KR102053422B1 - Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting apparatus - Google Patents
Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR102053422B1 KR102053422B1 KR1020190025652A KR20190025652A KR102053422B1 KR 102053422 B1 KR102053422 B1 KR 102053422B1 KR 1020190025652 A KR1020190025652 A KR 1020190025652A KR 20190025652 A KR20190025652 A KR 20190025652A KR 102053422 B1 KR102053422 B1 KR 102053422B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- recess
- light emitting
- side portion
- lead frame
- recessed
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
실시 예에 따른 발광 소자는, 서로 대응되는 제1 및 제2측면부, 상기 제1 및 제2측면부에 인접하며 서로 대응되는 제3 및 제4측면부, 상기 제1 내지 제4측면부의 사이에 상부가 개방된 오목부를 갖는 몸체; 상기 오목부의 제1영역에 배치된 제1리드 프레임; 상기 오목부의 제2영역에 배치된 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 오목부에 배치되며 상기 발광 칩을 보호하는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2측면부의 길이가 상기 제3 및 제4측면부의 길이보다 길게 형성되며, 상기 몸체의 제1측면부 및 상기 제2측면부에는 상기 몸체의 하면과 연결되도록 상기 몸체의 내측 방향으로 오목한 복수의 리세스부를 포함하며, 상기 복수의 리세스부는 상기 제1측면부 및 제2측면부 각각에 서로 이격되게 배치된다. The light emitting device according to the embodiment may have an upper portion between the first and second side portions corresponding to each other, the third and fourth side portions adjacent to the first and second side portions, and the first to fourth side portions. A body having an open recess; A first lead frame disposed in the first region of the concave portion; A second lead frame disposed in the second region of the concave portion; A light emitting chip disposed on at least one of the first and second lead frames; And a molding member disposed in the recess to protect the light emitting chip, wherein the body has a length longer than the length of the third and fourth side portions, and the length of the first and second side portions is increased. The first side portion and the second side portion include a plurality of recesses recessed inwardly of the body so as to be connected to the lower surface of the body, wherein the plurality of recess portions are spaced apart from each other on the first side portion and the second side portion, respectively. do.
Description
본 실시 예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명장치에 관한 것이다.The present embodiment relates to a light emitting device, a light emitting device manufacturing method and an illumination device.
발광소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device, such as a light emitting device, is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing an existing fluorescent lamp and an incandescent lamp.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 발생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since light emitting diodes generate light using semiconductor devices, they consume much less power than incandescent lamps that generate light by heating tungsten or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet light generated through high-pressure discharges with phosphors. .
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, the light emitting diode has a longer life, a faster response characteristic, and an environment-friendly characteristic than a conventional light source.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, many researches are being conducted to replace the existing light sources with light emitting diodes, and the light emitting diodes are increasingly used as light sources of lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors. have.
실시예는 새로운 구조의 발광 소자를제공한다. The embodiment provides a light emitting device having a new structure.
실시 예는 몸체의 제1 및 제2측면 중 적어도 하나에 적어도 하나의 리세스부를 갖는 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device having at least one recess in at least one of the first and second side surfaces of the body.
실시 예는 몸체의 제1 및 제2측면에 복수의 리세스부를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a plurality of recesses on the first and second side surfaces of the body.
실시 예는 몸체의 제1 및 제2측면에 길이 또는 깊이가 서로 다른 복수의 리세스부를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a plurality of recesses having different lengths or depths on first and second side surfaces of the body.
실시 예는 상기의 리스세부를 갖는 몸체의 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device including a cavity in which an upper portion of a body having the lease portion is opened.
실시 예는 몸체의 사출시 리세스부에 행거를 삽입하여 몸체를 받쳐주기 위한 발광 소자 제조방법을 제공한다. The embodiment provides a method of manufacturing a light emitting device for supporting a body by inserting a hanger in a recess part when the body is ejected.
실시 예에 따른 발광 소자는, 서로 대응되는 제1 및 제2측면부, 상기 제1 및 제2측면부에 인접하며 서로 대응되는 제3 및 제4측면부, 상기 제1 내지 제4측면부의 사이에 상부가 개방된 오목부를 갖는 몸체; 상기 오목부의 제1영역에 배치된 제1리드 프레임; 상기 오목부의 제2영역에 배치된 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 오목부에 배치되며 상기 발광 칩을 보호하는 몰딩 부재를 포함하며, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2측면부의 길이가 상기 제3 및 제4측면부의 길이보다 길게 형성되며, 상기 몸체의 제1측면부 및 상기 제2측면부에는 상기 몸체의 하면과 연결되도록 상기 몸체의 내측 방향으로 오목한 복수의 리세스부를 포함하며, 상기 복수의 리세스부는 상기 제1측면부 및 제2측면부 각각에 서로 이격되게 배치된다. The light emitting device according to the embodiment may have an upper portion between the first and second side portions corresponding to each other, the third and fourth side portions adjacent to the first and second side portions, and the first to fourth side portions. A body having an open recess; A first lead frame disposed in the first region of the concave portion; A second lead frame disposed in the second region of the concave portion; A light emitting chip disposed on at least one of the first and second lead frames; And a molding member disposed in the recess to protect the light emitting chip, wherein the body has a length longer than the length of the third and fourth side portions, and the length of the first and second side portions is increased. The first side portion and the second side portion include a plurality of recesses recessed inwardly of the body so as to be connected to the lower surface of the body, wherein the plurality of recess portions are spaced apart from each other on the first side portion and the second side portion, respectively. do.
실시 예에 따른 조명 시스템은 상기의 발광 소자가 어레이된 모듈을 포함한다.The lighting system according to the embodiment includes a module in which the light emitting devices are arrayed.
실시 예는 발광 소자의 사출 성형시 몸체에 전달되는 손해를 방지할 수 있다.The embodiment can prevent damage to the body during injection molding of the light emitting device.
실시 예는 발광 소자의 수율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the yield of the light emitting device.
실시 예는 발광 소자의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting device.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light emitting device and the lighting device having the same.
도 1은 제1실시예에 따른 발광소자의사시도를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 제1측면에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 발광 소자의 제2측면에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 3의 부분 확대도이다.
도 6은 도 1의 발광 소자의 배면도이다.
도 7은 도 6의 발광 소자의 부분 확대도이다.
도 8은 도 6의 발광 소자의 B-B측 단면도이다.
도 9는 도 6의 발광 소자의 센터측 단면도이다.
도 10 내지 도 14는 발광 소자의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 15 및 도 16은 도 6의 발광 소자의 리세스부의 다른 배치 구조를 나타낸 도면이다.
도 17는 도 15 및 도 16의 발광 소자의 제조시행거의 위치를 나타낸 도면이다.
도 18 및 도 19는 제2실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도로서, 리세스부의 다른 형상과 행거를 나타낸 도면이다.
도 20 및 도 21은 제3실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도로서, 리세스부의 다른 형상과 행거를 나타낸 도면이다.
도 22 및 도 23은 실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도로서, 리세스부의 형상을 변형한 예를 나타낸 도면들이다.
도 24 내지 도 27은 제5실시 예에 따른 발광 소자의 배면도로서, 리세스부의 위치 및 형상을 변형한 예를 나타낸 도면이다.
도 28 및 도 29는 제6실시 예에 따른 발광 소자의 배면도로서, 리세스부의 길이 및 행거를 나타낸 도면이다.
도 30 내지 도 32는 제7실시 예에 따른 발광 소자의 배면도로서, 리세스부의 변형 예들을 나타낸 도면이다.
도 33은 제8실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이다.
도 34 내지 도 37은 도 33의 발광 소자의 배면 예를 나타낸 도면이다.
도 38는 제9실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이다.
도 39는 제10실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이다.
도 40은 도 39의 발광 소자의 배면도이다.
도 41은 도 39의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 42는 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 43은 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 44는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 45는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 46 내지 도 48는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
도 49 및 도 50은 실시 예에 따른 조명장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a perspective view of a light emitting device according to the first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the AA side of the light emitting device of FIG. 1.
FIG. 3 is a view seen from the first side of the light emitting device of FIG. 1.
FIG. 4 is a view seen from the second side of the light emitting device of FIG. 1.
5 is a partially enlarged view of FIG. 3.
6 is a rear view of the light emitting device of FIG. 1.
FIG. 7 is a partially enlarged view of the light emitting device of FIG. 6.
8 is a cross-sectional view taken along the BB side of the light emitting device of FIG. 6.
9 is a cross-sectional view of the center side of the light emitting device of FIG. 6.
10 to 14 are views showing a manufacturing process of the light emitting device.
15 and 16 are views illustrating another arrangement structure of the recessed portion of the light emitting device of FIG. 6.
17 is a view illustrating a position of a manufacturing runner of the light emitting device of FIGS. 15 and 16.
18 and 19 are side cross-sectional views of a light emitting device according to a second embodiment, showing different shapes and hangers of a recess.
20 and 21 are side cross-sectional views of a light emitting device according to a third embodiment, showing different shapes and hangers of a recess.
22 and 23 are side cross-sectional views of a light emitting device according to an embodiment, and illustrate examples of deformation of a shape of a recess.
24 to 27 are rear views of the light emitting device according to the fifth embodiment, and show an example in which the positions and shapes of the recesses are modified.
28 and 29 are rear views of the light emitting device according to the sixth embodiment, and illustrate a length and a hanger of a recess.
30 to 32 are rear views of the light emitting device according to the seventh embodiment, and show modified examples of the recess.
33 is a plan view of a light emitting device according to an eighth embodiment.
34 to 37 are diagrams illustrating back examples of the light emitting device of FIG. 33.
38 is a plan view of a light emitting device according to a ninth embodiment.
39 is a plan view of a light emitting device according to a tenth embodiment.
40 is a rear view of the light emitting device of FIG. 39.
41 is a side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 39.
42 illustrates an example of a light emitting chip of a light emitting device according to the embodiment.
43 is a view showing another example of a light emitting chip of the light emitting device according to the embodiment.
44 is a perspective view illustrating a display device having a light emitting device according to the embodiment.
