KR20170036061A - 정전용량형 압력 센서용 부유 멤브레인 - Google Patents
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Abstract
부유 멤브레인을 형성하기 위한 방법의 일 실시 예는 제1 전기전도성 물질을 희생층의 상부 및 경계 트렌치 내에 증착하는 단계를 포함한다. 상기 제1 전기전도성 물질은 상기 경계 트렌치 상부에 모서리 전이 부분을 형성한다. 본 방법은 상기 제1 전기전도성 물질의 요철 지형의 적어도 일부를 제거하는 상기 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거하는 단계를 더 포함한다. 본 방법은 제2 전기전도성 물질을 증착하는 단계를 더 포함한다. 상기 제2 전기전도성 물질은 상기 경계 트렌치를 지나도록 연장형성된다. 본 방법은 식각 개구부를 통해 상기 희생층을 제거하고 상기 제2 전기전도성 물질 하부에 캐비티를 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 제1 전기전도성 물질은 상기 캐비티의 측벽 경계의 일부를 형성한다.
Description
본 발명은 정전용량형 압력 센서용 부유 멤브레인에 관한 것이다.
MEMS 센서는 자동차, 소비자, 산업, 의료 및 기타 많은 응용 분야에 사용되고 있다. 또한, 압력 센서는 많은 분야에 응용되고 있다. 많은 응용 분야에서, 압력 측정에 압전 저항 압력 센서가 사용되고 있다. 실리콘 멤브레인을 활용하는 압전형 압력 센서는 실리콘 기판 주변부에 고정되어 기판의 더 많은 영역을 활용한다. 압력은 외부 압력으로 인한 멤브레인의 변위를 통해 측정된다. 큰 변위나 온도 차는 압전 저항 해석 요소들에 있어서 상당한 비선형성을 유도할 수 있고, 이는 다양한 응용 분야에서 도전 과제로 제시되고 있다.
멤브레인 및 압력 센서가 정확하고 반복가능한 과정으로 제조될 수 있다면, 넓은 범위의 온도와 압력을 더 정확하게 측정할 수 있게 되고, 더 다양한 응용 분야에 사용될 수 있다. 또한, 차지하는 공간이 감소된 반도체 장치는 다양한 응용 분야에 사용될 수 있다. 전자 기기들이 점차 소형화됨에 따라, 반도체 장치의 크기를 감축하는 것이 이로울 수 있다.
본 발명은 부유 멤브레인 형성 방법의 실시 예들을 기재하고 있다. 일 실시 예에 따르면, 본 발명에 따른 방법은 제1 전기전도성 물질을 희생층 상부 및 경계 트렌치(trench) 내에 증착하는 단계를 포함한다. 제1 전기전도성 물질은 경계 트렌치 상부에 모서리 전이 부분(corner transition portion)을 형성한다. 본 방법은 제1 전기전도성 물질의 요철 지형의 적어도 일부를 제거하는, 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거하는 단계를 더 포함한다. 본 방법은 제2 전기전도성 물질을 증착하는 단계를 더 포함한다. 제2 전기전도성 물질은 경계 트렌치를 지나도록 연장형성된다. 본 방법은 식각 개구부를 통해 희생층을 제거하고 제2 전기전도성 물질 하부에 캐비티를 형성하는 단계를 더 포함한다. 제1 전기전도성 물질은 캐비티의 측벽 경계의 일부를 형성한다. 일부 실시예는 제1 및/또는 제2 전기전도성 물질을 등각 증착하는 단계를 포함한다.
일부 실시예에 따르면, 부유 멤브레인은 정전용량형 압력 센서의 일부로서 형성된다. 일부 실시예에 따르면, 정전용량형 압력 센서는 집적 회로의 상단에 형성된다. 일부 실시예에 따르면, 정전용량형 압력 센서는 집적 판독 회로 상단에 형성된다. 압전 저항 압력 센서는 집적 회로들의 상단에 집적되지 않는다. 다결정 및 단결정 실리콘과 같은 압전 저항 물질은 저온(가령, 400℃ 미만)에서는 증착될 수 없으므로, CMOS 장치 상단에 증착될 수 없다. 텅스텐으로 이루어진 부유 멤브레인을 활용하면 표준 CMOS 제조 기술 및 도구를 활용해 집적 회로 상단에 정전용량형 압력 센서를 제조할 수 있다. 정전용량형 압력 센서가 집적 회로 상단에 형성되기 때문에, 듀얼 다이 패키지 솔루션이 사용되지 않음에 따라, 장치의 전체 크기는 줄어들 수 있다. 듀얼 다이 패키지보다 비용이 저렴한 단일 다이 접근법이 구현될 수 있고, 이에 따라 고가의 실리콘 영역 사용을 줄일 수 있다. 또한, 텅스텐은 희생층을 제거하고 멤브레인을 부유하는데 사용될 수 있는 HF 증기에 불활성을 띤다. HF 증기는 희생층의 식각 중에 텅스텐을 공격하지 않는다. 텅스텐은 또한, 열팽창 계수가 낮기 때문에, 부유 멤브레인이 다양한 응용 분야에 따른 온도 변화에 지나친 민감성을 갖지 않도록 한다. 그러나, 텅스텐은 응력이 비교적 높은데, 이는 희생층의 식각 시 멤브레인의 실패 및 멤브레인의 이탈을 가져올 수 있다.
일부 실시 예에서는 부유 멤브레인 하부에, 전기전도성 물질을 포함하는 하단 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 부유 멤브레인은 제2 전극의 일부를 형성한다. 일부 실시 예에 따르면, 본 방법은 하단 전극 상부에 분리층 또는 식각 저지부(etch stop)를 형성하는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예에 따르면, 분리층/식각 저지부는 실리콘이 다량 함유된 질화규소를 포함할 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 본 방법은 경계 트렌치 상부의 제1 전기전도성 물질의 모서리 전이 부분을 제거하는 단계를 포함한다. 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거한 후에는, 제2 전기전도성 물질의 증착 전에 접착층이 증착될 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 접착층은 하부층에 대한 접착력을 향상시킴으로써, CVD 텅스텐 증착 시 하부에 있는 산화물의 식각을 방지하고, 제2 전기전도성 물질에 대한 응력을 줄이고, 하부에 있는 제1 전기전도성 물질에 대한 옴 전기 접촉을 향상시킨다. 접착층은 물리 기상 증착 방식으로 증착될 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 접착층은 티타늄, 질화티타늄 또는 그 조합을 포함한다. 일부 실시예에 따르면, 접착층은 제2 전기전도성 물질 상단에 형성되는데, 제2 전기전도성 물질 하부에 형성된 접착층과 유사한 기능을 할 수 있다. 일부 실시예에서는 제2 전기전도성 물질 상단의 제2 접착층 뿐만 아니라 제2 전기전도성 물질 하부의 제1 접착층을 포함한다. 일부 실시예에서는 단 하나의 접착층만 포함한다.
접착층은 잡착력을 향상시킬 뿐 아니라, 부유 멤브레인에 대한 총 응력을 줄일 수 있다. 멤브레인을 부유시키기 위한 희생층의 제거는 고응력 및 고응력 국부영역에서의 응력 실패로 이어질 수 있다. 접착층은, 멤브레인 이탈 시 응력을 감축 및 상쇄할 수 있다.
본 발명은 집적 회로 상단에 정전용량형 압력 센서를 형성하기 위한 방법을 기재하고 있다. 본 방법의 일 실시예는 하단 전극을 형성하는 단계, 하단 전극 하부에 희생층을 형성하는 단계를 포함한다. 경계 트렌치는 희생층의 측면 경계의 일부를 형성한다. 본 방법은 희생층 상부 및 경계 트렌치 내에 제1 물질층을 등각 증착하는 단계를 더 포함한다. 제1 물질층은 경계 트렌치 상부에 모서리 전이 부분을 형성한다. 본 방법은 제1 물질층의 일부를 제거하고 제2 물질층을 증착하는 단계를 더 포함한다. 이와 같은 제거는 제1 물질층의 요철 지형의 적어도 일부를 제거하고 제2 층은 경계 트렌치를 지나도록 연장형성된다. 본 방법은 식각 개구부를 통해 희생층을 제거하고, 하단 전극과 제2 물질층 사이에 캐비티를 형성하고, 식각 개구부를 밀봉하는 단계를 더 포함한다. 경계 트렌치 내에 증착된 제1 물질층은 캐비티의 측벽 경계의 일부를 형성한다.
일부 실시 예에 따르면, 정전용량형 압력 센서는 집적 회로 상단에 형성된다. 일부 실시 예에 따르면, 정전용량형 압력 센서는 집적 판독 회로의 상단에 형성된다. 정전용량형 압력 센서가 집적 회로 상단에 형성되기 때문에, 듀얼 다이 솔루션이나 압력 센서가 CMOS 옆에 집적된 솔루션에 비해 장치의 크기가 상당히 줄어든다.
본 발명은 반도체 장치의 실시 예들을 기재하고 있다. 반도체 장치의 일 실시 예는 하단 전극 상부에 부유된 상단 전극, 및 하단 전극과 상단 전극을 분리하는 캐비티를 포함한다. 상단 전극은 제1 전기전도성 물질을 포함한다. 제1 전기전도성 물질은 캐비티의 측벽 경계의 일부를 형성한다. 상단 전극은 캐비티 상부에 제2 전기전도성 물질을 더 포함한다. 제2 전기전도성 물질은 제1 전기전도성 물질을 지나도록 연장형성된다. 제1 전기전도성 물질의 일부는 제2 전기전도성 물질의 지지앵커(supporting anchor) 역할을 한다. 제2 전기전도성 물질은 캐비티와 지지앵커 위로 실질적으로 평평한 지형을 포함한다. 제1 전기전도성 물질은 제2 전기전도성 물질을 캐비티 위로 부유하는 것을 지탱하는 역할을 한다. 본 발명은 반도체 장치의 다른 실시 예들도 기재하고 있다.
본 발명에 따른 다른 측면들은, 이어지는 상세한 설명을 통해 본 발명의 원리의 예로서 도시된 첨부된 도면을 참조로 분명하게 이해될 것이다.
도 1은 반도체 장치의 부유 멤브레인의 일 실시 예의 단면도이다.
도 2는 희생층 증착 후의 반도체 장치의 일 실시 예의 단면도이다.
도 3a는 도 2의 반도체 장치와 유사한 반도체 장치의 일 실시 예의 일부를 도시한 단면도이다.
도 3b는 접착층 증착 후의 도 3A의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3c는 제1 전기전도성 물질을 희생층 상부 및 측벽 경계 트렌치 내에 등각증착한 후의 도 3b의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3d는 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거한 후의 도 3c의 반도체의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3e는 접착층 증착 후의 도 3d의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3f는 제2 전기전도성 물질을 희생층 상부에, 제1 전기전도성 물질 및 경계 트렌치를 지나 연장형성되도록 등각 증착한 후의 도 3E의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3g는 접착층을 제2 전기전도성 물질 상부에 증착하고 희생층 상부에 식각 개구부를 형성한 후의 도 3f의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3h는 희생층을 제거하고 반도체 장치의 멤브레인을 이탈시킨 후의 도 3g의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3i는 제2 전기전도성 물질 상부에 밀봉층을 증착하고 캐비티 상부의 식각 개구부를 밀봉한 후의 도 3h의 반도체 장치의 일 실시예를 도시한 것이다.
도 1은 반도체 장치의 부유 멤브레인의 일 실시 예의 단면도이다.
도 2는 희생층 증착 후의 반도체 장치의 일 실시 예의 단면도이다.
도 3a는 도 2의 반도체 장치와 유사한 반도체 장치의 일 실시 예의 일부를 도시한 단면도이다.
도 3b는 접착층 증착 후의 도 3A의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3c는 제1 전기전도성 물질을 희생층 상부 및 측벽 경계 트렌치 내에 등각증착한 후의 도 3b의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3d는 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거한 후의 도 3c의 반도체의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3e는 접착층 증착 후의 도 3d의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3f는 제2 전기전도성 물질을 희생층 상부에, 제1 전기전도성 물질 및 경계 트렌치를 지나 연장형성되도록 등각 증착한 후의 도 3E의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3g는 접착층을 제2 전기전도성 물질 상부에 증착하고 희생층 상부에 식각 개구부를 형성한 후의 도 3f의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3h는 희생층을 제거하고 반도체 장치의 멤브레인을 이탈시킨 후의 도 3g의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시한 것이다.
도 3i는 제2 전기전도성 물질 상부에 밀봉층을 증착하고 캐비티 상부의 식각 개구부를 밀봉한 후의 도 3h의 반도체 장치의 일 실시예를 도시한 것이다.
본 명세서에서, 유사 도면 부호는 유사 구성 요소를 식별하는데 사용될 수 있다.
본 명세서에서 설명 및 첨부된 도면에 도시된 실시 예들의 구성 요소들은 다양한 구성들로 배열 및 설계될 수 있음을 이해해야 할 것이다. 따라서, 도면에 도시된 다양한 실시 예들에 대한 이어지는 좀 더 상세한 설명은 본 발명의 범위를 한정하려는 목적을 갖는 것이 아니라, 단지 다양한 실시 예들을 도시할 목적을 갖는다. 실시 예들의 다양한 측면들이 도면에 제시되어 있지만, 구체적으로 명시하지 않는 한, 반드시 동일 축척으로 도시된 것은 아니다.
본 발명은 그 사상과 본질에서 벗어나지 한 다른 구체적인 형태로 구현될 수 있다. 설명된 실시 예들은 한정이 아닌 도시의 측면으로만 해석되어야 한다. 본 발명의 범위는 따라서 여기의 상세한 설명이 아닌 첨부된 청구항에서 나타내는 범위를 갖는다. 청구항의 등가물의 의미와 범위 안에서 이루어지는 모든 변형은 청구항의 범위 안에서 해석되어야 한다.
본 발명에 따라 실현 가능한 것으로 나타난 본 발명의 특징, 이점 또는 유사 표현에 대한 언급은 모든 특징과 이점이 본 발명의 단일 실시 예의 범위 안에서만 실현될 수 있거나 실현되어야 한다는 것을 의미하지 않는다. 그보다, 특징 및 이점을 언급하는 표현은 일 실시 예와 관련하여 설명한 구체적인 특징, 이점 또는 특성이 본 발명의 적어도 일 실시 예에 포함된다는 것을 의미하는 것으로 이해해야 한다. 따라서, 본 명세서 전체에서, 특징 및 이점에 대한 논의 및 유사 표현은 동일 실시 예를 지칭하는 것일 수 있으나, 반드시 그러한 것은 아니다.
또한, 본 발명의 특징, 이점, 및 특성으로 설명한 것들은 하나 이상의 실시 예들로 적합하게 결합될 수 있다. 당업자는 본 명세서를 바탕으로 특정 실시 예의 하나 이상의 구체적인 특징 또는 이점 없이도 실시가 가능하다는 것을 이해할 것이다. 이외에도, 본 발명의 모든 실시 예들에서 제시하고 있지 않은 추가적인 특징 및 이점이 특정 실시 예를 통해 인식될 수 있다.
본 명세서 전체에서, "일 실시 예", "하나의 실시 예" 및 그 유사 표현은 지칭한 실시 예와 관련하여 설명한 특정 특징, 구조, 또는 특성이 본 발명의 적어도 일 실시 예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서 본 명세서 전체에서, "일 실시 예에 따르면", "하나의 실시 예에 따르면", 및 그 유사 표현은 동일한 실시 예를 지칭할 수 있으나, 반드시 그러한 것은 아니다.
감지 물질로서의 실리콘의 부상은 산업 및 상업 응용 분야에서 압력 측정에 영향을 주었다. 실리콘-기반 센서는 MEMS, 또는 마이크로전자기계 시스템으로 알려진 기술을 사용한다.
MEMS 센서는 우호적인 환경 내에서 자동차, 소비자, 산업, 및 의료 응용 분야에서 사용되어왔다. 소형화된 크기로 인해, 대량 생산 시 가격이 비교적 저렴할 수 있다. 대부분의 MEMS 압력 센서들은 부유 멤브레인의 변위 상태를 판단할 수 있는 압전 저항 판독 기능을 갖고 있다. 광학, 정전용량, 및 공명 주기 기반 판독 회로 또한 기존의 알려진 기술이다.
일반적으로, 압전 저항 압력 센서는 Si 기판 주변부에 고정된 부유 결정형 Si 멤브레인 구성을 갖는다. 이 멤브레인 상부에는, 압전 저항 요소들이 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge) 구성 안에서 스트레인 게이지(strain gauge)로 증착 및 패터닝된다. Si 멤브레인의 변위는 브리지 내의 작은 저항 변화도 측정할 수 있는 외부 판독 회로로 판단이 가능하다. Si 멤브레인 하부의 희생 물질은 습식 또는 건식 식각 기술에 의해 제거되어 캐비티 위로 가로놓이는 자유 부유 멤브레인을 형성한다. 압력은, 외부 압력과, 인가 환경 압력일 수 있는 게이지 압력 사이의 압력차로 인한 멤브레인의 변위를 통해 측정된다. 이 게이지 압력은 또한 일정한 기준 압력일 수 있다. 기준 압력이 진공인 경우, 절대 압력 판독이 이루어질 수 있다. 이러한 유형의 센서는 절대 압력 센서라고 불린다.
밀봉 폐쇄된 캐비티 안의 내부 기준 압력은 온도 변화로 인한 기체의 확장을 최소화하기 위해 이상적으로는 진공 또는 적어도 진공에 가까워야 한다. 이 멤브레인은, 시간에 따른 캐비티 내부의 압력 증가 및 신호 이동을 방지하기 위해 밀봉 폐쇄되어야 한다.
Si의 압전 저항 특성은 압력 차에 의해 부가된 멤브레인 내 변형(strain)을 알아내는데 사용된다. 그러나, 큰 변위 및/또는 온도 차는 압전 저항 판독 요소에서 상당한 비선형성을 유도한다. 이를 포함한 그외 문제들로 인해, 압력 센서를 다양한 응용 분야에서 실시하는 것이 도전 과제가 되고 있다.
압전 저항 판독 원리를 사용하는 압력 센서는 IC 상단에 집적되지 않는데, 이는 표준 압전 저항 물질(결정형 Si)이 CMO 상단에서는 저온에서(즉, 400℃ 미만) 증착될 수 없기 때문이다. 이렇게 되면, 단일 다이 접근법보다 고가인 듀얼 다이 패키지 솔루션이 필요하기 때문에 장치의 형태 인자에도 영향을 미친다. 게다가, 온도 변화 교정을 위한 압력 센서 다이의 정확한 온도 측정의 본질적인 어려움은 압력 측정 결과의 부정확성이 커지는 결과로 이어진다.
이와 반대로, 정전용량형 판독의 경우, 압력 감지 멤브레인을 집적 회로 상단에 구성 및 집적할 수 있다. 이로써, 단일 다이 솔루션을 사용할 수 있는 형태 인자의 감소 뿐 아니라 "IC 옆" 옵션에 비해 고가의 Si 영역을 줄일 수 있다. 또한, 정전용량형 판독은 판독 ASIC의 감도와 전력소비 면에서도 유리하다.
CMOS 상단에 정전용량형 압력 센서를 제조하는 일 과정은 전극층들을 패시베이션층 상단에 형성하는 단계, 전극들 사이에 캐비티를 형성하는 단계, 그리고 화학 기상 증착방식(chemical vapor deposition, CVD) 및/또는 플라스마 화학 기상 증착방식(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)로 캐비티를 밀봉하는 단계를 포함한다. 이러한 과정에서는 텅스텐(W)이나 규화텅스텐(WSi)을 전극 물질로 사용할 수 있는데, 텅스텐(W)이나 규화텅스텐(WSi)의 경우는 캐비티 형성 단계에서 증기 HF에 의한 식각이 이루어지지 않기 때문이다. 텅스텐은 그 처리와 물질 특성에 있어서 유리한 점들을 제공한다. 텅스텐은 증기 HF에 불활성을 띨 뿐만 아니라 열팽창 계수가 낮기 때문에, 자유 부유 멤브레인을 구성하는데 유리하다. 텅스텐은 또한 밀봉층 증착 시 중요한 좌굴 온도(buckling temperature)를 증가시킨다. 또한, 텅스텐을 사용하면 최종 압력 민감 멤브레인의 온도에 대한 감도가 감소된다.
그러나, 텅스텐 멤브레인은 비교적 높은 응력을 갖는 영역을 가질 수 있어, 멤브레인의 실패 및 균열로 이어질 수 있다.
상술한 접근방식의 또 다른 단점은 캐비티와 멤브레인 직경의 제어가 어렵다는 것이다. 희생층이 식각 개구부로부터 횡방향 식각됨에 따라, 캐비티의 크기 조절은 하부의 희생 산화물의 횡방향 식각율 제어에 달려있기 때문에, 조절이 어렵다. 횡방향 식각율 제어의 어려움은 이어지는 예에서 증명되는 바와 같이 센서 성능에 극적인 영향을 미친다. (정지) 압력은 멤브레인의 변위를 일으켜, 정전용량의 변화를 가져온다. 이하, 압력(P)에 따른 굴절 강도 지배 방식에서의 원형 멤브레인의 변위 습성 w(r, P)이 일 예로 제시된다.
여기서, r은 멤브레인의 반경, r은 가장자리에서 실제 변위 지점까지의 거리, v은 프와송 비(Poisson ratio), E는 영률(Young's modulus), 그리고 h는 멤브레인 두께이다. 상기 관계식에서 알 수 있듯이, (변위는 R4 및 1/h3에 비례함) 멤브레인 크기와 멤브레인 두께의 작은 변화가 변위 프로필 및 이에 따른 정전용량에 큰 영향을 미친다. 바로 이러한 이유로, 두께 및 직경 등의 기하학적 특성들이 잘 제어된 한계 범위 안에서 유지되지 않으면 압력 감도에 있어서 상당한 확산이 발생하게 된다. 산화물 식각율은 또한 압력, 온도, 및 수분농도의 영향을 받는다. 또한, HF 증기 노출 시, 물이 생성되는데, 이는 식각 과정을 가속화하고 비균일 식각 프로필 및 비균일 멤브레인 직경으로 이어질 수 있다. 희생층의 횡방향 식각을 제어하면 멤브레인의 직경 제어가 용이해진다.
많은 실시 예들을 여기에서 설명하고 있지만, 집적 회로 상단에 정전용량형 압력 센서를 제조하기 위한 적어도 일부의 설명된 실시 예는 표준 CMOS 제조 기술과 툴을 활용한다. 일부 실시 예들은 증가된 신호대잡음비와 함께 칩상의 집적 EMI 차폐를 제공한다. 일부 실시 예들에서는, 와이어 본드를 사용하지 않음으로써 기생용량을 감소시킨다. CMOS 상에 정전용량형 압력 센서를 집적하는 것은 동일 다이상에서의 온도 측정을 가능케 하는데, 이는 정확한 온도 보상을 가능케 한다. 일부 실시 예에서는, 실리콘 기판 활용 영역을 줄임으로써 비용을 감축한다. 일부 실시 예에서는, 판독 회로와 다른 센서 세부원칙 및 기능의 결합이 가능하다. 일부 실시 예에서는, 동작 출력 및 비용을 줄이고 압력 감도를 증가시킨다.
일부 실시 예에서는, 경계 트렌치 내에서 텅스텐 충진된 앵커(anchor)들을 사용한 캐비티 크기 조절을 향상시켜 멤브레인의 변위 습성 조절을 향상시킨다. 일부 실시 예에서는, 앵커 주변과 경계 트렌치 상부의 지형 제거를 통해 멤브레인 앵커에서의 응력 증강을 방지한다. 일부 실시 예에 따르면, 두꺼운 접착층을 갖는 멤브레인 스택의 응력 미세 조정이 가능하다. 일부 실시 예에 따르면, 경계 트렌치 내 충진된 부분에서 접착층을 분리함으로써 멤브레인의 균열을 완화할 수 있다. 일부 실시 예에서는, 텅스텐을 멤브레인의 주요 구성 물질로 사용함으로써 멤브레인의 열팽창 계수를 감축한다. 일부 실시 예에서는, 고온 PECVD 밀봉 온도를 허용함에 따라, 우수한 기밀성 및 낮은 탈기체성 특성을 갖는 밀도 있는 밀봉층을 형성한다. 일부 실시 예에 따르면, 우수한 기밀성 및 낮은 탈기체성을 갖는 압축 PECVD SiN 밀봉층의 증착이 가능하다. 일부 실시 예에서는, CVD 텅스텐의 고온의 증착 온도와 텅스텐과 하부 기판 간의 낮은 CTE 부조화로 인해 밀봉 과정 중에 멤브레인 좌굴 억제가 가능하다.
도 1에서는 반도체 장치(100)의 부유 멤브레인(102)의 일 실시 예의 단면도를 도시하고 있다. 여기서는 반도체 장치(100)가 특정 구성 요소와 기능을 갖는 것으로 도시 및 설명하고 있지만, 반도체 장치(100)의 다른 실시 예에서는, 이보다 더 적은 또는 더 많은 구성 요소들을 포함하여 더 적은 또는 더 많은 기능을 구현할 수 있다.
도시된 반도체 장치(100)는 앞서 자세히 설명했고 추후 또 자세히 설명할 기능들을 수행하는 다양한 구성 요소들을 포함한다. 도시된 반도체 장치(100)는 하단 전극(104)을 포함한다. 하단 전극(104)은 집적 회로(106) 상부에 형성된다 (그 세부 사항은 미도시). 일부 실시 예에 따르면, 하단 전극(104)은 CMOS 판독 회로의 최종 패시베이션층 상단에 형성된다. 하단 전극(104)은 분절되어 다수의 환상형 고리로 이루어질 수 있다. 여기에서는 도시하고 있지 않지만, 정전용량형 압력 센서(108)의 전극과 멤브레인들이 집적 회로(106)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도시된 반도체 장치(100)는 하단 전극(104)을 덮고 희생 산화층의 식각 시 하단 전극(104)을 보호하는 분리층(110)(또는 식각 저지층)을 더 포함한다. 희생층을 식각하면 하단 전극(104) 위로 캐비티(112)가 형성된다. 캐비티(112) 측벽은 희생층의 경계의 일부를 형성하는 경계 트렌치 내에 증착될 수 있는 제1 전기전도성 물질(114)에 의해 형성된다. 제1 전기전도성 물질(114)은 캐비티(112)의 측벽의 적어도 일부를 형성한다. 제2 전기전도성 물질은 부유 멤브레인(102)을 형성하고 캐비티(112)를 덮고 경계 트렌치와 제1 전기전도성 물질(114)을 지나도록 연장형성된다. 제1 전기전도성 물질(114)은 제2 전기전도성 물질 또는 부유 멤브레인(102)에 대한 지지앵커로서의 역할을 한다. 부유 멤브레인(102)은 식각 개구부(116)를 포함하는데, 이를 통해 희생층이 식각 및 제거됨으로써 캐비티(12)를 형성한다. 희생층 제거 후에는, 밀봉층(118)이 식각 개구부(116)를 밀봉함으로써 캐비티(112)를 밀봉할 수 있다. 도시된 반도체 장치(100)는 또한 상단 전극 또는 멤브레인(102)을 집적 회로(106) 또는 기타 요소에 연결하기 위한 연결부(120)를 도시한다.
여기에 도시되어 있지는 않지만, 반도체 장치(100)는 다른 장치와의 연결에 필요한 알루미늄 접촉 패드를 포함할 수 있다. 다양한 비아가 접촉 패드로부터 하단 전극까지 아래로 연장형성될 수 있고, 또한 필요한 경우, 하단 전극에서부터 CMOS 상단 금속층까지 연장형성될 수 있다.
도 2는 희생층(222)을 증착한 후의 반도체 장치(200)의 일 실시 예의 단면도를 도시하고 있다. 도 2 및 도 3A 내지 도 3I에 도시된 과정 및 단계들은 도 1의 반도체(100)와 유사한 반도체 장치를 형성하는 다양한 실시 예들을 설명하고 있다. 도 3A 내지 도 I의 반도체 장치(200)와 반도체 장치(300)가 특정 구성 요소와 기능을 갖는 것으로 설명하고 있지만, 다른 실시 예들에서는 그보다 더 적은 또는 더 많은 기능 구현을 위해 더 적은 또는 더 많은 구성 요소나 단계를 포함할 수 있다. 도면들에 나타난 다양한 구성 요소들의 두께 및/또는 크기들은 특정 크기로 한정하는 목적을 갖지 않는다.
도시된 반도체 장치(200)는 집적 회로(206) 상부에 이미 형성된 하단 전극(204) 및 분리층/식각 저지부(210)를 보여주고 있다. 또한, 하단 전극(204) 상부에는 희생층(222)이 형성되어 있다. 도시된 반도체 장치(100)는 또한 경계 트렌치(224)에 의해 희생층(222)으로부터 분리된 별도의 산화물(226)을 포함한다. 도시된 실시 예는 희생층(222)의 양측에 각각 세 개의 경계 트렌치(224)를 포함한다. 일부 실시 예에서는, 경계 트렌치(224)가 한 개 또는 임의의 개수로 형성될 수 있다. 일부 실시 예에서는, 경계 트레치(224)가 희생층(222) 둘레에 완전히 연장형성될 수 있다. 일부 실시 예에서는, 경계 트렌치(224)가 희생층(222) 둘레에 지속적으로 형성되지 않고, 희생층(222) 둘레의 특정 지점 또는 길이로만 형성될 수 있다. 경계 트렌치(224)는 특정 응용 분야의 필요에 더 적합한 캐비티와 멤브레인 형태를 설계할 수 있도록 한다. 경계 트렌치는 멤브레인의 부유 길이와 너비를 정확히 규정하는 역할을 한다. 경계 트렌치가 희생층 둘레에 지속적으로 형성되지 않은 경우에는, 적합한 부유 길이를 갖는 부유 와이어를 구성해 별도의 접촉 단자를 형성하도록 할 수 있다. 반도체 장치(200)의 일부가 원(228)으로 강조되어 있다. 도 3A 내지 도 3I에서는 반도체의 이 부분을 강조하여 표현하고 있다.
분리층/식각 저지부(210)는 하부의 패시베이션층의 식각을 막을 뿐 아니라 상단 전극과 하단 전극(204) 사이의 단락을 방지하도록 제공될 수 있다. 분리층/식각 저지부(201)는 (실리콘이 다량 함유된 SiN을 포함한) SiN, SiC, 및/또는 Al203, 또는 그 조합, 또는 단락과 식각 방지에 적합한 그외 물질일 수 있다. 다양한 실시 예가 구현 가능하며 분리층/식각 저지부(210)의 기능을 발휘하기 위한 별도의 구성 요소를 활용할 수 있다. 일부 실시 예에 따르면, 하단 전극(204) 아래에 식각 저지층이 형성된다. 하단 전극(204)과 상단 전극 사이의 단락을 방지하기 위해, 분리층 또는 반단락층이 하단 전극(204) 상단에 형성된다. 일부 실시 예에 따르면, 희생층(222) 상단에 분리층이 형성된다. 일부 실시 예에 따르면, 희생층(222) 하부와 상부에 분리층이 형성된다. 이들 층 중 하나는 반정지마찰 범프(anti-stiction bump)를 형성하도록 패턴이 형성될 수 있다. 또한, 희생층 상부의 층의 존재는 상단 전극이나 멤브레인의 좌굴을 막는 지지층이 될 수 있다.
도 3a는 도 2의 반도체 장치(200)와 유사한 반도체 장치(300)의 일 실시 예의 일부를 나타내는 단면도이다. 도시된 실시 예는 경계 트렌치(324) 형성을 돕기 위한 하단 전극(304), 분리층 (및/또는 식각 저지층, 310), 연결부(320), 희생층(322), 및 별도의 물질(326)을 도시하고 있다. 경계 트렌치(324)는 희생층(322)의 측벽 경계의 적어도 일부를 형성한다. 일부 실시 예에 따르면, 경계 트렌치(324)는 희생층(322)의 측벽 경계 전체를 형성한다. 분리층(310)은 부유 멤브레인이 붕괴되거나 그외 하단 전극(304)과 접촉하게 되는 상황에서 하단 전극(304)을 상단 전극 또는 부유 멤브레인으로부터 분리한다. 또한, 분리층(310)은 희생층(322) 식각 시 하단 전극(304)을 보호하기 위한 식각 저지부로서의 역할을 할 수 있다.
도 3b는 접착층(330) 증착 후의 도 3A의 반도체 장치(300)의 일 실시 예를 도시하고 있다. 일부 실시 예에서는 접착층(330)을 활용하지 않지만, 접착층(330)은 하부층에 대한 접착력 향상, CVD 텅스텐 증착 시 하부에 놓인 산화물의 식각 방지, 전기전도성 물질에 대한 응력 감소, 및 모든 하부 물질에 대한 옴 전기 접촉 개선 등을 포함한 많은 용도를 제공할 수 있다. 일부 실시 예에서, 접착층(330)은 티타늄, 질화티타늄, 또는 그 조합을 포함한다.
도 3c은 제1 전기전도성 물질(314)을 희생층(322)의 상부 및 측벽 경계 트렌치(324) 내부에 등각 증착한 후의 도 3B의 반도체 장치(300)의 일 실시 예를 도시하고 있다. 제1 전기전도성 물질(314)의 등각 증착은 제1 물질층을 희생층(322)의 상부 및 경계 트렌치(324) 내부에 증착한다. 희생층(322) 상단에서 경계 트렌치(324)로의 물질(314)의 전이는 경계 트렌치(324) 상부에 위치한 전이부(332)를 형성한다. 심지어 등각 증착된 층은 물질(314) 내에 구멍(slot)이나 솔기(seam, 334)를 남길 수 있다. 이러한 효과는 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD) 증착된 층에 의해 더 두드러지고 강하게 나타날 수 있다.
앞서 논의된 바와 같이, 텅스텐을 멤브레인 물질로 활용하면 열적으로나 구조적으로 많은 이점을 제공하고, 표준 CMOS 제조 기술을 사용해 집적 회로 상부에 정전용량형 압력 센서를 제조할 수 있도록 한다.
경계 트렌치(324)를 텅스텐으로 충진하고 멤브레인을 증착하는 것을 한 단계에서 수행하는 것이 유리하다고 주장할 수도 있을 것이다. 그러나, 그러한 접근 방식은 응력 미세 조정에 있어 불리하며, 더 중요하게는, 멤브레인의 완전성의 관점에서 불리하다. 이러한 일 단계 집적 접근 방식은 (한 단계에서 경계 앵커 지점들과 멤브레인을 증착하는 방식) 실행가능한 제조 접근 방식이 아니다. 이 문제는 텅스텐이 충진된 경계 트렌치(324)를 부유 텅스텐 멤브레인의 지지 구조로 사용할 때 나타났다.
멤브레인 이탈 후의 멤브레인 응력 실패는 이러한 일 단계 집적 접근 방식 중에 발생한다. 모서리 전이 부분(332)은 멤브레인에서 국부 응력이 높은 지점이다. 모서리 전이 부분(332)은 요철 지형 지점이며, 모서리를 형성하거나, 원형 모서리를 갖거나, 수평에서 90°미만 또는 초과하여 전이될 수 있다. 도 3C에서 볼 수 있는 바와 같이, 희생층(322)이 일단 제거되고 나면, 멤브레인은 압력을 받으면 굴절되고 모서리 전이 부분(332)은 국부 응력이 높은 지점이 되어 모서리 전이 부분(334)에는 균열 및 응력 실패가 발생할 수 있다. 국부 응력은 쉽게 15000MPa에 달할 수 있어, 이탈 또는 후속 처리 시 균열 및 치명적인 파열로 이어질 수 있다. 멤브레인의 높은 응력과 치명적 파열을 제거하기 위해, 추후 단계 및 처리과정에서는 국부 응력 지점을 감축하는 결과로 이어진다.
유한요소분석법에 따르면 모서리 전이 부분 및 솔기(seam) 또는 구멍(slot)에서의 응력은 멤브레인의 다른 부분에 비해 10배의 비율로 증가한다. 이렇듯 높은 내부 응력은 멤브레인이 이 지점들에서 균열하게 만드는데, 이는 응력이 국부 항복 강도(yield strength)를 능가하기 때문이다. 이러한 고 국부 응력 지점들을 제거함으로써, 이탈 및 후속 처리 중 멤브레인의 실패 가능성을 제거할 수 있다.
후속 처리 단계들은 도 3d 내지 도 3i에서 추가적으로 설명하고 있는데, 여기에는 제1 전기전도성 물질(314)의 적어도 일부를 제거하기 위한 화학적 기계연마(chemical mechanical polishing, CMP) 단계가 포함된다. 화학적 기계연마 단계는 구멍(slot)이나 솔기(seam, 334) 및 모서리 전이 부분(332) 등과 같은 요철 지형을 제거할 수 있도록 한다. CMP를 통해 물질을 제거하게 되면, 경계 트렌치(324) 내 물질은 희생층(322)과 물질 부분(326)에 의해 보호되기 때문에, 단지 요철 지형만이 제거되게 된다. 제1 전기전도성 물질(314)의 일부를 제거한 후에는, 제2 전기전도성 물질이 희생층(322)과 경계 트렌치(324) 내부에 위치한 제1 전기전도성 물질(314) 상부에 재증착될 수 있다. 제2 물질층의 후속 증착은 구멍, 솔기, 및 모서리 전이 부분 없이 실질적으로 평평한 지형으로 물질이 증착될 수 있도록 한다. 후속 증착은 또한 제2 전기전도성 물질(302)이 다수의 경계 트렌치를 지나서까지 증착되도록 하는데, 이는 제1 경계 트렌치만이 아닌 더 많은 경계 트렌치들로 응력이 분산될 수 있도록 한다.
경계 트렌치(324) 내에 위치한 제1 전기전도성 물질(314)은 부유 멤브레인에 대한 앵커, 상단 전극에 대한 전기적 연결 통로, 및 희생층(322)과 후속 캐비티 주변의 식각 저지부로서의 역할을 포함한 많은 용도를 제공한다.
도 3d는 제1 전기전도성 물질(314)의 일부를 제거한 후의 도 3C의 반도체 장치(300)의 일부를 도시하고 있다. 도시된 바와 같이, 제1 전기전도성 물질(314)의 일부는 희생층(322) 위에서 제거된다 (접착층(330)의 일부 역시 제거된다). 또한, 모서리 전이 부분(322) 또한 경계 트렌치(324) 위에서 제거된다. 구멍 또는 솔기(334)의 일부는 여전히 남이 있을 수 있으나, 이제 지형의 대부분은 평평해지고, 실질적으로 평평한 지형을 갖고 있어 실패로 이어질 수 있는 모서리 부분(332)이 전혀 없는 제2 전기전도성 물질을 재증착할 준비가 되게 된다. 제1 전기전도성 물질(314)은 멤브레인으로서 증착될 제2 전기전도성 물질에 대한 지지 앵커로서의 역할을 한다. 일부 실시 예에서는, 지지 앵커들이 여전히 솔기나 구멍(334)의 일부를 포함하고 있을 수 있다.
일부 실시 예에 따르면, 제1 전기전도성 물질(314)의 일부를 제거하는 것은 경계 트렌치(324) 외부의 모든 전기전도성 물질의 제거가 가능한 화학적 기계연마(CMP)에 의해 달성될 수 있다. 일부 실시 예에 따르면, 이러한 제거는 희생층(322)에 이르는 모든 물질을 제거한다. 일부 실시 예에 따르면, 희생층(322) 상부의 물질의 일부만 제거된다. 일부 실시 예에 따르면, 모서리 전이 부분(332)의 일부만 제거된다. 일부 실시 예에 따르면, 모든 솔기(334)와 모서리 전이 부분(322)들이 화학적 기계연마(CMP) 단계 중에 완전히 제거된다.
도 3d에 도시되어 있지는 않지만, 요철 지형과 모서리 전이 부분은 경계 트렌치(324) 상부 뿐만 아니라 다른 지점에서도 발생할 수 있다. 가령, 하단 전극(304)에 (도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이) 패턴이 형성되어 상부 희생층(322) 상부의 제1 전기전도성 물질에 요철 지형이 발생할 수 있다. 희생층(322) 상부의 이러한 요철 지형 또한 제거 단계에서 제거될 수 있다. 이러한 요철 지형 및 모서리 전이 부분들을 제거하지 않으면, 국부 응력이 지나치게 증가하여, 부유 후 멤브레인이 손상될 수 있다.
도 3e에서는 접착층(330A) 증착 후의 도 3D의 반도체 장치의 일 실시 예를 도시하고 있다. 접착층(330A)은 제2 전기전도성 물질 증착 전에 증착될 수 있다. 접착층(330A)는 이전 접착층(330)과 동일한 물질일 수 있고, 이전 접착층(330)과 많은 동일한 기능들을 제공할 수 있다. 일부 실시 예에서는 접착층(330A)을 포함하고 있지 않다. 제1 전기전도성 물질(314)의 일부를 제거하고, 그 후에 제2 전기전도성 물질 또는 제2 물질층을 증착함으로써, 경계 트렌치(324) 내 접착층(330)의 증착은, 멤브레인 스택의 일부로서의 접착층(330A)의 후속 증착으로부터 분리될 수 있다. 이는 부유 멤브레인의 응력 보상을 위한 두꺼운 접착층 적용을 가능하게 한다.
도 3f는 제2 전기전도성 물질(302)을 희생층(322)의 상부 및 제1 전기전도성 물질(314) 및 경계 트렌치(324)를 지나도록 등각 증착한 후의 도 3E의 반도체 장치(300)의 일 실시 예를 도시하고 있다. 제2 전기전도성 물질(302)은 제1 전기전도성 물질(314)과 동일 물질일 수도 있고 다른 물질일 수도 있다. 제1 물질층(314)은 제2 물질층(302)에 대한 지지 및 앵커 지점으로서의 역할을 한다. 이는, 단일 물질층만이 증착되었을 때 희생층(322) 상부로부터 경계 트렌치(324) 까지의 전이로 인해 높은 국부 응력 지점들이 발생될 수 있는 응력 문제를 감소시킨다.
도 3g는 제2 전기전도성 물질(302) 상부에 또 다른 접착층(330B)을 증착하고 희생층(322) 상부에 식각 개구부(336)를 형성한 후의 도 3f의 반도체 장치(300)의 일 실시 예를 도시하고 있다. 접착층(330B)은 이전 접착층(330 및 330A)들과 동일 물질일 수 있으며, 이전 접착층(330 및 330A)들과 많은 동일한 기능을 제공할 수 있다. 일부 실시 예에서는 접착층(330B)을 포함하지 않는다. 접착층(330B)과 다른 접착층들의 두께는 멤브레인(302)의 응력이 감소시키도록 최적화될 수 있다.
도 3h에서는 희생층(322)을 제거하고 반도체(300)에서 멤브레인(302)을 이탈시킨 후의 도 3g의 반도체 장치(300)의 일 실시 예를 도시하고 있다. 희생층(322)은 산화물일 수 있고 HF 증기로 제거될 수 있는데, 이때 HF 증기는 제1 전기전도성 물질(314)을 공격하지 않으면서 희생 산화층(322)을 제거하게 된다. 텅스텐은 HF 증기에 불활성을 띠기 때문에, 제1 전기전도성 물질(314)은 식각 저지부로서의 역할을 하며 캐비티(312)가 정확히 형성될 수 있도록 한다. 희생층(322)을 제1 전기전도성 물질(314)에 식각함으로써, 캐비티(312)의 크기와 형상은, 횡방향 식각율을 모니터할 필요 없이 조절될 수 있다. 또한, 횡방향 식각율을 조절할 필요가 있는 경우, 식각 개구부(336)의 크기가 더 커야 할 수 있고 멤브레인(302)에 더 많은 수의 식각 개구부(336)가 필요할 수 있다. 식각 개구부의 개수와 크기가 줄어들면, 구조적으로 좀 더 견실한 부유 멤버레인을 형성할 수 있고 캐비티(312) 밀봉 시 비용과 문제점들도 줄일 수 있다.
도 3i은 제2 전기전도성 물질(302) 상부에 밀봉층(338)을 증착하고 캐비티(312) 상부에 식각 개구부(336)를 밀봉한 후의 도 3H의 반도체 장치(300)의 일 실시 예를 도시한 것이다. 식각 개구부(336) 및 캐비티(312)는 질화규소 또는 산화규소 절연막에 의해 밀봉될 수 있다. 밀봉층(338)은 식각 개구부(336)의 일부 또는 전부를 충진하는데 사용되는 절연밀봉층일 수 있다. 일부 실시 예에 따르면, 밀봉층(338)은 식각 개구부(336)를 일부 도는 전부 충진하는데 사용되는 금속밀봉층일 수 있다. 일부 실시 예에 따르면, 멤브레인(302)은 완전히 밀봉된 후 선택된 지점에서 이후에 다시 개구시켜 환기구를 형성할 수 있다. 밀봉층(338)은 이산화규소, 질화규소, 또는 이러한 물질들의 적층 조합을 포함할 수 있다. 증착 방식에는 고밀도 플라스마 산화막 방식 (high density plasma oxide, HDP oxide), 플라스마 화학 기상 증착방식(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD), 물리 기상 증착 방식(physical vapor deposition, PVD), 화학적 기상 증착 방식(chemical vapor deposition, CVD) 및 원자층 증착 방식 (atomic layer deposition, ALD) 등이 포함된다. 일부 실시 예에 따르면, 제2 전기전도성 물질(314)은 육백(600) MPa가 넘는 인장 응력을 갖는다. 일 예로, 텅스텐은 1500 내지 1600MPa의 일반적인 인장 응력을 갖는다. Ti/TiN 막(또는 접착층)은 각각 450 내지 500MPa의 인장 응력을 갖는다. 제2 전극층의 전반적인 응력은 1000 내지 1100MPa이다. 전극 스택 조성이 150nm Ti/TiN, 440nm W 및 170nm TiN/Ti/TiN임을 감안할 때, 제2 전극 물질의 전반적인 응력이 600MPa 미만이면, 멤브레인 좌굴이 발생할 것으로 평가될 수 있다. 이는, 순수한 Ti/TiN 멤브레인을 사용했다면 증가된 온도 (가령, 350℃)에서는 밀봉 단계를 수행할 수 없음을 의미한다.
본 명세서에 기재된 실시 예들은 비조절 횡방향 식각을 지양하며, 캐비티 직경 및 캐비티 크기와 형상을 정확하게 제어한다. 본 명세서에 기재된 실시 예들은 치명적인 파열 및 엽렬을 지양한다.
본 명세서에 기재된 많은 예시들과 실시 예들이 원형 캐비티와 멤브레인을 주로 지칭하고 있지만, 그외 다양한 형상과 크기들도 고려되었다. 일부 실시 예에서는, 정사각형 및 직사각형 멤브레인 형상을 사용한다. 이때 응력은 원형 멤브레인에서와는 반대로 그 둘레상에서 일정하지 않다. 가령 정사각형 멤브레인의 경우, 가장자리 길이의 중간 가장자리에서 횡방향 응력이 가장 높다. 따라서, 지지 앵커들에 대해 멤브레인 가장자리와 뾰족한 모서리에서 지형을 지양하는 것이 중요하다. 트렌치 코너에서 응력을 줄이기 위해 사용한 방식들이 특히 이러한 구조들에서는 유용하다. 또한, 다수의 정전용량형 압력 멤브레인들로 이루어진 어레이를 집적 회로 상부에 제조할 수 있다. 정전용량형 압력 멤브레인들로 이루어진 어레이 각각은 다양한 온도와 압력의 환경에 대한 감도를 최적화하고 기능하기 위한 고유의 크기와 형상을 가질 수 있다.
일 예시적 실시 예에 따르면, 멤브레인은 직경이 240μm일 수 있다. 상단 전극의 물질 두께는 750nm (150nm Ti/TiN, 450nm W, 150nm Ti/TiN)일 수 있다. Ti/TiN은 인장 응력이 500MP인데 반해, W는 인장 응력이 1600MPa일 수 있다. SiN 밀봉층은 두께가 2000nm이고 압축 응력이 200MPa일 수 있다. 공극 높이는 650nm이고 Si을 다량 함유한 SiN 분리층은 200nm일 수 있다. 본 예시적 실시 예의 이러한 치수들은 상기 기재된 것보다 적정 비율만큼 편차가 있을 수 있다.
본 명세서에 기재된 전기전도성 물질, 전극 및 접착층들의 다양한 증착은 화학 기상 증착 방식을 비롯한 다양한 방법으로 달성될 수 있다.
상기 기재에서는, 다양한 실시 예들의 구체적인 세부 내용이 제공되었다. 그러나, 일부 실시 예들은 그 중 일부의 세부 특징들에 의해서만도 실시가 가능하다. 또한, 특정 방법, 절차, 구성 요소, 구조 및/또는 기능들은, 간결하고 명료한 설명을 위해 본 발명의 다양한 실시 예들이 실시 가능한 범위 내에서 필요한 정도로만 설명했다.
본 발명은, 구체적인 실시 예들을 기재하고 있지만, 앞서 설명하고 도시한 특정 형태와 배열로만 제한되지 않는다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항 및 그 등가물에 의해 규정된다.
Claims (20)
- 부유 멤브레인을 형성하기 위한 방법으로,
제1 전기전도성 물질을 희생층 상부 및 경계 트렌치 내에 증착하는 단계,
상기 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거하는 단계;
제2 전기전도성 물질을 증착하는 단계; 및
상기 희생층을 식각 개구부를 통해 제거하고 상기 제2 전기전도성 물질 하부에 캐비티를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 전기전도성 물질은 상기 경계 트렌치 상부에 모서리 전이 부분을 형성하고,
상기 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거하는 단계는 상기 제1 전기전도성 물질의 요철 지형의 적어도 일부를 제거하고,
상기 제2 전기전도성 물질은 상기 경계 트렌치를 지나도록 연장형성되고,
상기 제1 전기전도성 물질은 상기 캐비티의 측벽 경계의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 부유 멤브레인은 정전용량형 압력 센서의 일부로서 형성되는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 부유 멤브레인은 집적 회로의 상단에 형성되는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은,
상기 부유 멤브레인을 형성하기 전에 하단 전극을 형성하는 단계; 및
상기 하단 전극 상부에 분리층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 하단 전극은 상기 부유 멤브레인의 하부에 위치하고, 상기 부유 멤브레인은 제2 전극을 형성하고,
상기 분리층은 질화규소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거하는 단계는 상기 경계 트렌치 상부의 상기 모서리 전이 부분을 제거하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전기전도성 물질의 일부를 제거하는 단계는 상기 희생층 상부 및 상기 경계 트렌치 상부의 요철 지형을 제거하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은 상기 제2 전기전도성 물질을 증착하는 단계 전에 접착층을 증착하는 단계를 더 포함하고, 상기 접착층은 티타늄 또는 질화티타늄 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은 상기 제2 전기전도성 물질 상단에 접착층을 증착하는 단계를 더 포함하고, 상기 접착층은 티타늄 또는 질화티타늄 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법은 상기 부유 멤브레인 하부에 하단 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 하단 전극은 집적 회로의 패시베이션층 상단에 형성되는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전기전도성 물질은 텅스텐을 포함하고, 상기 제2 전기전도성 물질은 화학 기상 증착 방식에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전기전도성 물질은 인장 응력이 600MPa을 넘는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부유 멤브레인은 정전용량형 압력 센서의 일부로서 형성되고, 상기 정전용량형 압력 센서는 집적 회로의 상단에 형성되고, 상기 방법은,
상기 부유 멤브레인 하부에 하단 전극을 형성하는 단계;
상기 하단 전극 상부에 분리층을 형성하는 단계;
상기 제2 전기전도성 물질을 증착하는 단계 전에 제1 접착층을 증착하는 단계;
상기 제2 전기전도성 물질 상부에 제2 접착층을 증착하는 단계; 및
상기 식각 개구부를 밀봉하기 위해 밀봉층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 식각 저지층은 질화규소를 포함하고,
상기 제1 접착층은 티타늄 또는 질화티타늄 중 하나를 포함하고, 상기 제2 전기전도성 물질은 텅스텐을 포함하고,
상기 제2 접착층은 티타늄 또는 질화티타늄 중 하나를 포함하고,
상기 밀봉층은 질화규소 또는 산화규소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 경계 트렌치는 상기 희생층의 측면 경계를 형성하고, 상기 경계 트렌치 내에 증착된 상기 제1 전기전도성 물질은 상기 캐비티의 측벽 경계를 형성하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전기전도성 물질은 상기 희생층 상부 및 상기 경계 트렌치 내의 상기 제1 전기전도성 물질을 지나도록 연장형성되는 실질적으로 연속적인 층인 것을 특징으로 하는, 방법. - 반도체 장치로,
하단 전극 상부에 부유된 상단 전극; 및
상기 하단 및 상단 전극을 분리하는 캐비티를 포함하고,
상기 상단 전극은,
상기 캐비티의 측벽 경계의 일부를 형성하는 제1 전기전도성 물질; 및
상기 캐비티 상부에, 상기 제1 전기전도성 물질을 지나도록 연장형성된 제2 전기전도성 물질을 포함하고,
상기 제1 전기전도성 물질의 일부는 상기 제2 전기전도성 물질에 대한 지지 앵커로서의 역할을 하고, 상기 제2 전기전도성 물질은 상기 캐비티와 지지 앵커 상부에 실질적으로 평평한 지형을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치. - 제15항에 있어서,
상기 상단 전극은 정전용량형 압력 센서의 일부를 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치. - 제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 상단 전극은 정전용량형 압력 센서의 일부를 형성하고, 상기 반도체 장치는 집적 회로를 더 포함하고, 상기 정전용량형 압력 센서는 상기 집적 회로 상단에 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치. - 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 전기전도성 물질은 텅스텐을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치. - 제15항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 상단 전극은 정전용량형 압력 센서의 일부를 형성하고, 상기 제2 전기전도성 물질은 텅스텐을 포함하고, 상기 정전용량형 압력 센서는,
질화규소를 포함하고 상기 하단 전극을 덮는 분리층;
티타늄 또는 질화티타늄을 포함하고 상기 제2 전기전도성 물질 하부에 형성되는 제1 접착층;
티타늄 또는 질화티타늄을 포함하고 상기 제2 전기전도성 물질 상부에 형성되는 제2 접착층; 및
질화규소 또는 산화규소를 포함하고 상기 제2 전기전도성 물질을 덮는 밀봉층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치. - 제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전기전도성 물질은 상기 캐비티의 측벽 경계 전체를 형성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.
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