KR20170018152A - Organic light emitting display device and the method for driving the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 실시예들은 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display and a driving method thereof.
최근, 유기발광표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. 2. Description of the Related Art [0002] In recent years, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been widely known as an organic light emitting display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, luminance, and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)
이러한 유기발광표시장치의 각 서브픽셀은 유기발광다이오드와 이를 구동하는데 필요한 트랜지스터 등을 포함하여 구성될 수 있다. Each of the sub-pixels of the organic light emitting display may include an organic light emitting diode and a transistor necessary for driving the organic light emitting diode.
한편, 각 서브픽셀 내 트랜지스터, 유기발광다이오드 등의 회로 소자는 고유한 특성치를 갖는다. 가령, 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치를 갖고, 유기발광다이오드는 문턱전압 등의 고유한 특성치를 갖는다. On the other hand, circuit elements such as transistors and organic light emitting diodes in each sub-pixel have unique characteristic values. For example, the transistor has a characteristic value such as a threshold voltage and a mobility, and the organic light emitting diode has a characteristic value such as a threshold voltage.
이러한 각 서브픽셀 내 트랜지스터, 유기발광다이오드 등의 회로 소자는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치가 변할 수 있다. The circuit elements such as transistors and organic light emitting diodes in each sub-pixel may undergo degradation according to driving time, and unique characteristic values such as threshold voltage and mobility may be changed.
이러한 점들 때문에, 각 서브픽셀 내 회로 소자 간의 구동 시간의 차이에 따라, 회로 소자 간의 열화 정도의 차이가 발생하고, 회로 소자 간의 특성치 편차도 발생할 수 있다. Because of these points, there is a difference in degree of deterioration between circuit elements depending on the difference in driving time between the circuit elements in each sub-pixel, and a characteristic value deviation between the circuit elements may also occur.
이러한 회로 소자 간의 특성치 편차(서브픽셀 특성치 편차)는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시키는 주요 요인이 될 수 있다. Such a characteristic value deviation (sub-pixel characteristic value deviation) between the circuit elements may cause a luminance deviation between each sub-pixel, which may become a main factor causing image quality degradation.
이에, 서브픽셀 특성치 편차를 보상해주기 위한 다양한 기술이 개발되었다. Accordingly, various techniques have been developed to compensate for the deviation of sub-pixel characteristic values.
한편, 서브픽셀 특성치 편차를 보상해주기 위해서는, 서브픽셀 특성치를 센싱하는 과정이 반드시 필요하다. On the other hand, in order to compensate for the deviation of the sub-pixel characteristic values, a process of sensing the sub-pixel characteristic values is indispensable.
따라서, 서브픽셀 특성치 편차를 오류 없이 보상해주어 화상 품질을 개선하기 위해서는, 서브픽셀 특성치를 오류 없이 정확하게 센싱하는 것이 담보되어야만 한다. Therefore, in order to compensate the sub-pixel characteristic value deviation without error to improve the image quality, accurate detection of the sub-pixel characteristic value without error must be assured.
하지만, 현재, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 구동을 통해 얻어진 센싱 데이터의 오류가 발생하는 상황이 발생하고 있으며, 이를 해결하지 못하고 있는 실정이다. However, at present, an error occurs in the sensing data obtained through the sensing drive of the subpixel characteristic values, and this has not been solved.
본 실시예들의 목적은, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터의 오류를 방지하는 데 있다. The purpose of these embodiments is to prevent erroneous sensing data on sub-pixel property values.
본 실시예들의 다른 목적은, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 및 보상 오동작을 방지하는 데 있다. Another object of the present embodiments is to prevent the sensing and compensating malfunctions of the sub-pixel characteristic values.
본 실시예들의 또 다른 목적은, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리의 전원 이상에 의한 센싱 및 보상 오동작을 방지하는 데 있다.Yet another object of the present invention is to prevent sensing and compensating malfunctions due to power supply anomalies in the main memory storing sensing data for sub-pixel characteristic values.
일 실시예는, 센싱 데이터가 저장되는 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링하고 그 결과에 따른 센싱 및 보상 오동작 방지 기능을 수행할 수 있는 유기발광표시장치와 그 구동방법을 제공할 수 있다. One embodiment of the present invention provides an organic light emitting display device capable of monitoring an abnormality of a memory power supplied to a main memory in which sensing data is stored and performing a sensing and compensating malfunction prevention function according to a result of the monitoring, have.
다른 실시예는, 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배치되고, 둘 이상의 센싱 라인이 배치된 유기발광표시패널과, 패널 센싱 구간 동안, 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동을 통해 둘 이상의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 센싱부와, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원을 이용하여, 센싱부에서 출력되는 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리와, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 하는 메모리 전원 모니터링부와, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원 모니터링부의 모니터링 결과에 따라 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력하는 오동작 방지부를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. Another embodiment is an organic light emitting display device including an organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels are arranged in a matrix type and in which two or more sensing lines are arranged and a plurality of subpixels A main memory for storing sensing data output from the sensing unit using a memory power source during a panel sensing period, and a control unit for supplying sensing data to the main memory during a panel sensing period And a malfunction prevention unit for outputting a panel sensing operation control signal according to a monitoring result of the memory power monitoring unit during a panel sensing period.
또 다른 실시예는, 유기발광표시장치의 구동 방법에 있어서, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 통해 상기 제1 서브픽셀과 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하여 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 생성하는 센싱 데이터 생성 단계와, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 메인 메모리에 저장하는 센싱 데이터 저장 단계와, 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 한 결과에 따라, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 제어하는 센싱 데이터 오류 방지 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting display, comprising: sensing a voltage of a sensing line connected to a first subpixel through sensing driving for a first subpixel to generate sensing data for a first subpixel A sensing data storing step of storing sensed data of the first sub-pixel in the main memory, and a sensing data storing step of storing sensing data of the first sub-pixel in the main memory, And a sensing data error prevention step of controlling the sensing driving to be restarted.
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터의 오류를 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments as described above, it is possible to prevent the error of the sensing data with respect to the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement.
본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 및 보상 오동작을 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments, it is possible to prevent the sensing and compensating malfunctions of the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement.
본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리의 전원 이상에 의한 센싱 및 보상 오동작을 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments of the present invention, it is possible to prevent sensing and compensating malfunction due to power supply anomaly in the main memory storing sensing data for the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement have.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도들이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로에 대한 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 문턱전압 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 이동도 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 구동 구간의 예시도이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 라인 배치도이다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 다른 센싱 라인 배치도이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 및 보상 시스템을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에 포함된 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 메모리 전원 이상 유무 모니터링 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법에 대한 개략적인 흐름도이다.
도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법에 대한 구체적인 흐름도이다.1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 2 is a view illustrating an example of a sub-pixel structure of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a compensation circuit of the OLED display according to the present embodiments. Referring to FIG.
4 is a view for explaining the threshold voltage sensing principle of the organic light emitting diode display according to the present embodiments.
5 is a view for explaining the principle of mobility sensing of the organic light emitting display according to the present embodiments.
6 is an exemplary diagram illustrating a sensing driving period of the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention.
7 is a layout view of the sensing line of the OLED display according to the present embodiment.
8 is a view showing another sensing line arrangement of the OLED display according to the present embodiments.
FIG. 9 is a diagram illustrating a sensing and compensation system of an OLED display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
10 is a diagram illustrating a sensing and compensation malfunction prevention system included in the organic light emitting display according to the present embodiments.
11 is a view for explaining a method of monitoring the presence or absence of a memory power source in the OLED display according to the present embodiments.
12 is a schematic flowchart of a driving method for preventing sensing and compensating malfunction of the organic light emitting diode display according to the present embodiments.
13 is a specific flowchart illustrating a driving method for preventing sensing and compensation erroneous operation of the OLED display according to the present embodiments.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. FIG. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL1~DLm) 및 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. 1, the OLED
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The
이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The
이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. The
데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The
게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The
게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)으로 순차적으로 공급한다. The
데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the
데이터 드라이버(120)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the
게이트 드라이버(130)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the
전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The
컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하는 것 이외에, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In order to control the
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the
데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 유기발광표시패널(110)에 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC), as the case may be.
게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. The
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. Each gate driver integrated circuit GDIC may be connected to a bonding pad of the organic light emitting
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver IC (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 대한 회로적인 연결을 위해 필요한 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB: Source Printed Circuit Board)과 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. The
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)에는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 되거나, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름이 연결될 수 있다. At least one source driver integrated circuit (SDIC) may be mounted on at least one source printed circuit board (S-PCB), or a film on which at least one source driver integrated circuit (SDIC) is mounted may be connected.
컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러 등이 실장 될 수 있다. The control printed circuit board (C-PCB) is provided with a
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. The at least one source printed circuit board (S-PCB) and the control printed circuit board (C-PCB) may be circuitly connected via at least one connecting member.
여기서, 연결 부재는 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. Here, the connecting member may be a flexible printed circuit (FPC), a flexible flat cable (FFC), or the like.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (S-PCB) and a control printed circuit board (C-PCB) may be integrated into one printed circuit board.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 액정유기발광표시장치(Liquid Crystal Display Device), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device), 플라즈마 유기발광표시장치(Plasma Display Device) 등의 다양한 타입의 장치일 수 있다. The organic light emitting
유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다. Each sub-pixel SP disposed in the organic light emitting
일 예로, 유기발광표시패널(110)이 유기발광표시패널인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. For example, when the organic light emitting
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on the providing function, the design method, and the like.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도들이다. FIG. 2 is a view illustrating exemplary sub-pixel structures of the
도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제2노드(N2)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 스위칭 트랜지스터(SWT: Switching Transistor)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, in the
유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode).
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있으며, 게이트 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED and may be a source node or a drain node. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the source node or the drain node of the switching transistor SWT and may be a gate node. The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line DVL for supplying a driving voltage EVDD and may be a drain node or a source node.
구동 트랜지스터(DRT)와 스위칭 트랜지스터(SWT)는, 도 2의 예시와 같이 n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다. The driving transistor DRT and the switching transistor SWT may be implemented as an n-type or a p-type as illustrated in FIG.
스위칭 트랜지스터(SWT)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The switching transistor SWT is electrically connected between the data line DL and the second node N2 of the driving transistor DRT and can be controlled by receiving the scan signal SCAN through the gate line to the gate node .
이러한 스위칭 트랜지스터(SWT)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 전달해줄 수 있다. The switching transistor SWT may be turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the second node N2 of the driving transistor DRT.
스토리지 캐패시터(Cstg)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된다.The storage capacitor Cstg is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 스토리지 캐패시터(Cstg)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cstg is not a parasitic capacitor (e.g., Cgs, Cgd) that is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, And is an external capacitor intentionally designed outside the transistor DRT.
한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. In the
이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values (e.g., threshold voltage, mobility, etc.) of the circuit elements such as the organic light emitting diode OLED and the driving transistor DRT can be changed.
이러한 회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 야기한다. 따라서, 회로 소자의 특성치 변화는 서브픽셀의 휘도 변화와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a change in the characteristic value of the circuit element causes the luminance change of the corresponding sub-pixel. Therefore, the change in the characteristic value of the circuit element can be used in the same concept as the change in luminance of the subpixel.
또한, 이러한 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. In addition, the degree of change in the characteristic value between the circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.
이러한 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차를 야기한다. 따라서, 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a characteristic value deviation between the circuit elements causes a luminance deviation between the subpixels. Therefore, the characteristic value deviation between the circuit elements can be used in the same concept as the luminance deviation between the subpixels.
전술한 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차는, 서브픽셀의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. The above-described subpixel luminance variation and subpixel luminance variation may cause problems such as degradation of the accuracy with respect to the luminance expression power of the subpixels or occurrence of screen abnormal phenomenon.
여기서, 회로 소자의 특성치(이하, "서브픽셀 특성치"라고도 함)는, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도 등을 포함할 수 있고, 경우에 따라서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 포함할 수도 있다. Here, the characteristic value of a circuit element (hereinafter also referred to as a "subpixel characteristic value") may include, for example, a threshold voltage and a mobility of a driving transistor DRT, May include the threshold voltage of the transistor.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차(회로 소자의 특성치 변화 및 회로 소자 간의 특성치 편차)를 센싱(측정)하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다. The
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차에 대한 센싱 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 그에 맞는 서브픽셀 구조를 제공한다. The organic light emitting
도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀은, 센싱 및 보상 기능 제공을 위해, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT), 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 스토리지 캐패시터(Cstg) 이외에, 센싱 트랜지스터(SENT: Sensing Transistor)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, each sub-pixel disposed in the organic light emitting
도 2를 참조하면, 센싱 트랜지스터(SENT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 기준전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 s(s≥2)개의 센싱 라인(SL: Sensing Line, 도 7 또는 도 8에서, SL #1, … , SL #s) 중 하나의 센싱 라인 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가 받아 제어될 수 있다. 2, the sensing transistor SENT includes a first node N1 of the driving transistor DRT and s (s2) sensing lines SL for supplying a reference voltage Vref ,
이러한 센싱 트랜지스터(SENT)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어 센싱 라인(SL)을 통해 공급되는 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가해준다. The sensing transistor SENT is turned on by the sensing signal SENSE and applies the reference voltage Vref supplied through the sensing line SL to the first node N1 of the driving transistor DRT.
또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the sensing transistor SENT may be utilized as one of the voltage sensing paths for the first node N1 of the driving transistor DRT.
한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 다른 게이트 라인을 통해, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드 및 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT through another gate line.
경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드 및 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다. In some cases, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT through the same gate line.
전술한 서브픽셀 구조에 따르면, 서브픽셀 내 회로 소자(예: 구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED))의 특성치 또는 특성치 변화(특성치 편차)를 더욱 정확하게 센싱할 수 있다. According to the above-described subpixel structure, it is possible to more accurately sense the characteristic value or the characteristic value change (characteristic value deviation) of the circuit elements (for example, driving transistor DRT, organic light emitting diode OLED) in the subpixel.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차에 대한 센싱 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 전술한 서브픽셀 구조뿐만 아니라, 센싱 및 보상 구성을 포함하는 보상 회로를 제공할 수 있다.The organic light emitting
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로에 대한 예시도이다. 3 is an exemplary view of a compensation circuit of the
도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 특성치(구동 트랜지스터의 특성치, 유기발광다이오드의 특성)의 변화 및/또는 서브픽셀 특성치 간의 편차를 센싱하여 센싱 데이터를 출력하는 센싱부(310)와, 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리(320)와, 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀 특성치의 변화 및/또는 서브픽셀 특성치 간의 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(330) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, the organic
센싱부(310)는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. The
각 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다. Each analog-to-digital converter (ADC) may be included inside the source driver integrated circuit (SDIC) and, in some cases, may be included outside the source driver integrated circuit (SDIC).
보상부(320)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있다. The
센싱부(310)에서 출력되는 센싱 데이터는, 일 예로, LVDS (Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다. The sensing data output from the
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 구동을 제어하기 위하여, 즉, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 인가 상태를 서브픽셀 특성치 센싱에 필요한 상태로 제어하기 위하여, 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting
제1스위치(SW1)를 통해, 센싱 라인(SL)으로의 기준전압(Vref)의 공급 여부가 제어될 수 있다. The supply of the reference voltage Vref to the sensing line SL can be controlled through the first switch SW1.
제1스위치(SW1)가 턴-온 되면, 기준전압(Vref)이 센싱 라인(SL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 센싱 트랜지스터(SENT)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 인가될 수 있다. When the first switch SW1 is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the sensing line SL and is supplied to the first node N1 of the driving transistor DRT through the sensing transistor SENT, Lt; / RTI >
여기서, 센싱 라인(SL)은 기준전압(Vref)의 전달 라인 역할을 하기 때문에 기준전압 라인(Reference Voltage Line)이라고도 할 수 있다. Here, since the sensing line SL serves as a transfer line for the reference voltage Vref, it may be referred to as a reference voltage line.
한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 등 전위일 수 있는 센싱 라인(SL)의 전압도 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 될 수 있다. 이때, 센싱 라인(SL) 상에 형성된 라인 캐패시터에 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압이 충전될 수 있다. On the other hand, when the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the sub-pixel characteristic value, the sensing line SL (which may be of the same potential as the first node N1 of the driving transistor DRT) May also be a voltage state reflecting the sub-pixel characteristic value. At this time, the line capacitor formed on the sensing line SL may be charged with a voltage reflecting the sub-pixel characteristic value.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 제2스위치(SW2)가 턴-온 되어, 센싱부(310)와 센싱 라인(SL)이 연결될 수 있다. When the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the sub pixel characteristic value, the second switch SW2 is turned on so that the
이에 따라, 센싱부(310)는 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태인 센싱 라인(SL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다. Accordingly, the
이러한 센싱 라인(SL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. One such sensing line SL may be arranged for each subpixel column or one for every two or more subpixel columns.
예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 센싱 라인(SL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. For example, when one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the sensing line SL includes four subpixel columns (red subpixel columns, A green subpixel column, a blue subpixel column, a white subpixel column, a green subpixel column, and a blue subpixel column).
센싱부(310)는 센싱 라인(SL)과 연결되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압(센싱 라인(SL)의 전압, 또는, 센싱 라인(SL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압)을 센싱한다. When the
센싱부(310)에서 센싱된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화(ΔVth)을 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다. The voltage sensed by the
도 3을 참조하면, 센싱부(310)는 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압을 디지털 센싱값에 해당하는 센싱 데이터로 변환하고, 변환된 센싱 데이터를 출력한다. Referring to FIG. 3, the
센싱부(310)에서 출력된 센싱 데이터는 메인 메모리(320)에 저장되거나 보상부(330)로 제공될 수 있다. The sensing data output from the
보상부(330)는 메인 메모리(320)에 저장되거나 센싱부(310)에서 제공된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화(예: 문턱전압 변화, 이동도 변화)를 파악하고, 보상 프로세스를 수행할 수 있다. The
여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화는 이전 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하거나, 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다. Here, the change in the characteristic value of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the previous sensing data, or the current sensing data is changed based on the reference sensing data.
여기서, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 또는 특성치 변화를 비교해보면, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 파악할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화로부터 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(즉, 서브픽셀 휘도 편차)를 파악할 수도 있다. Here, when comparing the characteristic value or the characteristic value change between the driving transistors DRT, it is possible to grasp the characteristic value deviation between the driving transistors DRT. When the characteristic value change of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the reference sensing data, the characteristic value deviation (i.e., the sub pixel luminance deviation) between the driving transistors DRT from the characteristic value change of the driving transistor DRT, .
보상부(330)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리 중 하나 이상의 보상 프로세스를 수행할 수 있다. The
문턱전압 보상 처리는 문턱전압 또는 문턱전압 편차(문턱전압 변화)를 보상하기 위한 보상 데이터를 연산 과정을 통해 생성하고, 생성된 보상 데이터를 메인 메모리(320)에 저장하거나, 보상 데이터로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. In the threshold voltage compensation process, compensation data for compensating a threshold voltage or a threshold voltage variation (threshold voltage variation) is generated through an operation process, the generated compensation data is stored in the
이동도 보상 처리는 이동도 또는 이동도 편차(이동도 변화)를 보상하기 위한 보상 데이터를 연산 과정을 통해 생성하고, 생성된 보상 데이터를 메인 메모리(320)에 저장하거나, 보상 데이터로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The mobility compensation process generates compensation data for compensating mobility or mobility deviation (mobility change) through an operation process, stores the generated compensation data in the
보상부(330)는 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The
이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 변경된 데이터를 데이터 전압(Vdata')으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀 특성치 보상(문턱전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 이루어지게 된다. Accordingly, the source driver integrated circuit (SDIC) converts the changed data into the data voltage (Vdata ') and supplies the data voltage to the corresponding subpixel, so that the subpixel characteristic value compensation (threshold voltage compensation, mobility compensation) is actually performed.
이러한 서브픽셀 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다. By compensating for the subpixel characteristic value, luminance deviation between the subpixels is reduced or prevented, thereby improving the image quality.
아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 원리와 이동도 센싱 원리에 대하여, 도 4 및 도 5를 참조하여 간략하게 설명한다. 단, 도 4 및 도 5에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 소스 노드이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 게이트 노드인 것으로 가정한다. In the following, the threshold voltage sensing principle and the mobility sensing principle for the driving transistor DRT will be briefly described with reference to Figs. 4 and 5. Fig. 4 and 5, it is assumed that the first node N1 of the driving transistor DRT is the source node and the second node N2 of the driving transistor DRT is the gate node.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 문턱전압 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the threshold voltage sensing principle of the
도 4를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 게이트 노드 각각은 문턱전압 센싱용 기준전압(Vref)과 문턱전압 센싱용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화된다. 4, when the threshold voltage sensing operation of the driving transistor DRT is performed, the source node and the gate node of the driving transistor DRT respectively receive the threshold voltage sensing reference voltage Vref and the threshold voltage sensing data voltage Vdata ).
즉, 초기화 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)은 문턱전압 센싱용 기준전압(Vref)이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드의 전압(Vg)은 문턱전압 센싱용 데이터 전압(Vdata)이다. That is, at the time of initialization, the voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT is the reference voltage Vref for sensing the threshold voltage, and the voltage Vg of the gate node of the driving transistor DRT is the threshold voltage sensing data voltage (Vdata).
이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드가 플로팅(Floating) 되어, 소스 팔로잉(Source Following) 현상에 의해, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)이 상승한다. 시간이 갈수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)은 상승 폭이 서서히 줄어들어, 포화하게 된다. Thereafter, the source node of the driving transistor DRT floats, and the voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT rises due to the source following phenomenon. As the time elapses, the voltage Vs at the source node of the driving transistor DRT gradually decreases in width and saturates.
구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 포화된 전압(Vs)은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 변화(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. 여기서, 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화(ΔVth)는 포지티브 문턱전압(Vth) 또는 포지티브 문턱전압 변화(ΔVth)일수도 있고, 네거티브 문턱전압(Vth) 또는 네거티브 문턱전압 변화(ΔVth)일수도 있다.The saturated voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage variation Vth. Here, the threshold voltage Vth or the threshold voltage variation? Vth may be the positive threshold voltage Vth or the positive threshold voltage variation? Vth or may be the negative threshold voltage Vth or the negative threshold voltage variation? .
센싱부(310)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)이 포화되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 포화된 전압(Vs)을 센싱한다. The
센싱부(410)에 의해 센싱된 전압(Vsense)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vsense=Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 변화(ΔVth)을 뺀 전압(Vsense=Vdata-ΔVth)일 수 있다. The voltage Vsense sensed by the sensing unit 410 is a voltage (Vsense = Vdata-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage Vth from the data voltage Vdata or a voltage Vdata minus the threshold voltage variation? (Vsense = Vdata -? Vth).
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 이동도 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining the principle of the mobility sensing of the
도 5를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 게이트 노드 각각은 이동도 센싱용 기준전압(Vref)과 이동도 센싱용 데이터 전압(Vdata+ΔVsense)으로 초기화된다. 5, when the mobility sensing operation for the driving transistor DRT is performed, the source node and the gate node of the driving transistor DRT respectively receive the reference voltage Vref for sensing the mobility and the data voltage Vdata + DELTA Vsense).
즉, 초기화 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)은 이동도 센싱용 기준전압(Vref)이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드의 전압(Vg)은 이동도 센싱용 데이터 전압(Vdata+ΔVsense)이다. 여기서, 이동도 센싱 구동 이전에 문턱전압 보상이 이루어진 경우, ΔVsense는 문턱전압 보상 데이터(보상값)에 해당한다. That is, at the time of initialization, the voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT is the reference voltage Vref for the mobility sensing, and the voltage Vg of the gate node of the driving transistor DRT is the data voltage (Vdata + DELTA Vsense). Here, if the threshold voltage compensation is performed before the mobility sensing operation,? Vsense corresponds to the threshold voltage compensation data (compensation value).
이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 게이트 노드가 모두 플로팅 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 게이트 노드의 전압이 상승할 수 있다. Thereafter, both the source node and the gate node of the driving transistor DRT float, and the voltage of the source node and the gate node of the driving transistor DRT can rise.
이때, 전압 상승 속도(시간에 대한 전압 변화량(ΔV))는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력, 즉 이동도(Mobility)를 의미한다. 따라서, 전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일 수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압 상승이 더욱 가파르게 일어난다. At this time, the voltage rising rate (voltage variation amount DELTA V with respect to time) means the current capability of the driving transistor DRT, that is, the mobility. Therefore, the voltage rise of the source node of the driving transistor DRT becomes more steep as the driving transistor DRT having a larger current capability (mobility) is.
센싱부(310)는 미리 정해진 일정 시간 동안 전압 상승이 이루어진 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 상승된 전압(Vs), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압 상승에 따라 함께 전압 상승이 이루어진 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱한다. The
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동 구간의 예시도이다.6 is a diagram illustrating an example of a sensing driving period of the
도 6을 참조하면, 전술한 문턱전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동 중 적어도 하나는, 파워 오프 신호(Power Off Signal)의 발생 시 진행될 수 있다. Referring to FIG. 6, at least one of the threshold voltage sensing drive and the mobility sensing operation described above may be performed when a power off signal occurs.
이와 같이, 파워 오프 신호의 발생 시, 센싱 구동(문턱전압 센싱 구동 및/또는 이동도 센싱 구동)이 진행되는 경우, 이러한 센싱 구동을 오프-센싱 구동(Off-Sensing Driving)이라고 한다.In this manner, when the sensing driving (threshold voltage sensing driving and / or the movement degree sensing driving) progresses at the time of generating the power-off signal, this sensing driving is referred to as off-sensing driving.
유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀에 대한 총 센싱 시간을 고려하여, 오프-센싱 구동은, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 포화 시간이 필요하기 때문에 이동도 센싱 구동에 비해 상대적으로 긴 시간이 걸리는 문턱전압 센싱 구동일 수 있다. Considering the total sensing time for all the subpixels disposed in the organic light emitting
도 6을 참조하면, 전술한 문턱전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동 중 적어도 하나는, 파워 오프 신호가 발생되기 전, 화상 구동 중에 진행되거나 화상 구동 구간 사이마다 진행될 수도 있다. Referring to FIG. 6, at least one of the above-described threshold voltage sensing drive and mobility sensing drive may be performed before the power-off signal is generated, during image driving, or between image driving intervals.
이와 같이, 파워 오프 신호의 발생되기 전, 센싱 구동(문턱전압 센싱 구동 및/또는 이동도 센싱 구동)이 진행되는 경우, 이러한 센싱 구동을 온-센싱 구동(On-Sensing Driving)이라고 한다. In this way, when sensing driving (threshold voltage sensing driving and / or mobility sensing driving) progresses before the power-off signal is generated, this sensing driving is referred to as on-sensing driving.
유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀에 대한 총 센싱 시간을 고려하여, 온-센싱 구동은, 일 예로, 문턱전압 센싱 구동에 비해 상대적으로 짧은 시간이 드는 이동도 센싱 구동일 수 있다. Considering the total sensing time for all the subpixels arranged in the organic light emitting
도 7 및 도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 s개의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s, s≥2)에 대한 배치 예시도이다. 7 and 8 are diagrams showing examples of arrangement of the s sensing
도 7 및 도 8을 참조하면, 유기발광표시패널(110)에는 s개의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s, s≥2)이 서브픽셀 열 방향(데이터 라인의 배치 방향과 대응)으로 배치될 수 있다. 7 and 8, the s sensing
도 7을 참조하면, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s)은 1개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수 있다. 즉, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 은 1개의 서브픽셀 열에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 7, one of the s sensing
이 경우, 총 센싱 라인 개수(s)는 총 데이터 라인 개수(m)와 동일하다. In this case, the total number of sensing lines (s) is equal to the total number of data lines (m).
도 8을 참조하면, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s)은 2개 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. 즉, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 은 2개의 서브픽셀 열에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 8, one of the s sensing
예를 들어, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s)은 4개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수 있다. For example, the s sensing
가령, 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀 및 흰색 서브픽셀이 하나의 픽셀을 구성하는 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열 및 흰색 서브픽셀 열), 즉, 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수 있다. For example, when a red subpixel, a green subpixel, a blue subpixel, and a white subpixel constitute one pixel, as shown in FIG. 8, the s sensing
이 경우, 총 센싱 라인 개수(s)는 총 데이터 라인 개수(m)의 1/4이 된다. In this case, the total number of sensing lines (s) is 1/4 of the total number of data lines (m).
도 7에서와 같이 1개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치되는 경우, 센싱부(310)는, 하나의 서브픽셀 행에 포함된 모든 서브픽셀에 대하여 동시에 센싱할 수 있다. As shown in FIG. 7, when one sensing line is arranged per one subpixel column, the
즉, 센싱부(310)는, 패널 센싱 구간 동안, 다수의 서브픽셀 행 각각에 대하여, 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 각각의 전압을 센싱하여 해당 서브픽셀 행에 포함되고 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 각각에 전기적으로 연결된 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성하여 출력한다. 여기서, 패널 센싱 구간이란, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀에 대한 센싱을 진행하는 구간을 의미한다. That is, the
이에 따라, 하나의 서브픽셀 행을 센싱하는 속도가 빨라져 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀을 센싱하는 속도도 그 만큼 빨리질 수 있다. As a result, the speed of sensing one subpixel row is increased, and the speed of sensing all the subpixels arranged in the organic light emitting
하지만, 이 경우, 총 센싱 라인 개수가 많아져 유기발광표시패널(110)의 개구율이 감소할 수 있다. However, in this case, the total number of sensing lines increases, so that the aperture ratio of the organic light emitting
도 8에 도시된 바와 같이, 4개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치되는 경우, 센싱부(310)는, 하나의 서브픽셀 행에 포함된 모든 서브픽셀에 대하여 동시에 센싱할 수는 없다. As shown in FIG. 8, when one sensing line is arranged for every four subpixel rows, the
예를 들어, 센싱부(310)는, 패널 센싱 구간 동안, 다수의 서브픽셀 행 각각에 대하여, 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 각각의 전압을 센싱하여 해당 서브픽셀 행에 포함되고 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 각각에 전기적으로 연결된 서브픽셀들 중 동일 색상의 빛을 발광하는 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성하여 출력할 수 있다. For example, the
이에 따라, 하나의 서브픽셀 행에서, 1개의 센싱 라인과 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 1개의 서브픽셀만 센싱할 수 있기 때문에, 하나의 서브픽셀 행에 포함된 모든 서브픽셀을 센싱하기 위해서는 4차례의 센싱 구동이 필요하다. Accordingly, in one subpixel row, only one subpixel among four subpixels (R, W, G, B) connected to one sensing line can be sensed, so that all In order to sense subpixels, four sensing operations are required.
따라서, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀을 센싱하는데 걸리는 시간은 도 7의 경우에 비해 4배 더 걸린다. Therefore, the time required to sense all the sub-pixels arranged in the organic light emitting
하지만, 도 8에서와 같이, 4개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치되는 경우, 총 센싱 라인 개수(s)는, m/4이 되어, 도 7의 경우에 비해 1/4로 줄어든다. However, as shown in FIG. 8, when one sensing line is arranged for every four sub-pixel columns, the total number of sensing lines s becomes m / 4, which is reduced to 1/4 of the case of FIG.
이러한 총 센싱 라인 개수의 감소로 인해, 유기발광표시패널(110)의 개구율이 높아질 수 있는 장점이 있다.The reduction of the total number of sensing lines has the advantage that the aperture ratio of the
한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서의 패널 센싱 구동 시, 메인 메모리(320)에 저장되는 센싱 데이터가 계속해서 저장되는 동안, 메인 메모리(320)에 공급되는 메모리 전원에 이상이 있는 경우, 메인 메모리(320)에 잘못된 센싱 데이터가 저장되고, 이에 따라, 잘못된 센싱 데이터에 의한 잘못된 보상 데이터가 만들어져 서브픽셀에 대한 보상이 잘못될 수 있다. 이는 화질 저하로 이어져 심각한 품질 저하를 발생시킬 수 있다. While the sensing data stored in the
이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 패널 센싱 구동 시, 메인 메모리(320)에 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링하고, 메모리 전원에 이상이 있는 경우, 이에 대한 적절한 조치를 해줌으로써, 메인 메모리(320)에 잘못된 센싱 데이터가 저장되는 것을 방지해주고, 이를 통해, 궁극적으로는, 화질 저하를 방지해줄 수 있는 센싱 및 보상 오동작 방지 기능을 제공할 수 있다. Accordingly, the
아래에서는, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지 기능을 더욱 상세하게 설명한다. 단, s개의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s, s≥2)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 서브픽셀 열 방향(데이터 라인의 배치 방향과 대응)으로 배치되되, 4개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치되는 경우를 예로 들어 설명한다. Hereinafter, the sensing and compensating malfunction prevention function of the organic light emitting
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 시스템을 나타낸 도면이다. 9 is a diagram illustrating a sensing and compensation system of the
도 9을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 시스템은, 센싱부(310), 메인 메모리(320), 보상부(330), 센싱 구동 제어부(900) 등을 포함할 수 있다. 9, the sensing and compensation system of the
센싱 구동 제어부(900)는, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀의 특성치(예: 구동 트랜지스터의 문턱전압 또는 이동도, 유기발광다이오드의 문턱전압 등)를 센싱하는 패널 센싱을 전체적으로 제어한다. The sensing
이러한 패널 센싱은, 파워 오프 신호가 발생한 이후 진행되는 오프-센싱(Off-Sensing) 일 수 있으며, 경우에 따라서, 파워 오프 신호가 발생하기 이전에 화상 구동 중에 진행되거나 화상 구동 구간 사이마다 진행되는 온-센싱(On-Sensing) 일 수 있다. Such panel sensing may be an off-sensing operation that occurs after a power-off signal has been generated. Depending on the case, the panel sensing may be performed during image driving before the power-off signal is generated, - < / RTI > sensing (On-Sensing).
센싱 구동 제어부(900)는, 패널 센싱 구간 동안, 정해진 센싱 구동 절차에 따라, 각 서브픽셀 행(또는 각 서브픽셀 열)별로 해당 서브픽셀을 구동하여, 즉, 해당 서브픽셀 내 회로에서 주요 노드(예: N1, N2 등)의 전압 상태를 제어하여, 해당 서브픽셀의 특성치가 해당 센싱 라인의 전압에 반영될 수 있도록 해준다. The sensing
센싱부(310)는, 패널 센싱 구간 동안, 센싱 구동 제어부(900)의 센싱 구동 제어를 통해(즉, 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동을 통해) 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s) 각각의 전압이 해당 서브픽셀의 특성치를 반영하는 상태가 되면, 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s) 각각의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하여 출력할 수 있다. The
센싱부(310)는 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s)과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. The
아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 전기적으로 연결된 적어도 하나의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 형태의 센싱값으로 변환하며, 디지털 형태로 변환된 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력할 수 있다. The analog-to-digital converter (ADC) senses the voltage of each electrically connected at least one sensing line, converts the sensed voltage into a sensing value in digital form, generates sensing data including sensing values converted into digital form And output it.
이러한 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함되거나 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있다. Such analog-to-digital converters (ADCs) may be external to the source driver integrated circuit (SDIC) or may be included within the source driver integrated circuit (SDIC).
예를 들어, 1개의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 1개의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 포함되는 경우, 1개의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 연결되는 데이터 라인의 개수에 따라, 1개의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 연결되는 센싱 라인의 개수가 정해질 수 있다. For example, when one source driver IC (SDIC) includes one analog digital converter (ADC), depending on the number of data lines connected to one source driver IC (SDIC), one analog digital The number of sensing lines connected to the converter (ADC) can be determined.
구체적인 예로서, 데이터 라인 개수가 1920개이고, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 개수가 10개이며, 4개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치된 경우, 1개의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 192(=1920/10)개의 데이터 라인과 연결되고, 1개의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 포함된 1개의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 48(=192/4)개의 센싱 라인과 연결될 수 있다. As a concrete example, in the case where the number of data lines is 1920, the number of source driver integrated circuits (SDIC) is 10, and one sensing line is arranged for every four subpixel rows, one source driver integrated circuit (SDIC) One analog digital converter (ADC) connected to 192 (= 1920/10) data lines and one source driver integrated circuit (SDIC) can be connected to 48 (= 192/4) sensing lines.
전술한 바와 같이, 센싱부(310)를 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함하여 구현함으로써, 서브픽셀 특성치를 디지털 레벨에서 정확하고 파악하고 보상해줄 수 있다. As described above, by implementing the
또한, 센싱부(310)를 구현하는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 각각을 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 포함시켜 구성함으로써, 부품 개수를 줄일 수 있어 시스템 배치 설계에도 도움을 줄 수 있다. In addition, each of the at least one analog-to-digital converter (ADC) implementing the
도 9를 참조하면, 패널 센싱 구간 동안, 센싱부(310)에서 센싱 데이터가 출력될 때마다, 출력된 센싱 데이터는 메인 메모리(320)에 저장된다. Referring to FIG. 9, every time the sensing data is output from the
메인 메모리(320)는 전원 공급부(910)로부터 공급되는 메모리 전원에 의해 저장 동작을 수행할 수 있다. The
도 9를 참조하면, 보상부(330)는, 메인 메모리(320)에 저장된 서브픽셀 별 센싱 값을 포함하는 센싱 데이터를 토대로 서브픽셀 별 보상값을 연산할 수 있다. Referring to FIG. 9, the
보상부(330)는 연산된 보상값을 이용하여 해당 서브픽셀에 대한 영상 데이터를 변경할 수 있다. The
이러한 변경된 영상 데이터가 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에서 데이터 전압으로 변환되어 해당 서브픽셀로 공급됨으로써, 서브픽셀 특성치가 보상되게 된다. The changed image data is converted into a data voltage in the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) and supplied to the corresponding subpixel, so that the subpixel characteristic value is compensated.
한편, 패널 센싱 구간 동안 메인 메모리(320)가 센싱 데이터를 저장할 때, 메인 메모리(320)에 공급되는 메모리 전원에 이상이 발생하는 경우, 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터에 오류가 발생할 수 있다. Meanwhile, when the
이러한 센싱 데이터의 오류는 보상값의 오류로 이어지고, 궁극적으로는, 서브픽셀 특성치가 잘못 보상이 되어, 화질을 떨어뜨리는 문제를 초래할 수 있다. This error in the sensing data leads to an error in the compensation value, and ultimately, the subpixel characteristic value may be erroneously compensated, resulting in a problem of deteriorating the image quality.
따라서, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링하고 그 결과에 따른 센싱 데이터의 오류를 방지하는 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템을 포함할 수 있다. Accordingly, the organic light emitting
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에 포함된 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템을 나타낸 도면이고, 도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 메모리 전원 이상 유무 모니터링 방법을 설명하기 위한 도면이다.10 is a diagram illustrating a sensing and compensation malfunction prevention system included in the
도 10을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템은, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원을 이용하여, 센싱부(310)에서 출력되는 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리(320)와, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 하는 메모리 전원 모니터링부(1000)와, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원 모니터링부(1000)의 모니터링 결과에 따라 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력하는 오동작 방지부(1020) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 10, the sensing and compensation malfunction prevention system of the
전술한 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템은, 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링하고 모니터링 결과에 따라 패널 센싱 동작을 제어함으로써, 메모리 전원의 이상에 따른 센싱 데이터의 오류를 방지할 수 있다. 이에 따라, 서브픽셀에 대한 보상값이 잘못 연산되는 것을 방지해줄 수 있고, 궁극적으로는, 서브픽셀 특성치가 잘못 보상되는 것을 방지하여 화질 개선에 도움을 줄 수 있다. The sensing and compensation malfunction prevention system described above can prevent errors in sensing data due to abnormality of the memory power by monitoring the abnormality of the memory power source and controlling the panel sensing operation according to the monitoring result. Accordingly, the compensation value for the subpixel can be prevented from being erroneously calculated, and ultimately, the subpixel characteristic value can be prevented from being erroneously compensated, thereby helping to improve the image quality.
도 11을 참조하면, 메모리 전원 모니터링부(1000)는, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 전압을 모니터링 하고, 모니터링 된 전압이 미리 정해진 정상 범위를 벗어나면, 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단할 수 있다. Referring to FIG. 11, the memory
이러한 메모리 전원 모니터링부(1000)는 메인 메모리(320)에서 메모리 전원이 인가되는 지점과 전기적으로 연결될 수 있다. The memory
이러한 메모리 전원 모니터링부(1000)는 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함할 수 있다. The memory
위에서 언급한 정상 범위는 미리 설정된 하한치(MIN) 이상 상한치(MAX) 이하의 전압 범위 또는 전압에 대한 디지털 값 범위일 수 있다.The above-mentioned normal range may be a voltage range that is equal to or lower than a predetermined lower limit value (MIN), or a digital value range for the voltage.
즉, 메모리 전원 모니터링부(1000)는 모니터링 된 전압 또는 그 디지털 값이 하한치(MIN) 미만이거나 상한치(MAX) 초과인 경우, 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단할 수 있다. That is, the memory
전술한 메모리 전원 모니터링부(1000)를 이용하면, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 정확하게 모니터링 할 수 있다. When the memory
도 10을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에 포함된 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템은, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)에 저장된 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 데이터를 백업하는 백업 메모리(1010)를 더 포함할 수 있다. 10, the sensing and compensation malfunction prevention system included in the
전술한 바와 같이, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)에 센싱 데이터가 저장될 때마다, 동일한 센싱 데이터가 백업 메모리(1010)에 저장된다. As described above, the same sensing data is stored in the
따라서, 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 저장된 센싱 데이터 간의 비교를 통해, 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터의 오류를 찾아낼 수 있고, 필요한 경우, 백업 메모리(1010)에 저장된 센싱 데이터를 보상값 연산에 이용할 수도 있을 것이다. The sensing data stored in the
센싱 및 보상 관련 오동작 방지를 위하여, 백업된 센싱 데이터를 이용하는 방식에 대하여 설명하면, 오동작 방지부(1020)는, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원 모니터링부(1000)에 의한 모니터링 결과 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상 판단 시점 이전에, 메인 메모리(320)에 저장되었던 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 백업(저장)되었던 센싱 데이터를 서로 대응시켜 일치 여부를 판단한다. The
오동작 방지부(1020)는, 일치 여부의 판단 결과, 불일치한 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상에 의해 센싱 데이터의 오류가 발생한 것으로 간주하여, 정상적인 센싱 데이터를 다시 얻기 위한 제어 처리를 수행할 수 있다.If it is determined that there is an inconsistency as a result of the coincidence determination, the
일 예로, 오동작 방지부(1020)는, 백업 메모리(1010)에 백업되었던 센싱 데이터와 불일치한 메인 메모리(320)에 저장되었던 센싱 데이터에 해당하는 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 하는 센싱 재 진행 제어 신호를 패널 센싱 동작 제어 신호로서 센싱 구동 제어부(900)로 출력할 수 있다. For example, the erroneous
오동작 방지부(1020)는, 패널 센싱 구간 동안, 일치 여부의 판단 결과, 일치한 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상이 있더라도 메모리 전원 이상에 의해 센싱 데이터의 오류가 발생하지 않은 것으로 판단하여, 진행되고 있던 센싱 구동이 정해진 센싱 구동 절차에 따라 계속되도록 제어할 수 있다. If it is determined as a result of the coincidence determination during the panel sensing period, the
전술한 바에 따르면, 메모리 전원 이상이 모니터링 된 상황에서 센싱 데이터의 오류(즉, 2개의 메모리(320, 1010)에 저장된 센싱 데이터 간의 불일치)가 발생한 것으로 확인되면, 오류가 발생한 센싱 데이터에 해당하는 서브픽셀을 다시 센싱 구동하여 센싱 데이터를 다시 얻도록 제어함으로써, 정상적인 센싱 데이터를 얻을 수 있게 해줄 수 있다. 이에 따라, 정상적인 보상값 연산을 가능하게 하고, 결과적으로 화상 품질을 개선시켜줄 수 있다. If it is determined that an error in the sensing data (that is, a discrepancy between the sensing data stored in the two
한편, 오동작 방지부(1020)는, 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 백업된 센싱 데이터가 불일치한 경우가 정해진 횟수(N회, N은 1 이상의 자연수) 이상 연속적으로 발생하면, 재 센싱 구동(Re-Sensing Driving)을 통해서는 현재의 문제 상황이 해결되지 않는다고 판단하여 재 센싱 구동 이외의 대응 프로세스를 진행하게 된다.On the other hand, the
예를 들어, 오동작 방지부(1020)는 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 백업된 센싱 데이터가 불일치한 경우가 정해진 횟수(N회, N은 1 이상의 자연수) 이상 연속적으로 발생하면, 패널 센싱 비정상 상태 알림 신호를 패널 센싱 동작 제어 신호로서 전원 제어부(1030)로 출력할 수 있다. For example, the erroneous
오동작 방지부(1020)에서 패널 센싱 비정상 상태 알림 신호가 출력된 이후, 전원 제어부(1030)는 유기발광표시장치(100)의 전원 오프 처리를 한다. After the
유기발광표시장치(100)의 전원 오프에 따라 전원 공급부(910) 및 메인 메모리(320)가 리셋(Reset)될 수 있다. The
전술한 바와 같이, 재 센싱 구동을 통해서도 메모리 전원 이상과 이에 따른 센싱 데이터 오류가 발생하는 상황이 해결되지 않는 경우, 전원 오프 처리를 통해 전원 공급부(910) 및 메인 메모리(320)를 리셋시킴으로써, 전원을 다시 켰을 때 메인 메모리(320)는 정상적인 메모리 전원을 공급받을 수 있고, 메인 메모리(320)에도 정상적인 센싱 데이터가 저장되도록 해줄 수 있다. As described above, when the memory power failure and the sensing data error due to the memory power failure can not be solved through the re-sensing driving, the
한편, 전원 오프 처리가 된 이후, 전원 온 신호가 발생하면, 보상부(330)는, 전원 오프 처리가 되기 직전의 패널 센싱 구간 이전에, 정상적인 패널 센싱 구동에 의해 메인 메모리(320) 또는 다른 저장장치(미도시) 또는 백업 메모리(1010)에 저장되어 있던 센싱 데이터를 이용하여, 해당 서브픽셀에 대한 특성치를 보상할 수 있다. On the other hand, if a power-on signal is generated after power-off processing has been performed, the compensating
전술한 바에 따르면, 본 실시예들에 따른 센싱 및 보상 오동작 방지 프로세스에 의해 패널 센싱 구동 동작을 정상적으로 완료하지 못하여 유기발광표시패널(110) 상의 모든 서브픽셀에 대하여 센싱 데이터를 완전하게 얻지 못했더라도, 이전에 정상적으로 얻었던 센싱 데이터를 정상적인 화상 구동을 가능하게 할 수 있다. Even if the sensing data can not be completely obtained for all the subpixels on the organic light emitting
한편, 백업 메모리(1010)는 일정 개수의 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 백업할 수 있다. Meanwhile, the
이에 따라, 메모리 전원 모니터링부(1000)는, 일정 개수(예: 10개)의 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동 시간마다 메모리 전원 이상 유무를 모니터링 할 수 있다. Accordingly, the memory
이 경우, 오동작 방지부(1020)는, 일정 개수의 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에 대하여 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 저장된 센싱 데이터를 비교하여 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력할 수 있다. In this case, the
전술한 바에 따르면, 백업 메모리(1010)의 용량을 상당히 줄일 수 있고, 메모리 전원 모니터링부(1000)의 메모리 전원 모니터링 횟수(메모리 전원 모니터링 처리 부하)를 상당히 줄일 수 있다. 또한, 오동작 방지부(1020)의 센싱 데이터 비교 처리 부하도 상당히 줄일 수 있다. According to the above description, the capacity of the
전술한 메모리 전원 모니터링부(1000), 오동작 방지부(1020), 센싱 구동부(900) 등은 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있지만, 경우에 따라서, 메모리 전원 모니터링부(1000), 오동작 방지부(1020), 센싱 구동부(900) 등 중 적어도 하나는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있다. The memory
전술한 전원 제어부(1030)는 컨트롤러(140)의 내부 또는 외부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서, 전원 컨트롤러의 내부에 포함되거나, 별도의 전원 제어 장치로 구현될 수도 있다. The
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법에 대한 개략적인 흐름도이고, 도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법에 대한 구체적인 흐름도이다. 단, 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 및 보상 오동작 방지 관점에서 예시적으로 설명한다. FIG. 12 is a schematic flowchart of a driving method for preventing sensing and compensating malfunction of the organic
도 12를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법은, 센싱 데이터 생성 단계(S1210), 센싱 데이터 저장 단계(S1220), 센싱 데이터 오류 방지 단계(S1240) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12, a driving method for sensing and compensating malfunction of the organic
센싱 데이터 생성 단계(S1210)에서, 센싱 구동 제어부(900)는 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동이 이루어지도록 제어한다. 센싱 구동이 진행되어 원하는 센싱 조건(예: 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 포화 상태)이 되었을 때, 센싱부(310)는 제1 서브픽셀과 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하여 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 생성한다. In the sensing data generation step S1210, the sensing
센싱 데이터 저장 단계(S1220)에서, 센싱부(310)는 생성한 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 출력하여 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 메인 메모리(320)에 저장한다. In the sensed data storage step S1220, the
메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 이용하여 Using the sensing data for the first subpixel stored in the
센싱 데이터 오류 방지 단계(S1240)에서, 오동작 방지부(1020)는, 메모리 전원 모니터링부(1000)를 통해 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 한 결과에 따라, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 제어한다. In the sensing data error preventing step S1240, the
전술한 바에 따르면, 메모리 전원 이상이 모니터링 된 경우, 해당 제1 서브픽셀이 다시 센싱 구동되어 제1 서브픽셀에 대한 정상적인 센싱 데이터를 얻을 수 있도록 해줄 수 있다. 이에 따라, 제1 서브픽셀에 대한 특성치의 정상적인 보상값 연산을 가능하게 하고, 결과적으로 화상 품질을 개선시켜줄 수 있다.According to the above description, when the memory power abnormality is monitored, the first sub-pixel may be sensed and driven again to obtain normal sensing data for the first sub-pixel. Thus, it is possible to calculate the normal compensation value of the characteristic value for the first subpixel, and consequently to improve the image quality.
한편, 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 모니터링 된 경우, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터는 정상적일 수 있다. 또한, 메모리 전원 이상 현상 또한 일시적인 현상일 수도 있다. On the other hand, if the memory power is monitored as being abnormal, the sensing data for the first subpixel may be normal. In addition, a memory power abnormality phenomenon may also be a temporary phenomenon.
따라서, 메모리 전원 이상이 발생하였더라도 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동을 바로 진행하는 것이 아니라, 메모리 전원 이상에 따라 제1 센싱 데이터에 이상이 있는지를 확인해보고 대응하는 것이 필요할 수 있다. Therefore, it may be necessary to check whether the first sensing data is abnormal according to the memory power abnormality, instead of immediately proceeding to re-sensing the first subpixel even if a memory power failure occurs.
아래에서는, 이러한 관점에서 더욱 상세한 방법을 설명한다. Hereinafter, a more detailed method will be described from this point of view.
도 12를 참조하면, 센싱 데이터 저장 단계(S1220) 이후, 백업 메모리(1010)가 메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 백업하는 센싱 데이터 백업 단계(S1230)가 더 진행될 수 있다. 12, after the sensing data storage step S1220, the sensing data backup step S1230 for backing up the sensing data of the first subpixel stored in the
도 13을 참조하면, 센싱 데이터 오류 방지 단계(S1240)는, 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 판단하는 단계(S1310)와, 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상 판단 시점 이전에, 메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터가 백업 메모리(1010)에 백업된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터와 일치하는지를 판단하는 단계(S1320)와, 불일치하는 것으로 판단되면, 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동(Re-Sensing Driving)이 다시 진행되도록 제어하는 단계(S1360) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 13, the sensing data error prevention step S1240 includes a step S1310 of determining whether there is an abnormality in the memory power supplied to the
도 13을 참조하면, 메모리 전원의 이상 유무를 판단하는 단계(S1310)에서 메모리 전원에 이상이 없는 것으로 판단된 경우, 센싱 구동 제어부(900)는, 유기발광표시패널(110)에서의 모든 서브픽셀에 대한 센싱이 완료되었는지를 판단한다(S1330).13, when it is determined that there is no abnormality in the memory power source in the step S1310 of determining whether there is an abnormality in the memory power source, the sensing
센싱 완료가 된 것으로 판단된 경우, 보상부(330)는 메인 메모리(320)에 저장된 모든 센싱 데이터를 이용하여 모든 서브픽셀에 대한 보상값을 연산하는 보상 프로세스를 진행할 수 있다(1340).If it is determined that the sensing is completed, the
센싱 완료가 되지 않는 것으로 판단된 경우, 센싱 구동 제어부(900)는, 정해진 센싱 절차에 따라 다음 순서의 서브픽셀 행 또는 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 진행하고, 센싱부(310)는 진행된 센싱 구동에 따른 해당 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성한다(S1210).If it is determined that the sensing is not completed, the sensing
한편, S1320 단계에서, 메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터가 백업 메모리(1010)에 백업된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터와 일치하는지를 판단한 결과, 일치하는 경우, 센싱 구동 제어부(900)는, 유기발광표시패널(110)에서의 모든 서브픽셀에 대한 센싱이 완료되었는지를 판단한다(S1330).On the other hand, if it is determined in step S1320 that the sensing data for the first subpixel stored in the
센싱 완료가 된 것으로 판단된 경우, 보상부(330)는 메인 메모리(320)에 저장된 모든 센싱 데이터를 이용하여 모든 서브픽셀에 대한 보상값을 연산하는 보상 프로세스를 진행할 수 있다(1340).If it is determined that the sensing is completed, the
센싱 완료가 되지 않는 것으로 판단된 경우, 센싱 구동 제어부(900)는, 정해진 센싱 절차에 따라 다음 순서의 서브픽셀 행 또는 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 진행하고, 센싱부(310)는 진행된 센싱 구동에 따른 해당 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성한다(S1210).If it is determined that the sensing is not completed, the sensing
한편, S1320 단계에서, 메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터가 백업 메모리(1010)에 백업된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터와 일치하는지를 판단한 결과, 불일치하는 경우, 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT, 초기값=0)을 1만큼 증가시키고(S1350), 1만큼 증가된 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)이 미리 정해진 N 값 이상인지를 판단한다(S1360). On the other hand, if it is determined in step S1320 that the sensing data for the first subpixel stored in the
S1360 단계에서의 판단 결과, 1만큼 증가된 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)이 미리 정해진 N 값 이상이 아닌 것으로 판단된 경우, 오동작 방지부(1020)는 센싱 재 진행 제어 신호를 센싱 구동 제어부(900)로 출력한다(S1370). If it is determined in step S1360 that the number of consecutive re-sensing driving times (RESEN_COUNT) increased by 1 is not equal to or greater than the predetermined N value, the
이에 따라, 센싱 구동 제어부(900)는, 정해진 센싱 절차에 따라 다음 순서의 서브픽셀 행 또는 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 진행하고, 센싱부(310)는 진행된 센싱 구동에 따른 해당 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성한다(S1210).Accordingly, the sensing
S1360 단계에서의 판단 결과, 1만큼 증가된 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)이 미리 정해진 N 값 이상인 것으로 판단된 경우, 즉, 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동이 N회 이상 연속적으로 반복적으로 진행되는 경우, 전원 오프 처리가 진행될 수 있다(S1380).If it is determined in step S1360 that the number of consecutive re-sensing driving times (RESEN_COUNT) increased by 1 is equal to or greater than the predetermined N value, that is, if the re-sensing operation for the first sub- If the process proceeds, the power-off process may proceed (S1380).
여기서, 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)은 어떠한 서브픽셀 행에서 동일한 서브픽셀에 대하여 센싱 구동이 연속적으로 반복되는 횟수를 나타내는 값이다. Herein, the continuous re-sensing drive count value (RESEN_COUNT) is a value indicating the number of times the sensing drive is continuously repeated for the same sub-pixel in any sub-pixel row.
따라서, 센싱 구동이 다시 진행되었더라도, 재 센싱 구동 이후, 메모리 전원에 이상이 없거나 센싱 데이터 오류가 없다고 판단된 경우, 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)은 초기값(0)으로 초기화된다(S1325).Therefore, even if the sensing operation is resumed, if the memory power is not abnormal or there is no sensing data error after the sensing operation, the continuous resensening driving count value RESEN_COUNT is initialized to the initial value 0 (S1325) .
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터의 오류를 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments as described above, it is possible to prevent the error of the sensing data with respect to the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement.
본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 및 보상 오동작을 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments, it is possible to prevent the sensing and compensating malfunctions of the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement.
본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리의 전원 이상에 의한 센싱 및 보상 오동작을 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to prevent sensing and compensating malfunction due to power supply anomaly in the main memory storing sensing data for the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement have.
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 컨트롤러100: organic light emitting display
110: organic light emitting display panel
120: Data driver
130: gate driver
140: controller
Claims (15)
패널 센싱 구간 동안, 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동을 통해 둘 이상의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 센싱부;
상기 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원을 이용하여, 상기 센싱부에서 출력되는 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리;
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메인 메모리로 공급되는 상기 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 하는 메모리 전원 모니터링부; 및
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메모리 전원 모니터링부의 모니터링 결과에 따라 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력하는 오동작 방지부를 포함하는 유기발광표시장치. An organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels are arranged in a matrix type and two or more sensing lines are arranged;
A sensing unit for sensing voltage of each of two or more sensing lines through a sensing drive for each subpixel row to generate and output sensing data during a panel sensing period;
A main memory for storing sensing data output from the sensing unit using the memory power during the panel sensing period;
A memory power monitoring unit for monitoring an abnormality of the memory power supplied to the main memory during the panel sensing period; And
And a malfunction prevention unit for outputting a panel sensing operation control signal according to a monitoring result of the memory power monitoring unit during the panel sensing period.
상기 둘 이상의 센싱 라인 각각은,
1개의 서브픽셀 열에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결되거나,
2개 이상의 서브픽셀 열에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결되는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
Wherein each of the two or more sensing lines comprises:
And is electrically connected to the subpixels included in one subpixel column,
And is electrically connected to subpixels included in two or more subpixel columns.
상기 둘 이상의 센싱 라인 각각이 1개의 서브픽셀에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결된 경우, 상기 센싱부는,
상기 패널 센싱 구간 동안, 다수의 서브픽셀 행 각각에 대하여, 상기 둘 이상의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하여 해당 서브픽셀 행에 포함되고 상기 둘 이상의 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결된 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성하여 출력하고,
상기 둘 이상의 센싱 라인 각각이 2개 이상의 서브픽셀에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결된 경우, 상기 센싱부는,
상기 패널 센싱 구간 동안, 다수의 서브픽셀 행 각각에 대하여, 상기 둘 이상의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하여 해당 서브픽셀 행에 포함되고 상기 둘 이상의 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결된 서브픽셀들 중 동일 색상의 빛을 발광하는 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 유기발광표시장치. 3. The method of claim 2,
When each of the two or more sensing lines is electrically connected to subpixels included in one subpixel,
Sensing the voltage of each of the two or more sensing lines for each of a plurality of subpixel rows during the panel sensing period to generate sensing data for subpixels included in the corresponding subpixel row and electrically connected to each of the two or more sensing lines And outputs it,
When each of the two or more sensing lines is electrically connected to subpixels included in two or more subpixels,
A plurality of sensing lines for sensing a voltage of each of the two or more sensing lines for each of a plurality of subpixel rows during the panel sensing period and selecting one of subpixels electrically connected to the two or more sensing lines, And generating and outputting sensing data for the subpixels emitting light.
상기 센싱부는,
상기 둘 이상의 센싱 라인과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(Analog to Digital Converter)를 포함하되
상기 아날로그 디지털 컨버터는,
전기적으로 연결된 적어도 하나의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 센싱값으로 변환하며, 변환된 디지털 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 유기발광표시장치.The method according to claim 1,
The sensing unit includes:
At least one analog to digital converter electrically connected to the two or more sensing lines,
The analog-to-
Sensing the voltage of each of at least one sensing line electrically connected, converting the sensed voltage into a digital sensing value, and generating and outputting sensing data including the converted digital sensing value.
상기 메모리 전원 모니터링부는,
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메인 메모리로 공급되는 상기 메모리 전원의 전압을 모니터링 하고, 모니터링 된 전압이 미리 정해진 정상 범위를 벗어나면, 상기 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
Wherein the memory power monitoring unit comprises:
Monitors the voltage of the memory power supplied to the main memory during the panel sensing period and determines that the memory power is abnormal when the monitored voltage is out of a predetermined normal range.
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메인 메모리에 저장된 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 데이터를 백업하는 백업 메모리를 더 포함하는 유기발광표시장치. The method according to claim 1,
And a back-up memory for backing up sensing data for each sub-pixel row stored in the main memory during the panel sensing period.
상기 백업 메모리는 일정 개수의 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 백업하는 유기발광표시장치. The method according to claim 6,
Wherein the backup memory backs up sensing data for subpixels included in a certain number of subpixel rows.
상기 메모리 전원 모니터링부는,
상기 일정 개수의 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동 시간마다 메모리 전원 이상 유무를 모니터링하고,
상기 오동작 방지부는,
상기 일정 개수의 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에 대하여 상기 메인 메모리에 저장된 센싱 데이터와 상기 백업 메모리에 저장된 센싱 데이터를 비교하여 상기 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력하는 유기발광표시장치.8. The method of claim 7,
Wherein the memory power monitoring unit comprises:
Monitors the presence or absence of a memory power source for each sensing driving time of the predetermined number of subpixel rows,
The malfunction-
And compares the sensing data stored in the main memory with the sensing data stored in the backup memory for the subpixels included in the predetermined number of subpixel rows and outputs the panel sensing operation control signal.
상기 오동작 방지부는,
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메모리 전원 모니터링부에 의한 모니터링 결과 상기 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단된 경우,
메모리 전원 이상 판단 시점 이전에, 상기 메인 메모리에 저장되었던 센싱 데이터와 상기 백업 메모리에 백업되었던 센싱 데이터를 서로 대응시켜 일치 여부를 판단하고,
판단 결과, 불일치한 것으로 판단된 경우, 상기 백업 메모리에 백업된 센싱 데이터와 불일치한 상기 메인 메모리에 저장되었던 센싱 데이터에 해당하는 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 하는 센싱 재 진행 제어 신호를 상기 패널 센싱 동작 제어 신호로서 출력하는 유기발광표시장치. The method according to claim 6,
The malfunction-
If it is determined that the memory power source is abnormal due to monitoring by the memory power monitoring unit during the panel sensing period,
Wherein the sensing data stored in the main memory and the sensing data backed up in the backup memory are compared with each other to determine whether or not the memory data is coincident with each other,
As a result of the determination, if it is determined that there is an inconsistency, a sensing replay progress control signal for causing the sensing drive for the subpixel row corresponding to the sensing data stored in the main memory to be inconsistent with the sensing data backed up in the backup memory, And outputs the panel sensing operation control signal as the panel sensing operation control signal.
상기 오동작 방지부는,
상기 메인 메모리에 저장된 센싱 데이터와 상기 백업 메모리에 백업된 센싱 데이터가 불일치한 경우가 정해진 횟수 이상 연속적으로 발생하면,
패널 센싱 비정상 상태 알림 신호를 상기 패널 센싱 동작 제어 신호로서 출력하는 유기발광표시장치. 8. The method of claim 7,
The malfunction-
When the sensing data stored in the main memory and the sensing data backed up in the backup memory are continuously inconsistent for a predetermined number of times or more,
And outputs a panel sensing abnormal state notification signal as the panel sensing operation control signal.
상기 패널 센싱 비정상 상태 알림 신호를 출력한 이후, 전원 오프 처리가 되는 유기발광표시장치. 11. The method of claim 10,
And the power-off process is performed after the panel sensing abnormal condition notification signal is output.
상기 전원 오프 처리가 된 이후, 전원 온 신호가 발생하면, 상기 패널 센싱 구간 이전에 상기 메인 메모리에 저장되었던 센싱 데이터를 이용하여, 해당 서브픽셀에 대한 특성치를 보상하는 보상부를 더 포함하는 유기발광표시장치. 12. The method of claim 11,
And a compensation unit for compensating a characteristic value of the corresponding subpixel using the sensing data stored in the main memory before the panel sensing period when the power-on signal is generated after the power- Device.
제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 통해 상기 제1 서브픽셀과 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하여 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 생성하는 센싱 데이터 생성 단계;
상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 메인 메모리에 저장하는 센싱 데이터 저장 단계; 및
상기 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 한 결과에 따라, 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 제어하는 센싱 데이터 오류 방지 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법. A driving method of an organic light emitting display device,
A sensing data generation step of sensing a voltage of a sensing line connected to the first sub pixel through sensing driving for a first sub pixel to generate sensing data for the first sub pixel;
Storing sensing data for the first sub-pixel in a main memory; And
And a sensing data error prevention step of controlling the sensing operation of the first sub-pixel to proceed again according to a result of monitoring an abnormality of the memory power supplied to the main memory.
상기 센싱 데이터 저장 단계 이후,
상기 메인 메모리에 저장된 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 백업 메모리에 백업하는 센싱 데이터 백업 단계를 더 포함하고,
상기 센싱 데이터 오류 방지 단계는,
상기 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 판단하는 단계;
상기 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상 판단 시점 이전에, 상기 메인 메모리에 저장된 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터가 상기 백업 메모리에 백업된 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터와 일치하는지를 판단하는 단계; 및
불 일치하는 것으로 판단되면, 상기 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동이 다시 진행되도록 제어하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법. 14. The method of claim 13,
After storing the sensing data,
Further comprising a sensing data backup step of backing up the sensing data for the first subpixel stored in the main memory to a backup memory,
In the sensing data error prevention step,
Determining whether there is an abnormality in the memory power supplied to the main memory;
Wherein the sensing data for the first subpixel stored in the main memory is the sensing data for the first subpixel backed up in the backup memory before the time when the memory power source is determined to be abnormal, And determining whether or not the received data matches with the received data. And
And controlling the re-sensing driving for the first sub-pixel to proceed again if it is determined that the first sub-pixel is not coincident with the first sub-pixel.
상기 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동이 N회 이상 연속적으로 반복적으로 진행되는 경우 전원 오프 처리를 수행하는 전원 오프 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법. 14. The method of claim 13,
And a power-off step of performing a power-off process when the re-sensing operation for the first sub-pixel is repeatedly and continuously performed N times or more.
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