으로부터 외측방향으로 돌출될 수 있다. 상기 제1 돌출부(227)는 제1 리드부(131) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 돌출부(227)는 상기 제1 리드부(131)와 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 돌출부(227)는 상기 제1 리드부(131)와 수직으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 돌출부(227)의 하부면 전체는 상기 제1 리드부(131)의 상부면 전체와 중첩될 수 있다. 상기 제1 돌출부(227)의 하부면은 상기 제1 리드부(131)의 상부면과 접촉될 수 있다. 상기 제1 돌출부(227)의 하부면 전체는 상기 제1 리드부(131)의 상부면 전체와 직접 접촉될 수 있다. 상기 제1 방향(X-X')과 직교하는 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제1 리드부(131)의 제1 너비(W1)는 상기 제1 돌출부(227)의 제2 너비(W3)와 같을 수 있다.The first protrusion 227 may protrude outward from the first outer surface 121 of the body 120. The first protrusion 227 may be disposed on the first lead portion 131. The first protrusion 227 may be in direct contact with the first lead portion 131. The first protrusion 227 may be vertically overlapped with the first lead portion 131. The entire lower surface of the first projecting portion 227 may overlap the entire upper surface of the first lead portion 131. The lower surface of the first protrusion 227 may be in contact with the upper surface of the first lead portion 131. The entire lower surface of the first projecting portion 227 may be in direct contact with the entire upper surface of the first lead portion 131. The first width W1 of the first lead portion 131 is greater than the second width W2 of the first protrusion 227 in a second direction Y-Y 'orthogonal to the first direction X- (W3).

상기 제2 돌출부(228)는 상기 몸체(120)의 제2 외측면(122)으로부터 외측방향으로 돌출될 수 있다. 상기 제2 돌출부(228)는 제3 리드부(141) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 돌출부(228)는 상기 제3 리드부(141)와 직접 접촉될 수 있다. 상기 제2 돌출부(228)는 상기 제3 리드부(141)와 수직으로 중첩될 수 있다. 상기 제2 돌출부(228)의 하부면 전체는 상기 제3 리드부(141)의 상부면 전체와 중첩될 수 있다. 상기 제2 돌출부(228)의 하부면은 상기 제3 리드부(141)의 상부면과 접촉될 수 있다. 상기 제2 돌출부(228)의 하부면 전체는 상기 제3 리드부(141)의 상부면 전체와 직접 접촉될 수 있다. 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제3 리드부(141)의 너비는 상기 제2 돌출부(228)의 너비와 같을 수 있다.The second protrusion 228 may protrude outward from the second outer surface 122 of the body 120. The second protrusion 228 may be disposed on the third lead portion 141. The second protrusion 228 may be in direct contact with the third lead portion 141. The second protrusion 228 may be vertically overlapped with the third lead portion 141. The entire lower surface of the second protrusion 228 may overlap the entire upper surface of the third lead portion 141. The lower surface of the second protrusion 228 may be in contact with the upper surface of the third lead portion 141. The entire lower surface of the second protrusion 228 may be in direct contact with the entire upper surface of the third lead portion 141. The width of the third lead portion 141 in the second direction Y-Y 'may be equal to the width of the second protrusion 228.

다른 실시 예는 제2 방향(Y-Y')으로 상기 제1 및 제3 리드부(131, 141)의 너비와 상기 제1 및 제2 돌출부(227, 228)의 너비가 동일하므로 상기 제1 및 제2 돌출부(227, 228)로부터 상기 제1 및 제3 리드부(131, 141)의 노출된 측부들의 식별이 실시 예보다 더 용이할 수 있다.In another embodiment, since the widths of the first and third lead portions 131 and 141 and the widths of the first and second protrusions 227 and 228 are the same in the second direction Y-Y ' And the exposed sides of the first and third lead portions 131, 141 from the second projections 227, 228 may be easier than the embodiment.

