KR20170039390A - 복합 전자부품 및 그 실장 기판 - Google Patents

복합 전자부품 및 그 실장 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20170039390A
KR20170039390A KR1020150138449A KR20150138449A KR20170039390A KR 20170039390 A KR20170039390 A KR 20170039390A KR 1020150138449 A KR1020150138449 A KR 1020150138449A KR 20150138449 A KR20150138449 A KR 20150138449A KR 20170039390 A KR20170039390 A KR 20170039390A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tantalum
multilayer ceramic
disposed
capacitor
composite electronic
Prior art date
Application number
KR1020150138449A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102184562B1 (ko
Inventor
손수환
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020150138449A priority Critical patent/KR102184562B1/ko
Priority to US15/195,685 priority patent/US9877381B2/en
Publication of KR20170039390A publication Critical patent/KR20170039390A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102184562B1 publication Critical patent/KR102184562B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • H05K1/0231—Capacitors or dielectric substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • H01G2/065—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G15/00—Structural combinations of capacitors or other devices covered by at least two different main groups of this subclass with each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/10—Housing; Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/28—Structural combinations of electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices with other electric components not covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10015—Non-printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10515—Stacked components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10522—Adjacent components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10636—Leadless chip, e.g. chip capacitor or resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2045—Protection against vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시형태는 유전체층과 내부전극이 번갈아 배치된 세라믹 바디 및 상기 세라믹 바디의 하면에 배치된 제1 및 제2 외부전극을 포함하는 복수의 적층 세라믹 커패시터, 탄탈 분말 소결체를 포함하는 본체부 및 상기 본체부에 일부 영역이 매설된 탄탈 와이어를 포함하고, 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터 상에 배치되는 탄탈 커패시터 및 상기 탄탈 커패시터 및 복수의 적층 세라믹 커패시터를 둘러싸도록 배치된 몰딩부를 포함하는 복합 전자부품을 제공한다.

Description

복합 전자부품 및 그 실장 기판 {Composite electronic component and board having the same mounted thereon}
본 발명은 복수의 수동 소자를 구비한 복합 전자부품 및 그 실장 기판에 관한 것이다.
적층 칩 전자 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터는 복수의 유전체층과, 상기 유전체층 사이에 서로 다른 극성의 내부 전극이 번갈아 적층된 구조를 가질 수 있다.
한편, 적층 세라믹 커패시터는 등가직렬저항(Equivalent Series Resistance, ESR)과 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)가 낮은 특성을 가지지만, 탄탈 커패시터에 비하여 DC-bias 특성이 좋지 못하며, 높은 용량 구현이 어려운 단점이 있다.
또한, 상기 적층 세라믹 커패시터는 기판에 직접적으로 실장 시 어쿠스틱 노이즈(acoustic noise)가 발생하는 문제가 있다.
한편, 탄탈 커패시터는 높은 용량을 구현할 수 있으며, 우수한 DC-bias 특성을 가지지만 등가직렬저항(Equivalent Series Resistance, ESR)이 높은 문제가 있다.
또한, 복합 전자부품에 있어서, 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)가 낮은 특성을 갖도록 구현하는 문제가 있다.
일본공개특허 제1997-326334호
본 발명의 일 실시형태는 낮은 등가직렬인덕턴스 (ESL, Equivalent Series Inductance), 낮은 등가직렬저항 (ESR, Equivalent Series Resistance)의 구현이 가능하고 향상된 DC-bias 특성 및 고용량을 갖는 복합 전자부품을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명의 일 실시형태는 어쿠스틱 노이즈(acoustic noise)의 저감 효과가 우수한 복합 전자부품을 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 복수의 적층 세라믹 커패시터와 탄탈 커패시터를 포함하는 복합체를 포함하며, 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터는 상기 탄탈 커패시터의 하부에 배치되어, 병렬 연결됨으로써, 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)가 감소된 복합 전자부품을 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면, 상부에 전극 패드를 갖는 인쇄회로기판과 상기 인쇄회로기판 위에 설치된 상기 복합 전자부품 및 상기 전극 패드와 상기 복합 전자부품을 연결하는 솔더를 포함하는 복합 전자부품의 실장기판을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 낮은 등가직렬인덕턴스 (ESL, Equivalent Series Inductance), 낮은 등가직렬저항 (ESR, Equivalent Series Resistance)의 구현이 가능하고 향상된 DC-bias 특성 및 고용량을 갖는 복합 전자부품을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 의하면 어쿠스틱 노이즈(acoustic noise)의 저감 효과가 우수한 복합 전자부품을 제공할 수 있다.
적층 세라믹 커패시터와 탄탈 커패시터의 배치와 그 수를 조절함으로써, 더욱 낮은 등가직렬인덕턴스 (ESL, Equivalent Series Inductance) 특성을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명 일 실시 형태에 따른 복합 전자부품의 단자 전극과 몰딩부를 투영하여 바라본 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 도 2의 C1 과 C2 영역의 확대도이다.
