KR101831249B1 - Light emitting package and lighting device having thereof - Google Patents

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Abstract

실시 예는 발광소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.
실시 예의 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임과, 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임과, 제1 및 제2 리드 프레임에 결합되고, 제1 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티, 제2 리드 프레임 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티 및 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 몸체와, 제1 캐비티 내에 배치된 적어도 하나 이상의 발광소자와, 제2 캐비티 내에 배치된 보호소자를 포함하고, 제2 캐비티는 제1 캐비티의 제1 내측면에 배치되고, 제1 내측면은 상기 스페이서의 상면과 연결되고, 제1 캐비티의 바닥면 면적은 몸체 전체 면적의 40% 이하일 수 있다.An embodiment relates to a light emitting device package and a lighting apparatus.
The light emitting device package of the embodiment includes a first lead frame, a second lead frame spaced apart from the first lead frame, a first cavity coupled to the first and second lead frames and configured to expose a part of the upper surface of the first lead frame, A second cavity exposing a portion of the upper surface of the second lead frame, and a spacer disposed between the first and second lead frames; at least one light emitting element disposed in the first cavity; The second cavity is disposed on a first inner side of the first cavity, the first inner side is connected to the upper surface of the spacer, and the bottom surface area of the first cavity is a total area of the body ≪ / RTI >

Description

발광소자 패키지 및 조명 장치{LIGHT EMITTING PACKAGE AND LIGHTING DEVICE HAVING THEREOF}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device package,

실시 예는 발광소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package and a lighting apparatus.

발광 소자(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device (light emitting device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been attracting attention as a next generation light source in place of conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.

실시 예는 광 추출 효율을 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting device capable of improving light extraction efficiency.

실시 예는 광속을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device capable of improving luminous flux.

실시 예의 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임과, 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임과, 제1 및 제2 리드 프레임에 결합되고, 제1 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티, 제2 리드 프레임 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티 및 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 몸체와, 제1 캐비티 내에 배치된 적어도 하나 이상의 발광소자와, 제2 캐비티 내에 배치된 보호소자, 제2 캐비티는 제1 캐비티의 제1 내측면에 배치되고, 제1 내측면은 상기 스페이서의 상면에 연결되고, 제1 캐비티의 바닥면 면적은 몸체 전체 면적의 40% 이하일 수 있다.The light emitting device package of the embodiment includes a first lead frame, a second lead frame spaced apart from the first lead frame, a first cavity coupled to the first and second lead frames and configured to expose a part of the upper surface of the first lead frame, A second cavity exposing a portion of the upper surface of the second lead frame, and a spacer disposed between the first and second lead frames; at least one light emitting element disposed in the first cavity; The first cavity is connected to the upper surface of the spacer, and the bottom surface area of the first cavity is 40% of the total body area of the body, and the second cavity is disposed on the first inner side of the first cavity, ≪ / RTI >

실시 예의 발광소자 패키지는 발광소자가 실장되는 제1 리드 프레임을 노출시키는 제1 캐비티 및 보호소자가 실장되는 제2 리드 프레임을 노출시키는 제2 캐비티를 포함하고, 노출된 상기 제1 리드 프레임의 면적이 몸체의 전체 면적의 20% 내지 40%의 범위를 갖도록 함으로써, 제1 리드 프레임에 흡수되는 광 손실을 개선할 수 있다.The light emitting device package of the embodiment includes a first cavity exposing a first lead frame on which a light emitting device is mounted, and a second cavity exposing a second lead frame on which the light emitting device is mounted, The light loss absorbed by the first lead frame can be improved by having the range of 20% to 40% of the total area of the body.

또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 노출된 제2 리드 프레임의 면적이 몸체의 전체 면적의 3% 내지 10%의 범위를 갖도록 함으로써, 광 손실을 최소화할 수 있다.In addition, in the light emitting device package of the embodiment, the area of the exposed second lead frame has a range of 3% to 10% of the entire area of the body, thereby minimizing light loss.

또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 제2 캐비티의 제5 내측면의 곡률반경(R)이 0.1㎜ 내지 0.3㎜의 범위를 갖도록 함으로써, 발광소자로부터 발광된 광의 전반사를 개선하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Further, in the light emitting device package of the embodiment, the radius of curvature R of the fifth inner side surface of the second cavity is in the range of 0.1 mm to 0.3 mm, thereby improving the total light extraction efficiency of light emitted from the light emitting device, .

또한, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제2 캐비티 내에 보호소자를 덮는 반사 몰딩부가 배치되어 상기 보호소자에 제공되어 손실되는 광을 반사시키므로 광 추출 효율을 더 향상시킬 수 있다.In the light emitting device package according to another embodiment of the present invention, a reflective molding part for covering the protection device is disposed in the second cavity, and the light is provided to the protection device to reflect the lost light, thereby further improving the light extraction efficiency.

또한, 또 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 보호소자 상에 배치된 반사 몰딩부가 발광소자가 배치된 제1 캐비티의 바닥면에 위치한 보호소자의 와이어 본딩부까지 연장될 수 있다. 따라서, 또 다른 실시 예는 제1 캐비티로부터 노출되는 리드 프레임 면적을 줄이고, 와이어 본딩부 및 와이어에 의해 손실되는 광을 반사시켜 광 추출 효율을 더 향상시킬 수 있다.In addition, in the light emitting device package according to another embodiment, the reflective molding part disposed on the protection element can extend to the wire bonding part of the protection element located on the bottom surface of the first cavity in which the light emitting element is disposed. Therefore, another embodiment can further reduce the lead frame area exposed from the first cavity and further improve the light extraction efficiency by reflecting the light lost by the wire bonding portion and the wire.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임의 상부를 도시한 사시도이다.
도 4는 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임의 하부를 도시한 사시도이다.
도 5는 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임을 도시한 평면도이다.
도 6은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8은 비교 예와 제1 실시 예의 광속을 비교한 그래프이다.
도 9는 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 10은 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 11은 제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 12는 제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 13 내지 도 22는 반사 몰딩부의 다른 실시 예들의 발광소자 패키지를 도시한 평면도 또는 단면도이다.
도 23은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 24는 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 25는 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.
도 26은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 다른 예를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a plan view showing a light emitting device package according to the first embodiment.
3 is a perspective view showing an upper portion of the first and second lead frames according to the first embodiment.
4 is a perspective view showing the lower portions of the first and second lead frames according to the first embodiment.
5 is a plan view showing the first and second lead frames according to the first embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device package taken along line I-I 'of FIG. 2;
7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package taken along line II-II 'of FIG.
8 is a graph comparing the luminous fluxes of the comparative example and the first embodiment.
9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to the second embodiment.
10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to the third embodiment.
11 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fourth embodiment.
12 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fifth embodiment.
13 to 22 are a plan view or a cross-sectional view showing the light emitting device package of another embodiment of the reflective molding part.
23 is a cross-sectional view showing a light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.
24 is a cross-sectional view showing another example of the light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.
25 is a perspective view showing a display device including the light emitting device package of the embodiment.
26 is a cross-sectional view showing another example of a display device including the light emitting device package of the embodiment.

실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment, and FIG. 2 is a plan view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.

도 3은 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임의 상부를 도시한 사시도이고, 도 4는 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임의 하부를 도시한 사시도이고, 도 5는 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임을 도시한 평면도이다.FIG. 3 is a perspective view showing the upper portions of the first and second lead frames according to the first embodiment, FIG. 4 is a perspective view showing the lower portions of the first and second lead frames according to the first embodiment, Is a plan view showing the first and second lead frames according to the first embodiment.

도 6은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이고, 도 7은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package taken along line I-I 'of FIG. 2, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package taken along line II-II' of FIG.

도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)는 제1 레드 프레임(170), 제2 리드 프레임(180), 몸체(120), 보호소자(160), 제1 및 제2 발광소자(151, 153)를 포함할 수 있다.1 to 7, the light emitting device package 110 according to the first embodiment includes a first red frame 170, a second lead frame 180, a body 120, a protection element 160, And first and second light emitting devices 151 and 153, respectively.

상기 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 일정 간격 이격되어 상기 몸체(120)와 결합될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(170)에는 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)가 실장될 수 있고, 상기 제2 리드 프레임(180)에는 상기 보호소자(160)가 실장될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(170)의 너비는 상기 제2 리드 프레임(180)의 너비보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 주석(Sn), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first and second lead frames 170 and 180 may be spaced apart from each other and coupled to the body 120. The first and second light emitting devices 151 and 153 may be mounted on the first lead frame 170 and the protection device 160 may be mounted on the second lead frame 180. The width of the first lead frame 170 may be larger than the width of the second lead frame 180, but is not limited thereto. The first and second lead frames 170 and 180 may include a conductive material. For example, the first and second lead frames 170 and 180 may include at least one of titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum (Ta) (Al), tin (Sn), silver (Ag), phosphorous (P), iron (Fe), tin .

상기 제1 리드 프레임(170)은 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)가 실장되는 상부면(170a) 및 상기 몸체(120)의 하부로부터 노출되는 하부면(170b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 및 하부면(170b)은 평탄한 면일 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(170)은 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 상에 배치된 제1 리세스부(171) 및 상기 제1 리드 프레임(170)의 하부면(170b) 상에 배치된 제1 단차부(173)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)으로부터 상기 하부면(170b) 방향으로 오목한 형상일 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 상부면(170a) 가장자리와 인접할 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 링 형태, 사각 띠 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 리세스부(171)는 모서리들이 구부러진 라운드 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 제1 리세스부(171)은 오목한 구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 리세스부(171)의 깊이는 상기 제1 리드 프레임(170)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 리세스부(171)의 깊이는 상기 제1 리드 프레임(170) 두께의 50% 이하일 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 단차부(173)로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 즉, 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 단차부(173)와 수직으로 중첩된 영역을 포함하지 않을 수 있다.The first lead frame 170 may include an upper surface 170a on which the first and second light emitting devices 151 and 153 are mounted and a lower surface 170b exposed from a lower portion of the body 120 have. The upper surface 170a and the lower surface 170b of the first lead frame 170 may be flat. The first lead frame 170 includes a first recess portion 171 disposed on an upper surface 170a of the first lead frame 170 and a lower surface 170b of the first lead frame 170. [ And a first stepped portion 173 disposed on the first stepped portion. The first recess portion 171 may have a concave shape from the upper surface 170a of the first lead frame 170 toward the lower surface 170b. The first recess portion 171 may be adjacent to the edge of the upper surface 170a. The first recess portion 171 may be a ring shape or a rectangular band shape, but is not limited thereto. The first recess portion 171 may have rounded corners, but is not limited thereto. The first recessed portion 171 may increase the contact area with the body 120 to improve the bonding force with the body 120. Further, the first recessed portion 171 can improve the moisture penetration to the outside by the concave structure. The first recess portion 171 may be formed by etching a part of the upper surface 170a of the first lead frame 170, but the present invention is not limited thereto. The depth of the first recess portion 171 may be 50% of the thickness of the first lead frame 170, but is not limited thereto. For example, the depth of the first recess portion 171 may be 50% or less of the thickness of the first lead frame 170. The first recess portion 171 may be spaced apart from the first step portion 173 by a predetermined distance. That is, the first recess portion 171 may not include a region vertically overlapped with the first step portion 173.

상기 제1 리세스부(171)는 몸체(120)로부터 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티(130)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 제1 단차부(173)의 내측에 배치될 수 있다. 구체적으로 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 외측면으로부터 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 5%~30% 내의 영역에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1 리드 프레임(170)의 장축은 X-X'이고, 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축은 Y-Y'이다.The first recess portion 171 may be disposed outside the first cavity 130 to expose a portion of the upper surface of the first lead frame 170 from the body 120. The first recess portion 171 may be disposed inside the first step portion 173. Specifically, the first recess portion 171 may be disposed in an area within 5% to 30% of the minor axis width of the first lead frame 170 from the outer side of the first lead frame 170. Here, the long axis of the first lead frame 170 is X-X ', and the short axis of the first lead frame 170 is Y-Y'.

상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 외측면으로부터 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 5% 미만 영역에 배치되는 경우, 상기 제1 단차부(173)의 너비 및 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 외측면으로부터 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 30% 초과 영역에 배치되는 경우, 제1 캐비티(130)에 일부가 노출되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 예컨대 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비가 1.920㎜일 경우, 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 인접한 외측면으로부터 100㎛ 내지 580㎛ 이격된 영역 내에 배치될 수 있다.When the first recess portion 171 is disposed in an area less than 5% of the minor axis width of the first lead frame 170 from the outer side of the first lead frame 170, the first recess portion 173 And the bonding strength with the body 120 is reduced, and it may be difficult to improve the penetration of external moisture. When the first recess portion 171 is disposed in an area exceeding 30% of the minor axis width of the first lead frame 170 from the outer side surface of the first lead frame 170, A part of it may be exposed to deteriorate the binding force with the body 120, and it may be difficult to improve external moisture penetration. For example, when the minor axis width of the first lead frame 170 is 1.920 mm, the first recess portion 171 may be formed in a region spaced 100 μm to 580 μm from the adjacent outer side surface of the first lead frame 170 .

상기 제1 리세스부(171)는 일정한 너비를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 3%~15%의 너비를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)의 너비가 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 3%미만일 경우, 몸체(120)와 접하는 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)의 너비가 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 15%초과일 경우, 제1 리드 프레임(120)의 강성이 저하될 수 있다. 예컨대 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비가 1.920㎜일 경우, 상기 제1 리세스부(171)의 너비는 50㎛ 내지 290㎛일 수 있다.The first recess portion 171 may include a certain width. For example, the first recess portion 171 may have a width of 3% to 15% of the minor axis width of the first lead frame 170. If the width of the first recess portion 171 is less than 3% of the minor axis width of the first lead frame 170, the contact area with the body 120 becomes small, It may be difficult to improve external moisture penetration. When the width of the first recess portion 171 is greater than 15% of the minor axis width of the first lead frame 170, the rigidity of the first lead frame 120 may be reduced. For example, when the minor axis width of the first lead frame 170 is 1.920 mm, the width of the first recess portion 171 may be 50 μm to 290 μm.

상기 제1 단차부(173)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 하부면(170b) 가장자리에 배치될 수 있다. 상기 제1 단차부(173)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 하부면 가장자리를 따라 연결될 수 있다. 상기 제1 단차부(173)는 리세스 형상일 수 있고, 단면이 계단 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 단차부(173)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제1 단차부(173)은 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제1 단차부(173)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 하부면(170b) 가장자리 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 단차부(173)의 두께는 상기 제1 리드 프레임(170)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 단차부(173)의 두께는 상기 제1 리드 프레임(170) 두께의 50% 이상일 수 있다. 상기 제1 단차부(173)는 상기 제1 리세스부(171)보다 외측에 배치될 수 있다.The first stepped portion 173 may be disposed at an edge of the lower surface 170b of the first lead frame 170. [ The first stepped portion 173 may be connected along the bottom edge of the first lead frame 170. The first stepped portion 173 may have a recessed shape and may have a stepped structure, but the present invention is not limited thereto. The first stepped portion 173 may enlarge a contact area with the body 120 to improve the coupling force with the body 120. In addition, the first stepped portion 173 can improve moisture penetration to the outside by the stepped structure. The first step portion 173 may be formed by etching a part of the lower surface 170b of the first lead frame 170, but the present invention is not limited thereto. The thickness of the first stepped portion 173 may be 50% of the thickness of the first lead frame 170, but is not limited thereto. For example, the thickness of the first stepped portion 173 may be 50% or more of the thickness of the first lead frame 170. The first stepped portion 173 may be disposed outside the first recessed portion 171.