다른 실시 예는 몸체(120)의 제1 돌출부(227) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제1 리드부(131)와, 몸체(120)의 제2 돌출부(228) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제3 리드부(141)에 의해 육안으로 납땜 불량 유무를 확인할 수 있다.Another embodiment includes a first lead portion 131 that includes exposed sides under the first projection 227 of the body 120 and a second exposed portion below the second projection 228 of the body 120 The presence or absence of defective soldering can be visually confirmed by the third lead portion 141 which is formed by the third lead portion 141. [

다른 실시 예는 몸체(120)의 제1 돌출부(227) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제1 리드부(131)와, 몸체(120)의 제2 돌출부(228) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제3 리드부(141)에 의해 육안으로 발광소자 패키지(100)와 기판 사이의 얼라인 불량 유무를 확인할 수 있다.Another embodiment includes a first lead portion 131 that includes exposed sides under the first projection 227 of the body 120 and a second exposed portion below the second projection 228 of the body 120 The presence or absence of defective alignment between the light emitting device package 100 and the substrate can be confirmed visually by the third lead portion 141. [

또한, 다른 실시 예는 몸체(120)의 제1 돌출부(227) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제1 리드부(131)와, 몸체(120)의 제2 돌출부(228) 아래에 노출된 측부들을 포함하는 제3 리드부(141)에 의해 납땜 면적을 증가하므로 납땜 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Another embodiment includes a first lead portion 131 that includes exposed sides under the first projection 227 of the body 120 and a second lead portion 131 that is exposed under the second projection 228 of the body 120. [ The soldering area can be increased by the third lead portion 141 including the first lead portion 141 and the second lead portion 141. Accordingly, reliability of soldering can be improved.

또한, 다른 실시 예는 제1 및 제4 측부(131a, 141a)가 절단 공정의 절단면과 대응될 수 있고, 제2, 제3. 제5 및 제6 측부(131b, 131c, 141b, 141c)는 단위 발광소자 패키지(100)의 분리공정의 절단라인으로부터 이격될 수 있다. 따라서, 다른 실시 예의 상기 제2, 제3. 제5 및 제6 측부(131b, 131c, 141b, 141c)는 내식성이 강한 도전성 물질을 포함하므로 기판과의 납땜 신뢰성 및 전기적 연결 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In another embodiment, the first and fourth sides 131a and 141a may correspond to the cutting plane of the cutting process, and the second and third sides 131a and 141a may correspond to the cutting plane of the cutting process. The fifth and sixth sides 131b, 131c, 141b, and 141c may be spaced apart from the cutting line of the separation process of the unit light emitting device package 100. [ Therefore, in the second and third embodiments of the other embodiments, Since the fifth and sixth sides 131b, 131c, 141b, and 141c include a conductive material having high corrosion resistance, reliability of soldering with the board and reliability of electrical connection can be improved.

<발광 칩>&Lt; Light emitting chip &

도 6는 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.

도 6에 도시된 바와 같이, 발광 칩은 기판(511), 버퍼층(512), 발광 구조물(510), 제1 전극(516) 및 제2 전극(517)을 포함한다. 상기 기판(511)은 투광성 또는 비투광성 재질일 수 있고, 전도성 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다.6, the light emitting chip includes a substrate 511, a buffer layer 512, a light emitting structure 510, a first electrode 516, and a second electrode 517. The substrate 511 may be a light-transmitting or non-light-transmitting material, and may include a conductive or insulating substrate.

상기 버퍼층(512)은 기판(511)과 상기 발광 구조물(510)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(512)과 상기 발광 구조물(510)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선할 수 있다.The buffer layer 512 reduces the lattice constant difference between the substrate 511 and the material of the light emitting structure 510, and may be formed of a nitride semiconductor. A nitride semiconductor layer not doped with a dopant may be further formed between the buffer layer 512 and the light emitting structure 510 to improve crystal quality.

상기 발광 구조물(510)은 제1 도전형 반도체층(513), 활성층(514) 및 제2 도전형 반도체층(515)를 포함한다.The light emitting structure 510 includes a first conductive semiconductor layer 513, an active layer 514, and a second conductive semiconductor layer 515.

예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 반도체층(513)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 예컨대 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다.For example, compound semiconductors such as Group II-IV and Group III-V. The first conductive semiconductor layer 513 may be a single layer or a multi-layer structure. The first conductive semiconductor layer 513 may be doped with a first conductive dopant. For example, when the first conductive semiconductor layer 513 is an n-type semiconductor layer, it may include an n-type dopant. For example, the n-type dopant may include but is not limited to Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 513 may include a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? The first conductive semiconductor layer 513 may have a stacked structure of layers including at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. .

상기 제1 도전형 반도체층(513)과 상기 활성층(514) 사이에는 제1 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(514)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 클래드층은 제1 도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시키는 기능을 포함할 수 있다.A first clad layer may be formed between the first conductive semiconductor layer 513 and the active layer 514. The first clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the bandgap thereof may be formed to have a bandgap or more of the active layer 514. The first clad layer may be formed of a first conductivity type and may include a function of constraining the carrier.