도 4는 본 발명 일 실시 형태에 따른 복합 전자부품의 ESL 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명 일 실시형태의 변형예에 따른 복합 전자부품에 대한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 복합 전자부품이 인쇄회로기판에 실장된 모습을 도시한 사시도이다.
도 7은 도 6의 B-B' 단면도이다.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "상에" 형성된다고 하는 것은 직접적으로 접촉하여 형성되는 것을 의미할 뿐 아니라, 사이에 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다.
본 발명의 실시 예들을 명확하게 설명하기 위해 육면체의 방향을 정의하면, 도면 상에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이 방향, 폭 방향 및 두께 방향을 나타낸다.
복합 전자 부품
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
도 1은 본 발명 일 실시 형태에 따른 복합 전자부품의 단자 전극과 몰딩부를 투영하여 바라본 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 복합 전자부품(100)은, 절연시트(140), 복수의 적층 세라믹 커패시터(110), 탄탈 커패시터(120), 몰딩부(150) 및 단자전극(161, 162)을 포함한다.
상기 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)는 상기 절연시트(140) 상에 배치되며, 상기 탄탈 커패시터(110)는 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터(110) 상에 배치된다.
상기 단자 전극(161, 162)은 양극 단자(161) 및 음극 단자(162)를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)와 탄탈 커패시터(120)를 포함하는 복합 전자부품의 구조로 인하여 어쿠스틱 노이즈(acoustic noise)의 저감 효과가 우수하며, 높은 용량을 구현할 수 있고, 낮은 ESR(Equivalent Series Resistance)/ESL(Equivalent Series Inductance), 향상된 DC-bias 특성을 가질 수 있다.
탄탈 커패시터는 높은 용량을 구현할 수 있으며, 우수한 DC-bias 특성을 가지지만 등가직렬저항(Equivalent Series Resistance, ESR)이 높은 문제가 있다.
한편, 적층 세라믹 커패시터는 등가직렬저항(Equivalent Series Resistance, ESR)과 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)가 낮은 특성을 가지지만, 탄탈 커패시터에 비하여 DC-bias 특성이 좋지 못하며, 높은 용량 구현이 어려운 단점이 있다.
또한, 상기 적층 세라믹 커패시터는 기판에 직접적으로 실장 시 어쿠스틱 노이즈(acoustic noise)가 발생하는 문제가 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시형태에 따른 복합 전자부품(100)은 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)와 탄탈 커패시터(120)를 모두 포함하도록 하여 탄탈 커패시터의 단점인 높은 등가직렬저항(Equivalent Series Resistance, ESR)을 감소시킬 수 있다.
또한, 적층 세라믹 커패시터의 단점인 DC-bias 특성 저하를 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 의하면 절연 시트 상에 복수의 적층 세라믹 커패시터를 배치함으로써, 적층 세라믹 커패시터에 의한 어쿠스틱 노이즈(acoustic noise)의 저감 효과가 우수할 수 있다.
또한, 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)와 그 상부에 탄탈 커패시터(120)를 배치하고 이들을 병렬로 연결함으로써, 더욱 낮은 등가직렬인덕턴스 (ESL, Equivalent Series Inductance) 특성을 구현할 수 있다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)는 유전체층(11)과 내부전극(21, 22)이 번갈아 배치된 세라믹 바디(111) 및 상기 내부전극과 연결되도록 상기 세라믹 바디의 외부면에 형성되는 외부전극(131, 132)을 포함한다.
상기 세라믹 바디(111)는 두께 방향으로 대향 하는 상면 및 하면, 길이 방향으로 대향하는 제1 및 제2 측면, 폭 방향으로 대향하는 제3 및 제4 측면을 포함하는 대략적인 육면체 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 상면 및 하면은 절연시트에 적층 세라믹 커패시터가 배치될 때 절연시트(140)와 인접하여 대향하는 실장면이 될 수 있으며, 절연시트(140)에 배치된 이후에는 절연시트와 인접하여 대향하는 실장면이 하면, 상기 하면과 대향하는 면이 상면이 될 수 있다.
도 1 및 도 2에서는 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)가 3개 배치되어 있는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니며 2개 이상의 적층 세라믹 커패시터(110)가 탄탈 커패시터(120)의 하부에 배치될 수 있다.
또한, 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)는 상기 탄탈 커패시터(120)와 병렬로 연결되며, 각각의 적층 세라믹 커패시터(110)도 서로 병렬로 연결될 수 있다.
이와 같이, 각 부품들이 병렬로 연결됨으로써, 더욱 낮은 등가직렬인덕턴스 (ESL, Equivalent Series Inductance) 특성을 구현할 수 있다.
