KR102548134B1 - Organic light emitting display panel, organic light emitting display device and method for driving the organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display panel, organic light emitting display device and method for driving the organic light emitting display device Download PDF

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Abstract

본 실시예들은, 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 구동 방법에 관한 것으로서, 유기발광표시장치의 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하는 구간에서 패널별, 서브픽셀별로 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하고, 구동 트랜지스터의 열화에 따라 센싱타겟과 센싱시간을 가변적으로 조절해줌으로써, 센싱타겟과 센싱시간에 기초하여 결정되는 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버의 최대 출력 전압을 초과하지 않도록 하여 이동도에 대한 부정확한 센싱과 잘못된 보상을 방지하며, 센싱용 데이터 전압의 지속적인 증가로 인한 화면 불량이 발생하지 않도록 한다.The present embodiments relate to an organic light emitting display device and a driving method of the organic light emitting display device, and a sensing target and sensing set for each panel and each subpixel in a section for sensing the mobility of a driving transistor in a subpixel of the organic light emitting display device. Sensing is determined based on the sensing target and sensing time by sensing the mobility of the driving transistor using the sensing data voltage determined according to time and variably adjusting the sensing target and sensing time according to the deterioration of the driving transistor. Inaccurate sensing and erroneous compensation for mobility are prevented by preventing the data voltage from exceeding the maximum output voltage of the data driver, and screen defects due to the continuous increase of the data voltage for sensing are prevented.

Figure R1020150180301
Figure R1020150180301

Description

유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 구동 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display panel, organic light emitting display device, and driving method of organic light emitting display device

본 실시예들은 유기발광표시패널, 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치를 구동하는 방법에 관한 것이다.The present embodiments relate to an organic light emitting display panel, an organic light emitting display device, and a method of driving the organic light emitting display device.

최근 표시장치로서 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비, 발광효율, 휘도 및 시야각이 크다는 장점이 있다.An organic light emitting display device that has recently been in the limelight as a display device uses organic light emitting diodes (OLEDs) that emit light by itself, and thus has advantages of fast response speed, high contrast ratio, luminous efficiency, luminance, and viewing angle.

이러한 유기발광표시장치는, 다수의 게이트 라인과 다수의 데이터 라인이 배치되고 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되는 영역에 배치되는 다수의 서브픽셀을 포함하는 유기발광표시패널과, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 다수의 데이터 라인에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버와, 게이트 드라이버와 데이터 드라이버의 구동을 제어하는 타이밍 컨트롤러 등을 포함하며, 서브픽셀은 유기발광다이오드(OLED)와 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한다.Such an organic light emitting display device includes an organic light emitting display panel including a plurality of subpixels in which a plurality of gate lines and a plurality of data lines are disposed and disposed in an area where the gate lines and the data lines intersect, and driving the plurality of gate lines. It includes a gate driver for supplying data voltages to a plurality of data lines, a timing controller for controlling driving of the gate driver and data driver, and the like, and the subpixel includes an organic light emitting diode (OLED) and an organic light emitting diode (OLED). and a driving transistor that drives the OLED).

이러한 유기발광표시장치에서 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드(OLED) 및 구동 트랜지스터 등의 회로 소자는 각각 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)를 갖는다. 그리고, 각 구동 트랜지스터는 구동 시간에 따라 열화(Degradation)가 진행되어 구동 트랜지스터가 갖는 고유한 특성치가 변할 수 있다.In such an organic light emitting display device, circuit elements such as organic light emitting diodes (OLEDs) and driving transistors in each subpixel each have unique characteristic values (eg, threshold voltage, mobility, etc.). In addition, each driving transistor is degraded according to driving time, so that a unique characteristic value of the driving transistor may change.

이러한 특성치의 변화에 따라 해당 서브픽셀의 휘도 특성이 변경될 수 있으며, 회로 소자 간의 특성치 또는 특성치 변화가 서로 다른 경우 서브픽셀 간의 휘도 편차를 유발시켜 유기발광표시패널의 휘도 균일도를 나빠지게 하는 문제점이 존재한다.The luminance characteristics of the corresponding sub-pixel may be changed according to the change in the characteristic value, and when the characteristic value or characteristic value change between circuit elements is different, the luminance deviation between the sub-pixels is caused to deteriorate the luminance uniformity of the organic light emitting display panel. exist.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 각 서브픽셀 내 회로 소자에 대한 특성치를 센싱하고 보상하는 기술이 개발되고 있다.In order to solve this problem, a technology for sensing and compensating for a characteristic value of a circuit element in each subpixel is being developed.

예를 들어, 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하고 보상하기 위하여 유기발광표시장치가 구동하는 구간 중 영상 데이터가 출력되지 않는 블랭크 시간에 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱한다. 구동 트랜지스터의 이동도의 센싱은, 미리 정해진 센싱타겟과 센싱시간에 따라 센싱용 데이터 전압을 결정하고 결정된 센싱용 데이터 전압에 의한 전류 능력, 즉, 시간당 전압 상승 폭을 센싱함으로써 이루어질 수 있다.For example, in order to sense and compensate for the mobility of the driving transistor, the mobility of the driving transistor is sensed during a blank time during which image data is not output during the driving period of the organic light emitting display device. The sensing of the mobility of the driving transistor may be performed by determining a data voltage for sensing according to a predetermined sensing target and sensing time and sensing a current capability based on the determined data voltage for sensing, that is, a voltage rise per time.

이때, 구동 트랜지스터의 열화(Degradation)로 인하여 전류 능력(이동도)이 저하되면, 미리 정해진 센싱타겟과 센싱시간을 만족하기 위하여 센싱용 데이터 전압을 증가시켜준다.At this time, when the current capability (mobility) decreases due to the degradation of the driving transistor, the sensing data voltage is increased in order to satisfy a predetermined sensing target and sensing time.

그런데, 증가된 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버의 최대 출력 전압을 초과하는 경우에는, 센싱용 데이터 전압이 최대 출력 전압을 초과하여 인가될 수 없으므로 구동 트랜지스터의 전류 능력(이동도)은 낮게 센싱되고 이에 따라 이동도에 대한 계속적인 보상이 이루어지게 된다.However, when the increased data voltage for sensing exceeds the maximum output voltage of the data driver, the current capability (mobility) of the driving transistor is sensed low because the data voltage for sensing cannot be applied beyond the maximum output voltage. Accordingly, continuous compensation for the mobility is performed.

즉, 구동 트랜지스터의 전류 능력(이동도) 저하와 데이터 드라이버의 출력 전압 한계로 인하여 정확하지 않은 센싱과 잘못된 보상이 계속해서 진행될 수 있으며, 이는 유기발광표시패널의 화면 불량으로 나타나는 문제점이 존재한다.That is, inaccurate sensing and erroneous compensation may continue to occur due to the decrease in current capability (mobility) of the driving transistor and the limit of the output voltage of the data driver, resulting in screen defects of the organic light emitting display panel.

본 실시예들의 목적은, 유기발광표시장치의 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도를 정확하게 센싱하고 이동도 편차를 정확하게 보상할 수 있는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다.An object of the present embodiments is to provide an organic light emitting display device capable of accurately sensing the mobility of a driving transistor within a subpixel of the organic light emitting display device and accurately compensating for a mobility deviation.

본 실시예들의 목적은, 구동 트랜지스터의 열화(Degradation)로 인하여 전류 능력(이동도)이 저하되더라도 구동 트랜지스터의 이동도를 정확하게 센싱할 수 있는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다.An object of the present embodiments is to provide an organic light emitting display device capable of accurately sensing the mobility of a driving transistor even when current capability (mobility) is reduced due to degradation of the driving transistor.

본 실시예들의 목적은, 구동 트랜지스터의 이동도를 측정하기 위해 인가되는 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버의 최대 출력 전압을 초과하지 않도록 함으로써 센싱용 데이터 전압의 증가로 인한 화면 불량을 방지하는 유기발광표시장치를 제공하는 데 있다.An object of the present embodiments is an organic light emitting display that prevents screen defects due to an increase in the sensing data voltage by preventing the sensing data voltage applied to measure the mobility of the driving transistor from exceeding the maximum output voltage of the data driver. to provide the device.

일 실시예는, 다수의 게이트 라인, 다수의 데이터 라인 및 다수의 서브픽셀이 배치된 유기발광표시패널과, 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버와, 다수의 데이터 라인에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버를 포함하고, 다수의 서브픽셀 각각은, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 기준 전압 라인 사이에 연결된 센싱 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제2노드와 데이터 라인 사이에 연결된 스위칭 트랜지스터와, 제1노드와 제2노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하며, 데이터 드라이버는, 구동 트랜지스터의 특성치를 측정하는 구간에서, 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압을 구동 트랜지스터의 제2노드에 인가하고, 센싱용 데이터 전압에 따라 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟 및 센싱시간 중 적어도 하나를 조절하는 센싱용 데이터 전압 조절부를 더 포함하는 유기발광표시장치를 제공할 수 있다.An organic light emitting display panel in which a plurality of gate lines, a plurality of data lines, and a plurality of subpixels are disposed, a gate driver driving the plurality of gate lines, and data voltages supplying data voltages to the plurality of data lines. The driver includes a driver, and each of the plurality of subpixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a sensing transistor connected between a first node of the driving transistor and a reference voltage line, and a second node of the driving transistor. and a switching transistor connected between the data line and a storage capacitor connected between the first node and the second node, wherein the data driver detects and senses the sensing target set for each subpixel in a section for measuring the characteristic value of the driving transistor. A sensing data voltage regulator configured to apply the sensing data voltage determined according to time to the second node of the driving transistor and adjust at least one of a sensing target and a sensing time set for each subpixel according to the sensing data voltage. It is possible to provide an organic light emitting display device that does.

이러한 유기발광표시장치에서, 센싱용 데이터 전압 조절부는, 서브픽셀에 대한 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압을 초과하면 서브픽셀에 설정된 센싱타겟을 감소시키거나 서브픽셀에 설정된 센싱시간을 증가시킬 수 있으며, 서브픽셀에 대한 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압 이하를 유지하도록 서브픽셀에 설정된 센싱타겟 및 센싱시간 중 적어도 하나를 조절할 수도 있다.In such an organic light emitting display device, the sensing data voltage controller may decrease a sensing target set for the subpixel or increase a sensing time set for the subpixel when the sensing data voltage for the subpixel exceeds a preset voltage. , at least one of the sensing target and the sensing time set in the subpixel may be adjusted so that the sensing data voltage for the subpixel is maintained below a preset voltage.

이러한 유기발광표시장치에서, 센싱타겟은 서브픽셀의 발광영역의 크기에 비례하여 설정되고 센싱시간은 서브픽셀의 발광영역의 크기에 반비례하여 설정될 수 있고, 센싱타겟은 서브픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 사이즈에 비례하여 설정되고 센싱시간은 서브픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 사이즈에 반비례하여 설정될 수도 있다.In such an organic light emitting display device, the sensing target may be set in proportion to the size of the light emitting area of the subpixel, the sensing time may be set in inverse proportion to the size of the light emitting area of the subpixel, and the sensing target may be a driving transistor included in the subpixel. It is set in proportion to the size of and the sensing time may be set in inverse proportion to the size of the driving transistor included in the subpixel.

다른 실시예는, 유기발광표시패널의 서브픽셀에 배치된 구동 트랜지스터의 제1노드에 기준 전압을 인가하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제2노드에 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압을 인가하는 단계와, 구동 트랜지스터의 제1노드를 플로팅시키는 단계와, 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압이 상승하는 동안 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱시간에 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압을 측정하는 단계와, 센싱용 데이터 전압에 따라 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟 및 센싱시간 중 적어도 하나를 조절하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법을 제공할 수 있다.In another embodiment, a reference voltage is applied to a first node of a driving transistor disposed in a subpixel of an organic light emitting display panel, and a sensing target and sensing time set for each subpixel are applied to a second node of the driving transistor. The step of applying the determined sensing data voltage, the step of floating the first node of the driving transistor, and the first node of the driving transistor at the sensing time set for each subpixel while the voltage of the first node of the driving transistor rises. A method of driving an organic light emitting display device may be provided, which may include measuring a voltage of and adjusting at least one of a sensing target and a sensing time set for each subpixel according to a data voltage for sensing.

다른 실시예는, 일 방향으로 배치된 다수의 게이트 라인과, 게이트 라인과 교차되어 배치된 다수의 데이터 라인과, 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되는 영역에 배치되고, 유기발광다이오드와, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제1노드와 기준 전압 라인 사이에 연결된 센싱 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 제2노드와 데이터 라인 사이에 연결된 스위칭 트랜지스터와, 제1노드와 제2노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 다수의 서브픽셀을 포함하고, 구동 트랜지스터의 특성치를 측정하는 구간에서 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압이 데이터 라인을 통해 구동 트랜지스터의 제2노드에 인가되는 유기발광표시패널을 제공할 수 있다.In another embodiment, a plurality of gate lines disposed in one direction, a plurality of data lines disposed to cross the gate lines, disposed in an area where the gate lines and the data lines intersect, an organic light emitting diode, and an organic light emitting diode A driving transistor for driving, a sensing transistor connected between the first node of the driving transistor and the reference voltage line, a switching transistor connected between the second node of the driving transistor and the data line, and connected between the first node and the second node. In a section including a plurality of subpixels including storage capacitors and measuring the characteristic values of the driving transistor, the sensing data voltage determined according to the sensing target and sensing time set for each subpixel is transmitted through the data line to the second driving transistor. An organic light emitting display panel applied to a node may be provided.

본 실시예들에 의하면, 유기발광표시장치의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱함으로써 서브픽셀의 특성치에 따라 센싱용 데이터 전압이 증가하는 것을 방지한다.According to the present embodiments, the mobility of the driving transistor is sensed using the sensing data voltage determined according to the sensing target set for each sub-pixel of the organic light emitting display and the sensing time, so that the sensing data voltage is obtained according to the characteristic value of the sub-pixel. prevent increasing

본 실시예들에 의하면, 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간을 가변적으로 조절함으로써 구동 트랜지스터의 열화(Degradation)에 따라 센싱용 데이터 전압이 증가하는 것이 방지하고 센싱용 데이터 전압의 증가로 인한 화면 불량이 발생하지 않도록 한다.According to the present embodiments, by variably adjusting the sensing target and the sensing time set for each subpixel, an increase in the data voltage for sensing due to the degradation of the driving transistor is prevented, and screen defects due to the increase in the data voltage for sensing are prevented. prevent this from happening.

본 실시예들에 의하면, 서브픽셀마다 최적화된 센싱시간을 설정할 수 있도록 함으로써 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하는 전체 센싱시간이 감소할 수 있도록 한다.According to the present exemplary embodiments, the entire sensing time for sensing the mobility of the driving transistor can be reduced by setting an optimized sensing time for each subpixel.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 구조, 보상 회로 및 센싱용 데이터 전압을 조절하는 구성의 예시를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 서브픽셀 내 구동 트랜지스터의 이동도를 센싱하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서 센싱타겟과 센싱시간에 따라 센싱용 데이터 전압을 결정하는 예시를 나타낸 도면이다.
도 8 내지 도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서 서브픽셀별로 센싱타겟과 센싱시간을 가변하여 설정하는 예시를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서 가변하는 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압의 예시를 나타낸 도면이다.
도 12와 도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치에서 유기발광표시패널에 따라 상이하게 설정된 센싱타겟 및 센싱시간과 그에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압의 예시를 나타낸 도면이다.
도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 구동 방법의 과정을 나타낸 흐름도이다.
1 is a diagram showing a schematic configuration of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
2 is a diagram illustrating an example of a sub-pixel structure of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
3 is a diagram illustrating an example of a configuration for adjusting a subpixel structure, a compensation circuit, and a sensing data voltage of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
4 is a diagram for explaining a process of sensing a mobility of a driving transistor in a subpixel of an organic light emitting display device according to the present embodiments.
5 to 7 are diagrams illustrating examples of determining a data voltage for sensing according to a sensing target and a sensing time in an organic light emitting display device according to the present embodiments.
8 to 10 are diagrams illustrating examples of variablely setting a sensing target and a sensing time for each subpixel in an organic light emitting display device according to the present embodiments.
11 is a diagram illustrating an example of a data voltage for sensing determined according to a variable sensing target and sensing time in an organic light emitting display device according to the present embodiments.
12 and 13 are diagrams showing examples of sensing targets and sensing times set differently according to organic light emitting display panels and data voltages for sensing determined according to the organic light emitting display device according to the present embodiments.
14 is a flowchart illustrating a process of a method of driving an organic light emitting display device according to example embodiments.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Some embodiments of the present invention are described in detail below with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same numerals as much as possible even if they are displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.

또한, 본 발명의 구성요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성요소 사이에 다른 구성요소가 "개재"되거나, 각 구성요소가 다른 구성요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the corresponding component is not limited by the term. When an element is described as being “connected,” “coupled to,” or “connected” to another element, that element is or may be directly connected to that other element, but intervenes between each element. It will be understood that may be "interposed", or each component may be "connected", "coupled" or "connected" through other components.

도 1은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.1 shows a schematic configuration of an organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 1을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 배치되는 다수의 서브픽셀(SP)을 포함하는 유기발광표시패널(110)과, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(120)와, 다수의 데이터 라인(DL)에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버(130)와, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140, T-CON)를 포함한다.Referring to FIG. 1 , in an organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, a plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL are disposed, and the gate lines GL and data lines DL An organic light emitting display panel 110 including a plurality of subpixels (SP) disposed in the crossing area, a gate driver 120 driving a plurality of gate lines (GL), and a plurality of data lines (DL). It includes a data driver 130 for supplying a data voltage, and a timing controller 140 (T-CON) for controlling the gate driver 120 and the data driver 130.

게이트 드라이버(120)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다.The gate driver 120 sequentially drives the plurality of gate lines GL by sequentially supplying scan signals to the plurality of gate lines GL.

게이트 드라이버(120)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 제어에 따라 온(ON) 전압 또는 오프(OFF) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급하여 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다.The gate driver 120 sequentially supplies scan signals of an on voltage or an off voltage to the plurality of gate lines GL under the control of the timing controller 140 to generate the plurality of gate lines GL. run sequentially.

게이트 드라이버(120)는, 구동 방식에 따라 유기발광표시패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고 양측에 위치할 수도 있다.The gate driver 120 may be located on only one side or both sides of the organic light emitting display panel 110 according to a driving method.

또한, 게이트 드라이버(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로(Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.In addition, the gate driver 120 may include one or more gate driver integrated circuits.

각 게이트 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수 있다. 또한, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있으며, 유기발광표시패널(110)과 연결된 필름상에 실장되는 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수도 있다.Each gate driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method, or It can be implemented as a GIP (Gate In Panel) type and directly disposed on the organic light emitting display panel 110 . In addition, it may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110, or may be implemented in a chip on film (COF) method mounted on a film connected to the organic light emitting display panel 110.

데이터 드라이버(130)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다.The data driver 130 drives the plurality of data lines DL by supplying data voltages to the plurality of data lines DL.

데이터 드라이버(130)는, 특정 게이트 라인(GL)이 열리면 타이밍 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)에 공급함으로써 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다.When a specific gate line GL is opened, the data driver 130 converts the image data received from the timing controller 140 into analog data voltages and supplies them to the plurality of data lines DL, thereby providing a plurality of data lines DL. ) to drive

데이터 드라이버(130)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인(DL)을 구동할 수 있다.The data driver 130 may include at least one source driver integrated circuit to drive a plurality of data lines DL.

각 소스 드라이버 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG: Chip On Glass) 방식으로 유기발광표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 유기발광표시패널(110)에 직접 배치될 수도 있으며, 유기발광표시패널(110)에 집적화되어 배치될 수도 있다.Each source driver integrated circuit is connected to a bonding pad of the organic light emitting display panel 110 by a tape automated bonding (TAB) method or a chip on glass (COG) method, or It may be directly disposed on the organic light emitting display panel 110 or may be integrated and disposed on the organic light emitting display panel 110 .

또한, 각 소스 드라이버 집적회로는, 칩 온 필름(COF: Chip On Film) 방식으로 구현될 수 있다. 이 경우, 각 소스 드라이버 집적회로의 일 단은 적어도 하나의 소스 인쇄회로기판(Source Printed Circuit Board)에 본딩되고, 타 단은 유기발광표시패널(110)에 본딩된다.In addition, each source driver integrated circuit may be implemented in a Chip On Film (COF) method. In this case, one end of each source driver integrated circuit is bonded to at least one source printed circuit board, and the other end is bonded to the organic light emitting display panel 110 .

타이밍 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)로 각종 제어 신호를 공급하여 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)의 구동을 제어한다.The timing controller 140 controls the driving of the gate driver 120 and the data driver 130 by supplying various control signals to the gate driver 120 and the data driver 130 .

이러한 타이밍 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하며, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 제어한다.The timing controller 140 starts scanning according to the timing implemented in each frame, converts externally input image data according to the data signal format used by the data driver 130, and outputs the converted image data. and controls data driving at an appropriate time according to the scan.

타이밍 컨트롤러(140)는, 입력 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다.The timing controller 140 includes various timing signals including a vertical synchronization signal (Vsync), a horizontal synchronization signal (Hsync), an input data enable (DE) signal, and a clock signal (CLK) together with input image data. are received from outside (e.g. host system).

타이밍 컨트롤러(140)는, 외부로부터 입력된 입력 영상 데이터를 데이터 드라이버(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상 데이터를 출력하는 것 이외에, 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 입력받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130)로 출력한다.The timing controller 140 converts the input image data input from the outside to suit the data signal format used by the data driver 130 and outputs the converted image data, as well as the gate driver 120 and the data driver 130. ), receive timing signals such as the vertical sync signal (Vsync), the horizontal sync signal (Hsync), the input data enable signal (DE), and the clock signal (CLK), and generate various control signals to generate gate drivers (120) and the data driver (130).

예를 들어, 타이밍 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다.For example, the timing controller 140 may include a gate start pulse (GSP), a gate shift clock (GSC), and a gate output enable signal (GOE) to control the gate driver 120 . : Gate Output Enable) and various gate control signals (GCS: Gate Control Signal) are output.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다.Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the gate driver 120 . The gate shift clock (GSC) is a clock signal commonly input to one or more gate driver integrated circuits and controls shift timing of scan signals (gate pulses). The gate output enable signal GOE specifies timing information of one or more gate driver integrated circuits.

또한, 타이밍 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다.In addition, the timing controller 140, in order to control the data driver 130, a source start pulse (SSP: Source Start Pulse), a source sampling clock (SSC: Source Sampling Clock), a source output enable signal (SOE: Source It outputs various data control signals (DCS: Data Control Signal) including Output Enable) and the like.

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(130)의 출력 타이밍을 제어한다.Here, the source start pulse SSP controls data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the data driver 130 . The source sampling clock (SSC) is a clock signal that controls sampling timing of data in each source driver integrated circuit. The source output enable signal SOE controls output timing of the data driver 130 .

타이밍 컨트롤러(140)는, 소스 드라이버 집적회로가 본딩된 소스 인쇄회로기판과 연성 플랫 케이블(FFC: Flexible Flat Cable) 또는 연성 인쇄회로(FPC: Flexible Printed Circuit) 등의 연결 매체를 통해 연결된 컨트롤 인쇄회로기판(Control Printed Circuit Board)에 배치될 수 있다.The timing controller 140 is a source printed circuit board bonded with a source driver integrated circuit and a control printed circuit connected through a connection medium such as a flexible flat cable (FFC) or a flexible printed circuit (FPC). It may be disposed on a board (Control Printed Circuit Board).

이러한 컨트롤 인쇄회로기판에는, 유기발광표시패널(110), 게이트 드라이버(120) 및 데이터 드라이버(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 컨트롤러(미도시)가 더 배치될 수 있다. 이러한 전원 컨트롤러는 전원 관리 집적회로(Power Management Integrated Circuit)라고도 한다.On such a control printed circuit board, a power controller (not shown) supplies various voltages or currents to the organic light emitting display panel 110, the gate driver 120, and the data driver 130 or controls various voltages or currents to be supplied. more can be placed. Such a power controller is also referred to as a power management integrated circuit.

유기발광표시패널(110)에 배치되는 각 서브픽셀(SP)은 트랜지스터 등의 회로 소자를 포함하여 구성될 수 있다.Each subpixel SP disposed on the organic light emitting display panel 110 may include a circuit element such as a transistor.

예를 들어, 유기발광표시패널(110)에서 각 서브픽셀(SP)은 유기발광다이오드(OLED)와 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성될 수 있다.For example, in the organic light emitting display panel 110, each subpixel SP is composed of an organic light emitting diode (OLED) and a circuit element such as a driving transistor (DRT) for driving the organic light emitting diode (OLED). It can be.

각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel SP may be variously determined according to a provided function and a design method.

도 2는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀(SP) 구조의 예시를 나타낸 것이다.2 illustrates an example of a sub-pixel (SP) structure of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 2를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 기준 전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되는 센싱 트랜지스터(SENT: Sensing Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)와 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결되는 스위칭 트랜지스터(SWT: Switching Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되는 스토리지 캐패시터(Cstg: Storage Capacitor) 등을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2 , in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, each subpixel SP includes an organic light emitting diode OLED and a driving transistor DRT for driving the organic light emitting diode OLED. ) and a sensing transistor (SENT: Sensing Transistor) electrically connected between the first node (N1) of the driving transistor (DRT) and a reference voltage line (RVL) supplying a reference voltage (Vref: Reference Voltage). ), a switching transistor (SWT) electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and the data line DL supplying the data voltage Vdata, and the driving transistor DRT It is configured to include a storage capacitor (Cstg: Storage Capacitor) electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the .

유기발광다이오드(OLED)는, 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다.An organic light emitting diode (OLED) may include a first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode or an anode electrode).

구동 트랜지스터(DRT)는, 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급하여 유기발광다이오드(OLED)를 구동한다.The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode OLED by supplying a driving current to the organic light emitting diode OLED.

이러한 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)는 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있으며, 게이트 노드일 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동 전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.The first node N1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED, and may be a source node or a drain node. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a source node or a drain node of the switching transistor SWT and may be a gate node. The third node N3 of the driving transistor DRT may be electrically connected to a driving voltage line (DVL) that supplies the driving voltage EVDD, and may be a drain node or a source node.

센싱 트랜지스터(SENT)는, 게이트 신호에 의해 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 기준 전압(Vref)을 인가해줄 수 있다.The sensing transistor SENT may be turned on by a gate signal to apply the reference voltage Vref to the first node N1 of the driving transistor DRT.

또한, 센싱 트랜지스터(SENT)는, 턴-온 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 대한 전압 센싱 경로로 활용될 수도 있다.Also, when the sensing transistor SENT is turned on, it may be used as a voltage sensing path for the first node N1 of the driving transistor DRT.

스위칭 트랜지스터(SWT)는, 게이트 신호에 의해 턴-온 시, 데이터 라인(DL)을 통해 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 전달해준다.When turned on by the gate signal, the switching transistor SWT transfers the data voltage Vdata supplied through the data line DL to the second node N2 of the driving transistor DRT.

이때, 센싱 트랜지스터(SENT)와 스위칭 트랜지스터(SWT)는 서로 다른 게이트 라인(GL)에 연결되어 별도로 온-오프가 제어될 수도 있고, 동일한 게이트 라인(GL)에 연결되어 제어될 수도 있다.In this case, the sensing transistor SENT and the switching transistor SWT may be connected to different gate lines GL to be separately controlled on-off or connected to the same gate line GL to be controlled.

스토리지 캐패시터(Cstg)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되어, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata) 또는 이에 대응하는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지해줄 수 있다.The storage capacitor Cstg is electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT to generate a data voltage Vdata corresponding to the image signal voltage or a voltage corresponding thereto. It can be maintained for one frame time.

한편, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다.Meanwhile, in the case of the organic light emitting display device 100 according to the present exemplary embodiments, as the driving time of each subpixel SP is increased, circuit elements such as an organic light emitting diode (OLED) and a driving transistor (DRT) Degradation may proceed.

이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치(예: 문턱전압, 이동도 등)가 변할 수 있다.Accordingly, inherent characteristic values (eg, threshold voltage, mobility, etc.) of circuit elements such as organic light emitting diodes (OLEDs) and driving transistors (DRTs) may change.

이러한 회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀(SP)의 휘도 변화를 야기하며, 회로 소자 간의 열화 정도의 차이로 인한 회로 소자 간의 특성치 변화 차이는 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차를 발생시키고 유기발광표시패널(110)의 휘도 균일도 저하를 초래할 수 있다.Such a change in the characteristic value of a circuit element causes a change in the luminance of the corresponding sub-pixel (SP), and the difference in the change in the characteristic value between the circuit elements due to the difference in the degree of deterioration between the circuit elements causes a luminance deviation between the sub-pixels (SP) and an organic light emitting display. This may cause deterioration in luminance uniformity of the panel 110 .

여기서, 회로 소자의 특성치는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압이나 이동도를 포함하며, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 포함할 수도 있다.Here, the characteristic value of the circuit element includes the threshold voltage or mobility of the driving transistor DRT, and may also include the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED.

본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 서브픽셀(SP) 간의 특성치 변화 또는 각 서브픽셀(SP) 간의 특성치 편차를 센싱하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀(SP)의 특성치를 보상하는 보상 기능을 제공할 수 있다.The organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes a sensing function for sensing a characteristic value variation between subpixels SP or a characteristic value deviation between subpixels SP and a sensing result to detect subpixel SPs. A compensation function for compensating for the characteristic value of may be provided.

도 3은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀(SP) 구조와 보상 회로의 예시를 나타낸 것이다.3 illustrates an example of a sub-pixel (SP) structure and a compensation circuit of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 3을 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀(SP)의 특성치를 센싱하고 보상하기 위해 센싱부(310), 보상부(320), 메모리(330), 센싱용 데이터 전압 조절부(340), 기준 전압 스위치(SPRE) 및 샘플링 스위치(SAMP)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments includes a sensing unit 310, a compensating unit 320, a memory 330, a sensing unit 310, a compensating unit 320, a memory 330, It may include a data voltage regulator 340 for sensing, a reference voltage switch SPRE, and a sampling switch SAMP.

센싱부(310)는, 서브픽셀(SP)의 특성치 또는 그 변화를 센싱하기 위한 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 디지털 값으로 변환하며 변환된 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 출력한다. 여기서, 서브픽셀(SP)의 특성치는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 이동도나 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압을 의미하며, 센싱 데이터는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어있을 수 있다.The sensing unit 310 senses a voltage for sensing a characteristic value or change thereof of the subpixel SP, converts the sensed voltage into a digital value, and outputs sensing data including the converted sensing value. Here, the characteristic value of the subpixel (SP) means the threshold voltage and mobility of the driving transistor (DRT) or the threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED), and the sensing data may be in the LVDS (Low Voltage Differential Signaling) data format. can

센싱부(310)는, 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. 각각의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 소스 드라이버 집적회로의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는 소스 드라이버 집적회로의 외부에 배치될 수도 있다.The sensing unit 310 may be implemented by including at least one analog to digital converter (ADC). Each analog-to-digital converter (ADC) may be included inside the source driver integrated circuit, and may be disposed outside the source driver integrated circuit in some cases.

보상부(320)는, 센싱부(310)가 출력하는 센싱 데이터를 이용하여 서브픽셀(SP)의 특성치 또는 그 변화를 파악하여 서브픽셀(SP) 간의 특성치 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행한다.The compensating unit 320 performs a compensation process of compensating for characteristic value deviations between the sub-pixels SP by recognizing the characteristic values or changes thereof of the sub-pixels SP using the sensing data output by the sensing unit 310 .

보상부(320)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 타이밍 컨트롤러(140)의 외부에 배치될 수도 있다.The compensating unit 320 may be included inside the timing controller 140 or may be disposed outside the timing controller 140 in some cases.

메모리(330)는, 센싱부(310)가 출력하는 센싱 데이터를 저장하며, 보상부(320)가 센싱 데이터를 토대로 산출한 보상값을 저장할 수도 있다.The memory 330 stores sensing data output by the sensing unit 310 and may store a compensation value calculated by the compensating unit 320 based on the sensing data.

센싱용 데이터 전압 조절부(340)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱하는 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가되는 센싱용 데이터 전압을 조절한다.The sensing data voltage controller 340 adjusts the sensing data voltage applied to the second node N2 of the driving transistor DRT in a period of sensing the characteristic value of the driving transistor DRT.

구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 경우, 미리 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 센싱용 데이터 전압을 결정한다.When the mobility of the driving transistor DRT is sensed, a data voltage for sensing is determined according to a preset sensing target and sensing time.

결정된 센싱용 데이터 전압에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하며, 센싱된 센싱값이 미리 설정된 센싱시간에 미리 설정된 센싱타겟에 도달하는지 여부에 따라 이동도를 보상할지 여부를 결정한다.The mobility of the driving transistor DRT is sensed according to the determined sensing data voltage, and whether to compensate for the mobility is determined according to whether or not the sensed value reaches a preset sensing target at a preset sensing time.

센싱용 데이터 전압 조절부(340)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 센싱용 데이터 전압을 결정하는데 기초가 되는 센싱타겟과 센싱시간을 가변하여 설정할 수 있으며, 서브픽셀(SP)별로 상이하게 설정된 센싱타겟과 센싱시간을 이용하여 센싱용 데이터 전압을 결정할 수도 있다.The sensing data voltage controller 340 may set a sensing target and sensing time, which are the basis for determining the sensing data voltage for sensing the mobility of the driving transistor DRT, by varying the setting, and may set the subpixel SP. A data voltage for sensing may be determined using a sensing target and a sensing time set differently for each type.

센싱용 데이터 전압 조절부(340)는, 타이밍 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 타이밍 컨트롤러(140)의 외부에 배치될 수도 있다.The data voltage regulator 340 for sensing may be included inside the timing controller 140 or may be disposed outside the timing controller 140 in some cases.

기준 전압 스위치(SPRE)는 기준 전압 라인(RVL)으로의 기준 전압(Vref)의 공급 여부를 제어하며, 샘플링 스위치(SAMP)는 서브픽셀(SP)의 특성치를 센싱하기 위한 전압을 센싱하기 위하여 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(310)의 연결을 제어한다.The reference voltage switch SPRE controls whether or not to supply the reference voltage Vref to the reference voltage line RVL, and the sampling switch SAMP controls the reference voltage for sensing the characteristic value of the subpixel SP. A connection between the voltage line RVL and the sensing unit 310 is controlled.

기준 전압 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준 전압(Vref)이 기준 전압 라인(RVL)으로 공급된다. 기준 전압 라인(RVL)으로 공급된 기준 전압(Vref)은, 턴-온 되어있는 센싱 트랜지스터(SENT)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)로 인가될 수 있다.When the reference voltage switch SPRE is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL. The reference voltage Vref supplied to the reference voltage line RVL may be applied to the first node N1 of the driving transistor DRT through the turned-on sensing transistor SENT.

한편, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 등전위일 수 있는 기준 전압 라인(RVL)의 전압도 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압 상태가 될 수 있다. 이때, 기준 전압 라인(RVL) 상에 형성된 라인 캐패시터에 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압이 충전될 수 있다.On the other hand, when the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the characteristic value of the subpixel SP, a reference that may be equipotential with the first node N1 of the driving transistor DRT. The voltage of the voltage line RVL may also be in a voltage state reflecting the characteristic value of the subpixel SP. At this time, a voltage reflecting the characteristic value of the subpixel SP may be charged in the line capacitor formed on the reference voltage line RVL.

즉, 센싱 트랜지스터(SENT)가 턴-온 된 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은, 기준 전압 라인(RVL)의 전압과, 기준 전압 라인(RVL) 상에 형성된 라인 캐패시터에 충전된 전압은 동일할 수 있다.That is, when the sensing transistor SENT is turned on, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is the voltage of the reference voltage line RVL and the line formed on the reference voltage line RVL. The voltages charged in the capacitors may be the same.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되면, 샘플링 스위치(SAMP)가 턴-온 되어, 센싱부(310)와 기준 전압 라인(RVL)이 연결될 수 있다.When the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the characteristic value of the subpixel SP, the sampling switch SAMP is turned on, and the sensing unit 310 and the reference voltage line (RVL) can be connected.

이에 따라, 센싱부(310)는 서브픽셀(SP)의 특성치를 반영하는 전압 상태인 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱한다. 여기서, 기준 전압 라인(RVL)을 "센싱 라인(SL)"이라고 할 수도 있다.Accordingly, the sensing unit 310 senses the voltage of the reference voltage line RVL, which is a voltage state reflecting the characteristic value of the subpixel SP. Here, the reference voltage line RVL may also be referred to as a "sensing line SL".

즉, 센싱부(310)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱한다.That is, the sensing unit 310 senses the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT.

센싱부(310)에서 센싱된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱의 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 변화(ΔVth)를 포함하는 전압값일 수 있다.In the case of sensing the threshold voltage of the driving transistor DRT, the voltage sensed by the sensing unit 310 may be a voltage value including the threshold voltage Vth or a change in the threshold voltage ΔVth of the driving transistor DRT.

또한, 센싱부(310)에서 센싱된 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱의 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압값일 수도 있다.Also, the voltage sensed by the sensing unit 310 may be a voltage value for sensing the mobility of the driving transistor DRT in the case of sensing the mobility of the driving transistor DRT.

도 4는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.4 is a diagram for explaining a method of sensing the mobility of the driving transistor DRT of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 4를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱 구동 시, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2)는 각각 기준 전압(Vref)과 센싱용 데이터 전압(Vdata)으로 초기화된다.Referring to FIG. 4 , when the driving transistor DRT is driven for sensing the mobility, the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT generate a reference voltage Vref and a sensing data voltage ( Vdata) is initialized.

이후, 기준 전압 스위치(SPRE)가 턴-오프 되면 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)가 플로팅(Floating)된다. 이때, 스위칭 트랜지스터(SWT)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)도 플로팅(Floating)될 수 있다.Then, when the reference voltage switch SPRE is turned off, the first node N1 of the driving transistor DRT is floated. At this time, the switching transistor SWT is turned off, so that the second node N2 of the driving transistor DRT may also float.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 상승하기 시작한다.Accordingly, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT starts to rise.

일정 시간 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승 폭(ΔV)은 전압 상승 속도로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력, 즉, 이동도에 따라 달라진다.During a certain period of time, the voltage increase ΔV of the first node N1 of the driving transistor DRT is a voltage rising rate and varies depending on the current capability of the driving transistor DRT, that is, the mobility.

즉, 전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일수록 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 더욱 가파르게 상승하여, 일정 시간 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압 상승 폭(ΔV)이 크다.That is, as the current capability (mobility) of the driving transistor DRT increases, the voltage at the first node N1 of the driving transistor DRT rises more steeply, so that the voltage at the first node N1 of the driving transistor DRT increases for a certain period of time. ) has a large voltage rise (ΔV).

구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압이 미리 정해진 일정 시간 동안 상승이 이루어진 이후, 센싱부(310)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 상승된 전압을 센싱한다.After the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT rises for a predetermined period of time, the sensing unit 310 senses the increased voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT. .

센싱부(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)에 따른 전압 상승 폭(ΔV)의 시간당 변화율, 즉, 기울기는 이동도일 수 있다.A rate of change per time, that is, a slope, of the voltage rise ΔV according to the voltage Vsen sensed by the sensing unit 310 may be mobility.

센싱부(310)는, 전술한 문턱전압 또는 이동도 센싱 구동에 따라 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 센싱값을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력한다. 센싱부(310)에서 출력된 센싱 데이터는 메모리(330)에 저장되거나 보상부(320)로 제공될 수 있다.The sensing unit 310 converts the voltage Vsen sensed according to the aforementioned threshold voltage or mobility sensing drive into a digital value, and generates and outputs sensing data including the converted sensing value. Sensing data output from the sensing unit 310 may be stored in the memory 330 or provided to the compensating unit 320 .

보상부(320)는, 센싱부(310)에 의해 제공된 센싱 데이터 또는 메모리(330)에 저장된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 파악하고 특성치 편차를 보상하는 프로세스를 수행한다.The compensation unit 320 determines the characteristic value or characteristic value change of the driving transistor DRT in the corresponding subpixel SP based on the sensing data provided by the sensing unit 310 or the sensing data stored in the memory 330, and the characteristic value deviation. Performs a process that compensates for

특성치 보상 프로세스는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압을 보상하는 문턱전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있다.The characteristic value compensation process may include a threshold voltage compensation process for compensating the threshold voltage of the driving transistor DRT and a mobility compensation process for compensating for the mobility of the driving transistor DRT.

문턱전압 보상 처리는, 문턱전압 또는 문턱전압 편차를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(330)에 저장하거나 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터를 변경하는 처리를 포함할 수 있다.The threshold voltage compensation process may include processing of calculating a compensation value for compensating for the threshold voltage or threshold voltage deviation, storing the calculated compensation value in the memory 330, or changing corresponding image data with the calculated compensation value. there is.

이동도 보상 처리는, 이동도 또는 이동도 편차를 보상하기 위한 보상값을 연산하고, 연산된 보상값을 메모리(330)에 저장하거나, 연산된 보상값으로 해당 영상 데이터를 변경하는 처리를 포함할 수 있다.The mobility compensation process may include processing of calculating a compensation value for compensating for mobility or mobility deviation, storing the calculated compensation value in the memory 330, or changing corresponding image data with the calculated compensation value. can

보상부(320)는, 문턱전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터를 변경하고 변경된 데이터를 데이터 드라이버(130) 내 해당 소스 드라이버 집적회로로 공급해줄 수 있다.The compensator 320 may change image data through threshold voltage compensation processing or mobility compensation processing and supply the changed data to a corresponding source driver integrated circuit in the data driver 130 .

이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로는, 보상부(320)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀(SP)로 공급해줌으로써, 서브픽셀(SP)의 특성치에 대한 보상이 이루어질 수 있도록 한다.Accordingly, the corresponding source driver integrated circuit converts the data changed in the compensation unit 320 into a data voltage through a digital to analog converter (DAC) and supplies it to the corresponding subpixel SP, so that the subpixel ( The compensation for the characteristic value of SP) can be made.

이러한 서브픽셀(SP)의 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 유기발광표시패널(110)의 휘도 균일도를 높여주며 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다.As the characteristic value of the sub-pixels SP is compensated, the luminance deviation between the sub-pixels SP is reduced or prevented, thereby increasing the luminance uniformity of the organic light emitting display panel 110 and improving image quality.

도 5 내지 도 7은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 센싱용 데이터 전압을 결정하고 결정된 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 예시를 나타낸 것이다.5 to 7 show that a sensing data voltage for sensing the mobility of the driving transistor DRT is determined in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, and the driving transistor ( It shows an example of sensing the mobility of DRT).

도 5를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위하여 미리 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 센싱용 데이터 전압을 결정하고 결정된 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱한다.Referring to FIG. 5 , in order to sense the mobility of the driving transistor DRT, a sensing data voltage is determined according to a preset sensing target and sensing time, and the mobility of the driving transistor DRT is determined using the determined sensing data voltage. senses

즉, 미리 설정된 센싱시간에 미리 설정된 센싱타겟에 센싱값이 도달할 수 있도록 센싱용 데이터 전압을 결정한다.That is, the data voltage for sensing is determined so that the sensed value reaches a preset sensing target at a preset sensing time.

센싱용 데이터 전압이 결정되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 기준 전압(Vref)을 인가하고 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 센싱용 데이터 전압을 인가하여 제1노드(N1)와 제2노드(N2)를 각각 초기화한다.When the data voltage for sensing is determined, the reference voltage Vref is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT and the data voltage for sensing is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT. The first node N1 and the second node N2 are respectively initialized.

제1노드(N1)와 제2노드(N2)가 초기화된 후 기준 전압 스위치(SPRE)를 턴-오프 시켜 제1노드(N1)를 플로팅(Floating)시켜준다.After the first node N1 and the second node N2 are initialized, the reference voltage switch SPRE is turned off to float the first node N1.

제1노드(N1)가 플로팅(Floating)됨에 따라, 제1노드(N1)의 전압이 상승하며 도 5에 도시된 바와 같이 제1노드(N1)의 전압이 상승하게 된다.As the first node N1 floats, the voltage of the first node N1 rises, and as shown in FIG. 5 , the voltage of the first node N1 rises.

미리 설정된 센싱시간에 맞춰 샘플링 스위치(SAMP)를 턴-온 시켜 센싱부(310)가 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱할 수 있도록 한다.The sampling switch SAMP is turned on according to a preset sensing time so that the sensing unit 310 can sense the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT.

센싱부(310)는, 센싱된 제1노드(N1)의 전압값을 디지털 값으로 변환하고 변환된 센싱값을 메모리(330)나 보상부(320)로 출력한다.The sensing unit 310 converts the sensed voltage value of the first node N1 into a digital value and outputs the converted sensing value to the memory 330 or the compensation unit 320 .

보상부(320)는, 센싱부(310)에 의해 출력된 센싱값에 기초하여 이동도 편차를 보상하기 위한 보상값을 산출한다.The compensation unit 320 calculates a compensation value for compensating for the mobility deviation based on the sensing value output by the sensing unit 310 .

이때, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도가 낮게 측정되면 이동도에 대한 보상값이 적용되어 센싱용 데이터 전압이 증가하게 되며, 증가된 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과할 수가 있다.At this time, when the mobility of the driving transistor DRT is measured to be low, a compensation value for the mobility is applied to increase the data voltage for sensing, and the increased data voltage for sensing exceeds the maximum output voltage of the data driver 130. I can.

도 6과 도 7은 미리 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하는 예시를 나타낸 것이다.6 and 7 show examples in which the data voltage for sensing determined according to the preset sensing target and sensing time exceeds the maximum output voltage of the data driver 130 .

도 6을 참조하면, 이동도에 대한 보상값에 의하여 센싱용 데이터 전압이 증가하여 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하게 되면, 데이터 드라이버(130)는 결정된 센싱용 데이터 전압을 출력할 수 없으므로 데이터 드라이버(130)가 출력할 수 있는 최대 전압을 출력한다.Referring to FIG. 6 , when the data voltage for sensing increases by the compensation value for the mobility and exceeds the maximum output voltage of the data driver 130, the data driver 130 may output the determined data voltage for sensing. Therefore, the maximum voltage that the data driver 130 can output is output.

데이터 드라이버(130)가 결정된 센싱용 데이터 전압보다 낮은 전압을 출력하게 되므로, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 구간에서 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압은 미리 설정된 센싱시간에 미리 설정된 센싱타겟에 도달하지 못하게 된다.Since the data driver 130 outputs a voltage lower than the determined sensing data voltage, the voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT in the period where the mobility of the driving transistor DRT is sensed is determined by the preset sensing data voltage. It is impossible to reach the preset sensing target in time.

즉, 결정된 센싱용 데이터 전압보다 낮은 전압이 인가되므로 결정된 센싱용 데이터 전압이 인가된 경우보다 전압 상승 기울기가 작아 전류 능력(이동도)이 낮은 것으로 측정된다.That is, since a voltage lower than the determined sensing data voltage is applied, the current capability (mobility) is measured to be low because the voltage rise slope is smaller than when the determined sensing data voltage is applied.

따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 이동도에 대한 보상이 추가로 수행되게 되고, 센싱용 데이터 전압은 증가하지만 데이터 드라이버(130)는 증가된 센싱용 데이터 전압보다 낮은 최대 출력 전압을 출력하므로 센싱값의 차이는 또 발생하게 된다.Therefore, as shown in FIG. 7, compensation for the mobility is additionally performed, and the data voltage for sensing increases, but the data driver 130 outputs a maximum output voltage lower than the increased data voltage for sensing. Differences in values occur again.

결국, 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하게 되면, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱 시 미리 설정된 센싱타겟을 만족하지 못하게 되어 부정확한 이동도 보상이 계속 수행되며, 이는 부정형 얼룩과 같은 화면 불량이 발생하게 한다.As a result, if the data voltage for sensing exceeds the maximum output voltage of the data driver 130, the preset sensing target is not satisfied when the mobility of the driving transistor DRT is sensed, so that inaccurate mobility compensation is continuously performed. This causes screen defects such as irregular stains to occur.

본 실시예들은 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 구간에서의 센싱용 데이터 전압을 결정하는데 기준이 되는 센싱타겟과 센싱시간을 패널별, 서브픽셀(SP)별로 설정하고, 가변적으로 조절해줌으로써 전술한 문제점을 해결하는 이동도 센싱과 보상 방식을 제공한다.In the present embodiments, the sensing target and sensing time, which are standards for determining the data voltage for sensing in the period of sensing the mobility of the driving transistor (DRT), are set for each panel and each subpixel (SP), and are variably adjusted. Provided is a mobility sensing and compensation method that solves the above-described problem by providing

도 8 내지 도 10은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 서브픽셀(SP)마다 센싱타겟과 센싱시간을 상이하게 설정한 예시를 나타낸 도면이다.8 to 10 are diagrams illustrating examples in which sensing targets and sensing times are differently set for each sub-pixel (SP) in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 8 내지 도 10은 하나의 픽셀(P: Pixel) 내에 레드(R), 그린(G), 블루(B), 화이트(W)로 구성되는 4개의 서브픽셀(SP)이 배치되는 경우를 예로 설명하고 있으나, 본 실시예들은 이에 한정되지 아니한다.8 to 10 illustrate a case in which four sub-pixels (SP) composed of red (R), green (G), blue (B), and white (W) are arranged in one pixel (P: Pixel) as an example. Although described, the present embodiments are not limited thereto.

도 8은 서브픽셀(SP)마다 센싱타겟을 상이하게 설정한 예시를 나타낸 것으로서, 도 8을 참조하면, 레드(R) 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 경우 제1센싱타겟과 제1센싱시간을 기준으로 센싱용 데이터 전압을 결정한다.FIG. 8 shows an example in which sensing targets are set differently for each subpixel SP. Referring to FIG. 8 , when the mobility of the driving transistor DRT of the red (R) subpixel SP is sensed, the first case is sensed. A data voltage for sensing is determined based on one sensing target and a first sensing time.

화이트(W) 서브픽셀(SP)의 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 경우에는 센싱타겟을 낮게 설정하여 제2센싱타겟과 제1센싱시간을 기준으로 센싱용 데이터 전압을 결정한다.When the mobility of the driving transistor DRT of the white (W) subpixel SP is sensed, the sensing target is set low to determine the sensing data voltage based on the second sensing target and the first sensing time.

레드(R), 그린(G), 블루(B) 및 화이트(W) 서브픽셀(SP)로 하나의 픽셀(P)이 구성되는 경우, 화이트(W)의 효율이 가장 좋기 때문에 화이트(W)의 발광영역이 가장 작게 설계될 수 있다. 그리고, 화이트(W)의 발광영역이 가장 작으므로 화이트(W) 서브픽셀(SP)에 배치되는 구동 트랜지스터(DRT)의 사이즈가 가장 작을 수 있다.When one pixel (P) is composed of red (R), green (G), blue (B), and white (W) subpixels (SP), white (W) has the highest efficiency, so white (W) The light emitting area of can be designed to be the smallest. Also, since the light emitting area of white (W) is the smallest, the size of the driving transistor DRT disposed in the white (W) subpixel SP may be the smallest.

따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 사이즈가 작은 서브픽셀(SP)의 경우에도 동일한 센싱타겟과 센싱시간으로 센싱용 데이터 전압을 결정하면 센싱용 데이터 전압이 높아져서 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과할 수 있다.Therefore, even in the case of the sub-pixel SP having a small size of the driving transistor DRT, if the sensing data voltage is determined with the same sensing target and sensing time, the sensing data voltage becomes high and exceeds the maximum output voltage of the data driver 130. can do.

그러므로, 센싱타겟을 낮게 설정해줌으로써 센싱용 데이터 전압이 낮게 결정될 수 있도록 하며, 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하는 것을 방지한다.Therefore, by setting the sensing target low, the data voltage for sensing can be determined low, and the data voltage for sensing can be prevented from exceeding the maximum output voltage of the data driver 130 .

도 9는 서브픽셀(SP)마다 센싱시간을 상이하게 설정한 예시를 나타낸 것으로서, 도 9를 참조하면, 레드(R) 서브픽셀(SP)의 경우 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 구간에서 제1센싱타겟과 제1센싱시간에 따라 센싱용 데이터 전압을 결정한다.9 shows an example in which the sensing time is set differently for each subpixel SP. Referring to FIG. 9, in the case of the red (R) subpixel SP, the mobility of the driving transistor DRT is sensed. Determines the data voltage for sensing according to the first sensing target and the first sensing time.

화이트(W) 서브픽셀(SP)의 경우에는, 제1센싱타겟과 제2센싱시간에 따라 센싱용 데이터 전압을 결정하고 결정된 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱한다.In the case of the white (W) subpixel SP, a data voltage for sensing is determined according to the first sensing target and the second sensing time, and the mobility of the driving transistor DRT is sensed using the determined data voltage for sensing. .

즉, 센싱타겟에 도달하는데 소요되는 시간인 센싱시간을 증가시켜줌으로써 구동 트랜지스터(DRT)의 사이즈가 작은 화이트(W) 서브픽셀(SP)의 경우, 낮은 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱할 수 있도록 한다.That is, by increasing the sensing time, which is the time required to reach the sensing target, in the case of the white (W) subpixel SP having a small size of the driving transistor DRT, the driving transistor DRT uses a low data voltage for sensing. ) to sense the mobility.

도 10은 서브픽셀(SP)마다 센싱타겟과 센싱시간을 상이하게 설정한 예시를 나타낸 것이다.10 illustrates an example in which sensing targets and sensing times are differently set for each sub-pixel (SP).

도 10을 참조하면, 레드(R) 서브픽셀(SP)의 경우 제1센싱타겟과 제1센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱한다.Referring to FIG. 10 , in the case of the red (R) subpixel SP, the mobility of the driving transistor DRT is sensed using a sensing data voltage determined according to a first sensing target and a first sensing time.

화이트(W) 서브픽셀(SP)의 경우에는, 제1센싱타겟보다 낮은 제2센싱타겟과 제1센싱시간보다 긴 제2센싱시간을 기준으로 센싱용 데이터 전압을 결정하고 결정된 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱한다.In the case of the white (W) subpixel SP, a data voltage for sensing is determined based on a second sensing target lower than the first sensing target and a second sensing time longer than the first sensing time, and the determined sensing data voltage is used to sense the mobility of the driving transistor DRT.

즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 사이즈가 작은 경우에는, 센싱타겟은 낮춰서 설정하고 센싱시간은 길게 설정해줌으로써 낮은 센싱용 데이터 전압을 이용하여 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱할 수 있도록 한다.That is, when the size of the driving transistor DRT is small, the sensing target is set to be low and the sensing time is set to be long so that the mobility of the driving transistor DRT can be sensed using a low sensing data voltage.

따라서, 이동도의 보상에 의하여 센싱용 데이터 전압이 증가하더라도 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압이 초과하지 않도록 한다.Accordingly, the maximum output voltage of the data driver 130 is not exceeded even if the data voltage for sensing increases due to the compensation of the mobility.

도 11은 서브픽셀(SP)마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압의 예시를 나타낸 것으로서, 구동 트랜지스터(DRT)의 사이즈가 작은 화이트(W) 서브픽셀(SP)의 경우에도 레드(R) 서브픽셀(SP)의 센싱용 데이터 전압과 동일한 레벨로 결정됨을 알 수 있다.11 illustrates an example of a data voltage for sensing determined according to a sensing target set for each subpixel SP and a sensing time, and red even in the case of a white (W) subpixel SP having a small driving transistor DRT. (R) It can be seen that the level is determined to be the same as the sensing data voltage of the subpixel SP.

구동 트랜지스터(DRT)의 사이즈가 작은 서브픽셀(SP)의 경우에는, 센싱타겟을 낮추고 센싱시간을 길게 설정하여 낮은 센싱용 데이터 전압으로 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱할 수 있도록 하는 것이다.In the case of the subpixel SP having a small size of the driving transistor DRT, the sensing target is lowered and the sensing time is set longer so that the mobility of the driving transistor DRT can be sensed with a low sensing data voltage.

센싱타겟과 센싱시간을 조절함으로써 센싱용 데이터 전압을 낮출 수 있는 것은 아래 수학식 1과 수학식 2로부터 명확하게 나타낼 수 있다.The fact that the data voltage for sensing can be lowered by adjusting the sensing target and the sensing time can be clearly expressed from Equations 1 and 2 below.

Figure 112015123488972-pat00001
Figure 112015123488972-pat00001

Figure 112015123488972-pat00002
Figure 112015123488972-pat00002

수학식 1은 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하는 구간에서 센싱 시간(Δt) 동안 기준 전압 라인(RVL)에 연결된 캐패시터(C)에 충전되는 전하량을 나타낸 것이다.Equation 1 represents the amount of charge charged in the capacitor C connected to the reference voltage line RVL during the sensing time Δt in the period of sensing the mobility of the driving transistor DRT.

ΔV는 센싱되는 전압으로 센싱타겟을 의미하며, i는 센싱 전류를 의미하는 것으로서 센싱용 데이터 전압을 결정하는 기준이 된다.ΔV is a voltage to be sensed, which means a sensing target, and i, which means a sensing current, is a criterion for determining a data voltage for sensing.

C는 고정된 값이므로, 센싱 전류(i)는 센싱타겟(ΔV)에 비례하고 센싱시간(Δt)에 반비례하며, 센싱용 데이터 전압도 센싱타겟(ΔV)에 비례하고 센싱시간(Δt)에 반비례하게 된다.Since C is a fixed value, the sensing current (i) is proportional to the sensing target (ΔV) and inversely proportional to the sensing time (Δt), and the data voltage for sensing is also proportional to the sensing target (ΔV) and inversely proportional to the sensing time (Δt). will do

즉, 센싱타겟을 감소시키고 센싱시간을 증가시키면 센싱용 데이터 전압을 낮게 설정할 수 있는 것이다.That is, if the sensing target is reduced and the sensing time is increased, the sensing data voltage can be set low.

본 실시예들은, 각각의 서브픽셀(SP)의 특성치를 고려하여 센싱타겟과 센싱시간을 설정해줌으로써 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하지 않는 센싱용 데이터 전압으로 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱할 수 있도록 한다.In the present embodiments, the sensing target and the sensing time are set in consideration of the characteristics of each subpixel (SP), so that the driving transistor (DRT) moves with the sensing data voltage that does not exceed the maximum output voltage of the data driver 130. to enable sensing.

한편, 본 실시예들은, 각각의 서브픽셀(SP)마다 센싱타겟과 센싱시간을 설정하는 것을 특징으로 하며, 설정된 센싱타겟과 센싱시간을 가변적으로 조절해줄 수도 있다.Meanwhile, the present embodiments are characterized in that a sensing target and sensing time are set for each subpixel (SP), and the set sensing target and sensing time may be variably adjusted.

센싱용 데이터 전압 조절부(340)는, 서브픽셀(SP)마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 센싱용 데이터 전압을 결정하고 결정된 센싱용 데이터 전압에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱할 수 있도록 한다.The sensing data voltage regulator 340 determines the sensing data voltage according to the sensing target and sensing time set for each sub-pixel SP and senses the mobility of the driving transistor DRT according to the determined sensing data voltage. make it possible

이때, 서브픽셀(SP)의 발광 효율, 구동 트랜지스터(DRT)의 사이즈 등을 고려하여 서브픽셀(SP)마다 센싱타겟과 센싱시간을 다르게 설정하여 낮은 센싱용 데이터 전압으로 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하더라도, 서브픽셀(SP) 내 회로 소자의 열화에 따른 보상값이 적용되어 센싱용 데이터 전압이 점차 증가할 수 있다.At this time, the sensing target and sensing time are set differently for each sub-pixel (SP) in consideration of the luminous efficiency of the sub-pixel (SP), the size of the driving transistor (DRT), and the driving transistor (DRT) moves with a low sensing data voltage. Even if the degree is sensed, the data voltage for sensing may gradually increase by applying a compensation value according to deterioration of circuit elements in the subpixel SP.

이에 따라 센싱용 데이터 전압이 증가하여 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과할 수도 있으므로, 센싱용 데이터 전압 조절부(340)는 센싱용 데이터 전압을 기설정된 전압과 비교하고 비교 결과에 따라 센싱타겟 또는 센싱시간을 조절해줌으로써 회로 소자의 열화가 진행되더라도 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하지 않도록 한다.Accordingly, since the data voltage for sensing increases and may exceed the maximum output voltage of the data driver 130, the data voltage for sensing controller 340 compares the data voltage for sensing with a predetermined voltage and performs sensing according to the comparison result. By adjusting the target or the sensing time, the data voltage for sensing does not exceed the maximum output voltage of the data driver 130 even if the deterioration of the circuit element progresses.

여기서, 기설정된 전압은 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압보다 낮은 전압으로 설정될 수 있으며, 예를 들어, 최대 출력 전압의 80%에 해당하는 전압으로 설정될 수도 있다.Here, the preset voltage may be set to a voltage lower than the maximum output voltage of the data driver 130, for example, to a voltage corresponding to 80% of the maximum output voltage.

센싱용 데이터 전압 조절부(340)는, 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압을 초과하는 경우에는, 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압보다 낮게 유지될 수 있도록 센싱타겟이나 센싱시간을 조절해준다.When the data voltage for sensing exceeds a preset voltage, the sensing data voltage controller 340 adjusts the sensing target or the sensing time so that the sensing data voltage is maintained lower than the preset voltage.

예를 들어, 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압의 80%를 초과하면, 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압의 80% 이하로 유지될 수 있도록, 센싱타겟을 감소시키고 센싱시간을 증가시켜서 센싱타겟과 센싱시간을 재설정할 수 있다.For example, if the data voltage for sensing exceeds 80% of the maximum output voltage of the data driver 130, the sensing data voltage can be maintained at 80% or less of the maximum output voltage of the data driver 130. The sensing target and sensing time may be reset by decreasing the target and increasing the sensing time.

센싱용 데이터 전압 조절부(340)는, 서브픽셀(SP)마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간을 센싱용 데이터 전압이 증가함에 따라 가변적으로 조절해줌으로써, 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정되는 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하지 않도록 한다.The sensing data voltage controller 340 variably adjusts the sensing target and sensing time set for each sub-pixel (SP) as the sensing data voltage increases, thereby sensing data determined according to the sensing target and sensing time. Make sure that the voltage does not exceed the maximum output voltage of the data driver 130.

따라서, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 보상에 의하여 센싱용 데이터 전압이 증가하여 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과함으로써 정확한 이동도 센싱이 되지 않고 잘못된 이동도 보상이 수행되는 것을 방지하며, 센싱용 데이터 전압의 최대 출력 전압 초과로 인한 화면 불량도 발생하지 않도록 한다.Therefore, the data voltage for sensing increases by the mobility compensation of the driving transistor DRT and exceeds the maximum output voltage of the data driver 130, thereby preventing accurate mobility sensing and incorrect mobility compensation being performed. Prevent screen defects due to exceeding the maximum output voltage of the data voltage for sensing.

도 12와 도 13은 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 유기발광표시패널(110)에 따라 센싱타겟과 센싱시간이 상이하게 설정된 예시와 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압의 예시를 나타낸 것이다.12 and 13 are examples in which sensing targets and sensing times are set differently according to the organic light emitting display panel 110 in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, and sensing determined according to the set sensing targets and sensing times. It shows an example of the data voltage for use.

도 12를 참조하면, 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 센싱용 데이터 전압을 결정하는데 기준이 되는 센싱타겟과 센싱시간을 유기발광표시패널(110)에 따라 상이하게 설정할 수 있다.Referring to FIG. 12 , in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments, the sensing target and sensing time, which are standards for determining the sensing data voltage for sensing the mobility of the driving transistor DRT, are selected for organic light emission. It can be set differently according to the display panel 110 .

유기발광표시패널(110)마다 전류 능력(이동도)이 상이할 수가 있으며, 도 12에 도시된 패널 2와 같이 패널 1보다 전류 능력이 낮은 경우에도 패널 1과 동일한 센싱타겟과 센싱시간으로 센싱용 데이터 전압을 결정하면, 패널 2의 센싱용 데이터 전압은 초기에 높게 설정되게 된다.Current capability (mobility) may be different for each organic light emitting display panel 110, and even when the current capability is lower than that of panel 1, as in panel 2 shown in FIG. When the data voltage is determined, the data voltage for sensing of panel 2 is initially set high.

초기의 센싱용 데이터 전압이 높게 설정된 상태에서 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도에 대한 보상이 수행되면, 앞서 설명한 바와 같이 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과할 수도 있게 된다.If compensation for the mobility of the driving transistor DRT is performed while the initial sensing data voltage is set high, the sensing data voltage may exceed the maximum output voltage of the data driver 130 as described above. .

따라서, 패널의 전류 능력에 따라 센싱타겟과 센싱시간을 상이하게 설정해줌으로써, 도 13에 도시된 바와 같이, 동일한 센싱용 데이터 전압으로 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱할 수 있도록 한다.Therefore, by setting the sensing target and sensing time differently according to the current capability of the panel, as shown in FIG. 13, the mobility of the driving transistor DRT can be sensed with the same sensing data voltage.

그리고, 유기발광표시패널(110)별로 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 기초하여 유기발광표시패널(110) 내 서브픽셀(SP)마다 센싱타겟과 센싱시간을 설정하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 열화(Degradation)가 진행함에 따라 센싱타겟과 센싱시간을 가변적으로 조절해줌으로써 센싱용 데이터 전압의 증가로 인한 부정확한 이동도 센싱과 잘못된 보상이 수행되지 않도록 한다.In addition, based on the sensing target and sensing time set for each organic light emitting display panel 110, a sensing target and sensing time are set for each sub-pixel SP in the organic light emitting display panel 110, and the deterioration of the driving transistor DRT ( Degradation), the sensing target and sensing time are variably adjusted to prevent inaccurate mobility sensing and erroneous compensation due to an increase in data voltage for sensing.

도 14는 본 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 방법의 과정을 나타낸 것이다.14 illustrates a process of a driving method of the organic light emitting display device 100 according to the present embodiments.

도 14를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위하여 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)에 기준 전압(Vref)을 인가한다(S1400).Referring to FIG. 14 , in order to sense the mobility of the driving transistor DRT, the reference voltage Vref is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT (S1400).

구동 트랜지스터(DRT)에 따라 또는 구동 트랜지스터(DRT)가 배치된 서브픽셀(SP)에 따라 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 기초하여 센싱용 데이터 전압을 결정한다(S1410).A data voltage for sensing is determined based on the sensing target and the sensing time set according to the driving transistor DRT or the subpixel SP in which the driving transistor DRT is disposed (S1410).

결정된 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압을 초과하는지 여부를 확인하고(S1420), 기설정된 전압을 초과하면 센싱타겟과 센싱시간을 조절함으로써 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압을 초과하지 않도록 한다(S1430).It is checked whether the determined data voltage for sensing exceeds the preset voltage (S1420), and if it exceeds the preset voltage, the sensing target and sensing time are adjusted so that the data voltage for sensing does not exceed the preset voltage (S1430). .

이때, 센싱용 데이터 전압은 센싱타겟은 낮게 설정하거나 센싱시간을 길게 설정함으로써 낮게 조절할 수 있다.At this time, the data voltage for sensing can be adjusted low by setting a low sensing target or long sensing time.

기설정된 전압을 초과하지 않도록 결정된 센싱용 데이터 전압을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)에 인가하고(S1440), 제1노드(N1)를 플로팅(Floating)시켜준다(S1450).A data voltage for sensing determined not to exceed a predetermined voltage is applied to the second node N2 of the driving transistor DRT (S1440), and the first node N1 is floated (S1450).

설정된 센싱시간에 맞춰 구동 트랜지스터(DRT)의 제1노드(N1)의 전압을 센싱하고(S1460), 센싱된 전압값을 토대로 이동도를 측정하여(S1470) 이동도 편차를 보상하기 위한 보상값을 산출한다(S1480).The voltage of the first node N1 of the driving transistor DRT is sensed according to the set sensing time (S1460), and the mobility is measured based on the sensed voltage value (S1470) to obtain a compensation value to compensate for the mobility deviation. It is calculated (S1480).

본 실시예들에 의하면, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱함에 있어서 센싱용 데이터 전압을 결정하는데 기준이 되는 센싱타겟과 센싱시간을 패널별 또는 서브픽셀별 특성치를 고려하여 상이하게 설정함으로써, 센싱용 데이터 전압이 이동도 보상값에 의하여 데이터 드라이버(120)의 최대 출력 전압을 초과하는 것을 방지한다.According to the present embodiments, in sensing the mobility of the driving transistor DRT, the sensing target and sensing time, which are standards for determining the data voltage for sensing, are set differently in consideration of the characteristics of each panel or subpixel, The data voltage for sensing is prevented from exceeding the maximum output voltage of the data driver 120 by the mobility compensation value.

또한, 센싱타겟과 센싱시간을 가변적으로 조절해줌으로써 센싱용 데이터 전압이 일정한 전압 이하로 유지될 수 있도록 하며, 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하지 않도록 함으로써 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 정확히 센싱하고 잘못된 보상이 수행되지 않도록 한다.In addition, by variably adjusting the sensing target and the sensing time, the data voltage for sensing can be maintained below a certain voltage, and the data voltage for sensing does not exceed the maximum output voltage of the data driver 130 so that the driving transistor ( The mobility of the DRT) is accurately sensed and erroneous compensation is not performed.

또한, 센싱용 데이터 전압이 데이터 드라이버(130)의 최대 출력 전압을 초과하지 않도록 함으로써 이로 인해 발생하는 부정형 얼룩과 같은 화면 불량이 발생하지 않도록 한다.In addition, since the data voltage for sensing does not exceed the maximum output voltage of the data driver 130, screen defects such as irregular stains caused by this are prevented from occurring.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이며, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations will be possible to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Since the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to explain, the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments.

100: 유기발광표시장치 110: 유기발광표시패널
120: 게이트 드라이버 130: 데이터 드라이버
140: 타이밍 컨트롤러 310: 센싱부
320: 보상부 330: 메모리
340: 센싱용 데이터 전압 조절부
100: organic light emitting display device 110: organic light emitting display panel
120: gate driver 130: data driver
140: timing controller 310: sensing unit
320: compensation unit 330: memory
340: data voltage regulator for sensing

Claims (16)

다수의 게이트 라인, 다수의 데이터 라인 및 다수의 서브픽셀이 배치된 유기발광표시패널;
상기 다수의 게이트 라인을 구동하는 게이트 드라이버; 및
상기 다수의 데이터 라인에 데이터 전압을 공급하는 데이터 드라이버를 포함하고,
상기 다수의 서브픽셀 각각은,
유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 기준 전압 라인 사이에 연결된 센싱 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드와 상기 데이터 라인 사이에 연결된 스위칭 트랜지스터와, 상기 제1노드와 상기 제2노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하며,
상기 데이터 드라이버는,
상기 구동 트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 포함하는 특성치 중 하나를 측정하는 구간에서, 상기 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 제2노드에 인가하고,
이후, 상기 제1노드와 상기 제2노드는 플로팅되는 유기발광표시장치.
an organic light emitting display panel on which a plurality of gate lines, a plurality of data lines, and a plurality of subpixels are disposed;
a gate driver driving the plurality of gate lines; and
a data driver supplying data voltages to the plurality of data lines;
Each of the plurality of subpixels,
An organic light emitting diode, a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a sensing transistor connected between a first node of the driving transistor and a reference voltage line, and a switching transistor connected between a second node of the driving transistor and the data line. and a storage capacitor connected between the first node and the second node,
The data driver,
In a section where one of the characteristic values including the threshold voltage and mobility of the driving transistor is measured, a sensing data voltage determined according to the sensing target and sensing time set for each subpixel is applied to the second node of the driving transistor. do,
Thereafter, the first node and the second node are floated.
제1항에 있어서,
상기 센싱용 데이터 전압에 따라 상기 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟 및 센싱시간 중 적어도 하나를 조절하는 센싱용 데이터 전압 조절부를 더 포함하는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
and a sensing data voltage controller configured to adjust at least one of a sensing target and a sensing time set for each subpixel according to the sensing data voltage.
제2항에 있어서,
상기 센싱용 데이터 전압 조절부는,
상기 서브픽셀에 대한 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압을 초과하면 상기 서브픽셀에 설정된 센싱타겟을 감소시키는 유기발광표시장치.
According to claim 2,
The data voltage regulator for sensing,
and reducing a sensing target set for the sub-pixel when a data voltage for sensing of the sub-pixel exceeds a predetermined voltage.
제2항에 있어서,
상기 센싱용 데이터 전압 조절부는,
상기 서브픽셀에 대한 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압을 초과하면 상기 서브픽셀에 설정된 센싱시간을 증가시키는 유기발광표시장치.
According to claim 2,
The data voltage regulator for sensing,
An organic light emitting display device that increases a sensing time set for the subpixel when a data voltage for sensing of the subpixel exceeds a preset voltage.
제2항에 있어서,
상기 센싱용 데이터 전압 조절부는,
상기 서브픽셀에 대한 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압 이하를 유지하도록 상기 서브픽셀에 설정된 센싱타겟 및 센싱시간 중 적어도 하나를 조절하는 유기발광표시장치.
According to claim 2,
The data voltage regulator for sensing,
An organic light emitting display device that adjusts at least one of a sensing target and a sensing time set for the subpixel to maintain a sensing data voltage for the subpixel below a preset voltage.
제5항에 있어서,
상기 기설정된 전압은 상기 데이터 드라이버의 최대 출력 전압보다 낮은 전압인 유기발광표시장치.
According to claim 5,
The predetermined voltage is a voltage lower than the maximum output voltage of the data driver.
제1항에 있어서,
상기 센싱타겟은 상기 서브픽셀의 발광영역의 크기에 비례하여 설정되고, 상기 센싱시간은 상기 서브픽셀의 발광영역의 크기에 반비례하여 설정되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The sensing target is set in proportion to the size of the light emitting area of the subpixel, and the sensing time is set in inverse proportion to the size of the light emitting area of the subpixel.
제1항에 있어서,
상기 센싱타겟은 상기 서브픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 사이즈에 비례하여 설정되고, 상기 센싱시간은 상기 서브픽셀에 포함된 구동 트랜지스터의 사이즈에 반비례하여 설정되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The sensing target is set in proportion to a size of a driving transistor included in the subpixel, and the sensing time is set in inverse proportion to a size of a driving transistor included in the subpixel.
제1항에 있어서,
상기 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간은 상기 유기발광표시패널에 따라 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 기초하여 설정된 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The sensing target and sensing time set for each subpixel are set based on the sensing target and sensing time set according to the organic light emitting display panel.
제1항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 제2노드에 인가되는 센싱용 데이터 전압은 상기 설정된 센싱타겟에 비례하고 상기 설정된 센싱시간에 반비례하여 결정되는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
The sensing data voltage applied to the second node of the driving transistor is determined in proportion to the set sensing target and in inverse proportion to the set sensing time.
제1항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 특성치를 측정하는 구간에서, 상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압이 상승하는 동안 상기 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱시간에 상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압을 측정하는 센싱부를 더 포함하는 유기발광표시장치.
According to claim 1,
A sensing unit configured to measure the voltage of the first node of the driving transistor at a sensing time set for each sub-pixel while the voltage of the first node of the driving transistor rises in the period of measuring the characteristic value of the driving transistor. organic light emitting display device.
유기발광표시패널의 서브픽셀에 배치된 구동 트랜지스터의 제1노드에 기준 전압을 인가하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제2노드에 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압을 인가하는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제1노드 및 제2노드를 플로팅시키는 단계; 및
상기 구동 트랜지스터의 제1노드의 전압이 상승하는 동안 상기 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱시간에 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압 및 이동도를 포함하는 특성치 중 하나를 센싱하기 위해 제1노드의 전압을 측정하는 단계
를 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
applying a reference voltage to a first node of a driving transistor disposed in a subpixel of the organic light emitting display panel;
applying a sensing data voltage determined according to a sensing target and a sensing time set for each subpixel to a second node of the driving transistor;
floating a first node and a second node of the driving transistor; and
Measuring the voltage of the first node to sense one of the characteristic values including the threshold voltage and mobility of the driving transistor at a sensing time set for each subpixel while the voltage of the first node of the driving transistor is rising step
A method of driving an organic light emitting display device comprising:
제12항에 있어서,
상기 센싱용 데이터 전압에 따라 상기 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟 및 센싱시간 중 적어도 하나를 조절하는 단계를 더 포함하는 유기발광표시장치의 구동 방법.
According to claim 12,
and adjusting at least one of a sensing target and a sensing time set for each subpixel according to the sensing data voltage.
제13항에 있어서,
상기 센싱타겟 및 센싱시간 중 적어도 하나를 조절하는 단계는,
상기 센싱용 데이터 전압이 기설정된 전압을 초과하면 상기 서브픽셀에 대해 설정된 센싱타겟을 감소시키거나 센싱시간을 증가시키는 유기발광표시장치의 구동 방법.
According to claim 13,
The step of adjusting at least one of the sensing target and the sensing time,
A method of driving an organic light emitting display device in which a sensing target set for the subpixel is reduced or a sensing time is increased when the sensing data voltage exceeds a predetermined voltage.
제14항에 있어서,
상기 기설정된 전압은 상기 센싱용 데이터 전압을 출력하는 데이터 드라이버의 최대 출력 전압보다 낮은 전압인 유기발광표시장치의 구동 방법.
According to claim 14,
The predetermined voltage is a voltage lower than a maximum output voltage of a data driver outputting the sensing data voltage.
일 방향으로 배치된 다수의 게이트 라인;
상기 게이트 라인과 교차되어 배치된 다수의 데이터 라인; 및
상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인이 교차되는 영역에 배치되고, 유기발광다이오드와, 상기 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제1노드와 기준 전압 라인 사이에 연결된 센싱 트랜지스터와, 상기 구동 트랜지스터의 제2노드와 상기 데이터 라인 사이에 연결된 스위칭 트랜지스터와, 상기 제1노드와 상기 제2노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터를 포함하는 다수의 서브픽셀을 포함하고,
상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 이동도를 포함하는 특성치 중 하나를 측정하는 구간에서 상기 각각의 서브픽셀마다 설정된 센싱타겟과 센싱시간에 따라 결정된 센싱용 데이터 전압이 상기 데이터 라인을 통해 상기 구동 트랜지스터의 제2노드에 인가되고,
이후, 상기 제1노드와 상기 제2노드는 플로팅되는 유기발광표시패널.
a plurality of gate lines disposed in one direction;
a plurality of data lines disposed to cross the gate line; and
an organic light emitting diode disposed in a region where the gate line and the data line intersect, a driving transistor driving the organic light emitting diode, and a sensing transistor connected between a first node of the driving transistor and a reference voltage line; a plurality of subpixels including a switching transistor connected between a second node of a driving transistor and the data line, and a storage capacitor connected between the first node and the second node;
In a period in which one of the characteristic values including the threshold voltage and mobility of the driving transistor is measured, the sensing data voltage determined according to the sensing target and sensing time set for each subpixel is transmitted through the data line to the driving transistor. 2 is authorized to the node,
After that, the first node and the second node are floating organic light emitting display panel.
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