상기 활성층(514)은 상기 제1 도전형 반도체층(513) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(514)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The active layer 514 is disposed on the first conductive semiconductor layer 513 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. do. The active layer 514 includes a well layer and a barrier layer period. The well layer comprises a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), and wherein the barrier layer is In x Al y Ga 1 -xy N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1). The period of the well layer / barrier layer may be one or more cycles using a lamination structure of, for example, InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, and InAlGaN / InAlGaN. The barrier layer may be formed of a semiconductor material having a band gap higher than a band gap of the well layer.

상기 활성층(514) 위에는 제2 도전형 반도체층(515)이 형성된다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.A second conductive semiconductor layer 515 is formed on the active layer 514. The second conductive semiconductor layer 515 may be formed of a semiconductor compound such as a Group II-IV and a Group III-V compound semiconductor. The second conductivity type semiconductor layer 515 may be a single layer or a multilayer. When the second conductive type semiconductor layer 515 is a p-type semiconductor layer, the second conductive type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant. The second conductive semiconductor layer 515 may be doped with a second conductive dopant. The second conductive semiconductor layer 515 may include a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? The second conductive semiconductor layer 515 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP.

상기 제2 도전형 반도체층(515)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(514)을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 515 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN / GaN superlattice structure or an AlGaN / GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductivity type semiconductor layer 515 may protect the active layer 514 by diffusing a current contained in the voltage abnormally.

상기 제1 도전형 반도체층(513)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 p형 반도체층으로 설명하고 있지만, 상기 제1 도전형 반도체층(513)을 p형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(515)을 n형 반도체층으로 형성할 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 도전형 반도체층(515) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(510)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.Although the first conductive semiconductor layer 513 is an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 515 is a p-type semiconductor layer, the first conductive semiconductor layer 513 may be a p- And the second conductivity type semiconductor layer 515 may be formed of an n-type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto. On the second conductive semiconductor layer 515, a semiconductor (e.g., an n-type semiconductor layer) (not shown) having a polarity opposite to that of the second conductive type may be formed. Accordingly, the light emitting structure 510 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 제1 도전형 반도체층(513) 상에는 제1 전극(516)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(515) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2 전극(517)을 포함한다. A first electrode 516 is disposed on the first conductive type semiconductor layer 513 and a second electrode 517 having a current diffusion layer is disposed on the second conductive type semiconductor layer 515.

<발광 칩>&Lt; Light emitting chip &

도 7은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing another example of the light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.

도 7에 도시된 바와 같이, 다른 예의 발광 칩은 도 6을 참조하여 동일한 구성의 설명은 생략하기로 한다. 다른 예의 발광 칩은 발광 구조물(510) 아래에 접촉층(521)이 배치되고, 상기 접촉층(521) 아래에 반사층(524)이 배치되고, 상기 반사층(524) 아래에 지지부재(525)가 배치되고, 상기 반사층(524)과 상기 발광 구조물(510)의 둘레에 보호층(523)이 배치될 수 있다.As shown in Fig. 7, the light emitting chip of another example will be described with reference to Fig. 6, and a description of the same constitution will be omitted. In another example of the light emitting chip, a contact layer 521 is disposed under the light emitting structure 510, a reflection layer 524 is disposed under the contact layer 521, and a support member 525 is formed below the reflection layer 524 And a protective layer 523 may be disposed around the reflective layer 524 and the light emitting structure 510.

상기 발광 칩은 제2 도전형 반도체층(515) 아래에 접촉층(521) 및 보호층(523), 반사층(524) 및 지지부재(525)가 배치될 수 있다. The light emitting chip may include a contact layer 521 and a protective layer 523, a reflective layer 524, and a supporting member 525 under the second conductive type semiconductor layer 515.

상기 접촉층(521)은 발광 구조물(510)의 하부면 예컨대 제2 도전형 반도체층(515)과 오믹 접촉될 수 있다. 상기 접촉층(521)은 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있다. The contact layer 521 may be in ohmic contact with the lower surface of the light emitting structure 510, for example, the second conductive type semiconductor layer 515. The contact layer 521 may be selected from a metal nitride, an insulating material, and a conductive material.

상기 보호층(523)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 보호층(523)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있다.The protective layer 523 may be selected from a metal oxide or an insulating material. The protective layer 523 may be formed using a sputtering method, a deposition method, or the like.

