KR102042271B1 - Light emitting device and lighting system - Google Patents
Light emitting device and lighting system Download PDFInfo
- Publication number
- KR102042271B1 KR102042271B1 KR1020190102185A KR20190102185A KR102042271B1 KR 102042271 B1 KR102042271 B1 KR 102042271B1 KR 1020190102185 A KR1020190102185 A KR 1020190102185A KR 20190102185 A KR20190102185 A KR 20190102185A KR 102042271 B1 KR102042271 B1 KR 102042271B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lead frame
- light emitting
- cavity
- emitting chip
- chip
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 44
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- -1 TiO 2 or SiO 2 Chemical class 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1 내측면, 상기 제1 내측면에 대응되는 제2 내측면, 제3 내측면 및 상기 제3 내측면에 대응되는 제4 내측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부; 상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩; 상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및 상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고, 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면은 상기 몸체와 접하는 영역에 요철 패턴을 포함하고, 상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고, 상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고, 상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고, 상기 제1방향으로 상기 제3내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제1간격은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제2간격보다 보다 길고, 상기 제1방향으로 상기 수평형 발광 칩은 상기 제3측면부 보다 상기 제4측면부에 더 가깝게 배치되고, 상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 수평형 발광 칩 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a body having a cavity having a first inner surface, a second inner surface corresponding to the first inner surface, a third inner surface, and a fourth inner surface corresponding to the third inner surface. ; A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side; A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side; A gap portion between the first lead frame and the second lead frame; A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame; A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame; A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And a second wire including a third end connected to the protection chip and a fourth end connected to an exposed surface of the first lead frame, wherein the body corresponds to the first inner surface and extends in a first direction. A first side portion, a second side portion corresponding to the second inner side and extending in the first direction, a third side portion corresponding to the third inner side and extending in a second direction perpendicular to the first direction and the A fourth side portion corresponding to a fourth inner side surface and extending in the second direction, wherein upper surfaces of the first lead frame and the second lead frame include an uneven pattern in an area in contact with the body, and the gap portion A first surface and a second surface inclined with respect to the first surface, wherein the first surface of the gap portion is disposed on a plane different from an upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame; Image of the gap portion The second surface faces the horizontal light emitting chip, and a first interval between the third inner surface and the horizontal light emitting chip in the first direction is the fourth inner surface and the horizontal light emitting in the first direction. Longer than the second gap between the chips, the horizontal light emitting chip in the first direction is disposed closer to the fourth side portion than the third side portion, and the third inner side, the fourth inner side, and the number The balanced light emitting chip and the fourth end may overlap each other in the first direction.
Description
실시 예는 발광 소자 및 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device and an illumination system.
발광소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device, such as a light emitting device, is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing an existing fluorescent lamp and an incandescent lamp.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 발생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since light emitting diodes generate light using semiconductor devices, they consume much less power than incandescent lamps that generate light by heating tungsten or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet light generated through high-pressure discharges with phosphors. .
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, the light emitting diode has a longer life, a faster response characteristic, and an environment-friendly characteristic than a conventional light source.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, many researches are being conducted to replace the existing light sources with light emitting diodes, and the light emitting diodes are increasingly used as light sources of lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors. have.
실시 예는 새로운 캐비티 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device having a new cavity structure.
실시 예는 캐비티의 어느 한 내측면에서의 측면 각도가 서로 다른 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a structure in which the side angles at any one inner surface of the cavity are different from each other.
실시 예는 캐비티의 어느 한 내측면에 소정 폭을 갖는 리세스 영역을 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a recessed region having a predetermined width on either inner surface of the cavity.
실시예는 제1 내측면, 상기 제1 내측면에 대응되는 제2 내측면, 제3 내측면 및 상기 제3 내측면에 대응되는 제4 내측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부; 상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩; 상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및 상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고, 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면은 상기 몸체와 접하는 영역에 요철 패턴을 포함하고, 상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고, 상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고, 상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고, 상기 제1방향으로 상기 제3내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제1간격은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제2간격보다 보다 길고, 상기 제1방향으로 상기 수평형 발광 칩은 상기 제3측면부 보다 상기 제4측면부에 더 가깝게 배치되고, 상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 수평형 발광 칩 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자를 포함할 수 있다.An embodiment may include a body including a cavity having a first inner side, a second inner side corresponding to the first inner side, a third inner side, and a fourth inner side corresponding to the third inner side; A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side; A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side; A gap portion between the first lead frame and the second lead frame; A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame; A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame; A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And a second wire including a third end connected to the protection chip and a fourth end connected to an exposed surface of the first lead frame, wherein the body corresponds to the first inner surface and extends in a first direction. A first side portion, a second side portion corresponding to the second inner side and extending in the first direction, a third side portion corresponding to the third inner side and extending in a second direction perpendicular to the first direction and the A fourth side portion corresponding to a fourth inner side surface and extending in the second direction, wherein upper surfaces of the first lead frame and the second lead frame include an uneven pattern in an area in contact with the body, and the gap portion A first surface and a second surface inclined with respect to the first surface, wherein the first surface of the gap portion is disposed on a plane different from an upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame; Image of the gap portion The second surface faces the horizontal light emitting chip, and a first interval between the third inner surface and the horizontal light emitting chip in the first direction is the fourth inner surface and the horizontal light emitting in the first direction. Longer than the second gap between the chips, the horizontal light emitting chip in the first direction is disposed closer to the fourth side portion than the third side portion, and the third inner side, the fourth inner side, and the number The balanced light emitting chip and the fourth end may include light emitting devices overlapped in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 끝단은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 보호 칩 사이에 배치될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the second end may be disposed between the fourth inner surface and the protection chip in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1간격은 상기 제2간격보다 80㎛이상 이격될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the first interval may be 80 μm or more apart from the second interval.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2간격은 80㎛이상 200㎛이하일 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the second interval may be 80 μm or more and 200 μm or less.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2방향으로 상기 제3측면부 또는 상기 제4측면부의 길이는 상기 제1방향으로 상기 제1측면부 또는 상기 제2측면부의 길이보다 1.2배 이상 길 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the length of the third side portion or the fourth side portion in the second direction may be at least 1.2 times longer than the length of the first side portion or the second side portion in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 복수의 리드부 및 상기 제2리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함할 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the first lead frame may include a plurality of lead parts protruding to the first side part, and the second lead frame may include a plurality of lead parts protruding to the second side part.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 보호 칩 및 상기 제2끝단은 상기 제1방향으로 중첩될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the third inner side surface, the fourth inner side surface, the protective chip, and the second end may overlap each other in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 수평형 발광 칩의 면적은 상기 제1리드 프레임의 노출면의 면적 대비 30%이상일 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the area of the horizontal light emitting chip may be 30% or more of the area of the exposed surface of the first lead frame.
