KR20170020306A - 발광 디바이스 - Google Patents

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KR20170020306A
KR20170020306A KR1020167025769A KR20167025769A KR20170020306A KR 20170020306 A KR20170020306 A KR 20170020306A KR 1020167025769 A KR1020167025769 A KR 1020167025769A KR 20167025769 A KR20167025769 A KR 20167025769A KR 20170020306 A KR20170020306 A KR 20170020306A
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light
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light source
emitting device
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KR1020167025769A
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Inventor
마사아키 가도미
히데키 아사노
다카시 니시미야
Original Assignee
니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

열 열화되기 어려운 발광 디바이스를 제공한다. 발광 디바이스(1)는 발광부(30)와, 광원(20)을 구비한다. 발광부(30)는 양자 도트를 포함한다. 광원(20)은, 발광부(30)에 대하여, 양자 도트의 여기 파장의 광을 출사한다. 광원(20) 중 발광부(30)와는 반대측의 부분(20a)에 있어서의 발광 강도가, 발광부측(20b)의 부분에 있어서의 발광 강도보다도 높다.

Description

발광 디바이스{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 디바이스에 관한 것이다.
최근들어 발광 다이오드를 사용한 발광 디바이스의 진보가 눈부시고, 액정의 백라이트, 대형 디스플레이 등에 채용되고 있다. 특히, 단파장 광의 발광 소자의 반도체 재료의 발전에 의해, 단파장의 광을 얻을 수 있게 되어 왔으므로, 이것을 사용하여 형광체를 여기하여 보다 다양한 파장의 광을 얻을 수 있게 되었다.
종래부터 양자 도트를 사용한 발광 디바이스가 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 청색 LED와, 청색 LED를 밀봉하는 밀봉부를 구비하고, 밀봉부가 양자 도트를 포함하는 수지 조성물로 이루어지는 발광 디바이스가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2010-126596호 공보
그러나, 특허문헌 1에서 개시되어 있는 발광 디바이스는, 청색 LED의 발광면이, 열에 의해 열화되기 쉬운 양자 도트를 포함하는 밀봉부와 접하고 있다. 또한, 청색 LED와 전극을 배치한 기판이 본딩 와이어를 통하여 접속되어 있다. 그로 인해, 청색 LED가 발광할 때에 발생하는 열에 의해 청색 LED의 발광면이나 본딩 와이어와 접하는 밀봉부의 양자 도트가 열화되어, 발광 강도 등이 저하된다는 문제가 있다.
본 발명의 주 목적은, 열 열화되기 어려운 발광 디바이스를 제공하는 데 있다.
본 발명에 관한 발광 디바이스는 양자 도트를 포함하는 발광부와, 발광부에 대하여, 양자 도트의 여기 파장의 광을 출사하는 광원을 구비하고, 광원 중 발광부와는 반대측의 부분에 있어서의 발광 강도가 발광부측의 부분에 있어서의 발광 강도보다도 높다.
본 발명에 관한 발광 디바이스는, 광원에 대하여 발광부와는 반대측에 위치하고 있으며, 광원이 실장된 실장 기판을 더 구비하고, 광원이 실장 기판에 플립 칩 실장되어 있어도 된다.
본 발명에 관한 발광 디바이스는, 발광부가 광원과는 이격되어 설치되어 있어도 된다.
본 발명에 관한 발광 디바이스는, 광원에 대하여 발광부와는 반대측에 위치하고 있으며, 광원이 실장된 실장 기판을 더 구비하고, 실장 기판은, 상기 광원 및 상기 발광부를 수용하고 있는 오목부를 갖고, 오목부를 막는 커버 부재를 더 구비하고, 발광부는 디바이스의 오목부측이 되는 커버 부재의 표면 상에 형성되어 있어도 된다.
본 발명에 관한 발광 디바이스는 광원의 상방에 배치되어 있고, 발광부를 밀봉하는 셀을 더 구비하고 있어도 된다.
본 발명에 관한 발광 디바이스는, 광원이 LED 소자에 의해 구성되어 있어도 된다.
본 발명에 관한 발광 디바이스는, 광원에 대하여 발광부와는 반대측에 위치하고 있으며, 광원이 실장된 실장 기판을 더 구비하고, 발광부는, 양자 도트의 분산매를 더 포함하고, 분산매의 열 전도율이, 실장 기판의 열 전도율보다도 낮아도 된다.
본 발명에 따르면, 열 열화되기 어려운 발광 디바이스를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 모식적 단면도이다.
도 2는 제2 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 모식적 단면도이다.
도 3은 제3 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 모식적 단면도이다.
도 4는 제4 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 모식적 단면도이다.
이하, 본 발명을 실시한 바람직한 형태에 대하여 설명한다. 단, 다음의 실시 형태는 단순한 예시이다. 본 발명은, 하기의 실시 형태에 전혀 한정되지 않는다.
또한, 실시 형태 등에 있어서 참조하는 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능을 갖는 부재는 동일한 부호로 참조하는 것으로 한다. 또한, 실시 형태 등에 있어서 참조하는 도면은, 모식적으로 기재된 것이다. 도면에 묘화된 물체의 치수의 비율 등은 현실의 물체의 치수의 비율 등과는 상이한 경우가 있다. 도면 상호간에 있어서도, 물체의 치수의 비율 등이 상이한 경우가 있다. 구체적인 물체의 치수의 비율 등은, 이하의 설명을 참작하여 판단되어야 한다.
(제1 실시 형태)
도 1은 제1 실시 형태에 관한 발광 디바이스(1)의 모식적 단면도이다.
발광 디바이스(1)는, 여기광이 입사했을 때에 여기광과는 상이한 파장의 광을 출사하는 디바이스이다. 발광 디바이스(1)는 여기광과, 여기광의 조사에 의해 발생한 광의 혼합광을 출사하는 것이어도 된다.
발광 디바이스(1)는 실장 기판(10)을 갖는다. 실장 기판(10)은 기재로 되는 제1 부재(11)와, 프레임재로 되는 제2 부재(12)를 갖는다. 제2 부재(12)는 제1 부재(11) 상에 형성되어 있다. 제2 부재(12)에는 제1 부재(11)에 개구되는 관통 구멍(12a)이 형성되어 있다. 이 관통 구멍(12a)에 의해 오목부(13)가 구성되어 있다. 또한, 관통 구멍(12a)은 제1 부재(11)측을 향해 끝이 가늘게 되어 있다. 이로 인해, 오목부(13)의 측벽(13a)은 제1 부재(11)의 주면에 대하여 경사져 있다.
실장 기판(10)은, 어떤 재료로 구성되어 있어도 된다. 실장 기판(10)은, 예를 들어 저온 동시 소성 세라믹스 등의 세라믹스, 금속, 수지, 유리 등에 의해 구성할 수 있다. 제1 부재(11)를 구성하고 있는 재료와, 제2 부재(12)를 구성하고 있는 재료는, 동일해도 되고, 상이해도 된다. 제1 부재(11)를 구성하고 있는 재료와, 제2 부재(12)를 구성하고 있는 재료가 동일한 경우, 열 팽창 계수가 동일하기 때문에, 발광할 때에 발생하는 열에 의해 제1 부재(11)와 제2 부재(12)가 박리되는 것을 억제할 수 있다.
실장 기판(10)의 제1 부재(11)의 한쪽 면 상에는, 랜드(11a, 11b)가 형성되어 있다. 랜드(11a, 11b)는 비아 홀 전극(11c, 11d)에 의해 제1 부재(11)의 다른 쪽 면 상에 설치된 단자 전극(11e, 11f)에 접속되어 있다.
실장 기판(10)의 오목부(13)의 저벽(13b) 상에는 광원(20)이 배치되어 있다. 광원(20)은 실장 기판(10)의 제1 부재(11)에 플립 칩 실장되어 있다. 여기서, 「플립 칩 실장」이란, 실장 기판의 실장면 상에 형성된 랜드(범프) 상에 전자 부품을 배치하고, 전자 부품의 전극과 랜드를, 땜납 등의 도전재에 의해 접합함으로써 전자 부품을 실장하는 것을 의미한다. 구체적으로는, 본 실시 형태에서는 광원(20)은, 랜드(11a, 11b) 상에 위치하고 있다. 광원(20)의 전극은 랜드(11a, 11b)와, 땜납 등의 도전재를 개재하여 접합되어 있다.
광원(20)은, 예를 들어 LED(Light Emitting Diode) 소자, LD(Laser Diode) 소자 등에 의해 구성할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 광원(20)이 LED 소자에 의해 구성되어 있는 예에 대하여 설명한다.
오목부(13) 내에는 발광부(30)가 배치되어 있다. 발광부(30)와 광원(20)은, 오목부(13) 내에 수용되어 있다. 즉, 발광부(30)는, 오목부(13) 내에서 광원(20)으로부터의 광이 입사하도록 배치되어 있다. 구체적으로는, 발광부(30)는 광원(20) 상에 광원(20)을 막도록 배치되어 있다.
발광부(30)는 양자 도트를 포함하고 있다. 발광부(30)는 1종류의 양자 도트를 포함하고 있어도 되고, 복수 종류의 양자 도트를 포함하고 있어도 된다. 복수 종류의 양자 도트를 함유시킴으로써, 변환광의 색조에 폭을 갖게 하는 것이 가능해진다.
양자 도트는, 양자 도트의 여기광이 입사했을 때에, 여기광과는 상이한 파장의 광을 출사한다. 양자 도트로부터 출사되는 광의 파장은, 양자 도트의 입자경에 의존한다. 즉, 양자 도트의 입자경을 변화시킴으로써 얻어지는 광의 파장을 조정할 수 있다. 이로 인해, 양자 도트의 입자경은, 얻고자 하는 광의 파장에 따른 입자경으로 되어 있다. 양자 도트의 입자경은, 통상 2㎚ 내지 10㎚정도이다.
예를 들어, 파장 300㎚ 내지 440㎚의 자외 내지 근자외의 여기광을 조사하면 청색의 가시광(파장 440㎚ 내지 480㎚의 형광)을 발하는 양자 도트의 구체예로서는, 입자경이 2.0㎚ 내지 3.0㎚ 정도인 CdSe/ZnS의 미결정 등을 들 수 있다. 파장 300㎚ 내지 440㎚의 자외 내지 근자외의 여기광이나 파장 440㎚ 내지 480㎚의 청색의 여기광을 조사하면 녹색의 가시광(파장이 500㎚ 내지 540㎚인 형광)을 발하는 양자 도트의 구체예로서는, 입자경이 3.0㎚ 내지 3.3㎚ 정도인 CdSe/ZnS의 미결정 등을 들 수 있다. 파장 300㎚ 내지 440㎚의 자외 내지 근자외의 여기광이나 파장 440㎚ 내지 480㎚의 청색의 여기광을 조사하면 황색의 가시광(파장이 540㎚ 내지 595㎚인 형광)을 발하는 양자 도트의 구체예로서는, 입자경이 3.3㎚ 내지 4.5㎚ 정도인 CdSe/ZnS의 미결정 등을 들 수 있다. 파장 300㎚ 내지 440㎚의 자외 내지 근자외의 여기광이나 파장 440㎚ 내지 480㎚의 청색의 여기광을 조사하면 적색의 가시광(파장이 600㎚ 내지 700㎚인 형광)을 발하는 양자 도트의 구체예로서는, 입자경이 4.5㎚ 내지 10㎚ 정도인 CdSe/ZnS의 미결정 등을 들 수 있다.
발광부(30)는 양자 도트를 분산시키고 있는 분산매를 포함하고 있다. 분산매는 양자 도트를 적합하게 분산할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 분산매는, 예를 들어 수지 등의 고체이어도 되고, 액체이어도 된다. 본 실시 형태에서는, 분산매가 수지인 예에 대하여 설명한다. 바람직하게 사용되는 수지의 구체예로서는, 예를 들어 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다.
발광부(30)는, 수지와 양자 도트 이외에, 예를 들어 광 분산제 등을 더 포함하고 있어도 된다. 바람직하게 사용되는 광 산란제의 구체예로서는, 예를 들어 알루미나 입자, 티타니아 입자, 실리카 입자 등의 고반사 무기 화합물 입자 및 고반사 백색 수지 입자 등을 들 수 있다. 이와 같이, 발광부(30)에 광 산란제를 함유시킴으로써, 발광부(11)에 있어서의 발광 강도의 면 내 변동을 작게 할 수 있다.
발광부(30)는, 복수층의 발광층의 적층체에 의해 구성되어 있어도 된다. 그 경우, 복수층의 발광층은 서로 상이한 파장의 광을 출사하는 양자 도트를 포함하는 복수의 발광층을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 제1 파장의 광을 출사하는 양자 도트를 포함하는 제1 발광층과, 제2 파장의 광을 출사하는 양자 도트를 포함하는 제2 발광층을 포함하는 복수의 발광층의 적층체에 의해 발광부(30)를 구성해도 된다. 복수의 발광층을 적층함으로써, 제1 발광층의 색조를 측정하고, 얻어진 색조에 맞추어, 제2 발광층의 색조를 조정하는 것이 가능해지기 때문에, 로트 사이의 색조의 변동을 억제할 수 있다.
발광부(30)는, 오목부(13)의 전체에 충전되어 있어도 되지만, 본 실시 형태에서는, 오목부(13)의 일부분에 형성되어 있다.
오목부(13)는 커버 부재(40)에 의해 덮여 있다. 커버 부재(40)와 실장 기판(10)은 접합되어 있다. 커버 부재(40)와 실장 기판(10)에 의해 밀봉 공간(50)이 구획 형성되어 있다. 광원(20)과 발광부(30)는 이 밀봉 공간(50) 내에 밀봉되어 있다.
커버 부재(40)는 무기재에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 커버 부재(40)는 투광성을 갖는 것일 필요가 있기 때문에, 예를 들어 유리, 세라믹스 등에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이, 커버 부재(40)를 무기재로 함으로써, 밀봉 공간(50) 내에 산소나 수분이 침입되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 산소나 수분과 접촉하는 것에 의한 양자 도트의 열화를 억제할 수 있다.
발광 디바이스(1)에서는, 광원(20)이 발광부(30)에 대하여, 발광부(30)에 포함되는 양자 도트의 여기 파장의 광을 포함하는 광을 출사한다. 광원(20)으로부터의 광이 발광부(30)에 대하여 입사하면, 발광부(30)에 포함되는 양자 도트가, 양자 도트의 입자경에 따른 파장의 광을 출사한다. 발광 디바이스(1)로부터는, 이 양자 도트의 발광, 혹은 양자 도트의 발광과 광원(20)으로부터의 광의 혼합광이 출사된다.
발광 디바이스(1)에서는, 실장 기판(10)의 제1 부재(11)가 광원(20)에 대하여 발광부(30)와는 반대측에 위치하고 있다. 그리고, 광원(20)은 제1 부재(11)에 플립 실장되어 있다. 이로 인해, 광원(20) 중 발광부(30)와는 반대측의 부분(20a)에 있어서의 발광 강도가 발광부(30)측의 부분(20b)에 있어서의 발광 강도보다도 높다. 따라서, 양자 도트를 포함하는 발광부(30)와 광원(20)의 고온이 되는 부분을 격리할 수 있다. 또한, 광원(20)이 플립 칩 실장이면, 본딩 와이어에 의한 광원(20)과 제1 부재(11)의 접속이 불필요하게 된다. 그 결과, 광원(20)이나 본딩 와이어로부터 발생하는 열에 기인하여 발광부(30)에 포함되는 양자 도트가 열화되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 열 열화되기 어려운 발광 디바이스(1)를 실현할 수 있다.
발광부(30)가 LED 소자나, LD 소자 등의 발광 시에, 큰 발열을 수반하는 소자에 의해 구성되어 있는 경우는, 광원(20)이 고열이 되기 쉽다. 따라서, 광원(20)의 발광에 수반하여 발광부(30)가 열화되기 쉽다. 따라서, 광원(20)의 발광부(30)와는 반대측의 부분(20a)의 발광 강도를, 발광부(30)측의 부분(20b)의 발광 강도보다도 높이는 것이 보다 효과적이다.
발광 디바이스(1)의 열 열화를 더 효과적으로 억제하는 관점에서는, 발광부(30)의 분산매의 열 전도율이, 실장 기판(10)의 열 전도율보다도 낮은 것이 바람직하고, 실장 기판(10)의 열 전도율 0.5배 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.25배 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 광원(20)의 열이 실장 기판(10)측에 우선적으로 전달되고, 발광부(30)로 전달되기 어려워지기 때문에, 발광부(30)에 포함되는 양자 도트가 열 열화되기 어려워지기 때문이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 오목부(13) 내에 광원(20)을 막도록 발광부(30)가 형성된 발광 디바이스(1b)를 얻기 위해서는, 디바이스 본체(10)의 오목부(13) 내에 배치되어 있는 광원(20)을 막도록, 양자 도트(필요에 따라 광 분산제를 포함함)를 분산시킨 수지를 스포이트 등을 사용하여 광원(20) 상에 적하한다. 계속해서, 공기나 수분이 적은 분위기 하에서 수지층을 건조시켜 발광부(30)를 형성한다. 그 후, 디바이스 본체(10) 상에 커버 부재(40)를 두고, 커버 부재(40)와 디바이스 본체(10)를 접합한다. 이와 같이 함으로써, 도 1에 도시한 바와 같이, 오목부(13) 내에, 광원(20)을 막도록 발광부(30)가 형성되어 있는 발광 디바이스(1)를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태의 다른 예에 대하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상기 제1 실시 형태와 실질적으로 공통된 기능을 갖는 부재를 공통된 부호로 참조하고, 설명을 생략한다.
(제2 실시 형태)
도 2는 제2 실시 형태에 관한 발광 디바이스(1a)의 모식적 단면도이다.
제1 실시 형태에 관한 발광 디바이스(1)에서는, 발광부(30)가, 오목부(13)의 저벽(13b) 상에 광원(20)을 덮도록 형성되어 있는 예에 대하여 설명했다. 단, 본 발명에 있어서, 발광부의 위치는, 광원으로부터의 광이 입사하는 위치인 한, 특별히 한정되지 않는다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제2 실시 형태에 관한 발광 디바이스(1a)에서는, 발광부(30)가 오목부(13)측이 되는 커버 부재(40)의 표면 상에 형성되어 있다. 발광부(30)는 커버 부재(40)의 오목부(13)에 노출되어 있는 면의 실질적으로 전체 상에 형성되어 있다. 발광부(30)와 광원(20)이 이격되어 있다. 발광부(30)와 광원(20) 사이에는 갭이 형성되어 있다. 이로 인해, 광원(20)의 열이 발광부(30)에 의해 전해지기 어렵다. 따라서, 발광부(30)에 포함되는 양자 도트가 열 열화되기 어렵다. 따라서, 발광 디바이스(1a)의 열 열화를 더 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 이러한 발광부(30)는, 예를 들어 커버 부재(40) 상에 양자 도트와 수지를 포함하는 페이스트를 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다.
(제3 실시 형태)
도 3은 제3 실시 형태에 관한 발광 디바이스(1b)의 모식적 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이 본 실시 형태에 관한 발광 디바이스(1b)에서는, 발광부(30)는 광원(20)의 상방에, 광원(20)과는 이격되어 설치된 셀(60) 내에 형성되어 있다. 발광부(30)는 셀(60)의 내부 공간(40a) 내에 밀봉되어 있다.
발광 디바이스(1b)에서는, 셀(60)에 의해 발광부(30)가 광원(20)으로부터 격리되어 있기 때문에, 광원(20)의 열이 발광부(30)에 전해지는 것이 더 효과적으로 억제되고 있다. 이로 인해, 발광부(30)에 포함되는 양자 도트가 열 열화되기 어렵다. 따라서, 발광 디바이스(1b)의 열 열화를 더욱 효과적으로 억제할 수 있다.
광원(20)의 열이 발광부(30)에 전해지는 것을 더욱 효과적으로 억제하는 관점에서는, 셀(60)의 열 전도율이 낮은 것이 바람직하다. 셀(60)의 열 전도율은, 예를 들어 30 이하인 것이 바람직하고, 10 이하인 것이 보다 바람직하다. 셀(60)의 열 전도율은 통상 1 이상이다. 셀(60)은, 예를 들어 유리, 세라믹스, 수지 등에 의해 구성할 수 있다.
(제4 실시 형태)
도 4는 제4 실시 형태에 관한 발광 디바이스의 모식적 단면도이다.
제2 실시 형태에서는, 광원(20)과 발광부(30) 사이에 위치하는 밀봉 공간(50)이 공간에 의해 구성되어 있는 예에 대하여 설명했다. 단, 본 발명은, 이 구성에 한정되지 않는다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제4 실시 형태에 관한 발광 디바이스(1c)에서는, 밀봉 공간(50)에 수지(70)가 충전되어 있다. 이 경우, 수지(70)와 발광부(30) 사이의 굴절률차 및 수지(70)와 광원(20) 사이의 굴절률차를 작게 할 수 있다. 따라서, 광의 출사 효율을 향상시킬 수 있다.
수지(70)는, 예를 들어 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등에 의해 구성할 수 있다.
수지(70)는 광 분산제를 포함해도 된다. 이 경우, 광원(20)으로부터 발광부(30)로의 광의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 밀봉 공간(50)에 수지(70)가 충전되어 있는 발광 디바이스(1c)를 얻기 위해서는, 먼저, 디바이스 본체(10)의 오목부(13) 내에 배치되어 있는 광원(20)을 막도록, 수지(70)(필요에 따라 광 분산제를 포함함)를 스포이트 등을 사용하여 광원(20) 상에 적하하고, 건조한다. 이어서, 커버 부재(40)의 한쪽의 표면에, 양자 도트(필요에 따라 광 분산제를 포함함)를 분산시킨 수지를 도포하고 건조시켜 수지층을 형성한다. 그 후, 발광부(30)가 디바이스 본체(10)의 오목부(13)에 수용되도록, 디바이스 본체(10) 상에 커버 부재(40)를 두고, 커버 부재(30)와 디바이스 본체(10)를 접합한다. 이와 같이 함으로써, 도 4에 도시한 바와 같이, 밀봉 공간(50)에 수지(70)가 충전되어 있는 발광 디바이스(1c)를 얻을 수 있다.
또한, 밀봉 공간을 충전하기 위하여 사용하는 수지(70)로서, 표면 장력이 작은 수지나 프레임재가 되는 제2 부재(12)에 대하여 습윤성이 큰 수지를 사용함으로써 건조시켰을 때에, 중앙부의 두께는 얇고, 외측을 향해 두께가 점증되는 밀봉 공간(50)을 충전하는 수지층이 보다 얻기 쉬워진다. 또한, 발광부(30)가 되는 양자 도트(필요에 따라 광 분산제를 포함함)를 분산시키기 위하여 사용하는 수지로서, 표면 장력이 큰 수지나 커버 부재(40)에 대하여 습윤성이 작은 수지를 사용함으로써 중앙부의 두께는 두껍고, 외측을 향해 두께가 점감되는 수지층이 보다 얻기 쉬워지고, 발광부(30)의 적어도 주연부에 있어서, 발광부(30)의 두께가 외측을 향해 점감되는 발광 디바이스(1)가 얻기 쉬워진다.
또한, 제2 및 제4 실시 형태에 있어서, 커버 부재(40)의 한쪽의 표면에 발광부(30)를 형성하는 방법으로서, 양자 도트를 분산시킨 수지를 도포하고, 직접 커버 부재(40)의 한쪽의 표면에 발광부(30)를 형성하는 방법에 대하여 설명했지만, 본 발명은, 이 방법에 한정되지 않는다. 예를 들어, 양자 도트를 분산시킨 수지를, 원하는 형상을 갖는 형태로 충전하여 성형하고, 건조시킴으로써, 미리 발광부(30)를 형성하고, 성형된 발광부(30)를 커버 부재(40)의 한쪽의 표면에, 굴절률을 조정한 접착제를 사용하여 접착시켜도 된다. 이와 같이 함으로써, 동일한 형상의 발광부(30)를 대량 생산할 수 있어, 발광부의 두께 등의 형상에 의한 색조의 변동을 억제할 수 있다.
1, 1a, 1b, 1c: 발광 디바이스
10: 실장 기판
11: 제1 부재
11a, 11b: 랜드
11c, 11d: 비아 홀 전극
11e, 11f: 단자 전극
12: 제2 부재
12a: 관통 구멍
13: 오목부
13a: 측벽
13b: 저벽
20: 광원
30: 발광부
40: 커버 부재
50: 밀봉 공간
60: 셀
70: 수지

Claims (7)

  1. 양자 도트를 포함하는 발광부와,
    상기 발광부에 대하여, 상기 양자 도트의 여기 파장의 광을 출사하는 광원을 구비하고,
    상기 광원 중 상기 발광부와는 반대측의 부분에 있어서의 발광 강도가, 상기 발광부측의 부분에 있어서의 발광 강도보다도 높은, 발광 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광원에 대하여 상기 발광부와는 반대측에 위치하고 있으며, 상기 광원이 실장된 실장 기판을 더 구비하고,
    상기 광원은, 상기 실장 기판에 플립 칩 실장되어 있는, 발광 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 발광부는, 상기 광원과는 이격되어 설치되어 있는, 발광 디바이스.
  4. 제3항에 있어서, 상기 광원에 대하여 상기 발광부와는 반대측에 위치하고 있으며, 상기 광원이 실장된 실장 기판을 더 구비하고,
    상기 실장 기판은, 상기 광원 및 상기 발광부를 수용하고 있는 오목부를 갖고,
    상기 오목부를 막는 커버 부재를 더 구비하고,
    상기 발광부는, 상기 커버 부재의 상기 오목부측의 표면 상에 설치되어 있는, 발광 디바이스.
  5. 제3항에 있어서, 상기 광원의 상방에 배치되어 있고, 상기 발광부를 밀봉하는 셀을 더 구비하는, 발광 디바이스.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원은, LED 소자에 의해 구성되어 있는, 발광 디바이스.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광원에 대하여 상기 발광부와는 반대측에 위치하고 있으며, 상기 광원이 실장된 실장 기판을 더 구비하고,
    상기 발광부는, 상기 양자 도트의 분산매를 더 포함하고,
    상기 분산매의 열 전도율이, 상기 실장 기판의 열 전도율보다도 낮은, 발광 디바이스.
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