KR20170044005A - Light emitting package and lighting device having thereof - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 발광소자 패키지 및 조명 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package and a lighting apparatus.
발광 소자(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device (light emitting device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been attracting attention as a next generation light source in place of conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.
실시 예는 광 추출 효율을 개선할 수 있는 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device package and a lighting device capable of improving light extraction efficiency.
실시 예는 광속을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package and a lighting device capable of improving luminous flux.
실시 예의 발광소자 패키지는 제1 리드 프레임과, 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임과, 제1 및 제2 리드 프레임에 결합되고, 제1 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티, 제2 리드 프레임 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티 및 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 몸체와, 제1 캐비티 내에 배치된 적어도 하나 이상의 발광소자와, 제2 캐비티 내에 배치된 보호소자, 제2 캐비티는 제1 캐비티의 제1 내측면에 배치되고, 제1 내측면은 상기 스페이서의 상면에 연결되고, 제1 캐비티의 바닥면 면적은 몸체 전체 면적의 40% 이하일 수 있다.The light emitting device package of the embodiment includes a first lead frame, a second lead frame spaced apart from the first lead frame, a first cavity coupled to the first and second lead frames and configured to expose a part of the upper surface of the first lead frame, A second cavity exposing a portion of the upper surface of the second lead frame, and a spacer disposed between the first and second lead frames; at least one light emitting element disposed in the first cavity; The first cavity is connected to the upper surface of the spacer, and the bottom surface area of the first cavity is 40% of the total body area of the body, and the second cavity is disposed on the first inner side of the first cavity, ≪ / RTI >
실시 예의 발광소자 패키지는 발광소자가 실장되는 제1 리드 프레임을 노출시키는 제1 캐비티 및 보호소자가 실장되는 제2 리드 프레임을 노출시키는 제2 캐비티를 포함하고, 노출된 상기 제1 리드 프레임의 면적이 몸체의 전체 면적의 20% 내지 40%의 범위를 갖도록 함으로써, 제1 리드 프레임에 흡수되는 광 손실을 개선할 수 있다.The light emitting device package of the embodiment includes a first cavity exposing a first lead frame on which a light emitting device is mounted, and a second cavity exposing a second lead frame on which the light emitting device is mounted, The light loss absorbed by the first lead frame can be improved by having the range of 20% to 40% of the total area of the body.
또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 노출된 제2 리드 프레임의 면적이 몸체의 전체 면적의 3% 내지 10%의 범위를 갖도록 함으로써, 광 손실을 최소화할 수 있다.In addition, in the light emitting device package of the embodiment, the area of the exposed second lead frame has a range of 3% to 10% of the entire area of the body, thereby minimizing light loss.
또한, 실시 예의 발광소자 패키지는 제2 캐비티의 제5 내측면의 곡률(R)이 0.1㎜ 내지 0.3㎜의 범위를 갖도록 함으로써, 발광소자로부터 발광된 광의 전반사를 개선하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the light emitting device package of the embodiment, the curvature R of the fifth inner side surface of the second cavity is in the range of 0.1 mm to 0.3 mm, thereby improving the total light extraction efficiency of light emitted from the light emitting device, have.
또한, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제2 캐비티 내에 보호소자를 덮는 반사 몰딩부가 배치되어 상기 보호소자에 제공되어 손실되는 광을 반사시키므로 광 추출 효율을 더 향상시킬 수 있다.In the light emitting device package according to another embodiment of the present invention, a reflective molding part for covering the protection device is disposed in the second cavity, and the light is provided to the protection device to reflect the lost light, thereby further improving the light extraction efficiency.
또한, 또 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 보호소자 상에 배치된 반사 몰딩부가 발광소자가 배치된 제1 캐비티의 바닥면에 위치한 보호소자의 와이어 본딩부까지 연장될 수 있다. 따라서, 또 다른 실시 예는 제1 캐비티로부터 노출되는 리드 프레임 면적을 줄이고, 와이어 본딩부 및 와이어에 의해 손실되는 광을 반사시켜 광 추출 효율을 더 향상시킬 수 있다.In addition, in the light emitting device package according to another embodiment, the reflective molding part disposed on the protection element can extend to the wire bonding part of the protection element located on the bottom surface of the first cavity in which the light emitting element is disposed. Therefore, another embodiment can further reduce the lead frame area exposed from the first cavity and further improve the light extraction efficiency by reflecting the light lost by the wire bonding portion and the wire.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임의 상부를 도시한 사시도이다.
도 4는 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임의 하부를 도시한 사시도이다.
도 5는 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임을 도시한 평면도이다.
도 6은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 7은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 8은 비교 예와 제1 실시 예의 광속을 비교한 그래프이다.
도 9는 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 10은 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 11은 제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 12는 제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 13 내지 도 22는 반사 몰딩부의 다른 실시 예들의 발광소자 패키지를 도시한 평면도 또는 단면도이다.
도 23은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 24는 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 25는 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.
도 26은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 다른 예를 도시한 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a plan view showing a light emitting device package according to the first embodiment.
3 is a perspective view showing an upper portion of the first and second lead frames according to the first embodiment.
4 is a perspective view showing the lower portions of the first and second lead frames according to the first embodiment.
5 is a plan view showing the first and second lead frames according to the first embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device package taken along line I-I 'of FIG. 2;
7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package taken along line II-II 'of FIG.
8 is a graph comparing the luminous fluxes of the comparative example and the first embodiment.
9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to the second embodiment.
10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to the third embodiment.
11 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fourth embodiment.
12 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fifth embodiment.
13 to 22 are a plan view or a cross-sectional view showing the light emitting device package of another embodiment of the reflective molding part.
23 is a cross-sectional view showing a light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.
24 is a cross-sectional view showing another example of the light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.
25 is a perspective view showing a display device including the light emitting device package of the embodiment.
26 is a cross-sectional view showing another example of a display device including the light emitting device package of the embodiment.
실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" the substrate, each layer Quot; on "and" under "are intended to include both" directly "or" indirectly " do. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 평면도이다.FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment, and FIG. 2 is a plan view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
도 3은 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임의 상부를 도시한 사시도이고, 도 4는 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임의 하부를 도시한 사시도이고, 도 5는 제1 실시 예에 따른 제1 및 제2 리드 프레임을 도시한 평면도이다.FIG. 3 is a perspective view showing the upper portions of the first and second lead frames according to the first embodiment, FIG. 4 is a perspective view showing the lower portions of the first and second lead frames according to the first embodiment, Is a plan view showing the first and second lead frames according to the first embodiment.
도 6은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이고, 도 7은 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'라인을 절단한 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package taken along line I-I 'of FIG. 2, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package taken along line II-II' of FIG.