실시예는 제1 내측면, 상기 제1 내측면에 대응되는 제2 내측면, 제3 내측면 및 상기 제3 내측면에 대응되는 제4 내측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부; 상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩; 상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및 상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 및 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제3 내측면에서 상기 제3측면부 방향으로 볼록하게 형성된 리세스 영역을 포함하고, 상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고, 상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고, 상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고, 상기 리세스 영역, 상기 제4내측면 및 상기 수평형 발광은 상기 제1방향으로 중첩되고, 상기 리세스 영역, 상기 제4내측면 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자를 포함할 수 있다.An embodiment may include a body including a cavity having a first inner side, a second inner side corresponding to the first inner side, a third inner side, and a fourth inner side corresponding to the third inner side; A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side; A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side; A gap portion between the first lead frame and the second lead frame; A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame; A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame; A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And a second wire including a third end connected to the protection chip and a fourth end connected to an exposed surface of the first lead frame, wherein the body corresponds to the first inner surface and in a first direction. An extended first side surface portion, a second side surface portion corresponding to the second inner surface and extending in the first direction, a third side surface portion corresponding to the third inner surface and extending in a second direction perpendicular to the first direction; A fourth side portion corresponding to the fourth inner side surface and extending in the second direction, wherein the body includes a recessed region formed convexly in the direction of the third side portion on the third inner side surface, and the gap portion A first surface and a second surface inclined with respect to the first surface, wherein the first surface of the gap portion is disposed on a plane different from an upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame; Image of the gap portion A second surface faces the horizontal light emitting chip, and the recess area, the fourth inner surface and the horizontal light emission overlap each other in the first direction, and the recess area, the fourth inner surface and the fourth surface are overlapped. Four ends may include a light emitting device overlapping in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 끝단은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 보호 칩 사이에 배치될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the second end may be disposed between the fourth inner surface and the protection chip in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2방향으로 상기 제3측면부 또는 상기 제4측면부의 길이는 상기 제1방향으로 상기 제1측면부 또는 상기 제2측면부의 길이보다 1.2배 이상 길 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the length of the third side portion or the fourth side portion in the second direction may be at least 1.2 times longer than the length of the first side portion or the second side portion in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자는상기 제1리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 복수의 리드부 및 상기 제2리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함할 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the first lead frame may include a plurality of lead parts protruding to the first side part, and the second lead frame may include a plurality of lead parts protruding to the second side part.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 보호 칩 및 상기 제2끝단은 상기 제1방향으로 중첩될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the third inner side surface, the fourth inner side surface, the protective chip, and the second end may overlap each other in the first direction.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 수평형 발광 칩의 면적은 상기 제1리드 프레임의 노출면의 면적 대비 30%이상일 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the area of the horizontal light emitting chip may be 30% or more of the area of the exposed surface of the first lead frame.
실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 방향으로 상기 리세스 영역의 최소 길이는 350㎛ 내지 500㎛일 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the minimum length of the recess region in the second direction may be 350 μm to 500 μm.
실시 예는 발광 소자의 캐비티의 어느 한 내측면에 와이어의 본딩을 위한 리세스부를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a recess for bonding the wire to an inner side surface of the cavity of the light emitting device.
실시 예는 발광 소자에서 대면적의 발광 칩이나 복수의 발광 칩을 용이하게 탑재할 수 있는 캐비티 구조를 제공할 수 있다. The embodiment can provide a cavity structure in which a large area light emitting chip or a plurality of light emitting chips can be easily mounted in a light emitting device.
실시 예는 발광 소자의 캐비티 내에서의 광 효율을 개선하여 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment may improve reliability by improving light efficiency in the cavity of the light emitting device.
실시 예는 리드 프레임들 사이의 하부 영역을 효과적으로 지지할 수 있다.The embodiment can effectively support the lower regions between the lead frames.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light emitting device and the lighting system having the same.
도 1은 제1실시예에 따른 발광소자의 사시도를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 부분 확대도이다.
도 4는 도 2의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 2의 발광 소자의 B-B측 단면도이다.
도 6 내지 도 9는 도 2의 발광 소자의 몸체 측면도를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 2의 발광 소자의 배면도를 나타낸 도면이다.
도 11 및 도 12는 도 2의 발광 소자의 리드 프레임의 정면도 및 배면도를 나타낸 도면이다.
도 13은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 14는 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다.
도 15는 도 14의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 16은 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명장치의 예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a perspective view of a light emitting device according to the first embodiment.
FIG. 2 is a plan view of the light emitting device of FIG. 1.
3 is a partially enlarged view of the light emitting device of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view taken along the AA side of the light emitting device of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view taken along the BB side of the light emitting device of FIG. 2.
6 to 9 are views illustrating a body side view of the light emitting device of FIG. 2.
FIG. 10 is a rear view of the light emitting device of FIG. 2.
11 and 12 illustrate front and rear views of the lead frame of the light emitting device of FIG. 2.
13 is a side sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment.
14 is a plan view illustrating a light emitting device according to a third embodiment.
FIG. 15 is a side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 14.
16 is a view illustrating an example of a light emitting chip of a light emitting device according to the embodiment.
17 is a view showing another example of a light emitting chip of a light emitting device according to the embodiment.
18 is a perspective view illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.
19 is a perspective view illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.
20 is a view showing an example of a lighting device having a light emitting device according to the embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, each substrate, frame, sheet, layer, or pattern is formed "on" or "under" of each substrate, frame, sheet, layer, or pattern. In the case of what is described as being intended, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. . In addition, the criteria for the top or bottom of each component will be described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for description, and does not mean a size that is actually applied.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. Hereinafter, the embodiments will be apparent from the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 사시도를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광 소자의 부분 확대도이다. 도 4는 도 1의 발광 소자의 Y-Y측 단면도이고, 도 5는 도 1의 발광 소자의 X-X측 단면도이며, 도 6내지 도 9는 도 2의 발광 소자의 몸체 측면도를 나타낸 도면이며, 도 10은 도 2의 발광 소자의 배면도이고, 도 11 및 도 12는 도 2의 발광 소자의 리드 프레임의 정면도 및 배면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged view of the light emitting device of FIG. 2. 4 is a YY side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1, FIG. 5 is a XX side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1, FIGS. 6 to 9 are side views of the body of the light emitting device of FIG. 2 is a rear view of the light emitting device of FIG. 2, and FIGS. 11 and 12 are front and rear views of the lead frame of the light emitting device of FIG. 2.
도 1내지 도 5를 참조하면, 발광소자(100)는, 어느 한 측면에 리세스 영역(76)을 갖는 캐비티(101)를 포함하는 몸체(111), 복수의 리드 프레임(121,131), 발광 칩(171), 와이어(175,176), 보호 칩(173) 및 몰딩 부재(161)를 포함한다.1 to 5, the
상기 몸체(111)는 절연 재질, 또는 전도성 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(111)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 폴리시크로 헥실렌디메틸렌 테레프탈레이트(PCT: Polycyclohexylene Terephthalate)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(111)는 주입 방식으로 사출 성형될 수 있으며, 그 재질은 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. The
상기 몸체(111)는 에폭시를 갖는 EMC(epoxy molding compound) 재질을 포함하며, 상기 EMC 재질은 성형성, 내습성, 접착성이 개선되고, 절연성 재질이다. 상기 몸체(111) 내에는 반사 효율을 높이기 위해 TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러가 첨가될 수 있다. 상기 필러의 함유 비율은 상기 몸체(111) 내에 10wt% 이상 예컨대, 15wt% 이상으로 첨가될 수 있다.The
상기 몸체(111)는 광 반사를 위해 반사성 재질로 형성되거나, 지향각 분포를 넓혀주기 위해 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 몸체(111)의 외 형상은 위에서 볼 때, 직 사각형 형상 또는 정 사각형과 같은 다각형 구조로 형성될 수 있으며, 외곽 모서리 부분은 각 면이거나 곡면으로 형성될 수 있다. The outer shape of the
발광 소자(100)는 상기 몸체(111)의 형상이 사각형 형상인 경우, 상기 몸체(111)는 복수의 측면부 예컨대, 적어도 4개의 측면부(61~64)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면부(61~64) 중 적어도 하나는 상기 몸체(111)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(111)는 제1 내지 제4측면부(61~64)를 그 예로 설명하며, 상기 제1측면부(61)와 제2측면부(62)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(63)와 제4측면부(64)는 서로 반대측 면이 된다. When the
상기 몸체(111)에서 제3측면부(63) 또는 제4측면부(64)의 너비는 제1측면부(61) 또는 제2측면부(62)의 너비(X1)와 길게 형성될 수 있으며, 예컨대, 1.2배 이상 길게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(111)의 제1내지 제4측면부(61~64)의 너비는 서로 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The width of the
상기 몸체(111)는 리드 프레임(121,131)의 아래에 배치된 지지 몸체(112)와, 상기 리드 프레임(121,131)의 상부에 배치된 반사 몸체(113), 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이에 배치된 간극부(115)를 포함한다. 상기 지지 몸체(112)와 상기 반사 몸체(113), 그리고 간극부(115)는 서로 연결될 수 있다. The
상기 몸체(111)는 상부가 개방되고 소정 깊이를 갖는 캐비티(101)를 포함하며, 상기 캐비티(101)는 상기 몸체(111)의 상면보다 낮은 깊이를 갖는 컵 구조 또는 리세스 구조와 같은 형상으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(101)의 바닥에는 복수의 리드 프레임(121,131)과 간극부(115)가 배치될 수 있다. The
상기 캐비티(101)는 복수의 내측면(71~74)을 포함할 수 있다. 상기 캐비티(101)의 내측면(71~74)은 4개의 내측면을 포함될 수 있다. 상기 내측면들(71~74) 중 적어도 하나는 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 상기 캐비티(101)의 수평한 바닥에 대해 경사지게 형성될 수 있다. 실시 예의 캐비티(101)의 내측면들(71~74)은 경사진 면으로 형성된 예로 설명할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 것은 아니다. 예컨대, 상기 캐비티(101)의 내측면들(71~74) 중 적어도 하는 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 캐비티의 수평한 바닥에 대해 수직하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 캐비티(101)의 내측면들(71~74)은 제1 내지 제4내측면(71~74)으로 정의할 수 있으며, 상기 제1내측면(71)은 몸체(111)의 제1측면부(61)와 대응되며, 상기 제2내측면(72)은 몸체(111)의 제2측면부(62)와 대응되며, 제3내측면(73)은 몸체(111)의 제3측면부(63)와 대응되며, 제4내측면(74)은 몸체(111)의 제4측면부(64)와 대응된다. 상기 제1내측면(71) 및 상기 제2내측면(72)은 상기 제3 및 제4내측면(73,74)과는 직교되게 배치된다. 상기 제1내지 제4내측면(71~74) 사이의 모서리 부분은 곡면으로 형성되거나 각진 면에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.2 and 3, the
상기 캐비티(101)의 제1 및 제2내측면(71,72)의 너비(X2)는 동일하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1내지 제4내측면(71~74)는 상기 발광 칩(171)의 측면들과 각각 대응되게 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(171)은 상기 캐비티(101)의 제2내측면(72) 보다는 제1 내지 제3내측면(71,73,74)에 더 인접하게 배치된다. Widths X2 of the first and second inner side surfaces 71 and 72 of the
도 4와 같이, 상기 캐비티(101)의 제1내측면(71) 또는 상기 제2내측면(72)의 각도(θ1)는 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 캐비티(101)의 바닥에 대해 90도 이상 예컨대, 91~120도 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1내측면(71) 또는 상기 제2내측면(72)의 각도(θ1)는 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As shown in FIG. 4, the angle θ1 of the first
도 5와 같이, 상기 캐비티(101)의 제4내측면(74)의 각도(θ2)은 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 캐비티(101)의 바닥에 대해 90도 이상 예컨대, 91~120도 범위로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73)의 각도는 상기 제4내측면(73)의 각도(θ2)과 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As shown in FIG. 5, the angle θ2 of the fourth
상기 캐비티(101)의 제1 내지 제4내측면(71,72,73,74)은 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 상기 캐비티(101)의 바닥에 대해 동일한 각도로 경사지게 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 각도(θ1, θ2)는 91~97 범위로 형성될 수 있다. The first to fourth
상기 캐비티(101) 내에는 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131)이 배치되며, 상기 제1리드 프레임(121)은 캐비티(101) 내에서 제1, 제3 및 제4내측면(71,73,74) 아래로 연장되고, 상기 제2리드 프레임(131)은 캐비티(101) 내에서 제2, 제3 및 제4내측면(72,73,74) 아래로 연장된다.The
상기 제1리드 프레임(121) 위에는 발광 칩(171)이 탑재되고, 제2리드프레임(131) 위에는 보호 칩(173)이 탑재된다. 상기 발광 칩(171)은 상기 제1리드 프레임(171)에 본딩되어 전기적으로 연결되고 제2리드 프레임(131)과 하나 이상의 와이어(175)로 연결된다. 상기 보호 칩(173)은 제2리드 프레임(121)에 본딩되어 전기적으로 연결되고, 제1리드 프레임(121)과 와이어(176)로 연결된다.The
도 2 및 도 3과 같이, 상기 캐비티(101)에는 제1 내지 제4내측면(71~74) 중 적어도 하나 예컨대, 어느 하나의 내측면(73)에는 리세스 영역(76)을 포함한다. 상기 리세스 영역(76)은 상기 제3내측면(73) 내에 배치되고 상기 제3내측면(73)으로부터 상기 몸체(111)의 제3측면부(63) 방향으로 볼록하게 형성된다. 이러한 상기 리세스 영역&(76)은 제1 내지 제4내측면(71~74) 중에서 장 측면인 제3내측면(73) 내에 배치된다. 2 and 3, the
상기 리세스 영역(76)은 측벽(75)과, 상기 측벽(75)와 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73)에 연결된 복수의 연장부(R2)를 포함하며, 상기 연장부(R2)는 상기 측벽(75)의 양측에 연결되며 곡면이거나 절곡된 면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
또한 상기 리세스 영역(76)에 의해 상기 제2리드 프레임(121)이 노출 면적이 더 증가될 수 있다. 상기 리세스 영역(76)은 측벽(75)과 발광 칩(171) 사이의 공간을 더 넓혀 주므로, 보호 칩(173)에 연결된 와이어(176)가 본딩될 공간을 제공할 수 있다. 이는 발광 칩(171)의 사이즈를 줄이거나 몸체(111)의 사이즈를 키워 캐비티(101)의 면적을 증가시키지 않아도 되는 효과가 있다.In addition, an exposed area of the
