KR20170052199A - Optical plate, lighting device, and lighting module - Google Patents
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Abstract
Description
실시 예는 광학 플레이트에 관한 것이다.An embodiment relates to an optical plate.
실시 예는 광학 플레이트를 갖는 조명 소자 및 이를 구비한 광원 모듈에 관한 것이다.Embodiments relate to an illumination device having an optical plate and a light source module having the same.
발광소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART Light emitting devices, for example, light emitting diodes (LEDs) are a kind of semiconductor devices that convert electrical energy into light, and have been attracting attention as a next generation light source in place of conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 발생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor device, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten or a fluorescent lamp that generates ultraviolet rays generated by high-pressure discharge .
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode. The light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used in indoor and outdoor, lighting devices such as a liquid crystal display, have.
실시 예는 입사된 광을 반사 및 투과하는 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트를 제공한다. An embodiment provides an optical plate having a semi-transmissive mirror that reflects and transmits incident light.
실시 예는 발광 소자 상에 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트를 갖는 조명 소자를 제공한다. An embodiment provides an illumination element having an optical plate having a semi-transmissive mirror on a light-emitting element.
실시 예는 발광 소자 상에 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트 및 상기 광학 플레이트를 지지하는 지지 플레이트를 갖는 조명 소자를 제공한다.An embodiment provides an illumination device having an optical plate having a translucent mirror on a light emitting element and a support plate for supporting the optical plate.
실시 예는 발광 소자 상에 입사 광을 확산 및 파장 변환하는 광학 플레이트 및 이를 구비한 조명 소자를 제공한다. Embodiments provide an optical plate for diffusing and wavelength-converting incident light onto a light-emitting element and an illumination element having the optical plate.
실시 예에 따른 광학 플레이트는, 형광체층; 상기 형광체층 아래에 제1투명 필름; 상기 형광체층 위에 제2투명 필름; 상기 형광체층의 측면을 감싸며 상기 제1 및 제2투명 필름 사이에 배치된 반사체; 및 상기 제1투명 필름의 일부 영역에 배치되며 입사된 광을 반사 및 투과하는 반투과 미러를 포함하며, 상기 반투과 미러는 광원과 대면하게 배치되며, 상기 반투과 미러는 상기 형광체층의 하면 면적보다 작은 하면 면적을 갖는다.An optical plate according to an embodiment includes: a phosphor layer; A first transparent film below the phosphor layer; A second transparent film on the phosphor layer; A reflector disposed between the first and second transparent films to surround a side surface of the phosphor layer; And a semi-transmissive mirror disposed in a partial area of the first transparent film and reflecting and transmitting incident light, wherein the semi-transmissive mirror is disposed facing the light source, and the semi-transmissive mirror has a lower surface area Has a smaller bottom area.
실시 예에 따른 조명 소자는, 발광 칩을 갖는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 상기 발광 칩과 대면하는 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트를 포함하며, 상기 광학 플레이트는, 형광체층; 상기 형광체층 아래에 제1투명 필름; 및 상기 형광체층의 측면을 감싸는 반사체를 포함하며, 상기 반투과 미러는 상기 제1투명 필름의 일부 영역에 상기 발광 칩과 대면하게 배치되며, 입사된 광을 반사 및 투과하며, 상기 반투과 미러는 상기 발광 칩의 상면 면적보다 큰 하면 면적을 갖는다.An illumination device according to an embodiment includes: a light emitting element having a light emitting chip; And an optical plate having a transflective mirror facing the light emitting chip on the light emitting element, the optical plate comprising: a phosphor layer; A first transparent film below the phosphor layer; And a reflector surrounding a side surface of the phosphor layer, wherein the transflective mirror is disposed in a part of the first transparent film so as to face the light emitting chip, and reflects and transmits the incident light, And a bottom surface area larger than the top surface area of the light emitting chip.
실시 예에 따른 광원 모듈은 상기 광학 플레이트 또는 조명 소자를 포함한다.
The light source module according to the embodiment includes the optical plate or the illumination element.
실시 예는 광학 플레이트를 발광 칩으로부터 이격시켜 주어 형광체의 수명을 늘려줄 수 있다.The embodiment can increase the lifetime of the phosphor by allowing the optical plate to be spaced from the light emitting chip.
실시 예는 광학 플레이트의 영역 중에서 발광 칩으로부터 입사된 광량이 큰 영역에 반투과 미러(mirror)를 배치하여 핫 스팟(hot spot)을 방지할 수 있다. Embodiments can prevent a hot spot by disposing a semi-transmissive mirror in a region where a light amount incident from the light emitting chip is large in a region of the optical plate.
실시 예는 광학 플레이트에 의해 입사된 광을 파장 변환 및 확산시켜 줄 수 있다.The embodiment can wavelength-convert and diffuse the light incident by the optical plate.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 소자의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. Embodiments can improve the reliability of the light emitting device and the lighting device having the same.
실시 예는 조명 소자가 배열된 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the lighting apparatus in which the lighting elements are arranged.
도 1은 제1실시예에 따른 조명 소자의 사시도를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 조명 소자의 발광 소자의 일 예를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광 소자의 다른 측 단면도이다.
도 5는 도 1의 조명 소자의 광학 플레이트의 분해 사시도이다.
도 6은 도 1의 조명 소자의 광학 플레이트의 저면도이다.
도 7은 도 1의 조명 소자의 결합 사시도이다.
도 8은 도 7의 조명 소자의 A-A측 단면도이다.
도 9는 도 8의 조명 소자를 설명하는 도면이다.
도 10은 도 7의 조명 소자의 B-B측 단면도이다.
도 11은 도 8의 조명 소자에서의 광 추출 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 8의 조명 소자에서 광학 플레이트의 다른 예이다.
도 13은 도 8의 조명 소자에서 광학 플레이트의 또 다른 예이다.
도 14는 도 7의 조명 소자에 다른 발광 소자를 적용한 측 단면도이다.
도 15는 도 14의 조명 소자의 다른 측 단면도이다.
도 16은 도 14의 조명 소자의 광 추출 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 제2실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 사시도이다.
도 18은 도 17의 조명 소자에서 광학 및 지지 플레이트의 결합 평면도이다.
도 19는 도 18의 광학 및 플레이트 커버의 결합 측 단면도이다.
도 20은 도 18의 광학 및 플레이트 커버의 결합 측 단면도이다.
도 21은 도 17의 조명 소자의 결합 사시도이다.
도 22는 도 21의 조명 소자의 C-C측 단면도이다.
도 23은 도 21의 조명 소자의 D-D측 단면도이다.
도 24는 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제1 형상의 예를 나타낸 도면이다.
도 25는 도 24의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이다.
도 26의 (a)-(e)는 도 26의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 27는 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제2형상의 예를 나타낸 도면이다.
도 28은 도 27의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이다.
도 29는 (a)-(e)는 도 27의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 30은 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제3형상의 예를 나타낸 도면이다.
도 31은 도 30의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이다.
도 32의 (a)-(e)는 도 30의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 33의 (a)-(c)는 실시 예에 따른 광학 플레이트에서 반투과 미러의 크기에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 34는 도 8의 발광 소자를 적용한 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 35는 도 14의 발광 소자를 적용한 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 36의 (a)-(d)는 비교 예에서 반투과 미러가 없는 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 설명하기 위한 도면이다.
도 37는 제3실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 38은 제4실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 39는 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 40은 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 41은 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 조명장치를 나타낸 분해 사시도이다.1 is a perspective view of a lighting device according to a first embodiment.
2 is a plan view showing an example of a light emitting device of the illumination device of FIG.
3 is a side cross-sectional view of the light emitting device of Fig.
4 is another cross-sectional side view of the light emitting device of Fig.
Fig. 5 is an exploded perspective view of the optical plate of the illumination device of Fig. 1;
Fig. 6 is a bottom view of the optical plate of the illumination device of Fig. 1;
7 is an assembled perspective view of the illumination device of Fig.
8 is a cross-sectional view of the illumination device of Fig. 7 on the AA side.
Fig. 9 is a view for explaining the illuminating element of Fig. 8;
10 is a sectional view of the illumination device of Fig. 7 on the BB side.
11 is a view for explaining a light extraction path in the illumination device of Fig.
12 is another example of an optical plate in the illuminating element of Fig.
13 is another example of an optical plate in the illuminating element of Fig.
14 is a side cross-sectional view to which another light emitting element is applied to the illumination element of Fig.
15 is another cross-sectional side view of the illumination device of Fig.
FIG. 16 is a view for explaining the light extraction path of the illumination device of FIG. 14; FIG.
17 is a perspective view showing the illumination device according to the second embodiment.
FIG. 18 is a plan view showing the optical and support plates in the illumination device of FIG. 17; FIG.
Fig. 19 is a cross-sectional side view of the optical and plate cover of Fig. 18; Fig.
Fig. 20 is a cross-sectional side view of the optical and plate cover of Fig. 18; Fig.
21 is an assembled perspective view of the illumination device of Fig.
22 is a CC side sectional view of the illumination device of Fig.
23 is a DD side sectional view of the illumination device of Fig.
24 is a view showing an example of a first shape of a semi-transmissive mirror of an optical plate according to an embodiment.
25 is a graph showing the optical energy density according to the reflectance of the semi-transmission mirror in the optical plate of FIG.
26 (a) - (e) are diagrams showing the light energy distribution according to the reflectance of the semi-transmission mirror in the optical plate of Fig.
27 is a view showing an example of a second shape of a semi-transmission mirror of an optical plate according to the embodiment.
28 is a graph showing the optical energy density according to the reflectance of the transflective mirror in the optical plate of FIG.
Fig. 29 (a) - (e) are diagrams showing light energy distributions according to reflectance of a semi-transmissive mirror in the optical plate of Fig.
30 is a view showing an example of a third shape of the semi-transmissive mirror of the optical plate according to the embodiment.
31 is a graph showing the optical energy density according to the reflectance of the transflective mirror in the optical plate of FIG.
32 (a) - (e) are diagrams showing the light energy distribution according to the reflectance of the transflective mirror in the optical plate of Fig. 30.
FIGS. 33 (a) to 33 (c) are diagrams showing the light energy distribution according to the size of the transflective mirror in the optical plate according to the embodiment.
Fig. 34 is a diagram showing a light energy distribution in an optical plate to which the light emitting device of Fig. 8 is applied.
Fig. 35 is a diagram showing light energy distribution in an optical plate to which the light emitting device of Fig. 14 is applied.
Figs. 36 (a) to 36 (d) are diagrams for explaining light energy distribution in an optical plate having no semi-transmissive mirror in a comparative example.
37 is a side sectional view showing a lighting device according to the third embodiment.
38 is a side sectional view showing the illumination device according to the fourth embodiment.
39 is a perspective view showing a display device having an illumination device according to the embodiment.
40 is a perspective view showing a display device having an illumination device according to an embodiment.
41 is an exploded perspective view showing a lighting device having a lighting device according to the embodiment.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다. 이하, 실시예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both being formed" directly "or" indirectly " . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 조명 소자를 설명한다.Hereinafter, an illumination device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 제1실시예에 따른 조명 소자의 사시도를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 조명 소자의 발광 소자의 일 예를 나타낸 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광 소자의 측 단면도이고, 도 4는 도 2의 발광 소자의 다른 측 단면도이며, 도 5는 도 1의 조명 소자의 광학 플레이트의 분해 사시도이고, 도 6은 도 1의 조명 소자의 광학 플레이트의 저면도이며, 도 7은 도 1의 조명 소자의 결합 사시도이고, 도 8은 도 7의 조명 소자의 A-A측 단면도이고, 도 9는 도 8의 조명 소자를 설명하는 도면이며, 도 10은 도 7의 조명 소자의 B-B 측 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a lighting device according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view showing an example of a light emitting device of the lighting device of FIG. 1, FIG. 3 is a side sectional view of the light emitting device of FIG. FIG. 5 is an exploded perspective view of the optical plate of the illumination device of FIG. 1, FIG. 6 is a bottom view of the optical plate of the illumination device of FIG. 1, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the illumination device of FIG. 7, FIG. 9 is a view illustrating the illumination device of FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the BB of the illumination device of FIG. 7 .
도 1 내지 도 10을 참조하면, 조명 소자(101)는 광을 방출하는 발광 소자(100) 및 상기 발광 소자(100) 상에 배치되며 입사된 광을 확산 및 파장 변환하여 방출하는 광학 플레이트(300)를 포함한다.1 to 10, an
상기 발광 소자(100)는 자외선, 청색, 녹색, 적색의 광 중 적어도 하나를 발광할 수 있으며, 예컨대 자외선 또는 청색과 같은 단 파장의 광을 발광할 수 있다.The
상기 발광 소자(100)는 도 2 내지 도 4와 같이, 오목부(160)를 갖는 몸체(110), 상기 오목부(160) 내에 복수의 리드 프레임(121,131), 및 상기 오목부(160) 내에 적어도 하나의 발광 칩(171,172)을 포함한다.2 to 4, the
상기 몸체(110)는 절연 재질, 또는 전도성 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA), 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. 상기 몸체(110)로 사용되는 에폭시 또는 실리콘 재질 내에는 반사 효율을 높이기 위해 TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러(filler)가 첨가될 수 있다. 상기 몸체(110)는 세라믹 재질을 포함할 수 있다.The
상기 몸체(110)는 소정 깊이를 갖는 오목부(160)를 포함한다. 상기 오목부(160)는 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 오목한 컵 구조, 캐비티 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 오목부(160)의 측벽은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있으며, 2개 이상의 측벽이 경사를 가지고 형성될 수 있다.The
상기 몸체(110)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 오각형과 같은 다각형 구조로 형성되거나, 원형, 곡면을 갖는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 오목부(160)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다. The shape of the
상기 몸체(110)는 복수의 측면부 예컨대, 4개의 측면부(11,12,13,14)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면부(11,12,13,14) 중 적어도 하나는 상기 몸체(110)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)는 제1 내지 제4측면부(11,12,13,14)를 그 예로 설명하며, 제1측면부(11)와 제2측면부(12)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(13)와 상기 제4측면부(14)는 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면부(11) 및 제2측면부(12) 각각의 길이(Y1)는 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 너비(X1)와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면부(11)와 상기 제2측면부(12)의 길이(Y1)는 발광 소자(100)의 최대 길이(Y2)보다 짧을 수 있으며, 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 너비(X1)보다 길게 형성될 수 있다. The
상기 제1측면부(11) 또는 제2측면부(12)의 길이(Y1)는 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14) 사이의 간격 즉, 최대 간격일 수 있다. 이러한 상기 몸체(110)의 길이 방향은 너비 방향에 대해 직교하는 방향이 된다. The length Y1 of the first
상기 발광 소자(100)는 최대 길이(Y2)가 상기 너비(X1)에 비해 2배 이상 예컨대, 3배 이상 길게 배치하여, 복수의 발광 칩(171,172)을 상기 길이 방향으로 배열할 수 있다. The
상기 몸체(110)의 오목부(160)에는 복수의 리드 프레임(121,131)이 배치된다. 상기 복수의 리드 프레임(121,131)은 적어도 2개 또는 3개 이상의 금속 프레임을 포함하며, 예컨대 제1 및 제2리드 프레임(121,131)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 간극부(119)에 의해 분리될 수 있다. A plurality of
상기 오목부(160) 내에는 하나 또는 복수의 발광 칩(171,172)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(171,172)은 적어도 2개 또는 3개 이상의 LED 칩을 포함할 수 있으며, 예컨대 제1, 2발광 칩(171,172)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(171,172)은 상기 복수의 리드 프레임(121,131)과 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(171,172) 각각은 광원으로 정의될 수 있다.
One or a plurality of
상기 제1리드 프레임(121)은 상기 오목부(160)의 바닥(16)보다 낮은 깊이를 갖는 제1캐비티(125)를 포함할 수 있다. 상기 제1캐비티(125)는 상기 오목부(160)의 바닥(16)부터 상기 몸체(110)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. The
상기 제1캐비티(125)의 측벽 및 바닥은 상기 제1리드 프레임(121)에 의해 형성되며, 상기 제1캐비티(125)의 둘레 측벽은 상기 제1캐비티(125)의 바닥으로부터 경사지게 형성될 수 있다. 상기 제1캐비티(125)의 측벽 중에서 대향되는 두 측벽은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The sidewall and bottom of the
상기 제2리드 프레임(131)은 상기 오목부(160)의 바닥(16)보다 낮은 깊이를 갖는 오목한 제2캐비티(135)가 형성된다. 상기 제2캐비티(135)는 상기 제2리드 프레임(131)의 상면 또는 상기 오목부(160)의 바닥(16)으로부터 상기 몸체(110)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(135)의 바닥 및 측벽은 상기 제2리드 프레임(131)에 의해 형성되며, 상기 제2캐비티(135)의 측벽은 상기 제2캐비티(135)의 바닥으로부터 경사지게 형성될 수 있다. 상기 제2캐비티(135)의 측벽 중에서 대응되는 두 측벽은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The
상기 제1캐비티(125) 및 상기 제2캐비티(135)의 바닥 형상은 다각형 또는, 부분 곡면을 갖는 다각형 형상이거나, 원 또는 타원 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom shapes of the
상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(131)의 일부 하면은 상기 몸체(110)의 하부로 노출되며, 상기 몸체(110)의 하면과 동일 평면 또는 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(131)의 일부 하면은 상기 제1 및 제2캐비티(125,135)의 바닥의 반대측 면을 포함한다.
A lower surface of the
상기 제1리드 프레임(121)은 제1리드부(123)를 포함하며, 상기 제1리드부(123)는 상기 몸체(110)의 제3측면부(13)로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(131)은 제2리드부(133)를 포함하며, 상기 제2리드부(133)는 상기 몸체(110)의 제4측면부(14)로 돌출될 수 있다. 상기 제1리드부(123)는 하나 또는 복수개가 돌출될 수 있으며, 상기 제2리드부(133)는 하나 또는 복수개가 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드부(123,133)는 오목부162)를 기준으로 서로 반대측 방향으로 돌출될 수 있다.The
상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(131)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께는 0.15mm 이상 예컨대, 0.18mm~1.5mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께가 0.15mm 미만인 경우, 사출 성형에 어려움이 있다. 또한 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께가 1.5mm를 초과한 경우, 상기 발광 소자(100)의 두께(도 4의 t1)가 증가 및 사이즈가 증가될 수 있고, 재료비 상승의 원인이 될 수 있다. 또한 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께가 1.5mm 미만인 경우, 전기적인 특성 및 방열 특성이 저하될 수 있다. The
상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 전원을 공급하는 리드 프레임으로 기능하게 된다. 상기 오목부(160) 내에는 제1,2리드 프레임(121,131) 이외에 방열을 위한 금속 프레임 또는 상기 제1,2리드 프레임(121,131) 사이에 전기적으로 연결을 위한 중간 프레임이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The thicknesses of the first and second lead frames 121 and 131 may be the same, but the present invention is not limited thereto. The first and second lead frames 121 and 131 function as a lead frame for supplying power. In addition to the first and second lead frames 121 and 131, a metal frame for radiating heat or an intermediate frame for electrically connecting between the first and second lead frames 121 and 131 may be further disposed in the
상기 제1리드 프레임(121)의 제1캐비티(125) 내에는 제1발광 칩(171)이 배치되며, 예를 들어 상기 제1발광 칩(171)은 제1캐비티(125) 상에 접착제로 접착될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 제2리드 프레임(131)의 제2캐비티(135) 내에는 제2발광 칩(172)이 배치되며, 예를 들어 상기 제2발광 칩(72)은 제2캐비티(35) 상에 접착제로 접착될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 접착제는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제일 수 있다. 상기 절연성 접착제는 에폭시 또는 실리콘과 같은 재질을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 접착제는 솔더와 같은 본딩 재질을 포함할 수 있다. A first
상기 제1 및 제2발광 칩(171,172)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 자외선 LED 칩, 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩, 백색 LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 칩(171,172)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다. 상기 제1 및 제2발광 칩(171,172)은 칩 내의 두 전극이 서로 인접하게 배치된 수평형 칩 구조이거나, 서로 반대측에 배치된 수직형 칩으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first and second
도 2, 도 3 및 도 8을 참조하면, 상기 제1발광 칩(171)은 제1와이어(173)로 상기 오목부(160)의 바닥(16)에 배치된 제1리드 프레임(121)과 연결되며, 제2와이어(174)로 제2리드 프레임(131)과 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2발광 칩(172)은 제3와이어(175)로 상기 제1리드 프레임(121)과 연결될 수 있으며, 제4와이어(176)로 상기 오목부(160)의 바닥(16)에 배치된 제2리드 프레임(131)과 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 2, 3, and 8, the first
발광 소자(100)는 보호 소자를 포함할 수 있다. 상기 보호 소자는 상기 제1리드 프레임(121) 또는 상기 제2리드 프레임(131)의 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩(171,172)을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 소자는 제1발광 칩(171) 및 제2발광 칩(172)의 연결 회로에 병렬로 연결될 수 있다. 상기 보호 소자는 상기 몸체(110) 내부에 배치될 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다.The
상기 오목부(160), 제1캐비티(125) 및 상기 제2캐비티(135)에는 몰딩 부재(181)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(181)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The
상기 몰딩 부재(181)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The surface of the
상기 몰딩 부재(181)는 형광체가 없는 층일 수 있다. 상기 몰딩 부재(181)는 형광체 이외의 확산제 또는 산란제를 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재(181)가 형광체를 갖는 경우, 상기 형광체가 발광 칩(171,172)에 인접하게 배치되게 되며, 이로 인해 발광 칩(171,172)으로부터 발생된 열에 의해 상기 형광체가 열화되는 문제가 있다. 이러한 형광체의 열화는 색 온도나 색 좌표를 변화시켜 줄 수 있어, 발광 소자(100)의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. 실시 예는 발광 칩(171,172)으로부터 이격된 광학 플레이트(300) 내에 형광체를 제공할 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광 칩(171,172) 상의 몰딩 부재(181)는 제거될 수 있다.
