KR102510121B1 - Organic light emitting display device, data driving circuit, controller, and driving method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 검은색의 띠 형태의 블록이 보이는 라인 결함을 발생시키는 불량 서브픽셀을 검출하고, 검출된 불량 서브픽셀의 구동이 다른 서브픽셀에 영향을 주지 않도록 하는 데이터전압을 불량 서브픽셀에 공급함으로써, 라인 결함을 방지하여 화상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method, and more particularly, detects a defective sub-pixel causing a line defect in which a block in the form of a black band is visible, and detects the defective sub-pixel. An organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method capable of improving image quality by preventing line defects by supplying data voltages that prevent pixel driving from affecting other subpixels to defective subpixels. will be.

Description

유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE, DATA DRIVING CIRCUIT, CONTROLLER, AND DRIVING METHOD}Organic light emitting display device, data driving circuit, controller and driving method {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE, DATA DRIVING CIRCUIT, CONTROLLER, AND DRIVING METHOD}

본 발명은 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. Recently, an organic light emitting display device that has been in the limelight as a display device uses an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, and has advantages such as fast response speed, luminous efficiency, luminance, and viewing angle.

유기발광표시장치는 유기발광다이오드와 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터가 포함된 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 서브픽셀들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다. An organic light emitting display device arranges organic light emitting diodes and subpixels including driving transistors for driving them in a matrix form, and controls brightness of subpixels selected by a scan signal according to grayscale of data.

종래의 유기발광표시장치는 검은색의 띠 형태의 블록이 보이는 화면 이상 현상이 발생하는 문제점이 발생하고 있는 실정이다. 이러한 라인 결함은 그 원인 및 최초 발생 위치 등을 알아내기가 어려운 문제점이며, 유기발광표시장치의 품질에 큰 영향을 끼칠 수 있다. In the conventional organic light emitting display device, there is a problem in that a screen abnormality occurs in which blocks in the form of black bands are visible. Such a line defect is a problem in which it is difficult to find out the cause and location of occurrence of the line defect, and may have a great influence on the quality of the organic light emitting display device.

이러한 배경에서, 본 발명의 실시예들의 목적은, 검은색의 띠 형태의 블록이 보이는 라인 결함을 방지하여 화상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공하는데 있다. Against this background, an object of embodiments of the present invention is to provide an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method capable of improving image quality by preventing line defects in which black band-shaped blocks are visible. there is.

본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 라인 결함을 발생시키는 불량 서브픽셀을 검출할 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공하는데 있다. Another object of the embodiments of the present invention is to provide an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method capable of detecting defective subpixels causing line defects.

본 발명의 실시예들의 또 다른 목적은, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 다른 정상 서브픽셀의 센싱 및 보상 오류가 발생하지 않도록 해줌으로써, 영상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공하는데 있다.Another object of the embodiments of the present invention is an organic light emitting display device capable of improving image quality by preventing sensing and compensation errors of other normal subpixels from occurring due to driving of a defective subpixel, a data driving circuit, and the like. It is to provide a controller and a driving method.

일 측면에서, 본 발명의 실시예들은 라인 결함을 방지할 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공할 수 있다. In one aspect, embodiments of the present invention may provide an organic light emitting display device capable of preventing line defects, a data driving circuit, a controller, and a driving method.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 데이터라인, 다수의 게이트라인 및 다수의 기준전압라인이 배치되고, 다수의 데이터라인과 다수의 게이트라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열된 유기발광표시패널과, 다수의 데이터라인을 구동하는 데이터구동회로와, 다수의 게이트라인을 구동하는 게이트구동회로와, 데이터구동회로 및 게이트구동회로를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. On the other hand, in embodiments of the present invention, a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of reference voltage lines are disposed, and a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are of a matrix type. An organic light emitting display including an organic light emitting display panel arranged in a manner, a data driving circuit driving a plurality of data lines, a gate driving circuit driving a plurality of gate lines, and a controller controlling the data driving circuit and the gate driving circuit. device can be provided.

다수의 서브픽셀 각각은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 스캔신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제1 노드와 다수의 데이터라인 중 하나의 데이터라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 스캔신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제2 노드와 다수의 기준전압라인 중 하나의 기준전압라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함할 수 있다. Each of the plurality of subpixels is controlled by an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, and a first scan signal, and is electrically connected between a first node of the driving transistor and one data line among the plurality of data lines. A connected first transistor, a second transistor controlled by the second scan signal and electrically connected between the second node of the driving transistor and one reference voltage line among a plurality of reference voltage lines, and between the first node and the second node. It may include a capacitor electrically connected to.

다수의 기준전압라인의 개수는 다수의 데이터라인의 개수보다 적을 수 있다. The number of reference voltage lines may be less than the number of data lines.

다수의 기준전압라인 각각은 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. Each of the plurality of reference voltage lines may be commonly connected to source nodes or drain nodes of second transistors included in two or more subpixels.

유기발광표시장치는, 다수의 기준전압라인 각각과 기준전압이 공급되는 기준전압 공급 노드 간의 연결을 제어하는 기준 스위치와, 다수의 기준전압라인 각각과 아날로그 디지털 컨버터 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting display device further includes a reference switch that controls a connection between each of a plurality of reference voltage lines and a reference voltage supply node to which the reference voltage is supplied, and a sampling switch that controls a connection between each of the plurality of reference voltage lines and an analog-to-digital converter. can include

제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중에서, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 데이터구동회로는, 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급할 수 있다.Among two or more subpixels commonly supplied with a reference voltage through the first reference voltage line, when the second transistor in the first subpixel is short-circuited, the data driving circuit, during the driving period of the first subpixel, A first specific data voltage for turning off a driving transistor in a subpixel may be supplied to the first subpixel through the first data line.

제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. During the driving period of the first subpixel, mobility sensing of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel may be performed.

유기발광표시장치는, 미리 정의된 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부에 따라, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로를 더 포함할 수 있다. An organic light emitting display device detects a subpixel to be checked as a defective subpixel according to whether a second transistor in a subpixel to be checked is short-circuited among a plurality of subpixels during a predefined defective subpixel detection period. may further include.

불량 서브픽셀 검출 회로는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단할 수 있다. The defective subpixel detecting circuit is connected to the source node or drain node of the second transistor in the subpixel to be checked while the second scan signal of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor in the subpixel to be checked. Based on whether or not the voltage of the electrically connected reference voltage line changes or the magnitude of the voltage change, whether or not the second transistor in the subpixel to be checked may be short-circuited may be determined.

불량 서브픽셀 검출 회로는, 제1 서브픽셀의 구동 기간 전에 확인 대상 서브픽셀로서 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하되, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 것으로 판단하여, 제1 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. The bad subpixel detecting circuit determines whether a second transistor in the first subpixel is short-circuited as a subpixel to be checked before a driving period of the first subpixel, and turns off the gate node of the second transistor in the first subpixel. If it is confirmed that the voltage of the first reference voltage line electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor in the first subpixel is increased while the second scan signal of the level voltage is being applied, the second scan signal in the first subpixel is increased. By determining that the two transistors are short-circuited, the first subpixel may be detected as a defective subpixel.

불량 서브픽셀 검출 회로는, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀이 확인 대상 서브픽셀인 경우, 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압변화가 없거나 전압 변화 크기가 미리 정해진 임계 수준 이하인 것으로 확인되면, 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 미 단락이 된 것으로 판단하여, 제2 서브픽셀을 정상 서브픽셀로서 검출할 수 있다. When the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is a subpixel to be checked, the defective subpixel detection circuit outputs a turn-off level voltage to a gate node of a second transistor in the second subpixel. While the second scan signal is being applied, when it is confirmed that there is no voltage change of the first reference voltage line electrically connected to the source node or drain node of the second transistor in the second subpixel or the magnitude of the voltage change is less than or equal to a predetermined threshold level. , it is determined that the second transistor in the second subpixel is not short-circuited, and the second subpixel can be detected as a normal subpixel.

데이터구동회로는, 제2 서브픽셀이 구동될 때, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급할 수 있다. The data driving circuit may supply a first specific data voltage that turns off a driving transistor in the first subpixel to the first subpixel through the first data line when the second subpixel is driven.

불량 서브픽셀 검출 기간은, 파워 온 신호가 발생하고 디스플레이 구동이 시작되기 전에 진행되거나, 파워 오프 신호가 발생한 이후에 진행되거나, 디스플레이 구동 중 실시간으로 진행될 수 있다. The defective subpixel detection period may proceed before the power-on signal is generated and display driving starts, may proceed after the power-off signal is generated, or may proceed in real time during display driving.

제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀은, 정상 서브픽셀인 경우, 구동 기간에 구동 트랜지스터가 턴-온 되도록 하는 데이터전압이 인가될 수 있다. When the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is a normal subpixel, a data voltage for turning on the driving transistor may be applied during the driving period.

이러한 정상 서브픽셀인 제2 서브픽셀은 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀과 동일한 서브픽셀 행에 배치될 수도 있고, 다른 서브픽셀 행에 배치될 수도 있다. The second subpixel, which is a normal subpixel, may be disposed in the same subpixel row as the first subpixel, which is a defective subpixel, or may be disposed in a different subpixel row.

유기발광표시장치는, 제2 트랜지스터가 단락이 된 불량 서브픽셀의 위치정보를 저장하는 메모리를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting display device may further include a memory storing location information of the defective subpixel in which the second transistor is shorted.

컨트롤러는, 메모리를 참조하여, 불량 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터를 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터를 턴-오프 시키는 특정 영상데이터로 교체하여 데이터구동회로로 출력할 수 있다. The controller may refer to the memory to replace image data to be supplied to the defective subpixel with specific image data for turning off a driving transistor in the defective subpixel and output the same to a data driving circuit.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 라인 결함을 방지할 수 있는 데이터구동회로를 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention may provide a data driving circuit capable of preventing line defects.

데이터구동회로는, 입력된 영상데이터를 저장하는 래치회로와, 영상데이터를 아날로그 신호들로 변환하는 디지털 아날로그 변환회로와, 아날로그 신호들에 대응되는 데이터전압들을 n개의 데이터라인과 대응되는 n(n은 2 이상의 자연수)개의 데이터채널로 출력하는 출력회로와, m(m은 1 이상의 자연수)개의 기준전압라인의 전압을 디지털 값으로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 변환회로와, m개의 기준전압라인에 대응되는 m개의 기준채널과 아날로그 디지털 변환회로 사이에 연결된 스위치 회로를 포함할 수 있다. The data driving circuit includes a latch circuit for storing input image data, a digital-to-analog conversion circuit for converting the image data into analog signals, and data voltages corresponding to the analog signals to n data lines corresponding to n (n is a natural number greater than or equal to 2) an output circuit outputting data channels, an analog-to-digital conversion circuit converting the voltages of m (m is a natural number greater than or equal to 1) reference voltage lines into digital values and outputting them, and corresponding to m reference voltage lines It may include a switch circuit connected between the m reference channels and the analog-to-digital conversion circuit.

n은 m의 2 이상의 정수 배일 수 있다. n may be an integer multiple of 2 or more of m.

m개의 기준전압라인 각각은, 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. Each of the m reference voltage lines may be commonly connected to source nodes or drain nodes of second transistors included in two or more subpixels.

다수의 서브픽셀은 m개의 기준전압라인 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중에서 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압이 제1 데이터라인으로 출력되어 제1 서브픽셀로 공급될 수 있다. Among two or more subpixels that are commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line among m reference voltage lines, the first subpixel is driven when the second transistor in the first subpixel is short-circuited. During the period, a first specific data voltage for turning off the driving transistor in the first subpixel may be output through the first data line and supplied to the first subpixel.

제1 서브픽셀의 구동 기간에, 아날로그 디지털 변환회로는, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제2 노드의 상승된 전압을 제1 기준전압라인을 통해 센싱할 수 있다. During the driving period of the first subpixel, the analog-to-digital conversion circuit converts the increased voltage of the second node of the driving transistor in the second subpixel connected to the first reference voltage line to the first reference voltage line. can be sensed through

제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터는 미 단락 되어 있고, 제2 서브픽셀이 구동될 때, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압이 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급될 수 있다. The second transistor in the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is short-circuited, and the driving transistor in the first subpixel is turned off when the second subpixel is driven. 1 A specific data voltage may be supplied to the first subpixel through the first data line.

또 다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 라인 결함을 방지할 수 있는 유기발광표시장치의 구동방법을 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention may provide a method for driving an organic light emitting display device capable of preventing line defects.

구동방법은, 다수의 서브픽셀 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 영상 구동을 위한 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급하는 정상 구동 단계와, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급하는 라인 결함 방지 단계를 포함할 수 있다. The driving method includes a data voltage for driving an image through a first data line during a driving period of a first subpixel among two or more subpixels that are commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line among a plurality of subpixels. During the normal driving phase of supplying power to the first subpixel and the driving period of the first subpixel when the second transistor in the first subpixel is short-circuited, the first driving transistor in the first subpixel is turned off. A line defect prevention step of supplying a specific data voltage to the first subpixel through the first data line may be included.

라인 결함 방지 단계에서, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. In the line defect prevention step, mobility sensing of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel may be performed.

구동방법은, 정상 구동 단계와 라인 결함 방지 단계 사이에, 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀인 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하여 확인 대상 서브픽셀인 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 단계를 더 포함할 수 있다. In the driving method, between a normal driving step and a line defect prevention step, it is determined whether or not a second transistor in a first subpixel, which is a subpixel to be checked, is short-circuited among a plurality of subpixels, so that a first subpixel, which is a subpixel to be checked, is defective. A defective subpixel detection step of detecting whether the subpixel is a subpixel or not may be further included.

불량 서브픽셀 검출 단계는, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단할 수 있다. The detecting of the defective subpixel may include contacting a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel while a second scan signal having a turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. Based on whether or not the voltage of the electrically connected first reference voltage line changes or the magnitude of the voltage change, whether or not the second transistor in the subpixel to be checked may be short-circuited may be determined.

불량 서브픽셀 검출 단계는, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락이 된 것으로 판단되어, 제1 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. The detecting of the defective subpixel may include contacting a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel while a second scan signal having a turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. When it is determined that the voltage of the electrically connected first reference voltage line increases, it is determined that the second transistor in the first subpixel is short-circuited, and the first subpixel may be detected as a defective subpixel.

불량 서브픽셀 검출 단계는, 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-온 시키고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-오프 시키는 제1 단계; 제1 단계 이후, 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-오프 시키고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-오프 시키는 제2 단계; 제2 단계 이후, 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-오프 시키고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-온 시키는 제3 단계; 샘플링 스위치가 턴-온 됨에 따라, 아날로그 디지털 컨버터가 샘플링 스위치를 통해 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하는 제4 단계; 및 센싱값을 토대로, 제1 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 확인하여 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하여, 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 제5 단계를 포함할 수 있다. In the detecting of the defective subpixel, a first scan signal having a turn-on level voltage is supplied to a gate node of a first transistor in the first subpixel, and a turn-on level voltage is supplied to a gate node of a second transistor in the first subpixel. supplies a second scan signal of, turns on a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to the source node or drain node of a second transistor in the first subpixel, and turns on the second transistor in the first subpixel A first step of turning off a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of ; After the first step, the first scan signal of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the first transistor in the first subpixel, and the second scan signal of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. Supplying 2 scan signals, turning off the reference switch connected to the first reference voltage line electrically connected to the source node or drain node of the second transistor in the first subpixel, and turning off the source of the second transistor in the first subpixel a second step of turning off a sampling switch connected to a node or a first reference voltage line electrically connected to the drain node; After the second step, the first scan signal of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the first transistor in the first subpixel, and the second scan signal of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. Supplying 2 scan signals, turning off the reference switch connected to the first reference voltage line electrically connected to the source node or drain node of the second transistor in the first subpixel, and turning off the source of the second transistor in the first subpixel a third step of turning on a sampling switch connected to a node or a first reference voltage line electrically connected to the drain node; A fourth step of sensing a voltage of a first reference voltage line electrically connected to the analog-to-digital converter through the sampling switch and converting the sensed voltage into a sensed value corresponding to a digital value as the sampling switch is turned on; and a fifth step of determining whether or not the first subpixel is a defective subpixel by determining whether or not the second transistor is short-circuited by checking whether or not the voltage of the first reference voltage line has changed or the magnitude of the voltage change based on the sensed value. can do.

또 다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 라인 결함을 방지할 수 있는 유기발광표시장치의 컨트롤러를 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention may provide a controller of an organic light emitting display device capable of preventing line defects.

컨트롤러는, 다수의 기준전압라인 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락 된 정보 또는 제1 서브픽셀의 위치정보를 저장하는 메모리와, 메모리를 참조하여, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터를 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 영상데이터로 교체하여 데이터구동회로로 출력하는 영상데이터 공급기를 포함할 수 있다. The controller stores information on the short-circuit of a second transistor in a first subpixel among two or more subpixels commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line among a plurality of reference voltage lines or location information of the first subpixel. With reference to the memory and the memory, when the second transistor in the first subpixel is short-circuited, during the driving period of the first subpixel, image data to be supplied to the first subpixel is transmitted to the driving transistor in the first subpixel. and an image data supplier that replaces the image data with first specific image data that turns off and outputs the image data to the data driving circuit.

제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. During the driving period of the first subpixel, mobility sensing of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel may be performed.

컨트롤러는 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부에 따라 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로를 더 포함할 수 있다. The controller may further include a defective subpixel detection circuit that detects whether or not the subpixel to be checked is a defective subpixel according to whether or not the second transistor in the subpixel to be checked is short-circuited among the plurality of subpixels during the defective subpixel detection period. .

불량 서브픽셀 검출 회로는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단할 수 있다. The defective subpixel detecting circuit is connected to the source node or drain node of the second transistor in the subpixel to be checked while the second scan signal of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor in the subpixel to be checked. Based on whether or not the voltage of the electrically connected reference voltage line changes or the magnitude of the voltage change, whether or not the second transistor in the subpixel to be checked may be short-circuited may be determined.

이상에서 설명한 본 발명의 실시예들에 의하면, 라인 결함을 방지하여 화상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments of the present invention described above, it is possible to provide an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method capable of improving image quality by preventing line defects.

본 발명의 실시예들에 의하면, 라인 결함을 발생시키는 불량 서브픽셀을 검출할 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, it is possible to provide an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method capable of detecting defective subpixels causing line defects.

본 발명의 실시예들에 의하면, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 다른 정상 서브픽셀의 센싱 및 보상 오류가 발생하지 않도록 해줌으로써, 영상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a data driving circuit capable of improving image quality by preventing sensing and compensation errors of other normal subpixels from occurring due to driving of a defective subpixel. A driving method can be provided.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 시스템 구현 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 회로이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 문턱전압 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 이동도 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 프로세스를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 4개의 서브픽셀과 연결되는 배선들에 대한 배치도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 제2 트랜지스터가 단락이 된 서브픽셀 (불량 서브픽셀)의 회로이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 하나의 기준전압라인을 공유하는 4개의 서브픽셀 중 불량 서브픽셀이 존재하는 경우, 4개의 서브픽셀에 대한 등가 회로이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 하나의 기준전압라인을 공유하는 4개의 서브픽셀 중 불량 서브픽셀이 존재하는 경우, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 발생되는 센싱 및 보상 오류와, 이에 따라 발생하는 라인 결함 현상을 설명하기 위한 도면들이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 정상 서브픽셀과 불량 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 정상 서브픽셀과 불량 서브픽셀에 대한 이동도 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 라인 결함 방지 회로이다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 라인 결함 방지 방법의 흐름도이다.
도 17은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 불량 서브픽셀 검출을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 하나의 기준전압라인을 공유하는 4개의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인 경우, 라인 결함 방지 동작과 이에 따른 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 실시예들에 따른 데이터구동회로를 나타낸 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시예들에 따른 컨트롤러를 나타낸 도면이다.
도 23 및 도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동방법에 대한 흐름도이다.
1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
2 is an exemplary diagram illustrating system implementation of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
3 is a circuit of a sub-pixel of an organic light emitting display device according to example embodiments of the present invention.
4 is a compensation circuit of an organic light emitting display device according to example embodiments.
5 is a driving timing diagram for sensing a threshold voltage of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
6 is a driving timing diagram for sensing mobility of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
7 is a diagram illustrating a sensing process of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
8 is a layout view of wires connected to four subpixels in an organic light emitting display device according to example embodiments.
9 is a circuit diagram of a subpixel (defective subpixel) in which a second transistor is shorted in an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 10 is an equivalent circuit for four subpixels when a defective subpixel exists among four subpixels sharing one reference voltage line in an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
11 and 12 are diagrams of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention, when there is a defective subpixel among four subpixels sharing one reference voltage line, a signal generated by driving the defective subpixel is present. These are drawings for explaining sensing and compensation errors and line defect phenomena generated accordingly.
13 is a driving timing diagram for sensing threshold voltages for normal subpixels and defective subpixels in an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
14 is a driving timing diagram for sensing mobility of a normal subpixel and a defective subpixel in an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
15 is a line defect prevention circuit of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
16 is a flowchart of a method for preventing line defects in an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
17 is a driving timing diagram for detecting defective subpixels of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
18 and 19 are diagrams illustrating an operation of preventing line defects when a first subpixel among four subpixels sharing one reference voltage line is a defective subpixel in an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention; These are drawings for explaining the effect.
20 and 21 are diagrams illustrating data driving circuits according to example embodiments of the present invention.
22 is a diagram illustrating a controller according to embodiments of the present invention.
23 and 24 are flowcharts of a method of driving an organic light emitting display device according to example embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention are described in detail below with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Also, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used in describing the components of the present invention. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element is or may be directly connected to that other element, but intervenes between each element. It will be understood that may be "interposed", or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배열된 유기발광표시패널(110)과, 유기발광표시패널(110)을 구동하기 위한 구동회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , an organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL, and a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL. It may include an organic light emitting display panel 110 in which a plurality of subpixels SP defined by the gate line GL are arranged in a matrix type, and a driving circuit for driving the organic light emitting display panel 110 .

