KR20170018152A - Organic light emitting display device and the method for driving the same - Google Patents

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Abstract

Embodiments of the present invention relate to an organic light emitting display device and a driving method thereof. The organic light emitting display device can eventually improve an image quality by monitoring an abnormality state of memory power supplied to a main memory in which sensing data are stored, and performing a sensing and compensating malfunction prevention function according to a monitoring result, thereby normally calculating compensation data by preventing an error of the sensing data.

Description

유기발광표시장치 및 그 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND THE METHOD FOR DRIVING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 실시예들은 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display and a driving method thereof.

최근, 유기발광표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. 2. Description of the Related Art [0002] In recent years, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been widely known as an organic light emitting display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, luminance, and viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)

이러한 유기발광표시장치의 각 서브픽셀은 유기발광다이오드와 이를 구동하는데 필요한 트랜지스터 등을 포함하여 구성될 수 있다. Each of the sub-pixels of the organic light emitting display may include an organic light emitting diode and a transistor necessary for driving the organic light emitting diode.

한편, 각 서브픽셀 내 트랜지스터, 유기발광다이오드 등의 회로 소자는 고유한 특성치를 갖는다. 가령, 트랜지스터는 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치를 갖고, 유기발광다이오드는 문턱전압 등의 고유한 특성치를 갖는다. On the other hand, circuit elements such as transistors and organic light emitting diodes in each sub-pixel have unique characteristic values. For example, the transistor has a characteristic value such as a threshold voltage and a mobility, and the organic light emitting diode has a characteristic value such as a threshold voltage.

이러한 각 서브픽셀 내 트랜지스터, 유기발광다이오드 등의 회로 소자는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치가 변할 수 있다. The circuit elements such as transistors and organic light emitting diodes in each sub-pixel may undergo degradation according to driving time, and unique characteristic values such as threshold voltage and mobility may be changed.

이러한 점들 때문에, 각 서브픽셀 내 회로 소자 간의 구동 시간의 차이에 따라, 회로 소자 간의 열화 정도의 차이가 발생하고, 회로 소자 간의 특성치 편차도 발생할 수 있다. Because of these points, there is a difference in degree of deterioration between circuit elements depending on the difference in driving time between the circuit elements in each sub-pixel, and a characteristic value deviation between the circuit elements may also occur.

이러한 회로 소자 간의 특성치 편차(서브픽셀 특성치 편차)는, 각 서브픽셀 간 휘도 편차를 야기하여 화질 저하를 발생시키는 주요 요인이 될 수 있다. Such a characteristic value deviation (sub-pixel characteristic value deviation) between the circuit elements may cause a luminance deviation between each sub-pixel, which may become a main factor causing image quality degradation.

이에, 서브픽셀 특성치 편차를 보상해주기 위한 다양한 기술이 개발되었다. Accordingly, various techniques have been developed to compensate for the deviation of sub-pixel characteristic values.

한편, 서브픽셀 특성치 편차를 보상해주기 위해서는, 서브픽셀 특성치를 센싱하는 과정이 반드시 필요하다. On the other hand, in order to compensate for the deviation of the sub-pixel characteristic values, a process of sensing the sub-pixel characteristic values is indispensable.

따라서, 서브픽셀 특성치 편차를 오류 없이 보상해주어 화상 품질을 개선하기 위해서는, 서브픽셀 특성치를 오류 없이 정확하게 센싱하는 것이 담보되어야만 한다. Therefore, in order to compensate the sub-pixel characteristic value deviation without error to improve the image quality, accurate detection of the sub-pixel characteristic value without error must be assured.

하지만, 현재, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 구동을 통해 얻어진 센싱 데이터의 오류가 발생하는 상황이 발생하고 있으며, 이를 해결하지 못하고 있는 실정이다. However, at present, an error occurs in the sensing data obtained through the sensing drive of the subpixel characteristic values, and this has not been solved.

본 실시예들의 목적은, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터의 오류를 방지하는 데 있다. The purpose of these embodiments is to prevent erroneous sensing data on sub-pixel property values.

본 실시예들의 다른 목적은, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 및 보상 오동작을 방지하는 데 있다. Another object of the present embodiments is to prevent the sensing and compensating malfunctions of the sub-pixel characteristic values.

본 실시예들의 또 다른 목적은, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리의 전원 이상에 의한 센싱 및 보상 오동작을 방지하는 데 있다.Yet another object of the present invention is to prevent sensing and compensating malfunctions due to power supply anomalies in the main memory storing sensing data for sub-pixel characteristic values.

일 실시예는, 센싱 데이터가 저장되는 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링하고 그 결과에 따른 센싱 및 보상 오동작 방지 기능을 수행할 수 있는 유기발광표시장치와 그 구동방법을 제공할 수 있다. One embodiment of the present invention provides an organic light emitting display device capable of monitoring an abnormality of a memory power supplied to a main memory in which sensing data is stored and performing a sensing and compensating malfunction prevention function according to a result of the monitoring, have.

다른 실시예는, 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배치되고, 둘 이상의 센싱 라인이 배치된 유기발광표시패널과, 패널 센싱 구간 동안, 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동을 통해 둘 이상의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 센싱부와, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원을 이용하여, 센싱부에서 출력되는 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리와, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 하는 메모리 전원 모니터링부와, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원 모니터링부의 모니터링 결과에 따라 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력하는 오동작 방지부를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. Another embodiment is an organic light emitting display device including an organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels are arranged in a matrix type and in which two or more sensing lines are arranged and a plurality of subpixels A main memory for storing sensing data output from the sensing unit using a memory power source during a panel sensing period, and a control unit for supplying sensing data to the main memory during a panel sensing period And a malfunction prevention unit for outputting a panel sensing operation control signal according to a monitoring result of the memory power monitoring unit during a panel sensing period.

또 다른 실시예는, 유기발광표시장치의 구동 방법에 있어서, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 통해 상기 제1 서브픽셀과 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하여 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 생성하는 센싱 데이터 생성 단계와, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 메인 메모리에 저장하는 센싱 데이터 저장 단계와, 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 한 결과에 따라, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 제어하는 센싱 데이터 오류 방지 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting display, comprising: sensing a voltage of a sensing line connected to a first subpixel through sensing driving for a first subpixel to generate sensing data for a first subpixel A sensing data storing step of storing sensed data of the first sub-pixel in the main memory, and a sensing data storing step of storing sensing data of the first sub-pixel in the main memory, And a sensing data error prevention step of controlling the sensing driving to be restarted.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터의 오류를 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments as described above, it is possible to prevent the error of the sensing data with respect to the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement.

본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 및 보상 오동작을 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments, it is possible to prevent the sensing and compensating malfunctions of the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement.

본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리의 전원 이상에 의한 센싱 및 보상 오동작을 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments of the present invention, it is possible to prevent sensing and compensating malfunction due to power supply anomaly in the main memory storing sensing data for the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement have.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도들이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로에 대한 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 문턱전압 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 이동도 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 구동 구간의 예시도이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 라인 배치도이다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 다른 센싱 라인 배치도이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 및 보상 시스템을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에 포함된 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템을 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 메모리 전원 이상 유무 모니터링 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법에 대한 개략적인 흐름도이다.
도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법에 대한 구체적인 흐름도이다.
1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIG. 2 is a view illustrating an example of a sub-pixel structure of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG.
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a compensation circuit of the OLED display according to the present embodiments. Referring to FIG.
4 is a view for explaining the threshold voltage sensing principle of the organic light emitting diode display according to the present embodiments.
5 is a view for explaining the principle of mobility sensing of the organic light emitting display according to the present embodiments.
6 is an exemplary diagram illustrating a sensing driving period of the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention.
7 is a layout view of the sensing line of the OLED display according to the present embodiment.
8 is a view showing another sensing line arrangement of the OLED display according to the present embodiments.
FIG. 9 is a diagram illustrating a sensing and compensation system of an OLED display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
10 is a diagram illustrating a sensing and compensation malfunction prevention system included in the organic light emitting display according to the present embodiments.
11 is a view for explaining a method of monitoring the presence or absence of a memory power source in the OLED display according to the present embodiments.
12 is a schematic flowchart of a driving method for preventing sensing and compensating malfunction of the organic light emitting diode display according to the present embodiments.
13 is a specific flowchart illustrating a driving method for preventing sensing and compensation erroneous operation of the OLED display according to the present embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. FIG. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL1~DLm) 및 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. 1, the OLED display 100 according to the present embodiment includes a plurality of data lines DL1 to DLm and a plurality of gate lines GL1 to GLn, A data driver 120 for driving a plurality of data lines DL1 to DLm and a plurality of data lines DL1 to DLm for driving the plurality of gate lines GL1 to GLn, A gate driver 130, a controller 140 for controlling the data driver 120 and the gate driver 130, and the like.

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The controller 140 supplies various control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130.

이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, switches the input image data input from the outside according to the data signal format used by the data driver 120, and outputs the converted image data , And controls the data driving at a suitable time according to the scan.

이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. The controller 140 may be a timing controller used in a conventional display technology or a control device including a timing controller to perform other control functions.

데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The data driver 120 drives the plurality of data lines DL1 to DLm by supplying data voltages to the plurality of data lines DL1 to DLm. Here, the data driver 120 is also referred to as a 'source driver'.

게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The gate driver 130 sequentially drives the plurality of gate lines GL1 to GLn by sequentially supplying scan signals to the plurality of gate lines GL1 to GLn. Here, the gate driver 130 is also referred to as a " scan driver ".

게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL1~GLn)으로 순차적으로 공급한다. The gate driver 130 sequentially supplies a scan signal of an On voltage or an Off voltage to the plurality of gate lines GL1 to GLn under the control of the controller 140. [

데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL1~DLm)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the gate driver 130, the data driver 120 converts the image data received from the controller 140 into analog data voltages and supplies them to the plurality of data lines DL1 to DLm .

데이터 드라이버(120)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the data driver 120 is located only on one side (e.g., on the upper side or the lower side) of the organic light emitting display panel 110, : Upper side and lower side).

게이트 드라이버(130)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the gate driver 130 is located only on one side (e.g., the left side or the right side) of the organic light emitting display panel 110. However, the gate driver 130 may be disposed on both sides of the organic light emitting display panel 110 For example, left and right).

전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The controller 140 described above is capable of outputting various kinds of signals including the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the input data enable signal (DE), and the clock signal (CLK) Timing signals from the outside (e.g., the host system).

컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하는 것 이외에, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The controller 140 outputs the converted image data by switching the input image data inputted from the outside in accordance with the data signal format used by the data driver 120 and outputs the converted image data to the data driver 120 and the gate driver 130, A timing signal such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, an input DE signal and a clock signal and generates various control signals to control the data driver 120 and the gate driver 130, .

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the gate driver 130, the controller 140 generates a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), a gate output enable signal GOE Gate Output Enable), and the like.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 130. The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits, and controls the shift timing of the scan signal (gate pulse). The gate output enable signal GOE specifies the timing information of one or more gate driver ICs.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In order to control the data driver 120, the controller 140 may further include a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), a source output enable signal (SOE) And outputs various data control signals (DCS: Data Control Signals).

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 120. The source sampling clock SSC is a clock signal for controlling sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits. The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120.

데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit (SDIC).

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 유기발광표시패널(110)에 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) Or may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110, and may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110, as the case may be. In addition, each source driver integrated circuit (SDIC) may be implemented by a chip on film (COF) method, which is mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC), as the case may be.

게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. The gate driver 130 may include at least one gate driver integrated circuit (GDIC).

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. Each gate driver integrated circuit GDIC may be connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) ) Type and may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110 or may be integrated on the organic light emitting display panel 110 as the case may be. In addition, each gate driver IC (GDIC) may be implemented by a chip on film (COF) method, which is mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110.

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver IC (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 대한 회로적인 연결을 위해 필요한 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB: Source Printed Circuit Board)과 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. The OLED display 100 according to the present embodiments includes at least one source printed circuit board (S-PCB) necessary for circuit connection to at least one source driver IC (SDIC) And a control printed circuit board (C-PCB) for mounting control components and various electric devices.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)에는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 되거나, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름이 연결될 수 있다. At least one source driver integrated circuit (SDIC) may be mounted on at least one source printed circuit board (S-PCB), or a film on which at least one source driver integrated circuit (SDIC) is mounted may be connected.

컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러 등이 실장 될 수 있다. The control printed circuit board (C-PCB) is provided with a controller 140 for controlling the operation of the data driver 120 and the gate driver 130 and the like, and a controller 140 for controlling operations of the organic light emitting display panel 110, the data driver 120, A power controller for controlling various voltages or currents to supply or supply various voltages or currents to the battery 130, or the like.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. The at least one source printed circuit board (S-PCB) and the control printed circuit board (C-PCB) may be circuitly connected via at least one connecting member.

여기서, 연결 부재는 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. Here, the connecting member may be a flexible printed circuit (FPC), a flexible flat cable (FFC), or the like.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (S-PCB) and a control printed circuit board (C-PCB) may be integrated into one printed circuit board.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 액정유기발광표시장치(Liquid Crystal Display Device), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device), 플라즈마 유기발광표시장치(Plasma Display Device) 등의 다양한 타입의 장치일 수 있다. The organic light emitting diode display 100 according to the exemplary embodiments of the present invention may be applied to a liquid crystal display device such as a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, a plasma organic light emitting display device, But may be of various types.

유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다. Each sub-pixel SP disposed in the organic light emitting display panel 110 may include a circuit element such as a transistor.

일 예로, 유기발광표시패널(110)이 유기발광표시패널인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. For example, when the organic light emitting display panel 110 is an organic light emitting display panel, each sub pixel SP includes an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor for driving the organic light emitting diode Circuit elements.

각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on the providing function, the design method, and the like.

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도들이다. FIG. 2 is a view illustrating exemplary sub-pixel structures of the OLED display 100 according to the exemplary embodiments of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제2노드(N2)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 스위칭 트랜지스터(SWT: Switching Transistor)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, in the OLED display 100 according to the present embodiment, each sub-pixel basically includes an organic light emitting diode (OLED) and an organic light emitting diode (OLED) A switching transistor SWT for transmitting a data voltage to a second node N2 corresponding to a gate node of the driving transistor DRT; And a storage capacitor (Cstg) for maintaining a data voltage or a voltage corresponding to the data voltage for one frame time.

유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode).

구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있으며, 게이트 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED and may be a source node or a drain node. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the source node or the drain node of the switching transistor SWT and may be a gate node. The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line DVL for supplying a driving voltage EVDD and may be a drain node or a source node.

구동 트랜지스터(DRT)와 스위칭 트랜지스터(SWT)는, 도 2의 예시와 같이 n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다. The driving transistor DRT and the switching transistor SWT may be implemented as an n-type or a p-type as illustrated in FIG.

스위칭 트랜지스터(SWT)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The switching transistor SWT is electrically connected between the data line DL and the second node N2 of the driving transistor DRT and can be controlled by receiving the scan signal SCAN through the gate line to the gate node .

이러한 스위칭 트랜지스터(SWT)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 전달해줄 수 있다. The switching transistor SWT may be turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the second node N2 of the driving transistor DRT.

스토리지 캐패시터(Cstg)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된다.The storage capacitor Cstg is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

이러한 스토리지 캐패시터(Cstg)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cstg is not a parasitic capacitor (e.g., Cgs, Cgd) that is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, And is an external capacitor intentionally designed outside the transistor DRT.

한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. In the OLED display 100 according to the present embodiment, as the driving time of each sub-pixel SP becomes longer, the driving voltage of the organic light emitting diode OLED, the driving transistor DRT, Degradation can proceed.

이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values (e.g., threshold voltage, mobility, etc.) of the circuit elements such as the organic light emitting diode OLED and the driving transistor DRT can be changed.

이러한 회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 야기한다. 따라서, 회로 소자의 특성치 변화는 서브픽셀의 휘도 변화와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a change in the characteristic value of the circuit element causes the luminance change of the corresponding sub-pixel. Therefore, the change in the characteristic value of the circuit element can be used in the same concept as the change in luminance of the subpixel.

또한, 이러한 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. In addition, the degree of change in the characteristic value between the circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.

이러한 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차를 야기한다. 따라서, 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. Such a characteristic value deviation between the circuit elements causes a luminance deviation between the subpixels. Therefore, the characteristic value deviation between the circuit elements can be used in the same concept as the luminance deviation between the subpixels.

전술한 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차는, 서브픽셀의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. The above-described subpixel luminance variation and subpixel luminance variation may cause problems such as degradation of the accuracy with respect to the luminance expression power of the subpixels or occurrence of screen abnormal phenomenon.

여기서, 회로 소자의 특성치(이하, "서브픽셀 특성치"라고도 함)는, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도 등을 포함할 수 있고, 경우에 따라서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 포함할 수도 있다. Here, the characteristic value of a circuit element (hereinafter also referred to as a "subpixel characteristic value") may include, for example, a threshold voltage and a mobility of a driving transistor DRT, May include the threshold voltage of the transistor.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차(회로 소자의 특성치 변화 및 회로 소자 간의 특성치 편차)를 센싱(측정)하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다. The OLED display 100 according to the present embodiment has a sensing function for sensing a sub-pixel luminance change and a sub-pixel luminance deviation (a characteristic value change of a circuit element and a characteristic value deviation between circuit elements) The compensation function for compensating the sub-pixel luminance variation and the sub-pixel luminance deviation can be provided.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차에 대한 센싱 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 그에 맞는 서브픽셀 구조를 제공한다. The organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments provides a subpixel structure to provide a sensing and compensating function for a subpixel luminance change and a luminance deviation between subpixels.

도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀은, 센싱 및 보상 기능 제공을 위해, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT), 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 스토리지 캐패시터(Cstg) 이외에, 센싱 트랜지스터(SENT: Sensing Transistor)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2, each sub-pixel disposed in the organic light emitting display panel 110 according to the present exemplary embodiment includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DRT, , A switching transistor (SWT), and a storage capacitor (Cstg), as well as a sensing transistor (SENT).

도 2를 참조하면, 센싱 트랜지스터(SENT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 기준전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 s(s≥2)개의 센싱 라인(SL: Sensing Line, 도 7 또는 도 8에서, SL #1, … , SL #s) 중 하나의 센싱 라인 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가 받아 제어될 수 있다. 2, the sensing transistor SENT includes a first node N1 of the driving transistor DRT and s (s2) sensing lines SL for supplying a reference voltage Vref , SL # 1, ..., SL # s in FIG. 7 or FIG. 8), and may be controlled by receiving a sensing signal SENSE as a kind of a scan signal to the gate node .

이러한 센싱 트랜지스터(SENT)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어 센싱 라인(SL)을 통해 공급되는 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가해준다. The sensing transistor SENT is turned on by the sensing signal SENSE and applies the reference voltage Vref supplied through the sensing line SL to the first node N1 of the driving transistor DRT.

또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the sensing transistor SENT may be utilized as one of the voltage sensing paths for the first node N1 of the driving transistor DRT.

한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 다른 게이트 라인을 통해, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드 및 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT through another gate line.

경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 노드 및 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다. In some cases, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the switching transistor SWT and the gate node of the sensing transistor SENT through the same gate line.

전술한 서브픽셀 구조에 따르면, 서브픽셀 내 회로 소자(예: 구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED))의 특성치 또는 특성치 변화(특성치 편차)를 더욱 정확하게 센싱할 수 있다. According to the above-described subpixel structure, it is possible to more accurately sense the characteristic value or the characteristic value change (characteristic value deviation) of the circuit elements (for example, driving transistor DRT, organic light emitting diode OLED) in the subpixel.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀 휘도 변화와 서브픽셀 간 휘도 편차에 대한 센싱 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 전술한 서브픽셀 구조뿐만 아니라, 센싱 및 보상 구성을 포함하는 보상 회로를 제공할 수 있다.The organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment includes a sensing and compensation structure as well as the subpixel structure described above in order to provide a sensing and compensating function for a subpixel luminance change and a luminance deviation between subpixels Can be provided.

도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로에 대한 예시도이다. 3 is an exemplary view of a compensation circuit of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀 특성치(구동 트랜지스터의 특성치, 유기발광다이오드의 특성)의 변화 및/또는 서브픽셀 특성치 간의 편차를 센싱하여 센싱 데이터를 출력하는 센싱부(310)와, 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리(320)와, 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀 특성치의 변화 및/또는 서브픽셀 특성치 간의 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(330) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, the organic light emitting display 100 according to the present embodiment senses a deviation between a sub-pixel characteristic value (a characteristic value of the driving transistor, a characteristic of the organic light emitting diode) and / A main memory 320 for storing sensing data, a compensation unit 320 for compensating a variation between sub-pixel characteristic values and / or sub-pixel characteristic values using sensing data, a sensing unit 310 for outputting sensing data, (330), and the like.

센싱부(310)는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. The sensing unit 310 may include at least one analog-to-digital converter (ADC).

각 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다. Each analog-to-digital converter (ADC) may be included inside the source driver integrated circuit (SDIC) and, in some cases, may be included outside the source driver integrated circuit (SDIC).

보상부(320)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있다. The compensation unit 320 may be included inside the controller 140 and may be included outside the controller 140 in some cases.

센싱부(310)에서 출력되는 센싱 데이터는, 일 예로, LVDS (Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다. The sensing data output from the sensing unit 310 may be, for example, a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) data format.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 구동을 제어하기 위하여, 즉, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 인가 상태를 서브픽셀 특성치 센싱에 필요한 상태로 제어하기 위하여, 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment is configured to control the driving of the driving transistor DRT within the subpixel SP by controlling the voltage application state of the first node N1 in the subpixel SP, And may further include a first switch SW1 and a second switch SW2 in order to control a state required for sensing.

제1스위치(SW1)를 통해, 센싱 라인(SL)으로의 기준전압(Vref)의 공급 여부가 제어될 수 있다. The supply of the reference voltage Vref to the sensing line SL can be controlled through the first switch SW1.

제1스위치(SW1)가 턴-온 되면, 기준전압(Vref)이 센싱 라인(SL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 센싱 트랜지스터(SENT)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 인가될 수 있다. When the first switch SW1 is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the sensing line SL and is supplied to the first node N1 of the driving transistor DRT through the sensing transistor SENT, Lt; / RTI >

여기서, 센싱 라인(SL)은 기준전압(Vref)의 전달 라인 역할을 하기 때문에 기준전압 라인(Reference Voltage Line)이라고도 할 수 있다. Here, since the sensing line SL serves as a transfer line for the reference voltage Vref, it may be referred to as a reference voltage line.

한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 등 전위일 수 있는 센싱 라인(SL)의 전압도 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 될 수 있다. 이때, 센싱 라인(SL) 상에 형성된 라인 캐패시터에 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압이 충전될 수 있다. On the other hand, when the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the sub-pixel characteristic value, the sensing line SL (which may be of the same potential as the first node N1 of the driving transistor DRT) May also be a voltage state reflecting the sub-pixel characteristic value. At this time, the line capacitor formed on the sensing line SL may be charged with a voltage reflecting the sub-pixel characteristic value.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 제2스위치(SW2)가 턴-온 되어, 센싱부(310)와 센싱 라인(SL)이 연결될 수 있다. When the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the sub pixel characteristic value, the second switch SW2 is turned on so that the sensing portion 310 and the sensing line SL Can be connected.

이에 따라, 센싱부(310)는 서브픽셀 특성치를 반영하는 전압 상태인 센싱 라인(SL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다. Accordingly, the sensing unit 310 senses the voltage of the sensing line SL, that is, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT, which reflects the sub-pixel characteristic value.

이러한 센싱 라인(SL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. One such sensing line SL may be arranged for each subpixel column or one for every two or more subpixel columns.

예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 센싱 라인(SL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. For example, when one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the sensing line SL includes four subpixel columns (red subpixel columns, A green subpixel column, a blue subpixel column, a white subpixel column, a green subpixel column, and a blue subpixel column).

센싱부(310)는 센싱 라인(SL)과 연결되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압(센싱 라인(SL)의 전압, 또는, 센싱 라인(SL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압)을 센싱한다. When the sensing unit 310 is connected to the sensing line SL, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT (the voltage of the sensing line SL or the potential of the line capacitor on the sensing line SL) Voltage) is sensed.

센싱부(310)에서 센싱된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화(ΔVth)을 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다. The voltage sensed by the sensing unit 310 may be a voltage value Vdata-Vth or Vdata-? Vth including the threshold voltage Vth or the threshold voltage variation? Vth of the driving transistor DRT, May be a voltage value for sensing the degree of mobility.

도 3을 참조하면, 센싱부(310)는 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압을 디지털 센싱값에 해당하는 센싱 데이터로 변환하고, 변환된 센싱 데이터를 출력한다. Referring to FIG. 3, the sensing unit 310 converts the sensed voltage to sensing data corresponding to a digital sensing value for threshold voltage sensing or mobility sensing, and outputs the sensed data.

센싱부(310)에서 출력된 센싱 데이터는 메인 메모리(320)에 저장되거나 보상부(330)로 제공될 수 있다. The sensing data output from the sensing unit 310 may be stored in the main memory 320 or may be provided to the compensating unit 330.

보상부(330)는 메인 메모리(320)에 저장되거나 센싱부(310)에서 제공된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화(예: 문턱전압 변화, 이동도 변화)를 파악하고, 보상 프로세스를 수행할 수 있다. The compensation unit 330 may store characteristic values (for example, threshold voltage, mobility) of the driving transistor DRT in the corresponding subpixel or a characteristic value (e.g., threshold voltage or mobility) of the driving transistor DRT based on the sensing data stored in the main memory 320 or provided by the sensing unit 310 (For example, a change in threshold voltage and a change in mobility), and perform a compensation process.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화는 이전 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하거나, 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다. Here, the change in the characteristic value of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the previous sensing data, or the current sensing data is changed based on the reference sensing data.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 또는 특성치 변화를 비교해보면, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 파악할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화가 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화로부터 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차(즉, 서브픽셀 휘도 편차)를 파악할 수도 있다. Here, when comparing the characteristic value or the characteristic value change between the driving transistors DRT, it is possible to grasp the characteristic value deviation between the driving transistors DRT. When the characteristic value change of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the reference sensing data, the characteristic value deviation (i.e., the sub pixel luminance deviation) between the driving transistors DRT from the characteristic value change of the driving transistor DRT, .

보상부(330)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리 중 하나 이상의 보상 프로세스를 수행할 수 있다. The compensation unit 330 may perform at least one compensation process among the threshold voltage compensation process for compensating the threshold voltage of the driving transistor DRT and the mobility compensation process for compensating the mobility of the driving transistor DRT.

문턱전압 보상 처리는 문턱전압 또는 문턱전압 편차(문턱전압 변화)를 보상하기 위한 보상 데이터를 연산 과정을 통해 생성하고, 생성된 보상 데이터를 메인 메모리(320)에 저장하거나, 보상 데이터로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. In the threshold voltage compensation process, compensation data for compensating a threshold voltage or a threshold voltage variation (threshold voltage variation) is generated through an operation process, the generated compensation data is stored in the main memory 320, (Data).

이동도 보상 처리는 이동도 또는 이동도 편차(이동도 변화)를 보상하기 위한 보상 데이터를 연산 과정을 통해 생성하고, 생성된 보상 데이터를 메인 메모리(320)에 저장하거나, 보상 데이터로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The mobility compensation process generates compensation data for compensating mobility or mobility deviation (mobility change) through an operation process, stores the generated compensation data in the main memory 320, (Data).

보상부(330)는 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The compensation unit 330 may change the image data through the threshold voltage compensation process or mobility compensation process and supply the changed data to the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) in the data driver 120.

이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 변경된 데이터를 데이터 전압(Vdata')으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀 특성치 보상(문턱전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 이루어지게 된다. Accordingly, the source driver integrated circuit (SDIC) converts the changed data into the data voltage (Vdata ') and supplies the data voltage to the corresponding subpixel, so that the subpixel characteristic value compensation (threshold voltage compensation, mobility compensation) is actually performed.

이러한 서브픽셀 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다. By compensating for the subpixel characteristic value, luminance deviation between the subpixels is reduced or prevented, thereby improving the image quality.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 원리와 이동도 센싱 원리에 대하여, 도 4 및 도 5를 참조하여 간략하게 설명한다. 단, 도 4 및 도 5에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 소스 노드이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 게이트 노드인 것으로 가정한다. In the following, the threshold voltage sensing principle and the mobility sensing principle for the driving transistor DRT will be briefly described with reference to Figs. 4 and 5. Fig. 4 and 5, it is assumed that the first node N1 of the driving transistor DRT is the source node and the second node N2 of the driving transistor DRT is the gate node.

도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 문턱전압 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the threshold voltage sensing principle of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 4를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 게이트 노드 각각은 문턱전압 센싱용 기준전압(Vref)과 문턱전압 센싱용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화된다. 4, when the threshold voltage sensing operation of the driving transistor DRT is performed, the source node and the gate node of the driving transistor DRT respectively receive the threshold voltage sensing reference voltage Vref and the threshold voltage sensing data voltage Vdata ).

즉, 초기화 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)은 문턱전압 센싱용 기준전압(Vref)이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드의 전압(Vg)은 문턱전압 센싱용 데이터 전압(Vdata)이다. That is, at the time of initialization, the voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT is the reference voltage Vref for sensing the threshold voltage, and the voltage Vg of the gate node of the driving transistor DRT is the threshold voltage sensing data voltage (Vdata).

이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드가 플로팅(Floating) 되어, 소스 팔로잉(Source Following) 현상에 의해, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)이 상승한다. 시간이 갈수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)은 상승 폭이 서서히 줄어들어, 포화하게 된다. Thereafter, the source node of the driving transistor DRT floats, and the voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT rises due to the source following phenomenon. As the time elapses, the voltage Vs at the source node of the driving transistor DRT gradually decreases in width and saturates.

구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 포화된 전압(Vs)은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 변화(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. 여기서, 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화(ΔVth)는 포지티브 문턱전압(Vth) 또는 포지티브 문턱전압 변화(ΔVth)일수도 있고, 네거티브 문턱전압(Vth) 또는 네거티브 문턱전압 변화(ΔVth)일수도 있다.The saturated voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage variation Vth. Here, the threshold voltage Vth or the threshold voltage variation? Vth may be the positive threshold voltage Vth or the positive threshold voltage variation? Vth or may be the negative threshold voltage Vth or the negative threshold voltage variation? .

센싱부(310)는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)이 포화되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 포화된 전압(Vs)을 센싱한다. The sensing unit 310 senses the saturated voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT when the voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT becomes saturated.

센싱부(410)에 의해 센싱된 전압(Vsense)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vsense=Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 변화(ΔVth)을 뺀 전압(Vsense=Vdata-ΔVth)일 수 있다. The voltage Vsense sensed by the sensing unit 410 is a voltage (Vsense = Vdata-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage Vth from the data voltage Vdata or a voltage Vdata minus the threshold voltage variation? (Vsense = Vdata -? Vth).

도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 이동도 센싱 원리를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining the principle of the mobility sensing of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 5를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 게이트 노드 각각은 이동도 센싱용 기준전압(Vref)과 이동도 센싱용 데이터 전압(Vdata+ΔVsense)으로 초기화된다.  5, when the mobility sensing operation for the driving transistor DRT is performed, the source node and the gate node of the driving transistor DRT respectively receive the reference voltage Vref for sensing the mobility and the data voltage Vdata + DELTA Vsense).

즉, 초기화 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압(Vs)은 이동도 센싱용 기준전압(Vref)이고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드의 전압(Vg)은 이동도 센싱용 데이터 전압(Vdata+ΔVsense)이다. 여기서, 이동도 센싱 구동 이전에 문턱전압 보상이 이루어진 경우, ΔVsense는 문턱전압 보상 데이터(보상값)에 해당한다. That is, at the time of initialization, the voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT is the reference voltage Vref for the mobility sensing, and the voltage Vg of the gate node of the driving transistor DRT is the data voltage (Vdata + DELTA Vsense). Here, if the threshold voltage compensation is performed before the mobility sensing operation,? Vsense corresponds to the threshold voltage compensation data (compensation value).

이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 게이트 노드가 모두 플로팅 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드와 게이트 노드의 전압이 상승할 수 있다. Thereafter, both the source node and the gate node of the driving transistor DRT float, and the voltage of the source node and the gate node of the driving transistor DRT can rise.

이때, 전압 상승 속도(시간에 대한 전압 변화량(ΔV))는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력, 즉 이동도(Mobility)를 의미한다. 따라서, 전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일 수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압 상승이 더욱 가파르게 일어난다. At this time, the voltage rising rate (voltage variation amount DELTA V with respect to time) means the current capability of the driving transistor DRT, that is, the mobility. Therefore, the voltage rise of the source node of the driving transistor DRT becomes more steep as the driving transistor DRT having a larger current capability (mobility) is.

센싱부(310)는 미리 정해진 일정 시간 동안 전압 상승이 이루어진 이후, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 상승된 전압(Vs), 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드의 전압 상승에 따라 함께 전압 상승이 이루어진 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱한다. The sensing unit 310 may sense the voltage Vs of the source node of the driving transistor DRT after the voltage has been increased for a predetermined period of time, that is, the voltage of the source node of the driving transistor DRT, And senses the voltage of the sensing line SL that has been raised.

도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동 구간의 예시도이다.6 is a diagram illustrating an example of a sensing driving period of the OLED display 100 according to the exemplary embodiments of the present invention.

도 6을 참조하면, 전술한 문턱전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동 중 적어도 하나는, 파워 오프 신호(Power Off Signal)의 발생 시 진행될 수 있다. Referring to FIG. 6, at least one of the threshold voltage sensing drive and the mobility sensing operation described above may be performed when a power off signal occurs.

이와 같이, 파워 오프 신호의 발생 시, 센싱 구동(문턱전압 센싱 구동 및/또는 이동도 센싱 구동)이 진행되는 경우, 이러한 센싱 구동을 오프-센싱 구동(Off-Sensing Driving)이라고 한다.In this manner, when the sensing driving (threshold voltage sensing driving and / or the movement degree sensing driving) progresses at the time of generating the power-off signal, this sensing driving is referred to as off-sensing driving.

유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀에 대한 총 센싱 시간을 고려하여, 오프-센싱 구동은, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 포화 시간이 필요하기 때문에 이동도 센싱 구동에 비해 상대적으로 긴 시간이 걸리는 문턱전압 센싱 구동일 수 있다. Considering the total sensing time for all the subpixels disposed in the organic light emitting display panel 110, the off-sensing driving is performed in a manner that the voltage saturation time of the first node N1 of the driving transistor DRT is required Therefore, the movement may be a threshold voltage sensing drive that takes a relatively long time compared to the sensing drive.

도 6을 참조하면, 전술한 문턱전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동 중 적어도 하나는, 파워 오프 신호가 발생되기 전, 화상 구동 중에 진행되거나 화상 구동 구간 사이마다 진행될 수도 있다. Referring to FIG. 6, at least one of the above-described threshold voltage sensing drive and mobility sensing drive may be performed before the power-off signal is generated, during image driving, or between image driving intervals.

이와 같이, 파워 오프 신호의 발생되기 전, 센싱 구동(문턱전압 센싱 구동 및/또는 이동도 센싱 구동)이 진행되는 경우, 이러한 센싱 구동을 온-센싱 구동(On-Sensing Driving)이라고 한다. In this way, when sensing driving (threshold voltage sensing driving and / or mobility sensing driving) progresses before the power-off signal is generated, this sensing driving is referred to as on-sensing driving.

유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀에 대한 총 센싱 시간을 고려하여, 온-센싱 구동은, 일 예로, 문턱전압 센싱 구동에 비해 상대적으로 짧은 시간이 드는 이동도 센싱 구동일 수 있다. Considering the total sensing time for all the subpixels arranged in the organic light emitting display panel 110, the on-sensing driving may be a mobility sensing driving with a relatively short time compared to the threshold voltage sensing driving .

도 7 및 도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 s개의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s, s≥2)에 대한 배치 예시도이다. 7 and 8 are diagrams showing examples of arrangement of the s sensing lines SL # 1, ..., SL #s, s? 2 in the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 7 및 도 8을 참조하면, 유기발광표시패널(110)에는 s개의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s, s≥2)이 서브픽셀 열 방향(데이터 라인의 배치 방향과 대응)으로 배치될 수 있다. 7 and 8, the s sensing lines SL # 1, ..., SL #s, s? 2 are arranged in the subpixel column direction (corresponding to the arrangement direction of the data lines) As shown in FIG.

도 7을 참조하면, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s)은 1개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수 있다. 즉, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 은 1개의 서브픽셀 열에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 7, one of the s sensing lines SL # 1, ..., SL # s may be arranged in one sub-pixel column. That is, the s sensing lines SL # 1, ..., SL # s may be electrically connected to the subpixels included in one subpixel column.

이 경우, 총 센싱 라인 개수(s)는 총 데이터 라인 개수(m)와 동일하다. In this case, the total number of sensing lines (s) is equal to the total number of data lines (m).

도 8을 참조하면, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s)은 2개 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. 즉, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 은 2개의 서브픽셀 열에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 8, one of the s sensing lines SL # 1, ..., SL # s may be arranged for every two or more sub-pixel columns. That is, the s sensing lines SL # 1, ..., SL #s may be electrically connected to subpixels included in two subpixel columns.

예를 들어, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s)은 4개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수 있다. For example, the s sensing lines SL # 1, ..., SL # s may be arranged for every four sub-pixel columns.

가령, 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀 및 흰색 서브픽셀이 하나의 픽셀을 구성하는 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, s개의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열 및 흰색 서브픽셀 열), 즉, 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수 있다. For example, when a red subpixel, a green subpixel, a blue subpixel, and a white subpixel constitute one pixel, as shown in FIG. 8, the s sensing lines SL # 1, ..., SL # ) May be arranged in four subpixel columns (a red subpixel column, a green subpixel column, a blue subpixel column, and a white subpixel column), i.e., one for each one pixel column.

이 경우, 총 센싱 라인 개수(s)는 총 데이터 라인 개수(m)의 1/4이 된다. In this case, the total number of sensing lines (s) is 1/4 of the total number of data lines (m).

도 7에서와 같이 1개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치되는 경우, 센싱부(310)는, 하나의 서브픽셀 행에 포함된 모든 서브픽셀에 대하여 동시에 센싱할 수 있다. As shown in FIG. 7, when one sensing line is arranged per one subpixel column, the sensing unit 310 can simultaneously sense all the subpixels included in one subpixel row.

즉, 센싱부(310)는, 패널 센싱 구간 동안, 다수의 서브픽셀 행 각각에 대하여, 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 각각의 전압을 센싱하여 해당 서브픽셀 행에 포함되고 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 각각에 전기적으로 연결된 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성하여 출력한다. 여기서, 패널 센싱 구간이란, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀에 대한 센싱을 진행하는 구간을 의미한다. That is, the sensing unit 310 senses the voltage of each of the two or more sensing lines SL # 1, ..., SL # s for each of the plurality of sub-pixel rows during the panel sensing period, Generates sensing data for subpixels electrically connected to each of the two or more sensing lines SL # 1, ..., SL # s, and outputs the generated sensing data. Here, the panel sensing period means a period in which sensing is performed on all the subpixels arranged in the organic light emitting display panel 110.

이에 따라, 하나의 서브픽셀 행을 센싱하는 속도가 빨라져 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀을 센싱하는 속도도 그 만큼 빨리질 수 있다. As a result, the speed of sensing one subpixel row is increased, and the speed of sensing all the subpixels arranged in the organic light emitting display panel 110 can be fast enough.

하지만, 이 경우, 총 센싱 라인 개수가 많아져 유기발광표시패널(110)의 개구율이 감소할 수 있다. However, in this case, the total number of sensing lines increases, so that the aperture ratio of the organic light emitting display panel 110 can be reduced.

도 8에 도시된 바와 같이, 4개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치되는 경우, 센싱부(310)는, 하나의 서브픽셀 행에 포함된 모든 서브픽셀에 대하여 동시에 센싱할 수는 없다. As shown in FIG. 8, when one sensing line is arranged for every four subpixel rows, the sensing unit 310 can not simultaneously sense all the subpixels included in one subpixel row.

예를 들어, 센싱부(310)는, 패널 센싱 구간 동안, 다수의 서브픽셀 행 각각에 대하여, 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 각각의 전압을 센싱하여 해당 서브픽셀 행에 포함되고 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, ... , SL #s) 각각에 전기적으로 연결된 서브픽셀들 중 동일 색상의 빛을 발광하는 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성하여 출력할 수 있다. For example, the sensing unit 310 senses voltages of two or more sensing lines SL # 1, ..., SL # s for each of a plurality of sub-pixel rows during a panel sensing period, Among the subpixels electrically connected to each of the two or more sensing lines (SL # 1, ..., SL # s) included in the pixel row, generates and outputs sensing data for subpixels emitting light of the same color .

이에 따라, 하나의 서브픽셀 행에서, 1개의 센싱 라인과 연결된 4개의 서브픽셀(R, W, G, B) 중 1개의 서브픽셀만 센싱할 수 있기 때문에, 하나의 서브픽셀 행에 포함된 모든 서브픽셀을 센싱하기 위해서는 4차례의 센싱 구동이 필요하다. Accordingly, in one subpixel row, only one subpixel among four subpixels (R, W, G, B) connected to one sensing line can be sensed, so that all In order to sense subpixels, four sensing operations are required.

따라서, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀을 센싱하는데 걸리는 시간은 도 7의 경우에 비해 4배 더 걸린다. Therefore, the time required to sense all the sub-pixels arranged in the organic light emitting display panel 110 is four times longer than in the case of FIG.

하지만, 도 8에서와 같이, 4개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치되는 경우, 총 센싱 라인 개수(s)는, m/4이 되어, 도 7의 경우에 비해 1/4로 줄어든다. However, as shown in FIG. 8, when one sensing line is arranged for every four sub-pixel columns, the total number of sensing lines s becomes m / 4, which is reduced to 1/4 of the case of FIG.

이러한 총 센싱 라인 개수의 감소로 인해, 유기발광표시패널(110)의 개구율이 높아질 수 있는 장점이 있다.The reduction of the total number of sensing lines has the advantage that the aperture ratio of the OLED display panel 110 can be increased.

한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서의 패널 센싱 구동 시, 메인 메모리(320)에 저장되는 센싱 데이터가 계속해서 저장되는 동안, 메인 메모리(320)에 공급되는 메모리 전원에 이상이 있는 경우, 메인 메모리(320)에 잘못된 센싱 데이터가 저장되고, 이에 따라, 잘못된 센싱 데이터에 의한 잘못된 보상 데이터가 만들어져 서브픽셀에 대한 보상이 잘못될 수 있다. 이는 화질 저하로 이어져 심각한 품질 저하를 발생시킬 수 있다. While the sensing data stored in the main memory 320 is continuously stored during the panel sensing operation in the OLED display 100 according to the present embodiment, Erroneous sensing data is stored in the main memory 320, which may result in erroneous compensation data due to erroneous sensing data, resulting in erroneous compensation for the subpixel. This leads to image quality deterioration and can cause serious quality deterioration.

이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 패널 센싱 구동 시, 메인 메모리(320)에 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링하고, 메모리 전원에 이상이 있는 경우, 이에 대한 적절한 조치를 해줌으로써, 메인 메모리(320)에 잘못된 센싱 데이터가 저장되는 것을 방지해주고, 이를 통해, 궁극적으로는, 화질 저하를 방지해줄 수 있는 센싱 및 보상 오동작 방지 기능을 제공할 수 있다. Accordingly, the OLED display 100 according to the present embodiment monitors whether there is an abnormality in the memory power supplied to the main memory 320 when the panel sensing operation is performed, By doing so, it is possible to prevent erroneous sensing data from being stored in the main memory 320, thereby providing a sensing and compensating malfunction prevention function that can prevent image quality degradation.

아래에서는, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지 기능을 더욱 상세하게 설명한다. 단, s개의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s, s≥2)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 서브픽셀 열 방향(데이터 라인의 배치 방향과 대응)으로 배치되되, 4개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치되는 경우를 예로 들어 설명한다. Hereinafter, the sensing and compensating malfunction prevention function of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments will be described in more detail. 8, the s sensing lines SL # 1, ..., SL #s, s? 2 are arranged in the subpixel column direction (corresponding to the arrangement direction of the data lines) One subpixel column is arranged for each subpixel column.

도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 시스템을 나타낸 도면이다. 9 is a diagram illustrating a sensing and compensation system of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 9을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 시스템은, 센싱부(310), 메인 메모리(320), 보상부(330), 센싱 구동 제어부(900) 등을 포함할 수 있다. 9, the sensing and compensation system of the OLED display 100 according to the present embodiment includes a sensing unit 310, a main memory 320, a compensation unit 330, a sensing drive control unit 900, And the like.

센싱 구동 제어부(900)는, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀의 특성치(예: 구동 트랜지스터의 문턱전압 또는 이동도, 유기발광다이오드의 문턱전압 등)를 센싱하는 패널 센싱을 전체적으로 제어한다. The sensing drive control unit 900 may perform panel sensing that senses characteristic values of all the subpixels disposed in the organic light emitting display panel 110 (e.g., threshold voltage or mobility of the driving transistor, threshold voltage of the organic light emitting diode, and the like) .

이러한 패널 센싱은, 파워 오프 신호가 발생한 이후 진행되는 오프-센싱(Off-Sensing) 일 수 있으며, 경우에 따라서, 파워 오프 신호가 발생하기 이전에 화상 구동 중에 진행되거나 화상 구동 구간 사이마다 진행되는 온-센싱(On-Sensing) 일 수 있다. Such panel sensing may be an off-sensing operation that occurs after a power-off signal has been generated. Depending on the case, the panel sensing may be performed during image driving before the power-off signal is generated, - < / RTI > sensing (On-Sensing).

센싱 구동 제어부(900)는, 패널 센싱 구간 동안, 정해진 센싱 구동 절차에 따라, 각 서브픽셀 행(또는 각 서브픽셀 열)별로 해당 서브픽셀을 구동하여, 즉, 해당 서브픽셀 내 회로에서 주요 노드(예: N1, N2 등)의 전압 상태를 제어하여, 해당 서브픽셀의 특성치가 해당 센싱 라인의 전압에 반영될 수 있도록 해준다. The sensing drive control unit 900 drives corresponding subpixels for each subpixel row (or each subpixel column) according to a predetermined sensing driving procedure during the panel sensing period, that is, For example, N1, N2, etc.) so that the characteristic value of the corresponding subpixel can be reflected in the voltage of the sensing line.

센싱부(310)는, 패널 센싱 구간 동안, 센싱 구동 제어부(900)의 센싱 구동 제어를 통해(즉, 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동을 통해) 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s) 각각의 전압이 해당 서브픽셀의 특성치를 반영하는 상태가 되면, 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s) 각각의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하여 출력할 수 있다. The sensing unit 310 senses two or more sensing lines SL # 1, ..., SL (for example, through sensing drive for each sub-pixel row) through sensing drive control of the sensing drive control unit 900 during a panel sensing period # s), the voltage of each of the two or more sensing lines SL # 1, ..., SL # s is sensed to generate and output sensing data.

센싱부(310)는 둘 이상의 센싱 라인(SL #1, … , SL #s)과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. The sensing unit 310 may include at least one analog-to-digital converter (ADC) electrically connected to two or more sensing lines SL # 1, ..., SL # s.

아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 전기적으로 연결된 적어도 하나의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 형태의 센싱값으로 변환하며, 디지털 형태로 변환된 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력할 수 있다. The analog-to-digital converter (ADC) senses the voltage of each electrically connected at least one sensing line, converts the sensed voltage into a sensing value in digital form, generates sensing data including sensing values converted into digital form And output it.

이러한 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함되거나 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있다. Such analog-to-digital converters (ADCs) may be external to the source driver integrated circuit (SDIC) or may be included within the source driver integrated circuit (SDIC).

예를 들어, 1개의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 1개의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 포함되는 경우, 1개의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 연결되는 데이터 라인의 개수에 따라, 1개의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 연결되는 센싱 라인의 개수가 정해질 수 있다. For example, when one source driver IC (SDIC) includes one analog digital converter (ADC), depending on the number of data lines connected to one source driver IC (SDIC), one analog digital The number of sensing lines connected to the converter (ADC) can be determined.

구체적인 예로서, 데이터 라인 개수가 1920개이고, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 개수가 10개이며, 4개의 서브픽셀 열마다 1개의 센싱 라인이 배치된 경우, 1개의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 192(=1920/10)개의 데이터 라인과 연결되고, 1개의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 포함된 1개의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 48(=192/4)개의 센싱 라인과 연결될 수 있다. As a concrete example, in the case where the number of data lines is 1920, the number of source driver integrated circuits (SDIC) is 10, and one sensing line is arranged for every four subpixel rows, one source driver integrated circuit (SDIC) One analog digital converter (ADC) connected to 192 (= 1920/10) data lines and one source driver integrated circuit (SDIC) can be connected to 48 (= 192/4) sensing lines.

전술한 바와 같이, 센싱부(310)를 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함하여 구현함으로써, 서브픽셀 특성치를 디지털 레벨에서 정확하고 파악하고 보상해줄 수 있다. As described above, by implementing the sensing unit 310 including at least one analog-to-digital converter (ADC), the subpixel characteristic value can be accurately grasped and compensated at the digital level.

또한, 센싱부(310)를 구현하는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 각각을 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 포함시켜 구성함으로써, 부품 개수를 줄일 수 있어 시스템 배치 설계에도 도움을 줄 수 있다. In addition, each of the at least one analog-to-digital converter (ADC) implementing the sensing unit 310 is included in the source driver IC (SDIC), so that the number of parts can be reduced and the layout of the system can be designed.

도 9를 참조하면, 패널 센싱 구간 동안, 센싱부(310)에서 센싱 데이터가 출력될 때마다, 출력된 센싱 데이터는 메인 메모리(320)에 저장된다. Referring to FIG. 9, every time the sensing data is output from the sensing unit 310 during the panel sensing period, the output sensing data is stored in the main memory 320.

메인 메모리(320)는 전원 공급부(910)로부터 공급되는 메모리 전원에 의해 저장 동작을 수행할 수 있다. The main memory 320 may perform a storing operation by the memory power supplied from the power supply unit 910. [

도 9를 참조하면, 보상부(330)는, 메인 메모리(320)에 저장된 서브픽셀 별 센싱 값을 포함하는 센싱 데이터를 토대로 서브픽셀 별 보상값을 연산할 수 있다. Referring to FIG. 9, the compensation unit 330 may calculate a compensation value for each subpixel based on sensing data including a sensing value for each subpixel stored in the main memory 320. FIG.

보상부(330)는 연산된 보상값을 이용하여 해당 서브픽셀에 대한 영상 데이터를 변경할 수 있다. The compensation unit 330 may change the image data for the corresponding subpixel using the calculated compensation value.

이러한 변경된 영상 데이터가 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에서 데이터 전압으로 변환되어 해당 서브픽셀로 공급됨으로써, 서브픽셀 특성치가 보상되게 된다. The changed image data is converted into a data voltage in the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) and supplied to the corresponding subpixel, so that the subpixel characteristic value is compensated.

한편, 패널 센싱 구간 동안 메인 메모리(320)가 센싱 데이터를 저장할 때, 메인 메모리(320)에 공급되는 메모리 전원에 이상이 발생하는 경우, 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터에 오류가 발생할 수 있다. Meanwhile, when the main memory 320 stores the sensing data during the panel sensing period, if an error occurs in the memory power supplied to the main memory 320, an error may occur in the sensing data stored in the main memory 320 .

이러한 센싱 데이터의 오류는 보상값의 오류로 이어지고, 궁극적으로는, 서브픽셀 특성치가 잘못 보상이 되어, 화질을 떨어뜨리는 문제를 초래할 수 있다. This error in the sensing data leads to an error in the compensation value, and ultimately, the subpixel characteristic value may be erroneously compensated, resulting in a problem of deteriorating the image quality.

따라서, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링하고 그 결과에 따른 센싱 데이터의 오류를 방지하는 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템을 포함할 수 있다. Accordingly, the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment may include a sensing and compensation malfunction prevention system for monitoring an abnormality of a memory power source and preventing an error of sensing data according to a result of the monitoring.

도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에 포함된 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템을 나타낸 도면이고, 도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 메모리 전원 이상 유무 모니터링 방법을 설명하기 위한 도면이다.10 is a diagram illustrating a sensing and compensation malfunction prevention system included in the OLED display 100 according to the present embodiment. FIG. 11 is a diagram illustrating a sensing and compensation malfunction prevention system included in the OLED display 100 according to the present embodiments. And a method for monitoring the presence or absence of abnormality.

도 10을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템은, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원을 이용하여, 센싱부(310)에서 출력되는 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리(320)와, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 하는 메모리 전원 모니터링부(1000)와, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원 모니터링부(1000)의 모니터링 결과에 따라 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력하는 오동작 방지부(1020) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 10, the sensing and compensation malfunction prevention system of the OLED display 100 according to the exemplary embodiments of the present invention includes sensing data output from the sensing unit 310 using a memory power supply during a panel sensing period A memory power monitoring unit 1000 for monitoring an abnormality of a memory power supplied to the main memory 320 during a panel sensing period and a memory power monitoring unit 1000 A malfunction prevention unit 1020 for outputting a panel sensing operation control signal according to a monitoring result of the panel sensing operation control signal.

전술한 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템은, 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링하고 모니터링 결과에 따라 패널 센싱 동작을 제어함으로써, 메모리 전원의 이상에 따른 센싱 데이터의 오류를 방지할 수 있다. 이에 따라, 서브픽셀에 대한 보상값이 잘못 연산되는 것을 방지해줄 수 있고, 궁극적으로는, 서브픽셀 특성치가 잘못 보상되는 것을 방지하여 화질 개선에 도움을 줄 수 있다. The sensing and compensation malfunction prevention system described above can prevent errors in sensing data due to abnormality of the memory power by monitoring the abnormality of the memory power source and controlling the panel sensing operation according to the monitoring result. Accordingly, the compensation value for the subpixel can be prevented from being erroneously calculated, and ultimately, the subpixel characteristic value can be prevented from being erroneously compensated, thereby helping to improve the image quality.

도 11을 참조하면, 메모리 전원 모니터링부(1000)는, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 전압을 모니터링 하고, 모니터링 된 전압이 미리 정해진 정상 범위를 벗어나면, 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단할 수 있다. Referring to FIG. 11, the memory power monitoring unit 1000 monitors the voltage of the memory power supplied to the main memory 320 during the panel sensing period, and when the monitored voltage is out of the predetermined normal range, It can be judged that there is an abnormality.

이러한 메모리 전원 모니터링부(1000)는 메인 메모리(320)에서 메모리 전원이 인가되는 지점과 전기적으로 연결될 수 있다. The memory power monitoring unit 1000 may be electrically connected to a point where memory power is applied in the main memory 320.

이러한 메모리 전원 모니터링부(1000)는 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함할 수 있다. The memory power monitoring unit 1000 may include an analog-to-digital converter (ADC) that senses the voltage of the memory power supplied to the main memory 320 and converts the sensed voltage into a digital value.

위에서 언급한 정상 범위는 미리 설정된 하한치(MIN) 이상 상한치(MAX) 이하의 전압 범위 또는 전압에 대한 디지털 값 범위일 수 있다.The above-mentioned normal range may be a voltage range that is equal to or lower than a predetermined lower limit value (MIN), or a digital value range for the voltage.

즉, 메모리 전원 모니터링부(1000)는 모니터링 된 전압 또는 그 디지털 값이 하한치(MIN) 미만이거나 상한치(MAX) 초과인 경우, 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단할 수 있다. That is, the memory power monitoring unit 1000 may determine that there is an abnormality in the memory power when the monitored voltage or its digital value is less than the lower limit value MIN or is higher than the upper limit value MAX.

전술한 메모리 전원 모니터링부(1000)를 이용하면, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 정확하게 모니터링 할 수 있다. When the memory power monitoring unit 1000 described above is used, it is possible to accurately monitor the abnormality of the memory power supplied to the main memory 320 during the panel sensing period.

도 10을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에 포함된 센싱 및 보상 오동작 방지 시스템은, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)에 저장된 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 데이터를 백업하는 백업 메모리(1010)를 더 포함할 수 있다. 10, the sensing and compensation malfunction prevention system included in the OLED display 100 according to the exemplary embodiments of the present invention includes sensing data for each subpixel row stored in the main memory 320 during a panel sensing period, And a backup memory 1010 for backing up the data.

전술한 바와 같이, 패널 센싱 구간 동안, 메인 메모리(320)에 센싱 데이터가 저장될 때마다, 동일한 센싱 데이터가 백업 메모리(1010)에 저장된다. As described above, the same sensing data is stored in the backup memory 1010 every time the sensing data is stored in the main memory 320 during the panel sensing period.

따라서, 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 저장된 센싱 데이터 간의 비교를 통해, 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터의 오류를 찾아낼 수 있고, 필요한 경우, 백업 메모리(1010)에 저장된 센싱 데이터를 보상값 연산에 이용할 수도 있을 것이다. The sensing data stored in the main memory 320 can be compared with the sensing data stored in the backup memory 1010 to detect errors in the sensing data stored in the main memory 320. If necessary, ) May be used for compensation value calculation.

센싱 및 보상 관련 오동작 방지를 위하여, 백업된 센싱 데이터를 이용하는 방식에 대하여 설명하면, 오동작 방지부(1020)는, 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원 모니터링부(1000)에 의한 모니터링 결과 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상 판단 시점 이전에, 메인 메모리(320)에 저장되었던 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 백업(저장)되었던 센싱 데이터를 서로 대응시켜 일치 여부를 판단한다. The malfunction prevention unit 1020 detects abnormality in the memory power source of the monitoring result by the memory power monitoring unit 1000 during the panel sensing period by referring to the method using the backed up sensing data in order to prevent malfunctions related to sensing and compensation. The sensing data stored in the main memory 320 and the sensing data backed up (stored) in the backup memory 1010 are correlated with each other to determine whether or not they match.

오동작 방지부(1020)는, 일치 여부의 판단 결과, 불일치한 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상에 의해 센싱 데이터의 오류가 발생한 것으로 간주하여, 정상적인 센싱 데이터를 다시 얻기 위한 제어 처리를 수행할 수 있다.If it is determined that there is an inconsistency as a result of the coincidence determination, the malfunction preventing unit 1020 regards that an error in the sensing data has occurred due to an abnormality in the memory power supply, and performs the control processing for obtaining the normal sensing data again .

일 예로, 오동작 방지부(1020)는, 백업 메모리(1010)에 백업되었던 센싱 데이터와 불일치한 메인 메모리(320)에 저장되었던 센싱 데이터에 해당하는 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 하는 센싱 재 진행 제어 신호를 패널 센싱 동작 제어 신호로서 센싱 구동 제어부(900)로 출력할 수 있다. For example, the erroneous operation prevention unit 1020 may include a sensing unit for sensing the sub-pixel row corresponding to the sensing data stored in the main memory 320 that is inconsistent with the sensing data backed up in the backup memory 1010, It is possible to output the re-progress control signal to the sensing drive control unit 900 as the panel sensing operation control signal.

오동작 방지부(1020)는, 패널 센싱 구간 동안, 일치 여부의 판단 결과, 일치한 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상이 있더라도 메모리 전원 이상에 의해 센싱 데이터의 오류가 발생하지 않은 것으로 판단하여, 진행되고 있던 센싱 구동이 정해진 센싱 구동 절차에 따라 계속되도록 제어할 수 있다. If it is determined as a result of the coincidence determination during the panel sensing period, the malfunction preventing unit 1020 determines that no error occurs in the sensing data due to a memory power failure even if there is a memory power failure, The sensing operation can be controlled so as to continue according to the predetermined sensing operation procedure.

전술한 바에 따르면, 메모리 전원 이상이 모니터링 된 상황에서 센싱 데이터의 오류(즉, 2개의 메모리(320, 1010)에 저장된 센싱 데이터 간의 불일치)가 발생한 것으로 확인되면, 오류가 발생한 센싱 데이터에 해당하는 서브픽셀을 다시 센싱 구동하여 센싱 데이터를 다시 얻도록 제어함으로써, 정상적인 센싱 데이터를 얻을 수 있게 해줄 수 있다. 이에 따라, 정상적인 보상값 연산을 가능하게 하고, 결과적으로 화상 품질을 개선시켜줄 수 있다. If it is determined that an error in the sensing data (that is, a discrepancy between the sensing data stored in the two memories 320 and 1010) occurs in the situation where the memory power supply abnormality is monitored, It is possible to obtain normal sensing data by controlling the sensing operation of the pixels again to obtain the sensing data again. This makes it possible to perform a normal compensation value calculation and consequently improve the image quality.

한편, 오동작 방지부(1020)는, 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 백업된 센싱 데이터가 불일치한 경우가 정해진 횟수(N회, N은 1 이상의 자연수) 이상 연속적으로 발생하면, 재 센싱 구동(Re-Sensing Driving)을 통해서는 현재의 문제 상황이 해결되지 않는다고 판단하여 재 센싱 구동 이외의 대응 프로세스를 진행하게 된다.On the other hand, the malfunction prevention unit 1020 continuously measures the number of times of inconsistency between the sensing data stored in the main memory 320 and the sensing data backed up in the backup memory 1010 by a predetermined number (N times, N is a natural number equal to or greater than 1) When it occurs, it is determined that the current problem situation is not solved through the re-sensing driving, and the corresponding process other than the re-sensing driving is performed.

예를 들어, 오동작 방지부(1020)는 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 백업된 센싱 데이터가 불일치한 경우가 정해진 횟수(N회, N은 1 이상의 자연수) 이상 연속적으로 발생하면, 패널 센싱 비정상 상태 알림 신호를 패널 센싱 동작 제어 신호로서 전원 제어부(1030)로 출력할 수 있다. For example, the erroneous operation prevention unit 1020 may continuously detect whether the sensed data stored in the main memory 320 and the backed up sensing data in the backup memory 1010 do not coincide with each other for a predetermined number of times (N times, N is a natural number of 1 or more) The panel sensing abnormal state notification signal can be output to the power control unit 1030 as a panel sensing operation control signal.

오동작 방지부(1020)에서 패널 센싱 비정상 상태 알림 신호가 출력된 이후, 전원 제어부(1030)는 유기발광표시장치(100)의 전원 오프 처리를 한다. After the malfunction prevention unit 1020 outputs the panel sensing abnormal state notification signal, the power source control unit 1030 performs power-off processing of the organic light emitting display 100. [

유기발광표시장치(100)의 전원 오프에 따라 전원 공급부(910) 및 메인 메모리(320)가 리셋(Reset)될 수 있다. The power supply unit 910 and the main memory 320 may be reset according to the power-off of the OLED display 100. [

전술한 바와 같이, 재 센싱 구동을 통해서도 메모리 전원 이상과 이에 따른 센싱 데이터 오류가 발생하는 상황이 해결되지 않는 경우, 전원 오프 처리를 통해 전원 공급부(910) 및 메인 메모리(320)를 리셋시킴으로써, 전원을 다시 켰을 때 메인 메모리(320)는 정상적인 메모리 전원을 공급받을 수 있고, 메인 메모리(320)에도 정상적인 센싱 데이터가 저장되도록 해줄 수 있다. As described above, when the memory power failure and the sensing data error due to the memory power failure can not be solved through the re-sensing driving, the power supply unit 910 and the main memory 320 are reset through the power- The main memory 320 can be supplied with normal memory power and the main memory 320 can store normal sensing data.

한편, 전원 오프 처리가 된 이후, 전원 온 신호가 발생하면, 보상부(330)는, 전원 오프 처리가 되기 직전의 패널 센싱 구간 이전에, 정상적인 패널 센싱 구동에 의해 메인 메모리(320) 또는 다른 저장장치(미도시) 또는 백업 메모리(1010)에 저장되어 있던 센싱 데이터를 이용하여, 해당 서브픽셀에 대한 특성치를 보상할 수 있다. On the other hand, if a power-on signal is generated after power-off processing has been performed, the compensating unit 330 performs a normal panel sensing drive before the panel sensing period immediately before the power- It is possible to compensate the characteristic value for the corresponding subpixel by using the sensing data stored in the device (not shown) or the backup memory 1010.

전술한 바에 따르면, 본 실시예들에 따른 센싱 및 보상 오동작 방지 프로세스에 의해 패널 센싱 구동 동작을 정상적으로 완료하지 못하여 유기발광표시패널(110) 상의 모든 서브픽셀에 대하여 센싱 데이터를 완전하게 얻지 못했더라도, 이전에 정상적으로 얻었던 센싱 데이터를 정상적인 화상 구동을 가능하게 할 수 있다. Even if the sensing data can not be completely obtained for all the subpixels on the organic light emitting display panel 110 because the panel sensing driving operation can not be normally completed by the sensing and compensation malfunction prevention process according to the present embodiments, It is possible to drive normal image sensing data previously obtained normally.

한편, 백업 메모리(1010)는 일정 개수의 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 백업할 수 있다. Meanwhile, the backup memory 1010 can back up sensing data for subpixels included in a certain number of subpixel rows.

이에 따라, 메모리 전원 모니터링부(1000)는, 일정 개수(예: 10개)의 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동 시간마다 메모리 전원 이상 유무를 모니터링 할 수 있다. Accordingly, the memory power monitoring unit 1000 can monitor the memory power supply abnormality for each sensing driving time for a predetermined number of (e.g., ten) subpixel rows.

이 경우, 오동작 방지부(1020)는, 일정 개수의 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에 대하여 메인 메모리(320)에 저장된 센싱 데이터와 백업 메모리(1010)에 저장된 센싱 데이터를 비교하여 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력할 수 있다. In this case, the malfunction prevention unit 1020 compares the sensing data stored in the main memory 320 and the sensing data stored in the backup memory 1010 with respect to the subpixels included in a predetermined number of subpixel rows, A control signal can be output.

전술한 바에 따르면, 백업 메모리(1010)의 용량을 상당히 줄일 수 있고, 메모리 전원 모니터링부(1000)의 메모리 전원 모니터링 횟수(메모리 전원 모니터링 처리 부하)를 상당히 줄일 수 있다. 또한, 오동작 방지부(1020)의 센싱 데이터 비교 처리 부하도 상당히 줄일 수 있다. According to the above description, the capacity of the backup memory 1010 can be significantly reduced and the number of memory power monitoring times (memory power monitoring processing load) of the memory power monitoring unit 1000 can be significantly reduced. In addition, the load of the sensing data comparison processing of the malfunction prevention unit 1020 can be considerably reduced.

전술한 메모리 전원 모니터링부(1000), 오동작 방지부(1020), 센싱 구동부(900) 등은 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있지만, 경우에 따라서, 메모리 전원 모니터링부(1000), 오동작 방지부(1020), 센싱 구동부(900) 등 중 적어도 하나는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있다. The memory power monitoring unit 1000, the malfunction prevention unit 1020 and the sensing driving unit 900 may be included outside the controller 140. The memory power monitoring unit 1000, At least one of the sensing unit 1020 and the sensing driver 900 may be included in the controller 140. [

전술한 전원 제어부(1030)는 컨트롤러(140)의 내부 또는 외부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서, 전원 컨트롤러의 내부에 포함되거나, 별도의 전원 제어 장치로 구현될 수도 있다. The power control unit 1030 may be included inside or outside the controller 140, and may be included in the power controller or may be implemented as a separate power control unit.

도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법에 대한 개략적인 흐름도이고, 도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법에 대한 구체적인 흐름도이다. 단, 아래에서는, 설명의 편의를 위해, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 및 보상 오동작 방지 관점에서 예시적으로 설명한다. FIG. 12 is a schematic flowchart of a driving method for preventing sensing and compensating malfunction of the organic light emitting display 100 according to the present embodiment. FIG. 13 is a flowchart illustrating a driving method of the organic light emitting display 100 according to the present embodiments. And a driving method for preventing sensing and compensating malfunction. However, for convenience of explanation, the following description will be made by way of example from the viewpoint of prevention of sensing and compensation malfunction for the first subpixel.

도 12를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 및 보상 오동작 방지를 위한 구동 방법은, 센싱 데이터 생성 단계(S1210), 센싱 데이터 저장 단계(S1220), 센싱 데이터 오류 방지 단계(S1240) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12, a driving method for sensing and compensating malfunction of the organic light emitting display 100 according to the present invention includes sensing data generating step S1210, sensing data storing step S1220, Prevention step S1240, and the like.

센싱 데이터 생성 단계(S1210)에서, 센싱 구동 제어부(900)는 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동이 이루어지도록 제어한다. 센싱 구동이 진행되어 원하는 센싱 조건(예: 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 포화 상태)이 되었을 때, 센싱부(310)는 제1 서브픽셀과 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하여 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 생성한다. In the sensing data generation step S1210, the sensing drive control unit 900 controls the sensing operation for the first subpixel. The sensing unit 310 senses the voltage of the sensing line connected to the first subpixel when the sensing operation is progressed to a desired sensing condition (e.g., a voltage saturation state of the first node N1 of the driving transistor DRT) To generate sensing data for the first subpixel.

센싱 데이터 저장 단계(S1220)에서, 센싱부(310)는 생성한 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 출력하여 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 메인 메모리(320)에 저장한다. In the sensed data storage step S1220, the sensing unit 310 outputs sensed data for the generated first sub-pixel, and stores sensing data for the first sub-pixel in the main memory 320. [

메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 이용하여 Using the sensing data for the first subpixel stored in the main memory 320,

센싱 데이터 오류 방지 단계(S1240)에서, 오동작 방지부(1020)는, 메모리 전원 모니터링부(1000)를 통해 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 한 결과에 따라, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 제어한다. In the sensing data error preventing step S1240, the malfunction preventing unit 1020 monitors the memory power supplied to the main memory 320 through the memory power monitoring unit 1000, So that the sensing operation for the pixel is performed again.

전술한 바에 따르면, 메모리 전원 이상이 모니터링 된 경우, 해당 제1 서브픽셀이 다시 센싱 구동되어 제1 서브픽셀에 대한 정상적인 센싱 데이터를 얻을 수 있도록 해줄 수 있다. 이에 따라, 제1 서브픽셀에 대한 특성치의 정상적인 보상값 연산을 가능하게 하고, 결과적으로 화상 품질을 개선시켜줄 수 있다.According to the above description, when the memory power abnormality is monitored, the first sub-pixel may be sensed and driven again to obtain normal sensing data for the first sub-pixel. Thus, it is possible to calculate the normal compensation value of the characteristic value for the first subpixel, and consequently to improve the image quality.

한편, 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 모니터링 된 경우, 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터는 정상적일 수 있다. 또한, 메모리 전원 이상 현상 또한 일시적인 현상일 수도 있다. On the other hand, if the memory power is monitored as being abnormal, the sensing data for the first subpixel may be normal. In addition, a memory power abnormality phenomenon may also be a temporary phenomenon.

따라서, 메모리 전원 이상이 발생하였더라도 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동을 바로 진행하는 것이 아니라, 메모리 전원 이상에 따라 제1 센싱 데이터에 이상이 있는지를 확인해보고 대응하는 것이 필요할 수 있다. Therefore, it may be necessary to check whether the first sensing data is abnormal according to the memory power abnormality, instead of immediately proceeding to re-sensing the first subpixel even if a memory power failure occurs.

아래에서는, 이러한 관점에서 더욱 상세한 방법을 설명한다. Hereinafter, a more detailed method will be described from this point of view.

도 12를 참조하면, 센싱 데이터 저장 단계(S1220) 이후, 백업 메모리(1010)가 메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 백업하는 센싱 데이터 백업 단계(S1230)가 더 진행될 수 있다. 12, after the sensing data storage step S1220, the sensing data backup step S1230 for backing up the sensing data of the first subpixel stored in the main memory 320 of the backup memory 1010 may be further performed have.

도 13을 참조하면, 센싱 데이터 오류 방지 단계(S1240)는, 메인 메모리(320)로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 판단하는 단계(S1310)와, 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상 판단 시점 이전에, 메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터가 백업 메모리(1010)에 백업된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터와 일치하는지를 판단하는 단계(S1320)와, 불일치하는 것으로 판단되면, 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동(Re-Sensing Driving)이 다시 진행되도록 제어하는 단계(S1360) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 13, the sensing data error prevention step S1240 includes a step S1310 of determining whether there is an abnormality in the memory power supplied to the main memory 320, A step S1320 of determining whether the sensing data for the first subpixel stored in the main memory 320 matches the sensing data for the first subpixel backed up in the backup memory 1010 before the power supply abnormality determination time, If it is determined that there is a mismatch, step S1360 may be performed to control re-sensing driving for the first sub-pixel to proceed again.

도 13을 참조하면, 메모리 전원의 이상 유무를 판단하는 단계(S1310)에서 메모리 전원에 이상이 없는 것으로 판단된 경우, 센싱 구동 제어부(900)는, 유기발광표시패널(110)에서의 모든 서브픽셀에 대한 센싱이 완료되었는지를 판단한다(S1330).13, when it is determined that there is no abnormality in the memory power source in the step S1310 of determining whether there is an abnormality in the memory power source, the sensing drive control unit 900 controls all of the sub- Is sensed (S1330).

센싱 완료가 된 것으로 판단된 경우, 보상부(330)는 메인 메모리(320)에 저장된 모든 센싱 데이터를 이용하여 모든 서브픽셀에 대한 보상값을 연산하는 보상 프로세스를 진행할 수 있다(1340).If it is determined that the sensing is completed, the compensation unit 330 may perform a compensation process for calculating compensation values for all the subpixels using all the sensing data stored in the main memory 320 (1340).

센싱 완료가 되지 않는 것으로 판단된 경우, 센싱 구동 제어부(900)는, 정해진 센싱 절차에 따라 다음 순서의 서브픽셀 행 또는 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 진행하고, 센싱부(310)는 진행된 센싱 구동에 따른 해당 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성한다(S1210).If it is determined that the sensing is not completed, the sensing drive control unit 900 proceeds to the sensing operation for the subpixel row or subpixel in the next sequence according to a predetermined sensing procedure, and the sensing unit 310 To generate the sensing data for the corresponding subpixels (S1210).

한편, S1320 단계에서, 메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터가 백업 메모리(1010)에 백업된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터와 일치하는지를 판단한 결과, 일치하는 경우, 센싱 구동 제어부(900)는, 유기발광표시패널(110)에서의 모든 서브픽셀에 대한 센싱이 완료되었는지를 판단한다(S1330).On the other hand, if it is determined in step S1320 that the sensing data for the first subpixel stored in the main memory 320 matches the sensing data for the first subpixel backed up in the backup memory 1010, The controller 900 determines whether the sensing of all the subpixels in the organic light emitting display panel 110 is completed (S1330).

센싱 완료가 된 것으로 판단된 경우, 보상부(330)는 메인 메모리(320)에 저장된 모든 센싱 데이터를 이용하여 모든 서브픽셀에 대한 보상값을 연산하는 보상 프로세스를 진행할 수 있다(1340).If it is determined that the sensing is completed, the compensation unit 330 may perform a compensation process for calculating compensation values for all the subpixels using all the sensing data stored in the main memory 320 (1340).

센싱 완료가 되지 않는 것으로 판단된 경우, 센싱 구동 제어부(900)는, 정해진 센싱 절차에 따라 다음 순서의 서브픽셀 행 또는 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 진행하고, 센싱부(310)는 진행된 센싱 구동에 따른 해당 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성한다(S1210).If it is determined that the sensing is not completed, the sensing drive control unit 900 proceeds to the sensing operation for the subpixel row or subpixel in the next sequence according to a predetermined sensing procedure, and the sensing unit 310 To generate the sensing data for the corresponding subpixels (S1210).

한편, S1320 단계에서, 메인 메모리(320)에 저장된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터가 백업 메모리(1010)에 백업된 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터와 일치하는지를 판단한 결과, 불일치하는 경우, 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT, 초기값=0)을 1만큼 증가시키고(S1350), 1만큼 증가된 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)이 미리 정해진 N 값 이상인지를 판단한다(S1360). On the other hand, if it is determined in step S1320 that the sensing data for the first subpixel stored in the main memory 320 matches the sensing data for the first subpixel backed up in the backup memory 1010, The sensing operation count value RESEN_COUNT and the initial value = 0 are incremented by 1 in operation S1350. In operation S1360, it is determined whether the number of consecutive re-sensing operation times RESEN_COUNT is equal to or greater than a predetermined N value.

S1360 단계에서의 판단 결과, 1만큼 증가된 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)이 미리 정해진 N 값 이상이 아닌 것으로 판단된 경우, 오동작 방지부(1020)는 센싱 재 진행 제어 신호를 센싱 구동 제어부(900)로 출력한다(S1370). If it is determined in step S1360 that the number of consecutive re-sensing driving times (RESEN_COUNT) increased by 1 is not equal to or greater than the predetermined N value, the malfunction prevention unit 1020 outputs a sensing re- 900 (S1370).

이에 따라, 센싱 구동 제어부(900)는, 정해진 센싱 절차에 따라 다음 순서의 서브픽셀 행 또는 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 진행하고, 센싱부(310)는 진행된 센싱 구동에 따른 해당 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성한다(S1210).Accordingly, the sensing drive control unit 900 proceeds to the sensing operation for the subpixel row or subpixel in the next sequence according to a predetermined sensing procedure, and the sensing unit 310 performs sensing driving for the corresponding subpixels And generates sensing data (S1210).

S1360 단계에서의 판단 결과, 1만큼 증가된 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)이 미리 정해진 N 값 이상인 것으로 판단된 경우, 즉, 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동이 N회 이상 연속적으로 반복적으로 진행되는 경우, 전원 오프 처리가 진행될 수 있다(S1380).If it is determined in step S1360 that the number of consecutive re-sensing driving times (RESEN_COUNT) increased by 1 is equal to or greater than the predetermined N value, that is, if the re-sensing operation for the first sub- If the process proceeds, the power-off process may proceed (S1380).

여기서, 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)은 어떠한 서브픽셀 행에서 동일한 서브픽셀에 대하여 센싱 구동이 연속적으로 반복되는 횟수를 나타내는 값이다. Herein, the continuous re-sensing drive count value (RESEN_COUNT) is a value indicating the number of times the sensing drive is continuously repeated for the same sub-pixel in any sub-pixel row.

따라서, 센싱 구동이 다시 진행되었더라도, 재 센싱 구동 이후, 메모리 전원에 이상이 없거나 센싱 데이터 오류가 없다고 판단된 경우, 연속 재 센싱 구동 횟수 값(RESEN_COUNT)은 초기값(0)으로 초기화된다(S1325).Therefore, even if the sensing operation is resumed, if the memory power is not abnormal or there is no sensing data error after the sensing operation, the continuous resensening driving count value RESEN_COUNT is initialized to the initial value 0 (S1325) .

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터의 오류를 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments as described above, it is possible to prevent the error of the sensing data with respect to the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement.

본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 및 보상 오동작을 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다. According to the embodiments, it is possible to prevent the sensing and compensating malfunctions of the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement.

본 실시예들에 의하면, 서브픽셀 특성치에 대한 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리의 전원 이상에 의한 센싱 및 보상 오동작을 방지할 수 있고, 이를 통해, 정확한 보상값 연산과 화상 품질 개선을 가능하게 할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to prevent sensing and compensating malfunction due to power supply anomaly in the main memory storing sensing data for the sub-pixel characteristic values, thereby enabling accurate compensation value calculation and image quality improvement have.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 컨트롤러
100: organic light emitting display
110: organic light emitting display panel
120: Data driver
130: gate driver
140: controller

Claims (15)

다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배치되고, 둘 이상의 센싱 라인이 배치된 유기발광표시패널;
패널 센싱 구간 동안, 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동을 통해 둘 이상의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하여 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 센싱부;
상기 패널 센싱 구간 동안, 메모리 전원을 이용하여, 상기 센싱부에서 출력되는 센싱 데이터를 저장하는 메인 메모리;
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메인 메모리로 공급되는 상기 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 하는 메모리 전원 모니터링부; 및
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메모리 전원 모니터링부의 모니터링 결과에 따라 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력하는 오동작 방지부를 포함하는 유기발광표시장치.
An organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels are arranged in a matrix type and two or more sensing lines are arranged;
A sensing unit for sensing voltage of each of two or more sensing lines through a sensing drive for each subpixel row to generate and output sensing data during a panel sensing period;
A main memory for storing sensing data output from the sensing unit using the memory power during the panel sensing period;
A memory power monitoring unit for monitoring an abnormality of the memory power supplied to the main memory during the panel sensing period; And
And a malfunction prevention unit for outputting a panel sensing operation control signal according to a monitoring result of the memory power monitoring unit during the panel sensing period.
제1항에 있어서,
상기 둘 이상의 센싱 라인 각각은,
1개의 서브픽셀 열에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결되거나,
2개 이상의 서브픽셀 열에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결되는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein each of the two or more sensing lines comprises:
And is electrically connected to the subpixels included in one subpixel column,
And is electrically connected to subpixels included in two or more subpixel columns.
제2항에 있어서,
상기 둘 이상의 센싱 라인 각각이 1개의 서브픽셀에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결된 경우, 상기 센싱부는,
상기 패널 센싱 구간 동안, 다수의 서브픽셀 행 각각에 대하여, 상기 둘 이상의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하여 해당 서브픽셀 행에 포함되고 상기 둘 이상의 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결된 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성하여 출력하고,
상기 둘 이상의 센싱 라인 각각이 2개 이상의 서브픽셀에 포함된 서브픽셀들과 전기적으로 연결된 경우, 상기 센싱부는,
상기 패널 센싱 구간 동안, 다수의 서브픽셀 행 각각에 대하여, 상기 둘 이상의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하여 해당 서브픽셀 행에 포함되고 상기 둘 이상의 센싱 라인 각각에 전기적으로 연결된 서브픽셀들 중 동일 색상의 빛을 발광하는 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 유기발광표시장치.
3. The method of claim 2,
When each of the two or more sensing lines is electrically connected to subpixels included in one subpixel,
Sensing the voltage of each of the two or more sensing lines for each of a plurality of subpixel rows during the panel sensing period to generate sensing data for subpixels included in the corresponding subpixel row and electrically connected to each of the two or more sensing lines And outputs it,
When each of the two or more sensing lines is electrically connected to subpixels included in two or more subpixels,
A plurality of sensing lines for sensing a voltage of each of the two or more sensing lines for each of a plurality of subpixel rows during the panel sensing period and selecting one of subpixels electrically connected to the two or more sensing lines, And generating and outputting sensing data for the subpixels emitting light.
제1항에 있어서,
상기 센싱부는,
상기 둘 이상의 센싱 라인과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(Analog to Digital Converter)를 포함하되
상기 아날로그 디지털 컨버터는,
전기적으로 연결된 적어도 하나의 센싱 라인 각각의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 센싱값으로 변환하며, 변환된 디지털 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
The sensing unit includes:
At least one analog to digital converter electrically connected to the two or more sensing lines,
The analog-to-
Sensing the voltage of each of at least one sensing line electrically connected, converting the sensed voltage into a digital sensing value, and generating and outputting sensing data including the converted digital sensing value.
제1항에 있어서,
상기 메모리 전원 모니터링부는,
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메인 메모리로 공급되는 상기 메모리 전원의 전압을 모니터링 하고, 모니터링 된 전압이 미리 정해진 정상 범위를 벗어나면, 상기 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the memory power monitoring unit comprises:
Monitors the voltage of the memory power supplied to the main memory during the panel sensing period and determines that the memory power is abnormal when the monitored voltage is out of a predetermined normal range.
제1항에 있어서,
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메인 메모리에 저장된 각 서브픽셀 행에 대한 센싱 데이터를 백업하는 백업 메모리를 더 포함하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
And a back-up memory for backing up sensing data for each sub-pixel row stored in the main memory during the panel sensing period.
제6항에 있어서,
상기 백업 메모리는 일정 개수의 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에 대한 센싱 데이터를 백업하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the backup memory backs up sensing data for subpixels included in a certain number of subpixel rows.
제7항에 있어서,
상기 메모리 전원 모니터링부는,
상기 일정 개수의 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동 시간마다 메모리 전원 이상 유무를 모니터링하고,
상기 오동작 방지부는,
상기 일정 개수의 서브픽셀 행에 포함된 서브픽셀들에 대하여 상기 메인 메모리에 저장된 센싱 데이터와 상기 백업 메모리에 저장된 센싱 데이터를 비교하여 상기 패널 센싱 동작 제어 신호를 출력하는 유기발광표시장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the memory power monitoring unit comprises:
Monitors the presence or absence of a memory power source for each sensing driving time of the predetermined number of subpixel rows,
The malfunction-
And compares the sensing data stored in the main memory with the sensing data stored in the backup memory for the subpixels included in the predetermined number of subpixel rows and outputs the panel sensing operation control signal.
제6항에 있어서,
상기 오동작 방지부는,
상기 패널 센싱 구간 동안, 상기 메모리 전원 모니터링부에 의한 모니터링 결과 상기 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단된 경우,
메모리 전원 이상 판단 시점 이전에, 상기 메인 메모리에 저장되었던 센싱 데이터와 상기 백업 메모리에 백업되었던 센싱 데이터를 서로 대응시켜 일치 여부를 판단하고,
판단 결과, 불일치한 것으로 판단된 경우, 상기 백업 메모리에 백업된 센싱 데이터와 불일치한 상기 메인 메모리에 저장되었던 센싱 데이터에 해당하는 서브픽셀 행에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 하는 센싱 재 진행 제어 신호를 상기 패널 센싱 동작 제어 신호로서 출력하는 유기발광표시장치.
The method according to claim 6,
The malfunction-
If it is determined that the memory power source is abnormal due to monitoring by the memory power monitoring unit during the panel sensing period,
Wherein the sensing data stored in the main memory and the sensing data backed up in the backup memory are compared with each other to determine whether or not the memory data is coincident with each other,
As a result of the determination, if it is determined that there is an inconsistency, a sensing replay progress control signal for causing the sensing drive for the subpixel row corresponding to the sensing data stored in the main memory to be inconsistent with the sensing data backed up in the backup memory, And outputs the panel sensing operation control signal as the panel sensing operation control signal.
제7항에 있어서,
상기 오동작 방지부는,
상기 메인 메모리에 저장된 센싱 데이터와 상기 백업 메모리에 백업된 센싱 데이터가 불일치한 경우가 정해진 횟수 이상 연속적으로 발생하면,
패널 센싱 비정상 상태 알림 신호를 상기 패널 센싱 동작 제어 신호로서 출력하는 유기발광표시장치.
8. The method of claim 7,
The malfunction-
When the sensing data stored in the main memory and the sensing data backed up in the backup memory are continuously inconsistent for a predetermined number of times or more,
And outputs a panel sensing abnormal state notification signal as the panel sensing operation control signal.
제10항에 있어서,
상기 패널 센싱 비정상 상태 알림 신호를 출력한 이후, 전원 오프 처리가 되는 유기발광표시장치.
11. The method of claim 10,
And the power-off process is performed after the panel sensing abnormal condition notification signal is output.
제11항에 있어서,
상기 전원 오프 처리가 된 이후, 전원 온 신호가 발생하면, 상기 패널 센싱 구간 이전에 상기 메인 메모리에 저장되었던 센싱 데이터를 이용하여, 해당 서브픽셀에 대한 특성치를 보상하는 보상부를 더 포함하는 유기발광표시장치.
12. The method of claim 11,
And a compensation unit for compensating a characteristic value of the corresponding subpixel using the sensing data stored in the main memory before the panel sensing period when the power-on signal is generated after the power- Device.
유기발광표시장치의 구동 방법에 있어서,
제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 통해 상기 제1 서브픽셀과 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하여 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 생성하는 센싱 데이터 생성 단계;
상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 메인 메모리에 저장하는 센싱 데이터 저장 단계; 및
상기 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 모니터링 한 결과에 따라, 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 구동이 다시 진행되도록 제어하는 센싱 데이터 오류 방지 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
A driving method of an organic light emitting display device,
A sensing data generation step of sensing a voltage of a sensing line connected to the first sub pixel through sensing driving for a first sub pixel to generate sensing data for the first sub pixel;
Storing sensing data for the first sub-pixel in a main memory; And
And a sensing data error prevention step of controlling the sensing operation of the first sub-pixel to proceed again according to a result of monitoring an abnormality of the memory power supplied to the main memory.
제13항에 있어서,
상기 센싱 데이터 저장 단계 이후,
상기 메인 메모리에 저장된 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터를 백업 메모리에 백업하는 센싱 데이터 백업 단계를 더 포함하고,
상기 센싱 데이터 오류 방지 단계는,
상기 메인 메모리로 공급되는 메모리 전원의 이상 유무를 판단하는 단계;
상기 메모리 전원에 이상이 있는 것으로 판단된 경우, 메모리 전원 이상 판단 시점 이전에, 상기 메인 메모리에 저장된 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터가 상기 백업 메모리에 백업된 상기 제1 서브픽셀에 대한 센싱 데이터와 일치하는지를 판단하는 단계; 및
불 일치하는 것으로 판단되면, 상기 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동이 다시 진행되도록 제어하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
14. The method of claim 13,
After storing the sensing data,
Further comprising a sensing data backup step of backing up the sensing data for the first subpixel stored in the main memory to a backup memory,
In the sensing data error prevention step,
Determining whether there is an abnormality in the memory power supplied to the main memory;
Wherein the sensing data for the first subpixel stored in the main memory is the sensing data for the first subpixel backed up in the backup memory before the time when the memory power source is determined to be abnormal, And determining whether or not the received data matches with the received data. And
And controlling the re-sensing driving for the first sub-pixel to proceed again if it is determined that the first sub-pixel is not coincident with the first sub-pixel.
제13항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀에 대한 재 센싱 구동이 N회 이상 연속적으로 반복적으로 진행되는 경우 전원 오프 처리를 수행하는 전원 오프 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
14. The method of claim 13,
And a power-off step of performing a power-off process when the re-sensing operation for the first sub-pixel is repeatedly and continuously performed N times or more.
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