KR20170052199A - Optical plate, lighting device, and lighting module - Google Patents

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Abstract

A lighting device according to an embodiment of the present invention includes: a light emitting device which has a light emitting chip; and an optical plate which has a transflective mirror facing the light emitting chip on the light emitting device. The optical plate includes: a phosphor layer; a first transparent film under the phosphor layer; and a reflector surrounding a lateral side of the phosphor layer. The transflective mirror is arranged on a partial region of the first transparent film to face the light emitting chip and reflects and transmits incident light. The transflective mirror has a lower side area which is larger than an upper side area of the light emitting chip. Accordingly, the present invention can increase the lifetime of a phosphor by separating the optical plate from the light emitting chip.

Description

광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈{OPTICAL PLATE, LIGHTING DEVICE, AND LIGHTING MODULE}[0001] OPTICAL PLATE, LIGHTING DEVICE, AND LIGHTING MODULE [0002]

실시 예는 광학 플레이트에 관한 것이다.An embodiment relates to an optical plate.

실시 예는 광학 플레이트를 갖는 조명 소자 및 이를 구비한 광원 모듈에 관한 것이다.Embodiments relate to an illumination device having an optical plate and a light source module having the same.

발광소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART Light emitting devices, for example, light emitting diodes (LEDs) are a kind of semiconductor devices that convert electrical energy into light, and have been attracting attention as a next generation light source in place of conventional fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 발생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor device, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten or a fluorescent lamp that generates ultraviolet rays generated by high-pressure discharge .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode. The light emitting diode has been increasingly used as a light source for various lamps used in indoor and outdoor, lighting devices such as a liquid crystal display, have.

실시 예는 입사된 광을 반사 및 투과하는 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트를 제공한다. An embodiment provides an optical plate having a semi-transmissive mirror that reflects and transmits incident light.

실시 예는 발광 소자 상에 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트를 갖는 조명 소자를 제공한다. An embodiment provides an illumination element having an optical plate having a semi-transmissive mirror on a light-emitting element.

실시 예는 발광 소자 상에 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트 및 상기 광학 플레이트를 지지하는 지지 플레이트를 갖는 조명 소자를 제공한다.An embodiment provides an illumination device having an optical plate having a translucent mirror on a light emitting element and a support plate for supporting the optical plate.

실시 예는 발광 소자 상에 입사 광을 확산 및 파장 변환하는 광학 플레이트 및 이를 구비한 조명 소자를 제공한다. Embodiments provide an optical plate for diffusing and wavelength-converting incident light onto a light-emitting element and an illumination element having the optical plate.

실시 예에 따른 광학 플레이트는, 형광체층; 상기 형광체층 아래에 제1투명 필름; 상기 형광체층 위에 제2투명 필름; 상기 형광체층의 측면을 감싸며 상기 제1 및 제2투명 필름 사이에 배치된 반사체; 및 상기 제1투명 필름의 일부 영역에 배치되며 입사된 광을 반사 및 투과하는 반투과 미러를 포함하며, 상기 반투과 미러는 광원과 대면하게 배치되며, 상기 반투과 미러는 상기 형광체층의 하면 면적보다 작은 하면 면적을 갖는다.An optical plate according to an embodiment includes: a phosphor layer; A first transparent film below the phosphor layer; A second transparent film on the phosphor layer; A reflector disposed between the first and second transparent films to surround a side surface of the phosphor layer; And a semi-transmissive mirror disposed in a partial area of the first transparent film and reflecting and transmitting incident light, wherein the semi-transmissive mirror is disposed facing the light source, and the semi-transmissive mirror has a lower surface area Has a smaller bottom area.

실시 예에 따른 조명 소자는, 발광 칩을 갖는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 상기 발광 칩과 대면하는 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트를 포함하며, 상기 광학 플레이트는, 형광체층; 상기 형광체층 아래에 제1투명 필름; 및 상기 형광체층의 측면을 감싸는 반사체를 포함하며, 상기 반투과 미러는 상기 제1투명 필름의 일부 영역에 상기 발광 칩과 대면하게 배치되며, 입사된 광을 반사 및 투과하며, 상기 반투과 미러는 상기 발광 칩의 상면 면적보다 큰 하면 면적을 갖는다.An illumination device according to an embodiment includes: a light emitting element having a light emitting chip; And an optical plate having a transflective mirror facing the light emitting chip on the light emitting element, the optical plate comprising: a phosphor layer; A first transparent film below the phosphor layer; And a reflector surrounding a side surface of the phosphor layer, wherein the transflective mirror is disposed in a part of the first transparent film so as to face the light emitting chip, and reflects and transmits the incident light, And a bottom surface area larger than the top surface area of the light emitting chip.

실시 예에 따른 광원 모듈은 상기 광학 플레이트 또는 조명 소자를 포함한다.
The light source module according to the embodiment includes the optical plate or the illumination element.

실시 예는 광학 플레이트를 발광 칩으로부터 이격시켜 주어 형광체의 수명을 늘려줄 수 있다.The embodiment can increase the lifetime of the phosphor by allowing the optical plate to be spaced from the light emitting chip.

실시 예는 광학 플레이트의 영역 중에서 발광 칩으로부터 입사된 광량이 큰 영역에 반투과 미러(mirror)를 배치하여 핫 스팟(hot spot)을 방지할 수 있다. Embodiments can prevent a hot spot by disposing a semi-transmissive mirror in a region where a light amount incident from the light emitting chip is large in a region of the optical plate.

실시 예는 광학 플레이트에 의해 입사된 광을 파장 변환 및 확산시켜 줄 수 있다.The embodiment can wavelength-convert and diffuse the light incident by the optical plate.

실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 소자의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. Embodiments can improve the reliability of the light emitting device and the lighting device having the same.

실시 예는 조명 소자가 배열된 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the lighting apparatus in which the lighting elements are arranged.

도 1은 제1실시예에 따른 조명 소자의 사시도를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 조명 소자의 발광 소자의 일 예를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광 소자의 다른 측 단면도이다.
도 5는 도 1의 조명 소자의 광학 플레이트의 분해 사시도이다.
도 6은 도 1의 조명 소자의 광학 플레이트의 저면도이다.
도 7은 도 1의 조명 소자의 결합 사시도이다.
도 8은 도 7의 조명 소자의 A-A측 단면도이다.
도 9는 도 8의 조명 소자를 설명하는 도면이다.
도 10은 도 7의 조명 소자의 B-B측 단면도이다.
도 11은 도 8의 조명 소자에서의 광 추출 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 8의 조명 소자에서 광학 플레이트의 다른 예이다.
도 13은 도 8의 조명 소자에서 광학 플레이트의 또 다른 예이다.
도 14는 도 7의 조명 소자에 다른 발광 소자를 적용한 측 단면도이다.
도 15는 도 14의 조명 소자의 다른 측 단면도이다.
도 16은 도 14의 조명 소자의 광 추출 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 제2실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 사시도이다.
도 18은 도 17의 조명 소자에서 광학 및 지지 플레이트의 결합 평면도이다.
도 19는 도 18의 광학 및 플레이트 커버의 결합 측 단면도이다.
도 20은 도 18의 광학 및 플레이트 커버의 결합 측 단면도이다.
도 21은 도 17의 조명 소자의 결합 사시도이다.
도 22는 도 21의 조명 소자의 C-C측 단면도이다.
도 23은 도 21의 조명 소자의 D-D측 단면도이다.
도 24는 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제1 형상의 예를 나타낸 도면이다.
도 25는 도 24의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이다.
도 26의 (a)-(e)는 도 26의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 27는 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제2형상의 예를 나타낸 도면이다.
도 28은 도 27의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이다.
도 29는 (a)-(e)는 도 27의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 30은 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제3형상의 예를 나타낸 도면이다.
도 31은 도 30의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이다.
도 32의 (a)-(e)는 도 30의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 33의 (a)-(c)는 실시 예에 따른 광학 플레이트에서 반투과 미러의 크기에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 34는 도 8의 발광 소자를 적용한 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 35는 도 14의 발광 소자를 적용한 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.
도 36의 (a)-(d)는 비교 예에서 반투과 미러가 없는 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 설명하기 위한 도면이다.
도 37는 제3실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 38은 제4실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 39는 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 40은 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 41은 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 조명장치를 나타낸 분해 사시도이다.
1 is a perspective view of a lighting device according to a first embodiment.
2 is a plan view showing an example of a light emitting device of the illumination device of FIG.
3 is a side cross-sectional view of the light emitting device of Fig.
4 is another cross-sectional side view of the light emitting device of Fig.
Fig. 5 is an exploded perspective view of the optical plate of the illumination device of Fig. 1;
Fig. 6 is a bottom view of the optical plate of the illumination device of Fig. 1;
7 is an assembled perspective view of the illumination device of Fig.
8 is a cross-sectional view of the illumination device of Fig. 7 on the AA side.
Fig. 9 is a view for explaining the illuminating element of Fig. 8;
10 is a sectional view of the illumination device of Fig. 7 on the BB side.
11 is a view for explaining a light extraction path in the illumination device of Fig.
12 is another example of an optical plate in the illuminating element of Fig.
13 is another example of an optical plate in the illuminating element of Fig.
14 is a side cross-sectional view to which another light emitting element is applied to the illumination element of Fig.
15 is another cross-sectional side view of the illumination device of Fig.
FIG. 16 is a view for explaining the light extraction path of the illumination device of FIG. 14; FIG.
17 is a perspective view showing the illumination device according to the second embodiment.
FIG. 18 is a plan view showing the optical and support plates in the illumination device of FIG. 17; FIG.
Fig. 19 is a cross-sectional side view of the optical and plate cover of Fig. 18; Fig.
Fig. 20 is a cross-sectional side view of the optical and plate cover of Fig. 18; Fig.
21 is an assembled perspective view of the illumination device of Fig.
22 is a CC side sectional view of the illumination device of Fig.
23 is a DD side sectional view of the illumination device of Fig.
24 is a view showing an example of a first shape of a semi-transmissive mirror of an optical plate according to an embodiment.
25 is a graph showing the optical energy density according to the reflectance of the semi-transmission mirror in the optical plate of FIG.
26 (a) - (e) are diagrams showing the light energy distribution according to the reflectance of the semi-transmission mirror in the optical plate of Fig.
27 is a view showing an example of a second shape of a semi-transmission mirror of an optical plate according to the embodiment.
28 is a graph showing the optical energy density according to the reflectance of the transflective mirror in the optical plate of FIG.
Fig. 29 (a) - (e) are diagrams showing light energy distributions according to reflectance of a semi-transmissive mirror in the optical plate of Fig.
30 is a view showing an example of a third shape of the semi-transmissive mirror of the optical plate according to the embodiment.
31 is a graph showing the optical energy density according to the reflectance of the transflective mirror in the optical plate of FIG.
32 (a) - (e) are diagrams showing the light energy distribution according to the reflectance of the transflective mirror in the optical plate of Fig. 30.
FIGS. 33 (a) to 33 (c) are diagrams showing the light energy distribution according to the size of the transflective mirror in the optical plate according to the embodiment.
Fig. 34 is a diagram showing a light energy distribution in an optical plate to which the light emitting device of Fig. 8 is applied.
Fig. 35 is a diagram showing light energy distribution in an optical plate to which the light emitting device of Fig. 14 is applied.
Figs. 36 (a) to 36 (d) are diagrams for explaining light energy distribution in an optical plate having no semi-transmissive mirror in a comparative example.
37 is a side sectional view showing a lighting device according to the third embodiment.
38 is a side sectional view showing the illumination device according to the fourth embodiment.
39 is a perspective view showing a display device having an illumination device according to the embodiment.
40 is a perspective view showing a display device having an illumination device according to an embodiment.
41 is an exploded perspective view showing a lighting device having a lighting device according to the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다. 이하, 실시예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. In the description of the embodiments, each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, Quot; on "and" under "include both being formed" directly "or" indirectly " . In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 조명 소자를 설명한다.Hereinafter, an illumination device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1실시예에 따른 조명 소자의 사시도를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 조명 소자의 발광 소자의 일 예를 나타낸 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광 소자의 측 단면도이고, 도 4는 도 2의 발광 소자의 다른 측 단면도이며, 도 5는 도 1의 조명 소자의 광학 플레이트의 분해 사시도이고, 도 6은 도 1의 조명 소자의 광학 플레이트의 저면도이며, 도 7은 도 1의 조명 소자의 결합 사시도이고, 도 8은 도 7의 조명 소자의 A-A측 단면도이고, 도 9는 도 8의 조명 소자를 설명하는 도면이며, 도 10은 도 7의 조명 소자의 B-B 측 단면도이다.FIG. 1 is a perspective view of a lighting device according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view showing an example of a light emitting device of the lighting device of FIG. 1, FIG. 3 is a side sectional view of the light emitting device of FIG. FIG. 5 is an exploded perspective view of the optical plate of the illumination device of FIG. 1, FIG. 6 is a bottom view of the optical plate of the illumination device of FIG. 1, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the illumination device of FIG. 7, FIG. 9 is a view illustrating the illumination device of FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the BB of the illumination device of FIG. 7 .

도 1 내지 도 10을 참조하면, 조명 소자(101)는 광을 방출하는 발광 소자(100) 및 상기 발광 소자(100) 상에 배치되며 입사된 광을 확산 및 파장 변환하여 방출하는 광학 플레이트(300)를 포함한다.1 to 10, an illumination device 101 includes a light emitting device 100 that emits light, and an optical plate 300 that is disposed on the light emitting device 100 and diffuses and wavelength-converts the incident light to emit the light. ).

상기 발광 소자(100)는 자외선, 청색, 녹색, 적색의 광 중 적어도 하나를 발광할 수 있으며, 예컨대 자외선 또는 청색과 같은 단 파장의 광을 발광할 수 있다.The light emitting device 100 may emit at least one of ultraviolet light, blue light, green light, and red light, and may emit light having a short wavelength such as ultraviolet light or blue light.

상기 발광 소자(100)는 도 2 내지 도 4와 같이, 오목부(160)를 갖는 몸체(110), 상기 오목부(160) 내에 복수의 리드 프레임(121,131), 및 상기 오목부(160) 내에 적어도 하나의 발광 칩(171,172)을 포함한다.2 to 4, the light emitting device 100 includes a body 110 having a concave portion 160, a plurality of lead frames 121 and 131 in the concave portion 160, And at least one light emitting chip (171, 172).

상기 몸체(110)는 절연 재질, 또는 전도성 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA), 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. 상기 몸체(110)로 사용되는 에폭시 또는 실리콘 재질 내에는 반사 효율을 높이기 위해 TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러(filler)가 첨가될 수 있다. 상기 몸체(110)는 세라믹 재질을 포함할 수 있다.The body 110 may include an insulating material or a conductive material. The body 110 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al 2 O 3 ), a printed circuit board Can be formed. For example, the body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), epoxy, or silicone. A filler, which is a metal oxide such as TiO 2 or SiO 2 , may be added to the epoxy or silicon material used as the body 110 to enhance the reflection efficiency. The body 110 may include a ceramic material.

상기 몸체(110)는 소정 깊이를 갖는 오목부(160)를 포함한다. 상기 오목부(160)는 상기 몸체(10)의 상면(15)으로부터 오목한 컵 구조, 캐비티 구조, 또는 리세스 구조와 같은 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 오목부(160)의 측벽은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있으며, 2개 이상의 측벽이 경사를 가지고 형성될 수 있다.The body 110 includes a recess 160 having a predetermined depth. The recess 160 may be formed in the shape of a concave cup structure, a cavity structure, or a recess structure from the top surface 15 of the body 10, but the present invention is not limited thereto. The side walls of the recess 160 may be perpendicular or inclined with respect to the bottom, and two or more side walls may be formed with an inclination.

상기 몸체(110)의 형상은 위에서 볼 때, 삼각형, 사각형, 오각형과 같은 다각형 구조로 형성되거나, 원형, 곡면을 갖는 형상으로 형성될 수 있다. 상기 오목부(160)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형), 모서리가 곡면인 다각형 형상일 수 있다. The shape of the body 110 may be a polygonal structure such as a triangle, a rectangle, or a pentagon, or may have a circular or curved shape. The shape of the concave portion 160 viewed from the top may be a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape (e.g., a square shape), and a polygonal shape with a curved corner.

상기 몸체(110)는 복수의 측면부 예컨대, 4개의 측면부(11,12,13,14)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면부(11,12,13,14) 중 적어도 하나는 상기 몸체(110)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)는 제1 내지 제4측면부(11,12,13,14)를 그 예로 설명하며, 제1측면부(11)와 제2측면부(12)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(13)와 상기 제4측면부(14)는 서로 반대측 면이다. 상기 제1측면부(11) 및 제2측면부(12) 각각의 길이(Y1)는 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 너비(X1)와 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제1측면부(11)와 상기 제2측면부(12)의 길이(Y1)는 발광 소자(100)의 최대 길이(Y2)보다 짧을 수 있으며, 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14)의 너비(X1)보다 길게 형성될 수 있다. The body 110 may include a plurality of side portions, for example, four side portions 11, 12, 13 and 14. At least one of the plurality of side portions 11, 12, 13, and 14 may be disposed perpendicular or inclined with respect to the lower surface of the body 110. The first side surface portion 11 and the second side surface portion 12 are opposite to each other, and the third side surface portion 11, the second side surface portion 12, (13) and the fourth side surface portion (14) are opposite to each other. The length Y1 of each of the first side surface portion 11 and the second side surface portion 12 may be different from the width X1 of the third side surface portion 13 and the fourth side surface portion 14, 11 and the second side surface portion 12 may be shorter than the maximum length Y2 of the light emitting device 100 and the width X1 of the third side surface portion 13 and the fourth side surface portion 14 As shown in FIG.

상기 제1측면부(11) 또는 제2측면부(12)의 길이(Y1)는 상기 제3측면부(13) 및 제4측면부(14) 사이의 간격 즉, 최대 간격일 수 있다. 이러한 상기 몸체(110)의 길이 방향은 너비 방향에 대해 직교하는 방향이 된다. The length Y1 of the first side surface portion 11 or the second side surface portion 12 may be the interval between the third side surface portion 13 and the fourth side surface portion 14, The longitudinal direction of the body 110 is orthogonal to the width direction.

상기 발광 소자(100)는 최대 길이(Y2)가 상기 너비(X1)에 비해 2배 이상 예컨대, 3배 이상 길게 배치하여, 복수의 발광 칩(171,172)을 상기 길이 방향으로 배열할 수 있다. The light emitting device 100 may be arranged such that the maximum length Y2 is longer than the width X1 by two or more times, for example, three times or more, and the plurality of light emitting chips 171 and 172 may be arranged in the longitudinal direction.

상기 몸체(110)의 오목부(160)에는 복수의 리드 프레임(121,131)이 배치된다. 상기 복수의 리드 프레임(121,131)은 적어도 2개 또는 3개 이상의 금속 프레임을 포함하며, 예컨대 제1 및 제2리드 프레임(121,131)을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 간극부(119)에 의해 분리될 수 있다. A plurality of lead frames 121 and 131 are disposed in the concave portion 160 of the body 110. The plurality of lead frames 121 and 131 include at least two or three or more metal frames, and may include first and second lead frames 121 and 131, for example. The first and second lead frames 121 and 131 may be separated by a gap portion 119.

상기 오목부(160) 내에는 하나 또는 복수의 발광 칩(171,172)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(171,172)은 적어도 2개 또는 3개 이상의 LED 칩을 포함할 수 있으며, 예컨대 제1, 2발광 칩(171,172)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 칩(171,172)은 상기 복수의 리드 프레임(121,131)과 선택적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(171,172) 각각은 광원으로 정의될 수 있다.
One or a plurality of light emitting chips 171 and 172 may be disposed in the recess 160. The plurality of light emitting chips 171 and 172 may include at least two or three or more LED chips, and may include first and second light emitting chips 171 and 172, for example. The plurality of light emitting chips 171 and 172 may be selectively connected to the plurality of lead frames 121 and 131. Each of the light emitting chips 171 and 172 may be defined as a light source.

상기 제1리드 프레임(121)은 상기 오목부(160)의 바닥(16)보다 낮은 깊이를 갖는 제1캐비티(125)를 포함할 수 있다. 상기 제1캐비티(125)는 상기 오목부(160)의 바닥(16)부터 상기 몸체(110)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. The first lead frame 121 may include a first cavity 125 having a lower depth than the bottom 16 of the recess 160. The first cavity 125 may have a concave shape such as a cup shape or a recess shape from the bottom 16 of the concave portion 160 to the bottom direction of the body 110.

상기 제1캐비티(125)의 측벽 및 바닥은 상기 제1리드 프레임(121)에 의해 형성되며, 상기 제1캐비티(125)의 둘레 측벽은 상기 제1캐비티(125)의 바닥으로부터 경사지게 형성될 수 있다. 상기 제1캐비티(125)의 측벽 중에서 대향되는 두 측벽은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The sidewall and bottom of the first cavity 125 are formed by the first lead frame 121 and the peripheral sidewall of the first cavity 125 may be formed to be inclined from the bottom of the first cavity 125 have. Two opposed sidewalls of the sidewalls of the first cavity 125 may be inclined at the same angle or may be inclined at different angles.

상기 제2리드 프레임(131)은 상기 오목부(160)의 바닥(16)보다 낮은 깊이를 갖는 오목한 제2캐비티(135)가 형성된다. 상기 제2캐비티(135)는 상기 제2리드 프레임(131)의 상면 또는 상기 오목부(160)의 바닥(16)으로부터 상기 몸체(110)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(135)의 바닥 및 측벽은 상기 제2리드 프레임(131)에 의해 형성되며, 상기 제2캐비티(135)의 측벽은 상기 제2캐비티(135)의 바닥으로부터 경사지게 형성될 수 있다. 상기 제2캐비티(135)의 측벽 중에서 대응되는 두 측벽은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다. The second lead frame 131 is formed with a concave second cavity 135 having a lower depth than the bottom 16 of the cavity 160. The second cavity 135 may have a concave shape in the bottom surface of the body 110 from the bottom surface 16 of the concave portion 160 or the upper surface of the second lead frame 131, Or a recess shape. The bottom and sidewalls of the second cavity 135 may be formed by the second lead frame 131 and the sidewalls of the second cavity 135 may be formed obliquely from the bottom of the second cavity 135 . The corresponding two sidewalls of the sidewalls of the second cavity 135 may be inclined at the same angle or inclined at different angles.

상기 제1캐비티(125) 및 상기 제2캐비티(135)의 바닥 형상은 다각형 또는, 부분 곡면을 갖는 다각형 형상이거나, 원 또는 타원 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom shapes of the first cavity 125 and the second cavity 135 may be polygonal, polygonal having a partial curved surface, circular or elliptical, but are not limited thereto.

상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(131)의 일부 하면은 상기 몸체(110)의 하부로 노출되며, 상기 몸체(110)의 하면과 동일 평면 또는 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(131)의 일부 하면은 상기 제1 및 제2캐비티(125,135)의 바닥의 반대측 면을 포함한다.
A lower surface of the first lead frame 121 and the second lead frame 131 may be exposed to the lower portion of the body 110 and may be disposed on the same plane as the lower surface of the body 110, have. The first lead frame 121 and the second lead frame 131 partially include the opposite sides of the bottom surfaces of the first and second cavities 125 and 135.

상기 제1리드 프레임(121)은 제1리드부(123)를 포함하며, 상기 제1리드부(123)는 상기 몸체(110)의 제3측면부(13)로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(131)은 제2리드부(133)를 포함하며, 상기 제2리드부(133)는 상기 몸체(110)의 제4측면부(14)로 돌출될 수 있다. 상기 제1리드부(123)는 하나 또는 복수개가 돌출될 수 있으며, 상기 제2리드부(133)는 하나 또는 복수개가 돌출될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드부(123,133)는 오목부162)를 기준으로 서로 반대측 방향으로 돌출될 수 있다.The first lead frame 121 may include a first lead portion 123 and the first lead portion 123 may protrude from the third side portion 13 of the body 110. The second lead frame 131 may include a second lead portion 133 and the second lead portion 133 may protrude from the fourth side portion 14 of the body 110. One or a plurality of the first lead portions 123 may protrude, and one or a plurality of the second lead portions 133 may protrude. The first and second lead portions 123 and 133 may protrude in opposite directions with respect to the concave portion 162).

상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(131)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께는 0.15mm 이상 예컨대, 0.18mm~1.5mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께가 0.15mm 미만인 경우, 사출 성형에 어려움이 있다. 또한 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께가 1.5mm를 초과한 경우, 상기 발광 소자(100)의 두께(도 4의 t1)가 증가 및 사이즈가 증가될 수 있고, 재료비 상승의 원인이 될 수 있다. 또한 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께가 1.5mm 미만인 경우, 전기적인 특성 및 방열 특성이 저하될 수 있다. The first lead frame 121 and the second lead frame 131 may be formed of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, And may include at least one of tantalum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorous (P). The thickness of the first and second lead frames 121 and 131 may be 0.15 mm or more, for example, 0.18 mm to 1.5 mm. When the thickness of the first and second lead frames 121 and 131 is less than 0.15 mm, injection molding is difficult. In addition, when the thickness of the first and second lead frames 121 and 131 exceeds 1.5 mm, the thickness (t1 in FIG. 4) of the light emitting device 100 can be increased and the size thereof can be increased, . If the thicknesses of the first and second lead frames 121 and 131 are less than 1.5 mm, the electrical characteristics and heat dissipation characteristics may be deteriorated.

상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 전원을 공급하는 리드 프레임으로 기능하게 된다. 상기 오목부(160) 내에는 제1,2리드 프레임(121,131) 이외에 방열을 위한 금속 프레임 또는 상기 제1,2리드 프레임(121,131) 사이에 전기적으로 연결을 위한 중간 프레임이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The thicknesses of the first and second lead frames 121 and 131 may be the same, but the present invention is not limited thereto. The first and second lead frames 121 and 131 function as a lead frame for supplying power. In addition to the first and second lead frames 121 and 131, a metal frame for radiating heat or an intermediate frame for electrically connecting between the first and second lead frames 121 and 131 may be further disposed in the recess 160, It is not limited thereto.

상기 제1리드 프레임(121)의 제1캐비티(125) 내에는 제1발광 칩(171)이 배치되며, 예를 들어 상기 제1발광 칩(171)은 제1캐비티(125) 상에 접착제로 접착될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 제2리드 프레임(131)의 제2캐비티(135) 내에는 제2발광 칩(172)이 배치되며, 예를 들어 상기 제2발광 칩(72)은 제2캐비티(35) 상에 접착제로 접착될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 상기 접착제는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제일 수 있다. 상기 절연성 접착제는 에폭시 또는 실리콘과 같은 재질을 포함할 수 있으며, 상기 전도성 접착제는 솔더와 같은 본딩 재질을 포함할 수 있다. A first light emitting chip 171 is disposed in the first cavity 125 of the first lead frame 121. For example, the first light emitting chip 171 is bonded to the first cavity 125 with an adhesive But it is not limited thereto. A second light emitting chip 172 is disposed in the second cavity 135 of the second lead frame 131. For example, the second light emitting chip 72 is bonded to the second cavity 35 with an adhesive But it is not limited thereto. The adhesive may be an insulating adhesive or a conductive adhesive. The insulating adhesive may include a material such as epoxy or silicone, and the conductive adhesive may include a bonding material such as solder.

상기 제1 및 제2발광 칩(171,172)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 자외선 LED 칩, 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩, 백색 LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1 및 제2발광 칩(171,172)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다. 상기 제1 및 제2발광 칩(171,172)은 칩 내의 두 전극이 서로 인접하게 배치된 수평형 칩 구조이거나, 서로 반대측에 배치된 수직형 칩으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The first and second light emitting chips 171 and 172 may selectively emit light in the range of the visible light band to the ultraviolet light band. For example, an ultraviolet LED chip, a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, ) LED chips, and white LED chips. The first and second light emitting chips 171 and 172 include an LED chip including at least one of a compound semiconductor of group III-V elements and a compound semiconductor of group II-VII elements. The first and second light emitting chips 171 and 172 may be a horizontal chip structure in which two electrodes in the chip are disposed adjacent to each other, or may be arranged as vertical chips disposed on opposite sides, but the invention is not limited thereto.

도 2, 도 3 및 도 8을 참조하면, 상기 제1발광 칩(171)은 제1와이어(173)로 상기 오목부(160)의 바닥(16)에 배치된 제1리드 프레임(121)과 연결되며, 제2와이어(174)로 제2리드 프레임(131)과 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2발광 칩(172)은 제3와이어(175)로 상기 제1리드 프레임(121)과 연결될 수 있으며, 제4와이어(176)로 상기 오목부(160)의 바닥(16)에 배치된 제2리드 프레임(131)과 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 2, 3, and 8, the first light emitting chip 171 includes a first lead frame 121 disposed on the bottom 16 of the concave portion 160 with a first wire 173, And may be connected to the second lead frame 131 by the second wire 174, but the present invention is not limited thereto. The second light emitting chip 172 may be connected to the first lead frame 121 by a third wire 175 and may be connected to the second light emitting chip 172 by a fourth wire 176 disposed on the bottom 16 of the recess 160 And may be connected to the second lead frame 131, but the present invention is not limited thereto.

발광 소자(100)는 보호 소자를 포함할 수 있다. 상기 보호 소자는 상기 제1리드 프레임(121) 또는 상기 제2리드 프레임(131)의 일부 상에 배치될 수 있다. 상기 보호 소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 제너 다이오드는 상기 발광 칩(171,172)을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다. 상기 보호 소자는 제1발광 칩(171) 및 제2발광 칩(172)의 연결 회로에 병렬로 연결될 수 있다. 상기 보호 소자는 상기 몸체(110) 내부에 배치될 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다.The light emitting device 100 may include a protection device. The protection element may be disposed on a part of the first lead frame 121 or the second lead frame 131. The protection device may be implemented with a thyristor, a zener diode, or a TVS (Transient Voltage Suppression), and the zener diode protects the light emitting chips 171 and 172 from electrostatic discharge (ESD). The protection element may be connected in parallel to the connection circuit of the first light emitting chip 171 and the second light emitting chip 172. The protection element may be disposed inside the body 110, but is not limited thereto.

상기 오목부(160), 제1캐비티(125) 및 상기 제2캐비티(135)에는 몰딩 부재(181)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(181)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. The molding member 181 may be formed in the concave portion 160, the first cavity 125, and the second cavity 135. The molding member 181 includes a light-transmitting resin layer such as silicon or epoxy, and may be formed as a single layer or a multi-layer.

상기 몰딩 부재(181)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The surface of the molding member 181 may be formed in a flat shape, a concave shape, a convex shape, or the like, but is not limited thereto.

상기 몰딩 부재(181)는 형광체가 없는 층일 수 있다. 상기 몰딩 부재(181)는 형광체 이외의 확산제 또는 산란제를 포함할 수 있다. 상기 몰딩 부재(181)가 형광체를 갖는 경우, 상기 형광체가 발광 칩(171,172)에 인접하게 배치되게 되며, 이로 인해 발광 칩(171,172)으로부터 발생된 열에 의해 상기 형광체가 열화되는 문제가 있다. 이러한 형광체의 열화는 색 온도나 색 좌표를 변화시켜 줄 수 있어, 발광 소자(100)의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. 실시 예는 발광 칩(171,172)으로부터 이격된 광학 플레이트(300) 내에 형광체를 제공할 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광 칩(171,172) 상의 몰딩 부재(181)는 제거될 수 있다.
The molding member 181 may be a phosphor-free layer. The molding member 181 may include a diffusing agent or a scattering agent other than the phosphor. When the molding member 181 has a phosphor, the phosphor is disposed adjacent to the light emitting chips 171 and 172, thereby deteriorating the phosphor due to heat generated from the light emitting chips 171 and 172. Such deterioration of the phosphor can change the color temperature and the color coordinates, and can lower the reliability of the light emitting element 100. [ The embodiment can provide the phosphor in the optical plate 300 spaced apart from the light emitting chips 171, 172. As another example, the molding member 181 on the light emitting chips 171, 172 can be removed.

상기 광학 플레이트(300)는 도 5 내지 도 10과 같이, 오픈 영역(342)을 갖는 틀 형상의 반사체(310), 상기 반사체(310) 내에 형광체층(340), 상기 반사체(310) 및 형광체층(340)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 배치된 투명 필름(320,330), 및 상기 형광체층(340) 아래에 광원과 마주하는 반투과 미러(351,353)를 포함한다. 5 to 10, the optical plate 300 includes a frame-shaped reflector 310 having an open area 342, a phosphor layer 340, a reflector 310, Transparent films 320 and 330 disposed on at least one of the upper surface and the lower surface of the phosphor layer 340 and a transflective mirror 351 and 353 facing the light source under the phosphor layer 340.

상기 광학 플레이트(300)의 두께는 0.7mm 이상 예컨대, 0.7mm 내지 1.5mm 범위를 포함할 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)의 두께가 0.7mm 미만인 경우 형광체층(340)의 두께 확보가 어렵고 파장 변환 효율이 저하되는 문제가 있으며, 상기 1.5mm를 초과한 경우 조명 소자의 두께가 증가하게 되고, 투명 필름(320,330)의 두께 증가 시 광 손실이 발생될 수 있다. The thickness of the optical plate 300 may range from 0.7 mm or more, for example, 0.7 mm to 1.5 mm. When the thickness of the optical plate 300 is less than 0.7 mm, it is difficult to secure the thickness of the phosphor layer 340 and the wavelength conversion efficiency is lowered. When the thickness exceeds 1.5 mm, Increasing the thickness of the films 320 and 330 may cause optical loss.

상기 반사체(310)는 내부에 오픈 영역(342)을 포함하며, 외 형상이 원형 틀 또는 다각형 틀 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 원 형상 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 도 8 내지 도 10과 같이, 상기 발광 소자(100)의 오목부(160)의 형상과 대응되는 형상을 가지고, 상기 오목부(160)를 통해 출사된 광이 입사될 수 있다. 이러한 반사체(310)는 상기 형광체층(340)의 측면을 감싸게 형성될 수 있다. 상기 오픈 영역(342)의 하면 면적은 상기 몰딩 부재(160)의 상면 또는 광 출사면과 동일한 면적이거나 작은 면적일 수 있다.The reflector 310 includes an open region 342 therein, and the outer shape of the reflector 310 may include a circular frame or a polygonal frame. The open region 342 may include a circular or polygonal shape. 8 to 10, the open region 342 has a shape corresponding to the shape of the concave portion 160 of the light emitting device 100, and the light emitted through the concave portion 160 is incident . The reflector 310 may be formed to surround the side surface of the phosphor layer 340. The lower surface area of the open area 342 may be equal to or smaller than the upper surface or the light exit surface of the molding member 160.

상기 반사체(310)는 유리 재질 예컨대, 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질은 투명한 유리 내에 백색 입자 또는/및 기포를 첨가하여 형성할 수 있다. 상기 반사체(310)의 반사율은 상기 투명 필름(320,330)의 반사율보다 높을 수 있다. The reflector 310 may include a glass material such as a white glass or a glass material having a high reflectance. The white glass or the glass material having high reflectance can be formed by adding white particles and / or bubbles into the transparent glass. The reflectance of the reflector 310 may be higher than that of the transparent films 320 and 330.

상기 반사체(310)은 다른 예로서, 수지 재질을 포함하며, 상기 수지 재질은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 에폭시 또는 실리콘 재질을 포함할 수 있다. 상기 수지 재질 내에 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물 또는 백색 입자인 필러가 첨가될 수 있다. 상기 반사체(310)는 백색 수지로 이루어질 수 있다. 상기 반사체(310)은 세라믹 재질을 포함할 수 있다. As another example, the reflector 310 may include a resin material, and the resin material may include a resin material such as polyphthalamide (PPA), an epoxy or a silicone material. A metal oxide such as TiO 2 , SiO 2 or a metal oxide or a white particle filler may be added to the resin material. The reflector 310 may be made of a white resin. The reflector 310 may include a ceramic material.

상기 지지체(310)는 다른 예로서, 투광성 재질일 수 있으며, 예컨대 투명한 유리 재질이거나 투명한 수지 재질일 수 있다. 상기 지지체(310)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질일 수 있다. 상기 지지체(310)가 투광성 재질인 경우, 입사된 광을 측면을 통해 방출할 수 있어, 광의 지향 특성을 넓게 제공할 수 있다. As another example, the support 310 may be a light-transmitting material, for example, a transparent glass material or a transparent resin material. The support 310 may be made of a resin material such as silicon or epoxy. When the support 310 is made of a light-transmitting material, the incident light can be emitted through the side surface, thereby providing wide light directivity.

다른 예로서, 상기 지지체(310)의 내측면 또는 내측면/하면에는 금속 재질의 반사층이 더 배치될 수 있으며, 이러한 반사층은 입사된 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 이때 상기 지지체(310)의 재질은 투광성 재질이거나 반사성 재질일 수 있다. As another example, a metal reflective layer may be disposed on the inner surface or the inner surface / lower surface of the support 310, and the reflective layer may effectively reflect the incident light. At this time, the support 310 may be made of a translucent material or a reflective material.

상기 지지체(310)의 내 측면 및 외 측면 중 적어도 하나는 수직하거나 경사진 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 지지체(310)는 길이 방향에서 내측면과 외측면 사이의 간격(W1)은 0.4mm 이상 예컨대, 0.45mm 내지 0.6mm 범위일 수 있으며, 이러한 범위보다 작은 경우 상기 지지체(310)의 강성 확보가 어렵고 상기 범위보다 큰 경우 재료 낭비가 초래될 수 있다. 상기 간격(W1)은 지지체(310)의 오픈 영역(342)의 외측 프레임의 너비일 수 있다.  At least one of the inner surface and the outer surface of the support 310 may be formed as a vertical or inclined surface, but the present invention is not limited thereto. The distance W1 between the inner side surface and the outer side surface of the support body 310 in the longitudinal direction may be in a range of 0.4 mm or more, for example, 0.45 mm to 0.6 mm. When the support body 310 is smaller than this range, If it is difficult and larger than the above range, material waste can be caused. The distance W1 may be the width of the outer frame of the open area 342 of the support 310. [

상기 지지체(310)는 너비 방향에서 내측면과 외측면 사이의 간격(W2)은 상기 간격(W1)과 같거나 작을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 간격(W2,W1)은 상기 발광 소자의 오목부 사이즈에 따라 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The distance W2 between the inner side surface and the outer side surface of the support 310 in the width direction may be equal to or smaller than the gap W1, but is not limited thereto. The intervals W2 and W1 may vary depending on the recess size of the light emitting device, but are not limited thereto.

상기 지지체(310)의 내측면 예컨대, 상기 형광체층(340)과 접촉되는 면은 상기 제1투명 필름(320)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 지지체(310)의 내 측면이 경사진 경우, 상기 형광체층(340)의 상면 너비 또는 상면 면적은 하면 너비 또는 하면 면적보다 클 수 있다. The inner surface of the support 310, for example, the surface that contacts the phosphor layer 340, may be disposed perpendicular or inclined with respect to the lower surface of the first transparent film 320. When the inner surface of the support 310 is inclined, the top surface width or the top surface area of the phosphor layer 340 may be larger than the bottom width or the bottom surface area.

상기 형광체층(340)은 투명한 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질 내에 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 형광체층(340)은 상기 발광 칩(171,172)으로부터 방출된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(340)은 적색, 녹색, 황색, 청색 형광체 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The phosphor layer 340 may include a phosphor in a resin material such as transparent silicon or epoxy. The phosphor layer 340 converts the wavelength of light emitted from the light emitting chips 171 and 172. The phosphor layer 340 may include at least one of red, green, yellow, and blue phosphors, or may include different types of phosphors. The phosphor excites a part of the emitted light and emits it as light of a different wavelength. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor.

상기 형광체층(340)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 황색, 적색 양자점 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 포함할 수 있다. The phosphor layer 340 may include a quantum dot. The quantum dot may include an II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may include at least one of red, green, yellow, and red quantum dots or different types.

상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. 이러한 양자점의 경우 온도에 따른 발광 효율의 변화가 크게 되므로, 실시 예와 같이 발광 칩(171,172)으로부터 이격시켜 주어 발광 효율의 변화를 줄여줄 수 있다. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2, CuInSe 2, and the like, and combinations thereof. Since the quantum dots have a large change in the luminous efficiency depending on the temperature, the quantum dots can be separated from the light emitting chips 171 and 172 as in the embodiment, thereby reducing the change in luminous efficiency.

상기 형광체층(340)의 아래 및 위 중 적어도 하나 또는 모두에 투명 필름(320,330)이 배치될 수 있다. 상기 투명 필름(320,330)은 상기 형광체층(340)의 아래에 배치되는 제1투명 필름(320) 및 상기 형광체층(340) 위에 배치되는 제2투명 필름(330)을 포함할 수 있다. 상기 투명 필름(320,330)은 형광체층(340)의 입사면 또는/및 출사면에 배치될 수 있다. 이러한 광학 플레이트(300)는 제1 및 제2투명 필름(320,330) 중 어느 하나는 제거될 수 있으며, 예컨대 제2투명 필름(330)은 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Transparent films 320 and 330 may be disposed on at least one or both of the phosphor layer 340 and the phosphor layer 340. The transparent films 320 and 330 may include a first transparent film 320 disposed under the fluorescent layer 340 and a second transparent film 330 disposed on the fluorescent layer 340. The transparent films 320 and 330 may be disposed on the incident surface and / or the emission surface of the phosphor layer 340. In this optical plate 300, any one of the first and second transparent films 320 and 330 may be removed, for example, the second transparent film 330 may be removed, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 유리, 또는 투명한 수지 필름을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 반사체(310) 상에 접착되어 상기 형광체층(340)을 보호하게 된다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181)의 굴절률과 동일하거나 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181)의 굴절률의 차이가 0.2 이하인 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181) 및 상기 형광체층(340)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.The first and second transparent films 320 and 330 may include glass or a transparent resin film. The first and second transparent films 320 and 330 are bonded on the reflector 310 to protect the phosphor layer 340. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed of a material having a refractive index equal to or lower than that of the molding member 181. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed of a material having a difference in refractive index of the molding member 181 of 0.2 or less. The first and second transparent films 320 and 330 may have a refractive index lower than that of the molding member 181 and the phosphor layer 340.

상기 제1투명 필름(320)은 상기 반사체(310)의 하면 및 상기 형광체층(340)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제2투명 필름(330)은 상기 반사체(310)의 상면 및 상기 형광체층(340)의 상면에 접착될 수 있다. The first transparent film 320 may be adhered to the lower surface of the reflector 310 and the lower surface of the phosphor layer 340. The second transparent film 330 may be adhered to the upper surface of the reflector 310 and the upper surface of the phosphor layer 340.

상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 두께는 0.05mm 이상 예컨대, 0.08mm 내지 0.2mm 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(310,330)의 두께가 0.05mm 미만인 경우 핸들링(handling)이 어렵고 강성에 문제가 발생될 수 있으며, 상기 0.2mm를 초과한 경우 광학 플레이트(300)의 두께가 두꺼워지고 광 투과율이 저하될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 두께는 서로 동일한 두께이거나 서로 다른 두께일 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 두께가 서로 다른 경우, 상기 제1투명 필름(320)이 제2투명 필름(330)의 두께보다 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 이는 제1투명 필름(320)의 두께가 제2투명 필름(330)의 두께보다 두껍기 때문에 발광 소자(100)와 안정적으로 접착될 수 있다.The thickness of the first and second transparent films 320 and 330 may be 0.05 mm or more, for example, 0.08 mm to 0.2 mm. If the thickness of the first and second transparent films 310 and 330 is less than 0.05 mm, handling may be difficult and stiffness may be caused. When the thickness exceeds 0.2 mm, the thickness of the optical plate 300 becomes thick The light transmittance may be lowered. The thickness of the first and second transparent films 320 and 330 may be the same or different from each other. If the thicknesses of the first and second transparent films 320 and 330 are different from each other, the first transparent film 320 may have a thickness greater than that of the second transparent film 330. This is because the thickness of the first transparent film 320 is thicker than the thickness of the second transparent film 330 so that it can be stably bonded to the light emitting device 100.

상기 형광체층(340)은 상기 반사체(310)의 두께와 동일한 두께를 가질 수 있으며, 이 경우 상기 반사체(310)의 상면 및 하면의 일부 또는 전 영역에는 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)이 접촉될 수 있다. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed on the upper surface and the lower surface of the reflector 310. In this case, Can be contacted.

상기 형광체층(340)은 상기 반사체(310)의 두께보다 얇은 두께일 수 있다. 이는 반사체(310)이 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 외측 둘레로 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The phosphor layer 340 may be thinner than the reflector 310. The reflector 310 may protrude from the outer periphery of the first and second transparent films 320 and 330, but the present invention is not limited thereto.

상기 반투과 미러(351,353)는 반투과성 기능을 수행할 수 있는 금속 재질 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 재질을 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 투과율보다 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투과율 및 반사율의 합은 100%인 경우 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율은 50%를 초과할 수 있다. The transflective mirrors 351 and 353 may include a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) material capable of performing a semi-transmissive function. The transflective mirrors 351 and 353 may be formed of a material having a reflectance higher than that of the transmissivity. Here, when the sum of transmittance and reflectance is 100%, the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 may exceed 50%.

상기 반투과 미러(351,353)는 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 하면 즉, 광 입사면에는 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 반투과 미러(351,353)는 하프 미러(half mirror) 시트(sheet), 반투명 미러, 편광 시트 또는 반투명 확산 시트로 정의될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)은 상기 제1투명 필름(320) 아래에 스크린 인쇄로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The semi-transmission mirrors 351 and 353 may include a diffusion sheet. An undulation pattern may be formed on the lower surface of the transflective mirrors 351 and 353, that is, on the light incident surface, but the present invention is not limited thereto. These semi-transmissive mirrors 351 and 353 may be defined as a half mirror sheet, a semi-transparent mirror, a polarizing sheet, or a translucent diffusion sheet. The transflective mirrors 351 and 353 may be formed by screen printing under the first transparent film 320, but the present invention is not limited thereto.

상기 반투과 미러(351,353)는 상기 형광체층(340) 아래 예컨대, 제1투명 필름(320) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 상기 제1투명 필름(320)의 아래에 하나 또는 복수개가 배치될 수 있으며, 예컨대 복수개인 경우 상기 발광 칩(171,172)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 광원과 대면하게 예컨대, 상기 발광 칩(171,172)과 각각 대면하게 배치될 수 있다. The transflective mirrors 351 and 353 may be disposed under the first transparent film 320, for example, below the phosphor layer 340. One or a plurality of the transflective mirrors 351 and 353 may be disposed under the first transparent film 320. For example, the number of the transflective mirrors 351 and 353 may be the same as the number of the light emitting chips 171 and 172. The transflective mirrors 351 and 353 may be disposed to face the light source, for example, facing the light emitting chips 171 and 172, respectively.

상기 반투과 미러(351,353)는 상기 발광 소자(100)로부터 입사된 광을 반사 및 투과하게 된다. 상기 반투과 미러(351,353)는 상기 광학 플레이트(300)로 입사된 광원의 광량이 높은 최대인 영역에 배치되어, 입사된 광의 일부는 투과시키고 나머지는 반사시켜 줄 수 있다. The semi-transmission mirrors 351 and 353 reflect and transmit the light incident from the light emitting device 100. The semi-transmissive mirrors 351 and 353 may be disposed in a region where the light amount of the light source incident on the optical plate 300 is a maximum, so that a part of the incident light is transmitted and the remaining light is reflected.

이러한 광학 플레이트(300)는 발광 칩(171,172)의 광량이 가장 높은 영역에 반투과 미러(351,353)를 배치함으로써, 발광 칩(171,172)로부터 발생된 광에 의한 형광체나 양자점의 열화 문제를 줄여줄 수 있고, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 또한 형광체나 양자점에 의한 색 변환은 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 색 보정 지수가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 다른 예로서, 상기 반투과 미러(351,353)는 상기 몰딩 부재(181)의 상면에 상기 발광 칩(171,172)과 대면하게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. By disposing the transflective mirrors 351 and 353 in the regions where the light amounts of the light emitting chips 171 and 172 are the highest, such an optical plate 300 can reduce the problem of deterioration of the fluorescent substance and quantum dots by light generated from the light emitting chips 171 and 172 And can reduce the optical loss. Further, the color conversion by the fluorescent substance and the quantum dot can prevent the lowering of the light efficiency and the lowering of the color correction index. As another example, the transflective mirrors 351 and 353 may be disposed on the upper surface of the molding member 181 so as to face the light emitting chips 171 and 172, but the present invention is not limited thereto.

도 6과 같이, 상기 반투과 미러(351,353)는 복수개인 경우 제1방향(또는 길이 방향)으로 배열되며, 상기 반투과 미러(351,353) 각각은 제1방향의 길이(E4)가 제2방향의 너비(E5)보다 넓을 수 있다. 상기 복수의 반투과 미러(351,353)의 중심 간의 직선 거리(G3)는 상기 길이(E4)의 2배 이하로 배치될 수 있으며, 이러한 직선 거리(G3)는 도 8의 발광 칩(171,172)의 중심 간의 직선 거리와 동일할 수 있다. As shown in FIG. 6, the transflective mirrors 351 and 353 are arranged in a first direction (or a longitudinal direction) when a plurality of the transflective mirrors 351 and 353 are arranged, and each of the transflective mirrors 351 and 353 has a length E4 in the first direction, Width (E5). The linear distance G3 between the centers of the plurality of transflective mirrors 351 and 353 may be set to be not more than twice the length E4 and the linear distance G3 is set to be equal to or less than the center of the light emitting chips 171 and 172 May be the same as the straight line distance between them.

실시 예에 따른 광학 플레이트(300)는 발광 소자(100)의 두께(도 4의 t1)보다 얇은 두께로 제공되어, 발광 소자(100) 상의 조명 플레이트 또는 형광 플레이트로 기능할 수 있다.
The optical plate 300 according to the embodiment can be provided at a thickness thinner than the thickness of the light emitting element 100 (t1 in Fig. 4), and can function as an illumination plate or a fluorescent plate on the light emitting element 100. [

상기 광학 플레이트(300)는 발광 소자(100) 상에 도 7 내지 도 10과 같이 결합될 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)는 상기 발광 소자(100)의 몸체(110)의 상면에 부착될 수 있다. 도 9와 같이, 상기 광학 플레이트(300)의 제1방향의 길이(D2)는 상기 발광 소자(100)의 제1방향의 최대 길이(Y2)보다 짧을 수 있으며, 몸체(110)의 길이(Y1)와 같거나 짧게 형성될 수 있다. 상기 몸체(110)의 길이(Y1)는 몸체(110)의 하부 길이일 수 있으며 최대의 길이일 수 있다. 이러한 광학 플레이트(300)는 상기 발광 소자(100)의 몸체 상면(15)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 광학 플레이트(300)의 하면 면적은 상기 몸체(110)의 상면 면적과 동일하거나 다를 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)의 하면 길이는 상기 몸체(110)의 상면 길이와 동일하거나 다를 수 있다. 상기 형광체층(310)의 길이는 상기 몸체(110)의 상면 길이보다 짧을 수 있다. The optical plate 300 may be coupled to the light emitting device 100 as shown in FIGS. The optical plate 300 may be attached to the upper surface of the body 110 of the light emitting device 100. 9, the length D2 of the optical plate 300 in the first direction may be shorter than the maximum length Y2 of the light emitting device 100 in the first direction, and the length Y1 of the body 110 ) May be formed. The length Y1 of the body 110 may be a length of a lower portion of the body 110 and may be a maximum length. The optical plate 300 may be disposed on the upper surface 15 of the body of the light emitting device 100. For example, the bottom surface area of the optical plate 300 may be the same as or different from the top surface area of the body 110. The length of the bottom surface of the optical plate 300 may be the same as or different from the length of the top surface of the body 110. The length of the phosphor layer 310 may be shorter than the length of the top surface of the body 110.

도 10과 같이, 또한 상기 광학 플레이트(300)의 제2방향의 너비(D3)는 상기 발광 소자(100)의 제2방향의 너비(X4)보다 좁게 배치되어, 상기 발광 소자(100)의 몸체 상면(15)에 안착될 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)의 반사체(310)는 상기 몸체(110)의 상면(15)과 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 상기 제1투명 필름(320)은 상기 몸체(110)의 상면에 배치될 수 있으며, 예컨대 상기 제1투명 필름(320)의 하면 외측 둘레는 상기 몸체(110)의 상면에 접착제로 접착될 수 있다. 상기 반사체(310) 및 상기 제1투명 필름(320) 중 적어도 하나는 상기 몸체(110)의 상면과 접착제로 접착될 수 있다. The width D3 of the optical plate 300 in the second direction is narrower than the width X4 of the light emitting element 100 in the second direction, And can be seated on the upper surface 15. The reflector 310 of the optical plate 300 may overlap the upper surface 15 of the body 110 in the vertical direction. The first transparent film 320 may be disposed on the upper surface of the body 110. For example, the lower surface of the lower surface of the first transparent film 320 may be adhered to the upper surface of the body 110 with an adhesive . At least one of the reflector 310 and the first transparent film 320 may be adhered to the upper surface of the body 110 with an adhesive.

이러한 광학 플레이트(300)의 하면과 상기 몸체의 상면(15)과의 접착 면적을 극대화하여 상기 광학 플레이트(300)의 유동을 줄여줄 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)의 외측 하면은 상기 몸체(110)의 상면에 접착체로 접착될 수 있다. The area of adhesion between the lower surface of the optical plate 300 and the upper surface 15 of the body may be maximized to reduce the flow of the optical plate 300. The outer surface of the optical plate 300 may be adhered to the upper surface of the body 110 as an adhesive.

도 8 및 도 9와 같이, 상기 광학 플레이트(300)는 상기 발광 소자(100)의 오목부(160)와 대응되는 영역에 상기 형광체층(340)이 배치되며, 상기 발광 칩(171,172)과 대면하는 영역에 상기 반투과 미러(351,353)가 배치될 수 있다. 8 and 9, the optical plate 300 includes the phosphor layer 340 disposed in a region corresponding to the concave portion 160 of the light emitting device 100, and the light emitting chip 171, The semitransparent mirrors 351 and 353 may be disposed in a region where the semi-

상기 반투과 미러(351,353)는 상기 발광 칩(171,172)과 제1투명 필름(320) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 상기 몰딩 부재(181)와 상기 제1투명 필름(320) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몰딩 부재(181)는 상기 제1투명 필름(320) 아래에 배치될 수 있다. The transflective mirrors 351 and 353 may be disposed between the light emitting chips 171 and 172 and the first transparent film 320. The semi-transparent mirrors 351 and 353 may be disposed between the molding member 181 and the first transparent film 320. The molding member 181 may be disposed under the first transparent film 320.

상기 반투과 미러(351,353)는 상기 발광 소자(100)의 몰딩 부재(181)에 접촉될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 하면은 상기 몰딩 부재(181)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 하면은 상기 몰딩 부재(181)의 상면보다 상기 발광 칩(171,172)에 더 가깝게 배치될 수 있다. The semi-transparent mirrors 351 and 353 may be in contact with the molding member 181 of the light emitting device 100. The lower surfaces of the semi-transparent mirrors 351 and 353 may be disposed lower than the upper surface of the molding member 181. The lower surfaces of the transflective mirrors 351 and 353 may be disposed closer to the light emitting chips 171 and 172 than the upper surface of the molding member 181.

상기 몰딩 부재(181)는 상기 반투과 미러(351,353)과 상기 제1투명 필름(320)의 하면에 접촉될 수 있다. The molding member 181 may be in contact with the lower surfaces of the transflective mirrors 351 and 353 and the first transparent film 320.

도 9 및 도 10과 같이, 상기 형광체층(340)의 제1방향의 길이(D1)는 상기 오목부(160)의 제1방향의 길이(Y3)와 동일하거나 작을 수 있다. 상기 형광체층(340)의 제2방향의 너비(D4)는 상기 오목부(160)의 제2방향의 너비(X2)와 동일하거나 작을 수 있다. 상기 형광체층(340)의 제1방향의 길이(D1)는 제2방향의 너비(D4)보다 클수 있다. 상기 형광체층(340)은 상기 오목부(160)와 수직 방향으로 오버랩될 수 있다. 이에 따라 상기 형광체층(340)은 상기 발광 소자(100)의 오목부(160)를 통해 방출되는 광을 효과적으로 파장 변환할 수 있다.9 and 10, the length D1 of the phosphor layer 340 in the first direction may be equal to or less than the length Y3 of the recess 160 in the first direction. The width D4 of the phosphor layer 340 in the second direction may be equal to or less than the width X2 of the recess 160 in the second direction. The length D1 of the phosphor layer 340 in the first direction may be greater than the width D4 of the second direction. The phosphor layer 340 may overlap with the concave portion 160 in the vertical direction. Accordingly, the phosphor layer 340 can effectively convert the wavelength of light emitted through the concave portion 160 of the light emitting device 100.

상기 반투과 미러(351,353)의 길이(E4)는 상기 발광 칩(171,172)의 길이(E1) 보다 길고 상기 캐비티(125,135)의 바닥 너비(B1)보다 좁게 배치될 수 있다. 상기 길이(E4)는 길이(B1)의 1배 이상 예컨대, 1배 내지 2배 범위이며, 상기 길이(E4)가 상기 범위보다 작은 경우 반투과 미러(351,353)에 의한 광 확산 효과가 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 인접한 발광 칩(171,172)로부터 방출된 광 간의 간섭이 발생될 수 있다. The length E4 of the transflective mirrors 351 and 353 may be longer than the length E1 of the light emitting chips 171 and 172 and narrower than the bottom width B1 of the cavities 125 and 135. [ The length E4 is in a range of 1 time or more, for example, 1 time to 2 times the length B1. When the length E4 is smaller than the above range, the light diffusion effect by the transflective mirrors 351 and 353 is insignificant, If it is larger than the above range, interference may occur between the light emitted from the adjacent light emitting chips 171 and 172.

상기 반투과 미러(351,353)의 너비(E5)는 상기 발광 칩(171,172)의 너비(E2)보다 크고 상기 캐비티(125,135)의 바닥 너비(B2)보다 좁게 배치될 수 있다. 상기 너비(E5)는 너비(B2)의 1배 이상 예컨대, 1배 내지 2배 범위이며, 상기 너비(E5)가 상기 범위보다 작은 경우 반투과 미러(351,353)에 의한 광 확산 효과가 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 확산된 광의 분포가 균일하지 못하며, 또한 오목부(160)의 너비(E4)와의 너비 차이가 크지 않게 되는 문제가 있다. The width E5 of the transflective mirrors 351 and 353 may be greater than the width E2 of the light emitting chips 171 and 172 and narrower than the bottom width B2 of the cavities 125 and 135. [ The width E5 is in a range of 1 times or more, for example, 1 to 2 times the width B2. When the width E5 is smaller than the range, the light diffusion effect by the transflective mirrors 351 and 353 is insignificant. If the width is larger than the above range, there is a problem that the distribution of diffused light is not uniform and the difference in width from the width E4 of the concave portion 160 is not large.

상기 반투과 미러(351,353)의 너비(E5)는 상기 오목부(160)의 너비(X2)의 0.65배 이하 예컨대, 0.34배 내지 0.62배 범위일 수 있다. 이러한 너비(E5)가 상기 범위보다 작은 경우 광 확산 효과가 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우 광 확산 분포가 균일하지 않는 문제가 있다. The width E5 of the transflective mirrors 351 and 353 may be 0.65 or less, for example, 0.34 to 0.62 times the width X2 of the recess 160. If the width E5 is smaller than the above range, the light diffusion effect is insignificant. If the width E5 is larger than the above range, there is a problem that the light diffusion distribution is not uniform.

상기 반투과 미러(351,353)는 길이(E4)가 너비(E5)보다 길게 되며, 상기 반투과 미러(351,353)의 길이(E4) 대 너비(E5)의 비율은 1:0.5 내지 2:1.4 범위로 형성될 수 있다. 상기 길이(E4) 및 너비(E5)의 비율은 발광 칩(171,172)의 길이(B1) 및 너비(B2)의 비율과 동일할 수 있다.
The length E4 of the transflective mirrors 351 and 353 is longer than the width E5 and the ratio of the length E4 to the width E5 of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of 1: 0.5 to 2: 1.4 . The ratio of the length E4 and the width E5 may be the same as the ratio of the length B1 and the width B2 of the light emitting chips 171 and 172. [

상기 반투과 미러(351,353)는 하면 면적이 상기 발광 칩(171,172)의 상면 면적보다 크게 상기 발광 칩(171,172) 상에 배치될 수 있어, 상기 발광 칩(171,172)으로부터 조사되는 광을 투과 또는 반사시켜 주게 되며, 상기 반사된 광은 상기 리드 프레임(121,131)에 의해 반사되어 상기 광학 플레이트(300)로 재 입사될 수 있다. 여기서, 상기 반투과 미러(351,353)의 길이(E4)가 상기 캐비티(125,135)의 바닥 너비(B1)보다 좁기 때문에, 상기 반투과 미러(351,353)로부터 반사된 광은 도 11과 같이 상기 리드 프레임(121,131)의 표면이나 상기 캐비티(125,135)의 영역으로 입사되며, 이러한 캐비티(125,135)로 입사된 광은 상기 캐비티(125,135)의 바닥 면 및 경사진 측면에 의해 다른 방향으로 반사될 수 있다.
The semi-transmissive mirrors 351 and 353 can be disposed on the light emitting chips 171 and 172 so that the lower surface area thereof is larger than the upper surface area of the light emitting chips 171 and 172. The light emitted from the light emitting chips 171 and 172 is transmitted or reflected And the reflected light may be reflected by the lead frames 121 and 131 and re-incident on the optical plate 300. [ Since the length E4 of the transflective mirrors 351 and 353 is narrower than the bottom width B1 of the cavities 125 and 135, the light reflected from the transflective mirrors 351 and 353 passes through the lead frame The light incident on the surfaces of the cavities 125 and 135 may be reflected in the other direction by the bottom surface and the inclined side surface of the cavities 125 and 135.

상기 반투과 미러(351,353)의 하면 면적은 상기 발광 칩(171,172)의 상면 면적보다 넓게 배치될 수 있다. 즉, 제1반투과 미러(351,353)는 상기 제1발광 칩(171) 상에 상기 제1발광 칩(171)의 면적보다 큰 면적으로 배치될 수 있으며, 제2반투과 미러(351,353)는 상기 제2발광 칩(172) 상에 상기 제2발광 칩(172)의 면적보다 큰 면적으로 배치될 수 있다.
The bottom surface area of the transflective mirrors 351 and 353 may be larger than the top surface area of the light emitting chips 171 and 172. That is, the first transflective mirrors 351 and 353 may be disposed on the first light emitting chip 171 in an area larger than the area of the first light emitting chip 171, and the second transflective mirrors 351 and 353 may be disposed on the first light emitting chip 171, And may be disposed on the second light emitting chip 172 in an area larger than the area of the second light emitting chip 172.

또한 상기 반투과 미러(351,353)와 상기 발광 칩(171,172) 간의 간격(G1)은 1mm 이하 예컨대, 0.2mm 내지 1mm 범위일 수 있다. 상기 발광 칩(171,172)과 상기 반투과 미러(351,353) 간의 간격(G1)이 상기 범위보다 작은 경우 몸체(110)의 두께가 얇아져 강성 확보가 어렵고 형광체 열화 문제가 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 발광 소자(100)의 두께(t1)가 두꺼워지는 문제가 존재할 수 있고 반투과 미러(351,353)에 의한 광 확산 효과가 미미할 수 있다. The distance G1 between the transflective mirrors 351 and 353 and the light emitting chips 171 and 172 may be in a range of 1 mm or less, for example, 0.2 mm to 1 mm. If the gap G1 between the light emitting chips 171 and 172 and the semi-transmissive mirrors 351 and 353 is smaller than the above range, the thickness of the body 110 may be thinned to make it hard to secure rigidity and cause a problem of phosphor deterioration. There may be a problem that the thickness t1 of the light emitting element 100 becomes thick and the light diffusion effect by the transflective mirrors 351 and 353 may be insignificant.

실시 예에 따른 반투과 미러(351,353)는 각 발광 칩(171,172) 상에 대면하게 배치되어, 상기 각 발광 칩(171,172)으로부터 방출되는 광을 분산시켜 주어 제1투명 필름(320)을 통해 분산된 광이 형광체층(340)에 입사되도록 할 수 있다. 이에 따라 조명 소자(101) 상으로 조사된 광이 균일한 분포를 가질 수 있다. The transflective mirrors 351 and 353 according to the embodiment are disposed on the respective light emitting chips 171 and 172 in such a manner that the light emitted from the light emitting chips 171 and 172 is dispersed to be dispersed through the first transparent film 320, So that light can be incident on the phosphor layer 340. Accordingly, the light irradiated onto the illumination element 101 can have a uniform distribution.

실시 예에 따른 광학 플레이트(300)는 상기 반투과 미러(351,353)에 의해 발광 칩(171,172)로부터 조사된 광을 투과 및 반사시켜 주고, 상기 반사된 광은 발광 소자(100) 내에서 반사되어 상기 반투과 미러(351,353)의 주변 영역으로 투과될 수 있다.
The optical plate 300 according to the embodiment transmits and reflects the light emitted from the light emitting chips 171 and 172 by the transflective mirrors 351 and 353 and the reflected light is reflected in the light emitting device 100, Can be transmitted to the peripheral area of the semi-transmission mirrors 351 and 353.

도 12는 광학 플레이트의 반투과 미러의 다른 예이다.12 is another example of a semi-transmission mirror of the optical plate.

도 12와 같이, 반투과 미러(351,353)는 광학 플레이트(300)의 하면이 아닌 제1투명 필름(320)과 형광체층(340) 사이에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)는 제1투명 필름(320)을 통해 입사된 광의 일부를 투과시키고 일부는 반사시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광 칩(171,172) 상에서 집광되는 광 에너지 분포를 분산시켜 줄 수 있다.
12, the transflective mirrors 351 and 353 may be disposed between the first transparent film 320 and the phosphor layer 340, not on the lower surface of the optical plate 300. The transflective mirrors 351 and 353 may transmit a part of light incident through the first transparent film 320 and partially reflect the light. Accordingly, the light energy distribution that is condensed on the light emitting chips 171 and 172 can be dispersed.

도 13은 광학 플레이트의 반투과 미러의 다른 예이다.13 is another example of the semi-transmission mirror of the optical plate.

도 13과 같이, 반투과 미러(352,354)는 하면이 곡면을 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(352,354)의 하면이 상기 발광 칩(171,172) 방향으로 볼록한 곡면으로 형성될 수 있다. 이에 따라 반투과 미러(351,354)는 발광 칩(171,172)으로부터 입사된 광 중에서 센터 영역으로 입사된 광의 일부는 투과시키고 센터 영역 주변으로 입사된 광의 반사를 증가시켜 줄 수 있다. 이러한 반투과 미러(352,354)에 의해 발광 칩(171,172) 상의 에너지 밀도 분포를 분산시켜 줄 수 있다.
As shown in Fig. 13, the semi-transmissive mirrors 352 and 354 may include curved surfaces on the lower surface. The lower surfaces of the transflective mirrors 352 and 354 may be formed into a convex curved surface in the direction of the light emitting chips 171 and 172. Accordingly, the transflective mirrors 351 and 354 transmit part of the light incident on the center region out of the light incident from the light emitting chips 171 and 172 and increase the reflection of the light incident on the periphery of the center region. The energy density distribution on the light emitting chips 171 and 172 can be dispersed by the semi-transmission mirrors 352 and 354.

도 14 및 도 15는 실시 예에 따른 조명 소자의 발광 소자를 변형한 예이다.14 and 15 show an example in which the light emitting element of the illumination element according to the embodiment is modified.

도 14 및 도 15를 참조하면, 조명 소자는 발광 소자(100A) 및 상기 발광 소자(100A) 상에 광학 플레이트(300)를 포함한다.14 and 15, an illumination device includes a light emitting device 100A and an optical plate 300 on the light emitting device 100A.

상기 발광 소자(100A)는 오목부(160)를 갖는 몸체(110A), 상기 오목부(160) 내에 복수의 리드 프레임(122,132), 상기 오목부(160) 내에 복수의 발광 칩(171,172)을 포함한다.The light emitting device 100A includes a body 110A having a concave portion 160, a plurality of lead frames 122 and 132 in the concave portion 160, and a plurality of light emitting chips 171 and 172 in the concave portion 160 do.

상기 복수의 리드 프레임(122,132) 중 적어도 하나 또는 모두는 상면이 수평한 면으로 형성될 수 있다. 즉, 도 8과 같은 각 리드 프레임(121,131)에 캐비티를 형성하지 않고, 플랫한 리드 프레임을 제공할 수 있다.
At least one or both of the plurality of lead frames 122 and 132 may be formed as a horizontal surface on an upper surface. That is, it is possible to provide a flat lead frame without forming a cavity in each of the lead frames 121 and 131 as shown in FIG.

상기 복수의 리드 프레임(122,132)은 제1리드 프레임(122) 및 상기 제1리드 프레임(122)로부터 이격된 제2리드 프레임(132)을 포함한다.The plurality of lead frames 122 and 132 includes a first lead frame 122 and a second lead frame 132 spaced from the first lead frame 122.

상기 제1리드 프레임(122)의 상면 너비는 하면 너비보다 넓을 수 있고, 그 상면 면적은 하면 면적보다 넓을 수 있다. 상기 제2리드 프레임(132)의 상면 너비는 하면 너비보다 넓을 수 있고, 그 상면 면적은 하면 면적보다 넓을 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2리드 프레임(122,132)의 표면적이 증가될 수 있어, 몸체(110a)와의 접착력이 개선될 수 있고, 방열 효율이 증가될 수 있다.The top surface width of the first lead frame 122 may be wider than the bottom width, and the top surface area thereof may be wider than the bottom surface area. The top surface width of the second lead frame 132 may be wider than the bottom width, and the top surface area thereof may be wider than the bottom surface area. As a result, the surface area of the first and second lead frames 122 and 132 can be increased, the adhesion with the body 110a can be improved, and the heat radiation efficiency can be increased.

상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132)은 서로 마주하는 영역에 단차 구조(22,32)를 가질 수 있다. 상기 단차 구조(22,32)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132) 사이에 배치된 간극부(119)와의 접착 면적이 증가될 수 있다. The first and second lead frames 122 and 132 may have stepped structures 22 and 32 in regions facing each other. The stepped structures 22 and 32 can be increased in area of adhesion with the gap portion 119 disposed between the first and second lead frames 122 and 132.

상기 간극부(119)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132) 사이의 영역에 배치되거나, 일부가 상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 간극부(119)는 상기 몸체(110A)와 동일한 재질이거나 다른 절연 재질일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The gap portion 119 may be disposed in an area between the first and second lead frames 122 and 132 or may be disposed on an upper surface of the first and second lead frames 122 and 132 in part. The gap portion 119 may be made of the same material as the body 110A or may be made of another insulating material, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 및 제2리드 프레임(122,132)은 홀(23,33)을 포함하며 상기 홀(22,33)에는 몸체(110A)의 일부(116,117)가 결합될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(122)의 홀(23)은 하나 또는 복수개가 상기 몸체(110A)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(132)의 홀(33)은 하나 또는 복수개가 상기 몸체(110A)와 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 홀(23,33) 각각은 하부의 너비가 상부의 너비보다 더 크게 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 이에 따라 몸체(110A)와 리드 프레임(122,132)의 홀(23,33)과의 접착력은 증가될 수 있어, 습기 침투를 방지할 수 있다.
The first and second lead frames 122 and 132 include holes 23 and 33 and a portion 116 and 117 of the body 110A may be coupled to the holes 22 and 33. [ One or a plurality of holes 23 of the first lead frame 122 may be arranged to overlap with the body 110A in the vertical direction. One or a plurality of holes 33 of the second lead frame 132 may be arranged to overlap with the body 110A in the vertical direction. The width of each of the holes 23 and 33 may be larger than the width of the upper portion, but is not limited thereto. Accordingly, the adhesive force between the body 110A and the holes 23 and 33 of the lead frames 122 and 132 can be increased, thereby preventing moisture penetration.

도 16과 같이, 광학 플레이트(300)의 반투과 미러(351,353)는 상기 발광 칩(171,172)으로부터 입사된 광을 반사 또는 투과하게 되며, 상기 반사된 광은 플랫한 리드 프레임(122,132) 상에서 반사되어 상기 광학 플레이트(300)로 재 입사될 수 있다.
As shown in FIG. 16, the transflective mirrors 351 and 353 of the optical plate 300 reflect or transmit light incident from the light emitting chips 171 and 172, and the reflected light is reflected on the flat lead frames 122 and 132 And may be re-incident on the optical plate 300.

도 17은 제2실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 도면이며, 도 18은 도 17의 조명 소자에서 광학 및 플레이트 커버의 결합 평면도이고, 도 19는 도 18의 광학 및 플레이트 커버의 결합 측 단면도이고, 도 20은 도 18의 광학 및 플레이트 커버의 결합 측 단면도이며, 도 21은 도 17의 조명 소자의 결합 사시도이고, 도 22는 도 21의 조명 소자의 측 단면도이며, 도 23은 도 21의 조명 소자의 다른 측 단면도이다.FIG. 17 is a view showing a lighting device according to a second embodiment, FIG. 18 is an assembled plan view of the optical and plate cover in the illumination device of FIG. 17, FIG. 19 is an assembled side view of the optical and plate cover of FIG. 18, 21 is an assembled perspective view of the illumination device of Fig. 17, Fig. 22 is a side cross-sectional view of the illumination device of Fig. 21, and Fig. 23 is a cross- Fig.

도 17 내지 도 23을 참조하면, 조명 소자는 발광 소자(100), 상기 발광 소자(100) 상에 광학 플레이트(300), 상기 광학 플레이트(300) 상에 플레이트 커버(360)를 포함한다. 상기 발광 소자(100) 및 광학 플레이트(300)는 상기에 개시된 설명을 참조하기로 하며, 동일 구성의 중복 설명은 생략하기로 한다.17 to 23, the illumination device includes a light emitting device 100, an optical plate 300 on the light emitting device 100, and a plate cover 360 on the optical plate 300. The light emitting device 100 and the optical plate 300 will be described with reference to the above description, and redundant description of the same configuration will be omitted.

상기 플레이트 커버(360)는 개구부(365)를 갖고 측면 커버부(361) 및 탑 커버(362)를 포함한다. 상기 측면 커버부(361)는 상기 광학 플레이트(300)의 측면 외측에 배치되며, 상기 탑 커버(363)는 상기 광학 플레이트(300)의 상면 둘레에 배치될 수 있다.The plate cover 360 has an opening 365 and includes a side cover portion 361 and a top cover 362. The side cover portion 361 may be disposed outside the side surface of the optical plate 300 and the top cover 363 may be disposed around the upper surface of the optical plate 300.

상기 플레이트 커버(360)은 금속 또는 비금속 재질일 수 있다. 상기 플레이트 커버(360)은 금속인 경우, 예컨대, 철(Fe), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 은(Ag)와 같은 금속 재질이거나 합금일 수 있다. 상기 플레이트 커버(360)은 비금속인 경우 플라스틱 재질일 수 잇다. 상기 플레이트 커버(360)은 반사율이 높은 재질일 수 있다. The plate cover 360 may be made of a metal or a non-metal material. When the plate cover 360 is made of metal, it may be a metal material such as iron (Fe), copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag) The plate cover 360 may be made of a plastic material in the case of a base metal. The plate cover 360 may be made of a material having a high reflectance.

도 18 및 도 19와 같이, 상기 플레이트 커버(360)는 길이(D5)는 너비(D6)의 2배 이상 예컨대, 3배 이상일 수 있다. 이러한 플레이트 커버(360)의 길이(D5) 및 너비(D6) 간의 비율은 도 9 및 도 10에 도시된 몸체(110)의 길이(Y1) 및 너비(X4)의 비율에 따라 달라질 수 있다. As shown in FIGS. 18 and 19, the length D5 of the plate cover 360 may be at least two times the width D6, for example, three times or more. The ratio between the length D5 and the width D6 of the plate cover 360 may vary depending on the ratio of the length Y1 and the width X4 of the body 110 shown in Figs.

도 19와 같이, 상기 플레이트 커버(360)의 높이는 상기 광학 플레이트(300)의 두께보다 크게 배치될 수 있으며, 상기 광학 플레이트(300)의 상면부터 상기 발광 소자(100)의 상부 외측 둘레까지 연장될 수 있다. 이러한 플레이트 커버(360)는 상기 광학 플레이트(300)의 제1 및 제2투명 필름(320,330) 중 적어도 하나 또는 모두의 측면을 통해 진행하는 광의 누설을 방지할 수 있다.19, the height of the plate cover 360 may be greater than the thickness of the optical plate 300, and may extend from the upper surface of the optical plate 300 to the upper outer periphery of the light emitting device 100 . The plate cover 360 may prevent leakage of light traveling through the side surfaces of at least one or both of the first and second transparent films 320 and 330 of the optical plate 300.

상기 플레이트 커버(360)의 양 측면 커버부(361) 간의 최대 간격(D7)는 광학 플레이트(300)의 길이(D2)보다 길게 배치될 수 있고, 최소 간격은 상기 광학 플레이트(300)의 너비(D3)와 동일하거나 넓게 배치될 수 있다. The maximum distance D7 between the both side cover portions 361 of the plate cover 360 may be longer than the length D2 of the optical plate 300 and the minimum distance may be the width of the optical plate 300 D3. ≪ / RTI >

이러한 플레이트 커버(360)는 도 14 및 도 15의 발광 소자(100) 및 광학 플레이트(300) 상에 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 플레이트 커버(360)의 내부로 상기 광학 플레이트(300)가 삽입될 수 있다. The plate cover 360 may be coupled to the light emitting device 100 and the optical plate 300 of FIGS. 14 and 15, but is not limited thereto. The optical plate 300 can be inserted into the plate cover 360.

상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)는 상기 광학 플레이트(300)의 하면보다 소정 길이(P1)로 돌출될 수 있다. 이는 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 광학 플레이트(300)의 외측부터 상기 발광 소자(100)의 외측 상부까지 연장되어, 상기 제1투명 필름(320)의 측면을 통해 누설되는 광을 차단할 수 있다. The side cover portion 361 of the plate cover 360 may protrude from the lower surface of the optical plate 300 by a predetermined length P1. This is because the side cover portion 361 of the plate cover 360 extends from the outer side of the optical plate 300 to the outer upper side of the light emitting device 100 and leaks through the side surface of the first transparent film 320 The light can be blocked.

여기서, 도 17과 같이, 상기 발광 소자(100)의 몸체(110)의 측면부(11,12,13,14) 상에는 상기 플레이트 커버(360)가 배치될 수 있다. 상기 몸체(110)는 측면부(11,12,13,14) 중 적어도 1개 또는 2개, 또는 4개의 측면부에 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 삽입되는 단차 구조를 제공할 수 있다. 예컨대, 몸체(110)의 제1 및 제2측면부(11,12)의 외측에 단차 구조(42,43)를 포함할 수 있으며, 상기 단차 구조(42,43)는 몸체(110)의 제1 및 제2측면부(11,12) 상에 상면(15)으로부터 단차지게 형성될 수 있다. 이러한 단차 구조(42,43)에는 도 23과 같이 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 연장될 수 있다. 이에 따라 상기 플레이트 커버(360)는 측면 커버부(361)가 상기 몸체(110)의 양 측면부(11-14)까지 연장되고, 단차 구조(42,43)에 밀착될 수 있다. 상기 단차 구조(42,43)의 깊이(P2)는 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 상기 광학 플레이트(300)의 하면보다 돌출된 길이(P1)보다 더 깊게 형성되어, 상기 측면 커버부(361)가 안정적으로 삽입될 수 있다. 또한 상기 플레이트 커버(360)의 측면 커버부(361)가 상기 제1투명 필름(32)을 통해 진행하는 광의 누설을 차단할 수 있다.17, the plate cover 360 may be disposed on the side surfaces 11, 12, 13, and 14 of the body 110 of the light emitting device 100. Referring to FIG. The body 110 provides a step structure in which the side cover portion 361 of the plate cover 360 is inserted into at least one, two, or four side portions of the side portions 11, 12, 13, . For example, the step structure 42, 43 may include a step structure 42, 43 outside the first and second side parts 11, 12 of the body 110, And the second side surfaces 11 and 12 from the upper surface 15. The side cover portion 361 of the plate cover 360 may be extended to the stepped structures 42 and 43 as shown in FIG. The side cover portion 361 extends to both side portions 11-14 of the body 110 and can be in close contact with the step structures 42 and 43. [ The depth P2 of the step structures 42 and 43 is formed deeper than the length P1 of the side cover portion 361 of the plate cover 360 protruding from the lower surface of the optical plate 300, The side cover portion 361 can be stably inserted. In addition, the side cover portion 361 of the plate cover 360 may block leakage of light traveling through the first transparent film 32.

상기 플레이트 커버(360)는 상기 광학 플레이트(300)를 상기 발광 소자(100) 상에 밀착시켜 줄 수 있고, 상기 광학 플레이트(300)의 유동을 방지할 수 있다. 또한 상기 플레이트 커버(360)는 금속 재질로 형성될 수 있어, 상기 발광 소자(100) 및 광학 플레이트(300)로부터 발생된 열을 방열할 수 있다. The plate cover 360 may adhere the optical plate 300 to the light emitting device 100 and prevent the optical plate 300 from flowing. Further, the plate cover 360 may be formed of a metal material to dissipate heat generated from the light emitting device 100 and the optical plate 300.

상기 플레이트 커버(360)의 개구부(365)는 상기 형광체층(340)의 상면면적보다 큰 면적으로 배치되므로, 상기 형광체층(340)으로부터 방출된 광에 간섭을 주지 않을 수 있다. 상기 플레이트 커버(360)의 개구부(365)는 상기 발광 소자(100)의 오목부(160)과 대면할 수 있다. Since the opening 365 of the plate cover 360 is arranged in an area larger than the area of the upper surface of the phosphor layer 340, the phosphor layer 340 may not interfere with the light emitted from the phosphor layer 340. The opening 365 of the plate cover 360 may face the concave portion 160 of the light emitting device 100.

상기 플레이트 커버(360)의 탑 커버부(362)는 상기 개구부(365)의 길이 방향의 양측에 배치될 수 있다. 상기 플레이트 커버(360)의 탑 커버부(362)는 상기 발광 소자(100)의 몸체(110)의 상면과 대면할 수 있다. 다른 예로서, 상기 플레이트 커버(360)의 탑 커버부(362)는 상기 개구부(365)의 너비 방향의 양측에 배치되거나, 상기 개구부(365)의 둘레에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.상기 탑 커버부(362)는 내측 코너에 복수의 리세스(363)를 구비할 수 있으며, 상기 리세스(363)는 플레이트 커버(360)의 탑 커버부(362)의 강성을 강화시켜 줄 수 있다.
The top cover portion 362 of the plate cover 360 may be disposed on both sides of the opening 365 in the longitudinal direction. The top cover portion 362 of the plate cover 360 may face the top surface of the body 110 of the light emitting device 100. As another example, the top cover portion 362 of the plate cover 360 may be disposed on both sides in the width direction of the opening portion 365, or may be disposed around the opening portion 365, but is not limited thereto The top cover portion 362 may have a plurality of recesses 363 at the inner corners and the recesses 363 may enhance the rigidity of the top cover portion 362 of the plate cover 360 .

도 24는 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제1 형상의 예를 나타낸 도면이며, 도 25는 도 24의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이고, 도 26의 (a)-(e)는 도 26의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.24 is a diagram showing an example of a first shape of a semi-transmissive mirror of an optical plate according to an embodiment, FIG. 25 is a graph showing a light energy density according to a reflectance of a semi-transmissive mirror in the optical plate of FIG. 24, (A) to (e) show the light energy distribution according to the reflectance of the semi-transmission mirror in the optical plate of Fig.

도 24 내지 도 26을 참조하면, 반투과 미러(351,353)의 형상이 타원 형상인 경우, 길이(E4)가 너비(E5)보다 길수 있다. 즉, 최대 길이(E4)가 최대 너비(E5)보다 길 수 있다. 상기 길이(E4)와 너비(E5)의 비는 1.5: 1일 수 있으며, 예컨대 길이(E4)는 1.5mm±0.3mm이고, 상기 너비(E5)는 1mm±0.2mm 일 수 있다. 이때의 반투과 미러(351,353)의 중심 간의 직선 거리(G3)는 상기 길이(E4)의 2배 미만이고 상기 너비(E5)의 2배 초과일 수 있다.Referring to FIGS. 24 to 26, when the shape of the transflective mirrors 351 and 353 is elliptical, the length E4 may be longer than the width E5. That is, the maximum length E4 may be longer than the maximum width E5. The ratio of the length E4 to the width E5 may be 1.5: 1, for example, the length E4 may be 1.5 mm ± 0.3 mm and the width E5 may be 1 mm ± 0.2 mm. The linear distance G3 between the centers of the transflective mirrors 351 and 353 may be less than twice the length E4 and more than twice the width E5.

이 경우 도 25와 같이, 제1투명 필름(320)에서의 광 에너지 밀도를 보면, 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 60% 내지 80% 범위일 때 광 에너지 밀도가 반사율이 50%인 경우에 비해 낮게 나타남을 알 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%인 경우, 광 에너지 밀도가 최소가 될 수 있다.25, when the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of 60% to 80%, the optical energy density of the first transparent film 320 is 50% Which is higher than that of the others. When the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 65%, the optical energy density can be minimized.

도 26는 제1투명 필름(320)에서의 반투과 미러(351,353)의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 것으로, 반투과 미러(351,353)의 반사율이 (a)는 50%인 경우이며, (b)는 반사율이 60%인 경우이며, (c)는 65%인 경우이며, (d)는 70%인 경우이며, (e)는 80%인 경우이다. 이러한 (a)-(e)의 광 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 반사율이 60% 내지 80% 범위인 경우 반투과 미러(351,353)의 주변으로 분산되는 광량이 증가될 수 있다. 도 26의 (c)와 같이, 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%일 때, 반투과 미러의 중심 영역과 반투과 미러의 주변 영역의 광 에너지 밀도가 균일하게 분포함을 알 수 있다.
26 shows the optical energy density according to the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 in the first transparent film 320. The reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 50% (C) is a case where the reflectance is 60%, (c) is the case where the reflectance is 65%, (d) is the case where the reflectance is 70%, and (e) is the case where the reflectance is 80%. The light energy density of (a) - (e) can be increased when the reflectance of the semi-transmissive mirrors 351 and 353 is in the range of 60% to 80%. As shown in FIG. 26C, when the reflectance of the semi-transmissive mirrors 351 and 353 is 65%, it can be seen that the light energy densities of the central region of the semi-transmissive mirror and the peripheral region of the semi-transmissive mirror are uniformly distributed.

도 27는 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제2형상의 예를 나타낸 도면이며, 도 28은 도 27의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이고, 도 29는 (a)-(e)는 도 27의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.27 is a diagram showing an example of a second shape of a semi-transmissive mirror of the optical plate according to the embodiment, FIG. 28 is a graph showing a light energy density according to the reflectance of the semi-transmissive mirror in the optical plate of FIG. 27, (A) to (e) are diagrams showing the light energy distribution according to the reflectance of the transflective mirror in the optical plate of FIG.

도 27 내지 도 29를 참조하면, 상기 반투과 미러(351,353)의 형상은 소정의 직경을 갖는 원 형상일 수 있다. 상기 원 형상의 직경 즉, 가로 또는 세로 길이(E4, E5)는 1.5mm±0.3mm 범위를 포함하며, 상기 반투과 미러(351,353)의 중심 간의 직선 거리(G3)는 상기 직경 즉, 가로 또는 세로 길이(E4,E5)의 2배 이상이며, 예컨대 2mm 초과일 수 있다.27 to 29, the shape of the transflective mirrors 351 and 353 may be a circular shape having a predetermined diameter. The linear distance G3 between the centers of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of the diameter, that is, the horizontal or vertical lengths E4 and E5, May be at least two times the length (E4, E5), e.g., greater than 2 mm.

도 28과 같이, 제1투명 필름에서의 광 에너지 밀도를 보면, 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 68%±5% 범위일 때 광 에너지 밀도가 낮게 나타남을 알 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 68%인 경우, 광 에너지 밀도가 최소가 될 수 있다.As shown in FIG. 28, the optical energy density in the first transparent film is low when the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of 68% ± 5%. When the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 68%, the optical energy density can be minimized.

도 29는 제1투명 필름에서의 반투과 미러(351,353)의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 것으로, 반투과 미러(351,353)의 반사율이 (a)는 50%인 경우이며, (b)는 반사율이 60%인 경우이며, (c)는 65%인 경우이며, (d)는 70%인 경우이며, (e)는 80%인 경우이다. 이러한 (a)-(e)의 광 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 반사율이 증가될수록 반투과 미러(351,353)의 주변으로 분산되는 광량이 증가될 수 있다. 이에 따라 반투과 미러(351,353)의 반사율이 68%±5%일 때, 광의 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 영역과 투명 필름의 영역이 동일한 밀도 및 광도로 분포함을 알 수 있다.
FIG. 29 shows the light energy density according to the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 in the first transparent film. In FIG. 29, the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 50% Is 60%, (c) is 65%, (d) is 70%, and (e) is 80%. As the reflectance of the semi-transmissive mirrors 351 and 353 increases, the amount of light dispersed to the periphery of the semi-transmissive mirrors 351 and 353 may be increased. Thus, when the reflectance of the semi-transmissive mirrors 351 and 353 is 68% ± 5%, it can be seen that the light energy density is equal to the density and the light intensity of the region of the semi-transmissive mirrors 351 and 353 and the region of the transparent film.

도 30은 실시 예에 따른 광학 플레이트의 반투과 미러의 제3형상의 예를 나타낸 도면이며, 도 31은 도 30의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 그래프이고, 도 32의 (a)-(e)는 도 30의 광학 플레이트에서 반투과 미러의 반사율에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.FIG. 30 is a diagram showing an example of a third shape of a semi-transmissive mirror of the optical plate according to the embodiment, FIG. 31 is a graph showing a light energy density according to the reflectance of the semi-transmissive mirror in the optical plate of FIG. 30, (A) to (e) show the light energy distribution according to the reflectance of the semi-transmission mirror in the optical plate of FIG.

도 30을 참조하면, 상기 반투과 미러(351,353)는 다각형 형상일 수 있으며, 길이(E4)가 너비(E5)보다 길 수 있다. 상기 길이(E4)와 너비(E5)의 비는 1.5: 1일 수 있으며, 예컨대 길이(E4)는 1.5mm±0.3mm이고, 상기 너비(E5)는 1mm±0.2mm 일 수 있다. 이때의 반투과 미러(351,353)의 중심 간의 직선 거리(G3)는 상기 길이(E4)의 2배 미만이고 상기 너비(E5)의 2배 초과일 수 있다.Referring to FIG. 30, the transflective mirrors 351 and 353 may have a polygonal shape, and the length E4 may be longer than the width E5. The ratio of the length E4 to the width E5 may be 1.5: 1, for example, the length E4 may be 1.5 mm ± 0.3 mm and the width E5 may be 1 mm ± 0.2 mm. The linear distance G3 between the centers of the transflective mirrors 351 and 353 may be less than twice the length E4 and more than twice the width E5.

도 31과 같이, 제1투명 필름에서의 광 에너지 밀도를 보면, 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%±5% 범위일 때 광 에너지 밀도가 낮게 나타남을 알 수 있다. 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%인 경우, 광 에너지 밀도가 최소가 될 수 있다.As shown in FIG. 31, the light energy density in the first transparent film is low when the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is in the range of 65% ± 5%. When the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 65%, the optical energy density can be minimized.

도 32는 제1투명 필름에서의 반투과 미러(351,353)의 반사율에 따른 광 에너지 밀도를 나타낸 것으로, 반투과 미러(351,353)의 반사율이 (a)는 50%인 경우이며, (b)는 반사율이 60%인 경우이며, (c)는 65%인 경우이며, (d)는 70%인 경우이며, (e)는 80%인 경우이다. 이러한 (a)-(e)의 광 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 반사율이 증가될수록 반투과 미러(351,353)의 주변으로 분산되는 광량이 증가될 수 있다. 이에 따라 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%±5%일 때, 광의 에너지 밀도는 반투과 미러(351,353)의 영역과 투명 필름의 영역이 동일한 밀도 및 광도로 분포함을 알 수 있다.32 shows the optical energy density according to the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 in the first transparent film. In the case where the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 50%, (b) Is 60%, (c) is 65%, (d) is 70%, and (e) is 80%. As the reflectance of the semi-transmissive mirrors 351 and 353 increases, the amount of light dispersed to the periphery of the semi-transmissive mirrors 351 and 353 may be increased. Thus, when the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 65% ± 5%, it can be seen that the light energy density is equal to the density and the light intensity of the regions of the transflective mirrors 351 and 353 and the region of the transparent film.

실시 예에 따른 반투과 미러(351,353)의 형상은 원 형상, 타원 형상 또는 다각형 형상일 수 있으며, 상기 반투과 미러(351,353)의 반사율이 60% 내지 70%인 경우 반투과 미러(351,353) 및 그 주변 영역의 광 에너지 밀도가 유사하여, 광이 분산되는 효과를 줄 수 있다.
The shape of the transflective mirrors 351 and 353 may be circular, elliptical or polygonal. When the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 60% to 70%, the transflective mirrors 351 and 353 and the The light energy densities of the peripheral regions are similar to each other, so that the light can be dispersed.

도 33의 (a)-(c)는 실시 예에 따른 광학 플레이트에서 반투과 미러(351,353)의 길이(E4) 및 너비(E5)에 따른 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다. 이러한 광 에너지 분포는 반투과 미러(351,353)가 타원 형상이고 상기 발광 칩(171,172)과의 간격이 0.5mm인 경우이다. 33A to 33C are diagrams showing the light energy distribution according to the length E4 and the width E5 of the transflective mirrors 351 and 353 in the optical plate according to the embodiment. This light energy distribution is a case where the semi-transmission mirrors 351 and 353 are elliptical and the distance from the light emitting chips 171 and 172 is 0.5 mm.

도 33의 (a)는 반투과 미러(351,353)의 사이즈가 길이(E4)와 너비(E5)가 발광 칩(171,172)과 동일하고 반투과 미러(351,353)의 반사율이 45%인 경우, 광 에너지 분포를 보면 반투과 미러(351,353)에 의한 확산 효과가 미미함을 알 수 있다. 33A shows the case where the size of the transflective mirrors 351 and 353 is equal to the length E4 and the width E5 of the light emitting chips 171 and 172 and the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 45% It can be seen that the diffusion effect by the semi-transmission mirrors 351 and 353 is insignificant.

도 33의 (b)는 반투과 미러(351,353)의 사이즈가 길이(E4) 및 너비(E5)가 발광 칩(171,172)보다 크며 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%인 경우, 광 에너지 분포를 보면 반투과 미러(351,353)에 의한 확산 효과가 균일한 분포로 개선됨 알 수 있다. 여기서, 상기 길이(E4)는 1.5mm±0.3mm 범위이고, 상기 너비(E5)는 1mm±0.2mm 범위이다. 33B shows a case where the size of the transflective mirrors 351 and 353 is larger than the lengths E4 and E5 of the light emitting chips 171 and 172 and the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 65% It can be seen that the diffusion effect by the transflective mirrors 351 and 353 is improved to a uniform distribution. Here, the length E4 is in the range of 1.5 mm ± 0.3 mm, and the width E5 is in the range of 1 mm ± 0.2 mm.

도 33의 (c)는 반투과 미러(351,353)의 사이즈가 길이(E4) 및 너비(E5)가 발광 칩(171,172)보다 크며 반투과 미러(351,353)의 반사율이 65%인 경우, 광 에너지 분포를 보면 반투과 미러(351,353)에 의한 확산 효과가 있지만 부분적으로 편중되는 문제가 있다. 33C shows a case where the sizes of the transflective mirrors 351 and 353 are larger than the light emitting chips 171 and 172 and the reflectance of the transflective mirrors 351 and 353 is 65% There is a diffusion effect due to the transflective mirrors 351 and 353, but there is a problem that it is partially concentrated.

여기서, 상기 길이(E4)는 2.2mm±0.44mm 범위이고, 상기 너비(E5)는 1.4mm±0.28mm 범위이고, 개구부의 가로 및 세로 길이는 패키지의 사이즈에 따라 다를 수 있다.
Here, the length E4 is in the range of 2.2 mm ± 0.44 mm, the width E5 is in the range of 1.4 mm ± 0.28 mm, and the width and length of the opening may vary depending on the size of the package.

도 34는 도 8의 발광 소자를 적용한 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 나타낸 도면이고, 도 35는 도 14의 발광 소자를 적용한 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 나타낸 도면이다.FIG. 34 is a view showing a light energy distribution in an optical plate to which the light emitting element of FIG. 8 is applied, and FIG. 35 is a diagram showing a light energy distribution in the optical plate to which the light emitting element of FIG. 14 is applied.

도 34 및 도 35을 참조하면, 도 8과 같이 발광 소자(100) 내의 오목부(160) 아래에 배치된 리드 프레임(121,131)의 캐비티 내에 발광 칩(171,172)을 배치하거나, 리드 프레임(121,131)에 캐비티를 형성하지 않더라도, 반투과 미러(351,353)에 의한 광 에너지 밀도 분포 차이는 발생되지만, 전체적으로 균일한 광 분포를 제공함을 알 수 있다. 34 and 35, the light emitting chips 171 and 172 are disposed in the cavities of the lead frames 121 and 131 disposed below the recess 160 in the light emitting device 100 as shown in FIG. 8, or the light emitting chips 171 and 172 are disposed in the lead frames 121 and 131, Even if the cavity is not formed in the cavity, the difference in optical energy density distribution caused by the semi-transmission mirrors 351 and 353 is generated, but the uniform light distribution is provided as a whole.

도 36의 (a)-(d)는 비교 예에서 반투과 미러가 없는 광학 플레이트에서의 광 에너지 분포를 설명하기 위한 도면이다. Figs. 36 (a) to 36 (d) are diagrams for explaining light energy distribution in an optical plate having no semi-transmissive mirror in a comparative example.

도 36의 (a)는 발광 칩과 제1투명 필름과의 거리가 0.5mm인 경우 광 에너지 분포를 보면, 발광 칩의 영역에 광도가 높게 나타나 분산 효과가 없음을 알 수 있다.In FIG. 36 (a), when the distance between the light emitting chip and the first transparent film is 0.5 mm, the light energy distribution shows a high light intensity in the region of the light emitting chip.

도 36의 (b)-(d)는 발광 칩과 제1투명 필름(320)과의 간격을 1.0mm, 1.5mm, 2.0mm로 증가시킬 경우로서, 발광 칩으로부터 방출된 광은 점차 확산될 수 있다. 그러나, 발광 칩과 광학 플레이트 간의 간격이 증가되어 조명 소자가 두꺼워지는 문제가 발생될 수 있고, 또한 발광 소자의 두께도 두꺼워질 수 있다. 이에 따라 실시 예는 발광 소자의 두께(도 4의 t1)를 최대 1.8mm 이하의 두께로 제공할 수 있다.
36 (b) to 36 (d) show a case where the distance between the light emitting chip and the first transparent film 320 is increased to 1.0 mm, 1.5 mm and 2.0 mm, and the light emitted from the light emitting chip is gradually diffused have. However, the spacing between the light emitting chip and the optical plate may be increased to cause a problem of thickening the light emitting element, and the thickness of the light emitting element may also be increased. Accordingly, the embodiment can provide the thickness of the light emitting device (t1 in Fig. 4) at a maximum thickness of 1.8 mm or less.

도 37는 제3실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 측 단면도이다.37 is a side sectional view showing a lighting device according to the third embodiment.

도 37을 참조하면, 조명 소자는 발광 소자(400) 및 상기 발광 소자(400) 상에 실시 예에 따른 광학 플레이트(300)를 포함한다. Referring to FIG. 37, an illumination device includes a light emitting device 400 and an optical plate 300 according to an embodiment on the light emitting device 400.

상기 발광 소자(400)는 몸체(410)와, 상기 몸체(410)에 배치된 제1 리드 프레임(423) 및 제2 리드 프레임(421)과, 상기 몸체(410) 상에 배치되고 상기 제1 리드 프레임(423) 및 제2 리드 프레임(421)과 전기적으로 연결되는 발광 칩(470)을 포함한다.The light emitting device 400 includes a body 410, a first lead frame 423 and a second lead frame 421 disposed on the body 410, and a second lead frame 422 disposed on the body 410, And a light emitting chip 470 electrically connected to the lead frame 423 and the second lead frame 421.

상기 몸체(410)는 절연 재질, 또는 전도성 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(410)는 폴리프탈아미드(PPA), 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. 상기 몸체(410)로 사용되는 에폭시 또는 실리콘 재질 내에는 반사 효율을 높이기 위해 TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러(filler)가 첨가될 수 있다. 상기 몸체(110)는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. The body 410 may include an insulating material or a conductive material. The body 110 may include at least one of a resin material such as polyphthalamide (PPA), a silicon (Si), a metal material, a photo sensitive glass (PSG), a sapphire (Al 2 O 3 ), a printed circuit board Can be formed. For example, the body 410 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), epoxy, or silicone. A filler, which is a metal oxide such as TiO 2 or SiO 2 , may be added to the epoxy or silicon material used as the body 410 to improve the reflection efficiency. The body 110 may include a ceramic material.

상기 몸체(410)는 상기 발광 칩(470)의 주위에 경사면을 갖는 오목부(425)을 제공할 수 있다. 상기 오목부(425)에 몰딩 부재(440)가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 410 may provide a recess 425 having an inclined surface around the light emitting chip 470. The molding member 440 may be disposed on the concave portion 425, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(423)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 칩(470)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(421) 및 제2 리드 프레임(423)은 상기 오목부(425)의 바닥에 배치될 수 있으며, 상기 발광 칩(470)로부터 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 칩(470)로부터 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다. The first lead frame 421 and the second lead frame 423 are electrically separated from each other and provide power to the light emitting chip 470. The first lead frame 421 and the second lead frame 423 may be disposed on the bottom of the concave portion 425 and may reflect light generated from the light emitting chip 470 to increase the light efficiency And may discharge the heat generated from the light emitting chip 470 to the outside.

상기 발광 칩(470)의 상기 제1 리드 프레임(421) 위에 배치되고 상기 제1리드 프레임(423)과 와이어(443)로 연결될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(421)은 상기 발광 칩(470)이 배치된 영역이 함몰된 캐비티로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다. 상기 발광 칩(470)은 플립 칩 방식으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. And may be disposed on the first lead frame 421 of the light emitting chip 470 and connected to the first lead frame 423 by a wire 443. [ The first lead frame 421 may be formed as a cavity in which the light emitting chip 470 is disposed, but the present invention is not limited thereto. The light emitting chip 470 may be arranged in a flip chip manner, but is not limited thereto.

상기 광학 플레이트(300)는 발광 칩(470)과 대면하게 배치될 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)는 내부에 형광체를 포함하며, 상기 몸체(410)의 상면 상에 배치될 수 있다. The optical plate 300 may be disposed facing the light emitting chip 470. The optical plate 300 includes a phosphor and may be disposed on the upper surface of the body 410.

상기 광학 플레이트(300)는 오픈 영역(342)을 갖는 틀 형상의 반사체(310), 상기 반사체(310) 내에 형광체층(340), 상기 반사체(310) 및 형광체층(340) 아래 및 위 중 적어도 하나에 투명 필름(320,330), 상기 형광체층(340) 아래에 광원인 발광 칩(470)과 마주하는 반투과 미러(350)를 포함한다. The optical plate 300 includes a frame-shaped reflector 310 having an open region 342, at least one of a phosphor layer 340, a reflector 310, a phosphor layer 340, And a transflective mirror 350 facing the light emitting chip 470, which is a light source, under the phosphor layer 340. The transparent film 320,

상기 반사체(310)는 내부에 오픈 영역(342)을 포함하며, 외 형상이 원형 틀 또는 다각형 틀 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 원 형상 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 상기 발광 소자의 오목부(425)의 형상과 대응되는 형상을 가지고, 상기 오목부(425)를 통해 출사된 광이 입사될 수 있다. 이러한 반사체(310)는 상기 형광체층(340)의 측면을 감싸게 형성될 수 있다.The reflector 310 includes an open region 342 therein, and the outer shape of the reflector 310 may include a circular frame or a polygonal frame. The open region 342 may include a circular or polygonal shape. The open region 342 has a shape corresponding to the shape of the concave portion 425 of the light emitting device and light emitted through the concave portion 425 can be incident thereon. The reflector 310 may be formed to surround the side surface of the phosphor layer 340.

상기 반사체(310)는 유리 재질 예컨대, 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질은 투명한 유리 내에 백색 입자 또는/및 기포를 첨가하여 형성할 수 있다. 상기 반사체(310)의 반사율은 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 반사율보다 높을 수 있다. The reflector 310 may include a glass material such as a white glass or a glass material having a high reflectance. The white glass or the glass material having high reflectance can be formed by adding white particles and / or bubbles into the transparent glass. The reflectance of the reflector 310 may be higher than that of the first and second transparent films 320 and 330.

상기 반사체(310)은 다른 예로서, 수지 재질을 포함하며, 상기 수지 재질은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 에폭시 또는 실리콘 재질을 포함할 수 있다. 상기 수지 재질 내에 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러가 첨가될 수 있다. 상기 반사체(310)는 백색 수지로 이루어질 수 있다. 상기 반사체(310)은 세라믹 재질을 포함할 수 있다. As another example, the reflector 310 may include a resin material, and the resin material may include a resin material such as polyphthalamide (PPA), an epoxy or a silicone material. A filler, which is a metal oxide such as TiO 2 or SiO 2 , may be added to the resin material. The reflector 310 may be made of a white resin. The reflector 310 may include a ceramic material.

상기 형광체층(340)은 투명한 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질 내에 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 형광체층(340)은 상기 발광 칩(470)으로부터 방출된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(340)은 적색, 녹색, 황색, 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 포함할 수 있다. The phosphor layer 340 may include a phosphor in a resin material such as transparent silicon or epoxy. The phosphor layer 340 converts the wavelength of light emitted from the light emitting chip 470. The phosphor layer 340 may include at least one of red, green, yellow, and blue phosphors. The phosphor excites a part of the emitted light and emits it as light of a different wavelength. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor.

실시 예에 따른 형광체층(340)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 황색, 적색 양자점 중 적어도 하나 또는 서로 다른 종류를 발광할 수 있다. The phosphor layer 340 according to an embodiment may include a quantum dot. The quantum dot may include an II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit at least one of red, green, yellow, and red quantum dots or different kinds of quantum dots.

상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. 이러한 양자점의 경우 온도에 따른 발광 효율의 변화가 크게 되므로, 실시 예와 같이 발광 칩(470)으로부터 이격시켜 주어 발광 효율의 변화를 줄여줄 수 있다. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2, CuInSe 2, and the like, and combinations thereof. Since the quantum dot has a large change in the luminous efficiency depending on the temperature, the quantum dot can be separated from the light emitting chip 470 as in the embodiment, and the change in the luminous efficiency can be reduced.

상기 형광체층(340)의 아래 및 위 중 적어도 하나 또는 모두에 투명 필름(320,330)이 배치될 수 있다. 상기 투명 필름(320,330)은 상기 형광체층(340)의 아래에 배치되는 제1투명 필름(320) 및 상기 형광체층(340) 위에 배치되는 제2투명 필름(330)을 포함할 수 있다. 상기 투명 필름(320,330)은 형광체층(340)의 입사면 또는/및 출사면에 배치될 수 있다. 이러한 광학 플레이트(300)는 제1 및 제2투명 필름(320,330) 중 어느 하나는 제거될 수 있으며, 예컨대 제2투명 필름(330)은 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Transparent films 320 and 330 may be disposed on at least one or both of the phosphor layer 340 and the phosphor layer 340. The transparent films 320 and 330 may include a first transparent film 320 disposed under the fluorescent layer 340 and a second transparent film 330 disposed on the fluorescent layer 340. The transparent films 320 and 330 may be disposed on the incident surface and / or the emission surface of the phosphor layer 340. In this optical plate 300, any one of the first and second transparent films 320 and 330 may be removed, for example, the second transparent film 330 may be removed, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 유리, 또는 투명한 수지 필름을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 반사체(310) 상에 접착되어 상기 형광체층(340)을 보호하게 된다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181) 또는/및 형광체층(340)의 굴절률과 동일하거나 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181)의 굴절률의 차이가 0.2 이하인 물질로 형성될 수 있다. The first and second transparent films 320 and 330 may include glass or a transparent resin film. The first and second transparent films 320 and 330 are bonded on the reflector 310 to protect the phosphor layer 340. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed of a material having a refractive index equal to or lower than that of the molding member 181 and / or the phosphor layer 340. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed of a material having a difference in refractive index of the molding member 181 of 0.2 or less.

상기 제1투명 필름(320)은 상기 반사체(310)의 하면 및 상기 형광체층(340)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제1투명 필름(320)의 하면 외측은 상기 몸체(410) 상에 접착될 수 있다. 상기 제2투명 필름(330)은 상기 반사체(310)의 상면 및 상기 형광체층(340)의 상면에 접착될 수 있다. The first transparent film 320 may be adhered to the lower surface of the reflector 310 and the lower surface of the phosphor layer 340. The outer surface of the lower surface of the first transparent film 320 may be adhered to the body 410. The second transparent film 330 may be adhered to the upper surface of the reflector 310 and the upper surface of the phosphor layer 340.

상기 형광체층(340)은 상기 반사체(310)의 두께와 동일한 두께를 가질 수 있으며, 이 경우 상기 반사체(310)의 상면 및 하면의 일부 또는 전 영역에는 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)이 접촉될 수 있다. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed on the upper surface and the lower surface of the reflector 310. In this case, Can be contacted.

상기 반투과 미러(350)는 반투과성 기능을 수행할 수 있는 금속 재질 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 재질을 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 투과율보다 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투과율 및 반사율의 합은 100%일 수 있다. The transflective mirror 350 may include a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) material capable of performing a semipermeable function. The transflective mirror 350 may be formed of a material having a reflectance higher than that of the transmissivity. Here, the sum of the transmittance and the reflectance may be 100%.

상기 반투과 미러(350)는 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(350)의 하면 즉, 광 입사면에는 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 반투과 미러(350)는 하프 미러(half mirror) 시트(sheet), 반투명 미러, 편광 시트 또는 반투명 확산 시트로 정의될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)은 상기 제1투명 필름(320) 아래에 스크린 인쇄로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The semi-transparent mirror 350 may include a diffusion sheet. An uneven pattern may be formed on the lower surface of the semi-transmissive mirror 350, that is, on the light incident surface, but the present invention is not limited thereto. The semi-transparent mirror 350 may be defined as a half mirror sheet, a semi-transparent mirror, a polarizing sheet, or a translucent diffusion sheet. The transflective mirror 350 may be formed by screen printing under the first transparent film 320, but is not limited thereto.

상기 반투과 미러(350)는 상기 형광체층(340) 아래 예컨대, 제1투명 필름(320) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 상기 제1투명 필름(320)의 아래에 하나 또는 복수개가 배치될 수 있으며, 예컨대 복수개인 경우 상기 발광 칩(470)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 광원과 대면하게 예컨대, 상기 발광 칩(470)과 대면하게 배치될 수 있다. The semi-transparent mirror 350 may be disposed below the phosphor layer 340, for example, under the first transparent film 320. One or more of the transflective mirrors 350 may be disposed under the first transparent film 320. For example, the number of the transflective mirrors 350 may be the same as the number of the light emitting chips 470. The transflective mirror 350 may be disposed facing the light emitting chip 470, for example.

상기 반투과 미러(350)와 상기 발광 칩(470)에 대한 설명은, 상기의 실시 예에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 예컨대, 상기 반투과 미러(350)의 제1방향의 길이(E4)는 상기 발광 칩(470)의 제1방향의 길이(E1)보다 길고, 제2방향의 너비는 상기 발광 칩(470)의 제2방향의 너비보다 넓게 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)의 상면 또는 하면 면적은 상기 발광 칩(470)의 상면 면적보다 크게 배치될 수 있다. The description of the transflective mirror 350 and the light emitting chip 470 will be given with reference to the description given in the above embodiment. The length E4 of the transflective mirror 350 in the first direction is longer than the length E1 of the light emitting chip 470 in the first direction and the width of the light emitting chip 470 in the second direction And may be arranged wider than the width of the second direction. The top or bottom surface area of the transflective mirror 350 may be larger than the top surface area of the light emitting chip 470.

상기 반투과 미러(350)와 상기 발광 칩(470) 간의 간격(G1)은 1mm 이하 예컨대, 0.2mm 내지 1mm 범위일 수 있다. 상기 발광 칩(470)과 상기 반투과 미러(350) 간의 간격(G1)이 상기 범위보다 작은 경우 몸체(410)의 두께가 얇아져 강성 확보가 어렵고 형광체 열화 문제가 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 발광 소자의 두께가 두꺼워지는 문제가 존재할 수 있고 반투과 미러(350)에 의한 광 확산 효과가 미미할 수 있다. The distance G1 between the semi-transmissive mirror 350 and the light emitting chip 470 may be in a range of 1 mm or less, for example, 0.2 mm to 1 mm. When the gap G1 between the light emitting chip 470 and the transflective mirror 350 is less than the above range, the thickness of the body 410 becomes thin and it is difficult to secure rigidity and a problem of deterioration of the phosphor may occur. There may be a problem that the thickness of the light emitting device is increased, and the effect of light diffusion by the transflective mirror 350 may be insignificant.

상기 반투과 미러(350)는 상기 발광 소자로부터 입사된 광을 반사 및 투과하게 된다. 상기 반투과 미러(350)는 상기 광학 플레이트(300)로 입사된 광량이 높은 최대인 영역에 배치되어, 주변 영역으로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 실시 예의 설명과 같이 반사율이 투과율보다 높을 수 있다. The semi-transparent mirror 350 reflects and transmits the light incident from the light emitting device. The semi-transmissive mirror 350 may be disposed in a region having a maximum amount of light incident on the optical plate 300, and may be diffused into the peripheral region. The reflectance of the transflective mirror 350 may be higher than the transmittance as described in the embodiment.

이러한 광학 플레이트(300)는 발광 칩(470)의 광량이 가장 높은 영역에 반투과 미러(350)를 배치함으로써, 발광 칩(470)으로부터 발생된 광에 의한 형광체의 열화 문제를 줄여줄 수 있고, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 또한 양자점에 의한 색 변환은 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 색 보정 지수가 저하되는 것을 방지할 수 있다.This optical plate 300 can reduce the problem of deterioration of the phosphor due to light generated from the light emitting chip 470 by disposing the transflective mirror 350 in the region where the light amount of the light emitting chip 470 is the highest, The light loss can be reduced. Further, the color conversion by the quantum dot can prevent the deterioration of the light efficiency and prevent the color correction index from being lowered.

실시 예에 따른 광학 플레이트(300)는 발광 소자(100)의 두께보다 얇은 두께로 제공되어, 발광 소자(100) 상의 조명 플레이트 또는 형광 플레이트로 기능할 수 있다.The optical plate 300 according to the embodiment is provided at a thickness smaller than the thickness of the light emitting device 100 and can function as an illumination plate or a fluorescent plate on the light emitting device 100. [

상기 조명 소자의 상면 및 둘레에는 도 17에 도시된 플레이트 커버가 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The plate cover shown in FIG. 17 may be coupled to the upper surface and the periphery of the illumination device, but the present invention is not limited thereto.

도 38은 실시 예에 따른 조명 소자를 나타낸 측 단면도이다.38 is a side cross-sectional view showing the illumination device according to the embodiment.

도 38을 참조하면, 조명 소자는 발광 소자(500) 및 상기 발광 소자(500) 상에 광학 플레이트(300)이 배치된다. Referring to FIG. 38, an illumination device includes a light emitting device 500 and an optical plate 300 disposed on the light emitting device 500.

상기 발광 소자(500)는 몸체(510)와, 상기 몸체(510)에 배치된 제1 리드 프레임(521) 및 제2리드 프레임(523)과, 상기 몸체(510)에 배치되어 상기 제1리드 프레임(521) 및 제2리드 프레임(523)과 전기적으로 연결되는 발광 칩(570)와, 상기 발광 칩(570) 상에 몰딩 부재(531)를 포함한다.The light emitting device 500 includes a body 510, a first lead frame 521 and a second lead frame 523 disposed on the body 510 and a second lead frame 523 disposed on the body 510, A light emitting chip 570 electrically connected to the frame 521 and the second lead frame 523 and a molding member 531 on the light emitting chip 570.

상기 몸체(510)는 상부가 개방된 오목부(517)을 갖는 반사부(513)와 상기 반사부(513)를 지지하는 지지부(511)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 510 may include a reflecting portion 513 having a concave portion 517 opened at an upper portion thereof and a supporting portion 511 for supporting the reflecting portion 513.

상기 몸체(510)의 오목부(517) 내에는 리드 프레임(521,523) 및 상기 발광 칩(570)이 배치되며, 상기 발광 칩(570)는 제2리드 프레임(523) 상에 배치되고 와이어(503)로 제1리드 프레임(521)과 연결될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(523)은 발광 칩(570)이 배치된 캐비티를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 프레임(521) 및 제2리드 프레임(523)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 칩(570)에 전원을 제공한다. The light emitting chip 570 is disposed on the second lead frame 523 and the wire 503 is disposed on the second lead frame 523. The light emitting chip 570 is disposed in the concave portion 517 of the body 510, To the first lead frame 521, as shown in FIG. The second lead frame 523 may include a cavity in which the light emitting chip 570 is disposed, but the present invention is not limited thereto. The first lead frame 521 and the second lead frame 523 are electrically separated from each other and provide power to the light emitting chip 570.

상기 제1리드 프레임(521) 및 제2 리드 프레임(523)은 상기 발광 칩(570)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다. 이를 위해 상기 제1리드 프레임(521) 및 제2 리드 프레임(523)상에 별도의 반사층이 더 형성될 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 또한, 상기 제1,2 리드 프레임(521,523)은 상기 발광 칩(570)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다. 상기 제1리드 프레임(521)의 리드부(522) 및 상기 제2리드 프레임(523)의 리드부(524)는 몸체(510)의 하면에 배치될 수 있다.The first lead frame 521 and the second lead frame 523 may reflect light generated from the light emitting chip 570 to increase light efficiency. For this purpose, a separate reflective layer may be formed on the first lead frame 521 and the second lead frame 523, but the present invention is not limited thereto. In addition, the first and second lead frames 521 and 523 may serve to discharge the heat generated from the light emitting chip 570 to the outside. The lid portion 522 of the first lead frame 521 and the lid portion 524 of the second lead frame 523 may be disposed on the lower surface of the body 510. [

상기 몰딩 부재(531)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함하며, 상기 발광 칩(570)를 포위하여 상기 발광 칩(570)를 보호할 수 있다. 상기 몰딩 부재(531)은 상면이 플랫하거나 오목 또는 볼록한 형상으로 형성할 수 있다. 상기 몰딩 부재(531)는 제거되어 상기 오목부(517)에 에어 영역이 채워질 수 있다.The molding member 531 may include a resin material such as silicone or epoxy, and may surround the light emitting chip 570 to protect the light emitting chip 570. The upper surface of the molding member 531 may be flat, concave or convex. The molding member 531 may be removed so that the recessed portion 517 may be filled with the air region.

상기 광학 플레이트(300)는 발광 칩(570)과 대면하게 배치될 수 있다. 상기 광학 플레이트(300)는 내부에 형광체를 포함하며, 상기 몸체(510)의 상면 상에 배치될 수 있다. The optical plate 300 may be disposed facing the light emitting chip 570. The optical plate 300 includes a phosphor and may be disposed on the upper surface of the body 510.

상기 광학 플레이트(300)는 오픈 영역(342)을 갖는 틀 형상의 반사체(310), 상기 반사체(310) 내에 형광체층(340), 상기 반사체(310) 및 형광체층(340) 아래에 제1투명 필름(320), 상기 반사체(310) 및 형광체층(340) 위에 제2투명 필름(340), 상기 제1투명 필름(320)의 일부 영역에 광원인 발광 칩(570)과 마주하는 반투과 미러(350)를 포함한다. The optical plate 300 includes a frame-shaped reflector 310 having an open region 342, a phosphor layer 340 in the reflector 310, a reflector 310, and a phosphor layer 340, A second transparent film 340 is disposed on the film 320, the reflector 310 and the phosphor layer 340, and a semi-transmissive mirror 340 facing the light emitting chip 570, which is a light source, (350).

상기 반사체(310)는 내부에 오픈 영역(342)을 포함하며, 외 형상이 원형 틀 또는 다각형 틀 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 원 형상 또는 다각형 형상을 포함할 수 있다. 상기 오픈 영역(342)은 상기 발광 소자의 오목부(517)의 형상과 대응되는 형상을 가지고, 상기 오목부(517)를 통해 출사된 광이 입사될 수 있다. 이러한 반사체(310)는 상기 형광체층(340)의 측면을 감싸게 형성될 수 있다.The reflector 310 includes an open region 342 therein, and the outer shape of the reflector 310 may include a circular frame or a polygonal frame. The open region 342 may include a circular or polygonal shape. The open region 342 has a shape corresponding to the shape of the concave portion 517 of the light emitting device, and light emitted through the concave portion 517 may be incident thereon. The reflector 310 may be formed to surround the side surface of the phosphor layer 340.

상기 반사체(310)는 유리 재질 예컨대, 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질을 포함할 수 있다. 상기 백색 유리 또는 반사율이 높은 유리 재질은 투명한 유리 내에 백색 입자 또는/및 기포를 첨가하여 형성할 수 있다. 상기 반사체(310)의 반사율은 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)의 반사율보다 높을 수 있다. The reflector 310 may include a glass material such as a white glass or a glass material having a high reflectance. The white glass or the glass material having high reflectance can be formed by adding white particles and / or bubbles into the transparent glass. The reflectance of the reflector 310 may be higher than that of the first and second transparent films 320 and 330.

상기 반사체(310)는 다른 예로서, 수지 재질을 포함하며, 상기 수지 재질은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 에폭시 또는 실리콘 재질을 포함할 수 있다. 상기 수지 재질 내에 금속 산화물 예컨대, TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러가 첨가될 수 있다. 상기 반사체(310)는 백색 수지로 이루어질 수 있다. 상기 반사체(310)은 세라믹 재질을 포함할 수 있다. As another example, the reflector 310 may include a resin material, and the resin material may include a resin material such as polyphthalamide (PPA), an epoxy or a silicone material. A filler, which is a metal oxide such as TiO 2 or SiO 2 , may be added to the resin material. The reflector 310 may be made of a white resin. The reflector 310 may include a ceramic material.

상기 형광체층(340)은 투명한 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질 내에 형광체가 첨가될 수 있다. 상기 형광체층(340)은 상기 발광 칩(570)으로부터 방출된 광의 파장을 변환하게 된다. 상기 형광체층(340)은 적색, 녹색, 황색, 청색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 방출되는 광의 일부를 여기시켜 다른 파장의 광으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The phosphor layer 340 may include a phosphor in a resin material such as transparent silicon or epoxy. The phosphor layer 340 converts the wavelength of the light emitted from the light emitting chip 570. The phosphor layer 340 may include at least one of red, green, yellow, and blue phosphors. The phosphor excites a part of the emitted light and emits it as light of a different wavelength. The phosphor may be selectively formed from YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor.

실시 예에 따른 형광체층(340)은 양자점(quantum dot)을 포함할 수 있다. 상기 양자점은 II-VI 화합물, 또는 III-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 황색, 적색 양자점 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. The phosphor layer 340 according to an embodiment may include a quantum dot. The quantum dot may include an II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit at least one of red, green, yellow, and red quantum dots.

상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다. 이러한 양자점의 경우 온도에 따른 발광 효율의 변화가 크게 되므로, 실시 예와 같이 발광 칩(570)으로부터 이격시켜 주어 발광 효율의 변화를 줄여줄 수 있다. The quantum dot is, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS , CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2, CuInSe 2, and the like, and combinations thereof. In the case of such a quantum dot, since the change in the luminous efficiency depending on the temperature is large, the luminous efficiency can be reduced by separating the luminous efficiency from the luminous chip 570 as in the embodiment.

상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 유리, 또는 투명한 수지 필름을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 반사체(310) 상에 접착되어 상기 형광체층(340)을 보호하게 된다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181) 또는/및 형광체층(340)의 굴절률과 동일하거나 낮은 굴절률을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)은 상기 몰딩 부재(181)의 굴절률의 차이가 0.2 이하인 물질로 형성될 수 있다. The first and second transparent films 320 and 330 may include glass or a transparent resin film. The first and second transparent films 320 and 330 are bonded on the reflector 310 to protect the phosphor layer 340. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed of a material having a refractive index equal to or lower than that of the molding member 181 and / or the phosphor layer 340. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed of a material having a difference in refractive index of the molding member 181 of 0.2 or less.

상기 제1투명 필름(320)은 상기 반사체(310)의 하면 및 상기 형광체층(340)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제1투명 필름(320)의 하면 외측은 상기 몸체(510) 상에 접착될 수 있다. 상기 제2투명 필름(330)은 상기 반사체(310)의 상면 및 상기 형광체층(340)의 상면에 접착될 수 있다. The first transparent film 320 may be adhered to the lower surface of the reflector 310 and the lower surface of the phosphor layer 340. The outer surface of the lower surface of the first transparent film 320 may be adhered to the body 510. The second transparent film 330 may be adhered to the upper surface of the reflector 310 and the upper surface of the phosphor layer 340.

상기 형광체층(340)은 상기 반사체(310)의 두께와 동일한 두께를 가질 수 있으며, 이 경우 상기 반사체(310)의 상면 및 하면의 일부 또는 전 영역에는 상기 제1 및 제2투명 필름(320,330)이 접촉될 수 있다. The first and second transparent films 320 and 330 may be formed on the upper surface and the lower surface of the reflector 310. In this case, Can be contacted.

상기 반투과 미러(350)는 반투과성 기능을 수행할 수 있는 금속 재질 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 재질을 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 투과율보다 반사율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 투과율 및 반사율의 합은 100%일 수 있다. The transflective mirror 350 may include a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) material capable of performing a semipermeable function. The transflective mirror 350 may be formed of a material having a reflectance higher than that of the transmissivity. Here, the sum of the transmittance and the reflectance may be 100%.

상기 반투과 미러(350)는 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 반투과 미러(350)의 하면 즉, 광 입사면에는 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 반투과 미러(350)는 하프 미러(half mirror) 시트(sheet), 반투명 미러, 편광 시트 또는 반투명 확산 시트로 정의될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)은 상기 제1투명 필름(320) 아래에 스크린 인쇄로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The semi-transparent mirror 350 may include a diffusion sheet. An uneven pattern may be formed on the lower surface of the semi-transmissive mirror 350, that is, on the light incident surface, but the present invention is not limited thereto. The semi-transparent mirror 350 may be defined as a half mirror sheet, a semi-transparent mirror, a polarizing sheet, or a translucent diffusion sheet. The transflective mirror 350 may be formed by screen printing under the first transparent film 320, but is not limited thereto.

상기 반투과 미러(350)는 상기 형광체층(340) 아래 예컨대, 제1투명 필름(320) 아래에 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 상기 제1투명 필름(320)의 아래에 하나 또는 복수개가 배치될 수 있으며, 예컨대 복수개인 경우 상기 발광 칩(570)의 개수와 동일한 개수로 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 광원과 대면하게 예컨대, 상기 발광 칩(470)과 대면하게 배치될 수 있다. The semi-transparent mirror 350 may be disposed below the phosphor layer 340, for example, under the first transparent film 320. One or a plurality of the transflective mirrors 350 may be disposed under the first transparent film 320. For example, the number of the transflective mirrors 350 may be the same as the number of the light emitting chips 570. The transflective mirror 350 may be disposed facing the light emitting chip 470, for example.

상기 반투과 미러(350)와 상기 발광 칩(570)에 대한 설명은, 상기의 실시 예에 개시된 설명을 참조하기로 한다. 예컨대, 상기 반투과 미러(350)의 제1방향의 길이(E4)는 상기 발광 칩(570)의 제1방향의 길이(E1)보다 길고, 제2방향의 너비는 상기 발광 칩(570)의 제2방향의 너비보다 넓게 배치될 수 있다. 상기 반투과 미러(350)의 상면 또는 하면 면적은 상기 발광 칩(570)의 상면 면적보다 크게 배치될 수 있다. The description of the transflective mirror 350 and the light emitting chip 570 will be given with reference to the description given in the above embodiments. For example, the length E4 of the transflective mirror 350 in the first direction is longer than the length E1 of the light emitting chip 570 in the first direction, and the width of the light emitting chip 570 in the second direction And may be arranged wider than the width of the second direction. The top or bottom surface area of the transflective mirror 350 may be larger than the top surface area of the light emitting chip 570.

상기 반투과 미러(350)와 상기 발광 칩(570) 간의 간격(G1)은 0.5mm 이상 예컨대, 0.5mm 내지 1.5mm 범위일 수 있다. 상기 발광 칩(570)과 상기 반투과 미러(350) 간의 간격(G1)이 상기 범위보다 작은 경우 몸체(510)의 두께가 얇아져 강성 확보가 어렵고 형광체 열화 문제가 발생될 수 있고 상기 범위보다 큰 경우 발광 소자의 두께가 두꺼워지는 문제가 존재할 수 있고 반투과 미러(350)에 의한 광 확산 효과가 미미할 수 있다. The gap G1 between the semi-transmissive mirror 350 and the light emitting chip 570 may be in a range of 0.5 mm or more, for example, 0.5 mm to 1.5 mm. When the gap G1 between the light emitting chip 570 and the semi-transmissive mirror 350 is smaller than the above range, the thickness of the body 510 becomes thin and it is difficult to secure rigidity and a problem of phosphor deterioration may occur. There may be a problem that the thickness of the light emitting device is increased, and the effect of light diffusion by the transflective mirror 350 may be insignificant.

상기 반투과 미러(350)는 상기 발광 소자로부터 입사된 광을 반사 및 투과하게 된다. 상기 반투과 미러(350)는 상기 광학 플레이트(300)로 입사된 광량이 높은 최대인 영역에 배치되어, 주변 영역으로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 반투과 미러(350)는 실시 예의 설명과 같이 반사율이 투과율보다 높을 수 있다. The semi-transparent mirror 350 reflects and transmits the light incident from the light emitting device. The semi-transmissive mirror 350 may be disposed in a region having a maximum amount of light incident on the optical plate 300, and may be diffused into the peripheral region. The reflectance of the transflective mirror 350 may be higher than the transmittance as described in the embodiment.

이러한 광학 플레이트(300)는 발광 칩(570)의 광량이 가장 높은 영역에 반투과 미러(350)를 배치함으로써, 발광 칩(570)으로부터 발생된 광에 의한 형광체의 열화 문제를 줄여줄 수 있고, 광 손실을 줄여줄 수 있다. 또한 양자점에 의한 색 변환은 광 효율의 저하를 방지할 수 있고 색 보정 지수가 저하되는 것을 방지할 수 있다.This optical plate 300 can reduce the problem of degradation of the phosphor due to the light generated from the light emitting chip 570 by disposing the transflective mirror 350 in the region where the light amount of the light emitting chip 570 is the highest, The light loss can be reduced. Further, the color conversion by the quantum dot can prevent the deterioration of the light efficiency and prevent the color correction index from being lowered.

실시 예에 따른 광학 플레이트(300)는 발광 소자(100)의 두께보다 얇은 두께로 제공되어, 발광 소자(100) 상의 조명 플레이트 또는 형광 플레이트로 기능할 수 있다.The optical plate 300 according to the embodiment is provided at a thickness smaller than the thickness of the light emitting device 100 and can function as an illumination plate or a fluorescent plate on the light emitting device 100. [

상기 조명 소자의 상면 및 둘레에는 도 17에 도시된 플레이트 커버가 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The plate cover shown in FIG. 17 may be coupled to the upper surface and the periphery of the illumination device, but the present invention is not limited thereto.

실시예에 따른 조명 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 39 및 도 40에 도시된 표시 장치, 도 41에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The illumination device according to the embodiment can be applied to the illumination system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arrayed, and includes a display apparatus shown in Figs. 39 and 40, a lighting apparatus shown in Fig. 41, and may include an illumination lamp, a traffic light, a vehicle headlight, have.

도 39는 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 39 is an exploded perspective view of a display device having an illumination device according to an embodiment.

도 39을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to Figure 39, a display device 1000 according to an embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 for providing light to the light guide plate 1041, and a reflection member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041 and a display panel 1061 on the optical sheet 1051 and the light guide plate 1041 and the light source module 1031 and the reflection member 1022 But is not limited to, a bottom cover 1011.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmethacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphtha late) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material, for example, acrylic resin such as PMMA (polymethylmethacrylate), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC) and polyethylene naphtha late Resin. ≪ / RTI >

상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 광원 모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 조명 소자(1035)를 포함하며, 상기 조명 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light source module 1031 is disposed in the bottom cover 1011 and may directly or indirectly provide light from one side of the light guide plate 1041. [ The light source module 1031 includes a substrate 1033 and an illumination device 1035 according to the above-described embodiment, and the illumination devices 1035 can be arrayed at a predetermined interval on the substrate 1033. [

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 조명 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the illumination element 1035 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat radiation plate, the substrate 1033 can be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 조명 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 조명 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The illumination device 1035 may be mounted on the substrate 1033 such that the light exit surface is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto. The illumination device 1035 can directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one surface of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light source module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light source module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the invention is not limited thereto.

도 40은 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 40 is a diagram showing a display device having an illumination device according to the embodiment.

도 40을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 조명 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 40, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the above-described illumination device 1124 is arrayed, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1120)과 상기 조명 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 조명 소자(1124)를 포함한다.The substrate 1120 and the illumination device 1124 may be defined as a light source module 1160. The bottom cover 1152, the at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto. The light source module 1160 includes a substrate 1120 and a plurality of illumination elements 1124 arranged on the substrate 1120.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(polymethyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a polymethyl methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
The optical member 1154 is disposed on the light source module 1160 and performs surface light source, diffusion, and light condensation of light emitted from the light source module 1160.

도 41은 실시 예에 따른 조명 소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.41 is an exploded perspective view of a lighting device having a lighting device according to an embodiment.

도 41을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 조명 소자를 포함할 수 있다.41, the lighting apparatus according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat discharger 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800 . Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a lighting device according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat discharging body 2400. The cover 2100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for sufficiently diffusing and diffusing the light from the light source module 2200 and emitting it to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed by blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the heat discharging body 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat discharger 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 2400 and has guide grooves 2310 through which the plurality of light source portions 2210 and the connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate of the light source unit 2210 and the connector 2250.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 2100 toward the cover 2100 in the direction toward the light source module 2200. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 2400 and the connecting plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 2230 and the heat discharging body 2400. The heat discharger 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to dissipate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 housed in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may have a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides the electrical signal to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is housed in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 돌출부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide unit 2630, a base 2650, and a protrusion 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light source module 2200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 돌출부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 돌출부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 돌출부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The protrusion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The protrusion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an external electrical signal. For example, the protrusion 2670 may be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the protrusion 2670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 2800.

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
The inner case 2700 may include a molding part together with the power supply part 2600. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply unit 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100,100A,400,500: 발광 소자
110, 110A, 410,510: 몸체
121,131,122,132,421,423, 521,523: 리드 프레임
125,135: 캐비티
160,425,517: 오목부
171,172,470,570: 발광 칩
181,440,531: 몰딩 부재
300: 광학 플레이트
310: 반사체
320,330: 투명 필름
340: 형광체층
351,353: 반투과 미러
460: 플레이트 커버
100, 100A, 400, 500:
110, 110A, 410, 510: body
121, 131, 122, 132, 421, 423, 521, 523:
125, 135: Cavity
160, 425,
171, 172, 470, 570:
181, 440, 531:
300: optical plate
310: reflector
320,330: Transparent film
340: phosphor layer
351,353: Semi-transparent mirror
460: Plate cover

Claims (20)

형광체층;
상기 형광체층 아래에 제1투명 필름;
상기 형광체층 위에 제2투명 필름;
상기 형광체층의 측면을 감싸며 상기 제1 및 제2투명 필름 사이에 배치된 반사체; 및
상기 제1투명 필름의 일부 영역에 배치되며 입사된 광을 반사 및 투과하는 반투과 미러를 포함하며,
상기 반투과 미러는 광원과 대면하게 배치되며,
상기 반투과 미러는 상기 형광체층의 하면 면적보다 작은 하면 면적을 갖는 광학 플레이트.
A phosphor layer;
A first transparent film below the phosphor layer;
A second transparent film on the phosphor layer;
A reflector disposed between the first and second transparent films to surround a side surface of the phosphor layer; And
And a transflective mirror disposed in a part of the first transparent film and reflecting and transmitting the incident light,
Wherein the transflective mirror is disposed facing the light source,
Wherein the semi-transmissive mirror has a bottom area smaller than a bottom area of the phosphor layer.
제1항에 있어서,
상기 반투과 미러는 타원, 원 또는 다각형 형상을 포함하는 광학 플레이트.
The method according to claim 1,
Wherein the transflective mirror comprises an elliptical, circular or polygonal shape.
제1항에 있어서,
상기 형광체층은 양자점을 갖는 광학 플레이트.
The method according to claim 1,
Wherein the phosphor layer has a quantum dot.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반투과 미러는 투과율보다 반사율이 높은 재질로 형성되는 광학 플레이트.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the transflective mirror is formed of a material having a reflectance higher than that of the transmissivity.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반투과 미러는 상기 제1투명 필름의 하면 상에 복수개가 배열되는 광학 플레이트.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein a plurality of the transflective mirrors are arranged on a lower surface of the first transparent film.
발광 칩을 갖는 발광 소자; 및
상기 발광 소자 상에 상기 발광 칩과 대면하는 반투과 미러를 갖는 광학 플레이트를 포함하며,
상기 광학 플레이트는,
형광체층;
상기 형광체층 아래에 제1투명 필름; 및
상기 형광체층의 측면을 감싸는 반사체를 포함하며,
상기 반투과 미러는 상기 제1투명 필름의 일부 영역에 상기 발광 칩과 대면하게 배치되며, 입사된 광을 반사 및 투과하며,
상기 반투과 미러는 상기 발광 칩의 상면 면적보다 큰 하면 면적을 갖는 조명 소자.
A light emitting element having a light emitting chip; And
And an optical plate having a transflective mirror facing the light emitting chip on the light emitting element,
Wherein the optical plate comprises:
A phosphor layer;
A first transparent film below the phosphor layer; And
And a reflector surrounding a side surface of the phosphor layer,
The semi-transmissive mirror is disposed in a part of the first transparent film so as to face the light emitting chip, and reflects and transmits the incident light,
Wherein the transflective mirror has a bottom area larger than the top surface area of the light emitting chip.
제6항에 있어서,
상기 형광체층 위에 제2투명 필름을 포함하는 조명 소자.
The method according to claim 6,
And a second transparent film on the phosphor layer.
제8항에 있어서,
상기 제1 및 제2투명 필름은 유리 재질을 포함하며,
상기 반사체는 상기 제1 및 제2투명 필름 사이에 배치되는 조명 소자.
9. The method of claim 8,
Wherein the first and second transparent films comprise a glass material,
And the reflector is disposed between the first and second transparent films.
제6항에 있어서,
상기 반투과 미러는 제1방향의 길이가 제2방향의 너비보다 길게 배치되며,
상기 발광 칩은 제1방향의 길이가 제2방향의 너비보다 긴 조명 소자.
The method according to claim 6,
Wherein the transflective mirror has a length in a first direction longer than a width in a second direction,
Wherein the light emitting chip has a length in a first direction longer than a width in a second direction.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광 소자는,
오목부를 갖는 몸체; 및
상기 오목부 내에 배치된 복수의 리드 프레임을 포함하며,
상기 발광 칩은 상기 오목부 내에 적어도 하나가 배치되고 상기 복수의 리드 프레임과 전기적으로 연결되며,
상기 광학 플레이트는 상기 몸체 상에 부착되며,
상기 오목부는 상기 형광체층과 수직 방향으로 오버랩되는 조명 소자.
10. The method according to any one of claims 6 to 9,
The light-
A body having a recess; And
And a plurality of lead frames disposed in the recess,
Wherein at least one of the light emitting chips is disposed in the recess and is electrically connected to the plurality of lead frames,
The optical plate is attached on the body,
And the concave portion overlaps with the phosphor layer in the vertical direction.
제10항에 있어서,
상기 복수의 리드 프레임은 제1 및 제2리드 프레임을 포함하며,
상기 발광 칩은 복수개가 제1 방향으로 배열되며,
상기 복수의 반투과 미러는 복수개가 상기 발광 칩 각각에 대면하게 배치되는 조명 소자.
11. The method of claim 10,
Wherein the plurality of lead frames include first and second lead frames,
Wherein a plurality of the light emitting chips are arranged in a first direction,
Wherein a plurality of said plurality of semi-transmission mirrors are disposed facing each of said light emitting chips.
제10항에 있어서,
상기 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나는 상기 오목부의 아래에 상기 몸체의 하 방향으로 함몰된 캐비티를 포함하며,
상기 캐비티에는 상기 발광 칩이 배치되는 조명 소자.
11. The method of claim 10,
Wherein at least one of the plurality of lead frames includes a cavity recessed downwardly of the body below the recess,
And the light emitting chip is disposed in the cavity.
제10항에 있어서,
상기 반투과 미러의 하면은 상기 몸체의 상면의 수평한 직선보다 아래에 배치되는 조명 소자.
11. The method of claim 10,
Wherein a lower surface of the semi-transparent mirror is disposed below a horizontal straight line on an upper surface of the body.
제10항에 있어서,
상기 오목부에 몰딩 부재를 포함하며,
상기 몰딩 부재는 상기 제1투명 필름 및 반투과 미러와 접촉되는 조명 소자.
11. The method of claim 10,
Wherein the concave portion includes a molding member,
Wherein the molding member is in contact with the first transparent film and the transflective mirror.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반투과 미러는 타원, 원 또는 다각형 형상을 포함하는 조명 소자.
10. The method according to any one of claims 6 to 9,
Wherein the transflective mirror comprises an elliptical, circular or polygonal shape.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 형광체층은 양자점을 갖는 조명 소자.
10. The method according to any one of claims 6 to 9,
Wherein the phosphor layer has a quantum dot.
제10항에 있어서,
상기 몸체는 상기 제1투명 필름의 하면에 접착제로 접착되는 조명 소자.
11. The method of claim 10,
Wherein the body is bonded to the lower surface of the first transparent film with an adhesive.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반투과 미러는 투과율보다 반사율이 더 높은 조명 소자
10. The method according to any one of claims 6 to 9,
The semi-transmissive mirror has a reflectance higher than that of the transmissive element.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 플레이트 상에 개구부를 갖는 플레이트 커버를 포함하며,
상기 플레이트 커버는 상기 광학 플레이트의 상면 둘레와 상기 발광 소자의 측면을 감싸는 측면 커버부를 포함하는 조명 소자.
10. The method according to any one of claims 6 to 9,
And a plate cover having an opening on the optical plate,
And the plate cover includes a side cover portion surrounding the top surface of the optical plate and a side surface of the light emitting device.
기판; 및
상기 기판 상에 복수의 조명 소자를 포함하며,
상기 조명 소자는, 청구항 제6항 내지 제9항 중 어느 하나의 조명 소자를 갖는 광원 모듈.
Board; And
A plurality of illumination elements on the substrate,
The light source module has the illumination device according to any one of claims 6 to 9.
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