구동회로는, 기능적으로 볼 때, 다수의 데이터라인(DL)을 구동하는 데이터구동회로(120)와, 다수의 게이트라인(GL)을 구동하는 게이트구동회로(130)와, 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다. From a functional point of view, the driving circuit includes a data driving circuit 120 driving a plurality of data lines DL, a gate driving circuit 130 driving a plurality of gate lines GL, and a data driving circuit 120 ) and a controller 140 that controls the gate driving circuit 130.

유기발광표시패널(110)에서 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)은 서로 교차하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 다수의 게이트라인(GL)은 행(Row) 또는 열(Column)으로 배열될 수 있고, 다수의 데이터라인(DL)은 열(Column) 또는 행(Row)으로 배열될 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 다수의 게이트라인(GL)은 행(Row)으로 배치되고, 다수의 데이터라인(DL)은 열(Column)로 배치되는 것으로 가정한다. In the organic light emitting display panel 110, the plurality of data lines DL and the plurality of gate lines GL may be disposed to cross each other. For example, the plurality of gate lines GL may be arranged in rows or columns, and the plurality of data lines DL may be arranged in columns or rows. Hereinafter, for convenience of explanation, it is assumed that the plurality of gate lines GL are arranged in rows and the plurality of data lines DL are arranged in columns.

유기발광표시패널(110)에는, 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL) 이외에, 다른 종류의 배선들이 배치될 수 있다. In addition to the plurality of data lines DL and the plurality of gate lines GL, other types of wires may be disposed on the organic light emitting display panel 110 .

컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120)로 영상데이터(DATA)를 공급할 수 있다. The controller 140 may supply image data DATA to the data driving circuit 120 .

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)의 구동 동작에 필요한 각종 제어신호(DCS, GCS)를 공급하여 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)의 동작을 제어할 수 있다. In addition, the controller 140 supplies various control signals (DCS, GCS) necessary for driving the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130 to operate the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130. can control the operation of

컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상데이터를 데이터구동회로(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상데이터(DATA)를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, converts the input image data input from the outside to suit the data signal format used in the data driving circuit 120, and converts the converted image data DATA. and controls data drive at an appropriate time according to the scan.

컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 외부 (예: 호스트 시스템)로부터 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)로 출력한다. The controller 140, in order to control the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130, a vertical sync signal (Vsync), a horizontal sync signal (Hsync), an input data enable (DE: Data Enable) signal, A timing signal such as a clock signal CLK is received from an external source (eg, a host system), and various control signals are generated and output to the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130 .

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트구동회로(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the gate driving circuit 130, the controller 140 includes a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE). : Gate Output Enable) and various gate control signals (GCS: Gate Control Signal) are output.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In addition, the controller 140, in order to control the data driving circuit 120, a source start pulse (SSP: Source Start Pulse), a source sampling clock (SSC: Source Sampling Clock), a source output enable signal (SOE: Source It outputs various data control signals (DCS: Data Control Signal) including Output Enable) and the like.

컨트롤러(140)는, 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행할 수 있는 제어장치일 수 있다. The controller 140 may be a timing controller used in a typical display technology or a control device that may further perform other control functions including a timing controller.

컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터구동회로(120)와 함께 통합되어 집적회로로 구현될 수 있다. The controller 140 may be implemented as a component separate from the data driving circuit 120 or integrated with the data driving circuit 120 and implemented as an integrated circuit.

데이터구동회로(120)는, 컨트롤러(140)로부터 영상데이터(DATA)를 입력 받아 다수의 데이터라인(DL)로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터구동회로(120)는 소스 구동회로라고도 한다. The data driving circuit 120 drives the plurality of data lines DL by receiving the image data DATA from the controller 140 and supplying data voltages to the plurality of data lines DL. Here, the data driving circuit 120 is also referred to as a source driving circuit.

데이터구동회로(120)는 시프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. The data driving circuit 120 may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.

데이터구동회로(120)는, 경우에 따라서, 하나 이상의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. The data driving circuit 120 may further include one or more analog to digital converters (ADCs) according to circumstances.

게이트구동회로(130)는, 다수의 게이트라인(GL)로 스캔신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트구동회로(130)는 스캔 구동회로라고도 한다. The gate driving circuit 130 sequentially drives the plurality of gate lines GL by sequentially supplying scan signals to the plurality of gate lines GL. Here, the gate driving circuit 130 is also referred to as a scan driving circuit.

게이트구동회로(130)는 시프트 레지스터(Shift Register), 레벨 시프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. The gate driving circuit 130 may include a shift register, a level shifter, and the like.

게이트구동회로(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔신호를 다수의 게이트라인(GL)로 순차적으로 공급한다. The gate driving circuit 130 sequentially supplies scan signals of an on voltage or an off voltage to the plurality of gate lines GL under the control of the controller 140 .

데이터구동회로(120)는, 게이트구동회로(130)에 의해 특정 게이트라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터라인(DL)로 공급한다. When a specific gate line is opened by the gate driving circuit 130, the data driving circuit 120 converts the image data DATA received from the controller 140 into an analog data voltage to generate a plurality of data lines DL. supplied with

데이터구동회로(120)는, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상 측과 하 측)에 모두 위치할 수도 있다. The data driving circuit 120 may be located only on one side (eg, the upper or lower side) of the organic light emitting display panel 110, and in some cases, the organic light emitting display panel 110 ) may be located on both sides (eg, upper and lower sides).

게이트구동회로(130)는, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌 측과 우 측)에 모두 위치할 수도 있다. The gate driving circuit 130 may be located only on one side (eg, the left or right side) of the organic light emitting display panel 110, and in some cases, the organic light emitting display panel 110 ) may be located on both sides (e.g., left and right).

데이터구동회로(120)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 구현될 수 있다. The data driving circuit 120 may be implemented by including at least one source driver integrated circuit (SDIC).

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, TAB (Tape Automated Bonding) 방식 또는 COG (Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나 유기발광표시패널(110) 상에 직접 배치될 수도 있다. 경우에 따라서, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 COF (Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 회로필름 상에 실장 되어, 회로필름을 통해 유기발광표시패널(110)에서의 데이터라인들(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 in a Tape Automated Bonding (TAB) method or a Chip On Glass (COG) method, or the organic light emitting display panel 110 It can also be placed directly on top. In some cases, each source driver integrated circuit (SDIC) may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110 . In addition, each source driver integrated circuit (SDIC) may be implemented in a COF (Chip On Film) method. In this case, each source driver integrated circuit SDIC may be mounted on a circuit film and electrically connected to the data lines DL of the organic light emitting display panel 110 through the circuit film.

게이트구동회로(130)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver IC)가 TAB 방식 또는 COG 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결될 수 있다. 또한, 게이트구동회로(130)는 GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110) 상에 직접 배치될 수도 있다. 또한, 게이트구동회로(130)는 COF (Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 게이트구동회로(130)에 포함된 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 회로필름 상에 실장 되어, 회로필름을 통해 유기발광표시패널(110)에서의 게이트라인들(GL)과 전기적으로 연결될 수 있다..In the gate driving circuit 130 , one or more gate driver integrated circuits (GDICs) may be connected to bonding pads of the organic light emitting display panel 110 in a TAB method or a COG method. In addition, the gate driving circuit 130 may be implemented as a GIP (Gate In Panel) type and directly disposed on the organic light emitting display panel 110 . In addition, the gate driving circuit 130 may be implemented in a COF (Chip On Film) method. In this case, each gate driver integrated circuit (GDIC) included in the gate driving circuit 130 is mounted on a circuit film and is electrically connected to the gate lines GL of the organic light emitting display panel 110 through the circuit film. can be connected...

도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 시스템 구현 예시도이다. 2 is an exemplary system implementation diagram of an organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention.

도 2의 예시는, 데이터구동회로(120)에서 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 다양한 방식들(TAB, COG, COF 등) 중 COF (Chip On Film) 방식으로 구현되고, 게이트구동회로(130)가 다양한 방식들(TAB, COG, COF, GIP 등) 중 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현된 경우이다. In the example of FIG. 2, each source driver integrated circuit (SDIC) included in the data driving circuit 120 is implemented in a COF (Chip On Film) method among various methods (TAB, COG, COF, etc.), and the gate driving circuit (130) is implemented as a GIP (Gate In Panel) type among various methods (TAB, COG, COF, GIP, etc.).

데이터구동회로(120)에 포함된 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 각각은, 소스 측 회로필름(SF) 상에 실장될 수 있다. Each of the plurality of source driver integrated circuits (SDICs) included in the data driving circuit 120 may be mounted on the source-side circuit film (SF).

소스 측 회로필름(SF)의 일 측은 유기발광표시패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. One side of the source-side circuit film SF may be electrically connected to the organic light emitting display panel 110 .

소스 측 회로필름(SF) 상에는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)과 유기발광표시패널(110)을 전기적으로 연결해주기 위한 배선들이 배치될 수 있다. Wires for electrically connecting the source driver integrated circuit SDIC and the organic light emitting display panel 110 may be disposed on the source-side circuit film SF.

유기발광표시장치(100)는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해, 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과, 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)을 포함할 수 있다. The organic light emitting display device 100 mounts at least one source printed circuit board (SPCB), control parts, and various electrical devices for circuit connection between a plurality of source driver integrated circuits (SDICs) and other devices. It may include a control printed circuit board (CPCB) for

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)에는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)의 타 측이 연결될 수 있다. The other side of the source-side circuit film SF on which the source driver integrated circuit SDIC is mounted may be connected to at least one source printed circuit board SPCB.

즉, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)은 일 측이 유기발광표시패널(110)과 전기적으로 연결되고, 타 측이 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. That is, one side of the source-side circuit film SF on which the source driver integrated circuit (SDIC) is mounted is electrically connected to the organic light emitting display panel 110 and the other side is electrically connected to the source printed circuit board (SPCB). can

컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 데이터 구동회로(120) 및 게이트 구동회로(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 파워 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC, 210) 등이 실장될 수 있다. In the control printed circuit board (CPCB), the controller 140 for controlling operations of the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130, the organic light emitting display panel 110, the data driving circuit 120, and the gate A power management integrated circuit (PMIC) 210 or the like that supplies various voltages or currents to the driving circuit 130 or controls various voltages or currents to be supplied may be mounted.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. 여기서, 연결 부재는, 일 예로, 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. The at least one source printed circuit board (SPCB) and the control printed circuit board (CPCB) may be circuitically connected through at least one connecting member. Here, the connecting member may be, for example, a flexible printed circuit (FPC) or a flexible flat cable (FFC).

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (SPCB) and one control printed circuit board (CPCB) may be integrated into one printed circuit board.

유기발광표시장치(100)는, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)와 전기적으로 연결된 세트보드(Set Board, 230)를 더 포함할 수 있다. 이러한 세트 보드(230)는 파워 보드(Power Board)라고도 할 수 있다. The organic light emitting display device 100 may further include a set board 230 electrically connected to the control printed circuit board (CPCB). This set board 230 may also be referred to as a power board.

이러한 세트보드(230)에는 유기발광표시장치(100)의 전체적인 파워를 관리하는 메인 파워 관리 회로(220, M-PMC: Main Power Management Circuit)가 존재할 수 있다. The set board 230 may include a main power management circuit 220 (M-PMC: Main Power Management Circuit) that manages overall power of the organic light emitting display device 100 .

파워 관리 집적회로(210)는 유기발광표시패널(110)과 그 구동 회로(120, 130, 140) 등을 포함하는 표시모듈에 대한 파워를 관리하는 회로이고, 메인 파워 관리 회로(220)는 표시모듈을 포함한 전체적인 파워를 관리하는 회로이고, 파워 관리 집적회로(210)와 연동할 수 있다. The power management integrated circuit 210 is a circuit that manages power for the display module including the organic light emitting display panel 110 and its driving circuits 120, 130 and 140, and the main power management circuit 220 is It is a circuit that manages the entire power including the module, and can work with the power management integrated circuit 210 .

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에 포함된 유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)은 자 발광 소자인 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성될 수 있다. Each subpixel (SP) arranged on the organic light emitting display panel 110 included in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes an organic light emitting diode (OLED), which is a self light emitting element, It may be composed of circuit elements such as a driving transistor for driving an organic light emitting diode (OLED).

각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel SP may be variously determined according to a provided function and a design method.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 회로이다. 3 is a circuit of a subpixel of the organic light emitting display device 100 according to example embodiments.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에는, 다수의 데이터라인(DL), 다수의 게이트라인(GL), 다수의 구동전압라인(DVL) 및 다수의 기준전압라인(RVL) 등이 배치될 수 있다. The organic light emitting display panel 110 according to embodiments of the present invention includes a plurality of data lines DL, a plurality of gate lines GL, a plurality of driving voltage lines DVL, and a plurality of reference voltage lines RVL. etc. can be placed.

유기발광표시패널(110)에서의 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 다수의 데이터라인(DL) 중 해당 데이터라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 다수의 기준전압라인(RVL) 중 해당 기준전압라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함하여 구현될 수 있다. Each subpixel SP in the organic light emitting display panel 110 includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DRT for driving the organic light emitting diode OLED, and a first node of the driving transistor DRT. A first transistor (T1) electrically connected between (N1) and a corresponding data line (DL) among the plurality of data lines (DL), the second node (N2) of the driving transistor (DRT) and a plurality of reference voltage lines ( A second transistor T2 electrically connected between the corresponding reference voltage line RVL of RVL and a storage capacitor electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT ( Cst) and the like.

유기발광다이오드(OLED)는 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극 등으로 이루어질 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) may include an anode electrode, an organic light emitting layer, and a cathode electrode.

도 3의 회로 예시에 따르면, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극에는 기저전압(EVSS)이 인가될 수 있다. 여기서, 기저전압(EVSS)은, 일 예로, 그라운드 전압이거나 그라운드 전압보다 높거나 낮은 전압일 수 있다. 또한, 기전전압(EVSS)은 구동상태에 따라 가변될 수 있다. 예를 들어, 영상 구동 시 기저전압(EVSS)과 센싱 구동 시 기저전압(EVSS)은 서로 다르게 설정될 수 있다. According to the circuit example of FIG. 3 , the anode electrode of the organic light emitting diode OLED may be electrically connected to the second node N2 of the driving transistor DRT. The ground voltage EVSS may be applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED. Here, the base voltage EVSS may be, for example, a ground voltage or a voltage higher or lower than the ground voltage. Also, the electromotive voltage EVSS may vary according to the driving state. For example, the base voltage EVSS during image driving and the base voltage EVSS during sensing driving may be set differently.

구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode (OLED) by supplying a driving current to the organic light emitting diode (OLED).

구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3) 등을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드이다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극(또는 캐소드 전극)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 구동전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있다. The driving transistor DRT may include a first node N1 , a second node N2 , and a third node N3 . The first node N1 of the driving transistor DRT is a node corresponding to a gate node. The first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a source node or a drain node of the first transistor T1. The second node N2 of the driving transistor DRT may be a source node or a drain node. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the anode electrode (or cathode electrode) of the organic light emitting diode OLED, and may be electrically connected to the source node or drain node of the second transistor T2. can The third node N3 of the driving transistor DRT may be a drain node or a source node. The third node N3 of the driving transistor DRT is a node to which the driving voltage EVDD is applied, and may be electrically connected to a driving voltage line (DVL) supplying the driving voltage EVDD.

아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 소스 노드이고, 제3노드(N3)는 드레인 노드인 것을 예로 들어 설명할 수 있다. Hereinafter, for convenience of explanation, the second node N2 of the driving transistor DRT is a source node and the third node N3 is a drain node.

스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터전압(Vdata) 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지해줄 수 있다. The storage capacitor Cst is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT to generate a data voltage Vdata corresponding to the video signal voltage or a voltage corresponding thereto. You can keep it for frame time.

제1 트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 해당 데이터라인(DL)에 전기적으로 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드는 해당 게이트 라인과 전기적으로 연결되어 제1 스캔신호(SCAN1)를 인가 받을 수 있다. The drain node or source node of the first transistor T1 is electrically connected to the corresponding data line DL, and the source node or drain node of the first transistor T1 is connected to the first node N1 of the driving transistor DRT. , and the gate node of the first transistor T1 is electrically connected to the corresponding gate line to receive the first scan signal SCAN1 .

제1 트랜지스터(T1)는 해당 게이트 라인을 통해 제1 스캔신호(SCAN1)를 게이트 노드로 인가 받아 온-오프가 제어될 수 있다. The first transistor T1 may be turned on and off by receiving the first scan signal SCAN1 to a gate node through a corresponding gate line.

이러한 제1 트랜지스터(T1)는 제1 스캔신호(SCAN1)에 의해 턴-온 되어 해당 데이터라인(DL)으로부터 공급된 데이터전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN1 and transfers the data voltage Vdata supplied from the corresponding data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT. can do it

제2 트랜지스터(T2)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 기준전압라인(RVL)에 전기적으로 연결되고, 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드는 해당 게이트 라인과 전기적으로 연결되어 제2 스캔신호(SCAN2)를 인가 받을 수 있다.The drain node or source node of the second transistor T2 is electrically connected to the reference voltage line RVL, and the source node or drain node of the second transistor T2 is connected to the second node N2 of the driving transistor DRT. can be electrically connected to A gate node of the second transistor T2 may be electrically connected to the corresponding gate line to receive the second scan signal SCAN2.

제2 트랜지스터(T2)는 해당 게이트 라인을 통해 제2 스캔신호(SCAN2)를 게이트 노드로 인가 받아 온-오프가 제어될 수 있다. The on/off of the second transistor T2 may be controlled by receiving the second scan signal SCAN2 to a gate node through a corresponding gate line.

제2 트랜지스터(T2)는 제2 스캔신호(SCAN2)에 의해 턴-온 되어 해당 기준전압라인(RVL)으로부터 공급된 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 전달해줄 수 있다. The second transistor T2 is turned on by the second scan signal SCAN2 and transfers the reference voltage Vref supplied from the corresponding reference voltage line RVL to the second node N2 of the driving transistor DRT. can do it

한편, 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다. Meanwhile, the storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (eg, Cgs or Cgd) that is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. , may be an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor DRT.

구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다. Each of the driving transistor DRT, the first transistor T1 and the second transistor T2 may be an n-type transistor or a p-type transistor.

한편, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be separate gate signals. In this case, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines. there is.

경우에 따라서는, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.In some cases, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be the same gate signal. In this case, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line. .

도 3에 예시된 각 서브픽셀 구조는 3T(Transistor) 1C (Capacitor) 구조로서, 설명을 위한 예시일 뿐, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 경우에 따라서는, 1개 이상의 캐패시터를 더 포함할 수도 있다. 또는, 다수의 서브픽셀들 각각이 동일한 구조로 되어 있을 수도 있고, 다수의 서브픽셀들 중 일부는 다른 구조로 되어 있을 수도 있다. Each sub-pixel structure illustrated in FIG. 3 is a 3T (transistor) 1C (capacitor) structure, which is only an example for description, and may further include one or more transistors or, in some cases, one or more capacitors. may be Alternatively, each of a plurality of subpixels may have the same structure, and some of the plurality of subpixels may have a different structure.

