KR20170064168A - Organic light emitting display panel, organic light emitting display device and the method for driving the same - Google Patents

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Abstract

본 실시예들은, 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로서, 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위한 시간을 단축시켜주기 위하여, 동일한 기준전압 라인에 전기적으로 연결된 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들에 대한 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드를 일괄적으로 초기화하고, 구동 트랜지스터의 소스 노드의 전압이 문턱전압을 반영하도록 전압 상승이 이루어지는 소스 팔로잉(Source Following) 동작이 일괄적으로 진행되도록 하며, 문턱전압을 반영하는 구동 트랜지스터의 소스 노드의 전압을 실제로 센싱하기 위한 샘플링 과정은 순차적으로 진행되도록 하여, 동일한 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압을 신속하게 센싱 할 수 있게 해주는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display panel, an organic light emitting display, and a driving method thereof. In order to shorten the time for sensing threshold voltages of driving transistors of all subpixels, they are electrically connected to the same reference voltage line In the sensing operation for the subpixels located in the subpixel row, the source node and the source node of the driving transistor are collectively initialized, and the source of the driving transistor is turned on so that the voltage of the source node of the driving transistor reflects the threshold voltage. Hereinafter, the sampling process for actually sensing the voltage of the source node of the driving transistor, which reflects the threshold voltage, is performed in sequence so that the threshold for the driving transistor of the subpixels located in the same subpixel column Allows fast voltage sensing An organic light emitting display panel, an organic light emitting display, and a driving method thereof.

Description

유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND THE METHOD FOR DRIVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display panel, an organic light emitting display,

본 실시예들은 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display panel, an organic light emitting display, and a driving method thereof.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, an organic light emitting diode (OLED) display device that has been popular as a display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, high brightness, and wide viewing angle by using an organic light emitting diode (OLED)

이러한 유기발광표시장치는 유기발광다이오드와 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터를 포함하는 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 서브픽셀들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다. Such an organic light emitting display device arranges subpixels including an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the same in a matrix form and controls the brightness of the subpixels selected by the scan signal according to the gradation of the data.

한편, 각 서브픽셀은 구동 시간이 길어짐에 따라 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 고유 특성치인 문턱전압이 변할 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터의 문턱전압 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 발생시킨다. On the other hand, as the driving time of each sub-pixel increases, the threshold voltage, which is a characteristic value of the driving transistor in each sub-pixel, can be changed. Such a change in the threshold voltage of the driving transistor causes a change in luminance of the corresponding subpixel.

또한, 각 서브픽셀 간의 구동 시간이 서로 다를 수 있기 때문에, 구동 트랜지스터 간의 문턱전압 편차가 발생할 수 있다. In addition, since driving time between subpixels may be different from each other, a threshold voltage deviation between the driving transistors may occur.

이러한 구동 트랜지스터 간의 문턱전압 편차는, 서브픽셀 간 휘도 편차를 발생시켜 유기발광표시패널의 화상 품질을 저하시킬 수 있다. Such a threshold voltage deviation between the driving transistors may cause a luminance deviation between the subpixels, thereby deteriorating the image quality of the organic light emitting display panel.

이에, 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하여 보상해주기 위한 기술들이 개발되고 있다. Accordingly, techniques for sensing and compensating the threshold voltage of the driving transistor have been developed.

하지만, 종래의 기술들은 유기발광표시패널에 배치된 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압을 센싱하기 위하여 너무 오랜 시간이 걸리는 문제점이 있다. However, the conventional techniques have a problem that it takes a long time to sense the threshold voltage of the driving transistors of all the sub-pixels arranged in the organic light emitting display panel.

이와 같이, 유기발광표시패널에 배치된 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위하여 오래하기 위하여 오랜 시간이 걸리게 되면, 전원이 끊어지는 등의 각종 예기치 않은 이유로 인해 센싱 도중에 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 센싱을 하지 못하는 등의 문제점이 발생할 수 있고, 이로 인해, 화면 이상 현상이 발생할 수도 있다. As described above, if it takes a long time to sense the threshold voltage of the driving transistors of all the sub-pixels arranged in the organic light emitting display panel, all the sub-pixels are driven during sensing due to various unexpected reasons such as power- A problem such as failure to sense the transistor may occur. As a result, a screen abnormal phenomenon may occur.

본 실시예들의 목적은, 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위한 시간을 단축시켜줄 수 있는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공하는 데 있다. It is an object of the present embodiments to provide an organic light emitting display panel, an organic light emitting display, and a driving method thereof that can shorten the time for sensing threshold voltages of driving transistors of all subpixels.

본 실시예들의 다른 목적은, 동일한 기준전압 라인에 전기적으로 연결된 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들에 대한 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드를 일괄적으로 초기화하고, 구동 트랜지스터의 소스 노드의 전압이 문턱전압을 반영하도록 전압 상승이 이루어지는 소스 팔로잉(Source Following) 동작이 일괄적으로 진행되도록 하며, 문턱전압을 반영하는 구동 트랜지스터의 소스 노드의 전압을 실제로 센싱하기 위한 샘플링 과정은 순차적으로 진행되도록 하여, 동일한 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압을 신속하게 센싱 할 수 있게 해주는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present embodiments to provide a method of driving a plasma display panel in which a gate node and a source node of a driving transistor are collectively initialized in a sensing operation for subpixels located in a subpixel column electrically connected to the same reference voltage line, The source follow operation in which the voltage is raised so that the voltage is reflected to the threshold voltage and the sampling process for actually sensing the voltage of the source node of the drive transistor that reflects the threshold voltage are sequentially performed An organic light emitting diode (OLED) display panel, and a method of driving the organic light emitting display device, which enable rapid sensing of a threshold voltage of a driving transistor of subpixels located in the same subpixel column.

일 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인 및 다수의 기준전압 라인이 제1방향으로 배치되고, 다수의 게이트 라인이 제2방향으로 배치되며, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 샘플링 스위치를 통해 기준전압 라인과 전기적으로 연결되는 센싱부를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. In one aspect, the present embodiments are characterized in that a plurality of data lines and a plurality of reference voltage lines are arranged in a first direction, a plurality of gate lines are arranged in a second direction, and a plurality of data lines and a plurality of gate lines An organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels to be defined are arranged in a matrix type, a data driver for driving the plurality of data lines, a gate driver for driving the plurality of gate lines, And a sensing unit connected to the organic light emitting diode.

이러한 유기발광표시장치에서 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다. Each of the subpixels in the organic light emitting display includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line, A second transistor electrically connected between the second node and the reference voltage line, and a storage capacitor electrically connected between the first node and the second node of the drive transistor.

유기발광표시장치에서, 센싱 구간 동안, 데이터 드라이버는, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들로 센싱용 데이터 전압을 함께 공급하고, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들로 기준전압을 함께 공급한다. In the organic light emitting display, during the sensing period, the data driver supplies the sensing data voltage together with the subpixels located in the same subpixel column, and supplies the reference voltage together with the subpixels located in the same subpixel column.

유기발광표시장치에서, 센싱 구간 동안, 센싱부는, 샘플링 스위치의 순차적인 스위칭 동작에 따라 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들과 순차적으로 연결될 수 있다. In the organic light emitting display, during the sensing period, the sensing unit may be sequentially connected to the subpixels located in the same subpixel column according to the sequential switching operation of the sampling switch.

다른 측면에서, 본 실시예들은, 제1방향으로 배치된 다수의 데이터 라인과, 제2방향으로 배치된 다수의 게이트 라인과, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의되고 매트릭스 타입으로 배치되는 다수의 서브픽셀을 포함하는 유기발광표시패널을 제공할 수 있다. In another aspect, the present embodiments relate to a liquid crystal display device having a plurality of data lines arranged in a first direction, a plurality of gate lines arranged in a second direction, a plurality of data lines and a plurality of gate lines, The organic light emitting display panel may include a plurality of subpixels.

이러한 유기발광표시패널에서 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다. Each subpixel in the organic light emitting display panel includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line, A second transistor electrically connected between the second node and the reference voltage line, and a storage capacitor electrically connected between the first node and the second node of the drive transistor.

이러한 유기발광표시패널에서, 동일한 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들은, 센싱 구간 동안, 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터가 함께 턴-온 되고, 이후, 제2 트랜지스터가 함께 턴-오프 되고, 이후, 제2 트랜지스터가 순차적으로 턴-온 되었다가 턴-오프 될 수 있다. In this organic light emitting display panel, the subpixels located in the same subpixel column are turned on during the sensing period, the first transistor and the second transistor are turned on together, then the second transistor is turned off together, The transistors may be sequentially turned on and then turned off.

또 다른 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의된 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열되고, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터 및 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터가 배치되는 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공할 수 있다. According to another aspect of the present invention, a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged in a matrix type, and each subpixel has an organic light emitting diode, a drive for driving the organic light emitting diode A first transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line, a second transistor electrically connected between the second node of the driving transistor and the reference voltage line, and a second transistor electrically connected between the first node and the second node of the driving transistor, A data driver for driving the plurality of data lines, and a gate driver for driving the plurality of gate lines may be provided. The organic light emitting diode display panel may include a storage capacitor electrically connected to the organic light emitting diode .

이러한 구동 방법은, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 함께 턴-온 시키는 일괄 초기화 단계와, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 제2 트랜지스터를 함께 턴-오프 시키는 일괄 트래킹 단계와, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 제2 트랜지스터를 순차적으로 턴-온 시켰다가 턴-오프 시키는 순차 샘플링 단계를 포함할 수 있다. The driving method includes a batch initialization step of turning on the first transistor and the second transistor of the subpixels located in the same subpixel row together and the collective initialization step of turning on the second transistor of the subpixels located in the same subpixel column together, And a sequential sampling step of sequentially turning on and off the second transistor of the subpixels located in the same subpixel column.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위한 시간을 단축시켜줄 수 있는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments described above, it is possible to provide an organic light emitting display panel, an organic light emitting display, and a driving method thereof that can shorten the time for sensing threshold voltages of driving transistors of all subpixels.

또한, 본 실시예들에 의하면, 동일한 기준전압 라인에 전기적으로 연결된 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들에 대한 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드를 일괄적으로 초기화하고, 구동 트랜지스터의 소스 노드의 전압이 문턱전압을 반영하도록 전압 상승이 이루어지는 소스 팔로잉(Source Following) 동작이 일괄적으로 진행되도록 하며, 문턱전압을 반영하는 구동 트랜지스터의 소스 노드의 전압을 실제로 센싱하기 위한 샘플링 과정은 순차적으로 진행되도록 하여, 동일한 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압을 신속하게 센싱 할 수 있게 해주는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다.According to the embodiments, when sensing driving for subpixels located in a subpixel column electrically connected to the same reference voltage line, the gate and source nodes of the driving transistor are collectively initialized, and the source node The source follow operation in which the voltage is raised so that the voltage of the source transistor of the driving transistor reflects the threshold voltage is sampled and the sampling process for actually sensing the voltage of the source node of the driving transistor, An organic light emitting diode (OLED) display panel, and a method of driving the organic light emitting display device, which enable rapid sensing of a threshold voltage of a driving transistor of a subpixel located in the same subpixel column.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로의 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압 센싱 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널의 모든 서브픽셀을 센싱하는 절차를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 번들 센싱(Bundle Sensing) 방법의 흐름도이다.
도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 번들 센싱(Bundle Sensing) 시, 동일 서브픽셀 열에 위치한 각 서브픽셀 내 2가지 트랜지스터(T1, T2)의 동작 타이밍과, 주요 스위치의 동작 타이밍과, 동일 서브픽셀 열에 위치한 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 번들 센싱 시, 일괄 초기화 단계를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 번들 센싱 시, 일괄 트래킹 단계를 나타낸 도면이다.
도 11 내지 도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 번들 센싱 시, 순차 샘플링 단계를 나타낸 도면이다.
1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display according to the present embodiments.
2 is an exemplary view illustrating a sub-pixel structure of an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
3 is an illustration of an example of a compensation circuit of an organic light emitting display according to the present embodiments.
4 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing method for a driving transistor of an organic light emitting display according to the present embodiments.
FIGS. 5 and 6 are diagrams for explaining a procedure of sensing all the sub-pixels of the organic light emitting display panel according to the present embodiments.
7 is a flowchart of a bundle sensing method of an OLED display according to the present embodiments.
8 is a timing chart showing the operation timings of the two transistors T1 and T2 in each sub-pixel positioned in the same sub-pixel column and the operation timing of the main switch in the bundle sensing of the organic light emitting display according to the present embodiments. And a voltage change of the second node of the driving transistor in each sub-pixel located in the same sub-pixel column.
9 is a diagram illustrating a batch initialization step in the bundle sensing of the OLED display according to the present embodiments.
FIG. 10 is a view showing a collective tracking step in the bundle sensing of the OLED display according to the present embodiments.
FIGS. 11 to 14 illustrate sequential sampling steps in the bundle sensing of the OLED display according to the present embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 시스템 구성도이다. FIG. 1 is a system configuration diagram of an organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL)과 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되며, 다수의 데이터 라인(DL)과 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1, the OLED display 100 includes a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL, a plurality of data lines DL, An OLED display panel 110 in which a plurality of subpixels SP defined by a gate line GL are arranged in a matrix type, a data driver 120 driving a plurality of data lines DL, A gate driver 130 for driving the gate line GL, a controller 140 for controlling the data driver 120 and the gate driver 130, and the like.

유기발광표시패널(110)에는 제1방향(예: 열 방향)으로 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고, 제2방향(예: 행 방향)으로 다수의 게이트 라인(GL)이 배치된다. A plurality of data lines DL are arranged in a first direction (e.g., a column direction) and a plurality of gate lines GL are arranged in a second direction (e.g., a row direction).

유기발광표시패널(110)에는, 다수의 데이터 라인(DL)뿐만 아니라, 다수의 기준전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 및 다수의 구동전압 라인(DVD: Driving Voltage Line) 등 제1방향으로 배치될 수 있다. The OLED display panel 110 is provided with a plurality of data lines DL as well as a plurality of reference voltage lines RVL and a plurality of driving voltage lines .

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The controller 140 supplies various control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 to control the data driver 120 and the gate driver 130.

이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, switches the input image data input from the outside according to the data signal format used by the data driver 120, and outputs the converted image data , And controls the data driving at a suitable time according to the scan.

이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. The controller 140 may be a timing controller used in a conventional display technology or a control device including a timing controller to perform other control functions.

데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The data driver 120 drives the plurality of data lines DL by supplying data voltages to the plurality of data lines DL. Here, the data driver 120 is also referred to as a 'source driver'.

이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit (SDIC).

게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The gate driver 130 sequentially supplies the scan signals to the plurality of gate lines GL to sequentially drive the plurality of gate lines GL. Here, the gate driver 130 is also referred to as a " scan driver ".

이러한 게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The gate driver 130 may include at least one gate driver integrated circuit (GDIC).

게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다. The gate driver 130 sequentially supplies a scan signal of an On voltage or an Off voltage to the plurality of gate lines GL under the control of the controller 140.

데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the gate driver 130, the data driver 120 converts the image data received from the controller 140 into an analog data voltage and supplies the data voltage to a plurality of data lines DL.

데이터 드라이버(120)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the data driver 120 is located only on one side (e.g., on the upper side or the lower side) of the organic light emitting display panel 110, : Upper side and lower side).

게이트 드라이버(130)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. 1, the gate driver 130 is located only on one side (e.g., the left side or the right side) of the organic light emitting display panel 110. However, the gate driver 130 may be disposed on both sides of the organic light emitting display panel 110 For example, left and right).

전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The controller 140 described above is capable of outputting various kinds of signals including the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the input data enable signal (DE), and the clock signal (CLK) Timing signals from the outside (e.g., the host system).

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The controller 140 receives a timing signal such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, an input DE signal, and a clock signal to control the data driver 120 and the gate driver 130, And generates various control signals and outputs them to the data driver 120 and the gate driver 130.

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the gate driver 130, the controller 140 generates a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), a gate output enable signal GOE Gate Output Enable), and the like.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 130. The gate shift clock GSC is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits, and controls the shift timing of the scan signal (gate pulse). The gate output enable signal GOE specifies the timing information of one or more gate driver ICs.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In order to control the data driver 120, the controller 140 may further include a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), a source output enable signal (SOE) And outputs various data control signals (DCS: Data Control Signals).

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 120. The source sampling clock SSC is a clock signal for controlling sampling timing of data in each of the source driver integrated circuits. The source output enable signal SOE controls the output timing of the data driver 120.

데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may drive a plurality of data lines including at least one source driver integrated circuit (SDIC).

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 유기발광표시패널(110)에 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) Or may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110, and may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110, as the case may be. In addition, each source driver integrated circuit (SDIC) may be implemented by a chip on film (COF) method, which is mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC), as the case may be.

게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. The gate driver 130 may include at least one gate driver integrated circuit (GDIC).

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. Each gate driver integrated circuit GDIC may be connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) ) Type and may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110 or may be integrated on the organic light emitting display panel 110 as the case may be. In addition, each gate driver IC (GDIC) may be implemented by a chip on film (COF) method, which is mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110.

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver IC (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 대한 회로적인 연결을 위해 필요한 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB: Source Printed Circuit Board)과 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. The OLED display 100 according to the present embodiments includes at least one source printed circuit board (S-PCB) necessary for circuit connection to at least one source driver IC (SDIC) And a control printed circuit board (C-PCB) for mounting control components and various electric devices.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)에는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 되거나, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름이 연결될 수 있다. At least one source driver integrated circuit (SDIC) may be mounted on at least one source printed circuit board (S-PCB), or a film on which at least one source driver integrated circuit (SDIC) is mounted may be connected.

컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러 등이 실장 될 수 있다. The control printed circuit board (C-PCB) is provided with a controller 140 for controlling the operation of the data driver 120 and the gate driver 130 and the like, and a controller 140 for controlling operations of the organic light emitting display panel 110, the data driver 120, A power controller for controlling various voltages or currents to supply or supply various voltages or currents to the battery 130, or the like.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. The at least one source printed circuit board (S-PCB) and the control printed circuit board (C-PCB) may be circuitly connected via at least one connecting member.

여기서, 연결 부재는 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. Here, the connecting member may be a flexible printed circuit (FPC), a flexible flat cable (FFC), or the like.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (S-PCB) and a control printed circuit board (C-PCB) may be integrated into one printed circuit board.

유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다. Each sub-pixel SP disposed in the organic light emitting display panel 110 may include a circuit element such as a transistor.

일 예로, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. For example, each sub-pixel SP includes circuit elements such as an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor for driving the organic light emitting diode (OLED).

각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The types and the number of the circuit elements constituting each subpixel SP can be variously determined depending on the providing function, the design method, and the like.

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도이다. 2 is an exemplary view of a sub-pixel structure of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1노드(N1)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되는 제2트랜지스터(T2)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2, in the OLED display 100 according to the present embodiment, each sub-pixel includes an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor A first transistor T1 for transmitting a data voltage to a first node N1 corresponding to a gate node of the driving transistor DRT; A second transistor T2 electrically connected between a reference voltage line RVL for supplying a reference voltage Vref and a data voltage corresponding to a video signal voltage, And a storage capacitor (Cstg: Storage Capacitor) that holds the voltage for one frame time.

유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a first electrode (e.g., an anode electrode), an organic layer, and a second electrode (e.g., a cathode electrode).

구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.

구동 트랜지스터(DRT)에서, 제1노드(N1)는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있으며, 게이트 노드일 수 있다. 제2노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. In the driving transistor DRT, the first node N1 may be electrically connected to the source node or the drain node of the first transistor T1, and may be a gate node. The second node N2 may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED and may be a source node or a drain node. The third node N3 may be electrically connected to a driving voltage line (DVL) for supplying a driving voltage EVDD, and may be a drain node or a source node.

제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The first transistor T1 is electrically connected between the data line DL and the first node N1 of the driving transistor DRT and receives the scan signal SCAN through the gate line have.

이러한 제1 트랜지스터(T1)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 may be turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT .

제2 트랜지스터(T2)는 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가 받아 제어될 수 있다. The second transistor T2 may be controlled by receiving a sensing signal SENSE as a kind of a scan signal to the gate node.

이러한 제2 트랜지스터(T2)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어 기준전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가해준다. The second transistor T2 is turned on by the sensing signal SENSE and applies a reference voltage Vref supplied through the reference voltage line RVL to the second node N2 of the driving transistor DRT .

또한, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the second transistor T2 may be utilized as one of the voltage sensing paths for the second node N2 of the driving transistor DRT.

구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)는, 도 2의 예시와 같이 n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다.The driving transistor DRT, the first transistor T1 and the second transistor T2 may be implemented as an n-type or a p-type as illustrated in FIG.

스토리지 캐패시터(Cstg)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The storage capacitor Cstg may be electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the first node N1.

이러한 스토리지 캐패시터(Cstg)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cstg is not a parasitic capacitor (e.g., Cgs or Cgd) which is an internal capacitor existing between the second node N2 of the driving transistor DRT and the first node N1, And is an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor DRT.

한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through another gate line.

경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다. In some cases, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sense signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line.

한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라 각 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 고유 특성치인 문턱전압이 변할 수 있다. In the OLED display 100 according to the present embodiment, as the driving time of each sub-pixel SP becomes longer, the threshold voltage, which is a characteristic value of the driving transistor DRT in each sub-pixel SP, Can change.

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변화는 해당 서브픽셀(SP)의 휘도 변화를 야기한다. Such a threshold voltage change of the driving transistor DRT causes a luminance change of the corresponding sub-pixel SP.

또한, 각 서브픽셀(SP) 간의 구동 시간이 서로 다를 수 있기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차가 발생할 수 있고, 이에 따라 서브픽셀 간 휘도 편차가 야기된다. In addition, since the driving time between the sub-pixels SP may be different from each other, a threshold voltage deviation may occur between the driving transistors DRT, resulting in a luminance deviation between the sub-pixels.

이에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 각 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(또는 문턱전압 변화) 또는 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차를 센싱하는 “센싱 기능”과, 센싱 결과를 이용하여 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차 또는 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차를 보상해주는 “보상 기능”을 제공할 수 있다. Accordingly, the OLED display 100 according to the present embodiment includes a " sensing function " for sensing a threshold voltage (or a threshold voltage change) or a threshold voltage deviation between the driving transistors DRT of each driving transistor DRT Quot; compensating function " for compensating for the threshold voltage deviation between the driving transistors DRT or the luminance deviation between the subpixels SP using the sensing result.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 기능 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 도 3에 예시된 보상 회로를 포함할 수 있다. The OLED display 100 according to the present embodiments may include the compensation circuit illustrated in FIG. 3 in order to provide a sensing function and a compensation function.

도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로에 대한 예시도이다. 3 is an exemplary view of a compensation circuit of the OLED display 100 according to the present embodiments.

도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변화 또는 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차를 센싱하여 센싱 데이터를 출력하는 센싱부(310)와, 센싱 데이터를 저장하는 메모리(320)와, 센싱 데이터를 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변화 또는 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(330) 등을 포함할 수 있다. 3, the organic light emitting diode display 100 according to the present invention includes a sensing unit sensing a threshold voltage change of the driving transistor DRT or a threshold voltage deviation between the driving transistors DRT and outputting sensing data A memory 320 for storing sensing data and a compensation unit for compensating for a threshold voltage variation between the driving transistor DRT and a threshold voltage change of the driving transistor DRT using the sensing data, 330), and the like.

센싱부(310)는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. The sensing unit 310 may include at least one analog-to-digital converter (ADC).

각 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다. Each analog-to-digital converter (ADC) may be included inside the source driver integrated circuit (SDIC) and, in some cases, may be included outside the source driver integrated circuit (SDIC).

보상부(330)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있다. The compensation unit 330 may be included inside the controller 140 and, in some cases, may be included outside the controller 140.

센싱부(310)에서 출력되는 센싱 데이터는, 일 예로, LVDS (Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다. The sensing data output from the sensing unit 310 may be, for example, a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) data format.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 문턱전압 센싱 상태를 제어하기 위하여 초기화 스위치(SPRE)와 샘플링 스위치(SAM)를 더 포함할 수 있다. The OLED display 100 according to the present embodiment may further include an initialization switch SPRE and a sampling switch SAM for controlling the threshold voltage sensing state.

초기화 스위치(SPRE)는 기준전압 공급 노드(Nref)와 기준전압 라인(RVL) 간의 연결을 스위칭 해준다. The initialization switch SPRE switches the connection between the reference voltage supply node Nref and the reference voltage line RVL.

초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준전압 공급 노드(Nref)와 기준전압 라인(RVL)이 연결되면, 기준전압 라인(RVL)으로 기준전압(Vref)이 공급된다. When the initialization switch SPRE is turned on, when the reference voltage supply node Nref is connected to the reference voltage line RVL, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL.

초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되고, 제2 트랜지스터(T2)도 턴-온 되면, 기준전압(Vref)이 기준전압 라인(RVL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 인가될 수 있다. When the initialization switch SPRE is turned on and the second transistor T2 is also turned on, the second transistor T2 is turned on by supplying the reference voltage Vref to the reference voltage line RVL. To the second node N2 of the driving transistor DRT.

샘플링 스위치(SAM)는 기준전압 라인(RVL)과 센싱부(310) 간의 연결을 스위칭 해준다. The sampling switch (SAM) switches the connection between the reference voltage line (RVL) and the sensing unit (310).

한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 반영하는 전압 상태가 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 등 전위일 수 있는 기준전압 라인(RVL)의 전압도 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 반영하는 전압 상태가 될 수 있다. On the other hand, when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the threshold voltage of the driving transistor DRT, the potential of the second node N2 of the driving transistor DRT, The voltage of the reference voltage line RVL may also be a voltage state reflecting the threshold voltage of the driving transistor DRT.

이때, 기준전압 라인(RVL) 상에 형성된 라인 캐패시터(Cp)에 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 반영하는 전압이 충전될 수 있다. At this time, a voltage reflecting the threshold voltage of the driving transistor DRT may be charged in the line capacitor Cp formed on the reference voltage line RVL.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 반영하는 전압 상태가 되면, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(310)와 기준전압 라인(RVL)이 연결될 수 있다. When the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the threshold voltage of the driving transistor DRT, the sampling switch SAM is turned on, A line (RVL) may be connected.

이에 따라, 센싱부(310)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태인 기준전압 라인(RVL)의 전압을 센싱한다. Accordingly, the sensing unit 310 senses the voltage of the reference voltage line RVL, which is a voltage state reflecting the threshold voltage of the driving transistor DRT or its change.

즉, 센싱부(310)는 기준전압 라인(RVL)과 연결되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압으로서, 기준전압 라인(RVL)의 전압 또는 기준전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터(Cp)에 충전된 전압을 센싱한다. That is, when the sensing unit 310 is connected to the reference voltage line RVL, the voltage of the reference voltage line RVL or the voltage of the reference voltage line RVL as the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT And senses the voltage charged in the line capacitor Cp.

센싱부(310)에서 센싱된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 편차(ΔVth)을 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth)일 수도 있다. The voltage sensed by the sensing unit 310 may be a voltage value Vdata-Vth or Vdata-? Vth including the threshold voltage Vth or the threshold voltage deviation? Vth of the driving transistor DRT.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동에 대하여 간략하게 설명한다. In the following, the threshold voltage sensing operation for the driving transistor DRT will be briefly described.

도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 방식을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing method for the driving transistor DRT of the OLED display 100 according to the present embodiments.

구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 각각에 정 전압을 인가해주는 초기화 단계, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 문턱전압(Vth)을 반영하는 전압을 추적하는 트래킹 단계, 문턱전압(Vth)을 반영하는 전압을 센싱하는 샘플링 단계로 진행된다. The threshold voltage sensing operation for the driving transistor DRT is performed by an initializing step of applying a positive voltage to each of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, A tracking step in which the voltage of the node N2 tracks a voltage reflecting the threshold voltage Vth and a sampling step of sensing a voltage reflecting the threshold voltage Vth.

초기화 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 각각은 기준전압(Vref)과 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화된다. In the initialization step, the second node N2 and the first node N1 of the driving transistor DRT are initialized to the reference voltage Vref and the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata, respectively.

이후, 트래킹 단계는, 초기화 스위치(SPRE)이 오프 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 플로팅(Floating) 되면서 시작한다. 이때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 될 수도 있다. Thereafter, the tracking starts with the initialization switch SPRE being off and the second node N2 of the driving transistor DRT floating. At this time, the second transistor T2 may be turned off.

트래킹 단계에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승한다. In the tracking step, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 포화하게 된다. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and then the rising width gradually decreases and becomes saturated.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage deviation Vth .

이와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 포화된 시점 이후부터, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. As described above, the sampling step can be started after the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes saturated.

샘플링 단계가 진행되면, 센싱부(310)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 포화되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 포화된 전압을 센싱한다. The sensing unit 310 senses the saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT when the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes saturated.

센싱부(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 편차(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다. The voltage Vsen sensed by the sensing unit 310 is a voltage Vdata-Vth obtained by subtracting the threshold voltage Vth from the data voltage Vdata or a voltage Vdata-Vth obtained by subtracting the threshold voltage deviation Vth from the data voltage Vdata Vdata -? Vth).

센싱부(310)는 문턱전압 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값(센싱 값)을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력한다. The sensing unit 310 converts the sensed voltage Vsen into a digital value for sensing a threshold voltage, and generates and outputs sensing data including the converted digital value (sensing value).

센싱부(310)에서 출력된 센싱 데이터는 메모리(320)에 저장되거나 보상부(330)로 제공될 수 있다. The sensing data output from the sensing unit 310 may be stored in the memory 320 or may be provided to the compensating unit 330.

보상부(330)는 메모리(320)에 저장되거나 센싱부(310)에서 제공된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 파악하고, 문턱전압 보상 프로세스를 수행할 수 있다. The compensation unit 330 can determine the threshold voltage of the driving transistor DRT in the corresponding sub pixel based on the sensing data stored in the memory 320 or provided by the sensing unit 310 and perform the threshold voltage compensation process.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 변화는 이전 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하거나, 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다. Here, the threshold voltage change of the driving transistor DRT means that the current sensing data is changed based on the previous sensing data, or the current sensing data is changed based on the reference sensing data.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 또는 문턱전압 변화를 비교해보면, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱전압 편차를 파악할 수 있다. Here, when comparing the threshold voltage or the threshold voltage change between the driving transistors DRT, the threshold voltage deviation between the driving transistors DRT can be grasped.

문턱전압 보상 프로세스는, 문턱전압 또는 문턱전압 편차(문턱전압 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(320)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The threshold voltage compensating process calculates a compensation value for compensating a threshold voltage or a threshold voltage deviation (threshold voltage change), stores the calculated compensation value in the memory 320, or stores the corresponding video data Data ). ≪ / RTI >

보상부(330)는 문턱전압 보상 프로세스를 통해 영상 데이터(Data)를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The compensation unit 330 may change the image data Data through the threshold voltage compensation process and supply the changed data to the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) in the data driver 120.

이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 보상부(330)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter, 340)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 문턱전압 보상이 실제로 이루어지게 된다. Accordingly, the source driver integrated circuit (SDIC) converts the data changed by the compensating unit 330 into a data voltage through a digital to analog converter (DAC) 340 and supplies the data voltage to the corresponding subpixel, The voltage compensation actually takes place.

이러한 문턱전압 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다. As the threshold voltage characteristic value compensation is performed, luminance deviation between subpixels is reduced or prevented, thereby improving image quality.

한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 사용자 입력 등에 따라 파워 오프 신호가 발생한 이후, 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱할 수 있다. On the other hand, in the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment, the threshold voltage of the driving transistor DRT in each sub-pixel disposed in the organic light emitting display panel 110 after a power- Can be sensed.

도 5 및 도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀들을 센싱하는 절차를 설명하기 위한 도면이다.5 and 6 are views for explaining a procedure of sensing all the subpixels arranged in the organic light emitting display panel 110 according to the present embodiments.

기준전압 라인(RVL)은 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. The reference voltage lines RVL may be arranged one for each sub-pixel column, or one for each of two or more sub-pixel columns.

도 5에 도시된 바와 같이, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀로 구성된 경우, 기준전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. As shown in FIG. 5, when one pixel is composed of four subpixels, one reference voltage line RVL may be arranged for every four subpixel rows.

도 5를 참조하면, 유기발광표시패널(110)에 4m개의 서브픽셀 열(C1, C2, … , C4m)이 있는 경우, m(=4m/4) 개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)이 배치될 수 있다. Referring to FIG. 5, m (= 4m / 4) reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., and C4m are provided when the OLED display panel 110 includes 4m sub- RVLm may be disposed.

가령, 1개의 픽셀이 적색 서브픽셀(R), 흰색 서브픽셀(W), 청색 서브픽셀(B), 녹색 서브픽셀(G))로 구성된 경우, 기준전압 라인(RVL)은 적색 서브픽셀 열(C1, C5, … , C4m-3), 흰색 서브픽셀 열(C2, C6, … ,C4m-2), 청색 서브픽셀 열(C3, C7, … , C4m-1), 녹색 서브픽셀 열(C4, C8, C4m)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. (For example, one pixel is composed of a red subpixel R, a white subpixel W, a blue subpixel B, and a green subpixel G), the reference voltage line RVL is a red subpixel column The blue subpixel columns C3, C7, ..., C4m-1, the green subpixel columns C4, C5, ..., C4m-3, the white subpixel columns C2, C6, ..., C4m- C8, and C4m, respectively.

도 5에 도시된 바와 같이, 기준전압 라인(RVL)이 4개의 서브픽셀(R, W, B, G)이 공유하는 경우, 4개의 서브픽셀(R, W, B, G)에 대한 센싱이 동시에 이루어질 수 없다. 5, when the reference voltage line RVL is shared by four subpixels R, W, B, and G, the sensing for the four subpixels R, W, B, It can not be done at the same time.

도 6을 참조하면, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀에 대한 문턱전압을 모두 센싱 해야 하는 센싱 구동 구간이 시작하면, 서브픽셀 행 단위로 센싱 구동을 진행한다. Referring to FIG. 6, when a sensing driving period for sensing all the threshold voltages of all the subpixels arranged in the organic light emitting display panel 110 starts, the sensing driving is performed for each subpixel row.

즉, 각 서브픽셀 행에 위치한 서브픽셀들에 대한 센싱 구동이 완료되면 그 다음 서브픽셀 행에 위치한 서브픽셀들에 대한 센싱 구동을 진행한다. That is, when the sensing operation for the subpixels located in each subpixel row is completed, the sensing operation for the subpixels located in the next subpixel row is performed.

도 5 및 도 6을 참조하면, 첫 번째 서브픽셀 행(R1)에서, m개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)을 이용하여 m개의 적색 서브픽셀(R)을 동시에 센싱하고, 이후, m개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)을 이용하여 m개의 흰색 서브픽셀(W)을 동시에 센싱하고, 이후, m개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)을 이용하여 m개의 청색 서브픽셀(B)을 동시에 센싱하고, 이후, m개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)을 이용하여 m개의 녹색 서브픽셀(G)을 동시에 센싱한다. 5 and 6, in the first sub-pixel row R1, m red sub-pixels R are simultaneously sensed using m reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., RVLm, , m reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., RVLm are used to simultaneously detect m white subpixels W, and then, by using m reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., RVLm, m blue subpixels B at the same time and then simultaneously detects m green subpixels G using m reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., RVLm.

두 번째 서브픽셀 행(R2)에서, m개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)을 이용하여 m개의 적색 서브픽셀(R)을 동시에 센싱하고, 이후, m개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)을 이용하여 m개의 흰색 서브픽셀(W)을 동시에 센싱하고, 이후, m개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)을 이용하여 m개의 청색 서브픽셀(B)을 동시에 센싱하고, 이후, m개의 기준전압 라인(RVL1, RVL2, … , RVLm)을 이용하여 m개의 녹색 서브픽셀(G)을 동시에 센싱한다. In the second subpixel row R2, m red subpixels R are simultaneously sensed using m reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., RVLm, and then m reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., RVLm to simultaneously detect m blue subpixels W using m reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., RVLm, And simultaneously sensing m green subpixels G using m reference voltage lines RVL1, RVL2, ..., RVLm.

이러한 방식으로, 마지막 서브픽셀 행(Rn)에 위치한 m개의 적색 서브픽셀(R), m개의 흰색 서브픽셀(W), m개의 청색 서브픽셀(B), m개의 녹색 서브픽셀(G)에 대한 센싱까지 완료되면, 유기발광표시패널(110)에 위치한 모든 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 모두 센싱 하게 된다. In this manner, for the red subpixels R, m white subpixels W, m blue subpixels B, and m green subpixels G located in the last subpixel row Rn, When the sensing is completed, the threshold voltages of all the driving transistors DRT in all the sub-pixels located in the organic light emitting display panel 110 are sensed.

전술한 바와 같이, 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀에서의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압을 모두 센싱하기 위해서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 포화하는데 오랜 시간이 걸리는 점과, 서브픽셀 행 단위로 문턱전압 센싱 구동이 진행되는 점 때문에, 꽤 긴 시간을 필요로 한다. As described above, in order to sense all the threshold voltages of the driving transistor DRT in all the sub-pixels arranged in the organic light emitting display panel 110, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT It takes a long time to saturate and a considerably long time is required because the threshold voltage sensing drive progresses in units of subpixel rows.

이와 같이, 유기발광표시패널에 배치된 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 문턱전압을 센싱하기 위하여 오래하기 위하여 오랜 시간이 걸리게 되면, 전원이 끊어지는 등의 각종 예기치 않은 이유로 인해 센싱 도중에 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 센싱을 하지 못하는 등의 문제점이 발생할 수 있고, 이로 인해, 화면 이상 현상이 발생할 수도 있다. As described above, if it takes a long time to sense the threshold voltage of the driving transistors of all the sub-pixels arranged in the organic light emitting display panel, all the sub-pixels are driven during sensing due to various unexpected reasons such as power- A problem such as failure to sense the transistor may occur. As a result, a screen abnormal phenomenon may occur.

이에, 본 실시예들은, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들에 대한 센싱 구동을 동시에 진행하여 센싱 시간을 단축할 수 있는 번들 센싱(Bundle Sensing) 방법을 제공한다. Accordingly, the present embodiments provide a bundle sensing method capable of shortening the sensing time by simultaneously driving the sensing for the subpixels located in the same subpixel row.

도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 번들 센싱(Bundle Sensing) 방법의 흐름도이고, 도 8은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 번들 센싱(Bundle Sensing) 시, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn) 각각의 2가지 트랜지스터(T1, T2)의 동작 타이밍과, 주요 스위치(SPRE, SAM)의 동작 타이밍과, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn) 각각의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 변화를 나타낸 도면이고, 도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 번들 센싱 시, 일괄 초기화 단계를 나타낸 도면이고, 도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 번들 센싱 시, 일괄 트래킹 단계를 나타낸 도면이고, 도 11 내지 도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 번들 센싱 시, 순차 샘플링 단계를 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a flow chart of a method of bundle sensing of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment. FIG. 8 is a flow chart of a bundle sensing method of the OLED display 100 according to the present embodiment. ), The operation timings of the two transistors T1 and T2 of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column and the operation timings of the main switches SPRE and SAM are the same 9 shows a voltage change of the second node N2 of the driving transistor DRT of each of the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the subpixel column. FIG. 10 is a view showing a collective tracking step in the bundle sensing of the organic light emitting diode display 100 according to the present embodiment, and FIG. 11 14A to 14C are diagrams illustrating a case where during the bundle sensing of the OLED display 100 according to the present embodiment, A diagram showing.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 대한 센싱 구동을 함께 진행하는 번들 센싱 방법을 제공한다. The organic light emitting diode display 100 according to the present embodiments provides a bundle sensing method for simultaneously driving the sensing operation for the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column.

한편, 문턱전압 센싱은 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)를 데이터 전압(Vdata)과 기준전압(Vref)로 초기화하는 초기화 과정과, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압을 문턱전압을 반영하는 전압까지 상승하게 하는 트래킹 과정과, 문턱전압을 반영하는 전압을 기준전압 라인(RVL)을 통해 실제로 센싱하는 샘플링 과정으로 진행된다. The threshold voltage sensing is performed in the initialization process of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT to the data voltage Vdata and the reference voltage Vref, A tracking process of raising the voltage of the second node N2 to a voltage reflecting the threshold voltage and a sampling process of actually sensing the voltage reflecting the threshold voltage through the reference voltage line RVL.

이와 관련하여, 본 실시예들에 따른 번들 센싱 방법은, 도 8에 도시된 바와 같이, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 대한 초기화 과정 및 트래킹 과정을 함께 진행하고, 샘플링 과정은 순차적으로 진행한다. In this regard, the bundle sensing method according to the present exemplary embodiment includes an initialization process and a tracking process for the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column as shown in FIG. 8 And the sampling process proceeds sequentially.

도 7을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 번들 센싱(Bundle Sensing) 방법은, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn, n은 2 이상의 자연수)의 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)를 함께 턴-온(Turn-On) 시키는 일괄 초기화 단계(S710)와, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)를 함께 턴-오프(Turn-Off) 시키는 일괄 트래킹 단계(S720)와, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)를 순차적으로 턴-온(Turn-On) 시켰다가 턴-오프(Turn-Off) 시키는 순차 샘플링 단계(S730) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7, a method of bundle sensing an organic light emitting display 100 according to the present invention is characterized in that sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn, n located in the same sub- A batch initialization step (S710) of turning on the first transistor (T1) and the second transistor (T2) of the first subpixel (SP1, SP2, Step S720 of turning off the second transistor T2 of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn, (S730), which sequentially turns on and turns off the second transistor (T2) of the second transistor (T2).

제1 트랜지스터(T1)의 온-오프는 스캔신호(SCAN)에 의해 제어되며, 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프는 센싱 신호(SENSE)에 의해 제어된다. The on / off of the first transistor T1 is controlled by the scan signal SCAN and the on / off of the second transistor T2 is controlled by the sense signal SENSE.

전술한 구동 방법에 따르면, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 대한 초기화 및 트래킹을 일괄적으로 진행하고 샘플링을 순차적으로 진행함으로써, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)을 모두 센싱하는 데 걸리는 총 시간을 매우 줄일 수 있다.According to the driving method described above, the initialization and tracking of the subpixels (SP1, SP2, ..., SPn) located in the same subpixel column are performed collectively and sampling is sequentially performed, It is possible to greatly reduce the total time taken to sense all of the pixels SP1, SP2, ..., SPn.

동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 대한 초기화 과정을 함께 진행하는 일괄 초기화 단계(S710)에서, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 데이터 드라이버(120)는, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)로 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 함께 공급하고, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)로 기준전압(Vref)을 함께 공급한다. In the batch initialization step S710 in which the initialization process for the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column is performed together, the data of the OLED display 100 according to the present embodiments The driver 120 supplies the sensing data voltage Vdata together with the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column and supplies the sensing data voltage Vdata to the subpixels SP1, SP2 , ..., SPn to the reference voltage Vref.

즉, 일괄 초기화 단계(S710)에서, 데이터 드라이버(120)는, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 센싱용 데이터 전압(Vdata)을 함께 공급하고, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)로 기준전압(Vref)을 함께 공급할 수 있다. In other words, in the batch initialization step S710, the data driver 120 supplies the driving current to the first node N1 of the driving transistor DRT of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub- The reference voltage Vref is supplied to the second node N2 of the driving transistor DRT of the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column, Can be supplied together.

이러한 데이터 드라이버(120)의 동작에 따라, 동일한 기준전압 라인(RVL)에 전기적으로 연결된 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 포함된 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)를 일괄적으로 초기화 시켜줄 수 있다. The driving transistor DRT included in the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column electrically connected to the same reference voltage line RVL according to the operation of the data driver 120 The first node N1 and the second node N2 can be collectively initialized.

도 8 및 도 10을 참조하면,동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 대한 트래킹 과정을 함께 진행하는 일괄 트래킹 단계(S720)에서, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 일괄적으로 플로팅 되어 전압 상승이 이루어진다. 8 and 10, in a collective tracking step (S720) in which a tracking process for subpixels (SP1, SP2, ..., SPn) located in the same subpixel column is performed together, The second node N2 of the driving transistor DRT of the pixels SP1, SP2, ..., SPn is collectively floated to raise the voltage.

즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 소스 노드라고 가정하는 경우, 일괄 트래킹 단계(S720)에서, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)는 동시에 소스 팔로잉(Source Following) 동작을 한다. That is, when it is assumed that the second node N2 of the driving transistor DRT is the source node, in the collective tracking step S720, the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column The driving transistor DRT simultaneously performs a source following operation.

이와 같이, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 일괄적으로 플로팅 되어 전압 상승이 동시에 진행됨으로써, 즉, 문턱전압 센싱 시 가장 많은 시간이 걸리는 트래킹 과정이 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에서 동시에 진행됨으로써, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 모두 센싱하는 데 걸리는 시간을 매우 줄일 수 있다. In this manner, the second node N2 of the driving transistor DRT of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column is collectively floated, SP2,..., SPn located in the same subpixel row simultaneously, the tracking process, which takes the longest time in sensing the threshold voltage, proceeds at the same time so that the subpixels SP1, SP2,. The time required for sensing all the threshold voltages of the driving transistors DRT of the transistors Tr1, ..., SPn can be greatly reduced.

동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 대한 샘플링 과정을 순차적으로 진행하는 순차 샘플링 단계(S730)에서, 샘플링 스위치(SAM)는 순차적으로 스위치 동작을 수행하고, 센싱부(310)는 샘플링 스위치(SAM)의 순차적인 스위칭 동작에 따라 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)과 순차적으로 연결된다. In the sequential sampling step S730 in which the sampling process for the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column is sequentially performed, the sampling switch SAM sequentially performs the switching operation, The sensing unit 310 is sequentially connected to the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column according to the sequential switching operation of the sampling switch SAM.

전술한 바와 같이, 동일한 기준전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결될 수 있는 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 대한 초기화 과정 및 트래킹 과정을 일괄적으로 진행하고 샘플링 과정(센싱 과정)을 순차적으로 진행함으로써, 동일 서브픽셀 열에 위치하는 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)에 대한 센싱 구동을 함께 진행할 수 있게 되어, 유기발광표시패널(110)에 배치된 서브픽셀들을 모두 센싱하는 데 걸리는 총 시간을 매우 줄일 수 있다. As described above, the initialization process and the tracking process for the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column that can be electrically connected to the same reference voltage line RVL are collectively performed The sensing operation for the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column can be performed at the same time by sequentially performing the sampling process (sensing process) The total time taken to sense all of the sub-pixels disposed in the sub-pixels can be greatly reduced.

도 8과, 도 11 내지 도 14를 참조하면, 순차 샘플링 단계(S730)에서, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)를 순차적으로 턴-온(Turn-On) 시켰다가 턴-오프(Turn-Off) 시킨다. Referring to FIGS. 8 and 11 to 14, in the sequential sampling step S730, the second transistors T2 of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub- Turn-on and then turn-off.

동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn) 중 하나의 서브픽셀(SP)의 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온(Turn-On) 되면, 센싱부(310)는 기준전압 라인(RVL)의 전압을 센싱한다. The second transistor T2 of one of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column is turned on, Senses the voltage of the reference voltage line RVL.

이때, 센싱부(310)가 센싱한 전압(Vsen)은, 턴-온 된 제2 트랜지스터(T1)가 포함된 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 반영하는 전압(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth)이다. The voltage Vsen sensed by the sensing unit 310 may be a voltage Vdata-Vth or Vdata that reflects the threshold voltage of the driving transistor DRT in the sub-pixel including the turned-on second transistor T1 -Vth).

전술한 바와 같이, 동일한 기준전압 라인(RVL)에 연결된 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 실제로 센싱하기 위한 샘플링 과정이 순차적으로 진행함으로써, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 문턱전압을 서로 구분하여 정확하게 센싱할 수 있다. As described above, the sampling process for actually sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn connected to the same reference voltage line RVL sequentially proceeds, The threshold voltages of the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column can be distinguished from each other and accurately sensed.

순차 샘플링 단계(S730)에서, 센싱부(310)는, 순차적인 샘플링을 통해, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 반영하는 전압(Vsen_1, Vsen_2, … , Vsen_n)을 기준전압 라인(RVL)을 통해 여러 차례 센싱하고, 이렇게 얻어진 n개의 센싱 전압(Vsen_1, Vsen_2, … , Vsen_n)을 디지털 값으로 변환한 n개의 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 전송한다. In the sequential sampling step S730, the sensing unit 310 sequentially detects the threshold voltages of the driving transistors DRT of the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column through sequential sampling Vsen_n, Vsen_2, ..., Vsen_n are reflected on the reference voltage line RVL several times, and the n sensing voltages Vsen_1, Vsen_2, ..., Vsen_n thus obtained are converted into digital values, And transmits the sensing data including the value.

한편, 번들 센싱을 위한 일괄 초기화 단계(S710) 및 일괄 트래킹 단계(S720)에서, 기준전압(Vref) 공급 노드와 기준전압 라인(RVL) 사이에 연결된 초기화 스위치(SPRE)의 스위칭 동작을 살펴보면 다음과 같다. The switching operation of the initialization switch SPRE connected between the reference voltage Vref supply node and the reference voltage line RVL in the batch initialization step S710 and the collective tracking step S720 for bundle sensing will be described as follows. same.

도 8 및 도 9를 참조하면, 초기화 스위치(SPRE)는, 데이터 드라이버(120)가 기준전압(Vref)을 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)로 함께 공급할 때, 즉, 일괄 초기화 단계(S710)에서 턴-온(Turn-On) 된다. 8 and 9, the initialization switch SPRE is configured such that the data driver 120 supplies the reference voltage Vref together with the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column That is, turn-on in the batch initialization step S710.

도 8을 참조하면, 초기화 스위치(SPRE)는, 데이터 드라이버(120)가 기준전압(Vref)을 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)로 함께 공급한 이후, 즉, 일괄 초기화 단계(S710) 이후, 턴-오프(Turn-Off) 된다. 8, the initialization switch SPRE is configured such that the data driver 120 supplies the reference voltage Vref together with the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column, That is, after the batch initialization step S710, it is turned off.

전술한 초기화 스위치(SPRE)의 스위칭 동작에 따라, 일괄 초기화 단계(S710)가 시작되도록 제어할 수 있고, 일괄 초기화 단계(S710)가 종료되고 일괄 트래킹 단계(S720)가 시작되도록 제어할 수 있다. According to the switching operation of the initialization switch SPRE described above, the batch initialization step S710 can be controlled so that the batch initialization step S710 ends and the batch tracking step S720 starts.

아래에서는, 번들 센싱을 위한 일괄 초기화 단계(S710), 일괄 트래킹 단계(S720) 및 순차 샘플링 단계(S730)와 관련하여, 동일한 기준전압 라인(RVL)과 연결된 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)가 어떻게 온-오프 동작을 하는지에 대하여 설명한다. In the following, with respect to the batch initialization step S710, the batch tracking step S720, and the sequential sampling step S730 for bundle sensing, the subpixels SP1 , SP2, ..., SPn of the second transistor T2 will be described.

도 8을 참조하면, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)는, 일괄 초기화를 위해 모두 턴-온 된다. Referring to FIG. 8, the second transistors T2 of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column are all turned on for batch initialization.

이후, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)는, 일괄 트래킹(소스 팔로잉 동작)을 위해, 초기화 스위치(SPRE)의 턴-오프 시점에 모두 턴-오프(Turn-Off) 된다. Subsequently, the second transistor T2 of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column is turned off for the collective tracking (source follow-up operation) (Turn-Off).

동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)는 초기화 스위치(SPRE)의 턴-오프(Turn-Off) 시점에서 턴-오프 된 이후, 이로부터 일정 시간 경과 후, 순차적으로 턴-온(Turn-On) 되었다가 턴-오프(Turn-Off) 된다. The second transistor T2 of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column is turned off at the turn-off time of the initialization switch SPRE, After a predetermined time elapses from the start of the turn-on operation, the turn-on operation is sequentially turned on and off.

다시 말해, 일괄 초기화 단계(S710), 일괄 트래킹 단계(S720)에서, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)는 함께 턴-온 되었다가 함께 턴-오프 된다. In other words, in the collective initializing step S710, the collective tracking step S720, the second transistor T2 of the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column is turned on together Are turned off together.

순차 샘플링 단계(S730)에서, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn) 중 SP1, SP2, … , SPn의 순서대로 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되었다고 턴-오프 된다. In the sequential sampling step S730, among the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column, SP1, SP2, ..., , And SPn are turned off in the order of the second transistor (T2) and the second transistor (T2).

도 8과, 도 11 내지 도 14를 참조하면, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn) 각각의 제2 트랜지스터(T2)의 동작 타이밍은, 샘플링 스위치(SAM)의 스위칭 동작 타이밍과 대응된다. The operation timing of the second transistor T2 of each of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same sub-pixel column is controlled by the sampling switch SAM, The timing of the switching operation of FIG.

전술한 바와 같이, 동일한 기준전압 라인(RVL)에 연결된 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프 동작에 따라, 일괄적인 초기화, 일괄적인 트래킹(소스 팔로잉) 및 순차적인 샘플링을 가능하게 하여, 한 차례의 센싱 구동을 통해, 동일한 기준전압 라인(RVL)에 연결된 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱할 수 있다. As described above, in accordance with the on-off operation of the second transistor T2 of the sub-pixels SP1, SP2, ..., SPn connected to the same reference voltage line RVL, SP2 connected to the same reference voltage line RVL through a single sensing drive to enable sequential sampling of the subpixels SP1, SP2, ..., SPn connected to the same reference voltage line RVL, Can be sensed.

도 8을 참조하면, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가되는 게이트 신호(SCAN)와, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 인가되는 게이트 신호(SENSE)는 게이트 쉬프트 클럭(GSC)에 의해 제어될 수 있다. 8, the gate signal SCAN applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate signal SENSE applied to the gate node of the second transistor T2 are supplied to the gate shift clock GSC Lt; / RTI >

일괄 초기화 단계(S710) 및 일괄 트래킹 단계(S720)에서의 게이트 쉬프트 클럭(GSC)의 주파수(F1)와, 순차 샘플링 단계(S730)에서의 게이트 쉬프트 클럭 신호(GSC)의 주파수(F2)는 서로 다를 수 있다. The frequency F1 of the gate shift clock GSC in the batch initialization step S710 and the batch tracking step S720 and the frequency F2 of the gate shift clock signal GSC in the sequential sampling step S730 are different from each other can be different.

일 예로, 일괄 초기화 단계(S710) 및 일괄 트래킹 단계(S720)에서의 게이트 쉬프트 클럭(GSC)의 주파수(F1)는 순차 샘플링 단계(S730)에서의 게이트 쉬프트 클럭 신호(GSC)의 주파수(F2)보다 더 높다. For example, the frequency F1 of the gate shift clock GSC in the batch initialization step S710 and the batch tracking step S720 is set to the frequency F2 of the gate shift clock signal GSC in the sequential sampling step S730, .

전술한 바와 같이, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 신호(SCAN, SENSE)를 제어함으로써, 일괄적인 초기화, 일괄적인 트래킹(소스 팔로잉) 및 순차적인 샘플링을 통한 번들 센싱을 효율적으로 제공해줄 수 있다. By controlling the gate signals (SCAN, SENSE) of the first transistor (T1) and the second transistor (T2) as described above, it is possible to perform a batch initialization, batch tracking (source following), and bundle sensing Can be efficiently provided.

본 실시예들에 따른 번들 센싱 구동이 적용되는 유기발광표시패널(110)은, 제1방향으로 배치된 다수의 데이터 라인(DL)과, 제2방향으로 배치된 다수의 게이트 라인(GL)과, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의되고 매트릭스 타입으로 배치되는 다수의 서브픽셀(SP)을 포함한다. The organic light emitting diode display panel 110 to which the bundle sensing driving according to the present embodiment is applied includes a plurality of data lines DL arranged in a first direction and a plurality of gate lines GL arranged in a second direction, (SP) defined by a plurality of data lines (DL) and a plurality of gate lines (GL) and arranged in a matrix type.

각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cstg)를 포함한다. Each subpixel SP includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DRT for driving the organic light emitting diode OLED, a first node N1 of the driving transistor DRT, A second transistor T2 electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL and a second transistor T2 electrically connected between the driving transistor DRT And a storage capacitor Cstg electrically connected between the first node N1 and the second node N2.

센싱 구간 동안, 동일한 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)은, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 함께 턴-온(Turn-On) 되고(S710), 이후, 제2 트랜지스터(T2)가 함께 턴-오프(Turn-Off) 되고(S720), 이후, 제2 트랜지스터(T2)가 순차적으로 턴-온(Turn-On) 되었다가 턴-오프(Turn-Off) 된다(S730). During the sensing period, the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column are turned on when the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on The second transistor T2 is turned on and off sequentially after the second transistor T2 is turned on in step S720. (Turn-Off) (S730).

전술한 바에 따르면, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들(SP1, SP2, ... , SPn)의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 동일 센싱 구동 과정(동 시간 대에 진행되는 초기화와 트래킹 과정을 통한 한 차례의 센싱 구동)으로 통해 함께 얻을 수 있는 유기발광표시패널(110)을 제공할 수 있다. The threshold voltage of the driving transistor DRT of the subpixels SP1, SP2, ..., SPn located in the same subpixel column is subjected to the same sensing driving process The organic light emitting display panel 110 can be provided together through a single sensing operation through the organic light emitting display panel 110. [

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 모든 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하기 위한 시간을 단축시켜줄 수 있는 유기발광표시패널(110), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments described above, the organic light emitting display panel 110 capable of shortening the time for sensing the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT of all subpixels, the organic light emitting display device 100) and a driving method thereof.

또한, 본 실시예들에 의하면, 동일한 기준전압 라인(RVL)에 전기적으로 연결된 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들에 대한 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(N1)와 소스 노드(N2)를 일괄적으로 초기화하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)의 전압이 문턱전압(Vth)을 반영하도록 전압 상승이 이루어지는 소스 팔로잉(Source Following) 동작이 일괄적으로 진행되도록 하며, 문턱전압(Vth)을 반영하는 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(N2)의 전압을 실제로 센싱하기 위한 샘플링 과정은 순차적으로 진행되도록 하여, 동일한 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압(Vth)을 신속하게 센싱 할 수 있게 해주는 유기발광표시패널(110), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동 방법을 제공할 수 있다. According to the present embodiments, the gate node N1 and the source node N2 of the driving transistor DRT are electrically connected to each other during the sensing operation for the subpixels located in the subpixel column electrically connected to the same reference voltage line RVL. And the source follow operation in which the voltage is raised so that the voltage of the source node N2 of the driving transistor DRT reflects the threshold voltage Vth is collectively advanced, The sampling process for actually sensing the voltage of the source node N2 of the driving transistor DRT reflecting the voltage Vth may be sequentially performed so that the threshold for the driving transistor DRT of the sub- The OLED display panel 110, the organic light emitting display device 100, and the driving method thereof, which enable rapid sensing of the voltage Vth.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 컨트롤러
100: organic light emitting display
110: organic light emitting display panel
120: Data driver
130: gate driver
140: controller

Claims (10)

다수의 데이터 라인 및 다수의 기준전압 라인이 제1방향으로 배치되고, 다수의 게이트 라인이 제2방향으로 배치되며, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배치된 유기발광표시패널;
상기 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버;
상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버; 및
샘플링 스위치를 통해 상기 기준전압 라인과 전기적으로 연결되는 센싱부를 포함하고,
상기 각 서브픽셀은,
유기발광다이오드, 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터; 상기 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터; 및 상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하고,
센싱 구간 동안,
상기 데이터 드라이버는, 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들로 센싱용 데이터 전압을 함께 공급하고, 상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들로 기준전압을 함께 공급하며,
상기 센싱부는, 상기 샘플링 스위치의 순차적인 스위칭 동작에 따라 상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들과 순차적으로 연결되는 유기발광표시장치.
A plurality of data lines and a plurality of reference voltage lines are arranged in a first direction, a plurality of gate lines are arranged in a second direction, a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged in a matrix type An organic light emitting display panel;
A data driver for driving the plurality of data lines;
A gate driver for driving the plurality of gate lines; And
And a sensing unit electrically connected to the reference voltage line through a sampling switch,
Each of the sub-
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first transistor electrically connected between the first node of the driving transistor and the data line, A second transistor electrically connected between a second node of the driving transistor and a reference voltage line; And a storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor,
During the sensing interval,
Wherein the data driver supplies a sensing data voltage together with subpixels located in the same subpixel column and supplies a reference voltage to subpixels located in the same subpixel column,
Wherein the sensing unit is sequentially connected to subpixels located in the same subpixel column according to a sequential switching operation of the sampling switch.
제1항에 있어서,
기준전압 공급 노드와 상기 기준전압 라인 사이에 연결된 초기화 스위치를 더 포함하고,
상기 초기화 스위치는,
상기 데이터 드라이버가 상기 기준전압을 상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들로 함께 공급할 때, 턴-온 되고,
상기 데이터 드라이버가 상기 기준전압을 상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들로 함께 공급한 이후, 턴-오프 되는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
Further comprising an initialization switch coupled between the reference voltage supply node and the reference voltage line,
Wherein the initialization switch comprises:
When the data driver supplies the reference voltage together with subpixels located in the same subpixel column,
And the data driver is turned off after supplying the reference voltage together with the subpixels located in the same subpixel column.
제2항에 있어서,
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 상기 제2 트랜지스터는,
상기 초기화 스위치의 턴-오프 시점에 모두 턴-오프 되었다가,
상기 초기화 스위치의 턴-오프 시점으로부터 일정 시간 경과 후, 순차적으로 턴-온 되었다가 턴-오프 되는 유기발광표시장치.
3. The method of claim 2,
The second transistor of subpixels located in the same subpixel column,
Off at the turn-off time of the initialization switch,
And sequentially turns on and off after a lapse of a predetermined time from the turn-off time of the initialization switch.
제1항에 있어서,
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들 각각의 제2 트랜지스터의 동작 타이밍은,
상기 샘플링 스위치의 스위칭 동작 타이밍과 대응되는 유기발광표시장치.
The method according to claim 1,
And the operation timing of the second transistor of each of the subpixels located in the same subpixel column,
And the switching operation timing of the sampling switch corresponds to the switching operation timing of the sampling switch.
제1방향으로 배치된 다수의 데이터 라인;
제2방향으로 배치된 다수의 게이트 라인; 및
다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의되고 매트릭스 타입으로 배치되는 다수의 서브픽셀을 포함하고,
상기 각 서브픽셀은,
유기발광다이오드;
상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하고,
센싱 구간 동안,
동일한 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들은,
상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터가 함께 턴-온 되고,
이후, 상기 제2 트랜지스터가 함께 턴-오프 되고,
이후, 상기 제2 트랜지스터가 순차적으로 턴-온 되었다가 턴-오프 되는 유기발광표시패널.
A plurality of data lines arranged in a first direction;
A plurality of gate lines arranged in a second direction; And
A plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines and arranged in a matrix type,
Each of the sub-
Organic light emitting diodes;
A driving transistor for driving the organic light emitting diode;
A first transistor electrically connected between a data line and a first node of the driving transistor;
A second transistor electrically connected between a second node of the driving transistor and a reference voltage line; And
And a storage capacitor electrically connected between a first node and a second node of the driving transistor,
During the sensing interval,
The sub-pixels located in the same sub-
The first transistor and the second transistor are turned on together,
Thereafter, the second transistor is turned off together,
And the second transistor is sequentially turned on and then turned off.
다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의된 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열되고, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드, 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드와 기준전압 라인 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 제2노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터가 배치되는 유기발광표시패널과, 상기 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법에 있어서,
동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터를 함께 턴-온 시키는 일괄 초기화 단계;
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 상기 제2 트랜지스터를 함께 턴-오프 시키는 일괄 트래킹 단계; 및
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 상기 제2 트랜지스터를 순차적으로 턴-온 시켰다가 턴-오프 시키는 순차 샘플링 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
A plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged in a matrix type, and each subpixel has an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, A second transistor electrically connected between the second node of the driving transistor and the reference voltage line and a second transistor electrically connected between the first node and the second node of the driving transistor, A data driver for driving the plurality of data lines, and a gate driver for driving the plurality of gate lines, the method comprising:
A batch initialization step of turning on the first transistor and the second transistor of the subpixels located in the same subpixel column together;
A collective tracking step of turning off the second transistor of the subpixels located in the same subpixel column together; And
Sequentially turning on and turning off the second transistor of the subpixels located in the same subpixel column.
제6항에 있어서,
상기 일괄 초기화 단계에서, 상기 데이터 드라이버는,
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 상기 구동 트랜지스터의 제1노드로 센싱용 데이터 전압을 함께 공급하고,
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 상기 구동 트랜지스터의 제2노드로 기준전압을 함께 공급하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
The method according to claim 6,
In the batch initialization step, the data driver,
Supplying a data voltage for sensing to the first node of the driving transistor of the subpixels located in the same subpixel column,
And supplying a reference voltage to the second node of the driving transistor of the subpixels located in the same subpixel column.
제6항에 있어서,
상기 일괄 트래킹 단계에서,
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 상기 구동 트랜지스터의 제2노드는 일괄적으로 플로팅 되어 전압 상승이 이루어지는 유기발광표시장치의 구동 방법.
The method according to claim 6,
In the collective tracking step,
And the second node of the driving transistor of the subpixels located in the same subpixel column is collectively floated to raise the voltage.
제6항에 있어서,
상기 순차 샘플링 단계에서,
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들의 상기 제2 트랜지스터를 순차적으로 턴-온 시켰다가 턴-오프 시키되,
상기 동일 서브픽셀 열에 위치한 서브픽셀들 중 하나의 서브픽셀의 상기 제2 트랜지스터가 턴-온 되면, 상기 기준전압 라인의 전압을 센싱하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
The method according to claim 6,
In the sequential sampling step,
Sequentially turning on and turning off the second transistor of the subpixels located in the same subpixel column,
And sensing the voltage of the reference voltage line when the second transistor of one of the subpixels located in the same subpixel column is turned on.
제6항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터의 게이트 노드에 인가되는 게이트 신호와, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 노드에 인가되는 게이트 신호는 게이트 쉬프트 클럭에 의해 제어되며,
상기 일괄 초기화 단계 및 상기 일괄 트래킹 단계에서의 게이트 쉬프트 클럭의 주파수와, 상기 순차 샘플링 단계에서의 게이트 쉬프트 클럭 신호의 주파수는 서로 다른 유기발광표시장치의 구동 방법.
The method according to claim 6,
A gate signal applied to a gate node of the first transistor and a gate signal applied to a gate node of the second transistor are controlled by a gate shift clock,
Wherein the frequency of the gate shift clock in the collective initialization step and the collective tracking step is different from the frequency of the gate shift clock signal in the sequential sampling step.
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