KR102414311B1 - Organic light emitting display device and method for controlling luminance of the organic light emitting display device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예들은 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 다수의 데이터 라인과 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열된 표시패널, 표시패널로부터 센싱 전압을 측정하여 다수의 서브픽셀 중 적어도 하나의 서브픽셀에 대한 센싱데이터를 출력하는 센싱부, 및 센싱데이터를 수신하여 표시패널의 온도 변화를 판별하고, 온도 변화에 따라 표시패널의 휘도를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법에 관한 것이다.In embodiments of the present invention, a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, a plurality of subpixels defined by a plurality of data lines and a plurality of gate lines are arranged in a display panel, and a sensing voltage is measured from the display panel. A sensor comprising: a sensing unit outputting sensing data for at least one sub-pixel among the plurality of sub-pixels; and a controller receiving the sensing data to determine a temperature change of the display panel, and controlling the luminance of the display panel according to the temperature change It relates to an organic light emitting display device and a luminance control method thereof.
Description
본 발명은 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device and a luminance control method thereof.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Various display devices such as an organic light emitting display device (OLED) are being used.
최근 각광받고 있는 유기발광표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용함으로써 응답속도가 빠르고, 명암비(Contrast Ration), 발광효율, 휘도 및 시야각 등이 크다는 장점이 있다.The organic light emitting display device, which has recently been in the spotlight, uses an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, and thus has a fast response speed, and has a large contrast ratio, luminous efficiency, luminance, and viewing angle.
이러한 유기발광표시장치의 유기발광표시패널에는 배치되는 각 서브픽셀은, 기본적으로, 유기발광다이오드를 구동하는 구동 트랜지스터, 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 데이터전압을 전달해주는 스위칭 트랜지스터, 한 프레임 시간 동안 일정 전압을 유지해주는 역할을 하는 캐패시터를 포함하여 구성될 수 있다.Each sub-pixel disposed in the organic light emitting display panel of the organic light emitting display device basically includes a driving transistor for driving the organic light emitting diode, a switching transistor for transferring a data voltage to the gate node of the driving transistor, and a constant voltage for one frame time. It may be configured to include a capacitor that serves to maintain the.
이러한 유기발광표시장치는, 데이터 구동부에서 출력되는 데이터 전압을 기준으로 결정된 구동 트랜지스터의 구동 전류로 유기발광다이오드의 밝기를 조절하여, 영상을 표현한다.Such an organic light emitting diode display displays an image by controlling the brightness of the organic light emitting diode with the driving current of the driving transistor determined based on the data voltage output from the data driver.
이러한 유기발광표시패널은 구동 시간, 데이터 전압의 전압 레벨, 구동 트랜지스터의 특성치와 같은 다양한 조건에 의해, 패널 전체 영역 또는 일부 영역의 온도가 높아 질 수 있다.In the organic light emitting display panel, the temperature of the entire area or a portion of the panel may be increased depending on various conditions such as driving time, voltage level of data voltage, and characteristic values of driving transistors.
한편, 유기발광표시패널 상의 각 서브픽셀 내 유기발광다이오드는 고온에서 특성이 변화할 수 있다. 이러한 유기발광다이오드의 특성 변화는 유기발광표시패널의 화면 이상 현상을 초래하거나 영역별 온도차에 의해 서브픽셀 간의 휘도 편차를 유발시켜 유기발광표시패널의 휘도 불균일을 발생시킬 수 있다.Meanwhile, the characteristics of the organic light emitting diode in each sub-pixel on the organic light emitting display panel may change at a high temperature. Such a change in characteristics of the organic light emitting diode may cause a screen abnormality of the organic light emitting display panel or induce a luminance deviation between sub-pixels due to a temperature difference for each region, thereby causing luminance non-uniformity of the organic light emitting display panel.
본 발명의 실시예들의 목적은, 유기발광표시패널의 온도를 센싱할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device capable of sensing the temperature of an organic light emitting display panel and a luminance control method thereof.
본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 유기발광표시패널의 온도를 센싱하여, 유기발광표시패널의 휘도를 제어함으로써, 유기발광다이오드의 특성 변화를 억제할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공하는 데 있다.Another object of the embodiments of the present invention is an organic light emitting display device capable of suppressing a change in characteristics of an organic light emitting diode by sensing the temperature of the organic light emitting display panel and controlling the luminance of the organic light emitting display panel, and a luminance control method thereof is to provide
본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 별도의 온도 센서를 구비하지 않고, 유기발광표시패널의 온도를 픽셀 또는 서브픽셀 레벨에서 센싱하여, 유기발광표시패널의 온도를 전체 또는 영역별로 조절할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공하는 데 있다.Another object of the embodiments of the present invention is to provide an organic light emitting display panel capable of controlling the temperature of the organic light emitting display panel as a whole or for each region by sensing the temperature of the organic light emitting display panel at the pixel or sub-pixel level without a separate temperature sensor. An object of the present invention is to provide a light emitting display device and a luminance control method thereof.
본 발명의 실시예들의 다른 목적은, 온도에 의한 유기발광표시패널의 열화 및 잔상 발생을 억제하여, 화질 및 수명을 개선할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공하는 데 있다.Another object of embodiments of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of improving image quality and lifespan by suppressing deterioration and afterimage generation of an organic light emitting display panel due to temperature, and a luminance control method thereof.
일측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치는 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인과 상기 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열되며, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와, 데이터 전압이 인가되는 제1 노드, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 연결되는 제2 노드 및 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터가 배치된 표시패널을 포함할 수 있다.In one aspect, in the organic light emitting display device according to embodiments of the present invention, a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, and a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are provided. a driving transistor arranged in each sub-pixel, each subpixel having an organic light emitting diode, a first node to which a data voltage is applied, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied; The display panel may include a display panel in which a storage capacitor connected between the first node and the second node of the driving transistor is disposed.
유기 발광 표시장치는 상기 각 서브픽셀에 대한 센싱 구동 기간 동안 상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응하는 센싱값을 출력하는 센싱부를 포함할 수 있다. The organic light emitting diode display may include a sensing unit that senses the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode during a sensing driving period for each of the subpixels and outputs a sensed value corresponding to the sensed voltage.
유기 발광 표시장치는 다수의 서브픽셀 각각에 대한 상기 센싱값에 근거하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다.The organic light emitting display device may include a controller that controls luminance of an entire area or a partial area of the display panel based on the sensed values of each of the plurality of sub-pixels.
여기서 상기 센싱값은 상기 유기발광다이오드 및 상기 구동 트랜지스터 각각을 통해 흐르는 전류량의 비율이 온도 변화에 따라 변화됨으로써 가변될 수 있다.Here, the sensed value may be varied by changing the ratio of the amount of current flowing through each of the organic light emitting diode and the driving transistor according to a change in temperature.
컨트롤러는 표시패널의 온도 변화가 클수록 변화량이 증가된 상기 센싱값과 기설정된 초기 센싱값을 비교하여, 상기 표시패널의 온도 변화에 대응하는 변화값을 획득할 수 있다.The controller may obtain a change value corresponding to the temperature change of the display panel by comparing the sensed value, in which the amount of change increases as the temperature change of the display panel increases, with a preset initial sensed value.
각 서브픽셀은 상기 다수의 데이터 라인 중 대응하는 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드로 데이터 전압을 공급하는 제1 트랜지스터, 및 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제2 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.Each subpixel is electrically connected between a corresponding data line of the plurality of data lines and a first node of the driving transistor, the first transistor supplying a data voltage to the first node of the driving transistor, and the organic light emitting diode A second transistor electrically connected between the first electrode of the diode and the reference voltage line may be further included.
센싱부는 센싱된 상기 전압에 대응하는 상기 센싱값을 출력하는 아날로그 디지털 컨버터, 상기 기준 전압 라인으로 기설정된 기준 전압을 공급하는 초기화 스위치, 및 상기 기준 전압 라인을 상기 아날로그 디저털 컨버터와 전기적으로 연결하는 샘플링 스위치를 더 포함할 수 있다.The sensing unit electrically connects an analog-to-digital converter for outputting the sensed value corresponding to the sensed voltage, an initialization switch for supplying a preset reference voltage to the reference voltage line, and the reference voltage line to the analog-to-digital converter It may further include a sampling switch.
유기발광다이오드의 제1 전극의 전압은 온도에 따라 가변되는 상기 구동 트랜지스터의 저항값과 상기 유기발광다이오드의 저항값의 저항 비에 대응할 수 있다.The voltage of the first electrode of the organic light emitting diode may correspond to a resistance ratio of the resistance value of the driving transistor and the resistance value of the organic light emitting diode that varies according to temperature.
컨트롤러는 상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널 전체의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어할 수 있다.If the difference between the sensed value and the preset initial sensed value of more than a preset number of sub-pixels among the plurality of sub-pixels is greater than or equal to a preset reference change value, the controller controls the luminance to decrease the luminance of the entire display panel. can
컨트롤러는 상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널에서 상기 기준 변화값 이상인 서브픽셀을 포함하는 영역의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어할 수 있다.If a difference between the sensed value and a preset initial sensed value of a preset number or more of the plurality of sub-pixels is greater than or equal to a preset reference change value, the display panel includes a sub-pixel equal to or greater than the reference change value The luminance may be controlled so that the luminance of the region is lowered.
컨트롤러는 상기 표시패널의 구동초기의 온-센싱 프로세스 시에, 상기 센싱부가 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 가변하면서 획득한 상기 센싱값의 평균값 또는 분포를 기반으로, 상기 온-센싱 프로세스 이후, 실시간-센싱 프로세스 시에 상기 센싱부가 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 지정하는 온도 샘플링 타이밍을 설정하여 저장하고, 설정된 상기 온도 샘플링 타이밍에서의 상기 센싱값을 상기 초기 센싱값으로 저장할 수 있다.The controller performs the on-sensing process based on the average value or distribution of the sensed values obtained while varying the timing at which the sensing unit senses the voltage of the first electrode during the on-sensing process of the initial driving of the display panel. Thereafter, during a real-time sensing process, a temperature sampling timing designating a timing at which the sensing unit senses the voltage of the first electrode is set and stored, and the sensed value at the set temperature sampling timing is stored as the initial sensed value. can
컨트롤러는 상기 유기발광표시장치가 파워 오프된 이후 기지정된 시간 이내에 파워 온 된 경우, 온-센싱 프로세스 시에 상기 온도 샘플링 타이밍을 다시 설정하지 않고, 상기 파워 오프 이전 저장된 온도 샘플링 타이밍 및 초기 센싱값을 유지할 수 있다.If the organic light emitting diode display device is powered on within a predetermined time after being powered off, the controller does not reset the temperature sampling timing during the on-sensing process, and stores the temperature sampling timing and the initial sensed value stored before the power off can keep
센싱부는 상기 컨트롤러의 제어에 따라 상기 다수의 서브픽셀 중에서 기지정된 일부 색상에 대응하는 서브픽셀의 센싱 전압을 측정하여, 상기 센싱값을 출력할 수 있다.The sensing unit may measure a sensing voltage of a subpixel corresponding to a predetermined color among the plurality of subpixels under the control of the controller, and output the sensed value.