아래에서는, 각 서브픽셀(SP)의 영상 구동 동작을 간단하게 예를 들어 설명한다. Below, an image driving operation of each sub-pixel (SP) will be briefly described as an example.

각 서브픽셀(SP)의 영상 구동 동작은 영상 데이터 기록 단계, 부스팅 단계 및 발광 단계로 진행될 수 있다. The image driving operation of each sub-pixel SP may proceed to an image data recording step, a boosting step, and an emission step.

영상 데이터 기록 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 영상신호에 해당하는 데이터전압(Vdata)이 인가하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 기준전압(Vref)이 인가될 수 있다. 여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)과 기준전압 라인(RVL) 사이의 저항성분 등으로 인해, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 기준전압(Vref)과 유사한 전압(Vref+△ V)이 인가될 수 있다. In the image data writing step, the data voltage Vdata corresponding to the image signal is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and the reference voltage Vref is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. ) can be authorized. Here, a voltage similar to the reference voltage Vref is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT due to a resistance component between the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL. (Vref+ΔV) may be applied.

영상 구동을 위한 기준전압(Vref)을 VpreR이라고도 한다. The reference voltage Vref for image driving is also referred to as VpreR.

영상 데이터 기록 단계에서, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)는 동시에 또는 약간의 시간 차를 갖고 턴-온 될 수 있다. In the image data writing step, the first transistor T1 and the second transistor T2 may be turned on simultaneously or with a slight time difference.

영상 데이터 기록 단계에서, 스토리지 캐패시터(Cst)는 양단 전위차 (Vdata-Vref 또는 Vdata-(Vref+△ V))에 대응되는 전하가 충전될 수 있다. In the image data recording step, the storage capacitor Cst may be charged with an electric charge corresponding to a potential difference between both ends (Vdata-Vref or Vdata-(Vref+ΔV)).

구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 영상 데이터전압(Vdata)이 인가되는 것을 영상 데이터 기록(Data Writing)이라고 한다. Application of the image data voltage Vdata to the first node N1 of the driving transistor DRT is referred to as image data writing.

영상 데이터 기록 단계에 이어서 진행되는 부스팅 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)는 동시에 또는 약간의 시간 차를 갖고 전기적으로 플로팅(Floating) 될 수 있다. In the boosting step following the image data writing step, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically floated simultaneously or with a slight time difference.

이를 위해, 제1 스캔신호(SCAN1)의 턴-오프 레벨 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 될 수 있다. 또한, 제2 스캔신호(SCAN2)의 턴-오프 레벨 전압에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 될 수 있다.To this end, the first transistor T1 may be turned off by the turn-off level voltage of the first scan signal SCAN1. Also, the second transistor T2 may be turned off by the turn-off level voltage of the second scan signal SCAN2.

부스팅 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2) 간의 전압 차이는 유지되면서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)는 전압이 부스팅(Boosting) 될 수 있다. In the boosting step, while the voltage difference between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT is maintained, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT Voltage can be boosted.

부스팅 단계 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)는 전압이 부스팅(Boosting)되다가, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)이 상승된 전압이 일정 전압 이상이 되면, 발광 단계로 진입된다. During the boosting step, the voltages of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are boosted, and the increased voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is constant. When the voltage is higher than that, the light emitting stage is entered.

이러한 발광 단계에서는, 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류가 흐르게 된다. 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)가 발광할 수 있다.In this light emitting step, a driving current flows into the organic light emitting diode (OLED). Accordingly, the organic light emitting diode (OLED) may emit light.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배열된 다수의 서브픽셀(SP) 각각에 배치된 구동 트랜지스터(DRT)는 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치를 갖는다. The driving transistor DRT disposed in each of the plurality of subpixels SP arranged in the organic light emitting display panel 110 according to the exemplary embodiments has unique characteristic values such as threshold voltage and mobility.

구동 트랜지스터(DRT)는 구동시간에 따라 열화가 발생할 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 고유한 특성치는 구동시간에 따라 변할 수 있다. The driving transistor DRT may be deteriorated according to driving time. Accordingly, the unique characteristics of the driving transistor DRT may change according to driving time.

구동 트랜지스터(DRT)는 특성치 변화에 따라 온-오프 타이밍이 달라지거나 유기발광다이오드(OLED)의 구동 능력이 달라질 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터(DRT)는 특성치 변화에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 전류를 공급하는 타이밍과, 유기발광다이오드(OLED)로 공급하는 전류량이 달라질 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화에 따라, 해당 서브픽셀(SP)의 휘도는 원하는 휘도와 달라질 수 있다. The on-off timing of the driving transistor DRT may vary or the driving capability of the organic light emitting diode OLED may vary according to a change in characteristic value. That is, the timing at which current is supplied to the organic light emitting diode (OLED) and the amount of current supplied to the organic light emitting diode (OLED) may be changed according to a change in characteristic values of the driving transistor DRT. Depending on the change in the characteristic value of the driving transistor DRT, the luminance of the corresponding subpixel SP may be different from the desired luminance.

또한, 유기발광표시패널(110)에 배열된 다수의 서브픽셀(SP)은 각기 구동 시간이 서로 다를 수 있다. 따라서, 각 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차가 발생할 수 있다. Also, the plurality of subpixels SP arranged on the organic light emitting display panel 110 may have different driving times. Therefore, deviations in characteristic values between the driving transistors DRT in each subpixel SP may occur.

이러한 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차는 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차를 발생시킬 수 있다. 따라서, 유기발광표시패널(110)의 휘도 균일도도 나빠질 수 있으며, 결국, 화상 품질 저하로 이어질 수 있다. The characteristic value deviation between the driving transistors DRT may cause a luminance deviation between the subpixels SP. Accordingly, the luminance uniformity of the organic light emitting display panel 110 may be deteriorated, resulting in a deterioration in image quality.

따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 보상해줄 수 있는 보상회로를 포함하고, 이를 이용한 보상 방법을 제공할 수 있다. 이에 대하여, 도 4 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. Accordingly, the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention may include a compensation circuit capable of compensating for a characteristic value deviation between driving transistors DRT, and may provide a compensation method using the compensation circuit. This will be described in more detail with reference to FIGS. 4 to 7 .

도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로이다. 4 is a compensation circuit of the organic light emitting display device 100 according to example embodiments.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 보상하기 위하여, 각 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱해야 한다. The organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention needs to sense a characteristic value or change in characteristic value of each driving transistor DRT in order to compensate for a characteristic value deviation between the driving transistors DRT.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상회로는, 3T1C 구조 또는 이에 기반하여 변형된 구조를 갖는 서브픽셀(SP)을 구동(센싱 구동)하여 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 구성들을 포함할 수 있다. The compensation circuit of the organic light emitting display device 100 according to the embodiments of the present invention drives (sensing drive) a subpixel SP having a 3T1C structure or a modified structure based on the 3T1C structure to drive within the subpixel SP. Components for sensing a characteristic value or change in characteristic value of the transistor DRT may be included.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동에 따라, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 그 변화는, 기준전압라인(RVL)의 전압으로 표현될 수 있다. According to the sensing drive of the organic light emitting display device 100 according to the embodiments of the present invention, the characteristic value of the driving transistor DRT in the sub-pixel SP or its change may be expressed as the voltage of the reference voltage line RVL. can

보다 구체적으로, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 그 변화는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(예: Vdata-Vth)으로 반영된다. More specifically, according to the sensing operation of the organic light emitting display device 100 according to the embodiments of the present invention, the characteristic value of the driving transistor DRT or its change is the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT. (e.g. Vdata-Vth).

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 상태인 경우, 기준전압라인(RVL)의 전압과 대응될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압에 의해, 기준전압라인(RVL) 상의 라인 캐패시터(Cline)가 충전될 수 있다. 충전된 라인 캐패시터(Cline)에 의해 기준전압라인(RVL)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압과 대응되는 전압을 가질 수 있다. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to the voltage of the reference voltage line RVL when the second transistor T2 is in a turn-on state. The line capacitor Cline on the reference voltage line RVL may be charged by the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT. The reference voltage line RVL may have a voltage corresponding to the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT by the charged line capacitor Cline.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상회로는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 특성치를 반영하는 전압 상태가 되도록 구동하여, 특성치를 반영하는 전압 상태가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 센싱하기 위하여, 기준전압라인(RVL)의 전압을 측정하여 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와, 센싱 구동을 위한 스위치 회로를 포함할 수 있다. The compensation circuit of the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention drives the second node N2 of the driving transistor DRT to be in a voltage state reflecting the characteristic value, thereby reflecting the characteristic value. In order to sense the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, an analog-to-digital converter ADC for measuring the voltage of the reference voltage line RVL and converting it into a sensing value corresponding to a digital value, and sensing A switch circuit for driving may be included.

센싱 구동을 위한 스위치 회로는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 센싱 구동용 기준전압 공급 노드(Npres) 간의 연결을 제어하는 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와, 각 기준전압라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치(SAMP)를 포함할 수 있다. The switch circuit for sensing driving includes a sensing driving reference switch (SPRE) for controlling a connection between each reference voltage line (RVL) and a sensing driving reference voltage supply node (Npres) to which the reference voltage (Vref) is supplied, and each A sampling switch (SAMP) controlling a connection between the reference voltage line (RVL) and the analog-to-digital converter (ADC) may be included.

위에서 언급한 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)는 센싱 구동 시 이용되는 스위치이다. 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)으로 공급되는 기준전압(Vref)은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)이다. The aforementioned reference switch SPRE for sensing driving is a switch used for sensing driving. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the sensing driving reference switch SPRE is the sensing driving reference voltage VpreS.

한편, 도 4를 참조하면, 스위치 회로는, 영상 구동 시 이용되는 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)를 포함할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 4 , the switch circuit may include an image driving reference switch RPRE used when driving an image.

영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 영상 구동용 기준전압 공급 노드(Nprer) 간의 연결을 제어할 수 있다. The image driving reference switch RPRE may control the connection between each reference voltage line RVL and the image driving reference voltage supply node Nprer to which the reference voltage Vref is supplied.

위에서 언급한 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 영상 구동 시 이용되는 스위치이다. 영상 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)에 공급되는 기준전압(Vref)은 영상 구동용 기준전압(VpreR)이다. The image driving reference switch RPRE mentioned above is a switch used when driving an image. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the image driving reference switch SPRE is the image driving reference voltage VpreR.

센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 별도로 구비될 수도 있고, 하나로 통합되어 구현될 수도 있다. 센싱 구동용 기준전압(VpreS)과 영상 구동용 기준전압(VpreR)은 동일한 전압 값일 수도 있고, 다른 전압 값일 수도 있다. The reference switch for sensing driving (SPRE) and the reference switch for image driving (RPRE) may be provided separately or may be integrated into one. The reference voltage VpreS for sensing driving and the reference voltage VpreR for image driving may have the same voltage value or different voltage values.

본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상회로는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 출력되는 센싱값을 저장하거나 기준 센싱값을 미리 저장하고 있는 메모리(MEM)와, 메모리(MEM)에 저장된 센싱값과 기준 센싱값을 비교하여 특성치 편차를 보상해주는 보상값을 산출하는 보상기(COMP)를 더 포함할 수 있다. The compensation circuit of the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention includes a memory MEM that stores a sensing value output from an analog-to-digital converter (ADC) or previously stores a reference sensing value, and a memory ( A compensator (COMP) that compares the sensing value stored in the MEM with a reference sensing value to calculate a compensation value for compensating for a characteristic value deviation may be further included.

보상기(COMP)에 의해 산출된 보상값은 메모리(MEM)에 저장될 수 있다. The compensation value calculated by the compensator COMP may be stored in the memory MEM.

컨트롤러(140)는 보상기(COM)에 의해 산출된 보상값을 이용하여 데이터구동회로(120)에 공급할 영상데이터(Data)를 변경하고, 변경된 영상데이터(Data_comp)를 데이터구동회로(120)로 출력할 수 있다. The controller 140 changes the image data Data to be supplied to the data driving circuit 120 using the compensation value calculated by the compensator COM, and outputs the changed image data Data_comp to the data driving circuit 120. can do.

이에 따라, 데이터구동회로(120)는 디지털 아날로그 컨버터(DAC)를 통해 변경된 영상데이터(Data_comp)를 아날로그 신호 형태의 데이터전압(Vdata_comp)으로 변환하여 해당 서브픽셀(SP)에 공급할 수 있다. 이에 따라, 해당 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 특성치 편차(문턱전압 편차, 이동도 편차)가 보상될 수 있다. Accordingly, the data driving circuit 120 may convert the image data Data_comp changed through the digital-to-analog converter DAC into a data voltage Vdata_comp in the form of an analog signal and supply the converted data voltage Vdata_comp to the corresponding subpixel SP. Accordingly, characteristic value deviations (threshold voltage deviation and mobility deviation) of the driving transistor DRT of the corresponding subpixel SP may be compensated for.

도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 문턱전압 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다. 5 is a driving timing diagram for sensing a threshold voltage of the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention.

도 5를 참조하면, 문턱전압 센싱 구동은, 초기화 단계(S510), 트래킹 단계(S520) 및 샘플링 단계(S530)로 진행될 수 있다. Referring to FIG. 5 , threshold voltage sensing driving may proceed to an initialization step ( S510 ), a tracking step ( S520 ), and a sampling step ( S530 ).

초기화 단계(S510)에서, 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)에 의해, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 상태가 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 문턱전압 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)으로 초기화 된다. In the initialization step S510, the first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN of the turn-on level voltage. Accordingly, the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized with the data voltage Vdata for driving the threshold voltage sensing.

초기화 단계(S510)에서, 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)에 의해, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 상태가 되고, 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)가 턴-온 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 센싱 구동용 기준전압(VpreS)으로 초기화 된다.In the initialization step S510, the second transistor T2 is turned on and the sensing driving reference switch SPRE is turned on by the second scan signal SENSE of the turn-on level voltage. . Accordingly, the second node N2 of the driving transistor DRT is initialized to the reference voltage VpreS for sensing driving.

트래킹 단계(S520)는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 트래킹하는 단계이다. The tracking step ( S520 ) is a step of tracking the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (DRT).

트래킹 단계(S520)에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 상태를 유지하고, 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)가 턴-오프 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 플로팅 되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 센싱 구동용 기준전압(VpreS)에서부터 상승하기 시작한다. In the tracking step ( S520 ), the first transistor T1 and the second transistor T2 maintain a turned-on state, and the sensing drive reference switch SPRE is turned off. Accordingly, the second node N2 of the driving transistor DRT floats, and the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise from the sensing driving reference voltage VpreS.

제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승은 기준전압라인(RVL)의 전압 상승으로 이어진다. Since the second transistor T2 is turned on, an increase in the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT leads to an increase in the voltage of the reference voltage line RVL.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 상승하다가 포화(Saturation)가 된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은, 문턱전압 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)의 전압 차이(Vdata-Vth)와 대응된다. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and then becomes saturated. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the voltage difference (Vdata−Vth) between the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT in the data voltage Vdata for driving the threshold voltage sensing. do.

따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 포화되었을 때, 기준전압라인(RVL)의 전압은 문턱전압 센싱 구동용 데이터전압에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압의 전압 차이(Vdata-Vth)와 대응된다.Therefore, when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is saturated, the voltage of the reference voltage line RVL is the voltage difference between the threshold voltage of the driving transistor DRT and the threshold voltage sensing driving data voltage ( It corresponds to Vdata-Vth).

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 포화(Saturation)가 되면, 샘플링 스위치(SAMP)가 턴-온 되어, 샘플링 단계(S530)가 진행된다. When the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT reaches saturation, the sampling switch SAMP is turned on, and a sampling step ( S530 ) proceeds.

샘플링 단계(S530)에서는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 샘플링 스위치(SAMP)에 의해 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환할 수 있다. 여기서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압은 Vdata-Vth에 해당한다. In the sampling step S530, the analog-to-digital converter ADC may sense the voltage of the reference voltage line RVL by the sampling switch SAMP and convert the sensed voltage into a sensed value corresponding to a digital value. Here, the voltage sensed by the analog-to-digital converter (ADC) corresponds to Vdata-Vth.

보상기(COMP)는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 출력된 센싱값을 토대로 해당 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 파악할 수 있고, 구동 트랜지스터(DRT)의 파악된 문턱전압을 보상해 수 있다. The compensator (COMP) can determine the threshold voltage of the driving transistor (DRT) of the corresponding sub-pixel (SP) based on the sensing value output from the analog-to-digital converter (ADC), and determine the threshold voltage of the driving transistor (DRT) can compensate

보상기(COMP)는, 센싱 구동을 통해 측정된 센싱값(Vdata-Vth와 대응되는 디지털 값)과, 이미 알고 있는 문턱전압 센싱 구동용 데이터(Vdata와 대응되는 디지털 값)으로부터 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 파악할 수 있다. The compensator (COMP) determines the value of the driving transistor (DRT) from the sensing value (digital value corresponding to Vdata-Vth) measured through sensing driving and the known threshold voltage sensing and driving data (digital value corresponding to Vdata). The threshold voltage (Vth) can be identified.

보상기(COMP)는, 해당 구동 트랜지스터(DRT)에 대하여 파악된 문턱전압(Vth)을 기준 문턱전압 또는 다른 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 비교하여, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차를 보상해줄 수 있다. 여기서, 문턱전압 편차 보상은 영상데이터 변경 처리(영상데이터에 보상값(오프셋)을 가감하는 처리)를 의미할 수 있다. The compensator COMP compares the identified threshold voltage Vth of the corresponding driving transistor DRT with a reference threshold voltage or a threshold voltage of another driving transistor DRT to compensate for the threshold voltage deviation between the driving transistors DRT. can do it Here, the threshold voltage deviation compensation may mean image data change processing (processing of adding or subtracting a compensation value (offset) to image data).

도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 이동도 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다. 6 is a driving timing diagram for sensing mobility of the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention.

도 6을 참조하면, 이동도 센싱 구동은, 초기화 단계(S610), 트래킹 단계(S620) 및 샘플링 단계(S630)로 진행될 수 있다. Referring to FIG. 6 , mobility sensing driving may proceed to an initialization step ( S610 ), a tracking step ( S620 ), and a sampling step ( S630 ).

초기화 단계(S610)에서, 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)에 의해, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 상태가 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 이동도 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)으로 초기화 된다. In the initialization step ( S610 ), the first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN of the turn-on level voltage. Accordingly, the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized with the data voltage Vdata for driving the mobility sensing.

초기화 단계(S610)에서, 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)에 의해, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 상태가 되고, 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)가 턴-온 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 센싱 구동용 기준전압(VpreS)으로 초기화 된다.In the initialization step S610, the second transistor T2 is turned on and the sensing drive reference switch SPRE is turned on by the second scan signal SENSE of the turn-on level voltage. . Accordingly, the second node N2 of the driving transistor DRT is initialized to the reference voltage VpreS for sensing driving.

트래킹 단계(S620)는 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 트래킹하는 단계이다. 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류구동능력을 나타낼 수 있다. The tracking step ( S620 ) is a step of tracking the mobility of the driving transistor DRT. Mobility of the driving transistor DRT may indicate current driving capability of the driving transistor DRT.

트래킹 단계(S620)에서는, 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되고, 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)가 턴-오프 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)는 모두 플로팅 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압이 모두 상승하게 된다. 특히, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)에서부터 상승하기 시작한다. In the tracking step S620, the first transistor T1 is turned off and the sensing drive reference switch SPRE is turned off by the first scan signal SCAN of the turn-off level voltage. Accordingly, both the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are floated. Accordingly, the voltages of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT both rise. In particular, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise from the sensing driving reference voltage VpreS.

제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승은 기준전압라인(RVL)의 전압 상승으로 이어진다. Since the second transistor T2 is turned on, an increase in the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT leads to an increase in the voltage of the reference voltage line RVL.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 상승하기 시작한 시점으로부터 일정 시간(Δt)이 경과되면, 샘플링 스위치(SAMP)가 턴-온 되어, 샘플링 단계(S630)가 진행된다. When a predetermined time Δt has elapsed from the point at which the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise, the sampling switch SAMP is turned on and the sampling step S630 proceeds.

샘플링 단계(S630)에서는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 샘플링 스위치(SAMP)에 의해 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환할 수 있다. 여기서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)에서 일정 전압(ΔV)만큼 상승된 전압(VpreS+ΔV)에 해당한다. In the sampling step S630, the analog-to-digital converter ADC may sense the voltage of the reference voltage line RVL by the sampling switch SAMP and convert the sensed voltage into a sensed value corresponding to a digital value. Here, the voltage sensed by the analog-to-digital converter ADC corresponds to a voltage (VpreS+ΔV) increased by a predetermined voltage (ΔV) from the sensing driving reference voltage (VpreS).

보상기(COMP)는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 출력된 센싱값을 토대로 해당 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 파악할 수 있고, 구동 트랜지스터(DRT)의 파악된 이동도를 보상해 수 있다. The compensator COMP may determine the mobility of the driving transistor DRT of the corresponding subpixel SP based on the sensing value output from the analog-to-digital converter ADC, and determine the mobility of the driving transistor DRT. can compensate

보상기(COMP)는, 센싱 구동을 통해 측정된 센싱값(VpreS+ΔV와 대응되는 디지털 값)과, 이미 알고 있는 센싱 구동용 기준전압(VpreS)과 경과시간(Δt)으로부터 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 파악할 수 있다. The compensator COMP determines the value of the driving transistor DRT from the sensing value (digital value corresponding to VpreS+ΔV) measured through sensing driving, the already known reference voltage for sensing driving (VpreS) and the elapsed time (Δt). mobility can be identified.

구동 트랜지스터(DRT)의 이동도는 트래킹 단계(S620)에서 기준전압라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 변동량 (ΔV/Δt)과 비례한다. 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도는 도 6에서 기준전압라인(RVL)의 전압 파형에서 기울기(Slope)와 비례한다. The mobility of the driving transistor DRT is proportional to the amount of voltage variation (ΔV/Δt) per unit time of the reference voltage line RVL in the tracking step S620. That is, the mobility of the driving transistor DRT is proportional to the slope of the voltage waveform of the reference voltage line RVL in FIG. 6 .

보상기(COMP)는, 해당 구동 트랜지스터(DRT)에 대하여 파악된 이동도를 기준 이동도 또는 다른 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도와 비교하여, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 이동도 편차를 보상해줄 수 있다. 여기서, 이동도 편차 보상은 영상데이터 변경 처리(영상데이터에 보상값(게인)을 곱하는 연산처리)를 의미할 수 있다.The compensator COMP may compensate for a mobility deviation between driving transistors DRT by comparing the mobility of the corresponding driving transistor DRT with a reference mobility or mobility of other driving transistors DRT. Here, the mobility deviation compensation may mean image data change processing (an operation processing of multiplying image data by a compensation value (gain)).

도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 프로세스를 나타낸 도면이다. 7 is a diagram illustrating a sensing process of the organic light emitting display device 100 according to example embodiments.

도 7을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는, 파워 온 신호가 발생하면, 디스플레이 구동을 시작하기 위한 정해진 온 시퀀스 처리를 수행하고, 온 시퀀스 처리가 완료되면, 정상적인 디스플레이 구동이 시작된다. Referring to FIG. 7 , when a power-on signal is generated, the organic light-emitting display device 100 performs a predetermined on-sequence process for starting display driving, and when the on-sequence process is completed, normal display driving begins.

유기발광표시장치(100)는, 파워 오프 신호가 발생하면, 진행 중이던 디스플레이 구동을 중지하고 정해진 오프 시퀀스 처리를 수행하고, 오프 시퀀스 처리가 완료되면, 완전한 오프 상태가 된다. When a power off signal is generated, the organic light emitting display device 100 stops display driving in progress and performs a predetermined off sequence process. When the off sequence process is completed, the organic light emitting display device 100 enters a completely off state.

이러한 전원 처리 타이밍과 관련하여 센싱 구동 (문턱전압 센싱 구동, 이동도 센싱 구동)이 진행될 수 있다. In relation to the power processing timing, sensing driving (threshold voltage sensing driving and mobility sensing driving) may be performed.

센싱 구동은, 파워 온 신호의 발생 이후 디스플레이 구동이 시작하기 전에 진행될 수 있다. 이러한 센싱 및 센싱 프로세스를 온-센싱(On-Sensing) 및 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process)라고 한다. Sensing driving may be performed after the power-on signal is generated and before display driving starts. Such sensing and sensing processes are referred to as on-sensing and on-sensing processes.

또한, 센싱 구동은, 파워 오프 신호의 발생 이후 진행될 수 있다. 이러한 센싱 및 센싱 프로세스를 오프-센싱(Off-Sensing) 및 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)라고 한다. Also, sensing driving may be performed after the power off signal is generated. Such sensing and sensing processes are referred to as off-sensing and off-sensing processes.

또한, 센싱 구동은, 디스플레이 구동 중에서 실시간으로 진행될 수도 있다. 이러한 센싱 및 센싱 프로세서를 실시간(RT: Real-Time) 센싱 및 실시간 센싱 프로세스(RT Sensing Process)라고 한다. Also, sensing driving may be performed in real time during display driving. Such sensing and sensing processors are referred to as real-time (RT) sensing and RT Sensing Process.

실시간 센싱 프로세스의 경우, 디스플레이 구동 중에서 블랭크 시간마다 하나 이상의 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)에서 하나 이상의 서브픽셀(SP)에 대하여 센싱 구동이 진행될 수 있다. 여기서, 블랭크 시간마다 센싱 구동이 되는 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)은 랜덤하게 선택될 수 있다. 이에 따라, 블랭크 시간에서의 센싱 구동 후 액티브 시간에 센싱 구동이 된 서브픽셀 라인에서의 화상 이상 현상이 완화될 수 있다. 또한, 블랭크 시간에서의 센싱 구동 후 액티브 시간에 센싱 구동이 된 서브픽셀에 센싱 구동 이전의 데이터전압과 대응되는 회복 데이터전압을 공급해줄 수 있다. 이에 따라, 블랭크 시간에서의 센싱 구동 후 액티브 시간에 센싱 구동이 된 서브픽셀 라인에서의 화상 이상 현상이 더욱더 완화될 수 있다.In the case of a real-time sensing process, sensing driving may be performed for one or more subpixels SP in one or more subpixel lines (subpixel rows) for every blank time during display driving. Here, a subpixel line (subpixel row) for which sensing is driven for each blank time may be randomly selected. Accordingly, an abnormal image phenomenon in a sub-pixel line subjected to sensing driving in an active time after sensing driving in a blank time may be alleviated. In addition, after the sensing drive in the blank time, the recovery data voltage corresponding to the data voltage before the sensing drive may be supplied to the subpixel that has been sensing driven in the active time. Accordingly, an abnormal image phenomenon in a sub-pixel line subjected to sensing driving in an active time after sensing driving in a blank time may be further alleviated.

한편, 문턱전압 센싱 구동의 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 포화에 많은 시간이 걸릴 수 있기 때문에, 다소 긴 시간 동안 진행될 수 있는 오프-센싱 프로세스로 진행될 수 있다. Meanwhile, in the case of threshold voltage sensing driving, since it may take a long time to saturate the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, an off-sensing process may be performed for a rather long time.

이동도 센싱 구동의 경우, 문턱전압 센싱 구동에 비해 상대적으로 짧은 시간만을 필요로 하기 때문에, 짧은 시간 동안 진행되는 온-센싱 프로세스 및/또는 실시간 센싱 프로세스로 진행될 수 있다. In the case of mobility sensing driving, since it requires a relatively short time compared to threshold voltage sensing driving, it may be performed as an on-sensing process that proceeds for a short time and/or a real-time sensing process.

한편, 하나의 서브픽셀(SP)에는 1개의 데이터전압(Vdata), 2개의 스캔신호(SCAN, SENSE), 기준전압(Vref), 구동전압(EVDD) 등이 공급되어야 한다. 따라서, 하나의 서브픽셀(SP)은 1개의 데이터라인(DL), 1개 또는 2개의 게이트라인(GL), 1개의 기준전압(RVL), 1개의 구동전압라인(DVL)과 전기적으로 연결되어야 한다(도 3 참조).Meanwhile, one data voltage (Vdata), two scan signals (SCAN and SENSE), a reference voltage (Vref), a driving voltage (EVDD), and the like must be supplied to one sub-pixel (SP). Therefore, one subpixel (SP) should be electrically connected to one data line (DL), one or two gate lines (GL), one reference voltage (RVL), and one driving voltage line (DVL). (see Figure 3).

하나의 서브픽셀 행을 온-오프 시키기 위하여, 1개 또는 2개의 게이트라인(GL)이 하나의 서브픽셀 행마다 배치되어야 한다. 그리고, 각 서브픽셀(SP)마다 데이터전압(Vdata)이 공급되어야 하기 때문에, 1개의 데이터라인(DL)이 하나의 서브픽셀 열마다 배치될 수 있다. 경우에 따라서, 1개의 데이터라인(DL)이 2개의 서브픽셀 열마다 공통으로 배치될 수도 있다.In order to turn on or off one subpixel row, one or two gate lines GL should be disposed for each subpixel row. In addition, since the data voltage Vdata must be supplied to each subpixel SP, one data line DL can be disposed for each subpixel column. In some cases, one data line DL may be commonly arranged for every two subpixel columns.

구동전압(EVDD)은 공통전압일 수 있기 때문에, 1개의 서브픽셀 열(또는 1개의 서브픽셀 행)마다 1개의 구동전압라인(DVL)이 배치될 수도 있고, 2개 이상의 서브픽셀 열(또는 2개 이상의 서브픽셀 열)마다 1개의 구동전압라인(DVL)이 배치될 수 있다. Since the driving voltage EVDD may be a common voltage, one driving voltage line DVL may be disposed for each subpixel column (or one subpixel row), or two or more subpixel columns (or two subpixel rows). One driving voltage line (DVL) may be disposed for every subpixel column).

마찬가지로, 기준전압(Vref)은 공통전압일 수 있기 때문에, 1개의 서브픽셀 열(또는 1개의 서브픽셀 행)마다 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치될 수도 있고, 2개 이상의 서브픽셀 열(또는 2개 이상의 서브픽셀 열)마다 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치될 수 있다. Similarly, since the reference voltage Vref may be a common voltage, one reference voltage line RVL may be disposed for each subpixel column (or one subpixel row), and two or more subpixel columns ( Alternatively, one reference voltage line RVL may be disposed for every two or more subpixel columns).

2개 이상의 서브픽셀 열(또는 2개 이상의 서브픽셀 열)마다 1개의 구동전압라인(DVL) 및/또는 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치되는 경우, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여줄 수 있다. When one driving voltage line (DVL) and/or one reference voltage line (RVL) is disposed for every two or more subpixel columns (or two or more subpixel columns), the aperture ratio of the organic light emitting display panel 110 is can elevate

아래에서는, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여주기 위하여, 4개 이상의 서브픽셀 열마다 1개의 구동전압라인(DVL)이 데이터라인(DL)과 평행하게 배치되고, 4개 이상의 서브픽셀 열마다 1개의 기준전압라인(RVL)이 데이터라인(DL)과 평행하게 배치되는 구조를 도 8을 참조하여 설명한다. Below, in order to increase the aperture ratio of the organic light emitting display panel 110, one driving voltage line DVL is disposed in parallel with the data line DL for every 4 or more sub-pixel columns, and 4 or more sub-pixel columns A structure in which one reference voltage line RVL is arranged in parallel with the data line DL for each will be described with reference to FIG. 8 .

도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)과 연결되는 배선들(DL1~DL2, GL1~GL2, DVL1~DVL2, RVL)에 대한 배치도이다. 8 illustrates wires DL1 to DL2, GL1 to GL2, and DVL1 to DVL2 connected to four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 in the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention. , RVL) is a layout diagram.

4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)은, 일 예로, 적색 빛을 발광하는 서브픽셀, 흰색 빛을 발광하는 서브픽셀, 녹색 빛을 발광하는 서브픽셀 및 청색 빛을 발광하는 서브픽셀일 수 있다. The four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 may be, for example, a subpixel emitting red light, a subpixel emitting white light, a subpixel emitting green light, and a subpixel emitting blue light. can

전술한 바와 같이, 제1 스캔신호(SCAN)와 제2 스캔신호(SENSE)는 동일한 게이트라인을 통해 공급될 수도 있지만, 서로 다른 게이트라인들(GL1, GL2)에 의해 공급될 수 있다. As described above, the first scan signal SCAN and the second scan signal SENSE may be supplied through the same gate line, but may be supplied through different gate lines GL1 and GL2.

도 8의 예시는, 제1 스캔신호(SCAN)와 제2 스캔신호(SENSE)가 서로 다른 게이트라인들(GL1, GL2)을 통해 공급되는 경우로서, 이 경우, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 배열된 서브픽셀 행에는, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 제1 스캔신호(SCAN)를 공급하기 위한 제1 게이트라인(GL1)와, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 제2 스캔신호(SENSE)를 공급하기 위한 제2 게이트라인(GL2)이 배치될 수 있다. The example of FIG. 8 is a case in which the first scan signal SCAN and the second scan signal SENSE are supplied through different gate lines GL1 and GL2. In this case, four subpixels SP1 and SP2 , SP3, and SP4 are arranged, the first gate line GL1 for supplying the first scan signal SCAN to the gate node of the first transistor T1 and the second transistor T2 A second gate line GL2 for supplying the second scan signal SENSE to the gate node may be disposed.

도 8을 참조하면, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 행 방향으로 배열된 경우, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각에 데이터전압을 공급하기 위한 4개의 데이터라인(DL1, DL2, DL3, DL4)이 열 방향으로 배치될 수 있다. Referring to FIG. 8 , when four subpixels (SP1, SP2, SP3, and SP4) are arranged in a row direction, four subpixels for supplying data voltages to each of the four subpixels (SP1, SP2, SP3, and SP4) are provided. The data lines DL1 , DL2 , DL3 , and DL4 may be arranged in a column direction.

도 8을 참조하면, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여주기 위하여, 제1 서브픽셀(SP1) 및 제2 서브픽셀(SP2)은 제1 구동전압라인(DVL1)을 통해 구동전압(EVDD)을 공통으로 공급받을 수 있다. 제3 서브픽셀(SP3) 및 제4 서브픽셀(SP4)은 제2 구동전압라인(DVL2)을 통해 구동전압(EVDD)을 공통으로 공급받을 수 있다. Referring to FIG. 8 , in order to increase the aperture ratio of the organic light emitting display panel 110, the first subpixel SP1 and the second subpixel SP2 pass a driving voltage EVDD through a first driving voltage line DVL1. ) can be commonly supplied. The third subpixel SP3 and the fourth subpixel SP4 may receive the driving voltage EVDD in common through the second driving voltage line DVL2 .

제1 서브픽셀(SP1)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제2 서브픽셀(SP2)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들 모두는, 제1 구동전압라인(DVL1)을 통해 구동전압(EVDD)을 공통으로 공급받을 수 있다. 제3 서브픽셀(SP3)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제4 서브픽셀(SP4)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들 모두는, 제2 구동전압라인(DVL2)을 통해 구동전압(EVDD)을 공통으로 공급받을 수 있다. Both the subpixels arranged in the same column as the first subpixel SP1 and the subpixels arranged in the same column as the second subpixel SP2 generate a driving voltage EVDD through the first driving voltage line DVL1. can be supplied in common. Both the subpixels arranged in the same column as the third subpixel SP3 and the subpixels arranged in the same column as the fourth subpixel SP4 generate a driving voltage EVDD through the second driving voltage line DVL2. can be supplied in common.

도 8을 참조하면, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여주기 위하여, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)은 1개의 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받을 수 있다. Referring to FIG. 8 , in order to increase the aperture ratio of the organic light emitting display panel 110, the four sub-pixels SP1, SP2, SP3, and SP4 apply a reference voltage Vref through one reference voltage line RVL. can be supplied in common.

제1 서브픽셀(SP1)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제2 서브픽셀(SP2)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제3 서브픽셀(SP3)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제4 서브픽셀(SP4)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들 모두는, 1개의 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받을 수 있다. Subpixels arranged in the same column as the first subpixel SP1, subpixels arranged in the same column as the second subpixel SP2, subpixels arranged in the same column as the third subpixel SP3, , and all of the subpixels arranged in the same column as the fourth subpixel SP4 may receive the reference voltage Vref in common through one reference voltage line RVL.

다시 말해, 제1 서브픽셀(SP1)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제2 서브픽셀(SP2)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제3 서브픽셀(SP3)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제4 서브픽셀(SP4)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들 모두는, 1개의 기준전압라인(RVL)을 공유한다. In other words, subpixels arranged in the same column as the first subpixel SP1, subpixels arranged in the same column as the second subpixel SP2, and subpixels arranged in the same column as the third subpixel SP3. All of the pixels and subpixels arranged in the same column as the fourth subpixel SP4 share one reference voltage line RVL.

여기서, 제1 서브픽셀(SP1)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제2 서브픽셀(SP2)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제3 서브픽셀(SP3)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제4 서브픽셀(SP4)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들은, 1개의 기준전압라인(RVL)이 공유되는 서브픽셀 그룹이다. Here, subpixels arranged in the same column as the first subpixel SP1, subpixels arranged in the same column as the second subpixel SP2, and subpixels arranged in the same column as the third subpixel SP3 and the subpixels arranged in the same column as the fourth subpixel SP4 are subpixel groups sharing one reference voltage line RVL.

1개의 기준전압라인(RVL)이 공유되는 서브픽셀 그룹 중 어느 하나의 서브픽셀에서 이상 현상이 발생하면, 발생된 이상 현상은 1개의 기준전압라인(RVL)을 통해 서브픽셀 그룹 전체로 전파될 수 있다. If an anomaly occurs in any subpixel among subpixel groups sharing one reference voltage line RVL, the abnormal phenomenon may propagate to the entire subpixel group through one reference voltage line RVL. there is.

도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 서브픽셀(불량 서브픽셀)의 회로이다. 9 is a circuit diagram of a subpixel (defective subpixel) in which the second transistor T2 is shorted in the organic light emitting display device 100 according to example embodiments.

패널 제작 공정 시, 유기발광표시패널(110)의 제2 트랜지스터(T2)의 근처에 이물이 발생하는 경우, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 될 수 있다. 이뿐만 아니라, 제품 출하 후 내부 또는 외부 충격 등의 다양한 요인에 의해, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 될 수 있다.During the panel manufacturing process, when a foreign substance is generated near the second transistor T2 of the organic light emitting display panel 110, the second transistor T2 may be short-circuited. In addition to this, the second transistor T2 may be short-circuited due to various factors such as internal or external impact after product shipment.

제2 트랜지스터(T2)의 단락은, 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드와 드레인 노드 간의 단락을 의미할 수 있다. A short circuit of the second transistor T2 may mean a short circuit between a source node and a drain node of the second transistor T2.

이뿐만 아니라, 제2 트랜지스터(T2)의 단락은, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어야 하는 상황에서 제2 트랜지스터(T2)가 비정상적으로 턴-온 되는 상황을 모두 의미할 수 있다. In addition, the short circuit of the second transistor T2 may refer to any situation in which the second transistor T2 is abnormally turned on in a situation where the second transistor T2 should be turned off.

예를 들어, 게이트구동회로(130)가 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드와 연결된 제2 게이트라인(GL2)으로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 출력함에도 불구하고, 제2 게이트라인(GL2)이 턴-온 레벨 전압과 유사한 전압 값을 갖는 다른 배선들과 단락이 되어, 제2 트랜지스터(T2)가 비정상적으로 턴-온 될 수도 있다. For example, even though the gate driving circuit 130 outputs the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage to the second gate line GL2 connected to the gate node of the second transistor T2, The second transistor T2 may be abnormally turned on because the second gate line GL2 is short-circuited with other wires having a voltage similar to the turn-on level voltage.

아래에서는, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 서브픽셀(SP)을 불량 서브픽셀이라고 한다. 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 서브픽셀(SP)을 정상 서브픽셀이라고 한다. Below, the subpixel SP in which the second transistor T2 is short-circuited is referred to as a defective subpixel. A subpixel SP in which the second transistor T2 is not short-circuited is referred to as a normal subpixel.

정상 서브픽셀이 영상 구동 될 때, 영상 데이터 기록 단계 이후 진행되는 부스팅 단계에서 플로팅 되는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은, 단락 되지 않은 제2 트랜지스터(T2)의 턴-오프에 따라, 기준전압라인(RVL)으로 전달되지 않는다. When the normal subpixel is image-driven, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, which is floated in the boosting step after the image data writing step, turns off the non-shorted second transistor T2. Accordingly, it is not transferred to the reference voltage line (RVL).

하지만, 불량 서브픽셀이 영상 구동 될 때, 영상 데이터 기록 단계 이후 진행되는 부스팅 단계에서 플로팅 되는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은, 턴-오프 되어야 하는 제2 트랜지스터(T2)의 단락에 의해서, 기준전압라인(RVL)으로 전달될 수 있다. However, when the defective subpixel is image-driven, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, which is floated in the boosting step after the image data writing step, is the voltage of the second transistor T2 to be turned off. By the short circuit of , it can be transferred to the reference voltage line (RVL).

도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 불량 서브픽셀이 존재하는 경우, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 대한 등가 회로이고, 도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 불량 서브픽셀이 존재하는 경우, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 발생되는 센싱 및 보상 오류와, 이에 따라 발생하는 라인 결함 현상을 설명하기 위한 도면들이다. 10 shows that among four subpixels (SP1, SP2, SP3, and SP4) sharing one reference voltage line (RVL) in the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention, a defective subpixel exists. In this case, it is an equivalent circuit for four sub-pixels (SP1, SP2, SP3, and SP4), and FIGS. 11 and 12 show one reference voltage line in the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention. If there is a bad sub-pixel among 4 sub-pixels (SP1, SP2, SP3, SP4) that share (RVL), the sensing and compensation error caused by driving the bad sub-pixel and the line defect phenomenon that occurs accordingly These are drawings for explaining.

하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 하나 또는 둘 이상이 불량 서브픽셀일 수 있다. One or more of the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 sharing one reference voltage line RVL may be defective subpixels.

도 10의 예시에서는, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 제1 서브픽셀(SP1)이 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀이다. In the example of FIG. 10 , among the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 that share one reference voltage line RVL, the first subpixel SP1 has a defect in which the second transistor T2 is short-circuited. It is a sub-pixel.

만약, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 모두 정상 서브픽셀이라면, 정상 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 구동될 때, 영상 구동 시 부스팅 단계 및 발광 단계에서 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 상태이기 때문에, 제1 서브픽셀(SP1)에서 기준전압라인(RVL)으로 전류가 흐르지 않는다. If all four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 sharing one reference voltage line RVL are normal subpixels, when the first subpixel SP1, which is a normal subpixel, is driven, an image During driving, since the second transistor T2 is turned off during the boosting stage and the light emitting stage, current does not flow from the first subpixel SP1 to the reference voltage line RVL.

하지만, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 제1 서브픽셀(SP1)이 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀인 경우, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 구동될 때, 제1 서브픽셀(SP1)에서 기준전압라인(RVL)으로 전류가 흘러서는 안 되는 상황에서도, 단락에 의해 턴-온 된 것과 유사한 제2 트랜지스터(T2)를 통해서, 제1 서브픽셀(SP1)에서 기준전압라인(RVL)으로 비정상적인 전류가 흐르게 된다. However, when the first sub-pixel SP1 among the four sub-pixels SP1, SP2, SP3, and SP4 sharing one reference voltage line RVL is a defective sub-pixel in which the second transistor T2 is short-circuited. , similar to that turned on by a short circuit even in a situation where current should not flow from the first subpixel SP1 to the reference voltage line RVL when the first subpixel SP1, which is a defective subpixel, is driven. An abnormal current flows from the first subpixel SP1 to the reference voltage line RVL through the second transistor T2.

도 10에 도시된 바와 같이, 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 포함된 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)은 불량 서브픽셀 라인(불량 서브픽셀 행)이다. 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀 라인 중에서 불량 서브픽셀 라인(불량 서브픽셀 행)을 제외한 나머지 서브픽셀 라인들(서브픽셀 행들)은 정상 서브픽셀 라인(정상 서브픽셀 행)인 것으로 가정한다. 즉, 유기발광표시패널(110)에서, 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀들 중에서 도 10의 제1 서브픽셀(SP1)만 불량 서브픽셀인 것으로 가정한다. As shown in FIG. 10, a subpixel line (subpixel row) including four subpixels (SP1, SP2, SP3, and SP4) sharing a reference voltage line (RVL) is a defective subpixel line (defective subpixel). row) is It is assumed that the remaining subpixel lines (subpixel rows) except for the defective subpixel line (defective subpixel row) among all subpixel lines sharing the reference voltage line (RVL) are normal subpixel lines (normal subpixel rows). do. That is, it is assumed that only the first subpixel SP1 of FIG. 10 is a defective subpixel among all subpixels sharing the reference voltage line RVL in the organic light emitting display panel 110 .

한편, 도 10에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 디스플레이 구동(영상 구동)이 되는 동안, 하나의 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)에 포함된 서브픽셀들의 전체 또는 일부가 실시간 센싱(RT 센싱)이 될 수 있다. Meanwhile, while the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 shown in FIG. 10 are display driven (image driven), all or some of the subpixels included in one subpixel line (subpixel row) may be real-time sensing (RT sensing).

실시간 센싱(RT 센싱)이 되는 하나의 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)은, 도 10에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)과 기준전압라인(RVL)을 공유할 수 있으며, 도 10에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 포함된 불량 서브픽셀 라인(불량 서브픽셀 행)일 수도 있고, 도 10에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 포함된 불량 서브픽셀 라인(불량 서브픽셀 행)과 다른 정상 서브픽셀 라인(정상 서브픽셀 행)일 수도 있다. One subpixel line (subpixel row) that becomes real-time sensing (RT sensing) may share a reference voltage line (RVL) with four subpixels (SP1, SP2, SP3, SP4) shown in FIG. , may be a defective subpixel line (defective subpixel row) including the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 shown in FIG. It may be a normal subpixel line (normal subpixel row) different from the defective subpixel line (defective subpixel row) including SP3 and SP4.

4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동에 따라, 제1 서브픽셀(SP1) 내 단락이 된 제2 트랜지스터(T2)를 통해, 기준전압라인(RVL)으로 비정상적인 전류가 흐르게 된다. According to driving of the first sub-pixel SP1, which is a defective sub-pixel among the four sub-pixels SP1, SP2, SP3, and SP4, through the short-circuited second transistor T2 in the first sub-pixel SP1, An abnormal current flows into the reference voltage line RVL.

이에 따라, 실시간 센싱(RT 센싱)이 되는 하나의 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)에서의 서브픽셀에 대한 센싱값이 영향을 받게 된다. Accordingly, a sensing value for a subpixel in one subpixel line (subpixel row) that is real-time sensing (RT sensing) is affected.

보다 구체적으로, 실시간 센싱(RT 센싱)이 이동도 센싱인 경우, 이동도 센싱이 되는 서브픽셀에서 기준전압라인(RVL)으로 정상적인 전류가 흐를 때, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동에 의해 비정상적인 전류가 기준전압라인(RVL)으로 더 흐르게 되어, 이동도 센싱이 되는 서브픽셀에 대한 이동도 센싱을 위한 센싱값 (RT 센싱값)이 높아지게 된다. More specifically, when real-time sensing (RT sensing) is mobility sensing, when a normal current flows from a subpixel for which mobility is sensed to the reference voltage line (RVL), an abnormality is caused by the driving of the first subpixel (SP1). As the current further flows into the reference voltage line RVL, a sensing value (RT sensing value) for mobility sensing for a subpixel to be mobility sensing increases.

따라서, 비정상적으로 높아진 센싱값(RT 센싱값)에 의해서, 보상값이 낮은 값으로 결정된다. 이에 따라, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 영향을 받은 서브픽셀은 영상 구동 시 검게 보인 암점(온암, 약암)으로 보이게 된다. 여기서, 온암인 서브픽셀은 완전하게 블랙으로 보이고, 약암인 서브픽셀은 거의 완전한 블랙으로 보이게 된다. Therefore, the compensation value is determined to be a low value by the abnormally high sensing value (RT sensing value). Accordingly, the subpixels affected by the driving of the defective subpixels appear as dark dots (hot dark, weak dark) when the image is driven. Here, a subpixel with an on-darkness is seen as completely black, and a subpixel with a weak darkness is seen as almost completely black.

전술한 바와 같이, 불량 서브픽셀(SP1)의 구동에 의해 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀들에 대한 센싱 오류가 발생하고, 이 센싱 오류(이동도 센싱 오류)는 보상 오류(이동도 보상 오류)로 이어져, 결국에는 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀들이 블랙으로 보이는 라인 결함(LD: Line Defect)을 발생시킬 수 있다. As described above, the driving of the defective subpixel SP1 causes a sensing error for all subpixels sharing the reference voltage line RVL, and this sensing error (mobility sensing error) is a compensation error (movement error). This also leads to a compensation error), and eventually all subpixels sharing the reference voltage line (RVL) may generate a line defect (LD: Line Defect) that appears black.

라인 결함(LD)은 검은색의 띠 형태의 블록이 보이는 현상을 의미할 수 있다. 라인 결함(LD)은 기준전압라인(RVL)이 배치되는 열 방향(세로 방향)으로 생긴다. 라인 결함(LD)에 해당하는 블록의 폭(행 방향 길이)은 하나의 서브픽셀 행에서 기준전압라인(RVL)을 공유하는 서브픽셀들의 개수에 비례할 수 있다. 라인 결함(LD)에 해당하는 블록의 길이(열 방향 길이)는 기준전압라인(RVL)의 길이에 비례하거나 기준전압라인(RVL)을 공유하는 서브픽셀 행의 개수와 비례할 수 있다. The line defect LD may mean a phenomenon in which a black band-shaped block is visible. The line defect LD occurs in a column direction (vertical direction) in which the reference voltage line RVL is disposed. A width (length in a row direction) of a block corresponding to a line defect LD may be proportional to the number of subpixels sharing the reference voltage line RVL in one subpixel row. The length (length in the column direction) of the block corresponding to the line defect LD may be proportional to the length of the reference voltage line RVL or proportional to the number of subpixel rows sharing the reference voltage line RVL.

도 12를 참조하여 다시 설명하면, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀 라인(모든 서브픽셀 행) 중에서 일부의 2번째 서브픽셀 라인(2번째 서브픽셀 행)에서 속하는 제1 서브픽셀(SP1)만 불량 서브픽셀이더라도, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 영향이 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀들로 전파될 수 있다. Referring again to FIG. 12, a first subpixel belonging to some second subpixel lines (second subpixel rows) among all subpixel lines (all subpixel rows) sharing one reference voltage line (RVL). Even if only the pixel SP1 is a defective subpixel, the driving effect of the first subpixel SP1 may propagate to all subpixels sharing the reference voltage line RVL with the first subpixel SP1.

즉, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀 라인(모든 서브픽셀 행) 중에서 일부의 2번째 서브픽셀 라인(2번째 서브픽셀 행)에서 속하는 제1 서브픽셀(SP1)만 불량 서브픽셀이더라도, 제1 서브픽셀(SP1)에서의 단락이 된 제2 트랜지스터(T2)에 의해서, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 연결된 기준전압라인(RVL)을 함께 공유하고 있는 모든 서브픽셀 라인(모든 서브픽셀 행)에 포함된 서브픽셀들의 센싱값 (이동도 센싱값)과 보상값 (이동도 보상값)에 오류를 발생시키고, 결국에는, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 연결된 기준전압라인(RVL)을 함께 공유하고 있는 모든 서브픽셀 라인(모든 서브픽셀 행)에 포함된 서브픽셀들이 암점(온점 또는 약점)으로 보이는 라인 결함(LD)이 발생할 수 있다. That is, among all subpixel lines (all subpixel rows) sharing one reference voltage line RVL, only the first subpixels SP1 belonging to some second subpixel lines (second subpixel rows) are defective subpixels. Even if it is a pixel, all sub-pixels sharing the reference voltage line RVL to which the first sub-pixel SP1, which is a defective sub-pixel, are connected by the second transistor T2 short-circuited in the first sub-pixel SP1. Errors are generated in the sensing values (mobility sensing values) and compensation values (mobility compensation values) of the subpixels included in the pixel line (all subpixel rows), and eventually, the first subpixel SP1 that is a defective subpixel A line defect LD may occur in subpixels included in all subpixel lines (all subpixel rows) sharing the reference voltage line RVL to which ) is connected as dark spots (hot spots or weak spots).

참고로, 불량 서브픽셀에 의해, 문턱전압에 대한 센싱 오류 및 보상 오류는 발생하지 않을 수 있다. 이는 문턱전압 센싱 구동 시 트래킹 단계(S520)에서 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 되어 있기 때문이다. For reference, a sensing error and a compensation error for the threshold voltage may not occur due to the defective subpixel. This is because the first transistor T1 is turned on in the tracking step S520 during threshold voltage sensing driving.

도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 정상 서브픽셀과 불량 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다. 13 is a driving timing diagram for sensing threshold voltages for normal subpixels and defective subpixels in the organic light emitting display device 100 according to example embodiments.

도 13을 참조하면, 문턱전압 센싱 구동 시, 트래킹 단계(S520)에서 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 제2 트랜지스터(T2)의 단락 유무와 관계 없이 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준전압라인(RVL)은 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 13, since the second transistor T2 is turned on in the tracking step (S520) during threshold voltage sensing driving, regardless of whether or not the second transistor T2 is short-circuited, the voltage of the driving transistor DRT The second node N2 and the reference voltage line RVL may be electrically connected.

따라서, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 정상 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱 시 기준전압라인(RVL)의 전압 변화와, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱 시 기준전압라인(RVL)의 전압 변화는 동일하다. Therefore, when sensing the threshold voltage of the normal subpixel in which the second transistor T2 is not short-circuited, the voltage change of the reference voltage line RVL and the threshold voltage of the defective subpixel in which the second transistor T2 is short-circuited are sensed. During sensing, the voltage change of the reference voltage line RVL is the same.

따라서, 문턱전압 센싱 구동 방식을 이용하여, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 정상 서브픽셀과 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀을 구별할 수 없다. 즉, 불량 서브픽셀 검출 방법으로 문턱전압 센싱 구동을 활용할 수 없다. Therefore, it is impossible to distinguish between a normal subpixel in which the second transistor T2 is not short-circuited and a defective subpixel in which the second transistor T2 is short-circuited by using the threshold voltage sensing driving method. That is, threshold voltage sensing driving cannot be used as a method for detecting defective subpixels.

도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 정상 서브픽셀과 불량 서브픽셀에 대한 이동도 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다. 14 is a driving timing diagram for sensing mobility of a normal subpixel and a defective subpixel in the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention.

도 14를 참조하면, 이동도 센싱 구동 시, 트래킹 단계(S620)에서 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 제2 트랜지스터(T2)의 단락 유무와 관계 없이 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준전압라인(RVL)은 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 14 , since the second transistor T2 is turned on in the tracking step (S620) during the mobility sensing drive, regardless of whether or not the second transistor T2 is short-circuited, the voltage of the driving transistor DRT The second node N2 and the reference voltage line RVL may be electrically connected.

따라서, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 정상 서브픽셀에 대한 이동도 센싱 시 기준전압라인(RVL)의 전압 변화와, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀에 대한 이동도 센싱 시 기준전압라인(RVL)의 전압 변화는 동일하다. Therefore, when the mobility of the normal subpixel in which the second transistor T2 is not short-circuited is sensed, the voltage change of the reference voltage line RVL and the mobility of the defective subpixel in which the second transistor T2 is short-circuited are sensed. During sensing, the voltage change of the reference voltage line RVL is the same.

따라서, 이동도 센싱 구동 방식을 이용하여, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 정상 서브픽셀과 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀을 구별할 수 없다. 즉, 불량 서브픽셀 검출 방법으로 이동도 센싱 구동을 활용할 수 없다.Therefore, it is impossible to distinguish between a normal subpixel in which the second transistor T2 is not short-circuited and a defective subpixel in which the second transistor T2 is short-circuited using the mobility sensing driving method. That is, mobility sensing driving cannot be used as a method for detecting a defective subpixel.

도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 라인 결함 방지 회로이고, 도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 라인 결함 방지 방법의 흐름도이고, 도 17은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 불량 서브픽셀 검출을 위한 구동 타이밍 다이어그램이며, 도 18 및 도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀(SP1)이 불량 서브픽셀인 경우, 라인 결함 방지 동작과 이에 따른 효과를 설명하기 위한 도면들이다. 15 is a circuit for preventing line defects in an organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention, and FIG. 16 is a flowchart of a method for preventing line defects in an organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention. 17 is a driving timing diagram for detecting defective subpixels of the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention, and FIGS. 18 and 19 are organic light emitting display devices according to embodiments of the present invention. In 100, when a first subpixel SP1 among four subpixels sharing one reference voltage line RVL is a defective subpixel, these are diagrams for explaining a line defect prevention operation and the resulting effect.

유기발광표시패널(110)은 도 15에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)과 그 영역에서의 배선들(DL1~DL4, GL1~GL2, DVL1~DLV2, RVL)의 배치 패턴이 반복되어 구성될 수 있다. The organic light emitting display panel 110 includes four sub-pixels (SP1, SP2, SP3, and SP4) shown in FIG. 15 and arrangement of wires (DL1 to DL4, GL1 to GL2, DVL1 to DLV2, and RVL) in the area. Patterns can be repeated.

유기발광표시패널(110)의 개구율 향상을 위해, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치되는 경우, 유기발광표시패널(110)에 배치되는 다수의 기준전압라인(RVL)의 개수는 다수의 데이터라인(DL)의 개수보다 적을 수 있다. In order to improve the aperture ratio of the organic light emitting display panel 110, when one reference voltage line RVL is disposed in each of two or more sub-pixel columns, a plurality of reference voltage lines RVL disposed in the organic light emitting display panel 110 The number of may be less than the number of the plurality of data lines DL.

이 경우, 각 기준전압라인(RVL)은 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. In this case, each reference voltage line RVL may be commonly connected to source nodes or drain nodes of second transistors T2 included in two or more subpixels.

도 15의 예시에 따르면, 4개의 서브픽셀 열에 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치된다. 이 경우, 유기발광표시패널(110)에서, 다수의 기준전압라인(RVL)의 개수는 다수의 데이터라인(DL)의 개수의 1/4이다. According to the example of FIG. 15 , one reference voltage line RVL is disposed in four sub-pixel columns. In this case, in the organic light emitting display panel 110, the number of reference voltage lines RVL is 1/4 of the number of data lines DL.

각 기준전압라인(RVL)은 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 포함된 제2 트랜지스터들(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. Each reference voltage line RVL may be commonly connected to source nodes or drain nodes of the second transistors T2 included in the four sub-pixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 .

도 15를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 하나의 기준전압라인(RVL)과 전기적으로 연결되는 스위치 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15 , the organic light emitting display device 100 according to example embodiments may include a switch circuit electrically connected to one reference voltage line RVL.

스위치 회로는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 센싱 구동용 기준전압 공급 노드(Npres) 간의 연결을 제어하는 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와, 각 기준전압라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치(SAMP)를 포함할 수 있다. The switch circuit includes a sensing driving reference switch SPRE for controlling a connection between each reference voltage line RVL and a sensing driving reference voltage supply node Npres to which the reference voltage Vref is supplied, and each reference voltage line ( RVL) and an analog-to-digital converter (ADC) may include a sampling switch (SAMP) that controls the connection.

스위치 회로는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 영상 구동용 기준전압 공급 노드(Nprer) 간의 연결을 제어하는 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)를 더 포함할 수 있다. The switch circuit may further include a video image driving reference switch RPRE for controlling a connection between each reference voltage line RVL and a video image driving reference voltage supply node Nprer to which the reference voltage Vref is supplied.

센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)는 센싱 구동 시 이용되는 스위치이다. 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)으로 공급되는 기준전압(Vref)은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)이다. 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 영상 구동 시 이용되는 스위치이다. 영상 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)에 공급되는 기준전압(Vref)은 영상 구동용 기준전압(VpreR)이다. The reference switch SPRE for sensing driving is a switch used for sensing driving. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the sensing driving reference switch SPRE is the sensing driving reference voltage VpreS. The image driving reference switch RPRE is a switch used when driving an image. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the image driving reference switch SPRE is the image driving reference voltage VpreR.

센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 별도로 구비될 수도 있고, 하나로 통합되어 구현될 수도 있다. 센싱 구동용 기준전압(VpreS)과 영상 구동용 기준전압(VpreR)은 동일한 전압 값일 수도 있고, 다른 전압 값일 수도 있다. The reference switch for sensing driving (SPRE) and the reference switch for image driving (RPRE) may be provided separately or may be integrated into one. The reference voltage VpreS for sensing driving and the reference voltage VpreR for image driving may have the same voltage value or different voltage values.

도 15를 참조하면, 유기발광표시패널(110)에 배치된 다수의 서브픽셀(SP)은, 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받는 제1 서브픽셀(SP1), 제2 서브픽셀(SP2), 제3 서브픽셀(SP3) 및 제4 서브픽셀(SP4)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 서브픽셀(SP1)은 제1 서브픽셀 열을 대표하고, 제2 서브픽셀(SP2)은 제2 서브픽셀 열을 대표하고, 제3 서브픽셀(SP3)은 제3 서브픽셀 열을 대표하고, 제4 서브픽셀(SP4)은 제4 서브픽셀 열을 대표한다. Referring to FIG. 15 , the plurality of subpixels SP disposed on the organic light emitting display panel 110 are the first subpixels commonly supplied with the reference voltage Vref through the first reference voltage line RVL ( SP1 ), a second subpixel SP2 , a third subpixel SP3 , and a fourth subpixel SP4 may be included. Here, the first subpixel SP1 represents the first subpixel column, the second subpixel SP2 represents the second subpixel column, and the third subpixel SP3 represents the third subpixel column. and the fourth subpixel SP4 represents the fourth subpixel row.

제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 경우, 데이터구동회로(DDC)는, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간(예: 영상 구동 기간)에, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)을 제1 데이터라인(DL)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급할 수 있다. When the second transistor T2 in the first sub-pixel SP1 is short-circuited, the data driving circuit DDC, during the driving period of the first sub-pixel SP1 (eg, the image driving period), The first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the driving transistor DRT in the pixel SP1 may be supplied to the first subpixel SP1 through the first data line DL.

이에 따라, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 구동되더라도, 제1 서브픽셀(SP1)에서 기준전압라인(RVL)으로 전류가 흐르지 않아, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)은, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 영향을 받지 않는다. 따라서, 라인 결함(LD)이 발생하지 않을 수 있다. Accordingly, even when the first subpixel SP1, which is a defective subpixel, is driven, current does not flow from the first subpixel SP1 to the reference voltage line RVL, and thus the first subpixel SP1, which is a defective subpixel, and The subpixels SP2 , SP3 , and SP4 connected together to the reference voltage line RVL are not affected by the driving of the first subpixel SP1 , which is a defective subpixel. Accordingly, line defects LD may not occur.

제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결된 제2 서브픽셀(SP2), 제3 서브픽셀(SP3) 및 제4 서브픽셀(SP4) 중 하나에 포함된 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. During the driving period of the first subpixel SP1, the second subpixel SP2, the third subpixel SP3, and the fourth subpixel SP2 connected to the first reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1. Mobility sensing of the driving transistor DRT included in one of the pixels SP4 may be performed.

또한, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결되되 제1 내지 제4 서브픽셀(SP1~SP4)와 다른 서브픽셀 행에 포함되는 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱이 진행될 수도 있다.In addition, during the driving period of the first subpixel SP1, a subpixel different from the first to fourth subpixels SP1 to SP4 is connected to the first reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1. Sensing the mobility of the driving transistor DRT in the subpixel included in the row may be performed.

이와 같이, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간 동안, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 시킬 수 있는 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)에 공급됨으로써, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간 동안, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 서브픽셀에 대한 이동도 센싱이 센싱 오류 없이 진행될 수 있다. As described above, during the driving period of the first subpixel SP1, which is a defective subpixel, a specific data voltage OFF_Vdata capable of being turned off by the driving transistor DRT in the first subpixel SP1 is applied to the first data line By being supplied to the first sub-pixel SP1 through DL1, during the driving period of the first sub-pixel SP1, the voltage for other sub-pixels connected to the reference voltage line RVL together with the first sub-pixel SP1 is increased. Mobility sensing may be performed without a sensing error.

도 15를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀(SP) 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부에 따라, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15 , in the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention, during the detection period of the defective subpixel, the second transistor T2 in the subpixel to be checked among the plurality of subpixels SP is short-circuited. Depending on whether or not the subpixel is checked, a defective subpixel detection circuit (DPDC) for detecting the subpixel to be checked as a defective subpixel may be further included.

불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. While the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked, the defective subpixel detection circuit DPDC is 2 It is determined whether the second transistor T2 in the subpixel to be checked is short-circuited based on whether or not the voltage of the reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the transistor T2 changes or the magnitude of the voltage change. can

불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀이 검출되면, 불량 서브픽셀의 위치정보를 메모리(MEM)에 저장할 수 있다. When a defective subpixel in which the second transistor T2 is short-circuited is detected, the defective subpixel detection circuit DPDC may store location information of the defective subpixel in the memory MEM.

컨트롤러(140)는, 메모리(MEM)를 참조하여, 불량 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터(DATA)를 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)를 턴-오프 시키는 특정 영상데이터(OFF_DATA)로 교체하여 데이터구동회로(120)로 출력할 수 있다. The controller 140 refers to the memory MEM and replaces the image data DATA to be supplied to the defective subpixel with specific image data OFF_DATA for turning off the driving transistor DRT in the defective subpixel. It can be output to the data driving circuit 120.

이에 따라, 데이터구동회로(120)는, 디지털 아날로그 컨버터(DAC)를 통해 특정 영상데이터(OFF_DATA)를 특정 데이터전압(OFF_Vdata)로 변환하여 출력할 수 있다. 여기서, 특정 데이터전압(OFF_Vdata)은 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 데이터전압이다. Accordingly, the data driving circuit 120 may convert the specific image data OFF_DATA into the specific data voltage OFF_Vdata through the digital-to-analog converter DAC and output the converted data voltage OFF_Vdata. Here, the specific data voltage OFF_Vdata is a data voltage for turning off the driving transistor DRT in the defective subpixel.

불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있다. 메모리(MEM)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함되는 레지스터일 수 있다. The defective subpixel detection circuit (DPDC) may be included inside the controller 140 . The memory MEM may be a register included in the controller 140 .

불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 특정 데이터전압(OFF_Vdata)은 불량 서브픽셀이 구동되는 시간 경과에 따라 변화될 수 있다. 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 이동도 등이 변화되는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)를 턴-오프 시킬 수 있는 특정 데이터전압(OFF_Vdata)도 변할 수 있다. A specific data voltage (OFF_Vdata) for turning off the driving transistor DRT in the defective subpixel may change according to the elapse of time during which the defective subpixel is driven. When the threshold voltage or mobility of the driving transistor DRT in the defective sub-pixel changes, the specific data voltage OFF_Vdata capable of turning off the driving transistor DRT may also change.

도 16을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 라인 결함 방지 방법을 제공할 수 있다. Referring to FIG. 16 , the organic light emitting display device 100 according to example embodiments may provide a line defect prevention method.

이를 위해, 유기발광표시장치(100)는 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하기 위한 구동을 수행한다(S1610).To this end, the organic light emitting display device 100 performs driving to detect whether or not the subpixel to be checked is a defective subpixel (S1610).

유기발광표시장치(100)는 불량 서브픽셀의 검출을 위한 구동 수행 결과에 따라 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단한다(S1620). The organic light emitting display device 100 determines whether or not the second transistor T2 in the subpixel to be checked is short-circuited according to the driving result for detecting the defective subpixel (S1620).

유기발광표시장치(100)는, S1620 단계에서의 판단 결과, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 것으로 판단되면, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로 검출하고, 검출된 불량 서브픽셀의 위치정보를 메모리(MEM)에 저장하고(S1630), 불량 서브픽셀에 대한 구동 시, 라인 결함 방지를 위한 특정 데이터전압(OFF_Vdata)을 불량 서브픽셀로 공급함으로써 라인 결함 방지 구동을 수행할 수 있다(S1640). When the organic light emitting display device 100 determines that the second transistor T2 in the subpixel to be checked is shorted as a result of the determination in step S1620, the organic light emitting display device 100 detects the subpixel to be checked as a defective subpixel, and detects the detected defect. Position information of the subpixel is stored in the memory (MEM) (S1630), and when the defective subpixel is driven, a specific data voltage (OFF_Vdata) for preventing the line defect is supplied to the defective subpixel to perform line defect prevention driving. It can (S1640).

유기발광표시장치(100)는, S1620 단계에서의 판단 결과, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 것으로 판단되면, 확인 대상 서브픽셀을 정상 서브픽셀로 검출하고(S1650), 정상 서브픽셀에 대한 구동 시, 정상적인 구동을 수행할 수 있다(S1660).When it is determined that the second transistor T2 in the subpixel to be checked is not shorted as a result of the determination in step S1620, the organic light emitting display device 100 detects the subpixel to be checked as a normal subpixel (S1650). , normal driving may be performed when driving for normal subpixels (S1660).

도 17을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는, 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀(SP) 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부에 따라 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출한다. Referring to FIG. 17 , the organic light emitting display device 100 selects a subpixel to be checked among a plurality of subpixels SP during a defective subpixel detection period according to whether or not the second transistor T2 in the subpixel to be checked is short-circuited. It is detected as a bad sub-pixel.

따라서, 유기발광표시장치(100)는, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀인지 아닌지를 구별하기 위해서는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단해야만 한다. Accordingly, the organic light emitting display device 100 must determine whether the second transistor T2 in the subpixel to be checked is short-circuited in order to distinguish whether the subpixel to be checked is a defective subpixel.

게이트구동회로(130)는, 제2 게이트라인(GL2)를 통해, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 인가한다(S1720). The gate driving circuit 130 applies the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage to the gate node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked through the second gate line GL2 ( S1720).

이때, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 값인 센싱값으로 변환하여 출력한다(S1730). At this time, the analog-to-digital converter ADC senses the voltage of the reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked, and senses the sensed voltage as a digital value. It is converted into a value and output (S1730).

불량 서브픽셀 검출회로(DPDC)는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 출력된 센싱값을 토대로, 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 파악하고, 이에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. The defective subpixel detection circuit (DPDC) determines whether or not the voltage of the reference voltage line (RVL) changes or the magnitude of the voltage change based on the sensing value output to the analog-to-digital converter (ADC), and based on this, determines the subpixel to be checked. It is possible to determine whether or not the second transistor T2 is short-circuited.

도 17을 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 기간 동안, 제1 검출 구동 단계(S1710), 제2 검출 구동 단계(S1720), 제3 검출 구동 단계(S1730) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 17 , during the detection period of the defective subpixel, a first detection and driving step ( S1710 ), a second detection and driving step ( S1720 ), and a third detection and driving step ( S1730 ) may be included.

제1 검출 구동 단계(S1710)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 검출 구동용 데이터전압이 인가된다. 여기서, 검출 구동용 데이터전압은 문턱전압(Vth)이 보상된 데이터(DATA+VTH)에 해당하는 데이터전압일 수 있다. In the first detection and driving step ( S1710 ), the gate driving circuit 130 supplies the first scan signal SCAN of the turn-on level voltage to the gate node of the first transistor T1 in the subpixel to be checked. Accordingly, the data voltage for detection and driving is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT. Here, the data voltage for detection and driving may be a data voltage corresponding to data (DATA+VTH) for which the threshold voltage (Vth) is compensated.

제1 검출 구동 단계(S1710)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-온 상태이다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 센싱 구동용 기준전압(VpreS)이 인가된다.In the first detection and driving step ( S1710 ), the gate driving circuit 130 supplies the second scan signal SENSE of the turn-on level voltage to the gate node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked. The reference switching (SPRE) for sensing drive is turned on. Accordingly, the sensing driving reference voltage VpreS is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT.

제1 검출 구동 단계(S1710)에서, 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-오프 상태이다. In the first detection driving step (S1710), the sampling switch SAMP is turned off.

제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 검출 구동용 데이터전압이 인가되지 못하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 플로팅 상태가 된다. In the second detection and driving step (S1720), the gate driving circuit 130 supplies the first scan signal SCAN having a turn-off level voltage to the gate node of the first transistor T1 in the subpixel to be checked. Accordingly, the data voltage for detection and driving is not applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and the first node N1 of the driving transistor DRT is in a floating state.

제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-오프 상태이다. 이에 따라, 센싱 구동용 기준전압(VpreS)은 기준전압라인(RVL)에도 인가되지 못한다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 플로팅 상태가 된다. In the second detection driving step (S1720), the reference switching SPRE for sensing driving is turned off. Accordingly, the reference voltage VpreS for sensing driving is not applied even to the reference voltage line RVL. Also, the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a floating state.

또한, 제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 게이트구동회로(130)는 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. In addition, in the second detection and driving step (S1720), the gate driving circuit 130 supplies the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage to the gate node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked. .

제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-오프 상태이다. In the second detection driving step (S1720), the sampling switch SAMP is turned off.

제2 검출 구동 단계(S1720) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2) 모두는 플로팅 상태이다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2) 각각의 전압은 상승하게 된다. During the second detection and driving step S1720, both the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are in a floating state. Also, voltages of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT increase.

만약, 확인 대상 서브픽셀이 제2 트랜지스터(T2)이 단락 되지 않은 정상 서브픽셀이라면, 제2 검출 구동 단계(S1720) 동안, 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 노드에 인가된 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)에 의해 턴-오프 상태이기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 상승되는 전압이 기준전압라인(RVL)에 전달되지 못한다. If the subpixel to be checked is a normal subpixel in which the second transistor T2 is not short-circuited, during the second detection and driving step (S1720), the second transistor T2 outputs the turn-off level voltage applied to the gate node. Since it is turned off by the second scan signal SENSE, the rising voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is not transferred to the reference voltage line RVL.

이에 따라, 확인 대상 서브픽셀이 정상 서브픽셀인 경우, 기준전압라인(RVL)의 전압은 변동이 없다. Accordingly, when the subpixel to be checked is a normal subpixel, the voltage of the reference voltage line RVL does not vary.

만약, 확인 대상 서브픽셀이 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀이라면, 제2 검출 구동 단계(S1720) 동안, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 게이트 노드에 인가되더라도, 단락에 의해 비정상적인 턴-온 상태이다. 따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 상승되는 전압은 제2 트랜지스터(T2)를 통해 기준전압라인(RVL)에 전달된다. If the subpixel to be checked is a defective subpixel in which the second transistor T2 is shorted, during the second detection and driving step S1720, the second scan signal ( SENSE) is applied to the gate node, but it is in an abnormal turn-on state due to a short circuit. Accordingly, the rising voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is transmitted to the reference voltage line RVL through the second transistor T2.

이에 따라, 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인 경우, 기준전압라인(RVL)은 전압 변동이 발생할 수 있다. Accordingly, when the subpixel to be checked is a defective subpixel, voltage fluctuations may occur in the reference voltage line RVL.

제2 검출 구동 단계(S1720)가 일정 시간 경과한 이후, 제3 검출 구동 단계(S1730)가 진행될 수 있다. After the second detection driving step ( S1720 ) has elapsed for a predetermined time, the third detection driving step ( S1730 ) may proceed.

제3 검출 구동 단계(S1730)에서는, 샘플링 스위치(SAMP)만 턴-온 된다. In the third detection and driving step (S1730), only the sampling switch SAMP is turned on.

이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 턴-온 된 샘플링 스위치(SAMP)를 통해 기준전압라인(RVL)과 연결된다. Accordingly, the analog-to-digital converter ADC is connected to the reference voltage line RVL through the turned-on sampling switch SAMP.

따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 출력한다. Therefore, the analog-to-digital converter ADC senses the voltage of the reference voltage line RVL, converts the sensed voltage into a sensed value corresponding to a digital value, and outputs the converted value.

불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 센싱값을 토대로, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 확인하여 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. Based on the sensed value, the defective subpixel detection circuit DPDC determines whether the voltage of the reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked changes or the size of the voltage change. It is possible to determine whether the second transistor T2 in the subpixel to be checked is short-circuited by checking .

도 15의 예시를 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간 전에 확인 대상 서브픽셀로서 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단하되, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안(S1720~S1730), 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인(RVL)의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 것으로 판단하여, 제1 서브픽셀(SP1)을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. Referring to the example of FIG. 15 , the defective subpixel detection circuit DPDC shorts the second transistor T2 in the first subpixel SP1 as a subpixel to be checked before the driving period of the first subpixel SP1. While the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor T2 in the first sub-pixel SP1 (S1720 to S1730), the first sub-pixel When it is confirmed that the voltage of the first reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the pixel SP1 increases, the second transistor T2 in the first subpixel SP1 ) is short-circuited, the first subpixel SP1 may be detected as a defective subpixel.

도 15의 예시를 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀로서 제2 서브픽셀(SP2) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안(S1720~S1730), 제2 서브픽셀(SP2) 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인(RVL)의 전압변화가 없거나 전압 변화 크기가 미리 정해진 임계 수준 이하인 것으로 확인되면, 제2 서브픽셀(SP2) 내 제2 트랜지스터(T2)가 미 단락이 된 것으로 판단하여, 제2 서브픽셀(SP2)을 정상 서브픽셀로서 검출할 수 있다. Referring to the example of FIG. 15 , the defective subpixel detection circuit DPDC performs a second scan of the turn-off level voltage at the gate node of the second transistor T2 in the second subpixel SP2 as the subpixel to be checked. While the signal SENSE is being applied (S1720 to S1730), the voltage of the first reference voltage line RVL electrically connected to the source node or drain node of the second transistor T2 in the second subpixel SP2 changes. When it is confirmed that there is no or the magnitude of voltage change is less than a predetermined threshold level, it is determined that the second transistor T2 in the second subpixel SP2 is not short-circuited, and the second subpixel SP2 is treated as a normal subpixel. can be detected.

이 경우, 데이터구동회로(120)는, 제2 서브픽셀(SP2)이 구동(센싱 구동 또는 영상 구동)될 때, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)을 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급할 수 있다. 이에 따라, 제2 서브픽셀(SP2)은 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 영향을 받지 않는다. In this case, the data driving circuit 120 turns off the driving transistor DRT in the first subpixel SP1 when the second subpixel SP2 is driven (sensing driven or image driven). 1 A specific data voltage (OFF_Vdata) may be supplied to the first subpixel SP1 through the first data line DL1. Accordingly, the second subpixel SP2 is not affected by the driving of the first subpixel SP1, which is a defective subpixel.

도 18을 참조하면, 전술한 라인 결함 방지 구동에 따르면, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 서브픽셀(SP1)로 공급될 때, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)이 센싱 구동이 되더라도, 센싱값 및 보상값이 정상적으로 얻어질 수 있고, 이에 따라, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)의 영상 구동도 정상적으로 진행될 수 있다. Referring to FIG. 18 , according to the above-described line defect prevention driving, the first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the driving transistor DRT in the first sub-pixel SP1 that is a defective sub-pixel is applied to the first sub-pixel. When supplied to the pixel SP1, even if the other subpixels SP2, SP3, and SP4 connected to the reference voltage line RVL along with the first subpixel SP1 are sensing driven, the sensing value and the compensation value are normally Accordingly, image driving of the other subpixels SP2 , SP3 , and SP4 connected to the reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1 may proceed normally.

도 17 및 18을 참조하면, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)은, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 포함된 불량 서브픽셀 라인일 수도 있고, 포함된 불량 서브픽셀 라인과 다른 정상 서브픽셀 라인일 수도 있다. 17 and 18, the other subpixels SP2, SP3, and SP4 connected to the reference voltage line RVL along with the first subpixel SP1, which is a defective subpixel, are the first subpixel, which is a defective subpixel. It may be a defective subpixel line including (SP1) or a normal subpixel line different from the included defective subpixel line.

예를 들어, 제1 기준전압라인(RVL)과 공통으로 연결 가능한 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2)이 있다고 하고, 제1 서브픽셀(SP1)은 불량 서브픽셀이고, 제2 서브픽셀(SP2)은 정상 서브픽셀일 때, 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2)은 동일한 서브픽셀 행 (동일한 서브픽셀 라인)에 배치될 수 있고, 서로 다른 서브픽셀 행 (서로 다른 서브픽셀 라인)에 배치될 수 있다. For example, it is assumed that there are a first subpixel SP1 and a second subpixel SP2 that can be connected in common with the first reference voltage line RVL, the first subpixel SP1 is a defective subpixel, and the second subpixel SP1 is a defective subpixel. When the 2 subpixels SP2 are normal subpixels, the first subpixel SP1 and the second subpixel SP2 may be arranged in the same subpixel row (same subpixel line), and in different subpixel rows. (different subpixel lines).

도 17 및 18을 참조하면, 라인 결함 방지 구동에 따라, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 서브픽셀(SP1)으로 공급되기 때문에, 제1 서브픽셀(SP1)은 암점(온점)으로 보인다. 하지만, 도 11과 비교해볼 때, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 모든 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)은 암점으로 보이지 않고 정상적으로 보이게 된다. 17 and 18, according to line defect prevention driving, a first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the driving transistor DRT of the first sub-pixel SP1, which is a defective sub-pixel, is applied to the first sub-pixel. Since it is supplied to the pixel SP1, the first subpixel SP1 appears as a dark spot (hot spot). However, when compared with FIG. 11 , all other subpixels SP2 , SP3 , and SP4 connected to the reference voltage line RVL along with the first subpixel SP1 do not appear as dark dots but appear normal.

한편, 불량 서브픽셀 검출 기간은, 파워 온 신호가 발생하고 디스플레이 구동이 시작되기 전에 진행되거나, 파워 오프 신호가 발생한 이후에 진행되거나, 디스플레이 구동 중 실시간으로 진행될 수 있다. Meanwhile, the bad subpixel detection period may proceed before the power-on signal is generated and display driving starts, may proceed after the power-off signal is generated, or may proceed in real time during display driving.

다시 말해, 도 7을 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 동작은 온-센싱 프로세스로 진행될 수도 있고, 오프-센싱 프로세스로 진행될 수도 있고, 실시간 센싱 프로세스로 진행될 수도 있다. In other words, referring to FIG. 7 , the defective subpixel detection operation may be performed as an on-sensing process, an off-sensing process, or a real-time sensing process.

불량 서브픽셀 검출 동작이 온-센싱 프로세스로 진행되는 경우, 유기발광표시장치(100)는 불량 서브픽셀에 의한 영향 없이 디스플레이 구동을 정상적으로 새롭게 시작할 수 있다. When the defective subpixel detection operation proceeds as an on-sensing process, the organic light emitting display device 100 may newly start display driving normally without being affected by the defective subpixel.

불량 서브픽셀 검출 동작이 오프-센싱 프로세스로 진행되는 경우, 유기발광표시장치(100)는 디스플레이에 영향을 끼치지 않고 불량 서브픽셀 검출 동작을 수행할 수 있고, 시간적인 여유가 있기 때문에, 모든 서브픽셀들에 대하여 검출 동작을 수행할 수 있는 이점이 있다. When the defective subpixel detection operation proceeds as an off-sensing process, the organic light emitting display device 100 can perform the defective subpixel detection operation without affecting the display, and since there is time, all subpixel detection operations are performed. There is an advantage to being able to perform detection operations on pixels.

불량 서브픽셀 검출 동작이 실시간 센싱 프로세스로 진행되는 경우, 불량 서브픽셀이 발생하는 즉시, 신속하게 대처할 수 있는 이점이 있다.When the detection of the defective subpixels is carried out as a real-time sensing process, there is an advantage in that the defective subpixels can be promptly dealt with as soon as they occur.

한편, 도 15를 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 기간에서 제3 검출 구동 단계(S1730)가 진행된 이후 회복(Recovery) 단계(S1740)가 진행될 수도 있다. Meanwhile, referring to FIG. 15 , a recovery step ( S1740 ) may be performed after the third detection and driving step ( S1730 ) is performed in the bad subpixel detection period.

회복 단계(S1740)에서는, 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 되어, 데이터전압(Vdata)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달된다. In the recovery step S1740, the first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN of the turn-on level voltage, and the data voltage Vdata is applied to the first node of the driving transistor DRT ( delivered to N1).

회복 단계(S1740)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달되는 데이터전압(Vdata)은 블랙 데이터(BLK)가 변환된 데이터전압일 수 있다. In the recovery step S1740, the data voltage Vdata transmitted to the first node N1 of the driving transistor DRT may be a data voltage obtained by converting the black data BLK.

회복 단계(S1740)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에는, 블랙 데이터(BLK)가 변환된 데이터전압이 인가되다가, 회복 데이터(REC)가 변환된 데이터전압이 인가될 수도 있다. 회복 데이터(REC)는 불량 서브픽셀 검출 동작 전에 해당 서브픽셀(SP)에 공급된 영상데이터(DATA)와 대응되는 데이터일 수 있다. In the recovery step S1740, the data voltage into which the black data BLK is converted may be applied, and then the data voltage into which the recovery data REC is converted may be applied to the first node N1 of the driving transistor DRT. . The recovery data REC may be data corresponding to the image data DATA supplied to the corresponding subpixel SP before the defective subpixel detection operation.

회복 단계(S1740)에서, 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 된다. 그리고, 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)가 턴-온 된다. 이에 따라, 기준전압라인(RVL)에 공급된 기준전압(VpreR)이 제2 트랜지스터(T2)을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가된다. In the recovery step S1740, the second transistor T2 is turned on by the second scan signal SENSE of the turn-on level voltage. And, the image driving reference switch RPRE is turned on. Accordingly, the reference voltage VpreR supplied to the reference voltage line RVL is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT through the second transistor T2.

도 20 및 도 21은 본 발명의 실시예들에 따른 데이터구동회로(120)를 나타낸 도면이다. 20 and 21 are diagrams illustrating a data driving circuit 120 according to embodiments of the present invention.

도 20을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 데이터구동회로(120)는, 입력된 영상데이터(DATA)를 저장하는 래치회로(2010)와, 영상데이터(DATA)를 아날로그 신호들로 변환하는 디지털 아날로그 변환회로(2020)와, 아날로그 신호들에 대응되는 데이터전압들(Vdata)을 n(n은 4 이상의 자연수)개의 데이터라인(DL)과 대응되는 n개의 데이터채널(DCH1~DCHn)로 출력하는 출력회로(2030) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 20 , a data driving circuit 120 according to embodiments of the present invention includes a latch circuit 2010 that stores input image data DATA and converts the image data DATA into analog signals. A digital-to-analog conversion circuit 2020 and data voltages Vdata corresponding to analog signals are converted to n data lines DL (where n is a natural number equal to or greater than 4) and n data channels DCH1 to DCHn corresponding to the analog signals. An output circuit 2030 for outputting may be included.

래치회로(2010)는 n개 또는 2n개 이상의 래치를 포함할 수 있다. n개의 데이터채널(DCH1~DCHn) 각각에 하나 또는 둘 이상의 래치(Latch)가 대응될 수 있다. The latch circuit 2010 may include n or more than 2n latches. One or more latches may correspond to each of the n data channels DCH1 to DCHn.

디지털 아날로그 변환회로(2020)는 n개의 데이터채널(DCH1~DCHn)과 대응되는 n개의 디지털 아날로그 컨버터(DAC)를 포함할 수 있다. The digital-to-analog conversion circuit 2020 may include n digital-to-analog converters (DACs) corresponding to n data channels DCH1 to DCHn.

출력회로(2030)는 n개의 데이터채널(DCH1~DCHn)과 대응되는 n개의 출력버퍼를 포함할 수 있다. The output circuit 2030 may include n output buffers corresponding to n data channels DCH1 to DCHn.

도 20을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 데이터구동회로(120)는, m(m은 1이상의 자연수)개의 기준전압라인(RVL)의 전압을 디지털 값으로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 변환회로(2040)와, m개의 기준전압라인(RVL)에 대응되는 m개의 기준채널(RCH1~RCHm)과 아날로그 디지털 변환회로(2040) 사이에 연결된 스위치 회로(2050)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 20 , the data driving circuit 120 according to embodiments of the present invention converts the voltages of m (m is a natural number equal to or greater than 1) reference voltage lines RVL into digital values and outputs the converted analog to digital values. A switch circuit 2050 connected between the circuit 2040, the m reference channels RCH1 to RCHm corresponding to the m reference voltage lines RVL, and the analog-to-digital conversion circuit 2040 may be included.

도 21을 참조하면, 아날로그 디지털 변환회로(2040)는 m개의 기준채널(RCH1~RCHm)에 대응되는 m개의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 21 , the analog-to-digital conversion circuit 2040 may include m analog-to-digital converters (ADCs) corresponding to m reference channels RCH1 to RCHm.

도 21을 참조하면, 스위치 회로(2050)는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 센싱 구동용 기준전압 공급 노드(Npres) 간의 연결을 제어하는 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와, 각 기준전압라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치(SAMP)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 21 , the switch circuit 2050 includes a sensing driving reference switch (which controls the connection between each reference voltage line RVL and a sensing driving reference voltage supply node Npres to which the reference voltage Vref is supplied). SPRE) and a sampling switch (SAMP) for controlling the connection between each reference voltage line (RVL) and the analog-to-digital converter (ADC).

스위치 회로(2050)는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 영상 구동용 기준전압 공급 노드(Nprer) 간의 연결을 제어하는 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)를 더 포함할 수 있다. The switch circuit 2050 may further include a video image driving reference switch RPRE for controlling a connection between each reference voltage line RVL and the image driving reference voltage supply node Nprer to which the reference voltage Vref is supplied. can

센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)는 센싱 구동 시 이용되는 스위치이다. 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)으로 공급되는 기준전압(Vref)은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)이다. 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 영상 구동 시 이용되는 스위치이다. 영상 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)에 공급되는 기준전압(Vref)은 영상 구동용 기준전압(VpreR)이다. The reference switch SPRE for sensing driving is a switch used for sensing driving. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the sensing driving reference switch SPRE is the sensing driving reference voltage VpreS. The image driving reference switch RPRE is a switch used when driving an image. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the image driving reference switch SPRE is the image driving reference voltage VpreR.

센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 별도로 구비될 수도 있고, 하나로 통합되어 구현될 수도 있다. 센싱 구동용 기준전압(VpreS)과 영상 구동용 기준전압(VpreR)은 동일한 전압 값일 수도 있고, 다른 전압 값일 수도 있다.The reference switch for sensing driving (SPRE) and the reference switch for image driving (RPRE) may be provided separately or may be integrated into one. The reference voltage VpreS for sensing driving and the reference voltage VpreR for image driving may have the same voltage value or different voltage values.

기준채널 개수(m)는 데이터채널 개수(n)보다 적을 수 있다. 예를 들어, 데이터채널 개수(n)는 기준채널 개수(m)의 2 이상의 정수 배일 수 있다. 즉, n=k*m (k는 2 이상의 자연수)이다.The number of reference channels (m) may be less than the number of data channels (n). For example, the number n of data channels may be an integer multiple of 2 or more of the number m of reference channels. That is, n=k*m (k is a natural number greater than or equal to 2).

m개의 기준전압라인(RVL) 각각은 둘 이상의 서브픽셀(SP)에 포함된 제2 트랜지스터들(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. Each of the m reference voltage lines RVL may be connected in common to source nodes or drain nodes of second transistors T2 included in two or more subpixels SP.

다수의 서브픽셀(SP)은 m개의 기준전압라인(RVL) 중 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받는 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2)을 포함할 수 있다. The plurality of subpixels SP includes a first subpixel SP1 and a second subpixel (SP1) commonly supplied with a reference voltage Vref through a first reference voltage line RVL among m reference voltage lines RVL ( SP2) may be included.

제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 데이터라인(DL1)으로 출력되어 제1 서브픽셀(SP1)로 공급될 수 있다. When the second transistor T2 in the first subpixel SP1 is short-circuited, the driving transistor DRT in the first subpixel SP1 is turned off during the driving period of the first subpixel SP1. A first specific data voltage (OFF_Vdata) to be output to the first data line DL1 may be supplied to the first subpixel SP1.

제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간 (영상 구동 기간 또는 센싱 구동 기간)에, 아날로그 디지털 변환회로(2040)는, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결된 제2 서브픽셀(SP2) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 상승된 전압을 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 센싱할 수 있다. 여기서, 센싱된 전압은 이동도를 반영하는 전압일 수 있다(도 6 참조). During the driving period (image driving period or sensing driving period) of the first subpixel SP1, the analog-to-digital conversion circuit 2040 is connected to the first reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1. The increased voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT in the two sub-pixels SP2 may be sensed through the first reference voltage line RVL. Here, the sensed voltage may be a voltage that reflects mobility (see FIG. 6).

제2 서브픽셀(SP2) 내 제2 트랜지스터(T2)는 미 단락 되어 있고, 제2 서브픽셀(SP2)이 구동(센싱 구동 또는 영상 구동)될 때, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급될 수 있다. The second transistor T2 in the second subpixel SP2 is not short-circuited, and when the second subpixel SP2 is driven (sensing driven or image driven), the driving transistor in the first subpixel SP1 ( The first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the DRT may be supplied to the first subpixel SP1 through the first data line DL1.

도 22는 본 발명의 실시예들에 따른 컨트롤러(140)를 나타낸 도면이다. 22 is a diagram illustrating a controller 140 according to embodiments of the present invention.

도 22를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 컨트롤러(140)는, 다수의 서브픽셀(SP) 중 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받는 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2) 중 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락 된 정보 또는 제1 서브픽셀(SP1)의 위치정보를 저장하는 메모리(MEM)와, 메모리(MEM)를 참조하여, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1)에 공급해야 하는 영상데이터(DATA)를 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 영상데이터(OFF_DATA)로 교체하여 데이터구동회로(120)로 출력하는 영상데이터 공급기(VDS) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 22 , the controller 140 according to embodiments of the present invention includes a first reference voltage Vref commonly supplied through a first reference voltage line RVL among a plurality of subpixels SP. A memory MEM that stores information about the short-circuit of the second transistor T2 in the first sub-pixel SP1 among the sub-pixel SP1 and the second sub-pixel SP2 or location information of the first sub-pixel SP1 And, referring to the memory MEM, when the second transistor T2 in the first subpixel SP1 is short-circuited, the first subpixel SP1 during the driving period of the first subpixel SP1 Image data to be supplied to the data driving circuit 120 by replacing the image data DATA with first specific image data OFF_DATA for turning off the driving transistor DRT in the first subpixel SP1. A supply device (VDS) and the like may be included.

제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결된 제2 서브픽셀(SP2) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. During the driving period of the first subpixel SP1, the mobility sensing of the driving transistor DRT in the second subpixel SP2 connected to the first reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1 is performed. can

도 22를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 컨트롤러(140)는, 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀(SP) 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부에 따라 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 22 , the controller 140 according to embodiments of the present invention determines whether or not the second transistor T2 is shorted in a subpixel to be checked among a plurality of subpixels SP during a defective subpixel detection period. A defective subpixel detection circuit (DPDC) for detecting whether or not the subpixel to be verified is a defective subpixel may be further included.

불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. While the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked, the defective subpixel detection circuit DPDC is 2 It is determined whether the second transistor T2 in the subpixel to be checked is short-circuited based on whether or not the voltage of the reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the transistor T2 changes or the magnitude of the voltage change. can

도 23 및 도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법에 대한 흐름도이다. 23 and 24 are flowcharts of a method of driving the organic light emitting display device 100 according to example embodiments.

도 23을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법은 정상 구동 단계(S2310) 및 라인 결함 방지 단계(S2330) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 23 , the driving method of the organic light emitting display device 100 according to example embodiments may include a normal driving step (S2310) and a line defect preventing step (S2330).

정상 구동 단계(S2310)에서, 유기발광표시장치(100)의 데이터구동회로(120)는, 다수의 서브픽셀(SP) 중 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받는 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2) 중 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 영상 구동을 위한 데이터전압(Vdata)을 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급할 수 있다. In the normal driving step (S2310), the data driving circuit 120 of the organic light emitting display device 100 shares the reference voltage Vref through the first reference voltage line RVL among the plurality of subpixels SP. During the driving period of the first sub-pixel SP1 among the first and second sub-pixels SP1 and SP2 being supplied, the data voltage Vdata for image driving is supplied through the first data line DL1. It can be supplied with 1 subpixel (SP1).

라인 결함 방지 단계(S2330)에서, 유기발광표시장치(100)의 데이터구동회로(120)는, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)을 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급할 수 있다. In the line defect prevention step S2330, the data driving circuit 120 of the organic light emitting display device 100, when the second transistor T2 in the first subpixel SP1 is short-circuited, the first subpixel ( During the driving period of SP1, the first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the driving transistor DRT in the first subpixel SP1 is transmitted through the first data line DL1 to the first subpixel SP1. ) can be supplied.

라인 결함 방지 단계(S2330)에서, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결된 제2 서브픽셀(SP2) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. In the line defect prevention step ( S2330 ), the mobility of the driving transistor DRT in the first subpixel SP1 and the second subpixel SP2 connected to the first reference voltage line RVL may be sensed.

도 23을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법은, 정상 구동 단계(S2310)와 라인 결함 방지 단계(S2330) 사이에, 다수의 서브픽셀(SP) 중 확인 대상 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단하여 확인 대상 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 단계(S2320)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 23 , in the driving method of the organic light emitting display device 100 according to embodiments of the present invention, between a normal driving step (S2310) and a line defect preventing step (S2330), a plurality of subpixels (SP) A defective subpixel for detecting whether or not the first subpixel SP1, a subpixel to be checked, is a defective subpixel by determining whether the second transistor T2 in the first subpixel SP1, which is a subpixel to be checked, is short-circuited. A detection step (S2320) may be further included.

불량 서브픽셀 검출 단계(S2320)에서, 불량 서브픽셀 검출회로(DPDC)는, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. In the defective subpixel detection step S2320, the defective subpixel detection circuit DPDC outputs a second scan signal SENSE having a turn-off level voltage to the gate node of the second transistor T2 in the first subpixel SP1. ) is being applied, based on whether the voltage of the first reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the first subpixel SP1 changes or the size of the voltage change. , it is possible to determine whether or not the second transistor T2 in the subpixel to be checked is short-circuited.

불량 서브픽셀 검출회로(DPDC)는, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인(RVL)의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락이 된 것으로 판단되어, 제1 서브픽셀(SP1)을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. While the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor T2 in the first subpixel SP1, the defective subpixel detection circuit DPDC is configured to detect the first subpixel SP1. When it is confirmed that the voltage of the first reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the pixel SP1 increases, the second transistor T2 in the first subpixel SP1 ) is determined to be short-circuited, the first subpixel SP1 may be detected as a defective subpixel.

도 24를 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 단계(S2320)는, 제1 검출 구동 단계(S1710), 제2 검출 구동 단계(S1720), 제3 검출 구동 단계(S1730), 센싱값 획득 단계(S2410) 및 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부 판단 단계(S2420) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 24 , the defective subpixel detection step (S2320) includes a first detection and driving step (S1710), a second detection and driving step (S1720), a third detection and driving step (S1730), and a sensing value acquisition step (S2410). and determining whether the second transistor T2 is short-circuited (S2420).

제1 검출 구동 단계(S1710)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-온 상태이다. 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-오프 상태이다. In the first detection and driving step ( S1710 ), the gate driving circuit 130 supplies the first scan signal SCAN of the turn-on level voltage to the gate node of the first transistor T1 in the subpixel to be checked. The gate driving circuit 130 supplies the second scan signal SENSE of the turn-on level voltage to the gate node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked. The reference switching (SPRE) for sensing drive is turned on. The sampling switch (SAMP) is turned off.

여기서, 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE) 및 샘플링 스위치(SAMP)는 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)에 연결될 수 있다. Here, the sensing driving reference switching SPRE and the sampling switch SAMP may be connected to a reference voltage line RVL electrically connected to a source node or a drain node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked.

제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-오프 상태이고, 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-오프 상태이다. In the second detection and driving step (S1720), the gate driving circuit 130 supplies the first scan signal SCAN having a turn-off level voltage to the gate node of the first transistor T1 in the subpixel to be checked. The second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked. The reference switching SPRE for sensing drive is turned off, and the sampling switch SAMP is turned off.

제3 검출 구동 단계(S1730)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-오프 상태이고, 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-온 된다. In the third detection and driving step ( S1730 ), the gate driving circuit 130 supplies the first scan signal SCAN having a turn-off level voltage to the gate node of the first transistor T1 in the subpixel to be checked. The second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked. The reference switching SPRE for sensing driving is turned off, and the sampling switch SAMP is turned on.

센싱값 획득 단계(S2410)에서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 턴-온 된 샘플링 스위치(SAMP)를 통해 기준전압라인(RVL)과 연결되어, 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 출력한다. In the sensing value acquisition step (S2410), the analog-to-digital converter (ADC) is connected to the reference voltage line (RVL) through the turned-on sampling switch (SAMP), and senses the voltage of the reference voltage line (RVL) to obtain the sensed It converts the voltage into a sensed value corresponding to a digital value and outputs it.

제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부 판단 단계(S2420)에서, 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 센싱값을 토대로, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 확인하여 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. In the step of determining whether the second transistor T2 is short-circuited ( S2420 ), the defective subpixel detection circuit DPDC electrically connects the source node or drain node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked based on the sensed value. It is possible to determine whether the second transistor T2 in the sub-pixel to be checked is short-circuited by checking whether or not the voltage change or the magnitude of the voltage change of the reference voltage line RVL connected to .

불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 것으로 판단되면, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. The defective subpixel detection circuit DPDC may detect the subpixel to be checked as a defective subpixel when it is determined that the second transistor T2 in the subpixel to be checked is short-circuited.

불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 것으로 판단되면, 확인 대상 서브픽셀을 정상 서브픽셀로서 검출할 수 있다. The defective subpixel detection circuit DPDC may detect the subpixel to be checked as a normal subpixel when it is determined that the second transistor T2 in the subpixel to be checked is not short-circuited.

이상에서 설명한 본 발명의 실시예들에 의하면, 라인 결함(LD)을 방지하여 화상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치(100), 데이터구동회로(120), 컨트롤러(140) 및 구동방법을 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention described above, an organic light emitting display device 100, a data driving circuit 120, a controller 140, and a driving method capable of improving image quality by preventing line defects (LD) are provided. can provide

본 발명의 실시예들에 의하면, 라인 결함(LD)을 발생시키는 불량 서브픽셀을 검출할 수 있는 유기발광표시장치(100), 데이터구동회로(120), 컨트롤러(140) 및 구동방법을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device 100 capable of detecting a defective subpixel causing a line defect LD, a data driving circuit 120, a controller 140, and a driving method are provided. can

본 발명의 실시예들에 의하면, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 다른 정상 서브픽셀의 센싱 및 보상 오류가 발생하지 않도록 해줌으로써, 영상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치(100), 데이터구동회로(120), 컨트롤러(140) 및 구동방법을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device 100 capable of improving image quality by preventing a sensing and compensation error of other normal subpixels from occurring due to driving of a defective subpixel, and a data driving circuit 120, a controller 140 and a driving method can be provided.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The above description and accompanying drawings are merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art can combine the configuration within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. , various modifications and variations such as separation, substitution and alteration will be possible. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터구동회로
130: 게이트구동회로
140: 컨트롤러
100: organic light emitting display device
110: organic light emitting display panel
120: data driving circuit
130: gate driving circuit
140: controller

Claims (21)

다수의 데이터라인, 다수의 게이트라인 및 다수의 기준전압라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터라인과 상기 다수의 게이트라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열된 유기발광표시패널;
상기 다수의 데이터라인을 구동하는 데이터구동회로;
상기 다수의 게이트라인을 구동하는 게이트구동회로; 및
상기 데이터구동회로 및 상기 게이트구동회로를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 상기 다수의 데이터라인 중 하나의 데이터라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 상기 다수의 기준전압라인 중 하나의 기준전압라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함하고,
상기 다수의 기준전압라인의 개수는 상기 다수의 데이터라인의 개수보다 적고, 상기 다수의 기준전압라인 각각은 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결되고,
상기 다수의 기준전압라인 각각과 기준전압이 공급되는 기준전압 공급 노드 간의 연결을 제어하는 기준 스위치와, 상기 다수의 기준전압라인 각각과 아날로그 디지털 컨버터 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치를 더 포함하고,
제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 상기 데이터구동회로는,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급하는 유기발광표시장치.
an organic light emitting display panel on which a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of reference voltage lines are disposed, and a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are arranged in a matrix type;
a data driving circuit for driving the plurality of data lines;
a gate driving circuit for driving the plurality of gate lines; and
A controller for controlling the data driving circuit and the gate driving circuit;
Each of the plurality of subpixels,
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, and a first transistor controlled by a first scan signal and electrically connected between a first node of the driving transistor and one of the plurality of data lines. and a second transistor controlled by a second scan signal and electrically connected between a second node of the driving transistor and one reference voltage line among the plurality of reference voltage lines, and between the first node and the second node. a capacitor electrically connected to
The number of the plurality of reference voltage lines is less than the number of the plurality of data lines, and each of the plurality of reference voltage lines is commonly connected to source nodes or drain nodes of second transistors included in two or more subpixels;
Further comprising a reference switch controlling a connection between each of the plurality of reference voltage lines and a reference voltage supply node to which a reference voltage is supplied, and a sampling switch controlling a connection between each of the plurality of reference voltage lines and an analog-to-digital converter,
When a second transistor in a first sub-pixel among two or more sub-pixels commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line is short-circuited, the data driving circuit
An organic light emitting display device supplying a first specific data voltage for turning off a driving transistor in the first subpixel to the first subpixel through a first data line during a driving period of the first subpixel.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
During the driving period of the first subpixel,
An organic light emitting display device in which mobility sensing of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is performed.
제1항에 있어서,
미리 정의된 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 상기 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부에 따라, 상기 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로를 더 포함하고,
상기 불량 서브픽셀 검출 회로는,
상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안,
상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
and a defective subpixel detection circuit for detecting the subpixel to be checked as a defective subpixel according to whether a second transistor in the subpixel to be checked is short-circuited among the plurality of subpixels during a predefined defective subpixel detection period. ,
The defective subpixel detection circuit,
While the second scan signal of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor in the subpixel to be checked,
Determining whether or not the second transistor in the subpixel to be checked is short-circuited based on whether or not the voltage of a reference voltage line electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor in the subpixel to be checked is changed or the size of the voltage change. light emitting display.
제3항에 있어서,
상기 불량 서브픽셀 검출 회로는,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간 전에 상기 확인 대상 서브픽셀로서 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하되,
상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 상기 제1 기준전압라인의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 것으로 판단하여, 상기 제1 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 유기발광표시장치.
According to claim 3,
The defective subpixel detection circuit,
determining whether a second transistor in the first subpixel is short-circuited as the subpixel to be checked before a driving period of the first subpixel;
While the second scan signal having the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor in the first subpixel, the first subpixel is electrically connected to the source node or drain node of the second transistor in the first subpixel. 1. The organic light emitting display device detecting the first subpixel as a defective subpixel by determining that a second transistor in the first subpixel is short-circuited when it is confirmed that the voltage of the reference voltage line has increased.
제3항에 있어서,
상기 불량 서브픽셀 검출 회로는,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀이 상기 확인 대상 서브픽셀인 경우, 상기 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안,
상기 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 상기 제1 기준전압라인의 전압변화가 없거나 전압 변화 크기가 미리 정해진 임계 수준 이하인 것으로 확인되면,
상기 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 미 단락이 된 것으로 판단하여, 상기 제2 서브픽셀을 정상 서브픽셀로서 검출하는 유기발광표시장치.
According to claim 3,
The defective subpixel detection circuit,
When the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is the subpixel to be checked, the second scan of the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor in the second subpixel. While the signal is being applied,
When it is confirmed that there is no voltage change of the first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the second subpixel or that the magnitude of the voltage change is less than or equal to a predetermined threshold level,
The organic light emitting display device detects the second subpixel as a normal subpixel by determining that the second transistor in the second subpixel is not short-circuited.
제5항에 있어서,
상기 데이터구동회로는,
상기 제2 서브픽셀이 구동될 때, 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 상기 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급하는 유기발광표시장치.
According to claim 5,
The data driving circuit,
An organic light emitting display device supplying a first specific data voltage to turn off a driving transistor in the first subpixel to the first subpixel through the first data line when the second subpixel is driven.
제3항에 있어서,
상기 불량 서브픽셀 검출 기간은,
파워 온 신호가 발생하고 디스플레이 구동이 시작되기 전에 진행되거나,
파워 오프 신호가 발생한 이후에 진행되거나,
디스플레이 구동 중 실시간으로 진행되는 유기발광표시장치.
According to claim 3,
The defective subpixel detection period,
The power-on signal occurs and proceeds before the display drive starts,
It proceeds after the power off signal occurs, or
An organic light emitting display that progresses in real time while the display is running.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀은 구동 기간에 구동 트랜지스터가 턴-온 되도록 하는 데이터전압이 인가되고,
상기 제2 서브픽셀은 상기 제1 서브픽셀과 동일한 서브픽셀 행에 배치되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
A data voltage for turning on a driving transistor is applied to a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel during a driving period;
The second subpixel is disposed in the same subpixel row as the first subpixel.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀은 구동 기간에 구동 트랜지스터가 턴-온 되도록 하는 데이터전압이 인가되고,
상기 제2 서브픽셀은 상기 제1 서브픽셀과 다른 서브픽셀 행에 배치되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
A data voltage for turning on a driving transistor is applied to a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel during a driving period;
The second subpixel is disposed in a different subpixel row from the first subpixel.
제1항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터가 단락이 된 불량 서브픽셀의 위치정보를 저장하는 메모리를 더 포함하고,
상기 컨트롤러는,
상기 메모리를 참조하여, 상기 불량 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터를 상기 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터를 턴-오프 시키는 특정 영상데이터로 교체하여 상기 데이터구동회로로 출력하는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
a memory configured to store location information of a defective subpixel in which the second transistor is short-circuited;
The controller,
An organic light emitting display device for replacing image data to be supplied to the defective subpixel with specific image data for turning off a driving transistor in the defective subpixel with reference to the memory and outputting the image data to the data driving circuit.
제1항에 있어서,
상기 제1 특정 데이터전압은 시간경과에 따라 변화되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The first specific data voltage is changed over time.
유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 다수의 데이터라인 중 하나의 데이터라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 다수의 기준전압라인 중 하나의 기준전압라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함하는 다수의 서브픽셀이 배열된 유기발광표시패널과 전기적으로 연결된 데이터구동회로에 있어서,
입력된 영상데이터를 저장하는 래치회로;
상기 영상데이터를 아날로그 신호들로 변환하는 디지털 아날로그 변환회로;
상기 아날로그 신호들에 대응되는 데이터전압들을 n개의 데이터라인과 대응되는 n(n은 2 이상의 자연수)개의 데이터채널로 출력하는 출력회로;
m(m은 1 이상의 자연수)개의 기준전압라인의 전압을 디지털 값으로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 변환회로; 및
상기 m개의 기준전압라인에 대응되는 m개의 기준채널과 상기 아날로그 디지털 변환회로 사이에 연결된 스위치 회로를 포함하고,
상기 n은 상기 m의 2 이상의 정수 배이고,
상기 m개의 기준전압라인 각각은, 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결되고,
상기 다수의 서브픽셀은 상기 m개의 기준전압라인 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중에서 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압이 제1 데이터라인으로 출력되어 상기 제1 서브픽셀로 공급되는 데이터구동회로.
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first transistor controlled by a first scan signal and electrically connected between a first node of the driving transistor and one of a plurality of data lines; , A second transistor controlled by a second scan signal and electrically connected between the second node of the driving transistor and one reference voltage line among a plurality of reference voltage lines, and electrically connected between the first node and the second node. In a data driving circuit electrically connected to an organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels including capacitors connected to are arranged,
a latch circuit for storing input image data;
a digital-to-analog conversion circuit that converts the image data into analog signals;
an output circuit for outputting data voltages corresponding to the analog signals to n data lines and corresponding n (n is a natural number equal to or greater than 2) data channels;
an analog-to-digital conversion circuit for converting voltages of m (m is a natural number equal to or greater than 1) reference voltage lines into digital values and outputting the converted digital values; and
A switch circuit connected between m reference channels corresponding to the m reference voltage lines and the analog-to-digital conversion circuit;
wherein n is an integer multiple of 2 or more of m,
Each of the m reference voltage lines is connected in common with source nodes or drain nodes of second transistors included in two or more subpixels;
When a second transistor in a first subpixel among two or more subpixels commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line among the m reference voltage lines is shorted,
A data driving circuit in which a first specific data voltage for turning off a driving transistor in the first subpixel is output to a first data line and supplied to the first subpixel during a driving period of the first subpixel.
제12항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 아날로그 디지털 변환회로는,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제2 노드의 상승된 전압을 상기 제1 기준전압라인을 통해 센싱하는 데이터구동회로.
According to claim 12,
During the driving period of the first subpixel, the analog-to-digital conversion circuit,
A data driving circuit for sensing an increased voltage of a second node of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel through the first reference voltage line.
제12항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터는 미 단락 되어 있고, 상기 제2 서브픽셀이 구동될 때,
상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압이 상기 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급되는 데이터구동회로.
According to claim 12,
When a second transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is unshorted and the second subpixel is driven,
A data driving circuit in which a first specific data voltage for turning off a driving transistor in the first subpixel is supplied to the first subpixel through the first data line.
다수의 데이터라인, 다수의 게이트라인 및 다수의 기준전압라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터라인과 상기 다수의 게이트라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열되며, 상기 다수의 서브픽셀 각각은 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 상기 다수의 데이터라인 중 하나의 데이터라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 상기 다수의 기준전압라인 중 하나의 기준전압라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터가 배치되어 있는 유기발광표시패널을 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법에 있어서,
상기 다수의 서브픽셀 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 영상 구동을 위한 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급하는 정상 구동 단계; 및
상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급하는 라인 결함 방지 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법.
A plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of reference voltage lines are disposed, a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are arranged in a matrix type, and the plurality of subpixels Each is controlled by an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, and a first scan signal and electrically connected between a first node of the driving transistor and one of the plurality of data lines. a first transistor; a second transistor controlled by a second scan signal and electrically connected between a second node of the driving transistor and one reference voltage line among the plurality of reference voltage lines; A method of driving an organic light emitting display device including an organic light emitting display panel having capacitors electrically connected between nodes, comprising:
During a driving period of a first subpixel among two or more subpixels that are commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line among the plurality of subpixels, a data voltage for driving an image is supplied to the first subpixel through a first data line. A normal driving step for supplying subpixels; and
When the second transistor in the first subpixel is short-circuited, a first specific data voltage for turning off the driving transistor in the first subpixel is applied to the first data line during the driving period of the first subpixel. and preventing a line defect from being supplied to the first sub-pixel through a line defect.
제15항에 있어서,
상기 라인 결함 방지 단계에서,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행되는 유기발광표시장치의 구동방법.
According to claim 15,
In the line defect prevention step,
A method of driving an organic light emitting display device in which mobility sensing of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is performed.
제15항에 있어서,
상기 정상 구동 단계와 상기 라인 결함 방지 단계 사이에,
상기 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀인 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하여 상기 확인 대상 서브픽셀인 상기 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 단계를 더 포함하고,
상기 불량 서브픽셀 검출 단계는,
상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하되,
상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 상기 제1 기준전압라인의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락이 된 것으로 판단되어, 상기 제1 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 유기발광표시장치의 구동방법.
According to claim 15,
Between the normal driving step and the line defect preventing step,
Defective subpixel detection for detecting whether or not the first subpixel, which is the subpixel to be checked, is a defective subpixel by determining whether or not the second transistor in the first subpixel, which is the subpixel to be checked, is short-circuited among the plurality of subpixels. Including more steps,
In the detecting of the defective subpixel,
While the second scan signal having the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor in the first subpixel, the first subpixel electrically connected to the source node or drain node of the second transistor in the first subpixel. Based on whether or not the voltage of the reference voltage line changes or the magnitude of the voltage change, whether or not the second transistor in the subpixel to be checked is short-circuited is determined;
While the second scan signal having the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor in the first subpixel, the first subpixel is electrically connected to the source node or drain node of the second transistor in the first subpixel. 1. A method of driving an organic light emitting display device, determining that a second transistor in the first subpixel is short-circuited when it is confirmed that the voltage of the reference voltage line has risen, and detecting the first subpixel as a defective subpixel.
제17항에 있어서,
상기 불량 서브픽셀 검출 단계는,
상기 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-온 시키고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-오프 시키는 제1 단계;
상기 제1 단계 이후, 상기 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-오프 시키고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-오프 시키는 제2 단계;
상기 제2 단계 이후, 상기 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-오프 시키고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-온 시키는 제3 단계;
상기 샘플링 스위치가 턴-온 됨에 따라, 아날로그 디지털 컨버터가 상기 샘플링 스위치를 통해 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하는 제4 단계; 및
상기 센싱값을 토대로, 제1 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 확인하여 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하여, 상기 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 제5 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법.
According to claim 17,
In the detecting of the defective subpixel,
A first scan signal of a turn-on level voltage is supplied to a gate node of a first transistor in the first subpixel, and a second scan signal of a turn-on level voltage is supplied to a gate node of a second transistor in the first subpixel. and turns on a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to the source node or drain node of a second transistor in the first subpixel, and the source node of the second transistor in the first subpixel or a first step of turning off a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to the drain node;
After the first step, a first scan signal having a turn-off level voltage is supplied to a gate node of a first transistor in the first subpixel, and a turn-off level voltage is supplied to a gate node of a second transistor in the first subpixel. Supplying a second scan signal of voltage, turning off a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel, a second step of turning off a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor;
After the second step, a first scan signal having a turn-off level voltage is supplied to a gate node of a first transistor in the first subpixel, and a turn-off level voltage is supplied to a gate node of a second transistor in the first subpixel. Supplying a second scan signal of voltage, turning off a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel, a third step of turning on a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor;
a fourth step of sensing a voltage of a first reference voltage line electrically connected through an analog-to-digital converter and converting the sensed voltage into a sensed value corresponding to a digital value when the sampling switch is turned on; and
A fifth step of detecting whether or not the first subpixel is a defective subpixel by determining whether or not the second transistor is short-circuited by checking whether or not the voltage of the first reference voltage line has changed or the magnitude of the voltage change based on the sensed value. A method of driving an organic light emitting display device comprising:
다수의 데이터라인, 다수의 게이트라인 및 다수의 기준전압라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터라인과 상기 다수의 게이트라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열되며, 상기 다수의 서브픽셀 각각은 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 상기 다수의 데이터라인 중 하나의 데이터라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 상기 다수의 기준전압라인 중 하나의 기준전압라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터가 배치되어 있는 유기발광표시장치의 컨트롤러에 있어서,
상기 다수의 기준전압라인 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락 된 정보 또는 상기 제1 서브픽셀의 위치정보를 저장하는 메모리; 및
상기 메모리를 참조하여, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터를 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 영상데이터로 교체하여 데이터구동회로로 출력하는 영상데이터 공급기를 포함하는 유기발광표시장치의 컨트롤러.
A plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of reference voltage lines are disposed, a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are arranged in a matrix type, and the plurality of subpixels Each is controlled by an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, and a first scan signal and electrically connected between a first node of the driving transistor and one of the plurality of data lines. a first transistor; a second transistor controlled by a second scan signal and electrically connected between a second node of the driving transistor and one reference voltage line among the plurality of reference voltage lines; A controller of an organic light emitting display device having a capacitor electrically connected between nodes, the controller comprising:
Storing information that a second transistor in a first sub-pixel among two or more sub-pixels commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line among the plurality of reference voltage lines is short-circuited or location information of the first sub-pixel Memory; and
With reference to the memory, when the second transistor in the first subpixel is short-circuited, during the driving period of the first subpixel, image data to be supplied to the first subpixel is driven in the first subpixel. A controller of an organic light emitting display device including an image data supply unit that replaces a transistor with first specific image data that causes a transistor to be turned off and outputs the image data to a data driving circuit.
제19항에 있어서,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행되는 유기발광표시장치의 컨트롤러.
According to claim 19,
A controller of an organic light emitting display device in which mobility of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is sensed during a driving period of the first subpixel.
제19항에 있어서,
불량 서브픽셀 검출 기간 동안 상기 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부에 따라 상기 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로를 더 포함하고,
상기 불량 서브픽셀 검출 회로는,
상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안,
상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하는 유기발광표시장치의 컨트롤러.
According to claim 19,
a defective subpixel detection circuit for detecting whether or not the subpixel to be checked is a defective subpixel according to whether a second transistor in the subpixel to be checked is short-circuited among the plurality of subpixels during a defective subpixel detection period;
The defective subpixel detection circuit,
While the second scan signal of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor in the subpixel to be checked,
Determining whether or not the second transistor in the subpixel to be checked is short-circuited based on whether or not the voltage of a reference voltage line electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor in the subpixel to be checked is changed or the size of the voltage change. A controller for a light emitting display device.
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