상기 제1 리드 프레임(170)은 외측방향으로 돌출된 제1 돌출부들(177)을 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출부들(177)은 상기 제1 단차부(173)로부터 외측방향으로 돌출될 수 있다. 즉, 상기 제1 돌출부들(177)의 두께는 상기 제1 리드 프레임(170)의 두께보다 얇을 수 있다. 상기 제1 돌출부들(177) 각각의 수평 너비는 서로 상이할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 돌출부들(177)의 끝단은 상기 몸체(120)의 외측면으로부터 외부에 노출될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 단위 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 금속 프레임(미도시)을 프레스로 가공하여 다수의 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)이 연결된 상태에서 몸체(120)의 사출공정 후에 분리될 수 있다. 즉, 다수의 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 서로 연결된 상기 몸체(120)를 결합하기 위한 사출공정이 진행되므로 다수의 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)을 서로 연결하기 위한 행거(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출부들(177)은 단위 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)으로 분리하는 공정에서 상기 제1 리드 프레임(170)에 연결된 상기 행거의 일부일 수 있다.The first lead frame 170 may include first protrusions 177 protruding outwardly. The first protrusions 177 may protrude outward from the first step 173. That is, the thickness of the first protrusions 177 may be thinner than the thickness of the first lead frame 170. The horizontal widths of the first projections 177 may be different from each other, but the present invention is not limited thereto. The ends of the first protrusions 177 may be exposed to the outside from the outer surface of the body 120. Although not shown in the drawing, the unit first and second lead frames 170 and 180 are formed by pressing a metal frame (not shown) into a plurality of first and second lead frames 170 and 180, Can be separated after the injection process of the mold 120. That is, since the plurality of first and second lead frames 170 and 180 are connected to each other by the injection process for coupling the body 120, a plurality of first and second lead frames 170 and 180 are connected to each other And a hanger (not shown). The first protrusions 177 may be part of the hanger connected to the first lead frame 170 in the process of separating into the first and second lead frames 170 and 180.

상기 제2 리드 프레임(180)은 상기 보호소자(160)가 실장되는 상부면(180a) 및 상기 몸체(120)의 하부로부터 노출되는 하부면(180b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 및 하부면(180b)은 평탄한 면일 수 있다. 상기 제2 리드 프레임(180)은 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 상에 배치된 제2 리세스부(181) 및 상기 제2 리드 프레임(180)의 하부면(180b) 상에 배치된 제2 단차부(183)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a)으로부터 상기 하부면(180b) 방향으로 오목한 형상일 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 가장자리와 인접할 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 길이방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 양끝단이 구부러진 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 리세스부(181)는 서로 마주보도록 구부러진 양끝단을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 제2 리세스부(181)은 오목한 구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 리세스부(181)의 깊이는 상기 제2 리드 프레임(180)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제2 리세스부(181)의 깊이는 상기 제2 리드 프레임(180) 두께의 50% 이하일 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 단차부(183)로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 즉, 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 단차부(183)와 수직으로 중첩된 영역을 포함하지 않을 수 있다.The second lead frame 180 may include a top surface 180a on which the protection element 160 is mounted and a bottom surface 180b exposed from the bottom of the body 120. [ The upper surface 180a and the lower surface 180b of the second lead frame 180 may be flat. The second lead frame 180 includes a second recess 181 disposed on the upper surface 180a of the second lead frame 180 and a lower surface 180b of the second lead frame 180. [ And a second stepped portion 183 disposed on the second stepped portion 183. The second recess portion 181 may have a concave shape from the upper surface 180a of the second lead frame 180 toward the lower surface 180b. The second recess portion 181 may be adjacent to an edge of the upper surface 180a of the second lead frame 180. [ The second recess portion 181 may be disposed in parallel with the longitudinal direction of the second lead frame 180. The second recess portion 181 may have a curved shape at both ends, but the present invention is not limited thereto. The second recess portion 181 may include both ends bent to face each other, but the present invention is not limited thereto. The second recess portion 181 may enlarge a contact area with the body 120 to improve the coupling strength with the body 120. Further, the second recess portion 181 can improve the moisture penetration to the outside by the concave structure. The second recess portion 181 may be formed by etching a part of the upper surface 180a of the second lead frame 180, but the present invention is not limited thereto. The depth of the second recess portion 181 may be 50% of the thickness of the second lead frame 180, but is not limited thereto. For example, the depth of the second recess portion 181 may be 50% or less of the thickness of the second lead frame 180. The second recess portion 181 may be spaced apart from the second step portion 183 by a predetermined distance. That is, the second recess portion 181 may not include a region vertically overlapped with the second step portion 183.

상기 제2 리세스부(181)는 몸체(120)로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티(140)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 제2 단차부(183)의 내측에 배치될 수 있다. 구체적으로 상기 제2 리세스부(181)의 양끝단(180e)은 상기 제1 리드 프레임(170)으로부터 가장 먼 상기 제2 리드 프레임(180)의 외측면으로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 15%~85% 내의 영역에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제2 리드 프레임(180)의 장축은 X-X'이고, 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축은 Y-Y'이다.The second recess portion 181 may be disposed outside the second cavity 140 exposing a portion of the upper surface of the second lead frame 180 from the body 120. The second recess portion 181 may be disposed inside the second step portion 183. More specifically, both ends 180e of the second recess portion 181 extend from the outer surface of the second lead frame 180 farthest from the first lead frame 170 to the outer surface of the second lead frame 180 Can be placed in an area within 15% to 85% of the shortening width. Here, the long axis of the second lead frame 180 is X-X ', and the short axis of the second lead frame 180 is Y-Y'.

상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 외측면으로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 15% 미만 영역에 배치되는 경우, 상기 제2 단차부(183)의 너비 및 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 외측면으로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 85% 초과 영역에 배치되는 경우, 제2 캐비티(140)에 일부가 노출되거나, 상기 제2 단차부(183)의 너비 및 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 예컨대 상기 제1 리드 프레임(180)의 단축 너비가 0.680㎜일 경우, 상기 제2 리세스부(181)의 양끝단(180e)은 상기 제1 리드 프레임(170)으로부터 가장 먼 상기 제2 리드 프레임(180)의 외측면으로부터 100㎛ 내지 580㎛ 이격된 영역 내에 배치될 수 있다.When the second recess portion 181 is disposed in an area of less than 15% of the minor axis width of the second lead frame 180 from the outer side of the second lead frame 180, the second step portion 183 And the bonding strength with the body 120 is reduced, and it may be difficult to improve the penetration of external moisture. When the second recess portion 181 is disposed in an area exceeding 85% of the minor axis width of the second lead frame 180 from the outer side of the second lead frame 180, The width and the area of the second stepped portion 183 are reduced, and the bonding force with the body 120 is reduced, and it may be difficult to improve the penetration of external moisture. For example, when the minor axis width of the first lead frame 180 is 0.680 mm, both ends 180e of the second recess portion 181 are spaced apart from the first lead frame 170, May be disposed in an area spaced 100 占 퐉 to 580 占 퐉 from the outer surface of the base plate 180.

상기 제2 리세스부(181)는 일정한 너비를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 7%~43%의 너비를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)의 너비가 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 7%미만일 경우, 몸체(120)와 접하는 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)의 너비가 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 43%초과일 경우, 제2 리드 프레임(180)의 강성이 저하될 수 있다. 예컨대 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비가 0.680㎜일 경우, 상기 제2 리세스부(181)의 너비는 50㎛ 내지 290㎛일 수 있다.The second recess 181 may have a certain width. For example, the second recess portion 181 may have a width of 7% to 43% of the minor axis width of the second lead frame 180. If the width of the second recess portion 181 is less than 7% of the minor axis width of the second lead frame 180, the contact area with the body 120 becomes small, It may be difficult to improve external moisture penetration. When the width of the second recess portion 181 exceeds 43% of the minor axis width of the second lead frame 180, the rigidity of the second lead frame 180 may be reduced. For example, when the minor axis width of the second lead frame 180 is 0.680 mm, the width of the second recess portion 181 may be 50 μm to 290 μm.

상기 제2 리세스부(181)의 중심부(C)를 기준으로 상기 제2 리드 프레임(180)의 장축(X-X')으로 직선부(181l), 굴곡부(181c) 및 양끝단(181e)을 포함할 수 있다. 상기 굴곡부(181c)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 제2 방향(Y)으로부터 구부러질 수 있다. 상기 굴곡부(181c)는 상기 직선부(181l)로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 굴곡부(181c)는 상기 제2 리세스부(181)의 중심부(C)로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 장축(X-X') 방향으로 상기 제2 리세스부(181) 장축 길이 또는 너비의 20% 내지 80% 내에 배치될 수 있다. 예컨대 상기 굴곡부(181c)와 직선부(181l)의 경계영역(181b)은 상기 제2 리세스부(181)의 중심부(C)로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 장축(X-X') 방향으로 상기 제2 리세스부(181)의 20% 내지 80% 내에 배치될 수 있다.A straight portion 181l, a bent portion 181c, and both ends 181e are formed on the long axis X-X 'of the second lead frame 180 with respect to the center portion C of the second recess portion 181, . ≪ / RTI > The bent portion 181c may be bent from the second minor axis direction Y of the second lead frame 180. [ The bent portion 181c may be spaced apart from the straight portion 181l by a predetermined distance. The bent portion 181c is formed to extend from the central portion C of the second recess portion 181 in the longitudinal direction X-X 'of the second lead frame 180 to the long axis length of the second recess portion 181 Or 20% to 80% of the width. The boundary region 181b between the bent portion 181c and the linear portion 181l extends from the central portion C of the second recess portion 181 to the long axis X-X 'of the second lead frame 180, Of the second recess portion 181 in the direction of the second recess portion 181.

상기 제2 단차부(183)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 하부면(180b) 가장자리에 배치될 수 있다. 상기 제2 단차부(183)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 하부면 가장자리를 따라 연결될 수 있다. 상기 제2 단차부(183)는 리세스 형상일 수 있고, 단면이 계단 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 단차부(183)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제2 단차부(183)은 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제2단차부(183)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 하부면(180b) 가장자리 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 단차부(183)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(180)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제2 단차부(183)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(180) 두께의 50% 이상일 수 있다. 상기 제2 단차부(183)는 상기 제2 리세스부(181)보다 외각에 배치될 수 있다.The second stepped portion 183 may be disposed at an edge of the lower surface 180b of the second lead frame 180. [ The second stepped portion 183 may be connected along the bottom edge of the second lead frame 180. The second stepped portion 183 may have a recessed shape and may have a stepped structure, but the present invention is not limited thereto. The second stepped portion 183 may enlarge a contact area with the body 120 to improve the coupling strength with the body 120. In addition, the second stepped portion 183 can improve moisture penetration to the outside by the stepped structure. The second stepped portion 183 may be formed by etching a part of the edge of the lower surface 180b of the second lead frame 180, but the present invention is not limited thereto. The thickness of the second stepped portion 183 may be 50% of the thickness of the second lead frame 180, but is not limited thereto. For example, the thickness of the second stepped portion 183 may be 50% or more of the thickness of the second lead frame 180. The second stepped portion 183 may be disposed at an outer angle with respect to the second recessed portion 181.

상기 제2 리드 프레임(180)은 외측방향으로 돌출된 제2 돌출부들(187)을 포함할 수 있다. 상기 제2 돌출부들(187)은 상기 제3 단차부(183)로부터 외측방향으로 돌출될 수 있다. 즉, 상기 제2 돌출부들(187)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(180)의 두께보다 얇을 수 있다. 상기 제2 돌출부들(187) 각각의 수평 너비는 서로 상이할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 돌출부들(187)의 끝단은 상기 몸체(120)의 외측면으로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제2 돌출부들(187)은 단위 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)으로 분리하는 공정에서 상기 제2 리드 프레임(180)에 연결된 상기 행거의 일부일 수 있다.The second lead frame 180 may include second protrusions 187 protruding outwardly. The second protrusions 187 may protrude outward from the third step 183. That is, the thickness of the second projections 187 may be thinner than the thickness of the second lead frame 180. The horizontal width of each of the second projections 187 may be different from each other, but is not limited thereto. The ends of the second protrusions 187 may be exposed to the outside from the outer surface of the body 120. The second protrusions 187 may be part of the hanger connected to the second lead frame 180 in a process of separating into unit first and second lead frames 170 and 180.

상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 상기 제1 리드 프레임(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 상기 몸체(120)로부터 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 실시 예의 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 서로 직렬 연결된 2개의 구성을 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 단일 구성일 수 있고, 어레이 형태로 구성될 수도 있고, 3개 이상으로 구성될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 와이어(W)를 통해서 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 서로 이격되고, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 몸체(120)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면 상에서 상기 제1 리드 프레임(170)의 대각선 방향으로 대칭되게 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first and second light emitting devices 151 and 153 may be disposed on the first lead frame 170. The first and second light emitting devices 151 and 153 may be disposed on the upper surface of the first lead frame 170 exposed from the body 120. Although the first and second light emitting devices 151 and 153 of the embodiment are limited to the two structures connected in series, the present invention is not limited thereto. The first and second light emitting devices 151 and 153 may have a single structure, Or more. The first and second light emitting devices 151 and 153 may be connected through a wire W, but the present invention is not limited thereto. The first and second light emitting devices 151 and 153 are spaced apart from each other and the first and second light emitting devices 151 and 153 are formed on the upper surface of the first lead frame 170 exposed from the body 120 But may be arranged symmetrically with respect to the diagonal direction of the first lead frame 170. However, the present invention is not limited thereto.

상기 보호소자(160)는 상기 제2 리드 프레임(180) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자(160)는 상기 몸체(120)로부터 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자(160)는 제너 다이오드, 사이리스터(Thyristor), TVS(Transient Voltage Suppression) 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예의 보호소자(160)는 ESD(Electro Static Discharge)로부터 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)를 보호하는 제너 다이오드를 일예로 설명하도록 한다. 상기 보호소자(160)는 와이어(W)를 통해서 상기 제1 리드 프레임(170)과 연결될 수 있다.The protection element 160 may be disposed on the second lead frame 180. The protection element 160 may be disposed on the upper surface of the second lead frame 180 exposed from the body 120. The protection device 160 may be a zener diode, a thyristor, a TVS (Transient Voltage Suppression), or the like, but is not limited thereto. The protection device 160 of the embodiment will be described as an example of a zener diode that protects the first and second light emitting devices 151 and 153 from ESD (Electro Static Discharge). The protection element 160 may be connected to the first lead frame 170 through a wire W. [

상기 몸체(120)는 투광성 재질, 반사성 재질, 절연성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 방출된 광에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 수지 계열의 절연 물질일 수 있다. 상기 몸체(120)는 예컨대 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 에폭시 또는 실리콘 재질과 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(120)는 일정한 곡률을 갖는 외측면 또는 각진 면을 갖는 외측면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 예컨대 탑뷰 형상이 원형 또는 다각형 형상일 수 있다. 실시 예의 몸체(120)는 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)을 포함하는 다각형 형상을 일 예로 설명하도록 한다.The body 120 may include at least one of a light transmitting material, a reflective material, and an insulating material. For the light emitted from the first and second light emitting devices 151 and 153, the body 120 may include a material whose reflectance is higher than transmittance. The body 120 may be a resin-based insulating material. The body 120 is for example, polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), a resin material, a silicone such as an epoxy or silicone (Si), metallic material, PSG (photo sensitive glass), sapphire (Al 2 O 3), a printed circuit And a substrate (PCB). The body 120 may include an outer surface having a constant curvature or an outer surface having an angular surface. The body 120 may have a circular or polygonal top view, for example. The body 120 of the embodiment will be described by taking a polygonal shape including the first to fourth outer sides 121 to 124 as an example.

상기 몸체(120)는 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)과 결합될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티(130)를 포함할 수 있다. The body 120 may be coupled to the first and second lead frames 170 and 180. The body 120 may include a first cavity 130 exposing a portion of the upper surface of the first lead frame 170.

상기 몸체(120)는 상기 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180) 사이에 배치된 스페이서(126)를 포함할 수 있다. 상기 스페이서(126)는 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 배치될 수 있다. 상기 스페이서(126)는 서로 대면되는 상기 제1 및 제2 단차부(173, 183)와 나란하게 배치될 수 있다. 상기 스페이서(126)는 상기 제1 및 제2 단차부(173, 183)와 직접 접할 수 있다. 상기 스페이서(126)는 절연 물질일 수 있고, 상기 몸체(120)의 일부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 스페이서(126)는 상기 제1 및 제2 단차부(173, 183)의 단자구조와 대응되는 단차구조를 포함한다. 즉, 상기 스페이서(126)는 단면이 수평으로 대칭되는 계단구조일 수 있다. 상기 스페이서(126)는 상기 제1 및 제2 단차부(173, 183)와 접하는 단차구조에 의해 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)과의 접촉 면적이 증가하므로 결합력이 향상될 수 있고, 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.The body 120 may include spacers 126 disposed between the first and second lead frames 170 and 180. The spacer 126 may be disposed on the bottom surface of the first cavity 130. The spacers 126 may be disposed in parallel with the first and second stepped portions 173 and 183 facing each other. The spacer 126 may be in direct contact with the first and second stepped portions 173 and 183. The spacer 126 may be an insulating material and may be part of the body 120, but is not limited thereto. The spacer 126 includes a step structure corresponding to the terminal structure of the first and second step portions 173 and 183. That is, the spacer 126 may have a step structure in which the cross section is horizontally symmetrical. Since the contact area of the spacer 126 with the first and second lead frames 170 and 180 is increased by the step structure in contact with the first and second stepped portions 173 and 183, , It is possible to improve the moisture penetration of the outside.

상기 제1 캐비티(130)는 상기 제1 리드 프레임(170)을 노출시키는 바닥면 및 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 가장자리를 따라 위치한 제1 내지 제4 내측면(131 내지 134)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내측면(131)은 상기 제3 내측면(133)과 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 제2 내측면(132)은 상기 제4 내측면(134)과 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제4 내측면(131 내지 134)은 상기 몸체(120)의 바닥면으로부터 경사지게 배치될 수 있다.The first cavity 130 includes first to fourth inner sides 131 to 134 located along the bottom surface of the first lead frame 170 and the exposed first lead frame 170, . The first inner side surface 131 may be disposed to face the third inner side surface 133. The second inner side surface 132 may be disposed to face the fourth inner side surface 134. The first to fourth inner side surfaces 131 to 134 may be inclined from the bottom surface of the body 120.

상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 40% 이하일 수 있다. 예컨대 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 20% 내지 40%일 수 있다. 구체적으로 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 12% 내지 26%일 수 있다. 예컨대 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적이 3.0㎜ x 3.0㎜ 기준일 경우, 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적은 1.390㎜ x 0.840㎜ 내지 1.390㎜ x 1.680㎜일 수 있다.The area of the first lead frame 170 exposed on the bottom surface of the first cavity 130 may be 40% or less of the area enclosed by the first to fourth outer surfaces 121 to 124 of the body 120 . The area of the first lead frame 170 exposed on the bottom surface of the first cavity 130 may be 20% or more of the area surrounded by the first to fourth outer surfaces 121 to 124 of the body 120, To 40%. Specifically, the area of the first lead frame 170 exposed on the bottom surface of the first cavity 130 is equal to the area of the area surrounded by the first to fourth outer surfaces 121 to 124 of the body 120 % ≪ / RTI > to 26%. The first lead frame 130 exposed on the bottom surface of the first cavity 130 may be exposed when the area surrounded by the first through fourth outer surfaces 121 through 124 of the body 120 is 3.0 mm x 3.0 mm, The area of the protrusion 170 may be 1.390 mm x 0.840 mm to 1.390 mm x 1.680 mm.

실시 예는 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적을 상기 몸체(120)의 전체 면적의 20% 내지 40%의 범위를 갖도록 함으로써, 상기 제1 리드 프레임(170)에 흡수되는 광 손실을 개선할 수 있고, 광 추출 효율을 향상시켜 광속을 증가시킬 수 있다. 상기 제1 캐비티(130)의 면적이 20% 미만일 경우, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)의 실장을 위한 공간 제약으로 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)의 실장 공정상의 문제를 야기할 수 있다. 상기 제1 캐비티(130)의 면적이 40% 초과일 경우, 상기 제1 내지 제4 내벽면(131 내지 134)의 면적이 감소하므로 반사율이 저하될 수 있고, 상기 제1 리드 프레임(170)의 노출 면적이 증가하여 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)의 광이 상기 제1 리드 프레임(170)에 흡수되므로 광 손실에 의해 광 추출이 저하될 수 있다.The first lead frame 170 exposed on the bottom surface of the first cavity 130 may have an area ranging from 20% to 40% of the entire area of the body 120, The light loss absorbed by the lead frame 170 can be improved, and the light extraction efficiency can be improved and the light flux can be increased. When the area of the first cavity 130 is less than 20%, the mounting of the first and second light emitting devices 151 and 153 may be limited due to space limitation for mounting the first and second light emitting devices 151 and 153, It may cause a problem in the process. When the area of the first cavity 130 is more than 40%, the area of the first to fourth inner wall surfaces 131 to 134 is reduced, so that the reflectance may be lowered. Since light of the first and second light emitting devices 151 and 153 is absorbed by the first lead frame 170 due to an increase in the exposed area, light extraction may be deteriorated due to light loss.

실시 예는 제1 캐비티(130)의 서로 마주보는 제1 및 제3 내측면(131, 133)은 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면에 대해 서로 상이한 경사각을 가질 수 있다. 상기 제1 내측면(131)의 경사각(θ1)은 상기 제3 내측면(133)의 경사각(θ2)보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first and third inner side surfaces 131 and 133 of the first cavity 130 may have mutually different inclination angles with respect to the upper surface of the first lead frame 170. [ The inclination angle? 1 of the first inner side surface 131 may be larger than the inclination angle? 2 of the third inner side surface 133, but the present invention is not limited thereto.

실시 예는 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적에 따라 서로 마주보는 상기 제1 내측면(131)의 경사각(θ1) 및 상기 제3 내측면(133)의 경사각(θ2)이 결정될 수 있다. 예컨대 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적이 상기 몸체(120)의 전체 면적의 20%에서 30%로 증가할 경우, 상기 제1 내측면(131)의 경사각(θ1)은 160도에서 156도로 작아지고, 상기 제3 내측면(133)의 경사각(θ2)은 140도에서 119도로 작아질 수 있다.The inclination angle? 1 of the first inner side surface 131 and the inclination angle? 1 of the second inner side surface 131 facing each other according to the area of the first lead frame 170 exposed on the bottom surface of the first cavity 130, The inclination angle [theta] 2 of the inclined surface 133 can be determined. For example, when the area of the first lead frame 170 exposed on the bottom surface of the first cavity 130 increases from 20% to 30% of the total area of the body 120, 1 may be reduced from 160 degrees to 156 degrees and the inclination angle 2 of the third inner side surface 133 may be reduced from 140 degrees to 119 degrees.

상기 제2 및 제4 내측면(132, 134)은 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면에 대해 서로 동일한 경사각을 가질 수 있다. 상기 제2 내측면(132)의 경사각(θ3)은 상기 제4 내측면(134)의 경사각(θ4)과 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second and fourth inner sides 132 and 134 may have the same inclination angle with respect to the upper surface of the first lead frame 170. The inclination angle 3 of the second inner side surface 132 may be the same as the inclination angle 4 of the fourth inner side surface 134, but is not limited thereto.

상기 몸체(120)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티(140)를 포함할 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131) 상에 위치할 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)는 상기 제1 내측면(131)을 관통하여 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 일부를 노출시킬 수 있다. 예컨대 상기 제1 캐비티(140)의 탑뷰 형상은 원형, 타원, 다각 형상일 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 20% 이하일 수 있다. 예컨대 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 3% 내지 20%일 수 있다. 실시 예는 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적을 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 3% 내지 20%의 범위를 갖도록 함으로써, 상기 제2 리드 프레임(180)에 흡수되는 광 손실을 개선할 수 있고, 광 추출 효율을 향상시켜 광속을 증가시킬 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)의 면적이 3% 미만일 경우, 상기 보호소자(160)의 실장을 위한 공간 제약으로 상기 보호소자(160)의 실장 공정상의 문제를 야기할 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)의 면적이 20% 초과일 경우, 반사율이 저하되어 광 손실에 의해 광 추출이 저하될 수 있다. 예컨대 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적이 3.0㎜ x 3.0㎜ 기준일 경우, 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적은 0.350㎜ x 0.140㎜ 내지 2.0내지 1.390㎜ x 1.680㎜일 수 있다. The body 120 may include a second cavity 140 exposing a portion of the upper surface of the second lead frame 180. The second cavity 140 may be located on the first inner side 131 of the first cavity 130. The second cavity 140 may expose a portion of the upper surface of the second lead frame 180 through the first inner side surface 131. For example, the top view shape of the first cavity 140 may be circular, elliptical, or polygonal. The area of the second lead frame 180 exposed on the bottom surface of the second cavity 140 may be 20% or less of the area enclosed by the first to fourth outer surfaces 121 to 124 of the body 120 . The area of the second lead frame 180 exposed on the bottom surface of the second cavity 140 is less than 3% of the area surrounded by the first to fourth outer surfaces 121 to 124 of the body 120, To 20%. The embodiment is characterized in that the area of the second lead frame 180 exposed on the bottom surface of the second cavity 140 is larger than the area of the first through fourth outer surfaces 121 to 124 of the body 120 3% to 20%, the light loss absorbed by the second lead frame 180 can be improved, and the light extraction efficiency can be improved and the light flux can be increased. If the area of the second cavity 140 is less than 3%, there is a space restriction for mounting the protection device 160, which may cause a problem in the mounting process of the protection device 160. If the area of the second cavity 140 is more than 20%, the reflectance may be lowered and the light extraction may be deteriorated by the light loss. When the area surrounded by the first to fourth outer surfaces 121 to 124 of the body 120 is 3.0 mm x 3.0 mm, the second lead frame 130 exposed on the bottom surface of the second cavity 140, The area of the protrusions 180 may be 0.350 mm x 0.140 mm to 2.0 to 1.390 mm x 1.680 mm.

상기 제2 캐비티(140)는 상기 제2 리드 프레임(180)을 노출시키는 바닥면 및 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 가장자리를 따라 위치한 제5 내지 제8 내측면(141 내지 144)을 포함할 수 있다. 상기 제5 내측면(141)은 상기 제7 내측면(143)과 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 제5 내측면(141)은 상기 제7 내측면(143)보다 높은 높이를 가질 수 있다. 상기 제6 내측면(142)은 상기 제8 내측면(144)과 마주보도록 배치될 수 있다.The second cavity 140 has a bottom surface exposing the second lead frame 180 and fifth through eighth inner sides 141-144 positioned along the exposed edges of the second lead frame 180 . The fifth inner side surface 141 may be disposed to face the seventh inner side surface 143. The fifth inner side surface 141 may have a height higher than the seventh inner side surface 143. The sixth inner side surface 142 may be disposed to face the eighth inner side surface 144.

상기 제5 내측면(141)은 상기 제1 내측면(131) 상에서 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광을 다양한 방향으로 반사시킬 수 있도록 일정한 곡률반경(R)을 가질 수 있다. 예컨대 상기 제5 내측면(141)의 곡률반경(R)은 0.1㎜ 내지 0.3㎜ 범위일 수 있다. 상기 제5 내측면(141)의 곡률반경(R)은 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광의 전반사를 개선하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 제5 내측면(141)의 곡률반경(R)이 0.1㎜ 미만일 경우, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광은 임계각에 의해 전반사되므로 광 손실을 야기할 수 있다. 상기 제5 내측면(141)의 곡률반경(R)이 0.3㎜ 초과일 경우, 상기 몸체(120)의 두께와 높이에 제한으로 공정 상의 문제를 야기할 수 있다.The fifth inner side surface 141 has a predetermined radius of curvature R so as to reflect light emitted from the first and second light emitting devices 151 and 153 in various directions on the first inner side surface 131 Lt; / RTI > For example, the radius R of curvature of the fifth inner surface 141 may range from 0.1 mm to 0.3 mm. The radius of curvature R of the fifth inner side surface 141 may improve the light extraction efficiency by improving the total reflection of the light emitted from the first and second light emitting devices 151 and 153. When the radius R of curvature of the fifth inner side surface 141 is less than 0.1 mm, light emitted from the first and second light emitting devices 151 and 153 is totally reflected by the critical angle, . If the radius R of curvature of the fifth inner side surface 141 is more than 0.3 mm, the thickness and the height of the body 120 may limit the process.

상기 제6 내지 제8 내측면(142 내지 144)은 일정한 곡률을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제6 내지 제8 내측면(142 내지 144)은 상기 제1 내측면(131)과의 경계영역에만 곡률을 가질 수 있고, 상기 제5 내측면(141)과 대응되는 곡률을 가질 수도 있다. 또한, 상기 제6 내지 제8 내측면(142 내지 144) 각각의 곡률은 서로 상이할 수 있다.The sixth to eighth inner surfaces 142 to 144 may have a constant curvature, but are not limited thereto. For example, the sixth to eighth inner side surfaces 142 to 144 may have a curvature only in a boundary region with the first inner side surface 131, and may have a curvature corresponding to the fifth inner side surface 141 . In addition, the curvatures of the sixth to eighth inner sides 142 to 144 may be different from each other.

상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170) 사이에는 경계부(131a)가 배치될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 제2 캐비티(140)의 제7 내측면(143)과 연결될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 스페이서(126) 상에 배치될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 스페이서(126)와 수직으로 중첩될 수 있다.A boundary 131a may be disposed between the second cavity 140 and the first lead frame 170 exposed from the first cavity 130. [ The boundary portion 131a may be disposed in the first inner side surface 131. The boundary portion 131a may be connected to the seventh inner side surface 143 of the second cavity 140. The boundary 131a may be disposed on the spacer 126. The boundary 131a may be vertically overlapped with the spacer 126.

상기 경계부(131a)는 상기 보호소자(160)와 마주보는 내측이 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가질 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 보호소자(160)와 마주보는 내측이 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가지므로 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광이 상기 보호소자(160)에 직접 제공되어 손실되는 문제를 개선할 수 있다. 예컨대 상기 경계부(131a)의 높이(H)는 100㎛ 내지 300㎛일 수 있고, 상기 보호소자(160)의 높이는 100㎛ 미만일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 경계부(131a)의 높이(H)가 300㎛ 초과일 경우, 상기 보호소자(160)와 상기 제1 리드 프레임(170) 사이를 연결하는 와이어(W) 연결 공정이 어려울 수 있다.The boundary portion 131a may have a height H which is higher than the protection element 160 on the inner side facing the protection element 160. [ Since the inside of the boundary 131a facing the protection element 160 has a higher height H than the protection element 160, the light emitted from the first and second light emitting elements 151 and 153 The problem of being directly provided to the protection element 160 and lost can be solved. For example, the height H of the boundary portion 131a may be 100 to 300 占 퐉, and the height of the protection element 160 may be less than 100 占 퐉, but the present invention is not limited thereto. If the height H of the boundary portion 131a is more than 300 mu m, it may be difficult to connect the wire W connecting the protection element 160 and the first lead frame 170. [

제1 실시 예의 발광소자 패키지(110)는 상기 제1 및 제2 발광 소자(151, 153)가 실장되는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면을 노출시키는 상기 제1 캐비티(130) 및 상기 보호소자(160)가 실장되는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면을 노출시키는 상기 제2 캐비티(140)를 포함하고, 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적이 상기 몸체(120)의 전체 면적의 20% 내지 40%의 범위를 갖도록 함으로써, 상기 제1 리드 프레임(170)에 흡수되는 광 손실을 개선할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광소자 패키지(110)는 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적이 상기 몸체(120)의 전체 면적의 3% 내지 10%의 범위를 갖도록 함으로써, 제2 캐비티(140)에 의한 광 손실을 최소화할 수 있다.The light emitting device package 110 of the first embodiment includes the first cavity 130 and the second cavity 130 exposing the upper surface of the first lead frame 170 on which the first and second light emitting devices 151 and 153 are mounted, And a second cavity (140) exposing an upper surface of the second lead frame (180) on which the protection element (160) is mounted. The first cavity (130) exposed on the bottom surface of the first cavity The light loss absorbed by the first lead frame 170 can be improved by making the area of the frame 170 to be in the range of 20% to 40% of the total area of the body 120. In the light emitting device package 110 of the embodiment, the area of the second lead frame 180 exposed on the bottom surface of the second cavity 140 is 3% to 10% of the total area of the body 120 The optical loss due to the second cavity 140 can be minimized.

제1 실시 예의 발광소자 패키지(110)는 상기 제2 캐비티(140)의 제5 내측면(141)의 곡률반경(R)이 0.1㎜ 내지 0.3㎜의 범위를 갖도록 함으로써, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광의 전반사를 개선하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device package 110 of the first embodiment has a radius of curvature R of the fifth inner side surface 141 of the second cavity 140 in the range of 0.1 mm to 0.3 mm, It is possible to improve the light extraction efficiency by improving the total reflection of the light emitted from the light emitting elements 151 and 153.

도 8은 비교 예와 제1 실시 예의 광속을 비교한 그래프이다.8 is a graph comparing the luminous fluxes of the comparative example and the first embodiment.

도 8에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예는 비교 예보다 광속이 3.6% 이상 향상될 수 있다.As shown in FIG. 8, the luminous flux of the first embodiment can be improved by 3.6% or more as compared with the comparative example.

상기 비교 예는 하나의 캐비티를 갖는 몸체와, 상기 캐비티의 바닥면에 노출된 제1 및 제2 리드 프레임을 포함하고, 노출된 제1 및 제2 리드 프레임의 면적이 몸체의 전체 면적의 50%를 초과하는 구조일 수 있다.The comparative example includes a body having one cavity and first and second lead frames exposed on a bottom surface of the cavity, wherein an area of the exposed first and second lead frames is 50% ≪ / RTI >

상기 실시 예는 도 1 내지 도 7의 기술적 특징을 채용한 발광소자 패키지이다.The above embodiment is a light emitting device package adopting the technical features of Figs.

도 9는 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to the second embodiment.

도 9에 도시된 바와 같이, 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 경계부(231a)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 9, the light emitting device package according to the second embodiment may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7, except for the boundary portion 231a.

상기 경계부(231a)는 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다. 상기 경계부(231a)는 스페이서(126) 상에 배치되고, 상기 스페이서(126)와 접하는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 일부 및 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 경계부(231a)는 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가질 수 있다. 상기 경계부(231a)는 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가지므로 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광이 상기 보호소자(160)에 직접 제공되어 손실되는 문제를 개선할 수 있다. The boundary portion 231a may be disposed in the first inner side surface 131. The boundary portion 231a is disposed on the spacer 126 and includes a portion of the upper surface 170a of the first lead frame 170 and a portion of the upper surface 180a of the second lead frame 180, And may be disposed on a part thereof. The boundary portion 231a may have a height H higher than that of the protection element 160. Since the boundary portion 231a has a height H higher than the protection element 160, the light emitted from the first and second light emitting devices 151 and 153 is directly supplied to the protection element 160, The problem can be solved.

상기 경계부(231a)의 단축방향의 일끝단은 상기 스페이서(126)의 단축방향의 일끝단보다 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 경계부(231a)의 단축방향의 다른 끝단은 상기 스페이서(126)의 단축방향의 다른 끝단보다 상기 보호소자(160)에 더 인접하게 배치될 수 있다.One end of the boundary portion 231a in the minor axis direction may be disposed closer to the first and second light emitting devices 151 and 153 than one end of the spacer 126 in the short axis direction. The other end in the minor axis direction of the boundary portion 231a may be disposed closer to the protection element 160 than the other end in the minor axis direction of the spacer 126. [

상기 경계부(231a)의 단축방향의 너비(D1)는 상기 스페이서(126)의 단축방향의 너비(D2) 이상일 수 있다. 상기 경계부(231a)의 단축방향의 너비(D1)는 상기 스페이서(126)의 하부면 단축방향의 너비(D2) 이상일 수 있다. 상기 경계부(231a)는 절연 물질일 수 있고, 몸체(120)의 일부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 경계부(231a)는 상기 스페이서(126)와 동일한 물질일 수 있다.The width D1 in the minor axis direction of the boundary portion 231a may be equal to or greater than the width D2 of the spacer 126 in the minor axis direction. The width D1 in the minor axis direction of the boundary portion 231a may be greater than the width D2 in the minor axis direction of the lower surface of the spacer 126. [ The boundary portion 231a may be an insulating material and may be a part of the body 120, but is not limited thereto. For example, the boundary portion 231a may be the same material as the spacer 126.

제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 스페이서(126)를 덮는 경계부(231a)의 구조에 의해 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있고, 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.The light emitting device package according to the second embodiment can increase the contact area with the body 120 by increasing the contact area with the body 120 by the structure of the boundary portion 231a covering the spacer 126, Can be improved.

도 10은 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to the third embodiment.

도 10에 도시된 바와 같이, 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 경계부(331a)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 10, the light emitting device package according to the third embodiment may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7 except for the boundary portion 331a.

상기 경계부(331a)는 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다. 상기 경계부(331a)는 스페이서(126) 상에 배치되고, 상기 스페이서(126)와 접하는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 일부 및 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 경계부(331a)는 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가질 수 있다. 상기 경계부(331a)는 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가지므로 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광이 상기 보호소자(160)에 직접 제공되어 손실되는 문제를 개선할 수 있다. The boundary portion 331a may be disposed in the first inner side surface 131. The boundary portion 331a is disposed on the spacer 126 and includes a portion of the upper surface 170a of the first lead frame 170 and a portion of the upper surface 180a of the second lead frame 180, And may be disposed on a part thereof. The boundary portion 331a may have a height H higher than that of the protection element 160. Since the boundary 331a has a higher height H than the protection element 160, light emitted from the first and second light emitting devices 151 and 153 is directly provided to the protection element 160 and is lost The problem can be solved.

상기 경계부(331a)은 상기 스페이서(126)의 상부면을 덮을 수 있다. 상기 경계부(331a)의 단축방향의 너비(D1)는 상기 스페이서(126)의 단축방향의 너비(D2) 이하일 수 있다. 상기 경계부(331a)의 단축방향의 너비(D1)는 상기 스페이서(126)의 하부면 단축방향의 너비(D2) 이하일 수 있다. 상기 경계부(331a)는 절연 물질일 수 있고, 몸체(120)의 일부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 경계부(331a)는 상기 스페이서(126)와 동일한 물질일 수 있다.The boundary portion 331a may cover the upper surface of the spacer 126. The width D1 of the boundary portion 331a in the minor axis direction may be less than the width D2 of the spacer 126 in the minor axis direction. The width D1 in the minor axis direction of the boundary portion 331a may be less than the width D2 in the minor axis direction of the lower surface of the spacer 126. [ The boundary portion 331a may be an insulating material and may be a part of the body 120, but is not limited thereto. For example, the boundary portion 331a may be the same material as the spacer 126.

제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 스페이서(126)를 덮는 경계부(331a)의 구조에 의해 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있고, 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.The light emitting device package according to the third embodiment can increase the contact area with the body 120 by increasing the contact area with the body 120 by the structure of the boundary portion 331a covering the spacer 126, Can be improved.

도 11는 제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fourth embodiment.

도 11에 도시된 바와 같이, 제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 경계부(431a)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 11, the light emitting device package according to the fourth embodiment may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7 except for the boundary portion 431a.

상기 경계부(431a)는 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다. 상기 경계부(431a)는 스페이서(126) 상에 배치되고, 상기 스페이서(126)와 접하는 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 일부 상에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 스페이서(126)의 상부면 일부는 상기 경계부(431a)로부터 노출될 수 있다. 상기 경계부(431a)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)과 접하지 않을 수 있다. 상기 경계부(431a)는 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가질 수 있다. 상기 경계부(431a)는 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가지므로 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광이 상기 보호소자(160)에 직접 제공되어 손실되는 문제를 개선할 수 있다. The boundary portion 431a may be disposed in the first inner side surface 131. The boundary portion 431a may be disposed on the spacer 126 and may be disposed on a part of the upper surface 180a of the second lead frame 180 in contact with the spacer 126. [ Here, a part of the upper surface of the spacer 126 may be exposed from the boundary 431a. The boundary portion 431a may not contact the upper surface 170a of the first lead frame 170. [ The boundary portion 431a may have a height H higher than that of the protection element 160. Since the boundary portion 431a has a higher height H than the protection element 160, the light emitted from the first and second light emitting elements 151 and 153 is directly supplied to the protection element 160, The problem can be solved.

상기 경계부(431a)의 단축방향의 일끝단은 상기 스페이서(126)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 상기 경계부(431a)의 단축방향의 일끝단은 상기 스페이서(126) 상부면 상에 배치되어 상기 스페이서(126)의 단축방향의 다른 끝단보다 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)에 더 멀리 배치될 수 있다. 상기 경계부(431a)의 단축방향의 다른 끝단은 상기 스페이서(126)의 단축방향의 다른 끝단보다 상기 보호소자(160)에 더 인접하게 배치될 수 있다.One end of the boundary portion 431a in the minor axis direction may be disposed on the upper surface of the spacer 126. One end of the boundary portion 431a in the minor axis direction is disposed on the upper surface of the spacer 126 and is connected to the first and second light emitting devices 151 and 153 at the other end in the minor axis direction of the spacer 126 Can be placed far away. The other end of the boundary portion 431a in the minor axis direction may be disposed closer to the protection element 160 than the other end of the spacer 126 in the minor axis direction.

제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 스페이서(126)의 일부를 덮는 경계부(431a)의 구조에 의해 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있고, 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.The light emitting device package according to the fourth embodiment can increase the contact area with the body 120 by increasing the contact area with the body 120 by the structure of the boundary portion 431a covering a part of the spacer 126, Moisture penetration can be improved.

도 12는 제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fifth embodiment.

도 12에 도시된 바와 같이, 제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 반사 몰딩부(190)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.12, the light emitting device package according to the fifth embodiment may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7 except for the reflective molding part 190 have.

상기 반사 몰딩부(190)는 제2 캐비티(140) 내에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(190)는 보호소자(160)를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(190)의 상부면은 경계부(131a)의 상부면보다 아래에 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(190)의 상부면은 경계부(131a)의 상부면과 동일 평면상에 위치할 수도 있다. 상기 반사 몰딩부(190)의 높이는 상기 보호소자(160)의 높이보다 높을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 반사 몰딩부(190)는 상기 경계부(131a)의 높이(H)보다 낮거나 같을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The reflective molding part 190 may be disposed in the second cavity 140. The reflective molding part 190 may cover the protection element 160. The upper surface of the reflective molding part 190 may be positioned below the upper surface of the boundary part 131a, but the present invention is not limited thereto. For example, the upper surface of the reflective molding part 190 may be coplanar with the upper surface of the boundary 131a. The height of the reflective molding part 190 may be higher than the height of the protection element 160, but is not limited thereto. The reflective molding part 190 may be lower than or equal to the height H of the boundary part 131a, but is not limited thereto.

상기 반사 몰딩부(190)는 절연성 물질 및 반사성 물질을 포함할 수 있다. 상기 반사 몰딩부(190)는 PPA(Polyphthalamide)), PCT(Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate), 화이트 실리콘(white Silicone), 화이트(white) EMC(Epoxy Molding Compound) 중 어느 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The reflective molding part 190 may include an insulating material and a reflective material. The reflective molding part 190 may be at least one of PPA (Polyphthalamide), PCT (Poly-cyclohexylene Dimethyl Terephthalate), White Silicone, and White EMC (Epoxy Molding Compound) But is not limited thereto.

제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제2 캐비티(140) 내에 상기 보호소자(160)를 덮는 반사 몰딩부(190)가 배치되어 상기 보호소자(160)에 흡수되는 광을 반사시켜 광 추출 효율을 더 향상시킬 수 있다.The light emitting device package according to the fifth embodiment is characterized in that a reflection molding part 190 covering the protection device 160 is disposed in the second cavity 140 to reflect light absorbed by the protection device 160, The efficiency can be further improved.

상기 발광소자 패키지는 2개의 제1 및 제2 발광소자(151, 153)가 제1 캐비티(130)에 배치된 구조를 한정하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 적어도 3개 이상일 수 있다.Although the light emitting device package has a structure in which two first and second light emitting devices 151 and 153 are disposed in the first cavity 130, the present invention is not limited thereto and may be at least three or more.

도 13 내지 도 22는 반사 몰딩부(290a 내지 290e)의 다른 실시 예들의 발광소자 패키지를 도시한 평면도 또는 단면도이다.13 to 22 are a plan view or a cross-sectional view showing the light emitting device package of another embodiment of the reflective molding parts 290a to 290e.

도 13 내지 도 22의 발광소자 패키지는 반사 몰딩부(290a 내지 290e)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The light emitting device package of FIGS. 13 to 22 may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7 except for the reflective molding parts 290a to 290e.

다른 실시 예의 발광소자 패키지는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이를 위해 다른 실시 예의 발광소자 패키지는 반사 몰딩부(290a 내지 290e)를 포함할 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 보호소자(160), 제1 와이어(160w) 및 와이어 본딩부(160a)를 덮을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 보호소자(160) 및 와이어 본딩부(160a)를 덮고, 제1 와이어(160w)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 상기 보호소자(160), 제1 와이어(160w) 및 와이어 본딩부(160a)에 의해 흡수되는 빛을 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device package of another embodiment can improve light extraction efficiency. To this end, the light emitting device package of another embodiment may include reflective molding parts 290a to 290e. The reflective molding parts 290a to 290e may cover the protection element 160, the first wire 160w and the wire bonding part 160a, but are not limited thereto. For example, the reflective molding parts 290a to 290e cover the protection element 160 and the wire bonding part 160a, and may cover a part of the first wire 160w. The reflective molding parts 290a to 290e may enhance the light extraction efficiency by reflecting the light absorbed by the protection element 160, the first wire 160w and the wire bonding part 160a.

또한, 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 상기 제1 리드 프레임(170)보다 높은 반사율을 포함할 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)으로 연장되어 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the reflective molding parts 290a to 290e may include a reflectance higher than that of the first lead frame 170. The reflective molding parts 290a to 290e may extend to the upper surface 170a of the first lead frame 170 exposed in the first cavity 130 to improve light extraction efficiency.

도 13 내지 도 15를 참조하면, 제2 실시 예의 반사 몰딩부(290a)는 제2 캐비티(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)는 제2 캐비티(140)와 가장 가까운 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다.13 to 15, the reflective molding part 290a of the second embodiment may be disposed on the second cavity 140. [ A part of the reflective molding part 290a may be disposed on the upper surface 170a of the first lead frame 170 exposed from the first cavity 130. [ The reflective molding part 290a may extend to the bottom surface of the first cavity 130 closest to the second cavity 140. [

상기 반사 몰딩부(290a)는 상기 제2 캐비티(140)가 배치된 제1 내측면(131)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)는 상기 제2 캐비티(140) 주변의 제1 내측면(131)을 따라 제1 캐비티(130) 바닥면에 배치된 상기 보호소자(160)의 와이어 본딩부(160a)까지 연장될 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290a)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130) 사이의 제1 내측면(131)을 따라 배치될 수 있다.The reflective molding part 290a may cover a part of the first inner side surface 131 on which the second cavity 140 is disposed. The reflective molding part 290a is formed on the wire bonding part 160a of the protection device 160 disposed on the bottom surface of the first cavity 130 along the first inner side surface 131 around the second cavity 140. [ Lt; / RTI > For example, the reflective molding part 290a may be disposed along a first inner side surface 131 between the second cavity 140 and the first cavity 130. [

여기서, 상기 와이어 본딩부(160a)는 상기 제2 캐비티(140)와 가장 인접한 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다.The wire bonding part 160a is disposed on the upper surface 170a of the first lead frame 170 exposed on the bottom surface of the first cavity 130 closest to the second cavity 140 .

상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)과의 제1 경계(291a)로부터 제1 캐비티(131)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 제1 캐비티(130)의 제4 내측면(134)과의 제2 경계(291b)로부터 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 상기 제1 및 제2 경계(291a, 291b) 사이에 제3 경계(291c)를 포함할 수 있다. 상기 제3 경계(291c)는 상기 제2 발광소자(153)의 일측면(153s)과 나란하게 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제2 발광소자(153)의 일측면(153s)은 상기 제1 발광소자(151)와 대면될 수 있다. An end 291 of the reflective molding part 290a may be disposed between the wire bonding part 160a and the first and second light emitting devices 151 and 153. [ The end 291 of the reflective molding part 290a may extend from the first boundary 291a to the first inner side 131 of the first cavity 130 to the bottom surface of the first cavity 131 . The end 291 of the reflective molding part 290a may extend from the second boundary 291b to the fourth inner side 134 of the first cavity 130 to the bottom surface of the first cavity 130 . An end 291 of the reflective molding part 290a may include a third boundary 291c between the first and second boundaries 291a and 291b. The third boundary 291c may be disposed in parallel with one side 153s of the second light emitting device 153. [ Here, one side 153s of the second light emitting device 153 may face the first light emitting device 151.

상기 제2 경계(291b)와 상기 제3 경계(291c) 사이의 상기 반사 몰딩부(290a) 끝단(291)은 상기 제1 발광소자(151)의 일측면과 대면될 수 있다. 여기서, 상기 제1 발광소자(151)의 일측면은 상기 보호소자(160)가 배치된 제1 내측면(131)과 대면될 수 있다.The end 291 of the reflective molding part 290a between the second boundary 291b and the third boundary 291c may face one side of the first light emitting device 151. [ One side of the first light emitting device 151 may face the first side surface 131 on which the protection device 160 is disposed.

상기 제1 경계(291a)와 상기 제3 경계(291c) 사이의 상기 반사 몰딩부(290a) 끝단(291)은 상기 제2 발광소자(153)의 모서리에 대면될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 발광소자(153)의 모서리는 상기 보호소자(160)에 대면되는 하나의 모서리일 수 있다.The end 291 of the reflective molding part 290a between the first boundary 291a and the third boundary 291c may face the edge of the second light emitting device 153 but is not limited thereto . The edge of the second light emitting device 153 may be an edge facing the protection device 160.

상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 제1 내측면(131)과 대응되는 제1 방향(X)으로 일정한 너비를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 제1 경계(291a)와 제2 경계(291b) 사이의 제1 너비(W1)와, 상기 제2 경계(291b)와 제3 경계(291c) 사이의 제2 너비(W2)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 너비(W1)는 상기 제1 경계(291a)로부터 상기 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)으로 연장되는 제1 기준라인(r1)과, 상기 제2 경계(291b)로부터 상기 제2 방향(Y)으로 연장되는 제2 기준라인(r2) 사이의 간격으로 정의될 수 있다. 상기 제2 너비(W2)는 상기 제1 기준라인(r1)과, 상기 제3 경계(291c)로부터 상기 제2 방향(Y)으로 연장되는 제3 기준라인(r3) 사이의 간격으로 정의될 수 있다.The end 291 of the reflective molding part 290a may have a constant width in a first direction X corresponding to the first inner side 131. [ The end 291 of the reflective molding portion 290a may have a first width W1 between the first and second boundaries 291a and 291b and a first width W2 between the second and third boundaries 291b and 291c And a second width W2 between the first and second widths W1 and W2. The first width W1 includes a first reference line r1 extending from the first boundary 291a in a second direction Y orthogonal to the first direction X and a second reference line r2 extending in the second direction Y, And a second reference line r2 extending in the second direction Y from the first reference line 291b. The second width W2 may be defined as the spacing between the first reference line r1 and a third reference line r3 extending from the third boundary 291c in the second direction Y have.

상기 제2 실시 예의 반사 몰딩부(290a)는 상기 제1 너비(W1)의 1/3 또는 1/3 이하의 제2 너비(W2)를 포함할 수 있다. 제2 실시 예는 상기 제2 너비(W2)에 의해 상기 제2 발광소자(153)와 반사 몰딩부(290a)가 일정 간격 이격되어 상기 제2 발광소자(153)와 반사 몰딩부(290a)의 접촉에 의한 불량을 개선할 수 있다. 상기 제2 실시 예의 반사 몰딩부(290a)는 제1 캐비티(130)로부터 노출되는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 면적을 줄이고, 제1 및 제2 발광소자(151, 153)와 일정 간격 이격된 구조를 제공할 수 있다. 따라서, 상기 제2 실시 예의 반사 몰딩부(290a)는 광 추출 효율을 향상시키고, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The reflective molding part 290a of the second embodiment may include a second width W2 of 1/3 or 1/3 or less of the first width W1. The second embodiment differs from the first embodiment in that the second light emitting device 153 and the reflective molding part 290a are spaced apart from each other by the second width W2 by a predetermined distance to form the second light emitting device 153 and the reflective molding part 290a It is possible to improve defects due to contact. The reflective molding part 290a of the second embodiment reduces the area of the upper surface 170a of the first lead frame 170 exposed from the first cavity 130 and reduces the area of the upper surface 170a of the first and second light emitting devices 151 and 153, And a structure spaced at a predetermined interval. Therefore, the reflective molding part 290a of the second embodiment can improve the light extraction efficiency and improve the reliability.

상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 상기 제1 캐비티(130) 내에 배치될 수 있고, 상기 반사 몰딩부(290a)로부터 일정 간격 이격된 이격 거리(W3)를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 이격 거리(W3)는 제1 캐비티(130)의 바닥면 너비의 3.3% 이하일 수 있다. 구체적으로 상기 이격 거리(W3)는 30㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다. 상기 이격 거리(W3)가 30㎛ 미만일 경우, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)와 제1 캐비티(130)의 내측면들과 접촉되어 광 효율이 저하될 수 있다. 또한, 상기 이격 거리(W3)가 30㎛ 미만일 경우, 불량에 의한 수율이 저하될 수 있다.The first and second light emitting devices 151 and 153 may be disposed in the first cavity 130 and may include a separation distance W3 spaced apart from the reflective molding part 290a by a predetermined distance. For example, the separation distance W3 may be 3.3% or less of the bottom surface width of the first cavity 130. Specifically, the spacing distance W3 may be 30 탆 to 100 탆. If the spacing distance W3 is less than 30 m, the light efficiency may be lowered by contacting the first and second light emitting devices 151 and 153 and the inner surfaces of the first cavity 130. In addition, when the separation distance W3 is less than 30 mu m, the yield due to defects may be reduced.

상기 이격 거리(W3)가 100㎛ 초과일 경우, 제1 캐비티(130)로부터 노출되는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 면적이 증가하므로 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)에 흡수되는 광 손실에 의해 광 추출 효율이 저하될 수 있다.The area of the upper surface 170a of the first lead frame 170 exposed from the first cavity 130 increases so that the upper surface 170a of the first lead frame 170 The light extraction efficiency may be lowered due to the light loss absorbed by the light absorption layer 170a.

상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)으로부터 이격된 간격이 상이할 수 있다. 제2 실시 예는 제1 발광소자(151)와 상기 제1 캐비티(130) 내측면 사이에 와이어 본딩부(160a)가 배치될 수 있다. 제2 실시 예는 제1 발광소자(151)와 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131) 사이의 이격 거리가 상기 제2 발광소자(153)와 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131) 사이의 이격 거리보다 클 수 있다.The first and second light emitting devices 151 and 153 may be spaced apart from the first inner side surface 131 of the first cavity 130. In the second embodiment, the wire bonding portion 160a may be disposed between the first light emitting device 151 and the inner side surface of the first cavity 130. [ The second embodiment differs from the first embodiment in that the distance between the first light emitting device 151 and the first inner side surface 131 of the first cavity 130 is smaller than the distance between the second light emitting device 153 and the first cavity 130 May be larger than the separation distance between the inner side surfaces (131).

상기 반사 몰딩부(290a)는 절연성 물질 및 반사성 물질을 포함할 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)는 PPA(Polyphthalamide)), PCT(Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate), 화이트 실리콘(white Silicone), 화이트(white) EMC(Epoxy Molding Compound) 중 어느 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The reflective molding part 290a may include an insulating material and a reflective material. The reflective molding part 290a may be at least one of PPA (Polyphthalamide), PCT (Poly-cyclohexylene Dimethyl Terephthalate), White Silicone, and White EMC (Epoxy Molding Compound) But is not limited thereto.

상기 반사 몰딩부(290a)는 노즐을 이용한 디스펜싱(dispensing) 방법으로 제1 캐비티(130) 바닥면 일부 및 제2 캐비티(140) 상에 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The reflective molding part 290a may be formed on a part of the bottom surface of the first cavity 130 and on the second cavity 140 by a dispensing method using a nozzle. However, the reflective molding part 290a is not limited thereto.

도 13 내지 도 17을 참조하면, 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170) 사이에는 경계부(131a)가 배치될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다.13 to 17, a boundary 131 a may be disposed between the second cavity 140 and the first lead frame 170 exposed from the first cavity 130. The boundary portion 131a may be disposed in the first inner side surface 131 of the first cavity 130.

상기 제1 내측면(131)의 경사각(θ1)은 스페이서(126) 상에 배치된 상기 경계부(131a)의 위치에 따라 변동될 수 있다. 예컨대 상기 경계부(131a)가 상기 스페이서(126) 전체를 덮는 경우, 상기 제1 내측면(131)은 스페이서(126) 상면과 이루는 제1 경사각(θ1-1)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 경계부(131a)가 상기 스페이서(126) 일부를 덮는 경우, 상기 제1 내측면(131)은 스페이서(126) 상면과 이루는 제2 경사각(θ1-2)을 포함할 수 있다. 실시 예의 제1 내측면(131)은 상기 제2 경사각(θ1-2)보다 작은 제1 경사각(θ1-1)을 포함할 수 있다. 구체적으로 실시 예의 발광소자 패키지는 상기 제2 경사각(θ1-2)보다 작은 제1 경사각(θ1-1)을 갖는 경우, 스페이서(126) 상에 경계부(131a)의 면적이 변동되고, 제1 캐비티(130)로부터 노출되는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 면적이 작아질 수 있다. 따라서, 실시 예의 발광소자 패키지는 상기 제2 경사각(θ1-2)보다 작은 제1 경사각(θ1-1)을 갖는 경우, 반사율이 높은 몸체(120)에 의해 가려지는 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)이 증가하여 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The inclination angle? 1 of the first inner side surface 131 can be changed according to the position of the boundary portion 131a disposed on the spacer 126. [ For example, when the boundary 131a covers the entire spacer 126, the first inner surface 131 may include a first inclination angle? 1-1, which is formed between the first inner surface 131 and the upper surface of the spacer 126. When the boundary 131a covers a part of the spacer 126, the first inner surface 131 may include a second inclination angle? 1-2 between the first inner surface 131 and the upper surface of the spacer 126. The first inner side surface 131 of the embodiment may include a first inclination angle? 1-1, which is smaller than the second inclination angle? 1-2. Specifically, when the light emitting device package of the embodiment has the first inclination angle? 1-1, which is smaller than the second inclination angle? 1-2, the area of the boundary portion 131a is varied on the spacer 126, The area of the upper surface 170a of the first lead frame 170 exposed from the first lead frame 130 can be reduced. Therefore, when the light emitting device package of the embodiment has the first inclination angle? 1-1, which is smaller than the second inclination angle? 1-2, the first and second lead frames 170, and 180 are increased, so that light extraction efficiency can be improved.

도 18을 참조하면, 제3 실시 예의 반사 몰딩부(290b)는 제2 캐비티(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290b)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290b)는 제2 캐비티(140)와 가장 가까운 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 따라서, 제3 실시 예의 반사 몰딩부(290b)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 면적을 줄여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 18, the reflective molding part 290b of the third embodiment may be disposed on the second cavity 140. FIG. A portion of the reflective molding portion 290b may be disposed on the upper surface 170a of the first lead frame exposed from the first cavity 130. [ The reflective molding part 290b may extend to the bottom surface of the first cavity 130 closest to the second cavity 140. [ Therefore, the reflective molding part 290b of the third embodiment can reduce the area of the upper surface 170a of the first lead frame exposed in the first cavity 130, thereby improving the light extraction efficiency.

제3 실시 예의 제1 및 제2 발광소자(251, 253)는 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)으로부터 이격된 간격이 같을 수 있다. 상기 제1 및 제2 발광소자(251, 253)는 상기 제1 캐비티(130)의 제2 내지 제4 내측면(132, 133, 134) 사이에 일정 간격 이격된 이격 거리를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 이격 거리는 제1 캐비티(130)의 바닥면 너비의 3.3% 이하일 수 있다. 상기 이격 거리는 도 13 내지 도 15의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first and second light emitting devices 251 and 253 of the third embodiment may be spaced apart from the first inner side surface 131 of the first cavity 130. [ The first and second light emitting devices 251 and 253 may include spaced apart distances between the second to fourth inner sides 132, 133 and 134 of the first cavity 130. For example, the spacing distance may be 3.3% or less of the bottom surface width of the first cavity 130. 13 to 15 can be adopted as the separation distance.

상기 반사 몰딩부(290b)는 상기 제2 캐비티(140)가 배치된 제1 내측면(131)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290b)는 상기 제2 캐비티(140) 주변의 제1 내측면(131)을 따라 제1 캐비티(130) 바닥면에 배치된 상기 보호소자(160)의 와이어 본딩부(160a)까지 연장될 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290b)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130) 사이의 제1 내측면(131)을 따라 배치될 수 있다.The reflective molding part 290b may cover a part of the first inner side surface 131 on which the second cavity 140 is disposed. The reflective molding part 290b is formed on the wire bonding part 160a of the protection element 160 disposed on the bottom surface of the first cavity 130 along the first inner side surface 131 around the second cavity 140, Lt; / RTI > For example, the reflective molding part 290b may be disposed along the first inner side surface 131 between the second cavity 140 and the first cavity 130. [

상기 반사 몰딩부(290b)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 제1 및 제2 발광소자(251, 253) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291), 제1 내지 제3 경계(291a 내지 291c)는 도 13 내지 도 15의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 또한, 상기 반사 몰딩부(290a)의 제1 및 제2 너비(W1, W2), 물질 및 제조방법은 도 13 내지 도 15의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The end 291 of the reflective molding part 290b may be disposed between the wire bonding part 160a and the first and second light emitting devices 251 and 253. [ The end 291 and the first to third boundaries 291a to 291c of the reflective molding part 290a may adopt the technical features of FIGS. In addition, the first and second widths W1 and W2 of the reflective molding part 290a, the material, and the manufacturing method may adopt the technical features of FIGS. 13 to 15. FIG.

상기 제1 경계(291a)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 및 제2 내측면(131, 132) 사이에 배치될 수 있다.The first boundary 291a may be disposed between the first and second inner surfaces 131 and 132 of the first cavity 130. [

상기 제2 캐비티(140)는 상기 보호소자(160)가 실장되는 제1 영역(140a)과 제2 발광소자(153)의 와이어 본딩을 위한 제2 영역(140b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 영역(140a, 140b)은 일정 간격 이격된 캐비티 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second cavity 140 may include a first region 140a for mounting the protection element 160 and a second region 140b for wire bonding of the second light emitting device 153. The first and second regions 140a and 140b may have a cavity structure spaced apart by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto.

도 19를 참조하면, 제4 실시 예의 반사 몰딩부(290c)는 제2 캐비티(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290c)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290c)는 제2 캐비티(140)와 가장 가까운 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 따라서, 제4 실시 예의 반사 몰딩부(290c)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 면적을 줄여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Referring to Fig. 19, the reflective molding part 290c of the fourth embodiment may be disposed on the second cavity 140. Fig. A portion of the reflective molding portion 290c may be disposed on the upper surface 170a of the first lead frame exposed from the first cavity 130. [ The reflective molding part 290c may extend to the bottom surface of the first cavity 130 closest to the second cavity 140. [ Therefore, the reflective molding part 290c of the fourth embodiment can reduce the area of the upper surface 170a of the first lead frame exposed in the first cavity 130, thereby improving the light extraction efficiency.

제4 실시 예는 제1 캐비티(130) 내에 하나의 발광소자(350)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(350)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 내지 제4 내측면(131 내지 134) 사이에 일정 간격 이격된 이격 거리(W3)를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 이격 거리(W3)는 제1 캐비티(130)의 바닥면 너비의 3.3% 이하일 수 있다. 상기 이격 거리는 도 13 내지 도 18의 기술적 특징을 채용할 수 있다.In the fourth embodiment, one light emitting device 350 may be disposed in the first cavity 130. The light emitting device 350 may include a gap W3 spaced apart from the first to fourth inner sides 131 to 134 of the first cavity 130 by a predetermined distance. For example, the separation distance W3 may be 3.3% or less of the bottom surface width of the first cavity 130. 13 to 18 can be adopted as the separation distance.

상기 반사 몰딩부(290c)는 상기 제2 캐비티(140)가 배치된 제1 내측면(131)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290c)는 상기 제2 캐비티(140) 주변의 제1 내측면(131)을 따라 제1 캐비티(130) 바닥면에 배치된 상기 보호소자(160)의 와이어 본딩부(160a)까지 연장될 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290c)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130) 사이의 제1 내측면(131)을 따라 배치될 수 있다.The reflective molding part 290c may cover a part of the first inner side surface 131 on which the second cavity 140 is disposed. The reflective molding part 290c is formed on the wire bonding part 160a of the protection element 160 disposed on the bottom surface of the first cavity 130 along the first inner side surface 131 around the second cavity 140, Lt; / RTI > For example, the reflective molding portion 290c may be disposed along the first inner side surface 131 between the second cavity 140 and the first cavity 130. [

상기 반사 몰딩부(290c)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 발광소자(350) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290c)의 끝단(291), 제1 내지 제3 경계(291a 내지 291c)는 도 13 내지 도 18의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 또한, 상기 반사 몰딩부(290c)의 제1 및 제2 너비(W1, W2), 물질 및 제조방법은 도 13 내지 도 18의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The end 291 of the reflective molding part 290c may be disposed between the wire bonding part 160a and the light emitting device 350. [ The end 291 and the first to third boundaries 291a to 291c of the reflective molding part 290c can adopt the technical features of FIGS. 13 to 18. In addition, the first and second widths W1 and W2 of the reflective molding part 290c, the material, and the manufacturing method may adopt the technical features of FIGS. 13 to 18.

상기 제1 경계(291a)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 및 제2 내측면(131, 132) 사이에 배치될 수 있다.The first boundary 291a may be disposed between the first and second inner surfaces 131 and 132 of the first cavity 130. [

상기 제2 캐비티(140)는 상기 보호소자(160)가 실장될 수 있고, 발광소자(350)의 와이어 본딩부를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second cavity 140 may include the wire bonding portion of the light emitting device 350, but is not limited thereto.

도 20을 참조하면, 제5 실시 예의 반사 몰딩부(290d)는 제2 캐비티(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290d)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290d)는 제2 캐비티(140)와 가장 가까운 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 따라서, 제4 실시 예의 반사 몰딩부(290d)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 면적을 줄여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 20, the reflective molding part 290d of the fifth embodiment may be disposed on the second cavity 140. FIG. A portion of the reflective molding portion 290d may be disposed on the upper surface 170a of the first lead frame exposed from the first cavity 130. [ The reflective molding part 290d may extend to the bottom surface of the first cavity 130 closest to the second cavity 140. [ Therefore, the reflective molding part 290d of the fourth embodiment can reduce the area of the upper surface 170a of the first lead frame exposed in the first cavity 130, thereby improving the light extraction efficiency.

제5 실시 예의 발광소자(350) 및 제1 캐비티(130)와 발광소자(350)의 이격 거리는 도 19의 제4 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The distance between the light emitting device 350 of the fifth embodiment and the first cavity 130 and the light emitting device 350 can adopt the technical features of the fourth embodiment of FIG.

상기 반사 몰딩부(290d)는 상기 제2 캐비티(140)가 배치된 제1 내측면(131)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290d)는 상기 제2 캐비티(140) 주변의 제1 내측면(131)을 따라 제1 캐비티(130) 바닥면에 배치된 상기 보호소자(160)의 와이어 본딩부(160a)까지 연장될 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290d)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130) 사이의 제1 내측면(131)을 따라 배치될 수 있다.The reflective molding part 290d may cover a part of the first inner side surface 131 on which the second cavity 140 is disposed. The reflective molding part 290d is formed on the wire bonding part 160a of the protection element 160 disposed on the bottom surface of the first cavity 130 along the first inner side surface 131 around the second cavity 140, Lt; / RTI > For example, the reflective molding portion 290d may be disposed along the first inner side surface 131 between the second cavity 140 and the first cavity 130. [

상기 반사 몰딩부(290d)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 발광소자(350) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290d)의 끝단(291), 제1 내지 제3 경계는 도 13 내지 도 19의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 또한, 상기 반사 몰딩부(290d)의 제1 및 제2 너비, 물질 및 제조방법은 도 13 내지 도 19의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The end 291 of the reflective molding part 290d may be disposed between the wire bonding part 160a and the light emitting device 350. [ The end 291 of the reflective molding part 290d, and the first to third boundaries can adopt the technical features of FIGS. 13 to 19. In addition, the first and second widths, materials, and manufacturing methods of the reflective molding portion 290d may employ the technical features of FIGS. 13 to 19.

제5 실시 예는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)으로부터 스페이서(126) 일부가 노출될 수 있다. 예컨대 상기 스페이서(126)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130)의 제2 내측면(132) 사이에서 외부에 노출될 수 있다. 또한, 제5 실시 예는 제2 리드 프레임의 상부면(180a) 일부가 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)으로부터 외부에 노출될 수 있다. 노출된 상기 제2 리드 프레임의 상부면(180a)은 상기 발광소자(350)의 와이어 본딩부가 배치될 수 있다.In the fifth embodiment, a part of the spacer 126 may be exposed from the first inner side surface 131 of the first cavity 130. For example, the spacer 126 may be exposed to the outside between the second cavity 140 and the second inner surface 132 of the first cavity 130. In addition, in the fifth embodiment, a part of the upper surface 180a of the second lead frame may be exposed to the outside from the first inner surface 131 of the first cavity 130. The upper surface (180a) of the exposed second lead frame may be disposed with a wire bonding portion of the light emitting device (350).

도 21 및 도 22를 참조하면, 제6 실시 예의 반사 몰딩부(290e)는 보호소자(160) 및 와이어 본딩부(160a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)는 보호소자(350)가 배치된 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a)으로부터 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)까지 연장될 수 있다. 제6 실시 예의 반사 몰딩부(290e)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 까지 연장되어 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.21 and 22, the reflective molding part 290e of the sixth embodiment may be disposed on the protection element 160 and the wire bonding part 160a. A part of the reflective molding part 290e may be disposed on the upper surface 170a of the first lead frame 170 exposed from the first cavity 130. [ The reflective molding part 290e may be disposed on the upper surface 180a of the second lead frame 180 exposed from the first cavity 130. [ The reflective molding part 290e may extend from the upper surface 180a of the second lead frame 180 where the protection element 350 is disposed to the upper surface 170a of the first lead frame 170. [ The reflective molding part 290e of the sixth embodiment can extend to the upper surface 170a of the first lead frame 170 exposed in the first cavity 130 to improve the light extraction efficiency.

제6 실시 예의 제1 캐비티(130)와 발광소자(350)의 이격 거리는 도 19 및 도 20의 제4 및 제5 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The distance between the first cavity 130 and the light emitting device 350 of the sixth embodiment can adopt the technical features of the fourth and fifth embodiments of FIGS. 19 and 20.

상기 반사 몰딩부(290e)는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 상에 보호소자(160)를 덮고, 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)에 배치된 와이어 본딩부(160a)를 덮을 수 있다.The reflective molding part 290e covers the protection element 160 on the upper surface 180a of the second lead frame 180 exposed from the first cavity 130 and covers the upper surface 180a of the upper surface 180a of the first lead frame 170, And the wire bonding portion 160a disposed on the wire bonding portion 170a.

상기 반사 몰딩부(290e)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 발광소자(350) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)의 끝단(291), 제1 내지 제3 경계는 도 13 내지 도 20의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 또한, 상기 반사 몰딩부(290e)의 제1 및 제2 너비, 물질 및 제조방법은 도 13 내지 도 20의 기술적 특징을 채용할 수 있다.An end 291 of the reflective molding part 290e may be disposed between the wire bonding part 160a and the light emitting device 350. [ The end 291 of the reflective molding part 290e and the first to third boundaries may adopt the technical features of FIGS. 13 to 20. In addition, the first and second widths, materials, and manufacturing methods of the reflective molding portion 290e may employ the technical features of FIGS. 13 to 20.

제6 실시 예는 상기 제1 캐비티(130) 바닥에 스페이서(126), 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a)이 노출될 수 있다. 예컨대 상기 스페이서(126)는 상기 반사 몰딩부(290e)와 상기 제1 캐비티(130)의 제2 내측면(132) 사이에서 외부에 노출될 수 있다. 또한, 제6 실시 예는 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a)은 상기 발광소자(350)의 와이어 본딩부가 배치될 수 있다.In the sixth embodiment, the spacer 126 and the upper surface 180a of the second lead frame 180 may be exposed at the bottom of the first cavity 130. For example, the spacer 126 may be exposed to the outside between the reflective molding part 290e and the second inner side surface 132 of the first cavity 130. FIG. In addition, in the sixth embodiment, the upper surface 180a of the exposed second lead frame 180 may be disposed with a wire bonding portion of the light emitting device 350.

상기 반사 몰딩부(290e)는 상기 스페이서(126) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)는 상기 스페이서(126)의 일부와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)는 상기 스페이서(126) 상부와 직접 접할 수 있다.The reflective molding part 290e may be disposed on the spacer 126. [ The reflective molding part 290e may overlap the part of the spacer 126 in the vertical direction. The reflective molding part 290e may be in direct contact with the upper part of the spacer 126.

도 23은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.23 is a cross-sectional view showing a light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.

도 23에 도시된 바와 같이, 발광 칩은 기판(511), 버퍼층(512), 발광 구조물(510), 제1 전극(516) 및 제2 전극(517)을 포함한다. 상기 기판(511)은 투광성 또는 비투광성 재질일 수 있고, 전도성 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다.23, the light emitting chip includes a substrate 511, a buffer layer 512, a light emitting structure 510, a first electrode 516, and a second electrode 517. The substrate 511 may be a light-transmitting or non-light-transmitting material, and may include a conductive or insulating substrate.

