KR102544046B1 - Organic light emitting display panel, organic light emitting display device, image driving method, and sensing method - Google Patents
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Abstract
본 실시예들은, 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 구동 트랜지스터의 소스 노드는 데이터 라인을 통해 데이터 전압을 인가 받고, 구동 트랜지스터의 게이트 노드는 기준 전압 라인을 통해 기준 전압을 인가 받는 서브픽셀 구조와 이를 위한 신호 라인 구조를 갖고, 이를 통해, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display panel, an organic light emitting display device, an image driving method and a sensing method thereof, and more particularly, a source node of a driving transistor receives a data voltage through a data line, and a driving transistor The gate node has a subpixel structure to which a reference voltage is applied through a reference voltage line and a signal line structure therefor, and through this, an organic light emitting display panel and an organic light emitting display device capable of significantly reducing the sensing time for the subpixel, It relates to an image driving method and a sensing method.
Description
본 실시예들은 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법에 관한 것이다. The present embodiments relate to an organic light emitting display panel, an organic light emitting display device, an image driving method and a sensing method thereof.
최근, 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light-Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다. Recently, an organic light emitting display device that has been in the limelight as a display device uses an organic light-emitting diode (OLED) that emits light by itself, and has advantages such as fast response speed, luminous efficiency, luminance, and viewing angle.
이러한 유기발광표시장치의 유기발광표시패널에는, 유기발광다이오드와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드(드레인 노드) 각각의 전압을 제어하기 위한 둘 이상의 트랜지스터를 포함하는 서브픽셀이 매트릭스 형태로 배열된다. An organic light emitting display panel of such an organic light emitting display device includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the diode, and two or more transistors for controlling voltages of a gate node and a source node (drain node) of the driving transistor, respectively. Subpixels are arranged in a matrix form.
한편, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터 및 유기발광다이오드는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도)를 가지고 있으며, 그 특성치는 구동 시간에 따라 변할 수 있다. Meanwhile, the driving transistor and organic light emitting diode in each subpixel have unique characteristic values (eg, threshold voltage and mobility), and the characteristic values may change according to driving time.
이러한 경우, 각 서브픽셀 간 구동 트랜지스터 또는 유기발광다이오드 간의 특성치 편차가 발생하여 화상 불균일을 초래하여 화질을 떨어뜨릴 수 있다. In this case, variation in characteristic values between driving transistors or organic light emitting diodes between subpixels may occur, resulting in image non-uniformity, thereby degrading image quality.
이에, 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터 및 유기발광다이오드의 특성치를 센싱하여 특성치 편차를 보상해주기 위한 기술이 개발되고 있다. Accordingly, a technology for compensating for a characteristic value deviation by sensing characteristic values of a driving transistor and an organic light emitting diode in each subpixel is being developed.
하지만, 이러한 종래 기술은 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터 및 유기발광다이오드의 특성치를 센싱하는데 너무 긴 시간이 걸리는 문제점이 있다. However, this prior art has a problem in that it takes too long to sense the characteristic values of the driving transistor and organic light emitting diode in each subpixel.
특히, 신호 라인 개수를 줄이기 위하여, 특성치 센싱을 위한 센싱 라인 역할을 하는 신호 라인을 여러 개의 서브픽셀이 공유하는 구조로 만드는 경우, 여러 개의 서브픽셀에 대한 센싱 구동을 동시에 진행할 수 없게 되어 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 유기발광다이오드 등의 특성치(예: 문턱전압)을 센싱하는데 더욱 긴 시간이 걸릴 수 있다.In particular, in order to reduce the number of signal lines, when a signal line serving as a sensing line for sensing a characteristic value is made in a structure in which several subpixels share, sensing driving for several subpixels cannot be simultaneously performed, so that each subpixel It may take a longer time to sense the characteristic values (eg, threshold voltage, mobility) of the driving transistor or the characteristic values (eg, threshold voltage) of the organic light emitting diode.
본 실시예들의 목적은, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공하는 데 있다. An object of the present embodiments is to provide an organic light emitting display panel, an organic light emitting display device, an image driving method, and a sensing method capable of significantly reducing the sensing time for subpixels.
본 실시예들의 다른 목적은, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있는 서브픽셀 구조와 신호 라인 구조를 갖는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present embodiments is to provide an organic light emitting display panel, an organic light emitting display device, an image driving method, and a sensing method having a subpixel structure and a signal line structure capable of greatly reducing the sensing time for the subpixels. there is.
본 실시예들의 또 다른 목적은, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있으면서도 개구율을 높여줄 수 있는 서브픽셀 구조와 신호 라인 구조를 갖는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present embodiments is an organic light emitting display panel having a subpixel structure and a signal line structure capable of greatly reducing the sensing time for a subpixel and increasing an aperture ratio, an organic light emitting display device, and an image driving method thereof. And to provide a sensing method.
일 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인 및 다수의 기준 전압 라인이 제1 방향으로 배치되고, 다수의 게이트 라인이 제2 방향으로 배치되며, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열되는 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버를 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. In one aspect, in the present embodiments, a plurality of data lines and a plurality of reference voltage lines are disposed in a first direction, a plurality of gate lines are disposed in a second direction, and a plurality of data lines and a plurality of gate lines An organic light emitting display device including an organic light emitting display panel in which a plurality of defined subpixels are arranged in a matrix type, a data driver driving a plurality of data lines, and a gate driver driving a plurality of gate lines may be provided. .
이러한 유기발광표시장치에서 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 소스 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함한다. In such an organic light emitting display device, each subpixel includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first transistor electrically connected between a source node of the driving transistor and a data line, and a gate node of the driving transistor. and a storage capacitor electrically connected between the source node.
이러한 유기발광표시장치에서 각 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 소스 노드는 데이터 라인을 통해 데이터 전압을 인가받고, 각 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 게이트 노드는 기준 전압 라인을 통해 기준 전압을 인가받는다. In such an organic light emitting display device, a source node of a driving transistor of each subpixel receives a data voltage through a data line, and a gate node of a driving transistor of each subpixel receives a reference voltage through a reference voltage line.
다른 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인 및 다수의 기준 전압 라인이 제1 방향으로 배치되고, 다수의 게이트 라인이 제2 방향으로 배치되며, 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터 및 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배열된 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버를 포함하는 유기발광표시장치의 영상구동방법을 제공할 수 있다. In another aspect, in the present embodiments, a plurality of data lines and a plurality of reference voltage lines are disposed in a first direction, a plurality of gate lines are disposed in a second direction, and an organic light emitting diode, a device for driving the organic light emitting diode. An organic light emitting display panel in which subpixels including a driving transistor and a storage capacitor electrically connected between a gate node and a source node of the driving transistor are arranged in a matrix type, a data driver driving a plurality of data lines, and a plurality of gate lines A method for driving an image of an organic light emitting display device including a gate driver for driving may be provided.
이러한 영상구동방법은, 기준 전압 라인에 의해 공급되는 기준 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 인가하고, 데이터 라인에 의해 공급되는 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 소스 노드에 인가하는 제1 단계와, 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드를 플로팅 시키는 제2 단계와, 유기발광다이오드가 발광하는 제3 단계를 포함할 수 있다. This image driving method includes a first step of applying a reference voltage supplied by a reference voltage line to the gate node of the driving transistor and applying a data voltage supplied by the data line to the source node of the driving transistor; A second step of floating the gate node and the source node and a third step of emitting light from the organic light emitting diode may be included.
또 다른 측면에서, 본 실시예들은, 다수의 데이터 라인 및 다수의 기준 전압 라인이 제1 방향으로 배치되고, 다수의 게이트 라인이 제2 방향으로 배치되며, 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터 및 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 서브픽셀이 매트릭스 타입으로 배치되는 유기발광표시패널과, 다수의 데이터 라인을 구동하는 데이터 드라이버와, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버를 포함하는 유기발광표시장치의 센싱 방법을 제공할 수 있다. In another aspect, in the present embodiments, a plurality of data lines and a plurality of reference voltage lines are disposed in a first direction, a plurality of gate lines are disposed in a second direction, an organic light emitting diode, and a method for driving the organic light emitting diode. An organic light emitting display panel in which subpixels including driving transistors for driving transistors and storage capacitors electrically connected between a gate node and a source node of the driving transistors are arranged in a matrix type, a data driver driving a plurality of data lines, and a plurality of gates. A sensing method of an organic light emitting display device including a gate driver driving a line may be provided.
이러한 센싱 방법은, 기준 전압 라인에 의해 공급되는 기준 전압을 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 인가하고, 데이터 라인에 의해 공급되는 초기화 전압을 구동 트랜지스터의 소스 노드에 인가하는 초기화 단계와, 구동 트랜지스터의 소스 노드를 플로팅 시켜, 구동 트랜지스터의 소스 노드의 전압을 상승시키는 트래킹 단계와, 아날로그 디지털 컨버터와 데이터 라인을 전기적으로 연결해주고, 아날로그 디지털 컨버터가 데이터 라인의 전압을 센싱하는 샘플링 단계를 포함할 수 있다. This sensing method includes an initialization step of applying a reference voltage supplied by a reference voltage line to the gate node of the driving transistor and applying an initialization voltage supplied by the data line to the source node of the driving transistor; It may include a tracking step of increasing the voltage of the source node of the driving transistor by floating , and a sampling step of electrically connecting the analog-to-digital converter and the data line and sensing the voltage of the data line by the analog-to-digital converter.
또 다른 측면에서, 본 실시예들은, 제1 방향으로 배치된 다수의 데이터 라인과, 제1 방향으로 배치된 다수의 기준 전압 라인과, 제2 방향으로 배치된 다수의 게이트 라인과, 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인에 의해 정의되고 매트릭스 타입으로 배열된 다수의 서브픽셀을 포함하는 유기발광표시패널을 제공할 수 있다. In another aspect, the present embodiments include a plurality of data lines disposed in a first direction, a plurality of reference voltage lines disposed in a first direction, a plurality of gate lines disposed in a second direction, and a plurality of data lines disposed in a second direction. An organic light emitting display panel including a plurality of subpixels defined by lines and a plurality of gate lines and arranged in a matrix type may be provided.
이러한 유기발광표시패널에서 각 서브픽셀은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하기 위한 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 소스 노드와 데이터 라인 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다. In such an organic light emitting display panel, each subpixel includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a first transistor electrically connected between a source node of the driving transistor and a data line, and a gate node of the driving transistor. and a storage capacitor electrically connected between the source node and the source node.
이러한 유기발광표시패널에서 각 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 소스 노드는 데이터 라인과 전기적으로 연결 가능하고, 각 서브픽셀의 구동 트랜지스터의 게이트 노드는 기준 전압 라인과 전기적으로 연결 가능할 수 있다. In such an organic light emitting display panel, a source node of a driving transistor of each subpixel may be electrically connected to a data line, and a gate node of a driving transistor of each subpixel may be electrically connected to a reference voltage line.