상기 리세스 영역(76)의 너비(D11)는 상기 캐비티(101)의 길이(Y2) 또는 제3내측면(73)의 길이의 1/5.5~1/4.5 범위로 형성될 수 있으며, 예컨대 300㎛~500㎛ 범위로 형성될 수 있다. 또한 상기 리세스 영역(76)에서 측벽(75)의 너비(D1)는 너비(D11)와 같거나 작을 수 있으며, 예컨대 350㎛~450㎛ 범위로 형성될 수 있다. 이러한 리세스 영역(76)의 너비(D11)는 상기 와이어(176)의 볼(177)의 직경을 고려한 것으로서, 상기 와이어(176)의 볼(177)의 직경보다는 1.1배 이상 넓게 형성될 수 있다. 상기 리세스 영역(76)의 너비(D11)가 상기 캐비티(101)의 길이(Y2) 또는 상기 제3내측면(73)의 길이의 1/5.5~1/4.5 범위로 작게 형성될 수 있다. 이 경우 상기 너비(D11)가 너무 넓은 경우 캐비티(101)의 구조가 취약해 질 수 있으며, 또한 광의 지향각 분포가 달라질 수 있다. 상기 너비(D11)가 너무 좁은 경우 와이어(176)를 본딩하기 위한 기구물의 삽입이 어려워질 수 있다. The width D11 of the
상기 리세스 영역(76)의 너비(D11)가 너무 넓은 경우, 상기 몸체(111)의 제3측면부(63)가 외부 충격이나 습기에 취약한 문제가 될 수 있다. If the width D11 of the
상기 리세스 영역(76)의 측벽(75)과 상기 발광 칩(171) 사이의 간격(D2)은 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73)과 상기 발광 칩(171) 사이의 간격(E1)보다는 넓게 형성된다. 예컨대, 상기 리세스 영역(76)의 깊이(D3)는 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73)으로부터 40㎛ 이상 예컨대, 50㎛~95㎛ 범위로 형성될 수 있다. 이는 캐비티(101)의 제3내측면(73) 내에 리세스 영역(76)을 구비하여, 캐비티(101)의 제3내측면(73)과 발광 칩(171) 사이의 영역에 와이어(176)을 본딩할 면적을 확보해 주어, 발광 칩(171)의 어느 한 방향으로 치우치는 것을 억제할 수 있다. 또한 보호 칩(173)을 캐비티(101)가 아닌 영역에 배치하여야 하는 문제를 제거할 수 있다.The distance D2 between the
이에 따라 발광 칩(171)의 사이즈를 캐비티의 면적에 비해 극대화할 수 있어, 광도가 개선된 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한 리세스 영역(76)의 측벽(75)이 상기 발광 칩(171)과 간격(D2)만큼 이격됨으로써, 와이어 본딩을 위한 기구물의 삽입이 용이하고, 상기 리세스 영역(75)의 측벽(75) 부분이 무너지는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the size of the
또한 상기 발광 칩(171)과 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73) 사이의 간격(E1)을 발광 칩(171)과 제4내측면(74) 사이의 간격(E2)보다 더 이격시켜 준다. 예컨대, 상기 간격(E1)은 상기 간격(E2)보다 80㎛ 이상의 이격시켜 주게 된다. 이에 따라 발광 칩(171)과 상기 리세스 영역(76)의 측벽(75) 사이의 공간을 충분히 확보할 수 있게 된다. 여기서, 상기 간격(E1)은 300㎛ 이하 예컨대, 200㎛~300㎛ 범위이며, 상기 간격(E2)는 200㎛이하 예컨대, 80㎛~200㎛ 범위일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(171)의 제1측면으로부터 상기 리세스 영역(76)의 측벽(75) 사이의 거리(D2)는 상기 발광 칩(171)의 제1측면의 반대측 제2측면으로부터 상기 캐비티(101)의 제4내측면(74) 사이의 간격(E2)에 비해 1.5~3.5배 넓게 형성될 수 있다.Also, the distance E1 between the light emitting
상기 리세스 영역(76)의 위치를 보면, 상기 캐비티(101)의 바닥에 배치된 상기 간극부(115)부터 상기 제1리드 프레임(121)의 일부 영역까지 연장된다. 또한 상기 리세스 영역(76)은 상기 제1내측면(71)보다는 제2내측면(72)에 더 인접하게 배치될 수 있으며, 이는 상기 리세스 영역(76)이 보호 칩(173)에 인접할수록 와이어(176)의 직선 구간(D8)이 짧아지게 된다. 이에 따라 와이어(176)에 전달되는 외부 충격을 줄일 수 있다.In view of the location of the
상기 리세스 영역(76)의 측벽(75)과 상기 몸체(111)의 제3측면부(63) 사이의 간격(D6)은 상기 제1 내지 제4내측면(71~74)과 몸체(111)의 각 측면부(61~64)의 간격(D7)보다 더 좁을 수 있다. 예를 들면, 상기 간격(D6)은 상기 제3내측면(73)과 상기 제3측면부(63) 사이의 간격(D7)보다 얇게 형성되며, 예컨대 40㎛~70㎛ 범위로 얇게 형성될 수 있다. The distance D6 between the
상기 발광 칩(171)은 캐비티(101)의 제2내측면(72)과의 간격(E4)은 500㎛~650㎛ 범위로 이격되며, 제1내측면(71)과의 간격(E3)은 75㎛~95㎛ 범위로 형성될 수 있다. 즉, 간격(E4)는 간격(E3)의 5배 이상이 될 수 있다. The
도 5와 같이, 상기 리세스 영역(76)에서 측벽(75)의 각도(θ3)는 상기 제3내측면(73)의 각도 (θ2)보다 작은 각도로 형성될 수 있다. 상기 측벽(75)의 각도(θ3)는 리드 프레임(121)의 상면에 대해 90~92도 범위 예컨대, 90도(직각)로 형성될 수 있다. 상기 측벽(75)의 각도(θ3)는 다른 내측면들(71~74)의 각도(θ2, θ1)보다 1~3도 작게 형성된다. As illustrated in FIG. 5, the angle θ3 of the
도 2, 도 6 내지 도 12를 참조하여 리드 프레임의 구조를 보면, 상기 제1리드 프레임(121)은 상기 몸체(111)의 제1측면부(61)로 노출된 적어도 하나의 제1돌기(126), 상기 제3측면부(63)로 노출된 제2돌기(127), 상기 제4측면부(64)로 노출된 제3돌기(128)를 포함한다. 상기 제1내지 제3돌기(126-128)는 상기 몸체(111)의 하면(117)으로부터 소정 간격(G1)으로 이격된다. 상기 간격(G1)은 10㎛ 이상이고 상기 제1리드 프레임(121) 두께(T1)의 50% 이하가 될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 6 to 12, the
상기 제2리드 프레임(131)은 상기 몸체(111)의 제2측면부(62)로 노출된 적어도 하나의 제4돌기(136), 상기 제3측면부(63)로 노출된 제5돌기(137), 상기 제4측면부(64)로 노출된 제6돌기(138)를 포함한다. 상기 제4내지 제6돌기(136,137,138)는 상기 몸체(111)의 하면(117)으로부터 소정 간격(G1)으로 이격된다. 상기 간격(G1)은 10㎛ 이상이고 상기 제2리드 프레임(131)의 두께(T1)의 50% 이하가 될 수 있다.The
도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 제1리드 프레임(121)의 제2 및 제3돌기(127,128)는 서로 반대측 방향으로 돌출되며, 상기 제2리드 프레임(131)의 제5 및 제6돌기(137,138)는 서로 반대측 방향으로 돌출된다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 모서리 부분은 각진 형태이거나 곡면 형태일 수 있다.11 and 12, the second and
도 4, 도 5 및 도 10과 같이, 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 기판(PCB) 위에 접합될 수 있는 리드 영역을 포함한다. 상기 제1리드 프레임(121)의 제1리드 영역(125)은 상기 몸체(111)의 하면(117)에 노출되며, 제1 및 제2리세스부(122,123) 사이에 배치된다. 상기 제2리드 프레임(131)의 제2리드 영역(135)은 상기 몸체(111)의 하면(137)에 노출되며, 상기 간극부(115)와 제3리세스부(133) 사이에 배치된다. 4, 5, and 10, the first and second lead frames 121 and 131 include lead regions that may be bonded onto the substrate PCB. The first
상기 제1 및 제2리드 영역(125,135) 간의 간격(C5)은 상기 캐비티(101) 바닥의 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 간격보다 더 이격된다. 상기 제1리드 영역(125)의 길이(C1)는 상기 제2리드 영역(135)의 길이(C2)보다 길게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 영역(125)의 길이(C1)는 0.5mm±0.1mm 범위로 형성될 수 있으며, 상기 제2리드 영역(135)의 길이(C2)는 0.4mm±0.05mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1리드 영역(125)의 면적이 상기 제2리드 영역(135)의 면적보다 넓기 때문에 효과적으로 방열할 수 있다. An interval C5 between the first and
또한 상기 제1 및 제2리드 영역(125,135) 간의 간격(C3)은 기판의 회로 패턴과의 간격을 고려한 것으로서, 범용성 발광 소자를 제공할 수 있다. 이에 따라 상기 제1리드 프레임(121)의 하면 면적은 상기 제1리드 프레임(121)의 상면 면적보다 좁게 형성되며, 예컨대, 30% 이상 좁게 형성될 수 있다. In addition, the spacing C3 between the first and
상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(131)의 하부에는 상기 몸체(111)의 지지 몸체(112)와 접촉되거나 결합되는 복수의 리세스부를 구비할 수 있으며, 상기 리세스부는 리세스 영역으로 정의될 수 있다.A lower portion of the
상기 제1리드 프레임(121)은, 예컨대 제1리세스부(122) 및 제2리세스부(123)를 포함한다. 상기 제1리세스부(122)는 상기 제1리드 프레임(121)의 제1리드 영역(125)과 상기 간극부(115) 사이의 영역에 형성되고 도 5와 같이 지지 몸체(112)가 배치된다. 상기 제1리세스부(122)의 너비는 상기 몸체(111)이 너비(X1) 또는 제1측면부(11)의 길이와 동일한 너비를 갖고, 그 깊이(B2)는 제2리세스부(123)의 깊이보다 2배 이상 넓게 형성된다. 이러한 제1리세스부(122)는 상기 제1리드 프레임(121)의 내측 영역의 아래에 단차진 구조로 배치되어, 상기 몸체(111)의 지지 몸체(112)와 결합된다. The
상기 제1리세스부(122)의 깊이(B2)는 상기 제1리드 프레임(121)의 길이(B1)의 30~60% 범위를 갖고, 상기 제1리드 영역(125)의 평탄한 면에 대해 단차진 구조로 형성된다. 상기 제1리세스부(122)는 상기 제1리드 프레임(121)의 두께(T1)의 50% 이하가 될 수 있다. 상기 제1리세스부(122)는 발광 칩(171)이 탑재된 상기 제1리드 프레임(121)의 상면까지의 습기 침투 경로를 증가시켜 줄 수 있다.The depth B2 of the
상기 제1리드 프레임(121)의 제2리세스부(123)는 상기 몸체(111)의 제1측면부(61)에 인접하고, 상기 제1돌기(126) 아래에 상기 제1리드 영역(125)로부터 단차진 구조로 형성되며, 상기 몸체(111)의 하부 즉, 지지 몸체(112)와 결합된다. The
상기 제2리드 프레임(131)은 상기 제4내지 제6돌기(136,137,138) 아래에 단차진 구조의 제3 내지 제5리세스부(132,133,134)를 포함하며, 상기 제3리세스부(132)는 상기 간극부(115)에 인접한 영역에 형성되며, 상기 제4리세스부(133)에는 상기 제2리드 프레임(131)의 제2리드 영역(135)로부터 단차진 영역으로서, 상기 몸체(111)의 하부인 지지 몸체(112)가 결합된다. 상기 제5리세스부(134)는 상기 제5 및 제6돌기(137,138)의 아래에 단차진 구조로 형성될 수 있다. 상기 제3내지 제5리세스부(132,133,134)는 제2리드 프레임(131)의 두께(T1)의 50% 이하로 형성될 수 있다.The
또한 상기 각 리세스부(122,123,132,133,134)는 절곡 부분에 소정의 곡률을 갖는 곡면으로 형성되며, 이러한 곡면은 상기 지지 몸체(112)와의 접촉 면적을 증가시켜 줄 수 있으며, 습기 침투 경로를 증가시켜 줄 수 있다. In addition, each of the
상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 두께(T2)는 0.15mm~0.8mm 범위 예컨대, 0.25mm~0.35mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(131)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께(T2)는 서로 동일한 두께로 설명하고 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The thickness T2 of the first and second lead frames 121 and 131 may be formed in a range of 0.15 mm to 0.8 mm, for example, 0.25 mm to 0.35 mm. The
상기 발광 칩(171)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩, 백색 LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(171)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다. 상기 발광 칩(171)은 상기 캐비티(101) 내에 하나 또는 복수가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(171)은 애노드와 캐소드용 전극이 상하로 배치되는 수직형 칩이거나, 애노드와 캐소드용 전극이 어느 한 측 방향에 배치된 플립 칩이거나, 애노드와 캐소드용 전극이 옆에 배치되는 수평형 칩일 수 있다. 또한 상기 발광 칩(171)의 가로 길이(Y3)는 0.5mm~1.5mm 범위로 형성되고, 세로의 길이(너비: X3)는 0.5mm~1.5mm 범위의 크기를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(171)은 가로 및 세로의 길이가 동일하거나 다를 수 있으며, 그 두께는 두께는 100-300㎛ 범위로 형성될 수 있다. 상기 보호 칩(173)은 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)와 같은 칩이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 캐비티(101) 내에는 몰딩 부재(161)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(161)는 상기 발광 칩(171) 위를 커버하게 된다. 이러한 몰딩 부재(161)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(161)는 상기 발광 칩(171) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(171)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(161)의 상면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 광 출사면이 될 수 있다. 상기 몰딩 부재(161)의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 발광 칩(171)에 대해 볼록한 렌즈, 오목한 렌즈, 중심부에 전반사면을 갖는 볼록 렌즈를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A
다른 예로서, 상기 몰딩 부재(161)와 상기 발광 칩(171) 상에 형광체층이 더 배치될 수 있으며, 상기 캐비티(101)의 내측면들(71~74)과 상기 발광 칩(171)의 측면들 사이에 반사 특성을 갖는 몰딩 부재가 배치될 수 있다. 상기 반사성의 재질은 상기 발광 칩(171)의 방출 파장에 대해 70% 이상 반사하는 특성을 갖는 재질을 포함한다. 상기 반사 특성을 갖는 몰딩 부재 상에 투광성의 몰딩 부재가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. As another example, a phosphor layer may be further disposed on the
도 13은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 도 13의 발광 소자의 캐비티(101) 구조는 제1실시 예에 도시된 구조를 포함할 수 있으며, 동일 부분은 상기의 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.13 is a side sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment. The structure of the
도 13을 참조하면, 발광 칩(171) 상에 형광체층(181)이 배치되며, 몰딩 부재(161) 내에는 형광체가 첨가되지 않거나, 상기 형광체층(181)에 첨가된 형광체와 다른 종류의 형광체가 첨가될 수 있다.Referring to FIG. 13, a
상기 형광체층(181)은 상기 발광 칩(171)의 상면 면적보다 작은 면적으로 형성되거나, 상기 발광 칩(171)의 상면 및 측면에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체층(181)은 청색, 적색, 황색, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 캐비티(101)에는 상기 발광 칩(171)의 상면보다 낮은 높이를 갖는 제1몰딩 부재(161A)와, 상기 발광 칩(171)과 상기 제1몰딩 부재(161A) 상에 배치된 제2몰딩 부재(161B)를 포함한다. 상기 제1 및 제2몰딩 부재(161A,161B)는 금속 산화물을 포함할 수 있으며, 예컨대 서로 동일한 금속 산화물 또는 서로 다른 금속 산화물을 포함할 수 있다. The
상기 제1몰딩 부재(161A)는 제1금속 산화물을 포함하며, 상기 제2몰딩 부재(161B)는 제2금속 산화물을 포함한다. 상기 제1금속 산화물은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 어느 하나를 포함하며, 상기 제2금속 산화물은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 어느 하나를 포함한다. The
상기 제1금속 산화물은 상기 제1몰딩 부재(161A) 내에 7.5~12.5wt% 범위로 첨가될 수 있다. 이에 따라 상기 제1몰딩 부재(161A)는 상기 발광 칩(171)의 둘레에 배치된 반사층으로 기능하게 된다. 상기 제2금속 산화물은 상기 제2몰딩 부재(161B) 내에 7.5~12.5wt% 범위로 첨가될 수 있다. 이에 따라 상기 제2몰딩 부재(161B)는 상기 발광 칩(171) 상에서 확산 층으로 기능할 수 있다. The first metal oxide may be added in the range of 7.5 to 12.5 wt% in the
도 14는 제3실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이고, 도 15는 도 14의 발광 소자의 측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.14 is a plan view of a light emitting device according to a third embodiment, and FIG. 15 is a side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 14. In describing the third embodiment, the same parts as the first embodiment will be referred to the first embodiment.
도 14 및 도 15를 참조하면, 발광소자는 리세스 영역(47)을 갖는 캐비티(201)를 포함하는 몸체(211)와, 상기 몸체(211) 내에 배치된 복수의 리드 프레임(221,231), 상기 복수의 리드 프레임(221,231) 중 어느 하나의 위에 배치된 적어도 하나의 발광 칩(271), 보호 칩(273) 및 몰딩부재(261)를 포함한다.14 and 15, the light emitting device includes a
상기 몸체(211)는 제1내지 제4측면부(31~34)를 포함하며, 상기 제3 및 제4측면부(33,34)에는 리브(15,16)가 상기 제3 및 제4측면부(33,34)을 따라 길게 형성된다. 이러한 리브(15,16)은 간극부(115)의 너비보다는 넓게 형성되어, 제1 및 제2리드 프레임(221,231) 사이의 간극부(115)에서의 강성을 보강할 수 있다.The
여기서, 상기 간극부(115)는 하부 너비가 넓고 상부 너비가 좁은 구조로 형성되며, 그 상부는 평탄한 제1면(51)과, 상기 제1면(51)에 대해 경사진 제2면(52)을 포함한다. 상기 제1면(51)은 상기 제2본딩부(232)의 상면과 동일한 평면이거나, 다른 평면에 배치될 수 있으며, 그 높이는 발광 칩(271)의 상면보다 더 높게 형성될 수 있다. 상기 제2면(52)은 상기 발광 칩(271)에 측면과 대응되어, 광의 반사를 효과적으로 수행할 수 있다.Here, the
상기 캐비티(201)는 적어도 제1내지 제4내측면(41~44)을 포함한다. 상기 제1 내지 제4내측면(41~44)는 평면이거나 곡면일 수 있으며, 또한 제 1내지 제4내측면(41~44) 사이를 연결하는 면은 곡면이거나 각진 면일 수 있다. 상기 몸체(211)의 상부 둘레(216)는 캐비티(201)과 연결되는 부분에 단차지게 형성될 수 있다.The
상기 제1리드 프레임(221)은 캐비티(201)의 바닥에 배치된 제1본딩부(222) 및 상기 몸체(211)의 제2측면부(32)로 돌출된 복수의 제1리드부(223)를 포함한다. 상기 제2리드 프레임(231)은 캐비티(201)의 바닥에 배치된 제2본딩부(232) 및 몸체(211)의 제1측면부(31)로 돌출된 제2리드부(233)를 포함한다. The
상기 제1 및 제2리드 프레임(221,231)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 요철 패턴(55,56)과 같은 러프한 구조가 형성되거나, 리세스된 구조를 포함할 수 있다. At least one of the top and bottom surfaces of the first and second lead frames 221 and 231 may have a rough structure such as the
상기 제2리드 프레임(231)의 제2본딩부(232)의 상면은 상기 제1리드 프레임(221)의 제1본딩부(222)의 상면보다 높은 위치에 배치된다. 이에 따라 상기 캐비티(201)의 깊이는 상기 몸체(211)의 상면으로부터 상기 제1리드 프레임(221)의 제1본딩부(222)까지의 깊이가 상기 제2리드 프레임(231)의 제2본딩부(232)까지의 깊이보다 깊게 형성될 수 있다. The upper surface of the
상기 제1본딩부(222)와 상기 제2본딩부(232) 사이의 영역에는 간극부(215)가 배치된다. 상기 간극부(215)는 단차진 구조 예컨대, 적어도 일부가 경사진 면을 포함할 수 있다. The
상기 제1리드 프레임(221)의 제1본딩부(222)과 캐비티(201)의 제2내측면(42) 사이의 각도(θ3)는 91~160도 범위에서 형성될 수 있으며, 상기 제2리드 프레임(231)의 제2본딩부(131)와 캐비티(201)의 제1내측면(41) 사이의 각도(θ4)는 상기 각도(θ3) 보다 작은 각도 예컨대, 90~140도의 범위로 형성될 수 있다. 또한 제1내측면(41)과 상기 제2내측면(42)의 경사진 각도는 동일한 각도로 형성될 수 있다.An angle θ3 between the
상기 발광 칩(271)은 제1리드 프레임(221) 상에 전도성 접착 부재(291)로 연결되고, 와이어(275)로 제2리드 프레임(231)과 연결된다. 상기 보호 칩(273)은 제2리드 프레임(231) 위에 배치되고 제1리드 프레임(221)과 와이어(276)로 연결된다.The
상기 캐비티(201)의 제4내측면(44)에는 리세스 영역(47)을 포함하며, 상기 리세스 영역(47)은 상기 제4내측면(44)보다 몸체(411)의 외측면 방향 즉, 제4측면부(34) 방향으로 볼록하게 형성된다. 상기 리세스 영역(47)과 상기 발광 칩(271) 사이에는 보호 칩(273)에 연결된 와이어(276)가 연결된다. 이에 따라 상기 발광 칩(271)에 인접한 영역에 보호 칩(273)에 연결된 와이어(276)가 배치되더라도, 상기 발광 칩(271)을 크게 이동하지 않아도 되는 효과가 있다. The fourth
상기 캐비티(201)에는 몰딩부재(261)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(261)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. A
실시 예는 리세스 영역을 하나의 위치에 형성하는 것으로 설명하였으나, 서로 반대측 내측면에 리세스 영역을 각각 배치하여, 복수의 보호 칩과 연결되는 와이어의 공간을 각각 확보할 수도 있다.Although the embodiment has been described as forming the recessed regions at one position, the recessed regions may be disposed on inner surfaces of opposite sides, respectively, to secure spaces of wires connected to the plurality of protection chips.
도 16은 실시 예에 따른 발광 칩의 일 예를 나타낸 측 단면도이다.16 is a side cross-sectional view illustrating an example of a light emitting chip according to an embodiment.
도 16을 참조하면, 발광 칩은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다.Referring to FIG. 16, the light emitting chip includes a
상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. The
상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다. The
상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first
상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first cladding layer may be formed between the first
상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The
상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second
상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.The second
또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다. In addition, the conductive type of the
상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.The
상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극(316,317)은 와이어로 연결되거나, 다른 연결 방식으로 연결될 수 있다.The
도 17은 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 도 27과 동일한 부분은 생략하며 간략하게 설명하기로 한다.17 is a diagram illustrating another example of a light emitting chip according to one embodiment. In describing the embodiment, the same parts as in FIG. 27 are omitted and will be briefly described.
도 17을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 칩은 발광 구조물(310) 아래에 접촉층(321)이 형성되며, 상기 접촉층(321) 아래에 반사층(324)이 형성되며, 상기 반사층(324) 아래에 지지부재(325)가 형성되며, 상기 반사층(324)과 상기 발광 구조물(310)의 둘레에 보호층(323)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 17, in the light emitting chip according to the embodiment, a
상기 발광 구조물(310) 상에 배치된 제1전극(316)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있으며, 와이어가 본딩되는 패드를 포함한다.One or more
이러한 발광 칩은 제2도전형 반도체층(315) 아래에 접촉층(321) 및 보호층(323), 반사층(324) 및 지지부재(325)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다. The light emitting chip may be formed by forming a
상기 접촉층(321)은 발광 구조물(310)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(315)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(321) 내부는 전극(316)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.The
상기 보호층(323)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(323)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(324)과 같은 금속이 발광 구조물(310)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The
상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(324)과 상기 지지부재(325) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 지지부재(325)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(325)와 상기 반사층(324) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
<조명 시스템><Lighting system>
실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 18 및 도 19에 도시된 표시 장치, 도 20에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device or the light emitting device according to the embodiment may be applied to a lighting system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and includes a display device shown in FIGS. 18 and 19 and a lighting device shown in FIG. have.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 18 is an exploded perspective view of a display device having a light emitting device according to the embodiment.
도 18을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 18, the
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자 또는 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The
그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting devices 1035 may be mounted on the
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 19 is a diagram illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.
도 19를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 19, the
상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자 또는 발광 소자(1124)를 포함한다.The
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The
도 20은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.20 is an exploded perspective view of a lighting apparatus having a light emitting device according to the embodiment.
도 20을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 20, the lighting apparatus according to the embodiment may include a
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 리세스부를 가질 수 있다.For example, the
상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다. An inner surface of the
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The
상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those who have the knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
41-44,71-74: 내측면
61-64: 측면부
46,76: 측벽
47, 77: 리세스 영역
101,201: 캐비티
111,211: 몸체
121, 131, 221, 231: 리드 프레임
122,123,132,133: 리세스부
125,135: 리드 영역
161,161A, 161B, 261: 몰딩 부재
171,271: 발광 칩
173,273: 보호 칩
181: 형광체층41-44,71-74: Inner side
61-64: side
46,76: sidewall
47, 77: recessed area
101,201: Cavity
111,211: Body
121, 131, 221, 231: lead frame
122,123,132,133: recessed part
125,135: lead area
161,161A, 161B, 261: molding member
171,271: light emitting chip
173,273: protection chip
181: phosphor layer
Claims (15)
상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임;
상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임;
상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부;
상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩;
상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩;
상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및
상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고,
상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고,
상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면은 상기 몸체와 접하는 영역에 요철 패턴을 포함하고,
상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고,
상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고,
상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고,
상기 제1방향으로 상기 제3내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제1간격은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제2간격보다 보다 길고,
상기 제1방향으로 상기 수평형 발광 칩은 상기 제3측면부 보다 상기 제4측면부에 더 가깝게 배치되고,
상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 수평형 발광 칩 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자.A body including a cavity having a first inner side, a second inner side corresponding to the first inner side, a third inner side, and a fourth inner side corresponding to the third inner side;
A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side;
A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side;
A gap portion between the first lead frame and the second lead frame;
A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame;
A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame;
A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And
And a second wire including a fourth end connected to the exposed surface of the first lead frame, and a third end connected to the protection chip.
The body corresponds to the first inner side surface and extends in a first direction, the first side portion corresponding to the second inner side surface, and the second side portion extending in the first direction, and corresponds to the third inner side surface. A third side portion extending in a second direction orthogonal to one direction and a fourth side portion corresponding to the fourth inner side surface and extending in the second direction,
Upper surfaces of the first lead frame and the second lead frame include an uneven pattern in an area in contact with the body,
The gap portion includes a first surface and a second surface inclined with respect to the first surface,
The first surface of the gap portion is disposed on a plane different from the upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame,
The second surface of the gap portion faces the horizontal light emitting chip;
A first interval between the third inner surface and the horizontal light emitting chip in the first direction is longer than a second interval between the fourth inner surface and the horizontal light emitting chip in the first direction,
The horizontal light emitting chip is disposed closer to the fourth side portion than the third side portion in the first direction.
And the third inner side surface, the fourth inner side surface, the horizontal light emitting chip and the fourth end portion overlap each other in the first direction.
상기 제2 끝단은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 보호 칩 사이에 배치된 발광 소자.The method of claim 1,
The second end is disposed between the fourth inner surface and the protection chip in the first direction.
상기 제1간격은 상기 제2간격보다 80㎛이상 이격된 발광 소자.The method of claim 2,
The first interval is a light emitting device spaced apart by more than 80㎛ than the second interval.
상기 제2간격은 80㎛이상 200㎛이하인 발광 소자.The method of claim 3,
The second interval is a light emitting device of more than 80㎛ 200㎛.
상기 제2방향으로 상기 제3측면부 또는 상기 제4측면부의 길이는 상기 제1방향으로 상기 제1측면부 또는 상기 제2측면부의 길이보다 1.2배 이상 긴 발광 소자.The method of claim 4, wherein
The length of the third side portion or the fourth side portion in the second direction is 1.2 times longer than the length of the first side portion or the second side portion in the first direction.
상기 제1리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 복수의 리드부 및 상기 제2리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함하는 발광 소자.The method of claim 5,
The first lead frame includes a plurality of lead portions protruding to the first side portion, and the second lead frame includes a plurality of lead portions protruding to the second side portion.
상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 보호 칩 및 상기 제2끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 6,
The third inner side surface, the fourth inner side surface, the protective chip and the second end portion overlap with each other in the first direction.
상기 수평형 발광 칩의 면적은 상기 제1리드 프레임의 노출면의 면적 대비 30%이상인 발광 소자.The method of claim 7, wherein
The area of the horizontal light emitting chip is 30% or more than the area of the exposed surface of the first lead frame.
상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임;
상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임;
상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부;
상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩;
상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩;
상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및
상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 및 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고,
상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고,
상기 몸체는 상기 제3 내측면에서 상기 제3측면부 방향으로 볼록하게 형성된 리세스 영역을 포함하고,
상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고,
상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고,
상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고,
상기 리세스 영역, 상기 제4내측면 및 상기 수평형 발광은 상기 제1방향으로 중첩되고,
상기 리세스 영역, 상기 제4내측면 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자.A body including a cavity having a first inner side, a second inner side corresponding to the first inner side, a third inner side, and a fourth inner side corresponding to the third inner side;
A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side;
A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side;
A gap portion between the first lead frame and the second lead frame;
A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame;
A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame;
A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And
A second wire including a third end connected to the protection chip and a fourth end connected to an exposed surface of the first lead frame,
The body corresponds to the first inner side surface and extends in a first direction, the first side portion corresponding to the second inner side surface, and the second side portion extending in the first direction, and corresponds to the third inner side surface. A third side portion extending in a second direction orthogonal to one direction and a fourth side portion corresponding to the fourth inner side surface and extending in the second direction,
The body includes a recess area formed convexly in the direction of the third side portion from the third inner side,
The gap portion includes a first surface and a second surface inclined with respect to the first surface,
The first surface of the gap portion is disposed on a plane different from the upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame,
The second surface of the gap portion faces the horizontal light emitting chip;
The recess region, the fourth inner side surface, and the horizontal light emission overlap each other in the first direction,
The recess area, the fourth inner side surface and the fourth end portion overlap each other in the first direction.
상기 제2 끝단은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 보호 칩 사이에 배치된 발광 소자.The method of claim 9,
The second end is disposed between the fourth inner surface and the protection chip in the first direction.
상기 제2방향으로 상기 제3측면부 또는 상기 제4측면부의 길이는 상기 제1방향으로 상기 제1측면부 또는 상기 제2측면부의 길이보다 1.2배 이상 긴 발광 소자.The method of claim 10,
The length of the third side portion or the fourth side portion in the second direction is 1.2 times longer than the length of the first side portion or the second side portion in the first direction.
상기 제1리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 복수의 리드부 및 상기 제2리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함하는 발광 소자.The method of claim 11,
The first lead frame includes a plurality of lead portions protruding to the first side portion, and the second lead frame includes a plurality of lead portions protruding to the second side portion.
상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 보호 칩 및 상기 제2끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자.The method according to any one of claims 10 to 12,
The third inner side surface, the fourth inner side surface, the protective chip and the second end portion overlap with each other in the first direction.
상기 수평형 발광 칩의 면적은 상기 제1리드 프레임의 노출면의 면적 대비 30%이상인 발광 소자.The method of claim 13,
The area of the horizontal light emitting chip is 30% or more than the area of the exposed surface of the first lead frame.
상기 제2 방향으로 상기 리세스 영역의 최소 길이는 350㎛ 내지 500㎛인 발광 소자.
The method of claim 14,
The minimum length of the recess region in the second direction is 350㎛ to 500㎛.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190102185A KR102042271B1 (en) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | Light emitting device and lighting system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190102185A KR102042271B1 (en) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | Light emitting device and lighting system |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120101823A Division KR102042150B1 (en) | 2012-09-13 | 2012-09-13 | Light emitting device and lighting system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190100144A KR20190100144A (en) | 2019-08-28 |
| KR102042271B1 true KR102042271B1 (en) | 2019-11-07 |
Family
ID=67775181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190102185A KR102042271B1 (en) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | Light emitting device and lighting system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102042271B1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041917A (en) | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device |
| JP2012028630A (en) | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame or substrate for led and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20120161180A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led package |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101670951B1 (en) * | 2010-06-23 | 2016-10-31 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting device |
| KR20120030475A (en) * | 2012-01-27 | 2012-03-28 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package |
-
2019
- 2019-08-21 KR KR1020190102185A patent/KR102042271B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041917A (en) | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device |
| JP2012028630A (en) | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Lead frame or substrate for led and manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20120161180A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190100144A (en) | 2019-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102042150B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR102033928B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR101997243B1 (en) | Light emtting device and lighting system | |
| KR101957884B1 (en) | Light emitting device, manufactured method of the light emitting deviceand lighting apparatus | |
| KR102029802B1 (en) | Light emitting device and light apparatus having thereof | |
| KR102075561B1 (en) | Light emitting device, lightr emitting module and lighting system | |
| KR101926531B1 (en) | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting system | |
| KR101953280B1 (en) | Light emitting device and lighting system having the same | |
| KR102053287B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR102042271B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR102019498B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR101977831B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR102131365B1 (en) | Light emitting device and lighting system having the same | |
| KR101966110B1 (en) | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting system | |
| KR102109139B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR102053422B1 (en) | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting apparatus | |
| KR20160093370A (en) | Light emitting device package and lighting device | |
| KR102042197B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR101896691B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR20130119132A (en) | Light emitting device, lightr emitting module and lighting system | |
| KR20130006807A (en) | Light emitting device package |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |