KR20200005347A - Organic light emitting display device, data driving circuit, controller, and driving method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller and a driving method.
최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. Recently, an organic light emitting display device, which has been in the spotlight as a display device, has an advantage of fast response speed, high luminous efficiency, luminance, viewing angle, etc. by using an organic light emitting diode (OLED) which emits light by itself.
유기발광표시장치는 유기발광다이오드와 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터가 포함된 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 서브픽셀들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다. The organic light emitting display device arranges the subpixels including the organic light emitting diode and the driving transistor for driving the same in a matrix form and controls the brightness of the subpixels selected by the scan signal according to the gray level of the data.
종래의 유기발광표시장치는 검은색의 띠 형태의 블록이 보이는 화면 이상 현상이 발생하는 문제점이 발생하고 있는 실정이다. 이러한 라인 결함은 그 원인 및 최초 발생 위치 등을 알아내기가 어려운 문제점이며, 유기발광표시장치의 품질에 큰 영향을 끼칠 수 있다. BACKGROUND ART Conventional organic light emitting display devices have a problem that screen abnormality occurs in which black band-shaped blocks are seen. Such a line defect is a problem that it is difficult to find the cause and the location of the first occurrence of the line defect, and may greatly affect the quality of the organic light emitting display device.
이러한 배경에서, 본 발명의 실시예들의 목적은, 검은색의 띠 형태의 블록이 보이는 라인 결함을 방지하여 화상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공하는데 있다. In this background, it is an object of embodiments of the present invention to provide an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method which can improve image quality by preventing line defects in which black band-shaped blocks are visible. have.
본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 라인 결함을 발생시키는 불량 서브픽셀을 검출할 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공하는데 있다. Another object of the embodiments of the present invention is to provide an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method capable of detecting a defective subpixel which causes a line defect.
본 발명의 실시예들의 또 다른 목적은, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 다른 정상 서브픽셀의 센싱 및 보상 오류가 발생하지 않도록 해줌으로써, 영상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공하는데 있다.Another object of the embodiments of the present invention is to provide an organic light emitting display device, a data driving circuit, which can improve image quality by preventing the detection and compensation errors of other normal subpixels by driving a defective subpixel. The present invention provides a controller and a driving method.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들은 라인 결함을 방지할 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공할 수 있다. In one aspect, embodiments of the present invention can provide an organic light emitting display device, a data driver circuit, a controller, and a driving method capable of preventing line defects.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 데이터라인, 다수의 게이트라인 및 다수의 기준전압라인이 배치되고, 다수의 데이터라인과 다수의 게이트라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열된 유기발광표시패널과, 다수의 데이터라인을 구동하는 데이터구동회로와, 다수의 게이트라인을 구동하는 게이트구동회로와, 데이터구동회로 및 게이트구동회로를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention include a matrix type in which a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of reference voltage lines are disposed, and a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are formed. An organic light emitting display panel comprising: an organic light emitting display panel arranged in a row; a data driving circuit driving a plurality of data lines; a gate driving circuit driving a plurality of gate lines; and a controller controlling a data driving circuit and a gate driving circuit. A device can be provided.
다수의 서브픽셀 각각은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 스캔신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제1 노드와 다수의 데이터라인 중 하나의 데이터라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 스캔신호에 의해 제어되며 구동 트랜지스터의 제2 노드와 다수의 기준전압라인 중 하나의 기준전압라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 제1 노드와 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함할 수 있다. Each of the plurality of subpixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first scan signal, and is electrically connected between the first node of the driving transistor and one data line of the plurality of data lines. A second transistor coupled by a second scan signal and electrically connected between a second node of the driving transistor and one reference voltage line of the plurality of reference voltage lines, and between the first node and the second node. It may include a capacitor electrically connected to.
다수의 기준전압라인의 개수는 다수의 데이터라인의 개수보다 적을 수 있다. The number of the plurality of reference voltage lines may be smaller than the number of the plurality of data lines.
다수의 기준전압라인 각각은 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. Each of the plurality of reference voltage lines may be commonly connected to the source node or the drain node of the second transistors included in the two or more subpixels.
유기발광표시장치는, 다수의 기준전압라인 각각과 기준전압이 공급되는 기준전압 공급 노드 간의 연결을 제어하는 기준 스위치와, 다수의 기준전압라인 각각과 아날로그 디지털 컨버터 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting display further includes a reference switch for controlling a connection between each of the plurality of reference voltage lines and a reference voltage supply node to which the reference voltage is supplied, and a sampling switch for controlling the connection between each of the plurality of reference voltage lines and the analog to digital converter. It may include.
제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중에서, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 데이터구동회로는, 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급할 수 있다.Of the two or more subpixels commonly supplied with the reference voltage through the first reference voltage line, when the second transistor in the first subpixel is short-circuited, the data driver circuit may generate a first driving voltage during the driving period of the first subpixel. The first specific data voltage for turning off the driving transistor in the subpixel may be supplied to the first subpixel through the first data line.
제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. During the driving period of the first subpixel, the sensing of the mobility of the driving transistor in the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel may be performed.
유기발광표시장치는, 미리 정의된 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부에 따라, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting display device detects a sub-pixel to be checked as a defective subpixel according to whether a second transistor in a sub-object to be checked is shorted among a plurality of sub-pixels during a predefined sub-pixel detection period. It may further include.
불량 서브픽셀 검출 회로는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단할 수 있다. The bad subpixel detection circuit includes a source node or a drain node of the second transistor in the checked subpixel while the second scan signal of the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor in the checked subpixel. Based on whether the voltage of the electrically connected reference voltage line changes or the magnitude of the voltage change, it may be determined whether the second transistor is shorted in the subpixel to be checked.
불량 서브픽셀 검출 회로는, 제1 서브픽셀의 구동 기간 전에 확인 대상 서브픽셀로서 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하되, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 것으로 판단하여, 제1 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. The bad subpixel detection circuit determines whether the second transistor in the first subpixel is short-circuited as the subpixel to be checked before the driving period of the first subpixel, but turns off the gate node of the second transistor in the first subpixel. If the voltage of the first reference voltage line electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor in the first subpixel is increased while the second scan signal of the level voltage is being applied, the first subpixel in the first subpixel is generated. By determining that the two transistors are short-circuited, the first subpixel can be detected as a defective subpixel.
불량 서브픽셀 검출 회로는, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀이 확인 대상 서브픽셀인 경우, 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압변화가 없거나 전압 변화 크기가 미리 정해진 임계 수준 이하인 것으로 확인되면, 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 미 단락이 된 것으로 판단하여, 제2 서브픽셀을 정상 서브픽셀로서 검출할 수 있다. The bad subpixel detection circuit, when the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel, is the subpixel to be checked, the bad subpixel detection circuit generates a turn-off level voltage at the gate node of the second transistor in the second subpixel. While the second scan signal is being applied, if there is no voltage change of the first reference voltage line electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor in the second subpixel, or the voltage change magnitude is determined to be below a predetermined threshold level. In response to determining that the second transistor in the second subpixel is not short-circuited, the second subpixel may be detected as a normal subpixel.
데이터구동회로는, 제2 서브픽셀이 구동될 때, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급할 수 있다. The data driver circuit may supply a first specific data voltage to the first subpixel through the first data line to turn off the driving transistor in the first subpixel when the second subpixel is driven.
불량 서브픽셀 검출 기간은, 파워 온 신호가 발생하고 디스플레이 구동이 시작되기 전에 진행되거나, 파워 오프 신호가 발생한 이후에 진행되거나, 디스플레이 구동 중 실시간으로 진행될 수 있다. The bad subpixel detection period may proceed before the power on signal is generated and display driving starts, after the power off signal occurs, or in real time during display driving.
제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀은, 정상 서브픽셀인 경우, 구동 기간에 구동 트랜지스터가 턴-온 되도록 하는 데이터전압이 인가될 수 있다. In the case of the normal subpixel, the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel may be applied with a data voltage such that the driving transistor is turned on in the driving period.
이러한 정상 서브픽셀인 제2 서브픽셀은 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀과 동일한 서브픽셀 행에 배치될 수도 있고, 다른 서브픽셀 행에 배치될 수도 있다. The second subpixel that is the normal subpixel may be disposed in the same subpixel row as the first subpixel that is the defective subpixel, or may be disposed in another subpixel row.
유기발광표시장치는, 제2 트랜지스터가 단락이 된 불량 서브픽셀의 위치정보를 저장하는 메모리를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting diode display may further include a memory configured to store location information of a defective subpixel in which the second transistor is shorted.
컨트롤러는, 메모리를 참조하여, 불량 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터를 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터를 턴-오프 시키는 특정 영상데이터로 교체하여 데이터구동회로로 출력할 수 있다. The controller may replace the image data to be supplied to the defective subpixel with specific image data for turning off the driving transistor in the defective subpixel by referring to the memory and output the image data to the data driving circuit.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 라인 결함을 방지할 수 있는 데이터구동회로를 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention may provide a data driving circuit capable of preventing line defects.
데이터구동회로는, 입력된 영상데이터를 저장하는 래치회로와, 영상데이터를 아날로그 신호들로 변환하는 디지털 아날로그 변환회로와, 아날로그 신호들에 대응되는 데이터전압들을 n개의 데이터라인과 대응되는 n(n은 2 이상의 자연수)개의 데이터채널로 출력하는 출력회로와, m(m은 1 이상의 자연수)개의 기준전압라인의 전압을 디지털 값으로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 변환회로와, m개의 기준전압라인에 대응되는 m개의 기준채널과 아날로그 디지털 변환회로 사이에 연결된 스위치 회로를 포함할 수 있다. The data driving circuit includes a latch circuit for storing input image data, a digital analog conversion circuit for converting image data into analog signals, and n (n) corresponding to n data lines for data voltages corresponding to the analog signals. Is an output circuit for outputting two or more natural numbers) data channels, an analog-to-digital conversion circuit for converting and outputting voltages of m (m is one or more natural numbers) reference voltage lines to digital values and corresponding to m reference voltage lines It may include a switch circuit connected between the m reference channels and the analog to digital conversion circuit.
n은 m의 2 이상의 정수 배일 수 있다. n may be an integer multiple of two or more of m.
m개의 기준전압라인 각각은, 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. Each of the m reference voltage lines may be commonly connected to a source node or a drain node of second transistors included in two or more subpixels.
다수의 서브픽셀은 m개의 기준전압라인 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중에서 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압이 제1 데이터라인으로 출력되어 제1 서브픽셀로 공급될 수 있다. The plurality of subpixels are driven when the second transistor in the first subpixel is short-circuited among two or more subpixels commonly supplied with the reference voltage through the first reference voltage line among the m reference voltage lines. In the period, a first specific data voltage that causes the driving transistor in the first subpixel to be turned off may be output to the first data line and supplied to the first subpixel.
제1 서브픽셀의 구동 기간에, 아날로그 디지털 변환회로는, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제2 노드의 상승된 전압을 제1 기준전압라인을 통해 센싱할 수 있다. In the driving period of the first subpixel, the analog-to-digital conversion circuit converts the elevated voltage of the second node of the driving transistor in the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel to convert the first reference voltage line. Can be sensed.
제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터는 미 단락 되어 있고, 제2 서브픽셀이 구동될 때, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압이 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급될 수 있다. The second transistor in the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is unshorted, and the driving transistor in the first subpixel is turned off when the second subpixel is driven. 1 A specific data voltage may be supplied to the first subpixel through the first data line.
또 다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 라인 결함을 방지할 수 있는 유기발광표시장치의 구동방법을 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention can provide a method of driving an organic light emitting display device capable of preventing line defects.
구동방법은, 다수의 서브픽셀 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 영상 구동을 위한 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급하는 정상 구동 단계와, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 제1 서브픽셀로 공급하는 라인 결함 방지 단계를 포함할 수 있다. The driving method includes a data voltage for driving an image through a first data line in a driving period of a first subpixel among two or more subpixels commonly supplied with a reference voltage among a plurality of subpixels. In the normal driving step of supplying the first subpixel and when the second transistor in the first subpixel has a short circuit, during the driving period of the first subpixel, the first transistor causes the driving transistor in the first subpixel to be turned off. And preventing a line defect from supplying a specific data voltage to the first subpixel through the first data line.
라인 결함 방지 단계에서, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. In the line defect prevention step, mobility sensing of the driving transistor in the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel may be performed.
구동방법은, 정상 구동 단계와 라인 결함 방지 단계 사이에, 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀인 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하여 확인 대상 서브픽셀인 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 단계를 더 포함할 수 있다. In the driving method, between the normal driving step and the line defect prevention step, it is determined whether the second transistor is short-circuited in the first subpixel among the plurality of subpixels and the first subpixel, which is the subpixel to be checked, is defective. A bad subpixel detection step of detecting whether or not the subpixel is further included.
불량 서브픽셀 검출 단계는, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단할 수 있다. The bad subpixel detection step may include a source node or a drain node of the second transistor in the first subpixel while the second scan signal of the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. Based on whether the voltage of the first reference voltage line is electrically connected or the magnitude of the voltage change, it may be determined whether the second transistor in the verification subpixel is shorted.
불량 서브픽셀 검출 단계는, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락이 된 것으로 판단되어, 제1 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. The bad subpixel detection step may include a source node or a drain node of the second transistor in the first subpixel while the second scan signal of the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. When it is confirmed that the voltage of the electrically connected first reference voltage line is increased, it is determined that a short circuit occurs in the second transistor in the first subpixel, and thus the first subpixel may be detected as a defective subpixel.
불량 서브픽셀 검출 단계는, 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-온 시키고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-오프 시키는 제1 단계; 제1 단계 이후, 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-오프 시키고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-오프 시키는 제2 단계; 제2 단계 이후, 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-오프 시키고, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-온 시키는 제3 단계; 샘플링 스위치가 턴-온 됨에 따라, 아날로그 디지털 컨버터가 샘플링 스위치를 통해 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하는 제4 단계; 및 센싱값을 토대로, 제1 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 확인하여 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하여, 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 제5 단계를 포함할 수 있다. In the bad subpixel detection step, the first scan signal of the turn-on level voltage is supplied to the gate node of the first transistor in the first subpixel, and the turn-on level voltage is supplied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. A second scan signal of the first subpixel, a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of the second transistor in the first subpixel, and turned on Turning off a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of the first reference voltage line; After the first step, the first scan signal of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the first transistor in the first subpixel, and the turn-off level voltage of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. Supply a 2 scan signal, turn off a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in a first subpixel, and a source of a second transistor in a first subpixel Turning off a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a node or a drain node; After the second step, the first scan signal of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the first transistor in the first subpixel, and the turn-off level voltage of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. Supply a 2 scan signal, turn off a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in a first subpixel, and a source of a second transistor in a first subpixel Turning on a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a node or a drain node; As the sampling switch is turned on, a fourth step of the analog-to-digital converter sensing the voltage of the first reference voltage line electrically connected through the sampling switch to convert the sensed voltage into a sensing value corresponding to the digital value; And a fifth step of detecting whether the first subpixel is a defective subpixel by determining whether the second transistor is shorted by checking whether the voltage of the first reference voltage line is changed or the magnitude of the voltage change. can do.
또 다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 라인 결함을 방지할 수 있는 유기발광표시장치의 컨트롤러를 제공할 수 있다. In another aspect, embodiments of the present invention can provide a controller of an organic light emitting display device capable of preventing line defects.
컨트롤러는, 다수의 기준전압라인 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락 된 정보 또는 제1 서브픽셀의 위치정보를 저장하는 메모리와, 메모리를 참조하여, 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터를 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 영상데이터로 교체하여 데이터구동회로로 출력하는 영상데이터 공급기를 포함할 수 있다. The controller may store the information of the shorted second transistor in the first subpixel or the position information of the first subpixel among two or more subpixels which are commonly supplied with the reference voltage through the first reference voltage line among the plurality of reference voltage lines. Memory and a second transistor in the first subpixel with reference to the memory, the driving transistor in the first subpixel supplies the image data to be supplied to the first subpixel in the driving period of the first subpixel. It may include an image data supply for outputting to the data driving circuit to replace the first specific image data to be turned off.
제1 서브픽셀의 구동 기간에, 제1 서브픽셀과 함께 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. During the driving period of the first subpixel, the sensing of the mobility of the driving transistor in the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel may be performed.
컨트롤러는 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부에 따라 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로를 더 포함할 수 있다. The controller may further include a bad subpixel detection circuit that detects whether or not the checked subpixel is a bad subpixel according to whether a second transistor in the checked subpixel of the plurality of subpixels is shorted during the bad subpixel detection period. .
불량 서브픽셀 검출 회로는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단할 수 있다. The bad subpixel detection circuit includes a source node or a drain node of the second transistor in the checked subpixel while the second scan signal of the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor in the checked subpixel. Based on whether the voltage of the electrically connected reference voltage line changes or the magnitude of the voltage change, it may be determined whether the second transistor is shorted in the subpixel to be checked.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예들에 의하면, 라인 결함을 방지하여 화상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments of the present invention described above, it is possible to provide an organic light emitting display device, a data driver circuit, a controller, and a driving method which can improve image quality by preventing line defects.
본 발명의 실시예들에 의하면, 라인 결함을 발생시키는 불량 서브픽셀을 검출할 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and a driving method capable of detecting a defective subpixel that causes line defects can be provided.
본 발명의 실시예들에 의하면, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 다른 정상 서브픽셀의 센싱 및 보상 오류가 발생하지 않도록 해줌으로써, 영상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치, 데이터구동회로, 컨트롤러 및 구동방법을 제공할 수 있다. According to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device, a data driving circuit, a controller, and the like, which can improve image quality by preventing the detection and compensation errors of other normal subpixels by driving a defective subpixel. A driving method can be provided.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 시스템 구현 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀의 회로이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 문턱전압 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 이동도 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 프로세스를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 4개의 서브픽셀과 연결되는 배선들에 대한 배치도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 제2 트랜지스터가 단락이 된 서브픽셀 (불량 서브픽셀)의 회로이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 하나의 기준전압라인을 공유하는 4개의 서브픽셀 중 불량 서브픽셀이 존재하는 경우, 4개의 서브픽셀에 대한 등가 회로이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 하나의 기준전압라인을 공유하는 4개의 서브픽셀 중 불량 서브픽셀이 존재하는 경우, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 발생되는 센싱 및 보상 오류와, 이에 따라 발생하는 라인 결함 현상을 설명하기 위한 도면들이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 정상 서브픽셀과 불량 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 정상 서브픽셀과 불량 서브픽셀에 대한 이동도 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 라인 결함 방지 회로이다.
도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 라인 결함 방지 방법의 흐름도이다.
도 17은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 불량 서브픽셀 검출을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 하나의 기준전압라인을 공유하는 4개의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인 경우, 라인 결함 방지 동작과 이에 따른 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 20 및 도 21은 본 발명의 실시예들에 따른 데이터구동회로를 나타낸 도면이다.
도 22는 본 발명의 실시예들에 따른 컨트롤러를 나타낸 도면이다.
도 23 및 도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동방법에 대한 흐름도이다. 1 is a schematic system diagram of an organic light emitting display device according to example embodiments.
2 is a diagram illustrating a system implementation of an organic light emitting display device according to example embodiments.
3 is a circuit diagram of a subpixel of an organic light emitting diode display according to example embodiments.
4 is a compensation circuit of an organic light emitting display device according to example embodiments.
5 is a driving timing diagram for sensing a threshold voltage of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a driving timing diagram for mobility sensing of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating a sensing process of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
FIG. 8 is a layout view of wirings connected to four subpixels in an organic light emitting display device according to example embodiments. FIG.
9 is a circuit of a subpixel (bad subpixel) in which a second transistor is shorted in an organic light emitting display device according to example embodiments.
FIG. 10 is an equivalent circuit for four subpixels when a defective subpixel among four subpixels sharing one reference voltage line is present in the organic light emitting diode display according to example embodiments. FIG.
11 and 12 illustrate an organic light emitting display device in accordance with embodiments of the present invention, in which a defective subpixel among four subpixels sharing one reference voltage line is generated by driving the defective subpixel. Figures for explaining the sensing and compensation error, and the resulting line defect phenomenon.
FIG. 13 is a driving timing diagram for sensing a threshold voltage for a normal subpixel and a defective subpixel in an organic light emitting diode display according to example embodiments.
FIG. 14 is a driving timing diagram for mobility sensing of a normal subpixel and a defective subpixel in an organic light emitting diode display according to example embodiments.
15 is a line defect prevention circuit of an organic light emitting display device according to example embodiments.
16 is a flowchart illustrating a method for preventing line defects in an organic light emitting display device according to example embodiments.
17 is a driving timing diagram for detecting a defective subpixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
18 and 19 illustrate an operation of preventing line defects when the first subpixel among four subpixels sharing one reference voltage line is a defective subpixel in the organic light emitting diode display according to example embodiments. Figures for explaining the effect according.
20 and 21 are diagrams illustrating a data driving circuit according to embodiments of the present invention.
22 illustrates a controller according to embodiments of the present invention.
23 and 24 are flowcharts illustrating a method of driving an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are shown in different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the component of this invention, terms, such as 1st, 2nd, A, B, (a), (b), can be used. These terms are only to distinguish the components from other components, and the terms are not limited in nature, order, order, or number of the components. If a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, that component may be directly connected to or connected to that other component, but between components It is to be understood that the elements may be "interposed" or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light emitting
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배열된 유기발광표시패널(110)과, 유기발광표시패널(110)을 구동하기 위한 구동회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, in the organic light emitting
구동회로는, 기능적으로 볼 때, 다수의 데이터라인(DL)을 구동하는 데이터구동회로(120)와, 다수의 게이트라인(GL)을 구동하는 게이트구동회로(130)와, 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다. The driving circuit functionally includes a
유기발광표시패널(110)에서 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL)은 서로 교차하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 다수의 게이트라인(GL)은 행(Row) 또는 열(Column)으로 배열될 수 있고, 다수의 데이터라인(DL)은 열(Column) 또는 행(Row)으로 배열될 수 있다. 아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 다수의 게이트라인(GL)은 행(Row)으로 배치되고, 다수의 데이터라인(DL)은 열(Column)로 배치되는 것으로 가정한다. In the organic light emitting
유기발광표시패널(110)에는, 다수의 데이터라인(DL) 및 다수의 게이트라인(GL) 이외에, 다른 종류의 배선들이 배치될 수 있다. In addition to the plurality of data lines DL and the plurality of gate lines GL, other types of wirings may be disposed on the organic light emitting
컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120)로 영상데이터(DATA)를 공급할 수 있다. The
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)의 구동 동작에 필요한 각종 제어신호(DCS, GCS)를 공급하여 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)의 동작을 제어할 수 있다. In addition, the
컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상데이터를 데이터구동회로(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상데이터(DATA)를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The
컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 외부 (예: 호스트 시스템)로부터 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130)로 출력한다. In order to control the
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트구동회로(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In addition, the
컨트롤러(140)는, 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행할 수 있는 제어장치일 수 있다. The
컨트롤러(140)는, 데이터구동회로(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터구동회로(120)와 함께 통합되어 집적회로로 구현될 수 있다. The
데이터구동회로(120)는, 컨트롤러(140)로부터 영상데이터(DATA)를 입력 받아 다수의 데이터라인(DL)로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터구동회로(120)는 소스 구동회로라고도 한다. The
데이터구동회로(120)는 시프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. The
데이터구동회로(120)는, 경우에 따라서, 하나 이상의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. The
게이트구동회로(130)는, 다수의 게이트라인(GL)로 스캔신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트구동회로(130)는 스캔 구동회로라고도 한다. The
게이트구동회로(130)는 시프트 레지스터(Shift Register), 레벨 시프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. The
게이트구동회로(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔신호를 다수의 게이트라인(GL)로 순차적으로 공급한다. The
데이터구동회로(120)는, 게이트구동회로(130)에 의해 특정 게이트라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상데이터(DATA)를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터라인(DL)로 공급한다. When a specific gate line is opened by the
데이터구동회로(120)는, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상 측과 하 측)에 모두 위치할 수도 있다. The
게이트구동회로(130)는, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌 측과 우 측)에 모두 위치할 수도 있다. The
데이터구동회로(120)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 구현될 수 있다. The
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, TAB (Tape Automated Bonding) 방식 또는 COG (Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나 유기발광표시패널(110) 상에 직접 배치될 수도 있다. 경우에 따라서, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 COF (Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 회로필름 상에 실장 되어, 회로필름을 통해 유기발광표시패널(110)에서의 데이터라인들(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting
게이트구동회로(130)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver IC)가 TAB 방식 또는 COG 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결될 수 있다. 또한, 게이트구동회로(130)는 GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110) 상에 직접 배치될 수도 있다. 또한, 게이트구동회로(130)는 COF (Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 게이트구동회로(130)에 포함된 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 회로필름 상에 실장 되어, 회로필름을 통해 유기발광표시패널(110)에서의 게이트라인들(GL)과 전기적으로 연결될 수 있다..In the
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 시스템 구현 예시도이다. 2 is a diagram illustrating a system implementation of an organic light emitting
도 2의 예시는, 데이터구동회로(120)에서 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 다양한 방식들(TAB, COG, COF 등) 중 COF (Chip On Film) 방식으로 구현되고, 게이트구동회로(130)가 다양한 방식들(TAB, COG, COF, GIP 등) 중 GIP (Gate In Panel) 타입으로 구현된 경우이다. In the example of FIG. 2, each source driver integrated circuit (SDIC) included in the
데이터구동회로(120)에 포함된 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC) 각각은, 소스 측 회로필름(SF) 상에 실장될 수 있다. Each of the plurality of source driver integrated circuits SDIC included in the
소스 측 회로필름(SF)의 일 측은 유기발광표시패널(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. One side of the source side circuit film SF may be electrically connected to the organic light emitting
소스 측 회로필름(SF) 상에는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)과 유기발광표시패널(110)을 전기적으로 연결해주기 위한 배선들이 배치될 수 있다. On the source side circuit film SF, wires for electrically connecting the source driver integrated circuit SDIC and the organic light emitting
유기발광표시장치(100)는, 다수의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)와 다른 장치들 간의 회로적인 연결을 위해, 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과, 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)을 포함할 수 있다. The organic light emitting
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)에는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)의 타 측이 연결될 수 있다. The other side of the source side circuit film SF on which the source driver integrated circuit SDIC is mounted may be connected to the at least one source printed circuit board SPCB.
즉, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 소스 측 회로필름(SF)은 일 측이 유기발광표시패널(110)과 전기적으로 연결되고, 타 측이 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. That is, the source side circuit film SF on which the source driver integrated circuit SDIC is mounted is electrically connected to one side of the organic light emitting
컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)에는, 데이터 구동회로(120) 및 게이트 구동회로(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터구동회로(120) 및 게이트구동회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 파워 관리 집적회로(PMIC: Power Management IC, 210) 등이 실장될 수 있다. The control printed circuit board (CPCB) includes a
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. 여기서, 연결 부재는, 일 예로, 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. At least one source printed circuit board (SPCB) and the control printed circuit board (CPCB) may be connected to the circuit through at least one connection member. Here, the connection member may be, for example, a flexible printed circuit (FPC), a flexible flat cable (FFC), or the like.
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(SPCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (SPCB) and the control printed circuit board (CPCB) may be integrated into one printed circuit board.
유기발광표시장치(100)는, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB)와 전기적으로 연결된 세트보드(Set Board, 230)를 더 포함할 수 있다. 이러한 세트 보드(230)는 파워 보드(Power Board)라고도 할 수 있다. The organic light emitting
이러한 세트보드(230)에는 유기발광표시장치(100)의 전체적인 파워를 관리하는 메인 파워 관리 회로(220, M-PMC: Main Power Management Circuit)가 존재할 수 있다. The set
파워 관리 집적회로(210)는 유기발광표시패널(110)과 그 구동 회로(120, 130, 140) 등을 포함하는 표시모듈에 대한 파워를 관리하는 회로이고, 메인 파워 관리 회로(220)는 표시모듈을 포함한 전체적인 파워를 관리하는 회로이고, 파워 관리 집적회로(210)와 연동할 수 있다. The power management integrated
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에 포함된 유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)은 자 발광 소자인 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성될 수 있다. Each of the subpixels SP arranged in the organic light emitting
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The type and number of circuit elements constituting each subpixel SP may be variously determined according to a providing function and a design method.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 회로이다. 3 is a circuit diagram of a subpixel of the organic light emitting
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에는, 다수의 데이터라인(DL), 다수의 게이트라인(GL), 다수의 구동전압라인(DVL) 및 다수의 기준전압라인(RVL) 등이 배치될 수 있다. The organic light emitting
유기발광표시패널(110)에서의 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 다수의 데이터라인(DL) 중 해당 데이터라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 다수의 기준전압라인(RVL) 중 해당 기준전압라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함하여 구현될 수 있다. Each subpixel SP in the organic light emitting
유기발광다이오드(OLED)는 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may be formed of an anode electrode, an organic emission layer, and a cathode electrode.
도 3의 회로 예시에 따르면, 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극에는 기저전압(EVSS)이 인가될 수 있다. 여기서, 기저전압(EVSS)은, 일 예로, 그라운드 전압이거나 그라운드 전압보다 높거나 낮은 전압일 수 있다. 또한, 기전전압(EVSS)은 구동상태에 따라 가변될 수 있다. 예를 들어, 영상 구동 시 기저전압(EVSS)과 센싱 구동 시 기저전압(EVSS)은 서로 다르게 설정될 수 있다. According to the circuit example of FIG. 3, the anode electrode of the organic light emitting diode OLED may be electrically connected to the second node N2 of the driving transistor DRT. The base voltage EVSS may be applied to the cathode of the organic light emitting diode OLED. Here, the base voltage EVSS may be, for example, a ground voltage or a voltage higher or lower than the ground voltage. In addition, the electromotive voltage EVSS may vary depending on the driving state. For example, the base voltage EVSS when driving the image and the base voltage EVSS when sensing driving may be set differently.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.
구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3) 등을 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드이다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극(또는 캐소드 전극)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는 구동전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있다. The driving transistor DRT may include a first node N1, a second node N2, a third node N3, and the like. The first node N1 of the driving transistor DRT is a node corresponding to a gate node. The first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the source node or the drain node of the first transistor T1. The second node N2 of the driving transistor DRT may be a source node or a drain node. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to an anode electrode (or a cathode electrode) of the organic light emitting diode OLED, and may be electrically connected to a source node or a drain node of the second transistor T2. Can be. The third node N3 of the driving transistor DRT may be a drain node or a source node. The third node N3 of the driving transistor DRT is a node to which the driving voltage EVDD is applied and may be electrically connected to a driving voltage line DVL supplying the driving voltage EVDD.
아래에서는, 설명의 편의를 위하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 소스 노드이고, 제3노드(N3)는 드레인 노드인 것을 예로 들어 설명할 수 있다. Hereinafter, for convenience of description, the second node N2 of the driving transistor DRT is a source node and the third node N3 may be described as an example.
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터전압(Vdata) 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지해줄 수 있다. The storage capacitor Cst is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT to limit the data voltage Vdata corresponding to the image signal voltage or a voltage corresponding thereto. You can keep it for the frame time.
제1 트랜지스터(T1)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 해당 데이터라인(DL)에 전기적으로 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전기적으로 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드는 해당 게이트 라인과 전기적으로 연결되어 제1 스캔신호(SCAN1)를 인가 받을 수 있다. The drain node or the source node of the first transistor T1 is electrically connected to the corresponding data line DL, and the source node or the drain node of the first transistor T1 is the first node N1 of the driving transistor DRT. The gate node of the first transistor T1 may be electrically connected to the gate node of the first transistor T1 to receive the first scan signal SCAN1.
제1 트랜지스터(T1)는 해당 게이트 라인을 통해 제1 스캔신호(SCAN1)를 게이트 노드로 인가 받아 온-오프가 제어될 수 있다. The first transistor T1 may be controlled on-off by receiving the first scan signal SCAN1 through the corresponding gate line to the gate node.
이러한 제1 트랜지스터(T1)는 제1 스캔신호(SCAN1)에 의해 턴-온 되어 해당 데이터라인(DL)으로부터 공급된 데이터전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN1 and transfers the data voltage Vdata supplied from the corresponding data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT. I can do it.
제2 트랜지스터(T2)의 드레인 노드 또는 소스 노드는 기준전압라인(RVL)에 전기적으로 연결되고, 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드는 해당 게이트 라인과 전기적으로 연결되어 제2 스캔신호(SCAN2)를 인가 받을 수 있다.The drain node or source node of the second transistor T2 is electrically connected to the reference voltage line RVL, and the source node or drain node of the second transistor T2 is the second node N2 of the driving transistor DRT. Can be electrically connected to the The gate node of the second transistor T2 may be electrically connected to the corresponding gate line to receive the second scan signal SCAN2.
제2 트랜지스터(T2)는 해당 게이트 라인을 통해 제2 스캔신호(SCAN2)를 게이트 노드로 인가 받아 온-오프가 제어될 수 있다. The second transistor T2 may be controlled on-off by receiving the second scan signal SCAN2 through the corresponding gate line to the gate node.
제2 트랜지스터(T2)는 제2 스캔신호(SCAN2)에 의해 턴-온 되어 해당 기준전압라인(RVL)으로부터 공급된 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 전달해줄 수 있다. The second transistor T2 is turned on by the second scan signal SCAN2 and transfers the reference voltage Vref supplied from the reference voltage line RVL to the second node N2 of the driving transistor DRT. I can do it.
한편, 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다. The storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (eg, Cgs, Cgd), which is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT. The capacitor may be an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor DRT.
구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다. Each of the driving transistor DRT, the first transistor T1, and the second transistor T2 may be an n-type transistor or a p-type transistor.
한편, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. The first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be separate gate signals. In this case, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines, respectively. have.
경우에 따라서는, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 제1 스캔신호(SCAN1) 및 제2 스캔신호(SCAN2)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.In some cases, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be the same gate signal. In this case, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line. .
도 3에 예시된 각 서브픽셀 구조는 3T(Transistor) 1C (Capacitor) 구조로서, 설명을 위한 예시일 뿐, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 경우에 따라서는, 1개 이상의 캐패시터를 더 포함할 수도 있다. 또는, 다수의 서브픽셀들 각각이 동일한 구조로 되어 있을 수도 있고, 다수의 서브픽셀들 중 일부는 다른 구조로 되어 있을 수도 있다. Each subpixel structure illustrated in FIG. 3 is a 3T (Capacitor) 1C (Capacitor) structure and is for illustrative purposes only, and may further include one or more transistors, or in some cases, one or more capacitors. It may be. Alternatively, each of the plurality of subpixels may have the same structure, and some of the plurality of subpixels may have a different structure.
아래에서는, 각 서브픽셀(SP)의 영상 구동 동작을 간단하게 예를 들어 설명한다. In the following, an image driving operation of each subpixel SP will be described with a simple example.
각 서브픽셀(SP)의 영상 구동 동작은 영상 데이터 기록 단계, 부스팅 단계 및 발광 단계로 진행될 수 있다. An image driving operation of each subpixel SP may be performed in an image data recording step, a boosting step, and a light emitting step.
영상 데이터 기록 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 영상신호에 해당하는 데이터전압(Vdata)이 인가하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 기준전압(Vref)이 인가될 수 있다. 여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)과 기준전압 라인(RVL) 사이의 저항성분 등으로 인해, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 기준전압(Vref)과 유사한 전압(Vref+△ V)이 인가될 수 있다. In the image data writing step, the data voltage Vdata corresponding to the image signal is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and the reference voltage Vref is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. ) May be applied. Here, a voltage similar to the reference voltage Vref is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT due to a resistance component between the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL. (Vref + ΔV) may be applied.
영상 구동을 위한 기준전압(Vref)을 VpreR이라고도 한다. The reference voltage Vref for driving the image is also called VpreR.
영상 데이터 기록 단계에서, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)는 동시에 또는 약간의 시간 차를 갖고 턴-온 될 수 있다. In the image data writing step, the first transistor T1 and the second transistor T2 can be turned on at the same time or with a slight time difference.
영상 데이터 기록 단계에서, 스토리지 캐패시터(Cst)는 양단 전위차 (Vdata-Vref 또는 Vdata-(Vref+△ V))에 대응되는 전하가 충전될 수 있다. In the image data recording step, the storage capacitor Cst may be charged with a charge corresponding to the potential difference Vdata-Vref or Vdata- (Vref + ΔV).
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 영상 데이터전압(Vdata)이 인가되는 것을 영상 데이터 기록(Data Writing)이라고 한다. The application of the image data voltage Vdata to the first node N1 of the driving transistor DRT is called image data writing.
영상 데이터 기록 단계에 이어서 진행되는 부스팅 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)는 동시에 또는 약간의 시간 차를 갖고 전기적으로 플로팅(Floating) 될 수 있다. In the boosting step subsequent to the image data writing step, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically floating at the same time or with a slight time difference.
이를 위해, 제1 스캔신호(SCAN1)의 턴-오프 레벨 전압에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 될 수 있다. 또한, 제2 스캔신호(SCAN2)의 턴-오프 레벨 전압에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 될 수 있다.To this end, the first transistor T1 may be turned off by the turn-off level voltage of the first scan signal SCAN1. In addition, the second transistor T2 may be turned off by the turn-off level voltage of the second scan signal SCAN2.
부스팅 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2) 간의 전압 차이는 유지되면서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)는 전압이 부스팅(Boosting) 될 수 있다. In the boosting step, while the voltage difference between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT is maintained, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are maintained. The voltage may be boosted.
부스팅 단계 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)는 전압이 부스팅(Boosting)되다가, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)이 상승된 전압이 일정 전압 이상이 되면, 발광 단계로 진입된다. During the boosting step, the voltage of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT is boosted, and the voltage at which the second node N2 of the driving transistor DRT is raised is constant. When the voltage is over, it enters the light emitting step.
이러한 발광 단계에서는, 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류가 흐르게 된다. 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)가 발광할 수 있다.In this light emitting step, a driving current flows to the organic light emitting diode OLED. Accordingly, the organic light emitting diode OLED may emit light.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배열된 다수의 서브픽셀(SP) 각각에 배치된 구동 트랜지스터(DRT)는 문턱전압, 이동도 등의 고유한 특성치를 갖는다. The driving transistor DRT disposed in each of the plurality of subpixels SP arranged in the organic light emitting
구동 트랜지스터(DRT)는 구동시간에 따라 열화가 발생할 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 고유한 특성치는 구동시간에 따라 변할 수 있다. The driving transistor DRT may deteriorate according to a driving time. Accordingly, the unique characteristic value of the driving transistor DRT may change according to the driving time.
구동 트랜지스터(DRT)는 특성치 변화에 따라 온-오프 타이밍이 달라지거나 유기발광다이오드(OLED)의 구동 능력이 달라질 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터(DRT)는 특성치 변화에 따라 유기발광다이오드(OLED)로 전류를 공급하는 타이밍과, 유기발광다이오드(OLED)로 공급하는 전류량이 달라질 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화에 따라, 해당 서브픽셀(SP)의 휘도는 원하는 휘도와 달라질 수 있다. The driving transistor DRT may have a different on-off timing or a driving capability of the organic light emitting diode OLED according to a characteristic value change. That is, the timing of supplying the current to the organic light emitting diode OLED and the amount of current supplied to the organic light emitting diode OLED may vary according to the characteristic value change. As the characteristic value of the driving transistor DRT changes, the luminance of the corresponding subpixel SP may be different from the desired luminance.
또한, 유기발광표시패널(110)에 배열된 다수의 서브픽셀(SP)은 각기 구동 시간이 서로 다를 수 있다. 따라서, 각 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차가 발생할 수 있다. In addition, a plurality of subpixels SP arranged on the organic light emitting
이러한 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차는 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차를 발생시킬 수 있다. 따라서, 유기발광표시패널(110)의 휘도 균일도도 나빠질 수 있으며, 결국, 화상 품질 저하로 이어질 수 있다. Such characteristic value deviation between the driving transistors DRT may generate luminance deviation between the subpixels SP. Therefore, luminance uniformity of the organic light emitting
따라서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 보상해줄 수 있는 보상회로를 포함하고, 이를 이용한 보상 방법을 제공할 수 있다. 이에 대하여, 도 4 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. Accordingly, the organic light emitting
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로이다. 4 is a compensation circuit of an organic light emitting
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 보상하기 위하여, 각 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱해야 한다. The organic light emitting
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상회로는, 3T1C 구조 또는 이에 기반하여 변형된 구조를 갖는 서브픽셀(SP)을 구동(센싱 구동)하여 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 구성들을 포함할 수 있다. The compensation circuit of the organic light emitting
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동에 따라, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 그 변화는, 기준전압라인(RVL)의 전압으로 표현될 수 있다. According to the sensing driving of the organic light emitting
보다 구체적으로, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 구동에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 그 변화는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(예: Vdata-Vth)으로 반영된다. More specifically, according to the sensing driving of the organic light emitting
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 상태인 경우, 기준전압라인(RVL)의 전압과 대응될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압에 의해, 기준전압라인(RVL) 상의 라인 캐패시터(Cline)가 충전될 수 있다. 충전된 라인 캐패시터(Cline)에 의해 기준전압라인(RVL)은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압과 대응되는 전압을 가질 수 있다. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to the voltage of the reference voltage line RVL when the second transistor T2 is turned on. The line capacitor Cline on the reference voltage line RVL may be charged by the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT. The reference voltage line RVL may have a voltage corresponding to the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT by the charged line capacitor Cline.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상회로는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 특성치를 반영하는 전압 상태가 되도록 구동하여, 특성치를 반영하는 전압 상태가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 센싱하기 위하여, 기준전압라인(RVL)의 전압을 측정하여 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와, 센싱 구동을 위한 스위치 회로를 포함할 수 있다. The compensation circuit of the organic light emitting
센싱 구동을 위한 스위치 회로는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 센싱 구동용 기준전압 공급 노드(Npres) 간의 연결을 제어하는 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와, 각 기준전압라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치(SAMP)를 포함할 수 있다. The switch circuit for sensing driving includes a sensing driving reference switch SPRE for controlling a connection between each reference voltage line RVL and a sensing driving reference voltage supply node Npres to which the reference voltage Vref is supplied. It may include a sampling switch (SAMP) for controlling the connection between the reference voltage line (RVL) and the analog-to-digital converter (ADC).
위에서 언급한 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)는 센싱 구동 시 이용되는 스위치이다. 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)으로 공급되는 기준전압(Vref)은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)이다. The above-mentioned sensing driving reference switch SPRE is a switch used for sensing driving. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the sensing driving reference switch SPRE is the sensing driving reference voltage VpreS.
한편, 도 4를 참조하면, 스위치 회로는, 영상 구동 시 이용되는 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)를 포함할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 4, the switch circuit may include an image driving reference switch RPRE used when driving an image.
영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 영상 구동용 기준전압 공급 노드(Nprer) 간의 연결을 제어할 수 있다. The image driving reference switch RPRE may control a connection between each reference voltage line RVL and the image driving reference voltage supply node Nprer supplied with the reference voltage Vref.
위에서 언급한 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 영상 구동 시 이용되는 스위치이다. 영상 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)에 공급되는 기준전압(Vref)은 영상 구동용 기준전압(VpreR)이다. The image driving reference switch RPRE mentioned above is a switch used when driving an image. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the image driving reference switch SPRE is the image driving reference voltage VpreR.
센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 별도로 구비될 수도 있고, 하나로 통합되어 구현될 수도 있다. 센싱 구동용 기준전압(VpreS)과 영상 구동용 기준전압(VpreR)은 동일한 전압 값일 수도 있고, 다른 전압 값일 수도 있다. The sensing driving reference switch SPRE and the image driving reference switch RPRE may be provided separately or integrated into one. The sensing driving reference voltage VpreS and the image driving reference voltage VpreR may be the same voltage value or different voltage values.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상회로는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 출력되는 센싱값을 저장하거나 기준 센싱값을 미리 저장하고 있는 메모리(MEM)와, 메모리(MEM)에 저장된 센싱값과 기준 센싱값을 비교하여 특성치 편차를 보상해주는 보상값을 산출하는 보상기(COMP)를 더 포함할 수 있다. The compensation circuit of the organic light emitting
보상기(COMP)에 의해 산출된 보상값은 메모리(MEM)에 저장될 수 있다. The compensation value calculated by the compensator COMP may be stored in the memory MEM.
컨트롤러(140)는 보상기(COM)에 의해 산출된 보상값을 이용하여 데이터구동회로(120)에 공급할 영상데이터(Data)를 변경하고, 변경된 영상데이터(Data_comp)를 데이터구동회로(120)로 출력할 수 있다. The
이에 따라, 데이터구동회로(120)는 디지털 아날로그 컨버터(DAC)를 통해 변경된 영상데이터(Data_comp)를 아날로그 신호 형태의 데이터전압(Vdata_comp)으로 변환하여 해당 서브픽셀(SP)에 공급할 수 있다. 이에 따라, 해당 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 특성치 편차(문턱전압 편차, 이동도 편차)가 보상될 수 있다. Accordingly, the
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 문턱전압 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다. 5 is a driving timing diagram for sensing a threshold voltage of the organic light emitting
도 5를 참조하면, 문턱전압 센싱 구동은, 초기화 단계(S510), 트래킹 단계(S520) 및 샘플링 단계(S530)로 진행될 수 있다. Referring to FIG. 5, the threshold voltage sensing driving may proceed to an initialization step S510, a tracking step S520, and a sampling step S530.
초기화 단계(S510)에서, 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)에 의해, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 상태가 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 문턱전압 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)으로 초기화 된다. In the initialization step S510, the first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN having the turn-on level voltage. Accordingly, the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized to the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata.
초기화 단계(S510)에서, 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)에 의해, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 상태가 되고, 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)가 턴-온 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 센싱 구동용 기준전압(VpreS)으로 초기화 된다.In the initialization step S510, the second transistor T2 is turned on by the second scan signal SENSE of the turn-on level voltage, and the sensing driving reference switch SPRE is turned on. . Accordingly, the second node N2 of the driving transistor DRT is initialized to the sensing driving reference voltage VpreS.
트래킹 단계(S520)는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 트래킹하는 단계이다. The tracking step S520 is a step of tracking the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT.
트래킹 단계(S520)에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 상태를 유지하고, 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)가 턴-오프 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 플로팅 되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 센싱 구동용 기준전압(VpreS)에서부터 상승하기 시작한다. In the tracking step S520, the first transistor T1 and the second transistor T2 remain turned on, and the sensing driving reference switch SPRE is turned off. Accordingly, the second node N2 of the driving transistor DRT is floated, and the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise from the sensing driving reference voltage VpreS.
제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승은 기준전압라인(RVL)의 전압 상승으로 이어진다. Since the second transistor T2 is turned on, the voltage rise of the second node N2 of the driving transistor DRT leads to the voltage rise of the reference voltage line RVL.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 상승하다가 포화(Saturation)가 된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은, 문턱전압 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)의 전압 차이(Vdata-Vth)와 대응된다. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT increases and becomes saturation. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the voltage difference Vdata-Vth of the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT in the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata. do.
따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 포화되었을 때, 기준전압라인(RVL)의 전압은 문턱전압 센싱 구동용 데이터전압에서 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압의 전압 차이(Vdata-Vth)와 대응된다.Therefore, when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is saturated, the voltage of the reference voltage line RVL is the voltage difference between the threshold voltage of the driving transistor DRT and the threshold voltage sensing driving data voltage. Vdata-Vth).
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 포화(Saturation)가 되면, 샘플링 스위치(SAMP)가 턴-온 되어, 샘플링 단계(S530)가 진행된다. When the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes saturation, the sampling switch SAMP is turned on, and the sampling step S530 is performed.
샘플링 단계(S530)에서는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 샘플링 스위치(SAMP)에 의해 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환할 수 있다. 여기서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압은 Vdata-Vth에 해당한다. In the sampling step S530, the analog-to-digital converter ADC may sense the voltage of the reference voltage line RVL by the sampling switch SAMP and convert the sensed voltage into a sensing value corresponding to the digital value. Here, the voltage sensed by the analog to digital converter ADC corresponds to Vdata-Vth.
보상기(COMP)는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 출력된 센싱값을 토대로 해당 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 파악할 수 있고, 구동 트랜지스터(DRT)의 파악된 문턱전압을 보상해 수 있다. The compensator COMP may grasp the threshold voltage of the driving transistor DRT of the subpixel SP based on the sensing value output from the analog-to-digital converter ADC, and may determine the threshold voltage of the driving transistor DRT. Can compensate.
보상기(COMP)는, 센싱 구동을 통해 측정된 센싱값(Vdata-Vth와 대응되는 디지털 값)과, 이미 알고 있는 문턱전압 센싱 구동용 데이터(Vdata와 대응되는 디지털 값)으로부터 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 파악할 수 있다. The compensator COMP is configured to generate the driving transistor DRT from sensing values (digital values corresponding to Vdata-Vth) measured through sensing driving and threshold voltage sensing driving data (digital values corresponding to Vdata) already known. The threshold voltage Vth can be known.
보상기(COMP)는, 해당 구동 트랜지스터(DRT)에 대하여 파악된 문턱전압(Vth)을 기준 문턱전압 또는 다른 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압과 비교하여, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차를 보상해줄 수 있다. 여기서, 문턱전압 편차 보상은 영상데이터 변경 처리(영상데이터에 보상값(오프셋)을 가감하는 처리)를 의미할 수 있다. The compensator COMP compensates the threshold voltage deviation between the driving transistors DRT by comparing the threshold voltage Vth identified with respect to the driving transistor DRT with a reference threshold voltage or a threshold voltage of another driving transistor DRT. I can do it. Here, the threshold voltage deviation compensation may mean image data change processing (process of adding or subtracting a compensation value (offset) to the image data).
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 이동도 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다. 6 is a driving timing diagram for mobility sensing of the organic light emitting
도 6을 참조하면, 이동도 센싱 구동은, 초기화 단계(S610), 트래킹 단계(S620) 및 샘플링 단계(S630)로 진행될 수 있다. Referring to FIG. 6, the mobility sensing driving may proceed to an initialization step S610, a tracking step S620, and a sampling step S630.
초기화 단계(S610)에서, 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)에 의해, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 상태가 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 이동도 센싱 구동용 데이터전압(Vdata)으로 초기화 된다. In the initialization step S610, the first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN having the turn-on level voltage. Accordingly, the first node N1 of the driving transistor DRT is initialized to the mobility sensing driving data voltage Vdata.
초기화 단계(S610)에서, 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)에 의해, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 상태가 되고, 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)가 턴-온 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 센싱 구동용 기준전압(VpreS)으로 초기화 된다.In the initialization step S610, the second transistor T2 is turned on by the second scan signal SENSE of the turn-on level voltage, and the sensing driving reference switch SPRE is turned on. . Accordingly, the second node N2 of the driving transistor DRT is initialized to the sensing driving reference voltage VpreS.
트래킹 단계(S620)는 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 트래킹하는 단계이다. 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류구동능력을 나타낼 수 있다. The tracking step S620 is a step of tracking the mobility of the driving transistor DRT. The mobility of the driving transistor DRT may represent the current driving capability of the driving transistor DRT.
트래킹 단계(S620)에서는, 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되고, 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)가 턴-오프 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)는 모두 플로팅 된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압이 모두 상승하게 된다. 특히, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)에서부터 상승하기 시작한다. In the tracking step S620, the first transistor T1 is turned off by the first scan signal SCAN having the turn-off level voltage, and the sensing driving reference switch SPRE is turned off. Accordingly, both the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are floated. Accordingly, the voltages of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are increased. In particular, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to increase from the sensing driving reference voltage VpreS.
제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상승은 기준전압라인(RVL)의 전압 상승으로 이어진다. Since the second transistor T2 is turned on, the voltage rise of the second node N2 of the driving transistor DRT leads to the voltage rise of the reference voltage line RVL.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 상승하기 시작한 시점으로부터 일정 시간(Δt)이 경과되면, 샘플링 스위치(SAMP)가 턴-온 되어, 샘플링 단계(S630)가 진행된다. When a predetermined time Δt elapses from the time when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to increase, the sampling switch SAMP is turned on, and the sampling step S630 is performed.
샘플링 단계(S630)에서는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 샘플링 스위치(SAMP)에 의해 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환할 수 있다. 여기서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)에서 일정 전압(ΔV)만큼 상승된 전압(VpreS+ΔV)에 해당한다. In the sampling step S630, the analog-to-digital converter ADC may sense the voltage of the reference voltage line RVL by the sampling switch SAMP and convert the sensed voltage into a sensing value corresponding to the digital value. Here, the voltage sensed by the analog-to-digital converter ADC corresponds to the voltage VpreS + ΔV increased by a predetermined voltage ΔV from the sensing driving reference voltage VpreS.
보상기(COMP)는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 출력된 센싱값을 토대로 해당 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 파악할 수 있고, 구동 트랜지스터(DRT)의 파악된 이동도를 보상해 수 있다. The compensator COMP may grasp the mobility of the driving transistor DRT of the subpixel SP based on the sensing value output from the analog-to-digital converter ADC, and determine the mobility of the driving transistor DRT. Can compensate.
보상기(COMP)는, 센싱 구동을 통해 측정된 센싱값(VpreS+ΔV와 대응되는 디지털 값)과, 이미 알고 있는 센싱 구동용 기준전압(VpreS)과 경과시간(Δt)으로부터 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 파악할 수 있다. The compensator COMP includes a sensing value (a digital value corresponding to VpreS + ΔV) measured through sensing driving, a sensing driving reference voltage VpreS and an elapsed time Δt of the driving transistor DRT. The mobility can be identified.
구동 트랜지스터(DRT)의 이동도는 트래킹 단계(S620)에서 기준전압라인(RVL)의 단위 시간 당 전압 변동량 (ΔV/Δt)과 비례한다. 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도는 도 6에서 기준전압라인(RVL)의 전압 파형에서 기울기(Slope)와 비례한다. The mobility of the driving transistor DRT is proportional to the voltage variation ΔV / Δt per unit time of the reference voltage line RVL in the tracking step S620. That is, the mobility of the driving transistor DRT is proportional to the slope of the voltage waveform of the reference voltage line RVL in FIG. 6.
보상기(COMP)는, 해당 구동 트랜지스터(DRT)에 대하여 파악된 이동도를 기준 이동도 또는 다른 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도와 비교하여, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 이동도 편차를 보상해줄 수 있다. 여기서, 이동도 편차 보상은 영상데이터 변경 처리(영상데이터에 보상값(게인)을 곱하는 연산처리)를 의미할 수 있다.The compensator COMP may compensate for the mobility deviation between the driving transistors DRT by comparing the mobility determined with respect to the driving transistor DRT with the reference mobility or the mobility of the other driving transistors DRT. Here, mobility deviation compensation may mean image data change processing (operation processing to multiply image data by a compensation value (gain)).
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 프로세스를 나타낸 도면이다. 7 is a diagram illustrating a sensing process of an organic light emitting
도 7을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는, 파워 온 신호가 발생하면, 디스플레이 구동을 시작하기 위한 정해진 온 시퀀스 처리를 수행하고, 온 시퀀스 처리가 완료되면, 정상적인 디스플레이 구동이 시작된다. Referring to FIG. 7, when the power-on signal is generated, the organic light emitting
유기발광표시장치(100)는, 파워 오프 신호가 발생하면, 진행 중이던 디스플레이 구동을 중지하고 정해진 오프 시퀀스 처리를 수행하고, 오프 시퀀스 처리가 완료되면, 완전한 오프 상태가 된다. When the power-off signal is generated, the organic light emitting
이러한 전원 처리 타이밍과 관련하여 센싱 구동 (문턱전압 센싱 구동, 이동도 센싱 구동)이 진행될 수 있다. In relation to the power processing timing, sensing driving (threshold voltage sensing driving and mobility sensing driving) may be performed.
센싱 구동은, 파워 온 신호의 발생 이후 디스플레이 구동이 시작하기 전에 진행될 수 있다. 이러한 센싱 및 센싱 프로세스를 온-센싱(On-Sensing) 및 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process)라고 한다. The sensing driving may proceed after the generation of the power on signal and before the display driving starts. Such sensing and sensing processes are called on-sensing and on-sensing processes.
또한, 센싱 구동은, 파워 오프 신호의 발생 이후 진행될 수 있다. 이러한 센싱 및 센싱 프로세스를 오프-센싱(Off-Sensing) 및 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)라고 한다. In addition, the sensing driving may proceed after generation of the power off signal. Such sensing and sensing processes are called off-sensing and off-sensing process.
또한, 센싱 구동은, 디스플레이 구동 중에서 실시간으로 진행될 수도 있다. 이러한 센싱 및 센싱 프로세서를 실시간(RT: Real-Time) 센싱 및 실시간 센싱 프로세스(RT Sensing Process)라고 한다. In addition, the sensing driving may be performed in real time during the display driving. Such sensing and sensing processors are called real-time (RT) sensing and RT sensing process (RT Sensing Process).
실시간 센싱 프로세스의 경우, 디스플레이 구동 중에서 블랭크 시간마다 하나 이상의 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)에서 하나 이상의 서브픽셀(SP)에 대하여 센싱 구동이 진행될 수 있다. 여기서, 블랭크 시간마다 센싱 구동이 되는 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)은 랜덤하게 선택될 수 있다. 이에 따라, 블랭크 시간에서의 센싱 구동 후 액티브 시간에 센싱 구동이 된 서브픽셀 라인에서의 화상 이상 현상이 완화될 수 있다. 또한, 블랭크 시간에서의 센싱 구동 후 액티브 시간에 센싱 구동이 된 서브픽셀에 센싱 구동 이전의 데이터전압과 대응되는 회복 데이터전압을 공급해줄 수 있다. 이에 따라, 블랭크 시간에서의 센싱 구동 후 액티브 시간에 센싱 구동이 된 서브픽셀 라인에서의 화상 이상 현상이 더욱더 완화될 수 있다.In the real-time sensing process, sensing driving may be performed on at least one subpixel SP in at least one subpixel line (subpixel row) at each blank time during display driving. Here, a subpixel line (subpixel row) which is driven for sensing every blank time may be randomly selected. As a result, the image abnormality in the subpixel line which is sensed in the active time after the sensing drive in the blank time can be alleviated. In addition, the recovery data voltage corresponding to the data voltage before the sensing driving may be supplied to the subpixel that has been sensed during the active time after the sensing driving in the blank time. Accordingly, the image abnormality in the subpixel line which is sensed in the active time after the sensing drive in the blank time can be further alleviated.
한편, 문턱전압 센싱 구동의 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 포화에 많은 시간이 걸릴 수 있기 때문에, 다소 긴 시간 동안 진행될 수 있는 오프-센싱 프로세스로 진행될 수 있다. On the other hand, in the case of threshold voltage sensing driving, since the voltage saturation of the second node N2 of the driving transistor DRT may take a long time, it may proceed to an off-sensing process that may proceed for a longer time.
이동도 센싱 구동의 경우, 문턱전압 센싱 구동에 비해 상대적으로 짧은 시간만을 필요로 하기 때문에, 짧은 시간 동안 진행되는 온-센싱 프로세스 및/또는 실시간 센싱 프로세스로 진행될 수 있다. In the case of mobility sensing driving, since it requires only a relatively short time compared to the threshold voltage sensing driving, the mobility sensing driving may be performed in an on-sensing process and / or a real time sensing process.
한편, 하나의 서브픽셀(SP)에는 1개의 데이터전압(Vdata), 2개의 스캔신호(SCAN, SENSE), 기준전압(Vref), 구동전압(EVDD) 등이 공급되어야 한다. 따라서, 하나의 서브픽셀(SP)은 1개의 데이터라인(DL), 1개 또는 2개의 게이트라인(GL), 1개의 기준전압(RVL), 1개의 구동전압라인(DVL)과 전기적으로 연결되어야 한다(도 3 참조).Meanwhile, one data voltage Vdata, two scan signals SCAN and SENSE, a reference voltage Vref, and a driving voltage EVDD should be supplied to one subpixel SP. Therefore, one subpixel SP must be electrically connected to one data line DL, one or two gate lines GL, one reference voltage RVL, and one driving voltage line DVL. (See FIG. 3).
하나의 서브픽셀 행을 온-오프 시키기 위하여, 1개 또는 2개의 게이트라인(GL)이 하나의 서브픽셀 행마다 배치되어야 한다. 그리고, 각 서브픽셀(SP)마다 데이터전압(Vdata)이 공급되어야 하기 때문에, 1개의 데이터라인(DL)이 하나의 서브픽셀 열마다 배치될 수 있다. 경우에 따라서, 1개의 데이터라인(DL)이 2개의 서브픽셀 열마다 공통으로 배치될 수도 있다.In order to turn one subpixel row on or off, one or two gate lines GL should be disposed per one subpixel row. In addition, since the data voltage Vdata must be supplied to each subpixel SP, one data line DL may be arranged for each subpixel column. In some cases, one data line DL may be arranged in common for every two subpixel columns.
구동전압(EVDD)은 공통전압일 수 있기 때문에, 1개의 서브픽셀 열(또는 1개의 서브픽셀 행)마다 1개의 구동전압라인(DVL)이 배치될 수도 있고, 2개 이상의 서브픽셀 열(또는 2개 이상의 서브픽셀 열)마다 1개의 구동전압라인(DVL)이 배치될 수 있다. Since the driving voltage EVDD may be a common voltage, one driving voltage line DVL may be disposed for each subpixel column (or one subpixel row), and two or more subpixel columns (or two) may be disposed. One driving voltage line DVL may be disposed for each of at least one subpixel column.
마찬가지로, 기준전압(Vref)은 공통전압일 수 있기 때문에, 1개의 서브픽셀 열(또는 1개의 서브픽셀 행)마다 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치될 수도 있고, 2개 이상의 서브픽셀 열(또는 2개 이상의 서브픽셀 열)마다 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치될 수 있다. Similarly, since the reference voltage Vref may be a common voltage, one reference voltage line RVL may be disposed for each subpixel column (or one subpixel row), and two or more subpixel columns ( Alternatively, one reference voltage line RVL may be disposed for each of two or more subpixel columns.
2개 이상의 서브픽셀 열(또는 2개 이상의 서브픽셀 열)마다 1개의 구동전압라인(DVL) 및/또는 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치되는 경우, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여줄 수 있다. When one driving voltage line DVL and / or one reference voltage line RVL is disposed in each of two or more subpixel columns (or two or more subpixel columns), the aperture ratio of the organic light emitting
아래에서는, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여주기 위하여, 4개 이상의 서브픽셀 열마다 1개의 구동전압라인(DVL)이 데이터라인(DL)과 평행하게 배치되고, 4개 이상의 서브픽셀 열마다 1개의 기준전압라인(RVL)이 데이터라인(DL)과 평행하게 배치되는 구조를 도 8을 참조하여 설명한다. Below, in order to increase the aperture ratio of the organic light emitting
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)과 연결되는 배선들(DL1~DL2, GL1~GL2, DVL1~DVL2, RVL)에 대한 배치도이다. FIG. 8 illustrates wirings DL1 to DL2, GL1 to GL2, and DVL1 to DVL2 connected to four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 in the organic light emitting
4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)은, 일 예로, 적색 빛을 발광하는 서브픽셀, 흰색 빛을 발광하는 서브픽셀, 녹색 빛을 발광하는 서브픽셀 및 청색 빛을 발광하는 서브픽셀일 수 있다. The four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 may be, for example, subpixels emitting red light, subpixels emitting white light, subpixels emitting green light, and subpixels emitting blue light. Can be.
전술한 바와 같이, 제1 스캔신호(SCAN)와 제2 스캔신호(SENSE)는 동일한 게이트라인을 통해 공급될 수도 있지만, 서로 다른 게이트라인들(GL1, GL2)에 의해 공급될 수 있다. As described above, the first scan signal SCAN and the second scan signal SENSE may be supplied through the same gate line, but may be supplied by different gate lines GL1 and GL2.
도 8의 예시는, 제1 스캔신호(SCAN)와 제2 스캔신호(SENSE)가 서로 다른 게이트라인들(GL1, GL2)을 통해 공급되는 경우로서, 이 경우, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 배열된 서브픽셀 행에는, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 제1 스캔신호(SCAN)를 공급하기 위한 제1 게이트라인(GL1)와, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 제2 스캔신호(SENSE)를 공급하기 위한 제2 게이트라인(GL2)이 배치될 수 있다. 8 illustrates a case in which the first scan signal SCAN and the second scan signal SENSE are supplied through different gate lines GL1 and GL2, and in this case, four subpixels SP1 and SP2. , In the subpixel row where SP3 and SP4 are arranged, the first gate line GL1 for supplying the first scan signal SCAN to the gate node of the first transistor T1 and the second transistor T2. The second gate line GL2 may be disposed to supply the second scan signal SENSE to the gate node.
도 8을 참조하면, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 행 방향으로 배열된 경우, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각에 데이터전압을 공급하기 위한 4개의 데이터라인(DL1, DL2, DL3, DL4)이 열 방향으로 배치될 수 있다. Referring to FIG. 8, when four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 are arranged in the row direction, four for supplying data voltages to each of the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4. The data lines DL1, DL2, DL3, and DL4 may be arranged in the column direction.
도 8을 참조하면, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여주기 위하여, 제1 서브픽셀(SP1) 및 제2 서브픽셀(SP2)은 제1 구동전압라인(DVL1)을 통해 구동전압(EVDD)을 공통으로 공급받을 수 있다. 제3 서브픽셀(SP3) 및 제4 서브픽셀(SP4)은 제2 구동전압라인(DVL2)을 통해 구동전압(EVDD)을 공통으로 공급받을 수 있다. Referring to FIG. 8, in order to increase the aperture ratio of the organic light emitting
제1 서브픽셀(SP1)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제2 서브픽셀(SP2)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들 모두는, 제1 구동전압라인(DVL1)을 통해 구동전압(EVDD)을 공통으로 공급받을 수 있다. 제3 서브픽셀(SP3)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제4 서브픽셀(SP4)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들 모두는, 제2 구동전압라인(DVL2)을 통해 구동전압(EVDD)을 공통으로 공급받을 수 있다. The subpixels arranged in the same column as the first subpixel SP1 and the subpixels arranged in the same column as the second subpixel SP2 are all driven through the first driving voltage line DVL1. Can be supplied in common. Both the subpixels arranged in the same column as the third subpixel SP3 and the subpixels arranged in the same column as the fourth subpixel SP4 are driven through the second driving voltage line DVL2. Can be supplied in common.
도 8을 참조하면, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여주기 위하여, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)은 1개의 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받을 수 있다. Referring to FIG. 8, in order to increase the aperture ratio of the organic light emitting
제1 서브픽셀(SP1)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제2 서브픽셀(SP2)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제3 서브픽셀(SP3)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제4 서브픽셀(SP4)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들 모두는, 1개의 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받을 수 있다. Subpixels arranged in the same column as the first subpixel SP1, subpixels arranged in the same column as the second subpixel SP2, subpixels arranged in the same column as the third subpixel SP3; All of the subpixels arranged in the same column as the fourth subpixel SP4 may be commonly supplied with the reference voltage Vref through one reference voltage line RVL.
다시 말해, 제1 서브픽셀(SP1)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제2 서브픽셀(SP2)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제3 서브픽셀(SP3)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제4 서브픽셀(SP4)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들 모두는, 1개의 기준전압라인(RVL)을 공유한다. In other words, the subpixels arranged in the same column as the first subpixel SP1, the subpixels arranged in the same column as the second subpixel SP2, and the subpixels arranged in the same column as the third subpixel SP3. Both the pixels and the subpixels arranged in the same column as the fourth subpixel SP4 share one reference voltage line RVL.
여기서, 제1 서브픽셀(SP1)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제2 서브픽셀(SP2)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제3 서브픽셀(SP3)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들과, 제4 서브픽셀(SP4)과 동일한 열에 배열된 서브픽셀들은, 1개의 기준전압라인(RVL)이 공유되는 서브픽셀 그룹이다. Here, the subpixels arranged in the same column as the first subpixel SP1, the subpixels arranged in the same column as the second subpixel SP2, and the subpixels arranged in the same column as the third subpixel SP3. And the subpixels arranged in the same column as the fourth subpixel SP4 are a group of subpixels in which one reference voltage line RVL is shared.
1개의 기준전압라인(RVL)이 공유되는 서브픽셀 그룹 중 어느 하나의 서브픽셀에서 이상 현상이 발생하면, 발생된 이상 현상은 1개의 기준전압라인(RVL)을 통해 서브픽셀 그룹 전체로 전파될 수 있다. When an abnormality occurs in any one subpixel of a subpixel group in which one reference voltage line RVL is shared, the generated abnormality may propagate to the entire subpixel group through one reference voltage line RVL. have.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 서브픽셀(불량 서브픽셀)의 회로이다. 9 is a circuit of a subpixel (bad subpixel) in which a second transistor T2 is shorted in the organic light emitting
패널 제작 공정 시, 유기발광표시패널(110)의 제2 트랜지스터(T2)의 근처에 이물이 발생하는 경우, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 될 수 있다. 이뿐만 아니라, 제품 출하 후 내부 또는 외부 충격 등의 다양한 요인에 의해, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 될 수 있다.During the panel fabrication process, when foreign matter occurs near the second transistor T2 of the organic light emitting
제2 트랜지스터(T2)의 단락은, 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드와 드레인 노드 간의 단락을 의미할 수 있다. The short circuit of the second transistor T2 may mean a short circuit between the source node and the drain node of the second transistor T2.
이뿐만 아니라, 제2 트랜지스터(T2)의 단락은, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어야 하는 상황에서 제2 트랜지스터(T2)가 비정상적으로 턴-온 되는 상황을 모두 의미할 수 있다. In addition, a short circuit of the second transistor T2 may refer to a situation in which the second transistor T2 is abnormally turned on in a situation in which the second transistor T2 should be turned off.
예를 들어, 게이트구동회로(130)가 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드와 연결된 제2 게이트라인(GL2)으로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 출력함에도 불구하고, 제2 게이트라인(GL2)이 턴-온 레벨 전압과 유사한 전압 값을 갖는 다른 배선들과 단락이 되어, 제2 트랜지스터(T2)가 비정상적으로 턴-온 될 수도 있다. For example, despite the
아래에서는, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 서브픽셀(SP)을 불량 서브픽셀이라고 한다. 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 서브픽셀(SP)을 정상 서브픽셀이라고 한다. In the following description, the subpixel SP having the shorted second transistor T2 is referred to as a defective subpixel. The subpixel SP, in which the second transistor T2 is not shorted, is referred to as a normal subpixel.
정상 서브픽셀이 영상 구동 될 때, 영상 데이터 기록 단계 이후 진행되는 부스팅 단계에서 플로팅 되는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은, 단락 되지 않은 제2 트랜지스터(T2)의 턴-오프에 따라, 기준전압라인(RVL)으로 전달되지 않는다. When the normal subpixel is image driven, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, which is floated in the boosting step performed after the image data writing step, is turned off of the second transistor T2 which is not shorted. Therefore, it is not transmitted to the reference voltage line RVL.
하지만, 불량 서브픽셀이 영상 구동 될 때, 영상 데이터 기록 단계 이후 진행되는 부스팅 단계에서 플로팅 되는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압은, 턴-오프 되어야 하는 제2 트랜지스터(T2)의 단락에 의해서, 기준전압라인(RVL)으로 전달될 수 있다. However, when the bad subpixel is driven, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT, which is floated in the boosting step performed after the image data writing step, should be turned off. By the short circuit of, it can be transferred to the reference voltage line RVL.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 불량 서브픽셀이 존재하는 경우, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 대한 등가 회로이고, 도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 불량 서브픽셀이 존재하는 경우, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 발생되는 센싱 및 보상 오류와, 이에 따라 발생하는 라인 결함 현상을 설명하기 위한 도면들이다. FIG. 10 illustrates a defective subpixel among four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 sharing one reference voltage line RVL in the organic light emitting
하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 하나 또는 둘 이상이 불량 서브픽셀일 수 있다. One or more of the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 sharing one reference voltage line RVL may be a defective subpixel.
도 10의 예시에서는, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 제1 서브픽셀(SP1)이 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀이다. In the example of FIG. 10, the first subpixel SP1 is short-circuited in the second transistor T2 among the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 sharing one reference voltage line RVL. Is a subpixel.
만약, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 모두 정상 서브픽셀이라면, 정상 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 구동될 때, 영상 구동 시 부스팅 단계 및 발광 단계에서 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 상태이기 때문에, 제1 서브픽셀(SP1)에서 기준전압라인(RVL)으로 전류가 흐르지 않는다. If all four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 that share one reference voltage line RVL are normal subpixels, the first subpixel SP1, which is a normal subpixel, is driven. Since the second transistor T2 is turned off in the boosting step and the light emitting step during driving, no current flows from the first subpixel SP1 to the reference voltage line RVL.
하지만, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 제1 서브픽셀(SP1)이 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀인 경우, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 구동될 때, 제1 서브픽셀(SP1)에서 기준전압라인(RVL)으로 전류가 흘러서는 안 되는 상황에서도, 단락에 의해 턴-온 된 것과 유사한 제2 트랜지스터(T2)를 통해서, 제1 서브픽셀(SP1)에서 기준전압라인(RVL)으로 비정상적인 전류가 흐르게 된다. However, when the first subpixel SP1 is a bad subpixel in which the second transistor T2 is shorted among the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 sharing one reference voltage line RVL. When the first subpixel SP1, which is a bad subpixel, is driven, a current similar to that turned on by a short circuit may be generated even when a current should not flow from the first subpixel SP1 to the reference voltage line RVL. An abnormal current flows from the first subpixel SP1 to the reference voltage line RVL through the second transistor T2.
도 10에 도시된 바와 같이, 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 포함된 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)은 불량 서브픽셀 라인(불량 서브픽셀 행)이다. 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀 라인 중에서 불량 서브픽셀 라인(불량 서브픽셀 행)을 제외한 나머지 서브픽셀 라인들(서브픽셀 행들)은 정상 서브픽셀 라인(정상 서브픽셀 행)인 것으로 가정한다. 즉, 유기발광표시패널(110)에서, 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀들 중에서 도 10의 제1 서브픽셀(SP1)만 불량 서브픽셀인 것으로 가정한다. As shown in FIG. 10, a subpixel line (subpixel row) including four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 sharing the reference voltage line RVL is a defective subpixel line (bad subpixel). Row). Of all the subpixel lines sharing the reference voltage line RVL, it is assumed that the remaining subpixel lines (subpixel rows) except the bad subpixel line (bad pixel row) are normal subpixel lines (normal subpixel row). do. That is, in the organic light emitting
한편, 도 10에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 디스플레이 구동(영상 구동)이 되는 동안, 하나의 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)에 포함된 서브픽셀들의 전체 또는 일부가 실시간 센싱(RT 센싱)이 될 수 있다. Meanwhile, while the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 illustrated in FIG. 10 are driven for display (image driving), all or part of the subpixels included in one subpixel line (subpixel row). May be real-time sensing (RT sensing).
실시간 센싱(RT 센싱)이 되는 하나의 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)은, 도 10에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)과 기준전압라인(RVL)을 공유할 수 있으며, 도 10에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 포함된 불량 서브픽셀 라인(불량 서브픽셀 행)일 수도 있고, 도 10에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 포함된 불량 서브픽셀 라인(불량 서브픽셀 행)과 다른 정상 서브픽셀 라인(정상 서브픽셀 행)일 수도 있다. One subpixel line (subpixel row), which is a real time sensing (RT sensing), may share the reference voltage line RVL with the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 illustrated in FIG. 10. 10 may be a defective subpixel line (bad subpixel row) including four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 illustrated in FIG. 10, and the four subpixels SP1, SP2, It may also be a normal subpixel line (normal subpixel row) different from the defective subpixel line (bad subpixel row) including SP3, SP4.
4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동에 따라, 제1 서브픽셀(SP1) 내 단락이 된 제2 트랜지스터(T2)를 통해, 기준전압라인(RVL)으로 비정상적인 전류가 흐르게 된다. According to the driving of the first subpixel SP1, which is a bad subpixel among the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4, through the second transistor T2 shorted in the first subpixel SP1, Abnormal current flows to the reference voltage line RVL.
이에 따라, 실시간 센싱(RT 센싱)이 되는 하나의 서브픽셀 라인(서브픽셀 행)에서의 서브픽셀에 대한 센싱값이 영향을 받게 된다. Accordingly, the sensing value for the subpixel in one subpixel line (subpixel row), which becomes real time sensing (RT sensing), is affected.
보다 구체적으로, 실시간 센싱(RT 센싱)이 이동도 센싱인 경우, 이동도 센싱이 되는 서브픽셀에서 기준전압라인(RVL)으로 정상적인 전류가 흐를 때, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동에 의해 비정상적인 전류가 기준전압라인(RVL)으로 더 흐르게 되어, 이동도 센싱이 되는 서브픽셀에 대한 이동도 센싱을 위한 센싱값 (RT 센싱값)이 높아지게 된다. More specifically, when real-time sensing (RT sensing) is mobility sensing, when a normal current flows from the subpixel subjected to mobility sensing to the reference voltage line RVL, abnormality is caused by driving of the first subpixel SP1. As the current flows further to the reference voltage line RVL, the sensing value (RT sensing value) for the mobility sensing for the subpixel which is the mobility sensing is increased.
따라서, 비정상적으로 높아진 센싱값(RT 센싱값)에 의해서, 보상값이 낮은 값으로 결정된다. 이에 따라, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 영향을 받은 서브픽셀은 영상 구동 시 검게 보인 암점(온암, 약암)으로 보이게 된다. 여기서, 온암인 서브픽셀은 완전하게 블랙으로 보이고, 약암인 서브픽셀은 거의 완전한 블랙으로 보이게 된다. Therefore, the compensation value is determined to be a low value by the abnormally high sensing value (RT sensing value). Accordingly, the subpixels affected by the driving of the defective subpixels appear as dark spots (on-arms and weak-arms) that appear black when the image is driven. Here, the sub-pixels that are on-arm appear completely black, and the sub-pixels that are weakly dark appear almost complete black.
전술한 바와 같이, 불량 서브픽셀(SP1)의 구동에 의해 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀들에 대한 센싱 오류가 발생하고, 이 센싱 오류(이동도 센싱 오류)는 보상 오류(이동도 보상 오류)로 이어져, 결국에는 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀들이 블랙으로 보이는 라인 결함(LD: Line Defect)을 발생시킬 수 있다. As described above, a sensing error occurs for all subpixels sharing the reference voltage line RVL by driving the defective subpixel SP1, and this sensing error (mobility sensing error) is a compensation error (movement). Error), and eventually all the subpixels sharing the reference voltage line RVL may generate a line defect (LD) that appears black.
라인 결함(LD)은 검은색의 띠 형태의 블록이 보이는 현상을 의미할 수 있다. 라인 결함(LD)은 기준전압라인(RVL)이 배치되는 열 방향(세로 방향)으로 생긴다. 라인 결함(LD)에 해당하는 블록의 폭(행 방향 길이)은 하나의 서브픽셀 행에서 기준전압라인(RVL)을 공유하는 서브픽셀들의 개수에 비례할 수 있다. 라인 결함(LD)에 해당하는 블록의 길이(열 방향 길이)는 기준전압라인(RVL)의 길이에 비례하거나 기준전압라인(RVL)을 공유하는 서브픽셀 행의 개수와 비례할 수 있다. The line defect LD may refer to a black band-shaped block. The line defect LD occurs in the column direction (vertical direction) in which the reference voltage line RVL is disposed. The width (row length) of the block corresponding to the line defect LD may be proportional to the number of subpixels sharing the reference voltage line RVL in one subpixel row. The length (column length) of the block corresponding to the line defect LD may be proportional to the length of the reference voltage line RVL or to the number of subpixel rows sharing the reference voltage line RVL.
도 12를 참조하여 다시 설명하면, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀 라인(모든 서브픽셀 행) 중에서 일부의 2번째 서브픽셀 라인(2번째 서브픽셀 행)에서 속하는 제1 서브픽셀(SP1)만 불량 서브픽셀이더라도, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 영향이 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀들로 전파될 수 있다. Referring again to FIG. 12, a first sub belonging to a part of a second subpixel line (a second subpixel row) of all subpixel lines (all subpixel rows) sharing one reference voltage line RVL. Even if only the pixel SP1 is a bad subpixel, the driving influence of the first subpixel SP1 may be propagated to all the subpixels sharing the reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1.
즉, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 모든 서브픽셀 라인(모든 서브픽셀 행) 중에서 일부의 2번째 서브픽셀 라인(2번째 서브픽셀 행)에서 속하는 제1 서브픽셀(SP1)만 불량 서브픽셀이더라도, 제1 서브픽셀(SP1)에서의 단락이 된 제2 트랜지스터(T2)에 의해서, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 연결된 기준전압라인(RVL)을 함께 공유하고 있는 모든 서브픽셀 라인(모든 서브픽셀 행)에 포함된 서브픽셀들의 센싱값 (이동도 센싱값)과 보상값 (이동도 보상값)에 오류를 발생시키고, 결국에는, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 연결된 기준전압라인(RVL)을 함께 공유하고 있는 모든 서브픽셀 라인(모든 서브픽셀 행)에 포함된 서브픽셀들이 암점(온점 또는 약점)으로 보이는 라인 결함(LD)이 발생할 수 있다. That is, only the first subpixel SP1 belonging to a part of the second subpixel line (the second subpixel row) among all the subpixel lines (all the subpixel rows) sharing one reference voltage line RVL is the defective sub All of the subs sharing the reference voltage line RVL connected to the first subpixel SP1, which is the defective subpixel, together by the second transistor T2 shorted in the first subpixel SP1 even if the pixel is a pixel. An error occurs in the sensing value (mobility sensing value) and the compensation value (mobility compensation value) of the subpixels included in the pixel line (all subpixel rows), and eventually, the first subpixel SP1 which is a bad subpixel. ) May cause a line defect LD in which subpixels included in all subpixel lines (all subpixel rows) sharing the reference voltage line RVL connected to each other appear as dark spots (on or weak points).
참고로, 불량 서브픽셀에 의해, 문턱전압에 대한 센싱 오류 및 보상 오류는 발생하지 않을 수 있다. 이는 문턱전압 센싱 구동 시 트래킹 단계(S520)에서 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 되어 있기 때문이다. For reference, sensing errors and compensation errors with respect to the threshold voltage may not occur due to the defective subpixels. This is because the first transistor T1 is turned on in the tracking step S520 during the threshold voltage sensing driving.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 정상 서브픽셀과 불량 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다. 13 is a driving timing diagram for sensing a threshold voltage for a normal subpixel and a defective subpixel in the organic light emitting
도 13을 참조하면, 문턱전압 센싱 구동 시, 트래킹 단계(S520)에서 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 제2 트랜지스터(T2)의 단락 유무와 관계 없이 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준전압라인(RVL)은 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 13, since the second transistor T2 is turned on in the tracking step S520 during the threshold voltage sensing driving, the driving transistor DRT may be connected regardless of whether the second transistor T2 is short-circuited. The second node N2 and the reference voltage line RVL may be electrically connected to each other.
따라서, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 정상 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱 시 기준전압라인(RVL)의 전압 변화와, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀에 대한 문턱전압 센싱 시 기준전압라인(RVL)의 전압 변화는 동일하다. Accordingly, the voltage change of the reference voltage line RVL when sensing the threshold voltage of the normal subpixel in which the second transistor T2 is not shorted and the threshold voltage of the defective subpixel in which the second transistor T2 is shorted. When sensing, the voltage change of the reference voltage line RVL is the same.
따라서, 문턱전압 센싱 구동 방식을 이용하여, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 정상 서브픽셀과 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀을 구별할 수 없다. 즉, 불량 서브픽셀 검출 방법으로 문턱전압 센싱 구동을 활용할 수 없다. Therefore, using the threshold voltage sensing driving method, it is not possible to distinguish between a normal subpixel in which the second transistor T2 is not shorted and a defective subpixel in which the second transistor T2 is shorted. That is, the threshold voltage sensing driving cannot be utilized as a bad subpixel detection method.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 정상 서브픽셀과 불량 서브픽셀에 대한 이동도 센싱을 위한 구동 타이밍 다이어그램이다. 14 is a driving timing diagram for mobility sensing of a normal subpixel and a defective subpixel in the organic light emitting
도 14를 참조하면, 이동도 센싱 구동 시, 트래킹 단계(S620)에서 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 제2 트랜지스터(T2)의 단락 유무와 관계 없이 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준전압라인(RVL)은 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 14, since the second transistor T2 is turned on in the tracking step S620 during the mobility sensing driving, the driving transistor DRT may be connected regardless of whether the second transistor T2 is shorted. The second node N2 and the reference voltage line RVL may be electrically connected to each other.
따라서, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 정상 서브픽셀에 대한 이동도 센싱 시 기준전압라인(RVL)의 전압 변화와, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀에 대한 이동도 센싱 시 기준전압라인(RVL)의 전압 변화는 동일하다. Accordingly, the voltage change of the reference voltage line RVL when the mobility of the second transistor T2 is shorted and the second transistor T2 are shorted and the mobility of the defective subpixel that the second transistor T2 is shorted. When sensing, the voltage change of the reference voltage line RVL is the same.
따라서, 이동도 센싱 구동 방식을 이용하여, 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 정상 서브픽셀과 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀을 구별할 수 없다. 즉, 불량 서브픽셀 검출 방법으로 이동도 센싱 구동을 활용할 수 없다.Therefore, it is not possible to distinguish between a normal subpixel in which the second transistor T2 is not shorted and a defective subpixel in which the second transistor T2 is short-circuited by using the mobility sensing driving method. That is, mobility sensing driving cannot be utilized as a method of detecting a defective subpixel.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 라인 결함 방지 회로이고, 도 16은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 라인 결함 방지 방법의 흐름도이고, 도 17은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 불량 서브픽셀 검출을 위한 구동 타이밍 다이어그램이며, 도 18 및 도 19는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 하나의 기준전압라인(RVL)을 공유하는 4개의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀(SP1)이 불량 서브픽셀인 경우, 라인 결함 방지 동작과 이에 따른 효과를 설명하기 위한 도면들이다. 15 is a line defect prevention circuit of an organic light emitting
유기발광표시패널(110)은 도 15에 도시된 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)과 그 영역에서의 배선들(DL1~DL4, GL1~GL2, DVL1~DLV2, RVL)의 배치 패턴이 반복되어 구성될 수 있다. The organic light emitting
유기발광표시패널(110)의 개구율 향상을 위해, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치되는 경우, 유기발광표시패널(110)에 배치되는 다수의 기준전압라인(RVL)의 개수는 다수의 데이터라인(DL)의 개수보다 적을 수 있다. In order to improve the aperture ratio of the organic light emitting
이 경우, 각 기준전압라인(RVL)은 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. In this case, each reference voltage line RVL may be commonly connected to a source node or a drain node of the second transistors T2 included in two or more subpixels.
도 15의 예시에 따르면, 4개의 서브픽셀 열에 1개의 기준전압라인(RVL)이 배치된다. 이 경우, 유기발광표시패널(110)에서, 다수의 기준전압라인(RVL)의 개수는 다수의 데이터라인(DL)의 개수의 1/4이다. According to the example of FIG. 15, one reference voltage line RVL is disposed in four subpixel columns. In this case, in the organic light emitting
각 기준전압라인(RVL)은 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 포함된 제2 트랜지스터들(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. Each reference voltage line RVL may be commonly connected to a source node or a drain node of the second transistors T2 included in the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4.
도 15를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 하나의 기준전압라인(RVL)과 전기적으로 연결되는 스위치 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15, the organic light emitting
스위치 회로는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 센싱 구동용 기준전압 공급 노드(Npres) 간의 연결을 제어하는 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와, 각 기준전압라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치(SAMP)를 포함할 수 있다. The switch circuit includes a sensing drive reference switch SPRE for controlling a connection between each reference voltage line RVL and a sensing drive reference voltage supply node Npres supplied with a reference voltage Vref, and each reference voltage line RVL) and a sampling switch (SAMP) for controlling the connection between the analog-to-digital converter (ADC).
스위치 회로는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 영상 구동용 기준전압 공급 노드(Nprer) 간의 연결을 제어하는 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)를 더 포함할 수 있다. The switch circuit may further include an image driving reference switch RPRE for controlling a connection between each reference voltage line RVL and an image driving reference voltage supply node Nprer supplied with the reference voltage Vref.
센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)는 센싱 구동 시 이용되는 스위치이다. 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)으로 공급되는 기준전압(Vref)은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)이다. 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 영상 구동 시 이용되는 스위치이다. 영상 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)에 공급되는 기준전압(Vref)은 영상 구동용 기준전압(VpreR)이다. The sensing driving reference switch SPRE is a switch used for sensing driving. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the sensing driving reference switch SPRE is the sensing driving reference voltage VpreS. The image driving reference switch RPRE is a switch used when driving an image. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the image driving reference switch SPRE is the image driving reference voltage VpreR.
센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 별도로 구비될 수도 있고, 하나로 통합되어 구현될 수도 있다. 센싱 구동용 기준전압(VpreS)과 영상 구동용 기준전압(VpreR)은 동일한 전압 값일 수도 있고, 다른 전압 값일 수도 있다. The sensing driving reference switch SPRE and the image driving reference switch RPRE may be provided separately or integrated into one. The sensing driving reference voltage VpreS and the image driving reference voltage VpreR may be the same voltage value or different voltage values.
도 15를 참조하면, 유기발광표시패널(110)에 배치된 다수의 서브픽셀(SP)은, 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받는 제1 서브픽셀(SP1), 제2 서브픽셀(SP2), 제3 서브픽셀(SP3) 및 제4 서브픽셀(SP4)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 서브픽셀(SP1)은 제1 서브픽셀 열을 대표하고, 제2 서브픽셀(SP2)은 제2 서브픽셀 열을 대표하고, 제3 서브픽셀(SP3)은 제3 서브픽셀 열을 대표하고, 제4 서브픽셀(SP4)은 제4 서브픽셀 열을 대표한다. Referring to FIG. 15, a plurality of subpixels SP disposed on the organic light emitting
제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 경우, 데이터구동회로(DDC)는, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간(예: 영상 구동 기간)에, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)을 제1 데이터라인(DL)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급할 수 있다. When the second transistor T2 in the first subpixel SP1 is short-circuited, the data driving circuit DDC is configured to generate a first subpixel in a driving period (eg, an image driving period) of the first subpixel SP1. The first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the driving transistor DRT in the pixel SP1 may be supplied to the first subpixel SP1 through the first data line DL.
이에 따라, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 구동되더라도, 제1 서브픽셀(SP1)에서 기준전압라인(RVL)으로 전류가 흐르지 않아, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)은, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 영향을 받지 않는다. 따라서, 라인 결함(LD)이 발생하지 않을 수 있다. Accordingly, even when the first subpixel SP1, which is a bad subpixel, is driven, current does not flow from the first subpixel SP1 to the reference voltage line RVL, and thus, the first subpixel SP1 is a bad subpixel. The subpixels SP2, SP3, and SP4 coupled to the reference voltage line RVL are not affected by the driving of the first subpixel SP1, which is a defective subpixel. Therefore, line defect LD may not occur.
제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결된 제2 서브픽셀(SP2), 제3 서브픽셀(SP3) 및 제4 서브픽셀(SP4) 중 하나에 포함된 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. In the driving period of the first subpixel SP1, the second subpixel SP2, the third subpixel SP3, and the fourth subconnected to the first reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1. Mobility sensing of the driving transistor DRT included in one of the pixels SP4 may be performed.
또한, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결되되 제1 내지 제4 서브픽셀(SP1~SP4)와 다른 서브픽셀 행에 포함되는 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱이 진행될 수도 있다.In the driving period of the first subpixel SP1, the first subpixel SP1 is connected to the first reference voltage line RVL together with a subpixel different from the first to fourth subpixels SP1 to SP4. Mobility sensing of the driving transistors DRT in the subpixels included in the row may be performed.
이와 같이, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간 동안, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 시킬 수 있는 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)에 공급됨으로써, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간 동안, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 서브픽셀에 대한 이동도 센싱이 센싱 오류 없이 진행될 수 있다. As described above, during the driving period of the first subpixel SP1 that is the defective subpixel, the specific data voltage OFF_Vdata that the driving transistor DRT in the first subpixel SP1 may turn off is turned on in the first data line. The first subpixel SP1 is supplied to the first subpixel SP1 through DL1, so that during the driving period of the first subpixel SP1, the other subpixel connected to the reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1. Mobility sensing can proceed without a sensing error.
도 15를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀(SP) 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부에 따라, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 15, in the organic light emitting
불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. The defective subpixel detection circuit DPDC is configured to generate the first subpixel in the verification subpixel while the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor T2 in the verification subpixel. On the basis of whether the voltage change of the reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 or the magnitude of the voltage change, it is determined whether the second transistor T2 in the target subpixel is short-circuited. Can be.
불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀이 검출되면, 불량 서브픽셀의 위치정보를 메모리(MEM)에 저장할 수 있다. The defective subpixel detection circuit DPDC may store the position information of the defective subpixel in the memory MEM when the defective subpixel having the short circuit of the second transistor T2 is detected.
컨트롤러(140)는, 메모리(MEM)를 참조하여, 불량 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터(DATA)를 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)를 턴-오프 시키는 특정 영상데이터(OFF_DATA)로 교체하여 데이터구동회로(120)로 출력할 수 있다. The
이에 따라, 데이터구동회로(120)는, 디지털 아날로그 컨버터(DAC)를 통해 특정 영상데이터(OFF_DATA)를 특정 데이터전압(OFF_Vdata)로 변환하여 출력할 수 있다. 여기서, 특정 데이터전압(OFF_Vdata)은 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 데이터전압이다. Accordingly, the
불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있다. 메모리(MEM)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함되는 레지스터일 수 있다. The bad subpixel detection circuit DPDC may be included in the
불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 특정 데이터전압(OFF_Vdata)은 불량 서브픽셀이 구동되는 시간 경과에 따라 변화될 수 있다. 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 이동도 등이 변화되는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)를 턴-오프 시킬 수 있는 특정 데이터전압(OFF_Vdata)도 변할 수 있다. The specific data voltage OFF_Vdata that causes the driving transistor DRT in the bad subpixel to be turned off may change over time when the bad subpixel is driven. When the threshold voltage or mobility of the driving transistor DRT in the bad subpixel is changed, the specific data voltage OFF_Vdata that may turn off the driving transistor DRT may also change.
도 16을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 라인 결함 방지 방법을 제공할 수 있다. Referring to FIG. 16, the organic light emitting
이를 위해, 유기발광표시장치(100)는 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하기 위한 구동을 수행한다(S1610).To this end, the organic light emitting
유기발광표시장치(100)는 불량 서브픽셀의 검출을 위한 구동 수행 결과에 따라 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단한다(S1620). The organic light emitting
유기발광표시장치(100)는, S1620 단계에서의 판단 결과, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 것으로 판단되면, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로 검출하고, 검출된 불량 서브픽셀의 위치정보를 메모리(MEM)에 저장하고(S1630), 불량 서브픽셀에 대한 구동 시, 라인 결함 방지를 위한 특정 데이터전압(OFF_Vdata)을 불량 서브픽셀로 공급함으로써 라인 결함 방지 구동을 수행할 수 있다(S1640). If it is determined in operation S1620 that the second transistor T2 in the verification target subpixel is short-circuited, the organic light emitting
유기발광표시장치(100)는, S1620 단계에서의 판단 결과, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 것으로 판단되면, 확인 대상 서브픽셀을 정상 서브픽셀로 검출하고(S1650), 정상 서브픽셀에 대한 구동 시, 정상적인 구동을 수행할 수 있다(S1660).If it is determined in operation S1620 that the second transistor T2 in the verification target subpixel is not short-circuited, the organic light emitting
도 17을 참조하면, 유기발광표시장치(100)는, 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀(SP) 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부에 따라 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출한다. Referring to FIG. 17, the organic light emitting
따라서, 유기발광표시장치(100)는, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀인지 아닌지를 구별하기 위해서는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단해야만 한다. Accordingly, the organic light emitting
게이트구동회로(130)는, 제2 게이트라인(GL2)를 통해, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 인가한다(S1720). The
이때, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압을 디지털 값인 센싱값으로 변환하여 출력한다(S1730). In this case, the analog-to-digital converter ADC senses the voltage of the reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked, and senses the sensed voltage as a digital value. The value is converted and output (S1730).
불량 서브픽셀 검출회로(DPDC)는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 출력된 센싱값을 토대로, 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 파악하고, 이에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. The defective subpixel detection circuit DPDC, based on the sensing value output to the analog-to-digital converter ADC, grasps whether the voltage of the reference voltage line RVL has changed or the magnitude of the voltage change, and based on this, the sub-object to be checked It may be determined whether the second transistor T2 is shorted.
도 17을 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 기간 동안, 제1 검출 구동 단계(S1710), 제2 검출 구동 단계(S1720), 제3 검출 구동 단계(S1730) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 17, during a bad subpixel detection period, a first detection driving step S1710, a second detection driving step S1720, a third detection driving step S1730, and the like may be included.
제1 검출 구동 단계(S1710)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 검출 구동용 데이터전압이 인가된다. 여기서, 검출 구동용 데이터전압은 문턱전압(Vth)이 보상된 데이터(DATA+VTH)에 해당하는 데이터전압일 수 있다. In the first detection driving step S1710, the
제1 검출 구동 단계(S1710)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-온 상태이다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 센싱 구동용 기준전압(VpreS)이 인가된다.In the first detection driving step S1710, the
제1 검출 구동 단계(S1710)에서, 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-오프 상태이다. In the first detection driving step S1710, the sampling switch SAMP is turned off.
제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 검출 구동용 데이터전압이 인가되지 못하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 플로팅 상태가 된다. In the second detection driving step S1720, the
제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-오프 상태이다. 이에 따라, 센싱 구동용 기준전압(VpreS)은 기준전압라인(RVL)에도 인가되지 못한다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 플로팅 상태가 된다. In the second detection driving step S1720, the sensing driving reference switching SPRE is turned off. Accordingly, the sensing driving reference voltage VpreS may not be applied to the reference voltage line RVL. In addition, the second node N2 of the driving transistor DRT is in a floating state.
또한, 제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 게이트구동회로(130)는 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. In addition, in the second detection driving step S1720, the
제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-오프 상태이다. In the second detection driving step S1720, the sampling switch SAMP is turned off.
제2 검출 구동 단계(S1720) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2) 모두는 플로팅 상태이다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2) 각각의 전압은 상승하게 된다. During the second detection driving step S1720, both the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are in a floating state. In addition, the voltages of each of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are increased.
만약, 확인 대상 서브픽셀이 제2 트랜지스터(T2)이 단락 되지 않은 정상 서브픽셀이라면, 제2 검출 구동 단계(S1720) 동안, 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 노드에 인가된 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)에 의해 턴-오프 상태이기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 상승되는 전압이 기준전압라인(RVL)에 전달되지 못한다. If the subpixel to be checked is a normal subpixel in which the second transistor T2 is not shorted, during the second detection driving step S1720, the second transistor T2 is connected to the turn-off level voltage applied to the gate node. Since the second scan signal SENSE is turned off, the rising voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is not transmitted to the reference voltage line RVL.
이에 따라, 확인 대상 서브픽셀이 정상 서브픽셀인 경우, 기준전압라인(RVL)의 전압은 변동이 없다. Accordingly, when the subpixel to be checked is the normal subpixel, the voltage of the reference voltage line RVL is not changed.
만약, 확인 대상 서브픽셀이 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 불량 서브픽셀이라면, 제2 검출 구동 단계(S1720) 동안, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 게이트 노드에 인가되더라도, 단락에 의해 비정상적인 턴-온 상태이다. 따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 상승되는 전압은 제2 트랜지스터(T2)를 통해 기준전압라인(RVL)에 전달된다. If the subpixel to be checked is a defective subpixel in which the second transistor T2 is short-circuited, during the second detection driving step S1720, the second transistor T2 may perform a second scan signal having a turn-off level voltage. Even though SENSE) is applied to the gate node, it is abnormally turned on by a short circuit. Therefore, the rising voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is transferred to the reference voltage line RVL through the second transistor T2.
이에 따라, 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인 경우, 기준전압라인(RVL)은 전압 변동이 발생할 수 있다. Accordingly, when the sub-object to be checked is a bad sub-pixel, a voltage variation may occur in the reference voltage line RVL.
제2 검출 구동 단계(S1720)가 일정 시간 경과한 이후, 제3 검출 구동 단계(S1730)가 진행될 수 있다. After the second detection driving step S1720 elapses for a predetermined time, the third detection driving step S1730 may proceed.
제3 검출 구동 단계(S1730)에서는, 샘플링 스위치(SAMP)만 턴-온 된다. In the third detection driving step S1730, only the sampling switch SAMP is turned on.
이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 턴-온 된 샘플링 스위치(SAMP)를 통해 기준전압라인(RVL)과 연결된다. Accordingly, the analog-to-digital converter ADC is connected to the reference voltage line RVL through the turned-on sampling switch SAMP.
따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 출력한다. Therefore, the analog-to-digital converter ADC senses the voltage of the reference voltage line RVL and converts the sensed voltage into a sensing value corresponding to a digital value.
불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 센싱값을 토대로, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 확인하여 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. The bad subpixel detection circuit DPDC, based on the sensing value, whether or not the voltage change or the voltage change magnitude of the reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked. By determining whether the second transistor T2 in the verification target subpixel is short-circuited.
도 15의 예시를 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간 전에 확인 대상 서브픽셀로서 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단하되, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안(S1720~S1730), 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인(RVL)의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 것으로 판단하여, 제1 서브픽셀(SP1)을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. Referring to the example of FIG. 15, the defective subpixel detection circuit DPDC may short-circuit the second transistor T2 in the first subpixel SP1 as a subpixel to be checked before the driving period of the first subpixel SP1. While the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is being applied to the gate node of the second transistor T2 in the first subpixel SP1 (S1720 to S1730), the first sub When it is determined that the voltage of the first reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the pixel SP1 is increased, the second transistor T2 in the first subpixel SP1 is increased. ) Is determined to be a short circuit, and the first subpixel SP1 can be detected as a defective subpixel.
도 15의 예시를 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀로서 제2 서브픽셀(SP2) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안(S1720~S1730), 제2 서브픽셀(SP2) 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인(RVL)의 전압변화가 없거나 전압 변화 크기가 미리 정해진 임계 수준 이하인 것으로 확인되면, 제2 서브픽셀(SP2) 내 제2 트랜지스터(T2)가 미 단락이 된 것으로 판단하여, 제2 서브픽셀(SP2)을 정상 서브픽셀로서 검출할 수 있다. Referring to the example of FIG. 15, the bad subpixel detection circuit DPDC scans a turn-off level voltage to the gate node of the second transistor T2 in the second subpixel SP2 as the verification subpixel. While the signal SENSE is being applied (S1720 to S1730), the voltage change of the first reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the second subpixel SP2. If it is not found or if the magnitude of the voltage change is less than or equal to a predetermined threshold level, it is determined that the second transistor T2 in the second subpixel SP2 is not shorted, and the second subpixel SP2 is regarded as a normal subpixel. Can be detected.
이 경우, 데이터구동회로(120)는, 제2 서브픽셀(SP2)이 구동(센싱 구동 또는 영상 구동)될 때, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)을 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급할 수 있다. 이에 따라, 제2 서브픽셀(SP2)은 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 영향을 받지 않는다. In this case, the
도 18을 참조하면, 전술한 라인 결함 방지 구동에 따르면, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 서브픽셀(SP1)로 공급될 때, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)이 센싱 구동이 되더라도, 센싱값 및 보상값이 정상적으로 얻어질 수 있고, 이에 따라, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)의 영상 구동도 정상적으로 진행될 수 있다. Referring to FIG. 18, according to the above-described line defect prevention driving, the first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the driving transistor DRT in the first subpixel SP1, which is a defective subpixel, may be turned off. When the pixel SP1 is supplied to the pixel SP1, the sensing value and the compensation value are normally maintained even though the other subpixels SP2, SP3, and SP4 connected to the reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1 are driven. As a result, image driving of the other subpixels SP2, SP3, and SP4 connected to the reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1 may also normally proceed.
도 17 및 18을 참조하면, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)은, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 포함된 불량 서브픽셀 라인일 수도 있고, 포함된 불량 서브픽셀 라인과 다른 정상 서브픽셀 라인일 수도 있다. Referring to FIGS. 17 and 18, the other subpixels SP2, SP3, and SP4 connected to the reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1 that are the bad subpixels are the first subpixel that is the bad subpixel. It may be a bad subpixel line including (SP1), or may be a normal subpixel line different from the included bad subpixel line.
예를 들어, 제1 기준전압라인(RVL)과 공통으로 연결 가능한 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2)이 있다고 하고, 제1 서브픽셀(SP1)은 불량 서브픽셀이고, 제2 서브픽셀(SP2)은 정상 서브픽셀일 때, 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2)은 동일한 서브픽셀 행 (동일한 서브픽셀 라인)에 배치될 수 있고, 서로 다른 서브픽셀 행 (서로 다른 서브픽셀 라인)에 배치될 수 있다. For example, a first subpixel SP1 and a second subpixel SP2 are commonly connected to the first reference voltage line RVL, and the first subpixel SP1 is a bad subpixel. When the two subpixels SP2 are normal subpixels, the first subpixel SP1 and the second subpixel SP2 may be disposed in the same subpixel row (same subpixel line), and different subpixel rows. (Different subpixel lines).
도 17 및 18을 참조하면, 라인 결함 방지 구동에 따라, 불량 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 서브픽셀(SP1)으로 공급되기 때문에, 제1 서브픽셀(SP1)은 암점(온점)으로 보인다. 하지만, 도 11과 비교해볼 때, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 기준전압라인(RVL)에 연결된 다른 모든 서브픽셀들(SP2, SP3, SP4)은 암점으로 보이지 않고 정상적으로 보이게 된다. 17 and 18, according to the line defect prevention driving, the first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the driving transistor DRT of the first subpixel SP1 that is the defective subpixel is turned off. Since it is supplied to the pixel SP1, the first subpixel SP1 is seen as a dark point (on point). However, in comparison with FIG. 11, all other subpixels SP2, SP3, and SP4 connected to the reference voltage line RVL together with the first subpixel SP1 are not normally seen as dark spots.
한편, 불량 서브픽셀 검출 기간은, 파워 온 신호가 발생하고 디스플레이 구동이 시작되기 전에 진행되거나, 파워 오프 신호가 발생한 이후에 진행되거나, 디스플레이 구동 중 실시간으로 진행될 수 있다. On the other hand, the bad subpixel detection period may proceed before the power-on signal is generated and display driving starts, or after the power-off signal occurs, or may proceed in real time during display driving.
다시 말해, 도 7을 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 동작은 온-센싱 프로세스로 진행될 수도 있고, 오프-센싱 프로세스로 진행될 수도 있고, 실시간 센싱 프로세스로 진행될 수도 있다. In other words, referring to FIG. 7, the bad subpixel detection operation may be progressed to an on-sensing process, to an off-sensing process, or to a real-time sensing process.
불량 서브픽셀 검출 동작이 온-센싱 프로세스로 진행되는 경우, 유기발광표시장치(100)는 불량 서브픽셀에 의한 영향 없이 디스플레이 구동을 정상적으로 새롭게 시작할 수 있다. When the defective subpixel detection operation is performed in the on-sensing process, the organic light emitting
불량 서브픽셀 검출 동작이 오프-센싱 프로세스로 진행되는 경우, 유기발광표시장치(100)는 디스플레이에 영향을 끼치지 않고 불량 서브픽셀 검출 동작을 수행할 수 있고, 시간적인 여유가 있기 때문에, 모든 서브픽셀들에 대하여 검출 동작을 수행할 수 있는 이점이 있다. When the bad subpixel detection operation proceeds to the off-sensing process, the organic light emitting
불량 서브픽셀 검출 동작이 실시간 센싱 프로세스로 진행되는 경우, 불량 서브픽셀이 발생하는 즉시, 신속하게 대처할 수 있는 이점이 있다.When a bad subpixel detection operation is performed in a real-time sensing process, there is an advantage that a bad subpixel can be dealt with promptly as soon as it occurs.
한편, 도 15를 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 기간에서 제3 검출 구동 단계(S1730)가 진행된 이후 회복(Recovery) 단계(S1740)가 진행될 수도 있다. Meanwhile, referring to FIG. 15, the recovery step S1740 may proceed after the third detection driving step S1730 proceeds in the bad subpixel detection period.
회복 단계(S1740)에서는, 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 턴-온 되어, 데이터전압(Vdata)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달된다. In the recovery step S1740, the first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN having the turn-on level voltage, so that the data voltage Vdata is turned on by the first node of the driving transistor DRT. N1).
회복 단계(S1740)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에 전달되는 데이터전압(Vdata)은 블랙 데이터(BLK)가 변환된 데이터전압일 수 있다. In the recovery step S1740, the data voltage Vdata transferred to the first node N1 of the driving transistor DRT may be a data voltage obtained by converting the black data BLK.
회복 단계(S1740)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)에는, 블랙 데이터(BLK)가 변환된 데이터전압이 인가되다가, 회복 데이터(REC)가 변환된 데이터전압이 인가될 수도 있다. 회복 데이터(REC)는 불량 서브픽셀 검출 동작 전에 해당 서브픽셀(SP)에 공급된 영상데이터(DATA)와 대응되는 데이터일 수 있다. In the recovery step S1740, the data voltage converted from the black data BLK may be applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and the data voltage converted from the recovery data REC may be applied. . The recovery data REC may be data corresponding to the image data DATA supplied to the corresponding subpixel SP before the defective subpixel detection operation.
회복 단계(S1740)에서, 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)에 의해 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 된다. 그리고, 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)가 턴-온 된다. 이에 따라, 기준전압라인(RVL)에 공급된 기준전압(VpreR)이 제2 트랜지스터(T2)을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가된다. In the recovery step S1740, the second transistor T2 is turned on by the second scan signal SENSE of the turn-on level voltage. The image driving reference switch RPRE is turned on. Accordingly, the reference voltage VpreR supplied to the reference voltage line RVL is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT through the second transistor T2.
도 20 및 도 21은 본 발명의 실시예들에 따른 데이터구동회로(120)를 나타낸 도면이다. 20 and 21 illustrate a
도 20을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 데이터구동회로(120)는, 입력된 영상데이터(DATA)를 저장하는 래치회로(2010)와, 영상데이터(DATA)를 아날로그 신호들로 변환하는 디지털 아날로그 변환회로(2020)와, 아날로그 신호들에 대응되는 데이터전압들(Vdata)을 n(n은 4 이상의 자연수)개의 데이터라인(DL)과 대응되는 n개의 데이터채널(DCH1~DCHn)로 출력하는 출력회로(2030) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 20, the
래치회로(2010)는 n개 또는 2n개 이상의 래치를 포함할 수 있다. n개의 데이터채널(DCH1~DCHn) 각각에 하나 또는 둘 이상의 래치(Latch)가 대응될 수 있다. The
디지털 아날로그 변환회로(2020)는 n개의 데이터채널(DCH1~DCHn)과 대응되는 n개의 디지털 아날로그 컨버터(DAC)를 포함할 수 있다. The digital
출력회로(2030)는 n개의 데이터채널(DCH1~DCHn)과 대응되는 n개의 출력버퍼를 포함할 수 있다. The
도 20을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 데이터구동회로(120)는, m(m은 1이상의 자연수)개의 기준전압라인(RVL)의 전압을 디지털 값으로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 변환회로(2040)와, m개의 기준전압라인(RVL)에 대응되는 m개의 기준채널(RCH1~RCHm)과 아날로그 디지털 변환회로(2040) 사이에 연결된 스위치 회로(2050)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 20, the
도 21을 참조하면, 아날로그 디지털 변환회로(2040)는 m개의 기준채널(RCH1~RCHm)에 대응되는 m개의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 21, the analog-to-
도 21을 참조하면, 스위치 회로(2050)는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 센싱 구동용 기준전압 공급 노드(Npres) 간의 연결을 제어하는 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와, 각 기준전압라인(RVL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치(SAMP)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 21, the
스위치 회로(2050)는, 각 기준전압라인(RVL)과 기준전압(Vref)이 공급되는 영상 구동용 기준전압 공급 노드(Nprer) 간의 연결을 제어하는 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)를 더 포함할 수 있다. The
센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)는 센싱 구동 시 이용되는 스위치이다. 센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)으로 공급되는 기준전압(Vref)은 센싱 구동용 기준전압(VpreS)이다. 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 영상 구동 시 이용되는 스위치이다. 영상 구동용 기준 스위치(SPRE)에 의해 기준전압라인(RVL)에 공급되는 기준전압(Vref)은 영상 구동용 기준전압(VpreR)이다. The sensing driving reference switch SPRE is a switch used for sensing driving. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the sensing driving reference switch SPRE is the sensing driving reference voltage VpreS. The image driving reference switch RPRE is a switch used when driving an image. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL by the image driving reference switch SPRE is the image driving reference voltage VpreR.
센싱 구동용 기준 스위치(SPRE)와 영상 구동용 기준 스위치(RPRE)는 별도로 구비될 수도 있고, 하나로 통합되어 구현될 수도 있다. 센싱 구동용 기준전압(VpreS)과 영상 구동용 기준전압(VpreR)은 동일한 전압 값일 수도 있고, 다른 전압 값일 수도 있다.The sensing driving reference switch SPRE and the image driving reference switch RPRE may be provided separately or integrated into one. The sensing driving reference voltage VpreS and the image driving reference voltage VpreR may be the same voltage value or different voltage values.
기준채널 개수(m)는 데이터채널 개수(n)보다 적을 수 있다. 예를 들어, 데이터채널 개수(n)는 기준채널 개수(m)의 2 이상의 정수 배일 수 있다. 즉, n=k*m (k는 2 이상의 자연수)이다.The number of reference channels m may be smaller than the number of data channels n. For example, the number n of data channels may be an integer multiple of two or more times the number m of reference channels. That is, n = k * m (k is a natural number of 2 or more).
m개의 기준전압라인(RVL) 각각은 둘 이상의 서브픽셀(SP)에 포함된 제2 트랜지스터들(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결될 수 있다. Each of the m reference voltage lines RVL may be commonly connected to a source node or a drain node of the second transistors T2 included in two or more subpixels SP.
다수의 서브픽셀(SP)은 m개의 기준전압라인(RVL) 중 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받는 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2)을 포함할 수 있다. The plurality of subpixels SP may include a first subpixel SP1 and a second subpixel that are commonly supplied with the reference voltage Vref through the first reference voltage line RVL among the m reference voltage lines RVL. SP2).
제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 데이터라인(DL1)으로 출력되어 제1 서브픽셀(SP1)로 공급될 수 있다. When the second transistor T2 in the first subpixel SP1 is short-circuited, the driving transistor DRT in the first subpixel SP1 is turned off in the driving period of the first subpixel SP1. The first specific data voltage OFF_Vdata may be output to the first data line DL1 and supplied to the first subpixel SP1.
제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간 (영상 구동 기간 또는 센싱 구동 기간)에, 아날로그 디지털 변환회로(2040)는, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결된 제2 서브픽셀(SP2) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 상승된 전압을 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 센싱할 수 있다. 여기서, 센싱된 전압은 이동도를 반영하는 전압일 수 있다(도 6 참조). In the driving period (image driving period or sensing driving period) of the first subpixel SP1, the analog-to-
제2 서브픽셀(SP2) 내 제2 트랜지스터(T2)는 미 단락 되어 있고, 제2 서브픽셀(SP2)이 구동(센싱 구동 또는 영상 구동)될 때, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)이 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급될 수 있다. The second transistor T2 in the second subpixel SP2 is unshorted, and when the second subpixel SP2 is driven (sensing driving or image driving), the driving transistor in the first subpixel SP1 ( The first specific data voltage OFF_Vdata for turning off the DRT may be supplied to the first subpixel SP1 through the first data line DL1.
도 22는 본 발명의 실시예들에 따른 컨트롤러(140)를 나타낸 도면이다. 22 illustrates a
도 22를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 컨트롤러(140)는, 다수의 서브픽셀(SP) 중 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받는 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2) 중 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락 된 정보 또는 제1 서브픽셀(SP1)의 위치정보를 저장하는 메모리(MEM)와, 메모리(MEM)를 참조하여, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1)에 공급해야 하는 영상데이터(DATA)를 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 영상데이터(OFF_DATA)로 교체하여 데이터구동회로(120)로 출력하는 영상데이터 공급기(VDS) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 22, the
제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결된 제2 서브픽셀(SP2) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. In the driving period of the first subpixel SP1, the mobility sensing of the driving transistor DRT in the second subpixel SP2 connected to the first reference voltage line RVL along with the first subpixel SP1 may be performed. Can be.
도 22를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 컨트롤러(140)는, 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 다수의 서브픽셀(SP) 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부에 따라 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 22, the
불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. The defective subpixel detection circuit DPDC is configured to generate the first subpixel in the verification subpixel while the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor T2 in the verification subpixel. On the basis of whether the voltage change of the reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 or the magnitude of the voltage change, it is determined whether the second transistor T2 in the target subpixel is short-circuited. Can be.
도 23 및 도 24는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법에 대한 흐름도이다. 23 and 24 are flowcharts illustrating a method of driving the organic light emitting
도 23을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법은 정상 구동 단계(S2310) 및 라인 결함 방지 단계(S2330) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 23, the driving method of the organic light emitting
정상 구동 단계(S2310)에서, 유기발광표시장치(100)의 데이터구동회로(120)는, 다수의 서브픽셀(SP) 중 제1 기준전압라인(RVL)을 통해 기준전압(Vref)을 공통으로 공급받는 제1 서브픽셀(SP1)과 제2 서브픽셀(SP2) 중 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 영상 구동을 위한 데이터전압(Vdata)을 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급할 수 있다. In the normal driving operation S2310, the
라인 결함 방지 단계(S2330)에서, 유기발광표시장치(100)의 데이터구동회로(120)는, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 경우, 제1 서브픽셀(SP1)의 구동 기간에, 제1 서브픽셀(SP1) 내 구동 트랜지스터(DRT)가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압(OFF_Vdata)을 제1 데이터라인(DL1)을 통해 제1 서브픽셀(SP1)로 공급할 수 있다. In the line defect prevention step S2330, when the second transistor T2 in the first subpixel SP1 is short-circuited, the
라인 결함 방지 단계(S2330)에서, 제1 서브픽셀(SP1)과 함께 제1 기준전압라인(RVL)에 연결된 제2 서브픽셀(SP2) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱이 진행될 수 있다. In the line defect prevention step S2330, the mobility sensing of the driving transistor DRT in the second subpixel SP2 connected to the first reference voltage line RVL along with the first subpixel SP1 may be performed.
도 23을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법은, 정상 구동 단계(S2310)와 라인 결함 방지 단계(S2330) 사이에, 다수의 서브픽셀(SP) 중 확인 대상 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단하여 확인 대상 서브픽셀인 제1 서브픽셀(SP1)이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 단계(S2320)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 23, in the driving method of the organic light emitting
불량 서브픽셀 검출 단계(S2320)에서, 불량 서브픽셀 검출회로(DPDC)는, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. In a bad subpixel detection step S2320, the bad subpixel detection circuit DPDC receives the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage at the gate node of the second transistor T2 in the first subpixel SP1. ) Is applied based on whether the voltage of the first reference voltage line RVL is electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the first subpixel SP1 or the magnitude of the voltage change. It may be determined whether the second transistor T2 is shorted in the subpixel to be checked.
불량 서브픽셀 검출회로(DPDC)는, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)가 인가되고 있는 동안, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인(RVL)의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 제1 서브픽셀(SP1) 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락이 된 것으로 판단되어, 제1 서브픽셀(SP1)을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. The bad subpixel detection circuit DPDC receives the first subpixel while the second scan signal SENSE of the turn-off level voltage is applied to the gate node of the second transistor T2 in the first subpixel SP1. When it is determined that the voltage of the first reference voltage line RVL electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the pixel SP1 is increased, the second transistor T2 in the first subpixel SP1 is increased. ), It is determined that a short circuit has occurred, and the first subpixel SP1 can be detected as a defective subpixel.
도 24를 참조하면, 불량 서브픽셀 검출 단계(S2320)는, 제1 검출 구동 단계(S1710), 제2 검출 구동 단계(S1720), 제3 검출 구동 단계(S1730), 센싱값 획득 단계(S2410) 및 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부 판단 단계(S2420) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 24, the bad subpixel detection step S2320 may include a first detection driving step S1710, a second detection driving step S1720, a third detection driving step S1730, and a sensing value obtaining step S2410. And determining whether the second transistor T2 is shorted (S2420).
제1 검출 구동 단계(S1710)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-온 상태이다. 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-오프 상태이다. In the first detection driving step S1710, the
여기서, 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE) 및 샘플링 스위치(SAMP)는 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)에 연결될 수 있다. The sensing driving reference switching SPRE and the sampling switch SAMP may be connected to a reference voltage line RVL electrically connected to a source node or a drain node of the second transistor T2 in the subpixel to be checked.
제2 검출 구동 단계(S1720)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-오프 상태이고, 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-오프 상태이다. In the second detection driving step S1720, the
제3 검출 구동 단계(S1730)에서, 게이트구동회로(130)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호(SCAN)를 공급한다. 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호(SENSE)를 공급한다. 센싱 구동용 기준 스위칭(SPRE)는 턴-오프 상태이고, 샘플링 스위치(SAMP)는 턴-온 된다. In the third detection driving step S1730, the
센싱값 획득 단계(S2410)에서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 턴-온 된 샘플링 스위치(SAMP)를 통해 기준전압라인(RVL)과 연결되어, 기준전압라인(RVL)의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 출력한다. In the sensing value acquisition step S2410, the analog-to-digital converter ADC is connected to the reference voltage line RVL through the turned-on sampling switch SAMP and sensed by sensing the voltage of the reference voltage line RVL. The voltage is converted into a sensing value corresponding to a digital value and output.
제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부 판단 단계(S2420)에서, 불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 센싱값을 토대로, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인(RVL)의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 확인하여 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)의 단락 여부를 판단할 수 있다. In a step S2420 of determining whether the second transistor T2 is short-circuited, the bad subpixel detection circuit DPDC is electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor T2 in the verification target subpixel based on the sensing value. The voltage of the reference voltage line RVL connected to the voltage change or the magnitude of the voltage change may be checked to determine whether the second transistor T2 in the subpixel to be checked is shorted.
불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 된 것으로 판단되면, 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출할 수 있다. When it is determined that the second transistor T2 in the confirmation subpixel is short-circuited, the defective subpixel detection circuit DPDC may detect the confirmation subpixel as a defective subpixel.
불량 서브픽셀 검출 회로(DPDC)는, 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터(T2)가 단락이 되지 않은 것으로 판단되면, 확인 대상 서브픽셀을 정상 서브픽셀로서 검출할 수 있다. If it is determined that the second transistor T2 in the verification target subpixel is not shorted, the defective subpixel detection circuit DPDC may detect the verification subpixel as a normal subpixel.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예들에 의하면, 라인 결함(LD)을 방지하여 화상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치(100), 데이터구동회로(120), 컨트롤러(140) 및 구동방법을 제공할 수 있다.According to the embodiments of the present invention described above, the organic light emitting
본 발명의 실시예들에 의하면, 라인 결함(LD)을 발생시키는 불량 서브픽셀을 검출할 수 있는 유기발광표시장치(100), 데이터구동회로(120), 컨트롤러(140) 및 구동방법을 제공할 수 있다.According to embodiments of the present invention, an organic light emitting
본 발명의 실시예들에 의하면, 불량 서브픽셀의 구동에 의해 다른 정상 서브픽셀의 센싱 및 보상 오류가 발생하지 않도록 해줌으로써, 영상 품질을 향상시켜줄 수 있는 유기발광표시장치(100), 데이터구동회로(120), 컨트롤러(140) 및 구동방법을 제공할 수 있다.According to the exemplary embodiments of the present invention, the organic light emitting
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The above description and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may combine the configurations without departing from the essential characteristics of the present invention. Various modifications and variations may be made, including separation, substitution, and alteration. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.
100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터구동회로
130: 게이트구동회로
140: 컨트롤러100: organic light emitting display device
110: organic light emitting display panel
120: data driving circuit
130: gate driving circuit
140: controller
Claims (21)
상기 다수의 데이터라인을 구동하는 데이터구동회로;
상기 다수의 게이트라인을 구동하는 게이트구동회로; 및
상기 데이터구동회로 및 상기 게이트구동회로를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 제1 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 상기 다수의 데이터라인 중 하나의 데이터라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 제2 스캔신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 제2 노드와 상기 다수의 기준전압라인 중 하나의 기준전압라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터를 포함하고,
상기 다수의 기준전압라인의 개수는 상기 다수의 데이터라인의 개수보다 적고, 상기 다수의 기준전압라인 각각은 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결되고,
상기 다수의 기준전압라인 각각과 기준전압이 공급되는 기준전압 공급 노드 간의 연결을 제어하는 기준 스위치와, 상기 다수의 기준전압라인 각각과 아날로그 디지털 컨버터 간의 연결을 제어하는 샘플링 스위치를 더 포함하고,
제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 상기 데이터구동회로는,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급하는 유기발광표시장치.
An organic light emitting display panel in which a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of reference voltage lines are disposed, and the plurality of data lines and the plurality of subpixels defined by the plurality of gate lines are arranged in a matrix type;
A data driver circuit driving the plurality of data lines;
A gate driving circuit driving the plurality of gate lines; And
A controller for controlling the data driver circuit and the gate driver circuit;
Each of the plurality of subpixels,
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first transistor controlled by a first scan signal and electrically connected between a first node of the driving transistor and one of the data lines; A second transistor controlled by a second scan signal and electrically connected between a second node of the driving transistor and one reference voltage line of the plurality of reference voltage lines, between the first node and the second node; A capacitor electrically connected to the
The number of the plurality of reference voltage lines is less than the number of the plurality of data lines, and each of the plurality of reference voltage lines is commonly connected to source nodes or drain nodes of second transistors included in at least two subpixels.
A reference switch controlling a connection between each of the plurality of reference voltage lines and a reference voltage supply node supplied with a reference voltage, and a sampling switch controlling the connection between each of the plurality of reference voltage lines and an analog-digital converter,
When the second transistor in the first subpixel among the two or more subpixels commonly supplied with the reference voltage through the first reference voltage line has a short circuit, the data driving circuit may include:
And a first specific data voltage for turning off a driving transistor in the first subpixel to the first subpixel through a first data line in a driving period of the first subpixel.
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행되는 유기발광표시장치의 컨트롤러.
The method of claim 1,
In the driving period of the first subpixel,
A controller of an organic light emitting display device in which mobility sensing of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is performed.
미리 정의된 불량 서브픽셀 검출 기간 동안 상기 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부에 따라, 상기 확인 대상 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로를 더 포함하고,
상기 불량 서브픽셀 검출 회로는,
상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안,
상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
And a bad subpixel detection circuit for detecting the checked subpixel as a bad subpixel according to whether a second transistor in the checked subpixel of the plurality of subpixels is short-circuited during a predefined bad subpixel detection period. ,
The bad subpixel detection circuit,
While a second scan signal of a turn-off level voltage is applied to a gate node of a second transistor in the verification subpixel,
Determining whether the second transistor in the verification subpixel is shorted based on whether the voltage of the reference voltage line electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor in the verification subpixel or the magnitude of the voltage change. Light emitting display device.
상기 불량 서브픽셀 검출 회로는,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간 전에 상기 확인 대상 서브픽셀로서 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하되,
상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 상기 제1 기준전압라인의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 것으로 판단하여, 상기 제1 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 유기발광표시장치.
The method of claim 3,
The bad subpixel detection circuit,
Before the driving period of the first subpixel, it is determined whether the second transistor in the first subpixel is shorted as the confirmation subpixel,
The first electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel while a second scan signal of a turn-off level voltage is applied to a gate node of a second transistor in the first subpixel. And if it is determined that the voltage of the first reference voltage line is increased, the second transistor in the first subpixel is determined to be a short circuit, and the first subpixel is detected as a defective subpixel.
상기 불량 서브픽셀 검출 회로는,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀이 상기 확인 대상 서브픽셀인 경우, 상기 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안,
상기 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 상기 제1 기준전압라인의 전압변화가 없거나 전압 변화 크기가 미리 정해진 임계 수준 이하인 것으로 확인되면,
상기 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 미 단락이 된 것으로 판단하여, 상기 제2 서브픽셀을 정상 서브픽셀로서 검출하는 유기발광표시장치.
The method of claim 3,
The bad subpixel detection circuit,
A second scan of a turn-off level voltage at a gate node of a second transistor in the second subpixel when the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is the verification subpixel; While the signal is being applied,
If it is determined that there is no voltage change of the first reference voltage line electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor in the second subpixel, or the magnitude of the voltage change is less than or equal to a predetermined threshold level,
And determining that the second transistor in the second subpixel is not short-circuited, thereby detecting the second subpixel as a normal subpixel.
상기 데이터구동회로는,
상기 제2 서브픽셀이 구동될 때, 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 상기 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급하는 유기발광표시장치.
The method of claim 5,
The data drive circuit,
And a first specific data voltage which causes the driving transistor in the first subpixel to be turned off when the second subpixel is driven to the first subpixel through the first data line.
상기 불량 서브픽셀 검출 기간은,
파워 온 신호가 발생하고 디스플레이 구동이 시작되기 전에 진행되거나,
파워 오프 신호가 발생한 이후에 진행되거나,
디스플레이 구동 중 실시간으로 진행되는 유기발광표시장치.
The method of claim 3,
The bad subpixel detection period is
Proceeds before the power-on signal is generated and display drive starts,
Proceed after the power off signal occurs, or
An organic light emitting display device that proceeds in real time while driving a display.
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀은 구동 기간에 구동 트랜지스터가 턴-온 되도록 하는 데이터전압이 인가되고,
상기 제2 서브픽셀은 상기 제1 서브픽셀과 동일한 서브픽셀 행에 배치되는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
The second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is applied with a data voltage such that a driving transistor is turned on in a driving period.
The second subpixel is disposed in the same subpixel row as the first subpixel.
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀은 구동 기간에 구동 트랜지스터가 턴-온 되도록 하는 데이터전압이 인가되고,
상기 제2 서브픽셀은 상기 제1 서브픽셀과 다른 서브픽셀 행에 배치되는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
The second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is applied with a data voltage such that a driving transistor is turned on in a driving period.
And the second subpixel is disposed in a subpixel row different from the first subpixel.
상기 제2 트랜지스터가 단락이 된 불량 서브픽셀의 위치정보를 저장하는 메모리를 더 포함하고,
상기 컨트롤러는,
상기 메모리를 참조하여, 상기 불량 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터를 상기 불량 서브픽셀 내 구동 트랜지스터를 턴-오프 시키는 특정 영상데이터로 교체하여 상기 데이터구동회로로 출력하는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
The second transistor further comprises a memory for storing the position information of the defective sub-pixel short-circuited,
The controller,
And the image data, which is to be supplied to the defective subpixels, by referring to the memory, and outputs the image data to the data driving circuit by replacing the image data which turns off the driving transistor in the defective subpixels.
상기 제1 특정 데이터전압은 시간경과에 따라 변화되는 유기발광표시장치.
The method of claim 1,
And the first specific data voltage changes with time.
입력된 영상데이터를 저장하는 래치회로;
상기 영상데이터를 아날로그 신호들로 변환하는 디지털 아날로그 변환회로;
상기 아날로그 신호들에 대응되는 데이터전압들을 n개의 데이터라인과 대응되는 n(n은 2 이상의 자연수)개의 데이터채널로 출력하는 출력회로;
m(m은 1 이상의 자연수)개의 기준전압라인의 전압을 디지털 값으로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 변환회로; 및
상기 m개의 기준전압라인에 대응되는 m개의 기준채널과 상기 아날로그 디지털 변환회로 사이에 연결된 스위치 회로를 포함하고,
상기 n은 상기 m의 2 이상의 정수 배이고,
상기 m개의 기준전압라인 각각은, 둘 이상의 서브픽셀에 포함된 제2 트랜지스터들의 소스 노드 또는 드레인 노드와 공통으로 연결되고,
상기 다수의 서브픽셀은 상기 m개의 기준전압라인 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중에서 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우,
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압이 제1 데이터라인으로 출력되어 상기 제1 서브픽셀로 공급되는 데이터구동회로.
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first transistor controlled by a first scan signal and electrically connected between a first node of the driving transistor and one of the data lines; A second transistor controlled by a second scan signal and electrically connected between a second node of the driving transistor and one reference voltage line of the plurality of reference voltage lines, between the first node and the second node; A data driving circuit electrically connected to an organic light emitting display panel including a plurality of subpixels including a capacitor electrically connected to the organic light emitting display panel.
A latch circuit for storing input image data;
A digital analog conversion circuit for converting the image data into analog signals;
An output circuit for outputting data voltages corresponding to the analog signals to n data lines corresponding to n data lines (where n is a natural number of 2 or more);
an analog-digital converting circuit for converting the voltages of m (m is one or more natural numbers) reference voltage lines into digital values and outputting the digital values; And
A switch circuit connected between the m reference channels corresponding to the m reference voltage lines and the analog to digital conversion circuit,
N is an integer multiple of 2 or more of m,
Each of the m reference voltage lines is commonly connected to a source node or a drain node of second transistors included in at least two subpixels.
When the plurality of subpixels are shorted by a second transistor in a first subpixel among two or more subpixels commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line among the m reference voltage lines,
And a first specific data voltage which causes the driving transistor in the first subpixel to be turned off in the driving period of the first subpixel and is supplied to the first data line and supplied to the first subpixel.
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 아날로그 디지털 변환회로는,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제2 노드의 상승된 전압을 상기 제1 기준전압라인을 통해 센싱하는 데이터구동회로.
The method of claim 12,
In the driving period of the first subpixel, the analog to digital conversion circuit,
And a rising voltage of a second node of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel through the first reference voltage line.
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 제2 트랜지스터는 미 단락 되어 있고, 상기 제2 서브픽셀이 구동될 때,
상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압이 상기 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급되는 데이터구동회로.
The method of claim 12,
When the second transistor in the second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel is not shorted and the second subpixel is driven,
And a first specific data voltage for turning off the driving transistor in the first subpixel to the first subpixel through the first data line.
상기 다수의 서브픽셀 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 영상 구동을 위한 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급하는 정상 구동 단계; 및
상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 데이터전압을 제1 데이터라인을 통해 상기 제1 서브픽셀로 공급하는 라인 결함 방지 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법.
A plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of reference voltage lines are arranged, and a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are arranged in a matrix type, and the plurality of subpixels Each of the organic light emitting diodes, a driving transistor for driving the organic light emitting diodes, and a first scan signal and electrically connected between the first node of the driving transistors and one of the plurality of data lines. A first transistor, a second transistor controlled by a second scan signal and electrically connected between a second node of the driving transistor and one reference voltage line of the plurality of reference voltage lines, the first node and the second transistor; An organic light emitting display including an organic light emitting display panel having capacitors electrically connected between nodes; In the driving method of an optical display device,
In a driving period of a first subpixel among two or more subpixels commonly supplied with a reference voltage through a first reference voltage line among the plurality of subpixels, a data voltage for driving an image is supplied through the first data line. A normal driving step of feeding the subpixels; And
When the second transistor in the first subpixel is short-circuited, the first specific data voltage is set so that the driving transistor in the first subpixel is turned off in the driving period of the first subpixel. And driving a line defect to supply the first subpixel to the first subpixel.
상기 라인 결함 방지 단계에서,
상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행되는 유기발광표시장치의 구동방법.
The method of claim 15,
In the line defect prevention step,
And a method of sensing mobility of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel.
상기 정상 구동 단계와 상기 라인 결함 방지 단계 사이에,
상기 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀인 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하여 상기 확인 대상 서브픽셀인 상기 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 단계를 더 포함하고,
상기 불량 서브픽셀 검출 단계는,
상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하되,
상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 상기 제1 기준전압라인의 전압이 상승한 것으로 확인되면, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락이 된 것으로 판단되어, 상기 제1 서브픽셀을 불량 서브픽셀로서 검출하는 유기발광표시장치의 구동방법.
The method of claim 15,
Between the normal driving step and the line fault prevention step,
Detecting a defective subpixel of the plurality of subpixels to determine whether the second transistor in the first subpixel, which is a verification target subpixel, is short-circuited to detect whether the first subpixel that is the verification subpixel is a defective subpixel. More steps,
The bad subpixel detection step,
A first electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel while a second scan signal of a turn-off level voltage is applied to a gate node of a second transistor in the first subpixel On the basis of whether the voltage change in the reference voltage line or the magnitude of the voltage change, it is determined whether or not the short circuit of the second transistor in the target sub-pixel,
The first electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel while a second scan signal of a turn-off level voltage is applied to a gate node of a second transistor in the first subpixel. And if it is determined that the voltage of the first reference voltage line rises, it is determined that a short circuit occurs in the second transistor in the first subpixel, thereby detecting the first subpixel as a defective subpixel.
상기 불량 서브픽셀 검출 단계는,
상기 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-온 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-온 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-온 시키고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-오프 시키는 제1 단계;
상기 제1 단계 이후, 상기 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-오프 시키고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-오프 시키는 제2 단계;
상기 제2 단계 이후, 상기 제1 서브픽셀 내 제1 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제1 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드로 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호를 공급하고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 기준 스위치를 턴-오프 시키고, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인에 연결된 샘플링 스위치를 턴-온 시키는 제3 단계;
상기 샘플링 스위치가 턴-온 됨에 따라, 상기 아날로그 디지털 컨버터가 상기 샘플링 스위치를 통해 전기적으로 연결된 제1 기준전압라인의 전압을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하는 제4 단계; 및
상기 센싱값을 토대로, 제1 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기를 확인하여 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하여, 상기 제1 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 제5 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법.
The method of claim 17,
The bad subpixel detection step,
Supplying a first scan signal of a turn-on level voltage to a gate node of a first transistor in the first subpixel, and a second scan signal of a turn-on level voltage to a gate node of a second transistor in the first subpixel Supply a reference voltage, turn on a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel, and turn on a source node of a second transistor in the first subpixel. Or turning off a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to the drain node;
After the first step, the first scan signal of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the first transistor in the first subpixel, and the turn-off level is supplied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. Supply a second scan signal of a voltage, turn off a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel, and turn off a reference switch in the first subpixel Turning off a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor;
After the second step, the first scan signal of the turn-off level voltage is supplied to the gate node of the first transistor in the first subpixel, and the turn-off level is supplied to the gate node of the second transistor in the first subpixel. Supply a second scan signal of a voltage, turn off a reference switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor in the first subpixel, and turn off a reference switch in the first subpixel Turning on a sampling switch connected to a first reference voltage line electrically connected to a source node or a drain node of a second transistor;
As the sampling switch is turned on, the analog-to-digital converter senses the voltage of the first reference voltage line electrically connected through the sampling switch to convert the sensed voltage into a sensing value corresponding to the digital value. ; And
A fifth step of detecting whether the first subpixel is a defective subpixel by determining whether the second transistor is shorted by checking whether the voltage of the first reference voltage line or the magnitude of the voltage change is short, based on the sensing value A method of driving an organic light emitting display device comprising.
상기 다수의 기준전압라인 중 제1 기준전압라인을 통해 기준전압을 공통으로 공급받는 둘 이상의 서브픽셀 중 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락 된 정보 또는 상기 제1 서브픽셀의 위치정보를 저장하는 메모리; 및
상기 메모리를 참조하여, 상기 제1 서브픽셀 내 제2 트랜지스터가 단락이 된 경우, 상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀에 공급해야 하는 영상데이터를 상기 제1 서브픽셀 내 구동 트랜지스터가 턴-오프 되도록 하는 제1 특정 영상데이터로 교체하여 데이터구동회로로 출력하는 영상데이터 공급기를 포함하는 유기발광표시장치의 컨트롤러.
A plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of reference voltage lines are arranged, and a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are arranged in a matrix type, and the plurality of subpixels Each of the organic light emitting diodes, a driving transistor for driving the organic light emitting diodes, and a first scan signal and electrically connected between the first node of the driving transistors and one of the plurality of data lines. A first transistor, a second transistor controlled by a second scan signal and electrically connected between a second node of the driving transistor and one reference voltage line of the plurality of reference voltage lines, the first node and the second transistor; In the controller of the organic light emitting display device having a capacitor connected electrically between the nodes book,
Among the plurality of reference voltage lines, the second transistor in the first subpixel among the two or more subpixels which are commonly supplied with the reference voltage through the first reference voltage line stores information short-circuited or position information of the first subpixel. Memory; And
When the second transistor in the first subpixel is shorted with reference to the memory, in the driving period of the first subpixel, image data to be supplied to the first subpixel is driven in the first subpixel. And an image data supplier for replacing the transistor with the first specific image data to turn off the transistor and outputting the image data to a data driving circuit.
상기 제1 서브픽셀의 구동 기간에, 상기 제1 서브픽셀과 함께 상기 제1 기준전압라인에 연결된 제2 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도 센싱이 진행되는 유기발광표시장치의 컨트롤러.
The method of claim 19,
And sensing a mobility of a driving transistor in a second subpixel connected to the first reference voltage line together with the first subpixel during a driving period of the first subpixel.
불량 서브픽셀 검출 기간 동안 상기 다수의 서브픽셀 중 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부에 따라 상기 확인 대상 서브픽셀이 불량 서브픽셀인지 아닌지를 검출하는 불량 서브픽셀 검출 회로를 더 포함하고,
상기 불량 서브픽셀 검출 회로는,
상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 턴-오프 레벨 전압의 제2 스캔신호가 인가되고 있는 동안,
상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결된 기준전압라인의 전압 변화 여부 또는 전압 변화 크기에 기초하여, 상기 확인 대상 서브픽셀 내 제2 트랜지스터의 단락 여부를 판단하는 유기발광표시장치의 컨트롤러. The method of claim 19,
A bad subpixel detection circuit for detecting whether the checked subpixel is a bad subpixel or not according to whether a second transistor in the checked subpixel of the plurality of subpixels is shorted during the bad subpixel detection period;
The bad subpixel detection circuit,
While a second scan signal of a turn-off level voltage is applied to a gate node of a second transistor in the verification subpixel,
Determining whether the second transistor in the verification subpixel is shorted based on whether the voltage of the reference voltage line electrically connected to the source node or the drain node of the second transistor in the verification subpixel or the magnitude of the voltage change. Controller of the light emitting display device.
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