KR20170067117A - 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 장치는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판; 기판의 제1 영역에, 제1 방향으로 연장되고, 교대로 적층된 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 핀; 기판의 제2 영역에, 제2 방향으로 연장되는 제1 와이어 패턴; 핀 상에, 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장되는 제1 게이트 전극; 및 제1 와이어 패턴을 감싸고, 제2 방향과 다른 제4 방향으로 연장되는 제2 게이트 전극을 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로 게이트 올 어라운드(gate all around) 구조를 갖는 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 밀도를 높이기 위한 스케일링(scaling) 기술 중 하나로서, 기판 상에 나노와이어(nanowire) 형상의 실리콘 바디(body)를 형성하고 실리콘 바디를 둘러싸도록 게이트를 형성하는 게이트 올 어라운드 구조가 제안되었다.
이러한 게이트 올 어라운드 구조는 3차원의 채널을 이용하기 때문에, 스케일링이 용이하다. 또한, 게이트의 길이를 증가시키지 않아도, 전류 제어 능력을 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 드레인 전압에 의해 채널 영역의 전위가 영향을 받는 SCE(short channel effect)를 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 제품 신뢰성이 향상된 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 기판 상의 다른 영역에서, 서로 다른 구조를 가지는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 제1 영역에, 제1 방향으로 연장되고, 교대로 적층된 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 핀; 상기 기판의 제2 영역에, 제2 방향으로 연장되는 제1 와이어 패턴; 상기 핀 상에, 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장되는 제1 게이트 전극; 및 상기 제1 와이어 패턴을 감싸고, 상기 제2 방향과 다른 제4 방향으로 연장되는 제2 게이트 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 기판의 상면을 기준으로, 상기 제1 반도체 패턴은 제1 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제1 높이와 다른 제2 높이에 위치하고, 상기 제1 와이어 패턴은 상기 제1 높이에 위치하고, 상기 제1 반도체 패턴과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 반도체 패턴의 두께는 상기 제1 와이어 패턴의 두께와 동일할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 게이트 전극과 상기 핀이 중첩되는 폭은 상기 제2 게이트 전극과 상기 제1 와이어 패턴이 중첩되는 폭과 다를 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 게이트 전극과 상기 핀이 중첩되는 폭은 상기 제2 게이트 전극과 상기 제1 와이어 패턴이 중첩되는 폭보다 클 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 게이트 전극의 양측에 배치되는 제1 소오스/드레인과, 상기 제2 게이트 전극의 양측에 배치되는 제2 소오스/드레인을 더 포함하고, 상기 제1 소오스/드레인은 상기 제1 반도체 패턴의 연장부와 상기 제2 반도체 패턴의 연장부를 포함하고, 상기 제2 소오스/드레인은 순차적으로 적층된 제3 반도체 패턴과 제4 반도체 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제3 반도체 패턴은 상기 제1 와이어 패턴으로부터 연장된 부분일 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 반도체 패턴과 상기 제3 반도체 패턴은 동일한 물질이고, 상기 제2 반도체 패턴과 상기 제4 반도체 패턴은 동일한 물질일 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 기판은 제3 영역을 더 포함하고, 상기 제3 영역 상에, 제 5방향으로 연장되는 제2 와이어 패턴 및 상기 제2 와이어 패턴을 감싸고, 상기 제5 방향과 다른 제6 방향으로 연장되는 제3 게이트 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 기판의 상면을 기준으로, 상기 제1 반도체 패턴은 제1 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제1 높이와 다른 제2 높이에 위치하고, 상기 제1 와이어 패턴은 상기 제1 높이에 위치하고, 상기 제1 반도체 패턴과 동일 물질을 포함하고, 상기 제2 와이어 패턴은 상기 제2 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 와이어 패턴과 상기 제2 와이어 패턴은 서로 다른 물질일 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 반도체 패턴의 두께는 상기 제1 와이어 패턴의 두께와 동일하고, 상기 제2 반도체 패턴의 두께는 상기 제2 와이어 패턴의 두께와 동일할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 게이트 전극과 상기 핀이 중첩되는 폭은, 상기 제2 게이트 전극과 상기 제1 와이어 패턴이 중첩되는 폭 및 상기 제3 게이트 전극과 상기 제2 와이어 패턴이 중첩되는 폭과 다를 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 제1 영역에, 제1 방향으로 연장되고, 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 핀; 상기 기판의 제2 영역에, 제2 방향으로 연장되는 와이어 패턴; 상기 핀 상에, 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장되는 제1 게이트 전극; 및 상기 와이어 패턴을 감싸고, 상기 제2 방향과 다른 제4 방향으로 연장되는 제2 게이트 전극으로, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 제1 게이트 전극의 폭과 다른 제2 게이트 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 게이트 전극의 폭은 상기 제2 게이트 전극의 폭보다 클 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 기판의 상면을 기준으로, 상기 제1 반도체 패턴은 제1 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제1 높이와 다른 제2 높이에 위치하고, 상기 제1 와이어 패턴은 상기 제1 높이에 위치하고, 상기 제1 반도체 패턴과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 반도체 패턴의 두께는 상기 제1 와이어 패턴의 두께와 동일할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 장치는, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 제1 영역에, 제1 방향으로 연장되고, 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 핀; 상기 기판의 제2 영역에, 제2 방향으로 연장되는 와이어 패턴; 상기 핀 상에, 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장되는 제1 게이트 전극; 기 와이어 패턴을 감싸고, 상기 제2 방향과 다른 제4 방향으로 연장되는 제2 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극의 양측에 배치되는 제1 소오스/드레인; 상기 제2 게이트 전극의 양측에 배치되는 제2 소오스/드레인; 상기 제1 게이트 전극의 양 측벽 상에 배치되는 제1 게이트 스페이서; 상기 제2 게이트 전극의 양 측변에 배치되는 제2 게이트 스페이서; 상기 제1 게이트 전극의 측벽, 상기 핀의 상면 및 측벽 및 상기 제1 게이트 스페이서의 측벽을 따라서 배치되는 제1 게이트 절연막; 및 상기 와이어 패턴의 둘레, 상기 제2 게이트 전극의 측벽 및 상기 제2 게이트 스페이서의 측벽을 따라서 배치되는 제2 게이트 절연막을 포함하고, 상기 제1 소오스/드레인이 이격된 거리는 상기 제2 소오스/드레인이 이격된 거리보다 클 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 기판의 상면을 기준으로, 상기 제1 반도체 패턴은 제1 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제1 높이와 다른 제2 높이에 위치하고, 상기 제1 와이어 패턴은 상기 제1 높이에 위치하고, 상기 제1 반도체 패턴과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 반도체 패턴의 두께는 상기 제1 와이어 패턴의 두께와 동일할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 도 1의 A - A 및 C - C를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 B - B 및 D - D를 따라서 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 도 5의 G - G 및 H - H를 따라서 절단한 단면도이다
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 8은 도 7의 A - A, C - C 및 E - E를 따라서 절단한 단면도이다.
도 9는 도 7의 B - B, D - D 및 F - F를 따라서 절단한 단면도이다.
도 10 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계 도면들이다.
도 23은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 시스템의 블록도이다.
도 24 및 도 25는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치를 적용할 수 있는 예시적인 반도체 시스템이다.
도 2는 도 1의 A - A 및 C - C를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 B - B 및 D - D를 따라서 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 도 5의 G - G 및 H - H를 따라서 절단한 단면도이다
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 8은 도 7의 A - A, C - C 및 E - E를 따라서 절단한 단면도이다.
도 9는 도 7의 B - B, D - D 및 F - F를 따라서 절단한 단면도이다.
도 10 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계 도면들이다.
도 23은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 시스템의 블록도이다.
도 24 및 도 25는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치를 적용할 수 있는 예시적인 반도체 시스템이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
하나의 구성 요소가 다른 구성 요소와 "연결된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 구성 요소와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 구성 요소를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 구성 요소가 다른 구성 요소와 "직접 연결된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 구성 요소를 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
구성 요소가 다른 구성 요소의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 구성 요소의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 구성 요소를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 구성 요소가 다른 구성 요소의 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 구성 요소를 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소들과 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성 요소는 다른 구성 요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성 요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성 요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성 요소 일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하에서, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 도 2는 도 1의 A - A 및 C - C를 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1의 B - B 및 D - D를 따라서 절단한 단면도이다. 한편, 설명의 편의상, 도 1에서 층간 절연막(190)은 도시하지 않았다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치는 기판(100)과, 핀(fin)(151, 152), 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)과, 제1 게이트 전극(120)과, 제2 게이트 전극(220)과, 제1 게이트 절연막(130)과, 제2 게이트 절연막(230)과, 제1 게이트 스페이서(140)와, 제2 게이트 스페이서(240)와, 제1 소오스/드레인(150)과, 제2 소오스/드레인(250) 등을 포함할 수 있다. 또한, 핀(151, 152)은 제1 반도체 패턴(151)과 제2 반도체 패턴(152)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)을 포함할 수 있다. 제1 영역(I)과 제2 영역(II)은 서로 이격된 영역일 수도 있고, 서로 연결된 영역일 수도 있다. 제2 영역(II)은 로직 영역 또는 SRAM 형성 영역일 수 있고, 제1 영역(I)은 로직 영역과 다른 메모리가 형성되는 영역(DRAM, MRAM, RRAM, PRAM 등)일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 적어도 하나의 영역이 로직 영역 또는 SRAM 형성 영역일 수 있다.
또한, 예를 들어, 제1 영역(I)은 P형 트랜지스터 영역을 포함할 수 있고, 제2 영역(II)은 N형 트랜지스터 영역을 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(105)는 P형 트랜지스터일 수 있고, 제2 트랜지스터(205)는 N형 트랜지스터일 수 있다. 따라서, 제1 트랜지스터(105)는 제1 영역(I)에 형성되고, 제2 트랜지스터(205)는 제2 영역(II)에 형성된다. 상술한 예를 통해 본 발명의 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 상술한 예와 반대의 경우, 예컨대 제1 영역(I)이 N형 트랜지스터 영역을 포함하고, 제2 영역(II)은 P형 트랜지스터 영역을 포함하는 것도 가능하다.
기판(100)은 예를 들어, 벌크 실리콘 또는 SOI(silicon-on-insulator)일 수 있다. 이와 달리, 기판(100)은 실리콘 기판일 수도 있고, 또는 다른 물질, 예를 들어, 실리콘 게르마늄, 안티몬화 인듐, 납 텔루르 화합물, 인듐 비소, 인듐 인화물, 갈륨비소 또는 안티몬화 갈륨을 포함할 수 있다. 또는, 기판(100)은 베이스 기판 상에 에피층이 형성된 것일 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치에서, 기판(100)은 하부 기판(101)과 하부 기판(101)의 일면 상에 형성된 상부 기판(102)을 포함하는 것으로 설명한다. 예를 들어, 하부 기판(101)은 반도체 기판일 수 있고, 상부 기판(102)은 절연막 기판일 수 있다. 기판(100)은 반도체 기판과, 반도체 기판의 일면 상에 형성된 절연막 기판을 포함할 수 있고, 예를 들어, SOI(silicon-on-insulator) 일 수 있다.
제1 트랜지스터(105)는 핀(151, 152)과, 제1 게이트 전극(120)과, 제1 게이트 절연막(130)과, 제1 게이트 스페이서(140)와, 제1 소오스/드레인(150)를 포함한다.
제2 트랜지스터(205)는 제1 와이어 패턴(210)과, 제2 게이트 전극(220)과, 제2 게이트 절연막(230)과, 제2 게이트 스페이서(240)와, 제2 소오스/드레인(250)을 포함한다.
핀(151, 152)은 기판(100) 상에 형성된다. 핀(151, 152)은 제1 방향(X1)으로 연장되어 형성된다. 핀(151, 152)은 제1 반도체 패턴(151)과 제2 반도체 패턴(152)이 교차 적층된 구조를 가지며, 상부 기판(102) 상에 형성된다. 본 실시예에서, 핀(151, 152)이 3개의 제1 반도체 패턴(151)과 2개의 제2 반도체 패턴(152)을 포함하는 것으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
핀(151, 152)이 포함하는 제1 반도체 패턴(151)은 Si 또는 III-V족 화합물 반도체 중 하나를 포함할 수 있고, 제2 반도체 패턴(152)은 SiGe 또는 Ge 중 하나를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 제1 반도체 패턴(151)이 SiGe 또는 Ge 중 하나를 포함할 수 있고, 제2 반도체 패턴(152)은 Si 또는 III-V족 화합물 반도체 중 하나를 포함할 수도 있다.
제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)은 기판(100) 상에 형성된다. 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)은 제3 방향(X2)으로 연장되어 형성된다. 제1 와이어 패턴(210)은 상부 기판(102) 상에, 상부 기판(102)과 이격되어 형성된다.
제2 트랜지스터(205)는 기판(100)과 제1 와이어 패턴(210) 사이에 형성되는 더미 와이어 패턴(211)을 더 포함할 수 있다. 더미 와이어 패턴(211)은 제3 방향(X2)으로 연장되어 형성된다. 더미 와이어 패턴(211)은 제1 와이어 패턴(210)과 이격되어 형성되지만, 기판(100)과 접할 수 있다. 더미 와이어 패턴(211)은 기판(100)의 상부 기판(102)과 직접 접할 수 있다.
제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215) 각각은 제1 반도체 패턴(151) 및 제2 반도체 패턴(152) 중 어느 하나의 반도체 패턴과는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)은 제1 반도체 패턴(151)과 동일한 물질을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)은 예를 들어, 제2 반도체 패턴(152)에 대해 식각 선택비를 갖는 물질을 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터(205)는 N형 트랜지스터일 수 있으므로, 제2 트랜지스터(205)에 포함되는 제1 와이어 패턴(210)은 예를 들어, 전자의 이동도(electron mobility)가 높은 물질을 포함할 수 있다. 제1 와이어 패턴(210)은 예를 들어, Si 또는 III-V족 화합물 반도체 중 하나를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
III-V족 화합물 반도체는 예로 들어, III족 원소로 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 적어도 하나와 V족 원소인 인(P), 비소(As) 및 안티모늄(Sb) 중 하나가 결합하여 형성되는 이원계 화합물, 삼원계 화합물 또는 사원계 화합물 중 하나일 수 있다.
더미 와이어 패턴(211)은 제1 와이어 패턴(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 더미 와이어 패턴(211)은 예를 들어, Si 또는 III-V족 화합물 반도체 중 하나를 포함할 수 있다.
도 3에서, 핀(151, 152)과, 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)의 각각의 단면은 사각형인 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 트리밍(trimming) 공정 등을 통해, 핀(151, 152) 및 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)의 모서리 부분이 둥그렇게 될 수 있음은 물론이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치에서, 기판(100)을 기준으로, 동일한 높이에 있는 제1 반도체 패턴(151)과 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 동일한 높이에 있는 제1 반도체 패턴(151)과 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)은 동일한 두께를 가질 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 핀(151, 152)이 포함하는 반도체 패턴들 각각은 제1 두께(152a), 제2 두께(151a), 제3 두께(152b) 및 제4 두께(151b)를 가질 수 있으며, 구체적으로 제1 반도체 패턴(151)은 각각 제2 두께(151a) 및 제4 두께(151b)를 가질 수 있고, 제2 반도체 패턴(152)은 각각 제1 두께(152a), 제3 두께(152b)를 가질 수 있다. 제1 두께(152a), 제2 두께(151a), 제3 두께(152b) 및 제4 두께(151b) 각각은 모두 동일하거나 모두 다를 수 있으며, 일부만 동일할 수도 있다. 제1 두께(152a), 제2 두께(151a), 제3 두께(152b) 및 제4 두께(151b)는 적층되어 높이를 형성할 수 있다. 즉, 제1 두께(152a) 및 제2 두께(151a)가 모여 기판(100)으로부터 제1 높이를 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제 2영역(Ⅱ)에서, 제5 두께(230a), 제6 두께(210a), 제7 두께(230b) 및 제8 두께(215b)가 기판(100)과 제2 게이트 절연막(230) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 와이어 패턴(210)은 제6 두께(210a)를 가질 수 있으며, 제3 와이어 패턴(215)은 제8 두께(215b)를 가질 수 있다. 제5 두께(230a), 제6 두께(210a), 제7 두께(230b) 및 제8 두께(215b)는 적층되어 높이를 형성할 수 있다. 즉, 제 2영역(Ⅱ)에서, 제5 두께(230a) 제6 두께(210a)가 모여 기판(100)으로부터 제1 높이를 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 실시예에서, 동일 레벨에 배치된 두께는 동일할 수 있다. 즉, 기판(100)으로부터 동일한 높이 상에 배치된 두께, 즉 제1 두께(152a)와 제5 두께(230a), 제2 두께(151a)와 제6 두께(210a), 제3 두께(152b)와 제7 두께(230b), 제4 두께(151b)와 제8 두께(215b)는 동일한 두께일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 본 실시예에서, 제1 방향(X1)으로 연장되는 핀(151,152)의 제1 길이(L1)는 제2 방향(X2)으로 연장되는 제1 와이어 패턴(210)의 제2 길이(L2)보다 길 수 있다.
또한, 본 실시예에서, 제1 거리(L1)는 도 2에서 도시된 바와 같이 제1 게이트 전극(120)과 핀(151, 152)이 중첩되는 폭일 수 있다. 또한, 제1 거리(L1)는 제1 소오스/드레인(150)의 이격 거리일 수 있다. 한편, 제2 거리(L2)는 도 2에서 도시된 바와 같이 제1 와이어 패턴(210)과 제2 게이트 전극(220)이 중첩되는 폭일 수 있다. 또한, 제2 거리(L2)는 제2 소오스/드레인(250)의 이격 거리일 수 있다.
제1 영역(Ⅰ)에 배치된 제1 트랜지스터(105)는 제2 영역(Ⅱ)에 배치된 제2 트랜지스터(205)와 비교하여, 상대적으로 긴 채널길이를 가진다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 장치는 상대적으로 짧은 채널길이를 가지는 트랜지스터에서는 나노 와이어 채널을 포함하므로, SCE(short channel effect)를 효과적으로 억제할 수 있고, 상대적으로 긴 채널길이를 가지는 트랜지스터에서는 핀 구조의 채널을 포함하므로, 반도체 장치의 안정성을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 발명에서, 상대적으로 짧은 채널길이를 가지는 트랜지스터는 로직 영역 및 SRAM 형성 영역에 형성된 트랜지스터일 수 있다.
제1 게이트 전극(120)은 기판(100) 상에 형성된다. 제1 게이트 전극(120)은 제2 방향(Y1)으로 길게 연장되어 형성된다. 제1 게이트 전극(120)은 기판(100)과 이격되어 형성되는 핀(151, 152)의 상면과 측벽 상에 형성된다.
제2 게이트 전극(220)은 기판(100) 상에 형성된다. 제2 게이트 전극(220)은 제4 방향(Y2)으로 길게 연장되어 형성된다. 제2 게이트 전극(220)의 제1 와이어 패턴(210)의 둘레를 전체적으로 감싸도록 형성된다. 또한, 제2 게이트 전극(220)은 더미 와이어 패턴(211)의 상면 및 측벽 상에 형성되므로, 제1 와이어 패턴(210) 및 더미 와이어 패턴(211) 사이에 형성된다.
제1 게이트 전극(120) 및 제2 게이트 전극(220)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(120) 및 제2 게이트 전극(220)은 각각 단일층으로 도시되었지만, 설명의 편의를 위한 것을 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제1 게이트 전극(120) 및 제2 게이트 전극(220)은 각각 일함수 조절을 하는 일함수 도전층과, 일함수 조절을 하는 일함수 도전층에 의해 형성된 공간을 채우는 필링(filling) 도전층을 포함할 수 있다.
제1 게이트 전극(120) 및 제2 게이트 전극(220)은 각각 예를 들어, TiN, WN, TaN, Ru, TiC, TaC, Ti, Ag, Al, TiAl, TiAlN, TiAlC, TaCN, TaSiN, Mn, Zr, W, Al 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또는, 제1 게이트 전극(120) 및 제2 게이트 전극(220)은 각각 금속이 아닌 Si, SiGe 등으로 이루어질 수도 있다. 이러한 제1 게이트 전극(120) 및 제2 게이트 전극(220)은 각각 예를 들어, 리플레이스먼트(replacement) 공정을 통해서 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 게이트 스페이서(140)는 제2 방향(Y1)으로 연장된 제1 게이트 전극(120)의 양 측벽 상에 형성된다. 제1 게이트 스페이서(140)는 핀(151, 152)의 양측에 서로 마주보며 형성된다.
제2 게이트 스페이서(240)는 제4 방향(Y2)으로 연장된 제2 게이트 전극(220)의 양 측벽 상에 형성된다. 제2 게이트 스페이서(240)는 제1 와이어 패턴(210) 및 더미 와이어 패턴(211)의 양측에 서로 마주보며 형성된다.
제1 게이트 스페이서(140) 및 제2 게이트 스페이서(240)는 각각 예를 들어, 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 산탄질화물(SiOCN) 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 게이트 스페이서(140) 및 제2 게이트 스페이서(240)는 각각 단일막으로 도시되었지만, 이에 제한되는 것은 아니며, 다중막의 구조를 가질 수 있음은 물론이다.
제1 게이트 절연막(130)은 핀(151, 152)과 제1 게이트 전극(120) 사이에 형성될 수 있다. 제1 게이트 절연막(130)은 제1 게이트 전극(120)과 제1 게이트 스페이서(140) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 제1 게이트 절연막(130)은 기판(100)과 제1 게이트 전극(120) 사이에 형성될 수 있다.
제1 게이트 절연막(130)은 핀(151, 152)의 상면 및 측벽과 제1 게이트 전극(120)의 측벽을 따라서 컨포말하게 형성될 수 있다. 제1 게이트 절연막(130)은 기판(100)의 상면을 따라서 형성될 수 있다.
제1 게이트 절연막(130)은 제1 게이트 전극(120)의 측벽과 제1 게이트 스페이서(140)의 측벽 사이에 형성되므로, 제1 게이트 절연막(130)의 일측면은 제1 게이트 전극(120)의 측벽을 따라서 형성되고, 제1 게이트 절연막(130)의 다른 측면은 제1 게이트 스페이서(140)의 측벽을 따라서 형성된다.
제2 게이트 절연막(230)은 제1 와이어 패턴(210)과 제2 게이트 전극(220) 사이 및 더미 와이어 패턴(211)과 제2 게이트 전극(220) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 제2 게이트 절연막(230)은 제3 와이어 패턴(215)과 제1 와이어 패턴(210) 사이에 형성될 수 있다.
제2 게이트 절연막(230)은 제2 게이트 전극(220)과 제2 게이트 스페이서(240) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 제2 게이트 절연막(230)은 기판(100)과 제2 게이트 전극(220) 사이에 형성될 수 있다.
제2 게이트 절연막(230)은 제1 와이어 패턴(210)의 둘레 및 제3 와이어 패턴(215)의 둘레와, 제1 게이트 전극의 측벽을 따라서 컨포말하게 형성될 수 있다. 또는, 제2 게이트 절연막(230)은 제1 와이어 패턴(210)의 둘레 및 제3 와이어 패턴(215)의 둘레와 제2 게이트 스페이서(240)의 측벽을 따라서 컨포말하게 형성될 수 있다. 제2 게이트 절연막(230)은 기판(100)의 상면과, 더미 와이어 패턴(211)의 측벽 및 상면을 따라서 형성될 수 있다. 덧붙여, 제2 게이트 절연막(230)은 제2 소오스/드레인(250)의 일부 면을 따라서 형성될 수 있다.
제2 게이트 절연막(230)은 제2 게이트 전극(220)의 측벽과 제2 게이트 스페이서(240)의 측벽 사이에 형성되므로, 제2 게이트 절연막(230)의 일측면은 제2 게이트 전극(220)의 측벽을 따라서 형성되고, 제2 게이트 절연막(230)의 다른 측면은 제2 게이트 스페이서(240)의 측벽을 따라서 형성된다.
제1 게이트 절연막(130)과 제2 게이트 절연막(230)은 각각 실리콘 산화막보다 높은 유전 상수를 갖는 고유전체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 게이트 절연막(130)과 제2 게이트 절연막(230)은 각각 하프늄 산화물(hafnium oxide), 하프늄 실리콘 산화물(hafnium silicon oxide), 란타늄 산화물(lanthanum oxide), 란타늄 알루미늄 산화물(lanthanum aluminum oxide), 지르코늄 산화물(zirconium oxide), 지르코늄 실리콘 산화물(zirconium silicon oxide), 탄탈륨 산화물(tantalum oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(barium strontium titanium oxide), 바륨 티타늄 산화물(barium titanium oxide), 스트론튬 티타늄 산화물(strontium titanium oxide), 이트륨 산화물(yttrium oxide), 알루미늄 산화물(Aluminum oxide), 납 스칸듐 탄탈륨 산화물(lead scandium tantalum oxide), 또는 납 아연 니오브산염(lead zinc niobate) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 트랜지스터(105)는 기판(100) 상에, 제1 게이트 전극(120)의 양측에 배치되는 제1 에피 씨드층(160)을 더 포함할 수 있다. 또한, 제2 트랜지스터(205)는 기판(100) 상에, 제2 게이트 전극(220)의 양측에 배치되는 제2 에피 씨드층(260)을 더 포함할 수 있다.
제2 에피 씨드층(260)은 더미 와이어 패턴(211)과 연결될 수 있다. 즉, 제2 에피 씨드층(260)은 더미 와이어 패턴(211)으로부터 연장된 부분일 수 있다. 하지만, 제2 에피 씨드층(260)의 두께는 더미 와이어 패턴(211)의 두께보다 작다.
제1 에피 씨드층(160)과 제2 에피 씨드층(260)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 에피 씨드층(260)은 더미 와이어 패턴(211)으로부터 연장된 부분일 수 있으므로, 제1 에피 씨드층(160) 및 제2 에피 씨드층(260)은 더미 와이어 패턴(211)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1 에피 씨드층(160) 및 제2 에피 씨드층(260)은 선택적인 층일 수 있다. 따라서, 제1 에피 씨드층(160) 및 제2 에피 씨드층(260)은 생략될 수 있음은 자명하다.
제1 소오스/드레인(150)은 제1 게이트 전극(120)의 양측에 배치된다. 제1 소오스/드레인(150)은 기판(100) 상에 형성되고, 핀(151, 152)과 연결된다.
제1 소오스/드레인(150)은 기판(100) 상에 형성된 제1 에피층(155)을 포함할 수 있다. 제1 에피층(155)은 제1 에피 씨드층(160) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제1 에피층(155)과 기판(100) 사이에 제1 에피 씨드층(160)이 위치한다.
제2 소오스/드레인(250)은 제2 게이트 전극(220)의 양측에 배치된다. 제2 소오스/드레인(250)은 기판(100) 상에 형성되고, 채널 영역인 제1 와이어 패턴(210)과 연결된다. 또한, 제2 소오스/드레인(250)은 더미 와이어 패턴(211)과 연결될 수 있다.
제2 소오스/드레인(250)은 기판(100) 상에 형성된 제2 에피층(255)을 포함할 수 있다. 제2 에피층(255)은 제2 에피 씨드층(260) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제2 에피층(255)과 기판(100) 사이에 제2 에피 씨드층(260)이 위치한다. 제2 게이트 절연막(230)의 일부는 제2 에피층(255)과 접촉할 수 있다..
제1 에피층(155)의 외주면 및 제2 에피층(255)의 외주면은 각각 다양한 형상일 수 있다. 예를 들어, 제1 에피층(155)의 외주면 및 제2 에피층(255)의 외주면은 다이아몬드 형상, 원 형상 및 직사각형 형상 중 적어도 하나일 수 있다. 도 1에서는 예시적으로 다이아몬드 형상(또는 오각형 형상 또는 육각형 형상)을 도시하였다.
예를 들어, 제1 에피층(155)은 PMOS의 채널 영역으로 사용되는 핀(151, 152)에 압축 스트레스를 인가할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 제1 에피층(155)은 핀(151, 152)보다 격자 상수가 큰 물질을 포함할 수 있다. 만약, 핀(151, 152)이 SiGe을 포함할 경우, 제1 에피층(155)은 핀(151, 152)보다 Ge의 함량이 높은 SiGe를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
예를 들어, 제2 에피층(255)은 NMOS의 채널 영역으로 사용되는 제1 와이어 패턴(210)에 인장 스트레스를 인가할 수 있는 물질 또는 제1 와이어 패턴(210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 에피층(255)은 제1 와이어 패턴(210)보다 격자 상수가 작은 물질 또는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 만약, 제1 와이어 패턴(210)이 Si일 경우, 제2 에피층(255)은 Si이거나, Si보다 격자 상수가 작은 물질(예를 들어, SiC)일 수 있다.
도 1, 도 2, 및 도 4에서, 제1 게이트 절연막(130)은 제1 게이트 전극(120)의 측벽을 따라 전체적으로 형성되고, 제2 게이트 절연막(230)은 제2 게이트 전극(220)의 측벽을 따라 전체적으로 형성될 수 있다.
한편, 제2 게이트 절연막(230)은 제2 게이트 전극(220)의 측벽과 제2 게이트 스페이서(240) 사이에 개재되지만, 제2 게이트 절연막(230)의 일부는 제2 게이트 스페이서(240)와 접촉하지 않고, 제2 에피층(255)과 접촉할 수 있다.
따라서, 제2 게이트 절연막(230)는 제2 에피층(255), 즉, 제2 소오스/드레인(250)과 접촉하는 부분과, 제2 게이트 스페이서(240)와 접촉하는 부분을 포함한다.
도 1 내지 도 3에서, 제1 영역(I)에 형성되는 트랜지스터는 와이어 패턴을 포함하지 않고, 제2 영역(II)에 형성되는 트랜지스터는 와이어 패턴을 포함하는 것으로 설명하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면들이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 4를 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치는 제2 영역(II)에 형성되는 제3 와이어 패턴(215)을 포함하지 않는다. 즉, 제2 영역(II)에 형성되는 제2 트랜지스터(105)는 제3 와이어 패턴(115)을 포함하지 않고, 제1 와이어 패턴(210)을 포함한다.
또한, 제2 영역(II)에 형성되는 제2 게이트 절연막(230) 및 제2 게이트 전극(220)은 상술한 본 발명의 일 실시예와 비교하여 그 형태가 다른다. 즉, 본 실시예에 따른 제2 게이트 절연막(230) 및 제2 게이트 전극(220)은 제2 게이트 스페이서(240)과 제1 와이어 패턴(210) 사이에 배치될 수 있다.
또한 제1 영역(I)에서, 제1 게이트 절연막(130)과 제2 반도체 패턴(152)이 직접 접촉한다.
도 5는 본 발명의 몇몇실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 도 6은 도 5의 G - G 및 H - H를 따라서 절단한 단면도이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다
도 5 및 도 6을 참고하면, 본 발명의 몇몇실시예에 따른 반도체 장치에서, 제1 소오스/드레인(150)은 기판(100) 상에 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴 연장부(151e)와 제2 반도체 패턴 연장부(152e)을 포함한다. 제1 소오스/드레인(150)의 상면은 예를 들어, 제1 반도체 패턴 연장부(151e)일 수 있다.
또한, 제2 소오스/드레인(250)은 기판(100) 상에 순차적으로 적층된 제3 반도체 패턴(251) 및 제4 반도체 패턴(252)을 포함할 수 있다. 제2 소오스/드레인(250)의 상면은 예를 들어, 제3 반도체 패턴(251)일 수 있다.
제1 반도체 패턴 연장부(151e)는 핀(151, 152)의 제1 반도체 패턴(151)과 직접 연결된다. 구체적으로, 제1 반도체 패턴 연장부(151e)은 핀(151, 152)의 제1 반도체 패턴(151)으로부터 연장된 부분일 수 있다.
제2 반도체 패턴 연장부(152e)는 핀(151, 152)의 제2 반도체 패턴(152)과 직접 연결된다. 구체적으로, 제2 반도체 패턴 연장부(152e)은 핀(151, 152)의 제2 반도체 패턴(152)으로부터 연장된 부분일 수 있다. 또한,
제1 반도체 패턴 연장부(151e)는 핀(151, 152)의 제1 반도체 패턴(151)과 동일한 제조 공정에 의해 형성될 수 있다. 제2 반도체 패턴 연장부(152e)는 핀(151, 152)의 제2 반도체 패턴(152)과 동일한 제조 공정에 의해 형성될 수 있다.
기판(100)과 접촉하는 제3 반도체 패턴(251)은 더미 와이어 패턴(211)과 직접 연결되고, 기판(100)과 이격되어 있는 제3 반도체 패턴(251)은 제1 와이어 패턴(210)과 직접 연결된다. 구체적으로, 제3 반도체 패턴(251)은 더미 와이어 패턴(211) 및 제1 와이어 패턴(210)으로부터 연장된 부분일 수 있다.
제4 반도체 패턴(252)은 제2 게이트 전극(220)을 중심으로 제3 방향(X2)으로 양측에 배치될 수 있다. 제4 반도체 패턴(252) 사이에 제2 게이트 전극(220)과 제2 게이트 절연막(230)이 배치될 수 있다.
본 실시예에 따른 반도체 장치에서, 제1 반도체 패턴(151) 및 제1 반도체 패턴 연장부(151a)와 제3 반도체 패턴(251)은 동일한 물질을 포함하고, 제2 반도체 패턴(152) 및 제2 반도체 패턴 연장부(152a)와 제4 반도체 패턴(252)은 동일한 물질을 포함한다.
한편, 제2 게이트 절연막(230)의 일부는 제2 소오스/드레인(250)과 접촉한다. 본 실시예에 따른 반도체 장치에서, 제2 게이트 절연막(230)의 일부는 제2 소오스/드레인(250) 중 제4 반도체 패턴(252)과 접촉한다. )
도 7 내지 9를 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 설명한다.
도 7은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 도 8은 도 7의 A - A, C - C 및 E - E를 따라서 절단한 단면도이다. 도 9는 도 7의 B - B, D - D 및 F - F를 따라서 절단한 단면도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 제1 영역(Ⅰ)에는 제1 트랜지스터(105)가, 제2 영역(Ⅱ)에는 제2 트랜지스터(205)가, 제3 영역(Ⅲ)에는 제3 트랜지스터(305)가 형성된다.
본 실시예에 따른 제1 트랜지스터(105) 및 제2 트랜지스터(205)는 도 1 내지 도 3에서 설명한 실시예에 따른 제1 트랜지스터(105) 및 제2 트랜지스터(205)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 설명의 편의상, 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다
본 실시예에 있어서, 제2 영역(Ⅱ) 및 제3 영역(Ⅲ)은 로직 영역 또는 SRAM 형성 영역일 수 있다. 또한, 제2 영역(Ⅱ)은 로직 NFET 영역일 수 있고, 제3 영역(Ⅲ)은 로직 PFET 영역일 수 있으나, 이에 제한된 것은 아니다.
도 8을 참조하면, 제3 트랜지스터(305)는 기판(100)과, 제2 와이어 패턴(310), 제4 와이어 패턴(315), 제3 게이트 전극(320), 제3 게이트 절연막(330), 제3 게이트 스페이서(340) 및 제3 소오스/드레인(350)을 포함할 수 있다.
제2 와이어 패턴(310)은 제1 두께(152a)를 가지는 제2 반도체 패턴(152)와 기판(100)을 기준으로 동일 높이에 배치될 수 있으며, 제4 와이어 패턴(315)는 제3 두께(152b)를 가지는 제2 반도체 패턴과 기판(100)을 기준으로 동일한 높이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 동일 높이에 배치된 와이어 패턴과 반도체 패턴은 서로 동일할 물질일 수 있다. 따라서, 제2 와이어 패턴(310) 및 제4 와이어 패턴(315)는 제2 반도체 패턴(152)와 동일한 물질일 수 있다.
또한, 제2 와이어 패턴(310) 및 제4 와이어 패턴(315) 각각은 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215) 각각과 기판(100)을 기준으로 서로 다른 높이에 배치될 수 있다. 본 발명에 있어서, 와이어 패턴 및 반도체 패턴의 높이는, 기판(100)의 상면으로부터 와이어 패턴 및 반도체 패턴 각각의 중간지점까지의 길이를 의미할 수 있다.
제2 트랜지스터(205)은 N형 트랜지스터일 수 있으므로, 제2 트랜지스터(205)에 포함되는 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)은 예를 들어, 전자의 이동도(electron mobility)가 높은 물질을 포함할 수 있다. 제1 와이어 패턴(210)은 예를 들어, Si 또는 III-V족 화합물 반도체 중 하나를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. III-V족 화합물 반도체는 예로 들어, III족 원소로 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 적어도 하나와 V족 원소인 인(P), 비소(As) 및 안티모늄(Sb) 중 하나가 결합되어 형성되는 이원계 화합물, 삼원계 화합물 또는 사원계 화합물 중 하나일 수 있다.
제3 트랜지스터(305)는 P형 트랜지스터일 수 있으므로, 제3 트랜지스터(305)에 포함되는 제2 와이어 패턴(310) 및 제4 와이어 패턴(315)은 예를 들어, 정공의 이동도(hole mobility)가 높은 물질을 포함할 수 있다. 제2 와이어 패턴(310) 및 제4 와이어 패턴(315)은 예를 들어, SiGe 또는 Ge 중 하나를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 실시예에 있어서, 제3 트랜지스터(305)의 제2 와이어 패턴(310) 및 제4 와이어 패턴(315)은 제5 방향(X3)으로 연장되며, 제5 방향(X3)에서 제3 길이(L3)를 가진다.
제3 길이(L3)는 제1 트랜지스터(105)의 제1 길이(L1)보다는 짧을 수 있다. 제3 길이(L3)은 제2 트랜지스터(205)의 제2 길이(L2)와 동일할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 따라서, 제3 길이(L3)는 제1 길이(L1)보다는 짧지만, 제2 길이(L2)보다는 길거나 짧을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 트랜지스터(205)와 제3 트랜지스터(305)는 나노 와이어 채널을 포함한다. 따라서, 제1 트랜지스터(105)보다 짧은 채널 길이를 가지는 경우에 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 10 내지 도 22를 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 대해 설명한다. 도 10 내지 도 22을 통해서 형성되는 반도체 장치는 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 반도체 장치일 수 있다.
도 10 내지 도 22는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계 도면들이다. 참고로, 도 18는 도 17의 G - G 및 H - H를 따라서 절단한 단면도이다.
도 10을 참고하면, 기판(100) 상에, 제1 반도체층(301) 및 제2 반도체층(302)이 교대로 적층된 적층 구조체(300)를 형성한다.
좀 더 구체적으로, 기판(100)은 반도체 기판인 하부 기판(101)과 절연막 기판인 상부 기판(102)을 포함할 수 있다.
또한, 적층 구조체(300) 중 기판(100)과 접하는 제1 반도체층(301)은 예를 들어, 웨이퍼 본딩(wafer bonding) 방식 등을 통해, 기판(100)에 접합된 층일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(100)과 접하는 제1 반도체층(301) 상에 제2 반도체층(302)과 제1 반도체층(301)을 교대로 형성할 수 있다. 제1 반도체층(301)과 제2 반도체층(302)은 예를 들어, 에피택셜 성장(epitaxial growth) 방법을 이용하여 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 적층 구조체(300)의 최상층은 예를 들어, 제1 반도체층(301)일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 반도체층(301)과 제2 반도체층(302)은 서로 다른 물질을 포함한다. 제1 반도체층(301)과 제2 반도체층(302)은 각각 서로 간에 식각 선택비를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(301)은 예를 들어, Si 또는 III-V족 화합물 반도체 중 하나를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제2 반도체층(302)은 예를 들어, SiGe 또는 Ge 중 하나를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 제1 영역(I)에서, 적층 구조체(300) 상에, 제1 방향(X1)으로 연장되는 제1 마스크 패턴(3001)을 형성한다. 또한, 제2 영역(II)에서, 적층 구조체(300) 상에 제3 방향(X2)으로 연장되는 제2 마스크 패턴(3002)을 형성한다.
제1 마스크 패턴(3001) 및 제2 마스크 패턴(3002)은 각각 예를 들어, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
도 11를 참고하면, 제1 마스크 패턴(3001) 및 제2 마스크 패턴(3002)을 마스크로 각각 이용하여, 적층 구조체(300)를 식각하여, 제1 핀형 구조체(310) 및 제2 핀형 구조체(315)를 형성한다. 예를 들어, 적층 구조체(300)를 기판(100)의 상면이 노출될 때까지 식각함으로써, 제1 핀형 구조체(310) 및 제2 핀형 구조체(315)가 형성될 수 있다.
제1 핀형 구조체(310)는 제1 영역(I)에 형성되고, 제2 핀형 구조체(315)는 제2 영역(II) 상에 형성될 수 있다. 제1 핀형 구조체(310)는 제1 방향(X1)으로 길게 연장되고, 제2 핀형 구조체(315)는 제3 방향(X2)으로 길게 연장될 수 있다.
제1 핀형 구조체(310)는 기판(100) 상에 교대로 적층된 제1 반도체 패턴(151) 및 제2 반도체 패턴(152)을 포함하고, 제2 핀형 구조체(315)는 기판(100) 상에 교대로 적층된 제3 반도체 패턴(251) 및 제4 반도체 패턴(252)을 포함할 수 있다.
제1 반도체 패턴(151) 및 제3 반도체 패턴(251)은 각각 제1 반도체층(301)을 식각하여 형성하므로, 제1 반도체 패턴(151)과 제3 반도체 패턴(251)은 동일한 물질을 포함한다. 제2 반도체 패턴(152) 및 제4 반도체 패턴(252)은 각각 제2 반도체층(302)을 식각하여 형성하므로, 제2 반도체 패턴(152)과 제4 반도체 패턴(252)은 동일한 물질을 포함한다.
이어서, 제1 핀형 구조체(310) 및 제2 핀형 구조체(315) 상에 위치하는 제1 마스크 패턴(3001) 및 제2 마스크 패턴(3002)을 제거할 수 있다.
도 12를 참고하면, 제3 마스크 패턴(3003)을 이용하여, 식각 공정을 진행하여, 제1 핀형 구조체(310)와 교차하여 제2 방향(Y1)으로 연장되는 제1 더미 게이트 절연막(131) 및 제1 더미 게이트 전극(121)을 형성할 수 있다.
또한, 제4 마스크 패턴(3004)을 이용하여, 식각 공정을 진행하여, 제2 핀형 구조체(315)와 교차하여 제4 방향(Y2)으로 연장되는 제2 더미 게이트 절연막(231) 및 제2 더미 게이트 전극(221)을 형성할 수 있다.
이를 통해, 제1 더미 게이트 전극(121)은 제1 핀형 구조체(310) 상에 형성되고, 제2 더미 게이트 전극(221)은 제2 핀형 구조체(315) 상에 형성될 수 있다.
제1 더미 게이트 절연막(131) 및 제2 더미 게이트 절연막(231)은 각각 실리콘 산화막일 수 있고, 제1 더미 게이트 전극(121) 및 제2 더미 게이트 전극(221)은 각각 폴리 실리콘 또는 비정질 실리콘 중 하나일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 13을 참고하면, 제1 더미 게이트 전극(121)의 측벽 상에 제1 게이트 스페이서(140)를 형성한다. 또한, 제2 더미 게이트 전극(221)의 측벽 상에 제2 게이트 스페이서(240)를 형성한다.
구체적으로, 제1 더미 게이트 전극(121)과, 제2 더미 게이트 전극(221)과, 제1 핀형 구조체(310)와, 제2 핀형 구조체(315)를 덮는 스페이서막을 기판(100) 상에 형성한다. 이 후, 스페이서막을 에치백(etch-back)하여, 제1 더미 게이트 전극(121)의 측벽에 제1 게이트 스페이서(140)를 형성하고, 제2 더미 게이트 전극(221)의 측벽에 제2 게이트 스페이서(240)를 형성할 수 있다.
도 14을 참고하면, 제1 더미 게이트 전극(121) 및 제1 게이트 스페이서(140)의 양측에 노출되는 제1 핀형 구조체(310)를 제거하여, 제1 핀형 구조체(310) 내에 제1 리세스(310r)을 형성한다.
제1 리세스(310r)를 형성하는 동안, 기판(100)과 접하는 제1 반도체 패턴(151)의 일부를 남김으로써, 제1 에피 씨드층(160)이 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 기판(100)과 접하는 제1 반도체 패턴(151)도 모두 제거하여, 기판(100)의 상면을 노출시킬 수도 있다.
제1 리세스(310r)의 측면을 통해, 기판(100) 상에 교대로 적층된 제1 반도체 패턴(151) 및 제2 반도체 패턴(152)이 노출된다.
제1 핀형 구조체(310) 내에 제1 리세스(310r)를 형성할 때, 감광막 패턴 등을 이용하여 제2 영역(II)을 덮을 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 15를 참고하면, 제1 핀형 구조체(310) 상에 제1 리세스(310r)를 채우는 제1 에피층(155)을 형성한다. 즉, 제1 더미 게이트 전극(121)의 양측에, 제1 소오스/드레인(150)을 형성한다.
제1 에피층(155)은 에피택셜 성장 방식을 이용하여 형성될 수 있다. 제1 에피 씨드층(160)과, 제1 리세스(310r)의 측면을 통해 노출되는 제1 반도체 패턴(151) 및 제2 반도체 패턴(152)을 씨드층으로 하여, 제1 에피층(155)은 성장될 수 있다. 만약, 제1 에피 씨드층(160)이 없을 경우, 제1 에피층(155)은 제1 리세스(310r)의 측면을 통해 노출되는 제1 반도체 패턴(151) 및 제2 반도체 패턴(152)을 씨드층으로 하여 성장될 수 있다.
도 16을 참고하면, 제2 더미 게이트 전극(221) 및 제2 게이트 스페이서(240)의 양측에 노출되는 제2 핀형 구조체(315)를 제거하여, 제2 핀형 구조체(315) 내에 제2 리세스(315r)을 형성한다.
제2 리세스(315r)를 형성하는 동안, 기판(100)과 접하는 제3 반도체 패턴(251)의 일부를 남김으로써, 제2 에피 씨드층(260)이 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 기판(100)과 접하는 제3 반도체 패턴(251)도 모두 제거하여, 기판(100)의 상면을 노출시킬 수도 있다.
제2 리세스(315r)의 측면을 통해, 기판(100) 상에 교대로 적층된 제3 반도체 패턴(251) 및 제4 반도체 패턴(252)이 노출된다.
제2 핀형 구조체(315) 내에 제2 리세스(315r)를 형성할 때, 감광막 패턴 등을 이용하여 제1 영역(I)을 덮을 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 17 및 도 18을 참고하면, 제2 핀형 구조체(315) 상에 제2 리세스(315r)를 채우는 제2 에피층(255)을 형성한다. 즉, 제2 더미 게이트 전극(221)의 양측에, 제2 소오스/드레인(250)을 형성한다.
제2 에피 씨드층(260)과, 제2 리세스(315r)의 측면을 통해 노출되는 제3 반도체 패턴(251) 및 제4 반도체 패턴(252)을 씨드층으로 하여, 제2 에피층(255)은 성장될 수 있다. 만약, 제2 에피 씨드층(260)이 없을 경우, 제2 에피층(255)은 제2 리세스(315r)의 측면을 통해 노출되는 제3 반도체 패턴(251) 및 제4 반도체 패턴(252)을 씨드층으로 하여 성장될 수 있다.
도 18에서, 제1 에피층(155)은 제1 더미 게이트 전극(121) 및 제1 게이트 스페이서(140)의 하부에 위치하는 제1 반도체 패턴(151) 및 제2 반도체 패턴(152)과 접촉한다. 제2 에피층(255)은 제2 더미 게이트 전극(221) 및 제2 게이트 스페이서(240)의 하부에 위치하는 제3 반도체 패턴(251) 및 제4 반도체 패턴(252)과 접촉한다.
이 후의 설명은 도 18을 기준으로 하여 설명한다.
도 19를 참고하면, 제1 소오스/드레인(150)과, 제2 소오스/드레인(250)과, 제1 더미 게이트 전극(121)과, 제2 더미 게이트 전극(221)과, 제1 게이트 스페이서(140)와, 제2 게이트 스페이서(240) 등을 덮는 층간 절연막(190)을 기판(100) 상에 형성한다.
층간 절연막(190)은 저유전율 물질, 산화막, 질화막 및 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 저유전율 물질은 예를 들어, FOX(Flowable Oxide), TOSZ(Tonen SilaZen), USG(Undoped Silica Glass), BSG(Borosilica Glass), PSG(PhosphoSilaca Glass), BPSG(BoroPhosphoSilica Glass), PETEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate), FSG(Fluoride Silicate Glass), HDP(High Density Plasma) oxide, PEOX(Plasma Enhanced Oxide), FCVD(Flowable CVD) oxide 또는 이들의 조합으로 이뤄질 수 있다.
이어서, 제1 더미 게이트 전극(121) 및 제2 더미 게이트 전극(221)이 노출될 때까지, 층간 절연막(190)을 평탄화한다. 그 결과, 제3 마스크 패턴(3003) 및 제4 마스크 패턴(3004)이 제거되고, 제1 더미 게이트 전극(121)의 상면 및 제2 더미 게이트 전극(221)의 상면이 노출될 수 있다.
이어서, 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)을 덮는 마스크막(3005p)를 층간 절연막(190) 상에 형성한다. 따라서, 제1 더미 게이트 전극(121)의 상면 및 제2 더미 게이트 전극(221)의 상면은 마스크막(3005p)에 덮인다.
마스크막(3005p)은 예를 들어, 산화막, 질화막 및 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 20를 참고하면, 제2 영역(Ⅱ) 상에 형성된 마스크막(3005p)을 제거하여, 제1 영역(I) 상에만 마스크막(3005p)을 형성한다.
제2 영역(Ⅱ) 상에 형성된 마스크막(3005p)이 제거됨으로써, 제2 더미 게이트 전극(221)의 상면은 노출된다. 또한, 제거되지 않은 마스크막(3005p)은 제1 더미 게이트 전극(121) 및 제1 게이트 스페이서(140)를 덮는다.
도 21을 참고하면, 마스크막(3005p)을 마스크로 이용하여, 노출된 제2 영역(Ⅱ)의 제21 더미 게이트 전극(221)과 제2 더미 게이트 절연막(231)을 순차적으로 제거할 수 있다.
이어서, 제4 반도체 패턴(252)에 대한 식각율(etching rate)보다 제3 반도체 패턴(251)에 대한 식각율이 높은 제1 에천트(etchant)를 이용하여, 제4 반도체 패턴(252)을 제거한다.
이를 통해, 제2 영역(Ⅱ) 상에, 제3 반도체 패턴(352)으로 이루어지는 제1 와이어 패턴(210) 및 제3 와이어 패턴(215)을 형성한다. 즉, 제2 영역(Ⅱ) 상에, 하나 이상의 와이어 패턴을 포함하는 제1 와이어 패턴 그룹(210, 215)을 형성한다.
이어서, 제1 와이어 패턴(210)의 둘레 및 제3 와이어 패턴(215)의 둘레와, 제2 게이트 스페이서(240)의 측벽과, 노출된 제2 에피층(255)을 따라서 제2 게이트 절연막(230)을 형성한다.
이어서, 제2 게이트 절연막(230) 상에, 제1 와이어 패턴(210)의 둘레 및 제3 와이어 패턴(215)의 둘레를 전체적으로 감싸는 제2 게이트 전극(220)을 형성한다.
제2 게이트 절연막(230)과 제2 게이트 전극(220)을 형성하기 위해, 평탄화 공정이 진행될 수 있고, 이 때 진행되는 평탄화 공정을 통해, 제2 영역(Ⅰ) 상에 형성된 마스크막(3005p)이 제거될 수 있다.
도 22을 참고하면, 제1 영역(I) 상에, 핀(151, 152)의 상면 및 측벽과, 제1 게이트 스페이서(14)의 측벽을 따라서 제1 게이트 절연막(130)을 형성한다. 이어서, 제1 게이트 절연막(130) 상에, 핀(151, 152)의 상면 및 측벽을 감싸는 제1 게이트 전극(220)을 형성한다.
도 23은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 시스템의 블록도이다.
도 23을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(1100)은 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120, I/O), 기억 장치(1130, memory device), 인터페이스(1140) 및 버스(1150, bus)를 포함할 수 있다. 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120), 기억 장치(1130) 및/또는 인터페이스(1140)는 버스(1150)를 통하여 서로 결합 될 수 있다. 버스(1150)는 데이터들이 이동되는 통로(path)에 해당한다.
컨트롤러(1110)는 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세스, 마이크로 컨트롤러, 및 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 입출력 장치(1120)는 키패드(keypad), 키보드 및 디스플레이 장치 등을 포함할 수 있다. 기억 장치(1130)는 데이터 및/또는 명령어 등을 저장할 수 있다. 인터페이스(1140)는 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하는 기능을 수행할 수 있다. 인터페이스(1140)는 유선 또는 무선 형태일 수 있다. 예컨대, 인터페이스(1140)는 안테나 또는 유무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다. 도시하지 않았지만, 전자 시스템(1100)은 컨트롤러(1110)의 동작을 향상시키기 위한 동작 메모리로서, 고속의 디램 및/또는 에스램 등을 더 포함할 수도 있다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치는 기억 장치(1130) 내에 제공되거나, 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120, I/O) 등의 일부로 제공될 수 있다.
전자 시스템(1100)은 개인 휴대용 정보 단말기(PDA, personal digital assistant) 포터블 컴퓨터(portable computer), 웹 타블렛(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 디지털 뮤직 플레이어(digital music player), 메모리 카드(memory card), 또는 정보를 무선환경에서 송신 및/또는 수신할 수 있는 모든 전자 제품에 적용될 수 있다.
도 24 및 도 25은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치를 적용할 수 있는 예시적인 반도체 시스템이다. 도 22는 태블릿 PC이고, 도 23은 노트북을 도시한 것이다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치 중 적어도 하나는 태블릿 PC, 노트북 등에 사용될 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치는 예시하지 않는 다른 집적 회로 장치에도 적용될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판
105, 205. 305: 트랜지스터
210, 215, 310, 315: 와이어 패턴 151, 152: 반도체 패턴
120, 220: 게이트 전극 130, 230: 게이트 절연막
231: 제2 캡핑막 140, 240: 게이트 스페이서
150, 250: 소오스/드레인 155, 255: 에피층
160, 260: 에피 씨드층
210, 215, 310, 315: 와이어 패턴 151, 152: 반도체 패턴
120, 220: 게이트 전극 130, 230: 게이트 절연막
231: 제2 캡핑막 140, 240: 게이트 스페이서
150, 250: 소오스/드레인 155, 255: 에피층
160, 260: 에피 씨드층
Claims (10)
- 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 제1 영역에, 제1 방향으로 연장되고, 교대로 적층된 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 핀;
상기 기판의 제2 영역에, 제2 방향으로 연장되는 제1 와이어 패턴;
상기 핀 상에, 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장되는 제1 게이트 전극; 및
상기 제1 와이어 패턴을 감싸고, 상기 제2 방향과 다른 제4 방향으로 연장되는 제2 게이트 전극을 포함하는 반도체 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 기판의 상면을 기준으로, 상기 제1 반도체 패턴은 제1 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제1 높이와 다른 제2 높이에 위치하고, 상기 제1 와이어 패턴은 상기 제1 높이에 위치하고, 상기 제1 반도체 패턴과 동일 물질을 포함하는 반도체 장치. - 제 2항에 있어서,
상기 제1 반도체 패턴의 두께는 상기 제1 와이어 패턴의 두께와 동일한 반도체 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 게이트 전극과 상기 핀이 중첩되는 폭은 상기 제2 게이트 전극과 상기 제1 와이어 패턴이 중첩되는 폭과 다른 반도체 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 게이트 전극의 양측에 배치되는 제1 소오스/드레인과, 상기 제2 게이트 전극의 양측에 배치되는 제2 소오스/드레인을 더 포함하고, 상기 제1 소오스/드레인은 상기 제1 반도체 패턴의 연장부와 상기 제2 반도체 패턴의 연장부를 포함하고, 상기 제2 소오스/드레인은 순차적으로 적층된 제3 반도체 패턴과 제4 반도체 패턴을 포함하는 반도체 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 기판은 제3 영역을 더 포함하고, 상기 제3 영역 상에, 제5 방향으로 연장되는 제2 와이어 패턴 및 상기 제2 와이어 패턴을 감싸고, 상기 제5 방향과 다른 제6 방향으로 연장되는 제3 게이트 전극을 더 포함하는 반도체 장치. - 제 6항에 있어서,
상기 기판의 상면을 기준으로, 상기 제1 반도체 패턴은 제1 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제1 높이와 다른 제2 높이에 위치하고, 상기 제1 와이어 패턴은 상기 제1 높이에 위치하고, 상기 제1 반도체 패턴과 동일 물질을 포함하고, 상기 제2 와이어 패턴은 상기 제2 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴과 동일 물질을 포함하는 반도체 장치. - 제 7항에 있어서,
상기 제1 와이어 패턴과 상기 제2 와이어 패턴은 서로 다른 물질인 반도체 장치. - 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 제1 영역에, 제1 방향으로 연장되고, 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 핀;
상기 기판의 제2 영역에, 제2 방향으로 연장되는 와이어 패턴;
상기 핀 상에, 상기 제1 방향과 다른 제3 방향으로 연장되는 제1 게이트 전극; 및
상기 와이어 패턴을 감싸고, 상기 제2 방향과 다른 제4 방향으로 연장되는 제2 게이트 전극으로, 상기 제2 게이트 전극의 폭은 상기 제1 게이트 전극의 폭과 다른 제2 게이트 전극을 포함하는 반도체 장치. - 제 9항에 있어서,
상기 기판의 상면을 기준으로, 상기 제1 반도체 패턴은 제1 높이에 위치하고, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제1 높이와 다른 제2 높이에 위치하고, 상기 제1 와이어 패턴은 상기 제1 높이에 위치하고, 상기 제1 반도체 패턴과 동일 물질을 포함하는 반도체 장치.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190024625A (ko) * | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 방법 |
KR20210109412A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-06 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 저누설 디바이스 |
KR20210132595A (ko) * | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 전계효과 트랜지스터의 다층 채널 구조 및 이의 제조 방법 |
KR20210148903A (ko) * | 2020-05-29 | 2021-12-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 가변 수의 채널 층을 가진 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
KR20220124539A (ko) * | 2021-03-03 | 2022-09-14 | 한국과학기술원 | 3차원 게이트 올 어라운드 구조의 수평형 및 수직형 나노시트 채널을 갖는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US12040371B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors preliminary class |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9899387B2 (en) * | 2015-11-16 | 2018-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-gate device and method of fabrication thereof |
KR102465537B1 (ko) | 2017-10-18 | 2022-11-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR102381197B1 (ko) | 2017-12-08 | 2022-04-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
KR20200137405A (ko) | 2019-05-30 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
US20210184045A1 (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | Intel Corporation | High voltage ultra-low power thick gate nanoribbon transistors for soc applications |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130240979A1 (en) * | 2010-06-30 | 2013-09-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gate structures |
US9000536B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-04-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fin field effect transistor having a highly doped region |
US20150340293A1 (en) * | 2010-05-14 | 2015-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and Apparatus For Enhancing Channel Strain |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7183159B2 (en) | 2005-01-14 | 2007-02-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming an integrated circuit having nanocluster devices and non-nanocluster devices |
US7754560B2 (en) | 2006-01-10 | 2010-07-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit using FinFETs and having a static random access memory (SRAM) |
US7494850B2 (en) | 2006-02-15 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Ultra-thin logic and backgated ultra-thin SRAM |
JP4310399B2 (ja) * | 2006-12-08 | 2009-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8013367B2 (en) | 2007-11-08 | 2011-09-06 | International Business Machines Corporation | Structure and method for compact long-channel FETs |
US7790553B2 (en) | 2008-07-10 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | Methods for forming high performance gates and structures thereof |
US8216902B2 (en) | 2009-08-06 | 2012-07-10 | International Business Machines Corporation | Nanomesh SRAM cell |
US8455334B2 (en) | 2009-12-04 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Planar and nanowire field effect transistors |
DE102010063781B4 (de) | 2010-12-21 | 2016-08-11 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Unterschiedliche Schwellwertspannungseinstellung in PMOS-Transistoren durch unterschiedliche Herstellung eines Kanalhalbleitermaterials |
US8580624B2 (en) | 2011-11-01 | 2013-11-12 | International Business Machines Corporation | Nanowire FET and finFET hybrid technology |
US8722472B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-05-13 | International Business Machines Corporation | Hybrid CMOS nanowire mesh device and FINFET device |
KR20140106270A (ko) | 2013-02-26 | 2014-09-03 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 |
US8940558B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Techniques for quantifying fin-thickness variation in FINFET technology |
FR3005309B1 (fr) | 2013-05-02 | 2016-03-11 | Commissariat Energie Atomique | Transistors a nanofils et planaires cointegres sur substrat soi utbox |
-
2015
- 2015-12-07 US US14/961,378 patent/US9601569B1/en active Active
-
2016
- 2016-01-14 KR KR1020160004639A patent/KR102425152B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150340293A1 (en) * | 2010-05-14 | 2015-11-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and Apparatus For Enhancing Channel Strain |
US20130240979A1 (en) * | 2010-06-30 | 2013-09-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gate structures |
US9000536B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-04-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fin field effect transistor having a highly doped region |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190024625A (ko) * | 2017-08-31 | 2019-03-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 방법 |
US10672667B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-06-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
US11056400B2 (en) | 2017-08-31 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
KR20210109412A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-06 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 저누설 디바이스 |
US11404417B2 (en) | 2020-02-26 | 2022-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Low leakage device |
KR20210132595A (ko) * | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 전계효과 트랜지스터의 다층 채널 구조 및 이의 제조 방법 |
US11581415B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors |
US12040371B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors preliminary class |
KR20210148903A (ko) * | 2020-05-29 | 2021-12-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 가변 수의 채널 층을 가진 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
KR20220124539A (ko) * | 2021-03-03 | 2022-09-14 | 한국과학기술원 | 3차원 게이트 올 어라운드 구조의 수평형 및 수직형 나노시트 채널을 갖는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 |
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---|---|
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