다른 측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 휘도제어방법은 각 서브픽셀에 대한 센싱 구동 기간 동안 상기 유기발광다이오드의 제1 전극에서의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응하는 센싱값을 획득하는 단계를 포함할 수 있다.In another aspect, the method for controlling the luminance of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention senses a voltage at the first electrode of the organic light emitting diode during a sensing driving period for each sub-pixel, and corresponds to the sensed voltage It may include the step of obtaining a sensed value.
유기발광표시장치의 휘도제어방법은 다수의 서브픽셀 각각에 대한 상기 센싱값에 근거하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.The method of controlling the luminance of the organic light emitting display device may include controlling the luminance of an entire region or a partial region of the display panel based on the sensed values of each of a plurality of sub-pixels.
센싱값을 획득하는 단계는 구동 트랜지스터의 제1 노드 및 유기발광다이오드의 제1 전극을 데이터 전압 및 기준 전압으로 각각 초기화하는 단계, 유기발광다이오드의 제1 전극을 유기발광다이오드의 문턱 전압에 대응하는 레벨로 하강시키는 안정화 단계, 구동 트랜지스터의 제1 노드에 데이터 전압을 인가하여, 턴-온되는 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 변화시키는 트래킹 단계, 및 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 센싱하는 샘플링 단계를 포함할 수 있다.Acquiring the sensing value may include initializing the first node of the driving transistor and the first electrode of the organic light emitting diode to a data voltage and a reference voltage, respectively, and setting the first electrode of the organic light emitting diode to a threshold voltage of the organic light emitting diode. A stabilizing step of lowering to a level, a tracking step of changing the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode that is turned on by applying a data voltage to the first node of the driving transistor, and the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode It may include a sampling step of sensing.
또다른 측면에서, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치는 다수의 데이터 라인 및 다수의 게이트 라인이 배치되고, 상기 다수의 데이터 라인과 상기 다수의 게이트 라인에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀이 배열되며, 각 서브픽셀에는 유기발광다이오드와, 데이터 전압이 인가되는 제1 노드, 상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 연결되는 제2 노드 및 구동 전압이 인가되는 제3 노드를 갖는 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드와 제2 노드 사이에 연결된 스토리지 캐패시터가 배치된 표시패널, 및 상기 표시패널의 온도 변화에 따라 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드로 인가되는 상기 데이터 전압을 조절하여 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하되, 온도가 일정 수준 이상으로 상승하면 휘도 저감 제어를 수행하는 컨트롤러를 포함할 수 있다.In another aspect, in the organic light emitting display device according to embodiments of the present invention, a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, and a plurality of sub-pixels are defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines. is arranged, each sub-pixel includes an organic light emitting diode, a first node to which a data voltage is applied, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied; A display panel in which a storage capacitor connected between a first node and a second node of the driving transistor is disposed, and the data voltage applied to the first node of the driving transistor is adjusted according to a temperature change of the display panel to adjust the display panel It may include a controller that controls the luminance of the entire region or a partial region of the , and performs luminance reduction control when the temperature rises above a certain level.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 의하면, 유기발광표시패널의 각 픽셀의 온도를 센싱할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다. According to the embodiments of the present invention as described above, it is possible to provide an organic light emitting display device capable of sensing the temperature of each pixel of an organic light emitting display panel and a luminance control method thereof.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 유기발광표시패널의 온도를 센싱하여, 유기발광표시패널의 휘도를 제어함으로써, 유기발광다이오드의 특성 변화를 억제할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다.Further, according to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device capable of suppressing a change in characteristics of an organic light emitting diode by sensing the temperature of the organic light emitting display panel and controlling the luminance of the organic light emitting display panel, and luminance control thereof method can be provided.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 별도의 온도 센서를 구비하지 않고, 유기발광표시패널의 온도를 픽셀 또는 서브픽셀 레벨에서 센싱하여, 유기발광표시패널의 온도를 전체 또는 영역별로 조절할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, it is possible to adjust the temperature of the organic light emitting display panel as a whole or for each area by sensing the temperature of the organic light emitting display panel at the pixel or sub-pixel level without a separate temperature sensor. An organic light emitting display device and a luminance control method thereof can be provided.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 영상데이터에 무관하게 온도에 의한 유기발광표시패널의 열화 및 잔상 발생을 억제하여, 화질 및 수명을 개선할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다.In addition, according to embodiments of the present invention, an organic light emitting display device capable of improving image quality and lifespan by suppressing deterioration and afterimage generation of an organic light emitting display panel due to temperature regardless of image data, and a luminance control method thereof can provide
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조 및 서브픽셀의 온도를 센싱하기 위한 구조의 예시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀에 대한 온도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 타이밍을 나타낸 다이어그램이다.
도 8은 온도 센싱 구동 방식에서 온도 샘플링 타이밍을 설정하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 온도를 제어하기 위한 휘도제어방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 휘도제어방법을 나타낸다.1 is a schematic system configuration diagram of an organic light
2 is an exemplary diagram of a sub-pixel structure of the organic light
FIG. 3 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing driving method for the driving transistor DRT of the organic light
4 is a diagram for explaining a mobility sensing driving method for a driving transistor DRT of the organic light
5 and 6 are diagrams for explaining a temperature sensing driving method for a sub-pixel of the organic light
7 is a diagram illustrating a sensing timing of the organic light
8 is a diagram for explaining a method of setting a temperature sampling timing in a temperature sensing driving method.
9 and 10 are diagrams for explaining a luminance control method for controlling a temperature according to embodiments of the present invention.
11 illustrates a luminance control method of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to components of each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even though they are indicated in different drawings. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, order, or number of the elements are not limited by the terms. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but other components may be interposed between each component. It should be understood that each component may be “interposed” or “connected”, “coupled” or “connected” through another component.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 개략적인 시스템 구성도이다. 1 is a schematic system configuration diagram of an organic light
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)이 배치되고, 다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)에 의해 정의되는 다수의 서브픽셀(SP: Sub Pixel)이 배열된 유기발광표시패널(110)과, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하는 데이터 드라이버(120)와, 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하는 게이트 드라이버(130)와, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하는 컨트롤러(140) 등을 포함한다. Referring to FIG. 1 , in the organic light
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 각종 제어신호를 공급하여, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어한다.The
이러한 컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 스캔을 시작하고, 외부에서 입력되는 입력 영상데이터를 데이터 드라이버(120)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 전환하여 전환된 영상데이터를 출력하고, 스캔에 맞춰 적당한 시간에 데이터 구동을 통제한다. The
이러한 컨트롤러(140)는 통상의 디스플레이 기술에서 이용되는 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)이거나, 타이밍 컨트롤러(Timing Controller)를 포함하여 다른 제어 기능도 더 수행하는 제어장치일 수 있다. 본 발명에서는 컨트롤러(140)가 서브픽셀의 온도를 판별하고 제어하는 온도 제어 프로세스를 수행하는 온도 제어부를 포함할 수 있다. 또한 컨트롤러(140)는 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부를 포함할 수 있다. The
이러한 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)와 별도의 부품으로 구현될 수도 있고, 데이터 드라이버(120)와 함께 집적회로로 구현될 수 있다. The
데이터 드라이버(120)는, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 전압을 공급함으로써, 다수의 데이터 라인(DL)을 구동한다. 여기서, 데이터 드라이버(120)는 '소스 드라이버'라고도 한다. The
이러한 데이터 드라이버(120)는, 적어도 하나의 소스 드라이버 집적회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함하여 다수의 데이터 라인을 구동할 수 있다. The
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 쉬프트 레지스터(Shift Register), 래치 회로(Latch Circuit), 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter), 출력 버퍼(Output Buffer) 등을 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit SDIC may include a shift register, a latch circuit, a digital to analog converter (DAC), an output buffer, and the like.
각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 경우에 따라서, 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 더 포함할 수 있다. Each source driver integrated circuit SDIC may further include an analog-to-digital converter (ADC) in some cases.
게이트 드라이버(130)는, 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 다수의 게이트 라인(GL)을 순차적으로 구동한다. 여기서, 게이트 드라이버(130)는 '스캔 드라이버'라고도 한다. The
이러한 게이트 드라이버(130)는, 적어도 하나의 게이트 드라이버 집적회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다.The
각 게이트 드라이버 집적회로(GDIC)는 쉬프트 레지스터(Shift Register), 레벨 쉬프터(Level Shifter) 등을 포함할 수 있다. Each gate driver integrated circuit GDIC may include a shift register, a level shifter, and the like.
게이트 드라이버(130)는, 컨트롤러(140)의 제어에 따라, 온(On) 전압 또는 오프(Off) 전압의 스캔 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 순차적으로 공급한다. The
데이터 드라이버(120)는, 게이트 드라이버(130)에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 컨트롤러(140)로부터 수신한 영상데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 공급한다. When a specific gate line is opened by the
데이터 드라이버(120)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일측(예: 상측 또는 하측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 상측과 하측)에 모두 위치할 수도 있다. As shown in FIG. 1 , the
게이트 드라이버(130)는, 도 1에서와 같이, 유기발광표시패널(110)의 일 측(예: 좌측 또는 우측)에만 위치할 수도 있고, 경우에 따라서는, 구동 방식, 패널 설계 방식 등에 따라 유기발광표시패널(110)의 양측(예: 좌측과 우측)에 모두 위치할 수도 있다. As shown in FIG. 1 , the
전술한 컨트롤러(140)는, 입력 영상데이터와 함께, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력데이터 인에이블(DE: Data Enable) 신호, 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호들을 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다. The above-described
컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 입력 DE 신호, 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아, 각종 제어 신호들을 생성하여 데이터 드라이버(120) 및 게이트 드라이버(130)로 출력한다. The
예를 들어, 컨트롤러(140)는, 게이트 드라이버(130)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS: Gate Control Signal)를 출력한다. For example, in order to control the
여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 드라이버(130)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호(게이트 펄스)의 쉬프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적회로의 타이밍 정보를 지정하고 있다. Here, the gate start pulse GSP controls the operation start timing of one or more gate driver integrated circuits constituting the
또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 드라이버(120)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종데이터 제어 신호(DCS: Data Control Signal)를 출력한다. In addition, the
여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 드라이버(120)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적회로의 데이터 샘플링 시작 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적회로 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 드라이버(120)의 출력 타이밍을 제어한다. Here, the source start pulse SSP controls the data sampling start timing of one or more source driver integrated circuits constituting the
유기발광표시패널(110)에 배열된 각 서브픽셀(SP)은 자발광 소자인 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(Driving Transistor) 등의 회로 소자로 구성되어 있다. Each sub-pixel SP arranged in the organic light emitting
각 서브픽셀(SP)을 구성하는 회로 소자의 종류 및 개수는, 제공 기능 및 설계 방식 등에 따라 다양하게 정해질 수 있다.The type and number of circuit elements constituting each sub-pixel SP may be variously determined according to a provided function and a design method.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀 구조 및 서브픽셀의 온도를 센싱하기 위한 구조의 예시도이다.2 is an exemplary diagram of a sub-pixel structure of the organic light emitting
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)에서, 각 서브픽셀(SP)은, 기본적으로 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT: Driving Transistor)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1 노드(N1)로 데이터 전압을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 센싱 기능을 제공하기 위한 제2 트랜지스터(T2) 및 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(Cst: Storage Capacitor)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 2 , in the organic light emitting
유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 유기층 및 제2전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) may include a first electrode (eg, an anode electrode or a cathode electrode), an organic layer, and a second electrode (eg, a cathode electrode or an anode electrode).
유기발광다이오드(OLED)의 제2전극에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.A ground voltage EVSS may be applied to the second electrode of the organic light emitting diode OLED.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광다이오드(OLED)를 구동해준다. The driving transistor DRT drives the organic light emitting diode (OLED) by supplying a driving current to the organic light emitting diode (OLED).
구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3노드(N3)를 갖는다. The driving transistor DRT has a first node N1 , a second node N2 , and a third node N3 .
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다. The first node N1 of the driving transistor DRT is a node corresponding to a gate node and may be electrically connected to a source node or a drain node of the first transistor T1 .
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다. The second node N2 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the first electrode of the organic light emitting diode OLED, and may be a source node or a drain node.
구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. The third node N3 of the driving transistor DRT is a node to which the driving voltage EVDD is applied, and may be electrically connected to a driving voltage line DVL supplying the driving voltage EVDD, and has a drain. It can be a node or a source node.
구동 트랜지스터(DRT)와 제1 트랜지스터(T1)는, 도 2의 예시와 같이 n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다. The driving transistor DRT and the first transistor T1 may be implemented as an n-type or a p-type as in the example of FIG. 2 .
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다. The first transistor T1 may be electrically connected between the data line DL and the first node N1 of the driving transistor DRT, and may be controlled by receiving the scan signal SCAN through the gate line as the gate node. have.
이러한 제1 트랜지스터(T1)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다. The first transistor T1 is turned on by the scan signal SCAN to transfer the data voltage Vdata supplied from the data line DL to the first node N1 of the driving transistor DRT. .
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. The storage capacitor Cst may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 스토리지 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다. This storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor (eg, Cgs, Cgd) which is an internal capacitor existing between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, It is an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor (DRT).
제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압(Vref: Reference Voltage)을 공급하는 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가 받아 제어될 수 있다. The second transistor T2 is electrically connected between the second node N2 of the driving transistor DRT and a reference voltage line RVL supplying a reference voltage Vref, and a gate node It may be controlled by receiving a sensing signal SENSE, which is a kind of raw scan signal.
제2 트랜지스터(T2)는 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상태를 효과적으로 제어해줄 수 있다. The second transistor T2 may effectively control the voltage state of the second node N2 of the driving transistor DRT in the subpixel SP.
제2 트랜지스터(T2)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가해준다. The second transistor T2 is turned on by the sensing signal SENSE to apply the reference voltage Vref supplied through the reference voltage line RVL to the second node N2 of the driving transistor DRT.
또한, 제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 대한 전압 센싱 경로 중 하나로 활용될 수 있다. Also, the second transistor T2 may be used as one of the voltage sensing paths for the second node N2 of the driving transistor DRT.
한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다. Meanwhile, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines.
경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.In some cases, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line.
한편 서브픽셀(210)의 온도를 센싱 및 제어하기 위한 구성요소들을 살펴보면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀의 온도를 감지하기 위하여 전압 센싱을 통해 센싱값을 생성하여 출력하는 센싱부(220)와, 센싱값을 이용하여 각 서브픽셀에 대한 온도 또는 온도 변화를 판별하고, 이를 토대로, 서브픽셀에 대한 휘도를 가변함으로써, 표시패널 온도를 제어하는 온도 제어 프로세스를 수행하는 온도 제어부(230) 및 센싱값을 저장하는 메모리부(240) 등을 포함할 수 있다.Meanwhile, looking at the components for sensing and controlling the temperature of the
센싱부(220)는 적어도 하나의 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)를 포함하여 구현될 수 있다. 센싱부(220)에서 출력되는 센싱값은, 일 예로, LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 데이터 포맷으로 되어 있을 수 있다. The
각 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)는 데이터 드라이버(120)에 포함된 각 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 소스 드라이버 집적회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다.Each analog to digital converter (ADC) may be included in each source driver integrated circuit SDIC included in the
온도 제어부(230)(또는 제어 보상부)는 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤러(140)의 외부에 구비될 수도 있다. 온도 제어부(230)는 온도 제어 프로세서라고도 할 수 있다.The temperature controller 230 (or control compensation unit) may be included in the
메모리부(240)는 센싱부로부터 센싱값을 인가받아 저장한다. 일예로 메모리부(240)는 표시패널이 오프 상태에서 온 상태로 변화하는 구동 초기에 획득되는 초기 센싱값을 저장하도록 구성될 수 있다.The
그러나 메모리부(240)가 저장하는 데이터는 이에 한정되지 않는다. 일예로 메모리부(240)는 초기 센싱값을 획득하기 위해 샘플링 스위치(SAM)를 턴-온 시키는 타이밍을 온도 샘플링 타이밍 정보로서 저장할 수 있다. However, the data stored by the
여기서 온도 샘플링 타이밍 정보는 표시패널이 오프 상태에서 온 상태로 변화하는 구동 초기 이후, 유기발광표시패널이 구동되는 동안 실시간 센싱값을 획득하기 위해 이용되는 정보이다.Here, the temperature sampling timing information is information used to acquire a real-time sensing value while the organic light emitting display panel is driven after the initial driving period when the display panel is changed from an off state to an on state.
한편, 제2 트랜지스터(T2)와 센싱부(220)는 서브픽셀의 온도 제어뿐만 아니라 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상을 수행하기 위해서 이용될 수도 있다.Meanwhile, the second transistor T2 and the
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 경우, 각 서브픽셀(SP)의 구동 시간이 길어짐에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자에 대한 열화(Degradation)가 진행될 수 있다. In the case of the organic light emitting
이에 따라, 유기발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DRT) 등의 회로 소자가 갖는 고유한 특성치가 변할 수 있다. 여기서, 회로 소자의 고유 특성치는, 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 등을 포함할 수 있다. Accordingly, unique characteristic values of circuit elements such as organic light emitting diodes (OLED) and driving transistors (DRT) may change. Here, the intrinsic characteristic value of the circuit element may include a threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED), a threshold voltage of the driving transistor (DRT), mobility of the driving transistor (DRT), and the like.
회로 소자의 특성치 변화는 해당 서브픽셀의 휘도 변화를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자의 특성치 변화는 서브픽셀의 휘도 변화와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. A change in a characteristic value of a circuit element may cause a change in luminance of a corresponding sub-pixel. Accordingly, the change in the characteristic value of the circuit element can be used in the same concept as the change in the luminance of the sub-pixel.
또한, 회로 소자 간의 특성치 변화의 정도는 각 회로 소자의 열화 정도의 차이에 따라 서로 다를 수 있다. In addition, the degree of change in the characteristic value between the circuit elements may be different from each other according to the difference in the degree of deterioration of each circuit element.
이러한 회로 소자 간의 특성치 변화 정도의 차이는, 회로 소자 간 특성치 편차가 발생시켜, 서브픽셀 간의 휘도 편차를 야기할 수 있다. 따라서, 회로 소자 간의 특성치 편차는 서브픽셀 간의 휘도 편차와 동일한 개념으로 사용될 수 있다. The difference in the degree of change in the characteristic value between the circuit elements may cause a deviation in the characteristic value between the circuit elements, which may cause a luminance deviation between sub-pixels. Accordingly, the characteristic value deviation between circuit elements may be used as the same concept as the luminance deviation between sub-pixels.
회로 소자의 특성치 변화(서브픽셀의 휘도 변화)와 회로 소자 간 특성치 편차(서브픽셀 간 휘도 편차)는, 서브픽셀의 휘도 표현력에 대한 정확도를 떨어뜨리거나 화면 이상 현상을 발생시키는 등의 문제를 발생시킬 수 있다. Changes in the characteristic values of circuit elements (change in sub-pixel luminance) and deviations in characteristic values between circuit elements (luminance deviation between sub-pixels) cause problems such as lowering the accuracy of sub-pixel luminance expression or causing screen abnormalities. can do it
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 서브픽셀에 대한 온도와 특성치를 센싱하는 센싱 기능과, 센싱 결과를 이용하여 서브픽셀의 온도를 제어하고 특성치를 보상해주는 보상 기능을 제공할 수 있다.The organic light emitting
도시하지 않았으나, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100) 는 서브픽셀 간의 특성치 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부를 더 포함할 수 있다.Although not shown, the organic light emitting
보상부가 더 포함되는 경우, 온도 제어부(230)는 보상부와 통합되어 수행하는 제어 보상부로 구성될 수 있다. 즉 도 2에 도시된 온도 제어부(230)는 온도 제어와 서브픽셀 간의 특성치 편차 보상을 모두 수행하는 제어 보상부로 대체될 수 있다.When a compensator is further included, the
본 명세서에서, 서브픽셀에 대한 온도를 센싱한다는 것은, 서브픽셀 내 회로소자(구동 트랜지스터(DRT), 제2 트랜지스터(T2), 유기발광다이오드(OLED))의 온도에 따른 특성 변화를 센싱한다는 것을 의미할 수 있다. 특히 표시패널(110)의 구동 초기 온도에서의 특성을 기준으로 상대적인 특성 변화를 센싱한다는 것을 의미할 수 있다.In this specification, sensing the temperature of the sub-pixel means sensing the characteristic change according to the temperature of the circuit elements (the driving transistor DRT, the second transistor T2, and the organic light emitting diode (OLED)) in the sub-pixel. can mean In particular, it may mean sensing a relative characteristic change based on the characteristic at the initial driving temperature of the
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는, 기준 전압 라인(RVL)에 기준 전압(Vref)이 인가되는 여부를 제어해주는 초기화 스위치(SPRE)와, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(220) 간의 연결 여부를 제어해주는 샘플링 스위치(SAM)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2 , the organic light emitting
초기화 스위치(SPRE)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되도록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 인가 상태를 제어하기 위한 스위치이다. The initialization switch SPRE is configured such that the second node N2 of the driving transistor DRT in the subpixel SP enters a voltage state that reflects a desired characteristic value of the circuit element. ) is a switch to control the voltage application state.
초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준 전압(Vref)이 기준전압 라인(RVL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 인가될 수 있다. When the initialization switch SPRE is turned on, the reference voltage Vref is supplied to the reference voltage line RVL through the turned-on second transistor T2 to the second node N2 of the driving transistor DRT. ) can be approved.
샘플링 스위치(SAM)는, 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(220)를 전기적으로 연결해준다. The sampling switch SAM is turned on to electrically connect the reference voltage line RVL and the
샘플링 스위치(SAM)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되었을 때, 턴-온 되도록, 온-오프 타이밍이 제어된다.The sampling switch SAM has an on-off timing such that it is turned on when the second node N2 of the driving transistor DRT in the subpixel SP reaches a voltage state that reflects the desired characteristic value of the circuit element. Controlled.
일예로 본 발명에서 샘플링 스위치(SAM)는 온도 센싱 구동 시에 메모리부(240)에 저장된 온도 샘플링 타이밍 정보에 따라 온-오프 타이밍이 제어될 수 있다.For example, in the present invention, the on-off timing of the sampling switch SAM may be controlled according to the temperature sampling timing information stored in the
샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 센싱부(220)는 연결된 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 수 있다. When the sampling switch SAM is turned on, the
센싱부(220)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있는 경우, 센싱부(220)에 의해 센싱되는 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압에 해당할 수 있다.When the
기준 전압 라인(RVL) 상에 라인 캐패시터가 존재한다면, 센싱부(220)에 의해 센싱되는 전압은, 기준 전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압일 수도 있다. 여기서, 기준 전압 라인(RVL)은 센싱 라인이라고도 한다. If a line capacitor exists on the reference voltage line RVL, the voltage sensed by the
일 예로, 센싱부(220)에 의해 센싱되는 전압은, 온도에 따라 가변되는 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED) 사이의 저항비를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다.For example, the voltage sensed by the
또한, 센싱부(220)에 의해 센싱되는 전압은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압(Vth) 또는 문턱전압 편차(ΔVth)을 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth, 여기서, Vdata는 센싱 구동용 데이터 전압임)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다.In addition, the voltage sensed by the
한편, 기준전압 라인(RVL)은, 일 예로, 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다. Meanwhile, as an example, one reference voltage line RVL may be disposed in each subpixel column, or may be disposed in each of two or more subpixel columns.
예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 기준전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다.For example, if one pixel consists of 4 sub-pixels (red sub-pixel, white sub-pixel, green sub-pixel, and blue sub-pixel), the reference voltage line RVL has 4 sub-pixel columns (red sub-pixel column). , one for each pixel column including a white subpixel column, a green subpixel column, and a blue subpixel column).
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 온도 제어와 서브픽셀 간의 특성치 편차 보상을 모두 수행할 수 있도록 구성될 수 있다.The organic light emitting
아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동, 이동도 센싱 구동 및 서브픽셀의 온도 센싱 구동에 대하여 간략하게 설명한다.Hereinafter, the threshold voltage sensing driving of the driving transistor DRT, the mobility sensing driving, and the temperature sensing driving of the subpixel will be briefly described.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 3 is a diagram for explaining a threshold voltage sensing driving method for the driving transistor DRT of the organic light emitting
구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱전압 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다. The threshold voltage sensing driving of the driving transistor DRT may be performed through a sensing process including an initialization step, a tracking step, and a sampling step.
초기화 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다. The initialization step is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 초기화 단계에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다. In this initialization step, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the initialization switch SPRE is turned on.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은, 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref).Accordingly, each of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT is initialized to the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref (V1 = Vdata, V2). =Vref).
이때, 저전위전압(EVSS)은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압이 되도록 하는 전압일 수 있다. 또는 문턱전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref) 중 적어도 하나가 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압이 되도록 하는 전압일 수 있다.In this case, the low potential voltage EVSS may be a voltage such that a voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED is lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED. Alternatively, at least one of the threshold voltage sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref has a voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED) that is lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED). It may be a voltage that makes it possible.
즉 유기발광다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 보다 낮기 때문에 유기발광다이오드(OLED)는 발광하지 않는다.That is, the organic light emitting diode (OLED) does not emit light because the voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode is lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED).
따라서 문턱전압 센싱 구동 시에는 도 3에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 반영되지 않는다.Accordingly, as shown in FIG. 3 , the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) are not reflected when the threshold voltage sensing operation is performed.
트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다. In the tracking step, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT is reached until the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT reaches a threshold voltage or a voltage state reflecting the change thereof. is a step to change
즉, 트래킹 단계는, 문턱전압 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다. That is, the tracking step is a step of tracking the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT capable of reflecting the threshold voltage or its change.
이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다. In this tracking step, the initialization switch SPRE is turned off or the second transistor T2 is turned off, so that the second node N2 of the driving transistor DRT is floated.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승한다. Accordingly, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT increases.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 포화하게 된다. The voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises and then gradually decreases and becomes saturated.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압(Vth)의 차이 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱전압 편차(ΔVth)의 차이에 해당할 수 있다. The saturated voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT may correspond to the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth or the difference between the data voltage Vdata and the threshold voltage deviation ΔVth. .
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 포화되면, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. When the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT is saturated, a sampling operation may be performed.
샘플링 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 또는 그 변화를 반영하는 전압을 측정하는 단계로서, 센싱부(220)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 센싱하는 단계이다. The sampling step is a step of measuring the threshold voltage of the driving transistor DRT or a voltage reflecting the change, and the
이러한 샘플링 단계에서, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(220)는 기준 전압 라인(RVL)과 연결되어, 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다. In this sampling step, the sampling switch SAM is turned on, and the
센싱부(220)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱전압 편차(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다. 여기서, Vth는 포지티브 문턱전압 또는 네거티브 문턱전압일 수 있다.The voltage Vsen sensed by the
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a diagram for explaining a mobility sensing driving method for a driving transistor DRT of the organic light emitting
구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.The mobility sensing driving of the driving transistor DRT may be performed through a sensing process including an initialization step, a tracking step, and a sampling step.
초기화 단계는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다. The initialization step is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 초기화 단계에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다.In this initialization step, the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on, and the initialization switch SPRE is turned on.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref).Accordingly, each of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT is initialized to the mobility sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref (V1 = Vdata, V2 = Vref).
문턱 전압 센싱 구동 시와 마찬가지로, 이동도 센싱 구동시에도 저전위전압(EVSS), 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref) 중 적어도 하나는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 낮은 전압이 되도록 하는 전압일 수 있다.Similarly to the threshold voltage sensing driving, at least one of the low potential voltage EVSS, the mobility sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref is the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED) even during the mobility sensing driving operation. It may be a voltage such that a voltage difference between the voltage and the cathode electrode is lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED).
따라서 이동도 센싱 구동 시에도 도 4에 도시된 바와 같이, 유기발광다이오드(OLED)는 발광하지 않으므로, 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 반영되지 않는다.Therefore, even when the mobility sensing is driven, as shown in FIG. 4 , the organic light emitting diode (OLED) does not emit light, and thus the characteristics of the organic light emitting diode (OLED) are not reflected.
트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 이동도 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다. In the tracking step, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT is reached until the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT becomes a voltage state reflecting the mobility or its change. is a step to change
즉, 트래킹 단계는, 이동도 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다.That is, the tracking step is a step of tracking the voltage of the second node N2 of the driving transistor DRT that can reflect mobility or its change.
이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프되거나 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅 된다. 이때, 제1 트랜지스터(T1)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)도 함께 플로팅 될 수 있다. In this tracking step, the initialization switch SPRE is turned off or the second transistor T2 is turned off, so that the second node N2 of the driving transistor DRT is floated. At this time, the first transistor T1 may be turned off, and the first node N1 of the driving transistor DRT may also be floated.
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승하기 시작한다. Accordingly, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT starts to rise.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(즉, 이동도)에 따라 달라진다. A rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT depends on the current capability (ie, mobility) of the driving transistor DRT.
전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일 수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 더욱 가파르게 상승한다. As the driving transistor DRT has a large current capability (mobility), the voltage V2 at the second node N2 of the driving transistor DRT rises more steeply.
트래킹 단계가 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 상승한 이후, 샘플링 단계가 진행될 수 있다. After the tracking step is performed for a predetermined time Δt, that is, after the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT rises for a predetermined predetermined time Δt, the sampling step may be performed.
트래킹 단계 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는, 일정 시간(Δt) 동안의 전압 변화량(ΔV)에 해당한다. During the tracking step, the rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the voltage change amount ΔV for a predetermined time Δt.
샘플링 단계에서는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(220)와 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다. In the sampling step, the sampling switch SAM is turned on, and the
이에 따라, 센싱부(220)는 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다. Accordingly, the
센싱부(220)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 초기화 전압(Vref)에서 일정 시간(Δt) 동안 전압 변화량(ΔV)만큼 상승된 전압으로서, 이동도에 대응되는 전압이다. The voltage Vsen sensed by the
도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀에 대한 온도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.5 and 6 are diagrams for explaining a temperature sensing driving method for a sub-pixel of the organic light emitting
서브픽셀에 대한 온도 센싱 구동은 초기화 단계(S1), 안정화 단계(S2), 트래킹 단계(S3) 및 샘플링 단계(S4)를 포함하는 온도 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.The temperature sensing driving of the subpixel may be performed as a temperature sensing process including an initialization step S1 , a stabilization step S2 , a tracking step S3 , and a sampling step S4 .
초기화 단계(S1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화시키는 단계이다. The initialization step S1 is a step of initializing the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.
이러한 초기화 단계(S1)에서는, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)에 응답하여, 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 된다.In the initialization step S1 , the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on in response to the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE, and the initialization switch SPRE is turned- come on
이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화된다(V1=Vdata, V2=Vref). 즉 스토리지 캐패시터(Cst)에 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref) 사이의 전압차에 대응하는 전압이 저장될 수 있다.Accordingly, each of the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT is initialized to the sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref (V1 = Vdata, V2 = Vref). . That is, a voltage corresponding to a voltage difference between the sensing driving data voltage Vdata and the reference voltage Vref may be stored in the storage capacitor Cst.
다만, 문턱 전압 센싱 구동이나 이동도 센싱 구동 시와 달리 온도 센싱 구동 시에는 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 높은 전압이 되도록 저전위전압(EVSS), 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata) 및 기준 전압(Vref) 중 적어도 하나가 조절될 수 있다.However, unlike the threshold voltage sensing driving or mobility sensing driving, in the temperature sensing driving, the voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED) is lowered to be higher than the threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED). At least one of the potential voltage EVSS, the sensing driving data voltage Vdata, and the reference voltage Vref may be adjusted.
일예로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압 센싱 구동이나 이동도 센싱 구동 시, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)은 유기발광다이오드(OLED)가 턴온되지 않도록 4V로 인가되는 반면, 온도 센싱 구동 시 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)은 유기발광다이오드(OLED)가 턴-온되도록 6V로 인가될 수 있다.For example, during threshold voltage sensing driving or mobility sensing driving of the driving transistor DRT, the sensing driving data voltage Vdata is applied to 4V so that the organic light emitting diode (OLED) is not turned on, while sensing driving during temperature sensing driving The data voltage Vdata may be applied to 6V so that the organic light emitting diode OLED is turned on.
따라서 도 5에 도시된 온도 센싱 구동 시에는, 도 3 및 도 4에서와 달리 유기발광다이오드(OLED)가 회로에 반영된다.Therefore, in the temperature sensing driving shown in FIG. 5 , unlike in FIGS. 3 and 4 , the organic light emitting diode (OLED) is reflected in the circuit.
그러나 초기화 단계에서는 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2))은 기준 전압(Vref) 레벨로 초기화되므로, 기준 전압(Vref)의 전압 레벨에 따라 유기발광다이오드(OLED)는 턴 온되지 않을 수 있다.However, in the initialization step, since the first electrode (the second node N2 of the driving transistor DRT) of the organic light emitting diode OLED is initialized to the level of the reference voltage Vref, the organic light emitting diode OLED is induced according to the voltage level of the reference voltage Vref. The light emitting diode OLED may not be turned on.
안정화 단계(S2)는, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2))의 전압이 유기발광다이오드(OLED)의 문턱값에 대응하는전압 상태가 되도록, 2차 초기화 시키는 단계이다.In the stabilization step S2, the organic light emitting diode OLED has a voltage state corresponding to the threshold value of the organic light emitting diode OLED such that the voltage of the first electrode (the second node N2 of the driving transistor DRT) becomes a voltage state. , is the second initialization step.
안정화 단계(S2)에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프되고, 제1 트랜지스터(T1)와 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 된다.In the stabilization step S2 , the initialization switch SPRE is turned off, and the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned off.
이에 초기화 단계(S1)에서 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된 전압에 의해, 안정화 단계(S2)에서 구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광다이오드(OLED)로 구동 전류를 공급한다. 이에 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극의 전압차이가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압보다 높은 전압 상태가 되어, 유기발광다이오드(OLED)가 턴 온된다. 그리고 안정화 단계(S2)에서 유기발광다이오드(OLED)의 제1전극의 전압은 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 레벨까지 하강한다.Accordingly, by the voltage stored in the storage capacitor Cst in the initialization step S1 , the driving transistor DRT supplies a driving current to the organic light emitting diode OLED in the stabilization step S2 . Accordingly, a voltage difference between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED) becomes a voltage higher than the threshold voltage of the organic light emitting diode (OLED), and the organic light emitting diode (OLED) is turned on. And in the stabilization step S2, the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode (OLED) drops to the threshold voltage level of the organic light emitting diode (OLED).
유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 레벨까지 하강한 이후, 트래킹 단계(S3)가 진행될 수 있다.After dropping to the threshold voltage level of the organic light emitting diode (OLED), the tracking step (S3) may proceed.
트래킹 단계(S3)에서는 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 다시 턴-온 되는 반면, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 상태를 유지한다.In the tracking step S3 , the first transistor T1 and the second transistor T2 are turned on again, while the initialization switch SPRE maintains a turned-off state.
제1 트랜지스터(T1)가 턴-온되어 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로, 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)가 인가됨에 따라, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극으로 구동 전류를 공급한다. 따라서 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)이 상승하고, 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 구동되어 발광한다.As the first transistor T1 is turned on and the sensing driving data voltage Vdata is applied to the first node N1 of the driving transistor DRT, the organic light emitting diode OLED is driven as the first electrode. supply current. Accordingly, in the organic light emitting diode OLED, the voltage V2 of the first electrode increases, and the organic light emitting diode OLED is driven by the driving current to emit light.
이때 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)의 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)의 온도 특성에 따라 달라진다.In this case, in the organic light emitting diode (OLED), the rising speed of the voltage V2 of the first electrode varies depending on the temperature characteristics of the driving transistor (DRT) and the organic light emitting diode (OLED).
구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)는 온도에 따라 전송하는 전류량이 서로 상이하게 가변될 수 있다. 즉 구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)는 온도에 따라 저항값이 가변되는 저항 소자로서 해석될 수 있다.The amount of current transmitted between the driving transistor DRT and the organic light emitting diode OLED may be different from each other according to temperature. That is, the driving transistor DRT and the organic light emitting diode OLED may be interpreted as resistance elements whose resistance value varies according to temperature.
따라서 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)이 동일한 전압 레벨로 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드로 인가되어도, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는 현재 온도에서 구동 트랜지스터(DRT)와 유기발광다이오드(OLED)의 저항값의 저항 비에 대응하여 달라진다.Therefore, even when the sensing driving data voltage Vdata is applied to the first node of the driving transistor DRT at the same voltage level, the rate of increase of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT is the current temperature. in the driving transistor (DRT) and the organic light emitting diode (OLED) is changed according to the resistance ratio of the resistance value.
센싱되는 서브픽셀의 온도가 높을수록, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)은 더욱 가파르게 상승한다. As the temperature of the sensed sub-pixel increases, the voltage V2 of the first electrode of the organic light emitting diode OLED rises more steeply.
트래킹 단계(S3)가 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 즉, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)이 일정 시간(Δt)동안 상승한 이후, 샘플링 단계(S4)가 진행될 수 있다. After the tracking step S3 proceeds for a predetermined time Δt, that is, after the voltage V2 of the first electrode of the OLED rises for a predetermined time Δt, the sampling step S4 is performed can proceed.
트래킹 단계(S3) 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는, 일정 시간(Δt) 동안의 전압 변화량(ΔV)에 해당한다. During the tracking step S3 , the rising speed of the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT corresponds to the voltage change amount ΔV for a predetermined time Δt.
샘플링 단계(S4)에서는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(220)와 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다.In the sampling step S4 , the sampling switch SAM is turned on, and the
이에 따라, 센싱부(220)는 기준 전압 라인(RVL)의 전압, 즉, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극의 전압(V2)을 센싱한다. Accordingly, the
센싱부(220)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 초기화 전압(Vref)에서 일정 시간(Δt) 동안 전압 변화량(ΔV)만큼 상승된 전압으로서, 서브픽셀의 온도에 대응되는 전압이다.The voltage Vsen sensed by the
도 3 내지 도 6을 참조하여 전술한 바와 같은 온도 센싱 구동, 문턱전압 센싱 구동 또는 이동도 센싱 구동에 따라 센싱부(220)는 온도 센싱, 문턱전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값(센싱 값)을 포함하는 센싱값을 생성하여 출력한다. According to the temperature sensing driving, the threshold voltage sensing driving, or the mobility sensing driving as described above with reference to FIGS. 3 to 6 , the
도 6에서는 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)가 동일한 게이트 신호로 가정하였다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.In FIG. 6 , it is assumed that the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE are the same gate signal. In this case, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be commonly applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through the same gate line.
그러나 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다.However, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be separate gate signals. In this case, the scan signal SCAN and the sensing signal SENSE may be respectively applied to the gate node of the first transistor T1 and the gate node of the second transistor T2 through different gate lines.
한편 센싱부(220)에서 출력된 센싱값은 온도 제어부(230) 또는 보상부로 제공될 수 있다. 경우에 따라서 센싱값은 메모리부(240)를 통해 온도 제어부(230) 또는 보상부로 제공될 수도 있다. Meanwhile, the sensed value output from the
온도 제어부(230)는 센싱부(220)에서 제공된 센싱값을 토대로 해당 서브픽셀의 온도 또는 온도 변화를 파악하고, 온도 제어 프로세스를 수행할 수 있다.The
여기서, 서브픽셀의 온도 변화는 이전 센싱값을 기준으로 현재 센싱값이 변화된 것을 의미하거나, 초기 센싱값을 기준으로 현재 센싱값이 변화된 것을 의미할 수도 있다.Here, the temperature change of the sub-pixel may mean that the current sensed value is changed based on the previous sensed value or that the current sensed value is changed based on the initial sensed value.
여기서 초기 센싱값은 유기발광표시장치 제조 시에 설정되어 저장된 초기 설정값일 수 있으며, 유기발광표시장치 구동 초기에 설정되어 저장된 구동 초기 설정값일 수도 있다. Here, the initial sensing value may be an initial setting value set and stored during manufacturing of the organic light emitting display device, or may be an initial driving setting value set and stored at the initial stage of driving the organic light emitting display device.
온도 제어 프로세스는 유기발광표시패널의 온도를 낮추기 위한, 휘도 제어값을 설정하고, 설정된 휘도 제어값을 메모리부(240)에 저장하거나, 휘도 제어값으로 해당 영상데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다. The temperature control process is a process of setting a luminance control value for lowering the temperature of the organic light emitting display panel, storing the set luminance control value in the
온도 제어부(230)는 온도 제어 프로세스를 통해 영상데이터(Data)를 변경하여, 변경된 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급해줄 수 있다. The
이에 따라, 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)는, 온도 제어부(230)에서 변경된 영상데이터를 디지털 아날로그 컨버터(DAC: Digital to Analog Converter)를 통해 데이터 전압으로 변환하여 해당 서브픽셀로 공급해줌으로써, 서브픽셀의 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 휘도를 낮추게 되고, 결과적으로 해당 서브픽셀의 온도가 하강하게 된다.Accordingly, the corresponding source driver integrated circuit SDIC converts the image data changed by the
따라서 온도에 의한 유기발광다이오드(OLED)의 특성 변화를 억제할 수 있으며, 유기발광표시장치(100)의 화질 및 수명을 개선할 수 있다.Accordingly, a change in characteristics of the organic light emitting diode (OLED) due to temperature can be suppressed, and the image quality and lifespan of the organic light emitting
여기서 기준전압 라인(RVL)이 서브픽셀 열마다 1개씩 배치된 경우, 센싱부(220)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL) 상의 다수개의 픽셀 각각에서 특정 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 센싱한다.Here, when one reference voltage line RVL is disposed in each sub-pixel column, the
예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 센싱부(220)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL) 상에서 지정된 순서에 따라 다수개의 적색 서브 픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 기준전압 라인(RVL)을 통해 인가받아 센싱할 수 있다. 그리고 이후 순차적으로 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀의 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 기준전압 라인(RVL)을 통해 인가받아 센싱할 수 있다.For example, when one pixel includes four sub-pixels (a red sub-pixel, a white sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel), the
그러나 기준전압 라인(RVL)이 각 픽셀을 구성하는 서브픽셀의 개수에 대응하여 서브픽셀 열마다 4개씩 배치되어 있다면, 센싱부(220)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 게이트 라인(GL)의 모든 서브픽셀에 대한 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 한번에 센싱할 수 있다.However, if four reference voltage lines RVL are arranged in each sub-pixel column corresponding to the number of sub-pixels constituting each pixel, the
즉 센싱부(220)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 구동되는 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 1개의 픽셀을 구성하는 서브픽셀의 개수와 대응하는 기준전압 라인(RVL)의 개수에 따라 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 다수 횟수 센싱을 수행할 수 있다. 따라서 센싱부(220)로부터 센싱값을 인가받아 휘도 제어값을 설정하는 온도 제어부(230) 또한 하나의 게이트 라인(GL)에 대해 다수 휘도 제어값을 연산할 수 있다. That is, the
또한 센싱부(220)는 컨트롤러(140)의 제어에 따라 일부 라인만을 온도 센싱할 수도 있다. 일예로 센싱부(220)는 특정 색상의 서브픽셀만을 온도 센싱할 수도 있다.Also, the
예를 들어, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 센싱부(220)는 2개의 색상에 대한 서브픽셀(예를 들면, 적색 서브픽셀과 청색 서브픽셀)에 대해서만 온도 센싱을 수행하여 온도 센싱 시간을 줄일 수 있다.For example, when one pixel is composed of four sub-pixels (a red sub-pixel, a white sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel), the
여기서 2개의 색상에 대한 서브픽셀에 대해서 온도 센싱을 수행하는 것은, 단일 색상에 대한 서브픽셀만을 온도 센싱하는 경우 발생할 수 있는 오류를 방지하기 위해서이다. 이때 고온에 취약한 색상에 대한 서브픽셀(예를 들면, 적색 서브픽셀과 청색 서브픽셀)에 대해 온도 센싱을 수행할 수 있다. 그러나 다른 색상에 대한 서브픽셀에 대해 온도 센싱을 수행할 수도 있다.Here, temperature sensing is performed on subpixels for two colors to prevent errors that may occur when temperature sensing only subpixels for a single color. In this case, temperature sensing may be performed on sub-pixels (eg, red sub-pixels and blue sub-pixels) for colors vulnerable to high temperatures. However, it is also possible to perform temperature sensing on subpixels for other colors.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)의 센싱 타이밍을 나타낸 다이어그램이다. 7 is a diagram illustrating a sensing timing of the organic light emitting
도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 파워 온 신호(Power On Signal)가 발생하면, 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀의 온도 및 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "온-센싱 프로세스(On-Sensing Process) "라고 한다. Referring to FIG. 7 , in the organic light emitting
또한, 파워 오프 신호(Power Off Signal)가 발생하면, 전원 차단 등의 오프 시퀀스(Off-Sequence)가 진행되기 이전에, 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀의 온도 및 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수도 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process) "라고 한다.In addition, when a power off signal is generated, the temperature of each sub-pixel disposed on the
또한, 파워 온 신호가 발생한 이후 파워 오프 신호가 발생되기 전까지, 디스플레이 구동 중에서 블랭크(Blank) 시간 마다 표시패널(110)에 배치된 각 서브픽셀의 온도 및 서브픽셀 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치를 센싱할 수도 있다. 이러한 센싱 프로세스를 "실시간 센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)" 라고 한다.In addition, after the power-on signal is generated and before the power-off signal is generated, the temperature of each sub-pixel disposed on the
이러한 실시간 센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)은, 수직 동기 신호(Vsync)를 기준으로 액티브 시간(Active Time) 사이의 블랭크 시간(Blank Time) 마다 진행될 수 있다. The real-time sensing process may be performed for each blank time between active times based on the vertical synchronization signal Vsync.
서브픽셀의 온도 센싱 및 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 짧은 시간만이 필요하기 때문에, 파워 온 신호가 발생한 이후에 디스플레이 구동이 시작하기 이전에 진행될 수도 있고, 파워 오프 신호가 발생한 이후에 디스플레이 구동이 되지 않을 때 수행될 수 있다. Since the temperature sensing of the sub-pixel and the sensing of the mobility of the driving transistor DRT need only a short time, the display may be performed after the power-on signal is generated before the display driving starts, or after the power-off signal is generated. It can be performed when it is not running.
또한 서브픽셀의 온도 센싱 및 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 디스플레이 구동 중에도 짧은 블랭크 시간을 활용하여 실시간으로 진행될 수 있다. In addition, the temperature sensing of the sub-pixel and the sensing of the mobility of the driving transistor (DRT) may be performed in real time by using a short blank time while the display is being driven.
즉, 서브픽셀의 온도 센싱 및 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 파워 온 신호가 발생하여 디스플레이 구동이 시작하기 이전에 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process)로 진행될 수도 있고, 파워 오프 신호가 발생하여 디스플레이 구동이 진행되지 않는 구간 동안 오프-센싱 프로세스(Off-Sensing Process)로 진행될 수도 있으며, 디스플레이 구동 중에 짧은 블랭크 시간 마다 실시간-센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)로 진행될 수 있다.That is, the temperature sensing of the sub-pixel and the sensing of the mobility of the driving transistor DRT may be performed as an on-sensing process before a power-on signal is generated and the display starts driving, and the power-off signal is During the period during which the display is not driven due to the occurrence of the display, the off-sensing process may be performed, or the real-time sensing process may be performed for every short blank time during display driving.
실시간-센싱 프로세스 중 서브픽셀의 온도 센싱 및 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱은 블랭크 시간 마다 교대로 진행될 수도 있으며, 미리 지정된 순차에 따라 진행될 수도 있다.During the real-time sensing process, the sensing of the temperature of the sub-pixel and the sensing of the mobility of the driving transistor DRT may be alternately performed every blank time or may be performed according to a predetermined sequence.
이에 비해, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱(Vth Sensing)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 긴 전압 포화 시간(Vsat)이 필요하기 때문에, 서브픽셀의 온도 센싱이나 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도 센싱에 비해, 상대적으로 오랜 시간이 걸린다. In contrast, since the threshold voltage sensing Vth sensing of the driving transistor DRT requires a long voltage saturation time Vsat of the second node N2 of the driving transistor DRT, temperature sensing or driving of the sub-pixel is required. Compared to sensing the mobility of the transistor DRT, it takes a relatively long time.
이러한 점을 고려하여, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은, 사용자 시청에 방해가 되지 않는 타이밍을 활용하여 이루어져야만 한다. In consideration of this point, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT should be performed using a timing that does not interfere with the user's viewing.
따라서, 일반적으로 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱은 사용자 입력 등에 따라 파워 오프 신호(Power Off Signal)가 발생한 이후, 디스플레이 구동이 되지 않는 동안, 즉, 사용자가 시청 의사가 없는 상황에서 진행될 수 있다.Therefore, in general, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT may be performed after a power off signal is generated according to a user input, etc., while the display is not driven, that is, in a situation in which the user does not intend to watch. .
그러나 경우에 따라 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱전압 센싱도 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process) 또는 실시간-센싱 프로세스(Real-time Sensing Process)로 진행될 수도 있다.However, in some cases, the threshold voltage sensing of the driving transistor DRT may also be performed through an on-sensing process or a real-time sensing process.
도 8은 온도 센싱 구동 방식에서 온도 샘플링 타이밍을 설정하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.8 is a diagram for explaining a method of setting a temperature sampling timing in a temperature sensing driving method.
본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치(100)는 도 5에서 설명한 바와 같이, 트래킹 단계(S3)가 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되도록 구성될 수 있다. 여기서 일정 시간(Δt)을 온도 샘플링 타이밍이라 할 수 있다.As described with reference to FIG. 5 , in the organic light emitting
이 경우, 센싱부(220)에서 센싱하는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 해당 서브 픽셀에 초기 설정온도 대비 온도 변화에 대응하는 센싱값을 출력할 수 있다. 여기서 초기 설정온도는 유기발광표시장치(100)의 제조시 설정 온도일 수 있다.In this case, the voltage V2 of the second node N2 of the driving transistor DRT sensed by the
그러나 경우에 따라서, 유기발광표시장치(100)의 구동 초기 온도에 대비한 유기발광표시장치(100)의 상대 온도 변화를 분석하는 것이 더욱 필요할 수 있다.However, in some cases, it may be more necessary to analyze the relative temperature change of the organic light emitting
특히 유기발광표시장치(100)는 구동되는 동안, 대부분의 경우 온도가 상승하게 되므로, 온도 상승을 정확히 감지하는 것이 중요하다.In particular, since the temperature rises in most cases while the organic light emitting
따라서, 온도 센싱 구동 시에 획득되는 센싱값이 가능한 고온을 정확하게 반영할 수 있도록 온도 샘플링 타이밍을 설정하는 것이 필요하다.Therefore, it is necessary to set the temperature sampling timing so that the sensing value obtained during the temperature sensing operation can accurately reflect the possible high temperature.
도 8은 온도 센싱 구동 시, 센싱 시간에 따른 구동 트랜지스터(DRT)의 제2노드(N2)의 전압 변화를 나타낸 그래프이다. 온도 센싱을 위해, 센싱부(220)는 센싱된 센싱전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환된다. 8 is a graph illustrating a voltage change of the second node N2 of the driving transistor DRT according to a sensing time during temperature sensing driving. For temperature sensing, the
일예로 센싱부(220)는 m [V]에 대응되는 디지털 값(0)에서 M [V]에 대응되는 디지털 값(1023)까지의 아날로그 디지털 변환 범위(ADC Range)를 가질 수 있다.For example, the
표시패널(110)에서 모든 서브픽셀에 대한 온도 센싱값은 어떠한 분포(500)를 갖는다. 이 분포(500)는 표시패널(110)에서 모든 서브픽셀에서의 온도에 대한 분포와 대응될 수 있다.In the
이에 온도 제어부(230)는 유기발광표시장치(100)의 구동 초기에 획득되는 센싱값인 초기 센싱값에 대한 평균값 또는 분포가 미리 지정된 기준 범위(Ref_Range)에 포함되도록 온도 샘플링 타이밍을 설정할 수 있다.Accordingly, the
일예로 온도 제어부(230)는 온-센싱 프로세스(On-Sensing Process) 시에, 다수 횟수로 온도 센싱 구동을 수행하여 할 수 있다. 그리고 온도 제어부(230)는 다수 횟수의 온도 센싱 구동 시에, 트래킹 단계(S3)가 진행된 이후 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온되는 타이밍을 가변하면서, 다수의 서브 픽셀에 대한 센싱값을 획득할 수 있다.For example, the
온도 제어부(230)는 획득된 다수의 센싱값의 평균값을 계산하고, 계산된 센싱값의 평균값이 미리 지정된 기준 범위(Ref_Range)에 포함되는 온도 샘플링 타이밍을 판별할 수 있다.The
그리고 온도 제어부(230)는 센싱값의 평균값이 기준 범위(Ref_Range)에 포함되는 온도 샘플링 타이밍이 판별되면, 판별된 온도 샘플링 타이밍을 센싱값과 함께 메모리(240)에 저장할 수 있다.In addition, when it is determined that the temperature sampling timing in which the average value of the sensed values is included in the reference range Ref_Range is determined, the
다른 예로 온도 제어부(230)는 획득된 다수의 센싱값에서 기설정된 비율(예를 들면 90%) 이상의 센싱값이 기준 범위(Ref_Range)에 포함되는 온도 샘플링 타이밍을 판별하여 저장할 수도 있다.As another example, the
이때 온도 제어부(230)는 기준 범위(Ref_Range)를 센싱부(220)의 아날로그 디지털 변환 범위(ADC Range)에서 유기발광표시장치(100)의 온도 상승을 정확히 감지할 수 있도록 설정할 수 있다.In this case, the
일예로 온도 제어부(230)는 아날로그 디지털 변환 범위(ADC Range)가 디지털 값(0)에서 디지털 값(1023)까지인 경우, 기준 범위(Ref_Range)를 디지털 값(100)에서 디지털값(150)의 범위로 설정할 수 있다. 즉 온도 상승으로 인해, 센싱값의 상승 마진이 충분하도록 기준 범위(Ref_Range)를 설정할 수 있다.For example, when the analog-to-digital conversion range (ADC Range) is from the digital value (0) to the digital value (1023), the
또한 메모리(240)에는 센싱값의 평균값인 평균 센싱값이 저장될 수도 있다.Also, an average sensed value that is an average value of the sensed values may be stored in the
이는 유기발광표시장치(100)에서 온-센싱 프로세스가 수행되는 구동 초기에는 표시패널(110)의 영역별 온도차가 크지 않을 것으로 가정하여, 평균 센싱값이 모든 센싱값의 대표값으로 판단할 수 있기 때문이다.This is because it is assumed that the temperature difference for each area of the
이후, 온도 제어부(230)는 실시간-센싱 프로세스 시에, 트래킹 단계(S3) 이후 설정된 온도 샘플링 타이밍에 샘플링 스위치(SAM)를 턴-온 시킨다. 즉 온도 제어부(230)는 센싱부(220)가 온도 센싱할 때, 유기발광표시장치(100)의 구동 초기에 대비하여 시간에 의한 오차가 발생하지 않도록 한다.Thereafter, the
그리고 온도 제어부(230)는 실시간-센싱 프로세스 시에 수신되는 센싱값을 초기 센싱값(또는 평균 센싱값)과 비교하여, 변화값을 계산할 수 있다.In addition, the
즉 온도 제어부(230)는 유기발광표시장치(100)의 구동 초기의 온도를 기준으로, 구동중인 유기발광표시장치(100)의 서브픽셀의 온도 변화를 판별할 수 있다.That is, the
한편, 유기발광표시장치(100)는 파워 오프된 이후, 짧은 시간 내에 파워 온한 경우에는 구동 초기 온도 센싱을 진행하지 않을 수 있다.On the other hand, when the organic light emitting
상기한 바와 같이, 온 센싱 프로세스 시에 수행되는 구동 초기 온도 센싱은 온도 샘플링 타이밍을 설정하고, 초기 센싱값을 획득하기 위해서이다. 그러나 유기발광표시장치(100)는 파워 오프된 이후, 짧은 시간 내에 파워 온한 경우에 표시패널(110)의 다수의 서브픽셀은 이전 구동에 의한 열이 충분히 식지 않은 상태이다. 따라서 다수의 서브픽셀 사이의 온도 편차가 크게 발생할 수 있으며, 신뢰성 있는 온도 샘플링 타이밍을 획득하기 어렵다.As described above, the driving initial temperature sensing performed during the on-sensing process is to set a temperature sampling timing and obtain an initial sensed value. However, when the organic light emitting
따라서 유기발광표시장치(100)는 파워 오프된 이후, 짧은 시간 내에 파워 온한 경우에, 온도 제어부(330) 이전 저장된 온도 샘플링 타이밍과 초기 센싱값을 이용하여 온도 센싱 구동이 수행되도록 제어할 수 있다.Accordingly, when the organic light emitting
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 온도를 제어하기 위한 휘도제어방식을 설명하기 위한 도면이다.9 and 10 are diagrams for explaining a luminance control method for controlling a temperature according to embodiments of the present invention.
상기한 바와 같이, 온도 제어부(230)는 센싱값을 수신하여 표시패널(110)의 다수의 서브픽셀에 대한 온도 또는 온도 변화를 판별할 수 있다. 여기서 온도 변화는 미리 설정된 초기 센싱값에 대한 센싱값의 변화값으로 판별될 수도 있으며, 구동 초기 센싱값에 대한 센싱값의 변화값으로 판별될 수도 있다.As described above, the
도 9를 참조하면, 온도 제어부(230)는 변화값이 기설정된 기준 변화값 이상인지 판별하고, 변화값이 기준 변화값 이상이면, 유기발광표시패널의 온도를 낮추기 위한, 휘도 제어값을 설정할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the
그리고 휘도 제어값으로 해당 영상데이터(Data)를 변경하는 처리를 수행하여, 데이터를 데이터 드라이버(120) 내 해당 소스 드라이버 집적회로(SDIC)로 공급함으로써, 표시패널에서 방출되는 빛의 휘도를 낮출 수 있다. 이에 표시패널의 온도가 하강하게 된다.And by performing a process of changing the corresponding image data (Data) with the luminance control value and supplying the data to the corresponding source driver integrated circuit (SDIC) in the
이때 온도 제어부(230)는 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 변화값이 기설정된 기준 변화값 이상인 영역(HTA)을 판별하고, 해당 영역(HTA)을 휘도 저감 영역(LRA)으로 설정할 수 있다. 그리고 휘도 저감 영역(LRA)에 대해서 휘도 제어값을 설정하여 휘도 저감 영역(LRA)의 휘도만을 감소 시킬 수도 있다. 또한 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 온도 제어부(230)는 변화값이 기설정된 기준 온도변화값 이상인 영역(HTA)이 표시패널의 일부 영역인 경우에도 표시패널 전체 영역을 휘도 저감 영역(LRA)로 설정할 수 있다. 그리고 휘도 저감 영역(LRA)에 대해 휘도 제어값을 설정하여 패널 전체 영역의 휘도를 감소시킬 수도 있다.At this time, as shown in (a) of FIG. 10 , the
온도 제어부(230)가 표시패널(110)의 일부 영역에 대해서만 휘도 제어값을 설정하여, 해당 영역의 휘도만을 감소시키는 경우, 사용자가 표출되는 영상의 변화를 인지할 수 있다. 그에 비해 표시패널(110) 전체 영역에 대해 휘도를 감소시키는 경우, 상대적으로 사용자는 영상의 변화를 인지하지 못하게 된다.When the
따라서 온도 제어부(230)는 일부 영역의 변화값이 기준 변화값 이상인 경우에도 표시패널(110) 전체 영역에 대해 휘도가 감소되도록 제어할 수 있다.Accordingly, the
또한 온도 제어부(230)는 표시패널(110)의 휘도가 점차적으로 감소하도록 하여, 사용자가 휘도 변화를 더욱 인지하기 어렵게 할 수도 있다.Also, the
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치의 휘도제어방법을 나타낸다.11 illustrates a luminance control method of an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.
도 11을 참조하면, 유기발광표시장치(100)가 전원이 공급되어 파워 온된다(S810). 파워온 된 유기발광표시장치(100)는 온-센싱 프로세스를 수행하며, 이때 초기 온도 센싱을 수행할지 여부를 판별할 수 있다(S815). 이때 컨트롤러(140)의 온도 제어부(230)는 제조시에 설정된 초기 센싱값과 온도 샘플링 타이밍을 이용할지, 구동 초기의 센싱값과 온도 샘플링 타이밍을 이용할지 여부에 따라 초기 온도 센싱을 수행할지 여부를 판별할 수 있다. 또한 온도 제어부(230)는 이전 파워 오프된 이후, 파워 온 될 때까지의 시간에 따라 초기 온도 센싱을 수행할지 여부를 판별할 수 있다.Referring to FIG. 11 , the organic light emitting
만일 초기 온도 센싱을 수행하는 것으로 판별되면, 온도 제어부(230)는 온-센싱 프로세스 시에 온도 센싱 구동을 수행하여, 초기 센싱값 및 온도 샘플링 타이밍 정보 획득할 수 있다(S820). 여기서 온도 제어부(230)는 다수 횟수로 온도 센싱 구동을 수행할 수 있다. 온도 제어부(230)는 초기 센싱값의 평균값 또는 기설정된 비율(예를 들면 90%) 이상의 센싱값이 기준 범위(Ref_Range)에 포함되는 온도 샘플링 타이밍을 획득할 수 있다. 그리고 온도 제어부(230)는 획득된 온도 샘플링 타이밍에서의 센싱값을 초기 센싱값으로 획득할 수 있다.If it is determined that the initial temperature sensing is performed, the
그러나 초기 온도 센싱을 수행하는 것으로 판별되면, 온도 제어부(230)는 메모리(240)에 미리 저장된 초기 센싱값 및 온도 샘플링 타이밍 정보를 수신하여 이후, 온도 센싱 구동 시에 적용한다(S825).However, if it is determined that the initial temperature sensing is performed, the
여기서 초기 센싱값 및 온도 샘플링 타이밍 정보는 제조시에 설정된 초기 센싱값과 온도 샘플링 타이밍 정보 일수 있다. 또는 이전 온-센싱 프로세스 시에 획득된 구동 초기의 센싱값과 온도 샘플링 타이밍 정보일 수 있다.Here, the initial sensing value and temperature sampling timing information may be initial sensing value and temperature sampling timing information set during manufacturing. Alternatively, it may be an initial sensing value and temperature sampling timing information obtained during a previous on-sensing process.
그리고 온도 제어부(230)는 실시간-센싱 프로세스 시에 획득된 온도 샘플링 타이밍 정보를 이용하여 센싱값을 획득한다(S830).In addition, the
그리고 초기 센싱값과 실시간-센싱 프로세스 시에 획득된 센싱값을 비교하여 변화값을 계산한다(S835). 여기서 변화값은 초기 센싱값과 실시간 센싱값 사이의 차로서 계산될 수 있다.And a change value is calculated by comparing the initial sensed value with the sensed value obtained during the real-time-sensing process (S835). Here, the change value may be calculated as a difference between the initial sensed value and the real-time sensed value.
온도 제어부(230)는 계산된 변화값이 기설정된 기준 변화값 이상이지 판별한다(S840). 변화값이 기준 변화값 이상이면, 온도 제어부(230)는 휘도 저감 영역(LRA)과 휘도 제어값을 설정하여 표시 패널의 휘도를 감소시킨다(S845). 이때 온도 제어부(230)는 변화값이 기준 변화값 이상인 것으로 판별된 서브픽셀이 포함된 영역을 휘도 저감 영역(LRA)으로 설정하여 휘도를 감소 시킬 수 있다. 또한 온도 제어부(230)는 표시 패널의 전체를 휘도 저감 영역(LRA)으로 설정하여 휘도를 감소 시킬 수도 있다.The
그리고 또한 온도 제어부(230)는 휘도를 점차적으로 감소시켜, 사용자가 휘도 변화를 인지하지 못하도록 할 수도 있다.Also, the
그리고 컨트롤러(140)는 유기발광표시장치(100)가 파워 오프되는지 판별한다(S850).Then, the
만일 파워 오프되는 것으로 판별되면, 온도 제어부(230)는 초기 센싱값과 온도 샘플링 타이밍 정보를 이후 파워 온 시에 사용할 수 있도록 저장한다. 이때 초기 센싱값과 온도 샘플링 타이밍 정보는 비휘발성 메모리에 저장될 수 있다.If it is determined that the power is off, the
결과적으로 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법은, 유기발광표시패널의 각 픽셀의 온도를 센싱할 수 있다. As a result, the organic light emitting display device and the luminance control method according to the embodiments of the present invention can sense the temperature of each pixel of the organic light emitting display panel.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법은, 유기발광표시패널의 온도를 센싱하여, 유기발광표시패널의 휘도를 제어함으로써, 유기발광다이오드의 특성 변화를 억제할 수 있다.In addition, the organic light emitting display device and the luminance control method according to the embodiments of the present invention are capable of suppressing a change in characteristics of an organic light emitting diode by sensing the temperature of the organic light emitting display panel and controlling the luminance of the organic light emitting display panel. can
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법은, 별도의 온도 센서를 구비하지 않고, 유기발광표시패널의 온도를 픽셀 또는 서브픽셀 레벨에서 센싱하여, 유기발광표시패널의 온도를 전체 또는 영역별로 조절할 수 있다.In addition, the organic light emitting display device and the luminance control method according to the embodiments of the present invention sense the temperature of the organic light emitting display panel at the pixel or sub-pixel level without using a separate temperature sensor, so that the organic light emitting display panel The temperature can be adjusted for the whole or for each area.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법은, 영상데이터에 무관하게 온도에 의한 유기발광표시패널의 열화 및 잔상 발생을 억제하여, 화질 및 수명을 개선할 수 있는 유기발광표시장치 및 그 휘도제어방법을 제공할 수 있다.In addition, the organic light emitting display device and the luminance control method according to the embodiments of the present invention can improve image quality and lifespan by suppressing deterioration and afterimage generation of the organic light emitting display panel due to temperature regardless of image data. An organic light emitting display device and a luminance control method thereof can be provided.
즉 유기발광표시장치에서 표출되는 영상이 정지 영상인 경우나 동영상인 경우, 고휘도 영상이거나 저휘도 영상인지에 무관하게 온도에 따라 유기발광표시패널의 열화 및 잔상 발생을 억제할 수 있다.That is, when the image displayed on the organic light emitting diode display is a still image or a moving image, deterioration of the organic light emitting display panel and generation of an afterimage according to temperature can be suppressed regardless of whether the image is a high luminance image or a low luminance image.
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The above description and the accompanying drawings are merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can combine configurations within a range that does not depart from the essential characteristics of the present invention. , various modifications and variations such as separation, substitution and alteration will be possible. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.
100: 유기발광표시장치 210: 서브픽셀
110: 유기발광표시패널 220: 센싱부
120: 데이터 드라이버 230: 온도제어부
130: 게이트 드라이버 240: 메모리부
140: 타이밍 컨트롤러100: organic light emitting display device 210: sub-pixel
110: organic light emitting display panel 220: sensing unit
120: data driver 230: temperature control unit
130: gate driver 240: memory unit
140: timing controller
Claims (17)
상기 각 서브픽셀에 대한 센싱 구동 기간 동안 상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응하는 센싱값을 출력하는 센싱부; 및
상기 표시패널의 구동초기의 온-센싱 프로세스 시에, 상기 센싱부가 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 가변하면서 획득한 상기 센싱값의 평균값 또는 기설정된 비율 이상의 센싱값이 기준 범위에 포함되는 온도 샘플링 타이밍을 획득하여 상기 온도 샘플링 타이밍에서의 상기 센싱값을 초기 센싱값으로 설정하고, 상기 온-센싱 프로세스 이후, 실시간-센싱 프로세스 시에 상기 표시패널의 온도 변화가 클수록 변화량이 증가된 센싱값과 기설정된 상기 초기 센싱값을 비교하여, 상기 표시패널의 온도 변화에 대응하는 변화값을 획득하며, 상기 변화값에 따라 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 센싱값은,
상기 유기발광다이오드 및 상기 구동트랜지스터 각각을 통해 흐르는 전류량의 비율이 온도 변화에 따라 변화됨으로써 가변 되는 유기발광표시장치.A plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are arranged, and an organic light emitting diode and a data voltage are applied to each subpixel. A driving transistor having a first node, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied, and a storage capacitor connected between the first node and the second node of the driving transistor are disposed display panel;
a sensing unit sensing the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode during a sensing driving period for each subpixel and outputting a sensed value corresponding to the sensed voltage; and
In the on-sensing process of the initial driving of the display panel, the average value of the sensed values obtained while varying the timing at which the sensing unit senses the voltage of the first electrode or a sensing value equal to or greater than a preset ratio is included in the reference range Obtaining a temperature sampling timing, setting the sensed value at the temperature sampling timing as an initial sensed value, and after the on-sensing process, a sensing value in which the change amount increases as the temperature change of the display panel increases during the real-time sensing process and a controller configured to obtain a change value corresponding to a temperature change of the display panel by comparing the preset initial sensed value, and control luminance of an entire area or a partial area of the display panel according to the change value, ,
The sensed value is
An organic light emitting display device in which a ratio of an amount of current flowing through each of the organic light emitting diode and the driving transistor is changed according to a change in temperature.
상기 각 서브픽셀은
상기 다수의 데이터 라인 중 대응하는 데이터 라인과 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 구동 트랜지스터의 제1 노드로 데이터 전압을 공급하는 제1 트랜지스터; 및
상기 유기발광다이오드의 제1 전극과 기준 전압 라인 사이에 전기적으로 연결되는 제2 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 센싱부는
센싱된 상기 전압에 대응하는 상기 센싱값을 출력하는 아날로그 디지털 컨버터;
상기 기준 전압 라인으로 기설정된 기준 전압을 공급하는 초기화 스위치; 및
상기 기준 전압 라인을 상기 아날로그 디저털 컨버터와 전기적으로 연결하는 샘플링 스위치를 더 포함하는 유기발광표시장치.According to claim 1,
Each subpixel is
a first transistor electrically connected between a corresponding data line of the plurality of data lines and a first node of the driving transistor and supplying a data voltage to the first node of the driving transistor; and
Further comprising a second transistor electrically connected between the first electrode of the organic light emitting diode and a reference voltage line,
The sensing unit
an analog-to-digital converter outputting the sensed value corresponding to the sensed voltage;
an initialization switch for supplying a preset reference voltage to the reference voltage line; and
and a sampling switch electrically connecting the reference voltage line to the analog digital converter.
상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압은
온도에 따라 가변되는 상기 구동 트랜지스터의 저항값과 상기 유기발광다이오드의 저항값의 저항 비에 대응하는 유기발광표시장치.According to claim 1,
The voltage of the first electrode of the organic light emitting diode is
An organic light emitting diode display corresponding to a resistance ratio of a resistance value of the driving transistor and a resistance value of the organic light emitting diode that varies according to temperature.
상기 컨트롤러는
상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널 전체의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어하는 유기발광표시장치.According to claim 1,
the controller is
If the difference between the sensed value and the preset initial sensed value of the sub-pixels greater than or equal to a preset number among the plurality of sub-pixels is equal to or greater than a preset reference change value, the organic light emitting device controls the luminance to decrease the luminance of the entire display panel. display device.
상기 컨트롤러는
상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널에서 상기 기준 변화값 이상인 서브픽셀을 포함하는 영역의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어하는 유기발광표시장치.According to claim 1,
the controller is
If the difference between the sensed value and the preset initial sensed value of at least a preset number of sub-pixels among the plurality of sub-pixels is greater than or equal to a preset reference change value, in the display panel, in an area including sub-pixels equal to or greater than the reference change value An organic light emitting display device that controls luminance to decrease luminance.
상기 컨트롤러는
상기 유기발광표시장치가 파워 오프된 이후 기지정된 시간 이내에 파워 온 된 경우,
온-센싱 프로세스 시에 상기 온도 샘플링 타이밍을 다시 설정하지 않고, 상기 파워 오프 이전 저장된 온도 샘플링 타이밍 및 초기 센싱값을 유지하는 유기발광표시장치.7. The method of claim 6,
the controller is
When the organic light emitting display device is powered on within a predetermined time after being powered off,
An organic light emitting diode display for maintaining a temperature sampling timing and an initial sensing value stored before the power-off without resetting the temperature sampling timing during an on-sensing process.
상기 센싱부는
상기 컨트롤러의 제어에 따라 상기 다수의 서브픽셀 중에서 고온에 취약한 적색 서브픽셀과 청색 서브픽셀을 대상으로 센싱 전압을 측정하여, 상기 센싱값을 출력하는 유기발광표시장치.According to claim 1,
The sensing unit
An organic light emitting display device that measures a sensing voltage of a red subpixel and a blue subpixel that are vulnerable to high temperature among the plurality of subpixels under the control of the controller, and outputs the sensed value.
온-센싱 프로세스 시에, 상기 제1 전극의 전압을 센싱하는 타이밍을 가변하면서 센싱값을 획득하는 단계;
상기 센싱값의 평균값 또는 기설정된 비율 이상의 센싱값이 기준 범위에 포함되는 온도 샘플링 타이밍을 획득하는 단계;
상기 온도 샘플링 타이밍에서의 상기 센싱값을 초기 센싱값으로 설정하는 단계;
실시간-센싱 프로세스 시에, 상기 각 서브픽셀에 대한 센싱 구동 기간 동안 상기 유기발광다이오드의 제1 전극에서의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압에 대응하는 센싱값을 획득하는 단계;
상기 다수의 서브픽셀 각각에 대한 상기 센싱값과 기설정된 상기 초기 센싱값을 비교하여, 상기 표시패널의 온도 변화에 대응하는 변화값을 획득하는 단계;
상기 변화값에 따라 상기 표시패널의 전체 영역 또는 일부 영역에 대한 휘도가 낮아지도록 제어하는 단계를 포함하고,
상기 센싱값은,
상기 유기발광다이오드 및 상기 구동트랜지스터 각각을 통해 흐르는 전류량의 비율이 온도 변화에 따라 변화됨으로써 가변 되는 유기발광표시장치의 휘도 제어 방법.A plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed, a plurality of subpixels defined by the plurality of data lines and the plurality of gate lines are arranged, and an organic light emitting diode and a data voltage are applied to each subpixel. A driving transistor having a first node, a second node connected to the first electrode of the organic light emitting diode, and a third node to which a driving voltage is applied, and a storage capacitor connected between the first node and the second node of the driving transistor are disposed In the luminance control method of an organic light emitting display device including a display panel,
acquiring a sensed value while varying a timing for sensing the voltage of the first electrode during an on-sensing process;
obtaining a temperature sampling timing in which an average value of the sensed values or a sensed value equal to or greater than a preset ratio is included in a reference range;
setting the sensed value at the temperature sampling timing as an initial sensed value;
in a real-time sensing process, sensing a voltage at the first electrode of the organic light emitting diode during a sensing driving period for each subpixel, and obtaining a sensed value corresponding to the sensed voltage;
obtaining a change value corresponding to a temperature change of the display panel by comparing the sensed value of each of the plurality of subpixels with the preset initial sensed value;
controlling the luminance of an entire area or a partial area of the display panel to be lowered according to the change value;
The sensed value is
A luminance control method of an organic light emitting display device in which a ratio of an amount of current flowing through each of the organic light emitting diode and the driving transistor is changed according to a change in temperature.
상기 센싱값을 획득하는 단계는
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드 및 상기 유기발광다이오드의 제1 전극을 데이터 전압 및 기준 전압으로 각각 초기화하는 단계;
상기 유기발광다이오드의 제1 전극을 상기 유기발광다이오드의 문턱 전압에 대응하는 레벨로 하강시키는 안정화 단계;
상기 구동 트랜지스터의 제1 노드에 상기 데이터 전압을 인가하여, 턴-온되는 상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 변화시키는 트래킹 단계; 및
상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압을 센싱하는 샘플링 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.11. The method of claim 10,
The step of obtaining the sensed value is
initializing a first node of the driving transistor and a first electrode of the organic light emitting diode to a data voltage and a reference voltage, respectively;
a stabilizing step of lowering the first electrode of the organic light emitting diode to a level corresponding to a threshold voltage of the organic light emitting diode;
a tracking step of applying the data voltage to a first node of the driving transistor to change a voltage of a first electrode of the organic light emitting diode that is turned on; and
and a sampling step of sensing the voltage of the first electrode of the organic light emitting diode.
상기 유기발광다이오드의 제1 전극의 전압은
온도에 따라 변화되는 상기 구동 트랜지스터의 저항값과 상기 유기발광다이오드의 저항값의 저항 비에 대응하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.11. The method of claim 10,
The voltage of the first electrode of the organic light emitting diode is
A luminance control method of an organic light emitting diode display corresponding to a resistance ratio of the resistance value of the driving transistor and the resistance value of the organic light emitting diode that varies according to temperature.
상기 휘도가 낮아지도록 제어하는 단계는
상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널 전체의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.11. The method of claim 10,
The step of controlling the luminance to be lowered is
If the difference between the sensed value and the preset initial sensed value of the sub-pixels greater than or equal to a preset number among the plurality of sub-pixels is equal to or greater than a preset reference change value, the organic light emitting device controls the luminance to decrease the luminance of the entire display panel. A method of controlling the luminance of a display device.
상기 휘도가 낮아지도록 제어하는 단계는
상기 다수의 서브픽셀 중 기설정된 개수 이상의 서브 픽셀의 상기 센싱값과 기설정된 초기센싱값 사이의 차이가 미리 지정된 기준 변화값 이상이면, 상기 표시패널에서 상기 기준 변화값 이상인 서브픽셀을 포함하는 영역의 휘도가 낮아지도록, 휘도를 제어하는 유기발광표시장치의 휘도제어방법.
11. The method of claim 10,
The step of controlling the luminance to be lowered is
If the difference between the sensed value and the preset initial sensed value of at least a preset number of sub-pixels among the plurality of sub-pixels is greater than or equal to a preset reference change value, in the display panel, in an area including sub-pixels equal to or greater than the reference change value A luminance control method of an organic light emitting display device for controlling luminance such that luminance is lowered.
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KR20190032807A (en) | 2019-03-28 |
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