The
상기 광학 플레이트(300)는 도 5 내지 도 10과 같이, 오픈 영역(342)을 갖는 틀 형상의 반사체(310), 상기 반사체(310) 내에 형광체층(340), 상기 반사체(310) 및 형광체층(340)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 배치된 투명 필름(320,330), 및 상기 형광체층(340) 아래에 광원과 마주하는 반투과 미러(351,353)를 포함한다. 5 to 10, the
상기 광학 플레이트(300)의 두께는 0.7mm 이상 예컨대, 0.7mm 내지 1.5mm 범위를 포함할 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)의 두께가 0.7mm 미만인 경우 형광체층(340)의 두께 확보가 어렵고 파장 변환 효율이 저하되는 문제가 있으며, 상기 1.5mm를 초과한 경우 조명 소자의 두께가 증가하게 되고, 투명 필름(320,330)의 두께 증가 시 광 손실이 발생될 수 있다. The thickness of the
상기 반사체(310)는 내부에 오픈 영역(342)을 포함하며, 외 형상이 원형 틀 또는 다각형 틀 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 원 형상 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 도 8 내지 도 10과 같이, 상기 발광 소자(100)의 오목부(160)의 형상과 대응되는 형상을 가지고, 상기 오목부(160)를 통해 출사된 광이 입사될 수 있다. 이러한 반사체(310)는 상기 형광체층(340)의 측면을 감싸게 형성될 수 있다. 상기 오픈 영역(342)의 하면 면적은 상기 몰딩 부재(160)의 상면 또는 광 출사면과 동일한 면적이거나 작은 면적일 수 있다.The
상기 반사체(310)는 유리 재질 예컨대, 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질은 투명한 유리 내에 백색 입자 또는/및 기포를 첨가하여 형성할 수 있다. 상기 반사체(310)의 반사율은 상기 투명 필름(320,330)의 반사율보다 높을 수 있다. The
상기 반사체(310)은 다른 예로서, 수지 재질을 포함하며, 상기 수지 재질은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 에폭시 또는 실리콘 재질을 포함할 수 있다. 상기 수지 재질 내에 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물 또는 백색 입자인 필러가 첨가될 수 있다. 상기 반사체(310)는 백색 수지로 이루어질 수 있다. 상기 반사체(310)은 세라믹 재질을 포함할 수 있다. As another example, the
상기 지지체(310)는 다른 예로서, 투광성 재질일 수 있으며, 예컨대 투명한 유리 재질이거나 투명한 수지 재질일 수 있다. 상기 지지체(310)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질일 수 있다. 상기 지지체(310)가 투광성 재질인 경우, 입사된 광을 측면을 통해 방출할 수 있어, 광의 지향 특성을 넓게 제공할 수 있다. As another example, the
다른 예로서, 상기 지지체(310)의 내측면 또는 내측면/하면에는 금속 재질의 반사층이 더 배치될 수 있으며, 이러한 반사층은 입사된 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 이때 상기 지지체(310)의 재질은 투광성 재질이거나 반사성 재질일 수 있다. As another example, a metal reflective layer may be disposed on the inner surface or the inner surface / lower surface of the
상기 지지체(310)의 내 측면 및 외 측면 중 적어도 하나는 수직하거나 경사진 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 지지체(310)는 길이 방향에서 내측면과 외측면 사이의 간격(W1)은 0.4mm 이상 예컨대, 0.45mm 내지 0.6mm 범위일 수 있으며, 이러한 범위보다 작은 경우 상기 지지체(310)의 강성 확보가 어렵고 상기 범위보다 큰 경우 재료 낭비가 초래될 수 있다. 상기 간격(W1)은 지지체(310)의 오픈 영역(342)의 외측 프레임의 너비일 수 있다. At least one of the inner surface and the outer surface of the
상기 지지체(310)는 너비 방향에서 내측면과 외측면 사이의 간격(W2)은 상기 간격(W1)과 같거나 작을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 간격(W2,W1)은 상기 발광 소자의 오목부 사이즈에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The distance W2 between the inner side surface and the outer side surface of the
상기 지지체(310)의 내측면 예컨대, 상기 형광체층(340)과 접촉되는 면은 상기 제1투명 필름(320)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 지지체(310)의 내 측면이 경사진 경우, 상기 형광체층(340)의 상면 너비 또는 상면 면적은 하면 너비 또는 하면 면적보다 클 수 있다. The inner surface of the
상기 형광체층(340)은 투명한 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질 내에 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 형광체층(340)은 상기 발광 칩(171,172)으로부터 방출된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(340)은 적색, 녹색, 황색, 청색 형광체 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
상기 형광체층(340)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 황색, 적색 양자점 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 포함할 수 있다. The
상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. 이러한 양자점의 경우 온도에 따른 발광 효율의 변화가 크게 되므로, 실시 예와 같이 발광 칩(171,172)으로부터 이격시켜 주어 발광 효율의 변화를 줄여줄 수 있다. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si,
상기 형광체층(340)의 아래 및 위 중 적어도 하나 또는 모두에 투명 필름(320,330)이 배치될 수 있다. 상기 투명 필름(320,330)은 상기 형광체층(340)의 아래에 배치되는 제1투명 필름(320) 및 상기 형광체층(340) 위에 배치되는 제2투명 필름(330)을 포함할 수 있다. 상기 투명 필름(320,330)은 형광체층(340)의 입사면 또는/및 출사면에 배치될 수 있다. 이러한 광학 플레이트(300)는 제1 및 제2투명 필름(320,330) 중 어느 하나는 제거될 수 있으며, 예컨대 제2투명 필름(330)은 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 유리, 또는 투명한 수지 필름을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 반사체(310) 상에 접착되어 상기 형광체층(340)을 보호하게 된다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181)의 굴절률과 동일하거나 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181)의 굴절률의 차이가 0.2 이하인 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181) 및 상기 형광체층(340)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.The first and second
상기 제1투명 필름(320)은 상기 반사체(310)의 하면 및 상기 형광체층(340)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제2투명 필름(330)은 상기 반사체(310)의 상면 및 상기 형광체층(340)의 상면에 접착될 수 있다. The first
상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 두께는 0.05mm 이상 예컨대, 0.08mm 내지 0.2mm 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(310,330)의 두께가 0.05mm 미만인 경우 핸들링(handling)이 어렵고 강성에 문제가 발생될 수 있으며, 상기 0.2mm를 초과한 경우 광학 플레이트(300)의 두께가 두꺼워지고 광 투과율이 저하될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 두께는 서로 동일한 두께이거나 서로 다른 두께일 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 두께가 서로 다른 경우, 상기 제1투명 필름(320)이 제2투명 필름(330)의 두께보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 이는 제1투명 필름(320)의 두께가 제2투명 필름(330)의 두께보다 두껍기 때문에 발광 소자(100)와 안정적으로 접착될 수 있다.The thickness of the first and second
상기 형광체층(340)은 상기 반사체(310)의 두께와 동일한 두께를 가질 수 있으며, 이 경우 상기 반사체(310)의 상면 및 하면의 일부 또는 전 영역에는 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)이 접촉될 수 있다. The first and second
상기 형광체층(340)은 상기 반사체(310)의 두께보다 얇은 두께일 수 있다. 이는 반사체(310)이 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 외측 둘레로 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 반투과 미러(351,353)는 반투과성 기능을 수행할 수 있는 금속 재질 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 재질을 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 투과율보다 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투과율 및 반사율의 합은 100%인 경우 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율은 50%를 초과할 수 있다. The transflective mirrors 351 and 353 may include a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) material capable of performing a semi-transmissive function. The transflective mirrors 351 and 353 may be formed of a material having a reflectance higher than that of the transmissivity. Here, when the sum of transmittance and reflectance is 100%, the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 may exceed 50%.
상기 반투과 미러(351,353)는 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 하면 즉, 광 입사면에는 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 반투과 미러(351,353)는 하프 미러(half mirror) 시트(sheet), 반투명 미러, 편광 시트 또는 반투명 확산 시트로 정의될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)은 상기 제1투명 필름(320) 아래에 스크린 인쇄로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The semi-transmission mirrors 351 and 353 may include a diffusion sheet. An undulation pattern may be formed on the lower surface of the transflective mirrors 351 and 353, that is, on the light incident surface, but the present invention is not limited thereto. These semi-transmissive mirrors 351 and 353 may be defined as a half mirror sheet, a semi-transparent mirror, a polarizing sheet, or a translucent diffusion sheet. The transflective mirrors 351 and 353 may be formed by screen printing under the first
상기 반투과 미러(351,353)는 상기 형광체층(340) 아래 예컨대, 제1투명 필름(320) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 상기 제1투명 필름(320)의 아래에 하나 또는 복수개가 배치될 수 있으며, 예컨대 복수개인 경우 상기 발광 칩(171,172)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 광원과 대면하게 예컨대, 상기 발광 칩(171,172)과 각각 대면하게 배치될 수 있다. The transflective mirrors 351 and 353 may be disposed under the first
상기 반투과 미러(351,353)는 상기 발광 소자(100)로부터 입사된 광을 반사 및 투과하게 된다. 상기 반투과 미러(351,353)는 상기 광학 플레이트(300)로 입사된 광원의 광량이 높은 최대인 영역에 배치되어, 입사된 광의 일부는 투과시키고 나머지는 반사시켜 줄 수 있다. The semi-transmission mirrors 351 and 353 reflect and transmit the light incident from the
이러한 광학 플레이트(300)는 발광 칩(171,172)의 광량이 가장 높은 영역에 반투과 미러(351,353)를 배치함으로써, 발광 칩(171,172)로부터 발생된 광에 의한 형광체나 양자점의 열화 문제를 줄여줄 수 있고, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 또한 형광체나 양자점에 의한 색 변환은 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 색 보정 지수가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 다른 예로서, 상기 반투과 미러(351,353)는 상기 몰딩 부재(181)의 상면에 상기 발광 칩(171,172)과 대면하게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. By disposing the transflective mirrors 351 and 353 in the regions where the light amounts of the
도 6과 같이, 상기 반투과 미러(351,353)는 복수개인 경우 제1방향(또는 길이 방향)으로 배열되며, 상기 반투과 미러(351,353) 각각은 제1방향의 길이(E4)가 제2방향의 너비(E5)보다 넓을 수 있다. 상기 복수의 반투과 미러(351,353)의 중심 간의 직선 거리(G3)는 상기 길이(E4)의 2배 이하로 배치될 수 있으며, 이러한 직선 거리(G3)는 도 8의 발광 칩(171,172)의 중심 간의 직선 거리와 동일할 수 있다. As shown in FIG. 6, the transflective mirrors 351 and 353 are arranged in a first direction (or a longitudinal direction) when a plurality of the transflective mirrors 351 and 353 are arranged, and each of the transflective mirrors 351 and 353 has a length E4 in the first direction, Width (E5). The linear distance G3 between the centers of the plurality of
실시 예에 따른 광학 플레이트(300)는 발광 소자(100)의 두께(도 4의 t1)보다 얇은 두께로 제공되어, 발광 소자(100) 상의 조명 플레이트 또는 형광 플레이트로 기능할 수 있다.
The
상기 광학 플레이트(300)는 발광 소자(100) 상에 도 7 내지 도 10과 같이 결합될 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)는 상기 발광 소자(100)의 몸체(110)의 상면에 부착될 수 있다. 도 9와 같이, 상기 광학 플레이트(300)의 제1방향의 길이(D2)는 상기 발광 소자(100)의 제1방향의 최대 길이(Y2)보다 짧을 수 있으며, 몸체(110)의 길이(Y1)와 같거나 짧게 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)의 길이(Y1)는 몸체(110)의 하부 길이일 수 있으며 최대의 길이일 수 있다. 이러한 광학 플레이트(300)는 상기 발광 소자(100)의 몸체 상면(15)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 광학 플레이트(300)의 하면 면적은 상기 몸체(110)의 상면 면적과 동일하거나 다를 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)의 하면 길이는 상기 몸체(110)의 상면 길이와 동일하거나 다를 수 있다. 상기 형광체층(310)의 길이는 상기 몸체(110)의 상면 길이보다 짧을 수 있다. The
도 10과 같이, 또한 상기 광학 플레이트(300)의 제2방향의 너비(D3)는 상기 발광 소자(100)의 제2방향의 너비(X4)보다 좁게 배치되어, 상기 발광 소자(100)의 몸체 상면(15)에 안착될 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)의 반사체(310)는 상기 몸체(110)의 상면(15)과 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 상기 제1투명 필름(320)은 상기 몸체(110)의 상면에 배치될 수 있으며, 예컨대 상기 제1투명 필름(320)의 하면 외측 둘레는 상기 몸체(110)의 상면에 접착제로 접착될 수 있다. 상기 반사체(310) 및 상기 제1투명 필름(320) 중 적어도 하나는 상기 몸체(110)의 상면과 접착제로 접착될 수 있다. The width D3 of the
이러한 광학 플레이트(300)의 하면과 상기 몸체의 상면(15)과의 접착 면적을 극대화하여 상기 광학 플레이트(300)의 유동을 줄여줄 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)의 외측 하면은 상기 몸체(110)의 상면에 접착체로 접착될 수 있다. The area of adhesion between the lower surface of the
도 8 및 도 9와 같이, 상기 광학 플레이트(300)는 상기 발광 소자(100)의 오목부(160)와 대응되는 영역에 상기 형광체층(340)이 배치되며, 상기 발광 칩(171,172)과 대면하는 영역에 상기 반투과 미러(351,353)가 배치될 수 있다. 8 and 9, the
상기 반투과 미러(351,353)는 상기 발광 칩(171,172)과 제1투명 필름(320) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 상기 몰딩 부재(181)와 상기 제1투명 필름(320) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(181)는 상기 제1투명 필름(320) 아래에 배치될 수 있다. The transflective mirrors 351 and 353 may be disposed between the
상기 반투과 미러(351,353)는 상기 발광 소자(100)의 몰딩 부재(181)에 접촉될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 하면은 상기 몰딩 부재(181)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 하면은 상기 몰딩 부재(181)의 상면보다 상기 발광 칩(171,172)에 더 가깝게 배치될 수 있다. The
상기 몰딩 부재(181)는 상기 반투과 미러(351,353)과 상기 제1투명 필름(320)의 하면에 접촉될 수 있다. The
도 9 및 도 10과 같이, 상기 형광체층(340)의 제1방향의 길이(D1)는 상기 오목부(160)의 제1방향의 길이(Y3)와 동일하거나 작을 수 있다. 상기 형광체층(340)의 제2방향의 너비(D4)는 상기 오목부(160)의 제2방향의 너비(X2)와 동일하거나 작을 수 있다. 상기 형광체층(340)의 제1방향의 길이(D1)는 제2방향의 너비(D4)보다 클수 있다. 상기 형광체층(340)은 상기 오목부(160)와 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 이에 따라 상기 형광체층(340)은 상기 발광 소자(100)의 오목부(160)를 통해 방출되는 광을 효과적으로 파장 변환할 수 있다.9 and 10, the length D1 of the
상기 반투과 미러(351,353)의 길이(E4)는 상기 발광 칩(171,172)의 길이(E1) 보다 길고 상기 캐비티(125,135)의 바닥 너비(B1)보다 좁게 배치될 수 있다. 상기 길이(E4)는 길이(B1)의 1배 이상 예컨대, 1배 내지 2배 범위이며, 상기 길이(E4)가 상기 범위보다 작은 경우 반투과 미러(351,353)에 의한 광 확산 효과가 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 인접한 발광 칩(171,172)로부터 방출된 광 간의 간섭이 발생될 수 있다. The length E4 of the transflective mirrors 351 and 353 may be longer than the length E1 of the
상기 반투과 미러(351,353)의 너비(E5)는 상기 발광 칩(171,172)의 너비(E2)보다 크고 상기 캐비티(125,135)의 바닥 너비(B2)보다 좁게 배치될 수 있다. 상기 너비(E5)는 너비(B2)의 1배 이상 예컨대, 1배 내지 2배 범위이며, 상기 너비(E5)가 상기 범위보다 작은 경우 반투과 미러(351,353)에 의한 광 확산 효과가 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 확산된 광의 분포가 균일하지 못하며, 또한 오목부(160)의 너비(E4)와의 너비 차이가 크지 않게 되는 문제가 있다. The width E5 of the transflective mirrors 351 and 353 may be greater than the width E2 of the
상기 반투과 미러(351,353)의 너비(E5)는 상기 오목부(160)의 너비(X2)의 0.65배 이하 예컨대, 0.34배 내지 0.62배 범위일 수 있다. 이러한 너비(E5)가 상기 범위보다 작은 경우 광 확산 효과가 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 광 확산 분포가 균일하지 않는 문제가 있다. The width E5 of the transflective mirrors 351 and 353 may be 0.65 or less, for example, 0.34 to 0.62 times the width X2 of the
상기 반투과 미러(351,353)는 길이(E4)가 너비(E5)보다 길게 되며, 상기 반투과 미러(351,353)의 길이(E4) 대 너비(E5)의 비율은 1:0.5 내지 2:1.4 범위로 형성될 수 있다. 상기 길이(E4) 및 너비(E5)의 비율은 발광 칩(171,172)의 길이(B1) 및 너비(B2)의 비율과 동일할 수 있다.
The length E4 of the transflective mirrors 351 and 353 is longer than the width E5 and the ratio of the length E4 to the width E5 of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of 1: 0.5 to 2: 1.4 . The ratio of the length E4 and the width E5 may be the same as the ratio of the length B1 and the width B2 of the
상기 반투과 미러(351,353)는 하면 면적이 상기 발광 칩(171,172)의 상면 면적보다 크게 상기 발광 칩(171,172) 상에 배치될 수 있어, 상기 발광 칩(171,172)으로부터 조사되는 광을 투과 또는 반사시켜 주게 되며, 상기 반사된 광은 상기 리드 프레임(121,131)에 의해 반사되어 상기 광학 플레이트(300)로 재 입사될 수 있다. 여기서, 상기 반투과 미러(351,353)의 길이(E4)가 상기 캐비티(125,135)의 바닥 너비(B1)보다 좁기 때문에, 상기 반투과 미러(351,353)로부터 반사된 광은 도 11과 같이 상기 리드 프레임(121,131)의 표면이나 상기 캐비티(125,135)의 영역으로 입사되며, 이러한 캐비티(125,135)로 입사된 광은 상기 캐비티(125,135)의 바닥 면 및 경사진 측면에 의해 다른 방향으로 반사될 수 있다.
The semi-transmissive mirrors 351 and 353 can be disposed on the
상기 반투과 미러(351,353)의 하면 면적은 상기 발광 칩(171,172)의 상면 면적보다 넓게 배치될 수 있다. 즉, 제1반투과 미러(351,353)는 상기 제1발광 칩(171) 상에 상기 제1발광 칩(171)의 면적보다 큰 면적으로 배치될 수 있으며, 제2반투과 미러(351,353)는 상기 제2발광 칩(172) 상에 상기 제2발광 칩(172)의 면적보다 큰 면적으로 배치될 수 있다.
The bottom surface area of the transflective mirrors 351 and 353 may be larger than the top surface area of the
또한 상기 반투과 미러(351,353)와 상기 발광 칩(171,172) 간의 간격(G1)은 1mm 이하 예컨대, 0.2mm 내지 1mm 범위일 수 있다. 상기 발광 칩(171,172)과 상기 반투과 미러(351,353) 간의 간격(G1)이 상기 범위보다 작은 경우 몸체(110)의 두께가 얇아져 강성 확보가 어렵고 형광체 열화 문제가 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 발광 소자(100)의 두께(t1)가 두꺼워지는 문제가 존재할 수 있고 반투과 미러(351,353)에 의한 광 확산 효과가 미미할 수 있다. The distance G1 between the
실시 예에 따른 반투과 미러(351,353)는 각 발광 칩(171,172) 상에 대면하게 배치되어, 상기 각 발광 칩(171,172)으로부터 방출되는 광을 분산시켜 주어 제1투명 필름(320)을 통해 분산된 광이 형광체층(340)에 입사되도록 할 수 있다. 이에 따라 조명 소자(101) 상으로 조사된 광이 균일한 분포를 가질 수 있다. The transflective mirrors 351 and 353 according to the embodiment are disposed on the respective
실시 예에 따른 광학 플레이트(300)는 상기 반투과 미러(351,353)에 의해 발광 칩(171,172)로부터 조사된 광을 투과 및 반사시켜 주고, 상기 반사된 광은 발광 소자(100) 내에서 반사되어 상기 반투과 미러(351,353)의 주변 영역으로 투과될 수 있다.
The
도 12는 광학 플레이트의 반투과 미러의 다른 예이다.12 is another example of a semi-transmission mirror of the optical plate.
도 12와 같이, 반투과 미러(351,353)는 광학 플레이트(300)의 하면이 아닌 제1투명 필름(320)과 형광체층(340) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 제1투명 필름(320)을 통해 입사된 광의 일부를 투과시키고 일부는 반사시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광 칩(171,172) 상에서 집광되는 광 에너지 분포를 분산시켜 줄 수 있다.
12, the transflective mirrors 351 and 353 may be disposed between the first
도 13은 광학 플레이트의 반투과 미러의 다른 예이다.13 is another example of the semi-transmission mirror of the optical plate.
도 13과 같이, 반투과 미러(352,354)는 하면이 곡면을 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(352,354)의 하면이 상기 발광 칩(171,172) 방향으로 볼록한 곡면으로 형성될 수 있다. 이에 따라 반투과 미러(351,354)는 발광 칩(171,172)으로부터 입사된 광 중에서 센터 영역으로 입사된 광의 일부는 투과시키고 센터 영역 주변으로 입사된 광의 반사를 증가시켜 줄 수 있다. 이러한 반투과 미러(352,354)에 의해 발광 칩(171,172) 상의 에너지 밀도 분포를 분산시켜 줄 수 있다.
As shown in Fig. 13, the semi-transmissive mirrors 352 and 354 may include curved surfaces on the lower surface. The lower surfaces of the transflective mirrors 352 and 354 may be formed into a convex curved surface in the direction of the
도 14 및 도 15는 실시 예에 따른 조명 소자의 발광 소자를 변형한 예이다.14 and 15 show an example in which the light emitting element of the illumination element according to the embodiment is modified.
도 14 및 도 15를 참조하면, 조명 소자는 발광 소자(100A) 및 상기 발광 소자(100A) 상에 광학 플레이트(300)를 포함한다.14 and 15, an illumination device includes a
상기 발광 소자(100A)는 오목부(160)를 갖는 몸체(110A), 상기 오목부(160) 내에 복수의 리드 프레임(122,132), 상기 오목부(160) 내에 복수의 발광 칩(171,172)을 포함한다.The
상기 복수의 리드 프레임(122,132) 중 적어도 하나 또는 모두는 상면이 수평한 면으로 형성될 수 있다. 즉, 도 8과 같은 각 리드 프레임(121,131)에 캐비티를 형성하지 않고, 플랫한 리드 프레임을 제공할 수 있다.
At least one or both of the plurality of
상기 복수의 리드 프레임(122,132)은 제1리드 프레임(122) 및 상기 제1리드 프레임(122)로부터 이격된 제2리드 프레임(132)을 포함한다.The plurality of
상기 제1리드 프레임(122)의 상면 너비는 하면 너비보다 넓을 수 있고, 그 상면 면적은 하면 면적보다 넓을 수 있다. 상기 제2리드 프레임(132)의 상면 너비는 하면 너비보다 넓을 수 있고, 그 상면 면적은 하면 면적보다 넓을 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2리드 프레임(122,132)의 표면적이 증가될 수 있어, 몸체(110a)와의 접착력이 개선될 수 있고, 방열 효율이 증가될 수 있다.The top surface width of the
상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132)은 서로 마주하는 영역에 단차 구조(22,32)를 가질 수 있다. 상기 단차 구조(22,32)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132) 사이에 배치된 간극부(119)와의 접착 면적이 증가될 수 있다. The first and second lead frames 122 and 132 may have stepped
상기 간극부(119)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132) 사이의 영역에 배치되거나, 일부가 상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 간극부(119)는 상기 몸체(110A)와 동일한 재질이거나 다른 절연 재질일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132)은 홀(23,33)을 포함하며 상기 홀(22,33)에는 몸체(110A)의 일부(116,117)가 결합될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(122)의 홀(23)은 하나 또는 복수개가 상기 몸체(110A)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(132)의 홀(33)은 하나 또는 복수개가 상기 몸체(110A)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 홀(23,33) 각각은 하부의 너비가 상부의 너비보다 더 크게 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 이에 따라 몸체(110A)와 리드 프레임(122,132)의 홀(23,33)과의 접착력은 증가될 수 있어, 습기 침투를 방지할 수 있다.
The first and second lead frames 122 and 132 include
도 16과 같이, 광학 플레이트(300)의 반투과 미러(351,353)는 상기 발광 칩(171,172)으로부터 입사된 광을 반사 또는 투과하게 되며, 상기 반사된 광은 플랫한 리드 프레임(122,132) 상에서 반사되어 상기 광학 플레이트(300)로 재 입사될 수 있다.
As shown in FIG. 16, the transflective mirrors 351 and 353 of the
도 17은 제2실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 도면이며, 도 18은 도 17의 조명 소자에서 광학 및 플레이트 커버의 결합 평면도이고, 도 19는 도 18의 광학 및 플레이트 커버의 결합 측 단면도이고, 도 20은 도 18의 광학 및 플레이트 커버의 결합 측 단면도이며, 도 21은 도 17의 조명 소자의 결합 사시도이고, 도 22는 도 21의 조명 소자의 측 단면도이며, 도 23은 도 21의 조명 소자의 다른 측 단면도이다.FIG. 17 is a view showing a lighting device according to a second embodiment, FIG. 18 is an assembled plan view of the optical and plate cover in the illumination device of FIG. 17, FIG. 19 is an assembled side view of the optical and plate cover of FIG. 18, 21 is an assembled perspective view of the illumination device of Fig. 17, Fig. 22 is a side cross-sectional view of the illumination device of Fig. 21, and Fig. 23 is a cross- Fig.
도 17 내지 도 23을 참조하면, 조명 소자는 발광 소자(100), 상기 발광 소자(100) 상에 광학 플레이트(300), 상기 광학 플레이트(300) 상에 플레이트 커버(360)를 포함한다. 상기 발광 소자(100) 및 광학 플레이트(300)는 상기에 개시된 설명을 참조하기로 하며, 동일 구성의 중복 설명은 생략하기로 한다.17 to 23, the illumination device includes a
상기 플레이트 커버(360)는 개구부(365)를 갖고 측면 커버부(361) 및 탑 커버(362)를 포함한다. 상기 측면 커버부(361)는 상기 광학 플레이트(300)의 측면 외측에 배치되며, 상기 탑 커버(363)는 상기 광학 플레이트(300)의 상면 둘레에 배치될 수 있다.The
상기 플레이트 커버(360)은 금속 또는 비금속 재질일 수 있다. 상기 플레이트 커버(360)은 금속인 경우, 예컨대, 철(Fe), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 은(Ag)와 같은 금속 재질이거나 합금일 수 있다. 상기 플레이트 커버(360)은 비금속인 경우 플라스틱 재질일 수 잇다. 상기 플레이트 커버(360)은 반사율이 높은 재질일 수 있다. The
도 18 및 도 19와 같이, 상기 플레이트 커버(360)는 길이(D5)는 너비(D6)의 2배 이상 예컨대, 3배 이상일 수 있다. 이러한 플레이트 커버(360)의 길이(D5) 및 너비(D6) 간의 비율은 도 9 및 도 10에 도시된 몸체(110)의 길이(Y1) 및 너비(X4)의 비율에 따라 달라질 수 있다. As shown in FIGS. 18 and 19, the length D5 of the
도 19와 같이, 상기 플레이트 커버(360)의 높이는 상기 광학 플레이트(300)의 두께보다 크게 배치될 수 있으며, 상기 광학 플레이트(300)의 상면부터 상기 발광 소자(100)의 상부 외측 둘레까지 연장될 수 있다. 이러한 플레이트 커버(360)는 상기 광학 플레이트(300)의 제1 및 제2투명 필름(320,330) 중 적어도 하나 또는 모두의 측면을 통해 진행하는 광의 누설을 방지할 수 있다.19, the height of the
상기 플레이트 커버(360)의 양 측면 커버부(361) 간의 최대 간격(D7)는 광학 플레이트(300)의 길이(D2)보다 길게 배치될 수 있고, 최소 간격은 상기 광학 플레이트(300)의 너비(D3)와 동일하거나 넓게 배치될 수 있다. The maximum distance D7 between the both
이러한 플레이트 커버(360)는 도 14 및 도 15의 발광 소자(100) 및 광학 플레이트(300) 상에 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 플레이트 커버(360)의 내부로 상기 광학 플레이트(300)가 삽입될 수 있다. The
상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)는 상기 광학 플레이트(300)의 하면보다 소정 길이(P1)로 돌출될 수 있다. 이는 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 광학 플레이트(300)의 외측부터 상기 발광 소자(100)의 외측 상부까지 연장되어, 상기 제1투명 필름(320)의 측면을 통해 누설되는 광을 차단할 수 있다. The
여기서, 도 17과 같이, 상기 발광 소자(100)의 몸체(110)의 측면부(11,12,13,14) 상에는 상기 플레이트 커버(360)가 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)는 측면부(11,12,13,14) 중 적어도 1개 또는 2개, 또는 4개의 측면부에 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 삽입되는 단차 구조를 제공할 수 있다. 예컨대, 몸체(110)의 제1 및 제2측면부(11,12)의 외측에 단차 구조(42,43)를 포함할 수 있으며, 상기 단차 구조(42,43)는 몸체(110)의 제1 및 제2측면부(11,12) 상에 상면(15)으로부터 단차지게 형성될 수 있다. 이러한 단차 구조(42,43)에는 도 23과 같이 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 연장될 수 있다. 이에 따라 상기 플레이트 커버(360)는 측면 커버부(361)가 상기 몸체(110)의 양 측면부(11-14)까지 연장되고, 단차 구조(42,43)에 밀착될 수 있다. 상기 단차 구조(42,43)의 깊이(P2)는 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 상기 광학 플레이트(300)의 하면보다 돌출된 길이(P1)보다 더 깊게 형성되어, 상기 측면 커버부(361)가 안정적으로 삽입될 수 있다. 또한 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 상기 제1투명 필름(32)을 통해 진행하는 광의 누설을 차단할 수 있다.17, the
상기 플레이트 커버(360)는 상기 광학 플레이트(300)를 상기 발광 소자(100) 상에 밀착시켜 줄 수 있고, 상기 광학 플레이트(300)의 유동을 방지할 수 있다. 또한 상기 플레이트 커버(360)는 금속 재질로 형성될 수 있어, 상기 발광 소자(100) 및 광학 플레이트(300)로부터 발생된 열을 방열할 수 있다. The
상기 플레이트 커버(360)의 개구부(365)는 상기 형광체층(340)의 상면면적보다 큰 면적으로 배치되므로, 상기 형광체층(340)으로부터 방출된 광에 간섭을 주지 않을 수 있다. 상기 플레이트 커버(360)의 개구부(365)는 상기 발광 소자(100)의 오목부(160)과 대면할 수 있다. Since the
상기 플레이트 커버(360)의 탑 커버부(362)는 상기 개구부(365)의 길이 방향의 양측에 배치될 수 있다. 상기 플레이트 커버(360)의 탑 커버부(362)는 상기 발광 소자(100)의 몸체(110)의 상면과 대면할 수 있다. 다른 예로서, 상기 플레이트 커버(360)의 탑 커버부(362)는 상기 개구부(365)의 너비 방향의 양측에 배치되거나, 상기 개구부(365)의 둘레에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.상기 탑 커버부(362)는 내측 코너에 복수의 리세스(363)를 구비할 수 있으며, 상기 리세스(363)는 플레이트 커버(360)의 탑 커버부(362)의 강성을 강화시켜 줄 수 있다.
The
도 24는 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제1 형상의 예를 나타낸 도면이며, 도 25는 도 24의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이고, 도 26의 (a)-(e)는 도 26의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.24 is a diagram showing an example of a first shape of a semi-transmissive mirror of an optical plate according to an embodiment, FIG. 25 is a graph showing a light energy density according to a reflectance of a semi-transmissive mirror in the optical plate of FIG. 24, (A) to (e) show the light energy distribution according to the reflectance of the semi-transmission mirror in the optical plate of Fig.
도 24 내지 도 26을 참조하면, 반투과 미러(351,353)의 형상이 타원 형상인 경우, 길이(E4)가 너비(E5)보다 길수 있다. 즉, 최대 길이(E4)가 최대 너비(E5)보다 길 수 있다. 상기 길이(E4)와 너비(E5)의 비는 1.5: 1일 수 있으며, 예컨대 길이(E4)는 1.5mm±0.3mm이고, 상기 너비(E5)는 1mm±0.2mm 일 수 있다. 이때의 반투과 미러(351,353)의 중심 간의 직선 거리(G3)는 상기 길이(E4)의 2배 미만이고 상기 너비(E5)의 2배 초과일 수 있다.Referring to FIGS. 24 to 26, when the shape of the transflective mirrors 351 and 353 is elliptical, the length E4 may be longer than the width E5. That is, the maximum length E4 may be longer than the maximum width E5. The ratio of the length E4 to the width E5 may be 1.5: 1, for example, the length E4 may be 1.5 mm ± 0.3 mm and the width E5 may be 1 mm ± 0.2 mm. The linear distance G3 between the centers of the transflective mirrors 351 and 353 may be less than twice the length E4 and more than twice the width E5.
이 경우 도 25와 같이, 제1투명 필름(320)에서의 광 에너지 밀도를 보면, 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 60% 내지 80% 범위일 때 광 에너지 밀도가 반사율이 50%인 경우에 비해 낮게 나타남을 알 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%인 경우, 광 에너지 밀도가 최소가 될 수 있다.25, when the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of 60% to 80%, the optical energy density of the first
도 26는 제1투명 필름(320)에서의 반투과 미러(351,353)의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 것으로, 반투과 미러(351,353)의 반사율이 (a)는 50%인 경우이며, (b)는 반사율이 60%인 경우이며, (c)는 65%인 경우이며, (d)는 70%인 경우이며, (e)는 80%인 경우이다. 이러한 (a)-(e)의 광 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 반사율이 60% 내지 80% 범위인 경우 반투과 미러(351,353)의 주변으로 분산되는 광량이 증가될 수 있다. 도 26의 (c)와 같이, 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%일 때, 반투과 미러의 중심 영역과 반투과 미러의 주변 영역의 광 에너지 밀도가 균일하게 분포함을 알 수 있다.
26 shows the optical energy density according to the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 in the first
도 27는 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제2형상의 예를 나타낸 도면이며, 도 28은 도 27의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이고, 도 29는 (a)-(e)는 도 27의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.27 is a diagram showing an example of a second shape of a semi-transmissive mirror of the optical plate according to the embodiment, FIG. 28 is a graph showing a light energy density according to the reflectance of the semi-transmissive mirror in the optical plate of FIG. 27, (A) to (e) are diagrams showing the light energy distribution according to the reflectance of the transflective mirror in the optical plate of FIG.
도 27 내지 도 29를 참조하면, 상기 반투과 미러(351,353)의 형상은 소정의 직경을 갖는 원 형상일 수 있다. 상기 원 형상의 직경 즉, 가로 또는 세로 길이(E4, E5)는 1.5mm±0.3mm 범위를 포함하며, 상기 반투과 미러(351,353)의 중심 간의 직선 거리(G3)는 상기 직경 즉, 가로 또는 세로 길이(E4,E5)의 2배 이상이며, 예컨대 2mm 초과일 수 있다.27 to 29, the shape of the transflective mirrors 351 and 353 may be a circular shape having a predetermined diameter. The linear distance G3 between the centers of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of the diameter, that is, the horizontal or vertical lengths E4 and E5, May be at least two times the length (E4, E5), e.g., greater than 2 mm.
도 28과 같이, 제1투명 필름에서의 광 에너지 밀도를 보면, 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 68%±5% 범위일 때 광 에너지 밀도가 낮게 나타남을 알 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 68%인 경우, 광 에너지 밀도가 최소가 될 수 있다.As shown in FIG. 28, the optical energy density in the first transparent film is low when the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of 68% ± 5%. When the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 68%, the optical energy density can be minimized.
도 29는 제1투명 필름에서의 반투과 미러(351,353)의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 것으로, 반투과 미러(351,353)의 반사율이 (a)는 50%인 경우이며, (b)는 반사율이 60%인 경우이며, (c)는 65%인 경우이며, (d)는 70%인 경우이며, (e)는 80%인 경우이다. 이러한 (a)-(e)의 광 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 반사율이 증가될수록 반투과 미러(351,353)의 주변으로 분산되는 광량이 증가될 수 있다. 이에 따라 반투과 미러(351,353)의 반사율이 68%±5%일 때, 광의 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 영역과 투명 필름의 영역이 동일한 밀도 및 광도로 분포함을 알 수 있다.
FIG. 29 shows the light energy density according to the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 in the first transparent film. In FIG. 29, the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 50% Is 60%, (c) is 65%, (d) is 70%, and (e) is 80%. As the reflectance of the
도 30은 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제3형상의 예를 나타낸 도면이며, 도 31은 도 30의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이고, 도 32의 (a)-(e)는 도 30의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.FIG. 30 is a diagram showing an example of a third shape of a semi-transmissive mirror of the optical plate according to the embodiment, FIG. 31 is a graph showing a light energy density according to the reflectance of the semi-transmissive mirror in the optical plate of FIG. 30, (A) to (e) show the light energy distribution according to the reflectance of the semi-transmission mirror in the optical plate of FIG.
도 30을 참조하면, 상기 반투과 미러(351,353)는 다각형 형상일 수 있으며, 길이(E4)가 너비(E5)보다 길 수 있다. 상기 길이(E4)와 너비(E5)의 비는 1.5: 1일 수 있으며, 예컨대 길이(E4)는 1.5mm±0.3mm이고, 상기 너비(E5)는 1mm±0.2mm 일 수 있다. 이때의 반투과 미러(351,353)의 중심 간의 직선 거리(G3)는 상기 길이(E4)의 2배 미만이고 상기 너비(E5)의 2배 초과일 수 있다.Referring to FIG. 30, the transflective mirrors 351 and 353 may have a polygonal shape, and the length E4 may be longer than the width E5. The ratio of the length E4 to the width E5 may be 1.5: 1, for example, the length E4 may be 1.5 mm ± 0.3 mm and the width E5 may be 1 mm ± 0.2 mm. The linear distance G3 between the centers of the transflective mirrors 351 and 353 may be less than twice the length E4 and more than twice the width E5.
도 31과 같이, 제1투명 필름에서의 광 에너지 밀도를 보면, 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%±5% 범위일 때 광 에너지 밀도가 낮게 나타남을 알 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%인 경우, 광 에너지 밀도가 최소가 될 수 있다.As shown in FIG. 31, the light energy density in the first transparent film is low when the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of 65% ± 5%. When the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 65%, the optical energy density can be minimized.
도 32는 제1투명 필름에서의 반투과 미러(351,353)의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 것으로, 반투과 미러(351,353)의 반사율이 (a)는 50%인 경우이며, (b)는 반사율이 60%인 경우이며, (c)는 65%인 경우이며, (d)는 70%인 경우이며, (e)는 80%인 경우이다. 이러한 (a)-(e)의 광 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 반사율이 증가될수록 반투과 미러(351,353)의 주변으로 분산되는 광량이 증가될 수 있다. 이에 따라 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%±5%일 때, 광의 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 영역과 투명 필름의 영역이 동일한 밀도 및 광도로 분포함을 알 수 있다.32 shows the optical energy density according to the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 in the first transparent film. In the case where the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 50%, (b) Is 60%, (c) is 65%, (d) is 70%, and (e) is 80%. As the reflectance of the
실시 예에 따른 반투과 미러(351,353)의 형상은 원 형상, 타원 형상 또는 다각형 형상일 수 있으며, 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 60% 내지 70%인 경우 반투과 미러(351,353) 및 그 주변 영역의 광 에너지 밀도가 유사하여, 광이 분산되는 효과를 줄 수 있다.
The shape of the transflective mirrors 351 and 353 may be circular, elliptical or polygonal. When the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 60% to 70%, the transflective mirrors 351 and 353 and the The light energy densities of the peripheral regions are similar to each other, so that the light can be dispersed.
도 33의 (a)-(c)는 실시 예에 따른 광학 플레이트에서 반투과 미러(351,353)의 길이(E4) 및 너비(E5)에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다. 이러한 광 에너지 분포는 반투과 미러(351,353)가 타원 형상이고 상기 발광 칩(171,172)과의 간격이 0.5mm인 경우이다. 33A to 33C are diagrams showing the light energy distribution according to the length E4 and the width E5 of the transflective mirrors 351 and 353 in the optical plate according to the embodiment. This light energy distribution is a case where the semi-transmission mirrors 351 and 353 are elliptical and the distance from the
도 33의 (a)는 반투과 미러(351,353)의 사이즈가 길이(E4)와 너비(E5)가 발광 칩(171,172)과 동일하고 반투과 미러(351,353)의 반사율이 45%인 경우, 광 에너지 분포를 보면 반투과 미러(351,353)에 의한 확산 효과가 미미함을 알 수 있다. 33A shows the case where the size of the transflective mirrors 351 and 353 is equal to the length E4 and the width E5 of the
도 33의 (b)는 반투과 미러(351,353)의 사이즈가 길이(E4) 및 너비(E5)가 발광 칩(171,172)보다 크며 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%인 경우, 광 에너지 분포를 보면 반투과 미러(351,353)에 의한 확산 효과가 균일한 분포로 개선됨 알 수 있다. 여기서, 상기 길이(E4)는 1.5mm±0.3mm 범위이고, 상기 너비(E5)는 1mm±0.2mm 범위이다. 33B shows a case where the size of the transflective mirrors 351 and 353 is larger than the lengths E4 and E5 of the
도 33의 (c)는 반투과 미러(351,353)의 사이즈가 길이(E4) 및 너비(E5)가 발광 칩(171,172)보다 크며 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%인 경우, 광 에너지 분포를 보면 반투과 미러(351,353)에 의한 확산 효과가 있지만 부분적으로 편중되는 문제가 있다. 33C shows a case where the sizes of the transflective mirrors 351 and 353 are larger than the
여기서, 상기 길이(E4)는 2.2mm±0.44mm 범위이고, 상기 너비(E5)는 1.4mm±0.28mm 범위이고, 개구부의 가로 및 세로 길이는 패키지의 사이즈에 따라 다를 수 있다.
Here, the length E4 is in the range of 2.2 mm ± 0.44 mm, the width E5 is in the range of 1.4 mm ± 0.28 mm, and the width and length of the opening may vary depending on the size of the package.
도 34는 도 8의 발광 소자를 적용한 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 나타낸 도면이고, 도 35는 도 14의 발광 소자를 적용한 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.FIG. 34 is a view showing a light energy distribution in an optical plate to which the light emitting element of FIG. 8 is applied, and FIG. 35 is a diagram showing a light energy distribution in the optical plate to which the light emitting element of FIG. 14 is applied.
도 34 및 도 35을 참조하면, 도 8과 같이 발광 소자(100) 내의 오목부(160) 아래에 배치된 리드 프레임(121,131)의 캐비티 내에 발광 칩(171,172)을 배치하거나, 리드 프레임(121,131)에 캐비티를 형성하지 않더라도, 반투과 미러(351,353)에 의한 광 에너지 밀도 분포 차이는 발생되지만, 전체적으로 균일한 광 분포를 제공함을 알 수 있다. 34 and 35, the
도 36의 (a)-(d)는 비교 예에서 반투과 미러가 없는 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 설명하기 위한 도면이다. Figs. 36 (a) to 36 (d) are diagrams for explaining light energy distribution in an optical plate having no semi-transmissive mirror in a comparative example.
도 36의 (a)는 발광 칩과 제1투명 필름과의 거리가 0.5mm인 경우 광 에너지 분포를 보면, 발광 칩의 영역에 광도가 높게 나타나 분산 효과가 없음을 알 수 있다.In FIG. 36 (a), when the distance between the light emitting chip and the first transparent film is 0.5 mm, the light energy distribution shows a high light intensity in the region of the light emitting chip.
도 36의 (b)-(d)는 발광 칩과 제1투명 필름(320)과의 간격을 1.0mm, 1.5mm, 2.0mm로 증가시킬 경우로서, 발광 칩으로부터 방출된 광은 점차 확산될 수 있다. 그러나, 발광 칩과 광학 플레이트 간의 간격이 증가되어 조명 소자가 두꺼워지는 문제가 발생될 수 있고, 또한 발광 소자의 두께도 두꺼워질 수 있다. 이에 따라 실시 예는 발광 소자의 두께(도 4의 t1)를 최대 1.8mm 이하의 두께로 제공할 수 있다.
36 (b) to 36 (d) show a case where the distance between the light emitting chip and the first
도 37는 제3실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 측 단면도이다.37 is a side sectional view showing a lighting device according to the third embodiment.
도 37을 참조하면, 조명 소자는 발광 소자(400) 및 상기 발광 소자(400) 상에 실시 예에 따른 광학 플레이트(300)를 포함한다. Referring to FIG. 37, an illumination device includes a
상기 발광 소자(400)는 몸체(410)와, 상기 몸체(410)에 배치된 제1 리드 프레임(423) 및 제2 리드 프레임(421)과, 상기 몸체(410) 상에 배치되고 상기 제1 리드 프레임(423) 및 제2 리드 프레임(421)과 전기적으로 연결되는 발광 칩(470)을 포함한다.The
상기 몸체(410)는 절연 재질, 또는 전도성 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(410)는 폴리프탈아미드(PPA), 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. 상기 몸체(410)로 사용되는 에폭시 또는 실리콘 재질 내에는 반사 효율을 높이기 위해 TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러(filler)가 첨가될 수 있다. 상기 몸체(110)는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. The
상기 몸체(410)는 상기 발광 칩(470)의 주위에 경사면을 갖는 오목부(425)을 제공할 수 있다. 상기 오목부(425)에 몰딩 부재(440)가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(423)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 칩(470)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(423)은 상기 오목부(425)의 바닥에 배치될 수 있으며, 상기 발광 칩(470)로부터 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 칩(470)로부터 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다. The
상기 발광 칩(470)의 상기 제1 리드 프레임(421) 위에 배치되고 상기 제1리드 프레임(423)과 와이어(443)로 연결될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(421)은 상기 발광 칩(470)이 배치된 영역이 함몰된 캐비티로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다. 상기 발광 칩(470)은 플립 칩 방식으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. And may be disposed on the
상기 광학 플레이트(300)는 발광 칩(470)과 대면하게 배치될 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)는 내부에 형광체를 포함하며, 상기 몸체(410)의 상면 상에 배치될 수 있다. The
상기 광학 플레이트(300)는 오픈 영역(342)을 갖는 틀 형상의 반사체(310), 상기 반사체(310) 내에 형광체층(340), 상기 반사체(310) 및 형광체층(340) 아래 및 위 중 적어도 하나에 투명 필름(320,330), 상기 형광체층(340) 아래에 광원인 발광 칩(470)과 마주하는 반투과 미러(350)를 포함한다. The
상기 반사체(310)는 내부에 오픈 영역(342)을 포함하며, 외 형상이 원형 틀 또는 다각형 틀 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 원 형상 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 상기 발광 소자의 오목부(425)의 형상과 대응되는 형상을 가지고, 상기 오목부(425)를 통해 출사된 광이 입사될 수 있다. 이러한 반사체(310)는 상기 형광체층(340)의 측면을 감싸게 형성될 수 있다.The
상기 반사체(310)는 유리 재질 예컨대, 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질은 투명한 유리 내에 백색 입자 또는/및 기포를 첨가하여 형성할 수 있다. 상기 반사체(310)의 반사율은 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 반사율보다 높을 수 있다. The
상기 반사체(310)은 다른 예로서, 수지 재질을 포함하며, 상기 수지 재질은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 에폭시 또는 실리콘 재질을 포함할 수 있다. 상기 수지 재질 내에 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러가 첨가될 수 있다. 상기 반사체(310)는 백색 수지로 이루어질 수 있다. 상기 반사체(310)은 세라믹 재질을 포함할 수 있다. As another example, the
상기 형광체층(340)은 투명한 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질 내에 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 형광체층(340)은 상기 발광 칩(470)으로부터 방출된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(340)은 적색, 녹색, 황색, 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 포함할 수 있다. The
실시 예에 따른 형광체층(340)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 황색, 적색 양자점 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 발광할 수 있다. The
상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. 이러한 양자점의 경우 온도에 따른 발광 효율의 변화가 크게 되므로, 실시 예와 같이 발광 칩(470)으로부터 이격시켜 주어 발광 효율의 변화를 줄여줄 수 있다. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si,
상기 형광체층(340)의 아래 및 위 중 적어도 하나 또는 모두에 투명 필름(320,330)이 배치될 수 있다. 상기 투명 필름(320,330)은 상기 형광체층(340)의 아래에 배치되는 제1투명 필름(320) 및 상기 형광체층(340) 위에 배치되는 제2투명 필름(330)을 포함할 수 있다. 상기 투명 필름(320,330)은 형광체층(340)의 입사면 또는/및 출사면에 배치될 수 있다. 이러한 광학 플레이트(300)는 제1 및 제2투명 필름(320,330) 중 어느 하나는 제거될 수 있으며, 예컨대 제2투명 필름(330)은 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 유리, 또는 투명한 수지 필름을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 반사체(310) 상에 접착되어 상기 형광체층(340)을 보호하게 된다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181) 또는/및 형광체층(340)의 굴절률과 동일하거나 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181)의 굴절률의 차이가 0.2 이하인 물질로 형성될 수 있다. The first and second
상기 제1투명 필름(320)은 상기 반사체(310)의 하면 및 상기 형광체층(340)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제1투명 필름(320)의 하면 외측은 상기 몸체(410) 상에 접착될 수 있다. 상기 제2투명 필름(330)은 상기 반사체(310)의 상면 및 상기 형광체층(340)의 상면에 접착될 수 있다. The first
상기 형광체층(340)은 상기 반사체(310)의 두께와 동일한 두께를 가질 수 있으며, 이 경우 상기 반사체(310)의 상면 및 하면의 일부 또는 전 영역에는 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)이 접촉될 수 있다. The first and second
상기 반투과 미러(350)는 반투과성 기능을 수행할 수 있는 금속 재질 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 재질을 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 투과율보다 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투과율 및 반사율의 합은 100%일 수 있다. The
상기 반투과 미러(350)는 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(350)의 하면 즉, 광 입사면에는 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 반투과 미러(350)는 하프 미러(half mirror) 시트(sheet), 반투명 미러, 편광 시트 또는 반투명 확산 시트로 정의될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)은 상기 제1투명 필름(320) 아래에 스크린 인쇄로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 반투과 미러(350)는 상기 형광체층(340) 아래 예컨대, 제1투명 필름(320) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 상기 제1투명 필름(320)의 아래에 하나 또는 복수개가 배치될 수 있으며, 예컨대 복수개인 경우 상기 발광 칩(470)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 광원과 대면하게 예컨대, 상기 발광 칩(470)과 대면하게 배치될 수 있다. The
상기 반투과 미러(350)와 상기 발광 칩(470)에 대한 설명은, 상기의 실시 예에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 예컨대, 상기 반투과 미러(350)의 제1방향의 길이(E4)는 상기 발광 칩(470)의 제1방향의 길이(E1)보다 길고, 제2방향의 너비는 상기 발광 칩(470)의 제2방향의 너비보다 넓게 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)의 상면 또는 하면 면적은 상기 발광 칩(470)의 상면 면적보다 크게 배치될 수 있다. The description of the
상기 반투과 미러(350)와 상기 발광 칩(470) 간의 간격(G1)은 1mm 이하 예컨대, 0.2mm 내지 1mm 범위일 수 있다. 상기 발광 칩(470)과 상기 반투과 미러(350) 간의 간격(G1)이 상기 범위보다 작은 경우 몸체(410)의 두께가 얇아져 강성 확보가 어렵고 형광체 열화 문제가 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 발광 소자의 두께가 두꺼워지는 문제가 존재할 수 있고 반투과 미러(350)에 의한 광 확산 효과가 미미할 수 있다. The distance G1 between the
상기 반투과 미러(350)는 상기 발광 소자로부터 입사된 광을 반사 및 투과하게 된다. 상기 반투과 미러(350)는 상기 광학 플레이트(300)로 입사된 광량이 높은 최대인 영역에 배치되어, 주변 영역으로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 실시 예의 설명과 같이 반사율이 투과율보다 높을 수 있다. The
이러한 광학 플레이트(300)는 발광 칩(470)의 광량이 가장 높은 영역에 반투과 미러(350)를 배치함으로써, 발광 칩(470)으로부터 발생된 광에 의한 형광체의 열화 문제를 줄여줄 수 있고, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 또한 양자점에 의한 색 변환은 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 색 보정 지수가 저하되는 것을 방지할 수 있다.This
실시 예에 따른 광학 플레이트(300)는 발광 소자(100)의 두께보다 얇은 두께로 제공되어, 발광 소자(100) 상의 조명 플레이트 또는 형광 플레이트로 기능할 수 있다.The
상기 조명 소자의 상면 및 둘레에는 도 17에 도시된 플레이트 커버가 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The plate cover shown in FIG. 17 may be coupled to the upper surface and the periphery of the illumination device, but the present invention is not limited thereto.
도 38은 실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 측 단면도이다.38 is a side cross-sectional view showing the illumination device according to the embodiment.
도 38을 참조하면, 조명 소자는 발광 소자(500) 및 상기 발광 소자(500) 상에 광학 플레이트(300)이 배치된다. Referring to FIG. 38, an illumination device includes a
상기 발광 소자(500)는 몸체(510)와, 상기 몸체(510)에 배치된 제1 리드 프레임(521) 및 제2리드 프레임(523)과, 상기 몸체(510)에 배치되어 상기 제1리드 프레임(521) 및 제2리드 프레임(523)과 전기적으로 연결되는 발광 칩(570)와, 상기 발광 칩(570) 상에 몰딩 부재(531)를 포함한다.The
상기 몸체(510)는 상부가 개방된 오목부(517)을 갖는 반사부(513)와 상기 반사부(513)를 지지하는 지지부(511)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 몸체(510)의 오목부(517) 내에는 리드 프레임(521,523) 및 상기 발광 칩(570)이 배치되며, 상기 발광 칩(570)는 제2리드 프레임(523) 상에 배치되고 와이어(503)로 제1리드 프레임(521)과 연결될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(523)은 발광 칩(570)이 배치된 캐비티를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 프레임(521) 및 제2리드 프레임(523)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 칩(570)에 전원을 제공한다. The
상기 제1리드 프레임(521) 및 제2 리드 프레임(523)은 상기 발광 칩(570)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다. 이를 위해 상기 제1리드 프레임(521) 및 제2 리드 프레임(523)상에 별도의 반사층이 더 형성될 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 또한, 상기 제1,2 리드 프레임(521,523)은 상기 발광 칩(570)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다. 상기 제1리드 프레임(521)의 리드부(522) 및 상기 제2리드 프레임(523)의 리드부(524)는 몸체(510)의 하면에 배치될 수 있다.The
상기 몰딩 부재(531)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함하며, 상기 발광 칩(570)를 포위하여 상기 발광 칩(570)를 보호할 수 있다. 상기 몰딩 부재(531)은 상면이 플랫하거나 오목 또는 볼록한 형상으로 형성할 수 있다. 상기 몰딩 부재(531)는 제거되어 상기 오목부(517)에 에어 영역이 채워질 수 있다.The
상기 광학 플레이트(300)는 발광 칩(570)과 대면하게 배치될 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)는 내부에 형광체를 포함하며, 상기 몸체(510)의 상면 상에 배치될 수 있다. The
상기 광학 플레이트(300)는 오픈 영역(342)을 갖는 틀 형상의 반사체(310), 상기 반사체(310) 내에 형광체층(340), 상기 반사체(310) 및 형광체층(340) 아래에 제1투명 필름(320), 상기 반사체(310) 및 형광체층(340) 위에 제2투명 필름(340), 상기 제1투명 필름(320)의 일부 영역에 광원인 발광 칩(570)과 마주하는 반투과 미러(350)를 포함한다. The
상기 반사체(310)는 내부에 오픈 영역(342)을 포함하며, 외 형상이 원형 틀 또는 다각형 틀 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 원 형상 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 상기 발광 소자의 오목부(517)의 형상과 대응되는 형상을 가지고, 상기 오목부(517)를 통해 출사된 광이 입사될 수 있다. 이러한 반사체(310)는 상기 형광체층(340)의 측면을 감싸게 형성될 수 있다.The
상기 반사체(310)는 유리 재질 예컨대, 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질은 투명한 유리 내에 백색 입자 또는/및 기포를 첨가하여 형성할 수 있다. 상기 반사체(310)의 반사율은 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 반사율보다 높을 수 있다. The
상기 반사체(310)는 다른 예로서, 수지 재질을 포함하며, 상기 수지 재질은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 에폭시 또는 실리콘 재질을 포함할 수 있다. 상기 수지 재질 내에 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러가 첨가될 수 있다. 상기 반사체(310)는 백색 수지로 이루어질 수 있다. 상기 반사체(310)은 세라믹 재질을 포함할 수 있다. As another example, the
상기 형광체층(340)은 투명한 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질 내에 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 형광체층(340)은 상기 발광 칩(570)으로부터 방출된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(340)은 적색, 녹색, 황색, 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
실시 예에 따른 형광체층(340)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 황색, 적색 양자점 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. The
상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. 이러한 양자점의 경우 온도에 따른 발광 효율의 변화가 크게 되므로, 실시 예와 같이 발광 칩(570)으로부터 이격시켜 주어 발광 효율의 변화를 줄여줄 수 있다. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si,
상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 유리, 또는 투명한 수지 필름을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 반사체(310) 상에 접착되어 상기 형광체층(340)을 보호하게 된다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181) 또는/및 형광체층(340)의 굴절률과 동일하거나 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181)의 굴절률의 차이가 0.2 이하인 물질로 형성될 수 있다. The first and second
상기 제1투명 필름(320)은 상기 반사체(310)의 하면 및 상기 형광체층(340)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제1투명 필름(320)의 하면 외측은 상기 몸체(510) 상에 접착될 수 있다. 상기 제2투명 필름(330)은 상기 반사체(310)의 상면 및 상기 형광체층(340)의 상면에 접착될 수 있다. The first
상기 형광체층(340)은 상기 반사체(310)의 두께와 동일한 두께를 가질 수 있으며, 이 경우 상기 반사체(310)의 상면 및 하면의 일부 또는 전 영역에는 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)이 접촉될 수 있다. The first and second
상기 반투과 미러(350)는 반투과성 기능을 수행할 수 있는 금속 재질 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 재질을 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 투과율보다 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투과율 및 반사율의 합은 100%일 수 있다. The
상기 반투과 미러(350)는 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(350)의 하면 즉, 광 입사면에는 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 반투과 미러(350)는 하프 미러(half mirror) 시트(sheet), 반투명 미러, 편광 시트 또는 반투명 확산 시트로 정의될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)은 상기 제1투명 필름(320) 아래에 스크린 인쇄로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 반투과 미러(350)는 상기 형광체층(340) 아래 예컨대, 제1투명 필름(320) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 상기 제1투명 필름(320)의 아래에 하나 또는 복수개가 배치될 수 있으며, 예컨대 복수개인 경우 상기 발광 칩(570)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 광원과 대면하게 예컨대, 상기 발광 칩(470)과 대면하게 배치될 수 있다. The
상기 반투과 미러(350)와 상기 발광 칩(570)에 대한 설명은, 상기의 실시 예에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 예컨대, 상기 반투과 미러(350)의 제1방향의 길이(E4)는 상기 발광 칩(570)의 제1방향의 길이(E1)보다 길고, 제2방향의 너비는 상기 발광 칩(570)의 제2방향의 너비보다 넓게 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)의 상면 또는 하면 면적은 상기 발광 칩(570)의 상면 면적보다 크게 배치될 수 있다. The description of the
상기 반투과 미러(350)와 상기 발광 칩(570) 간의 간격(G1)은 0.5mm 이상 예컨대, 0.5mm 내지 1.5mm 범위일 수 있다. 상기 발광 칩(570)과 상기 반투과 미러(350) 간의 간격(G1)이 상기 범위보다 작은 경우 몸체(510)의 두께가 얇아져 강성 확보가 어렵고 형광체 열화 문제가 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 발광 소자의 두께가 두꺼워지는 문제가 존재할 수 있고 반투과 미러(350)에 의한 광 확산 효과가 미미할 수 있다. The gap G1 between the
상기 반투과 미러(350)는 상기 발광 소자로부터 입사된 광을 반사 및 투과하게 된다. 상기 반투과 미러(350)는 상기 광학 플레이트(300)로 입사된 광량이 높은 최대인 영역에 배치되어, 주변 영역으로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 실시 예의 설명과 같이 반사율이 투과율보다 높을 수 있다. The
이러한 광학 플레이트(300)는 발광 칩(570)의 광량이 가장 높은 영역에 반투과 미러(350)를 배치함으로써, 발광 칩(570)으로부터 발생된 광에 의한 형광체의 열화 문제를 줄여줄 수 있고, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 또한 양자점에 의한 색 변환은 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 색 보정 지수가 저하되는 것을 방지할 수 있다.This
실시 예에 따른 광학 플레이트(300)는 발광 소자(100)의 두께보다 얇은 두께로 제공되어, 발광 소자(100) 상의 조명 플레이트 또는 형광 플레이트로 기능할 수 있다.The
상기 조명 소자의 상면 및 둘레에는 도 17에 도시된 플레이트 커버가 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The plate cover shown in FIG. 17 may be coupled to the upper surface and the periphery of the illumination device, but the present invention is not limited thereto.
실시예에 따른 조명 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 39 및 도 40에 도시된 표시 장치, 도 41에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The illumination device according to the embodiment can be applied to the illumination system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and includes a display apparatus shown in Figs. 39 and 40, a lighting apparatus shown in Fig. 41, and may include an illumination lamp, a traffic light, a vehicle headlight, have.
도 39는 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 39 is an exploded perspective view of a display device having an illumination device according to an embodiment.
도 39을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to Figure 39, a
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 광원 모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 조명 소자(1035)를 포함하며, 상기 조명 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 조명 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the illumination element 1035 is mounted on the side surface of the
그리고, 상기 조명 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 조명 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The illumination device 1035 may be mounted on the substrate 1033 such that the light exit surface is spaced apart from the
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the
도 40은 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 40 is a diagram showing a display device having an illumination device according to the embodiment.
도 40을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 조명 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 40, the
상기 기판(1120)과 상기 조명 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 조명 소자(1124)를 포함한다.The
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
The
도 41은 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.41 is an exploded perspective view of a lighting device having a lighting device according to an embodiment.
도 41을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 조명 소자를 포함할 수 있다.41, the lighting apparatus according to the embodiment includes a
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.The
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
The
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
100,100A,400,500: 발광 소자
110, 110A, 410,510: 몸체
121,131,122,132,421,423, 521,523: 리드 프레임
125,135: 캐비티
160,425,517: 오목부
171,172,470,570: 발광 칩
181,440,531: 몰딩 부재
300: 광학 플레이트
310: 반사체
320,330: 투명 필름
340: 형광체층
351,353: 반투과 미러
460: 플레이트 커버100, 100A, 400, 500:
110, 110A, 410, 510: body
121, 131, 122, 132, 421, 423, 521, 523:
125, 135: Cavity
160, 425,
171, 172, 470, 570:
181, 440, 531:
300: optical plate
310: reflector
320,330: Transparent film
340: phosphor layer
351,353: Semi-transparent mirror
460: Plate cover
Claims (20)
상기 형광체층 아래에 제1투명 필름;
상기 형광체층 위에 제2투명 필름;
상기 형광체층의 측면을 감싸며 상기 제1 및 제2투명 필름 사이에 배치된 반사체; 및
상기 제1투명 필름의 일부 영역에 배치되며 입사된 광을 반사 및 투과하는 반투과 미러를 포함하며,
상기 반투과 미러는 광원과 대면하게 배치되며,
상기 반투과 미러는 상기 형광체층의 하면 면적보다 작은 하면 면적을 갖는 광학 플레이트.A phosphor layer;
A first transparent film below the phosphor layer;
A second transparent film on the phosphor layer;
A reflector disposed between the first and second transparent films to surround a side surface of the phosphor layer; And
And a transflective mirror disposed in a part of the first transparent film and reflecting and transmitting the incident light,
Wherein the transflective mirror is disposed facing the light source,
Wherein the semi-transmissive mirror has a bottom area smaller than a bottom area of the phosphor layer.
상기 반투과 미러는 타원, 원 또는 다각형 형상을 포함하는 광학 플레이트.The method according to claim 1,
Wherein the transflective mirror comprises an elliptical, circular or polygonal shape.
상기 형광체층은 양자점을 갖는 광학 플레이트.The method according to claim 1,
Wherein the phosphor layer has a quantum dot.
상기 반투과 미러는 투과율보다 반사율이 높은 재질로 형성되는 광학 플레이트.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the transflective mirror is formed of a material having a reflectance higher than that of the transmissivity.
상기 반투과 미러는 상기 제1투명 필름의 하면 상에 복수개가 배열되는 광학 플레이트.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein a plurality of the transflective mirrors are arranged on a lower surface of the first transparent film.
상기 발광 소자 상에 상기 발광 칩과 대면하는 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트를 포함하며,
상기 광학 플레이트는,
형광체층;
상기 형광체층 아래에 제1투명 필름; 및
상기 형광체층의 측면을 감싸는 반사체를 포함하며,
상기 반투과 미러는 상기 제1투명 필름의 일부 영역에 상기 발광 칩과 대면하게 배치되며, 입사된 광을 반사 및 투과하며,
상기 반투과 미러는 상기 발광 칩의 상면 면적보다 큰 하면 면적을 갖는 조명 소자.A light emitting element having a light emitting chip; And
And an optical plate having a transflective mirror facing the light emitting chip on the light emitting element,
Wherein the optical plate comprises:
A phosphor layer;
A first transparent film below the phosphor layer; And
And a reflector surrounding a side surface of the phosphor layer,
The semi-transmissive mirror is disposed in a part of the first transparent film so as to face the light emitting chip, and reflects and transmits the incident light,
Wherein the transflective mirror has a bottom area larger than the top surface area of the light emitting chip.
상기 형광체층 위에 제2투명 필름을 포함하는 조명 소자.The method according to claim 6,
And a second transparent film on the phosphor layer.
상기 제1 및 제2투명 필름은 유리 재질을 포함하며,
상기 반사체는 상기 제1 및 제2투명 필름 사이에 배치되는 조명 소자.9. The method of claim 8,
Wherein the first and second transparent films comprise a glass material,
And the reflector is disposed between the first and second transparent films.
상기 반투과 미러는 제1방향의 길이가 제2방향의 너비보다 길게 배치되며,
상기 발광 칩은 제1방향의 길이가 제2방향의 너비보다 긴 조명 소자.The method according to claim 6,
Wherein the transflective mirror has a length in a first direction longer than a width in a second direction,
Wherein the light emitting chip has a length in a first direction longer than a width in a second direction.
상기 발광 소자는,
오목부를 갖는 몸체; 및
상기 오목부 내에 배치된 복수의 리드 프레임을 포함하며,
상기 발광 칩은 상기 오목부 내에 적어도 하나가 배치되고 상기 복수의 리드 프레임과 전기적으로 연결되며,
상기 광학 플레이트는 상기 몸체 상에 부착되며,
상기 오목부는 상기 형광체층과 수직 방향으로 오버랩되는 조명 소자.10. The method according to any one of claims 6 to 9,
The light-
A body having a recess; And
And a plurality of lead frames disposed in the recess,
Wherein at least one of the light emitting chips is disposed in the recess and is electrically connected to the plurality of lead frames,
The optical plate is attached on the body,
And the concave portion overlaps with the phosphor layer in the vertical direction.
상기 복수의 리드 프레임은 제1 및 제2리드 프레임을 포함하며,
상기 발광 칩은 복수개가 제1 방향으로 배열되며,
상기 복수의 반투과 미러는 복수개가 상기 발광 칩 각각에 대면하게 배치되는 조명 소자.11. The method of claim 10,
Wherein the plurality of lead frames include first and second lead frames,
Wherein a plurality of the light emitting chips are arranged in a first direction,
Wherein a plurality of said plurality of semi-transmission mirrors are disposed facing each of said light emitting chips.
상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나는 상기 오목부의 아래에 상기 몸체의 하 방향으로 함몰된 캐비티를 포함하며,
상기 캐비티에는 상기 발광 칩이 배치되는 조명 소자.11. The method of claim 10,
Wherein at least one of the plurality of lead frames includes a cavity recessed downwardly of the body below the recess,
And the light emitting chip is disposed in the cavity.
상기 반투과 미러의 하면은 상기 몸체의 상면의 수평한 직선보다 아래에 배치되는 조명 소자.11. The method of claim 10,
Wherein a lower surface of the semi-transparent mirror is disposed below a horizontal straight line on an upper surface of the body.
상기 오목부에 몰딩 부재를 포함하며,
상기 몰딩 부재는 상기 제1투명 필름 및 반투과 미러와 접촉되는 조명 소자.11. The method of claim 10,
Wherein the concave portion includes a molding member,
Wherein the molding member is in contact with the first transparent film and the transflective mirror.
상기 반투과 미러는 타원, 원 또는 다각형 형상을 포함하는 조명 소자.10. The method according to any one of claims 6 to 9,
Wherein the transflective mirror comprises an elliptical, circular or polygonal shape.
상기 형광체층은 양자점을 갖는 조명 소자.10. The method according to any one of claims 6 to 9,
Wherein the phosphor layer has a quantum dot.
상기 몸체는 상기 제1투명 필름의 하면에 접착제로 접착되는 조명 소자.11. The method of claim 10,
Wherein the body is bonded to the lower surface of the first transparent film with an adhesive.
상기 반투과 미러는 투과율보다 반사율이 더 높은 조명 소자10. The method according to any one of claims 6 to 9,
The semi-transmissive mirror has a reflectance higher than that of the transmissive element.
상기 광학 플레이트 상에 개구부를 갖는 플레이트 커버를 포함하며,
상기 플레이트 커버는 상기 광학 플레이트의 상면 둘레와 상기 발광 소자의 측면을 감싸는 측면 커버부를 포함하는 조명 소자.10. The method according to any one of claims 6 to 9,
And a plate cover having an opening on the optical plate,
And the plate cover includes a side cover portion surrounding the top surface of the optical plate and a side surface of the light emitting device.
상기 기판 상에 복수의 조명 소자를 포함하며,
상기 조명 소자는, 청구항 제6항 내지 제9항 중 어느 하나의 조명 소자를 갖는 광원 모듈.
Board; And
A plurality of illumination elements on the substrate,
The light source module has the illumination device according to any one of claims 6 to 9.
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