상기 반사층(524)은 금속을 포함할 수 있다. 상기 반사층(524)은 상기 발광 구조물(510)의 폭보다 크게 형성되어 광 반사 효율을 개선할 수 있다. The reflective layer 524 may include a metal. The reflective layer 524 may be formed to have a width larger than the width of the light emitting structure 510 to improve light reflection efficiency.

상기 지지부재(525)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(525)와 상기 반사층(524) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있다.The support member 525 may be a base substrate made of a metal such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu- Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC). A bonding layer may be further formed between the support member 525 and the reflective layer 524.

<조명 시스템><Lighting system>

도 8은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.8 is a perspective view showing a display device including the light emitting device package of the embodiment.

도 8에 도시된 바와 같이, 실시 예의 표시장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.8, the display device 1000 of the embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041 and a display panel 1061 on the optical sheet 1051 and the light guide plate 1041 and the light source module 1031 and the reflection member 1022 But it is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다. 상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광으로 변환시킬 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 일정간격 이격되어 복수개로 배치될 수 있다. 상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 직접 배치될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050. The light guide plate 1041 may diffuse light and convert the light into plane light. The light source module 1031 includes at least one light source module 1031 and may directly or indirectly provide light from one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device package 100 according to an embodiment of the present invention and the plurality of light emitting device packages 100 may be disposed on the substrate 1033 at a predetermined interval have. The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like, but is not limited thereto. The light emitting device package 100 may be disposed directly on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat radiation plate.

실시 예의 발광소자 패키지(100)는 도 1 내지 도 3의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 실시 예는 상기 기판(1033) 상에 발광소자 패키지(100)가 납땜될 수 있다. 실시 예는 상기 기판(1033) 상에 발광소자 패키지(100)의 얼라인 불량을 개선할 수 있다. 실시 예는 상기 기판(1033) 상에 실장된 발광소자 패키지(100)의 납땜 불량 유무를 육안으로 확인할 수 있다. 따라서, 실시 예는 기판(1033)과 발광소자 패키지(100)의 얼라인 불량, 납땜 불량 등의 수율 저하를 개선할 수 있다.The light emitting device package 100 of the embodiment can employ the technical features of FIGS. 1 to 3. In an embodiment, the light emitting device package 100 may be soldered on the substrate 1033. The embodiment can improve the alignment defect of the light emitting device package 100 on the substrate 1033. [ The embodiment can visually confirm whether the light emitting device package 100 mounted on the substrate 1033 is defective in soldering. Therefore, the embodiment can improve the yield reduction such as alignment defect of the substrate 1033 and the light emitting device package 100, defective soldering, and the like.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light source module 1031, the reflective member 1022, and the like. The bottom cover 1011 may be provided with a housing 1012 having a box shape with an opened top surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 제1 및 제2 기판과, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 배치된 편광판을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 상기 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 may be, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. And may include a polarizing plate disposed on at least one surface of the display panel 1061. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 can be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치될 수 있다. 상기 광학 시트(1051)은 적어도 하나 이상의 투광성 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 적어도 하나 이상의 프리즘 시트, 및 보호 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 보호 시트는 상기 프리즘 시트를 보호하는 기능을 포함할 수 있다.The optical sheet 1051 may be disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041. The optical sheet 1051 may include at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, at least one prism sheet, and a protective sheet. The diffusion sheet may include a function of diffusing incident light. The prism sheet may include a function of condensing incident light into a display area. The protective sheet may include a function of protecting the prism sheet.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

127, 227: 제1 돌출부
128, 228: 제2 돌출부
130: 제1 리드 프레임
131: 제1 리드부
132: 제2 리드부
140: 제2 리드 프레임
141: 제3 리드부
142: 제4 리드부
131a: 제1 측부
131b: 제2 측부
131c: 제3 측부
141a: 제4 측부
141b: 제5 측부
141c: 제6 측부
127, 227: first protrusion
128, 228: second projection
130: first lead frame
131: first lead portion
132: second lead portion
140: second lead frame
141: third lead portion
142: fourth lead portion
131a: first side
131b: second side
131c: third side
141a: fourth side
141b: the fifth side
141c: the sixth side

Claims (15)

제1 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임; 및
상기 제1 및 제2 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 캐비티와, 제1 방향으로 대칭되는 외측면에 제1 및 제2 돌출부를 포함하는 몸체를 포함하고,
상기 제1 리드 프레임은 제1 및 제2 리드부를 포함하고, 상기 제1 리드부는 상기 제1 돌출부의 아래에 배치되고,
상기 제2 리드 프레임은 제3 및 제4 리드부를 포함하고, 상기 제3 리드부는 상기 제2 돌출부 아래에 배치되는 발광소자 패키지.
A first lead frame;
A second lead frame spaced apart from the first lead frame; And
A cavity exposing a portion of a top surface of the first and second lead frames; and a body including first and second projections on an outer surface symmetrical in a first direction,
Wherein the first lead frame includes first and second lead portions, the first lead portion is disposed below the first projection,
Wherein the second lead frame includes third and fourth lead portions, and the third lead portion is disposed below the second projecting portion.
제1 항에 있어서,
상기 제1 리드부는 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 상기 제1 돌출부의 너비보다 작거나 같은 너비를 갖는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first lead portion has a width smaller than or equal to a width of the first projection in a second direction orthogonal to the first direction.
제1 항에 있어서,
상기 제1 리드부는 상기 제1 돌출부로부터 외부에 노출된 제1 내지 제3 측부를 포함하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first lead portion includes first to third side portions exposed to the outside from the first projecting portion.
제3 항에 있어서,
상기 제1 측부는 상기 제1 돌출부의 끝단면과 동일 평면상에 배치된 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
And the first side is disposed coplanar with the end surface of the first protrusion.
제3 항에 있어서,
상기 제2 및 제3 측부는 상기 제1 측부로부터 직교하는 방향으로 연장되고, 상기 제1 돌출부의 가장자리와 동일 평면상에 배치되는 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
And the second and third sides extend in a direction orthogonal to the first side, and are disposed on the same plane as the edge of the first projection.
제1 항에 있어서,
상기 제1 리드부는 상기 제2 리드부로부터 연장되고, 상기 제1 및 제2 리드부 사이에는 제1 단차부를 포함하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first lead portion extends from the second lead portion and includes a first step portion between the first and second lead portions.
제1 항에 있어서,
상기 제2 리드부는 상기 몸체의 하부로부터 외부에 노출된 제1 및 제2 바닥부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 바닥부는 서로 상이한 너비를 갖는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second lead portion includes first and second bottom portions exposed to the outside from a lower portion of the body, and the first and second bottom portions have different widths from each other.
제7 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 바닥부를 연결하는 제1 벤딩부를 더 포함하는 발광소자 패키지.
8. The method of claim 7,
And a first bending portion connecting the first and second bottom portions.
제1 항에 있어서,
상기 제3 리드부의 너비는 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 상기 제2 돌출부의 너비보다 작거나 같은 너비를 갖는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein a width of the third lead portion is smaller than or equal to a width of the second projection in a second direction orthogonal to the first direction.
제1 항에 있어서,
상기 제3 리드부는 상기 제2 돌출부로부터 외부에 노출된 제4 내지 제6 측부를 포함하는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And the third lead portion includes fourth to sixth sides exposed to the outside from the second protrusion.
제10 항에 있어서,
상기 제4 측부는 상기 제2 돌출부의 끝단면과 동일 평면상에 배치된 발광소자 패키지.
11. The method of claim 10,
And the fourth side is disposed on the same plane as the end surface of the second protrusion.
제10 항에 있어서,
상기 제5 및 제6 측부는 상기 제4 측부로부터 직교하는 방향으로 연장되고, 상기 제2 돌출부의 가장자리와 동일 평면상에 배치되는 발광소자 패키지.
11. The method of claim 10,
And the fifth and sixth sides extend in a direction orthogonal to the fourth side, and are disposed on the same plane as the edge of the second projection.
제1 항에 있어서,
상기 제4 리드부는 상기 몸체의 하부로부터 외부에 노출된 제3 및 제4 바닥부를 포함하고, 상기 제3 및 제4 바닥부는 서로 상이한 너비를 갖는 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the fourth lead portion includes third and fourth bottom portions exposed to the outside from a lower portion of the body, and the third and fourth bottom portions have different widths from each other.
제13 항에 있어서,
상기 제3 및 제4 바닥부를 연결하는 제2 벤딩부를 더 포함하는 발광소자 패키지.
14. The method of claim 13,
And a second bending portion connecting the third and fourth bottom portions.
제1 내지 제14 항 중 어느 하나의 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치.A lighting device comprising the light emitting device package according to any one of claims 1 to 14.
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