45 is a perspective view illustrating a display device having a light emitting device according to the embodiment.
46 to 48 illustrate a lighting apparatus according to the embodiment.
49 and 50 are diagrams illustrating another example of the lighting apparatus according to the embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, each substrate, frame, sheet, layer, or pattern is formed "on" or "under" of each substrate, frame, sheet, layer, or pattern. In the case of what is described as being intended, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. . In addition, the criteria for the top or bottom of each component will be described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for description, and does not mean a size that is actually applied.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. Hereinafter, the embodiments will be apparent from the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 사시도를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자의 제1측면에서 바라본 도면이며, 도 4는 도 1의 발광 소자의 제2측면에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 부분 확대도이며, 도 6은 도 1의 발광 소자의 배면도이며, 도 7은 도 6의 발광 소자의 부분 확대도이고, 도 8은 도 6의 발광 소자의 B-B측 단면도이며, 도 9는 도 6의 발광 소자의 센터측 단면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment, FIG. 2 is a sectional view taken along the AA side of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 3 is a view seen from the first side of the light emitting device of FIG. 4 is a view from the second side of the light emitting device of FIG. 1, FIG. 5 is a partially enlarged view of FIG. 3, FIG. 6 is a rear view of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 7 is a part of the light emitting device of FIG. 6. 8 is an enlarged view of a BB side of the light emitting device of FIG. 6, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the center side of the light emitting device of FIG. 6.
도 1내지 도 9를 참조하면, 발광소자(100)는, 오목부(16)를 갖는 몸체(10), 제1캐비티(25)를 갖는 제1리드 프레임(21), 제2캐비티(35)를 갖는 제2리드 프레임(31), 연결 프레임(46), 발광 칩들(71,72), 와이어들(73 내지 76) 및 몰딩 부재(40)를 포함한다.1 to 9, the
상기 몸체(10)는 절연 재질, 또는 전도성 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(10)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(10)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. 상기 몸체(10)로 사용되는 에폭시 또는 실리콘 재질 내에는 반사 효율을 높이기 위해 TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러가 첨가될 수 있다.The
상기 몸체(10)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 오각형과 같은 다각형 구조로 형성되거나, 원형, 곡면을 갖는 형상으로 형성될 수 있다. The shape of the
상기 몸체(10)는 소정 깊이를 갖고 상부가 개방되고, 내측면(16-1)과 바닥으로 이루어진 오목부(16)를 포함한다. 상기 오목부(16)는 상기 몸체(10)의 상부(15)으로부터 오목한 컵 구조, 캐비티 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 오목부(16)의 측면(16-1)은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.The
상기 오목부(16)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다. The shape of the
상기 몸체(10)는 복수의 측면부 예컨대, 4개의 측면부(11-14)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면부(11-14) 중 적어도 하나는 상기 몸체(10)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 몸체(10)의 측면부(11-14)는 도 5와 같이, 몸체(10)의 하면에 수직한 선분에 대해 제1각도(θ1)로 경사질 수 있으며, 상기 제1각도(θ1)는 1도 내지 10도의 범위로 형성될 수 있다. 이러한 몸체(10)의 측면부(11-14)가 경사지게 형성됨으로써, 사출하기 위한 틀의 분리가 용이한 효과가 있다.The
상기 몸체(10)는 제1 내지 제4측면부(11~14)를 그 예로 설명하며, 제1측면부(11)와 제2측면부(12)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(13)와 상기 제4측면부(14)는 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면부(11) 및 제2측면부(12) 각각의 길이는 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 길이와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면부(11)와 상기 제2측면부(12)의 길이는 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 길이보다 길게 형성될 수 있다. 상기 제1측면부(11) 또는 제2측면부(12)의 길이는 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14) 사이의 간격일 수 있으며, 상기의 몸체(10)의 길이 방향은 제1축(X) 방향으로서, 제2 및 제3캐비티(25,35)의 중심을 지나는 방향이거나, 제3 및 제4측면부(13,14) 사이의 간격일 수 있다. 상기 몸체(10)의 너비 방향은 제2축(Y)축 방향으로서, 제1축(X) 방향에 직교하는 방향이며 상기 몸체(10)의 너비 방향이거나, 제1 및 제2측면부(11,12) 사이의 간격일 수 있다.The
상기 몸체(10)의 길이(X1)은 너비(Y1)에 비해 2배 이상 예컨대, 3배 이상 길게 형성될 수 있다. 이러한 몸체(10)의 길이(X1)가 길기 때문에, 사출 성형시 몸체(10)의 중간 부분이 휘어지거나 파손되는 문제가 발생될 수 있다. 실시 예는 몸체(10)의 길이로 인해 몸체(10)가 파손되어 발광 소자의 수율이 저하되는 것을 방지하기 위한 것이다. 상기 제1리드 프레임(21)은 상기 오목부(16)의 제1영역에 배치되며, 상기 오목부(16)의 바닥에 일부가 배치되고 그 내측 영역에 상기 오목부(16)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖는 제1캐비티(25)가 배치된다. 상기 제1캐비티(25)는 상기 오목부(16)의 바닥부터 상기 몸체(10)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. The length X1 of the
상기 제1캐비티(25)의 측면 및 바닥은 상기 제1리드 프레임(21)에 의해 형성되며, 상기 제1캐비티(25)의 둘레 측면은 상기 제1캐비티(25)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제1캐비티(25)의 측면 중에서 대향되는두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. Sides and bottoms of the
상기 제2리드 프레임(31)은 상기 오목부(16)의 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치되며, 상기 오목부(16)의 바닥에 일부가 배치되고, 그 내측 영역에는 상기 오목부(16)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖는 오목한 제2캐비티(35)가 형성된다. 상기 제2캐비티(35)는 상기 제2리드 프레임(31)의 상면으로부터 상기 몸체(10)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(35)의 바닥 및 측면은 상기 제2리드 프레임(31)에 의해 형성되며, 상기 제2캐비티(35)의 측면은 상기 제2캐비티(35)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(35)의 측면 중에서 대응되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The
상기 제1캐비티(25)와 상기 제2캐비티(35)는 위에서 볼 때, 동일한 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1캐비티(25) 및 상기 제2캐비티(35)의 바닥 형상은 도 6과 같이 직사각형, 정 사각형 또는, 일부가 곡면을 갖는 형상이거나, 원 또는 타원 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom shape of the
상기 제1리드 프레임(21) 및 상기 제2리드 프레임(31)의 내측 영역 각각은 상기 몸체(10)의 하부로 노출되며, 상기 몸체(10)의 하면과 동일 평면 또는 다른 평면 상에 배치될 수 있다. Each of the inner regions of the
도 2내지 도 6과 같이 상기 제1리드 프레임(21)은 제1리드부(23)를 포함하며, 상기 제1리드부(23)는 상기 몸체(10)를 관통하여 상기 몸체(10)의제3측면부(13)로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(31)은 제2리드부(33)를 포함하며, 상기 제2리드부(33)는 상기 몸체(10)의 하부에 배치되고 상기 몸체(10)의 제1측면부(13)의 반대측 제2측면부(14)로 돌출될 수 있다. 2 to 6, the
상기 몸체(10)의 하면에 노출된 상기 제1리드 프레임(21) 및 제1리드부(23)와, 제2리드 프레임(31) 및 제2리드부(33)는 회로기판 상에 탑재될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(21) 및 제2리드 프레임(31)의 두께는 0.15mm 이상 예컨대, 0.18mm 이상으로 형성될 수 있다. 상기의 제1 및 제2리드 프레임(21,31)은 전원을 공급하는 리드 프레임으로 기능하게 된다.The
상기 연결 프레임(46)은 상기 오목부(16)의 바닥 영역 중에서 상기 제1리드 프레임(21)과 제2리드 프레임(31) 사이에 배치되어, 중간 연결 단자로 사용된다. 도 3과 같이, 상기 연결 프레임(46)의 일부(46-1)은 상기 몸체(10)의 제1측면부(11) 상에 노출될 수 있다.The
상기 제1리드 프레임(21), 제2리드 프레임(31) 및 연결 프레임(46)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(21,31)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 제1리드 프레임(21)의 제1캐비티(25) 내에는 제1발광 칩(71)이 배치되며, 상기 제1발광 칩(71)은 제1접합 부재(81)로 제1캐비티(25) 상에 접착된다. 상기 제2리드 프레임(31)의 제2캐비티(35) 내에는 제2발광 칩(72)이 배치되며, 상기 제2발광 칩(72)은 제2접합 부재(82)로 제2캐비티(35) 상에 접착된다. 상기 제 1 및 제2접합 부재(81,82)는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제일 수 있다. 상기 절연성 접착제는 에폭시 또는 실리콘과 같은 재질을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 접착제는 솔더와 같은 본딩 재질을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2접합 부재(81,82)는 열 전도율을 개선시켜 주기 위해 금속 산화물을 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first
상기 제1 및 제2발광 칩(71,72)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 칩(71,72)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다.The first and second
상기 제1발광 칩(71)은 제1와이어(73)로 상기 오목부(16)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(21)과 연결되며, 제2와이어(74)로 상기 연결 프레임(46)과 연결된다. 상기 제2발광 칩(72)은 제3와이어(75)로 상기 연결 프레임(46)과 연결되며, 제4와이어(76)로 상기 오목부(16)의 바닥에 배치된 제2리드 프레임(31)과 연결된다. 상기 연결 프레임(46)은 상기 제1발광 칩(71)과 상기 제2발광 칩(72)을 전기적으로 연결해 준다.The first
보호 소자는 상기 제1리드 프레임(21) 또는 상기 제2리드 프레임(31)의 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 소자는 제1발광 칩(71) 및 제2발광 칩(72)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써, 상기 발광 칩들(71,72)을 보호할 수 있다.The protection element may be disposed on the
상기 오목부(16), 제1캐비티(25) 및 상기 제2캐비티(35)에는 몰딩 부재(40)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(40)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. A molding
또한 상기 몰딩 부재(40)는 상기 발광 칩(71,72) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 상기 제1캐비티(25) 및 상기 제2캐비티(35) 중 적어도 한 영역에 형성된 몰딩 부재(40)에 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체는 발광 칩(71,72)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(40)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the molding
상기 몰딩 부재(40)의 표면은 광 출사면이 될 수 있다. 상기 몰딩 부재(40)의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 발광 칩(71,72)에 대해 볼록하 렌즈, 오목한 렌즈, 중심부에 전반사면을 갖는 볼록 렌즈를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The surface of the
도 1, 도 3, 도 4 및 도 6을 참조하면, 상기 몸체(10)의 제1 및 제2측면부(11,12) 중 적어도 하나에는 적어도 하나의 리세스 구조(이하 리세스부라 약칭함)를 포함할 수 있다. 상기의 리세스부는 상기 제1 및 제2측면부(11,12)의 표면보다 상기 몸체(10)의 내측 방향으로 오목한 형상으로 형성되며, 상기 몸체(10)의 사출 성형시 상기 몸체(10)를 받쳐주는 행거(Hanger)가 삽입되는 영역이다. 이하, 실시 예의 설명을 위해 제1 및 제2측면부(11,12)에 리세스부가 배치된 예로 설명하기로 한다.1, 3, 4, and 6, at least one recess structure (hereinafter, abbreviated as recess portion) in at least one of the first and
도 3, 도 4 및 도 6과 같이, 몸체(10)의 제1측면부(11)에는 제1 및 제2리세스부(51,52)가 배치되고, 상기 제2측면부(12)에는 제3 및 제4리세스부(53,54)가 배치된다. 상기 제1 및 제2리세스부(51,52) 사이의 거리(D1)는 제3 및 제4리세스부(53,54) 사이의 거리와 동일하게 배치된다. 이는 제1리세스부(51)과 제3리세스부(53)은 서로 마주보도록 배치되며, 제2리세스부(52)와 제4리세스부(54)는 서로 마주보도록 배치된다.3, 4, and 6, first and
상기의 제1 내지 제4리세스부(51-54)는 상기 제3 또는 제4측면부(13,14)로부터 이격된 거리가 동일하다고 할 때, 도 5에 도시된 바와 같이, 최 외곽에 배치된 리세스부(51-54)와 제1 또는 제3측면부(11,13) 사이의 거리(D2)를 참조하기로 한다. 상기 제1리세스부(51)는 상기 몸체(10)의 제3측면부(13)로부터 소정 거리(D2) 이상으로 이격되어 배치될 수 있으며, 상기의 거리(D2)는 130㎛ 이상 예컨대, 130㎛-500㎛ 범위 이상으로 이격될 수 있다. 여기서, 상기 거리(D2)는 상기 몸체(10)의 상부(15) 폭(도 2의 T3)보다 내측에 배치하여 상기 제1리세스부(51)에 의해 몸체(10)로 전달되는 충격을 최소화시켜 줄 수 있다. 상기의 몸체(10)의 상부(15) 폭(T3)은 130㎛이상일 수 있다. 즉, 상기 몸체(10)의 리세스부(11-15) 중에서 최 외곽의 리세스부는 몸체(10)의 상부(15) 외곽 테두리 보다는 몸체의 중심 방향으로 이격되게 배치될 수 있다.When the first to
상기의 제1 내지 제4리세스부(51-54)는 높이가 동일하다고 할 때, 도 5 및 도 8에 도시된 리세스부(51-54)의 높이(T2)를 참조하기로 한다. 상기 제1리세스부(51)의 높이(T2)는 몸체(10)의 하면(17)부터의 높이로서, 0.015mm 이상 예컨대, 상기의 리드 프레임(21,31)의 두께(T1)와 동일한 두께이거나, 더 얇은 두께일 수 있다.When the heights of the first to
상기의 제1 내지 제4리세스부(51-54)는 폭이 동일하다고 할 때, 도 5에 도시된 제1리세스부(51)의 폭(W1)를 참조하기로 한다. 상기 제1리세스부(51)의 폭(W1)은 50㎛ 이상 예컨대, 50㎛-500㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 상기의 행거의 삽입 돌기가 지지할 수 있는 폭이 적어도 50㎛이기 때문에, 상기의 제1리세스부(51)의 폭(W1)은 50㎛ 이상으로 형성될 수 있다. 또한 상기 폭(W1)은 상기 몸체(10)의 길이(X1)의 1/10 비율 이하로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. When the first to
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 제1 내지 제4리세스부(51-54)의 깊이(D4)는 상기의 폭(W1)보다는 동일하거나 다를 수 있으며, 예컨대 30㎛-130㎛ 범위로 형성될 수 있다. 상기 리세스부(51-54)의 깊이(D4)는 상기 폭(W1)이 100㎛ 이하인 경우, 50㎛ 이상으로 형성될 수 있다. 7 and 8, the depths D4 of the first to
도 6과 같이, 몸체(10)의 리세스부(51-54)는 2개 이상이거나, 4개 이상 또는 6개-12개의 범위로 형성될 수 있다. 이는 몸체(10)의 길이가 장축 방향으로 길어짐에 따라 상기 리세스부(51-54)의 개수도 증가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 리세스부(51-54)는 상기 몸체(10)의 캐비티들(25,35)의 중심을 지나는 길이(X1) 방향의 선분에 대해 대칭적으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As illustrated in FIG. 6, the recesses 51-54 of the
도 1 및 도 6을 참조하면, 몸체(10)의 하면(17)에 연결된 상기 제1 및 제3리세스부(51,53)의 위치는 제1캐비티(25)의 하면(22)의 중심을 지나는 선분(Y2)에 인접하게 배치되며, 상기 제2 및 제4리세스부(52,54)의 위치는 제2캐비티(35)의 하면(32)의 중심을 지나는 선분(Y3)에 인접하게 배치된다. 다른 예로서, 인접한 리세스부(51,52)(53,54) 사이의 거리(D1)는 제1 및 제2캐비티(25,35) 사이의 간격(G1)보다는 더 이격되게 배치될 수 있다.1 and 6, the positions of the first and
도 7을 참조하면, 상기 제1리세스부(51)와 제1캐비티의 하면(22) 사이의 거리(G2)와, 상기 제3리세스부(53)와 제1캐비티의 하면(22) 사이의 거리(G3)는 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 7, the distance G2 between the
도 6 및 도 8을 참조하면, 각 리드 프레임(21,31)과 각 리세스부(51-54) 사이의 간격(D3)은 상기 각 리드 프레임(21,31)의 두께(T1)와 동일하거나 더 이격될 수 있다. 예컨대, 간격(D3)은 200 ㎛ 이상으로 이격될 수 있으며, 이러한 간격(D3)가 좁을 경우 몸체(10)의 강성이 약해질 수 있다.6 and 8, the spacing D3 between each
도 6 및 도 9를 참조하면, 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)에서 상기 제1 및 제2리세스부(51,52) 사이의 제1하부 영역(11A)은 상기 몸체(10)의 하면(17)에 대해 상기 제1측면부(11)의 제1각도(θ1)와 다른 제2각도(θ2)로 형성될 수 있다. 상기의 제1각도(θ1)는 90도 미만 예컨대, 60도-85도 범위로 형성될 수 있다. 상기의 제2각도(θ2)는 상기 몸체(10)의 하면에 대해 거의 수직한 각도(예: 90도-92도)로 형성될 수 있으며, 이는 행거의 내측부가 상기 몸체(10)의 양 측면부(11,12)의 제1하부 영역(11A,12A)에 밀착된 형태로 접촉됨으로써, 상기 제1하부 영역(11A)과 상기 제1측면부(11)가 다른 각도로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)의 제2측면부(12)에서 상기 제3 및 제4리세스부(53,54) 사이의 제2하부 영역(12A)은 상기의 제1하부 영역(11A)를 참조하기로 한다. 6 and 9, in the
상기와 같이, 몸체(10)의 장변인 측면부(11,12) 하부에 행거의 삽입 돌기를 이용하여 상기 몸체(10)의 측면부(11,12)보다 더 내측으로 오목한 리세스부(51-54)를 형성하는 한편, 상기 몸체(100)의 측면부(11,12)의 하부 영역(11A,12A)을 행거의 내측부로 접촉시켜 줌으로써, 너비보다 상대적으로 긴 길이를 갖는 몸체(10)의 파손 문제를 줄여줄 수 있다. 이에 따라 발광 소자(100)의 수율을 개선시켜 줄 수 있고, 또한 발광 소자(100)및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.As described above, recesses 51-54 concave inwardly than the
도 10 내지 도 14는 제1실시 예에 따른 발광 소자의 제조 과정을 나타낸 도면이다. 실시 예는 단일 개의 발광 소자의 제조 과정의 예를 설명하기로 한다.10 to 14 are views illustrating a manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment. The embodiment will be described an example of the manufacturing process of a single light emitting device.
도 10을 참조하면, 금속 프레임(20)을 프레스로 가공하여, 제1캐비티(25)를 갖는 제1리드 프레임(21), 제2캐비티(35)를 갖는 제2리드 프레임(31), 및 연결 프레임(46)을 지지하게 된다. 그리고, 금속 프레임(20) 내에는 다수의 구멍(20A)에 의해 서로 다른 프레임들(21,31,46)로배치된다.Referring to FIG. 10, the
그리고, 상기 금속 프레임(20)에는 제1행거(26) 및 제2행거(36)를 포함한다. 상기 제1행거(26)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 일 방향에 배치되며, 그 너비는 인접한 리세스부들의 간격(D1)에 대응되며, 그 양단에는 제1 및 제2삽입 돌기(27,28)가 돌출된다. 상기 제2행거(36는 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 다른 방향에 배치되며, 그 너비는 인접한 리세스부들의 간격(D1)에 대응되며, 그 양단에는 제3 및 제4삽입 돌기(37,38)가 돌출된다.In addition, the
상기의 금속 프레임(20)의 상, 하에 상부 틀 및 하부 틀을 배치한 후, 몸체 재질로 사출 성형하면, 도 11과 같이 금속 프레임(20)의 미리 설정된 영역 상에 몸체(10)가 사출 성형된다. When the upper frame and the lower frame are disposed above and below the
도 12내지 도 14를 참조하면, 상기 몸체(10)의 제1측면부(11)는 제1영역(11A)에 제1행거(26)의 내측부(26A)가 밀착되며, 제1리세스부(51)에 제1삽입 돌기(27)가 삽입되며, 제2리스세부(52)에 제2삽입돌기(28)가 삽입된다. 상기 몸체(10)의 제2측면부(12)의 제2영역(12A)에는 제2행거(36)의 내측부(36A)가 밀착되며, 제3삽입 돌기(37)에 의해 제3리세스부(53)가 형성되며, 제4삽입 돌기(38)에 의해 제4리세스부(54)가 형성된다. 12 to 14, in the
여기서, 상기 제1행거(26) 및 제2행거(36)의 내측부(26A,36A)가 상기 몸체(10)의 양 측면부(11,12)의 제1 및 제2영역(11A,12A)에도 14와 같이 밀착됨으로써, 상기 몸체(10)가 하 방향으로 쳐지는 것을 방지할 수 있다. 또한 각 리세스부(51-54)에 삽입된 삽입 돌기(27,28,37,38)에 의해 상기 몸체(10)의 서로 다른 위치에서 받쳐줌으로써, 길이가 긴 상기 몸체(10)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.In this case, the
이후, 상기 제1 및 제2리드 프레임의 캐비티(25,35) 상에 발광 칩을 각각 탑재하고, 와이어로 전기적으로 연결한 후, 몰딩 부재로 몰딩하게 된다. 그리고, 미리 설정된 패키지 단위의 크기로 커팅함으로써, 개별 발광 소자가 완성될 수 있다. Subsequently, light emitting chips are mounted on the
도 15 및 도 16은 도 6의 발광 소자의 리세스부의 다른 배치 구조를 나타낸 도면이다.15 and 16 are views illustrating another arrangement structure of the recessed portion of the light emitting device of FIG. 6.
도 15를 참조하면, 몸체(10)의 제1측면부(11)에 배치된 리스세부(51,52,55)의 개수와 제2측면부(12)에 배치된 리세스부(53,54)의 개수가 상이한 예이다.Referring to FIG. 15, the number of lease details 51, 52, and 55 disposed on the
상기 제1측면부(11)에는 제1 및 제2리세스부(51,52) 사이에 제5리세스부(55)가 배치되며, 상기 제5리세스부(55)는 사출 성형시 삽입되는 삽입 돌기가 제1 및 제2리드 프레임(21,31) 사이의 일 영역에 배치되어, 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 경계 부분에서의 몸체(10)를 더 지지할 수 있다. A
도 16을 참조하면, 몸체(10)의 제1 및 제2측면부(11,12)의 중심부에 제5 및 제6리세스부(55,56)를 포함한 구조이다. 상기 제5 및 제6리세스부(55,56)은 상기 몸체(10)의 사출 성형시 삽입되는 삽입 돌기가 제1 및 제2리드 프레임(21,31) 사이의 양 영역에 배치되어, 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 경계 부분에서의 몸체(10)를 더 지지할 수 있다.Referring to FIG. 16, a structure including fifth and
도 17은도 15 및 도 16의 발광 소자의 제조시 행거의 위치를 나타낸 도면으로서, 금속 프레임(20)은 제1행거(26)의 제1 및 제2삽입 돌기(27,28) 사이에 중간 삽입 돌기(29)를 더 포함한 구조이다. 제2행거에 대해서는 제1행거를 참조하기로 한다.FIG. 17 is a view showing the position of a hanger in the manufacture of the light emitting device of FIGS. 15 and 16, wherein the
도 18 내지 도 23는 리세스부들의 다른 예를 나타낸 도면으로서, 제1 및 제3리세스부를 참조하여 설명하기로 한다.18 to 23 illustrate another example of the recesses, which will be described with reference to the first and third recesses.
도 18 및 도 19는 제2실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도로서, 리세스부의 다른 형상과 행거를 나타낸 도면이다.18 and 19 are side cross-sectional views of a light emitting device according to a second embodiment, showing different shapes and hangers of a recess.
도 18을 참조하면, 몸체(10)의 제1 및 제3리세스부(51,53)에는 요부(51A,53A)가 형성되며, 상기 요부(51A,53A)는 상기 몸체(10)의 상부 방향으로 돌출된다. 상기 요부(51A,53A)의 형상은 삼각형, 사각형과 같은 다각형 형상이거나, 반구형 형상이거나, 러프한 구조를 포함할 수 있다.상기 제1 및 제3리세스부(51,53)의 높이(T21)는 상기 리드 프레임(21,31)의 두께보다 얇게 형성될 수 있다. Referring to FIG. 18, recesses 51A and 53A are formed in the first and
도 19를 참조하면, 제1 및 제3삽입 돌기(27,37)에는 철부(26-1,37-1)가 형성되며, 상기 철부(26-1,27-1)는 상기 제1 및 제2행거(26,36)의 상부를 에칭하여 형성하거나, 압착하여 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 철부(26-1,37-1)는 몸체(10)와의 결합력을 증가시켜 줄 수 있어, 제1 및 제2삽입 돌기(27,37)의 삽입 깊이를 줄일 수 있다.Referring to FIG. 19, convex portions 26-1 and 37-1 are formed in the first and
도 20 및 도 21는 제3실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도로서, 리세스부의 다른 형상과 행거를 나타낸 도면이다.20 and 21 are side cross-sectional views of a light emitting device according to a third embodiment, showing different shapes and hangers of a recess.
도 20을 참조하면, 몸체(10)의 제1 및 제3리세스부(51,53)에는 철부(51B,53B)가 형성되며, 상기 철부(51B,53B)는 상기 몸체(10)의 하부 방향으로 돌출된다. 상기 철부(51B,53B)의 형상은 삼각형, 사각형과 같은 다각형 형상이거나, 반구형 형상이거나, 요철 구조와 같은 러프한 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제3리세스부(51,53)의 높이는 상기 리드 프레임(21,31)의 두께와 동일한 두께로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 20,
도 21을 참조하면, 제1 및 제3삽입 돌기(27,37)에는 요부(26-2,37-2)가 형성되며, 상기 요부(26-2,27-2)는 상기 제1 및 제2행거(26,36)의 노치 형상으로 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 요부(26-2,37-2)는 몸체(10)와의 결합력을 증가시켜 줄 수 있어, 제1 및 제2삽입 돌기(27,37)의 삽입 깊이를 줄일 수 있다.Referring to FIG. 21, recesses 26-2 and 37-2 are formed in the first and
도 22 및 도 23은 실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도로서, 리세스부의 형상을 변형한 예를 나타낸 도면들이다.22 and 23 are side cross-sectional views of a light emitting device according to an embodiment, and illustrate examples of deformation of a shape of a recess.
도 22를 참조하면, 몸체(10)에 배치된 제1 및 제3리세스부(51-1,53-1)의 높이(T5)는 제1리드 프레임(21)의 두께의 1/3-1/5 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 그리고 제2 및 제4리세스부에 대해서는 상기의 설명을 참조하기로 한다.Referring to FIG. 22, the height T5 of the first and third recesses 51-1 and 53-1 disposed on the
도 23을 참조하면, 몸체(10)에 배치된 제1 및 제3리세스부(51-2,53-2)는 제1 및 제2측면부(11,12)부터 내측 방향으로 삼각형 측 단면 형상으로 돌출된다. 이는 몸체(10)의 하면(17)과 접촉되지 않는 측면부(11,12) 상에 삼각형 형상의 삽입 돌기를 배치하여, 제1 및 제3리세스부(51-2,53-2)를 형성할 수 있다. Referring to FIG. 23, the first and third recesses 51-2 and 53-2 disposed on the
도 24 내지 도 27은 제5실시 예에 따른 발광 소자의 배면도로서, 리세스부의 위치 및 형상을 변형한 예를 나타낸 도면이다.24 to 27 are rear views of the light emitting device according to the fifth embodiment, and show an example in which the positions and shapes of the recesses are modified.
도 24를 참조하면, 발광 소자의 몸체(10)는 제1 및 제2측면부(11,12)에 서로 대응되게 배치된 리세스부(55A,56A)를 포함하며, 상기 리세스부(55A,56A)는 상기 몸체(10)의 길이 방향인 제1축(X)의 중심에 수직한 중심 라인(Y0)을 기준으로 서로 대응되게 배치된다. 상기의 중심 라인(Y0)는 제1축 방향의 중심에서 수직한 제2축 방향의 라인이며, 제1 및 제2측면부(11,12)의 중심을 연결한 라인이 될 수 있다.Referring to FIG. 24, the
상기 리세스부(55A,56A)가 몸체(10)의 제1축(X)의 중심에 수직한 중심 라인(Y0)에 대응되게 배치되어, 상기 몸체(10)의 사출 성형시 제 1 및 제2리드 프레임(21,31)의 경계 영역에서 상기 몸체(10)를 효과적으로 받쳐줄 수 있게 된다. 이는 단변 길이보다 장변 길이가 긴 몸체(10)의 취약한 부분인 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 경계 영역을 보강할 수 있는 효과가 있다. The
도 25를 참조하면, 발광 소자의 몸체(10)는 제1측면부(11)에 형성된 제1리세스부(57)와 제2측면부(12)에 형성된 제2리세스부(58)가 서로 어긋나게 배치된다. 상기 제1리세스부(57)는 상기 제1리드 프레임(21)의 제1캐비티(25)의 중심을 지나는 라인(Y2)에 대응되게 배치되고, 상기 제2리세스부(58)는 제2리드 프레임(31)의 제2캐비티(35)의 중심을 지나는 라인(Y3)에 대응되게 배치된다. 이러한 실시 예는 몸체(10)의 사출 성형시 가장 부하가 큰 영역인 제1 및 제2캐비티(25,35)의 영역 외측에 제1 및 제2리세스부(57,58)에 삽입되는 행거의 삽입 돌기로 지지할 수 있다. 여기서 몸체(10)의 중심 외측은 도 10과 같이 연결 프레임(46)이 지지하게 될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Referring to FIG. 25, in the
도 26를 참조하면, 발광 소자의 몸체(10)는 제1측면부(11)에 형성된 제1리세스부(57A)와 제2측면부(12)에 형성된 제2리세스부(58A)가 서로 어긋나게 배치된다. 상기 제1리세스부(57A)는 상기 제1리드 프레임(21)의 제1캐비티(25)에 인접한 영역에 배치되고, 예를 들면 제1캐비티(25)의 중심 라인(Y2)와 몸체(10)의 중심 라인(Y0) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2리세스부(58A)은 제2리드 프레임(31)의 제2캐비티(35)에 인접하게 배치되며, 예를 들면 제2캐비티(35)의 중심 라인(Y3)와 몸체(10)의 중심 라인(Y0) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 실시 예는 몸체(10)의 사출 성형시 가장 부하가 큰 영역인 제1 및 제2캐비티(25,35)와 몸체(10)의 중심 사이의 외측 영역에 제1 및 제2리세스부(57A,58A)에 삽입되는 행거의 삽입 돌기로 지지할 수 있다. 여기서 몸체(10)의 중심 외측은 도 10과 같이 연결 프레임(46)이 지지하게 될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Referring to FIG. 26, in the
도 27을 참조하면, 발광 소자는 몸체(10)의 제1 및 제2측면부(11,12)에 형성된 제1 내지 제4리세스부(51D,52D,53D,54D)의 형상이 반구 형상을 포함한다. 다른 예로서 제1 내지 제4리세스부(51D,52D,53D,54D)의 형상은 삼각형 형상, 또는 단차진 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 27, the light emitting device has a hemispherical shape of the first to fourth recesses 51D, 52D, 53D, and 54D formed on the first and
도 28 및 도 29는 제6실시 예에 따른 발광 소자의 배면도로서, 리세스부의 길이 및 행거를 나타낸 도면이다.28 and 29 are rear views of the light emitting device according to the sixth embodiment, and illustrate a length and a hanger of a recess.
도 28을 참조하면, 발광 소자의 몸체(10)는 제1측면부(11)의 제1리세스부(61)와 제2측면부(12)의 제2리세스부(62)가 서로 대응되게 배치된다. 상기 제1리세스부(61) 및 상기 제2리세스부(62)의 폭(W11)은 상기 제1 및 제2캐비티(25,35) 간의 간격(G1)보다는 넓고, 제1 및 제2캐비티(25,35) 중심 간의 간격(G11)보다는 좁게 형성될 수 있다. 또한 상기의 폭(W11)은 상기 몸체(10)의 제3 및 제4측면부(13,14) 사이의 간격의 1/4 이상으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 28, the
도 28 및 도 29를 참조하면, 상기의 제1 및 제2리세스부(61,62)에 삽입되는 행거 내측부(26A)인 삽입 돌기(39)가 상기 몸체(10)의 각 측면부(11,12)의 센터 영역을 커버할 수 있다. 여기서, 상기 몸체(10) 내에 배치되는 연결 프레임(46)은 상기 행거 내측부(26A)인 삽입 돌기(39)로 인해 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.28 and 29, an
도 30 내지 도 32는 제7실시 예에 따른 발광 소자의 배면도로서, 리세스부의 변형 예들을 나타낸 도면이다.30 to 32 are rear views of the light emitting device according to the seventh embodiment, and show modified examples of the recess.
도 30을 참조하면, 발광 소자의 몸체(10)는 제1측면부(11)에 제1리세스부(51), 제2리세스부(52)가 배치되며, 상기 제1 및 제2리세스부(51,52) 사이에는 제5리세스부(61)가 배치된다. 상기 제5리세스부(61)의 폭은 상기 제1 및 제2리세스부(51,52)의 폭보다 넓은 너비로 형성될 수 있으며, 그 양단은 상기 제1 및 제2리세스부(51,52)에 연결될 수 있다. 상기 제5리세스부(61)는 상기 제1리세스부(51) 및 제2리세스부(52)부터 상기 몸체(10)의 중심 라인(Y0) 방향 또는 제1 및 제2측면부(11,12)의 중심으로 갈수록 점차 깊어지는 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스부(51,52)의 깊이는 상기 제5리세스부(61)의 최대 깊이와 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제5리세스부(61)의 너비는 상기 몸체(10)의 길이의 1/4 이상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 30, in the
상기 몸체(10)의 제2측면부(12)에 배치된 제3 및 제4리세스부(53,54)와, 상기 제3 및 제4리세스부(53,54) 사이의 제6리세스부(62)의 구조에 대해서는 상기의 제1, 제2 및 제5리세스부(51,52,61)를 참조하기로 한다.Sixth recesses between the third and
상기 제5 및 제6리세스부(61,62)는 중심부분이 몸체(10)의 내측 방향으로 오목한 삼각형 형상, 또는 반구형 형상을 포함할 수 있다. The fifth and
상기 제1 내지 제4리세스부(51,52,53,54)는 제1실시 예의 설명과 같이, 몸체(10)의 제3 및 제4측면부(13,14)로부터 소정 거리(D21)로 이격될 수 있다.The first to
도 31을 참조하면, 발광 소자는 몸체(10)의 제1측면부(11) 및 제2측면부(12)에 배치된 제5 및 제6리세스부(61A,62A)를 포함하며, 상기 제5 및 제6리세스부(61A,62A)의 폭은 몸체(10)의 길이의 1/4 이상으로 형성될 수 있다. 상기 제5 및 제6리세스부(61A,62A)는 몸체(10)의 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)로부터 미리 설정된 거리(D21)로 이격되며, 상기 몸체(10)의 중심 라인(Y0)으로 갈수록 점차 깊은 깊이로 형성될 수 있다. 상기 거리 D21은 130㎛ 이상으로 형성될 수 있다. 반대로 상기 리세스부(61A,62A)의 깊이는 몸체(10)의 중심부에 대응되는 영역이 가장 깊고, 제3 및 제4측면부(13,14) 방향으로 갈수록 점차 낮은 깊이로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 31, the light emitting device includes fifth and sixth recessed
도 32를 참조하면, 발광 소자는 몸체(10)의 제1측면부(11) 및 제2측면부(12)에 배치된 제5 및 제6리세스부(61C,62C)를 포함하며, 상기 제5 및 제6리세스부(61C,62C)의 폭은 몸체(10)의 길이의 1/4 이상으로 형성될 수 있다. 상기 제5 및 제6리세스부(61C,62C)는 몸체(10)의 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)로부터 미리 설정된 거리(D22)로 이격된다. 상기 거리 D22은 130㎛ 이상으로 형성될 수 있다. 상기 몸체(10)의 중심 라인(Y0) 또는 제1 및 제2측면부(11,12)의 중심으로 갈수록 깊이가 점차 낮아지는 형상으로 형성되거나, 상기 몸체(10)의 중심 라인(Y0)에서는 깊이가 거의 없는 구조로 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 리세스부(61C,62C)의 깊이는 몸체(10)의 중심부에 대응되는 영역이 가장 낮고, 제3 및 제4측면부(13,14) 방향으로 갈수록 점차 깊어지게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 32, the light emitting device includes fifth and sixth recessed
도 33은 제8실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이며, 도 34는 도 33의 발광 소자의 배면 예를 나타낸 도면이다.33 is a plan view of a light emitting device according to an eighth embodiment, and FIG. 34 is a view illustrating a rear example of the light emitting device of FIG. 33.
도 33 및 도 34를 참조하면, 발광 소자(101)는 오목부(116)를 갖는 몸체(110), 상기 오목부(116)의 바닥 제1영역에 제1리드 프레임(121), 상기 오목부(116)의 바닥 제2영역에 배치된 제2리드 프레임(131), 상기 오목부(116)의 바닥에서 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이의 간극부(119), 발광 칩들(171,172), 와이어들(173 내지 176) 및 몰딩 부재(미도시)를 포함한다.33 and 34, the
상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)는 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 에폭시, 또는 실리콘과 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다.The
상기 몸체(110)의 외곽 형상은 그 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(131)은 몸체(110)의 바닥에 배치되어 직하 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 상기 몸체(110)의 측면에 배치되어 에지 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The outer shape of the
몸체(110)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진 캐비티(cavity), 컵 구조 또는 리세스 구조와 같은 오목부(116)를 갖는다. 상기 오목부(116)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 상기 몸체(110)는 복수의 측면부(111~114)을 포함하며, 상기 복수의 측면부(111~114) 중 적어도 하나는 상기 몸체(110)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 예컨대 상기 제1측면부(111)과 상기 제2측면부(112)의 길이(즉, 장변 길이)는 상기 제3측면부(113) 및 상기 제4측면부(114)의 길이(즉, 장변 길이)보다 더 길게 예컨대, 적어도 2배 이상 길게 형성될 수 있다. The
상기 제1리드 프레임(121)은 상기 오목부(116)의 바닥에서 제1영역에 배치되며, 상기 제2리드 프레임(131)은 상기 오목부(116)의 바닥에서 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치된다. The
상기 제1리드 프레임(121)의 하면 및 상기 제2리드 프레임(131)의 하면은 상기 몸체(110)의 하면으로 노출되거나, 상기 몸체(110)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. The bottom surface of the
상기 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131) 사이의 간극부(119)는 사선 형태로 배치되며, 상기 간극부(119)의 중심 부분이 단차 구조로 형성될 수 있다. 이러한 간극부(119)를 사선으로 형성함으로써, 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이의 경계 부분의 강성을 보강할 수 있다.The
상기 제1리드 프레임(121)의 제1리드부(123)는 상기 몸체(110)의 하면에 배치되고 상기 몸체(110)의 제3측면부(113)로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(131)의 제2리드부(133)는 상기 몸체(110)의 하면에 배치되고 상기 몸체(110)의 제4측면부(114)로 돌출될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 재질 및 두께는 제1실시 예를 참조하기로 한다. The first
도 34와 같이, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)에는 캐비티가 없어, 그 하면이 플랫한 구조로 배치된다. 즉, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 전체 하면은 상기 몸체(110)의 하면(117)과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)로부터 캐비티 구조를 제거함으로써, 상기 발광소자(101)의 두께를 얇게 제공할 수 있다. As shown in FIG. 34, the first and second lead frames 121 and 131 do not have a cavity, and a bottom surface thereof is disposed in a flat structure. That is, the entire lower surface of the first and second lead frames 121 and 131 may be disposed on the same plane as the
상기 몸체(110)의 제1측면부(111)에는 제1리세스부(151) 및 제2리세스부(152)를 포함하며, 상기 제2측면부(112)에는 제3리세스부(153) 및 제4리세스부(154)를 포함한다.The
상기 제1 내지 제4리세스부(151,152,153,154)는 내부의 폭(W2)이 외부의 폭(W3)보다 좁게 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제4리세스부(151,152,153,154)의 내부는 몸체(110)의 내측 방향이며, 외부는 몸체의 측면부 방향일 수 있다.The first to
상기 제1 내지 제4리세스부(151,152,153,154)의 깊이(T6)는 30㎛-130㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 제1 내지 제4리세스부(151,152,153,154)는 최외곽인 제2 또는 제4측면부(113,114)와의 거리(D6)가 130㎛ 이상으로 이격될 수 있다. Depth T6 of the first to
상기의 제1 내지 제4리세스부(151,152,153,154)에는 몸체(110)의 사출 성형시, 행거의 삽입 돌기의 형상을 내부 폭이 넓고 외부 폭을 좁게 하여 배치함으로써, 몸체의 내부를 효과적으로 받쳐줄 수 있다.In the first to
상기 제1리드 프레임(121) 위에는 제1발광 칩(171)이 배치되며, 상기 제2리드 프레임(131) 위에는 제2발광 칩(172)이 배치될 수 있다. 상기 제1발광 칩(171)은 제1와이어(173)로 제1리드 프레임(121)과 연결되며, 제2와이어(174)로 상기 제2리드 프레임(131)에 연결된다. 상기 제2발광 칩(172)은 상기 제2리드 프레임(131) 위에 배치되며 제3와이어(176)로 제2리드 프레임(131)과 연결되며, 제4와이어(176)로 제1리드 프레임(121)에 연결된다. 여기서, 간극부(119)가 사선 형태로 배치됨으로써, 제2 및 제4와이어(174,176)를 최단 길이로 제공할 수 있다.A first
도 35를 참조하면, 몸체(110)의 제1측면부(111)에 제5리세스부(161)를 포함하며, 상기 제5리세스부(161)는 제3 및 제4측면부(113,114)과의 거리(D7)가 130㎛ 이상 예컨대, 200㎛ 이상 이격될 수 있다. 몸체(110) 제2측면부(112)에 제6리세스부(162)를 포함하며, 상기 제5리세스부(161)와 거의 동일한 폭을 갖고 제3 및 제4측면부(113,114)로부터 이격된다.Referring to FIG. 35, a fifth recessed
상기 제5 및 제6리세스부(161,162)는 상기 몸체(110)의 길이의 1/4 이상의 폭으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 상기 몸체(110)의 길이 방향은 도 33에 도시된 발광 칩(171,172)의 중심을 지나는 방향이 될 수 있다.The fifth and sixth recessed
상기 제5 및 제6리세스부(161,162)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)로부터 200㎛ 이상 이격될 수 있으며, 이는 상기 제5 및 제6리세스부(161,162)와 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이의 간격이 좁을 경우, 그 간격으로 인해 몸체의 강성을 확보할 수 없는 문제가 발생될 수 있다.The fifth and
도 36을 참조하면, 몸체(110)의 제1측면부(111)에는 제1 및 제2리세스부(163,164)가 배치되고, 상기 제1 및 제2리세스부(163,164) 사이에 제5리세스부(161A)가 배치된다. 상기 제5리세스부(161A)는 제1및 제2리세스부(163,164) 사이의 간격에 대응되는 폭을 갖고, 상기 제1 및 제2리세스부(163,164)에 연결될 수 있다. 상기 제5리세스부(161A)는 제1 및 제2리세스부(163,164)로부터 몸체(110)의 중심 라인(Y0)에 가까울수록 깊이가 점차 깊게 형성되거나, 점차 얇게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Referring to FIG. 36, first and
상기 몸체(110)의 제2측면부(112)에는 제3 및 제4리세스부(165,166)가 배치되고, 상기 제3 및 제4리세스부(165,166) 사이에 제6리세스부(162A)가 배치된다. 상기 제3, 제4, 및 제6리세스부(165,166,162A)의 구조에 대해서는 제1, 제2 및 제5리세스부(163,164,161A)의 구조를 참조하기로 한다.Third and
도 37을 참조하면, 몸체(110)의 제1측면부(111)에는 제5리세스부(161C)가 형성되고, 제2측면부(112)에는 제6리세스부(162C)가 형성된다. 상기 제5 및 제6리세스부(161C,162C)의 중심은 상기 몸체(110)의 중심에 위치하며, 그 폭은 상기 몸체(110)의 길이의 1/4 이상으로 형성될 수 있으며, 그 깊이는 제1실시 예의 리세스부의 구조를 참조하기로 한다.Referring to FIG. 37, a fifth recessed
상기 제5리세스부(161C)에는 제7리세스부(161D)가 형성되며, 상기 제7리세스부(161D)는 상기 제5리세스부(161C)의 폭보다 좁은 폭 예컨대, 50~200 ㎛ 범위의 폭을 갖고, 상기 제5리세스부(161C)로부터 10~50㎛ 범위의 깊이로 형성될 수 있다. 상기 제7리세스부(161D)는 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이의 간극부(119)에 대응되게 배치될 수 있다.A seventh recess 161D is formed in the
상기 제6리세스부(162C)에는 제8리세스부(162D)가 형성되며, 상기 제8리세스부(162D)는 상기 제6리세스부(162C)의 폭보다 좁은 폭 예컨대, 50~200 ㎛ 범위의 폭을 갖고, 상기 제6리세스부(162C)로부터 10~50㎛ 범위의 깊이로 형성될 수 있다. 상기 제8리세스부(161D)는 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이의 간극부(119)에 대응되게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 제7 및 제8리세스부(161D,162D)의 수직 라인 간의 간격(G4)은 30㎛ 이상 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. An eighth recessed portion 162D is formed in the sixth recessed
도 38는 제9실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이다. 제9실시 예를 설명함에 있어서, 도 38과 동일한 구성은 도 33 및 제1실시 예를 참조하기로 한다.38 is a plan view of a light emitting device according to a ninth embodiment. In describing the ninth embodiment, the same configuration as that of FIG. 38 will be referred to FIGS. 33 and the first embodiment.
도 38을 참조하면, 발광 소자는 몸체(110)의 제1 및 제2측면부(111,112)에 제1 내지 제4리세스부(151A,152A,153A,154A)가 형성된다. 이러한 구조는 상기에 개시된 실시 예를 선택적으로 적용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 38, in the light emitting device, first to
상기 몸체(110) 내에는 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이에 연결 프레임(146)이 배치되며, 상기 연결 프레임(146)은 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이에 배치되어 중간 연결 단자로 기능하게 된다.The connecting
도 39는 제10실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이며, 도 40은 도 39의 발광 소자의 배면도이고, 도 41은 도 39의 발광 소자의 측 단면도이다.39 is a plan view of a light emitting device according to a tenth embodiment, FIG. 40 is a rear view of the light emitting device of FIG. 39, and FIG. 41 is a side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 39.
도 39를 참조하면, 발광 소자(200)는 오목부(216)를 갖는 몸체(210), 상기 오목부(216) 내에 제1 및 제2리드 프레임(221,231), 발광 칩(271,272), 와이어(273,274,275), 및 몰딩 부재(240)를 포함한다.Referring to FIG. 39, the
상기 제1리드 프레임(221)에는 몸체(210)의 제3측면부(213)에 배치된 제1리드부(223)가 형성되고, 제4측면부(214)에 배치된 제2리드부(233)를 포함한다.The
상기 제2리드 프레임(231)의 길이는 제1리드 프레임(221)의 길이보다 더 길게 형성되며, 예컨대 몸체(110)의 길이의 1/2 이상으로 형성될 수 있다. The length of the
상기 제2리드 프레임(231) 상에는 제1 및 제2발광 칩(271,272)이 배치되며, 상기 제1발광 칩(271)은 제1리드 프레임(221)과 와이어(273)로 연결되고, 제2발광 칩(272)과 와이어(274)로 연결된다. 제2발광 칩(272)은 제2리드 프레임(231)과 와이어(275)로 연결될 수 있다. First and second
도 40 및 도 41를 참조하면, 몸체(210)의 제1측면부(211)에는 복수개 즉, 2개 이상의 리세스부가 배치될 수 있으며, 예를 들면, 제1 내지 제4리세스부(251,252,253,254)가 배치된다. 제2측면부(212)에는 복수개 즉, 2개 이상의 리세스부가 배치될 수 있으며, 예를 들면 제5내지 제8리세스부(255,256,257,258)이 배치된다. 상기의 몸체에는 전체 6-12개의 리세스부가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.40 and 41, a plurality of recess portions, that is, two or more recess portions, may be disposed in the
상기 제1 내지 제4리세스부(251,252,253,254)는 제5 내지 제8리세스부(255,256,257,258)에 각각 대응된다. 이는 몸체(210)의 길이 방향의 중심으로 서로 대칭되게 배치될 수 있다.The first to
상기 제1 및 제5리세스부(251,255)와, 상기 제4 및 제8리세스부(254,258)는 몸체(210)의 제3측면부(213)와 제4측면부(214)로부터 소정 거리(D2)로 이격될 수 있으며, 이러한 거리(D2)는 제1실시 예를 참조하기로 한다.The first and
여기서, 상기 제1 내지 제4리세스부(251,252,253,254) 중에서 인접한 리세스부 간의 간격(D11,D12)는 서로 다르게 배치될 수 있다. 예를 들면, 최 외곽에 배치된 제1 및 제4리세스부(251,254)와 이에 인접한 제2 및 제3리세스부(252,253)과의 간격(D11)은 동일할 수 있으며, 제2 및 제3리세스부(252,253) 사이의 간격(D12)는 간격(D11)보다는 넓게 형성될 수 있다. 이는 제1 내지 제8리세스부(251-258)의 배치 위치는 상기 제1 및 제2리드 프레임(221,231)의 길이 차이와 제1 및 제2리드 프레임(221,231)의 경계 영역을 고려하여 배치한 구조일 수 있다.Here, the distances D11 and D12 between adjacent recesses among the first to
실시 예에 따른 발광 칩은 도 42 및 도 43를 예를 참조하여, 설명하기로 한다. A light emitting chip according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 42 and 43.
도 42는 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다. 42 illustrates a light emitting chip according to an embodiment.
도 42를 참조하면, 발광 칩(71)은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다.Referring to FIG. 42, the
상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. The
상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다. The
상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first
상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first cladding layer may be formed between the first
상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The
상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second
상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.The second
또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다. In addition, the conductive type of the
상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.The
상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다. The
도 43은 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 43을 설명함에 있어서, 도 42와 동일한 부분은 생략하며 간략하게 설명하기로 한다.43 is a view showing another example of a light emitting chip according to the embodiment. In FIG. 43, the same parts as in FIG. 42 are omitted and will be briefly described.
도 43를 참조하면, 발광 칩(71A)은 발광 구조물(310) 아래에 오믹 접촉층(321)이 형성되며, 상기 오믹 접촉층(321) 아래에 반사층(324)이 형성되며, 상기 반사층(324) 아래에 지지부재(325)가 형성되며, 상기 반사층(324)과 상기 발광 구조물(310)의 둘레에 보호층(323)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 43, in the
이러한 발광 칩(3102)는 제2도전형 반도체층(315) 아래에 오믹 접촉층(321) 및 보호층(323), 반사층(324) 및 지지부재(325)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다. The light emitting chip 3102 forms an
상기 오믹 접촉층(321)은 발광 구조물(310)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(315)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 오믹 접촉층(321) 내부는 전극(316)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.The
상기 보호층(323)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(323)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(324)과 같은 금속이 발광 구조물(310)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The
상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(324)과 상기 지지부재(325) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 지지부재(325)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(325)와 상기 반사층(324) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
실시예에 따른 발광소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 44 및 도 45에 도시된 표시 장치, 도 46-도50에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may be applied to a lighting system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and includes a display device shown in FIGS. 44 and 45 and a lighting device shown in FIGS. 46 to 50. This may be included.
도 44는 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 44 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.
도 44를 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 44, the
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 상기 광원 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl methacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 광원 모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 회로 기판(1033)와 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광소자(100)를 포함하며, 상기 발광소자(100)는 상기 회로 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 회로 기판은 인쇄회로기판(printed circuit board)일 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 또한 상기 회로 기판(1033)은 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 회로 기판(1033)는 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광소자(100)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.At least one
상기 복수의 발광소자(100)는 상기 회로 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(100)는 상기 도광판(1041)의 일 측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The plurality of light emitting
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 광원 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
도 45는 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 45 is a diagram illustrating a display device having a light emitting device according to an embodiment.
도 45를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 실시 예의 발광소자(100)가 어레이된 회로 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 45, the
상기 회로 기판(1120)와 상기 발광소자(100)는 광원 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. The
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1155)으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. The
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The
도 46 내지 도 48은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.46 to 48 illustrate a lighting apparatus according to the embodiment.
도 46은 실시 예에 따른 조명 장치를 위에서 바라본 사시도이고, 도 47은 도 46에 도시된 조명 장치를 아래에서 바라본 사시도이고, 도 48은 도 46에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.46 is a perspective view from above of the lighting apparatus according to the embodiment, FIG. 47 is a perspective view of the lighting apparatus illustrated in FIG. 46 from below, and FIG. 48 is an exploded perspective view of the lighting apparatus illustrated in FIG. 46.
도 46 내지 도 48을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.46 to 48, a lighting apparatus according to the embodiment may include a
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. An inner surface of the
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The
도 49 및 도 50은 실시 예에 따른 조명장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.49 and 50 are diagrams illustrating another example of the lighting apparatus according to the embodiment.
도 49는 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이고, 도 50은 도 49에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.49 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment, and FIG. 50 is an exploded perspective view of the lighting apparatus illustrated in FIG. 49.
도 49 및 도 50을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다. 49 and 50, the lighting apparatus according to the embodiment may include a
상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다. The
상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사산이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.The
상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다. The
상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.An inner surface of the
상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원부(3200)는 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 측면의 상단부에 배치될 수 있다.The
도 19에서, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다. In FIG. 19, the
상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 위에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.The
상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.The
상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.The
상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.The
상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.A plurality of
상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 광원부(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.The
상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 15에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치되어 있다. The
상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. The
상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.The material of the
상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 광원부(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다. The
상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. 상기 회로 기판(3410)은 상기 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. 다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.The
상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다. The
상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사산 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.The
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
10,110,210: 몸체
11-14,111-114,211-214: 측면부
21,31,121,131,221,231: 리드 프레임
16,116,216: 오목부
25,35: 캐비티
51-56,61,61A,,61B,61C,62,62A,62B,62C,151-154,161,162,251-258: 리세스부 20: 금속 프레임
26,36: 행거
27,28,37,38: 삽입 돌기
71,72,171,172,271,272: 발광 칩
40,240: 몰딩 부재10,110,210: body
11-14,111-114,211-214: side section
21,31,121,131,221,231: lead frame
16,116,216: concave
25,35: cavity
51-56,61,61A ,, 61B, 61C, 62,62A, 62B, 62C, 151-154,161,162,251-258: recess 20: metal frame
26,36: Hanger
27,28,37,38: Insertion protrusion
71,72,171,172,271,272: Light emitting chip
40,240: molding member
Claims (16)
상기 오목부 아래에 제1리드 프레임;
상기 오목부 아래에 배치되며 상기 제1리드 프레임으로부터 이격된 제2리드 프레임; 및
상기 제1 및 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 발광 칩을 포함하며,
상기 제3 및 제4측면부의 각각의 길이는 상기 제1 및 제2측면부 사이의 간격이며,
상기 제3 및 제4측면부의 각각의 길이는 상기 제1 및 제2측면부의 각각의 길이보다 짧고,
상기 몸체는,
상기 제1측면부로부터 상기 제2측면부를 향해 리세스된 제1리세스부;
상기 제1측면부로부터 상기 제2측면부를 향해 리세스된 제2리세스부;
상기 제2측면부로부터 상기 제1측면부를 향해 리세스된 제3리세스부; 및
상기 제2측면부로부터 상기 제1측면부를 향해 리세스된 제4리세스부를 포함하며,
상기 제1리세스부와 상기 제3리세스부는 서로 대응하며,
상기 제2리세스부와 상기 제4리세스부는 서로 대응하며,
상기 제1리세스부와 상기 제2리세스부는 상기 몸체의 제1측면부를 따라 서로 이격되며,
상기 제3리세스부와 상기 제4리세스부는 상기 몸체의 제2측면부를 따라 서로 이격되며,
상기 제1리세스부, 상기 제2리세스부, 상기 제3리세스부 및 상기 제4리세스부는 상기 몸체의 하면에 연결되며,
상기 제1리세스부, 상기 제2리세스부, 상기 제3리세스부 및 상기 제4리세스부 각각은 상기 몸체의 하면부터 상기 몸체의 상면을 향해 리세스되며,
상기 몸체는 상기 오목부의 바닥에서 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치된 간극부를 포함하며,
상기 간극부는 상기 제1 측면부의 중심과 상기 제2측면부의 중심을 지나는 가상의 중심 직선 라인에 대해 경사진 방향으로 연장되는 발광 소자.A body including an upper surface and a lower surface corresponding to each other, a first side portion and a second side portion corresponding to each other, a third and fourth side portions corresponding to each other, and a concave portion;
A first lead frame under the recess;
A second lead frame disposed below the recess and spaced apart from the first lead frame; And
A light emitting chip on at least one of the first and second lead frames,
Each length of the third and fourth side portions is a gap between the first and second side portions,
The length of each of the third and fourth side portions is shorter than the length of each of the first and second side portions,
The body,
A first recessed portion recessed from the first side portion toward the second side portion;
A second recess portion recessed toward the second side portion from the first side portion;
A third recessed portion recessed from the second side portion toward the first side portion; And
A fourth recessed portion recessed from the second side portion toward the first side portion,
The first recess portion and the third recess portion correspond to each other,
The second recess portion and the fourth recess portion correspond to each other,
The first recess portion and the second recess portion are spaced apart from each other along the first side portion of the body,
The third recess portion and the fourth recess portion are spaced apart from each other along the second side portion of the body,
The first recess portion, the second recess portion, the third recess portion and the fourth recess portion are connected to the lower surface of the body,
Each of the first recessed portion, the second recessed portion, the third recessed portion and the fourth recessed portion is recessed from the lower surface of the body toward the upper surface of the body,
The body includes a gap disposed between the first and second lead frame at the bottom of the recess,
And the gap portion extends in a direction inclined with respect to an imaginary central straight line passing through the center of the first side portion and the center of the second side portion.
상기 제1리세스부와 상기 제3리세스부는 상기 제1측면부로부터 상기 제2측면부를 향하는 방향으로 서로 중첩되며,
상기 제2리세스부와 상기 제4리세스부는 상기 제2측면부로부터 상기 제1측면부를 향하는 방향으로 서로 중첩되는 발광 소자.The method of claim 1,
The first recess portion and the third recess portion overlap each other in a direction from the first side portion to the second side portion,
And the second recess portion and the fourth recess portion overlap each other in a direction from the second side portion to the first side portion.
상기 제1리세스부와 상기 제3리세스부는 상기 제1측면부로부터 상기 제2측면부를 향하는 방향으로 상기 제1리드 프레임과 중첩되며,
상기 제2리세스부와 상기 제4리세스부는 상기 제2측면부로부터 상기 제1측면부를 향하는 방향으로 상기 제2리드 프레임과 중첩되는 발광 소자.The method of claim 1,
The first recess portion and the third recess portion overlap the first lead frame in a direction from the first side portion to the second side portion.
And the second recess portion and the fourth recess portion overlap with the second lead frame in a direction from the second side portion to the first side portion.
상기 제1리세스부와 상기 제3리세스부는 상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며,
상기 제2리세스부와 상기 제4리세스부는 상기 제2리드 프레임으로부터 이격되는 발광 소자.The method of claim 3,
The first recess portion and the third recess portion are spaced apart from the first lead frame,
The second recessed portion and the fourth recessed portion are spaced apart from the second lead frame.
상기 제1리세스부 및 상기 제3리세스부는 상기 제4측면부보다 상기 제3측면부에 인접하며,
상기 제2리세스부와 상기 제4리세스부는 상기 제3측면부보다 상기 제4측면부에 인접하며,
상기 제1리세스부와 상기 제3측면부 사이의 거리는 상기 제1 및 제2리세스부 사이의 거리보다 작으며,
상기 제3리세스부와 상기 제3측면부 사이의 거리는 상기 제3 및 제4리세스부 사이의 거리보다 작은 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
The first recess portion and the third recess portion are closer to the third side portion than the fourth side portion,
The second recess portion and the fourth recess portion are closer to the fourth side portion than the third side portion,
The distance between the first recess portion and the third side portion is smaller than the distance between the first and second recess portions,
And a distance between the third recessed portion and the third side portion is smaller than a distance between the third and fourth recessed portions.
상기 발광 칩은 상기 제1리드 프레임 위에 배치된 제1발광 칩, 및 상기 제2리드 프레임 위에 배치된 제2발광 칩을 포함하며,
상기 제1 및 제2발광 칩 사이의 최소 거리는 상기 제1 및 제2리세스부 사이의 거리보다 작으며,
상기 제1 및 제2발광 칩 사이의 최소 거리는 상기 제3 및 제4리세스부 사이의 거리보다 작은 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
The light emitting chip includes a first light emitting chip disposed on the first lead frame, and a second light emitting chip disposed on the second lead frame.
The minimum distance between the first and second light emitting chips is smaller than the distance between the first and second recesses,
And a minimum distance between the first and second light emitting chips is smaller than a distance between the third and fourth recessed portions.
상기 제1리세스부 및 상기 제3리세스부는 상기 제4측면부보다 상기 제3측면부에 인접하며,
상기 제2리세스부와 상기 제4리세스부는 상기 제3측면부보다 상기 제4측면부에 인접하며,
상기 제1리세스부와 상기 제3측면부 사이의 거리는 상기 제3리세스부와 상기 제3측면부 사이의 거리와 같고,
상기 제2리세스부와 상기 제4측면부 사이의 거리는 상기 제4리세스부와 상기 제4측면부 사이의 거리와 같은 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
The first recess portion and the third recess portion are closer to the third side portion than the fourth side portion,
The second recess portion and the fourth recess portion are closer to the fourth side portion than the third side portion,
The distance between the first recessed portion and the third side portion is equal to the distance between the third recessed portion and the third side portion,
The distance between the second recessed portion and the fourth side portion is equal to the distance between the fourth recessed portion and the fourth side portion.
상기 제1 및 제2리드 프레임의 하면은 상기 몸체의 하면과 같은 평면인 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
A lower surface of the first and second lead frame is the same plane as the lower surface of the body.
상기 제1 내지 제4리세스부의 하면은 상기 몸체의 하면과 같은 평면인 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
The lower surface of the first to fourth recesses is the same plane as the lower surface of the body.
상기 간극부는 상기 몸체의 하면에서 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치되며,
상기 제1리드 프레임의 일부는 상기 몸체의 하면에서 상기 중심 직선 라인보다 상기 제4측면부를 향해 더 돌출되며,
상기 제2리드 프레임의 일부는 상기 몸체의 하면에서 상기 중심 직선 라인보다 상기 제3측면부를 향해 더 돌출되는 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
The gap portion is disposed between the first and second lead frame on the lower surface of the body,
A portion of the first lead frame protrudes further from the lower surface of the body toward the fourth side portion than the center straight line,
A portion of the second lead frame protrudes from the lower surface of the body toward the third side portion more than the center straight line.
상기 제1리드 프레임의 일부는 상기 오목부의 바닥에서 상기 중심 직선 라인보다 상기 제4측면부를 향해 더 돌출되며,
상기 제2리드 프레임의 일부는 상기 오목부의 바닥에서 상기 중심 직선 라인보다 상기 제3측면부를 향해 더 돌출되는 발광 소자.The method of claim 10,
A portion of the first lead frame protrudes more toward the fourth side portion than the center straight line at the bottom of the concave portion,
A portion of the second lead frame protrudes more toward the third side portion than the center straight line at the bottom of the concave portion.
상기 제1 및 제2리세스부의 깊이는 상기 제1측면부로부터 상기 제2측면부를 향해 30㎛ 내지 130㎛의 범위이며,
상기 제3 및 제4리세스부의 깊이는 상기 제2측면부로부터 상기 제1측면부를 향해 30㎛ 내지 130㎛의 범위인 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
Depth of the first and second recessed portion is in the range of 30㎛ to 130㎛ from the first side portion toward the second side portion,
The depth of the third and fourth recessed portion is in the range of 30㎛ to 130㎛ from the second side portion toward the first side portion.
상기 제1 내지 제4리세스부의 높이는 상기 제1 및 제2리드 프레임의 두께와 같거나 작은 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
The light emitting device of claim 1, wherein a height of the first to fourth recesses is equal to or smaller than a thickness of the first and second lead frames.
상기 제1 내지 제4리세스부 각각은 내부 상면 및 내부 측면을 포함하며, 상기 내부 측면은 상기 몸체의 하면에 대해 수직하게 배치되며,
상기 제1측면부에 배치된 상기 제1 및 제2리세스부 각각의 길이는 상기 제2측면부에 배치된 상기 제3 및 제4측면부 각각의 길이와 같은 발광 소자.The method according to any one of claims 1 to 4,
Each of the first to fourth recesses includes an inner upper surface and an inner side surface, wherein the inner side surface is disposed perpendicular to the lower surface of the body,
And a length of each of the first and second recessed portions disposed in the first side portion is equal to a length of each of the third and fourth side portions disposed in the second side portion.
상기 오목부 내에 몰딩 부재;
상기 제1리드 프레임 또는 제2리드 프레임 위에 보호 소자; 및
상기 제1발광 칩과 상기 제1리드 프레임에 연결된 제1와이어;
상기 제1발광 칩과 상기 제2리드 프레임에 연결된 제2와이어;
상기 제2발광 칩과 상기 제2리드 프레임에 연결된 제3와이어; 및
상기 제2발광 칩과 상기 제1리드 프레임에 연결된 제4와이어를 포함하며,
상기 제3측면부와 상기 제1 또는 제3리세스부 사이의 거리는 130 ㎛ 이상이며,
상기 제4측면부와 상기 제2 또는 제4리세스부 사이의 거리는 130 ㎛ 이상이인 발광 소자.The method of claim 6,
A molding member in the recess;
A protection element on the first lead frame or the second lead frame; And
A first wire connected to the first light emitting chip and the first lead frame;
A second wire connected to the first light emitting chip and the second lead frame;
A third wire connected to the second light emitting chip and the second lead frame; And
A fourth wire connected to the second light emitting chip and the first lead frame,
The distance between the third side portion and the first or third recessed portion is 130 μm or more,
The light emitting device of which the distance between the fourth side portion and the second or fourth recess portion is 130 μm or more.
상기 몸체의 하면에서 상기 제1리세스부로부터 상기 제3리세스부를 향하는 방향으로 상기 제1리드 프레임의 폭은 상기 제1 및 제3리세스부 사이의 간격보다 작고,
상기 몸체의 하면에서 상기 제2리세스부로부터 상기 제4리세스부를 향하는 방향으로 상기 제2리드 프레임의 폭은 상기 제2 및 제4리세스부 사이의 간격보다 작은 발광 소자.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The width of the first lead frame in a direction from the first recessed portion to the third recessed portion of the lower surface of the body is smaller than the distance between the first and third recessed portions,
And a width of the second lead frame in a direction from the second recessed portion to the fourth recessed portion of the lower surface of the body is smaller than an interval between the second and fourth recessed portions.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190025652A KR102053422B1 (en) | 2019-03-06 | 2019-03-06 | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190025652A KR102053422B1 (en) | 2019-03-06 | 2019-03-06 | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting apparatus |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120050963A Division KR101957884B1 (en) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | Light emitting device, manufactured method of the light emitting deviceand lighting apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190026722A KR20190026722A (en) | 2019-03-13 |
KR102053422B1 true KR102053422B1 (en) | 2020-01-08 |
Family
ID=65761951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190025652A KR102053422B1 (en) | 2019-03-06 | 2019-03-06 | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102053422B1 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010251493A (en) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | Leadframe for semiconductor light-emitting device, and semiconductor light-emitting device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101103674B1 (en) * | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device |
-
2019
- 2019-03-06 KR KR1020190025652A patent/KR102053422B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010251493A (en) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | Leadframe for semiconductor light-emitting device, and semiconductor light-emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190026722A (en) | 2019-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101957884B1 (en) | Light emitting device, manufactured method of the light emitting deviceand lighting apparatus | |
KR101997243B1 (en) | Light emtting device and lighting system | |
JP6104570B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHTING DEVICE HAVING THE SAME | |
JP5788539B2 (en) | Light emitting element | |
KR102033928B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR102042150B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR102075561B1 (en) | Light emitting device, lightr emitting module and lighting system | |
KR102053422B1 (en) | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting apparatus | |
KR102053287B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR101953280B1 (en) | Light emitting device and lighting system having the same | |
KR102019498B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR102042271B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR101977831B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR102142718B1 (en) | Light emitting device and light apparatus having thereof | |
KR102109139B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR101966110B1 (en) | Light emitting device, manufactured method of the light emitting device and lighting system | |
KR102042197B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR101896691B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
KR20130119132A (en) | Light emitting device, lightr emitting module and lighting system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |