KR102526241B1 - Controller, organic light emitting display device and the method for driving the same - Google Patents

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Abstract

본 실시예들은, 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 근거하여 설정된 센싱 구동용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행한다. 이에 따라, 유기발광다이오드에 인가되는 기저전압을 임의로 조절하지 않고도, 유기발광다이오드의 영향 없이, 구동 트랜지스터의 특성치를 더욱 정확하게 센싱할 수 있다. The present embodiments relate to a controller, an organic light emitting display device, and a method for driving the same, and more particularly, during a driving period of sensing a driving transistor for sensing a characteristic value of a driving transistor in a target subpixel to be sensed, an organic light emitting display device in a target subpixel to be sensed. The sensing driving of the driving transistor is performed using the sensing driving data voltage set based on the threshold voltage of the light emitting diode. Accordingly, it is possible to more accurately sense the characteristic values of the driving transistor without the influence of the organic light emitting diode without arbitrarily adjusting the base voltage applied to the organic light emitting diode.

Description

컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법{CONTROLLER, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND THE METHOD FOR DRIVING THE SAME}Controller, organic light emitting display device and its driving method

본 실시예들은 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to a controller, an organic light emitting display device, and a driving method thereof.

최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. Recently, an organic light emitting display device that has been in the limelight as a display device uses an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, and has advantages such as fast response speed, luminous efficiency, luminance, and viewing angle.

이러한 유기발광표시장치는 유기발광다이오드와 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터를 포함하는 서브픽셀을 매트릭스 형태로 배열하고 스캔 신호에 의해 선택된 서브픽셀들의 밝기를 데이터의 계조에 따라 제어한다. Such an organic light emitting display device arranges subpixels including organic light emitting diodes and driving transistors for driving them in a matrix form, and controls brightness of subpixels selected by a scan signal according to grayscale of data.

한편, 각 서브픽셀은 구동 시간이 길어짐에 따라 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 문턱전압, 이동도 등의 고유 특성치가 변할 수 있다. Meanwhile, as the driving time of each subpixel increases, intrinsic characteristic values such as a threshold voltage and mobility of a driving transistor in each subpixel may change.

이러한 구동 트랜지스터의 고유 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 발생시킨다. A change in the characteristic value of the driving transistor causes a change in luminance of a corresponding subpixel.

또한, 각 서브픽셀 간의 구동 시간이 서로 다를 수 있기 때문에, 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차가 발생할 수 있다. In addition, since driving time between subpixels may be different from each other, variation in characteristic values between driving transistors may occur.

이러한 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차는, 서브픽셀 간 휘도 편차를 발생시켜 유기발광표시패널의 화상 품질을 저하시킬 수 있다. Differences in characteristic values between driving transistors may cause luminance deviations between subpixels, thereby deteriorating image quality of the organic light emitting display panel.

이에, 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하여 구동 트랜지스터 간의 특성치 편차를 보상해주기 위한 기술들이 개발되고 있다.Accordingly, technologies for compensating for characteristic value deviations between driving transistors by sensing characteristic values of driving transistors are being developed.

한편, 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱할 때, 유기발광다이오드가 정확하게 오프 되어야만 정확한 센싱값을 얻을 수 있다. Meanwhile, when sensing the characteristic value of the driving transistor, an accurate sensing value can be obtained only when the organic light emitting diode is accurately turned off.

하지만, 종래의 센싱 및 보상 기술을 적용할 때, 유기발광다이오드의 영향으로 인해, 구동 트랜지스터의 특성치를 정확하게 센싱하지 못하는 문제점이 있어 왔다. However, when the conventional sensing and compensation technology is applied, there has been a problem in that the characteristic value of the driving transistor cannot be accurately sensed due to the influence of the organic light emitting diode.

본 실시예들의 목적은, 유기발광다이오드의 영향 없이, 구동 트랜지스터의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다. An object of the present embodiments is to provide a controller, an organic light emitting display device, and a driving method capable of accurately sensing a characteristic value of a driving transistor without the influence of an organic light emitting diode.

본 실시예들의 다른 목적은, 유기발광다이오드의 제1전극과 제2전극 중 제2전극에 인가되는 기저전압을 임의로 조절하지 않고도, 유기발광다이오드의 영향 없이, 구동 트랜지스터의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present embodiments is to accurately sense a characteristic value of a driving transistor without the influence of the organic light emitting diode without arbitrarily adjusting the base voltage applied to the second electrode among the first and second electrodes of the organic light emitting diode. It is an object of the present invention to provide a controller, an organic light emitting display device, and a driving method thereof.

본 실시예들의 또 다른 목적은, 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 특성을 반영하여 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 구동을 진행하여, 구동 트랜지스터의 특성치를 보다 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present embodiments is to reflect the characteristics of the organic light emitting diode in each sub-pixel and perform a sensing drive to sense the characteristic value of the driving transistor, so that the characteristic value of the driving transistor can be more accurately sensed. It is to provide a light emitting display device and a driving method thereof.

일 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의된 다수의 서브픽셀이 배열되고 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터가 배치되는 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 데이터 드라이버 및 게이트 드라이버를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. In one aspect, in the present embodiments, a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, and an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed in each subpixel. It is possible to provide an organic light emitting display device including a light emitting display panel, a data driver driving a plurality of data lines, a gate driver driving a plurality of gate lines, and a controller controlling the data driver and the gate driver.

이러한 유기발광표시장치에서, 데이터 드라이버는, 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 근거하여 설정된 센싱 구동용 데이터 전압을 출력할 수 있다. In such an organic light emitting display device, the data driver, during a driving transistor sensing driving period for sensing the characteristic values of the driving transistors in the sensing target subpixel, sets the data for sensing and driving based on the threshold voltage of the organic light emitting diode in the sensing target subpixel. voltage can be output.

다른 측면에서, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의된 다수의 서브픽셀이 배열되고 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터가 배치되는 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 데이터 드라이버 및 게이트 드라이버를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법을 제공할 수 있다. In another aspect, an organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, and an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed in each subpixel; A method of driving an organic light emitting display device including a data driver driving a plurality of data lines, a gate driver driving a plurality of gate lines, and a controller controlling the data driver and the gate driver may be provided.

이러한 유기발광표시장치의 구동방법은, 센싱 구동용 데이터 전압을 계산하는 단계와, 센싱 구동용 데이터 전압을 이용하여 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 단계와, 구동 트랜지스터 센싱 구동을 통해 얻어진 센싱값을 토대로 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치 보상값을 산출하여 저장하는 단계를 포함할 수 있다. A method of driving an organic light emitting display device includes calculating a data voltage for sensing and driving, and performing sensing and driving of a driving transistor for sensing a characteristic value of a driving transistor in a subpixel to be sensed using the data voltage for sensing and driving. and calculating and storing a compensation value for a characteristic value of a driving transistor in a subpixel to be sensed based on a sensing value obtained through sensing driving of the driving transistor.

구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 단계는, 구동 트랜지스터의 제1노드에 센싱 구동용 데이터 전압을 인가하고, 구동 트랜지스터의 제2노드에 기준전압을 인가하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드를 플로팅 시켜 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 상승시키는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드 또는 구동 트랜지스터의 제2노드와 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하는 단계를 포함할 수 있다. The step of performing sensing driving of the driving transistor includes applying a data voltage for sensing driving to a first node of the driving transistor and applying a reference voltage to a second node of the driving transistor, and floating the second node of the driving transistor. The method may include increasing a voltage of a second node of the driving transistor and sensing a voltage of a second node of the driving transistor or a sensing line electrically connected to the second node of the driving transistor.

전술한 센싱 구동용 데이터 전압을 계산하는 단계에서는, 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 근거하여 센싱 구동용 데이터 전압을 계산할 수 있다. In the above-described step of calculating the data voltage for sensing and driving, the data voltage for sensing and driving may be calculated based on the threshold voltage of the organic light emitting diode in the subpixel to be sensed.

또 다른 측면에서, 본 실시예들은, 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동에 필요한 센싱 구동용 데이터를 생성하는 센싱 구동용 데이터 생성부와, 센싱 구동용 데이터를 출력하는 센싱 구동용 데이터 출력부와, 저장 또는 수신된 센싱 데이터를 토대로 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 보상값을 산출하여 출력하는 보상부를 포함하는 유기발광표시장치용 컨트롤러를 제공할 수 있다. In another aspect, the present embodiments provide a sensing drive data generator for generating sensing drive data necessary for driving a sensing drive for sensing a characteristic value of a drive transistor in a target subpixel to be sensed, and outputting the sensing drive data. A controller for an organic light emitting display device may include a sensing driving data output unit configured to calculate and output a compensation value for a characteristic value of a driving transistor in a subpixel to be sensed based on the stored or received sensing data. .

이러한 컨트롤러에서 센싱 구동용 데이터 생성부는, 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 근거하여 센싱 구동용 데이터를 생성할 수 있다. In such a controller, the sensing driving data generating unit may generate sensing driving data based on a threshold voltage of an organic light emitting diode within a sensing target subpixel.

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 유기발광다이오드의 영향 없이, 구동 트랜지스터의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. According to the present embodiments as described above, it is possible to provide a controller, an organic light emitting display device, and a driving method capable of accurately sensing characteristic values of driving transistors without the influence of organic light emitting diodes.

또한, 본 실시예들에 의하면, 유기발광다이오드의 제1전극과 제2전극 중 제2전극에 인가되는 기저전압을 임의로 조절하지 않고도, 유기발광다이오드의 영향 없이, 구동 트랜지스터의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, the characteristic value of the driving transistor can be accurately sensed without the influence of the organic light emitting diode without arbitrarily adjusting the base voltage applied to the second electrode of the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode. A controller, an organic light emitting display device, and a driving method thereof may be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 특성을 반영하여 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 구동을 진행하여, 구동 트랜지스터의 특성치를 보다 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러, 유기발광표시장치 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, by reflecting the characteristics of the organic light emitting diode in each subpixel and performing a sensing drive for sensing the characteristic value of the driving transistor, a controller that can more accurately sense the characteristic value of the driving transistor; A light emitting display device and a driving method thereof may be provided.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 다른 예시도이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로의 예시도이다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터 센싱 구동 중 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터 센싱 구동 중 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 내지 도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압을 상승시켜 유기발광다이오드의 영향을 최소화하여 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 센싱 정확도를 향상시키는 방안을 나타낸 도면들이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압 상승 없이도, 유기발광다이오드의 영향을 최소화하면서 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 센싱 정확도를 향상시킬 수 있는 구동방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압 상승 없이도, 유기발광다이오드의 영향을 최소화하면서 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 센싱 정확도를 향상시킬 수 있는 구동방법에 대한 흐름도이다.
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 기저전압 상승 없이 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압 변화와, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서의 센싱 구동용 데이터 전압을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압 상승 없이도, 유기발광다이오드의 영향을 최소화하면서 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 센싱 정확도를 향상시킬 수 있는 구동방법에 대한 다른 흐름도이다.
도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 유기발광다이오드의 문턱전압을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 방법에 대한 흐름도이다.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 유기발광다이오드의 문턱전압을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 방법에서, 각 단계별 회로 상태를 나타낸 도면이다.
도 16은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 유기발광다이오드의 문턱전압을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 구간에서, 센싱 라인의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 17은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 유기발광다이오드의 문턱전압을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 방법에 대한 다른 흐름도이다.
도 18은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서, 유기발광다이오드의 문턱전압을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 구간에서, 주요 신호들과 센싱 라인의 전압 변화를 나타낸 도면이다.
도 19는 본 실시예들에 따른 컨트롤러에 대한 블록도이다.
1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
2 is an exemplary diagram of a sub-pixel structure of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
3 is another exemplary diagram of a sub-pixel structure of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
4 is an exemplary diagram of a compensation circuit of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
FIG. 5 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing driving method during sensing driving of a driving transistor of an organic light emitting display device according to the exemplary embodiments.
6 is a diagram for explaining a mobility sensing driving method among driving transistor sensing driving of an organic light emitting display device according to the present exemplary embodiments.
7 to 9 illustrate a method of improving sensing accuracy for characteristic values of a driving transistor by minimizing the influence of the organic light emitting diode by increasing the base voltage in the sensing driving period of the driving transistor of the organic light emitting display device according to the present embodiments. they are drawings
10 illustrates a driving method capable of improving sensing accuracy for characteristic values of a driving transistor while minimizing an influence of an organic light emitting diode without an increase in base voltage in a driving transistor sensing driving period in an organic light emitting display device according to the present embodiments. These are drawings for explanation.
11 illustrates a driving method capable of improving sensing accuracy for characteristic values of a driving transistor while minimizing the influence of an organic light emitting diode without an increase in base voltage in a driving transistor sensing driving period in an organic light emitting display device according to the present embodiments. It is a flow chart for
12 illustrates a voltage change of a second node of a driving transistor in a driving transistor sensing driving period and a driving transistor sensing driving period for sensing a characteristic value of a driving transistor without raising a base voltage in an organic light emitting display device according to the present embodiments. It is a diagram for explaining the data voltage for sensing driving of .
13 illustrates a driving method capable of improving sensing accuracy for characteristic values of a driving transistor while minimizing an influence of an organic light emitting diode without an increase in base voltage in a driving transistor sensing driving period in an organic light emitting display device according to the present embodiments. Another flow chart for
14 is a flowchart of an organic light emitting diode sensing driving method for sensing a threshold voltage of the organic light emitting diode in the organic light emitting display device according to the present embodiments.
15 is a diagram illustrating circuit states at each stage in the organic light emitting diode sensing driving method for sensing the threshold voltage of the organic light emitting diode in the organic light emitting display device according to the present embodiments.
16 is a diagram illustrating a voltage change of a sensing line in an organic light emitting diode sensing driving period for sensing a threshold voltage of the organic light emitting diode in the organic light emitting display device according to the present embodiments.
17 is another flowchart illustrating an organic light emitting diode sensing driving method for sensing a threshold voltage of the organic light emitting diode in the organic light emitting display device according to the present embodiments.
18 is a diagram illustrating voltage changes of main signals and sensing lines in an organic light emitting diode sensing driving period for sensing a threshold voltage of the organic light emitting diode in the organic light emitting display device according to the present embodiments.
19 is a block diagram of a controller according to the present embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention are described in detail below with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Also, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used in describing the components of the present invention. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element is or may be directly connected to that other element, but intervenes between each element. It will be understood that may be "interposed", or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배열된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1 , in an organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL are disposed, and a plurality of sub pixels (SP) The arrayed organic light emitting display panel 110, a data driver 120 driving a plurality of data lines DL, a gate driver 130 driving a plurality of gate lines GL, and a data driver 120 ) and the controller 140 controlling the gate driver 130.

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The controller 140 controls the data driver 120 and the gate driver 130 by supplying various control signals to the data driver 120 and the gate driver 130 .

이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, converts input image data input from the outside to suit the data signal format used by the data driver 120, and outputs the converted image data. , data drive is controlled at an appropriate time according to the scan.

이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. The controller 140 may be a timing controller used in a typical display technology or a control device that further performs other control functions including a timing controller.

데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The data driver 120 drives the plurality of data lines DL by supplying data voltages to the plurality of data lines DL. Here, the data driver 120 is also referred to as a 'source driver'.

이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may include at least one source driver integrated circuit (SDIC) to drive a plurality of data lines.

게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The gate driver 130 sequentially drives the plurality of gate lines GL by sequentially supplying scan signals to the plurality of gate lines GL. Here, the gate driver 130 is also referred to as a 'scan driver'.

이러한 게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The gate driver 130 may include at least one gate driver integrated circuit (GDIC).

게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다. The gate driver 130 sequentially supplies scan signals of an on voltage or an off voltage to the plurality of gate lines GL under the control of the controller 140 .

데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the gate driver 130, the data driver 120 converts the image data received from the controller 140 into analog data voltages and supplies them to a plurality of data lines DL.

데이터 드라이버(120)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. The data driver 120 is located on only one side (eg, upper or lower side) of the organic light emitting display panel 110 in FIG. : upper side and lower side) may be located both.

게이트 드라이버(130)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. The gate driver 130 is located on only one side (eg, the left or right side) of the organic light emitting display panel 110 in FIG. Example: left and right) may be located on both sides.

전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The above-described controller 140 includes various types of input image data, including a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input data enable (DE) signal, a clock signal (CLK), and the like. Receive timing signals from outside (e.g. host system).

컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The controller 140 receives timing signals such as a vertical sync signal (Vsync), a horizontal sync signal (Hsync), an input DE signal, and a clock signal in order to control the data driver 120 and the gate driver 130, Various control signals are generated and output to the data driver 120 and the gate driver 130.

예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the gate driver 130, the controller 140 includes a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE: It outputs various gate control signals (GCS: Gate Control Signal) including Gate Output Enable) and the like.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 130 . The gate shift clock (GSC) is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits and controls shift timing of scan signals (gate pulses). The gate output enable signal GOE specifies timing information of one or more gate driver integrated circuits.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In addition, the controller 140, in order to control the data driver 120, a source start pulse (SSP: Source Start Pulse), a source sampling clock (SSC: Source Sampling Clock), a source output enable signal (SOE: Source Output It outputs various data control signals (DCS) including Enable) and the like.

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 120 . The source sampling clock (SSC) is a clock signal that controls sampling timing of data in each source driver integrated circuit. The source output enable signal SOE controls output timing of the data driver 120 .

데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The data driver 120 may include at least one source driver integrated circuit (SDIC) to drive a plurality of data lines.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 유기발광표시패널(110)에 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is attached to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method. It may be connected to, directly disposed on the organic light emitting display panel 110, or may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110 in some cases. In addition, each source driver integrated circuit (SDIC) may be implemented in a Chip On Film (COF) method mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110 .

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.

각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. In some cases, each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC).

게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. The gate driver 130 may include at least one gate driver integrated circuit (GDIC).

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. Each gate driver integrated circuit (GDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method, or is connected to a gate in panel (GIP) method. ) type and directly disposed on the organic light emitting display panel 110, or may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110 in some cases. In addition, each gate driver integrated circuit (GDIC) may be implemented in a chip on film (COF) method mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110 .

각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver integrated circuit (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 대한 회로적인 연결을 위해 필요한 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB: Source Printed Circuit Board)과 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. The organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes at least one source printed circuit board (S-PCB) required for circuit connection to at least one source driver integrated circuit (SDIC) and It may include a control printed circuit board (C-PCB) for mounting control parts and various electric devices.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)에는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 되거나, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름이 연결될 수 있다. At least one source driver integrated circuit (SDIC) may be mounted on the at least one source printed circuit board (S-PCB), or a film having at least one source driver integrated circuit (SDIC) mounted may be connected.

컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러 등이 실장 될 수 있다. On the control printed circuit board (C-PCB), the controller 140 for controlling operations of the data driver 120 and the gate driver 130, the organic light emitting display panel 110, the data driver 120, and the gate driver A power controller that supplies various voltages or currents to 130 or the like or controls various voltages or currents to be supplied may be mounted.

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. The at least one source printed circuit board (S-PCB) and the control printed circuit board (C-PCB) may be circuitically connected through at least one connecting member.

여기서, 연결 부재는 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. Here, the connecting member may be a flexible printed circuit (FPC) or a flexible flat cable (FFC).

적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (S-PCB) and one control printed circuit board (C-PCB) may be integrated into one printed circuit board.

유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다. Each subpixel SP disposed on the organic light emitting display panel 110 may include a circuit element such as a transistor.

일 예로, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. For example, each sub-pixel SP is composed of organic light emitting diodes (OLEDs) and circuit elements such as driving transistors for driving them.

각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel SP may be variously determined according to a provided function and a design method.

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 예시도이다. 2 is an exemplary diagram of a sub-pixel structure of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1노드(N1)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2 , in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, each subpixel basically drives an organic light emitting diode (OLED) and an organic light emitting diode (OLED). a driving transistor (DRT) for transmitting a data voltage to a first node (N1) corresponding to the gate node of the driving transistor (DRT), and data corresponding to the image signal voltage. It may be configured to include a storage capacitor (Cst: Storage Capacitor) that maintains the voltage or a voltage corresponding thereto for one frame time.

유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) may include a first electrode (eg, an anode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode).

구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode (OLED) by supplying a driving current to the organic light emitting diode (OLED).

구동 트랜지스터(DRT)에서, 제1노드(N1)는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있으며, 게이트 노드일 수 있다. 제2노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 제3노드(N3)는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. In the driving transistor DRT, the first node N1 may be electrically connected to the source node or the drain node of the first transistor T1 and may be a gate node. The second node N2 may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED, and may be a source node or a drain node. The third node N3 may be electrically connected to a driving voltage line (DVL) that supplies the driving voltage EVDD, and may be a drain node or a source node.

제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 제1스캔신호(SCAN1)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The first transistor T1 is electrically connected between the data line DL and the first node N1 of the driving transistor DRT, and is controlled by receiving the first scan signal SCAN1 to the gate node through the gate line. It can be.

이러한 제1 트랜지스터(T1)는 제1스캔신호(SCAN1)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 is turned on by the first scan signal SCAN1 to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT. can

구동 트랜지스터(DRT)와 제1 트랜지스터(T1)는, n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다.The driving transistor DRT and the first transistor T1 may be implemented as n-type or p-type.

스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The storage capacitor Cst may be electrically connected between the second node N2 and the first node N1 of the driving transistor DRT.

이러한 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 제1노드(N1) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (eg, Cgs or Cgd) that is an internal capacitor existing between the second node N2 and the first node N1 of the driving transistor DRT, but It is an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor (DRT).

한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. Meanwhile, in the case of the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments, as the driving time of each subpixel SP is increased, circuit elements such as an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor (DRT) Degradation may proceed.

이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values (eg, threshold voltage, mobility, etc.) of circuit elements such as organic light emitting diodes (OLEDs) and driving transistors (DRTs) may change.

이러한 회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 야기할 수 있다. A change in the characteristic value of such a circuit element may cause a change in luminance of a corresponding subpixel.

또한, 이러한 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. In addition, the degree of change in characteristic values between circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.

전술한 바에 따라 발생하는 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차를 야기하여 유기발광표시패널(110)의 휘도 불균일을 발생시킬 수 있다. Characteristic value deviations between circuit elements, which occur as described above, may cause luminance deviations between subpixels, resulting in luminance non-uniformity of the organic light emitting display panel 110 .

여기서, 회로 소자의 특성치(이하, "서브픽셀 특성치"라고도 함)는, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 및 이동도 등을 포함할 수 있고, 경우에 따라서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 포함할 수도 있다. Here, the characteristic value of the circuit element (hereinafter, also referred to as “sub-pixel characteristic value”) may include, for example, the threshold voltage and mobility of the driving transistor DRT, and in some cases, the organic light emitting diode (OLED) may include a threshold voltage of

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED) 등의 회로 소자에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하기 위한 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED) 등의 회로 소자 간의 특성치 편차를 보상하기 위한 보상 기능을 제공할 수 있다. The organic light emitting display device 100 according to the present embodiments is driven using a sensing function for sensing characteristic values or changes thereof of circuit elements such as a driving transistor (DRT) and an organic light emitting diode (OLED), and a sensing result. A compensation function for compensating for characteristic value deviations between circuit elements such as a transistor (DRT) and an organic light emitting diode (OLED) may be provided.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터(DRT), 유기발광다이오드(OLED) 등의 회로 소자에 대한 특성치 또는 그 변화를 센싱하여 특성치 편차를 보상해주기 위하여, 그에 맞는 서브픽셀 구조와, 센싱 및 보상 구성을 포함하는 보상 회로를 포함할 수 있다. The organic light emitting display device 100 according to the present embodiments senses characteristic values or changes thereof of circuit elements such as a driving transistor (DRT) and an organic light emitting diode (OLED), and compensates for variation in characteristic values. It may include a pixel structure and a compensation circuit including sensing and compensation components.

도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조의 다른 예시도이다. 3 is another exemplary view of a sub-pixel structure of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀은, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 스토리지 캐패시터(Cst) 이외에, 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , each subpixel disposed on the organic light emitting display panel 110 according to the present embodiments includes, for example, an organic light emitting diode (OLED), a driving transistor (DRT), a first transistor (T1), and In addition to the storage capacitor Cst, a second transistor T2 may be further included.

도 3을 참조하면, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 기준전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 센싱 라인(SL: Sensing Line) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 스캔신호의 일종인 제2스캔신호(SCAN2)를 인가 받아 제어될 수 있다. Referring to FIG. 3 , the second transistor T2 is electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and a sensing line (SL) supplying a reference voltage (Vref). and can be controlled by receiving the second scan signal SCAN2, which is a kind of scan signal, to the gate node.

이러한 제2 트랜지스터(T2)는 제2스캔신호(SCAN2)에 의해 턴-온 되어 센싱 라인(SL)을 통해 공급되는 기준전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가해준다. The second transistor T2 is turned on by the second scan signal SCAN2 and applies the reference voltage Vref supplied through the sensing line SL to the second node N2 of the driving transistor DRT. it does

또한, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the second transistor T2 may be used as one of the voltage sensing paths for the second node N2 of the driving transistor DRT.

한편, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드와 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드가 서로 다른 게이트 라인에 연결된 경우, 제1스캔신호(SCAN1) 및 제2스캔신호(SCAN2)는 별개의 스캔신호일 수 있다. Meanwhile, when the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 are connected to different gate lines, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be separate scan signals. can

제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드와 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드가 동일한 게이트 라인에 연결된 경우, 제1스캔신호(SCAN1) 및 제2스캔신호(SCAN2)는 동일한 스캔신호일 수 있다. When the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 are connected to the same gate line, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 may be the same scan signal.

도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로의 예시도이다. 4 is an exemplary diagram of a compensation circuit of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 4를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀 특성치(구동 트랜지스터의 특성치, 유기발광다이오드의 특성치) 또는 그 변화를 센싱하기 위하여 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 출력하는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter, 410)와, 센싱 데이터를 저장하는 메모리(420)와, 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀 특성치(구동 트랜지스터의 특성치, 유기발광다이오드의 특성치) 간의 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(430) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, the voltage of the sensing line SL is sensed to sense subpixel characteristic values (driving transistor characteristic values, organic light emitting diode characteristic values) or changes thereof. At least one analog-to-digital converter (ADC: Analog to Digital Converter, 410) for sensing and converting the sensed voltage into a sensing value corresponding to a digital value to output sensing data including the sensing value, and to store the sensing data It may include a memory 420 and a compensating unit 430 that performs a compensation process for compensating deviations between subpixel characteristic values (driving transistor characteristic values and organic light emitting diode characteristic values) using sensing data.

각 아날로그 디지털 컨버터(410)는 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다. Each analog-to-digital converter 410 may be included inside the source driver integrated circuit (SDIC), and in some cases may be included outside the source driver integrated circuit (SDIC).

보상부(430)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있다. The compensating unit 430 may be included inside the controller 140 and, in some cases, may be included outside the controller 140 .

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 구동을 제어하기 위하여, 초기화 스위치(SPRE)와 샘플링 스위치(SAM)를 더 포함할 수 있다. The organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments may further include an initialization switch SPRE and a sampling switch SAM to control sensing driving.

초기화 스위치(SPRE)는 센싱 라인(SL)과 기준전압 공급노드(미도시) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The initialization switch SPRE may be electrically connected between the sensing line SL and a reference voltage supply node (not shown).

초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준전압(Vref)이 센싱 라인(SL)으로 공급될 수 있다. 이때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있으면, 기준전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가될 수 있다. When the initialization switch SPRE is turned on, the reference voltage Vref may be supplied to the sensing line SL. At this time, when the second transistor T2 is turned on, the reference voltage Vref may be applied to the second node N2 of the driving transistor DRT.

샘플링 스위치(SAM)는 센싱 라인(SL)과 아날로그 디지털 컨버터(410) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The sampling switch SAM may be electrically connected between the sensing line SL and the analog-to-digital converter 410 .

샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 아날로그 디지털 컨버터(410)는 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱할 수 있다. When the sampling switch SAM is turned on, the analog-to-digital converter 410 may sense the voltage of the sensing line SL.

한편, 센싱 라인(SL)의 전압은, 센싱 라인(SL) 상에 형성된 라인 캐패시터에 충전된 전압과 동일할 수 있다. Meanwhile, the voltage of the sensing line SL may be the same as the voltage charged in the line capacitor formed on the sensing line SL.

또한, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 된 경우, 센싱 라인(SL)의 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압과 동일할 수 있다. Also, when the second transistor T2 is turned on, the voltage of the sensing line SL may be equal to the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT.

센싱 라인(SL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. For example, one sensing line SL may be disposed in each subpixel column, or one sensing line SL may be disposed in each of two or more subpixel columns.

예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 센싱 라인(SL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. For example, when one pixel is composed of four subpixels (red subpixel, white subpixel, green subpixel, and blue subpixel), the sensing line SL has four subpixel columns (red subpixel column, Each pixel column including a white subpixel column, a green subpixel column, and a blue subpixel column) may be disposed one by one.

아날로그 디지털 컨버터(410)에서 센싱된 전압은, 센싱 구동의 종류에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 그 변화(ΔVth)를 센싱하기 위한 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다. The voltage sensed by the analog-to-digital converter 410 is a voltage value (Vdata-Vth or Vdata-ΔVth) for sensing the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (DRT) or its change (ΔVth), depending on the type of sensing drive. ) or a voltage value for sensing the mobility of the driving transistor DRT.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동에 대하여 간략하게 설명한다.Below, threshold voltage sensing driving and mobility sensing driving of the driving transistor DRT will be briefly described.

도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터 센싱 구동 중 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 5 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing driving method during sensing driving of the driving transistor of the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments.

구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 각각은 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준전압(Vref)으로 초기화된다. When driving the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT generate a threshold voltage sensing driving data voltage Vdata and a reference voltage Vref. is initialized with

이후, 초기화 스위치(SPRE)가 오프 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다. Thereafter, the initialization switch SPRE is turned off so that the second node N2 of the driving transistor DRT is floating.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승한다. Accordingly, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 결국 포화하게 된다. The voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises, then the range of the rise gradually decreases, eventually reaching saturation.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 변화(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to a difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or a difference between the data voltage Vdata and the change in the threshold voltage ΔVth. .

아날로그 디지털 컨버터(410)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 포화되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 포화된 전압을 센싱한다. When the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT is saturated, the analog-to-digital converter 410 senses the saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT.

아날로그 디지털 컨버터(410)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 변화(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다.The voltage (Vsen) sensed by the analog-to-digital converter 410 is a voltage obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) from the data voltage (Vdata) (Vdata-Vth) or a voltage obtained by subtracting the threshold voltage change (ΔVth) from the data voltage (Vdata). (Vdata-ΔVth).

도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터 센싱 구동 중 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 6 is a diagram for explaining a mobility sensing driving method among driving transistor sensing driving of the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments.

구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 각각은 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준전압(Vref)으로 초기화된다. When the driving transistor DRT is driven for mobility sensing, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT generate a data voltage Vdata and a reference voltage Vref for mobility sensing driving, respectively. is initialized with

이후, 초기화 스위치(SPRE)가 오프 되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)가 플로팅 된다. 이때, 제1스캔신호(SCAN1)가 턴-오프 레벨 전압으로 바뀌어 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)도 함께 플로팅될 수 있다. Thereafter, the initialization switch SPRE is turned off and the second node N2 of the driving transistor DRT is floated. At this time, the first scan signal SCAN1 is changed to a turn-off level voltage, so that the first node N1 of the driving transistor DRT may also float.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 상승하기 시작한다. Accordingly, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력, 즉 이동도에 따라 달라질 수 있다. 여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 상승 속도는 일정 시간 동안 전압 상승치의 변화량(ΔV)에 해당한다. A voltage rising speed of the second node N2 of the driving transistor DRT may vary according to current capability, that is, mobility of the driving transistor DRT. Here, the voltage rising rate of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the amount of change ΔV of the voltage rising value for a certain period of time.

즉, 전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일 수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 더욱 가파르게 상승한다. That is, the higher the current capability (mobility) of the driving transistor DRT, the steeper the voltage at the second node N2 of the driving transistor DRT rises.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압이 미리 정해진 일정 시간 동안 상승이 이루어진 이후, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 아날로그 디지털 컨버터(410)는 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 상승된 전압을 센싱할 수 있다. After the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises for a predetermined period of time, the sampling switch SAM is turned on, and the analog-to-digital converter 410 outputs the voltage of the sensing line SL. By sensing , the increased voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may be sensed.

도 5 및 도 6을 참조하여 전술한 문턱전압 센싱 구동 방식 또는 이동도 센싱 구동 방식에 따라 아날로그 디지털 컨버터(410)는 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값에 해당하는 센싱값을 변환하고, 변환된 센싱 값을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력한다. According to the threshold voltage sensing driving method or the mobility sensing driving method described above with reference to FIGS. 5 and 6 , the analog-to-digital converter 410 corresponds to the voltage Vsen sensed for threshold voltage sensing or mobility sensing as a digital value. The sensing value to be converted is converted, and sensing data including the converted sensing value is generated and output.

아날로그 디지털 컨버터(410)에서 출력된 센싱 데이터는 메모리(420)에 저장되거나 보상부(430)로 제공될 수 있다. Sensing data output from the analog-to-digital converter 410 may be stored in the memory 420 or provided to the compensator 430 .

보상부(430)는 메모리(420)에 저장되거나 아날로그 디지털 컨버터(410)에서 제공된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 그 변화(예: 문턱전압 변화, 이동도 변화)를 파악하고, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 특성치 보상 프로세스를 수행할 수 있다. Compensation unit 430 is based on the sensing data stored in the memory 420 or provided from the analog-to-digital converter 410, the characteristic value (eg, threshold voltage, mobility) of the driving transistor (DRT) in the corresponding sub-pixel or its change (eg, threshold voltage) : threshold voltage change, mobility change), and a characteristic value compensation process for the driving transistor (DRT) may be performed.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화는 이전 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하거나, 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다. Here, the change in the characteristic value of the driving transistor DRT may mean a change in current sensing data based on previous sensing data or a change in current sensing data based on reference sensing data.

구동 트랜지스터(DRT)에 대한 특성치 보상 프로세스는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있다. The characteristic value compensation process for the driving transistor DRT may include a threshold voltage compensation process for compensating the threshold voltage of the driving transistor DRT and a mobility compensation process for compensating for the mobility of the driving transistor DRT.

문턱전압 보상 처리는 문턱전압 또는 문턱전압 편차(문턱전압 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(420)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The threshold voltage compensation process calculates a compensation value to compensate for the threshold voltage or threshold voltage deviation (threshold voltage change), stores the calculated compensation value in the memory 420, or converts the corresponding image data (Data) into the calculated compensation value. It may include processing to change the .

이동도 보상 처리는 이동도 또는 이동도 편차(이동도 변화)를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(420)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. In the mobility compensation process, a compensation value for compensating for mobility or mobility deviation (mobility change) is calculated, the calculated compensation value is stored in the memory 420, or the corresponding image data (Data) is stored as the calculated compensation value. It may include processing to change the .

보상부(430)는 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터(Data)를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The compensator 430 may change the image data (Data) through a threshold voltage compensation process or a mobility compensation process and supply the changed data to a corresponding source driver integrated circuit (SDIC) in the data driver 120 .

이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 보상부(430)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter, 440)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀 특성치 보상(문턱전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 이루어지게 된다. Accordingly, the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) converts the data changed in the compensation unit 430 into a data voltage through a digital to analog converter (DAC) 440 and supplies it to the corresponding subpixel, Pixel characteristic value compensation (threshold voltage compensation, mobility compensation) is actually performed.

이러한 서브픽셀 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다.As such sub-pixel characteristic value compensation is performed, the luminance deviation between sub-pixels is reduced or prevented, thereby improving image quality.

도 7 내지 도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압(EVSS)을 상승시켜 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 최소화하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치에 대한 센싱 정확도를 향상시키는 방안을 나타낸 도면들이다. 7 to 9 show the driving transistor DRT by minimizing the influence of the organic light emitting diode (OLED) by increasing the base voltage EVSS in the driving transistor sensing driving period of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. These are drawings showing a method of improving the sensing accuracy for the characteristic value of .

도 7을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(문턱전압, 이동도)를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 최소화해야만, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(문턱전압, 이동도)를 정확하게 센싱할 수 있다. Referring to FIG. 7 , during the driving period for sensing the characteristic values (threshold voltage, mobility) of the driving transistor DRT, the influence of the organic light emitting diode (OLED) must be minimized to determine the characteristic values of the driving transistor DRT. (threshold voltage, mobility) can be accurately sensed.

따라서, 도 7을 참조하면, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 최소화하기 위하여, 즉, 유기발광다이오드(OLED)로 전류가 흐르지 않도록, 유기발광다이오드(OLED)의 제2전극(예: 캐소드 전극)에 인가되는 기저전압(EVSS)을 높여줄 수 있다. Therefore, referring to FIG. 7 , in order to minimize the influence of the organic light emitting diode (OLED) during the driving transistor sensing driving period, that is, to prevent current from flowing to the organic light emitting diode (OLED), the organic light emitting diode (OLED) is controlled. The base voltage (EVSS) applied to the two electrodes (eg, the cathode electrode) may be increased.

구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 변화를 나타낸 도 8을 참조하여, 이때, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 높여진 기저전압(EVSS)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가되는 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)보다 높은 전압일 수 있다. 여기서, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)는 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압일 수도 있고, 이동도 센싱 구동용 데이터 전압일 수도 있다. Referring to FIG. 8 showing the change in voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT in the driving transistor sensing driving period for sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT, at this time, the driving transistor DRT is increased in the sensing driving period. The true base voltage EVSS may be higher than the sensing driving data voltage Vdata applied to the first node N1 of the driving transistor DRT. Here, the data voltage Vdata for sensing driving may be a data voltage for threshold voltage sensing driving or a data voltage for mobility sensing driving.

이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 받지 않고, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있다. Accordingly, the characteristic value of the driving transistor DRT can be accurately sensed without being affected by the organic light emitting diode OLED.

전술한 바와 같이, 센싱 정확도 향상을 위해, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간과 다른 구간을 구분하고, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간이 아닌 다른 구간에서는 그라운드 전압(GND)에 해당하는 기저전압(EVSS)을 유기발광다이오드(OLED)의 제2전극에 인가해주고, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서는 유기발광다이오드(OLED)를 오프 시킬 수 있는 전압 값(예를 들어, 센싱 구동용 데이터 전압보다 높은 전압 값)의 기저전압(EVSS)를 유기발광다이오드(OLED)의 제2전극에 인가해주기 위해서는, 유기발광표시장치(100)는, 도 10에 도시된 바와 같이, 기저전압 제어 회로(1000)를 더 포함해야만 한다. As described above, in order to improve sensing accuracy, the driving transistor sensing driving period and other periods are distinguished, and the base voltage EVSS corresponding to the ground voltage (GND) is applied to the organic light emitting diode in a period other than the driving transistor sensing driving period. The base voltage EVSS of a voltage value (for example, a voltage value higher than the data voltage for sensing driving) that is applied to the second electrode of the (OLED) and can turn off the organic light emitting diode (OLED) in the driving transistor sensing driving period. ) to the second electrode of the organic light emitting diode (OLED), the organic light emitting display device 100 should further include a base voltage control circuit 1000 as shown in FIG. 10 .

이로 인해, 회로 부품 비용이 증가하는 문제점이 발생할 수 있다. Due to this, a problem of increasing circuit component cost may occur.

한편, 구동 트랜지스터 센싱 구동 시, 각 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 특성을 반영하지 못하기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치에 대한 센싱 정확도가 떨어지는 문제점도 있다. On the other hand, since the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) in each subpixel (SP) are not reflected during driving by sensing the driving transistor, there is also a problem in that the sensing accuracy of the characteristic value of the driving transistor (DRT) is lowered.

이에, 본 실시예들은, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압(EVSS)을 변경하지 않고도 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 제거하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있고, 더 나아가, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 각 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 특성을 반영하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 보다 정확하게 센싱할 수 있는 구동방법을 제공할 수 있다. Accordingly, the present embodiments can accurately sense the characteristic value of the driving transistor DRT by removing the influence of the organic light emitting diode OLED without changing the base voltage EVSS in the driving transistor sensing driving period, and furthermore, It is possible to provide a driving method capable of more accurately sensing the characteristic value of the driving transistor DRT by reflecting the characteristic of the organic light emitting diode (OLED) in each subpixel (SP) in the driving transistor sensing driving period.

도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압(EVSS)의 상승 없이도, 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 최소화하면서 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치에 대한 센싱 정확도를 향상시킬 수 있는 구동방법을 설명하기 위한 도면들이다. 10 is a diagram of the driving transistor DRT while minimizing the influence of the organic light emitting diode OLED without increasing the base voltage EVSS in the driving transistor sensing driving period in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. These drawings are for explaining a driving method capable of improving sensing accuracy for characteristic values.

도 10을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압(EVSS)의 상승 없이도, 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 최소화하면서 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위하여, 기저전압(EVSS)을 그라운드 전압(GND)으로 유지하고, 대신, 유기발광다이오드(OLED)가 턴-온 되지 않도록, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 근거하여, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 조절한다. Referring to FIG. 10 , the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments minimizes the effect of the organic light emitting diode (OLED) without increasing the base voltage EVSS in the driving transistor sensing driving period, and the driving transistor ( In order to sense the characteristic value of the DRT, the base voltage EVSS is maintained as the ground voltage GND, and instead, the organic light emitting diode OLED is not turned on. The threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED ), the sensing drive data voltage Vdata is adjusted.

일 예로, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서, 유기발광다이오드(OLED)가 턴-온 되지 않도록, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)보다 낮게 설정할 수 있다. For example, the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments applies the sensing driving data voltage Vdata to the organic light emitting diode (OLED) so that the organic light emitting diode (OLED) is not turned on in the driving transistor sensing driving period. It can be set lower than the threshold voltage (Vth_OLED) of (OLED).

또한, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 각 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 특성을 반영하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 보다 정확하게 센싱하기 위하여, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 따라 가변 되도록 계산하여 설정할 수 있다. In addition, the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments reflects the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) in each subpixel (SP) in the driving transistor sensing driving period to obtain a characteristic value of the driving transistor (DRT). In order to accurately sense, the sensing driving data voltage Vdata may be calculated and set to be variable according to the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode (OLED).

여기서, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)의 계산 및 설정은, 컨트롤러(140)에 의해 디지털 레벨에서 이루어질 수 있다. Here, the calculation and setting of the data voltage Vdata for sensing driving may be performed at a digital level by the controller 140 .

컨트롤러(140)는, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)이 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 따라 가변 되도록, 센싱 구동용 데이터를 생성한다. The controller 140 generates sensing-driving data so that the sensing-driving data voltage Vdata varies according to the threshold voltage Vth_OLED of the organic light-emitting diode (OLED).

데이터 드라이버(120)가 센싱 구동용 데이터를 컨트롤러(140)로부터 수신하여 아날로그 전압 형태의 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 출력한다. The data driver 120 receives sensing driving data from the controller 140 and converts it into an analog voltage type sensing driving data voltage (Vdata) and outputs it.

따라서, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 데이터 드라이버(120)는, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 근거하여 설정된 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 출력할 수 있다.Therefore, in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, the data driver 120, during the driving transistor sensing driving period for sensing the characteristic value of the driving transistor DRT in the sensing target subpixel SP, The sensing driving data voltage Vdata set based on the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP may be output.

따라서, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 근거하여 설정된 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 이용하여, 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행함으로써, 유기발광다이오드(OLED)가 턴-온 되지 않은 상태에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있게 된다.Accordingly, the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments performs sensing driving of the driving transistor using the sensing driving data voltage Vdata set based on the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED. As a result, it is possible to accurately sense the characteristic value of the driving transistor DRT in a state in which the organic light emitting diode OLED is not turned on.

더 구체적으로, 데이터 드라이버(120)는, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED) 보다 낮고, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 따라 가변 되는 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 출력할 수 있다.More specifically, the data driver 120 is lower than the threshold voltage (Vth_OLED) of the organic light emitting diode (OLED) in the sensing target subpixel (SP) during the driving transistor sensing driving period, and the organic light emitting diode (OLED) in the sensing target subpixel (SP). A data voltage Vdata for sensing driving that is variable according to the threshold voltage Vth_OLED of the light emitting diode OLED may be output.

그리고, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극)과 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 중 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극)에 인가되는 기저전압(EVSS)은, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 아닌 구간에서와 마찬가지로, 그라운드 전압(GND)일 수 있다. And, in the driving transistor sensing driving period, a second electrode (eg, a cathode electrode) among the first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode) and the second electrode (eg, a cathode electrode or an anode electrode) of the organic light emitting diode (OLED) Alternatively, the base voltage EVSS applied to the anode electrode) may be the ground voltage GND, similarly to a period other than the driving transistor sensing driving period.

따라서, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압(EVSS)을 변경하지 않고도 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 제거하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 각 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 특성을 반영하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 보다 정확하게 센싱할 수 있다. Therefore, the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments removes the influence of the organic light emitting diode (OLED) without changing the base voltage (EVSS) in the driving transistor sensing driving period, thereby reducing the characteristic values of the driving transistor (DRT). can be accurately sensed. In addition, the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) in each sub-pixel (SP) may be reflected in the driving transistor sensing driving period to more accurately sense the characteristics of the driving transistor (DRT).

전술한 바와 같이, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 데이터 드라이버(120)는, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 따라 가변 되는 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 출력함으로써, 센싱 대상 서브픽셀(SP)에 따라 다른 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 출력할 수 있다. As described above, during the driving transistor sensing driving period, the data driver 120 changes the sensing driving data voltage Vdata according to the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP. ), it is possible to output different sensing driving data voltages Vdata according to the sensing target subpixel SP.

도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압(EVSS)의 상승 없이도, 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 최소화하면서 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치에 대한 센싱 정확도를 향상시킬 수 있는 구동방법에 대한 흐름도이고, 도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 기저전압(EVSS)의 상승 없이, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 변화와, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서의 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 설명하기 위한 도면이다.11 is a diagram of the driving transistor DRT while minimizing the influence of the organic light emitting diode OLED without increasing the base voltage EVSS in the driving transistor sensing driving period in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. 12 is a flowchart of a driving method capable of improving sensing accuracy for characteristic values, and FIG. 12 is a flow chart of a driving transistor DRT without an increase in the base voltage EVSS in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. This is a diagram for explaining the voltage change of the second node N2 of the driving transistor DRT in the driving transistor sensing driving period for sensing characteristic values and the sensing driving data voltage Vdata in the driving transistor sensing driving period. .

도 11을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동방법은, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 계산하는 단계(S1110)와, 계산된 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 이용하여 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 단계(S1120)와, 구동 트랜지스터 센싱 구동을 통해 얻어진 센싱값을 토대로 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 보상값을 산출하여 저장하는 단계(S1130) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 11 , a driving method of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes calculating a sensing driving data voltage Vdata (S1110), and the calculated sensing driving data voltage Vdata ) to sense the characteristic value of the driving transistor DRT in the sub-pixel SP to be sensed (S1120), and the sensing target sub-pixel based on the sensing value obtained through the driving transistor sensing drive (S1120). A step of calculating and storing a compensation value for the characteristic value of the driving transistor DRT in the pixel SP (S1130) and the like may be included.

전술한 S1110는 컨트롤러(140)가 디지털 레벨에서 수행될 수 있다. The aforementioned S1110 may be performed by the controller 140 at a digital level.

전술한 S1120는 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 각종 스위치(SPRE, SAM), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작에 따라 수행될 수 있다. The aforementioned S1120 may be performed according to the operation of various switches (SPRE, SAM), the data driver 120 and the gate driver 130 under the control of the controller 140 .

도 12를 참조하면, S1120 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 기준전압을 인가하는 단계(S1210)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)를 플로팅 시켜 전압을 상승시키는 단계(S1220)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 전기적으로 연결된 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱하는 단계(S1230) 등을 포함한다. Referring to FIG. 12 , in step S1120, the sensing driving data voltage Vdata is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and the reference voltage is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. The step of applying (S1210), the step of increasing the voltage by floating the second node (N2) of the driving transistor (DRT) (S1220), and the second node (N2) of the driving transistor (DRT) or the driving transistor ( and sensing the voltage of the sensing line SL electrically connected to the second node N2 of the DRT (S1230).

S1220 단계에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 반영하는 전압 상태(예: Vdata - Vth)가 될 때까지 상승한다. In step S1220, the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT rises until it reaches a voltage state (eg, Vdata - Vth) reflecting the characteristic value of the driving transistor DRT.

전술한 S1210 단계는, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 근거하여 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 계산한다. In step S1210 described above, the sensing driving data voltage Vdata is calculated based on the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP.

전술한 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 근거하여 계산된 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 이용하여 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행함으로써, 유기발광다이오드(OLED)가 턴-온 되지 않은 상태에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있게 되고, 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 편차를 정확하게 보상해주어 화상 품질 개선에 도움을 줄 수 있다. As described above, the organic light emitting diode (OLED) turns- In a non-on state, the characteristic value of the driving transistor DRT can be accurately sensed, and accordingly, a deviation in the characteristic value of the driving transistor DRT can be accurately compensated to help improve image quality.

전술한 바와 같이, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 근거하여 계산된 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 이용하여 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행함으로써, 유기발광다이오드(OLED)의 턴-온 되지 않은 상태에서 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수 있다. As described above, by using the sensing driving data voltage Vdata calculated based on the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP, the organic light emitting diode sensing driving is performed. A characteristic value of the driving transistor DRT may be sensed when the light emitting diode OLED is not turned on.

이로 인해, 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 S1210 단계에서, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 제2전극 중 제2전극에 인가되는 기저전압(EVSS)은, 유기발광다이오드(OLED)를 턴-온 시키지 않는 전압으로 높게 설정되지 않아도 된다. For this reason, in step S1210 in which the driving transistor sensing drive is performed, the base voltage EVSS applied to the second electrode among the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode (OLED) turns on the organic light emitting diode (OLED). -The voltage that does not turn on does not have to be set high.

따라서, 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 S1210 단계에서, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 제2전극 중 제2전극에 인가되는 기저전압(EVSS)은, 도 12에 도시된 바와 같이, 그라운드 전압(GND)으로 사용되어도 무방하다. Therefore, in step S1210 of performing sensing driving of the driving transistor, the base voltage EVSS applied to the second electrode among the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode (OLED) is ground, as shown in FIG. It may be used as a voltage (GND).

여기서, 그라운드 전압(GND)은, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간이 아닌 일반적이 영상 구동 구간에서 사용되는 전압일 수 있으며, 일 예로, 0V일 수 있고, 경우에 따라서, 0V보다 약간 높거나 약간 낮은 전압일 수 있다. Here, the ground voltage (GND) may be a voltage used in a general image driving section rather than a driving transistor sensing driving section, and may be, for example, 0V, and in some cases, a voltage slightly higher or slightly lower than 0V. can

이와 같이, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서, 기저전압(EVSS)을 변경하지 않고도, 유기발광다이오드(OLED)의 영향 없이, 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행할 수 있게 되어, 기저전압 제어 회로를 별도로 구비하지 않아도 되는 장점이 있다. As such, in the driving transistor sensing driving period, the driving transistor sensing driving can be performed without changing the base voltage EVSS and without the influence of the organic light emitting diode (OLED), so that a separate base voltage control circuit is not required. There are advantages.

한편, 도 12를 참조하면, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)은, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 따라 가변 되고, 유기발광표시패널(110)에서의 구동 트랜지스터(DRT)들에 대한 문턱전압 분포에 따라서도 가변 될 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 12 , the data voltage Vdata for sensing and driving is variable according to the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP, and the organic light emitting display panel 110 It can also be varied according to the threshold voltage distribution for the driving transistors DRT in .

여기서, 기발광표시패널(110)에 배치된 모든 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압은, 하한치(Vth_LSL)와 상한치(Vth_USL) 사이에서 소정의 분포를 갖는다. Here, the threshold voltages of all the driving transistors DRT disposed on the light emitting display panel 110 have a predetermined distribution between the lower limit value Vth_LSL and the upper limit value Vth_USL.

더 구체적으로는, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)은, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)과 비례하게 설정되고, 문턱전압 분포 상의 상한치(Vth_USL)와 반비례하게 설정될 수 있다. More specifically, the data voltage Vdata for sensing and driving is set in proportion to the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP, and is set in proportion to the upper limit value Vth_USL on the threshold voltage distribution. It can be set in inverse proportion.

센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)은 아래의 수학식 1과 같이 표현될 수 있다. The data voltage Vdata for sensing driving may be expressed as in Equation 1 below.

Figure 112015129525127-pat00001
Figure 112015129525127-pat00001

수학식 1에서, Vdata는 해당 서브픽셀(SP)에서의 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하기 위해 사용되는 센싱 구동용 데이터 전압이고, Vth_OLED는 해당 서브픽셀(SP)에서의 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압이다. 그리고, Vth_USL은 유기발광표시패널(110)에 배치된 모든 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압에 대한 문턱전압 분포 상의 상한치이다. In Equation 1, Vdata is a sensing driving data voltage used to sense the characteristic value of the driving transistor DRT in the corresponding subpixel SP, and Vth_OLED is the organic light emitting diode (OLED) in the corresponding subpixel SP. ) is the threshold voltage of Further, Vth_USL is an upper limit value on the threshold voltage distribution for the threshold voltages of all driving transistors DRT disposed on the organic light emitting display panel 110 .

전술한 바와 같이, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)과 유기발광표시패널(110)에서의 모든 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 분포 상의 상한치(Vth_USL)를 고려하여, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 설정함으로써, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 직접적으로 연결된 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 상태를 유기발광다이오드(OLED)가 턴-온 되지 않는 상태로 정확하게 만들어줄 수 있다. As described above, the threshold voltage (Vth_OLED) of the organic light emitting diode (OLED) in the sensing target subpixel (SP) and the upper limit value (Vth_USL) of the threshold voltage distribution for all driving transistors DRT in the organic light emitting display panel 110 ), by setting the data voltage Vdata for sensing driving, the voltage state of the second node N2 of the driving transistor DRT directly connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED is changed to the organic light emitting diode. (OLED) can be accurately made into a non-turned-on state.

도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 기저전압(EVSS)의 상승 없이도, 유기발광다이오드(OLED)의 영향을 최소화하면서 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치에 대한 센싱 정확도를 향상시킬 수 있는 구동방법에 대한 다른 흐름도이다.FIG. 13 is a diagram of the driving transistor DRT while minimizing the influence of the organic light emitting diode OLED without increasing the base voltage EVSS in the driving transistor sensing driving period in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. It is another flowchart for a driving method capable of improving sensing accuracy for characteristic values.

도 13을 참조하면, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 계산하는 S1110 단계 이전에, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동을 진행하는 단계(S1310)가 더 진행될 수 있다. Referring to FIG. 13 , prior to step S1110 of calculating the data voltage Vdata for sensing driving, organic light emitting diode sensing for sensing the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP. A step of driving (S1310) may further proceed.

이에 따라, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 계산하는 S1110 단계에서, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 계산하기 위해 사용되는 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)은, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 이전에 진행된 유기발광다이오드 센싱 구동 구간에서 실제로 센싱되어 얻어진 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)일 수 있다. Accordingly, in step S1110 of calculating the sensing driving data voltage Vdata, the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP used to calculate the sensing driving data voltage Vdata ( Vth_OLED) may be the threshold voltage (Vth_OLED) of the organic light emitting diode (OLED) in the subpixel (SP) to be sensed obtained by actually being sensed in the organic light emitting diode sensing driving period that proceeded before the driving transistor sensing driving period.

이에 따라, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에서 각 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 특성을 반영하여 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 보다 정확하게 센싱할 수 있다. Accordingly, the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments reflects the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) in each subpixel (SP) in the driving transistor sensing driving period to determine the characteristics of the driving transistor (DRT). More accurate sensing is possible.

한편, 전술한 바와 같이, 아날로그 디지털 컨버터(410)는, 센싱 라인(SL)과 전기적으로 연결되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 전기적으로 연결된 센싱 라인(SL)의 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 출력한다. Meanwhile, as described above, the analog-to-digital converter 410 is electrically connected to the sensing line SL, and the voltage of the sensing line SL electrically connected to the second node N2 of the driving transistor DRT. It converts into a sensed value corresponding to a digital value and outputs it.

이러한 아날로그 디지털 컨버터(410)에서 센싱되는 전압(Vsen)은, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)의 가변에 따라 변할 수 있다. The voltage Vsen sensed by the analog-to-digital converter 410 may change according to the variation of the sensing driving data voltage Vdata.

예를 들어, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)을 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동의 경우, 아날로그 디지털 컨버터(410)에서 센싱되는 전압(Vsen)은, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)의 차이(Vdata-Vth)가 되기 때문에, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)에 따라 변할 수 있다. For example, in the case of driving by sensing the driving transistor for sensing the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (DRT), the voltage (Vsen) sensed by the analog-to-digital converter 410 is the data voltage (Vdata) for sensing and driving. Since it is the difference (Vdata-Vth) of the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (DRT), it may change according to the data voltage (Vdata) for sensing and driving.

따라서, 아날로그 디지털 변환 성능을 향상시키기 위해, 아날로그 디지털 컨버터(410)의 아날로그 디지털 변환 범위는 적절하게 가변 될 수 있어야 한다. Therefore, in order to improve analog-to-digital conversion performance, the analog-to-digital conversion range of the analog-to-digital converter 410 should be appropriately variable.

즉, 아날로그 디지털 컨버터(410)의 센싱값이 아날로그 디지털 컨버터(410)의 아날로그 디지털 변환 범위에 들어와야만 한다. That is, the sensing value of the analog-to-digital converter 410 must fall within the analog-to-digital conversion range of the analog-to-digital converter 410 .

더 구체적으로, 아날로그 디지털 컨버터(410)의 센싱 전압에 해당하는 디지털 값이 아날로그 디지털 컨버터(410)의 아날로그 디지털 변환 범위(디지털 값 범위)의 중앙 지점에 위치할 수 있어야 한다. More specifically, a digital value corresponding to the sensing voltage of the analog-to-digital converter 410 should be located at the center of the analog-to-digital conversion range (digital value range) of the analog-to-digital converter 410 .

이에, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)을 계산하는 S1110 단계 이후, 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 S1120 단계 이전에, 아날로그 디지털 컨버터(410)의 아날로그 디지털 변환 범위를 조절하는 단계(S1320)가 더 진행될 수 있다. Accordingly, after step S1110 of calculating the data voltage Vdata for sensing driving and before step S1120 of performing sensing driving of the driving transistor, a step of adjusting the analog-to-digital conversion range of the analog-to-digital converter 410 (S1320) is further performed. can

전술한 바에 따르면, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 고려하여 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)를 가변 하여 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하더라도, 아날로그 디지털 컨버터(410)는 정확한 아날로그 디지털 변환 기능을 수행할 수 있고, 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있다. As described above, even if the driving transistor sensing drive is performed by varying the data voltage Vdata for sensing driving in consideration of the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode (OLED), the analog-to-digital converter 410 performs accurate analog-to-digital conversion The function can be performed, and thus, the characteristic value of the driving transistor DRT can be accurately sensed.

도 11을 참조하면, S1320 단계에서 아날로그 디지털 컨버터(140)의 아날로그 디지털 변환 범위를 조절한 이후, 아날로그 디지털 컨버터(140)의 특성 정보(예: 게인, 오프셋 등)를 센싱하여 보상(보정)하는 단계(S1330)를 더 진행할 수 있다. Referring to FIG. 11, after adjusting the analog-to-digital conversion range of the analog-to-digital converter 140 in step S1320, the characteristic information (eg, gain, offset, etc.) of the analog-to-digital converter 140 is sensed and compensated (corrected). Step S1330 may be further performed.

한편, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동을 진행하는 단계(S1310)에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 영향 없이, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 정확하게 센싱하기 위하여, 유기발광다이오드 센싱 구간 동안, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 전기적으로 연결된 데이터 라인(DL)에는, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)를 턴-오프 시키는 데이터 전압이 인가될 수 있다. Meanwhile, in step S1310 of performing organic light emitting diode sensing driving for sensing the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED, the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED is not affected by the driving transistor DRT. In order to accurately sense (Vth_OLED), during the organic light emitting diode sensing period, the data line DL electrically connected to the first node N1 of the driving transistor DRT in the sensing target subpixel SP is connected to the sensing target subpixel SP. A data voltage for turning off the driving transistor DRT in the pixel SP may be applied.

여기서, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)를 턴-오프 시키는 데이터 전압은, 일 예로, 블랙 데이터 전압(Vblack)일 수 있다. Here, the data voltage for turning off the driving transistor DRT in the subpixel SP to be sensed may be, for example, the black data voltage Vblack.

유기발광다이오드 센싱 구간 동안, 센싱 대상 서브픽셀(SP) 내 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결된 센싱 라인(SL)의 전압은 하강한다. During the organic light emitting diode sensing period, the voltage of the sensing line SL electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED in the sensing target subpixel SP decreases.

센싱 라인(SL)의 전압이 하강하는 동안, 유기발광다이오드(OLED)는 발광한다. While the voltage of the sensing line SL falls, the organic light emitting diode OLED emits light.

그리고, 센싱 라인(SL)의 전압이 유기발광다이오드(OLED)를 턴-온 시킬 수 있는 전압보다 낮아지면, 유기발광다이오드(OLED)는 발광이 멈춘다. Also, when the voltage of the sensing line SL becomes lower than the voltage capable of turning on the organic light emitting diode OLED, the organic light emitting diode OLED stops emitting light.

이때, 아날로그 디지털 컨버터(410)는 센싱 라인(SL)의 전압을 센싱한다. At this time, the analog-to-digital converter 410 senses the voltage of the sensing line SL.

아날로그 디지털 컨버터(410)에 의해 센싱된 전압은 기저전압(EVSS)에 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 더한 전압이다. 만약, 기저전압(EVSS)이 0V의 그라운드 전압(GND)인 경우, 아날로그 디지털 컨버터(410)에 의해 센싱된 전압은 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 해당한다. The voltage sensed by the analog-to-digital converter 410 is a voltage obtained by adding the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED to the base voltage EVSS. If the base voltage EVSS is the ground voltage GND of 0V, the voltage sensed by the analog-to-digital converter 410 corresponds to the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED.

전술한 바와 같이, 데이터 전압을 구동 트랜지스터(DRT)를 턴-오프 시킬 수 있는 전압으로 설정하여 유기발광다이오드 센싱 구동을 진행함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 영향 없이 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 정확하게 센싱할 수 있다. As described above, by setting the data voltage to a voltage capable of turning off the driving transistor DRT, the organic light emitting diode sensing drive is performed, thereby increasing the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED without the influence of the driving transistor DRT. (Vth_OLED) can be accurately sensed.

아래에서는, 유기발광다이오드 센싱 구동 방법에 대하여, 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, the organic light emitting diode sensing driving method will be described in more detail.

도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 방법에 대한 흐름도이고, 도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 방법에서, 각 단계별 회로 상태를 나타낸 도면이다. 도 16은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 구간에서, 센싱 라인(SL)의 전압 변화를 나타낸 도면이다. 14 is a flowchart of an organic light emitting diode sensing driving method for sensing the threshold voltage (Vth_OLED) of the organic light emitting diode (OLED) in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, and FIG. 15 is a flowchart of this embodiment. In the OLED sensing driving method for sensing the threshold voltage (Vth_OLED) of the organic light emitting diode (OLED) in the organic light emitting display device 100 according to the examples, this is a diagram showing circuit states at each stage. 16 illustrates a voltage change of a sensing line SL in an organic light emitting diode sensing drive section for sensing the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. is a drawing showing

도 14 및 도 15를 참조하면, 유기발광다이오드 센싱 구동을 진행하는 단계(S1310)는, 유기발광다이오드 방전 단계(S1420)와 유기발광다이오드 문턱전압 센싱 단계(S1430) 등을 포함한다. Referring to FIGS. 14 and 15 , the organic light emitting diode sensing driving step ( S1310 ) includes an organic light emitting diode discharging step ( S1420 ) and an organic light emitting diode threshold voltage sensing step ( S1430 ).

유기발광다이오드 방전 단계(S1420)에서는, 구동 트랜지스터(DRT)가 오프 된 상태이고, 제2 트랜지스터(T2)는 온 상태 이다. In the organic light emitting diode discharging step ( S1420 ), the driving transistor DRT is in an off state and the second transistor T2 is in an on state.

그리고, 유기발광다이오드 방전 단계(S1420)의 시작 시점에서, 센싱 라인(SL)은 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)보다 높은 초기화 전압(Vinit)으로 초기화되어 있다. At the start of the organic light emitting diode discharge step ( S1420 ), the sensing line SL is initialized with an initialization voltage Vinit higher than the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED.

이에 따라, 유기발광다이오드 방전 단계(S1420)에서는, 유기발광다이오드(OLED)로 전류가 흐르면서 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다. Accordingly, in the organic light emitting diode discharging step ( S1420 ), the organic light emitting diode (OLED) emits light while current flows through the organic light emitting diode (OLED).

유기발광다이오드 방전 단계(S1420)에서, 구동 트랜지스터(DRT)를 오프 된 상태로 만들어 주기 위해서, 턴-오프 레벨 전압(예: 로우 레벨 전압)의 제1 스캔신호(SCAN1)를 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가하여 제1 트랜지스터(T1)를 오프 시키거나, 턴-온 된 제1 트랜지스터(T1)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)를 오프 시킬 수 있는 데이터 전압(예: 블랙 데이터 전압(Vblack))을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 인가해줄 수 있다. In the organic light emitting diode discharging step (S1420), in order to turn off the driving transistor DRT, the first scan signal SCAN1 of the turn-off level voltage (eg, low level voltage) is applied to the first transistor T1 ) to turn off the first transistor T1 or to turn off the driving transistor DRT through the turned-on first transistor T1 (e.g., black data voltage Vblack )) may be applied to the first node N1 of the driving transistor DRT.

이러한 S1420 단계에서는, 유기발광다이오드(OLED)로 전류가 흐르면서 방전 동작이 일어나고, 이에 따라, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 낮아진다. In step S1420, a discharge operation occurs while current flows through the organic light emitting diode (OLED), and accordingly, the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode (OLED), that is, the second node (N2) of the driving transistor (DRT) The voltage (V2) of is lowered.

따라서, 도 16에 도시된 바와 같이, S1420 단계에서는, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있기 때문에, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)과 함께, 센싱 라인(SL)의 전압(Vsl)도 함께 낮아진다. Therefore, as shown in FIG. 16, since the second transistor T2 is turned on in step S1420, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT and the sensing line The voltage (Vsl) of (SL) also decreases.

유기발광다이오드(OLED)의 제1전극의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 낮아지는 동안, 즉, 센싱 라인(SL)의 전압(Vsl)이 낮아지는 동안, 유기발광다이오드(OLED)는 발광 상태(온 상태)이다. While the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode (OLED), that is, the voltage (V2) of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) is lowered, that is, the voltage (Vsl) of the sensing line (SL) While low, the organic light emitting diode (OLED) is in a light emitting state (on state).

도 16을 참조하면, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 유기발광다이오드(OLED)가 턴-오프 되는 전압만큼 낮아지면, 유기발광다이오드(OELD)는 오프 상태(발광 중지)가 된다. Referring to FIG. 16 , the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode (OLED), that is, the voltage (V2) of the second node (N2) of the driving transistor (DRT) turns off the organic light emitting diode (OLED). When the voltage decreases, the organic light emitting diode OELD turns off (stops emitting light).

여기서, 유기발광다이오드(OLED)가 턴-오프 되는 전압은, 기저전압(EVSS)에 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 더한 전압이다. Here, the voltage at which the organic light emitting diode OLED is turned off is a voltage obtained by adding the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED to the base voltage EVSS.

만약, 기저전압(EVSS)이 0V의 그라운드 전압(GND)인 경우, 유기발광다이오드(OLED)가 턴-오프 되는 전압은, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 해당한다. If the base voltage EVSS is the ground voltage GND of 0V, the voltage at which the organic light emitting diode OLED is turned off corresponds to the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED.

유기발광다이오드(OELD)가 발광을 멈추면, 즉, 유기발광다이오드(OLED)가 오프 되면, 유기발광다이오드 문턱전압 센싱 단계(S1430)가 진행된다. When the organic light emitting diode (OELD) stops emitting light, that is, when the organic light emitting diode (OLED) is turned off, the organic light emitting diode threshold voltage sensing step ( S1430 ) proceeds.

유기발광다이오드 문턱전압 센싱 단계(S1430)에서는, 도 16에 도시된 바와 같이, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 아날로그 디지털 컨버터(410)와 센싱 라인(SL)이 전기적으로 연결된다. In the OLED threshold voltage sensing step (S1430), as shown in FIG. 16, the sampling switch SAM is turned on and the analog-to-digital converter 410 is electrically connected to the sensing line SL.

이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(410)는, 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극 또는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결된 센싱 라인(SL)의 전압(Vsl)을 센싱한다. Accordingly, the analog-to-digital converter 410 senses the first electrode of the organic light emitting diode (OLED) or the voltage (Vsl) of the sensing line (SL) electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode (OLED).

이때, 센싱된 전압(Vsl)은 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)이거나, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)과 대응되는 전압(EVSS+Vth_OLED)일 수 있다. In this case, the sensed voltage Vsl may be the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED or a voltage corresponding to the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED (EVSS+Vth_OLED).

전술한 유기발광다이오드 센싱 구동 방법에 의하면, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 정확하게 센싱할 수 있다. According to the organic light emitting diode sensing and driving method described above, the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode (OLED) can be accurately sensed.

한편, 도 14 및 도 15를 참조하면, 유기발광다이오드 방전 단계(S1420) 이전에, 센싱 라인(SL)을 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)보다 높은 초기화 전압(Vinit)으로 초기화하는 센싱 라인 초기화 단계(S1410)가 더 진행될 수 있다. Meanwhile, referring to FIGS. 14 and 15 , prior to the organic light emitting diode discharging step (S1420), the sensing line SL is initialized with an initialization voltage Vinit higher than the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode OLED. A sensing line initialization step (S1410) may further proceed.

이러한 센싱 라인 초기화 단계(S1410)에서, 제2 트랜지스터(T2)는 온 상태 또는 오프 상태일 수 있다. In this sensing line initialization step ( S1410 ), the second transistor T2 may be in an on state or an off state.

한편, 센싱 라인 초기화 단계(S1410)를 별도로 마련하여, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)보다 높은 전압으로 설정되어 만들어진 초기화 전압(Vinit)을 센싱 라인(SL)에 별도로 인가해줄 수 있다. Meanwhile, a sensing line initialization step (S1410) may be separately prepared to separately apply the initialization voltage (Vinit) set to a voltage higher than the threshold voltage (Vth_OLED) of the organic light emitting diode (OLED) to the sensing line (SL). .

이와는 다르게, 영상 구동을 위한 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작과 연계하여, 센싱 라인(SL)의 전압을 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth)을 센싱하기 위한 초기화 전압(Vinit)으로 만들어줌으로써, 센싱 라인(SL)을 초기화 해줄 수도 있다. Unlike this, in connection with the light emission operation of the organic light emitting diode (OLED) for image driving, the voltage of the sensing line (SL) is converted into an initialization voltage (Vinit) for sensing the threshold voltage (Vth) of the organic light emitting diode (OLED). By making it, the sensing line SL may be initialized.

이러한 경우에 대하여, 도 17 및 도 18을 참조하여 설명한다. This case will be described with reference to FIGS. 17 and 18 .

도 17은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 방법에 대한 다른 흐름도이고, 도 18은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동 구간에서, 주요 신호들(SCAN1, SCAN2, SPRE, SAM, Vdata)과 센싱 라인(SL)의 전압 변화를 나타낸 도면이다. FIG. 17 is another flow chart of an organic light emitting diode sensing driving method for sensing the threshold voltage (Vth_OLED) of the organic light emitting diode (OLED) in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments. FIG. In the organic light emitting diode display device 100 according to the exemplary embodiments, in the organic light emitting diode sensing driving period for sensing the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode (OLED), the main signals SCAN1, SCAN2, SPRE, SAM, It is a diagram showing voltage changes between Vdata) and the sensing line SL.

도 17 및 도 18을 참조하면, 유기발광다이오드(OLED)의 발광 동작은, 유기발광다이오드(OLED)의 발광을 위한 발광 초기화 단계(S1710)와, 유기발광다이오드(OLED)가 발광하는 유기발광다이오드 발광 단계(S1720)로 진행된다. 17 and 18, the light emitting operation of the organic light emitting diode (OLED) includes a light emission initialization step (S1710) for light emission of the organic light emitting diode (OLED), and an organic light emitting diode (OLED) emitting light. It proceeds to a light emitting step (S1720).

발광 초기화 단계(S1710)에서는, 턴-온 레벨 전압(하이 레벨 전압)의 제1스캔신호(SCAN1) 및 제2스캔신호(SCAN2)가 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)에 인가된다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온 된다. In the light emission initialization step S1710, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 of the turn-on level voltage (high level voltage) are applied to the first transistor T1 and the second transistor T2. do. Accordingly, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on.

그리고, 발광 초기화 단계(S1710)에서, 초기화 스위치(SPRE)는 턴-온 되어, 센싱 라인(SL)에 기준전압(Vref)이 인가된다. In the light emission initialization step (S1710), the initialization switch SPRE is turned on, and the reference voltage Vref is applied to the sensing line SL.

또한, 발광 초기화 단계(S1710)에서는, 데이터 드라이버(120)는 영상 구동용 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. In addition, in the emission initialization step (S1710), the data driver 120 outputs the image driving data voltage Vdata.

이에 따라, 발광 초기화 단계(S1710)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에는 영상 구동용 데이터 전압(Vdata)이 인가되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에는 기준전압(Vref)이 인가된다. Accordingly, in the emission initialization step S1710, the image driving data voltage Vdata is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, and the reference voltage is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. A voltage Vref is applied.

이후, 도 17 및 도 18을 참조하면, 유기발광다이오드 발광 단계(S1720)에서는, 턴-오프 레벨 전압(로우 레벨 전압)의 제1스캔신호(SCAN1)가 제1 트랜지스터(T1)에 인가되어, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 된다. 또한, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 된다. 17 and 18, in the organic light emitting diode light emitting step (S1720), the first scan signal SCAN1 of the turn-off level voltage (low level voltage) is applied to the first transistor T1, The first transistor T1 is turned off. Also, the initialization switch SPRE is turned off.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2)는 플로팅 된다. Accordingly, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT are floated.

따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1) 및 제2노드(N2) 각각의 전압은 상승한다. 이때, 제2 트랜지스터(T2)가 온 상태인 경우, 센싱 라인(SL)의 전압도 함께 상승한다. Accordingly, the voltage of each of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT increases. At this time, when the second transistor T2 is in an on state, the voltage of the sensing line SL also rises.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)이 상승하다가 유기발광다이오드(OLE)의 문턱전압(Vth_OLED)보다 높은 전압이 되면, 유기발광다이오드(OLED)는 발광을 시작한다. When the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and becomes higher than the threshold voltage Vth_OLED of the organic light-emitting diode OLED, the organic light-emitting diode OLED starts to emit light.

도 17 및 도 18을 참조하면, 이러한 유기발광다이오드 발광 단계(S1720)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압(V2)의 상승에 따라, 센싱 라인(SL)의 전압(Vsl)도 상승하다가, 어느 순간에, 유기발광다이오드 센싱 구동을 위한 초기화 전압(Vinit)이 된다. 17 and 18, in the organic light emitting diode light emitting step (S1720), as the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT increases, the voltage of the sensing line SL ( Vsl) also rises, and at some point becomes the initialization voltage (Vinit) for driving the organic light emitting diode sensing.

이 시점이, 유기발광다이오드 센싱 구동을 위한 센싱 라인 초기화 시점이 되는 것이다. This time point becomes a sensing line initialization time point for organic light emitting diode sensing drive.

이러한 센싱 라인 초기화 시점 이후, 유기발광다이오드 방전 단계(S1420) 및 유기발광다이오드 문턱전압 센싱 단계(S1430)가 진행됨으로써, 유기발광다이오드 센싱 구동(S1310)이 진행되어, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)이 센싱될 수 있다. After the sensing line initialization point, the organic light emitting diode discharge step (S1420) and the organic light emitting diode threshold voltage sensing step (S1430) proceed, so that the organic light emitting diode sensing driving (S1310) proceeds, and the organic light emitting diode (OLED) threshold The voltage (Vth_OLED) may be sensed.

도 19는 본 실시예들에 따른 컨트롤러(140)에 대한 블록도이다. 19 is a block diagram of a controller 140 according to the present embodiments.

도 19를 참조하면, 본 실시예들에 따른 컨트롤러(140)는, 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도)를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동에 필요한 센싱 구동용 데이터를 생성하는 센싱 구동용 데이터 생성부(1910)와, 센싱 구동용 데이터를 데이터 드라이버(120)로 출력하는 센싱 구동용 데이터 출력부(1920)와, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 송신되어 메모리(420)에 저장되거나 아날로그 디지털 컨버터(ADC)로부터 수신된 센싱 데이터를 토대로, 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치에 대한 보상값을 산출하여 출력하는 보상부(430) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 19 , the controller 140 according to the present embodiments performs sensing required for driving the driving transistor sensing for sensing the characteristic value (eg, threshold voltage, mobility) of the driving transistor DRT in the subpixel to be sensed. It is transmitted from the sensing driving data generator 1910 that generates driving data, the sensing driving data output unit 1920 that outputs the sensing driving data to the data driver 120, and the analog-to-digital converter (ADC). Compensation unit 430 that calculates and outputs a compensation value for the characteristic value of the driving transistor DRT in the subpixel to be sensed based on the sensing data stored in the memory 420 or received from the analog-to-digital converter (ADC) can do.

센싱 구동용 데이터 생성부(1910)는, 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압(Vth_OLED)에 근거하여 센싱 구동용 데이터를 생성할 수 있다. The sensing driving data generator 1910 may generate sensing driving data based on the threshold voltage Vth_OLED of the organic light emitting diode (OLED) in the sensing target subpixel.

데이터 드라이버(120)는 센싱 구동용 데이터 생성부(1910)에서 생성된 센싱 구동용 데이터를 수신하여 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간에 해당 데이터 라인으로 출력할 수 있다. The data driver 120 may receive the sensing driving data generated by the sensing driving data generator 1910, convert the sensing driving data voltage Vdata, and output the data voltage Vdata to the corresponding data line during the sensing driving period of the driving transistor. .

이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 유기발광다이오드의 영향 없이, 구동 트랜지스터의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러(140), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공할 수 있다. According to the present embodiments as described above, it is possible to provide a controller 140, an organic light emitting display device 100, and a driving method capable of accurately sensing characteristic values of driving transistors without the influence of organic light emitting diodes. there is.

또한, 본 실시예들에 의하면, 유기발광다이오드의 제1전극과 제2전극 중 제2전극에 인가되는 기저전압을 임의로 조절하지 않고도, 유기발광다이오드의 영향 없이, 구동 트랜지스터의 특성치를 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러(140), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공할 수 있다.In addition, according to the present embodiments, the characteristic value of the driving transistor can be accurately sensed without the influence of the organic light emitting diode without arbitrarily adjusting the base voltage applied to the second electrode of the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode. A controller 140, an organic light emitting display device 100, and a driving method thereof may be provided.

또한, 본 실시예들에 의하면, 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 특성을 반영하여 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 구동을 진행하여, 구동 트랜지스터의 특성치를 보다 정확하게 센싱할 수 있게 해주는 컨트롤러(140), 유기발광표시장치(100) 및 그 구동방법을 제공할 수 있다.In addition, according to the present embodiments, the controller 140 reflects the characteristics of the organic light emitting diode in each subpixel and performs a sensing drive to sense the characteristic values of the driving transistors, thereby more accurately sensing the characteristic values of the driving transistors. ), an organic light emitting display device 100 and a driving method thereof.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The above description and accompanying drawings are merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art can combine the configuration within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. , various modifications and variations such as separation, substitution and alteration will be possible. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed according to the claims below, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 컨트롤러
100: organic light emitting display device
110: organic light emitting display panel
120: data driver
130: gate driver
140: controller

Claims (17)

다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의된 다수의 서브픽셀이 배열되고 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터가 배치되는 유기발광표시패널;
상기 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버;
상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버; 및
상기 데이터 드라이버 및 상기 게이트 드라이버를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 데이터 드라이버는,
센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 근거하여 설정된 센싱 구동용 데이터 전압을 출력하며,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압은,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 이전에 진행된 유기발광다이오드 센싱 구동 구간에서 얻어진 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압이고,
상기 센싱 구동용 데이터 전압은 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 따라 가변 되고,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안, 상기 유기발광다이오드는 턴-오프 상태인 유기발광표시장치.
an organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, and an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed in each subpixel;
a data driver driving the plurality of data lines;
a gate driver driving the plurality of gate lines; and
a controller controlling the data driver and the gate driver;
The data driver,
During a driving transistor sensing driving period for sensing a characteristic value of a driving transistor in a sensing target subpixel, a data voltage for sensing and driving set based on a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel is output,
The threshold voltage of the organic light emitting diode in the sensing target subpixel is,
a threshold voltage of the organic light emitting diode in the subpixel to be sensed obtained in an organic light emitting diode sensing driving period performed before the driving transistor sensing driving period;
The data voltage for sensing and driving is varied according to a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel;
During the driving transistor sensing driving period, the organic light emitting diode is in a turned-off state.
제1항에 있어서,
상기 데이터 드라이버는,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압 보다 낮은 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The data driver,
An organic light emitting display device having a threshold voltage lower than a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel.
제1항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 동안,
상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극에 인가되는 기저전압은 그라운드 전압인 유기발광표시장치.
According to claim 1,
During the driving transistor sensing driving period,
The base voltage applied to the cathode electrode of the organic light emitting diode is a ground voltage.
제1항에 있어서,
상기 센싱 구동용 데이터 전압은,
상기 유기발광표시패널에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 분포에 따라서도 가변 되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The data voltage for driving the sensing is
An organic light emitting display device that is variable according to a threshold voltage distribution of driving transistors in the organic light emitting display panel.
제4항에 있어서,
상기 센싱 구동용 데이터 전압은,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압과 비례하게 설정되고,
상기 문턱전압 분포 상의 상한치와는 반비례하게 설정되는 유기발광표시장치.
According to claim 4,
The data voltage for driving the sensing is
set in proportion to the threshold voltage of the organic light emitting diode in the sensing target subpixel;
An organic light emitting display device set in inverse proportion to an upper limit of the threshold voltage distribution.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 유기발광다이오드 센싱 구간 동안,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 제1노드와 전기적으로 연결된 데이터 라인에는, 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터를 턴-오프 시키는 데이터 전압이 인가되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
During the organic light emitting diode sensing period,
A data voltage for turning off a driving transistor in the sensing target subpixel is applied to a data line electrically connected to a first node of a driving transistor in the sensing target subpixel.
제7항에 있어서,
상기 유기발광다이오드 센싱 구간 동안,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 제1전극과 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압이 하강하는 도중에, 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드는 발광을 멈추는 유기발광표시장치.
According to claim 7,
During the organic light emitting diode sensing period,
The organic light emitting diode in the sensing target subpixel stops emitting light while a voltage of a sensing line electrically connected to a first electrode of the organic light emitting diode in the sensing target subpixel falls.
제1항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 제2노드와 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 컨버터를 더 포함하고,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 이전에, 상기 아날로그 디지털 컨버터의 아날로그 디지털 변환 범위가 가변 되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
An analog-to-digital converter converting a voltage of a sensing line electrically connected to the second node of the driving transistor into a sensing value corresponding to a digital value and outputting the converted digital value;
An organic light emitting display device in which an analog-to-digital conversion range of the analog-to-digital converter is variable before the driving transistor sensing driving period.
다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의된 다수의 서브픽셀이 배열되고 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터가 배치되는 유기발광표시패널과, 상기 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 상기 데이터 드라이버 및 상기 게이트 드라이버를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법에 있어서,
센싱 구동용 데이터 전압을 계산하는 단계;
상기 센싱 구동용 데이터 전압을 이용하여 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 단계; 및
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동을 통해 얻어진 센싱값을 토대로 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치 보상값을 산출하여 저장하는 단계를 포함하고,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 단계는,
상기 구동 트랜지스터의 제1노드에 상기 센싱 구동용 데이터 전압을 인가하고, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드에 기준전압을 인가하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제2노드를 플로팅 시켜 상기 구동 트랜지스터의 제2노드의 전압을 상승시키는 단계; 및
상기 구동 트랜지스터의 제2노드 또는 상기 구동 트랜지스터의 제2노드와 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하는 단계를 포함하고,
상기 센싱 구동용 데이터 전압을 계산하는 단계는,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 근거하여 상기 센싱 구동용 데이터 전압을 계산하며,
상기 센싱 구동용 데이터 전압을 계산하는 단계 이전에, 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압을 센싱하기 위한 유기발광다이오드 센싱 구동을 진행하는 단계를 더 포함하고,
상기 센싱 구동용 데이터 전압은 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 따라 가변 되고,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 단계에서, 상기 유기발광다이오드는 턴-오프 상태인 유기발광표시장치의 구동방법.
An organic light emitting display panel in which a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged, and an organic light emitting diode and a driving transistor for driving the organic light emitting diode are disposed in each subpixel; A method of driving an organic light emitting display device comprising a data driver driving data lines, a gate driver driving the plurality of gate lines, and a controller controlling the data drivers and the gate drivers, the method comprising:
calculating a data voltage for sensing driving;
performing sensing driving of a driving transistor for sensing a characteristic value of a driving transistor in a subpixel to be sensed using the sensing driving data voltage; and
Calculating and storing a compensation value for a characteristic value of a driving transistor in the subpixel to be sensed based on a sensing value obtained through sensing driving of the driving transistor;
In the step of performing the driving transistor sensing drive,
applying the data voltage for sensing and driving to a first node of the driving transistor and applying a reference voltage to a second node of the driving transistor;
increasing the voltage of the second node of the driving transistor by floating the second node of the driving transistor; and
sensing a voltage of a second node of the driving transistor or a sensing line electrically connected to the second node of the driving transistor;
In the step of calculating the data voltage for sensing driving,
calculating a data voltage for sensing and driving based on a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel;
Prior to the step of calculating the data voltage for sensing driving, further comprising: performing organic light emitting diode sensing driving for sensing a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel;
The data voltage for sensing and driving is varied according to a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel;
In the step of performing the sensing driving of the driving transistor, the organic light emitting diode is in a turned-off state.
제10항에 있어서,
상기 센싱 구동용 데이터 전압은,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압 보다 낮은 유기발광표시장치의 구동방법.
According to claim 10,
The data voltage for driving the sensing is
A method of driving an organic light emitting display device lower than a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel.
제11항에 있어서,
상기 센싱 구동용 데이터 전압은,
상기 유기발광표시패널에서의 구동 트랜지스터들에 대한 문턱전압 분포에 따라서도 가변 되는 유기발광표시장치의 구동방법.
According to claim 11,
The data voltage for driving the sensing is
A method of driving an organic light emitting display device that is variable according to a threshold voltage distribution of driving transistors in the organic light emitting display panel.
제10항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 단계에서,
상기 유기발광다이오드의 제1전극과 제2전극 중 제2전극에 인가되는 기저전압은 그라운드 전압인 유기발광표시장치의 구동방법.
According to claim 10,
In the step of performing the driving transistor sensing drive,
The base voltage applied to the second electrode among the first electrode and the second electrode of the organic light emitting diode is a ground voltage.
삭제delete 제10항에 있어서,
상기 유기발광다이오드 센싱 구동을 진행하는 단계는,
상기 구동 트랜지스터가 오프 된 상태에서, 상기 유기발광다이오드로 전류를 흐르게 하는 단계; 및
상기 유기발광다이오드가 오프 되면 상기 유기발광다이오드의 제1전극 또는 상기 유기발광다이오드의 제1전극과 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압을 센싱하는 단계를 포함하고,
상기 센싱된 전압은 상기 유기발광다이오드의 문턱전압 또는 상기 유기발광다이오드의 문턱전압과 대응되는 유기발광표시장치의 구동방법.
According to claim 10,
In the step of driving the organic light emitting diode sensing,
flowing a current to the organic light emitting diode in a state in which the driving transistor is turned off; and
sensing a voltage of a first electrode of the organic light emitting diode or a sensing line electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode when the organic light emitting diode is turned off;
The sensed voltage corresponds to a threshold voltage of the organic light emitting diode or a threshold voltage of the organic light emitting diode.
제10항에 있어서,
상기 센싱 구동용 데이터 전압을 계산하는 단계 이후, 상기 구동 트랜지스터 센싱 구동을 진행하는 단계 이전에,
상기 구동 트랜지스터의 제2노드과 전기적으로 연결된 센싱 라인의 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하여 출력하는 아날로그 디지털 컨버터의 아날로그 디지털 변환 범위를 조절하는 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 구동방법.
According to claim 10,
After the step of calculating the data voltage for the sensing drive and before the step of performing the sensing drive of the driving transistor,
The method of driving an organic light emitting display device further comprising adjusting an analog-to-digital conversion range of an analog-to-digital converter that converts a voltage of a sensing line electrically connected to the second node of the driving transistor into a sensed value corresponding to a digital value and outputs the same. .
센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치를 센싱하기 위한 구동 트랜지스터 센싱 구동에 필요한 센싱 구동용 데이터를 생성하는 센싱 구동용 데이터 생성부;
상기 센싱 구동용 데이터를 출력하는 센싱 구동용 데이터 출력부; 및
저장 또는 수신된 센싱 데이터를 토대로 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치에 대한 보상값을 산출하여 출력하는 보상부를 포함하고,
상기 센싱 구동용 데이터 생성부는,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 근거하여 상기 센싱 구동용 데이터를 생성하며,
상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압은,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동 구간 이전에 진행된 유기발광다이오드 센싱 구동 구간에서 얻어진 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압이고,
상기 센싱 구동용 데이터 전압은 상기 센싱 대상 서브픽셀 내 유기발광다이오드의 문턱전압에 따라 가변 되고,
상기 구동 트랜지스터 센싱 구동이 진행되는 동안, 상기 유기발광다이오드는 턴-오프 상태인 유기발광표시장치용 컨트롤러.
a sensing driving data generating unit configured to generate sensing driving data required for sensing driving of a driving transistor for sensing a characteristic value of a driving transistor in a subpixel to be sensed;
a sensing drive data output unit outputting the sensing drive data; and
A compensator calculating and outputting a compensation value for a characteristic value of a driving transistor in the sensing target subpixel based on stored or received sensing data;
The sensing driving data generating unit,
generating data for sensing and driving based on a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel;
The threshold voltage of the organic light emitting diode in the sensing target subpixel is,
a threshold voltage of the organic light emitting diode in the subpixel to be sensed obtained in an organic light emitting diode sensing driving period performed before the driving transistor sensing driving period;
The data voltage for sensing and driving is varied according to a threshold voltage of an organic light emitting diode in the sensing target subpixel;
The organic light emitting diode is in a turned-off state while the driving transistor sensing drive is in progress.
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