본 개시의 실시예들은, 제1 방향으로 연장되는 데이터 라인들, 제1 방향으로 연장되며 기준 전압을 전달하는 기준 전압 라인, 제2 방향으로 연장되며 센싱 신호를 전달하는 게이트 라인, 및 게이트 라인에 공통으로 연결되는 서브픽셀들을 포함하는 유기발광표시패널을 포함하고, 서브픽셀들 각각은, 유기발광다이오드, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 소스 노드와 데이터 라인들 중 대응하는 데이터 라인 사이에 연결되며, 센싱 신호로 제어되는 제1 트랜지스터, 및 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 소스 노드 사이에 연결되는 스토리지 커패시터를 포함하며, 유기발광표시패널은, 기준 전압 라인에 연결되며, 서브픽셀들의 적어도 둘의 게이트 노드들에 공통으로 기준 전압을 인가하는 제2 트랜지스터를 더 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다. Embodiments of the present disclosure include data lines extending in a first direction, a reference voltage line extending in the first direction and transmitting a reference voltage, a gate line extending in a second direction and transmitting a sensing signal, and a gate line. An organic light emitting display panel including subpixels connected in common, wherein each of the subpixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor driving the organic light emitting diode, a source node of the driving transistor, and a corresponding data line among data lines. and a storage capacitor connected between a gate node and a source node of the driving transistor, and a first transistor controlled by a sensing signal, wherein the organic light emitting display panel is connected to a reference voltage line, and includes at least one of subpixels. An organic light emitting display device may further include a second transistor for applying a common reference voltage to both gate nodes.
서브픽셀들 중 제2 방향으로 연속하여 배열되는 적어도 두 개의 서브픽셀들은 제2 트랜지스터를 공유하고, 제2 트랜지스터의 게이트 노드는 스캔 신호가 인가되는 게이트 라인에 연결될 수 있다. Among the subpixels, at least two subpixels consecutively arranged in the second direction may share a second transistor, and a gate node of the second transistor may be connected to a gate line to which a scan signal is applied.
구동 트랜지스터의 게이트 노드로 기준 전압이 공급되고, 구동 트랜지스터의 소스 노드로 대응하는 데이터 라인을 통해 데이터 전압이 공급될 수 있다. A reference voltage may be supplied to a gate node of the driving transistor, and a data voltage may be supplied to a source node of the driving transistor through a corresponding data line.
데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버, 게이트 라인들을 구동하는 게이트 드라이버, 및 대응하는 데이터 라인과 전기적으로 연결되어 대응하는 데이터 라인의 전압을 센싱하여 디지털 값으로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터를 더 포함할 수 있다. The data driver may further include a data driver driving the data lines, a gate driver driving the gate lines, and an analog-to-digital converter electrically connected to the corresponding data line to sense a voltage of the corresponding data line and convert it into a digital value.
대응하는 데이터 라인과 아날로그 디지털 컨버터 사이에 전기적으로 연결된 샘플링 스위치, 대응하는 데이터 라인과 초기화 전압이 제공되는 초기화 전압 공급 노드 사이에 전기적으로 연결된 초기화 스위치, 및 대응하는 데이터 라인과 데이터 전압이 제공되는 데이터 전압 공급 노드 사이에 전기적으로 연결된 데이터 스위치를 포함할 수 있다. A sampling switch electrically connected between the corresponding data line and the analog-to-digital converter, an initialization switch electrically connected between the corresponding data line and an initialization voltage supply node to which the initialization voltage is provided, and a data line to which the corresponding data line and data voltage are provided. A data switch electrically connected between the voltage supply nodes may be included.
데이터 드라이버는 샘플링 스위치와 아날로그 디지털 컨버터를 포함할 수 있다. Data drivers may include sampling switches and analog-to-digital converters.
대응하는 데이터 라인으로 데이터 전압 또는 초기화 전압이 공급되거나, 대응하는 데이터 라인의 전압이 아날로그 디지털 컨버터로 공급될 수 있다. A data voltage or an initialization voltage may be supplied to a corresponding data line, or a voltage of a corresponding data line may be supplied to an analog-to-digital converter.
구동트랜지스터의 문턱전압 센싱 구동 구간에서, 센싱 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간은 스캔 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간보다 짧고, 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 구동 구간에서, 스캔 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간은 센싱 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간보다 짧을 수 있다. In the threshold voltage sensing driving period of the driving transistor, the period in which the sensing signal has the turn-on level is shorter than the period in which the scan signal has the turn-on level, and in the mobility sensing driving period of the driving transistor, the scan signal is turned on. The period during which the sensing signal has the level may be shorter than the period during which the sensing signal has the turn-on level.
구동트랜지스터의 문턱전압 센싱 구동 구간에서, 센싱 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간 전체는 스캔 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간과 중첩할 수 있다. In the threshold voltage sensing driving period of the driving transistor, an entire period in which the sensing signal has a turn-on level may overlap a period in which the scan signal has a turn-on level.
구동 트랜지스터의 이동도 센싱 구동 구간에서, 스캔 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간 전체는 센싱 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간과 중첩할 수 있다. In the mobility sensing driving period of the driving transistor, an entire period in which the scan signal has a turn-on level may overlap a period in which the sensing signal has a turn-on level.
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. According to the present embodiments as described above, it is possible to provide an organic light emitting display panel, an organic light emitting display device, an image driving method, and a sensing method capable of significantly reducing the sensing time for subpixels.
또한, 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있는 서브픽셀 구조와 신호 라인 구조를 갖는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, an organic light emitting display panel having a subpixel structure and a signal line structure, an organic light emitting display device, an image driving method, and a sensing method thereof, which can greatly reduce the sensing time for the subpixels, are provided. can
또한, 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있으면서도 개구율을 높여줄 수 있는 서브픽셀 구조와 신호 라인 구조를 갖는 유기발광표시패널, 유기발광표시장치, 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. In addition, according to the present embodiments, an organic light emitting display panel having a subpixel structure and a signal line structure capable of greatly reducing the sensing time for a subpixel and increasing an aperture ratio, an organic light emitting display device, and an image driving method thereof And a sensing method may be provided.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에서, 각 서브픽셀의 3T1C 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에서, 각 서브픽셀의 2T1C 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에서, 4개의 서브픽셀을 기준으로 컬럼 방향의 신호 라인들에 대한 배치 예시도이다.
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에서, 3T1C 구조를 갖는 4개의 서브픽셀을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널에서, 2T1C 구조를 갖는 4개의 서브픽셀을 나타낸 도면이다.
도 7 내지 도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 영상 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 보상 회로를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 영상 구동 방법에 대한 흐름도이다.
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 방법에 대한 흐름도이다.
도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 문턱전압 센싱 타이밍도이다.
도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 트랜지스터에 대한 이동도 센싱 타이밍도이다.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 센싱 시간 절감 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 소스 드라이버 집적회로를 나타낸 도면이다.1 is a system configuration diagram of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
2 is a diagram illustrating a 3T1C structure of each subpixel in an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
3 is a diagram showing a 2T1C structure of each subpixel in an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
4 is an exemplary arrangement of signal lines in a column direction based on four subpixels in an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
5 is a diagram showing four subpixels having a 3T1C structure in an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
6 is a diagram showing four sub-pixels having a 2T1C structure in an organic light emitting display panel according to the present embodiments.
7 to 9 are diagrams for explaining an image driving method of an organic light emitting display device according to the present exemplary embodiments.
10 is a diagram illustrating a compensation circuit of an organic light emitting display device according to example embodiments.
11 is a flowchart of a method for driving an image of an organic light emitting display device according to example embodiments.
12 is a flowchart of a sensing method of an organic light emitting display device according to example embodiments.
13 is a timing diagram of sensing a threshold voltage of a driving transistor of an organic light emitting display device according to example embodiments.
14 is a timing diagram for sensing mobility of a driving transistor of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
15 is a diagram for explaining a sensing time saving effect of the organic light emitting display device according to the present embodiments.
16 is a diagram illustrating a source driver integrated circuit of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention are described in detail below with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Also, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used in describing the components of the present invention. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element is or may be directly connected to that other element, but intervenes between each element. It will be understood that may be "interposed", or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.
도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 시스템 구성도이다. 1 is a system configuration diagram of an organic light emitting
도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL: Data Line) 및 다수의 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line)이 제1 방향(예: 열 방향)으로 배치되고, 다수의 게이트 라인(GL: Gate Line)이 제2 방향(예: 행 방향)으로 배치되며, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 매트릭스 타입으로 배열된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1 , an organic light emitting
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다. The
이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The
이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. The
데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The
이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The
게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The
이러한 게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The
게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다. The
데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터(Data)를 아날로그 형태의 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the
데이터 드라이버(120)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. The
게이트 드라이버(130)는, 도 1에서는 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치하고 있으나, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라서, 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. The
전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The above-described
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In addition, the
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the
데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 유기발광표시패널(110)에 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) is attached to a bonding pad of the organic light emitting
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit (SDIC) may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. In some cases, each source driver integrated circuit (SDIC) may further include an analog to digital converter (ADC).
게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. The
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 경우에 따라서, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다. 또한, 각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름 상에 실장 되는 칩 온 필름(COF) 방식으로 구현될 수도 있다. Each gate driver integrated circuit (GDIC) is connected to a bonding pad of the organic light emitting
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver integrated circuit (GDIC) may include a shift register, a level shifter, and the like.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)에 대한 회로적인 연결을 위해 필요한 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB: Source Printed Circuit Board)과 제어 부품들과 각종 전기 장치들을 실장 하기 위한 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB: Control Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. The organic light emitting
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)에는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 되거나, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)가 실장 된 필름이 연결될 수 있다. At least one source driver integrated circuit (SDIC) may be mounted on the at least one source printed circuit board (S-PCB), or a film having at least one source driver integrated circuit (SDIC) mounted may be connected.
컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)에는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등의 동작을 제어하는 컨트롤러(140)와, 유기발광표시패널(110), 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러 등이 실장 될 수 있다. On the control printed circuit board (C-PCB), the
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 적어도 하나의 연결 부재를 통해 회로적으로 연결될 수 있다. The at least one source printed circuit board (S-PCB) and the control printed circuit board (C-PCB) may be circuitically connected through at least one connecting member.
여기서, 연결 부재는 가요성 인쇄 회로(FPC: Flexible Printed Circuit), 가요성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 등일 수 있다. Here, the connecting member may be a flexible printed circuit (FPC) or a flexible flat cable (FFC).
적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(S-PCB)과 컨트롤 인쇄회로기판(C-PCB)은 하나의 인쇄회로기판으로 통합되어 구현될 수도 있다. At least one source printed circuit board (S-PCB) and one control printed circuit board (C-PCB) may be integrated into one printed circuit board.
유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다. Each subpixel SP disposed on the organic light emitting
일 예로, 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 이를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. For example, each sub-pixel SP is composed of organic light emitting diodes (OLEDs) and circuit elements such as driving transistors for driving them.
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있는데, 본 명세서에서, 각 서브픽셀은, 3개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터를 포함하는 3T(Transistor)1C(Capacitor) 구조를 갖는 경우와, 2개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터를 포함하는 2T1C 구조를 갖는 경우를 예로 든다. The type and number of circuit elements constituting each subpixel (SP) may be variously determined according to a provided function and a design method. In the present specification, each subpixel includes three transistors and one capacitor. A case of having a 3T (transistor) 1C (capacitor) structure and a case of having a 2T1C structure including two transistors and one capacitor are exemplified.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서, 각 서브픽셀(SP)의 3T1C 구조를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서, 각 서브픽셀(SP)의 2T1C 구조를 나타낸 도면이다. 2 is a diagram showing a 3T1C structure of each sub-pixel (SP) in the organic light emitting
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서, 3T1C 구조를 갖거나 2T1C 구조를 갖는 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED: Organic Light-Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 게이트 신호인 센싱 신호(SENSE)에 의해 제어되며 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 사이에 전기적으로 연결된 스토리지 캐패시터(Cst)를 공통적으로 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3 , in the organic light emitting
한편, 도 2와 같이 3T1C 구조의 서브픽셀(SP) 또는 2T1C 구조의 서브픽셀(SP)이 매트릭스 타입으로 배열된 유기발광표시패널(110)에는, 게이트 신호인 센싱 신호(SENSE)에 의해 제어되며, 기준 전압 라인(RVL)에서 공급된 기준 전압(Vref)을 각 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 전달하기 위한 제2 트랜지스터(T2)가 배치될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 2 , the organic light emitting
이러한 제2 트랜지스터(T2)를 통해, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)의 전압 상태를 제어할 수 있게 되어, 서브픽셀 구동을 효율적으로 제어할 수 있고, 다양한 서브픽셀 구동이 가능해질 수 있다.Through the second transistor T2, the voltage state of the gate node Ng of the driving transistor DRT can be controlled, so that subpixel driving can be efficiently controlled and various subpixel driving can be performed. there is.
위에서 언급한 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. The organic light emitting diode (OLED) mentioned above may include a first electrode (eg, an anode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode).
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode (OLED) by supplying a driving current to the organic light emitting diode (OLED).
구동 트랜지스터(DRT)에서, 소스 노드는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결되고 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드(또는 드레인 노드)와 전기적으로 연결될 수 있고, 드레인 노드는 구동전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 게이트 노드는 제2 트랜지스터(T2)의 소스 노드(또는 드레인 노드)와 전기적으로 연결될 수 있다. In the driving transistor DRT, the source node may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode (OLED) and electrically connected to the source node (or drain node) of the first transistor T1, and the drain node may be driven. It may be electrically connected to a driving voltage line (DVL) that supplies the voltage EVDD, and the gate node may be electrically connected to the source node (or drain node) of the second transistor T2.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 3T1C 구조를 갖는 서브픽셀(SP)과, 2T1C 구조를 갖는 서브픽셀(SP)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)는 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 전압(Vdata)을 인가받고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)는 기준 전압 라인(RVL)을 통해 기준 전압(Vref)을 인가 받는다. 2 and 3 , in a subpixel SP having a 3T1C structure and a subpixel SP having a 2T1C structure, the source node Ns of the driving transistor DRT is connected to the data line DL The data voltage Vdata is applied through , and the gate node Ng of the driving transistor DRT receives the reference voltage Vref through the reference voltage line RVL.
전술한 바와 같이, 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서의 각 서브픽셀(SP)에서, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)는, 데이터 전압(Vdata)을 게이트 노드(Ng)가 아닌 소스 노드(Ns)로 인가 받고, 기준 전압(Vref)을 소스 노드(Ns)가 아닌 게이트 노드(Ng)로 인가 받는다는 점에서 일반적인 서브픽셀 구조와 차이가 있다. As described above, in each subpixel SP of the organic light emitting
이러한 독특한 서브픽셀 구조로 인해, 후술하겠지만, 공통 전압에 해당하는 기준 전압(Vref)을 전달하는 기준 전압 라인(RVL)이 1개의 서브픽셀 열이 아닌 다수의 서브픽셀 열마다 배치된 구조에서 센싱 시간을 상당히 줄일 수 있는 이점이 있다. Due to this unique subpixel structure, as will be described later, in a structure in which the reference voltage line (RVL) delivering the reference voltage (Vref) corresponding to the common voltage is disposed not in one subpixel column but in each of a plurality of subpixel columns, the sensing time is reduced. has the advantage of significantly reducing
한편, 제2 트랜지스터(T2)는 1개의 서브픽셀(SP) 마다 1개씩 존재할 수 있다. 이 경우, 각 서브픽셀(SP)은 도 2에 도시된 바와 같이, 3T1C 구조를 갖게 된다. Meanwhile, one second transistor T2 may exist in each subpixel SP. In this case, each subpixel SP has a 3T1C structure as shown in FIG. 2 .
도 2를 참조하면, 1개의 서브픽셀(SP) 마다 1개씩 존재하는 제2 트랜지스터(T2)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 2 , second transistors T2 existing one by one for each subpixel SP are electrically connected between the gate node Ng of the driving transistor DRT and the reference voltage line RVL. .
제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되면, 기준 전압 라인(RVL)에서 공급된 기준 전압(Vref)이 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가된다.When the second transistor T2 is turned on, the reference voltage Vref supplied from the reference voltage line RVL is applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT.
전술한 바와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 기준 전압(Vref)을 전달하기 위한 제2 트랜지스터(T2)를 서브픽셀(SP)마다 배치함으로써, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)의 전압을 서브픽셀 별로 제어할 수 있고, 이를 통해 서브픽셀 별로 구동을 효율적으로 제어할 수 있다. As described above, the second transistor T2 for transferring the reference voltage Vref to the gate node Ng of the driving transistor DRT is disposed in each sub-pixel SP, so that the gate node of the driving transistor DRT DRT The voltage of (Ng) can be controlled for each subpixel, and through this, driving can be efficiently controlled for each subpixel.
한편, 도 3을 참조하면, 제2 트랜지스터(T2)는 2개 이상의 서브픽셀(SP)마다 1개씩 존재하거나 1개의 기준 전압 라인(RVL)마다 1개씩 존재할 수 있다. 이 경우, 각 서브픽셀(SP)은 도 3에 도시된 바와 같이, 2T1C 구조를 갖는다고 할 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 3 , one second transistor T2 may exist for every two or more subpixels SP or one for each reference voltage line RVL. In this case, each subpixel SP may have a 2T1C structure as shown in FIG. 3 .
이와 같이, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 기준 전압(Vref)을 전달하기 위한 제2 트랜지스터(T2)를 서브픽셀(SP)마다 배치하지 않고, 2개 이상의 서브픽셀(SP)마다 1개씩 배치하거나 1개의 기준 전압 라인(RVL)마다 1개씩 배치함으로써, 유기발광표시패널(110)에서의 트랜지스터 개수를 크게 줄일 수 있어, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 높여줄 수 있다. In this way, the second transistor T2 for transferring the reference voltage Vref to the gate node Ng of the driving transistor DRT is not disposed in every subpixel SP, but every two or more subpixels SP. By arranging one by one or one by one for each reference voltage line RVL, the number of transistors in the organic light emitting
한편, 도 2 및 도 3에서, 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각은, n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다. Meanwhile, in FIGS. 2 and 3 , each of the driving transistor DRT, the first transistor T1 and the second transistor T2 may be implemented as an n type or a p type.
한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines.
경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 동일한 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 공통 인가될 수도 있다.In some cases, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line.
스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. The storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (eg, Cgs or Cgd) that is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, but a driving capacitor Cst. It is an external capacitor intentionally designed outside the transistor (DRT).
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서, 4개의 서브픽셀(SP)을 기준으로 컬럼 방향의 신호 라인들(DL1, DL2, DL3, DL4, RVL)에 대한 배치 예시도이다. 4 is an exemplary arrangement of signal lines DL1, DL2, DL3, DL4, and RVL in a column direction based on four subpixels (SP) in the organic light emitting
기준 전압 라인(RVL)은 공통 전압에 해당하는 기준 전압(Vref)의 전달을 위한 컬럼 방향의 신호 라인으로서, 1개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있지만, 구동 효율을 위해 2개 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수 있다. The reference voltage line RVL is a column-direction signal line for transmitting the reference voltage Vref corresponding to the common voltage, and may be arranged one by one in each subpixel column, but two or more subpixels for driving efficiency. One can be placed in each column.
만약, 기준 전압 라인(RVL)이 2개 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치되는 경우, 일 예로, 도 4에 도시된 바와 같이, 4개의 서브픽셀 열 마다 1개씩 배치될 수도 있다. If one reference voltage line RVL is disposed in every two or more subpixel columns, for example, as shown in FIG. 4 , one reference voltage line RVL may be disposed in every four subpixel columns.
도 4에서 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)은, 4개의 서브픽셀 열 중에서 어느 하나의 서브픽셀 행에 속한 4개의 서브픽셀이다. In FIG. 4 , four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 are four subpixels belonging to any one subpixel row among four subpixel columns.
여기서, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)은, 일 예로, 적색 빛을 발광하는 서브픽셀, 흰색 빛을 발광하는 서브픽셀, 청색 빛을 발광하는 서브픽셀 및 녹색 빛을 발광하는 서브픽셀일 수 있다. Here, the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 are, for example, a subpixel emitting red light, a subpixel emitting white light, a subpixel emitting blue light, and a subpixel emitting green light. may be pixels.
도 4를 참조하면, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)은 4개의 데이터 라인(DL1, DL2, DL3, DL4)과 대응되어 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 4 , four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 correspond to and electrically connect four data lines DL1 , DL2 , DL3 , and DL4 .
이 경우, 서브픽셀 SP1에서, 제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인 DL1에서 공급된 데이터 전압을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 전달해준다. 서브픽셀 SP2에서, 제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인 DL2에서 공급된 데이터 전압을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 전달해준다. 서브픽셀 SP3에서, 제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인 DL3에서 공급된 데이터 전압을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 전달해준다. 그리고, 서브픽셀 SP4에서, 제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인 DL4에서 공급된 데이터 전압을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 전달해준다. In this case, in the subpixel SP1 , the first transistor T1 transfers the data voltage supplied from the data line DL1 to the source node Ns of the driving transistor DRT. In the subpixel SP2, the first transistor T1 transfers the data voltage supplied from the data line DL2 to the source node Ns of the driving transistor DRT. In the subpixel SP3, the first transistor T1 transfers the data voltage supplied from the data line DL3 to the source node Ns of the driving transistor DRT. Also, in the subpixel SP4, the first transistor T1 transfers the data voltage supplied from the data line DL4 to the source node Ns of the driving transistor DRT.
도 4를 참조하면, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)은 1개의 기준 전압 라인(RVL)과 공통으로 연결될 수 있다. 즉, 1개의 기준 전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 공유된다. Referring to FIG. 4 , four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 may be connected in common to one reference voltage line RVL. That is, one reference voltage line RVL is shared by four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4.
이 경우, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)는, 1개의 기준 전압 라인(RVL)을 통해 기준 전압(Vref)을 공통으로 인가받을 수 있다. In this case, the gate node Ng of the driving transistor DRT of each of the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 is commonly applied with the reference voltage Vref through one reference voltage line RVL. can receive
이러한 기준 전압(Vref)의 인가와 관련하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 기준 전압 라인(RVL) 간의 연결 여부를 제어해주는 제2 트랜지스터(T2)가 관여한다. Regarding the application of the reference voltage Vref, the second transistor T2 is involved in controlling whether or not the gate node Ng of the driving transistor DRT is connected to the reference voltage line RVL.
기준 전압 라인(RVL)이 도 4에 도시된 바와 같이 4개의 서브픽셀 열 마다 1개씩 배치될 때, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)이 도 2의 3T1C 구조를 갖는 경우와 도 3의 2T1C 구조를 갖는 경우 각각에 대하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)로 기준 전압(Vref)를 인가하기 위한 제2 트랜지스터(T2) 및 기준 전압 라인(RVL)의 구조를 도 5와 도 6을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. As shown in FIG. 4, when one reference voltage line (RVL) is arranged for every four subpixel columns, four subpixels (SP1, SP2, SP3, SP4) have the 3T1C structure of FIG. 2 and FIG. 5 shows the structure of the second transistor T2 and the reference voltage line RVL for applying the reference voltage Vref to the gate node Ng of the driving transistor DRT for each case having the 2T1C structure of FIG. It will be described in more detail with reference to FIG. 6 .
도 5는 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서, 3T1C 구조를 갖는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)을 나타낸 도면이다. 5 is a diagram illustrating four sub-pixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 having a 3T1C structure in the organic light emitting
도 5를 참조하면, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각은 도 2에 도시된 바와 같이, 3개의 트랜지스터(DRT, T1, T2)와 1개의 캐패시터(Cst)를 포함하는 3T1C 구조를 갖는다. Referring to FIG. 5, each of the four sub-pixels SP1, SP2, SP3, and SP4 is a 3T1C including three transistors DRT, T1, and T2 and one capacitor Cst, as shown in FIG. have a structure
이에 따라, 기준 전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 때, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각은, 구동 트랜지스터(DRT) 및 제1 트랜지스터(T1)뿐만 아니라, 제2 트랜지스터(T2)도 포함할 수 있다. Accordingly, when one reference voltage line RVL is disposed in every four subpixel columns, each of the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 includes the driving transistor DRT and the first transistor T1 . In addition, a second transistor T2 may also be included.
4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각에 포함된 제2 트랜지스터(T2)는, 1개의 기준 전압 라인(RVL)에 공통으로 연결될 수 있다. The second transistor T2 included in each of the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 may be connected in common to one reference voltage line RVL.
서브픽셀 SP1의 제2 트랜지스터(T2)는 서브픽셀 SP1의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 연결되고, 서브픽셀 SP2의 제2 트랜지스터(T2)는 서브픽셀 SP2의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 연결되고, 서브픽셀 SP3의 제2 트랜지스터(T2)는 서브픽셀 SP3의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 연결되고, 서브픽셀 SP4의 제2 트랜지스터(T2)는 서브픽셀 SP4의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 연결된다. The second transistor T2 of the sub-pixel SP1 is connected between the gate node Ng of the driving transistor DRT of the sub-pixel SP1 and the reference voltage line RVL, and the second transistor T2 of the sub-pixel SP2 is It is connected between the gate node Ng of the driving transistor DRT of the pixel SP2 and the reference voltage line RVL, and the second transistor T2 of the subpixel SP3 is connected to the gate node of the driving transistor DRT of the subpixel SP3 ( Ng) and the reference voltage line RVL, and the second transistor T2 of the subpixel SP4 is connected between the gate node Ng of the driving transistor DRT of the subpixel SP4 and the reference voltage line RVL. do.
한편, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중에서, 제1 서브픽셀(SP1)의 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 노드(또는 소스 노드)와 제2 서브픽셀(SP2)의 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 노드(또는 소스 노드)는 전기적으로 서로 연결되어 기준 전압 라인(RVL)에 함께 연결될 수 있다. Meanwhile, among the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 , the drain node (or source node) of the second transistor T2 of the first subpixel SP1 and the second transistor T2 of the second subpixel SP2 The drain node (or source node) of transistor T2 may be electrically connected to each other and connected together to reference voltage line RVL.
또한, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중에서, 제3 서브픽셀(SP3)의 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 노드(또는 소스 노드)와 제4 서브픽셀(SP4)의 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 노드(또는 소스 노드)는 전기적으로 서로 연결되어 기준 전압 라인(RVL)에 함께 연결될 수 있다.Also, among the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 , the drain node (or source node) of the second transistor T2 of the third subpixel SP3 and the second transistor T2 of the fourth subpixel SP4 The drain node (or source node) of transistor T2 may be electrically connected to each other and connected together to reference voltage line RVL.
도 5와 같이 구조에 따르면, 기준 전압 라인(RVL)을 통해 기준 전압(Vref)이 공급되더라도, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각의 제2 트랜지스터(T2)의 온-오프를 개별적으로 제어함으로써, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각의 구동을 개별적으로 제어할 수 있다. According to the structure as shown in FIG. 5 , even if the reference voltage Vref is supplied through the reference voltage line RVL, the second transistor T2 of each of the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 is turned on and off. By individually controlling the driving of each of the four subpixels (SP1, SP2, SP3, SP4) can be individually controlled.
도 6은 본 실시예들에 따른 유기발광표시패널(110)에서, 2T1C 구조를 갖는 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)을 나타낸 도면이다. 6 is a diagram illustrating four sub-pixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 having a 2T1C structure in the organic light emitting
도 6을 참조하면, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각은 도 3에 도시된 바와 같이, 2개의 트랜지스터(DRT, T1)와 1개의 캐패시터(Cst)를 포함하는 2T1C 구조를 갖는다. Referring to FIG. 6 , each of the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 has a 2T1C structure including two transistors DRT and T1 and one capacitor Cst, as shown in FIG. 3 . have
이에 따라, 기준 전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 때, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각은 구동 트랜지스터(DRT) 및 제1 트랜지스터(T1)를 포함할 뿐, 제2 트랜지스터(T2)를 개별적으로 포함하지는 않는다. Accordingly, when one reference voltage line RVL is disposed in each of four subpixel columns, each of the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 includes a driving transistor DRT and a first transistor T1. but does not individually include the second transistor T2.
이 경우, 기준 전압 라인(RVL)은, 4개의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치되되, 기준 전압(Vref)이 유입되는 제1부분(RVL_I)과, 기준 전압(Vref)을 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)로 공급하는 제2부분(RVL_O)을 포함한다. In this case, one reference voltage line RVL is disposed in each of the four subpixel columns, and the first part RVL_I into which the reference voltage Vref is introduced and the reference voltage Vref are connected to the four subpixels SP1. , SP2, SP3, and SP4) and a second part (RVL_O) supplied to.
4개의 서브픽셀(SP) 각각의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)는, 1개의 기준 전압 라인(RVL)의 제2부분(RVL_O)과 공통으로 연결된다. The gate node Ng of the driving transistor DRT of each of the four subpixels SP is connected in common with the second part RVL_O of one reference voltage line RVL.
그리고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 기준 전압(Vref)을 인기해주기 위하여 공통으로 사용되는 제2 트랜지스터(T2)는, 1개의 기준 전압 라인(RVL)의 제1부분(RVL_I)과 1개의 기준 전압 라인(RVL)의 제2부분(RVL_O) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The second transistor T2, which is commonly used to apply the reference voltage Vref to the gate node Ng of the driving transistor DRT, is a first part RVL_I of one reference voltage line RVL. and the second portion RVL_O of one reference voltage line RVL.
이러한 제2 트랜지스터(T2)는 1개의 기준 전압 라인(RVL)마다 1개씩 존재할 수도 있고, 1개의 기준 전압 라인(RVL)에서 서브픽셀 행마다 1개씩 존재할 수도 있다. One such second transistor T2 may be present for each reference voltage line RVL, or one for each subpixel row in one reference voltage line RVL.
전술한 바와 같이, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 각각의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 기준 전압(Vref)을 전달하기 위하여, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 대하여 공통으로 사용되는 1개의 제2 트랜지스터(T2)를 1개의 기준 전압 라인(RVL) 상에 배치함으로써, 유기발광표시패널(110)에서의 모든 서브픽셀이 제2 트랜지스터(T2)를 포함할 필요가 없기 때문에, 제2 트랜지스터(T2)의 개수를 매우 많이 줄일 수 있다. 따라서, 유기발광표시패널(110)의 개구율을 상당히 높여줄 수 있다. As described above, in order to transfer the reference voltage Vref to the gate node Ng of the driving transistor DRT of each of the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4, the four subpixels SP1 and SP2 , SP3, and SP4 are disposed on one reference voltage line RVL, so that all subpixels in the organic light emitting
한편, 공통으로 사용되는 1개의 제2 트랜지스터(T2)를 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 하나에 포함되는 트랜지스터로도 볼 수 있다. Meanwhile, one commonly used second transistor T2 may also be regarded as a transistor included in one of the four subpixels SP1 , SP2 , SP3 , and SP4 .
이 경우, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4) 중 제2 트랜지스터(T2)를 포함한다고 보는 1개의 서브픽셀은 3T1C 구조를 갖고, 나머지 3개의 서브픽셀은 2T1C 구조를 갖는다고 볼 수도 있다. In this case, among the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4, one subpixel deemed to include the second transistor T2 may have a 3T1C structure, and the remaining three subpixels may have a 2T1C structure. there is.
도 7 내지 도 9는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 영상 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 7 to 9 are diagrams for explaining an image driving method of the organic light emitting
도 7을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 영상 패턴에 따라 가변 되는 전압(Variable Voltage)인 데이터 전압(Vdata)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)로 일정한 전압(Constant Voltage)인 기준 전압(Vref)을 인가하여, 스토리지 캐패시터(Cst)의 양단의 전위차(Vref - Vdata)를 이용하여 영상 표현이 될 수 있다. Referring to FIG. 7 , a data voltage Vdata, which is a variable voltage according to an image pattern, is applied to the source node Ns of the driving transistor DRT, and the gate node Ng of the driving transistor DRT A reference voltage (Vref), which is a constant voltage, may be applied as , and an image may be expressed using a potential difference (Vref - Vdata) of both ends of the storage capacitor (Cst).
이는, 일반적인 유기발광표시장치에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)로 영상 패턴에 따라 가변 되는 전압(Variable Voltage)인 데이터 전압(Vdata)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 일정한 전압(Constant Voltage)인 기준 전압(Vref)을 인가하여 영상 표현을 하는 것과 차이점이 있다. In a general organic light emitting display device, a data voltage Vdata, which is a variable voltage according to an image pattern, is applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT, and the source node of the driving transistor DRT is applied. There is a difference from expressing an image by applying a reference voltage (Vref), which is a constant voltage (Ns).
이러한 영상 구동 방식에 따라, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)를 구동하는 경우에 대하여, 도 8 및 도 9를 참조하여 예를 들어 설명한다. A case of driving the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 according to the image driving method will be described as an example with reference to FIGS. 8 and 9 .
본 실시예들에 따르면, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)의 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)로 4개의 데이터 전압(Vdata1, Vdata2, Vdata3, Vdata4)으로서 8V, 4V, 3V, 9V를 인가해주고, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)의 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(NS)로 공통의 기준 전압(Vref)을 6V로 인가해주면, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)의 스토리지 캐패시터(Cst)의 양단 전위차(Vref-Vdata1, Vref-Vdata2, Vref-Vdata3, Vref-Vdata4)가 -2V, 2V, 3V, -3V로 만들어져서, 원하는 영상 표현이 가능해질 수 있다. According to the present embodiments, 8V and 4V are applied as four data voltages Vdata1, Vdata2, Vdata3, and Vdata4 to the gate nodes Ng of the driving transistors DRT of the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4. , 3V, 9V are applied, and a common reference voltage (Vref) of 6V is applied to the source node (NS) of the driving transistor (DRT) of the four sub-pixels (SP1, SP2, SP3, SP4), the four sub-pixels (SP1, SP2, SP3, SP4) The potential difference (Vref-Vdata1, Vref-Vdata2, Vref-Vdata3, Vref-Vdata4) of the storage capacitor (Cst) of the pixel (SP1, SP2, SP3, SP4) is made -2V, 2V, 3V, -3V, Desired image expression may be possible.
한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. Meanwhile, in the case of the organic light emitting
이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다. Accordingly, inherent characteristic values (eg, threshold voltage, mobility, etc.) of circuit elements such as organic light emitting diodes (OLEDs) and driving transistors (DRTs) may change.
이러한 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. The degree of change in characteristic values between circuit elements may be different depending on the degree of deterioration of each circuit element.
이 경우, 회로 소자 간의 특성치 편차가 발생할 수 있으며, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 발생시킬 수 있다. In this case, characteristic value deviations between circuit elements may occur, and luminance deviations between subpixels may occur.
이에 따라 서브픽셀의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. Accordingly, problems such as deterioration in accuracy of luminance expressiveness of subpixels or occurrence of screen abnormalities may occur.
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 회로 소자(구동 트랜지스터, 유기발광다이오드)의 특성치 또는 특성치 변화를 센싱하기 위한 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 회로 소자(구동 트랜지스터, 유기발광다이오드) 간의 특성치 편차를 보상해주기 위한 보상 기능을 제공할 수 있다. The organic light emitting
본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 센싱 및 보상 기능을 제공하기 위하여, 도 10과 같은 보상 회로를 포함할 수 있다. The organic light emitting
도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로를 나타낸 도면이다. 10 is a diagram illustrating a compensation circuit of the organic light emitting
도 10을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 보상 회로는, 각 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결되어 각 데이터 라인(DL)의 전압(아날로그 전압)을 센싱하여 센싱된 전압을 디지털 값에 해당하는 센싱값으로 변환하고, 변환된 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 출력하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와, 센싱 데이터를 수신하거나 메모리(미도시)에 저장된 센싱 데이터를 읽어와서, 센싱 데이터를 이용하여 해당 서브픽셀(SP) 내 회로 소자의 특성치(예: 구동 트랜지스터의 문턱전압 또는 이동도, 유기발광다이오드의 문턱전압)에 대한 보상을 해주는 보상부(1000)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 10 , the compensation circuit of the organic light emitting
전술한 바와 같은 보상 회로를 이용하여 각 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT) 또는 유기발광다이오드(OLED)의 특성치를 센싱하여 보상해줄 수 있다. 이에 따라 특성치 편차에 따른 화질 저하를 방지할 수 있다. A characteristic value of a driving transistor (DRT) or organic light emitting diode (OLED) in each subpixel may be sensed and compensated for using the compensation circuit as described above. Accordingly, it is possible to prevent deterioration of image quality due to variation in characteristic values.
한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 각 데이터 라인(DL)은 영상 구동을 위한 데이터 전압(Vdata)을 전달하는 "데이터 신호 라인"의 역할을 할 뿐만 아니라, 센싱 구동을 위해 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 센싱 구동을 위한 초기화 전압(Vpres)를 인가해주기 위한 "센싱 구동 라인"의 역할과, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)의 전압을 아날로그 디지털 컨버터(ADC)로 전달하기 위한 "센싱 라인"의 역할도 수행할 수 있다. Meanwhile, in the organic light emitting
따라서, 도 10에 도시된 바와 같이, 보상 회로는, 데이터 라인(DL)이 센싱 구동 라인으로 동작할지 말지를 제어하기 위한 초기화 스위치(SPRE)와, 데이터 라인(DL)이 데이터 신호 라인으로 동작할지 말지를 제어하기 위한 데이터 스위치(PRE_SEL)와, 데이터 라인(DL)이 센싱 라인으로 동작할지 말지를 제어하기 위한 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다. Therefore, as shown in FIG. 10, the compensation circuit includes an initialization switch SPRE for controlling whether the data line DL operates as a sensing driving line, and whether the data line DL operates as a data signal line. A data switch PRE_SEL for controlling whether the data line DL operates as a sensing line or not, and a sampling switch SAM for controlling whether or not the data line DL operates as a sensing line may be included.
샘플링 스위치(SAM)는 데이터 라인(DL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 사이에 전기적으로 연결된다. The sampling switch (SAM) is electrically connected between the data line (DL) and the analog-to-digital converter (ADC).
이러한 샘플링 스위치(SAM)는, 정해진 특정 시간 또는 타이밍이 되면, 턴-온 되어, 데이터 라인(DL)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 연결해줄 수 있다. The sampling switch SAM is turned on at a predetermined specific time or timing, and can connect the data line DL and the analog-to-digital converter ADC.
여기서, 특정 시간은, 센싱 구동에 따라 데이터 라인(DL)의 전압이 구동 트랜지스터(DRT) 또는 유기발광다이오드(OLED)의 특성치를 반영하는 전압 상태가 될 것으로 예상되어 미리 정해진 시간일 수 있다. Here, the specific time may be a predetermined time when the voltage of the data line DL is expected to be in a voltage state reflecting characteristic values of the driving transistor DRT or the organic light emitting diode OLED according to the sensing drive.
그리고, 특정 타이밍은, 센싱 구동에 따라 데이터 라인(DL)의 전압이 구동 트랜지스터(DRT) 또는 유기발광다이오드(OLED)의 특성치를 반영하는 전압 상태가 된 것으로 모니터링 된 타이밍일 수 있다. Further, the specific timing may be a timing monitored when the voltage of the data line DL becomes a voltage state reflecting characteristic values of the driving transistor DRT or the organic light emitting diode OLED according to the sensing drive.
초기화 스위치(SPRE)는 데이터 라인(DL)과 초기화 전압 공급 노드(Npres) 사이에 전기적으로 연결된다. The initialization switch SPRE is electrically connected between the data line DL and the initialization voltage supply node Npres.
이러한 초기화 스위치(SPRE)는 센싱 구동 구간 중 초기화 단계에서 턴-온 되어, 초기화 전압(Vpres)가 초기화 전압 공급 노드(Npres)에서 데이터 라인(DL)으로 공급되고, 턴-온 된 제1 트랜지스터(T1)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 인가된다. The initialization switch SPRE is turned on in the initialization phase during the sensing driving period, the initialization voltage Vpres is supplied from the initialization voltage supply node Npres to the data line DL, and the turned-on first transistor ( T1) is applied to the source node Ns of the driving transistor DRT.
데이터 스위치(PRE_SEL)는 데이터 라인(DL)과 데이터 전압 공급 노드(Ndata) 사이에 전기적으로 연결된다. The data switch PRE_SEL is electrically connected between the data line DL and the data voltage supply node Ndata.
데이터 스위치(PRE_SEL)는 영상 구동 구간에서 턴-온 되어, 영상 신호에 해당하는 데이터 전압(Vdata)이 데이터 전압 공급 노드(Ndata)에서 데이터 라인(DL)으로 공급된다. The data switch PRE_SEL is turned on in the image driving period, and the data voltage Vdata corresponding to the image signal is supplied from the data voltage supply node Ndata to the data line DL.
전술한 3가지의 스위치 구성(PRE_SEL, SPRE, SAM)의 온-오프를 제어함으로써, 데이터 라인(DL)은, 상황에 따라, 데이터 신호 라인, 센싱 구동 라인 및 센싱 라인 중 하나로 동작할 수 있다. By controlling the on/off of the aforementioned three switch configurations (PRE_SEL, SPRE, and SAM), the data line DL may operate as one of a data signal line, a sensing driving line, and a sensing line, depending on circumstances.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 영상 구동 방법에 대한 흐름도이다. 11 is a flowchart of an image driving method of the organic light emitting
도 11을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 영상 구동 방법은, 기준 전압 라인(RVL)에 의해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가하고, 데이터 라인(DL)에 의해 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)에 인가하는 제1 단계(S1110)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns)를 플로팅 시키는 제2 단계(S1120)와, 유기발광다이오드(OLED)가 발광하는 제3 단계(S1130) 등을 포함한다. Referring to FIG. 11 , in an image driving method of an organic light emitting
전술한 영상 구동 방법에 따르면, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 영상 패턴에 따라 가변 되는 전압(Variable Voltage)인 데이터 전압(Vdata)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)로 일정한 전압(Constant Voltage)인 기준 전압(Vref)을 인가하여, 스토리지 캐패시터(Cst)의 양단의 전위차(Vref - Vdata)를 이용하여 영상 표현을 할 수 있다. According to the above-described image driving method, the data voltage Vdata, which is a variable voltage according to the image pattern, is applied to the source node Ns of the driving transistor DRT, and the gate node of the driving transistor DRT ( A reference voltage (Vref), which is a constant voltage (Ng), may be applied, and an image may be expressed using a potential difference (Vref - Vdata) across the storage capacitor (Cst).
한편, 제1 단계(S1110)에서는, 턴-온 레벨의 센싱 신호(SENSE)를 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns) 사이에 연결된 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드에 인가하여 제1 트랜지스터(T1)를 턴-온 시키고, 데이터 라인(DL)과 데이터 전압 공급 노드(Ndata) 사이에 전기적으로 연결된 데이터 스위치(PRE_SEL)를 턴-온 시켜서, 데이터 라인(DL)에 의해 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)에 인가할 수 있다. Meanwhile, in the first step S1110, the turn-on level sensing signal SENSE is connected between the data line DL and the source node Ns of the driving transistor DRT, and is connected to the gate node of the first transistor T1. to turn on the first transistor T1 and turn on the data switch PRE_SEL electrically connected between the data line DL and the data voltage supply node Ndata to The data voltage Vdata supplied by may be applied to the source node Ns of the driving transistor DRT.
또한, 제1 단계(S1110)에서는, 기준 전압 라인(RVL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng) 사이에 연결된 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 턴-온 레벨의 스캔 신호(SCAN)를 인가하여 제2 트랜지스터(T2)를 턴-온 시켜서, 기준 전압 라인(RVL)에 의해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가할 수 있다. Further, in the first step S1110, the turn-on level scan signal SCAN is applied to the gate node of the second transistor T2 connected between the reference voltage line RVL and the gate node Ng of the driving transistor DRT. ) may be applied to turn on the second transistor T2 so that the reference voltage Vref supplied by the reference voltage line RVL may be applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT.
제2 단계(S1120)에서는, 제1 트랜지스터(T1) 또는 데이터 스위치(PRE_SEL)를 턴-오프 시켜 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)를 플로팅 시키고, 제2 트랜지스터(T2)를 턴-오프 시켜 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)를 플로팅 시킬 수 있다. In the second step S1120, the first transistor T1 or the data switch PRE_SEL is turned off to float the source node Ns of the driving transistor DRT, and the second transistor T2 is turned off. so that the gate node Ng of the driving transistor DRT can be floated.
제2 단계(S1120)에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns)가 플로팅 됨에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 간의 전위차(Vref-Vdata)는 유지되면서, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns)의 전압이 동반 상승한다. In the second step S1120, as the gate node Ng and the source node Ns of the driving transistor DRT float, the potential difference between the gate node Ng and the source node Ns of the driving transistor DRT ( While Vref-Vdata) is maintained, the voltages of the gate node Ng and the source node Ns of the driving transistor DRT increase together.
구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)의 전압이 상승하다가, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)의 상승된 전압이 유기발광다이오드(OLED)로 전류를 공급할 수 있는 전압 상태(기저전압(EVSS)에 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 더한 전압보다 높은 상태)가 되면, 제3 단계(S1130)가 진행된다. 즉, 유기발광다이오드(OLED)로 전류가 공급되어 유기발광다이오드(OLED)가 발광한다. When the voltage of the source node Ns of the driving transistor DRT rises, the increased voltage of the source node Ns of the driving transistor DRT supplies current to the organic light emitting diode OLED (base voltage). higher than the voltage obtained by adding the threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED) to EVSS), the third step (S1130) proceeds. That is, current is supplied to the organic light emitting diode (OLED) so that the organic light emitting diode (OLED) emits light.
여기서, 제1 단계(S1110)에서, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)은 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압으로 사용되어야 한다. Here, in the first step S1110, the data voltage Vdata applied to the source node Ns of the driving transistor DRT should be used as a voltage lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED.
그래야만, 제1 단계(S1110)에서 유기발광다이오드(OLED)가 발광하지 않고, 제2 단계(S1120)를 거치면서, 즉, 구동 트랜지스터(OLED)의 소스 노드(Ns)의 전압이 상승하면 유기발광다이오드(OLED)가 발광하여, 영상 표현력이 향상될 수 있다. Only then, when the organic light emitting diode (OLED) does not emit light in the first step ( S1110 ) and passes through the second step ( S1120 ), that is, when the voltage of the source node (Ns) of the driving transistor (OLED) increases, the organic light emitting diode (OLED) emits light. Since the diode OLED emits light, image expression may be improved.
전술한 제3 단계(S1130)에서, 유기발광다이오드(OLED)의 발광에 따라 서브픽셀(SP)에서 표현되는 휘도는, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가된 기준 전압(Vref)과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)에 인가된 데이터 전압(Vdata)의 차이(Vref-Vdata)와 대응되는 휘도일 수 있다. In the above-described third step S1130, the luminance expressed in the sub-pixel SP according to the emission of the organic light-emitting diode OLED is based on the reference voltage Vref applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT. It may be the luminance corresponding to the difference (Vref-Vdata) of the data voltage Vdata applied to the source node Ns of the driving transistor DRT.
도 12는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 방법에 대한 흐름도이다. 12 is a flowchart of a sensing method of the organic light emitting
도 12를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 방법은, 초기화 단계(S1210), 트래킹 단계(S1220) 및 샘플링 단계(S1230) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12 , the sensing method of the organic light emitting
초기화 단계(S1210)에서는, 기준 전압 라인(RVL)에 의해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가하고, 데이터 라인(DL)에 의해 공급되는 초기화 전압(Vpres)을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)에 인가한다. In the initialization step S1210, the reference voltage Vref supplied by the reference voltage line RVL is applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT, and the initialization voltage supplied by the data line DL ( Vpres) is applied to the source node Ns of the driving transistor DRT.
트래킹 단계(S1220)에서는, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)를 플로팅 시켜, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)의 전압을 상승시킨다. In the tracking step ( S1220 ), the source node Ns of the driving transistor DRT is floated to increase the voltage at the source node Ns of the driving transistor DRT.
이러한 트래킹 단계(S1220)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)의 전압이 상승하면서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 유기발광다이오드(OLED)의 특성치(예: 문턱전압)를 반영하는 전압 상태를 추적(Tracking)한다. As the voltage of the source node Ns of the driving transistor DRT rises in this tracking step (S1220), the characteristic value (eg, threshold voltage, mobility) of the driving transistor DRT or the characteristic value of the organic light emitting diode (OLED) ( Example: Tracking the voltage state reflecting the threshold voltage).
이러한 트래킹 단계(S1220)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱전압, 이동도) 또는 유기발광다이오드(OLED)의 특성치(예: 문턱전압)를 반영하는 전압 상태가 되면, 샘플링 단계(S1230)가 진행된다. In this tracking step (S1220), when the voltage state reflecting the characteristic value (eg, threshold voltage, mobility) of the driving transistor (DRT) or the characteristic value (eg, threshold voltage) of the organic light emitting diode (OLED) is obtained, the sampling step (S1230) ) proceeds.
샘플링 단계(S1230)에서는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와 데이터 라인(DL)을 전기적으로 연결해준다. 이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 데이터 라인(DL)의 전압을 센싱한다. In the sampling step (S1230), the analog-to-digital converter (ADC) and the data line (DL) are electrically connected. Accordingly, the analog-to-digital converter ADC senses the voltage of the data line DL.
전술한 센싱 방법에 따르면, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)로 초기화 전압(Vpres)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)로 센싱용 기준 전압(Vref)을 인가하여 센싱 구동 초기화 상태로 만들어 놓고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)가 데이터 라인(DL)과 함께 원하는 전압 상태로 되도록 하여, 각 서브픽셀(SP)마다 존재하는 데이터 라인(DL)을 통해 전압을 센싱함으로써, 각 서브픽셀(SP)에 대한 샘플링 처리를 동시에 진행할 수 있는 이점이 있다. 이로 인해, 유기발광표시패널(110)의 전체 센싱 시간을 매우 많이 단축시킬 수 있다. According to the above-described sensing method, the initialization voltage Vpres is applied to the source node Ns of the driving transistor DRT, and the reference voltage Vref for sensing is applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT. After the sensing drive is set to an initial state, the source node (Ns) of the driving transistor (DRT) and the data line (DL) are brought into a desired voltage state through the data line (DL) present in each subpixel (SP). By sensing the voltage, there is an advantage in that the sampling process for each subpixel SP can be simultaneously performed. Accordingly, the entire sensing time of the organic light emitting
한편, 초기화 단계(S1210)에서는, 턴-온 레벨의 센싱 신호(SENSE)를 통해 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns) 사이에 연결된 제1 트랜지스터(T1)를 턴-온 시키고, 데이터 라인(DL)과 초기화 전압 공급 노드(Npres) 사이에 전기적으로 연결된 초기화 스위치(SPRE)를 턴-온 시켜, 데이터 라인(DL)에 의해 공급되는 초기화 전압(Vpres)을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)에 인가한다. Meanwhile, in the initialization step S1210, the first transistor T1 connected between the data line DL and the source node Ns of the driving transistor DRT is turned on through the turn-on level sensing signal SENSE. and turns on the initialization switch SPRE electrically connected between the data line DL and the initialization voltage supply node Npres to supply the initialization voltage Vpres supplied by the data line DL to the driving transistor ( DRT) to the source node (Ns).
또한, 초기화 단계(S1210)에서는, 기준 전압 라인(RVL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng) 사이에 연결된 제2 트랜지스터(T2)를 턴-온 시켜, 기준 전압 라인(RVL)에 의해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가한다. In addition, in the initialization step S1210, the second transistor T2 connected between the reference voltage line RVL and the gate node Ng of the driving transistor DRT is turned on, so that the reference voltage line RVL The supplied reference voltage Vref is applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT.
트래킹 단계(S1220)에서는, 초기화 스위치(SPRE)를 턴-오프 시켜서, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)를 플로팅 시키고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)와 데이터 라인(DL)의 전압은 초기화 전압(Vpres)에서 상승한다. In the tracking step S1220, the initialization switch SPRE is turned off to float the source node Ns of the driving transistor DRT, and the source node Ns of the driving transistor DRT and the data line DL The voltage of rises from the initialization voltage Vpres.
샘플링 단계(S1230)에서는, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 샘플링 스위치(SAM)를 턴-온 시켜서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와 데이터 라인(DL)을 전기적으로 연결해준다. In the sampling step (S1230), the analog-to-digital converter (ADC) and the data line (DL) are electrically connected by turning on the sampling switch (SAM) electrically connected between the analog-to-digital converter (ADC) and the data line (DL). it connects
이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 데이터 라인(DL)의 전압을 센싱한다. Accordingly, the analog-to-digital converter ADC senses the voltage of the data line DL.
샘플링 단계(S1230)에서 샘플링 시점, 즉, 샘플링 스위치(SAM)의 턴-온 시점은, 센싱 구동 종류에 따라 달라질 수 있다. In the sampling step ( S1230 ), the sampling time point, ie, the turn-on time point of the sampling switch SAM, may vary according to the type of sensing drive.
예를 들어, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 센싱하기 위한 센싱 구동의 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)의 전압이 상승하다가 포화되는 시점 이후가 샘플링 시점이 될 수 있다. For example, in the case of sensing driving for sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT, the sampling time may be after the point at which the voltage of the source node Ns of the driving transistor DRT rises and becomes saturated.
구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 센싱 구동의 경우, 플로팅 시점부터 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)의 전압 상승 정도(전압 변화량)을 얻을 수 있는 시간 정도만 경과하면 되기 때문에, 플로팅 시점에서 일정 시간 이후를 샘플링 시점으로 설정할 수 있다. In the case of sensing driving for sensing the mobility of the driving transistor DRT, only the time required to obtain the degree of voltage increase (voltage change) of the source node Ns of the driving transistor DRT from the floating point is elapsed. A certain period of time after the plotting point can be set as the sampling point.
도 12를 참조하면, 샘플링 단계(S1230) 이후, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 이동도를 보상하는 특성치 보상 단계(S1240)가 진행될 수 있다. Referring to FIG. 12 , after the sampling step (S1230), a characteristic value compensation step (S1240) of compensating for the threshold voltage or mobility of the driving transistor DRT based on the voltage sensed by the analog-to-digital converter (ADC) may be performed. .
특성치 보상 단계(S1240)는, 센싱된 전압을 토대로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 이동도를 파악하여 문턱전압 편차 또는 이동도 편차를 알아내서 이를 제거하기 위하여 보상값을 산출한다. In the characteristic value compensation step ( S1240 ), a threshold voltage or mobility of the driving transistor DRT is determined based on the sensed voltage, and a threshold voltage deviation or mobility deviation is found and a compensation value is calculated to remove it.
보상부(1000)는 산출된 보상값를 토대로 해당 서브픽셀(SP)로 공급될 영상 데이터를 변경한다. The
소스 드라이버 집적회로(SDIC)는 변경된 영상 데이터를 데이터 전압으로 변환하여 출력하면, 해당 서브픽셀에 대하여 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 이동도에 대한 보상이 실제로 이루어지게 된다. When the source driver integrated circuit (SDIC) converts the changed image data into data voltages and outputs them, compensation for the threshold voltage or mobility of the driving transistor (DRT) is actually performed for the corresponding subpixel.
도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 타이밍도이다. 13 is a timing diagram of sensing a threshold voltage of the driving transistor DRT of the organic light emitting
도 13을 참조하면, 문턱전압 센싱 구동 구간의 초기화 단계(S1210)에서는, 턴-온 레벨의 센싱 신호(SENSE)를 통해 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns) 사이에 연결된 제1 트랜지스터(T1)를 턴-온 시키고, 데이터 라인(DL)과 초기화 전압 공급 노드(Npres) 사이에 전기적으로 연결된 초기화 스위치(SPRE)를 턴-온 시켜, 데이터 라인(DL)에 의해 공급되는 초기화 전압(Vpres)을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)에 인가한다. Referring to FIG. 13 , in the initialization step (S1210) of the threshold voltage sensing driving period, a voltage is generated between the data line DL and the source node Ns of the driving transistor DRT through the turn-on level sensing signal SENSE. The connected first transistor T1 is turned on, and the initialization switch SPRE electrically connected between the data line DL and the initialization voltage supply node Npres is turned on and supplied by the data line DL. The initialization voltage Vpres is applied to the source node Ns of the driving transistor DRT.
또한, 초기화 단계(S1210)에서는, 턴-온 레벨의 스캔 신호(SCAN)를 통해 기준 전압 라인(RVL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng) 사이에 연결된 제2 트랜지스터(T2)를 턴-온 시켜, 기준 전압 라인(RVL)에 의해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가한다. Also, in the initialization step S1210, the second transistor T2 connected between the reference voltage line RVL and the gate node Ng of the driving transistor DRT is turned on through the turn-on level scan signal SCAN. - By turning on, the reference voltage Vref supplied by the reference voltage line RVL is applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT.
도 13을 참조하면, 트래킹 단계(S1220)에서는, 초기화 스위치(SPRE)를 턴-오프 시켜서 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)를 플로팅 시킨다. Referring to FIG. 13 , in the tracking step S1220, the initialization switch SPRE is turned off to float the source node Ns of the driving transistor DRT.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)의 전압이 초기화 전압(Vpres)에서 상승한다. 이때, 데이터 라인(DL)의 전압도 함께 상승한다. Accordingly, the voltage of the source node Ns of the driving transistor DRT rises from the initialization voltage Vpres. At this time, the voltage of the data line DL also rises.
구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)와 데이터 라인(DL)은 시간이 지날수록 전압 상승폭이 줄어들어 포화하게 된다. The source node Ns of the driving transistor DRT and the data line DL become saturated as the voltage rise decreases over time.
구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)와 데이터 라인(DL)의 전압이 포화되면 샘플링 단계(S1230)가 진행될 수 있다. When the voltages of the source node Ns of the driving transistor DRT and the data line DL are saturated, a sampling step ( S1230 ) may be performed.
도 13을 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)와 데이터 라인(DL)의 전압이 포화된 시점 이후로 설정된 샘플링 시점에 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)와 데이터 라인(DL)이 전기적으로 연결된다. Referring to FIG. 13, when the sampling switch SAM is turned on at a sampling time set after the voltage of the source node Ns of the driving transistor DRT and the data line DL is saturated, the analog-to-digital converter ( ADC) and the data line DL are electrically connected.
이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 데이터 라인(DL)의 전압을 센싱한다. Accordingly, the analog-to-digital converter ADC senses the voltage of the data line DL.
이때, 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)이 포지티브 문턱전압인 경우, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가된 기준 전압(Vref)보다 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)만큼 낮은 전압(Vref-Vth)이다. At this time, when the threshold voltage Vth of the transistor DRT is a positive threshold voltage, the voltage Vsen sensed by the analog-to-digital converter ADC is the reference voltage applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT. It is a voltage (Vref-Vth) lower than (Vref) by the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (DRT).
물론, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)이 네거티브 문턱전압인 경우, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가된 기준 전압(Vref)보다 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth)만큼 높은 전압(Vref+Vth)일 수 있다. Of course, when the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT is a negative threshold voltage, the voltage Vsen sensed by the analog-to-digital converter ADC is the reference applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT. It may be a voltage (Vref+Vth) higher than the voltage Vref by the threshold voltage Vth of the driving transistor DRT.
도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 타이밍도이다. 14 is a timing diagram for sensing mobility of the driving transistor DRT of the organic light emitting
도 14를 참조하면, 이동도 센싱 구동 구간의 초기화 단계(S1210)에서는, 턴-온 레벨의 센싱 신호(SENSE)를 통해 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns) 사이에 연결된 제1 트랜지스터(T1)를 턴-온 시키고, 데이터 라인(DL)과 초기화 전압 공급 노드(Npres) 사이에 전기적으로 연결된 초기화 스위치(SPRE)를 턴-온 시켜, 데이터 라인(DL)에 의해 공급되는 초기화 전압(Vpres)을 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)에 인가한다. Referring to FIG. 14 , in the initialization step (S1210) of the mobility sensing driving period, a voltage is generated between the data line DL and the source node Ns of the driving transistor DRT through the turn-on level sensing signal SENSE. The connected first transistor T1 is turned on, and the initialization switch SPRE electrically connected between the data line DL and the initialization voltage supply node Npres is turned on and supplied by the data line DL. The initialization voltage Vpres is applied to the source node Ns of the driving transistor DRT.
또한, 초기화 단계(S1210)에서는, 턴-온 레벨의 스캔 신호(SCAN)를 통해 기준 전압 라인(RVL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng) 사이에 연결된 제2 트랜지스터(T2)를 턴-온 시켜, 기준 전압 라인(RVL)에 의해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)에 인가한다. Also, in the initialization step S1210, the second transistor T2 connected between the reference voltage line RVL and the gate node Ng of the driving transistor DRT is turned on through the turn-on level scan signal SCAN. - By turning on, the reference voltage Vref supplied by the reference voltage line RVL is applied to the gate node Ng of the driving transistor DRT.
도 14를 참조하면, 트래킹 단계(S1220)에서는, 초기화 스위치(SPRE)를 턴-오프 시켜서 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 노드(Ns)를 플로팅 시키고, 제2 트랜지스터(T2)의 스캔 신호(SCAN)가 턴-오프 전압 레벨로 바뀌어 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)를 플로팅 시킨다. Referring to FIG. 14 , in the tracking step S1220, the initialization switch SPRE is turned off to float the source node Ns of the driving transistor DRT, and the scan signal SCAN of the second transistor T2 is changed to the turn-off voltage level to float the gate node Ng of the driving transistor DRT.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns)의 전압이 초기화 전압(Vpres)에서 상승한다. 이때, 데이터 라인(DL)의 전압도 함께 상승한다. Accordingly, the voltages of the gate node Ng and the source node Ns of the driving transistor DRT rise from the initialization voltage Vpres. At this time, the voltage of the data line DL also rises.
구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns)의 전압 상승이 일정 시간(Δt) 이루어진 이후, 샘플링 단계(S1230)가 진행될 수 있다. After the voltage of the gate node Ng and the source node Ns of the driving transistor DRT rises for a predetermined time Δt, a sampling step ( S1230 ) may be performed.
도 14를 참조하면, Referring to Figure 14,
구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns)의 전압 상승이 일정 시간(Δt) 이루어진 이후, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 된다. After the voltage of the gate node Ng and the source node Ns of the driving transistor DRT rises for a predetermined time Δt, the sampling switch SAM is turned on.
이에 따라, 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는, 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결되어 데이터 라인(DL)의 전압을 센싱한다. Accordingly, the analog-to-digital converter ADC is electrically connected to the data line DL to sense the voltage of the data line DL.
보상부(1000)는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)의 센싱된 전압(Vsen)과 전압 상승 전의 전압(Vpres)의 차이를 전압 상승폭(Δt)으로 계산하고, 계산된 전압 상승폭(Δt)을 전압 상승 구간의 시간(Δt)으로 나누어서, 전압 상승 속도(그래프 기울기)를 계산할 수 있다. The
보상부(1000)는 계산된 전압 상승 속도로부터 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도(전류 능력)를 알아낼 수 있다. The
여기서, 시간(Δt)가 고정되어 있기 때문에 전압 변화량과 전압 상승 속도는 비례한다. 그리고, 전압 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도(전류 능력)와 비례한다. Here, since the time Δt is fixed, the amount of voltage change and the speed of voltage increase are proportional. Also, the voltage rising speed is proportional to the mobility (current capability) of the driving transistor DRT.
도 15는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 시간 절감 효과를 설명하기 위한 도면이다. 15 is a diagram for explaining a sensing time saving effect of the organic light emitting
도 15를 참조하면, 전술한 바와 같이, 기준 전압 라인(RVL)이 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 의해 공유되더라도, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)에 대응되는 4개의 데이터 라인(DL1, DL2, DL3, DL4) 각각에 아날로그 디지털 컨버터(ADC)가 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 15, as described above, even though the reference voltage line RVL is shared by the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4, the four subpixels SP1, SP2, SP3, and SP4 An analog-to-digital converter (ADC) may be electrically connected to each of the corresponding four data lines DL1 , DL2 , DL3 , and DL4 .
따라서, 4개의 서브픽셀(SP1, SP2, SP3, SP4)를 동시에 센싱 구동하고, 4개의 샘플링 스위치(SAM1, SAM2, SAM3, SAM4)를 동시에 턴-온 시켜서, 동시에 데이터 라인(DL)의 전압을 센싱할 수 있다. 이로 인해, 유기발광표시패널(110)의 전체 센싱 시간을 매우 많이 단축시킬 수 있다. Therefore, by simultaneously sensing and driving the four subpixels (SP1, SP2, SP3, and SP4) and simultaneously turning on the four sampling switches (SAM1, SAM2, SAM3, and SAM4), the voltage of the data line (DL) is can sense Accordingly, the entire sensing time of the organic light emitting
도 16은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)를 나타낸 도면이다. 16 is a diagram illustrating a source driver integrated circuit (SDIC) of the organic light emitting
도 16을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 데이터 구동을 위한 기본적인 구성으로서, 쉬프트 레지스터(1610), 제1 래치(1620), 제2 래치(1630), 디지털 아날로그 컨버터(DAC, 1640), 여러 개의 데이터 라인(DL)과 대응되는 여러 개의 채널로 데이터 전압(Vdata)을 출력하기 위한 출력 버퍼를 포함하는 다 채널 출력 회로(1650) 등을 포함한다. Referring to FIG. 16 , the source driver integrated circuit (SDIC) of the organic light emitting
이외에, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 기준 전압 라인(RVL)으로 기준 전압(Vref)을 출력할 수도 있다. In addition, the source driver integrated circuit SDIC of the organic light emitting
또한, 전술한 3가지의 스위치 구성(PRE_SEL, SPRE, SAM)의 온-오프를 제어함으로써, 데이터 라인(DL)이, 상황에 따라, 데이터 신호 라인, 센싱 구동 라인 및 센싱 라인 중 하나로 동작할 수 있도록 하는 3가지의 스위치 구성으로서, 데이터 스위치(PRE_SEL), 초기화 스위치(SPRE) 및 샘플링 스위치(SAM) 등을 포함할 수 있다. In addition, by controlling the on-off of the aforementioned three switch configurations (PRE_SEL, SPRE, and SAM), the data line DL may operate as one of a data signal line, a sensing driving line, and a sensing line, depending on circumstances. As three types of switch configurations, a data switch (PRE_SEL), an initialization switch (SPRE), and a sampling switch (SAM) may be included.
또한, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 데이터 드라이버(120)에 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 샘플링 스위치(SAM)를 통해 다수의 데이터 라인(DL)과 연결될 수 있는 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함할 수 있다. In addition, each source driver integrated circuit (SDIC) included in the
여기서, 다수의 데이터 라인(DL) 각각에 대응되어 연결되는 샘플링 스위치(SAM)를 포함하는 샘플링 회로(1660)는, 다수의 샘플링 스위치(SAM) 이외에, 샘플링 스위치(SAM)과 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 사이에 샘플 앤 홀더(Sample and Hold) 회로를 더 포함할 수 있다. Here, the
전술한 소스 드라이버 집적회로(SDIC)를 이용하면, 이상에서 설명한 본 실시예들에 따른 서브픽셀 구조 및 신호 라인 구조를 갖는 서브픽셀에 대하여 영상 구동 및 센싱 구동을 제공할 수 있다. Using the aforementioned source driver integrated circuit (SDIC), image driving and sensing driving can be provided for subpixels having the subpixel structure and signal line structure according to the present embodiments described above.
이상에서 설명한 바와 같은 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있는 유기발광표시패널(110), 유기발광표시장치(100), 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다. According to the present embodiments as described above, it is possible to provide an organic light emitting
또한, 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있는 서브픽셀 구조와 신호 라인 구조를 갖는 유기발광표시패널(110), 유기발광표시장치(100), 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다.In addition, according to the present embodiments, an organic light emitting
또한, 본 실시예들에 의하면, 서브픽셀에 대한 센싱 시간을 크게 단축시켜줄 수 있으면서도 개구율을 높여줄 수 있는 서브픽셀 구조와 신호 라인 구조를 갖는 유기발광표시패널(110), 유기발광표시장치(100), 그 영상 구동 방법 및 센싱 방법을 제공할 수 있다.In addition, according to the present embodiments, the organic light emitting
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. The above description and accompanying drawings are merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art can combine the configuration within the scope not departing from the essential characteristics of the present invention. , various modifications and variations such as separation, substitution and alteration will be possible. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments.
100: 유기발광표시장치
110: 유기발광표시패널
120: 데이터 드라이버
130: 게이트 드라이버
140: 컨트롤러100: organic light emitting display device
110: organic light emitting display panel
120: data driver
130: gate driver
140: controller
Claims (10)
상기 서브픽셀들 각각은,
유기발광다이오드;
상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 소스 노드와 상기 데이터 라인들 중 대응하는 데이터 라인 사이에 연결되며, 상기 센싱 신호로 제어되는 제1 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트 노드와 상기 소스 노드 사이에 연결되는 스토리지 커패시터를 포함하며,
상기 유기발광표시패널은,
상기 기준 전압 라인에 연결되며, 상기 서브픽셀들의 적어도 둘의 게이트 노드들에 공통으로 상기 기준 전압을 인가하는 제2 트랜지스터를 더 포함하며,
상기 서브픽셀들 중 상기 제2 방향으로 연속하여 배열되는 적어도 두 개의 서브픽셀들은 상기 제2 트랜지스터를 공유하고,
상기 제2 트랜지스터의 게이트 노드는 스캔 신호가 인가되는 게이트 라인에 연결되는 유기발광표시장치.
Data lines extending in a first direction, a reference voltage line extending in the first direction and transmitting a reference voltage, a gate line extending in a second direction and transmitting a sensing signal, and a sub commonly connected to the gate line. An organic light emitting display panel including pixels,
Each of the subpixels,
organic light emitting diode;
a driving transistor for driving the organic light emitting diode;
a first transistor coupled between a source node of the driving transistor and a corresponding one of the data lines and controlled by the sensing signal; and
A storage capacitor connected between a gate node and a source node of the driving transistor;
The organic light emitting display panel,
a second transistor connected to the reference voltage line and applying the reference voltage in common to at least two gate nodes of the subpixels;
At least two of the subpixels arranged consecutively in the second direction share the second transistor;
A gate node of the second transistor is connected to a gate line to which a scan signal is applied.
상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 노드로 상기 기준 전압이 공급되고,
상기 구동 트랜지스터의 상기 소스 노드로 상기 대응하는 데이터 라인을 통해 데이터 전압이 공급되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The reference voltage is supplied to the gate node of the driving transistor;
An organic light emitting display device wherein a data voltage is supplied to the source node of the driving transistor through the corresponding data line.
상기 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버;
상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 드라이버; 및
상기 대응하는 데이터 라인과 전기적으로 연결되어 상기 대응하는 데이터 라인의 전압을 센싱하여 디지털 값으로 변환하는 아날로그 디지털 컨버터를 더 포함하는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
a data driver driving the data lines;
a gate driver driving the gate lines; and
and an analog-to-digital converter electrically connected to the corresponding data line to sense a voltage of the corresponding data line and convert it into a digital value.
상기 대응하는 데이터 라인과 상기 아날로그 디지털 컨버터 사이에 전기적으로 연결된 샘플링 스위치;
상기 대응하는 데이터 라인과 초기화 전압이 제공되는 초기화 전압 공급 노드 사이에 전기적으로 연결된 초기화 스위치; 및
상기 대응하는 데이터 라인과 데이터 전압이 제공되는 데이터 전압 공급 노드 사이에 전기적으로 연결된 데이터 스위치를 포함하는 유기발광표시장치.
According to claim 4,
a sampling switch electrically connected between the corresponding data line and the analog-to-digital converter;
an initialization switch electrically connected between the corresponding data line and an initialization voltage supply node to which an initialization voltage is provided; and
and a data switch electrically connected between the corresponding data line and a data voltage supply node to which a data voltage is supplied.
상기 데이터 드라이버는 상기 샘플링 스위치와 상기 아날로그 디지털 컨버터를 포함하는 유기발광표시장치.
According to claim 5,
The data driver includes the sampling switch and the analog-to-digital converter.
상기 대응하는 데이터 라인으로 상기 데이터 전압 또는 상기 초기화 전압이 공급되거나, 상기 대응하는 데이터 라인의 전압이 상기 아날로그 디지털 컨버터로 공급되는 유기발광표시장치.
According to claim 5,
The organic light emitting display device wherein the data voltage or the initialization voltage is supplied to the corresponding data line or the voltage of the corresponding data line is supplied to the analog-to-digital converter.
상기 구동트랜지스터의 문턱전압 센싱 구동 구간에서, 상기 센싱 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간은 상기 스캔 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간보다 짧고,
상기 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 구동 구간에서, 상기 스캔 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간은 상기 센싱 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간보다 짧은 유기발광표시장치.
According to claim 1,
In a threshold voltage sensing driving period of the driving transistor, a period in which the sensing signal has a turn-on level is shorter than a period in which the scan signal has a turn-on level;
In a mobility sensing driving period of the driving transistor, a period in which the scan signal has a turn-on level is shorter than a period in which the sensing signal has a turn-on level.
상기 구동트랜지스터의 문턱전압 센싱 구동 구간에서, 상기 센싱 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간 전체는 상기 스캔 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간과 중첩하는 유기발광표시장치.
According to claim 8,
In the threshold voltage sensing driving period of the driving transistor, an entire period in which the sensing signal has a turn-on level overlaps a period in which the scan signal has a turn-on level.
상기 구동 트랜지스터의 이동도 센싱 구동 구간에서, 상기 스캔 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간 전체는 상기 센싱 신호가 턴-온 레벨을 갖는 기간과 중첩하는 유기발광표시장치.
According to claim 8,
In the mobility sensing driving period of the driving transistor, an entire period in which the scan signal has a turn-on level overlaps a period in which the sensing signal has a turn-on level.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |