KR20170048471A - 도포형 절연막 형성용 조성물 - Google Patents

도포형 절연막 형성용 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20170048471A
KR20170048471A KR1020177008423A KR20177008423A KR20170048471A KR 20170048471 A KR20170048471 A KR 20170048471A KR 1020177008423 A KR1020177008423 A KR 1020177008423A KR 20177008423 A KR20177008423 A KR 20177008423A KR 20170048471 A KR20170048471 A KR 20170048471A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
insulating film
forming
composition
group
Prior art date
Application number
KR1020177008423A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102461124B1 (ko
Inventor
야스유키 아카이
유지 스즈키
다케시 요코오
Original Assignee
주식회사 다이셀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 다이셀 filed Critical 주식회사 다이셀
Publication of KR20170048471A publication Critical patent/KR20170048471A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102461124B1 publication Critical patent/KR102461124B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
    • H01B3/441—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from alkenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D123/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D145/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic or in a heterocyclic system; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D7/001—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/20—Diluents or solvents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/56—Non-aqueous solutions or dispersions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

절연막을 형성하는 유기 재료의 용해 안정성 및 안전성이 우수하고, 도포법에 의해 비유전율이 낮고, 절연 저항값이 높고, 습윤성이 높은 절연막이며, 도포법에 의해 상위층을 형성 가능한 절연막을 형성할 수 있는 절연막 형성용 조성물을 제공한다. 본 발명의 절연막 형성용 조성물은, 하기 환상 올레핀 공중합체와 하기 용제를 함유한다.
환상 올레핀 공중합체: 환상 올레핀과 쇄상 올레핀의 공중합체
용제: 하기 식 (1)로 표시되는 화합물이며, 표준 비점이 100℃ 이상 300℃ 미만인 화합물을 포함한다
Figure pct00007

[식 (1) 중, 환 Z는 5 내지 6원의 포화 또는 불포화 환식 탄화수소, 및 벤젠환으로부터 선택되는 환이고, R1은 탄화수소기 또는 아실기임. 환 Z는 치환기로서 적어도 R1O기를 갖고, 치환기를 2개 이상 갖는 경우, 2개의 치환기는 서로 결합하여 환 Z를 구성하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨]

Description

도포형 절연막 형성용 조성물 {COMPOSITION FOR FORMING COAT-TYPE INSULATING FILM}
본 발명은 용질로서의 환상 올레핀 공중합체와, 그것을 용해하는 용제를 포함하는, 도포성이 우수한 절연막 형성용 조성물이며, 도포법에 의해 상위층을 형성 가능한 습윤성을 갖는 도막을 형성하는 절연막 형성용 조성물에 관한 것이다. 본원은, 2014년 9월 3일에 일본에 출원한 일본 특허 출원 제2014-179447호의 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.
일반적으로, 절연막의 재료로서는 이산화규소, 질화규소 등의 무기 재료나, 환상 올레핀 공중합체, 폴리이미드, 파릴렌, 비정질 불소 수지, 폴리아크릴 수지 등의 유기 재료가 있으며, 용도나 요구 특성에 따라 구분 사용되고 있다.
종래, 액정 표시 디스플레이에서는 무기 재료가 주류였지만, 근년, 디스플레이의 플렉시블화, 비용 삭감의 요구로부터, 유기 재료로의 치환이 시작되고 있다.
무기 재료는 증착법으로 절연막을 형성하지만, 유기 재료는, 도포법에 의해 용이하면서도 저렴하게 절연막을 형성할 수 있다는 점, 경량이면서도 플렉시블한 절연막이 얻어진다는 점에서 우수하다. 상기 이점을 활용하면, 도포법에 의해, 대량으로, 빠르게, 저렴하게, 대면적의 전자 디바이스를 형성하는 것이 가능하게 된다(비특허문헌 1). 전자 디바이스로서, 예를 들어 유기 박막 트랜지스터는, 1) 게이트 전극의 인쇄, 2) 게이트 절연막의 인쇄, 3) 반도체의 인쇄, 4) 소스, 드레인 전극의 인쇄의 총 4회의 인쇄로 제조 가능해질 것이라고 생각되고 있다.
도포법에 의한 전자 디바이스의 제조에는, 상기 유기 재료를 잉크화 또는 페이스트화하는 것이 중요하지만, 상기 폴리이미드는 용제에 대한 용해성이 낮다는 것이 문제였다. 또한, 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산은 용제에 대한 용해성은 높지만, 폴리이미드화하기 위해서는 고온에서 가열할 필요가 있다는 점에서(특허문헌 1), 기재나 피인쇄 재료에 손상을 끼치는 것이 문제였다.
또한, 파릴렌에 의한 도막의 형성에는 가열에 의한 열분해가 필요하게 된다(특허문헌 2). 그 때문에, 도포법에 의한 전자 디바이스의 제조에는 부적합하였다.
또한, 비정질 불소 수지는 도포법에 의해 도막을 형성할 수 있지만, 얻어진 도막은 습윤성이 낮기 때문에, 해당 도막 상에 도포법에 의해 상위층을 형성하는 것은 곤란하며, 증착법에 의해 전극이나 유기 반도체 등의 상위층을 형성하는 방법이나, 상기 상위층의 형성 후에 비정질 불소 수지의 도포 공정을 갖고 오는 방법이나, 비정질 불소 수지의 도막 상에 무기 재료를 포함하는 밀착층을 개재하여 상위층을 형성하는 방법이 채용되고 있었다(특허문헌 3). 그러나, 도포법만으로 전자 디바이스를 제조하기가 곤란하거나, 형상에 제약이 발생하는 것이 문제였다.