도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)는 제1 레드 프레임(170), 제2 리드 프레임(180), 몸체(120), 보호소자(160), 제1 및 제2 발광소자(151, 153)를 포함할 수 있다.1 to 7, the light
상기 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 일정 간격 이격되어 상기 몸체(120)와 결합될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(170)에는 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)가 실장될 수 있고, 상기 제2 리드 프레임(180)에는 상기 보호소자(160)가 실장될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(170)의 너비는 상기 제2 리드 프레임(180)의 너비보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 철(Fe), 주석(Sn), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The first and
상기 제1 리드 프레임(170)은 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)가 실장되는 상부면(170a) 및 상기 몸체(120)의 하부로부터 노출되는 하부면(170b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 및 하부면(170b)은 평탄한 면일 수 있다. 상기 제1 리드 프레임(170)은 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 상에 배치된 제1 리세스부(171) 및 상기 제1 리드 프레임(170)의 하부면(170b) 상에 배치된 제1 단차부(173)를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)으로부터 상기 하부면(170b) 방향으로 오목한 형상일 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 상부면(170a) 가장자리와 인접할 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 링 형태, 사각 띠 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 리세스부(171)는 모서리들이 구부러진 라운드 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 제1 리세스부(171)은 오목한 구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 리세스부(171)의 깊이는 상기 제1 리드 프레임(170)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 리세스부(171)의 깊이는 상기 제1 리드 프레임(170) 두께의 50% 이하일 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 단차부(173)로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 즉, 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 단차부(173)와 수직으로 중첩된 영역을 포함하지 않을 수 있다.The
상기 제1 리세스부(171)는 몸체(120)로부터 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티(130)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 제1 단차부(173)의 내측에 배치될 수 있다. 구체적으로 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 외측면으로부터 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 5%~30% 내의 영역에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1 리드 프레임(170)의 장축은 X-X'이고, 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축은 Y-Y'이다.The
상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 외측면으로부터 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 5% 미만 영역에 배치되는 경우, 상기 제1 단차부(173)의 너비 및 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 외측면으로부터 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 30% 초과 영역에 배치되는 경우, 제1 캐비티(130)에 일부가 노출되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 예컨대 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비가 1.920㎜일 경우, 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 인접한 외측면으로부터 100㎛ 내지 580㎛ 이격된 영역 내에 배치될 수 있다.When the
상기 제1 리세스부(171)는 일정한 너비를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제1 리세스부(171)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 3%~15%의 너비를 포함할 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)의 너비가 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 3%미만일 경우, 몸체(120)와 접하는 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 상기 제1 리세스부(171)의 너비가 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비의 15%초과일 경우, 제1 리드 프레임(120)의 강성이 저하될 수 있다. 예컨대 상기 제1 리드 프레임(170)의 단축 너비가 1.920㎜일 경우, 상기 제1 리세스부(171)의 너비는 50㎛ 내지 290㎛일 수 있다.The
상기 제1 단차부(173)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 하부면(170b) 가장자리에 배치될 수 있다. 상기 제1 단차부(173)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 하부면 가장자리를 따라 연결될 수 있다. 상기 제1 단차부(173)는 리세스 형상일 수 있고, 단면이 계단 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 단차부(173)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제1 단차부(173)은 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제1 단차부(173)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 하부면(170b) 가장자리 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 단차부(173)의 두께는 상기 제1 리드 프레임(170)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제1 단차부(173)의 두께는 상기 제1 리드 프레임(170) 두께의 50% 이상일 수 있다. 상기 제1 단차부(173)는 상기 제1 리세스부(171)보다 외측에 배치될 수 있다.The first stepped
상기 제1 리드 프레임(170)은 외측방향으로 돌출된 제1 돌출부들(177)을 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출부들(177)은 상기 제1 단차부(173)로부터 외측방향으로 돌출될 수 있다. 즉, 상기 제1 돌출부들(177)의 두께는 상기 제1 리드 프레임(170)의 두께보다 얇을 수 있다. 상기 제1 돌출부들(177) 각각의 수평 너비는 서로 상이할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 돌출부들(177)의 끝단은 상기 몸체(120)의 외측면으로부터 외부에 노출될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 단위 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 금속 프레임(미도시)을 프레스로 가공하여 다수의 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)이 연결된 상태에서 몸체(120)의 사출공정 후에 분리될 수 있다. 즉, 다수의 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)은 서로 연결된 상기 몸체(120)를 결합하기 위한 사출공정이 진행되므로 다수의 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)을 서로 연결하기 위한 행거(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 제1 돌출부들(177)은 단위 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)으로 분리하는 공정에서 상기 제1 리드 프레임(170)에 연결된 상기 행거의 일부일 수 있다.The
상기 제2 리드 프레임(180)은 상기 보호소자(160)가 실장되는 상부면(180a) 및 상기 몸체(120)의 하부로부터 노출되는 하부면(180b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 및 하부면(180b)은 평탄한 면일 수 있다. 상기 제2 리드 프레임(180)은 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 상에 배치된 제2 리세스부(181) 및 상기 제2 리드 프레임(180)의 하부면(180b) 상에 배치된 제2 단차부(183)를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a)으로부터 상기 하부면(180b) 방향으로 오목한 형상일 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 가장자리와 인접할 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 길이방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 양끝단이 구부러진 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 리세스부(181)는 서로 마주보도록 구부러진 양끝단을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 제2 리세스부(181)은 오목한 구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 리세스부(181)의 깊이는 상기 제2 리드 프레임(180)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제2 리세스부(181)의 깊이는 상기 제2 리드 프레임(180) 두께의 50% 이하일 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 단차부(183)로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 즉, 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 단차부(183)와 수직으로 중첩된 영역을 포함하지 않을 수 있다.The
상기 제2 리세스부(181)는 몸체(120)로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티(140)의 외측에 배치될 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 제2 단차부(183)의 내측에 배치될 수 있다. 구체적으로 상기 제2 리세스부(181)의 양끝단(180e)은 상기 제1 리드 프레임(170)으로부터 가장 먼 상기 제2 리드 프레임(180)의 외측면으로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 15%~85% 내의 영역에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제2 리드 프레임(180)의 장축은 X-X'이고, 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축은 Y-Y'이다.The
상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 외측면으로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 15% 미만 영역에 배치되는 경우, 상기 제2 단차부(183)의 너비 및 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 외측면으로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 85% 초과 영역에 배치되는 경우, 제2 캐비티(140)에 일부가 노출되거나, 상기 제2 단차부(183)의 너비 및 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 예컨대 상기 제1 리드 프레임(180)의 단축 너비가 0.680㎜일 경우, 상기 제2 리세스부(181)의 양끝단(180e)은 상기 제1 리드 프레임(170)으로부터 가장 먼 상기 제2 리드 프레임(180)의 외측면으로부터 100㎛ 내지 580㎛ 이격된 영역 내에 배치될 수 있다.When the
상기 제2 리세스부(181)는 일정한 너비를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 제2 리세스부(181)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 7%~43%의 너비를 포함할 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)의 너비가 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 7%미만일 경우, 몸체(120)와 접하는 면적이 작아지게 되어 몸체(120)와의 결합력이 저하되고, 외부 습기 침투를 개선하기 어려울 수 있다. 상기 제2 리세스부(181)의 너비가 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비의 43%초과일 경우, 제2 리드 프레임(180)의 강성이 저하될 수 있다. 예컨대 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 너비가 0.680㎜일 경우, 상기 제2 리세스부(181)의 너비는 50㎛ 내지 290㎛일 수 있다.The
상기 제2 리세스부(181)의 중심부(C)를 기준으로 상기 제2 리드 프레임(180)의 장축(X-X')으로 직선부(181l), 굴곡부(181c) 및 양끝단(181e)을 포함할 수 있다. 상기 굴곡부(181c)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 단축 제2 방향(Y)으로부터 구부러질 수 있다. 상기 굴곡부(181c)는 상기 직선부(181l)로부터 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 굴곡부(181c)는 상기 제2 리세스부(181)의 중심부(C)로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 장축(X-X') 방향으로 상기 제2 리세스부(181) 장축 길이 또는 너비의 20% 내지 80% 내에 배치될 수 있다. 예컨대 상기 굴곡부(181c)와 직선부(181l)의 경계영역(181b)은 상기 제2 리세스부(181)의 중심부(C)로부터 상기 제2 리드 프레임(180)의 장축(X-X') 방향으로 상기 제2 리세스부(181)의 20% 내지 80% 내에 배치될 수 있다.A straight portion 181l, a
상기 제2 단차부(183)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 하부면(180b) 가장자리에 배치될 수 있다. 상기 제2 단차부(183)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 하부면 가장자리를 따라 연결될 수 있다. 상기 제2 단차부(183)는 리세스 형상일 수 있고, 단면이 계단 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 단차부(183)는 상기 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있다. 또한, 상기 제2 단차부(183)은 단차구조에 의해 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다. 상기 제2단차부(183)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 하부면(180b) 가장자리 일부가 식각되어 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 단차부(183)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(180)의 두께의 50%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제2 단차부(183)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(180) 두께의 50% 이상일 수 있다. 상기 제2 단차부(183)는 상기 제2 리세스부(181)보다 외각에 배치될 수 있다.The second stepped