상기 버퍼층(512)은 기판(511)과 상기 발광 구조물(510)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(512)과 상기 발광 구조물(510)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선할 수 있다.The buffer layer 512 reduces the lattice constant difference between the substrate 511 and the material of the light emitting structure 510, and may be formed of a nitride semiconductor. A nitride semiconductor layer not doped with a dopant may be further formed between the buffer layer 512 and the light emitting structure 510 to improve crystal quality.

상기 발광 구조물(510)은 제1 도전형 반도체층(513), 활성층(514) 및 제2 도전형 반도체층(515)를 포함한다.The light emitting structure 510 includes a first conductive semiconductor layer 513, an active layer 514, and a second conductive semiconductor layer 515.

예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 반도체층(513)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 예컨대 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다.For example, compound semiconductors such as Group II-IV and Group III-V. The first conductive semiconductor layer 513 may be a single layer or a multi-layer structure. The first conductive semiconductor layer 513 may be doped with a first conductive dopant. For example, when the first conductive semiconductor layer 513 is an n-type semiconductor layer, it may include an n-type dopant. For example, the n-type dopant may include but is not limited to Si, Ge, Sn, Se, and Te. The first conductive semiconductor layer 513 may include a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) . The first conductive semiconductor layer 513 may have a stacked structure of layers including at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. .

상기 제1 도전형 반도체층(513)과 상기 활성층(514) 사이에는 제1 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(514)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 클래드층은 제1 도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시키는 기능을 포함할 수 있다.A first clad layer may be formed between the first conductive semiconductor layer 513 and the active layer 514. The first clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the bandgap thereof may be formed to have a bandgap or more of the active layer 514. The first clad layer may be formed of a first conductivity type and may include a function of constraining the carrier.

상기 활성층(514)은 상기 제1 도전형 반도체층(513) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(514)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The active layer 514 is disposed on the first conductive semiconductor layer 513 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. do. The active layer 514 includes a well layer and a barrier layer period. The well layer comprises a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), and wherein the barrier layer is In x Al y It may include a composition formula of Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1). The period of the well layer / barrier layer may be one or more cycles using a lamination structure of, for example, InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, and InAlGaN / InAlGaN. The barrier layer may be formed of a semiconductor material having a band gap higher than a band gap of the well layer.

상기 활성층(514) 위에는 제2 도전형 반도체층(515)이 형성된다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.A second conductive semiconductor layer 515 is formed on the active layer 514. The second conductive semiconductor layer 515 may be formed of a semiconductor compound such as a Group II-IV and a Group III-V compound semiconductor. The second conductivity type semiconductor layer 515 may be a single layer or a multilayer. When the second conductive type semiconductor layer 515 is a p-type semiconductor layer, the second conductive type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant. The second conductive semiconductor layer 515 may be doped with a second conductive dopant. The second conductive semiconductor layer 515 may include a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) . The second conductive semiconductor layer 515 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP and AlGaInP.

상기 제2 도전형 반도체층(515)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(514)을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 515 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN / GaN superlattice structure or an AlGaN / GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductivity type semiconductor layer 515 may protect the active layer 514 by diffusing a current contained in the voltage abnormally.

상기 제1 도전형 반도체층(513)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 p형 반도체층으로 설명하고 있지만, 상기 제1 도전형 반도체층(513)을 p형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(515)을 n형 반도체층으로 형성할 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 도전형 반도체층(515) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(510)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.Although the first conductive semiconductor layer 513 is an n-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 515 is a p-type semiconductor layer, the first conductive semiconductor layer 513 may be a p- And the second conductivity type semiconductor layer 515 may be formed of an n-type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto. On the second conductive semiconductor layer 515, a semiconductor (e.g., an n-type semiconductor layer) (not shown) having a polarity opposite to that of the second conductive type may be formed. Accordingly, the light emitting structure 510 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

상기 제1 도전형 반도체층(513) 상에는 제1 전극(516)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(515) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2 전극(517)을 포함한다. A first electrode 516 is disposed on the first conductive type semiconductor layer 513 and a second electrode 517 having a current diffusion layer is disposed on the second conductive type semiconductor layer 515.

도 24는 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.24 is a cross-sectional view showing another example of the light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.

도 24에 도시된 바와 같이, 다른 예의 발광 칩은 도 23을 참조하여 동일한 구성의 설명은 생략하기로 한다. 다른 예의 발광 칩은 발광 구조물(510) 아래에 접촉층(521)이 배치되고, 상기 접촉층(521) 아래에 반사층(524)이 배치되고, 상기 반사층(524) 아래에 지지부재(525)가 배치되고, 상기 반사층(524)과 상기 발광 구조물(510)의 둘레에 보호층(523)이 배치될 수 있다.As shown in Fig. 24, the light emitting chip of another example will be described with reference to Fig. 23, and a description of the same constitution will be omitted. In another example of the light emitting chip, a contact layer 521 is disposed under the light emitting structure 510, a reflection layer 524 is disposed under the contact layer 521, and a support member 525 is formed below the reflection layer 524 And a protective layer 523 may be disposed around the reflective layer 524 and the light emitting structure 510.

상기 발광 칩은 제2 도전형 반도체층(515) 아래에 접촉층(521) 및 보호층(523), 반사층(524) 및 지지부재(525)가 배치될 수 있다. The light emitting chip may include a contact layer 521 and a protective layer 523, a reflective layer 524, and a supporting member 525 under the second conductive type semiconductor layer 515.

상기 접촉층(521)은 발광 구조물(510)의 하부면 예컨대 제2 도전형 반도체층(515)과 오믹 접촉될 수 있다. 상기 접촉층(521)은 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(521) 내부에는 전극(516)과 대응되도록 전류를 블로킹하는 전류 블로킹층이 더 형성될 수 있다.The contact layer 521 may be in ohmic contact with the lower surface of the light emitting structure 510, for example, the second conductive type semiconductor layer 515. The contact layer 521 may be selected from a metal nitride, an insulating material, and a conductive material. For example, the contact layer 521 may include at least one selected from the group consisting of ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide) ), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO , Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and combinations thereof. Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ni, and the like can be formed by using the above-mentioned metal material and a light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, Ag / Ni or the like. A current blocking layer may be further formed in the contact layer 521 to block the current to correspond to the electrode 516.

상기 보호층(523)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(523)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(524)과 같은 금속이 발광 구조물(510)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The protective layer 523 may be selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO) (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 As shown in FIG. The protective layer 523 may be formed using a sputtering method or a deposition method, and a metal such as the reflective layer 524 may prevent the layers of the light emitting structure 510 from being short-circuited.

상기 반사층(524)은 금속을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 반사층(524)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(524)은 상기 발광 구조물(510)의 폭보다 크게 형성되어 광 반사 효율을 개선할 수 있다. 상기 반사층(524)과 상기 지지부재(525) 사이에 접합을 위한 금속층, 열 확산을 위한 금속층 등이 더 배치될 수 있으나, dl이에 한정되는 것은 아니다.The reflective layer 524 may include a metal. For example, the reflective layer 524 may be formed of a material selected from Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and combinations thereof. The reflective layer 524 may be formed to have a width larger than the width of the light emitting structure 510 to improve light reflection efficiency. A metal layer for bonding and a metal layer for thermal diffusion may be further disposed between the reflective layer 524 and the support member 525, but the present invention is not limited thereto.

상기 지지부재(525)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(525)와 상기 반사층(524) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있다.The support member 525 may be a base substrate made of a metal such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu- Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC). A bonding layer may be further formed between the support member 525 and the reflective layer 524.

<조명 시스템><Lighting system>

도 25는 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.25 is a perspective view showing a display device including the light emitting device package of the embodiment.

도 25에 도시된 바와 같이, 실시 예의 표시장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.25, the display apparatus 1000 of the embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041 and a display panel 1061 on the optical sheet 1051 and the light guide plate 1041 and the light source module 1031 and the reflection member 1022 But it is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. &Lt; / RTI &gt;

상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)를 포함하며, 상기 발광소자 패키지(110)는 상기 기판(1033) 상에 일정간격 이격되어 복수개로 배치될 수 있다.The light source module 1031 includes at least one light source module 1031 and may directly or indirectly provide light from one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device package 110 according to an embodiment of the present invention and the plurality of light emitting device packages 110 may be disposed on the substrate 1033 at a predetermined interval have.

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광소자 패키지(110)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 직접 배치될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like, but is not limited thereto. The light emitting device package 110 may be disposed directly on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat radiation plate.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예컨대 PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 to improve the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light source module 1031, the reflective member 1022, and the like. The bottom cover 1011 may be provided with a housing 1012 having a box shape with an opened top surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. Also, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 제1 및 제2 기판과, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 배치된 편광판을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 상기 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 may be, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. And may include a polarizing plate disposed on at least one surface of the display panel 1061. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 can be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치될 수 있다. 상기 광학 시트(1051)은 적어도 하나 이상의 투광성 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 적어도 하나 이상의 프리즘 시트, 및 보호 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 보호 시트는 상기 프리즘 시트를 보호하는 기능을 포함할 수 있다.The optical sheet 1051 may be disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041. The optical sheet 1051 may include at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of, for example, a diffusion sheet, at least one prism sheet, and a protective sheet. The diffusion sheet may include a function of diffusing incident light. The prism sheet may include a function of condensing incident light into a display area. The protective sheet may include a function of protecting the prism sheet.

<조명 장치><Lighting device>

도 26은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 다른 예를 도시한 단면도이다.26 is a cross-sectional view showing another example of a display device including the light emitting device package of the embodiment.

도 26에 도시된 바와 같이, 다른 예의 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 발광소자 패키지(110)가 실장된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함할 수 있다.26, the display device 1100 of another example includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light emitting device package 110 is mounted, an optical member 1154, and a display panel 1155 can do.

상기 기판(1120)과 상기 발광소자 패키지(110)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광소자 패키지(110)를 포함할 수 있다.The substrate 1120 and the light emitting device package 110 may be defined as a light source module 1160. The bottom cover 1152, the at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto. The light source module 1160 may include a substrate 1120 and a plurality of light emitting device packages 110 arranged on the substrate 1120.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 확산판, 확산 시트, 프리즘 시트, 및 보호시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 확산판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시키고, 상기 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시키고, 상기 보호 시트는 상기 프리즘 시트를 보호할 수 있다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a diffusion plate, a diffusion sheet, a prism sheet, and a protective sheet. The diffusion plate may be made of PC material or PMMA (poly methyl methacrylate) material, and the diffusion plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the prism sheet condenses incident light into a display area, and the protective sheet can protect the prism sheet.

상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light source module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of light emitted from the light source module 1060.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)는 상기 표시장치뿐만 아니라 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device package 110 according to the embodiment can be applied to not only the display device but also a lighting unit, a pointing device, a lamp, a streetlight, a vehicle lighting device, a vehicle display device, a smart watch, and the like.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects, and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

130: 제1 캐비티
131 내지 134: 제1 내지 제4 내측면
140: 제2 캐비티
141 내지 144: 제5 내지 제8 내측면
170: 제1 리드 프레임
180: 제3 리드 프레임
190, 290, 290a~290e: 반사 몰딩부130: First cavity
131 to 134: first to fourth inner surfaces
140: second cavity
141 to 144: fifth to eighth inner sides
170: first lead frame
180: Third lead frame
190, 290, 290a to 290e:

Claims (19)

제1 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 리드 프레임과 결합되고, 상기 제1 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티와, 상기 제2 리드 프레임 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티, 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 몸체;
상기 제1 캐비티 내에 배치된 적어도 하나 이상의 발광소자;
상기 제2 캐비티 내에 배치된 보호소자; 및
상기 보호소자 상에 배치되고, 상기 제2 캐비티를 덮는 반사 몰딩부를 포함하고,
상기 제1 캐비티는 서로 대면하는 제1 및 제3 내측면과, 상기 제1 내측면 양끝단으로부터 상기 제3 내측면 방향으로 연장되는 제2 및 제4 내측면을 포함하고,상기 제2 캐비티는 상기 제1 캐비티의 제1 내측면의 일부를 관통하여 상기 제2리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키며,
상기 제1 내측면은 상기 스페이서의 상면과 연결되고,
상기 제1 캐비티의 바닥면 면적은 상기 몸체 전체 면적의 40% 이하이며,
상기 제1 내측면은 상기 제1 캐비티로부터 노출된 상기 제1 리드 프레임의 상부면과 상기 제2 캐비티 사이에 배치된 경계부를 포함하며,
상기 경계부는 상기 제1 캐비티와 상기 제2 캐비티 사이에 배치되며,
상기 경계부는 상기 스페이서와 수직 방향으로 중첩되며,
상기 제1 내측면은 상기 제1리드 프레임의 상부면에 대해 경사진 경사각을 가지며,
상기 경계부의 상면은 상기 제1 내측면의 경사각으로 경사지며,
상기 반사 몰딩부의 일부는 상기 경계부의 상면을 덮고 상기 제2 캐비티와 가장 가까운 상기 제1캐비티의 바닥까지 연장되는 발광소자 패키지.A first lead frame;
A second lead frame spaced apart from the first lead frame;
A first cavity coupled to the first and second lead frames and exposing a portion of an upper surface of the first lead frame, a second cavity exposing a portion of the upper surface of the second lead frame, A body including a spacer disposed between the two leadframes;
At least one light emitting element disposed in the first cavity;
A protective element disposed in the second cavity; And
And a reflective molding part disposed on the protection element and covering the second cavity,
Wherein the first cavity includes first and third inner sides facing each other and second and fourth inner sides extending from the first inner side both ends in the third inner side direction, And a second lead frame extending through the first inner surface of the first cavity to expose a portion of the upper surface of the second lead frame,
The first inner side surface is connected to the upper surface of the spacer,
The bottom surface area of the first cavity is 40% or less of the total area of the body,
Wherein the first inner side includes a boundary disposed between the upper surface of the first lead frame exposed from the first cavity and the second cavity,
Wherein the boundary portion is disposed between the first cavity and the second cavity,
The boundary portion overlaps the spacer in the vertical direction,
The first inner side surface has an inclined angle inclined with respect to the upper surface of the first lead frame,
Wherein an upper surface of the boundary portion is inclined at an inclination angle of the first inner side surface,
Wherein a portion of the reflective molding portion covers an upper surface of the boundary portion and extends to a bottom of the first cavity closest to the second cavity. 제1 항에 있어서,
상기 제2 캐비티와 가장 인접한 상기 제1 캐비티 바닥에 배치된 와이어 본딩부 및 상기 와이어 본딩부와 상기 보호소자를 연결하는 제1 와이어를 더 포함하고,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 발광소자와 상기 와이어 본딩부 사이에 배치된 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
A wire bonding portion disposed at the first cavity bottom closest to the second cavity, and a first wire connecting the wire bonding portion and the protection element,
And an end of the reflective molding part is disposed between the light emitting device and the wire bonding part. 제2 항에 있어서,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 제1 캐비티의 제1 내측면과의 제1 경계로부터 상기 제1 캐비티의 바닥면으로 연장되고, 상기 제1 캐비티의 제4 내측면과의 제2 경계로부터 상기 제1 캐비티의 바닥면으로 연장되고, 상기 제1 및 제2 경계 사이에 제3 경계를 포함하는 발광소자 패키지.3. The method of claim 2,
Wherein an end of the reflective molding portion extends from a first boundary with the first inner side of the first cavity to a bottom surface of the first cavity and extends from the second boundary with the fourth inner side of the first cavity And a third boundary extending between the first and second boundaries, the third boundary extending to the bottom surface of the cavity. 제3 항에 있어서,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 제1 내측면과 대응되는 제1 방향으로 제1 경계와 제2 경계 사이의 제1 너비와, 상기 제2 경계와 제3 경계 사이의 제2 너비를 포함하고,
상기 제1 너비는 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 상기 제1 경계로부터 연장되는 제1 기준라인과, 상기 제2 방향으로 상기 제2 경계로부터 연장되는 제2 기준라인 사이의 간격이고,
상기 제2 너비는 상기 제1 기준라인과, 상기 제2 방향으로 상기 제3 경계로부터 연장되는 제3 기준라인 사이의 간격이고,
상기 제2 너비는 상기 제1 너비의 1/3 이하인 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein an end of the reflective molding comprises a first width between a first boundary and a second boundary in a first direction corresponding to a first inner side and a second width between the second boundary and a third boundary,
Wherein the first width is a distance between a first reference line extending from the first boundary in a second direction orthogonal to the first direction and a second reference line extending from the second boundary in the second direction,
The second width being the spacing between the first reference line and a third reference line extending from the third boundary in the second direction,
And the second width is equal to or less than 1/3 of the first width.
제4 항에 있어서,
상기 적어도 하나 이상의 발광소자는 제1 및 제2 발광소자를 포함하고,
상기 제1 발광소자는 상기 와이어 본딩부 옆에 배치되고,
상기 제3 경계는 상기 제1 발광소자와 대면되는 상기 제2 발광소자의 일측면과 제2 방향으로 나란하게 배치되는 발광소자 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the at least one light emitting element includes first and second light emitting elements,
Wherein the first light emitting device is disposed next to the wire bonding portion,
And the third boundary is disposed in parallel with one side of the second light emitting element facing the first light emitting element in the second direction.
제3 항에 있어서,
상기 제1 경계는 상기 제1 캐비티의 상기 제1 내측면과 상기 제2 내측면 사이에 배치되고,
상기 제1 내측면의 경사각은 상기 제3 내측면의 경사각보다 큰 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein the first boundary is disposed between the first inner side surface and the second inner side surface of the first cavity,
Wherein the inclination angle of the first inner side surface is larger than the inclination angle of the third inner side surface.
제1 항에 있어서,
상기 제1 캐비티의 제1 내지 제4내측면과 상기 적어도 하나 이상의 발광소자 사이의 간격은 상기 제1 캐비티의 바닥면 너비의 3.3% 이하인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein an interval between the first to fourth inner sides of the first cavity and the at least one light emitting element is 3.3% or less of the bottom surface width of the first cavity. 제1 항에 있어서,
상기 제1 캐비티의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임의 면적은 상기 몸체의 전체 면적의 20% 내지 40%이고,
상기 제2 캐비티의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임의 면적은 상기 몸체의 전체 면적의 3% 내지 10%인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The area of the first lead frame exposed on the bottom surface of the first cavity is 20% to 40% of the total area of the body,
And the area of the second lead frame exposed on the bottom surface of the second cavity is 3% to 10% of the total area of the body.
제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 경계부의 높이는 상기 보호소자의 높이보다 높고,
상기 경계부의 높이는 100㎛ 내지 300㎛의 범위이고,
상기 경계부는 상기 제1 내측면 내에 배치된 발광소자 패키지.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The height of the boundary portion is higher than the height of the protection element,
The height of the boundary portion is in the range of 100 mu m to 300 mu m,
And the boundary portion is disposed in the first inner side surface. 제1 항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 캐비티는 제5 내지 제8 내측면을 포함하고, 상기 제5 내측면은 상기 제1 캐비티의 제3 내측면과 마주보도록 배치되고, 상기 제5 내측면은 일정한 곡률 반경을 갖고, 상기 제5 내측면의 곡률 반경은 0.1㎜ 내지 0.3㎜인 발광소자 패키지.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the second cavity includes fifth to eighth inner surfaces, the fifth inner surface is disposed to face the third inner surface of the first cavity, the fifth inner surface has a constant radius of curvature, And the radius of curvature of the fifth inner side surface is 0.1 mm to 0.3 mm. 제1 항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임은,
상기 제1 리드 프레임의 상부면 상에 오목한 형상의 제1 리세스부;
상기 제1 리드 프레임의 하부면 가장자리에 배치된 제1 및 제2 단차부; 및
상기 제1 단차부로부터 외측으로 돌출된 제1 돌출부들을 포함하고,
상기 제1 리세스부는 상기 제1 및 제2 단차부로부터 일정 간격 이격되고,
상기 제2 리드 프레임은,
상기 제2 리드 프레임의 상부면 상에 오목한 형상의 제2 리세스부;
상기 제2 리드 프레임의 하부면 가장자리에 배치된 제3 및 제4 단차부; 및
상기 제3 단차부로부터 외측으로 돌출된 제2 돌출부들을 포함하고,
상기 제2 리세스부는 상기 제3 및 제4 단차부로부터 일정 간격 이격된 발광소자 패키지.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The first lead frame includes:
A first recess portion having a concave shape on an upper surface of the first lead frame;
First and second stepped portions disposed on a lower surface edge of the first lead frame; And
And first protrusions protruding outward from the first step portion,
Wherein the first recess portion is spaced apart from the first and second step portions by a predetermined distance,
The second lead frame has a first lead-
A second recess portion having a concave shape on an upper surface of the second lead frame;
Third and fourth stepped portions disposed on a lower surface edge of the second lead frame; And
And second protrusions protruding outward from the third step portion,
And the second recess portion is spaced apart from the third and fourth step portions by a predetermined distance. 제9항에 있어서,
상기 경계부는 상기 스페이서 상에 배치되고,
상기 경계부의 단축방향의 폭은 상기 스페이서의 단축방향의 폭 이상 또는 상기 스페이서의 단축 방향의 폭 이하인 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
The boundary portion being disposed on the spacer,
And the width of the boundary portion in the short axis direction is equal to or larger than the width in the short axis direction of the spacer or in the short axis direction of the spacer. 제9항에 있어서,
상기 경계부는 상기 스페이서 상에 배치되고,
상기 스페이서의 상부면 일부는 상기 경계부로부터 노출된 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
The boundary portion being disposed on the spacer,
And a part of the upper surface of the spacer is exposed from the boundary portion. 제1 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 리드 프레임과 결합되고, 상기 제1 및 제2 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 캐비티와, 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 몸체;
상기 캐비티 내에서 상기 제1 리드 프레임 상에 배치된 발광소자;
상기 캐비티 내에서 상기 제2 리드 프레임 상에 배치된 보호소자;
상기 보호소자 상에 배치된 반사 몰딩부; 및
상기 발광소자와 상기 보호소자 사이에 배치된 와이어 본딩부를 포함하고,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 발광소자와 와이어 본딩부 사이에 배치되며,
상기 캐비티는 제2방향으로 서로 대면하는 제1내측면과 제3내측면, 및 상기 제2방향과 직교하는 제1방향으로 서로 대면하는 제2내측면과 제4내측면을 포함하며,
상기 제1 내지 제4내측면은 상기 캐비티의 바닥면 둘레에서 상기 제1리드 프레임에 접촉되며,
상기 제1내측면은 상기 발광 소자와 상기 보호 소자 사이에 경계부를 포함하며,
상기 와이어 본딩부는 상기 캐비티 내에서 상기 제1 리드 프레임의 상부면 상에 배치되는 발광소자 패키지.A first lead frame;
A second lead frame spaced apart from the first lead frame;
A body coupled to the first and second lead frames, the cavity including a cavity exposing a portion of a top surface of the first and second lead frames; and a spacer disposed between the first and second lead frames;
A light emitting element disposed on the first lead frame in the cavity;
A protective element disposed on the second lead frame in the cavity;
A reflective molding part disposed on the protection element; And
And a wire bonding portion disposed between the light emitting element and the protection element,
An end of the reflective molding part is disposed between the light emitting device and the wire bonding part,
The cavity includes a first inner side and a third inner side facing each other in a second direction and a second inner side and a fourth inner side facing each other in a first direction orthogonal to the second direction,
Wherein the first to fourth inner sides contact the first lead frame around the bottom surface of the cavity,
Wherein the first inner side includes a boundary portion between the light emitting element and the protection element,
And the wire bonding portion is disposed on the upper surface of the first lead frame in the cavity. 제14 항에 있어서,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 캐비티의 제1 내측면과의 제1 경계로부터 상기 캐비티의 바닥면으로 연장되고, 상기 캐비티의 제4 내측면과의 제2 경계로부터 상기 캐비티의 바닥면으로 연장되고, 상기 제1 및 제2 경계 사이에 제3 경계를 포함하는 발광소자 패키지.15. The method of claim 14,
Wherein an end of the reflective molding portion extends from a first boundary with the first inner side of the cavity to a bottom surface of the cavity and extends from a second boundary with the fourth inner side of the cavity to the bottom surface of the cavity, And a third boundary between the first and second boundaries. 제15 항에 있어서,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 제1 내측면과 대응되는 제1 방향으로 제1 경계와 제2 경계 사이의 제1 너비와, 상기 제2 경계와 제3 경계 사이의 제2 너비를 포함하고,
상기 제1 너비는 제2 방향으로 상기 제1 경계로부터 연장되는 제1 기준라인과, 상기 제2 방향으로 상기 제2 경계로부터 연장되는 제2 기준라인 사이의 간격이고,
상기 제2 너비는 상기 제1 기준라인과, 상기 제2 방향으로 상기 제3 경계로부터 연장되는 제3 기준라인 사이의 간격이고,
상기 제2 너비는 상기 제1 너비의 1/3 이하인 발광소자 패키지.16. The method of claim 15,
Wherein an end of the reflective molding portion includes a first width between a first boundary and a second boundary in a first direction corresponding to the first inner side and a second width between the second boundary and a third boundary,
The first width being a distance between a first reference line extending from the first boundary in a second direction and a second reference line extending from the second boundary in the second direction,
The second width being the spacing between the first reference line and a third reference line extending from the third boundary in the second direction,
And the second width is equal to or less than 1/3 of the first width. 제14 항에 있어서,
상기 반사 몰딩부는 상기 스페이서의 일부와 수직 방향으로 중첩되고 상기 스페이서의 상부와 직접 접촉된 발광소자 패키지.15. The method of claim 14,
Wherein the reflective molding part is vertically overlapped with a part of the spacer and is in direct contact with the upper part of the spacer. 제1 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 캐비티 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 몸체;
상기 캐비티 내에서 상기 제1 리드 프레임 상에 배치된 발광소자;
상기 캐비티 내에서 상기 제2 리드 프레임 상에 배치된 보호소자;
상기 보호소자 상에 배치된 반사 몰딩부; 및
상기 보호 소자와 상기 제1리드 프레임에 배치된 와이어 본딩부에 연결된 와이어를 포함하며,
상기 와이어 본딩부는 상기 보호 소자와 상기 발광 소자 사이에 배치되며,
상기 반사 몰딩부는 상기 와이어를 덮고 상기 발광소자와 상기 와이어 본딩부 사이에 연장되며,
상기 반사 몰딩부는 상기 제1리드 프레임의 상부면 상에 연장되며,
상기 캐비티는 제2방향으로 서로 대면하는 제1내측면과 제3내측면, 및 상기 제2방향과 직교하는 제1방향으로 서로 대면하는 제2내측면과 제4내측면을 포함하며,
상기 반사 몰딩부는 상기 제1내측면과 상기 제1내측면에 인접한 상기 제4내측면 상에 배치되며,
상기 발광 소자와 상기 발광 소자에 인접한 상기 반사 몰딩부의 끝단 사이의 이격거리는 상기 발광 소자와 상기 제4내측면 하단 사이의 이격거리보다 작으며,
제1방향으로 상기 제1리드 프레임의 상부 면에 배치된 상기 반사 몰딩부의 하면 너비는, 상기 제2리드 프레임의 상부 면에 배치된 상기 반사 몰딩부의 하면 너비보다 작은 발광소자 패키지.A first lead frame;
A second lead frame spaced apart from the first lead frame;
A body including a cavity exposing a part of an upper surface of the first and second lead frames, and a spacer disposed between the first and second lead frames;
A light emitting element disposed on the first lead frame in the cavity;
A protective element disposed on the second lead frame in the cavity;
A reflective molding part disposed on the protection element; And
And a wire connected to the protection element and a wire bonding portion disposed in the first lead frame,
Wherein the wire bonding portion is disposed between the protection element and the light emitting element,
Wherein the reflective molding part covers the wire and extends between the light emitting device and the wire bonding part,
Wherein the reflective molding portion extends on an upper surface of the first lead frame,
The cavity includes a first inner side and a third inner side facing each other in a second direction and a second inner side and a fourth inner side facing each other in a first direction orthogonal to the second direction,
Wherein the reflective molding portion is disposed on the first inner side and the fourth inner side adjacent to the first inner side,
Wherein a distance between the light emitting device and an end of the reflective molding part adjacent to the light emitting device is smaller than a distance between the light emitting device and the bottom of the fourth inner surface,
Wherein the bottom width of the reflective molding part disposed on the top surface of the first lead frame in the first direction is smaller than the bottom width of the reflective molding part disposed on the top surface of the second lead frame. 제18항에 있어서,
상기 반사몰딩부의 끝단은 상기 제1내측면과의 제1경계, 상기 제4내측면과의 제2경계, 및 상기 제1경계로부터 상기 발광 소자 방향으로 연장된 직선과 상기 제2경계로부터 제1방향으로 연장되는 직선이 만나는 제3경계를 포함하며,
상기 제1경계로부터 제2방향으로 연장된 제1기준 라인, 상기 제2경계로부터 제2방향으로 연장된 제2기준 라인, 상기 제3경계로부터 제2방향으로 연장되는 제3기준 라인을 포함하며,
상기 제1기준 라인과 상기 제2기준 라인 사이의 간격인 제1너비와, 상기 제2기준 라인과 상기 제3기준 라인 사이의 간격인 제2너비인 경우,
상기 제2 너비는 상기 제1 너비의 1/3 이하인 발광소자 패키지.19. The method of claim 18,
Wherein an end of the reflective molding part has a first boundary with the first inner side surface, a second boundary with the fourth inner side surface, and a straight line extending from the first boundary in the direction of the light emitting element, And a third boundary,
A first reference line extending in a second direction from the first boundary, a second reference line extending in a second direction from the second boundary, and a third reference line extending in a second direction from the third boundary, ,
A first width that is a distance between the first reference line and the second reference line and a second width that is an interval between the second reference line and the third reference line,
And the second width is equal to or less than 1/3 of the first width.
KR1020160122480A 2015-10-14 2016-09-23 Light emitting package and lighting device having thereof KR101831249B1 (en)

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