상기 내부전극은 제1 내부전극(21) 및 제2 내부전극(22)을 포함할 수 있으며, 상기 제1 및 제2 내부전극은 하나의 유전체층(11)을 사이에 두고 상기 유전체층(11) 상에 번갈아 배치될 수 있다.
상기 세라믹 바디(111)는 복수의 유전체층 및 내부전극을 적층한 다음 소성하여 형성될 수 있다.
상기 유전체층(11)은 고유전률을 갖는 세라믹 분말, 예를 들어 티탄산바륨(BaTiO3)계 또는 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 분말을 포함할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 팔라듐(Pd), 팔라듐-은(Pd-Ag) 합금 등의 귀금속 재료 및 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 이루어진 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부전극은 세라믹 바디(111)의 길이 방향 양 측면으로 교대로 인출될 수 있다.
상기 외부전극(131, 132)은 상기 세라믹 바디(111)의 길이 방향 양 측면에 배치되어 내부전극과 전기적으로 연결된다.
상기 외부전극은 제1 외부전극(131) 및 제2 외부전극(132)을 포함한다.
상기 제1 외부전극(131)은 세라믹 바디(111)의 길이 방향 제1 측면으로 인출되는 제1 내부전극(21)과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 외부전극(132)은 세라믹 바디(111)의 길이 방향 타측면인 제2 측면으로 인출되는 제2 내부전극(22)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일반적인 적층 세라믹 커패시터와 달리, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 제1 및 제2 외부전극(131, 132) 상에 니켈/주석(Ni/Sn) 도금층을 배치하지 않을 수 있다.
상기 복합 전자부품은 후술하는 바와 같이 절연 시트(140) 상면에 배치된 적층 세라믹 커패시터(110) 및 적층 세라믹 커패시터 상에 배치된 탄탈 커패시터(120)를 둘러싸는 몰딩부(150)를 포함하기 때문에, 상기 적층 세라믹 커패시터(110)의 제1 및 제2 외부전극(131, 132) 상에 도금층을 형성할 필요가 없다.
이로 인하여, 상기 적층 세라믹 커패시터(110)의 세라믹 바디(111) 내부로 도금액 침투에 의한 신뢰성 저하의 문제가 없다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 탄탈 커패시터(120)는 본체부(122) 및 탄탈 와이어(121)를 포함하며, 상기 탄탈 와이어(121)는 길이 방향의 일부가 상기 본체부(122)의 일면을 통해 노출되도록 상기 본체부(122)의 내부에 매설될 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 상기 탄탈 커패시터의 본체부(122)는 양극체(122a), 유전체층(122b), 고체 전해질층(122c), 카본층(122d) 및 음극층(122e)을 포함할 수 있다.
상기 양극체(122a)는 탄탈 분말의 다공질 소결체로 이루어질 수 있다.
상기 양극체(122a)의 표면에는 유전체층(122b)이 형성될 수 있다. 상기 유전체층은 상기 양극체의 표면이 산화되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 유전체층은 상기 양극체를 이루는 탄탈의 산화물인 산화탄탈륨(Ta2O5)로 이루어진 유전체로 구성되며 상기 양극체의 표면 상에 소정의 두께로 형성될 수 있다.
상기 유전체층(122b)의 표면상에는 고체 전해질층(122c)이 형성될 수 있다. 상기 고체 전해질층은 도전성 고분자 또는 이산화망간(MnO2) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 고체 전해질층(122c)이 도전성 고분자로 형성되는 경우 화학 중합법 또는 전해 중합법에 의해 상기 유전체층의 표면에 형성될 수 있다. 상기 도전성 고분자 재료로는 도전성을 갖는 고분자 재료이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 폴리피롤, 폴리 티오펜, 폴리 아닐린, 폴리 피롤 등을 포함할 수 있다.
상기 고체 전해질층(122c)이 이산화망간(MnO2)으로 형성되는 경우, 표면에 유전체층이 형성된 양극체를 질산망간과 같은 망간 수용액 중에 침적시킨 후 망간 수용액을 가열분해하여 유전체층의 표면에 전도성의 이산화망간을 형성할 수 있다.
상기 고체 전해질층(122c) 상에는 탄소를 포함하는 카본층(122d)이 배치될 수 있다.
상기 카본층(122d)은 카본 페이스트로 형성될 수 있으며, 천연 흑연이나 카본 블랙등의 도전성 탄소재료 분말을 바인더나 분산제등과 혼합한 상태로, 수중 또는 유기용제중에 분산시킨 카본 페이스트를 상기 고체 전해질층 상에 도포하여 형성할 수 있다.
상기 카본층(122d) 상에는 음극 단자와의 전기 연결성을 향상시키기 위하여 도전성 금속을 포함하는 음극층(122e)이 배치될 수 있으며, 상기 음극층에 포함된 도전성 금속은 은(Ag)일 수 있다.
상기 탄탈 커패시터는 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 내부 리드 프레임이 없는 구조로 외부 단자와 연결될 수 있다.
이로 인하여, 내부 프레임이 형성된 구조의 탄탈 커패시터에 비하여 더욱 큰 체적을 가질 수 있어서, 고용량 복합 전자부품을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)와 탄탈 커패시터(120)는 수직 방향으로 상호 적층되며, 병렬로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)는 절연 시트(140) 상에 배치될 수 있다.
상기 절연 시트(140)는 절연 특성을 나타낼 경우 특별히 제한되지 않으며, 세라믹계 재료 등의 절연성 재료를 사용하여 제작될 수 있다.
상기 몰딩부(150)는 적층 세라믹 커패시터(110)와 탄탈 커패시터(120) 및 적층 세라믹 커패시터와 탄탈 커패시터가 배치된 절연시트(140)의 상면을 커버하도록 형성된다.
상기 몰딩부(150)는 적층 세라믹 커패시터(110)와 탄탈 커패시터(120)가 외부 환경으로부터 보호되도록 하며, 주로 에폭시나 실리카 계열의 EMC 등으로 구성되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 몰딩부(150)로 인하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 복합 전자 부품은 적층 세라믹 커패시터(110)와 탄탈 커패시터(120)가 결합된 하나의 부품으로 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 탄탈 커패시터(120)는 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터(110)의 제1 및 제2 외부전극(131, 132)와 접하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태와 같이 탄탈 커패시터(120)의 하부에 적층 세라믹 커패시터(110)가 복수 개 배치되고 이들이 병렬로 연결됨으로 인하여 외부전극(131, 132)을 통해 전류가 인가되는 경우, 복합 전자부품의 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)를 감소시킬 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 상기 복합 전자부품(100)은 적층 세라믹 커패시터(110) 및 탄탈 커패시터(120)와 전기적으로 연결된 양극단자(161) 및 음극단자(162)를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 탄탈 와이어(121) 및 상기 적층 세라믹 커패시터의 제1 외부전극(131)은 상기 양극단자(161)와 전기적으로 연결되고, 상기 탄탈 커패시터의 본체부(122) 및 상기 적층 세라믹 커패시터의 제2 외부전극(132)은 상기 음극단자(162)와 전기적으로 연결된다.
상기 탄탈 와이어(121)는 상기 몰딩부(150)의 길이 방향 제1 측면으로 노출되어 상기 양극단자(161)와 연결된다.
상기 탄탈 커패시터(120)는 내부 리드 프레임이 없는 구조의 탄탈 커패시터로서, 상기 탄탈 와이어(121)가 상기 몰딩부(150)의 길이 방향 제1 측면으로 노출될 수 있어, 종래 구조에 비해 용량을 최대로 구현할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 절연시트(140)의 상면 및 하면 중 어느 하나 이상에는 연결 도체부(141, 142)가 배치될 수 있다.
상기 연결 도체부(141, 142)는 도전성 물질을 포함하여 후술하는 바와 같이 몰딩부 외부의 양극 단자 및 음극 단자(161, 162)와 내부의 복합체(130)를 전기적으로 연결할 수 있으면 그 형태는 특별히 제한되지 않는다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 적층 세라믹 커패시터(110)과 탄탈 커패시터(120)는 몰딩부 내부에 배치된 연결 도체부(141, 142)에 의해 양극 단자(161) 또는 음극 단자(162)와 연결될 수 있다.
이하에서, 적층 세라믹 커패시터(110)과 탄탈 커패시터(120)가 양극 단자(161) 또는 음극 단자(162)와 연결되는 방법에 대해 설명하지만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 적층 세라믹 커패시터(110)의 제1 외부전극(131)은 제1 연결 도체부(141)를 통해 양극 단자(161)와 연결될 수 있으며, 적층 세라믹 커패시터(110)의 제2 외부전극(132)은 제2 연결 도체부(142)를 통해 음극 단자(162)와 연결될 수 있다.
한편, 탄탈 커패시터(120)의 본체부(122)는 제3 연결 도체부(143)을 통해 음극 단자(162)와 연결될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 상기 제1 및 제2 연결 도체부(141, 142)는 금속 패드 형상일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 금속 패드는 구리(Cu)를 포함할 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 금속 패드는 상기 몰딩부(150)의 폭 방향 측면에 각각 배치된 제1 및 제2 연결 도체부(141, 142)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 금속 패드는 상기 제1 외부전극(131)과 연결되어 몰딩부(150)의 폭 방향 일 측면에 배치되되, 길이 방향 일 측면으로 노출되는 제1 연결 도체부(141), 및 상기 제2 외부전극(132)과 연결되어 몰딩부(150)의 폭 방향 타 측면에 배치되되, 길이 방향 타 측면으로 노출되는 제2 연결 도체부(142)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 연결 도체부(141)는 상기 양극 단자(161)와 연결되고, 상기 제2 연결 도체부(142)는 상기 음극 단자(162)와 연결될 수 있다.
한편, 상기 제3 연결 도체부(143)는 도전성 수지 페이스트의 경화로 형성된 도전성 수지부일 수 있다. 상기 제3 연결 도체부는 탄탈 커패시터(120)의 본체부(122)와 음극 단자(162)를 연결할 수 있으면 그 형상은 특별히 제한되지 않으며, 도 2와 같이 제2 연결 도체부(142)와도 연결될 수 있다.
상기 도전성 수지부는 도전성의 입자와 베이스 수지를 포함할 수 있다.
상기 도전성 입자는 이에 제한되는 것은 아니나, 은(Ag) 입자 일 수 있으며, 상기 베이스 수지는 열경화성 수지일 수 있으며, 예를 들어 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
또한, 상기 도전성 수지부는 도전성 금속으로서 구리(Cu)를 포함할 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
도 3은 도 2의 C1 과 C2 영역의 확대도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 단자 전극은 양극 단자(161) 및 음극 단자(162)를 포함한다.
상기 양극 단자(161)는 상기 몰딩부(150)의 길이 방향 제1 면 및 절연 시트의 하면에 배치될 수 있으며, 상기 탄탈 와이어(121) 및 상기 제1 외부전극(131)과 연결된다.
상기 음극 단자(162)는 상기 몰딩부(150)의 길이 방향 제2 면 및 절연 시트의 하면에 배치될 수 있으며, 본체부(122) 및 제2 외부전극(132)과 연결된다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 양극 단자(161)는 몰딩부(150)의 길이 방향 제1 면에서 절연시트(140) 하면의 일부까지 연장되게 형성될 수 있고, 음극 단자(162)는 몰딩부(150)의 길이 방향 제2 면에서 절연시트(140) 하면의 일부까지 연장되게 형성될 수 있으며 절연시트(140) 하면에서 상기 양극 단자(161)와 음극단자(162)는 이격되어 형성된다.
상기 양극 단자(161)는 몰딩부(150)의 제1 면에 배치된 양극 측면 단자부(161s)와 절연시트(140)의 하면에 배치된 양극 하면 단자부(161u)를 포함할 수 있으며, 상기 음극 단자(162)는 몰딩부(150)의 제2 면에 배치된 음극 측면 단자부(162s)와 절연 시트(140)의 하면에 배치된 음극 하면 단자부(162u)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 양극 단자(161)는 하면 바탕층(161a), 상기 하면 바탕층(161a)과 연결된 측면 바탕층(161b, 161c) 및 상기 하면 바탕층(161a)과 측면 바탕층(161b, 161c)을 둘러싸도록 배치된 도금층(161d, 161e)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 음극 단자(162)는 하면 바탕층(162a), 상기 하면 바탕층(162a)과 연결된 측면 바탕층(162b, 162c) 및 상기 하면 바탕층(162a)과 측면 바탕층(162b, 162c)을 둘러싸도록 배치된 도금층(162d, 162e)을 포함할 수 있다.
도 3에서는 상기 하면 바탕층(161a, 162a)을 한 층으로 도시하고, 측면 바탕층(161b, 161c, 162b, 162c)을 두 개의 층으로 도시하였으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 다양한 형태로 배치될 수 있다.
상기 양극 단자(161) 및 음극 단자(162)는 Cr, Ti, Cu, Ni, Pd 및 Au 중 적어도 하나 이상을 건식 증착(sputter), 도금, 금속층의 형성 및 식각하는 공정에 의해 구성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 양극 단자(161) 및 음극 단자(162)는, 하면 바탕층(161a, 162a)를 먼저 형성한 다음 상기 하면 바탕층(161a, 162a)와 연결되도록 측면 바탕층(161b, 161c, 162b, 162c)를 형성하는 방법으로 구성될 수 있다.
상기 하면 바탕층(161a, 162a)은 에칭에 의해 형성될 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 하면 바탕층(161a, 162a)은 상기 절연 시트(140)의 하면에 배치되며, 상기 절연 시트(140)의 하면에 금속 박막을 도포한 후 하면 바탕층(161a, 162a)를 형성하기 위하여, 에칭 공정을 수행하여 패턴을 형성할 수 있다.
상기 하면 바탕층(161a, 162a)은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
상기 하면 바탕층(161a, 162a)을 구리(Cu)를 이용하여 형성할 경우 별도의 공정에 의해 형성되는 측면 바탕층(161b, 161c, 162b, 162c)과 접속이 우수하며, 전기 전도성도 우수할 수 있다.
한편, 상기 측면 바탕층(161b, 161c, 162b, 162c)은 증착에 의해 형성될 수 있으며, 예를 들어 스퍼터(Sputter) 공법에 의해 수행될 수 있다.
상기 측면 바탕층(161b, 161c, 162b, 162c)은 특별히 제한되는 것은 아니나 내측과 외측의 두 개 층으로 구성될 수 있다.
상기 측면 바탕층(161b, 161c, 162b, 162c) 중 내측 측면 바탕층(161b, 162b)은 Cr 또는 Ti 중 어느 하나 이상을 포함하여 스퍼터(Sputter) 공법에 의해 형성될 수 있으며, 상기 하면 바탕층(161a, 162a)과 연결될 수 있다.
상기 측면 바탕층(161b, 161c, 162b, 162c) 중 외측 측면 바탕층(161c, 162c)은 Cu를 포함할 수 있으며, 스퍼터(Sputter) 공법에 의해 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명 일 실시 형태에 따른 복합 전자부품의 ESL 등가 회로도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명 일 실시 형태에 따른 복합 전자부품은 복수의 적층 세라믹 커패시터와 복수의 적층 세라믹 커패시터 상에 배치되는 탄탈 커패시터가 모두 병렬로 연결된다.
따라서, 각 부품이 병렬로 연결되어 등가직렬인덕턴스 (ESL, Equivalent Series Inductance)가 발생하게 된다.
이 경우, 복합 전자부품의 전체 등가직렬인덕턴스 (ESL, Equivalent Series Inductance)는 아래의 식과 같이 표현될 수 있다.
Figure pat00001
등가 회로도와 상기 식을 참조할 경우, 탄탈 커패시터와 복수 개의 적층 세라믹 커패시터를 병렬로 연결할 경우, 각각의 부품의 등가직렬인덕턴스 (ESL, Equivalent Series Inductance)에 비해 ESLTotal이 더 낮음을 알 수 있다.
도 5는 본 발명 일 실시형태의 변형예에 따른 복합 전자부품에 대한 단면도이다.
본 변형예에 의하면, 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 복합 전자부품에서, 절연시트(140)를 관통하는 도전성 비아(V1, V2)를 더 포함할 수 있다.
상기 도전성 비아는 제1 도전성 비아(V1) 및 제2 도전성 비아(V2)를 포함하며, 상기 제1 도전성 비아(V1)는 절연시트(140)를 관통하되 적층 세라믹 커패시터의 제1 외부전극(131)이 배치되는 영역에 대응하도록 형성되고, 제2 도전성 비아(V2)는 절연시트(140)를 관통하되 적층 세라믹 커패시터의 제2 외부전극(132)이 배치되는 영역에 대응하도록 형성된다.
본 변형예와 같이, 복합 전자부품이 절연시트(140)를 관통하는 도전성 비아(V1, V2)를 더 포함하는 경우, 양극 단자(161) 및 음극 단자(162)를 통해 인가되는 전류가 절연시트(140)를 관통하여 복합 전자부품에 내에 배치된 적층 세라믹 커패시터(110)로 전달될 수 있어, 전류 경로(Current loop)의 사이즈를 더욱 줄일 수 있다. 이로 인해 복합 전자부품의 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)를 더욱 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 내부 리드 프레임이 없는 프레임레스 탄탈 커패시터의 양극 단자 및 음극 단자 형성에 이용되는 절연시트(140) 상에서 탄탈 커패시터와 적층 세라믹 커패시터의 병렬 연결이 가능할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면 저주파 구간에서는 탄탈 커패시터의 임피던스가 나타나고 고주파 구간에서는 적층 세라믹 커패시터의 임피던스가 나타나는 복합 전자부품의 제공이 가능하다.
또한, 고 용량을 가지면서 낮은 등가직렬인덕턴스를 나타내는 복합 전자부품의 제공이 가능하다.
아래의 표 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 복합 전자부품 (실시예)과 적층 세라믹 커패시터 (비교예 1), 탄탈 커패시터 (비교예 2) 및 적층 세라믹 커패시터와 탄탈 커패시터가 수평으로 결합된 복합 전자부품 (비교예 3)의 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)를 비교한 것이다.
상기 비교예 3의 복합 전자부품은 4 μF의 적층 세라믹 커패시터와 6 μF의 탄탈 커패시터가 수평으로 결합된 형태로서, 10 μF의 용량을 가지며, 실시예에 따른 복합 전자부품은 1.5 μF의 적층 세라믹 커패시터 3개와 6 μF의 탄탈 커패시터가 수직으로 병렬 결합된 형태로서, 10.5 μF의 용량을 가진다.
비교예 1
(10 μF)		 비교예 2
(10 μF)		 비교예 3
 실시예
ESL (pH), 100 MHz 187 256 124 72
상기 표 1을 참조하면, 비교예 1 내지 3에 비하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 복합 전자부품의 경우 등가직렬인덕턴스(Equivalent Series Inductance, ESL)가 낮음을 알 수 있다.
복합 전자부품의 실장 기판
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 복합 전자부품이 인쇄회로기판에 실장된 모습을 도시한 사시도이고, 도 7은 도 6의 B-B' 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 복합 전자부품의 실장 기판(200)은, 상부에 전극 패드(221, 222)를 갖는 인쇄회로기판(210)과 상기 인쇄회로기판(210) 위에 설치된 복합 전자부품(100) 및 상기 전극 패드(221, 222)와 상기 복합 전자부품(100)을 연결하는 솔더(230)를 포함한다.
본 실시 형태에 따른 복합 전자부품의 실장 기판(200)은 복합 전자부품(100)이 실장되는 인쇄회로기판(210)과, 인쇄회로기판(210)의 상면에 형성된 2개 이상의 전극 패드(221, 222)를 포함한다.
상기 전극 패드(221, 222)는 상기 복합 전자부품의 양극 단자(161) 및 음극 단자(162)와 각각 연결되는 제1 및 제2 전극 패드(221, 222)를 포함한다.
이때, 복합 전자부품의 상기 양극 및 음극 단자(161, 162)는 각각 제1 및 제2 전극 패드(221, 222) 위에 접촉되게 위치한 상태에서 솔더(230)에 의해 인쇄회로기판(810)과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 복합 전자 부품
110: 적층 세라믹 커패시터
111: 적층 세라믹 커패시터의 세라믹 바디
120: 탄탈 커패시터 121: 탄탈 와이어
122: 탄탈 커패시터의 본체부
131, 132: 적층 세라믹 커패시터의 제1 및 제2 외부전극
140: 절연 시트 141, 142, 143: 연결 도체부
150: 몰딩부 161, 162: 양극 및 음극 단자
200: 복합 전자부품의 실장 기판 210: 인쇄회로기판
221, 222: 전극 패드 230: 솔더

Claims (16)

  1. 유전체층과 내부전극이 번갈아 배치된 세라믹 바디 및 상기 세라믹 바디의 하면에 배치된 제1 및 제2 외부전극을 포함하는 복수의 적층 세라믹 커패시터;
    탄탈 분말 소결체를 포함하는 본체부 및 상기 본체부에 일부 영역이 매설된 탄탈 와이어를 포함하고, 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터 상에 배치되는 탄탈 커패시터; 및
    상기 탄탈 커패시터 및 복수의 적층 세라믹 커패시터를 둘러싸도록 배치된 몰딩부; 를 포함하는 복합 전자부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탄탈 커패시터와 복수의 적층 세라믹 커패시터는 병렬 연결되는 복합 전자부품.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부의 길이 방향 제1 측면 및 절연시트의 하면에 배치되는 양극 단자; 및 상기 몰딩부의 길이 방향 제2 측면 및 절연시트의 하면에 배치되는 음극 단자; 를 더 포함하는 복합 전자부품.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 적층 세라믹 커패시터의 제1 외부전극 및 상기 탄탈 커패시터의 탄탈 와이어는 상기 양극 단자와 연결되는 복합 전자부품.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 적층 세라믹 커패시터의 제2 외부전극 및 상기 탄탈 커패시터의 본체부는 상기 음극 단자와 연결되는 복합 전자부품.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 양극 단자와 음극 단자는 하면 바탕층, 상기 하면 바탕층과 연결된 측면 바탕층 및 상기 하면 바탕층과 측면 바탕층을 둘러싸도록 배치된 도금층을 포함하는 복합 전자부품.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 하면 바탕층은 에칭에 의해 형성된 복합 전자부품.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 측면 바탕층은 증착에 의해 형성된 복합 전자부품.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 적층 세라믹 커패시터 및 탄탈 커패시터의 하부에 배치되는 절연시트를 더 포함하는 복합 전자부품.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 절연시트를 관통하는 도전성 비아를 더 포함하는 복합 전자부품.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 절연시트의 상면에 배치된 연결 도체부;를 더 포함하는 복합 전자부품.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 연결 도체부는 금속 패드를 포함하는 복합 전자부품.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 연결 도체부는 도전성 수지를 포함하는 복합 전자부품.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 연결 도체부는 상기 몰딩부의 폭 방향 측면에 각각 배치된 제1 및 제2 연결 도체부를 포함하는 복합 전자부품.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 연결 도체부는 상기 양극 단자와 연결되고, 상기 제2 연결 도체부는 상기 음극 단자와 연결되는 복합 전자부품.
  16. 상부에 전극 패드를 갖는 인쇄회로기판;
    상기 인쇄회로기판 위에 설치된 복합 전자부품; 및
    상기 전극 패드와 상기 복합 전자부품을 연결하는 솔더;를 포함하며,
    상기 복합 전자부품은,
    유전체층과 내부전극이 번갈아 배치된 세라믹 바디 및 상기 세라믹 바디의 하면에 배치된 제1 및 제2 외부전극을 포함하는 복수의 적층 세라믹 커패시터,
    탄탈 분말 소결체를 포함하는 본체부 및 상기 본체부에 일부 영역이 매설된 탄탈 와이어를 포함하고, 상기 복수의 적층 세라믹 커패시터 상에 배치되는 탄탈 커패시터, 및
    상기 탄탈 커패시터 및 복수의 적층 세라믹 커패시터를 둘러싸도록 배치된 몰딩부를 포함하는,
    복합 전자부품의 실장기판.
KR1020150138449A 2015-10-01 2015-10-01 복합 전자부품 및 그 실장 기판 KR102184562B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150138449A KR102184562B1 (ko) 2015-10-01 2015-10-01 복합 전자부품 및 그 실장 기판
US15/195,685 US9877381B2 (en) 2015-10-01 2016-06-28 Composite electronic component and board on which composite electronic component is mounted

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150138449A KR102184562B1 (ko) 2015-10-01 2015-10-01 복합 전자부품 및 그 실장 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170039390A true KR20170039390A (ko) 2017-04-11
KR102184562B1 KR102184562B1 (ko) 2020-12-01

Family

ID=58447831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150138449A KR102184562B1 (ko) 2015-10-01 2015-10-01 복합 전자부품 및 그 실장 기판

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9877381B2 (ko)
KR (1) KR102184562B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190121198A (ko) 2018-10-10 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 집합체
KR20200132621A (ko) * 2019-05-17 2020-11-25 삼성전기주식회사 탄탈 커패시터
US11170940B2 (en) 2019-05-17 2021-11-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Tantalum capacitor

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9953769B2 (en) * 2014-07-28 2018-04-24 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Composite electronic component and board having the same
JP6799429B2 (ja) 2016-09-30 2020-12-16 太陽誘電株式会社 回路基板に表面実装される電子部品
JP7019946B2 (ja) * 2016-12-05 2022-02-16 株式会社村田製作所 積層コンデンサ内蔵基板
JP7121797B2 (ja) * 2017-09-08 2022-08-18 ケメット エレクトロニクス コーポレーション 高密度マルチコンポーネント及びシリアルパッケージ
US10178770B1 (en) * 2017-12-22 2019-01-08 Kemet Electronics Corporation Higher density multi-component and serial packages
KR20200064551A (ko) * 2018-11-29 2020-06-08 삼성전기주식회사 전자 부품

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09326334A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Murata Mfg Co Ltd タンタル・セラミック複合コンデンサ
JP2000173860A (ja) * 1998-12-09 2000-06-23 Taiyo Yuden Co Ltd 複合コンデンサ
US20070211414A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Avx Corporation Capacitor assembly
US20120204389A1 (en) * 2009-03-24 2012-08-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232196A (ja) 1996-02-23 1997-09-05 Hitachi Aic Inc 複合部品
WO2004100264A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. 回路素子内蔵モジュール
JPWO2008044483A1 (ja) 2006-10-13 2010-02-04 三洋電機株式会社 複合電気素子
US7920370B2 (en) * 2007-02-05 2011-04-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer chip capacitor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09326334A (ja) 1996-06-04 1997-12-16 Murata Mfg Co Ltd タンタル・セラミック複合コンデンサ
JP2000173860A (ja) * 1998-12-09 2000-06-23 Taiyo Yuden Co Ltd 複合コンデンサ
US20070211414A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Avx Corporation Capacitor assembly
US20120204389A1 (en) * 2009-03-24 2012-08-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190121198A (ko) 2018-10-10 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 집합체
US10468195B1 (en) 2018-10-10 2019-11-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component array
US10790093B2 (en) 2018-10-10 2020-09-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component array
KR20200132621A (ko) * 2019-05-17 2020-11-25 삼성전기주식회사 탄탈 커패시터
US11170940B2 (en) 2019-05-17 2021-11-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Tantalum capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
KR102184562B1 (ko) 2020-12-01
US9877381B2 (en) 2018-01-23
US20170099727A1 (en) 2017-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102184562B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
US9648748B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and board for mounting of the same
US20150014037A1 (en) Multilayer ceramic capacitor and board for mounting the same
US10515765B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
US20160020031A1 (en) Composite electronic component and board having the same
US9953769B2 (en) Composite electronic component and board having the same
KR102183426B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
US10297386B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and board having the same
KR101792382B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장기판
US20160027593A1 (en) Composite electronic component and board having the same
US20160020033A1 (en) Composite electronic component and board having the same
US9837218B2 (en) Composite electronic component and manufacturing method thereof
US11657968B2 (en) Multilayer capacitor and board having the same
KR101983177B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
KR101792407B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
KR102075534B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
KR102064019B1 (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
US11640875B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and board having the same mounted thereon
US20160260548A1 (en) Tantalum capacitor
CN111095452A (zh) 固体电解电容器及其制造方法
JP2008135424A (ja) チップ形固体電解コンデンサ
KR20160010252A (ko) 복합 전자부품 및 그 실장 기판
KR20160010261A (ko) 복합 전자 부품 및 그 실장 기판
JP2010186797A (ja) 固体電解コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant