KR102343209B1 - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 기판 상에, 상기 기판과 이격되고, 제1 방향으로 연장되는 와이어 패턴, 상기 와이어 패턴의 둘레를 감싸고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 양측에, 상기 와이어 패턴과 연결되는 소오스/드레인 및 상기 소오스/드레인 상에서 상기 게이트 전극의 양 측벽에 배치되는 게이트 스페이서를 포함한다.

Description

반도체 장치{Semiconductor device}
본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더 구체적으로 게이트 올 어라운드(gate all around) 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 밀도를 높이기 위한 스케일링(scaling) 기술 중 하나로서, 기판 상에 나노와이어(nanowire) 형상의 실리콘 바디(body)를 형성하고 실리콘 바디를 둘러싸도록 게이트를 형성하는 게이트 올 어라운드 구조가 제안되었다.
이러한 게이트 올 어라운드 구조는 3차원의 채널을 이용하기 때문에, 스케일링이 용이하다. 또한, 게이트의 길이를 증가시키지 않아도, 전류 제어 능력을 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 드레인 전압에 의해 채널 영역의 전위가 영향을 받는 SCE(short channel effect)를 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 게이트 올 어라운드 구조를 갖는 트랜지스터에서 소오스/드레인의 면적을 확장시켜 성능을 개선할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 게이트 올 어라운드 구조를 갖는 트랜지스터에서 소오스/드레인의 면적을 확장시켜 성능을 개선할 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치는, 기판 상에, 상기 기판과 이격되고, 제1 방향으로 연장되는 와이어 패턴, 상기 와이어 패턴의 둘레를 감싸고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 양측에, 상기 와이어 패턴과 연결되는 소오스/드레인 및 상기 소오스/드레인 상에서 상기 게이트 전극의 양 측벽에 배치되는 게이트 스페이서를 포함한다.
상기 소오스/드레인의 상면의 일부에 형성되는 절연막을 더 포함하고, 상기 게이트 스페이서는 상기 절연막 상에 형성될 수 있다.
여기서, 상기 게이트 전극 및 상기 소오스/드레인 사이에 형성되는 게이트 절연막을 더 포함 할 수 있다.
상기 게이트 절연막의 상면은 상기 게이트 전극의 상면과 동일할 수 있다.
상기 게이트 절연막은 계면막(interfacial layer)와 고유전율 절연막을 포함 할 수 있다.
여기서, 상기 소오스/드레인과 상기 게이트 전극 사이에 형성되는 절연 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 절연 스페이서의 폭은 상기 게이트 스페이서의 폭보다 작을 수 있다.
상기 절연 스페이서의 폭은 2nm 내지 3nm일 수 있다.
상기 게이트 스페이서는 SiN를 포함할 수 있다.
상기 소오스/드레인은 제1 방향으로 연장되고, 상기 소오스/드레인의 상면 및 측면에 형성되는 절연막을 더 포함하고, 상기 게이트 스페이서의 일부는 상기 소오스/드레인과 오버랩되고, 상기 게이트 스페이서의 나머지 일부는 상기 절연막과 오버랩될 수 있다.
여기서, 상기 소오스/드레인 상에 형성되고, 상기 게이트 전극과 이격되는 컨택을 더 포함할 수 있다.
상기 게이트 스페이서는 상기 와이어 패턴과 서로 이격될 수 있다.
상기 게이트 스페이서의 하면은 상기 소오스/드레인의 상면과 직접적으로 접할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 장치는 기판 상에, 상기 기판과 이격되고, 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 서로 이격되는 제1 및 제2 와이어 패턴, 상기 제1 및 제2 와이어 패턴의 둘레를 감싸고, 상기 제2 방향으로 연장되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 양측에, 상기 제1 및 제2 와이어 패턴과 각각 연결되는 제1 및 제2 소오스/드레인, 상기 제1 및 제2 소오스/드레인 상에서 상기 게이트 전극의 양 측벽에 배치되는 게이트 스페이서를 포함한다.
상기 제1 및 제2 소오스/드레인은 머지(merge)될 수 있다.
상기 제1 및 제2 소오스/드레인은 상기 제2 방향으로 서로 이격될 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2 소오스/드레인 사이에 형성되는 절연막을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2 소오스/드레인과 상기 게이트 전극 사이에 형성되는 절연 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 장치는 기판으로부터 돌출되고, 제1 방향으로 연장되는 핀형 패턴, 상기 기판 상에, 상기 핀형 패턴의 측벽을 감싸는 필드 절연막, 상기 핀형 패턴 상에, 상기 핀형 패턴과 이격되고 상기 제1 방향으로 연장되는 와이어 패턴, 상기 필드 절연막 상에, 상기 와이어 패턴을 감싸고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 양측에, 상기 와이어 패턴과 연결되는 소오스/드레인 및 상기 소오스/드레인 상에서 상기 게이트 전극의 양 측벽에 배치되는 게이트 스페이서를 포함한다.
상기 핀형 패턴은 상기 와이어 패턴과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법은 교대로 적층되는 제1 반도체 패턴 및 제2 반도체 패턴을 포함하고, 제1 방향으로 연장되는 핀형 구조체를 기판 상에 형성하고, 상기 핀형 구조체 상에, 상기 핀형 구조체와 교차하고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 더미 게이트 전극을 형성하고, 상기 더미 게이트 전극과 비오버랩되는 핀형 구조체를 제거하여, 상기 핀형 구조체 내에 제1 리세스를 형성하고, 상기 제1 리세스를 채우는 소오스/드레인을 형성하고, 상기 소오스/드레인 상에 절연막을 형성하고, 상기 더미 게이트 전극을 제거하여 제2 리세스를 형성하고, 상기 제2 리세스를 채우는 게이트 전극을 형성하는 것을 포함한다.
상기 더미 게이트 전극은 비 실리콘 성장 물질을 포함할 수 있다.
상기 비 실리콘 성장 물질은 SiN 및 옥사이드 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극을 형성하는 것은, 상기 제2 리세스 내에 고유전율 막을 컨포말하게 형성하고, 상기 제2 리세스를 채우는 게이트 전극을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극을 형성한 후에, 상기 상기 절연막의 일부를 제거하여 상기 게이트 전극의 측면의 일부를 노출시키고, 상기 절연막 및 상기 소오스/드레인 상에서 상기 게이트 전극의 측면에 게이트 스페이서를 형성하는 것을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 A - A를 따라서 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 B - B를 따라서 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1의 C - C를 따라서 절단한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 내지 도 22는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 23은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 시스템의 블록도이다.
도 24 및 도 25는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치를 적용할 수 있는 예시적인 반도체 시스템이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 도 1의 A - A를 따라서 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1의 B - B를 따라서 절단한 단면도이고, 도 4는 도 1의 C - C를 따라서 절단한 단면도이다. 설명의 편의를 위해, 도 1에서 제2 층간 절연막(180)은 도시하지 않았다.
기판(100)은 예를 들어, 벌크 실리콘 또는 SOI(silicon-on-insulator)일 수 있다. 이와 달리, 기판(100)은 실리콘 기판일 수도 있고, 또는 다른 물질, 예를 들어, 실리콘게르마늄, 안티몬화 인듐, 납 텔루르 화합물, 인듐 비소, 인듐 인화물, 갈륨 비소 또는 안티몬화 갈륨을 포함할 수 있다. 또는, 기판(100)은 베이스 기판 상에 에피층이 형성된 것일 수도 있다.
핀형 패턴(110)은 기판(100)으로부터 돌출되어 있을 수 있다. 필드 절연막(105)은 핀형 패턴(110)의 측벽의 적어도 일부를 감쌀 수 있다. 핀형 패턴(110)은 필드 절연막(105)에 의해 정의될 수 있다. 필드 절연막(105)은 예를 들어, 산화막, 질화막, 산질화막 또는 이들의 조합 중 하나를 포함할 수 있다.
도 1에서, 핀형 패턴(110)의 측벽은 전체적으로 필드 절연막(105)에 의해 둘러싸인 것으로 도시하였지만, 설명의 편의성을 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다.
핀형 패턴(110)은 제1 방향(X)으로 길게 연장될 수 있다. 즉, 핀형 패턴(110)은 제1 방향(X)으로 연장되는 장변과 제2 방향(Y)으로 연장되는 단변을 포함할 수 있다.
핀형 패턴(110)은 기판(100)의 일부의 식각하여 형성된 것일 수도 있고, 기판(100)으로부터 성장된 에피층(epitaxial layer)을 포함할 수 있다. 핀형 패턴(110)은 예를 들어, 원소 반도체 물질인 실리콘 또는 게르마늄을 포함할 수 있다. 또한, 핀형 패턴(110)은 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, IV-IV족 화합물 반도체 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있다.
예를 들어, IV-IV족 화합물 반도체를 예로 들면, 핀형 패턴(110)은 탄소(C), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn) 중 적어도 2개 이상을 포함하는 이원계 화합물(binary compound), 삼원계 화합물(ternary compound) 또는 이들에 IV족 원소가 도핑된 화합물일 수 있다.
III-V족 화합물 반도체를 예로 들면, 핀형 패턴(110)은 III족 원소로 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 적어도 하나와 V족 원소인 인(P), 비소(As) 및 안티모늄(Sb) 중 하나가 결합되어 형성되는 이원계 화합물, 삼원계 화합물 또는 사원계 화합물 중 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치에서, 핀형 패턴(110)은 실리콘을 포함하는 것으로 설명한다.
와이어 패턴(120)은 기판(100) 상에, 기판(100)과 이격되어 형성될 수 있다. 와이어 패턴(120)은 제1 방향(X)으로 연장되어 형성될 수 있다.
구체적으로, 와이어 패턴(120)은 핀형 패턴(110) 상에, 핀형 패턴(110)과 이격되어 형성될 수 있다. 와이어 패턴(120)은 핀형 패턴(110)과 오버랩될 수 있다. 와이어 패턴(120)은 필드 절연막(105) 상에 형성되는 것이 아니라, 핀형 패턴(110) 상에 형성될 수 있다.
도 3에서, 와이어 패턴(120)의 제2 방향(Y)으로의 폭은 핀형 패턴(110)의 제2 방향(Y) 폭과 같은 것으로 도시하였지만, 설명의 편의성을 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 와이어 패턴(120)의 단면은 사각형인 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 트리밍(trimming) 공정 등을 통해, 와이어 패턴(120)의 모서리 부분이 곡면이 될 수 있음은 물론이다.
와이어 패턴(120)은 트랜지스터의 채널 영역으로 사용될 수 있다. 와이어 패턴(120)은 반도체 장치(1)가 PMOS 인지 NMOS인지 여부에 따라서 달라질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 와이어 패턴(120)은 핀형 패턴(110)과 동일한 물질을 포함할 수도 있고, 핀형 패턴(110)과 다른 물질을 포함할 수도 있다. 하지만, 설명의 편의성을 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치에서, 와이어 패턴(120)은 각각 실리콘을 포함하는 것으로 설명한다.
게이트 전극(130)은 필드 절연막(105)과 핀형 패턴(110) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(130)은 제2 방향(Y)으로 연장될 수 있다.
게이트 전극(130)은 핀형 패턴(110)의 상면과 이격되어 형성되는 와이어 패턴(120)의 둘레를 감싸도록 형성될 수 있다. 게이트 전극(130)은 와이어 패턴(120)과 핀형 패턴(110) 사이의 이격된 공간에도 형성될 수 있다.
게이트 전극(130)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 게이트 전극(130)은 단일층으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 게이트 전극(130)은 일함수 조절을 하는 일함수 도전층과, 일함수 조절을 하는 일함수 도전층에 의해 형성된 공간을 채우는 필링(filling) 도전층을 포함할 수 있다.
게이트 전극(130)은 예를 들어, TiN, WN, TaN, Ru, TiC, TaC, Ti, Ag, Al, TiAl, TiAlN, TiAlC, TaCN, TaSiN, Mn, Zr, W, Al 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또는, 게이트 전극(130)은 각각 금속이 아닌 Si, SiGe 등으로 이루어질 수도 있다. 이러한 게이트 전극(130)은 예를 들어, 리플레이스먼트(replacement) 공정을 통해서 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(147)은 와이어 패턴(120)과 게이트 전극(130) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 게이트 절연막(147)은 필드 절연막(105) 및 게이트 전극(130) 사이에도 형성될 수 있다.
예를 들어, 게이트 절연막(147)은 계면막(146)과 고유전율 절연막(145)을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 와이어 패턴(120)의 물질 등에 따라, 게이트 절연막(147)의 계면막(146)은 생략될 수 있다.
계면막(146)은 와이어 패턴(120)의 둘레에 형성될 수 있으므로, 와이어 패턴(120)과 게이트 전극(130) 사이와, 핀형 패턴(110)과 게이트 전극(130) 사이에 형성될 수 있다. 반면, 고유전율 절연막(145)은 와이어 패턴(120)과 게이트 전극(130) 사이와, 핀형 패턴(110) 및 게이트 전극(130) 사이와, 필드 절연막(105) 및 게이트 전극(130) 사이와, 게이트 스페이서(140) 및 게이트 전극(130) 사이에 형성될 수 있다.
게이트 절연막(147)은 와이어 패턴(120)의 둘레를 따라 형성될 수 있다. 게이트 절연막(147)은 필드 절연막(105)의 상면과 핀형 패턴(110)의 상면을 따라서 형성될 수 있다. 덧붙여, 게이트 절연막(147)은 소오스/드레인(150) 및 층간 절연막(160)의 측벽을 따라서 형성될 수 있다.
와이어 패턴(120)이 실리콘을 포함할 경우, 계면막(146)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 이 때, 계면막(146)은 와이어 패턴(120)의 둘레 및 핀형 패턴(110)의 상면 상에 형성될 수 있지만, 소오스/드레인(150) 및 층간 절연막(160)의 측벽을 따라서 형성되지 않을 수 있다.
고유전율 절연막(145)은 실리콘 산화막보다 높은 유전 상수를 갖는 고유전체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 고유전체 물질은 하프늄 산화물(hafnium oxide), 하프늄 실리콘 산화물(hafnium silicon oxide), 란타늄 산화물(lanthanum oxide), 란타늄 알루미늄 산화물(lanthanum aluminum oxide), 지르코늄 산화물(zirconium oxide), 지르코늄 실리콘 산화물(zirconium silicon oxide), 탄탈륨 산화물(tantalum oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(barium strontium titanium oxide), 바륨 티타늄 산화물(barium titanium oxide), 스트론튬 티타늄 산화물(strontium titanium oxide), 이트륨 산화물(yttrium oxide), 알루미늄 산화물(Aluminum oxide), 납 스칸듐 탄탈륨 산화물(lead scandium tantalum oxide), 또는 납 아연 니오브산염(lead zinc niobate) 중에서 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 것과 같이, 계면막(146)이 생략되는 경우, 고유전율 절연막(145)은 상술한 고유전체 물질뿐만 아니라, 실리콘 산화막, 실리콘 산질화막 또는 실리콘 질화막 등을 포함할 수도 있다.
소오스/드레인(150)은 게이트 전극(130)의 양측에 형성될 수 있다. 소오스/드레인(150)은 핀형 패턴(110) 상에 형성될 수 있다. 소오스/드레인(150)은 핀형 패턴(110)의 상면 상에 형성된 에피층을 포함할 수 있다.
소오스/드레인(150)의 외주면은 다양한 형상일 수 있다. 예를 들어, 소오스/드레인(150)의 외주면은 다이아몬드 형상, 원 형상, 직사각형 형상, 팔각형 형상 중, 적어도 하나일 수 있다. 도 1에서는 예시적으로 다이아몬드 형상(또는 오각형 형상 또는 육각형 형상)을 도시하였다. 소오스/드레인(150)은 채널 영역으로 사용되는 와이어 패턴(120)과 직접 연결될 수 있다.
제1 층간 절연막(160)은 제2 방향(Y)으로 연장된 게이트 전극(130)의 양 측벽 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 층간 절연막(160)은 게이트 전극(130)의 양 측벽에 위치한 게이트 절연막(147)의 측면에 형성될 수 있다.
반도체 장치(1)가 PMOS 트랜지스터인 경우, 소오스/드레인(150)은 압축 스트레스 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 압축 스트레스 물질은 Si에 비해서 격자상수가 큰 물질일 수 있고, 예를 들어 SiGe일 수 있다. 압축 스트레스 물질은 와이어 패턴(120)에 압축 스트레스를 가하여 채널 영역의 캐리어의 이동도(mobility)를 향상시킬 수 있다.
반도체 장치(1)가 NMOS 트랜지스터인 경우, 소오스/드레인(150)은 인장 스트레스 물질을 포함할 수 있다. 소오스/드레인(150)은 기판(100)과 동일 물질 또는, 인장 스트레스 물질일 수 있다. 예를 들어, 기판(100)이 Si일 때, 소오스/드레인(150)은 Si이거나, Si보다 격자 상수가 작은 물질(예를 들어, SiC, SiP)일 수 있다.
제1 층간 절연막(160)은 소오스/드레인(150)의 측면에 형성될 수 있다. 제1 층간 절연막(160)은 소오스/드레인(150)을 둘러싸고 형성될 수 있다. 제1 층간 절연막(160)의 상면은 소오스/드레인(150)의 최상면과 같은 레벨일 수 있다. 소오스/드레인(150)의 상면은 수평 방향에 대해 일정한 기울기를 가질 수 있다. 따라서, 도시되었듯이, 소오스/드레인(150)의 상면의 일부만이 노출되고, 나머지는 제1 층간 절연막(160)에 의해 가려질 수 있다. 도시되었듯이, 소오스/드레인(150)의 노출된 상면은 모서리 형태일 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 층간 절연막(160)은 저유전율 물질, 산화막, 질화막 및 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 저유전율 물질은 예를 들어, FOX(Flowable Oxide), TOSZ(Tonen SilaZen), USG(Undoped Silica Glass), BSG(Borosilica Glass), PSG(PhosphoSilaca Glass), BPSG(BoroPhosphoSilica Glass), PETEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate), FSG(Fluoride Silicate Glass), HDP(High Density Plasma) oxide, PEOX(Plasma Enhanced Oxide), FCVD(Flowable CVD) oxide 또는 이들의 조합으로 이뤄질 수 있다.
게이트 스페이서(140)는 제2 방향(Y)으로 연장된 게이트 전극(130)의 양 측벽 상에 형성될 수 있다. 게이트 스페이서(140)는 게이트 전극(130)의 측벽의 일부와 오버랩될 수 있다. 구체적으로, 게이트 스페이서(140)는 소오스/드레인(150) 상에 형성될 수 있다. 즉, 게이트 스페이서(140)는 소오스/드레인(150)과 수직 방향으로 오버랩되지 않을 수 있다.
게이트 스페이서(140)는 제1 층간 절연막(160) 상에 형성될 수 있다. 게이트 스페이서(140)는 제1 층간 절연막(160) 및 소오스/드레인(150) 상에 형성될 수 있다. 게이트 스페이서(140)의 하면의 일부는 제1 층간 절연막(160)과 접하고, 나머지 일부는 소오스/드레인(150)과 접할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제1 층간 절연막(160) 및 소오스/드레인(150)의 최상면은 같은 레벨을 형성할 수 있다. 상기 레벨의 평면 상에 게이트 스페이서(140)가 형성될 수 있다.
게이트 스페이서(140)는 소오스/드레인(150)과 수평 방향으로 오버랩될 수 있다. 즉, 소오스/드레인(150)의 일부가 게이트 스페이서(140)와 수평 방향으로 오버랩될 수 있다. 상기 오버랩되는 소오스/드레인(150)의 일부분은 와이어 패턴(120)과 인접한 부분일 수 있다.
게이트 스페이서(140)의 상면은 평탄화 공정에 의해 게이트 전극(130)의 상면과 동일한 평면을 가질 수 있다.
게이트 스페이서(140)는 예를 들어, 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 산탄질화물(SiOCN) 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
컨택(170)은 소오스/드레인(150) 상에 형성될 수 있다. 컨택(170)은 소오스/드레인(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 컨택(170)은 제1 층간 절연막(160) 및 제2 층간 절연막(180)을 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 컨택(170)은 소오스/드레인(150)과 직접 접할 수 있다. 컨택(170)은 게이트 전극(130)을 중심으로 양 측면에 각각 형성될 수 있다.
컨택(170)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 컨택(170)은 예를 들어, 금속이나 폴리 실리콘을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도면에는 컨택(170)이 원기둥 형상으로 도시되었으나, 이는 하나의 예시에 불과하고 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치(1)는 기존의 반도체 장치와 달리 게이트 전극(130)과 소오스/드레인(150)을 서로 분리하는 스페이서를 포함하지 않는다. 따라서, 소오스/드레인(150)이 형성되는 면적 또는 부피가 넓어질 수 있다. 반도체 장치에 있어서, 장치의 사이즈 및 피치 사이즈가 점차 줄어드는 추세이다. 이에 따라 반도체 장치의 성능을 향상시키기 위한 집적화에 한계가 늘어나고 있다. 이에 따라, 소오스/드레인(150)의 면적이 클수록 컨택 마진이 늘어나서 반도체 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치(1)의 소오스/드레인(150)은 상대적으로 압축 또는 인장 스트레스가 커질 수 있다. 이에 따라, 채널 영역의 캐리어의 이동도(mobility)를 향상시킬 수 있다. 상기 이동도가 증가함에 따라 채널 영역의 저항이 줄어들 수 있고, 반도체 장치(1)의 성능도 향상될 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치에 대해서 설명한다. 설명의 편의성을 위해, 도 1 내지 도 4를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면이다.
참고적으로, 도 5는 도 1의 A - A를 따라서 절단한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치(2)는 절연 스페이서(190)를 더 포함한다.
절연 스페이서(190)는 와이어 패턴(120)의 양 종단에 배치될 수 있다. 각각의 절연 스페이서(190)는 와이어 패턴(120)이 관통하는 관통홀(140h)을 포함할 수 있다. 와이어 패턴(120)은 절연 스페이서(190)를 통과할 수 있다. 와이어 패턴(120)은 상기 관통홀(140h)을 통해 소오스/드레인(150)과 접할 수 있다. 절연 스페이서(190)는 와이어 패턴(120)의 종단의 둘레와 전체적으로 접촉할 수 있다.
트리밍(trimming) 공정 등을 통해, 게이트 전극(130)에 의해 둘러싸인 와이어 패턴(120)의 모서리 부분이 둥그렇게 되었을 경우, 절연 스페이서(190)와 접촉하는 와이어 패턴(120)의 종단의 단면과, 게이트 전극(130)에 의해 둘러싸인 와이어 패턴(120)의 단면을 서로 다를 수 있다.
절연 스페이서(190)는 예를 들어, 산화막을 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 절연 스페이서(190)는 소오스/드레인(150)과 게이트 전극(130)의 전기적인 절연을 수행할 수 있다.
다른 측면으로, 절연 스페이서(190)는 제1 부분(191)과 제2 부분(192)을 포함할 수 있다. 제1 부분(191)은 와이어 패턴(120)보다 위에 위치하는 부분일 수 있다. 제2 부분(192)은 와이어 패턴(120)보다 아래에 위치하는 부분일 수 있다. 제1 부분(191)과 제2 부분(192)은 각각 위와 아래에서 와이어 패턴(120)을 둘러쌀 수 있다. 제1 부분(191)과 제2 부분(192)은 서로 연결되면서 와이어 패턴(120)을 둘러쌀 수 있다. 즉, 제1 부분(191) 및 제2 부분(192)은 와이어 패턴(120)을 둘러싸면서 연결되므로, 서로 명확하게 구별되지 않을 수 있다.
절연 스페이서(190)는 게이트 스페이서(140)의 아래에 위치할 수 있다. 절연 스페이서(190)는 게이트 스페이서(140)와 수평 방향으로는 오버랩되지 않지만, 수직 방향으로는 오버랩될 수 있다. 절연 스페이서(190)는 수평 방향의 폭(W1)이 게이트 스페이서(140)의 수평 방향의 폭(W2)보다 좁을 수 있다. 즉, 절연 스페이서(190)는 게이트 스페이서(140)보다 더 얇을 수 있다. 예를 들어, 절연 스페이서(190)의 폭(W1)은 약 2nm 내지 3nm일 수 있다.
즉, 절연 스페이서(190)는 얇게 형성되어 게이트 전극(130)과 소오스/드레인(150)의 절연을 수행할 수 있다. 절연 스페이서(190)에 의해 반도체 장치(2)의 신뢰성은 향상될 수 있다. 또한, 소오스/드레인(150)의 면적은 두꺼운 스페이서가 형성될 때에 비해서 상대적으로 넓어질 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 장치에 대해서 설명한다. 설명의 편의성을 위해, 도 1 내지 도 5를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 장치(3)는 제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c)을 포함하고, 제3 실시예에 따른 반도체 장치(3)의 소오스/드레인(150)은 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)을 포함한다.
제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c)은 각각 제1 방향(X)으로 길게 연장될 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c)은 각각 제1 방향(X)으로 연장되는 장변과 제2 방향(Y)으로 연장되는 단변을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c)은 제2 방향(Y)으로 서로 이격될 수 있다. 제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c)은 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c)의 사이에는 필드 절연막(105)이 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c) 상에는 각각 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)이 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)은 게이트 전극(130)의 양측에 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)은 핀형 패턴(110) 상에 형성되므로 각각의 와이어 패턴과 연결될 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 장치(3)는 복수의 제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c)이 각각 하나의 게이트 전극(130)에 연결됨에 따라, 소오스/드레인(150)의 면적이 더 넓어질 수 있다. 또한, 이에 따라 채널 영역의 저항도 감소하여 반도체 장치(3)의 성능이 더욱 향상될 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 장치에 대해서 설명한다. 설명의 편의성을 위해, 도 1 내지 도 6을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 장치(4)는 서로 머지(merge)된 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c) 및 에어갭(155)을 더 포함한다.
제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)은 서로 머지될 수 있다. 구체적으로 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)은 서로 이격되지 않고 서로 접할 수 있다. 도면에서는, 5각형의 한 모서리가 서로 접하는 형상으로 도시되었지만, 이는 하나의 예시에 불과하고 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)이 서로 접함에 따라 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)의 사이에는 에어갭(155)이 형성될 수 있다. 즉, 에어갭(155)은 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c) 사이에 형성될 수 있다. 에어갭(155)은 사방이 막힌 빈 공간일 수 있다. 에어갭(155)의 측면은 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)이고, 바닥면은 필드 절연막(105)일 수 있다.
제1 층간 절연막(160)은 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)의 상면과 측면 상에 형성될 수 있다. 제1 층간 절연막(160)은 에어갭(155) 부분을 제외한 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)의 둘레를 감싸도록 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)은 다각형 형상일 수 있고, 이에 따라 도시된 것처럼, 상면에 오목한 홈 부를 형성될 수 있다. 이 때, 제1 층간 절연막(160)은 상기 홈 부를 채우도록 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)은 상기 제3 실시예에 따른 반도체 장치(3)와 같이 각각 하나의 와이어 패턴과 연결될 수 있다. 다만, 제3 실시예에서는 제1 내지 제3 소오스/드레인(150a~150c)이 각각 이격되어 있었으나, 본 실시예에서는 서로 머지되어 하나의 소오스/드레인을 이룰 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 장치(4)는 복수의 제1 내지 제3 핀형 패턴(110a~110c)이 서로 머지됨에 따라 소오스/드레인의 면적이 더욱 넓어질 수 있다. 이에 따라 컨택 마진을 최대한으로 확보할 수 있다. 또한, 이에 따라 채널 영역의 저항도 감소하여 반도체 장치(4)의 성능이 더욱 향상될 수 있다.
이하, 도 1, 도 8 내지 도 22를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에 대해 설명한다. 도 1, 도 8 내지 도 22를 통해서 제조되는 반도체 장치는 도 1 내지 도 4를 통해 설명한 반도체 장치(1)이다.
도 8 내지 도 22는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 참고적으로, 도 16 및 도 18은 도 15의 D - D를 따라서 절단한 단면도이고, 도 17 및 도 19는 도 15의 E - E를 따라서 절단한 단면도이다.
도 8을 참고하면, 기판(100) 상에, 제1 희생막(2001)과, 액티브막(2002)과, 제2 희생막(2003)을 순차적으로 형성한다.
제1 희생막(2001)과 제2 희생막(2003)은 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제1 희생막(2001)과 액티브막(2002)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에서, 제1 희생막(2001)과 제2 희생막(2003)은 동일한 물질을 포함하는 것으로 설명한다. 또한, 액티브막(2002)은 제1 희생막(2001)에 대한 식각 선택비를 갖는 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 기판(100)과 액티브막(2002)은 트랜지스터의 채널 영역으로 쓰일 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 즉, PMOS의 경우, 액티브막(2002)은 정공의 이동도가 높은 물질을 포함할 수 있고, NMOS의 경우, 액티브막(2002)은 전자의 이동도가 높은 물질을 포함할 수 있다.
제1 희생막(2001) 및 제2 희생막(2003)은 액티브막(2002)과 유사한 격자 상수 및 격자 구조를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 즉, 제1 희생막(2001) 및 제2 희생막(2003)은 반도체 물질일 수도 있고, 결정화된 금속 물질일 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치 제조 방법에서, 액티브막(2002)은 실리콘을 포함하고, 제1 희생막(2001) 및 제2 희생막(2003)은 각각 실리콘게르마늄을 포함하는 것으로 설명한다.
도 8에서, 액티브막(2002)은 하나인 것으로 도시하였지만, 설명의 편의를 위한 것을 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제1 희생막(2001)과 액티브막(2002)이 교대로 복수의 쌍을 이루고, 최상부 액티브막(2002) 상에 제2 희생막(2003)이 형성될 수 있다.
또한, 도 8에서, 제2 희생막(2003)이 적층막 구조의 최상부에 위치하는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 액티브막(2002)이 적층막 구조의 최상부에 위치할 수 있음은 물론이다.
이어서, 제2 희생막(2003) 상에 제1 마스크 패턴(2103)을 형성한다. 제1 마스크 패턴(2103)은 제1 방향(X)으로 길게 연장될 수 있다.
제1 마스크 패턴(2103)은 예를 들어, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화 질화막 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다.
도 9를 참고하면, 제1 마스크 패턴(2103)을 마스크로 하여, 식각 공정을 진행하여 핀형 구조체(110P)를 형성한다.
제2 희생막(2003)과, 액티브막(2002)과, 제1 희생막(2001)과, 기판(100)의 일부를 패터닝하여, 핀형 구조체(110P)가 형성될 수 있다.
핀형 구조체(110P)는 기판(100) 상에 형성되고, 기판(100)으로부터 돌출되어 있을 수 있다. 핀형 구조체(110P)는 제1 마스크 패턴(2103)과 같이, 제1 방향(X)을 따라 연장될 수 있다.
핀형 구조체(110P)는 기판(100) 상에 핀형 패턴(110)과, 제1 희생 패턴(121)과, 프리 와이어 패턴(122)과, 제2 희생 패턴(123)이 순차적으로 적층되어 있다.
도 10을 참고하면, 핀형 구조체(110P)의 측벽을 적어도 일부 덮는 필드 절연막(105)을 기판(100) 상에 형성할 수 있다.
구체적으로, 기판(100) 상에 핀형 구조체(110P)를 덮는 필드 절연막(105)을 형성한다. 필드 절연막(105)의 평탄화 공정을 통해, 핀형 구조체(110P)의 상면 및 필드 절연막(105)의 상면은 동일 평면 상에 놓일 수 있다.
평탄화 공정을 진행하면서, 제1 마스크 패턴(2103)은 제거될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 필드 절연막(105)의 상부를 리세스하여, 핀형 구조체(110P)의 일부를 노출시킨다. 리세스 공정은 선택적 식각 공정을 포함할 수 있다. 즉, 필드 절연막(105) 상으로 돌출되는 핀형 구조체(110P)가 형성될 수 있다.
도 10에서, 제2 희생 패턴(123)과, 프리 와이어 패턴(122)과 제1 희생 패턴(121)은 필드 절연막(105)의 상면 위로 돌출되고, 핀형 패턴(110)의 측벽은 전체적으로 필드 절연막(105)에 의해 둘러싸이는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 필드 절연막(105)의 상부 리세스 공정을 통해, 핀형 패턴(110)의 측벽의 일부가 필드 절연막(105)의 상면 위로 돌출될 수 있다.
핀형 구조체(110P)의 일부를 필드 절연막(105)의 상면보다 위로 돌출시키는 리세스 공정의 전 및/또는 후에, 프리 와이어 패턴(122)에 문턱 전압 조절용 도핑이 수행될 수 있다. 반도체 장치(1-4)가 NMOS 트랜지스터인 경우, 불순물은 붕소(B)일 수 있다. 반도체 장치(1-4)가 PMOS 트랜지스터인 경우, 불순물은 인(P) 또는 비소(As)일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 11을 참고하면, 제2 마스크 패턴(2104)를 이용하여 식각 공정을 진행하여, 핀형 구조체(110P)와 교차하여 제2 방향(Y)으로 연장되는 더미 게이트 패턴(135)을 형성할 수 있다. 더미 게이트 패턴(135)은 핀형 구조체(110P) 상에 형성될 수 있다.
더미 게이트 패턴(135)은 더미 게이트 절연막(136)과 더미 게이트 전극(137)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 더미 게이트 절연막(136)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있고, 더미 게이트 전극(137)은 비 실리콘 성장 물질을 포함할 수 있다. 상기 비 실리콘 성장 물질은 예를 들어, SiN 또는 옥사이드(Oxide) 중 어느 하나일 수 있다. 즉, 더미 게이트 전극(130)은 추후에 소오스/드레인을 성장시킬 때, 성장의 기초가 되지 않는 물질일 수 있다.
도 12를 참고하면, 더미 게이트 전극(137)을 마스크로 이용하여, 더미 게이트 전극(137)과 비오버랩되는 핀형 구조체(110P)를 제거한다. 이를 통해, 핀형 구조체(110P) 내에 리세스(150r)을 형성할 수 있다. 리세스(150r)의 바닥면은 핀형 패턴(110)일 수 있다.
핀형 구조체(110P) 내에 리세스(150r)을 형성되는 동안, 더미 게이트 전극(137)과 비오버랩되는 제1 희생 패턴(121) 및 제2 희생 패턴(123)은 제거될 수 있다. 또한, 핀형 구조체(110P) 내에 리세스(150r)을 형성하는 동안, 더미 게이트 전극(137)과 비오버랩되는 프리 와이어 패턴(122)이 제거됨으로써, 와이어 패턴(120)이 형성될 수 있다.
리세스(150r)에 의해, 제1 희생 패턴(121)의 단면, 제2 희생 패턴(123)의 단면 및 와이어 패턴(120)의 단면이 노출될 수 있다.
도 13을 참고하면, 리세스(150r)을 채우는 소오스/드레인(150)을 형성할 수 있다. 소오스/드레인(150)은 더미 게이트 패턴(135)의 양측에 형성될 수 있다.
소오스/드레인(150)은 노출된 핀형 패턴(110) 및 와이어 패턴(120)을 씨드층으로 하여 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 리세스(150r)에 의해 노출된 와이어 패턴(120)의 단면 및 핀형 패턴(110) 상에 씨드막이 더 형성될 수 있음은 물론이다.
소오스/드레인(150)은 더미 게이트 패턴(135)의 측면의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 소오스/드레인(150)은 더미 게이트 전극(130)과 접촉할 수 있다.
소오스/드레인(150)은 에피택셜 공정에 의해 형성될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(1-4)가 n형 트랜지스터인지, p형 트랜지스터인지에 따라, 소오스/드레인(150)에 포함되는 에피층의 물질이 달라질 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 에피택셜 공정시 불순물을 인시츄 도핑할 수도 있다.
도 14를 참고하면, 소오스/드레인(150) 및 더미 게이트 패턴(135) 등을 덮는 제1 층간 절연막(160)을 필드 절연막(105) 상에 형성할 수 있다.
제1 층간 절연막(160)은 저유전율 물질, 산화막, 질화막 및 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 저유전율 물질은 예를 들어, FOX(Flowable Oxide), TOSZ(Tonen SilaZen), USG(Undoped Silica Glass), BSG(Borosilica Glass), PSG(PhosphoSilaca Glass), BPSG(BoroPhosphoSilica Glass), PETEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate), FSG(Fluoride Silicate Glass), HDP(High Density Plasma) oxide, PEOX(Plasma Enhanced Oxide), FCVD(Flowable CVD) oxide 또는 이들의 조합으로 이뤄질 수 있다.
이어서, 더미 게이트 전극(137)의 상면이 노출될 때까지, 제1 층간 절연막(160)을 평탄화한다. 그 결과, 제2 마스크 패턴(2104)이 제거되고 더미 게이트 전극(137)의 상면이 노출될 수 있다.
도 15 내지 도 17을 참고하면, 더미 게이트 패턴(135) 즉, 더미 게이트 절연막(136) 및 더미 게이트 전극(137)을 제거할 수 있다.
더미 게이트 절연막(136) 및 더미 게이트 전극(137)의 제거함에 따라, 필드 절연막(105) 및 더미 게이트 패턴(135)과 오버랩된 핀형 구조체(110P)가 노출될 수 있다. 즉, 더미 게이트 패턴(135)과 오버랩되었던 제1 희생 패턴(121)과, 제2 희생 패턴(123)과, 와이어 패턴(120)이 노출될 수 있다.
도 18 및 도 19를 참고하면, 핀형 구조체(110P)의 제1 희생 패턴(121) 및 제2 희생 패턴(123)을 제거할 수 있다.
이를 통해, 와이어 패턴(120)과 핀형 패턴 사이에 공간이 형성될 수 있다. 또한, 핀형 패턴(110) 상에 와이어 패턴(120)이 형성될 수 있다.
와이어 패턴(120)의 상하에 위치하는 제1 희생 패턴(121) 및 제2 희생 패턴(123)을 제거하는 것은 예를 들어, 식각 공정을 이용할 수 있다. 즉, 제1 희생 패턴(121) 및 제2 희생 패턴(123)과, 와이어 패턴(120) 사이의 식각 선택비를 이용할 수 있다.
덧붙여, 제1 희생 패턴(121) 및 제2 희생 패턴(123)이 제거됨으로써, 소오스/드레인(150)의 내 측면이 노출될 수 있다.
도 20 및 도 2를 참고하면, 와이어 패턴(120)의 둘레 및 핀형 패턴(110)의 상면 상에 계면막(146)을 형성할 수 있다.
이어서, 소오스/드레인(150)의 측벽과, 와이어 패턴(120)의 둘레를 따라서 고유전율 절연막(145)을 형성할 수 있다. 고유전율 절연막(145)은 소오스/드레인(150)의 내벽과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 게이트 절연막(147)이 형성될 수 있다.
이어서, 와이어 패턴(120)을 감싸고, 제2 방향(Y)으로 연장되는 게이트 전극(130)을 형성할 수 있다. 게이트 전극(130)은 리플레이스먼트 금속 게이트 전극일 수 있다.
도 21을 참고하면, 제1 층간 절연막(160)의 일부를 제거할 수 있다. 이에 따라, 게이트 절연막(147)의 측면이 일부 노출될 수 있다. 제1 층간 절연막(160)의 일부가 제거됨에 따라 소오스/드레인(150)의 최상부가 노출될 수 있다. 도시되었듯이, 소오스/드레인(150)의 최상부는 모서리의 형태일 수도 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
도 22를 참고하면, 게이트 스페이서(140)를 형성한다. 게이트 스페이서(140)는 소오스/드레인(150) 및 제1 층간 절연막(160) 상에 형성될 수 있다. 게이트 스페이서(140)는 게이트 전극(130)의 양 측벽 상에 제2 방향(Y)으로 연장되게 형성될 수 있다.
게이트 스페이서(140)는 예를 들어, 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 산탄질화물(SiOCN) 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 제2 층간 절연막(180)을 형성한다. 제2 층간 절연막(180)은 제1 층간 절연막(160) 상에 형성될 수 있다. 제2 층간 절연막(180)은 저유전율 물질, 산화막, 질화막 및 산질화막 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 저유전율 물질은 예를 들어, FOX(Flowable Oxide), TOSZ(Tonen SilaZen), USG(Undoped Silica Glass), BSG(Borosilica Glass), PSG(PhosphoSilaca Glass), BPSG(BoroPhosphoSilica Glass), PETEOS(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate), FSG(Fluoride Silicate Glass), HDP(High Density Plasma) oxide, PEOX(Plasma Enhanced Oxide), FCVD(Flowable CVD) oxide 또는 이들의 조합으로 이뤄질 수 있다. 제2 층간 절연막(180)은 제1 층간 절연막(160)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
컨택(170)은 제1 층간 절연막(160) 및 제2 층간 절연막(180)을 관통할 수 있다. 컨택(170)은 소오스/드레인(150)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 컨택(170)은 소오스/드레인(150)과 직접적으로 접하게 형성될 수 있다. 컨택(170)은 게이트 전극(130)과는 전기적으로 연결되지 않을 수 있다.
도 23은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치를 포함하는 전자 시스템의 블록도이다.
도 23을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(1100)은 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120, I/O), 기억 장치(1130, memory device), 인터페이스(1140) 및 버스(1150, bus)를 포함할 수 있다. 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120), 기억 장치(1130) 및/또는 인터페이스(1140)는 버스(1150)를 통하여 서로 결합 될 수 있다. 버스(1150)는 데이터들이 이동되는 통로(path)에 해당한다.
컨트롤러(1110)는 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세스, 마이크로 컨트롤러, 및 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 입출력 장치(1120)는 키패드(keypad), 키보드 및 디스플레이 장치 등을 포함할 수 있다. 기억 장치(1130)는 데이터 및/또는 명령어 등을 저장할 수 있다. 인터페이스(1140)는 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하는 기능을 수행할 수 있다. 인터페이스(1140)는 유선 또는 무선 형태일 수 있다. 예컨대, 인터페이스(1140)는 안테나 또는 유무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다. 도시하지 않았지만, 전자 시스템(1100)은 컨트롤러(1110)의 동작을 향상시키기 위한 동작 메모리로서, 고속의 디램 및/또는 에스램 등을 더 포함할 수도 있다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치는 기억 장치(1130) 내에 제공되거나, 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120, I/O) 등의 일부로 제공될 수 있다.
전자 시스템(1100)은 개인 휴대용 정보 단말기(PDA, personal digital assistant) 포터블 컴퓨터(portable computer), 웹 타블렛(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 디지털 뮤직 플레이어(digital music player), 메모리 카드(memory card), 또는 정보를 무선환경에서 송신 및/또는 수신할 수 있는 모든 전자 제품에 적용될 수 있다.
도 24 및 도 25는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치를 적용할 수 있는 예시적인 반도체 시스템이다. 도 24는 태블릿 PC이고, 도 25는 노트북을 도시한 것이다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치 중 적어도 하나는 태블릿 PC, 노트북 등에 사용될 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치는 예시하지 않는 다른 집적 회로 장치에도 적용될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 105: 필드 절연막
110: 핀형 패턴 110P: 핀형 구조체
120: 와이어 패턴 130: 게이트 전극
140: 게이트 스페이서 140h: 관통홀

Claims (10)

  1. 기판 상에, 상기 기판과 이격되고, 제1 방향으로 연장되는 와이어 패턴;
    상기 와이어 패턴의 둘레를 감싸고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극의 제1 측에, 상기 와이어 패턴과 연결되는 소오스, 및 상기 게이트 전극의 제2 측에, 상기 와이어 패턴과 연결되는 드레인;
    상기 소오스/드레인 상에서 상기 게이트 전극의 제1 측벽 및 제2 측벽에 배치되는 게이트 스페이서; 및
    상기 소오스/드레인의 상면의 일부에 형성되는 절연막을 포함하되,
    상기 게이트 스페이서는 상기 절연막 상에 형성되는 반도체 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 게이트 전극 및 상기 소오스 사이에 형성되고 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 사이에 형성되는 게이트 절연막을 더 포함하는 반도체 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 게이트 절연막의 상면은 상기 게이트 전극의 상면과 동일 평면인 반도체 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 소오스/드레인은 상기 제1 방향으로 연장되고,
    상기 절연막은 상기 소오스/드레인 각각의 측면 상에 형성되고,
    상기 게이트 스페이서의 제1 부분은 상기 소오스/드레인과 오버랩되고, 상기 게이트 스페이서의 제2 부분은 상기 절연막과 오버랩되는 반도체 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 소오스/드레인 상에 형성되고 상기 게이트 전극과 이격된 컨택을 더 포함하는 반도체 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 게이트 스페이서의 하면은 상기 소오스/드레인의 상면과 직접적으로 접촉하는 반도체 장치.
  7. 기판으로부터 돌출되고, 제1 방향으로 연장되는 핀형 패턴;
    상기 기판 상에, 상기 핀형 패턴의 제1 및 제2 측을 감싸는 필드 절연막;
    상기 핀형 패턴 상에, 상기 핀형 패턴과 이격되고 상기 제1 방향으로 연장되는 와이어 패턴;
    상기 핀형 패턴과 상기 와이어 패턴 사이 및 상기 와이어 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극의 제1 측에, 상기 와이어 패턴과 연결되는 소오스;
    상기 게이트 전극의 제2 측에, 상기 와이어 패턴과 연결되는 드레인;
    상기 소오스/드레인 각각의 제1 및 제2 측에 형성되는 절연막;
    상기 소오스 및 상기 절연막 상에서 상기 게이트 전극의 제1 측벽에 배치되는 제1 게이트 스페이서; 및
    상기 드레인 및 상기 절연막 상에서 상기 게이트 전극의 제2 측벽에 배치되는 제2 게이트 스페이서를 포함하는 반도체 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 핀형 패턴 및 상기 와이어 패턴은 동일한 물질을 포함하는 반도체 장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 게이트 스페이서와 상기 게이트 전극 사이 및 상기 제2 게이트 스페이서와 상기 게이트 전극 사이에 배치된 게이트 절연막을 더 포함하는 반도체 장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 게이트 스페이서는 상기 와이어 패턴과 이격된 반도체 장치.
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