상기 제2 리드 프레임(180)은 외측방향으로 돌출된 제2 돌출부들(187)을 포함할 수 있다. 상기 제2 돌출부들(187)은 상기 제3 단차부(183)로부터 외측방향으로 돌출될 수 있다. 즉, 상기 제2 돌출부들(187)의 두께는 상기 제2 리드 프레임(180)의 두께보다 얇을 수 있다. 상기 제2 돌출부들(187) 각각의 수평 너비는 서로 상이할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 돌출부들(187)의 끝단은 상기 몸체(120)의 외측면으로부터 외부에 노출될 수 있다. 상기 제2 돌출부들(187)은 단위 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)으로 분리하는 공정에서 상기 제2 리드 프레임(180)에 연결된 상기 행거의 일부일 수 있다.The
상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 상기 제1 리드 프레임(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 상기 몸체(120)로부터 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 실시 예의 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 서로 직렬 연결된 2개의 구성을 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 단일 구성일 수 있고, 어레이 형태로 구성될 수도 있고, 3개 이상으로 구성될 수도 있다. 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 와이어(W1)를 통해서 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 서로 이격되고, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 몸체(120)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면 상에서 상기 제1 리드 프레임(170)의 대각선 방향으로 대칭되게 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first and second
상기 보호소자(160)는 상기 제2 리드 프레임(180) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자(160)는 상기 몸체(120)로부터 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자(160)는 제너 다이오드, 사이리스터(Thyristor), TVS(Transient Voltage Suppression) 등일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시 예의 보호소자(160)는 ESD(Electro Static Discharge)로부터 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)를 보호하는 제너 다이오드를 일예로 설명하도록 한다. 상기 보호소자(160)는 와이어(W2)를 통해서 상기 제1 리드 프레임(170)과 연결될 수 있다.The
상기 몸체(120)는 투광성 재질, 반사성 재질, 절연성 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 방출된 광에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 수지 계열의 절연 물질일 수 있다. 상기 몸체(120)는 예컨대 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 에폭시 또는 실리콘 재질과 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(120)는 일정한 곡률을 갖는 외측면 또는 각진 면을 갖는 외측면을 포함할 수 있다. 상기 몸체(120)는 예컨대 탑뷰 형상이 원형 또는 다각형 형상일 수 있다. 실시 예의 몸체(120)는 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)을 포함하는 다각형 형상을 일 예로 설명하도록 한다.The
상기 몸체(120)는 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)과 결합될 수 있다. 상기 몸체(120)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티(130)를 포함할 수 있다. The
상기 몸체(120)는 상기 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180) 사이에 배치된 스페이서(126)를 포함할 수 있다. 상기 스페이서(126)는 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 배치될 수 있다. 상기 스페이서(126)는 서로 대면되는 상기 제1 및 제2 단차부(173, 183)와 나란하게 배치될 수 있다. 상기 스페이서(126)는 상기 제1 및 제2 단차부(173, 183)와 직접 접할 수 있다. 상기 스페이서(126)는 절연 물질일 수 있고, 상기 몸체(120)의 일부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 스페이서(126)는 상기 제1 및 제2 단차부(173, 183)의 단자구조와 대응되는 단차구조를 포함한다. 즉, 상기 스페이서(126)는 단면이 수평으로 대칭되는 계단구조일 수 있다. 상기 스페이서(126)는 상기 제1 및 제2 단차부(173, 183)와 접하는 단차구조에 의해 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)과의 접촉 면적이 증가하므로 결합력이 향상될 수 있고, 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.The
상기 제1 캐비티(130)는 상기 제1 리드 프레임(170)을 노출시키는 바닥면 및 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 가장자리를 따라 위치한 제1 내지 제4 내측면(131 내지 134)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내측면(131)은 상기 제3 내측면(133)과 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 제2 내측면(132)은 상기 제4 내측면(134)과 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제4 내측면(131 내지 134)은 상기 몸체(120)의 바닥면으로부터 경사지게 배치될 수 있다.The
상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 40% 이하일 수 있다. 예컨대 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 20% 내지 40%일 수 있다. 구체적으로 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 12% 내지 26%일 수 있다. 예컨대 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적이 3.0㎜ x 3.0㎜ 기준일 경우, 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적은 1.390㎜ x 0.840㎜ 내지 1.390㎜ x 1.680㎜일 수 있다.The area of the
실시 예는 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적을 상기 몸체(120)의 전체 면적의 20% 내지 40%의 범위를 갖도록 함으로써, 상기 제1 리드 프레임(170)에 흡수되는 광 손실을 개선할 수 있고, 광 추출 효율을 향상시켜 광속을 증가시킬 수 있다. 상기 제1 캐비티(130)의 면적이 20% 미만일 경우, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)의 실장을 위한 공간 제약으로 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)의 실장 공정상의 문제를 야기할 수 있다. 상기 제1 캐비티(130)의 면적이 40% 초과일 경우, 상기 제1 내지 제4 내벽면(131 내지 134)의 면적이 감소하므로 반사율이 저하될 수 있고, 상기 제1 리드 프레임(170)의 노출 면적이 증가하여 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)의 광이 상기 제1 리드 프레임(170)에 흡수되므로 광 손실에 의해 광 추출이 저하될 수 있다.The
실시 예는 제1 캐비티(130)의 서로 마주보는 제1 및 제3 내측면(131, 133)은 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면에 대해 서로 상이한 경사각을 가질 수 있다. 상기 제1 내측면(131)의 경사각(θ1)은 상기 제3 내측면(133)의 경사각(θ2)보다 클 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first and third inner side surfaces 131 and 133 of the
실시 예는 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적에 따라 서로 마주보는 상기 제1 내측면(131)의 경사각(θ1) 및 상기 제3 내측면(133)의 경사각(θ2)이 결정될 수 있다. 예컨대 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적이 상기 몸체(120)의 전체 면적의 20%에서 30%로 증가할 경우, 상기 제1 내측면(131)의 경사각(θ1)은 160도에서 156도로 작아지고, 상기 제3 내측면(133)의 경사각(θ2)은 140도에서 119도로 작아질 수 있다.The inclination angle? 1 of the first
상기 제2 및 제4 내측면(132, 134)은 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면에 대해 서로 동일한 경사각을 가질 수 있다. 상기 제2 내측면(132)의 경사각(θ3)은 상기 제4 내측면(134)의 경사각(θ4)과 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The second and fourth
상기 몸체(120)는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티(140)를 포함할 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131) 상에 위치할 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)는 상기 제1 내측면(131)을 관통하여 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면 일부를 노출시킬 수 있다. 예컨대 상기 제1 캐비티(140)의 탑뷰 형상은 원형, 타원, 다각 형상일 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 20% 이하일 수 있다. 예컨대 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적은 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 3% 내지 20%일 수 있다. 실시 예는 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적을 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적의 3% 내지 20%의 범위를 갖도록 함으로써, 상기 제2 리드 프레임(180)에 흡수되는 광 손실을 개선할 수 있고, 광 추출 효율을 향상시켜 광속을 증가시킬 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)의 면적이 3% 미만일 경우, 상기 보호소자(160)의 실장을 위한 공간 제약으로 상기 보호소자(160)의 실장 공정상의 문제를 야기할 수 있다. 상기 제2 캐비티(140)의 면적이 20% 초과일 경우, 반사율이 저하되어 광 손실에 의해 광 추출이 저하될 수 있다. 예컨대 상기 몸체(120)의 제1 내지 제4 외측면(121 내지 124)으로 둘러싸이는 면적이 3.0㎜ x 3.0㎜ 기준일 경우, 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적은 0.350㎜ x 0.140㎜ 내지 2.0내지 1.390㎜ x 1.680㎜일 수 있다. The
상기 제2 캐비티(140)는 상기 제2 리드 프레임(180)을 노출시키는 바닥면 및 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 가장자리를 따라 위치한 제5 내지 제8 내측면(141 내지 144)을 포함할 수 있다. 상기 제5 내측면(141)은 상기 제7 내측면(143)과 마주보도록 배치될 수 있다. 상기 제5 내측면(141)은 상기 제7 내측면(143)보다 높은 높이를 가질 수 있다. 상기 제6 내측면(142)은 상기 제8 내측면(144)과 마주보도록 배치될 수 있다.The
상기 제5 내측면(141)은 상기 제1 내측면(131) 상에서 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광을 다양한 방향으로 반사시킬 수 있도록 일정한 곡률(R)을 가질 수 있다. 예컨대 상기 제5 내측면(141)의 곡률(R)은 0.1㎜ 내지 0.3㎜ 범위일 수 있다. 상기 제5 내측면(141)의 곡률(R)은 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광의 전반사를 개선하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 제5 내측면(141)의 곡률(R)이 0.1㎜ 미만일 경우, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광은 임계각에 의해 전반사되므로 광 손실을 야기할 수 있다. 상기 제5 내측면(141)의 곡률(R)이 0.3㎜ 초과일 경우, 상기 몸체(120)의 두께와 높이에 제한으로 공정 상의 문제를 야기할 수 있다.The fifth
상기 제6 내지 제8 내측면(142 내지 144)은 일정한 곡률을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 제6 내지 제8 내측면(142 내지 144)은 상기 제1 내측면(131)과의 경계영역에만 곡률을 가질 수 있고, 상기 제5 내측면(141)과 대응되는 곡률을 가질 수도 있다. 또한, 상기 제6 내지 제8 내측면(142 내지 144) 각각의 곡률은 서로 상이할 수 있다.The sixth to eighth
상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170) 사이에는 경계부(131a)가 배치될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 제2 캐비티(140)의 제7 내측면(143)과 연결될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 스페이서(126) 상에 배치될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 스페이서(126)와 수직으로 중첩될 수 있다.A
상기 경계부(131a)는 상기 보호소자(160)와 마주보는 내측이 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가질 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 보호소자(160)와 마주보는 내측이 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가지므로 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광이 상기 보호소자(160)에 직접 제공되어 손실되는 문제를 개선할 수 있다. 예컨대 상기 경계부(131a)의 높이(H)는 100㎛ 내지 300㎛일 수 있고, 상기 보호소자(160)의 높이는 100㎛ 미만일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 경계부(131a)의 높이(H)가 300㎛ 초과일 경우, 상기 보호소자(160)와 상기 제1 리드 프레임(170) 사이를 연결하는 와이어(W2) 연결 공정이 어려울 수 있다.The
제1 실시 예의 발광소자 패키지(110)는 상기 제1 및 제2 발광 소자(151, 153)가 실장되는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면을 노출시키는 상기 제1 캐비티(130) 및 상기 보호소자(160)가 실장되는 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면을 노출시키는 상기 제2 캐비티(140)를 포함하고, 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임(170)의 면적이 상기 몸체(120)의 전체 면적의 20% 내지 40%의 범위를 갖도록 함으로써, 상기 제1 리드 프레임(170)에 흡수되는 광 손실을 개선할 수 있다. 또한, 실시 예의 발광소자 패키지(110)는 상기 제2 캐비티(140)의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 면적이 상기 몸체(120)의 전체 면적의 3% 내지 10%의 범위를 갖도록 함으로써, 제2 캐비티(140)에 의한 광 손실을 최소화할 수 있다.The light emitting
제1 실시 예의 발광소자 패키지(110)는 상기 제2 캐비티(140)의 제5 내측면(141)의 곡률(R)이 0.1㎜ 내지 0.3㎜의 범위를 갖도록 함으로써, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광의 전반사를 개선하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting
도 8은 비교 예와 제1 실시 예의 광속을 비교한 그래프이다.8 is a graph comparing the luminous fluxes of the comparative example and the first embodiment.
도 8에 도시된 바와 같이, 제1 실시 예는 비교 예보다 광속이 3.6% 이상 향상될 수 있다.As shown in FIG. 8, the luminous flux of the first embodiment can be improved by 3.6% or more as compared with the comparative example.
상기 비교 예는 하나의 캐비티를 갖는 몸체와, 상기 캐비티의 바닥면에 노출된 제1 및 제2 리드 프레임을 포함하고, 노출된 제1 및 제2 리드 프레임의 면적이 몸체의 전체 면적의 50%를 초과하는 구조일 수 있다.The comparative example includes a body having one cavity and first and second lead frames exposed on a bottom surface of the cavity, wherein an area of the exposed first and second lead frames is 50% ≪ / RTI >
상기 실시 예는 도 1 내지 도 7의 기술적 특징을 채용한 발광소자 패키지이다.The above embodiment is a light emitting device package adopting the technical features of Figs.
도 9는 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to the second embodiment.
도 9에 도시된 바와 같이, 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 경계부(231a)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 9, the light emitting device package according to the second embodiment may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7, except for the
상기 경계부(231a)는 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다. 상기 경계부(231a)는 스페이서(126) 상에 배치되고, 상기 스페이서(126)와 접하는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 일부 및 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 경계부(231a)는 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가질 수 있다. 상기 경계부(231a)는 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가지므로 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광이 상기 보호소자(160)에 직접 제공되어 손실되는 문제를 개선할 수 있다. The
상기 경계부(231a)의 단축방향의 일끝단은 상기 스페이서(126)의 단축방향의 일끝단보다 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 경계부(231a)의 단축방향의 다른 끝단은 상기 스페이서(126)의 단축방향의 다른 끝단보다 상기 보호소자(160)에 더 인접하게 배치될 수 있다.One end of the
상기 경계부(231a)의 단축방향의 너비(D1)는 상기 스페이서(126)의 단축방향의 너비(D2) 이상일 수 있다. 상기 경계부(231a)의 단축방향의 너비(D1)는 상기 스페이서(126)의 하부면 단축방향의 너비(D2) 이상일 수 있다. 상기 경계부(231a)는 절연 물질일 수 있고, 몸체(120)의 일부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 경계부(231a)는 상기 스페이서(126)와 동일한 물질일 수 있다.The width D1 in the minor axis direction of the
제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 스페이서(126)를 덮는 경계부(231a)의 구조에 의해 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있고, 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.The light emitting device package according to the second embodiment can increase the contact area with the
도 10은 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.10 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to the third embodiment.
도 10에 도시된 바와 같이, 제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 경계부(331a)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 10, the light emitting device package according to the third embodiment may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7 except for the
상기 경계부(331a)는 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다. 상기 경계부(331a)는 스페이서(126) 상에 배치되고, 상기 스페이서(126)와 접하는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 일부 및 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 경계부(331a)는 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가질 수 있다. 상기 경계부(331a)는 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가지므로 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광이 상기 보호소자(160)에 직접 제공되어 손실되는 문제를 개선할 수 있다. The
상기 경계부(331a)은 상기 스페이서(126)의 상부면을 덮을 수 있다. 상기 경계부(331a)의 단축방향의 너비(D1)는 상기 스페이서(126)의 단축방향의 너비(D2) 이하일 수 있다. 상기 경계부(331a)의 단축방향의 너비(D1)는 상기 스페이서(126)의 하부면 단축방향의 너비(D2) 이하일 수 있다. 상기 경계부(331a)는 절연 물질일 수 있고, 몸체(120)의 일부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 경계부(331a)는 상기 스페이서(126)와 동일한 물질일 수 있다.The
제3 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 스페이서(126)를 덮는 경계부(331a)의 구조에 의해 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있고, 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.The light emitting device package according to the third embodiment can increase the contact area with the
도 11는 제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.11 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fourth embodiment.
도 11에 도시된 바와 같이, 제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 경계부(431a)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.As shown in FIG. 11, the light emitting device package according to the fourth embodiment may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7 except for the
상기 경계부(431a)는 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다. 상기 경계부(431a)는 스페이서(126) 상에 배치되고, 상기 스페이서(126)와 접하는 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 일부 상에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 스페이서(126)의 상부면 일부는 상기 경계부(431a)로부터 노출될 수 있다. 상기 경계부(431a)는 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)과 접하지 않을 수 있다. 상기 경계부(431a)는 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가질 수 있다. 상기 경계부(431a)는 상기 보호소자(160)보다 높은 높이(H)를 가지므로 제1 및 제2 발광소자(151, 153)로부터 발광된 광이 상기 보호소자(160)에 직접 제공되어 손실되는 문제를 개선할 수 있다. The
상기 경계부(431a)의 단축방향의 일끝단은 상기 스페이서(126)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 상기 경계부(431a)의 단축방향의 일끝단은 상기 스페이서(126) 상부면 상에 배치되어 상기 스페이서(126)의 단축방향의 다른 끝단보다 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)에 더 멀리 배치될 수 있다. 상기 경계부(431a)의 단축방향의 다른 끝단은 상기 스페이서(126)의 단축방향의 다른 끝단보다 상기 보호소자(160)에 더 인접하게 배치될 수 있다.One end of the
제4 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 스페이서(126)의 일부를 덮는 경계부(431a)의 구조에 의해 몸체(120)와의 접촉 면적을 넓혀 상기 몸체(120)와의 결합력이 향상될 수 있고, 외부의 습기 침투를 개선할 수 있다.The light emitting device package according to the fourth embodiment can increase the contact area with the
도 12는 제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 단면도이다.12 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a fifth embodiment.
도 12에 도시된 바와 같이, 제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 반사 몰딩부(190)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.12, the light emitting device package according to the fifth embodiment may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7 except for the
상기 반사 몰딩부(190)는 제2 캐비티(140) 내에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(190)는 보호소자(160)를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(190)의 상부면은 경계부(131a)의 상부면보다 아래에 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(190)의 상부면은 경계부(131a)의 상부면과 동일 평면상에 위치할 수도 있다. 상기 반사 몰딩부(190)의 높이는 상기 보호소자(160)의 높이보다 높을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 반사 몰딩부(190)는 상기 경계부(131a)의 높이(H)보다 낮거나 같을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
상기 반사 몰딩부(190)는 절연성 물질 및 반사성 물질을 포함할 수 있다. 상기 반사 몰딩부(190)는 PPA(Polyphthalamide)), PCT(Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate), 화이트 실리콘(white Silicone), 화이트(white) EMC(Epoxy Molding Compound) 중 어느 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
제5 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 상기 제2 캐비티(140) 내에 상기 보호소자(160)를 덮는 반사 몰딩부(190)가 배치되어 상기 보호소자(160)에 흡수되는 광을 반사시켜 광 추출 효율을 더 향상시킬 수 있다.The light emitting device package according to the fifth embodiment is characterized in that a
상기 발광소자 패키지는 2개의 제1 및 제2 발광소자(151, 153)가 제1 캐비티(130)에 배치된 구조를 한정하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 적어도 3개 이상일 수 있다.Although the light emitting device package has a structure in which two first and second
도 13 내지 도 22는 반사 몰딩부(290a 내지 290e)의 다른 실시 예들의 발광소자 패키지를 도시한 평면도 또는 단면도이다.13 to 22 are a plan view or a cross-sectional view showing the light emitting device package of another embodiment of the
도 13 내지 도 22의 발광소자 패키지는 반사 몰딩부(290a 내지 290e)를 제외하고, 도 1 내지 도 7의 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The light emitting device package of FIGS. 13 to 22 may employ the technical features of the light emitting device package according to the first embodiment of FIGS. 1 to 7 except for the
다른 실시 예의 발광소자 패키지는 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이를 위해 다른 실시 예의 발광소자 패키지는 반사 몰딩부(290a 내지 290e)를 포함할 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 보호소자(160), 제1 와이어(160w) 및 와이어 본딩부(160a)를 덮을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 보호소자(160) 및 와이어 본딩부(160a)를 덮고, 제1 와이어(160w)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 상기 보호소자(160), 제1 와이어(160w) 및 와이어 본딩부(160a)에 의해 흡수되는 빛을 반사시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting device package of another embodiment can improve light extraction efficiency. To this end, the light emitting device package of another embodiment may include
또한, 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 상기 제1 리드 프레임(170)보다 높은 반사율을 포함할 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a 내지 290e)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)으로 연장되어 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the
도 13 내지 도 15를 참조하면, 제2 실시 예의 반사 몰딩부(290a)는 제2 캐비티(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)는 제2 캐비티(140)와 가장 가까운 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다.13 to 15, the
상기 반사 몰딩부(290a)는 상기 제2 캐비티(140)가 배치된 제1 내측면(131)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)는 상기 제2 캐비티(140) 주변의 제1 내측면(131)을 따라 제1 캐비티(130) 바닥면에 배치된 상기 보호소자(160)의 와이어 본딩부(160a)까지 연장될 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290a)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130) 사이의 제1 내측면(131)을 따라 배치될 수 있다.The
여기서, 상기 와이어 본딩부(160a)는 상기 제2 캐비티(140)와 가장 인접한 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면에 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다.The
상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)과의 제1 경계(291a)로부터 제1 캐비티(131)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 제1 캐비티(130)의 제4 내측면(134)과의 제2 경계(291b)로부터 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 상기 제1 및 제2 경계(291a, 291b) 사이에 제3 경계(291c)를 포함할 수 있다. 상기 제3 경계(291c)는 상기 제2 발광소자(153)의 일측면(153s)과 나란하게 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제2 발광소자(153)의 일측면(153s)은 상기 제1 발광소자(151)와 대면될 수 있다. An
상기 제2 경계(291b)와 상기 제3 경계(291c) 사이의 상기 반사 몰딩부(290a) 끝단(291)은 상기 제1 발광소자(151)의 일측면과 대면될 수 있다. 여기서, 상기 제1 발광소자(151)의 일측면은 상기 보호소자(160)가 배치된 제1 내측면(131)과 대면될 수 있다.The
상기 제1 경계(291a)와 상기 제3 경계(291c) 사이의 상기 반사 몰딩부(290a) 끝단(291)은 상기 제2 발광소자(153)의 모서리에 대면될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 발광소자(153)의 모서리는 상기 보호소자(160)에 대면되는 하나의 모서리일 수 있다.The
상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 제1 내측면(131)과 대응되는 제1 방향(X)으로 일정한 너비를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291)은 제1 경계(291a)와 제2 경계(291b) 사이의 제1 너비(W1)와, 상기 제2 경계(291b)와 제3 경계(291c) 사이의 제2 너비(W2)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 너비(W1)는 상기 제1 경계(291a)로부터 상기 제1 방향(X)과 직교하는 제2 방향(Y)으로 연장되는 제1 기준라인(r1)과, 상기 제2 경계(291b)로부터 상기 제2 방향(Y)으로 연장되는 제2 기준라인(r2) 사이의 간격으로 정의될 수 있다. 상기 제2 너비(W2)는 상기 제1 기준라인(r1)과, 상기 제3 경계(291c)로부터 상기 제2 방향(Y)으로 연장되는 제3 기준라인(r3) 사이의 간격으로 정의될 수 있다.The
상기 제2 실시 예의 반사 몰딩부(290a)는 상기 제1 너비(W1)의 1/3 또는 1/3 이하의 제2 너비(W2)를 포함할 수 있다. 제2 실시 예는 상기 제2 너비(W2)에 의해 상기 제2 발광소자(153)와 반사 몰딩부(290a)가 일정 간격 이격되어 상기 제2 발광소자(153)와 반사 몰딩부(290a)의 접촉에 의한 불량을 개선할 수 있다. 상기 제2 실시 예의 반사 몰딩부(290a)는 제1 캐비티(130)로부터 노출되는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 면적을 줄이고, 제1 및 제2 발광소자(151, 153)와 일정 간격 이격된 구조를 제공할 수 있다. 따라서, 상기 제2 실시 예의 반사 몰딩부(290a)는 광 추출 효율을 향상시키고, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The
상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 상기 제1 캐비티(130) 내에 배치될 수 있고, 상기 반사 몰딩부(290a)로부터 일정 간격 이격된 이격 거리(W3)를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 이격 거리(W3)는 제1 캐비티(130)의 바닥면 너비의 3.3% 이하일 수 있다. 구체적으로 상기 이격 거리(W3)는 30㎛ 내지 100㎛ 일 수 있다. 상기 이격 거리(W3)가 30㎛ 미만일 경우, 상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)와 제1 캐비티(130)의 내측면들과 접촉되어 광 효율이 저하될 수 있다. 또한, 상기 이격 거리(W3)가 30㎛ 미만일 경우, 불량에 의한 수율이 저하될 수 있다.The first and second
상기 이격 거리(W3)가 100㎛ 초과일 경우, 제1 캐비티(130)로부터 노출되는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 면적이 증가하므로 상기 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)에 흡수되는 광 손실에 의해 광 추출 효율이 저하될 수 있다.The area of the
상기 제1 및 제2 발광소자(151, 153)는 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)으로부터 이격된 간격이 상이할 수 있다. 제2 실시 예는 제1 발광소자(151)와 상기 제1 캐비티(130) 내측면 사이에 와이어 본딩부(160a)가 배치될 수 있다. 제2 실시 예는 제1 발광소자(151)와 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131) 사이의 이격 거리가 상기 제2 발광소자(153)와 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131) 사이의 이격 거리보다 클 수 있다.The first and second
상기 반사 몰딩부(290a)는 절연성 물질 및 반사성 물질을 포함할 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)는 PPA(Polyphthalamide)), PCT(Poly-cyclo-hecylene Dimethyl Terephthalate), 화이트 실리콘(white Silicone), 화이트(white) EMC(Epoxy Molding Compound) 중 어느 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 반사 몰딩부(290a)는 노즐을 이용한 디스펜싱(dispensing) 방법으로 제1 캐비티(130) 바닥면 일부 및 제2 캐비티(140) 상에 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
도 13 내지 도 17을 참조하면, 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170) 사이에는 경계부(131a)가 배치될 수 있다. 상기 경계부(131a)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131) 내에 배치될 수 있다.13 to 17, a
상기 제1 내측면(131)의 경사각(θ1)은 스페이서(126) 상에 배치된 상기 경계부(131a)의 위치에 따라 변동될 수 있다. 예컨대 상기 경계부(131a)가 상기 스페이서(126) 전체를 덮는 경우, 상기 제1 내측면(131)은 스페이서(126) 상면과 이루는 제1 경사각(θ1-1)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 경계부(131a)가 상기 스페이서(126) 일부를 덮는 경우, 상기 제1 내측면(131)은 스페이서(126) 상면과 이루는 제2 경사각(θ1-2)을 포함할 수 있다. 실시 예의 제1 내측면(131)은 상기 제2 경사각(θ1-2)보다 작은 제1 경사각(θ1-1)을 포함할 수 있다. 구체적으로 실시 예의 발광소자 패키지는 상기 제2 경사각(θ1-2)보다 작은 제1 경사각(θ1-1)을 갖는 경우, 스페이서(126) 상에 경계부(131a)의 면적이 변동되고, 제1 캐비티(130)로부터 노출되는 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 면적이 작아질 수 있다. 따라서, 실시 예의 발광소자 패키지는 상기 제2 경사각(θ1-2)보다 작은 제1 경사각(θ1-1)을 갖는 경우, 반사율이 높은 몸체(120)에 의해 가려지는 제1 및 제2 리드 프레임(170, 180)이 증가하여 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The inclination angle? 1 of the first
도 18을 참조하면, 제3 실시 예의 반사 몰딩부(290b)는 제2 캐비티(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290b)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290b)는 제2 캐비티(140)와 가장 가까운 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 따라서, 제3 실시 예의 반사 몰딩부(290b)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 면적을 줄여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 18, the
제3 실시 예의 제1 및 제2 발광소자(251, 253)는 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)으로부터 이격된 간격이 같을 수 있다. 상기 제1 및 제2 발광소자(251, 253)는 상기 제1 캐비티(130)의 제2 내지 제4 내측면(132, 133, 134) 사이에 일정 간격 이격된 이격 거리를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 이격 거리는 제1 캐비티(130)의 바닥면 너비의 3.3% 이하일 수 있다. 상기 이격 거리는 도 13 내지 도 15의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The first and second
상기 반사 몰딩부(290b)는 상기 제2 캐비티(140)가 배치된 제1 내측면(131)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290b)는 상기 제2 캐비티(140) 주변의 제1 내측면(131)을 따라 제1 캐비티(130) 바닥면에 배치된 상기 보호소자(160)의 와이어 본딩부(160a)까지 연장될 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290b)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130) 사이의 제1 내측면(131)을 따라 배치될 수 있다.The
상기 반사 몰딩부(290b)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 제1 및 제2 발광소자(251, 253) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290a)의 끝단(291), 제1 내지 제3 경계(291a 내지 291c)는 도 13 내지 도 15의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 또한, 상기 반사 몰딩부(290a)의 제1 및 제2 너비(W1, W2), 물질 및 제조방법은 도 13 내지 도 15의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The
상기 제1 경계(291a)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 및 제2 내측면(131, 132) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 캐비티(140)는 상기 보호소자(160)가 실장되는 제1 영역(140a)과 제2 발광소자(153)의 와이어 본딩을 위한 제2 영역(140b)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 영역(140a, 140b)은 일정 간격 이격된 캐비티 구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
도 19를 참조하면, 제4 실시 예의 반사 몰딩부(290c)는 제2 캐비티(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290c)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290c)는 제2 캐비티(140)와 가장 가까운 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 따라서, 제4 실시 예의 반사 몰딩부(290c)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 면적을 줄여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Referring to Fig. 19, the
제4 실시 예는 제1 캐비티(130) 내에 하나의 발광소자(350)가 배치될 수 있다. 상기 발광소자(350)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 내지 제4 내측면(131 내지 134) 사이에 일정 간격 이격된 이격 거리(W3)를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 이격 거리(W3)는 제1 캐비티(130)의 바닥면 너비의 3.3% 이하일 수 있다. 상기 이격 거리는 도 13 내지 도 18의 기술적 특징을 채용할 수 있다.In the fourth embodiment, one
상기 반사 몰딩부(290c)는 상기 제2 캐비티(140)가 배치된 제1 내측면(131)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290c)는 상기 제2 캐비티(140) 주변의 제1 내측면(131)을 따라 제1 캐비티(130) 바닥면에 배치된 상기 보호소자(160)의 와이어 본딩부(160a)까지 연장될 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290c)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130) 사이의 제1 내측면(131)을 따라 배치될 수 있다.The
상기 반사 몰딩부(290c)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 발광소자(350) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290c)의 끝단(291), 제1 내지 제3 경계(291a 내지 291c)는 도 13 내지 도 18의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 또한, 상기 반사 몰딩부(290c)의 제1 및 제2 너비(W1, W2), 물질 및 제조방법은 도 13 내지 도 18의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The
상기 제1 경계(291a)는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 및 제2 내측면(131, 132) 사이에 배치될 수 있다.The
상기 제2 캐비티(140)는 상기 보호소자(160)가 실장될 수 있고, 발광소자(350)의 와이어 본딩부를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The
도 20을 참조하면, 제5 실시 예의 반사 몰딩부(290d)는 제2 캐비티(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290d)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290d)는 제2 캐비티(140)와 가장 가까운 상기 제1 캐비티(130)의 바닥면으로 연장될 수 있다. 따라서, 제4 실시 예의 반사 몰딩부(290d)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임의 상부면(170a) 면적을 줄여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 20, the
제5 실시 예의 발광소자(350) 및 제1 캐비티(130)와 발광소자(350)의 이격 거리는 도 19의 제4 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The distance between the light emitting
상기 반사 몰딩부(290d)는 상기 제2 캐비티(140)가 배치된 제1 내측면(131)의 일부를 덮을 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290d)는 상기 제2 캐비티(140) 주변의 제1 내측면(131)을 따라 제1 캐비티(130) 바닥면에 배치된 상기 보호소자(160)의 와이어 본딩부(160a)까지 연장될 수 있다. 예컨대 상기 반사 몰딩부(290d)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130) 사이의 제1 내측면(131)을 따라 배치될 수 있다.The
상기 반사 몰딩부(290d)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 발광소자(350) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290d)의 끝단(291), 제1 내지 제3 경계는 도 13 내지 도 19의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 또한, 상기 반사 몰딩부(290d)의 제1 및 제2 너비, 물질 및 제조방법은 도 13 내지 도 19의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The
제5 실시 예는 상기 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)으로부터 스페이서(126) 일부가 노출될 수 있다. 예컨대 상기 스페이서(126)는 상기 제2 캐비티(140)와 상기 제1 캐비티(130)의 제2 내측면(132) 사이에서 외부에 노출될 수 있다. 또한, 제5 실시 예는 제2 리드 프레임의 상부면(180a) 일부가 제1 캐비티(130)의 제1 내측면(131)으로부터 외부에 노출될 수 있다. 노출된 상기 제2 리드 프레임의 상부면(180a)은 상기 발광소자(350)의 와이어 본딩부가 배치될 수 있다.In the fifth embodiment, a part of the
도 21 및 도 22를 참조하면, 제6 실시 예의 반사 몰딩부(290e)는 보호소자(160) 및 와이어 본딩부(160a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)의 일부는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)는 보호소자(350)가 배치된 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a)으로부터 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)까지 연장될 수 있다. 제6 실시 예의 반사 몰딩부(290e)는 제1 캐비티(130)에 노출된 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a) 까지 연장되어 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.21 and 22, the
제6 실시 예의 제1 캐비티(130)와 발광소자(350)의 이격 거리는 도 19 및 도 20의 제4 및 제5 실시 예의 기술적 특징을 채용할 수 있다.The distance between the
상기 반사 몰딩부(290e)는 제1 캐비티(130)로부터 노출된 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a) 상에 보호소자(160)를 덮고, 제1 리드 프레임(170)의 상부면(170a)에 배치된 와이어 본딩부(160a)를 덮을 수 있다.The
상기 반사 몰딩부(290e)의 끝단(291)은 상기 와이어 본딩부(160a)와 상기 발광소자(350) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)의 끝단(291), 제1 내지 제3 경계는 도 13 내지 도 20의 기술적 특징을 채용할 수 있다. 또한, 상기 반사 몰딩부(290e)의 제1 및 제2 너비, 물질 및 제조방법은 도 13 내지 도 20의 기술적 특징을 채용할 수 있다.An
제6 실시 예는 상기 제1 캐비티(130) 바닥에 스페이서(126), 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a)이 노출될 수 있다. 예컨대 상기 스페이서(126)는 상기 반사 몰딩부(290e)와 상기 제1 캐비티(130)의 제2 내측면(132) 사이에서 외부에 노출될 수 있다. 또한, 제6 실시 예는 노출된 상기 제2 리드 프레임(180)의 상부면(180a)은 상기 발광소자(350)의 와이어 본딩부가 배치될 수 있다.In the sixth embodiment, the
상기 반사 몰딩부(290e)는 상기 스페이서(126) 상에 배치될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)는 상기 스페이스(126)의 일부와 수직 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 반사 몰딩부(290e)는 상기 스페이서(126) 상부와 직접 접할 수 있다.The
도 13은 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 발광 칩을 도시한 단면도이다.13 is a cross-sectional view showing a light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.
도 13에 도시된 바와 같이, 발광 칩은 기판(511), 버퍼층(512), 발광 구조물(510), 제1 전극(516) 및 제2 전극(517)을 포함한다. 상기 기판(511)은 투광성 또는 비투광성 재질일 수 있고, 전도성 또는 절연성 기판을 포함할 수 있다.13, the light emitting chip includes a
상기 버퍼층(512)은 기판(511)과 상기 발광 구조물(510)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(512)과 상기 발광 구조물(510)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선할 수 있다.The
상기 발광 구조물(510)은 제1 도전형 반도체층(513), 활성층(514) 및 제2 도전형 반도체층(515)를 포함한다.The
예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대 상기 제1 도전형 반도체층(513)이 n형 반도체층인 경우, n형 도펀트를 포함할 수 있다. 예컨대 상기 n형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(513)은 예컨대 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다.For example, compound semiconductors such as Group II-IV and Group III-V. The first
상기 제1 도전형 반도체층(513)과 상기 활성층(514) 사이에는 제1 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(514)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 클래드층은 제1 도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시키는 기능을 포함할 수 있다.A first clad layer may be formed between the first
상기 활성층(514)은 상기 제1 도전형 반도체층(513) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(514)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The
상기 활성층(514) 위에는 제2 도전형 반도체층(515)이 형성된다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 반도체 화합물, 예컨대 Ⅱ족-Ⅳ족 및 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.A second
상기 제2 도전형 반도체층(515)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(515)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(514)을 보호할 수 있다.The second
상기 제1 도전형 반도체층(513)은 n형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(515)은 p형 반도체층으로 설명하고 있지만, 상기 제1 도전형 반도체층(513)을 p형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(515)을 n형 반도체층으로 형성할 수도 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 도전형 반도체층(515) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(510)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.Although the first
상기 제1 도전형 반도체층(513) 상에는 제1 전극(516)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(515) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2 전극(517)을 포함한다. A
도 14는 실시 예의 발광소자 패키지에 포함된 다른 예의 발광 칩을 도시한 단면도이다.14 is a cross-sectional view showing another example of the light emitting chip included in the light emitting device package of the embodiment.
도 14에 도시된 바와 같이, 다른 예의 발광 칩은 도 6을 참조하여 동일한 구성의 설명은 생략하기로 한다. 다른 예의 발광 칩은 발광 구조물(510) 아래에 접촉층(521)이 배치되고, 상기 접촉층(521) 아래에 반사층(524)이 배치되고, 상기 반사층(524) 아래에 지지부재(525)가 배치되고, 상기 반사층(524)과 상기 발광 구조물(510)의 둘레에 보호층(523)이 배치될 수 있다.As shown in Fig. 14, the light emitting chip of another example will be described with reference to Fig. 6, and a description of the same constitution will be omitted. In another example of the light emitting chip, a
상기 발광 칩은 제2 도전형 반도체층(515) 아래에 접촉층(521) 및 보호층(523), 반사층(524) 및 지지부재(525)가 배치될 수 있다. The light emitting chip may include a
상기 접촉층(521)은 발광 구조물(510)의 하부면 예컨대 제2 도전형 반도체층(515)과 오믹 접촉될 수 있다. 상기 접촉층(521)은 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(521) 내부에는 전극(516)과 대응되도록 전류를 블로킹하는 전류 블로킹층이 더 형성될 수 있다.The
상기 보호층(523)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(523)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(524)과 같은 금속이 발광 구조물(510)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The
상기 반사층(524)은 금속을 포함할 수 있다. 예컨대 상기 반사층(524)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(524)은 상기 발광 구조물(510)의 폭보다 크게 형성되어 광 반사 효율을 개선할 수 있다. 상기 반사층(524)과 상기 지지부재(525) 사이에 접합을 위한 금속층, 열 확산을 위한 금속층 등이 더 배치될 수 있으나, dl이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 지지부재(525)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(525)와 상기 반사층(524) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있다.The
<조명 시스템><Lighting system>
도 15는 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치를 도시한 사시도이다.15 is a perspective view showing a display device including the light emitting device package of the embodiment.
도 15에 도시된 바와 같이, 실시 예의 표시장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.15, the
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)를 포함하며, 상기 발광소자 패키지(110)는 상기 기판(1033) 상에 일정간격 이격되어 복수개로 배치될 수 있다.The
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광소자 패키지(110)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 직접 배치될 수 있다.The
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예컨대 PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The reflective member 1022 may be disposed under the
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 제1 및 제2 기판과, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 배치된 편광판을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 상기 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치될 수 있다. 상기 광학 시트(1051)은 적어도 하나 이상의 투광성 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 적어도 하나 이상의 프리즘 시트, 및 보호 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시키는 기능을 포함할 수 있다. 상기 보호 시트는 상기 프리즘 시트를 보호하는 기능을 포함할 수 있다.The
<조명 장치><Lighting device>
도 16은 실시 예의 발광소자 패키지를 포함하는 표시장치의 다른 예를 도시한 단면도이다.16 is a cross-sectional view showing another example of a display device including the light emitting device package of the embodiment.
도 16에 도시된 바와 같이, 다른 예의 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 발광소자 패키지(110)가 실장된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함할 수 있다.16, the
상기 기판(1120)과 상기 발광소자 패키지(110)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광소자 패키지(110)를 포함할 수 있다.The substrate 1120 and the light emitting
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 확산판, 확산 시트, 프리즘 시트, 및 보호시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 확산판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시키고, 상기 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시키고, 상기 보호 시트는 상기 프리즘 시트를 보호할 수 있다. Here, the
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The
실시 예에 따른 발광소자 패키지(110)는 상기 표시장치뿐만 아니라 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents of such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It can be seen that the modification and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.
130: 제1 캐비티
131 내지 134: 제1 내지 제4 내측면
140: 제2 캐비티
141 내지 144: 제5 내지 제8 내측면
170: 제1 리드 프레임
180: 제3 리드 프레임
190, 290, 290a~290e: 반사 몰딩부130: First cavity
131 to 134: first to fourth inner surfaces
140: second cavity
141 to 144: fifth to eighth inner sides
170: first lead frame
180: Third lead frame
190, 290, 290a to 290e:
Claims (19)
상기 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 리드 프레임과 결합되고, 상기 제1 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 제1 캐비티와, 상기 제2 리드 프레임 상부면 일부를 노출시키는 제2 캐비티, 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 몸체;
상기 제1 캐비티 내에 배치된 적어도 하나 이상의 발광소자;
상기 제2 캐비티 내에 배치된 보호소자; 및
상기 제2 캐비티는 상기 제1 캐비티의 제1 내측면에 배치되고, 상기 제1 내측면은 상기 스페이서의 상면과 연결되고,
상기 제1 캐비티의 바닥면 면적은 상기 몸체 전체 면적의 40% 이하인 발광소자 패키지.
A first lead frame;
A second lead frame spaced apart from the first lead frame;
A first cavity coupled to the first and second lead frames and exposing a portion of an upper surface of the first lead frame, a second cavity exposing a portion of the upper surface of the second lead frame, A body including a spacer disposed between the two leadframes;
At least one light emitting element disposed in the first cavity;
A protective element disposed in the second cavity; And
The second cavity is disposed on a first inner surface of the first cavity, the first inner surface is connected to an upper surface of the spacer,
Wherein the bottom surface area of the first cavity is 40% or less of the total area of the body.
상기 보호소자 상에 배치되고, 상기 제2 캐비티를 덮는 반사 몰딩부를 더 포함하고,
상기 반사 몰딩부의 일부는 상기 제2 캐비티와 가장 가까운 상기 제1 캐비티의 바닥까지 연장되고,
상기 제2 캐비티와 가장 인접한 상기 제1 캐비티 바닥에 배치된 와이어 본딩부 및 상기 와이어 본딩부와 상기 보호소자를 연결하는 제1 와이어를 더 포함하고,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 발광소자와 상기 와이어 본딩부 사이에 배치된 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Further comprising a reflective molding portion disposed on the protection element and covering the second cavity,
Wherein a portion of the reflective molding portion extends to the bottom of the first cavity closest to the second cavity,
A wire bonding portion disposed at the first cavity bottom closest to the second cavity, and a first wire connecting the wire bonding portion and the protection element,
And an end of the reflective molding part is disposed between the light emitting device and the wire bonding part.
상기 제1 캐비티는 상기 제1 내측면과 대면되는 제2 내측면과, 상기 제1 내측면 양끝단으로부터 상기 제2 내측면 방향으로 연장되는 제3 및 제4 내측면을 포함하고,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 제1 캐비티의 제1 내측면과의 제1 경계로부터 상기 제1 캐비티의 바닥면으로 연장되고, 상기 제1 캐비티의 제4 내측면과의 제2 경계로부터 상기 제1 캐비티의 바닥면으로 연장되고, 상기 제1 및 제2 경계 사이에 제3 경계를 포함하는 발광소자 패키지.
3. The method of claim 2,
Wherein the first cavity includes a second inner surface facing the first inner surface, and third and fourth inner surfaces extending from the first inner surface both ends in the second inner surface direction,
Wherein an end of the reflective molding portion extends from a first boundary with the first inner side of the first cavity to a bottom surface of the first cavity and extends from the second boundary with the fourth inner side of the first cavity And a third boundary extending between the first and second boundaries, the third boundary extending to the bottom surface of the cavity.
상기 반사 몰딩부의 끝단은 제1 내측면과 대응되는 제1 방향으로 제1 경계와 제2 경계 사이의 제1 너비와, 상기 제2 경계와 제3 경계 사이의 제2 너비를 포함하고,
상기 제1 너비는 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 상기 제1 경계로부터 연장되는 제1 기준라인과, 상기 제2 방향으로 상기 제2 경계로부터 연장되는 제2 기준라인 사이의 간격이고,
상기 제2 너비는 상기 제1 기준라인과, 상기 제2 방향으로 상기 제3 경계로부터 연장되는 제3 기준라인 사이의 간격이고,
상기 제2 너비는 상기 제1 너비의 1/3 이하인 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein an end of the reflective molding comprises a first width between a first boundary and a second boundary in a first direction corresponding to a first inner side and a second width between the second boundary and a third boundary,
Wherein the first width is a distance between a first reference line extending from the first boundary in a second direction orthogonal to the first direction and a second reference line extending from the second boundary in the second direction,
The second width being the spacing between the first reference line and a third reference line extending from the third boundary in the second direction,
And the second width is equal to or less than 1/3 of the first width.
상기 적어도 하나 이상의 발광소자는 제1 및 제2 발광소자를 포함하고,
상기 제1 발광소자는 상기 와이어 본딩부 옆에 배치되고,
상기 제3 경계는 상기 제1 발광소자와 대면되는 상기 제2 발광소자의 일측면과 제2 방향으로 나란하게 배치되는 발광소자 패키지.
5. The method of claim 4,
Wherein the at least one light emitting element includes first and second light emitting elements,
Wherein the first light emitting device is disposed next to the wire bonding portion,
And the third boundary is disposed in parallel with one side of the second light emitting element facing the first light emitting element in the second direction.
상기 제1 경계는 상기 제1 캐비티의 상기 제1 내측면과 상기 제2 내측면 사이에 배치되고,
상기 제1 내측면의 경사각은 상기 제3 내측면의 경사각보다 큰 발광소자 패키지.
The method of claim 3,
Wherein the first boundary is disposed between the first inner side surface and the second inner side surface of the first cavity,
Wherein the inclination angle of the first inner side surface is larger than the inclination angle of the third inner side surface.
상기 제1 캐비티와 상기 적어도 하나 이상의 발광소자 사이의 간격은 상기 제1 캐비티의 너비의 3.3% 이하인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein an interval between the first cavity and the at least one light emitting element is 3.3% or less of a width of the first cavity.
상기 제1 캐비티의 바닥면에 노출된 상기 제1 리드 프레임의 면적은 상기 몸체의 전체 면적의 20% 내지 40%이고,
상기 제2 캐비티의 바닥면에 노출된 상기 제2 리드 프레임의 면적은 상기 몸체의 전체 면적의 3% 내지 10%인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The area of the first lead frame exposed on the bottom surface of the first cavity is 20% to 40% of the total area of the body,
And the area of the second lead frame exposed on the bottom surface of the second cavity is 3% to 10% of the total area of the body.
상기 제2 캐비티와 상기 제1 캐비티로부터 노출된 상기 제1 리드 프레임 사이에 위치한 경계부를 더 포함하고, 상기 경계부의 높이는 상기 보호소자의 높이보다 높고,
상기 경계부의 높이는 100㎛ 내지 300㎛고,
상기 경계부는 상기 제1 내측면 내에 배치된 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
And a boundary portion located between the second cavity and the first lead frame exposed from the first cavity, wherein a height of the boundary portion is higher than a height of the protection element,
The height of the boundary portion is 100 mu m to 300 mu m,
And the boundary portion is disposed in the first inner side surface.
상기 제2 캐비티는 제5 내지 제8 내측면을 포함하고, 상기 제5 내측면은 상기 제1 캐비티의 제3 내측면과 마주보도록 배치되고, 상기 제5 내측면은 일정한 곡률을 갖고, 상기 제5 내측면의 곡률은 0.1㎜ 내지 0.3㎜인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the second cavity includes fifth to eighth inner side surfaces, the fifth inner side surface is disposed to face the third inner side surface of the first cavity, the fifth inner side surface has a constant curvature, 5 The curvature of the inner side surface is 0.1 mm to 0.3 mm.
상기 제1 리드 프레임은,
상기 제1 리드 프레임의 상부면 상에 오목한 형상의 제1 리세스부;
상기 제1 리드 프레임의 하부면 가장자리에 배치된 제1 및 제2 단차부; 및
상기 제1 단차부로부터 외측으로 돌출된 제1 돌출부들을 포함하고,
상기 제1 리세스부는 상기 제1 및 제2 단차부로부터 일정 간격 이격되고,
상기 제2 리드 프레임은,
상기 제2 리드 프레임의 상부면 상에 오목한 형상의 제2 리세스부;
상기 제2 리드 프레임의 하부면 가장자리에 배치된 제3 및 제4 단차부; 및
상기 제3 단차부로부터 외측으로 돌출된 제2 돌출부들을 포함하고,
상기 제2 리세스부는 상기 제3 및 제4 단차부로부터 일정 간격 이격된 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The first lead frame includes:
A first recess portion having a concave shape on an upper surface of the first lead frame;
First and second stepped portions disposed on a lower surface edge of the first lead frame; And
And first protrusions protruding outward from the first step portion,
Wherein the first recess portion is spaced apart from the first and second step portions by a predetermined distance,
The second lead frame has a first lead-
A second recess portion having a concave shape on an upper surface of the second lead frame;
Third and fourth stepped portions disposed on a lower surface edge of the second lead frame; And
And second protrusions protruding outward from the third step portion,
And the second recess portion is spaced apart from the third and fourth step portions by a predetermined distance.
상기 경계부는 상기 스페이서 상에 배치되고,
상기 경계부의 단축방향의 폭은 상기 스페이서의 단축방향의 폭 이상인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The boundary portion being disposed on the spacer,
And the width of the boundary portion in the short axis direction is equal to or larger than the width in the short axis direction of the spacer.
상기 경계부는 상기 스페이서 상에 배치되고,
상기 경계부의 단축방향의 폭은 상기 스페이서의 단축방향의 폭 이하인 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The boundary portion being disposed on the spacer,
And the width of the boundary portion in the minor axis direction is equal to or less than the width of the spacer in the minor axis direction.
상기 경계부는 상기 스페이서 상에 배치되고,
상기 스페이서의 상부면 일부는 상기 경계부로부터 노출된 발광소자 패키지.
The method according to claim 1,
The boundary portion being disposed on the spacer,
And a part of the upper surface of the spacer is exposed from the boundary portion.
상기 제1 리드 프레임으로부터 이격된 제2 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 리드 프레임과 결합되고, 상기 제1 및 제2 리드 프레임의 상부면 일부를 노출시키는 캐비티와, 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치된 스페이서를 포함하는 몸체;
상기 캐비티의 상기 제1 리드 프레임 상에 배치된 발광소자;
상기 캐비티의 상기 제2 리드 프레임 상에 배치된 보호소자;
상기 보호소자 상에 배치된 반사 몰딩부; 및
상기 발광소자와 상기 보호소자 사이에 배치된 와이어 본딩부를 포함하고,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 발광소자와 와이어 본딩부 사이에 배치된 발광소자 패키지.
A first lead frame;
A second lead frame spaced apart from the first lead frame;
A body coupled to the first and second lead frames, the cavity including a cavity exposing a portion of a top surface of the first and second lead frames, and a spacer disposed between the first and second lead frames;
A light emitting element disposed on the first lead frame of the cavity;
A protective element disposed on the second lead frame of the cavity;
A reflective molding part disposed on the protection element; And
And a wire bonding portion disposed between the light emitting element and the protection element,
And an end of the reflective molding part is disposed between the light emitting device and the wire bonding part.
상기 캐비티는 제2 방향으로 서로 대면되는 제1 및 제2 내측면과, 상기 제2 방향과 직교하는 제1 방향으로 대면되는 상기 제3 및 제4 내측면을 포함하고,
상기 반사 몰딩부의 끝단은 상기 캐비티의 제1 내측면과의 제1 경계로부터 상기 캐비티의 바닥면으로 연장되고, 상기 캐비티의 제4 내측면과의 제2 경계로부터 상기 캐비티의 바닥면으로 연장되고, 상기 제1 및 제2 경계 사이에 제3 경계를 포함하는 발광소자 패키지.
16. The method of claim 15,
The cavity includes first and second inner surfaces facing each other in a second direction and third and fourth inner surfaces facing in a first direction orthogonal to the second direction,
Wherein an end of the reflective molding portion extends from a first boundary with the first inner side of the cavity to a bottom surface of the cavity and extends from a second boundary with the fourth inner side of the cavity to the bottom surface of the cavity, And a third boundary between the first and second boundaries.
상기 반사 몰딩부의 끝단은 제1 내측면과 대응되는 제1 방향으로 제1 경계와 제2 경계 사이의 제1 너비와, 상기 제2 경계와 제3 경계 사이의 제2 너비를 포함하고,
상기 제1 너비는 제2 방향으로 상기 제1 경계로부터 연장되는 제1 기준라인과, 상기 제2 방향으로 상기 제2 경계로부터 연장되는 제2 기준라인 사이의 간격이고,
상기 제2 너비는 상기 제1 기준라인과, 상기 제2 방향으로 상기 제3 경계로부터 연장되는 제3 기준라인 사이의 간격이고,
상기 제2 너비는 상기 제1 너비의 1/3 이하인 발광소자 패키지.
17. The method of claim 16,
Wherein an end of the reflective molding comprises a first width between a first boundary and a second boundary in a first direction corresponding to a first inner side and a second width between the second boundary and a third boundary,
The first width being a distance between a first reference line extending from the first boundary in a second direction and a second reference line extending from the second boundary in the second direction,
The second width being the spacing between the first reference line and a third reference line extending from the third boundary in the second direction,
And the second width is equal to or less than 1/3 of the first width.
16. The light emitting device package according to claim 15, wherein the reflective molding part is overlapped with a part of the space in a vertical direction.
상기 반사 몰딩부는 상기 스페이스의 상부와 직접 접촉된 발광소자 패키지.16. The method of claim 15,
And the reflective molding portion is in direct contact with the upper portion of the space.
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Families Citing this family (2)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019045167A1 (en) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device package and light source device having same |
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E701 | Decision to grant or registration of patent right |