한편, 환상 올레핀 공중합체는 용제의 습윤성이 높다. 또한, 환상 올레핀 공중합체는 비유전율이 낮고, 절연 저항값이 높다. 그러나, 환상 올레핀 공중합체는 용제에 대한 용해성이 낮아, 잉크화해도 석출이나 상 분리되기 쉽다는 것이 문제였다. 용해성을 개선하는 방법으로서는, 환상 올레핀 공중합체를 화학 수식하는 방법이 알려져 있지만, 화학 수식에 의해 절연 성능이 저하되는 것도 문제였다(특허문헌 4, 5).
상기 유기 재료의 잉크화에 주로 사용되는 용제로서는, 톨루엔, 크실렌, 테트라히드로푸란, 디옥산, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, 시클로헥사논, 에틸렌글리콜계 에테르 등이 사용되고 있지만, 휘발성이 지나치게 높기 때문에 도막의 표면을 평활화하기가 곤란하거나, 고우려 물질(SVHC)의 관리 대상 물질로 되어 있기 때문에 공업적으로 사용하기가 곤란하다는 점에서 대체품이 요구되고 있었다.
일본 특허 공개 제2012-064662호 공보 일본 특허 공개 제2010-283332호 공보 일본 특허 공개 제2010-278173호 공보 일본 특허 공개 제2008-111033호 공보 일본 특허 공개 제2009-167433호 공보
프린티드·일렉트로닉스 기술, 스가누마 가츠아키ㆍ타나아미 히로시(ISBN 978-4-7693-1280-2)
따라서, 본 발명의 목적은, 절연막을 형성하는 유기 재료의 용해 안정성 및 안전성이 우수하고, 도포법에 의해 비유전율이 낮고, 절연 저항값이 높고, 습윤성이 높은 절연막이며, 도포법에 의해 상위층을 형성 가능한 절연막을 형성할 수 있는 절연막 형성용 조성물을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 환상 올레핀 공중합체와, 특정한 안전한 용제를 조합함으로써, 도포법에 적합한 잉크를 안정적으로 형성할 수 있고, 해당 잉크를 도포함으로써, 비유전율이 낮고, 절연 저항값이 높은 절연막이며, 도포법에 의해 상위층을 형성 가능한 습윤성을 갖는 절연막을 형성할 수 있다는 것을 알아냈다. 본 발명은 이들 지견에 기초하여 완성시킨 것이다.
즉, 본 발명은, 하기 환상 올레핀 공중합체와 하기 용제를 함유하는 절연막 형성용 조성물을 제공한다.
환상 올레핀 공중합체: 환상 올레핀과 쇄상 올레핀의 공중합체
용제: 하기 식 (1)
Figure pct00001
(식 중, 환 Z는 5 내지 6원의 포화 또는 불포화 환식 탄화수소, 및 벤젠환으로부터 선택되는 환이고, R1은 탄화수소기 또는 아실기임. 환 Z는 치환기로서 적어도 R1O기를 갖고, 치환기를 2개 이상 갖는 경우, 2개의 치환기는 서로 결합하여 환 Z를 구성하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨)
로 표시되는 화합물이며, 표준 비점이 100℃ 이상 300℃ 미만인 화합물을 포함한다.
본 발명은 또한, 환상 올레핀 공중합체가, 치환기를 가져도 되는 노르보르넨 및/또는 시클로도데센과 탄소수 2 내지 8의 쇄상 α-올레핀의 공중합체인 상기 절연막 형성용 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 용제가, 시클로헥실메틸에테르, 시클로헥산올아세테이트, 메톡시벤젠, 에톡시벤젠 및 시클로펜틸메틸에테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 포함하는, 상기 절연막 형성용 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 점도[25℃, 전단 속도 10(1/s)에 있어서의]가 0.1 내지 5000mPaㆍs인 상기 절연막 형성용 조성물을 제공한다.
즉, 본 발명은 이하에 관한 것이다.
[1] 하기 환상 올레핀 공중합체와 하기 용제를 함유하는 절연막 형성용 조성물.
환상 올레핀 공중합체: 환상 올레핀과 쇄상 올레핀의 공중합체
용제: 식 (1)(식 중, 환 Z는 5 내지 6원의 포화 또는 불포화 환식 탄화수소, 및 벤젠환으로부터 선택되는 환이고, R1은 탄화수소기 또는 아실기임. 환 Z는 치환기로서 적어도 R1O기를 갖고, 치환기를 2개 이상 갖는 경우, 2개의 치환기는 서로 결합하여 환 Z를 구성하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨)로 표시되는 화합물이며, 표준 비점이 100℃ 이상 300℃ 미만인 화합물을 포함한다.
[2] 환상 올레핀 공중합체가, 환상 올레핀 유래의 단량체 단위를 환상 올레핀 공중합체 전량의 50 내지 90중량％ 함유하고, 쇄상 올레핀 유래의 단량체 단위를 환상 올레핀 공중합체 전량의 10 내지 50중량％ 함유하는 [1]에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[3] 환상 올레핀 공중합체에 있어서의 환상 올레핀 유래의 단량체 단위와 쇄상 올레핀 유래의 단량체 단위의 합계 함유량이, 환상 올레핀 공중합체 전량의 50중량％ 이상인 [1] 또는 [2]에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[4] 환상 올레핀 공중합체의 유리 전이 온도(ISO 11375-1, -2, -3 준거)가 40 내지 220℃인 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[5] 환상 올레핀 공중합체의 중량 평균 분자량(GPC에 의함, 폴리스티렌 환산)이 3000 내지 200000인 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[6] 환상 올레핀 공중합체가, 치환기를 가져도 되는 노르보르넨 및/또는 시클로도데센과 탄소수 2 내지 8의 쇄상 α-올레핀의 공중합체인 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[7] 용질로서의 환상 올레핀 공중합체와 용제를 함유하는 절연막 형성용 조성물이며, 절연막 형성용 조성물에 포함되는 용질 전량에서 차지하는 환상 올레핀 공중합체의 비율이 50중량％ 이상인 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[8] 용제가, 시클로헥실메틸에테르, 시클로헥산올아세테이트, 메톡시벤젠, 에톡시벤젠 및 시클로펜틸메틸에테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 포함하는 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[9] 용제가, 식 (1)로 표시되는 화합물이며, 표준 비점이 100℃ 이상 300℃ 미만인 화합물을, 절연막 형성용 조성물에 포함되는 용제 전량의 50중량％ 이상 함유하는 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[10] 용제가, 시클로헥실메틸에테르, 시클로헥산올아세테이트, 메톡시벤젠, 에톡시벤젠 및 시클로펜틸메틸에테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 절연막 형성용 조성물에 포함되는 용제 전량의 50중량％ 이상 함유하는 [8] 또는 [9]에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[11] 절연막 형성용 조성물 전량에서 차지하는 용제의 비율이 60중량％ 이상인 [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[12] 절연막 형성용 조성물 전량에서 차지하는 식 (1)로 표시되는 화합물의 비율이 30중량％ 이상인 [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[13] 절연막 형성용 조성물 전량에서 차지하는 용질의 비율이 0.05 내지 40.00중량％인 [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[14] 절연막 형성용 조성물 전량에서 차지하는 환상 올레핀 공중합체의 비율이 0.05 내지 40.00중량％인 [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[15] 점도[25℃, 전단 속도 10(1/s)에 있어서의]가 0.1 내지 5000mPaㆍs인 [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물.
[16] [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 절연막 형성용 조성물의 고화물을 포함하는 도막.
[17] 물의 접촉각이 90°미만인 [16]에 기재된 도막.
[18] 표면 조도(산술 평균 조도; Ra)가 1nm 이하인 [16] 또는 [17]에 기재된 도막.
[19] 절연 저항값(JIS C2110 준거)이 9kV/0.1mm 이상인 [16] 내지 [18] 중 어느 하나에 기재된 도막.
[20] 비유전율(IEC 60250)(1 내지 10kHz, 25℃)이 2.7 이하인 [16] 내지 [19] 중 어느 하나에 기재된 도막.
본 발명의 도포형 절연막 형성용 조성물은, 안전성 및 잉크로서의 안정성이 높고, 도포, 건조함으로써, 종래품에 비하여 비유전율이 낮고 절연 저항값이 높은 절연막이며, 습윤성이 높고 도포법에 의해 상위층을 형성 가능한 절연막을 형성할 수 있다. 그 때문에, 도포법에 의해 절연막을 포함하는 전자 디바이스(예를 들어, 트랜지스터, 콘덴서, 인덕터, 서미스터, 압전 소자 등)를 형성하는 용도에 적합하게 사용할 수 있다.
[용제]
본 발명의 절연막 형성용 조성물은, 용제로서, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물을 적어도 함유한다.
Figure pct00002
(식 중, 환 Z는 5 내지 6원의 포화 또는 불포화 환식 탄화수소, 및 벤젠환으로부터 선택되는 환이고, R1은 탄화수소기 또는 아실기임. 환 Z는 치환기로서 적어도 R1O기를 갖고, 치환기를 2개 이상 갖는 경우, 2개의 치환기는 서로 결합하여 환 Z를 구성하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨)
상기 식 중, 환 Z는 5 내지 6원의 포화 또는 불포화 환식 탄화수소, 및 벤젠환으로부터 선택되는 환이다. 상기 5 내지 6원의 포화 또는 불포화 환식 탄화수소로서는, 예를 들어 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 시클로알칸; 시클로펜텐, 시클로펜타디엔, 시클로헥센, 시클로헥사디엔 등의 시클로알켄(시클로알카디엔을 포함함)을 들 수 있다.
R1은 탄화수소기(-R'기) 또는 아실기(-C(=O)R'기)이다. 상기 R'는 탄화수소기이며, 지방족 탄화수소기, 지환식 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 및 이들이 결합한 기를 포함한다.
상기 지방족 탄화수소기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 데실기, 도데실기 등의 탄소수 1 내지 20 정도(바람직하게는 1 내지 10, 특히 바람직하게는 1 내지 3)의 알킬기; 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기 등의 탄소수 2 내지 20 정도(바람직하게는 2 내지 10, 특히 바람직하게는 2 내지 3)의 알케닐기; 에티닐기, 프로피닐기 등의 탄소수 2 내지 20 정도(바람직하게는 2 내지 10, 특히 바람직하게는 2 내지 3)의 알키닐기 등을 들 수 있다.
상기 지환식 탄화수소기로서는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로옥틸기 등의 3 내지 20원 정도(바람직하게는 3 내지 15원, 특히 바람직하게는 5 내지 8원)의 시클로알킬기; 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기 등의 3 내지 20원 정도(바람직하게는 3 내지 15원, 특히 바람직하게는 5 내지 8원)의 시클로알케닐기; 퍼히드로나프탈렌-1-일기, 노르보르닐기, 아다만틸기, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일기, 테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸-3-일기 등의 4 내지 20원 정도의 가교환식 탄화수소기 등을 들 수 있다.
상기 방향족 탄화수소기로서는, 페닐기, 나프틸기 등의 탄소수 6 내지 14 정도(바람직하게는 6 내지 10)의 방향족 탄화수소기를 들 수 있다.
R'로서는, 그 중에서도 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 지방족 아실기, 또는 탄소수 6 내지 14의 방향족 아실기가 바람직하다.
환 Z는 치환기로서 적어도 R1O기(식 (1) 중에 나타나는 기)를 갖지만, R1O기 이외에도 다른 치환기를 가져도 된다. 다른 치환기로서는, 예를 들어 할로겐 원자, 옥소기, 히드록실기, 치환 옥시기(예를 들어, C1-4 알콕시기, C6-10 아릴옥시기, C7-16 아르알킬옥시기, C1-4 아실옥시기 등), 카르복실기, 치환 옥시카르보닐기(예를 들어, C1-4 알콕시카르보닐기, C6-10 아릴옥시카르보닐기, C7-16 아르알킬옥시카르보닐기 등), 치환 또는 비치환 카르바모일기, 시아노기, 니트로기, 치환 또는 비치환 아미노기, 술포기, 복소환식기(예를 들어, 다음에 기재된 복소환의 구조식으로부터 1개의 수소 원자를 제외한 기 등), 알킬기(예를 들어, 메틸기, 에틸기 등의 C1-4 알킬기 등), 알케닐기(예를 들어, 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기 등의 C2-4 알케닐기), 알키닐기(예를 들어, 에티닐기, 프로피닐기 등의 C2-4 알키닐기 등), C3-8 시클로알킬기, 아릴기(예를 들어, 페닐기, 나프틸기 등의 C6-10 아릴기) 등을 들 수 있다.
상기 2개의 치환기가 서로 결합하여 환 Z를 구성하는 탄소 원자와 함께 형성하고 있어도 되는 환으로서는, 지환, 방향환, 복소환 등을 들 수 있다.
상기 지환으로서는, 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로옥탄 등의 3 내지 20원 정도(바람직하게는 3 내지 15원, 특히 바람직하게는 5 내지 8원)의 시클로알칸환; 시클로펜텐, 시클로헥센 등의 3 내지 20원 정도(바람직하게는 3 내지 15원, 특히 바람직하게는 5 내지 8원)의 시클로알켄환; 퍼히드로나프탈렌, 노르보르난, 아다만탄, 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸, 테트라시클로[4.4.0.12,5.17,10]도데칸 등의 4 내지 20원 정도의 가교환 탄화수소 등을 들 수 있다.
상기 방향환으로서는, 벤젠, 나프탈렌 등의 탄소수 6 내지 14 정도(바람직하게는 6 내지 10)의 방향족 탄화수소를 들 수 있다.
상기 복소환으로서는, 예를 들어 헤테로 원자로서 산소 원자를 포함하는 복소환(예를 들어, 옥시란환 등의 3원환; 옥세탄환 등의 4원환; 푸란환, 테트라히드로푸란환, 옥사졸환, 이소옥사졸환, γ-부티로락톤환 등의 5원환; 4-옥소-4H-피란환, 테트라히드로피란환, 모르폴린환 등의 6원환; 벤조푸란환, 이소벤조푸란환, 4-옥소-4H-크로멘환, 크로만환, 이소크로만환 등의 축합환; 3-옥사트리시클로[4.3.1.14,8]운데칸-2-온환, 3-옥사트리시클로[4.2.1.04,8]노난-2-온환 등의 가교환), 헤테로 원자로서 황 원자를 포함하는 복소환(예를 들어, 티오펜환, 티아졸환, 이소티아졸환, 티아디아졸환 등의 5원환; 4-옥소-4H-티오피란환 등의 6원환; 벤조티오펜환 등의 축합환 등), 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소환(예를 들어, 말레이미드환, 피롤환, 피롤리딘환, 피라졸환, 이미다졸환, 트리아졸환 등의 5원환; 이소시아누르환, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환, 피라진환, 피페리딘환, 피페라진환 등의 6원환; 인돌환, 인돌린환, 퀴놀린환, 아크리딘환, 나프티리딘환, 퀴나졸린환, 퓨린환, 카르바졸환 등의 축합환 등) 등의 방향족 복소환식 화합물 및 비방향족 복소환식 화합물을 들 수 있다.
식 (1)로 표시되는 화합물의 표준 비점은 100℃ 이상 300℃ 미만이고, 바람직하게는 100 내지 280℃, 특히 바람직하게는 100 내지 250℃, 가장 바람직하게는 100 내지 200℃이다. 표준 비점이 상기 범위를 하회하면, 휘발성이 지나치게 높아지기 때문에, 도포 작업 시에 조성물의 점도를 일정하게 유지하기가 곤란해져, 평활한 도막을 형성하기가 곤란해지는 경향이 있다.
식 (1)로 표시되는 화합물로서는, 그 중에서도 시클로헥실메틸에테르, 시클로헥산올아세테이트, 메톡시벤젠, 에톡시벤젠 및 시클로펜틸메틸에테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이, 안전성 및 환상 올레핀 공중합체의 용해성이 우수하고, 적당한 휘발성을 갖기 때문에 평활성이 우수한 도막을 형성할 수 있다는 점에서 바람직하다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물은, 용제로서, 식 (1)로 표시되는 화합물 이외의 화합물을 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 함유하고 있어도 된다. 식 (1)로 표시되는 화합물 이외의 화합물로서는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜-n-프로필에테르, 에틸렌글리콜-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜-n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜-n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜-n-프로필에테르, 프로필렌글리콜-n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜-n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜-n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜디알킬에테르류; 테트라히드로푸란 등의 에테르류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논 등의 케톤류; 2-히드록시프로피온산메틸, 2-히드록시프로피온산에틸 등의 락트산알킬에스테르류; 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메톡시-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 포름산n-펜틸, 아세트산이소펜틸, 프로피온산n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 테트라메틸우레아 등의 아미드류 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물에 포함되는 용제 전량에서 차지하는 식 (1)로 표시되는 화합물(2종 이상 함유하는 경우에는 그의 총량)의 비율은, 예를 들어 50중량％ 이상, 바람직하게는 70중량％ 이상, 특히 바람직하게는 90중량％ 이상이다. 용제에 있어서의 식 (1)로 표시되는 화합물의 비율이 상기 범위를 하회하면, 환상 올레핀 공중합체의 용해 안정성 및 안전성이 저하되는 경향이 있다.
[용질]
본 발명의 절연막 형성용 조성물은, 용질로서, 환상 올레핀과 쇄상 올레핀의 공중합체인 환상 올레핀 공중합체를 함유한다.
환상 올레핀에는 다환 올레핀과 단환 올레핀이 포함된다. 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 다환 올레핀으로서는, 탄소수 4 내지 20 정도의 다환 올레핀이 바람직하며, 예를 들어 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2환체; 디시클로펜타디엔, 5,6-디히드로디시클로펜타디엔 등의 3환체; 테트라시클로도데센 등의 4환체 등의, 환 내에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 다환식 탄화수소[특히, 가교환식 탄화수소(가교환식 디엔을 포함함)]를 들 수 있다.
상기 단환 올레핀으로서는, 탄소수 3 내지 20 정도의 단환 올레핀이 바람직하며, 예를 들어 시클로부텐, 시클로펜텐, 시클로펜타디엔, 시클로옥텐, 시클로도데센 등의, 환 내에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단환식 탄화수소[특히, 시클로알켄(시클로알카디엔을 포함함)]를 들 수 있다.
상기 다환 또는 단환 올레핀은 여러 가지 치환기를 가져도 된다. 상기 치환기로서는, 상기 식 (1) 중의 환 Z가 가져도 되는 치환기와 마찬가지의 예를 들 수 있다.
상기 쇄상 올레핀으로서는, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 2-부텐, 이소부텐, 1-펜텐, 2-펜텐, 1-헥센, 2-헥센, 3-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐, 2-옥텐, 3-옥텐, 4-옥텐, 1-노넨, 1-데센, 1-도데센, 1,5-헥사디엔, 1,6-헵타디엔, 1,7-옥타디엔 등의 탄소수 2 내지 8의 알켄(알카디엔을 포함함); 스티렌, α-메틸스티렌, m-비닐톨루엔, p-비닐톨루엔, 1-비닐나프탈렌 등의 방향족 비닐 화합물을 들 수 있다.
본 발명의 환상 올레핀 공중합체는, 상기 환상 올레핀과 쇄상 올레핀을 적어도 포함하는 단량체 혼합물을 복분해 중합 촉매의 존재 하에서 공중합(랜덤 공중합, 블록 공중합, 교대 공중합 또는 그래프트 공중합)함으로써 얻어진다.
상기 환상 올레핀 유래의 단량체 단위의 함유량은, 환상 올레핀 공중합체 전량의 예를 들어 50 내지 90중량％, 바람직하게는 60 내지 85중량％이다.
상기 쇄상 올레핀 유래의 단량체 단위의 함유량은, 환상 올레핀 공중합체 전량의 예를 들어 10 내지 50중량％, 바람직하게는 15 내지 40중량％이다.
또한, 상기 환상 올레핀 유래의 단량체 단위와 상기 쇄상 올레핀 유래의 단량체 단위의 합계 함유량은, 환상 올레핀 공중합체 전량의 예를 들어 50중량％ 이상, 바람직하게는 60중량％ 이상, 보다 바람직하게는 70중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 80중량％ 이상, 특히 바람직하게는 90중량％ 이상이다. 환상 올레핀 공중합체를 구성하는 환상 올레핀 유래의 단량체 단위와 쇄상 올레핀 유래의 단량체 단위의 함유량을 상기 범위로 조정함으로써, 유리 전이 온도를 컨트롤할 수 있다.
환상 올레핀 공중합체의 유리 전이 온도(ISO 11375-1, -2, -3 준거)는, 예를 들어 40 내지 220℃(특히, 60 내지 200℃)인 것이, 내열성과 가공성이 우수하다는 점에서 바람직하다.
환상 올레핀 공중합체의 중량 평균 분자량(GPC에 의함, 폴리스티렌 환산)은, 예를 들어 3000 내지 200000, 바람직하게는 5000 내지 150000이다.
본 발명의 환상 올레핀 공중합체로서는, 그 중에서도 환상 올레핀과 쇄상 α-올레핀의 공중합체가 바람직하며, 특히 치환기를 가져도 되는 노르보르넨 및/또는 시클로도데센과 탄소수 2 내지 8의 쇄상 α-올레핀의 공중합체가 바람직하고, 특히 치환기를 가져도 되는 노르보르넨과 탄소수 2 내지 8의 쇄상 α-올레핀의 공중합체 [=하기 식 (2)로 표시되는 치환기를 가져도 되는 노르보르넨 유래의 단량체 단위와 하기 식 (3)으로 표시되는 탄소수 2 내지 8의 쇄상 α-올레핀 유래의 단량체 단위를 갖는 공중합체]가 바람직하다.
Figure pct00003
상기 식 (2) 중, R2, R3은 동일하거나 또는 상이하며, 수소 원자 또는 상기 예시의 치환기를 나타낸다. R2와 R3은 서로 결합하여, 노르보르넨환을 구성하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 상기 환으로서는, 상기 식 (1) 중의 2개의 치환기가 서로 결합하여, 환 Z를 구성하는 탄소 원자와 함께 형성하고 있어도 되는 환과 마찬가지의 예를 들 수 있다.
상기 식 (3) 중, R4는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타낸다.
본 발명에 있어서는, 예를 들어 상품명 「TOPAS 」(폴리플라스틱스(주)제), 상품명 「APEL」(미츠이 가가쿠(주)제) 등의 시판품을 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물은, 용질로서, 상기 환상 올레핀 공중합체 이외의 화합물(예를 들어, 환상 올레핀 중합체, 폴리이미드, 파릴렌, 비정질 불소 수지, 폴리아크릴 수지 등)을 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서 함유하고 있어도 되지만, 본 발명의 절연막 형성용 조성물에 포함되는 용질 전량에서 차지하는 상기 환상 올레핀 공중합체(2종 이상 함유하는 경우에는 그의 총량)의 비율은, 예를 들어 50중량％ 이상, 바람직하게는 70중량％ 이상, 특히 바람직하게는 90중량％ 이상이다.
[절연막 형성용 조성물]
본 발명의 절연막 형성용 조성물은, 상기 용제와 상기 용질을 혼합하여, 예를 들어 20 내지 120℃에서, 0.5 내지 48시간 정도 교반함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물 전량에서 차지하는 용제의 비율은, 예를 들어 60중량％ 이상(예를 들어 60.00 내지 99.95중량％), 바람직하게는 70중량％ 이상(예를 들어 70.0 내지 99.9중량％), 특히 바람직하게는 80중량％ 이상(예를 들어 80.0 내지 99.9중량％)이다.
또한, 본 발명의 절연막 형성용 조성물 전량에서 차지하는 식 (1)로 표시되는 화합물(2종 이상 함유하는 경우에는 그의 총량)의 비율은, 예를 들어 30중량％ 이상(예를 들어 30.00 내지 99.95중량％), 바람직하게는 35중량％ 이상(예를 들어 35.0 내지 99.9중량％), 보다 바람직하게는 40중량％ 이상(예를 들어 40.0 내지 99.9중량％), 특히 바람직하게는 50중량％ 이상(예를 들어 50.0 내지 99.9중량％), 가장 바람직하게는 60중량％ 이상(예를 들어 60.0 내지 99.9중량％), 보다 더 바람직하게는 75중량％ 이상(예를 들어 75.0 내지 99.9중량％)이다.
또한, 본 발명의 절연막 형성용 조성물 전량에서 차지하는 용질의 비율은, 예를 들어 0.05중량％ 이상(예를 들어 0.05 내지 40.00중량％), 바람직하게는 0.1중량％ 이상(예를 들어 0.1 내지 30.0중량％)이다.
또한, 본 발명의 절연막 형성용 조성물 전량에서 차지하는 환상 올레핀 공중합체의 비율은, 예를 들어 0.05중량％ 이상(예를 들어 0.05 내지 40.00중량％), 바람직하게는 0.1중량％ 이상(예를 들어 0.1 내지 30.0중량％)이다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물은 저점도로 도포성이 우수하며, 점도[25℃, 전단 속도 10(1/s)에 있어서의]는, 예를 들어 0.1 내지 5000mPaㆍs, 바람직하게는 1 내지 1000mPaㆍs이다. 또한, 점도는, 레오미터(상품명 「PHYSICA UDS200」, Anton Paar사제)를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물은 도포(스핀 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이법 등의 관용의 방법을 채용할 수 있음), 건조(예를 들어, 20 내지 120℃에서 0.1 내지 5분 정도 가열 건조)함으로써 도막을 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 절연막 형성용 조성물은 박막부터 후막까지 폭넓은 막두께 형성능이 우수하며, 2500nm 이하(예를 들어 10 내지 2500nm)의 균일한 막두께를 갖는 도막을 형성할 수 있다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물을 도포, 건조하여 얻어지는 도막은 습윤성이 높고, 물의 접촉각은 90°미만(바람직하게는 10°이상 90°미만, 특히 바람직하게는 30°이상 90°미만, 가장 바람직하게는 60°이상 90°미만)이다. 그 때문에, 도포법에 의해 상위층을 형성하는 것이 가능하다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물은 상 분리되기 어려워, 잉크로서의 안정성이 높다. 그 때문에, 얻어지는 도막은 평탄성이 우수하고, 표면 조도(산술 평균 조도; Ra)는 1nm 이하(예를 들어 0.05 내지 1nm)이다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물을 도포, 건조하여 얻어지는 도막은 높은 절연 저항값(JIS C2110 준거)을 가지며, 예를 들어 9kV/0.1mm 이상, 바람직하게는 10kV/0.1mm 이상이다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물을 도포, 건조하여 얻어지는 도막은 비유전율(IEC 60250)(1 내지 10kHz, 25℃)이 낮으며, 예를 들어 2.7 이하(예를 들어 1.5 내지 2.7), 바람직하게는 2.5 이하(예를 들어 1.5 내지 2.5)이다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물은 상기 특성을 겸비한 도막을 도포법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 얻어진 도막은 습윤성이 높기 때문에, 도포법에 의해 상위층을 형성 가능하다. 그 때문에, 대량으로, 빠르게, 저렴하게, 대면적의 절연막을 구비한 전자 디바이스를 형성하는 용도에 적합하게 사용할 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 비점은 특별히 기재가 없는 경우에는 1atm에 있어서의 비점, 즉 표준 비점이다.
실시예 1
용제로서 시클로펜틸메틸에테르 50.0g을 100mL 샘플 병에 칭량투입하고, 거기에 용질로서 정밀 칭량한 환상 올레핀 공중합체[노르보르넨과 에틸렌의 공중합체; 상품명 「TOPAS 5013S-04」(Tg: 134℃), 「TOPAS 6013S-04」(Tg: 138℃), 또는 「TOPAS 7010XITI」, 모두 폴리플라스틱스(주)제] 0.050g을 투입하고, 그 후, 교반기 칩으로 교반하면서 100℃로 가열하고, 그대로 36시간 교반을 계속하여 절연막 형성용 조성물을 얻었다.
얻어진 절연막 형성용 조성물을, 실온(25℃) 환경 하에서 눈으로 관찰하여, 환상 올레핀 공중합체가 완전히 용해되어 있는 것은 용해성 양호 「○」, 침전물이나 백탁이 있는 것은 용해성 불량 「×」로 평가하였다.
또한, 사용한 용제에 대하여, 유해성에 관한 법규제의 대상이 되어 있지 않은 것은 안전성 양호 「○」, 대상이 되어 있는 것은 안전성 불량 「×」로 평가하였다.
실시예 2 내지 5, 비교예 1 내지 16
용제를 시클로펜틸메틸에테르로부터 하기 표에 기재된 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 행하였다.
Figure pct00004
실시예 6
100mL 샘플 병에 시클로펜틸메틸에테르를 47.5g 칭량투입하고, 추가로 정밀 칭량한 환상 올레핀 공중합체(노르보르넨과 에틸렌의 공중합체; 상품명 「TOPAS 5013S-04」, 폴리플라스틱스(주)제) 2.5g을 투입한 후, 교반기 칩으로 교반하면서 100℃로 가열하였다. 36시간 교반한 것을 실온까지 방냉하여 절연막 형성용 조성물을 얻었다.
얻어진 절연막 형성용 조성물을, 0.5㎛ 카트리지 필터를 통과시켜 유리 기반에 적하하고, 그 후, 스핀 코터를 사용하여 스핀 코팅하였다[스핀 코팅 조건: 3초에 걸쳐 회전수를 0rpm에서 3000rpm까지 높이고, 3000rpm에서 30초간 회전시키고, 그 후 3초에 걸쳐 회전수를 0rpm까지 낮춤]. 그 후, 100℃로 가열한 핫 플레이트에서 5분간 건조하여 도막을 형성하였다.
얻어진 도막에 대하여, 하기 물성을 하기 방법으로 측정한바, 모든 항목에서 규격을 만족하는 것이었다(표 2 참조).
<박막 형성능>
도막의 일부를 놋쇠로 깎아내고, 그 단차를 막두께로 하여, 단차계((주)고사카 겐큐쇼제, ET4000A)에 의해 평균 표면 조도를 측정하였다.
<접촉각>
접촉각계(교와 가이멘 가가쿠(주)제, DM-701)를 사용하여, 25℃, 1기압 환경 하에 있어서 순수의 접촉각을 측정하였다.
<표면 평탄성>
주사형 프로브 현미경(SII 나노테크놀로지(주)제, SPA400)을 사용하여 평균 표면 조도를 측정하였다.
<절연 저항값>
JIS C2110에 준거하여, 0.1mm 두께의 도막에 대하여 측정하였다.
<비유전율>
IEC 60250에 준거하여, 1 내지 10kHz의 영역을 25℃ 환경 하에서 측정하였다.
Figure pct00005
또한, 참고예 1에는, 비정질 불소 수지 도막[상품명 「CYTOP」(아사히 가라스(주)제)의 도막]의 카탈로그값, 참고예 2에는, 환상 올레핀 중합체 도막[상품명 「ZEOCOAT」(닛폰 제온(주)제)의 도막]의 카탈로그값을 기재하였다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물은, 도포법에 의해 표면 평활성이 우수한 도막을 형성하는 것이 가능하고, 얻어진 도막은 양호한 전기 특성을 나타낸다는 것을 알 수 있었다. 또한, 상기 도막은 습윤성이 높기 때문에 유기 용제에 용해 또는 분산된 유기 반도체 화합물이나 전극 재료 등을 도포함으로써 상위층을 형성 가능하다는 것을 알 수 있었다.
본 발명의 도포형 절연막 형성용 조성물은, 안전성 및 잉크로서의 안정성이 높고, 도포, 건조함으로써, 종래품에 비하여 비유전율이 낮고 절연 저항값이 높은 절연막이며, 습윤성이 높고 도포법에 의해 상위층을 형성 가능한 절연막을 형성할 수 있다. 그 때문에, 도포법에 의해 절연막을 포함하는 전자 디바이스를 형성하는 용도에 적합하게 사용할 수 있다.

Claims (4)

  1. 하기 환상 올레핀 공중합체와 하기 용제를 함유하는 절연막 형성용 조성물.
    환상 올레핀 공중합체: 환상 올레핀과 쇄상 올레핀의 공중합체
    용제: 하기 식 (1)
    Figure pct00006

    (식 중, 환 Z는 5 내지 6원의 포화 또는 불포화 환식 탄화수소, 및 벤젠환으로부터 선택되는 환이고, R1은 탄화수소기 또는 아실기임. 환 Z는 치환기로서 적어도 R1O기를 갖고, 치환기를 2개 이상 갖는 경우, 2개의 치환기는 서로 결합하여 환 Z를 구성하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨)
    로 표시되는 화합물이며, 표준 비점이 100℃ 이상 300℃ 미만인 화합물을 포함한다.
  2. 제1항에 있어서, 환상 올레핀 공중합체가, 치환기를 가져도 되는 노르보르넨 및/또는 시클로도데센과 탄소수 2 내지 8의 쇄상 α-올레핀의 공중합체인, 절연막 형성용 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 용제가, 시클로헥실메틸에테르, 시클로헥산올아세테이트, 메톡시벤젠, 에톡시벤젠 및 시클로펜틸메틸에테르로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 포함하는, 절연막 형성용 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 점도[25℃, 전단 속도 10(1/s)에 있어서의]가 0.1 내지 5000mPaㆍs인, 절연막 형성용 조성물.
KR1020177008423A 2014-09-03 2015-08-25 도포형 절연막 형성용 조성물 KR102461124B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014179447 2014-09-03
JPJP-P-2014-179447 2014-09-03
PCT/JP2015/073860 WO2016035615A1 (ja) 2014-09-03 2015-08-25 塗布型絶縁膜形成用組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170048471A true KR20170048471A (ko) 2017-05-08
KR102461124B1 KR102461124B1 (ko) 2022-10-31

Family

ID=55439681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177008423A KR102461124B1 (ko) 2014-09-03 2015-08-25 도포형 절연막 형성용 조성물

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10373729B2 (ko)
JP (1) JP6480945B2 (ko)
KR (1) KR102461124B1 (ko)
CN (1) CN106605293B (ko)
DE (1) DE112015004031T5 (ko)
TW (1) TWI665272B (ko)
WO (1) WO2016035615A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD982375S1 (en) 2019-06-06 2023-04-04 Sharkninja Operating Llc Food preparation device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020093197A (ko) * 2001-06-07 2002-12-16 삼성전자 주식회사 스핀온글래스 조성물을 이용한 반도체 장치의 산화실리콘막 형성방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 소자분리 방법
KR20070068387A (ko) * 2004-10-20 2007-06-29 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
JP2008111033A (ja) 2006-10-30 2008-05-15 Nippon Zeon Co Ltd ノルボルネン系開環重合体水素化物を含有する樹脂溶液、および物品
JP2009167433A (ja) 2009-05-07 2009-07-30 Nippon Zeon Co Ltd 開環共重合体、開環共重合体水素化物、それらの製造方法および組成物
JP2010126606A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物および半導体装置
JP2010278173A (ja) 2009-05-28 2010-12-09 Sony Corp 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器
JP2010283332A (ja) 2009-05-07 2010-12-16 Seiko Epson Corp 有機トランジスター、有機トランジスターの製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2012064662A (ja) 2010-09-14 2012-03-29 Ricoh Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100362834B1 (ko) * 2000-05-02 2002-11-29 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 산화막 형성 방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 장치
JP2007084746A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Fujifilm Corp 膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020093197A (ko) * 2001-06-07 2002-12-16 삼성전자 주식회사 스핀온글래스 조성물을 이용한 반도체 장치의 산화실리콘막 형성방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 소자분리 방법
KR20070068387A (ko) * 2004-10-20 2007-06-29 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
JP2008111033A (ja) 2006-10-30 2008-05-15 Nippon Zeon Co Ltd ノルボルネン系開環重合体水素化物を含有する樹脂溶液、および物品
JP2010126606A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物および半導体装置
JP2009167433A (ja) 2009-05-07 2009-07-30 Nippon Zeon Co Ltd 開環共重合体、開環共重合体水素化物、それらの製造方法および組成物
JP2010283332A (ja) 2009-05-07 2010-12-16 Seiko Epson Corp 有機トランジスター、有機トランジスターの製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2010278173A (ja) 2009-05-28 2010-12-09 Sony Corp 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置、および電子機器
JP2012064662A (ja) 2010-09-14 2012-03-29 Ricoh Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
프린티드·일렉트로닉스 기술, 스가누마 가츠아키ㆍ타나아미 히로시(ISBN 978-4-7693-1280-2)

Also Published As

Publication number Publication date
CN106605293A (zh) 2017-04-26
US10373729B2 (en) 2019-08-06
JPWO2016035615A1 (ja) 2017-06-15
KR102461124B1 (ko) 2022-10-31
TWI665272B (zh) 2019-07-11
DE112015004031T5 (de) 2017-06-01
JP6480945B2 (ja) 2019-03-13
WO2016035615A1 (ja) 2016-03-10
TW201615767A (zh) 2016-05-01
US20170271041A1 (en) 2017-09-21
CN106605293B (zh) 2021-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102172938B1 (ko) 광가교결합제로서의 다이아지린 화합물 및 이를 포함하는 광이미지화 가능한 조성물
JP6404757B2 (ja) レジスト下層膜材料用重合体、レジスト下層膜材料、及びパターン形成方法
JP6573217B2 (ja) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法、及び化合物又は樹脂の精製方法
JP2018173521A (ja) レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法
JP4847426B2 (ja) レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法
JP6390911B2 (ja) 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
TWI547762B (zh) 化學增幅型負型光阻組成物、光硬化性乾薄膜、其製造方法、圖型之形成方法，及電氣、電子構件保護用被膜
CN107428646B (zh) 化合物、树脂、和它们的纯化方法、及其应用
KR102453575B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 감광성 드라이 필름, 감광성 수지 피막, 및 패턴 형성 방법
US20130285026A1 (en) Bank structures for organic electronic devices
JPWO2017014191A1 (ja) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びレジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法
KR102239934B1 (ko) 유기 전자 디바이스에서 유전 구조물들의 표면 개질 방법
KR101834719B1 (ko) 열 염기 발생제를 함유하는 광이미지화 가능한 조성물
CN108369892A (zh) 对象物的处理方法、暂时固定用组合物、半导体装置及其制造方法
JPWO2016143635A1 (ja) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び化合物又は樹脂の精製方法
TWI670301B (zh) 芳香族聚酮膜的製造方法、芳香族聚酮膜、附有芳香族聚酮膜之基材、光學元件及影像顯示裝置
CN108473682A (zh) 柔性基板用聚倍半硅氧烷树脂组合物
TW201619247A (zh) 含有聚矽氧骨架之高分子化合物及其製造方法、化學增幅型負型光阻材料、光硬化性乾性膜及其製造方法、圖案形成方法、疊層體及基板
JPWO2014123107A1 (ja) 化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
JP2021099503A (ja) 下層膜形成用材料、レジスト下層膜、レジスト下層膜の製造方法および積層体
KR102049820B1 (ko) 개환 메타세시스 중합체 수소화물의 제조 방법 및 수지 조성물
JP2022003142A (ja) 下層膜形成用樹脂材料、レジスト下層膜、レジスト下層膜の製造方法および積層体
KR20170048471A (ko) 도포형 절연막 형성용 조성물
TWI649620B (zh) 含有光產鹼劑的光可成像組成物

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant